DE3341945A1

DE3341945A1 - Kupfer-kunststoff-verbundgegenstand, insbesondere in form eines gegossenen bauelements fuer integrierte schaltungen, sowie verfahren zu seiner herstellung

Info

Publication number: DE3341945A1
Application number: DE19833341945
Authority: DE
Inventors: Sheldon H. 62035 Godfrey Ill. Butt; F. Dennis 06516 West Haven Conn. Gyurina; Edward F. 06443 Madison Conn. Smith
Original assignee: Olin Corp
Current assignee: Olin Corp
Priority date: 1982-11-22
Filing date: 1983-11-21
Publication date: 1984-06-07
Also published as: GB8331065D0; JPS59109356A; GB2134029A; FR2536336A1; US4525422A

Description

-βίο Obwohl die vorliegende Erfindung einen weiten Anwendungsbereich aufweist, ist sie ganz besonders für die Einbettung elektrischer Leiter-Rahmenwerke oder Leiterkonfigurationen mit daran angefügten integrierten Schaltungen geeignet, und sie wird nachfolgend insbesondere im Hinblick auf dieses Anwendungsgebiet beschrieben.

In der Elektronik-Industrie bilden aus Kunststoff gegossene Bausteine einen der Haupttypen von Halbleiter-Bausteinen, die für integrierte Schaltkreise verwendet werden. Der Baustein kann ein Leiter-Rahmenwerk enthalten, an das eine elektronische Vorrichtung angefügt ist und das in einen Einbettungs-Kunststoff eingegossen ist. Bei diesem Typ von Kunststoff-Bausteinen treten oft Probleme im Hinblick auf ihre Zuverlässigkeit auf, die durch Fehler in der Kunststoff-Metall-Bindung zwischen dem Einbettungs-Kunststoff und dem Leiter-Rahmenwerk hervorgerufen werden. Eine solche mangelhafte Bindung stellt einen Weg dar, auf dem Feuchtigkeit und andere atmosphärische Verunreinigungen zu der elektrischen Vorrichtung vordringen können und dort Korrosionsprobleme auslösen. Derartige Mangel sind in einem Artikel mit dem Titel "Factors Governing Aluminum Interconnection Corrosion in Plastic Encapsulated Microelectronic Devices" von Neighbour und White, veröffentlicht in Microelectronics and Reliability, Pergamon Press, Großbritannien, Band 16, 1977, Seiten 161 bis 164 genauer erläutert und dokumentiert.

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Es ist bekannt, Laminate aus Kupfer oder Kupferlegierungen und Kunststoffolien herzustellen. Zwischen dem Metall und dem Kunststoffilm wird ein Laminierklebstoff verwendet, um beide miteinander zu verbinden. Eine hohe Bindungsfestigkeit zwischen dem Kupfer oder Kupferlegierungen und einer Kunststoffschicht wird durch einen auf dem Metall vorgesehenen Phosphatüberzug erhalten. Beispiele dafür finden sich in den US-PSen 3 677 828, 3 716 427, 3 728 177, 3 728 178, 3 764 399, 3 833 433, 3 837 929, 3 853 691, 3 940 303, 3 941 627, 3 941 628 und 3 944 449.

Derartige Kunststoffolien-Laminate, wie sie in diesen Patentschriften beschrieben sind, enthalten jedoch keine Formtrennmittel, wie sie gemäß der vorliegenden Erfindung zur Anwendung kommen. Da ein Haftmittel üblicherweise nur zwischen der Folie und dem Metall erforderlich ist, gibt es keinen Grund für eine Verwendung eines Formtrennmittels. Ein solches Formtrennmittel würde bei seiner Verwendung nur die Bindungsfestigkeit vermindern. Dieses Fehlen von Formtrennmitteln ist als grundlegender Unterschied gegenüber der vorliegenden Erfindung anzusehen, bei der solche Formtrennmittel undbedingt nötig sind, um zu verhindern, daß ein Einbettungs-Epoxidharz an der Formoberfläche festklebt. Leider verhindert ein solches Formtrennmittel auch ein Ankleben des Einbettungsmaterials an dem zu umhüllenden Metallstreifen, z.B. dem Leiter-Rahmenwerk. Die erhaltene Bindung zwischen dem Einbettungsmittel und dem Leiter-Rahmenwerk ist oft unzureichend und öffnet einen Weg, auf dem ein eingebettetes elektronisches Bauteil, das an das Leiter-Rahmenwerk angefügt ist, kontaminiert wer-I/ den kann.

