CN114784142A

CN114784142A - P型背接触太阳电池及其制备方法

Info

Publication number: CN114784142A
Application number: CN202210414997.XA
Authority: CN
Inventors: 范建彬; 孟夏杰; 邢国强
Original assignee: Tongwei Solar Meishan Co Ltd
Current assignee: Tongwei Solar Chengdu Co Ltd
Priority date: 2022-04-20
Filing date: 2022-04-20
Publication date: 2022-07-22
Also published as: US20250160033A1; AU2022454569A1; EP4513575A4; WO2023202132A1; EP4513575A1

Abstract

本发明提供了一种P型背接触太阳电池及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：提供P型硅片，P型硅片具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；在P型硅片的第一表面上依次沉积氧化层、掺杂非晶硅膜层和氧化硅掩模层，氧化层的厚度为0.5nm～2.5nm；去除绕镀于第二表面上的氧化层、掺杂非晶硅膜层和氧化硅掩模层。该制备方法在P型硅片的第一表面上沉积氧化层、掺杂非晶硅膜层和氧化硅掩模层之后，将绕镀于第二表面上的氧化层和掺杂非晶硅膜层进行去除，可以一步有效地提高电池片正面的绒面均匀性，改善电池正面外观；从而提高P型背接触太阳电池的电池效率和产品良率。

Description

P型背接触太阳电池及其制备方法

技术领域

本发明涉及太阳电池生产技术领域，特别是涉及一种P型背接触太阳电池及其制备方法。

背景技术

背接触电池，即back contact电池，其中指状交叉背接触太阳电池又称为IBC(Interdigitated back contact)电池。IBC电池最大的特点是PN结区或类PN结区以及金属电极都处于电池的背面，电池正面没有金属电极遮挡的影响。

由于IBC电池的上述结构特点，使得其具有更高的短路电流Jsc，同时背面可以容许较宽的金属栅线来降低串联电阻Rs从而提高了填充因子FF，并且，这种正面无遮挡的电池不仅转换效率高，而且看上去也更加美观。因此，IBC电池已成为目前实现高效晶体硅电池的技术方向之一。

然而，目前的P型背接触电池在制绒后电池片的正面容易出现绒面不均匀、正面外观不良等情况。而背接触电池属于外观型电池产品，正面外观不良会极大地影响产品的良率；正面绒面不均匀也会导致局部反射率偏高，影响电池电流，从而影响电池效率。

发明内容

基于此，有必要针对制绒后电池片的正面绒面不均匀、正面外观不良的问题，提供一种能够提高电池片正面绒面均匀性、改善电池正面外观的P型背接触太阳电池及其制备方法。

为解决上述技术问题，本发明提出的技术方案如下：

根据本发明的一个方面，提供了一种P型背接触太阳电池的制备方法，包括如下步骤：

提供P型硅片，所述P型硅片具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

在所述P型硅片的第一表面上依次沉积氧化层、掺杂非晶硅膜层和氧化硅掩模层，所述氧化层的厚度为0.5nm～2.5nm；及

去除绕镀于所述第二表面上的所述氧化层、所述掺杂非晶硅膜层和所述氧化硅掩模层。

在其中一些实施例中，采用含有氢氟酸和硝酸的混合溶液，去除绕镀于所述第二表面上的所述氧化层和所述掺杂非晶硅膜层。

在其中一些实施例中，去除绕镀于所述第二表面上的所述氧化层、所述掺杂非晶硅膜层和所述氧化硅掩模层，包括如下步骤：

在所述P型硅片的所述第一表面上覆盖保护膜，使所述第二表面与所述含有氢氟酸和硝酸的混合溶液接触对所述第二表面进行刻蚀，以除去所述第二表面上的所述氧化层、所述掺杂非晶硅膜层和所述氧化硅掩模层。

在其中一些实施例中，在所述P型硅片的第一表面上沉积所述氧化层、所述掺杂非晶硅膜层和所述氧化硅掩模层之后，所述制备方法还包括如下步骤：

采用所述含有氢氟酸和硝酸的混合溶液将绕镀于所述P型硅片侧面的所述氧化层、所述掺杂非晶硅膜层和所述氧化硅掩模层去除。

在其中一些实施例中，所述含有氢氟酸和硝酸的混合溶液中，氢氟酸的体积占比为10％～30％，硝酸的体积占比为50％～80％。

在其中一些实施例中，所述含有氢氟酸和硝酸的混合溶液中，还包含体积占比为10％～25％的硫酸。

在其中一些实施例中，通过离子体增强化学气相沉积、热氧或链氧的方式在所述第一表面上沉积所述氧化层，然后采用离子体增强化学气相沉积在所述氧化层上依次沉积所述掺杂非晶硅膜层和所述氧化硅掩模层。

