CN111933752B - 一种太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及其制备方法，其中，方法包括以下步骤：对制绒后的N型半导体衬底进行硼扩散，形成硼扩散层；对半导体衬底进行背面刻蚀后氧化，形成第一氧化层，并在第一氧化层表面沉积多晶硅层；对多晶硅层进行磷扩散，形成掺磷多晶硅层；在掺磷多晶硅层表面形成第二氧化层，并在第二氧化层表面形成背面钝化层；在硼扩散层的表面形成正面钝化层；以及在正面钝化层和/或所述背面钝化层上形成电极。本申请的太阳能电池及其制备方法，减少掺杂多晶硅层和钝化层之间的未饱和缺陷，能够有效改善钝化效果，提升电池转换效率。

Description

一种太阳能电池及其制备方法

技术领域

本申请涉及光伏电池技术领域，具体地讲，涉及一种太阳能电池及其制备方法。

背景技术

Topcon电池依靠“隧穿效应”实现背面钝化，现有的Topcon电池背面结构从内向外依次为衬底，隧穿氧化层，掺杂多晶硅层，背面钝化层。由于掺杂多晶硅层与背面钝化层分别在两个不同的设备中沉积形成，掺杂多晶硅层与背面钝化层之间不可避免的会引入一些未饱和缺陷，容易造成载流子复合和电性能损失，钝化效果不理想。因此，有必要研究提升背钝化效果的方法，进一步提高电池转换效率。

发明内容

鉴于此，本申请提出一种太阳能电池及其制备方法，减少掺杂多晶硅层和钝化层(比如氮化硅层)之间的未饱和缺陷，能够有效改善钝化效果，提升电池转换效率。

本申请提供一种太阳能电池制备方法，包括以下步骤：

对制绒后的N型半导体衬底进行硼扩散，形成硼扩散层；

对所述半导体衬底进行背面刻蚀后氧化，形成第一氧化层，并在所述第一氧化层表面沉积多晶硅层；

对所述多晶硅层进行磷扩散，形成掺磷多晶硅层；

在所述掺磷多晶硅层表面形成第二氧化层，并在所述第二氧化层表面形成背面钝化层；

在所述硼扩散层的表面形成正面钝化层；以及

在所述正面钝化层和/或背面钝化层上形成电极。

在一种可行的实施方式中，所述第二氧化层的厚度为0.5nm～5nm；和/或，所述第二氧化层包括氧化硅、氧化铝、氧化钛中的至少一种。

在一种可行的实施方式中，在对所述多晶硅层进行磷扩散，形成掺磷多晶硅层之后，并在所述掺磷多晶硅层表面形成第二氧化层之前，所述方法还包括：去除在所述磷扩散过程中形成的磷硅玻璃层。

在一种可行的实施方式中，在所述掺磷多晶硅层表面形成第二氧化层之后，并在所述第二氧化层表面形成背面钝化层之前，所述方法还包括：去除所述N型半导体衬底正面绕镀的多晶硅层；去除在所述硼扩散过程中形成的硼硅玻璃层。

在一种可行的实施方式中，在对所述多晶硅层进行磷扩散，形成掺磷多晶硅层之后，并在所述掺磷多晶硅层表面形成第二氧化层之前，所述方法还包括：去除所述N型半导体衬底正面绕镀的多晶硅层；去除在所述磷扩散过程中形成的磷硅玻璃层及在所述硼扩散过程中形成的硼硅玻璃层。

在一种可行的实施方式中，在所述掺磷多晶硅层表面形成第二氧化层，包括：采用湿化学氧化法和/或热氧化法在所述掺磷多晶硅层表面形成第二氧化层；或，采用物理气相沉积法、化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积法、原子层沉积法中的任意一种方法在所述掺磷多晶硅层表面沉积形成第二氧化层。

在一种可行的实施方式中，在所述掺磷多晶硅层表面形成第二氧化层，包括：采用热氧化法在所述掺磷多晶硅层表面形成第二氧化层，热氧化温度为500℃～600℃，热氧化时间为150s～300s。

