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WO2022054572A1 - 半導体装置 - Google Patents

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WO2022054572A1
WO2022054572A1 PCT/JP2021/031058 JP2021031058W WO2022054572A1 WO 2022054572 A1 WO2022054572 A1 WO 2022054572A1 JP 2021031058 W JP2021031058 W JP 2021031058W WO 2022054572 A1 WO2022054572 A1 WO 2022054572A1
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WO
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electrode
driver
switching element
layer
via conductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2021/031058
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
謙伍 大森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
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Priority to US18/023,754 priority patent/US20230245951A1/en
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    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/182—Disposition

Definitions

  • This disclosure relates to semiconductor devices.
  • a semiconductor device in which a plurality of semiconductor elements are sealed with a sealing resin and packaged is known.
  • semiconductor elements a plurality of switching elements, a driver for driving the plurality of switching elements, a metal read frame terminal supporting each switching element and the driver, and each switching element and a driver. It is provided with a sealing resin for sealing.
  • the lead frame terminal constitutes an exterior electrode exposed to the outside of the semiconductor device.
  • An object of the present disclosure is to provide a semiconductor device capable of reducing inductance.
  • a semiconductor device that solves the above problems includes a switching element, a specific element, and a resin layer that seals the switching element and the specific element, and the thickness direction of the resin layer is the height direction.
  • the exterior electrode is formed on the surface of the resin layer, and at least a part thereof overlaps with the switching element when viewed from the height direction, and the switching penetrates the resin layer in the height direction. It includes an element driving via conductor that electrically connects the element and the exterior electrode.
  • the switching element and the exterior electrode are connected by the element driving via conductor penetrating the resin layer in the height direction, the switching element and the exterior electrode are connected by the wire formed by wire bonding.
  • the length of the conductive path between the switching element and the exterior electrode can be shortened as compared with the above configuration. Therefore, the inductance caused by the length of this conductive path can be reduced.
  • a semiconductor device that solves the above problems includes a switching element, a driver that drives the switching element, and a resin layer that seals both the switching element and the driver, and the thickness direction of the resin layer is increased.
  • the switching element and the driver are arranged at intervals in a direction orthogonal to the height direction, and the switching element and the driver are arranged in the resin layer.
  • a via conductor for element control is embedded to connect with.
  • the switching element and the driver are connected by the element control via conductor embedded in the resin layer, which is compared with the configuration in which the switching element and the driver are connected by the wire formed by wire bonding. Therefore, the length of the conductive path between the switching element and the driver can be shortened. Therefore, the inductance caused by the length of this conductive path can be reduced.
  • the inductance can be reduced.
  • FIG. 3 is a plan view of a substrate on which a switching element and a driver of the semiconductor device of FIG. 1 are mounted.
  • the plan view of the semiconductor device of FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line 5-5 of the semiconductor device of FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line 6-6 of the semiconductor device of FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line 7-7 of the semiconductor device of FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line 8-8 of the semiconductor device of FIG.
  • the circuit diagram which shows an example of the circuit structure of the semiconductor device of FIG. Explanatory drawing explaining an example of the manufacturing process about the manufacturing method of the semiconductor device of one Embodiment. Explanatory drawing explaining an example of the manufacturing process of the manufacturing method of a semiconductor device. Explanatory drawing explaining an example of the manufacturing process of the manufacturing method of a semiconductor device. Explanatory drawing explaining an example of the manufacturing process of the manufacturing method of a semiconductor device. Explanatory drawing explaining an example of the manufacturing process of the manufacturing method of a semiconductor device. Explanatory drawing explaining an example of the manufacturing process of the manufacturing method of a semiconductor device. Explanatory drawing explaining an example of the manufacturing process of the manufacturing method of a semiconductor device. Explanatory drawing explaining an example of the manufacturing process of the manufacturing method of a semiconductor device. Explanatory drawing explaining an example of the manufacturing process of the manufacturing method of a semiconductor device. Explanatory drawing explaining an example of the manufacturing process of the manufacturing method of a semiconductor device.
  • Explanatory drawing explaining an example of the manufacturing process of the manufacturing method of a semiconductor device Explanatory drawing explaining an example of the manufacturing process of the manufacturing method of a semiconductor device. Explanatory drawing explaining an example of the manufacturing process of the manufacturing method of a semiconductor device. Explanatory drawing explaining an example of the manufacturing process of the manufacturing method of a semiconductor device. Explanatory drawing explaining an example of the manufacturing process of the manufacturing method of a semiconductor device. Explanatory drawing explaining an example of the manufacturing process of the manufacturing method of a semiconductor device. Explanatory drawing explaining an example of the manufacturing process of the manufacturing method of a semiconductor device. A plan view of a substrate on which a switching element and a driver are mounted for a semiconductor device of a comparative example.
  • FIG. 29 is a cross-sectional view taken along the line 30-30 of the semiconductor device of FIG.
  • FIG. 33 is a cross-sectional view taken along the line 34-34 of the semiconductor device of FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the semiconductor device of the modified example cut along the line 36-36 of FIG. Sectional drawing of the semiconductor device of the modification example.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the semiconductor device of the modified example cut along the line 39-39 of FIG. Sectional drawing of the semiconductor device of the modification example.
  • the semiconductor device 10 is formed in a rectangular flat plate shape.
  • the semiconductor device 10 has a device main surface 11 and a device back surface 12 facing opposite to each other, and a device side surface 13 to 16 facing a direction intersecting both the device main surface 11 and the device back surface 12.
  • the device side surfaces 13 to 16 face in a direction orthogonal to both the device main surface 11 and the device back surface 12.
  • the device main surface 11 and the device back surface 12 are arranged apart from each other.
  • the arrangement direction of the main surface 11 of the device and the back surface 12 of the device is defined as the z direction.
  • the z direction can also be said to be the height direction of the semiconductor device 10.
  • the two directions orthogonal to each other are defined as the x direction and the y direction, respectively.
  • the x direction is an example of the first direction
  • the y direction is an example of the second direction.
  • the device side surfaces 13 and 14 when viewed from the z direction, are surfaces along the x direction, and the device side surfaces 15 and 16 are surfaces along the y direction.
  • the device side surfaces 13 and 14 are surfaces facing opposite to each other in the y direction, and the device side surfaces 15 and 16 are surfaces facing each other in the x direction.
  • the shape of the semiconductor device 10 when viewed from the z direction is a rectangular shape in which the x direction is the short side direction and the y direction is the long side direction.
  • the semiconductor device 10 includes a support layer 20 and a resin layer 50 laminated on the support layer 20.
  • the support layer 20 is made of a material having electrical insulation, for example, an epoxy resin.
  • the support layer 20 is formed in a rectangular flat plate shape with the z direction as the thickness direction. Therefore, the thickness direction of the support layer 20 can be said to be the height direction of the semiconductor device 10.
  • the support layer 20 is arranged closer to the back surface 12 of the semiconductor device 10 than the main surface 11 of the device in the z direction.
  • the support layer 20 constitutes a back surface 12 of the device and a part of each of the side surfaces 13 to 16 of the device in the z direction.
  • the support layer 20 has a support main surface 21 and a support back surface 22 facing opposite to each other in the z direction, and support side surfaces 23 to 26 facing directions orthogonal to both the support main surface 21 and the support back surface 22.
  • the support main surface 21 faces the same side as the device main surface 11, and the support back surface 22 faces the same side as the device back surface 12.
  • the support back surface 22 constitutes the device back surface 12.
  • the support side surface 23 faces the same side as the device side surface 13
  • the support side surface 24 faces the same side as the device side surface 14
  • the support side surface 25 faces the same side as the device side surface 15, and the support side surface 26 faces the same side as the device side surface 16. It is suitable.
  • the shape of the support layer 20 when viewed from the z direction is a rectangular shape in which the x direction is the short side direction and the y direction is the long side direction.
  • the resin layer 50 is formed in a rectangular flat plate shape with the z direction as the thickness direction. Therefore, it can be said that the thickness direction of the resin layer 50 is the height direction of the semiconductor device 10.
  • the resin layer 50 is formed on the support main surface 21 of the support layer 20.
  • the resin layer 50 constitutes a main surface 11 of the device and a part of each of the side surfaces 13 to 16 of the device in the z direction.
  • the thickness of the resin layer 50 is thicker than that of the support layer 20.
  • the resin layer 50 is made of a material having electrical insulation.
  • the resin layer 50 is made of, for example, the same material as the support layer 20. In this embodiment, the resin layer 50 is made of a black epoxy resin.
  • the resin layer 50 is orthogonal to both the resin main surface 51 and the resin back surface 52 (see FIG. 5) facing opposite sides in the z direction and both the resin main surface 51 and the resin back surface 52. It has resin side surfaces 53 to 56 facing in the direction of the resin.
  • the resin main surface 51 faces the same side as the device main surface 11, and the resin back surface 52 faces the same side as the device back surface 12.
  • the resin main surface 51 constitutes the device main surface 11.
  • the resin back surface 52 is in contact with the support main surface 21 of the support layer 20.
  • the resin side surface 53 faces the same side as the device side surface 13
  • the resin side surface 54 faces the same side as the device side surface 14
  • the resin side surface 55 faces the same side as the device side surface 15
  • the resin side surface 56 faces the same side as the device side surface 16. It is suitable.
  • the shape of the resin layer 50 as viewed from the z direction is a rectangular shape in which the y direction is the long side direction and the x direction is the short side direction. As shown in FIG. 1, in the present embodiment, the resin side surface 53 and the support side surface 23 are flush with each other, the resin side surface 54 and the support side surface 24 are flush with each other, and the resin side surface 55 and the support side surface 25 are flush with each other.
  • the resin side surface 56 and the support side surface 26 are flush with each other.
  • the device side surface 13 is composed of the resin side surface 53 and the support side surface 23
  • the device side surface 14 is composed of the resin side surface 54 and the support side surface 24
  • the device side surface 15 is composed of the resin side surface 55 and the support side surface 25
  • the device side surface 16 is composed of the resin side surface 56 and the support side surface 26.
  • the resin layer 50 includes an element sealing layer 50A formed on the support main surface 21 and a surface side resin layer 50B laminated on the element sealing layer 50A. is doing. That is, the element sealing layer 50A and the surface side resin layer 50B are laminated in the thickness direction (z direction) of the resin layer 50.
  • the element sealing layer 50A constitutes a resin back surface 52 and a part of the resin side surfaces 53 to 56 in the z direction
  • the front surface side resin layer 50B is the resin main surface 51 and the resin side surfaces 53 to 56 in the z direction. It constitutes the rest.
  • the thickness of the surface-side resin layer 50B is thinner than the thickness of the element sealing layer 50A.
  • the thickness of the surface-side resin layer 50B is preferably 1 ⁇ 2 or less of the thickness of the element sealing layer 50A.
  • the thickness of the surface-side resin layer 50B may be any thickness as long as it can seal a plurality of wirings such as via connection wiring 63pc and 63qc formed on the element sealing layer 50A, which will be described later, and seal these wirings. It is preferable that it is as thin as possible.
  • An interface 57 is formed at the boundary between the element sealing layer 50A and the surface side resin layer 50B. In this embodiment, the interface 57 is formed as an xy plane.
  • the resin main surface 51 which is the surface of the resin layer 50, has an external terminal for electrically connecting the semiconductor device 10 to, for example, the wiring of the circuit board when the semiconductor device 10 is mounted on the circuit board.
  • the exterior electrode 70 is provided. That is, the resin main surface 51 is a mounting surface when the semiconductor device 10 is mounted on a circuit board, for example.
  • the exterior electrode 70 includes a Cu (copper) layer and a plating layer covering the Cu layer.
  • the Cu layer includes a seed layer formed on the resin main surface 51 and a plating layer formed on the seed layer.
  • the seed layer is made of, for example, Cu or Ti (titanium).
  • the plating layer is made of Cu.
  • the plating layer covering the Cu layer is composed of, for example, a laminate of a Ni (nickel) layer, a Pd (palladium) layer and an Au (gold) layer.
  • the exterior electrode 70 has a power supply electrode 71, a ground electrode 72, an output electrode 73, and a plurality of driver connection electrodes 74.
  • the power supply electrode 71, the ground electrode 72, and the output electrode 73 are arranged closer to the resin side surface 54 than the plurality of driver connection electrodes 74 of the resin main surface 51 in the y direction.
  • the power supply electrode 71, the ground electrode 72, and the output electrode 73 are arranged so as to be aligned with each other in the y direction and separated from each other in the x direction.
  • the plurality of driver connection electrodes 74 are arranged at both ends of the resin main surface 51 in the x direction and at both ends of the resin main surface 51 in the y direction, whichever is closer to the resin side surface 53.
  • the number of driver connection electrodes 74 can be arbitrarily changed.
  • the semiconductor device 10 includes a switching element 30 and a driver 40, and a via conductor 60 individually electrically connected to the switching element 30 and the driver 40.
  • the switching element 30 includes a first switching element 30A and a second switching element 30B. That is, the semiconductor device 10 has a plurality of switching elements.
  • the driver 40 includes a drive circuit that drives each of the plurality of switching elements.
  • the driver 40 includes a drive circuit for driving each of the first switching element 30A and the second switching element 30B.
  • Each of the switching elements 30A and 30B and the driver 40 is mounted on the support layer 20. More specifically, as shown in FIGS. 5 and 7, each of the switching elements 30A and 30B and the driver 40 are joined on the support main surface 21 of the support layer 20 by the bonding material SD.
  • the bonding material SD is an adhesive such as an epoxy resin or a silicone resin. It is also possible to use a bonding material SD having good heat transfer. Further, when a metal film is formed on the surfaces of the switching elements 30A and 30B, the driver 40, and the support layer 20 facing each other, Ag (silver) paste, solder, or a conductive adhesive is used as the bonding material SD. You can also do it. Further, the bonding material SD may be omitted.
  • each of the switching elements 30A and 30B is, for example, a transistor.
  • the switching elements 30A and 30B are transistors operating at a high frequency of 1 MHz or more.
  • the switching elements 30A and 30B are made of GaN (Gallium Nitride).
  • GaNHEMT gallium nitride high electron mobility transistors
  • GaN HEMTs of the same size are used for each of the switching elements 30A and 30B.
  • GaN HEMTs having the same configuration are used for the switching elements 30A and 30B.
  • Each of the switching elements 30A and 30B is formed in a rectangular flat plate shape having the z direction as the thickness direction. Therefore, it can be said that the thickness direction of each of the switching elements 30A and 30B is the height direction of the semiconductor device 10.
  • the shape of each of the switching elements 30A and 30B viewed from the z direction is a rectangular shape having a long side direction and a short side direction.
  • the switching elements 30A and 30B are arranged on the support main surface 21 so that the y direction is the long side direction and the x direction is the short side direction.
  • the switching elements 30A and 30B are arranged at intervals in a direction orthogonal to the height direction (z direction) of the semiconductor device 10. As shown in FIG. 2, the switching elements 30A and 30B are arranged so as to be aligned with each other in the y direction and separated from each other in the x direction.
  • the first switching element 30A is arranged closer to the support side surface 25 than the second switching element 30B in the support main surface 21.
  • the x direction can be said to be the arrangement direction of the first switching element 30A and the second switching element 30B.
  • the first switching element 30A has a first element main surface 31A and a first element back surface 32A facing opposite sides in the z direction.
  • the first element main surface 31A faces the same side as the device main surface 11 (support main surface 21), and the first element back surface 32A faces the same side as the device back surface 12 (support back surface 22).
  • a first drive pad electrode 31AA, a second drive pad electrode 31AB, and a control pad electrode 31AC are formed on the first element main surface 31A.
  • the first drive pad electrode 31AA constitutes the drain electrode of the first switching element 30A
  • the second drive pad electrode 31AB constitutes the source electrode of the first switching element 30A
  • the control pad electrode 31AC is the first. It constitutes the gate electrode of the switching element 30A.
  • the drive pad electrodes 31AA and 31AB and the control pad electrodes 31AC are formed on the surface of the first switching element 30A closer to the exterior electrode 70 in the z direction. Therefore, the distance between the drive pad electrodes 31AA and 31AB and the power supply electrode 71 and the output electrode 73 becomes short.
  • the drive pad electrodes 31AA and 31AB have the same size and have a rectangular shape having a long side direction and a short side direction when viewed from the z direction.
  • the drive pad electrodes 31AA and 31AB are formed on the first element main surface 31A so that the long side direction is along the x direction and the short side direction is along the y direction. That is, the drive pad electrodes 31AA and 31AB extend in the x direction, which is the arrangement direction of the first switching element 30A and the second switching element 30B.
  • a plurality of first drive pad electrodes 31AA and a plurality of second drive pad electrodes 31AB are formed on the first element main surface 31A.
  • the first drive pad electrode 31AA and the second drive pad electrode 31AB are arranged alternately in the y direction.
  • the control pad electrode 31AC is arranged at both ends of the first element main surface 31A in the y direction, whichever is closer to the support side surface 23 (driver 40). That is, the control pad electrode 31AC is arranged closer to the support side surface 23 (driver 40) than the drive pad electrodes 31AA and 31AB of the first element main surface 31A.
  • the second switching element 30B has a second element main surface 31B and a second element back surface 32B facing opposite sides in the z direction.
  • the second element main surface 31B faces the same side as the device main surface 11 (support main surface 21), and the second element back surface 32B faces the same side as the device back surface 12 (support back surface 22).
  • a first drive pad electrode 31BA, a second drive pad electrode 31BB, and a control pad electrode 31BC are formed on the second element main surface 31B.
  • the first drive pad electrode 31BA constitutes the drain electrode of the second switching element 30B
  • the second drive pad electrode 31BB constitutes the source electrode of the second switching element 30B
  • the control pad electrode 31BC is the second. It constitutes the gate electrode of the switching element 30B.
  • the drive pad electrodes 31BA and 31BB and the control pad electrode 31BC are formed on the surface of the second switching element 30B closer to the exterior electrode 70 in the z direction. Therefore, the distance between the drive pad electrodes 31BA and 31BB and the ground electrode 72 and the output electrode 73 becomes short.
  • the drive pad electrodes 31BA and 31BB have the same size and have a rectangular shape having a long side direction and a short side direction when viewed from the z direction.
  • the drive pad electrodes 31BA and 31BB are formed on the second element main surface 31B so that the long side direction is along the x direction and the short side direction is along the y direction. That is, the drive pad electrodes 31BA and 31BB extend in the x direction, which is the arrangement direction of the first switching element 30A and the second switching element 30B.
  • a plurality of first drive pad electrodes 31BA and a plurality of second drive pad electrodes 31BB are formed on the second element main surface 31B.
  • the first drive pad electrode 31BA and the second drive pad electrode 31BB are arranged alternately in the y direction.
  • the first drive pad electrode 31BA is arranged at a position aligned with the first drive pad electrode 31AA of the first switching element 30A in the y direction
  • the second drive pad electrode 31BB is the first switching element 30A. It is arranged at a position aligned with the second drive pad electrode 31AB in the y direction.
  • the first drive pad electrode 31BA is arranged at a position deviated from the second drive pad electrode 31AB in the y direction when viewed from the z direction
  • the second drive pad electrode 31BB is the first drive in the y direction. It is arranged at a position shifted from the pad electrode 31AA.
  • the control pad electrode 31BC is arranged at both ends of the second element main surface 31B in the y direction, whichever is closer to the support side surface 23 (driver 40). That is, the control pad electrode 31BC is arranged closer to the support side surface 23 (driver 40) than the drive pad electrodes 31BA and 31BB of the second element main surface 31B.
  • each of the switching elements 30A and 30B is a horizontal transistor in which a first drive electrode (drain electrode), a second drive electrode (source electrode), and a control electrode (gate electrode) are formed on one surface facing the z direction. be.
  • the switching elements 30A and 30B are not limited to gallium nitride high electron mobility transistors, but are MOSFETs containing Si (silicon) -containing MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) and SiC (silicon carbide). You may.
  • the driver 40 is arranged at intervals from the switching elements 30A and 30B in the y direction.
  • the driver 40 is arranged closer to the support side surface 23 than the switching elements 30A and 30B of the support main surface 21 in the y direction when viewed from the z direction.
  • the driver 40 is arranged at the center of the support main surface 21 in the x direction.
  • the driver 40 is arranged at a position aligned with the switching elements 30A and 30B in the z direction. That is, the switching elements 30A and 30B and the driver 40 are arranged on the same plane.
  • the driver 40 is formed in a rectangular flat plate shape having the z direction as the thickness direction. Therefore, it can be said that the thickness direction of the driver 40 is the height direction of the semiconductor device 10.
  • the shape of the driver 40 when viewed from the z direction is a rectangular shape in which the x direction is the long side direction and the y direction is the short side direction.
  • the shape of the driver 40 as viewed from the z direction can be arbitrarily changed. In one example, the shape of the driver 40 as viewed from the z direction may be square.
  • the driver 40 has a driver main surface 41 and a driver back surface 42 facing opposite sides in the z direction.
  • the driver main surface 41 faces the same side as the device main surface 11, and the driver back surface 42 faces the same side as the device back surface 12.
  • the driver 40 has a plurality of driver pad electrodes 43.
  • Each driver pad electrode 43 is exposed from the driver main surface 41. That is, each driver pad electrode 43 is exposed from the driver main surface 41 of the driver 40 facing the same side as the element main surfaces 31A and 31B on which the control pad electrodes 31AC and 31BC are formed. Therefore, there is little variation between the positions of the driver pad electrodes 43 and the positions of the control pad electrodes 31AC and 31BC in the z direction. Further, each driver pad electrode 43 is exposed from the surface of the driver 40 closer to the exterior electrode 70 in the z direction. Therefore, the distance between the driver pad electrode 43 and the driver connection electrode 74 becomes shorter in the z direction.
  • each of the switching elements 30A and 30B and the driver 40 is sealed by the resin layer 50. More specifically, each of the switching elements 30A and 30B and the driver 40 is sealed by the element sealing layer 50A.
  • the interface 57 between the element sealing layer 50A and the surface side resin layer 50B is a resin main surface 51 (device main surface 11) rather than the element main surfaces 31A and 31B of the switching elements 30A and 30B and the driver main surface 41 of the driver 40. ) Is formed near. That is, the element sealing layer 50A covers the element main surfaces 31A and 31B of the switching elements 30A and 30B and the driver main surface 41 of the driver 40.
  • the first switching element 30A is arranged at a position overlapping with the power supply electrode 71 when viewed from the z direction.
  • the power supply electrode 71 is arranged at a position overlapping with the first switching element 30A when viewed from the z direction. More specifically, the power supply electrode 71 is arranged at a position overlapping with each first drive pad electrode 31AA of the first switching element 30A when viewed from the z direction.
  • the power supply electrode 71 is arranged so as to protrude in the x direction with respect to the first switching element 30A. As shown in FIG. 4, the power supply electrode 71 has a protruding portion protruding toward the side surface 15 of the device with respect to the first switching element 30A.
  • the second switching element 30B is arranged at a position overlapping with the ground electrode 72 when viewed from the z direction.
  • the ground electrode 72 is arranged at a position overlapping with the second switching element 30B when viewed from the z direction. More specifically, the ground electrode 72 is arranged at a position overlapping with each second drive pad electrode 31BB of the second switching element 30B when viewed from the z direction.
  • the ground electrode 72 is arranged so as to protrude in the x direction with respect to the second switching element 30B. As shown in FIG. 4, the ground electrode 72 has a protruding portion protruding toward the side surface 16 of the device with respect to the second switching element 30B.
  • the first switching element 30A and the second switching element 30B are arranged at positions that do not overlap with the output electrode 73.
  • the output electrode 73 is arranged at a position where it does not overlap with both the first switching element 30A and the second switching element 30B.
  • the output electrode 73 is arranged between the first switching element 30A and the second switching element 30B in the x direction when viewed from the z direction.
  • the driver 40 When viewed from the z direction, the driver 40 is arranged at a position where it does not overlap with the plurality of driver connection electrodes 74.
  • the plurality of driver connection electrodes 74 are arranged at positions that do not overlap with the driver 40 when viewed from the z direction. More specifically, the driver connection electrode 74 is arranged so as to surround the driver 40 when viewed from the z direction.
  • the via conductor 60 is provided in the resin layer 50, and may electrically connect the exterior electrode 70 and the switching elements 30A and 30B, or each switching element. It is a conductor that electrically connects the drivers 40 and 30A and 30B, and electrically connects the driver 40 and the exterior electrode 70.
  • the via conductor 60 includes a power supply via conductor 61, a ground via conductor 62, an output via conductor 63, an element control via conductor 64, and a plurality of driver via conductors 65.
  • the via conductor 60 is made of, for example, Cu.
  • the power supply via conductor 61 is a conductor that electrically connects the first drive pad electrode 31AA of the first switching element 30A and the power supply electrode 71 of the exterior electrodes 70.
  • a plurality of power supply via conductors 61 are provided.
  • the plurality of power supply via conductors 61 are arranged so as to be aligned with each other in the x direction and separated from each other in the y direction.
  • the power supply via conductor 61 is arranged at a position overlapping with the first drive pad electrode 31AA of the first switching element 30A when viewed from the z direction.
  • the power supply via conductor 61 is arranged at a position overlapping the ends of the first drive pad electrode 31AA in the x direction, whichever is closer to the support side surface 25.
  • the power supply via conductor 61 is arranged at both ends of the first drive pad electrode 31AA in the x direction, whichever is farther from the output electrode 73.
  • the power supply via conductor 61 is arranged at a position overlapping with the power supply electrode 71 when viewed from the z direction. That is, as shown in FIG. 6, the power supply via conductor 61 is arranged at a position where both the first drive pad electrode 31AA and the power supply electrode 71 are overlapped with each other when viewed from the z direction.
  • Each power supply via conductor 61 is composed of vias extending in the z direction. In the present embodiment, the shape of each power supply via conductor 61 when viewed from the z direction is circular. The diameter of each power supply via conductor 61 is, for example, 100 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less.
  • the shape of the power supply via conductor 61 as viewed from the z direction is not limited to a circular shape and can be arbitrarily changed.
  • the shape of the power supply via conductor 61 when viewed from the z direction may be a polygon such as a quadrangle or an ellipse.
  • the power supply via conductor 61 is provided so as to penetrate the resin layer 50 in the z direction.
  • the power supply via conductor 61 is provided so as to penetrate both the element sealing layer 50A and the surface side resin layer 50B in the z direction.
  • the resin layer 50 includes a portion of the element sealing layer 50A between the first element main surface 31A of the first switching element 30A and the interface 57 in the z direction, and the z of the surface side resin layer 50B.
  • a through hole 58a that penetrates the entire direction is provided.
  • the first drive pad electrode 31AA is exposed in the z direction through the through hole 58a.
  • the through hole 58a exposes the ends of the first drive pad electrode 31AA in the x direction, whichever is closer to the resin side surface 55, in the z direction.
  • the power supply via conductor 61 is provided so as to fill the through hole 58a. Therefore, the power supply via conductor 61 is in contact with the first drive pad electrode 31AA and is exposed from the resin main surface 51 of the resin layer 50. In other words, the power supply via conductor 61 is connected to the end of the first drive pad electrode 31AA in the x direction, which is farther from the output electrode 73 (the end closer to the resin side surface 55).
  • the power supply via conductor 61 is the end portion (resin side surface 55) of the resin main surface 51 of the resin layer 50, which is far from the output electrode 73 among both ends of the first drive pad electrode 31AA in the x direction when viewed from the z direction. It is exposed from the position where it overlaps with the end closer to).
  • the portion of the power supply via conductor 61 exposed from the resin main surface 51 is covered with the power supply electrode 71. That is, the power supply via conductor 61 is in contact with the power supply electrode 71. As a result, the power supply via conductor 61 is connected to the first drive pad electrode 31AA and the power supply electrode 71.
  • the length of the power supply via conductor 61 in the z direction is slightly longer than the length of the first switching element 30A in the z direction (thickness of the first switching element 30A), and the element sealing layer 50A. Shorter than the thickness of.
  • the ground via conductor 62 is a conductor that electrically connects the second drive pad electrode 31BB of the second switching element 30B and the ground electrode 72 of the exterior electrodes 70.
  • a plurality of ground via conductors 62 are provided.
  • the plurality of ground via conductors 62 are arranged so as to be aligned with each other in the x direction and separated from each other in the y direction.
  • the ground via conductor 62 is arranged so as to be offset from the power supply via conductor 61 in the y direction.
  • the ground via conductor 62 is arranged at a position overlapping with the second drive pad electrode 31BB of the second switching element 30B when viewed from the z direction.
  • the ground via conductor 62 is arranged at a position overlapping the ends of the second drive pad electrode 31BB in the x direction, whichever is closer to the support side surface 26.
  • the ground via conductor 62 is arranged at both ends of the second drive pad electrode 31BB in the x direction, whichever is farther from the output electrode 73.
  • the ground via conductor 62 is arranged at a position overlapping the ground electrode 72 when viewed from the z direction. That is, as shown in FIG. 6, the ground via conductor 62 is arranged at a position where both the second drive pad electrode 31BB and the ground electrode 72 are overlapped with each other when viewed from the z direction.
  • Each ground via conductor 62 is composed of vias extending along the z direction. In the present embodiment, the shape of each ground via conductor 62 when viewed from the z direction is circular. The diameter of each ground via conductor 62 is, for example, 100 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less.
  • the shape of the ground via conductor 62 when viewed from the z direction is not limited to a circular shape and can be arbitrarily changed.
  • the shape of the ground via conductor 62 when viewed from the z direction may be a polygon such as a quadrangle or an ellipse.
  • the ground via conductor 62 is provided so as to penetrate the resin layer 50 in the z direction.
  • the ground via conductor 62 is provided so as to penetrate both the element sealing layer 50A and the surface side resin layer 50B in the z direction.
  • the resin layer 50 includes a portion of the element sealing layer 50A between the second element main surface 31B of the second switching element 30B and the interface 57 in the z direction, and the z of the surface side resin layer 50B.
  • a through hole 58b is provided that penetrates the entire direction.
  • the second drive pad electrode 31BB is exposed in the z direction through the through hole 58b.
  • the through hole 58b exposes both ends of the second drive pad electrode 31BB in the x direction, whichever is closer to the support side surface 26, in the z direction.
  • the ground via conductor 62 is provided so as to fill the through hole 58b. Therefore, the ground via conductor 62 is in contact with the second drive pad electrode 31BB and is exposed from the resin main surface 51 of the resin layer 50. In other words, the ground via conductor 62 is connected to the end of the second drive pad electrode 31BB in the x direction, which is farther from the output electrode 73 (the end closer to the support side surface 26).
  • the ground via conductor 62 is the end portion (support side surface 26) of the resin main surface 51 of the resin layer 50, which is far from the output electrode 73 among both ends of the second drive pad electrode 31BB in the x direction when viewed from the z direction. It is exposed from the position where it overlaps with the end closer to).
  • the portion of the ground via conductor 62 exposed from the resin main surface 51 is covered with the ground electrode 72. That is, the ground via conductor 62 is in contact with the ground electrode 72. As a result, the ground via conductor 62 is connected to the second drive pad electrode 31BB and the ground electrode 72.
  • the length of the ground via conductor 62 in the z direction is slightly longer than the length of the second switching element 30B in the z direction (thickness of the second switching element 30B), and the element sealing layer 50A Shorter than the thickness of.
  • the length of the ground via conductor 62 in the z direction is equal to the length of the power supply via conductor 61 in the z direction.
  • the difference between the length of the ground via conductor 62 in the z direction and the length of the power supply via conductor 61 in the z direction is, for example, 10% or less of the length of the ground via conductor 62 in the z direction, the ground is ground. It can be said that the length of the via conductor 62 in the z direction is equal to the length of the via conductor 61 for power supply in the z direction.
  • the output via conductor 63 includes the second drive pad electrode 31AB of the first switching element 30A, the first drive pad electrode 31BA of the second switching element 30B, and the exterior electrode 70. It is a conductor that electrically connects to the output electrode 73.
  • the output via conductor 63 is a first output via conductor 63P that connects the second drive pad electrode 31AB and the output electrode 73, and a second output via conductor that connects the first drive pad electrode 31BA and the output electrode 73. It has 63Q and.
  • the first output via conductor 63P and the second output via conductor 63Q are electrically connected via the output electrode 73. In other words, the first output via conductor 63P and the second output via conductor 63Q are not directly electrically connected.
  • the first output via conductor 63P and the second output via conductor 63Q are , Are displaced in the y direction.
  • the end closer to the resin side surface 53 is arranged closer to the resin side surface 53 than the second output via conductor 63Q.
  • the ends of the second output via conductor 63Q closer to the resin side surface 54 among both ends in the y direction are arranged closer to the resin side surface 54 than the first output via conductor 63P.
  • the first output via conductor 63P is arranged closer to the resin side surface 55 than the second output via conductor 63Q.
  • the space between the first output via conductor 63P and the second output via conductor 63Q in the x direction is filled with the resin layer 50.
  • the first output via conductor 63P is provided so as to penetrate the resin layer 50 in the z direction. More specifically, the first output via conductor 63P penetrates both the portion of the element sealing layer 50A that covers the first element main surface 31A of the first switching element 30A and the surface side resin layer 50B in the z direction. It is provided as follows. As shown in FIG. 5, the first output via conductor 63P has a crank shape. The first output via conductor 63P includes a first element connection via 63pa connected to the second drive pad electrode 31AB, a first electrode connection via 63pb connected to the output electrode 73, and a first element connection via. It has a first via connection wiring 63pc for connecting 63pa and a first electrode connection via 63pb.
  • a plurality of first element connecting vias 63pa are provided.
  • the plurality of first element connecting vias 63pa are arranged so as to be aligned with each other in the x direction and separated from each other in the y direction.
  • the via 63pa for connecting the first element is arranged at a position overlapping with the second drive pad electrode 31AB when viewed from the z direction. More specifically, when viewed from the z direction, the first element connecting via 63pa is arranged at a position overlapping the end of the second drive pad electrode 31AB in the x direction, whichever is closer to the support side surface 26. There is.
  • the first element connecting via 63pa is arranged at a position overlapping the end of the second drive pad electrode 31AB in the x direction, whichever is closer to the output electrode 73. That is, the first element connecting via 63pa is arranged closer to the support side surface 26 (near the output electrode 73) than the power supply via conductor 61 in the x direction.
  • the plurality of first element connecting vias 63pa are arranged at positions deviated from the plurality of power supply via conductors 61 in the y direction. Further, when viewed from the z direction, the plurality of first element connecting vias 63pa are arranged at aligned positions with respect to the plurality of ground via conductors 62 in the y direction.
  • the first element connecting via 63pa penetrates the portion of the element sealing layer 50A that covers the first element main surface 31A in the z direction. More specifically, the element sealing layer 50A is provided with a through hole 58c that penetrates the portion of the element sealing layer 50A that covers the first element main surface 31A in the z direction.
  • the second drive pad electrode 31AB is exposed in the z direction through the through hole 58c.
  • the through hole 58c exposes the end portion (the end portion closer to the output electrode 73) closer to the support side surface 26 of both ends in the x direction of the second drive pad electrode 31AB in the z direction.
  • the via 63pa for connecting the first element is provided so as to fill the through hole 58c.
  • the via 63pa for connecting the first element extends along the z direction and is in contact with the second drive pad electrode 31AB.
  • the first element connection via 63pa is connected to both ends of the second drive pad electrode 31AB in the x direction, whichever is closer to the output electrode 73 (the end closer to the resin side surface 56).
  • the via 63pa for connecting the first element is the end portion (on the resin side surface 56) of the element sealing layer 50A which is closer to the output electrode 73 among both ends of the second drive pad electrode 31AB in the x direction when viewed from the z direction. It is exposed from the position where it overlaps with the nearest end).
  • the shape of the first element connecting via 63pa seen from the z direction is circular.
  • the diameter of the first element connecting via 63pa is equal to the diameter of the power supply via conductor 61, and is, for example, 100 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less.
  • the shape of the first element connecting via 63pa as viewed from the z direction is not limited to a circular shape and can be arbitrarily changed.
  • the shape of the first element connecting via 63pa viewed from the z direction may be a polygon such as a quadrangle or an ellipse.
  • the length of the first element connecting via 63pa in the z direction is shorter than the length of the first switching element 30A in the z direction.
  • the length of the first element connecting via 63pa in the z direction is less than 1 mm.
  • the length of the first element connecting via 63pa in the z direction is about several hundred ⁇ m.
  • the first via connection wiring 63pc is provided on the element sealing layer 50A.
  • the first via connection wiring 63pc is provided at the interface 57 between the element sealing layer 50A and the surface side resin layer 50B.
  • the shape of the first via connection wiring 63pc seen from the z direction is a rectangular shape in which the x direction is the short side direction and the y direction is the long side direction.
  • the first via connection wiring 63pc is formed so as to straddle each of the second drive pad electrodes 31AB in the y direction.
  • the first via connection wiring 63pc covers each first element connection via 63pa.
  • each first element connection via 63pa is arranged at a position overlapping with the first via connection wiring 63pc when viewed from the z direction. More specifically, the first element connecting via 63pa is arranged at a position overlapping both the second drive pad electrode 31AB and the first via connecting wiring 63pc when viewed from the z direction.
  • the first element connection via 63pa is the end portion of the first via connection wiring 63pc in the x direction that is closer to the resin side surface 55 (the end farther from the output electrode 73). It is placed in an overlapping position. Further, of the both ends of the first via connection wiring 63pc in the x direction, the end portion closer to the resin side surface 55 is a portion protruding from the output electrode 73 in the x direction when viewed from the z direction. That is, as shown in FIG. 5, the first element connecting via 63pa is arranged at a position that does not overlap with the output electrode 73 when viewed from the z direction. More specifically, the first element connecting via 63pa is arranged closer to the resin side surface 55 than the output electrode 73 in the x direction.
  • the first via connection wiring 63pc is arranged at a position displaced in the x direction with respect to the first switching element 30A when viewed from the z direction. More specifically, the first via connection wiring 63pc has a protruding portion that protrudes toward the resin side surface 56 in the x direction with respect to the first switching element 30A when viewed from the z direction. As shown in FIG. 5, the protruding portion of the first via connection wiring 63pc extends to a position overlapping with the output electrode 73 when viewed from the z direction.
  • the center of the first via connection wiring 63pc in the y direction is arranged at a position aligned with the center of the first switching element 30A in the y direction when viewed from the z direction.
  • a plurality of first electrode connecting vias 63pb are provided.
  • the plurality of first electrode connecting vias 63pb are arranged so as to be aligned with each other in the x direction and separated from each other in the y direction.
  • the first electrode connecting via 63pb is arranged at a position aligned with the first element connecting via 63pa in the y direction. That is, both the first electrode connecting via 63pb and the first element connecting via 63pa are arranged at positions deviated from the power supply via conductor 61 in the y direction.
  • the arrangement position of the first electrode connecting via 63pb in the y direction can be arbitrarily changed.
  • the first electrode connecting via 63pb may be arranged at a position deviated from the first element connecting via 63pa in the y direction. At least one of the plurality of first electrode connecting vias 63pb may be arranged at a position aligned with the power supply via conductor 61 in the y direction.
  • the first electrode connecting via 63pb is arranged at a position overlapping with the output electrode 73 when viewed from the z direction. More specifically, when viewed from the z direction, the first electrode connecting via 63pb is arranged at a position overlapping the ends of the output electrode 73 in the x direction, whichever is closer to the support side surface 25. Further, when viewed from the z direction, the first electrode connecting via 63pb is arranged at a position overlapping with the first via connecting wiring 63pc. In the present embodiment, the first electrode connecting via 63pb is the end of the first via connecting wiring 63pc in the x direction, whichever is closer to the resin side surface 56 (the end closer to the output electrode 73).
  • the first electrode connecting via 63pb is arranged at a position overlapping the protruding portion of the first via connecting wiring 63pc when viewed from the z direction.
  • the via 63pb for connecting the first electrode is arranged at a position overlapping the output electrode 73 and not overlapping with the first switching element 30A when viewed from the z direction.
  • the first electrode connecting via 63pb is arranged between the first switching element 30A and the second switching element 30B in the x direction.
  • the first electrode connecting via 63pb is arranged at a position deviated from the first element connecting via 63pa in the z direction.
  • the first electrode connecting via 63pb is provided so as to penetrate the surface side resin layer 50B in the z direction. More specifically, the resin layer 50 is provided with a through hole 58d that penetrates the surface side resin layer 50B in the z direction.
  • the first via connection wiring 63pc is exposed in the z direction through the through hole 58d.
  • the through hole 58d exposes the end portion (the end portion closer to the output electrode 73) closer to the support side surface 26 of both ends in the x direction of the first via connection wiring 63pc in the z direction.
  • the first electrode connecting via 63pb is provided so as to fill the through hole 58d. Therefore, the first electrode connecting via 63pb extends along the z direction and is in contact with the first via connecting wiring 63pc. Further, the first electrode connecting via 63pb is exposed from the resin layer 50 in the z direction. In other words, the first electrode connecting via 63pb is connected to both ends of the first via connecting wiring 63pc in the x direction, whichever is closer to the output electrode 73 (the end closer to the resin side surface 56). ing.
  • the first electrode connecting via 63pb is the end of the resin main surface 51 of the resin layer 50 that is closer to the output electrode 73 among both ends of the first via connecting wiring 63pc in the x direction when viewed from the z direction. It is exposed from the position where it overlaps with the end portion closer to the resin side surface 56). The portion of the first electrode connecting via 63pb exposed from the resin layer 50 is covered with the output electrode 73. Therefore, the first electrode connecting via 63pb is in contact with the output electrode 73. That is, the first electrode connecting via 63pb connects both the first via connecting wiring 63pc and the output electrode 73.
  • the shape of the first electrode connecting via 63pb seen from the z direction is circular.
  • the diameter of the first electrode connecting via 63pb is equal to the diameter of the first element connecting via 63pa, and is, for example, 100 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less.
  • the shape of the first electrode connecting via 63pb as viewed from the z direction is not limited to a circular shape and can be arbitrarily changed.
  • the shape of the first electrode connecting via 63pb viewed from the z direction may be a polygon such as a quadrangle or an ellipse.
  • the length of the first electrode connecting via 63pb in the z direction is longer than the length of the first element connecting via 63pa in the z direction.
  • the length of the first electrode connecting via 63pb in the z direction can be arbitrarily changed.
