WO2019187151A1

WO2019187151A1 - 表示デバイス

Info

Publication number: WO2019187151A1
Application number: PCT/JP2018/013973
Authority: WO
Inventors: 真横山; 山田　淳一
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2018-03-30
Filing date: 2018-03-30
Publication date: 2019-10-03
Anticipated expiration: 2020-09-30
Also published as: US20210020734A1; US11538894B2

Abstract

第１金属層、無機絶縁膜、および第２金属層を含み、前記切り欠き部の周縁（ＷＲ）に引き回される第１引き回し配線（Ｗ１）が前記第１金属層に含まれ、前記切り欠き部の周縁に引き回される第２引き回し配線（Ｗ２）が前記第２金属層に含まれ、前記第１引き回し配線および前記第２引き回し配線が前記無機絶縁膜（１８）を介して重なる。

Description

表示デバイス

　本発明は表示デバイスに関する。

　特許文献１には、異形（コーナが切り欠かれた形状）の表示領域の輝度ムラを抑える技術が開示されている。

日本国公開特許公報「特開２０１２－１０３３３５号公報（２０１２年５月３１日公開）」

　前記従来の技術では、表示領域が特定の形状に限定されるという問題がある。

　本発明の一態様に係る表示デバイスは、切り欠き部が形成された表示領域と、額縁領域とを備え、前記表示領域に、データ信号を伝達する複数のデータ信号線と、前記複数のデータ信号線と交差する複数の走査信号線と、複数の発光制御信号線と、前記複数のデータ信号線および前記複数の走査信号線の交点に対応して設けられた複数のサブ画素回路とが含まれ、前記複数のデータ信号線と電気的に接続する駆動回路と、前記複数の走査信号線と電気的に接続する駆動回路と、前記複数の発光制御信号線と電気的に接続する駆動回路とが設けられている表示デバイスであって、前記切り欠き部の周囲の額縁領域に、前記複数のデータ信号線の１つまたは前記複数の走査信号線の１つあるいは前記複数の発光制御信号線の１つである第１信号線と電気的に接続し、前記表示領域から前記切り欠き部に向けて延伸する第１引き回し配線と、前記第１信号線に隣接する、前記複数のデータ信号線の別の１つまたは前記複数の走査信号線の別の１つあるいは前記複数の発光制御信号線の別の１つである第２信号線と電気的に接続し、前記表示領域から前記切り欠き部に向けて延伸する第２引き回し配線とを含み、前記第１引き回し配線が第１金属層に含まれ、前記第２引き回し配線が第１金属層とは異なる層である第２金属層に含まれ、前記第１引き回し配線と前記第２引き回し配線とが無機絶縁膜を介して重畳する。

　本発明の一態様によれば、切り欠きが形成された表示領域の輝度ムラを改善することができる。

表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。（ａ）は表示デバイスの表示領域の構成例を示す断面図であり、（ｂ）はＴＦＴ層の形成工程の一例を示すフローチャートである。実施形態１の表示デバイスを示す平面図である。表示領域に含まれるサブ画素の構成例を示す回路図である。（ａ）は切り欠き部周りの平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のｂ－ｂ断面図である。（ａ）～（ｄ）は中継電極を含む断面図である。（ａ）（ｂ）は実施形態１での走査パルス（アクティブＨｉｇｈ）を示す模式図であり、（ｃ）は参考例での走査パルスを示す模式図であり、（ｄ）（ｅ）は実施形態１での別の走査パルス（アクティブＬｏｗ）を示す模式図であり、（ｆ）は参考例での別の走査パルスを示す模式図である。（ａ）～（ｃ）は、切り欠き部周りにおける引き回し配線の構成例を示す平面図である。コーナ周りの構成例を示す平面図である。コーナ周りの別構成例を示す平面図である。切り欠き部周りの構成例を示す平面図である。切り欠き部周りの別構成例を示す平面図である。切り欠き部周りの別構成例を示す平面図である。（ａ）切り欠き部周りのさらなる別構成例を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のｂ－ｂ断面図である。（ａ）は実施形態２の表示デバイスを示す平面図であり、（ｂ）は切り欠き部周りの構成を示す平面図である。（ａ）は実施形態３の表示デバイスを示す平面図であり、（ｂ）は切り欠き部周りの構成を示す平面図である。

　以下においては、「同層」とは同一のプロセス（成膜工程）にて形成されていることを意味し、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。

　図１は表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。図２は表示デバイスの表示部の構成例を示す断面図である。

　フレキシブルな表示デバイスを製造する場合、図１および図２に示すように、まず、透光性の支持基板（例えば、マザーガラス）上に樹脂層１２を形成する（ステップＳ１）。次いで、バリア層３を形成する（ステップＳ２）。次いで、ＴＦＴ層４を形成する（ステップＳ３）。次いで、トップエミッション型の発光素子層５を形成する（ステップＳ４）。次いで、封止層６を形成する（ステップＳ５）。次いで、封止層６上に上面フィルムを貼り付ける（ステップＳ６）。

　次いで、レーザ光の照射等によって支持基板を樹脂層１２から剥離する（ステップＳ７）。次いで、樹脂層１２の下面に下面フィルム１０を貼り付ける（ステップＳ８）。次いで、下面フィルム１０、樹脂層１２、バリア層３、ＴＦＴ層４、発光素子層５、封止層６を含む積層体を分断し、複数の個片を得る（ステップＳ９）。次いで、得られた個片に機能フィルム３９を貼り付ける（ステップＳ１０）。次いで、複数のサブ画素が形成された表示領域よりも外側（非表示領域、額縁）の一部（端子部）に電子回路基板（例えば、ＩＣチップおよびＦＰＣ）をマウントする（ステップＳ１１）。なお、ステップＳ１～Ｓ１１は、表示デバイス製造装置（ステップＳ１～Ｓ５の各工程を行う成膜装置を含む）が行う。

　樹脂層１２の材料としては、例えばポリイミド等が挙げられる。図２（ｂ）のように、樹脂層１２の部分を、２層の樹脂膜（例えば、ポリイミド膜）およびこれらに挟まれた無機絶縁膜で置き換えることもできる。

　バリア層３は、水、酸素等の異物がＴＦＴ層４および発光素子層５に侵入することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤ法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。

　ＴＦＴ層４は、半導体膜１５と、半導体膜１５よりも上層の無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）と、無機絶縁膜１６よりも上層の、ゲート電極ＧＥおよびゲート配線ＧＨと、ゲート電極ＧＥおよびゲート配線ＧＨよりも上層の無機絶縁膜１８と、無機絶縁膜１８よりも上層の容量電極ＣＥと、容量電極ＣＥよりも上層の無機絶縁膜２０と、無機絶縁膜２０よりも上層のソース配線ＳＨと、ソース配線ＳＨよりも上層の平坦化膜２１とを含む。

