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WO2019039335A1 - 電子部品の製造方法及び電子部品 - Google Patents

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WO2019039335A1
WO2019039335A1 PCT/JP2018/030182 JP2018030182W WO2019039335A1 WO 2019039335 A1 WO2019039335 A1 WO 2019039335A1 JP 2018030182 W JP2018030182 W JP 2018030182W WO 2019039335 A1 WO2019039335 A1 WO 2019039335A1
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WO
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electronic component
layer
pillar
conductor
intermediate layer
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PCT/JP2018/030182
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English (en)
French (fr)
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岩本　敬
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
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    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
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    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Definitions

  • the present invention relates generally to a method of manufacturing an electronic component and an electronic component, and more particularly to a method of manufacturing an electronic component having a coaxial structure and an electronic component.
  • the ground via conductor is coaxially arranged around the signal via conductor substantially in line with the axis of the signal via conductor. Further, in the wiring substrate, a filler is formed between the signal via conductor and the ground via conductor. The filler is formed of glass ceramic. Also, the wiring board is provided with a built-in capacitor.
  • the internal structure of the wiring substrate described in Patent Document 1 can be broadly classified into a development portion including the first to fifth insulating layers and a built-in capacitor including the sixth to tenth insulating layers.
  • the material of the first to fifth insulating layers is ceramic or glass ceramic.
  • the sixth to tenth insulating layers are made of a high dielectric layer containing BaTiO 3 as a main component.
  • the wiring substrate is formed by using a method of manufacturing a laminated substrate. That is, through holes are formed at predetermined positions of the green sheet that will become each insulating layer after firing, metallized ink is printed on the inside of the through holes and on the green sheet surface, each insulating layer is laminated and pressure bonded, and then fired. Desired plating etc. are given and it is completed.
  • the filler is formed by filling a low dielectric constant glass ceramic in a previously formed through hole, drying it, forming a through hole for forming a signal via conductor at the center thereof, and filling it with a metallized ink.
  • An object of the present invention is to provide a method of manufacturing an electronic component and an electronic component that can more easily manufacture an electronic component having a coaxial structure.
  • a pillar forming step of forming a conductive pillar on a surface of a support an intermediate layer forming step of forming an intermediate layer covering a side surface of the pillar, A conductor layer forming step of forming a conductor layer covering the side surface of the intermediate layer, and a resin molding step of forming a resin structure covering the side surface of the conductor layer.
  • An electronic component includes a conductive pillar, a conductor layer, an intermediate layer, and a resin molded body.
  • the conductor layer is disposed to surround the side surface of the pillar.
  • the conductor layer is separated from the side surface of the pillar.
  • the intermediate layer comprises an electrically insulating layer.
  • the intermediate layer is interposed between the pillar and the conductor layer.
  • the resin molded body covers the side surface of the conductor layer.
  • an electronic component having a coaxial structure can be manufactured more easily.
  • FIG. 1A is a cross-sectional view of an electronic component according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 1B is an enlarged view of an essential part including a coaxial structure in a cross section orthogonal to the thickness direction of the electronic component same as the above.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of an electronic component module including the electronic component in the case where the electronic component described above is used as an interposer.
  • 3A to 3C are process cross-sectional views for explaining the method of manufacturing the electronic component same as the above.
  • 4A to 4F are process sectional views for explaining the method of manufacturing the electronic component same as the above.
  • 5A to 5D are process sectional views for explaining the method of manufacturing the electronic component same as the above.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the electronic component according to the first modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the electronic component according to the second modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the electronic component according to Variation 3 of Embodiment 1 of the present invention.
  • 9A to 9D are process cross-sectional views for explaining another method of manufacturing an electronic component according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of the electronic component according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of the electronic component according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of an electronic component according to Embodiment 4 of the present invention.
  • 13A to 13F are process cross-sectional views for explaining the method of manufacturing the electronic component same as the above.
  • 14A to 14F are process cross-sectional views for explaining the method of manufacturing the electronic component same as the above.
  • FIGS. 1A, 1B, 2, 3A to 3C, 4A to 4F, 5A to 5D, 6 to 12, 13A to 13F and 14A to 14F which are referred to in the following embodiments and the like are all schematic drawings, The ratio of the size and thickness of each component in each does not necessarily reflect the actual dimensional ratio.
  • the electronic component 1 is, as shown in FIG. 1A, a chip-like electronic component 2, a resin molded body 3, and a plurality of (two in the illustrated example) conductive pillars 4 (hereinafter, conductor pillars). 4), a plurality of (two in the illustrated example) wiring layers 5, a conductive shield portion 6, and an electrically insulating insulating portion 7.
  • the resin molded body 3 holds the chip-shaped electronic component 2 and the conductor pillar 4.
  • the resin molded body 3 protects the chip-shaped electronic component 2 from external impact and the like.
  • the conductor pillar 4 is located on the side of the chip-shaped electronic component 2 and penetrates the resin molded body 3 in the thickness direction (predetermined direction) of the resin molded body 3.
  • the wiring layer 5 electrically connects the chip-like electronic component 2 and the conductor pillar 4.
  • the electronic component 1 further includes a first resist layer 9, a second resist layer 10, a third resist layer 11, a first ground wiring layer 12, and a second ground wiring layer 13.
  • the electronic component 1 includes a plurality of (two in the illustrated example) electrodes 8 and a plurality of (two in the illustrated example) electrodes 53 as electrodes for external connection.
  • the plurality of electrodes 8 are disposed on the second surface 32 side opposite to the first surface 31 of the resin molded body 3.
  • a part of each of the plurality of wiring layers 5 doubles as the electrode 53.
  • the plurality of wiring layers 5 are disposed on the first surface 31 side of the resin molded body 3.
  • the first resist layer 9 is formed on the wiring layer 5.
  • the first ground wiring layer 12 is electrically connected to the shield portion 6.
  • the first ground wiring layer 12 is formed on the first resist layer 9.
  • the second resist layer 10 is formed on the second ground wiring layer 13.
  • the second ground wiring layer 13 is electrically connected to the shield portion 6. Further, the second ground wiring layer 13 is formed on the second surface 32 of the resin molded body 3.
  • the third resist layer 11 is formed on the first ground wiring layer 12.
  • the electronic component 1 has a coaxial structure 14 (see FIGS. 1A and 1B) including the conductor pillar 4 and the conductor layer 60 surrounding the conductor pillar 4.
  • the conductor layer 60 is a part of the shield portion 6.
  • the coaxial structure 14 includes an intermediate layer 70 interposed between the side surface of the conductor pillar 4 and the conductor layer 60.
  • the intermediate layer 70 is an electrical insulating layer and is a part of the insulating portion 7.
  • the electronic component 1 can be used, for example, as an interposer interposed between another electronic component 20 (see FIG. 2) and the circuit board 15 (see FIG. 2).
  • the circuit board 15 is, for example, a printed wiring board.
  • the chip-like electronic component 2 has a front surface (first main surface) 21 and a back surface (second main surface) opposite to each other in the first direction D1 of the electronic component 1.
  • Main surface) 22 is provided. More specifically, the chip-like electronic component 2 is formed in a plate shape, and has a front surface 21 and a rear surface 22 opposite to each other in the thickness direction. The front side 21 and the back side 22 face each other. Further, the chip-like electronic component 2 has a side surface (outer peripheral surface) 23.
  • the plan view shape of the chip-like electronic component 2 is a rectangular shape, but it is not limited to a rectangular shape, and may be, for example, a square shape. .
  • the chip-like electronic component 2 is, for example, a high frequency device having a frequency band of 5 GHz or more.
  • the high frequency device having a frequency band of 5 GHz or more is, for example, a short distance communication device or a millimeter wave device having a frequency band of 5 GHz or more. More specifically, the high frequency device is, for example, a surface acoustic wave (SAW) filter.
  • SAW surface acoustic wave
  • the chip-like electronic component 2 has, for example, a piezoelectric substrate having a front surface (first main surface) and a back surface (second main surface) opposite to each other in the thickness direction, and And the formed functional unit.
  • the piezoelectric substrate is, for example, a LiTaO 3 substrate or a LiNbO 3 substrate.
  • the thickness of the piezoelectric substrate is, for example, about 200 ⁇ m.
  • the functional unit includes, for example, one or more IDT (Interdigital Transducer) electrodes.
  • the functional unit may include a terminal electrode for external connection. The number of terminal electrodes may be one or more.
  • the surface 21 of the chip-like electronic component 2 includes, for example, an exposed part of the surface of the piezoelectric substrate and a surface exposed in the functional part.
  • the chip-like electronic component 2 is not limited to the configuration provided with a bulk (Bulk) piezoelectric substrate, and has, for example, a laminated structure in which a silicon substrate, a silicon oxide film and a piezoelectric thin film are laminated in this order.
  • the configuration may be such that a functional part (IDT electrode, terminal electrode, etc.) is formed on the piezoelectric thin film.
  • the piezoelectric thin film is, for example, a LiTaO 3 thin film or a LiNbO 3 thin film.
  • the thickness of the piezoelectric thin film is preferably 3.5 ⁇ or less, where ⁇ is a wavelength of an elastic wave determined by the electrode finger cycle of the IDT electrode.
  • the thickness of the piezoelectric thin film is, for example, about 0.5 ⁇ m.
  • the thickness of the silicon oxide film is preferably 2.0 ⁇ or less.
  • the thickness of the silicon oxide film is, for example, about 0.5 ⁇ m.
  • the thickness of the laminated structure is, for example, about 200 ⁇ m.
  • the high frequency device is not limited to the SAW filter, and may be, for example, a BAW (Bulk Acoustic Wave) filter, a dielectric filter, an antenna, a switch, a power amplifier or the like.
  • the other electronic component 20 described above is, for example, an IC (Integrated Circuit).
  • the electronic component 20 is not limited to an IC, and may be, for example, an inductor, a capacitor, or a SAW filter.
  • a gap 202 is formed between the electronic component 1 and the other electronic component 20 described above.
  • a gap 203 is formed between the electronic component 1 and the circuit board 15.
  • the electronic component 1 is electrically connected to the electronic component 20 by the plurality of (four in the illustrated example) conductive bumps 43, and the plurality of (four in the illustrated example) conductive bumps 44 Are electrically connected to the circuit board 15.
  • the resin molded body 3 is configured to hold the chip-like electronic component 2 as shown in FIG. 1A.
  • the resin molded body 3 has a first surface 31 and a second surface 32 which are opposite to each other in the first direction D1 of the electronic component 1.
  • the resin molding 3 is formed in plate shape, and has the 1st surface 31 and the 2nd surface 32 which are mutually opposite side in the thickness direction.
  • the planar view shape (The outer peripheral shape when the resin molded body 3 is seen from the thickness direction, ie, the 1st direction D1) of the resin molded body 3 is a rectangular shape.
  • the plan view shape of the resin molded body 3 is not limited to the rectangular shape, and may be, for example, a square shape.
  • the planar size of the resin molded body 3 is larger than the planar size of the chip-like electronic component 2.
  • the resin molded body 3 covers a part of the side surface 23 of the chip-like electronic component 2 and the back surface 22 via the shield portion 6 and the insulating portion 7. That is, the chip-like electronic component 2 is disposed inside the resin molded body 3.
  • the resin molded body 3 holds the chip-shaped electronic component 2 in a state in which the surface 21 of the chip-shaped electronic component 2 is exposed.
  • the resin molded body 3 is formed of a resin or the like having electrical insulation. Moreover, although the resin molding 3 contains the filler currently mixed with resin other than resin, for example, a filler is not an essential component.
  • the resin is, for example, an epoxy resin. However, the resin is not limited to the epoxy resin, and may be, for example, a polyimide resin, an acrylic resin, a urethane resin, or a silicone resin.
  • the filler is, for example, an inorganic filler such as silica or alumina.
  • the resin molding 3 may contain, for example, a black pigment such as carbon black, in addition to the resin and the filler.
  • Conductor pillars In the electronic component 1, as shown in FIG. 1A, a plurality of (two in the illustrated example) conductor pillars 4 are disposed on the side of the chip-like electronic component 2. In the second direction D2 orthogonal to the first direction D1, the plurality of conductor pillars 4 are located apart from the chip-like electronic component 2. The plurality of conductor pillars 4 are held by the resin molding 3.
  • the conductor pillar 4 has a cylindrical shape, and has a first end surface 41 and a second end surface 42 opposite to each other in the direction parallel to the thickness direction of the resin molded body 3. In short, the conductor pillar 4 has a first end surface 41 and a second end surface 42 opposite to each other in the first direction D1. At a first end face 41 of the conductor pillar 4, a second end 52 of a wiring layer 5 described later is stacked. Thereby, in the electronic component 1, the conductor pillar 4 and the wiring layer 5 are electrically connected.
  • the conductor pillar 4 is electrically connected to the chip-like electronic component 2 via the wiring layer 5.
  • the positions and the number of the conductor pillars 4 are not particularly limited.
  • the material of the conductor pillar 4 is, for example, a metal.
  • the material of the conductor pillar 4 is, for example, Cu.
  • the material of the conductor pillar 4 is not limited to Cu, and may be, for example, Ni.
  • the material of the conductor pillar 4 may be an alloy.
  • the wiring layer 5 electrically connects the chip-like electronic component 2 and the conductor pillar 4 on the first surface 31 side of the resin molded body 3 and the surface 21 side of the chip-like electronic component 2. ing.
  • the wiring layer 5 has a first end 51 connected to the surface 21 (of the surface of the terminal electrodes) of the chip-like electronic component 2 and a second end 52 connected to the conductor pillar 4.
  • the wiring layer 5 is disposed across the surface 21 of the chip-like electronic component 2, the first end face 41 of the conductor pillar 4, and the second intermediate layer 72 of the insulating portion 7 described later.
  • the material of the wiring layer 5 is, for example, a metal.
  • the material of the wiring layer 5 is Cu.
  • the wiring layer 5 is a Cu layer.
  • the material of the wiring layer 5 may be, for example, an alloy.
  • the wiring layer 5 is not limited to a single layer structure, and may have a stacked structure in which a plurality of layers are stacked.
  • Electrode 8 is formed across the second end surface 42 of the conductor pillar 4 and the second resist layer 10 on the second surface 32 side of the resin molded body 3.
  • the material of the electrode 8 is, for example, a metal.
  • the material of the electrode 8 is Cu, similarly to the wiring layer 5.
  • the electrode 8 is not limited to a single layer structure, and may have a stacked structure in which a plurality of layers are stacked.
  • a part of the wiring layer 5 (a part of the wiring layer 5 not covered by the first resist layer 9) electrically connects the conductor pillar 4 to the circuit board 15 (see FIG. 2) or the like.
  • An electrode 53 for external connection for connection is configured.
  • an electrode may be formed on the wiring layer 5.
  • the electrode formed on the wiring layer 5 is, for example, a laminated film of a Ti film on the wiring layer 5 and an Au film on the Ti film.
  • the laminated structure of the electrodes is merely an example, and the invention is not limited to this example.
  • the first resist layer 9 is formed on the first surface 31 side of the resin molded body 3 with the exception of a portion of the wiring layer 5. It is formed to cover the In the first resist layer 9, a hole 91 for exposing a part of the wiring layer 5 is formed. The first resist layer 9 is formed across the wiring layer 5 and the insulating portion 7 on the first surface 31 side of the resin molded body 3. The first resist layer 9 has electrical insulation. The first resist layer 9 is formed of a material having lower solder wettability than the wiring layer 5.
  • the first resist layer 9 is, for example, a polyimide layer.
  • the second resist layer 10 is formed to cover the second ground wiring layer 13 on the second surface 32 side of the resin molded body 3.
  • the second resist layer 10 is formed across the second ground wiring layer 13 and the second surface 32 of the resin molded body 3.
  • the second resist layer 10 covers the second ground wiring layer 13 except for a part of the second ground wiring layer 13.
  • a hole 101 for exposing a part of the second ground wiring layer 13 is formed.
  • the second resist layer 10 has electrical insulation.
  • the second resist layer 10 is formed of a material having lower solder wettability than the second ground wiring layer 13.
  • the second resist layer 10 is, for example, a polyimide layer.
  • the third resist layer 11 is formed on the first surface 31 side of the resin molded body 3 so as to cover the first ground wiring layer 12 except for a part of the first ground wiring layer 12.
  • the third resist layer 11 is formed with a hole 111 for exposing a part of the first ground wiring layer 12.
  • the third resist layer 11 has electrical insulation.
  • the third resist layer 11 is formed of a material having lower solder wettability than the first ground wiring layer 12.
  • the third resist layer 11 is, for example, a polyimide layer.
  • the insulating part 7 has electrical insulation.
  • the insulating unit 7 includes a plurality of (two in the illustrated example) first intermediate layers (first insulating units) 71, a second intermediate layer (second insulating units) 72, and a third intermediate layer (third insulating units). And 73.
  • Each first intermediate layer 71 is provided so as to cover the entire side surface of the cylindrical conductor pillar 4.
  • the shape of each first intermediate layer 71 is cylindrical.
  • Each first intermediate layer 71 is provided in contact with the conductor pillar 4.
  • the second intermediate layer 72 is provided along the first surface 31 of the resin molded body 3 so as to be in contact with the wiring layer 5 and the shield portion 6.
  • the second intermediate layer 72 electrically insulates the wiring layer 5 from the shield portion 6.
  • the third intermediate layer 73 is provided to be in contact with the chip-like electronic component 2. More specifically, the third intermediate layer 73 is formed to cover the back surface 22 and the side surface 23 of the chip-like electronic component 2.
  • the plurality of first intermediate layers 71, the second intermediate layer 72, and the third intermediate layer 73 are integrally formed.
  • the dielectric constant and the dielectric loss tangent of the insulating portion 7 are respectively smaller than the dielectric constant and the dielectric loss tangent of the resin molded body 3. Further, in the electronic component 1, the dielectric constant and the dielectric loss tangent of the insulating portion 7 respectively represent the dielectric constant of the base (for example, a piezoelectric substrate in the case of a SAW filter) supporting the functional portion in the chip-like electronic component 2. It is smaller than the dielectric loss tangent.
  • the insulating portion 7 is made of an inorganic insulating film.
  • the inorganic insulating film is formed of an inorganic insulating material.
  • the inorganic insulating material used for the inorganic insulating film is, for example, silicon oxide.
  • the insulating portion 7 is not limited to the inorganic insulating film, and may be an organic insulating film.
  • the material of the organic insulating film is, for example, a fluorine resin, bismaleimide or the like.
  • the shield part 6 is provided as a shield layer for electromagnetic shielding.
  • the shield portion 6 includes a plurality of (two in the illustrated example) first conductor layers 61, a second conductor layer 62, and a third conductor layer 63.
  • Each first conductor layer 61 is provided to cover the entire side surface of the first intermediate layer 71.
  • the shape of each first conductor layer 61 is cylindrical.
  • Each first conductor layer 61 is provided in contact with the first intermediate layer 71 and the resin molded body 3.
  • the second conductor layer 62 is provided along the first surface 31 of the resin molded body 3 so as to be in contact with the resin molded body 3 and the second intermediate layer 72.
  • the third conductor layer 63 is provided along the side surface 23 and the back surface 22 of the chip-like electronic component 2 so as to be in contact with the resin molded body 3 and the third intermediate layer 73.
