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DE9004562U1 - Test device for testing electrical or electronic test objects - Google Patents

Test device for testing electrical or electronic test objects

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Publication number
DE9004562U1
DE9004562U1 DE9004562U DE9004562U DE9004562U1 DE 9004562 U1 DE9004562 U1 DE 9004562U1 DE 9004562 U DE9004562 U DE 9004562U DE 9004562 U DE9004562 U DE 9004562U DE 9004562 U1 DE9004562 U1 DE 9004562U1
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DE
Germany
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test
plate
test device
touch points
points
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Application number
DE9004562U
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German (de)
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Atg Electronic 6980 Wertheim De GmbH
Original Assignee
Atg Electronic 6980 Wertheim De GmbH
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Publication date
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Description

61576157

atg electronic GmbH D-6980 Wertheim-Reicholzheimatg electronic GmbH D-6980 Wertheim-Reicholzheim

PrGfvorrichtung zum Prüfen von elektrischen oder elektronischen PrüflingenTest device for testing electrical or electronic test objects

Die Erfindung betrifft ^ine Prüfvorrichtung gemäß dem Oberbegriff des Ar.öprue ,s 1 bzw. dem Oberbegriff i£3 Anspruches 2-The invention relates to a testing device according to the preamble of claim 1 or the preamble of claim 2-

Derartige Prüfvorrichtung^?! jj. ' in zahlreichen Ausfüllungen bekannt (bspw. US-PS 4,443,756 und 4,528,560; D^-OS 23 64 786; DE-C233 43 274; Jahrbuch der Deutschen Sesellschaft für Chronometrie e.V., Band 30, S. 269 276). Den bekannten Prüfvorrichtungen ist gemeinsam, daß sie dem Kontaktieren von Prüfpunkten des jeweiligen Prüflings dienende Kontaktnadeln oder Federkontaktstifte aufweisen, denen gemeinsam ist, daß ihre zulässigen geringsten Mittenabstände voneinander verhältnismäßig groß sind.Such testing devices are known in numerous versions (e.g. US-PS 4,443,756 and 4,528,560; D^-OS 23 64 786; DE-C233 43 274; Yearbook of the German Society for Chronometry e.V., Volume 30, p. 269 276). The known testing devices have in common that they have contact needles or spring contact pins for contacting test points on the respective test object, which have in common that their permissible smallest center distances from one another are relatively large.

Unter einem Tastpunkt der Prüfvorrichtung ist eine Stelle verstanden, welche dazu geeignet ist, falls ihr beim Prüfen eines Prüflings ein Prüfpunkt des Prüflings gegenübersteht, diesen Prüfpunkt mit dem Prüfschaltungssystem der Prüfvorrichtung zwecks übertragung von Prüfsignalen zu verbinden. Der einzelne Tastpunkt kann durch eine einzige Fläche oder durchA touch point of the test device is understood to be a point which, if it is opposite a test point of the test object when testing a test object, is suitable for connecting this test point to the test circuit system of the test device for the purpose of transmitting test signals. The individual touch point can be represented by a single surface or by

J 1 · »J 1 · »

mehrere Flächen gebildet sein. Diese Fläche oder diese Flächen können vorzugsweise punktartig sein, jedoch auch anders Ausbildungen h; ^n, bspw. linienförmig, kreisringförmig usw.several surfaces can be formed. This surface or these surfaces can preferably be point-like, but can also have other configurations, e.g. linear, circular, etc.

Ein Prüfpunkt des Prüflings ist eine Stelle oder eine Mehrzahl von Stellen des Prüflings, der oder tien von dem Prüfschaltungssystem der Prüfvorrichtung über einen ihr gegenüberstehenden Tastpunkt dieser Prüfvorrichtung Prüfsignale zugeleitet oder von der oder den Prüfsignale über den betreffenden Tastpunkt der Prüfvorrichtung zum Prüfschaltungssystem übertragen werden können. Ein Prüfpunkt des Prüflings kann bspw. mindestens eine Stelle einer Leiterbahn, eines Pads, sines metallischen Anschlusses, einer elektrischen oder elektronischen Komponente des Prüflings, einer Buchse oder dergleichen sein.A test point of the test object is a point or a plurality of points of the test object to which test signals can be fed from the test circuit system of the test device via a touch point of this test device opposite it or from which test signals can be transmitted to the test circuit system via the relevant touch point of the test device. A test point of the test object can be, for example, at least one point of a conductor track, a pad, a metallic connection, an electrical or electronic component of the test object, a socket or the like.

Ein Prüfsignal kann bspw. urin elektrischer Strom, eine elektrische Spannung oder dergleichen sein, dis über einen Tastpunkt der Prüfvorrichtung einem zugeordneten Prüfpunkt des jeweiligen Prüflings zugeleitet bzw. mittels eines Tastpunktes der Prüfvorrichtung von eine./! Prüfpunkt des Prüflings zwecks Zuleitung zum Prüfechaltungseystem der Prüfvorrichtung abgeleitet wird. Das Prüfschaltungssys'st<m der Prüfvorrichtung prüft dann bspw., zwischen welchen Prüfpunkten de« jeweiligen Prüflings ein Prüfsignal übertragbar ist. Das Prüfsignal kann dem Prüfen di&nnn, zwischen weichen Prüfpunkten des betreffenden Prüflinge elektrische Verbindungen bestehen, bspw. durch Leiterbahnen des Prüflings bewirkte elektrischeA test signal can be, for example, an electric current, an electric voltage or the like, which is fed via a touch point of the test device to an assigned test point of the respective test object or is derived by means of a touch point of the test device from a test point of the test object for the purpose of feeding it to the test circuit system of the test device. The test circuit system of the test device then checks, for example, between which test points of the respective test object a test signal can be transmitted. The test signal can be used to test which test points of the respective test object have electrical connections, e.g. electrical connections caused by conductor tracks of the test object.

g Verbindungen oder unerlaubte Kurzschlüsse. Auch kann auf diese Weise festgestellt werden, ob zwischen vorbestimmten Prüfpunkten, die elektrisch miteinander verbunden sein sollen, unerlaubte Unterbrechungen vorliegen, die wie unerlaubte Kurzschlüsse ebenfallsg connections or unauthorized short circuits. In this way, it can also be determined whether there are unauthorized interruptions between predetermined test points that are supposed to be electrically connected to one another, which, like unauthorized short circuits, can also

.Q Fehler des Prüflings darstellen. Prüfsignale können gewünschtenfalls auch Meßzwecken dienen, bspw. dem Messen von Eigenschaften elektronischer Komponenten von Prüflingen oder ob solche Eigenschaften vorbestimmte Toleranzen nicht überschreiten usw. In dem die Prüfsignale erzeugender, Prüfschaltungssystem der Prüfvorrichtung werden dann die Prüfsignale bzw. das Ausbleiben zuruckzuleitender Prüfsignale dahingehend ausgewertet, ob der jeweilige Prüfling elektrisch fehlerfrei oder fehlerhaft ist, wobei die Fehlerstellen eines Prüflings auch angezeigt oder koordinatenmäßig auf sonstige Weise ausgedruckt werden können. Auch andere Möglichkeiten bestehen..Q represent faults in the test object. Test signals can, if desired, also be used for measuring purposes, e.g. measuring properties of electronic components of test objects or whether such properties do not exceed predetermined tolerances, etc. In the test circuit system of the test device that generates the test signals, the test signals or the absence of test signals to be returned are then evaluated to determine whether the respective test object is electrically fault-free or faulty, whereby the fault locations of a test object can also be displayed or printed out in coordinates in some other way. Other possibilities also exist.

Bei den bekannten Prüfvorrichtungen der eingangs ge-&ldquor;_ nannten Art ist jeder Tastpunkt durch den Kopf oder die Spitze eines metallischen Kontaktstiftes gebildet, der bspw. aus Stahl, Kupfer-Beryllium oder dergl. besteht. Der Kontaktstift kann ein axial federnd abgestützter Stift sein, oder eine gebogene oderIn the known test devices of the type mentioned at the beginning, each touch point is formed by the head or tip of a metallic contact pin, which is made of steel, copper-beryllium or the like. The contact pin can be an axially spring-supported pin, or a bent or

gerade Nadel, die als Biegefeder oder Knicknadel 30straight needle that can be used as a bending spring or bending needle 30

wirkt. Oder er kann ein Federkontaktstift sein. Den bekannten Kontaktstiften ist gemeinsam, daß sie relativ viel Platz beanspruchen. Dies beschränkt die Anwendung solcher Prüfvorrichtungen und ihrer Prüfmöglichkeiten.Or it can be a spring contact pin. The common feature of the known contact pins is that they take up a relatively large amount of space. This limits the use of such test devices and their testing options.

Es ist eine Aufgabe der Erfindung, eine Prüfvorrichtung der eingangs genannten Art zu schaffen, welche besonders geringe Mitteriebstände benachbarter Tastpunkte ermöglicht.It is an object of the invention to provide a testing device of the type mentioned at the beginning, which enables particularly small center distances between adjacent touch points.

n-iooo iiifnsha ui-prt arf inHiinnenamäR Hli-ri-h H4a 4 &eegr;n-iooo iiifnsha ui-prt arf inHiinnenamäR Hli-ri-h H4a 4 &eegr;

*·® Anspruch 1 angegebene Prüfvorrichtung gelöst. Eine erfindungsgemäße Prüfvorrichtung gemäß einer zweiten Lösung dieser Aufgabe ist in Anspruch 2 beschrieben. *·® The test device specified in claim 1 is solved. A test device according to the invention according to a second solution to this problem is described in claim 2.

Unter dem Ausdruck "auf Halbleiterbasis" istThe term "semiconductor-based" means

verstanden, daß die H-Platta nur aus einem Halbleiter besteht oder auch noch zusätzliche Komponenten oder dergl., bspw. Dotierungen, metallische Beschichtungen usw., aufweisen kann. Der Halbleiter kann ein Elementarhalbleiter (ein Elementarhalbleiter besteht aus einem einzigen chemischen Element, bspw. aus Silizium) oder ein Verbindungshalbleiter (brit.: compound sSmiccMuwCtcr' ein VsrbindunnsnsIbisitsr snthslt mehrere chemische Elemente, z.Bsp. GaAs) oder einunderstood that the H-plate consists only of a semiconductor or can also have additional components or the like, e.g. doping, metallic coatings, etc. The semiconductor can be an elementary semiconductor (an elementary semiconductor consists of a single chemical element, e.g. silicon) or a compound semiconductor (Brit.: compound sSmiccMuwCtcr' a compound snsIbisitsr snthslt several chemical elements, e.g. GaAs) or a

sonstiger Halbleiter sein.
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other semiconductors.
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Indem gemäß Anspruch 1 an einer auf Halbleiterbasis hergestellten Platte selbst Tastpunkte vorgesehen sind, vorzugsweise alle Tartpunkte, können diese Tastpunkte extrem kleine Mittenabstände voneinander haben und so in bisher auch nicht entfernt erreichbarer Dichte (Dichte = Anzahl der Tastpunkte pro Flächeneinheit) angeordnet sein. Auch bei der Prüfvorrichtung nach Anspruch 2 sind hohe Dichten der Tastpunkte mit entsprechend dünnen Kontaktnadeln erreichbar, da durch Widerlager an der H-PlatteBy providing touch points on a semiconductor-based plate itself, preferably all starting points, according to claim 1, these touch points can have extremely small center distances from one another and can thus be arranged in a density that was previously not even remotely achievable (density = number of touch points per unit area). High densities of touch points can also be achieved with correspondingly thin contact needles in the test device according to claim 2, since abutments on the H-plate

kleinere Mittenabstände benachbarter Kontaktnadeln als bei bekennten Prüfvorrichtungen mit Kontaktnadeln möglich sind. Auch ist es möglich, an einer Prüfvorrichtung sowohl Kontaktnadeln als auch durch die oder mindestens eine &EEgr;-Platte gebildete Tastpunkte vorzuseheHi um eo henw. Prüflinge auf einfache Weise prüfen zu können, bei denen zuerst eine Prüfung mittels nur durch Kontaktnadeln kontaktierten Stellen durchgeführt wird und dann der Prüfling näher an die mindestens eine &EEgr;-Platte herangeführt wird, so daß nunmehr auch an ihr vorgesehene Tastpunkte an einer zweiten Prüfung zusammen mit den Kontaktnadeln mitwirken können. Es ist jedoch möglich und in vielen Fällen vorteilhaft, die Tastpunkte der Prüfvorrichtung entweder nur an ihrer mindestens einen &EEgr;-Platte odersmaller center distances between adjacent contact needles than with known test devices with contact needles are possible. It is also possible to provide both contact needles and touch points formed by the or at least one �EEgr; plate on a test device in order to be able to test other test objects in a simple way, in which a test is first carried out using points contacted only by contact needles and then the test object is brought closer to the at least one �EEgr; plate so that touch points provided on it can now also participate in a second test together with the contact needles. However, it is possible and in many cases advantageous to provide the touch points of the test device either only on its at least one �EEgr; plate or

nur an Kontaktnadeln vorzusehen. 20only to be provided on contact needles. 20

Die Prüfvorrichtung kann zweckmäßig ein dieThe test device can be a

elnl<ti>icrhe PWfFiinn Hoe iauniliann Prüflinaslnl<ti>icrhe PWfFiinn Hoe ianiliann Prüflinas

«&bull;&bull;»**&trade;&mdash;·&mdash; &mdash; &mdash; ·* &mdash; * &mdash; &mdash; 9 *J &bgr; &mdash; - - - W-«&bull;&bull;»**&trade;&mdash;·&mdash; — — ·* &mdash; * &mdash; — 9 *J β — - - - W-

durchführendes Prüfschaltungssystem aufweisen, das Schaltmittel zum elektrischen Anschließen vonhave a test circuit system that includes switching means for electrically connecting

^° Tastpunkten der Prüfvorrichtung an das Prüfschaltungssystem aufweist, wobei bei der Prüfung eines Prüflings zwischen Tastpunkten der Prüfvorrichtung und ihnen gegenüber befindlichen Prüfpunkten des Prüflings von dem Prüfschaltungssystem bewirkbare Prüfsignale übertragbar sind, die in dem Prüfschaltungssystem daraufhin auswertbar sind, ob der Prüfling elektrisch fehlerfrei ist oder nicht. Dieses Prüfschaltungssystem der Prüfvorrichtung kann vorzugsweise mindestens teilweise, oft zweckmäßig ganz oder im wesentlichen in die mindestens eine H-Platte^° touch points of the test device to the test circuit system, whereby when testing a test object, test signals can be transmitted between touch points of the test device and test points of the test object located opposite them, which can be evaluated in the test circuit system to determine whether the test object is electrically fault-free or not. This test circuit system of the test device can preferably be integrated at least partially, often expediently completely or essentially into the at least one H-plate

&bull;&bgr;1" ""&bull;&bgr; 1 """

integriert sein. Die &EEgr;-Platte kann aus einem einzigen Bauelement bestehen, vorzugsweise aus einem Wafer oder einem Chip. Sie kann jedoch auch aus mehreren Bauelementen zusammengesetzt sein, vorzugsweise aus mehreren Wafern oder Chips, die zu der H-PlatteThe H-plate can consist of a single component, preferably a wafer or a chip. However, it can also be composed of several components, preferably several wafers or chips, which form the H-plate.

Zusammengesetz': sind. bspw. durch Kleben praktischAssembled: are. e.g. by gluing practically

&OHgr;Ω

abstandslos miteinander verbunden oder auf einer gemeinsamen Fläche eines Trägers angeordnet und zu der &EEgr;-Platte direkt oder über die sie tragende Fläche miteinander verbunden sind. Es ist in vielen Fällen auch zweckmäßig, daß die Prüfvorrichtung mindestensconnected to one another without any gaps or arranged on a common surface of a support and connected to the &EEgr; plate directly or via the surface supporting it. In many cases it is also expedient for the test device to have at least

I^ zwei &EEgr;-Platten aufweist, die in Abständen voneinander in einer Tragvorrichtung angeordnet sind, bspw. dann, wenn durch die Prüfvorrichtung jewails simultan mehrere Prüflinge geprüft werden sollen, wobei dann jedem der gleichzeitig zu prüfenden Prüflinge jeweils eine &EEgr;-Platte der Prüfvorrichtung zugeordnet ist. Oder es kann auch vorgesehen sein, daß im FaTIe von Prüflingen, deren Prüfpunkte auf Felder verteilt sind, die zwischen sich nicht unerhebliche Abstände haben, dann jedem solchen Feld oder Gruppen von Feldern je eine &EEgr;-Platte der Prüfvorrichtung für die Prüfung zugeordnet wird.I^ has two Ω-plates that are arranged at a distance from one another in a support device, for example when several test objects are to be tested simultaneously by the test device, whereby each of the test objects to be tested simultaneously is assigned an Ω-plate of the test device. Or it can also be provided that in the case of test objects whose test points are distributed over fields that have a not insignificant distance between them, each such field or group of fields is assigned an Ω-plate of the test device for the test.

Wenn die &EEgr;-Platte als Chip ausgebildet ist, kann er bspw. die Größe eines Wafers haben. Man könnte ihn dann zumindest in vielen Fällen auch als Riesenchip bezeichnen.If the EEgr; plate is designed as a chip, it can be the size of a wafer, for example. In many cases, it could then be called a giant chip.

Auch kann die Prüfvorrichtung kostengünstig herstellbar sein und extrem viele Tastpunkte aufweisen. Vor-3^ terlhaft kann sie viele Tausende von Tastpunkten,The test device can also be manufactured inexpensively and have an extremely large number of touch points. It can preferably have many thousands of touch points,

insbesondere Hunderttausende oder Hillionen oder sogar viele Hillionen von Tastpunkten erhalten. Die Kosten der Prüfvorrichtung pro Tastpunkt sind eder können erheblich niedriger sein als die Kosten herkömmlicher Prüfvorrichtungen. Auch ist die erfindungsgemäße Prüfvorrichtung weniger störanfällig und kann baulich kleiner und kompakter als herkömmliche Prüfvorrichtungen ausgebildet sein und eröffnet auch neue Möglichkeiten der Prüfung von Prüflingen.in particular, hundreds of thousands or millions or even many millions of touch points are obtained. The costs of the test device per touch point are or can be significantly lower than the costs of conventional test devices. The test device according to the invention is also less susceptible to failure and can be structurally smaller and more compact than conventional test devices and also opens up new possibilities for testing test objects.

So kann oft zweckmäßig anstelle des Kontaktierens vonThis can often be useful instead of contacting

Prüfpunkten durch Tastpunkte vorgesehen sein, daß alle oder eine Teilanzahl der Prüfpunkte von Prüflingen durch Tastpunkte der Prüfvorrichtung berührungslos getastet werden, worunter verstanden ist, daß den betreffenden Prüfpunkten die Prüfsignale von den ihnen im Abstand gegenüberstehenden Tastpunkten berührungslos übermittelt und an den zugeordneten Tastpunkten von den Prüfpunkten berührungslos empfangen werden können. Auch kann oft zweckmäßig vorgesehen sein, einen Pad, einen Endbereich einer Leiterbahn oder eineTest points can be provided by touch points so that all or a part of the test points of test objects can be touched without contact by touch points of the test device, which means that the test signals can be transmitted to the relevant test points from the touch points located opposite them at a distance without contact and can be received without contact by the test points at the assigned touch points. It can also often be expedient to provide a pad, an end area of a conductor track or a

2^ sonstige Stelle eines Prüflings nicht mehr wie bisher durch jeweils einen einzigen Tastpunkt zu kontaktieren, sondern mehrfach oder vielfach durch Tastpunkte gleichzeitig zu kontaktieren oder berührungslos zu tasten, also entsprechend viele Prüfpunkte an der betreffenden Stelle des Prüflings vorzusehen und hierdurch die Sicherheit der Prüfung zu erhöhen. 2 ^ other points on a test object are no longer to be contacted by a single touch point as before, but to be contacted several times or multiple times simultaneously by touch points or to be touched without contact, i.e. to provide a corresponding number of test points at the relevant point on the test object and thereby increase the safety of the test.

Auch können neue Prüfungsgebiete erschlossen werden, wie sie bisher der Prüfung durch Kontaktstifte aufweisende herkömmliche PrüfVorrichtungen nichtNew testing areas can also be opened up that were previously not possible with conventional testing devices using contact pins .

