WO2019176758A1

WO2019176758A1 - 透明電極部材、積層透明電極部材および静電容量式センサ

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Publication number: WO2019176758A1
Application number: PCT/JP2019/009274
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Inventors: 知行山井; 勇太平木
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Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
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Filing date: 2019-03-08
Publication date: 2019-09-19
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Abstract

絶縁破壊耐性を適切に有しつつ透明電極のパターンの不可視性を向上させることができる透明電極部材１００は、透光性を有する基材１０１と、基材１０１の第１面Ｓ１に第１方向に沿って並んで配置され、透光性を有し、互いに電気的に接続された複数の第１透明電極４Ｂとを有し、第１透明電極４Ｂは、絶縁材料からなるマトリックスＭＸと、マトリックスＭＸ内に分散した導電性ナノワイヤＮＷと、を含む分散層ＤＬを備え、隣り合う２つの第１透明電極４Ｂ、４Ｂを電気的に接続する連結部７は導電領域ＣＲからなり、第１透明電極４Ｂ、４Ｂの周辺領域ＰＲ１、ＰＲ２は、第１透明電極４Ｂ、４Ｂの中心領域ＥＲよりも導電領域ＣＲの存在密度が高い。

Description

透明電極部材、積層透明電極部材および静電容量式センサ

　本発明は、透明電極部材、この透明電極部材の複数を備える積層透明電極部材および上記透明電極部材を用いる静電容量式センサに関する。

　静電容量式センサは、画面に表示される映像の視認性を低下させることなく操作体が接触した部分の位置を検知するために、透明電極を有する透明電極部材を備えている。この透明電極部材として、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）などの金属酸化物系の材料が一般的に使用されている。

　近年、静電容量式センサを備える機器（例えばスマートフォン）の意匠性を高めることなどを目的として、静電容量式センサの可撓性を高める（曲げ耐性を高める）ことへの要請が高まっている。こうした要請に応えるために、従来使用されてきた金属酸化物系の材料に代えて、銀ナノワイヤなど導電性ナノワイヤをマトリックス樹脂に分散させた構成を有する透明電極部材が提案されている。

　このような構成の透明電極部材において、透明電極が設けられたパターン部と透明電極が設けられていない非パターン部（絶縁部）とが存在する場合には、パターン部と非パターン部とが視覚的に区分される。そして、パターン部の反射率と非パターン部の反射率との間の差が大きくなると、パターン部と非パターン部との違いが視覚的に明らかになる。そうすると、映像を表示する表示素子としての外観の視認性が低下するという問題がある。

　こうした外観の視認性低下の問題を克服する、すなわち、透明電極部材の不可視性を向上する観点から、特許文献１には、透光性の基材の表面に、オーバーコート層に銀ナノワイヤが埋設された導電層が形成されている透光性導電部材において、前記導電層が、導電領域と、前記導電領域よりも表面抵抗率の高い非導電領域とに区分され、前記非導電領域で、前記オーバーコート層に埋設されている銀ナノワイヤの少なくとも一部がヨウ化されており、前記非導電領域では、前記オーバーコート層の表面から銀ヨウ化物が露出していないか、または、前記非導電領域における前記オーバーコート層の表面に露出している銀ヨウ化物の量が、前記導電領域において前記オーバーコート層の表面に露出している銀ナノワイヤの量よりも少ないことを特徴とする透光性導電部材が記載されている。

　特許文献２には、基体シートと、前記基体シート上に形成され、導電性ナノファイバーを含み、その導電性ナノファイバーを介して導通可能であり、目視により認識することができない大きさの複数の微小ピンホールを有する導電パターン層と、前記基体シート上の前記導電パターン層が形成されていない部分に形成され、前記導電性ナノファイバーを含み、前記導電パターン層から絶縁された絶縁パターン層とを備えた、導電性ナノファイバーシートが開示されている。特許文献２に記載された導電性ナノファイバーシートにおける前記絶縁パターン層は、目視により認識することができない幅の狭小溝を有し、その狭小溝により、前記導電パターン層から絶縁されると共に複数の島状に形成される。特許文献３にも、表面を有する基材と、上記表面に平面的に交互に並べられた透明導電部および透明絶縁部とを備え、上記透明絶縁部は、複数の島部からなる透明導電層であり、上記透明導電部および上記透明絶縁部の平均境界線長さが、２０ｍｍ／ｍｍ２以下である透明導電性素子について記載がある。

国際公開ＷＯ２０１５／０１９８０５号特開２０１０－１５７４００号公報特開２０１３－１５２５７８号公報

　上記のような導電性ナノワイヤがマトリックス樹脂に分散した構成を備える透明電極部材では、マトリックス樹脂に分散する複数の導電性ナノワイヤの絡み合いからなる部材（導電性交絡体）が、導電性の発現を直接的に担う部材である。換言すれば、透明電極部材では導電性交絡体が導電路となる。これに対し、従来の金属酸化物系の材料からなる透明電極を有する透明導電部材では、透明電極を構成する金属酸化物系の材料全体が導電路である。したがって、導電性交絡体を導電路とする透明導電部材は、従来の金属酸化物系の材料からなる電極を有する透明導電部材とは絶縁破壊のメカニズムが異なる可能性がある。それゆえ、上記のように不可視性を向上させるという課題の解決手段を検討する際には、絶縁破壊への耐性（絶縁破壊耐性）を適切に有することを十分に考慮する必要がある。

　本発明は、絶縁破壊耐性を適切に有しつつ透明電極のパターンの不可視性を向上させることができる透明電極部材、この透明電極部材の複数を備える積層透明電極部材、および上記の透明電極部材を備える静電容量式センサを提供することを目的とする。

　本発明の透明電極部材は、一態様において、透光性を有する基材と、前記基材の一つの面である第１面に複数配置され、透光性を有する透明電極と、前記第１面の法線方向からみたときに、前記透明電極が配置された領域の周囲の少なくとも一部に位置する絶縁領域に配置された絶縁層と、を備える透明電極部材であって、前記透明電極は、絶縁材料からなるマトリックスと、前記マトリックス内に分散した導電性ナノワイヤと、を含む分散層を備え、前記透明電極は、前記第１面の法線方向からみたときに、導電部からなる導電領域と光学調整部を有する光学調整領域とを有し、前記導電部は、前記光学調整部よりも導電性が高く、前記光学調整部は、前記分散層における前記導電性ナノワイヤの分散密度が前記導電部よりも低く、前記透明電極は、前記第１面の面内方向の一つである第１方向に沿って並んで配置され、互いに電気的に接続された複数の第１透明電極を有し、前記第１方向に隣り合う２つの前記第１透明電極は、前記２つの前記第１透明電極の間に位置し前記導電領域からなる第１透明配線によって互いに電気的に接続され、前記第１面の法線方向からみたときに、前記第１透明電極は、前記第１透明配線との境界線を含むように位置する周辺領域と、前記第１透明電極の重心を含む中心領域とを有し、前記周辺領域における前記導電領域の存在密度は前記中心領域における前記導電領域の存在密度よりも高いことを特徴とする透明電極部材である。

　導電性ナノワイヤを用いた透明電極は、従来の金属酸化物系材料を用いた透明電極との対比で、抵抗が低く電流が流れやすいという相違点がある。このことは、透明電極部材における抵抗損失が少ないという利点をもたらす一方、透明電極の導電路は細い導電性ナノワイヤの交絡体から構成されるため、静電気放電（ＥＳＤ）などによって大電流が流れたときに、透明電極を構成する材料全体が導電路を構成する場合と比べて、相対的に少ない電流で絶縁破壊が生じる可能性がある。そこで、上記のように、透明電極において導電路を構成するものであるとともに反射率が高く透明電極の視認性を高める原因でもある導電性ナノワイヤの分散密度が低い光学調整領域を透明電極に設け、その結果として、透明電極の反射率を低下させるとともに透明電極の抵抗を高めて、透明電極に高い電圧が印加された場合でも個々の導電性ナノワイヤに流れる電流を低下させることにより、透明電極部材の絶縁破壊耐性を適切に有しつつ透明電極のパターンの不可視性を高めることができる。

　ここで、第１方向に並んで隣り合う２つの第１透明電極を流れる電流は、第１方向の端部の近傍において、その端部に延設される第１透明配線へと集まるように流れる。また、光学調整領域の導電性は導電領域よりも低いため、第１透明電極を流れる電流は、光学調整領域をよけて導電領域を優先的に流れる。換言すれば、光学調整領域は、第１透明電極の導電路を少なくする因子である。そこで、第１透明電極において第１透明配線との境界線を含むように位置する周辺領域の光学調整領域の存在密度を、第１透明電極の他の領域、具体的には中心領域よりも低くすること（周辺領域における導電領域の存在密度を中心領域における導電領域の存在密度よりも高くすること）により、周辺領域における導電路（導電領域の導電性交絡体からなる。）の存在密度を増やすことができる。その結果、第１方向に並んで隣り合う２つの第１透明電極に対して第１方向に大電流が流れた場合であっても、周辺領域に位置する導電領域に過度の電流集中が生じる可能性を低減させることができる。導電領域において過度の電流集中が生じると、導電領域に位置して導電路として機能する導電性交絡体を構成する導電性ナノワイヤが溶断し、その結果、周辺領域に絶縁破壊が生じてしまう。このように、周辺領域における導電路の存在密度を高めておくことにより、透明電極部材に大電流が流れたときに、本来最も絶縁破壊が生じやすい位置である第１透明配線よりも先に透明電極において絶縁破壊が生じる可能性を低減させることができる。

　上記の透明電極部材において、前記周辺領域は前記導電領域からなることが好ましい。この場合には、周辺領域の導電路の存在密度を最も高くすることができる。

　上記の透明電極部材の前記光学調整領域は、前記導電領域内に離散的に位置する複数の部分領域を有することが好ましい。相対的に導電性が低い光学調整領域を導電領域内に離散的に配置することによって、透明電極内に視認されやすいパターンが形成されたり、透明電極の導電性が過度に低下したりすることが抑制される。この場合において、前記複数の部分領域は、互いに３０μｍ以上離間していることが好ましい場合がある。この離間距離は、すなわち、離散配置される光学調整領域の間に位置する導電領域の幅であるから、透明電極における個々の導電路の幅となる。この離間距離が３０μｍ以上であることにより、透明電極としての導電性が過度に低下することが安定的に抑制される。

　上記のように複数の部分領域を有する場合において、前記第１面の法線方向からみたときに、前記複数の第１透明電極のそれぞれは前記周辺領域と前記中心領域とからなっていてもよい。この場合において、前記複数の第１透明電極のそれぞれについて、前記周辺領域と前記中心領域との境界線である領域境界線に位置する前記導電領域の長さの総和である境界導電幅Σｗは、前記第１透明配線の最小幅Ｗと下記式の関係を有することが好ましい。
　　Σｗ＞Ｗ

　第１透明配線を流れる電流は第１方向に沿うため、第１透明配線における第１面内方向で第１方向に交差する方向の長さの最小値、つまり第１透明配線の最小幅Ｗは、第１透明配線の絶縁破壊耐性に影響を及ぼす。具体的には、第１透明配線の最小幅Ｗが大きいほど、第１透明配線の絶縁破壊電圧は高くなる。

　一方、第１透明配線に延設される第１透明電極でも第１透明配線と同様に、電流は基本的には第１方向に沿って流れる。しかしながら、上記のように、第１透明電極では、相対的に導電性が低い光学調整領域の複数（複数の部分領域）が相対的に導電性が高い導電領域に分散して配置されている。このため、第１透明電極では、電流は光学調整領域をよけて導電領域を優先的に流れる。それゆえ、第１透明配線から第１透明電極へと流れ込んだ電流は、複数の部分領域の間に位置する複数の導電領域を通るように分岐する。このように電流分岐が生じるため、第１透明電極における複数の部分領域のそれぞれの離間領域が第１透明配線の最小幅Ｗよりも狭い場合でも、基本的には、第１透明電極よりも第１透明配線において優先的に絶縁破壊が生じやすい。第１透明配線よりも第１透明電極において優先的に絶縁破壊が生じやすくなるのは、第１透明電極における電流分岐が不十分で、分岐した電流が流れる個々の導電路に第１透明配線よりも多くの電流が流れる場合である。

　上記のとおり、第１透明電極が有する周辺領域（第１周辺領域および第２周辺領域）では導電領域の存在密度が高められているため、周辺領域で絶縁破壊が生じる可能性は適切に低減されている。このため、第１透明電極において最も絶縁破壊が生じる可能性が高いのは、周辺領域（第１周辺領域および第２周辺領域）と中心領域との境界線である領域境界線の近傍である。第１透明電極は導電領域に複数の部分領域（光学調整領域）が分散した構成を有するため、領域境界線は、複数の部分領域を通るとともに、部分領域の周囲に位置する導電領域を通る。第１透明電極を流れて領域境界線を通過する電流は、実質的に、この導電領域を通ることになるため、領域境界線に位置する導電領域の長さの総和である境界導電幅Σｗが、第１面の法線方向から第１透明電極をみたときの領域境界線における電流が流れる部分の長さである。境界導電幅Σｗは、領域境界線に位置する複数の部分領域（光学調整領域）の離間距離の総和ともいえる。

　この境界導電幅Σｗが第１透明配線の最小幅Ｗよりも大きくなるようにすれば、第１透明電極に大電流が流れたときに、第１透明配線より先に第１透明電極において絶縁破壊が生じる可能性を適切に低減させることができる。すなわち、Σｗ＞Ｗを満たすように複数の部分領域（光学調整領域）を第１透明電極に配置することにより、透明電極部材の絶縁破壊耐性を低下させることなく、光学調整領域を配置したことによる不可視性の向上の利益をより安定的に享受できる。

　光学調整部は分散層における導電性ナノワイヤの分散密度を導電部よりも低下させることにより、光学調整部を有する光学調整領域の反射率を低下させている。この光学調整部は、導電性ナノワイヤがマトリックス樹脂に分散した構造を有する分散層から導電性ナノワイヤを優先的に除去することにより形成される場合がある。このようにして光学調整部を形成する場合には、光学調整部に近接する導電部に位置する導電性ナノワイヤの一部が、光学調整部に位置する導電性ナノワイヤとともに不可避的に除去されてしまう。このため、第１面の法線方向からみたとき、光学調整部からなる光学調整領域の周囲に位置する導電領域を構成する導電部は、他の導電領域に比べて、導電性ナノワイヤの分散密度が低下し、結果、光学調整領域の周囲に位置する導電領域の導電性が若干低下することがある。このような場合も考慮して、境界導電幅Σｗを０．９倍し、この値が第１透明配線の最小幅Ｗ以上となるに設定する、すなわち下記式を満たすことにより、第１透明電極に大電流が流れたときに第１透明配線よりも優先的に第１透明電極において絶縁破壊が生じる可能性を特に安定的に低減させることができる。
　　０．９×Σｗ≧Ｗ
　前記境界導電幅Σｗは、前記第１透明配線の最小幅Ｗと下記式の関係を有することがより好ましい。
　　１．３≦Σｗ／Ｗ≦２．５

　また、前記第１面の法線方向からみたときに、前記領域境界線と、前記領域境界線に最近位の前記第１透明配線との離間距離は５０μｍ以上３００μｍ以下であることが望ましい。この離間距離が５０μｍ以上であることにより、境界導電幅Σｗが第１透明配線の最小幅Ｗと同等以下となる可能性をより安定的に低減させることができる。また、上記の離間距離が３００μｍ以下であることにより、第１透明配線と周辺領域とからなる領域の視認性をより安定的に低下させることができる。

