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WO2018230094A1 - 電磁波吸収体及び電磁波吸収体付成形品 - Google Patents

電磁波吸収体及び電磁波吸収体付成形品 Download PDF

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WO2018230094A1
WO2018230094A1 PCT/JP2018/012604 JP2018012604W WO2018230094A1 WO 2018230094 A1 WO2018230094 A1 WO 2018230094A1 JP 2018012604 W JP2018012604 W JP 2018012604W WO 2018230094 A1 WO2018230094 A1 WO 2018230094A1
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WO
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resistance
resistance layer
layer
electromagnetic wave
wave absorber
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Ceased
Application number
PCT/JP2018/012604
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English (en)
French (fr)
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一斗 山形
広宣 待永
雄希 武田
恵梨 上田
請井　博一
宇井　丈裕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
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Publication date
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Priority to US16/621,999 priority patent/US20200128705A1/en
Priority to EP18818295.0A priority patent/EP3641518A4/en
Priority to KR1020197035335A priority patent/KR20200018425A/ko
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05K9/0084—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a single continuous metallic layer on an electrically insulating supporting structure, e.g. metal foil, film, plating coating, electro-deposition, vapour-deposition
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    • B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
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Definitions

  • Patent Document 1 does not specifically examine the durability (for example, chemical resistance) peculiar to the environment in which the electromagnetic wave absorber is used.
  • an electromagnetic wave absorber for a collision prevention system
  • the electromagnetic wave absorber is disposed in a vehicle such as an automobile.
  • Chemicals such as detergents may be used for vehicle maintenance.
  • an alkaline solution may be used for vehicle cleaning.
  • the electromagnetic wave absorber disposed in the vehicle may come into contact with such chemicals when the vehicle is washed.
  • the resistance layer in the ⁇ / 4 type electromagnetic wave absorber is located near the surface of the electromagnetic wave absorber, it is easily affected by such chemicals. For this reason, if the resistance layer of the electromagnetic wave absorber has good chemical resistance, a high added-value ⁇ / 4 type electromagnetic wave absorber can be provided.
  • the impurity element includes at least one of silicon, magnesium, titanium, and nitrogen, for example.
  • the resistance layer 20 has a relatively high specific resistance.
  • the resistance layer 20 is laminated on the polymer film 25 on the surface opposite to the surface in contact with the dielectric layer 10, for example.
  • the polymer film 25 functions as a support for the resistance layer 20.
  • the polymer film 25 is preferably made of a material that provides a smooth surface when the resistance layer 20 is produced, for example, by sputtering.
  • the electromagnetic wave absorber 1 since the polymer film 25 is disposed so as to cover the resistance layer 20, if the polymer film 25 has high chemical resistance, the electromagnetic wave absorber 1 also has high chemical resistance.
  • Synthetic resins such as polyimide, polycarbonate, polyamide, polysulfone, polyethersulfone, and epoxy resin, or polyisoprene rubber, polystyrene-butadiene rubber, polybutadiene rubber, chloroprene rubber, acrylonitrile butadiene rubber, Synthetic rubbers such as butyl rubber, acrylic rubber, ethylene propylene rubber, and silicone rubber. These are used alone or in combination of two or more as the polymer material of the dielectric layer 10.
  • thermoplastic elastomers such as polyimide, polycarbonate, polyamide, polysulfone, polyethersulfone, and epoxy resin, or polyisoprene rubber, polystyrene-butadiene rubber, polybutadiene rubber, chloroprene rubber, acrylonitrile butadiene rubber, Synthetic rubbers such as butyl rubber, acrylic rubber, ethylene propylene rubber, and silicone rubber. These are used alone or in combination of two or more as the polymer
  • a resin composition for forming the dielectric layer 10 having a predetermined thickness is placed on the conductive layer 30. Thereafter, one main surface of the resistance layer 20 is overlaid on the resin composition forming the dielectric layer 10. If necessary, the resin composition is cured. Thereby, the electromagnetic wave absorber 1 can be manufactured. According to this method, since the thickness of the dielectric layer 10 can be easily controlled, the electromagnetic wave absorber 1 can be manufactured so as to effectively absorb an electromagnetic wave having a wavelength to be absorbed. Moreover, since the resistance layer 20 and the conductive layer 30 are formed separately, the time required for manufacturing the electromagnetic wave absorber 1 is short, and the manufacturing cost of the electromagnetic wave absorber 1 is low. An adhesive or a pressure-sensitive adhesive may be used to attach the dielectric layer 10 to the conductive layer 30 or the resistance layer 20.
  • Example 1 an aluminum foil having a sheet resistance of 0.002 ⁇ / ⁇ was prepared.
  • the resistance layer according to Example 1 was attached so that the main surface of the dielectric layer according to Example 1 was in contact with the resistance layer according to Example 1 that was not subjected to chemical immersion treatment.
  • the conductive layer according to Example 1 was brought into contact with the other main surface of the dielectric layer according to Example 1 and pasted. In this way, Sample A according to Example 1 was produced.
  • the PET film on which the resistance layer according to Example 1 was formed was immersed in a 5% by weight NaOH aqueous solution for 5 minutes for chemical immersion treatment, and then air-dried to prepare a resistance layer subjected to chemical immersion treatment.
  • the temperature of the NaOH aqueous solution in the chemical immersion treatment was adjusted to 40 ° C.
  • Sample B according to Example 1 was produced in the same manner as Sample A, except that a resistance layer subjected to chemical immersion treatment was used instead of the resistance layer according to Example 1 not subjected to chemical immersion treatment.
  • Example 4 2.5% by weight in the same manner as in Example 1 except that ITO was used as a target material and the sputtering conditions were changed so that the thickness of the resistance layer and the sheet resistance of the resistance layer were as shown in Table 1.
