CN117164567A - 一种含咔唑的三芳胺化合物及其有机电致发光器件 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种含咔唑的三芳胺化合物及其有机电致发光器件，涉及有机电致发光材料技术领域。本发明式1的含咔唑的三芳胺化合物具有较好的空穴迁移率、较好的稳定性以及较匹配的能级，将其作为空穴传输材料用于有机电致发光器件中，器件表现出优异的性能，具体为驱动电压较低、发光效率较高、使用寿命较长，是一种性能良好的有机电致发光材料。

Description

一种含咔唑的三芳胺化合物及其有机电致发光器件

技术领域

本发明涉及有机电致发光材料技术领域，具体涉及一种含咔唑的三芳胺化合物及其有机电致发光器件。

背景技术

有机电致发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)又称为有机电致发光器件，与其他显示技术相比，OLED具有更加优异的特性，如自发光、响应速度快、功耗低、宽视角、高分辨率、高对比度、超薄超轻、可实现柔性显示等。基于上述优点，OLED被广泛的运用于手机、电脑、电视、智能可穿戴设备、虚拟现实(VR)、车载显示等。

OLED多采用夹层式的三明治结构，即有机功能层被夹在器件两侧的阳极和阴极之间。OLED结构从最初的单层器件结构到多层器件结构，从简单的主体发光结构到主客体发光结构，OLED的结构虽然变得更加的复杂，但是各层的功能却越来越明确。当施加电流时，阴极注入电子，阳极注入空穴。电子和空穴会穿过各个层相向运动，最终在发光层相遇并结合，将能量以光子的形式释放出来。

OLED中的有机功能层主要包括：空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层以及覆盖层等。其中，空穴传输层在OLED中占据了重要的位置，其基本作用是提高空穴在器件中的传输效率。

然而，目前所用的空穴传输材料大多具有较大的缺陷，导致OLED出现驱动电压升高、发光效率降低以及使用寿命减少等问题。因此，研发出性能较好的空穴传输材料成为研究的重点。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，本发明提供了一种含咔唑的三芳胺化合物及其有机电致发光器件。

本发明提供了一种含咔唑的三芳胺化合物，由下述式1表示，

所述Ar选自式1-a所示的基团，

所述X选自O、S、N(R_x)或者C(R_x)₂，所述R_x相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C3～C20的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C20的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种；

所述环A选自取代或未取代的6～30元的芳环、取代或未取代的6～30元的含氮杂芳环中的一种，且环A不为取代或未取代的

所述m₁选自0～2的整数，所述R₁相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、F、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C3～C20的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C20的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R₁相互键合形成取代或未取代的环；

所述Ar₁、Ar₂独立的选自式1-a、如下所示基团中的一种或者其组合，

所述e₁选自0～5的整数，所述e₂选自0～4的整数，所述每个R₂、R₂₀相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C3～C20的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C20的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R₂、相邻两个R₂₀相互键合形成取代或未取代的环；

所述R₀相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C3～C20的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C20的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R₀相互键合形成取代或未取代的环；

所述E选自N或者CH，且至少含有一个N；

所述L₁、L₂、L₃、L₄独立的选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C2～C30的亚杂芳基、取代或未取代的C3～C20的脂环与C6～C30的芳环的亚稠合环基中的一种；

所述n₁选自0～3的整数，所述n₂选自0～4的整数，所述R相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C3～C20的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C20的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R相互键合形成取代或未取代的环。

另外，本发明还提供了一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件含有上述本发明的含咔唑的三芳胺化合物。

有益效果：本发明式1的含咔唑的三芳胺化合物具有较好的空穴迁移率、较好的稳定性以及较匹配的能级，将其作为空穴传输材料用于有机电致发光器件中，器件表现出优异的性能，具体为驱动电压较低、发光效率较高、使用寿命较长，是一种性能良好的有机电致发光材料。

具体实施方式

下面结合具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所要求保护的范围内。

在本说明书的化合物中，未指定为特定同位素的任何原子被包括作为该原子的任何稳定同位素，并且包含处于其天然同位素丰度与非天然丰度两者的原子。本发明中，“H”、“氢”、“氢原子”是指中子数不同的同位素，包括氕、氘、氚。

在本说明书中，所述的卤素包括氟、氯、溴、碘。

在本说明书中，当取代基在环上的位置不固定时，表示其可连接于所述环的相应可选位点中的任一个。例如，可表示可表示可表示 以此类推。

在本说明书中，“相邻两个基团键合成环”是指通过相邻的基团彼此结合并任选地芳构化以形成取代或未取代的烃环或者取代或未取代的杂环。烃环可以为脂肪族烃环或芳族烃环。杂环可包括脂肪族杂环或芳族杂环。所述脂肪族烃环可以为饱和脂肪族烃环也可以为不饱和脂肪族烃环，所述脂肪族杂环可以为饱和脂肪族杂环也可以为不饱和脂肪族杂环。烃环和杂环可为单环或者多环基团。另外，通过相邻的基团结合形成的环可与另一个环连接以形成螺结构。如下所示例：

在本说明书中，连接形成的环可以为三元环、四元环、五元环、六元环、七元环、八元环、稠合环等，例如环丙烷、环丁烷、环戊烷、环己烷、环庚烷、环戊烯、环己烯、金刚烷、降冰片烷、苯、萘、菲、三亚苯、吡啶、嘧啶、喹啉、异喹啉、喹唑啉、喹喔啉、芴、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑等，但不限于此。

在本说明书中，所述“选自0～M的整数”是指所述值选自0～M的整数中的任意一个，包括0，1，2…M-2，M-1，M。例如，所述的“n1选自0～3的整数”是指n1选自0，1，2或者3。以此类推。

在本说明书中，“取代或未取代的ZZ基”中的“未取代ZZ基”表示“ZZ基”的氢原子未被取代基替代。例如，“取代或未取代的C6～C60的芳基”中“未取代的芳基”是指“芳基”的氢原子未被取代基替代。以此类推。

在本说明书中，“取代或未取代的CXX～CYY的ZZ基”中的“CXX～CYY”表示未取代的“ZZ基”中的碳原子数，“ZZ基”具有取代基时，不包含取代基的碳原子数。例如，“取代或未取代的C6～C60的芳基”中的“C6～C60”表示未取代的“芳基”中的碳原子数，“芳基”具有取代基时，不包含取代基中的碳原子数。以此类推。

在本说明书中，所述“取代或未取代”中的“取代”表示基团上的至少一个氢原子被取代基所替换。当有多个氢被多个取代基替换时，所述多个取代基可以相同或者不同。上述被取代基所替换的氢的位置可以为任意位置。上述“取代或未取代”中的“取代”所代表的取代基包括如下所述基团，氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的C3～C15的杂环基、取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的C3～C15的环烷基、取代或未取代的C6～C20的芳基、取代或未取代的C2～C20的杂芳基、取代或未取代的C3～C15的脂环与C6～C20的芳环的稠合环基、取代或未取代的C3～C15的脂环与C2～C20的杂芳环的稠合环基等。优选如下所述基团：氘、氚、氰基、卤素、硝基、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、莰烷基、异莰烷基、葑烷基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、三亚苯基、蒽基、芘基、基、荧蒽基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、二氢茚基、四氢萘基、苯并环庚烷基、苯并环丁烯基、茚基、二氢萘基、芴基、苯并芴基、螺二芴基、苯并螺二芴基、苯并呋喃基、吡啶并呋喃基、萘并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、吡啶并噻吩基、萘并噻吩基、二苯并噻吩基、吲哚基、咔唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基等。此外，上述取代基中的每一个可以是取代或未取代的。两个相邻的取代基可以键合成环。

在本说明书中，所述“甲硅烷基”是指—Si(R_g)₃基团，其中每个R_g相同或不同的选自如下所述基团：氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C2～C60的杂芳基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C6～C60的芳环的稠合环基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C2～C60的杂芳环的稠合环基。优选的，每个R_g相同或不同的选自如下所述基团：氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的戊基、取代或未取代的己基、取代或未取代的环丙基、取代或未取代的环丁基、取代或未取代的环戊基、取代或未取代的环己基、取代或未取代的环庚基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的降冰片烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的二氢茚基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的四氢萘基、取代或未取代的二氢萘基、取代或未取代的苯并环丁烷基、取代或未取代的苯并环丁烯基、取代或未取代的苯并环丙烷基等，但不限于此。实例可包含三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、二甲基乙基甲硅烷基、二甲基异丙基甲硅烷基、二甲基叔丁基甲硅烷基、三环戊烷基甲硅烷基、三环己烷基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、三联苯基甲硅烷基、三吡啶基甲硅烷基等，但不限于此。

