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WO2019033539A1 - 一种oled显示面板及其制造方法 - Google Patents

一种oled显示面板及其制造方法 Download PDF

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Publication number
WO2019033539A1
WO2019033539A1 PCT/CN2017/106816 CN2017106816W WO2019033539A1 WO 2019033539 A1 WO2019033539 A1 WO 2019033539A1 CN 2017106816 W CN2017106816 W CN 2017106816W WO 2019033539 A1 WO2019033539 A1 WO 2019033539A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
common
display panel
pixel
pixel defining
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/CN2017/106816
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
杨杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to US15/575,631 priority Critical patent/US10170526B1/en
Publication of WO2019033539A1 publication Critical patent/WO2019033539A1/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate

Definitions

  • the present invention relates to the field of flat panel display manufacturing technologies, and in particular, to an OLED display panel and a method of fabricating the same.
  • organic light-emitting diode Organic Light-Emitting Diode
  • OLED Organic Light-Emitting Diode
  • LCD Liquid Crystal Display, liquid crystal display
  • OLED has the advantages of more power saving, thinner, and wide viewing angle, which is unmatched by LCD.
  • people are increasingly demanding the degree of detail, that is, the resolution, but the production of high-quality, high-resolution OLED displays still faces many challenges.
  • FIG. 1 is a structural view of a OLED display panel.
  • the OLED display panel includes a thin film transistor layer 101 and an anode layer and a pixel defining layer 102 formed on the TFT substrate.
  • the working principle of the OLED display panel is that under the action of an electric field between the anode and the cathode, holes are transmitted to the luminescent layer through the first common layer 103, electrons are transmitted to the luminescent layer through the second common layer 104, and holes and electrons are in the luminescent layer. Within the composite and then emit light.
  • the OLED display panel usually has a mixture of three primary colors of R, G, and B to realize different color display effects. Therefore, one pixel of the OLED display panel usually includes three light-emitting units of R, G, and B. In actual use, we require that each of the R, G, and B illumination units of each pixel can be individually controlled by the drive circuit.
  • the number of light-emitting units per unit area also increases, resulting in a decreasing distance between the light-emitting units.
  • the light-emitting layers of the three light-emitting units of R, G, and B are different, and the starting voltages are also different.
  • the leakage luminescence phenomenon is generally more obvious under low current conditions, and this phenomenon will reduce the display effect of the OLED display panel.
  • the present invention provides an OLED display panel to solve problems such as leakage luminescence caused by charge sharing in adjacent sub-pixels.
  • the invention provides an OLED display panel, and the display panel comprises:
  • a pixel defining layer formed on the thin film transistor layer, the pixel defining layer including a sub-pixel opening in one-to-one correspondence with the anode;
  • barrier layer disposed on the pixel defining layer between any two adjacent anodes, the barrier layer for blocking the charge released by one of the adjacent two anodes To a region of the cathode layer corresponding to the other of the two adjacent anodes,
  • the height of the barrier layer in a direction perpendicular to a plane in which the OLED display panel is located is greater than a sum of the first common layer, the second common layer, and the cathode layer.
  • the OLED display panel further includes:
  • a first common layer formed on the pixel defining layer, the first common layer completely covering the pixel defining layer and the anode layer;
  • a light emitting layer is formed on the first common layer, the light emitting layer includes at least two light emitting units corresponding to the subpixel openings;
  • a cathode layer is formed on the second common layer.
  • the barrier layer includes two parallel first short sides and a first long side away from the sub-pixel layer;
  • the length of the first long side is smaller than the width of the pixel defining layer between adjacent pixels.
  • the first common layer includes a hole injection layer and a hole transport layer
  • the second common layer includes an electron injection layer and an electron transport layer
  • the present invention provides a method of fabricating an OLED display panel, the method comprising:
  • Step S40 forming a pixel definition layer on the first substrate
  • Step S50 forming a sub-pixel opening corresponding to the anode one by one on the pixel defining layer
  • Step S60 forming a barrier layer on the pixel defining layer between any two adjacent anodes
  • Step S70 forming a first common layer on the pixel definition layer
  • Step S80 forming at least two light emitting units corresponding to the sub-pixel openings on the first common layer
  • Step S90 sequentially forming a second common layer and a cathode layer on the first common layer.
  • the method before the step S40, the method further includes:
  • Step S10 forming a thin film transistor layer on the first substrate
  • Step S20 forming an anode layer on the thin film transistor layer
  • Step S30 forming the anode layer into at least two anodes arranged in an array.
  • the barrier layer is configured to block charges released by one of the adjacent two anodes from entering into the cathode layer and the other of the two adjacent anodes Corresponding area;
  • the height of the barrier layer in a direction perpendicular to a plane in which the OLED display panel is located is greater than a sum of the first common layer, the second common layer, and the cathode layer.
  • the barrier layer includes two parallel first short sides and a first long side away from the sub-pixel layer;
  • the length of the first long side is smaller than the width of the pixel defining layer between adjacent pixels.