在其中一些实施例中，所述氧化层为氧化硅膜层，所述氧化层的厚度为0.5nm～2.5nm。

在其中一些实施例中，所述掺杂非晶硅膜层的厚度为30nm～300nm。

在其中一些实施例中，所述氧化硅掩模层的厚度为10nm～100nm。

在其中一些实施例中，在去除绕镀于所述第二表面上的所述氧化层、所述掺杂非晶硅膜层和所述氧化硅掩模层去除之前，所述制备方法还包括对所述P型硅片进行加热退火的步骤；所述加热退火的温度为800℃～950℃，加热退火时间为30min～50min，以使在最外侧形成氧化硅的掩膜。

在其中一些实施例中，在去除绕镀于所述第二表面上的所述氧化层、所述掺杂非晶硅膜层和所述氧化硅掩模层之后，所述制备方法还包括对所述第二表面进行单面制绒的步骤。

在其中一些实施例中，在对所述第二表面进行单面制绒之后，所述制备方法还包括对所述第二表面进行热氧化的步骤。

在其中一些实施例中，在对所述第二表面进行热氧化之后，所述制备方法还包括如下步骤：

采用激光对所述第一表面上的所述氧化硅掩模层进行图案化处理，以将部分区域的所述氧化硅掩模层去除形成图案化区域。

在其中一些实施例中，在形成所述图案化区域之后，所述制备方法还包括如下步骤：

利用碱溶液对所述P型硅片进行刻蚀处理，以去除所述图案化区域内的所述氧化层和所述掺杂多晶硅膜层。

在其中一些实施例中，所述碱溶液为含有单面制绒添加剂的碱溶液，所述浸泡处理的温度为60℃～85℃，所述浸泡处理的时间为300s～550s。

在其中一些实施例中，在利用碱溶液对所述第一表面和所述第二表面进行浸泡处理之后，所述制备方法还包括如下步骤：

在所述P型硅片的所述第一表面上和所述第二表面上分别沉积钝化膜层；及

在所述第一表面上和所述第二表面上的所述钝化膜层上分别沉积减反射膜层。

在其中一些实施例中，所述钝化膜层为氧化铝膜层，所述钝化膜层的厚度为2nm～25nm。

在其中一些实施例中，所述减反射膜层为氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的任意一种膜层或者多种的组合膜层，所述减反射膜层的厚度为50nm～150nm。

在其中一些实施例中，在沉积形成所述减反射膜层之后，所述制备方法还包括如下步骤：

利用激光对所述第一表面上的所述图案化区域进行图案化开孔，去除开孔处的所述钝化膜层和所述减反射膜层形成电极接触区；及

在所述电极接触区内和所述掺杂多晶硅膜层内注入电极浆料，分别形成第一电极和第二电极。

根据本发明的另一方面，提供了一种P型背接触太阳电池，所述P型背接触太阳电池通过本发明上述的制备方法制备得到。

与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：

上述的制备方法，在P型硅片的第一表面上沉积超薄的氧化层、掺杂非晶硅膜层和氧化硅掩模层之后，将绕镀于第二表面上的氧化层、掺杂非晶硅膜层和氧化硅掩模层去除，可以有效地提高电池片正面的绒面均匀性，改善电池正面外观；从而提高P型背接触太阳电池的电池效率和产品良率。

另外，等离子体增强化学气相沉积在氧化层上依次沉积掺杂非晶硅膜层和氧化硅掩模层，并对P型硅片进行加热氧化，使掺杂非晶硅膜层向多晶硅转化，形成掺杂多晶硅膜层，同时使氧化硅掩模层致密化，增强其耐碱性，提高氧化硅掩模层在后续制绒工序中对PN结区域的保护作用，从而延长后续制绒工序的时间窗口。通过等离子体增强化学气相沉积单独制备氧化硅掩模层，可以更加方便控制掩模层的厚度，因为该膜层的沉积是通过外部硅源气体(如硅烷)和外部氧源气体(如笑气)反应生成，可以根据耐碱性要求制备合适厚度的掩模层；氧化硅掩模层经过加热氧化处理，可以提高其致密度，进而提高其耐碱性能。