  • a resistance layer according to Example 4 made of ITO containing tin oxide was formed.
  • the amorphous ITO film obtained by sputtering was crystallized by heat treatment under the same conditions as in Example 1.
  • Sample A (no chemical immersion treatment) and Sample B (chemical immersion) according to Example 4 are the same as Example 1, except that the resistance layer according to Example 4 is used instead of the resistance layer according to Example 1. Processed).
  • Example 6> Except for using a target material containing In 2 O 3 , SnO 2 , and SiO 2 , except that the sputtering conditions were changed so that the thickness of the resistance layer and the sheet resistance of the resistance layer were as shown in Table 1.
  • a resistance layer according to Example 6 made of a material containing 7.5% by weight of SnO 2 and 2.5% by weight of SiO 2 in addition to In 2 O 3 was formed.
  • the amorphous film obtained by sputtering was crystallized by heat treatment under the same conditions as in Example 1.
  • Sample A (no chemical immersion treatment) and Sample B (chemical immersion) according to Example 6 are the same as Example 1 except that the resistance layer according to Example 6 is used instead of the resistance layer according to Example 1. Processed).
  • Example 7 Example 1 except that the target material containing In 2 O 3 , SnO 2 , and MgO was used and the sputtering conditions were changed so that the thickness of the resistance layer and the sheet resistance of the resistance layer were as shown in Table 1.
  • a resistance layer according to Example 7 made of a material containing 7.5 wt% SnO 2 and 2.5 wt% MgO in addition to In 2 O 3 was formed.
  • the amorphous film obtained by sputtering was crystallized by heat treatment under the same conditions as in Example 1. Sample A (without chemical immersion treatment) and Sample B (chemical immersion treatment) according to Example 7 except that the resistance layer according to Example 7 was used instead of the resistance layer according to Example 1 in the same manner as Example 1. Processed).
  • Example 9 Except for using a target material containing In 2 O 3 and SnO 2 and a reactive gas containing nitrogen gas, the sputtering conditions were changed so that the thickness of the resistance layer and the sheet resistance of the resistance layer were as shown in Table 1.
  • a resistance layer according to Example 9 made of a material containing 7.5 wt% SnO 2 and 3 atomic% nitrogen was formed.
  • the amorphous film obtained by sputtering was crystallized by heat treatment under the same conditions as in Example 1.
  • Sample A (no chemical immersion treatment) and Sample B (chemical immersion treatment) according to Example 9 are the same as Example 1 except that the resistance layer according to Example 9 is used instead of the resistance layer according to Example 1. Processed).
  • Example 10> Except for using a target material containing In 2 O 3 , SnO 2 , and SiO 2 , except that the sputtering conditions were changed so that the thickness of the resistance layer and the sheet resistance of the resistance layer were as shown in Table 1.
  • a resistance layer according to Example 10 made of a material containing 10 wt% SnO 2 and 5 wt% SiO 2 in addition to In 2 O 3 was formed.
  • the amorphous film obtained by sputtering was crystallized by heat treatment under the same conditions as in Example 1.
  • Example 11 A film made of amorphous ITO containing 10% by weight of tin oxide is formed on a PET film having a thickness of 38 ⁇ m (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, Diafoil) by DC magnetron sputtering. Crystallization was carried out by heat treatment at 150 ° C. for 3 hours in the atmosphere. In this manner, a conductive layer according to Example 11 was formed. The thickness of the conductive layer according to Example 11 was 120 nm. The sheet resistance of the conductive layer according to Example 11 was 20 ⁇ / ⁇ . Sample A (without chemical immersion treatment) and Sample B (chemical immersion treatment) according to Example 11 are the same as Example 1, except that the conductive layer according to Example 11 was used instead of the conductive layer according to Example 1. Processed).
  • ⁇ Comparative Example 1> Using a target material containing ZnO and Ga 2 O 3 on a PET film having a thickness of 38 ⁇ m (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., Diafoil), the thickness of the resistance layer and the sheet resistance of the resistance layer are reduced by DC magnetron sputtering.
  • the resistance layer according to Comparative Example 1 made of a material having a polycrystalline structure containing 3 % by weight of Ga 2 O 3 while adjusting the sputtering conditions so that the values shown in Table 1 are obtained. Formed. In the formation of the resistance layer according to Comparative Example 1, no heat treatment was performed after sputtering. Sample A (without chemical immersion treatment) and Sample B (chemical immersion) according to Comparative Example 1 are the same as Example 1, except that the resistance layer according to Comparative Example 1 is used instead of the resistance layer according to Example 1. Processed).
  • the amorphous ITO film obtained by sputtering was crystallized by heat treatment under the same conditions as in Example 1.
  • Sample A (without chemical immersion treatment) and Sample B (chemical immersion) according to Comparative Example 4 are the same as Example 1, except that the resistance layer according to Comparative Example 4 is used instead of the resistance layer according to Example 1. Processed).
  • the amorphous ITO film obtained by sputtering was crystallized by heat treatment under the same conditions as in Example 1.
  • Sample A (without chemical immersion treatment) and Sample B (chemical immersion) according to Comparative Example 5 are the same as Example 1, except that the resistance layer according to Comparative Example 5 is used instead of the resistance layer according to Example 1. Processed).
  • ⁇ Comparative Example 7> A target material containing ZnO and Al 2 O 3 was used, and the sputtering conditions were changed so that the thickness of the resistance layer and the sheet resistance of the resistance layer were as shown in Table 1. Then, a resistance layer according to Comparative Example 7 made of a material having a polycrystalline structure containing 3 % by weight of Al 2 O 3 while containing ZnO as a main component was formed. In addition, in formation of the resistance layer which concerns on the comparative example 7, heat processing was not performed after sputtering. Sample A (no chemical immersion treatment) and Sample B (chemical immersion treatment) according to Comparative Example 7 are the same as Example 1, except that the resistance layer according to Comparative Example 7 is used instead of the resistance layer according to Example 1. Processed).
