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WO2023232640A1 - Dispositif a faisceau d'electrons pour le traitement d'une surface - Google Patents

Dispositif a faisceau d'electrons pour le traitement d'une surface Download PDF

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WO2023232640A1
WO2023232640A1 PCT/EP2023/064077 EP2023064077W WO2023232640A1 WO 2023232640 A1 WO2023232640 A1 WO 2023232640A1 EP 2023064077 W EP2023064077 W EP 2023064077W WO 2023232640 A1 WO2023232640 A1 WO 2023232640A1
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WO
WIPO (PCT)
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electron beam
chamber
treatment chamber
orifice
source
Prior art date
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PCT/EP2023/064077
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English (en)
Inventor
Pascal Sortais
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Polygon Physics SAS
Original Assignee
Polygon Physics SAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Priority to US18/868,585 priority patent/US20250323006A1/en
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Priority to JP2024570866A priority patent/JP2025518260A/ja
Priority to CN202380044337.XA priority patent/CN119301727A/zh
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    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating

Definitions

  • TITLE Electron beam device for surface treatment
  • the present description generally relates to an electron beam device for the treatment of a surface, for example for the deposition of a thin layer on a surface, cleaning, layer densification and/or etching of 'a surface.
  • the treatment of a surface for example a substrate surface, more generally a surface of a part, generally corresponds to a mechanical, chemical, electrochemical and/or physical operation which has the consequence of modifying the appearance or function of the surface in order to adapt it to given conditions of use.
  • a surface for example a substrate surface, more generally a surface of a part
  • the treatment of a surface includes techniques for coating a surface, for example metal coating techniques, and in particular techniques for depositing a thin layer on a surface.
  • PVD physical vapor deposition
  • evaporation by electron beam in the vapor phase is a physical vapor deposition technique in which a target under high vacuum is bombarded by a electron beam usually emitted by a tungsten filament.
  • the beam of electrons causes the atoms or molecules of the target to pass into the gas phase. At least part of these atoms or molecules then precipitate in solid form on a surface to be treated, covering said surface with a thin layer of these precipitated atoms or molecules.
  • a disadvantage of this technique is the degradation of the filament, which can for example lead to a non-uniform evaporation rate.
  • a constraint is to have a high vacuum, sometimes less than 10 4 mbar.
  • the sputtering technique consists of directing a plasma comprising relatively heavy charged particles, for example argon ions (Ar+) coming from an at least partially ionized argon gas (Ar), towards a target. to produce the spraying of particles of one or more materials constituting this target. At least part of these sprayed particles is deposited on a surface, for example a surface of a substrate, to form a thin layer of the material(s).
  • the plasma can be formed, for example, by applying electromagnetic radiation to the gas to be ionized at low pressure.
  • a constraint of this technique is to avoid contamination between the plasma source and the spraying zone of the particles on the surface, another constraint being to manage a relatively high vacuum, for example less than or equal to 10 ⁇ 2 mbar.
  • One embodiment overcomes all or part of the drawbacks of known surface treatment devices, and in particular known thin layer deposition devices.
  • One embodiment provides an electron beam device comprising: a processing chamber having a longitudinal direction;
  • each source being adapted to emit an electron beam in a beam plane substantially transverse to the longitudinal direction so as to induce a plasma or an evaporation point in the treatment chamber for the treatment of a surface of a part; at least one first orifice for passing the electron beam into said treatment chamber, the diameter of the minimum circle in which said first orifice is inscribed being less than or equal to one eighth, for example less than or equal to one tenth, of the smallest dimension of a cross section of the treatment chamber taken in the beam plane.
  • the processing chamber comprises a target.
  • the processing chamber comprises a first support base adapted to support the target.
  • the first support base is mobile.
  • the first support base comprises, or consists of, a crucible, for example a cooled crucible.
  • the treatment chamber comprises a second support base adapted to support the part to be treated.
  • the second support base is mobile.
  • the at least one electron beam source is external to the treatment chamber
  • the device comprises a deflection device, such as an electromagnet or a permanent magnet, adapted to deflect the electron beam in the treatment chamber.
  • a deflection device such as an electromagnet or a permanent magnet
  • the deflection device is mobile.
  • the device comprises a pumping chamber connected to a first vacuum pump and to the treatment chamber, the pumping chamber being adapted to carry out differential vacuum pumping of said treatment chamber.
  • the treatment chamber is delimited by walls forming a cylindrical or parallelepiped body, and the pumping chamber is positioned against a side wall of the body, inside or outside said body.
  • the pumping chamber is coaxial with the treatment chamber.
  • the at least one first orifice is between the pumping chamber and the treatment chamber, and the device comprises at least one second orifice for passing the electron beam between the pumping chamber and the at least one electron beam source.
  • the diameter of the minimum circle in which the at least one second orifice fits is less than or equal to one eighth, for example less than or equal to one tenth, of the smallest dimension of the section transversal of the treatment chamber taken in the beam plane.
  • the at least one electron beam source comprises an electron generation chamber and a tube between the electron generation chamber and the processing chamber.
  • the tube is connected to the electron generation chamber and to the pumping chamber, and the at least one second orifice is between the pumping chamber and the tube.
  • the at least one electron beam source comprises a focusing device, such as an electromagnet, adapted to focus the electron beam, and for example to direct it towards the treatment chamber.
  • a focusing device such as an electromagnet
  • the device comprises a second vacuum pump connected to the treatment chamber and/or a third vacuum pump connected to the at least one electron beam source. According to one embodiment, the device comprises several electron beam sources external to the treatment chamber.
  • At least two of the electron beam sources are adapted to emit electrons along two beam planes parallel to each other.
  • the at least one first orifice, and in certain cases, the at least one second orifice corresponds to an orifice of a diaphragm.
  • the device comprises: a source for polarizing the target at a voltage between 0 and 10 kV, preferably between 2 and 5 kV; and or
  • One embodiment provides an electron beam device comprising: a processing chamber having a longitudinal direction;
  • each source being adapted to emit an electron beam in a beam plane substantially transverse to the longitudinal direction so as to induce a plasma or an evaporation point in the treatment chamber for the treatment of a surface of a part; said at least one electron beam source being external to the processing chamber;
  • a pumping chamber connected to a first vacuum pump, to the processing chamber and to the at least one electron beam source, the pumping chamber being positioned between said processing chamber and said at least one beam source of electrons, and being adapted to carry out differential vacuum pumping of said chamber of treatment ; at least one first orifice for passing the electron beam between the treatment chamber and the pumping chamber; and at least one second orifice for passing the electron beam between the pumping chamber and the at least one electron beam source.
  • the diameter of the minimum circle in which the at least one first orifice fits is less than or equal to one eighth, for example less than or equal to one tenth, of the smallest dimension of a cross section of the treatment chamber taken in the beam plane;
  • the diameter of the minimum circle in which the at least one second orifice fits is less than or equal to one eighth, for example less than or equal to one tenth, of the smallest dimension of the cross section of the treatment chamber taken in the beam plan.
  • the at least one first orifice is positioned in a side wall of the treatment chamber so that an electron beam emitted by the at least one electron beam source can penetrate to through said at least one first orifice into said treatment chamber.
  • the at least one second orifice is positioned in a side wall of the pumping chamber so that an electron beam emitted by the at least one electron beam source can penetrate into through said at least one second orifice into said pumping chamber.
  • the at least one electron beam source, the processing chamber and the pumping chamber form a closed assembly.
  • the treatment chamber comprises a target adapted to, under the effect of the electron beam or plasma, emit particles towards the part in order to induce a thin layer deposition process on said part by a cathode sputtering technique or an electron beam evaporation technique.
  • the processing chamber comprises a first support base adapted to support the target, said first support base being for example mobile
  • the first support base comprises, or consists of, a crucible, for example a cooled crucible.
  • the device further comprises: a source for polarizing the target at a voltage between 0 and 10 kV, preferably between 2 and 5 kV; and or
  • the treatment chamber comprises a second support base adapted to support the part to be treated, said second support base being for example mobile.
  • the device comprises a deflection device, such as an electromagnet or a permanent magnet, adapted to deflect the electron beam in the treatment chamber, said deflection device being for example mobile.
  • a deflection device such as an electromagnet or a permanent magnet
  • the treatment chamber is delimited by walls of a cylindrical or parallelepiped body, and the pumping chamber is positioned against a side wall of the body, inside or outside. the exterior of said body; the pumping chamber being for example coaxial with the treatment chamber.
  • the at least one electron beam source comprises an electron generation chamber and a tube between the electron generation chamber and the processing chamber; each tube being connected to the pumping chamber; and the at least one second orifice being between the pumping chamber and the tube of the at least one electron beam source.
  • the at least one electron beam source comprises a focusing device, such as an electromagnet, adapted to focus the electron beam, and for example to direct it towards the treatment chamber.
  • a focusing device such as an electromagnet
  • the device comprises a second vacuum pump connected to the treatment chamber and/or a third vacuum pump connected to the at least one electron beam source.
  • the device comprises several electron beam sources external to the treatment chamber.
  • At least two of the electron beam sources are adapted to emit electrons along the same beam plane or along two beam planes parallel to each other.
  • the at least one first orifice, and/or the at least one second orifice corresponds to an orifice of a diaphragm.
  • the device is adapted to implement:
  • Figure 1 is a schematic sectional view of an electron beam device according to a first embodiment
  • Figure 2 is a schematic sectional view of an electron beam device according to a second embodiment
  • Figure 3 is a top view of an electron beam device similar to the device of Figure 2;
  • Figure 4 is a top view of an electron beam device according to a third embodiment.