　半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体（例えばＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体）で構成され、半導体膜１５およびゲート電極ＧＥを含むようにトランジスタ（ＴＦＴ）が構成される。図２では、トランジスタがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい。

　ゲート電極ＧＥ、ゲート配線ＧＨ、容量電極ＣＥ、およびソース配線ＳＨは、例えば、アルミニウム、タングステン、モリブデン、タンタル、クロム、チタン、銅の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。

　ＴＦＴ層４には、図２に示すように、ステップ３ｃで形成される第１金属層（ゲート層）、ステップ３ｅで形成される第２金属層（中間層）、およびステップ３ｇで形成される第３金属層（ソース層）が含まれる。

　無機絶縁膜１６・１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。平坦化膜２１は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な有機材料によって構成することができる。

　発光素子層５は、平坦化膜２１よりも上層のアノード２２と、アノード２２のエッジを覆う絶縁性のエッジカバー２３と、エッジカバー２３よりも上層のＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層２４と、ＥＬ層２４よりも上層のカソード２５とを含む。エッジカバー２３は、例えば、ポリイミド、アクリル等の有機材料を塗布した後にフォトリソグラフィよってパターニングすることで形成される。

　サブ画素ごとに、島状のアノード２２、ＥＬ層２４、およびカソード２５を含む発光素子ＥＳ（例えば、ＯＬＥＤ：有機発光ダイオード，ＱＬＥＤ：量子ドット発光ダイオード）が発光素子層５に形成され、発光素子ＥＳの制御回路がＴＦＴ層４に形成され、発光素子およびその制御回路でサブ画素回路が構成される。

　ＥＬ層２４は、例えば、下層側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。発光層は、蒸着法あるいはインクジェット法によって、エッジカバー２３の開口（サブ画素ごと）に、島状に形成される。他の層は、島状あるいはベタ状（共通層）に形成する。また、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のうち１以上の層を形成しない構成も可能である。

　ＯＬＥＤの発光層を蒸着形成する場合は、ＦＭＭ（ファインメタルマスク）を用いる。ＦＭＭは多数の開口を有するシート（例えば、インバー材製）であり、１つの開口を通過した有機物質によって島状の発光層（１つのサブ画素に対応）が形成される。

　ＱＬＥＤの発光層は、例えば、量子ドットを拡散させた溶媒をインクジェット塗布することで、島状の発光層（１つのサブ画素に対応）を形成することができる。

　アノード（陽極）２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇ（銀）あるいはＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。カソード（陰極）２５は、ＭｇＡｇ合金（極薄膜）、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium zinc Oxide）等の透光性の導電材で構成することができる。

　発光素子ＥＳがＯＬＥＤである場合、アノード２２およびカソード２５間の駆動電流によって正孔と電子が発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に遷移する過程で光が放出される。カソード２５が透光性であり、アノード２２が光反射性であるため、ＥＬ層２４から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。

　発光素子ＥＳがＱＬＥＤである場合、アノード２２およびカソード２５間の駆動電流によって正孔と電子が発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが、量子ドットの伝導帯準位（conduction band）から価電子帯準位（valence band）に遷移する過程で光（蛍光）が放出される。

　発光素子層５には、前記のＯＬＥＤ、ＱＬＥＤ以外の発光素子（無機発光ダイオード等）を形成してもよい。

　封止層６は透光性であり、カソード２５を覆う無機封止膜２６と、無機封止膜２６よりも上層の有機バッファ膜２７と、有機バッファ膜２７よりも上層の無機封止膜２８とを含む。発光素子層５を覆う封止層６は、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防いでいる。

　無機封止膜２６および無機封止膜２８はそれぞれ無機絶縁膜であり、例えば、ＣＶＤ法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機バッファ膜２７は、平坦化効果のある透光性有機膜であり、アクリル等の塗布可能な有機材料によって構成することができる。有機バッファ膜２７は例えばインクジェット塗布によって形成することができるが、液滴を止めるためのバンクを非表示領域に設けてもよい。

　下面フィルム１０は、支持基板を剥離した後に樹脂層１２の下面に貼り付けることで柔軟性に優れた表示デバイスを実現するための、例えばＰＥＴフィルムである。機能フィルム３９は、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能の少なくとも１つを有する。

　以上にフレキシブルな表示デバイスについて説明したが、非フレキシブルな表示デバイスを製造する場合は、一般的に樹脂層の形成、基材の付け替え等が不要であるため、例えば、ガラス基板上にステップＳ２～Ｓ５の積層工程を行い、その後ステップＳ９に移行する。

　〔実施形態１〕
　図３は実施形態１の表示デバイスを示す平面図である。図４は、表示領域に含まれるサブ画素の構成例を示す回路図である。図５（ａ）は切り欠き部周りの平面図であり、図５（ｂ）は、（ａ）のｂ－ｂ断面図である。図６（ａ）～（ｄ）は中継電極を含む断面図である。

　図３～図５に示すように、表示デバイス２においては表示領域ＤＡに切り欠き部ＮＺが形成され、表示領域ＤＡは、切り欠き部ＮＺの一方サイド（図３における右側）に位置する表示ゾーンＳＡ１（第１表示ゾーン）と、他方サイド（図３における左側）に位置する表示ゾーンＳＡ２（第２表示ゾーン）とを含む。各表示ゾーンＳＡ１・ＳＰ２には複数のサブ画素が設けられる。図４のように、サブ画素ＳＰは、発光素子ＥＳ（例えば、ＯＬＥＤ）およびその制御回路（図２のＴＦＴ層４に形成される）で構成される。

　サブ画素ＳＰは、例えば、データ信号線ＤＬ、走査信号線Ｇｎ、発光制御信号線ＥＭ、高電圧電源線Ｐｈ、および初期化電源線Ｐｉに接続される。なお、容量Ｃｐの一方電極が高電圧電源線Ｐｈに接続され、他方電極が駆動トランジスタＴａのゲート端子に接続される。駆動トランジスタＴａは、そのゲート端子が走査信号線Ｇｎに接続され、そのソース端子が書き込みトランジスタＴｂを介してデータ信号線ＤＬに接続され、そのドレイン端子がトランジスタＴｄを介して発光素子ＥＳに接続される。データ信号線ＤＬはソースドライバＳＤＲ（駆動回路）に接続され、走査信号線ＧｎはゲートドライバＧＤ１・ＧＤ２（駆動回路）に接続され、発光制御信号線ＥＭはエミッションドライバＥＤ１・ＥＤ２（駆動回路）に接続される。ゲートドライバＧＤ１・ＧＤ２およびエミッションドライバＥＤ１・ＥＤ２は、額縁領域（非表示領域）ＮＡに含まれるＴＦＴ層４にモノリシック形成される。ゲートドライバＧＤ１・ＧＤ２は、表示領域ＤＡを挟んで向かい合うように配される。

