WO2023191159A1 - Intelligent integrated assembly and transfer device for semiconductor light-emitting devices - Google Patents
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Definitions
- the embodiment relates to an intelligent assembly and transfer integration device for semiconductor light emitting devices.
- a micro-LED display is a display that uses micro-LED, a semiconductor light emitting device with a diameter or cross-sectional area of 100 ⁇ m or less, as a display element.
- micro-LED displays use micro-LEDs as display elements, they have excellent performance in contrast ratio, response speed, color reproduction rate, viewing angle, brightness, resolution, lifespan, luminous efficiency, and luminance.
- the micro-LED display has the advantage of being able to freely adjust the size and resolution because the screen can be separated and combined in a modular manner, and also has the advantage of being able to implement a flexible display.
- micro-LED displays require more than millions of semiconductor light-emitting devices, there is a technical problem that makes it difficult to quickly and accurately transfer the semiconductor light-emitting devices to the display panel.
- Transfer technologies that have been recently developed include the pick and place process, laser lift-off method, or self-assembly method.
- the self-assembly method is a technology in which semiconductor light-emitting devices find their own assembly position within a fluid, and is advantageous for the implementation of large-screen display devices.
- U.S. Patent No. 9,825,202 proposed a micro-LED structure suitable for self-assembly, but there is still insufficient research on technology for manufacturing displays by self-assembly of micro-LEDs.
- the assembly transfer integration device using undisclosed internal technology is equipped with a flexible assembly board on the rotating roller for self-assembly, and the semiconductor light-emitting devices distributed in the bath are self-assembled on the flexible assembly board through magnetic and electric fields and then used as a display panel board or It can be transferred in-line to the donor substrate.
- internal technology's assembly and transfer integration device multiple simultaneous assemblies are possible, and the assembly and transfer process can be integrated within a certain period of time regardless of area.
- the panel board or donor board is placed on the upper side of the assembly and transfer integration device, so the panel board including the TFT backplane must be placed upside down, and a process to turn the panel board over again after transfer is necessary. do. Accordingly, there is a problem that additional units or devices are required in order for the assembly and transfer integration device of internal technology to be applied to the existing display panel process.
- the transfer process is carried out with the panel substrate turned over, so as the area of the panel substrate increases, there is an issue of sagging of the panel substrate.
- the electrode part of the assembled substrate is in contact with the electrode part placed on the side wall of the bath to receive power.
- the electrode portion of the assembled substrate slides while in surface contact with the electrode portion disposed on the side wall of the bath, mutual friction occurs, causing damage to the electrode portion of the assembled substrate.
- One of the technical challenges of the embodiment is to provide an intelligent assembly and transfer integration device that can simultaneously improve transfer speed and transfer yield when transferring semiconductor light emitting devices to a display panel.
- the embodiment is intended to provide an intelligent assembly and transfer integration device that can solve the problem of the transfer process proceeding with the panel substrate including the TFT backplane upside down in the assembly and transfer integration device of internal technology.
- the embodiment is intended to provide an intelligent assembly and transfer integration device that can solve the problem of sagging of the panel substrate as the area of the panel substrate increases in the assembly and transfer integration device of internal technology.
- one of the technical challenges of the embodiment is that in the assembly and transfer integration device of the internal technology, the electrode portion of the assembled substrate slides while in surface contact with the electrode portion of the chamber, so mutual friction occurs, causing damage to the electrode portion of the assembled substrate or the water tank electrode portion.
- the goal is to provide an intelligent assembly and transfer integrated device that can solve problems that arise.
- An intelligent assembly and transfer integration device includes a fluid chamber accommodating a semiconductor light-emitting device, a substrate driver that drives an assembly substrate on which the semiconductor light-emitting device is assembled, and a magnetic force disposed on the assembly substrate to apply magnetic force to the semiconductor light-emitting device. It may include a magnet head unit that applies a , a display panel substrate disposed below the assembly substrate onto which the assembled semiconductor light emitting device is transferred, and a panel driver that horizontally moves the panel substrate.
- the embodiment may further include an assembly inspection unit that inspects the semiconductor light emitting device assembled on the assembly substrate.
- the embodiment may further include a suction device disposed on one side of the assembly inspection unit and removing a semiconductor light emitting device on an error line by the assembly inspection unit.
- the embodiment may further include a panel chuck that moves the panel substrate up and down.
- a transfer hole for transferring the semiconductor light emitting device may face upward with respect to the ground.
- the embodiment may further include a chamber chuck disposed below the fluid chamber.
- the embodiment may further include a chamber driver disposed below the fluid chamber.
- the chamber driver moves the fluid chamber upward, downward, or horizontally, and may collect fluid flowing out of the fluid chamber.
- the embodiment may further include a chip supply unit detachable from one side of the fluid chamber.
- the chip supply unit includes a supply body, a first inlet, a first extension part extending from one side of the supply body part, a second inlet part, and a second extension part extending from the other side of the supply body part. It can be included.
- the supply body part may include a movement recess that serves as a movement path for the supplied semiconductor light emitting device.
- the chip supply unit may include a magnet bar disposed below the supply body portion and a plurality of magnets disposed on the magnet bar at positions corresponding to the first input port or the second input port.
- the substrate driving unit includes the first substrate roller portion disposed inside one side of the assembled substrate, the second substrate roller portion disposed inside the other side of the assembled substrate, and the third substrate disposed outside the lower side of the assembled substrate. It may include a roller unit.
- an intelligent assembly and transfer integration device includes a fluid chamber for accommodating a semiconductor light-emitting device within a water tank frame, a substrate driver for driving an assembly substrate on which the semiconductor light-emitting device is assembled, and disposed on the assembly substrate.
- a magnet head portion that applies magnetic force to the semiconductor light emitting device, a variable water tank electrode portion that is disposed on the water tank frame of the fluid chamber and applies power to the assembled substrate, and a variable water tank electrode portion that is disposed below the assembled substrate to emit light from the assembled semiconductor. It may include a display panel substrate onto which elements are transferred and a panel driver that horizontally moves the panel substrate.
- the variable water tank electrode portion may include a first variable water tank electrode portion disposed on one side of the water tank frame and a second variable water tank electrode portion disposed on the other side of the water tank frame.
- the variable water tank electrode unit may include a flat electrode unit and a plurality of round electrode units extending laterally from the flat electrode unit.
- the embodiment may further include an assembly inspection unit that inspects a semiconductor light emitting device assembled on the assembly substrate, and a suction device disposed on one side of the assembly inspection unit and removing a semiconductor light emitting device on an error line by the assembly inspection unit.
- the embodiment further includes a panel chuck that moves the panel substrate up and down, and the panel substrate may have a transfer hole for transferring the semiconductor light emitting device facing upward with respect to the ground.
- an intelligent assembly and transfer integration device includes a fluid chamber accommodating a semiconductor light emitting device within a water tank frame, a chip supply passage mounted on a first side of the water tank frame, and a second side of the water tank frame. a fluid discharge path, a substrate driver for driving an assembled substrate on which the semiconductor light emitting device is assembled, a magnet head portion disposed on the assembled substrate to apply magnetic force to the semiconductor light emitting device, and disposed on a lower side of the assembled substrate. It may include a display panel substrate onto which the assembled semiconductor light emitting device is transferred, and a panel driver that horizontally moves the panel substrate.
- the embodiment may further include a variable water tank electrode unit disposed on the water tank frame of the fluid chamber and applying power to the assembled substrate.
- the embodiment further includes a panel chuck that moves the panel substrate up and down, and the panel substrate may have a transfer hole for transferring the semiconductor light emitting device facing upward with respect to the ground.
- the intelligent assembly and transfer integration device for semiconductor light emitting devices there is a technical effect of simultaneously improving the transfer speed and transfer yield when transferring semiconductor light emitting devices to a display panel.
- the semiconductor light emitting devices 150 are assembled on a transfer substrate 210, and the assembled semiconductor light emitting devices 150 are in-line transferred to a panel substrate 910. By transcribing immediately, the transcription speed can be significantly improved.
- the semiconductor light emitting devices 150 assembled on the transfer substrate 210 are inspected in real time and then selectively transferred to the panel substrate 910 only if they are normal, thereby significantly increasing the transfer yield. . Accordingly, according to the embodiment, there is a special technical effect that can solve the problem of technical contradiction between the transfer speed and the transfer yield by increasing the transfer speed and the transfer yield at the same time.
- a line may be transferred in the width direction of the assembled substrate 210 at a portion where the assembled substrate 210 and the flat panel substrate 910 meet.
- only semiconductor light emitting devices on a fully assembled line without defects selected through assembly inspection are transferred, so it is possible to achieve 100% transfer yield.
- the transfer hole in the panel substrate 910 is facing upward, consistent with the panel orientation in the existing display process, and the transfer process is performed with the panel substrate including the TFT backplane turned over in the assembly and transfer integration device of internal technology.
- the display panel substrate 910 is placed below the assembly substrate 210, and the panel substrate 910 is supported by the panel chuck 920, so that the panel substrate is bent when manufacturing a large-area display. There are special technical effects that do not apply.
- the electrode portion of the assembled substrate slides while in surface contact with the electrode portion of the water tank, thereby generating mutual friction, thereby solving the problem of damage to the electrode portion of the assembled substrate.
- the movable round electrode parts 351b support each other even when subjected to a predetermined friction pressure. It has the technical effect of maintaining structural stability and reliability.
- the substrate electrode portion 210e of the assembled substrate 210 is in line contact with the first and second bath electrode portions 351 and 352 disposed on the side wall of the bath. Since sliding occurs in a point contact state, mutual friction is significantly reduced, thereby solving the problem of damage to the substrate electrode portion 210e and the first and second water tank electrode portions 351 and 352 of the assembled substrate. There are special technical effects.
- the third fluid chamber 310C includes a chip supply passage 317A mounted on the first side of the water tank frame 310F and a fluid discharge path 317B mounted on the second side of the water tank frame 310F.
- a special technical effect of supplying semiconductor light-emitting devices to the fluid chamber in real time is achieved by supplying the fluid in which the semiconductor light-emitting devices 150 are dispersed to the water tank frame 310F through the chip supply passage 317A. there is.
- the assembly process and the transfer process are separated but connected in-line, so there is no limitation on the transfer area depending on the size of the assembly system.
- a high chamfering rate can be secured when chamfering a small area after a large-area process.
- FIG. 1 is a diagram of a living room of a house where a display device 100 according to an embodiment is placed.
- Figure 2a is an enlarged view of area A1 in Figure 1.
- Figure 2b is a cross-sectional view of area A2 in Figure 2a.
- Figure 3 is a conceptual diagram of an intelligent assembly and transfer integration device 1000 according to an embodiment.
- FIG. 4 is a diagram illustrating an example in which the semiconductor light emitting device 150 is assembled on the assembly substrate 210 by a self-assembly method in the embodiment.
- Figure 5 is a perspective view of the chip supply unit in the intelligent assembly and transfer integration device 1000 according to an embodiment.
- Figures 6a and 6b are diagrams illustrating operations using the intelligent assembly and transfer integration device 1000 according to an embodiment.
- Figure 7 is an example of operation using the intelligent assembly and transfer integration device 1002 according to the second embodiment.
- FIG. 8 is a conceptual diagram of the second fluid chamber 310B in the intelligent assembly and transfer integration device 1002 shown in FIG. 7.
- FIG. 9 is an exemplary diagram of the first state of the third area A3 of the intelligent assembly and transfer integration device 1002 according to the second embodiment shown in FIG. 7.
- FIG. 10 is a diagram illustrating a second state of the third area A3 of the intelligent assembly and transfer integration device 1002 according to the second embodiment shown in FIG. 7.
- FIG. 11 is a conceptual diagram of the third fluid chamber 310C in the intelligent assembly and transfer integration device 1002 shown in FIG. 8.
- Display devices described in this specification include digital TVs, mobile phones, smart phones, laptop computers, digital broadcasting terminals, personal digital assistants (PDAs), portable multimedia players (PMPs), navigation, and slates. ) may include PCs, tablet PCs, ultra-books, desktop computers, etc. Additionally, the embodiments described in this specification can be applied to devices capable of displaying even new product types that are developed in the future.
- FIG. 1 shows a living room of a house where a display device 100 according to an embodiment is installed.
- the display device 100 of the embodiment can display the status of various electronic products such as a washing machine 101, a robot vacuum cleaner 102, and an air purifier 103, and can communicate with each electronic product based on IOT, and can communicate with the user. Each electronic product can also be controlled based on the setting data.
- the display device 100 may include a flexible display manufactured on a thin and flexible substrate.
- Flexible displays can bend or curl like paper while maintaining the characteristics of existing flat displays.
- a unit pixel refers to the minimum unit for implementing one color.
- a unit pixel of a flexible display can be implemented by a light emitting device.
- the light emitting device may be Micro-LED or Nano-LED, but is not limited thereto.
- Figure 2a is an enlarged view of area A1 in Figure 1
- Figure 2b is a cross-sectional view of area A2 in Figure 2a.
- the display device 100 of the embodiment may be manufactured by mechanically and electrically connecting a plurality of panel areas, such as the first panel area A1, through tiling.
- the first panel area A1 may include a plurality of light emitting devices 150 arranged for each unit pixel.
- the unit pixel PX may include a first sub-pixel, a second sub-pixel, and a third sub-pixel.
- the red light-emitting device 150R may be placed in the first sub-pixel
- the green light-emitting device 150G may be placed in the second sub-pixel
- the blue light-emitting device 150B may be placed in the third sub-pixel.
- the unit pixel may further include a fourth sub-pixel in which no light-emitting element is disposed.
- the light emitting device 150 may be a semiconductor light emitting device.
- FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line B1-B2 in area A2 of FIG. 2A.
- the display device 100 of the embodiment may drive a semiconductor light emitting device using an active matrix (AM) method or a passive matrix (PM) method.
- AM active matrix
- PM passive matrix
- the display device 100 of the embodiment includes a panel substrate 910, a first panel electrode 920, a second panel electrode (not shown), an insulating layer 930, and a plurality of semiconductors. It may include a light emitting device 150.
- Each semiconductor light emitting device 150 may include red, green, and blue semiconductor light emitting devices to form a unit pixel, and may also include red phosphors and green phosphors to implement red and green colors, respectively.
- the panel substrate 910 may be made of glass or polyimide. Additionally, the panel substrate 910 may include a flexible material such as PEN (Polyethylene Naphthalate) or PET (Polyethylene Terephthalate). Additionally, the panel substrate 910 may be made of a transparent material.
- PEN Polyethylene Naphthalate
- PET Polyethylene Terephthalate
- the insulating layer 930 may include an insulating and flexible material such as polyimide, PEN, PET, etc., and may be integrated with the panel substrate 910 to form one substrate.
- the insulating layer 930 may be a conductive adhesive layer that has adhesiveness and conductivity, and the conductive adhesive layer is flexible and may enable a flexible function of the display device.
- the insulating layer 930 may be an anisotropic conductive film (ACF) or a conductive adhesive layer such as an anisotropic conductive medium or a solution containing conductive particles.
- the conductive adhesive layer may be electrically conductive in a vertical direction with respect to the thickness, but may be a layer that is electrically insulating in a horizontal direction with respect to the thickness.