  • an electron beam plane or beam plane
  • electron beam sources When there are several electron beam sources, they can be configured to emit electron beams along a single beam plane or along several beam planes substantially parallel to each other.
  • a longitudinal direction reference is made to the direction perpendicular to the beam plane(s).
  • a cross section of a chamber treatment corresponds to a section of the treatment chamber along a plane perpendicular (transverse plane) to the longitudinal direction.
  • transverse plane corresponds to a beam plane, we speak of a cross section taken in a beam plane.
  • Figure 1 is a schematic sectional view of an electron beam device 100 according to a first embodiment.
  • the device 100 comprises three distinct chambers:
  • the electron generation chamber 112 is part of an electron beam source 110, or electron source, which is adapted to emit at least one electron beam F in one direction of a plane PF beam.
  • the electron beam source 110, the processing chamber 130 and the pumping chamber 120 form a closed, preferably sealed assembly.
  • the pumping chamber 120 is connected to the treatment chamber 130 and to the electron beam source 110, and positioned between the treatment chamber 130 and the electron beam source 110.
  • a wall common wall separates the pumping chamber 120 and the treatment chamber 130 and another common wall separates the pumping chamber 120 and the electron beam source 110.
  • the electron beam source 110 is preferably filament-free.
  • the beam source electrons 110 may comprise, or consist of, for example, a plasma source in which the plasma is obtained by interaction between high frequency electromagnetic radiation and a low pressure gas, such as the plasma source described in the application for patent FR3062770A1.
  • a plasma source in which the plasma is obtained by interaction between high frequency electromagnetic radiation and a low pressure gas, such as the plasma source described in the application for patent FR3062770A1.
  • the plasma source generating electrons, and thus forming an electron source can be placed in a vacuum different from that of the treatment chamber, offering freedom in the choice of pressure and/or temperature. nature of the gas for both the treatment chamber and the plasma source.
  • the treatment chamber 130 is included between a cylinder 10 (cylindrical body) and the pumping chamber 120.
  • the treatment chamber 130 is closed by a lower wall 131, corresponding to a central portion of the lower base of the cylinder 10, an upper wall 133, corresponding to the upper base of the cylinder 10, and a side wall 132, having a first common portion with an upper portion of the side wall of the cylinder 10 connecting the lower and upper bases of said cylinder, a second common portion with an upper wall 128 of the pumping chamber 120, and a third common portion with a first side wall 121 (internal side wall) of the pumping chamber 120.
  • the pumping chamber 120 is, in this embodiment, positioned inside the cylinder 10 and has the shape of a crown with the same axis as the cylinder.
  • the pumping chamber 120 is closed by a second side wall 123 (external side wall) common with a lower portion of the side wall of the cylinder 10, the internal side wall 121, the upper wall 128, and a lower wall 129 , the upper and lower walls of the pumping chamber connecting the internal and external side walls of the pumping chamber.
  • the inner side wall 121 and the upper wall 128 of the pumping chamber 120 are common with the side wall 132 of the processing chamber 130.
  • the lower wall 129 of the pumping chamber 120 corresponds to a peripheral portion of the lower base of the cylinder 10.
  • the treatment chamber 130 is defined by the space between the cylinder 10 and the pumping chamber 120.
  • the volume V3 of the treatment chamber 130 corresponds substantially to the volume of the cylinder 10 minus the volume V2 of the pumping chamber 120.
  • the upper wall 128 of the pumping chamber 120 is shown oblique with respect to the beam plane PF.
  • the upper wall 128 of the pumping chamber 120 could be substantially parallel to the beam plane PF.
  • the upper wall 128 of the pumping chamber 120 could correspond to a portion of the upper base of the cylinder 10, that is to say that the internal wall 121 of the pumping chamber 120 could extend up to the upper base of cylinder 10.
  • the cylinder 10 is represented as being a right circular cylinder, as can also be seen in the top view in Figure 3 described later.
  • the longitudinal direction Z (or axial direction) of the treatment chamber 130 corresponds in this mode to the axis of the circular cylinder 10.
  • D3 the smallest section diameter of the portion of treatment chamber 130 surrounded by the pumping chamber (small diameter)
  • D4 the section diameter of the portion of treatment chamber 130 not surrounded by the pumping chamber (large diameter).
  • D3 is less than D4.
  • Other shapes and configurations of treatment chamber and pumping chamber are possible.
  • the body can be non-circular cylindrical, or can be parallelepiped, as illustrated for example in Figure 4 described later, or even have any other suitable shape.
  • the pumping chamber can be positioned inside or outside this cylindrical or parallelepiped body.
  • the pumping chamber can be positioned outside the body, against a side wall of the body, which then corresponds to a side wall of the treatment chamber.
  • the pumping chamber 120 is connected to a first vacuum pump 126.
  • the use of a pumping chamber separate from the treatment chamber allows differential pumping.
  • the pumping chamber 120 is positioned between the processing chamber 130 and the electron beam source 110 forms an intermediate pumping chamber 120 between the electron generation chamber 112 and the chamber treatment chamber 130.
  • the pumping chamber 120 has a pressure P2 intermediate between the pressure PI in the electron generation chamber 112 and the pressure P3 in the treatment chamber 130. This makes it possible to adjust the pressure in a differentiated manner in the electron generation chamber 112, for the production of electrons, and in the processing chamber 130 for the processing of a substrate 106, as explained later, and thus to optimize the operating pressures in the processing chamber. generation of electrons 112 and in the treatment chamber 130.
  • the treatment chamber 130 comprises a treatment gas inlet 138, connected to a treatment gas supply (not shown).
  • gas treatment are rare gases such as He, Ne, Ar, Kr or Xe or reactive gases such as O2, N 2 , F 2 , CH 4 , SF 6 .
  • a second vacuum pump 142 can be connected to the treatment chamber 130, for example to control an ultimate vacuum in said treatment chamber, particularly in evaporation mode.
  • the deposition of thin layers by evaporation sometimes requires very high vacuums (typically less than 10 ⁇ 5 mbar), which may require the presence of reinforced pumping dedicated to the treatment chamber.
  • the processing chamber 130 is adapted to support a target 104, for example by means of a first support base 134 assembled inside the processing chamber.
  • the first support base 134 can be movable in the direction longitudinal direction Z, for example using a first motor 135. This can make it possible to vary a first distance ZI in the longitudinal direction between the target 104 and the beam plane PF.
  • the target can be movable in translation and/or in rotation, for example to control the position and shape of the wear zone of the target. Only one target is shown, but the processing chamber could contain several targets, for example several targets on the first support base.
  • the target 104 can be placed in a crucible which can constitute or form part of the first support base 134, in particular if it is used in an evaporation deposition technique.
  • the processing chamber 130 is adapted to support a part, for example a substrate 106 of which at least one surface is to be treated.
  • a second support base 136 can be assembled inside said processing chamber to support the substrate 106.
  • the second support base 136 can be movable in the longitudinal direction Z, for example using a second motor 137. This can allow to vary a second distance Z2 in the longitudinal direction between the substrate 106 and the beam plane PF. More generally, the part to be treated can be movable in translation and/or in rotation.
  • the pumping chamber 120 communicates with the treatment chamber 130 using a first orifice 122, and with the electron beam source 110 using a second orifice 124.
  • the first and second orifices are preferably aligned in the direction of emission of the electron beam (direction X in Figure 1).
  • the electron beam emitted by the electron beam source 110 in the X direction enters the processing chamber 130 via the pumping chamber 120 through the first and second ports 122, 124.
  • first and second orifices are then preferably provided, each first orifice then preferably being aligned with a second orifice according to one of the emission directions, so that each electron beam emitted in a given emission direction can enter the treatment chamber via the pumping chamber through first and second orifices aligned in said emission direction.
  • the first orifice 122 can be positioned in the internal side wall 121 of the pumping chamber 120, that is to say in the side wall 132 of the treatment chamber 130, and the second orifice 124 can be positioned in the outer side wall 123 of the pumping chamber 120.
  • the inner and outer side walls of the pumping chamber are opposite in the direction of emission X of the electron beam.
  • first and second orifices there may be several first and second orifices, in particular if there are several sources of electron beam, as illustrated later in relation to Figure 2.
  • the first orifices can be positioned along a first circumference of the internal side wall 121 of the pumping chamber 120, corresponding to a first circumference of the wall side wall 132 of the treatment chamber 130, and the second orifices can be positioned along a second circumference of the external side wall 123 of the pumping chamber 120.
  • the first and second circumferences are concentric.
  • each first orifice can be positioned in a wall common to the treatment chamber and the pumping chamber, and each second orifice can be positioned in another wall common to the pumping chamber and an electron beam source.
  • each first orifice may be an orifice of a first diaphragm assembled to the internal side wall of the pumping chamber, that is to say to the side wall of the treatment chamber, and/or each second orifice may be an orifice of a second diaphragm assembled to the external side wall of the pumping chamber.
  • the internal side wall can then include an opening larger than the first orifice to integrate the first diaphragm, and/or the external side wall can then include an opening larger than the second orifice to integrate the second diaphragm.
  • the circle of minimum diameter in which each first orifice 122 fits is adapted to the dimensions of the treatment chamber 130, preferably to the dimensions of the cross section of the treatment chamber taken in the beam plane. The same conditions can apply to the circle of minimum diameter in which the second orifice 124 fits.
  • An orifice can be circular in shape. In this case, we take the diameter of this circle as the orifice dimension.
  • the diameter of the minimum circle in which the first orifice 122 fits is less than or equal to 1/8, for example less than or equal to 1/10, for example less than or equal to 1/12, of the smallest dimension of the cross section of the treatment chamber 130 taken in the beam plane PF. In the example shown, this corresponds to the small diameter D3 of the treatment chamber 130.