　表示デバイス２には、ｘ方向に延伸する信号線Ｇ１～Ｇ５・Ｇｎ、および第ｙ方向に延伸する信号線ＤＬが設けられ、信号線Ｇ１・Ｇ２・Ｇ５・Ｇ６は表示ゾーンＳＡ１を通り、信号線Ｇ３・Ｇ４は表示ゾーンＳＡ２を通り、信号線Ｇｎは、切り欠き部ＮＺよりも内側（図３における下側）のメイン領域ＭＰを通る。なお、表示デバイス２の向かい合う２辺（短辺）の一方に沿って外部信号入力用の端子部ＴＳが設けられ、他方に切り欠き部ＮＺが設けられている。以下では、第１引き回し配線Ｗ１～第１０引き回し配線Ｗ１０それぞれについて、引き回し配線Ｗ１～Ｗ１０と略記する。また、第１信号線Ｇ１～第４信号線Ｇ４それぞれについて、信号線Ｇ１～Ｗ４と略記する。

　信号線ＤＬは、接続する複数のサブ画素に信号電圧を供給するデータ信号線である。信号線Ｇ１・Ｇ２・Ｇ５・Ｇ６は、表示ゾーンＳＡ１の複数のサブ画素に走査パルスを供給する走査信号線であり、信号線Ｇ３・Ｇ４は、表示ゾーンＳＡ２の複数のサブ画素に走査パルスを供給する走査信号線であり、信号線Ｇｎは、メイン領域ＭＰの複数のサブ画素に走査パルスを供給する走査信号線である。信号線Ｇ１～Ｇ６・Ｇｎは、図２（ｂ）の第１金属層（ゲート層）に形成され、信号線ＤＬは、図２（ｂ）の第３金属層（ソース層）に形成される。

　図５に示すように、切り欠き部ＮＺの周縁ＷＲ（切り欠き部ＮＺの周囲の額縁領域）には、信号線Ｇ１・Ｇ３と電気的に接続する引き回し配線Ｗ１と、信号線Ｇ２・Ｇ４と電気的に接続する引き回し配線Ｗ２と、信号線Ｇ５と電気的に接続する引き回し配線Ｗ３と、信号線Ｇ６と電気的に接続する引き回し配線Ｗ４とが設けられる。信号線Ｇ１・Ｇ２・Ｇ５・Ｇ６はゲートドライバＧＤ１（図４）に接続され、信号線Ｇ３・Ｇ４はゲートドライバＧＤ２に接続される。

　引き回し配線Ｗ１・Ｗ３は、第１金属層（ゲート層）に形成され、引き回し配線Ｗ２・Ｗ４は、図２の第２金属層（中間層）に形成される（すなわち、引き回し配線Ｗ２・Ｗ４は引き回し配線Ｗ１・Ｗ３よりも上層に位置する）。引き回し配線Ｗ１～Ｗ４は、切り欠き部ＮＺを避けるように迂回する形状であり、切り欠き部ＮＺと重畳するように、カメラレンズ、センサ等を配することができる。

　図６のように、引き回し配線Ｗ１と信号線Ｇ１が、２つのコンタクトホールおよび中継電極Ｅ１を介して電気的に接続され、引き回し配線Ｗ２と信号線Ｇ２が、２つのコンタクトホールおよび中継電極Ｅ２を介して電気的に接続され、引き回し配線Ｗ１と信号線Ｇ３が、２つのコンタクトホールおよび中継電極Ｅ３を介して電気的に接続され、引き回し配線Ｗ２と信号線Ｇ４が、２つのコンタクトホールおよび中継電極Ｅ４を介して電気的に接続されている。中継電極Ｅ１～Ｅ４は、図２の第３金属層（ソース層）に形成されている。

　引き回し配線Ｗ１は、切り欠き部ＮＺの周縁ＷＲに位置する迂回部Ｗ１ｘ・Ｗ１ｙ・Ｗ１ｚを含み、迂回部Ｗ１ｘはｘ方向に延伸し、迂回部Ｗ１ｙ・Ｗ１ｚはｙ方向（ｘ方向と直交する方向）に延伸する。引き回し配線Ｗ２は、切り欠き部ＮＺの周縁ＷＲに位置する迂回部Ｗ２ｘ・Ｗ２ｙ・Ｗ２ｚを含み、迂回部Ｗ２ｘはｘ方向に延伸し、迂回部Ｗ２ｙ・Ｗ２ｚはｙ方向に延伸する。引き回し配線Ｗ３は、切り欠き部ＮＺの周縁ＷＲに位置する迂回部Ｗ３ｘ・Ｗ３ｙ・Ｗ３ｚを含み、迂回部Ｗ３ｘはｘ方向に延伸し、迂回部Ｗ３ｙ・Ｗ３ｚはｙ方向に延伸する。引き回し配線Ｗ４は、切り欠き部ＮＺの周縁ＷＲに位置する迂回部Ｗ４ｘ・Ｗ４ｙ・Ｗ４ｚを含み、迂回部Ｗ４ｘはｘ方向に延伸し、迂回部Ｗ４ｙ・Ｗ４ｚはｙ方向に延伸する。

　実施形態１では、図５に示すように、ｘ方向に延伸する、迂回部Ｗ１ｘおよび迂回部Ｗ２ｘが無機絶縁膜１８を介して重なり、ｙ方向に延伸する、迂回部Ｗ１ｙおよび迂回部Ｗ２ｙが無機絶縁膜１８を介して重なり、ｙ方向に延伸する、迂回部Ｗ１ｚおよび迂回部Ｗ２ｚが無機絶縁膜１８を介して重なる。また、ｘ方向に延伸する、迂回部Ｗ３ｘおよび迂回部Ｗ４ｘが無機絶縁膜１８を介して重なり、ｙ方向に延伸する、迂回部Ｗ３ｙおよび迂回部Ｗ４ｙが無機絶縁膜１８を介して重なり、ｙ方向に延伸する、迂回部Ｗ３ｚおよび迂回部Ｗ４ｚが無機絶縁膜１８を介して重なる。なお、「重なる（重畳する）」とは、平面視において重なる（重畳する）ということである。

　これにより、信号線Ｇ１・Ｇ３に接続する引き回し配線Ｗ１および信号線Ｇ２・Ｇ４に接続する引き回し配線Ｗ２それぞれに、迂回部Ｗ１ｘ・Ｗ２ｘ間の容量と、迂回部Ｗ１ｙ・Ｗ２ｙ間の容量と、迂回部Ｗ１ｚ・Ｗ２ｚ間の容量とを付加することができる。

