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WO2018123776A1 - スパッタ装置及び電極膜の製造方法 - Google Patents

スパッタ装置及び電極膜の製造方法 Download PDF

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WO2018123776A1
WO2018123776A1 PCT/JP2017/045763 JP2017045763W WO2018123776A1 WO 2018123776 A1 WO2018123776 A1 WO 2018123776A1 JP 2017045763 W JP2017045763 W JP 2017045763W WO 2018123776 A1 WO2018123776 A1 WO 2018123776A1
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WO
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disposed
limiting member
substrate
cathode
sputtering apparatus
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PCT/JP2017/045763
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大和 阿部
崇 竹見
大介 青沼
智洋 熊木
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Canon Tokki Corp
Original Assignee
Canon Tokki Corp
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation

Definitions

  • the present invention relates to a sputtering apparatus and an electrode film manufacturing method.
  • a low-resistance metal is used for the thin film serving as an electrode.
  • the sputtering method is well known as a method having good film density and adhesion.
  • a sputtering apparatus for forming a film by a sputtering method is configured such that a cathode and an anode face each other, and a film forming material is disposed on the cathode, and a substrate on which a film is formed is disposed on a part of the anode. Further, a magnetron sputtering method is widely used in which a magnet is disposed on the back surface of the cathode and the electron density in the vicinity of the cathode is increased by a generated magnetic field to perform sputtering.
  • the cathode has various shapes such as a disc type, a rectangular plate type, and a cylindrical type, and varies depending on the film forming range.
  • One method of forming a low resistance electrode film is to limit the angle in the film forming direction.
  • a structure that can pass only in a specific direction is arranged between the cathode and the substrate.
  • the structure include one or a plurality of plates arranged in parallel or perpendicular to the cathode surface, and a collimator having a large number of holes (see, for example, Patent Documents 1 and 2). Note that when the structure is arranged perpendicular to the cathode surface, it is possible to limit the deposition angle of more sputtered particles than when arranged in parallel.
  • the structure Since the structure is disposed between the cathode and the substrate, it is exposed to the plasma space. If the structure is electrically grounded, it can also serve as an anode for receiving electrons.
  • electrons that generate plasma for performing magnetron sputtering are moving on the cathode.
  • the structure when the structure (restricting member) is arranged perpendicular to the cathode surface, the structure has a high-density plasma. May interfere with the movement of electrons.
  • the plasma current decreases because electrons are absorbed by the anode, but the power source increases the voltage to maintain the plasma power, resulting in the plasma power. Is kept.
  • the upper limit of the voltage is provided in the power source, the amount of plasma power that can be output by the power source is limited if the voltage continues to rise. As a result, it is not possible to use the output as rated by the power supply.
  • Patent Documents 1 and 2 do not refer to the above-mentioned problems, and do not actively disclose specific means for solving such problems.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and it is possible to provide a sputtering apparatus and an electrode film that can suppress interference between a high-density plasma and a limiting member to obtain a lower resistance film quality.
  • a manufacturing method is provided.
  • the limiting member holding portion that holds the limiting member made of the non-facing portion is configured to be disposed so as to straddle the erosion region.
  • the present invention since the present invention is configured as described above, it becomes a sputtering apparatus and an electrode film manufacturing method capable of suppressing the interference between the high-density plasma and the restricting member to obtain a lower resistance film quality.
  • FIG. 10 is a schematic explanatory diagram of another example 1.
  • FIG. 10 is a schematic explanatory perspective view of the principal part of a present Example.
  • 10 is a schematic explanatory longitudinal sectional view of another example 2.
  • FIG. 10 is an expansion outline explanatory sectional view of the important section of this example.
  • 10 is a schematic cross-sectional view of another example 3.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of another example 4.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of another example 5.
  • FIG. 12 is a schematic explanatory longitudinal sectional view of another example 6.
  • FIG. 12 is a schematic explanatory longitudinal sectional view of another example 7.
  • FIG. 10 is a schematic explanatory longitudinal sectional view of another example 8.