&Iacgr;&Ggr; &Iacgr;&Ggr;

zugänglich waren, u.a. können stärker miniaturisierte und höher integrierte Mikroelektroniken ebenfalls euren eirf inciüngsgemäße Prüf vorrichtungen euf ,-,; fache Weiss geprüft werden, die der Prüfung &uacgr;-roh die bishsrigsr., Kontaktstifte aufweisenden Prüfvorrichtungen nicht zugänglich waren. Auch könnenwere accessible, among other things, more miniaturized and more highly integrated microelectronics can also be tested using appropriate test devices, which were not accessible to the test devices with contact pins up to now.

e Tascpunkte in so engem Raster angeordnet --sin, daß die den Tastpunkten frei gegenüberliegenden Leiterbahnstrukturen "id Pads der Prüflinge rastsrartig abgebildet und visuell oder selbsttätige Touch points are arranged in such a narrow grid that the conductor track structures freely opposite the touch points can be displayed in a grid-like manner on the pads of the test objects and can be visually or automatically

auf Fehlerfreiheit geprüft werden können. 15can be checked for errors. 15

Vorzugsweise kann zumindest die Vorderseite der &EEgr;-Platte oder mindestens einer &EEgr;-Platte der Prüfvorrichtung eine mikromechanisch hergestellte Struktur aufweisen, wobei vorzugsweise vorgesehen sein kann, daß die Tastpunkte und/oder die Widerlager für Kontaktnadeln an mikromechanisch hergestellten Strukturen dieser Oberfläche der H-Platta angeordnet oder vorgesehen sind.Preferably, at least the front side of the H-plate or at least one H-plate of the test device can have a micromechanically produced structure, wherein it can preferably be provided that the touch points and/or the abutments for contact needles are arranged or provided on micromechanically produced structures of this surface of the H-plate.

Die &EEgr;-Platte kann vorzugsweise so ausgebildet sein, daß sie für einige, besonders zweckmäßig für alle oder fast alle ihr zugeordneten Tastpunkte mindestens je einen Halbleiterbezirk aufweist, der mindestens ein p-Gebiet und/oder mindestens ein n-üebiet aufweist, welches Gebiet bzw. welche Gebiete vorzugsweise stark dotiert sein können. Unter einem p-Gebiet ist ein durch Dotierung oder auf sonstige Weise erzeugtes, elektrisch leitfähiges Gebiet der &EEgr;-Platte verstanden, das im Überschuß (Majorität) Löcher positiverThe �EEgr; plate can preferably be designed in such a way that it has at least one semiconductor region for some, particularly expediently for all or almost all of the touch points assigned to it, which has at least one p-region and/or at least one n-region, which region or regions can preferably be heavily doped. A p-region is understood to be an electrically conductive region of the �EEgr; plate produced by doping or in some other way, which in excess (majority) has holes of positive

Polarität (auch Defektelektronen genannt) aufweist.polarity (also called defect electrons).

Unter einem &eegr;-Gebiet ist ein datiertes oder auf sonstige Weise erzeugtes, elektrisch leitfähiges Gebiet verstanden, das im Oberschuß Elektronen aufweist. In dissem Zusammenhang sei auch ausgeführt, daß das Halbleitermaterial der H-Plstt? b"?, ihrer Bauelemente undotiert oder im Ganzen &ogr;&uacgr;^ uereichsweise dotiert sein kan.An eeegr; region is understood to be a dated or otherwise produced, electrically conductive region which has an excess of electrons. In this context, it should also be noted that the semiconductor material of the H-Plastic, its components, can be undoped or doped in large quantities.

Die «-Platte oae. , wer»*« sie sus 3efr?er;*n Bauelementen zusammengs^ jtzt ist, --«des oieser Bauelemente kann vorzugswei*3 eis Einkristall c<~9r auf der Basis einesThe «-plate or the like, when it is assembled from the components, --«one of these components can preferably be a single crystal c<~9r based on a

1^ Einkristalles eines Halfeiifti-s-Tes, «lso eines Halbleiters, hergestellt sein, sei es in einschichtigem oder mehrschichtigem Aufbau. Vorzugsweise kommen Halbmetalle in Frage, die gute elastische Eigenschaften haben, und zwar sowohl Elementarhalbleiter 1 ^ Single crystal of a semi-metal, i.e. a semiconductor, whether in a single-layer or multi-layer structure. Preferably semi-metals with good elastic properties are considered, namely both elementary semiconductors

2^ aus einem einzigen Element (z.B. Si, Ge), als auch Verbindungshalbleiter, die zwei oder mehr Elemente enthalten (z.B. GaAs). Besonders zweckmässig ist Silizium. 2 ^ from a single element (eg Si, Ge), as well as compound semiconductors containing two or more elements (eg GaAs). Silicon is particularly suitable.

In manchen Fällen kann die &EEgr;-Platte oder mindestens eines ihrer Bauelemente polykristallin oder in Sonderfällen auch amorph auf der Basis von Halbmetall, d.h. auf Halbleiterbasis, hergestellt sein.In some cases, the �EEgr; plate or at least one of its components can be polycrystalline or, in special cases, amorphous on the basis of semi-metal, i.e. on the basis of semiconductors.

Bei bevorzugten Ausführungsformen sind zumindestIn preferred embodiments, at least

einige, vorzugsweise alle oder fast alle Tastpunkte bzw. Widerlager an Vorsprüngen der dem jeweiligen Prüfling zugewendeten Vorderseite der mindestens einen &EEgr;-Platte vorgesehen. Diese Vorsprünge können vorzugsweise auf mikromachanischem Wege hergestelltsome, preferably all or almost all touch points or abutments are provided on projections on the front side of the at least one &EEgr; plate facing the respective test object. These projections can preferably be produced by micro-machining

ibib

sein. Sie können vorzugsweise ungefähr zylindrischeThey can preferably be approximately cylindrical

c Gestalten haben mit beispielsweise runden oder &ogr; c shapes with, for example, round or &ogr;

eckigen, beispielsweise unqefähr quadratischen Querschnitten oder sie kciv _n auch andere Gestalten haben, vorzugsweise auf mindestens einem Teilbereich ihrer Länt,ön sich verjüngen, beispielsweise als _ Kegelstumpfe, Kegel, Pyramidenstümpfe, Pyramiden oder dergleichen ausgebildet sein.angular, for example approximately square cross-sections or they can also have other shapes, preferably tapering over at least a portion of their length, for example as truncated cones, cones, truncated pyramids, pyramids or the like.

Mindestens einigen, vorzugsweise allen oder fast allenAt least some, preferably all or almost all

'$ Tastpunkten kann zweckmäßig ein Bezirk der H-Platte '$ Touch points can be conveniently a region of the H-plate

% zugeordnet sein, der ein p-Gebiet und/oder ein % which has a p-region and/or a

% 15 % 15

■:| &eegr;-Gebiet aufweist, das am Leiten der durch diesen■:| &eegr;-area that is involved in conducting the

j| Tastpunkt übertragbaren Prüfsignale mitwirkt oder dasj| Touch point transmittable test signals or the

&Phi; p-Gebiet bzw. &eegr;-Gebiet eines solchen Bezirks kann auch &Phi; p-area or &eegr;-area of such a district can also

,,' den betreffenden Bezirk selbst bilden. Ein solches'form the district concerned itself. Such a

% Gebiet kann dabei vorzugsweise ein p-Gebiet bzw. % The region can preferably be a p-region or

:,j; &eegr;-Gebiet einer in die betreffende &EEgr;-Platte inte- :,j; &eegr;-area of a &EEgr;-plate integrated in the respective

L grierten elektrischen Komponente sein, insbesondereL grated electrical component, especially V: eines Transistors oder einer Diode, der bzw. die am V: of a transistor or diode connected to the Schalten, Sparren oder Gleichrichten der demSwitching, sparring or rectifying the

'' &ldquor;_ zugeordneten Tastpunkt vom Prüfschaltungssystem ; zuleitbaren und von ihm zum Prüfschaltungssystem'' &ldquor;_ assigned touch point from the test circuit system ; and from it to the test circuit system

ableitbaren Prüfsignale dient oder hieran mitwirkt. : Eine solche elektronische Komponente ist in diederivable test signals or contributes to them. : Such an electronic component is included in the

betreffende &EEgr;-Platte bzw. das deren betreffendes Bauelement integriert und bildet so auch eine Komponente des Prüfschaltungssystems selbst.the relevant &EEgr; board or the component thereof and thus also forms a component of the test circuit system itself.

Wenn das Prüfschaltungssystem ganz oder teilweise in die mindestens eine &EEgr;-Platte der PrüfvorrichtungIf the test circuit system is completely or partially integrated into the at least one &EEgr; plate of the test device

integriert ist, können die betreffenden elektronischenintegrated, the relevant electronic

1 1

Ti"T"

e Komponenten, Leiterbahnen oder dergleichen en der Vorderseite und/oder an der Rückseite und/oder im Inneren der H-Plette bzw. des oder der betreffenden Bauelemente integriert sein. Elektrische Leiter, wie Leiterbahnen oder dergleichen, können durch metal-.Q lische Beschichtungen, Durchkontaktierungen oder durch sonstige in der Mikroelektronik anwendbare Maßnahmen gebildet sein. Insbesondere denn, wenn die einzelne &EEgr;-Platte bzw. jedes ihrer Bauelemente auf der Basis eines Silizium-Einkristalles hergestellt ist, habene components, conductor tracks or the like can be integrated on the front and/or on the back and/or inside the H-plate or the relevant component or components. Electrical conductors, such as conductor tracks or the like, can be formed by metallic coatings, through-platings or by other measures applicable in microelectronics. In particular, if the individual H-plate or each of its components is made on the basis of a silicon single crystal,

, _ mikromechanisch hergestellte Vor Sprünge der H-Platte &igr; &ogr;, _ micromechanically manufactured H-plate projections &igr;&ogr;

ausgezeichnete federnde Eigenschaften, die denen von Federstahl vergleichbar sind.excellent spring properties comparable to those of spring steel.

Tastpunkte aufweisende Vorsprünge oder dem elek- __ trischeii Anschluß von Kontaktnadeln dienende Stellen der &EEgr;-Platte bzw. ihrer sie bildenden Bauelemente können auch in Form von geraden oder gebogenen Biegefedern, wie federnden Stäben, Blattfedern, federnden Zungen, elastischen Membranen oder &ldquor;_ dergleichen ausgebildet sein.Projections having touch points or points on the EEgr; plate or the components that make it up that serve for the electrical connection of contact needles can also be designed in the form of straight or curved bending springs, such as spring rods, leaf springs, spring tongues, elastic membranes or the like.

An der Prüfung eines Prüflings können je nach Prüfling und Art der Prüfung alle oder nur ?ine Teilanzahl der Tastpunkte der PrüfvorrichtungDepending on the test item and the type of test, all or only a part of the test device's contact points can be used in the test.

teilnehmen durch entsprechende Programmierung des 30participate by programming the 30

Prüfschaltungssystems. Die Programmierung des Prüfschaltungssystems für eine Serie unter sich gleicher Prüflinge kann beispielsweise im Prinzip wie bei den bekannten Prüfvorrichtungen selbsttätigThe programming of the test circuit system for a series of identical test items can, for example, be carried out automatically in principle, as with the known test devices.

unter Einsatz eines fehlerfreien Prüflings erfolgen. 35using a faultless test specimen. 35

g Für das berührungslose Senden und Empfangen von Prüfsignalen durch Tastpunkte der Prüfvorrichtung können diese Testpunkte vorzugsweise als kleine, an der betreffenden &EEgr;-Platte bzw. des betreffenden Bauelementes von ihr mikromechanisch hergestellte Spulen ausgebildet sein, die so als Sende-Antennen bzw. als Empfangs-Antennen für Prüfsignale dienen. Diese Spulen können so winzig klein sein, beispielsweise maximale Durchmesser von 1 bis 50 Mikrometer aufweisen oder auch noch kleinere oder größere Durchmesser und ihre Abstände vom jeweiligen Prüfling bei dessen Prüfung können so gering gehalten werden, daß die jeweilige Spule, wenn sie mit Wechselstrom oder Impulszügen beschickt wird, nur einen eng begrenzten Prüfpunkt, dessen Durchmesser nicht oderg For the contactless transmission and reception of test signals by means of touch points of the test device, these test points can preferably be designed as small coils micromechanically manufactured on the relevant �EEgr; plate or the relevant component, which thus serve as transmitting antennas or receiving antennas for test signals. These coils can be so tiny, for example, that they can have maximum diameters of 1 to 50 micrometers or even smaller or larger diameters, and their distances from the respective test object during its testing can be kept so small that the respective coil, when supplied with alternating current or pulse trains, only has a narrowly defined test point, the diameter of which is not or

2Q nur wenig größer als der Durchmesser der Spule ist, mit dem von ihr erzeugten elektromagnetischen Feld wirksam beaufschlagt und so hier eine geringe elektrische Spannung an diesem Prüfpunkt induziert, wobei mindestens eine andere solche Spule einer 2Q is only slightly larger than the diameter of the coil, is effectively subjected to the electromagnetic field generated by it and thus induces a small electrical voltage at this test point, whereby at least one other such coil of a

2g anderen Stelle des betreffenden Leiters des Prüflings im Abstand gegenüberstehen kann und der in diesem elektrischen Leiter induzierte Prüfstrom induziert dann in der betreffenden mindestens einen anderen, als Empfangs-Antenne dienenden Spule derselben oder einer2g other point of the relevant conductor of the test object at a distance and the test current induced in this electrical conductor then induces in the relevant at least one other coil of the same or a

Oq anderen &EEgr;-Platte einen Prüfstrom oder eine Prüfspannung, die von dem Prüfschaltungssystem der Prüfvorrichtung ausgewertet wird. O q other &EEgr;-plate a test current or a test voltage which is evaluated by the test circuit system of the test device.

Der berührungslosen Übertragung von Prüfsignalen zwischen Tastpunkten und Prüfpunkten können also elektromagnetische Felder dienen. Es ist jedoch auchElectromagnetic fields can therefore be used for the contactless transmission of test signals between touch points and test points. However, it is also

denkbar und möglich, hierfür auch andere Maßnahmen vorzusehen, beispielsweise kapazitive Kopplung zwischen je einem Tastpunkt und einem im Abstand gegenüberstehenden Prüfpunkt des jeweiligen Prüflings oder durch Übertragung von Ladungsträgern zwischen einem Tastpunkt und einem Prüfpunkt, wie Ionen oder Elektronen, beispielsweise durch Spitzenentladungen mittels an der mindestens einen &EEgr;-Platte mikromechanisch hergestellten, halbleitenden oder metallisch beschichteten Spitzen.It is conceivable and possible to provide other measures for this purpose, for example capacitive coupling between a touch point and a test point of the respective test object at a distance from one another or by transferring charge carriers between a touch point and a test point, such as ions or electrons, for example by means of tip discharges using micromechanically manufactured , semiconducting or metallically coated tips on the at least one �EEgr; plate.

Wenn Tastpunkte durch die vorderen Enden von Kontaktnadeln gebildet sind, können diese Kontaktnadeln elektrisch leitfähige p-Gebiete und/oder n-Gebiete oder metallische Beschichtungen der mindestens einen &EEgr;-Platte zu ihrem elektrischen Anschluß kontaktieren.If touch points are formed by the front ends of contact needles, these contact needles can contact electrically conductive p-regions and/or n-regions or metallic coatings of the at least one �EEgr; plate for their electrical connection.

Die Konktaktnadeln können insbesondere gebogene Nadeln, gerade Starrstifte oder sogenannte Knicknadeln sein. Unter einer Knicknadel ist eine gerade Nadel verstanden, die bei ausreichend großer axialer Kraft auf ihr freies, den Prüfling kontaktierendes Ende ausknickt und so axial federnd wirkt.The contact needles can be curved needles, straight rigid pins or so-called bent needles. A bent needle is a straight needle that, when subjected to a sufficiently large axial force, bends towards its free end that contacts the test object and thus has an axially springy effect.

Bevorzugt können die Tastpunkte der Prüfvorrichtung in so engem Raster angeordnet sein, daß die Prüfvorrichtung zur Prüfung unterschiedlich großer Prüflinge bis zu einer maximalen Prüflingsgröße eingesetzt werden kann. Die Dichte der Tastpunkte kann dabei so groß sein, daß sich auf der den Tastpunkten gegenüberliegenden Oberfläche des Prüflings vorhandenePreferably, the touch points of the test device can be arranged in such a narrow grid that the test device can be used to test different sized test objects up to a maximum test object size. The density of the touch points can be so high that existing

Leiterstrukturen erkennen lassen, so deß man praktisch ein Abbild, des gewünschtenfalls auch digital gespeichert werden kann, der jeweiligen Leiterstruktur des Prüfling auf dessen den Tastpunkten der Prüfvorrichtung gegenüberliegenden Fläche erhalten kann und mit einem Soll-QiId der Leiterstruktur visuell oder selbsttätig vergleichen kann und so aus dem Vergleich visuell oder selbsttätig ermitteln kann, ob der betreffende Prüfling bezüglich dieser abgebildeten Leiterstruktur fehlerfrei oder fehlerhaft ist. Diese Abbildungsmethode eignet sich besonders für unbestücJrte, nur oberflächig mit Leiterbahnen oderConductor structures can be recognized, so that one can obtain an image, which can also be stored digitally if desired, of the respective conductor structure of the test object on its surface opposite the touch points of the test device and can compare it visually or automatically with a nominal value of the conductor structure and thus determine visually or automatically from the comparison whether the test object in question is faultless or faulty with regard to this depicted conductor structure. This imaging method is particularly suitable for unequipped, only superficially provided with conductor tracks or

dgl. beschichtete Leiterplatten oder für einschichtige Chips, jedoch kommt diese Abbildungsmethode auch für andere Prüflinge ebenfalls in Frage. Dies ergibt auch größere Toleranzen der Lage des Prüflings zu den Tastpunkten und es kann gewünschtenfalls jeder Prüfling auf seine Lage relativ zum Feld der Tastpunkte ermittelt und rechnerisch das Prüfschaltungssystem auf die Lage des einzelnen Prüflings jeweils umprogrammiert werden, so daß diese Relativlage unkritisch ist. Dies geht auch dann, wenn kein Bild der Leiterstruktur gewonnen wird, sondern nur Ausschnitte der Leiterstruktur. Bei ■:»>;.lsweise können auf jedem Prüfling ein oder mehrere Punkte angeordnet sein, deren Lage durch eine Optik, durch mindestens einen Tastpunkt oder durch sonstige, bspw. elektrische Mittel nach ihren Koordinaten ermittelt werden. Der Rechner rechnet das Prüfprogramm für den betreffenden Prüfling nach diesen Koordinaten um, falls diese Koordinaten von den Soll-Koordinaten abwichen.similarly coated circuit boards or for single-layer chips, but this imaging method can also be used for other test objects. This also results in greater tolerances for the position of the test object relative to the touch points and, if required, each test object can be determined for its position relative to the field of touch points and the test circuit system can be mathematically reprogrammed to the position of the individual test object so that this relative position is not critical. This is also possible if no image of the conductor structure is obtained, but only sections of the conductor structure. One or more points can be arranged on each test object, the position of which can be determined by optics, by at least one touch point or by other means, e.g. electrical, based on their coordinates. The computer converts the test program for the test object in question based on these coordinates if these coordinates deviate from the target coordinates.

Die erfindungsgemäßen Prüfvorrichtungen können mit besonderem Vorteil der Prüfung unbestückter Leiterplatten und von Chips mit sehr kleinen Pads dienen. Sie können jedoch auch dem Prüfen anderer elektrischer oder elektronischer Prüflinge dienen, beispielsweise auch dem Prüfen bestückter Leiterplatten.The test devices according to the invention can be used with particular advantage for testing unpopulated circuit boards and chips with very small pads. However, they can also be used for testing other electrical or electronic test objects, for example for testing populated circuit boards.

Wie erwähnt, kann die jeweilige &EEgr;-Platte einschichtig ;:: As mentioned, the respective &EEgr;-plate can be single-layered ;: :

oder mehrschichtig hergestellt sein, bzw. das sie &psgr; or multi-layered, or that they are &psgr;

bildende Halbleitermaterial kann einschichtig bzw. fThe semiconductor material can be single-layered or

mehrschichtig sein, wobei in letzterem Fall man sie dann als Multilayerplatte bzw. Multilayerbauelement bezeichnen kann. Diese Bauelemente bzw. diese H-Platte kann man auch als Halbleiter-Bauelemente bzw. Halbleiterplatte bezeichnen, unabhängig davon, ob in A sie Schaltkreise integriert sind und ob sie metallische Beschichtungen für Leiterbahnen, isolierende Schichten oder dergleichen undmultilayered, in which case they can be referred to as multilayer plates or multilayer components. These components or this H-plate can also be referred to as semiconductor components or semiconductor plates, regardless of whether they have integrated circuits in them and whether they have metallic coatings for conductor tracks, insulating layers or the like and

Durchkontaktierungen und dgl. aufweist oder nicht und .: ;.has vias etc. or not and . : ; .

unbestückt ist oder nicht. Leiterbahnen und jis unpopulated or not. Conductor tracks and j

Kontaktierungen können beispielsweise aus Aluminium,Contacts can be made of aluminum, Gold oder sonstigen geeigneten Metallen bestehen, dieGold or other suitable metals, which

in üblichen Verfahren aufgebracht werden können.can be applied using conventional methods.