　図７（ａ）（ｂ）は実施形態１での走査パルス（アクティブＨｉｇｈ）を示す模式図であり、図７（ｃ）は参考例での走査パルスを示す模式図であり、図７（ｄ）（ｅ）は実施形態１での別の走査パルス（アクティブＬｏｗ）を示す模式図であり、図７（ｆ）は参考例での別の走査パルスを示す模式図である。信号線Ｇ１～Ｇ４それぞれは、メイン領域を通る信号線Ｇｎと比較して、接続されるサブ画素の数が少なく、また、交差するデータ信号線ＤＬの数も少ないが、引き回し配線Ｗ１・Ｗ２による容量を付加することで、メイン領域ＭＰを通る信号線Ｇｎの負荷と、信号線Ｇ１・Ｇ３および引き回し配線Ｗ１を含む経路の負荷と、信号線Ｇ２・Ｇ４および引き回し配線Ｗ２を含む経路の負荷とを揃えることができる。

　これにより、信号線Ｇｎにおける走査パルスの波形（図７（ａ）参照）と、信号線Ｇ１～Ｇ４それぞれにおける走査パルスの波形（図７（ｂ）参照）とが揃い、切り欠き部ＮＺの両サイドにあたる表示ゾーンＳＡ１および表示ゾーンＳＡ２と、切り欠き部ＮＺのよりも内側のメイン領域ＭＰとの間に輝度ムラが生じ難くなる。

　なお、引き回し配線Ｗ１・Ｗ２による容量を形成しない（引き回し配線Ｗ１・Ｗ２を相互に重ならないように形成した）場合、信号線Ｇ１～Ｇ４それぞれにおける走査パルスの立ち上がりおよび戻り（図７（ｃ）参照）が、信号線Ｇｎにおける走査パルスの立ち上がりおよび戻り（図７（ａ）参照）よりも急峻となり、輝度ムラが生じうる。

　図７（ａ）～（ｃ）は走査パルスがアクティブＨｉｇｈの場合を示しているが、走査パルスがアクティブＬｏｗの場合は図７（ｄ）～（ｆ）のようになる。

　図３の信号線Ｇ１～Ｇ６・Ｇｎそれぞれは、走査信号線に限られず、例えば発光制御信号線（サブ画素に発光制御パルスを供給する信号線）でもよい。また、データ信号線でもよい。さらに、引き回し配線Ｗ１が走査信号線と電気的に接続し、引き回し配線Ｗ２が発光制御信号線と電気的に接続するような構成も可能である。

　図８は、切り欠き部まわりの引き回し配線の構成例を示す平面図である。図５では迂回部Ｗ２ｘを迂回部Ｗ１ｘだけに重ねているがこれに限定されない。例えば図８のように、迂回部Ｗ２ｘを、２つの迂回部Ｗ１ｘ・Ｗ３ｘに重ねる構成も可能である。この場合、迂回部Ｗ１ｘ・Ｗ２ｘ・Ｗ３ｘ・Ｗ４ｘを、図８（ａ）のように直線状としてもよいし、図８（ｂ）のように平面方向の凹部および凸部をもつ形状としてもよい。この場合、引き回し配線Ｗ２の凸部が、引き回し配線Ｗ１および引き回し配線Ｗ３と重なる。

　なお、図８（ｃ）のように、引き回し配線Ｗ１および引き回し配線Ｗ２それぞれが、局所的に幅広となる幅広部Ｈｘを有し、引き回し配線Ｗ１の幅広部Ｈｘと、引き回し配線Ｗ２の幅広部Ｈｘとが重畳する構成でもよい。

　図９は、表示領域のコーナ周りの構成例を示す平面図である。図９では、表示ゾーンＳＡ１のエッジの外側に引き回され、信号線Ｇ１と電気的に接続される引き回し配線Ｗ５と、表示ゾーンＳＡ１のエッジの外側に引き回され、信号線Ｇ２と電気的に接続される引き回し配線Ｗ６とを設ける。引き回し配線Ｗ５は第１金属層（ゲート層）に含まれ、引き回し配線Ｗ６が第２金属層（中間層）に含まれ、引き回し配線Ｗ５および引き回し配線Ｗ６が無機絶縁膜１８（図２参照）を介して重なる。

　また、表示ゾーンＳＡ２のエッジの外側に引き回され、信号線Ｇ３と電気的に接続される引き回し配線Ｗ７と、表示ゾーンＳＡ２のエッジの外側に引き回され、信号線Ｇ４と電気的に接続される引き回し配線Ｗ８とを設ける。引き回し配線Ｗ７は第１金属層（ゲート層）に含まれ、引き回し配線Ｗ８が第２金属層（中間層）に含まれ、引き回し配線Ｗ７および引き回し配線Ｗ８が無機絶縁膜１８（図２参照）を介して重なる。

　こうすれば、信号線Ｇ１・Ｇ３および信号線Ｇ２・Ｇ４それぞれに、引き回し配線Ｗ５・Ｗ６間の容量と、引き回し配線Ｗ７・Ｗ８間の容量とを付加することができる。

　図９では、引き回し配線Ｗ５・Ｗ６が、表示ゾーンＳＡ１とゲートドライバＧＤ１との間に配され、引き回し配線Ｗ７・Ｗ８が、表示ゾーンＳＡ２とゲートドライバＧＤ２との間に配される。ゲートドライバＧＤ１・ＧＤ２の端部は、表示ゾーンＳＡ１・ＳＡ２のラウンドコーナに沿うように湾曲させることが望ましい。

　図１０は、表示領域のコーナ周りの構成例を示す平面図である。図１０では、表示ゾーンＳＡ１のエッジの外側に引き回され、信号線Ｇ１と電気的に接続される引き回し配線Ｗ５と、表示ゾーンＳＡ１のエッジの外側に引き回され、信号線Ｇ２と電気的に接続される引き回し配線Ｗ６と、無機絶縁膜１８を介して引き回し配線Ｗ５および引き回し配線Ｗ６と重なる導電体ＣＭ１とを設ける。引き回し配線Ｗ５・Ｗ６は第１金属層（ゲート層）に含まれ、導電体ＣＭ１は第２金属層（中間層）に含まれる。

　また、表示ゾーンＳＡ２のエッジの外側に引き回され、信号線Ｇ３と電気的に接続される引き回し配線Ｗ７と、表示ゾーンＳＡ１のエッジの外側に引き回され、信号線Ｇ４と電気的に接続される引き回し配線Ｗ８と、無機絶縁膜１８を介して引き回し配線Ｗ７および引き回し配線Ｗ８と重なる導電体ＣＭ２とを設ける。引き回し配線Ｗ７・Ｗ８は第１金属層（ゲート層）に含まれ、導電体ＣＭ２は第２金属層（中間層）に含まれる。

