[go: up one dir, main page]

WO2021206056A1 - 半導体素子および半導体素子の製造方法 - Google Patents

半導体素子および半導体素子の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2021206056A1
WO2021206056A1 PCT/JP2021/014502 JP2021014502W WO2021206056A1 WO 2021206056 A1 WO2021206056 A1 WO 2021206056A1 JP 2021014502 W JP2021014502 W JP 2021014502W WO 2021206056 A1 WO2021206056 A1 WO 2021206056A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electrode layer
pattern
semiconductor layer
material film
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2021/014502
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
阿部　祐介
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kaneka Corp
Original Assignee
Kaneka Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kaneka Corp filed Critical Kaneka Corp
Priority to JP2022514066A priority Critical patent/JP7651559B2/ja
Priority to CN202180024389.1A priority patent/CN115315819B/zh
Publication of WO2021206056A1 publication Critical patent/WO2021206056A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M1/00—Inking and printing with a printer's forme
    • B41M1/12—Stencil printing; Silk-screen printing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M1/00—Inking and printing with a printer's forme
    • B41M1/26—Printing on other surfaces than ordinary paper
    • B41M1/34—Printing on other surfaces than ordinary paper on glass or ceramic surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/20—Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions 
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/16—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers
    • H10F10/164—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising heterojunctions with Group IV materials, e.g. ITO/Si or GaAs/SiGe photovoltaic cells
    • H10F10/165—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising heterojunctions with Group IV materials, e.g. ITO/Si or GaAs/SiGe photovoltaic cells the heterojunctions being Group IV-IV heterojunctions, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC photovoltaic cells
    • H10F10/166—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising heterojunctions with Group IV materials, e.g. ITO/Si or GaAs/SiGe photovoltaic cells the heterojunctions being Group IV-IV heterojunctions, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC photovoltaic cells the Group IV-IV heterojunctions being heterojunctions of crystalline and amorphous materials, e.g. silicon heterojunction [SHJ] photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/14—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor element and a method for manufacturing the semiconductor element.
  • Patent Document 1 describes a technique for forming a patterned electrode layer by a screen printing method.
  • the screen printing method is a method of transferring a printing material filled in a pattern opening portion of a printing plate to a printed matter by moving a squeegee.
  • a mesh is formed in the pattern opening portion of the printing plate by a grid-like wire.
  • a patterning method of the semiconductor layer or the electrode layer there is also a wet etching method using a mask such as a patterned resist.
  • Masks such as patterned resists may also be formed by screen printing.
  • voids may be formed in the resist pattern that intersects and extends in the printing direction (squeegee movement direction). As a result, voids (blurring) are formed in the pattern of the semiconductor layer or the electrode layer.
  • the present invention is a semiconductor device capable of reducing the formation of voids (blurring) in the patterned semiconductor layer or electrode layer even when patterning is performed using a mask formed by a screen printing method.
  • An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device.
  • the semiconductor element according to the present invention is a semiconductor element in which a patterned semiconductor layer or electrode layer is formed on a substrate, and the semiconductor layer or the electrode layer has an elongated shape and extends in the longitudinal direction. It has a band-shaped first pattern that exists and a band-shaped second pattern that intersects in the longitudinal direction, and 90% of the angles in the second pattern make an angle on the sharp side of the angle with respect to the first pattern. Is less than 90 degrees.
  • the method for manufacturing a semiconductor element according to the present invention is a method for manufacturing a semiconductor element in which a patterned semiconductor layer or an electrode layer is formed on a substrate, and the material film of the semiconductor layer or the material film of the semiconductor layer is formed on the substrate.
  • the semiconductor layer or In the mask forming step which includes a semiconductor layer or an electrode layer forming step for forming the electrode layer, the printing direction is for a grid-like wire forming a mesh in a pattern opening portion of a printing plate.
  • the angle on the sharp side is 20 degrees or more and 40 degrees or less.
  • the present invention even if patterning is performed using a mask formed by the screen printing method, it is possible to reduce the formation of voids (blurring) in the patterned semiconductor layer or electrode layer.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II of the solar cell of FIG. It is a figure which shows the 1st semiconductor layer material film formation process in the manufacturing method of the solar cell which concerns on this embodiment. It is a figure which shows the mask forming process in the manufacturing method of the solar cell which concerns on this embodiment. It is a figure which shows the 1st semiconductor layer formation process in the manufacturing method of the solar cell which concerns on this embodiment. It is a figure which shows the 1st semiconductor layer formation process in the manufacturing method of the solar cell which concerns on this embodiment. It is a figure which shows the 1st semiconductor layer formation process in the manufacturing method of the solar cell which concerns on this embodiment. It is a figure which shows the 2nd semiconductor layer material film formation process in the manufacturing method of the solar cell which concerns on this embodiment.
  • FIG. 1 is a view of the solar cell according to the present embodiment as viewed from the back surface side.
  • the solar cell (semiconductor element) 1 shown in FIG. 1 is a back electrode type (also referred to as back contact type or back surface bonding type) solar cell.
  • the solar cell 1 includes a semiconductor substrate 11 having two main surfaces, and has a first region 7 and a second region 8 on the main surface of the semiconductor substrate 11.
  • the first region 7 has a so-called comb-shaped shape, and has a plurality of finger portions 7f corresponding to the comb teeth and a bus bar portion 7b corresponding to the support portion of the comb teeth.
  • the bus bar portion 7b extends in the first direction (X direction) along one side of the semiconductor substrate 11, and the finger portion 7f extends from the bus bar portion 7b in the second direction (Y direction) intersecting the first direction. ) Extends.
  • the second region 8 has a so-called comb-shaped shape, and has a plurality of finger portions 8f corresponding to the comb teeth and a bus bar portion 8b corresponding to the support portion of the comb teeth.
  • the bus bar portion 8b extends in the first direction (X direction) along the other side portion facing one side portion of the semiconductor substrate 11, and the finger portion 8f extends from the bus bar portion 8b in the second direction (Y). Extends in the direction).
  • the finger portion 7f and the finger portion 8f form a strip extending in the second direction (Y direction), and are provided alternately in the first direction (X direction).
  • the first region 7 and the second region 8 may be formed in a striped shape.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II of the solar cell of FIG.
  • the solar cell 1 includes an optical adjustment layer 15 laminated on the light receiving surface side, which is the main surface (one main surface) on the light receiving side of the main surface of the semiconductor substrate 11. Further, the solar cell 1 is sequentially laminated on a part of the back surface side (mainly, the first region 7) which is the main surface (the other main surface) on the opposite side of the light receiving surface of the main surface of the semiconductor substrate 11. A first conductive semiconductor layer 25 and a first electrode layer 27 are provided. Further, the solar cell 1 includes a second conductive semiconductor layer 35 and a second electrode layer 37 which are sequentially laminated on another part (mainly, the second region 8) on the back surface side of the semiconductor substrate 11.
  • the semiconductor substrate 11 is formed of a crystalline silicon material such as single crystal silicon or polycrystalline silicon.
  • the semiconductor substrate 11 is, for example, an n-type semiconductor substrate in which a crystalline silicon material is doped with an n-type dopant.
  • the semiconductor substrate 11 may be, for example, a p-type semiconductor substrate in which a crystalline silicon material is doped with a p-type dopant.
  • Examples of the n-type dopant include phosphorus (P).
  • Examples of the p-type dopant include boron (B).
  • the semiconductor substrate 11 functions as a photoelectric conversion substrate that absorbs incident light from the light receiving surface side to generate optical carriers (electrons and holes).
  • the optical adjustment layer 15 is formed on the light receiving surface side of the semiconductor substrate 11.
  • the optical adjustment layer 15 functions as an antireflection layer that prevents reflection of incident light and also functions as a protective layer that protects the light receiving surface side of the semiconductor substrate 11.
  • the optical adjustment layer 15 is formed of an insulating material such as a composite thereof such as silicon oxide (SiO), silicon nitride (SiN), or silicon oxynitride (SiON).
  • the first conductive semiconductor layer 25 is formed in the first region 7 on the back surface side of the semiconductor substrate 11.
  • the first conductive semiconductor layer 25 is formed of, for example, an amorphous silicon material.
  • the first conductive semiconductor layer 25 is, for example, a p-type semiconductor layer in which an amorphous silicon material is doped with a p-type dopant (for example, the above-mentioned boron (B)).
  • the second conductive semiconductor layer 35 is formed in the second region 8 on the back surface side of the semiconductor substrate 11.
  • the second conductive semiconductor layer 35 is formed of, for example, an amorphous silicon material.
  • the second conductive semiconductor layer 35 is, for example, an n-type semiconductor layer in which an amorphous silicon material is doped with an n-type dopant (for example, phosphorus (P) described above).
  • the first conductive semiconductor layer 25 may be an n-type semiconductor layer, and the second conductive semiconductor layer 35 may be a p-type semiconductor layer.