在本说明书中，所述烷基是指烷烃分子中少掉一个氢原子而成的烃基，所述烷基包含直链烷基和支链烷基。含有三个碳原子以上的链状烷基包含其异构体，如丙基包含正丙基、异丙基，丁基包含正丁基、仲丁基、异丁基和叔丁基，以此类推。所述烷基的示例可以包括甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基等，但不限于此。所述烷基的碳原子数为1至20个，优选1至15个，再优选1至10个。

在本说明书中，所述环烷基是指环烷烃分子中少掉一个氢原子而成的烃基，所述环烷基包括单环环烷基、多环环烷基以及桥环环烷基。所述环烷基的示例可以包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、金刚烷基、降冰片烷基、莰烷基等，但不限于此。所述环烷基的碳原子数为3至20个，优选3至15个，更优选3至10个。

在本说明书中，所述芳基是指芳香族化合物分子的芳核碳上去掉一个氢原子后剩下一价基团的总称。所述芳基包含单环芳基、多环芳基、稠环芳基或其组合。所述芳基的示例可以包括苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、萘基、菲基、三亚苯基、蒽基、芘基、苝基、基、荧蒽基、芴基、苯并芴基、螺二芴基、苯并螺二芴基等，但不限于此。所述芳基的碳原子数为6至30个，优选6至25个，优选6至18个，再优选6至12个。

在本说明书中，所述杂芳基是指芳基中的一个或者多个碳原子被杂原子替代得到的基团的总称，所述杂原子包括氧、硫、氮、磷、硼、硅等原子，但不限于此。所述杂芳基包含单环杂芳基、稠环杂芳基或其组合。所述杂芳基的示例可以包括苯并呋喃基、萘并呋喃基、菲并呋喃基、三亚苯并呋喃基、蒽并呋喃基、吡啶并呋喃基、嘧啶并呋喃基、吡嗪并呋喃基、哒嗪并呋喃基、三嗪并呋喃基、喹啉并呋喃基、异喹啉并呋喃基、喹唑啉并呋喃基、喹喔啉并呋喃基、氮杂菲并呋喃基、氮杂蒽并呋喃基、氮杂三亚苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、萘并噻吩基、菲并噻吩基、三亚苯并噻吩基、蒽并噻吩基、吡啶并噻吩基、嘧啶并噻吩基、吡嗪并噻吩基、哒嗪并噻吩基、三嗪并噻吩基、喹啉并噻吩基、异喹啉并噻吩基、喹唑啉并噻吩基、喹喔啉并噻吩基、氮杂菲并噻吩基、氮杂蒽并噻吩基、氮杂三亚苯并噻吩基、二苯并噻吩基、吲哚基、咔唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基等，但不限于此。所述杂芳基的碳原子数可以为2至30个，优选2至25个，再优选3至18个。

在本说明书中，所述脂环和芳环的稠合环基是指脂环与芳环稠合在一起后去掉一个氢原子，剩下一价基团的总称。所述脂环和芳环的稠合环基的示例可以包括苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环丁烯基、苯并环庚烷基、苯并环庚烯基、二氢茚基、茚基、四氢萘基、二氢萘基等，但不限于此。所述脂环的碳原子数为3至20个，优选3至15个，再优选3至10个。所述芳环的碳原子数为6至30个，优选6至25个，优选6至18个，再优选6至12个，更优选6至10个。

在本说明书中，所述亚芳基是指芳香族化合物分子的芳核碳上去掉两个氢原子后，剩下二价基团的总称。所述亚芳基包括单环亚芳基、多环亚芳基、稠环亚芳基或者其组合。所述亚芳基的示例可以包括亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、亚萘基、亚菲基、亚芴基、亚苯并芴基、亚螺二芴基等，但不限于此。所述亚芳基的碳原子数为6至30个，优选6至25个，优选6至18个，更优选6至10个。

在本说明书中，所述亚杂芳基是指亚芳基中的至少一个碳原子被杂原子取代的二价基团。所述杂原子选自氧、硫、氮、磷、硼、硅等，但不限于此。所述亚杂芳基包括单环亚杂芳基、多环亚杂芳基、稠环亚杂芳基或者其组合。所述亚杂芳基的示例可以包括亚吡啶基、亚嘧啶基、亚吡嗪基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚喹喔啉基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基等，但不限于此。所述亚杂芳基的碳原子数为2至30个，优选2至25个，再优选3至18个。

在本说明书中，所述脂环和芳环的亚稠合环基是指脂环与芳环稠合在一起后去掉两个氢原子，剩下二价基团的总称。所述脂环和芳环的亚稠合环基的示例可以包括亚二氢茚基、亚茚基、亚四氢萘基、亚二氢萘基、亚苯并环丙烷基、亚苯并环丁烷基、亚苯并环丁烯基等，但不限于此。所述脂环的碳原子数为3至20个，优选3至15个，优选3至10个。所述芳环的碳原子数为6至30个，优选6至25个，优选6至18个，优选6至12个，更优选6至10个。

本发明提供了一种含咔唑的三芳胺化合物，由下述式1表示，

所述Ar选自式1-a所示的基团，

所述X选自O、S、N(R_x)或者C(R_x)₂，所述R_x相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C3～C20的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C20的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种；

所述环A选自取代或未取代的6～30元的芳环、取代或未取代的6～30元的含氮杂芳环中的一种，且环A不为取代或未取代的

所述m₁选自0～2的整数，所述R₁相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、F、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C3～C20的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C20的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R₁相互键合形成取代或未取代的环；

所述Ar₁、Ar₂独立的选自式1-a、如下所示基团中的一种或者其组合，

所述e₁选自0～5的整数，所述e₂选自0～4的整数，所述每个R₂、R₂₀相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C3～C20的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C20的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R₂、相邻两个R₂₀相互键合形成取代或未取代的环；

所述R₀相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C3～C20的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C20的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R₀相互键合形成取代或未取代的环；

所述E选自N或者CH，且至少含有一个N；

所述L₁、L₂、L₃、L₄独立的选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C2～C30的亚杂芳基、取代或未取代的C3～C20的脂环与C6～C30的芳环的亚稠合环基中的一种；

所述n₁选自0～3的整数，所述n₂选自0～4的整数，所述R相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C3～C20的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C20的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R相互键合形成取代或未取代的环。

优选的，所述R₁中的芳基上的取代基选自如下所述基团：氢、氘、氚、氰基、F、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的C3～C15的环烷基、取代或未取代的C6～C25的芳基、取代或未取代的C2～C25的杂芳基、取代或未取代的C3～C15的脂环与C6～C25的芳环的稠合环基。

优选的，所述中的环A选自如下所示基团中的一种，

所述Y相同或不同的选自N或者C(R_y)，所述R_y选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C3～C20的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C20的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R_y相互键合形成取代或未取代的环；

且环A不为取代或未取代的

优选的，所述中的环A选自如下所示基团中的一种，

所述f₁选自0～4的整数，所述f₂选自0～3的整数，所述f₃选自0～2的整数，所述f₄选自0～6的整数，所述f₅选自0～5的整数，所述f₆选自0～8的整数，所述f₇选自0～7的整数；

所述R_y相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的C3～C15的环烷基、取代或未取代的C6～C25的芳基、取代或未取代的C2～C25的杂芳基、取代或未取代的C3～C15的脂环与C6～C25的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R_y相互键合形成取代或未取代的环。

优选的，所述R_x相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的戊基、取代或未取代的己基、取代或未取代的环丙烷基、取代或未取代的环丁烷基、取代或未取代的环戊烷基、取代或未取代的环己烷基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的降冰片烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苯并环丙烷基、取代或未取代的苯并环丁烷基、取代或未取代的苯并环丁烯基、取代或未取代的二氢茚基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的四氢萘基、取代或未取代的二氢萘基、取代或未取代的苯并环庚烷基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的苯并芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的苯并螺二芴基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的吲哚基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的哒嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基中的一种；

所述R₁相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、F、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的戊基、取代或未取代的己基、取代或未取代的环丙烷基、取代或未取代的环丁烷基、取代或未取代的环戊烷基、取代或未取代的环己烷基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的降冰片烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苯并环丙烷基、取代或未取代的苯并环丁烷基、取代或未取代的苯并环丁烯基、取代或未取代的二氢茚基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的四氢萘基、取代或未取代的二氢萘基、取代或未取代的苯并环庚烷基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的苯并芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的苯并螺二芴基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的吲哚基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的哒嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基中的一种；

所述R_y相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的戊基、取代或未取代的己基、取代或未取代的环丙烷基、取代或未取代的环丁烷基、取代或未取代的环戊烷基、取代或未取代的环己烷基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的降冰片烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苯并环丙烷基、取代或未取代的苯并环丁烷基、取代或未取代的苯并环丁烯基、取代或未取代的二氢茚基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的四氢萘基、取代或未取代的二氢萘基、取代或未取代的苯并环庚烷基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的苯并芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的苯并螺二芴基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的吲哚基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的哒嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基中的一种。