- Figure 3 is a conceptual diagram of an intelligent assembly and transfer integration device 1000 according to an embodiment.
- the intelligent assembly and transfer integration device 1000 includes a fluid chamber 310 accommodating the semiconductor light emitting device 150, a chamber chuck 320 disposed below the fluid chamber 310, and an assembly substrate 210.
- a substrate driving unit 530 that drives, a magnet head unit 400 that applies magnetic force to the semiconductor light-emitting device 150, and an assembly inspection unit 600 that inspects the semiconductor light-emitting device 150A assembled on the assembly substrate 210.
- a display panel substrate 910 disposed below the assembly substrate 210, a panel driver 930 that horizontally moves the panel substrate 910, and a panel chuck 920 that moves the panel substrate 910 up and down. It can be included.
- the assembly board 210 may be field grounded (FG).
- the substrate driving unit 530 may include a first substrate roller unit 531, a second substrate roller unit 532, and a third substrate roller unit 533.
- the assembly substrate 201 may be provided with an assembly hole (not shown), and the assembled first semiconductor light emitting device 150A may be placed in the assembly hole.
- the panel substrate 910 may be provided with a transfer hole TH, and the transferred second semiconductor light emitting device 150T may be disposed in the transfer hole TH.
- the semiconductor light emitting device 150 is assembled on the assembly substrate 210, and the assembled first semiconductor light emitting devices 150A are immediately transferred in-line to the panel substrate 910 to increase the transfer speed. It can be significantly improved.
- the first semiconductor light emitting devices 150A assembled on the assembly substrate 210 are inspected in real time and then selectively transferred to the transfer hole TH of the panel substrate 910 only if they are normal. By doing so, the transcription yield can be significantly increased. Accordingly, according to the embodiment, there is a special technical effect that can solve the problem of technical contradiction between the transfer speed and the transfer yield by increasing the transfer speed and the transfer yield at the same time.
- the intelligent assembly and transfer integration device 1000 includes a fluid chamber 310 accommodating a plurality of semiconductor light emitting devices 150, a hydrophilic processing unit (not shown), and a chamber chuck 320. may include.
- the fluid chamber 310 may be a bath and may be open or closed.
- the fluid chamber 310 may be filled with an assembly solution such as deionized water, but is not limited thereto.
- the hydrophilic treatment unit may perform hydrophilic treatment for wetting the assembled substrate 210 before it enters the fluid.
- the embodiment may include a chamber driver 320 disposed below the fluid chamber 310.
- the chamber driver 320 can move the fluid chamber 310 up and down or horizontally, and prevents the assembly solution flowing from the fluid chamber 310 from contaminating the panel substrate 910 during the assembly process. It can have both functions.
- the chamber driver 320 may separate the fluid chamber 310 from the assembly substrate 210 during the assembly process preparation stage, and may lift and lower the fluid chamber 310 during the assembly process. 310 can be brought into contact with the assembled substrate 210 , and after the assembly process, the fluid chamber 310 can be lowered to be spaced apart from the assembled substrate 210 .
- the chamber driver 320 can evaporate the collected fluid by heating or ultrasonic waves.
- Figure 5 is a perspective view of the chip supply unit 312 in the intelligent assembly and transfer integration device 1000 according to an embodiment.
- the chip supply unit 312 of the embodiment may have a structure that can be attached to or detached from the fluid chamber 310.
- the chip supply unit 312 of the embodiment may be provided on the upper side or on one side of the fluid chamber, and may include a supply body portion 314B, a first extension portion 312P1, and a second extension portion 312P1 respectively disposed on one side of the supply body portion 314B. It may include an extension portion 312P2.
- the first extension part 312P1 and the second extension part 312P2 may be provided with a first inlet 312H1 and a second inlet 312H2, respectively.
- the supply body portion 314B is provided with a movement recess 314R so that the supplied semiconductor light emitting device 150 can be moved smoothly.
- the chip supply unit 312 has a magnet bar 316 disposed below the supply body 314B and a position corresponding to the first input port 312H1 or the second input port 312H2 on the magnet bar 316. It may include a plurality of magnets 316M disposed in .
- assembly and transfer can be performed by inserting a sufficient amount of the semiconductor light emitting device 150 into the fluid chamber 310 at the beginning of the assembly process.
- the semiconductor light emitting device 150 can be supplied to the fluid chamber 310 through the chip supply unit 312 for continuous assembly and transfer using the intelligent assembly and transfer integration device 1000 according to the embodiment.
- first inlet 312H1 and the second inlet 312H2 are arranged on the left and right sides of the fluid chamber 310 according to the position of the magnet 316M, and the first inlet 312H1 and the second inlet 312H2 are arranged in accordance with the position of the magnet 316M.
- the semiconductor light emitting device 150 can be introduced through .
- the first input port 312H1 and the second input port 312H2 may be arranged to match the spacing between the magnets 316M in the moving direction (X) of the assembled substrate 210.
- a separate magnet bar 316 is provided to uniformly distribute the semiconductor light emitting devices in the moving direction (X) and the vertical direction (Y) of the assembly substrate 210, and the magnet bar 316 moves in the direction (Y) perpendicular to the direction of movement of the assembly substrate 210 and the semiconductor light emitting device chips each move to the magnet 316M, thereby performing an assembly process.
- the supply body portion 314B is provided with a movement recess 314R so that the supplied semiconductor light emitting device chip can be moved smoothly.
- the moving recess 314R is located in a direction perpendicular to the moving direction (X) of the assembly substrate 210. Y) can create a movement path for the semiconductor light emitting device 150.
- the embodiment may include a flexible assembly substrate 210 mounted on the substrate driver 530.
- the assembled substrate 210 may be referred to as a carrier substrate or a transfer substrate.
- the assembled substrate 210 may be a flexible substrate that can be mounted on the first substrate roller unit 531, the second substrate roller unit 532, and the third substrate roller unit 533.
- the assembled substrate 210 may be a flexible material that can be rolled like a roll, or may be a polymer such as polyimide or a thin metal substrate, but is not limited thereto.
- FIG. 4 is a diagram showing an example in which the semiconductor light emitting device 150 is assembled on the assembly substrate 210 by a self-assembly method in the embodiment, and is a diagram with area A3 rotated by 180° for convenience of explanation.
- the semiconductor light emitting device 150 may be introduced into the chamber 310 filled with fluid 1200, and the semiconductor light emitting device 150 may be generated by a magnetic field generated from the magnet head unit 400. Can be moved to the assembled substrate 210.
- the fluid 1200 may be water such as ultrapure water, but is not limited thereto.
- the chamber may be called a water tank, container, vessel, etc.
- the first and second assembly wirings 201 and 202 form an electric field using an AC power source, and a dielectrophoretic force may be formed between the assembly wirings 201 and 202 by this electric field.
- the semiconductor light emitting device 150 can be fixed to the assembly hole 203H on the assembly substrate 210 by this dielectrophoretic force.
- the semiconductor light emitting device 150 may be implemented as a vertical semiconductor light emitting device as shown, but is not limited to this and a horizontal light emitting device may be employed.
- the semiconductor light emitting device 150 may include a magnetic layer (not shown) containing a magnetic material.
- the magnetic layer may include a magnetic metal such as nickel (Ni). Since the semiconductor light emitting device 150 introduced into the fluid includes a magnetic layer, it can move to the assembled substrate 210 by the magnetic field generated from the magnet head unit 400.
- the magnetic layer may be disposed on one side of the upper or lower side of the light emitting device, or on both sides.
- the semiconductor light emitting device 150 may include a passivation layer 156 surrounding the top and side surfaces.
- the passivation layer 156 may be formed using an inorganic insulator such as silica or alumina through PECVD, LPCVD, sputtering deposition, etc. Additionally, the passivation layer 156 may be formed by spin coating an organic material such as photoresist or polymer material.
- the semiconductor light emitting device 150 may include a first conductivity type semiconductor layer 152a, a second conductivity type semiconductor layer 152c, and an active layer 152b disposed between them.
- the first conductive semiconductor layer 152a may be an n-type semiconductor layer
- the second conductive semiconductor layer 152c may be a p-type semiconductor layer, but are not limited thereto.
- a first electrode layer 154a may be disposed on the first conductivity type semiconductor layer 152a, and a second electrode layer 154b may be disposed on the second conductivity type semiconductor layer 152c. To this end, a partial area of the first conductivity type semiconductor layer 152a or the second conductivity type semiconductor layer 152c may be exposed to the outside. Accordingly, after the semiconductor light emitting device 150 is assembled on the assembly substrate 210, some areas of the passivation layer 156 may be etched during the manufacturing process of the display device.
- the assembly substrate 210 may include a pair of first assembly electrodes 201 and second assembly electrodes 202 corresponding to each of the semiconductor light emitting devices 150 to be assembled.
- the first assembled electrode 201 and the second assembled electrode 202 can be formed by stacking multiple single metals, metal alloys, metal oxides, etc.
- the first assembled electrode 201 and the second assembled electrode 202 include Cu, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, and Hf. It may be formed including at least one of the following, but is not limited thereto.
- first assembled electrode 201 and the second assembled electrode 202 are made of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), and IGZO ( indium gallium zinc oxide), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IZO Nitride (IZON), Al-Ga ZnO (AGZO), IGZO (In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, and Ni/IrOx/Au/ITO, but is not limited thereto.
- the first assembled electrode 201 and the second assembled electrode 202 emit an electric field as an alternating voltage is applied, thereby fixing the semiconductor light emitting device 150 inserted into the assembly hole 203H by dielectrophoretic force. there is.
- the gap between the first assembly electrode 201 and the second assembly electrode 202 may be smaller than the width of the semiconductor light emitting device 150 and the width of the assembly hole 203H, and the semiconductor light emitting device 150 using an electric field may be smaller than the width of the assembly hole 203H.
- the assembly position can be fixed more precisely.
- An insulating layer 212 is formed on the first assembled electrode 201 and the second assembled electrode 202 to protect the first assembled electrode 201 and the second assembled electrode 202 from the fluid 1200, and Leakage of current flowing through the first assembled electrode 201 and the second assembled electrode 202 can be prevented.
- the insulating layer 212 may be formed of a single layer or multiple layers of an inorganic insulator such as silica or alumina or an organic insulator.
- An assembly partition 207 may be formed on the insulating layer 212. Some areas of the assembly partition 207 may be located on top of the first assembly electrode 201 and the second assembly electrode 202, and the remaining area may be located on the top of the assembly substrate 210.
- An assembly hole 203H where the semiconductor light emitting devices 150 are coupled is formed in the assembly substrate 210, and the surface where the assembly hole 203H is formed may be in contact with the fluid 1200.
- the assembly hole 203H can guide the exact assembly position of the semiconductor light emitting device 150.
- the assembly hole 203H may have a shape and size corresponding to the shape of the semiconductor light emitting device 150 to be assembled at the corresponding location. Accordingly, it is possible to prevent another semiconductor light emitting device from being assembled or a plurality of semiconductor light emitting devices from being assembled into the assembly hole 203H.
- a predetermined solder layer (not shown) is formed between the light emitting device 150 assembled on the assembly hole 203H of the assembly substrate 210 and the assembly electrodes 201 and 202 to improve the bonding force of the light emitting device 150. It can be improved. Additionally, after assembly, a molding layer (not shown) may be formed in the assembly hole 203H of the assembly substrate 210.
- the molding layer may be a transparent resin or a resin containing a reflective material or a scattering material.
- the time required to assemble each semiconductor light-emitting device on a substrate can be drastically shortened, making it possible to implement a large-area, high-pixel display more quickly and economically.
- the intelligent assembly and transfer integration device 1000 may include a substrate driver 530 that rotates the assembly substrate 210.
- the substrate driving unit 530 may include a first substrate roller unit 531, a second substrate roller unit 532, and a third substrate roller unit 533.
- the first substrate roller unit 531 may be disposed inside one side of the assembled substrate 210, and the second substrate roller portion 532 may be disposed inside the other side of the assembled substrate 210.
- the third substrate roller unit 533 may be disposed on the inner and outer sides of the lower side of the assembled substrate 210 .
- the substrate driver 530 connects the assembly substrate 210 and the panel substrate 910 in one line or multiple lines.
- the semiconductor light emitting devices 150 can be transferred by meeting each other.
- the substrate driving unit 50 may be connected to a single or plural motor, but is not limited thereto.
- the assembled substrate 210 can be driven in an endless loop by the substrate driving unit 530, so assembly and transfer can proceed continuously.
- the magnet head unit 400 that applies a magnetic field to the inserted semiconductor light emitting device 150 may be disposed on the assembly substrate 210.
- the magnetic head unit 400 may be a permanent magnet or an electromagnet.
- the magnet head unit 400 may move while in contact with the assembly substrate 210 in order to maximize the area to which the magnetic field is applied within the fluid 1200.
- the magnet head unit 400 may include a plurality of magnetic materials, or may include a magnetic material of a size corresponding to that of the assembly substrate 210.
- the semiconductor light emitting device 150 in the chamber 310 may move toward the magnet head 400 and the assembly substrate 210 by the magnetic field generated by the magnet head 400.
- the embodiment includes a magnet handler (not shown) that can automatically or manually move the magnet head portion 400, or a motor (not shown) that can rotate the magnet head portion 400.
- the head unit 400 can be rotated clockwise or counterclockwise, and the magnet head unit 400 can also be driven horizontally in a direction perpendicular to the rotation direction of the assembly board 210.
- the magnet head unit 400 rotates to evenly distribute the magnetic force applied to the semiconductor light emitting device 150, thereby improving assembly speed.
- the magnet head unit 400 rotates while moving for a certain period in the direction perpendicular to the rotation direction of the assembly substrate 210, the magnetic force is distributed more evenly, thereby improving the assembly speed of the semiconductor light emitting device 150 and simultaneously assembling it. It can be ensured that it is evenly assembled on the substrate 210.
- Figures 6a and 6b are diagrams illustrating an operation using the intelligent assembly and transfer integration device 1000 according to an embodiment.
- the intelligent assembly and transfer integration device 1000 may include an assembly inspection unit 600, a cleaning unit (not shown), a drying unit (not shown), and a suction device 650.
- the cleaning unit sprays a solution on an area other than the assembly area of the assembly substrate 210 to remove the semiconductor light emitting device 150 attached outside the assembly area of the assembly substrate 210, covering the entire line at once. It can be sprayed so that it can be done.
- the drying unit may apply hot air or heat to the semiconductor light emitting device 150 to evaporate the assembly solution before transfer.
- the assembly inspection unit 600 can inspect whether the semiconductor light emitting device 150 has been assembled on the assembly substrate 210 or whether it has been accurately assembled.
- the assembly inspection unit 600 can perform line scan assembly inspection and can cover the entire line at once.
- the assembly inspection unit 600 may include a CCD image sensor, transmit inspection results to a control unit (not shown), and determine whether to transfer the assembly to the panel substrate 910 according to the inspection results.
- the assembly state of each line is inspected in the width direction of the assembled substrate 210, and line position information such as non-assembly or defective assembly is transmitted to the system control unit (not shown). It is possible to control the transfer process from proceeding to the panel substrate 910.