  • the first common layer includes a hole injection layer and a hole transport layer
  • the second common layer includes an electron injection layer and an electron transport layer
  • the present invention also provides an OLED display panel, the display panel comprising:
  • a pixel defining layer formed on the thin film transistor layer, the pixel defining layer including a sub-pixel opening in one-to-one correspondence with the anode;
  • barrier layer disposed on the pixel defining layer between any two adjacent anodes, the barrier layer for blocking the charge released by one of the adjacent two anodes To a region of the cathode layer corresponding to the other of the two adjacent anodes.
  • the OLED display panel further includes:
  • a first common layer formed on the pixel defining layer, the first common layer completely covering the pixel defining layer and the anode layer;
  • a light emitting layer is formed on the first common layer, the light emitting layer includes at least two light emitting units corresponding to the subpixel openings;
  • a cathode layer is formed on the second common layer.
  • the barrier layer includes two parallel first short sides and a first long side away from the sub-pixel layer;
  • the length of the first long side is smaller than the width of the pixel defining layer between adjacent pixels.
  • the first common layer includes a hole injection layer and a hole transport layer
  • the second common layer includes an electron injection layer and an electron transport layer
  • the present invention provides a barrier layer on the pixel defining layer between any two adjacent pixels to block one of the adjacent two anodes
  • the charge released by the person can enter the light-emitting unit corresponding to the other of the two adjacent anodes through the first common layer, thereby eliminating leakage luminescence and improving the display effect of the OLED display panel.
  • FIG. 1 is a structural view of a film layer of an OLED display panel in the prior art
  • FIG. 2 is a structural diagram of a film layer of an OLED display panel according to a preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a barrier layer in a film layer structure of an OLED display panel according to a preferred embodiment of the present invention
  • FIG. 4 is a flow chart of a method for fabricating an OLED display panel according to the present invention.
  • FIG. 5 is a process diagram of a method for fabricating an OLED display panel according to a preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of a barrier layer in a method of fabricating an OLED display panel according to a preferred embodiment of the present invention.
  • the present invention is directed to the existing OLED display panel, because the spacing between the light emitting units is small, and in the case of low current, the charge released by one of the two adjacent anodes passes through the first common
  • This embodiment can solve the drawback that the layer can enter the light-emitting unit corresponding to the other of the two adjacent anodes, and the adjacent light-emitting unit emits light to cause technical problems such as impure illumination.
  • the display panel includes a thin film transistor layer 201, an anode layer, a pixel defining layer 202, a first common layer 203, a light emitting layer, and a second common layer 204.
  • the anode layer is formed on the thin film transistor layer 201, the anode layer includes at least two anodes arranged in an array, such as a first anode 207 and a second anode 208 as shown in FIG. 2; the anode layer It is mainly used to provide holes for absorbing electrons, and the anode layer is transparent to allow the emitted light to pass.
  • the pixel defining layer 202 is formed on the thin film transistor layer 201, and the pixel defining layer 202 includes a sub-pixel opening corresponding to the anode;
  • Each of the sub-pixels is any one of a red sub-pixel, a green sub-pixel, and a blue sub-pixel, and sub-pixels corresponding to three adjacent sub-pixels have different colors.
  • the first common layer 203 is formed on the pixel defining layer 202, and the first common layer 203 completely covers the pixel defining layer 202 and the anode layer;
  • the first common layer 203 may be composed of one layer of material or two or more layers of materials.
  • the first common layer 203 includes a hole injection layer and hole transport. a layer, the hole injection layer and the hole transport layer are sequentially stacked in a direction away from the anode, and the hole injection layer and the hole transport layer have similar functions, and may be collectively referred to as hole transport. Functional layer.
  • the light emitting layer is formed on the first common layer 203, and the light emitting layer includes at least two light emitting units corresponding to the sub pixel openings, as shown in FIG. 2, the first light emitting unit 209 and the second light emitting unit. 210;
  • the luminescent layer is an organic semiconductor having a special energy band structure, and after absorbing electrons migrated from the anode, a photon of a certain wavelength is emitted, and these photons enter our eyes as the color we see.
  • the second common layer 204 is formed on the first common layer 203, and the second common layer 204 completely covers the light emitting layer and the first common layer 203;
  • the second common layer 204 may be composed of one layer of material or two or more layers of materials.
  • the second common layer 204 includes an electron injection layer and an electron transport layer.
  • the electron injecting layer and the electron transporting layer are sequentially stacked in a direction away from the base layer, and the electron injecting layer and the electron transporting layer have similar functions, and may be collectively referred to as an electron transporting functional layer.
  • a cathode layer 205 is formed on the second common layer 204, which is typically an alloy of low work function that produces electrons at a given voltage.
  • a barrier layer 206 disposed on the pixel defining layer 202 between any two adjacent anodes, the barrier layer 206 for blocking one of the adjacent two anodes
  • the released charge enters a region of the cathode layer 205 corresponding to the other of the two adjacent anodes;
  • the cross section of the barrier layer 206 is an inverted trapezoid, and the height in a direction perpendicular to a plane in which the OLED display panel is located is larger than the first common layer 203, the second common layer 204, and the cathode layer 205.
  • the barrier layer 206 includes two parallel first short sides and a first long side away from the sub-pixel layer, the length of the first long side being smaller than the pixel definition between adjacent pixels The width of layer 202;
  • the length of the two parallel first short sides is b
  • the length of the first long side away from the sub-pixel layer is a
  • the width of the pixel defining layer 202 is c.
