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WO2022259758A1 - 熱電変換材料、熱電変換材料用組成物、熱電変換素子、熱電変換モジュール、及び熱電変換材料の製造方法 - Google Patents

熱電変換材料、熱電変換材料用組成物、熱電変換素子、熱電変換モジュール、及び熱電変換材料の製造方法 Download PDF

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WO2022259758A1
WO2022259758A1 PCT/JP2022/017563 JP2022017563W WO2022259758A1 WO 2022259758 A1 WO2022259758 A1 WO 2022259758A1 JP 2022017563 W JP2022017563 W JP 2022017563W WO 2022259758 A1 WO2022259758 A1 WO 2022259758A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
thermoelectric conversion
conversion material
carbon
main phase
alloy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2022/017563
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
健志 河辺
由利子 金子
勉 菅野
洋正 玉置
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
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Priority to CN202280038023.4A priority patent/CN117413635A/zh
Publication of WO2022259758A1 publication Critical patent/WO2022259758A1/ja
Priority to US18/515,329 priority patent/US20240090331A1/en
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Ceased legal-status Critical Current

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    • H10N10/853Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising arsenic, antimony or bismuth
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
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    • C22C23/00Alloys based on magnesium
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    • HELECTRICITY
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    • H10N19/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one thermoelectric or thermomagnetic element covered by groups H10N10/00 - H10N15/00

Definitions

  • thermoelectric conversion materials compositions for thermoelectric conversion materials, thermoelectric conversion elements, thermoelectric conversion modules, and methods for producing thermoelectric conversion materials.
  • Thermoelectric conversion materials are known. Thermoelectric conversion materials can generate electricity based on the temperature difference caused by the inflow of thermal energy.
  • Patent Document 1 discloses an n-type thermoelectric conversion material containing carbon and having a Mg 3 (Sb, Bi) 2 -based alloy as a main phase.
  • Patent Document 2 discloses a thermoelectric conversion material containing carbon with a polycrystalline magnesium silicide alloy as the main phase.
  • Non-Patent Document 1 discloses a p-type thermoelectric conversion material containing graphene nanosheets and having an Sb-rich Mg 3 (Sb, Bi) 2 -based alloy as a main phase.
  • the purpose of the present disclosure is to provide a novel thermoelectric conversion material.
  • the main phase is an alloy containing Mg and Bi, contains carbon and is p-type; Provide thermoelectric conversion materials.
  • thermoelectric conversion material can be provided.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of the La 2 O 3 type crystal structure.
  • FIG. 2 is a diagram showing the Raman spectroscopy spectrum of the thermoelectric conversion material of the present disclosure.
  • FIG. 3 is a process drawing showing an example of a method for producing the thermoelectric conversion material of the present disclosure.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing an example of the thermoelectric conversion element and thermoelectric conversion module of the present disclosure.
  • FIG. 5 is an observation view of the thermoelectric conversion material produced in Example 1 after a durability test.
  • FIG. 6 is an observation view of the thermoelectric conversion material produced in Comparative Example 1 after the durability test.
  • FIG. 7 is an observation view of the thermoelectric conversion material produced in Comparative Example 2 after the durability test.
  • FIG. 8 is an observation view of the thermoelectric conversion material produced in Comparative Example 3 after the durability test.
  • Thermoelectric conversion materials have different upper temperature limits for durability depending on the type or composition of the material. Moreover, by raising the upper limit temperature of durability, the temperature range in which the thermoelectric conversion material can be used is widened.
  • thermoelectric conversion material containing a Mg 3 (Sb, Bi) 2 alloy as a main phase has high thermoelectric conversion characteristics up to about 400°C.
  • thermoelectric conversion material having a Mg 3 (Sb, Bi) 2 system alloy as a main phase deteriorates due to decomposition of the compound at 527° C. or higher, and the thermoelectric conversion characteristics are lowered.
  • thermoelectric conversion material having a Mg 3 (Sb, Bi) 2 -based alloy as a main phase can be used at 400 ° C. or higher in order to achieve high thermoelectric conversion characteristics, and has durability against decomposition 520 It is desirable to be used at temperatures below °C.
  • thermoelectric conversion material having a Mg 3 (Sb, Bi) 2 -based alloy as a main phase depends on the atomic percentage of Sb and the atomic percentage of Bi contained in the thermoelectric conversion material. It was found that it decomposes even below 527°C. More specifically, when the atomic percentage of Bi is equal to or higher than the atomic percentage of Sb, a thermoelectric conversion material having a Mg 3 (Sb, Bi) 2 -based alloy as a main phase under conditions of 450° C. in the atmosphere The inventors have found that decomposes.
  • the product produced by decomposition was bismuth oxide. That is, the decomposition is considered to be due to the influence of oxidation, and it is necessary to devise ways to suppress the oxidation.
  • Patent Document 1 discloses a thermoelectric conversion material whose main phase is an n-type Mg 3 ( Sb, Bi) 2 alloy containing carbon. Bi) There is no report on a thermoelectric conversion material having a 2 -system alloy as a main phase.
  • Patent Document 2 discloses a thermoelectric conversion material containing carbon with a polycrystalline magnesium silicide alloy as the main phase. Patent Document 2 discloses that a sintered body with high density and good yield can be obtained by containing carbon, but there is no report on decomposition of the thermoelectric conversion material.
  • Non-Patent Document 1 discloses a thermoelectric conversion material whose main phase is a p-type Sb-rich Mg 3 (Sb, Bi) 2 -based alloy containing graphene nanosheets. More specifically, in Non-Patent Document 1, a thermoelectric generator whose main phase is a p-type Mg 3 (Sb, Bi) 2 -based alloy having a composition of Mg 3 Sb 2-x Bi x (x ⁇ 0.2) It is disclosed that the thermoelectric performance is enhanced by incorporating carbon into the conversion material.
  • Non-Patent Document 1 does not report any thermoelectric conversion material whose main phase is a p-type Mg 3 (Sb, Bi) 2 system alloy in which the atomic percentage of Bi is equal to or higher than the atomic percentage of Sb. Also, there is no report on the decomposition of thermoelectric conversion materials.
  • the main phase is a p-type Mg 3 (Sb, Bi) 2 system alloy containing carbon expected to have a reducing action and having an atomic percentage of Bi equal to or greater than the atomic percentage of Sb. It was found that thermoelectric conversion materials can suppress decomposition. As a result, a thermoelectric conversion material whose main phase is a p-type Mg 3 (Sb, Bi) 2 -based alloy in which the atomic percentage of Bi is equal to or greater than the atomic percentage of Sb can be can be stably obtained even under the conditions of
  • thermoelectric conversion material has an alloy containing Mg and Bi as a main phase and contains carbon.
  • the thermoelectric conversion material of the present disclosure is p-type.
  • the content of Mg and Bi in the thermoelectric conversion material is determined according to, for example, X-ray diffraction method (XRD) or SEM-EDX combining scanning electron microscope (SEM) and energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX). can.
  • XRD X-ray diffraction method
  • SEM-EDX scanning electron microscope
  • EDX energy dispersive X-ray spectroscopy
  • thermoelectric conversion material of the present disclosure may be a thermoelectric conversion material having an alloy containing Mg and Bi as a main phase, and may have a subphase composed of another alloy.
  • thermoelectric conversion material further contains Sb, for example.
  • thermoelectric conversion material of the present disclosure is not limited to a specific composition as long as the atomic percentage of Bi contained in the thermoelectric conversion material is equal to or higher than the atomic percentage of Sb contained in the thermoelectric conversion material.
  • thermoelectric conversion material for example, further contains at least one element species selected from the group consisting of Na, Li, and Ag.