  • the resistance layer has a polycrystalline structure containing indium oxide as a main component, a sheet resistance of 260 to 500 ⁇ / ⁇ , and a specific resistance of 5 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ ⁇ cm or more. It was suggested that good chemical resistance can be exhibited.

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Abstract

電磁波吸収体（１）は、誘電体層（１０）と、抵抗層（２０）と、導電層（３０）とを備える。抵抗層（２０）は、誘電体層（１０）の一方の主面に配置されている。導電層（３０）は、誘電体層（１０）の他方の主面に配置され、抵抗層（２０）のシート抵抗より低いシート抵抗を有する。抵抗層（２０）は、酸化インジウムを主成分として含むとともに多結晶構造を有し、２６０～５００Ω／□のシート抵抗及び５×１０-4Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有する。

Description

電磁波吸収体及び電磁波吸収体付成形品
　本発明は、電磁波吸収体及び電磁波吸収体付成形品に関する。
　近年、１～１０ｍｍ程度の波長及び３０～３００ＧＨｚの周波数を有するミリ波や準ミリ波の領域の電磁波が情報通信媒体として利用されている。このような電磁波は衝突予防システムへの利用が検討されている。衝突予防システムは、例えば、車両において障害物を検知して自動でブレーキをかけ、又は、周辺車両の速度や車間距離を測定して自車の速度や車間距離を調節するシステムである。衝突予防システムが正常に動作するには、誤認防止のため、不要な電磁波をできるだけ受信しないようにすることが重要である。従って、不要な電磁波を吸収する電磁波吸収体を衝突予防システムに利用することが考えられる。
　電磁波吸収体には、電磁波吸収の原理により様々なタイプがある。例えば、電磁波反射層と、λ／４（λは吸収対象とする電磁波の波長）の厚みを有する誘電体層と、抵抗薄膜層とを設けた電磁波吸収体（「λ／４型電磁波吸収体」ということがある）は、材料が比較的安価であり、設計が容易であるので、低コストで作製できる。例えば、特許文献１には、λ／４型電磁波吸収体として、入射角度の広い領域にわたって機能するという特性を発揮する電磁波吸収体が提案されている。
特開２００３－１９８１７９号公報
　特許文献１において、電磁波吸収体の使用環境に特有の耐久性（例えば、耐薬品性）については具体的に検討されていない。
　そこで、本発明は、良好な耐薬品性を発揮するために有利な抵抗層を備えた電磁波吸収体を提供する。また、本発明は、このような電磁波吸収体を備えた電磁波吸収体付成形品を提供する。
　本発明は、
　誘電体層と、
　前記誘電体層の一方の主面に配置され、酸化インジウムを主成分として含むとともに多結晶構造を有する抵抗層と、
　前記誘電体層の他方の主面に配置され、前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層と、を備え、
　前記抵抗層は、２６０～５００Ω／□のシート抵抗及び５×１０-4Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有する、
　電磁波吸収体を提供する。
　また、本発明は、
　成形品と、
　前記成形品に取り付けられた上記の電磁波吸収体と、を備えた、
　電磁波吸収体付成形品を提供する。
　上記の電磁波吸収体において抵抗層が良好な耐薬品性を有する。
図１は、本発明の電磁波吸収体の一例を示す断面図である。 図２は、本発明の電磁波吸収体付成形品の一例を示す断面図である。
　以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、下記の説明は、本発明を例示的に説明するものであり、本発明は以下の実施形態に限定されるわけではない。
　本発明者らは、衝突防止システムへの電磁波吸収体の利用を検討する過程において、以下の課題を新たに見出した。例えば、電磁波吸収体が衝突防止システムに用いられる場合、電磁波吸収体は、自動車等の車両に配置される。車両のメンテナンスのために洗剤などの薬品が使用されることがある。例えば、アルカリ性の溶液が車両の洗浄に使用されることがある。このため、車両に配置された電磁波吸収体は、車両の洗浄時にこのような薬品に触れる可能性がある。特に、λ／４型電磁波吸収体における抵抗層は、電磁波吸収体の表面近くに位置するので、このような薬品の影響を受けやすい。このため、電磁波吸収体の抵抗層が良好な耐薬品性を有していれば、高付加価値のλ／４型電磁波吸収体を提供できる。
　λ／４型電磁波吸収体において、抵抗層のシート抵抗が空気の特性インピーダンス（約３７７Ω／□）に近いほど、良好な電磁波吸収体が得られやすい。抵抗層として、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の酸化インジウムを主成分として含む材料を用いることが考えられる。ＩＴＯは、例えば、フラットパネルディスプレイ及び太陽電池などの技術分野においても使用されている。このような技術分野で使用されているＩＴＯは、透明電極として使用されているので、当然に低い比抵抗（例えば、４×１０-4Ω・ｃｍ以下）を有する。このため、このような技術分野で使用されているＩＴＯを用いて、λ／４型電磁波吸収体の抵抗層を形成する場合、抵抗層に所望のシート抵抗をもたらすためには、抵抗層の厚みを薄く（例えば、１５ｎｍ未満）しなければならない。しかし、抵抗層の厚みを薄くすると、良好な耐薬品性を実現することが難しくなる。また、このような薄い抵抗層を安定的に生産することは困難である。
　また、フラットパネルディスプレイ及び太陽電池などの技術分野において、透明電極として使用されるＩＴＯは、回路パターニングの形成の必要性から、良好なエッチング特性が要求されることも多い。このため、このような技術分野において非晶質構造のＩＴＯが好ましく使用されている。しかし、このような技術分野において使用されている非晶質構造のＩＴＯを抵抗層に使用しても良好な耐薬品性を実現しにくい。
