WO2024048233A1

WO2024048233A1 - 電波制御板

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Publication number: WO2024048233A1
Application number: PCT/JP2023/029154
Authority: WO
Inventors: 博道吉川; 正道米原
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2022-08-29
Filing date: 2023-08-09
Publication date: 2024-03-07
Anticipated expiration: 2025-02-28
Also published as: EP4583312A1; JPWO2024048233A1; KR20250037541A; CN118923002A; CN119768971A

Abstract

電波制御板は、第１面方向に配列される複数の単位構造と、複数の単位構造の基準電位となる基準導体と、を含む。複数の単位構造は、第１面方向に広がる第１共振器と、第１共振器と同一平面に形成され、基準導体と電磁気的に接続された第２共振器とを備え、第１面方向において回転対称である第１および第２共振構造を含む。第１共振構造および第２共振構造は、第１方向に間隔を空けて、互いの第１共振器および第２共振器が対向するように配置されている。

Description

電波制御板

　本開示は、電波制御板に関する。

　誘電体レンズを用いずに、電磁波を制御する技術が知られている。例えば、特許文献１には、共振器素子を配列した構造において、各素子のパラメータを変化させることで、電波を屈折させる技術が記載されている。

特開２０１５－２３１１８２号公報

　本開示の電波制御板は、第１面方向に配列される複数の単位構造と、前記複数の単位構造の基準電位となる基準導体と、を含み、前記複数の単位構造は、前記第１面方向に広がる第１共振器と、前記第１共振器と同一平面に形成され、前記基準導体と電磁気的に接続された第２共振器とを備え、前記第１面方向において回転対称である第１および第２共振構造を含み、前記第１共振構造および前記第２共振構造は、第１方向に間隔を空けて、互いの前記第１共振器および前記第２共振器が対向するように配置されている。

　本開示の電波制御板は、第１面方向に配列される複数の単位構造と、前記複数の単位構造の基準電位となる基準導体と、を含む電波制御板であって、前記複数の単位構造は、前記第１面方向に広がるλ／２共振器と、前記λ／２共振器と同一平面に形成され、前記基準導体と電磁気的に接続されたλ／４共振器とを備える第１および第２共振構造を含み、前記第１共振構造および前記第２共振構造は、第１方向に間隔を空けて、互いの前記λ／２共振器よび前記λ／４共振器が対向するように配置されている。

　本開示の電波制御板は、第１面方向に配列される複数の単位構造と、前記複数の単位構造の基準電位となる基準導体と、を含む電波制御板であって、前記複数の単位構造は、前記第１面方向に広がるλ／２共振器と、前記λ／２共振器と同一平面に形成され、前記基準導体と電磁気的に接続されたλ／４共振器とを備える第１および第２共振構造を含み、前記第１共振構造および前記第２共振構造は、第１方向に間隔を空けて、互いの前記λ／２共振器および前記λ／４共振器が対向するように配置されており、前記電波制御板は、低周波側から順に第１共振周波数、第２共振周波数、第３共振周波数、および第４共振周波数の４個の共振周波数を有し、前記第３共振周波数と前記第４共振周波数の間に２個の減衰極を発生させてバンドパスフィルタの通過帯域を形成させるように構成されている。

　本開示の電波制御板は、第１面方向に配列される複数の単位構造と、前記複数の単位構造の基準電位となる基準導体と、を含む電波制御板であって、前記複数の単位構造は、前記第１面方向に広がるλ／２共振器と、前記λ／２共振器と同一平面に形成され、前記基準導体と電磁気的に接続されたλ／４共振器とを備える第１および第２共振構造を含み、前記第１共振構造および前記第２共振構造は、第１方向に間隔を空けて、互いの前記λ／２共振器および前記λ／４共振器が対向するように配置されており、前記電波制御板は、低周波側から順に第１共振周波数、第２共振周波数、第３共振周波数、および第４共振周波数の４個の共振周波数を有し、前記第１共振周波数と前記第３共振周波数の間に２個の減衰極を発生させてバンドパスフィルタの通過帯域を形成させるように構成されている。

　本開示の電波制御板は、第１面方向に配列される複数の第１単位構造と、前記第１面方向に配列される複数の第２単位構造と、前記複数の第１単位構造および前記複数の第２単位構造の基準電位となる基準導体と、を含み、前記複数の第１単位構造は、前記第１面方向に広がるλ／２共振器と、前記λ／２共振器と同一平面に形成され、前記基準導体と電磁気的に接続されたλ／４共振器とを備える第１および第２共振構造を含み、前記第１共振構造および前記第２共振構造は、第１方向に間隔を空けて、互いの前記λ／２共振器および前記λ／４共振器が対向するように配置されており、前記複数の第２単位構造は、前記第１面方向に広がる第１および第２パッチ導体を含み、前記第１パッチ導体および前記第２パッチ導体は、前記第１方向に間隔を空けて、対抗するように配置されている。

図１は、第１実施形態に係る電波屈折板の概要を説明するための図である。図２は、第１実施形態に係る単位構造の構成例を示す図である。図３は、第１実施形態に係る第１共振構造の構成例を示す図である。図４は、第１実施形態に係る第２共振構造の構成例を示す図である。図５は、第２実施形態の第１の例に係る第１共振構造の第２共振器と第２共振構造の第２共振器との位置関係を説明するための図である。図６は、第２実施形態の第１の例に係る単位構造の反射特性と透過特性を示す図である。図７は、第２実施形態の第１の例に係る単位構造の位相変化量を示す図である。図８は、第２実施形態の第２の例に係る第１共振構造の第２共振器と第２共振構造の第２共振器との位置関係を説明するための図である。図９は、第２実施形態の第２の例に係る単位構造の反射特性と透過特性を示す図である。図１０は、第２実施形態の第２の例に係る単位構造の位相変化量を示す図である。図１１は、比較例に係る単位構造の構成例を示す図である。図１２は、第３実施形態に係る電波制御板における単位構造の配置例を説明するための図である。図１３は、第４実施形態に係る単位構造の共振構造を説明するための図である。図１４は、第４実施形態に係る単位構造の反射特性と透過特性を示す図である。図１５は、第５実施形態に係る単位構造の共振構造を説明するための図である。図１６は、第５実施形態に係る単位構造の反射特性と透過特性を示す図である。図１７Ａは、第５実施形態に係る単位構造の第１周波数の電波に対する磁界の強さを示すシミュレーション結果を示す図である。図１７Ｂは、第５実施形態に係る単位構造の第２周波数の電波に対する磁界の強さを示すシミュレーション結果を示す図である。図１７Ｃは、第５実施形態に係る単位構造の第３周波数の電波に対する磁界の強さを示すシミュレーション結果を示す図である。図１７Ｄは、第５実施形態に係る単位構造の第４周波数の電波に対する磁界の強さを示すシミュレーション結果を示す図である。図１７Ｅは、第５実施形態に係る単位構造の第５周波数の電波に対する磁界の強さを示すシミュレーション結果を示す図である。図１７Ｆは、第５実施形態に係る単位構造の第６周波数の電波に対する磁界の強さを示すシミュレーション結果を示す図である。図１８は、第５実施形態に係る単位構造の位相変化量を示す図である。図１９は、その他の実施形態に係る第１共振構造の構成例を示す図である。図２０は、その他の実施形態に係る第２共振構造の構成例を示す図である。図２１は、その他の実施形態に係る単位構造の反射特性と透過特性を示す図である。図２２は、その他の実施形態に係る単位構造の位相変化量を示す図である。

　以下、添付図面を参照して、本発明に係る実施形態を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではなく、また、以下の実施形態において、同一の部位には同一の符号を付することにより重複する説明を省略する。

　以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内のＸ軸と平行な方向をＸ軸方向とし、Ｘ軸と直交する水平面内のＹ軸と平行な方向をＹ軸方向とし、水平面と直交するＺ軸と平行な方向をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸およびＹ軸を含む平面を適宜ＸＹ平面と称し、Ｘ軸およびＺ軸を含む平面を適宜ＸＺ平面と称し、Ｙ軸およびＺ軸を含む平面を適宜ＹＺ平面と称する。ＸＹ平面は、水平面と平行である。ＸＹ平面とＸＺ平面とＹＺ平面とは直交する。

［第１実施形態］
（電波屈折板）
　図１を用いて、第１実施形態に係る電波屈折板の概要について説明する。図１は、第１実施形態に係る電波屈折板の概要を説明するための図である。

　電波屈折板１は、基地局が送信した電波が透過可能に構成された板状の部材である。電波屈折板１は、例えば、基地局が送信した電波を受けると、その電波を所定の角度に屈折させて出射するように構成されている。電波屈折板１は、例えば、入射波の位相を変化させるメタマテリアルなどで構成され得る。電波屈折板１は、電波制御板の一種である。

　図１に示すように、電波屈折板１は、例えば、基板２と、単位構造１０ａと、単位構造１０ｂと、単位構造１０ｃと、単位構造１０ｄとを含み得る。

　単位構造１０ａと、単位構造１０ｂと、単位構造１０ｃと、単位構造１０ｄとは、基板２上に形成され得る。基板２は、例えば、誘電体で形成された誘電体基板であり得る。基板２は、例えば、矩形形状を有し得るが、これに限定されない。単位構造１０ａと、単位構造１０ｂと、単位構造１０ｃと、単位構造１０ｄとは、基板２上に２次元に配列され得る。

　具体的には、基板２において、基板２の最下段には、複数の単位構造１０ａが一例に設置され得る。基板２において、単位構造１０ａが設置されている段の上の段には、複数の単位構造１０ｂが一列に設置され得る。基板２において、単位構造１０ｂが設置されている段の上の段には、複数の単位構造１０ｃが一列に設置され得る。基板２において、単位構造１０ｃが設置されている段の上の段には、複数の単位構造１０ｄが一列に設置され得る。すなわち、電波屈折板１は、サイズの異なる複数の単位構造が周期的に配列された構造を有し得る。単位構造１０ａから単位構造１０ｄは、それぞれ、変化させる電波の周波数帯域および位相の変化量が異なり得る。単位構造１０ａから単位構造１０ｄは、それぞれ矩形形状を有しているが、これに限定されない。単位構造１０ａと、単位構造１０ｂと、単位構造１０ｃと、単位構造１０ｄとの大きさおよび形状を変化させることで、屈折させる電波の周波数帯域および位相の変化量を調整し得る。