  • the electronic component 1 includes the conductor layer 60 coaxially arranged with the conductor pillar 4 so as to surround the side surface of the conductor pillar 4. That is, the electronic component 1 has the coaxial structure 14 including the conductor pillar 4 and the conductor layer 60 disposed so as to surround the side surface of the conductor pillar 4 and separated from the side surface of the conductor pillar 4.
  • the conductor layer 60 is configured by the first conductor layer 61 of the shield portion 6 described above.
  • the coaxial structure 14 further includes an intermediate layer 70 interposed between the conductor pillar 4 and the conductor layer 60.
  • the intermediate layer 70 is an electrical insulating layer configured by the first intermediate layer 71 of the above-described insulating portion 7.
  • the resin molded body 3 covers the side surface of the conductor layer 60.
  • the first ground wiring layer 12 is electrically connected to the shield portion 6. More specifically, the first ground wiring layer 12 is in contact with the shield portion 6 on the first surface 31 side of the resin molded body 3 and is electrically connected to the conductor layer 60. The first ground wiring layer 12 is formed across the ground conductor layer 65 and the first resist layer 9 on the opposite side of the second conductor layer 62 as viewed from the first conductor layer 61 in the shield portion 6. ing.
  • the material of the first ground wiring layer 12 is, for example, Cu.
  • the second ground wiring layer 13 is electrically connected to the shield portion 6. More specifically, the second ground wiring layer 13 is in contact with the conductor layer 60 (first conductor layer 61) of the shield portion 6 on the second surface 32 side of the resin molded body 3 and is electrically connected to the conductor layer 60. Connected. The second ground wiring layer 13 is formed across the end face 612 opposite to the second conductor layer 62 side of the conductor layer 60 (first conductor layer 61) and the second surface 32 of the resin molded body 3 .
  • the material of the second ground wiring layer 13 is, for example, Cu.
  • the first to twelfth steps are sequentially performed.
  • a support 120 is prepared.
  • the support 120 includes a flat base 123 and a conductive layer 125 adhered to one surface in the thickness direction of the base 123 by an adhesive layer 124.
  • a plurality of conductive pillars 4 are formed on the conductive layer 125 of the support 120.
  • a positive photoresist layer covering the conductive layer 125 of the support 120 is formed.
  • the portion of the photoresist layer at the planned formation position of the conductor pillar 4 is removed using photolithography (an opening is formed at the planned formation position of the conductor pillar 4).
  • the conductive pillars 4 are formed by electrolytic plating.
  • the conductive pillars 4 are electrically conductive layers by passing a current between an anode oppositely disposed on the surface of the photoresist layer through a plating solution containing copper sulfate and a cathode formed of the conductive layer 125. It is deposited along the thickness direction of the photoresist layer from the exposed surface of 125. Thereafter, the photoresist layer is removed.
  • the second step constitutes a pillar forming step of forming the conductive pillars 4 on the surface 121 of the support 120.
  • the surface 121 of the support 120 is the surface of the conductive layer 125.
  • the chip-shaped electronic component 2 is temporarily fixed on the conductive layer 125 of the support 120 on which the conductor pillar 4 is formed.
  • a liquid (paste-like) resin adhesive layer (not shown) is formed on the conductive layer 125.
  • the surface 21 of the chip-like electronic component 2 is made to face the resin adhesive layer, and the chip-like electronic component 2 is pressed against the resin adhesive layer.
  • the chip-like electronic component 2 is temporarily fixed on the conductive layer 125 via the resin adhesive layer.
  • the resin adhesive layer is preferably formed of a positive resist having photosensitivity.
  • the third step constitutes a component arranging step. That is, in the component placement step, the chip-like electronic component 2 is placed on the surface 121 of the support 120 at a position away from the side surface of the conductor pillar 4 (temporarily fixed to the support 120). Here, in the component disposing step, the chip-shaped electronic component 2 is disposed on the surface 121 of the support 120 with the surface 21 of the chip-shaped electronic component 2 facing the surface 121 of the support 120.
  • the insulating layer 700 which is the source of the insulating portion 7 (see FIG. 1A) is formed. More specifically, in the fourth step, the insulating layer 700 is formed to cover the exposed portion of the surface 121 of the support 120, the side surface and tip surface of the conductor pillar 4, and the side surface 23 and the back surface 22 of the chip electronic component 2.
  • the insulating layer 700 includes, in addition to the intermediate layer 70 (first intermediate layer 71), the second intermediate layer 72, and the third intermediate layer 73, a fourth intermediate layer 74 covering the tip end face of the conductor pillar 4 .
  • the material of the insulating layer 700 is, for example, silicon oxide.
  • the insulating layer 700 is formed by, eg, CVD (Chemical Vapor Deposition).
  • CVD Chemical Vapor Deposition
  • the first intermediate layer 71, the second intermediate layer 72, the third intermediate layer 73, and the fourth intermediate layer 74 can be integrally formed.
  • the insulating layer 700 may be formed by, for example, a sputtering method, a spray coating method, or the like without being limited to the CVD method.
  • the fourth step constitutes an intermediate layer forming step of forming the intermediate layer 70 covering the side surface of the conductor pillar 4.
  • a metal layer 600 which is the source of the shield portion 6 (see FIG. 1A) is formed. More specifically, in the fifth step, the metal layer 600 is formed on the insulating layer 700.
  • the metal layer 600 includes a fourth conductor layer 64 in addition to the conductor layer 60 (first conductor layer 61), the second conductor layer 62, and the third conductor layer 63.
  • the fourth conductor layer 64 is formed to cover the fourth intermediate layer 74.
  • the material of the metal layer 600 is, for example, Cu.
  • the metal layer 600 is formed by, for example, a CVD method.
  • the first conductor layer 61, the second conductor layer 62, the third conductor layer 63, and the fourth conductor layer 64 can be integrally formed.
  • the metal layer 600 may be formed by, for example, sputtering (for example, oblique sputtering), evaporation (for example, oblique evaporation), spray coating, electroless plating, etc. Good.
  • the fifth step constitutes a conductor layer forming step of forming the conductor layer 60 covering the side surface of the intermediate layer 70.
  • the resin structure 30 which is the base of the resin molded body 3 (see FIG. 4D) is formed on the support 120.
  • the resin structure 30 is formed on the support 120 so as to cover the metal layer 600 covering the insulating layer 700.
  • the resin structure 30 is formed on the conductive layer 125 of the support 120 via the insulating layer 700 and the metal layer 600.
  • the resin structure 30 has a first surface 301 and a second surface 302 which are opposite to each other in the thickness direction.
  • the first surface 301 of the resin structure 30 is a surface in contact with the second conductor layer 62 of the metal layer 600.
  • the resin structure 30 covers the back surface 22 and the side surface 23 of the chip-like electronic component 2 via the metal layer 600 and the insulating layer 700. Furthermore, the resin structure 30 covers the side surface and the tip surface of the conductor pillar 4 via the metal layer 600 and the insulating layer 700. Therefore, the resin structure 30 is thicker than the resin molded body 3, and a part of the resin structure 30 and a part of the metal layer 600 between the second surface 302 of the resin structure 30 and the tip surface of the conductor pillar 4. And a portion of the insulating layer 700.
  • the resin structure 30 is molded by a press molding method.
  • the method of forming the resin structure 30 is not limited to the press molding method.
  • the resin structure 30 may be formed using a spin coating method, a transfer molding method, or the like.
  • the sixth step constitutes a resin molding step of molding the resin structure 30 covering the side surface of the conductor layer 60.
  • the resin molded body 3 is polished by polishing the resin structure 30 from the second surface 302 opposite to the first surface 301 until the thickness of the resin molded body 3 is reached.
  • the tip end surface of the conductor pillar 4 is exposed and the second surface 302 (see FIG. 4C) of the resin structure 30 (see FIG. 4C) is substantially flush with the tip end surface of the conductor pillar 4
  • the resin structure 30 is polished.
  • the seventh step By performing the seventh step, a structure including the resin molded body 3, the conductor pillar 4, the insulating portion 7 and the shield portion 6 is formed.
  • the seventh step constitutes a polishing step. The polishing process is performed later than the resin molding process.
  • the resin structure 30 is polished so as to expose the tip end surface of the conductor pillar 4.
  • the chip-like electronic component 2, the resin molded body 3, the conductor pillar 4, the insulating portion 7, the shield portion 6, the support 120, and the resin adhesive layer are included.
  • the support 120 and the resin adhesive layer are removed from the structure.
  • the surface 21 of the chip-like electronic component 2, both end surfaces (the first end surface 41 and the second end surface 42) of the conductor pillar 4, a part of the insulating portion 7 and a part of the shield portion 6 are exposed. It can be done.
  • the adhesion of the adhesive layer 124 adhering the conductive layer 125 (see FIG. 4D) and the base 123 (see FIG.
  • the adhesive layer 124 is preferably formed of an adhesive whose adhesion can be reduced by ultraviolet light, infrared light, or heat.
  • the conductive layer 125 can be removed by wet etching, for example.
  • the resin adhesive layer can be removed by exposing and developing the resin adhesive layer.
  • an eighth step constitutes a removal step of removing the support 120.
  • each wiring layer 5 is formed using, for example, a sputtering method or plating, a photolithography technique and an etching technique.
  • the ninth step constitutes a wiring layer forming step.
  • the wiring layer 5 for electrically connecting the chip-like electronic component 2 and the conductor pillar 4 is formed.
  • the plurality of second ground wiring layers 13 are formed.
  • the second ground wiring layer 13 is formed using, for example, a sputtering method or plating, a photolithography technique and an etching technique.
  • the first resist layer 9 and the second resist layer 10 are formed.
  • the first resist layer 9 and the second resist layer 10 are formed by using, for example, a coating technique such as spin coating and a photolithography technique.
  • each electrode 8 is formed using, for example, a thin film formation technique such as a sputtering method, and a photolithography technique and an etching technique.
  • the first ground wiring layer 12 is formed, and then the third resist layer 11 is formed. More specifically, in the eleventh step, the first ground wiring layer 12 is formed on the first resist layer 9 by using, for example, a thin film forming technique such as a sputtering method, and a photolithography technique and an etching technique. . Thereafter, in an eleventh step, the third resist layer 11 is formed using, for example, a coating technique such as spin coating and a photolithography technique.
  • the first to eleventh steps are performed.
  • an assembly of a plurality of electronic components 1 can be formed.
  • the plurality of electronic components 1 can be obtained, for example, by dicing the assembly of the plurality of electronic components 1 into the individual electronic components 1.
  • the electronic component module 200 (see FIG. 5D) including the electronic component 1, after the eleventh step, the following twelfth and thirteenth steps are performed and then separated into individual electronic component modules 200. A plurality of electronic component modules 200 may be obtained.
  • conductive bumps 43 are formed on the electronic component 1.
  • the terminal electrode of the electronic component 20 and the electrode 8 of the electronic component 1 are electrically and mechanically connected via the conductive bump 43 (43S) and
  • the ground electrode of the component 20 and the second ground wiring layer 13 of the electronic component 1 are electrically and mechanically connected via the conductive bump 43 (43G).
  • the cover layer 201 covering the electronic component 20 is formed.
  • a material of the cover layer 201 for example, a polyimide resin, benzocyclobutene, polybenzoxazole, a phenol resin or a silicone resin can be adopted.
  • the cover layer 201 has a function as a sealing layer for sealing the electronic component 20 on the electronic component 1.
  • the conductive bump 44 (44S) electrically connected to each wiring layer 5 of the electronic component 1 and the first ground wiring layer 12 are electrically connected.
  • Conductive bumps 44 (44G) are formed.
  • the conductive bumps 43 and 44 described above are solder bumps.
  • the conductive bumps 43 and 44 are not limited to solder bumps, and may be, for example, gold bumps.
  • the electronic component modules 200 are separated. Thereafter, as shown in FIG. 5D, the electronic component module 200 is mounted on the circuit board 15. In the electronic component module 200, a gap 203 is formed between the surface 21 of the chip-like electronic component 2 and the circuit board 15.
  • a pillar forming step of forming the conductor pillar 4 on the surface 121 of the support 120 and an intermediate layer of forming the intermediate layer 70 covering the side surface of the conductor pillar 4 The method includes the layer forming step, the conductor layer forming step of forming the conductor layer 60 covering the side surface of the intermediate layer 70, and the resin molding step of forming the resin structure 30 covering the side surface of the conductor layer 60.
  • the electronic component 1 having the coaxial structure 14 including the conductor pillar 4 and the conductor layer 60 can be manufactured more easily. This point will be further described.
  • the intermediate layer 70 is formed so as to cover the side surface of the conductor pillar 4 and then the side surface of the intermediate layer 70 is covered.
  • the conductor layer 60 is formed on the Thereby, in the method of manufacturing the electronic component 1 according to the first embodiment, the signal via conductor (conductor via) is formed in the filler after the through hole is filled with the filler as in the conventional method of manufacturing the electronic component. Compared with the case where the through holes are formed, the coaxial structure 14 can be easily formed even if the aspect ratio of the conductor pillar 4 is increased.
  • the electronic component 1 manufactured by the method of manufacturing the electronic component 1 according to the first embodiment has, for example, an advantage that the conductor pillar 4 is not easily influenced by an electromagnetic wave from the outside; propagation loss of high frequency signals passing through the conductor pillar 4 Has the advantage of being able to Also, in a manufacturing method in which metallized ink is printed in the through holes of a plurality of green sheets (green sheets) to form a coaxial structure, and the plurality of green sheets are laminated and pressure-bonded, and then fired. There is a concern that the position of the ground via conductor with respect to the signal via conductor surrounding the signal via conductor is easily displaced in the above, and the electromagnetic shielding performance of the coaxial structure may be degraded.
  • the intermediate layer 70 is laminated on the conductor pillar 4 and the conductor layer 60 is laminated on the intermediate layer 70.
  • the method of manufacturing the electronic component 1 according to the first embodiment further includes a removing step of removing the support 120 after the resin molding step.
  • the end surface of the coaxial structure 14 on the support 120 side can be exposed. Electrical connection of other components to the conductor pillar 4 and the conductor layer 60 is possible at the end face of the coaxial structure 14 on the support 120 side.
  • the method of manufacturing the electronic component 1 according to the first embodiment further includes a component disposing step between the pillar forming step and the intermediate layer forming step, and a wiring layer forming step after the removing step.
  • the component placement step the chip-like electronic component 2 is placed on the surface 121 of the support 120 at a position away from the side surface of the conductor pillar 4.
  • the wiring layer formation step the wiring layer 5 for electrically connecting the chip-like electronic component 2 and the conductor pillar 4 is formed. Therefore, in the method of manufacturing the electronic component 1 according to the first embodiment, the electronic component 1 having the coaxial structure 14, the chip-like electronic component 2 and the wiring layer 5 can be easily manufactured.
  • the surface 21 of the chip-like electronic component 2 is opposed to the surface 121 of the support 120 to make the chip-like electronic component 2 the surface of the support 120 Place it on 121
  • a third intermediate layer 73 covering both the exposed area and the back surface 22 is integrally formed.
  • the first intermediate layer 71, the second intermediate layer 72, and the third intermediate layer 73 are formed substantially simultaneously in one step using the same material.
  • the second intermediate layer 72 and the third intermediate layer 73 are integrally formed. Thereby, in the method of manufacturing the electronic component 1, no interface is generated between the first intermediate layer 71 and the second intermediate layer 72 and between the second intermediate layer 72 and the third intermediate layer 73, respectively. It becomes difficult to cause breakage of the insulating portion 7 due to thermal stress or the like. Therefore, in the method of manufacturing the electronic component 1, it is possible to manufacture the highly reliable electronic component 1 regarding the electrical insulation.
  • the first conductor layer 61 as the conductor layer 60, the second conductor layer 62 covering the second intermediate layer 72, and the third intermediate layer And a third conductor layer 63 covering the layer 73 are integrally formed.
  • the conductor layer forming step by forming the first conductor layer 61, the second conductor layer 62, and the third conductor layer 63 substantially simultaneously in one step using the same material, the first conductor layer 61 and the first conductor layer 61 can be formed.
  • the second conductor layer 62 and the third conductor layer 63 are integrally formed.
  • the method of manufacturing the electronic component 1 interfaces are not generated between the first conductor layer 61 and the second conductor layer 62 and between the second conductor layer 62 and the third conductor layer 63, respectively. It becomes difficult to cause breakage of the shield part 6 due to thermal stress or the like. Therefore, in the method of manufacturing the electronic component 1, it is possible to manufacture the electronic component 1 having high reliability of the electromagnetic shielding performance.
  • the electromagnetic shield performance in the first direction D1 is enhanced by the third conductor layer 63. Since it is possible, the distance between the electronic component 1 and the other electronic component 20 in the first direction D1 can be further shortened, and the height can be reduced.
  • the resin is formed so as to cover the first conductor layer 61, the second conductor layer 62, and the third conductor layer 63 on the surface 121 side of the support 120 in the resin molding step.
  • the structure 30 is formed.
  • the method of manufacturing the electronic component 1 further includes a polishing step of polishing the resin structure 30 so as to expose the tip end surface of the conductor pillar 4. Therefore, in the method of manufacturing the electronic component 1, the coaxial structure 14 including the conductor pillar 4 can be exposed by polishing the resin structure 30.
  • the conductor pillar 4 and the first conductor layer 61 can be exposed without protruding from the resin structure 30.
  • the resin structure 30 after polishing is the resin molded body 3.
  • the intermediate layer 70 is an electrical insulating layer.
  • an electrically insulating layer can be interposed as the intermediate layer 70 between the conductor pillar 4 and the conductor layer 60.
  • the accuracy of the degree of coaxiality between the conductor pillar 4 and the conductor layer 60 can be enhanced.
  • the conductor layer 60 is formed by the CVD method or the sputtering method in the conductor layer forming step. Thereby, in the method of manufacturing the electronic component 1, it is possible to improve the uniformity of the thickness of the conductor layer 60. Further, in the method of manufacturing the electronic component 1, in the conductor layer forming step, the conductor layer 60 is formed by the CVD method, so that the thickness of the conductor layer 60 is smaller than, for example, the conductor layer 60 is formed by the sputtering method. It is possible to improve the uniformity.
  • the intermediate layer 70 is formed by the CVD method, the sputtering method, or the spray coating method. Thereby, in the method of manufacturing the electronic component 1, it is possible to improve the uniformity of the thickness of the intermediate layer 70.
  • the support 120 includes the conductive layer 125.
  • the conductive pillars 4 are formed on the conductive layer 125 by plating. Thereby, in the method of manufacturing the electronic component 1, the conductor pillar 4 can be easily formed.
  • the electronic component 1 includes a conductor pillar 4, a conductor layer 60, an intermediate layer 70 formed of an electrical insulating layer, and a resin molded body 3.
  • the conductor layer 60 is disposed to surround the side surface of the conductor pillar 4.
  • the conductor layer 60 is separated from the side surface of the conductor pillar 4.
  • the resin molded body 3 covers the side surface of the conductor layer 60.
  • the electronic component 1 according to the first embodiment can be manufactured more easily than an electronic component having a conventional coaxial structure. Since the electronic component 1 according to the first embodiment has the coaxial structure 14 including the conductor pillar 4 and the conductor layer 60, the advantage that the conductor pillar 4 is not easily affected by the electromagnetic wave from the outside, a high frequency signal passing through the conductor pillar 4 Has the advantage of reducing the propagation loss of
  • the electronic component 1 further includes an intermediate layer 70 formed of an electrical insulating layer interposed between the conductor pillar 4 and the conductor layer 60. Thereby, in the electronic component 1, the manufacture becomes easy, and the coaxiality between the conductor pillar 4 and the conductor layer 60 can be stabilized.