优选的，所述Ar₁、Ar₂独立的选自式1-a、如下所示基团中的一种或者其组合，

所述e₁选自0～5的整数，所述e₂选自0～4的整数，所述e₃选自0～7的整数，所述e₄选自0～9的整数，所述e₅选自0～3的整数，所述e₆选自0～2的整数，所述e₇选自0～6的整数，所述e₈选自0～8的整数，所述e₉选自0～10的整数；

所述每个R₂、R₂₀相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的C3～C15的环烷基、取代或未取代的C6～C25的芳基、取代或未取代的C2～C25的杂芳基、取代或未取代的C3～C15的脂环与C6～C25的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R₂、相邻两个R₂₀相互键合形成取代或未取代的环；

所述R_i相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的C3～C15的环烷基、取代或未取代的C6～C25的芳基、取代或未取代的C2～C25的杂芳基、取代或未取代的C3～C15的脂环与C6～C25的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R_i相互键合形成取代或未取代的环。

优选的，所述每个R₂、R₂₀相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的戊基、取代或未取代的己基、取代或未取代的环丙烷基、取代或未取代的环丁烷基、取代或未取代的环戊烷基、取代或未取代的环己烷基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的降冰片烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苯并环丙烷基、取代或未取代的苯并环丁烷基、取代或未取代的苯并环丁烯基、取代或未取代的二氢茚基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的四氢萘基、取代或未取代的二氢萘基、取代或未取代的苯并环庚烷基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的苯并芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的苯并螺二芴基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的吲哚基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的哒嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基中的一种，或者相邻两个R₂、相邻两个R₂₀相互键合形成取代或未取代的环；

所述R_i相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的戊基、取代或未取代的己基、取代或未取代的环丙烷基、取代或未取代的环丁烷基、取代或未取代的环戊烷基、取代或未取代的环己烷基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的降冰片烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的苯并环丙烷基、取代或未取代的苯并环丁烷基、取代或未取代的苯并环丁烯基、取代或未取代的二氢茚基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的四氢萘基、取代或未取代的二氢萘基、取代或未取代的苯并环庚烷基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的苯并芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的苯并螺二芴基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的吲哚基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的吡啶基中的一种，或者相邻两个R_i相互键合形成取代或未取代的环。

优选的，所述L₁、L₂、L₃、L₄独立的选自单键或者如下所示基团中的一种或者其组合，

所述k₁选自0～4的整数；

所述R₃相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的C3～C15的环烷基、取代或未取代的C6～C25的芳基、取代或未取代的C2～C25的杂芳基、取代或未取代的C3～C15的脂环与C6～C25的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R₃相互键合形成取代或未取代的环；

所述Z相同或不同的选自N或者CH，且至少含有一个N。

优选的，所述L₁、L₂、L₃、L₄独立的选自单键或者如下所示基团中的一种或者其组合，

所述k₁选自0～4的整数，所述k₂选自0～3的整数，所述k₃选自0～2的整数，所述k₄选自0～6的整数，所述k₅选自0～8的整数，所述k₆选自0～10的整数；

所述R₃相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的C3～C15的环烷基、取代或未取代的C6～C25的芳基、取代或未取代的C2～C25的杂芳基、取代或未取代的C3～C15的脂环与C6～C25的芳环的稠合环基中的一种；

所述R_j相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的C3～C15的环烷基、取代或未取代的C6～C25的芳基、取代或未取代的C2～C25的杂芳基、取代或未取代的C3～C15的脂环与C6～C25的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R_j相互键合形成取代或未取代的环。

优选的，所述R₃相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的戊基、取代或未取代的己基、取代或未取代的环丙烷基、取代或未取代的环丁烷基、取代或未取代的环戊烷基、取代或未取代的环己烷基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的降冰片烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苯并环丙烷基、取代或未取代的苯并环丁烷基、取代或未取代的苯并环丁烯基、取代或未取代的二氢茚基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的四氢萘基、取代或未取代的二氢萘基、取代或未取代的苯并环庚烷基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的苯并芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的苯并螺二芴基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的吲哚基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的哒嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基中的一种；

所述R_j相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的戊基、取代或未取代的己基、取代或未取代的环丙烷基、取代或未取代的环丁烷基、取代或未取代的环戊烷基、取代或未取代的环己烷基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的降冰片烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的苯并环丙烷基、取代或未取代的苯并环丁烷基、取代或未取代的苯并环丁烯基、取代或未取代的二氢茚基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的四氢萘基、取代或未取代的二氢萘基、取代或未取代的苯并环庚烷基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的苯并芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的苯并螺二芴基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的吲哚基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的吡啶基中的一种，或者相邻两个R_j相互键合形成取代或未取代的环。

优选的，所述R相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的戊基、取代或未取代的己基、取代或未取代的环丙烷基、取代或未取代的环丁烷基、取代或未取代的环戊烷基、取代或未取代的环己烷基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的降冰片烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苯并环丙烷基、取代或未取代的苯并环丁烷基、取代或未取代的苯并环丁烯基、取代或未取代的二氢茚基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的四氢萘基、取代或未取代的二氢萘基、取代或未取代的苯并环庚烷基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的苯并芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的苯并螺二芴基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的吲哚基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的哒嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基中的一种，或者相邻两个R相互键合形成取代或未取代的环。

优选的，所述式I的含咔唑的三芳胺化合物选自如下所示结构中的至少一种，

以上列举了本发明式1所示的含咔唑的三芳胺化合物的一些具体化学结构，但本发明不局限于所列的这些化学结构，凡是以式1所示结构为基础，取代基为如上所限定的基团都应包含在内。

另外，本发明还提供了一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件含有上述本发明的含咔唑的三芳胺化合物。

优选的，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及位于阳极和阴极之间的有机物层，所述有机物层含有上述本发明的含咔唑的三芳胺化合物。

优选的，所述有机物层包含空穴传输区域，所述空穴传输区域含有本发明所述的含咔唑的三芳胺化合物。

优选的，所述空穴传输区域包含空穴传输层，所述空穴传输层含有本发明所述的含咔唑的三芳胺化合物。

本发明的有机电致发光器件的功能层可以含有如下所述功能层中的至少一种，空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、覆盖层等。凡是具有空穴注入和/或传输性质的功能层、电子注入和/或传输性质的功能层、发光性质的功能层或者光取出性质的功能层都应包含在内。每个功能层可以由单层薄膜构成，也可以由多层薄膜构成，每一层薄膜可以仅由一种材料组成也可以由多种材料组成。

本发明对有机电致发光器件中的各层薄膜的材料没有特别的限定，可以使用本领域中已知的物质。下面对上述提到的有机电致发光器件的各有机功能层以及器件两侧的电极分别进行介绍：

阳极：本发明的阳极材料需要具有高功函数的材料，以便将空穴注入有机物层。阳极包含但不限于如下所述的材料，金属或其合金、金属氧化物、叠层材料等。具体实例可包括银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、镍(Ni)、氧化铟锡(ITO)、氧化锌铝(Al:ZnO)、氧化铟锡/银/氧化铟锡(ITO/Ag/ITO)等，但不限于此。

阴极：本发明的阴极材料需要具有较低的功函数，以便将电子注入有机物层。阴极包含但不限于如下所述的材料，金属或其合金、叠层材料等。具体实例可包括铝(Al)、银(Ag)、铅(Pb)、锡(Sn)、锶(Sr)、钐(Sm)、镁:银(Mg:Ag)、镱金(Yb:Au)等，但不限于此。

空穴注入层：本发明的空穴注入材料具有降低ITO表面粗糙度，减少器件内部缺陷，降低空穴注入势垒等作用。空穴注入材料包含但不限于如下所述材料，金属氧化物、酞菁类化合物、芳胺类化合物、含有多氰基的共轭有机材料等低分子有机化合物、高分子材料等，具体实例可包括氧化银(AgO)、五氧化二钒(V₂O₅)、酞菁铜(CuPc)、4,4',4”-三(N-(萘-1-基)-N-苯基-氨基)三苯胺(1-TNATA)、4,4',4”-三[2-萘基苯基氨基]三苯基胺(2-TNATA)、1,4,5,8,9,11-六氮杂苯甲腈(HAT-CN)、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)等，但不限于此，

空穴传输层：本发明的空穴传输材料具有提高空穴在器件中的传输效率并将电子阻挡在发光层内的作用。空穴传输层包含但不限于如下所述材料，芳胺衍生物、咔唑衍生物、聚合物等。具体实例可包括N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、N,N'-二(萘-2-基)-N,N'-二(苯基)联苯-4,4'-二胺(β-NPB)、4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、2,2,7,7-四(二苯基氨基)-9,9-螺二芴(Spiro-TAD)等。所述咔唑衍生物包括1,3,5-三(9-咔唑基)苯(TCB)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、聚(4-乙烯基三苯胺)(PVTPA)等，但不限于此。优选本发明式1的含咔唑的三芳胺化合物。

