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WO2023032027A1 - 研磨液、研磨方法、半導体部品の製造方法、及び、接合体の製造方法 - Google Patents

研磨液、研磨方法、半導体部品の製造方法、及び、接合体の製造方法 Download PDF

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Publication number
WO2023032027A1
WO2023032027A1 PCT/JP2021/031892 JP2021031892W WO2023032027A1 WO 2023032027 A1 WO2023032027 A1 WO 2023032027A1 JP 2021031892 W JP2021031892 W JP 2021031892W WO 2023032027 A1 WO2023032027 A1 WO 2023032027A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
mass
less
polishing
polishing liquid
polished
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2021/031892
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
彰吾 荒田
康裕 市毛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Resonac Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Resonac Corp filed Critical Resonac Corp
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Priority to EP22864511.5A priority patent/EP4379779A4/en
Priority to PCT/JP2022/032451 priority patent/WO2023032928A1/ja
Priority to US18/686,053 priority patent/US20250187137A1/en
Priority to PCT/JP2022/032452 priority patent/WO2023032929A1/ja
Priority to JP2023545570A priority patent/JP7750295B2/ja
Priority to KR1020247002680A priority patent/KR20240024995A/ko
Priority to PCT/JP2022/032453 priority patent/WO2023032930A1/ja
Priority to JP2023545568A priority patent/JP7729388B2/ja
Priority to US18/569,943 priority patent/US20240282581A1/en
Priority to JP2023545569A priority patent/JP7718493B2/ja
Priority to US18/686,043 priority patent/US20240392162A1/en
Priority to EP22864512.3A priority patent/EP4379780A4/en
Priority to KR1020247002677A priority patent/KR20240024994A/ko
Priority to EP22864510.7A priority patent/EP4339254A4/en
Priority to KR1020237043099A priority patent/KR20240006690A/ko
Priority to TW111132870A priority patent/TW202317733A/zh
Publication of WO2023032027A1 publication Critical patent/WO2023032027A1/ja
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Priority to JP2025145114A priority patent/JP2025174985A/ja
Ceased legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Definitions

  • the present disclosure relates to a polishing liquid, a polishing method, a semiconductor component manufacturing method, a bonded body manufacturing method, and the like.
  • CMP Chemical Mechanical Polishing
  • STI shallow trench isolation
  • premetal insulating material or interlayer It is an essential technology for flattening insulating materials, forming plugs or embedded metal wiring, and the like.
  • a polishing liquid used for CMP a polishing liquid containing abrasive grains containing cerium oxide is known (see, for example, Patent Documents 1 and 2 below).
  • JP-A-10-106994 Japanese Patent Application Laid-Open No. 08-022970
  • polishing liquid that can be used for CMP
  • it is required to remove resin-containing members to be polished quickly by polishing Such a polishing liquid is required to improve the polishing rate of a member to be polished containing a resin.
  • An object of one aspect of the present disclosure is to provide a polishing liquid capable of improving the polishing rate of a member to be polished containing resin. Another aspect of the present disclosure aims to provide a polishing method using the polishing liquid. Another aspect of the present disclosure aims to provide a method for manufacturing a semiconductor component using the polishing method. Another aspect of the present disclosure aims to provide a bonded body manufacturing method using the polishing method or the semiconductor component manufacturing method.
  • One aspect of the present disclosure provides a resin-containing polishing liquid for polishing a member to be polished, which contains abrasive grains containing cerium oxide and an ether compound having a hydroxy group.
  • Another aspect of the present disclosure provides a polishing method for polishing a resin-containing member to be polished using the polishing liquid described above.
  • Another aspect of the present disclosure provides a method for manufacturing a semiconductor component, which obtains a semiconductor component by singulating the member to be polished that has been polished by the above-described polishing method.
  • Another aspect of the present disclosure is a bonding surface of a member to be polished polished by the above-described polishing method, or a bonding surface of a semiconductor component obtained by the above-described method for manufacturing a semiconductor component, and a bonding surface of the object to be bonded.
  • a polishing liquid capable of improving the polishing rate of a member to be polished containing resin.
  • a polishing method using the polishing liquid it is possible to provide a method of manufacturing a semiconductor component using the polishing method.
  • a numerical range indicated using “-” indicates a range that includes the numerical values before and after "-" as the minimum and maximum values, respectively.
  • “A or more” in a numerical range means A and a range exceeding A.
  • “A or less” in a numerical range means A and a range less than A.
  • the upper limit value or lower limit value of the numerical range in one step can be arbitrarily combined with the upper limit value or lower limit of the numerical range in another step.
  • the upper or lower limits of the numerical ranges may be replaced with the values shown in the examples.
  • “A or B” may include either A or B, or may include both.
  • each component in the composition means the total amount of the plurality of substances present in the composition unless otherwise specified when there are multiple substances corresponding to each component in the composition.
  • An “alkyl group” may be linear, branched or cyclic, unless otherwise specified.
  • “Abrasive grain” means an aggregate of a plurality of grains, but for the sake of convenience, one grain that constitutes the abrasive grain may be called an abrasive grain.
  • the polishing liquid according to the present embodiment is a resin-containing member to be polished containing abrasive grains containing cerium oxide and an ether compound having a hydroxy group (hereinafter sometimes referred to as "ether compound A").
  • ether compound A an ether compound having a hydroxy group
  • a polishing liquid for polishing The polishing liquid according to this embodiment can be used as a CMP polishing liquid.
  • the polishing liquid according to the present embodiment it is possible to improve the polishing rate of a member to be polished containing a resin, and the polishing rate exceeds 0.40 ⁇ m/min in the evaluation method described in Examples below.
  • resins include epoxy resins, phenolic resins, acrylic resins, methacrylic resins, novolac resins, polyester resins (e.g., unsaturated polyester resins), polyimide resins, polyamideimide resins, polybenzoxazole (PBO), polyallyl ether resins, heterocyclic resins. Contained resins (excluding the resins exemplified above) and the like can be mentioned.
  • heterocyclic ring-containing resin examples include pyrrole ring-containing resins, pyridine ring-containing resins, imidazole ring-containing resins, and the like.
  • the reason why the polishing rate of the member to be polished containing resin is improved is not necessarily clear, but the present inventor presumes that it is as follows. That is, by using an ether compound having a hydroxy group (ether compound A), the wettability of the surface to be polished on which the resin is present is improved.
  • ether compound A an ether compound having a hydroxy group
  • the abrasive grains containing cerium oxide are relatively soft, the abrasive grains can efficiently enter the inside of the resin without slipping on the resin surface. It is presumed that these improve the polishing rate of the member to be polished containing the resin.
  • the factor for obtaining the effect is not limited to the content.
  • Metals include copper, cobalt, tantalum, aluminum, titanium, tungsten and the like.
  • the polishing liquid containing resin and metal is used for polishing a member to be polished containing resin (for example, epoxy resin) and metal (for example, copper). It is possible to improve the polishing rate of the member to be polished.
  • the above-mentioned sealing material contains particles containing a silicon compound (compound containing silicon; may exist.
  • the polishing liquid used for polishing a member to be polished containing a resin (eg, epoxy resin) and a silicon compound (eg, silicon oxide) contains resin and a silicon compound-containing member to be polished can be improved. and metal portions (vias) disposed in the openings extending in the thickness direction of the material portion and containing metal. can be made With such a polishing liquid, it is possible to suitably smoothen the above-mentioned bonding surfaces on which resins, silicon compounds and metals are present.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of a member to be polished, showing a cross section parallel to the surface to be polished.
  • the member 10 to be polished shown in FIG. contains particles 12b containing However, the size and number of each member (particle 12b, metal portion 14, etc.), the size ratio between members, and the like are not limited to the illustrated contents.
  • Silicon compounds include silicon oxides (eg, SiO 2 ), SiOC, silicon nitrides (eg, SiN), and the like.
  • the diameter of the particles may be 0.01 to 100 ⁇ m, and the ratio of the area occupied by the particles (reference: the entire cross section) is 1 to 99. %.
  • the cross-sectional shape of the metal portion perpendicular to the thickness direction of the substrate portion may be circular, and the diameter of the metal portion may be 1 to 200 ⁇ m.
  • the spacing between adjacent vias may be 1-200 ⁇ m.
  • the polishing liquid according to this embodiment contains abrasive grains containing cerium oxide.
  • abrasive grains containing cerium oxide By using abrasive grains containing cerium oxide, it is possible to improve the polishing speed of a member to be polished containing a resin, and it is easy to improve the polishing speed of a member to be polished containing a resin and a silicon compound.
  • Abrasive grains may comprise one or more types of particles. Inorganic materials such as silica (SiO 2 ), alumina, zirconia, titania, germania, silicon carbide, etc., can be cited as constituent materials of abrasive grains other than cerium oxide.
  • the polishing liquid according to this embodiment may not contain alumina as abrasive grains. The content of alumina is 0.1% by mass or less, less than 0.1% by mass, 0.01% by mass or less, 0.001% by mass or less, or substantially 0% by mass, based on the total mass of the polishing liquid.
  • the content of cerium oxide in the abrasive grains is the entire abrasive grains (whole abrasive grains contained in the polishing liquid, or 90 mass% or more, 93 mass% or more, 95 mass% or more, more than 95 mass%, 98 mass% or more, 99 mass% or more, 99.5 mass% or more, or 99.9% by mass or more.
  • the abrasive grains may be in an aspect in which the abrasive grains are substantially made of cerium oxide (an aspect in which substantially 100 mass % of the abrasive grains are cerium oxide).
  • the average particle diameters D50 and D80 of the abrasive grains may be within the following ranges from the viewpoint of easily improving the polishing speed of the member to be polished containing resin and the polishing speed of metal.
  • the average particle diameters D50 and D80 of the abrasive grains mean the 50% and 80% particle diameters of the volume-based cumulative distribution, and can be measured by, for example, a laser diffraction particle size distribution meter.
  • the average grain size of abrasive grains can be measured, for example, with a laser diffraction grain size distribution meter.
  • the average particle size of the abrasive grains can be adjusted by natural sedimentation, pulverization, dispersion, filtration, etc. For example, the particle size adjustment may be performed after mixing the components of the polishing liquid.
  • the average grain size D50 of the abrasive grains may be 10 nm or more, 50 nm or more, 100 nm or more, 150 nm or more, 200 nm or more, 250 nm or more, 300 nm or more, 320 nm or more, or 340 nm or more.
  • the average grain size D50 of the abrasive grains may be 1000 nm or less, 800 nm or less, 600 nm or less, 500 nm or less, 450 nm or less, 400 nm or less, or 350 nm or less. From these points of view, the average grain size D50 of the abrasive grains may be 10 to 1000 nm.
  • the average grain size D80 of the abrasive grains may be 50 nm or more, 100 nm or more, 200 nm or more, 300 nm or more, 350 nm or more, 400 nm or more, 450 nm or more, 500 nm or more, 550 nm or more, or 600 nm or more.
  • the average grain size D80 of the abrasive grains may be 1200 nm or less, 1100 nm or less, 1000 nm or less, 900 nm or less, 800 nm or less, 750 nm or less, 700 nm or less, or 650 nm or less. From these points of view, the average grain size D80 of the abrasive grains may be 50 to 1200 nm.
  • the content of the abrasive grains may be within the following range based on the total mass of the polishing liquid, from the viewpoint of easily improving the polishing speed of the member to be polished containing resin and the polishing speed of metal.
  • the content of abrasive grains is 0.01% by mass or more, 0.05% by mass or more, 0.1% by mass or more, 0.3% by mass or more, 0.5% by mass or more, 0.7% by mass or more, 0 0.8% by mass or more, 0.9% by mass or more, or 1% by mass or more.
  • the abrasive content may be 10% by mass or less, 8% by mass or less, 5% by mass or less, 4% by mass or less, 3% by mass or less, 2% by mass or less, or 1% by mass or less. From these points of view, the content of abrasive grains may be 0.01 to 10% by mass, 0.1 to 5% by mass, or 0.5 to 2% by mass.
  • the polishing liquid according to this embodiment contains an ether compound (ether compound A) having a hydroxy group.
  • An ether compound having a hydroxy group is a compound having at least one hydroxy group and at least one ether group.
  • the “ether group” in the ether compound A does not include the “—O—” structure in a hydroxy group (hydroxyl group), carboxyl group, carboxylic acid group, ester group, sulfo group and phosphoric acid group. Hydroxy groups do not include OH groups contained in carboxy groups, ester groups, sulfo groups and phosphate groups.
  • the ether compound A may contain a compound having an ether group that bonds carbon atoms, from the viewpoint of easily improving the polishing speed of a member to be polished containing a resin and the polishing speed of a metal.
  • the ether compound A may contain a compound having the number of hydroxy groups within the following range from the viewpoint of easily improving the polishing rate of a member to be polished containing a resin and the polishing rate of a metal.
  • the number of hydroxy groups is 1 or more, and may be 2 or more, 3 or more, 4 or more, 5 or more, 6 or more, 8 or more, 9 or more, 10 or more, 11 or more, or 12 or more.
  • the number of hydroxy groups may be 20 or less, 15 or less, 12 or less, 11 or less, 10 or less, 9 or less, 8 or less, 6 or less, 5 or less, 4 or less, 3 or less, or 2 or less. From these points of view, the number of hydroxy groups may be from 1 to 20.