  • the first conductive semiconductor layer 25 and the second conductive semiconductor layer 35 form a strip extending in the second direction (Y direction), and are alternately arranged in the first direction (X direction). A part of the second conductive semiconductor layer 35 may overlap a part of the adjacent first conductive semiconductor layer 25 (not shown).
  • a passivation layer may be formed between the semiconductor substrate 11 and the optical adjustment layer 15. Further, a passivation layer may be formed between the semiconductor substrate 11 and the first conductive semiconductor layer 25, and between the semiconductor substrate 11 and the second conductive semiconductor layer 35.
  • the passivation layer is formed of, for example, an intrinsic (i-type) amorphous silicon material. The passivation layer suppresses recombination of carriers generated in the semiconductor substrate 11 and enhances carrier recovery efficiency.
  • the first electrode layer 27 corresponds to the first conductive semiconductor layer 25, and is specifically formed on the first conductive semiconductor layer 25 in the first region 7 on the back surface side of the semiconductor substrate 11.
  • the second electrode layer 37 corresponds to the second conductive semiconductor layer 35, and is specifically formed on the second conductive semiconductor layer 35 in the second region 8 on the back surface side of the semiconductor substrate 11.
  • the first electrode layer 27 has a first transparent electrode layer 28 and a first metal electrode layer 29 that are sequentially laminated on the first conductive semiconductor layer 25.
  • the second electrode layer 37 has a second transparent electrode layer 38 and a second metal electrode layer 39 that are sequentially laminated on the second conductive semiconductor layer 35.
  • the first transparent electrode layer 28 and the second transparent electrode layer 38 are formed of a transparent conductive material.
  • the transparent conductive material include ITO (Indium Tin Oxide: a composite oxide of indium oxide and tin oxide).
  • the first metal electrode layer 29 and the second metal electrode layer 39 are formed of a conductive paste material containing a metal powder such as silver.
  • the first electrode layer 27 and the second electrode layer 37 that is, the first transparent electrode layer 28, the second transparent electrode layer 38, the first metal electrode layer 29, and the second metal electrode layer 39 are in the second direction (Y direction). It has an extending strip shape and is arranged alternately in the first direction (X direction).
  • the first transparent electrode layer 28 and the second transparent electrode layer 38 are separated from each other, and the first metal electrode layer 29 and the second metal electrode layer 39 are also separated from each other.
  • FIG. 3A is a diagram showing a first semiconductor layer material film forming step in the solar cell manufacturing method according to the present embodiment
  • FIG. 3B is a diagram showing a mask forming step in the solar cell manufacturing method according to the present embodiment.
  • 3C and 3D are diagrams showing a first semiconductor layer forming step in the method for manufacturing a solar cell according to the present embodiment.
  • FIG. 3E is a diagram showing a second semiconductor layer material film forming step in the solar cell manufacturing method according to the present embodiment
  • FIG. 3F is a second semiconductor layer forming step in the solar cell manufacturing method according to the present embodiment.
  • FIG. 3G is a diagram showing a transparent electrode layer material film forming step in the solar cell manufacturing method according to the present embodiment
  • FIG. 3H is a transparent electrode layer forming step (mask) in the solar cell manufacturing method according to the present embodiment. It is a figure which shows (the forming process is omitted).
  • FIG. 3I is a diagram showing a metal electrode layer forming step in the method for manufacturing a solar cell according to the present embodiment. 3A to 3I show the back surface side of the semiconductor substrate 11, and omit the front surface side of the semiconductor substrate 11.
  • the first conductive semiconductor layer material film 25Z is laminated (film-formed) on the entire back surface side of the semiconductor substrate 11 by using, for example, the CVD method or the PVD method (first semiconductor layer). Material film forming process).
  • the first conductive semiconductor layer material film 25Z in the second region 8 is removed from the back surface side of the semiconductor substrate 11 to pattern the semiconductor substrate 11 into the first region 7.
  • the first conductive semiconductor layer 25 is formed.
  • the mask material include photosensitive or non-photosensitive organic resist materials.
  • a part of the first conductive semiconductor layer material film 25Z (that is, a part of the first conductive semiconductor layer material film 25Z) in the second region 8 is used by a wet etching method using the mask 90.
  • the etching solution for the p-type semiconductor film include an acidic solution such as a mixed solution of ozone dissolved in hydrofluoric acid or a mixed solution of hydrofluoric acid and nitric acid
  • examples of the etching solution for the n-type semiconductor film include. Examples thereof include an alkaline solution such as an aqueous solution of potassium hydroxide.
  • the mask 90 is peeled off.
  • the second conductive semiconductor layer material film 35Z is laminated (film-formed) on the entire back surface side of the semiconductor substrate 11 by using, for example, the CVD method or the PVD method (second semiconductor). Layer material film forming process).
  • the second conductive semiconductor layer material film 35Z in the first region 7 is removed, so that the second region 8 is patterned.
  • the conductive semiconductor layer 35 is formed.
  • a patterned mask 90 is formed on the second conductive semiconductor layer material film 35Z in the second region 8 by using a screen printing method (mask formation). Process).
  • the second conductive semiconductor layer material film 35Z (that is, a part of the second conductive semiconductor layer material film 35Z) in the first region 7 is removed.
  • a patterned second conductive semiconductor layer 35 is formed in the second region 8 (second semiconductor layer forming step). Then, the mask 90 is peeled off.
  • the optical adjustment layer 15 may be formed on the entire surface of the semiconductor substrate 11 on the light receiving surface side (not shown).
  • a transparent electrode layer material film 28Z is formed on the first conductive semiconductor layer 25 and the second conductive semiconductor layer 35 so as to straddle them (transparent electrode layer material film forming step).
  • a method for forming the transparent electrode layer material film 28Z for example, a CVD method or a PVD method is used.
  • the transparent electrode layer material film 28Z at the boundary between the first region 7 and the second region 8 is removed to pattern the semiconductor substrate 11 into the first region 7.
  • the first transparent electrode layer 28 is formed, and the second transparent electrode layer 38 patterned in the second region 8 is formed.
  • a pattern is used on the transparent electrode layer material film 28Z in the first region 7 and on the transparent electrode layer material film 28Z in the second region 8 by using a screen printing method.
  • the modified mask 90 is formed (mask forming step).
  • the transparent electrode layer material film 28Z (that is, a part of the transparent electrode layer material film 28Z) at the boundary between the first region 7 and the second region 8 is removed by a wet etching method using the mask 90.
  • the first transparent electrode layer 28 patterned in the first region 7 is formed, and the second transparent electrode layer 38 patterned in the second region 8 is formed (transparent electrode layer forming step).
  • the etching solution for the transparent electrode layer material film include an acidic solution such as hydrochloric acid (HCl).
  • the first metal electrode layer 29 is formed on the first transparent electrode layer 28, and the second metal electrode layer 39 is formed on the second transparent electrode layer 38.
  • Metal electrode layer forming step As a method for forming the first metal electrode layer 29 and the second metal electrode layer 39, a printing method, a coating method, or the like is used. Through the above steps, the back electrode type solar cell 1 of the present embodiment is completed.
  • the first conductive semiconductor layer 25 and the first transparent electrode layer 28 are elongated patterns, and are band-shaped first patterns extending in the longitudinal direction (Y direction). It may have 25A, 28A and a strip-shaped second pattern 25B, 28B extending in the lateral direction (X direction) intersecting the longitudinal direction.
  • the long-shaped patterned mask 90 intersects with the strip-shaped first pattern 90A extending in the longitudinal direction (Y direction) in the longitudinal direction.
  • a mask 90 having a band-shaped second pattern 90B extending in the lateral direction (X direction) is formed.
  • the printing material filled in the pattern opening portion 81 of the printing plate is transferred to the printed matter by moving the squeegee 83.
  • a mesh is formed in the pattern opening portion 81 of the printing plate by a grid-like wire.
  • the longitudinal direction of the long mask 90 that is, the main strip-shaped first pattern 90A and the printing direction (squeegee 83 moving direction) D1 are parallel to each other.
  • the printing direction moving direction of the squeegee 83
  • the printing direction is tilted by about 11 degrees with respect to the grid-like wires forming the mesh in the pattern opening portion 81 of the printing plate.
  • a gap V1 may occur in the band-shaped second pattern 90B extending in the lateral direction (X direction) of the mask 90.
  • the gap V1 is generated on the original side in the printing direction in the second pattern 90B.
  • voids are also formed in the first conductive semiconductor layer 25 or the first transparent electrode layer 28 in the patterning of the first conductive semiconductor layer 25 or the first transparent electrode layer 28. It will occur.
  • the generation of voids (printing faintness) in the mask 90 by the screen printing method is considered as follows.
  • the number of meshes in the printing direction in the pattern opening portion 81 of the printing plate is large, and the printing plate is ejected.
  • the printed material is sufficiently smoothed.
  • the band-shaped second pattern 90B extending in the lateral direction (X direction) of the mask 90, the number of meshes in the printing direction in the pattern opening portion 81 of the printing plate is large. Less, the ejected printing material is not sufficiently smoothed. This phenomenon becomes more remarkable as the number of times the printing plate is used increases.
