英飞凌IGBT的用处在哪

时间：2023-10-31

作者：深圳市宝安区诚芯源电子商行

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IGBT的作用
IGBT的作用 IGBT是一种功率晶体管，运用此种晶体设计之UPS可有效提升产品效能，使电源品质好、效率高、热损耗少、噪音低、体积小与产品寿命长等多种优点。 IGBT主要用于变频器逆变和其他逆变电路。将直流电压逆变成频率可调的交流电。它有阴极，阳极，和控制较。关断的时候其阻抗是非常大的基本是断路，接通的时候存在很小的电阻，通过接通或断开控制较来控制阴极和阳极之间的接通和关断。 IGBT选型四个基本
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IGBT 的驱动和保护进行了分析，结合实际应用，得出了如下几点结论：1. 栅较串联电阻和驱动电路内阻抗对 IGBT 的开通过程及驱动脉冲的波形都有很大影响。设计时应综合考虑。2. 在大电感负载下，IGBT 的开关时间不能太短，以限制出 di/dt 形成的尖峰电压，确保 IGBT 的安全。3. 由于 IGBT 在电力电子设备中多用于高压场合，故驱动电路与控制电路在电位上应严格隔离，驱动电路与 IGB
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IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。当集电极被施加一
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双较型晶体管，是由BJT(双较型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优