Es ist somit eine allgemeine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen formgegossenen Verbundgegenstand, der aus einem in einen Einbettungs-Kunststoff eingebetteten Kupfer- oder Kupferlegierungssteil besteht, zu schaffen,

-δ-bei dem einerseits für die Formung ein Formtrennmittel ver wendet werden kann, und bei dem trotzdem keine Beeinträchtigung der Bindung des Einbettungs-Kunststoffes an dem metallischen Bestandteil beobachtet wird. Insbesondere ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen eingebetteten Baustein für ein elektrisches oder elektronisches Bauteil zu schaffen, der gegenüber einer Kontaminierung durch Bestandteile der Atmosphäre außerordentlich widerstandsfähig ist.

Diese Aufgaben werden erfindungsgemäß durch Gegenstände und Verfahren gelöst, wie sie in den Patentansprüchen beschrieben sind.

Es ist als ein besonderer Vorteil der vorliegenden Erfindung anzusehen, daß eine Umhüllung für ein elektrisches oder elektronisches Bauteil geschaffen wird, bei der die Einschränkungen und Nachteile der beschriebenen bisherigen Anordnungen umgangen werden.

Es ist ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung, daß eine hermetische Umhüllung für ein elektrisches oder elektronisches Bauteil geschaffen wird, die einer Ein diffundierung von Verunreinigungen im wesentlichen widersteht.

Es ist als weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung anzusehen, daß eine Umhüllung für ein elektrisches oder elektronisches Bauteil geschaffen wird, die relativ kostengünstig hergestellt werden kann.

Gemäß der vorliegenden Erfindung werden somit eine Umhüllung für die Aufnahme eines elektrischen oder elektronischen Bauteils und ein Verfahren zur Herstellung dieser Umhüllung geschaffen. Die Umhüllung umschließt ein Leiter-Rahmenwerk aus Kupfer oder einer Kupferlegierung. Auf das

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Leiter-Rahmenwerk wird eine Haftgrundierung aufgebracht, die einen gleichförmigen, glasartigen und im wesentlichen porenfreien Phosphatüberzug bildet. Außerdem ist mit dem Kupfer-Leiter-Rahmenwerk ein Einbettungs-Material verbunden, das ein Formtrennmittel enthält, so daß eine hermetische Umhüllung erhalten wird. Gemäß der vorliegenden Erfindung wird somit ganz allgemein eine Möglichkeit beschrieben, mittels derer eine Haftung zwischen einem Einbettungs-Epoxidharz und einem Kupfer- oder Kupferlegierungs-Material mit einer Haftgrundierung auf seiner Oberfläche erhalten werden kann, wenn eine starke Bindung erforderlich ist.

Nachfolgend werden die Erfindung und weitere Vorteile unter Bezugnahme auf die Figuren anhand von bevorzugten Ausführungsbeispielen näher erläutert.

Es zeigen:

Fig. 1 eine graphische Darstellung eines überlappungs-

Scherfestigkeits-Versuchs mit unüberzogenen Kupferlegierungen;

Fig. 2 eine graphische Darstellung eines überlappungs-Scherfestigkeits-Versuchs mit überzogenen

Kupferlegierungen;

Fig. 3 eine graphische Darstellung eines Haltbarkeits-Versuchs für überzogene und nicht-überzogene Kupferlegierungen.