　前記絶縁領域の反射率が前記導電領域の反射率よりも低い場合には、光学調整領域を設けたことによって、絶縁領域と透明電極との反射率の差が少なくなるため、透明電極部材の不可視性を高める観点から好ましい。

　前記透明電極における前記光学調整領域の面積割合（以下、「調整率」ともいう。）は４０％以下であることが、透明電極部材の絶縁破壊耐性を高める観点から好ましい場合がある。

　上記の透明電極部材において、前記透明電極は、前記第１面の面内方向のうち前記第１方向とは異なる第２方向に沿って並んで配置され、互いに電気的に接続された複数の第２透明電極を有していてもよい。この場合において、前記第２方向に隣り合う２つの前記複数の第２透明電極は、第２透明配線によって電気的に接続され、前記第１透明配線と前記第２透明配線とは、前記第１面の法線方向に絶縁物を介して重なる部分を有してもよい。前記第２透明配線は、前記第２透明電極よりも抵抗が高い材料から構成されていれば、第２透明配線において絶縁破壊が生じる可能性が第１透明配線よりも低くなるため、好ましい。前記第２透明配線は前記第２透明電極に積層される部分を有し、前記第２透明電極における前記第２透明配線と接触する部分は前記導電領域からなることは、第２透明電極と第２透明配線との界面近傍で絶縁破壊が生じる可能性を低減させるため、好ましい。

　上記の透明電極部材において、前記基材はシート状であってもよい。この場合において、前記第１面は前記基材が有する２つの主面の一つであって、２つの前記主面の他の一つである第２面に、前記主面の面内方向のうち前記第１方向とは異なる第２方向に沿って並んで配置され、互いに電気的に接続された複数の第２透明電極を有していてもよい。

　本発明は、他の一態様として、上記の透明電極部材の２つが前記第１面の法線方向に積層された積層透明電極部材であって、２つの前記透明電極部材の前記第１方向が互いに異なる方向となるように、２つの前記透明電極部材の前記第１透明電極のそれぞれは配置されることを特徴とする積層透明電極部材を提供する。

　本発明は、別の一態様として、上記の透明電極部材と、操作者の指等の操作体と透明電極との間に生じる静電容量の変化を検知する検知部と、を備える、静電容量式センサを提供する。かかる静電容量式センサでは、透明電極の不可視性が高いため、静電容量式センサを透過して使用者に観察される画像の視認性を高めることが可能であり、表示均一性を高めることも可能である。

　本発明によれば、絶縁破壊耐性を適切に有しつつ透明電極のパターンの不可視性を向上させることができる透明電極部材が提供される。また、この透明電極部材の複数を備える積層透明電極部材、および上記の透明電極部材を備える静電容量式センサも本発明により提供される。

本発明の一実施形態に係る透明電極部材の構造を概念的に示す平面図である。図１のＶ１－Ｖ１断面図である。本発明の一実施形態に係る透明電極部材の透明電極の具体的な構造の一例を概念的に示す部分断面図である。本発明の一実施形態に係る透明電極部材の透明電極の具体的な構造の他の一例を概念的に示す部分断面図である。複数の透明電極を有する透明電極部材の一例の構成を概念的に示す平面図である。複数の透明電極を有する透明電極部材の他の一例であって、本発明の一実施形態に係る透明電極部材の一例の構成を概念的に示す平面図である。第１構成の透明電極部材の製造方法のフローチャートである。第１積層体を用意した状態を概念的に示す断面図である。レジスト層を第１積層体の上に配置した状態を概念的に示す断面図である。ヨウ素液による処理が行われた状態を概念的に示す断面図である。チオ硫酸塩溶液による処理が行われた状態を概念的に示す断面図である。レジスト層を除去した状態を概念的に示す断面図である。第２構成の透明電極部材の製造方法のフローチャートである。第１積層体を用意した状態を概念的に示す断面図である。第１レジスト層を第１積層体の上に配置した状態を概念的に示す断面図である。ヨウ素液による処理が行われた状態を概念的に示す断面図である。チオ硫酸塩溶液による処理が行われた状態を概念的に示す断面図である。第１レジスト層を除去した状態を概念的に示す断面図である。第２レジスト層を第１積層体の上に配置した状態を概念的に示す断面図である。ヨウ素液による処理が行われた状態を概念的に示す断面図である。チオ硫酸塩溶液による処理が行われた状態を概念的に示す断面図である。第２レジスト層を除去した状態を概念的に示す断面図である。本実施形態に係る静電容量式センサを表す平面図である。図１に表した領域Ａ１を拡大した平面図である。図２に表した切断面Ｃ１－Ｃ１における断面図である。図２に表した切断面Ｃ２－Ｃ２における断面図である。本実施形態に係る静電容量式センサの変形例の第１透明電極および第２透明電極を表す平面図である。調整率と配線抵抗との関係の一例を例示するグラフである。ギャップ幅と調整率との関係の一例を例示するグラフである。シート抵抗と導通性確保可能ライン幅との関係の一例を例示するグラフである。本実施形態の間隙（ギャップ）の近傍に光学調整部が設けられたときの視認性を説明する平面図である。光学調整部の直径を変化させたときの波長と反射率との関係の一例を例示するグラフである。図３２に表したグラフ中の一部を拡大して表したグラフである。光学調整部の形状を変化させたときの波長と反射率との関係の一例を例示するグラフである。図３４に表したグラフ中の一部を拡大して表したグラフである。（ａ）第１構成の透明電極部材の製造方法の変形例においてチオ硫酸塩溶液による処理が行われた状態を示す図、および（ｂ）第１レジスト層を除去して透明電極部材が得られた状態を概念的に示す断面図である。（ａ）第２構成の透明電極部材の製造方法の変形例において絶縁層を形成するためのチオ硫酸塩溶液による処理が行われた状態を示す図、および（ｂ）第１レジスト層を除去して中間部材が得られた状態を概念的に示す断面図である。（ａ）第２構成の透明電極部材の製造方法の変形例において光学調整部を形成するためのチオ硫酸塩溶液による処理が行われた状態を示す図、および（ｂ）第２レジスト層を除去して透明電極部材が得られた状態を概念的に示す断面図である。本実施形態の静電容量式センサの他の変形例（第２変形例）の検出領域の一部を表す平面図である。周辺領域および連結部７での電流の流れ方（図中の黒矢印）を説明する図である。比較例１に係る検出領域の部分拡大図である。比較例２に係る検出領域の部分拡大図である。実施例１に係る検出領域の部分拡大図である。（ａ）実施例２に係る検出領域の部分拡大図、（ｂ）図４４（ａ）の拡大倍率を下げた図である。（ａ）実施例３に係る検出領域の部分拡大図、（ｂ）図４５（ａ）の拡大倍率を下げた図である。各実施例・比較例のパラメータを示した表である。各実施例・比較例の絶縁破壊電圧の評価結果および視認性の評価結果を示した表である。絶縁破壊電圧（相対値）とΣｗ／Ｗとの関係を示すグラフである。絶縁破壊電圧（相対値）と離間距離ｘとの関係を示すグラフである。本発明の他の実施形態に係る静電容量式センサの構成を説明する図である。本発明の別の実施形態に係る静電容量式センサの構成を説明する図である。

　以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

　図１は、本発明の一実施形態に係る透明電極部材の構造を概念的に示す平面図である。図２は、図１のＶ１－Ｖ１断面図である。図３は、本発明の一実施形態に係る透明電極部材の透明電極の具体的な構造の一例を概念的に示す部分断面図である。図４は、本発明の一実施形態に係る透明電極部材の透明電極の具体的な構造の他の一例を概念的に示す部分断面図である。

　図１および図２に示されるように、本発明の一実施形態に係る透明電極部材１００は、透光性を有する基材１０１を備える。本明細書において「透明」および「透光性」とは、可視光線透過率が５０％以上（好ましくは８０％以上）の状態を指す。更に、ヘイズ値が６％以下であることが好適である。本願明細書において「遮光」および「遮光性」とは、可視光線透過率が５０％未満（好ましくは２０％未満）の状態を指す。基材１０１は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のフィルム状の透明基材やガラス基材等で形成される。

　透明電極部材１００は、基材１０１の一つの面である第１面Ｓ１に配置された、透光性を有する透明電極１１０と絶縁層１０２とを備える。

　絶縁層１０２は、第１面Ｓ１の法線方向からみたときに、透明電極１１０が配置された領域の周囲の少なくとも一部に位置する絶縁領域ＩＲに配置される。

　透明電極１１０は、図３および図４に示されるように、絶縁材料からなるマトリックスＭＸと、マトリックスＭＸ内に分散した導電性ナノワイヤＮＷと、を含む分散層ＤＬを備える。マトリックスＭＸを構成する絶縁材料の具体例として、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、およびポリウレタン樹脂などが挙げられる。導電性ナノワイヤＮＷとしては、金ナノワイヤ、銀ナノワイヤ、および銅ナノワイヤよりなる群から選択された少なくとも１つが用いられる。導電性ナノワイヤＮＷの分散性は、マトリックスＭＸにより確保されている。複数の導電性ナノワイヤＮＷが少なくとも一部において互いに接触することにより、透明電極１１０の面内における導電性が保たれている。

　透明電極１１０は、図１および図２に示されるように、第１面Ｓ１の法線方向からみたときに、導電部１１１からなる領域（導電領域）ＣＲと光学調整部１１２を有する領域（光学調整領域）ＡＲとを有する。導電部１１１は、光学調整部１１２よりも導電性が高く、光学調整部１１２は、分散層ＤＬにおける導電性ナノワイヤＮＷの分散密度が導電部１１１よりも低い。

　かかる構造では、透明電極１１０が備える分散層ＤＬにおいて、導電性ナノワイヤＮＷがマトリックスＭＸ内で分散しつつ互いに連結することによって、他の透明導電材料、特に酸化物系の導電性材料に比べて、高い導電性を達成することができる。その一方で、導電性ナノワイヤＮＷ自体は透光性を有していないため、分散層ＤＬにおける導電性ナノワイヤＮＷの分散密度が高いことによって、透明電極１１０の反射率が高くなる傾向がある。すなわち、分散層ＤＬを備える透明電極１１０では、導電性ナノワイヤＮＷの分散密度が導電性および反射率の双方に対して影響を及ぼすため、導電性を高めることと反射率を低下させることがトレードオフの関係にある。そこで、透明電極１１０を、相対的に導電性が高い導電領域ＣＲと、相対的に反射率が低い光学調整領域ＡＲと、を有する構成とすることにより、透明電極１１０の導電性を維持しつつ反射率を低減して、透明電極１１０の不可視性を高めることが実現される。

　また、特許文献２や特許文献３に記載されるような、透明電極に貫通孔を有する場合に比べると、反射率以外の光学特性（例えば屈折率）を大きく相違させることなく、光学調整領域ＡＲの反射率を導電領域ＣＲの反射率よりも低くすることができる。したがって、例えば、透明電極部材１００を透過して視認される画像がある場合において、その画像の表示均一性を高めることができる。さらに、光学調整領域ＡＲの構成を適切に制御すれば、透明電極１１０に設けられた貫通孔に比べて光学調整領域ＡＲの導電性を高めることも可能である。この場合には、透明電極１１０全体としての導電性を高めることが可能であり、透明電極１１０における光学調整領域ＡＲの面積割合を高めることも可能である。したがって、光学調整領域ＡＲを設けることにより、透明電極１１０の導電性を高めることと不可視性を高めることとが、貫通孔を設けた場合に比べて、高次に実現されうる。

　ここで、絶縁領域ＩＲの反射率は、導電領域ＣＲの反射率よりも低いことが好ましい。この場合には、光学調整領域ＡＲを有することにより、全体的な反射率が低下した透明電極１１０と絶縁領域ＩＲとにおける反射率の差が、光学調整部１１２を有しない場合よりも低くなる。したがって、透明電極１１０と絶縁領域ＩＲとの境界が視認されにくくなって、透明電極１１０の不可視性を高めることが実現される。

　さらに、絶縁領域ＩＲに配置される絶縁層１０２が分散層ＤＬの構成要素の一つであるマトリックスＭＸを含有することが好ましい。この場合には、マトリックスＭＸを共通に含有することに起因して、光学調整部１１２の反射率以外の光学特性（例えば屈折率）と絶縁層１０２の光学特性とが近似する。このため、例えば、透明電極部材１００を透過して視認される画像がある場合において、その画像の表示均一性が高まりやすくなり、透明電極１１０の不可視性をより安定的に向上させることができる。

　透明電極部材１００において、光学調整部１１２の分散層ＤＬでは、絶縁性を示す程度に、導電性ナノワイヤＮＷの分散密度が低減されていてもよい。図３はかかる構成（第１構成）の具体例であり、光学調整部１１２の分散層ＤＬには導電性ナノワイヤＮＷが実質的に存在せず、分散層ＤＬはマトリックスＭＸから構成される。この場合には、反射率を高める部材である導電性ナノワイヤＮＷが実質的に存在しないため、光学調整部１１２の反射率が特に低くなる。ここで、図３に示されるように、透明電極部材１００の絶縁領域ＩＲに配置される絶縁層１０２は、光学調整部１１２の分散層ＤＬと同様に、マトリックスＭＸから構成されている。この場合には、透明電極部材１００は、導電領域ＣＲの周囲に位置する反射率が低い領域（絶縁領域ＩＲおよび光学調整領域ＡＲ）に配置された部材が共通の材料（マトリックスＭＸ）からなる構成となる。かかる構成を備える場合には、透明電極１１０全体の反射率が特に低くなって、透明電極１１０の不可視性がより安定的に向上する。

　なお、図３では、絶縁層１０２および光学調整部１１２はいずれも、導電性ナノワイヤＮＷが実質的に存在せず、マトリックスＭＸから構成される場合が示されているが、これに限定されない。絶縁層１０２および光学調整部１１２のいずれについても、この部分の導電性が適切に低下して非導電性となって、絶縁機能を発揮することができれば、導電性ナノワイヤＮＷまたはこれに基づく物質がマトリックスＭＸに依然として分散していてもよい。

　透明電極部材１００において、光学調整部１１２は、絶縁層１０２よりも高い導電性を有してもよい。図４はかかる構成（第２構成）の具体例であり、光学調整部１１２の分散層ＤＬは、基材１０１に対して遠位な側（使用者に対向する側）では導電性ナノワイヤＮＷが分散密度が低く、基材１０１に近位な側（基材１０１に対向する側）では導電性ナノワイヤＮＷが分散密度が高くなっている。分散層ＤＬに分散する導電性ナノワイヤＮＷのうち、露出する導電性ナノワイヤＮＷが最も視認されやすいところ、光学調整部１１２の分散層ＤＬが図４に示される構造を有している場合には、光学調整部１１２の視認性を適切に低下させることができる。しかも、基材１０１に近位な側に位置する導電性ナノワイヤＮＷによって、導電部１１１の分散層ＤＬよりは低いものの、ある程度の導電性を確保することができる。したがって、光学調整部１１２の分散層ＤＬが図４に示される構造を有している場合には、透明電極１１０全体の導電性を高くすることができる。また、この場合には光学調整部１１２の分散層ＤＬにおける導電性ナノワイヤＮＷの分散密度と導電部１１１の分散層ＤＬにおける導電性ナノワイヤＮＷの分散密度との差が比較的少なくなるため、透明電極１１０において光学調整部１１２と導電部１１１とによって形成されるパターンが視認されにくくなる。