　図１０では、引き回し配線Ｗ５・Ｗ６および導電体ＣＭ１が、表示ゾーンＳＡ１とゲートドライバＧＤ１との間に配され、引き回し配線Ｗ７・Ｗ８および導電体ＣＭ２が、表示ゾーンＳＡ２とゲートドライバＧＤ２との間に配される。図１０のように、ゲートドライバＧＤ１・ＧＤ２の端部は、表示ゾーンＳＡ１・ＳＡ２のラウンドコーナに沿うように湾曲させることが望ましい。導電体ＣＭ１・ＣＭ２は、表示ゾーンＳＡ１・ＳＡ２のラウンドコーナに沿うように湾曲させることが望ましい。導電体ＣＭ１・ＣＭ２は、電源（例えば、サブ画素に供給する低電位側電源ＥＬＶＳＳ）に接続してもよいし、電気的にフローティングとしてもよい。

　図１１は、切り欠き部まわりの引き回し配線の別構成例を示す平面図である。図３のように、表示ゾーンＳＡ１・ＳＡ２のコーナがラウンドしている場合、表示ゾーンＳＡ１内の下側（信号線Ｇｎに近い側）を通る信号線（例えば、信号線Ｇ７・Ｇ８）は、表示ゾーンＳＡ１内の上側（信号線Ｇｎから遠い側）を通る信号線（例えば、信号線Ｇ１・Ｇ２）と比較して、接続されるサブ画素の数が多く、また、交差するデータ信号線ＤＬの数も多い。同様に、表示ゾーンＳＡ２のコーナがラウンドしている場合、表示ゾーンＳＡ２の下側（信号線Ｇｎに近い側）を通る信号線（例えば、信号線Ｇ７・Ｇ８）は、表示ゾーンＳＡ２内の上側（信号線Ｇｎから遠い側）を通る信号線（例えば、信号線Ｇ３・Ｇ４）と比較して、接続されるサブ画素の数が多く、また、交差するデータ信号線ＤＬの数も多い。

　そこで、図１１のように、信号線Ｇ１・Ｇ３に接続する引き回し配線Ｗ１の迂回部Ｗ１ｘと、信号線Ｇ２・Ｇ４に接続する引き回し配線Ｗ２の迂回部Ｗ２ｘとの重畳幅（幅：ｙ方向の長さ）を、信号線Ｇ７・Ｇ９に接続する引き回し配線Ｗ９の迂回部Ｗ９ｘと、信号線Ｇ８・Ｇ１０に接続する引き回し配線Ｗ１０の迂回部Ｗ１０ｘとの重畳幅よりも大きくする（すなわち、引き回し配線Ｗ１および引き回し配線Ｗ２の重畳面積を、引き回し配線Ｗ９および引き回し配線Ｗ１０の重畳面積よりも大きくする）ことで、各領域内の上側の信号線と下側の信号線との間の負荷の均衡を図ることもできる。

　図１２は、切り欠き部における引き回し配線の構成例を示す平面図である。図１２のように、迂回部Ｗ１ｘおよび迂回部Ｗ２ｘの重畳距離（距離：ｘ方向の長さ）と、迂回部Ｗ９ｘおよび迂回部Ｗ１０ｘの重畳距離とを異ならせる（すなわち、引き回し配線Ｗ１および引き回し配線Ｗ２の重畳面積と、引き回し配線Ｗ９および引き回し配線Ｗ１０の重畳面積とを異ならせる）ことにより、各領域内の上側の信号線と下側の信号線との間の負荷の均衡を図ることもできる。なお、図１３のように、切り欠き部ＮＺの形状（例えば、台形状）に起因して、切り欠き部ＮＺの両サイドにおいて、上側の信号線および下側の信号線に負荷の相異が生じる場合にも、図１１・１２の構成を用いてその均衡を図ることができる。

　図１４は、切り欠き部まわりの引き回し配線の別構成例を示す平面図である。図５では中継電極を設けているがこれに限定されない。図１３のように、引き回し配線Ｗ１（第１金属層）と信号線Ｇ１・Ｇ３（第１金属層）とを同層にて繋げ、引き回し配線Ｗ２（第２金属層）と信号線Ｇ１・Ｇ３（第１金属層）とを無機絶縁膜１８に形成したコンタクトホールを介して接続することもできる。

　〔実施形態２〕
　図１５（ａ）は実施形態２の表示デバイスを示す平面図であり、図１５（ｂ）は切り欠き部周りの構成を示す平面図である。図３では切り欠き部の両側に表示領域（表示ゾーンＳＡ１および表示ゾーンＳＡ２）が存在する構成であるがこれに限定されない。図１５のように、切り欠き部の片側にのみ表示領域（表示ゾーンＳＡ１）が存在する構成とすることもできる。

　図１５では、表示ゾーンＳＡ１を通る信号線Ｇ１・Ｇ２はそれぞれ、中継電極Ｅ１・Ｅ２を介して、切り欠き部ＮＺの周縁ＷＲに配された引き回し配線Ｗ１・Ｗ２に接続され、引き回し配線Ｗ１・Ｗ２はそれぞれ、中継電極Ｅ３・Ｅ４を介してゲートドライバ（図示せず）の出力端Ｐ３・Ｐ４に接続される。そして、例えば引き回し配線Ｗ１（第１金属層）と、引き回し配線Ｗ２（第２金属層）とが図２の無機絶縁膜１８を介して重なる。よって、信号線Ｇ１・Ｇ２それぞれに、引き回し配線Ｗ１および引き回し配線Ｗ２間の容量を付加することができ、メイン領域ＭＰを通る信号線Ｇｎの負荷と、信号線Ｇ１および引き回し配線Ｗ１を含む経路の負荷と、信号線Ｇ２および引き回し配線Ｗ２を含む経路の負荷とを揃えることができる。

　〔実施形態３〕
　図１６（ａ）は実施形態３の表示デバイスを示す平面図であり、図１６（ｂ）は切り欠き部周りの構成を示す平面図である。図１６のように、刳り貫き形状の切り欠き部ＮＺを形成してもよい。図１６では、表示ゾーンＳＡ１を通る信号線Ｇ１・Ｇ２はそれぞれ、中継電極Ｅ１・Ｅ２を介して、切り欠き部ＮＺの周縁ＷＲに配された円弧状の引き回し配線Ｗ１・Ｗ２に接続され、引き回し配線Ｗ１・Ｗ２はそれぞれ、中継電極Ｅ３・Ｅ４を介して、表示ゾーンＳＡ２を通る走査信号線Ｇ３・Ｇ４に接続される。そして、引き回し配線Ｗ１（第１金属層）と、引き回し配線Ｗ２（第２金属層）とが図２の無機絶縁膜１８を介して重なる。よって、よって、信号線Ｇ１・Ｇ２それぞれに、引き回し配線Ｗ１および引き回し配線Ｗ２間の容量を付加することができ、メイン領域ＭＰを通る信号線Ｇｎの負荷と、信号線Ｇ１・Ｇ３および引き回し配線Ｗ１を含む経路の負荷と、信号線Ｇ２・Ｇ４および引き回し配線Ｗ２を含む経路の負荷とを揃えることができる。

