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DE10137669A1 - Method of aligning contact support onto countercontact support for chip test head - Google Patents

Method of aligning contact support onto countercontact support for chip test head

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Publication number
DE10137669A1
DE10137669A1 DE2001137669 DE10137669A DE10137669A1 DE 10137669 A1 DE10137669 A1 DE 10137669A1 DE 2001137669 DE2001137669 DE 2001137669 DE 10137669 A DE10137669 A DE 10137669A DE 10137669 A1 DE10137669 A1 DE 10137669A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
contact
section
positioning
contacts
wafer
Prior art date
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Ceased
Application number
DE2001137669
Other languages
German (de)
Inventor
Gerd Frankowsky
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE2001137669 priority Critical patent/DE10137669A1/en
Publication of DE10137669A1 publication Critical patent/DE10137669A1/en
Ceased legal-status Critical Current

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Abstract

The method contacts numerous contact points with numerous countercontact points. On a contact support surface is formed an adjusting contact (7), the surface contg. a positioning section (9) and a larger starting section (8), electrically conductively coupled.Next the contact points of the contact supports are aligned onto the counter contacts of the counter contact support by positioning each counter contact on the positioing section and starting section. The correct alignment of both contact supports is tested by specified short circuit testing.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Kontaktieren einer Vielzahl von Kontaktstellen eines Kontaktträgers mit einer Vielzahl von Gegenkontakten eines Gegenkontaktträgers.The invention relates to a method for contacting a Variety of contact points of a contact carrier with one Large number of mating contacts of a mating contact carrier.

Derartige Verfahren sind allgemein bekannt und werden bei­ spielsweise dazu verwendet, die Kontaktstifte eines Prüfkop­ fes mit den Kontaktstellen eines Wafers zu kontaktieren, um die auf dem Wafer ausgebildeten Halbleiterchips zu testen. Die Kosten für den Test machen einen bedeutsamen Teil der Ge­ samtkosten zur Herstellung der Halbleiterchips aus. Die Ko­ sten für den Test können jedoch gesenkt werden, wenn alle auf einem Wafer ausgebildeten Halbleiterchips gleichzeitig gete­ stet werden können. Es besteht daher Bedarf nach einem Ver­ fahren, mit dem sämtliche Halbleiterchips auf einem Wafer gleichzeitig kontaktiert werden können. Ein sogenannter Wa­ fer-Level-Test (WLT) setzt voraus, daß Tausende von Kontakten zwischen Kontaktstellen auf dem Wafer Gegenkontakten auf ei­ nem Prüfkopf hergestellt werden müssen. Dabei bestehen außer­ ordentliche hohe Anforderungen an die Genauigkeit der Aus­ richtung des Prüfkopfes in bezug auf den Wafer. Da die Kon­ taktstellen auf dem Wafer typischerweise eine Abmessung von 90 µm × 90 µm aufweisen, müssen die Wafer und der Prüfkopf bis auf 30 bis 40 µm in Translationsrichtung aufeinander aus­ gerichtet werden.Such methods are generally known and are described in used for example, the contact pins of a test head to contact the contact points of a wafer in order to to test the semiconductor chips formed on the wafer. The cost of the test makes up a significant part of the Ge total costs for the production of the semiconductor chips. The knockout However, most of the tests can be lowered if all are on semiconductor chips formed at the same time can be steady. There is therefore a need for a ver drive, with all the semiconductor chips on a wafer can be contacted at the same time. A so-called Wa fer-level test (WLT) requires thousands of contacts between contact points on the wafer counter contacts on egg a test head must be manufactured. Except decent high demands on the accuracy of the Aus Direction of the probe with respect to the wafer. Since the Kon clock positions on the wafer typically have a dimension of 90 µm × 90 µm, the wafers and the test head up to 30 to 40 µm in translation direction on each other be judged.

Auch in Drehrichtung sind hohe Genauigkeiten erforderlich, da in diesem Fall die Halbleiterchips in der Nähe der Waferkante stärker davon betroffen sind als die Halbleiterchips im Zen­ trum des Wafers. Bei einem Wafer mit einem Durchmesser von 200 mm beträgt der maximale tolerierbare Versatzwinkel 0,013 Grad. High accuracy is also required in the direction of rotation, because in this case the semiconductor chips near the edge of the wafer are more affected than the semiconductor chips in Zen of the wafer. For a wafer with a diameter of 200 mm the maximum tolerable offset angle is 0.013 Degree.  

Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt die Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, mit dem sich eine Vielzahl von Kontaktstellen eines Kontaktträgers auf ei­ ne Vielzahl von Gegenkontakten eines Gegenkontaktträgers mit hoher Genauigkeit ausrichten lassen.The invention is based on this prior art the task of specifying a method with which a plurality of contact points of a contact carrier on egg ne variety of mating contacts of a mating contact carrier with aligned with high accuracy.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren mit den folgenden Verfahrensschritten gelöst:
According to the invention, this object is achieved by a method with the following method steps:

  • - Ausbilden eines Justierkontakts auf einer Kontaktträger­ oberfläche mit einem Positionierabschnitt und einem im Ver­ gleich zum Positionierabschnitt flächenmäßig größeren Einfan­ gabschnitt, der mit dem Positionierabschnitt elektrisch lei­ tend verbunden ist;- Forming an alignment contact on a contact carrier surface with a positioning section and one in ver equal to the positioning section larger area fan gabschnitt that electrically with the positioning section tend is connected;
  • - Ausrichten der Kontaktstellen des Kontaktträgers auf die Gegenkontakte des Gegenkontaktträgers durch Positionieren je­ weils eines Gegenkontaktes auf dem Positionierabschnitt und dem Einfangabschnitt;- Align the contact points of the contact carrier on the Mating contacts of the mating contact carrier by positioning each because of a mating contact on the positioning section and the capture section;
  • - Überprüfen der korrekten Ausrichtung des Kontaktträgers be­ züglich des Gegenkontaktträgers durch eine Kurzschlußprüfung zwischen den beiden jeweils auf dem Positionierabschnitt und dem Einfangabschnitt positionierten Gegenkontakten.- Check the correct alignment of the contact carrier regarding the mating contact carrier by a short circuit test between the two on the positioning section and mating contacts positioned in the catching section.

Die Kontaktfläche weisen einen flächenmäßig großen Einfangab­ schnitt auf. Dadurch ist sichergestellt, daß auch bei einer groben Positionierung des Kontaktträgers in bezug auf den Ge­ genkontaktträger wenigstens der dafür vorgesehene Gegenkon­ takt auf dem Einfangabschnitt zu liegen kommt. Die Kurz­ schlußprüfung ist dann erfolgreich, wenn der zweite Gegenkon­ takt auf dem flächenmäßig kleinen Positionierabschnitt, der mit der Kontaktfläche verbunden ist zu liegen kommt. Da der breite Einfangabschnitt und der schmale Positionierabschnitt untereinander elektrisch leitend verbunden sind, kann die La­ ge des Kontaktträgers in bezug auf den Gegenkontaktträger durch eine Kurzschlußprüfung zwischen den jeweils am Positio­ nierabschnitt und am Einfangabschnitt anliegenden Gegenkon­ takten bestimmt werden. The contact area has a large capture area cut open. This ensures that even with a rough positioning of the contact carrier in relation to the Ge gene contact carrier at least the intended counter con comes to rest on the capture section. The short final check is successful if the second counterpart clocks on the small positioning section, the connected to the contact surface comes to rest. Since the wide capture section and the narrow positioning section are electrically connected to each other, the La ge of the contact carrier with respect to the mating contact carrier by a short-circuit test between those at the position kidney section and mating section lying against the catch section clocks are determined.  

