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ES2335878T3 - Led recubierto con eficacia mejorada. - Google Patents

Led recubierto con eficacia mejorada. Download PDF

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ES2335878T3
ES2335878T3 ES03751945T ES03751945T ES2335878T3 ES 2335878 T3 ES2335878 T3 ES 2335878T3 ES 03751945 T ES03751945 T ES 03751945T ES 03751945 T ES03751945 T ES 03751945T ES 2335878 T3 ES2335878 T3 ES 2335878T3
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ES
Spain
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led
lens
phosphorus
integrated circuit
light emitting
Prior art date
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Expired - Lifetime
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ES03751945T
Other languages
English (en)
Inventor
Thomas F. Soules
Stanton Weaver, Jr.
Chen-Lun Hsing Chen
Boris Kolodin
Mathew Sommers
Anan Achyut Setlur
Thomas Elliot Stecher
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Current Lighting Solutions LLC
Original Assignee
Lumination LLC
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Publication date
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Abstract

Dispositivo emisor luz que comprende: un circuito integrado de diodos emisores de luz; una lente transparente, que recubre dicho circuito integrado de diodo emisor de luz y separada del mismo; y una capa de fósforo, contenida en el interior de dicha lente o depositada sobre una superficie interior o exterior de dicha lente, caracterizado porque la zona de superficie de la capa de fósforo es por lo menos diez veces la zona de superficie expuesta del circuito integrado de diodo emisor de luz.

Description

LED recubierto con eficacia mejorada.
Antecedentes de la invención
La presente invención se refiere a un dispositivo emisor de luz, que comprende un diodo emisor de luz azul o UV o diodo láser (LED) y un fósforo excitable. Más en particular, la presente invención se refiere a un LED recubierto de fósforo, que presenta una geometría específica, dada a conocer para el recubrimiento diseñado para mejorar la eficacia del LED.
Existe actualmente un mercado para los LED para iluminación general, denominados "LED blancos". Estos "LED blancos" emiten una radiación que aparece sustancialmente blanca para quienes la perciben. El LED blanco más conocido consiste en capas de GalnN, de crecimiento epitaxial, emisoras de luz azul, sobre zafiro (alúmina monocristal) o SiC monocristal. Las pastillas de circuito integrado emisoras de luz azul están recubiertas con un fósforo que convierte parte de la radiación azul en un color complementario, por ejemplo, una emisión de color amarillo-verde. En conjunto, la emisión de luz azul y amarilla-verde genera una luz blanca, normalmente con una temperatura de color correlacionada de aproximadamente 5.000ºK y un índice de reproducción de los colores, Ra, igual a aproximadamente de 70 a 75. Existen también LED blancos que utilizan un circuito integrado emisor de UV y fósforos diseñados para convertir
la radiación de UV en luz visible. En condiciones normales, se necesitan dos o más bandas de emisión de fósforo.
Los LED recubiertos con fósforo blancos suelen presentar típicamente eficacias del paquete entre aproximadamente el 50 y el 70%. La eficacia del paquete se define como la relación de rendimiento de luz real del LED a la luz que se obtendría si toda la radiación generada escapara desde el paquete sin ser absorbida. En la invención aquí descrita en la presente memoria, se pueden obtener eficacias del paquete que se aproxima al 100%.
En la técnica anterior, los LED con recubrimiento de fósforo presentan rendimientos del paquete bastante bajos, en parte debido a que las partículas de fósforo generan una luz que es radiada igualmente en todas las direcciones. Parte de esta luz es dirigida, invariablemente, hacia el circuito integrado de LED, el substrato, el soporte y la estructura de plomo. Todos estos elementos absorben parte de esta luz. Además, debido a que los fósforos no suelen ser absorbedores perfectos de la radiación de luz azul o de UV de longitud de onda larga, parte de la radiación excitada inicial, emitida por el propio circuito integrado de LED, es también reflejada sobre los elementos estructurales antes citados. Por último, en el caso de circuitos integrados emisores de UV, con el fin de absorber toda la radiación UV y evitar su sangrado, el recubrimiento de fósforo debe ser, en condiciones normales, relativamente grueso, por lo menos con un espesor de 5 a 7 partículas. Esto aumenta todavía más la reflectancia visible del recubrimiento. La luz perdida debido a la absorción de la radiación por el circuito integrado de LED, su soporte, reflector y estructura de plomo limitarán la eficacia del paquete.
Como fue anteriormente indicado, los rendimientos típicos de los paquetes son del 50 al 70%. Por lo tanto, existe una oportunidad significativa de mejorar la eficacia de los paquetes de LED si dicha eficacia se pudiera aumentar a casi un 100%. Las lámparas fluorescentes, por ejemplo, que utilizan también recubrimientos de fósforo, presentan rendimientos próximos al 100% principalmente debido a que la luz que se genera por el recubrimiento de fósforo y es objeto de radiación en la lámpara no incide sobre cualesquiera estructuras absorbentes.
Otro importante problema que se resuelve por la presente invención es la uniformidad de la eficacia del fósforo. Los diseños actuales dan lugar a que los rendimientos de los paquetes antes citados presenten normalmente el circuito integrado emisor de luz azul o de UV montado sobre un sustrato y a continuación, colocado en un receptáculo receptor recubierto de plata. Este receptáculo es rellenado con una silicona o resina epoxídica silicónica con el polvo de fósforo embebido en su interior. Las partículas de fósforo son distribuidas, de forma aleatoria, en el lodo de silicona que, además del efecto antes citado de brillo reducido del paquete debido a la retro-dispersión de la luz, el correspondiente espesor del fósforo difiere también, en gran medida, de la geometría del recubrimiento. Esto da lugar a una separación de colores en el haz generado. Además, da lugar a diferentes colores para diferentes partes debido a los distintos modelos
de recubrimiento y espesores así como anillos de colores azul o amarillo indeseables en el modelo de emisión de LED.
El problema de la uniformidad del recubrimiento de fósforo ha sido resuelto en la patente US nº 5.959.316, en la que una capa de fósforo o fluorescente de espesor uniforme está separada de un circuito integrado de LED por un espaciador transparente. El conjunto completo se incorpora luego en una resina epoxídica de encapsulado transparente.
Las patentes US nº 2002 079506 y US nº 2001 000622 dan a conocer varias formas de realización de dispositivos emisores de luz que presentan diferentes tipos de geometrías de superficies recubiertas de fósforo.
Otro problema que se encuentra en los paquetes de LED de la técnica anterior es que la eficacia del fósforo disminuye cuando está situado en una capa sobre la parte superior, o adyacente al circuito integrado de LED. Esto se debe al calor residual de la pastilla de circuito integrado que caliente el fósforo y cambia sus características de emisión. Otro inconveniente de los paquetes de LED de la técnica anterior es que, debido al hecho de que el recubrimiento de fósforo se aplica de forma no uniforme, la cantidad de fósforo utilizada suele ser mayor que la necesaria para la conversión eficiente de la luz emitida por el circuito integrado. Las composiciones del fósforo son relativamente caras y este importe adicional aumenta, en gran medida, el coste total del LED.
Una forma de reducir al mínimo las pérdidas luminosas en los LED es asegurar que el soporte, el reflector y la estructura de plomo estén recubiertos con la mayor cantidad posible de material reflectante. La mayoría de los fabricantes aplican este procedimiento. No obstante, el circuito integrado de LED, por sí mismo, en particular en el caso de un circuito integrado con un sustrato de SiC, absorbe cantidades significativas de su propia radiación y de la radiación del fósforo. Además, otras partes de la estructura del LED, por ejemplo el soporte, son grandes absorbentes de la radiación visible y de casi - UV. De forma sorprendente, los elementos de la estructura de plomo y del reflector recubierto de plata son algo absorbentes de ambas radiaciones. Debido a esta absorción y al hecho de que una parte importante de la radiación es objeto de rebote entre el recubrimiento de fósforo y la estructura del LED, raramente se consiguen rendimientos del paquete superiores a entre 50 y el 70% incluso con las superficies recubiertas.
Un procedimiento alternativo para depositar el fósforo en la silícona es un receptáculo receptor según se utiliza en los productos de LED de LumiLED's LUXEON^{TM}. En estos diseños, el circuito integrado de LED emisor se recubren con un recubrimiento conformado delgado de fósforo. Esta disposición reduce la falta de uniformidad en el espesor del recubrimiento sobre el circuito integrado así como favorece la uniformidad de color de un LED a LED. Sin embargo, puede disminuir realmente la eficacia global del LED porque el circuito integrado y su soporte son absorbentes y más de la mitad de la radiación generada por el recubrimiento de fósforo es reflejada directamente de nuevo hacia estos componentes.
Por lo tanto, sería ventajoso para diseñar un LED recubierto de fósforo que presente una eficacia luminosa máxima aumentando el rendimiento del paquete del LED por encima del 70% y preferentemente próximo al 100%.
Además, sería deseable fabricar LED blancos de fósforo con luz azul/UV con una capa de fósforo uniforme y rendimiento cromático constante y, en el caso de circuitos integrados emisores de UV, un LED sin una cantidad significativa de fugas de radiación de UV al medio ambiente.
Asimismo, es deseable aumentar la eficacia de la conversión del fósforo aplicando un espesor de recubrimiento uniforme del fósforo y situando este revestimiento alejado del circuito integrado de LED para impedir que el calor desde el circuito integrado le sea transmitido.
Además, es deseable reducir al mínimo el desplazamiento cromático del LED, debido a fluctuaciones de la corriente. Un desplazamiento de color con las fluctuaciones de la corriente se observa, con frecuencia, en los LED recubiertos con fósforo, debido a la alta densidad del flujo de radiación sobre el fósforo, que tiende a saturar el fósforo agotando el estado base de algunos activadores. En la invención descrita en la presente memoria, al efectuar remotamente el recubrimiento del fósforo se disminuye, en gran medida, la densidad de flujo azul (W) desde el circuito integrado de LED.
Breve descripción de la invención
En un aspecto, la invención se da a conocer en la reivindicación 1.
Un procedimiento para formar un conjunto de iluminación de LED, que presenta las etapas de proporcionar un circuito integrado de LED sobre una superficie de montaje, aplicando un recubrimiento de fósforo a una lente transparente y uniendo dicha lente a dicha superficie de montaje. De este modo, la luz emitida desde dicho circuito integrado de LED se transmite a dicha lente, cuya disposición se examina en la presente memoria.