Die vorliegende Erfindung betrifft in erster Linie die Ausbildung einer starken Bindung zwischen Kupfer oder einer Kupferlegierung und einem Einbettungs-Epoxidharz oder -kunststoff. Das ist besonders wichtig für Halbleiter-Leiter-Rahmenwerk-Anwendungen, bei denen das Lei-

-ιοί ter-Rahmenwerk und daran angefügte Halbleiter in ein Einbettungs-Epoxidharz eingekapselt weraen. Halbleiter-Vorrichtungen sind ganz besonders empfindlich im Hinblick auf eine Qualitätsverschlechterung oder ein Versagen infolge einer Einwirkung von Feuchtigkeit und/oder infolge des Eindringens von atmosphärischen Verunreinigungen in die Bausteine auf einem Weg zwischen der Einbettungs-Formgieß -Verbindung und dem Leiter-Rahmenwerk. Obwohl in diesem Bereich die primäre Anwendung der vorliegenden Erfindung liegt, gehört es zum Bereich der vorliegenden Erfindung, die beschriebene Behandlung immer dann anzuwenden, wenn Kupfer- oder Kupferlegierungen in eine allgemeine Klasse von Kunststoffen oder Epoxidharzen eingegossen werden, die Formtrennmittel enthalten. Ein solches Formtrennmittel, das auch als "Entformungs-Mittel" oder "Abhäsions-Mittel" bekannt ist, ermöglicht es, das ausgehärtete Epoxidharz aus der Einbettungs-Form zu entnehmen und das Nachpolieren der Form nach jeder Benutzung minimal zu gestalten. Genau wie das Formtrennmittel es jedoch verhindert, daß der Kunststoff oder ein Elastomeres an der Formwand festklebt, vermindert es auch die Festigkeit der Bindung zwischen dem Metall- oder Legierungs-Leitungs-Rahmenwerk und dem Kunststoff oder Elastomeren.

Das Metall oder die Legierung, die gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet werden, sind vorzugsweise Kupfer oder Kupferlegierungen. Dieses Metall oder diese Legierungen können dabei in jeder beliebigen Form vorliegen, beispielsweise als Bleche, Streifen oder Folien.

Das Metall oder die Legierung ist mit einem gleichförmigen, glasartigen, im wesentlichen porenfreien Phosphatüberzug überzogen. Dieser überzug kann eine Dicke im Bereich von etwa 2 bis etwa 10 niti aufweisen. Er kann nach verschiedenen Techniken aufgebracht werden, wie sie in den oben aufgezählten Patenten beschrieben werden. Beispielsweise

kann der Überzug dadurch erhalten werden, daß man eine Phosphorsäurelösung, die von etwa 3,5 g/l bis zur Löslichkeitsgrenze Natriumdichromat (Na₂Cr₃O ·2Η₂0) oder Xaliumdichromat (K₃Cr₂O₇) oder deren Mischungen enthält, auf das Kupferlegierungsmaterial aufbringt. Üblicherweise erfolgt das Aufbringen der erwähnten Lösung durch Eintauchen eines Blechs oder Streifens des Materials in ein Bad der obenerwähnten Säurelösung.

Eine andere Behandlung, die für die vorliegende Erfindung von Vorteil ist, wird in der US-PS 4 264 379 beschrieben.

Diese Behandlung wird mit einer wäßrigen Lösung durchgeführt, die eine niedrige bis mäßige Konzentration eines Phosphonsäure-Bestandteils oder Phosphonsäure-Bestandteilen aufweist, vorzugsweise im Bereich von etwa 0,1 bis etwa 30 Vol.-% für den Fall flüssiger Säuren oder in entsprechenden Gewichtsprozentgrenzen für feste Phosphonsäuren, die vorzugsweise im Bereich von etwa 0,1 bis 40 Gew.-% liegen.

Die Behandlungslösung enthält vorzugsweise eine niedrige bis mäßige Konzentration, beispielsweise etwa 0,1 bis etwa 15,0 Gew.-%, vorzugsweise 0,2 bis 5,0 Gew.-% eines Oxidationsmittels wie beispielsweise ein Natrium- oder anderes Alkali-chromat oder -dichromat oder Salpetersäure (100 %ig) in einer Konzentration von etwa 0,05 bis etwa 10,0 Vol.-%, vorzugsweise von etwa 0,05 bis etwa 2,0 Vol.-% HNO-.. Andere bekannte Oxidationsmittel einer ähnlichen

gO Aktivität können in einer vergleichbar verdünnten oder mäßigen Konzentration verwendet werden, die für den angestrebten Zweck wirksam ist, wobei jedoch im allgemeinen so heftige Oxidationsbedingungen vermieden werden, die eine beträchtliche Zersetzung der Phosphonsäure bewirken könnten.