Bei einer bevorzugten Ausführungsform sind die Justierkontak­ te T-förmig ausgebildet, wobei der Querbalken breit ausgebil­ det ist und die Funktion des Einfangabschnittes übernimmt.In a preferred embodiment, the adjustment contacts te T-shaped, the crossbar broadly trained is det and takes over the function of the capture section.

Von diesen T-förmigen Justierkontakten müssen mindestens zwei auf der Kontaktträgeroberfläche ausgebildet sein, um die Lage des Kontaktträgers in bezug auf den Gegenkontaktträger fest­ zulegen.At least two of these T-shaped adjustment contacts must be used be formed on the contact carrier surface to the position of the contact carrier with respect to the mating contact carrier set.

Von besonderem Vorteil ist, während jeweils zwei der T- förmigen Justierkontakt einander gegenüberliegend an den Rän­ dern der Kontaktträgeroberfläche angeordnet sind, da die Lage des Kontaktträgers in bezug auf den Gegenkontaktträger in diesem Fall durch Kurzschlußprüfungen an gegenüberliegenden Justierflächen auf einfache Weise ermittelt werden kann.It is particularly advantageous while two of the T- shaped adjustment contact opposite each other on the rän of the contact carrier surface are arranged because of the position of the contact carrier in relation to the counter contact carrier in this case by short-circuit tests on opposite Adjustment surfaces can be determined in a simple manner.

Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform sind äußere Positionierabschnitte eines Justierkontaktes um einen zentra­ len Positionierabschnitt herum angeordnet.In a further preferred embodiment, outer Positioning sections of an adjustment contact around a centra len positioning section arranged around.

Diese Anordnung bietet den Vorteil, daß lediglich zwei dieser Justierkontakte auf der Kontaktträgeroberfläche ausgebildet werden müssen, um die Lage des Kontaktträgers gegenüber dem Gegenkontaktträger festzulegen.This arrangement has the advantage that only two of them Adjusting contacts formed on the contact carrier surface must be to the position of the contact carrier in relation to the To determine counter contact carrier.

Weitere Einzelheiten sind Gegenstand der abhängigen Ansprü­ che.Further details are the subject of the dependent claims che.

Nachfolgend wird die Erfindung im einzelnen anhand der beige­ fügten Zeichnung erläutert. Es zeigen:The invention is explained in more detail below with reference to the beige added drawing explained. Show it:

Fig. 1 die typische Oberfläche eines Wafers sowie vergrößerte Ansichten der als Pads ausge­ führten Kontaktstellen auf dem Wafer und der Gegenkontakte eines Prüfkopfes; . Figure 1 shows the typical surface of a wafer as well as being enlarged views of the pads led contact locations on the wafer and the mating contacts of a probe;

Fig. 2 eine Aufsicht auf die Oberfläche eines ab­ gewandelten Wafers sowie vergrößerte An­ sichten der Kontaktstellen und der als Pads ausgeführten Gegenkontakte des Prüfkopfes; Fig. 2 is a plan view of the surface of a converted wafer and enlarged views of the contact points and the counter-contacts designed as pads of the test head;

Fig. 3A bis C Ansichten auf die Oberfläche eines Wafers, die die verschiedenen Arten von Fehljustie­ rungen zeigen; Figs. 3A to C Views on the surface of a wafer showing Conclusions The various types of Fehljustie;

Fig. 4A und B jeweils eine Aufsicht auf einen Justierkon­ takt und die zugeordneten Gegenkontakte ei­ nes Prüfkopfes; FIGS. 4A and B are each a view of a clock Justierkon and associated mating contacts ei nes probe;

Fig. 5 eine perspektivische Ansicht der auf dem Justierkontakt aufgebrachten Gegenkontakte; Fig. 5 is a perspective view of the force applied to the mating contacts Justierkontakt;

Fig. 6 eine weitere perspektivische Ansicht zweier Justierkontakte mit den anliegenden Gegen­ kontakten und den zugehörigen Prüfkopflei­ tungen; Fig. 6 is another perspective view of two adjustment contacts with the adjacent counter contacts and the associated test head lines;

Fig. 7A bis D Ansichten auf Paare von Justierkontakten und zugeordnete Gegenkontakte bei verschie­ denen Fehljustierungen; Fig. 7A to D views of pairs of adjustment contacts and associated mating contacts with various misalignments;

Fig. 8 eine Aufsicht auf eine Waferoberfläche mit vier auf entgegengesetzten Seiten des Wa­ fers angeordneten Justierkontakten; Figure 8 is a plan view of a wafer surface with four on opposite sides of the Wa fers arranged Justierkontakten.

Fig. 9A und B Aufsichten auf den Wafer aus Fig. 8 bei in x-Richtung versetztem Prüfkopf; Figs. 9A and B are plan views of the wafer of Figure 8 in the x-direction offset probe.

Fig. 10A und B Aufsichten auf den Wafer aus Fig. 8 mit in y-Richtung versetztem Prüfkopf; . Figs. 10A and B are plan views of the wafer of Figure 8 in the y-direction offset test head;

Fig. 11A und B Aufsichten auf den Wafer aus Fig. 8 mit verdrehtem Prüfkopf; FIG. 11A and B are plan views of the wafer of Figure 8 with twisted probe.

Fig. 12 eine Aufsicht auf den Wafer aus Fig. 8 mit in x- und y-Richtung versetztem Prüfkopf; FIG. 12 is a plan view of the wafer from FIG. 8 with the test head offset in the x and y directions;

Fig. 13 eine Aufsicht auf den Wafer aus Fig. 8 mit verdrehtem und versetztem Prüfkopf; FIG. 13 is a plan view of the wafer of Figure 8 with twisted and offset test head.

Fig. 14 eine perspektivische Ansicht einer weiteren Anordnung des Justierkontaktes, bei der um einen zentralen Positionierabschnitt herum weitere Positionierabschnitte angeordnet sind; FIG. 14 is a perspective view of another arrangement of the Justierkontaktes, more positioning portions are disposed at a central positioning around;

Fig. 15 eine Aufsicht auf einen mit den Positio­ nierkontakten aus Fig. 14 versehenen Wa­ fer; Fig. 15 is a plan view of one provided with the positioning contacts from Fig. 14;

Fig. 16A und B Aufsichten auf den Wafer aus Fig. 15 mit in x-Richtung versetztem Prüfkopf; FIG. 16A and B are plan views of the wafer of Figure 15 with an offset in the x-direction test head.

Fig. 17 eine Aufsicht auf den Wafer aus Fig. 15 mit verdrehtem Prüfkopf; und Figure 17 is a plan view of the wafer of Figure 15 with twisted probe..; and

Fig. 18 eine weitere Aufsicht auf den Wafer aus Fig. 15 mit verdrehtem und versetztem Prüf­ kopf. FIG. 18 shows a further plan view of the wafer from FIG. 15 with the test head rotated and offset.