  • thermoelectric conversion material of the present disclosure is, for example, a thermoelectric conversion material containing a Mg 3 (Sb, Bi) 2 -based alloy as a main phase.
  • the thermoelectric conversion material of the present disclosure contains carbon and is p-type.
  • the thermoelectric conversion material of the present disclosure is not limited to a specific composition as long as the atomic percentage of Bi contained in the thermoelectric conversion material is equal to or higher than the atomic percentage of Sb contained in the thermoelectric conversion material. More specifically, in the thermoelectric conversion material of the present disclosure, the atomic percentage of Bi contained in the main phase Mg 3 (Sb, Bi) 2 -based alloy is equal to the atomic percentage of Sb contained in the main phase.
  • the thermoelectric conversion material of the present disclosure is, for example, a Bi-rich Mg 3 (Sb, Bi) 2 -based thermoelectric conversion material.
  • thermoelectric conversion material When the thermoelectric conversion material has a Mg 3 (Sb, Bi) 2 -based alloy as a main phase, it may have a subphase composed of another alloy.
  • thermoelectric conversion material having a Mg3 (Sb,Bi) 2 -based alloy as a main phase is obtained by substituting some elements of Mg3 (Sb,Bi) 2 and Mg3 (Sb,Bi) 2 with other elements.
  • the thermoelectric conversion material having a Mg 3 (Sb, Bi) 2 -based alloy as a main phase is a material in which some elements of Mg 3 (Sb, Bi) 2 are replaced with other elements, the other elements is less than the content of Mg and less than the sum of the content of Sb and the content of Bi on the basis of the amount of substance.
  • the Mg 3 (Sb, Bi) 2 -based thermoelectric conversion material of the present disclosure is desirably used at a temperature of 520° C. or less, which is resistant to decomposition.
  • a Mg 3 (Sb, Bi) 2 -based thermoelectric conversion material containing more Sb than Bi (that is, Sb-rich) is expected to have high thermoelectric properties in a temperature range of 400° C. or higher. Therefore, the operating temperature range of the Sb-rich Mg 3 (Sb, Bi) 2 -based thermoelectric conversion material is preferably 300° C. or higher and 520° C. or lower, more preferably 350° C. or higher and 520° C. or lower, and still more preferably It is 400° C. or more and 520° C. or less.
  • the operating temperature range t1 of the Sb-rich Mg 3 (Sb, Bi) 2 -based thermoelectric conversion material preferably satisfies the condition of 300°C ⁇ t1 ⁇ 520°C, more preferably 350°C ⁇ t1 ⁇ 520°C. and more preferably 400°C ⁇ t1 ⁇ 520°C.
  • the Mg 3 (Sb, Bi) 2 -based thermoelectric conversion material in which the Bi content is higher than the Sb content (that is, Bi-rich) according to the present disclosure has a high thermoelectric conversion even in a temperature range of less than 400° C., for example. performance is expected. Therefore, the operating temperature range of the Bi-rich Mg 3 (Sb, Bi) 2 -based thermoelectric conversion material is preferably 200° C. or higher and 520° C. or lower, more preferably 300° C. or higher and 520° C. or lower, and still more preferably It is 300° C. or more and 500° C. or less.
  • the usage temperature range t2 of the Bi-rich Mg 3 (Sb, Bi) 2 -based thermoelectric conversion material preferably satisfies the condition of 200°C ⁇ t2 ⁇ 520°C, more preferably 300°C ⁇ t2 ⁇ 520°C. and more preferably 300°C ⁇ t2 ⁇ 500°C.
  • the Bi - rich Mg 3 ( Sb, Bi) 2 -based thermoelectric conversion material of the present disclosure can cooling or power generation.
  • composition of the Mg 3 (Sb, Bi) 2 -based thermoelectric conversion material of the present disclosure is represented by the formula (1) Mg 3-m A X Sb 2-Z Bi Z , for example.
  • a in Formula (1) contains at least one element species selected from the group consisting of Na, Li, and Ag.
  • the value of m in formula (1) is preferably -0.39 or more and 0.42 or less. More preferably, it is in the range of -0.39 or more and 0.30 or less. More preferably, it is in the range of -0.30 or more and 0.20 or less. In other words, the value of m preferably satisfies the formula -0.39 ⁇ m ⁇ 0.42. More preferably, the formula -0.39 ⁇ m ⁇ 0.30 is satisfied. More preferably, the formula -0.30 ⁇ m ⁇ 0.20 is satisfied.
  • the value of x in formula (1) is preferably greater than 0 and less than or equal to 0.12. More preferably, it exceeds 0 and is 0.10 or less. More preferably, it is 0.001 or more and 0.05 or less. In other words, the value of x preferably satisfies the formula 0 ⁇ x ⁇ 0.12. More preferably, the formula 0 ⁇ x ⁇ 0.10 is satisfied. More preferably, the formula 0.001 ⁇ x ⁇ 0.05 is satisfied.
  • the value of z in formula (1) is preferably 1.0 or more and 2.0 or less. More preferably, it is 1.0 or more and less than 2.0. More preferably, it is 1.0 or more and 1.9 or less. In other words, the value of z preferably satisfies the equation 1.0 ⁇ z ⁇ 2.0. More preferably, the formula 1.0 ⁇ z ⁇ 2.0 is satisfied. More preferably, the formula 1.0 ⁇ z ⁇ 1.9 is satisfied.
  • thermoelectric conversion material has such a composition, it can be stably obtained without decomposition even under high temperature conditions such as 400°C or higher and 520°C or lower. Therefore, the use of this thermoelectric conversion material tends to increase the yield of thermoelectric conversion elements and, by extension, thermoelectric conversion modules. In addition, it is easy to prevent the decomposition of the sintered body containing the thermoelectric conversion material in the use of the thermoelectric conversion element and, by extension, the thermoelectric conversion module. As a result, the durability of the thermoelectric conversion element and the thermoelectric conversion module tends to be high.
  • thermoelectric conversion material can be determined according to, for example, X-ray diffraction (XRD) or SEM-EDX, which is a combination of scanning electron microscope (SEM) and energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX).
  • XRD X-ray diffraction
  • SEM-EDX which is a combination of scanning electron microscope (SEM) and energy dispersive X-ray spectroscopy
  • thermoelectric conversion material of the present disclosure has, for example, a La 2 O 3 type crystal structure.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of the La 2 O 3 type crystal structure.
  • Thermoelectric conversion materials according to the present disclosure may be monocrystalline or polycrystalline.
  • a thermoelectric conversion material according to the present disclosure is composed of, for example, a plurality of crystal grains. Each crystal grain constituting the thermoelectric conversion material has a La 2 O 3 type crystal structure.
  • the La 2 O 3 type crystal structure in the thermoelectric conversion material of the present disclosure was clarified by X-ray diffraction measurement. According to the results of X-ray diffraction measurement, as shown in FIG. 1, Mg is located at the C1 site, and at least one element of Sb and Bi is located at the C2 site. The C1 site and C2 site form a bond as indicated by the dotted line in FIG.
  • Carbon contained in the thermoelectric conversion material of the present disclosure is preferably a carbon material having at least one allotrope such as graphene or graphite. More preferably, it is a carbon material containing graphite, which is an allotrope, as a main component. Carbon is contained, for example, inside or at the grain boundary of each crystal grain that constitutes the thermoelectric conversion material of the present disclosure.
  • thermoelectric conversion material of the present disclosure has a Mg 3 (Sb, Bi) 2 -based alloy as a main phase and a sub-phase composed of another alloy, carbon is the main phase and the sub-phase. It may be contained in the phase boundary between That is, the thermoelectric conversion material of the present disclosure is, for example, a Bi-rich Mg 3 (Sb, Bi) 2 -based thermoelectric conversion material.