- the assembly state is inspected for each line in the width direction of the assembled substrate 210, and if there is an error (E) such as non-assembly or defective assembly, the panel substrate 910 is moved downward through the panel chuck 920.
- E error
- the semiconductor light emitting devices 150 assembled on the line with an error (E) may be removed by the vacuum suction device 650 disposed adjacent to the assembly inspection unit 600.
- the semiconductor light emitting device 150 among the pixels for each line on the assembly substrate 210 is not assembled or is not assembled properly, the semiconductor light emitting device 150 on the line is not transferred to the panel substrate 910 and is transferred.
- the semiconductor light emitting device 150 on the line is not transferred to the panel substrate 910 and is transferred.
- the intelligent assembly and transfer integration device for semiconductor light emitting devices there is a technical effect of simultaneously improving the transfer speed and transfer yield when transferring semiconductor light emitting devices to a display panel.
- a line may be transferred to the portion where the assembled substrate 210 and the flat panel substrate 910 on the substrate driver 530 meet in the width direction of the substrate driver 530.
- a 100% transfer yield is possible.
- the assembly process and the transfer process are separated but connected in-line, so there is no limitation on the transfer area depending on the size of the assembly system.
- a high chamfering rate can be secured when chamfering a small area after a large-area process.
- the substrate driver 530 is configured in multiple configurations, high-speed transfer can be implemented.
- the intelligent assembly and transfer integration device 1000 includes a panel driver 930 that horizontally moves the display panel substrate 910 and a panel that moves the panel substrate 910 up and down. It may include a chuck 920.
- the panel chuck 920 may be a vacuum stage.
- the panel driving unit 930 may be provided singly or in plural pieces, and is shown as two in the drawing, but is not limited thereto.
- the panel driver 930 may be driven by a motor, but is not limited thereto.
- the panel chuck 920 is disposed on the bottom of the panel board 910 to contact or separate the panel board 910 from the assembly board 210.
- the panel substrate 910 has a technical feature in that the transfer hole (TH) for transferring the semiconductor light emitting device 150 is facing upward, matching the panel orientation in the existing display process.
- the panel driver 930 can move together.
- the panel driver 930 may also move, and the assembly substrate 210 may be moved in a state where the panel substrate 910 is positioned closely to the assembly substrate 210. ) and the panel substrate 910 may be moved in opposite directions, thereby transferring the semiconductor light emitting device in real time.
- the panel driver 930 may not move together.
- the panel driver 930 when the panel chuck 920 moves up and down, the panel driver 930 remains stationary, and at this time, the assembly board 210 may temporarily stop at the transfer position.
- the panel chuck 920 moves the panel substrate 910 upward and moves toward and contacts the assembled substrate 210 to transfer the semiconductor light emitting device to the transfer hole TH of the panel substrate 910 and then transfer the semiconductor light emitting device to the panel substrate 910.
- Chuck 920 may descend.
- the panel driver 930 moves the panel substrate 910 horizontally, and then the panel chuck 920 lifts the panel substrate 910 again to transfer the semiconductor light emitting device.
- a TFT electrode may be formed on the display panel substrate 910, and may be connected to the transferred second semiconductor light emitting device 150T using a method such as bump, solder, bonding, or ACF.
- the transfer hole (TH) in the panel substrate 910 is facing upward, consistent with the panel orientation in the existing display process, and the panel substrate including the TFT backplane is turned over in the internal technology assembly transfer integration device.
- the display panel substrate 910 is placed below the assembly substrate 210, and the panel substrate 910 is supported by the panel chuck 920, so that the panel substrate is bent when manufacturing a large-area display. There are special technical effects that do not apply.
- the front of the display panel substrate faces upward, it has the advantage of being easy to apply to the display process of existing internal technology.
- the assembly process and the transfer process are separated but connected in-line, so there is an advantage that there is no limit to the transfer area depending on the size of the assembly and transfer system.
- the assembly electrode for DEP assembly can be omitted from the panel substrate, so there is an advantage that there is no need to construct a complex electrode structure in which two types of electrodes are mixed in the panel substrate.
- the panel substrate 910 is disposed under the assembly substrate 210, and when the semiconductor light emitting device is transferred from the assembly substrate 210 to the panel substrate 910, the transfer hole of the panel substrate 910 is formed. Since the direction of close transfer to (TH) is parallel to the direction of gravity, transfer efficiency is improved.
- Figure 7 is an example of operation using the intelligent assembly and transfer integration device 1002 according to the second embodiment, and the magnet head portion 400 in the intelligent assembly and transfer integration device 1000 according to the embodiment shown in Figure 3. is an omitted drawing and includes the magnet head portion 400 in the second embodiment.
- FIG. 8 is a conceptual diagram of the second fluid chamber 310B in the intelligent assembly and transfer integration device 1002 shown in FIG. 7.
- the second fluid chamber 310B in the second embodiment may be provided with a water tank frame 310F to prevent fluid from leaking to the outside. Additionally, in the embodiment, an O-ring (not shown) may be placed between the water tank frame 310F and the assembly board 210 to prevent fluid from leaking out.
- the electrode portion of the assembled substrate is in contact with the electrode portion disposed on the side wall of the bath to receive power.
- one of the technical challenges of the embodiment is that in the assembly and transfer integration device of the internal technology, the electrode portion of the assembled substrate slides while in surface contact with the electrode portion of the chamber, so mutual friction occurs, causing damage to the electrode portion of the assembled substrate or the water tank electrode portion.
- the goal is to provide an intelligent assembly and transfer integrated device that can solve this problem.
- the second fluid chamber 310B may include a variable water tank electrode portion 350 disposed on the water tank frame 310F. .
- the second fluid chamber 310B includes a first variable water tank electrode portion 351 disposed on one side of the water tank frame 310F and a second variable water tank electrode portion 351 disposed on the other side of the water tank frame 310F. It may include (352).
- FIG. 9 is an illustration of a first state of the third area A3 of the intelligent assembly and transfer integration device 1002 according to the second embodiment shown in FIG. 7, and FIG. 10 is a diagram of the second embodiment shown in FIG. 7. This is an exemplary diagram of the second state of the third area (A3) of the intelligent assembly and transfer integration device 1002 according to .
- FIG. 9 is an enlarged view of the third area A3 of the intelligent assembly and transfer integration device 1002 according to the second embodiment shown in FIG. 7, in which the assembly substrate 210 is connected to the first water tank electrode portion 351. ) This is a drawing of the first state that is not in contact with.
- the first deformable water tank electrode unit 351 may include a flat electrode unit 351a and a plurality of round electrode units 351b extending laterally from the flat electrode unit 351a. .
- a first separation distance D1 may occur between the round electrode parts 351b.
- the round electrode portion 351b may have a curvature such as circular or oval.
- the overall shape may be polygonal, but it may also have a partial curvature.
- the shape of the round electrode portion 351b may partially change when subjected to a predetermined pressure, but as an electrode portion, it can be highly reliable and sturdy.
- Figure 10 is an illustration of a second state of the third area (A3) of the intelligent assembly and transfer integration device 1002 according to the second embodiment shown in Figure 7, where the assembly substrate 210 is connected to the first water tank electrode portion. This is a drawing in contact with (351).
- the assembled substrate 210 may include a substrate electrode portion 210e.
- the assembled substrate 210 may be provided with a first substrate electrode portion 210e and a second substrate electrode portion 210e on both sides in the longitudinal direction, respectively, and the first and second substrate electrode portions 210e ) can be applied to the first assembled electrode 201 and the second assembled electrode 202 to form a DEP force.
- variable first water tank electrode unit 351 includes a flat electrode unit 351a and a round electrode unit 351b extending laterally from the flat electrode unit 351a, and is attached to an assembled substrate.
- the first separation distance D1 is secured between the round electrode parts 351b, so that the round electrode parts 351b may be able to move.
- the round electrode parts 351b which can move even when subjected to a predetermined friction pressure, function to support each other. While doing so, the second separation distance (D2) can be maintained, and the second separation distance (D2) can be substantially zero.
- the movable round electrode parts 351b when the assembled substrate 210 is in contact with the first and second water tank electrode parts 351 and 352, the movable round electrode parts 351b have a function of supporting each other even when subjected to a predetermined friction pressure. This has the technical effect of maintaining structural stability and reliability.
- the substrate electrode portion 210e of the assembled substrate 210 is in line contact with the first and second bath electrode portions 351 and 352 disposed on the side wall of the bath. Since sliding occurs in a point contact state, mutual friction is significantly reduced, thereby solving the problem of damage to the substrate electrode portion 210e and the first and second water tank electrode portions 351 and 352 of the assembled substrate. There are special technical effects.
- FIG. 11 is a conceptual diagram of the third fluid chamber 310C in the intelligent assembly and transfer integration device 1002 shown in FIG. 8.
- the third fluid chamber 310C includes a chip supply passage 317A mounted on the first side of the water tank frame 310F and a fluid discharge path 317B mounted on the second side of the water tank frame 310F. ) can be provided.
- a special technical effect of supplying semiconductor light-emitting devices to the fluid chamber in real time is achieved by supplying the fluid in which the semiconductor light-emitting devices 150 are dispersed to the water tank frame 310F through the chip supply passage 317A. there is.
- the fluid in the water tank frame 310F can be controlled by discharging the fluid through the fluid discharge path 317B mounted on the second side so that the fluid can be maintained at a predetermined level.
- a mesh strainer may be provided at the connection portion between the fluid discharge path 317B and the water tank frame 310F to allow the fluid to be discharged but not the semiconductor light emitting device to be discharged.
- the diameter of the chip supply passage 317A may be larger than or equal to the diameter of the fluid discharge passage 317B, but is not limited thereto.
- the intelligent assembly and transfer integration device for semiconductor light emitting devices there is a technical effect of simultaneously improving the transfer speed and transfer yield when transferring semiconductor light emitting devices to a display panel.
- the transfer hole in the panel substrate 910 is facing upward, consistent with the panel orientation in the existing display process, and the transfer process is performed with the panel substrate including the TFT backplane turned over in the assembly and transfer integration device of internal technology.
- the display panel substrate 910 is placed below the assembly substrate 210, and the panel substrate 910 is supported by the panel chuck 920, so that the panel substrate is bent when manufacturing a large-area display. There are special technical effects that do not apply.
- the round electrode part 351b when the assembled substrate 210 is in contact with the first and second water tank electrode parts 351 and 352, the round electrode part 351b, which can move even when subjected to a predetermined friction pressure, is They have the technical effect of maintaining structural stability and reliability by supporting each other.
- the substrate electrode portion 210e of the assembled substrate 210 is in line contact with the first and second bath electrode portions 351 and 352 disposed on the side wall of the bath. Since sliding occurs in a point contact state, mutual friction is significantly reduced, thereby solving the problem of damage to the substrate electrode portion 210e and the first and second water tank electrode portions 351 and 352 of the assembled substrate. There are special technical effects.
- the assembly process and the transfer process are separated but connected in-line, so there is no limitation on the transfer area depending on the size of the assembly system.
- a high chamfering rate can be secured when chamfering a small area after a large-area process.
- Embodiments may be adopted in the field of displays that display images or information.
- Embodiments may be adopted in the field of displays that display images or information using semiconductor light-emitting devices.
- Embodiments can be adopted in the field of displays that display images or information using micro- or nano-level semiconductor light-emitting devices.
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Abstract
Description
실시예는 반도체 발광소자의 지능형 조립전사 통합장치에 관한 것이다. The embodiment relates to an intelligent assembly and transfer integration device for semiconductor light emitting devices.
대면적 디스플레이 기술은 액정 디스플레이(LCD), OLED 디스플레이 또는 마이크로-LED 디스플레이(Micro-LED display) 등이 있다. 마이크로-LED 디스플레이는 100㎛ 이하의 직경 또는 단면적을 가지는 반도체 발광소자인 마이크로-LED를 표시소자로 사용하는 디스플레이이다. Large-area display technologies include liquid crystal display (LCD), OLED display, or Micro-LED display. A micro-LED display is a display that uses micro-LED, a semiconductor light emitting device with a diameter or cross-sectional area of 100㎛ or less, as a display element.
마이크로-LED 디스플레이는 마이크로-LED를 표시소자로 사용하기 때문에 명암비, 응답속도, 색 재현률, 시야각, 밝기, 해상도, 수명, 발광효율, 휘도 등에서 우수한 성능을 가지고 있다.Because micro-LED displays use micro-LEDs as display elements, they have excellent performance in contrast ratio, response speed, color reproduction rate, viewing angle, brightness, resolution, lifespan, luminous efficiency, and luminance.
특히 마이크로-LED 디스플레이는 화면을 모듈 방식으로 분리, 결합할 수 있어 크기나 해상도 조절이 자유로운 장점이 있고, 플렉서블 디스플레이 구현이 가능한 장점도 있다.In particular, the micro-LED display has the advantage of being able to freely adjust the size and resolution because the screen can be separated and combined in a modular manner, and also has the advantage of being able to implement a flexible display.
그러나 마이크로-LED 디스플레이에는 수백만 개 이상의 반도체 발광소자가 필요로 하기 때문에 반도체 발광소자를 디스플레이 패널에 신속하고 정확하게 전사하기 어려운 기술적 문제가 있다.However, because micro-LED displays require more than millions of semiconductor light-emitting devices, there is a technical problem that makes it difficult to quickly and accurately transfer the semiconductor light-emitting devices to the display panel.
최근 개발되고 있는 전사기술에는 픽앤-플레이스 공법(pick and place process), 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off method) 또는 자가조립 방식(self-assembly method) 등이 있다. Transfer technologies that have been recently developed include the pick and place process, laser lift-off method, or self-assembly method.
이 중에서, 자가조립 방식은 유체 내에서 반도체 발광소자가 스스로 조립위치를 찾아가는 기술이며 대화면의 디스플레이 장치의 구현에 유리하다.Among these, the self-assembly method is a technology in which semiconductor light-emitting devices find their own assembly position within a fluid, and is advantageous for the implementation of large-screen display devices.
최근에 미국등록특허 제9,825,202호에서 자가조립에 적합한 마이크로-LED 구조를 제시한 바 있으나, 아직 마이크로-LED를 자가조립에 의해 디스플레이를 제조하는 기술에 대한 연구가 미비한 실정이다.Recently, U.S. Patent No. 9,825,202 proposed a micro-LED structure suitable for self-assembly, but there is still insufficient research on technology for manufacturing displays by self-assembly of micro-LEDs.
한편, 종래기술에서 대형 디스플레이에 수백만 개 이상의 반도체 발광소자를 신속하게 전사하는 경우 전사 속도(transfer speed)는 향상시킬 수 있으나 전사 불량률(transfer error rate)이 높아질 수 있어 전사 수율(transfer yield)이 낮아지는 문제가 있다. 반면, 전사 불량률을 낮추어 전사 수율을 높이고자 하는 경우 전사 속도가 저하되는 기술적 모순의 문제에 직면하고 있다.Meanwhile, in the prior art, when more than a million semiconductor light emitting devices are quickly transferred to a large display, the transfer speed can be improved, but the transfer error rate can increase and the transfer yield is low. There is a problem with losing. On the other hand, if you want to increase the transfer yield by lowering the transfer defect rate, you are faced with the problem of technical contradiction that reduces the transfer speed.