  • the inventor of the present application determines the number of meshes in the printing direction in the pattern opening portion 81 of the printing plate in the band-shaped second pattern 90B extending in the lateral direction (X direction) of the mask 90. Devise to increase. Specifically, the band-shaped second pattern 90B intersecting the longitudinal direction (Y direction) of the mask 90 is formed so as not to be orthogonal to the printing direction (squeegee 83 moving direction) D1.
  • the pattern of the first conductive semiconductor layer 25 and the pattern of the first transparent electrode layer 28 are different.
  • -A long pattern having a strip-shaped first pattern 25A, 28A extending in the longitudinal direction (Y direction) and a strip-shaped second pattern 25B, 28B intersecting the longitudinal direction.
  • the second patterns 25B and 28B have an angle of less than 90 degrees, preferably 20 degrees or more and 40 degrees or less (acute angle side) with respect to the first patterns 25A and 28A.
  • the strip-shaped second pattern 90B intersecting the longitudinal direction (Y direction) of the mask 90 can be formed so as not to be orthogonal to the printing direction (moving direction of the squeegee 83), and the gap (printing) of the mask 90 can be formed.
  • the occurrence of blurring) can be reduced. Therefore, even if patterning is performed using the mask 90 formed by the screen printing method, voids (blurring) are formed in the patterned first conductive semiconductor layer 25 and the first transparent electrode layer 28. Can be reduced.
  • the second patterns 25B and 28B in the pattern of the first conductive semiconductor layer 25 and the pattern of the first transparent electrode layer 28 have an arc shape that is convex in the longitudinal direction (Y direction). ..
  • the tangents of the arcs of the second patterns 25B and 28B gradually change in a range larger than 0 degrees and smaller than 90 degrees with respect to the linear first patterns 25A and 28A.
  • the second patterns 25B and 28B are 90 degrees with respect to the first patterns 25A and 28A.
  • the 90% portion, preferably the 95% portion, more preferably the 98% portion of the second patterns 25B and 28B is at an angle of less than 90 degrees (acute angle side) with respect to the first patterns 25A and 28A. You just have to do.
  • the second patterns 25B and 28B in the pattern of the first conductive semiconductor layer 25 and the pattern of the first transparent electrode layer 28 have a pointed shape that is convex in the longitudinal direction (Y direction). ..
  • the second patterns 25B and 28B form an angle (acute angle side) of less than 90 degrees with respect to the first patterns 25A and 28A.
  • the second patterns 25B and 28B have an angle (acute angle side) of 20 degrees or more and 40 degrees or less with respect to the first patterns 25A and 28A.
  • the second patterns 25B and 28B in the pattern of the first conductive semiconductor layer 25 and the pattern of the first transparent electrode layer 28 have an inverted pointed shape that is concave in the longitudinal direction (Y direction). be.
  • the second patterns 25B and 28B form an angle (acute angle side) of less than 90 degrees with respect to the first patterns 25A and 28A.
  • the second patterns 25B and 28B have an angle (acute angle side) of 20 degrees or more and 40 degrees or less with respect to the first patterns 25A and 28A.
  • the second patterns 25B and 28B in the pattern of the first conductive semiconductor layer 25 and the pattern of the first transparent electrode layer 28 have a wave shape that is uneven in the longitudinal direction (Y direction). ..
  • the slope is maximum at the inflection point between the peak and the valley.
  • the slope of the wave shape of the second patterns 25B and 28B gradually changes in a range larger than 0 degrees and smaller than 90 degrees with respect to the linear first patterns 25A and 28A.
  • the second patterns 25B and 28B are 90 degrees with respect to the first patterns 25A and 28A.
  • the 90% portion, preferably the 95% portion, more preferably the 98% portion of the second patterns 25B and 28B is at an angle of less than 90 degrees (acute angle side) with respect to the first patterns 25A and 28A. You just have to do.
  • the second conductive semiconductor layer 35 and the second transparent electrode layer 38 are elongated patterns, and the first strip-shaped pattern extending in the longitudinal direction (Y direction). It may have 35A, 38A and a strip-shaped second pattern 35B, 38B extending in the lateral direction (X direction) intersecting the longitudinal direction.
  • a gap V1 may occur in the band-shaped second pattern 90B extending in the lateral direction (X direction) of the mask 90.
  • the void V1 printing faintness
  • the patterning of the second conductive semiconductor layer 35 or the patterning of the second transparent electrode layer 38 is performed, and the second conductive semiconductor layer 35 or the second transparent electrode layer 38 is also patterned. A void is generated.
  • the band-shaped second pattern 90B intersecting the longitudinal direction (Y direction) of the mask 90 is formed so as not to be orthogonal to the printing direction (squeegee 83 moving direction).
  • the pattern of the second conductive semiconductor layer 35 and the pattern of the second transparent electrode layer 38 are different.
  • -A long pattern having a strip-shaped first pattern 35A, 38A extending in the longitudinal direction (Y direction) and a strip-shaped second pattern 35B, 38B intersecting the longitudinal direction.
  • the second patterns 35B and 38B have an angle of less than 90 degrees, preferably 20 degrees or more and 40 degrees or less (acute angle side) with respect to the first patterns 35A and 38A.
  • the strip-shaped second pattern 90B extending in the longitudinal direction (Y direction) of the mask 90 can be formed so as not to be orthogonal to the printing direction (moving direction of the squeegee 83), and the gaps in the mask 90 (the gaps in the mask 90 (the squeegee 83 moving direction) can be formed. It is possible to reduce the occurrence of print blurring). Therefore, even if patterning is performed using the mask 90 formed by the screen printing method, voids (blurring) are formed in the patterned second conductive semiconductor layer 35 and the second transparent electrode layer 38. Can be reduced.
  • the second patterns 35B and 38B in the pattern of the second conductive semiconductor layer 35 and the pattern of the second transparent electrode layer 38 have an arc shape that is convex in the longitudinal direction (Y direction). ..
  • the tangents of the arcs of the second patterns 35B and 38B gradually change in a range larger than 0 degrees and smaller than 90 degrees with respect to the linear first patterns 35A and 38A.
  • the second patterns 35B and 38B are 90 degrees with respect to the first patterns 35A and 38A.
  • the 90% portion, preferably the 95% portion, more preferably the 98% portion of the second patterns 35B, 38B is at an angle of less than 90 degrees (acute angle side) with respect to the first patterns 35A, 38A. You just have to do.
  • the second patterns 35B and 38B in the pattern of the second conductive semiconductor layer 35 and the pattern of the second transparent electrode layer 38 have a pointed shape that is convex in the longitudinal direction (Y direction). ..
  • the second patterns 35B and 38B form an angle (acute angle side) of less than 90 degrees with respect to the first patterns 35A and 38A.
  • the second patterns 35B and 38B in the pattern of the second conductive semiconductor layer 35 and the pattern of the second transparent electrode layer 38 have an inverted pointed shape that is concave in the longitudinal direction (Y direction). be.
  • the second patterns 35B and 38B form an angle (acute angle side) of less than 90 degrees with respect to the first patterns 35A and 38A.
  • the second patterns 35B and 38B in the pattern of the second conductive semiconductor layer 35 and the pattern of the second transparent electrode layer 38 have a wave shape that is uneven in the longitudinal direction (Y direction). ..
  • the slope is maximum at the inflection point between the peak and the valley.
  • the slope of the wave shape of the second patterns 35B and 38B gradually changes in a range larger than 0 degrees and smaller than 90 degrees with respect to the linear first patterns 35A and 38A.
  • the second patterns 35B and 38B are 90 degrees with respect to the first patterns 35A and 38A.
  • the 90% portion, preferably the 95% portion, more preferably the 98% portion of the second patterns 35B, 38B is at an angle of less than 90 degrees (acute angle side) with respect to the first patterns 35A, 38A. You just have to do.
  • the pattern shape of the mask 90 that is, the pattern shapes of the semiconductor layer and the electrode layer is changed.
  • the angle of the printing plate is changed instead of this.
  • the inventor of the present application as shown in FIG. -
  • the semiconductor layers 25, 35 and the transparent electrode layers 28, 38 are long patterns, and the first strip-shaped patterns 25A, 35A, 28A, 38A extending in the longitudinal direction (Y direction) and the longitudinal direction. It is a pattern having a band-shaped second pattern 25B, 35B, 28B, 38B extending in the lateral direction (X direction) intersecting with.
  • the printing direction D1 (moving direction of the squeegee 83) is changed with respect to the grid-like wires forming the mesh in the pattern opening portion 81 of the printing plate. Therefore, it was found that the occurrence of voids (printing faintness) in the mask 90 can be reduced.
  • the printing direction D1 (the squeegee 83 moving direction) is set, and the mesh in the pattern opening portion 81 of the printing plate is set.
  • the angle is 20 degrees or more and 40 degrees or less, preferably 22 degrees or more and 35 degrees or less, and more preferably 25 degrees (the angle on the acute angle side of the two angles) with respect to the grid-like wire to be formed.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and modifications can be made.
  • a heterozygous solar cell and a method for manufacturing the same are illustrated as shown in FIG. 2, but the feature of the present invention is not limited to the heterozygous solar cell.
  • various solar cells such as homozygous solar cells and their manufacturing methods.
  • a solar cell having a crystalline silicon substrate has been exemplified, but the present invention is not limited to this.
  • a solar cell may have a gallium arsenide (GaAs) substrate.
  • GaAs gallium arsenide
  • the solar cell and the manufacturing method thereof have been exemplified.
  • the features of the present invention are not limited to this, and can be applied to various semiconductor devices including a patterned semiconductor layer or an electrode layer and a method for manufacturing the same.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