（単位構造）
　図２は、第１実施形態に係る単位構造の構成例について説明する。図２は、第１実施形態に係る単位構造の構成例を示す図である。

　単位構造１０は、基板２と、第１共振構造１１と、第２共振構造１２と、を含む。単位構造１０は、２つの共振構造を２層に積層した２層構造を有する。第１共振構造１１と、第２共振構造１２とは、Ｚ方向に間隔を空けて互いに対向するように配置されている。Ｚ方向は、第１方向の一種である。

　第１共振構造１１は、矩形に形成され得る。第１共振構造１１の形状は、矩形に限定されない。第１共振構造１１は、基準導体２０と、第１共振器２１と、第２共振器２２と、第２共振器２３と、第２共振器２４と、第２共振器２５と、を備える。

　第２共振構造１２は、矩形に形成され得る。第２共振構造１２の形状は、矩形に限定されない。第２共振構造１２は、基準導体３０と、第１共振器３１と、第２共振器３２と、第２共振器３３と、第２共振器３４と、第２共振器３５と、を備える。

　基準導体２０と、基準導体３０とは対向する。第１共振器２１と、第１共振器３１とは対向する。第２共振器２２と、第２共振器３２とは対向する。第２共振器２３と、第２共振器３３とは対向する。第２共振器２４と、第２共振器３４とは対向する。第２共振器２５と、第２共振器３５とは対向する。

（共振構造）
　図３を用いて、第１実施形態に係る第１共振構造の構成例について説明する。図３は、第１実施形態に係る第１共振構造の構成例を示す図である。

　第１共振構造１１において、基準導体２０と、第１共振器２１と、第２共振器２２と、第２共振器２３と、第２共振器２４と、第２共振器２５とは、同一のＸＹ平面に形成されている。

　基準導体２０は、ＸＹ平面に広がる矩形の枠状に形成されている。基準導体２０の形状は、限定されない。基準導体２０は、第１共振器２１と、第２共振器２２と、第２共振器２３と、第２共振器２４と、第２共振器２５とを囲うように形成されている。基準導体２０は、基準電位に電磁気的に接続されている。基準電位は、グラウンドであるがこれに限定されない。

　第１共振器２１は、導体で形成されている。第１共振器２１は、例えば、基準導体２０の内周の中央部に形成されている。第１共振器２１は、ＸＹ平面に形成されている。第１共振器２１は、基準導体２０と電磁気的に接続されていない。すなわち、第１共振器２１は、λ／２共振器として構成されている。第１共振器２１は、例えば、ＸＹ平面に広がる矩形のパッチ導体であるが、これに限定されない。第１共振器２１は、中央部に孔部２１ａを有する。第１共振器２１は、孔部２１ａを有していなくてもよい。第１共振器２１の孔部２１ａの大きさを調整することで、第１共振構造１１の容量値を調整可能である。

　第２共振器２２は、導体で形成されている。第２共振器２２は、例えば、基準導体２０の内周の左上部の角部に形成されている。第２共振器２２は、ＸＹ平面に形成されている。第２共振器２２は、第１導体部２２１と、第２導体部２２２と、第３導体部２２３と、を有する。第１導体部２２１は、一端が基準導体２０の上辺に電磁気的に接続されている。第１導体部２２１は、＋Ｘ方向に延びる。第１導体部２２１の他端は、Ｙ方向に平行に折り曲げられて第２導体部２２２を形成している。第２導体部２２２は、－Ｙ方向に延びる。第２導体部２２２の先端は、Ｘ方向に平行に折り曲げられて第３導体部２２３を形成している。第３導体部２２３は、－Ｘ方向に延びる。第３導体部２２３の先端は、基準導体２０に電磁気的に接続されていない。第２共振器２２は、λ／４共振器として構成されている。

　第２共振器２３は、導体で形成されている。第２共振器２３は、例えば、基準導体２０の内周の右上部の角部に形成されている。第２共振器２３は、ＸＹ平面に形成されている。第２共振器２３は、第１導体部２３１と、第２導体部２３２と、第３導体部２３３と、を有する。第１導体部２３１は、一端が基準導体２０の右辺に電磁気的に接続されている。第１導体部２３１は、－Ｙ方向に延びる。第１導体部２３１の他端は、Ｘ方向に平行に折り曲げられて第２導体部２３２を形成している。第２導体部２３２は、－Ｘ方向に延びる。第２導体部２３２の先端は、Ｙ方向に平行に折り曲げられて第３導体部２３３を形成している。第３導体部２３３は、＋Ｙ方向に延びる。第３導体部２３３の先端は、基準導体２０に電磁気的に接続されていない。第２共振器２３は、λ／４共振器として構成されている。

　第２共振器２４は、導体で形成されている。第２共振器２４は、例えば、基準導体２０の内周の右下部の角部に形成されている。第２共振器２４は、ＸＹ平面に形成されている。第２共振器２４は、第１導体部２４１と、第２導体部２４２と、第３導体部２４３と、を有する。第１導体部２４１は、一端が基準導体２０の下辺に電磁気的に接続されている。第１導体部２４１は、－Ｘ方向に延びる。第１導体部２４１の他端は、Ｙ方向に平行に折り曲げられて第２導体部２４２を形成している。第２導体部２４２は、＋Ｙ方向に延びる。第２導体部２４２の先端は、Ｘ方向に平行に折り曲げられて第３導体部２４３を形成している。第３導体部２４３は、＋Ｘ方向に延びる。第３導体部２４３の先端は、基準導体２０に電磁気的に接続されていない。第２共振器２４は、λ／４共振器として構成されている。

　第２共振器２５は、導体で形成されている。第２共振器２５は、例えば、基準導体２０の内周の左下部の角部に形成されている。第２共振器２５は、ＸＹ平面に形成されている。第２共振器２５は、第１導体部２５１と、第２導体部２５２と、第３導体部２５３と、を有する。第１導体部２５１は、一端が基準導体２０の左辺に電磁気的に接続されている。第１導体部２５１は、＋Ｙ方向に延びる。第１導体部２５１の他端は、Ｘ方向に平行に折り曲げられて第２導体部２５２を形成している。第２導体部２５２は、＋Ｘ方向に延びる。第２導体部２５２の先端は、Ｙ方向に平行に折り曲げられて第３導体部２５３を形成している。第３導体部２５３は、－Ｙ方向に延びる。第３導体部２５３の先端は、基準導体２０に電磁気的に接続されていない。第２共振器２５は、λ／４共振器として構成されている。

　第２共振器２２と、第２共振器２３と、第２共振器２４と、第２共振器２５とは、それぞれ、同一の形状を有する。第２共振器２２と、第２共振器２３と、第２共振器２４と、第２共振器２５との形状は、ヘアピン形状とも呼ばれる。第２共振器２２と、第２共振器２３と、第２共振器２４と、第２共振器２５との形状は、図３に示す形状に限定されない。第２共振器２２と、第２共振器２３と、第２共振器２４と、第２共振器２５とは、ＸＹ平面において、回転対称な形状に形成されていればよい。

　すなわち、第１共振構造１１においては、λ／２共振器と、λ／４共振器との種類の異なる２種類の共振器が同一平面に形成されている。

　図４を用いて、第１実施形態に係る第２共振構造の構成例について説明する。図４は、第１実施形態に係る第２共振構造の構成例を示す図である。

　第２共振構造１２において、基準導体３０と、第１共振器３１と、第２共振器３２と、第２共振器３３と、第２共振器３４と、第２共振器３５とは、同一のＸＹ平面に形成されている。

　基準導体３０は、ＸＹ平面に広がる矩形の枠状に形成されている。基準導体３０の形状は、限定されない。基準導体３０は、第１共振器３１と、第２共振器３２と、第２共振器３３と、第２共振器３４と、第２共振器３５とを囲うように形成されている。基準導体２０は、基準電位に電磁気的に接続されている。基準電位は、グラウンドであるがこれに限定されない。

　第１共振器３１は、導体で形成されている。第１共振器３１は、例えば、基準導体３０の内周の中央部に形成されている。第１共振器３１は、ＸＹ平面に形成されている。第１共振器３１は、基準導体３０と電磁気的に接続されていない。すなわち、第１共振器３１は、λ／２共振器として構成されている。第１共振器３１は、例えば、ＸＹ平面に広がる矩形のパッチ導体であるが、これに限定されない。第１共振器３１は、中央部に孔部３１ａを有する。第１共振器３１は、孔部３１ａを有していなくてもよい。第１共振器３１の孔部３１ａの大きさを調整することで、第２共振構造１２の容量値を調整可能である。

　第２共振器３２は、導体で形成されている。第２共振器３２は、例えば、基準導体３０の内周の左上部の角部に形成されている。第２共振器３２は、ＸＹ平面に形成されている。第２共振器３２は、第１導体部３２１と、第２導体部３２２と、第３導体部３２３と、を有する。第１導体部３２１は、一端が基準導体２０の左辺に電磁気的に接続されている。第１導体部３２１は、＋Ｙ方向に延びる。第１導体部３２１の他端は、Ｘ方向に平行に折り曲げられて第２導体部３２２を形成している。第２導体部３２２は、－Ｘ方向に延びる。第２導体部３２２の先端は、Ｙ方向に平行に折り曲げられて第３導体部３２３を形成している。第３導体部３２３は、－Ｙ方向に延びる。第３導体部３２３の先端は、基準導体３０に電磁気的に接続されていない。第２共振器３２は、λ／４共振器として構成されている。

　第２共振器３３は、導体で形成されている。第２共振器３３は、例えば、基準導体２０の内周の右上部の角部に形成されている。第２共振器３３は、ＸＹ平面に形成されている。第２共振器３３は、第１導体部３３１と、第２導体部３３２と、第３導体部３３３と、を有する。第１導体部３３１は、一端が基準導体２０の上辺に電磁気的に接続されている。第１導体部３３１は、＋Ｘ方向に延びる。第１導体部３３１の他端は、Ｙ方向に平行に折り曲げられて第２導体部３３２を形成している。第２導体部３３２は、－Ｙ方向に延びる。第２導体部３３２の先端は、Ｘ方向に平行に折り曲げられて第３導体部３３３を形成している。第３導体部３３３は、－Ｘ方向に延びる。第３導体部３３３の先端は、基準導体３０に電磁気的に接続されていない。第２共振器３３は、λ／４共振器として構成されている。