　なお、図４では、光学調整部１１２は、第１面Ｓ１の法線方向に沿って、導電性ナノワイヤＮＷの分散密度が変化している場合が示されているが、これに限定されない。絶縁層１０２および光学調整部１１２のいずれについても、この部分の導電性が適切に低下して非導電性となって、絶縁機能を発揮することができれば、導電性ナノワイヤＮＷまたはこれに基づく物質がマトリックスＭＸに依然として分散していてもよい。

　図１に示されるように、透明電極部材１００において、光学調整領域ＡＲは、導電領域ＣＲ内に位置する。かかる構成の場合には、光学調整領域ＡＲが絶縁領域ＩＲに直接的に接する部分を有しない。このため、導電領域ＣＲによって透明電極１１０に導電路を適切に形成することが可能となり、透明電極１１０としての導電性が低下することが抑制される。光学調整領域ＡＲが絶縁領域ＩＲに直接的に接する部分を有すると、透明電極１１０に形成される導電路が蛇行してしまう場合があり、この場合には透明電極１１０としての導電性が低下してしまう。また、後述するように、光学調整領域ＡＲが絶縁領域ＩＲに接続する部分を有することにより、不可視性が低下してしまう場合がある。

　透明電極部材１００において、光学調整領域ＡＲの面積割合（調整率）は限定されない。後述するように、調整率は４０％以下であることが好ましい場合がある。光学調整部１１２では反射率を低下させることとのトレードオフとして導電性が相対的に低下する傾向があるが、本発明の一実施形態に係る透明電極部材１００では、調整率を４０％程度まで高めて、透明電極１１０の不可視性を向上させても、透明電極１１０として求められる導電性を確保することができる場合がある。

　本発明の一実施形態に係る透明電極１１０では、光学調整領域ＡＲは、導電領域ＣＲ内に離散的に位置する複数の部分領域を有している。相対的に透光性が異なる光学調整領域ＡＲと導電領域ＣＲとが互いに大きなパターンを形成している場合には、そのパターン形状によっては、パターンの視認性が高くなってしまうことが懸念される。また、光学調整部１１２は相対的に導電性が低い領域であるから、これが透明電極１１０内でまとまって位置する場合には、透明電極１１０内を蛇行する導電路が形成されるおそれがあり、この場合には、透明電極１１０としての導電性が低下してしまう。したがって、上記のように、相対的に導電性の低い光学調整部１１２からなる部分領域（すなわち光学調整領域ＡＲ）を導電領域ＣＲ内に離散的に配置することによって、透明電極１１０内に視認されやすいパターンが形成されたり、実質的に導電性が低下したりすることが抑制される。また、後述するように、透明電極１１０が絶縁領域ＩＲを介して複数配置されている場合には、複数の透明電極１１０の間に位置する絶縁領域ＩＲの反射率が透明電極１１０の導電部１１１の反射率と相違することに起因して、絶縁領域ＩＲの視認性が高まってしまうこともある。このような場合であっても、透明電極１１０の導電領域ＣＲ内に光学調整領域ＡＲが離散的に配置されていることにより、絶縁領域に少なくとも一部が囲まれた状態にある透明電極１１０の不可視性を向上させることができる。

　光学調整領域ＡＲを構成する部分領域は、互いに３０μｍ以上離間していることが好ましい場合がある。この離間距離ｓｄは、すなわち、離散配置される光学調整部１１２の間に位置する導電領域ＣＲの幅であるから、透明電極１１０における個々の導電路の幅となる。したがって、離間距離ｓｄが３０μｍ以上であることにより、透明電極１１０としての導電性が低下することが安定的に抑制される。

　光学調整領域ＡＲが離散的に配置されている場合において、複数の部分領域（光学調整領域ＡＲ）のそれぞれの形状は円であり、円の直径は、１０μｍ以上、１００μｍ以下であってもよい。透明電極１１０の不可視性をより安定的に向上させる観点から、上記の複数の部分領域（光学調整領域ＡＲ）の形状は、透明電極１１０内で均一であることが好ましい。この部分領域（光学調整領域ＡＲ）の形状が円であって、その直径が上記の範囲である場合には、調整率を４０％以下としつつ、複数の部分領域（光学調整領域ＡＲ）の離間距離を３０μｍ以上とすることを容易に実現することができる。

　上記の複数の部分領域（光学調整領域ＡＲ）のそれぞれの形状を、円に代えて、四角形としてもよい。この場合には、四角形の対角線のうちで最長の対角線の長さは、１０μｍ以上、１００μｍ以下であることが、上記の理由と同様の理由により、好ましい。

　図１に示されるように、複数の部分領域（光学調整領域ＡＲ）が透明電極１１０の全体にわたって配置される場合には、透明電極１１０全体として反射率にばらつきが生じにくいため、透明電極１１０の不可視性が向上しやすく、好ましい。

　図５は、複数の透明電極を有する透明電極部材の一例の構成を概念的に示す平面図である。図５に示される透明電極部材２００は、複数の透明電極１１０ａ～１１０ｄを有する。これらの透明電極１１０ａ～１１０ｄの周囲の少なくとも一部の領域には絶縁領域ＩＲが位置するため、透明電極１１０ａおよび透明電極１１０ｂと、透明電極１１０ｃと、透明電極１１０ｄとは、電気的に独立している。具体的には、透明電極１１０ａおよび透明電極１１０ｂと、透明電極１１０ｃとの間には、絶縁領域ＩＲが位置し、透明電極１１０ａおよび透明電極１１０ｂと、透明電極１１０ｄとの間にも、絶縁領域ＩＲが位置する。その一方で、透明電極１１０ａと透明電極１１０ｂとの間には、透光性を有する材料から構成された透明配線１３０が位置して、透明電極１１０ａと透明電極１１０ｂとを電気的に接続している。透明電極部材２００では、透明配線１３０は透明電極１１０ａおよび透明電極１１０ｂと同様に分散層ＤＬから形成され、導電領域ＣＲおよび光学調整領域ＡＲを有する。透明電極部材２００では、第１面Ｓ１上には、透明電極１１０ａ～１１０ｄからなる領域、絶縁領域ＩＲおよび透明配線１３０からなる領域が存在することになる。このような場合であっても、透明電極１１０の透光性が適切に高められているため、これらの領域に基づくパターンが視認されにくい。なお、図５に示されるように透明配線１３０に光学調整領域ＡＲが設けられていない場合であっても、透明配線１３０の面積が適切に小さい場合には、視認性に与える影響を低下させることができる。具体的には、透明配線１３０の短軸方向の長さ（幅）を、これに接続される透明電極（透明電極１１０ａおよび透明電極１１０ｂ）のその方向の長さよりも狭くしておくことが好ましい。

　図６は、複数の透明電極を有する透明電極部材の他の一例であって、本発明の一実施形態に係る透明電極部材の一例の構成を概念的に示す平面図である。図６に示されるように、透明電極部材３００の透明電極１１０ａ～１１０ｄは、透明配線１３０の周囲に位置する領域に、光学調整部１１２が設けられていない無調整領域ＮＲを有する。透明配線１３０が配置されている領域の周囲の領域には、比較的密に絶縁領域ＩＲが位置しやすい。絶縁領域ＩＲに位置する絶縁層１０２はマトリックスＭＸから構成されるため、絶縁層１０２の反射率は導電部１１１の反射率に比べて低い。このため、透明配線１３０の周囲の領域に位置する透明電極１１０の一部を光学調整部１１２としてその領域の透明電極１１０の反射率を積極的に低下させなくても、その領域の反射率は他の領域に比べて低下した状態にある。したがって、透明配線１３０の周囲の領域に無調整領域ＮＲを有していてもよい。光学調整部１１２は相対的に導電性が低下するところ、透明配線１３０の周囲の領域は、使用時に電流が集中する傾向がある。このため、無調整領域ＮＲを設けることによって、電流集中による導電性ナノワイヤＮＷの溶断などの不具合が生じる可能性を低減させることができる。

　本発明の一実施形態に係る透明電極部材の製造方法は限定されない。次に説明する製造方法を採用することにより、本発明の一実施形態に係る透明電極部材を効率的に製造することや、高品質の透明電極部材を製造することが可能となる場合がある。

　本発明の一実施形態に係る透明電極部材の製造方法の一例は、上記の第１構成の透明電極部材１００の製造方法である。

　図７は、第１構成の透明電極部材の製造方法のフローチャートである。図８は、第１積層体を用意した状態を概念的に示す断面図である。図９は、レジスト層を第１積層体の上に配置した状態を概念的に示す断面図である。図１０は、ヨウ素液による処理が行われた状態を概念的に示す断面図である。図１１は、チオ硫酸塩溶液による処理が行われた状態を概念的に示す断面図である。図１２は、レジスト層を除去した状態を概念的に示す断面図である。

　まず、図８に示されるように、マトリックスＭＸに導電性ナノワイヤＮＷの一種である銀ナノワイヤＡｇＮＷが分散された層が分散層ＤＬとして基材１０１の第１面Ｓ１に積層された第１積層体１５０を用意する（Ｓ１０１）。この分散層ＤＬにおける銀ナノワイヤＡｇＮＷの分散密度は、全ての領域において、最終的に得られる透明電極部材１００の導電部１１１における銀ナノワイヤＡｇＮＷの分散密度に等しい。

　次に、第１積層体１５０の分散層ＤＬの一部をレジスト層１６０で覆う（Ｓ１０２）。分散層ＤＬの上にポジ型、あるいは、ネガ型のフォトレジスト、または、フィルムレジストを形成する。フォトレジストはスピンコート法、ロールコート法などの各種方法により膜厚が１μｍ～５μｍ前後となるように形成する。フィルムレジストを使用する場合は膜厚が２０μｍ前後のものが使用される。マスクと露光機を使用して、フォトレジストを部分的に露光する。その後の現像工程で露光された導電層をＴＭＡＨなどのアルカリ液で現像することで、図９に示されるように部分的なレジスト層１６０が残る。

　続いて、分散層ＤＬにおけるレジスト層１６０により覆われていない第１領域Ｒ１をヨウ素液で処理する（Ｓ１０３）。この処理により、図１０に示されるように、第１領域Ｒ１に存在する銀ナノワイヤＡｇＮＷの少なくとも一部はヨウ化して銀ヨウ化物ＳＩとなり、第１領域Ｒ１に位置する分散層ＤＬは絶縁性となる。

　この処理に使用されるヨウ素液はヨウ素ヨウ化塩溶液であり、例えばヨウ素ヨウ化カリウム溶液である。ヨウ素ヨウ化カリウム溶液は、ヨウ化カリウム溶液にヨウ素が溶解しているものであり、ヨウ素が０．０５～１．０質量％、ヨウ化カリウムが０．１～５．０質量％前後含まれた水溶液が使用される。

　レジスト層１６０が形成された第１積層体１５０が、ヨウ素ヨウ化カリウム溶液に０．５～１０分間程度浸漬されることで、レジスト層１６０で覆われていない領域で分散層ＤＬの内部に溶液が浸透し、少なくとも一部の銀ナノワイヤＡｇＮＷがヨウ化されて銀ヨウ化物ＳＩに形質変換される。

　第１領域Ｒ１では銀ナノワイヤＡｇＮＷがヨウ化されることで、その領域の分散層ＤＬの面積抵抗率が高くなり、実質的に電気的な絶縁機能を発揮しうる状態となる。

　ただし、ヨウ素ヨウ化カリウム溶液で処理が行われると、第１領域Ｒ１において、分散層ＤＬにおける銀ナノワイヤＡｇＮＷがヨウ化されて白濁しまたは白色化した金属化合物（銀ヨウ化物ＳＩを含む。）が生成される。

　そこで、第１領域Ｒ１をチオ硫酸塩溶液で処理する（Ｓ１０４）。この処理により、図１１に示されるように、銀ヨウ化物ＳＩの少なくとも一部が第１領域Ｒ１から除去される。チオ硫酸塩溶液としては濃度が１．０～２５質量％のチオ硫酸ナトリウム溶液が使用される。レジスト層１６０で覆われた第１積層体１５０をチオ硫酸ナトリウム溶液に１０～６０秒間程度浸漬させることで、第１領域Ｒ１の分散層ＤＬに含有される銀ヨウ化物ＳＩなどの金属化合物が除去される。その結果、第１領域Ｒ１に位置する分散層ＤＬの透光性が高まる。また、分散層ＤＬの表面に露出している銀ヨウ化物ＳＩは、長時間酸素に曝されると銀に戻ってしまうことがある。このように銀ヨウ化物ＳＩが銀に戻ってしまうと、光学調整部１１２の反射率が導電部１１１の反射率と同等になってしまい、光学調整部１１２が位置する光学調整領域ＡＲの光学調整機能が低下してしまう。さらに、上記のように銀ナノワイヤＡｇＮＷがヨウ化する際に白濁しまたは白色化すると、得られた銀ヨウ化物ＳＩは銀ナノワイヤＡｇＮＷとの対比で目立ちやすい。したがって、上記のような処理を行って、第１領域Ｒ１に位置する分散層ＤＬの表面側に位置する銀ヨウ化物ＳＩなどの金属化合物を除去することが好ましい。

　最後に、レジスト剥離液を用いてレジスト層１６０を除去する（Ｓ１０５）。その結果、図１２に示されるように、絶縁性の光学調整部１１２および絶縁層１０２を第１領域Ｒ１に備え、レジスト層１６０により覆われていた領域に導電部１１１を備える透明電極部材１００が得られる。

　かかる製造方法を採用することにより、一回のレジストワークで絶縁層１０２と光学調整部１１２とを製造することができる。したがって、透明電極部材１００を効率的に製造することが可能である。また、第１構成の透明電極部材１００では、絶縁層１０２と光学調整部１１２との光学特性が等しくなる。このため、透明電極１１０と絶縁領域ＩＲとによって形成されるパターンが視認されにくくなる。したがって、上記の製造方法により製造することにより、不可視性が特に高い透明電極部材１００が得られる場合がある。

　図３６（ａ）は、第１構成の透明電極部材の製造方法の変形例においてチオ硫酸塩溶液による処理が行われた状態を示す図である。図３６（ｂ）は、第１レジスト層を除去して透明電極部材が得られた状態を概念的に示す断面図である。ヨウ素液処理（Ｓ１０３）に続くチオ硫酸塩溶液処理（Ｓ１０４）において、図３６（ａ）に示されるように、第１領域Ｒ１に位置する分散層ＤＬのうち、基材１０１から遠位にある、すなわち分散層ＤＬの表面側の銀ヨウ化物ＳＩなどの金属化合物を除去することが好ましい。チオ硫酸塩溶液による処理時間を相対的に短くする（一例として、５～３０秒間）ことなどにより、このような表面側に位置する銀ヨウ化物ＳＩなどの金属化合物の除去が可能である。その後、レジスト層１６０を除去すること（Ｓ１０５）により、図３６（ｂ）に示されるように、光学調整部１１２において、分散層ＤＬの表面側では銀ヨウ化物ＳＩなどの金属化合物が除去されて分散層ＤＬが実質的にマトリックスＭＸからなり、基材１０１に近位な側に位置する銀ヨウ化物ＳＩなどの金属化合物が残留する構造が得られる。