한편, 비공개 내부기술로 조립전사 통합장치가 연구되고 있다. 비공개 내부기술의 조립전사 통합장치는 자가조립용 롤러 회전부에 유연 조립기판이 장착되고, 수조(bath)에 분산된 반도체 발광소자가 유연 조립기판에 자기장과 전기장을 통해 자가 조립된 후 디스플레이 패널기판 또는 도너기판(donor substrate)에 인라인 방식으로 전사될 수 있다. 내부기술의 조립전사 통합장치에 의하면, 동시 다발적인 조립이 가능하여 면적에 상관없이 일정 시간 내에 조립 및 전사공정이 통합적으로 가능한 기술적 특징이 있다.Meanwhile, an assembly-transfer integration device is being researched using undisclosed internal technology. The assembly transfer integration device using undisclosed internal technology is equipped with a flexible assembly board on the rotating roller for self-assembly, and the semiconductor light-emitting devices distributed in the bath are self-assembled on the flexible assembly board through magnetic and electric fields and then used as a display panel board or It can be transferred in-line to the donor substrate. According to internal technology's assembly and transfer integration device, multiple simultaneous assemblies are possible, and the assembly and transfer process can be integrated within a certain period of time regardless of area.
또한 내부기술의 조립전사 통합장치에 의하면, 자가조립 후 조립검사 후 정 조립된 반도체 발광소자만을 전사하므로 전사 수율을 100%로 얻을 수 있는 장점이 있다.In addition, according to internal technology's assembly and transfer integration device, only the properly assembled semiconductor light emitting devices are transferred after self-assembly and assembly inspection, so there is an advantage of obtaining a 100% transfer yield.
다만 내부기술의 조립전사 통합장치에서는 패널기판 또는 도너 기판이 조립전사 통합장치의 상측에 배치됨에 따라 TFT backplane을 포함하는 패널기판이 뒤집힌 상태로 배치되어야 하고, 전사후에 다시 패널기판을 뒤집는 공정이 필요하다. 이에 따라 내부기술의 조립전사 통합장치가 기존 디스플레이 패널공정에 적용되기 위해서는 추가적인 유닛이나 장치가 요구되는 문제가 있다.However, in the internal technology assembly and transfer integration device, the panel board or donor board is placed on the upper side of the assembly and transfer integration device, so the panel board including the TFT backplane must be placed upside down, and a process to turn the panel board over again after transfer is necessary. do. Accordingly, there is a problem that additional units or devices are required in order for the assembly and transfer integration device of internal technology to be applied to the existing display panel process.
또한 내부기술에 의하면 패널기판이 뒤집진 상태에서 전사공정이 진행되기 때문에 패널기판의 면적이 커질 수록 패널기판의 처짐 이슈가 있다.Additionally, according to internal technology, the transfer process is carried out with the panel substrate turned over, so as the area of the panel substrate increases, there is an issue of sagging of the panel substrate.
또한 내부기술의 조립전사 통합장치에서 조립기판의 전극부는 수조(bath) 측벽 상에 배치된 전극부와 접하여 전원을 인가받는다. 그런데 조립기판의 전극부는 수조(bath) 측벽 상에 배치된 전극부와 면 접촉된 상태에서 슬라이딩 되기 때문에 상호 마찰력이 발생하여 조립기판의 전극부의 손상이 발생하는 문제가 있다.In addition, in the internal technology assembly and transfer integration device, the electrode part of the assembled substrate is in contact with the electrode part placed on the side wall of the bath to receive power. However, since the electrode portion of the assembled substrate slides while in surface contact with the electrode portion disposed on the side wall of the bath, mutual friction occurs, causing damage to the electrode portion of the assembled substrate.
본 항목에 기재된 것은 선행기술이 아니며, 실시예에 따른 발명을 이해하기 위한 목적일 뿐이다.What is described in this item is not prior art, and is only for the purpose of understanding the invention according to the embodiments.
실시예의 기술적 과제 중의 하나는 디스플레이 패널에 반도체 발광소자들을 전사함에 있어서 전사속도(transfer speed)와 전사수율(transfer yield)을 동시 향상시킬 수 있는 지능형 조립전사 통합장치를 제공하고자 함이다.One of the technical challenges of the embodiment is to provide an intelligent assembly and transfer integration device that can simultaneously improve transfer speed and transfer yield when transferring semiconductor light emitting devices to a display panel.
또한 실시예는 내부기술의 조립전사 통합장치에서 TFT backplane을 포함하는 패널기판이 뒤집힌 상태로 전사공정이 진행되는 문제를 해결할 수 있는 지능형 조립전사 통합장치를 제공하고자 함이다.In addition, the embodiment is intended to provide an intelligent assembly and transfer integration device that can solve the problem of the transfer process proceeding with the panel substrate including the TFT backplane upside down in the assembly and transfer integration device of internal technology.
또한 실시예는 내부기술의 조립전사 통합장치에서 패널기판의 면적이 커질 수록 패널기판의 처짐 이슈가 발생하는 문제를 해결할 수 있는 지능형 조립전사 통합장치를 제공하고자 함이다.In addition, the embodiment is intended to provide an intelligent assembly and transfer integration device that can solve the problem of sagging of the panel substrate as the area of the panel substrate increases in the assembly and transfer integration device of internal technology.
또한 실시예의 기술적 과제 중의 하나는 내부기술의 조립전사 통합장치에서 조립기판의 전극부가 챔버의 전극부와 면 접촉된 상태에서 슬라이딩 되기 때문에 상호 마찰력이 발생하여 조립기판의 전극부 또는 수조 전극부의 손상이 발생하는 문제를 해결할 수 있는 지능형 조립전사 통합장치를 제공하고자 함이다.In addition, one of the technical challenges of the embodiment is that in the assembly and transfer integration device of the internal technology, the electrode portion of the assembled substrate slides while in surface contact with the electrode portion of the chamber, so mutual friction occurs, causing damage to the electrode portion of the assembled substrate or the water tank electrode portion. The goal is to provide an intelligent assembly and transfer integrated device that can solve problems that arise.
실시예의 기술적 과제는 본 항목에 기재된 것에 한정되는 것이 아니며, 발명의 설명을 통해 파악될 수 있는 것을 포함한다.The technical problems of the embodiments are not limited to those described in this item, but include those that can be understood through the description of the invention.
실시예의 기술적 과제는 본 항목에 기재된 것에 한정되는 것이 아니며, 발명의 설명을 통해 파악될 수 있는 것을 포함한다.The technical problems of the embodiments are not limited to those described in this item, but include those that can be understood through the description of the invention.
실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치는, 반도체 발광소자를 수용하는 유체 챔버와, 상기 반도체 발광소자가 조립되는 조립 기판을 구동하는 기판 구동부와, 상기 조립 기판 상에 배치되어 상기 반도체 발광소자에 자력을 인가하는 자석 헤드부와, 상기 조립 기판 하측에 배치되어 상기 조립된 반도체 발광소자가 전사되는 디스플레이 패널 기판 및 상기 패널 기판을 수평 이동시키는 패널 구동부를 포함할 수 있다.An intelligent assembly and transfer integration device according to an embodiment includes a fluid chamber accommodating a semiconductor light-emitting device, a substrate driver that drives an assembly substrate on which the semiconductor light-emitting device is assembled, and a magnetic force disposed on the assembly substrate to apply magnetic force to the semiconductor light-emitting device. It may include a magnet head unit that applies a , a display panel substrate disposed below the assembly substrate onto which the assembled semiconductor light emitting device is transferred, and a panel driver that horizontally moves the panel substrate.
실시예는 상기 조립 기판에 조립된 반도체 발광소자를 검사하는 조립 검사부를 더 포함할 수 있다.The embodiment may further include an assembly inspection unit that inspects the semiconductor light emitting device assembled on the assembly substrate.
실시예는 상기 조립 검사부 일측에 배치되며, 상기 조립 검사부에 의해 에러 있는 라인 상의 반도체 발광소자를 제거하는 흡입장치를 더 포함할 수 있다.The embodiment may further include a suction device disposed on one side of the assembly inspection unit and removing a semiconductor light emitting device on an error line by the assembly inspection unit.
실시예는 상기 패널 기판을 상하 이동시키는 패널 척을 더 포함할 수 있다.The embodiment may further include a panel chuck that moves the panel substrate up and down.
상기 패널 기판은 상기 반도체 발광소자가 전사되기 위한 전사 홀이 지면을 기준으로 상측을 향할 수 있다.In the panel substrate, a transfer hole for transferring the semiconductor light emitting device may face upward with respect to the ground.
실시예는 상기 유체 챔버의 하측에 배치되는 챔버 척을 더 포함할 수 있다.The embodiment may further include a chamber chuck disposed below the fluid chamber.
실시예는 상기 유체 챔버 하측에 배치된 챔버 구동부를 더 포함할 수 있다.The embodiment may further include a chamber driver disposed below the fluid chamber.
상기 챔버 구동부는 상기 유체 챔버를 상측, 하측 또는 수평방향으로 이동시키며, 상기 유체 챔버에서 유출되는 유체를 포집할 수 있다.The chamber driver moves the fluid chamber upward, downward, or horizontally, and may collect fluid flowing out of the fluid chamber.
실시예는 상기 유체 챔버 일측에 탈착되는 칩 공급부를 더 포함할 수 있다.The embodiment may further include a chip supply unit detachable from one side of the fluid chamber.
상기 칩 공급부는, 공급 바디부, 제1 투입구를 구비하며 상기 공급 바디부의 일측에서 연장되어 배치되는 제1 연장부 및 제2 투입구를 구비하며 상기 공급 바디부의 타측에서 연장되어 배치되는 제2 연장부를 포함할 수 있다.The chip supply unit includes a supply body, a first inlet, a first extension part extending from one side of the supply body part, a second inlet part, and a second extension part extending from the other side of the supply body part. It can be included.
상기 공급 바디부는 공급되는 반도체 발광소자의 이동 경로가 되는 이동 리세스를 포함할 수 있다.The supply body part may include a movement recess that serves as a movement path for the supplied semiconductor light emitting device.
상기 칩 공급부는, 상기 공급 바디부 하측에 배치되는 자석 바와 상기 자석 바 상에 상기 제1 투입구 또는 상기 제2 투입구에 대응되는 위치에 배치되는 복수의 자석을 포함할 수 있다.The chip supply unit may include a magnet bar disposed below the supply body portion and a plurality of magnets disposed on the magnet bar at positions corresponding to the first input port or the second input port.
상기 기판 구동부는, 상기 조립 기판의 일측 내측에 배치되는 상기 제1 기판 롤러부와, 상기 조립 기판의 타측 내측에 배치되는 제2 기판 롤러부 및 상기 조립 기판의 하측의 외측에 배치되는 제3 기판 롤러부를 포함할 수 있다.The substrate driving unit includes the first substrate roller portion disposed inside one side of the assembled substrate, the second substrate roller portion disposed inside the other side of the assembled substrate, and the third substrate disposed outside the lower side of the assembled substrate. It may include a roller unit.
또한 다른 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치는, 수조 프레임 내에 반도체 발광소자를 수용하는 유체 챔버와, 상기 반도체 발광소자가 조립되는 조립 기판을 구동하는 기판 구동부와, 상기 조립 기판 상에 배치되어 상기 반도체 발광소자에 자력을 인가하는 자석 헤드부와, 상기 유체 챔버의 상기 수조 프레임 상에 배치되며 상기 조립 기판에 전원을 인가하는 가변형 수조 전극부와, 상기 조립 기판 하측에 배치되어 상기 조립된 반도체 발광소자가 전사되는 디스플레이 패널 기판 및 상기 패널 기판을 수평 이동시키는 패널 구동부를 포함할 수 있다.In addition, an intelligent assembly and transfer integration device according to another embodiment includes a fluid chamber for accommodating a semiconductor light-emitting device within a water tank frame, a substrate driver for driving an assembly substrate on which the semiconductor light-emitting device is assembled, and disposed on the assembly substrate. A magnet head portion that applies magnetic force to the semiconductor light emitting device, a variable water tank electrode portion that is disposed on the water tank frame of the fluid chamber and applies power to the assembled substrate, and a variable water tank electrode portion that is disposed below the assembled substrate to emit light from the assembled semiconductor. It may include a display panel substrate onto which elements are transferred and a panel driver that horizontally moves the panel substrate.
상기 가변형 수조 전극부는, 상기 수조 프레임의 일측에 배치되는 제1 가변형 수조 전극부와 상기 수조 프레임의 타측에 배치되는 제2 가변형 수조 전극부를 포함할 수 있다.The variable water tank electrode portion may include a first variable water tank electrode portion disposed on one side of the water tank frame and a second variable water tank electrode portion disposed on the other side of the water tank frame.
상기 가변형 수조 전극부는, 플랫 전극부와 상기 플랫 전극부에서 측면 연장되는 복수의 라운드 전극부를 포함할 수 있다.The variable water tank electrode unit may include a flat electrode unit and a plurality of round electrode units extending laterally from the flat electrode unit.
실시예는 상기 조립 기판에 조립된 반도체 발광소자를 검사하는 조립 검사부 및 상기 조립 검사부 일측에 배치되며, 상기 조립 검사부에 의해 에러 있는 라인 상의 반도체 발광소자를 제거하는 흡입장치를 더 포함할 수 있다.The embodiment may further include an assembly inspection unit that inspects a semiconductor light emitting device assembled on the assembly substrate, and a suction device disposed on one side of the assembly inspection unit and removing a semiconductor light emitting device on an error line by the assembly inspection unit.
실시예는 상기 패널 기판을 상하 이동시키는 패널 척을 더 포함하며, 상기 패널 기판은 상기 반도체 발광소자가 전사되기 위한 전사 홀이 지면을 기준으로 상측을 향할 수 있다.The embodiment further includes a panel chuck that moves the panel substrate up and down, and the panel substrate may have a transfer hole for transferring the semiconductor light emitting device facing upward with respect to the ground.
또한 다른 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치는, 수조 프레임 내에 반도체 발광소자를 수용하는 유체 챔버와, 상기 수조 프레임의 제1 측면에 장착되는 칩 공급유로와, 상기 수조 프레임의 제2 측면에 장착되는 유체 배출로와, 상기 반도체 발광소자가 조립되는 조립 기판을 구동하는 기판 구동부와, 상기 조립 기판 상에 배치되어 상기 반도체 발광소자에 자력을 인가하는 자석 헤드부와, 상기 조립 기판 하측에 배치되어 상기 조립된 반도체 발광소자가 전사되는 디스플레이 패널 기판 및 상기 패널 기판을 수평 이동시키는 패널 구동부를 포함할 수 있다.In addition, an intelligent assembly and transfer integration device according to another embodiment includes a fluid chamber accommodating a semiconductor light emitting device within a water tank frame, a chip supply passage mounted on a first side of the water tank frame, and a second side of the water tank frame. a fluid discharge path, a substrate driver for driving an assembled substrate on which the semiconductor light emitting device is assembled, a magnet head portion disposed on the assembled substrate to apply magnetic force to the semiconductor light emitting device, and disposed on a lower side of the assembled substrate. It may include a display panel substrate onto which the assembled semiconductor light emitting device is transferred, and a panel driver that horizontally moves the panel substrate.