  • the carbon contained in the thermoelectric conversion material of the present disclosure is preferably 0.01 at% or more and 1.2 at% or less. More preferably, it is 0.1 at % or more and 1.0 at % or less. More preferably, it is 0.1 at % or more and 0.8 at % or less.
  • the thermoelectric conversion material of the present disclosure preferably satisfies the formula 0.01at% ⁇ CC ⁇ 1.2at%.
  • CC represents the content of carbon in the thermoelectric conversion material of the present disclosure. More preferably, the formula 0.10at% ⁇ CC ⁇ 1.0at% is satisfied. More preferably, the formula 0.10at% ⁇ CC ⁇ 0.8at% is satisfied.
  • the mass ratio of the thermoelectric conversion material is 100 or less with respect to the mass ratio of carbon of 1. More preferably, the mass ratio of carbon to thermoelectric conversion material is 1:80 or less.
  • FIG. 2 is a spectrum showing the results of Raman spectroscopy of the thermoelectric conversion material of the present disclosure.
  • the wavelength of the light source used in Raman spectroscopy is 488 nm.
  • the peak around 180 (cm ⁇ 1 ) shown in FIG. 2 represents the Mg 3 (Sb, Bi) 2 alloy.
  • two peaks near 1300 to 1650 (cm ⁇ 1 ) shown in FIG. 2 are peaks representing carbon.
  • thermoelectric conversion material of the present disclosure is indicated by a solid line (legend: solid line).
  • a solid line legend: solid line.
  • the thermoelectric conversion material of the present disclosure when the peak intensity of the Mg 3 (Sb, Bi) 2 system alloy is 1000, at least one of the two carbon peak intensities is When it becomes 500 or more, it is judged that carbon is contained.
  • the thermoelectric conversion material of the present disclosure satisfies the formula (M2) 0.5 ⁇ IC/IM.
  • IC represents the peak intensity of the carbon in the Raman spectrum
  • IM represents the peak intensity of the Mg 3 (Sb, Bi) 2 based alloy in the Raman spectrum.
  • thermoelectric conversion material containing no carbon is indicated by a dashed line (legend: dashed line).
  • a carbon peak may be observed by using a sintered mold made of carbon.
  • the peak intensity of Mg 3 (Sb, Bi) 2 based alloy is 1000, the peak intensity of carbon is less than 500.
  • a carbon-free Mg 3 (Sb, Bi) 2 -based thermoelectric conversion material satisfies the formula (M3) 0.5>IC/IM.
  • thermoelectric conversion material containing no carbon and thermoelectric conversion material containing carbon of the present disclosure can be distinguished.
  • thermoelectric conversion material A method for producing a thermoelectric conversion material is not limited to a specific method.
  • the thermoelectric conversion material is produced by, for example, energizing an alloy powder containing Mg, Bi, and carbon by a spark plasma sintering method (SPS) and sintering the alloy powder at a temperature of 500 ° C. or higher. manufactured.
  • SPS spark plasma sintering method
  • the thermoelectric conversion material has an alloy containing Mg and Bi as a main phase, contains carbon, and is p-type. More specifically, the thermoelectric conversion material has, for example, a Mg 3 (Sb, Bi) 2 -based alloy as a main phase, contains carbon, and is p-type.
  • the alloy powder is, for example, polycrystalline powder.
  • the alloy powder is filled into a die made of carbon, for example.
  • a predetermined pressure is applied to the alloy powder during sintering.
  • the magnitude of the pressure is, for example, 10 MPa to 100 MPa.
  • the sintering temperature of the alloy powder in sintering is, for example, lower than the melting temperature of the alloy, for example, 700° C. or lower.
  • the energization time for the alloy powder in sintering is not limited to a specific value.
  • the energization time is, for example, 2 minutes to 1 hour.
  • the alloy powder is obtained, for example, as a composition for thermoelectric conversion materials.
  • the thermoelectric conversion material composition contains an alloy containing Mg and Bi, carbon, and at least one selected from the group consisting of Na, Li, and Ag. More specifically, the composition for thermoelectric conversion material contains, for example, a Mg3 (Sb,Bi) 2 -based alloy, carbon, and at least one selected from the group consisting of Na, Li, and Ag. do.
  • the atomic percentage of Bi contained in the Mg 3 (Sb, Bi) 2 -based alloy is equal to or greater than the atomic percentage of Sb contained in the alloy.
  • FIG. 3 is a process chart showing an example of a method for producing the thermoelectric conversion material of the present disclosure.
  • FIG. 3 shows in more detail one example of the method of manufacturing the thermoelectric conversion material of the present disclosure.
  • the method for producing the thermoelectric conversion material of the present disclosure is not limited to the examples below.
  • a powdery MgSbBiA alloy is obtained by a solid phase reaction of raw materials Mg particles, Sb particles, Bi particles, and dope material A powder.
  • An example of the solid-phase reaction method is the mechanical alloying method.
  • another method such as a melting method may be adopted as a method of solid-phase reaction.
  • step S2 the powder MgSbBiA alloy and carbon are mixed.
  • An example of the mixing method is the mechanical alloying method.
  • As a mixing method another method such as a ball mill method may be adopted.
  • step S3 the precursor powder, which is a mixture of MgSbBiA and carbon, is subjected to sintering to obtain single crystals or polycrystals of MgSbBiA and carbon.
  • sintering for example, a spark plasma sintering method or a hot press method can be adopted.
  • the obtained sintered body may be used as a thermoelectric conversion material as it is. Further, heat treatment may be performed on the obtained sintered body. In this case, the sintered body after heat treatment can also be used as a thermoelectric conversion material.
  • thermoelectric conversion material after sintering Composition analysis evaluation of the thermoelectric conversion material after sintering can be performed.
  • Methods for this compositional analysis evaluation are, for example, energy dispersive X-ray spectroscopy (hereinafter referred to as “EDX”), X-ray photoelectron spectroscopy, and inductively coupled plasma emission spectroscopy. These techniques can also be applied to thermoelectric conversion modules after production. These techniques can also be applied to thermoelectric conversion elements or thermoelectric conversion modules provided with the thermoelectric conversion material of the present disclosure, which will be described later.
  • An example of an EDX device is Bruker's energy dispersive X-ray spectrometer XFlash6
  • a field emission SEM (FE-SEM) SU8220 manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation can be cited as an SEM to be combined with the spectroscope.
  • thermoelectric conversion element A thermoelectric conversion element provided with the thermoelectric conversion material of the present disclosure can be provided. This thermoelectric conversion element can function as a p-type thermoelectric conversion element.
  • thermoelectric conversion module A thermoelectric conversion module in which a p-type thermoelectric conversion element provided with the thermoelectric conversion material of the present disclosure and an n-type thermoelectric conversion element are electrically connected can be provided.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing an example of the thermoelectric conversion element and thermoelectric conversion module of the present disclosure.
  • the thermoelectric conversion module 100 includes, for example, a p-type thermoelectric conversion element 10, an n-type thermoelectric conversion element 20, a first electrode 31, a second electrode 32, and a third electrode 33. equip.
  • the p-type thermoelectric conversion element 10 and the n-type thermoelectric conversion element 20 are electrically connected in series.
  • the first electrode 31 electrically connects the first end of the p-type thermoelectric conversion element 10 and the first end of the n-type thermoelectric conversion element 20 .
  • the second electrode 32 is electrically connected to the second end of the p-type thermoelectric conversion element 10 .
  • the third electrode 33 is electrically connected to the second end of the n-type thermoelectric conversion element 20 .
  • the p-type thermoelectric conversion element 10 of the present disclosure includes the thermoelectric conversion material of the present disclosure.
  • the n-type thermoelectric conversion element 20 in the present disclosure includes, for example, an n-type thermoelectric conversion material whose main phase is Mg 3 (Sb, Bi) 2 based alloy.