スクリーン印刷法を用いて形成したマスクを用いてパターニングを行っても、パターン化された半導体層または電極層に空隙（かすれ）が形成されることを低減することができる半導体素子を提供する。半導体素子は、基板上に、パターン化された半導体層２５または電極層２８が形成された半導体素子であって、半導体層２５または電極層２８は、長尺形状をなし、長手方向（Ｙ方向）に延在する帯状の第１パターン２５Ａまたは２８Ａと、長手方向に交差する帯状の第２パターン２５Ｂまたは２８Ｂとを有し、第２パターン２５Ｂまたは２８Ｂにおける９０％の部分が第１パターン２５Ａまたは２８Ａに対してなす角度のうち鋭角側の角度は、９０度未満である。

Description

半導体素子および半導体素子の製造方法
　本発明は、半導体素子および半導体素子の製造方法に関する。
　基板上に、パターン化された半導体層または電極層が形成された半導体素子がある。特許文献１には、パターン化された電極層を、スクリーン印刷法により形成する技術が記載されている。スクリーン印刷法とは、印刷版のパターン開孔部に充填された印刷材料を、スキージの移動により被印刷物に転写する方法である。印刷版のパターン開孔部には、格子状のワイヤによって網目（メッシュ）が形成される。
　また、半導体層または電極層のパターニング方法として、パターン化されたレジスト等のマスクを用いるウエットエッチング法もある。パターン化されたレジスト等のマスクも、スクリーン印刷法により形成されることがある。
特開２０１４－５７０３１号公報 国際公開第２０１１／１４９０６７号
　スクリーン印刷法を用いたマスク形成方法では、印刷方向（スキージ移動方向）に交差して延在するレジストパターンに空隙（かすれ）が形成されてしまうことがある。これにより、半導体層または電極層のパターンに空隙（かすれ）が形成されてしまう。
　本発明は、スクリーン印刷法を用いて形成したマスクを用いてパターニングを行っても、パターン化された半導体層または電極層に空隙（かすれ）が形成されることを低減することができる半導体素子および半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
　本発明に係る半導体素子は、基板上に、パターン化された半導体層または電極層が形成された半導体素子であって、前記半導体層または前記電極層は、長尺形状をなし、長手方向に延在する帯状の第１パターンと、前記長手方向に交差する帯状の第２パターンとを有し、前記第２パターンにおける９０％の部分が前記第１パターンに対してなす角度のうち鋭角側の角度は、９０度未満である。
　本発明に係る半導体素子の製造方法は、基板上に、パターン化された半導体層または電極層が形成された半導体素子の製造方法であって、前記基板上に、前記半導体層の材料膜または前記電極層の材料膜を形成する半導体層材料膜または電極層材料膜形成工程と、スクリーン印刷法を用いて、前記半導体層の材料膜または前記電極層の材料膜の上に、パターン化されたマスクを形成するマスク形成工程と、前記マスクを用いたウエットエッチング法を用いて、前記半導体層の材料膜または前記電極層の材料膜の一部を除去することにより、パターン化された前記半導体層または前記電極層を形成する半導体層または電極層形成工程と、を含み、前記マスク形成工程では、印刷方向が、印刷版のパターン開孔部における網目（メッシュ）を形成する格子状のワイヤに対してなす角度のうち鋭角側の角度は、２０度以上４０度以下である。
　本発明によれば、スクリーン印刷法を用いて形成したマスクを用いてパターニングを行っても、パターン化された半導体層または電極層に空隙（かすれ）が形成されることを低減することができる。
本実施形態に係る太陽電池を裏面側からみた図である。 図１の太陽電池におけるII-II線断面図である。 本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第１半導体層材料膜形成工程を示す図である。 本実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるマスク形成工程を示す図である。 本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第１半導体層形成工程を示す図である。 本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第１半導体層形成工程を示す図である。 本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第２半導体層材料膜形成工程を示す図である。 本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第２半導体層形成工程（マスク形成工程を省略）を示す図である。 本実施形態に係る太陽電池の製造方法における透明電極層材料膜形成工程を示す図である。 本実施形態に係る太陽電池の製造方法における透明電極層形成工程（マスク形成工程を省略）を示す図である。 本実施形態に係る太陽電池の製造方法における金属電極層形成工程を示す図である。 スクリーン印刷法を用いたマスク形成における問題点を説明するための図である。 スクリーン印刷法を説明するための図である。 スクリーン印刷法を用いたマスク形成における問題点を説明するための図である。 スクリーン印刷法を用いたマスク形成における問題点を説明するための図である。 第１実施形態に係る半導体層または電極層のパターン形状の一例を説明するための図である。 第１実施形態に係る半導体層または電極層のパターン形状の一例を説明するための図である。 第１実施形態に係る半導体層または電極層のパターン形状の一例を説明するための図である。 第１実施形態に係る半導体層または電極層のパターン形状の一例を説明するための図である。 第２実施形態に係るスクリーン印刷法を説明するための図である。
　以下、添付の図面を参照して本発明の実施形態の一例について説明する。なお、各図面において同一または相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。また、便宜上、ハッチングや部材符号等を省略する場合もあるが、かかる場合、他の図面を参照するものとする。
（第１実施形態）
　図１は、本実施形態に係る太陽電池を裏面側からみた図である。図１に示す太陽電池（半導体素子）１は、裏面電極型（バックコンタクト型、裏面接合型ともいう。）の太陽電池である。太陽電池１は、２つの主面を備える半導体基板１１を備え、半導体基板１１の主面において第１領域７と第２領域８とを有する。
　第１領域７は、いわゆる櫛型の形状をなし、櫛歯に相当する複数のフィンガー部７ｆと、櫛歯の支持部に相当するバスバー部７ｂとを有する。バスバー部７ｂは、半導体基板１１の一方の辺部に沿って第１方向（Ｘ方向）に延在し、フィンガー部７ｆは、バスバー部７ｂから、第１方向に交差する第２方向（Ｙ方向）に延在する。
　同様に、第２領域８は、いわゆる櫛型の形状であり、櫛歯に相当する複数のフィンガー部８ｆと、櫛歯の支持部に相当するバスバー部８ｂとを有する。バスバー部８ｂは、半導体基板１１の一方の辺部に対向する他方の辺部に沿って第１方向（Ｘ方向）に延在し、フィンガー部８ｆは、バスバー部８ｂから、第２方向（Ｙ方向）に延在する。
　フィンガー部７ｆとフィンガー部８ｆとは、第２方向（Ｙ方向）に延在する帯状をなしており、第１方向（Ｘ方向）に交互に設けられている。なお、第１領域７および第２領域８は、ストライプ状に形成されてもよい。
　図２は、図１の太陽電池におけるII-II線断面図である。図２に示すように、太陽電池１は、半導体基板１１の主面のうちの受光する側の主面（一方主面）である受光面側に積層された光学調整層１５を備える。また、太陽電池１は、半導体基板１１の主面のうちの受光面の反対側の主面（他方主面）である裏面側の一部（主に、第１領域７）に順に積層された第１導電型半導体層２５および第１電極層２７を備える。また、太陽電池１は、半導体基板１１の裏面側の他の一部（主に、第２領域８）に順に積層された第２導電型半導体層３５および第２電極層３７を備える。