　〔まとめ〕
　本実施形態にかかる表示デバイスが備える電気光学素子（電流によって輝度や透過率が制御される電気光学素子）は特に限定されるものではない。本実施形態にかかる表示装置としては、例えば、電気光学素子としてＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えた有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、電気光学素子として無機発光ダイオードを備えた無機ＥＬディスプレイ、電気光学素子としてＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えたＱＬＥＤディスプレイ等が挙げられる。

　〔態様１〕
　切り欠き部が形成された表示領域と、額縁領域とを備え、
　前記表示領域に、データ信号を伝達する複数のデータ信号線と、前記複数のデータ信号線と交差する複数の走査信号線と、複数の発光制御信号線と、前記複数のデータ信号線および前記複数の走査信号線の交点に対応して設けられた複数のサブ画素回路とが含まれ、
　前記複数のデータ信号線と電気的に接続する駆動回路と、前記複数の走査信号線と電気的に接続する駆動回路と、前記複数の発光制御信号線と電気的に接続する駆動回路とが設けられている表示デバイスであって、
　前記切り欠き部の周囲の額縁領域に、
　　前記複数のデータ信号線の１つまたは前記複数の走査信号線の１つあるいは前記複数の発光制御信号線の１つである第１信号線と電気的に接続し、前記表示領域から前記切り欠き部に向けて延伸する第１引き回し配線と、
　　前記第１信号線に隣接する、前記複数のデータ信号線の別の１つまたは前記複数の走査信号線の別の１つあるいは前記複数の発光制御信号線の別の１つである第２信号線と電気的に接続し、前記表示領域から前記切り欠き部に向けて延伸する第２引き回し配線とを含み
　前記第１引き回し配線が第１金属層に含まれ、
　前記第２引き回し配線が第１金属層とは異なる層である第２金属層に含まれ、
　前記第１引き回し配線と前記第２引き回し配線とが無機絶縁膜を介して重畳する表示デバイス。

　〔態様２〕
　前記第２引き回し配線は、前記表示領域と切り欠き部の間の額縁領域において、前記第１金属層に含まれる前記第２信号線と電気的に接続される例えば態様１記載の表示デバイス。

　〔態様３〕
　前記表示領域において、前記第１信号線および前記第２信号線が隣り合うように前記第１金属層に形成されている例えば態様１または２に記載の表示デバイス。

　〔態様４〕
　前記表示領域は、前記切り欠き部を挟んで対向する、第１表示ゾーンおよび第２表示ゾーンを含み、
　第３信号線および第４信号線が、隣り合うように前記第１金属層に形成され、
　前記第１信号線および第２信号線が前記第１表示ゾーンを通り、前記第３信号線および第４信号線が前記第２表示ゾーンを通り、
　前記切り欠き部の周囲の額縁領域において、前記第１信号線と、前記第１引き回し配線と、前記第３信号線とが電気的に接続され、かつ、前記第２信号線と前記第２引き回し配線と、前記第４信号線とが電気的に接続される例えば態様３に記載の表示デバイス。

　〔態様５〕
　前記第１引き回し配線と前記第１信号線が第１中継電極を介して電気的に接続され、
　前記第２引き回し配線と前記第２信号線が第２中継電極を介して電気的に接続され、
　前記第１引き回し配線と前記第３信号線が第３中継電極を介して電気的に接続され、
　前記第２引き回し配線と前記第４信号線が第４中継電極を介して電気的に接続されている例えば態様４に記載の表示デバイス。

　〔態様６〕
　第１中継電極、第２中継電極、第３中継電極、および第４中継電極が第３金属層に形成されている例えば態様５に記載の表示デバイス。

　〔態様７〕
　前記表示領域を通る第５信号線および第６信号線が、隣り合うように前記第１金属層に形成され、
　前記第５信号線と電気的に接続され、前記切り欠き部の周囲の額縁領域に引き回される第３引き回し配線が前記第１金属層に含まれ、
　前記第６信号線と電気的に接続され、前記切り欠き部の周囲の額縁領域に引き回される第４引き回し配線が前記第２金属層に含まれる例えば態様３に記載の表示デバイス。

　〔態様８〕
　前記第２引き回し配線が、前記第３引き回し配線と重ならない例えば態様７に記載の表示デバイス。

　〔態様９〕
　前記第２引き回し配線が、前記無機絶縁膜を介して、前記第１引き回し配線および前記第３引き回し配線と重なり、
　前記第３引き回し配線が、前記無機絶縁膜を介して、前記第２引き回し配線および前記第４引き回し配線と重なる例えば態様８に記載の表示デバイス。

　〔態様１０〕
　前記第１引き回し配線、前記第２引き回し配線、および前記第３引き回し配線それぞれに、平面方向の凹部および凸部が形成され、
　前記第２引き回し配線の凸部が、前記第１引き回し配線および前記第３引き回し配線と重なる例えば態様９に記載の表示デバイス。

　〔態様１１〕
　前記第１表示ゾーンのエッジの外側に引き回され、前記第１信号線と電気的に接続される第５引き回し配線と、
　前記第１表示ゾーンのエッジの外側に引き回され、前記第２信号線と電気的に接続される第６引き回し配線とを含み、
　前記第５引き回し配線が前記第１金属層に含まれ、前記第６引き回し配線が前記第２金属層に含まれ、
　前記第５引き回し配線および前記第６引き回し配線が前記無機絶縁膜を介して重なる例えば態様５に記載の表示デバイス。

　〔態様１２〕
　前記第２表示ゾーンのエッジの外側に引き回され、前記第３信号線と電気的に接続される第７引き回し配線と、
　前記第２表示ゾーンのエッジの外側に引き回され、前記第４信号線と電気的に接続される第８引き回し配線とを含み、
　前記第７引き回し配線が前記第１金属層に含まれ、前記第８引き回し配線が前記第２金属層に含まれ、
　前記第７引き回し配線および前記第８引き回し配線が前記無機絶縁膜を介して重なる例えば態様１１に記載の表示デバイス。