Fig. 1 zeigt eine Aufsicht auf einen Wafer 1, auf dem eine Vielzahl von Halbleiterchips 2 ausgebildet wird, die sich noch im Waferverbund befinden. Die erst später zu vereinzel­ den Halbleiterchips 2 weisen auf der Waferoberfläche 3 Kon­ taktstellen 4 auf, die in der Fachwelt auch als "Pads" be­ zeichnet werden. Eine Reihe solcher Kontaktstellen 4 ist in Fig. 1 vergrößert gezeichnet. Um alle Halbleiterchips 2 im Wafer 1 gleichzeitig parallel zu testen, müssen sämtliche Kontaktstellen 4 von Gegenkontakten 5 eines Prüfkopfes 6 kon­ taktiert werden. In Fig. 1 ist lediglich ein Ausschnitt aus dem Prüfkopf 6 mit derjenigen Gegenkontakten 5 dargestellt, die dazu dienen, die vergrößert gezeichneten Kontaktstellen 4 auf der Waferoberfläche 3 zu kontaktieren. Fig. 1 shows a plan view of a wafer 1 is formed on which a plurality of semiconductor chips 2, which are still in the wafer composite. The only later to singulate the semiconductor chips 2 have 3 contact points 4 on the wafer surface, which are also referred to in the art as "pads". A number of such contact points 4 is drawn enlarged in FIG. 1. In order to test all semiconductor chips 2 in the wafer 1 simultaneously, all contact points 4 of counter contacts 5 of a test head 6 must be clocked. In Fig. 1 only a section of the test head 6 is shown with the counter contacts 5 , which serve to contact the enlarged contact points 4 on the wafer surface 3 .

Es ist auch möglich, wie in Fig. 2 gezeigt, die auf dem Wa­ fer 2 angeordneten Kontaktstellen 4 erhöht auszuführen. In diesem Fall können die Gegenkontakte 5 des Prüfkopfes 6 als flache, flächige ausgebildete Kontakte ("Pads") ausgeführt werden.It is also possible, as shown in FIG. 2, to carry out the contact points 4 arranged on the wafer 2 in an elevated manner. In this case, the counter contacts 5 of the test head 6 can be designed as flat, flat contacts (“pads”).

Da die Kontaktstellen 4 Außenabmessungen von weniger als 90 µm × 90 um aufweisen, liegt die Fehlertoleranz für seitliche Abweichungen des Prüfkopfes 6 gegenüber dem Wafer 1 bei etwa 30 bis 40 um. In Fig. 3A ist beispielsweise die Situation gezeichnet, daß der Prüfkopf 6 gegenüber dem Wafer in eine x- Richtung und y-Richtung versetzt ist. Dagegen ist in Fig. 3B zum Vergleich der Prüfkopf 6 exakt auf den Wafer 1 positio­ niert. In diesem Fall kommen die Gegenkontakte 5 genau auf den Kontaktstellen 4 zu liegen. Aber auch eine Verdrehung des Prüfkopfes 6 gegenüber dem Wafer 1 führt dazu, daß die Gegen­ kontakte 5 nicht mehr auf den Kontaktstellen 4 liegen. Dabei besteht insbesondere bei außen gelegenen Halbleiterchips 2 die Gefahr, daß die Gegenkontakte 5 des Prüfkopfes 6 nicht mehr auf den Kontaktstellen 4 des jeweiligen zugeordneten Halbleiterchips 2 zu liegen kommen. Bei einem Wafer mit einem Durchmesser von 200 mm beträgt daher beispielsweise die maxi­ mal tolerierbare Winkelabweichung weniger als 0,013 Grad.Since the contact points 4 have external dimensions of less than 90 μm × 90 μm, the error tolerance for lateral deviations of the test head 6 with respect to the wafer 1 is approximately 30 to 40 μm. In Fig. 3A, for example, the situation is drawn that the test head 6 is offset in an x-direction and y-direction with respect to the wafer. In contrast, in FIG. 3B, the test head 6 is positioned exactly on the wafer 1 for comparison. In this case, the counter contacts 5 come to lie exactly on the contact points 4 . But also a rotation of the test head 6 relative to the wafer 1 leads to the fact that the counter contacts 5 are no longer on the contact points 4 . In this case, in particular in the case of externally located semiconductor chips 2, there is the risk that the counter contacts 5 of the test head 6 will no longer come to rest on the contact points 4 of the respectively assigned semiconductor chip 2 . For a wafer with a diameter of 200 mm, the maximum tolerable angular deviation is therefore less than 0.013 degrees, for example.

Um ein genaues Ausrichten der Prüfköpfe 6 auf dem Wafer zu ermöglichen, ist vorgesehen, auf der Waferoberfläche 3 auf besondere Art und Weise geformte Justierkontakte 7 vorzuse­ hen, die sowohl einen breiten Einfangabschnitt 8 als auch ei­ nen schmalen Positionierabschnitt 9 umfassen. Der in Fig. 4A dargestellte Justierkontakt 7 ist im wesentlichen T-förmig gestaltet, wobei der Querbalken als Einfangabschnitt 8 dient. Der Positionierabschnitt 9 ist dagegen von einem Abschnitt des Stützbalkens des T-förmig ausgebildeten Justierkontakts 7 gebildet. Die elektrisch leitende Verbindung zwischen den Po­ sitionierabschnitten 9 und dem Einfangabschnitt 8 ist von ei­ nem Verbindungsstück 10 gebildet. Die wesentliche Ausdeh­ nungsrichtung der Abschnitte 9, 10 ist senkrecht zur Hauptan­ schlußrichtung des Abschnitts 8. Das Verbindungsstück 10 ist breiter ausgebildet als der Abschnitt 9.In order to enable precise alignment of the test heads 6 on the wafer, provision is made to provide shaped adjustment contacts 7 on the wafer surface 3 in a special manner, which include both a wide capture section 8 and a narrow positioning section 9 . The adjustment contact 7 shown in FIG. 4A is essentially T-shaped, the crossbar serving as a capture section 8 . The positioning section 9 , however, is formed by a section of the support bar of the T-shaped adjustment contact 7 . The electrically conductive connection between the po sitioning sections 9 and the trapping section 8 is formed by a connector 10 . The essential direction of expansion of the sections 9 , 10 is perpendicular to the main connection direction of the section 8 . The connecting piece 10 is formed wider than the section 9 .

Die Außenabmessungen des Positionierabschnitts 9, insbesonde­ re die Breite b sollte nicht größer als die Außenabmessungen der Kontaktstellen 4 auf dem Wafer 1 sein. Die Außenabmessun­ gen des Einfangabschnittes 8, insbesondere seiner Breite B, müssen größer als die Außenabmessungen der Kontaktstellen 4 auf dem Wafer sein. Unter den Außenabmessungen der Kontakt­ stellen 4 sind dabei deren Längenmaß in Richtung der Breite b und B zu verstehen.The outer dimensions of the positioning section 9 , in particular the width b, should not be greater than the outer dimensions of the contact points 4 on the wafer 1 . The outer dimensions of the capture section 8 , in particular its width B, must be larger than the outer dimensions of the contact points 4 on the wafer. The external dimensions of the contact points 4 are to be understood as their length dimension in the direction of the width b and B.