　半導体基板１１は、単結晶シリコンまたは多結晶シリコン等の結晶シリコン材料で形成される。半導体基板１１は、例えば結晶シリコン材料にｎ型ドーパントがドープされたｎ型の半導体基板である。なお、半導体基板１１は、例えば結晶シリコン材料にｐ型ドーパントがドープされたｐ型の半導体基板であってもよい。ｎ型ドーパントとしては、例えばリン（Ｐ）が挙げられる。ｐ型ドーパントとしては、例えばホウ素（Ｂ）が挙げられる。半導体基板１１は、受光面側からの入射光を吸収して光キャリア（電子および正孔）を生成する光電変換基板として機能する。
　光学調整層１５は、半導体基板１１の受光面側に形成されている。光学調整層１５は、入射光の反射を防止する反射防止層として機能するとともに、半導体基板１１の受光面側を保護する保護層として機能する。光学調整層１５は、例えば酸化珪素（ＳｉＯ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、または酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）のようなそれらの複合物等の絶縁体材料で形成される。
　第１導電型半導体層２５は、半導体基板１１の裏面側の第１領域７に形成されている。第１導電型半導体層２５は、例えばアモルファスシリコン材料で形成される。第１導電型半導体層２５は、例えばアモルファスシリコン材料にｐ型ドーパント（例えば、上述したホウ素（Ｂ））がドープされたｐ型の半導体層である。
　第２導電型半導体層３５は、半導体基板１１の裏面側の第２領域８に形成されている。第２導電型半導体層３５は、例えばアモルファスシリコン材料で形成される。第２導電型半導体層３５は、例えばアモルファスシリコン材料にｎ型ドーパント（例えば、上述したリン（Ｐ））がドープされたｎ型の半導体層である。
　なお、第１導電型半導体層２５がｎ型の半導体層であり、第２導電型半導体層３５がｐ型の半導体層であってもよい。
　第１導電型半導体層２５と、第２導電型半導体層３５とは、第２方向（Ｙ方向）に延在する帯状をなしており、第１方向（Ｘ方向）に交互に並んでいる。第２導電型半導体層３５の一部は、隣接する第１導電型半導体層２５の一部の上に重なっていてもよい（図示省略）。
　半導体基板１１と光学調整層１５との間には、パッシベーション層が形成されていてもよい。また、半導体基板１１と第１導電型半導体層２５との間、および、半導体基板１１と第２導電型半導体層３５との間には、パッシベーション層が形成されていてもよい。パッシベーション層は、例えば真性（ｉ型）アモルファスシリコン材料で形成される。パッシベーション層は、半導体基板１１で生成されたキャリアの再結合を抑制し、キャリアの回収効率を高める。
　第１電極層２７は、第１導電型半導体層２５に対応して、具体的には半導体基板１１の裏面側の第１領域７における第１導電型半導体層２５の上に形成されている。第２電極層３７は、第２導電型半導体層３５に対応して、具体的には半導体基板１１の裏面側の第２領域８における第２導電型半導体層３５の上に形成されている。第１電極層２７は、第１導電型半導体層２５上に順に積層された第１透明電極層２８と第１金属電極層２９とを有する。第２電極層３７は、第２導電型半導体層３５上に順に積層された第２透明電極層３８と第２金属電極層３９とを有する。
　第１透明電極層２８および第２透明電極層３８は、透明な導電性材料で形成される。透明導電性材料としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウムおよび酸化スズの複合酸化物）等が挙げられる。
　第１金属電極層２９および第２金属電極層３９は、銀等の金属粉末を含有する導電性ペースト材料で形成される。
　第１電極層２７および第２電極層３７、すなわち第１透明電極層２８，第２透明電極層３８，第１金属電極層２９および第２金属電極層３９は、第２方向（Ｙ方向）に延在する帯状をなしており、第１方向（Ｘ方向）に交互に並んでいる。第１透明電極層２８と第２透明電極層３８とは互いに分離されており、第１金属電極層２９と第２金属電極層３９とも互いに分離されている。
（太陽電池の製造方法）
　次に、図３Ａ～図３Ｉを参照して、本実施形態に係る太陽電池の製造方法について説明する。図３Ａは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第１半導体層材料膜形成工程を示す図であり、図３Ｂは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるマスク形成工程を示す図であり、図３Ｃおよび図３Ｄは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第１半導体層形成工程を示す図である。図３Ｅは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第２半導体層材料膜形成工程を示す図であり、図３Ｆは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第２半導体層形成工程（マスク形成工程を省略）を示す図である。図３Ｇは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における透明電極層材料膜形成工程を示す図であり、図３Ｈは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における透明電極層形成工程（マスク形成工程を省略）を示す図である。図３Ｉは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における金属電極層形成工程を示す図である。図３Ａ～図３Ｉでは、半導体基板１１の裏面側を示し、半導体基板１１の表面側を省略する。
　まず、図３Ａに示すように、例えばＣＶＤ法またはＰＶＤ法を用いて、半導体基板１１の裏面側の全面に、第１導電型半導体層材料膜２５Ｚを積層（製膜）する（第１半導体層材料膜形成工程）。
　次に、図３Ｂ～図３Ｄに示すように、半導体基板１１の裏面側において、第２領域８における第１導電型半導体層材料膜２５Ｚを除去することにより、第１領域７に、パターン化された第１導電型半導体層２５を形成する。
　具体的には、図３Ｂに示すように、半導体基板１１の裏面側において、第１領域７における第１導電型半導体層材料膜２５Ｚ上に、スクリーン印刷法を用いて、パターン化されたマスク９０を形成する（マスク形成工程）。マスクの材料としては、例えば感光性または非感光性の有機レジスト材料等が挙げられる。
　その後、図３Ｃに示すように、マスク９０を利用したウエットエッチング法を用いて、第２領域８における第１導電型半導体層材料膜２５Ｚ（すなわち、第１導電型半導体層材料膜２５Ｚの一部）を除去することにより、第１領域７に、パターン化された第１導電型半導体層２５を形成する（第１半導体層形成工程）。ｐ型半導体膜に対するエッチング溶液としては、例えばオゾンをフッ酸に溶解させた混合液、またはフッ酸と硝酸との混合液等の酸性溶液が挙げられ、ｎ型半導体膜に対するエッチング溶液としては、例えば水酸化カリウム水溶液等のアルカリ性溶液が挙げられる。
　その後、図３Ｄに示すように、マスク９０を剥離する。
　次に、図３Ｅに示すように、例えばＣＶＤ法またはＰＶＤ法を用いて、半導体基板１１の裏面側の全面に、第２導電型半導体層材料膜３５Ｚを積層（製膜）する（第２半導体層材料膜形成工程）。
　次に、図３Ｆに示すように、半導体基板１１の裏面側において、第１領域７における第２導電型半導体層材料膜３５Ｚを除去することにより、第２領域８に、パターン化された第２導電型半導体層３５を形成する。
　例えば、上述同様に、半導体基板１１の裏面側において、第２領域８における第２導電型半導体層材料膜３５Ｚ上に、スクリーン印刷法を用いて、パターン化されたマスク９０を形成する（マスク形成工程）。
　その後、マスク９０を利用したウエットエッチング法を用いて、第１領域７における第２導電型半導体層材料膜３５Ｚ（すなわち、第２導電型半導体層材料膜３５Ｚの一部）を除去することにより、第２領域８に、パターン化された第２導電型半導体層３５を形成する（第２半導体層形成工程）。
　その後、マスク９０を剥離する。