　このように、分散層ＤＬの表面側（基材１０１に遠位側）では銀ヨウ化物ＳＩなどの金属化合物を除去しつつ基材１０１に近位な側には銀ヨウ化物ＳＩなどの金属化合物を残す構造とすることにより、光学調整部１１２と導電部１１１とが視覚的により識別されにくくなる。したがって、透明電極部材１００の不可視性が向上する。絶縁層１０２についても光学調整部１１２と同様の製造方法を実施して同様の構造とすれば、製造工程が簡素される観点から好ましく、また、絶縁層１０２が導電部１１１から視認されにくくなる（不可視性が向上する）観点からも好ましい。

　本発明の一実施形態に係る透明電極部材の製造方法の他の一例は、上記の第２構成の透明電極部材１００の製造方法である。

　図１３は、第２構成の透明電極部材の製造方法のフローチャートである。図１４は、第１積層体を用意した状態を概念的に示す断面図である。図１５は、第１レジスト層を第１積層体の上に配置した状態を概念的に示す断面図である。図１６は、ヨウ素液による処理が行われた状態を概念的に示す断面図である。図１７は、チオ硫酸塩溶液による処理が行われた状態を概念的に示す断面図である。図１８は、第１レジスト層を除去した状態を概念的に示す断面図である。図１９は、第２レジスト層を第１積層体の上に配置した状態を概念的に示す断面図である。図２０は、ヨウ素液による処理が行われた状態を概念的に示す断面図である。図２１は、チオ硫酸塩溶液による処理が行われた状態を概念的に示す断面図である。図２２は、第２レジスト層を除去した状態を概念的に示す断面図である。

　まず、図１４に示されるように、マトリックスＭＸに導電性ナノワイヤＮＷの一種である銀ナノワイヤＡｇＮＷが分散された層が分散層ＤＬとして基材１０１の第１面Ｓ１に積層された第１積層体１５０を用意する（Ｓ２０１）。この分散層ＤＬにおける銀ナノワイヤＡｇＮＷの分散密度は、全ての領域において、最終的に得られる透明電極部材１００の導電部１１１における銀ナノワイヤＡｇＮＷの分散密度に等しい。

　次に、図１５に示されるように、第１積層体１５０の分散層ＤＬの一部を第１レジスト層１６１で覆う（Ｓ２０２）。第１レジスト層１６１および後述する第２レジスト層１６２の詳細はレジスト層１６０と共通であるから、説明を省略する。

　続いて、分散層ＤＬにおける第１レジスト層１６１により覆われていない第１領域Ｒ１をヨウ素液で処理する（Ｓ２０３）。この処理の詳細は、第１構成の透明電極部材１００の製造方法の場合と同様であるから、説明を省略する。この処理により、図１６に示されるように、第１領域Ｒ１に存在する銀ナノワイヤＡｇＮＷの少なくとも一部はヨウ化して銀ヨウ化物ＳＩとなり、第１領域Ｒ１に位置する分散層ＤＬは絶縁性となる。

　さらに、第１領域Ｒ１をチオ硫酸塩溶液で処理する（Ｓ２０４）。この処理の詳細は、第１構成の透明電極部材１００の製造方法の場合と同様であるから、説明を省略する。この処理により、図１７に示されるように、銀ヨウ化物ＳＩの少なくとも一部が第１領域Ｒ１から除去される。その結果、第１領域Ｒ１に位置する分散層ＤＬの透光性が高まる。

　そして、レジスト剥離液を用いて第１レジスト層１６１を除去する（Ｓ２０５）。その結果、第１領域Ｒ１に絶縁層１０２を備える中間部材１５１が得られる。

　続いて、この中間部材１５１の出発部材として、透明電極部材１００を製造する。まず、図１９に示されるように、分散層ＤＬにおける第１レジスト層１６１により覆われていた領域の一部である第２領域Ｒ２を第２レジスト層１６２で覆う（Ｓ２０６）。

　次に、第１レジスト層１６１により覆われていた領域であるが第２レジスト層１６２により覆われていない領域である第３領域Ｒ３をヨウ素液で処理する（Ｓ２０７）。この際、第１領域Ｒ１もヨウ素液で処理されるが、この領域に位置する分散層ＤＬからはすでに銀ナノワイヤＡｇＮＷは適切に除去されているため、このヨウ素液による処理は第１領域Ｒ１に対して影響を与えない。この処理により、図２０に示されるように、第３領域Ｒ３に存在する銀ナノワイヤＡｇＮＷの少なくとも一部をヨウ化して銀ヨウ化物ＳＩとし、第３領域Ｒ３の導電性を第２領域Ｒ２の導電性よりも低下させる。

　続いて、第３領域Ｒ３をチオ硫酸塩溶液で処理する（Ｓ２０８）。この処理により、図２１に示されるように、銀ヨウ化物ＳＩの少なくとも一部が第３領域Ｒ３から除去される。その結果、第３領域Ｒ３に位置する分散層ＤＬの透光性が高まる。

　最後に、第２レジスト層１６２を除去する（Ｓ２０９）。その結果、図２２に示されるように、第１領域Ｒ１に絶縁層１０２を備え、第２領域Ｒ２に導電部１１１を備え、絶縁層１０２よりも高く導電部１１１よりも低い導電性を有する光学調整部１１２を第３領域Ｒ３に備える透明電極部材１００が得られる。

　かかる製造方法を採用することにより、ある程度の導電性を有する光学調整部１１２を製造することができる。したがって、導電性が高い透明電極１１０を備える透明電極部材１００を製造することが可能である。また、上記の製造方法を適切に実施すれば、分散層ＤＬにおいて基材１０１から遠位な側に位置する銀ナノワイヤＡｇＮＷを優先的に除去することができる。分散層ＤＬにおけるこの部分の銀ナノワイヤＡｇＮＷは視認性に最も影響を与えるため、反射率が低く導電性が高い光学調整部１１２を形成することも可能である。このような光学調整部１１２を形成した場合には、導電性がより高く、かつ不可視性がより高い透明電極部材１００が得られることがある。

　図３７および図３８に示されるように、透明電極部材１００の不可視性をさらに高める観点から、絶縁層１０２や光学調整部１１２について、表面側（基材１０１に遠位な側）は銀ヨウ化物ＳＩなどの金属化合物を除去して実質的にマトリックスＭＸからなり、その下層側（基材１０１に近位な側）は銀ヨウ化物ＳＩなどの金属化合物がマトリックスＭＸに分散する構造とすることが好ましい。図３７（ａ）は、第２構成の透明電極部材の製造方法の変形例において絶縁層を形成するためのチオ硫酸塩溶液による処理が行われた状態を示す図である。図３７（ｂ）第１レジスト層を除去して中間部材が得られた状態を概念的に示す断面図である。図３８（ａ）は、第２構成の透明電極部材の製造方法の変形例において光学調整部を形成するためのチオ硫酸塩溶液による処理が行われた状態を示す図である。図３８（ｂ）は、第２レジスト層を除去して透明電極部材が得られた状態を概念的に示す断面図である。

　絶縁層１０２を形成するためのヨウ素液処理（Ｓ２０３）の終了後、チオ硫酸塩溶液による処理（Ｓ２０４）の処理時間を短くすることなどによって、図３７（ａ）に示されるように、第１領域Ｒ１に位置する銀ヨウ化物ＳＩなどの金属化合物（図１６参照）のうち表面側の金属化合物のみを除去する。その後、第１レジスト層１６１を除去（Ｓ２０５）すれば、図１８に代えて、図３７（ｂ）に示されるような、表面側にマトリックスＭＸからなる領域が位置し、その下層側（基材１０１に近位な側）に銀ヨウ化物ＳＩなどの金属化合物が分散した領域が位置する絶縁層１０２を有する中間部材１５１を得ることができる。

　この中間部材１５１に対してステップＳ２０６を行い、さらに光学調整部１１２を形成するためのヨウ素液処理（Ｓ２０７）を行った後、チオ硫酸塩溶液による処理（Ｓ２０８）の処理時間を短くすることなどによって、図３８（ａ）に示されるように、第３領域Ｒ３に位置する銀ヨウ化物ＳＩなどの金属化合物（図２０参照）のうち表面側の金属化合物のみを除去する。最後に、第２レジスト層１６２を除去（Ｓ２０９）すれば、図２２に代えて、図３８（ｂ）に示されるような、表面側にマトリックスＭＸからなる領域が位置し、その下層側（基材１０１に近位な側）に銀ヨウ化物ＳＩなどの金属化合物が分散した領域が位置し、さらにその下層側に銀ナノワイヤＡｇＮＷが分散した領域が位置する光学調整部１１２を得ることができる。透明電極部材１００をこのような構造とすることにより、絶縁層１０２および光学調整部１１２と導電部１１１とが視覚的に特に識別しにくくなる。したがって、透明電極部材１００の不可視性がさらに向上する。

　上記の本発明の一実施形態に係る透明電極部材１００は、静電容量式センサなどのポジションセンサの構成要素として好適に用いることができる。以下、透明電極部材１００を備える静電容量式センサについて説明する。

　図２３は、本実施形態に係る静電容量式センサを表す平面図である。図２４は、図２３に表した領域Ａ１を拡大した平面図である。図２５は、図２４に表した切断面Ｃ１－Ｃ１における断面図である。図２６は、図２４に表した切断面Ｃ２－Ｃ２における断面図である。なお、透明電極は透明なので本来は視認できないが、図２３および図２４では理解を容易にするため透明電極の外形を示している。

　図２３から図２６に表したように、本実施形態に係る静電容量式センサ１は、基材２と、第１透明電極４と、第２透明電極５と、ブリッジ配線部１０と、パネル３と、検知部および制御部（いずれも図示していない）と、を備える。ブリッジ配線部１０からみて基材２と反対側にパネル３が設けられている。基材２とパネル３との間には、光学透明粘着層（ＯＣＡ；Optical Clear Adhesive）３０が設けられている。基材２とブリッジ配線部１０との間には、絶縁物からなる絶縁部２０が設けられている。図２５に表したように、ブリッジ配線部１０が設けられた部分においては、光学透明粘着層３０は、ブリッジ配線部１０とパネル３との間に設けられている。

　基材２は、透光性を有し、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のフィルム状の透明基材やガラス基材等で形成される。基材２の一方の主面である第１面Ｓ１には、第１透明電極４および第２透明電極５が設けられている。この詳細については、後述する。図２５に表したように、パネル３は、ブリッジ配線部１０からみて基材２とは反対側に設けられ、透光性を有する。このパネル３側から操作者の指などの操作体が接触または近接されて透明電極部材への操作が行われる。パネル３の材料は、特には限定されないが、パネル３の材料としては、ガラス基材やプラスチック基材が好ましく適用される。パネル３は、基材２とパネル３との間に設けられた光学透明粘着層３０を介して基材２と接合されている。光学透明粘着層３０は、アクリル系粘着剤や両面粘着テープ等からなる。

　図２３に表したように、静電容量式センサ１は、パネル３側の面の法線に沿った方向（Ｚ１－Ｚ２方向：図２５および図２６参照）からみて、検出領域１１と非検出領域２５とからなる。検出領域１１は、指などの操作体により操作を行うことができる領域であり、非検出領域２５は、検出領域１１の外周側に位置する額縁状の領域である。非検出領域２５は、図示しない加飾層によって遮光され、静電容量式センサ１におけるパネル３側の面から基材２側の面への光（外光が例示される。）および基材２側の面からパネル３側の面への光（静電容量式センサ１と組み合わせて使用される表示装置のバックライトからの光が例示される。）は、非検出領域２５を透過しにくくなっている。

　図２３に表したように、静電容量式センサ１は、第１電極連結体８と第２電極連結体１２と基材２の一方の主面（第１面Ｓ１）に設けられた構成を有する透明電極部材４００を備える。第１電極連結体８は、検出領域１１に配置され、複数の第１透明電極４を有する。図２５および図２６に示すように、複数の第１透明電極４は、基材２におけるＺ１－Ｚ２方向に沿った方向を法線とする主面のうちＺ１側に位置する第１面Ｓ１に設けられている。各第１透明電極４は、細長い連結部７を介してＹ１－Ｙ２方向（第１の方向）に連結されている。そして、Ｙ１－Ｙ２方向に連結された複数の第１透明電極４を有する第１電極連結体８が、Ｘ１－Ｘ２方向に間隔を空けて配列されている。連結部７は、第１透明電極４に一体として形成されている。連結部７は、隣り合う２つの第１透明電極４を互いに電気的に接続している。第１電極連結体８および第２電極連結体１２の周囲には絶縁領域ＩＲが設けられている。

　第１透明電極４および連結部７は、透光性を有し、導電性ナノワイヤを含む材料により形成される。導電性ナノワイヤを含む材料を用いることで、第１透明電極４の高い透光性とともに低電気抵抗化を図ることができる。また、導電性ナノワイヤを含む材料を用いることで、静電容量式センサ１の変形性能を向上させることができる。

　図２４および図２６に表したように、第１透明電極４は複数の第１光学調整領域４１を有する。複数の第１光学調整領域４１は、第１透明電極４において互いに離れて配設されるが、第１透明電極４における連結部７の周囲に位置する無調整領域ＮＲには設けられておらず、第１透明電極４に連設される連結部７にも設けられていない。隣り合う複数の第１光学調整領域４１同士の間の距離（第１距離）Ｄ１は、一定であり、３０μｍ以上である。図２４に表した例では、第１光学調整領域４１の形状は、円である。第１光学調整領域４１の円の直径Ｄ１１は、１０μｍ以上、１００μｍ以下である。第１光学調整領域４１に関する寸法の詳細については、後述する。

　第２電極連結体１２は、検出領域１１に配置され、複数の第２透明電極５を有する。図２５および図２６に示すように、複数の第２透明電極５は、基材２の第１面Ｓ１に設けられている。このように、第２透明電極５は、第１透明電極４と同じ面（基材２の第１面Ｓ１）に設けられている。各第２透明電極５は、細長いブリッジ配線部１０を介してＸ１－Ｘ２方向（第２の方向）に連結されている。そして、図２３に示すように、Ｘ１－Ｘ２方向に連結された複数の第２透明電極５を有する第２電極連結体１２が、Ｙ１－Ｙ２方向に間隔を空けて配列されている。ブリッジ配線部１０は、第２透明電極５とは別体として形成されている。なお、Ｘ１－Ｘ２方向は、Ｙ１－Ｙ２方向と交差している。例えば、Ｘ１－Ｘ２方向は、Ｙ１－Ｙ２方向と垂直に交わっている。

　第２透明電極５は、透光性を有し、導電性ナノワイヤを含む材料により形成される。導電性ナノワイヤは、第１透明電極４の材料に関して前述した通りである。

　図２４および図２５に表したように、第２透明電極５は複数の第２光学調整領域５１を有する。複数の第２光学調整領域５１は、第２透明電極５において互いに離れて配設されるが、ブリッジ配線部１０と重なる領域および無調整領域ＮＲには設けられていない。隣り合う複数の第２光学調整領域５１同士の間の距離（第２距離）Ｄ２は、一定であり、３０μｍ以上である。図２４に表した例では、第２光学調整領域５１の形状は、円である。第２光学調整領域５１の円の直径Ｄ１２は、１０μｍ以上、１００μｍ以下である。第２光学調整領域５１に関する寸法の詳細については、第１光学調整領域４１に関する寸法とともに後述する。