Auf der Seite des Prüfkopfes 6 sind dem Justierkontakt 7 Ju­ stierstifte 11 zugeordnet, die nachfolgend jeweils mit a, b, c und d bezeichnet werden. Der Justierstift 11a kommt bei exakter Ausrichtung des Prüfkopfes 6 auf dem Wafer 1 auf dem Positionierabschnitt 9 zu liegen, während der Justierstift 11b auf dem Einfangabschnitt 8 des Justierkontaktes 7 zu lie­ gen kommt. Die Justierstifte 11d und 11c befinden sich im ex­ akt positionierten Zustand von Wafer 1 und Prüfkopf 6 neben dem Verbindungsstück 10. Prinzipiell sind die Justierstifte 11b bis 11d in der Nähe der Abschnitte 9, 10 angeordnet, d. h. entweder auf den Abschnitten 9 oder 10 oder in unmittelbarer Nähe seitlich daneben. Die exakte Positionierung des Prüfkop­ fes 6 kann mit Hilfe von im Prüfkopf 6 ausgebildeter Prüf­ kopfleitungen 12 überprüft werden. Zu diesem Zweck werden die Kontakte 7 auf dem Wafer 1 paarweise angeordnet. In Fig. 6 ist ein derartiges Paar von Justierkontakten 7 in einer per­ spektivischen Ansicht dargestellt. Die Prüfkopfleitungen 12 sind so mit den Justierstiften 11 verbunden, daß zur Überprü­ fung der Lage des Wafers 1 in bezug auf den Prüfkopf 6 eine Kurzschlußprüfung möglichst effizient durchgeführt werden kann. So ist eine Prüfkopfleitung 12b an die beiden Justier­ stifte 11b angeschlossen, so daß über eine Kurzschlußprüfung zwischen den Justierstiften 11b und den äußeren Justierstif­ ten 11a, deren Lage auf dem Positionierabschnitt 9 der Ju­ stierkontakte 7 festgestellt werden kann. Außerdem kann durch einen Kurzschluß zwischen der Leitung 12b und eine der Lei­ tungen 12c oder 12d eine Abweichung von der gewünschten Lage festgestellt werden.On the side of the test head 6 the adjustment contact 7 Ju bull pins 11 are assigned, which are referred to below with a, b, c and d, respectively. The adjustment pin 11 a comes with exact alignment of the test head 6 on the wafer 1 to lie on the positioning section 9 , while the adjustment pin 11 b on the capture section 8 of the adjustment contact 7 comes to lie. The alignment pins 11 d and 11 c are in the exactly positioned state of the wafer 1 and test head 6 next to the connecting piece 10 . In principle, the alignment pins 11 are b to 11 d in the vicinity of the portions 9, 10 are arranged, that is, either on the sections 9 or 10 or in the immediate vicinity laterally deviated. The exact positioning of the Prüfkop fes 6, with the aid of the probe 6 trained test head cables to be checked 12th For this purpose, the contacts 7 are arranged in pairs on the wafer 1 . In Fig. 6, such a pair of adjustment contacts 7 is shown in a per perspective view. The test head lines 12 are connected to the alignment pins 11 in such a way that a short-circuit test can be carried out as efficiently as possible for checking the position of the wafer 1 in relation to the test head 6 . So a probe line 12 b to the two adjustment pins 11 b is connected so that a short circuit test between the adjustment pins 11 b and the outer adjustment pins 11 a, the position of which on the positioning section 9 of the bull contacts 7 can be determined. In addition, a deviation from the desired location can be determined by a short circuit between the line 12 b and one of the lines 12 c or 12 d.

Dies sei nachfolgend anhand der Fig. 7A bis 7D näher er­ läutert. Bei dem in Fig. 7A dargestellten Fall ist der Prüf­ kopf 6 gegenüber dem Wafer 1 exakt ausgerichtet. Dementspre­ chend sind die Justierstifte 11a und 11b kurzgeschlossen, während zwischen dem Justierstift 11b und den seitlich neben dem Verbindungsstück 10 angeordneten Justierstiften 11c und 11d keine elektrisch leitende Verbindung besteht.This is explained in more detail below with reference to FIGS. 7A to 7D. In the case shown in FIG. 7A, the test head 6 is exactly aligned with respect to the wafer 1 . Accordingly, the adjustment pins 11 a and 11 b are short-circuited, while between the adjustment pin 11 b and the adjustment pins 11 c and 11 d arranged laterally next to the connector 10 c there is no electrically conductive connection.

In Fig. 7B ist der Wafer 1 gegenüber dem Prüfkopf 6 in x- Richtung versetzt. Infolgedessen besteht nicht nur ein Kurz­ schluß zwischen den Justierstiften 11a und 11b, sondern auch jeweils ein Kurzschluß zwischen den Justierstiften 11b und 11d des oberen Justierkontaktes 7 und den Justierstiften 11b und 11c des unteren Justierkontaktes 7.In Fig. 7B, the wafer 1 is offset from the test head 6 in the x direction. As a result, there is not only a short circuit between the adjusting pins 11 a and 11 b, but also a short circuit between the adjusting pins 11 b and 11 d of the upper adjusting contact 7 and the adjusting pins 11 b and 11 c of the lower adjusting contact 7 .

In Fig. 7C ist schließlich der Fall dargestellt, daß der Prüfkopf 6 gegenüber dem Wafer 1 um einen bestimmten Rotati­ onswinkel verdreht ist. In diesem Fall besteht nicht nur ein Kurzschluß zwischen den Justierstiften 11a und 11b, sondern auch zwischen den Justierstiften 11b und 11d. Aus der Anzahl und Art der Kurzschlüsse kann grundsätzlich die Lage des Wa­ fers 1 in bezug auf den Prüfkopf 6 bestimmt werden.In Fig. 7C, the case is finally shown that the test head 6 is rotated onswinkel with respect to the wafer 1 by a certain rotation. In this case, there is not only a short circuit between the adjusting pins 11 a and 11 b, but also between the adjusting pins 11 b and 11 d. The position of the wafer 1 with respect to the test head 6 can in principle be determined from the number and type of short circuits.

Falls jedoch die beiden Justierkontakte 8 so angeordnet wer­ den, daß die langgestreckten Positionierabschnitte 9 mit ih­ ren Längsachsen auf einer Linie liegen, kann die Lage der Po­ sitionierabschnitte 9 in y-Richtung nicht eindeutig festge­ legt werden. Es wäre zwar grundsätzlich möglich, mit zwei Po­ sitionierabschnitten 9 die Lage des Prüfkopfes 6 in bezug auf den Wafer 1 zu bestimmen, wenn die Positionierabschnitte 9 der Justierkontakte 7 mit ihren Längsachsen nicht auf einer Linie liegen, aber dafür ist es in diesem Fall aufwendig, die Art der Abweichung von der Sollage zu bestimmen, insbesondere wenn zwischen den Justierstiften 11a und 11b kein Kurzschluß nachweisbar ist.However, if the two Justierkontakte 8 arranged to anyone that the elongated positioning sections 9 lie with the ih ren longitudinal axes on a line, the position of the Po can sitionierabschnitte 9 not uniquely Festge in the y direction are inserted. In principle, it would be possible to determine the position of the test head 6 with respect to the wafer 1 with two positioning sections 9 if the positioning sections 9 of the alignment contacts 7 are not in line with their longitudinal axes, but it is expensive in this case to determine the type of deviation from the target position, in particular if no short circuit is detectable between the adjusting pins 11 a and 11 b.

Es ist daher von Vorteil, wie in Fig. 8 dargestellt, mehrere Justierkontakte 7 auf den Wafer 1 vorzusehen. Zur Unterschei­ dung werden die Justierkontakte 7 nachfolgend mit den Buch­ staben T, R, B und L bezeichnet.It is therefore advantageous, as shown in FIG. 8, to provide a plurality of alignment contacts 7 on the wafer 1 . To differentiate the adjustment contacts 7 are referred to below with the letters T, R, B and L.

In Fig. 9A und 9B ist jeweils der Fall dargestellt, daß der Prüfkopf in x-Richtung gegenüber dem Wafer 1 versetzt ist. Falls der Prüfkopf in Richtung -x versetzt ist, besteht ein Kurzschluß zwischen den Justierstiften 11c des Justierkontak­ tes 7T und dem Justierstift 11d des Justierkontaktes 7B. Da­ bei wird die Verbindung zwischen dem Justierkontakt 7T und dem Justierkontakt 7B über die Justierstifte 11b vermittelt, die jeweils mit den Einfangabschnitten 8 der Justierkontakte 7T und 7B in Kontakt stehen. FIGS. 9A and 9B each show the case in which the test head is offset in relation to the wafer 1 in the x direction. If the probe is offset in the -x direction, there is a short circuit between the adjusting pins 11 c of the Justierkontak tes 7 T and the adjusting pin 11 d of the Justierkontaktes 7 B. Since the connection between the Justierkontakt 7 T and the Justierkontakt 7 B on Adjustment pins 11 b mediates, which are each in contact with the capture sections 8 of the adjustment contacts 7 T and 7 B.