Wenn vorstehend von der mikromechanischen Herstellung von Oberflächenstrukturen der &EEgr;-Platte oder ihrer Bauelemente gesprochen ist, so sei darauf hingewiesen, daß der Begriff "Mikromechanik" dem Fachmann bekannt ist. Es sei bspw. auf das Fachbuch HEUBERGER "Mikromechnik", Springer-Verlag Berlin Heidelberg New York London Paris Tokyo 1989, hingewiesen, in dem auch verschiedene mikrcmechanische Herstellungsverfahren beschrieben ;■ i nd .When the micromechanical production of surface structures of the �EEgr; plate or its components is mentioned above, it should be noted that the term "micromechanics" is known to those skilled in the art. For example, reference is made to the HEUBERGER textbook "Mikromechnik", Springer-Verlag Berlin Heidelberg New York London Paris Tokyo 1989, in which various micromechanical production processes are also described ;■ i nd .

16 615716 6157

In der Zeichnung sind Ausführungsbeispiele der 5The drawing shows examples of the 5

Erfindung dargestellt^ Es: -»igen:Invention represented^ It: -»igen:

Fig. 1 eine abschnittweise Seitenansicht einer Prüfvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung in gebrochener und teil»-3ise geschnittener Darstellung, wobei ein Prüfling und der ihn tragende Treger strichpunktiert mit angedeutet sind,Fig. 1 is a partial side view of a test device according to an embodiment of the invention in a broken and partially sectioned representation, with a test specimen and the support carrying it being indicated in dash-dotted lines,

Fig. 2A eine ausschnittsweise Draufsicht auf die 15Fig. 2A is a partial plan view of the 15

&EEgr;-Platte nach Fig. 1, wobei nur die&EEgr;-plate according to Fig. 1, where only the

Vorsprünge dargestellt und die Leiterbahnen weggelassen sind,projections are shown and the conductor tracks are omitted,

Fig. 2B Untenansichten von Platten der 20Fig. 2B Bottom views of plates of the 20

und 2C Prüfvorrichtung nach Fig. 1,and 2C test device according to Fig. 1,

Fig. 2D eine schaubildliche Schrägansicht eines kleinen Ausschnittes der &EEgr;-Platte nachFig. 2D is a diagrammatic oblique view of a small section of the &EEgr; plate according to

Fig. 2A, welcher nur einen einzigen 25Fig. 2A, which only shows a single 25

Vorsprung zeigt, wobei schematisch die vonprojection, schematically showing the

dem p-Gebiet und dem &eegr;-Gebiet des Vorsprunges mitgebildete Transistoren und ihre elektrischen Leiterbahnanschlüsse mit dargestellt sind,the transistors formed in the p-region and the η-region of the projection and their electrical conductor connections are also shown,

Fig. 2E einen Teilschnitt durch die &EEgr;-Platte nach Fig. 1 in vergrößerter Darstellung,Fig. 2E is a partial section through the &EEgr; plate according to Fig. 1 in an enlarged view,

Fig. 3 eine ausschnittsweise Draufsicht auf eineFig. 3 is a partial plan view of a

H-Plstte, wcbai eine durch sie i.ontaktierte Leiterbahn eines Prüflings strichpunktiert mit eingezeichnetH-plates, with a conductor track of a test object contacted by them shown in dash-dotted lines

Fig. 4 eine ausschnittsweise Draufsicht auf ei&pgr;^ H ^lstte, obei nur diejenigen Tastpunkte (Vorsprung r> mit eingezeichnet sind, -Ie über die s .ichpunfct>ert eingezeichneten Leiterb&hnen eines früflings kurzgeschlossen sind, -- die Möglichkeit der rastermäßigen Abbildung solcher Leiterbahnen eines Prüflings durch die Prufvor- : ichtung darzustellen,Fig. 4 a partial top view of a test piece, where only those touch points (projection r> are shown, -- which are short-circuited via the conductor tracks of a test piece shown at the first point, -- to show the possibility of the grid-like representation of such conductor tracks of a test piece by the test device,

Fig. 5 einen Teilschnitt durch eine Variante einerFig. 5 a partial section through a variant of a

&EEgr;-Platte gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung, &EEgr; plate according to another embodiment of the invention,

Fig. 6 eine ausschnittsweise Draufsicht auf eineFig. 6 a partial plan view of a H-Platta gemäß einem AusführungsbeispielH-Platta according to an embodiment

der Erfindung,the invention,

Fig. 7 eine ausschnittsweise Draufsicht auf eineFig. 7 is a partial plan view of a

&EEgr;-Platte gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung,&EEgr; plate according to another embodiment of the invention,

Fig. 8 einen Teilschnitt durch die H-PlatteFig. 8 a partial section through the H-plate

nach Figur 7 gesehen entlang der Schnittlinie 8-8 in vergrößerter Darstellung, 35according to Figure 7, seen along the section line 8-8 in an enlarged view, 35

Fig. 9 einen Teilschnitt durch eine &EEgr;-Platte gemäß einem weiteren Ausfuhrungsbeispiel derFig. 9 shows a partial section through a &EEgr;-plate according to another embodiment of the

Erfindung,Invention,

Fig. 10 eine ausschnittsweise Draufsicht ?uf eineFig. 10 a partial plan view of a

&EEgr;-Platte gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung, wobei eirlge in sie&EEgr;-plate according to another embodiment of the invention, wherein eirlge in it

integrierte Schaltungen durch Schaltsymbole angedeutet sind,integrated circuits are indicated by circuit symbols,

Fig. 11 einen Teilschnitt durch die &EEgr;-Platte nach Fig. &iacgr;&ogr; gesehen entlang der SchnittlinieFig. 11 a partial section through the &EEgr;-plate according to Fig. &iacgr;&ogr; seen along the cutting line

11-11, wobei auch ein Prüfling ausschnittsweise mit dargestellt ist,11-11, where a test specimen is also shown in detail,

Fig. 12 einen Schnitt durch Fig. 11 gesehen entlang der Schnittlinie 12-12,Fig. 12 is a section through Fig. 11 taken along section line 12-12,

Fig. 13 eine ausschnittsweise Draufsicht auf die &EEgr;-Platte nach Fig. 2A, wobei hier nur ein einzelner Vorsprung dargestellt ist und an sein p-Gebiet und &eegr;-Gebiet angeschlossene,Fig. 13 is a partial plan view of the &EEgr; plate according to Fig. 2A, where only a single projection is shown and connected to its p-region and &eegr; region,

in die &EEgr;-Platte integrierte Schaltungen ausschnittsweise durch elektrische Symbole symbolisiert mit eingezeichnet sind,Circuits integrated into the &EEgr; board are partially shown symbolized by electrical symbols,

Fig. 14 eine teilweise geschnittene SeitenansichtFig. 14 a partially sectioned side view

einer Kontaktnadeln aufweisenden Prüfvorrichtung zum Prüfen eines in Seitenansicht dargestellten Prüflings, wobei die Kontaktnadeln auf einer &EEgr;-Platte abgestützt sir.da test device having contact needles for testing a test object shown in side view, the contact needles being supported on a &EEgr; plate sir.d

3b und Mittel zum Spannen der Kontaktnadeln3b and means for clamping the contact needles

schematisch und teilweise geschnitten mit 5schematic and partially cut with 5

dargestellt sind,are shown,

Fig. 15 einen Ausschnitt aus Fig. 14 in vargrösserter Darstellung,Fig. 15 shows a detail from Fig. 14 in an enlarged view,

1010

Fig. 16A eine Variante der Prüfvorrichtung nachFig. 16A a variant of the test device according to

Fig. 14 in ausschnittsweiser geschnittener Seitenansicht.Fig. 14 in partial cutaway side view.

Fig. 16B, je einen Schnitt durcft einen Vorsprung der 15Fig. 16B, one cut through each projection of the 15

C und D &EEgr;-Platte der Fig. 16A in zwei unterschiedlichen Ausführungsformen in vergrößerter Darstellung, undC and D �EEgr; plate of Fig. 16A in two different embodiments in an enlarged view, and

Fig. 17 Prinzipschaltung für die Ansteuerung einerFig. 17 Basic circuit for controlling a

2020

Prüfzelle.test cell.

Zunächst sei dargelegt, daß in einigen der Figuren,First of all, it should be noted that in some of the figures,

jedoch nicht in allen Figuren, p-Gebiete durch 25but not in all figures, p-regions by 25

eingezeichnete kleine Kreise und &eegr;-Gebiete durch eingezeichnete Punkte symbolisiert sind. Die kleinen Kreise sollen die in Majorität vorliegenden Löcher (Defektelektronen) und die Punkte die in Majoritätdrawn small circles and &eegr;-areas are symbolized by drawn points. The small circles are intended to represent the majority of holes (defect electrons) and the points are intended to represent the majority of

vorlieaenden Elektronen symbolisieren. 30present electrons. 30

Die in Fig. 1 teilweise geschnitten und gebrochen und ausschnittsweise dargestellte und teilweise auch nur strichpunktiert angedeutete Prüfvorrichtung 6 weist eine auf Halbleiterbasis hergestellte Platte 10The test device 6 shown in Fig. 1 partially cut and broken and partially shown and partly only indicated by dash-dot lines has a plate 10 made of semiconductor material

3535

- nachfolgend auch &EEgr;-Platte genannt - auf, die auf- hereinafter also called &EEgr;-plate - which is

einer in einem Träger 11 fest angeordneten, ebenfalls auf Halbleiterbasis hergestellten Platte 12 mit ihrer ebenen Unterseite aufsitzt. Diese beiden Platten 10 und 12 sind in einer Ausnehmung 11' des Trägers 11 formschlüssig gehalten, wobei die Platte 10 sich in der Ausnehmung 11' des Trägers 11 mit GleitläyeräitZ vertikal in Richtung des Doppelpfeiles A auf und abwärts bewegen kann.a plate 12, which is also made of semiconductor material and is fixedly arranged in a carrier 11, rests with its flat underside. These two plates 10 and 12 are held in a form-fitting manner in a recess 11' of the carrier 11, whereby the plate 10 can move vertically up and down in the recess 11' of the carrier 11 with sliding properties in the direction of the double arrow A.

Beide Platten 10 und 12 sind jeweils aus mehreren plattenförmigen Bauelementen 15, 16 bzw. 17, 18 zusammengesetzt, die an ihren Stoßfugen 13 und 14 fest miteinander verbunden sind, beispielsweise durch Laserschweißen.Both plates 10 and 12 are each composed of several plate-shaped components 15, 16 and 17, 18, respectively, which are firmly connected to one another at their butt joints 13 and 14, for example by laser welding.

Beispielsweise können diese Platten 10 und 12 gemäß ihren in den Fig. 2B und 2C dargestellten Untenansichten aus je zwei gleich großen recnteckfSrmigen Bauelementen 15, 16 bzw. 17, IS zu der entsprechend größeren ebenfalls rechteckförmigen Platte 10 bzw. 12 zusammengesetzt sein. Gegebenenfalls 2^ kann die Platte 10 wie auch die Platte 12 aus je einem einzigen, sie bildenden Bauelement oder aus mehr als zwei zu ihr zusammengesetzten Bauelementen bestehen.For example, these plates 10 and 12 can be composed of two equally large rectangular components 15, 16 and 17, respectively, according to their bottom views shown in Fig. 2B and 2C, to form the correspondingly larger, also rectangular plate 10 or 12. If necessary, the plate 10 and the plate 12 can each consist of a single component forming it or of more than two components assembled to form it.

Im weiteren sei für die Beschreibung angenommen, daß diese beiden Platten 10 und 12 aus den jeweils beiden Bauelementen 15, 16 bzw.17, 18 zusammengesetzt sind.For the purposes of the description, it is assumed that these two plates 10 and 12 are composed of the two components 15, 16 and 17, 18 respectively.

Diese ebenfalls plattenförmigen Bauelemente 15, 16, und 18 können aus je einer einkristallinenThese plate-shaped components 15, 16, and 18 can each consist of a single-crystalline

(monokristallinen) Scheibe eines Halbmetalls, d.h. auf der Basis eines Halbleiters in nachfolgend noch näher beschriebenen Weise hergestellt sein. Man kann sie deshalb auch als Halbleiter-Bauelemente bezeichnen, gleichgültig ob in sie elektronische Komponenten, wie Schaltkreise. Transistoren. Widerstände oder dgl. und durch Beschichten oder auf sonstige Weise metallische Leiterbahnen, Kontaktflächen oder sonstige mikroelektronische Komponenten integriert sind oder nicht. An diese Bauelemente 15 bis 18 können noch Teile, wie bspw. elektrische und mechanische Komponenten, z. B.(monocrystalline) disk of a semi-metal, i.e. on the basis of a semiconductor in the manner described in more detail below. They can therefore also be referred to as semiconductor components, regardless of whether or not electronic components such as circuits, transistors, resistors or the like and metallic conductor tracks, contact surfaces or other microelectronic components are integrated into them by coating or in any other way. Parts such as electrical and mechanical components, e.g.

Stecker, Buchsen, IC-Chips des Prufschaltungssystems oder dgl. angefügt sein.Plugs, sockets, IC chips of the test circuit system or the like may be attached.

Die Bauelemente 15 und 16 können unter sich gleich ausgebildet sein und bilden Module, aus denen die H-Platte 10 zusammengesetzt ist. Desgleichen bilden die Bauelemente 17, 18 ebenfalls Module, aus denen die Platte 12 zusammengesetzt ist.The components 15 and 16 can be designed identically to one another and form modules from which the H-plate 10 is composed. Likewise, the components 17, 18 also form modules from which the plate 12 is composed.

Jedes der Bauelemente 15, 16, 17 und 18 ist also auf Halbleiterbasis hergestellt, vorzugsweise jeweils aus einem einzigen Einkristall, der vorzugsweise ein Silizium-Einkristall sein kann, gegebenenfalls jedoch auch ein anderer Halbleiter, vorzugsweise ebenfalls ein Einkristall. Auch andere geeignete Halbleiter kommen in Frage.Each of the components 15, 16, 17 and 18 is therefore made on a semiconductor basis, preferably from a single single crystal, which can preferably be a silicon single crystal, but optionally also another semiconductor, preferably also a single crystal. Other suitable semiconductors are also possible.

Bauelement 15, 16, 17 und 18 weist in sich entsprechenden Rastern auf seiner nach oben gerichteten Vorderseite angeordnete und senkrecht zur jeweiligen Plattenebene gerichtete, ungefährComponent 15, 16, 17 and 18 has approximately

zylindrische Vorsprünge 19 (Bauelemente 15 und 16) bzw. 20 (Bauelemente 17 bzw. 18) auf. Diese Vorsprünge sind aus der betreffenden einkristallinen, ursprünglich konstante Dicke aufweisenden Scheibe mikromechanisch hergestellt, bspw. durch Ätzen. Gemäß Fig. 2A haben diesr Vorsprünge quadratischen Querschnitt, doch kommen auch andere Querschnitte in Frage, beispielsweise gemäß Fig. 6 runde Querschnitte, vorzugsweise kreisrunde Querschnitte.cylindrical projections 19 (components 15 and 16) or 20 (components 17 and 18). These projections are micromechanically manufactured from the relevant single-crystal disk, which originally had a constant thickness, for example by etching. According to Fig. 2A, these projections have a square cross-section, but other cross-sections are also possible, for example round cross-sections according to Fig. 6, preferably circular cross-sections.

Die Vorsprünge 19 und 20 haben in diesem Ausführungsbeispiel gleiche Querschnitte, doch sind die Vorsprünge 19 in diesem Ausführungsbeispiel wesentlich länger als die unter ihnen an der Platte 12 vorhandenen Vorsprünge 20.The projections 19 and 20 have in this embodiment the same cross-sections, but the projections 19 in this embodiment are significantly longer than the projections 20 present below them on the plate 12.

Nach der mikromechanischen Herstellung der strukturierten Vorderseiten dieser Bauelemente 15, 16, 17 und 18 können sie noch mikroelektronischen Behandlungen zur Herstellung elektronischer Komponenten, Schaltkreisen und dgl. unterworfen werden und auch mit metallischen Beschichtungen, wie Leiterbahnen oder dgl. und Durchkontaktierungen versehen werden oder auch schon vor der mikromechanischen B«h-~dlung einen vorzugsweise einkristallinen schichtweisen (multilayer) Aufbau mit in den Schichten integrierten elektronischen Komponenten, wie Schaltkreisen und dgl. erhalten haben, einschließlich des Aufbringens metallischer Leiterbahnen und sonstiger metallischer Beschichtungen. Solche Beschichtunger können bspw. aus Aluminium, Gold oder dgl. bestehen.After the micromechanical production of the structured front sides of these components 15, 16, 17 and 18, they can still be subjected to microelectronic treatments to produce electronic components, circuits and the like and can also be provided with metallic coatings, such as conductor tracks or the like and through-platings, or even before the micromechanical processing they can have a preferably single-crystal layered (multilayer) structure with electronic components integrated in the layers, such as circuits and the like, including the application of metallic conductor tracks and other metallic coatings. Such coatings can consist, for example, of aluminium, gold or the like.

In diesem Ausführungsbeispiel sind die Vorsprünge g der &EEgr;-Platte 10 so dotiert, daß jeder Vorsprung gemäß den Fig. 2D und 2E je ein p-Gebiet 21 und n-Gehiet 22 aufweist, die zusammen einen Halbleiterbezirk 35 bilden, der einen Tastpunkt 9 aufweist, der durch die durch die beiden Gebiete 21, 22 je zurIn this embodiment, the projections g of the �EEgr; plate 10 are doped in such a way that each projection according to Figs. 2D and 2E has a p-region 21 and n-region 22, which together form a semiconductor region 35, which has a touch point 9, which is connected to the

Hälfte gebildeten Stirnfläche des Vorsprunges 19Half formed front surface of the projection 19

gebildet ist. Die beiden Hälften des stirnseitigen Testpunktes 9 bilden so je ein linkes Pad 36 und rechtes Pad 37. Diese seien im weiteren "Testpads" genannt. Die Gebiete 21 und 22 führen von der Stirnseite des Vorsprungs 19, d.h. den Testpads 36, entlang zwei voneinander abgewendeten Seitenwänden des Vorsprunges 19 bis in den Hauptbereich 28 des betreffenden Bauelementes IS bzw. 16. Unter diesem Hauptbereich 28 ist der Bereich des betreffendenis formed. The two halves of the front test point 9 thus form a left pad 36 and a right pad 37. These are referred to below as "test pads". The areas 21 and 22 lead from the front of the projection 19, i.e. the test pads 36, along two side walls of the projection 19 facing away from each other to the main area 28 of the relevant component IS or 16. Below this main area 28 is the area of the relevant

2Q Bauelementes 15 bzw, 16 verstanden, von dem die Vorsprünge 19 in einstückiger Verbindung mit ihm vorspringen, so daß also dieser Hauptbereich 28 das betreffende Bauelement 15 bzw. 16, das man auch als Halbleiter-Bauelement bezeichnen kann, mit Ausnahme2Q component 15 or 16, from which the projections 19 protrude in one piece connection with it, so that this main area 28 the relevant component 15 or 16, which can also be referred to as a semiconductor component, with the exception of

»&egr; seiner Vorsprünge bildet.»&egr; of its projections.

Die p- und n-Gebiete 21 und 22 können vorzugsweise stark dotiert sein. Wie in den Fig. 2D und 2E dargestellt, bilden die Gebiete 21, 22 je ein dotiertes Gebiet je eines in dieses Bauelement 15 biw. 16 integrierten Schalttransistors 30 und 31. Dia Leiterbahnenschlüsse 70 bis 75 dieser Transistoren und 31 sind in Fig, 20 geschnitten und in Fig. 2E 8usschnittgweig§ dargestellt.The p- and n-regions 21 and 22 can preferably be heavily doped. As shown in Figs. 2D and 2E, the regions 21, 22 each form a doped region of a switching transistor 30 and 31 integrated into this component 15 or 16. The conductor track connections 70 to 75 of these transistors 30 and 31 are shown in section in Fig. 20 and in section in Fig. 2E.

2 &Lgr;2 &Lgr;

24 24

Die Durchmesser der Vorsprünge 19, wie auch die der Vorsprünge 20 können zweckmäßig sehr klein sein, vorzugsweise 2 bis 50 Mikrometer betragen, je nach Erfordernis auch noch kleiner oder euch gröSerThe diameters of the projections 19, as well as those of the projections 20, can be very small, preferably 2 to 50 micrometers, even smaller or larger as required.

