DE3841218A1 - Verfahren zum herstellen von hochreinem siliciumtetrafluorid - Google Patents
Verfahren zum herstellen von hochreinem siliciumtetrafluoridInfo
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Description
Der begrenzte und langsam zur Neige gehende Vorrat an fossilen
Brennstoffen zwingt in zunehmendem Maße zur Erschließung und
breiten Nutzung alternativer Energiequellen. Eine Möglichkeit
dazu bietet die direkte Umwandlung der Sonnenstrahlung in elek
trischen Strom. Für eine effiziente Umwandlung der Sonnenener
gie sind Solarzellen aus kristallinem Silicium besonders gut
geeignet. Um jedoch bei diesen Solarzellen einen hohen Wirkungs
grad, wie er für die Stromerzeugung im Leistungsbereich unab
dingbar ist, zu erreichen, muß zum Herstellen dieser Solarzel
len ein Siliciummaterial von höchster Reinheit eingesetzt wer
den. Die Reinheitsanforderungen stehen denen des Halbleitersi
liciums kaum nach. Da ein Siliciummineral von solch hoher Rein
heit in der Natur nicht vorkommt, müssen zur Herstellung von
Halbleiter- und Solarsilicium aufwendige Reinigungsverfahren
durchgeführt werden, welche enorme Kosten verursachen. Diese
Kosten wiederum sind der Grund dafür, daß eine großmaßstäbliche
Anwendung von Solarzellen zur Stromerzeugung bisher an mangeln
der Wirtschaftlichkeit scheiterte.
Andererseits fallen sowohl in der Halbleiter- als auch in der
Solarzellenproduktion erhebliche Mengen an Abfallsilicium an.
Allein beim Schneiden von Siliciumscheiben aus ein- oder poly
kristallinen Halbleiter-Siliciumstäben und polykristallinen
"metallurgical grade"-Siliciumbarren, meist mittels Diamantin
nenlochsäge, fallen 30-50% und mehr Siliciumverschnittabfall
an. Aber auch beim Verarbeiten der so gewonnenen Siliciumschei
ben von 50-200 µm Dicke (bei polykristallinen bis 400 µm und
mehr) zu Chips oder Solarzellen entsteht durch Wegfallen der
Randzonen und durch Bruch des sehr spröden Siliciums eine wei
tere beträchtliche Menge an Abfallsilicium. Hinzu kommen schließ
lich noch die als funktionsuntüchtig erkannten und ausgelesenen
Siliciumhalbleiterbauteile, der sogenannte Ausschuß.
Eine Wiederverwertung von Abfallsilicium ist bislang nur bei
großstückigem Reinstsilicium durch Wiedereinschmelzen und Kri
stallziehen möglich. Kleinstückiges und Verschnitt- sowie
Bruch- und Ausschußmaterial, oder ein durch Bearbeitungspro
zesse verunreinigtes Material ist teurer Abfall.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, für das Ab
fallsilicium, welches jährlich in einer geschätzten Menge von
mehreren tausend Tonnen anfällt, eine Wieder- bzw. Weiterver
wertung zu finden und aus dem teilweise verunreinigten Silici
umabfall wieder einen hochreinen Wertstoff zu gewinnen.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren zum Herstellen von Sili
ciumtetrafluorid gelöst, bei welchem erfindungsgemäß fein ver
teiltes Silicium mit Uranhexafluoriddampf bei erhöhter Tempe
ratur umgesetzt wird. Weiterhin liegt es im Rahmen der Erfin
dung, daß die Umsetzung bei einer Temperatur zwischen 300 und
550°C erfolgt und in einem Wirbelschichtofen durchgeführt
wird. Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind den Unteran
sprüchen zu entnehmen.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren wird ein einfacher und
kostengünstiger Weg zur Herstellung von Siliciumtetrafluorid
angegeben, der auf Grund der hohen Reinheit des erzeugten Pro
dukts geeignet ist, ein Ausgangsmaterial für die Erzeugung von
Halbleiter- und Solarzellensilicium zu liefern.