发光层：本发明的发光层，包含主体材料和掺杂材料，发光材料可为红色发光材料、绿色发光材料、蓝色发光材料或者其组合。主体材料和掺杂材料的掺杂比例，可根据所用的材料而不同，通常掺杂材料的掺杂比例为0.01％～20％，优选为0.1％～15％，更优选为1％～10％。

发光层的主体材料不但需要具备双极性的电荷传输性质，同时需要恰当的能级，将激发能量有效地传递到客体发光材料。主体材料可以为一种材料，也可以为两种以上的材料。主体材料包含但不限于如下所述材料，杂环类化合物，芳族胺化合物，稠合芳族环衍生物，金属配合物，含硅类化合物等，具体实例可包括2-(10-苯基蒽-9-基)二苯并[b,d]呋喃、2,7-双(9H-咔唑-9-基)-9,9-二甲基芴(DMFL-CBP)、2，7-双(二苯基磷酸基)-9，9'-螺二芴(SPPO13)、2,7-双(咔唑-9-基)-9,9-螺二芴(Spiro-2CBP)、3,5-双(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(35DCzPPy)、3,3'-双(二苯并噻吩-4-基)-1,1'-联苯(m-BPDBT)、3'-(二苯并噻吩-4-基)-10-苯基-10H-螺[吖啶-9,9'-芴](STDBT-4)、1,4-双(9-苯基-9H-芴-9-基)苯(pDPFB)、三(8-羟基喹啉)铝(Alq₃)、9-(4-叔丁基苯基)-3,6-双(三苯基硅基)-9H咔唑(CzSi)等，但不限于此。

掺杂材料可为荧光材料、磷光材料、TADF材料或者其组合。掺杂材料包含但不限于如下所述材料，金属配合物、芳族胺衍生物、苯乙烯胺化合物、稠合芳族化合物、杂环类化合物等。具体实例可包括三[2-(2,4-二氟苯基)吡啶]铱(Ir(Fppy)₃)、双(3,5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)铱(FIrPic)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)₂(acac))、三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)₃)、三[2-苯基-4-甲基喹啉)]铱(Ir(Mphq)₃)、三[2-(4-正己基苯基)喹啉)铱(Hex-Ir(phq)₃)、二(1-苯基-异喹啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(piq)₂(acac))、三(1-苯基-异喹啉)合铱(Ir(piq)₃)、N1,N6-双(6-(叔丁基)二苯并[b,d]呋喃-4-基)-N1,N6-二邻甲苯-1,6-二胺、1,4-双(4-(9H-咔唑-9-基)苯乙烯基)苯(BCzSB)、2,5,8,11-四叔丁基苝(TBPe)、9,10-双[N,N-二(对甲苯基)氨基]蒽(TTPA)、9,10-双[N-(间甲苯基)苯氨基]蒽(TPA)、4-(二氰基甲撑)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼啶-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(4-二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM)等，但不限于此。

空穴阻挡层：本发明的空穴阻挡层，可以将空穴阻挡在发光层内，提高电子和空穴的结合率。空穴阻挡层材料可包括咪唑衍生物、菲啰啉衍生物、三唑衍生物、稀土类络合物、噁唑衍生物、三嗪衍生物等，例如4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(BCP)、1,3,5-三(N-苯基-2-苯并咪唑)苯(TPBi)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlq)等，但不限于此。

电子传输层：本发明的电子传输材料具有提高电子在器件中的传输效率并将空穴阻挡在发光层内的作用。电子传输层包含但不限于如下所述材料，金属配合物、杂芳族化合物等。具体实例可包括8-羟基喹啉铝(Alq₃)、三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝(Almq)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑(PBD)、1,3,5-三(N-苯基-2-苯并咪唑)苯(TPBi)、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯基]苯(TmPyPB)等，但不限于此。

电子注入层：本发明的电子注入材料起到降低阴极和有机层之间的电子注入势垒，使电子有效的注入到有机层的作用。电子注入层材料包含但不限于如下所述材料，金属、金属化合物、金属氧化物等。具体实例可包括锂(Li)、氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、氧化锂(Li₂O)、氧化锂硼(LiBO₂)、碳酸铯(Cs₂CO₃)等，但不限于此。

对本发明有机电致发光器件中各层薄膜的制备方法没有特别限制，可以采用真空蒸镀法、溅射法、旋涂法、喷涂法、丝网印刷法、激光转印法等，但不限于此。

本发明的有机电致发光器件主要应用于信息显示技术领域和照明领域，在信息显示方面被广泛应用于各种信息显示，如手机、平板电脑、平板电视、智能手表、VR、车载系统、数码照相机、可穿戴设备等。

合成实施例

原料与试剂：本发明对以下合成实施例中所采用的原料或试剂没有特别的限制，可以为市售产品或采用本领域技术人员所熟知的制备方法制备得到。本发明所用的原料及试剂均为试剂纯。

仪器：G2-Si四极杆串联飞行时间高分辨率质谱仪(沃特斯公司，英国)；Vario ELcube型有机元素分析仪(Elementar公司，德国)。

对本发明式1所示的含咔唑的三芳胺化合物的制备方法没有特别限制，可以采用本领域的技术人员所熟知的常规方法。例如，碳碳偶联反应、碳氮偶联反应等，本发明式1所示的含咔唑的三芳胺化合物例如可以采用如下所示的合成路线进行制备。

所述Xn为卤素，例如Xn相同或不同的选自Cl、Br、I。

[合成实施例1]化合物7的合成

A-7的制备：在氮气保护下，向反应瓶中加入a-7(24.20g，120.00mmol)、b-7(23.64g，120.00mmol)、铜粉(11.44g，180.00mmol)、碳酸钾(49.76g，360.00mmol)、18-冠-6(2.54g，9.60mmol)和1,2-二氯苯(1.5L)、在回流的条件下搅拌10小时。反应结束后，先加入蒸馏水，然后用乙酸乙酯进行萃取，有机相用无水硫酸镁干燥，过滤，减压蒸馏浓缩滤液，用甲苯重结晶，得到A-7(27.84g，73％)；HPLC检测固体纯度≧99.79％。

B-7的制备：在氮气保护下，向反应瓶中加入A-7(25.42g，80.00mmol)、联硼酸频那醇酯(20.32g，80.00mmol)、(1,1'-双(二苯基膦基)二茂铁)二氯化钯(0.18g，0.24mmol)、醋酸钾(15.70g，160.00mmol)、DMF(400ml)，在回流的条件下搅拌9小时。反应结束后，冷却至室温，加入水，用二氯甲烷萃取，有机层用无水硫酸镁干燥，减压除去溶剂，用甲苯:甲醇＝5:1重结晶，得到B-7(26.52g，81％)；HPLC检测固体纯度≧99.85％。

C-7的制备：在氮气保护下，向反应瓶中加入B-7(24.56g，60.00mmol)、c-7(11.49g，60.00mmol)、四三苯基膦钯(0.69g，0.60mmol)、碳酸钾(12.44g，90.00mmol)、四氢呋喃(250ml)、水(100ml)，在回流的条件下搅拌7小时。反应结束后，冷却至室温，加入水，用二氯甲烷提取，有机层用无水硫酸镁干燥，减压除去溶剂，用甲苯：正己烷＝4:1重结晶，得到C-7(17.02g，72％)；HPLC检测固体纯度≧99.80％。

D-7的制备：在氮气保护下，向反应瓶中加入C-7(15.75g，40.00mmol)、d-7(3.80g，40.80mmol)、醋酸钯(0.07g，0.32mmol)、三叔丁基膦(0.13g，0.64mmol)、叔丁醇钠(4.61g，48.00mmol)以及甲苯(400ml)，在回流的条件下搅拌11小时，冷却至室温，加入水，用乙酸乙酯萃取，合并有机相，用无水硫酸镁干燥，减压除去溶剂，用乙酸乙酯/石油醚(4:1)重结晶，得到D-7(13.52g，75％)；HPLC纯度≥99.87％。

化合物7的制备：在氮气保护下，向反应瓶中加入D-7(9.01g，20.00mmol)、e-7(4.66g，20.00mmol)、叔丁醇钠(2.31g，24.00mmol)、三二亚苄基丙酮二钯(0.18g，0.20mmol)、三叔丁基膦(0.08g，0.40mmol)、甲苯(150ml)，在回流的条件下反应5小时。反应结束后，冷却至室温，加入水，分离有机相，用无水硫酸镁干燥，减压除去溶剂，粗产品用甲苯/乙醇(3:1)重结晶，得到化合物7(10.01g，83％)；HPLC纯度≥99.94％。质谱m/z：602.2342(理论值：602.2358)。理论元素含量(％)C₄₄H₃₀N₂O：C,87.68；H,5.02；N,4.65。实测元素含量(％)：C,87.65；H,5.04；N,4.64。