  • the ether compound A is a combination of a compound having one hydroxy group and a compound having two or more hydroxy groups, from the viewpoint of easily improving the polishing rate of a member to be polished containing a resin and the polishing rate of a metal. may contain.
  • the ether compound A may contain a compound having the number of ether groups within the following range from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the member to be polished containing resin and the polishing rate of metal.
  • the number of ether groups is 1 or more, and may be 2 or more, 3 or more, 4 or more, 5 or more, 6 or more, 8 or more, or 9 or more.
  • the number of ether groups may be 20 or less, 15 or less, 12 or less, 11 or less, 10 or less, 9 or less, 8 or less, 6 or less, 5 or less, 4 or less, 3 or less, or 2 or less. From these points of view, the number of ether groups may be from 1 to 20.
  • the ether compound A is a compound having one ether group and a compound having two or more ether groups, from the viewpoint of easily improving the polishing rate of a member to be polished containing a resin and the polishing rate of a metal. may contain.
  • the ether compound A may contain an alkoxy alcohol from the viewpoint of easily improving the polishing speed of the member to be polished containing resin and the polishing speed of metal.
  • Alkoxy alcohols include 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, 2-(2-methoxy)ethoxyethanol, 2-(2-butoxyethoxy)ethanol, 2-propoxyethanol, 2-butoxyethanol, 3-methoxy-3 -methyl-1-butanol, 2-(methoxymethoxy)ethanol, 2-isopropoxyethanol, 2-butoxyethanol, 2-isopentyloxyethanol, 1-propoxy-2-propanol, 3-methoxy-3-methyl-1 -butanol, 3-methoxy-1-butanol, 3-methoxy-3-methylbutanol, 1-methoxy-2-butanol, glycol monoether and the like.
  • the alkoxy alcohol has 1 to 5, 1 to 4, 1 to 3, 1 to 2, or 2 carbon atoms from the viewpoint of easily improving the polishing speed of the member to be polished containing resin and the polishing speed of metal. It may include compounds with ⁇ 3 alkoxy groups. Alkoxy alcohols may include 1-propoxy-2-propanol, 3-methoxy-3-methyl-1- May contain butanol.
  • the ether compound A may contain a polyether, and may contain an alkoxy alcohol and a polyether, from the viewpoint of easily improving the polishing speed of a member to be polished containing a resin and the polishing speed of a metal.
  • Polyethers include polyglycerin, polysaccharides, polyalkylene glycol, polyoxypropylene polyglyceryl ether, polyoxyethylene polyglyceryl ether, 1,4-di(2-hydroxyethoxy)benzene, 2,2-bis(4-polyoxy ethyleneoxyphenyl)propane, 2,2-bis(4-polyoxypropyleneoxyphenyl)propane, ethylene glycol monophenyl ether, diethylene glycol monophenyl ether, polyoxyalkylene monophenyl ether, propylene glycol monophenyl ether, polyoxypropylene monomethyl Phenyl ether, polyethylene glycol monomethyl ether, pentaerythritol polyoxyethylene ether, ethylene glycol monoally
  • the ether compound A may contain polyglycerin having an average degree of polymerization of glycerin in the following range from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the member to be polished containing resin and the polishing rate of metal.
  • the average degree of polymerization may be 3 or more, 4 or more, 5 or more, 8 or more, or 10 or more.
  • the average degree of polymerization may be 100 or less, 50 or less, 30 or less, 20 or less, 15 or less, 12 or less, or 10 or less. From these points of view, the average degree of polymerization may be 3-100.
  • the ether compound A may contain polyglycerin having a hydroxyl value in the following range from the viewpoint of easily improving the polishing speed of a member to be polished containing resin and the polishing speed of metal.
  • the hydroxyl value may be 100 or higher, 200 or higher, 300 or higher, 400 or higher, 500 or higher, 600 or higher, 700 or higher, 800 or higher, 850 or higher, or 870 or higher.
  • the hydroxyl value may be 2000 or less, 1500 or less, 1200 or less, 1100 or less, 1000 or less, 950 or less, 930 or less, or 910 or less. From these points of view, the hydroxyl value may range from 100 to 2,000.
  • the ether compound A may contain a compound having one hydroxy group and one ether group from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the member to be polished containing resin and the polishing rate of metal.
  • the ether compound A bonds an alkyl group having a hydroxy group as a substituent and an unsubstituted alkyl group from the viewpoint of easily improving the polishing rate of a member to be polished containing a resin and the polishing rate of a metal. It may include compounds with ether groups, which may be compounds with one hydroxy group and one ether group.
  • the ether compound A may contain compounds having the following molecular weights, from the viewpoint of easily improving the polishing speed of the member to be polished containing resin and the polishing speed of metal.
  • the molecular weight may be 50 or greater, 80 or greater, 100 or greater, 110 or greater, 115 or greater, 118 or greater, 120 or greater, 150 or greater, 200 or greater, 200 or greater, 300 or greater, 500 or greater, 700 or greater, or 750 or greater.
  • the molecular weight may be 3000 or less, 2000 or less, 1500 or less, 1200 or less, 1000 or less, 800 or less, 750 or less, 700 or less, 500 or less, 300 or less, 200 or less, less than 200, 150 or less, or 120 or less. . From these points of view, the molecular weight may be 50-3000.
  • Ether compounds A may include, for example, alkoxy alcohols with a molecular weight of less than 200.
  • the weight average molecular weight may be used as the above molecular weight.
  • the weight average molecular weight can be measured under the following conditions using, for example, gel permeation chromatography (GPC: Gel Permeation Chromatography).
  • the content of alkoxy alcohol is the total mass of ether compounds (total mass of ether compounds contained in the polishing liquid), or , the total mass of the ether compound A (total mass of the ether compound A contained in the polishing liquid) as a reference, it may be in the following range.
  • the content of the alkoxy alcohol is 5% by mass or more, 8% by mass or more, 10% by mass or more, 12% by mass or more, 15% by mass or more, 18% by mass or more, 20% by mass or more, or 23% by mass or more. you can
  • the content of alkoxy alcohol may be 25% by mass or more, 30% by mass or more, 35% by mass or more, or 40% by mass or more.
  • the content of alkoxy alcohol is 95% by mass or less, 90% by mass or less, 85% by mass or less, 80% by mass or less, 75% by mass or less, 70% by mass or less, 65% by mass or less, 60% by mass or less, 55% by mass. 50% by mass or less, 45% by mass or less, 40% by mass or less, 35% by mass or less, 30% by mass or less, or 25% by mass or less. From these points of view, the content of alkoxy alcohol may be 5 to 95% by mass.
  • Content A as the content of polyether or the content of polyglycerin is the total mass of ether compounds (the total mass of ether compounds contained in the polishing liquid) or the total mass of ether compounds A (the total mass of ether compounds contained in the polishing liquid).
  • the total mass of compound A) may be in the following ranges.
  • the content A is 5% by mass or more, 10% by mass or more, 15% by mass or more, 20% by mass or more, 25% by mass or more, from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the member to be polished containing resin and the polishing rate of metal.
  • the content A is 95% by mass or less, 92% by mass or less, 90% by mass or less, 88% by mass or less, 85% by mass or less, from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the member to be polished containing resin and the polishing rate of metal. % by mass or less, 82% by mass or less, 80% by mass or less, or 77% by mass or less.
  • the content A may be 75% by mass or less, 70% by mass or less, 65% by mass or less, or 60% by mass or less. From these points of view, the content A may be 5 to 95% by mass.
  • the content of the ether compound A may be within the following range based on the total mass of the polishing liquid.
  • the content of the ether compound A is 0.1% by mass or more, 0.3% by mass or more, and 0.5% by mass or more, from the viewpoint of easily improving the polishing rate of a member to be polished containing a resin and the polishing rate of a metal. % or more, 0.8 mass % or more, 1 mass % or more, 1 mass % or more, 1.1 mass % or more, 1.2 mass % or more, or 1.3 mass % or more.
  • the content of the ether compound A may be 1.4% by mass or more, 1.5% by mass or more, or 1.6% by mass or more.
  • the content of the ether compound A is 10% by mass or less, 8% by mass or less, 5% by mass or less, and 3% by mass, from the viewpoint of easily improving the polishing rate of a member to be polished containing a resin and the polishing rate of a metal. 2% by mass or less, 1.8% by mass or less, 1.7% by mass or less, 1.6% by mass or less, 1.5% by mass or less, or 1.4% by mass or less. From these viewpoints, the content of the ether compound A may be 0.1 to 10% by mass, 0.5 to 5% by mass, or 1 to 3% by mass.
  • the content of alkoxy alcohol may be within the following range based on the total mass of the polishing liquid.
  • the content of the alkoxy alcohol is 0.01% by mass or more, 0.03% by mass or more, and 0.05% by mass, from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the member to be polished containing the resin and the polishing rate of the metal. 0.08% by mass or more, 0.1% by mass or more, 0.15% by mass or more, 0.2% by mass or more, 0.25% by mass or more, or 0.3% by mass or more.
  • the content of the alkoxy alcohol is 0.35% by mass or more, 0.4% by mass or more, 0.45% by mass or more, 0.5% by mass or more, 0.55% by mass or more, 0.6% by mass or more, or , 0.65% by mass or more.
  • the content of the alkoxy alcohol is 5% by mass or less, 3% by mass or less, 1% by mass or less, and 0.8% by mass, from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the member to be polished containing resin and the polishing rate of metal.
  • the content of alkoxy alcohol may be 0.01 to 5% by mass, 0.1 to 1% by mass, or 0.2 to 0.8% by mass.
  • the content B as the content of polyether or the content of polyglycerin is the following based on the total mass of the polishing liquid, from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the member to be polished containing resin and the polishing rate of metal.
  • may be in the range of Content B is 0.01% by mass or more, 0.05% by mass or more, 0.1% by mass or more, 0.3% by mass or more, 0.5% by mass or more, 0.6% by mass or more, 0.8 % by mass or more, 0.9% by mass or more, or 1% by mass or more.
  • Content B is 10% by mass or less, 8% by mass or less, 7% by mass or less, 6% by mass or less, 5% by mass or less, 4% by mass or less, 3% by mass or less, 2% by mass or less, 1.5% by mass or less, or 1% by mass or less. From these points of view, the content B may be 0.01 to 10% by mass, 0.1 to 5% by mass, or 0.5 to 3% by mass.
  • the content of the ether compound A may be within the following range with respect to 100 parts by mass of the abrasive grains.
  • the content of the ether compound A is 10 parts by mass or more, 30 parts by mass or more, 50 parts by mass or more, and 80 parts by mass from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the member to be polished containing resin and the polishing rate of metal. Above, it may be 100 parts by mass or more, more than 100 parts by mass, 110 parts by mass or more, 120 parts by mass or more, or 130 parts by mass or more.
  • the content of the ether compound A may be 140 parts by mass or more, 150 parts by mass or more, or 160 parts by mass or more.
  • the content of the ether compound A is 1000 parts by mass or less, 800 parts by mass or less, 500 parts by mass or less, and 300 parts by mass from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the member to be polished containing resin and the polishing rate of metal. 200 parts by mass or less, 180 parts by mass or less, 170 parts by mass or less, 160 parts by mass or less, 150 parts by mass or less, or 140 parts by mass or less. From these points of view, the content of the ether compound A may be 10 to 1000 parts by mass.
  • the content of alkoxy alcohol may be within the following range with respect to 100 parts by mass of abrasive grains.
  • the content of the alkoxy alcohol is 1 part by mass or more, 3 parts by mass or more, 5 parts by mass or more, or 8 parts by mass or more from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the member to be polished containing resin and the polishing rate of metal. , 10 parts by mass or more, 15 parts by mass or more, 20 parts by mass or more, 25 parts by mass or more, or 30 parts by mass or more.
  • the content of the alkoxy alcohol may be 35 parts by mass or more, 40 parts by mass or more, 45 parts by mass or more, 50 parts by mass or more, 55 parts by mass or more, 60 parts by mass or more, or 65 parts by mass or more.
  • the content of the alkoxy alcohol is 500 parts by mass or less, 300 parts by mass or less, 100 parts by mass or less, or 80 parts by mass or less from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the member to be polished containing resin and the polishing rate of metal. , 70 parts by mass or less, 65 parts by mass or less, 60 parts by mass or less, 55 parts by mass or less, 50 parts by mass or less, 45 parts by mass or less, 40 parts by mass or less, or 35 parts by mass or less. From these points of view, the content of alkoxy alcohol may be 1 to 500 parts by mass.
  • the content C as the content of polyether or the content of polyglycerin is as follows with respect to 100 parts by mass of abrasive grains, from the viewpoint of easily improving the polishing speed of a member to be polished containing resin and the polishing speed of metal. may be in the range of Content C is 1 part by mass or more, 5 parts by mass or more, 10 parts by mass or more, 30 parts by mass or more, 50 parts by mass or more, 60 parts by mass or more, 80 parts by mass or more, 90 parts by mass or more, or 100 parts by mass or more.
  • the content C is 1000 parts by mass or less, 800 parts by mass or less, 700 parts by mass or less, 600 parts by mass or less, 500 parts by mass or less, 400 parts by mass or less, 300 parts by mass or less, 200 parts by mass or less, 150 parts by mass or less, Alternatively, it may be 100 parts by mass or less. From these points of view, the content C may be 1 to 1000 parts by mass.