Im Anschluß an die erwähnte Tauchstufe wird der Streifen aus der Kupferlegierung gewaschen und getrocknet. Das Waschen wird normalerweise unter fließendem Wasser durchgeführt, obwohl in einfacher Weise auch eine Sprühwäsche zur Anwendung kommen kann. Das Trocknen kann mit einem Luftstrahl, Waschen in einer Alkohollösung wie Methanol und Trocknenlassen oder durch einfaches Trocknen an der Atmosphäre erfolgen.

Nach dem Waschen und Trocknen wird die behandelte Oberfläche des Kupfer-Bleches oder -Streifens für die Anfügung von Halbleitern und die Anfügung von Zuleitungsdrähten von den Halbleitern zu dem überzogenen Leitungs-Rahmenwerk oder Streifen vorbereitet. Bei der Herstellung des Leiter-Rahmenwerks (leadframe) mit einer daran angefügten Halbleiter-Vorrichtung kann es wünschenswert sein, einen Punkt auf dem Leiter-Rahmenwerk zu versilbern, um die Verbindung der Drähte von der Halbleiter-Vorrichtung zu dem Leiter-Rahmenwerk zu verbessern. Außerdem können die Enden des Leiter-Rahmenwerks auch einen Elektrolöt-überzug erhalten, um die Verbindung zwischen dem Leiter-Rahmenwerk und einem anderen Element, an das es angelötet werden kann, zu verbessern. In jedem Fall kann der glasartige Phosphatüberzug des Leiter-Rahmenwerks gemäß der vorliegenden Erfindung in vorteilhafter Weise fertiggestellt werden, nachdem der Silber-Punkt und/oder der Elektrolöt-überzug aufgebracht wurden, da der Überzug weder auf dem Silber noch auf dem Lot eine wesentliche Haftung aufweist. Umgekehrt können das Versilbern und/oder der Elektrolotüberzug aufgebracht werden, nachdem der Phosphat-Überzug aufgebracht wurde, da der Überzug die Haftung dieser Metallüberzüge nicht behindert.

Die Halbleiter-Vorrichtung wird an das metallierte Leiter-Rahmenwerk auf irgendeine herkömmliche Weise befestigt.

Das Leiter-Rahmenwerk kann dann in eine Form gegeben werden

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und in irgendeiner üblichen Weise in ein Einbettungs-Epoxidharz eingebettet werden, das vorzugsweise sowohl Formtrennmittel als auch inerte Füllstoffe enthält, die für die beschriebene Erfindung geeignet sind. Die Einbettungs-Epoxidharze gehören im allgemeinen zur Klasse der thermisch härtenden Kunststoffe oder Polymeren. Sie enthalten vorzugsweise Formtrennmittel, wie beispielsweise organische Substanzen mit niedriger Schmelztemperatur, die es gestatten, das gehärtete Epoxidharz aus der Form freizumachen und das Polieren der Form zwischen zwei Verwendungen minimal zu halten. Derartige Formtrennmittel oder "Abhäsionsmittel" können Materialien wie Silicone, Stearate und Fettsäuren enthalten. Beispiele für andere derartige Mittel sind in der Encyclopedia of Chemical Technology, 3rd Edition, Kirk-Othmer, veröffentlicht von John Wiley & Sons, Band 1, Seiten 1 bis 9 beschrieben. Die Einbettungs-Epoxidharze können auch inerte Füllstoffe enthalten, um eine Dimensions- und Temperatur-Stabilität zu gewährleisten. Diese Füllstoffe können diskrete Teilchen wie beispielsweise Glasfasern oder Siliciumdioxid sein.

Die Epoxid-Einbettungsmittel, die Formtrennmittel enthalten, die gemäß der vorliegenden Erfindung geeignet sind, sind beispielsweise Morton Polyset 410B, hergestellt von Morton Chemical Company, und Plaskon 3100 und 320 0, hergestellt von Plaskon Electronic Materials, Ine.