Un procedimiento para formar un conjunto de iluminación con LED, presentando las etapas de dispersar fósforo en un aglutinante y un disolvente, para formar una mezcla de fósforo, aplicar dicha mezcla de fósforo a una lente transparente, efectuar el curado de dicho aglutinante y unir dicha lente a una superficie de montaje sobre un circuito integrado de LED, es también examinado en la presente memoria.
Preferentemente, se da a conocer un recubrimiento de fósforo que circunda completamente al circuito integrado de LED y presenta un área de cobertura de por lo menos aproximadamente diez veces el área expuesta de las partes absorbentes del LED. En la mayor parte de los casos, tal como cuando el fósforo se deposita para recubrir una semiesfera o una estructura geométrica similar, dicho requisitos se cumple retirando la superficie recubierta de fósforo desde el circuito integrado en por lo menos una distancia 2 a 3 veces la longitud del lado más largo del circuito integrado y rodeando el circuito integrado, de modo que ninguna radiación pueda escapar sin incidir sobre la superficie recubierta de fósforo. La radiación generada o reflejada desde dicho recubrimiento presenta una mayor probabilidad de incidir sobre otras partes del recubrimiento en lugar de hacerlo sobre el circuito integrado, su soporte, etc. Por consiguiente, existe menos luz perdida debido a la radiación que se absorbe por estas estructuras internas del LED.
Breve descripción de los dibujos
La figura 1 es una vista en perspectiva de un conjunto de paquete de LED convencional.
La figura 2 es una vista en sección transversal de un conjunto de LED según una primera forma de realización de la presente invención.
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La figura 3 es una vista en sección transversal de un conjunto de LED según una segunda forma de realización de la presente invención.
La figura 4 es una vista en sección transversal de un conjunto de LED según una tercera forma de realización de la presente invención;
La figura 5 es una vista en sección transversal de un conjunto de LED según una cuarta forma de realización de la presente invención.
La figura 6 es una vista en sección transversal de un conjunto de LED según una quinta forma de realización de la presente invención.
La figura 7 es una vista en sección transversal de un conjunto de LED según una sexta forma de realización de la presente invención.
La figura 8 es una representación de un conjunto de LED según una forma de realización de la presente invención, que ilustra las líneas de flujo para la radiación incidente sobre sus diversas superficies.
La figura 9 es una vista en sección transversal de una lente para una fuente de LED, emisores de luz azul, que contiene un filtro de paso de banda.
La figura 10 es una vista en sección transversal de una lente para un LED de UV, que contiene múltiples filtros de paso de banda.
La figura 11 es una vista en sección transversal de una lente que contiene un conjunto matricial de micro-lentes o de macro-lentes, formado sobre la superficie exterior de la lente para controlar el ángulo de emisión así como la dirección o intensidad de la radiación emitida.
Descripción detallada de la invención
Aunque lo que se describe a continuación se refiere a las realizaciones de la presente invención relativas a LED, por conveniencia, ha de entenderse que la invención guarda relación con el uso de cualquier semiconductor emisor de luz. Haciendo referencia a la figura 1, un conjunto de LED convencionales se designa con la referencia numérica 10. Dicho conjunto de LED comprende un circuito integrado de LED 12 montada sobre una superficie inferior 14 del conjunto de LED. El circuito integrado de LED 12 emite una radiación (normalmente de UV o de luz azul en un LED de luz blanca). Una lente 18, fabricada de un material transparente, rodea al circuito integrado 12 y la superficie inferior 14. Dos hilos de plomo 20 conectan el circuito integrado 12 a una fuente de alimentación de energía eléctrica. Rellenando el espacio 22 entre la lente y el circuito integrado 12 suele disponerse una resina epoxídica u otro material transparente (no representado). En el interior de la resina epoxídica, hay una dispersión íntima de partículas de fósforo (no representadas) que absorben por lo menos una parte de la luz emitida por el circuito integrado 12 y la convierten a una longitud de onda diferente.
Aunque el rendimiento de dichos LED puede ser apropiado para algunas aplicaciones, adolecen de gran parte de los inconvenientes descritos anteriormente. Por lo tanto, las formas de realización dadas a conocer, a continuación, presentan como objetivo superar algunas de las limitaciones de los LED convencionales.
Haciendo referencia a la figura 2, se representa una vista en sección transversal de una forma de realización de la invención. En esta forma de realización, un paquete de LED se proporciona generalmente en 110 e incluye un circuito integrado de LED 112, montado sobre un substrato 114, que se monta, a su vez, en un reflector 116. Tal como aquí se utiliza, el término "reflector" se entiende que incluye no solamente cualquier superficie en la parte inferior del paquete de LED, sino también cualesquiera otras estructuras destinadas al soporte del circuito integrado de LED, por ejemplo, un disipador de calor, etc. Una lente 118, fabricada de un material transparente, rodea al circuito integrado 112, al substrato 114 y al reflector 116. De forma opcional, el espacio de relleno 122 entre la lente y el circuito integrado 112 suele ser una resina epoxídica u otro material transparente. Una capa de fósforo 124, que comprende partículas de fósforo, se aplica sobre una superficie interior o exterior de la lente 118. El recubrimiento se deposita, en una forma de realización preferida, sobre una superficie interior de la lente para impedir que el recubrimiento de fósforo se desplace al manipularlo, etc. El espesor del recubrimiento de fósforo debe ser suficiente para convertir, por lo menos una parte de la radiación emitida por el circuito integrado de LED, a una longitud de onda diferente. Esta última suele estar comprendida entre 6 y 200 \mum, con un espesor preferido comprendido entre 20 y 30 \mum.
El circuito integrado de LED 112 puede ser cualquier LED de luz azul o de UV convencional. Dichos LED son conocidos en la técnica anterior y suelen consistir en capas de InGaN o de AlGaN, de crecimiento epitaxial, sobre un substrato de zafiro, alúmina o de SiC monocristal. Un circuito integrado de LED preferido puede presentar una emisión primaria en el margen de longitudes de onda de 200 a 480 nm. De forma análoga, la capa de fósforo 124 puede incluir uno o más fósforos fluorescentes adecuados capaces de absorber la radiación azul o de UV y, a su vez, producir, solos o en combinación con la radiación emitida por el circuito integrado de LED, una luz blanca o casi blanca para fines de iluminación. Fósforos adecuados para uso en la presente invención incluyen, sin limitación, a: Y_{3}Al_{5}O_{2}:Ce (YAG:Ce), Tb_{3}Al_{4,9}O_{12}:Ce (TAG: Ce), y Sr_{4}Al_{14}O_{25}:Eu (SAE). Otros fósforos que producen luz blanca son también adecuados. El tamaño de las partículas del fósforo no es crítico y puede ser, a modo de ejemplo, de un diámetro de 3 a 30 \mum.
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La lente 118 se puede fabricar de cualquier material que sea sustancialmente transparente a la radiación emitida por el fósforo y el circuito integrado de LED. De este modo, dependiendo de la longitud de onda de la radiación emitida, la lente puede comprender varios materiales incluyendo, sin limitación, vidrio, resina epoxídica, plástico, resinas termoplásticas o termo-endurecidas o cualquier otra clase de material encapsulante de LED, conocido en la técnica anterior.
La aplicación del recubrimiento de fósforo 124 sobre una superficie interior de la lente 118 en lugar de dispersarse en la resina epoxídica o en otro material de relleno proporciona una conversión más uniforme y eficiente de la emisión del LED. Una ventaja es que se puede aplicar un recubrimiento uniforme de espesor controlado. Una ventaja de esta disposición es que el espesor del recubrimiento se puede controlar, con precisión, para lograr una eficacia de conversión óptima y un control del sangrado de la radiación UV (si se utiliza un circuito integrado emisor de UV) utilizando una cantidad mínima de fósforo. Esto ayuda a conseguir una emisión de luz uniforme, sin la incidencia de anillos cromáticos, resultantes de la dispersión no uniforme del fósforo en los dispositivos de la técnica anterior. Otra ventaja es que el fósforo es remoto desde el calor generado por el LED, lo que aumenta todavía más la eficacia de la conversión. Por supuesto, la capa de fósforo se puede situar en el interior del material de la lente o presentar un recubrimiento de otro material situado encima y dicha disposición es contemplada por la invención.
Aunque sin carácter limitativo, el recubrimiento de fósforo se puede aplicar, por ejemplo, por recubrimiento pulverizado, recubrimiento por rodillos, recubrimiento por inmersión o menisco, estampado, serigrafiado, dispensación, laminado, cepillado o pulverización así como cualquier otro procedimiento que pueda proporcionar un recubrimiento de espesor uniforme. Un procedimiento preferido para aplicar el fósforo es por pulverización.
En una técnica, de una forma de realización ejemplificativa, para el recubrimiento de la lente y partes reflectoras de la carcasa del LED, el polvo de fósforo se agita primero en un lodo, junto con un aglutinante y un disolvente. Aglutinantes adecuados incluyen, sin limitación, a la silicona, las resinas epoxídicas, los termoplásticos, los compuestos acrílícos, las poliimidas así como sus mezclas. Disolventes adecuados incluyen, sin limitación, disolventes de bajo punto de ebullición, tales como tolueno, metil-etilcetona (MEK), cloruro de metileno y acetona. La cantidad de cada componente en el lodo no es crítica, pero debe elegirse de modo que produzca un lodo que sea de fácil aplicación a la lente, al mismo tiempo que contenga también una concentración suficiente de partículas de fósforo para una conversión eficaz de la radiación del LED. Un lodo, en una forma de realización ejemplo, puede obtenerse utilizando unas 2 par-
tes en peso de un fósforo de 6,1 \mum, 1,2 partes de silicona y 1 parte de MEK. Una silicona adecuada es GE XE5844.
El lodo se aplica, posteriormente, a la superficie de la lente. La lente recubierta se puede someter, a continuación, a cocción, caldeo o tratarse, de cualquier otro modo, para eliminar el disolvente y efectuar el curado del aglomerante. Tal como aquí se utiliza, el término "curado" abarca no solamente el curado real o degradación del aglomerante sino también, más en general, para indicar cualquier cambio químico y/o físico en el aglomerante a un estado en que las partículas de fósforo se hagan relativamente estacionarias en el aglomerante, normalmente debido a una solidificación o endurecimiento del aglomerante.