　そこで、本発明者らは、抵抗層に酸化インジウムを主成分として含む材料を用いつつ、良好な耐薬品性を実現できる技術について日夜検討を重ね、本発明に係る電磁波吸収体を案出した。
　図１に示す通り、電磁波吸収体１は、誘電体層１０と、抵抗層２０と、導電層３０とを備えている。抵抗層２０は、誘電体層１０の一方の主面に配置され、酸化インジウムを主成分として含むとともに多結晶構造を有する。加えて、抵抗層２０は、２６０～５００Ω／□のシート抵抗及び５×１０-4Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有する。導電層３０は、誘電体層１０の他方の主面に配置され、抵抗層２０のシート抵抗より低いシート抵抗を有する。なお、本明細書において、「主成分」とは、重量基準で最も多く含まれる成分を意味する。典型的には、抵抗層２０における酸化インジウムの含有量は５０重量％以上である。
　電磁波吸収体１は、λ／４型電磁波吸収体である。λ／４型電磁波吸収体において、吸収対象とする波長（λO）の電磁波が入射すると、抵抗層２０の表面での反射（表面反射）による電磁波と、導電層３０における反射（裏面反射）による電磁波とが干渉するように設計される。なお、λ／４型電磁波吸収体においては、下記の式（１）に示す通り、誘電体層１０の厚み（ｔ）及び誘電体層１０の比誘電率（εr）によって吸収対象の電磁波の波長（λO）が決定される。すなわち、誘電体層１０の材料及び厚みを適宜調節することにより、吸収対象の波長の電磁波を設定できる。式（１）においてｓｑｒｔ（εr）は、比誘電率（εr）の平方根を意味する。
　λO＝４ｔ×ｓｑｒｔ（εr）　　　式（１）
　抵抗層２０が２６０～５００Ω／□のシート抵抗を有することにより、抵抗層２０が空気の特性インピーダンスに近く、電磁波吸収体１が良好な電磁波吸収特性を発揮できる。例えば、ミリ波レーダ又は準ミリ波レーダにおいて汎用される波長の電磁波を選択的に吸収しやすくなる。例えば、電磁波吸収体１は、ミリ波レーダに用いられる５０～１００ＧＨｚ、特に６０～９０ＧＨｚの周波数の電磁波を効果的に減衰させることができる。また、抵抗層２０は、酸化インジウムを主成分として含むとともに多結晶構造を有することにより、良好な耐薬品性を有しやすい。加えて、抵抗層２０が５×１０-4Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有することにより、抵抗層２０が所定値以上の厚みを有していても、抵抗層２０に２６０～５００Ω／□のシート抵抗をもたらすことができる。その結果、電磁波吸収体１が良好な電磁波吸収特性を発揮できるとともに、抵抗層２０が良好な耐薬品性を有し、ひいては電磁波吸収体１が良好な耐薬品性を有する。
　抵抗層２０は、例えば、５×１０-3Ω・ｃｍ以下の比抵抗を有する。この場合、抵抗層２０に２６０～５００Ω／□のシート抵抗をもたらすために必要な抵抗層２０の厚みが大きくなりすぎることを防止できる。これにより、抵抗層２０が良好な耐薬品性を有しつつ、抵抗層２０を形成するのに必要な時間を短くできる。
　抵抗層２０は、例えば、１５～２００ｎｍの厚みを有する。これにより、抵抗層２０が良好な耐薬品性を有しつつ、抵抗層２０を形成するのに必要な時間を短くできる。
　抵抗層２０は、酸化インジウムのみを含んでいてもよいし、酸化インジウム以外の成分を含んでいてもよい。抵抗層２０が酸化インジウム以外の成分を含む場合、抵抗層２０は、例えば、酸化スズを含む。抵抗層２０における酸化スズの含有量は、例えば、５重量％未満である。酸化スズの含有量が５重量％未満であるＩＴＯは比較的高い比抵抗を有し、抵抗層２０が５×１０-4Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有する。
　抵抗層２０は、例えば、酸化スズ及び不純物元素を含んでいてもよい。この場合、抵抗層２０における酸化スズの含有量は、５重量％以上、かつ、１３重量％未満である。加えて、抵抗層２０における不純物元素の含有量は、重量％基準で、酸化スズの含有量よりも少ない。抵抗層２０において、酸化スズの含有量が５重量％以上、かつ、１３重量％未満である場合であっても、所定の不純物元素が酸化スズと共存することにより、抵抗層２０が比較的高い比抵抗を有する。その結果、抵抗層２０が５×１０-4Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有する。
　上記の不純物元素は、例えば、ケイ素、マグネシウム、チタン、及び窒素の少なくとも１つを含む。これにより、抵抗層２０が比較的高い比抵抗を有する。
　抵抗層２０は、例えば、所定の組成を有するターゲット材を用いてスパッタリングを行い形成された膜を加熱処理（アニール処理）することによって形成できる。この場合、スパッタリングによって形成された膜が非晶質構造であっても、加熱処理によって多結晶構造を有する抵抗層２０を形成できる。なお、成膜温度などのスパッタリングの条件を調節することにより、スパッタリングの後に加熱処理を行うことなく多結晶構造を有する抵抗層２０を形成することも可能である。
　図１に示す通り、抵抗層２０は、例えば、誘電体層１０に接している面と反対の面において高分子フィルム２５に積層されている。高分子フィルム２５は、抵抗層２０の支持体として機能する。高分子フィルム２５は、例えばスパッタリングによって抵抗層２０を製造する場合に、平滑な表面を提供する材料でできていることが望ましい。加えて、高分子フィルム２５は、抵抗層２０を覆うように配置されているので、高分子フィルム２５が高い耐薬品性を有していれば、電磁波吸収体１も高い耐薬品性を有する。このため、高分子フィルム２５の材料は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）及びポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等のアクリル樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）、又はシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）である。なかでも、良好な耐薬品性と、寸法安定性と、コストとのバランスの観点から、抵抗層２０の支持体の材料は望ましくはＰＥＴである。