　なお、上述した第１半導体層材料膜形成工程または第２半導体層材料膜形成工程において、半導体基板１１の受光面側の全面に、光学調整層１５を形成してもよい（図示省略）。
　次に、図３Ｇに示すように、第１導電型半導体層２５および第２導電型半導体層３５上にこれらに跨って透明電極層材料膜２８Ｚを形成する（透明電極層材料膜形成工程）。透明電極層材料膜２８Ｚの形成方法としては、例えばＣＶＤ法またはＰＶＤ法等が用いられる。
　次に、図３Ｈに示すように、半導体基板１１の裏面側において、第１領域７と第２領域８との境界における透明電極層材料膜２８Ｚを除去することにより、第１領域７にパターン化された第１透明電極層２８を形成し、第２領域８にパターン化された第２透明電極層３８を形成する。
　例えば、上述同様に、半導体基板１１の裏面側において、第１領域７における透明電極層材料膜２８Ｚ上、および第２領域８における透明電極層材料膜２８Ｚ上に、スクリーン印刷法を用いて、パターン化されたマスク９０を形成する（マスク形成工程）。
　その後、マスク９０を利用したウエットエッチング法を用いて、第１領域７と第２領域８との境界における透明電極層材料膜２８Ｚ（すなわち、透明電極層材料膜２８Ｚの一部）を除去することにより、第１領域７にパターン化された第１透明電極層２８を形成し、第２領域８にパターン化された第２透明電極層３８を形成する（透明電極層形成工程）。透明電極層材料膜に対するエッチング溶液としては、塩酸（ＨＣｌ）等の酸性溶液が挙げられる。
　次に、図３Ｉに示すように、半導体基板１１の裏面側において、第１透明電極層２８上に第１金属電極層２９を形成し、第２透明電極層３８上に第２金属電極層３９を形成する（金属電極層形成工程）。第１金属電極層２９および第２金属電極層３９の形成方法としては、印刷法または塗布法等が用いられる。
　以上の工程により、本実施形態の裏面電極型の太陽電池１が完成する。
　ここで、図４に示すように、第１導電型半導体層２５および第１透明電極層２８は、長尺形状のパターンであって、長手方向（Ｙ方向）に延在する帯状の第１パターン２５Ａ，２８Ａと、長手方向に交差する短手方向（Ｘ方向）に延在する帯状の第２パターン２５Ｂ，２８Ｂとを有することがある。この場合、スクリーン印刷法を用いたマスク形成工程では、長尺形状のパターン化されたマスク９０であって、長手方向（Ｙ方向）に延在する帯状の第１パターン９０Ａと、長手方向に交差する短手方向（Ｘ方向）に延在する帯状の第２パターン９０Ｂとを有するマスク９０を形成する。
　ところで、図５に示すように、スクリーン印刷法では、印刷版のパターン開孔部８１に充填された印刷材料を、スキージ８３の移動により被印刷物に転写する。印刷版のパターン開孔部８１には、格子状のワイヤによって網目（メッシュ）が形成されている。
　一般に、スクリーン印刷法では、図４に示すように、長尺形状のマスク９０の長手方向、すなわち主な帯状の第１パターン９０Ａと、印刷方向（スキージ８３移動方向）Ｄ１とが平行になるようにする。また、図５に示すように、印刷版のパターン開孔部８１における網目（メッシュ）を形成する格子状のワイヤに対して、印刷方向（スキージ８３移動方向）を約１１度傾けるのが好ましい。
　この場合、図４に示すように、マスク９０における短手方向（Ｘ方向）に延在する帯状の第２パターン９０Ｂに、空隙Ｖ１（印刷かすれ）が発生してしまうことがある。特に、空隙Ｖ１（印刷かすれ）は、第２パターン９０Ｂにおける印刷方向の元側に発生する。マスク９０に空隙（印刷かすれ）が発生すると、第１導電型半導体層２５のパターニングまたは第１透明電極層２８のパターニングにおいて、第１導電型半導体層２５または第１透明電極層２８にも空隙が発生してしまう。スクリーン印刷法によるマスク９０の空隙（印刷かすれ）の発生について、以下のように考察される。
　図６Ａに示すように、マスク９０における長手方向（Ｙ方向）に延在する帯状の第１パターン９０Ａでは、印刷版のパターン開孔部８１における印刷方向の網目（メッシュ）の数が多く、吐出された印刷材料が十分に平滑化される。一方、図６Ｂに示すように、マスク９０における短手方向（Ｘ方向）に延在する帯状の第２パターン９０Ｂでは、印刷版のパターン開孔部８１における印刷方向の網目（メッシュ）の数が少なく、吐出された印刷材料が十分に平滑化されない。
　この現象は、印刷版の使用回数が増えるほど顕著に発生する。
　この点に関し、本願発明者は、マスク９０における短手方向（Ｘ方向）に延在する帯状の第２パターン９０Ｂにおいて、印刷版のパターン開孔部８１における印刷方向の網目（メッシュ）の数を増やすことを考案する。具体的には、マスク９０における長手方向（Ｙ方向）に交差する帯状の第２パターン９０Ｂを、印刷方向（スキージ８３移動方向）Ｄ１に対して直交しないように形成する。
　そのため、本実施形態では、第１導電型半導体層２５のパターンおよび第１透明電極層２８のパターンは、
・長尺形状のパターンであって、長手方向（Ｙ方向）に延在する帯状の第１パターン２５Ａ，２８Ａと、長手方向に交差する帯状の第２パターン２５Ｂ，２８Ｂとを有し、
・第２パターン２５Ｂ，２８Ｂは、第１パターン２５Ａ，２８Ａに対して９０度未満、好ましくは、２０度以上４０度以下の角度（鋭角側）をなしている。
　これにより、マスク９０における長手方向（Ｙ方向）に交差する帯状の第２パターン９０Ｂを、印刷方向（スキージ８３移動方向）に対して直交しないように形成することができ、マスク９０の空隙（印刷かすれ）の発生を低減することができる。そのため、スクリーン印刷法を用いて形成したマスク９０を用いてパターニングを行っても、パターン化された第１導電型半導体層２５および第１透明電極層２８に空隙（かすれ）が形成されることを低減することができる。
　例えば、図７Ａに示すように、第１導電型半導体層２５のパターンおよび第１透明電極層２８のパターンにおける第２パターン２５Ｂ，２８Ｂは、長手方向（Ｙ方向）に凸である円弧形状である。この場合、第２パターン２５Ｂ，２８Ｂの円弧の接線は、直線状の第１パターン２５Ａ，２８Ａに対して０度よりも大きく９０度よりも小さい範囲で次第に変化する。なお、第２パターン２５Ｂ，２８Ｂの凸の先端である１点において、第２パターン２５Ｂ，２８Ｂが第１パターン２５Ａ，２８Ａに対して９０度となる。この点に関し、第２パターン２５Ｂ，２８Ｂにおける９０％の部分、好ましくは９５％の部分、更に好ましくは９８％の部分が、第１パターン２５Ａ，２８Ａに対して９０度未満の角度（鋭角側）をなしていればよい。
　或いは、図７Ｂに示すように、第１導電型半導体層２５のパターンおよび第１透明電極層２８のパターンにおける第２パターン２５Ｂ，２８Ｂは、長手方向（Ｙ方向）に凸である尖形状である。この場合、第２パターン２５Ｂ，２８Ｂは、第１パターン２５Ａ，２８Ａに対して９０度未満の角度（鋭角側）をなしている。更には、第２パターン２５Ｂ，２８Ｂは、第１パターン２５Ａ，２８Ａに対して２０度以上４０度以下の角度（鋭角側）をなしていることが好ましい。
　或いは、図７Ｃに示すように、第１導電型半導体層２５のパターンおよび第１透明電極層２８のパターンにおける第２パターン２５Ｂ，２８Ｂは、長手方向（Ｙ方向）に凹である逆尖形状である。この場合、第２パターン２５Ｂ，２８Ｂは、第１パターン２５Ａ，２８Ａに対して９０度未満の角度（鋭角側）をなしている。更には、第２パターン２５Ｂ，２８Ｂは、第１パターン２５Ａ，２８Ａに対して２０度以上４０度以下の角度（鋭角側）をなしていることが好ましい。
　或いは、図７Ｄに示すように、第１導電型半導体層２５のパターンおよび第１透明電極層２８のパターンにおける第２パターン２５Ｂ，２８Ｂは、長手方向（Ｙ方向）に凹凸である波形状である。例えば正弦波では、山と谷との間の変曲点において傾きが最大となる。これにより、第２パターン２５Ｂ，２８Ｂの波形状の傾きは、直線状の第１パターン２５Ａ，２８Ａに対して０度よりも大きく９０度よりも小さい範囲で次第に変化する。なお、図７Ｄでは、第２パターン２５Ｂ，２８Ｂの山および谷の先端である１点において、第２パターン２５Ｂ，２８Ｂが第１パターン２５Ａ，２８Ａに対して９０度となる。この点に関し、第２パターン２５Ｂ，２８Ｂにおける９０％の部分、好ましくは９５％の部分、更に好ましくは９８％の部分が、第１パターン２５Ａ，２８Ａに対して９０度未満の角度（鋭角側）をなしていればよい。