  • the same conditions can apply to the diameter of the minimum circle in which the second orifice 124 fits.
  • Such a ratio for an orifice makes it possible to ensure a differential vacuum between the electron beam source 110, and in particular the electron generation chamber 112, and the treatment chamber 130, while minimizing contamination of the treatment chamber towards the electron generation chamber 112. Compromises can be found between the quantity of electrons injected into a beam of given diameter, after focusing, and the maximum dimension of the orifice which itself controls differential pumping.
  • the first vacuum pump 126 makes it possible to form a vacuum in the pumping chamber 120, as well as in the treatment chamber 130 via the first orifice 122. [0097] Thus, the first vacuum pump 126, the injection of treatment gas, and in certain cases the second vacuum pump 142, make it possible to control the pressure in the treatment chamber 130.
  • the pressure in the treatment chamber 130 can be adapted depending on the treatment technique implemented in the device, for example:
  • the electron generation chamber 112 is at a distance from the pumping chamber 120 and the processing chamber 130.
  • the electron beam source 110 comprises a tube 114 , preferably hollow, connecting the electron generation chamber 112 and the pumping chamber 120.
  • the second orifice 124 is then positioned between the pumping chamber 120 and the tube 114.
  • a third passage orifice 113 is formed between the chamber electron generation 112 and the tube 114.
  • the third orifice 113 is preferably aligned with the first and second orifices 122, 124 in the direction of emission X of the electron beam.
  • the electron generation chamber 112 could be attached to the pumping chamber 120 and/or the treatment chamber 130.
  • the electron generation chamber 112 could not include a tube .
  • the electron beam chamber 112 further comprises a source gas inlet 118 connected to a source gas supply (not shown).
  • source gases are rare gases He, Ne, Ar, Kr or Xe or reactive gases such as O2, N 2 , F 2 , CH 4 , SF 6 .
  • the electron beam source 110 also preferably comprises an electron beam focusing device. It may be an electrostatic or magnetic focusing device, for example an electromagnet 116 positioned around the tube 114 and connected to a coil current supply (power supply not shown).
  • the focusing device for example the electromagnet 116, is preferably adapted to produce a magnetic field parallel to the path of the electron beam in the tube 114, and can be adapted to conduct said electron beam towards the chamber of treatment 130.
  • the electron beam source 110 may comprise an extraction grid and/or an acceleration grid, for example between the electron generation chamber 112 and the electromagnet. 116.
  • the first vacuum pump 126 can be adapted to form a vacuum in the electron generation chamber 112 via the pumping chamber 120 and the second orifice 124. It is possible to dimension the first vacuum pump 126 as well as the second orifice 124 depending on the desired vacuum.
  • the electron beam source 110 may comprise a third vacuum pump 115 connected to the electron generation chamber 112, and adapted to form a higher vacuum in said chamber, and/or to compensate for a possible retroactive flow coming from the treatment chamber 130.
  • the emitted electron beam F is directed in the direction X of the beam plane PF, perpendicular to the longitudinal direction Z.
  • the trajectory Fl of the electron beam in the treatment chamber 130 can follow the same direction as that of the emitted electron beam, or at least not be directed in a particular direction.
  • the electron beam is not directed towards the target 104.
  • the electron beam can be adapted to create a plasma using a treatment gas introduced into the treatment chamber, for example noble gases such as He, Ne, Ar, Kr or Xe or reactive gases such as O2, N2, F2, CH4, SFg.
  • the plasma can be directed towards the substrate 106 to clean it and/or to etch it.
  • the plasma can also be directed towards the target 104 to remove particles from it, and the particles directed towards the substrate 106 to produce a thin layer deposition by the cathode sputtering technique.
  • the trajectory F2 of the electron beam in the treatment chamber 130 can be deflected to follow a given direction in the treatment chamber.
  • the electron beam can be directed towards the target 104.
  • the electron beam can, for example, be adapted to transform molecules of the target into the gas phase. At least part of these molecules then precipitate in solid form on the substrate 106 to produce a thin layer deposition by the vapor phase electron beam evaporation technique.
  • the device may comprise a device for deflecting the electron beam, for example an electromagnet or a permanent magnet 140, adapted to deflect the electron beam in the treatment chamber 130.
  • the deflection device may be at less partially positioned in the treatment chamber.
  • the diversion apparatus may be positioned completely outside of the treatment chamber.
  • the deflection device for example the permanent magnet 140, can be movable in the longitudinal direction Z, for example using a third motor 139. More generally, the deflection device can be movable in translation and/or in rotation, and therefore be able to control or not the trajectory of the electron beams over a very wide range of energy thereof, for example example between 100 V and 50 kV.
  • the focusing device for example the electromagnet 126
  • the deflection device for example the permanent magnet 140
  • the focusing device are preferably adapted to form magnetic fields having transverse directions, for example perpendicular, 'one in relation to the other.
  • the target may be made of copper, tantalum or an oxide of copper or tantalum, or any other solid or even liquid material capable of inducing a spraying or evaporation process, for example a metallic or oxide material. .
  • the target and/or the substrate can be polarized.
  • the polarization can typically be a few tens of volts for the substrate, for example in plasma cleaning or plasma layer densification mode, and/or, for the target, any polarization voltage making it possible to obtain energies greater than a threshold.
  • spraying or evaporation typically between 100 V and 10 kV.
  • Figure 2 is a schematic sectional view of an electron beam device 200 according to a second embodiment, which differs from the device 100 of Figure 1 in that it comprises several electron beam sources electrons, a first source 110 and a second source 210 shown in Figure 2.
  • a first permanent magnet 140 can be adapted to deflect an electron beam coming from the first source 110 and a second permanent magnet 240 can be adapted to deflect an electron beam coming from the second source 210.
  • the permanent magnets can be positioned either each on a support, or on a support common 241, as illustrated, each support being for example mobile, for example using a motor 239 (common in the mode illustrated). Permanent magnets can be positioned under target 104.
  • the pumping chamber 120 is positioned between the processing chamber 130 and each of the first 110 and second 210 electron beam sources.
  • a fourth vacuum pump 226 can be connected to the pumping chamber 120 near the second source 210, in addition to the first vacuum pump 126 which is preferably connected near the first source 110.
  • the electron beam device 200 comprises at least two first orifices 122, 222 and two second orifices 124, 224.
  • the first orifices 122, 222 are positioned in the internal side wall 121 of the pumping chamber 120, c that is to say in the side wall 132 of the processing chamber 130 in the configuration shown.
  • the second orifices 124, 224 are positioned in the external side wall 123 of the pumping chamber 120.
  • the first and second orifices 122, 124 associated with the first electron beam source 110 are preferably aligned in the direction of emission of the electron beam by said first source.
  • the first and second orifices 222, 224 associated with the second electron beam source 210 are preferably aligned in the direction of emission of the electron beam by said second source.
  • Each of the first and second electron beam sources may be similar to the electron beam source 110 of FIG. 1, but the volume V4 of the second electron generation chamber 212 is not necessarily equal to the volume VI of the first electron generation chamber 112.
  • the electron beam sources are positioned so as to emit electrons substantially along the same PF beam plane.
  • electron beam sources can be positioned so as to emit electrons along different beam planes parallel to each other.
  • the pumping chamber is then positioned between the processing chamber and each of the electron beam sources.
  • the first and second orifices associated with each electron beam source are then preferably aligned in the direction of emission of the electron beam by said electron beam source.
  • FIG. 3 there is shown a top view of a device similar to the device in Figure 2, in which a third electron beam source 310 can possibly be positioned.
  • At least one electron beam source can be adapted to form electrons at low energy, typically between 0.1 or 2 keV, suitable for plasma cleaning, plasma layer densification, etching by plasma. plasma and/or cathode sputtering, and to form electrons at high power, typically between 2 keV and 30 keV with an intensity typically between 10 and 200 mA per source, more suitable for evaporation by electron beam in the vapor phase.
  • FIG 4 is a top view of an electron beam device 400 according to a third embodiment, which differs from the devices 100 and 200 of Figures 1 to 3 mainly in that the body 40 is parallelepiped , and not cylindrical.
  • the treatment chamber 430 is delimited by the walls of this parallelepiped body, and by the pumping chamber 420 which forms a ring also parallelepiped, positioned in the parallelepiped body.
  • the pumping chamber can be positioned outside the parallelepiped body against one or more side walls of said body.
  • the electron beam sources 110, 210, 310 shown may be similar to the sources previously described, and may be positioned so as to emit electrons in several directions X, X', Y of the same beam plane PF , or in several directions of several beam planes parallel to each other.
  • sources can be positioned on two different side walls of the body, for example two parallel walls and/or two walls perpendicular to each other. Tl

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Abstract

La présente description concerne un dispositif à faisceaux d'électrons (100) comprenant : - une chambre de traitement (130) ayant une direction longitudinale (Z); - au moins une source de faisceau d'électrons (110), chaque source étant adaptée à émettre un faisceau d'électrons dans un plan faisceau (PF) sensiblement transversal à la direction longitudinale de manière à induire un plasma ou un point d'évaporation dans la chambre de traitement pour le traitement d'une surface d'une pièce (106); ladite au moins une source de faisceau d'électrons étant externe à la chambre de traitement; - une chambre de pompage (120) reliée à une première pompe à vide (126), à la chambre de traitement et à la au moins une source de faisceau d'électrons, la chambre de pompage étant positionnée entre ladite chambre de traitement et ladite au moins une source de faisceau d'électrons, et étant adaptée à réaliser un pompage sous vide différentiel de ladite chambre de traitement; - au moins un premier orifice (122) de passage du faisceau d'électrons entre la chambre de traitement et la chambre de pompage; et - au moins un deuxième orifice (124) de passage du faisceau d'électrons entre la chambre de pompage et la au moins une source de faisceau d'électrons.