  • the length relationship of each side is: c>a>b
  • the height of the partition layer 206 is d
  • the height d of the partition layer 206 is Greater than the sum of the thicknesses of the first common layer 203, the second common layer 204, and the cathode, preferably, the height of the barrier layer 206 is d>1 um;
  • the material of the barrier layer 206 is an organic material or an inorganic material, preferably, such as silicon nitride or silicon oxide; in addition, the material of the barrier layer 206 may also be the same material as the pixel defining layer 202.
  • electrons and holes are respectively injected from the cathode and anode injection layers to the electron and hole transport layers, and electrons and holes migrate to the light-emitting layer through the electron and hole transport layers, respectively, and meet in the light-emitting layer.
  • electrons enter a cavity they release excess energy in the form of light;
  • the lighting voltages of the three light-emitting units R, G, and B are R>G>B;
  • the barrier layer 206 is disposed to block the charge released by one of the two adjacent anodes from entering the region of the cathode layer 205 corresponding to the other of the two adjacent anodes The leakage luminescence phenomenon is eliminated, and the display effect of the OLED display panel is improved.
  • FIG. 4 is a flow chart of a method for fabricating an OLED display panel according to the present invention
  • FIG. 5 is a process completion diagram of a method for fabricating an OLED display panel according to the present invention. The method includes:
  • Step S10 forming a thin film transistor layer on the first substrate
  • a substrate is provided, and a gate and a gate line of the thin film transistor are formed on the surface of the substrate by using a first mask process; and a gate insulating layer of the thin film transistor is formed on the surface of the substrate by using a second mask process, An active layer, a source electrode, a drain electrode, and a passivation layer.
  • Step S20 forming an anode layer on the thin film transistor layer
  • the anode layer is a transparent metal electrode, preferably, such as indium tin oxide; the anode layer is mainly used to provide holes for absorbing electrons, and The anode layer is transparent, allowing the emitted light to pass through.
  • Step S30 forming the anode layer into at least two anodes arranged in an array
  • Coating a photoresist on a surface of the anode layer, exposing and developing the photoresist, patterning the photoresist, and dividing the anode layer into at least two arrays by an etching process The anode, specifically, the first anode 307 and the second anode 308 as shown in FIG.
  • Step S40 forming a pixel definition layer on the first substrate
  • Step S50 forming a sub-pixel opening corresponding to the anode one by one on the pixel defining layer
  • each of the sub-pixels is any one of a red sub-pixel, a green sub-pixel, and a blue sub-pixel, and sub-pixels corresponding to three adjacent sub-pixels have different colors.
  • Step S60 forming a barrier layer on the pixel defining layer between any two adjacent anodes
  • the barrier layer 306 is disposed on the pixel defining layer 302 between any two adjacent anodes, and the barrier layer 306 is used to block the charge released by one of the adjacent two anodes. a region corresponding to the other of the two adjacent anodes in the cathode layer 305;
  • the cross section of the barrier layer 306 is an inverted trapezoid, and the height in a direction perpendicular to a plane in which the OLED display panel is located is larger than the first common layer 303, the second common layer 304, and the cathode layer 305.
  • the barrier layer 306 includes two parallel first short sides and a first long side away from the sub-pixel layer, the length of the first long side being smaller than the pixel definition between adjacent pixels The width of layer 302;
  • the length of the two parallel first short sides is b, and the length of the first long side away from the sub-pixel layer is a, and the pixel defining layer 302 is The width is c.
  • the length relationship of each side is: c>a>b; in addition, the height of the partition layer 306 is d, and the partition layer 306 is used for better partitioning effect.
  • the height d is greater than the sum of the thicknesses of the first common layer 303, the second common layer 304, and the cathode.
  • the height of the barrier layer 306 is d>1 um;
  • the material of the barrier layer 306 is an organic material or an inorganic material, preferably, such as silicon nitride or silicon oxide; in addition, the material of the barrier layer 306 may also be the same material as the pixel defining layer 302.
  • Step S70 forming a first common layer on the pixel definition layer
  • the first common layer 303 is formed on the pixel defining layer 302, and the first common layer 303 completely covers the pixel defining layer 302 and the anode layer;
  • the first common layer 303 may be composed of one layer of material or two or more layers of materials.
  • the first common layer 303 includes a hole injection layer and hole transport. a layer, the hole injection layer and the hole transport layer are sequentially stacked in a direction away from the anode, and the hole injection layer and the hole transport layer have similar functions, and may be collectively referred to as hole transport. Functional layer.
  • Step S80 forming at least two light emitting units corresponding to the sub-pixel openings on the first common layer
  • the light emitting layer is formed on the first common layer 303, and the light emitting layer includes at least two light emitting units corresponding to the subpixel openings, as shown in FIG. 2, the first light emitting unit 309 and the second light emitting unit. 310;
  • the luminescent layer is an organic semiconductor having a special energy band structure, and after absorbing electrons migrated from the anode, a photon of a certain wavelength is emitted, and these photons enter our eyes as the color we see.