  • the ratio of the number of atoms of Sb and Bi contained in the p-type thermoelectric conversion material and the n-type thermoelectric conversion material that form a pair may be the same or different. .
  • the difference in the amount of thermal expansion between the p-type thermoelectric conversion material and the n-type thermoelectric conversion material tends to be small. Therefore, the thermal stress generated in the thermoelectric conversion module is likely to be reduced.
  • thermoelectric conversion element 20 in the present disclosure is not limited to this, and may include a known thermoelectric conversion material, or may be a known n-type thermoelectric conversion element. .
  • thermoelectric conversion material of the present disclosure is not limited.
  • the thermoelectric conversion material of the present disclosure can be used in various applications including, for example, conventional thermoelectric conversion material applications.
  • thermoelectric conversion material 4 g of Mg 2.99 Na 0.01 Sb 1.0 Bi 1.0 prepared by solid phase reaction and 0.05 g of carbon powder (20 ⁇ m powder manufactured by Kojundo Chemical Co., Ltd.) were weighed inside a glove box. The inside of the glove box was controlled to an argon atmosphere until the thermoelectric conversion material was obtained. Next, each weighed material was enclosed in a stainless container for mechanical alloying together with stainless balls in a glove box. After that, it was made into a mixed powder by a normal temperature pulverizer (manufactured by SPEX, model: 8000D type). Next, the mixed powder was filled in the sintering space of the carbon die and compacted using a carbon punch. The die was a sintered mold with a diameter of 10 mm.
  • the die was housed in the chamber of a spark plasma sintering device (Model: SPS515S manufactured by Fuji Denpa Koki Co., Ltd.).
  • the chamber was controlled to an argon atmosphere.
  • a current was then applied to the die by the sintering device while a pressure of 50 MPa was applied to the die packing.
  • the temperature was maintained for 10 minutes. Heating was then stopped by gradually reducing the current.
  • the sintered body was removed from the die.
  • the surface oxide layer forming the surface of the sintered body, which is a thermoelectric conversion material, which was in contact with the sintering mold was polished, and then washed with acetone.
  • the thickness of the sintered body was about 5 mm.
  • thermoelectric conversion materials The produced sintered body, which is the thermoelectric conversion material, was cut into a size of 3 mm ⁇ 3 mm ⁇ 5 mm. After polishing the processed surface of the thermoelectric conversion material after cutting, it was washed with acetone. Using a KEITHLEY source meter (model number: 3400), the electrical resistance value of the thermoelectric conversion material was measured according to the four-terminal measurement method. As a result, it was 41 m ⁇ .
  • thermoelectric conversion material As a durability test, the thermoelectric conversion material was heated for 2 hours in the air at 450° C., which is close to the upper limit of the operating temperature of the thermoelectric conversion material. Since the surface was oxidized again by heating, the oxidized layer was removed by polishing.
  • FIG. 5 is an observation view of the thermoelectric conversion material produced in Example 1, which was surface-polished after the durability test. After that, the electrical resistance value was measured. As a result, the electrical resistance value of the thermoelectric conversion material after the durability test was 40 m ⁇ . That is, there was almost no resistance change before and after the durability test.
  • thermoelectric conversion material (Comparative example 1) [Preparation of thermoelectric conversion material] A thermoelectric conversion material was produced in the same manner as in Example 1, except that 4 g of Mg 2.99 Na 0.01 Sb 1.0 Bi 1.0 produced by solid-state reaction was weighed inside the glove box. .
  • thermoelectric conversion material As in Example 1, the produced thermoelectric conversion material was cut and processed into a size of 3 mm ⁇ 3 mm ⁇ 4 mm. Moreover, when the resistance was measured in the same manner as in Example 1, it was 30 m ⁇ .
  • thermoelectric conversion material As in Example 1, as a durability test, the thermoelectric conversion material was heated in the air at 450° C., which is close to the upper limit of the operating temperature of the thermoelectric conversion material, for 2 hours.
  • FIG. 6 is an observation view of the thermoelectric conversion material produced in Comparative Example 1 after the durability test. That is, as shown in FIG. 6, the entire material was yellow and black powdery, and the resistance could not be measured. When the decomposed yellow powder was analyzed by X-ray diffraction, a peak thought to be bismuth oxide was observed.
  • thermoelectric conversion material (Comparative example 2) [Preparation of thermoelectric conversion material] A thermoelectric conversion material was produced in the same manner as in Example 1, except that 4 g of Mg 2.99 Na 0.01 Sb 1.25 Bi 0.75 produced by solid-state reaction was weighed inside the glove box. .
  • thermoelectric conversion materials As in Example 1 and Comparative Example 1, the produced thermoelectric conversion material was cut and processed into a size of 3 mm ⁇ 3 mm ⁇ 4 mm. The electric resistance value was 37 m ⁇ .
  • thermoelectric conversion material did not decompose.
  • FIG. 7 is an observation view of the thermoelectric conversion material produced in Comparative Example 2 after the durability test.
  • the electrical resistance value of the thermoelectric conversion material after the durability test was 46 m ⁇ . That is, the resistance increased slightly after the durability test.
  • thermoelectric conversion material (Comparative Example 3) [Preparation of thermoelectric conversion material] A thermoelectric conversion material was produced in the same manner as in Example 1, except that 4 g of Mg 2.9875 Na 0.0125 Sb 1.5 Bi 0.5 produced by solid-phase reaction was weighed inside the glove box. .
  • thermoelectric conversion materials As in Example 1, Comparative Example 1, and Comparative Example 2, the produced thermoelectric conversion material was cut and processed into a size of 3 mm ⁇ 3 mm ⁇ 4 mm. The electrical resistance value was 61 m ⁇ .
  • FIG. 8 is an observation view of the thermoelectric conversion material produced in Comparative Example 3 after the durability test.
  • the electrical resistance value of the thermoelectric conversion material after the durability test was 2997 m ⁇ . That is, the resistance increased significantly after the durability test.
  • thermoelectric conversion material containing carbon and having a Mg3(Sb, Bi)2-based alloy in which the atomic percentage of Bi is equal to or greater than the atomic percentage of Sb as a main phase was Even when heated, the thermoelectric conversion material did not decompose.
  • the thermoelectric conversion material whose main phase is a Bi-rich Mg 3 (Sb, Bi) 2 alloy containing carbon did not decompose even when heated at 450° C. in the air. Also, the change in electrical resistance value before and after the durability test was small.
  • thermoelectric conversion material containing, as a main phase, a Mg 3 (Sb, Bi) 2 -based alloy in which the atomic percentage of Bi is equal to or greater than the atomic percentage of Sb, and does not contain carbon.
  • the thermoelectric conversion material was decomposed when heated in the air at 450°C.
  • the carbon-free, Bi-rich Mg 3 (Sb, Bi) 2 -based thermoelectric conversion material was decomposed when heated at 450° C. in the air.
  • thermoelectric conversion material whose main phase is a Mg 3 (Sb, Bi) 2 -based alloy in which the atomic percentage of Bi is less than the atomic percentage of Sb is Even when heated inside, the thermoelectric conversion material did not decompose.
  • the thermoelectric conversion material whose main phase is a Sb-rich Mg 3 (Sb, Bi) 2 alloy containing no carbon did not decompose even when heated in the air at 450°C.
  • the electrical resistance value increased after the durability test.
  • thermoelectric conversion material of the present disclosure can be used for various uses including conventional thermoelectric conversion materials.