실시예는 상기 유체 챔버의 상기 수조 프레임 상에 배치되며 상기 조립 기판에 전원을 인가하는 가변형 수조 전극부를 더 포함할 수 있다.The embodiment may further include a variable water tank electrode unit disposed on the water tank frame of the fluid chamber and applying power to the assembled substrate.
실시예는 상기 패널 기판을 상하 이동시키는 패널 척을 더 포함하며, 상기 패널 기판은 상기 반도체 발광소자가 전사되기 위한 전사 홀이 지면을 기준으로 상측을 향할 수 있다.The embodiment further includes a panel chuck that moves the panel substrate up and down, and the panel substrate may have a transfer hole for transferring the semiconductor light emitting device facing upward with respect to the ground.
실시예에 따른 반도체 발광소자의 지능형 조립전사 통합장치에 의하면, 디스플레이 패널에 반도체 발광소자들을 전사함에 있어서 전사속도와 전사수율을 동시에 향상시킬 수 있는 기술적 효과가 있다.According to the intelligent assembly and transfer integration device for semiconductor light emitting devices according to the embodiment, there is a technical effect of simultaneously improving the transfer speed and transfer yield when transferring semiconductor light emitting devices to a display panel.
예를 들어, 실시예에 의하면 반도체 발광소자(150)가 전사 기판(transfer substrate)(210)에 조립되고, 조립된 반도체 발광소자(150)들이 인 라인으로 패널 기판(panel substrate)(910)으로 즉시 전사됨으로써 전사 속도를 현저히 향상시킬 수 있다. 또한 실시예에 의하면 전사 기판(210)에 조립된 반도체 발광소자(150)들에 대해 실시간으로 검사를 진행 후 정상인 경우에만 선택적으로 패널 기판(910)에 전사를 진행함으로써 전사 수율을 현저히 높일 수 있다. 이에 따라 실시예에 의하면 전사 속도를 높임과 동시에 전사 수율을 동시에 높임으로써 전사 속도와 전사 수율 간의 기술적 모순이 발생하는 문제를 해결할 수 있는 특별한 기술적 효과가 있다.For example, according to the embodiment, the semiconductor
구체적으로 실시예에 의하면 조립 기판(210)과 평평한 패널 기판(910)이 만나는 부분에서 조립 기판(210)의 폭 방향으로 라인(line) 전사를 할 수 있다. 또한 실시예에 의하면 조립 검사를 통해 선별된 불량 없는 완전 조립된 라인 상의 반도체 발광소자만 전사하기 때문에 100% 전사 수율 구현이 가능하다.Specifically, according to the embodiment, a line may be transferred in the width direction of the assembled
이에 따라 실시예에 의하면 조립기판 불량이나 반도체 발광소자의 불량이 있더라도 이를 피해 전사할 수 있어 반도체 발광소자의 품질에 대한 의존성을 최소화할 수 있다.Accordingly, according to the embodiment, even if there is a defect in the assembled substrate or a defect in the semiconductor light emitting device, transfer can be performed to avoid this, thereby minimizing dependence on the quality of the semiconductor light emitting device.
또한 실시예에 의하면 패널 기판(910)에서의 전사 홀이 위로 향해 있어 기존 디스플레이 공정에서의 패널 방향과 일치하며, 내부기술의 조립전사 통합장치에서 TFT backplane을 포함하는 패널기판이 뒤집힌 상태로 전사공정이 진행되는 문제를 해결할 수 있는 기술적 효과가 있다.In addition, according to the embodiment, the transfer hole in the
또한 실시예에 의하면 디스플레이 패널 기판(910)이 조립 기판(210)의 아래에 놓이고, 패널 기판(910)이 패널 척(920)에 의해 지지됨에 따라 대 면적 디스플레이 제작 시 패널 기판의 휨이 발생하지 않는 특별한 기술적 효과가 있다.In addition, according to the embodiment, the
또한 실시예에 의하면, 내부기술의 조립전사 통합장치에서 조립기판의 전극부가 수조의 전극부와 면 접촉된 상태에서 슬라이딩 되기 때문에 상호 마찰력이 발생하여 조립기판의 전극부의 손상이 발생하는 문제를 해결할 수 있는 기술적 효과가 있다.In addition, according to the embodiment, in the assembly and transfer integrated device of the internal technology, the electrode portion of the assembled substrate slides while in surface contact with the electrode portion of the water tank, thereby generating mutual friction, thereby solving the problem of damage to the electrode portion of the assembled substrate. There is a technical effect.
예를 들어, 실시예에 의하면, 제1, 제2 수조 전극부(351, 352) 상에 조립 기판(210)이 접촉되는 경우 소정의 마찰압력을 받더라도 유동가능한 라운드 전극부(351b)는 서로 지지하는 기능을 할 수 있어서 구조적 안정성 및 신뢰성이 유지될 수 있는 기술적 효과가 있다.For example, according to the embodiment, when the assembled
특히 실시예에 의하면, 상기 조립 기판(210)의 기판 전극부(210e)는 수조(bath) 측벽 상에 배치된 제1, 제2 수조 전극부(351, 352)와 선 접촉(line contact) 또는 점 접촉(point contact)된 상태에서 슬라이딩 되기 때문에 상호 마찰력이 현저히 저감되어 조립 기판의 기판 전극부(210e)와 제1, 제2 수조 전극부(351, 352)의 손상이 발생하는 문제가 해결할 수 있는 특별한 기술적 효과가 있다.In particular, according to the embodiment, the substrate electrode portion 210e of the assembled
또한 실시예에서 제3 유체 챔버(310C)는 수조 프레임(310F)의 제1 측면에 장착되는 칩 공급유로(317A)와 상기 수조 프레임(310F)의 제2 측면에 장착되는 유체 배출로(317B)를 구비할 수 있다. 제3 실시예 의하면, 상기 칩 공급유로(317A)를 통해 반도체 발광소자(150)들이 분산된 유체를 수조 프레임(310F)에 공급함으로써 유체 챔버에 실시간으로 반도체 발광소자를 공급할 수 있는 특별한 기술적 효과가 있다.Additionally, in the embodiment, the third
또한 실시예에 의하면 조립공정과 전사공정을 분리하되 인라인으로 연결하였기 때문에 조립 시스템의 크기에 따른 전사 면적의 제한이 없는 효과가 있다.In addition, according to the embodiment, the assembly process and the transfer process are separated but connected in-line, so there is no limitation on the transfer area depending on the size of the assembly system.
또한 실시예에 의하면 패널 기판의 에지부분에 조립을 위한 별도 공간이 필요하지 않기 때문에 대면적 공정 후 소면적으로 면취할 때 높은 면취율의 확보가 가능한 효과가 있다.In addition, according to the embodiment, since no separate space is needed for assembly at the edge of the panel substrate, a high chamfering rate can be secured when chamfering a small area after a large-area process.
실시예의 기술적 효과는 본 항목에 기재된 것에 한정되는 것이 아니며, 발명의 설명을 통해 파악될 수 있는 것을 포함한다.The technical effects of the embodiments are not limited to those described in this item, but include those that can be understood through the description of the invention.
실시예의 기술적 효과는 본 항목에 기재된 것에 한정되는 것이 아니며, 발명의 설명을 통해 파악될 수 있는 것을 포함한다.The technical effects of the embodiments are not limited to those described in this item, but include those that can be understood through the description of the invention.
도 1은 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)가 배치된 주택의 거실을 도면.FIG. 1 is a diagram of a living room of a house where a
도 2a는 도 1에서 A1 영역의 확대도.Figure 2a is an enlarged view of area A1 in Figure 1.
도 2b는 도 2a에서 A2 영역의 단면도.Figure 2b is a cross-sectional view of area A2 in Figure 2a.
도 3은 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)의 개념도.Figure 3 is a conceptual diagram of an intelligent assembly and transfer
도 4는 실시예에서 조립 기판(210)에 반도체 발광소자(150)가 자가조립 방식에 의해 조립되는 예를 나타내는 도면.FIG. 4 is a diagram illustrating an example in which the semiconductor
도 5는 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)에서의 칩 공급부의 사시도.Figure 5 is a perspective view of the chip supply unit in the intelligent assembly and transfer
도 6a와 도 6b는 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)를 이용한 작동 예시도.Figures 6a and 6b are diagrams illustrating operations using the intelligent assembly and transfer
도 7은 제2 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1002)를 이용한 작동 예시도.Figure 7 is an example of operation using the intelligent assembly and transfer
도 8은 도 7에 도시된 지능형 조립전사 통합장치(1002)에서 제2 유체 챔버(310B)의 개념도.FIG. 8 is a conceptual diagram of the second
도 9는 도 7에 도시된 제2 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1002)의 제3 영역(A3)의 제1 상태 예시도.FIG. 9 is an exemplary diagram of the first state of the third area A3 of the intelligent assembly and transfer
도 10은 도 7에 도시된 제2 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1002)의 제3 영역(A3)의 제2 상태 예시도.FIG. 10 is a diagram illustrating a second state of the third area A3 of the intelligent assembly and transfer
도 11은 도 8에 도시된 지능형 조립전사 통합장치(1002)에서 제3 유체 챔버(310C)의 개념도.FIG. 11 is a conceptual diagram of the third
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 기재된 실시예를 상세히 설명하기로 하며, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것은 아니다. 또한 어느 구성이 다른 구성요소 '상(on)'에 배치되는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 배치되거나 또는 그 사이에 다른 구성이 추가로 배치될 수도 있다.Hereinafter, embodiments described in this specification will be described in detail with reference to the attached drawings, but the technical idea disclosed in this specification is not limited by the attached drawings. Additionally, when a component is referred to as being placed 'on' another component, it may be placed directly on the other element or other components may be additionally placed in between.
본 명세서에서 설명되는 디스플레이 장치에는 디지털 TV, 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트(Slate) PC, 태블릿(Tablet) PC, 울트라 북(Ultra-Book), 데스크탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다. 또한, 본 명세서에 기재된 실시예는 추후 개발되는 새로운 제품형태이라도 디스플레이가 가능한 장치에도 적용될 수 있다.Display devices described in this specification include digital TVs, mobile phones, smart phones, laptop computers, digital broadcasting terminals, personal digital assistants (PDAs), portable multimedia players (PMPs), navigation, and slates. ) may include PCs, tablet PCs, ultra-books, desktop computers, etc. Additionally, the embodiments described in this specification can be applied to devices capable of displaying even new product types that are developed in the future.
실시예에 따른 반도체 발광소자의 지능형 조립전사 통합장치를 설명하기에 앞서, 실시예에서 적용되는 반도체 발광소자 및 이를 이용한 디스플레이 장치에 대해 설명하기로 한다.Before explaining the intelligent assembly and transfer integration device for the semiconductor light emitting device according to the embodiment, the semiconductor light emitting device applied in the embodiment and the display device using the same will be described.
도 1은 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)가 배치된 주택의 거실을 도시한다.FIG. 1 shows a living room of a house where a
실시예의 디스플레이 장치(100)는 세탁기(101), 로봇 청소기(102), 공기 청정기(103) 등의 각종 전자 제품의 상태를 표시할 수 있고, 각 전자 제품들과 IOT 기반으로 통신할 수 있으며 사용자의 설정 데이터에 기초하여 각 전자 제품들을 제어할 수도 있다.The
실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 얇고 유연한 기판 위에 제작되는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 포함할 수 있다. 플렉서블 디스플레이는 기존의 평판 디스플레이의 특성을 유지하면서, 종이와 같이 휘어지거나 말릴 수 있다.The
플렉서블 디스플레이에서 시각정보는 매트릭스 형태로 배치되는 단위 화소(unit pixel)의 발광이 독자적으로 제어됨에 의하여 구현될 수 있다. 단위 화소는 하나의 색을 구현하기 위한 최소 단위를 의미한다. 플렉서블 디스플레이의 단위 화소는 발광소자에 의하여 구현될 수 있다. 실시예에서 발광소자는 Micro-LED나 Nano-LED일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In a flexible display, visual information can be implemented by independently controlling the light emission of unit pixels arranged in a matrix form. A unit pixel refers to the minimum unit for implementing one color. A unit pixel of a flexible display can be implemented by a light emitting device. In the embodiment, the light emitting device may be Micro-LED or Nano-LED, but is not limited thereto.
다음으로 도 2a는 도 1에서 A1 영역의 확대도이고, 도 2b는 도 2a에서 A2 영역의 단면도이다.Next, Figure 2a is an enlarged view of area A1 in Figure 1, and Figure 2b is a cross-sectional view of area A2 in Figure 2a.
도 2a를 참조하면, 실시예의 디스플레이 장치(100)는 제1 패널영역(A1)과 같은 복수의 패널영역들이 타일링에 의해 기구적, 전기적 연결되어 제조될 수 있다.Referring to FIG. 2A, the
제1 패널영역(A1)은 단위 화소 별로 배치된 복수의 발광소자(150)를 포함할 수 있다. 예컨대, 단위 화소(PX)는 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소를 포함할 수 있다. 예컨대, 적색 발광소자(150R)가 제1 서브 화소에 배치되고, 녹색 발광소자(150G)가 제2 서브 화소에 배치되며, 청색 발광소자(150B)가 제3 서브 화소에 배치될 수 있다. 단위 화소는 발광소자가 배치되지 않는 제4 서브 화소를 더 포함할 수도 있다. 상기 발광소자(150)는 반도체 발광소자일 수 있다. The first panel area A1 may include a plurality of light emitting
다음으로 도 2b는 도 2a의 A2 영역의 B1-B2 선을 따른 단면도이다.Next, FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line B1-B2 in area A2 of FIG. 2A.