  • the content of the alkoxy alcohol may be within the following range with respect to 100 parts by mass of polyether or 100 parts by mass of polyglycerin.
  • the content of the alkoxy alcohol is 1 part by mass or more, 3 parts by mass or more, 5 parts by mass or more, or 8 parts by mass or more from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the member to be polished containing resin and the polishing rate of metal. , 10 parts by mass or more, 15 parts by mass or more, 20 parts by mass or more, 25 parts by mass or more, or 30 parts by mass or more.
  • the content of the alkoxy alcohol may be 35 parts by mass or more, 40 parts by mass or more, 45 parts by mass or more, 50 parts by mass or more, 55 parts by mass or more, 60 parts by mass or more, or 65 parts by mass or more.
  • the content of the alkoxy alcohol is 1000 parts by mass or less, 800 parts by mass or less, 700 parts by mass or less, or 600 parts by mass or less from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the member to be polished containing resin and the polishing rate of metal.
  • the content of the alkoxy alcohol may be 1 to 1000 parts by mass.
  • the polishing liquid according to this embodiment may contain water. Water may be contained as the remainder after removing other constituents from the polishing liquid.
  • the content of water may be within the following ranges based on the total mass of the polishing liquid.
  • the water content is 90% by mass or more, 91% by mass or more, 92% by mass or more, 93% by mass or more, 94% by mass or more, 94.5% by mass or more, 95% by mass or more, 95.5% by mass or more, Alternatively, it may be 96% by mass or more.
  • the water content may be less than 100 wt%, 99 wt% or less, 98 wt% or less, 97 wt% or less, 96 wt% or less, or 95.5 wt% or less. From these points of view, the content of water may be 90% by mass or more and less than 100% by mass.
  • the polishing liquid according to this embodiment may contain components other than abrasive grains, ether compound A, and water.
  • examples of such components include ether compounds having no hydroxy group, acid components, ammonia, anticorrosive agents, basic hydroxides, surfactants, antifoaming agents, and the like.
  • the polishing liquid according to this embodiment may not contain at least one of these components.
  • the polishing liquid according to this embodiment may contain an acid component. It is presumed that the acid component forms a complex with the metal, the acid component dissolves the metal, and the like, thereby increasing the polishing rate of the metal.
  • the polishing liquid according to the present embodiment may contain an organic acid component or an inorganic acid component as the acid component.
  • Organic acid components include organic acids (excluding amino acids), organic acid esters, organic acid salts, amino acids, and the like.
  • Organic acids include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, 2-methylbutyric acid, n-hexanoic acid, 3,3-dimethylbutyric acid, 2-ethylbutyric acid, 4-methylpentanoic acid, n-heptanoic acid, 2-methylhexanoic acid, n-octanoic acid, 2-ethylhexanoic acid, benzoic acid, glycolic acid, salicylic acid, glyceric acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, 3-methylphthalic acid, 4-methylphthalic acid, 3-aminophthalic acid acid, 4-aminophthalic acid, 3-nitrophthalic acid, 4-nitrophthalic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, maleic acid, phthalic acid, isophthalic acid
  • organic acid esters include esters of the above-described organic acids.
  • organic acid salts include ammonium salts, alkali metal salts, alkaline earth metal salts and halides of the above organic acids.
  • Amino acids include alanine, arginine, asparagine, aspartic acid, cysteine, glutamine, glutamic acid, glycine, histidine, isoleucine, leucine, lysine, methionine, phenylalanine, proline, serine, threonine, tryptophan, tyrosine, valine, and the like.
  • inorganic acid components include inorganic acids, ammonium salts of inorganic acids, and chromic acid.
  • inorganic acids include hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid and the like.
  • ammonium salts of inorganic acids include ammonium salts of monovalent inorganic acids such as ammonium nitrate, ammonium chloride and ammonium bromide; ammonium salts of divalent inorganic acids such as ammonium carbonate, ammonium sulfate and ammonium persulfate; ammonium salts of trivalent inorganic acids such as ammonium acid;
  • the organic acid component may contain at least one selected from the group consisting of organic acids different from amino acids and amino acids, and is selected from the group consisting of malic acid and glycine, from the viewpoint of further improving the polishing rate of metals. At least one kind may be included.
  • the inorganic acid component may contain at least one selected from the group consisting of ammonium carbonate and ammonium persulfate from the viewpoint of further improving the polishing rate of metal.
  • the content of the acid component may be within the following ranges based on the total mass of the polishing liquid.
  • the content of the acid component is 0.01% by mass or more, 0.05% by mass or more, 0.1% by mass or more, 0.2% by mass or more, and 0.3% by mass from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the metal. % or more, 0.4% by mass or more, 0.5% by mass or more, 0.6% by mass or more, 0.7% by mass or more, 0.8% by mass or more, 0.9% by mass or more, 1% by mass or more, It may be 1.1% by mass or more, 1.2% by mass or more, 1.3% by mass or more, 1.4% by mass or more, 1.5% by mass or more, or 1.6% by mass or more.
  • the content of the acid component is 5% by mass or less, 4.5% by mass or less, 4% by mass or less, 3.5% by mass or less, 3% by mass or less, 2.5% by mass or less, from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the metal. % by mass or less, 2% by mass or less, 1.9% by mass or less, 1.8% by mass or less, or 1.7% by mass or less.
  • the content of the acid component may be 1.6% by mass or less, 1.5% by mass or less, 1.4% by mass or less, or 1.3% by mass or less. From these points of view, the content of the acid component may be 0.01 to 5% by mass.
  • the content of the organic acid component may be within the following range based on the total mass of the polishing liquid, from the viewpoint of easily improving the polishing rate of metal.
  • the content of the organic acid component is 0.01% by mass or more, 0.05% by mass or more, 0.1% by mass or more, 0.15% by mass or more, 0.2% by mass or more, 0.25% by mass or more, It may be 0.3% by mass or more, 0.35% by mass or more, 0.4% by mass or more, or 0.41% by mass or more.
  • the content of the organic acid component is 5% by mass or less, 4% by mass or less, 3% by mass or less, 2% by mass or less, 1% by mass or less, 0.8% by mass or less, 0.6% by mass or less, and 0.5% by mass. % by mass or less, 0.45 mass % or less, or 0.41 mass % or less. From these points of view, the content of the organic acid component may be 0.01 to 5% by mass.
  • the content of the inorganic acid component may be within the following ranges based on the total mass of the polishing liquid.
  • the content of the inorganic acid component is 0.01% by mass or more, 0.05% by mass or more, 0.1% by mass or more, 0.2% by mass or more, and 0.3% by mass or more, from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the metal. % by mass or more, 0.4% by mass or more, 0.5% by mass or more, 0.6% by mass or more, 0.7% by mass or more, 0.8% by mass or more, 0.9% by mass or more, 1% by mass or more , 1.1% by mass or more, or 1.2% by mass or more.
  • the content of the inorganic acid component is 5% by mass or less, 4.5% by mass or less, 4% by mass or less, 3.5% by mass or less, 3% by mass or less, from the viewpoint of easily improving the metal polishing rate. 5% by mass or less, 2% by mass or less, 1.8% by mass or less, 1.6% by mass or less, 1.5% by mass or less, 1.4% by mass or less, or 1.3% by mass or less .
  • the content of the inorganic acid component may be 1.2% by mass or less, 1.1% by mass or less, 1% by mass or less, 0.9% by mass or less, or 0.8% by mass or less. From these points of view, the content of the inorganic acid component may be 0.01 to 5% by mass.
  • the polishing liquid according to this embodiment may contain ammonia. It is presumed that ammonia forms a complex with the metal, and the polishing rate of the metal is likely to be improved.
  • the polishing liquid according to the present embodiment may contain at least one selected from the group consisting of ammonium cations and ammonia from the viewpoint of further improving the polishing rate of metals, and may contain an ammonium salt (for example, ammonium of the inorganic acid described above). salt) and at least one selected from the group consisting of ammonia.
  • the content of ammonia may be within the following range based on the total mass of the polishing liquid, from the viewpoint of easily improving the polishing rate of metal.
  • the content of ammonia is 0.01% by mass or more, 0.03% by mass or more, 0.05% by mass or more, 0.08% by mass or more, 0.1% by mass or more, 0.12% by mass or more, or It may be 0.15% by mass or more.
  • the content of ammonia is 5% by mass or less, 4% by mass or less, 3% by mass or less, 2% by mass or less, 1% by mass or less, 0.8% by mass or less, 0.5% by mass or less, and 0.3% by mass. Below, it may be 0.2 mass % or less, or 0.15 mass % or less. From these points of view, the content of ammonia may be 0.01 to 5% by mass.
  • the polishing liquid according to the present embodiment may contain an anticorrosive agent (anticorrosive agent for metal) as a compound having an anticorrosive action on metal.
  • an anticorrosive agent antioxidant for metal
  • the anticorrosive suppresses the etching of the metal and tends to reduce the roughness of the surface to be polished.
  • the anticorrosive agent may contain at least one selected from the group consisting of triazole compounds, pyridine compounds, pyrazole compounds, pyrimidine compounds, imidazole compounds, guanidine compounds, thiazole compounds, tetrazole compounds, triazine compounds and hexamethylenetetramine.
  • a "compound” is a general term for compounds having the skeleton thereof, and for example, a "triazole compound” means a compound having a triazole skeleton.
  • the anticorrosion agent may contain a triazole compound from the viewpoint of easily obtaining a suitable anticorrosion action.
  • Triazole compounds include 1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole, 3-amino-1H-1,2,4-triazole, benzotriazole, 1-hydroxybenzotriazole, and 1-dihydroxypropylbenzotriazole.
  • 2,3-dicarboxypropylbenzotriazole 4-hydroxybenzotriazole, 4-carboxy-1H-benzotriazole, 4-carboxy-1H-benzotriazole methyl ester (methyl 1H-benzotriazole-4-carboxylate), 4 -Carboxy-1H-benzotriazole butyl ester (1H-benzotriazole-4-carboxylate butyl), 4-carboxy-1H-benzotriazole octyl ester (1H-benzotriazole-4-carboxylate octyl), 5-hexylbenzotriazole , [1,2,3-benzotriazolyl-1-methyl][1,2,4-triazolyl-1-methyl][2-ethylhexyl]amine, tolyltriazole, naphthotriazole, bis[(1-benzotriazole solyl)methyl]phosphonic acid, 3H-1,2,3-triazolo[4,5-b]pyr
  • a compound having a triazole skeleton and other skeletons in one molecule is classified as a triazole compound.
  • the polishing liquid according to the present embodiment may contain a triazole compound having a hydroxy group, and may contain 1-hydroxybenzotriazole, from the viewpoint of easily obtaining a suitable anticorrosion action.
  • the content of the anticorrosive agent may be within the following range based on the total mass of the polishing liquid, from the viewpoint of easily obtaining a suitable anticorrosive action.
  • the content of the anticorrosive agent is 0.001% by mass or more, 0.003% by mass or more, 0.005% by mass or more, 0.008% by mass or more, 0.01% by mass or more, 0.02% by mass or more, 0 0.025% by mass or more, or 0.03% by mass or more.
  • the content of the anticorrosive agent is 1% by mass or less, 0.5% by mass or less, 0.3% by mass or less, 0.1% by mass or less, 0.08% by mass or less, 0.05% by mass or less, and 0.04% by mass. % by mass or less, 0.03% by mass or less, or 0.025% by mass or less. From these points of view, the content of the anticorrosive agent may be 0.001 to 1% by mass.
  • the polishing liquid according to this embodiment may contain a basic hydroxide.
  • a basic hydroxide By using a basic hydroxide, the metal polishing rate is likely to be improved.
  • Basic hydroxides include alkali metal hydroxides such as sodium hydroxide and potassium hydroxide; alkaline earth metal hydroxides; tetramethylammonium hydroxide (TMAH) and the like.
  • the content of the basic hydroxide may be within the following range based on the total mass of the polishing liquid, from the viewpoint of easily improving the polishing rate of metal.
  • the content of basic hydroxide is 0.01% by mass or more, 0.05% by mass or more, 0.1% by mass or more, 0.15% by mass or more, 0.2% by mass or more, 0.25% by mass Above, it may be 0.3% by mass or more, 0.35% by mass or more, 0.4% by mass or more, 0.45% by mass or more, or 0.48% by mass or more.
  • the content of the basic hydroxide is 5% by mass or less, 4% by mass or less, 3% by mass or less, 2% by mass or less, 1% by mass or less, 0.8% by mass or less, 0.6% by mass or less, 0 0.5% by mass or less, or 0.48% by mass or less. From these points of view, the basic hydroxide content may be 0.01 to 5% by mass.
  • the polishing liquid according to this embodiment does not have to contain peroxide.
  • peroxide including the above-mentioned ammonium salts, ammonium persulfate, potassium persulfate, hydrogen peroxide, ferric nitrate, cerium diammonium nitrate, iron sulfate, ozone, hypochlorous acid, hypochlorous acid salts, potassium periodate, peracetic acid and the like.
  • the polishing liquid according to this embodiment does not have to contain hydrogen peroxide.
  • Peroxide content or hydrogen peroxide content is 0.1% by mass or less, less than 0.1% by mass, 0.01% by mass or less, or 0.001% by mass, based on the total mass of the polishing liquid. less than or substantially 0% by mass.