在一种可行的实施方式中，在所述掺磷多晶硅层表面形成第二氧化层，包括：将所述N型半导体衬底背面的所述掺磷多晶硅层浸泡于氧化性溶液中进行湿化学氧化处理，所述氧化性溶液包括盐酸溶液及臭氧，所述盐酸溶液的质量浓度为0.1％～0.5％，所述臭氧浓度为20ppm～30ppm，浸泡时间为30s～60s。

在一种可行的实施方式中，所述去除在所述磷扩散过程中形成的磷硅玻璃层，包括：

用配制好的混合酸酸洗所述N型半导体衬底背面的磷硅玻璃层30s～60s，所述混合酸包括质量浓度为2％～10％的氢氟酸溶液与质量浓度为2％～10％的盐酸溶液；将酸洗后的N型半导体衬底背面进行水洗、烘干处理。

本申请实施例还提供一种太阳能电池，所述太阳能电池由上述的太阳能电池制备方法得到，所述太阳能电池包括由上至下依次排布的第一电极、第一钝化层、硼扩散层、半导体衬底、第一氧化层、掺磷多晶硅层、第二氧化层、第二钝化层、第二电极。

本申请的技术方案至少具有以下有益的效果：

通过形成第一氧化层、掺杂多晶硅层、第二氧化层和背面钝化层的多层结构，第二氧化层的形成可以有效钝化掺杂多晶硅层与背面钝化层之间的未饱和缺陷，实验结果表明，根据本申请制备方法制得的太阳能电池，丝网印刷前监控电池片少子寿命和拟开路电压(implied-Voc)均有1％～2％的提升，说明钝化效果得到了增强。电池效率绝对值有0.1％～0.2％的提升，说明多层钝化结构能够有效提升电池转换效率。

附图说明

为了更清楚的说明本申请实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种太阳能电池制备方法的流程图；

图2为本申请实施例提供的一种太阳能电池制备方法的另一流程图；

图3为本申请实施例提供的一种太阳能电池的结构示意图。

具体实施方式

为了更好的理解本申请的技术方案，下面结合附图对本申请实施例进行详细描述。

应当明确，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其它含义。

应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

Topcon电池依靠“隧穿效应”实现背面钝化，现有的Topcon电池背面结构从内向外依次为衬底，隧穿氧化层，掺杂多晶硅层，背面钝化层。由于掺杂多晶硅层与背面钝化层分别在两个不同的设备中沉积形成，掺杂多晶硅层与背面钝化层之间不可避免的会引入一些未饱和缺陷，容易造成载流子复合和电性能损失，钝化效果不理想。

因而，为克服现有技术的不完善，本发明实施例的技术方案提供一种太阳能电池及其制备方法，在电池背面的掺杂多晶硅层和钝化层之间制备一层氧化层，钝化掺杂多晶硅层与背面钝化层之间的缺陷，提高电池背面钝化效果，提升电池的转换效率。

第一方面，本申请的实施例提供一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：

对制绒后的N型半导体衬底进行硼扩散，形成硼扩散层；

对所述半导体衬底进行背面刻蚀后氧化，形成第一氧化层，并在所述第一氧化层表面沉积多晶硅层；

对所述多晶硅层进行磷扩散，形成掺磷多晶硅层；

在所述掺磷多晶硅层表面形成第二氧化层，并在所述第二氧化层表面形成背面钝化层；

在所述硼扩散层的表面形成正面钝化层；以及

在所述正面钝化层和/或背面钝化层上形成电极。

在本方案中，在电池背面设置第一氧化层、掺磷多晶硅层、第二氧化层及背面钝化层，可有效改善掺杂多晶硅层与背面钝化层之间的未饱和缺陷，提高电池背面钝化效果，提升电池的转换效率。

下面，将结合本发明实施例中的附图，对N型Topcon电池的制备方法进行清楚、完整地描述，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例1及实施例2，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1为本实施例提供的一种太阳能电池制备方法的流程图，如图1所示，本申请实施例1提供一种太阳能电池制备方法，包括以下步骤：

