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WO2019044290A1 - 静電式ワーク保持方法及び静電式ワーク保持システム - Google Patents

静電式ワーク保持方法及び静電式ワーク保持システム Download PDF

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WO2019044290A1
WO2019044290A1 PCT/JP2018/027849 JP2018027849W WO2019044290A1 WO 2019044290 A1 WO2019044290 A1 WO 2019044290A1 JP 2018027849 W JP2018027849 W JP 2018027849W WO 2019044290 A1 WO2019044290 A1 WO 2019044290A1
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unit
electrostatic
work
electrode
electrostatic adsorption
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French (fr)
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勝 尾沢
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Original Assignee
Creative Technology Corp
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Priority to JP2019529653A priority patent/JP6609735B2/ja
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    • H01T23/00Apparatus for generating ions to be introduced into non-enclosed gases, e.g. into the atmosphere

Definitions

  • the present invention relates to an electrostatic work holding method and an electrostatic work holding system for holding a work such as a conductor, a semiconductor and a dielectric.
  • Patent Document 1 and Patent Document 2 As an electrostatic workpiece holding technique for holding a workpiece such as a silicon wafer, for example, devices described in Patent Document 1 and Patent Document 2 are known. These devices are composed of an electrostatic adsorption unit and a voltage control unit. Specifically, the electrostatic adsorption portion is formed of a plurality of electrodes for providing a pair of positive and negative charges, and an insulating layer covering these electrodes. Then, the voltage control unit can apply a high voltage to the plurality of electrodes of the electrostatic adsorption unit, or discharge the applied voltage.
  • the above-described conventional techniques have the following problems. That is, in the above-described apparatus, when holding the work, in order to generate an electrostatic adsorption force between the work and the electrostatic adsorption portion, high voltage must be continuously applied to the work. That is, in order to keep applying the high voltage to the electrode while holding the work and transferring the electrostatic adsorption unit from one process to the next process, the cable from the power supply was connected to the electrode of the electrostatic adsorption unit. I have to leave it. If the distance between the processes is long, the work is transported while dragging a long cable, which is very inconvenient and causes a decrease in work efficiency.
  • the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an electrostatic workpiece holding method and a workpiece holding electrostatic workpiece capable of holding a workpiece in a state in which voltage application to the electrodes of the electrostatic adsorption unit is turned off It aims to provide a system.
  • one or more first electrodes to which a positive voltage can be applied one or more second electrodes to which a negative voltage can be applied, and the first and second electrodes.
  • the work is electrostatically attracted after the charge removal step is performed.
  • Work adsorption step for bringing into contact with the surface of the part, work adsorption step for cutting off application of positive voltage to the first electrode and application of negative voltage to the second electrode after execution of the work set step, and work adsorption After execution of the process, a positive voltage is applied to the first electrode and a negative voltage is applied to the second electrode. And configured to include a work peeling process to be applied to. According to this configuration, when the initialization step is performed, a positive voltage is applied to the first electrode and a negative voltage is applied to the second electrode. As a result, the positive charge corresponding to the positive voltage is charged on the surface of the electrostatic adsorption unit and directly above the first electrode, and the negative charge corresponding to the negative voltage is on the electrostatic adsorption unit.
  • a charge is charged on the surface of the electrostatic adsorption unit and at a position immediately above the first electrode, and a positive charge corresponding to the negative voltage is the surface of the electrostatic adsorption unit and the second It is charged at a position just above the electrode.
  • a positive charge is induced at the back surface of the work and at a position corresponding to the first electrode
  • a negative charge is induced at a back surface of the work and corresponding to the second electrode.
  • the workpiece is attracted to the surface of the electrostatic attraction unit by the electrostatic attraction between the charge on the back surface of the workpiece and the charge on the surface of the electrostatic attraction unit.
  • a positive voltage is applied to the first electrode and a negative voltage is applied to the second electrode.
  • the negative charge charged on the surface of the electrostatic adsorption portion and at the position immediately above the first electrode and the positive charge charged on the position immediately above the second electrode are the first and second electric charges.
  • the positive and negative voltages applied to the electrodes of As a result the electrostatic attraction between the workpiece and the electrostatic attraction part is released, and the workpiece can be easily peeled off from the surface of the electrostatic attraction part.
  • the static elimination step comprises: irradiating weak X-rays onto the gas around the electrostatic adsorption portion to ionize the gas. It was set as the structure which discharges the electric charge of the surface of an adsorption
  • the positive charge on the surface of the electrostatic adsorption unit and directly on the first electrode is removed by the negative ions, and the negative charge on the second electrode is removed by the positive ions. .
  • the entire surface of the electrostatic adsorption unit is neutralized.
  • the first and second electrodes of the electrostatic adsorption portion are flat-shaped so as to be adjacent to each other at a predetermined interval. Or a comb-like electrode disposed to be engaged with each other at a predetermined interval.
  • electrostatic adsorption force can be obtained, and the work can be held firmly.
  • the first and second electrodes of the electrostatic adsorption portion are comb-like electrodes disposed so as to be engaged with each other at a predetermined interval, the work can be electrostatically adsorbed by the gradient force. . Therefore, it is possible not only to electrostatically attract the work of a conductor or a semiconductor, but also to obtain a strong electrostatic adsorption force by dielectric polarization even on a work of insulator such as a glass substrate, so as to make the work stronger Can be held.
  • a dielectric in which one or more first electrodes capable of applying a positive voltage, one or more second electrodes capable of applying a negative voltage, and these first and second electrodes are coated.
  • An electrostatic adsorption unit formed by the body, a power supply unit capable of applying a positive voltage to the first electrode and applying a negative voltage to the second electrode, and removing charges on the surface of the electrostatic adsorption unit
  • Electrostatic workpiece holding unit including a static charge removal unit, a work set unit capable of bringing a workpiece into contact with the surface of the electrostatic adsorption unit and capable of taking it out, and a control unit controlling the work set unit, static charge removal unit and power supply unit
  • the control unit is an initialization unit that turns on the power supply unit, a charge removal drive unit that drives the charge removal unit after activation of the initialization unit, and drives the work set unit after activation of the charge removal drive unit.
  • Work contact portion that brings the work into contact with the surface of the electrostatic adsorption portion, and creation of the work contact portion
  • a work suction unit which turns off the power supply unit later and a work peeling unit which turns on the power supply unit after activating the work suction unit and drives the work setting unit to take out the work from the electrostatic suction unit It was composition.
  • the positive charge corresponding to the positive voltage is charged on the surface of the electrostatic adsorption unit and directly above the first electrode, and the negative charge corresponding to the negative voltage is on the electrostatic adsorption unit. It is charged to the surface and at a position just above the second electrode. Thereafter, when the charge removal unit is driven by the control of the charge removal drive unit, the charge of the surface of the electrostatic adsorption unit is removed by the charge removal unit. Thereby, in a state where the positive voltage is applied to the first electrode and the negative voltage is applied to the second electrode, the positive charge and the negative charge charged on the surface of the electrostatic adsorption unit are eliminated, and the electrostatic adsorption unit Surface potential is zero.
  • the work set portion mounts the work on the electrostatic adsorption portion, etc., and the work is on the surface of the electrostatic adsorption portion. It is abutted. Thereafter, when the power supply unit is turned off by the control of the work attraction unit, the application of the positive voltage to the first electrode and the application of the negative voltage to the second electrode are cut off. As a result, the negative charge corresponding to the positive voltage is charged on the surface of the electrostatic adsorption portion and at a position directly above the first electrode, and the positive charge corresponding to the negative voltage is electrostatically adsorbed. It is charged on the surface of the part and directly above the second electrode.
  • the negative charge charged on the surface of the electrostatic adsorption portion and at the position immediately above the first electrode and the positive charge charged on the position immediately above the second electrode are the first and second electric charges.
  • the electrostatic attraction between the workpiece and the electrostatic attraction part is released. In this state, by control of the workpiece peeling unit, the workpiece setting unit is driven and the workpiece is peeled from the electrostatic adsorption unit.
  • a fifth aspect of the invention is the electrostatic workpiece holding system according to the fourth aspect of the invention, wherein the charge removing part irradiates weak X-rays to the gas around the electrostatic adsorption part during operation to ionize the gas.
  • the structure is a static electricity removing device for removing the charge on the surface of the electrostatic adsorption unit.
  • the positive charge on the surface of the electrostatic adsorption unit and directly on the first electrode is removed by the negative ions, and the negative charge on the second electrode is removed by the positive ions. .
  • the entire surface of the electrostatic adsorption unit is neutralized.
  • the first and second electrodes of the electrostatic adsorption portion are flat-shaped so as to be adjacent to each other at a predetermined interval. Or a comb-like electrode disposed to be engaged with each other at a predetermined interval.
  • the power supply It is possible to convey the electrostatic adsorption unit without connecting the cable to the electrostatic adsorption unit, and as a result, it is possible to enhance the efficiency of the conveyance operation and to reduce the power consumption. There is. Further, even in the case of a workpiece such as a thin film silicon wafer or the like in which a crack or a micro crack easily occurs, it is possible to safely transport only the electrostatic attraction portion holding the workpiece without connecting a power supply cable. effective.
  • the work of a semiconductor such as a conductor or a silicon wafer can be firmly held by the clonality, or not only the conductor or the semiconductor by the gradient force. There is an effect that the work of the insulator can also be held.
  • the gas around the electrostatic adsorption unit is irradiated with weak X-rays to discharge the surface of the electrostatic adsorption unit, so that the charge removing member etc.
  • the static elimination can be performed without contacting the adsorbing portion.
  • the amount of charge removal per unit time is larger than that of the ionizer which is the same non-contact type charge removal means, the charge removal operation time can be shortened.
  • FIG. 1 is a flow chart showing an electrostatic work holding method according to a first embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a schematic view showing an apparatus for carrying out the electrostatic work holding method of this embodiment. It is.
  • the electrostatic workpiece holding method of this embodiment is a method for holding or peeling the workpiece at the electrostatic adsorption portion, and as shown in FIG. 1, the method includes an initialization step S1 and a charge removal step S2. It is comprised by work setting process S3, workpiece
  • the apparatus for performing these steps includes an electrostatic adsorption unit 1 for electrostatically adsorbing the workpiece W, and a power supply unit for supplying a predetermined high voltage to the electrostatic adsorption unit 1. It consists of two.
  • the electrostatic adsorption unit 1 has a structure in which a dielectric 10 covers one electrode 11 as a first electrode and one electrode 12 as a second electrode.
  • FIG. 3 is a plan view of the electrostatic attraction unit 1 with the pair of electrodes 11 and 12 exposed.
  • the electrodes 11 and 12 are two flat plate-like electrodes, and are arranged adjacent to each other at a distance d1.
  • carbon ink was applied.
  • a polyimide resin was applied as a material of the dielectric 10 covering the electrodes 11 and 12.