  • Step S90 sequentially forming a second common layer and a cathode layer on the first common layer
  • the second common layer 304 may be composed of one layer of material or two or more layers of materials.
  • the second common layer 304 includes an electron injection layer and an electron transport layer.
  • the electron injection layer and the electron transport layer are sequentially stacked in a direction away from the base layer, and the electron injection layer and the electron transport layer have similar functions, and may be collectively referred to as an electron transport function layer;
  • the cathode layer 305 is deposited on the second common layer 304, which is typically an alloy of low work function that produces electrons at a given voltage.
  • electrons and holes are respectively injected from the cathode and the anode injection layer to the electron and hole transport layer, and electrons and holes migrate to the light-emitting layer through the electron and hole transport layers, respectively, and emit light.
  • the layers meet, when electrons enter the cavity, they will release excess energy in the form of light;
  • the lighting voltages of the three light-emitting units R, G, and B are R>G>B;
  • the present invention provides an OLED display panel and a method of fabricating the same, the display panel comprising: a thin film transistor layer, an anode layer, a pixel defining layer, a first common layer, a light emitting layer, a second common layer, a cathode layer, and a barrier layer;
  • the barrier layer is disposed on the pixel defining layer between any two adjacent anodes, and the barrier layer blocks the charge released by one of the adjacent two anodes from entering the cathode layer
  • the area corresponding to the other of the two adjacent anodes eliminates the leakage luminescence phenomenon and improves the display effect of the OLED display panel.

Landscapes

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Abstract

提供一种OLED显示面板及其制作方法。显示面板包括：薄膜晶体管层（201）、阳极层、像素定义层（202）、阴极层（205）以及隔断层（206）；隔断层（206）设置于任意两个相邻的阳极（207，208）之间的像素定义层（202）上，隔断层（206）用于阻隔相邻的两个阳极（207,208）中的一者所释放的电荷进入到阴极层（205）中与相邻的两个阳极（207,208）中的另一者所对应的区域。

Description

一种OLED显示面板及其制造方法 技术领域
本发明涉及平板显示器制造技术领域，特别涉及一种OLED显示面板及其制造方法。
 背景技术
在平板显示技术中，有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode，OLED）显示器具有轻薄、主动发光、响应速度快、可视角大、色域宽、亮度高和功耗低等众多优点，逐渐成为继液晶显示器后的第三代显示技术。相对于LCD(Liquid crystal displays，液晶显示器)，OLED具有更省电，更薄，且视角宽的优势，这是LCD无法比拟的。目前，人们对显示的细腻程度即分辨率要求越来越高，但生产高质量、高分辨率的OLED显示屏仍然面临着许多挑战。