Uranhexafluorid steht in Form von abgereichertem Uranhexafluo
rid in großen Mengen praktisch kostenlos für die Nutzung seines
Fluorpotentials zur Verfügung. Es verbleibt als bisher unge
nutztes Nebenprodukt bei der Isotopenanreicherung während der
Erstellung von Kernbrennstoffen. Dabei wird natürliches Uran,
welches ca. 0,8% des spaltbaren Isotops U enthält, in die
flüchtige Verbindung Uranhexafluorid überführt und mittels Hoch
leistungszentrifugen oder Thermodiffusion in eine angereicherte
und eine abgereicherte Fraktion getrennt. Pro Tonne angereicher
tem Uranhexafluorid, welches ca. 3% des spaltbaren Isotops ent
hält, fallen so ca. 4-5 Tonnen abgereichertes Material an, wel
ches ca. 0,2-0,25% spaltbaren Isotops enthält. Wegen der poten
tiell möglichen weiteren Abreicherung dieses Materials bis auf
einen Gehalt von ca. 0,1% an spaltbarem Isotop wird abgereicher
tes Uranhexafluorid von den Energieversorgungsunternehmen bis
auf unbestimmte Zeit auf Lager gehalten. Da es sich dabei aber
um eine sowohl hydrolyseempfindliche als auch chemisch äußerst
aggressive Verbindung handelt, ist die Lagerung von Uranhexa
fluorid äußerst kostenaufwendig. UF6 muß unter hohem technischem
und Überwachungs-Aufwand in teuren Edelstahltanks aufbewahrt
werden.
Die Erfindung nutzt das hohe fluor-chemische Potential des bis
lang ungenutzten abgereicherten Uranhexafluorids, wobei gleich
zeitig der eigentliche Wertstoff, nämlich das Uran, erhalten
bleibt. Da mit dem erfindungsgemäßen Verfahren auch insbeson
dere kleinteiliges Abfallsilicium erstmals einer Wiederverwer
tung zugeführt wird, handelt es sich hier um ein äußerst kosten
günstiges Verfahren, das zudem ein hochreines und wertvolles
Produkt liefert.
Frühere Versuche, elementares Silicium mit Uranhexafluorid um
zusetzen, verliefen äußerst unbefriedigend. So ist zum Beispiel
aus dem Standardwerk "The Chemistry of Uranium" von Katz und
Rabinowitch auf Seite 440-449 zu entnehmen, daß selbst gepul
vertes Silicium äußerst reaktionsträge gegenüber Uranhexafluo
rid ist. Es reagiert mit in flüssigem Fluorwasserstoff gelöstem
UF6 nur sehr langsam (in 1-3 Tagen) zu UF5 gemäß
4 UF₆+Si→4 UF₅+SiF₄
wobei als Nebenprodukt reines Uranpentafluorid UF5 entsteht.
Die Erfindung dagegen beruht auf der überraschenden Feststellung,
daß das UF6 im aufgeheizten Dampfzustand ab einer bestimmten
höheren Temperatur einer Art Thermodissoziation der Form
UF₆UF₄+2 F (bzw. F₂)
unterliegt, und daß das dadurch freiwerdende hochreaktive Fluor
im Sinne einer Elementarsynthese mit dem feinverteilten Sili
cium gemäß
4 F (bzw. 2 F₂)+Si→SiF₄
reagiert, wobei das feste, erst oberhalb 1036°C schmelzende
grüne Urantetrafluorid UF4 als Nebenprodukt anfällt. Das ge
wünschte Produkt der Reaktion, der gasförmige Wertstoff SiF4,
läßt sich leicht von dem schwerflüchtigen und ebenfalls wert
vollen Nebenprodukt UF4 abtrennen. Dieses UF4 ist eine wesent
lich einfacher und preiswerter, nämlich in Blechtrommeln lager
fähige Uranverbindung, die mit Feuchtigkeit bzw. Wasser nicht
zu aggressivem Fluorwasserstoff und UO2F2 reagiert, ganz im Ge
gensatz zum heftig mit Wasser reagierenden Uranhexafluorid.
Die Umsetzung von UF6 mit Silicium ist eine heterogene Reak
tion, deren Geschwindigkeit von der Oberfläche des festen Sili
ciums abhängt. Für eine schnelle und vollständige Umsetzung ist
es daher von Vorteil, das Silicium möglichst kleinteilig einzu
setzten. Es wird daher vor der Umsetzung fein gemahlen, was
durch die Sprödigkeit des Siliciums erleichert wird.
Neben der großen Siliciumoberfläche ist außerdem eine innige
Vermischung der Reaktanten, das heißt eine möglichst gleich
mäßige Verteilung der Siliciumpartikel in dem für die Umsetzung
verwendeten Reaktor erforderlich. Zu diesem Zweck kann ein Wir
belschichtofen eingesetzt werden. Bei diesem wird das fein ge
mahlene Siliciumpulver und der UF6-Dampf zusammen, aber über
getrennte Zuleitungen in den Reaktor eingeblasen, wobei die
Reaktanten bis auf die Reaktionstemperatur vorgeheizt sein kön
nen. Es handelt sich bei der Umsetzung um eine exotherme Reak
tion, bei der die Temperatur im Reaktorraum über eine geeignete
Regelung der Zuführgeschwindigkeit der Reaktanten eingestellt
werden kann. Bei schnellerer Umsetzung bzw. einer höheren Zu
führgeschwindigkeit müssen die Reaktorwände gekühlt werden.