　ブリッジ配線部１０は、透光性および導電性を有する酸化物系材料を含む材料により形成される。透光性および導電性を有する酸化物系材料としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＧＺＯ（Gallium-doped Zinc Oxide）、ＡＺＯ（Aluminum-doped Zinc Oxide）およびＦＴＯ（Fluorine-doped Tin Oxide）よりなる群から選択された少なくとも１つが用いられる。

　あるいは、ブリッジ配線部１０は、ＩＴＯ等の酸化物系材料を含む第１層と、第１層よりも低抵抗で透明な金属からなる第２層と、を有していてもよい。また、ブリッジ配線部１０は、ＩＴＯ等の酸化物系材料を含む第３層をさらに有していてもよい。ブリッジ配線部１０が第１層と第２層との積層構造、あるいは第１層と第２層と第３層との積層構造を有する場合には、ブリッジ配線部１０と、第１透明電極４および第２透明電極５と、の間においてエッチング選択性を有することが望ましい。

　図２４から図２６に示すように、各第１透明電極４間を連結する連結部７の表面には、絶縁部２０が設けられている。図２５に示すように、絶縁部２０は、連結部７と第２透明電極５との間の空間を埋め、第２透明電極５の表面にも多少乗り上げている。絶縁部２０としては、例えばノボラック樹脂（レジスト）が用いられる。

　図２５および図２６に示すように、ブリッジ配線部１０は、絶縁部２０の表面２０ａから絶縁部２０のＸ１－Ｘ２方向の両側に位置する各第２透明電極５の表面にかけて設けられている。ブリッジ配線部１０は、隣り合う２つの第２透明電極５を互いに電気的に接続している。

　図２５および図２６に示すように、各第１透明電極４間を接続する連結部７の表面には絶縁部２０が設けられており、絶縁部２０の表面に各第２透明電極５間を接続するブリッジ配線部１０が設けられている。このように、連結部７とブリッジ配線部１０との間には絶縁部２０が介在し、第１透明電極４と第２透明電極５とは互いに電気的に絶縁された状態となっている。本実施形態では、第１透明電極４と第２透明電極５とが同じ面（基材２の第１面Ｓ１）に設けられているため、静電容量式センサ１の薄型化を実現できる。

　図２４に表したように、第１透明電極４および第２透明電極５は、基材２の第１面Ｓ１において隣り合った状態で並んで配置されている。第１透明電極４および第２透明電極５は、図６における透明電極１１０ａ～１１０ｄに対応する。第１透明電極４と第２透明電極５との間には、絶縁層２１が設けられている。絶縁層２１は、図６、図２３における絶縁領域ＩＲに対応する。これにより、第１透明電極４と第２透明電極５とは、互いに電気的に絶縁された状態となっている。絶縁層２１の幅Ｄ３は、例えば約１０μｍ以上、２０μｍ以下程度である。絶縁層２１の幅Ｄ３の詳細については、後述する。

　なお、図２４から図２６に表した連結部７は、第１透明電極４に一体として形成され、Ｙ１－Ｙ２方向に延びている。また、図２４から図２６に表したブリッジ配線部１０は、連結部７を覆う絶縁部２０の表面２０ａに第２透明電極５とは別体として形成され、Ｘ１－Ｘ２方向に延びている。但し、連結部７およびブリッジ配線部１０の配置形態は、これだけには限定されない。例えば、連結部７は、第２透明電極５に一体として形成され、Ｘ１－Ｘ２方向に延びていてもよい。この場合には、連結部７は、隣り合う２つの第２透明電極５を互いに電気的に接続する。ブリッジ配線部１０は、連結部７を覆う絶縁部２０の表面２０ａに第１透明電極４とは別体として形成され、Ｙ１－Ｙ２方向に延びていてもよい。この場合には、ブリッジ配線部１０は、隣り合う２つの第１透明電極４を互いに電気的に接続する。本実施形態に係る静電容量式センサ１の説明では、ブリッジ配線部１０が、連結部７を覆う絶縁部２０の表面２０ａに第２透明電極５とは別体として形成され、Ｘ１－Ｘ２方向に延びた場合を例に挙げる。

　図２３に示すように、非検出領域２５には、各第１電極連結体８および各第２電極連結体１２から引き出された複数本の配線部６が形成されている。第１電極連結体８および第２電極連結体１２のそれぞれは、接続配線１６を介して配線部６と電気的に接続されている。各配線部６は、図示しないフレキシブルプリント基板と電気的に接続される外部接続部２７に接続されている。すなわち、各配線部６は、第１電極連結体８および第２電極連結体１２と、外部接続部２７と、を電気的に接続している。外部接続部２７は、例えば導電ペースト、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＣｕＮｉ合金、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ等の金属を有する材料を介して、図示しないフレキシブルプリント基板と電気的に接続されている。

　そして、このフレキシブルプリント基板と接続されたプリント配線板（図示していない）には、操作体と透明電極（主に第１透明電極４および第２透明電極５）との間に生じる静電容量の変化を検知する検知部（図示していない）と、検知部からの信号に基づいて操作体の位置を算出する制御部が搭載されている。なお、詳細な説明は行わないが、検知部や制御部には、集積回路が用いられている。

　各配線部６は、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＣｕＮｉ合金、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ等の金属を有する材料により形成される。接続配線１６は、ＩＴＯ、金属ナノワイヤ等の透明導電性材料で形成され、検出領域１１から非検出領域２５に延出している。配線部６は、接続配線１６の上に非検出領域２５内で積層され、接続配線１６と電気的に接続されている。また、第１透明電極４や第２透明電極５と同じ金属ナノワイヤ（具体例として銀ナノワイヤが挙げられる。）を有する分散層ＤＬが連続して非検出領域２５に延出して接続配線１６を構成し、非検出領域２５においてこの接続配線１６と配線部６を構成する金属層とが積層された積層配線構造を有していてもよい。

　配線部６は、基材２の第１面Ｓ１における非検出領域２５に位置する部分に設けられている。外部接続部２７も、配線部６と同様に、基材２の第１面Ｓ１における非検出領域２５に位置する部分に設けられている。

　図２３では、理解を容易にするために配線部６や外部接続部２７が視認されるように表示しているが、実際には、非検出領域２５に位置する部分には、遮光性を有する加飾層（図示せず）が設けられている。このため、静電容量式センサ１をパネル３側の面からみると、配線部６および外部接続部２７は加飾層によって隠蔽され、視認されない。加飾層を構成する材料は、遮光性を有する限り任意である。加飾層は絶縁性を有していてもよい。

　本実施形態に係る静電容量式センサ１では、図２５に示すように例えばパネル３の面３ａ上に操作体の一例として指を接触させると、指と指に近い第１透明電極４との間、および指と指に近い第２透明電極５との間で静電容量が生じる。静電容量式センサ１は、このときの静電容量の変化を検知部により検知し、この静電容量変化に基づいて、指の接触位置を制御部によって算出することが可能である。つまり、静電容量式センサ１は、指と第１電極連結体８との間の静電容量変化に基づいて指の位置のＸ座標を検知し、指と第２電極連結体１２との間の静電容量変化に基づいて指の位置のＹ座標を検知する（自己容量検出型）。

　あるいは、静電容量式センサ１は、相互容量検出型であってもよい。すなわち、静電容量式センサ１は、第１電極連結体８および第２電極連結体１２のいずれか一方の電極の一列に駆動電圧を印加し、第１電極連結体８および第２電極連結体１２のいずれか他方の電極と指との間の静電容量の変化を検知してもよい。これにより、静電容量式センサ１は、他方の電極により指の位置のＹ座標を検知し、一方の電極により指の位置のＸ座標を検知する。

　ここで、導電性ナノワイヤを含む導電領域の反射率と、間隙を含む絶縁部の反射率と、の間の差が大きくなると、導電領域と絶縁部との違いが視覚的に明らかになる。そうすると、第１透明電極および第２透明電極がパターンとして視認されやすくなる。静電容量式センサが反射防止層や反射低減層などを備える場合には、導電領域の反射率と絶縁部の反射率との間の差を抑えることができる一方で、反射防止層や反射低減層を形成する設備の追加が必要になったり、静電容量式センサの製造工程が増加したりする。

　これに対して、本実施形態に係る静電容量式センサ１では、第１透明電極４は互いに離れて配設された複数の第１光学調整領域４１を有する。また、第２透明電極５は互いに離れて配設された複数の第２光学調整領域５１を有する。そのため、第１透明電極４および第２透明電極５のうちには、導電性ナノワイヤを含む導電領域と、複数の第１光学調整領域４１および複数の第２光学調整領域５１により形成された複数の領域（光学調整領域）と、が存在する。そのため、第１透明電極４および第２透明電極５のうちには、導電領域と光学調整領域との間の複数の境界（内部境界）が存在する。一方で、第１透明電極４と絶縁層２１との間の境界（外部境界）、および第２透明電極５と絶縁層２１との間の境界（外部境界）が存在する。なお、前述の無調整領域ＮＲは導電領域からなる領域であるため、無調整領域ＮＲには内部領域（導電領域と光学調整領域との間の境界）は存在せず、外部領域（第１透明電極４または第２透明電極５と絶縁層２１との間の境界）のみが存在する。

　そのため、静電容量式センサ１の平面視において、内部境界および外部境界の両方が視認された場合であっても、外部境界だけが強調されることが抑えられる。そのため、第１透明電極４および第２透明電極５がパターンとして視認され難くなる。これにより、第１透明電極４および第２透明電極５のパターンの不可視性を向上させることができる。

　また、第１光学調整領域４１は、第１透明電極４の無調整領域ＮＲ以外の領域に設けられ、第２光学調整領域５１は、第２透明電極５の無調整領域ＮＲ以外の領域に設けられている。これによれば、第１光学調整領域４１および第２光学調整領域５１が設けられたことで第１透明電極４および第２透明電極５の電気抵抗が過度に低くなることを抑えることができる。また、第１光学調整領域４１および第２光学調整領域５１が集中し、第１透明電極４および第２透明電極５がパターンとして視認され易くなることを抑えることができる。

　また、隣り合う複数の第１光学調整領域４１同士の間の第１距離は一定であり、隣り合う複数の第２光学調整領域５１同士の間の第２距離は一定である。つまり、複数の第１光学調整領域４１は、第１透明電極４の無調整領域ＮＲ以外の領域において均一に設けられている。複数の第２光学調整領域５１は、第２透明電極５の無調整領域ＮＲ以外の領域において均一に設けられている。

　また、第１透明電極４および第２透明電極５の材料に含まれる導電性ナノワイヤは、金ナノワイヤ、銀ナノワイヤ、および銅ナノワイヤよりなる群から選択された少なくとも１つである。これによれば、第１透明電極４および第２透明電極５の材料として例えばＩＴＯなどの酸化物系材料が用いられた場合と比較して、第１光学調整領域４１を有する第１透明電極４および第２光学調整領域５１を有する第２透明電極５の電気抵抗を低い抵抗に抑えることができる。

　図２７は、本実施形態の第１透明電極および第２透明電極の変形例（第１変形例）を表す平面図である。図２７は、図２３に表した領域Ａ１を拡大した平面図に相当する。

　本変形例の第１透明電極４Ａは複数の第１光学調整領域４１Ａを有する。第１光学調整領域４１Ａの形状は、四角形である。四角形の第１光学調整領域４１Ａの対角線のうちで最長の対角線の長さＤ１３は、１０μｍ以上、１００μｍ以下である。第１光学調整領域４１Ａに関する寸法の詳細については、後述する。その他の第１透明電極４Ａの構造は、図２３から図２６に関して前述した第１透明電極４の構造と同様である。

　本変形例の第２透明電極５Ａは複数の第２光学調整領域５１Ａを有する。第２光学調整領域５１Ａの形状は、四角形である。四角形の第２光学調整領域５１Ａの対角線のうちで最長の対角線の長さＤ１４は、１０μｍ以上、１００μｍ以下である。第２光学調整領域５１Ａに関する寸法の詳細については、第１光学調整領域４１Ａに関する寸法とともに後述する。その他の第２透明電極５Ａの構造は、図２３から図２６に関して前述した第２透明電極５の構造と同様である。

　本変形例において例示したように、第１光学調整領域および第２光学調整領域のそれぞれの形状は、円だけには限定されず、四角形であってもよい。この場合であっても、本発明者の得た知見によれば、第１透明電極４Ａおよび第２透明電極５Ａのそれぞれの反射率などの光学特性は、図２３から図２６に関して前述した第１透明電極４および第２透明電極５のそれぞれの反射率などの光学特性と同様である。そのため、静電容量式センサ１の平面視において、内部境界および外部境界の両方が視認された場合であっても、外部境界だけが強調されることが抑えられる。そのため、第１透明電極４Ａおよび第２透明電極５Ａがパターンとして視認され難くなる。これにより、第１透明電極４Ａおよび第２透明電極５Ａのパターンの不可視性を向上させることができる。

　図２８は、調整率と配線抵抗との関係の一例を例示するグラフである。図２８に表したグラフの横軸は、調整率（％）を表している。図２８に表したグラフの縦軸は、配線抵抗（ｋΩ）を表している。本明細書において「調整率」とは、単位面積あたりの光学調整領域の面積をいう。

　図２８に表したグラフのように、調整率が相対的に高いと、配線抵抗は相対的に高い。ここで、本発明者の得た知見によれば、例えばスマートフォンなどの携帯端末のように、画面サイズが約４インチ以上、６インチ以下程度である場合において、静電容量式センサ１の性能を確保するためには、配線抵抗が２０ｋΩ以下であることが好ましい。図２８中に２０ｋΩを破線で示した。この場合には、図２８に表したグラフより、第１透明電極４における第１光学調整領域４１および第２透明電極５における第２光学調整領域５１のそれぞれの調整率は、４０％以下であることが好ましい。

　第１光学調整領域４１および第２光学調整領域５１のそれぞれの調整率が４０％以下である場合には、第１透明電極４および第２透明電極５のパターンの不可視性を向上させつつ、第１透明電極４および第２透明電極５のそれぞれの電気抵抗の上昇を抑えることができ、静電容量式センサ１の性能を確保することができる。

　なお、本実施形態に係る静電容量式センサ１が搭載される端末の画面サイズが約４インチ未満程度の場合において、静電容量式センサ１の性能を確保するためには、配線抵抗が３０ｋΩ以下であることが好ましい。この場合には、図２８に表したグラフより、第１透明電極４における第１光学調整領域４１および第２透明電極５における第２光学調整領域５１のそれぞれの調整率は、４５％以下であることが好ましい。

　図２９は、ギャップ幅と調整率との関係の一例を例示するグラフである。
　図２９に表したグラフの横軸は、ギャップ幅（μｍ）を表している。図２９に表したグラフの縦軸は、調整率（％）を表している。図２９に表したギャップ幅は、図２４に関して前述した絶縁層２１の幅Ｄ３に相当する。

　本発明者は、ギャップ幅Ｄ３および調整率を変化させた場合において、第１透明電極４および第２透明電極５のパターンの不可視性について検討した。本検討において、本発明者は、不可視性の判断を目視により行った。目視判断の条件は、以下の通りである。