Según se indicó con anterioridad, el lodo se puede aplicar a la lente mediante cualquier procedimiento adecuado. En un procedimiento preferido, el lodo se aplica mediante recubrimiento por pulverización. En este procedimiento, se utiliza el lodo para rellenar el depósito de un cepillo neumático adecuado. A continuación, el lodo se pulveriza usando una pistola de pulverización presurizada en la lente, que es precalentada y mantenida sobre una placa calentadora, a una temperatura elevada, preferentemente superior a la temperatura de ebullición del disolvente; por ejemplo, a una temperatura aproximada de 110ºC. La pulverización se realiza con pasadas sucesivas, que se pueden efectuar en aproximadamente 1/4 segundo por pasada. El lodo se seca por contacto y se consigue así un recubrimiento uniforme. Un recubrimiento de aproximadamente 4 capas de espesor (equivalente a 20-30 \mum utilizando partículas de fósforo de 6 \mum de tamaño) se consigue sobre la lente con 35 a 40 pasadas. A continuación, la lente se somete a cocción para el curado del aglomerante. Está previsto que este procedimiento para recubrir los LED sería utilizado cualesquiera LED para iluminación general. Si así se desea, un segundo recubrimiento de un material transparente se puede añadir sobre la capa
de fósforo para proteger el fósforo o para proporcionar un sobre-recubrimiento para facilitar la extracción de la luz.
Una mejora significativa en el rendimiento luminoso se ha conseguido utilizando LED de luz azul con el fósforo YAG con respecto al procedimiento de recubrimiento convencional, en el que el fósforo es embebido en el lodo y aplicado uniformemente alrededor de la pastilla de circuito integrado. Evidentemente existen muchas otras maneras de conseguir que la lente circunde un circuito integrado de LED. Estos procedimientos se considerarían dentro del alcance de la presente invención.
En una forma de realización ejemplificativa, la lente presente preferentemente un radio que es por lo menos de 2 a 3 veces la longitud ("L") de un lado de la pastilla de circuito integrado. Esta disposición aumenta la probabilidad de que la radiación reflejada o generada por un recubrimiento aplicado a dicha lente es más probable que incida sobre otras partes del recubrimiento, donde será retransmitida, en lugar del circuito integrado u otra área no recubierta, donde será absorbida y perdida.
En una segunda forma de realización, representada en la figura 3, un paquete de LED se proporciona de nuevo en 210 e incluye un circuito integrado de LED 212 montado sobre un soporte 214 que, a su vez, está montado en un reflector 216. Una lente 218 circunda el circuito integrado 212 y su soporte 214 y su reflector 216. De forma opcional, el espacio de relleno 222 entre la lente y el circuito integrado 212 suele ser de resina epoxídica u otro material transparente. Para mejorar todavía más la eficacia, se aplica un recubrimiento de fósforo 224, que incluye partículas de fósforo, sobre una superficie interior 226 de la lente 218 y sobre la superficie superior del reflector 216. La superficie superior del reflector, que puede considerarse como la parte inferior del paquete, es, en una forma de realización preferida, recubierta primero con una capa reflectante 240, tal como un polvo muy dieléctrico, tal como alúmina, titanio, etc. Un material reflectante preferido es Al_{2}O_{3}. La capa de fósforo 224 se coloca, a continuación, sobre la capa reflectante 240 sobre la parte superior del reflector. El uso de la capa reflectante 240 sirve para reflejar cualquier radiación 242 que penetre en la capa de fósforo 224 sobre esta superficie. Como alternativa, en lugar de recubrir la lente transparente 118 con una capa de fósforo separada 224, el fósforo puede, en cambio, dispersarse, de forma íntima, en el interior del material que comprende la semiesfera transparente.
La capa de fósforo 224 sobre la capa reflectante 240 en el reflector 216 es, preferentemente, relativamente gruesa, por ejemplo de más de 5 capas de polvo, mientras que la capa de fósforo en la parte superior curvada de la semiesfera se puede ajustar para conseguir un color deseado y para absorber toda la radiación que incide sobre ella. En general, la capa de fósforo sobre la parte superior de la semiesfera variará entre 1 a 4 capas de espesor en el caso de circuitos integrados emisores de luz azul, con el fin de que sea emitida parte de la radiación azul. En el caso de circuitos integrados de UV, la capa de recubrimiento de fósforo sobre la semiesfera debe ser de 4 a 8 capas de espesor con el fin de absorber por lo menos la mayor parte de la radiación de UV emitida por el circuito integrado.
Según se representa en la figura 3, la radiación desde el circuito integrado 242 se impide dejando la estructura sin la primera incidencia en la superficie recubierta de fósforo de la semiesfera. Además, el área de superficie recubierta por fósforo total es mucho mayor que el área superficial de circuito integrado emisor, preferentemente por lo menos 10 veces el área superficial expuesta de las partes absorbentes del circuito integrado de LED. Tal como aquí se utiliza, el área superficial expuesta de las partes absorbentes del LED comprende el área superficial expuesta del circuito integrado de LED así como cualquier superficie expuesta del soporte no recubierto con una capa reflectante y/o una capa de fósforo.
En tal disposición, aunque pueda existir una cantidad significativa de una radiación de luz azul o de UV dispersa en la semiesfera, casi toda esta radiación, que está difusamente dispersa, incide sobre otras zonas del recubrimiento de fósforo, en lugar de sobre el circuito integrado o su soporte. La mayor parte de la luz visible generada por el recubrimiento de fósforo es dirigida también de nuevo a la semiesfera. Además, no existe ningún reflector metálico ni ninguna estructura de plomo expuesta. La importante característica de esta geometría es que todo, excepto el circuito integrado de LED 212 está recubierta con fósforo y el área superficial de fósforo de la semiesfera es mucho mayor, preferentemente superior a 10 veces el área superficial de cualquier parte absorbente del LED. Por lo tanto, casi toda la radiación vuelve a penetrar en la semiesfera incidiendo sobre otras zonas recubiertas con fósforo y es reflejada o absorbida y retransmitida por el fósforo. Las formas de realización, aquí dadas a conocer, se calculan para presentar una eficacia superior al 70% y en la mayor parte de los casos, aproximándose al 100%.
En la Tabla 1, la eficacia de este diseño se compara con varias geometrías de paquetes de LED estándar. Estas comparaciones se realizaron utilizando una simulación por ordenador. La simulación por ordenador es modelo de flujo descrito a continuación. Considera todos los flujos de radiación y supone que todos son difundidos de modo que la cantidad de radiación incidente sobre cualquier superficie dada sea proporcional a su área. Tal como se indica en la Tabla 1, la geometría antes descrita proporciona una eficacia del paquete de prácticamente un 100%.
TABLA 1 Comparación de los rendimientos de paquetes calculados de dos configuraciones estándar de LED recubiertos de fósforo con 3 formas de realización dadas a conocer en la presente invención
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La figura 4 representa una segunda forma de realización que opera bajo el mismo principio. En este caso, un circuito integrado de LED 312 está montado sobre un soporte 314, que sirve también como el disipador de calor. Sin embargo, el circuito integrado 312 está situado en el centro de una esfera moldeada 318. Una capa de fósforo (no representada) se deposita, a continuación, sobre la superficie interior 320 de la esfera 318 o, como alternativa, se dispersa íntimamente dentro de la esfera. En este diseño, el LED radiará uniformemente en todas las direcciones. De nuevo, resulta evidente que la radiación de luz azul/UV y la radiación visible generada por el recubrimiento de fósforo y dispersada hacia el interior de la esfera será más probable que incida sobre otras superficies recubiertas de fósforo incidiendo preferentemente sobre el circuito integrado 312 o el soporte 314. Estas estructuras absorbentes de la luz son como pequeños objetivos para la radiación difusa. Según se observa en la Tabla 1, la eficacia del paquete está próxima al 100% para esta disposición. La eficacia del paquete inferior para la estructura de LED sobre substrato de SiC se deben a una mayor absorción de la radiación del LED por el substrato de SiC en comparación con el substrato de Al_{2}O_{3}.
A partir de las formas de realización anteriores, resulta evidente que la forma específica del recubrimiento de fósforo no es importante con tal que rodee, lo más completamente posible, al circuito integrado de LED y con una distancia suficiente desde este circuito integrado (por ejemplo una distancia tal que la superficie recubierta de fósforo presente un área superficial mayor que aproximadamente 10 veces el área superficial expuesta del circuito integrado), de modo que la radiación dispersa desde el recubrimiento sea improbable que incida sobre el circuito integrado o sus estructuras. La invención no está limitada a las formas de realización aquí descritas, pero está previsto que se refiera a todas las formas de recubrimiento, en las que las superficies recubiertas de fósforo presenten aproximadamente 10 veces el área expuesta de las partes absorbentes del LED o mayor. De este modo, la lente sobre la que se recubre el fósforo no está limitada a una forma semiesférica o esférica, sino que puede presentar cualquier forma geométrica, con el área superficial recubierta de fósforo siendo aproximadamente por lo menos 10 veces el área expuesta de las partes absorbentes del LED.
La invención está, además, prevista para cubrir geometrías que no sean tan ideales y quizás no proporcionen la ventaja completa de la eficacia del paquete del 100% pero, no obstante, utilicen el principio de un recubrimiento de fósforo remoto diseñado de modo que la superficie recubierta sea por lo menos 10 veces el área emisora del circuito integrado. Por ejemplo, la figura 5 representa esquemáticamente un LED de montaje superficial convencional. En esta disposición, el circuito integrado de LED 412 y su soporte 414 están montados en un receptáculo de reflector 416. A diferencia del diseño convencional (descrito en los antecedentes de la invención anteriores), que presenta el fósforo incorporado, de forma más o menos aleatoria, en un medio óptico entre el reflector y la lente, el recubrimiento de fósforo se aplica como una capa sobre una lente transparente 418. El recubrimiento de fósforo es remoto desde el circuito integrado 412 y sobre una superficie con aproximadamente más de 10 veces el área expuesta de las partes absorbentes del LED. Evidentemente, la superficie de la lente 418 sobre la que se aplica el recubrimiento de fósforo puede presentar un área superficial menor que 10 veces el área superficial del circuito integrado. Sin embargo, la eficacia del paquete del conjunto se reducirá en consecuencia, puesto que una mayor parte de la radiación incidirá y será absorbida por el circuito integrado. De nuevo, una segunda lente 430 se puede montar sobre la lente recubierta de fósforo para fines de protección.