  • the length of the first electrode connecting via 63pb in the z direction may be equal to the length of the first element connecting via 63pa in the z direction.
  • the thickness of the portion of the element sealing layer 50A that covers the first element main surface 31A of the first switching element 30A is equal to the thickness of the surface side resin layer 50B.
  • the second output via conductor 63Q is provided so as to penetrate the resin layer 50 in the z direction. More specifically, the second output via conductor 63Q penetrates both the portion of the element sealing layer 50A that covers the second element main surface 31B of the second switching element 30B and the surface side resin layer 50B in the z direction. It is provided as follows. As shown in FIG. 5, the second output via conductor 63Q has a crank shape. The second output via conductor 63Q has a symmetrical shape with the first output via conductor 63P.
  • the second output via conductor 63Q has a second element connection via 63qa connected to the first drive pad electrode 31BA, a second electrode connection via 63qb connected to the output electrode 73, and a second element connection via. It has a second via connection wiring 63qc for connecting the 63qa and the second electrode connection via 63qb.
  • a plurality of second element connecting vias 63qa are provided.
  • the plurality of second element connecting vias 63qa are arranged so as to be aligned with each other in the x direction and separated from each other in the y direction.
  • the second element connecting via 63qa is arranged at a position overlapping with the first drive pad electrode 31BA. More specifically, when viewed from the z direction, the second element connecting via 63qa is arranged at a position overlapping the ends of the first drive pad electrode 31BA in the x direction, whichever is closer to the resin side surface 55. There is.
  • the second element connecting via 63qa is arranged closer to the resin side surface 55 than the ground via conductor 62 in the x direction.
  • the second element connecting via 63qa is arranged at a position deviated from the ground via conductor 62 in the y direction.
  • the second element connecting via 63qa is arranged at a position deviated from the first element connecting via 63pa and the first electrode connecting via 63pb in the y direction.
  • the second element connecting via 63qa is arranged at a position aligned with the power supply via conductor 61 in the y direction.
  • the second element connecting via 63qa penetrates the portion of the element sealing layer 50A that covers the second element main surface 31B in the z direction. More specifically, the element sealing layer 50A is provided with a through hole 58e that penetrates the portion of the element sealing layer 50A that covers the second element main surface 31B in the z direction. The first drive pad electrode 31BA is exposed in the z direction through the through hole 58e. The second element connecting via 63qa is provided so as to fill the through hole 58e. Therefore, the second element connecting via 63qa extends along the z direction and is in contact with the first drive pad electrode 31BA.
  • the second element connection via 63qa is connected to both ends of the first drive pad electrode 31BA in the x direction, whichever is closer to the output electrode 73 (the end closer to the resin side surface 55).
  • the second element connecting via 63qa is the end portion (on the resin side surface 55) of the element sealing layer 50A which is closer to the output electrode 73 among both ends of the first drive pad electrode 31BA in the x direction when viewed from the z direction. It is exposed from the position where it overlaps with the nearest end).
  • the shape of the second element connecting via 63qa seen from the z direction is circular.
  • the diameter of the second element connecting via 63qa is equal to the diameter of the ground via conductor 62, for example, 100 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less.
  • the shape of the second element connecting via 63qa as viewed from the z direction is not limited to a circular shape and can be arbitrarily changed.
  • the shape of the second element connecting via 63qa viewed from the z direction may be a polygon such as a quadrangle or an ellipse.
  • the length of the second element connecting via 63qa in the z direction is shorter than the length of the second switching element 30B in the z direction.
  • the length of the second element connecting via 63qa in the z direction is less than 1 mm.
  • the length of the second element connecting via 63qa in the z direction is about several hundred ⁇ m.
  • the number, shape and size of the second element connecting via 63qa are the same as the number, shape and size of the first element connecting via 63pa.
  • the second via connection wiring 63qc is provided on the element sealing layer 50A.
  • the second via connection wiring 63qc is provided at the interface 57 between the element sealing layer 50A and the surface side resin layer 50B.
  • the shape of the second via connection wiring 63qc seen from the z direction is a rectangular shape in which the x direction is the short side direction and the y direction is the long side direction.
  • the second via connection wiring 63qc is formed so as to straddle each of the first drive pad electrodes 31BA in the y direction.
  • the second via connection wiring 63qc covers each second element connection via 63qa.
  • each second element connecting via 63qa is arranged at a position overlapping with the second via connecting wiring 63qc when viewed from the z direction. More specifically, the second element connecting via 63qa is arranged at a position overlapping both the first drive pad electrode 31BA and the second via connecting wiring 63qc when viewed from the z direction.
  • the shape and size of the second via connection wiring 63qc are the same as the shape and size of the first via connection wiring 63pc.
  • the second via connection wiring 63qc is arranged so as to be offset from the first via connection wiring 63pc in the y direction. More specifically, as shown in FIG.
  • the center of the second via connection wiring 63qc in the y direction is closer to the resin side surface 54 (device side surface 14) than the center of the first via connection wiring 63pc in the y direction. positioned.
  • the second via connection wiring 63qc overlaps with the first via connection wiring 63pc. That is, of both ends of the second via connection wiring 63qc in the y direction, the end closer to the resin side surface 54 (device side surface 14) is the resin side surface 54 (device side surface 14) than the first via connection wiring 63pc. It is located near.
  • the end closer to the resin side surface 53 (device side surface 13) is the resin side surface 53 (device side surface 13) rather than the second via connection wiring 63qc. ) Is located near.
  • the center of the second via connection wiring 63qc in the y direction is arranged at a position deviated from the center of the second switching element 30B in the y direction in the y direction. Specifically, the center of the second via connection wiring 63qc in the y direction is located closer to the resin side surface 54 than the center of the second switching element 30B in the y direction.
  • the second via connection wiring 63qc is arranged at a position displaced in the x direction with respect to the second switching element 30B when viewed from the z direction.
  • the second via connection wiring 63qc has a protruding portion protruding toward the support side surface 25 in the x direction with respect to the second switching element 30B when viewed from the z direction. As shown in FIG. 5, the protruding portion of the second via connection wiring 63qc extends to a position where it overlaps with the output electrode 73 when viewed from the z direction.
  • the second via connection wiring 63qc is arranged at intervals from the first via connection wiring 63pc in the x direction.
  • the second element connection via 63qa is the end portion of the second via connection wiring 63qc in the x direction that is closer to the resin side surface 55 (the end closer to the output electrode 73). It is placed in an overlapping position. Further, of the both ends of the second via connection wiring 63qc in the x direction, the end portion closer to the resin side surface 56 is a portion protruding from the output electrode 73 in the x direction when viewed from the z direction. That is, when viewed from the z direction, the second element connecting via 63qa is arranged at a position that does not overlap with the output electrode 73.
  • the end closer to the resin side surface 56 is arranged at a position overlapping with the second switching element 30B when viewed from the z direction. Therefore, the second element connecting via 63qa is arranged closer to the resin side surface 56 than the output electrode 73 in the x direction.
  • a plurality of second electrode connecting vias 63qb are provided.
  • the plurality of second electrode connecting vias 63qb are arranged so as to be aligned with each other in the x direction and separated from each other in the y direction.
  • the second electrode connecting via 63qb is arranged at a aligned position with respect to the second element connecting via 63qa in the y direction. That is, both the second electrode connecting via 63qb and the second element connecting via 63qa are arranged at positions displaced from the ground via conductor 62 in the y direction.
  • both the second electrode connecting via 63qb and the second element connecting via 63qa are arranged at positions shifted from the first element connecting via 63pa and the first electrode connecting via 63pb in the y direction. ..
  • the arrangement position of the second electrode connecting via 63qb in the y direction can be arbitrarily changed.
  • the second electrode connecting via 63qb may be arranged at a position deviated from the second element connecting via 63qa in the y direction.
  • At least one of the plurality of second electrode connecting vias 63qb may be arranged at a position aligned with the ground via conductor 62 in the y direction.
  • the second electrode connecting via 63qb When viewed from the z direction, the second electrode connecting via 63qb is arranged at a position overlapping the output electrode 73. More specifically, when viewed from the z direction, the second electrode connecting via 63qb is arranged at a position overlapping the ends of the output electrode 73 in the x direction, whichever is closer to the resin side surface 56. Further, when viewed from the z direction, the second electrode connecting via 63qb is arranged at a position overlapping with the second via connecting wiring 63qc. In the present embodiment, the second electrode connecting via 63qb is the end of the second via connecting wiring 63qc in the x direction, whichever is closer to the resin side surface 55 (the end closer to the output electrode 73). It is placed in an overlapping position.
  • the end portion closer to the resin side surface 55 is a portion that overlaps with the output electrode 73 when viewed from the z direction.
  • the second electrode connecting via 63qb is arranged at a position overlapping the protruding portion of the second via connecting wiring 63qc when viewed from the z direction.
  • the second electrode connecting via 63qb is arranged at a position not overlapping with the second switching element 30B when viewed from the z direction.
  • the second electrode connecting via 63qb is arranged between the first switching element 30A and the second switching element 30B in the x direction.
  • the second electrode connecting via 63qb is arranged at a position deviated from the second element connecting via 63qa in the z direction.
  • the second electrode connecting via 63qb is provided so as to penetrate the surface side resin layer 50B in the z direction. More specifically, the resin layer 50 is provided with a through hole 58f that penetrates the surface side resin layer 50B in the z direction.
  • the second via connection wiring 63qc is exposed in the z direction through the through hole 58f.
  • the through hole 58f exposes the end portion (the end portion closer to the output electrode 73) of the second via connection wiring 63qc in the x direction, which is closer to the resin side surface 55, in the z direction.
  • the second electrode connecting via 63qb is provided so as to fill the through hole 58f. Therefore, the second electrode connecting via 63qb extends along the z direction and is in contact with the second via connecting wiring 63qc. Further, the second electrode connecting via 63qb is exposed from the resin layer 50 in the z direction. In other words, the second electrode connection via 63qb is connected to both ends of the second via connection wiring 63qc in the x direction, whichever is closer to the output electrode 73 (the end closer to the resin side surface 55). ing.
  • the second electrode connecting via 63qb is the end portion (resin side surface 55) of the element sealing layer 50A that is closer to the output electrode 73 among both ends of the second via connecting wiring 63qc in the x direction when viewed from the z direction. It is exposed from the position where it overlaps with the end closer to).
  • the portion of the second electrode connecting via 63qb exposed from the resin layer 50 is covered with the output electrode 73. Therefore, the second electrode connecting via 63qb is in contact with the output electrode 73. That is, the second electrode connecting via 63qb connects both the second via connecting wiring 63qc and the output electrode 73.
  • the shape of the second electrode connecting via 63qb viewed from the z direction is circular.
  • the diameter of the second electrode connecting via 63qb is equal to the diameter of the second element connecting via 63qa, and is, for example, 100 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less.
  • the shape of the second electrode connecting via 63qb as viewed from the z direction is not limited to a circular shape and can be arbitrarily changed.
  • the shape of the second electrode connecting via 63qb viewed from the z direction may be a polygon such as a quadrangle or an ellipse.
  • the length of the second electrode connecting via 63qb in the z direction is longer than the length of the second element connecting via 63qa in the z direction.
  • the length of the second electrode connecting via 63qb in the z direction can be arbitrarily changed.
  • the length of the second electrode connecting via 63qb in the z direction may be equal to the length of the second element connecting via 63qa in the z direction.
  • the thickness of the portion of the element sealing layer 50A that covers the second element main surface 31B of the second switching element 30B is equal to the thickness of the surface side resin layer 50B.
  • the number, shape and size of the second electrode connecting via 63qb are the same as the number, shape and size of the second electrode connecting via 63qb.
  • the first inductance in the conductive path between the second drive pad electrode 31AB of the first switching element 30A and the output electrode 73, and the first drive pad electrode 31BA and the output electrode 73 of the second switching element 30B The first output via conductor 63P and the second output via conductor 63Q are provided so as to reduce the variation with the second inductance in the conductive path between them.
  • the first output via conductor 63P and the second output via conductor 63Q are provided so that the first inductance and the second inductance are equal to each other.
  • the element control via conductor 64 is a conductor that individually electrically connects the driver 40 and the control pad electrodes 31AC and 31BC of the switching elements 30A and 30B.
  • the element control via conductor 64 is embedded in the resin layer 50. That is, the element control via conductor 64 is not exposed from the resin layer 50.
  • the element control via conductor 64 includes a first control via conductor 64P that connects the driver pad electrode 43 of the driver 40 and the control pad electrode 31AC of the first switching element 30A, and another driver pad electrode 43 of the driver 40.
  • the second control via conductor 64Q which connects to the control pad electrode 31BC of the second switching element 30B, is provided.
  • the first control via conductor 64P has a first element side control via 64pa connected to the control pad electrode 31AC and a first driver side control via connected to the driver pad electrode 43 of the driver 40. It has 64pb and a first control connection wiring 64pc for connecting the first element side control via 64pa and the first driver side control via 64pb.
  • the control via 64pa on the first element side is arranged at a position overlapping with the control pad electrode 31AC when viewed from the z direction.
  • the first element-side control via 64pa includes the first element main surface 31A of the first switching element 30A, the element-sealing layer 50A, and the surface-side resin layer 50B in the element-sealing layer 50A. It is provided so as to penetrate the portion between the interface 57 and the interface 57 in the z direction. In other words, the first element side control via 64pa penetrates the portion of the element sealing layer 50A that covers the first element main surface 31A.
  • the element sealing layer 50A has a through hole 58g penetrating the portion of the element sealing layer 50A between the first element main surface 31A of the first switching element 30A and the interface 57 in the z direction. It is provided.
  • the control pad electrode 31AC is exposed from the element sealing layer 50A in the z direction through the through hole 58g.
  • the control via 64pa on the first element side is provided so as to fill the through hole 58 g. Therefore, the control via 64pa on the first element side extends along the z direction and is in contact with the control pad electrode 31AC.
  • the length of the control via 64pa on the first element side of the present embodiment in the z direction is shorter than the length of the first switching element 30A in the z direction.
  • the length of the control via 64pa on the first element side in the z direction is less than about 1 mm. In one example, the length of the control via 64pa on the first element side in the z direction is about several hundred ⁇ m. In the present embodiment, the length of the control via 64pa on the first element side in the z direction is equal to the length of the via 63pa for connecting the first element in the z direction.
  • the shape of the control via 64pa on the first element side when viewed from the z direction is circular.
  • the diameter of the control via 64pa on the first element side is, for example, 100 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less.
  • the diameter of the control via 64pa on the first element side is smaller than the diameter of the via through which the drive current of each switching element 30A, 30B such as the via conductor 61 for power supply and the via conductor 62 for ground flows.
  • the shape of the control via 64pa on the first element side when viewed from the z direction is not limited to a circular shape and can be arbitrarily changed.
  • the shape of the control via 64pa on the first element side when viewed from the z direction may be a polygon such as a quadrangle or an ellipse.
  • the diameter of the control via 64pa on the first element side can be arbitrarily changed. In one example, the diameter of the control via 64pa on the first element side may be equal to the diameter of the via through which the drive current of each switching element 30A, 30B such as the via conductor 61 for power supply flows.
  • the first driver side control via 64pb is arranged at a position overlapping with a predetermined driver pad electrode 43 of the driver 40 when viewed from the z direction.
  • the predetermined driver pad electrode 43 is provided at a position of the driver main surface 41 of the driver 40 facing the control pad electrode 31AC in the y direction.
  • the predetermined driver pad electrode 43 is provided at one of the four corners of the driver main surface 41, which is close to the resin side surface 55 and the resin side surface 54, when viewed from the z direction.
  • the first driver side control via 64pb is arranged at a position aligned with the first element side control via 64pa in the x direction.
  • the first driver side control via 64pb penetrates the portion of the element sealing layer 50A that covers the driver main surface 41 in the z direction. More specifically, the element sealing layer 50A is provided with a through hole 58h that penetrates the portion of the element sealing layer 50A that covers the driver main surface 41 in the z direction. A predetermined driver pad electrode 43 is exposed from the element sealing layer 50A in the z direction through the through hole 58h.
  • the first driver-side control via 64pb is provided so as to fill the through hole 58h. Therefore, the first driver-side control via 64pb extends along the z direction and is in contact with the predetermined driver pad electrode 43.
  • the length of the control via 64pb on the first driver side of the present embodiment in the z direction is shorter than the length of the driver 40 in the z direction.
  • the length of the control via 64pb on the first driver side in the z direction is less than about 1 mm. In one example, the length of the control via 64pb on the first driver side in the z direction is about several hundred ⁇ m.
  • the shape of the first driver side control via 64pb viewed from the z direction is circular.
  • the diameter of the first driver side control via 64pb is equal to the diameter of the first element side control via 64pa, and is, for example, 100 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less.
  • the shape of the first driver-side control via 64pb as viewed from the z direction is not limited to a circular shape and can be arbitrarily changed.
  • the shape of the first driver side control via 64pb viewed from the z direction may be a polygon such as a quadrangle or an ellipse.
  • the first control connection wiring 64pc is provided on the element sealing layer 50A.
  • the first control connection wiring 64pc is provided at the interface 57 between the element sealing layer 50A and the surface side resin layer 50B.
  • the first control connection wiring 64pc has a strip shape extending along the y direction.
  • the end portion of the first control connection wiring 64pc on the y-direction end portion on the first switching element 30A side is the element sealing layer 50A of the first element side control via 64pa. It covers the exposed part in the z-direction. Therefore, the first control connection wiring 64pc is in contact with the first element side control via 64pa.
  • the control via 64pa on the first element side is arranged at a position where it overlaps with both the control pad electrode 31AC and the first control connection wiring 64pc when viewed from the z direction.
  • the end portion on the driver 40 side of both ends of the first control connection wiring 64pc in the y direction covers the portion of the first driver side control via 64pc exposed in the z direction from the element sealing layer 50A. .. Therefore, the first control connection wiring 64pc is in contact with the first driver side control via 64pc.
  • the first driver side control via 64pb is arranged at a position where it overlaps with both the predetermined driver pad electrode 43 and the first control connection wiring 64pc when viewed from the z direction.
  • the second control via conductor 64Q is connected to the second element side control via 64qa connected to the control pad electrode 31BC of the second switching element 30B and to another driver pad electrode 43 of the driver 40. It has a second driver-side control via 64qb, and a second control connection wiring 64qc for connecting the second element-side control via 64qa and the second driver-side control via 64qb.
  • the second element side control via 64qa is arranged at a position overlapping with the control pad electrode 31BC when viewed from the z direction.
  • the second element side control via 64qa penetrates the portion of the element sealing layer 50A that covers the second element main surface 31B in the z direction. More specifically, the element sealing layer 50A is provided with a through hole 58i that penetrates the portion of the element sealing layer 50A that covers the second element main surface 31B in the z direction.
  • the control pad electrode 31BC is exposed from the element sealing layer 50A in the z direction through the through hole 58i.
  • the second element side control via 64qa is provided so as to fill the through hole 58i.
  • the control via 64qa on the second element side extends along the z direction and is in contact with the control pad electrode 31BC.
  • the length of the control via 64qa on the second element side of the present embodiment in the z direction is shorter than the length of the second switching element 30B in the z direction.
  • the length of the second element side control via 64qa in the z direction is equal to the length of the first element side control via 64pa in the z direction and is less than about 1 mm. In one example, the length of the control via 64qa on the second element side in the z direction is about several hundred ⁇ m.
  • the difference between the length of the second element side control via 64qa in the z direction and the length of the first element side control via 64pa in the z direction is, for example, 10% of the length of the second element side control via 64qa in the z direction. If it is as follows, it can be said that the length of the second element side control via 64qa in the z direction is equal to the length of the first element side control via 64pa in the z direction.
  • the shape of the second element side control via 64qa when viewed from the z direction is circular.
  • the diameter of the second element side control via 64qa is equal to the diameter of the first element side control via 64pa, and is, for example, 100 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less.
  • the shape of the control via 64qa on the second element side when viewed from the z direction is not limited to a circular shape and can be arbitrarily changed.
  • the shape of the control via 64qa on the second element side when viewed from the z direction may be a polygon such as a quadrangle or an ellipse.
  • the second driver side control via 64qb is arranged at a position overlapping with another driver pad electrode 43 of the driver 40 when viewed from the z direction.
  • another driver pad electrode 43 is provided near the control pad electrode 31BC in the driver main surface 41 of the driver 40.
  • another driver pad electrode 43 is provided at one of the four corners of the driver main surface 41, which is close to the resin side surface 56 and the resin side surface 54, when viewed from the z direction.
  • the second driver side control via 64qb is arranged at a position deviated from the second element side control via 64qa in the x direction.
  • the second driver side control via 64qb is arranged closer to the support side surface 26 than the second element side control via 64qa in the x direction.
  • the second driver side control via 64qb penetrates the portion of the element sealing layer 50A that covers the driver main surface 41 in the z direction. More specifically, the element sealing layer 50A is provided with a through hole 58j that penetrates the portion of the element sealing layer 50A that covers the driver main surface 41 in the z direction. Another driver pad electrode 43 is exposed from the element sealing layer 50A in the z direction via the through hole 58j.
  • the second driver side control via 64qb is provided so as to fill the through hole 58j. Therefore, the second driver side control via 64qb extends along the z direction and is in contact with another driver pad electrode 43.
  • the length of the second driver-side control via 64qb of the present embodiment in the z-direction is shorter than the length of the driver 40 in the z-direction.
  • the length of the second driver-side control via 64qb in the z-direction is equal to the length of the first driver-side control via 64pb in the z-direction and is less than about 1 mm. In one example, the length of the second driver side control via 64qb in the z direction is about several hundred ⁇ m.
  • the difference between the length of the second driver-side control via 64qb in the z-direction and the length of the first driver-side control via 64pb in the z-direction is, for example, 10% of the length of the second driver-side control via 64qb in the z-direction. If it is as follows, it can be said that the length of the second driver side control via 64qb in the z direction is equal to the length of the first driver side control via 64pb in the z direction.
  • the shape of the first driver side control via 64pb viewed from the z direction is circular.
  • the diameter of the first driver side control via 64pb is equal to the diameter of the first element side control via 64pa, and is, for example, 100 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less.
  • the shape of the first driver-side control via 64pb as viewed from the z direction is not limited to a circular shape and can be arbitrarily changed.
  • the shape of the first driver side control via 64pb viewed from the z direction may be a polygon such as a quadrangle or an ellipse.
  • the first control connection wiring 64pc is provided on the element sealing layer 50A.
  • the first control connection wiring 64pc is provided at the interface 57 between the element sealing layer 50A and the surface side resin layer 50B.
  • the first control connection wiring 64pc is formed in a band shape, and has a portion that extends diagonally toward the resin side surface 56 from the driver 40 toward the second switching element 30B in the y direction. ing.
  • the ends of the second control connection wiring 64qc on the second switching element 30B side of both ends in the y direction are in the z direction from the element sealing layer 50A of the second element side control via 64qa. It covers the exposed part. Therefore, the second control connection wiring 64qc is in contact with the second element side control via 64qa.
  • the second element side control via 64qa is arranged at a position where it overlaps with both the control pad electrode 31BC and the second control connection wiring 64qc.
  • the end portion on the driver 40 side of both ends of the second control connection wiring 64qc in the y direction covers the portion of the second driver side control via 64qb exposed in the z direction from the element sealing layer 50A.
  • the second control connection wiring 64qc is in contact with the second driver side control via 64qb.
  • the second driver side control via 64qb is arranged at a position where it overlaps with both the other driver pad electrode 43 and the second control connection wiring 64qc when viewed from the z direction.
  • the driver via conductor 65 is a conductor that individually electrically connects the plurality of driver pad electrodes 43 of the driver 40 and the plurality of driver connection electrodes 74.
  • the driver via conductor 65 is provided so as to penetrate the resin layer 50 in the z direction.
  • the driver via conductor 65 is provided so as to penetrate both the element sealing layer 50A and the surface side resin layer 50B in the z direction.
  • the driver via conductor 65 has a crank shape.
  • the driver via conductor 65 includes a driver connection via 65a electrically connected to the driver 40, a driver electrode connection via 65b electrically connected to the driver connection electrode 74, a driver connection via 65a, and a driver electrode. It has a via connection wiring 65c for connecting the connection via 65b.
  • the driver connection via 65a is arranged at a position overlapping the driver pad electrode 43 of the driver 40 when viewed from the z direction.
  • the driver connecting via 65a penetrates the portion of the element sealing layer 50A that covers the driver main surface 41 in the z direction. More specifically, the element sealing layer 50A is provided with a through hole 58k that penetrates the portion of the element sealing layer 50A that covers the driver main surface 41 in the z direction. The driver pad electrode 43 is exposed in the z direction through the through hole 58k. The driver connection via 65a is provided so as to fill the through hole 58k. Therefore, the driver connection via 65a extends along the z direction and is in contact with the driver pad electrode 43. The length of the driver connection via 65a of the present embodiment in the z direction is shorter than the length of the driver 40 in the z direction.
  • the length of the driver connection via 65a in the z direction is equal to the length of the first driver side control via 64pb in the z direction and is less than about 1 mm. In one example, the length of the driver connection via 65a in the z direction is about several hundred ⁇ m.
  • the difference between the length of the driver connection via 65a in the z direction and the length of the first driver side control via 64pb in the z direction is, for example, 10% or less of the length of the driver connection via 65a in the z direction. It can be said that the length of the driver connection via 65a in the z direction is equal to the length of the first driver side control via 64pb in the z direction.
  • the shape of the driver connection via 65a seen from the z direction is circular.
  • the diameter of the driver connection via 65a is, for example, 100 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less.
  • the shape of the driver connection via 65a viewed from the z direction is not limited to a circular shape and can be arbitrarily changed.
  • the shape of the driver connection via 65a viewed from the z direction may be a polygon such as a quadrangle or an ellipse.
  • the via connection wiring 65c is provided on the element sealing layer 50A.
  • the via connection wiring 65c is provided at the interface 57 between the element sealing layer 50A and the surface side resin layer 50B.
  • the shape of the via connection wiring 65c seen from the z direction is strip-shaped.
  • the via connection wiring 65c covers the driver connection via 65a.
  • the driver connection via 65a is arranged at a position overlapping the via connection wiring 65c when viewed from the z direction. More specifically, the driver connection via 65a is arranged at a position overlapping both the driver pad electrode 43 and the via connection wiring 65c when viewed from the z direction.
  • the driver electrode connecting via 65b is arranged at a position overlapping the driver electrode connecting electrode 74 when viewed from the z direction. Further, when viewed from the z direction, the driver electrode connecting via 65b is arranged at a position overlapping the via connecting wiring 65c.
  • the driver electrode connecting via 65b is provided so as to penetrate the surface side resin layer 50B in the z direction. More specifically, the resin layer 50 is provided with a through hole 58l that penetrates the surface side resin layer 50B in the z direction. The via connection wiring 65c is exposed in the z direction through the through hole 58l. The driver electrode connecting via 65b is provided so as to fill the through hole 58l. Therefore, the driver electrode connecting via 65b extends along the z direction and is in contact with the via connecting wiring 65c. Further, the driver electrode connecting via 65b is exposed from the resin layer 50 in the z direction. The portion of the driver electrode connecting via 65b exposed from the resin layer 50 is covered with the driver connecting electrode 74. Therefore, the driver electrode connecting via 65b is in contact with the driver connecting electrode 74.
  • the length of the driver electrode connecting via 65b in the z direction is longer than the length of the driver connecting via 65a in the z direction.
  • the length of the driver electrode connecting via 65b in the z direction is equal to the length of each electrode connecting via 63pb, 63qb in the z direction.
  • the difference between the length of the driver electrode connecting via 65b in the z direction and the length of each electrode connecting via 63pb, 63qb in the z direction is, for example, 10% or less of the length of the driver electrode connecting via 65b in the z direction.
  • the length of the driver electrode connecting via 65b in the z direction is equal to the length of the respective electrode connecting vias 63pb and 63qb in the z direction.
  • the length of the driver electrode connecting via 65b in the z direction can be arbitrarily changed. In one example, the length of the driver electrode connecting via 65b in the z direction may be equal to the length of the driver connecting via 65a in the z direction.
  • the shape of the driver electrode connecting via 65b seen from the z direction is circular.
  • the diameter of the driver electrode connecting via 65b is equal to the diameter of the driver connecting via 65a, and is, for example, 100 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less.
  • the shape of the driver electrode connecting via 65b as viewed from the z direction is not limited to a circular shape and can be arbitrarily changed.
  • the shape of the driver electrode connecting via 65b viewed from the z direction may be a polygon such as a quadrangle or an ellipse.
  • the positive terminal of the drive power supply DV which is a DC power supply, is electrically connected to the first drive pad electrode 31AA (drain electrode) of the first switching element 30A.
  • the second drive pad electrode 31AB (source electrode) of the first switching element 30A is electrically connected to the first drive pad electrode 31BA (drain electrode) of the second switching element 30B.
  • the second drive pad electrode 31BB (source electrode) of the second switching element 30B is connected to the ground. In this way, the first switching element 30A and the second switching element 30B are connected in series.
  • a capacitor C1 is connected to a series of the first switching element 30A and the second switching element 30B.
  • the capacitor C1 has a function of removing noise of the voltage supplied from the drive power supply DV to the first drive pad electrode 31AA of the first switching element 30A.
  • the node N between the second drive pad electrode 31AB of the first switching element 30A and the first drive pad electrode 31BA of the second switching element 30B is electrically connected to the load L to which the semiconductor device 10 supplies power. There is.
  • the load L is provided outside the semiconductor device 10.
  • An example of the load L is a motor.
  • the driver 40 is electrically connected to the control pad electrode 31AC (gate electrode) of the first switching element 30A and the control pad electrode 31BC (gate electrode) of the second switching element 30B.
  • the driver 40 generates a gate voltage for controlling the on / off operation of each of the switching elements 30A and 30B based on a signal from a signal generation circuit (not shown) provided outside the semiconductor device 10, and each control pad electrode 31AC. , 31BC.
  • the plurality of driver pad electrodes 43 of the driver 40 include a first signal input terminal HIN, a second signal input terminal LIN, a control side power supply electrode VCS, a control side ground electrode GND, a bootstrap terminal VB, a first signal output electrode HOH, and a first signal output electrode HOH. 2
  • the signal output electrode HOL, the output side power supply electrode VS, the third signal output electrode LOH, the fourth signal output electrode LOL, and the output side ground electrode PGND are included.
  • the plurality of driver pad electrodes 43 may include terminals other than the terminals described above.
  • the first signal input terminal HIN is a terminal to which a signal on the high potential side from the signal generation circuit is input.
  • the second signal input terminal LIN is a terminal to which a signal on the low potential side from the signal generation circuit is input.
  • the driver 40 uses the control pad electrodes 31AC and 31BC of the switching elements 30A and 30B based on the high potential side signal and the low potential side signal input from the signal generation circuit via the signal input terminals HIN and LIN. Generates a gate voltage to output to.
  • the control side power electrode VCS is a terminal to which the positive terminal of the control power supply CV, which is a DC power supply provided outside the semiconductor device 10, is electrically connected.
  • the negative terminal of the control power supply CV is connected to the ground.
  • a capacitor C2 is connected in parallel with the control power supply CV between the control side power supply electrode VCS and the control power supply CV.
  • the capacitor C2 has a function of removing noise of the voltage supplied from the control power supply CV to the control side power supply electrode VCS.
  • the first terminal of the capacitor C2 is connected to the positive terminal of the power supply electrode VCC on the control side, and the second terminal of the capacitor C2 is connected to the ground.
  • the control side ground electrode GND is connected to ground. More specifically, the control side ground electrode GND is electrically connected to the second terminal of the capacitor C2.
  • the driver 40 is driven based on the voltage of the control power supply CV (for example, 5V).
  • the output side power electrode VS is a terminal that serves as a power source for the load L.
  • the output side power supply electrode VS is connected to a node N between the second drive pad electrode 31AB of the first switching element 30A and the first drive pad electrode 31BA of the second switching element 30B.
  • Each of the first signal output electrode HOH and the second signal output electrode HOL is a terminal for supplying the gate voltage generated in the driver 40 to the control pad electrode 31AC of the first switching element 30A.
  • Each signal output electrode HOH, HOL is electrically connected to the control pad electrode 31AC.
  • a current limiting resistor R1 is provided between the first signal output electrode HOH and the control pad electrode 31AC.
  • Each of the third signal output electrode LOH and the fourth signal output electrode LOL is a terminal for supplying the gate voltage generated in the driver 40 to the control pad electrode 31BC of the second switching element 30B.
  • Each signal output electrode LOH, LOL is electrically connected to the control pad electrode 31BC.
  • a current limiting resistor R2 is provided between the third signal output electrode LOH and the control pad electrode 31BC.
  • the bootstrap terminal VB is a terminal to which a boot capacitor BC constituting a bootstrap circuit (not shown) that generates a gate voltage output from the first signal output electrode HOH and the second signal output electrode HOL at a high potential is connected. be.
  • a boot diode constituting a bootstrap circuit is provided in the driver 40.
  • the first terminal of the boot capacitor BC is connected to the boot strap terminal VB, and the second terminal of the boot capacitor BC is the second drive pad electrode 31AB of the first switching element 30A and the first drive pad electrode of the second switching element 30B. It is connected to the node N between 31BA.
  • the output side ground electrode PGND is electrically connected to the second drive pad electrode 31BB (source electrode) of the second switching element 30B. That is, the output side ground electrode PGND is connected to the ground.
  • the driver 40 when the high potential side signal and the low potential side signal from the signal generation circuit are input to the driver 40, the driver 40 generates a gate voltage based on these signals, and each switching element 30A. , 30B are supplied to the control pad electrodes 31AC and 31BC.
  • the switching elements 30A and 30B operate complementarily on and off based on the gate voltage.
  • the manufacturing method of the semiconductor device 10 includes a wiring layer forming step, a mounting step, an element sealing layer forming step, a first via conductor forming step, a surface side resin layer forming step, and a second via conductor forming step. It mainly includes an exterior electrode forming process and a cutting process.
  • a support substrate 800 made of Si is prepared.
  • the support substrate 800 has a substrate main surface 801 facing one side in the z direction.
  • the base material 820 is formed on the main surface 801 of the substrate.
  • the base material 820 is a member constituting the support layer 20 of the semiconductor device 10, and is made of, for example, an epoxy resin.
  • the substrate 820 is formed, for example, by transfer molding or compression molding.
  • the base material 820 has a base material main surface 821 facing the same side as the substrate main surface 801 in the z direction.
  • each of the switching elements 30A and 30B shown in FIG. 11 and the driver 40 shown in FIG. 12 are mounted on the base material 820.
  • the switching elements 30A and 30B are mounted on the base material main surface 821 of the base material 820. More specifically, the liquid bonding material SD is applied to the positions on the main surface of the base material 821 on which the switching elements 30A and 30B are mounted. Next, each of the switching elements 30A and 30B is mounted on the bonding material SD by, for example, die bonding. Subsequently, the bonding material SD and the switching elements 30A and 30B are bonded by curing the bonding material SD. When solder or Ag paste is used as the bonding material SD, the switching elements 30A and 30B may be bonded to the base material main surface 821 by a reflow process and a cooling process.
  • the driver 40 is mounted on the main surface of the base material 821.
  • the method of mounting the driver 40 on the main surface of the base material 821 is the same as the method of mounting the switching elements 30A and 30B on the main surface of the base material 821.
  • the element encapsulation layer forming step includes a resin layer forming step shown in FIG. 13 and a grinding step shown in FIG.
  • an element sealing layer 850A for sealing each of the switching elements 30A and 30B and the driver 40 is formed.
  • the element sealing layer 850A is a layer constituting the element sealing layer 50A of the semiconductor device 10, and is made of, for example, a black epoxy resin.
  • the thickness of the element sealing layer 850A is thicker than the thickness of the element sealing layer 50A.
  • the device encapsulation layer 850A is formed, for example, by transfer molding or compression molding.
  • the element sealing layer 850A is removed in the z direction. As a result, the thickness of the element sealing layer 850A is reduced. More specifically, the portion of the element sealing layer 850A opposite to the base material 820 in the z direction is removed by mechanical grinding. As a result, the distance D between the element main surfaces 31A and 31B of the switching elements 30A and 30B and the driver main surface 41 of the driver 40 and the element sealing layer 850A in the z direction is reduced. The element sealing layer 850A is removed until the distance D becomes, for example, about several hundred ⁇ m. As a result, the thickness of the element sealing layer 850A becomes equal to the thickness of the element sealing layer 50A. In this way, the thickness of the portion of the element sealing layer 850A that covers each of the element main surfaces 31A and 31B of the switching elements 30A and 30B and the driver main surface 41 of the driver 40 is reduced.
  • the first via conductor forming step includes a through hole forming step and a first via forming step shown in FIGS. 15 and 16, and a wiring forming step shown in FIGS. 17 and 18.
  • through holes 58c, 58e, 58g to 58k are formed in the element sealing layer 850A by, for example, drilling such as laser machining.
  • a through hole 58c that exposes the second drive pad electrode 31AB of the first switching element 30A in the z direction and a through hole 58e that exposes the first drive pad electrode 31BA of the second switching element 30B in the z direction are provided. It is formed on the element sealing layer 850A.
  • the through holes 58c and 58e penetrate the portions of the element sealing layer 850A that cover the element main surfaces 31A and 31B of the switching elements 30A and 30B in the z direction. As a result, each of the second drive pad electrode 31AB of the first switching element 30A and the first drive pad electrode 31BA of the second switching element 30B are exposed in the z direction.
  • through holes 58g to 58k are also formed in the element sealing layer 850A. Similar to the through holes 58c and 58e, each of the through holes 58g and 58i penetrates the portion of the element sealing layer 850A that covers the element main surfaces 31A and 31B of the switching elements 30A and 30B in the z direction. As a result, the control pad electrodes 31AC and 31BC of the switching elements 30A and 30B are exposed in the z direction. Further, the through holes 58h and 58j and the plurality of through holes 58k penetrate the portion of the element sealing layer 850A that covers the driver main surface 41 of the driver 40 in the z direction. As a result, each driver pad electrode 43 of the driver 40 is exposed in the z direction.
  • metal vias are embedded in the through holes 58c, 58e, 58g to 58k. More specifically, as shown in FIG. 15, the through hole 58c is formed so as to embed the first element connecting via 63pa, and the through hole 58e is formed so as to embed the second element connecting via 63qa. More specifically, a seed layer is formed on the device sealing layer 850A. The seed layer is formed on the device sealing layer 850A by the electroless plating method. In this case, a seed layer is also formed on the inner surface constituting the through holes 58c and 58e. The seed layer is made of, for example, Ti. Next, a plating layer is formed on the seed layer.
  • the plating layer is formed by an electrolytic plating method using the seed layer as a conductive path after performing lithography patterning on the seed layer.
  • the plating layer is made of Cu.
  • the plating layer is formed so as to fill the through holes 58c and 58e.
  • the portion of the seed layer that is not covered by the plating layer is removed.
  • the seed layer of the portion other than the inner surface constituting the through holes 58c and 58e is removed.
  • the first element side control via 64pa which is a via embedded in the through hole 58g
  • the second element side control via 64qa which is a via embedded in the through hole 58i
  • the via are embedded in the through hole 58h.
  • the second driver side control via 64qb which is a via embedded in the through hole 58j
  • the driver connection via 65a which is a via embedded in the through hole 58k
  • the element connection vias 63pa, 63qa, the element side control vias 64pa, 64qa, the driver side control vias 64pb, 64qb, and a plurality of driver connection vias 65a are formed at the same time.
  • the connection wiring 65c is formed. These wirings 63pc, 63qc, 64pc, 64qc, 65c are formed in the same manner as the vias 63pa, 63qa for connecting each element in the via forming step. As described above, each of the first via connection wiring 63pc, the second via connection wiring 63qc, the first control connection wiring 64pc, the second control connection wiring 64qc, and the plurality of via connection wiring 65c is an element sealing layer. Since it is formed on the 850A, these wirings are formed at the same time in the wiring forming step. Through the wiring forming step, the first control via conductor 64P and the second control via conductor 64Q are formed.
  • the via forming process and the wiring forming process are separate processes, but the process is not limited to this.
  • the via forming step and the wiring forming step may be the same step. That is, each element connection via 63pa, 63qa, each element side control via 64pa, 64qa, each driver side control via 64pb, 64qb, and a plurality of driver connection vias 65a, a first via connection wiring 63pc, and a second via.
  • the connection wiring 63qc, the first control connection wiring 64pc, the second control connection wiring 64qc, and the plurality of via connection wiring 65c may be formed at the same time.
  • the surface side resin layer 850B is formed on the element sealing layer 850A.
  • the surface-side resin layer 850B is a layer constituting the surface-side resin layer 50B of the semiconductor device 10, and is made of, for example, a black epoxy resin.
  • the surface-side resin layer 850B is made of the same material as the element sealing layer 850A.
  • the surface-side resin layer 850B is formed over the entire element sealing layer 850A.
  • the surface-side resin layer 850B is formed so as to seal the first via connection wiring 63pc, the second via connection wiring 63qc, the first control connection wiring 64pc, and the second control connection wiring 64qc.
  • the surface side resin layer 850B is formed by, for example, transfer molding or compression molding. As a result, an interface 857 is formed between the element sealing layer 850A and the surface side resin layer 850B in the z direction.
  • the thickness of the surface-side resin layer 850B is thinner than the thickness of the portion of the element sealing layer 850A other than the portions covering the switching elements 30A and 30B and the driver 40. In the present embodiment, the thickness of the surface-side resin layer 850B is thicker than the thickness of the portion of the element sealing layer 850A that covers the element main surfaces 31A and 31B of the switching elements 30A and 30B.
  • the surface side resin layer forming step may include a grinding step.
  • the surface side resin layer forming step includes a grinding step, the surface side resin layer 850B is removed in the z direction by, for example, mechanical grinding. As a result, the thickness of the surface-side resin layer 850B is reduced.
  • the second via conductor forming step includes a through hole forming step and a via forming step.
  • the through hole forming step includes a step of forming the through holes 58d and 58f shown in FIG. 20, a step of forming the through holes 58a and 58b shown in FIG. 21, and a step of forming the through holes 58l shown in FIG. 22. ..
  • the through holes 58d, 58f, 58l are formed on the surface side resin layer 850B by drilling such as laser machining.