도 2b를 참조하면, 실시예의 디스플레이 장치(100)는 액티브 매트릭스(AM, Active Matrix)방식 또는 패시브 매트릭스(PM, Passive Matrix) 방식으로 반도체 발광소자를 구동할 수도 있다.Referring to FIG. 2B, the
예를 들어, 도 2b를 참조하면, 실시예의 디스플레이 장치(100)는 패널 기판(910), 제1 패널 전극(920), 제2 패널 전극(미도시), 절연층(930) 및 복수의 반도체 발광소자(150)를 포함할 수 있다.For example, referring to FIG. 2B, the
각각의 반도체 발광소자(150)는 각각 단위 화소를 이루기 위하여 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광소자를 포함할 수 있으며, 적색 형광체와 녹색 형광체 등을 구비하여 각각 적색과 녹색을 구현할 수도 있다.Each semiconductor
상기 패널 기판(910)은 유리나 폴리이미드(Polyimide)로 형성될 수 있다. 또한 상기 패널 기판(910)은 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등의 유연성 있는 재질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 패널 기판(910)은 투명한 재질일 수 있다.The
상기 절연층(930)은 폴리이미드, PEN, PET 등과 같이 절연성과 유연성 있는 재질을 포함할 수 있으며, 상기 패널 기판(910)과 일체로 이루어져 하나의 기판을 형성할 수도 있다.The insulating
상기 절연층(930)은 접착성과 전도성을 가지는 전도성 접착층일 수 있고, 전도성 접착층은 연성이 있어 디스플레이 장치의 플렉서블 기능을 가능하게 할 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(930)은 이방성 전도성 필름(ACF, anisotropy conductive film)이거나 이방성 전도매질, 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등의 전도성 접착층일 수 있다. 상기 전도성 접착층은 두께에 대해 수직방향으로는 전기적으로 전도성이나, 두께에 대해 수평방향으로는 전기적으로 절연성을 가지는 레이어일 수 있다.The insulating
다음으로 도 3은 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)의 개념도이다.Next, Figure 3 is a conceptual diagram of an intelligent assembly and transfer
실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)는 반도체 발광소자(150)를 수용하는 유체 챔버(310), 상기 유체 챔버(310) 하측에 배치되는 챔버 척(320), 조립 기판(210)을 구동하는 기판 구동부(530), 상기 반도체 발광소자(150)에 자력을 인가하는 자석 헤드부(400), 상기 조립 기판(210)에 조립된 반도체 발광소자(150A)를 검사하는 조립 검사부(600), 상기 조립 기판(210) 하측에 배치되는 디스플레이 패널 기판(910), 상기 패널 기판(910)을 수평 이동시키는 패널 구동부(930) 및 상기 패널 기판(910)을 상하 이동시키는 패널 척(920)을 포함할 수 있다. 상기 조립 기판(210)은 필드 접지(FG)될 수 있다.The intelligent assembly and transfer
상기 기판 구동부(530)는 제1 기판 롤러부(531), 제2 기판 롤러부(532), 제3 기판 롤러부(533)를 포함할 수 있다.The substrate driving unit 530 may include a first
상기 조립 기판(201)에는 조립 홀(미도시)이 구비될 수 있고, 조립 홀에 조립된 제1 반도체 발광소자(150A)가 배치될 수 있다.The
또한 상기 패널 기판(910)에는 전사 홀(TH)이 구비될 수 있고, 전사 홀(TH)에 전사된 제2 반도체 발광소자(150T)가 배치될 수 있다.Additionally, the
실시예에 의하면 반도체 발광소자(150)가 조립 기판(210)에 조립되고, 조립된 제1 반도체 발광소자(150A)들이 인 라인으로 패널 기판(panel substrate)(910)으로 즉시 전사됨으로써 전사 속도를 현저히 향상시킬 수 있다.According to the embodiment, the semiconductor
또한 실시예에 의하면 조립 기판(210)에 조립된 제1 반도체 발광소자(150A)들에 대해 실시간으로 검사를 진행 후 정상인 경우에만 선택적으로 패널 기판(910)의 전사 홀(TH)에 전사를 진행함으로써 전사 수율을 현저히 높일 수 있다. 이에 따라 실시예에 의하면 전사 속도를 높임과 동시에 전사 수율을 동시에 높임으로써 전사 속도와 전사 수율 간의 기술적 모순이 발생하는 문제를 해결할 수 있는 특별한 기술적 효과가 있다.In addition, according to the embodiment, the first semiconductor
이하 도 3 내지 도 9를 참조하여 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the intelligent assembly and transfer
<유체 챔버, 친수처리 유닛, 누수 방지부, 칩 공급부><Fluid chamber, hydrophilic treatment unit, water leak prevention unit, chip supply unit>
우선 도 3을 참조하면, 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)는 복수의 반도체 발광소자(150)들을 수용하는 유체 챔버(310), 친수처리 유닛(미도시), 챔버 척(320)를 포함할 수 있다.First, referring to FIG. 3, the intelligent assembly and transfer
상기 유체 챔버(310)는 수조(bath)일 수 있으며, 오픈형 또는 클로즈형일 수 있다. 상기 유체 챔버(310)에는 초순수(deionized water) 등의 조립용액이 채워질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The
상기 친수처리 유닛(미도시)은 조립 기판(210)이 유체에 입수하기 전에 웨팅(wetting)을 위한 친수 처리를 할 수 있다.The hydrophilic treatment unit (not shown) may perform hydrophilic treatment for wetting the assembled
실시예는 유체 챔버(310) 하측에 배치된 챔버 구동부(320)를 포함할 수 있다. 상기 챔버 구동부(320)는 상기 유체 챔버(310)를 상하측 또는 수평방향으로 이동시킬 수 있으며, 조립 공정 중 유체 챔버(310)에서 흘러나오는 조립용액이 패널 기판(910)을 오염시키지 않도록 방지할 수 있는 기능을 겸비할 수 있다. 예를 들어, 상기 챔버 구동부(320)는 조립 공정 준비단계에서 상기 유체 챔버(310)를 상기 조립 기판(210)과 이격시킬 수 있으며, 조립 공정 중에는 상기 유체 챔버(310)를 승강시켜 상기 유체 챔버(310)와 상기 조립 기판(210)을 접촉시킬 수 있으며, 조립 공정 후에 상기 유체 챔버(310)를 하강시켜 상기 조립 기판(210)과 이격시킬 수 있다. The embodiment may include a
또한 상기 챔버 구동부(320)는 포집된 유체를 가열 또는 초음파로 증발시킬 수 있다.Additionally, the
다음으로 도 5는 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)에서의 칩 공급부(312)의 사시도이다.Next, Figure 5 is a perspective view of the
실시예의 칩 공급부(312)는 유체 챔버(310)에 탈착이 가능한 구조일 수 있다.The
실시예의 칩 공급부(312)는 유체 챔버의 상측 또는 일측에 구비될 수 있으며, 공급 바디부(314B), 상기 공급 바디부(314B)의 일측에 각각 배치된 제1 연장부(312P1), 제2 연장부(312P2)를 포함할 수 있다.The
상기 제1 연장부(312P1)와 제2 연장부(312P2)에는 각각 제1 투입구(312H1)와 제2 투입구(312H2)가 구비될 수 있다. The first extension part 312P1 and the second extension part 312P2 may be provided with a first inlet 312H1 and a second inlet 312H2, respectively.
상기 공급 바디부(314B)에는 이동 리세스(314R)가 구비되어 공급된 반도체 발광소자(150)의 이동이 원활히 진행될 수 있다.The
상기 칩 공급부(312)는 공급 바디부(314B) 하측에 배치되는 자석 바(316)와 상기 자석 바(316) 상에 상기 제1 투입구(312H1) 또는 상기 제2 투입구(312H2)에 대응되는 위치에 배치되는 복수의 자석(316M)을 포함할 수 있다. The
실시예에 의하면 조립진행 초기에 유체 챔버(310)에 반도체 발광소자(150)의 투입량을 충분히 넣어 조립 및 전사가 진행될 수 있다.According to the embodiment, assembly and transfer can be performed by inserting a sufficient amount of the semiconductor
한편 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)를 이용하여 연속하여 조립 및 전사가 진행되기 위해 칩 공급부(312)를 통해 반도체 발광소자(150)를 유체 챔버(310)에 공급할 수 있다.Meanwhile, the semiconductor
예를 들어, 유체 챔버(310)의 좌우에 제1 투입구(312H1) 및 제2 투입구(312H2)를 자석(316M)의 위치에 맞게 배열하고, 제1 투입구(312H1) 및 제2 투입구(312H2)를 통해 반도체 발광소자(150)를 투입할 수 있다.For example, the first inlet 312H1 and the second inlet 312H2 are arranged on the left and right sides of the
상기 제1 투입구(312H1) 및 제2 투입구(312H2)는 상기 조립 기판(210)의 이동 방향(X)으로 자석(316M) 간격에 맞게 투입구들이 배치될 수 있다.The first input port 312H1 and the second input port 312H2 may be arranged to match the spacing between the
또한 실시예에 의하면, 상기 조립 기판(210)의 이동방향(X)과 수직방향(Y)으로의 반도체 발광소자의 균일한 분포를 위해 별도의 자석 바(316)를 두고, 자석 바(316)를 조립 기판(210)의 이동방향의 수직방향(Y)으로 이동하며 반도체 발광소자 칩들이 각각 자석(316M)으로 이동하여 조립 공정이 수행될 수 있다.In addition, according to the embodiment, a
또한 실시예에 의하면 상기 공급 바디부(314B)에 이동 리세스(314R)가 구비되어 공급된 반도체 발광소자 칩의 이동이 원활히 진행될 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광소자 칩들이 챔버(310)내에서 원활하게 이동하고 정해진 위치의 자석에 공급될 수 있도록 이동 리세스(314R)가 조립 기판(210)의 이동 방향(X)에 수직 방향(Y)으로 배치되어 반도체 발광소자(150)의 이동 통로를 만들 수 있다.In addition, according to the embodiment, the
<조립 기판><Assembled board>
다시 도 3을 참조하면, 실시예는 기판 구동부(530)에 장착되는 유연성 조립 기판(210)을 포함할 수 있다. 상기 조립 기판(210)은 캐리어 기판, 전사 기판으로 칭해질 수 있다.Referring again to FIG. 3 , the embodiment may include a
예를 들어, 조립 기판(210)은 제1 기판 롤러부(531), 제2 기판 롤러부(532), 제3 기판 롤러부(533)에 장착될 수 있는 유연성 기판일 수 있다. 예를 들어, 조립 기판(210)은 롤(roll)처럼 말수 있는 유연성 재질일 수 있으며, 폴리이미드(Polyimide) 등의 폴리머나 얇은 메탈 기판(metal substrate) 등일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the assembled
도 4는 실시예에서 조립 기판(210)에 반도체 발광소자(150)가 자가조립 방식에 의해 조립되는 예를 나타내는 도면이며, 설명 편의를 위해 A3 영역을 180˚ 회전시킨 상태의 도면이다.FIG. 4 is a diagram showing an example in which the semiconductor
도 3 및 도 4를 기초로 실시예에 따른 반도체 발광소자(150)를 전자기장을 이용한 자가조립 방식에 의해 디스플레이 패널에 조립되는 예를 설명하기로 한다.Based on FIGS. 3 and 4 , an example in which the semiconductor
도 3 및 도 4를 참조하면, 반도체 발광소자(150)는 유체(1200)가 채워진 챔버(310)에 투입될 수 있으며, 자석 헤드부(400)로부터 발생하는 자기장에 의해 반도체 발광소자(150)는 조립 기판(210)으로 이동할 수 있다.Referring to FIGS. 3 and 4 , the semiconductor
상기 유체(1200)는 초순수 등의 물일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 챔버는 수조, 컨테이너, 용기 등으로 불릴 수 있다.The fluid 1200 may be water such as ultrapure water, but is not limited thereto. The chamber may be called a water tank, container, vessel, etc.
다음으로 도 4를 참조하면, 반도체 발광소자(150)는 자석 헤드부(400)를 향해 이동 중 조립 기판의 조립 전극의 전기장에 의해 형성되는 유전영동 힘(DEP force)에 의해 조립 홀(203H)로 진입하여 고정될 수 있다.Next, referring to FIG. 4, while the semiconductor
구체적으로 제1, 제2 조립 배선(201, 202)은 교류 전원에 의해 전기장을 형성하고, 이 전기장에 의해 유전영동 힘이 조립 배선(201, 202) 사이에 형성될 수 있다. 이 유전영동 힘에 의해 조립 기판(210) 상의 조립 홀(203H)에 반도체 발광소자(150)를 고정시킬 수 있다.Specifically, the first and
도 4를 참조하면 반도체 발광소자(150)는 도시된 바와 같이 수직형 반도체 발광소자로 구현될 수 있으나 이에 한정되지 않고 수평형 발광소자가 채용될 수 있다.Referring to FIG. 4, the semiconductor
반도체 발광소자(150)는 자성체를 갖는 자성층(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 자성층은 니켈(Ni) 등 자성을 갖는 금속을 포함할 수 있다. 유체 내로 투입된 반도체 발광소자(150)는 자성층을 포함하므로, 자석 헤드부(400)로부터 발생하는 자기장에 의해 조립 기판(210)로 이동할 수 있다. 상기 자성층은 발광소자의 상측 또는 하측의 일측에 배치되거나 또는 양측에 모두 배치될 수 있다.The semiconductor
상기 반도체 발광소자(150)는 상면 및 측면을 둘러싸는 패시베이션층(156)을 포함할 수 있다. 패시베이션층(156)은 실리카, 알루미나 등의 무기물 절연체를 PECVD, LPCVD, 스퍼터링 증착법 등을 통해 형성될 수 있다. 또한 패시베이션층(156)은 포토레지스트, 고분자 물질과 같은 유기물을 스핀 코팅하는 방법을 통해 형성될 수 있다.The semiconductor
상기 반도체 발광소자(150)는 제1 도전형 반도체층(152a), 제2 도전형 반도체층(152c) 및 그 사이에 배치되는 활성층(152b)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(152a)은 n형 반도체층일 수 있고, 제2 도전형 반도체층(152c)은 p형 반도체층일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The semiconductor
상기 제1 도전형 반도체층(152a)에는 제1 전극층(154a)이 배치될 수 있고, 제2 도전형 반도체층(152c)에 제2 전극층(154b)이 배치될 수 있다. 이를 위해서는 제1 도전형 반도체층(152a) 또는 제2 도전형 반도체층(152c)의 일부 영역이 외부로 노출될 수 있다. 이에 따라 반도체 발광소자(150)가 조립 기판(210)에 조립된 후에 디스플레이 장치의 제조 공정에서 패시베이션층(156) 중 일부 영역이 식각될 수 있다. A
조립 기판(210)은 조립될 반도체 발광소자(150) 각각에 대응하는 한 쌍의 제1 조립 전극(201) 및 제2 조립 전극(202)을 포함할 수 있다. 상기 제1 조립 전극(201), 제2 조립 전극(202)은 단일 금속 혹은 금속합금, 금속산화물 등을 다중으로 적층하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 조립 전극(201), 제2 조립 전극(202)은 Cu, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며 이에 한정되는 않는다. The
또한 상기 제1 조립 전극(201), 제2 조립 전극(202)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며 이에 한정되지 않는다.In addition, the first assembled
상기 제1 조립 전극(201), 제2 조립 전극(202)은 교류 전압이 인가됨에 따라 전기장을 방출함으로써, 조립 홀(203H)로 투입된 반도체 발광소자(150)를 유전영동 힘에 의해 고정시킬 수 있다. 상기 제1 조립 전극(201), 제2 조립 전극(202) 간의 간격은 반도체 발광소자(150)의 폭 및 조립 홀(203H)의 폭보다 작을 수 있으며, 전기장을 이용한 반도체 발광소자(150)의 조립 위치를 보다 정밀하게 고정할 수 있다. The first assembled
제1 조립 전극(201), 제2 조립 전극(202) 상에는 절연층(212)이 형성되어, 제1 조립 전극(201), 제2 조립 전극(202)을 유체(1200)로부터 보호하고, 제1 조립 전극(201), 제2 조립 전극(202)에 흐르는 전류의 누출을 방지할 수 있다. 예컨대 상기 절연층(212)은 실리카, 알루미나 등의 무기물 절연체 또는 유기물 절연체가 단일층 또는 다층으로 형성될 수 있다. An insulating
상기 절연층(212)의 상부에는 조립 격벽(207)이 형성될 수 있다. 조립 격벽(207)의 일부 영역은 제1 조립 전극(201), 제2 조립 전극(202)의 상부에 위치하고, 나머지 영역은 조립 기판(210)의 상부에 위치할 수 있다.An
한편, 조립 기판(210)의 제조 시 절연층(212) 상부 전체에 형성된 격벽 중 일부가 제거됨으로써, 반도체 발광소자(150)들 각각이 조립 기판(210)에 결합 및 조립되는 조립 홀(203H)이 형성될 수 있다. Meanwhile, when manufacturing the
상기 조립 기판(210)에는 반도체 발광소자(150)들이 결합되는 조립 홀(203H)이 형성되고, 상기 조립 홀(203H)이 형성된 면은 유체(1200)와 접촉할 수 있다. 조립 홀(203H)은 반도체 발광소자(150)의 정확한 조립 위치를 가이드할 수 있다. An
한편, 조립 홀(203H)은 대응하는 위치에 조립될 반도체 발광소자(150)의 형상에 대응하는 형상 및 크기를 가질 수 있다. 이에 따라, 조립 홀(203H)에 다른 반도체 발광소자가 조립되거나 복수의 반도체 발광소자들이 조립되는 것을 방지할 수 있다.Meanwhile, the
이때 조립 기판(210)의 조립 홀(203H) 상에 조립된 발광소자(150)와 조립 전극(201, 202) 사이에 소정의 솔더층(미도시)이 형성되어 발광소자(150)의 결합력을 향상시킬 수 있다. 또한 조립 후 조립 기판(210)의 조립 홀(203H)에 몰딩층(미도시)이 형성될 수 있다. 몰딩층은 투명 레진이거나 또는 반사물질, 산란물질이 포함된 레진일 수 있다.At this time, a predetermined solder layer (not shown) is formed between the light emitting
상술한 전자기장을 이용한 자가조립 방식에 의해, 반도체 발광소자들 각각이 기판에 조립되는 데 소요되는 시간을 급격히 단축시킬 수 있으므로, 대면적 고화소 디스플레이를 보다 신속하고 경제적으로 구현할 수 있다.By using the above-described self-assembly method using an electromagnetic field, the time required to assemble each semiconductor light-emitting device on a substrate can be drastically shortened, making it possible to implement a large-area, high-pixel display more quickly and economically.