步骤S10，对制绒后的N型半导体衬底进行硼扩散，形成硼扩散层。

具体地，在进行硼扩散之前，可以对N型半导体衬底的正面和背面进行制绒处理，以形成绒面或表面纹理结构(例如金字塔结构)。制绒处理的方式可以是化学刻蚀、激光刻蚀、机械法、等离子刻蚀等等，在此不做限定。示例性地，可以使用NaOH溶液对硅片的正面、背面进行制绒处理，由于NaOH溶液的腐蚀具有各向异性，从而可以制备得到金字塔结构绒面。

本实施例中，通过制绒使硅衬底的表面具有绒面结构，产生陷光效果，增加太阳能电池对光线的吸收数量，从而提高太阳能电池的转换效率。

在一些实施例中，N型半导体衬底的正面为面向太阳的表面，背面即为背对太阳的表面。还需说明的是，半导体衬底可以为晶体硅衬底(硅衬底)，例如为多晶硅衬底、单晶硅衬底或类单晶硅衬底，本发明实施例对于半导体衬底的具体类型不作限定。

在步骤S10中，可以采用高温扩散、浆料掺杂或者离子注入中的任意一种或多种方法，在N型半导体衬底的表面形成硼扩散层。

在具体实施例中，N型半导体衬底为N型晶体硅，硼扩散处理，是通过硼源来扩散硼原子形成硼扩散层。硼源例如可以采用三溴化硼扩散处理后，晶体硅的微晶硅相转变为多晶硅相。由于半导体衬底表面具有较高浓度的硼，通常会形成硼硅玻璃层(BSG)，这层硼硅玻璃层具有金属吸杂作用，会影响太阳能电池的正常工作，需要后续去除。

可选地，在制绒处理之前，还可以包括对半导体衬底进行清洗的步骤，以去除表面的金属和有机污染物。

步骤S20，对所述半导体衬底进行背面刻蚀后氧化，形成第一氧化层，并在所述第一氧化层表面沉积多晶硅层。

需要指出的是，本发明实施例对于形成第一氧化层的具体操作方式的不作限定。具体地，可以采用臭氧氧化法、高温热氧化法、硝酸氧化法对半导体衬底进行背面刻蚀之后进行氧化，形成第一氧化层。例如，采用热氧化法在半导体衬底的背面进行氧化，形成第一氧化层。所述第一氧化层可以为薄氧化层或者隧穿氧化层。

在具体实施方式中，可以采用低压化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积法、常压化学气相淀积中的任意一种方法在第一氧化层的表面沉积多晶硅层。

可以理解地，在半导体衬底的第一氧化层表面沉积多晶硅过程中，多晶硅沿半导体衬底背面绕镀至正面，因此，在后续的工艺中需要对绕镀至半导体衬底正面的多晶硅进行去绕镀。

步骤S30，对所述多晶硅层进行磷扩散，形成掺磷多晶硅层。

磷扩散处理，是指在900℃左右，通过扩散五价的磷原子形成掺杂多晶硅层，扩散处理后，晶体硅的微晶硅相转变为多晶硅相，磷沉积在半导体衬底表面形成磷硅玻璃(PSG)。

扩散时可以采用两步热处理方法，即先将磷源在1000℃左右分解，沉积在半导体衬底表面，然后在800℃～900℃区间进行热处理，使得表面的磷原子扩散到多晶硅层内，形成掺磷多晶硅层。当然，也可以采用一步沉积法，即在第一氧化层的表面沉积形成多晶硅层并同时进行原位掺杂处理以形成掺磷多晶硅层。磷扩散工艺也可以采用高温扩散、浆料掺杂或者离子注入中的任意一种或多种方法，在此不做限定。

在一种实施方式中，在步骤S30之后，所述方法还包括：

步骤S31，去除在所述磷扩散过程中形成的磷硅玻璃层(PSG)。

可以理解地，在磷扩散时，由于半导体衬底表面具有较高浓度的磷，通常会形成磷硅玻璃层(PSG)，这层磷硅玻璃层具有金属吸杂作用，会影响太阳能电池的正常工作，需要去除。