　第２共振器３４は、導体で形成されている。第２共振器３４は、例えば、基準導体２０の内周の右下部の角部に形成されている。第２共振器３４は、ＸＹ平面に形成されている。第２共振器３４は、第１導体部３４１と、第２導体部３４２と、第３導体部３４３と、を有する。第１導体部３４１は、一端が基準導体２０の右辺に電磁気的に接続されている。第１導体部３４１は、－Ｙ方向に延びる。第１導体部３４１の他端は、Ｘ方向に平行に折り曲げられて第２導体部３４２を形成している。第２導体部３４２は、＋Ｘ方向に延びる。第２導体部３４２の先端は、Ｙ方向に平行に折り曲げられて第３導体部３４３を形成している。第３導体部３４３は、＋Ｙ方向に延びる。第３導体部３４３の先端は、基準導体３０に電磁気的に接続されていない。第２共振器３４は、λ／４共振器として構成されている。

　第２共振器３５は、導体で形成されている。第２共振器３５は、例えば、基準導体２０の内周の左下部の角部に形成されている。第２共振器３５は、ＸＹ平面に形成されている。第２共振器３５は、第１導体部３５１と、第２導体部３５２と、第３導体部３５３と、を有する。第１導体部３５１は、一端が基準導体２０の下辺に電磁気的に接続されている。第１導体部３５１は、－Ｘ方向に延びる。第１導体部３５１の他端は、Ｙ方向に平行に折り曲げられて第２導体部３５２を形成している。第２導体部３５２は、＋Ｘ方向に延びる。第２導体部３５２の先端は、Ｙ方向に平行に折り曲げられて第３導体部３５３を形成している。第３導体部３５３は、－Ｙ方向に延びる。第３導体部３５３の先端は、基準導体３０に電磁気的に接続されていない。第２共振器３５は、λ／４共振器として構成されている。

　第２共振器３２と、第２共振器３３と、第２共振器３４と、第２共振器３５とは、それぞれ、同一の形状を有する。第２共振器３２と、第２共振器３３と、第２共振器３４と、第２共振器３５との形状は、ヘアピン形状とも呼ばれる。第２共振器３２と、第２共振器３３と、第２共振器３４と、第２共振器３５との形状は、図４に示す形状に限定されない。第２共振器３２と、第２共振器３３と、第２共振器３４と、第２共振器３５とは、ＸＹ平面において、回転対称な形状に形成されていればよい。

　すなわち、第２共振構造１２においては、λ／２共振器と、λ／４共振器との種類の異なる２種類の共振器が同一平面に形成されている。

　図３および図４に示すように、第２共振器２２と、第２共振器２２と対向する第２共振器３２とは、同一の形状を有する。第２共振器２２と、第２共振器３２とは、ＸＹ平面で互いに重なり合わないように形成されている。例えば、第２共振器３２は、第１共振構造１１に形成された第２共振器２２に対して反転させかつ回転した状態で第２共振構造１２に形成されている。具体的には、第２共振器３２は、第２共振器２２を反転させかつ９０°回転した状態で第２共振構造１２に形成されている。

　図３および図４に示すように、第２共振器２３と、第２共振器２３と対向する第２共振器３３とは、同一の形状を有する。第２共振器２３と、第２共振器３３とは、ＸＹ平面で互いに重なり合わないように形成されている。例えば、第２共振器３３は、第１共振構造１１に形成された第２共振器２３に対して反転させかつ回転した状態で第２共振構造１２に形成されている。具体的には、第２共振器３３は、第２共振器２３を反転させかつ９０°回転した状態で第２共振構造１２に形成されている。

　図３および図４に示すように、第２共振器２４と、第２共振器２４と対向する第２共振器３４とは、同一の形状を有する。第２共振器２４と、第２共振器３４とは、ＸＹ平面で互いに重なり合わないように形成されている。例えば、第２共振器３４は、第１共振構造１１に形成された第２共振器２４に対して反転させかつ回転した状態で第２共振構造１２に形成されている。具体的には、第２共振器３４は、第２共振器２４を反転させかつ９０°回転した状態で第２共振構造１２に形成されている。

　図３および図４に示すように、第２共振器２５と、第２共振器２５と対向する第２共振器３５とは、同一の形状を有する。第２共振器２５と、第２共振器３５とは、ＸＹ平面で互いに重なり合わないように形成されている。例えば、第２共振器３５は、第１共振構造１１に形成された第２共振器２５に対して反転させかつ回転した状態で第２共振構造１２に形成されている。具体的には、第２共振器３５は、第２共振器２５を反転させかつ９０°回転した状態で第２共振構造１２に形成されている。

　上述のように、本実施形態では、単位構造１０は、第１共振構造１１と、第２共振構造１２との２層構造を有する。本実施形態では、単位構造１０を使用することにより、位相変化量が大きく両偏波対応の薄型の電波制御板が提供可能となる。

［第２実施形態］
（特性の比較）
　本実施形態では、第２共振器２２から第２共振器２５と、第２共振器３２から第２共振器３５とのそれぞれの大きさおよび重なり具合を調整することにより、電波の位相変化量と電波を透過させる周波数帯域とを調整することができる。

（第１の例）
　図５を用いて、第２実施形態の第１の例に係る単位構造における第１共振構造の第２共振器と第２共振構造の第２共振器との位置関係について説明する。図５は、第２実施形態の第１の例に係る第１共振構造の第２共振器と第２共振構造の第２共振器との位置関係を説明するための図である。

　図５は、単位構造１０Ａを上面から見た場合の、ＸＹ平面における、基準導体２０Ａ、第１共振器２１Ａ、第２共振器２２Ａ、第２共振器２３Ａ、第２共振器２４Ａ、第２共振器２５Ａ、基準導体３０Ａ、第１共振器３１Ａ、第２共振器３２Ａ、第２共振器３３Ａ、第２共振器３４Ａ、および第２共振器３５Ａの位置関係を示す。

　基準導体２０Ａと、基準導体３０Ａとは、ＸＹ平面で、重なるように形成されている。第１共振器２１Ａと、第１共振器３１Ａとは、ＸＹ平面で、重なるように形成されている。

　第２共振器２２Ａは、第１導体部２２１Ａと、第２導体部２２２Ａと、第３導体部２２３Ａと、を有する。第２共振器３２Ａは、第１導体部３２１Ａと、第２導体部３２２Ａと、第３導体部３２３Ａと、を有する。第２共振器２２Ａと、第２共振器２３Ａとは、対向するように形成されている。第２共振器２２Ａは、第３導体部２２３Ａの先端部が第１導体部３２１Ａに重なるように形成されている。第２共振器３２Ａは、第３導体部３２３Ａの先端部が第１導体部２２１Ａに重なるように形成されている。

　第２共振器２３Ａは、第１導体部２３１Ａと、第２導体部２３２Ａと、第３導体部２３３Ａと、を有する。第２共振器３３Ａは、第１導体部３３１Ａと、第２導体部３３２Ａと、第３導体部３３３Ａと、を有する。第２共振器２３Ａと、第２共振器３３Ａとは、対向するように形成されている。第２共振器２３Ａは、第３導体部２３３Ａの先端部が第１導体部３３１Ａに重なるように形成されている。第２共振器３３Ａは、第３導体部３３３Ａの先端部が第１導体部２３１Ａに重なるように形成されている。

　第２共振器２４Ａは、第１導体部２４１Ａと、第２導体部２４２Ａと、第３導体部２４３Ａと、を有する。第２共振器３４Ａは、第１導体部３４１Ａと、第２導体部３４２Ａと、第３導体部３４３Ａと、を有する。第２共振器２４Ａと、第２共振器３４Ａとは、対向するように形成されている。第２共振器２４Ａは、第３導体部２４３Ａの先端部が第１導体部３４１Ａに重なるように形成されている。第２共振器３４Ａは、第３導体部３４３Ａの先端部が第１導体部２４１Ａに重なるように形成されている。

　第２共振器２５Ａは、第１導体部２５１Ａと、第２導体部２５２Ａと、第３導体部２５３Ａと、を有する。第２共振器３５Ａは、第１導体部３５１Ａと、第２導体部３５２Ａと、第３導体部３５３Ａと、を有する。第２共振器２５Ａと、第２共振器３５Ａとは、対向するように形成されている。第２共振器２５Ａは、第３導体部２５３Ａの先端部が第１導体部３５１Ａに重なるように形成されている。第２共振器３５Ａは、第３導体部３５３Ａの先端部が第１導体部２５１Ａに重なるように形成されている。

　本実施形態においては、単位構造１０Ａの透過特性に現れる減衰極の位置を調整することにより、位相変化量を制御することができる。

　本実施形態に係る電波屈折板１は、２個以上の共振周波数を有する。電波屈折板１は、２個以上の共振周波数の一部を使用してバンドパスフィルタの通過帯域を形成するように構成されている。具体的には、電波屈折板１は、低周波側から順に第１共振周波数、第２共振周波数、第３共振周波数、および第４共振周波数の４個の共振周波数を有する。高周波側の２個の共振周波数を使用してバンドパスフィルタの通過帯域を形成させるように構成されている。

　図６と、図７とを用いて、第２実施形態の第１の例に係る単位構造の特性について説明する。図６は、第２実施形態の第１の例に係る単位構造の反射特性と透過特性を示す図である。図７は、第２実施形態の第１の例に係る単位構造の位相変化量を示す図である。

　図６において、横軸は周波数［ＧＨｚ（ギガヘルツ）］を示し、縦軸はゲイン［ｄＢ（デシベル）］を示す。グラフ１０１は、単位構造１０Ａの透過特性を示す。グラフ１０２は、単位構造１０Ａの反射特性を示す。

　グラフ１０１が示すように、単位構造１０Ａは、透過特性に減衰極Ｐ１と、減衰極Ｐ２との２つの減衰極を有する。本実施形態では、減衰極Ｐ１と、減衰極Ｐ２とを発生させる位置を調整することにより、単位構造１０Ａのバンドパスフィルタとしての通過帯域を調整することができる。