Description

DESCRIPTION
TITRE : Dispositif à faisceau d'électrons pour le traitement d'une surface
Domaine technique
[0001] La présente description concerne de façon générale un dispositif à faisceau d'électrons pour le traitement d'une surface, par exemple pour le dépôt de couche mince sur une surface, le nettoyage, la densification de couche et/ou la gravure d'une surface.
Technique antérieure
[0002] Le traitement d'une surface, par exemple une surface de substrat, plus généralement une surface d'une pièce, correspond d'une manière générale à une opération mécanique, chimique, électrochimique et/ou physique qui a pour conséquence de modifier l'aspect ou la fonction de la surface afin de l'adapter à des conditions d'utilisation données. Par extension, dans la description qui suit, on inclut des techniques de gravure dans le traitement d'une surface.
[0003] Le traitement d'une surface inclut les techniques de revêtement d'une surface, par exemple les techniques de revêtement métallique, et notamment les techniques de dépôt de couche mince sur une surface.
[0004] Il existe différentes techniques pour réaliser un dépôt de couche mince sur une surface, par exemple une surface d'un substrat, notamment les techniques de dépôt physique en phase gazeuse (PVD, pour physical vapor deposition en anglais)
[0005] Parmi ces techniques, l'évaporation par faisceau d'électrons en phase vapeur (EBPVD, pour electron beam physical vapor deposition en anglais) est une technique de dépôt physique en phase vapeur dans laquelle une cible sous vide poussé est bombardée par un faisceau d'électrons généralement émis par un filament en tungstène. Le faisceau d'électrons vient faire passer les atomes ou molécules de la cible en phase gazeuse. Une partie au moins de ces atomes ou molécules précipitent alors sous forme solide sur une surface à traiter, recouvrant ladite surface d'une couche mince en ces atomes ou molécules précipitées. Un inconvénient de cette technique est la dégradation du filament, qui peut par exemple entraîner un taux d'évaporation non uniforme. En outre, une contrainte est de disposer d'un vide poussé, parfois inférieur à 10 4 mbar.
[0006] La technique de pulvérisation cathodique (sputtering en anglais) consiste à diriger un plasma comprenant des particules chargées relativement lourdes, par exemple des ions argon (Ar+) issus d'un gaz argon (Ar) au moins partiellement ionisé, vers une cible pour produire la pulvérisation de particules d'un ou de matériaux constituant cette cible. Une partie au moins de ces particules pulvérisées vient se déposer sur une surface, par exemple une surface d'un substrat, pour y former une couche mince du ou des matériaux. Le plasma peut être formé, par exemple, en appliquant un rayonnement électromagnétique au gaz à ioniser à basse pression. Une contrainte de cette technique est d' éviter la contamination entre la source de plasma et la zone de pulvérisation des particules sur la surface, une autre contrainte étant de gérer un vide relativement poussé, par exemple inférieur ou égal à 10~2 mbar.
[0007] Par ailleurs, ces différentes techniques, ainsi que d'autres non décrites mais connues de la personne du métier, sont mises en œuvre par des dispositifs dédiés, qui ne sont généralement pas polyvalents, c'est-à-dire qui ne permettent généralement pas de passer d'une technique à une autre.
Résumé de l'invention
[0008] Il existe un besoin d'un dispositif adapté au traitement d'une surface qui soit capable de mettre en œuvre différentes techniques (dispositif polyvalent de traitement de surface) , par exemple de mettre en oeuvre différentes techniques de dépôt de couche mince, mais également de nettoyer une surface, de densifier une couche en surface, et/ou de réaliser une gravure à partir d'une surface.
[0009] En particulier, il serait souhaitable de disposer d'un dispositif à faisceau d'électrons pour le traitement d'une surface, dans lequel le faisceau d'électrons puisse être formé sans filament.
[0010] Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des dispositifs de traitement de surface connus, et notamment des dispositifs de dépôt de couche mince connus.
[0011] Un mode de réalisation prévoit un dispositif à faisceaux d'électrons comprenant : une chambre de traitement ayant une direction longitudinale ;
- au moins une source de faisceau d'électrons, chaque source étant adaptée à émettre un faisceau d' électrons dans un plan faisceau sensiblement transversal à la direction longitudinale de manière à induire un plasma ou un point d' évaporation dans la chambre de traitement pour le traitement d'une surface d'une pièce ; au moins un premier orifice de passage du faisceau d'électrons dans ladite chambre de traitement, le diamètre du cercle minimal dans lequel s'inscrit ledit premier orifice étant inférieur ou égal à un huitième, par exemple inférieur ou égal à un dixième, de la plus petite dimension d'une section transversale de la chambre de traitement prise dans le plan faisceau.
[0012] Selon un mode de réalisation, la chambre de traitement comprend une cible. [0013] Selon un mode de réalisation, la chambre de traitement comprend un premier socle de support adapté à supporter la cible .
[0014] Selon un mode particulier de réalisation, le premier socle de support est mobile.
[0015] Selon un mode de réalisation, le premier socle de support comprend, ou consiste en, un creuset, par exemple un creuset refroidi.
[0016] Selon un mode de réalisation, la chambre de traitement comprend un deuxième socle de support adapté à supporter la pièce à traiter.
[0017] Selon un mode particulier de réalisation, le deuxième socle de support est mobile.
[0018] Selon un mode de réalisation, la au moins une source de faisceau d'électrons est externe à la chambre de traitement
[0019] Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend un appareil de déviation, tel un électroaimant ou un aimant permanent, adapté à dévier le faisceau d'électrons dans la chambre de traitement.
[0020] Selon un mode particulier de réalisation, l'appareil de déviation est mobile.
[0021] Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend une chambre de pompage reliée à une première pompe à vide et à la chambre de traitement, la chambre de pompage étant adaptée à réaliser un pompage sous vide différentiel de ladite chambre de traitement.
[0022] Selon un mode de réalisation, la chambre de traitement est délimitée par des parois formant un corps cylindrique ou parallélépipédique, et la chambre de pompage est positionnée contre une paroi latérale du corps, à l'intérieur ou à l'extérieur dudit corps. [0023] Selon un mode particulier de réalisation, la chambre de pompage est coaxiale avec la chambre de traitement.
[0024] Selon un mode de réalisation, le au moins un premier orifice est entre la chambre de pompage et la chambre de traitement, et le dispositif comprend au moins un deuxième orifice de passage du faisceau d'électrons entre la chambre de pompage et la au moins une source de faisceau d'électrons.
[0025] Selon un mode de réalisation, le diamètre du cercle minimal dans lequel s'inscrit le au moins un deuxième orifice est inférieur ou égal à un huitième, par exemple inférieur ou égal à un dixième, de la plus petite dimension de la section transversale de la chambre de traitement prise dans le plan faisceau .
[0026] Selon un mode de réalisation, la au moins une source de faisceau d'électrons comprend une chambre de génération d' électrons et un tube entre la chambre de génération d'électrons et la chambre de traitement.
[0027] Selon un mode de réalisation, le tube est relié à la chambre de génération d'électrons et à la chambre de pompage, et le au moins un deuxième orifice est entre la chambre de pompage et le tube.
[0028] Selon un mode de réalisation, la au moins une source de faisceau d'électrons comprend un appareil de focalisation, tel un électroaimant, adapté à focaliser le faisceau d'électrons, et par exemple à le diriger vers la chambre de traitement .
[0029] Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend une deuxième pompe à vide reliée à la chambre de traitement et/ou une troisième pompe à vide reliée à la au moins une source de faisceau d'électrons. [0030] Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend plusieurs sources de faisceau d'électrons externes à la chambre de traitement.
[0031] Selon un mode particulier de réalisation, au moins deux des sources de faisceau d'électrons sont adaptées à émettre des électrons selon deux plans faisceau parallèles entre eux.
[0032] Selon un mode de réalisation, le au moins un premier orifice, et dans certains cas, le au moins un deuxième orifice, correspond à un orifice d'un diaphragme.
[0033] Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend : une source de polarisation de la cible à une tension comprise entre 0 et 10 kV, de préférence entre 2 et 5 kV ; et/ou
- un élément de refroidissement de la cible.
[0034] Un mode de réalisation prévoit un dispositif à faisceaux d'électrons comprenant : une chambre de traitement ayant une direction longitudinale ;
- au moins une source de faisceau d'électrons, chaque source étant adaptée à émettre un faisceau d' électrons dans un plan faisceau sensiblement transversal à la direction longitudinale de manière à induire un plasma ou un point d' évaporation dans la chambre de traitement pour le traitement d'une surface d'une pièce ; ladite au moins une source de faisceau d'électrons étant externe à la chambre de traitement ;
- une chambre de pompage reliée à une première pompe à vide, à la chambre de traitement et à la au moins une source de faisceau d'électrons, la chambre de pompage étant positionnée entre ladite chambre de traitement et ladite au moins une source de faisceau d'électrons, et étant adaptée à réaliser un pompage sous vide différentiel de ladite chambre de traitement ; au moins un premier orifice de passage du faisceau d' électrons entre la chambre de traitement et la chambre de pompage ; et au moins un deuxième orifice de passage du faisceau d' électrons entre la chambre de pompage et la au moins une source de faisceau d'électrons.
