CN106784128A - 前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法 - Google Patents
前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106784128A CN106784128A CN201510812111.7A CN201510812111A CN106784128A CN 106784128 A CN106784128 A CN 106784128A CN 201510812111 A CN201510812111 A CN 201510812111A CN 106784128 A CN106784128 A CN 106784128A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- emitter junction
- back side
- tunnel oxidation
- efficiency battery
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002161 passivation Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 title claims abstract description 21
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 43
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 26
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 15
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 11
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 10
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 7
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 claims description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 3
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 208000037998 chronic venous disease Diseases 0.000 claims 1
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 claims 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 claims 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims 1
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 claims 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 abstract description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 229940104869 fluorosilicate Drugs 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005610 quantum mechanics Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/121—The active layers comprising only Group IV materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
本发明涉及前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法，在去除硅片损伤层后进行制绒，然后形成低表面浓度B掺杂P+发射结，边绝缘和背面抛光后在硅片的背面生长超薄的隧道氧化层SiO2及掺P多晶硅层，在P+发射结的表面沉积三氧化二铝层，在硅片正面采用PECVD法或磁控溅射法生长氢化非晶氮化硅钝化减反射层，最后在硅片的正面印刷Ag/Al浆料，背面形成全铝背场Al-BSF结构，用烘干炉进行烘干。与现有技术相比，本发明采用一层超薄的(<2nm)的隧道氧化SiO2和一层磷P-掺杂的硅层，能够极大地减少背表面的金属-半导体表面复合，其最明显的优势在于兼容传统电池制作工艺的基础上能够极大地提升电性能参数。
Description
技术领域
本发明涉及一种晶硅电池的制作方法，尤其是涉及一种前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法。
背景技术