  • the through holes 58d, 58f, and 58l penetrate only the surface side resin layer 850B in the z direction.
  • the first via connection wiring 63pc is exposed in the z direction through the through hole 58d
  • the second via connection wiring 63qc is exposed in the z direction through the through hole 58f.
  • the via connection wiring 65c is exposed in the z direction through the through hole 58l.
  • the through holes 58a and 58b are formed in the surface side resin layer 850B and the element sealing layer 850A by, for example, drilling such as laser machining.
  • the through holes 58a and 58b penetrate both the surface side resin layer 850B and the element sealing layer 850A in the z direction.
  • the through holes 58a and 58b penetrate the portion of the element sealing layer 850A that covers the switching elements 30A and 30B in the z direction.
  • the first drive pad electrode 31AA of the first switching element 30A is exposed in the z direction through the through hole 58a
  • the second drive pad electrode 31BB of the second switching element 30B is exposed in the z direction through the through hole 58b. It is exposed.
  • the first electrode connecting via 63pb is formed so as to be embedded in the through hole 58d
  • the second electrode connecting via 63qb is formed so as to be embedded in the through hole 58f.
  • the power supply via conductor 61 is formed so as to be embedded in the through hole 58a
  • the ground via conductor 62 is formed so as to be embedded in the through hole 58b.
  • the plurality of driver electrode connecting vias 65b are formed so as to be embedded in the through holes 58l.
  • the method for forming the vias 63pb and 63qb for connecting the electrodes, the via conductor 61 for the power supply, the via conductor 62 for the ground, and the via 65b for connecting the plurality of driver electrodes is the same as the via forming step in the first via conductor forming step.
  • the output via conductor 63 and the driver via conductor 65 are formed through the second via conductor forming step.
  • a plating layer is formed on the surface of the surface side resin layer 850B opposite to the element sealing layer 850A in the z direction.
  • the plating layer includes a Cu layer and a plating layer covering the Cu layer.
  • a seed layer is formed on the surface of the surface side resin layer 850B on the surface opposite to the element sealing layer 850A in the z direction by an electroless plating method.
  • the seed layer is made of, for example, Cu or Ti.
  • a plating layer is formed by an electrolytic plating method using the seed layer as a conductive path. This plating layer is made of Cu.
  • the plating layer covering the Cu layer is formed by, for example, electroless plating, for example, by precipitating Ni, Pd, and Au in this order.
  • the plating layer includes a power supply plating layer covering a plurality of power supply via conductors 61, a ground plating layer covering a plurality of ground via conductors 62, and a plurality of first electrode connecting vias 63pb. It also has an output plating layer that covers a plurality of second electrode connecting vias 63qb, and a plurality of driver electrode connecting plating layers that individually cover a plurality of driver electrode connecting vias 65b.
  • the power supply plating layer constitutes the power supply electrode 71 as the exterior electrode 70
  • the ground plating layer constitutes the ground electrode 72 as the exterior electrode 70
  • the output plating layer constitutes the output electrode 73 as the exterior electrode 70.
  • the plurality of driver electrode connection plating layers constitute a plurality of driver connection electrodes 74.
  • the support substrate 800 is separated from the base material 820.
  • the support substrate 800 is separated from the substrate 820 by mechanical grinding or debonding.
  • a dicing tape (not shown) that supports the base material 820 is attached.
  • a dicing blade is used to cut the surface side resin layer 850B, the element sealing layer 850A, and the base material 820 in this order along the cutting line CL shown by the alternate long and short dash line in FIGS. 23 and 24.
  • the element sealing layer 50A is formed from the element sealing layer 850A
  • the surface side resin layer 50B is formed from the surface side resin layer 850B. That is, the resin layer 50 is formed.
  • the support layer 20 is formed from the base material 820.
  • FIG. 25 is a plan view schematically showing the internal structure of the semiconductor device 10X of the comparative example
  • FIG. 26 is a cross-sectional view showing the schematic cross-sectional structure of the semiconductor device 10X of the comparative example.
  • the semiconductor device 10X of the comparative example includes a support layer 20X, a first switching element 30A, a second switching element 30B, a driver 40, and a resin layer 50X, similarly to the semiconductor device 10 of the present embodiment. ing.
  • the switching elements 30A and 30B and the driver 40 are mounted on the metal support plates 101 to 103 provided on the support layer 20X. Each of the support plates 101 to 103 is exposed from both the support front surface 21X and the support back surface 22X (see FIG. 26) of the support layer 20X.
  • the support layer 20X is provided with a power supply wiring 104, a ground wiring 105, an output wiring 106, and a plurality of driver connection wirings 107. Similar to the support plates 101 to 103, these wirings 104 to 107 are also exposed from the support back surface 22X (see FIG. 26) of the support layer 20X.
  • the support plate 101 that supports the first switching element 30A, the support plate 102 that supports the second switching element 30B, the power supply wiring 104, the ground wiring 105, and the output wiring 106 are aligned with each other in the y direction. In this state, they are arranged apart from each other in the x direction.
  • An output wiring 106 is arranged between the support plate 101 and the support plate 102 in the x direction.
  • the output wiring 106 is arranged at the center of the support layer 20X in the x direction.
  • the power supply wiring 104 is arranged closer to the support side surface 25X than the support plate 101.
  • the ground wiring 105 is arranged closer to the support side surface 26X than the support plate 102. In this way, the support plates 101 and 102 and the wirings 104 to 107 are arranged on the same plane.
  • the support plate 103 that supports the driver 40 is arranged at the center of the support layer 20X in the x direction. Further, the support plate 103 is arranged closer to the support side surface 23X than the support plates 101 and 102 in the y direction. In other words, the support plates 101 and 102 are arranged closer to the support side surface 24X than the support plate 103 in the y direction.
  • a plurality of driver connection wirings 107 are arranged closer to the support side surface 25X than the driver 40 in the support layer 20X in the x direction.
  • a plurality of driver connection wirings 107 are arranged closer to the support side surface 26X than the driver 40 in the support layer 20X in the x direction. These driver connection wirings 107 are arranged at both ends of the support layer 20X in the y direction, whichever is closer to the support side surface 23X.
  • the first switching element 30A, the power supply wiring 104, the output wiring 106, and the driver 40 are electrically connected by a wire W. More specifically, each first drive pad electrode 31AA of the first switching element 30A and the power supply wiring 104 are connected by a wire W. Each second drive pad electrode 31AB of the first switching element 30A and the output wiring 106 are connected by a wire W. The control pad electrode 31AC of the first switching element 30A and the driver pad electrode 43 of the driver 40 are connected by a wire W.
  • the second switching element 30B, the ground wiring 105, the output wiring 106, and the driver 40 are electrically connected by a wire W. More specifically, each first drive pad electrode 31BA of the second switching element 30B and the output wiring 106 are connected by a wire W. The second drive pad electrode 31BB of the second switching element 30B and the ground wiring 105 are connected by a wire W. The control pad electrode 31BC of the second switching element 30B and the driver pad electrode 43 of the driver 40 are connected by a wire W.
  • the plurality of driver pad electrodes 43 of the driver 40 and the plurality of driver connection wiring 107 are individually connected by wires W.
  • wires W are formed by wire bonding using a wire bonding device.
  • the wire bonding apparatus joins the wire base material to the second drive pad electrode 31AB of the first switching element 30A. Then, the wire bonding device separates the wire base material from the second drive pad electrode 31AB in the z direction and moves it toward the output wiring 106. Then, the wire bonding apparatus cuts the wire base material after joining the wire base material to the output wiring 106. As a result, the wire W is formed. Therefore, as shown in FIG. 26, the wire W connecting the second drive pad electrode 31AB and the output wiring 106 has a convex shape curved in the z direction opposite to the support layer 20X from the first element main surface 31A. It is formed so as to be. The other wires W also have the same shape.
  • the maximum value DW of the distance between the main surfaces 31A and 31B of each of the switching elements 30A and 30B and the wire W in the z direction becomes large.
  • This maximum value DW is larger than the length of each switching element 30A, 30B in the z direction (thickness of each switching element 30A, 30B), and is, for example, 1 mm or more. Therefore, the length of the wire W connected to each of the switching elements 30A and 30B becomes long.
  • the via conductor 60 and the exterior electrode 70 are formed by the same processing and equipment as the pre-process (step of forming a semiconductor element) of the semiconductor manufacturing process.
  • the wire W is formed by a post-process (a process of packaging a semiconductor element) of a semiconductor manufacturing process. Therefore, the wire W has a large dimensional error as compared with the formation of the via conductor 60 and the formation of the exterior electrode 70. More specifically, for example, the position accuracy when the wire W is connected to the second drive pad electrode 31AB of the first switching element 30A and the wire W connected to the second drive pad electrode 31AB are connected to the output wiring 106. Since the position accuracy is low, the variation in the length of the wire W becomes large.
  • the position accuracy when the wire W is connected to the first drive pad electrode 31BA of the second switching element 30B and the position when the wire W connected to the first drive pad electrode 31BA is connected to the output wiring 106 Since the accuracy is low, the variation in the length of the wire W becomes large. That is, in design, it is necessary to consider the variation in the length of the wire W, and it is necessary to increase the length of the wire W. Due to such restrictions, the length of each wire W is several mm (for example, 3 mm or more and 5 mm or less).
  • the parasitic inductance of the wire W connecting the control pad electrodes 31AC and 31BC and the driver pad electrode 43 causes a surge included in the gate voltage supplied to the control pad electrodes 31AC and 31BC of the switching elements 30A and 30B. , It becomes larger as the length of the wire W becomes longer. That is, as the length of the wire W connecting the control pad electrodes 31AC and 31BC and the driver pad electrode 43 increases, the surge included in the gate voltage may increase.
  • the surge is proportional to the rate of change of the gate voltage, it increases as the operation of each of the switching elements 30A and 30B becomes faster. Therefore, if the switching elements 30A and 30B are switching elements that do not operate at high frequencies, such as IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) and bipolar transistors, the surge included in the gate voltage does not become excessively large. Therefore, the influence on the operation of the switching elements 30A and 30B due to the surge included in the gate voltage is reduced. On the other hand, if each of the switching elements 30A and 30B is a switching element that operates at a high frequency such as GaN HEMT or SiC MOSFET, the surge included in the gate voltage may become excessively large.
  • IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistors
  • the influence on the operation of the switching elements 30A and 30B due to the surge included in the gate voltage becomes large.
  • the inductance of several nH caused by the wire W may greatly affect the operation of the switching elements 30A and 30B.
  • the inductance caused by the conductive path between the control pad electrodes 31AC and 31BC and the driver pad electrode 43 is preferably less than 1 nH. ..
  • the drive pad electrodes 31AA, 31AB, 31BA, 31BB of each switching element 30A, 30B and the exterior electrode 70 are used as a power supply via conductor 61, a ground via conductor 62, and an output. It is connected by a via conductor 63.
  • the control pad electrodes 31AC and 31BC of the switching elements 30A and 30B and the driver pad electrode 43 of the driver 40 are connected by an element control via conductor 64.
  • the driver pad electrode 43 of the driver 40 and the exterior electrode 70 are connected by a driver via conductor 65.
  • the dimensional accuracy regarding the formation of the via conductors 61 to 65 is high. Specifically, when these via conductors 61 to 65 are joined to each of the pad electrodes 31AA to 31AC, 31BA to 31BC, 43 and the exterior electrode 70, the dimensional accuracy of the wire W is that the wire W is each pad electrode 31AA to 31AC. Compared with the dimensional accuracy when bonded to each of 31BA to 31BC, 43 and the exterior electrode 70, the accuracy is 1/10 or less. Therefore, since the lengths of the via conductors 61 to 65 can be shortened, the inductance caused by the lengths of the via conductors 61 to 65 can be reduced.
  • Cross-sectional area of via 64pa, 64qa, each driver side control via 64pb, 64qb, driver connection via 65a of driver via conductor 65, and driver electrode connection via 65b cut by a plane (xy plane) orthogonal to the z direction. Is larger than the cross-sectional area of the wire W cut by a plane orthogonal to its length direction. Therefore, the inductance of each via conductor 61, 62 and each via 63pa, 63qa, 63pb, 63qb, 64pa, 64qa, 65a, 65b is smaller than that of the wire W.
  • the power supply electrode 71 is arranged so as to overlap the first switching element 30A, and the power supply via conductor 61 is a combination of the power supply electrode 71 and the first drive pad electrode 31AA of the first switching element 30A. It is arranged at a position overlapping both of them, and connects the power supply electrode 71 and the first drive pad electrode 31AA.
  • the ground electrode 72 is arranged so as to overlap the second switching element 30B, and the ground via conductor 62 is arranged at a position where both the ground electrode 72 and the second drive pad electrode 31BB of the second switching element 30B overlap.
  • the ground electrode 72 and the second drive pad electrode 31BB are connected to each other.
  • the power supply via conductor 61 and the ground via conductor 62 have a shape extending in the z direction, and the length can be further shortened. Therefore, the inductance caused by the length of each via conductor 61, 62 can be reduced.
  • the maximum value DW of the wire W is longer than the length of the power supply via conductor 61 and the ground via conductor 62 in the z direction. Therefore, the length of the power supply via conductor 61 in the z direction is sufficiently shorter than the length of the wire W connecting the first drive pad electrode 31AA and the power supply wiring 104.
  • the length of the ground via conductor 62 in the z direction is sufficiently shorter than the length of the wire W connecting the second drive pad electrode 31BB and the ground wiring 105. Therefore, it is caused by the inductance caused by the length of the conductive path between the first drive pad electrode 31AA and the power supply electrode 71, and the length of the conductive path between the second drive pad electrode 31BB and the ground electrode 72. Both the inductance and the inductance can be further reduced.
  • the semiconductor device 10 includes a first switching element 30A, a second switching element 30B, a driver 40, a resin layer 50 for sealing the switching elements 30A and 30B and the driver 40, and a resin main of the resin layer 50.
  • the power supply electrode 71 and the ground electrode 72 as exterior electrodes 70 which are formed on the surface 51 and at least partially overlap with the switching elements 30A and 30B, and the switching elements 30A and 30B penetrating the resin layer 50 in the z direction. It is provided with a power supply via conductor 61 and a ground via conductor 62 as a via conductor 60 for electrically connecting the exterior electrode 70 and the exterior electrode 70.
  • the switching elements 30A and 30B are connected to the power supply electrodes 71 and the ground electrodes 72 as the exterior electrodes 70 by the power supply via conductor 61 and the ground via conductor 62 penetrating the resin layer 50 in the z direction. Therefore, the first switching element 30A and the power supply are compared with the configuration in which the switching elements 30A and 30B are connected to the power supply wiring 104 and the ground wiring 105 as exterior electrodes by the wire W formed by wire bonding. Both the length of the conductive path between the electrode 71 and the length of the conductive path between the second switching element 30B and the ground electrode 72 can be shortened. Therefore, the inductance caused by the length of these conductive paths can be reduced.
  • the size of the semiconductor device 10 in the direction orthogonal to the z direction can be reduced.
  • the via conductor extends in the z direction from the element main surfaces 31A and 31B of the switching elements 30A and 30B, and then the switching elements 30A. , 30B extends to a position that does not overlap in the z direction, and is provided so as to penetrate the resin layer 50 and the support layer 20 in the z direction up to the support back surface 22.
  • the via conductor is configured to extend from the main surface 31A, 31B of each of the switching elements 30A, 30B to one side in the z direction and then to the other side in the z direction, the length of the via conductor is long. Becomes longer. Therefore, the conductive path between the switching elements 30A and 30B and the exterior electrode 70 becomes long.
  • the semiconductor device 10 includes support layers 20 that support the switching elements 30A and 30B and the driver 40.
  • the resin layer 50 is formed on the support layer 20.
  • the exterior electrode 70 is formed on the surface (resin main surface 51) of the resin layer 50 on the side opposite to the support layer 20 in the z direction.
  • the via conductor 60 is configured to extend from the element main surfaces 31A and 31B of the switching elements 30A and 30B toward the resin main surface 51 toward one side in the z direction, so that the length of the via conductor 60 becomes longer. It gets shorter. Therefore, the conductive path between the switching elements 30A and 30B and the exterior electrode 70 is shortened.
  • the power supply via conductor 61 extends in the z direction and is arranged at a position where it overlaps with both the power supply electrode 71 and the first switching element 30A when viewed from the z direction.
  • the ground via conductor 62 extends in the z direction and is arranged at a position where it overlaps with both the ground electrode 72 and the second switching element 30B when viewed from the z direction.
  • the power supply electrode 71 and the first drive pad electrode 31AA of the first switching element 30A can be connected by the power supply via conductor 61 extending along the z direction, so that the power supply via conductor 61 has, for example, a crank shape.
  • the length of the conductive path between the power supply electrode 71 and the first drive pad electrode 31AA can be shortened.
  • the ground electrode 72 and the second drive pad electrode 31BB of the second switching element 30B can be connected by the ground via conductor 62 extending along the z direction, the ground via conductor 62 is compared with the case where the ground via conductor 62 is, for example, a crank shape. ,
  • the length of the conductive path between the ground electrode 72 and the second drive pad electrode 31BB can be shortened. Therefore, the inductance caused by the length of these conductive paths can be reduced.
  • the semiconductor device 10 includes an output electrode 73 as an exterior electrode 70, and an output via conductor 63 that electrically connects the output electrode 73 and the switching elements 30A and 30B.
  • the output electrode 73 is arranged between the first switching element 30A and the second switching element 30B in the x direction when viewed from the z direction.
  • both the conductive path between the first switching element 30A and the output electrode 73 and the conductive path between the second switching element 30B and the output electrode 73 can be shortened. Therefore, the inductance caused by these conductive paths can be reduced.
  • both the first output via conductor 63P and the second output via conductor 63Q are crank-shaped. According to this configuration, the first switching element 30A and the output electrode 73 can be connected, and the second switching element 30B and the output electrode 73 can be connected by a simple configuration.
  • the first output via conductor 63P and the second output via conductor 63Q are arranged apart from each other in the x direction. According to this configuration, the first output via conductor 63P and the second output via conductor 63Q are not directly electrically connected, but are indirectly electrically connected via the output electrode 73. There is. Therefore, it is possible to avoid a current flowing directly from the second drive pad electrode 31AB of the first switching element 30A to the first drive pad electrode 31BA of the second switching element 30B.
  • the resin layer 50 has an element sealing layer 50A that seals each of the switching elements 30A and 30B, and a surface side resin layer 50B formed on the element sealing layer 50A.
  • the first output via conductor 63P includes a first element connection via 63pa electrically connected to the first switching element 30A, a first electrode connection via 63pb connected to the output electrode 73, and a first element connection. It has a via connection wiring 63pc for connecting the via 63pa and the first electrode connecting via 63pb.
  • the second output via conductor 63Q has a second element connection via 63qa electrically connected to the second switching element 30B, a second electrode connection via 63qb connected to the output electrode 73, and a second element connection.
  • the element connecting vias 63pa and 63qa penetrate the element sealing layer 50A in the z direction.
  • the electrode connecting vias 63pb and 63qb penetrate the surface side resin layer 50B in the z direction.
  • the via connection wirings 63pc and 63qc are provided on the element sealing layer 50A. According to this configuration, crank-shaped via conductors 63P and 63Q for each output can be easily formed.
  • the semiconductor device 10 includes an element control via conductor 64 that electrically connects the switching elements 30A and 30B and the driver 40.
  • the element control via conductor 64 is embedded in the resin layer 50.
  • the conductive path between the first switching element 30A and the driver 40 and the second switching element 30B are compared with the case where the switching elements 30A and 30B and the driver 40 are connected by the wire W. Both the conductive path to and from the driver 40 can be shortened. Therefore, the inductance caused by the length of these conductive paths can be reduced.
  • the first control via conductor 64P is the first driver side control via 64pb electrically connected to the driver 40 and the first element side control via connected to the control pad electrode 31AC of the first switching element 30A. It has 64pa, and a first control connection wiring 64pc for connecting the first driver side control via 64pb and the first element side control via 64pa.
  • the second control via conductor 64Q includes a second driver side control via 64qb electrically connected to the driver 40, and a second element side control via 64qa connected to the control pad electrode 31BC of the second switching element 30B. It has a second control connection wiring 64qc for connecting the second driver side control via 64qb and the second element side control via 64qa.
  • Each of the driver-side control vias 64pb and 64qb penetrates the portion of the driver 40 of the element sealing layer 50A that covers the driver main surface 41 in the z direction.
  • Each of the element-side control vias 64pa and 64qa penetrates the portion of the element sealing layer 50A that covers the control pad electrodes 31AC and 31BC of the switching elements 30A and 30B in the z direction.
  • Each of the control connection wirings 64pc and 64qc is provided on the element sealing layer 50A. According to this configuration, the control via conductors 64P and 64Q can be easily formed.
  • the semiconductor device 10 includes a driver via conductor 65 that electrically connects the driver connection electrode 74 and the driver 40.
  • the driver via conductor 65 is provided on the resin layer 50. According to this configuration, the conductive path between the driver connection electrode 74 and the driver 40 can be shortened as compared with the case where the driver connection electrode 74 and the driver 40 are connected by the wire W.
  • the driver via conductor 65 has a crank shape. According to this configuration, the driver pad electrode 43 of the driver 40 and the driver connection electrode 74 can be connected by a simple configuration.
  • the first element connection via 63pa of the first output via conductor 63P includes the interface 57 between the element sealing layer 50A and the surface side resin layer 50B, and the second drive pad electrode 31AB of the first switching element 30A. It is provided to connect.
  • the second element connection via 63qa of the second output via conductor 63Q is provided so as to connect the interface 57 and the first drive pad electrode 31BA of the second switching element 30B.
  • the thickness of the portion of the element sealing layer 50A that covers the element main surfaces 31A and 31B of the switching elements 30A and 30B is reduced. Since the vias 63pa and 63qa for connecting each element are provided so as to penetrate the portion, the lengths of the vias 63pa and 63qa for connecting each element can be shortened.
  • the first element-side control via 64pa of the first control via conductor 64P connects the interface 57 between the element sealing layer 50A and the surface-side resin layer 50B and the control pad electrode 31AC of the first switching element 30A. It is provided as follows.
  • the first driver-side control via 64pb is provided so as to connect the interface 57 and the driver pad electrode 43 of the driver 40.
  • the second element side control via 64qa of the second control via conductor 64Q is provided so as to connect the interface 57 and the control pad electrode 31BC of the second switching element 30B.
  • the second driver-side control via 64qb is provided so as to connect the interface 57 and the driver pad electrode 43 of the driver 40.
  • each element side control via 64pa, 64qa and each driver side control via 64pb, 64qb are provided so as to penetrate those portions, each element side control via 64pa, 64qa and each driver side control via 64pb, 64qb.
  • the length of each can be shortened.
  • the driver connecting via 65a of the driver via conductor 65 is provided so as to connect the interface 57 between the element sealing layer 50A and the surface side resin layer 50B and the driver pad electrode 43 of the driver 40. According to this configuration, in the manufacturing method of the semiconductor device 10, the thickness of the portion of the element sealing layer 50A that covers the driver main surface 41 of the driver 40 is reduced. Since the driver connection via 65a is provided so as to penetrate the portion, the length of the driver connection via 65a can be shortened.
  • a plurality of power supply via conductors 61 are provided. According to this configuration, the inductance of the conductive path between the first drive pad electrode 31AA of the first switching element 30A and the power supply electrode 71 can be reduced.
  • a plurality of ground via conductors 62 are provided. According to this configuration, the inductance of the conductive path between the second drive pad electrode 31BB and the ground electrode 72 of the second switching element 30B can be reduced.
  • a plurality of vias 63pa and 63qa for connecting each element of each output via conductor 63P and 63Q are provided. According to this configuration, the inductance of the conductive path between the second drive pad electrode 31AB of the first switching element 30A and the wiring 63pc for connecting the first via, and the first drive pad electrode 31BA and the first of the second switching element 30B. Both the inductance and the inductance of the conductive path between the two-via connection wiring 63qc can be reduced.
  • a plurality of vias 63pb and 63qb for connecting electrodes of the via conductors 63P and 63Q for each output are provided. According to this configuration, both the inductance of the conductive path between the first via connection wiring 63pc and the output electrode 73 and the inductance of the conductive path between the second via connection wiring 63qc and the output electrode 73 can be obtained. Can be reduced.
  • each of the via connection wiring 63pc, 63qc, each control connection wiring 64pc, 64qc, and the via connection wiring 65c are arranged on the element sealing layer 50A. According to this configuration, these wirings 63pc, 63qc, 64pc, 64qc, 65c can be formed in the same process. Therefore, the manufacturing process of the semiconductor device 10 can be simplified.
  • the method for manufacturing the semiconductor device 10 includes a step of forming an element sealing layer 850A for sealing each of the switching elements 30A and 30B, and a step of forming a surface side resin layer 850B on the element sealing layer 850A.
  • It includes a step of embedding a ground via conductor 62 and a step of forming a power supply electrode 71 and a ground electrode 72 on the surface side resin layer 850B. According to this configuration, the same effect as the effect of (1) above can be obtained.
  • the method for manufacturing the semiconductor device 10 includes a grinding step for removing the element sealing layer 850A in the z direction.
  • the thickness of the portion of the element encapsulation layer 850A that covers the element main surfaces 31A and 31B of the switching elements 30A and 30B in the z direction is the thickness of the element encapsulation layer when the grinding process is not provided.
  • the thickness of the portion covering the element main surfaces 31A and 31B in the z direction can be made thinner.
  • the thickness of the portion of the element sealing layer 850A that covers the driver main surface 41 of the driver 40 in the z direction is covered with the thickness of the portion of the element sealing layer 850A that covers the driver main surface 41 in the z direction.
  • the element connection vias 63pa, 63qa and the element side control vias 64pa, 64qa penetrate the portions of the element sealing layer 850A that cover the element main surfaces 31A, 31B in the z direction in the z direction, and each driver side.
  • the control vias 64pb and 64qb and the driver connection via 65a penetrate the portion of the element sealing layer 850A that covers the driver main surface 41 in the z direction in the z direction.
  • connection wiring 65c and the z direction can be shortened.
  • the above embodiment is an example of possible embodiments of the semiconductor device according to the present disclosure, and is not intended to limit the embodiments.
  • the semiconductor device according to the present disclosure may take a form different from the embodiment exemplified above.
  • One example thereof is a form in which a part of the configuration of the above embodiment is replaced, changed, or omitted, or a new configuration is added to the above embodiment.
  • the following modification examples can be combined with each other as long as they are not technically inconsistent.
  • the parts common to the above embodiments are designated by the same reference numerals as those of the above embodiments, and the description thereof will be omitted.
  • the semiconductor device 10 has two switching elements, a first switching element 30A and a second switching element 30B, as the switching element 30, but the present invention is not limited to this.
  • the semiconductor device 10 may include one switching element 30.
  • the resin layer 50 is omitted for convenience of explanation.
  • the surface side resin layer 50B is omitted for convenience of explanation.
  • the driver 40 corresponds to the specific element.
  • the size of the modified semiconductor device 10 shown in FIGS. 27 to 30 is smaller in the x-direction than the semiconductor device 10 of the above embodiment because the number of switching elements is reduced.
  • the switching element 30 is arranged in the center of the support main surface 21 of the support layer 20 and closer to the support side surface 24 than the support side surface 23 in the y direction.
  • the switching element 30 has a GaN HEMT, for example, as in the above embodiment.
  • the shape of the switching element 30 when viewed from the z direction is a rectangular shape having a long side direction and a short side direction.
  • the switching element 30 is arranged on the support main surface 21 so that the long side direction is along the y direction and the short side direction is along the x direction.
  • a first drive pad electrode 33A, a second drive pad electrode 33B, and a control pad electrode 33C are formed on the element main surface 31 of the switching element 30.
  • the first drive pad electrode 33A constitutes a drain electrode
  • the second drive pad electrode 33B constitutes a source electrode
  • the control pad electrode 33C constitutes a gate electrode.
  • the arrangement configuration of these electrodes 33A to 33C is the same as the arrangement configuration of the first drive pad electrode 31AA, the second drive pad electrode 31AB, and the control pad electrode 31AC of the first switching element 30A of the above embodiment.
  • the driver 40 is mounted on the support main surface 21. That is, the driver 40 is arranged on the same plane as the switching element 30.
  • the driver 40 is arranged in the center of the support main surface 21 in the x direction and closer to the support side surface 23 than the switching element 30 in the y direction.
  • a power supply electrode 71 as an exterior electrode 70, a ground electrode 72, and a plurality of driver connection electrodes 74 are formed on the resin main surface 51 of the element sealing layer 50A.
  • the configuration of the plating layer of the exterior electrode 70 in the illustrated example is the same as the configuration of the plating layer of the exterior electrode 70 of the above embodiment. Further, the exterior electrode 70 of the illustrated example does not have the output electrode 73 of the above embodiment.
  • the power supply electrode 71 and the ground electrode 72 are arranged so as to be aligned with each other in the y direction and separated from each other in the x direction.
  • the power supply electrode 71 and the ground electrode 72 are arranged at positions overlapping with the switching element 30.
  • the power supply electrode 71 has a protruding portion protruding in the x direction with respect to the switching element 30.
  • the protruding portion of the power supply electrode 71 extends from the switching element 30 toward the side surface 15 of the device.
  • the ground electrode 72 has a protruding portion protruding in the x direction with respect to the switching element 30.
  • the protruding portion of the ground electrode 72 extends from the switching element 30 toward the side surface 16 of the device.
  • the power supply via conductor 61 is arranged at a position overlapping both the power supply electrode 71 and the first drive pad electrode 33A of the switching element 30 when viewed from the z direction, and is arranged with the power supply electrode 71. It is connected to the first drive pad electrode 33A.
  • the power supply via conductor 61 extends along the z direction. More specifically, the power supply via conductor 61 penetrates the surface side resin layer 50B and the portion of the element sealing layer 50A that covers the element main surface 31 of the switching element 30 in the z direction, as in the above embodiment. is doing.
  • the ground via conductor 62 is arranged at a position overlapping both the ground electrode 72 and the second drive pad electrode 33B of the switching element 30 when viewed from the z direction, as in the above embodiment.
  • the ground electrode 72 and the second drive pad electrode 33B are connected to each other.
  • the ground via conductor 62 extends along the z direction. More specifically, the ground via conductor 62 penetrates the surface side resin layer 50B and the portion of the element sealing layer 50A that covers the element main surface 31 of the switching element 30 in the z direction, as in the above embodiment. is doing.
  • the semiconductor device 10 includes a via conductor 64 for element control.
  • the element control via conductor 64 connects the control pad electrode 33C of the switching element 30 and the driver pad electrode 43 of the driver 40.
  • the element control via conductor 64 has an element side control via 64a, a driver side control via 64b, and a control connection wiring 64c.
  • the element-side control via 64a is arranged at a position overlapping the control pad electrode 33C when viewed from the z direction, and penetrates the portion of the element sealing layer 50A that covers the element main surface 31 of the switching element 30 in the z direction. ing.
  • the driver-side control via 64b is arranged at a position overlapping the driver pad electrode 43 of the driver 40 when viewed from the z direction, and the portion of the element sealing layer 50A that covers the driver main surface 41 of the driver 40 is in the z direction. It penetrates.
  • the driver pad electrode 43 connected to the driver side control via 64b is located at both ends of the driver main surface 41 in the y direction, whichever is closer to the switching element 30, and at a position facing the control pad electrode 33C in the y direction. Have been placed.
  • the control connection wiring 64c is wiring for connecting the element side control via 64a and the driver side control via 64b, and is formed on the element sealing layer 50A.
  • the control connection wiring 64c is strip-shaped and extends along the y direction.
  • the end closer to the switching element 30 is provided so as to overlap the element side control via 64a when viewed from the z direction.
  • the end closer to the driver 40 is provided so as to overlap the driver side control via 64b when viewed from the z direction.
  • the element-side control via 64a is arranged at a position where it overlaps with both the control pad electrode 33C and the control connection wiring 64c when viewed from the z direction.
  • the driver-side control via 64b is arranged at a position where it overlaps with both the driver pad electrode 43 and the control connection wiring 64c when viewed from the z direction.
  • the configuration of the driver via conductor 65 connecting the driver pad electrode 43 of the driver 40 and the driver connection electrode 74 is the same as the configuration of the driver via conductor 65 of the above embodiment.
  • the positional relationship between the driver pad electrode 43 and the driver connection electrode 74 is different from the positional relationship between the driver pad electrode 43 and the driver connection electrode 74 of the above embodiment, so that the image is viewed from the z direction.
  • the shape of the via connection wiring 65c is different from the shape of the via connection wiring 65c of the above embodiment.
  • the manufacturing method of the semiconductor device 10 of the modified example shown in FIGS. 27 to 30 is substantially the same as the manufacturing method of the above embodiment.
  • the manufacturing method of the semiconductor device 10 of the modified example includes a support layer forming step, an element mounting step, an element sealing layer forming step, a first via conductor forming step, and a surface side resin layer forming step.
  • a second via conductor forming step, an exterior electrode forming step, and a cutting step are mainly provided.
  • the support layer forming step is the same as the support layer forming step of the above-described embodiment.
  • the element mounting process differs in that the switching element 30 is mounted on the base material 820 instead of the switching elements 30A and 30B.
  • the mounting method of the switching element 30 is the same as the element mounting process of the above embodiment.
  • the element sealing layer forming step is the same as the element sealing layer forming step of the above-described embodiment.
  • the element side control via 64a, the driver side control via 64b, the control connection wiring 64c, the plurality of driver connection vias 65a, and the plurality of via connection wiring 65c are formed.
  • each element connection via 63pa, 63qa, each via connection wiring 63pc, 63qc, each element side control via 64pa, 64qa, each driver side control via 64pb, 64qb and each control The connection wiring 64pc and 64qc are not formed.
  • the method for forming the element-side control via 64a is, for example, the same as the method for forming the first element-side control via 64pa according to the above embodiment.
  • the method for forming the driver-side control via 64b is, for example, the same as the method for forming the first driver-side control via 64pb according to the above embodiment.
  • the method for forming the control connection wiring 64c is, for example, the same as the method for forming the first control connection wiring 64pc according to the above embodiment.
  • the method for forming the plurality of driver connecting vias 65a is the same as the method for forming the driver connecting vias 65a according to the above embodiment.
  • the method for forming the plurality of via connection wiring 65c is the same as the method for forming the via connection wiring 65c according to the above embodiment.
  • the surface-side resin layer forming step is the same as the surface-side resin layer forming step of the above-described embodiment.
  • a power supply via conductor 61, a ground via conductor 62, and a plurality of driver electrode connecting vias 65b are formed.
  • the vias 63pb and 63qb for connecting the electrodes are not formed.
  • the method for forming the power supply via conductor 61, the ground via conductor 62, and the plurality of driver electrode connecting vias 65b is the method of forming the power supply via conductor 61, the ground via conductor 62, and the plurality of driver electrode connecting vias 65b according to the above embodiment. It is the same as the forming method.
  • the exterior electrode forming step is different from the exterior electrode forming step of the above embodiment in that the output electrode 73 is not formed.
  • the method of forming the power supply electrode 71, the ground electrode 72, and the plurality of driver connection electrodes 74 is the same as that of the above embodiment.
  • the cutting step is the same as the cutting step of the above embodiment.
  • the driver 40 may be omitted.
  • the semiconductor device 10 includes a first switching element 30A and a second switching element 30B.
  • the arrangement relationship of the first switching element 30A and the second switching element 30B is the same as that of the above embodiment.
  • the resin layer 50 is omitted for convenience of explanation.
  • the surface-side resin layer 50B is omitted for convenience of explanation.
  • the second switching element 30B corresponds to the specific element.
  • each control via conductor 64P, 64Q and a plurality of driver via conductors 65 are omitted. Further, since the driver 40, each control via conductor 64P, 64Q, and the plurality of driver via conductors 65 are omitted, the semiconductor device 10 of the modified example shown in FIGS. 31 to 34 is the semiconductor device 10 of the above embodiment. In comparison, the size in the y direction is small.
  • the power supply via conductor 61, the ground via conductor 62, and the output via conductor 63 are the same as those in the above embodiment.
  • the configurations of the first control via conductor 64P and the second control via conductor 64Q are different from those of the above embodiment.
  • the exterior electrode 70 is formed on the resin main surface 51 of the resin layer 50, and has a power supply electrode 71, a ground electrode 72, an output electrode 73, a first control electrode 75, and a second control. It has an electrode 76.
  • the arrangement positions of the power supply electrode 71, the ground electrode 72, and the output electrode 73 on the resin main surface 51 are the same as those in the above embodiment.
  • the first control electrode 75 is arranged at a position overlapping the control pad electrode 31AC of the first switching element 30A when viewed from the z direction.
  • the second control electrode 76 is arranged at a position overlapping the control pad electrode 31BC of the second switching element 30B when viewed from the z direction.
  • the control electrodes 75 and 76 are arranged closer to the resin side surface 53 than the power supply electrode 71, the ground electrode 72 and the output electrode 73 in the resin main surface 51 in the y direction.
  • the control electrodes 75 and 76 are arranged so as to be aligned with each other in the y direction and separated from each other in the x direction.
  • Each of the control electrodes 75 and 76 includes a Cu layer and a plating layer covering the Cu layer, similarly to the power supply electrode 71 and the like.
  • the Cu layer includes a seed layer formed on the resin main surface 51 and a plating layer formed on the seed layer.
  • the seed layer is made of, for example, Cu or Ti.
  • the plating layer is made of Cu.
  • the plating layer covering the Cu layer is composed of a laminate of Ni, Pd, and Au.
  • Each of the control electrodes 75 and 76 is a terminal for electrically connecting to a driver provided outside the semiconductor device 10.
  • the driver is a circuit that controls the switching elements 30A and 30B, similarly to the driver 40 of the above embodiment.
  • the first control via conductor 64P is a conductor that connects the control pad electrode 31AC of the first switching element 30A and the first control electrode 75.
  • the first control via conductor 64P is arranged at a position where both the control pad electrode 31AC and the first control electrode 75 are overlapped with each other when viewed from the z direction.
  • the first control via conductor 64P has a surface-side resin layer 50B and a portion of the element sealing layer 50A that covers the first element main surface 31A of the first switching element 30A in the z direction. It is provided to penetrate.
  • the first control via conductor 64P extends along the z direction.
  • the length of the first control via conductor 64P in the z direction is equal to the length of the power supply via conductor 61 in the z direction.
  • the difference between the length of the first control via conductor 64P in the z direction and the length of the power supply via conductor 61 in the z direction is, for example, 10% or less of the length of the first control via conductor 64P in the z direction. If so, it can be said that the length of the first control via conductor 64P in the z direction is equal to the length of the power supply via conductor 61 in the z direction.
  • the second control via conductor 64Q is a conductor that connects the control pad electrode 31BC of the second switching element 30B and the second control electrode 76.
  • the second control via conductor 64Q is arranged at a position where both the control pad electrode 31BC and the second control electrode 76 are overlapped with each other when viewed from the z direction.
  • the second control via conductor 64Q has a surface-side resin layer 50B and a portion of the element sealing layer 50A that covers the second element main surface 31B of the second switching element 30B in the z direction. It is provided to penetrate.
  • the second control via conductor 64Q extends along the z direction.
  • the length of the second control via conductor 64Q in the z direction is equal to the length of the ground via conductor 62 in the z direction.
  • the difference between the length of the second control via conductor 64Q in the z direction and the length of the ground via conductor 62 in the z direction is, for example, 10% or less of the length of the second control via conductor 64Q in the z direction. If so, it can be said that the length of the second control via conductor 64Q in the z direction is equal to the length of the ground via conductor 62 in the z direction.
  • the manufacturing method of the semiconductor device 10 of the modified example shown in FIGS. 31 to 34 is substantially the same as the manufacturing method of the above embodiment.
  • the manufacturing method of the semiconductor device 10 of the modified example includes a support layer forming step, an element mounting step, an element sealing layer forming step, a first via conductor forming step, and a surface side resin layer forming step.
  • a second via conductor forming step, an exterior electrode forming step, and a cutting step are mainly provided.
  • the support layer forming step is the same as the support layer forming step of the above-described embodiment.
  • the element mounting process differs in that the switching elements 30A and 30B are mounted on the base material 820 and the driver 40 is not mounted.
  • the methods of the switching elements 30A and 30B are the same as the element mounting steps of the above-described embodiment.
  • the element sealing layer forming step is the same as the element sealing layer forming step of the above-described embodiment.
  • each element side control via 64pa, 64qa and each control connection wiring 64pc, 64qc are formed.
  • the control via conductors 64P and 64Q are not formed.
  • the method for forming the control vias 64pa and 64qa on the element side is the same as the method for forming the control vias 64pa and 64qa on the element side in the above embodiment.
  • the method for forming the control connection wirings 64pc and 64qc is the same as the method for forming the control connection wirings 64pc and 64qc according to the above embodiment.
  • the surface-side resin layer forming step is the same as the surface-side resin layer forming step of the above-described embodiment.
  • a power supply via conductor 61, a ground via conductor 62, each electrode connection via 63pb, 63qb, a first control via conductor 64P, and a second control via conductor 64Q are formed.
  • the driver electrode connecting via 65b is not formed.
  • the method for forming the power supply via conductor 61, the ground via conductor 62, and the electrode connection vias 63pb, 63qb is the method of forming the power supply via conductor 61, the ground via conductor 62, and the electrode connection vias 63pb, 63qb according to the above embodiment. It is the same as the forming method.
  • the method for forming the first control via conductor 64P and the second control via conductor 64Q includes a through hole forming step and a via forming step.
  • through holes 58m and 58n are formed by drilling such as laser processing.
  • the through hole 58m is provided at a position overlapping the control pad electrode 31AC of the first switching element 30A when viewed from the z direction.
  • the through hole 58m penetrates the portion of the surface side resin layer 50B and the element sealing layer 50A that covers the first element main surface 31A of the first switching element 30A in the z direction. Therefore, the control pad electrode 31AC is exposed from the resin layer 50 in the z direction through the through hole 58m.
  • the through hole 58n is provided at a position overlapping the control pad electrode 31BC of the second switching element 30B when viewed from the z direction.
  • the through hole 58n penetrates the portion of the surface side resin layer 50B and the element sealing layer 50A that covers the second element main surface 31B of the second switching element 30B in the z direction. Therefore, the control pad electrode 31BC is exposed from the resin layer 50 in the z direction through the through hole 58n.