Die Fig. 1 bis 3 zeigen experimentelle Ergebnisse, die bei Überlappungs-Scherfestigkeits-Versuchen von verschiedenen Proben erhalten wurden. Bei dem Überlappungs-Scherfestigkeits-Versuch wird die Bindungsfestigkeit als Scherfestigkeit gemessen. Er wird so durchgeführt, daß man 2 Streifen des gewünschten Materials überlappen läßt und sie mit einem Epoxidharz miteinander verbindet. An-

schließend werden die Streifen voneinander weggezogen, wodurch in der Bindung eine Scherspannung erzeugt wird.

Bezugnehmend auf Fig. 1 wird dort eine Probe eines nicht~ überzogenen CDA-Kupferstreifens gezeigt, die dem obenbeschriebenen Überlappungs-Versuch unterzogen wurde. Das verwendete Einbettungs-Epoxidharz war in diesem Falle Morton Polyset 410B. Fig. 2 zeigt Proben von CDA-Kupferstreifen, die mit einem glasartigen Phosphat überzogen waren und mit Morton Polyset 410B aneinander gebunden wurden. Ein Vergleich der Fig. 1 und 2 zeigt, daß die mittlere Bindungsfestigkeit für die überzogenen Kupferlegierungs-Proben fast den doppelten Wert verglichen mit den reinen Proben derselben Legierung aufwies.

Fig. 3 zeigt die experimentellen Ergebnisse eines Haltbarkeits-Versuchs. Der Haltbarkeits-Versuch mißt die Wirkung von Feuchtigkeit auf die Bindungsfestigkeit. Die gezeigten Daten wurden für die Bindung von überzogenen und nicht-überzogenen Streifen aus der Kupferlegierung CDA 194 mit einem Einbettungs-Epoxidharz (Morton Polyset 410B) erhalten. Das Epoxidharz wurde 24 Std. bei 165⁰C gehärtet. Anschließend wurden die aneinander gebundenen Streifen über verschiedene Zeiträume in siedendem Wasser angeordnet. Anschließend wurden sie unter Anwendung des obenerwähnten Überlappungs-Festigkeits-Versuchs auseinandergezogen. Die Steigung durch den Mittelwert der Bindungsfestigkeits-Bereiche für das überzogene und das nicht-überzogene oder reine Kupfer 194 zeigt, daß die überzogene Legierung eine größere Bindungsfestigkeit aufwies. Das ist ein Beispiel für eine spezifische Aushärtung. Die gleiche Art von Wirkungen sind für jede beliebige äquivalente Aushärtungsbehandlung zu erwarten. Selbst im nicht-gehärteten Zustand wurde eine spezifische Bindungsverbesserung von etwa 1965 kN/m² (285 psi) für die überzogene Kupferlegierung gegenüber

1379 kN/m² (200 psi) für die nicht- überzogene Kupferlegierung festgestellt.

Die Haltbarkeitsversuche zeigen die erhöhte Bindungsfestigkeit eines gemäß der vorliegenden Erfindung überzogenen Streifens, verglichen mit dem nicht-überzogenen Streifen, wenn beide ähnlichen Wärme- und Feuchtigkeits-Bedingungen ausgesetzt wurden. Dieser Test ist ein Hinblick auf die hermetische Dichtigkeit eines Bausteins, der eine Halbleitervorrichtung aufweist, die an ein Leiter-Rahmenwerk angefügt ist und in ein Epoxidharz eingebettet ist, das sowohl Formtrennmittel als auch inerte Füllstoffe enthält. Die hermetische Dichtigkeit wurde weiter dadurch untermauert, daß man die Kunststoff-Metall-Haftungsbindung mit und ohne die Haftgrundierungen einem Vakuum-Testversuch unterzog. In Abwesenheit einer Haftgrundierung wird kein Vakuum erhalten. Dagegen wurden

für die überzogenen Proben bei der Vakuummessung Werte 20

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im Bereich von 10 bis 10 Torr erhalten.