  • FIG. 12 is a schematic explanatory longitudinal sectional view of another example 6.
  • the facing portion 6 of the limiting member 4 is sufficiently separated from the erosion region 5 so that the high-density plasma generated immediately above the erosion region 5 does not interfere, or the facing portion 6 does not exist on the limiting member 4. Therefore, the high-density plasma and the limiting member do not interfere with each other, so that the absorption of electrons by the limiting member is suppressed, and the limiting member can control the flight direction of the plasma particles while forming a thin film having a lower resistance film quality. The film becomes possible.
  • a cathode 2 and an anode are provided in a vacuum chamber 12 so as to face each other.
  • the substrate 3 to be deposited is disposed in the part, and an ionized Ar is applied by applying a DC high voltage between the substrate 3 and the cathode 2 while introducing an inert gas such as Ar into the vacuum chamber 12.
  • an inert gas such as Ar
  • a magnetron sputtering method is used in which a magnet 8 is arranged on the back surface of the cathode 2 and sputtering is performed by increasing the electron density in the vicinity of the cathode 2 by a generated magnetic field.
  • This sputtering apparatus is used, for example, for manufacturing an electrode film of an LED lighting apparatus.
  • this embodiment is an example of an inline sputtering apparatus in which the substrate 3 is sequentially transported by an inline transport mechanism as illustrated in FIG. 1, but the substrate 3 is rotated as in another example illustrated in FIG.
  • the present invention can be similarly applied to a carousel sputtering apparatus that sequentially faces the target while being held by the drum 13.
  • a limiting member 4 for limiting the flying direction of the sputtered particles is provided between the cathode 2 and the substrate 3 (position where the substrate 3 is disposed).
  • the limiting member 4 is disposed so as to straddle the erosion region 5 formed in the target 1, and the distance ⁇ from the cathode 2 (target 1) of the facing portion 6 facing the erosion region 5 of the limiting member 4 is determined by the limiting member 4.
  • the non-facing portion 7 that does not face the erosion region 5 located between the facing portions 6 is set to be larger than the distance ⁇ from the cathode 2 (target 1).
  • does not face the erosion region 5 means that the erosion region 5 is far from the inner edge of the erosion region 5 to the extent that it does not interfere with the high-density plasma generated in the vicinity of the erosion region 5.
  • the limiting member 4 of the present embodiment includes a rod body 11 laid between short-direction members 18 (described later), and the same width as the rod body 11 suspended from the rod body 11 and substantially perpendicular to the target 1. And a vertical plate portion 10 provided.
  • the vertical plate portion 10 constitutes a non-facing portion 7 that does not face the erosion region 5, and the portion of the rod 11 facing the erosion region 5 constitutes the facing portion 6.
  • the limiting member 4 of the present embodiment connects the limiting member support portion 15 erected on the base portion 14 provided on the bottom surface of the vacuum chamber 12, the limiting member support portion 15, the facing portion 6 and the non-facing portion 7. It is held by the connecting member 16.
  • the connecting member 16 includes a longitudinal plate portion 17 disposed substantially parallel to the target surface along the longitudinal direction of the target 1 provided so as to surround the outer periphery of the left and right erosion regions 5 in plan view, and the short side of the target 1. It is comprised by the short direction member 18 arrange
  • the longitudinal direction plate portion 17 is supported by the restricting member support portion 15, and the end portions of the rods 11 are fixed to the lower surface side of the short direction member 18, respectively. Note that the sputtered particles flying outside the left and right erosion regions 5 are restricted by the connecting member 16 (and the restricting member support portion 15).
  • the restricting member 4 (the connecting member 16) is supported from below by the restricting member supporting portion 15, but the restricting member supporting portion 15 is vacuumed as in the second example shown in FIG. It is good also as a structure fixed to the top
  • FIG. 1
  • the limiting member 4 is configured to be disposed within a range of 20% or less of the maximum value of the horizontal magnetic field strength generated near the target surface by the magnet 8. is doing. That is, the facing portion 6 and the non-facing portion 7 are not arranged in a region exceeding 20% of the maximum horizontal magnetic field intensity generated in the vicinity of the target surface. If the limiting member 4 is in an area of 20% or less of the maximum value of the horizontal magnetic field strength, it is possible to limit the deposition angle of sputtered particles without hindering the movement of electrons in the high-density plasma area.