In Fig. 9B ist der Fall dargestellt, daß der Prüfkopf 6 ge­ genüber dem Wafer 1 in +x-Richtung verschoben ist. Infolge­ dessen ist der Justierstift 11d des Justierkontaktes 7T und der Justierstift 11c des Justierkontaktes 7B kurzgeschlossen.In Fig. 9B, the case is shown that the probe 6 is shifted ge compared to the wafer 1 in the + x direction. As a result, the adjustment pin 11 d of the adjustment contact 7 T and the adjustment pin 11 c of the adjustment contact 7 B is short-circuited.

Ein Versatz in x-Richtung ist somit durch Kurzschlüsse an den Justierkontakten 7T und 7B feststellbar, die jeweils mit der Längsachse der Positionierabschnitte 9 quer zur Bewegungs­ richtung liegen.An offset in the x-direction can thus be determined by short-circuits at the adjusting contacts 7 T and 7 B, each of which is transverse to the direction of movement with the longitudinal axis of the positioning sections 9 .

Eine Bewegung in y-Richtung läßt sich dagegen durch Kurz­ schlüsse an den Justierkontakten 7R und 7L feststellen. In Fig. 10A ist die Situation gezeichnet, in der der Prüfkopf 6 in -y-Richtung gegenüber dem Wafer 1 versetzt ist. In diesem Fall tritt ein Kurzschluß zwischen dem Justierstift 11c des Justierkontaktes 7L und dem Justierstift 11d des Justierkon­ taktes 7R auf. Umgekehrt tritt bei einem Versatz in +y- Richtung ein Kurzschluß zwischen den Justierstiften 11d des Justierkontaktes 7L und den Justierstiften 11c des Justier­ kontaktes 7R auf. Bei einer Verschiebung in +y-Richtung ent­ steht ein Kurzschluß zwischen dem Justierstift 11d des Ju­ stierkontaktes 7L und dem Justierstift 11c des Justierkontak­ tes 7R.A movement in the y direction, however, can be determined by short-circuits on the adjustment contacts 7 R and 7 L. In Fig. 10A, the situation is drawn in which the probe 6 in the -y direction is offset from the wafer 1. In this case, a short circuit between the adjusting pin 11 c of the adjusting contact 7 L and the adjusting pin 11 d of the Justierkon clock 7 R occurs. Conversely, in the event of an offset in the + y direction, a short circuit occurs between the adjusting pins 11 d of the adjusting contact 7 L and the adjusting pins 11 c of the adjusting contact 7 R. With a shift in the + y direction ent there is a short circuit between the adjusting pin 11 d of the Ju bull contact 7 L and the adjusting pin 11 c of the Justierkontak tes 7 R.

Schließlich sei der Fall betrachtet, daß der Prüfkopf 6 ge­ genüber dem Wafer 1 um einen kleinen Winkel verdreht ist. In diesem Fall treten die Kurzschlüsse bei allen vier Justier­ kontakten 7 auf. Insbesondere entsteht ein Kurzschluß zwi­ schen den Justierstiften 11d und 11b der Justierkontakte 7T und 7B. Weiterhin besteht ein Kurzschluß zwischen den Ju­ stierstiften 11d und 11b der Justierkontakte 7L und 7R. Bei einer Drehung in die entgegengesetzte Drehrichtung sind je­ weils die Justierstifte 11c und 11b der gegenüberliegenden Justierkontakte 7T und 7B oder 7L und 7R kurzgeschlossen.Finally, consider the case where the test head 6 is rotated by a small angle relative to the wafer 1 . In this case, the short circuits occur in all four adjustment contacts 7 . In particular, there is a short circuit between the adjustment pins 11 d and 11 b of the adjustment contacts 7 T and 7 B. Furthermore, there is a short circuit between the Ju bull pins 11 d and 11 b of the adjustment contacts 7 L and 7 R. When rotating in the opposite direction of rotation each because the adjustment pins 11 c and 11 b of the opposite adjustment contacts 7 T and 7 B or 7 L and 7 R short-circuited.

Daß eine Verdrehung des Prüfkopfes 6 gegenüber dem Wafer 1 vorliegt, läßt sich somit daran erkennen, daß an allen 4 Ju­ stierkontakten 7 Kurzschlüsse auftreten. Es sind jeweils funktionsgleiche Justierstifte mit dem Justierstift 11b kurz­ geschlossen. Wenn ein Versatz nur in x- oder y- Richtung vor­ liegt, dann läßt sich dies dadurch nachweisen, daß zwei be­ züglich der Wafermitte gegenüberliegende Justierkontakte ent­ gegengesetzte Kurzschlußsignaturen aufweisen. Wenn ein Ver­ satz in x- und y-Richtung vorliegt, dann läßt sich dies an einer Überlagerung der anhand von Fig. 9 und 10 erläuter­ ten Kurzschlußmuster feststellen.That there is a rotation of the test head 6 relative to the wafer 1 can thus be recognized by the fact that 7 shorts occur at all 4 Ju bull contacts. There are functionally identical adjustment pins with the adjustment pin 11 b short-circuited. If there is an offset only in the x or y direction, this can be demonstrated by the fact that two adjustment contacts opposite one another with respect to the center of the wafer have opposite short-circuit signatures. If there is an offset in the x and y directions, this can be determined by a superimposition of the short-circuit patterns explained with reference to FIGS . 9 and 10.

In Fig. 13 ist der Fall dargestellt, daß der Prüfkopf 6 ge­ genüber dem Wafer 1 durch eine Drehung und zusätzlich in x- Richtung versetzt ist. Dabei tritt ein Muster für die kurzge­ schlossenen Justierstifte 11 auf, wie es auch in Fig. 11B dargestellt ist. Eine Auswertung dieses Musters ergibt zu­ nächst, daß die Position des Prüfkopfes 6 gegenüber dem Wafer 1 in Drehrichtung korrigiert werden muß. Nach dieser Korrek­ tur wird jedoch ein Muster, wie in Fig. 9B dargestellt, auf­ treten, das auf einen Versatz in +x-Richtung des Prüfkopfes 6 gegenüber dem Wafer 1 schließen läßt.In Fig. 13 the case is shown that the test head 6 ge compared to the wafer 1 by a rotation and is also offset in the x direction. A pattern for the short-circuited adjustment pins 11 occurs, as is also shown in FIG. 11B. An evaluation of this pattern initially reveals that the position of the test head 6 relative to the wafer 1 must be corrected in the direction of rotation. After this correction, however, a pattern, as shown in FIG. 9B, will occur which indicates an offset in the + x direction of the test head 6 relative to the wafer 1 .

Bei der in Fig. 8 dargestellten Anordnung und Gestaltung der Justierkontakte 7 muß die Korrektur des Versatzes im allge­ meinen schrittweise erfolgen. Dies läßt sich vermeiden, wenn gemäß Fig. 14 mehrere Justierkontakte 7 eng benachbart ange­ ordnet werden. In diesem Fall kann der Versatz des Prüfkopfes 6 gegenüber dem Wafer 1 wesentlich genauer ermittelt werden.In the arrangement and design of the adjustment contacts 7 shown in Fig. 8, the correction of the offset must generally be done gradually. This can be avoided if, as shown in FIG. 14, several adjustment contacts 7 are arranged closely adjacent to one another. In this case, the offset of the test head 6 with respect to the wafer 1 can be determined much more precisely.