La mayor parte de la radiación de color azul o de UV y la radiación visible, que se dispersa desde el recubrimiento del fósforo, incide sobre el receptáculo reflector 416 u otra superficie de fósforo. Solamente una cantidad relativamente pequeña incide sobre el circuito integrado absorbedor de luz y su soporte. En este diseño, es importante que el receptáculo reflector 416 se fabrique de un material muy reflectante, por ejemplo, un recubrimiento de plata protegido y depositado por vapor con una reflectividad superior al 95% o un polvo inorgánico de alta pureza, tal como titanio o alúmina finamente dividida. Además, el receptáculo reflector 416 puede estar, o no, recubierto con el fósforo. En la Tabla 1 se indica el rendimiento simulado de un LED específico con un área de 1,6 mm^{2} sobre un soporte en un receptáculo reflector de plata utilizando una lente recubierta de fósforo con un área de 27 mm^{2}.
Según se representa en las figuras 6 y 7, la presente invención da a conocer, además, el concepto de un recubrimiento de fósforo remoto que se aplica a sistemas que contienen múltiples circuitos integrados de LED. Múltiples LED emisores de luz azul o UV se pueden montar sobre una placa de interconexión eléctrica reflectante única u otra estructura. Una superficie recubierta de fósforo se utiliza, a continuación, para rodear no un LED único sino el conjunto completo de LED. La superficie recubierta de fósforo se puede utilizar sola o en combinación con otras superficies muy reflectantes para rodear el conjunto de LED. Dos ejemplos de dichas estructuras se representan en las figuras 6 y 7. Un ejemplo es un módulo de potencia 500 que podría utilizarse como una lámpara descendente. El otro ejemplo es una lámpara de panel 600 con numerosos LED montados detrás de un panel recubierto de fósforo. Resulta evidente que muchas de dichas disposiciones se podrían fabricar siempre que el área superficial de fósforo sea 10 veces el área expuesta de las partes absorbente del LED.
Según fue anteriormente detallado, cualquiera de las formas de realización pueden presentar un relleno de resina epoxídica u otro relleno transparente entre el circuito integrado de LED y la lente recubierta de fósforo. Se puede realizar una extracción de luz más eficiente cuando el índice de refracción del relleno transparente o encapsulante se adapte estrechamente a la media geométrica de los índices de refracción del circuito integrado y de la lente, preferente dentro de un 20% de este valor e incluso más preferentemente dentro de un 10%. Esto disminuye la cantidad de reflexiones internas en la lámpara. De este modo, en el caso de un circuito integrado de LED de GaN, que presente un índice de refracción de aproximadamente 2,7, con una lente con un índice de refracción de aproximadamente 1,5, el relleno presentará preferentemente un índice de refracción de aproximadamente 2,1. En el caso de un circuito integrado de LED, constituido por dos o más materiales que presenten índices de refracción diferentes, tal como un semiconductor de GaN sobre un soporte de zafiro, con un índice de refracción de aproximadamente 1,7, el índice de refracción del encapsulante coincidirá preferentemente con la media geométrica de la lente y el mayor de los dos índices. De este modo, se puede conseguir una mejor extracción de luz con encapsulantes que presenten un más elevado índice de refracción que el relleno epoxídico, tal como el denominado spin-on glass (SOG) de vidrio u otros materiales de elevado índice de refracción.
Cualquiera de las formas de realización anteriores puede presentar, además, uno o más filtros de paso de banda para mejorar todavía más la eficacia del paquete de LED resultante. De este modo, en una forma de realización, según se ¡lustra en la figura 9, una lente 718 para una fuente de LED de luz azul se representa conteniendo un primer filtro de paso de banda 750. El filtro de paso de banda está situado entre la capa de fósforo 724 y el LED (no representado). El filtro de paso de banda se selecciona de modo que la luz incidente desde la fuente de LED de luz azul 752 se permita pasar mientras que la luz emitida desde la capa de fósforo 754 sea reflejada hacia fuera.
En la forma de realización representada en la figura 10, dos filtros de paso de banda están presentes en un paquete fuente de LED de UV. En esta forma de realización, un primer filtro de paso de banda 850 está situado entre la capa de fósforo 824 y el paquete fuente de LED (no representado) adyacente a una lente 818. El primer filtro de paso de banda actúa para transmitir la luz de UV 852 desde el LED, mientras que refleja la luz emitida desde la capa de fósforo 854. un segundo filtro de paso de banda 856 refleja la luz de UV desde el LED 852 mientras que permite el paso de la luz emitida desde la capa de fósforo 854. Esta disposición impide la transmisión de una radiación de UV, potencialmente peligrosa, desde el paquete al mismo tiempo que asegura la transmisión de luz visible.
Según se observa en la figura 11, se puede formar un conjunto matricial de microlentes o microlentes 960 sobre la superficie exterior de la lente 918 en cualquiera de las formas de realización anteriores para controlar él ángulo de emisión, dirección o intensidad de la radiación emitida 952 y 954.
Los resultados del cálculo, indicados en la tabla 1, están basados en un modelo de flujo lineal, ilustrado en la figura 8. La figura representa nueve flujos incidentes sobre cuatro superficies del paquete de LED. Estos flujos se describen por las nueve ecuaciones lineales siguientes, con cada ecuación describiendo el flujo con el número correspondiente. Las ecuaciones son:
2
Estas superficies son:
3 = superficie recubierta de fósforo superior.
2 = la superficie recubierta de fósforo inferior.
1 = el reflector y el soporte y
0 = el circuito integrado emisor de luz azul o UV.
\vskip1.000000\baselineskip
Existen otras nueve ecuaciones que describen los flujos de luz azul o de UV. Las ecuaciones que describen los flujos de luz azul o de UV no están representadas. Están relacionadas con las ecuaciones de luz visible a través de la eficacia cuántica Q y el desplazamiento de Stoke (\lambdai/\lambdal). Las dieciocho ecuaciones lineales resultan en dieciocho incógnitas, por ejemplo las correspondientes potencias de radiación que incide sobre cada superficie y se resuelven de forma simultánea.
\newpage
Los valores de p son las probabilidades de que la radiación desde una superficie incida sobre otra. En los cálculos indicados en la Tabla 1, fueron tomados como siendo las relaciones de las áreas superficiales. Q es la eficacia cuántica del fósforo, \lambda es la longitud de onda media de la radiación del circuito integrado de luz azul o de UV o la longitud de onda media de la emisión visible del fósforo.
Los demás parámetros necesarios son las propiedades de reflectividad y de absorptividad de las diferentes superficies de los materiales. Se obtuvieron a partir de los valores de Handbook o se midieron directamente utilizando métodos conocidos. No existen valores para las propiedades de reflectividad de los circuitos integrados y por ello, se calcularon suponiendo que cada circuito integrado consistía en las capas de semiconductor y del substrato. Toda la radiación incidente sobre el circuito integrado fue supuesta como normal e incidente sobre el substrato en un diseño denominado flip-chip y se ignoraron los aspectos de la difracción. Hasta el segundo orden, la expresión para la reflectividad del circuito integrado es, entonces:
3
donde:
R_{sub} = reflectividad del substrato
R_{act} = reflectividad de capas activas
a_{sub} = coste de absorción del substrato
a_{act} = coeficiente de absorción de capas activas
t_{sub} = espesor del substrato
t_{act} = espesor de capas activas
\vskip1.000000\baselineskip
Se utilizaron valores conocidos o estimados para los índices de refracción, los coeficientes de absorción y los espesores. De este modo:
4
La invención ha sido descrita con referencia a las formas de realización preferidas. Evidentemente, se ocurrirán posibles modificaciones y alteraciones al leer y entender la descripción detallada precedente. Está previsto que la invención se interpretada como incluyendo todas dichas modificaciones y alteraciones.

Claims (6)

1. Dispositivo emisor luz que comprende:
un circuito integrado de diodos emisores de luz;
una lente transparente, que recubre dicho circuito integrado de diodo emisor de luz y separada del mismo; y
una capa de fósforo, contenida en el interior de dicha lente o depositada sobre una superficie interior o exterior de dicha lente,
caracterizado porque la zona de superficie de la capa de fósforo es por lo menos diez veces la zona de superficie expuesta del circuito integrado de diodo emisor de luz.
2. Dispositivo emisor de luz según la reivindicación 1, que comprende, además, un relleno transparente situado entre dicho circuito integrado de diodo emisor de luz y dicha lente.
3. Dispositivo emisor de luz según una de las reivindicaciones 1 y 2, en el que dicho circuito integrado de diodo emisor de luz presenta una emisión primaria en el intervalo comprendido entre 200 y 480 nm.
4. Dispositivo emisor de luz según una de las reivindicaciones 1 a 3, en el que dicho dispositivo emisor de luz emite luz blanca.
5. Dispositivo emisor de luz según una de las reivindicaciones 1 a 4, en el que dicha lente comprende una esfera o una semiesfera y dicho circuito integrado de diodo emisor de luz está situado en el centro aproximado de dicha esfera o semiesfera.
6. Dispositivo emisor de luz según una de las reivindicaciones 1 a 5, en el que dicha lente se fabrica a partir de vidrio.