OLED显示装置的核心部件是OLED显示面板，图1所示为OLED显示面板的膜层结构图，所示OLED显示面板包括：薄膜晶体管层101以及制作于TFT基板上的阳极层、像素定义层102、第一公共层103、发光层、第二公共层104、阴极层105。
OLED显示面板的工作原理是在阳极和阴极之间电场的作用下，空穴通过第一公共层103传输到发光层，电子通过第二公共层104传输到发光层，空穴和电子在发光层之内复合进而发光。
OLED显示面板通常是由R、G、B三原色的混合来实现不同色彩的显示效果，因此，OLED显示面板的一个像素通常包含R、G、B三个发光单元。在实际使用中，我们要求每一个像素的R、G、B三个发光单元能够通过驱动电路单独控制。
随着显示面板分辨率的提高，单位面积内发光单元的个数也在不断增加，导致发光单元之间的间隔距离不断减小。R、G、B三个发光单元发光层材料不同，其启亮电压也有差异。在制作OLED显示面板的过程中，我们可知，由于相邻的发光单元可以通过第一公共层103连通，并且发光单元之间距离很小；在低电流情况下，当点亮第一发光单元时，少量空穴可以通过第一公共层103注入到第二发光单元中，在第二发光单元中与电子复合进而发光；由于第一发光单元在低电流下发光很微弱，再加上第二发光单元发光的影响，其结果表现为第一发光单元发光不纯，这种发光现象被称为泄露发光现象，而少量空穴泄漏形成的电流叫泄露电流。
例如，假设R、G、B三个发光单元的启亮电压为R>G>B；
1、当以略高于R启亮电压的电压点亮R画面时，少量空穴会通过第一公共层103到达临近G和B发光单元的界面，由于R的启亮电压大于G和B，空穴可以进入G和B发光单元与电子复合进而发光；
2、当以略高于G启亮电压的电压点亮G画面时，少量空穴会通过第一公共层103到达临近R和B发光单元的界面，G的启亮电压大于B，空穴可以进入B发光单元与电子复合进而发光；G的启亮电压小于R，空穴不能进入R发光单元，R无法发光；
3、当以略高于B启亮电压的电压点亮B画面时，少量空穴会通过第一公共层103到达临R和G发光单元的界面，由于B的启亮电压低于R和G，空穴不能进入R和G发光单元，R和G无法发光。即在低电流下单独点亮R和G时，可能使临近的发光单元发光而导致发光不纯；
另外，当在高电流下点亮R时，有少量的空穴能够G和B发光单元发光，但亮度相对很弱，会被R发光单元发出的强光掩盖，人眼无法识别；
因此，泄漏发光现象一般在低电流情况下表现比较明显，而这种现象将会降低OLED显示面板的显示效果。
 技术问题
本发明提供一种OLED显示面板，以解决因相邻子像素中的电荷共用，而导致的泄露发光现象等问题。
 技术解决方案
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种OLED显示面板，所述显示面板包括：
薄膜晶体管层；
阳极层，形成于所述薄膜晶体管层上，所述阳极层包括至少两个成阵列排布的阳极；
像素定义层，形成于所述薄膜晶体管层上，所述像素定义层包括与所述阳极一一对应的子像素开口；以及
隔断层，所述隔断层设置于任意两个相邻的所述阳极之间的所述像素定义层上，所述隔断层用于阻隔相邻的两个阳极中的一者所释放的电荷进入到所述阴极层中与相邻的两个所述阳极中的另一者所对应的区域，
其中，所述隔断层在垂直于所述OLED显示面板所在的平面的方向上的高度大于所述第一公共层、所述第二公共层以及所述阴极层的总和。
根据本发明一优选实施例，所述OLED显示面板还包括：
第一公共层，形成于所述像素定义层上，所述第一公共层将所述像素定义层和所述阳极层完全覆盖；
发光层，形成于所述第一公共层上，所述发光层包括至少两个与所述子像素开口对应的发光单元；
第二公共层，形成于所述第一公共层上，所述第二公共层将所述发光层和所述第一公共层完全覆盖；
阴极层，形成于所述第二公共层上。
根据本发明一优选实施例，所述隔断层包括两平行的第一短边和远离所述子像素层的第一长边；
所述第一长边的长度小于相邻像素之间的所述像素定义层的宽度。
根据本发明一优选实施例，所述第一公共层包括空穴注入层和空穴传输层，所述第二公共层包括电子注入层和电子传输层。
本发明提供了一种OLED显示面板的制作方法，所述方法包括：
步骤S40、在第一基板上形成像素定义层；
步骤S50、在所述像素定义层上形成与阳极一一对应的子像素开口；
步骤S60、在任意两个相邻的所述阳极之间的所述像素定义层上形成隔断层；
步骤S70、在所述像素定义层上形成第一公共层；
步骤S80、在所述第一公共层上形成至少两个与所述子像素开口对应的发光单元；
步骤S90、在所述第一公共层上依次形成第二公共层、阴极层。
根据本发明一优选实施例，在所述步骤S40之前还包括：
步骤S10、在所述第一基板上形成薄膜晶体管层；
步骤S20、在所述薄膜晶体管层上形成阳极层；
步骤S30、将所述阳极层形成至少两个成阵列排布的所述阳极。
根据本发明一优选实施例，所述隔断层用于阻隔相邻的两个阳极中的一者所释放的电荷进入到所述阴极层中与相邻的两个所述阳极中的另一者所对应的区域；
所述隔断层在垂直于所述OLED显示面板所在的平面的方向上的高度大于所述第一公共层、所述第二公共层以及所述阴极层的总和。
根据本发明一优选实施例，所述隔断层包括两平行的第一短边和远离所述子像素层的第一长边；
所述第一长边的长度小于相邻像素之间的所述像素定义层的宽度。
根据本发明一优选实施例，所述第一公共层包括空穴注入层和空穴传输层，所述第二公共层包括电子注入层和电子传输层。
本发明还提供了一种OLED显示面板，所述显示面板包括：
薄膜晶体管层；
阳极层，形成于所述薄膜晶体管层上，所述阳极层包括至少两个成阵列排布的阳极；