附图说明

图1为本发明一实施例所制备的P型背接触太阳电池的结构示意图；

图2为图1的仰视图；

图3为P型硅片的结构示意图；

图4为氧化层、掺杂非晶硅膜层和氧化硅掩模层绕镀到P型硅片侧面和正面的结构示意图；

图5为P型硅片进行单面制绒后且未去除掩模层的结构示意图；

图6为P型硅片进行单面制绒且去除掩模层后的结构示意图；

图7为P型硅片进行热氧化后的结构示意图；

图8为对氧化硅掩模层进行图案化处理后的仰视图；

图9为对P型硅片进行刻蚀并去除氧化硅掩模层后的结构示意图；

图10为对图案化区域开孔后的仰视图。

附图标记说明：

10、P型硅片；11、第一表面；12、第二表面；21、氧化层；22、掺杂非晶硅膜层；23、氧化硅掩模层；30、掺杂多晶硅膜层；40、图案化区域；50、钝化膜层；60、减反射膜层；70、电极接触区；80、第一电极；90、第二电极；100、P型背接触太阳电池。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。除非另有特别说明，本发明中用到的各种原材料、试剂、仪器和设备等均可通过市场购买得到或者可通过现有方法制备得到。

本发明一实施方式提供了一种P型背接触太阳电池100的制备方法，该P型背接触太阳电池100的结构示意图如图1和图2所示。该制备方法包括如下步骤S100至步骤S800。

步骤S100：提供P型硅片10，该P型硅片10具有第一表面11和与第一表面11相对的第二表面12。P型硅片10的结构如图3所示。

P型硅片10的第一表面11和第二表面12中，其中一个表面为P型背接触太阳电池100的受光面(正面)，另一个表面为P型背接触太阳电池100的背光面(背面)。在其中一些实施例中，以P型硅片10的第一表面11作为背面，以第二表面12作为正面，PN结区及金属电极均设置在第一表面11。

在其中一些实施例中，还对该P型硅片10进行去损伤处理、抛光处理和清洗处理，以使P型硅片10的表面清洁平整，利于进行后续的镀膜工序。其具体流程如下：使用60℃左右的含有KOH的溶液对P型硅片10的表面进行去损伤处理；然后在75℃左右条件下使用含有KOH的溶液对P型硅片10进行抛光处理，使抛光后的P型硅片10表面反射率达到30％。

步骤S200：在P型硅片10的第一表面11上形成氧化层21、掺杂非晶硅膜层22和氧化硅掩模层23。

由P型硅片10的第一表面11向外依次设置有氧化层21、掺杂非晶硅膜层22和氧化硅掩模层23。其中，氧化层21为一层紧靠第一表面11设置的超薄的氧化硅膜层，该氧化层21的厚度为0.5nm～2.5nm。掺杂非晶硅膜层22为磷掺杂的非晶硅膜层。掺杂非晶硅膜层22的厚度为30nm～300nm，优选为100nm～150nm。氧化硅掩模层23的厚度为10nm～100nm，优选为20nm～50nm。

在其中一些实施例中，氧化层21、掺杂非晶硅膜层22和氧化硅掩模层23通过如下方法制备得到：先通过PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积)、热氧或链氧的方式在P型硅片10的第一表面11上生长氧化层21，然后通过PECVD在氧化层21上依次生长掺杂非晶硅膜层22和氧化硅掩模层23。

步骤S300：对P型硅片10进行高温退火。退火温度为800℃～950℃，退火时间为30min～50min。通过上述高温退火步骤，可以使掺杂非晶硅膜层22发生晶化，形成掺杂多晶硅；并且可以使氧化硅掩模层23致密化，增加其耐碱腐蚀性。

本发明采用等离子体增强化学气相沉积在氧化层21上依次沉积掺杂非晶硅膜层22和氧化硅掩模层23，并对P型硅片10进行加热退火，使掺杂非晶硅膜层22向多晶硅转化，形成掺杂多晶硅膜层30，同时使氧化硅掩模层23致密化，增强其耐碱性，提高氧化硅掩模层23在后续制绒工序中对PN结区域的保护作用，从而延长后续制绒工序的时间窗口。