　〔態様１３〕
　前記第１表示ゾーンのエッジの外側に引き回され、前記第１信号線と電気的に接続される第５引き回し配線と、
　前記第１表示ゾーンのエッジの外側に引き回され、前記第２信号線と電気的に接続される第６引き回し配線と、
　前記無機絶縁膜を介して前記第５引き回し配線および前記第６引き回し配線と重なる第１導電体とを含む例えば態様５に記載の表示デバイス。

　〔態様１４〕
　前記第２表示ゾーンのエッジの外側に引き回され、前記第３信号線と電気的に接続される第７引き回し配線と、
　前記第２表示ゾーンのエッジの外側に引き回され、前記第４信号線と電気的に接続される第８引き回し配線と、
　前記無機絶縁膜を介して前記第７引き回し配線および前記第８引き回し配線と重なる第２導電体とを含む例えば態様１３に記載の表示デバイス。

　〔態様１５〕
　前記表示領域を通る第７信号線および第８信号線が、隣り合うように前記第１金属層に形成され、
　前記第７信号線と電気的に接続され、前記切り欠き部の周囲の額縁領域に引き回される第９引き回し配線が前記第１金属層に含まれ、
　前記第８信号線と電気的に接続され、前記切り欠き部の周囲の額縁領域に引き回される第１０引き回し配線が前記第２金属層に含まれ、
　前記第９引き回し配線および前記第１０引き回し配線が前記無機絶縁膜を介して重なり、
　前記第１引き回し配線および前記第２引き回し配線の重畳面積と、前記第９引き回し配線および前記第１０引き回し配線の重畳面積とが異なる例えば態様３に記載の表示デバイス。

　〔態様１６〕
　前記第１引き回し配線と電気的に接続するサブ画素の数が、第９引き回し配線と電気的に接続するサブ画素の数よりも多く、
　前記第１引き回し配線および前記第２引き回し配線の重畳面積は、前記第９引き回し配線および前記第１０引き回し配線の重畳面積よりも大きい例えば態様１５に記載の表示デバイス。

　〔態様１７〕
　前記第１引き回し配線および前記第２引き回し配線の重畳幅と、前記第９引き回し配線および前記第１０引き回し配線の重畳幅とが異なる例えば態様１５に記載の表示デバイス。

　〔態様１８〕
　前記第１引き回し配線および前記第２引き回し配線の重畳長さと、前記第９引き回し配線および前記第１０引き回し配線の重畳長さとが異なる例えば態様１５に記載の表示デバイス。

　〔態様１９〕
　第２金属層は第１金属層よりも上層である例えば態様１～１８のいずれか１項に記載の表示デバイス。

　〔態様２０〕
　前記切り欠き部の周囲の額縁領域において、前記第１引き回し配線の一部と、前記第２引き回し配線の一部とが、前記無機絶縁膜を介して重なりつつ第１方向に延伸する例えば態様３に記載の表示デバイス。

　〔態様２１〕
　前記第１信号線および前記第２信号線は、前記第１方向に延伸する例えば態様２０に記載の表示デバイス。

　〔態様２２〕
　向かい合う２辺の一方に沿って外部信号入力用の端子部が設けられ、他方に前記切り欠き部が設けられている例えば態様１～２１のいずれか１項に記載の表示デバイス。

　〔態様２３〕→図８（ｃ）
　前記第１引き回し配線および前記第２引き回し配線それぞれが、局所的に幅広となる幅広部を有し、
　前記第１引き回し配線の幅広部と、前記第２引き回し配線の幅広部とが重畳する例えば態様１～２２のいずれか１項に記載の表示デバイス。

　〔態様２４〕
　前記第１引き回し配線および前記第２引き回し配線は、互いの重畳部を除いて、平面視において隣接しつつ引き回される例えば態様１～２３のいずれか１項に記載の表示デバイス。

　〔態様２５〕
　前記第１信号線および前記第２信号線それぞれが走査信号線である例えば態様１～２４のいずれか１項に記載の表示デバイス。

　２　　表示デバイス
　３　　バリア層
　４　　ＴＦＴ層
　５　　発光素子層
　６　　封止層
　１２　樹脂層
　１６・１８・２０　無機絶縁膜
　２１　平坦化膜
　２３　エッジカバー
　２４　ＥＬ層
　Ｇ１～Ｇ８　信号線
　Ｗ１～Ｗ１０　引き回し配線
　Ｅ１～Ｅ４　中継電極
　Ｗ１ｘ～Ｗ１ｚ　迂回部
　Ｗ２ｘ～Ｗ２ｚ　迂回部
　Ｗ３ｘ～Ｗ３ｚ　迂回部
　Ｗ４ｘ～Ｗ４ｚ　迂回部
　ＤＡ　表示領域
　ＮＡ　非表示領域
　ＮＺ　切り欠き部
　ＷＲ　（切り欠き部の）周縁

