新一代808nm高功率系列单管激光芯片实现效率与寿命双重突破
度亘核芯通过外延设计、材料生长、工艺制备等多项关键技术突破，成功研发出效率与可靠性显著提升的新一代808nm系列半导体激光单管芯片，为固体激光泵浦、激光照明、生物医疗、科研应用等领域提供更高效、更稳定的核心光源。
应用背景
808nm半导体激光芯片是固体激光泵浦、激光照明、生物医疗、科研应用等领域的核心光源，其电光转换效率与长期可靠性直接决定激光器系统的能耗水平、运行稳定性及使用寿命。因此，实现效率与可靠性的双重突破，不仅能显著提升系统能效比并延长使用寿命，更能满足严苛应用对高性能与持久稳定的重要需求，推动相关应用领域的技术升级与快速发展。
开发成果
度亘核芯依托完全自主知识产权的核心技术体系，针对808nm高功率半导体激光芯片的效率与可靠性瓶颈开展了系统性技术攻关，通过创新量子阱应力调控方式，优化外延结构设计及外延材料生长质量，低损伤晶圆工艺与腔面钝化处理等关键工艺精进，实现电光转换效率与器件可靠性的协同提升，成功将电光转换效率从行业常规的60％提升至64％，达到了新的性能基准，同时外推连续使用寿命实现超过75000小时的重大突破。形成了808nm 6W、10W、15W、22W系列单管产品，可灵活适配工业泵浦、激光医疗、红外照明等多元应用场景，为追求高可靠性、高效率的高端激光应用提供关键支撑。
808nm 10W典型L－I－V－E曲线
808nm 22W典型L－I－V－E曲线
808nm单管 7000H高温大电流加速可靠性测试曲线
形成的新一代高效可靠产品系列
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