[合成实施例2]化合物20的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的a-7、b-7、d-7分别替换为等摩尔的a-20、b-20、d-20，得到化合物20(11.65g)；HPLC纯度≥99.94％。质谱m/z：736.3467(理论值：736.3454)。理论元素含量(％)C₅₄H₄₄N₂O：C,88.01；H,6.02；N,3.80。实测元素含量(％)：C,88.04；H,6.01；N,3.83。

[合成实施例3]化合物66的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的C-7、d-7、e-7分别替换为等摩尔的C-20、d-66、e-66，得到化合物66(11.61g)；HPLC纯度≥99.92％。质谱m/z：734.2381(理论值：734.2392)。理论元素含量(％)C₅₂H₃₄N₂OS：C,84.99；H,4.66；N,3.81。实测元素含量(％)：C,84.96；H,4.68；N,3.84。

[合成实施例4]化合物77的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的a-7、b-7、d-7分别替换为等摩尔的a-20、b-77、d-66，得到化合物77(11.38g)；HPLC纯度≥99.96％。质谱m/z：678.2679(理论值：678.2671)。理论元素含量(％)C₅₀H₃₄N₂O：C,88.47；H,5.05；N,4.13。实测元素含量(％)：C,88.43；H,5.03；N,4.15。

[合成实施例5]化合物85的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的a-7、b-7、d-7分别替换为等摩尔的a-85、b-85、d-66，得到化合物85(12.17g)；HPLC纯度≥99.92％。质谱m/z：810.3625(理论值：810.3610)。理论元素含量(％)C₆₀H₄₆N₂O：C,88.86；H,5.72；N,3.45。实测元素含量(％)：C,88.83；H,5.71；N,3.47。

[合成实施例6]化合物88的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的a-7、b-7、d-7、e-7分别替换为等摩尔的a-20、b-88、d-66、e-88，得到化合物88(11.16g)；HPLC纯度≥99.97％。质谱m/z：688.3281(理论值：688.3299)。理论元素含量(％)C₅₀H₂₄D₁₀N₂O：C,87.18；H,6.44；N,4.07。实测元素含量(％)：C,87.19；H,6.42；N,4.05。

[合成实施例7]化合物91的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的a-7、c-7、d-7分别替换为等摩尔的a-91、c-91、d-66，得到化合物91(11.04g)；HPLC纯度≥99.96％。质谱m/z：689.3377(理论值：689.3362)。理论元素含量(％)C₅₀H₂₃D₁₁N₂O：C,87.05；H,6.57；N,4.06。实测元素含量(％)：C,87.08；H,6.56；N,4.08。

[合成实施例8]化合物95的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的b-7、d-7分别替换为等摩尔的b-20、d-66，得到化合物95(11.13g)；HPLC纯度≥99.94％。质谱m/z：678.2685(理论值：678.2671)。理论元素含量(％)C₅₀H₃₄N₂O：C,88.47；H,5.05；N,4.13。实测元素含量(％)：C,88.48；H,5.08；N,4.11。

[合成实施例9]化合物101的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的a-7、b-7、c-7、d-7分别替换为等摩尔的a-20、b-101、c-101、d-66，得到化合物101(12.30g)；HPLC纯度≥99.92％。质谱m/z：830.3285(理论值：830.3297)。理论元素含量(％)C₆₂H₄₂N₂O：C,89.61；H,5.09；N,3.37。实测元素含量(％)：C,89.63；H,5.05；N,3.36。

[合成实施例10]化合物108的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的b-7、d-7分别替换为等摩尔的b-108、d-66，得到化合物108(11.52g)；HPLC纯度≥99.91％。质谱m/z：728.2842(理论值：728.2828)。理论元素含量(％)C₅₄H₃₆N₂O：C,88.98；H,4.98；N,3.84。实测元素含量(％)：C,88.94；H,4.95；N,3.86。

[合成实施例11]化合物117的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的D-7、e-7分别替换为等摩尔的D-66、e-117，得到化合物117(12.02g)；HPLC纯度≥99.95％。质谱m/z：750.3053(理论值：750.3066)。理论元素含量(％)C₅₃H₄₂N₂OSi：C,84.76；H,5.64；N,3.73。实测元素含量(％)：C,84.77；H,5.62；N,3.71。

[合成实施例12]化合物133的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的D-7、e-7分别替换为等摩尔的D-95、e-133，得到化合物133(11.00g)；HPLC纯度≥99.97％。质谱m/z：678.2686(理论值：678.2671)。理论元素含量(％)C₅₀H₃₄N₂O：C,88.47；H,5.05；N,4.13。实测元素含量(％)：C,88.45；H,5.08；N,4.15。

[合成实施例13]化合物135的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的a-7、b-7、d-7分别替换为等摩尔的a-135、b-135、d-66，得到化合物135(11.13g)；HPLC纯度≥99.95％。质谱m/z：678.2687(理论值：678.2671)。理论元素含量(％)C₅₀H₃₄N₂O：C,88.47；H,5.05；N,4.13。实测元素含量(％)：C,88.45；H,5.08；N,4.16。

[合成实施例14]化合物136的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的a-7、b-7、d-7、e-7分别替换为等摩尔的a-136、b-20、d-136、e-133，得到化合物136(11.78g)；HPLC纯度≥99.92％。质谱m/z：754.2971(理论值：754.2984)。理论元素含量(％)C₅₆H₃₈N₂O：C,89.10；H,5.07；N,3.71。实测元素含量(％)：C,89.13；H,5.06；N,3.73。

[合成实施例15]化合物156的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的D-7、e-7分别替换为等摩尔的D-77、e-156，得到化合物156(11.36g)；HPLC纯度≥99.93％。质谱m/z：718.2973(理论值：718.2984)。理论元素含量(％)C₅₃H₃₈N₂O：C,88.55；H,5.33；N,3.90。实测元素含量(％)：C,88.58；H,5.32；N,3.93。

[合成实施例16]化合物168的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的D-7、e-7分别替换为等摩尔的D-77、e-168，得到化合物168(13.74g)；HPLC纯度≥99.92％。质谱m/z：860.3235(理论值：860.3223)。理论元素含量(％)C₆₂H₄₄N₂OSi：C,86.48；H,5.15；N,3.25。实测元素含量(％)：C,86.45；H,5.16；N,3.23。

[合成实施例17]化合物188的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的a-7、d-7、e-7分别替换为等摩尔的a-20、d-188、e-188，得到化合物188(12.77g)；HPLC纯度≥99.93％。质谱m/z：810.3623(理论值：810.3610)。理论元素含量(％)C₆₀H₄₆N₂O：C,88.86；H,5.72；N,3.45。实测元素含量(％)：C,88.88；H,5.75；N,3.44。

[合成实施例18]化合物203的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的a-7、b-7、c-7、d-7分别替换为等摩尔的a-203、b-203、c-203、d-66，得到化合物203(12.07g)；HPLC纯度≥99.94％。质谱m/z：793.3075(理论值：793.3093)。理论元素含量(％)C₅₈H₃₉N₃O：C,87.74；H,4.95；N,5.29。实测元素含量(％)：C,87.75；H,4.93；N,5.26。

[合成实施例19]化合物229的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的B-7、c-7、d-7分别替换为等摩尔的B-188、c-229、d-66，得到化合物229(12.78g)；HPLC纯度≥99.95％。质谱m/z：754.2995(理论值：754.2984)。理论元素含量(％)C₅₆H₃₈N₂O：C,89.10；H,5.07；N,3.71。实测元素含量(％)：C,89.14；H,5.05；N,3.72。

[合成实施例20]化合物271的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的a-7、b-7、d-7分别替换为等摩尔的a-135、b-271、d-66，得到化合物271(9.39g)；HPLC纯度≥99.99％。质谱m/z：618.2141(理论值：618.2130)。理论元素含量(％)C₄₄H₃₀N₂S：C,85.40；H,4.89；N,4.53。实测元素含量(％)：C,85.42；H,4.85；N,4.51。

[合成实施例21]化合物282的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的a-7、b-7、d-7分别替换为等摩尔的a-20、b-271、d-66，得到化合物282(11.56g)；HPLC纯度≥99.97％。质谱m/z：694.2460(理论值：694.2443)。理论元素含量(％)C₅₀H₃₄N₂S：C,86.42；H,4.93；N,4.03。实测元素含量(％)：C,86.43；H,4.96；N,4.01。

[合成实施例22]化合物302的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的a-7、b-7、d-7分别替换为等摩尔的a-20、b-302、d-66，得到化合物302(12.63g)；HPLC纯度≥99.94％。质谱m/z：770.2742(理论值：770.2756)。理论元素含量(％)C₅₆H₃₈N₂S：C,87.24；H,4.97；N,3.63。实测元素含量(％)：C,87.26；H,4.98；N,3.65。