  • the first control via conductor 64P and the second control via conductor 64Q are formed by embedding metal vias in the through holes 58m and 58n, respectively.
  • the via forming step in each of the control via conductors 64P and 64Q is the same as the via forming step in the case of forming the power supply via conductor 61, for example.
  • the exterior electrode forming step is different from the exterior electrode forming step of the above embodiment in that the control electrodes 75 and 76 are formed and the plurality of driver connection electrodes 74 are not formed.
  • the method of forming the power supply electrode 71, the ground electrode 72, and the output electrode 73 is the same as that of the above embodiment.
  • the first control electrode 75 is formed so as to cover the first control via conductor 64P from the z direction.
  • the second control electrode 76 is formed so as to cover the second control via conductor 64Q from the z direction.
  • the method of forming each of the control electrodes 75 and 76 is the same as the method of forming the power supply electrode 71 and the like, and is formed by an electroless plating method.
  • the cutting step is the same as the cutting step of the above embodiment.
  • the support layer 20 may be provided with metal layers 81 to 83 made of metal.
  • the metal layer 81 supports the first switching element 30A.
  • the first switching element 30A is mounted on the metal layer 81.
  • the first switching element 30A is bonded to the metal layer 81 by the bonding material SD.
  • the metal layer 82 supports the second switching element 30B.
  • the second switching element 30B is mounted on the metal layer 82.
  • the second switching element 30B is bonded to the metal layer 82 by the bonding material SD.
  • the metal layer 83 supports the driver 40.
  • the driver 40 is mounted on the metal layer 83.
  • the driver 40 is bonded to the metal layer 83 by the bonding material SD.
  • the metal layer 81 and the metal layer 82 are arranged so as to be aligned with each other in the y direction and separated from each other in the x direction.
  • the metal layer 83 is arranged closer to the support side surface 23 than the metal layers 81 and 82 in the y direction of the support layer 20.
  • the metal layer 83 is arranged at the center of the support layer 20 in the x direction.
  • the metal layer 81 is formed to have a size one size larger than that of the first element main surface 31A of the first switching element 30A when viewed from the z direction.
  • the metal layer 82 is formed to have a size one size larger than that of the second element main surface 31B of the second switching element 30B.
  • the metal layer 83 is formed to have a size one size larger than the driver main surface 41 of the driver 40.
  • the metal layers 81 to 83 include, for example, a laminate of Ni, Pd, and Au.
  • the metal layers 81 and 82 are provided so as to penetrate the support layer 20 in the z direction.
  • the metal layer 83 is provided so as to penetrate the support layer 20 in the z direction like the metal layers 81 and 82.
  • the portion of the support layer 20 other than the metal layers 81 to 82 is made of the same material as the support layer 20 of the above embodiment, that is, an electrically insulating material. Epoxy resin is used as the electrical insulating material. That is, the support layer 20 has an insulating layer 85 that electrically insulates the metal layers 81 to 83.
  • the support layer 20 includes the metal layer 81, which is the first metal layer on which the first switching element 30A, which is an example of the switching element, and the second switching element 30B, which is an example of the specific element, are mounted. It has a metal layer 82 which is a second metal layer, and an insulating layer 85 which electrically insulates the metal layer 81 and the metal layer 82.
  • the specific element is not limited to the second switching element 30B, and may be a driver 40. In this case, the second metal layer becomes the metal layer 83.
  • the heat of the switching elements 30A and 30B is released from the metal layers 81 and 82 to the outside of the semiconductor device 10. Therefore, it is possible to improve the heat dissipation performance of each of the switching elements 30A and 30B. Further, the heat of the driver 40 is released from the metal layer 83 to the outside of the semiconductor device 10. Therefore, the heat dissipation performance of the driver 40 can be improved.
  • the manufacturing method of the semiconductor device 10 of the modified example shown in FIGS. 35 and 36 is substantially the same as the manufacturing method of the above embodiment.
  • the manufacturing method of the semiconductor device 10 of the modified example includes a support layer forming step, an element mounting step, an element sealing layer forming step, a first via conductor forming step, and a surface side resin layer forming step.
  • a second via conductor forming step, an exterior electrode forming step, and a cutting step are mainly provided.
  • the method of manufacturing the semiconductor device 10 of the modified example is different from the above-described embodiment in the exterior electrode forming step.
  • the exterior electrode forming step in the manufacturing method of the semiconductor device 10 of the modified example includes a base material processing step and a plating layer forming step.
  • the base material processing step through holes for forming the metal layers 81 to 83 are formed in the portions of the base material 820 corresponding to the switching elements 30A and 30B and the driver 40, respectively. Through holes are formed, for example, by laser machining.
  • the plating layer forming step the exterior electrode 70 and the metal layers 81 to 83 are formed.
  • Each of the exterior electrode 70 and the metal layers 81 to 83 is formed by, for example, an electroless plating method.
  • the method for forming the metal layers 81 to 83 is not limited to the electroless plating method, and can be arbitrarily changed.
  • a preformed metal plate may be used for the metal layers 81 to 83.
  • An example of a metal plate is a copper plate or an aluminum plate.
  • the metal layers 81 to 83 are formed not in the exterior electrode forming step but in the support layer forming step. Specifically, in the support layer forming step, first, the metal layers 81 to 83 are arranged on the substrate main surface 801 of the support substrate 800. Subsequently, the base material 820 is formed on the main surface 801 of the substrate.
  • the second drive pad electrode 31BB of the second switching element 30B may be electrically connected to the metal layer 82.
  • the length of the protruding portion in the x direction of the protruding portion protruding toward the support side surface 26 with respect to the second switching element 30B of the metal layer 82 is the second switching element 30B of the metal layer 82.
  • the semiconductor device 10 includes a connecting via conductor 84 that connects the ground electrode 72 and the metal layer 82.
  • the connecting via conductor 84 is provided at a position where both the ground electrode 72 and the metal layer 82 overlap each other and do not overlap with the second switching element 30B when viewed from the z direction. More specifically, the connecting via conductor 84 is provided so as to be adjacent to the second switching element 30B on the side surface 16 side of the device in the x direction. The connecting via conductor 84 is provided so as to penetrate the resin layer 50. As a result, the connecting via conductor 84 is in contact with both the ground electrode 72 and the metal layer 82.
  • the metal layer 82 since the metal layer 82 is electrically connected to the ground electrode 72 by the connecting via conductor 84, the metal layer 82 also becomes a ground. Therefore, the influence of noise on the switching elements 30A and 30B can be reduced.
  • the driver 40 does not have to be arranged on the same plane with respect to the switching elements 30A and 30B.
  • the driver 40 is arranged at a position deviated from each of the switching elements 30A and 30B in the z direction. More specifically, as shown in FIG. 39, the driver 40 is arranged on the element sealing layer 50A. As shown in FIG. 38, the driver 40 is arranged at a position overlapping the switching elements 30A and 30B when viewed from the z direction.
  • the driver 40 is arranged at a position where a predetermined driver pad electrode 43 of the driver 40 overlaps with the control pad electrode 31AC of the first switching element 30A when viewed from the z direction, and another driver pad electrode 43 is the first. 2 It is arranged on the element sealing layer 50A so as to be arranged at a position overlapping with the control pad electrode 31BC of the switching element 30B.
  • the driver 40 is arranged so that the driver main surface 41 faces the device back surface 12 side and the driver back surface 42 faces the device main surface 11 side.
  • the configurations of the first control via conductor 64P and the second control via conductor 64Q are different from the configurations of the control via conductors 64P and 64Q of the above embodiment.
  • the first control via conductor 64P is arranged at a position where it overlaps both the control pad electrode 31AC of the first switching element 30A and the predetermined driver pad electrode 43 of the driver 40 when viewed from the z direction.
  • the first control via conductor 64P has a first element side control via 64pa and a first control connection wiring 64pc. In other words, the first control via conductor 64P does not have the first driver side control via 64pb.
  • the first element side control via 64pa is provided so as to penetrate the portion of the element sealing layer 50A that covers the first element main surface 31A of the first switching element 30A in the z direction. ..
  • the first control connection wiring 64pc is provided so as to cover the portion of the control via 64pa on the first element side that is exposed from the element sealing layer 50A.
  • the first control connection wiring 64pc is formed in a rectangular shape having substantially the same size as the predetermined driver pad electrode 43. Therefore, it can be said that the first control via conductor 64P extends along the z direction.
  • the predetermined driver pad electrode 43 is bonded to the first control connection wiring 64pc by a conductive bonding material made of solder or Ag paste.
  • the second control via conductor 64Q is arranged at a position where it overlaps both the control pad electrode 31BC of the second switching element 30B and another driver pad electrode 43 of the driver 40 when viewed from the z direction.
  • the second control via conductor 64Q has a second element side control via 64qa and a second control connection wiring 64qc.
  • the second element side control via 64qa is provided so as to penetrate the portion of the element sealing layer 50A that covers the second element main surface 31B of the second switching element 30B in the z direction, as in the above embodiment. ..
  • the second control connection wiring 64qc is provided so as to cover the portion of the second element side control via 64qa exposed from the element sealing layer 50A.
  • the second control connection wiring 64qc is formed in a rectangular shape having substantially the same size as another driver pad electrode 43. Therefore, it can be said that the second control via conductor 64Q extends along the z direction.
  • Another driver pad electrode 43 is bonded to the second control connection wiring 64qc by a conductive bonding material made of solder or Ag paste.
  • the configuration of the driver via conductor 65 is different from the configuration of the driver via conductor 65 of the above embodiment.
  • the driver connection via 65a is omitted. That is, the driver 40 is arranged closer to the device main surface 11 than the via connection wiring 65c in the z direction, and the driver pad electrode 43 is a via connection wiring 65c made of a conductive bonding material made of solder or Ag paste. It is joined to.
  • the lengths of the control via conductors 64P and 64Q are shortened, so that the control pad electrodes 31AC and 31BC and the driver 40 of the switching elements 30A and 30B are used.
  • the conductive path between them tends to be short. Therefore, the inductance caused by the length of the conductive path can be reduced.
  • the switching elements 30A and 30B are mounted on the support main surface 21 of the support layer 20, and the driver 40 is mounted on the element sealing layer 50A.
  • the switching elements 30A and 30B may be mounted on the element sealing layer 50A
  • the driver 40 may be mounted on the support main surface 21.
  • the driver 40 is arranged so that the driver main surface 41 faces the device main surface 11 side and the driver back surface 42 faces the device back surface 12 side.
  • the switching elements 30A and 30B are arranged so that the main surface 31A and 31B of each element face the back surface 12 side of the device and the back surfaces 32A and 32B of each element face the main surface 11 side of the device.
  • the surface side resin layer 50B may be omitted from the resin layer 50.
  • the electrode connecting vias 63pb and 63qb are omitted from the output via conductors 63P and 63Q. That is, the first output via conductor 63P has the first element connection via 63pa and the first via connection wiring 63pc, and the second output via conductor 63Q has the second element connection via 63qa and the second via connection. It has a wiring 63qc.
  • the via connection wirings 63pc and 63qc are provided outside the resin layer 50.
  • the output electrode 73 is formed on each via connection wiring 63pc and 63qc.
  • the first via connection wiring 63pc is the wiring connecting the first element connection via 63pa and the output electrode 73
  • the second via connection wiring 63qc connects the second element connection via 63qa and the output electrode 73. Wiring to connect.
  • the output electrode 73 formed in the portion between the first via connection wiring 63pc and the second via connection wiring 63qc in the x direction is formed on the element sealing layer 50A.
  • the power supply via conductor 61 penetrates the portion of the first switching element 30A that covers the first element main surface 31A in the z direction.
  • the ground via conductor 62 penetrates the portion of the second switching element 30B that covers the second element main surface 31B in the z direction. Therefore, the length of the power supply via conductor 61 and the ground via conductor 62 in the z direction is shorter than the length of the power supply via conductor 61 and the ground via conductor 62 of the above embodiment in the z direction.
  • Each of the power supply electrode 71 and the ground electrode 72 is formed on the element sealing layer 50A.
  • the power supply electrode 71 is formed so as to cover a portion of the power supply via conductor 61 exposed from the element sealing layer 50A.
  • the ground electrode 72 is formed so as to cover a portion of the ground via conductor 62 exposed from the element sealing layer 50A.
  • the conductive path between the second drive pad electrode 31AB and the output electrode 73 of the first switching element 30A, and the conductivity between the first drive pad electrode 31BA and the output electrode 73 of the second switching element 30B can be shortened. Further, the conductive path between the driver pad electrode 43 of the driver 40 and the driver connection electrode 74 can be shortened. Therefore, the inductance caused by the length of these conductive paths can be reduced.
  • the length of both the power supply via conductor 61 and the ground via conductor 62 in the z direction is the length of each switching element 30A, 30B in the z direction (thickness of each switching element 30A, 30B).
  • the lengths of both the power supply via conductor 61 and the ground via conductor 62 in the z direction can be arbitrarily changed. In one example, the lengths of both the power supply via conductor 61 and the ground via conductor 62 in the z direction are equal to the lengths of the switching elements 30A and 30B in the z direction (thickness of the switching elements 30A and 30B). May be good.
  • the lengths of both the power supply via conductor 61 and the ground via conductor 62 in the z direction are smaller than the lengths of the switching elements 30A and 30B in the z direction (thickness of the switching elements 30A and 30B). May be good.
  • Each of the conductive paths can be shortened. Therefore, the inductance caused by the length of these conductive paths can be reduced.
  • the support layer 20 may be omitted.
  • each of the back surface 32 of each element of the switching elements 30A and 30B and the back surface 42 of the driver of the driver 40 are flush with the back surface 52 of the resin of the resin layer 50.
  • each of the back surface 32 of each of the switching elements 30A and 30B and the back surface 42 of the driver of the driver 40 is exposed from the resin layer 50 in the z direction.
  • the first switching element 30A and the second switching element 30B have the same configuration, but the configuration is not limited to this.
  • the first switching element 30A and the second switching element 30B may have different configurations from each other.
  • the arrangement mode of the power supply electrode 71, the ground electrode 72, and the output electrode 73 can be arbitrarily changed.
  • the power supply electrode 71 is arranged between the first switching element 30A and the second switching element 30B in the x direction and the output electrode 73 is arranged at a position overlapping the first switching element 30A when viewed from the z direction. good. That is, the arrangement position of the power supply electrode 71 and the arrangement position of the output electrode 73 may be exchanged.
  • the grinding step of scraping the element encapsulation layer 850A in the z direction may be omitted.
  • the thickness of the element sealing layer 50A can be arbitrarily changed.
  • the thickness of the portion of the element sealing layer 50A that covers the element main surfaces 31A and 31B of the switching elements 30A and 30B may be equal to the thickness of the surface side resin layer 50B, or the surface side resin layer. It may be thicker than 50B.
  • the thickness of the portion of the element sealing layer 50A that covers the driver main surface 41 of the driver 40 may be equal to the thickness of the surface side resin layer 50B or may be thicker than the thickness of the surface side resin layer 50B.
  • a semiconductor device comprising the switching element and a resin layer for encapsulating the specific element, and the thickness direction of the resin layer is the height direction.
  • An exterior electrode formed on the surface of the resin layer and at least partially overlapping the switching element when viewed from the height direction.
  • a semiconductor device including an element driving via conductor that penetrates the resin layer in the height direction and electrically connects the switching element and the exterior electrode.
  • the resin layer is An element sealing layer for sealing the first switching element and the second switching element, and It has a surface-side resin layer formed on the element sealing layer, and has.
  • the semiconductor device according to Appendix A1 wherein the thickness of the surface-side resin layer is thinner than the thickness of the device encapsulation layer.
  • Appendix A3 The semiconductor device according to Appendix A2, wherein the length of the element driving via conductor in the height direction is smaller than the length of the switching element in the height direction.
  • the switching element is a first switching element.
  • the specific element is a second switching element connected in series to the first switching element, and is arranged at intervals with respect to the first switching element in a direction orthogonal to the height direction.
  • An output electrode is formed on the surface of the resin layer.
  • the semiconductor device includes an output via conductor that electrically connects the output electrode, the first switching element, and the second switching element.
  • the exterior electrode has a power supply electrode and a ground electrode provided on both sides of the output electrode in the arrangement direction of the first switching element and the second switching element.
  • the element driving via includes a power supply via conductor that electrically connects the first switching element and the power supply electrode, and a ground via conductor that electrically connects the second switching element and the ground electrode.
  • Both the first switching element and the second switching element have a first driving electrode and a second driving electrode. Both the first drive electrode and the second drive electrode extend in the arrangement direction.
  • the output via conductor is connected to both ends of the second drive electrode of the first switching element in the arrangement direction, whichever is closer to the output electrode.
  • the semiconductor device according to Appendix A4, wherein the power supply via conductor is connected to the end of the first driving electrode of the first switching element, which is far from the output electrode, among both ends in the arrangement direction.
  • the specific element is a driver that controls the switching element. In the height direction, the driver and the switching element are arranged at intervals.
  • the semiconductor device includes an element control via conductor that electrically connects the switching element and the driver.
  • the driver is arranged at a position overlapping with the switching element when viewed from the height direction.
  • Appendix B2 The semiconductor device according to Appendix B1 is provided in the resin layer as the output via conductor.
  • Appendix B3 The semiconductor device according to Appendix B2, wherein the output via conductor is provided between both switching elements of the resin layer and the surface of the resin layer in the height direction.