  • the lower end of the non-facing portion 7 of the limiting member 4 is provided so as to be as close as possible to the target 1 within a range of 20% or less of the maximum value of the horizontal magnetic field strength.
  • the erosion region 5 is an annular portion that is more strongly sputtered than other portions by focusing the plasma at a high density by the magnetic field of the magnet 8 disposed on the back side of the cathode 2 (target 1). Then, it is the track shape comprised by the two linear parts 5a extended mutually substantially parallel, and the circular arc-shaped part 5b which each connects the both ends of this linear part 5a.
  • the limiting member 4 of this embodiment is arranged so as to divide the annular erosion region 5 into a plurality when viewed from the substrate 3 side, and the flying direction of sputtered particles generated from the erosion region 5 divided into a plurality by the limiting member 4. It is comprised so that each may be restrict
  • the non-facing portion 7 made of the vertical plate portion 10 is arranged in parallel to the linear portion 5a inside the erosion region 5, and the facing portion 6 of the rod 11 faces the arc-shaped portion 5b. Is arranged.
  • the non-facing portion 7 of the limiting member 4 may be provided with a plate portion 19 substantially parallel to the target surface so as not to cover the erosion region 5, or illustrated in FIG. 8.
  • the non-facing portion 7 is composed of a rectangular parallelepiped portion 20 whose width is less than the interval between the linear portions 5a, and flies in the direction of the restricting member 4 from the left and right erosion regions 5. It is good also as a structure which further restrict
  • the film-forming shutter 9 that shields the sputtered particles on the substrate 3 may be provided on the limiting member 4 so that the film-forming shutter 9 moves relative to the cathode 2.
  • a film forming shutter 9 is slidably provided above (or below) the restricting member 4 as shown in another example 5 shown in FIG. 9, and the film forming shutter 9 faces the target 1 when the film is not formed. 4 and the opening surrounded by the connecting member 16 may be closed. Further, the film forming shutter 9 is integrally provided adjacent to the restricting member 4 so that the restricting member 4 and the film forming shutter 9 are juxtaposed, and the restricting member 4 and the film forming shutter 9 are relative to the cathode 2.
  • the target 1 and the limiting member 4 may be opposed to each other during film formation, and the target 1 and the film formation shutter 9 may be opposed to each other during film formation.
  • the connecting portion between the non-facing portion 7 and the facing portion 6 is such that the bottom edge shape of both ends of the vertical plate portion 10 is gradually separated from the erosion region 5 toward the outer side, and the end portion of the vertical plate portion 10 faces. You may comprise so that the non-facing part 7 and the facing part 6 may be connected smoothly so that it may become the part 6.
  • FIG. FIG. 10 shows another example 6 in which the lower edge shape of both ends of the vertical plate portion 10 is linear
  • FIG. 11 shows another example 7 in which the shape is curved (R shape). In this case, the movement of the sputtered particles between the erosion regions 5 divided by the restricting member 4 can be more effectively restricted.
  • the restricting member holding portion is, for example, a rod-like or string-like member that is thin enough not to restrict the flying of the sputtered particles, and has one end fixed to the short direction member 18 and the other end fixed to the non-facing portion 7. The facing part 7 is held.
  • the present invention is not limited to the present embodiment, and the specific configuration of each component can be designed as appropriate.