像素定义层，形成于所述薄膜晶体管层上，所述像素定义层包括与所述阳极一一对应的子像素开口；以及
隔断层，所述隔断层设置于任意两个相邻的所述阳极之间的所述像素定义层上，所述隔断层用于阻隔相邻的两个阳极中的一者所释放的电荷进入到所述阴极层中与相邻的两个所述阳极中的另一者所对应的区域。
根据本发明一优选实施例，所述OLED显示面板还包括：
第一公共层，形成于所述像素定义层上，所述第一公共层将所述像素定义层和所述阳极层完全覆盖；
发光层，形成于所述第一公共层上，所述发光层包括至少两个与所述子像素开口对应的发光单元；
第二公共层，形成于所述第一公共层上，所述第二公共层将所述发光层和所述第一公共层完全覆盖；
阴极层，形成于所述第二公共层上。
根据本发明一优选实施例，所述隔断层包括两平行的第一短边和远离所述子像素层的第一长边；
所述第一长边的长度小于相邻像素之间的所述像素定义层的宽度。
根据本发明一优选实施例，所述第一公共层包括空穴注入层和空穴传输层，所述第二公共层包括电子注入层和电子传输层。
 有益效果
本发明的有益效果：相比于现有技术，本发明通过在任意两个相邻像素之间的所述像素定义层上设置一隔断层，以阻隔相邻的两个所述阳极中的一者所释放的电荷通过所述第一公共层能进入到与相邻的两个所述阳极中的另一者所对应的发光单元，消除了泄露发光现象，提高了OLED显示面板的显示效果。
 附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中一种OLED显示面板的膜层结构图；
图2为本发明优选实施例一一种OLED显示面板的膜层结构图；
图3为本发明优选实施例一一种OLED显示面板的膜层结构中隔断层的剖面图；
图4为本发明一种OLED显示面板的制作方法流程图；
图5为本发明优选实施例二一种OLED显示面板的制作方法的工艺图；
图6为本发明优选实施例二一种OLED显示面板的制作方法中隔断层的剖面图。
 本发明的最佳实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明针对现有的OLED显示面板，由于发光单元之间的间距很小，并且在低电流的情况下，相邻的两个所述阳极中的一者所释放的电荷通过所述第一公共层能进入到与相邻的两个所述阳极中的另一者所对应的发光单元，而使得相邻的发光单元发光而导致发光不纯等技术问题，本实施例能够解决该缺陷。
图2位本发明一种OLED显示面板的膜层结构图，所述显示面板包括：薄膜晶体管层201、阳极层、像素定义层202、第一公共层203、发光层、第二公共层204、阴极层205以及隔断层206。
所述阳极层形成于所述薄膜晶体管层201上，所述阳极层包括至少两个成阵列排布的阳极，如图2中所示的第一阳极207和第二阳极208；所述阳极层主要用于提供吸收电子的空穴，并且，所述阳极层透明，允许放出来的光通过。
所述像素定义层202形成于所述薄膜晶体管层201上，所述像素定义层202包括与所述阳极一一对应的子像素开口；
其中每一所述子像素为红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素中的任意一种，相邻三个所述子像素所对应的子像素颜色相异。
所述第一公共层203形成于所述像素定义层202上，所述第一公共层203将所述像素定义层202和所述阳极层完全覆盖；
其中，所述第一公共层203可以由一层材料构成，也可以是两层或以上的材料层构成，在本实施例中，所述第一公共层203包括空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层和所述空穴传输层按照远离所述阳极的方向依次叠层设置，所述空穴注入层和所述空穴传输层的功能相近，可以统称为空穴传输功能层。
所述发光层形成于所述第一公共层203上，所述发光层包括至少两个与所述子像素开口对应的发光单元，如图2中所示第一发光单元209和第二发光单元210；
所述发光层为有机物半导体，其具有特殊的能带结构，可以在吸收所述阳极迁移过来的电子后，再散发出来一定波长的光子，而这些光子进入我们眼睛就是我们看到的色彩。
所述第二公共层204形成于所述第一公共层203上，所述第二公共层204将所述发光层和所述第一公共层203完全覆盖；
其中，所述第二公共层204可以由一层材料构成，也可以是两层或以上的材料层构成，在本实施例中，所述第二公共层204包括电子注入层和电子传输层，所述电子注入层和所述电子传输层按照远离所述因基层的方向依次叠层设置，所述电子注入层和所述电子传输层的功能相近，可以统称为电子传输功能层。
阴极层205，形成于所述第二公共层204上，所述阴极层205通常是低逸出功的合金，在给定电压下产生电子。
隔断层206，所述隔断层206设置于任意两个相邻的所述阳极之间的所述像素定义层202上，所述隔断层206用于阻隔相邻的两个阳极中的一者所释放的电荷进入到所述阴极层205中与相邻的两个所述阳极中的另一者所对应的区域；
所述隔断层206的剖面为一倒梯形，在垂直于所述OLED显示面板所在的平面的方向上的高度大于所述第一公共层203、所述第二公共层204以及所述阴极层205的总和；另外，所述隔断层206包括两平行的第一短边和远离所述子像素层的第一长边，所述第一长边的长度小于相邻像素之间的所述像素定义层202的宽度；
在本实施例中，如图3所示，两平行的第一短边的长度为b，远离所述子像素层的第一长边的长度为a，所述像素定义层202的宽度为c，从图中可以看出各边的长度关系为：c>a>b；另外，所述隔断层206的高度为d，为了起到比较好的隔断效果，所述隔断层206的高度d要大于第一公共层203、第二公共层204、阴极的厚度总和，优选地，所述隔断层206的高度d>1um；
所述隔断层206的的材料为有机材料或无机材料，优选的，如氮化硅，氧化硅；另外，所述隔断层206的的材料也可以是与像素定义层202相同的材料。