　高分子フィルム２５の厚みは、例えば１０～１５０μｍであり、望ましくは２０～１００μｍであり、より望ましくは３０～８０μｍの厚みを有する。これにより、高分子フィルム２５の曲げ剛性が低く、かつ、高分子フィルム２５に抵抗層２０を形成する場合において皺の発生又は変形を抑制できる。
　誘電体層１０は、例えば、１～１０の比誘電率を有する。これにより、電磁波吸収体１は広帯域幅（例えば、５０～１００ＧＨｚの周波数帯域に含まれる２ＧＨｚ以上の帯域幅）において良好な電磁波吸収性能を発揮できる。誘電体層１０の比誘電率は、例えば、空洞共振器摂動法によって測定できる。
　誘電体層１０は、単一の層であってもよいし、複数の層の積層体であってもよい。誘電体層１０が複数の層の積層体である場合、誘電体層１０の比誘電率は、各層の比誘電率を測定し、得られた各層の比誘電率に誘電体層１０の全体の厚みに対する各層の厚みの割合を乗じ、これらを加算することにより算出できる。
　誘電体層１０は、特に制限されないが、例えば、高分子材料でできている。例えば、誘電体層１０の高分子材料は、アクリル樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、アクリルウレタン樹脂、ポリオレフィン、ポリプロピレン、ポリエチレン、シリコーン樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリスチレン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、及びエポキシ樹脂等の合成樹脂（熱可塑性エラストマーを含む）、又は、ポリイソプレンゴム、ポリスチレン・ブタジエンゴム、ポリブタジエンゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、ブチルゴム、アクリルゴム、エチレンプロピレンゴム、及びシリコーンゴム等の合成ゴムである。これらは単独で又は２種以上を組み合せて誘電体層１０の高分子材料として使用される。
　誘電体層１０は、場合によっては発泡体であってもよい。この場合、誘電体層１０の比誘電率が低くなりやすい。加えて、誘電体層１０を軽量化できる。発泡体は、例えば、オレフィン系発泡体又はポリエステル系発泡体である。
　誘電体層１０の厚みは、例えば５０～２０００μｍであり、望ましくは１００～１０００μｍである。これにより、高い寸法精度と低コストとを両立させやすい。
　導電層３０は、電磁波吸収体１において吸収対象である電磁波を電磁波吸収体の裏面近傍で反射させる。導電層３０のシート抵抗は、例えば、０．００１～３０Ω／□のシート抵抗を有する。これにより、電磁波吸収体１が所望の電磁波吸収特性を発揮しやすい。例えば、ミリ波レーダに用いられる５０～１００ＧＨｚ、特に６０～９０ＧＨｚの周波数の電磁波を効果的に減衰させることができる。
　導電層３０の材料は、例えば、（ｉ）アルミニウム、銅、ニッケル、クロム、及びモリブデンなどの金属、（ii）これらの金属の合金、又は（iii）ＩＴＯである。導電層３０の材料がＩＴＯである場合、酸化スズの含有量が５～１５重量％のＩＴＯを使用できる。
　図１に示す通り、導電層３０は、高分子フィルム３５に積層されていてもよい。高分子フィルム３５は、導電層３０を支持する支持体として機能する。この場合、高分子フィルム３５の材料は、高分子フィルム２５の材料として例示した材料であってもよいし、ポリエステル、ポリプロピレン、ポリウレタン、ウレタンアクリル樹脂、二軸延伸ポリプロピレン（ＣＰＰ）、又は塩化ビニリデン樹脂であってもよい。高分子フィルム３５は、場合によっては省略可能である。
　抵抗層２０及び導電層３０のいずれかの層の誘電体層１０を向いている主面には、所定のコーティングが施されていてもよい。これにより、誘電体層１０に含まれる成分が抵抗層２０又は導電層３０に拡散して抵抗層２０又は導電層３０の特性に影響が及ぶことを防止できる。このようなコーティングの材料は、例えば、ＳｉＯ2等の酸化ケイ素、窒化ケイ素、Ａｌ2Ｏ3等の酸化アルミニウム、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、Ｎｂ2Ｏ5等の酸化ニオブ、チタン酸ストロンチウム（ＳＴＯ）、又は酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）である。中でも、コーティングの材料がＡｌＮ又はＡＺＯであると、抵抗層２０又は導電層３０の耐久性を有利に高めることができる。
　図１に示す通り、電磁波吸収体１は、例えば、粘着層４０と、セパレータ５０とをさらに備えている。粘着層４０は、導電層３０の外側に配置されている。セパレータ５０は、粘着層４０に接して配置されている。セパレータ５０を剥がして粘着層４０を露出させ、粘着層４０を成形品等の物品に押し付けることにより、電磁波吸収体１を物品に容易に取り付けることができる。また、電磁波吸収体１を物品に取り付ける前に粘着層４０をセパレータ５０によって保護できる。
　粘着層４０は、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、及びウレタン系粘着剤等の粘着剤を含む。
　図２に示す通り、電磁波吸収体１を用いて、例えば、電磁波吸収体付成形品１００を製造できる。電磁波吸収体付成形品１００は、成形品７０と、成形品７０に取り付けられた電磁波吸収体１とを備えている。成形品７０は、例えば、バンパーなどの自動車部品である。
　電磁波吸収体１の製造方法の一例を説明する。高分子フィルム２５にスパッタリング等の成膜方法により抵抗層２０を形成する。また、高分子フィルム３５に導電層３０が形成された積層体を準備する。
　次に、導電層３０に、所定の厚みに成形された誘電体層１０を形成する樹脂組成物を載せる。その後、誘電体層１０を形成する樹脂組成物に、抵抗層２０の一方の主面を重ねる。必要に応じて、樹脂組成物を硬化させる。これにより、電磁波吸収体１を製造できる。この方法によれば、誘電体層１０の厚みの制御が容易であるので、吸収対象とする波長の電磁波を効果的に吸収できるように電磁波吸収体１を製造できる。また、抵抗層２０および導電層３０を別々に形成するので、電磁波吸収体１の製造に要する時間が短く、電磁波吸収体１の製造コストが低い。なお、誘電体層１０と導電層３０又は抵抗層２０とをくっつけるために接着剤又は粘着剤を用いてもよい。