前发射结背面隧道氧化钝化接触电池技术与常规电池技术不同之处在于背面隧道氧化钝化层及掺杂的多晶硅层这种复合结构的制备，这种方法的关键之处在超薄的隧穿氧化层的制备控制方面及制备前与硅基底间的界面状态的处理。中国专利CN102544198A公开了一种选择性发射结晶体硅太阳能电池的制备方法，包括单步高浓度掺杂扩散，然后采用印刷工艺在电极区域印刷抗腐蚀浆料，非电极区域经过化学腐蚀实现轻掺杂的发射结，再除去抗腐蚀阻挡层，最后采用常规太阳能制备方法制得选择性发射结晶体硅太阳能电池，但是该专利申请仍然采用的是N型晶体硅电池背部点接触，因此电学性能没有很大的提高。
发明内容
本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种兼容传统电池制作工艺的基础上能够极大地提升电性能参数的前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法。
本发明的目的可以通过以下技术方案来实现：
前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法，采用以下步骤：
(1)利用将硅片在KOH或NaOH碱溶液及H2O2溶液中去除损伤层，接着用四甲基氢氧化铵及异丙醇构成混合溶液对硅片进行制绒，双面形成具有1-4μm的金字塔绒面；
(2)在硼源高温扩散炉管中，控制温度为850-1000℃扩散20-40min，然后控制温度为800-900℃通入氧气推结，形成低表面浓度B掺杂P+发射结；
(3)利用HF溶液去除硼硅玻璃BSG层，用HNO3和HF的混合溶液进行边绝缘和背面抛光；
(4)利用湿法化学的方法在硅片的背面生长一层超薄的隧道氧化层SiO2，其厚度小于2nm，接着用PECVD或其他CVD法在其上生长厚度为15-20nm的掺P多晶硅层；
(5)采取原子层沉积或PECVD技术对硅片形成P+发射结的表面沉积厚度为20-30nm的三氧化二铝层；
(6)在硅片正面采用PECVD法或磁控溅射法生长氢化非晶氮化硅钝化减反射层，厚度为75-85nm；
(7)采用丝网印刷的方法在硅片的正面印刷Ag/Al浆料，进行烧结，背面采取蒸镀或涂源法形成全铝背场Al-BSF结构，用烘干炉进行烘干，确保电池片的双面都形成良好的接触即可。
步骤(4)采取氟硅酸H2SiO6溶液，浓度为1.3-1.7M，将硅片正面用掩膜保护起来后放入氟硅酸溶液中，根据沉积的时间来精确控制SiO2膜层的厚度，一般在2nm厚度以内的控制的时间为5-8分钟。掺P的多晶硅层是基于PECVD法以高纯SiH4为气源在500-600℃下制备后经过900-1100℃下退火而成。
掺P多晶硅层的厚度为15-20nm，其中P原子含量为5×1018-1×1019cm-3。
步骤(5)沉积三氧化二铝层时控制沉积温度为180-200℃。
步骤(6)中生长氢化非晶氮化硅钝化减反射层时控制温度为350-400℃。
步骤(7)中烘干的温度为200-300℃。
与现有技术相比，本发明取代N型晶体硅电池背部点接触的机制，采用一层超薄的(<2nm)的隧道氧化SiO2和一层磷P-掺杂的硅层，这样的复合层能够极大地减少背表面的金属-半导体表面复合，其最明显的优势在于兼容传统电池制作工艺的基础上能够极大地提升电性能参数(Implied Voc>710mV,Implied FF>82％,转换效率η>23％)。制作得到的电池结构(与IBC、HIT高效电池相比较)简单，工艺可行性比较强，也比较容易与现有的产线设备及工艺兼容，最主要的是通过量子力学中的隧穿效应，能够极大地提升开路电压及转换效率，是一种低成本高效率单晶硅电池的产品。
附图说明
图1为制作得到的晶硅电池的结构示意图。
图中，1-电极、2-氢化非晶氮化硅钝化减反射层、3-三氧化二铝层、4-B掺杂P+发射结、5-N型硅片、6-隧道氧化SiO2、7-掺P多晶硅层、8-全铝背场。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。
实施例1
前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法，采用以下步骤：
(1)利用将硅片在KOH碱溶液及H2O2溶液中去除损伤层，接着用四甲基氢氧化铵及异丙醇构成混合溶液对硅片进行制绒，双面形成具有1μm的金字塔绒面；
(2)在硼源高温扩散炉管中，控制温度为850℃扩散40min，然后控制温度为800℃通入氧气推结，形成低表面浓度B掺杂P+发射结；
(3)利用HF溶液去除硼硅玻璃BSG层，用HNO3和HF的混合溶液进行边绝缘和背面抛光；
(4)利用湿法化学的方法在硅片的背面生长一层超薄的隧道氧化层SiO2，其厚度小于2nm，接着用PECVD法在其上生长厚度为15nm的掺P多晶硅层，本实施例采取氟硅酸H2SiO6溶液，浓度为1.3M，将硅片正面用掩膜保护起来后放入氟硅酸溶液中，根据沉积的时间来精确控制SiO2膜层的厚度，一般在2nm厚度以内的控制的时间为5分钟。掺P的多晶硅层是基于PECVD法以高纯SiH4为气源在500℃下制备后经过900℃下退火而成，掺P多晶硅层的厚度为15nm，其中P原子含量为5×1018cm-3。
(5)采取原子层沉积技术，控制沉积温度为180℃，对硅片形成P+发射结的表面沉积厚度为20nm的三氧化二铝层；
(6)控制温度为350℃，在硅片正面采用PECVD法生长氢化非晶氮化硅钝化减反射层，厚度为75nm；
(7)采用丝网印刷的方法在硅片的正面印刷Ag/Al浆料，进行烧结，背面采取蒸镀形成全铝背场Al-BSF结构，用烘干炉进行烘干，烘干的温度为200℃，确保电池片的双面都形成良好的接触即可。