　グラフ１０２が示すように、単位構造１０Ａは、第１共振周波数ｆ１と、第２共振周波数ｆ２と、第３共振周波数ｆ３と、第４共振周波数ｆ４との４つの共振周波数を有する。

　減衰極Ｐ１と、減衰極Ｐ２とは、第１共振周波数ｆ１と、第４共振周波数ｆ４との間の周波数帯域に形成されている。第１共振周波数ｆ１と、第３共振周波数ｆ３との間の周波数帯域に形成されている。本実施形態では、減衰極Ｐ１と、減衰極Ｐ２との周波数を重ねることで、見かけ上、１個の減衰極となるように調整されている。これにより、反射特性が－１０ｄＢ以下となる領域２０１を形成することができる。領域２０１は、バンドパスフィルタとしての通過帯域となる。領域２０１は、例えば、３１．００ＧＨｚから３３．００ＧＨｚ程度の帯域であるが、これに限定されない。領域２０１には、第３共振周波数ｆ３と、第４共振周波数ｆ４との高周波側の２つの共振周波数が含まれ得る。すなわち、第１実施形態の第１の例は、第３共振周波数ｆ３と、第４共振周波数ｆ４との２つの共振周波数を利用して通過帯域を形成しているともいえる。

　図７に示すように、単位構造１０Ａは、領域２０１において。位相を１００°から０°にまで変化させることができる。単位構造１０Ａを用いることにより、電波制御板を薄型化することができる。

（第２の例）
　図８を用いて、第２実施形態の第２の例に係る単位構造における第１共振構造の第２共振器と第２共振構造の第２共振器との位置関係について説明する。図８は、第２実施形態の第２の例に係る第１共振構造の第２共振器と第２共振構造の第２共振器との位置関係を説明するための図である。

　図８は、単位構造１０Ｂを上面から見た場合の、ＸＹ平面における、基準導体２０Ｂ、第１共振器２１Ｂ、第２共振器２２Ｂ、第２共振器２３Ｂ、第２共振器２４Ｂ、第２共振器２５Ｂ、基準導体３０Ｂ、第１共振器３１Ｂ、第２共振器３２Ｂ、第２共振器３３Ｂ、第２共振器３４Ｂ、および第２共振器３５Ｂの位置関係を示す。

　第１共振器２１Ｂは、孔部２１Ｂａを有する点で、図５に示す第１共振器２１Ａと異なる。第１共振器３１Ｂは、孔部３１Ｂａを有する点で、図５に示す第１共振器２１Ａと異なる。

　第２共振器２２Ｂは、第１導体部２２１Ｂと、第２導体部２２２Ｂと、第３導体部２２３Ｂと、を有する。第２共振器３２Ｂは、第１導体部３２１Ｂと、第２導体部３２２Ｂと、第３導体部３２３Ｂと、を有する。第２共振器２２Ｂは、第３導体部２２３Ｂの先端部が第２共振器３２Ｂの第３導体部３２３Ｂの先端部と重なるように形成されている点で、図５に示す第２共振器２２Ａと異なる。

　第２共振器２３Ｂは、第１導体部２３１Ｂと、第２導体部２３２Ｂと、第３導体部２３３Ｂと、を有する。第２共振器３３Ｂは、第１導体部３３１Ｂと、第２導体部３３２Ｂと、第３導体部３３３Ｂと、を有する。第２共振器２３Ｂは、第３導体部２３３Ｂの先端部が第２共振器３３Ｂの第３導体部３３３Ｂの先端部と重なるように形成されている点で、図５に示す第２共振器２３Ａと異なる。

　第２共振器２４Ｂは、第１導体部２４１Ｂと、第２導体部２４２Ｂと、第３導体部２４３Ｂと、を有する。第２共振器３４Ｂは、第１導体部３４１Ｂと、第２導体部３４２Ｂと、第３導体部３４３Ｂと、を有する。第２共振器２４Ｂは、第３導体部２４３Ｂの先端部が第２共振器３４Ｂの第３導体部３４３Ｂの先端部と重なるように形成されている点で、図５に示す第２共振器２４Ａと異なる。

　第２共振器２５Ｂは、第１導体部２５１Ｂと、第２導体部２５２Ｂと、第３導体部２５３Ｂと、を有する。第２共振器３５Ｂは、第１導体部３５１Ｂと、第２導体部３５２Ｂと、第３導体部３５３Ｂと、を有する。第２共振器２５Ｂは、第３導体部２５３Ｂの先端部が第２共振器３５Ｂの第３導体部３５３Ｂの先端部と重なるように形成されている点で、図５に示す第２共振器２５Ａと異なる。

　図９と、図１０とを用いて、第２実施形態の第２の例に係る単位構造の特性について説明する。図９は、第２実施形態の第２の例に係る単位構造の反射特性と透過特性を示す図である。図１０は、第２実施形態の第２の例に係る単位構造の位相変化量を示す図である。

　図９において、横軸は周波数［ＧＨｚ］を示し、縦軸はゲイン［ｄＢ］を示す。グラフ１０４は、単位構造１０Ｂの透過特性を示す。グラフ１０５は、単位構造１０Ｂの反射特性を示す。

　グラフ１０４が示すように、単位構造１０Ｂは、透過特性に減衰極Ｐ３と、減衰極Ｐ４との２つの減衰極を有する。

　グラフ１０５が示すように、単位構造１０Ｂは、第１共振周波数ｆ５と、第２共振周波数ｆ６と、第３共振周波数ｆ７と、第４共振周波数ｆ８との４つの共振周波数を有する。

　減衰極Ｐ３と、減衰極Ｐ４とは、第１共振周波数ｆ１と、第４共振周波数ｆ４との間の周波数帯域に形成されている。減衰極Ｐ３は、第１共振周波数ｆ５と、第２共振周波数ｆ６との間の周波数帯域に形成されている。減衰極Ｐ４は、第２共振周波数ｆ６と、第３共振周波数ｆ７との間の周波数帯域に形成されている。本実施形態では、減衰極Ｐ３と、減衰極Ｐ４との周波数を重ねることで、見かけ上、１個の減衰極となるように調整されている。これにより、反射特性が－５ｄＢ以下となる領域２０２を形成することができる。領域２０２は、バンドパスフィルタとしての通過帯域となる。領域２０２は、例えば、２８．５０ＧＨｚから３１．００ＧＨｚ程度の帯域であるが、これに限定されない。

　図１０に示すように、単位構造１０Ｂは、領域２０２において、電波の位相を１８０°から０°の範囲の位相を変化させることができる。単位構造１０Ｂを用いることにより、電波制御板の構成を薄型化することができる。

［第３実施形態］
　次に、第３実施形態について説明する。第３実施形態は、図５に示す単位構造１０Ａまたは図８に示す単位構造１０Ｂを用いることにより、電波の位相を広範囲にわたって変化させることができる電波制御板を構成することができる。

　第３実施形態を説明する前に、図１１を用いて、比較例に係る単位構造の構成例について説明する。図１１は、比較例に係る単位構造の構成例を示す図である。

　単位構造１０Ｃは、基板２と、第１共振構造１１Ｃと、第２共振構造１２Ｃと、を含む。単位構造１０Ｃは、２つの共振構造を２層に積層した２層構造を有する。第１共振構造１１Ｃと、第２共振構造１２Ｃとは、Ｚ方向に間隔を空けて互いに対向するように配置されている。

　第１共振構造１１Ｃは、矩形に形成され得る。第１共振構造１１Ｃの形状は、矩形に限定されない。第１共振構造１１Ｃは、基準導体２０Ｃと、第１共振器２１Ｃと、を備える。基準導体２０Ｃは、第１共振器２１Ｃを囲うように形成されている。第１共振器２１Ｃは、λ／２共振器である。

　第２共振構造１２Ｃは、矩形に形成され得る。第２共振構造１２Ｃの形状は、矩形に限定されない。第２共振構造１２Ｃは、基準導体３０Ｃと、第１共振器３１Ｃと、を備える。基準導体３０Ｃは、第１共振器３１Ｃを囲うように形成されている。第１共振器３１Ｃは、λ／２共振器である。

　基準導体２０Ｃと、基準導体３０Ｃとは対向する。第１共振器２１Ｃと、第１共振器３１Ｃとは対向する。

　単位構造１０Ｃは、例えば、電波の位相を１５°から－１３０°の範囲の位相を変化させることができる。すなわち、単位構造１０Ｃは、図５に示す単位構造１０Ａまたは図８に示す単位構造１０Ｂとは変化させる位相の範囲が異なる。そのため、単位構造１０Ｃと、単位構造１０Ａおよび単位構造１０Ｂなどの同一の平面内にλ／２共振器とλ／４共振器が形成されている単位構造を組み合わせることで、電波の位相を広範囲にわたって変化させることができる電波制御板を構成することができる。この例証としては、図６のｆ１からｆ２に対応する１５ＧＨｚから２２ＧＨｚの範囲において、図７の位相特性では０°から－１００°の位相変化していることが確認できる。このように、λ／２共振器のみ用いて、ｆ１とｆ２を適宜に設計することで位相の符号がマイナス側となる通過帯域が実現できる。

　図１２を用いて、第３実施形態に係る電波制御板における単位構造の配置例について説明する。図１２は、第３実施形態に係る電波制御板における単位構造の配置例を説明するための図である。

　図１２に示すように、第３実施形態に係る電波制御板は、単位構造１０Ａと、単位構造１０Ｂと、単位構造１０Ｃと、単位構造１０Ｄと、を含む。第３実施形態に係る電波制御板では、ＸＹ平面において、単位構造１０Ａと、単位構造１０Ｂと、単位構造１０Ｃと、単位構造１０Ｄとが、２次元的に並んでいる。

　単位構造１０Ｄは、第１共振構造１１Ｄの第１共振器２１Ｄの大きさが、図１１に示す第１共振器２１Ｃの大きさと異なる。単位構造１０Ｄは、第２共振構造１２Ｄの第１共振器３１Ｄの大きさが、図１１に示す第１共振器３１Ｃの大きさと異なる。

　すなわち、第３実施形態に係る電波制御板は、同一平面にλ／２共振器とλ／４共振器との２つの共振器が形成された単位構造１０Ａおよび単位構造１０Ｂと、同一平面にλ／２共振器のみが形成された単位構造との２種類の単位構造１０Ｃおよび単位構造１０Ｄを含む。単位構造１０Ａおよび単位構造１０Ｂと、単位構造１０Ｃおよび単位構造１０Ｄとでは、シフトさせる位相の角度の範囲が異なっている。第３実施形態では、単位構造１０Ａから単位構造１０Ｄの４種類の単位構造を電波制御板に配置することにより、０°から３６０°の範囲をカバーすることできる電波制御板を構成することができる。例えば、位相の変化量が０°、９０°、１８０°、および２７０°のように対応する位相が９０°おきの単位構造を４つ配置することで、０°から３６０°の範囲をカバーすることできる電波制御板を構成することができる。言い換えるとｆ１とｆ２により実現された位相特性を有するユニットセルと、ｆ３とｆ４により実現された位相特性を有するユニットセルを組み合わせて０°から３６０°の範囲をカバーすることできる電波制御板を構成している。