  • the electronic component 1 further includes a chip-like electronic component 2 disposed apart from the side surface of the conductor layer 60.
  • the resin molded body 3 covers the side surface of the conductor layer 60 and at least a part of the side surface 23 of the chip-like electronic component 2 and the back surface 22. Therefore, in the electronic component 1, for example, even if it is a component that generates an electromagnetic wave when the chip-like electronic component 2 is operating, a high frequency signal passing through the conductor pillar 4 is affected by the electromagnetic wave from the chip-like electronic component 2 It becomes difficult.
  • the electronic component 1 further includes the wiring layer 5 electrically connecting the chip-shaped electronic component 2 and the conductor pillar 4.
  • the electronic component 1 can pass high frequency signals between the chip-like electronic component 2 and the conductor pillar 4 via the wiring layer 5.
  • the conductor pillar 4 is surrounded by the conductor layer 60, high frequency signals passing through the wiring layer 5 and the conductor pillar 4 are less susceptible to the electromagnetic wave from the chip-like electronic component 2.
  • the wiring length of the layer 5 can be further shortened, and the electronic component 1 can be miniaturized.
  • the dielectric constant and the dielectric loss tangent of the insulating portion 7 are respectively smaller than the dielectric constant and the dielectric loss tangent of the resin molded body 3, and the dielectric constant and the dielectric loss tangent of the insulating portion 7.
  • the dielectric constant and the dielectric loss tangent of the base material for example, in the case of the SAW filter, for example, a piezoelectric substrate
  • the functional parts IDT electrodes, terminal electrodes, etc.
  • the electronic component 1a according to the first modification of the first embodiment includes the first ground wiring layer 12 and the third resist layer 11 in the electronic component 1 according to the first embodiment (see FIG. 1A). It differs from the electronic component 1 according to the first embodiment in that it is not.
  • the same components of the electronic component 1a according to the first modification as those of the electronic component 1 according to the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
  • the electronic component 1 a according to the first modification does not include the first ground wiring layer 12 and the third resist layer 11, so that the manufacturing becomes easier as compared to the electronic component 1 of the first embodiment.
  • the high frequency signal passing through the wiring layer 5 is less susceptible to the influence of the electromagnetic wave from the outside of the electronic component 1. Thereby, in the electronic component 1b according to the second modification, better characteristics can be obtained.
  • the method of manufacturing the electronic component 1b according to the modification 2 is the same as the method of manufacturing the electronic component 1 according to the first embodiment, and a photomask for forming the first resist layer 9 and the first ground wiring layer 12 The patterns of the photomasks when forming are different.
  • the electronic component 1c according to the third modification of the first embodiment has the second ground wiring layer 13 in the second direction D2 so that the two electronic components 20c aligned in the second direction D2 can be mounted as shown in FIG. It differs from the electronic component 1 according to the first embodiment in that the total length (wiring length) is increased. Further, the electronic component 1c according to the third modification is the electronic component according to the first embodiment in that the electrode 16 is formed on the area not covered by the second resist layer 10 in the second ground wiring layer 13. It is different from 1. Regarding the electronic component 1c according to the third modification, the same components as those of the electronic component 1 according to the first embodiment are given the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
  • the terminal electrode of each electronic component 20c is bonded to the electrode 8 of the electronic component 1c by the bonding portion 46 (46S). Electrically and mechanically connected, the ground electrode of each electronic component 20c is electrically and mechanically connected by being joined to the electrode 16 of the electronic component 1c by a joint 46 (46G).
  • the bonding portion 46 is formed of a conductive adhesive (for example, a conductive paste).
  • the electronic component module 220 includes the circuit board 15. However, in the electronic component module 220, the circuit board 15 is not an essential component.
  • the electronic component module 220 can prevent interference due to electromagnetic waves between the electronic component 1 c and each electronic component 20 c.
  • the method of manufacturing the electronic component 1c according to the third modification is the same as the method of manufacturing the electronic component 1 according to the first embodiment, and is different in that the electrode 16 is also formed when the electrode 8 is formed.
  • the second surface 32 of the resin molded body 3 is planar, and the second surface 32 of the resin molded body 3
  • the shortest distance to the surface 21 is longer than the shortest distance from the second surface 32 to the first surface 31.
  • the height can be reduced.
  • the second surface 32 of the resin molded body 3 is planar, and the distance from the second surface 32 of the resin molded body 3 to the surface 21 of the chip-like electronic component 2 is The distance from the second surface 32 of the resin molded body 3 to the first surface 31 of the resin molded body 3 may be shorter. As a result, in the electronic component 1 according to the present modification, the surface 21 of the chip-like electronic component 2 is not easily damaged.
  • the second surface 32 of the resin molded body 3 is planar, and the distance from the second surface 32 of the resin molded body 3 to the surface 21 of the chip-like electronic component 2 is The distance from the second surface 32 of the resin molding 3 to the first surface 31 of the resin molding 3 may be the same.
  • the resin molded body 3 may cover at least a part of the side surface 23 of the chip-like electronic component 2.
  • “At least a part of the side surface 23 of the chip-like electronic component 2 is covered” refers to at least a first end of the side surface 23 of the chip-like electronic component 2 with respect to the side surface 23 of the chip-like electronic component 2 This means that the side surface 23 is covered over the entire circumference from the position shifted to the second end side on the back surface 22 side to the boundary between the side surface 23 and the back surface 22, all of the side surfaces 23 of the chip-like electronic component 2 Including the case of covering.
  • the third conductor layer 63 is not limited to covering the entire surface of the third intermediate layer 73. For example, one or more holes may be formed.
  • the electronic component 1 includes two wiring layers 5 directly connected to the chip-shaped electronic component 2 with respect to one chip-shaped electronic component 2 in the example of FIG. 1A, but the number of wiring layers 5 is two. Not limited to The number of wiring layers 5 may be one or three or more. Further, the number of conductor pillars 4 is not limited to two. The number of conductor pillars 4 may be one or three or more. In the electronic component 1, for example, when the plurality of conductor pillars 4 are arranged in the direction (third direction) orthogonal to the first direction D1 and the second direction D2, the plurality of coaxial structures 14 are also arranged in the third direction Therefore, it is possible to shorten the distance between the conductor pillars 4 adjacent in the third direction.
  • the method of manufacturing the electronic component 1 according to the first embodiment is an example, and in the other method of manufacturing the electronic component 1 according to the first embodiment, the above-described second step (pillar forming step) and the third step (components) The order of the placement step is reversed. Therefore, in the other manufacturing method, after the component disposing step of disposing the chip-like electronic component 2 on the surface 121 of the support 120 as shown in FIG. 9A, the surface of the support 120 is shown as shown in FIG. A pillar forming step of forming the conductive pillar 4 on the surface 121 is performed.
  • the chip-like electronic component 2 is temporarily fixed on the conductive layer 125 of the support 120.
  • a liquid (paste-like) resin adhesive layer (not shown) is formed on the conductive layer 125.
  • the surface 21 of the chip-like electronic component 2 is made to face the resin adhesive layer, and the chip-like electronic component 2 is pressed against the resin adhesive layer.
  • the chip-like electronic component 2 is temporarily fixed on the conductive layer 125 via the resin adhesive layer.
  • the pillars 4 are disposed on the surface 121 of the support 120 at a position away from the side surface 23 of the chip-like electronic component 2. More specifically, in the pillar formation step, the plurality of conductive pillars 4 are formed on the conductive layer 125 of the support 120.
  • a positive photoresist layer covering the exposed region of the conductive layer 125 of the support 120 and the chip-like electronic component 2 is formed.
  • the portion of the photoresist layer at the planned formation position of the conductor pillar 4 is removed using photolithography (an opening is formed at the planned formation position of the conductor pillar 4).
  • the underlying portion of the conductor pillar 4 is exposed.
  • the conductive pillars 4 are formed by electrolytic plating.
  • the conductive pillars 4 are electrically conductive layers by passing a current between an anode oppositely disposed on the surface of the photoresist layer through a plating solution containing copper sulfate and a cathode formed of the conductive layer 125. It is deposited along the thickness direction of the photoresist layer from the exposed surface of 125. Thereafter, the photoresist layer is removed.
  • the side surface of the intermediate layer 70 is obtained.
  • the pillar formation step is a step between the component placement step and the intermediate layer formation step.
  • the insulating layer 700 which is the source of the insulating portion 7 (see FIG. 1A) is formed.
  • the insulating layer 700 covering the exposed portion of the surface 121 of the support 120, the side surface and the tip surface of the conductor pillar 4 and the side surface 23 and the back surface 22 of the chip electronic component 2 is formed.
  • the insulating layer 700 includes, in addition to the intermediate layer 70 (first intermediate layer 71), the second intermediate layer 72, and the third intermediate layer 73, a fourth intermediate layer 74 covering the tip end face of the conductor pillar 4 .
  • the metal layer 600 is formed on the insulating layer 700 as in the fifth step.
  • the metal layer 600 includes a fourth conductor layer 64 in addition to the conductor layer 60 (first conductor layer 61), the second conductor layer 62, and the third conductor layer 63.
  • the process after the conductive layer forming process is the same as the method of manufacturing the electronic component 1 according to the first embodiment.
  • the electronic component 1 having the coaxial structure 14, the chip-like electronic component 2 and the wiring layer 5 can be easily manufactured. Further, in the other manufacturing method described above, the arrangement of the chip-shaped electronic component 2 is facilitated as compared with the manufacturing method of the electronic component 1 according to the first embodiment.
  • the electronic component 1d according to the second embodiment is, as shown in FIG. 10, an electronic component 1 according to the first embodiment (FIG. 1A) in that a plurality of (two in the illustrated example) chip-like electronic components 2 are provided. Reference) is different.
  • the same components of the electronic component 1d according to the second embodiment as those of the electronic component 1 according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
  • the method of manufacturing the electronic component 1d according to the second embodiment is the same as the method of manufacturing the electronic component 1 according to the first embodiment, and is different in that a plurality of chip-like electronic components 2 are arranged in the component arranging step.
  • the electronic component 1d according to the second embodiment since the side surface 23 of each chip-shaped electronic component 2 is covered by the third conductor layer 63 with the third intermediate layer 73 interposed between two adjacent chip-shaped electronic components 2 Can prevent interference from electromagnetic waves. As a result, in the electronic component 1d according to the second embodiment, the distance between two adjacent chip-like electronic components 2 can be further shortened. Therefore, in the configuration including the plurality of chip-like electronic components 2, the size can be reduced. Can be
  • the plurality of chip-shaped electronic components 2 may be the same type of chip-shaped electronic components or may be different types of chip-shaped electronic components. Further, the number of chip-like electronic components 2 is not limited to two, and may be three or more. When the number of chip-like electronic components 2 is three or more, only some of the chip-like electronic components 2 of the chip-like electronic components 2 may be the same chip-like electronic components. When the electronic component 1 includes a plurality of chip-shaped electronic components 2, the layout of the conductor pillar 4 and the wiring layer 5 may be different for each of the chip-shaped electronic components 2.
  • the electronic component 1e according to the third embodiment is, as shown in FIG. 11, an electronic component according to the first embodiment in that the chip-like electronic component 2 in the electronic component 1 according to the first embodiment (see FIG. 1A) is not provided. It is different from part 1.
  • the same components of the electronic component 1e according to the third embodiment as those of the electronic component 1 according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
  • the method of manufacturing the electronic component 1e according to the third embodiment is the same as the method of manufacturing the electronic component 1 according to the first embodiment, and is different in that the component arranging step is not provided.
  • the wiring layer 5 is connected to only the conductor pillar 4 among the chip-like electronic component 2 and the conductor pillar 4 in the electronic component 1 (see FIG. 1A) according to the first embodiment.
  • the electronic component 1 e can be used, for example, as a wiring board having the coaxial structure 14.
  • the intermediate layer 70 between the conductor pillar 4 and the conductor layer 60 is an electrical insulating layer
  • the present invention is not limited to this.
  • the intermediate layer 70 may be an air layer.
  • the sacrificial layer interposed between the conductor pillar 4 and the conductor layer 60 may be etched away when the electronic component 1 e is manufactured.
  • the sacrificial layer in this case is, in the method of manufacturing the electronic component 1e, an intermediate layer 70 formed of an electrically insulating layer formed in the intermediate layer forming step.
  • the sacrificial layer is not limited to the case of being formed of a material having electrical insulation, and may be formed of a material having conductivity.
  • the electronic component 1f according to the fourth embodiment is, as shown in FIG. 12, a side surface of the chip-like electronic component 2 in addition to the intermediate layer 70 (first intermediate layer 71), the second intermediate layer 72 and the third intermediate layer 73f. It differs from the electronic component 1 according to the first embodiment (see FIG. 1A) in that the insulating layer 77 covering both the surface 23 and the back surface 22 is provided.
  • the electronic component 1 f according to the fourth embodiment is the electronic component 1 according to the first embodiment in that the third intermediate layer 73 f is provided instead of the third intermediate layer 73 of the electronic component 1 according to the first embodiment. It is different from.
  • the same components as those of the electronic component 1 according to the first embodiment are given the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
  • the insulating layer 77 has electrical insulation.
  • the dielectric constant and the dielectric loss tangent of the insulating layer 77 are respectively smaller than the dielectric constant and the dielectric loss tangent of the resin molded body 3.
  • the dielectric constant and dielectric loss tangent of the insulating layer 77 respectively represent the dielectric constant of the base (for example, a piezoelectric substrate in the case of a SAW filter) supporting the functional portion in the chip-like electronic component 2 and It is smaller than the dielectric loss tangent.
  • the insulating layer 77 is composed of an inorganic insulating layer.
  • the inorganic insulating layer is formed of an inorganic insulating material.
  • the inorganic insulating material used for the inorganic insulating layer is, for example, silicon oxide.
  • the insulating layer 77 is not limited to the inorganic insulating layer, but may be an organic insulating layer.
  • the material of the organic insulating layer is, for example, a fluorocarbon resin, bismaleimide or the like.
  • the material of the insulating layer 77 may be the same as or different from the material of the intermediate layer 70.
  • At least a part of the side surface of at least one of the plurality of pillars 4 is adjacent to the insulating layer 77.
  • the third intermediate layer (third insulating portion) 73 f is provided in contact with the insulating layer 77.
  • the third intermediate layer 73 f is formed to cover the back surface 22 and the side surface 23 of the chip-like electronic component 2 via the insulating layer 77.
  • the plurality of first intermediate layers 71, the second intermediate layers 72, and the third intermediate layers 73f are integrally formed.
  • the first to eleventh steps are sequentially performed.
  • the first step is a component placement step.
  • the chip-like electronic component 2 is temporarily fixed on the conductive layer 125 of the support 120.
  • the second step is an insulating film forming step of forming an insulating film 770 (see FIG. 13B) which is the source of the insulating layer 77.
  • the material of the insulating film 770 is, for example, silicon oxide.
  • the insulating film 770 is formed by, eg, CVD.
  • the insulating film 770 may be formed by, for example, a sputtering method, a spray coating method, or the like without being limited to the CVD method.
  • the insulating layer 77 (see FIG. 13C) is formed by patterning the insulating film 770 using, for example, a lithography technique and an etching technique.
  • the insulating layer forming step of forming the insulating layer 77 covering both the side surface 23 and the back surface 22 of the chip-like electronic component 2 is configured in the second step and the third step. doing.
  • a pillar forming step of forming the conductive pillars 4 on the surface 121 of the support 120 is performed.
  • the plurality of conductive pillars 4 are formed on the conductive layer 125 of the support body 120.
  • a positive photoresist layer covering the exposed region of the conductive layer 125 of the support 120 and the chip-like electronic component 2 is formed.
  • the portion of the photoresist layer at the planned formation position of the conductor pillar 4 is removed using photolithography (an opening is formed at the planned formation position of the conductor pillar 4). Of these, the underlying portion of the conductor pillar 4 is exposed.
  • the conductive pillars 4 are formed by electrolytic plating.
  • the conductive pillars 4 are electrically conductive layers by passing a current between an anode oppositely disposed on the surface of the photoresist layer through a plating solution containing copper sulfate and a cathode formed of the conductive layer 125. It is deposited along the thickness direction of the photoresist layer from the exposed surface of 125. Thereafter, the photoresist layer is removed.
  • an insulating layer 700f which is the source of the insulating portion 7f (see FIG. 12) is formed. More specifically, in the fifth step, the insulating layer 700f is formed to cover the exposed portion of the surface 121 of the support 120, the side surface and tip surface of the conductor pillar 4, and the insulating layer 77. Insulating layer 700 f includes a fourth intermediate layer 74 covering the tip end face of conductor pillar 4, in addition to intermediate layer 70 (first intermediate layer 71), second intermediate layer 72 and third intermediate layer 73 f. . The material of the insulating layer 700f is, for example, silicon oxide. In the fifth step, the insulating layer 700f is formed by, for example, a CVD method.
  • the first intermediate layer 71, the second intermediate layer 72, the third intermediate layer 73f, and the fourth intermediate layer 74 can be integrally formed.
  • the insulating layer 700f may be formed by, for example, a sputtering method, a spray coating method, or the like without being limited to the CVD method.
  • the fifth step constitutes an intermediate layer forming step of forming the intermediate layer 70 covering the side surface of the conductor pillar 4.
  • a metal layer 600 which is the source of the shield portion 6 (see FIG. 12) is formed. More specifically, in the sixth step, the metal layer 600 is formed on the insulating layer 700f.
  • the metal layer 600 includes a fourth conductor layer 64 in addition to the conductor layer 60 (first conductor layer 61), the second conductor layer 62, and the third conductor layer 63.
  • the metal layer 600 is formed by, for example, a CVD method.
  • the first conductor layer 61, the second conductor layer 62, the third conductor layer 63, and the fourth conductor layer 64 can be integrally formed.
  • the metal layer 600 may be formed not only by the CVD method but also by, for example, sputtering method (for example, oblique sputtering method), evaporation method (for example, oblique vapor deposition method), spray coating method, electroless plating, etc. Good.
  • the sixth step constitutes a conductor layer forming step of forming the conductor layer 60 covering the side surface of the intermediate layer 70.
  • the resin structure 30 which is the base of the resin molded body 3 (see FIG. 14B) is formed.
  • the resin structure 30 is formed on the support 120 so as to cover the metal layer 600 covering the insulating layer 700f.
  • the resin structure 30 is formed on the conductive layer 125 of the support 120 via the insulating layer 700 f and the metal layer 600.
  • the resin structure 30 has a first surface 301 and a second surface 302 which are opposite to each other in the thickness direction.
  • the first surface 301 of the resin structure 30 is a surface in contact with the second conductor layer 62 of the metal layer 600.
  • the resin structure 30 covers the back surface 22 and the side surface 23 of the chip-like electronic component 2 via the metal layer 600, the insulating layer 700f and the insulating layer 77. Furthermore, the resin structure 30 covers the side surface and the tip surface of the conductor pillar 4 via the metal layer 600 and the insulating layer 700f. Therefore, the resin structure 30 is thicker than the resin molded body 3, and a part of the resin structure 30 and a part of the metal layer 600 between the second surface 302 of the resin structure 30 and the tip surface of the conductor pillar 4. And a part of the insulating layer 700f.