Es kann ferner davon ausgegangen werden, daß der erfindungsgemäße Überzug weitere zusätzliche Vorteile mit sich bringt, indem er ein Bindungsversagen im Sinne eines Abscherens infolge von Unterschieden der thermischen Ausdehnung zwischen dem Metall und dem Epoxidharz verhindert. Der Ausdehnungskoeffizient eines Epoxidharzes kann von dem Ausdehnungskoeffizienten des Kupfers oder der Kupferlegierung verschieden sein. So ist beispielsweise der thermische Ausdehnungskoeffizient von Kupfer 10 χ 10 cm/cm/⁰C, und der lineare Ausdehnungskoeffizient für ein

: typisches Einbettungs-Epoxidharz beträgt 27 χ 10 cm/cm/⁰C. Der Unterschied bei den Ausdehnungskoeffizienten führt zu Zuständen hoher Scherspannung, wenn der Verbundgegenstand in eine Umgebung mit zyklischer Temperaturbeanspruchung gebracht wird. Es hat sich jedoch gezeigt, daß die Haft-Grundierungen gemäß der vorliegenden Erfindung

eine gewisse Flexibilität aufzuweisen scheinen und es konnte gezeigt werden, daß sie sich an eine gewisse Ausdehnung anpassen. Die verbesserten Bindungsfestigkeiten, die gemäß der vorliegenden Erfindung erreicht werden, sollten ein Bindungsversagen über einen weiteren Bereich von Seher-Verlagerungen verhindern, wie sie in einem Temperaturbereich zwischen -50⁰C und +165⁰C existieren. Diese Temperaturen stellen gleichzeitig die Extrem-Temperaturen dar, unter denen derartige Vorrichtungen normalerweise verwendet werden. Das kann ganz besonders unter widrigen Umgebungsbedingungen wichtig sein, in denen eingebettete Halbleitervorrichtungen verwendet werden.

Die im vorangehenden Beschreibungstext erwähnten Patente und Veröffentlichungen sollen durch ausdrückliche Bezugnahme als Teil der vorliegenden Anmeldung angesehen werden und sind zur Erläuterung von Begriffen in der vorliegenden Anmeldung heranzuziehen.

^Es ist für den Fachmann offensichtlich, daß gemäß der vorliegenden Erfindung ein Kupfer-Kunststoff-Verbundmaterial bzw. Verbundgegenstand sowie ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Verbundgegenstandes angegeben wird, die die Aufgaben, verwendeten technischen Mittel und erläuterten Vorteile vollständig befriedigend beschreiben. Es versteht sich dabei für den Fachmann, daß trotz der Beschreibung der Erfindung in Form spezifischer Ausführungsformen zahlreiche Alternativen, Modifikationen und Variationen möglich sind, die in den Bereich der vorliegenden Erfindung, wie sie durch die Ansprüche definiert ist, fallen.

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Claims

Kupfer-Kunststoff-Verbundgegenstand^insbesondere in Form eines gegossenen Bauelements für integrierte Schaltungen, sowie Verfahren zu seiner Herstellung

Patentansprüche

/1.) Kupfer-Kunststoff-Verbundgegenstand mit einer hohen

^-B-indungsfestigkeit, dadurch gekennzeichnet , daß

das Kupfer dieses Verbundgegenstandes aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Kupfer und Kupferlegierungen besteht;

TO die Oberfläche dieses Kupfers eine Haftgrundierung aufweist, die einen gleichförmigen, glasartigen, im wesentlichen porenfreien Phosphatüberzug bildet; und ein Kunststoffmaterial, das ein Formtrennmittel enthält, festhaftend mit dem Kupfer oder der Kupferlegierung verbunden

15 ist.

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2. Verbundgegenstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Kunststoffmaterial außerdem inerte Füllstoffe zur Gewährleistung seiner Dimensionsstabilität enthält.
3. Verbundgegenstand nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Formtrennmittel organische Verbindungen mit niedriger Schmelztemperatur sind.
4. Verbundgegenstand nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Formtrennmittel Silicone sind.
5. Verbundgegenstand nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Kunststoffmaterial ein thermisch härtendes Einbettungs-Epoxidharz ist.
6. Eine Umhüllung für ein elektrisches oder elektronisches Bauteil, dadurch gekennzeichnet, daß sie umfaßt: ein Kupfer- oder Kupferlegierungs-Rahmenwerk, das auf seiner Oberfläche eine Haftgrundierung aufweist, die einen im wesentlichen gleichförmigen glasartigen und im wesentlichen porenfreien Phosphatüberzug umfaßt;