采用该方法制作得到电池，其结构如图1所示，在硅片5的正面设有B掺杂P+发射结4、三氧化二铝层3以及氢化非晶氮化硅钝化减反射层2，上部设有电极1，硅片的背面生长一层超薄的隧道氧化层SiO26，在其表面生长掺P多晶硅层7以及全铝背场8。本发明的最大优势在于用简单的工艺实现电池开路电压的极大提升，相对于常规电池的开路电压650mV来说，其电池的开路电压能达到690mV以上，电池的转换效率从而能得到极大提升，能达到22％-23％。
实施例2
前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法，采用以下步骤：
(1)利用将硅片在NaOH碱溶液及H2O2溶液中去除损伤层，接着用四甲基氢氧化铵及异丙醇构成混合溶液对硅片进行制绒，双面形成具有2μm的金字塔绒面；
(2)在硼源高温扩散炉管中，控制温度为900℃扩散30min，然后控制温度为850℃通入氧气推结，形成低表面浓度B掺杂P+发射结；
(3)利用HF溶液去除硼硅玻璃BSG层，用HNO3和HF的混合溶液进行边绝缘和背面抛光；
(4)利用湿法化学的方法在硅片的背面生长一层超薄的隧道氧化层SiO2，其厚度小于2nm，接着用PECVD或其他CVD法在其上生长厚度为18nm的掺P多晶硅层，本实施例采取氟硅酸H2SiO6溶液，浓度为1.5M，将硅片正面用掩膜保护起来后放入氟硅酸溶液中，根据沉积的时间来精确控制SiO2膜层的厚度，一般在2nm厚度以内的控制的时间为6分钟。掺P的多晶硅层是基于PECVD法以高纯SiH4为气源在600℃下制备后经过1000℃下退火而成，掺P多晶硅层的厚度为18nm，其中P原子含量为8×1018-1×1019cm-3。
(5)采取PECVD技术对硅片形成P+发射结的表面沉积厚度为25nm的三氧化二铝层，沉积三氧化二铝层时控制沉积温度为190℃；
(6)在硅片正面采用磁控溅射法生长氢化非晶氮化硅钝化减反射层，控制温度为360℃，厚度为80nm；
(7)采用丝网印刷的方法在硅片的正面印刷Ag/Al浆料，进行烧结，背面采取蒸镀法形成全铝背场Al-BSF结构，用烘干炉进行烘干，烘干的温度为260℃，确保电池片的双面都形成良好的接触即可。
实施例3
前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法，采用以下步骤：
(1)利用将硅片在NaOH碱溶液及H2O2溶液中去除损伤层，接着用四甲基氢氧化铵及异丙醇构成混合溶液对硅片进行制绒，双面形成具有4μm的金字塔绒面；
(2)在硼源高温扩散炉管中，控制温度为1000℃扩散20min，然后控制温度为900℃通入氧气推结，形成低表面浓度B掺杂P+发射结；
(3)利用HF溶液去除硼硅玻璃BSG层，用HNO3和HF的混合溶液进行边绝缘和背面抛光；
(4)利用湿法化学的方法在硅片的背面生长一层超薄的隧道氧化层SiO2，其厚度小于2nm，接着用PECVD或其他CVD法在其上生长厚度为20nm的掺P多晶硅层，本实施例采取氟硅酸H2SiO6溶液，浓度为1.7M，将硅片正面用掩膜保护起来后放入氟硅酸溶液中，根据沉积的时间来精确控制SiO2膜层的厚度，一般在2nm厚度以内的控制的时间为8分钟。掺P的多晶硅层是基于PECVD法以高纯SiH4为气源在600℃下制备后经过1100℃下退火而成，掺P多晶硅层的厚度为20nm，其中P原子含量1×1019cm-3。
(5)采取原子层沉积技术对硅片形成P+发射结的表面沉积厚度为30nm的三氧化二铝层，沉积三氧化二铝层时控制沉积温度为200℃；
(6)控制温度为400℃，在硅片正面采用磁控溅射法生长氢化非晶氮化硅钝化减反射层，厚度为85nm；
(7)采用丝网印刷的方法在硅片的正面印刷Ag/Al浆料，进行烧结，背面采取涂源法形成全铝背场Al-BSF结构，用烘干炉进行烘干，烘干的温度为300℃，确保电池片的双面都形成良好的接触即可。
本发明的主要优点在于相对于其他的高效电池来说，例如IBC，HIT等来说工艺过程相对简单，相对于传统的晶硅电池工艺兼容性较强，适合大规模生产，具有一定的实用性。从实施例1-3中制备得到的电池的性能检测数据可以看出该电池的开路电压Voc很高，比常规电池(～650mV)高出30mV左右，填充因子很高(>80％)，因此转换效率可以达到22％以上。
Voc＝680±2mV,Jsc＝39.6±0.4mA/cm2,FF＝81.5±0.5％，Eff＝22.5±0.5％。
Claims (9)
1.前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法，其特征在于，该方法采用以下步骤：
(1)利用将硅片在KOH或NaOH碱溶液及H2O2溶液中去除损伤层，接着用四甲基氢氧化铵及异丙醇构成混合溶液对硅片进行制绒，双面形成具有1-4μm的金字塔绒面；
(2)在硼源高温扩散炉管中，控制温度为850-1000℃扩散20-40min，然后控制温度为800-900℃通入氧气推结，形成低表面浓度B掺杂P+发射结；
(3)利用HF溶液去除硼硅玻璃BSG层，用HNO3和HF的混合溶液进行边绝缘和背面抛光；
(4)利用湿法化学的方法在硅片的背面生长一层超薄的隧道氧化层SiO2，接着用PECVD或其他CVD法在其上生长掺P多晶硅层；
(5)采取原子层沉积或PECVD技术对硅片形成P+发射结的表面沉积厚度为20-30nm的三氧化二铝层；
(6)在硅片正面采用PECVD法或磁控溅射法生长氢化非晶氮化硅钝化减反射层，厚度为75-85nm；
(7)采用丝网印刷的方法在硅片的正面印刷Ag/Al浆料，进行烧结，背面采取蒸镀或涂源法形成全铝背场Al-BSF结构，用烘干炉进行烘干，确保电池片的双面都形成良好的接触即可。