  • the seventh step constitutes a resin molding step of molding the resin structure 30 covering the side surface of the conductor layer 60.
  • the resin molded body 3 is polished by polishing the resin structure 30 from the second surface 302 opposite to the first surface 301 until the thickness of the resin molded body 3 is reached.
  • a structure including the resin molded body 3, the conductor pillar 4, the insulating portion 7 f and the shield portion 6 is formed.
  • an eighth step constitutes a polishing step.
  • the chip-like electronic component 2, the resin molded body 3, the conductor pillar 4, the insulating portion 7f, the shield portion 6, the support 120, and the resin adhesive layer are included.
  • the support 120 and the resin adhesive layer are removed from the structure.
  • the surface 21 of the chip-like electronic component 2, both end surfaces (the first end surface 41 and the second end surface 42) of the conductor pillar 4, a portion of the insulating portion 7f and a portion of the shield portion 6 are exposed. It can be done.
  • the ninth step constitutes a removal step of removing the support 120.
  • the tenth step as shown in FIG. 14D, a plurality of wiring layers 5 for electrically connecting the chip-shaped electronic component 2 and the conductor pillar 4 are formed.
  • the tenth step constitutes a wiring layer forming step.
  • the wiring layer 5 for electrically connecting the chip-like electronic component 2 and the conductor pillar 4 is formed.
  • the first resist layer 9 and the second resist layer 10 are formed.
  • the plurality of electrodes 8 corresponding to the plurality of conductor pillars 4 are formed on the second end faces 42 of the plurality of conductor pillars 4.
  • the first ground wiring layer 12 is formed, and then the third resist layer 11 is formed.
  • the method of manufacturing the electronic component 1 f according to the fourth embodiment is similar to the method of manufacturing the electronic component 1 according to the first embodiment, including the pillar forming step of forming the conductor pillar 4 on the surface 121 of the support 120; Intermediate layer formation step of forming an intermediate layer 70 covering the side surface, conductor layer formation step of forming a conductor layer 60 covering the side surface of the intermediate layer 70, and resin molding for forming the resin structure 30 covering the side surface of the conductor layer 60 And a process.
  • the electronic component 1f having the coaxial structure 14 including the conductor pillar 4 and the conductor layer 60 It can be easily manufactured.
  • a pillar (4) having conductivity is formed on the surface (121) of the support (120) Forming an intermediate layer (70) covering the side surface of the pillar (4); and forming a conductive layer (60) covering the side surface of the intermediate layer (70); And a resin molding step of molding a resin structure (30) covering the side surface of the conductor layer (60).
  • an electronic component having a coaxial structure (14) including a pillar (4) and a conductor layer (60) (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e; 1f) can be more easily manufactured.
  • the method for producing an electronic component (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e; 1f) according to the second aspect is the removal according to the first aspect, wherein the support (120) is removed after the resin molding step.
  • the method further comprises the steps.
  • the end face on the support (120) side in the coaxial structure (14) can be exposed.
  • the component disposing step between the pillar forming step and the intermediate layer forming step and the removing step And a later wiring layer forming step In the component placement step, the chip-like electronic component (2) is placed on the surface (121) of the support (120) at a position away from the side surface of the pillar (4). In the wiring layer forming step, a wiring layer (5) for electrically connecting the chip-like electronic component (2) and the pillar (4) is formed.
  • an electronic component (1) having a coaxial structure (14), a chip-like electronic component (2) and a wiring layer (5). 1a; 1b; 1c; 1d) can be produced more easily.
  • the chip-like electronic component (2) is placed on the surface (121) of the support (120).
  • the method further includes a component disposing step of disposing and a wiring layer forming step after the removing step.
  • the pillar formation step is a step between the component placement step and the intermediate layer formation step.
  • the pillar (4) is disposed on the surface (121) of the support (120) at a position away from the side surface (23) of the chip-like electronic component (2).
  • a wiring layer (5) for electrically connecting the planar electronic component (2) and the pillar (4) is formed.
  • an electronic component (1) having a coaxial structure (14), a chip-like electronic component (2) and a wiring layer (5). 1a; 1b; 1c; 1d) can be produced more easily.
  • the chip (21) of the chip-like electronic component (2) is made to face the surface (121) of the support (120) between the component arranging step of arranging the flat electronic component (2) on the surface (121) of the support (120) and the component arranging step and the pillar forming step, the side surface (23) of the chip electronic component (2)
  • the method further includes an insulating layer forming step of forming an insulating layer (77) covering both the back surface (22) and a wiring layer forming step after the removing step.
  • the pillar forming step is a step of forming a plurality of pillars (4) between the insulating layer forming step and the intermediate layer forming step.
  • the plurality of pillars (4) are supported on the support (120) such that at least a part of the side surface of at least one of the plurality of pillars (4) is adjacent to the insulating layer (77). Form on the surface (121).
  • an electronic component (1f) having a coaxial structure (14), a chip-like electronic component (2) and a wiring layer (5) can be more easily manufactured. Become.
  • the surface (21) of the chip-like electronic component (2) is disposed on the surface (121) of the support (120) so as to face the surface (121) of the support (120).
  • a first intermediate layer (71) which is an intermediate layer (70), and a second intermediate layer (72) covering an exposed area of the surface (121) of the support (120);
  • a third intermediate layer (73) covering both the exposed area and the back surface (22) of the side surface (23) of the chip-like electronic component (2) is integrally formed.
  • the first intermediate layer (71) and the second intermediate layer (72), and the second intermediate layer (72) Since no interface is generated between each of the third intermediate layer 73 and the third intermediate layer 73, it is possible to manufacture a highly reliable electronic component (1; 1a; 1b; 1c; 1d) relating to electrical insulation.
  • the first intermediate layer (71) which is the intermediate layer (70) and the support (120)
  • a second intermediate layer (72) covering an exposed area of the surface (121) and a third intermediate layer (73f) covering an exposed area of the insulating layer (77) are integrally formed.
  • the space between the first intermediate layer (71) and the second intermediate layer (72), and the second intermediate layer (72) and the third intermediate layer (73f) Since an interface does not occur at each of the above, it is possible to manufacture a highly reliable electronic component (1f) regarding electrical insulation.
  • the first conductor being a conductor layer (60)
  • a layer (61), a second conductor layer (62) covering the second intermediate layer (72), and a third conductor layer (63) covering the third intermediate layer (73; 73f) are integrally formed.
  • the method for manufacturing the electronic part (1; A resin structure (30) is molded to cover the first conductor layer (61), the second conductor layer (62) and the third conductor layer (63).
  • the method of manufacturing the electronic component (1; 1a; 1b; 1c; 1f; 1f) further includes a polishing step of polishing the resin structure (30) so as to expose the tip end surface of the pillar (4).
  • the coaxial structure (14) including the pillar (4) is obtained by polishing the resin structure (30). It can be exposed.
  • the intermediate layer (70) is electrically insulating It is a layer.
  • electrical insulation is provided as an intermediate layer (70) between the pillar (4) and the conductor layer (60). Since layers can be interposed, manufacture is facilitated as compared to the case where the intermediate layer (70) is an air layer.
  • the CVD method or A conductor layer (60) is formed by sputtering.
  • the CVD method is used in the intermediate layer forming step.
  • the intermediate layer (70) is formed by sputtering or spray coating.
  • the support (120) is a conductive layer (125) is included.
  • a pillar (4) is formed on the conductive layer (125) by plating.
  • the pillar (4) can be easily formed.
  • An electronic component (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e; 1f) according to a fourteenth aspect includes a pillar (4), a conductor layer (60), an intermediate layer (70), and a resin molded body (3) And.
  • the conductor layer (60) is disposed to surround the side surface of the pillar (4).
  • the conductor layer (60) is away from the side of the pillar (4).
  • the middle layer (70) consists of an electrically insulating layer.
  • the intermediate layer (70) is interposed between the pillar (4) and the conductor layer (60).
  • the resin molding (3) covers the side surface of the conductor layer (60).
  • the resin molded body (3) is, for example, a molded body obtained by molding a resin material by a molding method such as a press molding method or a transfer molding method.
  • the electronic component (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e; 1f) according to the fourteenth aspect can be manufactured more easily than an electronic component having a conventional coaxial structure. Moreover, the electronic component (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1f) according to the eleventh aspect can improve the accuracy of the degree of coaxiality between the pillar (4) and the conductor layer (60).
  • the electronic component (1; 1a; 1b; 1c; 1e; 1f) has a coaxial structure (14) including the pillar (4) and the conductor layer (60), so the pillar (4) is an electromagnetic wave from the outside
  • the electronic components (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e; 1f) can suppress the characteristic deterioration due to the influence of the electromagnetic wave from the outside.