  • the pH of the polishing liquid according to this embodiment may be within the following range.
  • the pH of the polishing liquid is 3.00 or more, 4.00 or more, more than 4.00, 5.00 or more, from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the member to be polished containing the resin and the polishing rate of the metal. 6.00 or more, 7.00 or more, more than 7.00, 7.50 or more, 8.00 or more, more than 8.00, 8.50 or more, 9.00 or more, or 9.30 or more .
  • the pH of the polishing liquid may be 9.40 or higher, or 9.50 or higher.
  • the pH of the polishing liquid is 13.00 or less, 12.00 or less, 11.50 or less, 11.00 or less, from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the member to be polished containing resin and the polishing rate of metal. It may be 10.50 or less, 10.00 or less, 9.80 or less, 9.60 or less, 9.50 or less, or 9.40 or less. From these points of view, the pH of the polishing liquid may be 3.00 to 13.00, 7.00 to 12.00, or 9.00 to 11.00.
  • the pH of the polishing liquid can be adjusted with the above acid component, ammonia, basic hydroxide, and the like.
  • the pH of the polishing liquid according to this embodiment can be measured with a pH meter (for example, model number: PHL-40 manufactured by Toa DKK Co., Ltd.).
  • a pH meter for example, model number: PHL-40 manufactured by Toa DKK Co., Ltd.
  • the electrode is placed in the polishing solution and the value is measured after the electrode has stabilized for two minutes or longer. At this time, the temperature of both the standard buffer solution and the polishing solution is set to 25°C.
  • the polishing liquid according to the present embodiment may be stored as a polishing liquid storage liquid with the amount of water reduced compared to when it is used.
  • the polishing liquid storage liquid is a storage liquid for obtaining the polishing liquid, and the polishing liquid can be obtained by diluting the polishing liquid storage liquid with water before or during use.
  • the dilution ratio is, for example, 1.5 times or more.
  • the polishing liquid according to the present embodiment may be stored as a one-component polishing liquid containing at least abrasive grains and an ether compound A, and a slurry (first liquid) and an additive liquid (second liquid) are It may be stored as a multi-liquid polishing liquid.
  • the constituent components of the polishing liquid are divided into a slurry and an additive liquid so that the slurry and the additive liquid are mixed to form a polishing liquid.
  • the slurry contains at least abrasive grains and water, for example.
  • the additive liquid contains, for example, at least the ether compound A and water.
  • Components other than the abrasive grains, the ether compound A, and water may be contained in the additive liquid of the slurry and the additive liquid.
  • the components of the polishing liquid may be divided into three or more liquids and stored.
  • the polishing liquid may be prepared by mixing the slurry and the additive liquid immediately before or during polishing.
  • the slurry and the additive liquid in the multi-liquid polishing liquid may be separately supplied onto the polishing platen, and the slurry and the additive liquid may be mixed on the polishing platen to prepare the polishing liquid.
  • the polishing method according to this embodiment includes a polishing step of polishing a resin-containing member to be polished using the polishing liquid according to this embodiment.
  • the surface to be polished of the member to be polished can be polished, and the surface to be polished on which resin is present can be polished.
  • the member to be polished may contain a resin and a silicon compound (eg, silicon oxide), and may contain particles containing a resin and a silicon compound.
  • the surface to be polished on which the resin and the silicon compound are present can be polished.
  • the member to be polished may contain resin and metal (eg, copper).
  • the surface to be polished on which resin and metal are present can be polished.
  • the member to be polished may contain a resin, a silicon compound (eg, silicon oxide) and a metal (eg, copper), and may contain particles containing the resin, the silicon compound, and the metal.
  • the surface to be polished on which resin, silicon compound and metal are present can be polished.
  • Metals include copper, cobalt, tantalum, aluminum, titanium, tungsten and the like.
  • Silicon compounds include silicon oxides (eg, SiO 2 ), SiOC, silicon nitrides (eg, SiN), and the like.
  • the resin may contain epoxy resin, and the member to be polished may contain particles containing resin and silicon oxide.
  • the component manufacturing method according to the present embodiment includes a singulation step of singulating the member to be polished (substrate) that has been polished by the polishing method according to the present embodiment.
  • the singulation step may be, for example, a step of obtaining chips (eg, semiconductor chips) by dicing a wafer (eg, semiconductor wafer) polished by the polishing method according to the present embodiment.
  • the method for manufacturing a semiconductor component according to the present embodiment comprises dividing the member to be polished by the polishing method according to the present embodiment into individual semiconductor components ( For example, a step of obtaining a semiconductor chip).
  • the component manufacturing method according to the present embodiment may include a polishing step of polishing the member to be polished by the polishing method according to the present embodiment before the singulation step.
  • the component according to this embodiment is a component obtained by the method for manufacturing a component according to this embodiment, and may be a semiconductor component, a chip (for example, a semiconductor chip), or the like.
  • the method for manufacturing a joined body according to this embodiment includes the bonding surface of a member to be polished polished by the polishing method according to this embodiment, or the bonding surface of a component obtained by the method for manufacturing a component according to this embodiment ( For example, a bonding step of bonding a bonding surface of a semiconductor component obtained by the method for manufacturing a semiconductor component according to the present embodiment and a bonding surface of an object to be bonded.
  • the joint surface of the member to be polished or the joint surface of the part may be the surface to be polished by the polishing method according to the present embodiment.
  • the object to be bonded to the member or part to be polished may be a member to be polished polished by the polishing method according to the present embodiment, or a part obtained by the method for manufacturing a part according to the present embodiment.
  • the object to be joined may be different from these members and parts to be polished.
  • the bonding step when the bonding surface of the member or component to be polished has a metal portion and the bonding surface of the object to be bonded has a metal portion, the metal portions may be brought into contact with each other.
  • the metal portion may contain copper.
  • a joined body according to the present embodiment is a joined body obtained by the method for manufacturing a joined body according to the present embodiment.
  • An electronic device includes at least one selected from the group consisting of a member to be polished by the polishing method according to the present embodiment, the component according to the present embodiment, and the joined body according to the present embodiment. .
  • Example 1 Cerium oxide particles (abrasive grains, manufactured by Showa Denko Materials Co., Ltd., trade name: HS-8005), 1-propoxy-2-propanol (ether compound A), polyglycerin (ether compound A, glycerin decamer, Sakamoto Yakuhin Kogyo Co., Ltd.
  • PGL750 weight average molecular weight: 750, hydroxyl value: 870 to 910), malic acid, glycine, ammonium persulfate, ammonia, 1-hydroxybenzotriazole, potassium hydroxide, and by mixing distilled water , Cerium oxide particles 1% by mass, 1-propoxy-2-propanol 0.67% by mass, polyglycerin 1% by mass, malic acid 0.01% by mass, glycine 0.4% by mass, ammonium persulfate 0.8% by mass , 0.15% by weight of ammonia, 0.03% by weight of 1-hydroxybenzotriazole, and 0.48% by weight of potassium hydroxide.
  • Example 2 Cerium oxide particles (abrasive grains, same as in Example 1), 3-methoxy-3-methyl-1-butanol (ether compound A), polyglycerin (ether compound A, same as in Example 1), malic acid, glycine , ammonium carbonate, ammonium persulfate, 1-hydroxybenzotriazole, potassium hydroxide, and distilled water to obtain 1% by mass of cerium oxide particles and 0.305% by mass of 3-methoxy-3-methyl-1-butanol.
  • Example 1 ⁇ Average particle diameter of abrasive grains> Using "Microtrac MT3300EXII” manufactured by Microtrac Bell Co., Ltd., the average particle size of abrasive grains in the polishing liquid was determined.
  • Example 2 and Comparative Example 1 the average particle size D50 was 341 nm and the average particle size D80 was 609 nm.
  • the pH of the polishing liquid was measured using a pH meter (manufactured by Toa DKK Co., Ltd., model number: PHL-40). After two-point calibration of the pH meter using phthalate pH buffer (pH: 4.01) and neutral phosphate pH buffer (pH: 6.86) as standard buffers, the electrode of the pH meter was It was placed in the polishing liquid and after two minutes or more had passed, the value was measured.
  • the pH of Example 1 was 9.53
  • the pH of Example 2 was 9.33
  • the pH of Comparative Example 1 was 9.97.
  • a substrate portion containing particles containing epoxy resin and silicon oxide, and openings formed in the substrate portion ( a via located in the through-thickness opening) and containing copper As substrates for evaluating the polishing rate of the resin-containing member to be polished, a substrate portion containing particles containing epoxy resin and silicon oxide, and openings formed in the substrate portion ( a via located in the through-thickness opening) and containing copper. A plurality of vias with a diameter of 200 ⁇ m or less were arranged in an array. The cross-sectional shape of the via perpendicular to the thickness direction of the base material portion was circular. The substrate had a polished surface on which epoxy resin, silicon oxide and copper were present.
  • a substrate for evaluating the polishing rate of copper a substrate having a copper film formed on a ⁇ 300 mm silicon wafer was prepared.
  • the substrate was attached to a substrate attachment holder to which a suction pad was attached.
  • a holder was placed on a surface plate on which a pad made of porous urethane resin was adhered so that the surface to be polished (the region where the two types of vias described above were arranged) faced the pad.
  • the substrate was pressed against the pad with a polishing load of 4 psi while supplying the aforementioned polishing liquid onto the pad at a supply rate of 350 mL/min.
  • the surface plate was rotated at 147 min ⁇ 1 and the holder at 153 min ⁇ 1 for 5 minutes for polishing.
  • the polished substrate was thoroughly washed with pure water and then dried.
  • a change in thickness of the substrate before and after polishing was measured using a stylus profilometer to determine the polishing rate of the resin-containing member to be polished.
  • a change in thickness of the substrate before and after polishing was measured using an optical interference type film thickness measuring device to determine the copper polishing rate.
  • the average value of the amount of change in thickness was measured at a total of 5 points at 4 points in the central part of the substrate and in the outer peripheral part of the substrate (4 points located at the center of the substrate at equal intervals).
  • the polishing rate of the member to be polished containing resin was 0.52 ⁇ m/min in Example 1, 0.55 ⁇ m/min in Example 2, and 0.40 ⁇ m/min in Comparative Example 1. In Examples 1 and 2, it is confirmed that an excellent polishing rate for a member to be polished containing resin can be obtained.
  • the polishing rate of copper was 1.19 ⁇ m/min in Example 1, 1.32 ⁇ m/min in Example 2, and 1.22 ⁇ m/min in Comparative Example 1.