  • the output via conductor is A first output via conductor connecting the first switching element and the output electrode, It has a second output via conductor that connects the second switching element and the output electrode.
  • the semiconductor device according to any one of Supplementary note B1 to B3, wherein the first output via conductor and the second output via conductor are arranged apart from each other in a direction orthogonal to the height direction.
  • Appendix B5 The semiconductor device according to Appendix B4, wherein each of the first output via conductor and the second output via conductor is crank-shaped.
  • the output via conductor is An element connection via provided in the resin layer and penetrating the resin layer in the height direction,
  • the semiconductor device according to Appendix B1 which is provided on the resin layer and has a via connection wiring for connecting the element connection via and the output electrode.
  • the first switching element and the second switching element, The driver that drives both switching elements and A semiconductor device including both switching elements and a resin layer for sealing each of the drivers, and the thickness direction of the resin layer is the height direction. Assuming that the two directions intersecting each other among the directions orthogonal to the height direction are the first direction and the second direction, The first switching element and the second switching element are arranged at intervals in the first direction. The two switching elements and the driver are arranged at intervals in the second direction.
  • the output electrode formed on the surface of the resin layer and An output via conductor that electrically connects the first switching element, the second switching element, and the output electrode.
  • the semiconductor device is The power supply electrode and the ground electrode formed on the surface of the resin layer, A power supply via conductor that penetrates the resin layer in the height direction and electrically connects the first switching element and the power supply electrode.
  • the semiconductor device according to Appendix C1 comprising a ground via conductor that penetrates the resin layer in the height direction and electrically connects the second switching element and the ground electrode.
  • Appendix D1 A process of forming an element sealing layer for encapsulating a switching element and a specific element, and A step of forming a first through hole in the element sealing layer so that the switching element is exposed, and The step of embedding the element connection via in the first through hole and A step of forming a via connection wiring on the element sealing layer so as to be electrically connected to the element connection via.
  • Appendix D2 A step of forming an element sealing layer for sealing a switching element and a driver for driving the switching element, and A step of forming a first through hole in the element sealing layer so that the switching element is exposed, and A step of forming a second through hole in the element sealing layer so that the driver is exposed, and The step of embedding the element side control via in the first through hole and The process of embedding the driver side control via in the second through hole and A step of forming a control connection wiring on the element sealing layer so as to electrically connect the element side control via and the driver side control via.
  • a method for manufacturing a semiconductor device comprising a step of forming a surface-side resin layer for sealing the control connection wiring on the element sealing layer.
  • the resin layer is The element encapsulation layer that encloses the switching element and the specific element, and It has a surface-side resin layer formed on the element sealing layer, and has.
  • First element side control Via 64pb ... 1st driver side control via 64pc ... 1st control connection wiring 64qa ... 2nd element side control via 64qb ... 2nd driver side control via 64qc ... 2nd control connection wiring 64a ... Element side control via 64b ... Driver Side control via 64c ... Control connection wiring 65 ... Driver via conductor 65a ... Driver connection via 65b ... Driver electrode connection via 65c ... Via connection wiring 70 ... Exterior electrode 71 ... Power supply electrode 72 ... Ground electrode 73 ... Output electrode 74 ... Driver connection electrode 81 ... Metal layer (first metal layer) 82 ... Metal layer (second metal layer) 83 ... Metal layer (second metal layer) 84 ... Connection via conductor 85 ... Insulation layer 850A ... Element sealing layer 850B ... Surface side resin layer

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Abstract

半導体装置（１０）は、第１スイッチング素子（３０Ａ）と、第２スイッチング素子（３０Ｂ）と、各スイッチング素子（３０Ａ，３０Ｂ）を封止する樹脂層（５０）と、を含む。半導体装置（１０）は、樹脂層（５０）の表面に形成されており、ｚ方向から視て、少なくとも一部が第１スイッチング素子（３０Ａ）と重なる電源電極（７１）と、樹脂層（５０）をｚ方向に貫通して第１スイッチング素子（３０Ａ）と電源電極（７１）とを電気的に接続する電源用ビア導体（６１）と、を含む。

Description

半導体装置
　本開示は、半導体装置に関する。
　従来、複数の半導体素子を封止樹脂によって封止してパッケージ化した半導体装置が知られている。たとえば特許文献１の半導体装置は、半導体素子として、複数のスイッチング素子と、複数のスイッチング素子を駆動させるドライバと、各スイッチング素子およびドライバを支持する金属製のリードフレーム端子と、各スイッチング素子およびドライバを封止する封止樹脂と、を備える。リードフレーム端子は、半導体装置の外部に露出した外装電極を構成している。
特開２０１１－１９８８９１号公報
　ところで、特許文献１の半導体装置においては、ワイヤボンディングによって形成されたワイヤを用いて複数のスイッチング素子とリードフレーム端子とが電気的に接続され、各スイッチング素子とドライバとが電気的に接続されている。この場合、ワイヤが湾曲凸状に形成されるため、ワイヤの長さを短くすることが難しい。このため、半導体装置内の導電経路を短くすることが難しくなり、この導電経路の長さに起因するインダクタンスの低減について改善の余地がある。
　本開示の目的は、インダクタンスを低減できる半導体装置を提供することにある。
　上記課題を解決する半導体装置は、スイッチング素子と、特定素子と、前記スイッチング素子および前記特定素子を封止する樹脂層と、を備え、前記樹脂層の厚さ方向を高さ方向とする半導体装置であって、前記樹脂層の表面に形成されており、前記高さ方向から視て、少なくとも一部が前記スイッチング素子と重なる外装電極と、前記樹脂層を前記高さ方向に貫通して前記スイッチング素子と前記外装電極とを電気的に接続する素子駆動用ビア導体と、を備えている。
　この構成によれば、樹脂層を高さ方向に貫通する素子駆動用ビア導体によってスイッチング素子と外装電極とが接続されるため、ワイヤボンディングによって形成されたワイヤによってスイッチング素子と外装電極とが接続される構成と比較して、スイッチング素子と外装電極との間の導電経路の長さを短くすることができる。したがって、この導電経路の長さに起因するインダクタンスを低減できる。
　上記課題を解決する半導体装置は、スイッチング素子と、前記スイッチング素子を駆動させるドライバと、前記スイッチング素子および前記ドライバの双方を封止する樹脂層と、を備え、前記樹脂層の厚さ方向を高さ方向とする半導体装置であって、前記スイッチング素子と前記ドライバとは、前記高さ方向と直交する方向において間隔をあけて配置されており、前記樹脂層内には、前記スイッチング素子と前記ドライバとを接続する素子制御用ビア導体が埋め込まれている。
　この構成によれば、樹脂層内に埋め込まれた素子制御用ビア導体によってスイッチング素子とドライバとが接続されるため、ワイヤボンディングによって形成されたワイヤによってスイッチング素子とドライバとが接続される構成と比較して、スイッチング素子とドライバとの間の導電経路の長さを短くすることができる。したがって、この導電経路の長さに起因するインダクタンスを低減できる。
　上記半導体装置によれば、インダクタンスを低減できる。
一実施形態の半導体装置の斜視構造を示す斜視図。 図１の半導体装置のスイッチング素子およびドライバが搭載された基板の平面図。 図１の半導体装置における樹脂層の素子封止層の平面図。 図１の半導体装置の平面図。 図４の半導体装置の５－５線に沿った断面図。 図４の半導体装置の６－６線に沿った断面図。 図４の半導体装置の７－７線に沿った断面図。 図４の半導体装置の８－８線に沿った断面図。 図１の半導体装置の回路構成の一例を示す回路図。 一実施形態の半導体装置の製造方法について、その製造工程の一例を説明する説明図。 半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。 半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。 半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。 半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。 半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。 半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。 半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。 半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。 半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。 半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。 半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。 半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。 半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。 半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。 比較例の半導体装置について、スイッチング素子およびドライバが搭載された基板の平面図。 比較例の半導体装置の模式的な断面図。 変更例の半導体装置について、スイッチング素子およびドライバが搭載された基板の平面図。 変更例の半導体装置における樹脂層の素子封止層の平面図。 変更例の半導体装置の平面図。 図２９の半導体装置の３０－３０線に沿った断面図。 変更例の半導体装置について、スイッチング素子が搭載された基板の平面図。 変更例の半導体装置における樹脂層の素子封止層の平面図。 変更例の半導体装置の平面図。 図３３の半導体装置の３４－３４線に沿った断面図。 変更例の半導体装置について、スイッチング素子およびドライバが搭載された基板の平面図。 変更例の半導体装置を図３５の３６－３６線で切った断面図。 変更例の半導体装置の断面図。 変更例の半導体装置における樹脂層の素子封止層の平面図。 変更例の半導体装置を図３８の３９－３９線で切った断面図。 変更例の半導体装置の断面図。
　以下、半導体装置の実施形態について図面を参照して説明する。以下に示す実施形態は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであり、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。以下の実施形態は、種々の変更を加えることができる。
　（半導体装置の構成）
　図１～図９を参照して、半導体装置１０の一実施形態について説明する。
　図１に示すように、半導体装置１０は、矩形平板状に形成されている。半導体装置１０は、互いに反対側を向く装置主面１１および装置裏面１２と、装置主面１１および装置裏面１２の双方と交差する方向を向く装置側面１３～１６と、を有している。本実施形態では、装置側面１３～１６は、装置主面１１および装置裏面１２の双方と直交する方向を向いている。
　装置主面１１および装置裏面１２は、互いに離間して配置されている。以下の説明において、装置主面１１と装置裏面１２との配列方向をｚ方向とする。なお、ｚ方向は、半導体装置１０の高さ方向ともいえる。ｚ方向に直交する方向のうち互いに直交する２方向をそれぞれｘ方向およびｙ方向とする。ｘ方向は第１方向の一例であり、ｙ方向は第２方向の一例である。
　本実施形態では、ｚ方向から視て、装置側面１３，１４はｘ方向に沿った面であり、装置側面１５，１６はｙ方向に沿った面である。装置側面１３，１４はｙ方向において互いに反対側を向く面であり、装置側面１５，１６はｘ方向において互いに反対側を向く面である。本実施形態では、ｚ方向から視た半導体装置１０の形状は、ｘ方向が短辺方向となり、ｙ方向が長辺方向となる矩形状である。
　半導体装置１０は、支持層２０と、支持層２０上に積層された樹脂層５０と、を備えている。
　支持層２０は、電気絶縁性を有する材料からなり、たとえばエポキシ樹脂からなる。支持層２０は、ｚ方向を厚さ方向とした矩形平板状に形成されている。このため、支持層２０の厚さ方向は、半導体装置１０の高さ方向ともいえる。支持層２０は、ｚ方向において半導体装置１０のうち装置主面１１よりも装置裏面１２の近くに配置されている。支持層２０は、装置裏面１２と、装置側面１３～１６のそれぞれのｚ方向の一部と、を構成している。
　支持層２０は、ｚ方向において互いに反対側を向く支持主面２１および支持裏面２２と、支持主面２１および支持裏面２２の双方と直交する方向を向く支持側面２３～２６と、を有している。支持主面２１は装置主面１１と同じ側を向き、支持裏面２２は装置裏面１２と同じ側を向いている。本実施形態では、支持裏面２２は、装置裏面１２を構成している。支持側面２３は装置側面１３と同じ側を向き、支持側面２４は装置側面１４と同じ側を向き、支持側面２５は装置側面１５と同じ側を向き、支持側面２６は装置側面１６と同じ側を向いている。ｚ方向から視た支持層２０の形状は、ｘ方向が短辺方向となり、ｙ方向が長辺方向となる矩形状である。
　図１に示すように、樹脂層５０は、ｚ方向を厚さ方向とした矩形平板状に形成されている。このため、樹脂層５０の厚さ方向は、半導体装置１０の高さ方向ともいえる。樹脂層５０は、支持層２０の支持主面２１上に形成されている。樹脂層５０は、装置主面１１と、装置側面１３～１６のそれぞれのｚ方向の一部と、を構成している。樹脂層５０の厚さは、支持層２０の厚さよりも厚い。樹脂層５０は、電気絶縁性を有する材料からなる。樹脂層５０は、たとえば支持層２０と同じ材料からなる。本実施形態では、樹脂層５０は、黒色のエポキシ樹脂からなる。
　図１および図４に示すように、樹脂層５０は、ｚ方向において互いに反対側を向く樹脂主面５１および樹脂裏面５２（図５参照）と、樹脂主面５１および樹脂裏面５２の双方と直交する方向を向く樹脂側面５３～５６と、を有している。樹脂主面５１は装置主面１１と同じ側を向き、樹脂裏面５２は装置裏面１２と同じ側を向いている。本実施形態では、樹脂主面５１は、装置主面１１を構成している。樹脂裏面５２は、支持層２０の支持主面２１と接している。樹脂側面５３は装置側面１３と同じ側を向き、樹脂側面５４は装置側面１４と同じ側を向き、樹脂側面５５は装置側面１５と同じ側を向き、樹脂側面５６は装置側面１６と同じ側を向いている。ｚ方向から視た樹脂層５０の形状は、ｙ方向が長辺方向となり、ｘ方向が短辺方向となる矩形状である。図１に示すとおり、本実施形態では、樹脂側面５３と支持側面２３とは面一となり、樹脂側面５４と支持側面２４とは面一となり、樹脂側面５５と支持側面２５とは面一となり、樹脂側面５６と支持側面２６とは面一となる。また、樹脂側面５３と支持側面２３とから装置側面１３が構成され、樹脂側面５４と支持側面２４とから装置側面１４が構成され、樹脂側面５５と支持側面２５とから装置側面１５が構成され、樹脂側面５６と支持側面２６とから装置側面１６が構成されている。
　図１および図５に示すように、樹脂層５０は、支持主面２１上に形成された素子封止層５０Ａと、素子封止層５０Ａ上に積層された表面側樹脂層５０Ｂと、を有している。つまり、素子封止層５０Ａと表面側樹脂層５０Ｂとは樹脂層５０の厚さ方向（ｚ方向）において積層されている。素子封止層５０Ａは樹脂裏面５２と、樹脂側面５３～５６のｚ方向の一部とを構成しており、表面側樹脂層５０Ｂは樹脂主面５１と、樹脂側面５３～５６のｚ方向の残りの部分とを構成している。
　図５に示すように、表面側樹脂層５０Ｂの厚さは、素子封止層５０Ａの厚さよりも薄い。表面側樹脂層５０Ｂの厚さは、素子封止層５０Ａの厚さの１／２以下であることが好ましい。表面側樹脂層５０Ｂの厚さは、素子封止層５０Ａ上に形成された後述するビア接続用配線６３ｐｃ，６３ｑｃ等の複数の配線を封止できる厚さであればよく、これら配線を封止可能な範囲で極力薄いことが好ましい。素子封止層５０Ａと表面側樹脂層５０Ｂとの境界には、界面５７が形成されている。本実施形態では、界面５７は、ｘｙ平面として形成されている。
　図４に示すように、樹脂層５０の表面となる樹脂主面５１には、半導体装置１０がたとえば回路基板に実装されるときに回路基板の配線等と電気的に接続するための外部端子となる外装電極７０が設けられている。つまり、樹脂主面５１は、半導体装置１０がたとえば回路基板に実装されるときの実装面となる。外装電極７０は、Ｃｕ（銅）層と、Ｃｕ層を覆うめっき層とを含む。Ｃｕ層は、樹脂主面５１に形成されたシード層と、シード層上に形成されためっき層と、を含む。シード層はたとえばＣｕやＴｉ（チタン）からなる。めっき層はＣｕからなる。Ｃｕ層を覆うめっき層は、たとえばＮｉ（ニッケル）層、Ｐｄ（パラジウム）層およびＡｕ（金）層の積層体からなる。外装電極７０は、電源電極７１、グランド電極７２、出力電極７３および複数のドライバ接続電極７４を有している。電源電極７１、グランド電極７２および出力電極７３は、ｙ方向において樹脂主面５１のうち複数のドライバ接続電極７４よりも樹脂側面５４の近くに配置されている。電源電極７１、グランド電極７２および出力電極７３は、ｙ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離間して配列されている。複数のドライバ接続電極７４は、樹脂主面５１のｘ方向の両端部と、樹脂主面５１のｙ方向の両端部のうち樹脂側面５３に近い方の端部とのそれぞれに配置されている。なお、ドライバ接続電極７４の個数は任意に変更可能である。
　次に、半導体装置１０の内部構造について説明する。
　図２および図３に示すように、半導体装置１０は、スイッチング素子３０およびドライバ４０と、スイッチング素子３０およびドライバ４０に個別に電気的に接続されたビア導体６０と、を備えている。本実施形態では、スイッチング素子３０は、第１スイッチング素子３０Ａおよび第２スイッチング素子３０Ｂを含む。つまり、半導体装置１０は、複数のスイッチング素子を有している。ドライバ４０は、複数のスイッチング素子のそれぞれを駆動させる駆動回路を含む。本実施形態では、ドライバ４０は、第１スイッチング素子３０Ａおよび第２スイッチング素子３０Ｂのそれぞれを駆動させる駆動回路を含む。
　各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂおよびドライバ４０のそれぞれは、支持層２０に搭載されている。より詳細には、図５および図７に示すように、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂおよびドライバ４０のそれぞれは、接合材ＳＤによって支持層２０の支持主面２１上に接合されている。接合材ＳＤは、たとえばエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の接着剤である。なお、熱伝達性のよい接合材ＳＤを用いることもできる。また、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂおよびドライバ４０と支持層２０とにおいて互いに対向する面に金属膜を形成した場合、Ａｇ（銀）ペーストやはんだ等や導電性を有する接着剤を接合材ＳＤとして用いることもできる。また、接合材ＳＤを省略してもよい。
　図２および図３に示すように、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂは、たとえばトランジスタである。各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂは、１ＭＨｚ以上の高周波数で動作するトランジスタである。一例では、各スイッチング素子３０Ａ，３０ＢはＧａＮ（Gallium Nitride）によって構成されている。本実施形態では、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂは、窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ（ＧａＮＨＥＭＴ：Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor）が用いられている。各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂは、同一サイズのＧａＮＨＥＭＴが用いられている。本実施形態では、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂは、同一構成のＧａＮＨＥＭＴが用いられている。各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂは、ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。このため、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの厚さ方向は、半導体装置１０の高さ方向ともいえる。ｚ方向から視た各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの形状は、長辺方向および短辺方向を有する矩形状である。本実施形態では、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂは、ｙ方向が長辺方向となり、ｘ方向が短辺方向となるように、支持主面２１に配置されている。
　各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂは、半導体装置１０の高さ方向（ｚ方向）と直交する方向において間隔をあけて配置されている。図２に示すとおり、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂは、ｙ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離間して配列されている。第１スイッチング素子３０Ａは、支持主面２１のうち第２スイッチング素子３０Ｂよりも支持側面２５の近くに配置されている。このように、ｘ方向は、第１スイッチング素子３０Ａおよび第２スイッチング素子３０Ｂの配列方向ともいえる。
　図５に示すように、第１スイッチング素子３０Ａは、ｚ方向において互いに反対側を向く第１素子主面３１Ａおよび第１素子裏面３２Ａを有している。第１素子主面３１Ａは装置主面１１（支持主面２１）と同じ側を向き、第１素子裏面３２Ａは装置裏面１２（支持裏面２２）と同じ側を向いている。
　図２に示すように、第１素子主面３１Ａには、第１駆動パッド電極３１ＡＡ、第２駆動パッド電極３１ＡＢおよび制御パッド電極３１ＡＣが形成されている。本実施形態では、第１駆動パッド電極３１ＡＡは第１スイッチング素子３０Ａのドレイン電極を構成し、第２駆動パッド電極３１ＡＢは第１スイッチング素子３０Ａのソース電極を構成し、制御パッド電極３１ＡＣは第１スイッチング素子３０Ａのゲート電極を構成している。このように、各駆動パッド電極３１ＡＡ，３１ＡＢおよび制御パッド電極３１ＡＣは、ｚ方向において第１スイッチング素子３０Ａのうち外装電極７０に近い方の面に形成されている。このため、各駆動パッド電極３１ＡＡ，３１ＡＢと電源電極７１および出力電極７３との間の距離が短くなる。
　各駆動パッド電極３１ＡＡ，３１ＡＢは同一サイズであり、ｚ方向から視て、長辺方向および短辺方向を有する矩形状である。各駆動パッド電極３１ＡＡ，３１ＡＢは、長辺方向がｘ方向に沿い、短辺方向がｙ方向に沿うように第１素子主面３１Ａに形成されている。つまり、各駆動パッド電極３１ＡＡ，３１ＡＢは、第１スイッチング素子３０Ａおよび第２スイッチング素子３０Ｂの配列方向であるｘ方向に延びている。図２に示すとおり、第１素子主面３１Ａには、複数の第１駆動パッド電極３１ＡＡおよび複数の第２駆動パッド電極３１ＡＢが形成されている。第１駆動パッド電極３１ＡＡおよび第２駆動パッド電極３１ＡＢは、ｙ方向において交互に配置されている。制御パッド電極３１ＡＣは、第１素子主面３１Ａのｙ方向の両端部のうち支持側面２３（ドライバ４０）に近い方の端部に配置されている。つまり、制御パッド電極３１ＡＣは、第１素子主面３１Ａのうち各駆動パッド電極３１ＡＡ，３１ＡＢよりも支持側面２３（ドライバ４０）の近くに配置されている。
　図５に示すように、第２スイッチング素子３０Ｂは、ｚ方向において互いに反対側を向く第２素子主面３１Ｂおよび第２素子裏面３２Ｂを有している。第２素子主面３１Ｂは装置主面１１（支持主面２１）と同じ側を向き、第２素子裏面３２Ｂは装置裏面１２（支持裏面２２）と同じ側を向いている。
　図２に示すように、第２素子主面３１Ｂには、第１駆動パッド電極３１ＢＡ、第２駆動パッド電極３１ＢＢおよび制御パッド電極３１ＢＣが形成されている。本実施形態では、第１駆動パッド電極３１ＢＡは第２スイッチング素子３０Ｂのドレイン電極を構成し、第２駆動パッド電極３１ＢＢは第２スイッチング素子３０Ｂのソース電極を構成し、制御パッド電極３１ＢＣは第２スイッチング素子３０Ｂのゲート電極を構成している。このように、各駆動パッド電極３１ＢＡ，３１ＢＢおよび制御パッド電極３１ＢＣは、ｚ方向において第２スイッチング素子３０Ｂのうち外装電極７０に近い方の面形成されている。このため、各駆動パッド電極３１ＢＡ，３１ＢＢとグランド電極７２および出力電極７３との間の距離が短くなる。
　各駆動パッド電極３１ＢＡ，３１ＢＢは同一サイズであり、ｚ方向から視て、長辺方向および短辺方向を有する矩形状である。各駆動パッド電極３１ＢＡ，３１ＢＢは、長辺方向がｘ方向に沿い、短辺方向がｙ方向に沿うように第２素子主面３１Ｂに形成されている。つまり、各駆動パッド電極３１ＢＡ，３１ＢＢは、第１スイッチング素子３０Ａおよび第２スイッチング素子３０Ｂの配列方向であるｘ方向に延びている。図２に示すとおり、第２素子主面３１Ｂには、複数の第１駆動パッド電極３１ＢＡおよび複数の第２駆動パッド電極３１ＢＢが形成されている。第１駆動パッド電極３１ＢＡおよび第２駆動パッド電極３１ＢＢは、ｙ方向において交互に配置されている。ｚ方向から視て、第１駆動パッド電極３１ＢＡは第１スイッチング素子３０Ａの第１駆動パッド電極３１ＡＡとｙ方向において揃った位置に配置されており、第２駆動パッド電極３１ＢＢは第１スイッチング素子３０Ａの第２駆動パッド電極３１ＡＢとｙ方向において揃った位置に配置されている。換言すると、ｚ方向から視て、第１駆動パッド電極３１ＢＡはｙ方向において第２駆動パッド電極３１ＡＢに対してずれた位置に配置されており、第２駆動パッド電極３１ＢＢはｙ方向において第１駆動パッド電極３１ＡＡに対してずれた位置に配置されている。制御パッド電極３１ＢＣは、第２素子主面３１Ｂのｙ方向の両端部のうち支持側面２３（ドライバ４０）に近い方の端部に配置されている。つまり、制御パッド電極３１ＢＣは、第２素子主面３１Ｂのうち各駆動パッド電極３１ＢＡ，３１ＢＢよりも支持側面２３（ドライバ４０）の近くに配置されている。
　このように、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂは、ｚ方向を向く一面に第１駆動電極（ドレイン電極）、第２駆動電極（ソース電極）および制御電極（ゲート電極）が形成された横型のトランジスタである。
　なお、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂは、窒化ガリウム高電子移動度トランジスタに限られず、Ｓｉ（シリコン）を含むＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）やＳｉＣ（炭化シリコン）を含むＭＯＳＦＥＴであってもよい。
　図２および図４に示すように、ドライバ４０は、ｙ方向において各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂと間隔をあけて配置されている。ドライバ４０は、ｚ方向から視て、ｙ方向において支持主面２１のうち各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂよりも支持側面２３の近くに配置されている。本実施形態では、ドライバ４０は、支持主面２１のｘ方向の中央に配置されている。図７に示すように、ドライバ４０は、ｚ方向において各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂと揃った位置に配置されている。つまり、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂおよびドライバ４０は、同一平面上に配置されている。
　図１および図２に示すように、ドライバ４０は、ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。このため、ドライバ４０の厚さ方向は、半導体装置１０の高さ方向ともいえる。本実施形態では、ｚ方向から視たドライバ４０の形状は、ｘ方向が長辺方向となり、ｙ方向が短辺方向となる矩形状である。なお、ｚ方向から視たドライバ４０の形状は任意に変更可能である。一例では、ｚ方向から視たドライバ４０の形状は正方形であってもよい。
　図７に示すように、ドライバ４０は、ｚ方向において互いに反対側を向くドライバ主面４１およびドライバ裏面４２を有している。ドライバ主面４１は装置主面１１と同じ側を向き、ドライバ裏面４２は装置裏面１２と同じ側を向いている。また、ドライバ４０は、複数のドライバパッド電極４３を有している。各ドライバパッド電極４３は、ドライバ主面４１から露出している。つまり、各ドライバパッド電極４３は、ドライバ４０のうち、制御パッド電極３１ＡＣ，３１ＢＣが形成される各素子主面３１Ａ，３１Ｂと同じ側を向くドライバ主面４１から露出している。このため、ｚ方向において、各ドライバパッド電極４３の位置、各制御パッド電極３１ＡＣ，３１ＢＣの位置とのばらつきが小さい。また、各ドライバパッド電極４３は、ｚ方向においてドライバ４０のうち外装電極７０に近い方の面から露出している。このため、ｚ方向において、ドライバパッド電極４３とドライバ接続電極７４との間の距離が短くなる。
　図５および図７に示すように、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂおよびドライバ４０のそれぞれは、樹脂層５０によって封止されている。より詳細には、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂおよびドライバ４０のそれぞれは、素子封止層５０Ａによって封止されている。素子封止層５０Ａと表面側樹脂層５０Ｂとの界面５７は、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの各素子主面３１Ａ，３１Ｂおよびドライバ４０のドライバ主面４１よりも樹脂主面５１（装置主面１１）の近くに形成されている。つまり、素子封止層５０Ａは、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの各素子主面３１Ａ，３１Ｂ上およびドライバ４０のドライバ主面４１上を覆っている。
　図４に示すように、ｚ方向から視て、第１スイッチング素子３０Ａは、電源電極７１と重なる位置に配置されている。換言すると、電源電極７１は、ｚ方向から視て、第１スイッチング素子３０Ａと重なる位置に配置されている。より詳細には、電源電極７１は、ｚ方向から視て、第１スイッチング素子３０Ａの各第１駆動パッド電極３１ＡＡと重なる位置に配置されている。電源電極７１は、第１スイッチング素子３０Ａに対してｘ方向にはみ出すように配置されている。図４に示すとおり、電源電極７１は、第１スイッチング素子３０Ａに対して装置側面１５に向けてはみ出すはみ出し部を有している。
　ｚ方向から視て、第２スイッチング素子３０Ｂは、グランド電極７２と重なる位置に配置されている。換言すると、グランド電極７２は、ｚ方向から視て、第２スイッチング素子３０Ｂと重なる位置に配置されている。より詳細には、グランド電極７２は、ｚ方向から視て、第２スイッチング素子３０Ｂの各第２駆動パッド電極３１ＢＢと重なる位置に配置されている。グランド電極７２は、第２スイッチング素子３０Ｂに対してｘ方向にはみ出すように配置されている。図４に示すとおり、グランド電極７２は、第２スイッチング素子３０Ｂに対して装置側面１６に向けてはみ出すはみ出し部を有している。
　ｚ方向から視て、第１スイッチング素子３０Ａおよび第２スイッチング素子３０Ｂは、出力電極７３と重ならない位置に配置されている。換言すると、出力電極７３は、第１スイッチング素子３０Ａおよび第２スイッチング素子３０Ｂの双方と重ならない位置に配置されている。本実施形態では、出力電極７３は、ｚ方向から視て、第１スイッチング素子３０Ａと第２スイッチング素子３０Ｂとのｘ方向の間に配置されている。
　ｚ方向から視て、ドライバ４０は、複数のドライバ接続電極７４と重ならない位置に配置されている。換言すると、複数のドライバ接続電極７４は、ｚ方向から視て、ドライバ４０と重ならない位置に配置されている。より詳細には、ドライバ接続電極７４は、ｚ方向から視て、ドライバ４０を取り囲むように配置されている。
　図３および図５～図８に示すように、ビア導体６０は、樹脂層５０内に設けられており、外装電極７０と各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂとを電気的に接続したり、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂとドライバ４０とを電気的に接続したり、ドライバ４０と外装電極７０とを電気的に接続したりする導体である。ビア導体６０は、電源用ビア導体６１、グランド用ビア導体６２、出力用ビア導体６３、素子制御用ビア導体６４および複数のドライバ用ビア導体６５を有している。ビア導体６０は、たとえばＣｕからなる。
　図３および図６に示すように、電源用ビア導体６１は、第１スイッチング素子３０Ａの第１駆動パッド電極３１ＡＡと外装電極７０のうち電源電極７１とを電気的に接続する導体である。本実施形態では、電源用ビア導体６１は、複数設けられている。複数の電源用ビア導体６１は、ｘ方向において互いに揃った状態でｙ方向において互いに離間して配列されている。
　図３に示すように、電源用ビア導体６１は、ｚ方向から視て、第１スイッチング素子３０Ａの第１駆動パッド電極３１ＡＡと重なる位置に配置されている。本実施形態では、電源用ビア導体６１は、第１駆動パッド電極３１ＡＡのｘ方向の両端部のうち支持側面２５に近い方の端部と重なる位置に配置されている。換言すると、電源用ビア導体６１は、第１駆動パッド電極３１ＡＡのｘ方向の両端部のうち出力電極７３から遠い方の端部に配置されている。
　図４に示すように、電源用ビア導体６１は、ｚ方向から視て、電源電極７１と重なる位置に配置されている。つまり、図６に示すように、電源用ビア導体６１は、ｚ方向から視て、第１駆動パッド電極３１ＡＡと電源電極７１との双方と重なる位置に配置されている。各電源用ビア導体６１は、ｚ方向に沿って延びるビアからなる。本実施形態では、ｚ方向から視た各電源用ビア導体６１の形状は円形である。各電源用ビア導体６１の直径は、たとえば１００μｍ以上２００μｍ以下である。なお、ｚ方向から視た電源用ビア導体６１の形状は、円形に限られず、任意に変更可能である。たとえばｚ方向から視た電源用ビア導体６１の形状は、四角形等の多角形または楕円形であってもよい。
　図６に示すように、電源用ビア導体６１は、樹脂層５０をｚ方向に貫通するように設けられている。換言すると、電源用ビア導体６１は、素子封止層５０Ａおよび表面側樹脂層５０Ｂの双方をｚ方向に貫通するように設けられている。より詳細には、樹脂層５０には、素子封止層５０Ａのうち第１スイッチング素子３０Ａの第１素子主面３１Ａと界面５７とのｚ方向の間の部分と、表面側樹脂層５０Ｂのｚ方向の全体とを貫通する貫通孔５８ａが設けられている。貫通孔５８ａを介して第１駆動パッド電極３１ＡＡがｚ方向に露出している。貫通孔５８ａは、第１駆動パッド電極３１ＡＡのｘ方向の両端部のうち樹脂側面５５に近い方の端部をｚ方向に露出している。電源用ビア導体６１は、貫通孔５８ａを埋めるように設けられている。このため、電源用ビア導体６１は、第１駆動パッド電極３１ＡＡと接しており、かつ樹脂層５０の樹脂主面５１から露出している。換言すると、電源用ビア導体６１は、第１駆動パッド電極３１ＡＡのｘ方向の両端部のうち出力電極７３から遠い方の端部（樹脂側面５５に近い方の端部）に接続されている。そして電源用ビア導体６１は、樹脂層５０の樹脂主面５１のうちｚ方向から視て第１駆動パッド電極３１ＡＡのｘ方向の両端部のうち出力電極７３から遠い方の端部（樹脂側面５５に近い方の端部）と重なる位置から露出している。電源用ビア導体６１のうち樹脂主面５１から露出した部分は、電源電極７１によって覆われている。つまり、電源用ビア導体６１は、電源電極７１と接している。これにより、電源用ビア導体６１は、第１駆動パッド電極３１ＡＡと電源電極７１とに接続されている。
　本実施形態では、電源用ビア導体６１のｚ方向の長さは、第１スイッチング素子３０Ａのｚ方向の長さ（第１スイッチング素子３０Ａの厚さ）よりも僅かに長く、素子封止層５０Ａの厚さよりも短い。
　図３および図６に示すように、グランド用ビア導体６２は、第２スイッチング素子３０Ｂの第２駆動パッド電極３１ＢＢと外装電極７０のうちグランド電極７２とを電気的に接続する導体である。本実施形態では、グランド用ビア導体６２は、複数設けられている。複数のグランド用ビア導体６２は、ｘ方向において互いに揃った状態でｙ方向において互いに離間して配列されている。ｚ方向から視て、グランド用ビア導体６２は、ｙ方向において電源用ビア導体６１からずれて配置されている。
　図３に示すように、グランド用ビア導体６２は、ｚ方向から視て、第２スイッチング素子３０Ｂの第２駆動パッド電極３１ＢＢと重なる位置に配置されている。本実施形態では、グランド用ビア導体６２は、第２駆動パッド電極３１ＢＢのｘ方向の両端部のうち支持側面２６に近い方の端部と重なる位置に配置されている。換言すると、グランド用ビア導体６２は、第２駆動パッド電極３１ＢＢのｘ方向の両端部のうち出力電極７３から遠い方の端部に配置されている。
　図４に示すように、グランド用ビア導体６２は、ｚ方向から視て、グランド電極７２と重なる位置に配置されている。つまり、図６に示すように、グランド用ビア導体６２は、ｚ方向から視て、第２駆動パッド電極３１ＢＢとグランド電極７２との双方と重なる位置に配置されている。各グランド用ビア導体６２は、ｚ方向に沿って延びるビアからなる。本実施形態では、ｚ方向から視た各グランド用ビア導体６２の形状は円形である。各グランド用ビア導体６２の直径は、たとえば１００μｍ以上２００μｍ以下である。なお、ｚ方向から視たグランド用ビア導体６２の形状は、円形に限られず、任意に変更可能である。たとえばｚ方向から視たグランド用ビア導体６２の形状は、四角形等の多角形または楕円形であってもよい。
　図６に示すように、グランド用ビア導体６２は、樹脂層５０をｚ方向に貫通するように設けられている。換言すると、グランド用ビア導体６２は、素子封止層５０Ａおよび表面側樹脂層５０Ｂの双方をｚ方向に貫通するように設けられている。より詳細には、樹脂層５０には、素子封止層５０Ａのうち第２スイッチング素子３０Ｂの第２素子主面３１Ｂと界面５７とのｚ方向の間の部分と、表面側樹脂層５０Ｂのｚ方向の全体とを貫通する貫通孔５８ｂが設けられている。貫通孔５８ｂを介して第２駆動パッド電極３１ＢＢがｚ方向に露出している。貫通孔５８ｂは、第２駆動パッド電極３１ＢＢのｘ方向の両端部のうち支持側面２６に近い方の端部をｚ方向に露出している。グランド用ビア導体６２は、貫通孔５８ｂを埋めるように設けられている。このため、グランド用ビア導体６２は、第２駆動パッド電極３１ＢＢと接しており、かつ樹脂層５０の樹脂主面５１から露出している。換言すると、グランド用ビア導体６２は、第２駆動パッド電極３１ＢＢのｘ方向の両端部のうち出力電極７３から遠い方の端部（支持側面２６に近い方の端部）に接続されている。そしてグランド用ビア導体６２は、樹脂層５０の樹脂主面５１のうちｚ方向から視て第２駆動パッド電極３１ＢＢのｘ方向の両端部のうち出力電極７３から遠い方の端部（支持側面２６に近い方の端部）と重なる位置から露出している。グランド用ビア導体６２のうち樹脂主面５１から露出した部分は、グランド電極７２によって覆われている。つまり、グランド用ビア導体６２は、グランド電極７２と接している。これにより、グランド用ビア導体６２は、第２駆動パッド電極３１ＢＢとグランド電極７２とに接続されている。
　本実施形態では、グランド用ビア導体６２のｚ方向の長さは、第２スイッチング素子３０Ｂのｚ方向の長さ（第２スイッチング素子３０Ｂの厚さ）よりも僅かに長く、素子封止層５０Ａの厚さよりも短い。グランド用ビア導体６２のｚ方向の長さは、電源用ビア導体６１のｚ方向の長さと等しい。ここで、グランド用ビア導体６２のｚ方向の長さと電源用ビア導体６１のｚ方向の長さとの差が、たとえばグランド用ビア導体６２のｚ方向の長さの１０％以下であれば、グランド用ビア導体６２のｚ方向の長さが電源用ビア導体６１のｚ方向の長さと等しいといえる。
　図３および図５に示すように、出力用ビア導体６３は、第１スイッチング素子３０Ａの第２駆動パッド電極３１ＡＢと、第２スイッチング素子３０Ｂの第１駆動パッド電極３１ＢＡと、外装電極７０のうち出力電極７３とを電気的に接続する導体である。
　出力用ビア導体６３は、第２駆動パッド電極３１ＡＢと出力電極７３とを接続する第１出力用ビア導体６３Ｐと、第１駆動パッド電極３１ＢＡと出力電極７３とを接続する第２出力用ビア導体６３Ｑと、を有している。第１出力用ビア導体６３Ｐと第２出力用ビア導体６３Ｑとは、出力電極７３を介して電気的に接続されている。換言すると、第１出力用ビア導体６３Ｐと第２出力用ビア導体６３Ｑとは直接的に電気的に接続されていない。ｚ方向から視て、第２駆動パッド電極３１ＡＢと第１駆動パッド電極３１ＢＡとが互いにｙ方向にずれて配置されているため、第１出力用ビア導体６３Ｐと第２出力用ビア導体６３Ｑとは、ｙ方向においてずれて配置されている。第１出力用ビア導体６３Ｐのｙ方向の両端部のうち樹脂側面５３に近い方の端部は、第２出力用ビア導体６３Ｑよりも樹脂側面５３の近くに配置されている。換言すると、第２出力用ビア導体６３Ｑのｙ方向の両端部のうち樹脂側面５４に近い方の端部は、第１出力用ビア導体６３Ｐよりも樹脂側面５４の近くに配置されている。
　図５に示すように、ｘ方向において、第１出力用ビア導体６３Ｐは、第２出力用ビア導体６３Ｑよりも樹脂側面５５の近くに配置されている。第１出力用ビア導体６３Ｐと第２出力用ビア導体６３Ｑとのｘ方向の間は、樹脂層５０によって埋められている。
　第１出力用ビア導体６３Ｐは、樹脂層５０をｚ方向に貫通するように設けられている。より詳細には、第１出力用ビア導体６３Ｐは、素子封止層５０Ａのうち第１スイッチング素子３０Ａの第１素子主面３１Ａを覆う部分および表面側樹脂層５０Ｂの双方をｚ方向に貫通するように設けられている。図５に示すとおり、第１出力用ビア導体６３Ｐは、クランク状である。第１出力用ビア導体６３Ｐは、第２駆動パッド電極３１ＡＢに接続された第１素子接続用ビア６３ｐａと、出力電極７３に接続された第１電極接続用ビア６３ｐｂと、第１素子接続用ビア６３ｐａと第１電極接続用ビア６３ｐｂとを接続する第１ビア接続用配線６３ｐｃと、を有している。