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Abstract

高密度なプラズマと制限部材との干渉を抑制してより低抵抗な膜質を得ることが可能なスパッタ装置の提供。ターゲット１が配置されるカソード２と、ターゲット１に対向する位置に配置される基板３と、スパッタ粒子の飛翔方向を制限する制限部材４とを備え、基板３に、スパッタ粒子を堆積させて成膜を行うスパッタ装置であって、制限部材４がターゲット１に形成されるエロージョン領域５を跨ぐように配置され、制限部材４のエロージョン領域５と対面する対面部６のカソード２からの距離αが、制限部材４の対面部６の間に位置するエロージョン領域５と対面しない非対面部７のカソード２からの距離βよりも大きく設定された構成、若しくは、非対面部７から成る制限部材４を保持する制限部材保持部が、エロージョン領域５を跨ぐように配置された構成とする。

Description

スパッタ装置及び電極膜の製造方法
　本発明は、スパッタ装置及び電極膜の製造方法に関するものである。
　薄膜を用いた電子部品において、電極となる薄膜には低抵抗な金属が用いられている。その成膜方法には様々あるが、膜密度や密着性が良好な方法としてスパッタ法が良く知られている。
　スパッタ法により成膜を行うスパッタ装置は、カソードとアノードが対向するような構成になっており、カソードには成膜材料、アノードの一部には成膜される基板が配置されている。また、カソードの背面に磁石を配置し、発生する磁場によってカソード近傍の電子密度を高くしてスパッタするマグネトロンスパッタ法が広く使用されている。
　カソードには円板型、矩形板型、円筒型など様々な形状があり、成膜範囲によって異なる。
　低抵抗な電極膜を成膜する方法の一つに、成膜方向の角度制限を行うものがある。従来方法としては、成膜される基板に飛来してくるスパッタ粒子のうち、特定の方向のみ通過できるような構造物（制限部材）をカソードと基板の間に配置するものがよく知られている。その構造物には、１枚もしくは複数枚の板をカソード面に対して平行もしくは垂直に並べたものや、多数の穴が空いたコリメーター等が挙げられる（例えば特許文献１，２参照）。なお、構造物をカソード面に対して垂直に配置した場合には、平行に配置する場合よりも多くのスパッタ粒子の成膜角度制限が可能である。
　前記構造物はカソードと基板の間に配置されるため、プラズマ空間に少なからずさらされる。その構造物が電気的に接地状態であれば、電子を受け取るアノードの役割も果たすことができる。
特開平７－３３１４３１号公報 特開２０１１－９９１６２号公報
　しかしながら、カソード上にはマグネトロンスパッタを行うためのプラズマを生成する電子が運動しており、特に、構造物（制限部材）をカソード面に対して垂直に配置した場合、構造物が高密度なプラズマと干渉し、電子の運動を阻害する可能性がある。
　電子の運動が阻害されると、電子がアノードに吸収されることになるためプラズマ電流が低下するが、一方で、プラズマ電力を保持するために、電源が電圧を上昇させるため、結果としてプラズマ電力は保たれる。
　ところが、電源には電圧上限が設けられているため、電圧が上昇したままでは電源が出力可能なプラズマ電力量が限られてしまう。結果として、電源の定格どおりの出力を使用できない。
　スパッタリングにおいて、プラズマ電力が高いほど低抵抗な膜質を得られるため、上記のような電圧の上昇は、良好な膜質を得る上で大きな問題となる。
　上記特許文献１，２には上述の問題点への言及はなく、このような問題点を解決するための具体的手段の積極的な開示はない。
　本発明は、上述のような問題点を解決すべくなされたもので、高密度なプラズマと制限部材との干渉を抑制してより低抵抗な膜質を得ることが可能なスパッタ装置及び電極膜の製造方法を提供するものである。
　ターゲットが配置されるカソードと、
前記ターゲットに対向する位置に配置される基板と、
前記カソードと前記基板が配置される位置との間に配置された、スパッタ粒子の飛翔方向を制限する制限部材とを備え、
前記基板に、スパッタ粒子を堆積させて成膜を行うスパッタ装置であって、