[合成实施例23]化合物305的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的a-7、b-7、d-7分别替换为等摩尔的a-20、b-305、d-66，得到化合物305(11.56g)；HPLC纯度≥99.90％。质谱m/z：740.2675(理论值：740.2661)。理论元素含量(％)C₅₂H₃₇FN₂S：C,84.29；H,5.03；N,3.78。实测元素含量(％)：C,84.27；H,5.04；N,3.75。

[合成实施例24]化合物311的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的a-7、b-7、d-7分别替换为等摩尔的a-20、b-311、d-66，得到化合物311(12.72g)；HPLC纯度≥99.91％。质谱m/z：870.3051(理论值：870.3069)。理论元素含量(％)C₆₄H₄₂N₂S：C,88.24；H,4.86；N,3.22。实测元素含量(％)：C,88.26；H,4.83；N,3.26。

[合成实施例25]化合物318的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的C-7、d-7、e-7分别替换为等摩尔的C-282、d-318、e-318，得到化合物318(11.16g)；HPLC纯度≥99.97％。质谱m/z：694.2456(理论值：694.2443)。理论元素含量(％)C₅₀H₃₄N₂S：C,86.42；H,4.93；N,4.03。实测元素含量(％)：C,86.43；H,4.96；N,4.02。

[合成实施例26]化合物341的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的a-7、b-7、d-7分别替换为等摩尔的a-20、b-341、d-66，得到化合物341(12.36g)；HPLC纯度≥99.89％。质谱m/z：834.3057(理论值：834.3069)。理论元素含量(％)C₆₁H₄₂N₂S：C,87.74；H,5.07；N,3.35。实测元素含量(％)：C,87.76；H,5.04；N,3.38。

[合成实施例27]化合物342的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的a-7、b-7、d-7分别替换为等摩尔的a-342、b-342、d-66，得到化合物342(11.84g)；HPLC纯度≥99.91％。质谱m/z：758.2768(理论值：758.2756)。理论元素含量(％)C₅₅H₃₈N₂S：C,87.04；H,5.05；N,3.69。实测元素含量(％)：C,87.05；H,5.02；N,3.66。

[合成实施例28]化合物358的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的a-7、b-7、c-7、d-7分别替换为等摩尔的a-20、b-358、c-101、d-66，得到化合物358(11.26g)；HPLC纯度≥99.97％。质谱m/z：694.2455(理论值：694.2443)。理论元素含量(％)C₅₀H₃₄N₂S：C,86.42；H,4.93；N,4.03。实测元素含量(％)：C,86.43；H,4.95；N,4.04。

[合成实施例29]化合物369的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的a-7、b-7、c-7、d-7分别替换为等摩尔的a-20、b-369、c-369、d-66，得到化合物369(11.12g)；HPLC纯度≥99.93％。质谱m/z：694.2459(理论值：694.2443)。理论元素含量(％)C₅₀H₃₄N₂S：C,86.42；H,4.93；N,4.03。实测元素含量(％)：C,86.45；H,4.92；N,4.06。

[合成实施例30]化合物383的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的B-7、c-7、d-7分别替换为等摩尔的B-282、c-383、d-66，得到化合物383(12.32g)；HPLC纯度≥99.92％。质谱m/z：820.2928(理论值：820.2912)。理论元素含量(％)C₆₀H₄₀N₂S：C,87.77；H,4.91；N,3.41。实测元素含量(％)：C,87.73；H,4.93；N,3.45。

[合成实施例31]化合物392的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的a-7、b-7、d-7分别替换为等摩尔的a-20、b-392、d-66，得到化合物392(12.03g)；HPLC纯度≥99.88％。质谱m/z：780.3517(理论值：780.3504)。理论元素含量(％)C₅₉H₄₄N₂：C,90.73；H,5.68；N,3.59。实测元素含量(％)：C,90.76；H,5.67；N,3.54。

[合成实施例32]化合物406的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的a-7、b-7、d-7分别替换为等摩尔的a-20、b-406、d-66，得到化合物406(12.28g)；HPLC纯度≥99.89％。质谱m/z：829.3443(理论值：829.3457)。理论元素含量(％)C₆₂H₄₃N₃：C,89.72；H,5.22；N,5.06。实测元素含量(％)：C,89.73；H,5.25；N,5.04。

[合成实施例33]化合物422的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的a-7、b-7、d-7、e-7分别替换为等摩尔的a-20、b-77、d-66、e-422，得到化合物422(11.37g)；HPLC纯度≥99.92％。质谱m/z：728.2840(理论值：728.2828)。理论元素含量(％)C₅₄H₃₆N₂O：C,88.98；H,4.98；N,3.84。实测元素含量(％)：C,88.96；H,4.95；N,3.87。

[合成实施例34]化合物436的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的D-7、e-7分别替换为等摩尔的D-66、e-436，得到化合物436(11.11g)；HPLC纯度≥99.94％。质谱m/z：702.2689(理论值：702.2671)。理论元素含量(％)C₅₂H₃₄N₂O：C,88.86；H,4.88；N,3.99。实测元素含量(％)：C,88.89；H,4.86；N,3.95。

[合成实施例35]化合物451的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的a-7、b-7、d-7、e-7分别替换为等摩尔的a-20、b-451、d-66、e-451，得到化合物451(12.15g)；HPLC纯度≥99.92％。质谱m/z：820.2926(理论值：820.2912)。理论元素含量(％)C₆₀H₄₀N₂S：C,87.77；H,4.91；N,3.41。实测元素含量(％)：C,87.74；H,4.92；N,3.45。

[合成实施例36]化合物458的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的B-7、d-7、e-7分别替换为等摩尔的B-369、d-66、e-458，得到化合物458(11.84g)；HPLC纯度≥99.91％。质谱m/z：768.2586(理论值：768.2599)。理论元素含量(％)C₅₆H₃₆N₂S：C,87.47；H,4.72；N,3.64。实测元素含量(％)：C,87.48；H,4.76；N,3.62。

[合成实施例37]化合物500的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的D-7、e-7分别替换为等摩尔的D-66、e-500，得到化合物500(12.26g)；HPLC纯度≥99.96％。质谱m/z：718.2995(理论值：718.2984)。理论元素含量(％)C₅₃H₃₈N₂O：C,88.55；H,5.33；N,3.90。实测元素含量(％)：C,88.59；H,5.31；N,3.93。

[合成实施例38]化合物537的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的b-7、d-7、e-7分别替换为等摩尔的b-203、d-66、e-537，得到化合物537(13.02g)；HPLC纯度≥99.94％。质谱m/z：794.3283(理论值：794.3297)。理论元素含量(％)C₅₉H₄₂N₂O：C,89.14；H,5.33；N,3.52。实测元素含量(％)：C,89.12；H,5.36；N,3.55。

[合成实施例39]化合物551的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的C-7、d-7、e-7分别替换为等摩尔的C-188、d-551、e-551，得到化合物551(12.12g)；HPLC纯度≥99.89％。质谱m/z：786.2844(理论值：786.2858)。理论元素含量(％)C₅₄H₃₇F₃N₂O：C,82.42；H,4.74；N,3.56。实测元素含量(％)：C,82.46；H,4.72；N,3.57。

[合成实施例40]化合物552的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的D-7、e-7分别替换为等摩尔的D-77、e-552，得到化合物552(14.16g)；HPLC纯度≥99.93％。质谱m/z：852.4093(理论值：852.4080)。理论元素含量(％)C₆₃H₅₂N₂O：C,88.70；H,6.14；N,3.28。实测元素含量(％)：C,88.72；H,6.11；N,3.26。

[合成实施例41]化合物596的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的a-7、b-7、c-7、d-7、e-7分别替换为等摩尔的a-20、b-596、c-596、d-66、e-596，得到化合物596(12.69g)；HPLC纯度≥99.91％。质谱m/z：845.3421(理论值：845.3406)。理论元素含量(％)C₆₂H₄₃N₃O：C,88.02；H,5.12；N,4.97。实测元素含量(％)：C,88.03；H,5.14；N,4.96。

[合成实施例42]化合物650的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的C-7、d-7、e-7分别替换为等摩尔的C-188、d-66、e-650，得到化合物650(13.64g)；HPLC纯度≥99.92％。质谱m/z：842.3282(理论值：842.3297)。理论元素含量(％)C₆₃H₄₂N₂O：C,89.76；H,5.02；N,3.32。实测元素含量(％)：C,89.75；H,5.03；N,3.35。

[合成实施例43]化合物690的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的C-7、d-7、e-7分别替换为等摩尔的C-20、d-136、e-690，得到化合物690(13.42g)；HPLC纯度≥99.93％。质谱m/z：840.3155(理论值：840.3141)。理论元素含量(％)C₆₃H₄₀N₂O：C,89.97；H,4.79；N,3.33。实测元素含量(％)：C,89.95；H,4.76；N,3.34。