  • the power supply unit 2 includes a power supply 21 capable of applying a positive voltage of, for example, +2000 V (volts) to the electrode 11, and a power supply 22 capable of applying a negative voltage of, for example -2000 V to the electrode 12.
  • a power supply 21 capable of applying a positive voltage of, for example, +2000 V (volts) to the electrode 11
  • a power supply 22 capable of applying a negative voltage of, for example -2000 V to the electrode 12.
  • the power supply 21 whose negative electrode is grounded is electrically connected to the electrode 11 through the switch SW1 and the connector 13
  • the power supply 22 whose positive electrode is grounded is the electrode 12 through the switch SW2 and the connector 14. Are connected electrically.
  • FIG. 4 is a schematic view showing the apparatus in a state in which the initialization step S1 is performed.
  • the initialization step S1 is a step of applying a positive voltage to the electrode 11 of the electrostatic adsorption unit 1 and applying a negative voltage to the electrode 12.
  • both the switches SW1 and SW2 of the power supply unit 2 are turned on.
  • a positive voltage of +2000 V is applied to the electrode 11
  • a negative voltage of -2000 V is applied to the electrode 12.
  • the positive charge corresponding to +2000 V is charged on the surface 1a of the electrostatic attraction portion directly above the electrode 11, and the portion of the surface 1a has a potential of approximately +2000 V.
  • a negative charge corresponding to -2000 V is charged on the surface 1a of the electrostatic adsorption portion directly above the electrode 12, so that a portion of the surface 1a has a potential of approximately -2000 V.
  • FIG. 5 is a schematic view showing the apparatus in a state where the charge removal step S2 is performed.
  • the charge removing step S2 is a step of removing the charge on the surface 1a of the electrostatic adsorption unit 1, and this step is performed after the execution of the initialization step S1.
  • the grounded discharging brush 15 is brought into contact with almost the entire surface 1 a of the electrostatic adsorption unit 1.
  • the charge removal brush 15 is moved away from the electrostatic adsorption unit 1 to cut off the contact with the electrostatic adsorption unit 1.
  • the positive charge and the negative charge charged on the surface 1 a of the electrostatic adsorption unit 1 are removed, and the potential of the surface 1 a of the electrostatic adsorption unit 1 becomes approximately 0V.
  • FIG. 6 is a schematic view showing the apparatus in a state in which the work setting step S3 is performed.
  • the work setting step S3 is a step of bringing the work W into contact with the surface 1a of the electrostatic adsorption unit 1, and this step is performed after the execution of the charge removal step S2.
  • the workpiece W is placed on the electrostatic adsorption unit 1, and the workpiece W is brought into contact with the surface 1a.
  • the electrodes 11 and 12 are maintained at +2000 V and -2000 V, but the surface 1a of the electrostatic adsorption unit 1 is destaticized in the above-mentioned diselectrification step S2. For this reason, the electrostatic attraction force due to the charge does not occur between the workpiece W and the electrostatic attraction unit 1.
  • the workpiece W can be smoothly positioned at an arbitrary position on the surface 1 a of the electrostatic attraction unit 1.
  • FIG. 7 is a schematic view showing the apparatus in a state in which the work suction step S4 is performed
  • FIG. 8 is a schematic view showing a state in which the electrostatic suction unit 1 is removed from the power supply unit 2.
  • the work adsorption step S4 is a step of cutting off application of a positive voltage to the electrode 11 of the electrostatic adsorption unit 1 and application of a negative voltage to the electrode 12, and this step is performed after execution of the work setting step S3. .
  • both the switches SW1 and SW2 of the power supply unit 2 are turned off.
  • the application of the positive voltage to the electrode 11 and the application of the negative voltage to the electrode 12 are interrupted, and the potentials of the electrodes 11 and 12 both change to 0V.
  • the electrostatic chuck surface 1a just above the electrode 11 is at a potential of -2000 V
  • the electrostatic chuck surface 1a just above the electrode 12 is at a +2000 V potential. That is, a negative charge corresponding to -2000 V is charged on the electrostatic adsorption portion surface 1a immediately above the electrode 11, and a positive charge corresponding to +2000 V is charged on the electrostatic adsorption portion surface 1a immediately above the electrode 12.
  • the electrodes 11 and 12 are flat plate-like electrodes arranged side by side, the work W is electrostatically attracted by the clonality. That is, in the case where the work W is a semiconductor such as a conductor or a silicon wafer, the work W is brought into an electrostatic induction state in which the internal electric field is zero due to an external electric field between positive and negative charges on the electrostatic adsorption portion surface 1a. For this reason, the workpiece W is attracted to the electrostatic attraction unit surface 1a by a strong electrostatic attraction force. Moreover, since the unit area of the electrodes 11, 12 per work unit area is large, a large adsorptive force can be obtained also from this point.
  • the work W can be held by the electrostatic suction unit 1 in the state where the power supply unit 2 is turned off, as shown in FIG. Even when the male connector 13 a and the female connector 13 b are removed and the male connector 14 a and the female connector 14 b of the connector 14 are removed, the work W is in a state of being attracted to the electrostatic attraction unit 1. Therefore, without connecting the cable from the power supply unit 2 to the electrostatic chucking unit 1, only the electrostatic chucking unit 1 that chucks the workpiece W can be transported to a predetermined location.
  • FIG. 9 is a schematic view showing the apparatus in a state where the workpiece peeling step S5 is performed.
  • the workpiece peeling step S5 is a step of applying a positive voltage to the electrode 11 of the electrostatic adsorption unit 1 and applying a negative voltage to the electrode 12, and this step is performed after execution of the workpiece adsorption step S4. Specifically, after performing predetermined processing on the work W in the state shown in FIG. 7, or connecting the electrostatic adsorption unit 1 shown in FIG. 8 to the power supply unit 2 of the transfer destination via the connectors 13 and 14 After that, as shown in FIG. 9, both the switches SW1 and SW2 of the power supply unit 2 are turned on.
  • FIG. 10 is a schematic view of an apparatus showing the main part of the electrostatic workpiece holding method according to the second embodiment of the present invention
  • FIG. 11 is a schematic view showing a pair of electrodes 11 'and 12' exposed.
  • FIG. 2 is a plan view of the electrostatic adsorption unit 1;
  • the electrostatic workpiece holding method of this embodiment is different from the first embodiment in that the comb-tooth shaped electrodes 11 'and 12' are used as the first and second electrodes. Specifically, as shown in FIGS.
  • the electrodes 11 'and 12' covered with the dielectric 10 of the electrostatic adsorption unit 1 are respectively formed in a comb shape, and these electrodes 11 'and 12 are formed.
  • the workpiece W is electrostatically attracted by the gradient force. That is, when the work suction step S4 is performed, as shown in FIG. 10, positive charges are respectively charged on the electrostatic adsorption portion surface 1a directly above each tooth portion 11a 'of the electrode 11', and negative charges are The electrostatic chucking surface 1a directly above each tooth 12a 'of 12' is charged. As a result, on the back surface Wa of the work W, charges of the opposite polarity to these charges are alternately charged. That is, the back surface Wa of the work W is in a state of dielectric polarization.
  • the inside of the workpiece W is in a dielectric polarization state, and the workpiece W is reliably attracted to the electrostatic attraction unit 1. That is, in the electrostatic adsorption unit 1 of the first embodiment, since the flat electrodes 11 and 12 are used, it is not possible to use an insulator such as a glass substrate which does not generate a clonality as the work W.
  • the insulator causes internal dielectric polarization due to the external electric field, if the work W of this insulator is placed on the electrostatic adsorption portion 1 in which positive and negative charges are alternately arranged as in this embodiment, The workpiece W is firmly attracted onto the electrostatic attraction unit 1 by the gradient force. That is, by using the electrostatic work holding system of this embodiment, the work W of the insulator can be electrostatically attracted.
  • the unit area of the electrode per work unit area is the first Since the unit area of the electrode per unit work area in the electrodes 11 and 12 of the embodiment is approximately half, it is understood that the adsorptive power is reduced to approximately half compared to the electrodes 11 and 12 of the first embodiment.
  • the other configuration, operation and effects are the same as those of the first embodiment, and thus the description thereof is omitted.
  • FIG. 12 is a block diagram showing an electrostatic workpiece holding system according to a third embodiment of the present invention.
  • the electrostatic workpiece holding system of this embodiment is a system capable of automatically executing the electrostatic workpiece holding method of the first embodiment.
  • This electrostatic work holding system includes, as shown in FIG. 12, the electrostatic adsorption unit 1, the power supply unit 2 ', the charge removal unit 3, the work setting unit 4, and the control unit 5 illustrated in the first embodiment. There is.
  • the power supply unit 2 ' is a portion capable of applying a positive voltage to the electrode 11 of the electrostatic adsorption unit 1 and applying a negative voltage to the electrode 12, and has the same function as the power supply unit 2 of the first embodiment.
  • the power supply unit 2 ' is composed of an AC / DC conversion circuit 23, an inverting circuit 24, a booster circuit 25, and switches SW1 and SW2.
  • the AC / DC conversion circuit 23 is a circuit that converts the input +100 V commercial AC power supply into a DC voltage of +24 V, for example, and outputs the DC voltage from the output terminals 23a and 23b.
  • the output end 23 a of the AC / DC conversion circuit 23 is directly connected to the booster circuit 25, and the output end 23 b is connected to the booster circuit 25 through the inverting circuit 24. That is, the +24 V DC voltage output from the output end 23 a of the AC / DC conversion circuit 23 is directly input to the booster circuit 25 as it is. On the other hand, the +24 V DC voltage output from the output terminal 23 b is inverted to a ⁇ 24 V DC voltage by the inverter circuit 24 and then directly input to the booster circuit 25.
  • the booster circuit 25 amplifies the +24 V DC voltage from the AC / DC conversion circuit 23 to, for example, +2000 V and outputs it from the output terminal 25a, and amplifies the -24 V DC voltage from the inversion circuit 24 to, for example -2000 V It is a circuit which outputs from output terminal 25b.
  • the output terminal 25a of the booster circuit 25 is connected to the electrode 11 of the electrostatic adsorption unit 1 through the switch SW1, and the output terminal 25b is connected to the electrode 12 through the switch SW2.
  • the output end 23a of the AC / DC conversion circuit 23 and the booster circuit 25 correspond to the power supply 21 of the power supply unit 2 of the first embodiment, and the output of the AC / DC conversion circuit 23
  • the end 23b, the inverting circuit 24, and the booster circuit 25 correspond to the power supply 22 of the power supply unit 2 of the first embodiment.
  • the switches SW1 and SW2 are the same switches as the switch of the first embodiment, and the on / off operation thereof is controlled by the control unit 5.
  • the charge removal unit 3 is a part that removes the charge on the electrostatic attraction unit 1 by moving the charge removal brush 15 while bringing the charge removal brush 15 into contact with the surface 1 a of the electrostatic attraction unit 1. Is controlled by the control unit 5.