［第４実施形態］
　第４実施形態について説明する。第１実施形態および第２実施形態では、同一の平面にλ／２共振器とλ／４共振器との２種類の共振器が形成されている共振構造を含む単位構造について説明した。本開示では、単位構造に含まれる共振構造では、２種類のλ／２共振器が形成されていてもよい。

　図１３を用いて、第４実施形態に係る単位構造の共振構造について説明する。図１３は、第４実施形態に係る単位構造の共振構造を説明するための図である。

　第４実施形態に係る単位構造の第１共振構造１１Ｅは、基準導体２０Ｅと、共振器４０と、共振器４１と、共振器４２と、共振器４３と、共振器４４と、共振器４５と、を備える。第４実施形態に係る単位構造の図示しない第２共振構造は、第１共振構造１１Ｅと同様の構成なので、説明を省略する。

　共振器４０は、第１導体部４０１と、第２導体部４０２と、第３導体部４０３と、第４導体部４０４と、を備える。

　第１導体部４０１は、Ｘ方向に平行に形成されている。第２導体部４０２は、第１導体部４０１から、Ｙ方向に間隔を空けて第１導体部４０１と平行に形成されている。第３導体部４０３は、第１導体部４０１の一端と、第２導体部４０２の一端とを電磁気的に接続するようにＹ方向に平行に形成されている。第１導体部４０１と、第２導体部４０２と、第３導体部４０３とは、ＸＹ平面で、Ｕ字状に形成されている。第４導体部４０４は、一端が、第１導体部４０１と、第２導体部４０２との間に位置するＸ方向に平行に形成されている。第４導体部４０４は、他端がＹ方向に平行に折り曲げられて、第３導体部４１３に電磁気的に接続されている。第１導体部４０１と、第２導体部４０２と、第３導体部４０３と、第４導体部４０４とは、基準導体２０Ｅと電磁気的に接続されていない。すなわち、共振器４０は、λ／２共振器として構成されている。

　共振器４１は、第１導体部４１１と、第２導体部４１２と、第３導体部４１３と、第４導体部４１４と、を備える。

　第１導体部４１１は、Ｙ方向に平行に形成されている。第２導体部４１２は、第１導体部４１１から、Ｘ方向に間隔を空けて第１導体部４１１と平行に形成されている。第３導体部４１３は、第１導体部４１１の一端と、第２導体部４１２の一端とを電磁気的に接続するようにＸ方向に平行に形成されている。第１導体部４１１と、第２導体部４１２と、第３導体部４１３とは、ＸＹ平面で、Ｕ字状に形成されている。第４導体部４１４は、一端が、第１導体部４１１と、第２導体部４１２との間に位置するＹ方向に平行に形成されている。第４導体部４１４は、他端がＸ方向に平行に折り曲げられて、第３導体部４２３に電磁気的に接続されている。第１導体部４１１と、第２導体部４１２と、第３導体部４１３と、第４導体部４１４とは、基準導体２０Ｅと電磁気的に接続されていない。すなわち、共振器４１は、λ／２共振器として構成されている。

　共振器４２は、第１導体部４２１と、第２導体部４２２と、第３導体部４２３と、第４導体部４２４と、を備える。

　第１導体部４２１は、Ｘ方向に平行に形成されている。第２導体部４２２は、第１導体部４２１から、Ｙ方向に間隔を空けて第１導体部４２１と平行に形成されている。第３導体部４２３は、第１導体部４２１の一端と、第２導体部４２２の一端とを電磁気的に接続するようにＹ方向に平行に形成されている。第１導体部４２１と、第２導体部４２２と、第３導体部４２３とは、ＸＹ平面で、Ｕ字状に形成されている。第４導体部４２４は、一端が、第１導体部４２１と、第２導体部４２２との間に位置するＸ方向に平行に形成されている。第４導体部４２４は、他端がＹ方向に平行に折り曲げられて、第３導体部４３３に電磁気的に接続されている。第１導体部４２１と、第２導体部４２２と、第３導体部４２３と、第４導体部４２４とは、基準導体２０Ｅと電磁気的に接続されていない。すなわち、共振器４２は、λ／２共振器として構成されている。

　共振器４３は、第１導体部４３１と、第２導体部４３２と、第３導体部４３３と、第４導体部４３４と、を備える。

　第１導体部４３１は、Ｙ方向に平行に形成されている。第２導体部４３２は、第１導体部４３１から、Ｘ方向に間隔を空けて第１導体部４３１と平行に形成されている。第３導体部４３３は、第１導体部４３１の一端と、第２導体部４３２の一端とを電磁気的に接続するようにＸ方向に平行に形成されている。第１導体部４３１と、第２導体部４３２と、第３導体部４３３とは、ＸＹ平面で、Ｕ字状に形成されている。第４導体部４３４は、一端が、第１導体部４３１と、第２導体部４３２との間に位置するＹ方向に平行に形成されている。第４導体部４３４は、他端がＸ方向に平行に折り曲げられて、第３導体部４０３に電磁気的に接続されている。第１導体部４３１と、第２導体部４３２と、第３導体部４３３と、第４導体部４３４とは、基準導体２０Ｅと電磁気的に接続されていない。すなわち、共振器４３は、λ／２共振器として構成されている。

　共振器４４は、第２導体部４０２と、第２導体部４２２と、接続導体部４４１と、を備える。

　接続導体部４４１は、第２導体部４０２の他端と、第２導体部４２２の他端とを電磁気的に接続するように構成されている。接続導体部４４１は、基準導体２０Ｅと電磁気的に接続されていない。すなわち、共振器４４は、λ／２共振器として構成されている。

　共振器４５は、第２導体部４１２と、第２導体部４３２と、接続導体部４５１と、を備える。

　接続導体部４５１は、第２導体部４１２の他端と、第２導体部４３２の他端とを電磁気的に接続するように構成されている。接続導体部４５１は、基準導体２０Ｅと電磁気的に接続されていない。すなわち、共振器４４は、λ／２共振器として構成されている。

　すなわち、第１共振構造１１Ｅは、６個のλ／２共振器を有する。

　図１４を用いて、第４実施形態に係る単位構造の特性について説明する。図１４は、第４実施形態に係る単位構造の反射特性と透過特性を示す図である。

　図１４において、横軸は周波数［ＧＨｚ］を示し、縦軸はゲイン［ｄＢ］を示す。グラフ１０７は、第４実施形態に係る単位構造の透過特性を示す。グラフ１０８は、単位構造の反射特性を示す。

　グラフ１０８が示すように、第４実施形態に係る単位構造は、第１共振周波数ｆ１１と、第２共振周波数ｆ１２と、第３共振周波数ｆ１３と、第４共振周波数ｆ１４と、第５共振周波数ｆ１５と、第６共振周波数ｆ１６との６個の共振周波数を有する。

　グラフ１０７が示すように、第４実施形態に係る単位構造は、透過特性に減衰極Ｐ５と、減衰極Ｐ６と、減衰極Ｐ７と、減衰極Ｐ８との４つの減衰極を有する。本実施形態では、各減衰極を発生させる位置を調整することにより、単位構造１０Ａのバンドパスフィルタとしての通過帯域を調整することができる。

［第５実施形態］
　第５実施形態について説明する。第５実施形態に係る共振構造は、外部から受ける電波の周波数に応じてλ／２共振器として機能する複数の共振部分を含む。

　図１５を用いて、第５実施形態に係る単位構造の共振構造について説明する。図１５は、第５実施形態に係る単位構造の共振構造を説明するための図である。

　第５実施形態に係る単位構造の第１共振構造１１Ｆは、基準導体２０Ｆと、パッチ導体６０と、第１導体部７１と、第１導体部７２と、第１導体部７３と、第１導体部７４と、第２導体部８１と、第２導体部８２と、第２導体部８３と、第２導体部８４と、第３導体部９１と、第３導体部９２と、第３導体部９３と、第３導体部９４と、切り欠き部６０ａと、切り欠き部６０ｂと、切り欠き部６０ｃと、切り欠き部６０ｄと、を備える。パッチ導体６０と、第１導体部７１と、第１導体部７２と、第１導体部７３と、第１導体部７４と、第２導体部８１と、第２導体部８２と、第２導体部８３と、第２導体部８４と、第３導体部９１と、第３導体部９２と、第３導体部９３と、第３導体部９４とは、基準導体２０Ｆ内に形成されている。第４実施形態に係る単位構造の図示しない第２共振構造は、第１共振構造１１Ｆと同様の構成なので、説明を省略する。

　パッチ導体６０は、例えば、矩形に形成された動体である。パッチ導体６０の左上部には、切り欠き部６０ａが形成されている。パッチ導体６０の右上部には、切り欠き部６０ｂが形成されている。パッチ導体６０の右下部には、切り欠き部６０ｃが形成されている。パッチ導体６０の左下部には、切り欠き部６０ｄが形成されている。切り欠き部６０ａから切り欠き部６０ｄの大きさおよび形状は、設計の応じて任意に変更し得る。

　第１導体部７１は、パッチ導体６０の左上部に形成されている。第１導体部７１は、切り欠き部６０ａの上部に形成されている。第１導体部７１は、Ｙ方向に平行に形成された導体である。第１導体部７１の一端と、パッチ導体６０とは、接続導体部７１ａにより電磁気的に接続されている。

　第２導体部８１は、パッチ導体６０の左部に形成されている。第２導体部８１は、切り欠き部６０ｂの左部に形成されている。第２導体部８１は、Ｘ方向に平行に形成された導体である。第２導体部８１の一端と、接続導体部７１ａとは、接続導体部８１ａにより電磁気的に接続されている。第２導体部８１は、第１導体部７１よりも短い。

　第３導体部９１は、第２導体部８１と、切り欠き部６０ａとの間に形成されている。第３導体部９１は、一端がパッチ導体６０に電磁気的に接続され、－Ｘ方向側にＸ方向に平行に延びる導体である。第３導体部９１は、第２導体部８１よりも短い。