In Fig. 14 sind mehrere Positionierabschnitte und mehrere zugeordnete Einfangabschnitte des Justierkontaktes 7 so ange­ ordnet, daß die Positionierabschnitte 9 um einen zentralen Positionierabschnitt 9 herum im Quadrat angeordnet sind. Von den mittig angeordneten Positionierabschnitten führen jeweils Verbindungsleitungen 13, die dem Verbindungsstück 10 des im Fig. 4A dargestellten Justierkontakts 7 entsprechen, zu ein­ zelnen Einfangabschnitten 8, die um die Positionierabschnitte 9 herum angeordnet sind. Die Positionierabschnitte 9 sind flächenmäßig kleiner als die Einfangabschnitte 8. Der zentra­ le Positionierabschnitt 9 wird nachfolgend mit a' bezeichnet. Die übrigen Positionierabschnitte des Justierkontaktes 7 sind mit den Buchstaben b bis i bezeichnet. Der Justierkontakt wird insgesamt als Justieranordnung 14 bezeichnet.In Fig. 14, a plurality of positioning portions and a plurality of associated Einfangabschnitte of Justierkontaktes 7 are so arranged that the positioning portions 9 are arranged around a central positioning around 9 square. Connecting lines 13 , which correspond to the connecting piece 10 of the adjusting contact 7 shown in FIG. 4A, lead from the centrally arranged positioning sections to an individual capturing sections 8 , which are arranged around the positioning sections 9 . The positioning sections 9 are smaller in area than the capture sections 8 . The central positioning section 9 is referred to below as a '. The remaining positioning sections of the adjustment contact 7 are designated by the letters b to i. The adjustment contact is referred to overall as the adjustment arrangement 14 .

Die Lage des Prüfkopfs 6 in bezug auf den Wafer 1 wird bei der in Fig. 15 dargestellten Justieranordnung 14 mit Hilfe von Justierstiften 15 festgestellt. Die Justierstifte 15 sind dabei an Prüfkopfleitungen 16 angeschlossen. Dem Positionier­ abschnitt 9a' sind zwei Justierstifte 15a und 15a' zugeord­ net, die jeweils an Prüfkopfleitungen 16a und 16a' ange­ schlossen sind. Den übrigen Positionierabschnitten 9b bis 9e ist jeweils ein Justierstift 15b bis 15i zugeordnet, der sich im exakt ausgerichteten Zustand auf den Einfangabschnitten 8b bis 8i befindet. Wenn daher der Prüfkopf 6 exakt gegenüber dem Wafer 1 ausgerichtet ist, tritt lediglich ein Kurzschluß zwischen den Prüfkopfleitungen 16a' und 16a auf. Anderenfalls läßt sich ein Kurzschluß zwischen der Prüfkopfleitung 16a' und einer der Prüfkopfleitungen 16b bis 16i nachweisen.The position of the test head 6 with respect to the wafer 1 is determined in the adjustment arrangement 14 shown in FIG. 15 with the aid of adjustment pins 15 . The adjustment pins 15 are connected to test head lines 16 . The positioning section 9 a 'are two adjustment pins 15 a and 15 a' assigned, each of which is connected to probe lines 16 a and 16 a '. The remaining positioning sections 9 b to 9 e are each assigned an adjusting pin 15 b to 15 i, which is located in the exactly aligned state on the capture sections 8 b to 8 i. Therefore, if the test head 6 is exactly aligned with the wafer 1 , only a short circuit occurs between the test head lines 16 a 'and 16 a. Otherwise, a short circuit between the test head line 16 a 'and one of the test head lines 16 b to 16 i can be detected.

Diese Justieranordnung 14 hat den Vorteil, daß grundsätzlich lediglich zwei dieser Justieranordnungen 14 auf dem Wafer 1 benötigt werden, um die Lage des Prüfkopfes 6 in bezug auf den Wafer 1 festzulegen. Um aber den Prüfkopf 6 exakt auf den Wafer 1 auszurichten, ist aber dennoch eine größere Zahl die­ ser Justieranordnungen 14 hilfreich.This adjustment arrangement 14 has the advantage that basically only two of these adjustment arrangements 14 are required on the wafer 1 in order to determine the position of the test head 6 with respect to the wafer 1 . However, in order to align the test head 6 exactly on the wafer 1 , a larger number of these adjustment arrangements 14 is nevertheless helpful.

Bei dem in Fig. 15 dargestellten Wafer 1 sind beispielsweise vier dieser Justieranordnungen 14 auf der Waferoberfläche 3 vorhanden. Die Justieranordnungen 14 werden nachfolgend mit den Buchstaben T, R, B und L bezeichnet. Der Übersichtlich­ keit halber sind in Fig. 15 von den Justieranordnungen 14 lediglich die Positionierabschnitte 9 dargestellt. Der Posi­ tionierabschnitt ist in den Fig. 14 bis 18 jeweils durch eine Markierung in einer außen liegenden Ecke kenntlich ge­ macht. Außerdem ist von den Justierstiften 15 nur der zentra­ le Justierstift 15a' dargestellt.In the wafer 1 shown in FIG. 15, for example, four of these adjustment arrangements 14 are present on the wafer surface 3 . The adjustment arrangements 14 are referred to below with the letters T, R, B and L. The Clearly ness half 15 are shown only the positioning portions 9 of the Justieranordnungen 14 in Fig.. The Posi tionierabschnitt is shown in FIGS . 14 to 18 ge by a mark in an outer corner. In addition, of the adjustment pins 15 only the central adjustment pin 15 a 'is shown.

Das Größenverhältnis von Positionierabschnitten 9, Kontakt­ stellen 4 und Justierstiften 11 zum Wafer 1 ist in Fig. 15 nicht maßstäblich. Allerdings können anhand der Darstellung die realen Betriebsfälle nachvollzogen werden. Aus Fig. 15 geht hervor, daß die Positionierabschnitte flächenmäßig klei­ ner ausgebildet sind als die Kontaktstellen 4. Dies ist für eine sichere Ausrichtung der Gegenkontakte 5 auf die Kontakt­ stellen 4 erforderlich. Genau wie bei den in den Fig. 8 bis 13 dargestellten Ausführungsbeispielen wird auch bei dem Ausführungsbeispiel aus den Fig. 14 bis 18 die Lage des Prüfkopfes 6 bezüglich des Wafers 1 aus der Art der auftre­ tenden Kurzschlüsse erschlossen. The size ratio of positioning sections 9 , contact 4 and alignment pins 11 to the wafer 1 is not to scale in FIG. 15. However, the real operating cases can be reproduced on the basis of the representation. From Fig. 15 it can be seen that the positioning portions are formed in area klei ner than the contact points 4. This is necessary for a safe alignment of the counter contacts 5 on the contact 4 . Exactly as in the exemplary embodiments shown in FIGS . 8 to 13, the position of the test head 6 with respect to the wafer 1 is also developed in the exemplary embodiment from FIGS . 14 to 18 from the type of short circuits that occur.