2.根据权利要求1所述的前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法，其特征在于，步骤(4)中将硅片正面用掩膜保护起来后放入氟硅酸溶液中，根据沉积的时间来精确控制SiO2膜层的厚度。
3.根据权利要求2所述的前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法，其特征在于，所述的氟硅酸溶液的浓度为1.3-1.7M，将硅片沉积在氟硅酸溶液中5-8min，控制SiO2膜层的厚度在2nm以内。
4.根据权利要求1所述的前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法，其特征在于，步骤(4)中掺P多晶硅层是基于PECVD法以高纯SiH4为气源在500-600℃下制备后经过900-1100℃下退火而成。
5.根据权利要求1所述的前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法，其特征在于，掺P多晶硅层的厚度为15-20nm。
6.根据权利要求1所述的前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法，其特征在于，掺P多晶硅层中P原子含量为5×1018-1×1019cm-3。
7.根据权利要求1所述的前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法，其特征在于，步骤(5)沉积三氧化二铝层时控制沉积温度为180-200℃。
8.根据权利要求1所述的前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法，其特征在于，步骤(6)中生长氢化非晶氮化硅钝化减反射层时控制温度为350-400℃。
9.根据权利要求1所述的前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法，其特征在于，步骤(7)中烘干的温度为200-300℃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510812111.7A CN106784128A (zh) | 2015-11-20 | 2015-11-20 | 前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510812111.7A CN106784128A (zh) | 2015-11-20 | 2015-11-20 | 前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106784128A true CN106784128A (zh) | 2017-05-31 |
Family
ID=58885994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510812111.7A Pending CN106784128A (zh) | 2015-11-20 | 2015-11-20 | 前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106784128A (zh) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107275418A (zh) * | 2017-07-07 | 2017-10-20 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 单面polo电池及其制备方法 |
| CN107342332A (zh) * | 2017-07-07 | 2017-11-10 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 双面polo电池及其制备方法 |
| CN107768456A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-03-06 | 无锡厚发自动化设备有限公司 | 一种降低硅片反射率的制绒方法 |
| CN110120434A (zh) * | 2019-06-18 | 2019-08-13 | 合肥晶澳太阳能科技有限公司 | 电池片及其制备方法 |
| CN110137274A (zh) * | 2019-05-24 | 2019-08-16 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种双面钝化接触的p型高效电池及其制备方法 |
| CN110660883A (zh) * | 2019-10-09 | 2020-01-07 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池 |
| CN111477720A (zh) * | 2019-10-22 | 2020-07-31 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | 一种钝化接触的n型背结太阳能电池及其制备方法 |