und ι

ein thermisch härtbares Kunststoffmaterial, das ein Formtrennmittel enthält und in das das Leiter-Rahmenwerk eingebettet ist, wobei eine starke Haftbindung zwischen dem Leiter-Rahmenwerk und dem Kunststoffmaterial ausgebildet ist.
7. Umhüllung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Kunststoffmaterial außerdem inerte Füllstoffe enthält, die der Umhüllung eine Dimensionsstabilität verleihen.
8. Umhüllung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Formtrennmittel organische Substanzen

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-3-unit niedriger Schmelztemperatur sind.
9. Umhüllung nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Formtrennmittel Silicone sind.
10. Umhüllung nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Kunststoffmaterial ein thermisch härtendes Einbettungs-Epoxidharz ist.
11. Umhüllung nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrische oder elektronische Bauteil an dem Leiter-Rahmenwerk haftet.
12. Verfahren zur Herstellung eines Verbundgegenstandes mit einer hohen Bindungsfestigkeit, gekennzeichnet durch die Stufen:

(a) Bereitstellung eines Materials, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Kupfer und Kupferlegierungen besteht;

(b) Überziehen dieses Materials mit einer Haftgrundierung, die einen im wesentlichen porenfreien Phosphatfilm umfaßt;

(c) Waschen dieses Materials;
(d) Trocknung dieses Materials;

und

(e) Erzeugung einer Haftbindung zwischen der Oberfläche des Kupfer- oder Kupferlegierungs-Materials und einem Kunststoffmaterial, das ein Formtrennmittel enthält, so daß eine hohe Bindungsfestigkeit erhalten wird.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß als Einbettungs-Kunststoffmaterial ein Kunststoffmaterial gewählt wird, das zur Sicherung einer Dimensionsstabilität inerte Füllstoffe enthält.
14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß als Formtrennmittel organische Substanzen mit einer niedrigen Schmelztemperatur gewählt werden.
15. Verfahren nach Anspruch 12 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Formtrennmittel aus der Gruppe der Silicone ausgewählt werden.
16. Verfahren nach Anspruch 12 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß als Kunststoffmaterial ein thermisch härtendes Einbettungs-Epoxidharz gewählt wird.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß es außerdem umfaßt:

Erzeugung eines Leiter-Rahmenwerks aus dem Kupfer- oder Kupfer-Legierungs-Material, und

Formgießen unter Einbettung des Leiter-Rahmenwerks in dem Epoxidharz.
18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet,' daß vor dem Formgießen unter Einbettung des Leiter-Rahmenwerks in dem Kunststoffmaterial ein elektrisches oder elektronisches Bauteil auf diesem Leiter-Rahmenwerk montiert wird.
19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Montieren des Bauteils zur Verbesserung der Verbindung zwischen diesem Bauteil und dem Leiter-Rahmenwerk dieses Leiter-Rahmenwerk außerdem mit einem Metallüberzug versehen wird.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß das Überziehen des Kupfermaterials so durchgeführt wird, daß man dieses Material wenigstens 2 Sek. in eine Phosphorsäure-Lösung einer Konzentration von wenigstens 8% eingibt, die in einer

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Ι Menge von 3,5 g/l bis zur Löslichkeitsgrenze Natriumdichromat und/oder Kaliumdichromat enthält, und dabei einen im wesentlichen porenfreien Film aus Kupferphosphat erzeugt, mit der Maßgabe, daß dann, wenn die Phosphorsäurekonzentration erhöht wird, auch die Mindestkonzentration des Dichromats proportional erhöht wird.
21. Verfahren nach Anspruch 12 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß das Überziehen des Kupfermaterials so durchgeführt wird, daß man dieses Material wenigstens 4 Sek. in eine Lösung eingibt, die eine Organophosphonsäure sowie ein chromatfreies Oxidationsmittel enthält, und dabei den Phosphatfilm in Form eines Oberfächenüberzugs aus einer Verbindung dieser Organophosphonsäure erzeugt.