Ein solches Bauelement kann eine extrem große Anzahl solcher Vorsprünge 19 bzw. 20 aufweisen, vorzugsweise vj Is Tauaand*» bis mehrere oder viele Millionen solcher Vorsprünge 19 bzw. 20. Anstatt jeden Tastpu-nkt 9 eines Vorsprungs'19 durch eine einzige Fläche - hier durch exe ebene Stirnfläche des Vorsprunges 19 zu bilden, kann der Tastpunkt 9 auch durch mehrere Stellen des Vorsprungs gebildet sein, bspw. durch die Spitzen mehrerer Zacken 66, wie es in Fig. 2E strichpunktiert angedeutet ist, oder durch mehrere sonstige Erhöhungen gebildet sein.Such a component can have an extremely large number of such projections 19 or 20, preferably from thousands to several or many millions of such projections 19 or 20. Instead of forming each touch point 9 of a projection 19 by a single surface - here by the flat front surface of the projection 19, the touch point 9 can also be formed by several points on the projection, for example by the tips of several prongs 66, as indicated in Fig. 2E by dash-dotted lines, or by several other elevations.

Die Vorsprünge 20 der Bauelemente 17 und 18 sind vertikal unterhalb den Vorsprüngen 19 der Bauelemente 15 und 16 angeordnet, um die von dem jeweiligen Prüfling auf Vorsprünge 19 ausgeübte axiale Kontaktkräfte axial abzustützen. Die Vorsprünge 20 der Bauelemente 17 und 18 ermöglichen es dabei, daß diese Bauelemente zwischen den Vorsprüngen 20 und seitlich von ihnen mit Leiterbahnen beschichtet sein können und desgleichen können in diese Bauelemente 17, 18 mikroelektronisch hergestellte elektronische Komponenten, wie Dioden, Transistoren, Schaltkreise und dergleichen integriert sein, die Teile des Prüfechaltungssystemes bilden können. Wenn dies nicht notwendig ist, können die Bauelemente 17 und 18, das heißt die Platte 12, entfallen und die H-PlatteThe projections 20 of the components 17 and 18 are arranged vertically below the projections 19 of the components 15 and 16 in order to axially support the axial contact forces exerted by the respective test object on the projections 19. The projections 20 of the components 17 and 18 make it possible for these components to be coated with conductor tracks between the projections 20 and to the side of them, and microelectronically manufactured electronic components such as diodes, transistors, circuits and the like can be integrated into these components 17, 18, which can form parts of the test circuit system. If this is not necessary, the components 17 and 18, i.e. the plate 12, can be omitted and the H-plate

direkt auf dem Boden der dann entsprechend flacher ausgebildeten Ausnehmung 11' des Trägers 11 aufsitzen, wobei gegebenenfalls in diesem Fall oft zweckmäßig auch vorgesehen sein kann, daß an den quaocrähnlichen Hauptbereichen 28 der Bauelemente 15, 16 der h-Platte 10 untenseitig Vorsprönge sngeerdnst sein können» öis ebenfalls mikromechanisch hergestellt sind und mit denen diese K-Platte 10 auf dem Boden der Ausnehmung II1 aufsitst. :^ so au^h untenseitig an der H-Platte durc'- Beschichten herg^Jtellte Lsiterbshnen und beliebige elektronische, in :3s Hauptgebiet isiiagrierte Schaltkreise und sonstige elektronische Komponenten vorsehen zu können, diw Teile des Piüfschaltungssystemes bilden.sit directly on the bottom of the correspondingly flatter recess 11' of the carrier 11, whereby in this case it can often be expediently provided that projections can be made on the bottom of the square-like main areas 28 of the components 15, 16 of the h-plate 10, which are also micromechanically manufactured and with which this K-plate 10 sits on the bottom of the recess II 1. :^ so that the bottom of the H-plate can also be provided with conductor plates produced by coating and any electronic circuits integrated in the main area and other electronic components which form parts of the circuit system.

Das Halbleitermaterial, aus dem die BauelementeThe semiconductor material from which the components

15 bis 18 hergestellt sind, ist elastisch, so daß entsprechend die Vorsprünge 19 und auch die Vorsprünge 20 axial elastisch sind. Dies ermöglicht es, daß alle Prüfpunkte eines zu prüfenden Prüflings, wobei ein solcher Prüfling in Fig. 1 strichpunktiert bei 24 dargestellt ist, durch Vorsprünge 19 der H-Platte 10 mit ausreichender Kraft kontaktiert werden. Falls die Elastizität des Vorcprunges zu gering ist, kann man den Vorsprung an einem elastischen Teil oder Bereich der H-Platte 10 bzw. des betreffenden Bauelementes 15, 16 anordnen, bspw. an einer federnden Zunge, einer elastischen Membrane oder dergleichen. Oieser Prüfling 24 ist zum Kontaktieren der H-Platte 10 an einem vertikal auf und ab bewegbaren Träger 25 der Prüfvorrichtung 10 gehalten und abgestützt, welcher durch einen nicht15 to 18 is elastic, so that the projections 19 and also the projections 20 are axially elastic. This makes it possible for all test points of a test object to be tested, such a test object being shown in dash-dotted lines at 24 in Fig. 1, to be contacted with sufficient force by projections 19 of the H-plate 10. If the elasticity of the projection is too low, the projection can be arranged on an elastic part or area of the H-plate 10 or the relevant component 15, 16, for example on a spring tongue, an elastic membrane or the like. This test object 24 is held and supported on a carrier 25 of the test device 10 that can be moved vertically up and down in order to contact the H-plate 10, which is supported by a non-

m &bgr;m&bgr;

dargestellten Hubmechanismus auf und ab bewegbar ist und durch den Prüfling 24 mit einstellbarer Kraft an die ihm gegenüberstehenden Vorsprünge 19 der H-Platte 10 sj'idrüekbar ist, um so iy K- wirken, daß diese betreffenden Vorsprünge 19 mit ihren Tastpunkte 9 bildenden Stirnseiten die zugeordneten Prüfpunkte 7 des Prüflings 24 elektrisch kontaktieren.shown lifting mechanism is movable up and down and can be pressed by the test object 24 with adjustable force against the projections 19 of the H-plate 10 opposite it, in order to act in such a way that these respective projections 19 with their end faces forming touch points 9 electrically contact the associated test points 7 of the test object 24.

Indem jeder Tasipunkt 9 in diesem Ausführungsbeispiel je ungefähr zur Hälfte eine Fläche des betreffenden p-Gebietes 21 und eine Fläch* des n-Gebietas 22 ist, ermöglicht jeder Vorsprung 19 das Leiten von positiven und negativen Prüfsignalen, d.h. hier von positiven und negativen elektrischen Strömen und Spannungen, wobei die Transistoren 30, 31 dem Zuschalten und Abschalten der sie mit bildenden p- und n-Gebiete 21,Since each touch point 9 in this embodiment is approximately half an area of the relevant p-region 21 and half an area of the n-region 22, each projection 19 enables the conduction of positive and negative test signals, i.e. here of positive and negative electrical currents and voltages, whereby the transistors 30, 31 allow the switching on and off of the p- and n-regions 21, 22 forming them.

&ldquor;,j 22 an das bzw. von dem übrigen Prufschaltungssystem&ldquor;,j 22 to or from the rest of the test circuit system

&uacgr; dienen. &uacgr; serve.

Die H-Platte 10 kann so groß sein, daß auf ihr Prüflinge unterschiedlicher Größe bis zu Prüflingen einer Maximalgröße geprüft werden können. Dies ist in G'iasem Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 dadurch angedeutet, indem der Prüfling 24 kleiner dargestellt ist, als der H-Platte 10 entspricht, und es können also auch Prüflinge geprüft werden, die noch größer als derThe H-plate 10 can be so large that test pieces of different sizes up to test pieces of a maximum size can be tested on it. This is indicated in the embodiment according to Fig. 1 by the test piece 24 being shown smaller than the H-plate 10, and test pieces can therefore also be tested that are even larger than the

QQ dargestellte Prüfling 24 sind oder auch kleiner als dieser Prüfling 24. Auch brauchen nicht alle einem Prüfling 24 gegenüberstehenden Vorsprünge 19 an dessen Prüfung mitzuwirken, sondern es kann meist vorgesehen sein, daß nur eine Teilanzahl der jeweils einem Prüfling 24 gegenüberstehenden Vorsprünge 19 QQ or smaller than the test specimen 24 shown. Also, not all projections 19 opposite a test specimen 24 need to participate in its testing, but it can usually be provided that only a portion of the projections 19 opposite a test specimen 24

vorbestimmten Prüfpunkten des Prüflings 24 zu derenpredetermined test points of the test object 24 to their

elektrischem Anschluß an das PrüfSchaltungssystem &ogr;electrical connection to the test circuit system &ogr;

dieser Prüfvorrichtung angeschlossen werden.connected to this test device.

Dies ist in Fig. 1 schematisch dadurch dargestellt, indem der von dem Prüfling 24 dargestellte Ausschnitt drei durch Vorsprünge 13 zu &kgr;&udiagr;&pgr;&idiagr;&agr;&kgr;&idiagr;&idiagr;&bgr;&khgr;-&bgr;&pgr;&ugr;&bgr; Leiterbahnen 26, 26'und 26'' aufweist. Die Leiterbahn 26 wird int dargestallten Schnitt durch zwei der dargestellten Vorsprünge 19, der Leiterbahn 26* durch drei der dargestellten Vorsprünge 19 und dieThis is shown schematically in Fig. 1 in that the section shown by the test object 24 has three conductor tracks 26, 26' and 26'' through projections 13 to κιδικαιδικα-κιδικα. The conductor track 26 is shown in the section shown by two of the projections 19 shown, the conductor track 26* by three of the projections 19 shown and the

Leiterbahn 26'' auch durch drei der dargestellten 15Conductor track 26'' also through three of the 15 shown

Vorsprünge 19 kontaktiert. Jede diese Leiterbahnenprojections 19. Each of these conductor tracks

kann noch durch weitere vor und hinter der Schnittebene angeordnete Vorsprünge kontaktiert werden, wobei die Anzahl der Vorsprünge 19, die eine solche Leiterbahn kontaktieren können, wegen der hohen Tastpunkt-20 can be contacted by further projections arranged in front of and behind the cutting plane, whereby the number of projections 19 that can contact such a conductor track is limited due to the high touch point 20

dichte sehr groß sein kann.density can be very large.

Um die Fehierfreineit einer solchen Leiterbahn 26 b*w. 26' bzw. 26*' des Prüflings festzustellen, muß jedeIn order to determine the faultlessness of such a conductor track 26 b*w. 26' or 26*' of the test object, each

solche Leiterbahn an ihren beiden Endbereichen durch 25Such conductor track at both its end areas by 25

mindestens je einen Vorsprung 19 kontaktiert werden.at least one projection 19 must be contacted.

Es wird wegen der großen Tastpunktdichte jeder solcher Endbereich durch eine mehr oder weniger große Anzahl solcher Vorsprünge 19, beispielsweise durch zwei bis fünfhundert Vorsprünge 19, kontaktiert, wie es an einem Ausführungsbeispiel in Fig. 3 für die Leiterbahn 26 dargestellt ist. Und zwar ist diese Leiterbahn 26 hier strichpunktiert dargestellt und jeder in dem voll ausgezogen dargestellten Ausschnitt auf der Vorderseite der H-Platte 10 eingezeichnete KreisBecause of the high density of touch points, each such end area is contacted by a more or less large number of such projections 19, for example by two to five hundred projections 19, as is shown in an embodiment in Fig. 3 for the conductor track 26. This conductor track 26 is shown here in dash-dotted lines and each circle drawn in the fully drawn section on the front of the H-plate 10

entspricht einem Vorsprung 19, wobei diese Vorsprünge 19 in einem engen, rechtwinkligen Raster angeordnet sind, dessen Zeilen gleich große Abstände voneinander haben, die gleich groß sind wie die Abstände der sie rechtwinklig schneidenden Spalten dieses Rasters. Die Tastpunkte 9 sind an den Schnittpunkten dieser Zeilen und Spalten des Rasters angeordnet, Diese Leiterbahn 26 wird hier also von einer großen Anzahl dieser Vorsprünge 19 kontaktiert.corresponds to a projection 19, whereby these projections 19 are arranged in a narrow, rectangular grid, the rows of which are equally spaced from each other, which are the same size as the spacing of the columns of this grid that intersect them at right angles. The touch points 9 are arranged at the intersection points of these rows and columns of the grid. This conductor track 26 is therefore contacted by a large number of these projections 19.

Bei der Prüfung wird die Leiterbahn 26 - wie auch jedeDuring the test, conductor track 26 - as well as every

andere Leiterbahn - des Prüflings auf Fehlerfreiheit geprüft, d.h. daß sie keine Unterbrechung hat und auch kein Kurzschluß zu anderen Leiterbahnen besteht. Hierzu kann man so vorgehen, daß das Prüfscheltungssystem für den betreffenden Prüfling so programmiert wird, daß durch es nur pro Leiterbahn zwei Tastpunkte 9 einschaltbar sind, also aktivierbar sind und alle anderen die betreffende Leiterbahn kont&ktierenden Tastpunkte während der Prüfung dieser Leiterbahn ausgeschaltet, also inaktiv bleiben. Diese beiden aktivierbaren Tastpunkte 9 pro Leiterbahn sind ihren beiden Endbereichen zugeordnete Tastpunkte 9. Das Durchprüfen eines solchen Prüflings kann dann in herkömmlicher Weise erfolgen, wie es bei vorbekannten Prüfvorrichtungen der Fall war, bei denen jedeother conductor track - of the test object is checked for faultlessness, i.e. that it has no interruption and that there is no short circuit to other conductor tracks. To do this, the test switching system for the test object in question can be programmed in such a way that only two touch points 9 can be switched on per conductor track, i.e. activated, and all other touch points contacting the relevant conductor track are switched off, i.e. remain inactive, during the test of this conductor track. These two activatable touch points 9 per conductor track are touch points 9 assigned to their two end areas. The test of such a test object can then be carried out in the conventional way, as was the case with previously known test devices, in which each

Leiterbahn nur durch je zwei Kontaktstifte an ihrenConductor track only by two contact pins at their

beiden Endbereichen kontaktiert wurde, bspw. nach den US-PS 4,443,756 und 4,528,500.both end areas were contacted, e.g. according to US-PS 4,443,756 and 4,528,500.

Die Erfindung schafft jedoch infolge der möglichen hohen Tastpunktdichten weitergehende Möglichkeiten derHowever, due to the possible high touch point densities, the invention creates further possibilities for

Prüfung, die die Gefahr von Prüffehlern reduzieren oder ganz beseitigen. Eine dieser Möglichkeiten kann darin bestehen, daß das Prüfschaltungssystam so programmiert wird, daß durch es von allen jeweils eine Leiterbahn eines Prüflings kontaktierenden Tastpunkte 9 pro Endbereich der betreffenden Leiterbahn jeweils eine Mehrzahl oder Vielzahl von diese Endbereie-ne kontaktierenden, durch die Stirnflächen der betreffenden Vorsprünge 19 gebildeten Tastpunkte 9 bei der Prüfung eines Prüflings aktivierbar sind. Im Ausführungsbeispiel der Fig. 3 sei angenommen, daß durch das Prüfschaltungssystem von allen die Leiterbahn 26 kontaktierenden Vorsprüngen 19 nur die den einen Endbereich dieser Leiterbahn kontaktierenden sechs Vorsprünge 19' und die den anderen Endbereich dieser Leiterbahn kontaktierenden sechs Vorsprünge 19'' im Rahmen eines Prüfzyklus aktivierbar sind. Es wird dann im Rahmen dieses Prüfzyklus durch das Prüfschaltungssystem abgefragt, ob zwischen mindestens einem der Vorsprünge iS: und mindestens einem der Vorsprünge 19'' ein elektrischer, durch die Leiterbahn 26 hergestellter Kurzschluß besteht.Testing which reduces or completely eliminates the risk of test errors. One of these possibilities can be that the test circuit system is programmed in such a way that, of all the touch points 9 contacting a conductor track of a test object, a plurality or multiplicity of touch points 9 contacting these end areas and formed by the end faces of the relevant projections 19 can be activated during the testing of a test object per end region of the relevant conductor track. In the embodiment of Fig. 3, it is assumed that, of all the projections 19 contacting the conductor track 26, only the six projections 19' contacting one end region of this conductor track and the six projections 19'' contacting the other end region of this conductor track can be activated by the test circuit system during a test cycle. During this test cycle, the test circuit system then queries whether there is an electrical short circuit created by the conductor track 26 between at least one of the projections iS : and at least one of the projections 19''.

Wenn dies für mindestens ein Paar der Vorsprünge 19f/19" der Fall ist, dann ist diese Leiterbahn nicht unterbrochen. Die weitere Prüfung hat sich dann darauf zu erstrecken, ob diese Leiterbahn 26 in elektrischem Kurzschluß mit mindestens einer anderen Leiterbahn oder Komponente des Prüflings steht, welcher Kurzschluß nicht sein darf. Diese Prüfung kann so durchgeführt werden, daß das Prüfschaltungssystem prüft, ob irgendeiner der den programmiertenIf this is the case for at least one pair of projections 19f /19", then this conductor track is not interrupted. The further test must then extend to whether this conductor track 26 is in electrical short circuit with at least one other conductor track or component of the test object, which must not be a short circuit. This test can be carried out in such a way that the test circuit system checks whether any of the programmed

Vorsprüngen 19' bzw. Vorsprüngen 19'' zugeordnetenProjections 19' or projections 19'' associated

Prüfpunkte 7 des Prüflings in elektrisch leitender Verbindung, insbesondere im Kurzschluß mit mindestens einem außerhalb der Leiterbahn 26 liegenden Prüfpunkt des Prüflinge steht. Ist dies der Fall, dann liegt ein fehlerhafter Kurzschluß vor. Wann keiner der Vorsprünge 19' mit einem der Vorp.prünge 19' 'Test points 7 of the test object are in electrically conductive connection, in particular in short circuit with at least one test point of the test object located outside the conductor track 26. If this is the case, then there is a faulty short circuit. If none of the projections 19' is connected to one of the projections 19''

, _ l^iiTw/iAe^Klnoea.-. &iacgr; ef dann 1 ianf a -i &eegr; a f ahlerKa &PSgr;+·- &ogr;, _ l^iiTw/iAe^Klnoea.-. &iacgr; ef then 1 ianf a -i &eegr; af ahlerKa &PSgr;+·- &ogr;

Unterbrechung der Leiterbahn 26 vor. Solche Fehler können koordinatenmäßig erfaßt werden für eine eventuelle spätere Reparatur.There is an interruption in the conductor track 26. Such errors can be recorded in coordinates for possible later repair.

^g Diese Prüfvorrichtung 6 ermöglicht es auch, wegen der sehr grtßen Anzahl der Vorsprünge 19 und ihren geringen Mittenabständen voneinander, die also in eine.Ti sehr dichten Raster an dessen Rasterpunkten angeordnet sind, wobei das Rastermaß beispielsweise^g This test device 6 also makes it possible, due to the very large number of projections 19 and their small center distances from each other, which are therefore arranged in a.Ti very dense grid at its grid points, where the grid dimension, for example,

2Q bis 30 Mikrometer oder auch noch kleiner oder auch größer sein kann, eine Abbildung der durch Tastpunkte 9 kontaktierten Leiterbahnen des jeweiligen Prüflings2Q to 30 micrometers or even smaller or larger, an image of the conductor tracks of the respective test object contacted by touch points 9

elektrischem Kurzschluß miteinander durch metallisierte Bereiche des Prüflings stehen,electrical short circuit with each other through metallized areas of the test object,

koordinatenmäßig oder bildmäßig erfaßt werden. Fig. zeigt dies an einem Beispiel, wobei alle Vorsprünge 19, die durch den Prüfling jeweils mit i-^nder kurzgeschlossen sind, mit den ihnen zugeordneten Werten der betreffenden Koordinaten des Rasters erfaßt werden und diese Tastpunkte können koordinatenmäßig gespeichert und/oder bildmäßig dargestellt werden. In Fig. 4 sind nur die Vorsprünge 19 und damit ihre Tastpunkte 9 dargestellt, die über den Prüfling in gc Kurzschluß mit anderen Tastpunkten 9 stehen und manrecorded in terms of coordinates or images. Fig. 4 shows this using an example, whereby all projections 19, which are each short-circuited with i-^nder by the test object, are recorded with the values of the relevant coordinates of the grid assigned to them and these touch points can be stored in terms of coordinates and/or displayed in terms of images. In Fig. 4, only the projections 19 and thus their touch points 9 are shown, which are in gc short-circuit with other touch points 9 via the test object and one

ersieht, daß die beiden hier dargestellten Leiterbahnen 26 und 26* durch diese Tastpunkte 9 bildlich darstellbar sind. Und zwar ist hier die Darstellung der Leiterbahnen 26 und 26' so gewählt, daß sie fehlerhaft durch eine metallische Brücke 23 elektrisch leitend verbunden sind und man erkennt, daß dieseIt can be seen that the two conductor tracks 26 and 26* shown here can be represented by these touch points 9. The representation of the conductor tracks 26 and 26' is chosen so that they are incorrectly connected electrically by a metallic bridge 23 and it can be seen that this

IQ fehlerhafte Verbindung auf der Abbildung ebenfalls deutlich zu sehen ist. Die Auswertung einer solchen Abbildung oder der gespeicherten Koordinatenwerte der betreffenden Tastpunkte kann visuell oder auch selbsttätig in einer geeigneten Apparatur, gegebenen- <■-.,IQ faulty connection is also clearly visible in the image. The evaluation of such an image or the stored coordinate values of the relevant touch points can be done visually or automatically in a suitable device, given- <■-.,

Ig falls durch das PrüfSchaltungssystem selbst erfolgen, und zwar durch Vergleich mit einem Soll-Bild.Ig if carried out by the test circuit system itself, by comparison with a target image.