| JP2022501837A (ja) * | 2018-09-17 | 2022-01-06 | 浙江愛旭太陽能科技有限公司Zhejiang Aiko Solar Energy Technology Co., Ltd. | 結晶シリコン太陽電池およびその製造方法 |
| CN113903817A (zh) * | 2021-09-07 | 2022-01-07 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种晶硅太阳能电池选择性发射极的制备方法 |
| CN114695579A (zh) * | 2022-06-01 | 2022-07-01 | 晶科能源(海宁)有限公司 | 太阳能电池及光伏组件 |
| CN115117181A (zh) * | 2021-03-22 | 2022-09-27 | 黄河水电西宁太阳能电力有限公司 | 一种低成本单面钝化接触ibc电池的制作方法 |
| CN115347074A (zh) * | 2021-05-13 | 2022-11-15 | 上海凯世通半导体股份有限公司 | 一种光电元件及其制造方法 |
| US12159952B2 (en) | 2022-06-01 | 2024-12-03 | Jinko Solar (Haining) Co., Ltd. | Photovoltaic cell and photovoltaic module |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101211780A (zh) * | 2006-12-31 | 2008-07-02 | 中国科学院半导体研究所 | 一种生长二氧化硅薄膜的方法 |
| CN102437236A (zh) * | 2011-11-25 | 2012-05-02 | 中国科学院微电子研究所 | 一种黑硅太阳能电池表面的钝化方法 |
| US20120207932A1 (en) * | 2011-02-14 | 2012-08-16 | Natcore Technology, Inc. | Systems and methods for rapid liquid phase deposition of films |
| CN102800758A (zh) * | 2012-08-28 | 2012-11-28 | 夏洋 | 一种晶硅太阳能电池表面钝化层仿生制备方法 |
| CN104718630A (zh) * | 2012-08-31 | 2015-06-17 | 喜瑞能源公司 | 在基板中具有浅反掺杂层的隧穿结太阳能电池 |
-
2015
- 2015-11-20 CN CN201510812111.7A patent/CN106784128A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101211780A (zh) * | 2006-12-31 | 2008-07-02 | 中国科学院半导体研究所 | 一种生长二氧化硅薄膜的方法 |
| US20120207932A1 (en) * | 2011-02-14 | 2012-08-16 | Natcore Technology, Inc. | Systems and methods for rapid liquid phase deposition of films |
| CN102437236A (zh) * | 2011-11-25 | 2012-05-02 | 中国科学院微电子研究所 | 一种黑硅太阳能电池表面的钝化方法 |
| CN102800758A (zh) * | 2012-08-28 | 2012-11-28 | 夏洋 | 一种晶硅太阳能电池表面钝化层仿生制备方法 |
| CN104718630A (zh) * | 2012-08-31 | 2015-06-17 | 喜瑞能源公司 | 在基板中具有浅反掺杂层的隧穿结太阳能电池 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107342332A (zh) * | 2017-07-07 | 2017-11-10 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 双面polo电池及其制备方法 |
| CN107275418A (zh) * | 2017-07-07 | 2017-10-20 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 单面polo电池及其制备方法 |
| CN107768456A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-03-06 | 无锡厚发自动化设备有限公司 | 一种降低硅片反射率的制绒方法 |
| JP7212786B2 (ja) | 2018-09-17 | 2023-01-25 | 浙江愛旭太陽能科技有限公司 | 結晶シリコン太陽電池およびその製造方法 |
| JP2022501837A (ja) * | 2018-09-17 | 2022-01-06 | 浙江愛旭太陽能科技有限公司Zhejiang Aiko Solar Energy Technology Co., Ltd. | 結晶シリコン太陽電池およびその製造方法 |
| CN110137274A (zh) * | 2019-05-24 | 2019-08-16 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种双面钝化接触的p型高效电池及其制备方法 |