  • thermoelectric conversion module 10 p-type thermoelectric conversion element 20 n-type thermoelectric conversion element 31 first electrode 32 second electrode 33 third electrode 100 thermoelectric conversion module

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Abstract

本開示の熱電変換材料は、Mg及びBiを含有する合金を主相とし、炭素を含むp型の熱電変換材料である。熱電変換材料は、例えば、Mg(Sb,Bi)系の合金を主相とする熱電変換材料であって、当該主相に含有されるBiの原子百分率は、当該主相に含有されるSbの原子百分率以上である。熱電変換材料は、例えば、数式(M1)0.01at%≦CC≦1.2at%を満たす。ここで、CCは、熱電変換材料における炭素の含有割合を表す。

Description

熱電変換材料、熱電変換材料用組成物、熱電変換素子、熱電変換モジュール、及び熱電変換材料の製造方法
 本開示は熱電変換材料、熱電変換材料用組成物、熱電変換素子、熱電変換モジュール、及び熱電変換材料の製造方法に関する。
 熱電変換材料が知られている。熱電変換材料は、熱エネルギーの流入により生じた温度差に基づく発電が可能となる。
 特許文献1は、Mg(Sb,Bi)系合金を主相とし、炭素を含有するn型の熱電変換材料を開示している。
 特許文献2は、多結晶性マグネシウムシリサイド系合金を主相とし、炭素を含有する熱電変換材料を開示している。
 非特許文献1は、SbリッチなMg(Sb,Bi)系合金を主相とし、グラフェンナノシートを含有するp型の熱電変換材料を開示している。
特開2019-207983号公報 特開2020-80417号公報
A. Bhardwaj et.al., "Graphene boosts thermoelectric performance of a Zintl phase compound", RSC Advances, 2015, 5, 11058
 本開示の目的は、新規な熱電変換材料を提供することである。
 本開示は、
 Mg及びBiを含有する合金を主相とし、
 炭素を含み、かつ、p型である、
 熱電変換材料を提供する。
 本開示によれば、新規な熱電変換材料を提供できる。
図1は、La型結晶構造の模式図である。 図2は、本開示の熱電変換材料のラマン分光スペクトルを示す図である。 図3は、本開示の熱電変換材料を製造する方法の一例を示す工程図である。 図4は、本開示の熱電変換素子及び熱電変換モジュールの一例を示す模式図である。 図5は、実施例1で作製された熱電変換材料の耐久性テスト後の観察図である。 図6は、比較例1で作製された熱電変換材料の耐久性テスト後の観察図である。 図7は、比較例2で作製された熱電変換材料の耐久性テスト後の観察図である。 図8は、比較例3で作製された熱電変換材料の耐久性テスト後の観察図である。
 (本開示の基礎となった知見)
 熱電変換材料は、材料の種類又は組成などによって、耐久性の上限温度が異なる。また、耐久性の上限温度を上げることにより、当該熱電変換材料の使用可能な温度域が広がる。
 Mg(Sb,Bi)系の合金を主相とする熱電変換材料は、400℃程度まで高い熱電変換特性がある。一方で、Mg(Sb,Bi)系の合金を主相とする熱電変換材料は、527℃以上になると化合物の分解によって劣化し、熱電変換特性が下がる。
 すなわち、Mg(Sb,Bi)系の合金を主相とする熱電変換材料は、高い熱電変換特性を実現するために400℃以上で使用されること、かつ、分解に対する耐久性がある520℃以下の温度で使用されることが望ましい。
 しかしながら、本発明者らは、Mg(Sb,Bi)系の合金を主相とする熱電変換材料が、当該熱電変換材料に含有されるSbの原子百分率とBiの原子百分率とに依存して、527℃未満でも分解することを見出した。より具体的には、Biの原子百分率がSbの原子百分率以上である場合には、大気中450℃の条件下において、Mg(Sb,Bi)系の合金を主相とする熱電変換材料が分解することを本発明者らは見出した。
 発明者らの更なる検討によれば、分解により生じる生成物は酸化ビスマスであることが明らかとなった。すなわち、分解は酸化の影響であると考えられ、当該酸化を抑える工夫が必要である。
 特許文献1は、炭素を含有するn型のMg(Sb,Bi)系の合金を主相とする熱電変換材料を開示しているが、炭素を含有するp型のMg(Sb,Bi)系の合金を主相とする熱電変換材料については、何ら報告がない。
 特許文献2は、多結晶性マグネシウムシリサイド系合金を主相とし、炭素を含有する熱電変換材料を開示している。特許文献2では、炭素を含有することにより、密度が高く歩留まりのよい焼結体を得ることができることを開示しているが、熱電変換材料が分解することについては、何ら報告がない。
 非特許文献1は、グラフェンナノシートを含有するp型のSbリッチなMg(Sb,Bi)系の合金を主相とする熱電変換材料を開示している。より具体的には、非特許文献1では、MgSb2-xBi(x≦0.2)の組成を有するp型のMg(Sb,Bi)系合金を主相とする熱電変換材料に、炭素を混合することによって、熱電性能が上がることが開示されている。非特許文献1では、Biの原子百分率がSbの原子百分率以上であるp型のMg(Sb,Bi)系の合金を主相とする熱電変換材料については、何ら報告がない。また、熱電変換材料が分解することについても、何ら報告がない。
 これらの検討に基づき、還元作用が期待される炭素を含有し、かつ、Biの原子百分率がSbの原子百分率以上であるp型のMg(Sb,Bi)系の合金を主相とする熱電変換材料は、分解を抑制できることが分かった。その結果、Biの原子百分率がSbの原子百分率以上であるp型のMg(Sb,Bi)系の合金を主相とする熱電変換材料が、400℃以上520℃以下のような高温度の条件下であっても、安定に得られる。
 (本開示の実施形態)
 以下、本開示の実施形態について図面を参照しながら説明する。
 [熱電変換材料]
 本開示の熱電変換材料は、Mg及びBiを含有する合金を主相とし、炭素を含む熱電変換材料である。本開示の熱電変換材料は、p型である。熱電変換材料におけるMg及びBiの含有量は、例えば、X線回折法(XRD)又は走査型電子顕微鏡(SEM)とエネルギー分散型X線分光法(EDX)とを組み合わせたSEM-EDX等に従って決定できる。
 なお、本開示の熱電変換材料は、Mg及びBiを含有する合金を主相とする熱電変換材料であればよく、他の合金から構成される副相を有していてもよい。
 熱電変換材料は、例えば、Sbを更に含む。また、本開示の熱電変換材料は、当該熱電変換材料に含有されるBiの原子百分率が、当該熱電変換材料に含有されるSbの原子百分率以上である限り特定の組成に限定されない。
 熱電変換材料は、例えば、更にNa、Li、及びAgからなる群から選択される少なくとも1つの元素種を含む。
 本開示の熱電変換材料は、例えば、Mg(Sb,Bi)系の合金を主相とする熱電変換材料である。本開示の熱電変換材料は、炭素を含有し、かつ、p型である。また、本開示の熱電変換材料は、当該熱電変換材料に含有されるBiの原子百分率が、当該熱電変換材料に含有されるSbの原子百分率以上である限り特定の組成に限定されない。より具体的には、本開示の熱電変換材料は、主相であるMg(Sb,Bi)系の合金に含有されるBiの原子百分率が、当該主相に含有されるSbの原子百分率以上である限り特定の組成に限定されない。すなわち、本開示の熱電変換材料は、例えば、BiリッチなMg(Sb,Bi)系の熱電変換材料である。