前記制限部材が前記ターゲットに形成されるエロージョン領域を跨ぐように配置され、前記制限部材の前記エロージョン領域と対面する対面部の前記カソードからの距離が、前記制限部材の前記対面部の間に位置する前記エロージョン領域と対面しない非対面部の前記カソードからの距離よりも大きく設定された構成、若しくは、
前記非対面部から成る前記制限部材を保持する制限部材保持部が、前記エロージョン領域を跨ぐように配置された構成とされていることを特徴とするスパッタ装置に係るものである。
　本発明は上述のように構成したから、高密度なプラズマと制限部材との干渉を抑制してより低抵抗な膜質を得ることが可能なスパッタ装置及び電極膜の製造方法となる。
本実施例の概略説明横断面図である。 本実施例の概略説明縦断面図である。 別例１の概略説明図である。 本実施例の要部の概略説明斜視図である。 別例２の概略説明縦断面図である。 本実施例の要部の拡大概略説明断面図である。 別例３の概略説明横断面図である。 別例４の概略説明横断面図である。 別例５の概略説明横断面図である。 別例６の概略説明縦断面図である。 別例７の概略説明縦断面図である。 別例８の概略説明縦断面図である。
　好適と考える本発明の実施形態を、図面に基づいて本発明の作用を示して簡単に説明する。
　エロージョン領域５の直上に生成される高密度なプラズマが干渉しないように、制限部材４の対面部６をエロージョン領域５から十分離すか若しくは制限部材４に対面部６が存在しない構成とすることで、高密度なプラズマと制限部材とが干渉せず、よって、制限部材による電子の吸収が抑制され、制限部材によりプラズマ粒子の飛翔方向を良好に制御しつつ、より低抵抗の膜質の薄膜を成膜可能となる。
　本発明の具体的な実施例について図面に基づいて説明する。
　本実施例は、図１，２に図示したように、真空槽12内に、カソード２とアノード（図示省略）が対向するように設けられ、カソード２にはターゲット１が配置され、アノードの一部には成膜される基板３が配置され、真空槽12内にＡｒ等の不活性ガスを導入しながら、基板３とカソード２との間に直流高電圧を印加してイオン化したＡｒをターゲット１に衝突させることで生じるスパッタ粒子を基板３に堆積させて成膜を行うスパッタ装置に本発明を適用した例である。なお、図１，２以外では真空槽12の図示は省略している。
　また、本実施例は、カソード２の背面に磁石８を配置し、発生する磁場によってカソード２近傍の電子密度を高くしてスパッタするマグネトロンスパッタ法を用いるものである。このスパッタ装置は、例えば、ＬＥＤ照明装置の電極膜の製造に用いられる。
　また、本実施例は、図１に図示したように、基板３がインライン搬送機構により順次搬送されるインラインスパッタ装置の例であるが、図３に図示した別例１のように基板３が回転ドラム13に保持された状態で順次ターゲットと対向するカルーセルスパッタ装置の場合も同様に本発明を適用できる。
　図２、図４に図示したように、カソード２と基板３（が配置される位置）との間には、スパッタ粒子の飛翔方向を制限する制限部材４が設けられている。
　制限部材４は、ターゲット１に形成されるエロージョン領域５を跨ぐように配置され、制限部材４のエロージョン領域５と対面する対面部６のカソード２（ターゲット１）からの距離αが、制限部材４の対面部６の間に位置するエロージョン領域５と対面しない非対面部７の前記カソード２（ターゲット１）からの距離βよりも大きく設定された構成としている。
　なお、「エロージョン領域５と対面しない」とは、エロージョン領域５の近傍に発生する高密度のプラズマと干渉しない程度に、エロージョン領域５の内縁から離れていることを意味する。
　本実施例の制限部材４は、後述する短手方向部材18間に架設される棒体11と、この棒体11に垂設される棒体11と同幅でターゲット１に対して略垂直に設けられる垂直板部10とで構成されている。垂直板部10はエロージョン領域５と対面しない非対面部７を構成し、棒体11のエロージョン領域５と対面する部分が対面部６を構成する。
　本実施例の制限部材４は、真空槽12の底面に設けた台部14に立設される制限部材支持部15と、制限部材支持部15と対面部６及び非対面部７とを連結する連結部材16とで保持されている。