在一定电压驱动下，让电子和空穴分别从阴极和阳极注入层到电子和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，电子进入空洞时，会以光的形式释放出多余的能量；
在本实施例中，例如，假设R、G、B三个发光单元的启亮电压为R>G>B；
当以略高于R启亮电压的电压点亮R画面时，少量空穴会通过第一公共层203向临近的G和B发光单元迁移，所述隔断层206的存在，使得少量所述空穴无法向邻近的G和B发光单元迁移，进而避免了所述泄露发光现象；
同理，当以略高于G启亮电压的电压点亮G画面或当以略高于G启亮电压的电压点亮B画面，均不会出现泄露发光现象。
所述隔断层206的设置，阻隔了相邻的两个阳极中的一者所释放的电荷进入到所述阴极层205中与相邻的两个所述阳极中的另一者所对应的区域，消除了泄露发光现象，提高了OLED显示面板的显示效果。
图4位本发明一种OLED显示面板的制作方法的流程图，图5为本发明一种OLED显示面板的制作方法工艺完成图，所述方法包括：
步骤S10、在第一基板上形成薄膜晶体管层；
首先，提供一基板，使用第一道光罩工序，在基板表面形成薄膜晶体管的栅极与栅线；使用第二道光罩工序，在所述基板表面形成所述薄膜晶体管的栅极绝缘层、有源层、源电极、漏电极以及钝化层。
步骤S20、在所述薄膜晶体管层上形成阳极层；
在所述薄膜晶体管层301上沉积阳极层，具体的，所述阳极层为透明金属电极，优选的，如氧化铟锡；所述阳极层主要用于提供吸收电子的空穴，并且，所述阳极层透明，允许放出来的光通过。
步骤S30、将所述阳极层形成至少两个成阵列排布的所述阳极；
在所述阳极层表面涂布光阻，对所述光阻进行曝光、显影，对所述光阻进行图案化，利用刻蚀工艺，将所述阳极层分割成至少两个成阵列排布的阳极，具体的，如图2中所示的第一阳极307和第二阳极308。
步骤S40、在所述第一基板上形成像素定义层；
步骤S50、在所述像素定义层上形成与阳极一一对应的子像素开口；
在所述薄膜晶体管层301上沉积所述像素定义层302，利用刻蚀工艺，在与每一所述阳极对应的像素定义层302上，形成子像素开口，所述子像素开口与所述阳极一一对应；其中每一所述子像素为红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素中的任意一种，相邻三个所述子像素所对应的子像素颜色相异。
步骤S60、在任意两个相邻的所述阳极之间的所述像素定义层上形成隔断层；
所述隔断层306设置于任意两个相邻的所述阳极之间的所述像素定义层302上，所述隔断层306用于阻隔相邻的两个阳极中的一者所释放的电荷进入到所述阴极层305中与相邻的两个所述阳极中的另一者所对应的区域；
所述隔断层306的剖面为一倒梯形，在垂直于所述OLED显示面板所在的平面的方向上的高度大于所述第一公共层303、所述第二公共层304以及所述阴极层305的总和；另外，所述隔断层306包括两平行的第一短边和远离所述子像素层的第一长边，所述第一长边的长度小于相邻像素之间的所述像素定义层302的宽度；
具体的，在本实施例中，如图6所示，两平行的第一短边的长度为b，远离所述子像素层的第一长边的长度为a，所述像素定义层302的宽度为c，从图中可以看出各边的长度关系为：c>a>b；另外，所述隔断层306的高度为d，为了起到比较好的隔断效果，所述隔断层306的高度d要大于第一公共层303、第二公共层304、阴极的厚度总和，优选地，所述隔断层306的高度d>1um；
所述隔断层306的的材料为有机材料或无机材料，优选的，如氮化硅，氧化硅；另外，所述隔断层306的的材料也可以是与像素定义层302相同的材料。
步骤S70、在所述像素定义层上形成第一公共层；
所述第一公共层303形成于所述像素定义层302上，所述第一公共层303将所述像素定义层302和所述阳极层完全覆盖；
其中，所述第一公共层303可以由一层材料构成，也可以是两层或以上的材料层构成，在本实施例中，所述第一公共层303包括空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层和所述空穴传输层按照远离所述阳极的方向依次叠层设置，所述空穴注入层和所述空穴传输层的功能相近，可以统称为空穴传输功能层。
步骤S80、在所述第一公共层上形成至少两个与所述子像素开口对应的发光单元；
所述发光层形成于所述第一公共层303上，所述发光层包括至少两个与所述子像素开口对应的发光单元，如图2中所示第一发光单元309和第二发光单元310；
所述发光层为有机物半导体，其具有特殊的能带结构，可以在吸收所述阳极迁移过来的电子后，再散发出来一定波长的光子，而这些光子进入我们眼睛就是我们看到的色彩。
步骤S90、在所述第一公共层上依次形成第二公共层、阴极层；
在所述第一公共层303上沉积所述第二公共层304，所述第二公共层304将所述发光层和所述第一公共层303完全覆盖；
其中，所述第二公共层304可以由一层材料构成，也可以是两层或以上的材料层构成，在本实施例中，所述第二公共层304包括电子注入层和电子传输层，所述电子注入层和所述电子传输层按照远离所述因基层的方向依次叠层设置，所述电子注入层和所述电子传输层的功能相近，可以统称为电子传输功能层；
在所述第二公共层304上沉积所述阴极层305，所述阴极层305通常是低逸出功的合金，在给定电压下产生电子。
在一定电压驱动下，让电子和空穴分别从所述阴极和所述阳极注入层到电子和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，电子进入空洞时，会以光的形式释放出多余的能量；
在本实施例中，例如，假设R、G、B三个发光单元的启亮电压为R>G>B；