通过等离子体增强化学气相沉积单独制备氧化硅掩模层23，可以更加方便控制氧化硅掩模层23的厚度。由于氧化硅掩模层23的沉积是通过外部硅源气体(如硅烷)和外部氧源气体(如笑气)反应生成，所以可以根据耐碱性要求制备合适厚度的掩模层。

步骤S400：采用含有氢氟酸(HF)和硝酸(HNO₃)的混合溶液将绕镀于第二表面12上的氧化层21、掺杂非晶硅膜层22和氧化硅掩模层23去除。

在背接触太阳电池的制备过程中，无论采用PECVD还是LPCVD来沉积形成氧化层21、掺杂非晶硅膜层22和氧化硅掩模层23，在电池的侧面和正面(第二表面12)的四周边缘处难以避免地均会有氧化层21、掺杂非晶硅膜层22和氧化硅掩模层23的绕镀(如图4所示)。电池正面的绕镀，会导致制绒后电池片的正面绒面不均匀、正面外观不良等情况。而背接触电池属于外观型电池产品，其正面外观不良会极大地影响产品的良率；正面绒面不均匀也会导致电池正面的局部反射率偏高，影响电池电流，从而影响电池效率。

在本发明中，在P型硅片10上沉积形成氧化层21、掺杂非晶硅膜层22和氧化硅掩模层23之后，采用含有氢氟酸和硝酸的混合溶液对绕镀于第二表面12上的氧化层21、掺杂非晶硅膜层22和氧化硅掩模层23进行去除，从而保证在制绒前第二表面12的“表面状态”一致，从而保证第二表面12的制绒绒面均匀性，即第二表面12的金字塔大小、高度、密度等一致，达到改善电池正面外观的目的；从而提高电池效率和产品良率。

具体来说，采用含有氢氟酸和硝酸的混合溶液对P型硅片10的第二表面12进行水平链式刻蚀。先在P型硅片10的第一表面11上覆盖保护膜(如水膜)，然后使第二表面12朝下与滚轮旋转带出的刻蚀液(上述的混合溶液)接触进行刻蚀，从而除去第二表面12上绕镀的氧化层21、掺杂非晶硅膜层22和氧化硅掩模层23。去除完毕后对P型硅片10进行水洗，然后弱碱中和，再水洗，最后酸洗烘干。通过上述方法，可以将绕镀于第二表面12上的氧化层21、掺杂非晶硅膜层22和氧化硅掩模层23很好地去除，提高电池片正面的绒面均匀性，改善电池正面外观。

在其中一些实施例中，所采用的含有氢氟酸和硝酸的混合溶液中，氢氟酸的体积占比为10％～30％，硝酸的体积占比为50％～80％。采用该浓度的混合溶液，能够一步很好地将第二表面12上绕镀的氧化层21、掺杂非晶硅膜层22和氧化硅掩模层23去除。

其他类型的电池一般不采用硝酸来去除绕镀，其原因主要在于：其他类型的电池通常采用前制绒工艺，绕度层附在另一侧的(一般为背面，非受光面)绒面结构上，为避免电池漏电以及非受光面为平面的电池设计需要将绕镀层和该面的绒面一并去除，所以刻蚀深度一般较厚，在3μm左右，如果采用硝酸去除绕镀硝酸的用量会很大，成本很高。而本发明的背接触太阳电池采用后制绒工艺，第二表面12上没有制绒，绕度层一般只有300nm左右，硝酸的用量较小，其浓度也可以进一步降低，有利于降低成本。采用含有氢氟酸和硝酸的混合溶液去除绕镀，硝酸具有强氧化性，其作用在于和硅反应生成氧化硅，而氢氟酸的作用在于去除生成的氧化硅，从而达到抛光的作用。

具体地，所用的氢氟酸溶液的质量分数为49％，硝酸质量分数为69％。如水/氢氟酸/硝酸的体积配比可以为1：2：7。在该刻蚀液中，还可以通过增加部分浓硫酸来降低硝酸的用量，同时改善刻蚀的均匀性，硫酸体积比可控制在10％～25％，浓硫酸的质量分数为69％；如水/氢氟酸/硝酸/浓度硫酸的体积配比可以为1：2：6：1。硝酸/浓硫酸的作用为氧化，氢氟酸的作用为刻蚀(和氧化硅反应)。