　図３に示すように、本実施形態では、第１素子接続用ビア６３ｐａは、複数設けられている。複数の第１素子接続用ビア６３ｐａは、ｘ方向において互いに揃った状態でｙ方向において互いに離間して配列されている。ｚ方向から視て、第１素子接続用ビア６３ｐａは、第２駆動パッド電極３１ＡＢと重なる位置に配置されている。より詳細には、ｚ方向から視て、第１素子接続用ビア６３ｐａは、第２駆動パッド電極３１ＡＢのｘ方向の両端部のうち支持側面２６に近い方の端部と重なる位置に配置されている。換言すると、第１素子接続用ビア６３ｐａは、第２駆動パッド電極３１ＡＢのｘ方向の両端部のうち出力電極７３に近い方の端部と重なる位置に配置されている。つまり、第１素子接続用ビア６３ｐａは、ｘ方向において、電源用ビア導体６１よりも支持側面２６の近く（出力電極７３の近く）に配置されている。ｚ方向から視て、複数の第１素子接続用ビア６３ｐａは、ｙ方向において複数の電源用ビア導体６１に対してずれた位置に配置されている。また、ｚ方向から視て、複数の第１素子接続用ビア６３ｐａは、ｙ方向において複数のグランド用ビア導体６２に対して揃った位置に配置されている。
　図５に示すように、第１素子接続用ビア６３ｐａは、素子封止層５０Ａのうち第１素子主面３１Ａを覆う部分をｚ方向に貫通している。より詳細には、素子封止層５０Ａには、素子封止層５０Ａのうち第１素子主面３１Ａを覆う部分をｚ方向に貫通する貫通孔５８ｃが設けられている。貫通孔５８ｃを介して第２駆動パッド電極３１ＡＢがｚ方向に露出している。貫通孔５８ｃは、第２駆動パッド電極３１ＡＢのｘ方向の両端部のうち支持側面２６に近い方の端部（出力電極７３に近い方の端部）をｚ方向に露出している。第１素子接続用ビア６３ｐａは、貫通孔５８ｃを埋めるように設けられている。このため、第１素子接続用ビア６３ｐａは、ｚ方向に沿って延びており、第２駆動パッド電極３１ＡＢと接している。換言すると、第１素子接続用ビア６３ｐａは、第２駆動パッド電極３１ＡＢのｘ方向の両端部のうち出力電極７３に近い方の端部（樹脂側面５６に近い方の端部）に接続されている。そして第１素子接続用ビア６３ｐａは、素子封止層５０Ａのうちｚ方向から視て第２駆動パッド電極３１ＡＢのｘ方向の両端部のうち出力電極７３に近い方の端部（樹脂側面５６に近い方の端部）と重なる位置から露出している。
　図３に示すように、ｚ方向から視た第１素子接続用ビア６３ｐａの形状は、円形である。第１素子接続用ビア６３ｐａの直径は、電源用ビア導体６１の直径と等しく、たとえば１００μｍ以上２００μｍ以下である。なお、ｚ方向から視た第１素子接続用ビア６３ｐａの形状は、円形に限られず、任意に変更可能である。たとえばｚ方向から視た第１素子接続用ビア６３ｐａの形状は、四角形等の多角形または楕円形であってもよい。また、本実施形態では、第１素子接続用ビア６３ｐａのｚ方向の長さは、第１スイッチング素子３０Ａのｚ方向の長さよりも短い。第１素子接続用ビア６３ｐａのｚ方向の長さは、１ｍｍ未満である。第１素子接続用ビア６３ｐａのｚ方向の長さは、数百μｍ程度である。
　図５に示すように、第１ビア接続用配線６３ｐｃは、素子封止層５０Ａ上に設けられている。換言すると、第１ビア接続用配線６３ｐｃは、素子封止層５０Ａと表面側樹脂層５０Ｂとの界面５７に設けられている。図３に示すように、ｚ方向から視た第１ビア接続用配線６３ｐｃの形状は、ｘ方向が短辺方向となり、ｙ方向が長辺方向となる矩形状である。ｚ方向から視て、第１ビア接続用配線６３ｐｃは、ｙ方向において各第２駆動パッド電極３１ＡＢを跨るように形成されている。ｚ方向から視て、第１ビア接続用配線６３ｐｃは、各第１素子接続用ビア６３ｐａを覆っている。換言すると、各第１素子接続用ビア６３ｐａは、ｚ方向から視て、第１ビア接続用配線６３ｐｃと重なる位置に配置されている。より詳細には、第１素子接続用ビア６３ｐａは、ｚ方向から視て、第２駆動パッド電極３１ＡＢと第１ビア接続用配線６３ｐｃとの双方に重なる位置に配置されている。
　本実施形態では、第１素子接続用ビア６３ｐａは、第１ビア接続用配線６３ｐｃのｘ方向の両端部のうち樹脂側面５５に近い方の端部（出力電極７３から遠い方の端部）と重なる位置に配置されている。また、第１ビア接続用配線６３ｐｃのｘ方向の両端部のうち樹脂側面５５に近い方の端部は、ｚ方向から視て、出力電極７３からｘ方向にはみ出した部分である。つまり、図５に示すように、ｚ方向から視て、第１素子接続用ビア６３ｐａは、出力電極７３と重ならない位置に配置されている。より詳細には、第１素子接続用ビア６３ｐａは、ｘ方向において出力電極７３よりも樹脂側面５５の近くに配置されている。
　図３に示すように、第１ビア接続用配線６３ｐｃは、ｚ方向から視て、第１スイッチング素子３０Ａに対してｘ方向においてずれた位置に配置されている。より詳細には、第１ビア接続用配線６３ｐｃは、ｚ方向から視て、第１スイッチング素子３０Ａに対してｘ方向において樹脂側面５６に向けてはみ出すはみ出し部を有している。図５に示すように、第１ビア接続用配線６３ｐｃのはみ出し部は、ｚ方向から視て、出力電極７３と重なる位置まで延びている。本実施形態では、ｚ方向から視て、第１ビア接続用配線６３ｐｃのｙ方向の中央は、第１スイッチング素子３０Ａのｙ方向の中央とｙ方向において揃った位置に配置されている。
　図３に示すように、本実施形態では、第１電極接続用ビア６３ｐｂは、複数設けられている。複数の第１電極接続用ビア６３ｐｂは、ｘ方向において互いに揃った状態でｙ方向において互いに離間して配列されている。本実施形態では、第１電極接続用ビア６３ｐｂは、ｙ方向において第１素子接続用ビア６３ｐａと揃った位置に配置されている。つまり、第１電極接続用ビア６３ｐｂおよび第１素子接続用ビア６３ｐａの双方は、ｙ方向において電源用ビア導体６１に対してずれた位置に配置されている。なお、第１電極接続用ビア６３ｐｂのｙ方向の配置位置は任意に変更可能である。一例では、第１電極接続用ビア６３ｐｂは、ｙ方向において第１素子接続用ビア６３ｐａに対してずれた位置に配置されていてもよい。複数の第１電極接続用ビア６３ｐｂのうち少なくとも１つは、ｙ方向において電源用ビア導体６１と揃った位置に配置されてもよい。
　図４に示すように、ｚ方向から視て、第１電極接続用ビア６３ｐｂは、出力電極７３と重なる位置に配置されている。より詳細には、ｚ方向から視て、第１電極接続用ビア６３ｐｂは、出力電極７３のｘ方向の両端部のうち支持側面２５に近い方の端部と重なる位置に配置されている。また、ｚ方向から視て、第１電極接続用ビア６３ｐｂは、第１ビア接続用配線６３ｐｃと重なる位置に配置されている。本実施形態では、第１電極接続用ビア６３ｐｂは、第１ビア接続用配線６３ｐｃのｘ方向の両端部のうち樹脂側面５６に近い方の端部（出力電極７３に近い方の端部）と重なる位置に配置されている。また、図５に示すように、第１ビア接続用配線６３ｐｃのｘ方向の両端部のうち樹脂側面５６に近い方の端部は、ｚ方向から視て、出力電極７３と重なる部分である。換言すると、ｚ方向から視て、第１電極接続用ビア６３ｐｂは、第１ビア接続用配線６３ｐｃのはみ出し部と重なる位置に配置されている。このように、ｚ方向から視て、第１電極接続用ビア６３ｐｂは、出力電極７３と重なる位置かつ第１スイッチング素子３０Ａと重ならない位置に配置されている。ｚ方向から視て、第１電極接続用ビア６３ｐｂは、第１スイッチング素子３０Ａと第２スイッチング素子３０Ｂとのｘ方向の間に配置されている。
　図５に示すように、第１電極接続用ビア６３ｐｂは、ｚ方向において第１素子接続用ビア６３ｐａに対してずれた位置に配置されている。第１電極接続用ビア６３ｐｂは、表面側樹脂層５０Ｂをｚ方向に貫通するように設けられている。より詳細には、樹脂層５０には、表面側樹脂層５０Ｂをｚ方向に貫通する貫通孔５８ｄが設けられている。貫通孔５８ｄを介して第１ビア接続用配線６３ｐｃがｚ方向に露出している。貫通孔５８ｄは、第１ビア接続用配線６３ｐｃのｘ方向の両端部のうち支持側面２６に近い方の端部（出力電極７３に近い方の端部）をｚ方向に露出している。第１電極接続用ビア６３ｐｂは、貫通孔５８ｄを埋めるように設けられている。このため、第１電極接続用ビア６３ｐｂは、ｚ方向に沿って延びており、第１ビア接続用配線６３ｐｃと接している。また、第１電極接続用ビア６３ｐｂは、ｚ方向において樹脂層５０から露出している。換言すると、第１電極接続用ビア６３ｐｂは、第１ビア接続用配線６３ｐｃのｘ方向の両端部のうち出力電極７３に近い方の端部（樹脂側面５６に近い方の端部）に接続されている。そして第１電極接続用ビア６３ｐｂは、樹脂層５０の樹脂主面５１のうちｚ方向から視て第１ビア接続用配線６３ｐｃのｘ方向の両端部のうち出力電極７３に近い方の端部（樹脂側面５６に近い方の端部）と重なる位置から露出している。第１電極接続用ビア６３ｐｂのうち樹脂層５０から露出した部分は、出力電極７３によって覆われている。このため、第１電極接続用ビア６３ｐｂは、出力電極７３と接している。つまり、第１電極接続用ビア６３ｐｂは、第１ビア接続用配線６３ｐｃと出力電極７３との双方を接続している。
　図３に示すように、ｚ方向から視た第１電極接続用ビア６３ｐｂの形状は、円形である。第１電極接続用ビア６３ｐｂの直径は、第１素子接続用ビア６３ｐａの直径と等しく、たとえば１００μｍ以上２００μｍ以下である。なお、ｚ方向から視た第１電極接続用ビア６３ｐｂの形状は、円形に限られず、任意に変更可能である。たとえばｚ方向から視た第１電極接続用ビア６３ｐｂの形状は、四角形等の多角形または楕円形であってもよい。本実施形態では、第１電極接続用ビア６３ｐｂのｚ方向の長さは、第１素子接続用ビア６３ｐａのｚ方向の長さよりも長い。なお、第１電極接続用ビア６３ｐｂのｚ方向の長さは任意に変更可能である。一例では、第１電極接続用ビア６３ｐｂのｚ方向の長さは、第１素子接続用ビア６３ｐａのｚ方向の長さと等しくてもよい。この場合、素子封止層５０Ａのうち第１スイッチング素子３０Ａの第１素子主面３１Ａを覆う部分の厚さと、表面側樹脂層５０Ｂの厚さとが等しい。
　図５に示すように、第２出力用ビア導体６３Ｑは、樹脂層５０をｚ方向に貫通するように設けられている。より詳細には、第２出力用ビア導体６３Ｑは、素子封止層５０Ａのうち第２スイッチング素子３０Ｂの第２素子主面３１Ｂを覆う部分および表面側樹脂層５０Ｂの双方をｚ方向に貫通するように設けられている。図５に示すとおり、第２出力用ビア導体６３Ｑは、クランク状である。第２出力用ビア導体６３Ｑは、第１出力用ビア導体６３Ｐと対称形状となる。第２出力用ビア導体６３Ｑは、第１駆動パッド電極３１ＢＡに接続された第２素子接続用ビア６３ｑａと、出力電極７３に接続された第２電極接続用ビア６３ｑｂと、第２素子接続用ビア６３ｑａと第２電極接続用ビア６３ｑｂとを接続する第２ビア接続用配線６３ｑｃと、を有している。
　図３に示すように、本実施形態では、第２素子接続用ビア６３ｑａは、複数設けられている。複数の第２素子接続用ビア６３ｑａは、ｘ方向において互いに揃った状態でｙ方向において互いに離間して配列されている。ｚ方向から視て、第２素子接続用ビア６３ｑａは、第１駆動パッド電極３１ＢＡと重なる位置に配置されている。より詳細には、ｚ方向から視て、第２素子接続用ビア６３ｑａは、第１駆動パッド電極３１ＢＡのｘ方向の両端部のうち樹脂側面５５に近い方の端部と重なる位置に配置されている。つまり、第２素子接続用ビア６３ｑａは、ｘ方向において、グランド用ビア導体６２よりも樹脂側面５５の近くに配置されている。第２素子接続用ビア６３ｑａは、ｙ方向においてグランド用ビア導体６２に対してずれた位置に配置されている。第２素子接続用ビア６３ｑａは、ｙ方向において第１素子接続用ビア６３ｐａおよび第１電極接続用ビア６３ｐｂに対してずれた位置に配置されている。本実施形態では、第２素子接続用ビア６３ｑａは、ｙ方向において電源用ビア導体６１に揃った位置に配置されている。
　図５に示すように、第２素子接続用ビア６３ｑａは、素子封止層５０Ａのうち第２素子主面３１Ｂを覆う部分をｚ方向に貫通している。より詳細には、素子封止層５０Ａには、素子封止層５０Ａのうち第２素子主面３１Ｂを覆う部分をｚ方向に貫通する貫通孔５８ｅが設けられている。貫通孔５８ｅを介して第１駆動パッド電極３１ＢＡがｚ方向に露出している。第２素子接続用ビア６３ｑａは、貫通孔５８ｅを埋めるように設けられている。このため、第２素子接続用ビア６３ｑａは、ｚ方向に沿って延びており、第１駆動パッド電極３１ＢＡと接している。換言すると、第２素子接続用ビア６３ｑａは、第１駆動パッド電極３１ＢＡのｘ方向の両端部のうち出力電極７３に近い方の端部（樹脂側面５５に近い方の端部）に接続されている。そして第２素子接続用ビア６３ｑａは、素子封止層５０Ａのうちｚ方向から視て第１駆動パッド電極３１ＢＡのｘ方向の両端部のうち出力電極７３に近い方の端部（樹脂側面５５に近い方の端部）と重なる位置から露出している。
　図３に示すように、ｚ方向から視た第２素子接続用ビア６３ｑａの形状は、円形である。本実施形態では、第２素子接続用ビア６３ｑａの直径は、グランド用ビア導体６２の直径と等しく、たとえば１００μｍ以上２００μｍ以下である。なお、ｚ方向から視た第２素子接続用ビア６３ｑａの形状は、円形に限られず、任意に変更可能である。たとえばｚ方向から視た第２素子接続用ビア６３ｑａの形状は、四角形等の多角形または楕円形であってもよい。また、本実施形態では、第２素子接続用ビア６３ｑａのｚ方向の長さは、第２スイッチング素子３０Ｂのｚ方向の長さよりも短い。第２素子接続用ビア６３ｑａのｚ方向の長さは、１ｍｍ未満である。第２素子接続用ビア６３ｑａのｚ方向の長さは、数百μｍ程度である。このように、本実施形態では、第２素子接続用ビア６３ｑａの数、形状およびサイズは、第１素子接続用ビア６３ｐａの数、形状およびサイズと同じである。
　図５に示すように、第２ビア接続用配線６３ｑｃは、素子封止層５０Ａ上に設けられている。換言すると、第２ビア接続用配線６３ｑｃは、素子封止層５０Ａと表面側樹脂層５０Ｂとの界面５７に設けられている。図３に示すように、ｚ方向から視た第２ビア接続用配線６３ｑｃの形状は、ｘ方向が短辺方向となり、ｙ方向が長辺方向となる矩形状である。ｚ方向から視て、第２ビア接続用配線６３ｑｃは、ｙ方向において各第１駆動パッド電極３１ＢＡを跨るように形成されている。ｚ方向から視て、第２ビア接続用配線６３ｑｃは、各第２素子接続用ビア６３ｑａを覆っている。換言すると、各第２素子接続用ビア６３ｑａは、ｚ方向から視て、第２ビア接続用配線６３ｑｃと重なる位置に配置されている。より詳細には、第２素子接続用ビア６３ｑａは、ｚ方向から視て、第１駆動パッド電極３１ＢＡと第２ビア接続用配線６３ｑｃとの双方に重なる位置に配置されている。本実施形態では、第２ビア接続用配線６３ｑｃの形状およびサイズは、第１ビア接続用配線６３ｐｃの形状およびサイズと同じである。また、第２ビア接続用配線６３ｑｃは、ｙ方向において第１ビア接続用配線６３ｐｃに対してずれて配置されている。より詳細には、図３に示すとおり、第２ビア接続用配線６３ｑｃのｙ方向の中央は、第１ビア接続用配線６３ｐｃのｙ方向の中央よりも樹脂側面５４（装置側面１４）の近くに位置している。ｘ方向から視て、第２ビア接続用配線６３ｑｃは、第１ビア接続用配線６３ｐｃと重なっている。つまり、第２ビア接続用配線６３ｑｃのｙ方向の両端部のうち樹脂側面５４（装置側面１４）に近い方の端部は、第１ビア接続用配線６３ｐｃよりも樹脂側面５４（装置側面１４）の近くに位置している。換言すると、第１ビア接続用配線６３ｐｃのｙ方向の両端部のうち樹脂側面５３（装置側面１３）に近い方の端部は、第２ビア接続用配線６３ｑｃよりも樹脂側面５３（装置側面１３）の近くに位置している。
　図３に示すように、第２ビア接続用配線６３ｑｃのｙ方向の中央は、第２スイッチング素子３０Ｂのｙ方向の中央に対してｙ方向にいてずれた位置に配置されている。具体的には、第２ビア接続用配線６３ｑｃのｙ方向の中央は、第２スイッチング素子３０Ｂのｙ方向の中央よりも樹脂側面５４の近くに位置している。第２ビア接続用配線６３ｑｃは、ｚ方向から視て、第２スイッチング素子３０Ｂに対してｘ方向においてずれた位置に配置されている。より詳細には、第２ビア接続用配線６３ｑｃは、ｚ方向から視て、第２スイッチング素子３０Ｂに対してｘ方向において支持側面２５に向けてはみ出すはみ出し部を有している。図５に示すように、第２ビア接続用配線６３ｑｃのはみ出し部は、ｚ方向から視て、出力電極７３と重なる位置まで延びている。第２ビア接続用配線６３ｑｃは、ｘ方向において第１ビア接続用配線６３ｐｃと間隔をあけて配置されている。
　本実施形態では、第２素子接続用ビア６３ｑａは、第２ビア接続用配線６３ｑｃのｘ方向の両端部のうち樹脂側面５５に近い方の端部（出力電極７３から近い方の端部）と重なる位置に配置されている。また、第２ビア接続用配線６３ｑｃのｘ方向の両端部のうち樹脂側面５６に近い方の端部は、ｚ方向から視て、出力電極７３からｘ方向にはみ出した部分である。つまり、ｚ方向から視て、第２素子接続用ビア６３ｑａは、出力電極７３と重ならない位置に配置されている。第２ビア接続用配線６３ｑｃのｘ方向の両端部のうち樹脂側面５６に近い方の端部は、ｚ方向から視て、第２スイッチング素子３０Ｂと重なる位置に配置されている。このため、第２素子接続用ビア６３ｑａは、ｘ方向において出力電極７３よりも樹脂側面５６の近くに配置されている。
　図３に示すように、本実施形態では、第２電極接続用ビア６３ｑｂは、複数設けられている。複数の第２電極接続用ビア６３ｑｂは、ｘ方向において互いに揃った状態でｙ方向において互いに離間して配列されている。本実施形態では、第２電極接続用ビア６３ｑｂは、ｙ方向において第２素子接続用ビア６３ｑａに対して揃った位置に配置されている。つまり、第２電極接続用ビア６３ｑｂおよび第２素子接続用ビア６３ｑａの双方は、ｙ方向においてグランド用ビア導体６２に対してずれた位置に配置されている。また、第２電極接続用ビア６３ｑｂおよび第２素子接続用ビア６３ｑａの双方は、ｙ方向において第１素子接続用ビア６３ｐａおよび第１電極接続用ビア６３ｐｂに対してずれた位置に配置されている。なお、第２電極接続用ビア６３ｑｂのｙ方向の配置位置は任意に変更可能である。一例では、第２電極接続用ビア６３ｑｂは、ｙ方向において第２素子接続用ビア６３ｑａに対してずれた位置に配置されていてもよい。複数の第２電極接続用ビア６３ｑｂのうち少なくとも１つは、ｙ方向においてグランド用ビア導体６２と揃った位置に配置されてもよい。
　ｚ方向から視て、第２電極接続用ビア６３ｑｂは、出力電極７３と重なる位置に配置されている。より詳細には、ｚ方向から視て、第２電極接続用ビア６３ｑｂは、出力電極７３のｘ方向の両端部のうち樹脂側面５６に近い方の端部と重なる位置に配置されている。また、ｚ方向から視て、第２電極接続用ビア６３ｑｂは、第２ビア接続用配線６３ｑｃと重なる位置に配置されている。本実施形態では、第２電極接続用ビア６３ｑｂは、第２ビア接続用配線６３ｑｃのｘ方向の両端部のうち樹脂側面５５に近い方の端部（出力電極７３に近い方の端部）と重なる位置に配置されている。また、第２ビア接続用配線６３ｑｃのｘ方向の両端部のうち樹脂側面５５に近い方の端部は、ｚ方向から視て、出力電極７３と重なる部分である。換言すると、ｚ方向から視て、第２電極接続用ビア６３ｑｂは、第２ビア接続用配線６３ｑｃのはみ出し部と重なる位置に配置されている。このように、ｚ方向から視て、第２電極接続用ビア６３ｑｂは、第２スイッチング素子３０Ｂと重ならない位置に配置されている。ｚ方向から視て、第２電極接続用ビア６３ｑｂは、第１スイッチング素子３０Ａと第２スイッチング素子３０Ｂとのｘ方向の間に配置されている。
　図５に示すように、第２電極接続用ビア６３ｑｂは、ｚ方向において第２素子接続用ビア６３ｑａに対してずれた位置に配置されている。第２電極接続用ビア６３ｑｂは、表面側樹脂層５０Ｂをｚ方向に貫通するように設けられている。より詳細には、樹脂層５０には、表面側樹脂層５０Ｂをｚ方向に貫通する貫通孔５８ｆが設けられている。貫通孔５８ｆを介して第２ビア接続用配線６３ｑｃがｚ方向に露出している。貫通孔５８ｆは、第２ビア接続用配線６３ｑｃのｘ方向の両端部のうち樹脂側面５５に近い方の端部（出力電極７３に近い方の端部）をｚ方向に露出している。第２電極接続用ビア６３ｑｂは、貫通孔５８ｆを埋めるように設けられている。このため、第２電極接続用ビア６３ｑｂは、ｚ方向に沿って延びており、第２ビア接続用配線６３ｑｃと接している。また、第２電極接続用ビア６３ｑｂは、ｚ方向において樹脂層５０から露出している。換言すると、第２電極接続用ビア６３ｑｂは、第２ビア接続用配線６３ｑｃのｘ方向の両端部のうち出力電極７３に近い方の端部（樹脂側面５５に近い方の端部）に接続されている。そして第２電極接続用ビア６３ｑｂは、素子封止層５０Ａのうちｚ方向から視て第２ビア接続用配線６３ｑｃのｘ方向の両端部のうち出力電極７３に近い方の端部（樹脂側面５５に近い方の端部）と重なる位置から露出している。第２電極接続用ビア６３ｑｂのうち樹脂層５０から露出した部分は、出力電極７３によって覆われている。このため、第２電極接続用ビア６３ｑｂは、出力電極７３と接している。つまり、第２電極接続用ビア６３ｑｂは、第２ビア接続用配線６３ｑｃと出力電極７３との双方を接続している。
　図３に示すように、ｚ方向から視た第２電極接続用ビア６３ｑｂの形状は、円形である。本実施形態では、第２電極接続用ビア６３ｑｂの直径は、第２素子接続用ビア６３ｑａの直径と等しく、たとえば１００μｍ以上２００μｍ以下である。なお、ｚ方向から視た第２電極接続用ビア６３ｑｂの形状は、円形に限られず、任意に変更可能である。たとえばｚ方向から視た第２電極接続用ビア６３ｑｂの形状は、四角形等の多角形または楕円形であってもよい。
　本実施形態では、第２電極接続用ビア６３ｑｂのｚ方向の長さは、第２素子接続用ビア６３ｑａのｚ方向の長さよりも長い。なお、第２電極接続用ビア６３ｑｂのｚ方向の長さは任意に変更可能である。一例では、第２電極接続用ビア６３ｑｂのｚ方向の長さは、第２素子接続用ビア６３ｑａのｚ方向の長さと等しくてもよい。この場合、素子封止層５０Ａのうち第２スイッチング素子３０Ｂの第２素子主面３１Ｂを覆う部分の厚さと、表面側樹脂層５０Ｂの厚さとが等しい。
　本実施形態では、第２電極接続用ビア６３ｑｂの数、形状およびサイズは、第２電極接続用ビア６３ｑｂの数、形状およびサイズと同じである。このように、第１スイッチング素子３０Ａの第２駆動パッド電極３１ＡＢと出力電極７３との間の導電経路における第１インダクタンスと、第２スイッチング素子３０Ｂの第１駆動パッド電極３１ＢＡと出力電極７３との間の導電経路における第２インダクタンスとのばらつきが少なくなるように、第１出力用ビア導体６３Ｐおよび第２出力用ビア導体６３Ｑが設けられている。設計上では、第１インダクタンスと第２インダクタンスとが互いに等しくなるように、第１出力用ビア導体６３Ｐおよび第２出力用ビア導体６３Ｑが設けられている。
　図３および図７に示すように、素子制御用ビア導体６４は、ドライバ４０と各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの制御パッド電極３１ＡＣ，３１ＢＣとを個別に電気的に接続する導体である。素子制御用ビア導体６４は、樹脂層５０に埋め込まれている。つまり、素子制御用ビア導体６４は、樹脂層５０から露出していない。
　素子制御用ビア導体６４は、ドライバ４０のドライバパッド電極４３と、第１スイッチング素子３０Ａの制御パッド電極３１ＡＣとを接続する第１制御用ビア導体６４Ｐと、ドライバ４０の別のドライバパッド電極４３と、第２スイッチング素子３０Ｂの制御パッド電極３１ＢＣとを接続する第２制御用ビア導体６４Ｑと、を有している。
　図７に示すように、第１制御用ビア導体６４Ｐは、制御パッド電極３１ＡＣに接続された第１素子側制御ビア６４ｐａと、ドライバ４０のドライバパッド電極４３に接続された第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂと、第１素子側制御ビア６４ｐａと第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂとを接続する第１制御用接続配線６４ｐｃと、を有している。
　図３に示すように、ｚ方向から視て、第１素子側制御ビア６４ｐａは、制御パッド電極３１ＡＣと重なる位置に配置されている。図７に示すように、第１素子側制御ビア６４ｐａは、素子封止層５０Ａのうち第１スイッチング素子３０Ａの第１素子主面３１Ａと、素子封止層５０Ａと表面側樹脂層５０Ｂとの界面５７との間の部分をｚ方向に貫通するように設けられている。換言すると、第１素子側制御ビア６４ｐａは、素子封止層５０Ａのうち第１素子主面３１Ａを覆う部分を貫通している。より詳細には、素子封止層５０Ａには、素子封止層５０Ａのうち第１スイッチング素子３０Ａの第１素子主面３１Ａと界面５７とのｚ方向の間の部分を貫通する貫通孔５８ｇが設けられている。貫通孔５８ｇを介して制御パッド電極３１ＡＣが素子封止層５０Ａからｚ方向に露出している。第１素子側制御ビア６４ｐａは、貫通孔５８ｇを埋めるように設けられている。このため、第１素子側制御ビア６４ｐａは、ｚ方向に沿って延びており、制御パッド電極３１ＡＣと接している。本実施形態の第１素子側制御ビア６４ｐａのｚ方向の長さは、第１スイッチング素子３０Ａのｚ方向の長さよりも短い。第１素子側制御ビア６４ｐａのｚ方向の長さは、約１ｍｍ未満である。一例では、第１素子側制御ビア６４ｐａのｚ方向の長さは、数百μｍ程度である。本実施形態では、第１素子側制御ビア６４ｐａのｚ方向の長さは、第１素子接続用ビア６３ｐａのｚ方向の長さと等しい。
　図３に示すように、ｚ方向から視た第１素子側制御ビア６４ｐａの形状は、円形である。第１素子側制御ビア６４ｐａの直径は、たとえば１００μｍ以上２００μｍ以下である。本実施形態では、第１素子側制御ビア６４ｐａの直径は、電源用ビア導体６１やグランド用ビア導体６２等の各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの駆動電流が流れるビアの直径よりも小さい。なお、ｚ方向から視た第１素子側制御ビア６４ｐａの形状は、円形に限られず、任意に変更可能である。たとえばｚ方向から視た第１素子側制御ビア６４ｐａの形状は、四角形等の多角形または楕円形であってもよい。また、第１素子側制御ビア６４ｐａの直径は任意に変更可能である。一例では、第１素子側制御ビア６４ｐａの直径は、電源用ビア導体６１等の各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの駆動電流が流れるビアの直径と等しくてもよい。
　図３に示すように、ｚ方向から視て、第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂは、ドライバ４０の所定のドライバパッド電極４３と重なる位置に配置されている。本実施形態では、所定のドライバパッド電極４３は、ｙ方向においてドライバ４０のドライバ主面４１のうち制御パッド電極３１ＡＣと対向する位置に設けられている。具体的には、所定のドライバパッド電極４３は、ｚ方向から視て、ドライバ主面４１の四隅のうち樹脂側面５５かつ樹脂側面５４に近い隅に設けられている。本実施形態では、第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂは、ｘ方向において第１素子側制御ビア６４ｐａと揃った位置に配置されている。
　図７に示すように、第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂは、素子封止層５０Ａのうちドライバ主面４１を覆う部分をｚ方向に貫通している。より詳細には、素子封止層５０Ａには、素子封止層５０Ａのうちドライバ主面４１を覆う部分をｚ方向に貫通する貫通孔５８ｈが設けられている。貫通孔５８ｈを介して所定のドライバパッド電極４３が素子封止層５０Ａからｚ方向に露出している。第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂは、貫通孔５８ｈを埋めるように設けられている。このため、第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂは、ｚ方向に沿って延びており、所定のドライバパッド電極４３と接している。本実施形態の第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂのｚ方向の長さは、ドライバ４０のｚ方向の長さよりも短い。第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂのｚ方向の長さは、約１ｍｍ未満である。一例では、第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂのｚ方向の長さは、数百μｍ程度である。
　図３に示すように、ｚ方向から視た第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂの形状は、円形である。第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂの直径は、第１素子側制御ビア６４ｐａの直径と等しく、たとえば１００μｍ以上２００μｍ以下である。なお、ｚ方向から視た第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂの形状は、円形に限られず、任意に変更可能である。たとえばｚ方向から視た第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂの形状は、四角形等の多角形または楕円形であってもよい。
　図７に示すように、第１制御用接続配線６４ｐｃは、素子封止層５０Ａ上に設けられている。換言すると、第１制御用接続配線６４ｐｃは、素子封止層５０Ａと表面側樹脂層５０Ｂとの界面５７に設けられている。図３に示すように、第１制御用接続配線６４ｐｃは、ｙ方向に沿って延びる帯状である。
　図３および図７に示すように、第１制御用接続配線６４ｐｃのｙ方向の両端部のうち第１スイッチング素子３０Ａ側の端部は、第１素子側制御ビア６４ｐａのうち素子封止層５０Ａからｚ方向に露出した部分を覆っている。このため、第１制御用接続配線６４ｐｃは、第１素子側制御ビア６４ｐａと接している。このように、ｚ方向から視て、第１素子側制御ビア６４ｐａは、制御パッド電極３１ＡＣおよび第１制御用接続配線６４ｐｃの双方と重なる位置に配置されている。また、第１制御用接続配線６４ｐｃのｙ方向の両端部のうちドライバ４０側の端部は、第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂのうち素子封止層５０Ａからｚ方向に露出した部分を覆っている。このため、第１制御用接続配線６４ｐｃは、第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂと接している。このように、ｚ方向から視て、第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂは、所定のドライバパッド電極４３および第１制御用接続配線６４ｐｃの双方と重なる位置に配置されている。
　図３に示すように、第２制御用ビア導体６４Ｑは、第２スイッチング素子３０Ｂの制御パッド電極３１ＢＣに接続された第２素子側制御ビア６４ｑａと、ドライバ４０の別のドライバパッド電極４３に接続された第２ドライバ側制御ビア６４ｑｂと、第２素子側制御ビア６４ｑａと第２ドライバ側制御ビア６４ｑｂとを接続する第２制御用接続配線６４ｑｃと、を有している。
　図３に示すように、ｚ方向から視て、第２素子側制御ビア６４ｑａは、制御パッド電極３１ＢＣと重なる位置に配置されている。第２素子側制御ビア６４ｑａは、素子封止層５０Ａのうち第２素子主面３１Ｂを覆う部分をｚ方向に貫通している。より詳細には、素子封止層５０Ａには、素子封止層５０Ａのうち第２素子主面３１Ｂを覆う部分をｚ方向に貫通する貫通孔５８ｉが設けられている。貫通孔５８ｉを介して制御パッド電極３１ＢＣが素子封止層５０Ａからｚ方向に露出している。第２素子側制御ビア６４ｑａは、貫通孔５８ｉを埋めるように設けられている。このため、第２素子側制御ビア６４ｑａは、ｚ方向に沿って延びており、制御パッド電極３１ＢＣと接している。本実施形態の第２素子側制御ビア６４ｑａのｚ方向の長さは、第２スイッチング素子３０Ｂのｚ方向の長さよりも短い。第２素子側制御ビア６４ｑａのｚ方向の長さは、第１素子側制御ビア６４ｐａのｚ方向の長さと等しく、約１ｍｍ未満である。一例では、第２素子側制御ビア６４ｑａのｚ方向の長さは、数百μｍ程度である。ここで、第２素子側制御ビア６４ｑａのｚ方向の長さと第１素子側制御ビア６４ｐａのｚ方向の長さとの差が、たとえば第２素子側制御ビア６４ｑａのｚ方向の長さの１０％以下であれば、第２素子側制御ビア６４ｑａのｚ方向の長さが第１素子側制御ビア６４ｐａのｚ方向の長さと等しいといえる。
　図３に示すように、ｚ方向から視た第２素子側制御ビア６４ｑａの形状は、円形である。第２素子側制御ビア６４ｑａの直径は、第１素子側制御ビア６４ｐａの直径と等しく、たとえば１００μｍ以上２００μｍ以下である。なお、ｚ方向から視た第２素子側制御ビア６４ｑａの形状は、円形に限られず、任意に変更可能である。たとえばｚ方向から視た第２素子側制御ビア６４ｑａの形状は、四角形等の多角形または楕円形であってもよい。
　図３に示すように、ｚ方向から視て、第２ドライバ側制御ビア６４ｑｂは、ドライバ４０の別のドライバパッド電極４３と重なる位置に配置されている。本実施形態では、別のドライバパッド電極４３は、ドライバ４０のドライバ主面４１のうち制御パッド電極３１ＢＣの近くに設けられている。具体的には、別のドライバパッド電極４３は、ｚ方向から視て、ドライバ主面４１の四隅のうち樹脂側面５６かつ樹脂側面５４に近い隅に設けられている。本実施形態では、第２ドライバ側制御ビア６４ｑｂは、ｘ方向において第２素子側制御ビア６４ｑａに対してずれた位置に配置されている。第２ドライバ側制御ビア６４ｑｂは、ｘ方向において第２素子側制御ビア６４ｑａよりも支持側面２６の近くに配置されている。
　第２ドライバ側制御ビア６４ｑｂは、素子封止層５０Ａのうちドライバ主面４１を覆う部分をｚ方向に貫通している。より詳細には、素子封止層５０Ａには、素子封止層５０Ａのうちドライバ主面４１を覆う部分をｚ方向に貫通する貫通孔５８ｊが設けられている。貫通孔５８ｊを介して別のドライバパッド電極４３が素子封止層５０Ａからｚ方向に露出している。第２ドライバ側制御ビア６４ｑｂは、貫通孔５８ｊを埋めるように設けられている。このため、第２ドライバ側制御ビア６４ｑｂは、ｚ方向に沿って延びており、別のドライバパッド電極４３と接している。本実施形態の第２ドライバ側制御ビア６４ｑｂのｚ方向の長さは、ドライバ４０のｚ方向の長さよりも短い。第２ドライバ側制御ビア６４ｑｂのｚ方向の長さは、第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂのｚ方向の長さと等しく、約１ｍｍ未満である。一例では、第２ドライバ側制御ビア６４ｑｂのｚ方向の長さは、数百μｍ程度である。ここで、第２ドライバ側制御ビア６４ｑｂのｚ方向の長さと第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂのｚ方向の長さとの差が、たとえば第２ドライバ側制御ビア６４ｑｂのｚ方向の長さの１０％以下であれば、第２ドライバ側制御ビア６４ｑｂのｚ方向の長さが第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂのｚ方向の長さと等しいといえる。
　図３に示すように、ｚ方向から視た第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂの形状は、円形である。第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂの直径は、第１素子側制御ビア６４ｐａの直径と等しく、たとえば１００μｍ以上２００μｍ以下である。なお、ｚ方向から視た第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂの形状は、円形に限られず、任意に変更可能である。たとえばｚ方向から視た第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂの形状は、四角形等の多角形または楕円形であってもよい。
　第１制御用接続配線６４ｐｃは、素子封止層５０Ａ上に設けられている。換言すると、第１制御用接続配線６４ｐｃは、素子封止層５０Ａと表面側樹脂層５０Ｂとの界面５７に設けられている。図３に示すように、第１制御用接続配線６４ｐｃは、帯状に形成されており、ｙ方向においてドライバ４０から第２スイッチング素子３０Ｂに向かうにつれて樹脂側面５６に向けて斜めに延びる部分を有している。
　図３に示すように、第２制御用接続配線６４ｑｃのｙ方向の両端部のうち第２スイッチング素子３０Ｂ側の端部は、第２素子側制御ビア６４ｑａのうち素子封止層５０Ａからｚ方向に露出した部分を覆っている。このため、第２制御用接続配線６４ｑｃは、第２素子側制御ビア６４ｑａと接している。このように、ｚ方向から視て、第２素子側制御ビア６４ｑａは、制御パッド電極３１ＢＣおよび第２制御用接続配線６４ｑｃの双方と重なる位置に配置されている。また、第２制御用接続配線６４ｑｃのｙ方向の両端部のうちドライバ４０側の端部は、第２ドライバ側制御ビア６４ｑｂのうち素子封止層５０Ａからｚ方向に露出した部分を覆っている。このため、第２制御用接続配線６４ｑｃは、第２ドライバ側制御ビア６４ｑｂと接している。このように、ｚ方向から視て、第２ドライバ側制御ビア６４ｑｂは、別のドライバパッド電極４３および第２制御用接続配線６４ｑｃの双方と重なる位置に配置されている。
　図３および図８に示すように、ドライバ用ビア導体６５は、複数設けられている。ドライバ用ビア導体６５は、ドライバ４０の複数のドライバパッド電極４３と、複数のドライバ接続電極７４とを個別に電気的に接続する導体である。
　図８に示すように、ドライバ用ビア導体６５は、樹脂層５０をｚ方向に貫通するように設けられている。換言すると、ドライバ用ビア導体６５は、素子封止層５０Ａおよび表面側樹脂層５０Ｂの双方をｚ方向に貫通するように設けられている。図８に示すとおり、ドライバ用ビア導体６５は、クランク状である。ドライバ用ビア導体６５は、ドライバ４０に電気的に接続されたドライバ接続用ビア６５ａと、ドライバ接続電極７４に電気的に接続されたドライバ電極接続用ビア６５ｂと、ドライバ接続用ビア６５ａとドライバ電極接続用ビア６５ｂとを接続するビア接続用配線６５ｃと、を有している。
　図３に示すように、本実施形態では、ｚ方向から視て、ドライバ接続用ビア６５ａは、ドライバ４０のドライバパッド電極４３と重なる位置に配置されている。
　図８に示すように、ドライバ接続用ビア６５ａは、素子封止層５０Ａのうちドライバ主面４１を覆う部分をｚ方向に貫通している。より詳細には、素子封止層５０Ａには、素子封止層５０Ａのうちドライバ主面４１を覆う部分をｚ方向に貫通する貫通孔５８ｋが設けられている。貫通孔５８ｋを介してドライバパッド電極４３がｚ方向に露出している。ドライバ接続用ビア６５ａは、貫通孔５８ｋを埋めるように設けられている。このため、ドライバ接続用ビア６５ａは、ｚ方向に沿って延びており、ドライバパッド電極４３と接している。本実施形態のドライバ接続用ビア６５ａのｚ方向の長さは、ドライバ４０のｚ方向の長さよりも短い。ドライバ接続用ビア６５ａのｚ方向の長さは、第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂのｚ方向の長さと等しく、約１ｍｍ未満である。一例では、ドライバ接続用ビア６５ａのｚ方向の長さは、数百μｍ程度である。ここで、ドライバ接続用ビア６５ａのｚ方向の長さと第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂのｚ方向の長さとの差が、たとえばドライバ接続用ビア６５ａのｚ方向の長さの１０％以下であれば、ドライバ接続用ビア６５ａのｚ方向の長さが第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂのｚ方向の長さと等しいといえる。
　図３に示すように、ｚ方向から視たドライバ接続用ビア６５ａの形状は、円形である。ドライバ接続用ビア６５ａの直径は、たとえば１００μｍ以上２００μｍ以下である。なお、ｚ方向から視たドライバ接続用ビア６５ａの形状は、円形に限られず、任意に変更可能である。たとえばｚ方向から視たドライバ接続用ビア６５ａの形状は、四角形等の多角形または楕円形であってもよい。
　図８に示すように、ビア接続用配線６５ｃは、素子封止層５０Ａ上に設けられている。換言すると、ビア接続用配線６５ｃは、素子封止層５０Ａと表面側樹脂層５０Ｂとの界面５７に設けられている。図３に示すように、ｚ方向から視たビア接続用配線６５ｃの形状は、帯状である。ｚ方向から視て、ビア接続用配線６５ｃは、ドライバ接続用ビア６５ａを覆っている。換言すると、ドライバ接続用ビア６５ａは、ｚ方向から視て、ビア接続用配線６５ｃと重なる位置に配置されている。より詳細には、ドライバ接続用ビア６５ａは、ｚ方向から視て、ドライバパッド電極４３とビア接続用配線６５ｃとの双方に重なる位置に配置されている。
　図３に示すように、ｚ方向から視て、ドライバ電極接続用ビア６５ｂは、ドライバ接続電極７４と重なる位置に配置されている。また、ｚ方向から視て、ドライバ電極接続用ビア６５ｂは、ビア接続用配線６５ｃと重なる位置に配置されている。
　図８に示すように、ドライバ電極接続用ビア６５ｂは、表面側樹脂層５０Ｂをｚ方向に貫通するように設けられている。より詳細には、樹脂層５０には、表面側樹脂層５０Ｂをｚ方向に貫通する貫通孔５８ｌが設けられている。貫通孔５８ｌを介してビア接続用配線６５ｃがｚ方向に露出している。ドライバ電極接続用ビア６５ｂは、貫通孔５８ｌを埋めるように設けられている。このため、ドライバ電極接続用ビア６５ｂは、ｚ方向に沿って延びており、ビア接続用配線６５ｃと接している。また、ドライバ電極接続用ビア６５ｂは、ｚ方向において樹脂層５０から露出している。ドライバ電極接続用ビア６５ｂのうち樹脂層５０から露出した部分は、ドライバ接続電極７４によって覆われている。このため、ドライバ電極接続用ビア６５ｂは、ドライバ接続電極７４と接している。
　本実施形態では、ドライバ電極接続用ビア６５ｂのｚ方向の長さは、ドライバ接続用ビア６５ａのｚ方向の長さよりも長い。ドライバ電極接続用ビア６５ｂのｚ方向の長さは、各電極接続用ビア６３ｐｂ，６３ｑｂのｚ方向の長さと等しい。ここで、ドライバ電極接続用ビア６５ｂのｚ方向の長さと各電極接続用ビア６３ｐｂ，６３ｑｂのｚ方向の長さとの差が、たとえばドライバ電極接続用ビア６５ｂのｚ方向の長さの１０％以下であれば、ドライバ電極接続用ビア６５ｂのｚ方向の長さが各電極接続用ビア６３ｐｂ，６３ｑｂのｚ方向の長さと等しいといえる。なお、ドライバ電極接続用ビア６５ｂのｚ方向の長さは任意に変更可能である。一例では、ドライバ電極接続用ビア６５ｂのｚ方向の長さは、ドライバ接続用ビア６５ａのｚ方向の長さと等しくてもよい。
　図３に示すように、ｚ方向から視たドライバ電極接続用ビア６５ｂの形状は、円形である。ドライバ電極接続用ビア６５ｂの直径は、ドライバ接続用ビア６５ａの直径と等しく、たとえば１００μｍ以上２００μｍ以下である。なお、ｚ方向から視たドライバ電極接続用ビア６５ｂの形状は、円形に限られず、任意に変更可能である。たとえばｚ方向から視たドライバ電極接続用ビア６５ｂの形状は、四角形等の多角形または楕円形であってもよい。
　次に、図９を参照して、半導体装置１０の回路構成の一例について説明する。
　第１スイッチング素子３０Ａの第１駆動パッド電極３１ＡＡ（ドレイン電極）には、直流電源である駆動電源ＤＶのプラス端子が電気的に接続されている。第１スイッチング素子３０Ａの第２駆動パッド電極３１ＡＢ（ソース電極）は、第２スイッチング素子３０Ｂの第１駆動パッド電極３１ＢＡ（ドレイン電極）と電気的に接続されている。第２スイッチング素子３０Ｂの第２駆動パッド電極３１ＢＢ（ソース電極）はグランドに接続されている。このように、第１スイッチング素子３０Ａと第２スイッチング素子３０Ｂとは直列接続されている。
　第１スイッチング素子３０Ａと第２スイッチング素子３０Ｂとの直列体には、コンデンサＣ１が接続されている。コンデンサＣ１は、駆動電源ＤＶから第１スイッチング素子３０Ａの第１駆動パッド電極３１ＡＡに供給される電圧のノイズを除去する機能を有している。
　第１スイッチング素子３０Ａの第２駆動パッド電極３１ＡＢと第２スイッチング素子３０Ｂの第１駆動パッド電極３１ＢＡとの間のノードＮは、半導体装置１０が電力を供給する負荷Ｌと電気的に接続されている。負荷Ｌは、半導体装置１０の外部に設けられている。負荷Ｌの一例は、モータである。
　ドライバ４０は、第１スイッチング素子３０Ａの制御パッド電極３１ＡＣ（ゲート電極）と第２スイッチング素子３０Ｂの制御パッド電極３１ＢＣ（ゲート電極）とに電気的に接続されている。ドライバ４０は、半導体装置１０の外部に設けられた信号生成回路（図示略）からの信号に基づいて、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂのオンオフ動作を制御するゲート電圧を生成し、各制御パッド電極３１ＡＣ，３１ＢＣに供給する。
　ドライバ４０の複数のドライバパッド電極４３は、第１信号入力端子ＨＩＮ、第２信号入力端子ＬＩＮ、制御側電源電極ＶＣＣ、制御側グランド電極ＧＮＤ、ブートストラップ端子ＶＢ、第１信号出力電極ＨＯＨ、第２信号出力電極ＨＯＬ、出力側電源電極ＶＳ、第３信号出力電極ＬＯＨ、第４信号出力電極ＬＯＬ、および出力側グランド電極ＰＧＮＤを含む。なお、複数のドライバパッド電極４３は、上述した端子以外の端子を含んでいてもよい。
　第１信号入力端子ＨＩＮは、上記信号生成回路からの高電位側の信号が入力される端子である。第２信号入力端子ＬＩＮは、信号生成回路からの低電位側の信号が入力される端子である。ドライバ４０は、各信号入力端子ＨＩＮ，ＬＩＮを介して信号生成回路から入力された高電位側の信号および低電位側の信号に基づいて、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの各制御パッド電極３１ＡＣ，３１ＢＣに出力するゲート電圧を生成する。
　制御側電源電極ＶＣＣは、半導体装置１０の外部に設けられた直流電源である制御電源ＣＶのプラス端子が電気的に接続される端子である。制御電源ＣＶのマイナス端子は、グランドに接続されている。制御側電源電極ＶＣＣと制御電源ＣＶとの間には、コンデンサＣ２が制御電源ＣＶと並列に接続されている。コンデンサＣ２は、制御電源ＣＶから制御側電源電極ＶＣＣに供給される電圧のノイズを除去する機能を有している。コンデンサＣ２の第１端子は制御側電源電極ＶＣＣのプラス端子に接続されており、コンデンサＣ２の第２端子はグランドに接続されている。制御側グランド電極ＧＮＤは、グランドに接続されている。より詳細には、制御側グランド電極ＧＮＤは、コンデンサＣ２の第２端子に電気的に接続されている。ドライバ４０は、制御電源ＣＶの電圧（たとえば５Ｖ）に基づいて駆動する。
　出力側電源電極ＶＳは、負荷Ｌの電源となる端子である。出力側電源電極ＶＳは、第１スイッチング素子３０Ａの第２駆動パッド電極３１ＡＢと第２スイッチング素子３０Ｂの第１駆動パッド電極３１ＢＡとの間のノードＮに接続されている。
　第１信号出力電極ＨＯＨおよび第２信号出力電極ＨＯＬのそれぞれは、第１スイッチング素子３０Ａの制御パッド電極３１ＡＣに、ドライバ４０内で生成されたゲート電圧を供給する端子である。各信号出力電極ＨＯＨ，ＨＯＬは、制御パッド電極３１ＡＣに電気的に接続されている。第１信号出力電極ＨＯＨと制御パッド電極３１ＡＣとの間には、電流制限抵抗Ｒ１が設けられている。
　第３信号出力電極ＬＯＨおよび第４信号出力電極ＬＯＬのそれぞれは、第２スイッチング素子３０Ｂの制御パッド電極３１ＢＣに、ドライバ４０内で生成されたゲート電圧を供給する端子である。各信号出力電極ＬＯＨ，ＬＯＬは、制御パッド電極３１ＢＣに電気的に接続されている。第３信号出力電極ＬＯＨと制御パッド電極３１ＢＣとの間には、電流制限抵抗Ｒ２が設けられている。
　ブートストラップ端子ＶＢは、第１信号出力電極ＨＯＨおよび第２信号出力電極ＨＯＬから出力されるゲート電圧を高電位に生成するブートストラップ回路（図示略）を構成するブートコンデンサＢＣが接続される端子である。ドライバ４０内には、ブートストラップ回路を構成するブートダイオードが設けられている。ブートコンデンサＢＣの第１端子はブートストラップ端子ＶＢに接続されており、ブートコンデンサＢＣの第２端子は第１スイッチング素子３０Ａの第２駆動パッド電極３１ＡＢと第２スイッチング素子３０Ｂの第１駆動パッド電極３１ＢＡとの間のノードＮに接続されている。
　出力側グランド電極ＰＧＮＤは、第２スイッチング素子３０Ｂの第２駆動パッド電極３１ＢＢ（ソース電極）と電気的に接続されている。すなわち、出力側グランド電極ＰＧＮＤはグランドに接続されている。
　この構成によれば、信号生成回路からの高電位側の信号および低電位側の信号がドライバ４０に入力された場合、ドライバ４０は、これら信号に基づいてゲート電圧を生成し、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの各制御パッド電極３１ＡＣ，３１ＢＣに供給する。各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂは、ゲート電圧に基づいて相補的にオンオフ動作する。
　（半導体装置の製造方法）
　図１０～図２４を参照して、本実施形態の半導体装置１０の製造方法の一例について説明する。
　半導体装置１０の製造方法は、配線層形成工程と、実装工程と、素子封止層形成工程と、第１ビア導体形成工程と、表面側樹脂層形成工程と、第２ビア導体形成工程と、外装電極形成工程と、切断工程と、を主に備えている。
　配線層形成工程では、図１０に示すように、まず、たとえばＳｉ（シリコン）からなる支持基板８００を用意する。支持基板８００は、ｚ方向の一方側を向く基板主面８０１を有している。次に、基板主面８０１上に基材８２０を形成する。基材８２０は、半導体装置１０の支持層２０を構成する部材であり、たとえばエポキシ樹脂からなる。基材８２０は、たとえばトランスファ成型またはコンプレッション成型によって形成される。基材８２０は、ｚ方向において基板主面８０１と同じ側を向く基材主面８２１を有している。
　実装工程では、図１１に示す各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂおよび図１２に示すドライバ４０のそれぞれを基材８２０上に実装する。
　図１１に示すように、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂを基材８２０の基材主面８２１上に実装する。より詳細には、基材主面８２１のうち各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂが搭載される位置に、液状の接合材ＳＤを塗布する。次に、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂのそれぞれをたとえばダイボンディングによって接合材ＳＤ上に搭載する。続いて、接合材ＳＤを硬化させることによって接合材ＳＤと各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂとが接合する。なお、接合材ＳＤとしてはんだやＡｇペーストを用いた場合、リフロー処理と冷却処理とによって、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂを基材主面８２１に接合してもよい。