[合成实施例44]化合物696的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的a-7、b-7、d-7、e-7分别替换为等摩尔的a-20、b-696、d-696、e-690，得到化合物696(12.77g)；HPLC纯度≥99.89％。质谱m/z：839.2923(理论值：839.2937)。理论元素含量(％)C₆₂H₃₇N₃O：C,88.65；H,4.44；N,5.00。实测元素含量(％)：C,88.63；H,4.45；N,5.02。

[合成实施例45]化合物704的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的C-7、e-7分别替换为等摩尔的C-95、e-704，得到化合物704(11.96g)；HPLC纯度≥99.90％。质谱m/z：766.2971(理论值：766.2984)。理论元素含量(％)C₅₇H₃₈N₂O：C,89.27；H,4.99；N,3.65。实测元素含量(％)：C,89.26；H,4.95；N,3.67。

[合成实施例46]化合物750的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的C-7、d-7、e-7分别替换为等摩尔的C-188、d-66、e-750，得到化合物750(12.17g)；HPLC纯度≥99.93％。质谱m/z：810.3628(理论值：810.3610)。理论元素含量(％)C₆₀H₄₆N₂O：C,88.86；H,5.72；N,3.45。实测元素含量(％)：C,88.85；H,5.74；N,3.48。

[合成实施例47]化合物773的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的b-7、d-7、e-7分别替换为等摩尔的b-773、d-66、e-773，得到化合物773(12.07g)；HPLC纯度≥99.91％。质谱m/z：783.2722(理论值：783.2708)。理论元素含量(％)C₅₆H₃₇N₃S：C,85.79；H,4.76；N,5.36。实测元素含量(％)：C,85.75；H,4.73；N,5.38。

[合成实施例48]化合物792的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的b-7、d-7、e-7分别替换为等摩尔的b-792、d-66、e-500，得到化合物792(12.87g)；HPLC纯度≥99.93％。质谱m/z：810.3054(理论值：810.3069)。理论元素含量(％)C₅₉H₄₂N₂S：C,87.37；H,5.22；N,3.45。实测元素含量(％)：C,87.33；H,5.25；N,3.48。

[合成实施例49]化合物798的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的C-7、d-7、e-7分别替换为等摩尔的C-282、d-798、e-500，得到化合物798(12.09g)；HPLC纯度≥99.90％。质谱m/z：774.2724(理论值：774.2705)。理论元素含量(％)C₅₅H₃₈N₂OS：C,85.24；H,4.94；N,3.61。实测元素含量(％)：C,85.25；H,4.91；N,3.66。

[合成实施例50]化合物816的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的B-7、d-7、e-7分别替换为等摩尔的B-369、d-66、e-816，得到化合物816(13.17g)；HPLC纯度≥99.93％。质谱m/z：810.3051(理论值：810.3069)。理论元素含量(％)C₅₉H₄₂N₂S：C,87.37；H,5.22；N,3.45。实测元素含量(％)：C,87.36；H,5.24；N,3.48。

[合成实施例51]化合物832的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的a-7、b-7、c-7、d-7、e-7分别替换为等摩尔的a-20、b-832、c-596、d-136、e-500，得到化合物832(12.03g)；HPLC纯度≥99.92％。质谱m/z：812.2986(理论值：812.2974)。理论元素含量(％)C₅₇H₄₀N₄S：C,84.21；H,4.96；N,6.89。实测元素含量(％)：C,84.22；H,4.98；N,6.87。

[合成实施例52]化合物842的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的a-7、b-7、c-7、d-7、e-7分别替换为等摩尔的a-842、b-842、c-842、d-842、e-500，得到化合物842(12.59g)；HPLC纯度≥99.91％。质谱m/z：873.3165(理论值：873.3178)。理论元素含量(％)C₆₃H₄₃N₃S：C,86.57；H,4.96；N,4.81。实测元素含量(％)：C,86.58；H,4.93；N,4.85。

[合成实施例53]化合物850的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的a-7、b-7、d-7、e-7分别替换为等摩尔的a-20、b-850、d-66、e-500，得到化合物850(12.23g)；HPLC纯度≥99.89％。质谱m/z：793.3469(理论值：793.3457)。理论元素含量(％)C₅₉H₄₃N₃：C,89.25；H,5.46；N,5.29。实测元素含量(％)：C,89.24；H,5.43；N,5.28。

[合成实施例54]化合物861的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的C-7、e-7分别替换为等摩尔的C-282、e-861，得到化合物861(12.50g)；HPLC纯度≥99.93％。质谱m/z：832.2923(理论值：832.2912)。理论元素含量(％)C₆₁H₄₀N₂S：C,87.95；H,4.84；N,3.36。实测元素含量(％)：C,87.97；H,4.85；N,3.34。

[合成实施例55]化合物872的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的a-7、b-7、d-7、e-7分别替换为等摩尔的a-872、b-358、d-66、e-773，得到化合物872(13.73g)；HPLC纯度≥99.94％。质谱m/z：858.3055(理论值：858.3069)。理论元素含量(％)C₆₃H₄₂N₂S：C,88.08；H,4.93；N,3.26。实测元素含量(％)：C,88.05；H,4.94；N,3.23。

[合成实施例56]化合物888的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的B-7、e-7分别替换为等摩尔的B-358、e-888，得到化合物888(14.25g)；HPLC纯度≥99.91％。质谱m/z：892.3867(理论值：892.3851)。理论元素含量(％)C₆₅H₅₂N₂S：C,87.41；H,5.87；N,3.14。实测元素含量(％)：C,87.43；H,5.86；N,3.17。

[合成实施例57]化合物895的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的B-7、c-7、d-7、e-7分别替换为等摩尔的B-369、c-101、d-895、e-895，得到化合物895(12.67g％)；HPLC纯度≥99.90％。质谱m/z：855.2722(理论值：855.2708)。理论元素含量(％)C₆₂H₃₇N₃S：C,86.99；H,4.36；N,4.91。实测元素含量(％)：C,86.95；H,4.38；N,4.94。

[合成实施例58]化合物927的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的B-7、c-7、d-7、e-7分别替换为等摩尔的B-282、c-101、d-66、e-927，得到化合物927(13.69g)；HPLC纯度≥99.93％。质谱m/z：858.3056(理论值：858.3069)。理论元素含量(％)C₆₃H₄₂N₂S：C,88.08；H,4.93；N,3.26。实测元素含量(％)：C,88.05；H,4.94；N,3.23。

[合成实施例59]化合物946的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的D-7、e-7分别替换为等摩尔的D-927、e-946，得到化合物946(11.94g)；HPLC纯度≥99.91％。质谱m/z：774.3057(理论值：774.3069)。理论元素含量(％)C₅₆H₄₂N₂S：C,86.79；H,5.46；N,3.61。实测元素含量(％)：C,86.78；H,5.44；N,3.62。

[合成实施例60]化合物982的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的B-7、c-7、d-7、e-7分别替换为等摩尔的B-358、c-982、d-66、e-982，得到化合物982(10.44g)；HPLC纯度≥99.90％。质谱m/z：696.2333(理论值：696.2348)。理论元素含量(％)C₄₈H₃₂N₄S：C,82.73；H,4.63；N,8.04。实测元素含量(％)：C,82.76；H,4.62；N,8.05。

[合成实施例61]化合物1002的合成

根据合成实施例1的制备方法，将等摩尔的a-7、b-7、d-7分别替换为等摩尔的a-20、b-1002、d-66，得到化合物1002(13.76g)；HPLC纯度≥99.91％。质谱m/z：870.3257(理论值：870.3246)。理论元素含量(％)C₆₄H₄₂N₂O₂：C,88.25；H,4.86；N,3.22。实测元素含量(％)：C,88.27；H,4.84；N,3.25。

器件实施例

在本发明中，ITO玻璃基板由5％的玻璃清洗液超声清洗2次，每次20分钟，再由去离子水超声清洗2次，每次10分钟。依次使用丙酮和异丙酮超声清洗20分钟，120℃烘干。有机材料都是经过升华，纯度都在99.99％以上。

将测试软件、计算机、美国Keithley公司生产的K2400数字源表和美国PhotoResearch公司的PR788光谱扫描亮度计组成一个联合IVL测试系统来测试有机电致发光器件的驱动电压、发光效率、CIE色坐标。寿命的测试采用McScience公司的M6000 OLED寿命测试系统。测试的环境为大气环境，温度为室温。

实施例1：有机电致发光器件1的制备

在ITO阳极上真空蒸镀1-TNATA作为空穴注入层，厚度为55nm；在空穴注入层上真空蒸镀本发明的化合物7作为空穴传输层，厚度为50nm；在穴传输层上真空蒸镀DMFL-CBP:Ir(Mphq)₃＝92:8(wt％)，形成发光层，厚度为33nm；在发光层上真空蒸镀BAlq作为空穴阻挡层，厚度为8nm；在空穴阻挡层上真空蒸镀Almq作为电子传输层，厚度为44nm；在电子传输层上真空蒸镀Liq作为电子注入层，蒸镀厚度为1.1nm；在电子注入层上真空蒸镀Al作为阴极，厚度为140nm。