在P型硅片10的第一表面11上沉积氧化层21、掺杂非晶硅膜层22和氧化硅掩模层23时，难以避免地也会在P型硅片10的侧面绕镀氧化层21、掺杂非晶硅膜层22和氧化硅掩模层23，也会对电池的性能造成影响。本发明中，进一步地在P型硅片10的第一表面11上沉积氧化层21、掺杂非晶硅膜层22和氧化硅掩模层23之后，同样采用上述的含有氢氟酸和硝酸的混合溶液将绕镀于P型硅片10侧面的氧化层21、掺杂非晶硅膜层22和氧化硅掩模层23进行去除。其具体的去除方法可以与去除第二表面12上的氧化层21、掺杂非晶硅膜层22和氧化硅掩模层23类似。

步骤S500：对P型硅片10的第二表面12进行槽式单面制绒。

槽式单面制绒所采用的制绒药液为含有单面制绒添加剂的碱溶液，碱溶液为一元强碱，如NaOH，其体积占比为1％～3％，制绒浸泡处理的温度为60℃～85℃，制绒浸泡处理的时间为300s～550s。该单面制绒添加剂中存在的有机基团可以吸附在第一表面11的氧化硅掩模层23上形成阻断，从而对非制绒面(第一表面11)形成保护，实现单面制绒。该单面制绒添加剂可以采用市售产品。碱溶液中单面制绒添加剂的体积占比为0.5％～1.5％。

通过单面制绒可以在正面(第二表面12)形成金字塔状的织构化表面，金字塔高度为0.5μm～3μm，制绒后对样品进行碱清洗、去离子水清洗、酸清洗、去离子水清洗，最后烘干。若酸清洗使用不包含氢氟酸的溶液，如盐酸，则会保留第一表面11上的氧化硅掩模层23(如图5所示)；若酸清洗使用包含氢氟酸的溶液，则不会保留第一表面11上的氧化硅掩模层23，氧化硅掩模层23会被氢氟酸去除(如图6所示)。

步骤S600：对第二表面12进行热氧化。热氧化温度为700℃～900℃，热氧化时间为10min～40min。热氧化的主要目的在于在第二表面12上形成氧化硅。通过热氧化形成的氧化硅可对第二表面12的绒面结构进行保护，使该绒面结构不会在后续的刻蚀/抛光工序中被破坏。生成的热氧化硅厚度在1nm～10nm。若S500的酸洗包含氢氟酸溶液，则S600的热氧化需要双面氧化，若S500的酸洗不包含氢氟酸，则S600的热氧化仅需要对第二表面12进行氧化(如图7所示，图7中第二表面12的绒面上的膜层为热氧化后形成的氧化硅)。

步骤S700：采用激光对第一表面11上的氧化硅掩模层23进行图案化处理，以将部分区域的氧化硅掩模层23去除形成图案化区域40。图案化处理后的结构如图8所示。

在进行热氧化之后，本发明采用激光对第一表面11上的氧化硅掩模层23进行图案化处理，去除掉第一表面11上部分区域的氧化硅掩模层23，从而形成图案化区域40。该图案化区域40用于制备与P型硅片10直接相连的电极。图案化区域40的宽度为300μm～500μm。

步骤S800：对图案化区域40内的掺杂多晶硅膜层30和氧化层21进行刻蚀。

将图案化处理后的电池片在槽体中进行浸润式刻蚀，电池正面有氧化硅保护，电池背面的N型区域有氧化硅保护，背面图案化区域40被激光处理(氧化硅或被激光和硅作用高温气化，或被激光破坏了其共价键的完成性等)变得易被刻蚀液反应。刻蚀液中主要包括一元强碱，如NaOH，其体积占比一般为3％～10％，市售抛光添加剂，其体积占比为0.5％～2％，刻蚀温度50℃～85℃，刻蚀时间200s～500s。刻蚀后样品经碱清洗、去离子水清洗、酸清洗(含氢氟酸，以便去除正面以及背面N区的氧化硅掩模层23)、去离子水清洗和烘干。刻蚀后的结构如图9所示。

步骤S900：分别在P型硅片10的第一表面11上和第二表面12上沉积钝化膜层50；然后在第一表面11上和第二表面12上的钝化膜层50上沉积减反射膜层60。通过设置钝化膜层50和减反射膜层60可以分别起到钝化作用和减少电池片反射率的作用。