　同様に、図４に示すように、第２導電型半導体層３５および第２透明電極層３８は、長尺形状のパターンであって、長手方向（Ｙ方向）に延在する帯状の第１パターン３５Ａ，３８Ａと、長手方向に交差する短手方向（Ｘ方向）に延在する帯状の第２パターン３５Ｂ，３８Ｂとを有することがある。
　この場合にも、マスク９０における短手方向（Ｘ方向）に延在する帯状の第２パターン９０Ｂに、空隙Ｖ１（印刷かすれ）が発生してしまうことがある。マスク９０に空隙Ｖ１（印刷かすれ）が発生すると、第２導電型半導体層３５のパターニングまたは第２透明電極層３８のパターニングおいて、第２導電型半導体層３５または第２透明電極層３８にも空隙が発生してしまう。
　この点に関し、マスク９０における長手方向（Ｙ方向）に交差する帯状の第２パターン９０Ｂを、印刷方向（スキージ８３移動方向）に対して直交しないように形成する。
　そのため、本実施形態では、第２導電型半導体層３５のパターンおよび第２透明電極層３８のパターンは、
・長尺形状のパターンであって、長手方向（Ｙ方向）に延在する帯状の第１パターン３５Ａ，３８Ａと、長手方向に交差する帯状の第２パターン３５Ｂ，３８Ｂとを有し、
・第２パターン３５Ｂ，３８Ｂは、第１パターン３５Ａ，３８Ａに対して９０度未満、好ましくは、２０度以上４０度以下の角度（鋭角側）をなしている。
　これにより、マスク９０における長手方向（Ｙ方向）に延在する帯状の第２パターン９０Ｂを、印刷方向（スキージ８３移動方向）に対して直交しないように形成することができ、マスク９０の空隙（印刷かすれ）の発生を低減することができる。そのため、スクリーン印刷法を用いて形成したマスク９０を用いてパターニングを行っても、パターン化された第２導電型半導体層３５および第２透明電極層３８に空隙（かすれ）が形成されることを低減することができる。
　例えば、図７Ａに示すように、第２導電型半導体層３５のパターンおよび第２透明電極層３８のパターンにおける第２パターン３５Ｂ，３８Ｂは、長手方向（Ｙ方向）に凸である円弧形状である。この場合、第２パターン３５Ｂ，３８Ｂの円弧の接線は、直線状の第１パターン３５Ａ，３８Ａに対して０度よりも大きく９０度よりも小さい範囲で次第に変化する。なお、第２パターン３５Ｂ，３８Ｂの凸の先端である１点において、第２パターン３５Ｂ，３８Ｂが第１パターン３５Ａ，３８Ａに対して９０度となる。この点に関し、第２パターン３５Ｂ，３８Ｂにおける９０％の部分、好ましくは９５％の部分、更に好ましくは９８％の部分が、第１パターン３５Ａ，３８Ａに対して９０度未満の角度（鋭角側）をなしていればよい。
　或いは、図７Ｂに示すように、第２導電型半導体層３５のパターンおよび第２透明電極層３８のパターンにおける第２パターン３５Ｂ，３８Ｂは、長手方向（Ｙ方向）に凸である尖形状である。この場合、第２パターン３５Ｂ，３８Ｂは、第１パターン３５Ａ，３８Ａに対して９０度未満の角度（鋭角側）をなしている。更には、第２パターン３５Ｂ，３８Ｂは、第１パターン３５Ａ，３８Ａに対して２０度以上４０度以下の角度（鋭角側）をなしていることが好ましい。
　或いは、図７Ｃに示すように、第２導電型半導体層３５のパターンおよび第２透明電極層３８のパターンにおける第２パターン３５Ｂ，３８Ｂは、長手方向（Ｙ方向）に凹である逆尖形状である。この場合、第２パターン３５Ｂ，３８Ｂは、第１パターン３５Ａ，３８Ａに対して９０度未満の角度（鋭角側）をなしている。更には、第２パターン３５Ｂ，３８Ｂは、第１パターン３５Ａ，３８Ａに対して２０度以上４０度以下の角度（鋭角側）をなしていることが好ましい。
　或いは、図７Ｄに示すように、第２導電型半導体層３５のパターンおよび第２透明電極層３８のパターンにおける第２パターン３５Ｂ，３８Ｂは、長手方向（Ｙ方向）に凹凸である波形状である。例えば正弦波では、山と谷との間の変曲点において傾きが最大となる。これにより、第２パターン３５Ｂ，３８Ｂの波形状の傾きは、直線状の第１パターン３５Ａ，３８Ａに対して０度よりも大きく９０度よりも小さい範囲で次第に変化する。なお、図７Ｄでは、第２パターン３５Ｂ，３８Ｂの山および谷の先端である１点において、第２パターン３５Ｂ，３８Ｂが第１パターン３５Ａ，３８Ａに対して９０度となる。この点に関し、第２パターン３５Ｂ，３８Ｂにおける９０％の部分、好ましくは９５％の部分、更に好ましくは９８％の部分が、第１パターン３５Ａ，３８Ａに対して９０度未満の角度（鋭角側）をなしていればよい。
（第２実施形態）
　第１実施形態では、スクリーン印刷におけるマスク９０の空隙（かすれ）の発生を抑制するために、マスク９０のパターン形状、すなわち半導体層および電極層のパターン形状を変更した。第２実施形態では、これに代えて、印刷版の角度を変更する。
　本願発明者は、図４に示すように、
・半導体層２５，３５および透明電極層２８，３８が、長尺形状のパターンであって、長手方向（Ｙ方向）に延在する帯状の第１パターン２５Ａ，３５Ａ，２８Ａ，３８Ａと、長手方向に交差する短手方向（Ｘ方向）に延在する帯状の第２パターン２５Ｂ，３５Ｂ，２８Ｂ，３８Ｂとを有するパターンであり、
・長尺形状のパターン化されたマスク９０であって、長手方向（Ｙ方向）に延在する帯状の第１パターン９０Ａと、長手方向に交差する短手方向（Ｘ方向）に延在する帯状の第２パターン９０Ｂとを有するマスク９０を形成する、
場合であっても、図８に示すように、印刷方向Ｄ１（スキージ８３移動方向）を、印刷版のパターン開孔部８１における網目（メッシュ）を形成する格子状のワイヤに対して変更することにより、マスク９０の空隙（印刷かすれ）の発生を低減できることを見出した。
　そこで、本実施形態では、スクリーン印刷法を用いたレジスト形成工程において、図８に示すように、印刷方向Ｄ１（スキージ８３移動方向）を、印刷版のパターン開孔部８１における網目（メッシュ）を形成する格子状のワイヤに対して、２０度以上４０度以下、好ましくは２２度以上３５度以下、より好ましくは２５度にする（２つの角度のうちの鋭角側の角度）。
　これにより、マスク９０の空隙（印刷かすれ）の発生を低減することができる。そのため、スクリーン印刷法を用いて形成したマスク９０を用いてパターニングを行っても、パターン化された半導体層２５，３５および透明電極層２８，３８に空隙（かすれ）が形成されることを低減することができる。
　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されることなく、種々の変更および変形が可能である。例えば、上述した実施形態では、上述した実施形態では、図２に示すようにヘテロ接合型の太陽電池およびその製造方法を例示したが、本発明の特徴は、ヘテロ接合型の太陽電池に限らず、ホモ接合型の太陽電池等の種々の太陽電池およびその製造方法に適用可能である。
　また、上述した実施形態では、結晶シリコン基板を有する太陽電池を例示したが、これに限定されない。例えば、太陽電池は、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板を有していてもよい。
　更に、上述した実施形態では、太陽電池およびその製造方法について例示した。しかし、本発明の特徴はこれに限定されず、パターン化された半導体層または電極層を備える種々の半導体素子およびその製造方法に適用可能である。
　１　太陽電池（半導体素子）
　７　第１領域
　７ｂ，８ｂ　バスバー部
　７ｆ，８ｆ　フィンガー部
　８　第２領域
　１１　半導体基板（基板）
　１５　光学調整層
　２５　第１導電型半導体層
　２５Ａ，２８Ａ　第１パターン
　２５Ｂ，２８Ｂ　第２パターン
　２５Ｚ　第１導電型半導体層材料膜
　２７　第１電極層
　２８　第１透明電極層（電極層）
　２８Ｚ　透明電極層材料膜
　２９　第１金属電極層
　３５　第２導電型半導体層
　３５Ａ，３８Ａ　第１パターン
　３５Ｂ，３８Ｂ　第２パターン
　３５Ｚ　第２導電型半導体層材料膜
　３７　第２電極層
　３８　第２透明電極層（電極層）
　３９　第２金属電極層
　８１　印刷版のパターン開孔部
　８３　スキージ
　９０　マスク
　９０Ａ　第１パターン
　９０Ｂ　第２パターン
　Ｄ１　印刷方向
　Ｖ１　空隙（印刷かすれ）