  • the electronic component (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1f) is the chip-like electronic component (2) disposed apart from the side surface of the conductor layer (60) in the fourteenth aspect Furthermore, it has.
  • the resin molded body (3) covers the side surface of the conductor layer (60) and at least a part of the side surface (23) of the chip-like electronic component (2) and the back surface (22).
  • the electronic component (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1f) is a pillar (for example, a component that generates an electromagnetic wave when the chip-like electronic component (2) is in operation).
  • the high frequency signal passing through 4) is less susceptible to the electromagnetic wave from the chip-like electronic component (2).
  • the electronic component (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1f) according to the sixteenth aspect electrically connects the chip-like electronic component (2) and the pillar (4) in the fifteenth aspect It further comprises a wiring layer (5).
  • the electronic component (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1f) is a high frequency signal passing through the wiring layer (5) connected to the chip-like electronic component (2) and the pillar (4). Is less susceptible to electromagnetic waves from chip-like electronic components (2).
  • the wiring length of the wiring layer (5) can be further shortened, and the electronic component (1; 1a; 1b; 1c; 1c; 1d; 1f) can be miniaturized.
  • the electronic component (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1f) according to the seventeenth aspect comprises an insulating part (7; 7f) and a shield part (6) in the sixteenth aspect.
  • the insulating portion (7; 7f) includes a first intermediate layer (71) formed of an intermediate layer, a second intermediate layer (72), and a third intermediate layer (73; 73f).
  • the insulating portion (7; 7f) has electrical insulation.
  • the shield portion (6) includes a first conductor layer (61) formed of a conductor layer (60), a second conductor layer (62), and a third conductor layer (63).
  • the second intermediate layer (72) is located between the wiring layer (5) and the resin molded body (3).
  • the third intermediate layer (73; 73f) covers the back surface (22) and the side surface (23) of the chip-like electronic component (2).
  • the second conductor layer (62) is interposed between the resin molded body (3) and the second intermediate layer (72).
  • the third conductor layer (63) is interposed between the resin molded body (3) and the third intermediate layer (73; 73f).
  • the dielectric constant and dielectric loss tangent of the insulating portion (7; 7f) are respectively smaller than the dielectric constant and dielectric loss tangent of the resin molded body (3).
  • the electronic component (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1f) according to the seventeenth aspect can reduce parasitic capacitance generated between the wiring layer (5) and the shield part (6).
  • the dielectric constant and the dielectric loss tangent of the insulating portion (7; 7f) In (2) it is smaller than the dielectric constant and dielectric loss tangent of the base material supporting the functional part.
  • the electronic component (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1f) according to the eighteenth aspect reduces parasitic capacitance generated between the shield portion (6) and the functional portion of the chip-like electronic component (2). It can be done.

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Abstract

同軸構造を有する電子部品をより容易に製造可能な電子部品の製造方法及び電子部品を提供する。電子部品の製造方法は、支持体（１２０）の表面（１２１）上に導電性を有するピラー（４）を形成するピラー形成工程と、ピラー（４）の側面を覆う中間層（７０）を形成する中間層形成工程と、中間層（７０）の側面を覆う導体層（６０）を形成する導体層形成工程と、導体層（６０）の側面を覆う樹脂構造体（３０）を成形する樹脂成形工程と、を備える。

Description

電子部品の製造方法及び電子部品
　本発明は、一般に電子部品の製造方法及び電子部品に関し、より詳細には、同軸構造を有する電子部品の製造方法及び電子部品に関する。
　従来、電子部品として、信号ビア導体（導体ピラー）と、接地ビア導体（導体層）と、を備える配線基板が知られている（例えば、特許文献１参照）。
　特許文献１に記載された配線基板では、接地ビア導体は、信号ビア導体の周囲において、信号ビア導体の軸線と略一致して同軸状に配置されている。また、配線基板では、信号ビア導体と接地ビア導体との間には充填体が形成されている。充填体は、ガラスセラミックにより形成されている。また、配線基板は、内蔵コンデンサを備えている。
　特許文献１に記載された配線基板の内部構造を大きく分類すると、第１絶縁層～第５絶縁層からなる展開部と、第６絶縁層～第１０絶縁層等からなる内蔵コンデンサと、に分けられる。第１絶縁層～第５絶縁層の材質は、セラミックやガラスセラミックである。第６絶縁層～第１０絶縁層は、ＢａＴｉＯ3を主成分とする高誘電体層からなる。
　配線基板は、積層基板の製造方法を用いて形成されている。すなわち、焼成後に各絶縁層となる生シートの所定位置に貫通孔を形成し、貫通孔内及び生シート表面にメタライズインクを印刷し、各絶縁層を積層・圧着した後、焼成して、さらに所望のめっき等を施して完成する。充填体は、予め形成した貫通孔に低誘電率のガラスセラミックを充填し、乾燥させ、さらにその中心に信号ビア導体を形成するための貫通孔を形成し、メタライズインクを充填して形成する。
特開２００１－２９１７９９号公報
　特許文献１に記載された従来の電子部品の製造方法では、貫通孔の開口面積が小さくかつ貫通孔のアスペクト比が高くなるほど、貫通孔の形成が難しくなるとともに、充填体の形成が難しくなる。また、従来の電子部品の製造方法では、信号ビア導体のアスペクト比が高くなるほど、信号ビア導体と接地ビア導体とを含む同軸構造の形成が難しい。
　本発明の目的は、同軸構造を有する電子部品をより容易に製造可能な電子部品の製造方法及び電子部品を提供することにある。
　本発明の一態様に係る電子部品の製造方法は、支持体の表面上に導電性を有するピラーを形成するピラー形成工程と、前記ピラーの側面を覆う中間層を形成する中間層形成工程と、前記中間層の側面を覆う導体層を形成する導体層形成工程と、前記導体層の側面を覆う樹脂構造体を成形する樹脂成形工程と、を備える。
　本発明の一態様に係る電子部品は、導電性を有するピラーと、導体層と、中間層と、樹脂成形体と、を備える。前記導体層は、前記ピラーの側面を囲むように配置されている。前記導体層は、前記ピラーの前記側面から離れている。前記中間層は、電気絶縁層からなる。前記中間層は、前記ピラーと前記導体層との間に介在している。前記樹脂成形体は、前記導体層の側面を覆っている。
　本発明の一態様に係る電子部品の製造方法及び電子部品では、同軸構造を有する電子部品をより容易に製造可能となる。
図１Ａは、本発明の実施形態１に係る電子部品の断面図である。図１Ｂは、同上の電子部品の厚さ方向に直交する断面において同軸構造を含む要部の拡大図である。 図２は、同上の電子部品をインタポーザとして用いた場合における電子部品を含む電子部品モジュールの断面図である。 図３Ａ～３Ｃは、同上の電子部品の製造方法を説明するための工程断面図である。 図４Ａ～４Ｆは、同上の電子部品の製造方法を説明するための工程断面図である。 図５Ａ～５Ｄは、同上の電子部品の製造方法を説明するための工程断面図である。 図６は、本発明の実施形態１の変形例１に係る電子部品の断面図である。 図７は、本発明の実施形態１の変形例２に係る電子部品の断面図である。 図８は、本発明の実施形態１の変形例３に係る電子部品の断面図である。 図９Ａ～９Ｄは、本発明の実施形態１に係る電子部品の他の製造方法を説明するための工程断面図である。 図１０は、本発明の実施形態２に係る電子部品の断面図である。 図１１は、本発明の実施形態３に係る電子部品の断面図である。 図１２は、本発明の実施形態４に係る電子部品の断面図である。 図１３Ａ～１３Ｆは、同上の電子部品の製造方法を説明するための工程断面図である。 図１４Ａ～１４Ｆは、同上の電子部品の製造方法を説明するための工程断面図である。
　以下、実施形態１～４に係る電子部品について、図面を参照して説明する。
　以下の実施形態等において参照する図１Ａ、１Ｂ、２、３Ａ～３Ｃ、４Ａ～４Ｆ、５Ａ～５Ｄ、６～１２、１３Ａ～１３Ｆ及び１４Ａ～１４Ｆは、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
　（実施形態１）
　（１）電子部品の全体構成
　以下、実施形態１に係る電子部品１について、図面を参照して説明する。
　実施形態１に係る電子部品１は、図１Ａに示すように、チップ状電子部品２と、樹脂成形体３と、複数（図示例では２つ）の導電性を有するピラー４（以下、導体ピラー４ともいう）と、複数（図示例では２つ）の配線層５と、導電性のシールド部６と、電気絶縁性の絶縁部７と、を備える。電子部品１では、樹脂成形体３が、チップ状電子部品２及び導体ピラー４を保持している。電子部品１では、樹脂成形体３が、外部からの衝撃等からチップ状電子部品２を保護する。導体ピラー４は、チップ状電子部品２の側方に位置し、樹脂成形体３の厚さ方向（所定方向）に樹脂成形体３を貫通している。配線層５は、チップ状電子部品２と導体ピラー４とを電気的に接続している。
　また、電子部品１は、第１レジスト層９と、第２レジスト層１０と、第３レジスト層１１と、第１グラウンド用配線層１２と、第２グラウンド用配線層１３と、を更に備える。電子部品１は、外部接続用の電極として、複数（図示例では２つ）の電極８と、複数（図示例では２つ）の電極５３と、を備える。複数の電極８は、樹脂成形体３の第１面３１とは反対の第２面３２側に配置されている。電子部品１では、複数の配線層５の各々の一部が電極５３を兼ねている。複数の配線層５は樹脂成形体３の第１面３１側に配置されている。第１レジスト層９は、配線層５上に形成されている。第１グラウンド用配線層１２は、シールド部６と電気的に接続されている。第１グラウンド用配線層１２は、第１レジスト層９上に形成されている。第２レジスト層１０は、第２グラウンド用配線層１３上に形成されている。第２グラウンド用配線層１３は、シールド部６と電気的に接続されている。また、第２グラウンド用配線層１３は、樹脂成形体３の第２面３２上に形成されている。第３レジスト層１１は、第１グラウンド用配線層１２上に形成されている。
　実施形態１に係る電子部品１は、導体ピラー４と導体ピラー４を囲んでいる導体層６０とを含む同軸構造１４（図１Ａ及び１Ｂ参照）を有する。電子部品１では、導体層６０は、シールド部６の一部である。同軸構造１４は、導体ピラー４の側面と導体層６０との間に介在する中間層７０を含んでいる。電子部品１では、中間層７０は、電気絶縁層であり、絶縁部７の一部である。
　電子部品１は、例えば、別の電子部品２０（図２参照）と回路基板１５（図２参照）との間に介在させるインタポーザ（Interposer）として用いることができる。回路基板１５は、例えばプリント配線板である。
　（２）電子部品の各構成要素
　次に、電子部品１の各構成要素について、図面を参照して説明する。
　（２．１）チップ状電子部品
　チップ状電子部品２は、図１Ａに示すように、電子部品１の第１方向Ｄ１において互いに反対側にある表面（第１主面）２１及び裏面（第２主面）２２を有する。より詳細には、チップ状電子部品２は、板状に形成されており、その厚さ方向において互いに反対側にある表面２１及び裏面２２を有する。表面２１及び裏面２２は、互いに背向する。また、チップ状電子部品２は、側面（外周面）２３を有する。チップ状電子部品２の平面視形状（チップ状電子部品２をその厚さ方向から見たときの外周形状）は、長方形状であるが、長方形状に限らず、例えば正方形状であってもよい。
　チップ状電子部品２は、例えば周波数帯５ＧＨｚ以上の高周波デバイスである。周波数帯５ＧＨｚ以上の高周波デバイスは、例えば、周波数帯５ＧＨｚ以上の近距離通信デバイス又はミリ波デバイスである。より詳細には、高周波デバイスは、例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタである。
　チップ状電子部品２は、ＳＡＷフィルタの場合、例えば、厚さ方向において互いに反対側にある表面（第１主面）及び裏面（第２主面）を有する圧電基板と、圧電基板の表面上に形成された機能部とを含む。圧電基板は、例えばＬｉＴａＯ3基板又はＬｉＮｂＯ3基板である。圧電基板の厚さは、例えば２００μｍ程度である。機能部は、例えば、１又は複数のＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極を含む。機能部は、外部接続用の端子電極を含んでいてもよい。端子電極の数は、１つであっても複数であってもよい。チップ状電子部品２がＳＡＷフィルタである場合、チップ状電子部品２の表面２１は、例えば、圧電基板の表面のうち露出した部位と、機能部において露出している面とを含む。
　チップ状電子部品２は、ＳＡＷフィルタの場合、バルク（Bulk）の圧電基板を備えた構成に限らず、例えば、シリコン基板とシリコン酸化膜と圧電薄膜とがこの順に積層された積層構造を有し、圧電薄膜上に機能部（ＩＤＴ電極、端子電極等）が形成された構成であってもよい。圧電薄膜は、例えばＬｉＴａＯ3薄膜又はＬｉＮｂＯ3薄膜である。圧電薄膜の厚さは、ＩＤＴ電極の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下が好ましい。圧電薄膜の厚さは、例えば０．５μｍ程度である。シリコン酸化膜の厚さは、２．０λ以下が好ましい。シリコン酸化膜の厚さは、例えば０．５μｍ程度である。積層構造の厚さは、例えば２００μｍ程度である。
　高周波デバイスは、ＳＡＷフィルタに限らず、例えば、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）フィルタ、誘電体フィルタ、アンテナ、スイッチ、パワーアンプ等であってもよい。上述の別の電子部品２０は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）である。電子部品２０は、ＩＣに限らず、例えば、インダクタ、コンデンサ、ＳＡＷフィルタであってもよい。電子部品１を備える電子部品モジュール２１０（図２参照）では、電子部品１と上述の別の電子部品２０との間に、間隙２０２（図２参照）が形成されている。また、電子部品モジュール２１０では、電子部品１と回路基板１５との間に間隙２０３が形成されている。また、電子部品モジュール２１０では、電子部品１は、複数（図示例では４つ）の導電性バンプ４３により電子部品２０と電気的に接続され、複数（図示例では４つ）の導電性バンプ４４により回路基板１５と電気的に接続されている。
　（２．２）樹脂成形体
　樹脂成形体３は、図１Ａに示すように、チップ状電子部品２を保持するように構成されている。樹脂成形体３は、電子部品１の第１方向Ｄ１において互いに反対側にある第１面３１及び第２面３２を有する。より詳細には、樹脂成形体３は、板状に形成されており、その厚さ方向において互いに反対側にある第１面３１及び第２面３２を有する。樹脂成形体３の平面視形状（樹脂成形体３をその厚さ方向すなわち第１方向Ｄ１から見たときの外周形状）は、長方形状である。ただし、樹脂成形体３の平面視形状は、長方形状に限らず、例えば正方形状であってもよい。樹脂成形体３の平面サイズは、チップ状電子部品２の平面サイズよりも大きい。
　樹脂成形体３は、シールド部６と絶縁部７とを介してチップ状電子部品２の側面２３の一部及び裏面２２を覆っている。つまり、チップ状電子部品２は、樹脂成形体３の内側に配置されている。樹脂成形体３は、チップ状電子部品２の表面２１を露出させている状態でチップ状電子部品２を保持している。
　樹脂成形体３は、電気絶縁性を有する樹脂等によって形成されている。また、樹脂成形体３は、例えば、樹脂の他に、樹脂に混合されているフィラーを含んでいるが、フィラーは必須の構成要素ではない。樹脂は、例えば、エポキシ樹脂である。ただし、樹脂は、エポキシ樹脂に限らず、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂又はシリコーン樹脂であってもよい。フィラーは、例えば、シリカ、アルミナ等の無機フィラーである。樹脂成形体３は、樹脂及びフィラーの他に、例えば、カーボンブラック等の黒色顔料を含んでいてもよい。
　（２．３）導体ピラー
　電子部品１では、図１Ａに示すように、チップ状電子部品２の側方に、複数（図示例では２つ）の導体ピラー４が配置されている。第１方向Ｄ１と直交する第２方向Ｄ２において、複数の導体ピラー４は、チップ状電子部品２から離れて位置している。複数の導体ピラー４は、樹脂成形体３に保持されている。
　導体ピラー４は、円柱状の形状であり、樹脂成形体３の厚さ方向に平行な方向において互いに反対側にある第１端面４１及び第２端面４２を有する。要するに、導体ピラー４は、第１方向Ｄ１において互いに反対側にある第１端面４１及び第２端面４２を有する。導体ピラー４の第１端面４１には、後述の配線層５の第２端５２が積層されている。これにより、電子部品１では、導体ピラー４と配線層５とが電気的に接続されている。
　電子部品１では、チップ状電子部品２に対して、配線層５を介して、導体ピラー４が電気的に接続されている。電子部品１では、導体ピラー４の位置及び数は、特に限定されない。
　導体ピラー４の材料は、例えば、金属である。実施形態１に係る電子部品１では、導体ピラー４の材料は、例えばＣｕである。導体ピラー４の材料は、Ｃｕに限らず、例えばＮｉであってもよい。導体ピラー４の材料は、合金であってもよい。
　（２．４）配線層
　配線層５は、樹脂成形体３の第１面３１側及びチップ状電子部品２の表面２１側において、チップ状電子部品２と導体ピラー４とを電気的に接続している。配線層５は、チップ状電子部品２の表面２１（のうち端子電極の表面）に接続されている第１端５１と、導体ピラー４に接続されている第２端５２とを有する。配線層５は、チップ状電子部品２の表面２１と導体ピラー４の第１端面４１と後述の絶縁部７の第２中間層７２とに跨って配置されている。
　配線層５の材料は、例えば金属である。実施形態１に係る電子部品１では、一例として、配線層５の材料は、Ｃｕである。要するに、配線層５は、Ｃｕ層である。配線層５の材料は、例えば、合金であってもよい。配線層５は、単層構造に限らず、複数の層が積層された積層構造であってもよい。
　（２．５）電極
　電極８は、樹脂成形体３の第２面３２側において、導体ピラー４の第２端面４２と第２レジスト層１０とに跨って形成されている。
　電極８の材料は、例えば金属である。実施形態１に係る電子部品１では、電極８の材料は、配線層５と同様、Ｃｕである。配線層５と同様、電極８は、単層構造に限らず、複数の層が積層された積層構造であってもよい。
　また、電子部品１では、配線層５の一部（配線層５のうち第１レジスト層９により覆われていない部分）が、導体ピラー４を回路基板１５（図２参照）等に電気的に接続させるための外部接続用の電極５３を構成している。電子部品１では、配線層５上に電極が形成されていてもよい。配線層５上に形成される電極は、例えば、配線層５上のＴｉ膜と当該Ｔｉ膜上のＡｕ膜との積層膜である。電極の積層構造は、あくまで一例であり、この一例に限定されない。
　（２．６）第１レジスト層、第２レジスト層及び第３レジスト層