Die vorzugsweise vorgesehene Mehrfach- oder Vielfachabtastung .jader Leiterbahn eines Prüflings und, fallsThe preferably provided multiple or multiple scanning .ja of the conductor track of a test object and, if

2Q vorhanden, fehlerhafter Kurzschlußverbindungen hat auch den Vorteil, daß, wenn der eine oder andere Prüfpunkt des Prüflings nicht durch den zugeordneten Vorsprung 19 elektrisch kontaktiert oder nicht ausreichend elektrisch kontaktiert wird,2Q present, faulty short-circuit connections also has the advantage that if one or the other test point of the test object is not electrically contacted by the associated projection 19 or is not electrically contacted sufficiently,

2£ beispielsweise zu schwach, daß dann dennoch die Prüfung des Prüflings sicher anzeigt, ob der Prüfling fehlerfrei ist oder tatsächlich eine elektrische Fehlerhaftigkeit vorliegt.2£, for example, is too weak for the test object to still reliably indicate whether the object under test is faultless or whether there is actually an electrical fault.

Es ist auch möglich, mit erfindungsgemäßen Prüfvorrichtungen, bepw. mit der nach Fig. 1, auch Prüfungen unter Vornahme zahlenmäßiger oder sonstiger Messungen an Prüflingen vorzunehmen oder mit vorzunehmen, bspw.It is also possible to use test devices according to the invention, e.g. the one shown in Fig. 1, to carry out tests by taking numerical or other measurements on test objects, e.g.

auch Messungen auf Einhaltung vorbestimmter Toleranzen &ldquor;p. elektrischer Eigenschaften, um Prüflinge, auch oderalso measurements for compliance with predetermined tolerances &ldquo;p. electrical properties, to test specimens, also or

nur in solche? Hinsicht auf ihre Fehlerfreiheit zu
prüfen. Wenn ein Prüfling bspw. integrierte Scheltkreise, Impedanzen, Kapazitäten oder dgl, aufweist, können die Eigenschaften solcher elektrischer
Komponenten oder ihis gesamten oder mindestens eine ihrer Funktionen auf Fehlerfreiheit gemessen und
qeprüft werden, warunter, wie erwähnt, auch die
1^ ^j.nhaltuftg vcrl?stimmter Toleranzen, bspw. der Größe von Widerständen odar dgl., mit verstanden ist.
only in such respects to ensure their faultlessness
If a test object has, for example, integrated switching circuits, impedances, capacitances or the like, the properties of such electrical
Components or all or at least one of their functions are measured for faultlessness and
qechecked, including, as mentioned, the
1 ^ ^j.nhaltuftg vcrl?certain tolerances, e.g. the size of resistors or the like, is also understood.

In d-iaöm Zusammenhang sei erläutert, daß die
Erfindung euch bezüglich solcher Messungen an Prüf-
In this context, it should be explained that the
Invention you regarding such measurements on test

!5 lingen hohe Meßgenauigkeiten erreichen läßt, besonders dann, wenn das Prüfschaltungssystem auf kleinem oder engstem Raum mit kurzen Leitungswegen untergebracht ist, vorzugsweise ganz oder im wesentlichen in die
mindestens eine &EEgr;-Platte und/oder in mindestens eine sie stützende Halbleiterplatte integriert ist. Dies ist auch für die Prüfung von Leiterbahnen von Prüflingen auf Fehlerfreiheit ebenfalls äußerst vorteilhaft.
!5 lingen high measurement accuracies can be achieved, especially when the test circuit system is housed in a small or very narrow space with short cable runs, preferably completely or essentially in the
at least one &EEgr; plate and/or at least one semiconductor plate supporting it is integrated. This is also extremely advantageous for testing the conductor tracks of test objects for defects.

Anhand der Fig. 13 seien noch unterschiedlicheBased on Fig. 13, different

Möglichkeiten des Einschaltens und Abgehaltene der
Tastpunkte 9 der Prüfvorrichtung nach Fig. 1 anhand von einem in Fig. 13 dargestellten Ausführungsbeispiel für einen einzelnen Vorsprung 19 nachfolgend kurz
Options for switching on and holding the
Touch points 9 of the test device according to Fig. 1 based on an embodiment shown in Fig. 13 for a single projection 19 are briefly described below.

beschrieben. An diesen Vorsprung 19 (wie auch an allen anderen nicht dargestellten Vorsprüngen 19 der
betreffenden &EEgr;-Platte) sind zwei elektronische
Schelter 30, 31 angeschlossen* bei denen es sieh um die in Fig. 2E dargestellten Transistoren 30, 31
described. This projection 19 (as well as all other projections 19 of the
respective &EEgr;-plate) are two electronic
Switches 30, 31 are connected* which are the transistors 30, 31 shown in Fig. 2E

handeln kann, die also in die H-Platte 10 integriert sind und in Fig. 13 durch ihre Schaltsymbole symbolisch dargestellt sind. 9er Schelter 30 ist an das stark p-dGt-isrtvf Gebiet 21 und der Scheiter 31 an das stark &eegr;-dotierte Gebiet 22 diese« V^rs^ru-nöas 19 angeschlossen, wobei diese Gebiete 21, £r gleichzeitigwhich are thus integrated into the H-plate 10 and are symbolically represented in Fig. 13 by their circuit symbols. The 9er Schelter 30 is connected to the strongly p-dGt-isrtvf region 21 and the Schelter 31 to the strongly η-doped region 22 of this V^rs^ru-nöas 19, whereby these regions 21, £ r simultaneously

IQ Gebiete der Transistoren 30 un.i 31 bilden. Der IQ areas of the transistors 30 and 31. The

Schalter 30 ist sn eine nur ihm zugeordnete Steuer- kompuneritB 32 or-J der Schalte? ^l an »iie nur ihm zugeordnete Steuerkon»"->nente 33 angeschlossen. Beide Stauerkomp nerten 32, 33 könne' ebenfalls in die H-Platte 10 integriert as.v: i-r«d berNw. als Register oder modifiziertes Register ausgebildet sein. Der Vorsprung IS, die elektronischen Schalter 30 und 31 und die zugeordneten Steuerkomponenten 32 und 33 bilden eine durch strichpunktierte Umrandung angedeutete Prüfzelle 76.A control component 32 assigned only to the switch 30 is connected to the control component 33 assigned only to the switch 30. Both control components 32, 33 can also be integrated into the H-plate 10 or designed as a register or modified register. The projection IS, the electronic switches 30 and 31 and the assigned control components 32 and 33 form a test cell 76 indicated by a dash-dotted border.

Die H-Platte 10 weist also eine der Anzahl ihrer Vorsprunge 19 entsprechende Anzahl solcher in sie integrierten Prüfzellen 76 auf, da jedem Vorsprung eine solche Prüfzelle 76 zugeordnet ist. Die Kantenlänge einer solchen Prüfzelle kann bspw. im Bereich von 5 bis 50 Mikrometer liegen, jedoch auch noch kleiner oder größer sein. Die einzelne Prüfzelle 76 beinhaltet:The H-plate 10 therefore has a number of such test cells 76 integrated into it that corresponds to the number of its projections 19, since each projection is assigned such a test cell 76. The edge length of such a test cell can, for example, be in the range of 5 to 50 micrometers, but can also be smaller or larger. The individual test cell 76 contains:

a) einen zweifach dotierten Vorsprung 19. Diea) a double-funded advantage 19. The

zweifache Dotierung ermöglicht das Durchschalten positiver und negativer Prüfspannungen undDouble doping enables the switching of positive and negative test voltages and

Prüfströme, d.h. von PrüfSignalen;Test currents, i.e. test signals;

b) die elektronischen Schalter 3Q und 31 zur Durchschaltung des durch diesen Vorsprung 19 gsbildsterc TastptmfctäE S *'-.-■ zwei Prüfleitungen und 78, die durch Beschichtung der H-Platte 10 bzw. ihres betreffenden Bauelementes 15 oder 16 hergestellten Leiterbahnen entsprechen;b) the electronic switches 3Q and 31 for switching through the touch panel 19 formed by this projection 19 , two test leads 78 and 79 which correspond to conductor tracks produced by coating the H-plate 10 or its corresponding component 15 or 16;

c) die zwei vorzugsweise als Registerzellen oder modifizierte Registerzellen zur Ansteuerung der elektronischen Schalter 30, 31 ausgebildeten Steuerkomponenten 32 und 33, die in die H-Platte bzw. in ihr betreffendes Bauelement integriert sind. Diese Steuerkomponenten 32, 33 können vorzugsweise Logikgatter und je ein statisches Register beinhalten. Ihr Aufbau kann bspw. dem konventioneller oder weitgehend konventionellerc) the two control components 32 and 33, preferably designed as register cells or modified register cells for controlling the electronic switches 30, 31, which are integrated into the H-plate or into the component concerned. These control components 32, 33 can preferably contain logic gates and one static register each. Their structure can, for example, be similar to that of conventional or largely conventional

Speicherzellen (RAM) entsprechen. Vorzugsweise kannmemory cells (RAM). Preferably,

vorgesehen sein, daß zwei unterschiedlicheIt should be provided that two different

Steuermodi vorgesehen sind:Control modes are provided:

I. Schalten der Schalter 30, 31 anhand von im Pr"ifschaltungssystem für den betreffendenI. Switching the switches 30, 31 using the test circuit system for the relevant

Prüfling gespeicherten Informationen (Speichermode).Information stored on the test object (memory mode).

II. Schalten dar Schalter 30, 31 durchII. Switch the switches 30, 31 by Adressierung der Prüfzellen 76 über nichtAddressing of the test cells 76 via non

dargestellte Adressleitungen (Dekodermcde).shown address lines (decoder mcde).

Diese Modi erlauben gezieltes Durchschalten aller öder der für die Prüfung des jeweiligen PrüfÜnns programmierten Prüfzellen 76 der PrüfvorrichtungThese modes allow targeted switching through of all or the test cells 76 of the test device programmed for testing the respective test object

nach einem Muster in Speichermode oder alternativ schnelles Absuchen im Dekodermode. Solche Prinfor a pattern in memory mode or alternatively fast scanning in decoder mode. Such prin

zipien der Speichermode und der Dekodermode bedürfen für den Fachmann keiner weiteren Erläuterung. The concepts of the memory mode and the decoder mode require no further explanation for the expert.

IQ d) Stromversorgungsleitungen für die Prüfzelle 76. Die Steuarkomponentsn 32, 33 und die Schalter 30, 31 der einzelnen Prüfzelle sind galvanisch getrennt und besitzen daher getrennte Stromversorgungen. Diese Stromversorgungen können bspw. durch dieIQ d) Power supply lines for the test cell 76. The control components 32, 33 and the switches 30, 31 of the individual test cells are galvanically isolated and therefore have separate power supplies. These power supplies can be provided, for example, by the

Prüfleitungen 77, 78 und durch zwei nichtTest leads 77, 78 and two non

dargestellte Leitungen erreicht werden.shown lines can be reached.

e) Steuer- und Adressleitungen. Die Adressleitungene) Control and address lines. The address lines

kann man bspw. auch als Adressenleitungencan also be used as address lines

2Q bezeichnen. Für alle Prüfzellen 76 werden, jeweils2Q. For all test cells 76, each

getrennt für das p-Gebiet 21 und das n-Gebiet 22separately for the p-region 21 and the n-region 22

verwendet, wie dies Fig. 17 zeigt.used, as shown in Fig. 17.

2g I. X Adressierung der Spalte des Rasters,2g I. X Addressing of the column of the grid,

in welcher sich der betreffende Tastpunkt 9 befindet.in which the respective touch point 9 is located.

II. Y Adressierung der Zeile des Rasters, in welcher sich der betreffende TastpunktII. Y Addressing of the line of the raster in which the touch point is located

9 befindet.9 is located.

III. WE (Write Enable) Schreibsignal zurIII. WE (Write Enable) Write signal for

Datenspeicherung.Data storage.

ti Itti It

IV. DIN (Data In) Dateneingangskanal.IV. DIN (Data In) data input channel. V. DOUT (Data Out) DatenausgangskanalV. DOUT (Data Out) Data output channel VI. DE (Direct Enable) UmschaltungVI. DE (Direct Enable) Switching Die Leitungen I bis V sind konventionelle TechnikLines I to V are conventional technology

bei der Herstellung von Speicher-IC's. Leitung VI entscheidet darüber, ob die Durchschaltung der Schalter 30 und 31 der betreffenden Prüfzelle 76 anhand der in einem Speicher des Prüfschaltungs-in the manufacture of memory ICs. Line VI decides whether the switching of switches 30 and 31 of the relevant test cell 76 is based on the values stored in a memory of the test circuit.

systems, der vorzugsweise als Register ausgebildet sein kenn, gespeicherten Daten (Speichermode) oder durch die angelegte Adresse erfolgt.system, which can preferably be designed as a register, stored data (memory mode) or by the applied address.

Die Adressierung der Prüfzellen kann in konven-The addressing of the test cells can be done in conventional

ticnsllsr Tschnik durch dis Dskcdisrursg von Zeilen und Spalten des Rasters in einem Dekodierbaustein des Prüfschaltungssystems erreicht werden. Dieser 2g Dekodierbaustein kann in die &EEgr;-Platte oder in eine &EEgr;-Platte integriert sein, muß aber nicht auf ihr enthalten sein. Beispielsweise kann er in die Platte 12 integriert sein oder in einem außerhalb dieser Platten 10 und 12 angeordneten und mit der H-Platte 10 _ in elektrischer Verbindung stehenden Gerät 40 (Fig. 1)The technique can be achieved by distributing rows and columns of the grid in a decoding module of the test circuit system. This decoding module can be integrated into the �EEgr; board or into a �EEgr; board, but does not have to be contained on it. For example, it can be integrated into the board 12 or in a device 40 arranged outside these boards 10 and 12 and in electrical connection with the H board 10 (Fig. 1).

oder dgl. stehen, das auch noch andere Teile des Prüfschaltungssystems oder in manchen Fällen das gesamte PrüfSchaltungssystem und seinen elektrischen Anschluß an das Stromnetz aufweisen kann.or similar, which may also include other parts of the test circuit system or, in some cases, the entire test circuit system and its electrical connection to the power supply system.

Das einzelne Bauelement 15, 16 kann einen Chip oderThe individual component 15, 16 may be a chip or

Wafer bilden, wobei seine Größe bspw. 50 mm &khgr; 50 mm 5wafer, its size being e.g. 50 mm x 50 mm 5

betragen oder auch noch größer oder kleiner sein kann. Ein etwaiger Ausfall von einzelnen Tastpunkten der Prüfvorrichtung während der Prüfung eines Prüflings bspw. durch nicht ausreichende elektrische Kontaktierung das betreffenden Prüfpunktes des Prüflinges ist im Hinblick auf die hohen Tastpunktdichten praktisch ohne Bedeutung, da keine hundertprozentige Kontaktierung der Prüfpunkte nötig ist, wenn die Methode der Mehrfach- oder Vielfachtastung angewendetor can be even larger or smaller. Any failure of individual touch points of the test device during the test of a test object, for example due to insufficient electrical contact of the relevant test point of the test object, is practically irrelevant in view of the high touch point density, as 100% contact of the test points is not necessary if the method of multiple or multiple touching is used.

wird.
15
becomes.
15

Ein solches Bauelement 15 bzw. 16 kann eine extrem hohe Anzahl von Prüfzellen 76 enthalten, bspw. mehrere Hunderttausend bis mehrere oder viele Millionen. DieSuch a component 15 or 16 can contain an extremely high number of test cells 76, for example several hundred thousand to several or many millions.

in eine H-Platte 10 bzw. in ein Bauelement, wie 15 20into an H-plate 10 or into a component such as 15 20

bzw. 16, integrierten elektronischen Komponenten, Leiterbahnen und dgl., können auf derselben oder auf entgegengesetzten Seiten der &EEgr;-Platte bzw. des Bauelementes und/oder auch innerhalb ihnen vorgesehenor 16, integrated electronic components, conductor tracks and the like, can be provided on the same or on opposite sides of the &EEgr; board or the component and/or also within them

sein.
25
be.
25

Oas einzelne Bauelement kann, wie ein gewöhnliches RAM über Adress- und Oatenleitungen sowie über entsprechende Steuerleitungen angesteuert werden, wieThe individual component can be controlled like a normal RAM via address and data lines as well as via corresponding control lines, such as

es bspw. im Prinzip für das Adressieren und Lesen von 30For example, it is basically used for addressing and reading 30

Tastpunkten durch die US-PS 4,443,756 und 4,528,500Touch points by US-PS 4,443,756 and 4,528,500

bekannt ist.is known.

Um bspw. mittels einer eine Vielzahl von Prüfzellen 76 nach Fig. 13 aufweisenden Prüfvorrichtung die PrüfungFor example, in order to carry out the test by means of a test device having a plurality of test cells 76 according to Fig. 13

eines Prüflings durchzuführen, dessen Laiterbahnen an ihren Endbereichen durch jeweils eine mehr oder weniger große Anzahl von aktivierberen, d. h. zuschaltbaren Tastpunkten 9 kontaktiert sind, kann men bspw. u.a. folgenden Verfahrensablauf vorsehen, wie er nachfolgend anhand der Fig. 3 beschrieben wird. Das p-Gebiet 21 eines Vorsprunges 19' wird durch Schließen seines zugeordneten Schalters 30 mit einem Prüfsignal beaufschlagt. Es werden dann, während doeser Schalter 30 geschlossen bleibt und se das Prüfsignal diesen Vorsprung 19' fortdauernd beaufschlagt, alle den zur Aktivierung programmierten übrigen Vorsprüngen 19 zugeordneten Schalter 31 der Prüfverrichtung aufeinanderfolgend kurzzeitig geschlossen und danach der genannte Schalter 30 wieder geöffnet. Dies sei als Prüfzyklus mit dem betreffenden Vorsprung 19' bezeichnet. Danach finden mit den übrigen fünf Vorsprüngen 19' entsprechende Prüfzyklen statt oder können stattfinden. Wird bei mindestens einem dieser Prüfzyklen oder einer vorbestimmten Anzahl der Prüfzyklen Fehlerfreiheit festgestellt, dann wird diese Leiterbahn als fehlerfrei attestiert und zur entsprechenden Prüfung der nächsten Leiterbahn übergegangen usw., bis alle Leiterbahnen als fehlerfrei attestiert sind. Es kann auch vorgesehen sein, daß die Prüfung einer Leiterbahn zur Zeitersparnis abgebrochen wird, sobald ihreof a test object whose conductor tracks are contacted at their end areas by a greater or lesser number of activatable, i.e. switchable, touch points 9, one can, for example, provide for the following procedure, as described below with reference to Fig. 3. The p-region 21 of a projection 19' is subjected to a test signal by closing its associated switch 30. Then, while the switch 30 remains closed and the test signal continuously applies to this projection 19', all of the switches 31 of the test device assigned to the other projections 19 programmed for activation are briefly closed one after the other and then the said switch 30 is opened again. This is referred to as a test cycle with the projection 19' in question. After that, corresponding test cycles take place or can take place with the remaining five projections 19'. If at least one of these test cycles or a predetermined number of test cycles is found to be free of defects, then this conductor track is certified as free of defects and the next conductor track is tested accordingly, and so on, until all conductor tracks are certified as free of defects. It can also be provided that the test of a conductor track is aborted to save time as soon as its

Fehlerfreiheit festgestellt ist. Ist dagegen einefreedom from defects has been established. If, however,

Leiterbahn als fehlerhaft erkannt worden, wird dies registriert und es kann die Prüfung des Prüflings abgebrochen werden oder es kann die Prüfung noch fortgesetzt werden, wenn man alle Fehler des PrüflingsIf a conductor track is identified as faulty, this is registered and the test of the test object can be aborted or the test can be continued if all the faults of the test object have been identified.

registrieren will. Beispielsweise können ermittelte Fehler nach den Koordinaten des Rasters angezeigt oder ausgedruckt werden.want to register. For example, detected errors can be displayed or printed according to the coordinates of the grid.