Claims (6)

  1. 　基板上に、パターン化された半導体層または電極層が形成された半導体素子であって、
    　前記半導体層または前記電極層は、長尺形状をなし、長手方向に延在する帯状の第１パターンと、前記長手方向に交差する帯状の第２パターンとを有し、
    　前記第２パターンにおける９０％の部分が前記第１パターンに対してなす角度のうち鋭角側の角度は、９０度未満である、
    半導体素子。
  2. 　前記第２パターンは、前記長手方向に凸である円弧形状、前記長手方向に凸である尖形状、前記長手方向に凹である逆尖形状、または前記長手方向に凹凸である波形状である、請求項１に記載の半導体素子。
  3. 　前記半導体素子は、裏面電極型の太陽電池である、請求項１または２に記載の半導体素子。
  4. 　基板上に、パターン化された半導体層または電極層が形成された半導体素子の製造方法であって、
    　前記基板上に、前記半導体層の材料膜または前記電極層の材料膜を形成する半導体層材料膜または電極層材料膜形成工程と、
    　スクリーン印刷法を用いて、前記半導体層の材料膜または前記電極層の材料膜の上に、パターン化されたマスクを形成するマスク形成工程と、
    　前記マスクを用いたウエットエッチング法を用いて、前記半導体層の材料膜または前記電極層の材料膜の一部を除去することにより、パターン化された前記半導体層または前記電極層を形成する半導体層または電極層形成工程と、
    を含み、
    　前記マスク形成工程では、印刷方向が、印刷版のパターン開孔部における網目（メッシュ）を形成する格子状のワイヤに対してなす角度のうち鋭角側の角度は、２０度以上４０度以下である、
    半導体素子の製造方法。
  5. 　前記印刷方向は、スキージの移動方向である、請求項４に記載の半導体素子の製造方法。
  6. 　前記半導体素子は、裏面電極型の太陽電池である、請求項４または５に記載の半導体素子の製造方法。
PCT/JP2021/014502 2020-04-06 2021-04-05 半導体素子および半導体素子の製造方法 Ceased WO2021206056A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022514066A JP7651559B2 (ja) 2020-04-06 2021-04-05 半導体素子および半導体素子の製造方法
CN202180024389.1A CN115315819B (zh) 2020-04-06 2021-04-05 半导体元件以及半导体元件的制造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-068186 2020-04-06
JP2020068186 2020-04-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2021206056A1 true WO2021206056A1 (ja) 2021-10-14

Family

ID=78023162

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2021/014502 Ceased WO2021206056A1 (ja) 2020-04-06 2021-04-05 半導体素子および半導体素子の製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7651559B2 (ja)
CN (1) CN115315819B (ja)
WO (1) WO2021206056A1 (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006224370A (ja) * 2005-02-16 2006-08-31 Sharp Corp スクリーン印刷方法およびその方法を用いて製造された太陽電池
US20130137210A1 (en) * 2010-02-05 2013-05-30 E I Du Pont De Nemours And Company Masking pastes and processes for manufacturing a partially transparent thin-film photovoltaic panel
WO2018037672A1 (ja) * 2016-08-22 2018-03-01 株式会社カネカ 太陽電池および太陽電池モジュール
CN207669966U (zh) * 2017-12-27 2018-07-31 通威太阳能（成都）有限公司 一种太阳能硅片电池电极印刷网板
WO2019111491A1 (ja) * 2017-12-04 2019-06-13 株式会社カネカ 太陽電池およびその太陽電池を備えた電子機器
WO2019163750A1 (ja) * 2018-02-23 2019-08-29 株式会社カネカ 太陽電池およびその太陽電池を備えた電子機器

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5555509B2 (ja) 2010-03-11 2014-07-23 ナミックス株式会社 太陽電池及びその製造方法
JP5974300B2 (ja) 2010-08-24 2016-08-23 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池及びその製造方法
JP6125417B2 (ja) * 2013-12-13 2017-05-10 信越化学工業株式会社 スクリーン印刷用メタルマスク及び太陽電池の製造方法
KR101661948B1 (ko) * 2014-04-08 2016-10-04 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
JP2016111199A (ja) 2014-12-05 2016-06-20 日立化成株式会社 太陽電池ユニット及び太陽電池ユニットの製造方法
MY192805A (en) * 2015-07-22 2022-09-09 Shinetsu Chemical Co Screen printing apparatus, screen printing method, and electrode formation method of solar battery
JP6559244B2 (ja) 2015-09-25 2019-08-14 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法および太陽電池
JP2017222079A (ja) * 2016-06-15 2017-12-21 株式会社コベルコ科研 スクリーン印刷用の金属箔およびそれを備えるスクリーン印刷版

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006224370A (ja) * 2005-02-16 2006-08-31 Sharp Corp スクリーン印刷方法およびその方法を用いて製造された太陽電池
US20130137210A1 (en) * 2010-02-05 2013-05-30 E I Du Pont De Nemours And Company Masking pastes and processes for manufacturing a partially transparent thin-film photovoltaic panel
WO2018037672A1 (ja) * 2016-08-22 2018-03-01 株式会社カネカ 太陽電池および太陽電池モジュール
WO2019111491A1 (ja) * 2017-12-04 2019-06-13 株式会社カネカ 太陽電池およびその太陽電池を備えた電子機器
CN207669966U (zh) * 2017-12-27 2018-07-31 通威太阳能（成都）有限公司 一种太阳能硅片电池电极印刷网板
WO2019163750A1 (ja) * 2018-02-23 2019-08-29 株式会社カネカ 太陽電池およびその太陽電池を備えた電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2021206056A1 (ja) 2021-10-14
CN115315819B (zh) 2025-07-22
JP7651559B2 (ja) 2025-03-26
CN115315819A (zh) 2022-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7356445B2 (ja) 太陽電池の製造方法、太陽電池、および太陽電池モジュール
JP7436299B2 (ja) 太陽電池の製造方法
JP7433152B2 (ja) 太陽電池および太陽電池の製造方法
JP7101264B2 (ja) 太陽電池の製造方法
WO2021206056A1 (ja) 半導体素子および半導体素子の製造方法
JP7053892B2 (ja) 太陽電池の製造方法
US12107176B2 (en) Solar cell and method for manufacturing solar cell
JP7736675B2 (ja) 太陽電池の製造方法および太陽電池
JP7190556B2 (ja) 太陽電池の製造方法および太陽電池の仕掛品
CN114830357B (zh) 太阳能电池的制造方法
JP7202456B2 (ja) 太陽電池および太陽電池の製造方法
JP7495341B2 (ja) 太陽電池の製造方法
JP7526086B2 (ja) 太陽電池の製造方法、および製膜方法
JP7459059B2 (ja) 太陽電池の製造方法および太陽電池
JP7689431B2 (ja) 太陽電池および太陽電池の製造方法
JP7169440B2 (ja) 太陽電池の製造方法および太陽電池
CN120731677A (zh) 太阳能电池单元、太阳能电池模块以及太阳能电池单元的制造方法
JP7241173B2 (ja) 素子の製造方法
JP2025071534A (ja) 太陽電池の製造方法、および、太陽電池
WO2022210611A1 (ja) 太陽電池および太陽電池の製造方法
JP2023143230A (ja) パターン印刷方法および太陽電池の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21784590

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2022514066

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 21784590

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 202180024389.1

Country of ref document: CN