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Abstract

セリウム酸化物を含む砥粒と、ヒドロキシ基を有するエーテル化合物と、を含有する、樹脂を含有する被研磨部材の研磨用の研磨液。前記研磨液を用いて、樹脂を含有する被研磨部材を研磨する、研磨方法。前記研磨方法により研磨された被研磨部材を個片化することにより半導体部品を得る、半導体部品の製造方法。前記研磨方法により研磨された被研磨部材の接合面、又は、前記半導体部品の製造方法により得られた半導体部品の接合面と、被接合体の接合面と、を接合する、接合体の製造方法。

Description

研磨液、研磨方法、半導体部品の製造方法、及び、接合体の製造方法
　本開示は、研磨液、研磨方法、半導体部品の製造方法、接合体の製造方法等に関する。
　近年の電子デバイスの製造工程では、高密度化、微細化等のための加工技術の重要性がますます高まっている。加工技術の一つであるＣＭＰ（ケミカル・メカニカル・ポリッシング：化学機械研磨）技術は、電子デバイスの製造工程において、シャロートレンチ分離（シャロー・トレンチ・アイソレーション：ＳＴＩ）の形成、プリメタル絶縁材料又は層間絶縁材料の平坦化、プラグ又は埋め込み金属配線の形成等に必須の技術となっている。ＣＭＰに用いられる研磨液としては、セリウム酸化物を含む砥粒を含有する研磨液が知られている（例えば、下記特許文献１及び２参照）。
特開平１０－１０６９９４号公報 特開平０８－０２２９７０号公報
　ＣＭＰに用いることが可能な研磨液に対しては、樹脂を含有する被研磨部材を研磨して早期に除去することが求められる場合がある。このような研磨液に対しては、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度を向上させることが求められる。
　本開示の一側面は、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度を向上させることが可能な研磨液を提供することを目的とする。本開示の他の一側面は、前記研磨液を用いた研磨方法を提供することを目的とする。本開示の他の一側面は、前記研磨方法を用いた半導体部品の製造方法を提供することを目的とする。本開示の他の一側面は、前記研磨方法又は前記半導体部品の製造方法を用いた接合体の製造方法を提供することを目的とする。
　本開示の一側面は、セリウム酸化物を含む砥粒と、ヒドロキシ基を有するエーテル化合物と、を含有する、樹脂を含有する被研磨部材の研磨用の研磨液を提供する。
　本開示の他の一側面は、上述の研磨液を用いて、樹脂を含有する被研磨部材を研磨する、研磨方法を提供する。
　このような研磨液及び研磨方法によれば、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度を向上させることができる。
　本開示の他の一側面は、上述の研磨方法により研磨された被研磨部材を個片化することにより半導体部品を得る、半導体部品の製造方法を提供する。
　本開示の他の一側面は、上述の研磨方法により研磨された被研磨部材の接合面、又は、上述の半導体部品の製造方法により得られた半導体部品の接合面と、被接合体の接合面と、を接合する、接合体の製造方法を提供する。
　本開示の一側面によれば、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度を向上させることが可能な研磨液を提供することができる。本開示の他の一側面によれば、前記研磨液を用いた研磨方法を提供することができる。本開示の他の一側面によれば、前記研磨方法を用いた半導体部品の製造方法を提供することができる。本開示の他の一側面によれば、前記研磨方法又は前記半導体部品の製造方法を用いた接合体の製造方法を提供することができる。本開示の他の一側面によれば、樹脂を含有する被研磨部材の研磨への研磨液の応用を提供することができる。
被研磨部材の一例を模式的に示す断面図である。
　以下、本開示の実施形態について説明する。但し、本開示は下記実施形態に限定されるものではない。
　本明細書において、「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。数値範囲の「Ａ以上」とは、Ａ、及び、Ａを超える範囲を意味する。数値範囲の「Ａ以下」とは、Ａ、及び、Ａ未満の範囲を意味する。本明細書に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値と任意に組み合わせることができる。本明細書に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。「Ａ又はＢ」とは、Ａ及びＢのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。本明細書に例示する材料は、特に断らない限り、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。「アルキル基」は、特に断らない限り、直鎖状、分岐又は環状のいずれであってもよい。「砥粒」とは、複数の粒子の集合を意味するが、便宜的に、砥粒を構成する一の粒子を砥粒と呼ぶことがある。
＜研磨液＞
　本実施形態に係る研磨液は、セリウム酸化物を含む砥粒と、ヒドロキシ基を有するエーテル化合物（以下、場合により「エーテル化合物Ａ」という）と、を含有する、樹脂を含有する被研磨部材の研磨用の研磨液である。本実施形態に係る研磨液は、ＣＭＰ研磨液として用いることができる。
　本実施形態に係る研磨液によれば、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度を向上させることが可能であり、後述の実施例に記載の評価方法において０．４０μｍ／ｍｉｎを超える研磨速度を得ることができる。樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ノボラック樹脂、ポリエステル樹脂（例えば不飽和ポリエステル樹脂）、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）、ポリアリルエーテル樹脂、複素環含有樹脂（前記で例示した樹脂を除く）等が挙げられる。「複素環含有樹脂」としては、ピロール環含有樹脂、ピリジン環含有樹脂、イミダゾール環含有樹脂等が挙げられる。樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度が向上する要因は必ずしも明らかではないが、本発明者は、下記のとおりであると推測している。すなわち、ヒドロキシ基を有するエーテル化合物（エーテル化合物Ａ）を用いることにより、樹脂が存在する被研磨面の濡れ性が向上する。また、セリウム酸化物を含む砥粒が比較的軟質であることから、砥粒が樹脂表面で滑ることなく効率的に樹脂内部へ進入できる。これらにより、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度が向上すると推測される。但し、効果が得られる要因は当該内容に限定されない。
　本実施形態に係る研磨液によれば、金属の研磨速度を向上させることもできる。金属としては、銅、コバルト、タンタル、アルミニウム、チタン、タングステン等が挙げられる。
　近年、電子デバイスの高速化、低消費電力化、大容量化等の観点から、半導体チップの三次元集積化技術の開発が進められており、ｃｈｉｐ－ｔｏ－ｃｈｉｐに代えて、ｗａｆｅｒ－ｔｏ－ｗａｆｅｒによるチップ接合需要が高まっている。接合面には、封止材である樹脂（例えばエポキシ樹脂）、及び、配線材料である金属（例えば銅）が存在する場合がある。これに対し、本実施形態に係る研磨液によれば、樹脂（例えばエポキシ樹脂）及び金属（例えば銅）を含有する被研磨部材を研磨するために用いられる研磨液として、樹脂及び金属を含有する被研磨部材の研磨速度を向上させることが可能であり、例えば、樹脂を含有する基材部と、基材部に形成された開口（基材部の厚さ方向に延びる開口）に配置されると共に金属を含有する金属部（ビア）と、を備える被研磨部材における、樹脂及び金属が存在する被研磨面の研磨速度を向上させることができる。このような研磨液によれば、樹脂及び金属が存在する上述の接合面の平滑化を好適に行うことができる。
　また、上述の封止材が、樹脂に加えて、ケイ素化合物（ケイ素を含む化合物；例えばケイ素酸化物）を含む粒子を充填剤として含有することにより、上述の接合面に樹脂、ケイ素化合物及び金属が存在する場合がある。これに対し、本実施形態に係る研磨液によれば、樹脂（例えばエポキシ樹脂）、及び、ケイ素化合物（例えばケイ素酸化物）を含有する被研磨部材を研磨するために用いられる研磨液として、樹脂及びケイ素化合物を含有する被研磨部材の研磨速度を向上させることが可能であり、例えば、樹脂、及び、ケイ素化合物を含む粒子を含有する基材部と、基材部に形成された開口（基材部の厚さ方向に延びる開口）に配置されると共に金属を含有する金属部（ビア）と、を備える被研磨部材における、樹脂、ケイ素化合物及び金属が存在する被研磨面の研磨速度を向上させることができる。このような研磨液によれば、樹脂、ケイ素化合物及び金属が存在する上述の接合面の平滑化を好適に行うことができる。図１は、被研磨部材の一例を模式的に示す断面図であり、被研磨面と平行な断面を示す。図１に示す被研磨部材１０は、基材部１２と、基材部１２に形成された開口に配置された金属部１４と、を備え、基材部１２は、樹脂１２ａ、及び、ケイ素化合物を含む粒子１２ｂを含有している。但し、各部材（粒子１２ｂ、金属部１４等）の寸法及び数、部材間の寸法比率などは、図示される内容に限られない。
　ケイ素化合物としては、ケイ素酸化物（例えばＳｉＯ２）、ＳｉＯＣ、ケイ素窒化物（例えばＳｉＮ）等が挙げられる。樹脂、及び、ケイ素化合物を含む粒子を含有する被研磨部材の断面において、粒子の直径は０．０１～１００μｍであってよく、粒子の占有する面積の割合（基準：断面全体）は１～９９％であってよい。基材部の厚さ方向に垂直な金属部の断面形状は円形であってよく、金属部の直径は１～２００μｍであってよい。隣接するビアの間隔は、１～２００μｍであってよい。
　本実施形態に係る研磨液は、セリウム酸化物を含む砥粒を含有する。セリウム酸化物を含む砥粒を用いることにより、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度を向上させることが可能であり、樹脂及びケイ素化合物を含有する被研磨部材の研磨速度を向上させやすい。砥粒は、一種又は複数種の粒子を含んでよい。セリウム酸化物以外の砥粒の構成材料としては、シリカ（ＳｉＯ２）、アルミナ、ジルコニア、チタニア、ゲルマニア、炭化ケイ素等の無機材料などが挙げられる。本実施形態に係る研磨液は、砥粒として、アルミナを含有しなくてよい。アルミナの含有量は、研磨液の全質量を基準として、０．１質量％以下、０．１質量％未満、０．０１質量％以下、０．００１質量％以下、又は、実質的に０質量％であってよい。
　砥粒におけるセリウム酸化物の含有量は、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、砥粒全体（研磨液に含まれる砥粒全体、又は、砥粒を構成する一の粒子の全体）を基準として、９０質量％以上、９３質量％以上、９５質量％以上、９５質量％超、９８質量％以上、９９質量％以上、９９．５質量％以上、又は、９９．９質量％以上であってよい。砥粒は、実質的にセリウム酸化物からなる態様（実質的に砥粒の１００質量％がセリウム酸化物である態様）であってよい。
　砥粒の平均粒径Ｄ５０及びＤ８０は、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、下記の範囲であってよい。砥粒の平均粒径Ｄ５０及びＤ８０は、体積基準の累積分布の５０％粒径及び８０％粒径を意味し、例えばレーザー回折式粒度分布計により測定できる。砥粒の平均粒径は、例えばレーザー回折式粒度分布計により測定できる。砥粒の平均粒径は、自然沈降、粉砕処理、分散、ろ過等により調整可能であり、例えば、研磨液の構成成分を混合した後に粒径調整を施してよい。
　砥粒の平均粒径Ｄ５０は、１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以上、１００ｎｍ以上、１５０ｎｍ以上、２００ｎｍ以上、２５０ｎｍ以上、３００ｎｍ以上、３２０ｎｍ以上、又は、３４０ｎｍ以上であってよい。砥粒の平均粒径Ｄ５０は、１０００ｎｍ以下、８００ｎｍ以下、６００ｎｍ以下、５００ｎｍ以下、４５０ｎｍ以下、４００ｎｍ以下、又は、３５０ｎｍ以下であってよい。これらの観点から、砥粒の平均粒径Ｄ５０は、１０～１０００ｎｍであってよい。
　砥粒の平均粒径Ｄ８０は、５０ｎｍ以上、１００ｎｍ以上、２００ｎｍ以上、３００ｎｍ以上、３５０ｎｍ以上、４００ｎｍ以上、４５０ｎｍ以上、５００ｎｍ以上、５５０ｎｍ以上、又は、６００ｎｍ以上であってよい。砥粒の平均粒径Ｄ８０は、１２００ｎｍ以下、１１００ｎｍ以下、１０００ｎｍ以下、９００ｎｍ以下、８００ｎｍ以下、７５０ｎｍ以下、７００ｎｍ以下、又は、６５０ｎｍ以下であってよい。これらの観点から、砥粒の平均粒径Ｄ８０は、５０～１２００ｎｍであってよい。
　砥粒の含有量は、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。砥粒の含有量は、０．０１質量％以上、０．０５質量％以上、０．１質量％以上、０．３質量％以上、０．５質量％以上、０．７質量％以上、０．８質量％以上、０．９質量％以上、又は、１質量％以上であってよい。砥粒の含有量は、１０質量％以下、８質量％以下、５質量％以下、４質量％以下、３質量％以下、２質量％以下、又は、１質量％以下であってよい。これらの観点から、砥粒の含有量は、０．０１～１０質量％、０．１～５質量％、又は、０．５～２質量％であってよい。
　本実施形態に係る研磨液は、ヒドロキシ基を有するエーテル化合物（エーテル化合物Ａ）を含有する。ヒドロキシ基を有するエーテル化合物は、少なくとも一つのヒドロキシ基及び少なくとも一つのエーテル基を有する化合物である。エーテル化合物Ａにおける「エーテル基」は、ヒドロキシ基（水酸基）、カルボキシ基、カルボン酸塩基、エステル基、スルホ基及びリン酸基における「－Ｏ－」構造を包含しない。ヒドロキシ基は、カルボキシ基、エステル基、スルホ基及びリン酸基に含まれるＯＨ基を包含しない。エーテル化合物Ａは、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、炭素原子同士を結合するエーテル基を有する化合物を含んでよい。
　エーテル化合物Ａは、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、ヒドロキシ基の数が下記の範囲である化合物を含んでよい。ヒドロキシ基の数は、１以上であり、２以上、３以上、４以上、５以上、６以上、８以上、９以上、１０以上、１１以上、又は、１２以上であってよい。ヒドロキシ基の数は、２０以下、１５以下、１２以下、１１以下、１０以下、９以下、８以下、６以下、５以下、４以下、３以下、又は、２以下であってよい。これらの観点から、ヒドロキシ基の数は、１～２０であってよい。エーテル化合物Ａは、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、１つのヒドロキシ基を有する化合物と、２つ以上のヒドロキシ基を有する化合物と、を含んでよい。