　以下、実施例により本発明をより詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されない。まず、各実施例及び各比較例に係る抵抗層の特性の測定方法及びサンプルの評価方法について説明する。
　［Ｘ線回折］
　各実施例及び各比較例において、Ｘ線回折装置（リガク社製、製品名：ＲＩＮＴ２２００）を用いて、Ｘ線反射率法により抵抗層の厚みを測定した。また、Ｘ線回折装置を用いて、抵抗層に対するＸ線回折パターンを得た。Ｘ線としてはＣｕＫα線を用いた。得られたＸ線回折パターンから抵抗層が多結晶構造であるか非晶質構造であるか確認した。結果を表１に示す。
　［シート抵抗］
　非接触式抵抗測定装置（ナプソン社製、製品名：ＮＣ－８０ＭＡＰ）を用いて、日本工業規格（ＪＩＳ）Ｚ ２３１６に準拠して、渦電流測定法によって各実施例及び各比較例の薬品浸漬処理されていない抵抗層のシート抵抗を測定した。結果を表１に示す。また、薬品浸漬処理された抵抗層についても同様にシート抵抗を測定した。
　［比抵抗］
　各実施例及び各比較例において、上記のように測定した抵抗層の厚みと、上記のように測定した薬品浸漬処理されていない抵抗層のシート抵抗から、両者の積を求めることにより、比抵抗を決定した。結果を表１に示す。
　［比誘電率］
　ネットワークアナライザー（アジレント・テクノロジー社製、製品名：N5230C）及び空洞共振器（関東電子応用開発社製　空洞共振器ＣＰ５３１）を用いて、実施例１に係る誘電体層の１０ＧＨｚにおける比誘電率を空洞共振器摂動法によって測定した。
　［電磁波吸収特性］
　ＪＩＳ　Ｒ　１６７９：２００７に準拠して、各実施例及び各比較例に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）の表面に対し、７６ＧＨｚのミリ波を垂直に入射させた場合の反射減衰量（反射量の絶対値）を測定した。結果を表１に示す。また、下記の指標に従って、各実施例及び各比較例について総合評価を行った。結果を表１に示す。
　ａ：サンプルＡ及びサンプルＢの両方において反射減衰量が２０ｄＢ以上である。
　ｂ：サンプルＡ及びサンプルＢのいずれか又はサンプルＡ及びサンプルＢの両方において反射減衰量が１０ｄＢ以上２０ｄＢ未満である。
　ｘ：サンプルＡ及びサンプルＢのいずれか又はサンプルＡ及びサンプルＢの両方において反射減衰量が１０ｄＢ未満である。
　＜実施例１＞
　３８μｍの厚みを有するＰＥＴフィルム（三菱ケミカル社製、ダイアホイル）の上に、Ｉｎ2Ｏ3からなるターゲット材を用いて、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、非晶質のＩｎ2Ｏ3からなる膜を形成し、その膜を大気中で１５０℃の温度で３時間加熱処理してＩｎ2Ｏ3を結晶化させた。このようにして、実施例１に係る抵抗層を形成した。実施例１に係る抵抗層の厚み、シート抵抗、及び比抵抗を表１に示す。２．６の比誘電率を有するアクリル樹脂を５６０μｍの厚みに押し出し成形して、実施例１に係る誘電体層を作製した。また、実施例１に係る導電層として、０．００２Ω／□のシート抵抗を有するアルミニウム箔を準備した。実施例１に係る誘電体層の一方の主面に薬品浸漬処理されていない実施例１に係る抵抗層が接触するように実施例１に係る抵抗層を貼り付けた。また、実施例１に係る誘電体層の他方の主面に実施例１に係る導電層を接触させて貼り付けた。このようにして、実施例１に係るサンプルＡを作製した。
　実施例１に係る抵抗層が形成されたＰＥＴフィルムを５重量％のＮａＯＨ水溶液に５分間浸漬させて薬品浸漬処理を行い、その後風乾させて薬品浸漬処理がされた抵抗層を作製した。薬品浸漬処理におけるＮａＯＨ水溶液の温度は４０℃に調節した。薬品浸漬処理されていない実施例１に係る抵抗層の代わりに、薬品浸漬処理がされた抵抗層を用いた以外は、サンプルＡと同様にして、実施例１に係るサンプルＢを作製した。
　＜実施例２及び３＞
　抵抗層の厚み及び抵抗層のシート抵抗が表１に示す値になるようにスパッタリングの条件を変更した以外は、実施例１と同様にして、Ｉｎ2Ｏ3からなる実施例２及び３に係る抵抗層を形成した。実施例２及び３に係る抵抗層の形成において、スパッタリングにより得られた非晶質のＩｎ2Ｏ3からなる膜を実施例１と同様の条件で加熱処理して結晶化させた。実施例１に係る抵抗層の代わりに実施例２又は３に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例２及び３に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。
　＜実施例４＞
　ＩＴＯをターゲット材として用い、抵抗層の厚み及び抵抗層のシート抵抗が表１に示す値になるように、スパッタリングの条件を変更した以外は、実施例１と同様にして、２．５重量％の酸化スズを含むＩＴＯでできた実施例４に係る抵抗層を形成した。実施例４に係る抵抗層の形成において、スパッタリングにより得られた非晶質のＩＴＯの膜を実施例１と同様の条件で加熱処理して結晶化させた。実施例１に係る抵抗層の代わりに実施例４に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例４に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。
　＜実施例５＞
　ＩＴＯをターゲット材として用い、抵抗層の厚み及び抵抗層のシート抵抗が表１に示す値になるように、スパッタリングの条件を変更した以外は、実施例１と同様にして、３．３重量％の酸化スズを含むＩＴＯでできた実施例５に係る抵抗層を形成した。実施例５に係る抵抗層の形成において、スパッタリングにより得られた非晶質のＩＴＯの膜を実施例１と同様の条件で加熱処理して結晶化させた。実施例１に係る抵抗層の代わりに実施例５に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例５に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。
　＜実施例６＞
　Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、及びＳｉＯ2を含むターゲット材を用い、抵抗層の厚み及び抵抗層のシート抵抗が表１に示す値になるように、スパッタリングの条件を変更した以外は、実施例１と同様にして、Ｉｎ2Ｏ3に加えて、７．５重量％のＳｎＯ2及び２．５重量％のＳｉＯ2を含む材料でできた実施例６に係る抵抗層を形成した。実施例６に係る抵抗層の形成において、スパッタリングにより得られた非晶質の膜を実施例１と同様の条件で加熱処理して結晶化させた。実施例１に係る抵抗層の代わりに実施例６に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例６に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。
　＜実施例７＞
　Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、及びＭｇＯを含むターゲット材を用い、抵抗層の厚み及び抵抗層のシート抵抗が表１に示す値になるように、スパッタリングの条件を変更した以外は、実施例１と同様にして、Ｉｎ2Ｏ3に加えて、７．５重量％のＳｎＯ2及び２．５重量％のＭｇＯを含む材料でできた実施例７に係る抵抗層を形成した。実施例７に係る抵抗層の形成において、スパッタリングにより得られた非晶質の膜を実施例１と同様の条件で加熱処理して結晶化させた。実施例１に係る抵抗層の代わりに実施例７に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例７に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。
　＜実施例８＞
　Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、及びＴｉＯ2を含むターゲット材を用い、抵抗層の厚み及び抵抗層のシート抵抗が表１に示す値になるように、スパッタリングの条件を変更した以外は、実施例１と同様にして、Ｉｎ2Ｏ3に加えて、７．５重量％のＳｎＯ2及び２．５重量％のＴｉＯ2を含む材料でできた実施例８に係る抵抗層を形成した。実施例８に係る抵抗層の形成において、スパッタリングにより得られた非晶質の膜を実施例１と同様の条件で加熱処理して結晶化させた。実施例１に係る抵抗層の代わりに実施例８に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例８に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。
　＜実施例９＞
　Ｉｎ2Ｏ3及びＳｎＯ2を含むターゲット材及び窒素ガスを含む反応ガスを用い、抵抗層の厚み及び抵抗層のシート抵抗が表１に示す値になるように、スパッタリングの条件を変更した以外は、実施例１と同様にして、Ｉｎ2Ｏ3に加えて、７．５重量％のＳｎＯ2及び３原子％の窒素を含む材料でできた実施例９に係る抵抗層を形成した。実施例９に係る抵抗層の形成において、スパッタリングにより得られた非晶質の膜を実施例１と同様の条件で加熱処理して結晶化させた。実施例１に係る抵抗層の代わりに実施例９に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例９に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。
　＜実施例１０＞
　Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、及びＳｉＯ2を含むターゲット材を用い、抵抗層の厚み及び抵抗層のシート抵抗が表１に示す値になるように、スパッタリングの条件を変更した以外は、実施例１と同様にして、Ｉｎ2Ｏ3に加えて、１０重量％のＳｎＯ2及び５重量％のＳｉＯ2を含む材料でできた実施例１０に係る抵抗層を形成した。実施例１０に係る抵抗層の形成において、スパッタリングにより得られた非晶質の膜を実施例１と同様の条件で加熱処理して結晶化させた。実施例１に係る抵抗層の代わりに実施例１０に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例１０に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。
　＜実施例１１＞
　３８μｍの厚みを有するＰＥＴフィルム（三菱ケミカル社製、ダイアホイル）の上に、ＤＣマグネトロンスパッタ法によって、１０重量％の酸化スズを含む非晶質のＩＴＯでできた膜を形成し、その膜を大気中で１５０℃の温度で３時間加熱処理して結晶化させた。このようにして、実施例１１に係る導電層を形成した。実施例１１に係る導電層の厚みは１２０ｎｍであった。実施例１１に係る導電層のシート抵抗は２０Ω／□であった。実施例１に係る導電層の代わりに実施例１１に係る導電層を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例１１に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。
　＜比較例１＞
　３８μｍの厚みを有するＰＥＴフィルム（三菱ケミカル社製、ダイアホイル）の上に、ＺｎＯ及びＧａ2Ｏ3を含むターゲット材を用い、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、抵抗層の厚み及び抵抗層のシート抵抗が表１に示す値になるように、スパッタリングの条件を調節して、ＺｎＯを主成分としつつ、３重量％のＧａ2Ｏ3を含む多結晶構造の材料でできた比較例１に係る抵抗層を形成した。なお、比較例１に係る抵抗層の形成において、スパッタリングの後に加熱処理は行わなかった。実施例１に係る抵抗層の代わりに比較例１に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、比較例１に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。
　＜比較例２＞
　３８μｍの厚みを有するＰＥＴフィルム（三菱ケミカル社製、ダイアホイル）の上に、ＩＴＯをターゲット材として用い、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、抵抗層の厚み及び抵抗層のシート抵抗が表１に示す値になるようにスパッタリングの条件を調節して、１０重量％の酸化スズを含む非晶質のＩＴＯでできた比較例２に係る抵抗層を形成した。実施例１に係る抵抗層の代わりに比較例２に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、比較例２に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。