 熱電変換材料がMg(Sb,Bi)系の合金を主相とする熱電変換材料である場合、他の合金から構成される副相を有していてもよい。
 Mg(Sb,Bi)系の合金を主相とする熱電変換材料は、Mg(Sb,Bi)及びMg(Sb,Bi)の一部の元素が他の元素に置換された材料を含む。Mg(Sb,Bi)系の合金を主相とする熱電変換材料が、Mg(Sb,Bi)の一部の元素が他の元素に置換された材料である場合、他の元素の含有量は、物質量基準で、Mgの含有量より少なく、かつ、Sbの含有量及びBiの含有量の和より少ない。
 本開示のMg(Sb,Bi)系の熱電変換材料は、分解に対する耐久性がある520℃以下の温度で使用されることが望ましい。
 Sbの含有量がBiの含有量よりも多い(すなわち、Sbリッチ)Mg(Sb,Bi)系の熱電変換材料は、400℃以上の温度域で高い熱電特性が期待される。したがって、SbリッチなMg(Sb,Bi)系の熱電変換材料の使用温度域は、好ましくは300℃以上520℃以下であり、より好ましくは350℃以上520℃以下であり、更に好ましくは400℃以上520℃以下である。言い換えれば、SbリッチなMg(Sb,Bi)系の熱電変換材料の使用温度域t1は、好ましくは300℃≦t1≦520℃の条件を満たし、より好ましくは350℃≦t1≦520℃の条件を満たし、更に好ましくは400℃≦t1≦520℃の条件を満たす。
 本開示のBiの含有量がSbの含有量よりも多い(すなわち、Biリッチ)Mg(Sb,Bi)系の熱電変換材料は、例えば、400℃未満の温度域であっても高い熱電性能が期待される。したがって、BiリッチなMg(Sb,Bi)系の熱電変換材料の使用温度域は、好ましくは200℃以上520℃以下であり、より好ましくは300℃以上520℃以下であり、更に好ましくは300℃以上500℃以下である。言い換えれば、BiリッチなMg(Sb,Bi)系の熱電変換材料の使用温度域t2は、好ましくは200℃≦t2≦520℃の条件を満たし、より好ましくは300℃≦t2≦520℃の条件を満たし、更に好ましくは300℃≦t2≦500℃の条件を満たす。
 したがって、本開示のBiリッチなMg(Sb,Bi)系の熱電変換材料は、SbリッチなMg(Sb,Bi)系の熱電変換材料に比べて、400℃より低い温度域での冷却又は発電にも適している。
 本開示のMg(Sb,Bi)系の熱電変換材料の組成は、例えば、式(1)Mg3-mSb2-ZBiで表される。
 式(1)におけるAは、Na、Li、及びAgからなる群から選択される少なくとも1つの元素種を含む。
 式(1)におけるmの値は、好ましくは、-0.39以上0.42以下である。より好ましくは、-0.39以上0.30以下の範囲である。さらに好ましくは、-0.30以上0.20以下の範囲である。言い換えれば、mの値は、好ましくは、数式-0.39≦m≦0.42が充足される。より好ましくは、数式-0.39≦m≦0.30が充足される。さらに好ましくは、数式-0.30≦m≦0.20が充足される。
 式(1)におけるxの値は、好ましくは、0を超えて0.12以下である。より好ましくは、0を超えて0.10以下である。さらに好ましくは、0.001以上0.05以下である。言い換えれば、xの値は、好ましくは、数式0<x≦0.12が充足される。より好ましくは、数式0<x≦0.10が充足される。さらに好ましくは、数式0.001≦x≦0.05が充足される。
 式(1)におけるzの値は、好ましくは、1.0以上2.0以下である。より好ましくは、1.0以上2.0未満である。さらに好ましくは、1.0以上1.9以下である。言い換えれば、zの値は、好ましくは、数式1.0≦z≦2.0が充足される。より好ましくは、数式1.0≦z<2.0が充足される。さらに好ましくは、数式1.0≦z≦1.9が充足される。
 熱電変換材料がこのような組成を有することにより、400℃以上520℃以下のような高温度の条件下であっても、分解することなく安定に得られる。このため、この熱電変換材料を用いると、熱電変換素子、ひいては熱電変換モジュールの歩留まりが高くなりやすい。加えて、熱電変換素子、ひいては熱電変換モジュールの使用において、熱電変換材料を含む焼結体の分解を防止しやすい。その結果、熱電変換素子及び熱電変換モジュールの耐久性が高くなりやすい。熱電変換材料における元素の組成は、例えば、X線回折法(XRD)又は走査型電子顕微鏡(SEM)とエネルギー分散型X線分光法(EDX)とを組み合わせたSEM-EDX等に従って決定できる。
 なお、仕込みの都合により、元素ごとに仕込み組成から10%程度の誤差は許容される。
 本開示の熱電変換材料は、例えば、La型の結晶構造を有する。
 図1はLa型結晶構造の模式図である。本開示による熱電変換材料は、単結晶性であっても、多結晶性であってもよい。本開示による熱電変換材料は、例えば、複数の結晶粒から構成される。熱電変換材料を構成する各々の結晶粒は、La型結晶構造を有する。本開示の熱電変換材料におけるLa型結晶構造は、X線回折測定により明らかになった。X線回折測定の結果によると、図1に示されるように、C1サイトにMgが、C2サイトにSb及びBiの少なくとも1つの元素が、それぞれ位置している。C1サイトとC2サイトは図1の点線で示されるような結合を形成している。
 [含有炭素の同定]
 本開示の熱電変換材料に含有される炭素は、好ましくは、グラフェン又はグラファイト等の同素体の少なくとも1つを具備する炭素材料である。より好ましくは、同素体であるグラファイトを主成分とする炭素材料である。炭素は、一例として、本開示の熱電変換材料を構成する各々の結晶粒の粒内又は粒界などに含有される。
 なお、本開示の熱電変換材料が、Mg(Sb,Bi)系の合金を主相とし、他の合金から構成される副相を有する場合には、炭素が主相と副相との間の相界に含有されていてもよい。すなわち、本開示の熱電変換材料は、例えば、BiリッチなMg(Sb,Bi)系の熱電変換材料である。
 本開示の熱電変換材料に含有される炭素は、好ましくは、0.01at%以上1.2at%以下である。より好ましくは、0.1at%以上1.0at%以下である。さらに好ましくは、0.1at%以上0.8at%以下である。言い換えれば、本開示の熱電変換材料は、好ましくは、数式0.01at%≦CC≦1.2at%が充足される。ここで、CCは、本開示の熱電変換材料における炭素の含有割合を表す。より好ましくは、数式0.10at%≦CC≦1.0at%が充足される。さらに好ましくは、数式0.10at%≦CC≦0.8at%が充足される。
 すなわち、好ましくは、炭素の質量比1に対して、熱電変換材料の質量比が100以下である。より好ましくは、炭素と熱電変換材料との質量比が、1:80以下である。
 本開示の熱電変換材料に含有される炭素は、ラマン分光法によって同定される。図2は、本開示の熱電変換材料のラマン分光の結果を示すスペクトルである。ラマン分光法で用いた光源の波長は、488nmである。ラマン分光法によると、図2に示される180(cm-1)付近のピークが、Mg(Sb、Bi)合金を表すピークである。また、図2に示される1300~1650(cm-1)付近の2本のピークがそれぞれ炭素を表すピークである。
 図2では、本開示の熱電変換材料が実線で示される(凡例:実線)。図2に示されるように、本開示の熱電変換材料は、Mg(Sb、Bi)系の合金のピーク強度を1000とした場合に、2本の炭素のピーク強度のうち、少なくとも一方が500以上になる場合に、炭素が含有されると判断される。言い換えれば、本開示の熱電変換材料は、数式(M2)0.5≦IC/IMが充足される。ここで、ICは、ラマンスペクトルにおける、前記炭素のピーク強度を表し、IMは、ラマンスペクトルにおける、Mg(Sb,Bi)系の合金のピーク強度を表す。