　すなわち、第１導体部７１、第２導体部８１、および第３導体部９１の長さは、第１導体部７１、第２導体部８１、および第３導体部９１の順に長い。第１導体部７１と、第２導体部８１および第３導体部９１とは、直行に形成されている。第２導体部８１と、第３導体部９１とは、対向している。第２導体部８１と、第３導体部９１とは、平行に形成されている。第１導体部７１、第２導体部８１、および第３導体部９１の長さは、設計に応じて任意に変更し得る。

　第１導体部７２は、パッチ導体６０の右部に形成されている。第１導体部７２は、切り欠き部６０ｂの右部に形成されている。第１導体部７２は、Ｘ方向に平行に形成された導体である。第１導体部７２の一端と、パッチ導体６０とは、接続導体部７２ａにより電磁気的に接続されている。

　第２導体部８２は、パッチ導体６０の右上部に形成されている。第２導体部８２は、切り欠き部６０ｂの上部に形成されている。第２導体部８２は、Ｙ方向に平行に形成された導体である。第２導体部８２の一端と、接続導体部７２ａとは、接続導体部８２ａにより電磁気的に接続されている。第２導体部８２は、第１導体部７２よりも短い。

　第３導体部９２は、第２導体部８２と、切り欠き部６０ｂとの間に形成されている。第３導体部９２は、一端がパッチ導体６０に電磁気的に接続され、＋Ｙ方向側にＹ方向に平行に延びる導体である。第３導体部９２は、第２導体部８２よりも短い。

　すなわち、第１導体部７２、第２導体部８２、および第３導体部９２の長さは、第１導体部７２、第２導体部８２、および第３導体部９２の順に長い。第１導体部７２と、第２導体部８２および第３導体部９２とは、直行に形成されている。第２導体部８２と、第３導体部９２とは、対向している。第２導体部８２と、第３導体部９２とは、平行に形成されている。第１導体部７２、第２導体部８２、および第３導体部９２の長さは、設計に応じて任意に変更し得る。

　第１導体部７３は、パッチ導体６０の右下部に形成されている。第１導体部７３は、切り欠き部６０ｃの下部に形成されている。第１導体部７３は、Ｙ方向に平行に形成された導体である。第１導体部７３の一端と、パッチ導体６０とは、接続導体部７３ａにより電磁気的に接続されている。

　第２導体部８３は、パッチ導体６０の右部に形成されている。第２導体部８３は、切り欠き部６０ｃの右部に形成されている。第２導体部８３は、Ｘ方向に平行に形成された導体である。第２導体部８３の一端と、接続導体部７３ａとは、接続導体部８３ａにより電磁気的に接続されている。第２導体部８３は、第１導体部７３よりも短い。

　第３導体部９３は、第２導体部８３と、切り欠き部６０ｃとの間に形成されている。第３導体部９３は、一端がパッチ導体６０に電磁気的に接続され、＋Ｘ方向側にＸ方向に平行に延びる導体である。第３導体部９３は、第２導体部８３よりも短い。

　すなわち、第１導体部７３、第２導体部８３、および第３導体部９３の長さは、第１導体部７３、第２導体部８３、および第３導体部９３の順に長い。第１導体部７３と、第２導体部８３および第３導体部９３とは、直行に形成されている。第２導体部８３と、第３導体部９３とは、対向している。第２導体部８３と、第３導体部９３とは、平行に形成されている。第１導体部７３、第２導体部８３、および第３導体部９３の長さは、設計に応じて任意に変更し得る。

　第１導体部７４は、パッチ導体６０の左部に形成されている。第１導体部７４は、切り欠き部６０ｄの左部に形成されている。第１導体部７７は、Ｘ方向に平行に形成された導体である。第１導体部７４の一端と、パッチ導体６０とは、接続導体部７４ａにより電磁気的に接続されている。

　第２導体部８４は、パッチ導体６０の左下部に形成されている。第２導体部８４は、切り欠き部６０ｄの下部に形成されている。第２導体部８４は、Ｙ方向に平行に形成された導体である。第２導体部８４の一端と、接続導体部７４ａとは、接続導体部８４ａにより電磁気的に接続されている。第２導体部８４は、第１導体部７４よりも短い。

　第３導体部９４は、第２導体部８４と、切り欠き部６０ｄとの間に形成されている。第３導体部９４は、一端がパッチ導体６０に電磁気的に接続され、－Ｙ方向側にＹ方向に平行に延びる導体である。第３導体部９４は、第２導体部８４よりも短い。

　すなわち、第１導体部７４、第２導体部８４、および第３導体部９４の長さは、第１導体部７４、第２導体部８４、および第３導体部９４の順に長い。第１導体部７４と、第２導体部８４および第３導体部９４とは、直行に形成されている。第２導体部８４と、第３導体部９４とは、対向している。第２導体部８４と、第３導体部９４とは、平行に形成されている。第１導体部７４、第２導体部８４、および第３導体部９４の長さは、設計に応じて任意に変更し得る。

　図１６は、第５実施形態に係る単位構造の反射特性と透過特性を示す図である。

　図１６において、横軸は周波数［ＧＨｚ］を示し、縦軸はゲイン［ｄＢ］を示す。グラフ１０９は、第５実施形態に係る単位構造の透過特性を示す。グラフ１１０は、第５実施形態に係る単位構造の反射特性を示す。

　グラフ１０９が示すように、第５実施形態に係る単位構造は、透過特性に減衰極Ｐ９と、減衰極Ｐ１０と、減衰極Ｐ１１と、減衰極Ｐ１２との４つの減衰極を有する。

　グラフ１１０が示すように、第５実施形態に係る単位構造は、第１共振周波数ｆ１７と、第２共振周波数ｆ１８と、第３共振周波数ｆ１９と、第４共振周波数ｆ２０と、第５共振周波数ｆ２１と、第６共振周波数ｆ２２との６つの共振周波数を有する。

　第１共振構造１１Ｆは、外部から受ける電波の周波数に応じて共振器として機能する部分が異なるように構成されている。

　図１７Ａと、図１７Ｂと、図１７Ｃと、図１７Ｄと、図１７Ｅと、図１７Ｆとを用いて、第５実施形態に係る単位構造の共振の様子について説明する。図１７Ａから図１７Ｆは、それぞれ、第１周波数から第６周波数に対する第１共振構造１１Ｆの磁界の強さ［Ａ／ｍ（アンペア毎メートル）］を示す。図１７Ａから図１７Ｆでは、磁界の強さが強い部分程、色を濃く示している。

　図１７Ａは、第５実施形態に係る単位構造の第１周波数の電波に対する磁界の強さを示すシミュレーション結果を示す図である。図１６に示すように、第１共振周波数ｆ１７は、約１１．６ＧＨｚである。この場合、図１７Ａに示すように、第１導体部７１、接続導体部７１ａ、切り欠き部６０ａの周辺、第１導体部７３、接続導体部７３ａ、および切り欠き部６０ｃの周辺で磁界が相対的に強くなる。すなわち、第１導体部７１、接続導体部７１ａ、切り欠き部６０ａの周辺、第１導体部７３、接続導体部７３ａ、および切り欠き部６０ｃの周辺は、第１共振周波数ｆ１７に対して、共振器として機能するように構成されている。

　図１７Ｂは、第５実施形態に係る単位構造の第２周波数の電波に対する磁界の強さを示すシミュレーション結果を示す図である。図１６に示すように、第２共振周波数ｆ１８は、約１６．３ＧＨｚである。この場合、図１７Ｂに示すように、第１導体部７１、接続導体部７１ａ、切り欠き部６０ａの周辺、第１導体部７３、接続導体部７３ａ、および切り欠き部６０ｃの周辺で磁界が相対的に強くなる。すなわち、第１導体部７１、接続導体部７１ａ、切り欠き部６０ａの周辺、第１導体部７３、接続導体部７３ａ、および切り欠き部６０ｃの周辺は、第２共振周波数ｆ１８に対して、共振器として機能するように構成されている。

　図１７Ｃは、第５実施形態に係る単位構造の第３周波数の電波に対する磁界の強さを示すシミュレーション結果を示す図である。図１６に示すように、第３共振周波数ｆ１９は、約３０．４ＧＨｚである。この場合、図１７Ｃに示すように、第２導体部８１、接続導体部８１ａ、切り欠き部６０ａの周辺、第２導体部８３、接続導体部８３ａ、および切り欠き部６０ｃの周辺で磁界が相対的に強くなる。すなわち、第２導体部８１、接続導体部８１ａ、切り欠き部６０ａの周辺、第２導体部８３、接続導体部８３ａ、および切り欠き部６０ｃの周辺は、第３共振周波数ｆ１９に対して、共振器として機能するように構成されている。

　図１７Ｄは、第５実施形態に係る単位構造の第４周波数の電波に対する磁界の強さを示すシミュレーション結果を示す図である。図１６に示すように、第４共振周波数ｆ２０は、約３３．１ＧＨｚである。この場合、図１７Ｄに示すように、第１導体部７１、第２導体部８１、接続導体部７１ａ、接続導体部８１ａ、第１導体部７２、接続導体部７２ａ、第２導体部８３、接続導体部７３ａ、接続導体部８３ａ、第１導体部７４、および接続導体部７４ａで磁界が相対的に強くなる。すなわち、第１導体部７１、第２導体部８１、接続導体部７１ａ、接続導体部８１ａ、第１導体部７２、接続導体部７２ａ、第２導体部８３、接続導体部７３ａ、接続導体部８３ａ、第１導体部７４、および接続導体部７４ａは、第４共振周波数ｆ２０に対して、共振器として機能するように構成されている。

　図１７Ｅは、第５実施形態に係る単位構造の第５周波数の電波に対する磁界の強さを示すシミュレーション結果を示す図である。図１６に示すように、第５共振周波数ｆ２１は、約３４．５ＧＨｚである。この場合、図１７Ｅに示すように、第１導体部７１、第２導体部８１、接続導体部７１ａ、接続導体部８１ａ、第１導体部７３、第２導体部８３、接続導体部７３ａ、および接続導体部８３ａで磁界が相対的に強くなる。すなわち、第１導体部７１、第２導体部８１、接続導体部７１ａ、接続導体部８１ａ、第１導体部７３、第２導体部８３、接続導体部７３ａ、および接続導体部８３ａは、第５共振周波数ｆ２１に対して、共振器として機能するように構成されている。