  • the work setting unit 4 places the work W in the predetermined place S on the surface 1 a of the electrostatic adsorption unit 1 or takes out the work W mounted on the electrostatic adsorption unit 1 and returns it to the predetermined place S
  • the work setting unit 4 is a part and is controlled by the control unit 5.
  • the control unit 5 controls the power supply unit 2 ', the charge removal unit 3 and the work setting unit 4, and the control unit 5 is configured of a computer and its program. Specifically, the control unit 5 includes an initialization unit 51 as a functional block, a charge removal drive unit 52, a workpiece contact unit 53, a workpiece suction unit 54, and a workpiece separation unit 55.
  • the initialization unit 51 has a function of sending the on control signal C1 to the power supply unit 2 'to turn on the switches SW1 and SW2 and outputting the command signal Q1 to the charge removal drive unit 52.
  • the charge removal drive unit 52 When the charge removal drive unit 52 receives the command signal Q1 from the initialization unit 51, the charge removal drive unit 52 outputs the control signal C3 to the charge removal unit 3 to drive the charge removal unit 3 and outputs the command signal Q2 to the workpiece contact unit 53.
  • the charge removal drive unit 52 When the charge removal drive unit 52 receives the command signal Q1 from the initialization unit 51, the charge removal drive unit 52 outputs the control signal C3 to the charge removal unit 3 to drive the charge removal unit 3 and outputs the command signal Q2 to the workpiece contact unit 53.
  • the work contact unit 53 When the work contact unit 53 receives the command signal Q2 from the charge removal drive unit 52, the work contact unit 53 outputs a control signal C4 to the work set unit 4 to control the placement operation of the work set unit 4 and also outputs the command signal Q3. It has a function of outputting to the work suction unit 54. Further, when the work contact portion 53 receives a command signal Q5 from a work peeling portion 55 described later, the work contact portion 53 outputs a control signal C5 to the work setting portion 4 to control the take-out operation of the work setting portion 4. Also have.
  • the workpiece suction unit 54 When the workpiece suction unit 54 receives the command signal Q3 from the workpiece contact unit 53, it sends an off control signal C2 to the power supply unit 2 'to turn off the switches SW1 and SW2, and after a predetermined time has elapsed, the command signal It has a function of outputting Q4 to the workpiece peeling section 55.
  • the workpiece peeling unit 55 When the workpiece peeling unit 55 receives the command signal Q4 from the workpiece suction unit 54, it sends an ON control signal C1 to the power supply unit 2 'to turn on the switches SW1 and SW2 and also causes the command signal Q5 to contact the workpiece contact unit. It has a function to output to 53.
  • control unit 5 When the control unit 5 operates, first, the initialization unit 51 functions, the power supply unit 2 'receiving the on control signal C1 from the initialization unit 51 is turned on, and the electrostatic adsorption unit 1 is shown in FIG. The voltage state and the charge state as shown are achieved (execution of the initialization step S1).
  • the charge removal drive unit 52 which receives the command signal Q1 from the initialization unit 51 functions, and the charge removal unit 3 which receives the control signal C3 from the charge removal drive unit 52 is the charge removal brush 15 of the electrostatic attraction unit 1
  • the surface 1a of the electrostatic adsorption unit 1 is neutralized using As a result, the electrostatic attraction unit 1 is brought into the voltage state and the charged state shown in FIG. 5 (execution of the charge elimination step S2).
  • the work contact portion 53 which has received the command signal Q2 from the charge removal drive portion 52 functions, and the work set portion 4 which has received the control signal C4 from the work contact portion 53 functions to hold the work W electrostatically attracted. (Placement of work setting step S3).
  • the work suction unit 54 functions by receiving the command signal Q3 from the work contact unit 53, and the power supply unit 2 'receiving the off control signal C2 from the work suction unit 54 is turned off.
  • the electrostatic chucking unit 1 and the workpiece W are in the voltage state and the charged state shown in FIG. 7, and the workpiece W is chucked to the surface 1a of the electrostatic chucking unit 1 (execution of workpiece chucking step S4).
  • the electrostatic attraction unit 1 and the work W are in the voltage state and the charging state shown in FIG.
  • the work contact portion 53 which receives the command signal Q5 from the work peeling portion 55 outputs the control signal C5 to the work set portion 4 to control the take-out operation of the work set portion 4.
  • the processed work W is returned onto the predetermined place S (execution of the work separation step S5).
  • the work of one cycle by the electrostatic workpiece holding system of this embodiment is completed.
  • the other configurations, operations and effects are the same as those of the first and second embodiments, and thus the description thereof is omitted.
  • a charge removing means for performing the charge removing step in the electrostatic workpiece holding method of the present invention a contact type charge removing means for removing the electric charge on the surface of the electrostatic adsorption unit by bringing the charge removal member into contact with the electrostatic adsorption portion; There is a noncontacting static elimination means for removing the electric charge on the surface of the electrostatic adsorption unit without bringing the static elimination member into contact with the electrostatic adsorption unit.
  • the contact-type static elimination means in addition to the static elimination brush 15 applied in the above embodiment, there is a static elimination device such as a static elimination string, or a conductor such as a conductive metal plate or a conductive rubber sheet or a conductive material as an earth plate. .
  • a static elimination device such as a static elimination string, or a conductor such as a conductive metal plate or a conductive rubber sheet or a conductive material as an earth plate.
  • a method in which a liquid such as isopropyl alcohol or ethyl alcohol is applied to the electrostatic adsorption portion or a gas such as argon gas is brought into contact with the electrostatic adsorption portion can also be applied as the contact-type static elimination means.
  • the contact type charge removal means can completely remove the high voltage electrostatic charge from the low voltage charge electrostatic charge, and the contact type charge removal means has a short charge removal time and unit time Since the amount of charge removal per contact is large, it is a very excellent charge removal means.
  • this static elimination means since the static elimination member is brought into contact with the surface of the electrostatic adsorption portion, the electrostatic adsorption portion may be worn or contaminated and particles may be generated around the electrostatic adsorption portion. is there. In the case of a semiconductor substrate such as a silicon wafer, it is not preferable that such a situation occurs at the time of static elimination. Therefore, a semiconductor substrate such as a silicon wafer is used for an electrostatic work holding method provided with a contact static elimination process.
  • an ionizer as a non-contacting static elimination means.
  • a high voltage is applied to air to cause corona discharge, and ions generated by the discharge are used to discharge the electrostatic adsorption portion.
  • This static elimination means is excellent in that it does not cause wear and contamination of the electrostatic adsorption portion and generation of particles.
  • this charge removal means has the disadvantages that the charge removal time is long and the charge removal amount per unit time is small.
  • reverse charging tends to occur in the electrostatic adsorption portion, making it difficult to control the charge removal.
  • the range of charge removal is narrow, it is not possible to carry out the charge removal treatment of a large number of electrostatic adsorption parts at one time, and there is also a disadvantage that the work efficiency is inferior.
  • the charge removal time is short and the charge removal amount per unit time is large while being non-contact, and the charge removal control is easy, and furthermore, a large number of electrostatic adsorption units are discharged at a time
  • the electrostatic workpiece holding method provided with the static elimination process which can be batch-processed is illustrated.
  • FIG. 13 is a perspective view showing the electrostatic workpiece holding method according to the fourth embodiment of the present invention
  • FIG. 14 is a schematic view showing the arrangement of the static eliminating device at the time of the initialization step.
  • the charge removing step S2 applied to this embodiment is a step of removing the charge on the surface 1a of the electrostatic adsorption unit 1 using the static electricity removing device 16.
  • the static electricity removing device 16 is a device capable of ionizing a gas by irradiating a weak X-ray to the gas around the electrostatic adsorption unit 1 at the time of operation.
  • a weak X-ray is irradiated from the output window 16 a of the static electricity removing device 16 toward the surface 1 a of the electrostatic adsorption unit 1.
  • the electrostatic workpiece holding method of this embodiment when the initialization step S1 is performed, a positive voltage of +2000 V is applied to the electrode 11, and a negative voltage of -2000 V is applied to the electrode 12, as in the first embodiment. Be done. As a result, as shown in FIG. 14, the positive charge corresponding to +2000 V is charged on the surface 1 a of the electrostatic chuck directly above electrode 11, and the negative charge corresponding to ⁇ 2000 V is directly on electrode 12. The electrostatic attraction portion surface 1a is charged.
  • FIG. 15 is a schematic view showing a state in which the charge removal step is carried out
  • FIG. 16 is a schematic view for explaining the charge removal action of the charge removal step
  • FIG. 17 is a schematic view showing the work setting step.
  • the charge removal step S2 is performed. That is, as shown in FIG. 15, the static electricity removing device 16 is operated to irradiate the weak X-ray X from the output window 16 a toward the surface 1 a of the electrostatic adsorption unit 1.
  • Neutral particles P such as oxygen molecules and nitrogen molecules are present around the electrostatic adsorption unit 1.
  • FIG. 18 is a schematic view showing an experimental apparatus
  • FIG. 19 is a diagram showing experimental results.
  • the electrostatic adsorption unit 1 to which the power supply unit 2 was connected the static electricity removing device 16, the surface potentiometer 100, and the X-ray shield box 101 were configured.
  • the static electricity removing device 16 is disposed beside the electrostatic adsorption unit 1 and near the boundary between the electrodes 11 and 12, and the surface voltmeter 100 is disposed close to the surface 1 a of the electrostatic adsorption unit 1. .
  • the X-ray shield box 101 covered the electrostatic adsorption unit 1, the static elimination device 16 and the surface potentiometer 100.
  • a PI-dipolar electrostatic carrier with a diameter of 300 mm manufactured by Creative Technology Co., Ltd. as the electrostatic adsorption unit 1 and applying a DC voltage of maximum ⁇ 3 KV as the power supply unit 2
  • a high voltage power supply (CTPS-3KV2AF) for electrostatic chucks manufactured by Technology was used.
  • CTPS-3KV2AF high voltage power supply
  • the static electricity removing device 16 “Photoionizer L12645” of Hamamatsu Photonics K.K. was used.
  • a digital low potential measuring device (MODEL KSD-3000) manufactured by Kasuga Denki Co., Ltd. was used as the surface voltmeter 100, and a box made of PVC (polyvinyl chloride) was used as the X-ray shield box 101.
  • the surface potential immediately above the negative electrode 12 was initially -330 V, but after 5 minutes, it gradually increased to -40 V.
  • the surface potential immediately above the negative electrode 12 was measured for 5 minutes.
  • the surface potential immediately above the negative electrode 12 was initially -530 V, but after 5 minutes, it gradually increased to -70 V.
  • voltages of ⁇ 1000 V, ⁇ 1500 V and ⁇ 2000 V were respectively applied to the electrodes 11 and 12 as third, fourth and fifth experimental measurements. Then, in each voltage state, the surface potential just above the negative electrode 12 was measured for 5 minutes.
  • the surface potential just above the negative electrode 12 was gradually increased to -1040 V to -90 V.