　＜比較例３＞
　ＩＴＯをターゲット材として用い、抵抗層の厚み及び抵抗層のシート抵抗が表１に示す値になるようにスパッタリングの条件を変更した以外は、比較例２と同様にして、７．５重量％の酸化スズを含む非晶質のＩＴＯでできた比較例３に係る抵抗層を形成した。実施例１に係る抵抗層の代わりに比較例３に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、比較例３に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。
　＜比較例４＞
　ＩＴＯをターゲット材として用い、抵抗層の厚み及び抵抗層のシート抵抗が表１に示す値になるように、スパッタリングの条件を変更した以外は、実施例１と同様にして、２．５重量％の酸化スズを含むＩＴＯでできた比較例４に係る抵抗層を形成した。比較例４に係る抵抗層の形成において、スパッタリングにより得られた非晶質のＩＴＯの膜を実施例１と同様の条件で加熱処理して結晶化させた。実施例１に係る抵抗層の代わりに比較例４に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、比較例４に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。
　＜比較例５＞
　ＩＴＯをターゲット材として用い、抵抗層の厚み及び抵抗層のシート抵抗が表１に示す値になるように、スパッタリングの条件を変更した以外は、実施例１と同様にして、２．５重量％の酸化スズを含むＩＴＯでできた比較例５に係る抵抗層を形成した。比較例５に係る抵抗層の形成において、スパッタリングにより得られた非晶質のＩＴＯの膜を実施例１と同様の条件で加熱処理して結晶化させた。実施例１に係る抵抗層の代わりに比較例５に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、比較例５に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。
　＜比較例６＞
　ＩＴＯをターゲット材として用い、抵抗層の厚み及び抵抗層のシート抵抗が表１に示す値になるように、スパッタリングの条件を変更した以外は、実施例１と同様にして、７．５重量％の酸化スズを含むＩＴＯでできた比較例６に係る抵抗層を形成した。比較例６に係る抵抗層の形成において、スパッタリングにより得られた非晶質のＩＴＯの膜を実施例１と同様の条件で加熱処理して結晶化させた。実施例１に係る抵抗層の代わりに比較例６に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、比較例６に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。
　＜比較例７＞
　ＺｎＯ及びＡｌ2Ｏ3を含むターゲット材を用い、抵抗層の厚み及び抵抗層のシート抵抗が表１に示す値になるように、スパッタリングの条件を変更した以外は、比較例１と同様にして、ＺｎＯを主成分としつつ、３重量％のＡｌ2Ｏ3を含む多結晶構造の材料でできた比較例７に係る抵抗層を形成した。なお、比較例７に係る抵抗層の形成において、スパッタリングの後に加熱処理は行わなかった。実施例１に係る抵抗層の代わりに比較例７に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、比較例７に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。
　表１に示す通り、抵抗層が、酸化インジウムを主成分として含む多結晶構造を有し、かつ、２６０～５００Ω／□のシート抵抗及び５×１０-4Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有すると、良好な耐薬品性を発揮できることが示唆された。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001

Claims (10)

  1. 　誘電体層と、
    　前記誘電体層の一方の主面に配置され、酸化インジウムを主成分として含むとともに多結晶構造を有する抵抗層と、
    　前記誘電体層の他方の主面に配置され、前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層と、を備え、
    　前記抵抗層は、２６０～５００Ω／□のシート抵抗及び５×１０-4Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有する、
    　電磁波吸収体。
  2. 　前記抵抗層は、５×１０-3Ω・ｃｍ以下の比抵抗を有する、請求項１に記載の電磁波吸収体。
  3. 　前記抵抗層は、１５～２００ｎｍの厚みを有する、請求項１又は２に記載の電磁波吸収体。
  4. 　前記抵抗層は、酸化スズを含み、
    　前記抵抗層における前記酸化スズの含有量は５重量％未満である、請求項１～３のいずれか１項に記載の電磁波吸収体。
  5. 　前記抵抗層は、酸化スズ及び不純物元素を含み、
    　前記抵抗層における前記酸化スズの含有量は、５重量％以上、かつ、１３重量％未満であり、
    　前記抵抗層における不純物元素の含有量は、重量％基準で、前記酸化スズの含有量よりも少ない、
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の電磁波吸収体。
  6. 　前記不純物元素は、ケイ素、マグネシウム、チタン、及び窒素の少なくとも１つを含む、請求項５に記載の電磁波吸収体。
  7. 　前記誘電体層は、１～１０の比誘電率を有する、請求項１～６のいずれか１項に記載の電磁波吸収体。
  8. 　前記導電層は、０．００１～３０Ω／□のシート抵抗を有する、請求項１～７のいずれか１項に記載の電磁波吸収体。
  9. 　前記導電層の外側に配置された粘着層と、
    　前記粘着層に接して配置されたセパレータと、をさらに備えた、
    　請求項１～８のいずれか１項に記載の電磁波吸収体。
  10. 　成形品と、
    　前記成形品に取り付けられた請求項１～９のいずれか１項に記載の電磁波吸収体と、を備えた、
    　電磁波吸収体付成形品。
     
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