当以略高于R启亮电压的电压点亮R画面时，少量空穴会通过第一公共层303向临近的G和B发光单元迁移，所述隔断层306的存在，使得少量所述空穴无法向邻近的G和B发光单元迁移，进而避免了所述泄露发光现象；
同理，当以略高于G启亮电压的电压点亮G画面或当以略高于G启亮电压的电压点亮B画面，均不会出现泄露发光现象。
本发明提供一种OLED显示面板及其制作方法，所述显示面板包括：薄膜晶体管层、阳极层、像素定义层、第一公共层、发光层、第二公共层、阴极层以及隔断层；所述隔断层设置于任意两个相邻的阳极之间的所述像素定义层上，所述隔断层阻隔了相邻的两个阳极中的一者所释放的电荷进入到所述阴极层中与相邻的两个所述阳极中的另一者所对应的区域，消除了泄露发光现象，提高了OLED显示面板的显示效果。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (13)

  1. 一种OLED显示面板，其包括：
    薄膜晶体管层；
    阳极层，形成于所述薄膜晶体管层上，所述阳极层包括至少两个成阵列排布的阳极；
    像素定义层，形成于所述薄膜晶体管层上，所述像素定义层包括与所述阳极一一对应的子像素开口；以及
    隔断层，所述隔断层设置于任意两个相邻的所述阳极之间的所述像素定义层上，所述隔断层用于阻隔相邻的两个阳极中的一者所释放的电荷进入到所述阴极层中与相邻的两个所述阳极中的另一者所对应的区域，
    其中，所述隔断层在垂直于所述OLED显示面板所在的平面的方向上的高度大于所述第一公共层、所述第二公共层以及所述阴极层的总和。
  2. 根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述OLED显示面板还包括：
    第一公共层，形成于所述像素定义层上，所述第一公共层将所述像素定义层和所述阳极层完全覆盖；
    发光层，形成于所述第一公共层上，所述发光层包括至少两个与所述子像素开口对应的发光单元；
    第二公共层，形成于所述第一公共层上，所述第二公共层将所述发光层和所述第一公共层完全覆盖；
    阴极层，形成于所述第二公共层上。
  3. 根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述隔断层包括两平行的第一短边和远离所述子像素层的第一长边；
    所述第一长边的长度小于相邻像素之间的所述像素定义层的宽度。
  4. 根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述第一公共层包括空穴注入层和空穴传输层，所述第二公共层包括电子注入层和电子传输层。
  5. 一种OLED显示面板的制作方法，其中，所述方法包括：
    步骤S40、在第一基板上形成像素定义层；
    步骤S50、在所述像素定义层上形成至少两个与阳极对应的子像素开口；
    步骤S60、在任意两个相邻的所述阳极之间的所述像素定义层上形成隔断层；
    步骤S70、在所述像素定义层上形成第一公共层；
    步骤S80、在所述第一公共层上形成至少两个与所述子像素开口对应的发光单元；
    步骤S90、在所述第一公共层上依次形成第二公共层、阴极层。
  6. 根据权利要求5所述的方法，其中，在所述步骤S40之前还包括：
    步骤S10、在所述第一基板上形成薄膜晶体管层；
    步骤S20、在所述薄膜晶体管层上形成阳极层；
    步骤S30、将所述阳极层形成至少两个成阵列排布的所述阳极。
  7. 根据权利要求5所述的方法，其中，所述隔断层用于阻隔相邻的两个阳极中的一者所释放的电荷进入到所述阴极层中与相邻的两个所述阳极中的另一者所对应的区域；
    所述隔断层在垂直于所述OLED显示面板所在的平面的方向上的高度大于所述第一公共层、所述第二公共层以及所述阴极层的总和。
  8. 根据权利要求5所述的方法，其中，所述隔断层包括两平行的第一短边和远离所述子像素层的第一长边；
    所述第一长边的长度小于相邻像素之间的所述像素定义层的宽度。
  9. 根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一公共层包括空穴注入层和空穴传输层，所述第二公共层包括电子注入层和电子传输层。
  10. 一种OLED显示面板，其包括：
    薄膜晶体管层；
    阳极层，形成于所述薄膜晶体管层上，所述阳极层包括至少两个成阵列排布的阳极；
    像素定义层，形成于所述薄膜晶体管层上，所述像素定义层包括与所述阳极一一对应的子像素开口；以及
    隔断层，所述隔断层设置于任意两个相邻的所述阳极之间的所述像素定义层上，所述隔断层用于阻隔相邻的两个阳极中的一者所释放的电荷进入到所述阴极层中与相邻的两个所述阳极中的另一者所对应的区域。
  11. 根据权利要求10所述的显示面板，其中，所述OLED显示面板还包括：
    第一公共层，形成于所述像素定义层上，所述第一公共层将所述像素定义层和所述阳极层完全覆盖；
    发光层，形成于所述第一公共层上，所述发光层包括至少两个与所述子像素开口对应的发光单元；
    第二公共层，形成于所述第一公共层上，所述第二公共层将所述发光层和所述第一公共层完全覆盖；
    阴极层，形成于所述第二公共层上。
  12. 根据权利要求10所述的显示面板，其中，所述隔断层包括两平行的第一短边和远离所述子像素层的第一长边；
    所述第一长边的长度小于相邻像素之间的所述像素定义层的宽度。
  13. 根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述第一公共层包括空穴注入层和空穴传输层，所述第二公共层包括电子注入层和电子传输层。
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