Anstatt die Prüfung einer Leiterbahn, wie bspw. der Leiterbahn 26, abzubrechen, sobald ihre Fehlerfreiheit oder ein Fehler festgestellt ist, kann die Prüfung dieser Leiterbahn auch fortgesetzt werden und die weiteren ihre Intaktheit oder ihren Fehler anzeigenden Prüfsignale ändern dann an diesem Ergebnis nichts mehr.Instead of stopping the test of a conductor track, such as conductor track 26, as soon as it is found to be faultless or an error is detected, the test of this conductor track can also be continued and the further test signals indicating its integrity or error will then no longer change this result.

^^

Es sei noch erwähnt, daß dio Halbleiterscheibe, aus der das einzelne Bauelement 15 oder 16 hergestellt : It should also be mentioned that the semiconductor wafer from which the individual component 15 or 16 is manufactured :

ist, bereits vor der mikromechanischen und mikro- <is, even before the micromechanical and micro- <

elektronischen Bearbeitung p-dotiert oder n-dotiertelectronic processing p-doped or n-doped

oder auch undotiert sein kann, ,..·,or can also be undoped, ,..·,

ffff

Die Höhe der Vorsprünge 19 kann vorzugsweise in der Größenordnung von 0,1 mm liegen, jedoch auch größer oder kleiner sein. Infolge ihrer sehr geringen Querschnittsabmessungen federn sie axial ausreichend. Auch kann der Hauptbereich der &EEgr;-Platte bzw. des betreffenden Bauelementes, von dem aus die Vorsprünge vorstehen, benachbart den Vorsprüngen mitfedern. Es sei in diesem Zusammenhang darauf hingewiesen, deß besonders gute Federeigenschaften Silizium hat, das ^ dem von Stahl vergleichbar ist, so daß es besonders vorteilhaft ist, wenn die H-Platte 10 auf Siliziumbasis hergestellt ist, und zwar insbesondere aus einem Silizium-Einkristall.The height of the projections 19 can preferably be in the order of 0.1 mm, but can also be larger or smaller. Due to their very small cross-sectional dimensions, they provide sufficient axial resilience. The main area of the H-plate or the relevant component from which the projections protrude can also provide resilience adjacent to the projections. In this context, it should be noted that silicon has particularly good resilience properties, which are comparable to those of steel, so that it is particularly advantageous if the H-plate 10 is made from silicon, and in particular from a silicon single crystal.

g Der in Fig. 5 dargestellte Teilschnitt durch eineg The partial section through a

H-Platte 10 unterscheidet sich von dem nach Fig. 2 im wesentlichen dadurch, dsß jeder Vorsprung iS entweder nur p+ dotisrt oder n* dotiert ist, wobei diese Vorspränge 19 ebenfalls in einem einheitlichen taster in an Gitterpunkten des Rasters angeordnet sein können. Ir :&thgr;&idigr;?3&Ggr; Zeile und Spalte des Rasters wechselt die Dotierung von Vorsprung 19 zu Vorsprung 19, so daß in der betreffenden Raste linie einander benachbarte Vorspr"i~-9 jeweils p+ und n+ dotiert sind undH-plate 10 differs from that of Fig. 2 essentially in that each projection iS is either only p + doped or n* doped, whereby these projections 19 can also be arranged in a uniform pattern at grid points of the grid. In rows and columns of the grid, the doping changes from projection 19 to projection 19, so that in the grid line in question , adjacent projections 19 are each p + and n + doped and

deshalb nicht jeder Vorsprung 19 mit jedem Vorsprung Iotherefore not every projection 19 with every projection Io

19 für die Prüfung eines Prüflings im Prüfschaltungssystem verbunden werden kann, sondern jeweils nur P+ dotierte Vorsprünge mit n+ dotierten Vorsprüngen. Auch ist in diesem AusfOhrungsbeispiel nach Fig. 5 jeder Vorsprung 19 als durchgehend stark dotiert dargestellt. Je nach vorgesehener Dotierungstiefe kann der einzelne Vorsprung jedoch auch nur zum Teil stark dotiert und dieses stark dotierte Gebiet an eine Leiterbahn, wie die Leiterbahn 79', angeschlossen19 for testing a test object in the test circuit system, but only P + doped projections with n + doped projections. In this embodiment according to Fig. 5, each projection 19 is also shown as being heavily doped throughout. Depending on the intended doping depth, however, the individual projection can also be only partially heavily doped and this heavily doped region can be connected to a conductor track, such as the conductor track 79'.

sein. Auch diese dotierten Gebiete der Vorsprünge 19 25These endowed areas of projections 19 25

können Gebiete von dem Einschalten ihrer Tastpunkte dienenden Transistoren sein.can be areas of transistors serving to turn on their touch points.

In Fig. 7 und 8 sind Ausschnitte aus einer ein- oder mehrteiligen H-Platte 10 dargestellt, bei welcher die dem Kontaktieren von Prüfpunkten von Prüflingen dienenden Kontaktelemente als Spitzen 41 an federnden Zungen 42 ausgebildet sind. Die federnden Zungen 42 sowie auch ihre Kontaktspitzen 41 können einstückigIn Fig. 7 and 8, sections of a one- or multi-part H-plate 10 are shown, in which the contact elements used to contact test points of test objects are designed as tips 41 on resilient tongues 42. The resilient tongues 42 as well as their contact tips 41 can be made in one piece.

mit dem übrigen Halbleitermaterial dieser H-Platte 10 35with the remaining semiconductor material of this H-plate 10 35

sein. Diese feiernden Zungen 42 bilden praktischThese celebrating tongues 42 practically form

Blattfedern, die sich in diesem Ausführungsbeispiel in der Ebene der &EEgr;-Platte 10 erstrecken und sind durch mikromechanische Behandlung der ursprünglichen einkristallinen Scheibe des betreffenden Haloleiters, der vorzugsweise eine Siliziumscheibe sein kann, ge&ildet. Jsds Zunge 42 mit ihre? KcrrSaktsoitzts 41 weist ein einheitlich stark dotiertes Gebiet 21 bzw. 22 auf, wobei in den Zeilen und Spalten des betreffendem Rastern rlnender benachbarte Zyneen 42 mit Korrt8;.ispitz«>n 41 unterschiedlich dotiert sind, una zwar wiederum abwechselt.^ als p* jw. n+. Es giltLeaf springs, which in this embodiment extend in the plane of the �EEgr; plate 10 and are formed by micromechanical treatment of the original monocrystalline disk of the respective halo conductor, which can preferably be a silicon disk. The tongue 42 with its? core 41 has a uniformly heavily doped region 21 or 22, whereby in the rows and columns of the respective grid, neighboring cores 42 are doped differently with cores 41, and in turn alternate.^ as p* jw. n + . The following applies:

1S d£«;.dlb für diese &EEgr;-Platte xO das zu der H-Platte 10 nach Fig. 5 Gesagte entsprechend. Die Fsderungswege der Kontaktspitzen 41 nach Fig. 7 und 8 können größer als die der zylindrischen Vorsprünge 19 nach Fig. 5 sein. 1 S d£«;.dlb for this �EEgr;-plate xO what was said about the H-plate 10 according to Fig. 5 applies accordingly. The travel of the contact tips 41 according to Figs. 7 and 8 can be larger than that of the cylindrical projections 19 according to Fig. 5.

Es ist auch möglich, diese Zungen 42 so vorzusehen, daß jede Zunge 42 zwei nebeneinander angeordnete Kontaktspitzen trägt. Eine dieser Kontaktspitzen ist dann p* dotiert und die andere n+ dotiert und entsprechend sind diese p- und n-Kontaktspitzen Ober gleich dotierte Gebiete der Zunge 42 an durch Beschichtungen gebildeten elektrischen Leiterbahnen angeschlossen und können auch Gebiete integrierter Transistoren sein, was natürlich auch für die Gebiete 21, 22 in Fig. 8 gilt. Wie in Fig. 5 für einen Vorsprung 19 strichpunktiert angedeutet, kann der jeweilige Tastpunkt 9 anstatt durch die Stirnfläche des Vorsprungs 19 auch durch die freien Enden von mehreren Erhöhungen 66 des betreffenden Vorsprungs gebildet sein.It is also possible to provide these tongues 42 in such a way that each tongue 42 has two contact tips arranged next to one another. One of these contact tips is then p* doped and the other n + doped and accordingly these p- and n-contact tips are connected to electrical conductor tracks formed by coatings via equally doped regions of the tongue 42 and can also be regions of integrated transistors, which of course also applies to the regions 21, 22 in Fig. 8. As indicated in Fig. 5 for a projection 19 by a dash-dotted line, the respective touch point 9 can also be formed by the free ends of several elevations 66 of the projection in question instead of by the front surface of the projection 19.

II·· · III·· · I

Bei der Ausführungsform nach Fig. 9 weist die aufIn the embodiment according to Fig. 9, the

Halbleiterbasis hergestellte einkristalline K-Platte 10 odsr ihr betreffendes Bsc. >ement, falls sie aus mehreren Bauelementen besteht, auf ihrer Vorderseite elektronsech..2sch hergestellte, in sich von dem ebenenSingle-crystal K-plate manufactured on a semiconductor basis 10 or its respective element, if it consists of several components, on its front side electronically manufactured, in itself from the flat

Hauptbereich 28 dieser Platte wegführender RichtungMain area 28 of this plate leading away

verjüngende Vcrsprünge 19 auf, wobei diese Vor<,oröngö 19 hier selbst nicht dotiert zu sein brauchen (aber auch dotiert sein können), da der Tastpunkt 9 jedes Vorsprunges 19 durch metallische Beschichtung gebildet ist, hier jeder Vorsprung hierzu mit einer metallischen Haube 44 versehen ist. Jeder solcher Vorsprung 19 dient dem Kontaktieren von Prüfpunkten von Prüflingen mittels der den Tastpunkt 9 bildenden Spitze seiner Haube 44.tapered projections 19, whereby these projections 19 do not need to be doped here (but can also be doped), since the touch point 9 of each projection 19 is formed by a metallic coating, here each projection is provided with a metallic hood 44 for this purpose. Each such projection 19 serves to contact test points of test objects by means of the tip of its hood 44 forming the touch point 9.

Jede Haube 44 ist hier an je einen ihrem elektrischen Anschluß an das Prüfschaltungssystem dienenden Transistor 30' bzw. 31' angeschlossen, die in die H-Platte 10 integriert sind. Jeder übernächste Transistor dient dem Einschalten positiver Prüfsignale und die übrigen Transistoren dem Einschalten negativer Prüfsignale, so daß bezüglich der Durchführung der Prüfung von Prüflingen sinngemäß die Ausführungen zu der &EEgr;-Platte nach Fig. 5 entsprechend gelten können.Each hood 44 is connected to a transistor 30' or 31' which serves for its electrical connection to the test circuit system and which is integrated into the H-plate 10. Each transistor after that serves to switch on positive test signals and the remaining transistors to switch on negative test signals, so that with regard to carrying out the testing of test objects, the statements regarding the �EEgr;-plate according to Fig. 5 can apply accordingly.

Es ist jedoch auch möglich, c*fiß jeder Haube 44 wahlweise positive und negative Prüfsignale zugeleitet werden können, indem man sie an zwei in die H-Platte integrierte Transistoren anschließt, von denen der eine dem Einschalten positiver Prüfsignale und der andere dem Einschalten negativer Prüfsignale dient, tsHowever, it is also possible for each hood 44 to be selectively supplied with positive and negative test signals by connecting them to two transistors integrated in the H-plate, one of which serves to switch on positive test signals and the other to switch on negative test signals, ts

können dann bezüglich der Durchführung von Prüfungen die zu Fig. 13 wie auch die zu den Fig. 2D und 2E gemachten Ausführungen entsprechend gelten.then, with regard to the conduct of tests, the statements made in relation to Fig. 13 as well as those made in relation to Figs. 2D and 2E can apply accordingly.

In den Fig. 10 - 12 sind Ausschnitte aus einer ein-In Fig. 10 - 12 are sections of a single

cdsr ssshrteiligsn &EEgr;-&Rgr;1&bgr;**&bgr; IQ einer Prüfvorrihtung gemäß einem weiteren Aueführungsbeispiel der Erfindung dargestellt» deren Tastpunkte 9 nicht dem mechanischen Kontaktieren der Prüfpunkte der Prüflinge dienen, sondern diese H-Platte 10 dient dem berührungslosen Tasten von Prüflingen, wie 24, mittels Spulen 45. Diese Spulen 45 sind hier auf mikromechanischem Wege einstückig mit der übrigen H-Platte 10 hergestellt. Jede Spule 45 weist in diesem Ausführungsbeispiel ein einheitlich stark dotiertes Gebiet auf, also ein p-dotiertes oder ein &eegr;-dotiertes Gebiet, das alscdsr ssshrteiligsn &EEgr;-&Rgr;1&bgr;**&bgr; IQ of a test device according to a further embodiment of the invention» whose touch points 9 are not used for mechanically contacting the test points of the test objects, but this H-plate 10 is used for contactless touching of test objects, such as 24, by means of coils 45. These coils 45 are here manufactured in a micromechanical way as one piece with the rest of the H-plate 10. In this embodiment, each coil 45 has a uniformly heavily doped region, i.e. a p-doped or a &eegr;-doped region, which serves as

elektrischer Leiter dient. Oder sie kann auch eine als elektrischer Leiter dienende metallische Beschichtung «iiiuoieon Tm &agr;&tgr;&bgr;&Iacgr;-&eegr;-&eegr;&ogr;&eegr; PaIIo kann eis nur mit hfiow.electrical conductor. Or it can also have a metallic coating that serves as an electrical conductor «iiiuoieon Tm αιαλαιαλα-ηιαλαιαλαια can only be used with hfiow.

Impulszüge bildenden, vom Prüfschaltungssystem gelieferten Prüfsignalen derselben Polarität gespeistPulse trains forming test signals of the same polarity supplied by the test circuit system

werden. In letzterem Fall kann sie mit Wechselstrom gespeist werden. Jede solche Spule 45 weist hier eine einzige nicht vollständig geschlossene Windung auf, deren beiden Enden an eine allen Spulen 45 gemeinsame Spannungsquelie angeschlossen sind, wobei alle SpulenIn the latter case, it can be fed with alternating current. Each such coil 45 has a single, not completely closed turn, the two ends of which are connected to a voltage source common to all coils 45, whereby all coils

° zueinander parallel geschaltet und einzeln unabhängig voneinander mittels je eines in die H-Platte 10 integrierten, in Fig. 10 als Schalter 46 dargestellten Transistors an die gemeinsame Spannungsquelle anschließbar sind. Jede Spule 45 kann so als Sende-° connected in parallel to one another and can be connected individually and independently of one another to the common voltage source by means of a transistor integrated into the H-plate 10, shown in Fig. 10 as switch 46. Each coil 45 can thus be used as a transmitting

ou antenne zum Aussenden eines elektromagnetischen ou antenna for transmitting an electromagnetic

Wechselfeldes zu dem ihr jeweils gegenüberstehenden Prüfpunkt 7 eines Prüflinges 24 dienen oder mittels eines ebenfalls einen Transistor bildenden Schaltsrs 47 als Empfangsantenne an eine Prüfleitung 79 des Prüfschaltungssystems angeschlossen werden. Die Schalter 46, 47 werden über zugeordnete Steuerkomponenten 48, 48', die bspw. Register sein können, angesteuert. Statt die Spule 45 mit einer einzigen Windung zu versehen, kann sie auch mehrere Windungen aufweisen und je nach mikromechanischen Möglichkeiten kann sie ggfs. nicht nur als in einer Ebene liegendealternating field to the test point 7 of a test object 24 opposite it or can be connected to a test line 79 of the test circuit system by means of a switch 47, which also forms a transistor, as a receiving antenna. The switches 46, 47 are controlled via associated control components 48, 48', which can be registers, for example. Instead of providing the coil 45 with a single winding, it can also have several windings and, depending on the micromechanical possibilities, it can possibly not only be arranged as a coil lying in one plane

Spule, sondern auch als dreidimensionale Spule mitcoil, but also as a three-dimensional coil with

mehreren übereinanderliegenden Wicklungen ausgebildet werden.several superimposed windings.

Die berührungslose Prüfung eines Prüflings kann bspw.The non-contact testing of a test object can, for example,

wie folgt erfolgen. Je nach Größe des Prüflings und dessen Prüfpunkten können alle oder nur eine Teilanzahl der Spulen 45 in des sie an das Prüfschaltungssystem anschließende Programm einprogrammiert sein. Jede dieser programmierten Spulen 45 kann nun als Sendeantenne dienen und mittels des ihr zugeordneten Schalters 46 hierzu eingeschaltet werden. Dabei ist es im allgemeinen zweckmäßig, jeweils nur eine einzige Spule 45 an die Spannungsquelle anzuschließen und wenn dies erfolgt ist, werden dann die übrigen Spulen 45as follows. Depending on the size of the test object and its test points, all or only a portion of the coils 45 can be programmed into the program connecting them to the test circuit system. Each of these programmed coils 45 can now serve as a transmitting antenna and can be switched on for this purpose using the switch 46 assigned to it. In this case, it is generally advisable to connect only one coil 45 to the voltage source at a time and once this has been done, the remaining coils 45 are then

ow aufeinanderfolgend alternativ als Empfangs-Antenne an eine Empfangsschaltung angeschlossen. Jede auf Empfang geschaltete Spule 45 wird dabei nur dann von einem vom Prüfschaltungssystem fühlbaren Strom durchflossen, wenn sie einem Prüfpunkt 7 gegenübersteht, der in ow are connected alternately as a receiving antenna to a receiving circuit. Each coil 45 switched to receive is only then passed through by a current that can be sensed by the test circuit system when it is opposite a test point 7 which is in

" elektrischer Verbindung mit dem der momentan auf" electrical connection with the currently on

Senden geschalteten Spule 45 gegenüberliegenden Prüfpunkt 7 des Prüflings steht, also derselben Leiterbahn oder einer mit dieser kurzgeschlossenen Metallfläche des Prüflings wie die momentane Sendespule gegenübersteht. Die "Empfangsspulen" 45 werden so aufeinanderfolgend daraufhin überprüft, welche von ihnen über dieselbe metallisch leitende Fläche desThe "receiving coils" 45 are thus checked one after the other to see which of them have the same metallic conductive surface of the test object.

1^ Prüflings mit dem der jeweiligen "Sendespule" gegenüberliegenden Prüfpunkt des Prüflings in Verbindung steht. Es können dann nacheinander allen Prüfpunkten des Prüflings gegenüberstehenden Spulen aufeinanderfolgend alternativ als Sendespulen eingeschaltet und 1 ^ test object is connected to the test point of the test object opposite the respective "transmitting coil". The coils opposite all test points of the test object can then be switched on one after the other alternatively as transmitting coils and

1^ jeweils geprüft werden, welche der nunmehr eis Empfangsspulen dienenden Spulen 45 demselben metallisch leitenden Bereich des Prüflings gegenüberstehen und so etwaige Fehler des Prüflings vorzugsweise koordinatenmäßig erfaßt werden. 1 ^ each time it is checked which of the coils 45, which now serve as receiving coils, are opposite the same metallically conductive area of the test object and thus possible errors of the test object are preferably detected in terms of coordinates.

.... Auch hier ist es möglich, mittels solcher Spulen 45 eine Einfach- oder Mehrfach- oder Vielfachprüfung jedes elektrisch leitenden Bereichs des Prüflings durchzuführen und gegebenenfalls auch eine Abbildung der oberflächig befindlichen metallischen Bereiche des betreffenden Prüflings darzustellen oder zu speichern. Und zwar können diese Spulen außerordentlich kleine Dimensionen haben, bspw. Durchmesser in der Größenordnung von 5 bis 100 Mikrometern oder ggfs. auch noch kleiner oder auch größer sein. Diese Spulen 45 können wieder in einem einheitlichen Raster an der Vorderseite der H-Platte 10 angeordnet sein, bspw. in einem Raster mit einem Rastermaß von 10 bis 100 Mikrometern oder auch in noch kleineren oder größeren Rastermaßen..... Here too, it is possible to use such coils 45 to carry out a single or multiple or multiple test of each electrically conductive area of the test object and, if necessary, to display or store an image of the surface metallic areas of the test object in question. These coils can have extremely small dimensions, for example diameters in the order of 5 to 100 micrometers or, if necessary, even smaller or larger. These coils 45 can again be arranged in a uniform grid on the front of the H-plate 10, for example in a grid with a grid dimension of 10 to 100 micrometers or even in even smaller or larger grid dimensions.