　図１７Ｆは、第５実施形態に係る単位構造の第６周波数の電波に対する磁界の強さを示すシミュレーション結果を示す図である。図１６に示すように、第６共振周波数ｆ２２は、約３６．９ＧＨｚである。この場合、図１７Ｆに示すように、第１導体部７１、接続導体部７１ａ、第１導体部７２、接続導体部７２ａ、第１導体部７３、接続導体部７３ａ、第１導体部７４、および接続導体部７４ａで磁界が相対的に強くなる。すなわち、第１導体部７１、接続導体部７１ａ、第１導体部７２、接続導体部７２ａ、第１導体部７３、接続導体部７３ａ、第１導体部７４、および接続導体部７４ａは、第６共振周波数ｆ２２に対して、共振器として機能するように構成されている。

　再び図１６を参照する。減衰極Ｐ１１と、減衰極Ｐ１２とは、第３共振周波数ｆ１９と、第６共振周波数ｆ２２との間に形成されている。減衰極Ｐ１１は、第３共振周波数ｆ１９と、第４共振周波数ｆ２０との間の周波数帯域に形成されている。減衰極Ｐ１２は、第４共振周波数ｆ２０と、第５共振周波数ｆ２１との間に形成されている。第３共振周波数ｆ１９から第６共振周波数ｆ２２を調整することにより、減衰極Ｐ１１と、減衰極Ｐ１２の位置を調整することができる。これにより、反射特性が－１０ｄＢ以下となる領域２０３を形成することができる。領域２０３は、バンドパスフィルタとしての通過帯域となる。領域２０３は、例えば、３３．００ＧＨｚから３７．００ＧＨｚ程度の帯域であるが、これに限定されない。

　図１８は、第５実施形態に係る単位構造の位相変化量を示す図である。図１８に示すように、第５実施形態に係る単位構造は、領域２０３において、電波の位相を１８０°から０°の範囲の位相を変化させることができる。第５実施形態に係る単位構造を用いることにより、電波制御板の構成を薄型化することができる。

［その他の実施形態］
（共振構造）
　図１９と、図２０とを用いて、その他の実施形態に係る共振構造について説明する。図１９は、その他の実施形態に係る第１共振構造の構成例を示す図である。図２０は、その他の実施形態に係る第２共振構造の構成例を示す図である。その他の実施形態に係る単位構造は、上面に第１共振構造１１Ｆが配置され、下面に第２共振構造１２Ｆが配置された２層構造を有する。

　図１９に示すように、第１共振構造１１Ｆは、基準導体２０Ｆと、第１共振器２１Ｆと、第２共振器２２Ｆと、第２共振器２３Ｆと、第２共振器２４Ｆと、第２共振器２５Ｆと、を備える。第１共振構造１１Ｆにおいて、基準導体２０Ｆと、第１共振器２１Ｆと、第２共振器２２Ｆと、第２共振器２３Ｆと、第２共振器２４Ｆと、第２共振器２５Ｆとは、同一のＸＹ平面に形成されている。

　基準導体２０Ｆは、図３に示す基準導体２０と同様なので、説明を省略する。第１共振器２１Ｆは、図３に示す第１共振器２１と、同様なので説明を省略する。

　第２共振器２２Ｆは、導体で形成されている。第２共振器２２Ｆは、例えば、基準導体２０Ｆの内周の左上部の角部に形成されている。第２共振器２２Ｆは、ＸＹ平面に形成されている。第２共振器２２Ｆは、第１導体部２２１Ｆと、第２導体部２２２Ｆと、を有する。第１導体部２２１Ｆは、矩形に形成されている。第１導体部２２１Ｆは、左辺と上辺とが基準導体２０Ｆに電磁気的に接続されている。第１導体部２２１Ｆは、右下の角部が切り欠かれている。第２導体部２２２Ｆは、一端が第１導体部２２１Ｆの下辺に電磁気的に接続されている。第２導体部２２２Ｆは、＋Ｘ方向側にＸ方向と平行に延びる。第２共振器２２Ｆは、λ／４共振器として構成されている。

　第２共振器２３Ｆは、導体で形成されている。第２共振器２３Ｆは、例えば、基準導体２０Ｆの内周の右上部の角部に形成されている。第２共振器２３Ｆは、ＸＹ平面に形成されている。第２共振器２３Ｆは、第１導体部２３１Ｆと、第２導体部２３２Ｆと、を有する。第１導体部２３１Ｆは、矩形に形成されている。第１導体部２３１Ｆは、右辺と上辺とが基準導体２０Ｆに電磁気的に接続されている。第１導体部２３１Ｆは、左下の角部が切り欠かれている。第２導体部２３２Ｆは、一端が第１導体部２３１Ｆの左辺に電磁気的に接続されている。第２導体部２３２Ｆは、－Ｙ方向側にＹ方向と平行に延びる。第２共振器２３Ｆは、λ／４共振器として構成されている。

　第２共振器２４Ｆは、導体で形成されている。第２共振器２４Ｆは、例えば、基準導体２０Ｆの内周の右下部の角部に形成されている。第２共振器２４Ｆは、ＸＹ平面に形成されている。第２共振器２４Ｆは、第１導体部２４１Ｆと、第２導体部２４２Ｆと、を有する。第１導体部２４１Ｆは、矩形に形成されている。第１導体部２４１Ｆは、右辺と下辺とが基準導体２０Ｆに電磁気的に接続されている。第１導体部２４１Ｆは、左上の角部が切り欠かれている。第２導体部２４２Ｆは、一端が第１導体部２４１Ｆの上辺に電磁気的に接続されている。第２導体部２４２Ｆは、－Ｘ方向側にＸ方向と平行に延びる。第２共振器２４Ｆは、λ／４共振器として構成されている。

　第２共振器２５Ｆは、導体で形成されている。第２共振器２５Ｆは、例えば、基準導体２０Ｆの内周の左下部の角部に形成されている。第２共振器２５Ｆは、ＸＹ平面に形成されている。第２共振器２５Ｆは、第１導体部２５１Ｆと、第２導体部２５２Ｆと、を有する。第１導体部２５１Ｆは、矩形に形成されている。第１導体部２５１Ｆは、左辺と下辺とが基準導体２０Ｆに電磁気的に接続されている。第１導体部２５１Ｆは、右上の角部が切り欠かれている。第２導体部２５２Ｆは、一端が第１導体部２５１Ｆの右辺に電磁気的に接続されている。第２導体部２５２Ｆは、＋Ｙ方向側にＹ方向と平行に延びる。第２共振器２５Ｆは、λ／４共振器として構成されている。

　第２共振器２２Ｆと、第２共振器２３Ｆと、第２共振器２４Ｆと、第２共振器２５Ｆとは、それぞれ、同一の形状を有する。

　第１共振構造１１Ｆにおいては、λ／２共振器と、λ／４共振器との種類の異なる２種類の共振器が同一平面に形成されている。

　図２０に示すように、第２共振構造１２Ｆは、基準導体３０Ｆと、第１共振器３１Ｆと、第２共振器３２Ｆと、第２共振器３３Ｆと、第２共振器３４Ｆと、第２共振器３５Ｆと、を備える。第２共振構造１２Ｆにおいて、基準導体３０Ｆと、第１共振器３１Ｆと、第２共振器３２Ｆと、第２共振器３３Ｆと、第２共振器３４Ｆと、第２共振器３５Ｆとは、同一のＸＹ平面に形成されている。

　基準導体３０Ｆは、図４に示す基準導体３０と同様なので、説明を省略する。第１共振器３１Ｆは、図４に示す第１共振器３１と、同様なので説明を省略する。

　第２共振器３２Ｆは、導体で形成されている。第２共振器３２Ｆは、例えば、基準導体３０Ｆの内周の左上部の角部に形成されている。第２共振器３２Ｆは、ＸＹ平面に形成されている。第２共振器３２Ｆは、第１導体部３２１Ｆと、第２導体部３２２Ｆと、を有する。第１導体部３２１Ｆは、矩形に形成されている。第１導体部３２１Ｆは、左辺と上辺とが基準導体３０Ｆに電磁気的に接続されている。第１導体部３２１Ｆは、右下の角部が切り欠かれている。第２導体部３２２Ｆは、一端が第１導体部３２１Ｆの右辺に電磁気的に接続されている。第２導体部３２２Ｆは、＋Ｙ方向側にＹ方向と平行に延びる。第２共振器３２Ｆは、λ／４共振器として構成されている。

　第２共振器３３Ｆは、導体で形成されている。第２共振器３３Ｆは、例えば、基準導体３０Ｆの内周の右上部の角部に形成されている。第２共振器３３Ｆは、ＸＹ平面に形成されている。第２共振器３３Ｆは、第１導体部３３１Ｆと、第２導体部３３２Ｆと、を有する。第１導体部３３１Ｆは、矩形に形成されている。第１導体部３３１Ｆは、右辺と上辺とが基準導体３０Ｆに電磁気的に接続されている。第１導体部３３１Ｆは、左下の角部が切り欠かれている。第２導体部３３２Ｆは、一端が第１導体部３３１Ｆの下辺に電磁気的に接続されている。第２導体部３３２Ｆは、＋Ｘ方向側にＸ方向と平行に延びる。第２共振器３３Ｆは、λ／４共振器として構成されている。

　第２共振器３４Ｆは、導体で形成されている。第２共振器３４Ｆは、例えば、基準導体３０Ｆの内周の右下部の角部に形成されている。第２共振器３４Ｆは、ＸＹ平面に形成されている。第２共振器３４Ｆは、第１導体部３４１Ｆと、第２導体部３４２Ｆと、を有する。第１導体部３４１Ｆは、矩形に形成されている。第１導体部３４１Ｆは、右辺と下辺とが基準導体３０Ｆに電磁気的に接続されている。第１導体部３４１Ｆは、左上の角部が切り欠かれている。第２導体部３４２Ｆは、一端が第１導体部３４１Ｆの左辺に電磁気的に接続されている。第２導体部３４２Ｆは、－Ｙ方向側にＹ方向と平行に延びる。第２共振器３４Ｆは、λ／４共振器として構成されている。

　第２共振器３５Ｆは、導体で形成されている。第２共振器３５Ｆは、例えば、基準導体３０Ｆの内周の左下部の角部に形成されている。第２共振器３５Ｆは、ＸＹ平面に形成されている。第２共振器３５Ｆは、第１導体部３５１Ｆと、第２導体部３５２Ｆと、を有する。第１導体部３５１Ｆは、矩形に形成されている。第１導体部３５１Ｆは、左辺と下辺とが基準導体３０Ｆに電磁気的に接続されている。第１導体部３５１Ｆは、右上の角部が切り欠かれている。第２導体部３５２Ｆは、一端が第１導体部３５１Ｆの右辺に電磁気的に接続されている。第２導体部３５２Ｆは、－Ｘ方向側にＸ方向と平行に延びる。第２共振器３５Ｆは、λ／４共振器として構成されている。