在具体实施例中，可以将半导体衬底背面朝下置于链式酸洗设备(链式设备带速为1.0m/min～2.0m/min，半导体衬底进入酸槽，刻蚀掉背面磷扩散形成的磷硅玻璃层(PSG)。酸槽内设有配制好的混合酸，所述混合酸包括质量浓度为2％～10％的氢氟酸溶液与质量浓度为2％～10％的盐酸溶液，酸洗温度为15℃～25℃，酸洗时间约为30s～60s，半导体衬底正面有水膜覆盖，且半导体衬底正面的硼硅玻璃层(BSG)也可以作为保护层，在去磷硅玻璃层(PSG)过程中，避免半导体衬底正面与混合酸反应。

需要说明的是，酸洗后需要进行水洗，水洗时间为10～20s，水洗温度可以为15℃～25℃；当然，水洗之后还可以对半导体衬底进行烘干处理。

步骤S40，在所述掺磷多晶硅层表面形成第二氧化层，并在所述第二氧化层表面形成背面钝化层。

第二氧化层的厚度为0.5nm～5nm，例如可以是0.5nm、1.0nm、1.5nm、2.0nm、2.5nm、3.0nm、3.5nm、4nm、4.5nm或5nm。第二氧化层不仅对半导体衬底表面起到钝化作用，还需要使载流子隧穿通过，当第二氧化层的厚度过小时，无法起到钝化作用，当第二氧化层的厚度过大时，载流子无法有效穿过。

可选地，所述第二氧化层的材质包括氧化硅、氧化铝、氧化钛、碳化硅、氢化非晶硅中的至少一种。例如，所述第二氧化层包括氧化硅层或者氧化钛层。

具体地，步骤S40包括：

步骤S41，在所述掺磷多晶硅层表面形成第二氧化层；

步骤S42，去除所述N型半导体衬底正面绕镀的多晶硅层；

步骤S43，去除在所述硼扩散过程中形成的硼硅玻璃层(BSG)；

步骤S44，在所述第二氧化层表面形成背面钝化层。

可选地，在步骤S41中，可以采用湿化学氧化法和/或热氧化法在所述掺磷多晶硅层表面形成第二氧化层，所述第二氧化层例如为氧化硅。或者，还可以采用物理气相沉积法、化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积法、原子层沉积法中的任意一种方法在所述掺磷多晶硅层表面沉积形成第二氧化层，第二氧化层例如为碳化硅、氧化钛等。

示例性地，采用热氧化法在所述掺磷多晶硅层表面形成第二氧化层，步骤包括：将两片半导体衬底正面相对设置并插入管式加热设备中，热氧化温度为500℃～600℃，热氧化时间为150s～300s。需要说明的是，在采用热氧化法形成第二氧化层时，半导体衬底的正面在热氧化处理过程中，也可能会形成氧化层。

示例性地，采用湿化学氧化法在所述掺磷多晶硅层表面形成第二氧化层，步骤包括：将所述N型半导体衬底背面的所述掺磷多晶硅层浸泡于氧化性溶液中进行湿化学氧化处理，所述氧化性溶液包括盐酸溶液及臭氧，所述盐酸溶液的质量浓度为0.1％～0.5％，所述臭氧浓度为20ppm～30ppm，浸泡时间为30s～60s。浸泡时控制温度为15℃～25℃，半导体衬底正面有水膜覆盖，且半导体衬底正面的硼硅玻璃层(BSG)也可以作为保护层，在去形成第二氧化层时，避免半导体衬底正面与氧化性溶液反应。

需要说明的是，采用湿化学氧化法形成第二氧化层之后，可以对半导体衬底进行水洗、烘干处理。

具体地，在步骤S42中，可以采用配制好的药液清洗半导体衬底正面绕镀的多晶硅层100～120秒，示例性地，去绕镀的药液例如可以取10ml浓度为36％的氢氟酸、50ml浓度为70％的浓硝酸、10ml浓度为98％的浓硫酸及30ml的水混合制备得到，该配制方式仅用于举例说明，在此不做限定。