[0035] Selon un mode de réalisation,
- le diamètre du cercle minimal dans lequel s'inscrit le au moins un premier orifice est inférieur ou égal à un huitième, par exemple inférieur ou égal à un dixième, de la plus petite dimension d'une section transversale de la chambre de traitement prise dans le plan faisceau ; et/ou
- le diamètre du cercle minimal dans lequel s'inscrit le au moins un deuxième orifice est inférieur ou égal à un huitième, par exemple inférieur ou égal à un dixième, de la plus petite dimension de la section transversale de la chambre de traitement prise dans le plan faisceau.
[0036] Selon un mode de réalisation, le au moins un premier orifice est positionné dans une paroi latérale de la chambre de traitement de sorte qu'un faisceau d'électrons émis par la au moins une source de faisceau d'électrons puisse pénétrer à travers ledit au moins un premier orifice dans ladite chambre de traitement.
[0037] Selon un mode de réalisation, le au moins un deuxième orifice est positionné dans une paroi latérale de la chambre de pompage de sorte qu'un faisceau d'électrons émis par la au moins une source de faisceau d'électrons puisse pénétrer à travers ledit au moins un deuxième orifice dans ladite chambre de pompage .
[0038] Selon un mode de réalisation, la au moins une source de faisceau d'électrons, la chambre de traitement et la chambre de pompage forment un ensemble fermé. [0039] Selon un mode de réalisation, la chambre de traitement comprend une cible adaptée pour, sous l'effet du faisceau d'électrons ou du plasma, émettre des particules vers la pièce afin d' induire un processus de dépôt de couche mince sur ladite pièce par une technique de pulvérisation cathodique ou une technique d'évaporation par faisceau d'électrons.
[0040] Selon un mode de réalisation, la chambre de traitement comprend un premier socle de support adapté à supporter la cible, ledit premier socle de support étant par exemple mobile
[0041] Selon un mode de réalisation, le premier socle de support comprend, ou consiste en, un creuset, par exemple un creuset refroidi.
[0042] Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre : une source de polarisation de la cible à une tension comprise entre 0 et 10 kV, de préférence entre 2 et 5 kV ; et/ou
- un élément de refroidissement de la cible.
[0043] Selon un mode de réalisation, la chambre de traitement comprend un deuxième socle de support adapté à supporter la pièce à traiter, ledit deuxième socle de support étant par exemple mobile.
[0044] Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend un appareil de déviation, tel un électroaimant ou un aimant permanent, adapté à dévier le faisceau d'électrons dans la chambre de traitement, ledit appareil de déviation étant par exemple mobile.
[0045] Selon un mode de réalisation, la chambre de traitement est délimitée par des parois d'un corps cylindrique ou parallélépipédique, et la chambre de pompage est positionnée contre une paroi latérale du corps, à l'intérieur ou à l'extérieur dudit corps ; la chambre de pompage étant par exemple coaxiale avec la chambre de traitement.
[0046] Selon un mode de réalisation, la au moins une source de faisceau d'électrons comprend une chambre de génération d' électrons et un tube entre la chambre de génération d' électrons et la chambre de traitement ; chaque tube étant relié à la chambre de pompage ; et le au moins un deuxième orifice étant entre la chambre de pompage et le tube de la au moins une source de faisceau d'électrons.
[0047] Selon un mode de réalisation, la au moins une source de faisceau d'électrons comprend un appareil de focalisation, tel un électroaimant, adapté à focaliser le faisceau d'électrons, et par exemple à le diriger vers la chambre de traitement .
[0048] Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend une deuxième pompe à vide reliée à la chambre de traitement et/ou une troisième pompe à vide reliée à la au moins une source de faisceau d'électrons.
[0049] Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend plusieurs sources de faisceau d'électrons externes à la chambre de traitement.
[0050] Selon un mode de réalisation, au moins deux des sources de faisceau d'électrons sont adaptées à émettre des électrons selon un même plan faisceau ou selon deux plans faisceau parallèles entre eux.
[0051] Selon un mode de réalisation, le au moins un premier orifice, et/ou le au moins un deuxième orifice, correspond à un orifice d'un diaphragme.
[0052] Selon un mode de réalisation, le dispositif est adapté à mettre en oeuvre :
- un dépôt de couche mince par pulvérisation cathodique ;
- un dépôt de couche mince par évaporation par faisceau d'électrons en phase vapeur ;
- un nettoyage par plasma ;
- une densification de couche par plasma ; et/ou
- une gravure par plasma.
Brève description des dessins
[0053] Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles :
[0054] la figure 1 est une vue schématique en coupe d'un dispositif à faisceau d'électrons selon un premier mode de réalisation ;
[0055] la figure 2 est une vue schématique en coupe d'un dispositif à faisceau d'électrons selon un deuxième mode de réalisation ;
[0056] la figure 3 est une vue de dessus d'un dispositif à faisceau d'électrons similaire au dispositif de la figure 2 ; et
[0057] la figure 4 est une vue de dessus d'un dispositif à faisceau d'électrons selon un troisième mode de réalisation.
Description des modes de réalisation
[0058] De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques.
[0059] Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les systèmes d'alimentation en courant ou en tension, les systèmes d'alimentation en gaz, les systèmes de polarisation éventuelle de la cible et/ou de la surface à traiter, ne sont pas détaillés, les modes de réalisation décrits étant, sauf précision contraire, compatibles avec les systèmes usuels. De même, les niveaux d'intensité ou de tension d'alimentation, ou de tension de polarisation, ne sont pas détaillés.
[0060] Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments.
[0061] Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures ou à un dispositif à faisceau d'électrons dans une position normale d'utilisation.
[0062] Dans la description qui suit, lorsqu'on fait référence à un plan de faisceau d'électrons, ou plan faisceau, il est fait référence au plan d'émission d'un ou de plusieurs faisceaux d'électrons par une ou plusieurs sources de faisceau d'électrons. Lorsqu'il y a plusieurs sources de faisceau d'électrons, elles peuvent être configurées pour émettre des faisceaux d'électrons selon un seul et même plan faisceau ou selon plusieurs plans faisceau sensiblement parallèles entre eux. Lorsqu'on fait référence à une direction longitudinale, il est fait référence à la direction perpendiculaire au(x) plan (s) faisceau. Une section transversale d'une chambre de traitement correspond à une section de la chambre de traitement selon un plan perpendiculaire (plan transversal) à la direction longitudinale. Lorsque le plan transversal correspond à un plan faisceau, on parle de section transversale prise dans un plan faisceau.
[0063] Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près.
[0064] La figure 1 est une vue schématique en coupe d'un dispositif à faisceau d'électrons 100 selon un premier mode de réalisation.
[0065] Le dispositif 100 comprend trois chambres distinctes :
- une chambre de génération d'électrons 112 ayant un premier volume VI ;
- une chambre de pompage 120 ayant un deuxième volume V2 ; et
- une chambre de traitement 130 ayant un troisième volume V3.
[0066] La chambre de génération d'électrons 112 fait partie d'une source de faisceau d'électrons 110, ou source d'électrons, qui est adaptée à émettre au moins un faisceau d'électrons F dans une direction d'un plan faisceau PF.
[0067] La source de faisceau d'électrons 110, la chambre de traitement 130 et la chambre de pompage 120 forment un ensemble fermé, de préférence étanche.
[0068] La chambre de pompage 120 est reliée à la chambre de traitement 130 et à la source de faisceau d'électrons 110, et positionnée entre la chambre de traitement 130 et la source de faisceau d'électrons 110. Par exemple, une paroi commune sépare la chambre de pompage 120 et la chambre de traitement 130 et une autre paroi commune sépare la chambre de pompage 120 et la source de faisceau d'électrons 110.
[0069] La source de faisceau d'électrons 110 est de préférence exempte de filament. La source de faisceau d'électrons 110 peut comprendre, ou consister en, par exemple, une source de plasma dans laquelle le plasma est obtenu par interaction entre un rayonnement électromagnétique haute fréquence et un gaz à basse pression, telle que la source de plasma décrite dans la demande de brevet FR3062770A1. De cette manière, la source de plasma générant des électrons, et ainsi formant une source d'électrons, peut être placée dans un vide différent de celui de la chambre de traitement, offrant une liberté dans le choix de la pression et/ou de la nature du gaz tant pour la chambre de traitement que pour la source de plasma .
[0070] Dans le mode de réalisation de la figure 1, la chambre de traitement 130 est comprise entre un cylindre 10 (corps cylindrique) et la chambre de pompage 120.
[0071] La chambre de traitement 130 est fermée par une paroi inférieure 131, correspondant à une portion centrale de la base inférieure du cylindre 10, une paroi supérieure 133, correspondant à la base supérieure du cylindre 10, et une paroi latérale 132, ayant une première portion commune avec une portion supérieure de la paroi latérale du cylindre 10 reliant les bases inférieure et supérieure dudit cylindre, une deuxième portion commune avec une paroi supérieure 128 de la chambre de pompage 120, et une troisième portion commune avec une première paroi latérale 121 (paroi latérale interne) de la chambre de pompage 120.
[0072] La chambre de pompage 120 est, dans ce mode de réalisation, positionnée à l'intérieur du cylindre 10 et présente une forme de couronne de même axe que le cylindre.
[0073] La chambre de pompage 120 est fermée par une deuxième paroi latérale 123 (paroi latérale externe) commune avec une portion inférieure de la paroi latérale du cylindre 10, la paroi latérale interne 121, la paroi supérieure 128, et une paroi inférieure 129, les parois supérieure et inférieure de la chambre de pompage reliant les parois latérales interne et externe de la chambre de pompage . La paroi latérale interne 121 et la paroi supérieure 128 de la chambre de pompage 120 sont communes avec la paroi latérale 132 de la chambre de traitement 130 . La paroi inférieure 129 de la chambre de pompage 120 correspond à une portion périphérique de la base inférieure du cylindre 10 .