　図１２に示すように、ドライバ４０を基材主面８２１上に実装する。ドライバ４０の基材主面８２１への実装方法は、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの基材主面８２１への実装方法と同じである。
　素子封止層形成工程は、図１３に示す樹脂層形成工程と、図１４に示す研削工程と、を含む。
　図１３に示すように、樹脂層形成工程では、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂおよびドライバ４０のそれぞれを封止する素子封止層８５０Ａを形成する。素子封止層８５０Ａは、半導体装置１０の素子封止層５０Ａを構成する層であり、たとえば黒色のエポキシ樹脂からなる。素子封止層８５０Ａの厚さは、素子封止層５０Ａの厚さよりも厚い。素子封止層８５０Ａは、たとえばトランスファ成型またはコンプレッション成型によって形成される。
　図１４に示すように、研削工程では、素子封止層８５０Ａをｚ方向に除去する。これにより、素子封止層８５０Ａの厚さを薄くする。より詳細には、機械研削によって素子封止層８５０Ａのうちｚ方向において基材８２０とは反対側の部分を除去する。これにより、ｚ方向における各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの素子主面３１Ａ，３１Ｂおよびドライバ４０のドライバ主面４１と素子封止層８５０Ａとの間の距離Ｄを小さくする。この距離Ｄがたとえば数百μｍ程度となるまで素子封止層８５０Ａを除去する。これにより、素子封止層８５０Ａの厚さが素子封止層５０Ａの厚さと等しくなる。このように、素子封止層８５０Ａのうち各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの各素子主面３１Ａ，３１Ｂおよびドライバ４０のドライバ主面４１のそれぞれを覆う部分の厚さを薄くしている。
　第１ビア導体形成工程は、図１５および図１６に示す貫通孔形成工程および第１ビア形成工程と、図１７および図１８に示す配線形成工程と、を含む。
　図１５および図１６に示すように、貫通孔形成工程では、たとえばレーザ加工等の穴明け加工によって素子封止層８５０Ａに貫通孔５８ｃ，５８ｅ，５８ｇ～５８ｋを形成する。図１５では、第１スイッチング素子３０Ａの第２駆動パッド電極３１ＡＢをｚ方向において露出する貫通孔５８ｃと、第２スイッチング素子３０Ｂの第１駆動パッド電極３１ＢＡをｚ方向において露出する貫通孔５８ｅとが素子封止層８５０Ａに形成されている。貫通孔５８ｃ，５８ｅは、素子封止層８５０Ａのうち各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの素子主面３１Ａ，３１Ｂを覆う部分をｚ方向に貫通している。これにより、第１スイッチング素子３０Ａの第２駆動パッド電極３１ＡＢおよび第２スイッチング素子３０Ｂの第１駆動パッド電極３１ＢＡのそれぞれがｚ方向において露出している。
　図１６に示すように、貫通孔５８ｇ～５８ｋも素子封止層８５０Ａに形成されている。貫通孔５８ｇ，５８ｉのそれぞれは、貫通孔５８ｃ，５８ｅと同様に、素子封止層８５０Ａのうち各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの素子主面３１Ａ，３１Ｂを覆う部分をｚ方向に貫通している。これにより、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの制御パッド電極３１ＡＣ，３１ＢＣがｚ方向において露出している。また、貫通孔５８ｈ，５８ｊおよび複数の貫通孔５８ｋは、素子封止層８５０Ａのうちドライバ４０のドライバ主面４１を覆う部分をｚ方向に貫通している。これにより、ドライバ４０の各ドライバパッド電極４３がｚ方向において露出している。
　図１５および図１６に示すように、ビア形成工程では、各貫通孔５８ｃ，５８ｅ，５８ｇ～５８ｋに金属製のビアを埋め込む。より詳細には、図１５に示すように、貫通孔５８ｃに第１素子接続用ビア６３ｐａを埋め込むように形成し、貫通孔５８ｅに第２素子接続用ビア６３ｑａを埋め込むように形成する。より詳細には、素子封止層８５０Ａ上にシード層を形成する。シード層は、無電解めっき法によって素子封止層８５０Ａ上に形成される。この場合、貫通孔５８ｃ，５８ｅを構成する内面にもシード層が形成される。シード層はたとえばＴｉからなる。次に、シード層上にめっき層を形成する。めっき層は、シード層上にリソグラフィパターニングを施した後、シード層を導電経路とした電解めっき法によって形成される。めっき層は、Ｃｕからなる。めっき層は、貫通孔５８ｃ，５８ｅを埋めるように形成される。次に、シード層のうちめっき層によって覆われていない部分を除去する。本実施形態では、貫通孔５８ｃ，５８ｅを構成する内面以外の部分のシード層が除去される。
　また図１６に示すように、貫通孔５８ｇに埋め込まれるビアである第１素子側制御ビア６４ｐａと、貫通孔５８ｉに埋め込まれるビアである第２素子側制御ビア６４ｑａと、貫通孔５８ｈに埋め込まれるビアである第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂと、貫通孔５８ｊに埋め込まれるビアである第２ドライバ側制御ビア６４ｑｂと、貫通孔５８ｋに埋め込まれるビアであるドライバ接続用ビア６５ａとが、各素子接続用ビア６３ｐａ，６３ｑａと同様に形成される。本実施形態では、各素子接続用ビア６３ｐａ，６３ｑａ、各素子側制御ビア６４ｐａ，６４ｑａ、各ドライバ側制御ビア６４ｐｂ，６４ｑｂ、および複数のドライバ接続用ビア６５ａが同時に形成される。
　図１７および図１８に示すように、配線形成工程では、第１ビア接続用配線６３ｐｃ、第２ビア接続用配線６３ｑｃ、第１制御用接続配線６４ｐｃ、第２制御用接続配線６４ｑｃおよび複数のビア接続用配線６５ｃを形成する。これら配線６３ｐｃ，６３ｑｃ，６４ｐｃ，６４ｑｃ，６５ｃは、ビア形成工程における各素子接続用ビア６３ｐａ，６３ｑａと同様に形成される。このように、第１ビア接続用配線６３ｐｃ、第２ビア接続用配線６３ｑｃ、第１制御用接続配線６４ｐｃ、第２制御用接続配線６４ｑｃおよび複数のビア接続用配線６５ｃのそれぞれが素子封止層８５０Ａ上に形成されるため、これら配線が配線形成工程において同時に形成される。配線形成工程を経て、第１制御用ビア導体６４Ｐおよび第２制御用ビア導体６４Ｑが形成される。
　なお、本実施形態では、ビア形成工程と配線形成工程とは別の工程としたが、これに限られない。たとえば、ビア形成工程と配線形成工程とを同一の工程としてもよい。つまり、各素子接続用ビア６３ｐａ，６３ｑａ、各素子側制御ビア６４ｐａ，６４ｑａ、各ドライバ側制御ビア６４ｐｂ，６４ｑｂ、および複数のドライバ接続用ビア６５ａと、第１ビア接続用配線６３ｐｃ、第２ビア接続用配線６３ｑｃ、第１制御用接続配線６４ｐｃ、第２制御用接続配線６４ｑｃおよび複数のビア接続用配線６５ｃと、を同時に形成してもよい。
　図１９に示すように、表面側樹脂層形成工程では、素子封止層８５０Ａ上に表面側樹脂層８５０Ｂを形成する。表面側樹脂層８５０Ｂは、半導体装置１０の表面側樹脂層５０Ｂを構成する層であり、たとえば黒色のエポキシ樹脂からなる。本実施形態では、表面側樹脂層８５０Ｂは、素子封止層８５０Ａと同じ材料からなる。ｚ方向から視て、表面側樹脂層８５０Ｂは、素子封止層８５０Ａの全体にわたり形成される。表面側樹脂層８５０Ｂは、第１ビア接続用配線６３ｐｃ、第２ビア接続用配線６３ｑｃ、第１制御用接続配線６４ｐｃおよび第２制御用接続配線６４ｑｃを封止するように形成されている。表面側樹脂層８５０Ｂは、たとえばトランスファ成型またはコンプレッション成型によって形成される。これにより、素子封止層８５０Ａと表面側樹脂層８５０Ｂとのｚ方向の間には界面８５７が形成される。表面側樹脂層８５０Ｂの厚さは、素子封止層８５０Ａのうち各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂおよびドライバ４０を覆う部分以外の部分の厚さよりも薄い。本実施形態では、表面側樹脂層８５０Ｂの厚さは、素子封止層８５０Ａのうち各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの素子主面３１Ａ，３１Ｂを覆う部分の厚さよりも厚い。
　なお、表面側樹脂層形成工程は、研削工程を備えていてもよい。表面側樹脂層形成工程が研削工程を備えている場合、たとえば機械研削によって表面側樹脂層８５０Ｂをｚ方向に除去する。これにより、表面側樹脂層８５０Ｂの厚さを薄くする。
　図２０～図２２に示すように、第２ビア導体形成工程は、貫通孔形成工程およびビア形成工程を含む。
　貫通孔形成工程は、図２０に示す貫通孔５８ｄ，５８ｆを形成する工程と、図２１に示す貫通孔５８ａ，５８ｂを形成する工程と、図２２に示す貫通孔５８ｌを形成する工程と、含む。
　図２０および図２２に示すように、貫通孔５８ｄ，５８ｆ，５８ｌは、たとえばレーザ加工等の穴明け加工によって表面側樹脂層８５０Ｂに形成される。貫通孔５８ｄ，５８ｆ，５８ｌは、表面側樹脂層８５０Ｂのみをｚ方向において貫通している。これにより、図２０に示すように、貫通孔５８ｄを介して第１ビア接続用配線６３ｐｃがｚ方向において露出し、貫通孔５８ｆを介して第２ビア接続用配線６３ｑｃがｚ方向において露出している。また、図２２に示すように、貫通孔５８ｌを介してビア接続用配線６５ｃがｚ方向において露出している。
　図２１に示すように、貫通孔５８ａ，５８ｂは、たとえばレーザ加工等の穴明け加工によって表面側樹脂層８５０Ｂおよび素子封止層８５０Ａに形成される。貫通孔５８ａ，５８ｂは、表面側樹脂層８５０Ｂおよび素子封止層８５０Ａの双方をｚ方向において貫通している。貫通孔５８ａ，５８ｂは、素子封止層８５０Ａのうち各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂを覆う部分をｚ方向において貫通している。これにより、貫通孔５８ａを介して第１スイッチング素子３０Ａの第１駆動パッド電極３１ＡＡがｚ方向において露出し、貫通孔５８ｂを介して第２スイッチング素子３０Ｂの第２駆動パッド電極３１ＢＢがｚ方向において露出している。
　ビア形成工程では、図２０に示す第１電極接続用ビア６３ｐｂおよび第２電極接続用ビア６３ｑｂを形成する工程と、図２１に示す電源用ビア導体６１およびグランド用ビア導体６２を形成する工程と、図２２に示す複数のドライバ電極接続用ビア６５ｂを形成する工程と、を含む。
　図２０に示すように、第１電極接続用ビア６３ｐｂは貫通孔５８ｄに埋め込むように形成され、第２電極接続用ビア６３ｑｂは貫通孔５８ｆに埋め込むように形成される。図２１に示すように、電源用ビア導体６１は貫通孔５８ａに埋め込むように形成され、グランド用ビア導体６２は貫通孔５８ｂに埋め込むように形成される。図２２に示すように、複数のドライバ電極接続用ビア６５ｂは貫通孔５８ｌに埋め込むように形成される。各電極接続用ビア６３ｐｂ，６３ｑｂ、電源用ビア導体６１、グランド用ビア導体６２および複数のドライバ電極接続用ビア６５ｂの形成方法は、第１ビア導体形成工程のビア形成工程と同様である。第２ビア導体形成工程を経て、出力用ビア導体６３およびドライバ用ビア導体６５が形成される。
　図２３および図２４に示すように、外装電極形成工程では、表面側樹脂層８５０Ｂのうちｚ方向において素子封止層８５０Ａとは反対側の表面にめっき層を形成する。めっき層は、Ｃｕ層と、Ｃｕ層を覆うめっき層とを含む。Ｃｕ層の形成においては、まず、表面側樹脂層８５０Ｂのうちｚ方向において素子封止層８５０Ａとは反対側の表面上に無電解めっき法によってシード層を形成する。シード層はたとえばＣｕやＴｉからなる。続いて、シード層を導電経路として電解めっき法によってめっき層を形成する。このめっき層はＣｕからなる。Ｃｕ層を覆うめっき層は、たとえば無電解めっき法によって、たとえばＮｉとＰｄとＡｕとをこの順番で析出させることによって形成される。図２４に示すように、めっき層は、複数の電源用ビア導体６１を覆う電源用めっき層と、複数のグランド用ビア導体６２を覆うグランド用めっき層と、複数の第１電極接続用ビア６３ｐｂおよび複数の第２電極接続用ビア６３ｑｂを覆う出力用めっき層と、複数のドライバ電極接続用ビア６５ｂを個別に覆う複数のドライバ電極接続用めっき層と、を有している。電源用めっき層は外装電極７０としての電源電極７１を構成し、グランド用めっき層は外装電極７０としてのグランド電極７２を構成し、出力用めっき層は外装電極７０としての出力電極７３を構成し、複数のドライバ電極接続用めっき層は複数のドライバ接続電極７４を構成している。
　図２３および図２４に示すように、切断工程では、まず、基材８２０から支持基板８００を分離する。たとえば、機械研削またはデボンドによって基材８２０から支持基板８００が分離される。次に、基材８２０を支持するダイシングテープ（図示略）を貼り付ける。続いて、たとえばダイシングブレードによって表面側樹脂層８５０Ｂ、素子封止層８５０Ａおよび基材８２０の順に、図２３および図２４において一点鎖線で示す切断線ＣＬに沿って切断する。これにより、素子封止層８５０Ａから素子封止層５０Ａが形成され、表面側樹脂層８５０Ｂから表面側樹脂層５０Ｂが形成される。つまり、樹脂層５０が形成される。また基材８２０から支持層２０が形成される。以上の工程を経て、半導体装置１０が製造される。
　（作用）
　図５、図２５および図２６を参照して、本実施形態の半導体装置１０の作用について説明する。図２５は比較例の半導体装置１０Ｘの内部構造を模式的に示す平面図であり、図２６は比較例の半導体装置１０Ｘの模式的な断面構造を示す断面図である。
　図２５に示すように、比較例の半導体装置１０Ｘは、本実施形態の半導体装置１０と同様に、支持層２０Ｘ、第１スイッチング素子３０Ａ、第２スイッチング素子３０Ｂ、ドライバ４０および樹脂層５０Ｘを備えている。各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂおよびドライバ４０は、支持層２０Ｘに設けられた金属製の支持板１０１～１０３に搭載されている。支持板１０１～１０３のそれぞれは、支持層２０Ｘの支持表面２１Ｘおよび支持裏面２２Ｘ（図２６参照）の双方から露出している。
　また支持層２０Ｘには、電源用配線１０４、グランド用配線１０５、出力用配線１０６および複数のドライバ接続配線１０７が設けられている。これら配線１０４～１０７も支持板１０１～１０３と同様に、支持層２０Ｘの支持裏面２２Ｘ（図２６参照）から露出している。
　第１スイッチング素子３０Ａを支持する支持板１０１と、第２スイッチング素子３０Ｂを支持する支持板１０２と、電源用配線１０４と、グランド用配線１０５と、出力用配線１０６とは、ｙ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離間して配列されている。支持板１０１と支持板１０２とのｘ方向の間には、出力用配線１０６が配置されている。出力用配線１０６は、支持層２０Ｘのｘ方向の中央に配置されている。電源用配線１０４は、支持板１０１よりも支持側面２５Ｘの近くに配置されている。グランド用配線１０５は、支持板１０２よりも支持側面２６Ｘの近くに配置されている。このように、支持板１０１，１０２と各配線１０４～１０７は同一平面上に配置されている。
　ドライバ４０を支持する支持板１０３は、支持層２０Ｘのｘ方向の中央に配置されている。また支持板１０３は、ｙ方向において各支持板１０１，１０２よりも支持側面２３Ｘの近くに配置されている。換言すると、支持板１０１，１０２は、ｙ方向において支持板１０３よりも支持側面２４Ｘの近くに配置されている。ｘ方向において支持層２０Ｘのうちドライバ４０よりも支持側面２５Ｘの近くには複数のドライバ接続配線１０７が配置されている。ｘ方向において支持層２０Ｘのうちドライバ４０よりも支持側面２６Ｘの近くには複数のドライバ接続配線１０７が配置されている。これらドライバ接続配線１０７は、支持層２０Ｘのｙ方向の両端部のうち支持側面２３Ｘに近い方の端部に配置されている。
　図２５に示すように、第１スイッチング素子３０Ａと電源用配線１０４、出力用配線１０６およびドライバ４０とはワイヤＷによって電気的に接続されている。より詳細には、第１スイッチング素子３０Ａの各第１駆動パッド電極３１ＡＡと電源用配線１０４とはワイヤＷによって接続されている。第１スイッチング素子３０Ａの各第２駆動パッド電極３１ＡＢと出力用配線１０６とはワイヤＷによって接続されている。第１スイッチング素子３０Ａの制御パッド電極３１ＡＣとドライバ４０のドライバパッド電極４３とはワイヤＷによって接続されている。
　第２スイッチング素子３０Ｂとグランド用配線１０５、出力用配線１０６およびドライバ４０とはワイヤＷによって電気的に接続されている。より詳細には、第２スイッチング素子３０Ｂの各第１駆動パッド電極３１ＢＡと出力用配線１０６とはワイヤＷによって接続されている。第２スイッチング素子３０Ｂの第２駆動パッド電極３１ＢＢとグランド用配線１０５とはワイヤＷによって接続されている。第２スイッチング素子３０Ｂの制御パッド電極３１ＢＣとドライバ４０のドライバパッド電極４３とはワイヤＷによって接続されている。
　また、ドライバ４０の複数のドライバパッド電極４３と複数のドライバ接続配線１０７とはワイヤＷによって個別に接続されている。
　これらワイヤＷは、ワイヤボンディング装置を用いたワイヤボンディングによって形成されている。一例では、ワイヤボンディング装置は、第１スイッチング素子３０Ａの第２駆動パッド電極３１ＡＢにワイヤ母材を接合する。そしてワイヤボンディング装置は、ｚ方向においてワイヤ母材を第２駆動パッド電極３１ＡＢから離間させるとともに出力用配線１０６に向けて移動させる。そしてワイヤボンディング装置は、出力用配線１０６にワイヤ母材を接合した後、ワイヤ母材を切断する。これにより、ワイヤＷが形成される。このため、図２６に示すように、第２駆動パッド電極３１ＡＢと出力用配線１０６とを接続するワイヤＷは、第１素子主面３１Ａから支持層２０Ｘとはｚ方向において反対側に湾曲凸状となるように形成されている。なお、他のワイヤＷも同様の形状となる。
　このように、ワイヤＷが湾曲凸状となるため、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの各素子主面３１Ａ，３１ＢとワイヤＷとのｚ方向の間の距離の最大値ＤＷが大きくなる。この最大値ＤＷは、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂのｚ方向の長さ（各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの厚さ）よりも大きく、たとえば１ｍｍ以上となる。このため、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂに接続されたワイヤＷの長さが長くなってしまう。
　ビア導体６０や外装電極７０は、半導体製造工程の前工程（半導体素子を形成する工程）と同様の処理および装置によって形成される。ワイヤＷは、半導体製造工程の後工程（半導体素子をパッケージングする工程）によって形成される。このため、ワイヤＷは、ビア導体６０の形成や外装電極７０の形成と比較して、寸法誤差が大きい。より詳細には、たとえば、第１スイッチング素子３０Ａの第２駆動パッド電極３１ＡＢにワイヤＷを接続するときの位置精度と、第２駆動パッド電極３１ＡＢに接続されたワイヤＷを出力用配線１０６に接続するときの位置精度とが低いため、ワイヤＷの長さのばらつきが大きくなる。またたとえば、第２スイッチング素子３０Ｂの第１駆動パッド電極３１ＢＡにワイヤＷを接続するときの位置精度と、第１駆動パッド電極３１ＢＡに接続されたワイヤＷを出力用配線１０６に接続するときの位置精度とが低いため、ワイヤＷの長さのばらつきが大きくなる。つまり、設計上、ワイヤＷの長さのばらつきを考慮する必要があり、ワイヤＷの長さを長くする必要がある。このような制約によって、各ワイヤＷの長さは、数ｍｍ（たとえば３ｍｍ以上５ｍｍ以下）となる。
　また、制御パッド電極３１ＡＣ，３１ＢＣとドライバパッド電極４３とを接続するワイヤＷの寄生インダクタンスは、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの制御パッド電極３１ＡＣ，３１ＢＣに供給されるゲート電圧に含まれるサージの要因となり、ワイヤＷの長さが長くなるにつれて大きくなる。つまり、制御パッド電極３１ＡＣ，３１ＢＣとドライバパッド電極４３とを接続するワイヤＷの長さが長くなるにつれて、ゲート電圧に含まれるサージが大きくなるおそれがある。
　また、サージは、ゲート電圧の変化速度に比例するため、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの動作が高速になるにつれて大きくなる。このため、各スイッチング素子３０Ａ，３０ＢがたとえばＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やバイポーラトランジスタのような高周波で動作しないスイッチング素子であれば、ゲート電圧に含まれるサージが過度に大きくならない。したがって、ゲート電圧に含まれるサージに起因する各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの動作への影響が少なくなる。一方、各スイッチング素子３０Ａ，３０ＢがＧａＮＨＥＭＴやＳｉＣＭＯＳＦＥＴのような高周波で動作するスイッチング素子であれば、ゲート電圧に含まれるサージが過度に大きくなるおそれがある。したがって、ゲート電圧に含まれるサージに起因する各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの動作への影響が大きくなる。一例では、ＧａＮＨＥＭＴのような高周波で動作するスイッチング素子の場合、ワイヤＷに起因する数ｎＨのインダクタンスが各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの動作に大きく影響してしまうおそれがある。
　このような実情のため、ゲート電圧に含まれるサージを小さくする観点から、制御パッド電極３１ＡＣ，３１ＢＣとドライバパッド電極４３との間の導電経路に起因するインダクタンスを小さくする必要がある。特に、ＧａＮＨＥＭＴのような高周波で動作するスイッチング素子の場合、制御パッド電極３１ＡＣ，３１ＢＣとドライバ４０のドライバパッド電極４３との間のそれぞれの導電経路に起因するインダクタンスは、１ｎＨ未満であることが好ましい。
　このような点に鑑み、本実施形態では、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの各駆動パッド電極３１ＡＡ，３１ＡＢ，３１ＢＡ，３１ＢＢと外装電極７０とを電源用ビア導体６１、グランド用ビア導体６２および出力用ビア導体６３によって接続している。各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの各制御パッド電極３１ＡＣ，３１ＢＣとドライバ４０のドライバパッド電極４３とを素子制御用ビア導体６４によって接続している。ドライバ４０のドライバパッド電極４３と外装電極７０とをドライバ用ビア導体６５によって接続している。
　これらビア導体６１～６５は、半導体製造の前工程と同様の処理によって形成されるため、ビア導体６１～６５の形成に関する寸法精度が高い。具体的には、これらビア導体６１～６５が各パッド電極３１ＡＡ～３１ＡＣ，３１ＢＡ～３１ＢＣ，４３および外装電極７０のそれぞれに接合される場合の寸法精度は、ワイヤＷが各パッド電極３１ＡＡ～３１ＡＣ，３１ＢＡ～３１ＢＣ，４３および外装電極７０のそれぞれに接合される場合の寸法精度と比較して、１／１０以下となる。したがって、これらビア導体６１～６５の長さを短くすることができるため、これらビア導体６１～６５の長さに起因するインダクタンスを低減できる。
　加えて、電源用ビア導体６１、グランド用ビア導体６２、出力用ビア導体６３の各素子接続用ビア６３ｐａ，６３ｑａ、各電極接続用ビア６３ｐｂ，６３ｑｂ、素子制御用ビア導体６４の各素子側制御ビア６４ｐａ，６４ｑａ、各ドライバ側制御ビア６４ｐｂ，６４ｑｂ、ドライバ用ビア導体６５のドライバ接続用ビア６５ａおよびドライバ電極接続用ビア６５ｂのそれぞれをｚ方向と直交する平面（ｘｙ平面）で切った断面積は、ワイヤＷをその長さ方向と直交する平面で切った断面積よりも大きい。このため、各ビア導体６１，６２および各ビア６３ｐａ，６３ｑａ，６３ｐｂ，６３ｑｂ，６４ｐａ，６４ｑａ，６５ａ，６５ｂは、ワイヤＷよりもインダクタンスが小さくなる。
　また、ｚ方向から視て、電源電極７１は第１スイッチング素子３０Ａと重なるように配置されており、電源用ビア導体６１は電源電極７１と第１スイッチング素子３０Ａの第１駆動パッド電極３１ＡＡとの双方と重なる位置に配置されており、電源電極７１と第１駆動パッド電極３１ＡＡとを接続している。グランド電極７２は第２スイッチング素子３０Ｂと重なるように配置されており、グランド用ビア導体６２はグランド電極７２と第２スイッチング素子３０Ｂの第２駆動パッド電極３１ＢＢとの双方と重なる位置に配置されており、グランド電極７２と第２駆動パッド電極３１ＢＢとを接続している。これにより、電源用ビア導体６１およびグランド用ビア導体６２は、ｚ方向に延びる形状となり、より一層長さを短くできる。したがって、各ビア導体６１，６２の長さに起因するインダクタンスを低減できる。
　加えて、ワイヤＷの上記最大値ＤＷは、電源用ビア導体６１およびグランド用ビア導体６２のｚ方向の長さよりも長い。このため、電源用ビア導体６１のｚ方向の長さは、第１駆動パッド電極３１ＡＡと電源用配線１０４とを接続するワイヤＷの長さよりも十分に短い。グランド用ビア導体６２のｚ方向の長さは、第２駆動パッド電極３１ＢＢとグランド用配線１０５とを接続するワイヤＷの長さよりも十分に短い。このため、第１駆動パッド電極３１ＡＡと電源電極７１との間の導電経路の長さに起因するインダクタンスと、第２駆動パッド電極３１ＢＢとグランド電極７２との間の導電経路の長さに起因するインダクタンスとの双方を一層低減できる。
　（効果）
　本実施形態の半導体装置１０によれば、以下の効果が得られる。
　（１）半導体装置１０は、第１スイッチング素子３０Ａと、第２スイッチング素子３０Ｂと、ドライバ４０と、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂおよびドライバ４０を封止する樹脂層５０と、樹脂層５０の樹脂主面５１に形成されており、少なくとも一部が各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂと重なる外装電極７０としての電源電極７１およびグランド電極７２と、樹脂層５０をｚ方向に貫通して各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂと外装電極７０とを電気的に接続するビア導体６０としての電源用ビア導体６１およびグランド用ビア導体６２と、を備えている。
　この構成によれば、樹脂層５０をｚ方向に貫通する電源用ビア導体６１およびグランド用ビア導体６２によって各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂと外装電極７０としての電源電極７１およびグランド電極７２とが接続されるため、ワイヤボンディングによって形成されたワイヤＷによって各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂと外装電極としての電源用配線１０４およびグランド用配線１０５とが接続される構成と比較して、第１スイッチング素子３０Ａと電源電極７１との間の導電経路の長さと、第２スイッチング素子３０Ｂとグランド電極７２との間の導電経路の長さとの双方を短くすることができる。したがって、これら導電経路の長さに起因するインダクタンスを低減できる。
　加えて、ｚ方向から視て、電源電極７１の少なくとも一部が第１スイッチング素子３０Ａと重なる位置に配置されており、グランド電極７２の少なくとも一部が第２スイッチング素子３０Ｂと重なる位置に配置されているため、ｚ方向と直交する方向における半導体装置１０のサイズを小さくすることができる。
　（２）たとえば外装電極７０が支持層２０の支持裏面２２に形成される場合、ビア導体は各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの各素子主面３１Ａ，３１Ｂからｚ方向に延びた後、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂとｚ方向に重ならない位置まで延び、そして支持裏面２２まで樹脂層５０および支持層２０をｚ方向に貫通するように設けられる。このように、ビア導体は各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの各素子主面３１Ａ，３１Ｂからｚ方向の一方側に延びた後、ｚ方向の他方側に向けて延びる構成であるため、ビア導体の長さが長くなる。したがって、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂと外装電極７０との間の導電経路が長くなる。
　この点、本実施形態では、半導体装置１０は、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂおよびドライバ４０を支持する支持層２０を備えている。樹脂層５０は支持層２０上に形成されている。外装電極７０は、ｚ方向において樹脂層５０のうち支持層２０とは反対側の表面（樹脂主面５１）に形成されている。これにより、ビア導体６０は各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの各素子主面３１Ａ，３１Ｂから樹脂主面５１に向けてｚ方向の一方側に向けて延びる構成となるため、ビア導体６０の長さが短くなる。したがって、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂと外装電極７０との間の導電経路が短くなる。
　（３）電源用ビア導体６１は、ｚ方向に延びており、ｚ方向から視て、電源電極７１および第１スイッチング素子３０Ａの双方と重なる位置に配置されている。グランド用ビア導体６２は、ｚ方向に延びており、ｚ方向から視て、グランド電極７２および第２スイッチング素子３０Ｂの双方と重なる位置に配置されている。
　この構成によれば、ｚ方向に沿って延びる電源用ビア導体６１によって電源電極７１と第１スイッチング素子３０Ａの第１駆動パッド電極３１ＡＡとを接続できるため、電源用ビア導体６１がたとえばクランク状の場合と比較して、電源電極７１と第１駆動パッド電極３１ＡＡとの間の導電経路の長さを短くすることができる。またｚ方向に沿って延びるグランド用ビア導体６２によってグランド電極７２と第２スイッチング素子３０Ｂの第２駆動パッド電極３１ＢＢとを接続できるため、グランド用ビア導体６２がたとえばクランク状の場合と比較して、グランド電極７２と第２駆動パッド電極３１ＢＢとの間の導電経路の長さを短くすることができる。したがって、これら導電経路の長さに起因するインダクタンスを低減できる。
　（４）半導体装置１０は、外装電極７０としての出力電極７３と、出力電極７３と各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂとを電気的に接続する出力用ビア導体６３と、を備えている。出力電極７３は、ｚ方向から視て、第１スイッチング素子３０Ａと第２スイッチング素子３０Ｂとのｘ方向の間に配置されている。
　この構成によれば、第１スイッチング素子３０Ａと出力電極７３との間の導電経路および第２スイッチング素子３０Ｂと出力電極７３との間の導電経路の双方を短くできる。したがって、これら導電経路に起因するインダクタンスを低減できる。
　（５）出力用ビア導体６３として第１出力用ビア導体６３Ｐおよび第２出力用ビア導体６３Ｑの双方は、クランク状である。この構成によれば、簡単な構成によって第１スイッチング素子３０Ａと出力電極７３とを接続でき、第２スイッチング素子３０Ｂと出力電極７３とを接続できる。
　（８）第１出力用ビア導体６３Ｐおよび第２出力用ビア導体６３Ｑは、ｘ方向において互いに離間して配置されている。この構成によれば、第１出力用ビア導体６３Ｐと第２出力用ビア導体６３Ｑとは直接的に電気的に接続されておらず、出力電極７３を介して間接的に電気的に接続されている。このため、第１スイッチング素子３０Ａの第２駆動パッド電極３１ＡＢから第２スイッチング素子３０Ｂの第１駆動パッド電極３１ＢＡに直接的に電流が流れることを回避できる。
　（７）樹脂層５０は、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂを封止する素子封止層５０Ａと、素子封止層５０Ａ上に形成された表面側樹脂層５０Ｂと、を有している。第１出力用ビア導体６３Ｐは、第１スイッチング素子３０Ａに電気的に接続された第１素子接続用ビア６３ｐａと、出力電極７３に接続された第１電極接続用ビア６３ｐｂと、第１素子接続用ビア６３ｐａと第１電極接続用ビア６３ｐｂとを接続するビア接続用配線６３ｐｃと、を有している。第２出力用ビア導体６３Ｑは、第２スイッチング素子３０Ｂに電気的に接続された第２素子接続用ビア６３ｑａと、出力電極７３に接続された第２電極接続用ビア６３ｑｂと、第２素子接続用ビア６３ｑａと第２電極接続用ビア６３ｑｂとを接続する第２ビア接続用配線６３ｑｃと、を有している。各素子接続用ビア６３ｐａ，６３ｑａは、素子封止層５０Ａをｚ方向に貫通している。各電極接続用ビア６３ｐｂ，６３ｑｂは、表面側樹脂層５０Ｂをｚ方向に貫通している。各ビア接続用配線６３ｐｃ，６３ｑｃは、素子封止層５０Ａ上に設けられている。この構成によれば、クランク状の各出力用ビア導体６３Ｐ，６３Ｑを簡単に形成できる。
　（８）半導体装置１０は、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂとドライバ４０とを電気的に接続する素子制御用ビア導体６４を備えている。素子制御用ビア導体６４は、樹脂層５０に埋め込まれている。
　この構成によれば、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂとドライバ４０とをワイヤＷによって接続する場合と比較して、第１スイッチング素子３０Ａとドライバ４０との間の導電経路と、第２スイッチング素子３０Ｂとドライバ４０との間の導電経路との双方を短くすることができる。したがって、これら導電経路の長さに起因するインダクタンスを低減できる。
　（９）第１制御用ビア導体６４Ｐは、ドライバ４０に電気的に接続された第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂと、第１スイッチング素子３０Ａの制御パッド電極３１ＡＣに接続された第１素子側制御ビア６４ｐａと、第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂと第１素子側制御ビア６４ｐａとを接続する第１制御用接続配線６４ｐｃと、を有している。第２制御用ビア導体６４Ｑは、ドライバ４０に電気的に接続された第２ドライバ側制御ビア６４ｑｂと、第２スイッチング素子３０Ｂの制御パッド電極３１ＢＣに接続された第２素子側制御ビア６４ｑａと、第２ドライバ側制御ビア６４ｑｂと第２素子側制御ビア６４ｑａとを接続する第２制御用接続配線６４ｑｃと、を有している。各ドライバ側制御ビア６４ｐｂ，６４ｑｂのそれぞれは、素子封止層５０Ａのうちドライバ４０のうちドライバ主面４１を覆う部分をｚ方向に貫通している。各素子側制御ビア６４ｐａ，６４ｑａのそれぞれは、素子封止層５０Ａのうち各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの制御パッド電極３１ＡＣ，３１ＢＣを覆う部分をｚ方向に貫通している。各制御用接続配線６４ｐｃ，６４ｑｃのそれぞれは、素子封止層５０Ａ上に設けられている。この構成によれば、各制御用ビア導体６４Ｐ，６４Ｑを簡単に形成できる。
　（１０）半導体装置１０は、ドライバ接続電極７４とドライバ４０とを電気的に接続するドライバ用ビア導体６５を備えている。ドライバ用ビア導体６５は、樹脂層５０に設けられている。この構成によれば、ドライバ接続電極７４とドライバ４０とをワイヤＷによって接続される場合と比較して、ドライバ接続電極７４とドライバ４０との間の導電経路を短くできる。
　（１１）ドライバ用ビア導体６５は、クランク状である。この構成によれば、簡単な構成によって、ドライバ４０のドライバパッド電極４３とドライバ接続電極７４とを接続できる。
　（１２）第１出力用ビア導体６３Ｐの第１素子接続用ビア６３ｐａは、素子封止層５０Ａと表面側樹脂層５０Ｂとの界面５７と、第１スイッチング素子３０Ａの第２駆動パッド電極３１ＡＢとを繋ぐように設けられている。第２出力用ビア導体６３Ｑの第２素子接続用ビア６３ｑａは、界面５７と、第２スイッチング素子３０Ｂの第１駆動パッド電極３１ＢＡとを繋ぐように設けられている。
　この構成によれば、半導体装置１０の製造方法において、素子封止層５０Ａのうち各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの各素子主面３１Ａ，３１Ｂを覆う部分の厚さを薄くしている。そしてその部分を貫通するように各素子接続用ビア６３ｐａ，６３ｑａが設けられているため、各素子接続用ビア６３ｐａ，６３ｑａの長さを短くすることができる。
　（１３）第１制御用ビア導体６４Ｐの第１素子側制御ビア６４ｐａは、素子封止層５０Ａと表面側樹脂層５０Ｂとの界面５７と、第１スイッチング素子３０Ａの制御パッド電極３１ＡＣとを繋ぐように設けられている。第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂは、界面５７と、ドライバ４０のドライバパッド電極４３とを繋ぐように設けられている。また、第２制御用ビア導体６４Ｑの第２素子側制御ビア６４ｑａは、界面５７と、第２スイッチング素子３０Ｂの制御パッド電極３１ＢＣとを繋ぐように設けられている。第２ドライバ側制御ビア６４ｑｂは、界面５７と、ドライバ４０のドライバパッド電極４３とを繋ぐように設けられている。
　この構成によれば、半導体装置１０の製造方法において、素子封止層５０Ａのうち各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの各素子主面３１Ａ，３１Ｂを覆う部分およびドライバ４０のドライバ主面４１を覆う部分の厚さを薄くしている。そしてそれら部分を貫通するように各素子側制御ビア６４ｐａ，６４ｑａおよび各ドライバ側制御ビア６４ｐｂ，６４ｑｂが設けられているため、各素子側制御ビア６４ｐａ，６４ｑａおよび各ドライバ側制御ビア６４ｐｂ，６４ｑｂのそれぞれの長さを短くすることができる。
　（１４）ドライバ用ビア導体６５のドライバ接続用ビア６５ａは、素子封止層５０Ａと表面側樹脂層５０Ｂとの界面５７と、ドライバ４０のドライバパッド電極４３とを繋ぐように設けられている。この構成によれば、半導体装置１０の製造方法において、素子封止層５０Ａのうちドライバ４０のドライバ主面４１を覆う部分の厚さを薄くしている。そしてその部分を貫通するようにドライバ接続用ビア６５ａが設けられているため、ドライバ接続用ビア６５ａの長さを短くできる。
　（１５）電源用ビア導体６１は、複数設けられている。この構成によれば、第１スイッチング素子３０Ａの第１駆動パッド電極３１ＡＡと電源電極７１との間の導電経路のインダクタンスを低減できる。
　（１６）グランド用ビア導体６２は、複数設けられている。この構成によれば、第２スイッチング素子３０Ｂの第２駆動パッド電極３１ＢＢとグランド電極７２との間の導電経路のインダクタンスを低減できる。
　（１７）各出力用ビア導体６３Ｐ，６３Ｑの各素子接続用ビア６３ｐａ，６３ｑａは、複数設けられている。この構成によれば、第１スイッチング素子３０Ａの第２駆動パッド電極３１ＡＢと第１ビア接続用配線６３ｐｃとの間の導電経路のインダクタンスと、第２スイッチング素子３０Ｂの第１駆動パッド電極３１ＢＡと第２ビア接続用配線６３ｑｃとの間の導電経路のインダクタンスとの双方を低減できる。
　（１８）各出力用ビア導体６３Ｐ，６３Ｑの各電極接続用ビア６３ｐｂ，６３ｑｂは、複数設けられている。この構成によれば、第１ビア接続用配線６３ｐｃと出力電極７３との間の導電経路のインダクタンスと、第２ビア接続用配線６３ｑｃと出力電極７３との間の導電経路のインダクタンスとの双方を低減できる。
　（１９）各ビア接続用配線６３ｐｃ，６３ｑｃ、各制御用接続配線６４ｐｃ，６４ｑｃおよびビア接続用配線６５ｃのそれぞれは、素子封止層５０Ａ上に配置されている。この構成によれば、これら配線６３ｐｃ，６３ｑｃ，６４ｐｃ，６４ｑｃ，６５ｃを同一の工程で形成できる。したがって、半導体装置１０の製造工程を簡略化できる。
　（２０）半導体装置１０の製造方法は、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂを封止する素子封止層８５０Ａを形成する工程と、素子封止層８５０Ａ上に表面側樹脂層８５０Ｂを形成する工程と、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂが露出するように素子封止層８５０Ａおよび表面側樹脂層８５０Ｂに貫通孔５８ａ，５８ｂを形成する工程と、貫通孔５８ａに電源用ビア導体６１を埋め込み、貫通孔５８ｂにグランド用ビア導体６２を埋め込む工程と、表面側樹脂層８５０Ｂ上に電源電極７１およびグランド電極７２を形成する工程と、を備えている。この構成によれば、上記（１）の効果と同様の効果が得られる。
　（２１）半導体装置１０の製造方法は、素子封止層８５０Ａをｚ方向において除去する研削工程を備えている。この構成によれば、素子封止層８５０Ａのうち各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの各素子主面３１Ａ，３１Ｂをｚ方向に覆う部分の厚さを、研削工程を備えていない場合の素子封止層８５０Ａのうち各素子主面３１Ａ，３１Ｂをｚ方向に覆う部分の厚さよりも薄くすることができる。また素子封止層８５０Ａのうちドライバ４０のドライバ主面４１をｚ方向に覆う部分の厚さを、研削工程を備えていない場合の素子封止層８５０Ａのうちドライバ主面４１をｚ方向に覆う部分の厚さよりも薄くすることができる。そして、各素子接続用ビア６３ｐａ，６３ｑａおよび各素子側制御ビア６４ｐａ，６４ｑａは、素子封止層８５０Ａにおける各素子主面３１Ａ，３１Ｂをｚ方向に覆う部分をｚ方向に貫通し、各ドライバ側制御ビア６４ｐｂ，６４ｑｂおよびドライバ接続用ビア６５ａは、素子封止層８５０Ａにおけるドライバ主面４１をｚ方向に覆う部分をｚ方向に貫通している。これにより、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂと各ビア接続用配線６３ｐｃ，６３ｑｃおよび各制御用接続配線６４ｐｃ，６４ｑｃとのｚ方向の間の距離と、ドライバ４０と各制御用接続配線６４ｐｃ，６４ｑｃおよびビア接続用配線６５ｃとのｚ方向の間の距離とを短くすることができる。したがって、第１スイッチング素子３０Ａの第２駆動パッド電極３１ＡＢと第１ビア接続用配線６３ｐｃとの間の導電経路、第２スイッチング素子３０Ｂの第１駆動パッド電極３１ＢＡと第２ビア接続用配線６３ｑｃとの間の導電経路、第１スイッチング素子３０Ａの制御パッド電極３１ＡＣと第１制御用接続配線６４ｐｃとの間の導電経路、第２スイッチング素子３０Ｂの制御パッド電極３１ＢＣと第２制御用接続配線６４ｑｃとの間の導電経路、および、ドライバ４０のドライバパッド電極４３とビア接続用配線６５ｃとの間の導電経路のそれぞれを短くすることができる。
　（変更例）
　上記実施形態は本開示に関する半導体装置が取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関する半導体装置は、上記実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、上記実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、または上記実施形態に新たな構成を付加した形態である。また、以下の各変更例は、技術的に矛盾しない限り、互いに組み合わせることができる。以下の各変更例において、上記実施形態に共通する部分については、上記実施形態と同一符号を付してその説明を省略する。
　・上記実施形態では、半導体装置１０はスイッチング素子３０として第１スイッチング素子３０Ａおよび第２スイッチング素子３０Ｂの２つのスイッチング素子を有していたが、これに限られない。たとえば、図２７～図３０に示すように、半導体装置１０は、１つのスイッチング素子３０を備えていてもよい。図２７では、説明の便宜上、樹脂層５０を省略して示している。また図２８では、説明の便宜上、表面側樹脂層５０Ｂを省略して示している。図２７～図３０に示す変更例の半導体装置１０においては、ドライバ４０が特定素子に相当する。
　図２７に示すように、スイッチング素子の数が減った分、図２７～図３０に示す変更例の半導体装置１０は、上記実施形態の半導体装置１０と比較して、ｘ方向のサイズが小さい。
　スイッチング素子３０は、支持層２０の支持主面２１においてｘ方向の中央かつｙ方向において支持側面２３よりも支持側面２４の近くに配置されている。スイッチング素子３０は、たとえば上記実施形態と同様に、ＧａＮＨＥＭＴを有している。ｚ方向から視たスイッチング素子３０の形状は、長辺方向および短辺方向を有する矩形状である。図示された例においては、スイッチング素子３０は、長辺方向がｙ方向に沿い、短辺方向がｘ方向に沿うように支持主面２１上に配置されている。
　スイッチング素子３０の素子主面３１には、第１駆動パッド電極３３Ａ、第２駆動パッド電極３３Ｂおよび制御パッド電極３３Ｃが形成されている。図示された例においては、第１駆動パッド電極３３Ａはドレイン電極を構成し、第２駆動パッド電極３３Ｂはソース電極を構成し、制御パッド電極３３Ｃはゲート電極を構成している。これら電極３３Ａ～３３Ｃの配置構成は、上記実施形態の第１スイッチング素子３０Ａの第１駆動パッド電極３１ＡＡ、第２駆動パッド電極３１ＡＢおよび制御パッド電極３１ＡＣの配置構成と同じである。
　ドライバ４０は、支持主面２１に搭載されている。つまり、ドライバ４０は、スイッチング素子３０と同一平面上に配置されている。ドライバ４０は、支持主面２１においてｘ方向の中央かつｙ方向においてスイッチング素子３０よりも支持側面２３の近くに配置されている。
　図２９に示すように、素子封止層５０Ａの樹脂主面５１には、外装電極７０としての電源電極７１、グランド電極７２および複数のドライバ接続電極７４が形成されている。図示された例の外装電極７０のめっき層の構成は、上記実施形態の外装電極７０のめっき層の構成と同じである。また、図示された例の外装電極７０は、上記実施形態の出力電極７３を有していない。
　図２９に示すとおり、電源電極７１およびグランド電極７２は、ｙ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離間して配列されている。ｚ方向から視て、電源電極７１およびグランド電極７２は、スイッチング素子３０と重なる位置に配置されている。ｚ方向から視て、電源電極７１は、スイッチング素子３０に対してｘ方向にはみ出したはみ出し部を有している。ｚ方向から視て、電源電極７１のはみ出し部は、スイッチング素子３０から装置側面１５に向けて延びている。グランド電極７２は、スイッチング素子３０に対してｘ方向にはみだしたはみ出し部を有している。ｚ方向から視て、グランド電極７２のはみ出し部は、スイッチング素子３０から装置側面１６に向けて延びている。
　電源用ビア導体６１は、上記実施形態と同様に、ｚ方向から視て、電源電極７１とスイッチング素子３０の第１駆動パッド電極３３Ａとの双方に重なる位置に配置されており、電源電極７１と第１駆動パッド電極３３Ａとを接続している。
　図３０に示すように、電源用ビア導体６１は、ｚ方向に沿って延びている。より詳細には、電源用ビア導体６１は、上記実施形態と同様に、表面側樹脂層５０Ｂと、素子封止層５０Ａのうちスイッチング素子３０の素子主面３１を覆う部分とをｚ方向に貫通している。
　図２９に示すように、グランド用ビア導体６２は、上記実施形態と同様に、ｚ方向から視て、グランド電極７２とスイッチング素子３０の第２駆動パッド電極３３Ｂとの双方に重なる位置に配置されており、グランド電極７２と第２駆動パッド電極３３Ｂとを接続している。
　図３０に示すように、グランド用ビア導体６２は、ｚ方向に沿って延びている。より詳細には、グランド用ビア導体６２は、上記実施形態と同様に、表面側樹脂層５０Ｂと、素子封止層５０Ａのうちスイッチング素子３０の素子主面３１を覆う部分とをｚ方向に貫通している。
　図２８に示すように、半導体装置１０は、素子制御用ビア導体６４を備えている。素子制御用ビア導体６４は、スイッチング素子３０の制御パッド電極３３Ｃとドライバ４０のドライバパッド電極４３とを接続している。素子制御用ビア導体６４は、素子側制御ビア６４ａと、ドライバ側制御ビア６４ｂと、制御用接続配線６４ｃと、を有している。
　素子側制御ビア６４ａは、ｚ方向から視て、制御パッド電極３３Ｃと重なる位置に配置されており、素子封止層５０Ａのうちスイッチング素子３０の素子主面３１を覆う部分をｚ方向に貫通している。
　ドライバ側制御ビア６４ｂは、ｚ方向から視て、ドライバ４０のドライバパッド電極４３と重なる位置に配置されており、素子封止層５０Ａのうちドライバ４０のドライバ主面４１を覆う部分をｚ方向に貫通している。ドライバ側制御ビア６４ｂに接続されたドライバパッド電極４３は、ドライバ主面４１のｙ方向の両端部のうちスイッチング素子３０に近い方の端部、かつｙ方向において制御パッド電極３３Ｃと対向する位置に配置されている。
　制御用接続配線６４ｃは、素子側制御ビア６４ａとドライバ側制御ビア６４ｂとを接続する配線であり、素子封止層５０Ａ上に形成されている。ｚ方向から視て、制御用接続配線６４ｃは、帯状であり、ｙ方向に沿って延びている。制御用接続配線６４ｃのｙ方向の両端部のうちスイッチング素子３０に近い方の端部は、ｚ方向から視て、素子側制御ビア６４ａと重なるように設けられている。制御用接続配線６４ｃのｙ方向の両端部のうちドライバ４０に近い方の端部は、ｚ方向から視て、ドライバ側制御ビア６４ｂと重なるように設けられている。このため、素子側制御ビア６４ａは、ｚ方向から視て、制御パッド電極３３Ｃと制御用接続配線６４ｃとの双方と重なる位置に配置されているともいえる。ドライバ側制御ビア６４ｂは、ｚ方向から視て、ドライバパッド電極４３と制御用接続配線６４ｃとの双方と重なる位置に配置されているともいえる。