　第１導体部２２１Ｆと、第１導体部３２１Ｆとは、対向するように形成されている。第１導体部２３１Ｆと、第１導体部３３１Ｆとは、対向するように形成されている。第１導体部２４１Ｆと、第１導体部３４１Ｆとは、対向するように形成されている。第１導体部２５１Ｆと、第１導体部３５１Ｆとは、対向するように形成されている。

　第２導体部２２２Ｆと、第２導体部３５２Ｆとは、一部が対向するように形成されている。第２導体部２３２Ｆと、第２導体部３２２Ｆとは、一部が対向するように形成されている。第２導体部２４２Ｆと、第２導体部３３２Ｆとは、一部が対向するように形成されている。第２導体部２５２Ｆと、第２導体部３４２Ｆとは、一部が対向するように形成されている。

　図２１と、図２２とを用いて、その他の実施形態に係る単位構造の特性について説明する。図２１は、その他の実施形態に係る単位構造の反射特性と透過特性を示す図である。図２２は、その他の実施形態に係る単位構造の位相変化量を示す図である。

　図２１において、横軸は周波数［ＧＨｚ］を示し、縦軸はゲイン［ｄＢ］を示す。グラフ１１１は、その他の実施形態に係る単位構造の透過特性を示す。グラフ１１２は、その他の実施形態に係る単位構造の反射特性を示す。

　グラフ１１１が示すように、その他の実施形態に係る単位構造は、透過特性に減衰極Ｐ１３と、減衰極Ｐ１４との２つの減衰極を有する。

　グラフ１１２が示すように、その他の実施形態に係る単位構造は、第１共振周波数ｆ２３と、第２共振周波数ｆ２４と、第３共振周波数ｆ２５と、第４共振周波数ｆ２６と、を有する。

　減衰極Ｐ１３と、減衰極Ｐ１４とは、第１共振周波数ｆ２３と、第４共振周波数ｆ２６との間の周波数帯域に形成されている。減衰極Ｐ１３は、第１共振周波数ｆ２３と、第２共振周波数ｆ２４との間の周波数帯域に形成されている。減衰極Ｐ１４は、第３共振周波数ｆ２５と、第４共振周波数ｆ２６との間の周波数帯域に形成されている。第３共振周波数ｆ２５から第４共振周波数ｆ２６を調整することにより、減衰極Ｐ１１と、減衰極Ｐ１２の位置を調整することができる。これにより、反射特性が－１０ｄＢ以下となる領域２０４を形成することができる。領域２０４は、バンドパスフィルタとしての通過帯域となる。領域２０３は、例えば、３３．００ＧＨｚから３５．００ＧＨｚ程度の帯域であるが、これに限定されない。

　図２２は、その他の実施形態に係る単位構造の位相変化量を示す図である。図２２に示すように、その他の実施形態に係る単位構造は、領域２０４において、電波の位相を１８０°から０°の範囲の位相を変化させることができる。その他の実施形態に係る単位構造を用いることにより、電波制御板の構成を薄型化することができる。

　以上、本開示の実施形態を説明したが、これら実施形態の内容により本開示が限定されるものではない。また、前述した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、前述した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。さらに、前述した実施形態の要旨を逸脱しない範囲で構成要素の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

　１　電波屈折板
　２　基板
　１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ　単位構造
　１１，１１Ｃ　第１共振構造
　１２，１２Ｃ　第２共振構造
　２０，２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｆ，３０，３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｆ　基準導体
　２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｆ，３１，３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄ，３１Ｆ　第１共振器
　２２，２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｆ，２３，２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｆ，２４，２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｆ，２５，２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｆ，３２，３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｆ，３３，３３Ａ，３３Ｂ，３３Ｆ，３４，３４Ａ，３４Ｂ，３４Ｆ，３５，３５Ａ，３５Ｂ，３５Ｆ　第２共振器
　４０，４１，４２，４３，４４，４５　共振器
　６０　パッチ導体
　６０ａ，６０ｂ，６０ｃ，６０ｄ　切り欠き部
　７１，７２，７３，７４　第１導体部
　８１，８２，８３，８４　第２導体部
　９１，９２，９３，９４　第３導体部

Claims

　第１面方向に配列される複数の単位構造と、
　前記複数の単位構造の基準電位となる基準導体と、を含み、
　前記複数の単位構造は、
　前記第１面方向に広がる第１共振器と、前記第１共振器と同一平面に形成され、前記基準導体と電磁気的に接続された第２共振器とを備え、前記第１面方向において回転対称である第１および第２共振構造を含み、
　前記第１共振構造および前記第２共振構造は、第１方向に間隔を空けて、互いの前記第１共振器および前記第２共振器が対向するように配置されている、
　電波制御板。
　前記第１共振器は、λ／２共振器であり、
　前記第２共振器は、λ／４共振器である、
　請求項１に記載の電波制御板。
　前記基準導体は、前記第１共振器および前記第２共振器と同一平面内で前記第１共振器および前記第２共振器の周囲を囲うように配置され、
　前記第２共振器は、前記基準導体と電磁気的に接続されている、
　請求項１または２に記載の電波制御板。
　前記第１共振器は、前記第２共振器の内側に配置されている、
　請求項３に記載の電波制御板。
　前記第２共振器は、前記第１面方向において回転対称の形状を有する、
　請求項１または２に記載の電波制御板。
　前記基準導体は、矩形の枠体であり、
　前記第２共振器は、前記基準導体の４隅に配置される、
　請求項５に記載の電波制御板。
　前記第２共振器は、ヘアピン型に形成されている、
　請求項６に記載の電波制御板。
　前記第１共振構造の前記第２共振器と、前記第２共振構造の前記第２共振器とは、同一形状を有し、互いに対向する前記第２共振器に対して回転した状態で形成されている、
　請求項６に記載の電波制御板。
　前記第１共振器は、パッチ導体である、
　請求項６に記載の電波制御板。
　前記第１共振器は、孔部を有する、
　請求項９に記載の電波制御板。
　前記第１共振器および前記第２共振器は、λ／２共振器である、
　請求項１に記載の電波制御板。
　前記λ／２共振器は、切り欠き部と、前記切り欠き部の周囲に設けられた第１導体部、前記第１導体部よりも短い第２導体部、および前記第２導体部よりも短い第３導体部を備え、
　前記第２導体部と、前記第３導体部とは対向するように平行に形成され、
　前記第１導体部と、前記第２導体部および前記第３導体部とは直交に形成されている、
　請求項１１に記載の電波制御板。
　第１面方向に配列される複数の単位構造と、前記複数の単位構造の基準電位となる基準導体と、を含む電波制御板であって、
　前記複数の単位構造は、
　前記第１面方向に広がるλ／２共振器と、前記λ／２共振器と同一平面に形成され、前記基準導体と電磁気的に接続されたλ／４共振器とを備える第１および第２共振構造を含み、
　前記第１共振構造および前記第２共振構造は、第１方向に間隔を空けて、互いの前記λ／２共振器および前記λ／４共振器が対向するように配置されている、
　電波制御板。
　前記電波制御板は、２個以上の共振周波数を有し、そのうち一部の共振周波数を使用してバンドフィルタの通過帯域を形成させるように構成されている、
　請求項１３に記載の電波制御板。
　前記電波制御板は、低周波側から順に第１共振周波数、第２共振周波数、第３共振周波数、および第４共振周波数の４個の共振周波数を有し、高周波側の２個の共振周波数を使用してバンドパスフィルタの通過帯域を形成させるように構成されている、
　請求項１３に記載の電波制御板。
　第１面方向に配列される複数の単位構造と、前記複数の単位構造の基準電位となる基準導体と、を含む電波制御板であって、
　前記複数の単位構造は、
　前記第１面方向に広がるλ／２共振器と、前記λ／２共振器と同一平面に形成され、前記基準導体と電磁気的に接続されたλ／４共振器とを備える第１および第２共振構造を含み、
　前記第１共振構造および前記第２共振構造は、第１方向に間隔を空けて、互いの前記λ／２共振器および前記λ／４共振器が対向するように配置されており、
　前記電波制御板は、低周波側から順に第１共振周波数、第２共振周波数、第３共振周波数、および第４共振周波数の４個の共振周波数を有し、前記第３共振周波数と前記第４共振周波数の間に２個の減衰極を発生させてバンドパスフィルタの通過帯域を形成させるように構成されている、
　電波制御板。
　第１面方向に配列される複数の単位構造と、前記複数の単位構造の基準電位となる基準導体と、を含む電波制御板であって、
　前記複数の単位構造は、
　前記第１面方向に広がるλ／２共振器と、前記λ／２共振器と同一平面に形成され、前記基準導体と電磁気的に接続されたλ／４共振器とを備える第１および第２共振構造を含み、
　前記第１共振構造および前記第２共振構造は、第１方向に間隔を空けて、互いの前記λ／２共振器および前記λ／４共振器が対向するように配置されており、
　前記電波制御板は、低周波側から順に第１共振周波数、第２共振周波数、第３共振周波数、および第４共振周波数の４個の共振周波数を有し、前記第１共振周波数と前記第３共振周波数の間に２個の減衰極を発生させてバンドパスフィルタの通過帯域を形成させるように構成されている、
　電波制御板。
　第１面方向に配列される複数の第１単位構造と、
　前記第１面方向に配列される複数の第２単位構造と、
　前記複数の第１単位構造および前記複数の第２単位構造の基準電位となる基準導体と、を含み、
　前記複数の第１単位構造は、
　　前記第１面方向に広がるλ／２共振器と、前記λ／２共振器と同一平面に形成され、前記基準導体と電磁気的に接続されたλ／４共振器とを備える第１および第２共振構造を含み、
　　前記第１共振構造および前記第２共振構造は、第１方向に間隔を空けて、互いの前記λ／２共振器および前記λ／４共振器が対向するように配置されており、
　前記複数の第２単位構造は、
　　前記第１面方向に広がる第１および第２パッチ導体を含み、
　　前記第１パッチ導体および前記第２パッチ導体は、前記第１方向に間隔を空けて、対抗するように配置されている、
　電波制御板。