<기판 구동부, 자석 헤드부><Board driver part, magnet head part>
다시 도 3을 참조하면 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)는 조립 기판(210)을 회전시키는 기판 구동부(530)를 포함할 수 있다. 상기 기판 구동부(530)는 제1 기판 롤러부(531), 제2 기판 롤러부(532), 제3 기판 롤러부(533)를 포함할 수 있다.Referring again to FIG. 3, the intelligent assembly and transfer
상기 제1 기판 롤러부(531)는 조립 기판(210)의 일측 내측에 배치될 수 있고, 상기 제2 기판 롤러부(532)는 상기 조립 기판(210)의 타측 내측에 배치될 수 있고, 상기 제3 기판 롤러부(533) 상기 조립 기판(210)의 하측의 내측과 외측에 배치될 수 있다.The first
상기 기판 구동부(530)는 조립 기판(210)에 조립된 반도체 발광소자(150)들이 패널 기판(910)에 전사될 때 조립 기판(210)과 패널 기판(910)이 한 라인 또는 복수의 라인에서 만나서 반도체 발광소자(150)들이 전사되도록 할 수 있다.When the semiconductor
상기 기판 구동부(50)는 단일 또는 복수로 모터에 연결될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The substrate driving unit 50 may be connected to a single or plural motor, but is not limited thereto.
실시예에 의하면 기판 구동부(530)에 의해 조립 기판(210)을 무한 루프로 구동시킬 수 있으므로 연속하여 조립 및 전사가 진행될 수 있다.According to the embodiment, the assembled
실시예는 투입된 반도체 발광소자(150)에 자기장을 가하는 자석 헤드부(400)를 조립 기판(210) 상측에 배치할 수 있다. 상기 자석 헤드부(400)는 영구 자석이거나 전자석일 수 있다.In the embodiment, the
자석 헤드부(400)는 자기장이 미치는 영역을 유체(1200) 내로 최대화하기 위해, 조립 기판(210)과 접촉한 상태로 이동할 수 있다. 실시예에서 자석 헤드부(400)가 복수의 자성체를 포함하거나, 조립 기판(210)과 대응하는 크기의 자성체를 포함할 수도 있다. 상기 자석 헤드부(400)에 의해 발생하는 자기장에 의해 챔버(310) 내의 반도체 발광소자(150)는 자석 헤드부(400) 및 조립 기판(210)을 향해 이동할 수 있다.The
실시예는 상기 자석 헤드부(400)를 자동 또는 수동으로 움직일 수 있는 자석 핸 들러(미도시)를 구비하거나, 상기 자석 헤드부(400)를 회전시킬 수 있는 모터(미도시)를 구비하여 자석 헤드부(400)를 시계방향 또는 반시계방향으로 회전구동할 수 있으며, 조립 기판(210)의 회전방향과 수직방향으로 자석 헤드부(400)를 수평구동할 수도 있다.The embodiment includes a magnet handler (not shown) that can automatically or manually move the
실시예에서 상기 자석 헤드부(400)는 회전함으로써 반도체 발광소자(150)에 가해지는 자력을 고르게 분산시켜서 조립 속도를 향상시킬 수 있다.In an embodiment, the
또한 상기 자석 헤드부(400)는 상기 조립 기판(210)의 회전방향에 수직방향으로 일정구간을 움직이면서 회전함에 따라 자력을 더욱 고르게 분산시켜서 반도체 발광소자(150)의 조립 속도를 향상시킴과 동시에 조립 기판(210)에 고르게 조립되도록 할 수 있다.In addition, as the
<조립 검사부, 패널 구동부, 패널 척><Assembly inspection section, panel drive section, panel chuck>
도 6a와 도 6b는 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)를 이용한 작동 예시도이다.Figures 6a and 6b are diagrams illustrating an operation using the intelligent assembly and transfer
도 6a를 참조하면, 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)는 조립 검사부(600), 세정 유닛(미도시), 건조 유닛(미도시) 및 흡입장치(650)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6A, the intelligent assembly and transfer
상기 세정 유닛은 조립 기판(210)의 조립 영역 이외의 영역에 용액을 분사하여 조립 기판(210)의 조립 영역 외에 부착된 반도체 발광소자(150)를 떼어낼 수 있고, 한 번에 라인 전체를 커버할 수 있도록 분사할 수 있다.The cleaning unit sprays a solution on an area other than the assembly area of the
상기 건조 유닛은 반도체 발광소자(150)에 열풍이나 열을 가하여 전사되기 전에 조립용액이 증발되도록 할 수 있다.The drying unit may apply hot air or heat to the semiconductor
다음으로 상기 조립 검사부(600)는 조립 기판(210)에 반도체 발광소자(150)가 조립되었는지 여부 또는 정확히 조립되었는지 여부를 검사할 수 있다.Next, the
상기 조립 검사부(600)는 라인 스캔 조립검사를 진행할 수 있고, 한번에 라인 전체의 커버가 가능할 수 있다. 상기 조립 검사부(600)는 CCD 이미지 센서를 포함할 수 있고, 검사 결과를 제어부(미도시)에 전송할 수 있으며, 검사 결과에 따라 패널 기판(910)으로 전사여부를 결정할 수 있다.The
예를 들어, 도 6a를참조하면, 실시예에 의하면 조립 기판(210)의 폭 방향으로 라인별 조립 상태를 검사하여 미조립이나 불량 조립 등의 라인 위치 정보를 시스템 제어부(미도시)에 전달하여 패널 기판(910)에 전사공정이 진행되지 않도록 제어할 수 있다.For example, referring to FIG. 6A, according to the embodiment, the assembly state of each line is inspected in the width direction of the assembled
예를 들어, 조립 기판(210)의 폭 방향으로 라인별 조립 상태를 검사하여 미조립이나 불량 조립 등 에러(E)가 있는 경우의 패널 척(920)을 통해 패널 기판(910)을 하측으로 이동되게 함으로써 조립 기판(210)과 패널 기판(910)을 이격시킴으로써 패널 기판(910)에 에러위치 라인 상의 반도체 발광소자(150)가 전사되지 않도록 제어할 수 있는 특별한 기술적 효과가 있다.For example, the assembly state is inspected for each line in the width direction of the assembled
이에 따라 실시예에 의하면 자가조립 후 조립검사 후 정 조립된 반도체 발광소자만을 전사하므로 전사 수율을 100%로 얻을 수 있는 장점이 있다.Accordingly, according to the embodiment, only the semiconductor light emitting device that was properly assembled after self-assembly and assembly inspection is transferred, so there is an advantage in that a transfer yield of 100% can be obtained.
또한 도 6b를 참조하면, 실시예에서 에러(E) 있는 라인에 조립된 반도체 발광소자(150)들은 조립 검사부(600) 인접 위치에 배치된 진공 흡입장치(650)에 의해 제거될 수 있다.Also, referring to FIG. 6B, in the embodiment, the semiconductor
실시예에 의하면 조립 기판(210)에 라인별 픽셀 중에 반도체 발광소자(150)가 조립되지 않거나 제대로 조립되지 않는 경우 해당 라인 상의 반도체 발광소자(150)는 패널 기판(910)에 전사되지 않도록 하여 전사 속도 및 전사 수율을 동시에 높일 수 있는 특별한 기술적 효과가 있다.According to the embodiment, if the semiconductor
실시예에 따른 반도체 발광소자의 지능형 조립전사 통합장치에 의하면, 디스플레이 패널에 반도체 발광소자들을 전사함에 있어서 전사속도와 전사수율을 동시 향상시킬 수 있는 기술적 효과가 있다.According to the intelligent assembly and transfer integration device for semiconductor light emitting devices according to the embodiment, there is a technical effect of simultaneously improving the transfer speed and transfer yield when transferring semiconductor light emitting devices to a display panel.
구체적으로 실시예에 의하면 기판 구동부(530) 상의 조립 기판(210)과 평평한 패널 기판(910)이 만나는 부분은 기판 구동부(530)의 폭 방향으로 라인(line) 전사를 할 수 있다. 또한 실시예에 의하면 조립 검사를 통해 선별된 불량 없는 완전 조립된 라인 상의 반도체 발광소자만 전사하기 때문에 100% 전사 수율의 구현이 가능하다.Specifically, according to the embodiment, a line may be transferred to the portion where the assembled
이에 따라 실시예에 의하면 조립기판 불량이나 반도체 발광소자의 불량이 있더라도 이를 피해 전사할 수 있어 반도체 발광소자의 품질에 대한 의존성을 최소화할 수 있다.Accordingly, according to the embodiment, even if there is a defect in the assembled substrate or a defect in the semiconductor light emitting device, transfer can be performed to avoid this, thereby minimizing dependence on the quality of the semiconductor light emitting device.
또한 실시예에 의하면 조립공정과 전사공정을 분리하되 인라인으로 연결하였기 때문에 조립 시스템의 크기에 따른 전사 면적의 제한이 없는 효과가 있다.In addition, according to the embodiment, the assembly process and the transfer process are separated but connected in-line, so there is no limitation on the transfer area depending on the size of the assembly system.
또한 실시예에 의하면 패널 기판의 에지부분에 조립을 위한 별도 공간이 필요하지 않기 때문에 대면적 공정 후 소면적으로 면취할 때 높은 면취율의 확보가 가능한 효과가 있다.In addition, according to the embodiment, since no separate space is needed for assembly at the edge of the panel substrate, a high chamfering rate can be secured when chamfering a small area after a large-area process.
또한 실시예에 의하면 기판 구동부(530)를 멀티로 구성하면 고속 전사 구현이 가능한 효과가 있다.In addition, according to the embodiment, if the substrate driver 530 is configured in multiple configurations, high-speed transfer can be implemented.
계속하여 도 6a 및 도 6b를 참조하면, 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)는 디스플레이 패널 기판(910)을 수평 이동시키는 패널 구동부(930)와 패널 기판(910)을 상하 이동시키는 패널 척(920)을 포함할 수 있다. 상기 패널 척(920)은 진공 스테이지일 수 있다.Continuing to refer to FIGS. 6A and 6B, the intelligent assembly and transfer
상기 패널 구동부(930)는 단일 또는 복수로 구비될 수 있으며, 도면에서는 2개로 도시되어 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 패널 구동부(930)는 모터를 통해 구동될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The
상기 패널 척(920)은 상기 패널 기판(910)의 저면에 배치되어 상기 패널 기판(910)을 상기 조립 기판(210)과 접촉 또는 이격시킬 수 있다.The
실시예에서 패널 기판(910)은 반도체 발광소자(150)가 전사되기 위한 전사 홀(TH)이 위로 향해 있어 기존 디스플레이 공정에서의 패널 방향과 일치하는 기술적 특징이 있다.In the embodiment, the
상기 패널 척(920)이 상하 이동시 상기 패널 구동부(930)는 함께 이동할 수 있다. When the
예를 들어, 상기 패널 척(920)이 상하 이동시 상기 패널 구동부(930)도 함께 이동할 수 있으며, 상기 패널 기판(910)이 상기 조립 기판(210)과 밀접하게 위치된 상태에서 상기 조립 기판(210)과 상기 패널 기판(910)이 서로 반대방향으로 이동되면서 실시간으로 반도체 발광소자의 전사가 진행될 수도 있다.For example, when the
또한 상기 패널 척(920)이 상하 이동시 상기 패널 구동부(930)는 함께 이동하지 않을 수 있다.Additionally, when the
예를 들어, 상기 패널 척(920)이 상하 이동시 상기 패널 구동부(930)는 함께 이동하지 않은 상태로 유지되며, 이때 상기 조립 기판(210)은 전사 위치에서 잠시 멈춘 상태일 수 있다. 상기 패널 척(920)이 상기 패널 기판(910)을 상측으로 이동시켜 조립 기판(210) 방향으로 이동하여 접촉함으로써 패널 기판(910)의 전사 홀(TH)에 반도체 발광소자를 전사시킨 후 상기 패널 척(920)이 하강할 수 있다. 이후 패널 구동부(930)가 상기 패널 기판(910)을 수평 이동시킨 후 다시 패널 척(920)이 상기 패널 기판(910)을 승강시켜 반도체 발광소자를 전사시킬 수 있다.For example, when the
상기 디스플레이 패널 기판(910)에는 TFT 전극이 형성될 수 있으며, 전사된 제2 반도체 발광소자(150T)와 범프, 솔더, 본딩 또는 ACF 등의 방식으로 연결될 수 있다.A TFT electrode may be formed on the
이에 따라 실시예에 의하면 패널 기판(910)에서의 전사 홀(TH)이 위로 향해 있어 기존 디스플레이 공정에서의 패널 방향과 일치하며, 내부기술의 조립전사 통합장치에서 TFT backplane을 포함하는 패널기판이 뒤집힌 상태로 전사공정이 진행되는 문제를 해결할 수 있는 기술적 효과가 있다.Accordingly, according to the embodiment, the transfer hole (TH) in the
또한 실시예에 의하면 디스플레이 패널 기판(910)이 조립 기판(210)의 아래에 놓이고, 패널 기판(910)이 패널 척(920)에 의해 지지됨에 따라 대 면적 디스플레이 제작 시 패널 기판의 휨이 발생하지 않는 특별한 기술적 효과가 있다.In addition, according to the embodiment, the
또한 실시예에 의하면 디스플레이 패널 기판의 전면이 위로 향하는 구조이므로 기존 내부기술의 디스플레이 공정 적용에 용이한 특징이 있다.In addition, according to the embodiment, since the front of the display panel substrate faces upward, it has the advantage of being easy to apply to the display process of existing internal technology.