  • the surface potential immediately above the negative electrode 12 gradually increases from ⁇ 1600 V to ⁇ 150 V
  • the fifth experimental measurement as shown by the curve R6. The result was that the surface potential immediately above the negative electrode 12 gradually increased from ⁇ 1980 V to ⁇ 290 V.
  • the inventor confirmed that by using the static elimination method using the static elimination device 16, a desired static elimination amount can be obtained in a short time. That is, according to this method, since the charge removal amount per unit time is large, the charge removal operation time can be shortened. In addition, during the experiment, there was no occurrence of wear, contamination, particle generation or the like on the surface 1 a of the electrostatic adsorption unit 1. From this point, it was confirmed that by using this method of discharging electricity, it is possible to reliably discharge even a semiconductor substrate which causes a problem of contamination by particles.
  • the weak X-ray X is irradiated at a wide angle to charge-emit many electrostatic adsorption units 1.
  • Can. it is possible to perform batch-based charge removal processing, and work efficiency can be improved.
  • the static electricity removing device 16 applied to this embodiment can also be applied to an electrostatic work holding system. Specifically, as shown in FIG. 21, the static electricity removing device 16 is used as the static elimination unit 3, and the static electricity removal device 16 outputs the control signal C 3 from the static elimination drive unit 52 of the voltage supply unit 5 to remove the static electricity. Control the device 16;
  • the other configuration, operation and effects are the same as those of the first to third embodiments, so the description thereof will be omitted.
  • the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications and changes can be made within the scope of the invention.
  • the electrodes 11, 12, 11 ', 12' are formed of carbon ink, but the invention is not limited thereto, and copper, SUS, iron, nickel, silver, platinum, etc. are main components Alternatively, it can be formed of a mixed conductive material (foil or paste) or the like.
  • polyimide resin is used as the material of the dielectric 10
  • the present invention is not limited to this, and resins such as vinyl chloride and ceramics such as alumina or aluminum nitride are also applied as the material of the dielectric 10. can do.
  • the electrostatic adsorption portion 1 having the electrode 11 (11 ') as one first electrode and the electrode 12 (12') as one electrode has been exemplified.
  • the number of two electrodes is not limited to one.
  • the electrostatic attraction unit 1 is also included in the scope of the present invention.
  • SYMBOLS 1 electrostatic adsorption part, 1a ... surface, 2, 2 '... power supply part, 3 ... static elimination part, 4 ... work-set part, 5 ... control part, 10 ... dielectric, 11, 12, 11', 12 '...
  • Electrodes 11a ', 12a' respective teeth 13, 14: connectors 13, 13a, 14a: male connectors 13b, 14b: female connectors 15, 15: static elimination brush 16, 16: static elimination device, 16a: output window, 21, 22: power supply, 23: conversion circuit, 23a, 23b: output end, 24: inversion circuit, 25: boost circuit, 25a, 25b: output end, 51: initialization part, 52: charge removal drive part, 53: contact with work Part 54 54 Workpiece adsorption portion 55 Workpiece exfoliation portion 100
  • Surface potentiometer 101 X-ray shield box C1 ON control signal C2 OFF control signal C3 to C5 Control signal d1, d2 Interval, P ... neutral particle, + ... positive ions, P - ...

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Abstract

静電吸着部の電極への電圧印加を断った状態でワークの保持が可能な静電式ワーク保持方法及び静電式ワーク保持システムを提供する。静電式ワーク保持方法は初期化工程S1と除電工程S2とワークセット工程S3とワーク吸着工程S4とワーク剥離工程S5とで構成される。初期化工程S1は静電吸着部1の電極11に正電圧を印加すると共に電極12に負電圧を印加する工程であり、除電工程S2は静電吸着部1の表面1aの電荷を除電する工程である。そして、ワークセット工程S3はワークWを静電吸着部1の表面1aに当接させる工程であり、ワーク吸着工程S4は静電吸着部1の電極11への正電圧の印加と電極12への負電圧の印加とを断つ工程である。さらに、ワーク剥離工程S5は静電吸着部1の電極11に正電圧を印加すると共に電極12に負電圧を印加する工程である。

Description

静電式ワーク保持方法及び静電式ワーク保持システム
 この発明は、導体,半導体及び誘電体等のワークを保持するための静電式ワーク保持方法及び静電式ワーク保持システムに関するものである。
 シリコンウエハ等のワークを保持する静電式ワーク保持技術としては、例えば特許文献1や特許文献2に記載の装置が知られている。
 これらの装置は、静電吸着部と電圧制御部とで構成されている。具体的には、静電吸着部が、正負1対の電荷を与える複数の電極とこれらの電極を覆った絶縁層とで形成されている。そして、電圧制御部が、高電圧を静電吸着部の複数の電極に印加したり、印加した電圧を放電させたりすることができる。
 これにより、電圧制御部によって、高電圧を静電吸着部の電極に印加させることにより、静電吸着力が静電吸着部の表面に載置されたワークと静電吸着部との間に生じ、ワークが静電吸着部に保持される。そして、電圧制御部によって、電極への高電圧の印加を停止し、ワークと静電吸着部との間の静電吸着力を解消することにより、ワークの解放を行うことができる。つまり、これらの装置は、ワークを静電吸着力により吸引して保持(チャック)すると共に、リリース時にはワークを脱着(デチャック)できる静電チャックとして機能する。
特開平09-036212号公報 特開2003-282671号公報
 しかし、上記した従来の技術では、次のような問題がある。
 すなわち、上記装置では、ワークを保持する際に、静電吸着力をワークと静電吸着部との間に発生させるために、高電圧をワークに印加し続けなければならない。つまり、ワークを保持して、静電吸着部をある工程から次の工程に搬送する際に、電極に高電圧を印加し続けるために、電源からのケーブルを静電吸着部の電極に接続したままにしなければならない。工程間の距離が長い場合には、長いケーブルを引きずりながら、ワークを搬送することになり、非常に不便であり、作業効率の低下を招く。
 また、薄膜のシリコンウエハにおいては、静電吸着部から剥離して、単体で運搬すると、亀裂やマイクロクラックがシリコンウエハの表面に発生するおそれがある。したがって、このような薄膜シリコンウエハを静電吸着部に吸着させた状態で、運送することができれば、亀裂等の発生を防止することができる。しかし、ケーブル接続が必要な従来の技術では、このような運搬は不可能であった。
 この発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、静電吸着部の電極への電圧印加を断った状態でワークの保持が可能な静電式ワーク保持方法及び静電式ワーク保持システムを提供することを目的とする。
 上記課題を解決するために、第1の発明は、正電圧を印加可能な1つ以上の第1の電極と負電圧を印加可能な1つ以上の第2の電極とこれら第1及び第2の電極を被覆した誘電体とで形成された静電吸着部の表面に、ワークを静電吸着力によって保持するための静電式ワーク保持方法であって、正電圧を第1の電極に印加すると共に負電圧を第2の電極に印加する初期化工程と、初期化工程の実行後に、静電吸着部の表面の電荷を除電する除電工程と、除電工程の実行後に、ワークを静電吸着部の表面に当接させるワークセット工程と、ワークセット工程の実行後に、第1の電極への正電圧の印加と第2の電極への負電圧の印加とを断つワーク吸着工程と、ワーク吸着工程の実行後に、正電圧を第1の電極に印加すると共に負電圧を第2の電極に印加するワーク剥離工程とを備える構成とした。