　第１レジスト層９は、樹脂成形体３の第１面３１側において、配線層５の一部を除いて配線層５を覆うように形成されている。第１レジスト層９には、配線層５の一部を露出させる孔９１が形成されている。第１レジスト層９は、樹脂成形体３の第１面３１側において、配線層５と絶縁部７とに跨って形成されている。第１レジスト層９は、電気絶縁性を有する。第１レジスト層９は、配線層５よりもはんだ濡れ性が低い材料により形成されている。第１レジスト層９は、例えばポリイミド層である。
　第２レジスト層１０は、樹脂成形体３の第２面３２側において、第２グラウンド用配線層１３を覆うように形成されている。ここにおいて、第２レジスト層１０は、第２グラウンド用配線層１３と樹脂成形体３の第２面３２とに跨って形成されている。第２レジスト層１０は、第２グラウンド用配線層１３の一部を除いて第２グラウンド用配線層１３を覆っている。第２レジスト層１０には、第２グラウンド用配線層１３の一部を露出させる孔１０１が形成されている。第２レジスト層１０は、電気絶縁性を有する。第２レジスト層１０は、第２グラウンド用配線層１３よりもはんだ濡れ性が低い材料により形成されている。第２レジスト層１０は、例えばポリイミド層である。
　第３レジスト層１１は、樹脂成形体３の第１面３１側において、第１グラウンド用配線層１２の一部を除いて第１グラウンド用配線層１２を覆うように形成されている。第３レジスト層１１には、第１グラウンド用配線層１２の一部を露出させる孔１１１が形成されている。第３レジスト層１１は、電気絶縁性を有する。第３レジスト層１１は、第１グラウンド用配線層１２よりもはんだ濡れ性が低い材料により形成されている。第３レジスト層１１は、例えばポリイミド層である。
　（２．７）絶縁部
　絶縁部７は、電気絶縁性を有する。絶縁部７は、複数（図示例では２つ）の第１中間層（第１絶縁部）７１と、第２中間層（第２絶縁部）７２と、第３中間層（第３絶縁部）７３と、を備える。
　各第１中間層７１は、円柱状の導体ピラー４の側面全体を覆うように設けられている。各第１中間層７１の形状は、円筒状である。各第１中間層７１は、導体ピラー４と接するように設けられている。第２中間層７２は、配線層５及びシールド部６と接するように樹脂成形体３の第１面３１に沿って設けられている。第２中間層７２は、配線層５とシールド部６とを電気的に絶縁する。第３中間層７３は、チップ状電子部品２と接触するように設けられている。より詳細には、第３中間層７３は、チップ状電子部品２の裏面２２及び側面２３を覆うように形成されている。複数の第１中間層７１と第２中間層７２と第３中間層７３とは、一体に形成されている。
　電子部品１では、絶縁部７の誘電率及び誘電正接が、それぞれ、樹脂成形体３の誘電率及び誘電正接よりも小さい。また、電子部品１では、絶縁部７の誘電率及び誘電正接が、それぞれ、チップ状電子部品２において機能部を支持している基材（ＳＡＷフィルタの場合、例えば、圧電基板）の誘電率及び誘電正接よりも小さい。絶縁部７は、無機絶縁膜で構成されている。無機絶縁膜は、無機絶縁材料により形成されている。無機絶縁膜に用いられる無機絶縁材料は、例えば、酸化シリコンである。絶縁部７は、無機絶縁膜に限らず、有機絶縁膜であってもよい。有機絶縁膜の材料は、例えば、フッ素系樹脂、ビスマレイミド等である。
　（２．８）シールド部
　シールド部６は、電磁シールドのためのシールド層として設けられている。シールド部６は、複数（図示例では２つ）の第１導体層６１と、第２導体層６２と、第３導体層６３と、を備える。
　各第１導体層６１は、第１中間層７１の側面全体を覆うように設けられている。各第１導体層６１の形状は、円筒状である。各第１導体層６１は、第１中間層７１及び樹脂成形体３と接するように設けられている。第２導体層６２は、樹脂成形体３及び第２中間層７２と接するように樹脂成形体３の第１面３１に沿って設けられている。第３導体層６３は、樹脂成形体３及び第３中間層７３と接するようにチップ状電子部品２の側面２３と裏面２２とに沿って設けられている。
　（２．９）同軸構造
　電子部品１は、導体ピラー４の側面を囲むように導体ピラー４と同軸的に配置される導体層６０を備える。つまり、電子部品１は、導体ピラー４と、導体ピラー４の側面を囲むように配置され、導体ピラー４の側面から離れている導体層６０と、を含む同軸構造１４を有する。導体層６０は、上述のシールド部６の第１導体層６１により構成されている。電子部品１では、同軸構造１４が、導体ピラー４と導体層６０との間に介在する中間層７０を更に備える。中間層７０は、上述の絶縁部７の第１中間層７１により構成される電気絶縁層である。電子部品１では、樹脂成形体３が、導体層６０の側面を覆っている。
　（２．１０）第１グラウンド用配線層及び第２グラウンド用配線層
　第１グラウンド用配線層１２は、シールド部６と電気的に接続されている。より詳細には、第１グラウンド用配線層１２は、樹脂成形体３の第１面３１側において、シールド部６と接しており、導体層６０と電気的に接続されている。第１グラウンド用配線層１２は、シールド部６のうち第１導体層６１から見て第２導体層６２とは反対側のあるグラウンド用導体層６５と第１レジスト層９とに跨って形成されている。第１グラウンド用配線層１２の材料は、例えば、Ｃｕである。
　第２グラウンド用配線層１３は、シールド部６と電気的に接続されている。より詳細には、第２グラウンド用配線層１３は、樹脂成形体３の第２面３２側において、シールド部６の導体層６０（第１導体層６１）と接しており、導体層６０と電気的に接続されている。第２グラウンド用配線層１３は、導体層６０（第１導体層６１）の第２導体層６２側とは反対の端面６１２と樹脂成形体３の第２面３２とに跨って形成されている。第２グラウンド用配線層１３の材料は、例えば、Ｃｕである。
　（３）電子部品の製造方法
　次に、実施形態１に係る電子部品１の製造方法について、図３Ａ～３Ｆ、４Ａ～４Ｆ及び５Ａ～５Ｄを参照して説明する。
　電子部品１の製造方法では、チップ状電子部品２を準備した後、第１工程～第１２工程を順次行う。
　第１工程では、図３Ａに示すように、支持体１２０を準備する。支持体１２０は、平板状のベース１２３と、ベース１２３の厚さ方向の一面に接着層１２４により粘着された導電層１２５と、を含む。
　第２工程では、図３Ｂに示すように、支持体１２０の導電層１２５上に、複数の導体ピラー４を形成する。この工程においては、まず、支持体１２０の導電層１２５を覆うポジ型のフォトレジスト層を形成する。その後、フォトレジスト層において導体ピラー４の形成予定位置にある部分を、フォトリソグラフィ技術を利用して除去する（導体ピラー４の形成予定位置に開孔部を形成する）ことで、導電層１２５のうち導体ピラー４の下地となる部位を露出させる。その後、電解めっきによって導体ピラー４を形成する。導体ピラー４の形成にあたっては、硫酸銅を含むめっき液を介してフォトレジスト層の表面に対向配置された陽極と、導電層１２５からなる陰極との間に通電して、導体ピラー４を導電層１２５の露出表面からフォトレジスト層の厚さ方向に沿って析出させる。その後、フォトレジスト層を除去する。実施形態１に係る電子部品１の製造方法では、第２工程が、支持体１２０の表面１２１上に導電性を有するピラー４を形成するピラー形成工程を構成している。なお、支持体１２０の表面１２１は、導電層１２５の表面である。
　第３工程では、図３Ｃに示すように、導体ピラー４が形成された支持体１２０の導電層１２５上にチップ状電子部品２を仮固定する。より詳細には、まず、導電層１２５上に液状（ペースト状）の樹脂粘着層（図示せず）を形成する。続いて、チップ状電子部品２の表面２１を樹脂粘着層に対向させ、チップ状電子部品２を樹脂粘着層に押し付ける。これにより、第３工程では、樹脂粘着層を介してチップ状電子部品２を導電層１２５上に仮固定する。樹脂粘着層は、感光性を有するポジ型のレジストにより形成されていることが好ましい。実施形態１に係る電子部品１の製造方法では、第３工程が、部品配置工程を構成している。つまり、部品配置工程では、導体ピラー４の側面から離れた位置でチップ状電子部品２を支持体１２０の表面１２１上に配置する（支持体１２０に仮固定する）。ここにおいて、部品配置工程では、チップ状電子部品２の表面２１を支持体１２０の表面１２１に対向させてチップ状電子部品２を支持体１２０の表面１２１上に配置する。
　第４工程では、図４Ａに示すように、絶縁部７（図１Ａ参照）の元になる絶縁層７００を形成する。より詳細には、第４工程では、支持体１２０の表面１２１の露出部位と導体ピラー４の側面及び先端面とチップ状電子部品２の側面２３及び裏面２２とを覆う絶縁層７００を形成する。絶縁層７００は、中間層７０（第１中間層７１）、第２中間層７２及び第３中間層７３の他に、導体ピラー４の先端面を覆っている第４中間層７４を含んでいる。絶縁層７００の材料は、例えば、酸化シリコンである。第４工程では、例えばＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition）によって絶縁層７００を形成する。これにより、第４工程では、第１中間層７１と第２中間層７２と第３中間層７３と（第４中間層７４と）を一体形成することができる。第４工程では、ＣＶＤ法に限らず、例えば、スパッタリング法、スプレーコート法等によって絶縁層７００を形成してもよい。実施形態１に係る電子部品１の製造方法では、第４工程が、導体ピラー４の側面を覆う中間層７０を形成する中間層形成工程を構成している。
　第５工程では、図４Ｂに示すように、シールド部６（図１Ａ参照）の元になる金属層６００を形成する。より詳細には、第５工程では、絶縁層７００上に金属層６００を形成する。金属層６００は、導体層６０（第１導体層６１）、第２導体層６２及び第３導体層６３の他に、第４導体層６４を含んでいる。第４導体層６４は、第４中間層７４を覆うように形成される。金属層６００の材料は、例えば、Ｃｕである。第５工程では、例えばＣＶＤ法によって金属層６００を形成する。これにより、第５工程では、第１導体層６１と第２導体層６２と第３導体層６３と（第４導体層６４と）を一体形成することができる。第５工程では、ＣＶＤ法に限らず、例えば、スパッタリング法（例えば、斜めスパッタリング法）、蒸着法（例えば、斜め蒸着法）、スプレーコート法、無電解めっき等によって金属層６００を形成してもよい。実施形態１に係る電子部品１の製造方法では、第５工程が、中間層７０の側面を覆う導体層６０を形成する導体層形成工程を構成している。
　第６工程では、図４Ｃに示すように、支持体１２０上に、樹脂成形体３（図４Ｄ参照）の元になる樹脂構造体３０を形成する。ここにおいて、第６工程では、絶縁層７００を覆っている金属層６００を覆うように、樹脂構造体３０を支持体１２０上に形成する。要するに、第６工程では、支持体１２０の導電層１２５上に絶縁層７００及び金属層６００を介して樹脂構造体３０を形成する。ここで、樹脂構造体３０は、その厚さ方向において互いに反対側にある第１面３０１及び第２面３０２を有する。樹脂構造体３０の第１面３０１は、金属層６００の第２導体層６２に接する面である。樹脂構造体３０は、金属層６００及び絶縁層７００を介してチップ状電子部品２の裏面２２及び側面２３を覆っている。さらに、樹脂構造体３０は、金属層６００及び絶縁層７００を介して導体ピラー４の側面及び先端面を覆っている。したがって、樹脂構造体３０は樹脂成形体３よりも厚く、樹脂構造体３０の第２面３０２と導体ピラー４の先端面との間には樹脂構造体３０の一部、金属層６００の一部及び絶縁層７００の一部が介在している。
　第６工程では、樹脂構造体３０をプレス成形法によって成形する。樹脂構造体３０の形成法は、プレス成形法には限らない。第６工程では、例えば、スピンコート法、トランスファー成形法等を利用して樹脂構造体３０を成形してもよい。実施形態１に係る電子部品１の製造方法では、第６工程が、導体層６０の側面を覆う樹脂構造体３０を成形する樹脂成形工程を構成している。
　第７工程では、図４Ｄに示すように、樹脂構造体３０を樹脂成形体３の厚さになるまで第１面３０１とは反対の第２面３０２側から研磨することによって樹脂成形体３を形成する。要するに、第７工程では、導体ピラー４の先端面が露出しかつ樹脂構造体３０（図４Ｃ参照）の第２面３０２（図４Ｃ参照）が導体ピラー４の先端面と略面一となるように樹脂構造体３０を研磨する。第７工程では、導体ピラー４の先端面を露出させることが必須であり、導体ピラー４の先端面と樹脂構造体３０の第２面３０２とが面一となることは必須ではない。第７工程を行うことによって、樹脂成形体３と導体ピラー４と絶縁部７とシールド部６とを含む構造体が形成される。実施形態１に係る電子部品１の製造方法では、第７工程が、研磨工程を構成している。研磨工程は、樹脂成形工程よりも後に行う。研磨工程では、導体ピラー４の先端面を露出させるように樹脂構造体３０を研磨する。
　第８工程では、図４Ｅに示すように、チップ状電子部品２と樹脂成形体３と導体ピラー４と絶縁部７とシールド部６と支持体１２０と樹脂粘着層（図示せず）とを含む構造体から、支持体１２０及び樹脂粘着層を除去する。これにより、第８工程では、チップ状電子部品２の表面２１、導体ピラー４の両端面（第１端面４１及び第２端面４２）、絶縁部７の一部及びシールド部６の一部を露出させることができる。第８工程では、例えば、導電層１２５（図４Ｄ参照）とベース１２３（図４Ｄ参照）とを粘着している接着層１２４（図４Ｄ参照）の粘着力を低下させ、支持体１２０におけるベース１２３を除去する（剥離する）。接着層１２４は、紫外線、赤外線、熱のいずれかによって粘着力を低下させることが可能な接着剤によって形成されていることが好ましい。導電層１２５は、例えばウェットエッチングにより除去することできる。また、第８工程では、樹脂粘着層を露光してから現像することにより樹脂粘着層を除去することができる。実施形態１に係る電子部品１の製造方法では、第８工程が、支持体１２０を除去する除去工程を構成している。
　第９工程では、図４Ｆに示すように、チップ状電子部品２と導体ピラー４とを電気的に接続する複数の配線層５を形成する。第９工程では、例えば、スパッタリング法又はめっき、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を利用して各配線層５を形成する。実施形態１に係る電子部品１の製造方法では、第９工程が、配線層形成工程を構成している。配線層形成工程では、チップ状電子部品２と導体ピラー４とを電気的に接続する配線層５を形成する。
　また、第９工程では、図４Ｆに示すように、複数の第２グラウンド用配線層１３を形成する。第９工程では、例えば、スパッタリング法又はめっき、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を利用して第２グラウンド用配線層１３を形成する。
　第１０工程では、図５Ａに示すように、第１レジスト層９及び第２レジスト層１０それぞれを形成する。第１０工程では、例えば、スピンコート等の塗布技術と、フォトリソグラフィ技術とを利用して第１レジスト層９及び第２レジスト層１０それぞれを形成する。
　第１１工程では、図５Ｂに示すように、複数の導体ピラー４の第２端面４２上に、複数の導体ピラー４に一対一に対応する複数の電極８を形成する。より詳細には、第１１工程では、例えば、スパッタリング法等の薄膜形成技術と、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術とを利用して、各電極８を形成する。
　また、第１１工程では、図５Ｂに示すように、第１グラウンド用配線層１２を形成し、その後、第３レジスト層１１を形成する。より詳細には、第１１工程では、例えば、スパッタリング法等の薄膜形成技術と、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術とを利用して、第１レジスト層９上に第１グラウンド用配線層１２を形成する。その後、第１１工程では、例えば、スピンコート等の塗布技術と、フォトリソグラフィ技術とを利用して第３レジスト層１１を形成する。
　実施形態１に係る電子部品１の製造方法では、第１工程において支持体１２０として複数の電子部品１の集合体を形成可能な大きさの支持体１２０を用いれば、第１工程から第１１工程まで行うことによって、複数の電子部品１の集合体を形成することができる。この場合、例えば、複数の電子部品１の集合体を個々の電子部品１に分離するダイシングを行うことで複数の電子部品１を得ることができる。
　電子部品１を含む電子部品モジュール２００（図５Ｄ参照）の製造にあたっては、第１１工程の後で、以下の第１２工程、第１３工程を行ってから、個々の電子部品モジュール２００に分離することで複数の電子部品モジュール２００を得るようにしてもよい。
　第１２工程では、図５Ｃに示すように、電子部品１に導電性バンプ４３を形成する。その後、第１３工程では、図５Ｄに示すように、電子部品２０の端子電極と電子部品１の電極８とを導電性バンプ４３（４３Ｓ）を介して電気的かつ機械的に接続するとともに、電子部品２０のグラウンド用電極と電子部品１の第２グラウンド用配線層１３とを導電性バンプ４３（４３Ｇ）を介して電気的かつ機械的に接続する。その後、第１３工程では、電子部品２０を覆うカバー層２０１を形成する。カバー層２０１の材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン、ポリベンゾオキサゾール、フェノール樹脂又はシリコーン樹脂を採用することができる。カバー層２０１は、電子部品１上の電子部品２０を封止する封止層としての機能を有する。第１３工程では、カバー層２０１を形成した後、電子部品１の各配線層５に電気的に接続される導電性バンプ４４（４４Ｓ）及び第１グラウンド用配線層１２に電気的に接続される導電性バンプ４４（４４Ｇ）を形成する。上述の導電性バンプ４３、４４は、はんだバンプである。導電性バンプ４３、４４は、はんだバンプに限らず、例えば金バンプであってもよい。
　第１３工程では、例えば、導電性バンプ４４を形成した後、個々の電子部品モジュール２００に分離する。その後、図５Ｄに示すように、電子部品モジュール２００を回路基板１５に実装する。電子部品モジュール２００では、チップ状電子部品２の表面２１と回路基板１５との間に間隙２０３が形成されている。
　（４）効果
　実施形態１に係る電子部品１の製造方法は、支持体１２０の表面１２１上に導体ピラー４を形成するピラー形成工程と、導体ピラー４の側面を覆う中間層７０を形成する中間層形成工程と、中間層７０の側面を覆う導体層６０を形成する導体層形成工程と、導体層６０の側面を覆う樹脂構造体３０を成形する樹脂成形工程と、を備える。これにより、実施形態１に係る電子部品１の製造方法では、導体ピラー４と導体層６０とを含む同軸構造１４を有する電子部品１をより容易に製造可能となる。この点について更に説明する。実施形態１に係る電子部品１の製造方法では、導体ピラー４を先に形成してから、導体ピラー４の側面を覆うように中間層７０を形成し、その後、中間層７０の側面を覆うように導体層６０を形成する。これにより、実施形態１に係る電子部品１の製造方法では、従来の電子部品の製造方法のように貫通孔に充填体を充填してから充填体に信号ビア導体（導体ビア）を形成するための貫通孔を形成するような場合と比べて、導体ピラー４のアスペクト比が高くなっても容易に同軸構造１４を形成することが可能となる。また、実施形態１に係る電子部品１の製造方法により製造された電子部品１は、例えば、導体ピラー４が外部からの電磁波の影響を受けにくいという利点、導体ピラー４を通る高周波信号の伝搬ロスを少なくできるという利点がある。また、同軸構造を形成するために複数の生シート（グリーンシート）の貫通孔内にメタライズインクを印刷して、複数の生シートを積層・圧着した後、焼成するような製造方法では、同軸構造において信号ビア導体を囲んでいる信号ビア導体に対する接地ビア導体の位置がずれやすく、同軸構造の電磁シールド性能が低下する懸念がある。これに対して、実施形態１に係る電子部品１の製造方法では、導体ピラー４に対して中間層７０を積層し、中間層７０に導体層６０を積層するので、導体ピラー４と導体層６０との相対的な位置精度を向上させることが可能となり、導体ピラー４が外部からの電磁波の影響をより受けにくくなる。
　また、実施形態１に係る電子部品１の製造方法では、樹脂成形工程よりも後で支持体１２０を除去する除去工程を更に備える。これにより、実施形態１に係る電子部品１の製造方法では、同軸構造１４における支持体１２０側の端面を露出させることができる。同軸構造１４における支持体１２０側の端面において導体ピラー４及び導体層６０それぞれへの他の構成要素の電気的な接続が可能となる。
　また、実施形態１に係る電子部品１の製造方法は、ピラー形成工程と中間層形成工程との間の部品配置工程と、除去工程よりも後の配線層形成工程と、を更に備える。部品配置工程では、導体ピラー４の側面から離れた位置でチップ状電子部品２を支持体１２０の表面１２１上に配置する。配線層形成工程では、チップ状電子部品２と導体ピラー４とを電気的に接続する配線層５を形成する。よって、実施形態１に係る電子部品１の製造方法では、同軸構造１４とチップ状電子部品２と配線層５とを有する電子部品１をより容易に製造可能となる。
　また、実施形態１に係る電子部品１の製造方法では、部品配置工程において、チップ状電子部品２の表面２１を支持体１２０の表面１２１に対向させてチップ状電子部品２を支持体１２０の表面１２１上に配置する。中間層形成工程において、中間層７０である第１中間層７１と、支持体１２０の表面１２１のうち露出している領域を覆う第２中間層７２と、チップ状電子部品２の側面２３のうち露出している領域及び裏面２２の両方を覆う第３中間層７３と、を一体形成する。中間層形成工程では、第１中間層７１と第２中間層７２と第３中間層７３とを、同一の材料を用いて１つの工程で略同時に形成することにより、第１中間層７１と第２中間層７２と第３中間層７３とを一体形成する。これにより、電子部品１の製造方法では、第１中間層７１と第２中間層７２との間、及び第２中間層７２と第３中間層７３との間のそれぞれで界面が発生しないから、熱応力等による絶縁部７の破断が起こりにくくなる。よって、電子部品１の製造方法では、電気絶縁性に関する信頼性の高い電子部品１を製造可能となる。
　また、実施形態１に係る電子部品１の製造方法では、導体層形成工程において、導体層６０である第１導体層６１と、第２中間層７２を覆う第２導体層６２と、第３中間層７３を覆う第３導体層６３と、を一体形成する。導体層形成工程では、第１導体層６１と第２導体層６２と第３導体層６３とを、同一の材料を用いて１つの工程で略同時に形成することにより、第１導体層６１と第２導体層６２と第３導体層６３とを一体形成する。これにより、電子部品１の製造方法では、第１導体層６１と第２導体層６２との間、及び第２導体層６２と第３導体層６３との間のそれぞれで界面が発生しないから、熱応力等によるシールド部６の破断が起こりにくくなる。よって、電子部品１の製造方法では、電磁シールド性能の信頼性の高い電子部品１を製造可能となる。この電子部品１の製造方法により製造された電子部品１を含む電子部品モジュール２００（図５Ｄ参照）や電子部品モジュール２１０では、第３導体層６３により第１方向Ｄ１の電磁シールド性能を高めることができるので、第１方向Ｄ１における電子部品１と別の電子部品２０との距離をより短くすることが可能となり、低背化を図れる。
　また、実施形態１に係る電子部品１の製造方法では、樹脂成形工程において、支持体１２０の表面１２１側において第１導体層６１、第２導体層６２及び第３導体層６３を覆うように樹脂構造体３０を成形する。電子部品１の製造方法は、導体ピラー４の先端面を露出させるように樹脂構造体３０を研磨する研磨工程を更に備える。よって、電子部品１の製造方法では、樹脂構造体３０を研磨することにより、導体ピラー４を含む同軸構造１４を露出させることができる。これにより、電子部品１の製造方法では、導体ピラー４及び第１導体層６１を樹脂構造体３０から突出させずに露出させることが可能となる。研磨後の樹脂構造体３０が樹脂成形体３である。
　また、実施形態１に係る電子部品１の製造方法では、中間層７０は、電気絶縁層である。これにより、電子部品１の製造方法では、導体ピラー４と導体層６０との間に中間層７０として電気絶縁層を介在させることができる。実施形態１に係る電子部品１の製造方法では、導体ピラー４と導体層６０との同軸度の精度を高めることが可能となる。
　また、実施形態１に係る電子部品１の製造方法では、導体層形成工程において、ＣＶＤ法又はスパッタリング法により導体層６０を形成する。これにより、電子部品１の製造方法では、導体層６０の厚さの均一性を向上させることが可能となる。また、電子部品１の製造方法では、導体層形成工程において、ＣＶＤ法により導体層６０を形成することにより、例えば導体層６０をスパッタリング法により形成する場合と比べて、導体層６０の厚さの均一性を向上させることが可能となる。