Das entstehende feste UF4 schlägt sich dann an den Reaktorwän
den nieder und schützt diese vor einem chemischen Angriff des
aggressiven UF6. Das Verfahren kann kontinuierlich durchge
führt werden, wobei festes UF4 mittels geeigneter Vorrichtungen
aus dem Reaktor ausgetragen wird. Das gasförmige Siliciumtetra
fluorid ist noch einfacher zu handhaben und wird an geeigneter
Stelle aus dem Reaktor ausgeleitet.
Die erzielbare Reinheit des Produkts SiF4 ist in nur geringem
Maße von der Reinheit des eingesetzten Abfallsiliciums abhän
gig. Letzteres weist im wesentlichen metallische Verunreini
gungen auf, von denen nur das Bor mit dem Uranhexafluorid
flüchtige Fluoride zu bilden vermag. Als gasförmiges Nebenpro
dukt kann deshalb nur Bortrifluorid BF3 entstehen, welches sich
leicht aus dem den Reaktor verlassenden Gasstrom auswaschen
läßt. Dazu kann das auffällige physikalisch-chemische Verhalten
der Lewis-Säure BF3 in vorteilhafter Weise ausgenutzt werden.
BF3 bildet in reversiblen Reaktionen relativ stabile Addukte
mit sauerstoffhaltigen Salzen und organischen Verbindungen. So
sind Addukte mit Hydroxiden und Oxiden von Metallen (z.B. NaOH,
CaO, CuO usw.), Alkalisalzen von Sauerstoffsäuren (z.B. Na2SO4,
K3PO4, Na4P2O7 usw.), Sauerstoffsäuren wie Phosphor- und Sal
petersäure, Acylfluoriden wie CH3COF, Ethern, Ketonen, Säure
anhydriden und vielen anderen mehr bekannt.
Wichtig für die Reinigung des Gasstromes von unerwünschten Ne
benprodukten, insbesondere von BF3, ist die Flüchtigkeit der
verwendeten Adsorbentien. So sind feste Adsorptionsmittel ge
genüber flüssigen bevorzugt. Gute Ergebnisse werden mit Natri
umsulfat, Calciumoxid, Natriumhydroxid und Natrium- oder Magne
siumhydrid erzielt. Dazu läßt man den Reaktionsgasstrom nach
Verlassen der Reaktionskammer mit einem oder mehreren dieser
Stoffe gefüllte Rohre oder Kammern durchströmen. Die Adsorben
tien sind dabei so gewählt, daß sie sich in einem thermischen
Schritt durch Abspaltung des angelagerten BF3 regenerieren
lassen.
Nach Abtrennen des Bortrifluorids besteht der Gasstrom nur noch
aus Siliciumtetrafluorid und gegebenenfalls einem Trägergas,
mit dessen Hilfe das Siliciumpulver in den Reaktor eingeblasen
wurde.
In einer besonders vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung
wird SiF4 selbst zum Einblasen des Siliciumpulvers in den
Reaktor verwendet. In diesem Fall besteht der Gasstrom nach der
Adsorption des BF3 ausschließlich aus dem gewünschten Produkt
SiF4.
Zur Reindarstellung wird SiF4 ausgefroren, kondensiert oder an
derweitig verflüssigt. Alternativ dazu kann Siliciumtetrafluo
rid auch durch Adduktbildung in eine feste oder flüssige Lager
form überführt werden, um später bei Bedarf aus dieser wieder
abgespalten zu werden. So lassen sich durch Umsetzen von SiF4
mit bestimmten Aminen Aminate, mit Alkali- bzw. Erdalkalifluo
riden die Hexafluorsilikate und mit manchen Alkoholen die ent
sprechenden Kieselsäureester darstellen, aus denen durch Er
wärmen, Erhitzen und gegebenenfalls Anlegen von Unterdruck
hochreines Siliciumtetrafluorid in passender Gasstromgeschwin
digkeit freigesetzt werden kann. Dies ist besonders für solche
Anwendungen von Bedeutung bei denen SiF4 in einer genauen Do
sierung eingesetzt werden muß.
Im folgenden wird die Erfindung an Hand zweier Figuren näher
erläutert. Dabei zeigt die
Fig. 1 schematisch eine Vorrichtung zur Durchführung des
erfindungsgemäßen Verfahrens.