 かかる構成により、初期化工程を実行すると、正電圧が第1の電極に印加されると共に負電圧が第2の電極に印加される。これにより、正電圧に対応した正電荷が、静電吸着部の表面であって且つ第1の電極の真上の位置に帯電すると共に、負電圧に対応した負電荷が、静電吸着部の表面であって且つ第2の電極の真上の位置に帯電する。
 しかる後、除電工程を実行すると、正電圧が第1の電極に印加され且つ負電圧が第2の電極に印加された状態で、静電吸着部の表面に帯電した正電荷及び負電荷が除電され、静電吸着部の表面電位がゼロになる。
 かかる状態で、ワークセット工程を実行することで、ワークを静電吸着部に載せる等して、静電吸着部の表面に当接させることができる。
 このワークセット工程の実行後に、ワーク吸着工程を実行することで、第1の電極への正電圧の印加と第2の電極への負電圧の印加とが断たれ、当該正電圧に対応した負電荷が、静電吸着部の表面であって且つ第1の電極の真上の位置に帯電すると共に、当該負電圧に対応した正電荷が、静電吸着部の表面であって且つ第2の電極の真上の位置に帯電する。
 この結果、正電荷がワークの裏面であって且つ第1の電極に対応する位置に誘起されると共に、負電荷がワークの裏面であって且つ第2の電極に対応する位置に誘起される。これにより、ワーク裏面の電荷と静電吸着部表面の電荷との静電吸着力によって、ワークが静電吸着部の表面に吸着される。
 そして、ワーク吸着工程の実行後に、ワーク剥離工程を実行することで、正電圧が第1の電極に印加されると共に負電圧が第2の電極に印加される。これにより、静電吸着部の表面であって且つ第1の電極の真上の位置に帯電した負電荷と第2の電極の真上の位置に帯電した正電荷とが、第1及び第2の電極に印加された正電圧と負電圧とによって消滅される。この結果、ワークと静電吸着部との間の静電吸着力が解除され、ワークを容易に静電吸着部の表面から剥離することができる。
 第2の発明は、第1の発明に係る静電式ワーク保持方法において、除電工程は、微弱エックス線を静電吸着部の周囲の気体に照射して、当該気体をイオン化することにより、静電吸着部の表面の電荷を除電する構成とした。
 かかる構成により、除電工程を実行すると、微弱エックス線がを静電吸着部の周囲の気体に照射され、静電吸着部の周囲に、ほぼ同量の正イオンと負イオンとが発生する。そして、静電吸着部の表面であって且つ第1の電極の真上にある正電荷が、負イオンによって除電され、第2の電極の真上にある負電荷が、正イオンによって除電される。この結果、静電吸着部の表面全体が除電される。
 第3の発明は、第1又は第2の発明に係る静電式ワーク保持方法において、静電吸着部の第1及び第2の電極は、所定間隔で隣り合うように並設された平板状の電極、又は、所定間隔で互いに噛み合うように配設された櫛歯状の電極のいずれかである構成とした。
 かかる構成により、静電吸着部の第1及び第2の電極が、平板状の電極である場合には、ワークをクローン力によって静電吸着することができる。したがって、静電吸着部上の絶縁体のワークに対しては、十分な静電吸着力を得ることができないが、導体やシリコンウエハ等の半導体のワークに対しては、静電誘導による強い静電吸着力を得ることができ、ワークを強固に保持することができる。
 また、静電吸着部の第1及び第2の電極が、所定間隔で互いに噛み合うように配設された櫛歯状の電極である場合には、ワークをグラディエント力によって静電吸着することができる。したがって、導体や半導体のワークを静電吸着することができるだけでなく、ガラス基板等の絶縁体のワークに対しても、誘電分極による強い静電吸着力を得ることができ、かかるワークを強固に保持することができる。
 また、第4の発明は、正電圧を印加可能な1つ以上の第1の電極と負電圧を印加可能な1つ以上の第2の電極とこれら第1及び第2の電極を被覆した誘電体とで形成された静電吸着部と、正電圧を第1の電極に印加すると共に負電圧を第2の電極に印加することができる電源部と、静電吸着部の表面の電荷を除電する除電部と、ワークを静電吸着部の表面に当接可能な及び取り出し可能なワークセット部と、ワークセット部と除電部と電源部とを制御する制御部とを備える静電式ワーク保持システムであって、制御部は、電源部をオンにする初期化部と、初期化部の作動後に、除電部を駆動させる除電駆動部と、除電駆動部の作動後に、ワークセット部を駆動して、ワークを静電吸着部の表面に当接させるワーク当接部と、ワーク当接部の作動後に、電源部をオフにするワーク吸着部と、ワーク吸着部の作動後に、電源部をオンにすると共に、ワークセット部を駆動して、ワークを静電吸着部から取り出すワーク剥離部とを備える構成とした。
 かかる構成により、制御部の初期化部の制御によって、電源部がオンにされると、正電圧が、静電吸着部の第1の電極に印加されると共に負電圧が第2の電極に印加される。これにより、正電圧に対応した正電荷が、静電吸着部の表面であって且つ第1の電極の真上の位置に帯電すると共に、負電圧に対応した負電荷が、静電吸着部の表面であって且つ第2の電極の真上の位置に帯電する。
 しかる後、除電駆動部の制御によって、除電部が駆動されると、除電部によって、静電吸着部の表面の電荷が除電される。これにより、正電圧が第1の電極に印加され且つ負電圧が第2の電極に印加された状態で、静電吸着部の表面に帯電した正電荷及び負電荷が除電され、静電吸着部の表面電位がゼロになる。
 かかる状態で、ワーク当接部の制御によって、ワークセット部が駆動されると、ワークセット部によって、ワークが静電吸着部に載置される等して、ワークが静電吸着部の表面に当接される。
 しかる後、ワーク吸着部の制御によって、電源部がオフにされると、第1の電極への正電圧の印加と第2の電極への負電圧の印加とが断たれる。これにより、当該正電圧に対応した負電荷が、静電吸着部の表面であって且つ第1の電極の真上の位置に帯電すると共に、当該負電圧に対応した正電荷が、静電吸着部の表面であって且つ第2の電極の真上の位置に帯電する。
 この結果、正電荷がワークの裏面であって且つ第1の電極に対応する位置に誘起されると共に、負電荷がワークの裏面であって且つ第2の電極に対応する位置に誘起され、ワーク裏面の電荷と静電吸着部表面の電荷との静電吸着力によって、ワークが静電吸着部の表面に吸着される。
 そして、制御部のワーク吸着部による制御が終了すると、ワーク剥離部の制御によって、電源部がオンにされ、正電圧が第1の電極に印加されると共に負電圧が第2の電極に印加される。これにより、静電吸着部の表面であって且つ第1の電極の真上の位置に帯電した負電荷と第2の電極の真上の位置に帯電した正電荷とが、第1及び第2の電極に印加された正電圧と負電圧とによって消滅される。この結果、ワークと静電吸着部との間の静電吸着力が解除される。
 かかる状態で、ワーク剥離部の制御により、ワークセット部が駆動され、ワークが静電吸着部から剥離される。
 第5の発明は、第4の発明に係る静電式ワーク保持システムにおいて、除電部は、作動時に、微弱エックス線を静電吸着部の周囲の気体に照射して、当該気体をイオン化することにより、静電吸着部の表面の電荷を除電するための静電気除去装置である構成とした。
 かかる構成により、除電駆動部の制御によって、除電部である静電気除去装置が駆動されると、静電気除去装置から出力された微弱エックス線が静電吸着部の周囲の気体に照射され、静電吸着部の周囲に、ほぼ同量の正イオンと負イオンとが発生する。そして、静電吸着部の表面であって且つ第1の電極の真上にある正電荷が、負イオンによって除電され、第2の電極の真上にある負電荷が、正イオンによって除電される。この結果、静電吸着部の表面全体が除電される。
 第6の発明は、第4又は第5の発明に係る静電式ワーク保持システムにおいて、静電吸着部の第1及び第2の電極は、所定間隔で隣り合うように並設された平板状の電極、又は、所定間隔で互いに噛み合うように配設された櫛歯状の電極のいずれかである構成とした。
 以上詳しく説明したように、この発明によれば、電圧を静電吸着部の第1及び第2の電極に印加することなく、ワークを静電吸着部で保持することができるので、電源からのケーブルを静電吸着部に接続することなく、静電吸着部を搬送することができ、この結果、搬送作業の効率を高めることができると共に消費電力の削減を図ることができる、という優れた効果がある。
 また、亀裂やマイクロクラックが発生し易い薄膜シリコンウエハ等のワークの場合においても、電源用のケーブルを接続することなく、ワークを保持した静電吸着部だけを安全に運搬することができる、という効果がある。
 さらに、第3の発明や第6の発明によれば、クローン力によって、導体やシリコンウエハ等の半導体のワークを強固に保持することができ、又は、グラディエント力によって、導体や半導体だけでなく、絶縁体のワークも保持することができる、という効果がある。
 さらに、第2及び第5の発明によれば、微弱エックス線を静電吸着部の周囲の気体に照射して、静電吸着部の表面を除電する構成であるので、除電部材等を、静電吸着部に接触させることなく、除電することができる。この結果、接触式の除電手段で生じる静電吸着部表面の摩耗や汚染、そして、パーティクル発生という事態が生じることはない。したがって、パーティクルによる汚染が問題となる半導体基板を除電する場合には、これらの発明を用いると、特に有効である。
 また、同じ非接触式の除電手段であるイオナイザーよりも、単位時間当たりの除電量が多いので、除電作業時間の短縮化を図ることができる。
 さらに、微弱エックス線の広角照射が可能なので、多数の静電吸着部に対して、除電処理が可能となる。この結果、バッチ単位の除電処理が可能となり、作業効率の向上を図ることができる。
この発明の第1実施例に係る静電式ワーク保持方法を示すフロー図である。 この実施例の静電式ワーク保持方法を実行するための装置を示す概略図である。 1対の電極を露出させて示す静電吸着部の平面図である。 初期化工程を実行した状態の装置を示す概略図である。 除電工程を実行した状態の装置を示す概略図である。 ワークセット工程を実行した状態の装置を示す概略図である。 ワーク吸着工程を実行した状態の装置を示す概略図である。 静電吸着部を電源部から取り外した状態を示す概略図である。 ワーク剥離工程を実行した状態の装置を示す概略図である。 この発明の第2実施例に係る静電式ワーク保持方法の要部を示す装置の概略図である。 1対の電極を露出させて示す静電吸着部の平面図である。 この発明の第3実施例に係る静電式ワーク保持システムを示すブロック図である。 この発明の第4実施例に係る静電式ワーク保持方法を示す斜視図である。 初期化工程時における静電気除去装置の配置を示す概略図である。 除電工程を実行した状態を示す概略図である。 除電工程の除電作用を説明するための概略図である。 ワークセット工程を示す概略図である。 実験装置を示す概略図である。 実験結果を示す線図である。 バッチ処理を示す斜視図である。 静電気除去装置を静電式ワーク保持システムに適用した例を示すブロック図である。 静電吸着部の一変形例を示す平面図であり、電極を露出させて示す。 静電吸着部の他の変形例を示す平面図であり、電極を露出させて示す。
 以下、この発明の最良の形態について図面を参照して説明する。
(実施例1)
 図1は、この発明の第1実施例に係る静電式ワーク保持方法を示すフロー図であり、図2は、この実施例の静電式ワーク保持方法を実行するための装置を示す概略図である。
 この実施例の静電式ワーク保持方法は、ワークを静電吸着部で保持し又は剥離するための方法であり、この方法は、図1に示すように、初期化工程S1と除電工程S2とワークセット工程S3とワーク吸着工程S4とワーク剥離工程S5とで構成される。
 これらの工程を実行する装置は、図2に示すように、ワークWを静電吸着するための静電吸着部1と、この静電吸着部1に所定の高電圧を供給するための電源部2とで構成されている。
 静電吸着部1は、第1の電極としての1つの電極11と第2の電極としての1つの電極12とを誘電体10で被覆した構造になっている。
 図3は、1対の電極11,12を露出させて示す静電吸着部1の平面図である。
 図3に示すように、電極11,12は、平板状の2枚の電極であり、間隔d1で隣り合うように並んでいる。
 かかる電極11,12の素材としては、カーボンインクを適用した。そして、電極11,12を被覆した誘電体10の素材としては、ポリイミド樹脂を適用した。