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Families Citing this family (307)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6600175B1 (en) * 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
US10340424B2 (en) 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
US7224000B2 (en) * 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
WO2004068603A2 (en) 2003-01-27 2004-08-12 3M Innovative Properties Company Phosphor based light source component and method of making
US7312560B2 (en) 2003-01-27 2007-12-25 3M Innovative Properties Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector and method of making
US7118438B2 (en) 2003-01-27 2006-10-10 3M Innovative Properties Company Methods of making phosphor based light sources having an interference reflector
US7157839B2 (en) 2003-01-27 2007-01-02 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources utilizing total internal reflection
US7245072B2 (en) 2003-01-27 2007-07-17 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a polymeric long pass reflector
US7091653B2 (en) 2003-01-27 2006-08-15 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector
US7091661B2 (en) 2003-01-27 2006-08-15 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a reflective polarizer
US7210977B2 (en) 2003-01-27 2007-05-01 3M Innovative Properties Comapny Phosphor based light source component and method of making
US7423296B2 (en) * 2003-02-26 2008-09-09 Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd Apparatus for producing a spectrally-shifted light output from a light emitting device utilizing thin-film luminescent layers
US7084434B2 (en) * 2003-04-15 2006-08-01 Luminus Devices, Inc. Uniform color phosphor-coated light-emitting diode
US7005679B2 (en) * 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US7247986B2 (en) * 2003-06-10 2007-07-24 Samsung Sdi. Co., Ltd. Organic electro luminescent display and method for fabricating the same
US7329024B2 (en) 2003-09-22 2008-02-12 Permlight Products, Inc. Lighting apparatus
JP3837588B2 (ja) 2003-11-26 2006-10-25 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具
US8174036B2 (en) * 2003-12-30 2012-05-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lighting device
US7517728B2 (en) 2004-03-31 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element
JP4317478B2 (ja) * 2004-03-31 2009-08-19 三菱化学株式会社 蛍光体型発光装置及びそれを照明源とする内視鏡装置
US7724440B2 (en) 2004-04-23 2010-05-25 Light Prescriptions Innovators, Llc Combining outputs of different light sources
EP1738107A4 (en) * 2004-04-23 2008-12-31 Light Prescriptions Innovators OPTICAL DISTRIBUTOR FOR LIGHT-EMITTING DIODES
US6956247B1 (en) * 2004-05-26 2005-10-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Semiconductor light emitting device including photonic band gap material and luminescent material
US7070300B2 (en) * 2004-06-04 2006-07-04 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Remote wavelength conversion in an illumination device
US7646029B2 (en) * 2004-07-08 2010-01-12 Philips Solid-State Lighting Solutions, Inc. LED package methods and systems
US7201495B2 (en) * 2004-08-03 2007-04-10 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Semiconductor light emitting device package with cover with flexible portion
US20060097385A1 (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
US7419839B2 (en) * 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
EP1825719B1 (en) * 2004-12-09 2011-06-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination system
SG161205A1 (en) * 2004-12-22 2010-05-27 Seoul Semiconductor Co Ltd Light emitting device
TWI248218B (en) * 2004-12-31 2006-01-21 Ind Tech Res Inst Light-emitting diode package structure and fabrication method thereof
US20060171152A1 (en) 2005-01-20 2006-08-03 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and method of making the same
EP1686630A3 (en) * 2005-01-31 2009-03-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Led device having diffuse reflective surface
KR101139891B1 (ko) 2005-01-31 2012-04-27 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 확산 반사면을 구비한 발광 다이오드 소자
US7497973B2 (en) * 2005-02-02 2009-03-03 Lumination Llc Red line emitting phosphor materials for use in LED applications
JP2006278567A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Matsushita Electric Works Ltd Ledユニット
CN100409462C (zh) * 2005-05-26 2008-08-06 陈隆建 采用荧光粉激发的反射式白光发光二极管
US7319246B2 (en) 2005-06-23 2008-01-15 Lumination Llc Luminescent sheet covering for LEDs
KR100757196B1 (ko) * 2005-08-01 2007-09-07 서울반도체 주식회사 실리콘 렌즈를 구비하는 발광소자
US20070195534A1 (en) * 2005-08-19 2007-08-23 Ha Duk S Side emitting lens, light emitting device using the side emitting lens, mold assembly for preparing the side emitting lens and method for preparing the side emitting lens
CN100405621C (zh) * 2005-09-29 2008-07-23 上海乐金广电电子有限公司 白色光源的制造方法
CN100414727C (zh) * 2005-11-04 2008-08-27 江苏日月照明电器有限公司 一种白光led荧光粉涂覆厚度控制方法
EP1969647A4 (en) * 2005-12-08 2012-08-01 Univ California LIGHTING DIODE (LED) WITH HIGH EFFICIENCY
US7375379B2 (en) * 2005-12-19 2008-05-20 Philips Limileds Lighting Company, Llc Light-emitting device
US20070200118A1 (en) * 2005-12-21 2007-08-30 Epstein Kenneth A Led light confinement element
EP1969633B1 (en) 2005-12-22 2018-08-29 Cree, Inc. Lighting device
KR100726970B1 (ko) * 2005-12-23 2007-06-14 한국광기술원 다이크로익 필터를 이용한 발광 장치
JP2007180234A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光光源及び照明器具
US7772604B2 (en) 2006-01-05 2010-08-10 Illumitex Separate optical device for directing light from an LED
KR100867519B1 (ko) * 2006-02-02 2008-11-07 삼성전기주식회사 발광 다이오드 모듈
DE102006005042A1 (de) * 2006-02-03 2007-08-09 Tridonic Optoelectronics Gmbh Licht emittierende Vorrichtung mit nicht-aktiviertem Leuchtstoff
DE102006008793A1 (de) * 2006-02-24 2007-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauteil
CN100411210C (zh) * 2006-03-03 2008-08-13 中山大学 一种白光led的封装方法
US8299903B2 (en) * 2006-03-23 2012-10-30 Edward H Haase Screw-in LED light and sound bulb
DE102006015606A1 (de) * 2006-04-04 2007-10-18 Noctron Holding S.A. Halbleiter-Leuchtmittel und Leuchtpaneel mit solchen
USD582361S1 (en) * 2006-04-12 2008-12-09 Semi-Photonics Co., Ltd. Light emitting diode device
USD581884S1 (en) * 2006-04-12 2008-12-02 Semi-Photonics Co., Ltd. Light emitting diode device
US7661840B1 (en) 2006-06-21 2010-02-16 Ilight Technologies, Inc. Lighting device with illuminated front panel
US20080074583A1 (en) * 2006-07-06 2008-03-27 Intematix Corporation Photo-luminescence color liquid crystal display
US8947619B2 (en) 2006-07-06 2015-02-03 Intematix Corporation Photoluminescence color display comprising quantum dots material and a wavelength selective filter that allows passage of excitation radiation and prevents passage of light generated by photoluminescence materials
US20080012035A1 (en) * 2006-07-11 2008-01-17 Bily Wang LED chip package structure and method for manufacturing the same
EP2050147A2 (en) 2006-07-31 2009-04-22 3M Innovative Properties Company Led source with hollow collection lens
US20080051135A1 (en) * 2006-07-31 2008-02-28 3M Innovative Properties Company Combination camera/projector system
KR20090034369A (ko) 2006-07-31 2009-04-07 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 광학 투사 서브시스템
US20080036972A1 (en) * 2006-07-31 2008-02-14 3M Innovative Properties Company Led mosaic
US8075140B2 (en) * 2006-07-31 2011-12-13 3M Innovative Properties Company LED illumination system with polarization recycling
US20080029720A1 (en) * 2006-08-03 2008-02-07 Intematix Corporation LED lighting arrangement including light emitting phosphor
CN100568554C (zh) * 2006-08-16 2009-12-09 晶元光电股份有限公司 发光二极管装置及发光芯片
US7842960B2 (en) 2006-09-06 2010-11-30 Lumination Llc Light emitting packages and methods of making same
KR100835063B1 (ko) 2006-10-02 2008-06-03 삼성전기주식회사 Led를 이용한 면광원 발광장치
US20080151143A1 (en) * 2006-10-19 2008-06-26 Intematix Corporation Light emitting diode based backlighting for color liquid crystal displays
TW200830593A (en) * 2006-11-15 2008-07-16 Univ California Transparent mirrorless light emitting diode
EP2843716A3 (en) 2006-11-15 2015-04-29 The Regents of The University of California Textured phosphor conversion layer light emitting diode
US7901111B2 (en) * 2006-11-30 2011-03-08 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
WO2008073435A1 (en) * 2006-12-11 2008-06-19 The Regents Of The University Of California Lead frame for transparent and mirrorless light emitting diode
TW201448263A (zh) * 2006-12-11 2014-12-16 美國加利福尼亞大學董事會 透明發光二極體
US7686478B1 (en) 2007-01-12 2010-03-30 Ilight Technologies, Inc. Bulb for light-emitting diode with color-converting insert
US8109656B1 (en) 2007-01-12 2012-02-07 Ilight Technologies, Inc. Bulb for light-emitting diode with modified inner cavity
JP5102051B2 (ja) * 2007-01-18 2012-12-19 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
US20080192458A1 (en) * 2007-02-12 2008-08-14 Intematix Corporation Light emitting diode lighting system
US7815341B2 (en) 2007-02-14 2010-10-19 Permlight Products, Inc. Strip illumination device
WO2008103876A1 (en) * 2007-02-22 2008-08-28 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting devices, methods of lighting, light filters and methods of filtering light