实施例2～30：有机电致发光器件2～30的制备

将实施例1空穴传输层中的化合物7分别换成化合物66、化合物77、化合物88、化合物91、化合物101、化合物135、化合物136、化合物188、化合物229、化合物302、化合物311、化合物318、化合物341、化合物369、化合物392、化合物422、化合物458、化合物500、化合物552、化合物650、化合物696、化合物704、化合物773、化合物816、化合物832、化合物850、化合物861、化合物946、化合物982，其他步骤相同，得到有机电致发光器件2～30。

对比例1～2：对比有机电致发光器件1～2的制备

将实施例1空穴传输层中的化合物7分别换成R-1、R-2，其他步骤相同，得到对比有机电致发光器件1～2。

本发明实施例1～30以及对比例1～2制备的有机电致发光器件的发光特性测试结果如表1所示。

表1有机电致发光器件的发光特性测试数据

实施例31：有机电致发光器件31的制备

在ITO阳极上真空蒸镀2-TNATA作为空穴注入层，厚度为50nm；在空穴注入层上真空蒸镀β-NPB作为第一空穴传输层，厚度为35nm；在第一空穴传输层上真空蒸镀本发明的化合物7作为第二空穴传输层，厚度为14nm；在第二空穴传输层上真空蒸镀BH-1:BD-1＝96:4(wt％)，形成发光层，厚度为30nm；在发光层上真空蒸镀BCP作为空穴阻挡层，厚度为10nm；在空穴阻挡层上真空蒸镀Alq₃作为电子传输层，厚度为25nm；在电子传输层上真空蒸镀LiF作为电子注入层，蒸镀厚度为1.0nm；在电子注入层上真空蒸镀Al作为阴极，厚度为140nm。

实施例32～62：有机电致发光器件32～62的制备

将实施例31第二空穴传输层中的化合物7分别换成化合物20、化合物85、化合物95、化合物108、化合物117、化合物133、化合物156、化合物168、化合物203、化合物271、化合物282、化合物305、化合物342、化合物358、化合物383、化合物406、化合物436、化合物451、化合物537、化合物551、化合物596、化合物690、化合物750、化合物792、化合物798、化合物842、化合物872、化合物888、化合物895、化合物927、化合物1002，其他步骤相同，得到有机电致发光器件32～62。

对比例3～4：对比有机电致发光器件3～4的制备

将实施例31第二空穴传输层中的化合物7分别换成R-1、R-2，其他步骤相同，得到对比有机电致发光器件3～4。

本发明实施例31～62以及对比例3～4制备的有机电致发光器件的发光特性测试结果如表2所示。

表2有机电致发光器件的发光特性测试数据

根据表1和2可知，本发明式1的含咔唑的三芳胺化合物是一种性能良好的空穴传输材料，将其用于有机电致发光器件中，器件具有较低的驱动电压、较高的发光效率以及较长的使用寿命。

应当指出，本发明用个别实施方案进行了特别描述，但在不脱离本发明原理的前提下，本领域普通技术人可对本发明进行各种形式或细节上的改进，这些改进也落入本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种含咔唑的三芳胺化合物，其特征在于，由下述式1表示，

所述Ar选自式1-a所示的基团，

所述X选自O、S、N(R_x)或者C(R_x)₂，所述R_x相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C3～C20的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C20的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种；

所述环A选自取代或未取代的6～30元的芳环、取代或未取代的6～30元的含氮杂芳环中的一种，且环A不为取代或未取代的

所述m₁选自0～2的整数，所述R₁相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、F、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C3～C20的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C20的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R₁相互键合形成取代或未取代的环；

所述Ar₁、Ar₂独立的选自式1-a、如下所示基团中的一种或者其组合，

所述e₁选自0～5的整数，所述e₂选自0～4的整数，所述每个R₂、R₂₀相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C3～C20的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C20的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R₂、相邻两个R₂₀相互键合形成取代或未取代的环；

所述R₀相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C3～C20的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C20的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R₀相互键合形成取代或未取代的环；

所述E选自N或者CH，且至少含有一个N；

所述L₁、L₂、L₃、L₄独立的选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C2～C30的亚杂芳基、取代或未取代的C3～C20的脂环与C6～C30的芳环的亚稠合环基中的一种；

所述n₁选自0～3的整数，所述n₂选自0～4的整数，所述R相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C3～C20的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C20的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R相互键合形成取代或未取代的环。

2.根据权利要求1所述的含咔唑的三芳胺化合物，其特征在于，所述中的环A选自如下所示基团中的一种，

所述Y相同或不同的选自N或者C(R_y)，所述R_y选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C3～C20的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C3～C20的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R_y相互键合形成取代或未取代的环；

且环A不为取代或未取代的

3.根据权利要求1所述的含咔唑的三芳胺化合物，其特征在于，所述中的环A选自如下所示基团中的一种，

所述f₁选自0～4的整数，所述f₂选自0～3的整数，所述f₃选自0～2的整数，所述f₄选自0～6的整数，所述f₅选自0～5的整数，所述f₆选自0～8的整数，所述f₇选自0～7的整数；

所述R_y相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的C3～C15的环烷基、取代或未取代的C6～C25的芳基、取代或未取代的C2～C25的杂芳基、取代或未取代的C3～C15的脂环与C6～C25的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R_y相互键合形成取代或未取代的环。

4.根据权利要求1所述的含咔唑的三芳胺化合物，其特征在于，所述Ar₁、Ar₂独立的选自式1-a、如下所示基团中的一种或者其组合，

所述e₁选自0～5的整数，所述e₂选自0～4的整数，所述e₃选自0～7的整数，所述e₄选自0～9的整数，所述e₅选自0～3的整数，所述e₆选自0～2的整数，所述e₇选自0～6的整数，所述e₈选自0～8的整数，所述e₉选自0～10的整数；

所述每个R₂、R₂₀相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的C3～C15的环烷基、取代或未取代的C6～C25的芳基、取代或未取代的C2～C25的杂芳基、取代或未取代的C3～C15的脂环与C6～C25的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R₂、相邻两个R₂₀相互键合形成取代或未取代的环；

所述R_i相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的C3～C15的环烷基、取代或未取代的C6～C25的芳基、取代或未取代的C2～C25的杂芳基、取代或未取代的C3～C15的脂环与C6～C25的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R_i相互键合形成取代或未取代的环。

5.根据权利要求1所述的含咔唑的三芳胺化合物，其特征在于，所述L₁、L₂、L₃、L₄独立的选自单键或者如下所示基团中的一种或者其组合，

所述k₁选自0～4的整数；

所述R₃相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的C3～C15的环烷基、取代或未取代的C6～C25的芳基、取代或未取代的C2～C25的杂芳基、取代或未取代的C3～C15的脂环与C6～C25的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R₃相互键合形成取代或未取代的环；

所述Z相同或不同的选自N或者CH，且至少含有一个N。

6.根据权利要求1所述的含咔唑的三芳胺化合物，其特征在于，所述L₁、L₂、L₃、L₄独立的选自单键或者如下所示基团中的一种或者其组合，

所述k₁选自0～4的整数，所述k₂选自0～3的整数，所述k₃选自0～2的整数，所述k₄选自0～6的整数，所述k₅选自0～8的整数，所述k₆选自0～10的整数；

所述R₃相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的C3～C15的环烷基、取代或未取代的C6～C25的芳基、取代或未取代的C2～C25的杂芳基、取代或未取代的C3～C15的脂环与C6～C25的芳环的稠合环基中的一种；

所述R_j相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的C3～C15的环烷基、取代或未取代的C6～C25的芳基、取代或未取代的C2～C25的杂芳基、取代或未取代的C3～C15的脂环与C6～C25的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个R_j相互键合形成取代或未取代的环。

7.根据权利要求1所述的含咔唑的三芳胺化合物，其特征在于，所述R相同或不同的选自氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的戊基、取代或未取代的己基、取代或未取代的环丙烷基、取代或未取代的环丁烷基、取代或未取代的环戊烷基、取代或未取代的环己烷基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的降冰片烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苯并环丙烷基、取代或未取代的苯并环丁烷基、取代或未取代的苯并环丁烯基、取代或未取代的二氢茚基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的四氢萘基、取代或未取代的二氢萘基、取代或未取代的苯并环庚烷基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的苯并芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的苯并螺二芴基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的吲哚基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的哒嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基中的一种，或者相邻两个R相互键合形成取代或未取代的环。

8.根据权利要求1所述的含咔唑的三芳胺化合物，其特征在于，所述式I的含咔唑的三芳胺化合物选自如下所示结构中的至少一种，

9.一种有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件含有权利要求1～8任一项所述的含咔唑的三芳胺化合物。

10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及位于阳极和阴极之间的有机物层，所述有机物层含有权利要求1～8任一项所述的含咔唑的三芳胺化合物。