　すなわち、本検討では、光学調整部を有する透明電極が設けられたセンサフィルムに光学透明粘着層を介してガラス基板を貼合した試料が用いられた。試料に光を照射する光源は、３波長型昼光色蛍光灯である。光源の照度は、１３００ルクス（ｌｘ）である。試料と目視位置との間の距離（検査距離）は、３０ｃｍである。センサフィルムまたはガラス基板の表面に対して垂直な直線（法線）と、目線と、の間の角度は、０度以上、４５度以下である。試料からみて視点とは反対側（試料裏面側）には、黒板が配置されている。

　検討結果の一例は、図２９に表した通りである。すなわち、ギャップ幅Ｄ３が１０μｍである場合には、調整率が１５％以上であると、第１透明電極４および第２透明電極５のパターンの不可視性が確保される。ギャップ幅Ｄ３が１５μｍである場合には、調整率が３０％以上であると、第１透明電極４および第２透明電極５のパターンの不可視性が確保される。ギャップ幅Ｄ３が２０μｍである場合には、調整率が３５％以上であると、第１透明電極４および第２透明電極５のパターンの不可視性が確保される。つまり、ギャップ幅Ｄ３が相対的に広いと、第１透明電極４および第２透明電極５のパターンの不可視性が確保されるためには、相対的に高い調整率が必要になる。

　また、図２８に関して前述したように、第１光学調整領域４１および第２光学調整領域５１のそれぞれの調整率は、４０％以下であることが好ましい。図２９に表したグラフより、第１透明電極４および第２透明電極５のパターンの不可視性と、配線抵抗の許容限界と、を考慮すると、ギャップ幅Ｄ３は、１０μｍ以上、２０μｍ以下であることが好ましい。つまり、図２９に表した領域Ａ２は、第１透明電極４および第２透明電極５のパターンの不可視性と、配線抵抗の許容限界と、の両方が満たされる領域である。図２９に表したように、第１透明電極４および第２透明電極５のパターンの不可視性と、第１光学調整領域４１および第２光学調整領域５１のそれぞれの調整率と、の間には、相関関係があることが分かった。

　図３０は、シート抵抗と導通性確保可能ライン幅との関係の一例を例示するグラフである。図３０に表したグラフの横軸は、シート抵抗（Ω／□）を表している。図３０に表したグラフの縦軸は、導通性確保可能ライン幅（μｍ）を表している。導通性確保可能ラインとは、導電体が断線することなく導電性を確保するために必要な導電体の幅をいう。そのため、図３０に表したように、シート抵抗が相対的に高いと、導電体が断線することなく導電性を確保するために必要な導電体の幅（導通性確保可能ライン幅）としては相対的に長い幅が必要になる。

　図３０に表したグラフ中の上側の破線は、銀ナノワイヤを含む材料により形成された透明電極に関して、シート抵抗と導通性確保可能ライン幅との関係を例示している。

　本発明者の得た知見によれば、銀ナノワイヤを含む材料により形成された透明電極のシート抵抗の下限値は、約３０～５０Ω／□程度である。したがって、図３０に表したグラフより、銀ナノワイヤを含む材料により形成された透明電極に関して、導通性確保可能ライン幅は、３０μｍ以上であることが好ましい。

　これにより、複数の第１光学調整領域４１を有する第１透明電極４の導電領域においては、３０μｍ以上の幅が確保されていることが好ましい。そのため、図２４に関して前述したように、隣り合う複数の第１光学調整領域４１同士の間の距離Ｄ１は、３０μｍ以上であることが好ましい。これは、第２透明電極５についても同様である。つまり、隣り合う複数の第２光学調整領域５１同士の間の距離Ｄ２は、３０μｍ以上であることが好ましい。

　これによれば、複数の第１光学調整領域４１が導電性ナノワイヤを含む第１透明電極４に設けられ、複数の第２光学調整領域５１が導電性ナノワイヤを含む第２透明電極５に設けられていても、導電領域の幅が狭いことで第１透明電極４および第２透明電極５が断線することを抑えることができる。

　図３１は、本実施形態の絶縁層２１の近傍のみに光学調整部が設けられたときの視認性を説明する平面図である。図３１においては、説明の便宜上、第１透明電極４と第２透明電極５との間の２つの絶縁層２１が上下に並べて表示されている。２つの絶縁層２１の間には、第１透明電極４が配置されている。２つの絶縁層２１の両側には、第２透明電極５が配置されている。なお、図３０に表した透明電極の配置は、説明の便宜上の配置である。そのため、例えば、２つの絶縁層２１の間に第２透明電極５が設けられ、２つの絶縁層２１の両側に、第１透明電極４が配置されていてもよい。

　上側の絶縁層２１の幅Ｄ３は、下側の絶縁層２１の幅Ｄ３と同じである。図３１に表した２つの絶縁層２１のうちで上側の絶縁層２１の近傍には、第１光学調整領域４１および第２光学調整領域５１は、設けられていない。一方で、図３１に表した２つの絶縁層２１のうちで下側の絶縁層２１の近傍には、第１光学調整領域４１および第２光学調整領域５１が設けられている。

　図３１に表したように、第１光学調整領域４１および第２光学調整領域５１が絶縁層２１の近傍のみに設けられている場合には、第１光学調整領域４１および第２光学調整領域５１が絶縁層２１の近傍に設けられていない場合と比較すると、第１光学調整領域４１および第２光学調整領域５１の存在により絶縁層２１が強調され目立つことが分かった。具体的には、本来円形である第１光学調整領域４１および第２光学調整領域５１が半円形状となってストライプ状の絶縁層２１と連続しているため、絶縁層２１と第１光学調整領域４１および第２光学調整領域５１とからなる領域による局所的な面積が増大している。その結果、第１透明電極４と第２透明電極５との間に位置する絶縁層２１のパターンがむしろ強調されてしまっている。この傾向は、図３１に示されるように、光学調整領域（第１光学調整領域４１、第２光学調整領域５１）が絶縁層２１の近傍のみに設けられ、透明電極（第１透明電極４および第２透明電極５）における絶縁層２１から遠位な領域には光学調整領域が設けられていない場合に顕著となる。それゆえ、複数の第１光学調整領域４１は、絶縁層２１の近傍に集中することなく、第１透明電極４の無調整領域ＮＲを除く領域に均一に設けられていることが好ましい。また、複数の第２光学調整領域５１は、絶縁層２１の近傍に集中することなく、第２透明電極５の無調整領域ＮＲを除く領域に均一に設けられていることが好ましい。この点を別の表現で説明すれば、導電部が位置する領域である導電領域の内部に光学調整部が位置する領域である光学調整領域が位置して、絶縁層が位置する領域である絶縁領域と光学調整領域とは直接的に接していないことが好ましく、光学調整領域は透明電極の無調整領域ＮＲを除く領域に配置されていることも好ましい。

　図３２は、光学調整部の直径を変化させたときの波長と反射率との関係の一例を例示するグラフである。
　図３３は、図３２に表したグラフ中の一部を拡大して表したグラフである。
　図３３は、図３２に表したグラフ中において、波長が５００μｍ以上、６００μｍ以下の範囲を拡大して表したグラフである。

　本発明者は、丸形状（円形状）の光学調整部の直径を変化させた場合において、光の波長と反射率との関係について検討した。本検討において、本発明者は、紫外可視（ＵＶ－ｖｉｓ）分光光度計を用いて透明電極における反射率を測定した。測定方法は、拡張反射である。測定波長は、２５０ｎｍ以上、８００ｎｍ以下である。試料としては、光学調整部を有する透明電極が設けられたセンサフィルムに光学透明粘着層を介してカバー材を貼合した試料が用いられた。カバー材は、０．５ｍｍの厚さを有するＣｏｒｎｉｎｇ社製のＥＡＧＬＥ　ＸＧ（登録商標）である。

　検討結果の一例は、図３２および図３３に表した通りである。すなわち、光学調整部の直径が相対的に大きいと、透明電極における反射率は、相対的に低い。図３２および図３３に表したグラフより、第１光学調整領域４１の直径Ｄ１１（図２４参照）および第２光学調整領域５１の直径Ｄ１２（図２４参照）は、１０μｍ以上であることが好ましく、２０μｍ以上であることがより好ましい。

　一方で、本発明者の得た知見によれば、透明電極の光学調整部の直径が１００μｍよりも大きい場合には、第１透明電極４および第２透明電極５のパターンの不可視性が低下することが目視により確認された。目視判断の条件は、図２９に関して前述した通りである。これにより、第１光学調整領域４１の直径Ｄ１１および第２光学調整領域５１の直径Ｄ１２は、１００μｍ以下であることが好ましく、９０μｍ以下であることがより好ましい。

　これによれば、第１光学調整領域４１の直径Ｄ１１および第２光学調整領域５１の直径Ｄ１２が小さすぎることで第１透明電極４および第２透明電極５における反射率が高くなることを抑え、第１透明電極４および第２透明電極５のパターンの不可視性を確保することができる。また、第１光学調整領域４１の直径Ｄ１１および第２光学調整領域の直径Ｄ１２が大きすぎることで内部境界が見えやすくなることを抑え、第１透明電極４および第２透明電極５のパターンの不可視性を確保することができる。

　図３４は、光学調整部の形状を変化させたときの波長と反射率との関係の一例を例示するグラフである。
　図３５は、図３４に表したグラフ中の一部を拡大して表したグラフである。図３５は、図３４に表したグラフ中において、波長が５００μｍ以上、６００μｍ以下の範囲を拡大して表したグラフである。

　本発明者は、光学調整部の形状が丸形状（円形状）である場合と四角形状である場合とにおいて、光の波長と反射率との関係について検討した。反射率の測定方法は、図３２および図３３に関して前述した通りである。

　検討結果の一例は、図３４および図３５に表した通りである。すなわち、光学調整部の形状が丸形状である場合の反射率は、光学調整部の形状が四角形状である場合の反射率と略同じである。これにより、図２７に関して前述したように、第１光学調整領域および第２光学調整領域のそれぞれの形状は、円だけには限定されず、四角形であってもよい。図３２および図３３に関して前述した直径の範囲と同様に、四角形の第１光学調整領域４１Ａの対角線のうちで最長の対角線の長さＤ１３（図２７参照）、および四角形の第２光学調整領域５１Ａの対角線のうちで最長の対角線の長さＤ１４（図２７参照）は、１０μｍ以上であることが好ましく、２０μｍ以上であることがより好ましい。また、対角線の長さＤ１３および対角線の長さＤ１４は、１００μｍ以下であることが好ましく、９０μｍ以下であることがより好ましい。

　これによれば、第１光学調整領域４１Ａの対角線の長さＤ１３および第２光学調整領域５１Ａの対角線の長さＤ１４が短すぎることで第１透明電極４Ａおよび第２透明電極５Ａにおける反射率が高くなることを抑え、第１透明電極４Ａおよび第２透明電極５Ａのパターンの不可視性を確保することができる。また、第１光学調整領域４１Ａの対角線の長さＤ１３および第２光学調整領域５１Ａの対角線の長さＤ１４が長すぎることで内部境界が見えやすくなることを抑え、第１透明電極４Ａおよび第２透明電極５Ａのパターンの不可視性を確保することができる。

　図３９は、本実施形態の静電容量式センサの他の変形例（第２変形例）の検出領域の一部を表す平面図である。図３９は、図２３に表した領域Ａ１に対応する領域をさらに拡大した平面図である。図３９では、Ｙ１－Ｙ２方向に並ぶ２つの第１透明電極について、Ｙ１－Ｙ２方向Ｙ１側の第１透明電極を第１透明電極４Ｂ１、Ｙ１－Ｙ２方向Ｙ２側の第１透明電極を第１透明電極４Ｂ２として示している。

　本変形例の第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２が複数のほぼ円形の第１光学調整領域４１Ｂを有し、第２透明電極５Ｂ１、５Ｂ２が複数のほぼ円形の第２光学調整領域５１Ｂを有し、第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２と第２透明電極５Ｂ１、５Ｂ２との間に絶縁層２１を有する点で、図２４に示した例と共通する。絶縁部２０とブリッジ配線部１０とは、説明の都合上、図示を省略している。

　連結部７は、第１透明電極４Ｂ１と第１透明電極４Ｂ２のＹ１－Ｙ２方向（第１方向）との間に位置して、第１透明電極４Ｂ１と第１透明電極４Ｂ２とを電気的に接続する透明配線（第１透明配線）である。具体的には、図３９に示されるように、連結部７のＹ１－Ｙ２方向（第１方向）Ｙ１側には第１透明電極４Ｂ１が位置し、連結部７のＹ１－Ｙ２方向（第１方向）Ｙ２側には第１透明電極４Ｂ２が位置する。Ｚ１－Ｚ２方向（第１面Ｓ１の法線方向）からみたときに、第１透明電極４Ｂ１と連結部７とは第１境界線ＤＬ１において接する連続体であり、第１透明電極４Ｂ２と連結部７とは第２境界線ＤＬ２において接する連続体である。図示しないが、Ｚ１－Ｚ２方向（第１面Ｓ１の法線方向）からみたときに、第１透明電極４Ｂ１のＹ１－Ｙ２方向（第１方向）Ｙ１側には第２境界線ＤＬ２によって接する連続体として連結部７がさらに設けられている。また、Ｚ１－Ｚ２方向（第１面Ｓ１の法線方向）からみたときに、第１透明電極４Ｂ２のＹ１－Ｙ２方向（第１方向）Ｙ２側には第１境界線ＤＬ１によって接する連続体として連結部７がさらに設けられている。こうして、複数の第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２は複数の連結部７によって電気的に接続され、Ｙ１－Ｙ２方向（第１方向）に延びる第１電極連結体８が構成されている。

　連結部７には第１光学調整領域４１Ｂが設けられておらず、連結部７は全域が導電領域ＣＲからなる。このため、連結部７のＸ１－Ｘ２方向の長さの最小値である最小幅Ｗは全域が導電路となる導電領域ＣＲからなる。それゆえ、第１透明電極４Ｂ１と第１透明電極４Ｂ２とを電気的に接続する連結部７にＹ１－Ｙ２方向（第１方向）に電流が流れたときに、連結部７に第１光学調整領域４１Ｂが設けられている場合に比べて、連結部７での絶縁破壊が生じにくい。また、第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２に第１光学調整領域４１Ｂが設けられているため、第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２の抵抗は、第１光学調整領域４１Ｂが設けられていない場合に比べて高くなる。このため、第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２を含む第１電極連結体８（図２３参照）にＥＳＤなどに起因して高い電圧が印加された場合に、第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２の抵抗が高くなっている分、連結部７に流れる電流を低下させることができる。それゆえ、連結部７における絶縁破壊電流に変化がなくても、第１光学調整領域４１Ｂを設けることによって、第１電極連結体８の絶縁耐圧を高めることができる。