Claims

　切り欠き部が形成された表示領域と、額縁領域とを備え、
　前記表示領域に、データ信号を伝達する複数のデータ信号線と、前記複数のデータ信号線と交差する複数の走査信号線と、複数の発光制御信号線と、前記複数のデータ信号線および前記複数の走査信号線の交点に対応して設けられた複数のサブ画素回路とが含まれ、
　前記複数のデータ信号線と電気的に接続する駆動回路と、前記複数の走査信号線と電気的に接続する駆動回路と、前記複数の発光制御信号線と電気的に接続する駆動回路とが設けられている表示デバイスであって、
　前記切り欠き部の周囲の額縁領域に、
　　前記複数のデータ信号線の１つまたは前記複数の走査信号線の１つあるいは前記複数の発光制御信号線の１つである第１信号線と電気的に接続し、前記表示領域から前記切り欠き部に向けて延伸する第１引き回し配線と、
　　前記第１信号線に隣接する、前記複数のデータ信号線の別の１つまたは前記複数の走査信号線の別の１つあるいは前記複数の発光制御信号線の別の１つである第２信号線と電気的に接続し、前記表示領域から前記切り欠き部に向けて延伸する第２引き回し配線とを含み、
　前記第１引き回し配線が第１金属層に含まれ、
　前記第２引き回し配線が第１金属層とは異なる層である第２金属層に含まれ、
　前記第１引き回し配線と前記第２引き回し配線とが無機絶縁膜を介して重畳する表示デバイス。
　前記第２引き回し配線は、前記表示領域と切り欠き部の間の額縁領域において、前記第１金属層に含まれる前記第２信号線と電気的に接続される請求項１記載の表示デバイス。
　前記表示領域において、前記第１信号線および前記第２信号線が隣り合うように前記第１金属層に形成されている請求項１または２に記載の表示デバイス。
　前記表示領域は、前記切り欠き部を挟んで対向する、第１表示ゾーンおよび第２表示ゾーンを含み、
　第３信号線および第４信号線が、隣り合うように前記第１金属層に形成され、
　前記第１信号線および第２信号線が前記第１表示ゾーンを通り、前記第３信号線および第４信号線が前記第２表示ゾーンを通り、
　前記切り欠き部の周囲の額縁領域において、前記第１信号線と、前記第１引き回し配線と、前記第３信号線とが電気的に接続され、かつ、前記第２信号線と前記第２引き回し配線と、前記第４信号線とが電気的に接続される請求項３に記載の表示デバイス。
　前記第１引き回し配線と前記第１信号線が第１中継電極を介して電気的に接続され、
　前記第２引き回し配線と前記第２信号線が第２中継電極を介して電気的に接続され、
　前記第１引き回し配線と前記第３信号線が第３中継電極を介して電気的に接続され、
　前記第２引き回し配線と前記第４信号線が第４中継電極を介して電気的に接続されている請求項４に記載の表示デバイス。
　第１中継電極、第２中継電極、第３中継電極、および第４中継電極が第３金属層に形成されている請求項５に記載の表示デバイス。
　前記表示領域を通る第５信号線および第６信号線が、隣り合うように前記第１金属層に形成され、
　前記第５信号線と電気的に接続され、前記切り欠き部の周囲の額縁領域に引き回される第３引き回し配線が前記第１金属層に含まれ、
　前記第６信号線と電気的に接続され、前記切り欠き部の周囲の額縁領域に引き回される第４引き回し配線が前記第２金属層に含まれる請求項３に記載の表示デバイス。
　前記第２引き回し配線が、前記第３引き回し配線と重ならない請求項７に記載の表示デバイス。
　前記第２引き回し配線が、前記無機絶縁膜を介して、前記第１引き回し配線および前記第３引き回し配線と重なり、
　前記第３引き回し配線が、前記無機絶縁膜を介して、前記第２引き回し配線および前記第４引き回し配線と重なる請求項８に記載の表示デバイス。
　前記第１引き回し配線、前記第２引き回し配線、および前記第３引き回し配線それぞれに、平面方向の凹部および凸部が形成され、
　前記第２引き回し配線の凸部が、前記第１引き回し配線および前記第３引き回し配線と重なる請求項９に記載の表示デバイス。
　前記第１表示ゾーンのエッジの外側に引き回され、前記第１信号線と電気的に接続される第５引き回し配線と、
　前記第１表示ゾーンのエッジの外側に引き回され、前記第２信号線と電気的に接続される第６引き回し配線とを含み、
　前記第５引き回し配線が前記第１金属層に含まれ、前記第６引き回し配線が前記第２金属層に含まれ、
　前記第５引き回し配線および前記第６引き回し配線が前記無機絶縁膜を介して重なる請求項５に記載の表示デバイス。
　前記第２表示ゾーンのエッジの外側に引き回され、前記第３信号線と電気的に接続される第７引き回し配線と、
　前記第２表示ゾーンのエッジの外側に引き回され、前記第４信号線と電気的に接続される第８引き回し配線とを含み、
　前記第７引き回し配線が前記第１金属層に含まれ、前記第８引き回し配線が前記第２金属層に含まれ、
　前記第７引き回し配線および前記第８引き回し配線が前記無機絶縁膜を介して重なる請求項１１に記載の表示デバイス。
　前記第１表示ゾーンのエッジの外側に引き回され、前記第１信号線と電気的に接続される第５引き回し配線と、
　前記第１表示ゾーンのエッジの外側に引き回され、前記第２信号線と電気的に接続される第６引き回し配線と、
　前記無機絶縁膜を介して前記第５引き回し配線および前記第６引き回し配線と重なる第１導電体とを含む請求項５に記載の表示デバイス。
　前記第２表示ゾーンのエッジの外側に引き回され、前記第３信号線と電気的に接続される第７引き回し配線と、
　前記第２表示ゾーンのエッジの外側に引き回され、前記第４信号線と電気的に接続される第８引き回し配線と、
　前記無機絶縁膜を介して前記第７引き回し配線および前記第８引き回し配線と重なる第２導電体とを含む請求項１３に記載の表示デバイス。
　前記表示領域を通る第７信号線および第８信号線が、隣り合うように前記第１金属層に形成され、
　前記第７信号線と電気的に接続され、前記切り欠き部の周囲の額縁領域に引き回される第９引き回し配線が前記第１金属層に含まれ、
　前記第８信号線と電気的に接続され、前記切り欠き部の周囲の額縁領域に引き回される第１０引き回し配線が前記第２金属層に含まれ、
　前記第９引き回し配線および前記第１０引き回し配線が前記無機絶縁膜を介して重なり、
　前記第１引き回し配線および前記第２引き回し配線の重畳面積と、前記第９引き回し配線および前記第１０引き回し配線の重畳面積とが異なる請求項３に記載の表示デバイス。
　前記第１引き回し配線と電気的に接続するサブ画素の数が、第９引き回し配線と電気的に接続するサブ画素の数よりも多く、
　前記第１引き回し配線および前記第２引き回し配線の重畳面積は、前記第９引き回し配線および前記第１０引き回し配線の重畳面積よりも大きい請求項１５に記載の表示デバイス。
　前記第１引き回し配線および前記第２引き回し配線の重畳幅と、前記第９引き回し配線および前記第１０引き回し配線の重畳幅とが異なる請求項１５に記載の表示デバイス。
　前記第１引き回し配線および前記第２引き回し配線の重畳長さと、前記第９引き回し配線および前記第１０引き回し配線の重畳長さとが異なる請求項１５に記載の表示デバイス。
　第２金属層は第１金属層よりも上層である請求項１～１８のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　前記切り欠き部の周囲の額縁領域において、前記第１引き回し配線の一部と、前記第２引き回し配線の一部とが、前記無機絶縁膜を介して重なりつつ第１方向に延伸する請求項３に記載の表示デバイス。
　前記第１信号線および前記第２信号線は、前記第１方向に延伸する請求項２０に記載の表示デバイス。
　向かい合う２辺の一方に沿って外部信号入力用の端子部が設けられ、他方に前記切り欠き部が設けられている請求項１～２１のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　前記第１引き回し配線および前記第２引き回し配線それぞれが、局所的に幅広となる幅広部を有し、
　前記第１引き回し配線の幅広部と、前記第２引き回し配線の幅広部とが重畳する請求項１～２２のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　前記第１引き回し配線および前記第２引き回し配線は、互いの重畳部を除いて、平面視において隣接しつつ引き回される請求項１～２３のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　前記第１信号線および前記第２信号線それぞれが走査信号線である請求項１～２４のいずれか１項に記載の表示デバイス。