In Fig. 16A ist beispielsweise der Fall dargestellt, daß der Prüfkopf 6 gegenüber dem Wafer 1 etwas versetzt ist. Dabei gelangt der zentrale Justierstift 15a' in der Justieranord­ nung 14T zwischen die Positionierabschnitte 9a' und 9f, in der Justieranordnung 14R zwischen die Positionierabschnitte 9a' und 9c, in der Justieranordnung 14B zwischen die Positio­ nierabschnitte 9a' und 9e sowie in der Justieranordnung 14L zwischen die Positionierabschnitte 9a' und 9e. Je nach der genauen Lage der Spitze der Justierstifte 15a' kann der Ju­ stierstift 15a' jeweils noch auf den Positionierabschnitten 9a' zu liegen kommen, so daß der Kurzschluß zwischen den Prüfleitungen 16a' und 16a auftritt. Eine Auswertung der Mes­ sungen an den Prüfkopfleitungen 16 führt daher zu dem Ergeb­ nis, daß ein Kurzschluß zwischen den Prüfkopfleitungen 16a und 16a' vorliegt. Dies bedeutet, daß die Gegenkontakte 5 noch auf den Kontaktstellen 4 zu liegen kommen. Im Prüfkopf wird festgestellt, auf welchen der Eingangsabschnitte 8a, . . ., 8i der Justierstift 15a aufsetzt.In Fig. 16A, the case is shown, for example, that the probe is slightly offset with respect to the wafer 1 6. In this case reaches the central alignment pin 15 a 'in the Justieranord voltage 14 T between the positioning portions 9 a' and 9 f, the adjustment assembly 14 R between the positioning portions 9 a 'and 9 c, in the adjustment assembly 14 B between the positio nierabschnitte 9 a 'and 9 e and in the adjustment arrangement 14 L between the positioning sections 9 a' and 9 e. Depending on the exact position of the tip of the adjustment pins 15 a ', the Ju bull pin 15 a' can still come to rest on the positioning sections 9 a ', so that the short circuit between the test leads 16 a' and 16 a occurs. An evaluation of the measurements on the test head lines 16 therefore leads to the result that there is a short circuit between the test head lines 16 a and 16 a '. This means that the counter contacts 5 still come to rest on the contact points 4 . The test head determines which of the input sections 8 a,. , ., 8 i the adjustment pin 15 a touches down.

In Fig. 16B ist schließlich der Fall dargestellt, daß der Versatz zwischen dem Prüfkopf 6 und dem Wafer 1 so groß ist, daß in der Justieranordnung 14T der Justierstift 15a auf dem Positionierabschnitt 9f, in der Justieranordnung 14R auf den Positionierabschnitt 9c, in der Justieranordnung 14B auf den Positionierabschnitt 9e und in der Justieranordnung 14L auf dem Positionierabschnitt 9h zu liegen kommt. In diesem Fall tritt in der Justieranordnung 14T ein Kurzschluß zwischen den Prüfkopfleitungen 16a' und 16f, in der Justieranordnung 14R zwischen den Prüfkopfleitungen 16a' und 16c, in der Justier­ anordnung 14B zwischen den Prüfkopfleitungen 16a' und 16e und in der Justieranordnung 14L zwischen den Prüfkopfleitungen 16a' und 16h auf. Das Muster der Kurzschlüsse weist daher auf eine Verschiebung hin, die so groß ist, daß die Gegenkontakte 5 außerhalb der Kontaktstellen 5 liegen.In Fig. 16B is the case, finally, shows that the offset between the probe 6 and the wafer 1 is so large that a f in the adjustment assembly 14 T of the alignment pin 15 on the positioning portion 9, in the adjustment assembly 14 R on the positioning portion 9 c, comes to rest in the adjusting arrangement 14 B on the positioning section 9 e and in the adjusting arrangement 14 L on the positioning section 9 h. In this case, in the adjustment assembly 14 T occurs a short-circuit between the Prüfkopfleitungen 16 a 'and 16 f, the adjustment assembly 14 R between the Prüfkopfleitungen 16 a' and 16 c, in the alignment 14 B arrangement between the Prüfkopfleitungen 16 a 'and 16 e and in the adjustment arrangement 14 L between the test head lines 16 a 'and 16 h. Therefore, the pattern of shorts indicates a displacement that is so large that the counter-contacts 5 are outside of the contact points. 5

Es ist zweckmäßig, daß der Abstand benachbarter Positionier­ abschnitte 9, beispielsweise der Positionierabschnitte 9a' und 9f (Fig. 14) so gering ist, daß der Justierstift 15a' nicht vollständig isoliert zwischen den Positionierabschnit­ ten 9a', 9b, . . ., 9i zu liegen kommen kann. Zumindest muß der Abstand so gering sein, daß beide nebeneinander liegende Po­ sitionierabschnitte gleichzeitig kontaktiert werden, so daß ein entsprechendes Signal im Prüfkopf erhalten wird. Würde andernfalls der Justierstift 15a' im Zwischenbereich zwischen zwei benachbarten Positionierabschnitten elektrisch isoliert liegen können, dann würde der Prüfkopf die Positionierung als zulässig feststellen, obwohl tatsächlich ein unzulässiger Versatz vorliegt.It is desirable that the distance between adjacent positioning portions 9, for example, the positioning portions 9 a 'and 9 that the alignment pin 15a is so low f (Fig. 14),' not completely isolated th between the Positionierabschnit 9 a ', b 9, , , ., 9 i can come to rest. At least the distance must be so small that two adjacent po sitioning sections are contacted simultaneously, so that a corresponding signal is obtained in the test head. Otherwise, if the adjustment pin 15 a 'could be electrically insulated in the intermediate area between two adjacent positioning sections, then the test head would determine the positioning as permissible, although there is actually an impermissible offset.

Ein drehsymmetrisches Muster ergibt sich dagegen bei einem Versatz des Prüfkopfes 6 gegenüber dem Wafer 1 in Drehrich­ tung. Bei dem in Fig. 17 dargestellten Fall sind die Ju­ stierstifte 15A in den Justieranordnungen 14T, 14R, 14B, 14L jeweils auf den Positionierabschnitt 9e gewandert.A rotationally symmetrical pattern, however, results in an offset of the probe 6 relative to the wafer 1 in the direction of rotation. In the case shown in FIG. 17, the Ju bull pins 15 A in the adjusting arrangements 14 T, 14 R, 14 B, 14 L each migrated to the positioning section 9 e.

Bei dem in Fig. 18 gezeigten Fall, in dem der Prüfkopf 6 ge­ genüber dem Wafer 1 sowohl in Drehrichtung als auch in Trans­ lationsrichtung versetzt ist, ergibt sich ein charakteristi­ sches Muster für die kurzgeschlossenen Leitungen, aus dem sich die Lage des Prüfkopfes 6 in bezug auf den Wafer 1 be­ rechnen läßt.In the case shown in FIG. 18, in which the test head 6 is offset relative to the wafer 1 both in the direction of rotation and in the direction of translation, a characteristic pattern results for the short-circuited lines, from which the position of the test head 6 in can be calculated with reference to the wafer 1 .