　また、実施形態１に係る電子部品１の製造方法では、中間層形成工程において、ＣＶＤ法、スパッタリング法又はスプレーコート法により中間層７０を形成する。これにより、電子部品１の製造方法では、中間層７０の厚さの均一性を向上させることが可能となる。
　また、実施形態１に係る電子部品１の製造方法では、支持体１２０は、導電層１２５を含む。ピラー形成工程では、導電層１２５上に、めっきにより導体ピラー４を形成する。これにより、電子部品１の製造方法では、導体ピラー４を容易に形成することが可能となる。
　実施形態１に係る電子部品１は、導体ピラー４と、導体層６０と、電気絶縁層からなる中間層７０と、樹脂成形体３と、を備える。導体層６０は、導体ピラー４の側面を囲むように配置されている。導体層６０は、導体ピラー４の側面から離れている。樹脂成形体３は、導体層６０の側面を覆っている。
　実施形態１に係る電子部品１は、従来の同軸構造を有する電子部品よりも、より容易に製造可能である。実施形態１に係る電子部品１は、導体ピラー４と導体層６０とを含む同軸構造１４を有するので、導体ピラー４が外部からの電磁波の影響を受けにくいという利点、導体ピラー４を通る高周波信号の伝搬ロスを少なくできるという利点がある。
　また、実施形態１に係る電子部品１は、導体ピラー４と導体層６０との間に介在する電気絶縁層からなる中間層７０を更に備える。これにより、電子部品１では、製造が容易になり、また、導体ピラー４と導体層６０との同軸度を安定させることができる。
　また、実施形態１に係る電子部品１は、導体層６０の側面から離れて配置されたチップ状電子部品２を更に備える。樹脂成形体３は、導体層６０の側面と、チップ状電子部品２の側面２３の少なくとも一部及び裏面２２と、を覆っている。よって、電子部品１では、例えばチップ状電子部品２が動作しているときに電磁波を発生する部品であっても、導体ピラー４を通る高周波信号がチップ状電子部品２からの電磁波の影響を受けにくくなる。
　また、実施形態１に係る電子部品１は、チップ状電子部品２と導体ピラー４とを電気的に接続している配線層５を更に備える。電子部品１は、チップ状電子部品２と導体ピラー４との間で配線層５を介して高周波信号を通すことができる。電子部品１では、導体ピラー４が導体層６０により囲まれていることにより、配線層５と導体ピラー４とを通る高周波信号がチップ状電子部品２からの電磁波の影響を受けにくくなるので、配線層５の配線長をより短くすることが可能となり、電子部品１の小型化を図ることが可能となる。
　また、実施形態１に係る電子部品１では、絶縁部７の誘電率及び誘電正接が、それぞれ、樹脂成形体３の誘電率及び誘電正接よりも小さく、また、絶縁部７の誘電率及び誘電正接が、それぞれ、チップ状電子部品２において機能部（ＩＤＴ電極、端子電極等）を支持している基材（ＳＡＷフィルタの場合、例えば、圧電基板）の誘電率及び誘電正接よりも小さい。これにより、電子部品１では、同軸構造１４の導体層６０と配線層５との間で発生する寄生容量、及び導体層６０とチップ状電子部品２の機能部との間で発生する寄生容量を低減することができる。
　（５）変形例
　（５．１）変形例１
　実施形態１の変形例１に係る電子部品１ａは、図６に示すように、実施形態１に係る電子部品１（図１Ａ参照）における第１グラウンド用配線層１２及び第３レジスト層１１を備えていない点で、実施形態１に係る電子部品１と相違する。変形例１に係る電子部品１ａに関し、実施形態１に係る電子部品１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　変形例１に係る電子部品１ａでは、第１グラウンド用配線層１２及び第３レジスト層１１を備えていないので、実施形態１の電子部品１と比べて製造が容易になる。
　（５．２）変形例２
　実施形態１の変形例２に係る電子部品１ｂは、図７に示すように、第１レジスト層９が配線層５全体を覆っている点、及び第１グラウンド用配線層１２が第１レジスト層９全体を覆っている点で、実施形態１に係る電子部品１と相違する。変形例２に係る電子部品１ｂに関し、実施形態１に係る電子部品１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　変形例２に係る電子部品１ｂでは、配線層５を通る高周波信号が電子部品１の外部からの電磁波の影響を受けにくくなる。これにより、変形例２に係る電子部品１ｂでは、より良好な特性が得られる。変形例２に係る電子部品１ｂの製造方法は、実施形態１に係る電子部品１の製造方法と同様であり、第１レジスト層９を形成する際のフォトマスク、及び第１グラウンド用配線層１２を形成する際のフォトマスクのパターンが相違するだけである。
　（５．３）変形例３
　実施形態１の変形例３に係る電子部品１ｃは、図８に示すように、第２方向Ｄ２において並ぶ２つの電子部品２０ｃを実装できるように第２方向Ｄ２における第２グラウンド用配線層１３の全長（配線長）を長くしてある点で、実施形態１に係る電子部品１と相違する。また、変形例３に係る電子部品１ｃは、第２グラウンド用配線層１３において第２レジスト層１０により覆われていない領域上に電極１６を形成してある点で、実施形態１に係る電子部品１と相違する。変形例３に係る電子部品１ｃに関し、実施形態１に係る電子部品１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　変形例３に係る電子部品１ｃと２つの電子部品２０ｃとを含む電子部品モジュール２２０では、各電子部品２０ｃの端子電極が電子部品１ｃの電極８に接合部４６（４６Ｓ）により接合されることで電気的かつ機械的に接続され、各電子部品２０ｃのグラウンド電極が電子部品１ｃの電極１６に接合部４６（４６Ｇ）により接合されることで電気的かつ機械的に接続されている。接合部４６は、導電性接着材（例えば、導電ペースト）により形成されている。電子部品モジュール２２０は、回路基板１５を含んでいる。ただし、電子部品モジュール２２０では、回路基板１５は必須の構成要素ではない。
　電子部品モジュール２２０では、電子部品１ｃと各電子部品２０ｃとの電磁波による干渉を防ぐことができる。
　変形例３に係る電子部品１ｃの製造方法は、実施形態１に係る電子部品１の製造方法と同様であり、電極８を形成する際に電極１６も形成する点が相違する。
　（５．４）その他の変形例
　実施形態１に係る電子部品１では、樹脂成形体３の第２面３２が平面状であり、樹脂成形体３の第２面３２からチップ状電子部品２の表面２１までの最短距離が、第２面３２から第１面３１までの最短距離よりも長い。これにより、実施形態１に係る電子部品１では、低背化を図ることができる。
　これに対して、実施形態１の変形例として、樹脂成形体３の第２面３２が平面状であり、樹脂成形体３の第２面３２からチップ状電子部品２の表面２１までの距離が、樹脂成形体３の第２面３２から樹脂成形体３の第１面３１までの距離よりも短くてもよい。これにより、本変形例に係る電子部品１では、チップ状電子部品２の表面２１に傷がつきにくくなる。
　また、実施形態１の別の変形例として、樹脂成形体３の第２面３２が平面状であり、樹脂成形体３の第２面３２からチップ状電子部品２の表面２１までの距離が、樹脂成形体３の第２面３２から樹脂成形体３の第１面３１までの距離と同じであってもよい。
　要するに、樹脂成形体３は、チップ状電子部品２の側面２３の少なくとも一部を覆っていればよい。「チップ状電子部品２の側面２３の少なくとも一部を覆っている」とは、チップ状電子部品２の側面２３に関して、少なくとも、チップ状電子部品２の側面２３のうち表面２１側の第１端よりも裏面２２側の第２端側にずれた位置から側面２３と裏面２２との境界まで側面２３を全周に亘って覆っていることを意味し、チップ状電子部品２の側面２３の全部を覆っている場合を含む。
　第３導体層６３は、第３中間層７３の全面を覆っている場合に限らず、例えば、１乃至複数の孔が形成されていてもよい。
　電子部品１は、図１Ａの例では、１つのチップ状電子部品２に対して、チップ状電子部品２に直接接続された２つの配線層５を備えるが、配線層５の数は、２つには限らない。配線層５の数は、１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。また、導体ピラー４の数は、２つに限らない。導体ピラー４の数は、１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。電子部品１では、複数の導体ピラー４が例えば第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２とに直交する方向（第３方向）において並んでいる場合、複数の同軸構造１４も第３方向に並んでいるので、第３方向において隣り合う導体ピラー４間の距離を短くすることが可能となる。
　上記の各変形例に係る電子部品１においても、実施形態１に係る電子部品１と同様の効果を奏する。
　また、実施形態１に係る電子部品１の製造方法は、一例であり、実施形態１に係る電子部品１の他の製造方法では、上述の第２工程（ピラー形成工程）と第３工程（部品配置工程）との順序が逆である。したがって、上記他の製造方法では、図９Ａに示すようにチップ状電子部品２を支持体１２０の表面１２１上に配置する部品配置工程を行ってから、図９Ｂに示すように支持体１２０の表面１２１上に導電性を有するピラー４を形成するピラー形成工程を行う。ここにおいて、部品配置工程では、支持体１２０の導電層１２５上にチップ状電子部品２を仮固定する。より詳細には、まず、導電層１２５上に液状（ペースト状）の樹脂粘着層（図示せず）を形成する。続いて、チップ状電子部品２の表面２１を樹脂粘着層に対向させ、チップ状電子部品２を樹脂粘着層に押し付ける。これにより、部品配置工程では、樹脂粘着層を介してチップ状電子部品２を導電層１２５上に仮固定する。また、ピラー形成工程では、図９Ｂに示すようにチップ状電子部品２の側面２３から離れた位置で、ピラー４を支持体１２０の表面１２１上に配置する。より詳細には、ピラー形成工程では、支持体１２０の導電層１２５上に、複数の導体ピラー４を形成する。この工程においては、まず、支持体１２０の導電層１２５の露出領域及びチップ状電子部品２を覆うポジ型のフォトレジスト層を形成する。その後、フォトレジスト層において導体ピラー４の形成予定位置にある部分を、フォトリソグラフィ技術を利用して除去する（導体ピラー４の形成予定位置に開孔部を形成する）ことで、導電層１２５のうち導体ピラー４の下地となる部位を露出させる。その後、電解めっきによって導体ピラー４を形成する。導体ピラー４の形成にあたっては、硫酸銅を含むめっき液を介してフォトレジスト層の表面に対向配置された陽極と、導電層１２５からなる陰極との間に通電して、導体ピラー４を導電層１２５の露出表面からフォトレジスト層の厚さ方向に沿って析出させる。その後、フォトレジスト層を除去する。
　上記他の製造方法では、ピラー形成工程の後、導体ピラー４の側面を覆う中間層７０を形成する中間層形成工程を行うことで図９Ｃに示す構造を得てから、中間層７０の側面を覆う導体層６０を形成する導体層形成工程を行うことで図９Ｄに示す構造を得る。ここにおいて、ピラー形成工程は、部品配置工程と中間層形成工程との間の工程である。また、中間層形成工程では、上記第４工程と同様、絶縁部７（図１Ａ参照）の元になる絶縁層７００を形成する。より詳細には、中間層形成工程では、支持体１２０の表面１２１の露出部位と導体ピラー４の側面及び先端面とチップ状電子部品２の側面２３及び裏面２２とを覆う絶縁層７００を形成する。絶縁層７００は、中間層７０（第１中間層７１）、第２中間層７２及び第３中間層７３の他に、導体ピラー４の先端面を覆っている第４中間層７４を含んでいる。また、導体層形成工程では、上記第５工程と同様、絶縁層７００上に金属層６００を形成する。金属層６００は、導体層６０（第１導体層６１）、第２導体層６２及び第３導体層６３の他に、第４導体層６４を含んでいる。なお、上記他の製造方法では、導電層形成工程よりも後の工程は、実施形態１に係る電子部品１の製造方法と同じである。
　上記他の製造方法では、実施形態１に係る電子部品１の製造方法と同様、同軸構造１４とチップ状電子部品２と配線層５とを有する電子部品１をより容易に製造可能となる。また、上記他の製造方法では、実施形態１に係る電子部品１の製造方法と比べて、チップ状電子部品２の配置が容易になる。
　（実施形態２）
　実施形態２に係る電子部品１ｄは、図１０に示すように、複数（図示例では２つ）のチップ状電子部品２が設けられている点で、実施形態１に係る電子部品１（図１Ａ参照）と相違する。実施形態２に係る電子部品１ｄに関し、実施形態１に係る電子部品１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　実施形態２に係る電子部品１ｄの製造方法は、実施形態１に係る電子部品１の製造方法と同様であり、部品配置工程において複数のチップ状電子部品２を配置する点が相違する。
　実施形態２に係る電子部品１ｄでは、各チップ状電子部品２の側面２３が第３中間層７３を介して第３導体層６３により覆われているので、隣り合う２つのチップ状電子部品２同士の電磁波による干渉を防ぐことができる。これにより、実施形態２に係る電子部品１ｄでは、隣り合う２つのチップ状電子部品２間の距離をより短くすることが可能となるから、複数のチップ状電子部品２を備えた構成において、小型化が可能となる。
　複数のチップ状電子部品２は、同じ種類のチップ状電子部品であってもよいし、互いに異なる種類のチップ状電子部品であってもよい。また、チップ状電子部品２の数は、２つに限らず、３つ以上でもよい。チップ状電子部品２の数が３つ以上の場合、チップ状電子部品２のうちの一部のチップ状電子部品２のみが同じチップ状電子部品であってもよい。また、電子部品１が複数のチップ状電子部品２を備える場合、チップ状電子部品２ごとに、導体ピラー４及び配線層５のレイアウトが相違してもよい。
　（実施形態３）
　実施形態３に係る電子部品１ｅは、図１１に示すように、実施形態１に係る電子部品１（図１Ａ参照）におけるチップ状電子部品２が設けられていない点で、実施形態１に係る電子部品１と相違する。実施形態３に係る電子部品１ｅに関し、実施形態１に係る電子部品１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　実施形態３に係る電子部品１ｅの製造方法は、実施形態１に係る電子部品１の製造方法と同様であり、部品配置工程を備えていない点で相違する。
　電子部品１ｅでは、配線層５は、実施形態１に係る電子部品１（図１Ａ参照）におけるチップ状電子部品２と導体ピラー４とのうち導体ピラー４のみと接続されている。電子部品１ｅは、例えば、同軸構造１４を有する配線基板として使用することができる。
　電子部品１ｅでは、導体ピラー４と導体層６０との間の中間層７０が電気絶縁層であるが、これに限らない。電子部品１ｅでは、中間層７０が空気層であってもよい。中間層７０を空気層とする場合には、電子部品１ｅを製造する際に、導体ピラー４と導体層６０との間に介在させた犠牲層をエッチング除去すればよい。この場合の犠牲層は、電子部品１ｅの製造方法においては、中間層形成工程において形成する電気絶縁層からなる中間層７０である。犠牲層は、電気絶縁性を有する材料により形成する場合に限らず、導電性を有する材料により形成してもよい。
　（実施形態４）
　実施形態４に係る電子部品１ｆは、図１２に示すように、中間層７０（第１中間層７１）、第２中間層７２及び第３中間層７３ｆの他に、チップ状電子部品２の側面２３及び裏面２２の両方を覆う絶縁層７７を備えている点で、実施形態１に係る電子部品１（図１Ａ参照）と相違する。また、実施形態４に係る電子部品１ｆは、実施形態１に係る電子部品１の第３中間層７３の代わりに、第３中間層７３ｆを備えている点で、実施形態１に係る電子部品１と相違する。実施形態４に係る電子部品１ｆに関し、実施形態１に係る電子部品１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　絶縁層７７は、電気絶縁性を有する。電子部品１ｆでは、絶縁層７７の誘電率及び誘電正接が、それぞれ、樹脂成形体３の誘電率及び誘電正接よりも小さい。また、電子部品１ｆでは、絶縁層７７の誘電率及び誘電正接が、それぞれ、チップ状電子部品２において機能部を支持している基材（ＳＡＷフィルタの場合、例えば、圧電基板）の誘電率及び誘電正接よりも小さい。絶縁層７７は、無機絶縁層で構成されている。無機絶縁層は、無機絶縁材料により形成されている。無機絶縁層に用いられる無機絶縁材料は、例えば、酸化シリコンである。絶縁層７７は、無機絶縁層に限らず、有機絶縁層であってもよい。有機絶縁層の材料は、例えば、フッ素系樹脂、ビスマレイミド等である。絶縁層７７の材料は、中間層７０の材料と同じでもよいし異なっていてもよい。
　また、実施形態４に係る電子部品１ｆでは、複数のピラー４のうち少なくとも１つのピラー４の側面の少なくとも一部が絶縁層７７と隣接している。
　実施形態４に係る電子部品１ｆでは、第３中間層（第３絶縁部）７３ｆは、絶縁層７７と接触するように設けられている。ここにおいて、第３中間層７３ｆは、絶縁層７７を介してチップ状電子部品２の裏面２２及び側面２３を覆うように形成されている。実施形態４に係る電子部品１ｆでは、複数の第１中間層７１と第２中間層７２と第３中間層７３ｆとは、一体に形成されている。
　以下、実施形態４に係る電子部品１ｆの製造方法について、図１３Ａ～１３Ｆ及び図１４Ａ～１４Ｆを参照して説明する。なお、実施形態４に係る電子部品１ｆの製造方法について、実施形態１に係る電子部品１の製造方法と同様の工程については説明を適宜省略する。
　実施形態４に係る電子部品１ｆの製造方法では、チップ状電子部品２及び支持体１２０を準備した後、第１工程～第１１工程を順次行う。
　第１工程は、部品配置工程である。部品配置工程では、図１３Ａに示すように、支持体１２０の導電層１２５上にチップ状電子部品２を仮固定する。
　第２工程は、絶縁層７７の元になる絶縁膜７７０（図１３Ｂ参照）を形成する絶縁膜形成工程である。絶縁膜７７０の材料は、例えば、酸化シリコンである。第２工程では、例えばＣＶＤ法によって絶縁膜７７０を形成する。第２工程では、ＣＶＤ法に限らず、例えば、スパッタリング法、スプレーコート法等によって絶縁膜７７０を形成してもよい。
　第３工程では、例えば、リソグラフィ技術及びエッチング技術を利用して絶縁膜７７０をパターニングすることにより絶縁層７７（図１３Ｃ参照）を形成する。実施形態４に係る電子部品１ｆの製造方法では、第２工程と第３工程とで、チップ状電子部品２の側面２３及び裏面２２の両方を覆う絶縁層７７を形成する絶縁層形成工程を構成している。
　第４工程では、支持体１２０の表面１２１上に導電性を有するピラー４を形成するピラー形成工程を行う。ピラー形成工程では、支持体１２０の導電層１２５上に、複数の導体ピラー４を形成する。この工程においては、まず、支持体１２０の導電層１２５の露出領域及びチップ状電子部品２を覆うポジ型のフォトレジスト層を形成する。その後、フォトレジスト層において導体ピラー４の形成予定位置にある部分を、フォトリソグラフィ技術を利用して除去する（導体ピラー４の形成予定位置に開孔部を形成する）ことで、導電層１２５のうち導体ピラー４の下地となる部位を露出させる。その後、電解めっきによって導体ピラー４を形成する。導体ピラー４の形成にあたっては、硫酸銅を含むめっき液を介してフォトレジスト層の表面に対向配置された陽極と、導電層１２５からなる陰極との間に通電して、導体ピラー４を導電層１２５の露出表面からフォトレジスト層の厚さ方向に沿って析出させる。その後、フォトレジスト層を除去する。
　第５工程では、図１３Ｅに示すように、絶縁部７ｆ（図１２参照）の元になる絶縁層７００ｆを形成する。より詳細には、第５工程では、支持体１２０の表面１２１の露出部位と導体ピラー４の側面及び先端面と絶縁層７７とを覆う絶縁層７００ｆを形成する。絶縁層７００ｆは、中間層７０（第１中間層７１）、第２中間層７２及び第３中間層７３ｆの他に、導体ピラー４の先端面を覆っている第４中間層７４を含んでいる。絶縁層７００ｆの材料は、例えば、酸化シリコンである。第５工程では、例えばＣＶＤ法によって絶縁層７００ｆを形成する。これにより、第５工程では、第１中間層７１と第２中間層７２と第３中間層７３ｆと（第４中間層７４と）を一体形成することができる。第５工程では、ＣＶＤ法に限らず、例えば、スパッタリング法、スプレーコート法等によって絶縁層７００ｆを形成してもよい。実施形態４に係る電子部品１ｆの製造方法では、第５工程が、導体ピラー４の側面を覆う中間層７０を形成する中間層形成工程を構成している。
　第６工程では、図１３Ｆに示すように、シールド部６（図１２参照）の元になる金属層６００を形成する。より詳細には、第６工程では、絶縁層７００ｆ上に金属層６００を形成する。金属層６００は、導体層６０（第１導体層６１）、第２導体層６２及び第３導体層６３の他に、第４導体層６４を含んでいる。第６工程では、例えばＣＶＤ法によって金属層６００を形成する。これにより、第６工程では、第１導体層６１と第２導体層６２と第３導体層６３と（第４導体層６４と）を一体形成することができる。第６工程では、ＣＶＤ法に限らず、例えば、スパッタリング法（例えば、斜めスパッタリング法）、蒸着法（例えば、斜め蒸着法）、スプレーコート法、無電解めっき等によって金属層６００を形成してもよい。実施形態４に係る電子部品１ｆの製造方法では、第６工程が、中間層７０の側面を覆う導体層６０を形成する導体層形成工程を構成している。
　第７工程では、図１４Ａに示すように、支持体１２０上に、樹脂成形体３（図１４Ｂ参照）の元になる樹脂構造体３０を形成する。ここにおいて、第７工程では、絶縁層７００ｆを覆っている金属層６００を覆うように、樹脂構造体３０を支持体１２０上に形成する。要するに、第７工程では、支持体１２０の導電層１２５上に絶縁層７００ｆ及び金属層６００を介して樹脂構造体３０を形成する。ここで、樹脂構造体３０は、その厚さ方向において互いに反対側にある第１面３０１及び第２面３０２を有する。樹脂構造体３０の第１面３０１は、金属層６００の第２導体層６２に接する面である。樹脂構造体３０は、金属層６００、絶縁層７００ｆ及び絶縁層７７を介してチップ状電子部品２の裏面２２及び側面２３を覆っている。さらに、樹脂構造体３０は、金属層６００及び絶縁層７００ｆを介して導体ピラー４の側面及び先端面を覆っている。したがって、樹脂構造体３０は樹脂成形体３よりも厚く、樹脂構造体３０の第２面３０２と導体ピラー４の先端面との間には樹脂構造体３０の一部、金属層６００の一部及び絶縁層７００ｆの一部が介在している。実施形態４に係る電子部品１ｆの製造方法では、第７工程が、導体層６０の側面を覆う樹脂構造体３０を成形する樹脂成形工程を構成している。
　第８工程では、図１４Ｂに示すように、樹脂構造体３０を樹脂成形体３の厚さになるまで第１面３０１とは反対の第２面３０２側から研磨することによって樹脂成形体３を形成する。第８工程を行うことによって、樹脂成形体３と導体ピラー４と絶縁部７ｆとシールド部６とを含む構造体が形成される。実施形態４に係る電子部品１ｆの製造方法では、第８工程が、研磨工程を構成している。
　第９工程では、図１４Ｃに示すように、チップ状電子部品２と樹脂成形体３と導体ピラー４と絶縁部７ｆとシールド部６と支持体１２０と樹脂粘着層（図示せず）とを含む構造体から、支持体１２０及び樹脂粘着層を除去する。これにより、第９工程では、チップ状電子部品２の表面２１、導体ピラー４の両端面（第１端面４１及び第２端面４２）、絶縁部７ｆの一部及びシールド部６の一部を露出させることができる。実施形態４に係る電子部品１ｆの製造方法では、第９工程が、支持体１２０を除去する除去工程を構成している。
　第１０工程では、図１４Ｄに示すように、チップ状電子部品２と導体ピラー４とを電気的に接続する複数の配線層５を形成する。実施形態４に係る電子部品１ｆの製造方法では、第１０工程が、配線層形成工程を構成している。配線層形成工程では、チップ状電子部品２と導体ピラー４とを電気的に接続する配線層５を形成する。
　また、第１０工程では、図１４Ｄに示すように、複数の第２グラウンド用配線層１３を形成する。
　第１１工程では、図１４Ｅに示すように、第１レジスト層９及び第２レジスト層１０それぞれを形成する。
　第１２工程では、図１４Ｆに示すように、複数の導体ピラー４の第２端面４２上に、複数の導体ピラー４に一対一に対応する複数の電極８を形成する。
　また、第１２工程では、図１４Ｆに示すように、第１グラウンド用配線層１２を形成し、その後、第３レジスト層１１を形成する。