 図2に示すように、電源部2は、例えば+2000V(ボルト)の正電圧を電極11に印加可能な電源21と、例えば-2000Vの負電圧を電極12に印加可能な電源22とを備えている。具体的には、負極が接地された電源21が、スイッチSW1とコネクタ13とを通じて電極11に電気的に接続され、そして、正極が接地された電源22が、スイッチSW2とコネクタ14とを通じて電極12に電気的に接続されている。
 図4は、初期化工程S1を実行した状態の装置を示す概略図である。
 初期化工程S1は、正電圧を静電吸着部1の電極11に印加すると共に負電圧を電極12に印加する工程である。
 具体的には、図4に示すように、電源部2のスイッチSW1,SW2を共にオンにする。
 これにより、+2000Vの正電圧が電極11に印加され、-2000Vの負電圧が電極12に印加される。この結果、+2000Vに対応した正電荷が、電極11の真上の静電吸着部表面1aに帯電して、当該表面1aの部位がほぼ+2000Vの電位になる。また、-2000Vに対応した負電荷が、電極12の真上の静電吸着部表面1aに帯電して、当該表面1aの部位がほぼ-2000Vの電位になる。
 図5は、除電工程S2を実行した状態の装置を示す概略図である。
 除電工程S2は、静電吸着部1の表面1aの電荷を除電する工程であり、この工程は、上記初期化工程S1の実行後に実行される。
 具体的には、図5に示すように、電源部2のスイッチSW1,SW2をオンにした状態で、接地された除電ブラシ15を静電吸着部1の表面1aのほぼ全面に接触させる。しかる後、この除電ブラシ15を静電吸着部1から遠ざけて静電吸着部1との接触を断つ。
 これにより、静電吸着部1の表面1aに帯電した正電荷及び負電荷が除電され、静電吸着部1の表面1aの電位がほぼ0Vになる。
 図6は、ワークセット工程S3を実行した状態の装置を示す概略図である。
 ワークセット工程S3は、ワークWを静電吸着部1の表面1aに当接させる工程であり、この工程は、上記除電工程S2の実行後に実行される。
 具体的には、図6に示すように、電源部2のスイッチSW1,SW2をオンにした状態で、ワークWを静電吸着部1に載せて、ワークWを表面1aに当接させる。このとき、電極11,12は、+2000V,-2000Vに維持されているが、静電吸着部1の表面1aは、上記除電工程S2によって除電されている。このため、電荷による静電吸着力は、ワークWと静電吸着部1との間に生じない。この結果、ワークWを静電吸着部1の表面1aの任意の場所にスムーズに位置させることができる。
 図7は、ワーク吸着工程S4を実行した状態の装置を示す概略図であり、図8は、静電吸着部1を電源部2から取り外した状態を示す概略図である。
 ワーク吸着工程S4は、静電吸着部1の電極11への正電圧の印加と電極12への負電圧の印加とを断つ工程であり、この工程は、ワークセット工程S3の実行後に実行される。
 具体的には、図7に示すように、ワークWを静電吸着部1に載置させた状態で、電源部2のスイッチSW1,SW2を共にオフにする。
 これにより、電極11への正電圧の印加と電極12への負電圧の印加とが断たれ、電極11,12の電位が共に0Vに変わる。同時に、電極11の真上の静電吸着部表面1aが-2000Vの電位になり、電極12の真上の静電吸着部表面1aが+2000Vの電位になる。つまり、-2000Vに対応した負電荷が、電極11真上の静電吸着部表面1aに帯電すると共に、+2000Vに対応した正電荷が、電極12真上の静電吸着部表面1aに帯電する。
 この結果、正電荷が電極11真上のワークWの裏面Wa箇所に帯電すると共に、負電荷が電極12真上のワークWの裏面Wa箇所に帯電するので、これらの電荷による静電吸着力が発生する。この静電吸着力によって、ワークWが静電吸着部1の表面1aに吸着される。
 ところで、図3に示したように、電極11,12が横並びの平板状電極であるので、ワークWはクローン力によって静電吸着される。
 すなわち、ワークWが、導体やシリコンウエハ等の半導体の場合には、静電吸着部表面1a上の正,負電荷間の外部電界により、ワークWが内部電界ゼロの静電誘導状態になる。このため、ワークWが、強い静電吸着力によって静電吸着部表面1aに吸着される。しかも、ワーク単位面積当たりの電極11,12の単位面積が大きいので、この点からも、大きな吸着力を得ることができる。
 このように、ワーク吸着工程S4を実行することで、電源部2をオフにした状態で、ワークWを静電吸着部1で保持することができるので、図8に示すように、コネクタ13の雄コネクタ13aと雌コネクタ13bを外し、コネクタ14の雄コネクタ14aと雌コネクタ14bを外しても、ワークWは静電吸着部1に吸着された状態にある。したがって、静電吸着部1に電源部2からのケーブルを接続することなく、ワークWを吸着した静電吸着部1のみを所定の場所に搬送することができる。
 図9は、ワーク剥離工程S5を実行した状態の装置を示す概略図である。
 ワーク剥離工程S5は、正電圧を静電吸着部1の電極11に印加すると共に負電圧を電極12に印加する工程であり、この工程は、ワーク吸着工程S4の実行後に実行される。
 具体的には、図7に示した状態で、所定の加工をワークWに行った後、又は 図8に示す静電吸着部1を搬送先の電源部2にコネクタ13,14を介して接続した後、図9に示すように、電源部2のスイッチSW1,SW2を共にオンにする。
  これにより、+2000Vの正電圧が電極11に印加され、-2000Vの負電圧が電極12に印加される。この結果、電極11の真上の静電吸着部表面1aに帯電していた負電荷(図7参照)が除電されて、当該表面1aの部位がほぼ0Vの電位になる。また、電極12の真上の静電吸着部表面1aに帯電していた正電荷(図7参照)が除電されて、当該表面1aの部位もほぼ0Vの電位になる。この結果、ワークWと静電吸着部1との間の静電吸着力が解除され、二点鎖線で示すように、ワークWを容易に静電吸着部1の表面1aから剥離することができる。
(実施例2)
 次に、この発明の第2実施例について説明する。
 図10は、この発明の第2実施例に係る静電式ワーク保持方法の要部を示す装置の概略図であり、図11は、1対の電極11’,12’を露出させて示す静電吸着部1の平面図である。
 この実施例の静電式ワーク保持方法では、櫛歯状の電極11’,12’を第1及び第2の電極として用いる点が、上記第1実施例と異なる。
 具体的には、図10及び図11に示すように、静電吸着部1の誘電体10に被覆される電極11’,12’が、それぞれ櫛歯状に形成され、これら電極11’,12’が、間隔d2で互いに噛み合うように配されている。
 かかる構成により、ワークWは、グラディエント力によって静電吸着される。
 すなわち、ワーク吸着工程S4を実行すると、図10に示すように、正電荷が、電極11’の各歯部11a’の真上の静電吸着部表面1aにそれぞれ帯電し、負電荷が、電極12’の各歯部12a’の真上の静電吸着部表面1aにそれぞれ帯電する。この結果、ワークWの裏面Waには、これらの電荷とは逆極性の電荷が交互に帯電する。つまり、ワークWの裏面Waが誘電分極した状態になる。したがって、ガラス基板等の絶縁体をワークWとして使用すると、ワークWの内部が誘電分極状態になって、ワークWが静電吸着部1に確実に吸着される。すなわち、上記第1実施例の静電吸着部1では、平板状の電極11,12を用いていたため、クローン力が生じないガラス基板等の絶縁体をワークWとして用いることができなかった。しかし、絶縁体は、外部電界により内部に誘電分極を生じるため、この絶縁体のワークWを、この実施例のように、正,負電荷が交互に配列する静電吸着部1に載せると、ワークWがグラディエント力によって静電吸着部1上に強固に吸着されることとなる。つまり、この実施例の静電式ワーク保持システムを用いることで、 絶縁体のワークWを静電吸着することができる。
 勿論、ワークWが導体や半導体の場合でも、静電吸着部1に吸着されるが、この実施例の電極11’,12’は、ワーク単位面積当たりの電極の単位面積が、上記第1の実施例の電極11,12におけるワーク単位面積当たりの電極の単位面積がほぼ半分であるので、吸着力が第1実施例の電極11,12にくらべて約半分に減少すると解される。
 その他の構成、作用及び効果は、上記第1実施例と同様であるので、それらの記載は省略する。
(実施例3)
 次に、この発明の第3実施例について説明する。
 図12は、この発明の第3実施例に係る静電式ワーク保持システムを示すブロック図である。
 この実施例の静電式ワーク保持システムは、上記第1実施例の静電式ワーク保持方法を自動的に実行することができるシステムである。
 この静電式ワーク保持システムは、図12に示すように、第1実施例で例示した静電吸着部1と電源部2’と除電部3とワークセット部4と制御部5とを備えている。
 電源部2’は、正電圧を静電吸着部1の電極11に印加すると共に負電圧を電極12に印加することができる部分であり、上記第1実施例の電源部2と同様の機能を有する。
 具体的には、電源部2’はAC/DC変換回路23と反転回路24と昇圧回路25とスイッチSW1,SW2とで構成されている。
 AC/DC変換回路23は、入力した+100Vの商用交流電源を例えば+24Vの直流電圧に変換して、当該直流電圧を、出力端23a,23bからそれぞれ出力する回路である。
 AC/DC変換回路23の出力端23aは、昇圧回路25に直接接続され、出力端23bは、反転回路24を通じて昇圧回路25に接続されている。つまり、AC/DC変換回路23の出力端23aから出力された+24Vの直流電圧は、直接昇圧回路25にそのまま入力される。一方、出力端23bから出力された+24Vの直流電圧は、反転回路24によって-24Vの直流電圧に反転された後、直接昇圧回路25に入力される。
 昇圧回路25は、AC/DC変換回路23からの+24Vの直流電圧を例えば+2000Vに増幅して出力端25aから出力すると共に、反転回路24からの-24Vの直流電圧を例えば-2000Vに増幅して出力端25bから出力する回路である。
 そして、昇圧回路25の出力端25aは、スイッチSW1を通じて静電吸着部1の電極11に接続され、出力端25bは、スイッチSW2を通じて電極12に接続されている。
 すなわち、電源部2’においては、AC/DC変換回路23の出力端23aと昇圧回路25とが、上記第1実施例の電源部2の電源21に相当し、AC/DC変換回路23の出力端23bと反転回路24と昇圧回路25とが、上記第1実施例の電源部2の電源22に相当している。
 スイッチSW1,SW2は、上記第1実施例のスイッチと同じスイッチであり、そのオン,オフ動作は、制御部5によって制御される。
 除電部3は、除電ブラシ15を静電吸着部1の表面1aに接触させながら、移動させることで、静電吸着部1に帯電した電荷を除電する部分であり、この除電部3の移動動作は、制御部5によって制御される。
 ワークセット部4は、所定場所SにあるワークWを、静電吸着部1の表面1a上に載置し、又は静電吸着部1に載置されたワークWを取り出して所定場所Sに戻す部分であり、このワークセット部4は、制御部5によって制御される。
 制御部5は、電源部2’と除電部3とワークセット部4とを制御する部分であり、この制御部5は、コンピュータとそのプログラムによって構成されている。具体的には、制御部5は、機能ブロックとしての初期化部51と除電駆動部52とワーク当接部53とワーク吸着部54とワーク剥離部55とを備えている。
 初期化部51は、オン制御信号C1を電源部2’に送って、スイッチSW1,SW2をオンにすると共に、指令信号Q1を除電駆動部52に出力する機能を有している。
 除電駆動部52は、初期化部51からの指令信号Q1を入力すると、制御信号C3を除電部3に出力して、除電部3を駆動させると共に、指令信号Q2をワーク当接部53に出力する機能を有する。
 ワーク当接部53は、除電駆動部52からの指令信号Q2を入力すると、制御信号C4をワークセット部4に出力して、ワークセット部4の載置動作を制御すると共に、指令信号Q3をワーク吸着部54に出力する機能を有する。また、このワーク当接部53は、後述するワーク剥離部55からの指令信号Q5を入力すると、制御信号C5をワークセット部4に出力して、ワークセット部4の取り出し動作を制御する機能をも有している。
 ワーク吸着部54は、ワーク当接部53からの指令信号Q3を入力すると、オフ制御信号C2を電源部2’に送って、スイッチSW1,SW2をオフにすると共に、所定時間経過後に、指令信号Q4をワーク剥離部55に出力する機能を有している。
 ワーク剥離部55は、ワーク吸着部54からの指令信号Q4を入力すると、オン制御信号C1を電源部2’に送って、スイッチSW1,SW2をオンにすると共に、指令信号Q5をワーク当接部53に出力する機能を有している。