[ 0074 ] Ainsi , la chambre de traitement 130 est définie par l ' espace compris entre le cylindre 10 et la chambre de pompage 120 . En d' autres termes , le volume V3 de la chambre de traitement 130 correspond sensiblement au volume du cylindre 10 moins le volume V2 de la chambre de pompage 120 .
[ 0075 ] La paroi supérieure 128 de la chambre de pompage 120 est représentée oblique par rapport au plan faisceau PF . En variante , la paroi supérieure 128 de la chambre de pompage 120 pourrait être sensiblement parallèle au plan faisceau PF . Selon une autre variante , la paroi supérieure 128 de la chambre de pompage 120 pourrait correspondre à une portion de la base supérieure du cylindre 10 , c' est-à-dire que la paroi interne 121 de la chambre de pompage 120 pourrait s ' étendre j usqu' à la base supérieure du cylindre 10 .
[ 0076 ] Le cylindre 10 est représenté comme étant un cylindre circulaire droit, comme on peut le voir également dans la vue de dessus en figure 3 décrite plus après . La direction longitudinale Z ( ou direction axiale ) de la chambre de traitement 130 correspond dans ce mode à l ' axe du cyl indre circulaire 10 . On désigne par D3 le plus petit diamètre de section de la portion de chambre de traitement 130 entourée par la chambre de pompage (petit diamètre ) , et D4 le diamètre de section de la portion de chambre de traitement 130 non entourée par la chambre de pompage ( grand diamètre ) . D3 est inférieur à D4 . [0077] D'autres formes et configurations de chambre de traitement et de chambre de pompage sont possibles. Par exemple, le corps peut être cylindrique non circulaire, ou peut être parallélépipédique, comme illustré par exemple dans la figure 4 décrite plus après, voire présenter tout autre forme adaptée. La chambre de pompage peut être positionnée à l'intérieur ou à l'extérieur de ce corps cylindrique ou parallélépipédique. Par exemple, la chambre de pompage peut être positionnée à l'extérieur du corps, contre une paroi latérale du corps, qui correspond alors à une paroi latérale de la chambre de traitement.
[0078] La chambre de pompage 120 est reliée à une première pompe à vide 126. Le recours à une chambre de pompage distincte de la chambre de traitement permet un pompage différentiel .
[0079] De plus, le fait que la chambre de pompage 120 soit positionnée entre la chambre de traitement 130 et la source de faisceau d'électrons 110 forme une chambre de pompage 120 intermédiaire entre la chambre de génération d'électrons 112 et la chambre de traitement 130. Par exemple, la chambre de pompage 120 a une pression P2 intermédiaire entre la pression PI dans la chambre de génération d'électrons 112 et la pression P3 dans la chambre de traitement 130. Cela permet de régler la pression de manière différenciée dans la chambre de génération d'électrons 112, pour la production des électrons, et dans la chambre de traitement 130 pour le traitement d'un substrat 106, comme expliqué plus après, et ainsi d'optimiser les pressions de fonctionnement dans la chambre de génération d'électrons 112 et dans la chambre de traitement 130.
[0080] La chambre de traitement 130 comprend une entrée de gaz de traitement 138, reliée à une alimentation en gaz de traitement (non représentée) . Des exemples de gaz de traitement sont des gaz rares tels que He, Ne, Ar, Kr ou Xe ou des gaz réactifs tels que O2, N2, F2, CH4, SF6.
[0081] Une deuxième pompe à vide 142 peut être reliée à la chambre de traitement 130, par exemple pour contrôler un vide ultime dans ladite chambre de traitement, notamment en mode évaporation. Le dépôt de couches minces par évaporation demande en effet parfois des vides très poussés (typiquement inférieurs à 10~5 mbar) , ce qui peut nécessiter la présence d'un pompage renforcé dédié à la chambre de traitement.
[0082] La chambre de traitement 130 est adaptée à supporter une cible 104, par exemple au moyen d'un premier socle de support 134 assemblé à l'intérieur de la chambre de traitement Le premier socle de support 134 peut être mobile selon la direction longitudinale Z, par exemple à l'aide d'un premier moteur 135. Ceci peut permettre de faire varier une première distance ZI dans la direction longitudinale entre la cible 104 et le plan faisceau PF. Plus généralement, la cible peut être mobile en translation et/ou en rotation, par exemple pour contrôler la position et la forme de la zone d'usure de la cible. Une seule cible est représentée, mais la chambre de traitement pourrait contenir plusieurs cibles, par exemple plusieurs cibles sur le premier socle de support.
[0083] La cible 104 peut être placée dans un creuset qui peut constituer ou faire partie du premier socle de support 134, en particulier si elle est utilisée dans une technique de dépôt par évaporation.
[0084] La chambre de traitement 130 est adaptée à supporter une pièce, par exemple un substrat 106 dont au moins une surface est à traiter. Un deuxième socle de support 136 peut être assemblé à l'intérieur de ladite chambre de traitement pour supporter le substrat 106. Le deuxième socle de support 136 peut être mobile selon la direction longitudinale Z, par exemple à l'aide d'un deuxième moteur 137. Ceci peut permettre de faire varier une deuxième distance Z2 dans la direction longitudinale entre le substrat 106 et le plan faisceau PF. Plus généralement, la pièce à traiter peut être mobile en translation et/ou en rotation.
[0085] La chambre de pompage 120 communique avec la chambre de traitement 130 à l'aide d'un premier orifice 122, et avec la source de faisceau d'électrons 110 à l'aide d'un deuxième orifice 124. Les premier et deuxième orifices sont de préférence alignés dans la direction d'émission du faisceau d'électrons (direction X dans la figure 1) . Ainsi, le faisceau d'électrons émis par la source de faisceau d'électrons 110 dans la direction X pénètre dans la chambre de traitement 130 via la chambre de pompage 120 à travers les premier et deuxième orifices 122, 124.
[0086] Dans le cas où il y a plusieurs directions d'émission de faisceau d'électrons dans le plan faisceau PF, plusieurs premiers et deuxièmes orifices sont alors de préférence prévus, chaque premier orifice étant alors de préférence aligné avec un deuxième orifice selon une des directions d'émission, de sorte que chaque faisceau d'électrons émis dans une direction d'émission donnée puisse pénétrer dans la chambre de traitement via la chambre de pompage à travers des premier et deuxième orifices alignés dans ladite direction d'émission.
[0087] Le premier orifice 122 peut être positionné dans la paroi latérale interne 121 de la chambre de pompage 120, c'est-à-dire dans la paroi latérale 132 de la chambre de traitement 130, et le deuxième orifice 124 peut être positionné dans la paroi latérale externe 123 de la chambre de pompage 120. Les parois latérales interne et externe de la chambre de pompage sont opposées dans la direction d'émission X du faisceau d'électrons.
[0088] Il peut y avoir plusieurs premiers et deuxièmes orifices, en particulier s'il y a plusieurs sources de faisceau d'électrons, comme illustré plus après en relation avec la figure 2.
[0089] Dans le cas où il y a plusieurs premiers et deuxièmes orifices, les premiers orifices peuvent être positionnés le long d'une première circonférence de la paroi latérale interne 121 de la chambre de pompage 120, correspondant à une première circonférence de la paroi latérale 132 de la chambre de traitement 130, et les deuxièmes orifices peuvent être positionnés le long d'une deuxième circonférence de la paroi latérale externe 123 de la chambre de pompage 120. Par exemple, les première et deuxième circonférences sont concentriques.
[0090] Plus généralement, par exemple dans une variante où la chambre de pompage est extérieure au corps cylindrique ou parallélépipédique, chaque premier orifice peut être positionné dans une paroi commune à la chambre de traitement et la chambre de pompage, et chaque deuxième orifice peut être positionné dans une autre paroi commune à la chambre de pompage et une source de faisceau d'électrons.
[0091] En variante, chaque premier orifice peut être un orifice d'un premier diaphragme assemblé à la paroi latérale interne de la chambre de pompage, c'est-à-dire à la paroi latérale de la chambre de traitement, et/ou chaque deuxième orifice peut être un orifice d'un deuxième diaphragme assemblé à la paroi latérale externe de la chambre de pompage. La paroi latérale interne peut alors comprendre une ouverture plus grande que le premier orifice pour intégrer le premier diaphragme, et/ou la paroi latérale externe peut alors comprendre une ouverture plus grande que le deuxième orifice pour intégrer le deuxième diaphragme. Cette variante permet notamment de pouvoir prévoir des tailles d'orifice variables selon l'application visée, pour régler par exemple la conductance fluidique de l'orifice. [0092] Le cercle de diamètre minimal dans lequel s'inscrit chaque premier orifice 122 est adapté aux dimensions de la chambre de traitement 130, de préférence aux dimensions de la section transversale de la chambre de traitement prise dans le plan faisceau. Les mêmes conditions peuvent s'appliquer au cercle de diamètre minimal dans lequel s'inscrit le deuxième orifice 124.
[0093] Un orifice peut être de forme circulaire. Dans ce cas, on prend comme dimension d'orifice le diamètre de ce cercle.
[0094] De préférence, le diamètre du cercle minimal dans lequel s'inscrit le premier orifice 122 est inférieur ou égal à 1/8, par exemple inférieur ou égal à 1/10, par exemple inférieur ou égal à 1/12, de la plus petite dimension de la section transversale de la chambre de traitement 130 prise dans le plan faisceau PF. Dans l'exemple représenté, ceci correspond au petit diamètre D3 de la chambre de traitement 130. Les mêmes conditions peuvent s'appliquer au diamètre du cercle minimal dans lequel s'inscrit le deuxième orifice 124.