　エーテル化合物Ａは、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、エーテル基の数が下記の範囲である化合物を含んでよい。エーテル基の数は、１以上であり、２以上、３以上、４以上、５以上、６以上、８以上、又は、９以上であってよい。エーテル基の数は、２０以下、１５以下、１２以下、１１以下、１０以下、９以下、８以下、６以下、５以下、４以下、３以下、又は、２以下であってよい。これらの観点から、エーテル基の数は、１～２０であってよい。エーテル化合物Ａは、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、１つのエーテル基を有する化合物と、２つ以上のエーテル基を有する化合物と、を含んでよい。
　エーテル化合物Ａは、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、アルコキシアルコールを含んでよい。アルコキシアルコールとしては、２－メトキシエタノール、２－エトキシエタノール、２－（２－メトキシ）エトキシエタノール、２－（２－ブトキシエトキシ）エタノール、２－プロポキシエタノール、２－ブトキシエタノール、３－メトキシ－３－メチル－１－ブタノール、２－（メトキシメトキシ）エタノール、２－イソプロポキシエタノール、２－ブトキシエタノール、２－イソペンチルオキシエタノール、１－プロポキシ－２－プロパノール、３－メトキシ－３－メチル－１－ブタノール、３－メトキシ－１－ブタノール、３－メトキシ－３－メチルブタノール、１－メトキシ－２－ブタノール、グリコールモノエーテル等が挙げられる。アルコキシアルコールは、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、炭素数が１～５、１～４、１～３、１～２、又は、２～３のアルコキシ基を有する化合物を含んでよい。アルコキシアルコールは、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、１－プロポキシ－２－プロパノールを含んでよく、３－メトキシ－３－メチル－１－ブタノールを含んでよい。
　エーテル化合物Ａは、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、ポリエーテルを含んでよく、アルコキシアルコール及びポリエーテルを含んでよい。ポリエーテルとしては、ポリグリセリン、多糖類、ポリアルキレングリコール、ポリオキシプロピレンポリグリセリルエーテル、ポリオキシエチレンポリグリセリルエーテル、１，４－ジ（２－ヒドロキシエトキシ）ベンゼン、２，２－ビス（４－ポリオキシエチレンオキシフェニル）プロパン、２，２－ビス（４－ポリオキシプロピレンオキシフェニル）プロパン、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、ポリオキシアルキレンモノフェニルエーテル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、ポリオキシプロピレンモノメチルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル、ペンタエリスリトールポリオキシエチレンエーテル、エチレングリコールモノアリルエーテル、ポリオキシエチレンモノアリルエーテル、アルキルグルコシド等が挙げられる。ポリエーテルとしては、アルコキシアルコールとは異なる化合物を用いてよい。ポリエーテルは、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、ポリグリセリンを含んでよい。
　エーテル化合物Ａは、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、グリセリンの平均重合度が下記の範囲のポリグリセリンを含んでよい。平均重合度は、３以上、４以上、５以上、８以上、又は、１０以上であってよい。平均重合度は、１００以下、５０以下、３０以下、２０以下、１５以下、１２以下、又は、１０以下であってよい。これらの観点から、平均重合度は、３～１００であってよい。
　エーテル化合物Ａは、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、水酸基価が下記の範囲のポリグリセリンを含んでよい。水酸基価は、１００以上、２００以上、３００以上、４００以上、５００以上、６００以上、７００以上、８００以上、８５０以上、又は、８７０以上であってよい。水酸基価は、２０００以下、１５００以下、１２００以下、１１００以下、１０００以下、９５０以下、９３０以下、又は、９１０以下であってよい。これらの観点から、水酸基価は、１００～２０００であってよい。
　エーテル化合物Ａは、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、１つのヒドロキシ基及び１つのエーテル基を有する化合物を含んでよい。エーテル化合物Ａは、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、置換基としてヒドロキシ基を有するアルキル基と、無置換のアルキル基と、を結合するエーテル基を有する化合物を含んでよく、当該化合物は、１つのヒドロキシ基及び１つのエーテル基を有する化合物であってよい。
　エーテル化合物Ａは、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、下記分子量を有する化合物を含んでよい。分子量は、５０以上、８０以上、１００以上、１１０以上、１１５以上、１１８以上、１２０以上、１５０以上、２００以上、２００超、３００以上、５００以上、７００以上、又は、７５０以上であってよい。分子量は、３０００以下、２０００以下、１５００以下、１２００以下、１０００以下、８００以下、７５０以下、７００以下、５００以下、３００以下、２００以下、２００未満、１５０以下、又は、１２０以下であってよい。これらの観点から、分子量は、５０～３０００であってよい。エーテル化合物Ａは、例えば、分子量２００未満のアルコキシアルコールを含んでよい。
　エーテル化合物Ａが高分子である場合には、上述の分子量として重量平均分子量（Ｍｗ）を用いてよい。重量平均分子量は、例えば、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ：Ｇｅｌ　Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ　Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）を用いて、下記の条件で測定できる。
［条件］
　試料：２０μＬ
　標準ポリエチレングリコール：ポリマー・ラボラトリー社製、標準ポリエチレングリコール（分子量：１０６、１９４、４４０、６００、１４７０、４１００、７１００、１０３００、１２６００、２３０００）
　検出器：昭和電工株式会社製、ＲＩ－モニター、商品名「Ｓｙｏｄｅｘ－ＲＩ　ＳＥ－６１」
　ポンプ：株式会社日立製作所製、商品名「Ｌ－６０００」
　カラム：昭和電工株式会社製、商品名「ＧＳ－２２０ＨＱ」、「ＧＳ－６２０ＨＱ」をこの順番で連結して使用
　溶離液：０．４ｍｏｌ／Ｌの塩化ナトリウム水溶液
　測定温度：３０℃
　流速：１．００ｍＬ／ｍｉｎ
　測定時間：４５ｍｉｎ
　アルコキシアルコールの含有量は、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、エーテル化合物の全質量（研磨液に含まれるエーテル化合物の全質量）、又は、エーテル化合物Ａの全質量（研磨液に含まれるエーテル化合物Ａの全質量）を基準として下記の範囲であってよい。アルコキシアルコールの含有量は、５質量％以上、８質量％以上、１０質量％以上、１２質量％以上、１５質量％以上、１８質量％以上、２０質量％以上、又は、２３質量％以上であってよい。アルコキシアルコールの含有量は、２５質量％以上、３０質量％以上、３５質量％以上、又は、４０質量％以上であってよい。アルコキシアルコールの含有量は、９５質量％以下、９０質量％以下、８５質量％以下、８０質量％以下、７５質量％以下、７０質量％以下、６５質量％以下、６０質量％以下、５５質量％以下、５０質量％以下、４５質量％以下、４０質量％以下、３５質量％以下、３０質量％以下、又は、２５質量％以下であってよい。これらの観点から、アルコキシアルコールの含有量は、５～９５質量％であってよい。
　ポリエーテルの含有量又はポリグリセリンの含有量として含有量Ａは、エーテル化合物の全質量（研磨液に含まれるエーテル化合物の全質量）、又は、エーテル化合物Ａの全質量（研磨液に含まれるエーテル化合物Ａの全質量）を基準として下記の範囲であってよい。含有量Ａは、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、５質量％以上、１０質量％以上、１５質量％以上、２０質量％以上、２５質量％以上、３０質量％以上、３５質量％以上、４０質量％以上、４５質量％以上、５０質量％以上、５５質量％以上、６０質量％以上、６５質量％以上、７０質量％以上、又は、７５質量％以上であってよい。含有量Ａは、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、９５質量％以下、９２質量％以下、９０質量％以下、８８質量％以下、８５質量％以下、８２質量％以下、８０質量％以下、又は、７７質量％以下であってよい。含有量Ａは、７５質量％以下、７０質量％以下、６５質量％以下、又は、６０質量％以下であってよい。これらの観点から、含有量Ａは、５～９５質量％であってよい。
　エーテル化合物Ａの含有量は、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。エーテル化合物Ａの含有量は、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、０．１質量％以上、０．３質量％以上、０．５質量％以上、０．８質量％以上、１質量％以上、１質量％超、１．１質量％以上、１．２質量％以上、又は、１．３質量％以上であってよい。エーテル化合物Ａの含有量は、１．４質量％以上、１．５質量％以上、又は、１．６質量％以上であってよい。エーテル化合物Ａの含有量は、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、１０質量％以下、８質量％以下、５質量％以下、３質量％以下、２質量％以下、１．８質量％以下、１．７質量％以下、１．６質量％以下、１．５質量％以下、又は、１．４質量％以下であってよい。これらの観点から、エーテル化合物Ａの含有量は、０．１～１０質量％、０．５～５質量％、又は、１～３質量％であってよい。
　アルコキシアルコールの含有量は、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。アルコキシアルコールの含有量は、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、０．０１質量％以上、０．０３質量％以上、０．０５質量％以上、０．０８質量％以上、０．１質量％以上、０．１５質量％以上、０．２質量％以上、０．２５質量％以上、又は、０．３質量％以上であってよい。アルコキシアルコールの含有量は、０．３５質量％以上、０．４質量％以上、０．４５質量％以上、０．５質量％以上、０．５５質量％以上、０．６質量％以上、又は、０．６５質量％以上であってよい。アルコキシアルコールの含有量は、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、５質量％以下、３質量％以下、１質量％以下、０．８質量％以下、０．７質量％以下、０．６５質量％以下、０．６質量％以下、０．５５質量％以下、０．５質量％以下、０．４５質量％以下、０．４質量％以下、又は、０．３５質量％以下であってよい。これらの観点から、アルコキシアルコールの含有量は、０．０１～５質量％、０．１～１質量％、又は、０．２～０．８質量％であってよい。
　ポリエーテルの含有量又はポリグリセリンの含有量として含有量Ｂは、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。含有量Ｂは、０．０１質量％以上、０．０５質量％以上、０．１質量％以上、０．３質量％以上、０．５質量％以上、０．６質量％以上、０．８質量％以上、０．９質量％以上、又は、１質量％以上であってよい。含有量Ｂは、１０質量％以下、８質量％以下、７質量％以下、６質量％以下、５質量％以下、４質量％以下、３質量％以下、２質量％以下、１．５質量％以下、又は、１質量％以下であってよい。これらの観点から、含有量Ｂは、０．０１～１０質量％、０．１～５質量％、又は、０．５～３質量％であってよい。
　エーテル化合物Ａの含有量は、砥粒１００質量部に対して下記の範囲であってよい。エーテル化合物Ａの含有量は、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、１０質量部以上、３０質量部以上、５０質量部以上、８０質量部以上、１００質量部以上、１００質量部超、１１０質量部以上、１２０質量部以上、又は、１３０質量部以上であってよい。エーテル化合物Ａの含有量は、１４０質量部以上、１５０質量部以上、又は、１６０質量部以上であってよい。エーテル化合物Ａの含有量は、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、１０００質量部以下、８００質量部以下、５００質量部以下、３００質量部以下、２００質量部以下、１８０質量部以下、１７０質量部以下、１６０質量部以下、１５０質量部以下、又は、１４０質量部以下であってよい。これらの観点から、エーテル化合物Ａの含有量は、１０～１０００質量部であってよい。
　アルコキシアルコールの含有量は、砥粒１００質量部に対して下記の範囲であってよい。アルコキシアルコールの含有量は、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、１質量部以上、３質量部以上、５質量部以上、８質量部以上、１０質量部以上、１５質量部以上、２０質量部以上、２５質量部以上、又は、３０質量部以上であってよい。アルコキシアルコールの含有量は、３５質量部以上、４０質量部以上、４５質量部以上、５０質量部以上、５５質量部以上、６０質量部以上、又は、６５質量部以上であってよい。アルコキシアルコールの含有量は、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、５００質量部以下、３００質量部以下、１００質量部以下、８０質量部以下、７０質量部以下、６５質量部以下、６０質量部以下、５５質量部以下、５０質量部以下、４５質量部以下、４０質量部以下、又は、３５質量部以下であってよい。これらの観点から、アルコキシアルコールの含有量は、１～５００質量部であってよい。