　実施形態４に係る電子部品１ｆの製造方法は、実施形態１に係る電子部品１の製造方法と同様、支持体１２０の表面１２１上に導体ピラー４を形成するピラー形成工程と、導体ピラー４の側面を覆う中間層７０を形成する中間層形成工程と、中間層７０の側面を覆う導体層６０を形成する導体層形成工程と、導体層６０の側面を覆う樹脂構造体３０を成形する樹脂成形工程と、を備える。これにより、実施形態４に係る電子部品１ｆの製造方法では、実施形態１に係る電子部品１の製造方法と同様、導体ピラー４と導体層６０とを含む同軸構造１４を有する電子部品１ｆをより容易に製造可能となる。
　以上説明した実施形態１～４は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。実施形態１～４は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
　（まとめ）
　以上説明した実施形態等から以下の態様が開示されていることは明らかである。
　第１の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）の製造方法は、支持体（１２０）の表面（１２１）上に導電性を有するピラー（４）を形成するピラー形成工程と、ピラー（４）の側面を覆う中間層（７０）を形成する中間層形成工程と、中間層（７０）の側面を覆う導体層（６０）を形成する導体層形成工程と、導体層（６０）の側面を覆う樹脂構造体（３０）を成形する樹脂成形工程と、を備える。
　第１の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）の製造方法では、ピラー（４）と導体層（６０）とを含む同軸構造（１４）を有する電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）をより容易に製造可能となる。
　第２の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）の製造方法は、第１の態様において、樹脂成形工程よりも後で支持体（１２０）を除去する除去工程を更に備える。
　第２の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）の製造方法では、同軸構造（１４）における支持体（１２０）側の端面を露出させることができる。
　第３の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）の製造方法は、第２の態様において、ピラー形成工程と中間層形成工程との間の部品配置工程と、除去工程よりも後の配線層形成工程と、を更に備える。部品配置工程では、ピラー（４）の側面から離れた位置でチップ状電子部品（２）を支持体（１２０）の表面（１２１）上に配置する。配線層形成工程では、チップ状電子部品（２）とピラー（４）とを電気的に接続する配線層（５）を形成する。
　第３の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）の製造方法では、同軸構造（１４）とチップ状電子部品（２）と配線層（５）とを有する電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）をより容易に製造可能となる。
　第４の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）の製造方法は、第２の態様において、チップ状電子部品（２）を支持体（１２０）の表面（１２１）上に配置する部品配置工程と、除去工程よりも後の配線層形成工程と、を更に備える。ピラー形成工程は、部品配置工程と中間層形成工程との間の工程である。ピラー形成工程では、チップ状電子部品（２）の側面（２３）から離れた位置で、ピラー（４）を支持体（１２０）の表面（１２１）上に配置し、配線層形成工程では、チップ状電子部品（２）とピラー（４）とを電気的に接続する配線層（５）を形成する。
　第４の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）の製造方法では、同軸構造（１４）とチップ状電子部品（２）と配線層（５）とを有する電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）をより容易に製造可能となる。
　第５の態様に係る電子部品（１ｆ）の製造方法では、第２の態様において、チップ状電子部品（２）の表面（２１）を支持体（１２０）の表面（１２１）に対向させてチップ状電子部品（２）を支持体（１２０）の表面（１２１）上に配置する部品配置工程と、部品配置工程とピラー形成工程との間で、チップ状電子部品（２）の側面（２３）及び裏面（２２）の両方を覆う絶縁層（７７）を形成する絶縁層形成工程と、除去工程よりも後の配線層形成工程と、を更に備える。ピラー形成工程は、絶縁層形成工程と中間層形成工程との間においてピラー（４）を複数形成する工程である。ピラー形成工程では、複数のピラー（４）のうち少なくとも１つのピラー（４）の側面の少なくとも一部が絶縁層（７７）と隣接するように複数のピラー（４）を支持体（１２０）の表面（１２１）上に形成する。
　第５の態様に係る電子部品（１ｆ）の製造方法では、同軸構造（１４）とチップ状電子部品（２）と配線層（５）とを有する電子部品（１ｆ）をより容易に製造可能となる。
　第６の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）の製造方法は、第３又は４の態様において、部品配置工程では、チップ状電子部品（２）の表面（２１）を支持体（１２０）の表面（１２１）に対向させてチップ状電子部品（２）を支持体（１２０）の表面（１２１）上に配置する。中間層形成工程では、中間層（７０）である第１中間層（７１）と、支持体（１２０）の表面（１２１）のうち露出している領域を覆う第２中間層（７２）と、チップ状電子部品（２）の側面（２３）のうち露出している領域及び裏面（２２）の両方を覆う第３中間層（７３）と、を一体形成する。
　第６の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）の製造方法では、第１中間層（７１）と第２中間層（７２）との間、及び第２中間層（７２）と第３中間層（７３）との間のそれぞれで界面が発生しないから、電気絶縁性に関する信頼性の高い電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）を製造可能となる。
　第７の態様に係る電子部品（１ｆ）の製造方法は、第５の態様において、中間層形成工程では、中間層（７０）である第１中間層（７１）と、支持体（１２０）の表面（１２１）のうち露出している領域を覆う第２中間層（７２）と、絶縁層（７７）のうち露出している領域を覆う第３中間層（７３ｆ）と、を一体形成する。
　第７の態様に係る電子部品（１ｆ）の製造方法では、第１中間層（７１）と第２中間層（７２）との間、及び第２中間層（７２）と第３中間層（７３ｆ）との間のそれぞれで界面が発生しないから、電気絶縁性に関する信頼性の高い電子部品（１ｆ）を製造可能となる。
　第８の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｆ）の製造方法は、第６又は７の態様において、導体層形成工程では、導体層（６０）である第１導体層（６１）と、第２中間層（７２）を覆う第２導体層（６２）と、第３中間層（７３；７３ｆ）を覆う第３導体層（６３）と、を一体形成する。
　第８の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｆ）の製造方法では、第１導体層（６１）と第２導体層（６２）との間、及び第２導体層（６２）と第３導体層（６３）との間のそれぞれで界面が発生せず、電磁シールド性能の信頼性の高い電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｆ）を製造可能となる。
　第９の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｆ）の製造方法は、第８の態様において、樹脂成形工程では、支持体（１２０）の表面（１２１）側において第１導体層（６１）、第２導体層（６２）及び第３導体層（６３）を覆うように樹脂構造体（３０）を成形する。電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｆ）の製造方法は、ピラー（４）の先端面を露出させるように樹脂構造体（３０）を研磨する研磨工程を更に備える。
　第９の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｆ）の製造方法では、樹脂構造体（３０）を研磨することにより、ピラー（４）を含む同軸構造（１４）を露出させることができる。
　第１０の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）の製造方法では、第１乃至９の態様のいずれか一つにおいて、中間層（７０）は、電気絶縁層である。
　第１０の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）の製造方法では、ピラー（４）と導体層（６０）との間に中間層（７０）として電気絶縁層を介在させることができるので、中間層（７０）が空気層である場合と比べて、製造が容易になる。
　第１１の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）の製造方法は、第１乃至１０の態様のいずれか一つにおいて、導体層形成工程では、ＣＶＤ法又はスパッタリング法により導体層（６０）を形成する。
　第１１の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）の製造方法では、導体層（６０）の厚さの均一性を向上させることが可能となる。
　第１２の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）の製造方法は、第１乃至１１の態様のいずれか一つにおいて、中間層形成工程では、ＣＶＤ法、スパッタリング法又はスプレーコート法により中間層（７０）を形成する。
　第１２の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）の製造方法では、中間層（７０）の厚さの均一性を向上させることが可能となる。
　第１３の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）の製造方法では、第１乃至１２の態様のいずれか一つにおいて、支持体（１２０）は、導電層（１２５）を含む。ピラー形成工程では、導電層（１２５）上に、めっきによりピラー（４）を形成する。
　第１３の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）の製造方法では、ピラー（４）を容易に形成することが可能となる。
　第１４の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）は、ピラー（４）と、導体層（６０）と、中間層（７０）と、樹脂成形体（３）と、を備える。導体層（６０）は、ピラー（４）の側面を囲むように配置されている。導体層（６０）は、ピラー（４）の側面から離れている。中間層（７０）は、電気絶縁層からなる。中間層（７０）は、ピラー（４）と導体層（６０）との間に介在している。樹脂成形体（３）は、導体層（６０）の側面を覆っている。樹脂成形体（３）は、プリント配線板の製造方法とは異なり、例えば、樹脂材料をプレス成形法、トランスファー成形法等の成形法によって成形した成形体である。
　第１４の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）は、従来の同軸構造を有する電子部品よりも、より容易に製造可能である。また、第１１の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）は、ピラー（４）と導体層（６０）との同軸度の精度を向上させることができる。電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）は、ピラー（４）と導体層（６０）とを含む同軸構造（１４）を有するので、ピラー（４）が外部からの電磁波の影響を受けにくいという利点、ピラー（４）を通る高周波信号の伝搬ロスを少なくできるという利点がある。つまり、電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）は、外部からの電磁波の影響による特性劣化を抑制可能となる。
　第１５の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｆ）は、第１４の態様において、導体層（６０）の側面から離れて配置されたチップ状電子部品（２）を更に備える。樹脂成形体（３）は、導体層（６０）の側面と、チップ状電子部品（２）の側面（２３）の少なくとも一部及び裏面（２２）と、を覆っている。
　第１５の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｆ）は、例えばチップ状電子部品（２）が動作しているときに電磁波を発生する部品であっても、ピラー（４）を通る高周波信号がチップ状電子部品（２）からの電磁波の影響を受けにくくなる。
　第１６の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｆ）は、第１５の態様において、チップ状電子部品（２）とピラー（４）とを電気的に接続している配線層（５）を更に備える。
　第１６の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｆ）は、チップ状電子部品（２）に接続されている配線層（５）とピラー（４）とを通る高周波信号がチップ状電子部品（２）からの電磁波の影響を受けにくくなる。これにより、電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｆ）では、配線層（５）の配線長をより短くすることが可能となり、電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｆ）の小型化を図ることが可能となる。
　第１７の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｆ）は、第１６の態様において、絶縁部（７；７ｆ）と、シールド部（６）と、を備える。絶縁部（７；７ｆ）は、中間層からなる第１中間層（７１）と、第２中間層（７２）と、第３中間層（７３；７３ｆ）と、を含む。絶縁部（７；７ｆ）は、電気絶縁性を有する。シールド部（６）は、導体層（６０）からなる第１導体層（６１）と、第２導体層（６２）と、第３導体層（６３）と、を含む。第２中間層（７２）は、配線層（５）と樹脂成形体（３）との間に位置している。第３中間層（７３；７３ｆ）は、チップ状電子部品（２）の裏面（２２）及び側面（２３）を覆っている。第２導体層（６２）は、樹脂成形体（３）と第２中間層（７２）との間に介在している。第３導体層（６３）は、樹脂成形体（３）と第３中間層（７３；７３ｆ）との間に介在している。絶縁部（７；７ｆ）の誘電率及び誘電正接が、それぞれ、樹脂成形体（３）の誘電率及び誘電正接よりも小さい。
　第１７の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｆ）は、配線層（５）とシールド部（６）との間で発生する寄生容量の低減を図れる。
　第１８の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｆ）は、第１７の態様において、絶縁部（７；７ｆ）の誘電率及び誘電正接が、それぞれ、チップ状電子部品（２）において機能部を支持している基材の誘電率及び誘電正接よりも小さい。
　第１８の態様に係る電子部品（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｆ）は、シールド部（６）とチップ状電子部品（２）の機能部との間で発生する寄生容量の低減を図れる。
　１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ　電子部品
　２　チップ状電子部品
　２１　表面
　２２　裏面
　２３　側面
　３　樹脂成形体
　３０　樹脂構造体
　３１　第１面
　３２　第２面
　３０１　第１面
　３０２　第２面
　４　ピラー（導体ピラー）
　４１　第１端面
　４２　第２端面
　４３　導電性バンプ
　４４　導電性バンプ
　４６　接合部
　５　配線層
　５１　第１端
　５２　第２端
　５３　電極
　６　シールド部
　６００　金属層
　６０　導体層
　６１　第１導体層
　６１２　端面
　６２　第２導体層
　６３　第３導体層
　６４　第４導体層
　６５　グラウンド用導体層
　７，７ｆ　絶縁部
　７００　絶縁層
　７０　中間層
　７１　第１中間層
　７２　第２中間層
　７３，７３ｆ　第３中間層
　７４　第４中間層
　７７　絶縁層
　７７０　絶縁膜
　８　電極
　９　第１レジスト層
　９１　孔
　１０　第２レジスト層
　１０１　孔
　１１　第３レジスト層
　１１１　孔
　１２　第１グラウンド用配線層
　１３　第２グラウンド用配線層
　１４　同軸構造
　１５　回路基板
　１６　電極
　２０，２０ｃ　電子部品
　１２０　支持体
　１２１　表面
　１２３　ベース
　１２４　接着層
　１２５　導電層
　２００　電子部品モジュール
　２０１　カバー層
　２０２　間隙
　２０３　間隙
　２１０　電子部品モジュール
　Ｄ１　第１方向
　Ｄ２　第２方向

Claims (18)

  1. 　支持体の表面上に導電性を有するピラーを形成するピラー形成工程と、
    　前記ピラーの側面を覆う中間層を形成する中間層形成工程と、
    　前記中間層の側面を覆う導体層を形成する導体層形成工程と、
    　前記導体層の側面を覆う樹脂構造体を成形する樹脂成形工程と、を備える
    　ことを特徴とする電子部品の製造方法。
  2. 　前記樹脂成形工程よりも後で前記支持体を除去する除去工程を更に備える
    　ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
  3. 　前記ピラー形成工程と前記中間層形成工程との間の部品配置工程と、
    　前記除去工程よりも後の配線層形成工程と、を更に備え、
    　前記部品配置工程では、前記ピラーの前記側面から離れた位置で、チップ状電子部品を前記支持体の前記表面上に配置し、
    　前記配線層形成工程では、前記チップ状電子部品と前記ピラーとを電気的に接続する配線層を形成する
    　ことを特徴とする請求項２に記載の電子部品の製造方法。
  4. 　チップ状電子部品を前記支持体の前記表面上に配置する部品配置工程と、
    　前記除去工程よりも後の配線層形成工程と、を更に備え、
    　前記ピラー形成工程は、前記部品配置工程と前記中間層形成工程との間の工程であり、
    　前記ピラー形成工程では、前記チップ状電子部品の側面から離れた位置で、前記ピラーを前記支持体の前記表面上に配置し、
    　前記配線層形成工程では、前記チップ状電子部品と前記ピラーとを電気的に接続する配線層を形成する
    　ことを特徴とする請求項２に記載の電子部品の製造方法。
  5. 　チップ状電子部品の表面を前記支持体の前記表面に対向させて前記チップ状電子部品を前記支持体の前記表面上に配置する部品配置工程と、
    　前記部品配置工程と前記ピラー形成工程との間で、前記チップ状電子部品の側面及び裏面の両方を覆う絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
    　前記除去工程よりも後の配線層形成工程と、を更に備え、
    　前記ピラー形成工程は、前記絶縁層形成工程と前記中間層形成工程との間において前記ピラーを複数形成する工程であり、
    　前記ピラー形成工程では、前記複数のピラーのうち少なくとも１つのピラーの側面の少なくとも一部が前記絶縁層と隣接するように前記複数のピラーを前記支持体の前記表面上に形成する
    　ことを特徴とする請求項２に記載の電子部品の製造方法。
  6. 　前記部品配置工程では、前記チップ状電子部品の表面を前記支持体の前記表面に対向させて前記チップ状電子部品を前記支持体の前記表面上に配置し、
    　前記中間層形成工程では、前記中間層である第１中間層と、前記支持体の前記表面のうち露出している領域を覆う第２中間層と、前記チップ状電子部品の側面のうち露出している領域及び裏面の両方を覆う第３中間層と、を一体形成する
    　ことを特徴とする請求項３又は４に記載の電子部品の製造方法。
  7. 　前記中間層形成工程では、前記中間層である第１中間層と、前記支持体の前記表面のうち露出している領域を覆う第２中間層と、前記絶縁層のうち露出している領域を覆う第３中間層と、を一体形成する
    　ことを特徴とする請求項５に記載の電子部品の製造方法。
  8. 　前記導体層形成工程では、前記導体層である第１導体層と、前記第２中間層を覆う第２導体層と、前記第３中間層を覆う第３導体層と、を一体形成する
    　ことを特徴とする請求項６又は７に記載の電子部品の製造方法。
  9. 　前記樹脂成形工程では、前記支持体の前記表面側において前記第１導体層、前記第２導体層及び前記第３導体層を覆うように前記樹脂構造体を成形し、
    　前記ピラーの先端面を露出させるように前記樹脂構造体を研磨する研磨工程を更に備える
    　ことを特徴とする請求項８記載の電子部品の製造方法。
  10. 　前記中間層は、電気絶縁層である
    　ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
  11. 　前記導体層形成工程では、ＣＶＤ法又はスパッタリング法により前記導体層を形成する
    　ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
  12. 　前記中間層形成工程では、ＣＶＤ法、スパッタリング法又はスプレーコート法により前記中間層を形成する
    　ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
  13. 　前記支持体は、導電層を含み、
    　前記ピラー形成工程では、前記導電層上に、めっきにより前記ピラーを形成する
    　ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
  14. 　導電性を有するピラーと、
    　前記ピラーの側面を囲むように配置され、前記ピラーの前記側面から離れている導体層と、
    　前記ピラーと前記導体層との間に介在する電気絶縁層からなる中間層と、
    　前記導体層の側面を覆っている樹脂成形体と、を備える
    　ことを特徴とする電子部品。
  15. 　前記導体層の前記側面から離れて配置されたチップ状電子部品を更に備え、
    　前記樹脂成形体は、前記導体層の前記側面と、前記チップ状電子部品の側面の少なくとも一部及び裏面と、を覆っている
    　ことを特徴とする請求項１４に記載の電子部品。
  16. 　前記チップ状電子部品と前記ピラーとを電気的に接続している配線層を更に備える
    　ことを特徴とする請求項１５に記載の電子部品。
  17. 　前記中間層からなる第１中間層と第２中間層と第３中間層とを含み電気絶縁性を有する絶縁部と、
    　前記導体層からなる第１導体層と第２導体層と第３導体層とを含むシールド部と、を備え、
    　前記第２中間層は、前記配線層と前記樹脂成形体との間に位置しており、
    　前記第３中間層は、前記チップ状電子部品の裏面及び前記側面を覆っており、
    　前記第２導体層は、前記樹脂成形体と前記第２中間層との間に介在しており、
    　前記第３導体層は、前記樹脂成形体と前記第３中間層との間に介在しており、
    　前記絶縁部の誘電率及び誘電正接が、それぞれ、前記樹脂成形体の誘電率及び誘電正接よりも小さい
    　ことを特徴とする請求項１６に記載の電子部品。
  18. 　前記絶縁部の誘電率及び誘電正接が、それぞれ、前記チップ状電子部品において機能部を支持している基材の誘電率及び誘電正接よりも小さい
    　ことを特徴とする請求項１７に記載の電子部品。
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