　図２８に示すように、ドライバ４０のドライバパッド電極４３とドライバ接続電極７４とを接続するドライバ用ビア導体６５の構成は、上記実施形態のドライバ用ビア導体６５の構成と同じである。ただし、図示された例においては、ドライバパッド電極４３とドライバ接続電極７４との位置関係が上記実施形態のドライバパッド電極４３とドライバ接続電極７４との位置関係とは異なるため、ｚ方向から視た、ビア接続用配線６５ｃの形状が上記実施形態のビア接続用配線６５ｃの形状とは異なる。
　図２７～図３０に示す変更例の半導体装置１０の製造方法は、上記実施形態の製造方法と概ね同様である。具体的には、変更例の半導体装置１０の製造方法は、支持層形成工程と、素子実装工程と、素子封止層形成工程と、第１ビア導体形成工程と、表面側樹脂層形成工程と、第２ビア導体形成工程と、外装電極形成工程と、切断工程と、を主に備えている。なお、支持層形成工程は、上記実施形態の支持層形成工程と同じである。
　素子実装工程は、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂに代えてスイッチング素子３０を基材８２０上に実装する点が異なる。スイッチング素子３０の実装方法は、上記実施形態の素子実装工程と同じである。素子封止層形成工程は、上記実施形態の素子封止層形成工程と同じである。
　第１ビア導体形成工程では、素子側制御ビア６４ａ、ドライバ側制御ビア６４ｂ、制御用接続配線６４ｃ、複数のドライバ接続用ビア６５ａ、および複数のビア接続用配線６５ｃを形成する。換言すると、第１ビア導体形成工程では、各素子接続用ビア６３ｐａ，６３ｑａ、各ビア接続用配線６３ｐｃ，６３ｑｃ、各素子側制御ビア６４ｐａ，６４ｑａ、各ドライバ側制御ビア６４ｐｂ，６４ｑｂおよび各制御用接続配線６４ｐｃ，６４ｑｃを形成しない。素子側制御ビア６４ａの形成方法は、たとえば上記実施形態の第１素子側制御ビア６４ｐａの形成方法と同じである。ドライバ側制御ビア６４ｂの形成方法は、たとえば上記実施形態の第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂの形成方法と同じである。制御用接続配線６４ｃの形成方法は、たとえば上記実施形態の第１制御用接続配線６４ｐｃの形成方法と同じである。複数のドライバ接続用ビア６５ａの形成方法は、上記実施形態のドライバ接続用ビア６５ａの形成方法と同じである。複数のビア接続用配線６５ｃの形成方法は、上記実施形態のビア接続用配線６５ｃの形成方法と同じである。また、表面側樹脂層形成工程は、上記実施形態の表面側樹脂層形成工程と同じである。
　第２ビア導体形成工程では、電源用ビア導体６１、グランド用ビア導体６２および複数のドライバ電極接続用ビア６５ｂを形成する。換言すると、第２ビア導体形成工程では、各電極接続用ビア６３ｐｂ，６３ｑｂを形成しない。電源用ビア導体６１、グランド用ビア導体６２および複数のドライバ電極接続用ビア６５ｂの形成方法は、上記実施形態の電源用ビア導体６１、グランド用ビア導体６２および複数のドライバ電極接続用ビア６５ｂの形成方法と同じである。
　外装電極形成工程は、出力電極７３を形成しない点が上記実施形態の外装電極形成工程と異なる。電源電極７１、グランド電極７２および複数のドライバ接続電極７４の形成方法は、上記実施形態と同じである。切断工程は、上記実施形態の切断工程と同じである。
　・上記実施形態において、ドライバ４０を省略してもよい。一例では、図３１～図３４に示すように、半導体装置１０は、第１スイッチング素子３０Ａおよび第２スイッチング素子３０Ｂを備えている。第１スイッチング素子３０Ａおよび第２スイッチング素子３０Ｂの配置関係は、上記実施形態と同様である。図３１では、説明の便宜上、樹脂層５０を省略して示している。図３２では、説明の便宜上、表面側樹脂層５０Ｂを省略して示している。図３１～図３４に示す変更例の半導体装置１０においては、第２スイッチング素子３０Ｂが特定素子に相当する。
　図３１に示すように、ドライバ４０が省略されることにともない、各制御用ビア導体６４Ｐ，６４Ｑおよび複数のドライバ用ビア導体６５が省略されている。また、ドライバ４０、各制御用ビア導体６４Ｐ，６４Ｑおよび複数のドライバ用ビア導体６５が省略された分、図３１～図３４に示す変更例の半導体装置１０は、上記実施形態の半導体装置１０と比較して、ｙ方向のサイズが小さい。
　図３２および図３３に示すように、電源用ビア導体６１、グランド用ビア導体６２および出力用ビア導体６３は上記実施形態と同じである。一方、第１制御用ビア導体６４Ｐおよび第２制御用ビア導体６４Ｑの構成が上記実施形態とは異なる。
　図３３および図３４に示すように、外装電極７０は、樹脂層５０の樹脂主面５１に形成されており、電源電極７１、グランド電極７２、出力電極７３、第１制御電極７５および第２制御電極７６を有している。樹脂主面５１における電源電極７１、グランド電極７２および出力電極７３の配置位置は、上記実施形態と同じである。
　第１制御電極７５は、ｚ方向から視て、第１スイッチング素子３０Ａの制御パッド電極３１ＡＣと重なる位置に配置されている。第２制御電極７６は、ｚ方向から視て、第２スイッチング素子３０Ｂの制御パッド電極３１ＢＣと重なる位置に配置されている。各制御電極７５，７６は、ｙ方向において樹脂主面５１のうち電源電極７１、グランド電極７２および出力電極７３よりも樹脂側面５３の近くに配置されている。各制御電極７５，７６は、ｙ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離間して配列されている。各制御電極７５，７６は、電源電極７１等と同様に、Ｃｕ層と、Ｃｕ層を覆うめっき層とを含む。Ｃｕ層は、樹脂主面５１に形成されたシード層と、シード層上に形成されためっき層と、を含む。シード層はたとえばＣｕやＴｉからなる。めっき層はＣｕからなる。Ｃｕ層を覆うめっき層は、ＮｉとＰｄとＡｕとの積層体からなる。各制御電極７５，７６は、半導体装置１０の外部に設けられたドライバと電気的に接続するための端子である。ここで、ドライバは、上記実施形態のドライバ４０と同様に、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂを制御する回路である。
　図３３および図３４に示すように、第１制御用ビア導体６４Ｐは、第１スイッチング素子３０Ａの制御パッド電極３１ＡＣと第１制御電極７５とを接続する導体である。第１制御用ビア導体６４Ｐは、ｚ方向から視て、制御パッド電極３１ＡＣと第１制御電極７５との双方と重なる位置に配置されている。
　図３４に示すように、第１制御用ビア導体６４Ｐは、表面側樹脂層５０Ｂと、素子封止層５０Ａのうち第１スイッチング素子３０Ａの第１素子主面３１Ａを覆う部分とをｚ方向に貫通するように設けられている。第１制御用ビア導体６４Ｐは、ｚ方向に沿って延びている。第１制御用ビア導体６４Ｐのｚ方向の長さは、電源用ビア導体６１のｚ方向の長さと等しい。ここで、第１制御用ビア導体６４Ｐのｚ方向の長さと電源用ビア導体６１のｚ方向の長さとの差が、たとえば第１制御用ビア導体６４Ｐのｚ方向の長さの１０％以下であれば、第１制御用ビア導体６４Ｐのｚ方向の長さが電源用ビア導体６１のｚ方向の長さと等しいといえる。
　図３３および図３４に示すように、第２制御用ビア導体６４Ｑは、第２スイッチング素子３０Ｂの制御パッド電極３１ＢＣと第２制御電極７６とを接続する導体である。第２制御用ビア導体６４Ｑは、ｚ方向から視て、制御パッド電極３１ＢＣと第２制御電極７６との双方と重なる位置に配置されている。
　図３４に示すように、第２制御用ビア導体６４Ｑは、表面側樹脂層５０Ｂと、素子封止層５０Ａのうち第２スイッチング素子３０Ｂの第２素子主面３１Ｂを覆う部分とをｚ方向に貫通するように設けられている。第２制御用ビア導体６４Ｑは、ｚ方向に沿って延びている。第２制御用ビア導体６４Ｑのｚ方向の長さは、グランド用ビア導体６２のｚ方向の長さと等しい。ここで、第２制御用ビア導体６４Ｑのｚ方向の長さとグランド用ビア導体６２のｚ方向の長さとの差が、たとえば第２制御用ビア導体６４Ｑのｚ方向の長さの１０％以下であれば、第２制御用ビア導体６４Ｑのｚ方向の長さがグランド用ビア導体６２のｚ方向の長さと等しいといえる。
　図３１～図３４に示す変更例の半導体装置１０の製造方法は、上記実施形態の製造方法と概ね同様である。具体的には、変更例の半導体装置１０の製造方法は、支持層形成工程と、素子実装工程と、素子封止層形成工程と、第１ビア導体形成工程と、表面側樹脂層形成工程と、第２ビア導体形成工程と、外装電極形成工程と、切断工程と、を主に備えている。なお、支持層形成工程は、上記実施形態の支持層形成工程と同じである。
　素子実装工程は、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂを基材８２０上に実装し、ドライバ４０を実装しない点が異なる。各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの方法は、上記実施形態の素子実装工程と同じである。素子封止層形成工程は、上記実施形態の素子封止層形成工程と同じである。
　第１ビア導体形成工程では、各素子側制御ビア６４ｐａ，６４ｑａおよび各制御用接続配線６４ｐｃ，６４ｑｃを形成する。換言すると、第１ビア導体形成工程では、各制御用ビア導体６４Ｐ，６４Ｑを形成しない。各素子側制御ビア６４ｐａ，６４ｑａの形成方法は、上記実施形態の各素子側制御ビア６４ｐａ，６４ｑａの形成方法と同じである。各制御用接続配線６４ｐｃ，６４ｑｃの形成方法は、上記実施形態の各制御用接続配線６４ｐｃ，６４ｑｃの形成方法と同じである。また、表面側樹脂層形成工程は、上記実施形態の表面側樹脂層形成工程と同じである。
　第２ビア導体形成工程では、電源用ビア導体６１、グランド用ビア導体６２、各電極接続用ビア６３ｐｂ，６３ｑｂ、第１制御用ビア導体６４Ｐおよび第２制御用ビア導体６４Ｑを形成する。換言すると、第２ビア導体形成工程では、ドライバ電極接続用ビア６５ｂを形成しない。電源用ビア導体６１、グランド用ビア導体６２および各電極接続用ビア６３ｐｂ，６３ｑｂの形成方法は、上記実施形態の電源用ビア導体６１、グランド用ビア導体６２および各電極接続用ビア６３ｐｂ，６３ｑｂの形成方法と同じである。第１制御用ビア導体６４Ｐおよび第２制御用ビア導体６４Ｑの形成方法は、貫通孔形成工程と、ビア形成工程と、を含む。
　貫通孔形成工程では、レーザ加工等の穴明け加工によって、貫通孔５８ｍ，５８ｎを形成する。貫通孔５８ｍは、ｚ方向から視て、第１スイッチング素子３０Ａの制御パッド電極３１ＡＣと重なる位置に設けられている。貫通孔５８ｍは、表面側樹脂層５０Ｂおよび素子封止層５０Ａのうち第１スイッチング素子３０Ａの第１素子主面３１Ａを覆う部分をｚ方向において貫通している。このため、貫通孔５８ｍを介して、制御パッド電極３１ＡＣが樹脂層５０からｚ方向において露出している。貫通孔５８ｎは、ｚ方向から視て、第２スイッチング素子３０Ｂの制御パッド電極３１ＢＣと重なる位置に設けられている。貫通孔５８ｎは、表面側樹脂層５０Ｂおよび素子封止層５０Ａのうち第２スイッチング素子３０Ｂの第２素子主面３１Ｂを覆う部分をｚ方向において貫通している。このため、貫通孔５８ｎを介して、制御パッド電極３１ＢＣが樹脂層５０からｚ方向において露出している。
　ビア形成工程では、貫通孔５８ｍ，５８ｎにそれぞれ金属製のビアを埋め込むことによって、第１制御用ビア導体６４Ｐおよび第２制御用ビア導体６４Ｑを形成する。各制御用ビア導体６４Ｐ，６４Ｑにおけるビア形成工程は、たとえば電源用ビア導体６１を形成する場合のビア形成工程と同じである。
　外装電極形成工程は、各制御電極７５，７６を形成する点および複数のドライバ接続電極７４を形成しない点が上記実施形態の外装電極形成工程と異なる。電源電極７１、グランド電極７２および出力電極７３の形成方法は、上記実施形態と同じである。第１制御電極７５は、第１制御用ビア導体６４Ｐをｚ方向から覆うように形成される。第２制御電極７６は、第２制御用ビア導体６４Ｑをｚ方向から覆うように形成される。各制御電極７５，７６の形成方法は、電源電極７１等の形成方法と同様であり、無電解めっき法によって形成される。切断工程は、上記実施形態の切断工程と同じである。
　・上記実施形態において、支持層２０に金属製の金属層８１～８３を設けてもよい。一例では、図３５に示すように、金属層８１は、第１スイッチング素子３０Ａを支持している。換言すると、第１スイッチング素子３０Ａは、金属層８１に搭載されている。第１スイッチング素子３０Ａは、接合材ＳＤによって金属層８１に接合されている。金属層８２は、第２スイッチング素子３０Ｂを支持している。換言すると、第２スイッチング素子３０Ｂは、金属層８２に搭載されている。第２スイッチング素子３０Ｂは、接合材ＳＤによって金属層８２に接合されている。金属層８３は、ドライバ４０を支持している。換言すると、ドライバ４０は、金属層８３に搭載されている。ドライバ４０は、接合材ＳＤによって金属層８３に接合されている。各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂおよびドライバ４０の配置関係やサイズは、上記実施形態と同様である。このため、金属層８１および金属層８２は、ｙ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離間して配列されている。金属層８３は、支持層２０のうちｙ方向において金属層８１，８２よりも支持側面２３の近くに配置されている。金属層８３は、支持層２０のｘ方向の中央に配置されている。図示された例においては、ｚ方向から視て、金属層８１は、第１スイッチング素子３０Ａの第１素子主面３１Ａよりも一回り大きいサイズとして形成されている。金属層８２は、第２スイッチング素子３０Ｂの第２素子主面３１Ｂよりも一回り大きいサイズとして形成されている。金属層８３は、ドライバ４０のドライバ主面４１よりも一回り大きいサイズとして形成されている。金属層８１～８３は、たとえばＮｉとＰｄとＡｕとの積層体を含む。
　図３６に示すように、金属層８１，８２は、支持層２０をｚ方向に貫通するように設けられている。なお、図示していないが、金属層８３は、金属層８１，８２と同様に支持層２０をｚ方向に貫通するように設けられている。支持層２０のうち金属層８１～８２以外の部分は、上記実施形態の支持層２０と同じ材料、つまり電気的絶縁材料からなる。電気的絶縁材料としては、エポキシ樹脂が用いられている。つまり、支持層２０は、金属層８１～８３を電気的に絶縁する絶縁層８５を有している。
　このように、支持層２０は、スイッチング素子の一例である第１スイッチング素子３０Ａが搭載される第１金属層である金属層８１と、特定素子の一例である第２スイッチング素子３０Ｂが搭載される第２金属層である金属層８２と、金属層８１と金属層８２とを電気的に絶縁する絶縁層８５と、を有している。なお、特定素子は、第２スイッチング素子３０Ｂに限られず、ドライバ４０であってもよい。この場合、第２金属層は、金属層８３となる。
　図３５および図３６に示す変更例の半導体装置１０によれば、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの熱が金属層８１，８２から半導体装置１０の外部に放出される。このため、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの放熱性能の向上を図ることができる。また、ドライバ４０の熱が金属層８３から半導体装置１０の外部に放出される。このため、ドライバ４０の放熱性能の向上を図ることができる。
　図３５および図３６に示す変更例の半導体装置１０の製造方法は、上記実施形態の製造方法と概ね同様である。具体的には、変更例の半導体装置１０の製造方法は、支持層形成工程と、素子実装工程と、素子封止層形成工程と、第１ビア導体形成工程と、表面側樹脂層形成工程と、第２ビア導体形成工程と、外装電極形成工程と、切断工程と、を主に備えている。変更例の半導体装置１０の製造方法は、外装電極形成工程が上記実施形態と異なる。
　具体的には、変更例の半導体装置１０の製造方法における外装電極形成工程は、基材加工工程とめっき層形成工程とを含む。基材加工工程では、基材８２０のうち各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂおよびドライバ４０のそれぞれに対応する部分に対して金属層８１～８３を形成するための貫通孔を形成する。貫通孔は、たとえばレーザ加工によって形成される。めっき層形成工程では、外装電極７０および金属層８１～８３を形成する。外装電極７０および金属層８１～８３のそれぞれは、たとえば無電解めっき法によって形成される。
　なお、金属層８１～８３の形成方法は、無電解めっき法に限られず、任意に変更可能である。一例では、金属層８１～８３は、予め形成された金属板が用いられてもよい。金属板の一例は、銅板またはアルミニウム板である。この場合、金属層８１～８３は、外装電極形成工程ではなく、支持層形成工程において形成される。具体的には、支持層形成工程において、まず、支持基板８００の基板主面８０１に金属層８１～８３を配置する。続いて、基板主面８０１上に基材８２０を形成する。
　・図３５および図３６に示す変更例の半導体装置１０において、第２スイッチング素子３０Ｂの第２駆動パッド電極３１ＢＢは、金属層８２と電気的に接続されていてもよい。一例では、図３７に示すように、金属層８２のうち第２スイッチング素子３０Ｂに対して支持側面２６に向けてはみ出すはみ出し部のｘ方向の長さが金属層８２のうち第２スイッチング素子３０Ｂに対して支持側面２５に向けてはみ出すはみ出し部のｘ方向の長さよりも長くなっている。半導体装置１０は、グランド電極７２と金属層８２とを接続する接続ビア導体８４を備えている。接続ビア導体８４は、ｚ方向から視て、グランド電極７２と金属層８２との双方と重なる位置、かつ第２スイッチング素子３０Ｂとは重ならない位置に設けられている。より詳細には、接続ビア導体８４は、ｘ方向において第２スイッチング素子３０Ｂに対して装置側面１６側に隣り合うように設けられている。接続ビア導体８４は、樹脂層５０を貫通するように設けられている。これにより、接続ビア導体８４は、グランド電極７２と金属層８２との双方と接している。
　この構成によれば、接続ビア導体８４によって金属層８２がグランド電極７２と電気的に接続されるため、金属層８２もグランドになる。したがって、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂへのノイズの影響を低減できる。
　・上記実施形態において、ドライバ４０は、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂに対して同一平面上に配置されていなくてもよい。一例では、図３８および図３９に示すように、ドライバ４０は、ｚ方向において各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂに対してずれた位置に配置されている。より詳細には、図３９に示すように、ドライバ４０は、素子封止層５０Ａ上に配置されている。図３８に示すように、ｚ方向から視て、ドライバ４０は、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂと重なる位置に配置されている。より詳細には、ドライバ４０は、ｚ方向から視て、ドライバ４０の所定のドライバパッド電極４３が第１スイッチング素子３０Ａの制御パッド電極３１ＡＣと重なる位置に配置され、別のドライバパッド電極４３が第２スイッチング素子３０Ｂの制御パッド電極３１ＢＣと重なる位置に配置されるように、素子封止層５０Ａ上に配置されている。図示された例においては、ドライバ４０は、ドライバ主面４１が装置裏面１２側を向き、ドライバ裏面４２が装置主面１１側を向くように配置されている。
　第１制御用ビア導体６４Ｐおよび第２制御用ビア導体６４Ｑの構成は、上記実施形態の各制御用ビア導体６４Ｐ，６４Ｑの構成と異なる。
　第１制御用ビア導体６４Ｐは、ｚ方向から視て、第１スイッチング素子３０Ａの制御パッド電極３１ＡＣとドライバ４０の所定のドライバパッド電極４３との双方と重なる位置に配置されている。第１制御用ビア導体６４Ｐは、第１素子側制御ビア６４ｐａおよび第１制御用接続配線６４ｐｃを有している。換言すると、第１制御用ビア導体６４Ｐは、第１ドライバ側制御ビア６４ｐｂを有していない。第１素子側制御ビア６４ｐａは、上記実施形態と同様に、素子封止層５０Ａのうち第１スイッチング素子３０Ａの第１素子主面３１Ａを覆う部分をｚ方向において貫通するように設けられている。第１制御用接続配線６４ｐｃは、第１素子側制御ビア６４ｐａのうち素子封止層５０Ａから露出した部分を覆うように設けられている。第１制御用接続配線６４ｐｃは、所定のドライバパッド電極４３と概ね同じサイズの矩形状に形成されている。このため、第１制御用ビア導体６４Ｐは、ｚ方向に沿って延びているといえる。所定のドライバパッド電極４３は、はんだまたはＡｇペーストからなる導電性接合材によって第１制御用接続配線６４ｐｃに接合されている。
　第２制御用ビア導体６４Ｑは、ｚ方向から視て、第２スイッチング素子３０Ｂの制御パッド電極３１ＢＣとドライバ４０の別のドライバパッド電極４３との双方と重なる位置に配置されている。第２制御用ビア導体６４Ｑは、図示していないが、第２素子側制御ビア６４ｑａおよび第２制御用接続配線６４ｑｃを有している。第２素子側制御ビア６４ｑａは、上記実施形態と同様に、素子封止層５０Ａのうち第２スイッチング素子３０Ｂの第２素子主面３１Ｂを覆う部分をｚ方向において貫通するように設けられている。第２制御用接続配線６４ｑｃは、第２素子側制御ビア６４ｑａのうち素子封止層５０Ａから露出した部分を覆うように設けられている。第２制御用接続配線６４ｑｃは、別のドライバパッド電極４３と概ね同じサイズの矩形状に形成されている。このため、第２制御用ビア導体６４Ｑは、ｚ方向に沿って延びているともいえる。別のドライバパッド電極４３は、はんだまたはＡｇペーストからなる導電性接合材によって第２制御用接続配線６４ｑｃに接合されている。
　図示していないが、ドライバ用ビア導体６５の構成は、上記実施形態のドライバ用ビア導体６５の構成と異なる。具体的には、変更例のドライバ用ビア導体６５は、ドライバ接続用ビア６５ａが省略されている。つまり、ドライバ４０は、ｚ方向においてビア接続用配線６５ｃよりも装置主面１１の近くに配置されており、ドライバパッド電極４３は、はんだまたはＡｇペーストからなる導電性接合材によってビア接続用配線６５ｃに接合されている。
　図３８および図３９に示す変更例の半導体装置１０によれば、各制御用ビア導体６４Ｐ，６４Ｑの長さが短くなるため、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの制御パッド電極３１ＡＣ，３１ＢＣとドライバ４０との間の導電経路が短くなりやすい。このため、この導電経路の長さに起因するインダクタンスを低減できる。
　・図３８および図３９に示す変更例の半導体装置１０では、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂが支持層２０の支持主面２１に搭載されており、ドライバ４０が素子封止層５０Ａ上に搭載されていたが、これに限られない。たとえば、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂが素子封止層５０Ａ上に搭載されており、ドライバ４０が支持主面２１上に搭載されていてもよい。この場合、ドライバ４０は、ドライバ主面４１が装置主面１１側を向き、ドライバ裏面４２が装置裏面１２側を向くように配置されている。また各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂは、各素子主面３１Ａ，３１Ｂが装置裏面１２側を向き、各素子裏面３２Ａ，３２Ｂが装置主面１１側を向くように配置されている。
　・上記実施形態において、樹脂層５０から表面側樹脂層５０Ｂを省略してもよい。一例では、図４０に示すように、各出力用ビア導体６３Ｐ，６３Ｑから各電極接続用ビア６３ｐｂ，６３ｑｂが省略されている。つまり、第１出力用ビア導体６３Ｐは第１素子接続用ビア６３ｐａおよび第１ビア接続用配線６３ｐｃを有し、第２出力用ビア導体６３Ｑは第２素子接続用ビア６３ｑａおよび第２ビア接続用配線６３ｑｃを有している。各ビア接続用配線６３ｐｃ，６３ｑｃは、樹脂層５０外に設けられている。出力電極７３は、各ビア接続用配線６３ｐｃ，６３ｑｃ上に形成されている。つまり、第１ビア接続用配線６３ｐｃは第１素子接続用ビア６３ｐａと出力電極７３とを接続する配線であり、第２ビア接続用配線６３ｑｃは第２素子接続用ビア６３ｑａと出力電極７３とを接続する配線である。ｘ方向において第１ビア接続用配線６３ｐｃと第２ビア接続用配線６３ｑｃとの間の部分に形成された出力電極７３は、素子封止層５０Ａ上に形成されている。
　図示していないが、電源用ビア導体６１は第１スイッチング素子３０Ａの第１素子主面３１Ａを覆う部分をｚ方向において貫通している。グランド用ビア導体６２は第２スイッチング素子３０Ｂの第２素子主面３１Ｂを覆う部分をｚ方向において貫通している。このため、電源用ビア導体６１およびグランド用ビア導体６２のｚ方向の長さは、上記実施形態の電源用ビア導体６１およびグランド用ビア導体６２のｚ方向の長さよりも短い。電源電極７１およびグランド電極７２のそれぞれは、素子封止層５０Ａ上に形成されている。電源電極７１は、電源用ビア導体６１のうち素子封止層５０Ａから露出する部分を覆うように形成されている。グランド電極７２は、グランド用ビア導体６２のうち素子封止層５０Ａから露出する部分を覆うように形成されている。
　この構成によれば、第１スイッチング素子３０Ａの第２駆動パッド電極３１ＡＢと出力電極７３との間の導電経路、第２スイッチング素子３０Ｂの第１駆動パッド電極３１ＢＡと出力電極７３との間の導電経路、第１スイッチング素子３０Ａの第１駆動パッド電極３１ＡＡと電源電極７１との間の導電経路、および第２スイッチング素子３０Ｂの第２駆動パッド電極３１ＢＢとグランド電極７２との間の導電経路のそれぞれを短くすることができる。また、ドライバ４０のドライバパッド電極４３とドライバ接続電極７４との間の導電経路を短くすることができる。したがって、これら導電経路の長さに起因するインダクタンスを低減できる。
　・上記実施形態では、電源用ビア導体６１およびグランド用ビア導体６２の双方のｚ方向の長さは、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂのｚ方向の長さ（各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの厚さ）よりも大きかったが、これに限られない。電源用ビア導体６１およびグランド用ビア導体６２の双方のｚ方向の長さは任意に変更可能である。一例では、電源用ビア導体６１およびグランド用ビア導体６２の双方のｚ方向の長さは、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂのｚ方向の長さ（各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの厚さ）と等しくてもよい。また、電源用ビア導体６１およびグランド用ビア導体６２の双方のｚ方向の長さは、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂのｚ方向の長さ（各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの厚さ）よりも小さくてもよい。この構成によれば、第１スイッチング素子３０Ａの第１駆動パッド電極３１ＡＡと電源電極７１との間の導電経路と、第２スイッチング素子３０Ｂの第２駆動パッド電極３１ＢＢとグランド電極７２との間の導電経路とをそれぞれ短くすることができる。したがって、これら導電経路の長さに起因するインダクタンスを低減できる。
　・上記実施形態において、支持層２０を省略してもよい。この場合、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの各素子裏面３２およびドライバ４０のドライバ裏面４２のそれぞれは、樹脂層５０の樹脂裏面５２と面一となる。換言すると、各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの各素子裏面３２およびドライバ４０のドライバ裏面４２のそれぞれは、樹脂層５０からｚ方向に露出している。
　・上記実施形態では、第１スイッチング素子３０Ａおよび第２スイッチング素子３０Ｂが同一の構成であったが、これに限られない。たとえば、第１スイッチング素子３０Ａおよび第２スイッチング素子３０Ｂが互いに異なる構成であってもよい。
　・上記実施形態において、電源電極７１、グランド電極７２および出力電極７３の配列態様は任意に変更可能である。一例では、電源電極７１が第１スイッチング素子３０Ａと第２スイッチング素子３０Ｂとのｘ方向の間に配置され、出力電極７３がｚ方向から視て第１スイッチング素子３０Ａと重なる位置に配置されてもよい。つまり、電源電極７１の配置位置と出力電極７３の配置位置とを入れ替えてもよい。
　・上記実施形態において、半導体装置１０の製造方法のうち素子封止層形成工程において、ｚ方向において素子封止層８５０Ａを削る研削工程を省略してもよい。
　・上記実施形態において、素子封止層５０Ａの厚さは任意に変更可能である。一例では、素子封止層５０Ａのうち各スイッチング素子３０Ａ，３０Ｂの各素子主面３１Ａ，３１Ｂを覆う部分の厚さは、表面側樹脂層５０Ｂの厚さと等しくてもよいし、表面側樹脂層５０Ｂの厚さよりも厚くてもよい。素子封止層５０Ａのうちドライバ４０のドライバ主面４１を覆う部分の厚さは、表面側樹脂層５０Ｂの厚さと等しくてもよいし、表面側樹脂層５０Ｂの厚さよりも厚くてもよい。
　（付記）
　上記実施形態および上記各変更例から把握できる技術的思想を以下に記載する。
　（付記Ａ１）
　スイッチング素子と、
　特定素子と、
　前記スイッチング素子および前記特定素子を封止する樹脂層と、を備え、前記樹脂層の厚さ方向を高さ方向とする半導体装置であって、
　前記樹脂層の表面に形成されており、前記高さ方向から視て、少なくとも一部が前記スイッチング素子と重なる外装電極と、
　前記樹脂層を前記高さ方向に貫通して前記スイッチング素子と前記外装電極とを電気的に接続する素子駆動用ビア導体と、を備えている、半導体装置。
　（付記Ａ２）
　前記樹脂層は、
　前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子を封止する素子封止層と、
　前記素子封止層上に形成された表面側樹脂層と、を有しており、
　前記表面側樹脂層の厚さは、前記素子封止層の厚さよりも薄い
　付記Ａ１に記載の半導体装置。
　（付記Ａ３）
　前記素子駆動用ビア導体の前記高さ方向の長さは、前記スイッチング素子の前記高さ方向の長さよりも小さい
　付記Ａ２に記載の半導体装置。
　（付記Ａ４）
　前記スイッチング素子は第１スイッチング素子であり、
　前記特定素子は、前記第１スイッチング素子に対して直列に接続された第２スイッチング素子であり、前記高さ方向と直交する方向において前記第１スイッチング素子に対して間隔をあけて配置されており、
　前記樹脂層の前記表面には、出力電極が形成されており、
　前記半導体装置は、前記出力電極と、前記第１スイッチング素子と、前記第２スイッチング素子とを電気的に接続する出力用ビア導体を備えており、
　前記外装電極は、前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子の配列方向における前記出力電極の両側に設けられた電源電極およびグランド電極を有しており、
　前記素子駆動用ビアは、前記第１スイッチング素子と前記電源電極とを電気的に接続する電源用ビア導体と、前記第２スイッチング素子と前記グランド電極とを電気的に接続するグランド用ビア導体と、を有しており、
　前記配列方向において、前記出力用ビア導体は、前記電源用ビア導体と前記グランド用ビア導体との間に配置されている
　付記Ａ１に記載の半導体装置。
　（付記Ａ５）
　前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子の双方は、第１駆動電極および第２駆動電極を有しており、
　前記第１駆動電極および前記第２駆動電極の双方は、前記配列方向に延びており、
　前記出力用ビア導体は、前記第１スイッチング素子の前記第２駆動電極における前記配列方向の両端部のうち前記出力電極に近い方の端部に接続されており、
　前記電源用ビア導体は、前記第１スイッチング素子の前記第１駆動電極における前記配列方向の両端部のうち前記出力電極から遠い方の端部に接続されている
　付記Ａ４に記載の半導体装置。
　（付記Ａ６）
　前記出力用ビア導体は、前記第２スイッチング素子の前記第１駆動電極における前記配列方向の両端部のうち前記出力電極に近い方の端部に接続されており、
　前記グランド用ビア導体は、前記第２スイッチング素子の前記第２駆動電極における前記配列方向の両端部のうち前記出力電極から遠い方の端部に接続されている
　付記Ａ５に記載の半導体装置。
　（付記Ａ７）
　前記特定素子は、前記スイッチング素子を制御するドライバであり、
　前記高さ方向において、前記ドライバおよび前記スイッチング素子が間隔をあけて配置されており、
　前記半導体装置は、前記スイッチング素子と前記ドライバとを電気的に接続する素子制御用ビア導体を備えており、
　前記素子制御用ビア導体は、前記樹脂層に埋め込まれている
　付記Ａ１に記載の半導体装置。
　（付記Ａ８）
　前記高さ方向から視て、前記ドライバは、前記スイッチング素子と重なる位置に配置されており、
　前記素子制御用ビア導体は、前記高さ方向から視て前記ドライバおよび前記スイッチング素子の双方と重なる位置に配置されており、前記高さ方向に延びている
　付記Ａ７に記載の半導体装置。
　（付記Ｂ１）
　第１スイッチング素子および第２スイッチング素子と、
　前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子の双方を封止する樹脂層と、を備え、前記樹脂層の厚さ方向を高さ方向とする半導体装置であって、
　前記樹脂層の表面に形成された出力電極と、
　前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子と前記出力電極とを電気的に接続する出力用ビア導体と、を備えている、半導体装置。
　（付記Ｂ２）
　前記出力用ビア導体は、前記樹脂層内に設けられている
　付記Ｂ１に記載の半導体装置。
　（付記Ｂ３）
　前記高さ方向において、前記出力用ビア導体は、前記樹脂層のうち前記両スイッチング素子と前記樹脂層の表面との間に設けられている
　付記Ｂ２に記載の半導体装置。
　（付記Ｂ４）
　前記出力用ビア導体は、
　前記第１スイッチング素子と前記出力電極とを接続する第１出力用ビア導体と、
　前記第２スイッチング素子と前記出力電極とを接続する第２出力用ビア導体と、を有しており、
　前記高さ方向と直交する方向において、前記第１出力用ビア導体と前記第２出力用ビア導体とは互いに離間して配置されている
　付記Ｂ１～Ｂ３のいずれか１つに記載の半導体装置。
　（付記Ｂ５）
　前記第１出力用ビア導体および前記第２出力用ビア導体のそれぞれは、クランク状である
　付記Ｂ４に記載の半導体装置。
　（付記Ｂ６）
　前記出力用ビア導体は、
　前記樹脂層内に設けられ、前記樹脂層を前記高さ方向に貫通している素子接続用ビアと、
　前記樹脂層上に設けられ、前記素子接続用ビアと前記出力電極とを接続するビア接続用配線と、を有している
　付記Ｂ１に記載の半導体装置。
　（付記Ｃ１）
　第１スイッチング素子および第２スイッチング素子と、
　前記両スイッチング素子を駆動させるドライバと、
　前記両スイッチング素子および前記ドライバのそれぞれを封止する樹脂層と、を備え、前記樹脂層の厚さ方向を高さ方向とする半導体装置であって、
　前記高さ方向と直交する方向のうち互いに交差する２方向を第１方向および第２方向とすると、
　前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子は、前記第１方向において間隔をあけて配置されており、
　前記両スイッチング素子および前記ドライバは、前記第２方向において間隔をあけて配置されており、
　前記樹脂層の表面に形成された出力電極と、
　前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子と前記出力電極とを電気的に接続する出力用ビア導体と、
　前記樹脂層内に埋め込まれており、前記スイッチング素子と前記ドライバとを接続する素子制御用ビア導体と、を備えている、半導体装置。
　（付記Ｃ２）
　前記半導体装置は、
　前記樹脂層の表面に形成された電源電極およびグランド電極と、
　前記樹脂層を前記高さ方向に貫通して前記第１スイッチング素子と前記電源電極とを電気的に接続する電源用ビア導体と、
　前記樹脂層を前記高さ方向に貫通して前記第２スイッチング素子と前記グランド電極とを電気的に接続するグランド用ビア導体と、を備えている
　付記Ｃ１に記載の半導体装置。
　（付記Ｄ１）
　スイッチング素子および特定素子を封止する素子封止層を形成する工程と、
　前記スイッチング素子が露出するように前記素子封止層に第１貫通孔を形成する工程と、
　前記第１貫通孔に素子接続用ビアを埋め込む工程と、
　前記素子接続用ビアと電気的に接続するように前記素子封止層上に、ビア接続用配線を形成する工程と、
　前記素子封止層上に前記ビア接続用配線を封止する表面側樹脂層を形成する工程と、
　前記ビア接続用配線が露出するように前記表面側樹脂層に第２貫通孔を形成する工程と、
　前記第２貫通孔に電極接続用ビアを埋め込む工程と、
　前記表面側樹脂層上に前記電極接続用ビアと接続するように外装電極を形成する工程と、を備えている、半導体装置の製造方法。
　（付記Ｄ２）
　スイッチング素子および前記スイッチング素子を駆動させるドライバを封止する素子封止層を形成する工程と、
　前記スイッチング素子が露出するように前記素子封止層に第１貫通孔を形成する工程と、
　前記ドライバが露出するように前記素子封止層に第２貫通孔を形成する工程と、
　前記第１貫通孔に素子側制御ビアを埋め込む工程と、
　前記第２貫通孔にドライバ側制御ビアを埋め込む工程と、
　前記素子側制御ビアと前記ドライバ側制御ビアとを電気的に接続するように前記素子封止層上に、制御用接続配線を形成する工程と、
　前記素子封止層上に前記制御用接続配線を封止する表面側樹脂層を形成する工程と、を備えている、半導体装置の製造方法。
　（付記Ｄ３）
　スイッチング素子および特定素子を封止する樹脂層を形成する工程と、
　前記スイッチング素子が露出するように前記樹脂層に貫通孔を形成する工程と、
　前記貫通孔にビア導体を埋め込む工程と、
　前記樹脂層の表面に、前記ビア導体と接続するように外装電極を形成する工程と、を備えている、半導体装置の製造方法。
　（付記Ｄ４）
　前記樹脂層は、
　前記スイッチング素子および前記特定素子を封止する素子封止層と、
　前記素子封止層上に形成される表面側樹脂層と、を有しており、
　前記貫通孔は、前記表面側樹脂層と、前記素子封止層のうち前記スイッチング素子を覆う部分とを貫通する
　付記Ｄ３に記載の半導体装置の製造方法。
　１０…半導体装置
　２０…支持層
　３０…スイッチング素子
　３０Ａ…第１スイッチング素子
　３０Ｂ…第２スイッチング素子
　３１…素子主面
　３１Ａ…第１素子主面
　３１Ｂ…第２素子主面
　３２Ａ…第１素子裏面
　３２Ｂ…第２素子裏面
　３１ＡＡ，３１ＢＡ…第１駆動パッド電極（第１駆動電極）
　３１ＡＢ，３１ＢＢ…第２駆動パッド電極（第２駆動電極）
　３１ＡＣ，３１ＢＣ…制御パッド電極（制御電極）
　３３Ａ…第１駆動パッド電極（第１駆動電極）
　３３Ｂ…第２駆動パッド電極（第２駆動電極）
　３３Ｃ…制御パッド電極（制御電極）
　４０…ドライバ
　４３…ドライバパッド電極
　５０…樹脂層
　５０Ａ…素子封止層
　５０Ｂ…表面側樹脂層
　５１…樹脂主面（樹脂層の表面）
　５７…界面
　６０…ビア導体
　６１…電源用ビア導体（素子駆動用ビア導体）
　６２…グランド用ビア導体（素子駆動用ビア導体）
　６３…出力用ビア導体
　６３Ｐ…第１出力用ビア導体
　６３Ｑ…第２出力用ビア導体
　６３ｐａ…第１素子接続用ビア
　６３ｐｂ…第１電極接続用ビア
　６３ｐｃ…第１ビア接続用配線
　６３ｑａ…第２素子接続用ビア
　６３ｑｂ…第２電極接続用ビア
　６３ｑｃ…第２ビア接続用配線
　６４…素子制御用ビア導体
　６４Ｐ…第１制御用ビア導体
　６４Ｑ…第２制御用ビア導体
　６４ｐａ…第１素子側制御ビア
　６４ｐｂ…第１ドライバ側制御ビア
　６４ｐｃ…第１制御用接続配線
　６４ｑａ…第２素子側制御ビア
　６４ｑｂ…第２ドライバ側制御ビア
　６４ｑｃ…第２制御用接続配線
　６４ａ…素子側制御ビア
　６４ｂ…ドライバ側制御ビア
　６４ｃ…制御用接続配線
　６５…ドライバ用ビア導体
　６５ａ…ドライバ接続用ビア
　６５ｂ…ドライバ電極接続用ビア
　６５ｃ…ビア接続用配線
　７０…外装電極
　７１…電源電極
　７２…グランド電極
　７３…出力電極
　７４…ドライバ接続電極
　８１…金属層（第１金属層）
　８２…金属層（第２金属層）
　８３…金属層（第２金属層）
　８４…接続ビア導体
　８５…絶縁層
　８５０Ａ…素子封止層
　８５０Ｂ…表面側樹脂層

Claims (17)

  1. 　スイッチング素子と、
    　特定素子と、
    　前記スイッチング素子および前記特定素子を封止する樹脂層と、
    を備え、前記樹脂層の厚さ方向を高さ方向とする半導体装置であって、
    　前記樹脂層の表面に形成されており、前記高さ方向から視て、少なくとも一部が前記スイッチング素子と重なる外装電極と、
    　前記樹脂層を前記高さ方向に貫通して前記スイッチング素子と前記外装電極とを電気的に接続する素子駆動用ビア導体と、
    を備えている、半導体装置。
  2. 　前記スイッチング素子および前記特定素子のそれぞれを支持する支持層を備えており、
    　前記樹脂層は、前記支持層上に形成されており、
    　前記スイッチング素子は、前記高さ方向のうち前記支持層とは反対側を向く素子主面を有しており、
    　前記素子主面には、第１駆動電極、第２駆動電極および制御電極のそれぞれが形成されており、
    　前記外装電極が形成されている前記樹脂層の前記表面は、前記高さ方向において前記樹脂層のうち前記支持層とは反対側に配置されている
    　請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記支持層は、前記スイッチング素子が搭載される第１金属層と、前記特定素子が搭載される第２金属層と、前記第１金属層と前記第２金属層とを電気的に絶縁する絶縁層と、を有している
    　請求項２に記載の半導体装置。
  4. 　前記素子駆動用ビア導体は、前記高さ方向から視て、前記外装電極および前記スイッチング素子の双方と重なる位置に配置されており、かつ前記高さ方向に延びている
    　請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体装置。
  5. 　前記スイッチング素子は、第１スイッチング素子であり、
    　前記特定素子は、前記第１スイッチング素子に対して直列に接続された第２スイッチング素子であり、
    　前記樹脂層の前記表面には、出力電極が形成されており、
    　前記半導体装置は、前記樹脂層内に設けられた出力用ビア導体を備えており、
    　前記出力用ビア導体は、前記出力電極と、前記第１スイッチング素子と、前記第２スイッチング素子とを電気的に接続している
    　請求項１に記載の半導体装置。
  6. 　前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子は、前記高さ方向と直交する方向において間隔をあけて配置されており、
    　前記高さ方向から視て、前記出力電極は、前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子との間に配置されている
    　請求項５に記載の半導体装置。
  7. 　前記出力用ビア導体は、クランク状である
    　請求項６に記載の半導体装置。
  8. 　前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子の双方は、第１駆動電極、第２駆動電極および制御電極を有しており、
    　前記出力用ビア導体は、
    　前記第１スイッチング素子の第２駆動電極と前記出力電極とを接続する第１出力用ビア導体と、
    　前記第２スイッチング素子の第１駆動電極と前記出力電極とを接続する第２出力用ビア導体と、を有しており、
    　前記第１出力用ビア導体および前記第２出力用ビア導体は、前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子の配列方向において間隔をあけて配置されている
    　請求項７に記載の半導体装置。
  9. 　前記樹脂層は、
    　前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子を封止する素子封止層と、
    　前記素子封止層上に形成された表面側樹脂層と、
    を有しており、
    　前記第１出力用ビア導体は、
    　前記第１スイッチング素子の前記第２駆動電極に電気的に接続された第１素子接続用ビアと、
    　前記出力電極に接続された第１電極接続用ビアと、
    　前記第１素子接続用ビアと前記第１電極接続用ビアとを接続する第１ビア接続用配線と、
    を有しており、
    　前記第２出力用ビア導体は、
    　前記第２スイッチング素子の前記第１駆動電極に電気的に接続された第２素子接続用ビアと、
    　前記出力電極に接続された第２電極接続用ビアと、
    　前記第２素子接続用ビアと前記第２電極接続用ビアとを接続する第２ビア接続用配線と、
    を有しており、
    　前記第１素子接続用ビアおよび前記第２素子接続用ビアのそれぞれは、前記素子封止層を前記高さ方向に貫通し、
    　前記第１電極接続用ビアおよび前記第２電極接続用ビアのそれぞれは、前記表面側樹脂層を前記高さ方向に貫通し、
    　前記第１ビア接続用配線および前記第２ビア接続用配線のそれぞれは、前記素子封止層上に設けられている
    　請求項８に記載の半導体装置。
  10. 　前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子を支持する支持層を有しており、
    　前記樹脂層は、前記支持層上に形成されており、
    　前記支持層は、前記第２スイッチング素子が搭載された金属層を有しており、
    　前記外装電極は、グランドに接続される電極であって前記高さ方向と直交する方向において前記出力電極と間隔をあけて配置されたグランド電極を有しており、
    　前記素子駆動用ビア導体は、前記第２スイッチング素子と前記グランド電極とを電気的に接続するグランド用ビア導体を有しており、
    　前記グランド電極は、前記高さ方向から視て、前記第２スイッチング素子に対して前記出力電極とは反対側に向けてはみ出しているとともに前記金属層と重なるはみ出し部を有しており、
    　前記半導体装置は、前記樹脂層内のうち前記高さ方向から視て前記はみ出し部と重なる部分に形成され、前記樹脂層を前記高さ方向に貫通して前記はみ出し部と前記金属層とを接続する接続ビア導体を備えている
    　請求項５～９のいずれか一項に記載の半導体装置。
  11. 　前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子はともに、ＧａＮによって構成されている
    　請求項５～１０のいずれか一項に記載の半導体装置。
  12. 　前記特定素子は、前記スイッチング素子を制御するドライバであり、
    　前記高さ方向と直交する方向において、前記ドライバおよび前記スイッチング素子が間隔をあけて配置されており、
    　前記半導体装置は、前記スイッチング素子と前記ドライバとを電気的に接続する素子制御用ビア導体を備えており、
    　前記素子制御用ビア導体は、前記樹脂層に埋め込まれている
    　請求項１に記載の半導体装置。
  13. 　前記樹脂層は、
    　前記スイッチング素子を封止する素子封止層と、
    　前記素子封止層上に形成された表面側樹脂層と、
    を有しており、
    　前記スイッチング素子は、前記スイッチング素子を制御する制御電極を有しており、
    　前記素子制御用ビア導体は、
    　前記ドライバに電気的に接続されたドライバ側制御ビアと、
    　前記制御電極に電気的に接続された素子側制御ビアと、
    　前記ドライバ側制御ビアと前記素子側制御ビアとを接続する制御用接続配線と、
    を有しており、
    　前記ドライバ側制御ビアは、前記素子封止層のうち前記ドライバを前記高さ方向に覆う部分を前記高さ方向に貫通し、
    　前記素子側制御ビアは、前記素子封止層のうち前記スイッチング素子を前記高さ方向に覆う部分を前記高さ方向に貫通し、
    　前記制御用接続配線は、前記素子封止層上に設けられている
    　請求項１２に記載の半導体装置。
  14. 　前記外装電極は、前記ドライバと電気的に接続されるドライバ接続電極を有しており、
    　前記半導体装置は、前記樹脂層内に設けられたドライバ用ビア導体を備えており、
    　前記ドライバ用ビア導体は、前記ドライバ接続電極と前記ドライバとを電気的に接続している
    　請求項１３に記載の半導体装置。
  15. 　前記高さ方向から視て、前記ドライバ接続電極は、前記ドライバと重ならない位置に配置されており、
    　前記ドライバ用ビア導体は、クランク状である
    　請求項１４に記載の半導体装置。
  16. 　前記ドライバ用ビア導体は、
    　前記ドライバに電気的に接続されたドライバ接続用ビアと、
    　前記ドライバ接続電極に接続されたドライバ電極接続用ビアと、
    　前記ドライバ接続用ビアと前記ドライバ電極接続用ビアとを接続するビア接続用配線と、を有しており、
    　前記ドライバ接続用ビアは、前記素子封止層を前記高さ方向に貫通し、
    　前記ドライバ電極接続用ビアは、前記表面側樹脂層を前記高さ方向に貫通し、
    　前記ビア接続用配線は、前記素子封止層上に設けられている
    　請求項１５に記載の半導体装置。
  17. 　スイッチング素子と、
    　前記スイッチング素子を駆動させるドライバと、
    　前記スイッチング素子および前記ドライバの双方を封止する樹脂層と、
    を備え、前記樹脂層の厚さ方向を高さ方向とする半導体装置であって、
    　前記スイッチング素子と前記ドライバとは、前記高さ方向と直交する方向において間隔をあけて配置されており、
    　前記樹脂層内には、前記スイッチング素子と前記ドライバとを接続する素子制御用ビア導体が埋め込まれている
    　半導体装置。
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