In den Fig. 14 und 15 ist ein Ausführungsbeispiel einer Prüfvorrichtung 6 dargestellt, das sich von den vorangehenden Ausführungsbeispielan dadurch unterscheidet, daß seine Tastpunkte 9 nicht durch Vorsprünge einer H-Platte 10, sondern durch metallische iU Kontaktnadeln 49, und zwar durch deren vorderen Enden gebildet sind, bspw. durch Nadeln 49 aus Stahl, Kupfer-Beryllium oder anderen federelastischen Metallen guter elektrischer Leitfähigkeit..In Figs. 14 and 15, an embodiment of a test device 6 is shown which differs from the preceding embodiments in that its contact points 9 are not formed by projections of an H-plate 10, but by metallic iU contact needles 49, namely by their front ends, for example by needles 49 made of steel, copper-beryllium or other spring-elastic metals with good electrical conductivity.

*° Die rückwärtigen, gerundeten Enden der Kontaktnadeln sind in napfförmigen, hier kegelförmigen Vertiefungen 51 - nachfolgend Napf genannt - einer &EEgr;-Platte angeordnet, bspw. einer Halbleiter-Platte 10 auf Siliziumbasis, insbesondere eines Wafers oder Chips. Jeder*° The rear, rounded ends of the contact needles are arranged in cup-shaped, here conical depressions 51 - hereinafter referred to as cup - of a �EEgr; plate, for example a semiconductor plate 10 based on silicon, in particular a wafer or chip. Each

^ solcher Napf 51 bildet ein Widerlager 52 für die betreffende Kontaktnadel. In diesem Ausführungsbeispiel befindet sich jeder Napf 51 in einem nur ihm zugeordneten kleinen Halbleiter-Bezirk 35 der H-Platte 10, der zur Hälfte stark p-dotiert (Gebiet 21) und z«r anderen Hälfte stark &eegr;-dotiert (Gebiet 22) ist. Die Trennungsfläche zwischen diesen beiden dotierten Gebieten kann bspw. eine Symmetrieebene des Napfes 51 sein. Wie im Ausführungsbeispiel nach Fig. 13 kann jedes dieser beiden Gebiete 21, 22 an je einen in die H-Platte 10 integrierten elektronischen Schalter 30, 31 angeschlossen sein, der durch das betreffende Gebiet 21 bzw. 22 mitgebildet ist und mittels ihm zugeordneten, nicht dargestellten Steuerkomponenten, wie Register oder dgl., ein- und ausgeschaltet werden kann zur Prüfung von Prüflingen. Für die Durchführung ^ such a cup 51 forms an abutment 52 for the relevant contact needle. In this embodiment, each cup 51 is located in a small semiconductor region 35 of the H-plate 10 that is assigned only to it, half of which is heavily p-doped (region 21) and the other half heavily η-doped (region 22). The separation surface between these two doped regions can be, for example, a plane of symmetry of the cup 51. As in the embodiment according to Fig. 13, each of these two regions 21, 22 can be connected to an electronic switch 30, 31 integrated in the H-plate 10, which is formed by the relevant region 21 or 22 and can be switched on and off by means of control components (not shown) assigned to it, such as registers or the like, for testing test objects. For the implementation

te·· · · &rgr;te·· · · &rgr;

einer Prüfung und der Auswertung können also die zur Fig. 13 gemachten Ausführungen entsprechend auch hier gelten.For a test and evaluation, the statements made for Fig. 13 can also apply here.

Es ist auch möglich, anstatt die einzelne KontaktnadelIt is also possible to use instead of the single contact needle

49 gleichzeitig auf zwei unterschiedlich dotierten49 simultaneously on two differently endowed

Gebieten der H-Platte 10 aufsitzen zu lassen, sie nur |areas of the H-plate 10 to sit on, they only |

auf einem einheitlich dotierten Gebiet, also nur einemin a uniformly funded area, i.e. only one

p- oder nur einem &eegr;-Gebiet aufsitzen zu lassen und es ^ip- or just a &eegr;-area and it ^i

können dann die zu Fig. 5 über die Durchführung einer U can then be used to carry out a U

Prüfung gemachten Ausführungen entsprechend gelten.The statements made during the examination shall apply accordingly.

Die Kontaktnadeln 49 sind in diesem Ausführungsbeispiel Biegenadeln und ihre vorderen Endbereiche ')". sind nahe unterhalb ihrer die Tastpunkte 9 bildenden ;; oberen Spitzen, von denen hier jede einem Prüfpunkt 7 eines an einem vertikal auf- und abwärts bewegbaren Träger 25 festgehaltenen Prüflings 24 gegenüber steht, in einer oberen Führungsplatte 53 und ihre rückwärtigen Endbereiche nahe ihrer unteren freien Enden in einer rückwärtigen Führungsplatte 54 eines im Ganzen mit 60 bezeichneten Prüfadapters geführt.The contact needles 49 are bending needles in this embodiment and their front end regions ')" are guided in an upper guide plate 53 close to their upper tips forming the contact points 9, each of which is opposite a test point 7 of a test object 24 held on a carrier 25 that can be moved vertically up and down, and their rear end regions are guided close to their lower free ends in a rear guide plate 54 of a test adapter designated as a whole by 60.

Die obere und die untere Führungsplatte 53, 54 weisen Durchgangsbohrungen auf, in denen die Kontaktnadeln 49 mit Gleitlagerspiel geführt sind.The upper and lower guide plates 53, 54 have through holes in which the contact needles 49 are guided with plain bearing clearance.

Ferner durchdringen diese KontaktnaJeln 49 mit mittleren Bereichen Löcher einer horizontal hin und her bewegbaren, ihrem Spannen dienende Spannplatte 55, welche Löcher wesentlich größer im Durchmesser als die Löcher in den Führungsplatten 53, 54 sind.Furthermore, these contact nails 49 penetrate with central areas holes in a clamping plate 55 which can be moved horizontally back and forth and serves to clamp them, which holes are significantly larger in diameter than the holes in the guide plates 53, 54.

Die Kontftfctnsdsln 43 habgft umsittelber unterhalt der unteren- Führungsplatte 54 Vsrbreitei-imgen in Form w«r.· Eindrückungen, die verhindern, daß die Nadeln 49 sich aus ihren unbelasteten Normalstellungen nach oben vRrschieben können., Die Spannplatte 55 wird vor Durch- ±v .rung der Prüi^ng eines am Träger 25 gehaltenen Prüflings 24 mittels eines eine Koiben-Zylindereirtheit bildenden, an eine Druckluftquelle anschließbaren Stellei.ors 57 nach links gezogen, wodurch die Tastpunkte 9 bildenden oberen Kontaktspitzen der Kontaktnadeln 49 nach unten gezogen werden. Denn wird der Prüfling 24 soweit nach unten bewegt, daß er diese Kontaktspitzen berührt oder fast berührt und dann wird die Spannplatte 55 mittels des Stellmotors 57 nach rechts geschoben, wodurch die Kontaktspitzen auf die Prüfpunkte 7 mit vorbestimmter Kraft zur Herstellung sicheren elektrischen Kontaktes drücken. Auch ihre unteren Enden kommen hierdurch in entsprechend sicheren elektrischen Kontakt mit den sie aufnehmenden Vertiefungen 51 der H-Platte 10. Nunmehr erfolgt dieThe contact needles 43 have, directly below the lower guide plate 54, widened edges in the form of indentations which prevent the needles 49 from being able to move upwards from their normal, unloaded positions. Before a test specimen 24 held on the carrier 25 is tested , the clamping plate 55 is pulled to the left by means of an actuator 57 which forms a piston-cylinder unit and can be connected to a compressed air source, whereby the upper contact tips of the contact needles 49 which form the touch points 9 are pulled downwards. The test specimen 24 is then moved downwards until it touches or almost touches these contact tips, and then the clamping plate 55 is pushed to the right by means of the actuator 57, whereby the contact tips press on the test points 7 with a predetermined force to establish a reliable electrical contact. Their lower ends also come into correspondingly safe electrical contact with the recesses 51 of the H-plate 10 that accommodate them. Now the

Prüfung des Prüflings 24, bspw. eines Chips, aufTesting of test object 24, e.g. a chip, for

Fehlerfreiheit durch das Prüfschaltungssystem dieser Prüfvorrichtung. Die elektrische Prüfung kann u.a. auch so durchgeführt werden, wie es Hei bekannten Prüfvorrichtungen, deren Prüfadapter metallischeFreedom from errors due to the test circuit system of this test device. The electrical test can also be carried out in the same way as with known test devices whose test adapters have metallic

Kontaktstifte aufweisen, an sich bekannt ist.contact pins, is known per se.

Es kann bspw. auch vorgesehen sein, daß die mikromechanisch hergestellten Vertiefungen 51 mi*" me= tallischen Beschichtungen versehen sind, die gegeneinander durch die &EEgr;-Platte glekt.risch isoliert sindIt can also be provided, for example, that the micromechanically produced recesses 51 are provided with metallic coatings which are electrically insulated from one another by the �EEgr; plate.

&bull; ft · · a&bull; ft · · a

und über ebenfalls vorzugsweise in diese H-Platte integrierte Transistoren ader dgl. an das ?rö£schaltungssystem angeschlossen werden. Auch hier ks.n vorzugsweise vorgesehen sein, daß ctas Pruischaltungssystem ganz oder im wesentlichen in die H-Platte integriert ist. Die H-Platte 10 ist auf einem sie tragenden Tracer 59 de" Prüfvorrichtung befestigt, während dem Halten der rüflinge 24 der Träger 2Z dient.and can be connected to the test circuit system via transistors or the like which are also preferably integrated into this H-plate. Here too, it can preferably be provided that the test circuit system is completely or essentially integrated into the H-plate. The H-plate 10 is fastened to a tracer 59 of the test device which carries it, while the carrier 2Z serves to hold the test pieces 24.

Die Kontaktnadeln können sr.,::. kl:ine Durchmesser von bi.>w. 0,01 bis 0,2 mm haben und gemäß einem Raster von bspw. 1/100 Zoll oder auch in einem größeren oder noch kleinerv ti Raster oder auf sonstige gewünschte Weise angeordnet sein.The contact needles can have diameters of between 0.01 and 0.2 mm and can be arranged according to a grid of, for example, 1/100 inch or in a larger or even smaller grid or in any other desired manner.

Der Kolben 63 des Stellmotors 57 ist durch Druckluft nach links und beim Ablassen der Druckluft durch eine Feder 64 nach rechts bewegbar.The piston 63 of the actuator 57 can be moved to the left by compressed air and to the right by a spring 64 when the compressed air is released.

Bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 14 läßt sich die Tastpunktdichte ohne weiteres auch wesentlich größer vorsehen, bspw. so groß, daß in der dargestellten Schnittebene die einzelne Leiterbahn oder das einzelne Pad des Prüflings 24 durch mehrere Kontaktnadeln kontaktiert wird.In the embodiment according to Fig. 14, the touch point density can easily be made significantly larger, for example so large that in the illustrated cutting plane the individual conductor track or the individual pad of the test object 24 is contacted by several contact needles.

5050

In Fig. 16A ist ausschnittsweise eine Abwandlung der PrüfVorrichtung 6 nach Fi' 1&Lgr; dargestellt. Hier sind die siontaktnadeln 49 als sogenannte Starrstifte ausgebildet, die durch den jeweiligen Prüfling 24 nur axial belastet werden, ohne hierbei gebogen zu werden.Fig. 16A shows a detail of a modification of the test device 6 according to Fig. 16A . Here, the contact needles 49 are designed as so-called rigid pins, which are only axially loaded by the respective test piece 24 without being bent in the process.

I Diese Kontaktnadeln 49, von denen zwei dargestalltI These contact needles 49, two of which are shown

;; sind, und von denen die Prüfvorrichtung eine große;; and of which the test device has a large

I Anzahl aufweisen kann, sind in DurchgangsbohrungenI number can be found in through holes

?! einer vorderen und einer rückwärtigen, fest?! a front and a rear, fixed

I miteinander verbundenen Führungsplatte 53, 54 axialI interconnected guide plate 53, 54 axially

hi' &Lgr; C hi' Λ C

;' lo gleitbar gelagert. Ebenfalls fest mit den horizontalen u; Führungsplatten 53, 54 ist eine ebenfalls nur in einem;' lo slidably mounted. Also firmly connected to the horizontal u; guide plates 53, 54 is a

j?i kleinen dargestellten, geschnittenen Ausschnittj?i small illustrated, cut section

I dargestellte H-Platte 10 verbunden, die inikro-I shown H-plate 10, the inmicro- P mechanisch hergestellte, mit ihr einstückige, schrägP mechanically manufactured, integral, oblique

s« gerichtete, bspw. zylindrische oder blattfederartigs« directed, e.g. cylindrical or leaf spring-like

it gestaltete Vorsprünge 19''' aufweist, von denen jederit has designed projections 19''', each of which

% obenseitig eine napfförmige Vertiefung 51 (Fig 16B) % a cup-shaped recess 51 on the top (Fig 16B)

:j aufweist, in die das rückwärtige Ende einer Kontekt-:j, into which the rear end of a contact

|.; nadel 49 eingreift, so daß die Kontaktnadeln 49 an|.; needle 49 engages so that the contact needles 49 on

i# 25 diesen elastisch federnden Vorsprüngen 19*'' axiali# 25 these elastically springy projections 19*'' axially

federnd abgestützt sind. Diese Vorsprünge 19''' bilden für die Kontaktnadeln 49 Widerlager 52 und können wiederum ganz oder teilweise stark dotiert sein, sei es als p-Gebiet oder als &rgr;,-kfcbiet, wie es Fig. 16C an 30 einem Beispiel zeigt, wo dieses hier &eegr;-dotierte Gebiet 22 auch das Gebiet eines in die &EEgr;-Platte integrierten nicht dargestellten Transistors sein kann. Oder jeder Vorsprung 19 * '' kann zwei nebeneinander angeordnete p- und n-Gebiets 21, 22 aufweisen (Fig.l6B, wo diesa ' 35 Gebiete ebenfalls Gebiete je eines nicht dargestellter.are supported in a spring-loaded manner. These projections 19''' form abutments 52 for the contact needles 49 and can in turn be fully or partially heavily doped, either as a p-region or as a ρ,-kfcregion, as shown in an example in Fig. 16C, where this ρ-doped region 22 here can also be the region of a transistor (not shown) integrated into the ρ plate. Or each projection 19 * '' can have two p- and n-regions 21, 22 arranged next to one another (Fig. 16B, where these regions also each contain regions of a transistor (not shown).

integrierten Transistors sein können), wie es ähnlich bspw. bei den Vorsprüngen 19 nach Fig. 20 der Fall ist. Diese VorsprOnge 19·'' dienen so dem elektrischen Anschluß der Kontaktnadeln 49 an die H-Platte 10. Diese Kontaktnadeln 49 können wiederum äußerst geringe Durchmesser aufweisen, bspw. in der Größenordnung von 0,1 mm.integrated transistor), as is the case, for example, with the projections 19 according to Fig. 20. These projections 19·'' serve for the electrical connection of the contact needles 49 to the H-plate 10. These contact needles 49 can in turn have extremely small diameters, for example in the order of 0.1 mm.

Das Prüfschaltungesystem kann wieder in irgendeiner geeigneten Weise ausgebildet sein, bspw. kann es Schaltbilder haben, wie sie gleich oder ähnlich bei vorbekannten Prüfvorrichtungen mit Kontaktnadeln bekannt sind. Es können wiederum zweckmäßig in neuartiger Weise das Prüfschaltungssystem oder Teile von ihm in die aus einem oder mehreren Halbleiter-Bauelementen bestehende H-Platte 10 integriert sein,The test circuit system can again be designed in any suitable way, for example it can have circuit diagrams that are the same or similar to those known from previously known test devices with contact needles. The test circuit system or parts of it can again be conveniently integrated in a novel way into the H-plate 10 consisting of one or more semiconductor components.

Diese H-Pl&tte 10 ist an einem nicht dargestelltenThis H-plate 10 is attached to a not shown

Support gehalten zusammen mit den Führungsplatten und 54.Support held together with the guide plates and 54.

Es ist auch möglich, die Vorsprünge 19'*' ganz oder streifenweise metallisch zu beschichten und die Kontaktnadeln 49 an dieser metallischen Beschichtung 44' anliegen zu lassen, wie es Fig. 16D an einem Beispiel zeigt, so daß dann nicht ein dotiertes Gebiet 21 bzw. dotierte Gebiete 21, 22 als elektrisch leitfähiges Material der Vorsprünge 19' ' ', sondern deren metallische Beschichtungen 44' dem elektrischen Anschluß der Kontaktstifte 49 an auf dem Hauptbereich 28 der H-Platte 10 durch Beschichten hergestellte Leiterbahnen oder in ihn integrierte Transistoren oder dgl. dienen.It is also possible to coat the projections 19'*' completely or in strips with metal and to let the contact pins 49 rest against this metal coating 44', as shown in an example in Fig. 16D, so that then not a doped region 21 or doped regions 21, 22 serve as the electrically conductive material of the projections 19' ' ', but rather their metal coatings 44' serve for the electrical connection of the contact pins 49 to conductor tracks produced on the main region 28 of the H-plate 10 by coating or to transistors or the like integrated into it.

Die &EEgr;-Platte 10 kenn in manchen Fällen euch so ausgebildet sein, daß sie an elektrischen Teilen nur metallische Beschichtungen aufweist, die dem elektrischen Anschluß der Kontaktnadeln 49, oder wenn die Tastpunkte an ihr vorgesehen und metallisch ausgebildet sind, dann dem elektrischen Anschluß dieser Tastpunkte an das in diesem Fall an ihr nicht angeordnete Prüfschaltungssystem dienen, das bspw. als gesondertes Gerät ausgebildet sein kann, das elektrisch an die mindestens eine &EEgr;-Platte der Prüfungsvorrichtung angeschlossen wird. Die Herstellung einer solchen &EEgr;-Platte aus einem vorzugsweise einkristallinen Halbleiter, insbesondere aus Silizium, hat dann immer noch den wichtigen Vorteil, daß ihre mikromechanisch hergestellten Strukturen außerordentlich geringe Mittenabstande einander benachbarter Tastpunkte bzw. der Kontaktnadeln auf möglichst einfache Weise ermöglichen.The �EEgr; plate 10 can in some cases be designed in such a way that it only has metallic coatings on electrical parts, which serve for the electrical connection of the contact needles 49, or if the touch points are provided on it and are metallic, then for the electrical connection of these touch points to the test circuit system, which in this case is not arranged on it, which can, for example, be designed as a separate device that is electrically connected to the at least one �EEgr; plate of the test device. The production of such an �EEgr; plate from a preferably single-crystal semiconductor, in particular from silicon, then still has the important advantage that its micromechanically produced structures enable extremely small center distances between adjacent touch points or the contact needles in the simplest possible way.