[0095] Un tel ratio pour un orifice permet d'assurer un vide différentiel entre la source de faisceau d'électrons 110, et notamment la chambre de génération d'électrons 112, et la chambre de traitement 130, tout en minimisant la contamination de la chambre de traitement en direction de la chambre de génération d'électrons 112. Des compromis peuvent être trouvés entre la quantité d'électrons injectés dans un faisceau de diamètre donné, après focalisation, et la dimension maximale de l'orifice qui lui-même contrôle le pompage différentiel.
[0096] La première pompe à vide 126 permet de former un vide dans la chambre de pompage 120, ainsi que dans la chambre de traitement 130 via le premier orifice 122. [0097] Ainsi, la première pompe à vide 126, l'injection de gaz de traitement, et dans certains cas la deuxième pompe à vide 142, permettent de contrôler la pression dans la chambre de traitement 130.
[0098] La pression dans la chambre de traitement 130 peut être adaptée en fonction de la technique de traitement mise en œuvre dans le dispositif, par exemple :
- entre 10~3 mbar et 10-1 mbar pour un dépôt par pulvérisation cathodique ;
- entre 10~6 mbar et 10-1 mbar pour un dépôt par évaporation par faisceau d'électrons en phase vapeur.
[0099] Dans le mode de réalisation représenté en figure 1, la chambre de génération d'électrons 112 est à distance de la chambre de pompage 120 et de la chambre de traitement 130. La source de faisceau d'électrons 110 comprend un tube 114, de préférence creux, reliant la chambre de génération d'électrons 112 et la chambre de pompage 120. Le deuxième orifice 124 est alors positionné entre la chambre de pompage 120 et le tube 114. Un troisième orifice de passage 113 est formé entre la chambre de génération d'électrons 112 et le tube 114. Le troisième orifice 113 est de préférence aligné avec les premier et deuxième orifices 122, 124 dans la direction d'émission X du faisceau d'électrons.
[0100] En variante, la chambre de génération d'électrons 112 pourrait être accolée à la chambre de pompage 120 et/ou à la chambre de traitement 130. Par exemple, la chambre de génération d'électrons 112 pourrait ne pas comprendre de tube.
[0101] La chambre de faisceau d'électrons 112 comprend en outre une entrée de gaz source 118 reliée à une alimentation en gaz source (non représentée) . Des exemples de gaz source sont des gaz rares He, Ne, Ar, Kr ou Xe ou des gaz réactifs tels que O2, N2, F2, CH4, SF6. [0102] La source de faisceau d'électrons 110 comprend également de préférence un appareil de focalisation du faisceau d'électrons. Il peut s'agir d'un appareil électrostatique ou magnétique de focalisation, par exemple un électroaimant 116 positionné autour du tube 114 et relié à une alimentation en courant de bobine (alimentation non représentée) . L'appareil de focalisation, par exemple l'électroaimant 116, est de préférence adapté à produire un champ magnétique parallèle au trajet du faisceau d'électrons dans le tube 114, et peut être adapté à conduire ledit faisceau d'électrons vers la chambre de traitement 130.
[0103] Bien que cela ne soit pas représenté, la source de faisceau d'électrons 110 peut comprendre une grille d'extraction et/ou une grille d'accélération, par exemple entre la chambre de génération d'électrons 112 et l'électroaimant 116.
[0104] La première pompe à vide 126 peut être adaptée à former un vide dans la chambre de génération d'électrons 112 via la chambre de pompage 120 et le deuxième orifice 124. Il est possible de dimensionner la première pompe à vide 126 ainsi que le deuxième orifice 124 en fonction du vide souhaité.
[0105] En variante, ou de manière complémentaire, la source de faisceau d'électrons 110 peut comprendre une troisième pompe à vide 115 reliée à la chambre de génération d'électrons 112, et adaptée à former un vide plus poussé dans ladite chambre, et/ou à compenser un éventuel flux rétroactif en provenance de la chambre de traitement 130.
[0106] Dans le tube 114, le faisceau d'électrons F émis est dirigé dans la direction X du plan faisceau PF, perpendiculaire à la direction longitudinale Z.
[0107] Pour certaines applications, la trajectoire Fl du faisceau d'électrons dans la chambre de traitement 130 peut suivre la même direction que celle du faisceau d'électrons émis, ou du moins ne pas être dirigé dans une direction particulière. Par exemple, le faisceau d'électrons n'est pas dirigé vers la cible 104. Le faisceau d'électrons peut être adapté à créer un plasma à l'aide d'un gaz de traitement introduit dans la chambre de traitement, par exemple des gaz rares tels que He, Ne, Ar, Kr ou Xe ou des gaz réactifs tels que O2, N2, F2, CH4, SFg. Le plasma peut être dirigé vers le substrat 106 pour le nettoyer et/ou pour le graver. Le plasma peut aussi être dirigé vers la cible 104 pour lui arracher des particules, et les particules dirigées vers le substrat 106 pour réaliser un dépôt de couche mince par la technique de pulvérisation cathodique.
[0108] Pour d'autres applications, la trajectoire F2 du faisceau d'électrons dans la chambre de traitement 130 peut être déviée pour suivre une direction donnée dans la chambre de traitement. Par exemple, le faisceau d'électrons peut être dirigé vers la cible 104. Le faisceau d'électrons peut, par exemple, être adapté à transformer des molécules de la cible en phase gazeuse. Une partie au moins de ces molécules précipitent ensuite sous forme solide sur le substrat 106 pour réaliser un dépôt de couche mince par la technique d'évaporation par faisceau d'électrons en phase vapeur.
[0109] Le dispositif peut comprendre un appareil de déviation du faisceau d'électrons, par exemple un électroaimant ou un aimant permanent 140, adapté à dévier le faisceau d'électrons dans la chambre de traitement 130. L'appareil de déviation peut être au moins en partie positionné dans la chambre de traitement. En variante, l'appareil de déviation peut être positionné complètement en dehors de la chambre de traitement.
[0110] L'appareil de déviation, par exemple l'aimant permanent 140, peut être mobile selon la direction longitudinale Z, par exemple à l'aide d'un troisième moteur 139. Plus généralement, l'appareil de déviation peut être mobile en translation et/ou en rotation, et donc être apte à contrôler ou non la trajectoire des faisceaux d'électrons sur une très grande gamme d'énergie de ceux-ci, par exemple entre 100 V et 50 kV.
[0111] L'appareil de focalisation, par exemple l'électroaimant 126, et l'appareil de déviation, par exemple l'aimant permanent 140, sont de préférence adaptés à former des champs magnétiques ayant des directions transversales, par exemple perpendiculaires, l'un par rapport à l'autre.
[0112] La cible peut être en cuivre, en tantale ou un oxyde de cuivre ou de tantale, ou tout autre matériau solide, voire liquide, susceptible d'induire un processus de pulvérisation ou d'évaporation, par exemple un matériau métallique ou oxyde.
[0113] Selon les techniques de traitement mises en œuvre dans le dispositif, la cible et/ou le substrat peuvent être polarisés. La polarisation peut être typiquement de quelques dizaines de volts pour le substrat, par exemple en mode nettoyage par plasma ou densification de couche par plasma, et/ou, pour la cible, toute tension de polarisation permettant d'obtenir des énergies supérieures à un seuil de pulvérisation ou d'évaporation, typiquement comprise entre 100 V et 10 kV.
[0114] La figure 2 est une vue schématique en coupe d'un dispositif à faisceau d'électrons 200 selon un deuxième mode de réalisation, qui se distingue du dispositif 100 de la figure 1 en ce qu' il comprend plusieurs sources de faisceau d'électrons, une première source 110 et une deuxième source 210 représentées dans la figure 2. Un premier aimant permanent 140 peut être adapté à dévier un faisceau d'électrons issu de la première source 110 et un deuxième aimant permanent 240 peut être adapté à dévier un faisceau d'électrons issu de la deuxième source 210. Les aimants permanents peuvent être positionnés soit chacun sur un support, soit sur un support commun 241, comme illustré, chaque support étant par exemple mobile, par exemple à l'aide d'un moteur 239 (commun dans le mode illustré) . Les aimants permanents peuvent être positionnés sous la cible 104.
[0115] La chambre de pompage 120 est positionnée entre la chambre de traitement 130 et chacune des première 110 et deuxième 210 sources de faisceau d'électrons.
[0116] Une quatrième pompe à vide 226 peut être reliée à la chambre de pompage 120 à proximité de la deuxième source 210, en complément de la première pompe à vide 126 qui est de préférence reliée à proximité de la première source 110.
[0117] Le dispositif à faisceau d'électrons 200 comprend au moins deux premiers orifices 122, 222 et deux deuxièmes orifices 124, 224. Les premiers orifices 122, 222 sont positionnés dans la paroi latérale interne 121 de la chambre de pompage 120, c'est-à-dire dans la paroi latérale 132 de la chambre de traitement 130 dans la configuration représentée. Les deuxièmes orifices 124, 224 sont positionnés dans la paroi latérale externe 123 de la chambre de pompage 120.
[0118] Les premier et deuxième orifices 122, 124 associés à la première source de faisceau d'électrons 110 sont de préférence alignés dans la direction d'émission du faisceau d'électrons par ladite première source. Les premier et deuxième orifices 222, 224 associés à la deuxième source de faisceau d'électrons 210 sont de préférence alignés dans la direction d'émission du faisceau d'électrons par ladite deuxième source.