US7972030B2 (en) 2007-03-05 2011-07-05 Intematix Corporation Light emitting diode (LED) based lighting systems
TWI402882B (zh) 2007-03-14 2013-07-21 Jenn Wei Mii 發光元件
USD580892S1 (en) * 2007-03-30 2008-11-18 Rohm Co., Ltd. Lead terminals of light emitting diode module
USD573554S1 (en) * 2007-03-30 2008-07-22 Rohm Co., Ltd. Light emitting diode module
US8203260B2 (en) * 2007-04-13 2012-06-19 Intematix Corporation Color temperature tunable white light source
TW200842455A (en) * 2007-04-16 2008-11-01 Chi Lin Technology Co Ltd Light mixing and guiding device
US7703943B2 (en) * 2007-05-07 2010-04-27 Intematix Corporation Color tunable light source
US7942556B2 (en) 2007-06-18 2011-05-17 Xicato, Inc. Solid state illumination device
US7868341B2 (en) 2007-06-27 2011-01-11 The Regents Of The University Of California Optical designs for high-efficacy white-light emitting diodes
KR100919461B1 (ko) * 2007-07-09 2009-09-28 심현섭 색온도가 변환되는 조명기기용 광원장치
US10505083B2 (en) * 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
US7663315B1 (en) 2007-07-24 2010-02-16 Ilight Technologies, Inc. Spherical bulb for light-emitting diode with spherical inner cavity
JP2009038304A (ja) * 2007-08-03 2009-02-19 Stanley Electric Co Ltd 照明用灯具
US20090065792A1 (en) * 2007-09-07 2009-03-12 3M Innovative Properties Company Method of making an led device having a dome lens
DE102007059548A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Auskoppellinse für ein optoelektronisches Bauelement
DE102007049799A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US8783887B2 (en) 2007-10-01 2014-07-22 Intematix Corporation Color tunable light emitting device
US7915627B2 (en) 2007-10-17 2011-03-29 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
JP2009099759A (ja) * 2007-10-17 2009-05-07 Fine Rubber Kenkyusho:Kk 発光装置
US9086213B2 (en) * 2007-10-17 2015-07-21 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes
US7984999B2 (en) * 2007-10-17 2011-07-26 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes and moveable light adjustment member
TWI360238B (en) 2007-10-29 2012-03-11 Epistar Corp Photoelectric device
US8376577B2 (en) * 2007-11-05 2013-02-19 Xicato, Inc. Modular solid state lighting device
WO2009066207A1 (en) * 2007-11-20 2009-05-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Side emitting device with wavelength conversion
KR101116734B1 (ko) * 2007-11-30 2012-02-22 젠-웨이 미이 휘도를 개선하는 광학필름 표층의 발광모듈
US8042961B2 (en) * 2007-12-02 2011-10-25 Andrew Massara Audio lamp
JP2010074117A (ja) * 2007-12-07 2010-04-02 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
CN100490201C (zh) * 2007-12-20 2009-05-20 宁波安迪光电科技有限公司 白光发光二极管
TW200932035A (en) * 2008-01-04 2009-07-16 Lighthouse Technology Co Ltd Light-emitting element
US8058088B2 (en) 2008-01-15 2011-11-15 Cree, Inc. Phosphor coating systems and methods for light emitting structures and packaged light emitting diodes including phosphor coating
US8940561B2 (en) * 2008-01-15 2015-01-27 Cree, Inc. Systems and methods for application of optical materials to optical elements
KR101518217B1 (ko) * 2008-01-31 2015-05-11 코닌클리케 필립스 엔.브이. 발광 장치
DE102008017071A1 (de) 2008-01-31 2009-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul und Projektionsvorrichtung mit dem optoelektronischen Modul
KR20100122485A (ko) 2008-02-08 2010-11-22 일루미텍스, 인크. 발광체층 쉐이핑을 위한 시스템 및 방법
CN101960918B (zh) * 2008-02-27 2014-08-27 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有led以及一个或多个透射窗的照明设备
US8567973B2 (en) * 2008-03-07 2013-10-29 Intematix Corporation Multiple-chip excitation systems for white light emitting diodes (LEDs)
US8740400B2 (en) 2008-03-07 2014-06-03 Intematix Corporation White light illumination system with narrow band green phosphor and multiple-wavelength excitation
US8067891B2 (en) * 2008-04-25 2011-11-29 Deng Jia H A/C LED bulb
US9258854B2 (en) * 2008-05-20 2016-02-09 Jia H. Deng LED PAR and R lamps
US8410504B2 (en) * 2008-06-10 2013-04-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED module
WO2009158491A2 (en) * 2008-06-25 2009-12-30 Cardullo Mario W Uv generated visible light source
US7618157B1 (en) * 2008-06-25 2009-11-17 Osram Sylvania Inc. Tubular blue LED lamp with remote phosphor
CN102077011B (zh) * 2008-06-26 2014-12-10 奥斯兰姆施尔凡尼亚公司 具有远程磷光体涂层的led灯和制造该灯的方法
US20100027293A1 (en) * 2008-07-30 2010-02-04 Intematix Corporation Light Emitting Panel
WO2010017523A1 (en) * 2008-08-08 2010-02-11 Xicato, Inc. Color tunable light source
US8525207B2 (en) * 2008-09-16 2013-09-03 Osram Sylvania Inc. LED package using phosphor containing elements and light source containing same
WO2010035206A1 (en) * 2008-09-25 2010-04-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Coated light emitting device and method for coating thereof
US9793481B2 (en) * 2008-10-01 2017-10-17 The Regents Of The University Of Michigan Patterning by stamped metal resist
US8329060B2 (en) * 2008-10-22 2012-12-11 General Electric Company Blue-green and green phosphors for lighting applications
US8703016B2 (en) 2008-10-22 2014-04-22 General Electric Company Phosphor materials and related devices
US8822954B2 (en) * 2008-10-23 2014-09-02 Intematix Corporation Phosphor based authentication system
US7928655B2 (en) * 2008-11-10 2011-04-19 Visera Technologies Company Limited Light-emitting diode device and method for fabricating the same
WO2010055831A1 (ja) * 2008-11-13 2010-05-20 国立大学法人名古屋大学 半導体発光装置
US8220971B2 (en) * 2008-11-21 2012-07-17 Xicato, Inc. Light emitting diode module with three part color matching
KR101521260B1 (ko) * 2008-11-25 2015-05-18 삼성전자주식회사 발광 다이오드 패키지 및 이의 제조방법
US8390193B2 (en) * 2008-12-31 2013-03-05 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
TWI386728B (zh) * 2009-01-20 2013-02-21 Au Optronics Corp 背光模組與液晶顯示器
US8089085B2 (en) * 2009-02-26 2012-01-03 Bridgelux, Inc. Heat sink base for LEDS
US8299489B2 (en) * 2010-08-03 2012-10-30 Silitek Electronics (Guangzhou) Co., Ltd. Illumination device
US8376582B2 (en) 2009-03-18 2013-02-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED luminaire
US8414155B2 (en) 2009-03-18 2013-04-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED luminaire
JP5572693B2 (ja) * 2009-04-17 2014-08-13 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 高い明度を有する、透明な有機発光デバイス
TWM374650U (en) * 2009-04-20 2010-02-21 Hsin I Technology Co Ltd LED packaging structure
US7956546B2 (en) * 2009-05-15 2011-06-07 Bridgelux, Inc. Modular LED light bulb
US8323998B2 (en) * 2009-05-15 2012-12-04 Achrolux Inc. Methods and apparatus for forming uniform layers of phosphor material on an LED encapsulation structure
US8123378B1 (en) 2009-05-15 2012-02-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Heatsink for cooling at least one LED
US8168998B2 (en) * 2009-06-09 2012-05-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with remote phosphor layer and reflective submount
US8651692B2 (en) * 2009-06-18 2014-02-18 Intematix Corporation LED based lamp and light emitting signage
JP5380182B2 (ja) * 2009-07-03 2014-01-08 パナソニック株式会社 発光装置、面光源および液晶ディスプレイ装置
TW201126114A (en) * 2009-08-20 2011-08-01 Illumitex Inc System and method for a phosphor coated lens
US8449128B2 (en) * 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8455910B2 (en) * 2009-09-21 2013-06-04 Walsin Lihwa Corporation Method of manufacturing light emitting diode packaging lens and light emitting diode package
CN201526923U (zh) * 2009-09-24 2010-07-14 沈李豪 一种提高led灯照明演色性的结构
JP2013506251A (ja) * 2009-09-25 2013-02-21 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 半導体照明装置
WO2011037877A1 (en) 2009-09-25 2011-03-31 Cree, Inc. Lighting device with low glare and high light level uniformity
JP5543884B2 (ja) * 2009-09-25 2014-07-09 パナソニック株式会社 波長変換粒子およびそれを用いた波長変換部材ならびに発光装置
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
US20110110095A1 (en) * 2009-10-09 2011-05-12 Intematix Corporation Solid-state lamps with passive cooling
WO2011050267A2 (en) * 2009-10-22 2011-04-28 Waqidi Falicoff Solid-state light bulb
EP2323186B1 (en) * 2009-11-13 2017-07-26 Tridonic Jennersdorf GmbH Light-emitting diode module and corresponding manufacturing method
US8779685B2 (en) * 2009-11-19 2014-07-15 Intematix Corporation High CRI white light emitting devices and drive circuitry
CN102074638B (zh) * 2009-11-25 2013-01-16 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管封装及其制作方法
US8506127B2 (en) 2009-12-11 2013-08-13 Koninklijke Philips N.V. Lens frame with a LED support surface and heat dissipating structure
US8466611B2 (en) 2009-12-14 2013-06-18 Cree, Inc. Lighting device with shaped remote phosphor
US20110149548A1 (en) * 2009-12-22 2011-06-23 Intematix Corporation Light emitting diode based linear lamps
US9631782B2 (en) * 2010-02-04 2017-04-25 Xicato, Inc. LED-based rectangular illumination device
EP2532946A4 (en) * 2010-02-05 2013-10-02 With Ltd Liability Dis Plus Soc METHOD FOR FORMING A LIGHT EMITTING SURFACE AND LIGHTING DEVICE IMPLEMENTING SAID METHOD
CN102157670A (zh) * 2010-02-11 2011-08-17 亿光电子工业股份有限公司 发光装置
JP5407931B2 (ja) * 2010-02-26 2014-02-05 コニカミノルタ株式会社 発光装置及びその製造方法