Claims (35)

53 6157 aansprüche53 6157 claims 1. Prüfvorrichtung zum Prüfen von elektrischen oder elektronischen Prüflingen, wie Leiterplatten, vorzugsweise unbestückten Leiterplatten, Chips, Multichip-Systemen oder dgl., welche Prüfvorrichtung Tastpunkte aufweist, welche beim Prüfen1. Test device for testing electrical or electronic test objects, such as circuit boards, preferably unpopulated circuit boards, chips, multi-chip systems or the like, which test device has touch points which, during testing, eines Prüflings Prüfpunkten des Prüflings zum Übertragen von Prüfsignelen gegenüberstehen, dadurch gekennzeichnet, daß die Prüfvorrichtung mindestens eine auf Halbleiterbasis hergestellteof a test object are opposed to test points of the test object for transmitting test signals, characterized in that the test device comprises at least one semiconductor-based Platte (10) - nachfolgend &EEgr;-Platte genanntPlate (10) - hereinafter referred to as &EEgr;-plate - aufweist, an der zumindest einige Tastpunkte (9) vorgesehen sind.- on which at least some touch points (9) are provided. 2. Prüfvorrichtung zum Prüfen von elektrischen oder elektronischen Prüflingen, wie Leiterplatten,2. Test device for testing electrical or electronic test objects, such as printed circuit boards, vorzugsweise unbestückten Leiterplatten, Chips, Multichip-Systemen oder dgl., welche Prüfvorrichtung Tastpunkte aufweist, welche beim Prüfe-.: eines Prüflings Prüfpunkten des Prüflings zum Übertragen von Prüfsignalen gegenüberstehen, wobei Tastpunkte der Prüfvorrichtung durch die vorderen Enden von Kontaktnadeln gebildet sind, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest einige Tastpunkte (9) der Prüfvorrichtung durch die freien Enden von metallischen Kontaktnadeln (49) gebildet sind,preferably unpopulated circuit boards, chips, multichip systems or the like, which test device has touch points which, when testing a test object, are opposite test points of the test object for transmitting test signals, touch points of the test device being formed by the front ends of contact needles, characterized in that at least some touch points (9) of the test device are formed by the free ends of metallic contact needles (49), deren elektrischem Anschluß an das Prüfschaltungs-their electrical connection to the test circuit 5454 system elektrisch leitfähige Widerlager (52)
dienen, die an mindestens einer auf Halbleiterbasis hergestellten Platte (10) - nachfolgend
H-Platte - vorgesehen sind.
system electrically conductive abutments (52)
which are attached to at least one semiconductor-based plate (10) - hereinafter
H-plate - are provided.
3. Prüfvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
10
3. Test device according to claim 1 or 2, characterized
10
gekennzeichnet, daß sie ein die elektrische ~characterized in that it is an electrical ~ Prüfung des jeweiligen Prüflings durchführendes £Examination of the respective candidate £ W Prüfschaltungssystem aufweist, das Schaltmittel Hi W test circuit system comprising switching means Hi zum elektrischen Anschließen von Tastpunkten der % for electrical connection of touch points of % Prüfvorrichtung an das Prüfschaltungssystem auf- \ Test device to the test circuit system- \ weist, wobei bei der Prüfung eines Prüflings jwhere when testing a test specimen j zwischen Tastpunkten der Prüfvorrichtung und ihnen
gegenüber befindlichen Prüfpunkten des Prüflings
von dem Prüfschaltungssystem bewirkbare ;
between the touch points of the test device and them
opposite test points of the test object
effected by the test circuit system;
Prüfsignale übertragsbar sind, die in dem 1Test signals can be transmitted in the 1 titi Prüfschaltungssystem daraufhin auswertbar sind, ob fTest circuit system can be evaluated to determine whether f der Prüfling elektrisch fehlerfrei ist oder nicht. \ the test object is electrically faultless or not. \
4. Prüfvorrichtung nach Anspruch 1 oder 3, dadurch4. Test device according to claim 1 or 3, characterized gekennzeichnet, daß mindestens die Hälfte dercharacterized in that at least half of the Taetpunkte (9), vorzugsweise alle Tastpunkte (9),Touch points (9), preferably all touch points (9), an der mindestens einen H-Platte (10) vorgesehen
sind.
provided on the at least one H-plate (10)
are.
5. Prüfvorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch5. Test device according to claim 2 or 3, characterized gekennzeichnet, daß mindestens die Hälfte dercharacterized in that at least half of the Tastpunkte (9), vorzugsweise alle Tastpunkte (9),
durch die vorderen Enden der Kontafctnadeln (49)
Touch points (9), preferably all touch points (9),
through the front ends of the contact needles (49)
gebildet sind.are formed.
6. Prüfvorrichtung nach einem der vorhergehenden6. Test device according to one of the preceding Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die mindestens eine H-Platte (10) eine Vielzahl von Hslbleiter-Bezirkers (35) aufweist van dent.« jeder einem Tastpunkt (9) zugeordnet ist, wobei jeder solcher Helbleiter-Bezirk (35) mindestens ein p-Gebiet (21) und/oder mindestens ein n-Gebiet {22) aufweist, das dem Leiten von den zugeordneten Tas-pufikt beaufschlagenden Prüfsignalen dient und vorzugsweise das p-Sebiet (21) bzw. das n-Geoiet (ZZ) ein stark dotiertes Gebiet eines TransistorsClaims, characterized in that the at least one H-plate (10) has a plurality of semiconductor regions (35), each of which is assigned to a touch point (9), each such semiconductor region (35) having at least one p-region (21) and/or at least one n-region (22) which serves to conduct test signals acting on the assigned touch point, and preferably the p-region (21) or the n-region (22) is a heavily doped region of a transistor. (30; 31) ist.
15
(30; 31) is.
15
7. Prüfvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß sie ein Prüfschaltungssystem aufweist, das teilweise in die mindestens eine H-Platte (10) integriert ist.7. Test device according to one of the preceding claims, characterized in that it comprises a test circuit system which is partially integrated into the at least one H-plate (10). 8. Prüfvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß sie ein Prüfschaltungssystem aufweist, das ganz oder im wesentlichen in die mindestens eine H-Platte (10) integriert ist.8. Test device according to one of the preceding claims, characterized in that it has a test circuit system which is completely or substantially integrated into the at least one H-plate (10). 9. Prüfvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die H-Platte (10) oder mindestens eine &EEgr;-Platte aus einem Bauelement, vorzugsweise einem Wafer oder einem Chip besteht.9. Test device according to one of the preceding claims, characterized in that the H-plate (10) or at least one &EEgr;-plate consists of a component, preferably a wafer or a chip. 10. Prüfvorrichtung nach einem der vorhergehenden10. Test device according to one of the preceding Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine H-Platte (10) aus mehreren auf Halbleiter-Claims, characterized in that at least one H-plate (10) consists of several semiconductor 5656 ft I Ilft I Il 16),
Chips
16),
crisps
tt II I basis hergestellten Bauelementen
m vorzugsweise aus mehreren Wafern
I basis manufactured components
m preferably from several wafers
B zusammengesetzt ist.B is composed. (15,
oder
(15,
or
11. Prüfvorrichtung nach einem der vorhergehenden11. Test device according to one of the preceding Ansprüche, dadurch gekennzeichnet:, daö mindestensClaims, characterized in that at least eine H-Platte (10) auf der Basis eines Ein-IO an H-plate (10) based on a single IO kristall-Halbleiters hergestellt ist bzw.crystal semiconductor is manufactured or -«- «ines i' rer Bauelemente (15, 16) auf (■9T Basis eines EL· .jcistali-Halbleieers hergt. stellt ?st.-«- «one of the components (15, 16) is manufactured on the basis of an electrolytic semiconductor. 1515 12. Prüfvorrichtung nach zl.·.+... der vorhergehenden12. Test device according to zl.·.+... of the previous Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die H-Platte (10) bzw. ihre Bauelemente auf Elementes^albleiterbasis, vorzugsweise aufClaims, characterized in that the H-plate (10) or its components are based on elements^semiconductor, preferably on Siliziumbasis hergestellt ist bzw. sind. 20Silicon-based is or are manufactured. 20 13. Prüfvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die H-Platte (10) bzw. ihre Bauelemente auf Verbindungshalbleiterbasis, vorzugsweise auf der Basis von GaAs hergestallt ist bzw. sind.13. Test device according to one of claims 1 to 9, characterized in that the H-plate (10) or its components are made on a compound semiconductor basis, preferably on the basis of GaAs. 14. Prüfvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest14. Test device according to one of the preceding claims, characterized in that at least die den Tastpunkten (9) benachbarte oder siethe touch points (9) adjacent to or 3030 aufweisende Vorderseite der mindestens einenfront side of the at least one H-Platte (10) mikromechanisch hergestellte Strukturen aufweist und vorzugsweise die Tastpunkte bzw. die Widerlager (52) an mikromechaniech hergestellten Strukturen dieser Vorderseite 35H-plate (10) has micromechanically manufactured structures and preferably the touch points or the abutments (52) on micromechanically manufactured structures of this front side 35 JlJiII ··· ·&Igr; JiJlJiII ··· ·&Igr; Ji l> > ■·· «1)1l> > ■·· «1)1 139··*139··* 13J] 11 «4 · « · » »13J] 11 «4 · « · » » g sehen sind.g can be seen. 15. Prüfverrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dedurch gekennzeichnet, daß zumindest eine Teilanzahl der Tastpunkte (9), vorzugsweise15. Testing device according to one of the preceding claims, characterized in that at least a partial number of the touch points (9), preferably 1q alle Tastpunkte oder fast alle Tastpunkte, durch 1 q all touch points or almost all touch points, by Flächen von dem Leiten von Prüfsignalen dienenden und entsprechend dotierten Halbleiter-Gebieten (21, 22; 22) der mindestens einen H-Platte (10)Surfaces of semiconductor regions serving to conduct test signals and correspondingly doped (21, 22; 22) of the at least one H-plate (10) gebildet sind.are formed. 1515 16. Prüfvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest einige Tastpunkte (9), vorzugsweise alle ader fast alle Tastpunkte an metallischen Beschichtungen der mindestens einen H-Platte (10) vorgesehen sind.16. Test device according to one of the preceding claims, characterized in that at least some touch points (9), preferably all or almost all touch points are provided on metallic coatings of the at least one H-plate (10). 17. Prüfvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest einige Tastpunkte (9) und/oder Widerlager (52) , vorzugsweise alle oder fast alle Tastpunkte bzw. Widerlager an elastischen, vorzugsweise mikromechanisch erzeugten Bereichen, vorzugsweise Vorsprüngen (19) der mindestens einen H-Platte (10) vorgesehen sind.17. Test device according to one of the preceding claims, characterized in that at least some touch points (9) and/or abutments (52), preferably all or almost all touch points or abutments are provided on elastic, preferably micromechanically produced areas, preferably projections (19) of the at least one H-plate (10). 3030 18. Prüfvorrichtung r.ach Anspruch 17, dadurch geke.in-18. Test device according to claim 17, characterized in that zeichnst, daß die Tastpunkte (9) aufweisenden Vorsprünge (19) der H-Platte (IC) zumindest teilweise als dem Leiten von Pröfsignalen dienende undcharacterized in that the projections (19) of the H-plate (IC) having touch points (9) are at least partially used to conduct test signals and ,)C entsprechend dotierte Halbleiter-Bezirke (35), )C appropriately doped semiconductor regions (35) JbJb ausgebildet sind.are trained. 19. Prüfvorrichtung nach Anspruch 17 oder 18, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest einige der Vorsprünge der mindestens einen H-Platte (10) , die19. Test device according to claim 17 or 18, characterized in that at least some of the projections of the at least one H-plate (10) which Tae-hnunk-ho nrior Uirtorlaner &iacgr;*>0\ aiifuoioon iinne-Tae-hnunk-ho nrior Uirtorlaner &iacgr;*>0\ aiifuoioon iinne- fähr zylindrisch oder sich auf mindestens einen Teil ihror Länge auf ihre freien Enden zu verjüngen, vorzugsweise ungefähr quaderförmig oder kreiszylindrisch oder kegelstumpfförmig oder zungenförmig oder biegef edemrtig oder spiralförmig oder pyramidenförmig oder pyramidenstumpf-approximately cylindrical or tapering towards their free ends over at least part of their length, preferably approximately cuboid or circular cylindrical or frustoconical or tongue-shaped or flexible or spiral-shaped or pyramidal or frusto-pyramidal förmig ausgebildet sind.shaped. 20. Prüfvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest einigen Tastpunkten und/oder Widerlagern (52) , vorzugsweise allen Tastpunkten (9) bzw. Wider-20. Testing device according to one of the preceding claims, characterized in that at least some touch points and/or abutments (52), preferably all touch points (9) or abutments lanorn an tia-r H.Platte &Mgr;&Pgr;\ &iacgr;&ogr; ein Hai hl ei -her-Re-lanorn an tia-r H.Platte &Mgr;&Pgr;\ &iacgr;&ogr; a shark hl ei -her-Re- &mdash; &mdash; g &mdash; &mdash; - - , &mdash; - . &mdash; _&mdash; .. . _■__■_ &mdash; &Lgr; &mdash; &mdash; f j &mdash; _ _ . - .. &mdash; &mdash;-__ &mdash; &mdash;&mdash; g &mdash;&mdash; - - , &mdash; - . &mdash;_&mdash; .. . _■__■_ &mdash;&Lgr;&mdash;&mdash; f j &mdash; _ _ . - .. &mdash;&mdash;-__&mdash; zirk (35) zum Leiten von Prüfsignalen zugeordnet ist, der zwei nebeneinander angeordnete, sich quer zur Vorderseite der H-Platte (10) erstreckendezirk (35) for conducting test signals, which has two adjacently arranged, transversely to the front of the H-plate (10) extending dotierte Gebiete (21, 22) aufweist, von denen das eine Gebiet ein p-Gebiet und das andere Gebiet ein &eegr;-Gebiet ist.doped regions (21, 22), of which one region is a p-region and the other region is an η-region. 21. Prüfvorrichtung nach einem der vorhergehenden21. Test device according to one of the preceding Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine Kontaktnadel (49), vorzugsweise jede Kontaktnadel zumindest beim Kontaktieren eines Prüflings zu ihrem elektrischen Anschluß auf einem zugeordneten Halbleiter-Bezirk (35) der zugeordnetenClaims, characterized in that at least one contact needle (49), preferably each contact needle at least when contacting a test object for its electrical connection on an associated semiconductor region (35) of the associated H-Platte (10) aufsitzt, der durch mindestens einH-plate (10) which is supported by at least one M &igr; ' t m M &igr;' tm - dem Leiten von Prüfsignelen dienendes und ent- used to conduct test signals and sprechend dotiertes Gebiet, vorzugsweise durch zwei entgegengesetzt dotierte Gebiete (21, 22) gebildet ist.accordingly doped region, preferably by two oppositely doped regions (21, 22). 22. Prüfvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine Kontaktnadel (49), vorzugsweise jede Kontaktnadel auf einem,metallisch beschichteten Widerlager (52) der H-Platte (10) zu ihrem elektrischen22. Test device according to one of the preceding claims, characterized in that at least one contact needle (49), preferably each contact needle on a metallically coated abutment (52) of the H-plate (10) for its electrical Anschluß zumindest beim Prüfen von Prüflingen 15Connection at least when testing test items 15 aufsitzt.sits on. 23. Prüfvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die23. Test device according to one of the preceding claims, characterized in that the Kontaktnadeln (49) als Biegenadeln, Knicknadeln 20Contact needles (49) as bending needles, folding needles 20 oder Starrstifte ausgebildet sind, wobei dieor rigid pins, whereby the Biegenadeln vorzugsweise quer zu ihren Längsrichtungen unter entsprechendem Ausbiegen elastisch spannbar sind.Bending needles can be elastically tensioned, preferably transversely to their longitudinal directions, with appropriate bending. 24. Prüfvorrichtung nach einem der vorhergehenden24. Test device according to one of the preceding Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest einige Tastpunkte (9), vorzugsweise alle oder fast alle Tastpunkte zum berührungslosen ÜbertragenClaims, characterized in that at least some touch points (9), preferably all or almost all touch points are designed for contactless transmission bzw. Empfangen von Prüfsignalen ausgebildet sind, 30or receiving test signals, 30 vorzugsweise der berührungslosen elektromagnetischen Ankopplung an Prüfpunkte des Prüflings dienende, mikromechanisch hergestellte Strukturen aufweisen.preferably have micromechanically manufactured structures that serve for contactless electromagnetic coupling to test points of the test object. 25. Prüfvorrichtung nach Anspruch 24, dadurch gekenn-25. Test device according to claim 24, characterized in that zeichnet, daß auf der Vorderseite der H-Platte (10) oder mindestens einer &EEgr;-Platte als Tastpunkte eine Vielzahl von mikromechanisch hergestellten Spulen (45) angeordnet sind, die zum Leiten von PrüfSignalen entsprechend dotiert sind und/oder metallische Beschichtungen aufweisen, derart, daß die einzelne Spule eine Sendeantenne und/oder eine Empfangsantenne für zwischen ihr und dem ihr jeweils zugeordneten Prüfpunkt (7) eines Prüflings (24) zu übertragenden Prüfsignalen bildet, die im Prüfling gegenüber dieser Spule durch siecharacterized in that on the front side of the H-plate (10) or at least one &EEgr;-plate as touch points a plurality of micromechanically manufactured coils (45) are arranged, which are appropriately doped for conducting test signals and/or have metallic coatings, such that the individual coil forms a transmitting antenna and/or a receiving antenna for test signals to be transmitted between it and the test point (7) of a test object (24) assigned to it, which test signals are transmitted in the test object relative to this coil through it induziert bzw. durch das betreffende, vom Prüfling geleitete Prüfsignal in ihr induziert werden.induced or induced in it by the relevant test signal conducted by the device under test. 26. Prüfvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß sie zur Mehrfach-Prüfung von Leiterbahnen (26, 26', 26'') eines Prüflings ausgebildet ist, wobei das Prüfschaltungssystem so ausgebildet ist, daß es auf Fehlerfreiheit einer Leiterbahn eines Prüflings (24) schließt, wenn mindestens eine dieser Prüfungen der betreffenden oder eine vorbestimmte Anzahl dieser Prüfungen Fehlerfreiheit geben.26. Test device according to one of the preceding claims, characterized in that it is designed for multiple testing of conductor tracks (26, 26', 26'') of a test object, wherein the test circuit system is designed such that it concludes that a conductor track of a test object (24) is free from faults if at least one of these tests of the relevant one or a predetermined number of these tests show freedom from faults. 27: Prüfvorrichtung nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, daß zur Mehrfach-Prüfung einer Leiterbahn eines Prüflings (24) nur den beiden Endbereichen der betreffenden Leiterbahn jeweils eine Mehrzahl von Tastpunkten der Prüfvorrichtung gegenüberstehen.27: Test device according to claim 26, characterized in that for multiple testing of a conductor track of a test object (24), only the two end regions of the conductor track in question are each faced with a plurality of touch points of the test device. ■ ■ t % &psgr; ·■ ■ t % ψ · 28. Prüfvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Prüfschaltungssystem zum rasterartigen Abbilden der auf den den Tastpunkten gegenüberliegenden Seite eines Prüflings vorhandenen Leiterbahnen (26. 26'. 26'') ausgebildet ist.28. Test device according to one of the preceding claims, characterized in that the test circuit system is designed for the grid-like imaging of the conductor tracks (26, 26', 26'') present on the side of a test object opposite the touch points. 29. Prüfvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die H-Platte (10) oder mindestens eine H-Platte metallische Beschichtungen aufweist.29. Test device according to one of the preceding claims, characterized in that the H-plate (10) or at least one H-plate has metallic coatings. 30. Prüfvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß jedem Tastpunkt (9) mindestens je eine in die betreffende H-Platte integrierte elektronische30. Testing device according to one of the preceding claims, characterized in that each touch point (9) is assigned at least one electronic Komponente, vorzugsweise mindestens je ein Transistor zugeordnet ist.Component, preferably at least one transistor is assigned to each. 31. Prüfvorrichtung nach Anspruch 30, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest einigen Tastpunkten, vorzugsweise allen oder fast allen Tastpunkten (9) mindestens je ein in die betreffende '·' ^latte integrierter Transistor zugeordnet ist, der mindestens ein p-leitendes oder &eegr;-leitendes Gebiet aufweist, das vom zum Tastpunkt strömenden Prüfstrom und/oder von vom Tastpunkt kommenden Prüfstrom durchströmbar ist.31. Test device according to claim 30, characterized in that at least some touch points, preferably all or almost all touch points (9) are assigned at least one transistor each integrated in the relevant '·' ^plate, which has at least one p-conductive or η-conductive region through which the test current flowing to the touch point and/or the test current coming from the touch point can flow. 32. Prüfvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß dem einzelnen Tastpunkt mindestens ein in die betreffende32. Testing device according to one of the preceding claims, characterized in that the individual touch point is assigned at least one &bull; ( &iacgr; ( ' &iacgr;&bull; ( &iacgr; ( ' &iacgr; H-Platte (10) integrierter elektronischer Schalter
{30, 31; 46, 47), vorzugsweise mindestens je ein
Schalttransistor zugeordnet ist, welcher dem Einschalten und Ausschalten des Tastpunktes dient.
H-plate (10) integrated electronic switch
{30, 31; 46, 47), preferably at least one
Switching transistor is assigned, which serves to switch the touch point on and off.
33. Prüfvorrichtung nach Anspruch 32, dadurch gekennzeichnet, daß die elektronischen Schalter (30, 31; "/! 46, 47) anhand von im Prüfschaltungssystem y speicherbaren Informationen durchschaltbar sind |j33. Test device according to claim 32, characterized in that the electronic switches (30, 31; "/! 46, 47) can be switched through using information that can be stored in the test circuit system y |j (Speichermode). '(Storage mode). ' 34. Prüfvorrichtung nach Anspruch 32 oder 33, dadurch
gekennzeichnet, daß den elektronischen Schaltern -ü (30,- 31; 46, 47) adressierbare Steuerschaltkreise "
34. Test device according to claim 32 or 33, characterized
characterized in that the electronic switches - ü (30,- 31; 46, 47) are provided with addressable control circuits "
(32,, 33; 48, 48'), vorzugsweise elektronische \ Register, zugeordnet sind, die dem Durchschalten(32,, 33; 48, 48'), preferably electronic registers, which are assigned to the switching der elektronischen Schalter durch Adressierung &phgr; of the electronic switches by addressing &phgr; über Adressleitungen dienen (Dekodermode). pvia address lines (decoder mode). p
35. Prüfvorrichtung nach einem der Ansprüche 33 oder '35. Test device according to one of claims 33 or ' 34, dadurch gekennzeichnet, daß die elektronischen
Schalter (30, 31; 46, 47) und vorzugsweise auch
die deren Schalten dienenden Steuerschaltkreise
(32, 33; 48, 48') in die mindestens eine H-Platte
34, characterized in that the electronic
Switches (30, 31; 46, 47) and preferably also
the control circuits used to switch them
(32, 33; 48, 48') into which at least one H-plate
(10) integriert sind.(10) are integrated.
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