进一步地，在步骤S43中，去除硼扩散过程中形成的硼硅玻璃层(BSG)，同样可以采用药液刻蚀、激光刻蚀等工艺，在此不做限定。

在本实施方式中，将去绕镀工序、去BSG工序位于形成第二氧化层工序后，半导体衬底正面的硼硅玻璃层可以有效避免半导体衬底正面与湿化学氧化工艺中的氧化性溶液反应，使得硼硅玻璃层对半导体衬底正面进行保护。并且，将去绕镀工序、去BSG工序位于形成第二氧化层工序后，还可以通过去BSG工序同步去除热氧化工艺中半导体衬底正面形成的氧化层。在本实施例中，在电池背面设置第一氧化层、掺磷多晶硅层、第二氧化层及背面钝化层的多层结构，可有效改善掺杂多晶硅层与背面钝化层之间引入的未饱和缺陷，有效提高钝化效果。

步骤S44，在所述第二氧化层表面形成背面钝化层。背面钝化层可以包括但不限于氮化硅、氮氧化硅、氧化铝等单层或叠层结构。

例如，所述背面钝化层由氮化硅组成。氮化硅薄膜层可以起到减反射膜的作用，且该氮化硅薄膜具有良好的绝缘性、致密性、稳定性和对杂质离子的掩蔽能力，氮化硅薄膜层能够对硅片产生钝化作用，明显改善太阳能电池的光电转换效率。

步骤S50，在所述硼扩散层的表面形成正面钝化层。

在一些实施例中，所述正面钝化层可以包括但不限于氮化硅、氮氧化硅、氧化铝等单层或叠层结构。当然，正面钝化层还可以采用其他类型的钝化层，本发明对于正面钝化层的具体材质不作限定，例如，在其他实施例中，正面钝化层还可以为二氧化硅和氮化硅的叠层等。上述正面钝化层能够对半导体衬底产生良好的钝化效果，有助于提高电池的转换效率。

步骤S60，在所述正面钝化层和/或背面钝化层上形成电极。

在一些实施方式中，可以在半导体衬底背面使用银浆印刷背面主栅和背面副栅，并进行烘干，在半导体正面使用掺铝银浆印刷正面主栅和正面副栅，并进行烘干，最后进行烧结，制得太阳能电池。

需要说明的是，正面电极穿过正面钝化层与硼扩散层形成欧姆接触；背面电极穿过背面钝化层、第二氧化层，再与掺磷多晶硅层形成欧姆接触，掺磷多晶硅层与第一氧化层组成TopCon结构。

图2为本申请实施例提供的太阳能电池的制备方法的另一流程图，如图2所示，本申请实施例2提供一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：

步骤S10，对制绒后的N型半导体衬底进行硼扩散，形成硼扩散层；

步骤S20，对所述半导体衬底进行背面刻蚀后氧化，形成第一氧化层，并在所述第一氧化层表面沉积多晶硅层；

步骤S30，对所述多晶硅层进行磷扩散，形成掺磷多晶硅层；

步骤S40，在所述掺磷多晶硅层表面形成第二氧化层，并在所述第二氧化层表面形成背面钝化层；

步骤S50，在所述硼扩散层的表面形成正面钝化层；以及

步骤S60，在所述正面钝化层和/或背面钝化层上形成电极。

与实施例1不同的是，在步骤S30之后，并在步骤S40之前，所述方法还包括：

步骤S310，去除所述N型半导体衬底正面绕镀的多晶硅层；

步骤S320，去除在所述磷扩散过程中形成的磷硅玻璃层及在所述硼扩散过程中形成的硼硅玻璃层。

在本实施例中，在去绕镀工序、去PSG及BSG工序之后，在所述掺磷多晶硅层表面形成第二氧化层，相较于现有的Topcon电池制备工艺，仅增加一道第二氧化层形成工序，即可有效改善掺杂多晶硅层与背面钝化层之间引入的未饱和缺陷，有效提高钝化效果，并且对原有的生成工序改动小，提升电池量产良率，降低生产成本。

