[go: up one dir, main page]

Follow
Dilshod Normurodov
Dilshod Normurodov
Каршинский государственный университет
Verified email at umail.uz - Homepage
Title
Cited by
Cited by
Year
Formation and electronic structure of barium-monosilicide-and barium-disilicide films
MT Normurodov, AS Rysbaev, IR Bekpulatov, DA Normurodov, ...
Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques …, 2021
282021
On the formation of silicide films of metals (Li, Cs, Rb, and Ba) during ion implantation in Si and subsequent thermal annealing
AS Rysbaev, MT Normurodov, JB Khujaniyozov, AA Rysbaev, ...
Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques …, 2021
92021
Investigation of optical and electrophysical properties of Mn4Si7 coatings of different thickness
BD Igamov, IR Bekpulatov, GT Imanova, AI Kamardin, DA Normurodov
Physics and chemistry of solid state 25 (2), 421-427, 2024
72024
Structure of МеSi Silicide Films (Me: Li, Rb, K and Cs) According to Electron Microscopy Data and the Diffraction of Slow Electrons
DAN M. T. Normuradov, A. S. Risbaev, J. B. Khujaniyozov
Distributed worldwide by Springer. Journal of Surface Investigation: X-ray …, 2020
4*2020
Creation of new materials based on dielectric films using low-energy ion implantation
MT Normuradov, DA Normurodov, KT Davronov, NM Mustafayeva
Euroasian J. Semicond. Sci. and Engineering 1 (6), 8, 2019
22019
Исследование влияния термического и лазерного отжига на профили распределения атомов в Si (111), имплантированном ионами P+ и B+
АС Рысбаев, ЖБ Хужаниязов, ИР Бекпулатов, АМ Рахимов, ...
Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 98-103, 2017
22017
Особенности электронной структуры наноразмерных ионно-имплантированных слоев в кремнии
АС Рысбаев, ЖБ Хужаниязов, МТ Нормурадов, АМ Рахимов, ...
Журнал технической физики 84 (11), 128-133, 2014
12014
Formation of Barium Silicide Coatings by Vacuum Thermal Evaporation Methods
B Igamov, A Kamardin, I Bekpulatov, M Normuradov, V Zhurikhina, ...
2024 International Conference on Electrical Engineering and Photonics …, 2024
2024
Photoinduced Absorption Spectrum of GeSi/Si Quantum Dots in the Mid-IR and Terahertz Ranges under Resonant and Non-resonant Optical Pumping
D Kararulov, R Ustimenko, G Melentev, D Hayrapetyan, K Dovranov, ...
2024 International Conference on Electrical Engineering and Photonics …, 2024
2024
Composition and electronic structure of hidden nanoscale phases and layers of BaSi formed in the near-surface of Si
BE Umirzakov, MT Normuradov, DA Normurodov, IR Bekpulatov
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov 56 (5), 491-494, 2022
2022
About preliminary B+ implantation on distribution of Na+ in silicon
AS Rysbaev, IR Bekpulatov, MT Normuradov, DA Normuradov
Summaries of reports of 50th International Tulinov conference on physics of …, 2021
2021
Об образовании пленок силицидов металлов (Li, Cs, Rb, Ba) при ионной имплантации в Si и последующем термическом отжиге
АС Рысбаев, МТ Нормуродов, ЖБ Хужаниёзов, АА Рысбаев, ...
Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 75-79, 2021
2021
Высокочувствительный термодатчик на основе монокристалла Si(111), имплантированного с разных сторон ионами Р+ и В+
АС Рысбаев, МТ Нормурадов, АМ Рахимов, ЗА Турсунметова, ...
Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 61-67, 2020
2020
ПОЛУЧЕНИЕ НАНОПЛЁНОК СИЛИЦИДОВ BA И ЩЕЛОЧНЫХ МЕТАЛЛОВ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ В Si (111) И Si (100)
ТС Камилов, ВВ Клечковская, АС Рысбаев, АС Орехов, ...
VII Всероссийская конференция по наноматериалам, 140-141, 2020
2020
Структура пленок силицидов МеSi (Ме: Li, Rb, K и Cs) по данным электронной микроскопии и дифракции медленных электронов
МТ Нормурадов, АС Рысбаев, ЖБ Хужаниёзов, ДА Нормурадов
Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 85-91, 2020
2020
Теоретическое объяснение эффекта уменьшения энергии плазмонов Si (111) при имплантации ионов с большой дозой
АС Рысбаев, ЖБ Хужаниёзов, МТ Нормурадов, АК Ташатов, ...
Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 70-77, 2020
2020
Influence of disorder of the crystal structure of ion-implanted silicon on the density of states of valent electrons
MT Normuradov, DA Normurodov, JB Khujaniezov, AS Rysbaev
2019
Спектроскопия упругорассеянных электронов-новый метод диагностики электронного состояния поверхности
МТ Нормурадов, АС Рысбаев, ДА Нормуродов, ЖБ Хужаниёзов, ...
Взаимодействие ионов с поверхностью ВИП-2019, 76-78, 2019
2019
МОДИФИКАЦИЯ СТРУКТУРЫ И СВОЙСТВ ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛОВ Si ВЫСОКОДОЗНОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ ИОНОВ Ва+ И ЩЕЛОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
АС Рысбаев, ЖБ Хужаниязов, ИР Бекпулатов, ША Талипова, ...
Взаимодействие ионов с поверхностью ВИП-2017, 214-217, 2017
2017
ОСОБЕННОСТИ СПЕКТРОВ ХАРАКТЕРИСТИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ ЭНЕРГИИ ЭЛЕКТРОНОВ В ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННЫХ СЛОЯХ Si
АС Рысбаев, ЖБ Хужаниязов, ША Талипова, ЗР Саидахмедова, ...
Взаимодействие ионов с поверхностью ВИП-2017, 218-221, 2017
2017
The system can't perform the operation now. Try again later.
Articles 1–20