EP2362134A3 (de) * 2010-02-26 2012-09-26 Osram Ag Reflektorelement für eine elektrische Lampe sowie Lampe mit einem derartigen Reflektorelement
US8104908B2 (en) 2010-03-04 2012-01-31 Xicato, Inc. Efficient LED-based illumination module with high color rendering index
US20110220920A1 (en) * 2010-03-09 2011-09-15 Brian Thomas Collins Methods of forming warm white light emitting devices having high color rendering index values and related light emitting devices
US8384105B2 (en) * 2010-03-19 2013-02-26 Micron Technology, Inc. Light emitting diodes with enhanced thermal sinking and associated methods of operation
TWI476959B (zh) * 2010-04-11 2015-03-11 邱羅利士公司 轉移均勻螢光層至一物件上之方法及所製得之發光結構
WO2011139538A2 (en) 2010-04-26 2011-11-10 Xicato, Inc. Led-based illumination module attachment to a light fixture
US8517562B2 (en) * 2010-05-04 2013-08-27 Xicato, Inc. Flexible electrical connection of an LED-based illumination device to a light fixture
US8330178B2 (en) * 2010-05-11 2012-12-11 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Package structure and package process of light emitting diode
CN101876407A (zh) * 2010-05-17 2010-11-03 中山大学佛山研究院 一种led光源模组
US8807799B2 (en) 2010-06-11 2014-08-19 Intematix Corporation LED-based lamps
US8888318B2 (en) 2010-06-11 2014-11-18 Intematix Corporation LED spotlight
KR20160124928A (ko) 2010-06-18 2016-10-28 시카토, 인코포레이티드. 온-보드 진단을 수행하는 led 기반 조명 모듈
CN101899301B (zh) * 2010-06-25 2014-02-19 海洋王照明科技股份有限公司 Led发光材料、led发光装置及制作方法
EP2597689B1 (en) 2010-07-22 2019-10-02 Kyocera Corporation Wavelength converted light emitting device
US8946998B2 (en) 2010-08-09 2015-02-03 Intematix Corporation LED-based light emitting systems and devices with color compensation
US8506105B2 (en) 2010-08-25 2013-08-13 Generla Electric Company Thermal management systems for solid state lighting and other electronic systems
US20120051045A1 (en) 2010-08-27 2012-03-01 Xicato, Inc. Led Based Illumination Module Color Matched To An Arbitrary Light Source
US8297767B2 (en) 2010-09-07 2012-10-30 Xicato, Inc. LED-based illumination modules with PTFE color converting surfaces
US8614539B2 (en) 2010-10-05 2013-12-24 Intematix Corporation Wavelength conversion component with scattering particles
US8957585B2 (en) 2010-10-05 2015-02-17 Intermatix Corporation Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion
US8604678B2 (en) * 2010-10-05 2013-12-10 Intematix Corporation Wavelength conversion component with a diffusing layer
US9546765B2 (en) 2010-10-05 2017-01-17 Intematix Corporation Diffuser component having scattering particles
US8610340B2 (en) 2010-10-05 2013-12-17 Intematix Corporation Solid-state light emitting devices and signage with photoluminescence wavelength conversion
US8610341B2 (en) 2010-10-05 2013-12-17 Intematix Corporation Wavelength conversion component
US9024341B2 (en) * 2010-10-27 2015-05-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Refractive index tuning of wafer level package LEDs
JP5545866B2 (ja) * 2010-11-01 2014-07-09 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
US10400959B2 (en) * 2010-11-09 2019-09-03 Lumination Llc LED lamp
KR101781424B1 (ko) 2010-11-26 2017-09-26 서울반도체 주식회사 엘이디 조명기구
US20140008697A1 (en) * 2010-12-08 2014-01-09 Brian R. Harkness Siloxane Compositions Including Titanium Dioxide Nanoparticles Suitable For Forming Encapsulants
RU2580878C2 (ru) * 2010-12-17 2016-04-10 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Система освещения с источником света, элемент преобразования излучения и фильтр
CN102569593A (zh) * 2010-12-22 2012-07-11 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管
US8425065B2 (en) 2010-12-30 2013-04-23 Xicato, Inc. LED-based illumination modules with thin color converting layers
TWI441361B (zh) * 2010-12-31 2014-06-11 英特明光能股份有限公司 發光二極體封裝結構及其製造方法
CN102588816B (zh) * 2011-01-07 2017-12-01 晶元光电股份有限公司 发光装置、混光装置及发光装置的制造方法
RU2452059C1 (ru) * 2011-01-13 2012-05-27 Закрытое Акционерное Общество "Научно-Производственная Коммерческая Фирма "Элтан Лтд" Светодиодный источник белого света с удаленным фотолюминесцентным отражающим конвертером
US8757836B2 (en) 2011-01-13 2014-06-24 GE Lighting Solutions, LLC Omnidirectional LED based solid state lamp
JP5582048B2 (ja) * 2011-01-28 2014-09-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9508904B2 (en) 2011-01-31 2016-11-29 Cree, Inc. Structures and substrates for mounting optical elements and methods and devices for providing the same background
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
RU2457393C1 (ru) * 2011-02-17 2012-07-27 Закрытое Акционерное Общество "Научно-Производственная Коммерческая Фирма "Элтан Лтд" Светодиодный источник белого света с удаленным фотолюминесцентным конвертером
TWI517452B (zh) * 2011-03-02 2016-01-11 建準電機工業股份有限公司 發光晶體之多晶封裝結構
JP5658600B2 (ja) 2011-03-07 2015-01-28 スタンレー電気株式会社 発光装置
KR101906863B1 (ko) * 2011-03-07 2018-10-11 루미리즈 홀딩 비.브이. 발광 모듈, 램프, 조명기구 및 표시 디바이스
CN102679199A (zh) * 2011-03-08 2012-09-19 威力盟电子股份有限公司 发光二极管球泡灯及其制造方法
JP5656290B2 (ja) 2011-03-18 2015-01-21 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP2012199497A (ja) * 2011-03-23 2012-10-18 Panasonic Corp 発光装置
US8899767B2 (en) 2011-03-31 2014-12-02 Xicato, Inc. Grid structure on a transmissive layer of an LED-based illumination module
KR101202173B1 (ko) * 2011-04-01 2012-11-20 서울반도체 주식회사 복수개의 파장변환 물질층들을 갖는 발광 소자
US9004705B2 (en) 2011-04-13 2015-04-14 Intematix Corporation LED-based light sources for light emitting devices and lighting arrangements with photoluminescence wavelength conversion
TW201242099A (en) * 2011-04-14 2012-10-16 Lextar Electronics Corp Light-tuning method
WO2012154446A1 (en) * 2011-05-12 2012-11-15 3M Innovative Properties Company Optical structure for remote phosphor led
KR20130014256A (ko) * 2011-07-29 2013-02-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 이용한 조명 시스템
US8403529B2 (en) 2011-08-02 2013-03-26 Xicato, Inc. LED-based illumination module with preferentially illuminated color converting surfaces
US8449129B2 (en) 2011-08-02 2013-05-28 Xicato, Inc. LED-based illumination device with color converting surfaces
GB201114084D0 (en) * 2011-08-16 2011-09-28 Eis Optics Ltd Optical wheel
US9897276B2 (en) * 2011-08-26 2018-02-20 Cree, Inc. Reduced phosphor lighting devices
US8485692B2 (en) 2011-09-09 2013-07-16 Xicato, Inc. LED-based light source with sharply defined field angle
US8579451B2 (en) 2011-09-15 2013-11-12 Osram Sylvania Inc. LED lamp
JP6170495B2 (ja) * 2011-09-20 2017-07-26 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. 発光モジュール、ランプ、照明器具及び表示装置
CN102306698A (zh) * 2011-09-30 2012-01-04 深圳市灏天光电有限公司 一种新型led封装结构
US8992051B2 (en) 2011-10-06 2015-03-31 Intematix Corporation Solid-state lamps with improved radial emission and thermal performance
US20130088848A1 (en) 2011-10-06 2013-04-11 Intematix Corporation Solid-state lamps with improved radial emission and thermal performance
US9365766B2 (en) 2011-10-13 2016-06-14 Intematix Corporation Wavelength conversion component having photo-luminescence material embedded into a hermetic material for remote wavelength conversion
US9115868B2 (en) 2011-10-13 2015-08-25 Intematix Corporation Wavelength conversion component with improved protective characteristics for remote wavelength conversion
US9217560B2 (en) 2011-12-05 2015-12-22 Xicato, Inc. Reflector attachment to an LED-based illumination module
CN102496673A (zh) * 2011-12-22 2012-06-13 映瑞光电科技(上海)有限公司 发光二极管封装结构及其封装方法
US8820951B2 (en) 2012-02-06 2014-09-02 Xicato, Inc. LED-based light source with hybrid spot and general lighting characteristics
US8779687B2 (en) 2012-02-13 2014-07-15 Xicato, Inc. Current routing to multiple LED circuits
KR20120039590A (ko) * 2012-03-08 2012-04-25 장일호 고출력 백색광 엘이디 패키지 모듈 및 그 제조방법
CN103367597A (zh) * 2012-03-29 2013-10-23 常熟卓辉光电科技有限公司 一种led光源
US8941332B2 (en) 2012-04-11 2015-01-27 Eminvent LLC Systems and apparatuses including alterable characteristics and methods of altering and coordinating such characteristics
US9066383B2 (en) 2012-04-11 2015-06-23 Eminvent, LLC Systems and methods for altering and coordinating illumination characteristics
US9538608B2 (en) 2012-04-11 2017-01-03 Eminvent, LLC Systems and apparatuses including alterable characteristics and methods of altering and coordinating such characteristics
CN104247058B (zh) 2012-04-26 2017-10-03 英特曼帝克司公司 用于在远程波长转换中实施色彩一致性的方法及设备
CN102646674A (zh) * 2012-04-26 2012-08-22 南通脉锐光电科技有限公司 白光led发光装置
CN103375708B (zh) * 2012-04-26 2015-10-28 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管灯源装置
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
US8680785B2 (en) 2012-05-18 2014-03-25 Xicato, Inc. Variable master current mirror
US8994056B2 (en) 2012-07-13 2015-03-31 Intematix Corporation LED-based large area display
DE102012213343B4 (de) * 2012-07-30 2023-08-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEILs MIT SAPHIR-FLIP-CHIP
CN102810537B (zh) * 2012-08-17 2016-03-09 江苏脉锐光电科技有限公司 白光led发光装置
CN102832323B (zh) * 2012-09-04 2016-05-04 江苏尚明光电有限公司 一种大功率led的封装工艺
US20140003044A1 (en) 2012-09-06 2014-01-02 Xicato, Inc. Integrated led based illumination device
CN102980065B (zh) * 2012-11-21 2015-07-01 惠州雷曼光电科技有限公司 Led光源、led显示模组及led照明装置
KR101330249B1 (ko) * 2012-11-29 2013-11-15 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