 次にこの実施例の静電式ワーク保持システムが示す動作について説明する。
 制御部5が作動すると、まず、初期化部51が機能し、初期化部51からのオン制御信号C1を受けた電源部2’がオン状態になり、静電吸着部1が、図4に示したような電圧状態及び帯電状態になる(初期化工程S1の実行)。
 しかる後、初期化部51からの指令信号Q1を入力した除電駆動部52が機能し、この除電駆動部52からの制御信号C3を入力した除電部3が、静電吸着部1の除電ブラシ15を用いて静電吸着部1の表面1aを除電する。この結果、静電吸着部1が、図5に示した電圧状態及び帯電状態になる(除電工程S2の実行)。
 すると、除電駆動部52からの指令信号Q2を入力したワーク当接部53が機能し、ワーク当接部53からの制御信号C4を入力したワークセット部4が、ワークWを静電吸着部1に載置する(ワークセット工程S3の実行)。
 かかる状態で、ワーク吸着部54が、ワーク当接部53からの指令信号Q3を入力して機能し、ワーク吸着部54からのオフ制御信号C2を受けた電源部2’がオフ状態になる。この結果、静電吸着部1とワークWが、図7で示した電圧状態及び帯電状態になり、ワークWが静電吸着部1の表面1aに吸着される(ワーク吸着工程S4の実行)。
 しかる後、所定時間経過し、ワークWの加工等が終了すると、ワーク吸着部54からの指令信号Q4を入力したワーク剥離部55が機能し、電源部2’がオン状態になる。すると、静電吸着部1とワークWが、図9に示した電圧状態及び帯電状態になる。そして、指令信号Q5をワーク剥離部55から入力したワーク当接部53が、制御信号C5をワークセット部4に出力して、ワークセット部4の取り出し動作を制御する。これにより、加工処理されたワークWが、所定場所S上に戻される(ワーク剥離工程S5の実行)。
 以上により、この実施例の静電式ワーク保持システムによる1サイクルの作業が終了する。
 その他の構成、作用及び効果は、上記第1及び第2実施例と同様であるので、それらの記載は省略する。
(実施例4)
 次に、この発明の第4実施例について説明する。
 この発明の静電式ワーク保持方法における除電工程を実行する除電手段としては、除電部材を静電吸着部に接触させて、静電吸着部の表面の電荷を除去する接触式の除電手段と、除電部材を静電吸着部に接触させずに、静電吸着部の表面の電荷を除去する非接触式の除電手段とがある。
 接触式の除電手段としては、上記実施例で適用した除電ブラシ15の他に、除電紐等の除電機器や、導体金属板又は導体ゴムシート等の導体や導体物質をアース板にしたものがある。その他、イソプロピルアルコールやエチルアルコール等の液体を静電吸着部に塗布したり、アルゴンガス等の気体を静電吸着部に接触させる方法も、接触式の除電手段として適用することができる。
 接触式の除電手段は、低電圧状態の静電吸着部から高電圧状態の静電吸着部を完全に除電することができ、しかも、接触式の除電手段は、除電時間が短いこと及び単位時間当たりの除電量が多いことから、非常に優れた除電手段である。しかし、この除電手段では、除電部材を静電吸着部表面に接触させるので、静電吸着部が摩耗や汚染され、また、パーティクルが静電吸着部の周囲に発生するというという事態が生じるおそれがある。シリコンウエハ等の半導体基板の場合には、除電の際にこれらの事態が生じることは好ましくないので、シリコンウエハ等の半導体基板を、接触式の除電工程を備えた静電式ワーク保持方法に用いることはできない。
 一方、非接触式の除電手段としては、イオナイザーがある。このイオナイザーによる除電方法は、高電圧を空気中に印加してコロナ放電させ、この放電によって生じたイオンを用いて、静電吸着部を除電するものである。この除電手段は、静電吸着部の摩耗や汚染、及びパーティクルの発生という事態を生じさせない点で優れている。しかし、この除電手段は、除電時間が長いこと及び単位時間当たりの除電量が少ないという欠点を有している。また、逆帯電が静電吸着部に生じ易く、除電コントロールが難しい。さらに、除電範囲が狭いため、多数の静電吸着部を一度に除電処理することができず、作業効率性でも劣るという欠点もある。
 そこで、この実施例では、非接触でありながら、除電時間が短く及び単位時間当たりの除電量が多く、また、除電コントロールが容易であり、さらに、多数の静電吸着部を一度に除電処理(バッチ処理)することができる除電工程を備えた静電式ワーク保持方法を例示する。
 図13は、この発明の第4実施例に係る静電式ワーク保持方法を示す斜視図であり、図14は、初期化工程時における静電気除去装置の配置を示す概略図である。
 この実施例に適用される除電工程S2は、静電気除去装置16を用いて静電吸着部1の表面1aの電荷を除電する工程である。
 具体的には、静電気除去装置16は、作動時に、微弱エックス線を静電吸着部1の周囲の気体に照射して、気体をイオン化することができる装置である。静電気除去装置16としては、例えば、浜松ホトニクス株式会社の「フォトイオンバーL12536」,「フォトイオナイザL12645」及び「フォトイオナイザL11754」等を適用することができる。
 このような静電気除去装置16は、図13及び図14に示すように、静電吸着部1の真上に配設され、その出力窓16aが静電吸着部1の表面1aに向けられている。
 これにより、静電吸着部1が作動すると、微弱エックス線が静電気除去装置16の出力窓16aから静電吸着部1の表面1aに向かって照射される。
 この実施例の静電式ワーク保持方法において、初期化工程S1を実行すると、上記第1実施例と同様に、+2000Vの正電圧が電極11に印加され、-2000Vの負電圧が電極12に印加される。この結果、図14に示すように、+2000Vに対応した正電荷が、電極11の真上の静電吸着部表面1aに帯電すると共に、-2000Vに対応した負電荷が、電極12の真上の静電吸着部表面1aに帯電する。
 図15は、除電工程を実行した状態を示す概略図であり、図16は、除電工程の除電作用を説明するための概略図であり、図17は、ワークセット工程を示す概略図である。
 初期化工程S1の実行後に、除電工程S2を実行する。すなわち、図15に示すように、静電気除去装置16を作動させて、微弱エックス線Xを出力窓16aから静電吸着部1の表面1aに向かって照射する。
 酸素分子や窒素分子等の中性粒子Pが、静電吸着部1の周囲に存在する。したがって、微弱エックス線Xを静電気除去装置16からかかる周囲に照射すると、図16に示すように、微弱エックス線Xの照射領域内の中性粒子Pが、正イオンP+と負イオンP-とに分離され、同数の正イオンP+と負イオンP-とが微弱エックス線Xの照射領域内に発生する。
 すると、電極11の真上に帯電した正電荷Q+が近くの負イオンP-と電気的に結合して消滅し、電極12の真上に帯電した負電荷Q-が近くの正イオンP+と電気的に結合して消滅する。
 この結果、図17に示すように、静電吸着部1の表面1aに帯電した正電荷Q+及び負電荷Q-が全て除電され、静電吸着部1の表面1aの電位がほぼ0Vになる。
 所定時間経過後に、静電吸着部1の作動を停止させることで、除電工程S2を完了し、ワークセット工程S3を実行し、ワークWを非帯電状態の静電吸着部1の表面1aに載せることができる。
 発明者は、かかる効果を確認すべく、次のような測定を行った。
 図18は、実験装置を示す概略図であり、図19は、実験結果を示す線図である。
 図18に示すように、この実験では、実験装置として、電源部2が接続された静電吸着部1と、静電気除去装置16と、表面電位計100と、X線シールドボックス101とで構成した。
 具体的には、静電気除去装置16を静電吸着部1の横であって且つ電極11,12の境界近くに配置し、表面電位計100を静電吸着部1の表面1aに近づけて配置した。そして、静電吸着部1と静電気除去装置16と表面電位計100とを、X線シールドボックス101で覆った。
 このとき、静電吸着部1としては、株式会社クリエイティブテクノロジー製である直径300mmのPI-双極型の静電キャリアを用い、電源部2として、最大±3KVの直流電圧を印加可能な株式会社クリエイティブテクノロジー製の静電チャック用高圧電源(CTPS-3KV2AF)を用いた。そして、静電気除去装置16として、浜松ホトニクス株式会社の「フォトイオナイザL12645」を用いた。また、表面電位計100としては、春日電機株式会社製のデジタル低電位測定器(MODEL KSD-3000)を用い、X線シールドボックス101としては、PVC(ポリ塩化ビニル)製のボックスを用いた。
 実験は、所定の電圧を電源部2から静電吸着部1の電極11,12に印加して、静電気除去装置16を5分間作動させ、静電吸着部1の表面1aの表面電位の変化を表面電位計100によって計測した。
 第1の実験計測として、静電吸着部1の電極11,12に±300Vの電圧を印加した状態で、正極の電極11の真上の表面電位と負極の電極12の真上の表面電位とを5分間計測した。
 この計測結果によれば、図19の曲線R1に示すように、正極の電極11の真上の表面電位は、当初+240Vであったが、5分後には、-60V迄漸次減少した。そして、図19の曲線R2に示すように、負極の電極12の真上の表面電位は、当初-330Vであったが、5分後には、-40V迄漸次増加した。
 第2の実験計測として、電極11,12に±500Vの電圧を印加した状態で、負極の電極12の真上の表面電位を5分間計測した。すると、図19の曲線R3に示すように、負極の電極12の真上の表面電位が、当初-530Vであったが、5分後には、-70V迄漸次増加した。
 その後、第3,第4及び第5の実験計測として、電極11,12に±1000V,±1500V及び±2000Vの電圧をそれぞれ印加した。そして、各電圧状態において、負極の電極12の真上の表面電位を5分間計測した。
 すると、第3の実験計測では、曲線R4に示すように、負極の電極12の真上の表面電位が、-1040V~-90V迄漸次増加する、という結果を得た。そして、第4の実験計測では、曲線R5に示すように、負極の電極12の真上の表面電位が、-1600V~-150V迄漸次増加し、第5の実験計測では、曲線R6に示すように、負極の電極12の真上の表面電位が、-1980V~-290V迄漸次増加する、という結果を得た。
 上記実験結果から、発明者は、静電気除去装置16を用いた除電方法を用いることにより、短時間で所望の除電量を得ることができることを確認した。つまり、この方法によれば、単位時間当たりの除電量が多いので、除電作業時間の短縮化を図ることができる。
 また、実験中に、静電吸着部1の表面1aの摩耗や汚染、パーティクル発生等の事態は生じなかった。かかる点から、この除電方法を用いることで、パーティクルによる汚染が問題となる半導体基板をも確実に除電することができることを確認した。
 なお、この実施例の静電式ワーク保持方法に適用される静電気除去装置16では、図20に示すように、微弱エックス線Xを広角照射して、多数の静電吸着部1を除電処理することができる。つまり、バッチ単位の除電処理が可能となり、作業効率の向上を図ることができる。
 また、この実施例に適用した静電気除去装置16を静電式ワーク保持システムに適用することもできる。具体的には、図21に示すように、静電気除去装置16を除電部3として用い、電圧供給部5の除電駆動部52から制御信号C3を静電気除去装置16に出力することによって、この静電気除去装置16を制御する。
 その他の構成、作用及び効果は、上記第1~第3実施例と同様であるので、その記載は省略する。
 なお、この発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の変形や変更が可能である。
 例えば、上記実施例では、電極11,12,11’,12’として、カーボンインクで形成したが、これに限るものではなく、銅、SUS、鉄、ニッケル、銀、白金等を主成分とした若しくは混ぜ込んだ導電性物質(箔又はペースト)等で形成することもできる。
 また、上記実施例では、誘電体10の素材として、ポリイミド樹脂を適用したが、これに限るものではなく、塩化ビニル等の樹脂やアルミナ又は窒化アルミ等のセラミックスも、誘電体10の素材として適用することができる。
 さらに、上記実施例では、1つの第1の電極としての電極11(11’)と1つの電極としての電極12(12’)を有した静電吸着部1を例示したが、第1及び第2の電極の数はそれぞれ1つに限定されるものではない。図22に示すように、複数の電極11と複数の電極12とを横並びに配設した静電吸着部1や、図23に示すように、1つの電極11の両側に複数の電極12を並べた静電吸着部1も、この発明の範囲に含まれる。