Fig. 2 zeigt im Querschnitt eine Reaktorkammer, die einen Be
standteil von Fig. 1 darstellt.
Gleiche Teile sind mit gleichen Bezugszeichen versehen.
Fig. 1: Aus einem Vorratsbehälter 1 wird ein Sublimator 2 mit
Uranhexafluorid versorgt. Dort wird UF6 verdampft, auf die Re
aktionstemperatur von ca. 400°C gebracht und in den Reaktor 3
eingeleitet. Gleichzeitig wird mit Hilfe eines Trägergasstroms
4, der zum Beispiel aus Stickstoff oder vorzugsweise auch aus
Siliciumtetrafluorid besteht, aus einem Siliciumpulvervorrat 5
eine bestimmte Menge Siliciumpulver in den Reaktor 3 eingebla
sen. In dem Reaktor 3 wird ebenfalls die Reaktionstemperatur
von ca. 400°C eingehalten, bei der es zu einer spontanen Reak
tion des UF6 mit dem Siliciumpulver kommt. Unter Ausbildung
einer Reaktionsflamme entstehen die Reaktionsprodukte SiF4 und
UF4. Letzteres scheidet sich an den gekühlten Reaktorwänden ab
und schützt diese so vor einer Korrosion durch das aggressive
Uranhexafluorid.
In bestimmten Abständen wird das feste Nebenprodukt UF4 mittels
einer geeigneten Vorrichtung 6 aus dem Reaktor 3 ausgetragen,
während die gasförmigen "Reaktionsprodukte" einem Kondensator
19 zugeleitet werden, um überschüssiges UF6 aus dem Gasstrom
abzutrennen.
Der verbleibende Gasstrom, der nun nur noch das Reaktionspro
dukt Siliciumtetrafluorid, gegebenenfalls ein weiteres Träger
gas und Spuren weiterer gasförmiger Verunreinigungen enthält,
wird nun in die Adsorptionsvorrichtung 7 geleitet. Diese kann
einen Gaswäscher darstellen, in dem die einzige wesentliche Ver
unreinigung, Bortrifluorid, mittels einer geeigneten Adsorp
tionsflüssigkeit aus dem Gasstrom ausgewaschen wird. Doch kann
die Vorrichtung 7 auch mit einem festen Adsorptionsmittel für
BF3 gefüllt sein. Der gereinigte Gasstrom wird anschließend in
einem Kondensator 8 verflüssigt und gegebenenfalls vom Träger
gas getrennt. Dabei können die unterschiedlichen Verflüssigungs
temperaturen der beiden Gase genutzt werden, oder die Trennung
auf Grund der unterschiedlichen Molekülgröße über eine semiper
meable Membran erfolgen. Nach der Trennung werden Siliciumtetra
fluorid 9 und gegebenenfalls Trägergas 10 als Produkt des Kon
densators 8 erhalten. Das abgetrennte Trägergas 10 kann bei 4
wieder in das Verfahren eingeführt werden. Vorteilhafterweise
wird jedoch das Produkt SiF4 selbst als Trägergas eingesetzt,
wodurch eine Trennung der Gase im Kondensator 8 entfallen kann.
Fig. 2 zeigt einen Ausschnitt eines Reaktors 3, der vorteil
haft zur Umsetzung gasförmiger Stoffe bzw. eines gasförmigen
Stoffes mit einem fein verteilten Feststoff geeignet ist. Die
dargestellte Art der Reaktantenzuführung im Reaktor 3 wird
auch als Daniell′scher Hahn bezeichnet. Der Reaktor 3 weist
zwei getrennte Zuführungen 11, 12 für die Reaktanten auf, die
in eine gemeinsame Düse 16 im Inneren der Reaktorkammer münden.
Die ohne Krümmung verlaufende Einleitung 12 ist besonders gut
für das Einblasen eines fein gemahlenen Feststoffs geeignet und
wird zum Einbringen des Siliciumpulvers in den Reaktor verwen
det. Die Einleitung 11 ist für den Uranhexafluoriddampf vorge
sehen. Mit Bezugszeichen 13 sind Heizelemente entlang der Ein
leitungen 11, 12 bezeichnet, die die Reaktanten auf eine vor
bestimmte Temperatur zwischen 200 und 550°C bringen.