KR101984897B1 (ko) * 2012-12-10 2019-06-03 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
US8845380B2 (en) 2012-12-17 2014-09-30 Xicato, Inc. Automated color tuning of an LED based illumination device
US20140185269A1 (en) 2012-12-28 2014-07-03 Intermatix Corporation Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components
US8870617B2 (en) 2013-01-03 2014-10-28 Xicato, Inc. Color tuning of a multi-color LED based illumination device
CN103057024B (zh) * 2013-01-22 2015-06-03 桂林电子科技大学 一种具有特殊微相结构的环氧树脂基复合涂层的光扩散片及其制备方法
US9217543B2 (en) 2013-01-28 2015-12-22 Intematix Corporation Solid-state lamps with omnidirectional emission patterns
US20140209950A1 (en) * 2013-01-31 2014-07-31 Luxo-Led Co., Limited Light emitting diode package module
DE102013102482A1 (de) * 2013-03-12 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US8770800B1 (en) 2013-03-15 2014-07-08 Xicato, Inc. LED-based light source reflector with shell elements
TWI627371B (zh) * 2013-03-15 2018-06-21 英特曼帝克司公司 光致發光波長轉換組件
WO2014189855A1 (en) * 2013-05-22 2014-11-27 Quarkstar Llc Light-emitting device with remote phosphor and recess
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
US9591726B2 (en) 2013-07-02 2017-03-07 Xicato, Inc. LED-based lighting control network communication
US9596737B2 (en) 2013-07-02 2017-03-14 Xicato, Inc. Multi-port LED-based lighting communications gateway
US9736283B2 (en) * 2013-09-09 2017-08-15 Apple Inc. Light source window paint
EP3047203A2 (en) 2013-09-17 2016-07-27 Xicato, Inc. Led based illumination device with integrated output window
US20150085466A1 (en) * 2013-09-24 2015-03-26 Intematix Corporation Low profile led-based lighting arrangements
CN104659161B (zh) * 2013-11-21 2017-10-31 比亚迪股份有限公司 Led芯片及其形成方法
US9425896B2 (en) 2013-12-31 2016-08-23 Xicato, Inc. Color modulated LED-based illumination
CN103943753A (zh) * 2014-03-06 2014-07-23 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管光源及其制作方法、背光源及显示装置
US9788379B2 (en) 2014-03-28 2017-10-10 Xicato, Inc. Deep dimming of an LED-based illumination device
US9781799B2 (en) 2014-05-05 2017-10-03 Xicato, Inc. LED-based illumination device reflector having sense and communication capability
CN105431894B (zh) * 2014-05-09 2018-03-09 富士高分子工业株式会社 含荧光体的识别物体及其制造方法
US9318670B2 (en) 2014-05-21 2016-04-19 Intematix Corporation Materials for photoluminescence wavelength converted solid-state light emitting devices and arrangements
TW201547059A (zh) * 2014-06-03 2015-12-16 邱仕宇 發光二極體封裝結構
JP6454505B2 (ja) * 2014-09-18 2019-01-16 株式会社共立電照 照明装置
US9788397B2 (en) 2015-02-27 2017-10-10 Xicato, Inc. Lighting communication advertising packets
US9960848B2 (en) 2015-02-27 2018-05-01 Xicato, Inc. Commissioning of devices on a lighting communications network
US9930741B2 (en) 2015-02-27 2018-03-27 Xicato, Inc. Synchronized light control over a wireless network
US9853730B2 (en) 2015-02-27 2017-12-26 Xicato, Inc. Lighting based authentication of a mobile electronic device
US20160268554A1 (en) * 2015-03-11 2016-09-15 National Taiwan University Electroluminescent devices with improved optical out-coupling efficiencies
US10680208B2 (en) 2015-03-11 2020-06-09 National Taiwan University Electroluminescent device and display pixel structure using the same
EP3274765A4 (en) 2015-03-23 2018-10-17 Intematix Corporation Photoluminescence color display
US9781798B2 (en) 2015-04-08 2017-10-03 Xicato, Inc. LED-based illumination systems having sense and communication capability
US10009980B2 (en) 2015-05-18 2018-06-26 Xicato, Inc. Lighting communications gateway
US9750092B2 (en) 2015-10-01 2017-08-29 Xicato, Inc. Power management of an LED-based illumination device
CN106611812B (zh) * 2015-10-23 2019-01-04 华中科技大学 一种远离荧光粉胶涂覆方法及产品
JP2018155968A (ja) * 2017-03-17 2018-10-04 日亜化学工業株式会社 透光性部材の製造方法及び発光装置の製造方法
WO2018100775A1 (ja) * 2017-04-06 2018-06-07 日本碍子株式会社 光学部品及び透明体
TWI662222B (zh) * 2017-06-29 2019-06-11 日商鳳凰電機股份有限公司 發光二極管燈
DE102017121889B3 (de) * 2017-09-21 2018-11-22 Heraeus Noblelight Gmbh Breitbandige halbleiterbasierte UV-Lichtquelle für eine Spektralanalysevorrichtung
CN107591395A (zh) * 2017-10-07 2018-01-16 谭瑞银 简易led
CN207969020U (zh) * 2018-02-06 2018-10-12 广东欧曼科技股份有限公司 低压灯带
WO2019164780A1 (en) 2018-02-26 2019-08-29 Lumeova, Inc. A free space optical communication apparatus
CN108615803B (zh) * 2018-06-22 2024-03-22 东莞长盛光电科技有限公司 高效增光型csp led及其制造工艺
CN109080259B (zh) * 2018-07-31 2020-07-24 珠海迈时光电科技有限公司 一种uvled固化光源系统及其设计方法
CN113993974B (zh) * 2019-06-28 2025-02-11 电化株式会社 荧光体板和使用该荧光体板的发光装置
CN111190307A (zh) * 2019-12-13 2020-05-22 深圳市隆利科技股份有限公司 直下式背光装置及显示设备
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5055892A (en) 1989-08-29 1991-10-08 Hewlett-Packard Company High efficiency lamp or light accepter
US5093576A (en) 1991-03-15 1992-03-03 Cree Research High sensitivity ultraviolet radiation detector
JPH07193281A (ja) 1993-12-27 1995-07-28 Mitsubishi Materials Corp 指向性の少ない赤外可視変換発光ダイオード
US5739554A (en) 1995-05-08 1998-04-14 Cree Research, Inc. Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer
DE69603744T2 (de) 1995-11-08 1999-12-09 Siemens Microelectronics, Inc. Flache optische vorrichtung mit mehreren montagekonfigurationen
DE29724582U1 (de) 1996-06-26 2002-07-04 OSRAM Opto Semiconductors GmbH & Co. oHG, 93049 Regensburg Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US6274890B1 (en) 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
JP3167641B2 (ja) 1997-03-31 2001-05-21 和泉電気株式会社 Led球
US5962971A (en) * 1997-08-29 1999-10-05 Chen; Hsing LED structure with ultraviolet-light emission chip and multilayered resins to generate various colored lights
US6340824B1 (en) * 1997-09-01 2002-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a fluorescent material
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
JP2000101148A (ja) 1998-09-25 2000-04-07 Rohm Co Ltd 発光ダイオ−ド
US6309054B1 (en) 1998-10-23 2001-10-30 Hewlett-Packard Company Pillars in a printhead
US6204523B1 (en) 1998-11-06 2001-03-20 Lumileds Lighting, U.S., Llc High stability optical encapsulation and packaging for light-emitting diodes in the green, blue, and near UV range
US6351069B1 (en) 1999-02-18 2002-02-26 Lumileds Lighting, U.S., Llc Red-deficiency-compensating phosphor LED
WO2000057490A1 (de) 1999-03-19 2000-09-28 Eurolight Illumination Technologies Gmbh Leuchte
JP2000315824A (ja) 1999-04-30 2000-11-14 Runaraito Kk 発光ダイオードおよびその製造方法
JP2000315822A (ja) 1999-04-30 2000-11-14 Runaraito Kk 発光ダイオードおよびその製造方法
JP2001057445A (ja) 1999-08-19 2001-02-27 Rohm Co Ltd 発光ダイオ−ド
US6504301B1 (en) 1999-09-03 2003-01-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Non-incandescent lightbulb package using light emitting diodes
US6350041B1 (en) 1999-12-03 2002-02-26 Cree Lighting Company High output radial dispersing lamp using a solid state light source
JP2001173239A (ja) 1999-12-16 2001-06-26 Nippon Kayaku Co Ltd 補修剤注入用プラグ
TW457731B (en) 1999-12-29 2001-10-01 Taiwan Oasis Entpr Co Ltd Structure and manufacturing method of a light emitting diode
JP2002076434A (ja) 2000-08-28 2002-03-15 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US7053419B1 (en) * 2000-09-12 2006-05-30 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
JP3614776B2 (ja) 2000-12-19 2005-01-26 シャープ株式会社 チップ部品型ledとその製造方法
US6812503B2 (en) 2001-11-29 2004-11-02 Highlink Technology Corporation Light-emitting device with improved reliability
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7264378B2 (en) 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
JP2004140185A (ja) 2002-10-17 2004-05-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置
AU2003301057A1 (en) 2002-12-20 2004-07-22 Cree, Inc. Methods of forming semiconductor mesa structures including self-aligned contact layers and related devices
US6765237B1 (en) * 2003-01-15 2004-07-20 Gelcore, Llc White light emitting device based on UV LED and phosphor blend
US7042020B2 (en) 2003-02-14 2006-05-09 Cree, Inc. Light emitting device incorporating a luminescent material
CA2517009A1 (en) 2003-02-26 2004-09-10 Cree, Inc. White light source using emitting diode and phosphor and method of fabrication
EP1620903B1 (en) 2003-04-30 2017-08-16 Cree, Inc. High-power solid state light emitter package
KR100405453B1 (en) 2003-07-25 2003-11-12 Seoul Semiconductor Co Ltd Chip light emitting diode(led) and manufacturing method thereof
US7029935B2 (en) 2003-09-09 2006-04-18 Cree, Inc. Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same
US7064424B2 (en) 2004-05-06 2006-06-20 Wilson Robert E Optical surface mount technology package
US7271963B2 (en) 2005-03-07 2007-09-18 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bi-curvature lens for light emitting diodes and photo detectors

Also Published As

Publication number Publication date
ATE448571T1 (de) 2009-11-15
JP2005537651A (ja) 2005-12-08
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DE60330023D1 (de) 2009-12-24
EP1540746A2 (en) 2005-06-15
WO2004021461A2 (en) 2004-03-11
KR100622209B1 (ko) 2006-09-19
EP1540746B1 (en) 2009-11-11
US20070120135A1 (en) 2007-05-31
KR20050046742A (ko) 2005-05-18
AU2003270052B2 (en) 2009-02-19

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