[0119] Chacune des première et deuxième sources de faisceau d'électrons peuvent être similaires à la source de faisceau d'électrons 110 de la figure 1, mais le volume V4 de la deuxième chambre de génération d'électrons 212 n'est pas nécessairement égal au volume VI de la première chambre de génération d'électrons 112.
[0120] Dans le mode représenté, les sources de faisceau d'électrons sont positionnées de manière à émettre des électrons sensiblement selon un même plan faisceau PF. En variante, des sources de faisceau d'électrons peuvent être positionnées de manière à émettre des électrons selon différents plans faisceau parallèles entre eux.
[0121] Les autres caractéristiques du dispositif 200 de la figure 2 peuvent être similaires à celles du dispositif 100 de la figure 1. Des variantes décrites en lien avec la figure
1 peuvent également s'appliquer au dispositif 200 de la figure
2.
[0122] Il est possible d'avoir plus de deux sources de faisceau d'électrons, ainsi que d'autres pompes à vide associées à d'autres sources de faisceau d'électrons. La chambre de pompage est alors positionnée entre la chambre de traitement et chacune des sources de faisceau d'électrons. Les premier et deuxième orifices associés à chaque source de faisceau d'électrons sont alors de préférence alignés dans la direction d'émission du faisceau d'électrons par ladite source de faisceau d'électrons.
[0123] Par exemple, on a représenté en figure 3 une vue de dessus d'un dispositif similaire au dispositif de la figure 2, dans lequel on peut éventuellement positionner une troisième source de faisceau d'électrons 310.
[0124] Au moins une source de faisceau d'électrons peut être adaptée à former des électrons à faible énergie, typiquement comprise entre 0,1 ou 2 keV, adaptée pour le nettoyage par plasma, la densification de couche par plasma, la gravure par plasma et/ou la pulvérisation cathodique, et à former des électrons à forte puissance, typiquement comprise entre 2 keV et 30 keV avec une intensité typiquement comprise entre 10 et 200 mA par source, plus adaptée pour l'évaporation par faisceau d'électrons en phase vapeur.
[0125] En multipliant les sources de faisceau d'électrons assemblées autour de la chambre de traitement, on peut multiplier d'autant l'intensité globale des électrons formés.
[0126] La figure 4 est une vue de dessus d'un dispositif à faisceau d'électrons 400 selon un troisième mode de réalisation, qui se distingue des dispositifs 100 et 200 des figures 1 à 3 principalement en ce que le corps 40 est parallélépipédique, et non cylindrique. La chambre de traitement 430 est délimitée par des parois de ce corps parallélépipédique, et par la chambre de pompage 420 qui forme une couronne également parallélépipédique, positionnée dans le corps parallélépipédique. Selon une variante non représentée, la chambre de pompage peut être positionnée à l'extérieur du corps parallélépipédique contre une ou plusieurs parois latérales dudit corps.
[0127] La plus petite dimension d'une section transversale de la chambre de traitement 430 prise dans le plan faisceau correspond alors à la largeur L3, qui correspond à la largeur du corps L4 moins la largeur de la chambre de pompage.
[0128] Les sources de faisceau d'électrons 110, 210, 310 représentées peuvent être similaires aux sources précédemment décrites, et peuvent être positionnées de manière à émettre des électrons selon plusieurs directions X, X' , Y d'un même plan faisceau PF, ou selon plusieurs directions de plusieurs plans faisceau parallèles entre eux. En outre, des sources peuvent être positionnées sur deux parois latérales différentes du corps, par exemple deux parois parallèles et/ou deux parois perpendiculaires entre elles. Tl
[ 0129 ] Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits . La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées , et d' autres variantes apparaîtront à la personne du métier .
[ 0130 ] Enfin, la mise en œuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus .

Claims

REVENDICATIONS Dispositif à faisceaux d'électrons (100 ; 200 400) comprenant :
- une chambre de traitement (130 ; 430) ayant une direction longitudinale (Z) ;
- au moins une source de faisceau d'électrons (110, 210, 310) , chaque source étant adaptée à émettre un faisceau d'électrons dans un plan faisceau (PF) sensiblement transversal à la direction longitudinale (Z) de manière à induire un plasma ou un point d' évaporation dans la chambre de traitement (130 ; 430) pour le traitement d'une surface d'une pièce (106) ; ladite au moins une source de faisceau d' électrons étant externe à la chambre de traitement ;
- une chambre de pompage (120 ; 420) reliée à une première pompe à vide (126) , à la chambre de traitement et à la au moins une source de faisceau d'électrons, la chambre de pompage étant positionnée entre ladite chambre de traitement et ladite au moins une source de faisceau d'électrons, et étant adaptée à réaliser un pompage sous vide différentiel de ladite chambre de traitement ;
- au moins un premier orifice (122 ; 222) de passage du faisceau d'électrons entre la chambre de traitement et la chambre de pompage ; et
- au moins un deuxième orifice (124 ; 224) de passage du faisceau d'électrons entre la chambre de pompage et la au moins une source de faisceau d'électrons. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel :
- le diamètre du cercle minimal dans lequel s'inscrit le au moins un premier orifice est inférieur ou égal à un huitième, par exemple inférieur ou égal à un dixième, de la plus petite dimension (D3, L3) d'une section transversale de la chambre de traitement (130) prise dans le plan faisceau ; et/ou - le diamètre du cercle minimal dans lequel s'inscrit le au moins un deuxième orifice (124) est inférieur ou égal à un huitième, par exemple inférieur ou égal à un dixième, de la plus petite dimension de la section transversale de la chambre de traitement (130) prise dans le plan faisceau. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le au moins un premier orifice (122 ; 222) est positionné dans une paroi latérale (132) de la chambre de traitement de sorte qu'un faisceau d'électrons émis par la au moins une source de faisceau d'électrons puisse pénétrer à travers ledit au moins un premier orifice dans ladite chambre de traitement . Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le au moins un deuxième orifice (124 ; 224) est positionné dans une paroi latérale (123) de la chambre de pompage de sorte qu'un faisceau d'électrons émis par la au moins une source de faisceau d'électrons puisse pénétrer à travers ledit au moins un deuxième orifice dans ladite chambre de pompage . Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la au moins une source de faisceau d'électrons, la chambre de traitement et la chambre de pompage forment un ensemble fermé. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la chambre de traitement (130 ; 430) comprend une cible (104) adaptée pour, sous l'effet du faisceau d'électrons ou du plasma, émettre des particules vers la pièce (106) afin d'induire un processus de dépôt de couche mince sur ladite pièce par une technique de pulvérisation cathodique ou une technique d'évaporation par faisceau d ' électrons . Dispositif selon la revendication 6, dans lequel la chambre de traitement (130 ; 430) comprend un premier socle de support (134) adapté à supporter la cible (104) , ledit premier socle de support étant par exemple mobile. Dispositif selon la revendication 7, dans lequel le premier socle de support comprend, ou consiste en, un creuset, par exemple un creuset refroidi. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 6 à 8, comprenant en outre :
- une source de polarisation de la cible (104) à une tension comprise entre 0 et 10 kV, de préférence entre 2 et 5 kV ; et/ou
- un élément de refroidissement de la cible. . Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel la chambre de traitement (130 ; 430) comprend un deuxième socle de support (136) adapté à supporter la pièce (106) à traiter, ledit deuxième socle de support étant par exemple mobile. . Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, comprenant un appareil de déviation (140, 240) , tel un électroaimant ou un aimant permanent, adapté à dévier le faisceau d'électrons dans la chambre de traitement (130 ; 430) , ledit appareil de déviation étant par exemple mobile . . Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel la chambre de traitement (130 ; 430) est délimitée par des parois d'un corps cylindrique ou parallélépipédique, et la chambre de pompage (120 ; 420) est positionnée contre une paroi latérale du corps, à l'intérieur ou à l'extérieur dudit corps ; la chambre de pompage étant par exemple coaxiale avec la chambre de traitement . . Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel la au moins une source de faisceau d'électrons (110, 210, 310) comprend une chambre de génération d'électrons (112, 212) et un tube (114, 214) entre la chambre de génération d' électrons et la chambre de traitement (130 ; 430) ; chaque tube étant relié à la chambre de pompage (120 ; 420) ; et le au moins un deuxième orifice (124) étant entre la chambre de pompage et le tube de la au moins une source de faisceau d'électrons. . Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel la au moins une source de faisceau d'électrons (110, 210, 310) comprend un appareil de focalisation (116, 216) , tel un électroaimant, adapté à focaliser le faisceau d'électrons, et par exemple à le diriger vers la chambre de traitement (130 ; 430) . . Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, comprenant une deuxième pompe à vide (142) reliée à la chambre de traitement (130 ; 430) et/ou une troisième pompe à vide (115) reliée à la au moins une source de faisceau d'électrons (110, 210, 310) . . Dispositif selon l'une quelconque des revendications
1 à 15, comprenant plusieurs sources de faisceau d'électrons (110, 210, 310) externes à la chambre de traitement (130 ; 430) . . Dispositif selon la revendication 16, dans lequel au moins deux des sources de faisceau d'électrons sont adaptées à émettre des électrons selon un même plan faisceau ou selon deux plans faisceau parallèles entre eux. Dispositif selon l'une quelconque des revendications
1 à 17, dans lequel le au moins un premier orifice, et/ou le au moins un deuxième orifice, correspond à un orifice d'un diaphragme. Dispositif selon l'une quelconque des revendications
1 à 18, dans lequel le dispositif est adapté à mettre en oeuvre :
- un dépôt de couche mince par pulvérisation cathodique ;
- un dépôt de couche mince par évaporation par faisceau d'électrons en phase vapeur ;
- un nettoyage par plasma ;
- une densification de couche par plasma ; et/ou
- une gravure par plasma.
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