Die vorzugsweise metallische Reaktorwand 14 ist mit einer Kühl
vorrichtung ausgestattet, um überschüssige Reaktionswärme abzu
führen. Beim Betrieb des Reaktors 3 werden die Reaktanten in
bzw. kurz hinter der Düse 16 innerhalb der Reaktionskammer ver
einigt und reagieren bei der vorgegebenen Temperatur spontan
unter Ausbildung einer Reaktionsflamme 17 miteinander ab. Die
dabei entstehende hochschmelzende Uranverbindung UF4 schlägt
sich als Schicht 18 an den kühlen Reaktorwänden nieder und
schützt diese dadurch vor einem korrosivem Angriff des chemisch
aggressiven UF6.
An weiteren Bestandteilen weist der Reaktor 3 einen Auslaß für
die gasförmigen Reaktionsprodukte sowie eine Vorrichtung zum
Austrag des festen Nebenproduktes UF4 auf (in der Figur nicht
dargestellt).
Die Gesamtvorrichtung zur Herstellung von Siliciumtetrafluorid
wird durch weitere, dem Fachmann geläufige Einrichtungen er
gänzt. Dies sind insbesondere Meß- und Regelvorrichtungen für
Druck, Temperatur und Gasfluß bzw. zur Feststoffdosierung für
das Siliciumpulver mittels Trägergas. Die beschriebene Anlage
ermöglicht ein kontinuierliches Verfahren, wie es für eine
großtechnisch durchzuführende Umsetzung unerläßlich ist. Die
Ausgestaltung der Reaktionskammer ermöglicht eine nahezu voll
ständige Umsetzung der Reaktanten. Dies trägt weiter zur Wirt
schaftlichkeit des Verfahrens bei. Ein weiterer Vorteil ist,
daß es sich bei dem Verfahren um eine Art Recycling handelt,
bei dem bislang nicht verwertbare, im Grunde aber wertvolle
"Abfallstoffe" einer sinnvollen Weiterverwertung zugeführt wer
den, wobei außerdem ein äußerst nützliches und wertvolles Pro
dukt entsteht.
Siliciumtetrafluorid kann in elementares Silcium überführt wer
den, welches eine gegenüber dem eingesetzten Siliciummaterial
erhöhte Reinheit aufweist, und z.B. gut für Solarzellen geeig
net ist. Die Umwandlung gelingt mit den verschiedensten Reduk
tionsmitteln wie z.B. Kohlenstoff, Wasserstoff oder Natrium.
Eine weitere Verwendung für derart preiswert bereitstellbares
Siliciumtetrafluorid ergibt sich nach dem amerikanischen
Ocrete-Prozeß gemäß der Umsetzung
2 Ca (OH)₂+SiF₄→2 CaF₂+SiO₂+2 H₂O
Mit Hilfe dieser Reaktion gelingt es, Betonbauten zu festigen
und abzudichten.
Weitere denkbare Einsatzmöglichkeiten für Siliciumtetrafluorid
ergeben sich aus der Herstellung von synthetischem Kryolith für
die Aluminiumgewinnung durch Schmelzflußelektrolyse und durch
die Herstellung der als Salze und Elektrolyte einsetzbaren Si
likofluoride.
Claims (6)
1. Verfahren zum Herstellen von Siliciumtetrafluorid, da
durch gekennzeichnet, daß fein verteiltes
elementares Silicium mit Uranhexafluorid-Dampf bei erhöhter Tem
peratur umgesetzt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß als Uranhexafluorid sogenanntes abge
reichertes Uranhexafluorid eingesetzt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Umsetzung bei einer Temperatur
von 300-550°C erfolgt.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß zur Umsetzung ein Wirbel
schichtofen (3) verwendet wird.
5. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 4, da
durch gekennzeichnet, daß ein Siliciumpulver
verwendet wird, welches durch Mahlen von insbesondere kleinteilig
angefallenem Abfallsilicium aus der Halbleiterfertigung erhalten
wird.
6. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 5, da
durch gekennzeichnet, daß das Verfahren konti
nuierlich geführt wird und daß zur Umsetzung ein Reaktor (3) ver
wendet wird, der einen Daniell′schen Hahn zum Einleiten der bei
den Reaktionspartner UF6 und Si aufweist.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19883841218 DE3841218A1 (de) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | Verfahren zum herstellen von hochreinem siliciumtetrafluorid |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19883841218 DE3841218A1 (de) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | Verfahren zum herstellen von hochreinem siliciumtetrafluorid |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3841218A1 true DE3841218A1 (de) | 1990-06-13 |
Family
ID=6368650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19883841218 Withdrawn DE3841218A1 (de) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | Verfahren zum herstellen von hochreinem siliciumtetrafluorid |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE3841218A1 (de) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1988
- 1988-12-07 DE DE19883841218 patent/DE3841218A1/de not_active Withdrawn
Non-Patent Citations (1)
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