　ポリエーテルの含有量又はポリグリセリンの含有量として含有量Ｃは、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、砥粒１００質量部に対して下記の範囲であってよい。含有量Ｃは、１質量部以上、５質量部以上、１０質量部以上、３０質量部以上、５０質量部以上、６０質量部以上、８０質量部以上、９０質量部以上、又は、１００質量部以上であってよい。含有量Ｃは、１０００質量部以下、８００質量部以下、７００質量部以下、６００質量部以下、５００質量部以下、４００質量部以下、３００質量部以下、２００質量部以下、１５０質量部以下、又は、１００質量部以下であってよい。これらの観点から、含有量Ｃは、１～１０００質量部であってよい。
　アルコキシアルコールの含有量は、ポリエーテル１００質量部又はポリグリセリン１００質量部に対して下記の範囲であってよい。アルコキシアルコールの含有量は、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、１質量部以上、３質量部以上、５質量部以上、８質量部以上、１０質量部以上、１５質量部以上、２０質量部以上、２５質量部以上、又は、３０質量部以上であってよい。アルコキシアルコールの含有量は、３５質量部以上、４０質量部以上、４５質量部以上、５０質量部以上、５５質量部以上、６０質量部以上、又は、６５質量部以上であってよい。アルコキシアルコールの含有量は、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、１０００質量部以下、８００質量部以下、７００質量部以下、６００質量部以下、５００質量部以下、４００質量部以下、３００質量部以下、２００質量部以下、１５０質量部以下、１２０質量部以下、１００質量部以下、８０質量部以下、７０質量部以下、６５質量部以下、６０質量部以下、５５質量部以下、５０質量部以下、４５質量部以下、４０質量部以下、又は、３５質量部以下であってよい。これらの観点から、アルコキシアルコールの含有量は、１～１０００質量部であってよい。
（水）
　本実施形態に係る研磨液は、水を含有してよい。水は、研磨液から他の構成成分を除いた残部として含有されていればよい。水の含有量は、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。水の含有量は、９０質量％以上、９１質量％以上、９２質量％以上、９３質量％以上、９４質量％以上、９４．５質量％以上、９５質量％以上、９５．５質量％以上、又は、９６質量％以上であってよい。水の含有量は、１００質量％未満、９９質量％以下、９８質量％以下、９７質量％以下、９６質量％以下、又は、９５．５質量％以下であってよい。これらの観点から、水の含有量は、９０質量％以上１００質量％未満であってよい。
（添加剤）
　本実施形態に係る研磨液は、砥粒、エーテル化合物Ａ、及び、水以外の成分を含有してよい。このような成分としては、ヒドロキシ基を有しないエーテル化合物、酸成分、アンモニア、防食剤、塩基性水酸化物、界面活性剤、消泡剤等が挙げられる。本実施形態に係る研磨液は、これらの成分の少なくとも一種を含有しなくてもよい。
　本実施形態に係る研磨液は、酸成分を含有してよい。酸成分が金属と錯体を形成すること、酸成分が金属を溶解すること等により、金属の研磨速度が向上しやすいと推測される。本実施形態に係る研磨液は、酸成分として、有機酸成分を含有してよく、無機酸成分を含有してよい。
　有機酸成分としては、有機酸（アミノ酸を除く）、有機酸エステル、有機酸塩、アミノ酸等が挙げられる。有機酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、２－メチル酪酸、ｎ－ヘキサン酸、３，３－ジメチル酪酸、２－エチル酪酸、４－メチルペンタン酸、ｎ－ヘプタン酸、２－メチルヘキサン酸、ｎ－オクタン酸、２－エチルヘキサン酸、安息香酸、グリコール酸、サリチル酸、グリセリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、３－メチルフタル酸、４－メチルフタル酸、３－アミノフタル酸、４－アミノフタル酸、３－ニトロフタル酸、４－ニトロフタル酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、イソフタル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、ｐ－トルエンスルホン酸、ｐ－フェノールスルホン酸、メチルスルホン酸、乳酸、イタコン酸、マレイン酸、キナルジン酸、アジピン酸、ピメリン酸等が挙げられる。有機酸エステルとしては、上述の有機酸のエステル等が挙げられる。有機酸塩としては、上述の有機酸のアンモニウム塩、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、ハロゲン化物等が挙げられる。アミノ酸としては、アラニン、アルギニン、アスパラギン、アスパラギン酸、システイン、グルタミン、グルタミン酸、グリシン、ヒスチジン、イソロイシン、ロイシン、リシン、メチオニン、フェニルアラニン、プロリン、セリン、トレオニン、トリプトファン、チロシン、バリン等が挙げられる。
　無機酸成分としては、無機酸、無機酸のアンモニウム塩、クロム酸等が挙げられる。無機酸としては、塩酸、硫酸、硝酸等が挙げられる。無機酸のアンモニウム塩としては、硝酸アンモニウム、塩化アンモニウム、臭化アンモニウム等の１価の無機酸のアンモニウム塩；炭酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、過硫酸アンモニウム等の２価の無機酸のアンモニウム塩；リン酸アンモニウム、ホウ酸アンモニウム等の３価の無機酸のアンモニウム塩などが挙げられる。
　有機酸成分は、金属の研磨速度が更に向上しやすい観点から、アミノ酸とは異なる有機酸、及び、アミノ酸からなる群より選ばれる少なくとも一種を含んでよく、リンゴ酸及びグリシンからなる群より選ばれる少なくとも一種を含んでよい。無機酸成分は、金属の研磨速度が更に向上しやすい観点から、炭酸アンモニウム、及び、過硫酸アンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも一種を含んでよい。
　酸成分の含有量は、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。酸成分の含有量は、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、０．０１質量％以上、０．０５質量％以上、０．１質量％以上、０．２質量％以上、０．３質量％以上、０．４質量％以上、０．５質量％以上、０．６質量％以上、０．７質量％以上、０．８質量％以上、０．９質量％以上、１質量％以上、１．１質量％以上、１．２質量％以上、１．３質量％以上、１．４質量％以上、１．５質量％以上、又は、１．６質量％以上であってよい。酸成分の含有量は、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、５質量％以下、４．５質量％以下、４質量％以下、３．５質量％以下、３質量％以下、２．５質量％以下、２質量％以下、１．９質量％以下、１．８質量％以下、又は、１．７質量％以下であってよい。酸成分の含有量は、１．６質量％以下、１．５質量％以下、１．４質量％以下、又は、１．３質量％以下であってよい。これらの観点から、酸成分の含有量は、０．０１～５質量％であってよい。
　有機酸成分の含有量は、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。有機酸成分の含有量は、０．０１質量％以上、０．０５質量％以上、０．１質量％以上、０．１５質量％以上、０．２質量％以上、０．２５質量％以上、０．３質量％以上、０．３５質量％以上、０．４質量％以上、又は、０．４１質量％以上であってよい。有機酸成分の含有量は、５質量％以下、４質量％以下、３質量％以下、２質量％以下、１質量％以下、０．８質量％以下、０．６質量％以下、０．５質量％以下、０．４５質量％以下、又は、０．４１質量％以下であってよい。これらの観点から、有機酸成分の含有量は、０．０１～５質量％であってよい。
　無機酸成分の含有量は、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。無機酸成分の含有量は、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、０．０１質量％以上、０．０５質量％以上、０．１質量％以上、０．２質量％以上、０．３質量％以上、０．４質量％以上、０．５質量％以上、０．６質量％以上、０．７質量％以上、０．８質量％以上、０．９質量％以上、１質量％以上、１．１質量％以上、又は、１．２質量％以上であってよい。無機酸成分の含有量は、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、５質量％以下、４．５質量％以下、４質量％以下、３．５質量％以下、３質量％以下、２．５質量％以下、２質量％以下、１．８質量％以下、１．６質量％以下、１．５質量％以下、１．４質量％以下、又は、１．３質量％以下であってよい。無機酸成分の含有量は、１．２質量％以下、１．１質量％以下、１質量％以下、０．９質量％以下、又は、０．８質量％以下であってよい。これらの観点から、無機酸成分の含有量は、０．０１～５質量％であってよい。
　本実施形態に係る研磨液は、アンモニアを含有してよい。アンモニアが金属と錯体を形成し、金属の研磨速度が向上しやすいと推測される。本実施形態に係る研磨液は、金属の研磨速度が更に向上しやすい観点から、アンモニウムカチオン及びアンモニアからなる群より選ばれる少なくとも一種を含有してよく、アンモニウム塩（例えば、上述の無機酸のアンモニウム塩）及びアンモニアからなる群より選ばれる少なくとも一種を含有してよい。
　アンモニアの含有量は、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。アンモニアの含有量は、０．０１質量％以上、０．０３質量％以上、０．０５質量％以上、０．０８質量％以上、０．１質量％以上、０．１２質量％以上、又は、０．１５質量％以上であってよい。アンモニアの含有量は、５質量％以下、４質量％以下、３質量％以下、２質量％以下、１質量％以下、０．８質量％以下、０．５質量％以下、０．３質量％以下、０．２質量％以下、又は、０．１５質量％以下であってよい。これらの観点から、アンモニアの含有量は、０．０１～５質量％であってよい。
　本実施形態に係る研磨液は、金属に対する防食作用を有する化合物として、防食剤（金属の防食剤）を含有してよい。防食剤は、金属に対して保護膜を形成することで、金属のエッチングを抑制して被研磨面の荒れを低減しやすい。
　防食剤は、トリアゾール化合物、ピリジン化合物、ピラゾール化合物、ピリミジン化合物、イミダゾール化合物、グアニジン化合物、チアゾール化合物、テトラゾール化合物、トリアジン化合物及びヘキサメチレンテトラミンからなる群より選ばれる少なくとも一種を含んでよい。「化合物」とは、その骨格を有する化合物の総称であり、例えば「トリアゾール化合物」とは、トリアゾール骨格を有する化合物を意味する。防食剤は、好適な防食作用を得やすい観点から、トリアゾール化合物を含んでよい。
　トリアゾール化合物としては、１，２，３－トリアゾール、１，２，４－トリアゾール、３－アミノ－１Ｈ－１，２，４－トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１－ヒドロキシベンゾトリアゾール、１－ジヒドロキシプロピルベンゾトリアゾール、２，３－ジカルボキシプロピルベンゾトリアゾール、４－ヒドロキシベンゾトリアゾール、４－カルボキシ－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、４－カルボキシ－１Ｈ－ベンゾトリアゾールメチルエステル（１Ｈ－ベンゾトリアゾール－４－カルボン酸メチル）、４－カルボキシ－１Ｈ－ベンゾトリアゾールブチルエステル（１Ｈ－ベンゾトリアゾール－４－カルボン酸ブチル）、４－カルボキシ－１Ｈ－ベンゾトリアゾールオクチルエステル（１Ｈ－ベンゾトリアゾール－４－カルボン酸オクチル）、５－ヘキシルベンゾトリアゾール、［１，２，３－ベンゾトリアゾリル－１－メチル］［１，２，４－トリアゾリル－１－メチル］［２－エチルヘキシル］アミン、トリルトリアゾール、ナフトトリアゾール、ビス［（１－ベンゾトリアゾリル）メチル］ホスホン酸、３Ｈ－１，２，３－トリアゾロ［４，５－ｂ］ピリジン－３－オール、１Ｈ－１，２，３－トリアゾロ［４，５－ｂ］ピリジン、１－アセチル－１Ｈ－１，２，３－トリアゾロ［４，５－ｂ］ピリジン、１，２，４－トリアゾロ［１，５－ａ］ピリミジン、２－メチル－５，７－ジフェニル－［１，２，４］トリアゾロ［１，５－ａ］ピリミジン、２－メチルサルファニル－５，７－ジフェニル－［１，２，４］トリアゾロ［１，５－ａ］ピリミジン、２－メチルサルファニル－５，７－ジフェニル－４，７－ジヒドロ－［１，２，４］トリアゾロ［１，５－ａ］ピリミジン等が挙げられる。一分子中にトリアゾール骨格と、それ以外の骨格とを有する化合物は、トリアゾール化合物に分類するものとする。本実施形態に係る研磨液は、好適な防食作用を得やすい観点から、ヒドロキシ基を有するトリアゾール化合物を含有してよく、１－ヒドロキシベンゾトリアゾールを含有してよい。
　防食剤の含有量は、好適な防食作用を得やすい観点から、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。防食剤の含有量は、０．００１質量％以上、０．００３質量％以上、０．００５質量％以上、０．００８質量％以上、０．０１質量％以上、０．０２質量％以上、０．０２５質量％以上、又は、０．０３質量％以上であってよい。防食剤の含有量は、１質量％以下、０．５質量％以下、０．３質量％以下、０．１質量％以下、０．０８質量％以下、０．０５質量％以下、０．０４質量％以下、０．０３質量％以下、又は、０．０２５質量％以下であってよい。これらの観点から、防食剤の含有量は、０．００１～１質量％であってよい。
　本実施形態に係る研磨液は、塩基性水酸化物を含有してよい。塩基性水酸化物を用いることにより、金属の研磨速度が向上しやすい。塩基性水酸化物としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物；アルカリ土類金属水酸化物；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）などが挙げられる。
　塩基性水酸化物の含有量は、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。塩基性水酸化物の含有量は、０．０１質量％以上、０．０５質量％以上、０．１質量％以上、０．１５質量％以上、０．２質量％以上、０．２５質量％以上、０．３質量％以上、０．３５質量％以上、０．４質量％以上、０．４５質量％以上、又は、０．４８質量％以上であってよい。塩基性水酸化物の含有量は、５質量％以下、４質量％以下、３質量％以下、２質量％以下、１質量％以下、０．８質量％以下、０．６質量％以下、０．５質量％以下、又は、０．４８質量％以下であってよい。これらの観点から、塩基性水酸化物の含有量は、０．０１～５質量％であってよい。