 図2では、炭素を含有しない熱電変換材料が破線で示される(凡例:破線)。なお、炭素を含有しない熱電変換材料においても、炭素製の焼結型を用いることにより、炭素によるピークが観測される場合がある。この場合は、Mg(Sb,Bi)系合金のピーク強度を1000とすると、炭素のピーク強度が500未満で示される。言い換えれば、炭素を含有しないMg(Sb,Bi)系の熱電変換材料は、数式(M3)0.5>IC/IMが充足される。
 そのため、炭素を含有しない熱電変換材料と本開示の炭素が含有されている熱電変換材料とを区別することができる。
 (製造方法)
 熱電変換材料を製造する方法は、特定の方法に限定されない。熱電変換材料は、例えば、Mg、Bi、及び炭素を含有する合金粉末にスパークプラズマ焼結法(SPS)によって通電し、500℃以上の温度でその合金粉末を焼結することを含む製造方法によって製造される。熱電変換材料は、Mg及びBiを含有する合金を主相とし、炭素を含有し、かつ、p型である。より具体的には、熱電変換材料は、例えば、Mg(Sb,Bi)系の合金を主相とし、炭素を含有し、かつ、p型である。合金粉末は、例えば、多結晶体の粉末である。SPSにおいて、合金粉末は、例えばカーボン製のダイに充填される。焼結において合金粉末には所定の圧力が印加される。その圧力の大きさは、例えば10MPaから100MPaである。焼結における合金粉末の焼結温度は、例えば合金の溶融温度未満であり、例えば700℃以下である。焼結における合金粉末への通電時間は、特定の値に限定されない。その通電時間は、例えば、2分間から1時間である。
 合金粉末は、例えば、熱電変換材料用組成物として得られる。
 熱電変換材料用組成物は、Mg及びBiを含有する合金と、炭素と、Na、Li、及びAgからなる群より選択される少なくとも1つとを含有する。より具体的には、熱電変換材料用組成物は、例えば、Mg(Sb,Bi)系の合金と、炭素と、Na、Li、及びAgからなる群より選択される少なくとも1つとを含有する。Mg(Sb,Bi)系の合金に含有されるBiの原子百分率は、当該合金に含有されるSbの原子百分率以上である。
 図3は、本開示の熱電変換材料を製造する方法の一例を示す工程図である。
 図3は、本開示の熱電変換材料を製造する方法の一例をより詳細に示す。ただし、本開示の熱電変換材料を製造する方法は、以下の例に限定されない。
 図3のステップS1において、原材料であるMg粒子、Sb粒子、Bi粒子及びドープ材料A粉末の固相反応により、粉末のMgSbBiAの合金を得る。固相反応の手法は、一例として、メカニカルアロイング法である。なお、固相反応の手法として、溶融法等の別の手法を採用しても良い。
 次に、ステップS2において、粉末MgSbBiAの合金と炭素とを混合する。混合手法の一例としては、メカニカルアロイング法である。なお、混合手法として、ボールミル法等の別の手法を採用しても良い。
 最後に、ステップS3において、MgSbBiAと炭素との混合物である前駆体粉末は焼結に供されて、MgSbBiA及び炭素の単結晶体又は多結晶体が得られる。焼結には、例えば、スパークプラズマ焼結法又はホットプレス法が採用可能である。得られた焼結体は、そのまま熱電変換材料として使用されてもよい。また、得られた焼結体に対して熱処理が実施されても良い。この場合、熱処理後の焼結体は、熱電変換材料としても使用可能である。
 [焼結後の熱電変換材料の組成分析評価]
 焼結後の熱電変換材料の組成分析評価をすることができる。この組成分析評価の手法は、例えば、エネルギー分散型X線分光法(以下、「EDX」と記載される)、X線光電子分光法、及び誘電結合プラズマ発光分光法である。これらの手法は、製造後の熱電変換モジュールについても適用できる。これらの手法は、後述する本開示の熱電変換材料を備えた熱電変換素子又は熱電変換モジュールについても適用できる。
 EDX装置の一例としては、Bruker社製のSEM用エネルギー分散型X線分光器XFlash6|10があげられる。上記分光器と組み合わせるSEMとしては、日立ハイテクノロジーズ社製の電界放出型SEM(FE-SEM) SU8220があげられる。
 [熱電変換素子]
 本開示の熱電変換材料を備えた熱電変換素子を提供できる。この熱電変換素子は、p型熱電変換素子として機能しうる。
 [熱電変換モジュール]
 本開示の熱電変換材料を備えたp型熱電変換素子と、n型熱電変換素子と、が電気的に接続された熱電変換モジュールを提供できる。
 図4は、本開示の熱電変換素子及び熱電変換モジュールの一例を示す模式図である。図4に示す通り、熱電変換モジュール100は、一例として、p型熱電変換素子10と、n型熱電変換素子20と、第一電極31と、第二電極32と、第三電極33と、を具備する。p型熱電変換素子10とn型熱電変換素子20とは、電気的に直列接続されている。第一電極31はp型熱電変換素子10の第一端部とn型熱電変換素子20の第一端部とを電気的に接続している。第二電極32は、p型熱電変換素子10の第二端部に電気的に接続されている。第三電極33は、n型熱電変換素子20の第二端部に電気的に接続されている。
 本開示におけるp型熱電変換素子10は、本開示の熱電変換材料を具備する。
 本開示におけるn型熱電変換素子20は、例えば、Mg(Sb,Bi)系合金を主相とするn型の熱電変換材料を具備する。このとき、熱電変換モジュール100において、対となるp型熱電変換材料及びn型熱電変換材料に含有されるSb及びBiの原子数の割合は、一致していてもよいし、異なっていてもよい。その原子数の割合が一致している場合、p型熱電変換材料及びn型熱電変換材料の熱膨張量の差が小さくなりやすい。このため、熱電変換モジュールにおいて発生する熱応力が低減されやすい。
 なお、本開示におけるn型熱電変換素子20は、これに限定されるものではなく、公知の熱電変換材料を具備するものであってもよいし、公知のn型熱電変換素子であってもよい。
 本開示の熱電変換材料の用途は限定されない。本開示の熱電変換材料は、例えば従来の熱電変換材料の用途を含む種々の用途に使用できる。
 (実施例1)
 [熱電変換材料の作製]
 固相反応で作製されたMg2.99Na0.01Sb1.0Bi1.0 4g及び炭素粉末 0.05g(高純度化学製 20μm粉末)をグローブボックスの内部で秤量した。グローブボックス内部は熱電変換材料を得るまでの間、アルゴン雰囲気に制御されていた。次に秤量された各材料を、グローブボックス内にてメカニカルアロイング用のステンレス容器にステンレス球とともに封入した。その後、常温粉砕機(SPEX社製 型式:8000D型)によって混合粉末にした。次に、混合粉末を、カーボン製のダイの焼結空間に充填し、カーボン製のパンチを用いて圧粉した。ダイは、10mmの直径を有する焼結型であった。
 次に、スパークプラズマ焼結装置(富士電波工機株式会社製 型式:SPS515S)のチャンバーにダイを収容した。チャンバーはアルゴン雰囲気に制御した。次に、ダイの充填物に50MPaの圧力が印加されながら、焼結装置によってダイに電流が印加された。電流の印加により、ダイの温度が焼結温度である680度に到達した後、当該温度が10分間維持された。その後、徐々に電流を少なくすることで加熱が停止された。ダイの温度が室温まで低下したのを確認後、焼結体をダイから取り出した。熱電変換材料である焼結体の焼結型と接していた面をなす表面酸化層を研磨し、その後アセトンで洗浄を行った。焼結体の厚さは約5mmであった。
 [熱電変換材料の切削加工]
 作製された熱電変換材料である焼結体を切削し、3mm×3mm×5mmに加工した。切削後の熱電変換材料の加工表面を研磨した後、アセトンで洗浄を行った。KEITHLEY製ソースメータ(型番:3400)を用いて、4端子測定法に従って、熱電変換材料の電気抵抗値を測定した。その結果、41mΩであった。