| CN110120434A (zh) * | 2019-06-18 | 2019-08-13 | 合肥晶澳太阳能科技有限公司 | 电池片及其制备方法 |
| CN110120434B (zh) * | 2019-06-18 | 2024-03-26 | 合肥晶澳太阳能科技有限公司 | 电池片及其制备方法 |
| CN110660883A (zh) * | 2019-10-09 | 2020-01-07 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池 |
| CN111477720A (zh) * | 2019-10-22 | 2020-07-31 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | 一种钝化接触的n型背结太阳能电池及其制备方法 |
| CN115117181A (zh) * | 2021-03-22 | 2022-09-27 | 黄河水电西宁太阳能电力有限公司 | 一种低成本单面钝化接触ibc电池的制作方法 |
| CN115347074A (zh) * | 2021-05-13 | 2022-11-15 | 上海凯世通半导体股份有限公司 | 一种光电元件及其制造方法 |
| CN113903817A (zh) * | 2021-09-07 | 2022-01-07 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种晶硅太阳能电池选择性发射极的制备方法 |
| CN114695579A (zh) * | 2022-06-01 | 2022-07-01 | 晶科能源(海宁)有限公司 | 太阳能电池及光伏组件 |
| US12159952B2 (en) | 2022-06-01 | 2024-12-03 | Jinko Solar (Haining) Co., Ltd. | Photovoltaic cell and photovoltaic module |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106784128A (zh) | 前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法 | |
| CN107845692A (zh) | 一种改进型背面隧道氧化钝化接触高效电池的制备方法 | |
| CN107195699B (zh) | 一种钝化接触太阳能电池及制备方法 | |
| EP4027395A1 (en) | Efficient back passivation crystalline silicon solar cell and manufacturing method therefor | |
| CN102290473A (zh) | 一种背面点接触晶体硅太阳电池及制备方法 | |
| CN111029438A (zh) | 一种n型钝化接触太阳能电池的制备方法 | |
| CN106784069A (zh) | 背表面隧道氧化钝化交指式背结背接触电池制作方法 | |
| CN110233180A (zh) | P型背面隧穿氧化钝化接触太阳能电池的制备方法 | |
| CN106784129A (zh) | 背发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法 | |
| CN107482079A (zh) | 选择性发射结及隧穿氧化高效n型电池制备方法 | |
| CN105576083A (zh) | 一种基于apcvd技术的n型双面太阳能电池及其制备方法 | |
| CN105810779B (zh) | 一种perc太阳能电池的制备方法 | |
| CN110890432A (zh) | 一种高效多晶硅太阳能电池及其制备方法 | |
| CN108039374A (zh) | n型双面太阳电池的制备方法 | |
| CN106711280B (zh) | 一种n型双面电池的制作方法 | |
| CN105609594A (zh) | N型双面太阳能电池的制备方法 | |
| CN106409989A (zh) | 一种n型双面太阳电池及其制备方法 | |
| CN105097978A (zh) | 一种n型背结晶体硅电池及其制备方法 | |
| JP2013165160A (ja) | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 | |
| CN110190137A (zh) | 一种用于正面接触钝化的双层钝化膜及其制备方法 | |
| CN102339902A (zh) | 掩膜扩散法制备p型太阳能电池的方法及其结构 | |
| CN106486554B (zh) | 一种实现n型双面电池隧穿氧化层钝化的方法 | |
| WO2021098018A1 (zh) | 一种光伏电池局部遂穿氧化层钝化接触结构及光伏组件 | |
| CN105845767A (zh) | 一种宽光谱晶体硅太阳能电池结构 | |
| CN102945892B (zh) | 一种太阳能电池制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170531 |