　本実施形態に係る研磨液は、過酸化物を含有しなくてよい。当該過酸化物としては、上述のアンモニウム塩を含めて、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過酸化水素、硝酸第二鉄、硝酸二アンモニウムセリウム、硫酸鉄、オゾン、次亜塩素酸、次亜塩素酸塩、過ヨウ素酸カリウム、過酢酸等が挙げられる。本実施形態に係る研磨液は、過酸化水素を含有しなくてよい。過酸化物の含有量又は過酸化水素の含有量は、研磨液の全質量を基準として、０．１質量％以下、０．１質量％未満、０．０１質量％以下、０．００１質量％以下、又は、実質的に０質量％であってよい。
（ｐＨ）
　本実施形態に係る研磨液のｐＨは、下記の範囲であってよい。研磨液のｐＨは、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、３．００以上、４．００以上、４．００超、５．００以上、６．００以上、７．００以上、７．００超、７．５０以上、８．００以上、８．００超、８．５０以上、９．００以上、又は、９．３０以上であってよい。研磨液のｐＨは、９．４０以上、又は、９．５０以上であってよい。研磨液のｐＨは、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度、及び、金属の研磨速度が向上しやすい観点から、１３．００以下、１２．００以下、１１．５０以下、１１．００以下、１０．５０以下、１０．００以下、９．８０以下、９．６０以下、９．５０以下、又は、９．４０以下であってよい。これらの観点から、研磨液のｐＨは、３．００～１３．００、７．００～１２．００、又は、９．００～１１．００であってよい。研磨液のｐＨは、上述の酸成分、アンモニア、塩基性水酸化物等により調整できる。
　本実施形態に係る研磨液のｐＨは、ｐＨメータ（例えば、東亜ディーケーケー株式会社製の型番：ＰＨＬ－４０）で測定できる。例えば、フタル酸塩ｐＨ緩衝液（ｐＨ：４．０１）及び中性リン酸塩ｐＨ緩衝液（ｐＨ：６．８６）を標準緩衝液として用いてｐＨメータを２点校正した後、ｐＨメータの電極を研磨液に入れ、２分以上経過して安定した後の値を測定する。このとき、標準緩衝液及び研磨液の液温は共に２５℃とする。
（保存態様）
　本実施形態に係る研磨液は、研磨液用貯蔵液として、水の量を使用時よりも減じて保存されてよい。研磨液用貯蔵液は、研磨液を得るための貯蔵液であり、使用前又は使用時に研磨液用貯蔵液を水で希釈することにより研磨液が得られる。希釈倍率は、例えば１．５倍以上である。
　本実施形態に係る研磨液は、砥粒と、エーテル化合物Ａと、を少なくとも含む一液式研磨液として保存してよく、スラリ（第一の液）と添加液（第二の液）とを有する複数液式研磨液として保存してもよい。複数液式研磨液では、スラリと添加液とを混合して研磨液となるように研磨液の構成成分がスラリと添加液とに分けられる。スラリは、例えば、砥粒及び水を少なくとも含む。添加液は、例えば、エーテル化合物Ａ及び水を少なくとも含む。砥粒、エーテル化合物Ａ、及び、水以外の成分は、スラリ及び添加液のうち添加液に含まれてよい。研磨液の構成成分は、三液以上に分けて保存してよい。複数液式研磨液においては、研磨直前又は研磨時にスラリ及び添加液が混合されて研磨液が調製されてよい。複数液式研磨液におけるスラリと添加液とをそれぞれ研磨定盤上へ供給し、研磨定盤上においてスラリ及び添加液が混合されて研磨液が調製されてもよい。
＜研磨方法＞
　本実施形態に係る研磨方法は、本実施形態に係る研磨液を用いて、樹脂を含有する被研磨部材を研磨する研磨工程を備える。研磨工程では、被研磨部材の被研磨面を研磨することが可能であり、樹脂が存在する被研磨面を研磨できる。
　被研磨部材は、樹脂及びケイ素化合物（例えばケイ素酸化物）を含有してよく、樹脂、及び、ケイ素化合物を含む粒子を含有してよい。研磨工程では、樹脂及びケイ素化合物が存在する被研磨面を研磨できる。被研磨部材は、樹脂及び金属（例えば銅）を含有してよい。研磨工程では、樹脂及び金属が存在する被研磨面を研磨できる。被研磨部材は、樹脂、ケイ素化合物（例えばケイ素酸化物）及び金属（例えば銅）を含有してよく、樹脂、ケイ素化合物を含む粒子、及び、金属を含有してよい。研磨工程では、樹脂、ケイ素化合物及び金属が存在する被研磨面を研磨できる。金属としては、銅、コバルト、タンタル、アルミニウム、チタン、タングステン等が挙げられる。ケイ素化合物としては、ケイ素酸化物（例えばＳｉＯ２）、ＳｉＯＣ、ケイ素窒化物（例えばＳｉＮ）等が挙げられる。研磨工程において、樹脂はエポキシ樹脂を含んでよく、被研磨部材が、樹脂、及び、ケイ素酸化物を含む粒子を含有してよい。
＜製造方法等＞
　本実施形態に係る部品の製造方法は、本実施形態に係る研磨方法により研磨された被研磨部材（基体）を個片化する個片化工程を備える。個片化工程は、例えば、本実施形態に係る研磨方法により研磨されたウエハ（例えば半導体ウエハ）をダイシングしてチップ（例えば半導体チップ）を得る工程であってよい。本実施形態に係る部品の製造方法の一態様として、本実施形態に係る半導体部品の製造方法は、本実施形態に係る研磨方法により研磨された被研磨部材を個片化することにより半導体部品（例えば、半導体チップ）を得る工程を備える。本実施形態に係る部品の製造方法は、個片化工程の前に、本実施形態に係る研磨方法により被研磨部材を研磨する研磨工程を備えてよい。本実施形態に係る部品は、本実施形態に係る部品の製造方法により得られる部品であり、半導体部品であってよく、チップ（例えば半導体チップ）等であってよい。
　本実施形態に係る接合体の製造方法は、本実施形態に係る研磨方法により研磨された被研磨部材の接合面、又は、本実施形態に係る部品の製造方法により得られた部品の接合面（例えば、本実施形態に係る半導体部品の製造方法により得られた半導体部品の接合面）と、被接合体の接合面と、を接合する接合工程を備える。被研磨部材の接合面、又は、部品の接合面は、本実施形態に係る研磨方法により研磨された被研磨面であってよい。被研磨部材又は部品と接合される被接合体は、本実施形態に係る研磨方法により研磨された被研磨部材、又は、本実施形態に係る部品の製造方法により得られた部品であってよく、これらの被研磨部材及び部品とは異なる被接合体であってもよい。接合工程では、被研磨部材又は部品の接合面が金属部を有すると共に被接合体の接合面が金属部を有する場合、金属部同士を接触させてよい。金属部は、銅を含んでよい。本実施形態に係る接合体は、本実施形態に係る接合体の製造方法により得られる接合体である。
　本実施形態に係る電子デバイスは、本実施形態に係る研磨方法により研磨された被研磨部材、本実施形態に係る部品、及び、本実施形態に係る接合体からなる群より選ばれる少なくとも一種を備える。
　以下、本開示を実施例に基づいて具体的に説明するが、本開示はこれに限定されるものではない。
＜研磨液の調製＞
（実施例１）
　セリウム酸化物粒子（砥粒、昭和電工マテリアルズ株式会社製、商品名：ＨＳ－８００５）、１－プロポキシ－２－プロパノール（エーテル化合物Ａ）、ポリグリセリン（エーテル化合物Ａ、グリセリン１０量体、阪本薬品工業株式会社製ＰＧＬ７５０、重量平均分子量：７５０、水酸基価：８７０～９１０）、リンゴ酸、グリシン、過硫酸アンモニウム、アンモニア、１－ヒドロキシベンゾトリアゾール、水酸化カリウム、及び、蒸留水を混合することにより、セリウム酸化物粒子１質量％、１－プロポキシ－２－プロパノール０．６７質量％、ポリグリセリン１質量％、リンゴ酸０．０１質量％、グリシン０．４質量％、過硫酸アンモニウム０．８質量％、アンモニア０．１５質量％、１－ヒドロキシベンゾトリアゾール０．０３質量％、及び、水酸化カリウム０．４８質量％を含有する研磨液を得た。
（実施例２）
　セリウム酸化物粒子（砥粒、実施例１と同様）、３－メトキシ－３－メチル－１－ブタノール（エーテル化合物Ａ）、ポリグリセリン（エーテル化合物Ａ、実施例１と同様）、リンゴ酸、グリシン、炭酸アンモニウム、過硫酸アンモニウム、１－ヒドロキシベンゾトリアゾール、水酸化カリウム、及び、蒸留水を混合することにより、セリウム酸化物粒子１質量％、３－メトキシ－３－メチル－１－ブタノール０．３０５質量％、ポリグリセリン１質量％、リンゴ酸０．０１質量％、グリシン０．４質量％、炭酸アンモニウム０．４２質量％、過硫酸アンモニウム０．８質量％、１－ヒドロキシベンゾトリアゾール０．０２５質量％、及び、水酸化カリウム０．４８質量％を含有する研磨液を得た。
（比較例１）
　セリウム酸化物粒子（砥粒、実施例１と同様）、リンゴ酸、グリシン、過硫酸アンモニウム、アンモニア、１－ヒドロキシベンゾトリアゾール、水酸化カリウム、及び、蒸留水を混合することにより、セリウム酸化物粒子１質量％、リンゴ酸０．０１質量％、グリシン０．４質量％、過硫酸アンモニウム０．８質量％、アンモニア０．１５質量％、１－ヒドロキシベンゾトリアゾール０．０３質量％、及び、水酸化カリウム０．４８質量％を含有する研磨液（エーテル化合物Ａを含有しない研磨液）を得た。
＜砥粒の平均粒径＞
　マイクロトラック・ベル株式会社製の「Ｍｉｃｒｏｔｒａｃ　ＭＴ３３００ＥＸＩＩ」を用いて、研磨液における砥粒の平均粒径を求めた。実施例１、実施例２及び比較例１において、平均粒径Ｄ５０は３４１ｎｍであり、平均粒径Ｄ８０は６０９ｎｍであった。
＜研磨液のｐＨ＞
　ｐＨメータ（東亜ディーケーケー株式会社製の型番：ＰＨＬ－４０）を用いて研磨液のｐＨを測定した。フタル酸塩ｐＨ緩衝液（ｐＨ：４．０１）及び中性リン酸塩ｐＨ緩衝液（ｐＨ：６．８６）を標準緩衝液として用いてｐＨメータを２点校正した後、ｐＨメータの電極を研磨液に入れ、２分以上経過して安定した後の値を測定した。実施例１のｐＨは９．５３であり、実施例２のｐＨは９．３３であり、比較例１のｐＨは９．９７であった。
＜研磨評価＞
　樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度を評価するための基体として、エポキシ樹脂、及び、ケイ素酸化物を含む粒子を含有する基材部と、基材部に形成された開口（基材部の厚さ方向に延びる開口）に配置されると共に銅を含有するビアと、を備える基体を準備した。２００μｍ以下の径の複数のビアがアレイ状に配置されていた。基材部の厚さ方向に垂直なビアの断面形状は円形であった。基体は、エポキシ樹脂、ケイ素酸化物及び銅が存在する被研磨面を有していた。
　また、銅の研磨速度を評価するための基体として、φ３００ｍｍシリコンウエハ上に形成された銅膜を有する基体を準備した。
　研磨装置（ＡＰＰＬＩＥＤ　ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ社製、商品名：Ｒｅｆｌｅｘｉｏｎ　ＬＫ）において、吸着パッドを貼り付けた基体取り付け用のホルダーに基体を取り付けた。多孔質ウレタン樹脂製のパッドを貼り付けた定盤上に、被研磨面（上述の２種のビアが配置された領域）がパッドに対向するようにホルダーを載せた。上述の研磨液を供給量３５０ｍＬ／ｍｉｎでパッド上に供給しながら、研磨荷重４ｐｓｉで基体をパッドに押し当てた。このとき、定盤を１４７ｍｉｎ－１、ホルダーを１５３ｍｉｎ－１で５分間回転させて研磨を行った。研磨後の基体を純水でよく洗浄した後に乾燥させた。触針式段差計を用いて研磨前後の基体の厚さの変化量を測定し、樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度を求めた。光干渉式膜厚測定装置を用いて研磨前後の基体の厚さの変化量を測定し、銅の研磨速度を求めた。基体の中心部、及び、基体の外周部の４箇所（基体の中心部を中心に位置する互いに等間隔の４箇所）における計５箇所の厚さの変化量の平均値を測定した。
　樹脂を含有する被研磨部材の研磨速度は、実施例１において０．５２μｍ／ｍｉｎであり、実施例２において０．５５μｍ／ｍｉｎであり、比較例１において０．４０μｍ／ｍｉｎであった。実施例１及び２では、樹脂を含有する被研磨部材の優れた研磨速度が得られることが確認される。銅の研磨速度は、実施例１において１．１９μｍ／ｍｉｎであり、実施例２において１．３２μｍ／ｍｉｎであり、比較例１において１．２２μｍ／ｍｉｎであった。
　１０…被研磨部材、１２…基材部、１２ａ…樹脂、１２ｂ…粒子、１４…金属部。

Claims (18)

  1. 　セリウム酸化物を含む砥粒と、ヒドロキシ基を有するエーテル化合物と、を含有する、樹脂を含有する被研磨部材の研磨用の研磨液。
  2. 　前記エーテル化合物がアルコキシアルコールを含む、請求項１に記載の研磨液。
  3. 　前記エーテル化合物が分子量２００未満のアルコキシアルコールを含む、請求項２に記載の研磨液。
  4. 　前記アルコキシアルコールが１－プロポキシ－２－プロパノールを含む、請求項２又は３に記載の研磨液。
  5. 　前記アルコキシアルコールが３－メトキシ－３－メチル－１－ブタノールを含む、請求項２～４のいずれか一項に記載の研磨液。
  6. 　前記アルコキシアルコールの含有量が、研磨液の全質量を基準として０．２～０．８質量％である、請求項２～５のいずれか一項に記載の研磨液。
  7. 　前記エーテル化合物がポリエーテルを更に含む、請求項２～６のいずれか一項に記載の研磨液。
  8. 　前記ポリエーテルがポリグリセリンを含む、請求項７に記載の研磨液。
  9. 　前記ポリエーテルの含有量が、研磨液の全質量を基準として０．５～３質量％である、請求項７又は８に記載の研磨液。
  10. 　前記砥粒の含有量が、研磨液の全質量を基準として０．５～２質量％である、請求項１～９のいずれか一項に記載の研磨液。
  11. 　有機酸成分を更に含有する、請求項１～１０のいずれか一項に記載の研磨液。
  12. 　アンモニウムカチオン及びアンモニアからなる群より選ばれる少なくとも一種を更に含有する、請求項１～１１のいずれか一項に記載の研磨液。
  13. 　ｐＨが９．００～１１．００である、請求項１～１２のいずれか一項に記載の研磨液。
  14. 　請求項１～１３のいずれか一項に記載の研磨液を用いて、樹脂を含有する被研磨部材を研磨する、研磨方法。
  15. 　前記樹脂がエポキシ樹脂を含む、請求項１４に記載の研磨方法。
  16. 　前記被研磨部材が、ケイ素酸化物を含む粒子を更に含有する、請求項１４又は１５に記載の研磨方法。
  17. 　請求項１４～１６のいずれか一項に記載の研磨方法により研磨された被研磨部材を個片化することにより半導体部品を得る、半導体部品の製造方法。
  18. 　請求項１４～１６のいずれか一項に記載の研磨方法により研磨された被研磨部材の接合面、又は、請求項１７に記載の半導体部品の製造方法により得られた半導体部品の接合面と、被接合体の接合面と、を接合する、接合体の製造方法。
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