 [耐久性テスト]
 耐久性テストとして、熱電変換材料の使用温度上限に近い450℃の大気中で2時間、熱電変換材料の加熱を行った。加熱により、再表面が酸化していたため、研磨により酸化層を除去した。図5は、実施例1で作製された熱電変換材料の耐久性テスト後に表面研磨を行ったものの観察図である。その後電気抵抗値を測定した。その結果、耐久性テスト後の熱電変換材料の電気抵抗値は、40mΩであった。すなわち、耐久性テスト前後で、ほとんど抵抗変化はなかった。
 (比較例1)
 [熱電変換材料の作製]
 固相反応で作製されたMg2.99Na0.01Sb1.0Bi1.0 4gをグローブボックスの内部で秤量したこと以外は、実施例1と同様にして、熱電変換材料を作製した。
 [熱電変換材料の切削加工]
 実施例1と同様に、作製された熱電変換材料を切削し、3mm×3mm×4mmに加工した。また、実施例1と同様に抵抗を測定したところ、30mΩであった。
 [耐久性テスト]
 実施例1と同様に、耐久性テストとして、熱電変換材料の使用温度上限に近い450℃の大気中で2時間、熱電変換材料の加熱を行ったところ、熱電変換材料は分解した。図6は、比較例1で作製された熱電変換材料の耐久性テスト後の観察図である。すなわち、図6に示されるように、材料全体が黄色及び黒色の粉状になっており、抵抗を測定することができなかった。分解した黄色の粉をX線回折で解析したところ、酸化ビスマスと思われるピークが観測された。
 (比較例2)
 [熱電変換材料の作製]
 固相反応で作製されたMg2.99Na0.01Sb1.25Bi0.75 4gをグローブボックスの内部で秤量したこと以外は、実施例1と同様にして、熱電変換材料を作製した。
 [熱電変換材料の切削加工]
 実施例1及び比較例1と同様に、作製された熱電変換材料を切削し、3mm×3mm×4mmに加工した。電気抵抗値は、37mΩであった。
 [耐久性テスト]
 実施例1及び比較例1と同様に、耐久性テストを実施したところ、熱電変換材料は分解しなかった。図7は、比較例2で作製された熱電変換材料の耐久性テスト後の観察図である。耐久性テスト後の熱電変換材料の電気抵抗値は、46mΩであった。すなわち、耐久性テスト後に、抵抗が少し大きくなった。
 (比較例3)
 [熱電変換材料の作製]
 固相反応で作製されたMg2.9875Na0.0125Sb1.5Bi0.5 4gをグローブボックスの内部で秤量したこと以外は、実施例1と同様にして、熱電変換材料を作製した。
 [熱電変換材料の切削加工]
 実施例1、比較例1及び比較例2と同様に、作製された熱電変換材料を切削し、3mm×3mm×4mmに加工した。電気抵抗値は、61mΩであった。
 [耐久性テスト]
 実施例1、比較例1及び比較例2と同様に、耐久性テストを実施したところ、熱電変換材料は分解しなかった。図8は、比較例3で作製された熱電変換材料の耐久性テスト後の観察図である。耐久性テスト後の熱電変換材料の電気抵抗値は、2997mΩであった。すなわち、耐久性テスト後に、抵抗が大幅に大きくなった。
 (実施例1及び比較例1~3のまとめ)
 実施例1に示されるように、炭素を含有し、Biの原子百分率がSbの原子百分率以上であるMg3(Sb,Bi)2系合金を主相とする熱電変換材料は、450℃大気中で加熱しても、熱電変換材料は分解しなかった。言い換えれば、炭素を含有するBiリッチなMg(Sb,Bi)系の合金を主相とする熱電変換材料は、450℃大気中で加熱しても、熱電変換材料は分解しなかった。また、耐久性テスト前後での、電気抵抗値の変化も小さかった。
 一方、比較例1に示されるように、Biの原子百分率がSbの原子百分率以上であるMg(Sb,Bi)系の合金を主相とする熱電変換材料であって、炭素を含有しない熱電変換材料については、450℃大気中で加熱すると熱電変換材料は分解した。言い換えれば、炭素を含有しないBiリッチなMg(Sb,Bi)系の熱電変換材料は、450℃大気中で加熱すると熱電変換材料は分解した。
 比較例2及び比較例3に示されるように、Biの原子百分率が、Sbの原子百分率未満であるMg(Sb,Bi)系の合金を主相とする熱電変換材料は、450℃大気中で加熱した場合であっても、熱電変換材料は分解しなかった。言い換えれば、炭素を含有しないSbリッチなMg(Sb,Bi)系の合金を主相とする熱電変換材料は、450℃大気中で加熱しても、熱電変換材料は分解しなかった。一方で、耐久性テスト後に、電気抵抗値が大きくなった。
 本開示の熱電変換材料は、従来の熱電変換材料の用途を含む様々な用途に使用できる。
 10  p型熱電変換素子
 20  n型熱電変換素子
 31  第一電極
 32  第二電極
 33  第三電極
 100 熱電変換モジュール

Claims (12)

  1.  Mg及びBiを含有する合金を主相とし、
     炭素を含み、かつ、p型である、
     熱電変換材料。
  2.  Sbを更に含み、
     前記熱電変換材料に含有されるBiの原子百分率は、前記熱電変換材料に含有されるSbの原子百分率以上である、
     請求項1に記載の熱電変換材料。
  3.  前記Na、Li、及びAgからなる群より選択される少なくとも1つを更に含む、
     請求項1又は2に記載の熱電変換材料。
  4.  前記主相は、Mg(Sb,Bi)系の合金であり、
     前記主相に含有されるBiの原子百分率は、前記主相に含有されるSbの原子百分率以上である、
     請求項1から3のいずれか一項に記載の熱電変換材料。
  5.  前記熱電変換材料において、
     前記主相は、式(1)Mg3―mSb2-zBiで表され、
     ここで、
     Aは、Na、Li、及びAgからなる群より選択される少なくとも1つを含み、
     -0.39 ≦ m ≦ 0.42
     0 < x ≦ 0.12、
     1.0 ≦ z ≦ 2.0、
     によって表される組成を有する、
     請求項4に記載の熱電変換材料。
  6.  0.001 ≦ x ≦ 0.05
     である、
     請求項5に記載の熱電変換材料。
  7.  前記熱電変換材料は、下記数式(M2)を満たし、
     0.5≦IC/IM 数式(M2)
     ICは、ラマンスペクトルにおける、前記炭素のピーク強度を表し、
     IMは、ラマンスペクトルにおける、Mg(Sb,Bi)系の前記合金のピーク強度を表す、
     請求項4から6のいずれか一項に記載の熱電変換材料。
  8.  前記熱電変換材料は、下記数式(M1)を満たし、
     0.01at%≦CC≦1.2at% 数式(M1)
     ここで、
     CCは、前記熱電変換材料における前記炭素の含有割合を表す、
     請求項1から7のいずれか一項に記載の熱電変換材料。
  9.  Mg及びBiを含有する合金と、
     炭素と、
     Na、Li、及びAgからなる群より選択される少なくとも1つとを含有する、
     熱電変換材料用組成物。
  10.  請求項1から8のいずれか1項に記載の熱電変換材料を備えた、
     熱電変換素子。
  11.  請求項10に記載の熱電変換素子であるp型熱電変換素子と、
     n型熱電変換素子と、が電気的に接続された、
     熱電変換モジュール。
  12.  熱電変換材料の製造方法であって、
     Mg、Bi、及び炭素を含有する合金粉末にスパークプラズマ焼結法によって通電し、500℃以上の温度で前記合金粉末を焼結することを含む、
     製造方法。
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