 1…静電吸着部、 1a…面、 2,2’…電源部、 3…除電部、 4…ワークセット部、 5…制御部、 10…誘電体、 11,12,11’,12’…電極、 11a’,12a’…各歯部、 13,14…コネクタ、 13a,14a…雄コネクタ、 13b,14b…雌コネクタ、 15…除電ブラシ、 16…静電気除去装置、 16a…出力窓、 21,22…電源、 23…変換回路、 23a,23b…出力端、 24…反転回路、 25…昇圧回路、 25a,25b…出力端、 51…初期化部、 52…除電駆動部、 53…ワーク当接部、 54…ワーク吸着部、 55…ワーク剥離部、 100…表面電位計、 101…X線シールドボックス、 C1…オン制御信号、 C2…オフ制御信号、 C3~C5…制御信号、 d1,d2…間隔、 P…中性粒子、 P+…正イオン、 P…負イオン、 Q1~Q5…指令信号、 Q+…正電荷、 Q…負電荷、 S…所定場所、 S1…初期化工程、 S2…除電工程、 S3…ワークセット工程、 S4…ワーク吸着工程、 S5…ワーク剥離工程、 SW1,SW2…スイッチ、 W…ワーク、 Wa…裏面、 X…微弱エックス線。

Claims (6)

  1.  正電圧を印加可能な1つ以上の第1の電極と負電圧を印加可能な1つ以上の第2の電極とこれら第1及び第2の電極を被覆した誘電体とで形成された静電吸着部の表面に、ワークを静電吸着力によって保持するための静電式ワーク保持方法であって、
     正電圧を上記第1の電極に印加すると共に負電圧を上記第2の電極に印加する初期化工程と、
     上記初期化工程の実行後に、上記静電吸着部の表面の電荷を除電する除電工程と、
     上記除電工程の実行後に、ワークを静電吸着部の表面に当接させるワークセット工程と、
     上記ワークセット工程の実行後に、上記第1の電極への正電圧の印加と第2の電極への負電圧の印加とを断つワーク吸着工程と、
     上記ワーク吸着工程の実行後に、正電圧を上記第1の電極に印加すると共に負電圧を第2の電極に印加するワーク剥離工程と
     を備えることを特徴とする静電式ワーク保持方法。
  2.  請求項1に記載の静電式ワーク保持方法において、
     上記除電工程は、微弱エックス線を上記静電吸着部の周囲の気体に照射して、当該気体をイオン化することにより、静電吸着部の表面の電荷を除電する、
     ことを特徴とする静電式ワーク保持方法。
  3.  請求項1又は請求項2に記載の静電式ワーク保持方法において、
     上記静電吸着部の第1及び第2の電極は、所定間隔で隣り合うように並設された平板状の電極、又は、所定間隔で互いに噛み合うように配設された櫛歯状の電極のいずれかである、
     ことを特徴とする静電式ワーク保持方法。
  4.  正電圧を印加可能な1つ以上の第1の電極と負電圧を印加可能な1つ以上の第2の電極とこれら第1及び第2の電極を被覆した誘電体とで形成された静電吸着部と、正電圧を上記第1の電極に印加すると共に負電圧を第2の電極に印加することができる電源部と、上記静電吸着部の表面の電荷を除電する除電部と、ワークを上記静電吸着部の表面に当接可能な及び取り出し可能なワークセット部と、上記ワークセット部と除電部と電源部とを制御する制御部とを備える静電式ワーク保持システムであって、
     上記制御部は、
     上記電源部をオンにする初期化部と、
     上記初期化部の作動後に、上記除電部を駆動させる除電駆動部と、
     上記除電駆動部の作動後に、上記ワークセット部を駆動して、ワークを静電吸着部の表面に当接させるワーク当接部と、
     上記ワーク当接部の作動後に、上記電源部をオフにするワーク吸着部と、
     上記ワーク吸着部の作動後に、上記電源部をオンにすると共に、上記ワークセット部を駆動して、ワークを上記静電吸着部から取り出すワーク剥離部と
     を備えることを特徴とする静電式ワーク保持システム。
  5.  請求項4に記載の静電式ワーク保持システムにおいて、
     上記除電部は、作動時に、微弱エックス線を上記静電吸着部の周囲の気体に照射して、当該気体をイオン化することにより、静電吸着部の表面の電荷を除電するための静電気除去装置である、
     ことを特徴とする静電式ワーク保持システム。
  6.  請求項4又は請求項5に記載の静電式ワーク保持システムにおいて、
     上記静電吸着部の第1及び第2の電極は、所定間隔で隣り合うように並設された平板状の電極、又は、所定間隔で互いに噛み合うように配設された櫛歯状の電極のいずれかである、
     ことを特徴とする静電式ワーク保持システム。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023520413A (ja) * 2020-04-01 2023-05-17 ビーブイダブリュ ホールディング エージー 静電付着を生成するための微細構造化デバイス

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10935508B2 (en) * 2017-08-28 2021-03-02 Xiamen Eco Lighting Co. Ltd. Liquid detection device and liquid detection system for abnormal liquid on a surface

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05315429A (ja) * 1992-05-07 1993-11-26 Hitachi Ltd 半導体製造装置の搬送装置
JPH0883832A (ja) * 1994-07-13 1996-03-26 Shinko Electric Co Ltd 電力供給装置
JP2006049391A (ja) * 2004-07-30 2006-02-16 Sharp Corp 基板搬送装置および基板搬送方法、並びにそれらの利用
WO2016167224A1 (ja) * 2015-04-15 2016-10-20 株式会社アルバック 吸着装置、真空処理装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5001594A (en) * 1989-09-06 1991-03-19 Mcnc Electrostatic handling device
JPH0936212A (ja) * 1995-05-16 1997-02-07 Shinko Electric Co Ltd 静電チャック
JP3911787B2 (ja) * 1996-09-19 2007-05-09 株式会社日立製作所 試料処理装置及び試料処理方法
US5894400A (en) * 1997-05-29 1999-04-13 Wj Semiconductor Equipment Group, Inc. Method and apparatus for clamping a substrate
JP2000348659A (ja) * 1999-06-03 2000-12-15 Jeol Ltd 放射ビーム装置
JP3859937B2 (ja) * 2000-06-02 2006-12-20 住友大阪セメント株式会社 静電チャック
JP4634581B2 (ja) * 2000-07-06 2011-02-16 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング方法、表面処理方法、スパッタリング装置及び表面処理装置
JP3264440B2 (ja) * 2000-09-11 2002-03-11 株式会社日立製作所 真空処理装置の基板保持装置
JP2003282671A (ja) 2002-03-27 2003-10-03 Tsukuba Seiko Co Ltd 静電保持装置及びそれを用いた搬送装置
JP2004047513A (ja) * 2002-07-08 2004-02-12 Tokyo Electron Ltd 静電吸着構造および静電吸着方法ならびにプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP4463496B2 (ja) * 2003-05-09 2010-05-19 筑波精工株式会社 静電保持装置及びそれを用いた静電ピンセット
JP3965469B2 (ja) * 2002-10-30 2007-08-29 京セラ株式会社 静電チャック
KR100545169B1 (ko) * 2003-09-03 2006-01-24 동부아남반도체 주식회사 반도체 제조 설비의 정전척 및 이를 이용한 웨이퍼 척킹방법
CN101278385B (zh) * 2004-11-04 2011-10-12 株式会社爱发科 静电吸盘装置
JP2008041993A (ja) 2006-08-08 2008-02-21 Shinko Electric Ind Co Ltd 静電チャック
CN101226871B (zh) * 2007-01-15 2010-07-21 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 硅片脱附的方法
US20090109595A1 (en) * 2007-10-31 2009-04-30 Sokudo Co., Ltd. Method and system for performing electrostatic chuck clamping in track lithography tools
US8730644B2 (en) * 2008-07-08 2014-05-20 Creative Technology Corporation Bipolar electrostatic chuck
US8652260B2 (en) * 2008-08-08 2014-02-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus for holding semiconductor wafers
JP2010232532A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 高周波電極の接続方法を改善したウエハ保持体及びそれを搭載した半導体製造装置
JP5089721B2 (ja) * 2010-03-24 2012-12-05 株式会社荏原製作所 ウェハのチャッキング装置およびチャッキング方法
JP6013740B2 (ja) * 2012-02-03 2016-10-25 東京エレクトロン株式会社 離脱制御方法及びプラズマ処理装置の制御装置
CN104103566B (zh) * 2013-04-15 2017-07-25 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理装置及其静电夹盘
CN105374727B (zh) * 2014-08-25 2018-07-06 北京北方华创微电子装备有限公司 静电卡盘装置及晶片或托盘的固定方法
JP6496579B2 (ja) * 2015-03-17 2019-04-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05315429A (ja) * 1992-05-07 1993-11-26 Hitachi Ltd 半導体製造装置の搬送装置
JPH0883832A (ja) * 1994-07-13 1996-03-26 Shinko Electric Co Ltd 電力供給装置
JP2006049391A (ja) * 2004-07-30 2006-02-16 Sharp Corp 基板搬送装置および基板搬送方法、並びにそれらの利用
WO2016167224A1 (ja) * 2015-04-15 2016-10-20 株式会社アルバック 吸着装置、真空処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023520413A (ja) * 2020-04-01 2023-05-17 ビーブイダブリュ ホールディング エージー 静電付着を生成するための微細構造化デバイス
JP7678822B2 (ja) 2020-04-01 2025-05-16 ビーブイダブリュ インベスト エージー 静電付着を生成するための微細構造化デバイス

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