　Ｚ１－Ｚ２方向（第１面Ｓ１の法線方向）からみたときに、第１透明電極４Ｂ１は、第１境界線ＤＬ１を含むように位置する第１周辺領域ＰＲ１を有する。同様に、Ｚ１－Ｚ２方向（第１面Ｓ１の法線方向）からみたときに、第１透明電極４Ｂ２は、第２境界線ＤＬ２を含むように位置する第２周辺領域ＰＲ２を有する。図示しないが、Ｚ１－Ｚ２方向（第１面Ｓ１の法線方向）からみたときに、第１透明電極４Ｂ１はそのＹ１－Ｙ２方向Ｙ１側に位置する第２境界線ＤＬ２を含むように位置する第２周辺領域ＰＲ２を有し、第１透明電極４Ｂ２はそのＹ１－Ｙ２方向Ｙ２側に位置する第１境界線ＤＬ１を含むように位置する第１周辺領域ＰＲ１を有する。第１透明電極４Ｂ１の周辺領域（第１周辺領域ＰＲ１、第２周辺領域ＰＲ２）以外の領域は、第１透明電極４Ｂ１の重心を含む中心領域ＥＲからなり、第１透明電極４Ｂ２の周辺領域（第１周辺領域ＰＲ１、第２周辺領域ＰＲ２）以外の領域は、第１透明電極４Ｂ２の重心を含む中心領域ＥＲからなる。第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２のＺ１－Ｚ２方向からみた形状は、周辺領域（第１周辺領域ＰＲ１、第２周辺領域ＰＲ２）におけるＸ１－Ｘ２方向の長さ（幅）が中心領域ＥＲにおけるＸ１－Ｘ２方向の長さ（幅）よりも狭い。また、中心領域ＥＲの幅は連結部７の幅より広い。したがって、第１電極連結体８をＹ１－Ｙ２方向に流れる電流は、基本的傾向として、中心領域ＥＲでは流れやすく、周辺領域（第１周辺領域ＰＲ１、第２周辺領域ＰＲ２）や連結部７において電流集中が生じやすい。

　図３９に示されるように、周辺領域（第１周辺領域ＰＲ１、第２周辺領域ＰＲ２）における導電領域ＣＲの存在密度は、第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２の中心領域ＥＲにおける導電領域ＣＲの存在密度よりも高い。具体的には、周辺領域（第１周辺領域ＰＲ１、第２周辺領域ＰＲ２）は、中心領域ＥＲとの境界部近傍を除いて導電領域ＣＲからなる。この場合には、周辺領域（第１周辺領域ＰＲ１、第２周辺領域ＰＲ２）の導電路の存在密度を高くすることができる。

　図４０は周辺領域（第１周辺領域ＰＲ１および第２周辺領域ＰＲ２）および連結部７での電流の流れ方（図中の黒矢印）を説明する図である。図４０では、一例として、Ｙ１－Ｙ２方向（第１方向）に並んで隣り合う第１透明電極４Ｂ１から第１透明電極４Ｂ２へと電流が流れる様子が示されている。この場合には、第１透明電極４Ｂ１を流れる電流は、Ｙ１－Ｙ２方向（第１方向）の端部（具体的にはＹ１－Ｙ２方向Ｙ２側端部）の近傍において、その端部に延設される連結部７へと集まるように流れる。また、第１光学調整領域４１Ｂの導電性は導電領域ＣＲよりも低いため、連結部７を流れる電流は、第１光学調整領域４１Ｂをよけて導電領域ＣＲを優先的に流れる。換言すれば、第１光学調整領域４１Ｂは、第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２の導電路を少なくする因子である。

　そこで、第１境界線ＤＬ１を含むように位置する第１周辺領域ＰＲ１および第２境界線ＤＬ２を含むように位置する第２周辺領域ＰＲ２の第１光学調整領域４１Ｂの存在密度を、第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２の他の領域、具体的には中心領域ＥＲよりも低くすること、換言すれば、周辺領域（第１周辺領域ＰＲ１、第２周辺領域ＰＲ２）における導電領域ＣＲの存在密度を中心領域ＥＲにおける導電領域ＣＲの存在密度よりも高くすることにより、周辺領域（第１周辺領域ＰＲ１、第２周辺領域ＰＲ２）における導電路の存在密度を増やすことができる。その結果、Ｙ１－Ｙ２方向（第１方向）に並んで隣り合う２つの第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２に対してＹ１－Ｙ２方向（第１方向）に大電流が流れた場合であっても、周辺領域（第１周辺領域ＰＲ１、第２周辺領域ＰＲ２）に位置する導電領域ＣＲに過度の電流集中が生じる可能性を低減させることができる。

　導電領域ＣＲにおいて過度の電流集中が生じると、導電領域ＣＲに位置する銀ナノワイヤＡｇＮＷが溶断し、その結果、周辺領域（第１周辺領域ＰＲ１、第２周辺領域ＰＲ２）に絶縁破壊が生じてしまう。このように、周辺領域（第１周辺領域ＰＲ１、第２周辺領域ＰＲ２）における導電路の存在密度を高めておくことにより、第１電極連結体８に大電流が流れたときに、本来最も絶縁破壊が生じやすい位置である連結部７よりも先に第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２において絶縁破壊が生じる可能性を低減させることができる。

　第１周辺領域ＰＲ１と中心領域ＥＲとの境界線である領域境界線ＲＬ１に位置する導電領域ＣＲの長さ（図３９では符号ｗ１からｗ６が付されている。）の総和である境界導電幅Σｗは、連結部７の最小幅Ｗと下記式の関係を有する。第２周辺領域ＰＲ２と中心領域ＥＲとの境界線である領域境界線ＲＬ２に位置する導電領域ＣＲの長さの総和である境界導電幅Σｗも、連結部７の最小幅Ｗと下記式の関係を有する。
　　Σｗ＞Ｗ

　連結部７を流れる電流はＹ１－Ｙ２方向（第１方向）に沿うため、連結部７の最小幅Ｗは連結部７の絶縁破壊耐性に影響を及ぼす。具体的には、連結部７の最小幅Ｗが大きいほど、連結部７の絶縁破壊電圧は高くなる。

　一方、連結部７に延設される第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２でも連結部７と同様に、電流は基本的にはＹ１－Ｙ２方向（第１方向）に沿って流れる。しかしながら、上記のように、第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２では、相対的に導電性が低い第１光学調整領域４１Ｂが相対的に導電性が高い導電領域ＣＲに分散して配置されている。このため、第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２では、電流は第１光学調整領域４１Ｂをよけて導電領域ＣＲを優先的に流れる。それゆえ、連結部７から第１透明電極４Ｂ１または第１透明電極４Ｂ２へと流れ込んだ電流は、複数の部分領域をなす第１光学調整領域４１Ｂの間に位置する複数の導電領域ＣＲを通るように分岐する（図４０参照）。

　このように電流分岐が生じるため、第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２における複数の第１光学調整領域４１Ｂの離間領域が連結部７の最小幅Ｗよりも狭い場合でも、基本的には、第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２よりも連結部７において優先的に絶縁破壊が生じやすい。連結部７よりも第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２において優先的に絶縁破壊が生じやすくなるのは、第１透明電極４Ｂ２内に分岐した電流が流れる個々の導電路に連結部７よりも多くの電流が流れる場合である。

　上記のとおり、第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２が有する周辺領域（第１周辺領域ＰＲ１および第２周辺領域ＰＲ２）では導電領域ＣＲの存在密度が高められているため、周辺領域（第１周辺領域ＰＲ１および第２周辺領域ＰＲ２）で絶縁破壊が生じる可能性は適切に低減されている。このため、第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２において最も絶縁破壊が生じる可能性が高いのは、周辺領域（第１周辺領域ＰＲ１および第２周辺領域ＰＲ２）と中心領域ＥＲとの境界線である領域境界線ＲＬ１、ＲＬ２の近傍である。

　第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２は導電領域ＣＲに複数の第１光学調整領域４１Ｂが分散した構成を有するため、領域境界線ＲＬ１、ＲＬ２は、図３９で一点鎖線で示されるように、複数の第１光学調整領域４１Ｂを通るとともに、第１光学調整領域４１Ｂの周囲に位置する導電領域ＣＲを通る。第１透明電極４Ｂ１の中心領域ＥＲを流れて領域境界線ＲＬ１を通過する電流および第１透明電極４Ｂ２の第２周辺領域ＰＲ２を流れて領域境界線ＲＬ２を通過する電流は、実質的に、領域境界線ＲＬ１、ＲＬ２に位置する導電領域ＣＲを通ることになる。このため、領域境界線ＲＬ１、ＲＬ２に位置する導電領域ＣＲの長さの総和（ｗ１＋ｗ２＋ｗ３＋ｗ４＋ｗ５＋ｗ６）である境界導電幅Σｗが、領域境界線ＲＬ１、ＲＬ２における電流が流れる部分の長さである。境界導電幅Σｗは、領域境界線ＲＬ１、ＲＬ２に位置する複数の第１光学調整領域４１Ｂの離間距離の総和ともいえる。

　なお、図３９では、領域境界線ＲＬ１のＸ１－Ｘ２方向の端部において、隣り合う第１光学調整領域４１Ｂの離間距離よりも、第１光学調整領域４１Ｂと絶縁層２１との離間距離の方が短い。それゆえ、図３９に示される例では、境界導電幅Σｗは離間距離ｗ１から離間距離ｗ６の総和である。図３９には示さないが、領域境界線ＲＬ２においても、領域境界線ＲＬ１と同様にして境界導電幅Σｗは定義され、領域境界線ＲＬ１の境界導電幅Σｗと領域境界線ＲＬ２の境界導電幅Σｗとのいずれについても、連結部７の最小幅Ｗよりも大きい。

　このように、境界導電幅Σｗが連結部７の最小幅Ｗよりも大きくなるようにすれば、第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２に大電流が流れたときに、連結部７より先に第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２において絶縁破壊が生じる可能性を適切に低減させることができる。すなわち、Σｗ＞Ｗを満たすように複数の第１光学調整領域４１Ｂを第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２に配置することにより、第１電極連結体８の絶縁破壊耐性を低下させることなく、第１光学調整領域４１Ｂを配置したことによる不可視性の向上の利益をより安定的に享受できる。

　前述のように、光学調整部１１２は分散層ＤＬにおける銀ナノワイヤＡｇＮＷの分散密度を導電部１１１よりも低下させることにより、光学調整部１１２を有する第１光学調整領域４１Ｂの反射率を低下させている。この光学調整部１１２は、銀ナノワイヤＡｇＮＷがマトリックスＭＸに分散した構造を有する分散層ＤＬから銀ナノワイヤＡｇＮＷを優先的に除去することにより形成されている。

　このような形成方法では、光学調整部１１２に近接する導電部１１１に位置する銀ナノワイヤＡｇＮＷの一部が、光学調整部１１２に位置する銀ナノワイヤＡｇＮＷとともに不可避的に除去されてしまう。このため、第１光学調整領域４１Ｂの周囲に位置する導電領域ＣＲを構成する導電部１１１は、他の導電領域ＣＲに比べて、銀ナノワイヤＡｇＮＷの分散密度が低下する傾向がある。その結果、第１光学調整領域４１Ｂの周囲に位置する導電領域ＣＲの導電性が若干低下することがある。

　このような場合も考慮して、境界導電幅Σｗを０．９倍し、この値が連結部７の最小幅Ｗ以上となるように設定する、すなわち下記式を満たすことにより、第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２に大電流が流れたときに連結部７よりも優先的に第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２において絶縁破壊が生じる可能性をさらに安定的に低減させることができる。
　　０．９×Σｗ≧Ｗ
　上記式は、Σｗ／Ｗが１．１以上であることを示していることに近く、第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２において絶縁破壊が生じる可能性を特に安定的に低減させる観点から、Σｗ／Ｗは、１．３以上であることが好ましく、１．５以上であることがより好ましい。

　図４９（詳細は後述する。）に示すように、領域境界線ＲＬ１、ＲＬ２と、領域境界線ＲＬ１、ＲＬ２に最近位の連結部７との離間距離ｘは５０μｍ以上３００μｍ以下であることが望ましい。離間距離ｘが５０μｍ以上であることにより、境界導電幅Σｗが連結部７の最小幅Ｗと同等以下となる可能性をより安定的に低減させることができる。また、離間距離ｘが３００μｍ以下であることにより、連結部７と周辺領域（第１周辺領域ＰＲ１、第２周辺領域ＰＲ２）とからなる領域の視認性をより安定的に低下させることができる。第１電極連結体８の絶縁破壊耐性を低下させることなく、第１光学調整領域４１Ｂを配置したことによる不可視性の向上の利益をより安定的に享受する観点から、離間距離ｘは、７５μｍ以上２８０μｍ以下であることがより好ましい場合があり、１５０μｍ以上２６０μｍ以下であることが特に好ましい場合がある。

　図３９では表示を省略したが、第２透明配線となるブリッジ配線部１０（図２４、図２７参照）は、第２透明電極５Ｂ１、５Ｂ２に積層される部分を有する。第２透明電極５Ｂ１、５Ｂ２におけるブリッジ配線部１０と接触する部分は導電領域ＣＲからなることが好ましい。図３９では、Ｘ１－Ｘ２方向Ｘ１側の第２透明電極５Ｂ１の連結部７に近位な端部に設けられた導電領域ＣＲからなる領域ＰＬ１は、Ｘ１－Ｘ２方向Ｘ２側の第２透明電極５Ｂ２の連結部７に近位な端部に設けられた導電領域ＣＲからなる領域ＰＬ２よりも広い。第２透明電極５Ｂ１、５Ｂ２とブリッジ配線部１０（第２透明配線）との界面近傍で絶縁破壊が生じる可能性を低減させる観点からは、より広い導電領域ＣＲからなる領域ＰＬ２を有する第２透明電極５Ｂ２の方が好ましい。

　第１周辺領域ＰＲ１、第２周辺領域ＰＲ２などを含んで連結部７の周囲に形成される導電領域ＣＲの存在密度が高い領域の面積Ｓは、この領域の不可視性を確保する観点から、６０００００μｍ２以下であることが好ましく、５０００００μｍ２以下であることがより好ましく、４０００００μｍ２以下であることがさらに好ましく、３５００００μｍ２以下であることが特に好ましい。

　以下、具体例を示して説明する。
　図４１から図４５は、透明電極（第１透明電極、第２透明電極）を有する検出領域の部分拡大図である。なお、図４４（ｂ）は図４４（ａ）を含む領域の拡大倍率を下げた図であり、図４５（ｂ）は図４５（ａ）を含む領域の拡大倍率を下げた図である。図４１から図４５では、図の全体が与える視覚的印象を確認しやすいように、符号を付すことを省略している。また、これらの図において、透明電極（第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２および第２透明電極５Ｂ１、５Ｂ２）上に設けられる絶縁部２０は二点鎖線で示され、さらにその上に設けられるブリッジ配線部１０は一点鎖線で示されている。

　図４１に示される検出領域１１（比較例１）では、第１方向（Ｙ１－Ｙ２方向）に並ぶ２つの第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２を電気的に接続する連結部７は、第１方向（Ｙ１－Ｙ２方向）の長さが２００μｍであってＸ１－Ｘ２方向の長さが２００μｍの矩形形状を有する。したがって、図４１に示される検出領域１１では連結部７の最小幅Ｗは２００μｍである。第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２と第２透明電極５Ｂ１、５Ｂ２との間に位置する絶縁層２１のＸ－Ｙ平面上の長さ、すなわち絶縁層２１の幅は１０μｍである。透明電極（第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２、第２透明電極５Ｂ１、５Ｂ２）には光学調整領域（第１光学調整領域４１Ｂ、第２光学調整領域５１Ｂ）が設けられていない。