또한 실시예에 의하면 조립공정과 전사공정을 분리하되 인라인으로 연결하였기 때문에 조립 및 전사 시스템의 크기에 따른 전사 면적의 제한이 없는 장점이 있다.In addition, according to the embodiment, the assembly process and the transfer process are separated but connected in-line, so there is an advantage that there is no limit to the transfer area depending on the size of the assembly and transfer system.
또한 실시예에 의하면 패널 기판에서 DEP 조립을 위한 조립 전극이 생략이 가능하므로 패널 기판에서 두 종류의 전극이 혼재된 복잡한 전극 구조를 구성할 필요가 없는 장점이 있다.In addition, according to the embodiment, the assembly electrode for DEP assembly can be omitted from the panel substrate, so there is an advantage that there is no need to construct a complex electrode structure in which two types of electrodes are mixed in the panel substrate.
또한 실시예에 의하면 조립 기판(210) 아래에 패널 기판(910)이 배치되며, 조립 기판(210)에서 패널 기판(910)으로 반도체 발광소자의 전사가 진행되는 경우 패널 기판(910)의 전사 홀(TH)에 밀착 전사되는 방향이 중력방향에 평행하므로 전사 효율이 향상되는 효과가 있다.In addition, according to the embodiment, the
<챔버 전극부><Chamber electrode section>
다음으로 도 7은 제2 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1002)를 이용한 작동 예시도이며, 도 3에 도시된 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)에서 자석 헤드부(400)가 생략된 도면이며, 제2 실시예에서 자석 헤드부(400)를 포함한다.Next, Figure 7 is an example of operation using the intelligent assembly and transfer
도 8은 도 7에 도시된 지능형 조립전사 통합장치(1002)에서 제2 유체 챔버(310B)의 개념도이다.FIG. 8 is a conceptual diagram of the second
도 7 및 도 8을 참조하면, 제2 실시예에의 제2 유체 챔버(310B)는 수조 프레임(310F)을 구비하여 유체가 외부로 유출되지 않도록 할 수 있다. 또한 실시예는 수조 프레임(310F)과 조립 기판(210) 사이에 소정의 오링(미도시)을 배치하여 유체의 외부 유출을 방지할 수 있다. Referring to FIGS. 7 and 8 , the second
앞서 기술한 바와 같이, 비공개 내부기술에 의하면, 조립전사 통합장치에서 조립기판의 전극부는 수조(bath) 측벽 상에 배치된 전극부와 접하여 전원을 인가받는다. As previously described, according to undisclosed internal technology, in the assembly and transfer integrated device, the electrode portion of the assembled substrate is in contact with the electrode portion disposed on the side wall of the bath to receive power.
그런데 조립기판의 전극부는 수조(bath) 측벽 상에 배치된 전극부와 면 접촉(surface contact)된 상태에서 슬라이딩 되기 때문에 상호 마찰력이 발생하여 조립기판의 전극부 또는 수조 전극부의 손상이 발생하는 문제가 있다.However, since the electrode portion of the assembled substrate slides in a state of surface contact with the electrode portion disposed on the side wall of the bath, mutual friction occurs, causing damage to the electrode portion of the assembled substrate or the bath electrode portion. there is.
이에 따라 실시예의 기술적 과제 중의 하나는 내부기술의 조립전사 통합장치에서 조립기판의 전극부가 챔버의 전극부와 면 접촉된 상태에서 슬라이딩 되기 때문에 상호 마찰력이 발생하여 조립기판의 전극부 또는 수조 전극부의 손상이 발생하는 문제를 해결할 수 있는 지능형 조립전사 통합장치를 제공하고자 함이다.Accordingly, one of the technical challenges of the embodiment is that in the assembly and transfer integration device of the internal technology, the electrode portion of the assembled substrate slides while in surface contact with the electrode portion of the chamber, so mutual friction occurs, causing damage to the electrode portion of the assembled substrate or the water tank electrode portion. The goal is to provide an intelligent assembly and transfer integrated device that can solve this problem.
도 8을 참조하면, 제2 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1002)에서 제2 유체 챔버(310B)는 수조 프레임(310F) 상에 배치되는 가변형 수조 전극부(350)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 8, in the intelligent assembly and transfer
예를 들어, 상기 제2 유체 챔버(310B)는 수조 프레임(310F)의 일측에 배치되는 제1 가변형 수조 전극부(351)와 상기 수조 프레임(310F)의 타측에 배치되는 제2 가변형 수조 전극부(352)를 포함할 수 있다.For example, the second
도 9는 도 7에 도시된 제2 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1002)의 제3 영역(A3)의 제1 상태 예시도이며, 또한 도 10은 도 7에 도시된 제2 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1002)의 제3 영역(A3)의 제2 상태 예시도이다.FIG. 9 is an illustration of a first state of the third area A3 of the intelligent assembly and transfer
구체적으로, 도 9는 도 7에 도시된 제2 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1002)의 제3 영역(A3)의 확대도로서, 조립 기판(210)이 제1 수조 전극부(351)와 접하지 않은 제1 상태의 도면이다.Specifically, FIG. 9 is an enlarged view of the third area A3 of the intelligent assembly and transfer
도 9를 참조하면, 실시예에서 제1 가변형 수조 전극부(351)는 플랫 전극부(351a)와 상기 플랫 전극부(351a)에서 측면 연장되는 복수의 라운드 전극부(351b)를 포함할 수 있다. 상기 라운드 전극부(351b) 사이에는 제1 이격거리(D1)가 발생할 수 있다. 상기 라운드 전극부(351b)는 원형, 타원형 등의 곡률을 구비할 수 있으며, 전체젹인 모양은 다각형이면서, 부분적으로 곡률을 구비할 수도 있다.Referring to FIG. 9, in the embodiment, the first deformable water
상기 라운드 전극부(351b)는 소정의 압력을 받는 경우 그 형상이 일부 가변될 수 있으나, 전극부로서는 신뢰성이 우수하고 견고할 수 있다.The shape of the
다음으로 도 10은 도 7에 도시된 제2 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1002)의 제3 영역(A3)의 제2 상태 예시도이며, 조립 기판(210)이 제1 수조 전극부(351)와 접한 상태의 도면이다.Next, Figure 10 is an illustration of a second state of the third area (A3) of the intelligent assembly and transfer
실시예에서 조립 기판(210)은 기판 전극부(210e)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 조립 기판(210)은 그 길이방향으로 양측에 각각 제1 기판 전극부(210e)와 제2 기판 전극부(210e)를 구비할 수 있으며, 제1, 제2 기판 전극부(210e)를 통해 제1 조립 전극(201), 제2 조립 전극(202)에 전원을 인가하여 DEP force를 형성할 수 있다.In an embodiment, the assembled
도 9를 참조하면, 실시예에서 상기 가변형 제1 수조 전극부(351)는 플랫 전극부(351a)와 상기 플랫 전극부(351a)에서 측면 연장되는 라운드 전극부(351b)를 포함하며, 조립 기판(210)과 접하지 않은 상태에서는 라운드 전극부(351b) 사이에 제1 이격거리(D1)가 확보되어 라운드 전극부(351b)의 유동이 가능할 수 있다.Referring to FIG. 9, in the embodiment, the variable first water
이후 도 10과 같이, 제1, 제2 수조 전극부(351, 352) 상에 조립 기판(210)이 접촉되는 경우 소정의 마찰압력을 받더라도 유동가능한 라운드 전극부(351b)는 서로 지지하는 기능을 하면서 제2 이격거리(D2)를 유지할 수 있으며, 상기 제2 이격거리(D2)는 실질적으로 zero일 수 있다.Thereafter, as shown in FIG. 10, when the assembled
이에 따라 실시예에 의하면, 제1, 제2 수조 전극부(351, 352) 상에 조립 기판(210)이 접촉되는 경우 소정의 마찰압력을 받더라도 유동가능한 라운드 전극부(351b)는 서로 지지하는 기능을 할 수 있어서 구조적 안정성 및 신뢰성이 유지될 수 있는 기술적 효과가 있다.Accordingly, according to the embodiment, when the assembled
특히 실시예에 의하면, 상기 조립 기판(210)의 기판 전극부(210e)는 수조(bath) 측벽 상에 배치된 제1, 제2 수조 전극부(351, 352)와 선 접촉(line contact) 또는 점 접촉(point contact)된 상태에서 슬라이딩 되기 때문에 상호 마찰력이 현저히 저감되어 조립 기판의 기판 전극부(210e)와 제1, 제2 수조 전극부(351, 352)의 손상이 발생하는 문제가 해결할 수 있는 특별한 기술적 효과가 있다.In particular, according to the embodiment, the substrate electrode portion 210e of the assembled
<칩 공급부를 구비하는 유체 챔버><Fluid chamber with chip supply>
다음으로 도 11은 도 8에 도시된 지능형 조립전사 통합장치(1002)에서 제3 유체 챔버(310C)의 개념도이다.Next, FIG. 11 is a conceptual diagram of the third
제3 실시예에서 제3 유체 챔버(310C)는 수조 프레임(310F)의 제1 측면에 장착되는 칩 공급유로(317A)와 상기 수조 프레임(310F)의 제2 측면에 장착되는 유체 배출로(317B)를 구비할 수 있다.In the third embodiment, the third
제3 실시예 의하면, 상기 칩 공급유로(317A)를 통해 반도체 발광소자(150)들이 분산된 유체를 수조 프레임(310F)에 공급함으로써 유체 챔버에 실시간으로 반도체 발광소자를 공급할 수 있는 특별한 기술적 효과가 있다.According to the third embodiment, a special technical effect of supplying semiconductor light-emitting devices to the fluid chamber in real time is achieved by supplying the fluid in which the semiconductor light-emitting
또한 상기 수조 프레임(310F)의 유체가 소정 수위를 유지할 수 있도록 제2 측면에 장착된 유체 배출로(317B)를 통해 유체를 배출하여 조절할 수 있다. 이때 상기 유체 배출로(317B)와 상기 수조 프레임(310F)의 연결부위에 소정의 메쉬 거름망을 구비하여 유체는 배출되되 반도체 발광소자는 배출되지 않도록 할 수 있다.In addition, the fluid in the
상기 칩 공급유로(317A)의 직경은 상기 유체 배출로(317B)의 직경보다 크거나 같을 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The diameter of the
실시예에 따른 반도체 발광소자의 지능형 조립전사 통합장치에 의하면, 디스플레이 패널에 반도체 발광소자들을 전사함에 있어서 전사속도와 전사수율을 동시에 향상시킬 수 있는 기술적 효과가 있다.According to the intelligent assembly and transfer integration device for semiconductor light emitting devices according to the embodiment, there is a technical effect of simultaneously improving the transfer speed and transfer yield when transferring semiconductor light emitting devices to a display panel.
또한 실시예에 의하면 패널 기판(910)에서의 전사 홀이 위로 향해 있어 기존 디스플레이 공정에서의 패널 방향과 일치하며, 내부기술의 조립전사 통합장치에서 TFT backplane을 포함하는 패널기판이 뒤집힌 상태로 전사공정이 진행되는 문제를 해결할 수 있는 기술적 효과가 있다.In addition, according to the embodiment, the transfer hole in the
또한 실시예에 의하면 디스플레이 패널 기판(910)이 조립 기판(210)의 아래에 놓이고, 패널 기판(910)이 패널 척(920)에 의해 지지됨에 따라 대 면적 디스플레이 제작 시 패널 기판의 휨이 발생하지 않는 특별한 기술적 효과가 있다.In addition, according to the embodiment, the
또한 실시예에 의하면, 실시예에 의하면, 제1, 제2 수조 전극부(351, 352) 상에 조립 기판(210)이 접촉되는 경우 소정의 마찰압력을 받더라도 유동가능한 라운드 전극부(351b)는 서로 지지하는 기능을 할 수 있어서 구조적 안정성 및 신뢰성이 유지될 수 있는 기술적 효과가 있다.In addition, according to an embodiment, when the assembled
특히 실시예에 의하면, 상기 조립 기판(210)의 기판 전극부(210e)는 수조(bath) 측벽 상에 배치된 제1, 제2 수조 전극부(351, 352)와 선 접촉(line contact) 또는 점 접촉(point contact)된 상태에서 슬라이딩 되기 때문에 상호 마찰력이 현저히 저감되어 조립 기판의 기판 전극부(210e)와 제1, 제2 수조 전극부(351, 352)의 손상이 발생하는 문제가 해결할 수 있는 특별한 기술적 효과가 있다.In particular, according to the embodiment, the substrate electrode portion 210e of the assembled
또한 실시예에 의하면 조립공정과 전사공정을 분리하되 인라인으로 연결하였기 때문에 조립 시스템의 크기에 따른 전사 면적의 제한이 없는 효과가 있다.In addition, according to the embodiment, the assembly process and the transfer process are separated but connected in-line, so there is no limitation on the transfer area depending on the size of the assembly system.
또한 실시예에 의하면 패널 기판의 에지부분에 조립을 위한 별도 공간이 필요하지 않기 때문에 대면적 공정 후 소면적으로 면취할 때 높은 면취율의 확보가 가능한 효과가 있다.In addition, according to the embodiment, since no separate space is needed for assembly at the edge of the panel substrate, a high chamfering rate can be secured when chamfering a small area after a large-area process.
이상의 설명은 실시예의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 실시예의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. The above description is merely an illustrative description of the technical idea of the embodiment, and those skilled in the art will be able to make various modifications and variations without departing from the essential characteristics of the embodiment.
따라서, 실시예에 개시된 실시예들은 실시예의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 실시예의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 실시예의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 실시예의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. Accordingly, the embodiments disclosed in the examples are not intended to limit the technical idea of the embodiment, but are for explanation, and the scope of the technical idea of the embodiment is not limited by these examples. The scope of protection of the examples should be interpreted in accordance with the claims below, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of rights of the examples.
실시예는 영상이나 정보를 디스플레이하는 디스플레이 분야에 채택될 수 있다.Embodiments may be adopted in the field of displays that display images or information.
실시예는 반도체 발광소자를 이용하여 영상이나 정보를 디스플레이하는 디스플레이 분야에 채택될 수 있다. Embodiments may be adopted in the field of displays that display images or information using semiconductor light-emitting devices.
실시예는 마이크로급이나 나노급 반도체 발광소자를 이용하여 영상이나 정보를 디스플레이하는 디스플레이 분야에 채택될 수 있다. Embodiments can be adopted in the field of displays that display images or information using micro- or nano-level semiconductor light-emitting devices.
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