Es sei angemerkt, daß in jeder der in der Fig. 16A bis Fig. 18 dargestellten Fällen grundsätzlich bereits zwei der Ju­ stieranordnungen 14 genügt hätten, um die Ausrichtung des Prüfkopfes 6 gegenüber dem Wafer 1 festzustellen. Mehr als zwei der Justieranordnungen 14 sind jedoch von Vorteil, da dann unter Umständen die Genauigkeit der Lagebestimmung des Prüfkopfes 6 steigt. It should be noted that in each of the FIGS. 16A to Fig. 18 cases shown in principle already two of the bull Ju assemblies 14 would have been sufficient to determine the orientation of the probe 6 with respect to the wafer 1. However, more than two of the adjustment arrangements 14 are advantageous since the accuracy of the position determination of the test head 6 may then increase under certain circumstances.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

11

Wafer
wafer

22

Halbleiterchip
Semiconductor chip

33

Waferoberfläche
wafer surface

44

Kontaktstellen
contact points

55

Gegenkontakt
countercontact

66

Prüfkopf
probe

77

Justierkontakt
Justierkontakt

88th

Einfangabschnitt
trapping

99

Positionierabschnitt
positioning

1010

Verbindungsstück
joint

1111

Justierstifte
Locating pins

1212

Prüfkopfleitung
Prüfkopfleitung

1313

Verbindungsleitung
connecting line

1414

Justieranordnung
adjusting arrangement

1515

Justierstift
adjusting pin

1616

Prüfkopfleitung
Prüfkopfleitung

Claims (12)

1. Verfahren zum Kontaktieren einer Vielzahl von Kontaktstel­ len (4) eines Kontaktträgers (1) mit einer Vielzahl von Ge­ genkontakten (5) eines Gegenkontaktträgers (6) mit den Ver­ fahrensschritten:
  • - Ausbilden eines Justierkontakts (7) auf einer Kontaktträ­ geroberfläche (3) mit einem Positionierabschnitt (9) und ei­ nem im Vergleich zum Positionierabschnitt flächenmäßig größe­ ren Einfangabschnitt (8), der mit dem Positionierabschnitt (9) elektrisch leitend verbunden ist;
  • - Ausrichten der Kontaktstellen (4) des Kontaktträgers (1) auf die Gegenkontakte (5) des Gegenkontaktträgers (6) durch Positionieren jeweils eines Gegenkontaktes (11, 15) auf dem Positionierabschnitt (9) und dem Einfangabschnitt (8);
  • - Überprüfen der korrekten Ausrichtung des Kontaktträgers (1) bezüglich des Gegenkontaktträgers (6) durch eine Kurzschluß­ prüfung zwischen den beiden jeweils auf dem Positionierab­ schnitt (9) und dem Einfangabschnitt (8) positionierten Ge­ genkontakten (11, 15).
1. A method of contacting a plurality of contact points ( 4 ) of a contact carrier ( 1 ) with a plurality of contact contacts ( 5 ) of a counter contact carrier ( 6 ) with the process steps:
  • - Form a Justierkontakts ( 7 ) on a Kontaktträ ger surface ( 3 ) with a positioning section ( 9 ) and egg nem in comparison to the positioning section area size larger capture section ( 8 ) which is electrically conductively connected to the positioning section ( 9 );
  • - Aligning the contact points ( 4 ) of the contact carrier ( 1 ) on the counter contacts ( 5 ) of the counter contact carrier ( 6 ) by positioning a respective counter contact ( 11 , 15 ) on the positioning section ( 9 ) and the catching section ( 8 );
  • - Check the correct alignment of the contact carrier ( 1 ) with respect to the mating contact carrier ( 6 ) by a short circuit test between the two each on the Positionierab section ( 9 ) and the capture section ( 8 ) positioned Ge counter-contacts ( 11 , 15 ).
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem weitere Gegenkontakte (11c, 11d) außerhalb des Ju­ stierkontakts (7) positioniert werden.2. The method according to claim 1, in which further mating contacts ( 11 c, 11 d) are positioned outside the ju bull contact ( 7 ). 3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, bei dem der Justierkontakt (7) T-förmig ausgebildet wird.3. The method according to any one of claims 1 or 2, wherein the adjusting contact ( 7 ) is T-shaped. 4. Verfahren nach Anspruch 3, bei dem der Justierkontakt einen in einer ersten Richtung weisenden ersten Abschnitt (8) aufweist und einen in eine da­ zu senkrecht verlaufende zweite Richtung weisenden zweiten Abschnitt (9, 10) der in der Nähe des ersten Abschnitts (8) eine größere Breite (10) aufweist als an einem vom ersten Ab­ schnitt (8) abgewandten Ende (9). 4. The method according to claim 3, wherein the adjusting contact has a first section ( 8 ) pointing in a first direction and a second section ( 9 , 10 ) pointing in a second direction that is perpendicular to it, in the vicinity of the first section ( 8 ) has a greater width ( 10 ) than at an end ( 9 ) facing away from the first section ( 8 ). 5. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, bei dem vier Gegenkontakte (11a, . . ., 11d) positioniert wer­ den, von denen einer im Bereich des ersten Abschnitts (8) po­ sitioniert wird und die anderen in der Nähe des zweiten Ab­ schnitts (10, 9) positioniert werden.5. The method according to claim 3 or 4, in which four mating contacts ( 11 a,..., 11 d) who positioned one of which is po sitioned in the region of the first section ( 8 ) and the other near the second From section ( 10 , 9 ) to be positioned. 6. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem der Justierkontakt (7) mehrere äußere Positionierab­ schnitte (9b, . . ., 9i) um einen zentralen Positionierab­ schnitt (9a') herum angeordnet aufweist.6. The method according to claim 1 or 2, wherein the adjusting contact ( 7 ) has a plurality of outer positioning sections ( 9 b,..., 9 i) arranged around a central positioning section ( 9 a '). 7. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem die Einfangabschnitte (8a, . . ., 8i) um die äußeren Positionierabschnitte (9b, . . ., 9i) herum angeordnet sind, wobei je eine Verbindungsleitung (13) jeweils von einem Posi­ tionierabschnitt (9a', . . ., 9i) zu jeweils einem der um die äußeren Positionierabschnitte (9a', . . ., 9i) herum angeordne­ ten Einfangsabschnitte (8a, . . ., 8i) führt.7. The method according to claim 6, wherein the trapping sections ( 8 a,..., 8 i) are arranged around the outer positioning sections ( 9 b,..., 9 i), one connecting line ( 13 ) each from (9 a a Posi tionierabschnitt '..., 9 i) to a respective one of the outer positioning portions (9 a' (.. 8 a,., 8 i)..., 9 i) around been arrange th Einfangsabschnitte leads. 8. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem auf jeden der Einfangsabschnitte (8a, . . ., 8i) ein Gegenkontakt (15a, . . ., 15i) positioniert wird und genau ein weiterer Gegenkontakt (15a') auf mindestens einem der Posi­ tionierabschnitte (9a, . . ., 9i) positioniert wird.8. The method according to claim 7, in which on each of the capture sections ( 8 a,..., 8 i) a counter contact ( 15 a,..., 15 i) is positioned and exactly one further counter contact ( 15 a ') at least one of the positioning sections ( 9 a,..., 9 i) is positioned. 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem mehrere Justierkontakte (7) im Abstand über den Kon­ taktträger (1) verteilt angeordnet sind.9. The method according to any one of claims 1 to 8, in which a plurality of adjusting contacts ( 7 ) are arranged at a distance over the con tact carrier ( 1 ) distributed. 10. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem wenigstens zwei Justierkontakt (7) in Randnähe des Kontaktträgers und über den Kontaktträger (1) verteilt ange­ ordnet sind.10. The method according to claim 9, in which at least two adjusting contact ( 7 ) are arranged in the vicinity of the edge of the contact carrier and over the contact carrier ( 1 ). 11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, bei dem für den Kontaktträger ein Wafer (1) verwendet wird. 11. The method according to any one of claims 1 to 10, in which a wafer ( 1 ) is used for the contact carrier. 12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, bei dem für den Gegenkontaktträger ein mit Kontaktstiften versehener Prüfkopf (6) verwendet wird.12. The method according to any one of claims 1 to 11, in which a test head provided with contact pins ( 6 ) is used for the mating contact carrier.
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JPH02285653A (en) * 1989-04-27 1990-11-22 Nec Kansai Ltd Electrical characteristic measurement of semiconductor wafer
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