　図４３から図４５に示される検出領域１１（実施例１から実施例３）では、透明電極（第１透明電極４Ｂ１、４Ｂ２、第２透明電極５Ｂ１、５Ｂ２）および連結部７の形状ならびに絶縁層２１の幅は図４１に示される検出領域１１の各部の形状に等しい。図４２から図４５に示される検出領域１１では、透明電極に光学調整領域（第１光学調整領域４１Ｂ、第２光学調整領域５１Ｂ）が設けられており、光学調整領域は、いずれも平面視で直径が３５μｍの円形であって透明電極内に均一に配置されている。具体的には、最近位に並ぶ２つの光学調整領域の配列ピッチが６８μｍである。絶縁層２１と重ならない光学調整領域と絶縁層２１との離間距離の最小値は８５μｍである。図４３から図４５に示される検出領域１１では、第１透明電極４Ｂに、第１周辺領域ＰＲ１および第２周辺領域ＰＲ２が設けられており、各検出領域１１で周辺領域（第１周辺領域ＰＲ１、第２周辺領域ＰＲ２）の形状が異なる。このため、境界導電幅Σｗは各実施例で異なっている。連結部７の最小幅Ｗは２００μｍで共通である。

　図４２に示される検出領域１１（比較例２）では、図４３から図４５に示される検出領域１１の透明電極に設けられた光学調整領域と同様の形状、ピッチの光学調整領域が全面に設けられ、隣り合う光学調整領域をつなぐようにして絶縁層２１が設けられて透明電極が形成されている。したがって、図４２に示される検出領域１１の透明電極には周辺領域（第１周辺領域ＰＲ１、第２周辺領域ＰＲ２）が設けられていない。また、連結部７に相当する部分にも光学調整領域が設けられているため、連結部７の最小幅Ｗに相当する導電路の幅は、Ｘ１－Ｘ２方向に並ぶ３つの光学調整領域によって定義される２つの離間距離の和となる。

　さらに、図４１に示される検出領域１１（比較例１）と同様であるが連結部７の最小幅Ｗが１６０μｍである検出領域１１（比較例３）および図４３から図４５に示される検出領域１１（実施例１から実施例３）と同様であるが各種のパラメータを変更した検出領域１１（実施例４から実施例７）を作成した。

　実施例４は実施例３よりも連結部７の周辺の光学調整領域をひとまわり広く導電領域に置き換えた構成であり、周辺領域を含む面積Ｓが広がっている。実施例５は実施例４よりも連結部７の周辺の光学調整領域をひとまわり広く導電領域に置き換えた構成であり、周辺領域を含む面積Ｓがさらに広がっている。実施例６は、連結部７の周辺に位置する光学調整領域の配置は実施例１と同様であるが、比較例１と同様に連結部７の最小幅Ｗが１６０μｍである。実施例７は、連結部７の周辺に位置する光学調整領域の配置は実施例２と同様であるが、比較例１と同様に連結部７の最小幅Ｗが１６０μｍである。各実施例・比較例のパラメータを図４６にまとめて示す。図４６におけるＳは連結部７を含む導電領域ＣＲの面積の概数である。

　これらの実施例および比較例に係る検出領域１１に位置する第１電極連結体８のＹ１－Ｙ２方向（第１方向）の両端に電圧を印加し、印加電圧を漸増させて、絶縁破壊電圧を測定した。また、隣り合う２つの第２透明電極５Ｂ１、５Ｂ２をブリッジ配線部１０により接続し、第２電極連結体１２のＸ１－Ｘ２方向（第２方向）の両端に電圧を印加し、ブリッジ配線部１０に再近位な第２光学調整領域５１Ｂとブリッジ配線部１０との離間距離Ｄと絶縁破壊電圧との関係を評価した。

　絶縁破壊電圧の評価結果を視認性の評価結果と合わせて図４７に示す。視認性の評価は、図２９に示される不可視性の検討結果を得るための評価方法と同じであった。不可視性の評価基準は次のとおりであった。
　　Ａ：不可視性に特に優れる
　　Ｂ：不可視性に優れる
　　Ｃ：不可視性を有する
　　Ｄ：不可視性を有しない

　図４７の「絶縁破壊電圧（ｋＶ）」における「相対値」の列には、第１方向の絶縁破壊電圧について、連結部７の最小幅Ｗが２００μｍの場合には比較例１の結果に対する相対値を示し、連結部７の最小幅Ｗが１６０μｍの場合には比較例３の結果に対する相対値を示した。

　図４８は、絶縁破壊電圧（相対値）とΣｗ／Ｗとの関係を示すグラフである。図４８からも明らかなように、Σｗ／Ｗが１を超える、すなわち、Σｗ＞Ｗの場合には、相対値が１を超え、光学調整領域を設けることが透明電極部材の絶縁破壊電圧の向上をもたらすことが確認された。透明電極部材の絶縁破壊電圧をより安定的に向上させる観点から、Σｗ／Ｗは、１．１以上とすることが好ましく、１．３以上とすることがより好ましく、１．５以上とすることが特に好ましい。Σｗ／Ｗが１．５以上の場合には、連結部７の最小幅Ｗが絶縁破壊電圧に与える影響をより少なくすることができる。Σｗ／Ｗを過大にすると、視認性に与える影響が顕在化したり、他の部分での絶縁破壊の可能性が高まったりすることから、Σｗ／Ｗは、２．５以下とすることが好ましい。

　図４９は、絶縁破壊電圧（相対値）と離間距離ｘ（領域境界線ＲＬ１、ＲＬ２と、領域境界線ＲＬ１、ＲＬ２に最近位の連結部７との離間距離）との関係を示すグラフである。図４９からも明らかなように、良好な絶縁破壊電圧を示す観点からは、離間距離ｘを５０μｍ以上とすることが好ましいことが確認された。

　以上、本実施形態およびその適用例を説明したが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。例えば、前述の各実施形態またはその適用例に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、設計変更を行ったものや、各実施形態の特徴を適宜組み合わせたものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。

　例えば、周辺領域（第１周辺領域ＰＲ１、第２周辺領域ＰＲ２）には、Σｗに影響を与えない範囲で導電領域ＣＲ内に第１光学調整領域４１Ｂが分散配置されていてもよい。図２３や図２４に示される静電容量式センサ１は、基材１０１の第１面Ｓ１に第１電極連結体８と第２電極連結体１２とが設けられた構成を有する透明電極部材４００を備えているが、これに限定されない。

　図５０は本発明の他の実施形態に係る静電容量式センサの構成を説明する図である。図５０に示されるように、本発明の一実施形態に係る静電容量式センサ１Ａが備える透明電極部材５００は、シート状の基材２が有する２つの主面の一つである第１面Ｓ１に複数の第１透明電極４を備える第１電極連結体８が設けられ、２つの主面の他の一つである第２面Ｓ２に複数の第２透明電極５を備える第２電極連結体１２が設けられている。複数の第２透明電極５は、第２面Ｓ２の面内方向のうち第１方向（Ｙ１－Ｙ２方向）とは異なる第２方向（具体的にはＸ１－Ｘ２方向）に沿って並んで配置され、互いに電気的に接続されている。

　図５１は本発明の別の実施形態に係る静電容量式センサの構成を説明する図である。図５１に示されるように、本発明の一実施形態に係る静電容量式センサ１Ｂは、透明電極部材の２つ（透明電極部材４００ａ、透明電極部材４００ｂ）が第１面Ｓ１の法線方向（Ｚ１－Ｚ２方向）に積層された積層透明電極部材６００を備える。２つの透明電極部材（透明電極部材４００ａ、透明電極部材４００ｂ）の第１方向が互いに異なる方向となるように、透明電極部材４００ａの第１透明電極４と、透明電極部材４００ｂの第１透明電極４とは配置されるている。具体的には、相対的にＺ１－Ｚ２方向Ｚ１側の透明電極部材４００ａでは、第１透明電極４はＹ１－Ｙ２方向に並ぶように配置され、相対的にＺ１－Ｚ２方向Ｚ２側の透明電極部材４００ｂでは、第１透明電極４はＸ１－Ｘ２方向に並ぶように配置されている。

　１００，２００，３００，４００，５００，４００ａ，４００ｂ　透明電極部材
　６００　積層透明電極部材
　１０１　基材
　Ｓ１　第１面
　Ｓ２　第２面
　１１０，１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ，１１０ｄ　透明電極
　１０２　絶縁層
　ＩＲ　絶縁領域
　ＭＸ　マトリックス
　ＮＷ　導電性ナノワイヤ
　ＤＬ　分散層
　１１１　導電部
　ＣＲ　導電領域
　１１２　光学調整部
　ＡＲ　光学調整領域
　ｓｄ　離間距離
　１３０　透明配線
　ＮＲ　無調整領域
　１５０　第１積層体
　ＡｇＮＷ　銀ナノワイヤ
　１６０　レジスト層
　１６１　第１レジスト層
　１６２　第２レジスト層
　Ｒ１　第１領域
　Ｒ２　第２領域
　Ｒ３　第３領域
　ＳＩ　銀ヨウ化物
　１５１　中間部材
　１，１Ａ，１Ｂ　静電容量式センサ
　２　基材
　３　パネル
　３ａ　面
　４，４Ａ，４Ｂ１，４Ｂ２　第１透明電極
　５，５Ａ，５Ｂ１，５Ｂ２　第２透明電極
　６　配線部
　７　連結部（第１透明配線）
　８　第１電極連結体
　１０　ブリッジ配線部（第２透明配線）
　１１　検出領域
　１２　第２電極連結体
　１６　接続配線
　２０　絶縁部
　２０ａ　表面
　２１　絶縁層
　２５　非検出領域
　２７　外部接続部
　３０　光学透明粘着層
　４１，４１Ａ，４１Ｂ　第１光学調整領域
　５１，５１Ａ，５１Ｂ　第２光学調整領域
　Ｗ　連結部（第１透明配線）の最小幅
　ＰＲ１　第１周辺領域
　ＰＲ２　第２周辺領域
　ＥＲ　中央領域
　ＤＬ１　第１境界線
　ＤＬ２　第２境界線
　ＰＬ１、ＰＬ２　第２透明電極の領域
　ＲＬ１、ＲＬ２　領域境界線
　ｗ１，ｗ２，ｗ３，ｗ４，ｗ５，ｗ６　領域境界線における、隣り合う２つの光学調整領域の離間距離に相当する部分、または絶縁層に再近位な光学調整領域と絶縁層との離間距離に相当する部分
　ｘ　領域境界線に再近位な連結部（第１透明配線）と領域境界線との離間距離
　Ｄ　ブリッジ配線部に再近位な第２光学調整領域とブリッジ配線部との離間距離
　Ｓ　第１周辺領域、第２周辺領域などを含んで連結部（第１透明配線）の周囲に形成される導電領域の存在密度が高い領域の面積

Claims

　透光性を有する基材と、
　前記基材の一つの面である第１面に複数配置され、透光性を有する透明電極と、
　前記第１面の法線方向からみたときに、前記透明電極が配置された領域の周囲の少なくとも一部に位置する絶縁領域に配置された絶縁層と、
　を備える透明電極部材であって、
　前記透明電極は、絶縁材料からなるマトリックスと、前記マトリックス内に分散した導電性ナノワイヤと、を含む分散層を備え、
　前記透明電極は、前記第１面の法線方向からみたときに、導電部からなる導電領域と光学調整部を有する光学調整領域とを有し、
　前記導電部は、前記光学調整部よりも導電性が高く、
　前記光学調整部は、前記分散層における前記導電性ナノワイヤの分散密度が前記導電部よりも低く、
　前記透明電極は、前記第１面の面内方向の一つである第１方向に沿って並んで配置され、互いに電気的に接続された複数の第１透明電極を有し、
　前記第１方向に隣り合う２つの前記第１透明電極は、前記２つの前記第１透明電極の間に位置し前記導電領域からなる第１透明配線によって互いに電気的に接続され、
　前記第１面の法線方向からみたときに、前記第１透明電極は、前記第１透明配線との境界線を含むように位置する周辺領域と、前記第１透明電極の重心を含む中心領域とを有し、前記周辺領域における前記導電領域の存在密度は前記中心領域における前記導電領域の存在密度よりも高いこと
を特徴とする透明電極部材。
　前記周辺領域は前記導電領域からなる、請求項１に記載の透明電極部材。
　前記光学調整領域は、前記導電領域内に離散的に位置する複数の部分領域を有する、請求項１または請求項２に記載の透明電極部材。
　前記複数の部分領域は、互いに３０μｍ以上離間している、請求項３に記載の透明電極部材。
　前記第１面の法線方向からみたときに、前記複数の第１透明電極のそれぞれは前記周辺領域と前記中心領域とからなり、
　前記複数の第１透明電極のそれぞれについて、前記周辺領域と前記中心領域との境界線である領域境界線に位置する前記導電領域の長さの総和である境界導電幅Σｗは、前記第１透明配線の最小幅Ｗと下記式の関係を有する、請求項３または請求項４に記載の透明電極部材。
　　Σｗ＞Ｗ
　前記境界導電幅Σｗは、前記第１透明配線の最小幅Ｗと下記式の関係を有する、請求項５に記載の透明電極部材。
　　０．９×Σｗ≧Ｗ
　前記境界導電幅Σｗは、前記第１透明配線の最小幅Ｗと下記式の関係を有する、請求項６に記載の透明電極部材。
　　１．３≦Σｗ／Ｗ≦２．５
　前記第１面の法線方向からみたときに、前記領域境界線と、前記領域境界線に最近位の前記第１透明配線との離間距離は５０μｍ以上３００μｍ以下である、請求項５から請求項７のいずれか一項に記載の透明電極部材。
　前記絶縁領域の反射率は、前記導電領域の反射率よりも低い、請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の透明電極部材。
　前記透明電極における前記光学調整領域の面積割合は４０％以下である、請求項１から９のいずれか一項に記載の透明電極部材。
　前記透明電極は、前記第１面の面内方向のうち前記第１方向とは異なる第２方向に沿って並んで配置され、互いに電気的に接続された複数の第２透明電極を有し、
　前記第２方向に隣り合う２つの前記複数の第２透明電極は、第２透明配線によって電気的に接続され、
　前記第１透明配線と前記第２透明配線とは、前記第１面の法線方向に絶縁物を介して重なる部分を有する、請求項１から１０のいずれか一項に記載の透明電極部材。
　前記第２透明配線は、前記第２透明電極よりも抵抗が高い材料から構成される、請求項１１に記載の透明電極部材。
　前記第２透明配線は前記第２透明電極に積層される部分を有し、前記第２透明電極における前記第２透明配線と接触する部分は前記導電領域からなる、請求項１１または請求項１２に記載の透明電極部材。
　前記基材はシート状であって、前記第１面は前記基材が有する２つの主面の一つであって、２つの前記主面の他の一つである第２面に、前記主面の面内方向のうち前記第１方向とは異なる第２方向に沿って並んで配置され、互いに電気的に接続された複数の第２透明電極を有する、請求項１から１０のいずれか一項に記載の透明電極部材。
　請求項１から１０のいずれか一項に記載の透明電極部材の２つが前記第１面の法線方向に積層された積層透明電極部材であって、
　２つの前記透明電極部材の前記第１方向が互いに異なる方向となるように、２つの前記透明電極部材の前記第１透明電極のそれぞれは配置されること
を特徴とする積層透明電極部材。
　請求項１から１５のいずれか一項に記載される透明電極部材と、
操作者の指等の操作体と透明電極との間に生じる静電容量の変化を検知する検知部と、を備える、静電容量式センサ。