在一些实施例中，太阳能电池可以为具有Topcon结构的太阳能电池，如图3所示，太阳能电池包括由上至下依次层叠的第一电极13、第一钝化层12、硼扩散层11、半导体衬底10、第一氧化层14、掺磷多晶硅层15、第二氧化层16、第二钝化层17、第二电极18。需要说明的是，第一电极13穿过第一钝化层12与硼扩散层11形成欧姆接触，第二电极18穿过第二钝化层17、第二氧化层16与掺磷多晶硅层15形成欧姆接触，掺磷多晶硅层15与第一氧化层14组成TopCon结构。

可选地，所述第一氧化层14为隧穿氧化层，例如超薄氧化硅层。

可选地，所述第二氧化层16为类似于第一氧化层14的超薄氧化层，例如，所述第二氧化层16为氧化硅层。又例如，所述第二氧化层16为氧化钛层。所述第二氧化层16的厚度在0.5nm～5nm范围内。

对于该太阳能电池的具体结构，如各层的具体类型等可参照前述太阳能电池制备方法方面的相关描述，在此不再一一详细描述。

本发明实施例中不限定第一电极13和第二电极18的具体材质。例如，第一电极13为银电极或银/铝电极，第二电极18为银电极。

本发明实施例中不限定第一钝化层12、第二钝化层17的具体类型，例如可以为氮化硅层、氮氧化硅层、氧化铝/氮化硅叠层结构等。

还需说明的是，本发明实施例对于上述太阳能电池中各层结构的厚度不作限定，可由本领域技术人员根据实际情况而调控。

以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

本申请虽然以较佳实施例公开如上，但并不是用来限定权利要求，任何本领域技术人员在不脱离本申请构思的前提下，都可以做出若干可能的变动和修改，因此本申请的保护范围应当以本申请权利要求所界定的范围为准。

Claims (7)

1.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

对制绒后的N型半导体衬底进行硼扩散，形成硼扩散层；

对所述半导体衬底进行背面刻蚀后氧化，形成第一氧化层，并在所述第一氧化层表面沉积多晶硅层；

对所述多晶硅层进行磷扩散，形成掺磷多晶硅层；

在所述掺磷多晶硅层表面形成第二氧化层，所述第二氧化层为氧化钛，所述第二氧化层的厚度为0.5nm～5nm，并在所述第二氧化层表面形成背面钝化层，所述背面钝化层为氧化铝/氮化硅叠层；

在所述硼扩散层的表面形成正面钝化层；以及

在所述正面钝化层和/或所述背面钝化层上形成电极。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，在对所述多晶硅层进行磷扩散，形成掺磷多晶硅层之后，并在所述掺磷多晶硅层表面形成第二氧化层之前，所述方法还包括：

去除在所述磷扩散过程中形成的磷硅玻璃层。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，在所述掺磷多晶硅层表面形成第二氧化层之后，并在所述第二氧化层表面形成背面钝化层之前，所述方法还包括：

去除所述N型半导体衬底正面绕镀的多晶硅层；

去除在所述硼扩散过程中形成的硼硅玻璃层。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，在对所述多晶硅层进行磷扩散，形成掺磷多晶硅层之后，并在所述掺磷多晶硅层表面形成第二氧化层之前，所述方法还包括：

去除所述N型半导体衬底正面绕镀的多晶硅层；

去除在所述磷扩散过程中形成的磷硅玻璃层及在所述硼扩散过程中形成的硼硅玻璃层。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，在所述掺磷多晶硅层表面形成第二氧化层，包括：

采用物理气相沉积法、化学气相沉积法中的任意一种方法在所述掺磷多晶硅层表面沉积形成第二氧化层。

6.根据权利要求2或4所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述去除在所述磷扩散过程中形成的磷硅玻璃层，包括：

用配制好的混合酸酸洗所述N型半导体衬底背面的磷硅玻璃层30s～60s，所述混合酸包括质量浓度为2％～10％的氢氟酸溶液与质量浓度为2％～10％的盐酸溶液；

将酸洗后的N型半导体衬底背面进行水洗、烘干处理。

7.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池由权利要求1至6任一项所述的太阳能电池制备方法得到，所述太阳能电池包括由上至下依次排布的第一电极、第一钝化层、硼扩散层、半导体衬底、第一氧化层、掺磷多晶硅层、第二氧化层、第二钝化层、第二电极。