在其中一个实施例中，钝化膜层50为通过ALD(原子层沉积)方法生长的氧化铝膜层，该钝化膜层50的厚度为2nm～25nm；减反射膜层60为氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的任意一种膜层或者多种的组合膜层，该减反射膜层60的厚度为50nm～150nm。

步骤S1000：利用激光对P型硅片10的第一表面11上的图案化区域40进行图案化开孔，以去除开孔处的钝化膜层50和减反射膜层60形成电极接触区70；利用激光对P型硅片10的第一表面11上的图案化区域40以外的区域进行图案化开孔，以去除开孔处的钝化膜层50和减反射膜层60形成；然后在电极接触区70内和掺杂多晶硅膜层30内注入电极浆料，分别形成第一电极80和第二电极90。对图案化区域40开孔后的结构如图10所示。

开孔时只需要对图案化区域40的副栅下方的局部接触部分开膜，N型区域(图案化区域40以外的区域)无需开膜。因为第一电极80使用的浆料一般为非烧穿型浆料，即高温下不能烧穿钝化膜层50和减反射膜层60；而N型区域使用的浆料为烧穿型。

其中，第一电极80与P型硅片10直接连接，第二电极90与第一表面11上的图案化区域40以外区域的掺杂多晶硅膜层30直接连接。在其中一些实施例中，第一电极80为铝栅线电极，第一电极80的宽度为50μm～200μm；第二电极90为银栅线电极，第二电极90的宽度为10μm～50μm。

具体地，利用激光对图案化区域40进行图案化开孔时，使开孔区域呈虚线或者点状分布，开孔宽度为30μm～50μm，即电极接触区70的宽度为30μm～50μm。可以采用丝网印刷的方式在电极接触区70内和内，形成包含导电成分的电极浆料层，分别作为第一电极80和第二电极90。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims

1.一种P型背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的P型背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，采用含有氢氟酸和硝酸的混合溶液，去除绕镀于所述第二表面上的所述氧化层、所述掺杂非晶硅膜层和所述氧化硅掩模层。

3.根据权利要求2所述的P型背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，去除绕镀于所述第二表面上的所述氧化层、所述掺杂非晶硅膜层和所述氧化硅掩模层，包括如下步骤：

在所述P型硅片的所述第一表面上覆盖保护膜，使所述第二表面与所述含有氢氟酸和硝酸的混合溶液接触对所述第二表面进行刻蚀，以去除绕镀于所述第二表面上的所述氧化层、所述掺杂非晶硅膜层和所述氧化硅掩模层。

4.根据权利要求2所述的P型背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，所述含有氢氟酸和硝酸的混合溶液中，氢氟酸的体积占比为10％～30％，硝酸的体积占比为50％～80％。

5.根据权利要求4所述的P型背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，所述含有氢氟酸和硝酸的混合溶液中，还包含体积占比为10％～25％的硫酸。

6.根据权利要求1至5任一项所述的P型背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，通过离子体增强化学气相沉积、热氧或链氧的方式在所述第一表面上沉积所述氧化层，然后采用离子体增强化学气相沉积在所述氧化层上依次沉积所述掺杂非晶硅膜层和所述氧化硅掩模层。

7.根据权利要求1至5任一项所述的P型背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，在去除绕镀于所述第二表面上的所述氧化层、所述掺杂非晶硅膜层和所述氧化硅掩模层之前，所述制备方法还包括对所述P型硅片进行加热退火的步骤，以使所述掺杂非晶硅膜层转化为掺杂多晶硅膜层，并使所述氧化硅掩模层致密化；

所述加热退火的温度为800℃～950℃，加热退火时间为30min～50min。

8.根据权利要求7所述的P型背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，在去除绕镀于所述第二表面上的所述氧化层、所述掺杂非晶硅膜层和所述氧化硅掩模层之后，所述制备方法还包括对所述第二表面进行单面制绒的步骤。

9.根据权利要求8所述的P型背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，在对所述第二表面进行单面制绒之后，所述制备方法还包括对所述第二表面进行热氧化的步骤。

10.根据权利要求9所述的P型背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，在形成所述图案化区域之后，所述制备方法还包括如下步骤：

11.一种P型背接触太阳电池，其特征在于，所述P型背接触太阳电池通过权利要求1至10任一项所述的制备方法制备得到。