　連結部材16は、平面視において左右のエロージョン領域５の外周を囲むように設けられるターゲット１の長手方向に沿ってターゲット面と略平行に配置される長手方向板部17と、ターゲット１の短手方向に沿ってターゲット面と略平行に配置される短手方向部材18とで構成されている。この長手方向板部17が制限部材支持部15に支持されており、短手方向部材18の下面側に棒体11の端部が夫々固定されている。なお、連結部材16（及び制限部材支持部15）によって、左右のエロージョン領域５より外側に飛翔するスパッタ粒子は制限される。
　即ち、ターゲット１の上方には、制限部材４及び連結部材16で囲まれた開口が形成され、この開口を通じてスパッタ粒子が基板３に付着する。
　なお、本実施例は、制限部材支持部15により制限部材４（連結部材16）を下方から支持する構成としているが、図５に図示した別例２のように、制限部材支持部15を真空槽12の天面側に固定した構成とし、この制限部材支持部15により連結部材16を介して制限部材４を上方から吊下げ状態で支持する構成としても良い。
　また、本実施例においては、図６に図示したように、制限部材４が、磁石８によってターゲット面近傍に発生する水平磁場強度の最大値の２０％以下の範囲内に配置されるように構成している。即ち、対面部６及び非対面部７がターゲット面近傍に発生する水平磁場強度の最大値の２０％を超える領域には配置されない構成としている。制限部材４が水平磁場強度の最大値の２０％以下の領域にあれば、高密度なプラズマ領域の電子の運動を阻害せずに、スパッタ粒子の成膜角度制限が可能である。
　また、制限部材４の非対面部７の下端は、水平磁場強度の最大値の２０％以下の範囲内で可及的にターゲット１に近接するように設けられる。
　エロージョン領域５は、カソード２（ターゲット１）の背面側に配置された磁石８の磁場によってプラズマを高密度で集束させたことにより他の部分より強くスパッタリングされる環状の部分であり、本実施例では、互いに略平行に延びる２つの直線状部５ａと、この直線状部５ａの両端部同士を夫々連結する円弧状部５ｂとで構成されたトラック状である。
　本実施例の制限部材４は、環状のエロージョン領域５を基板３側から見て複数に分けるように配置され、この制限部材４により、複数に分けられたエロージョン領域５から生じるスパッタ粒子の飛翔方向を夫々制限するように構成されている。
　具体的には、エロージョン領域５の内側に垂直板部10から成る非対面部７が前記直線状部５ａと平行に配置され、棒体11の対面部６が前記円弧状部５ｂと対面するように配置されている。
　また、図７に図示した別例３のように、制限部材４の非対面部７にターゲット面と略平行な板部19をエロージョン領域５にかからないように設ける構成としたり、図８に図示した別例４のように、非対面部７を、その幅が直線状部５ａ同士の間隔未満である直方体部20で構成したりして、左右のエロージョン領域５から制限部材４の方向に飛翔するスパッタ粒子を更に制限する構成としても良い。
　また、制限部材４に基板３へのスパッタ粒子を遮蔽する成膜シャッター９を設け、カソード２に対して成膜シャッター９が相対移動する構成としても良い。
　例えば、図９に図示した別例５のように制限部材４の上方（若しくは下方）に成膜シャッター９をスライド自在に設け、非成膜時には成膜シャッター９がターゲット１と対向して制限部材４及び連結部材16で囲まれた開口を閉塞するように構成しても良い。また、制限部材４と成膜シャッター９とが並設されるように、制限部材４に隣接して一体に成膜シャッター９を設け、制限部材４及び成膜シャッター９をカソード２に対して相対的に移動させることで、成膜時にはターゲット１と制限部材４が対向し、被成膜時にはターゲット１と成膜シャッター９とが対向するように構成しても良い。
　また、非対面部７と対面部６との接続部は、垂直板部10の両端の下縁形状が外方側程徐々にエロージョン領域５から離間する形状として垂直板部10の端部が対面部６となるように、非対面部７と対面部６とを滑らかに接続するように構成しても良い。図１０は垂直板部10の両端の下縁形状を直線状とした別例６、図１１は曲線状（Ｒ形状）とした別例７である。この場合、制限部材４により分けられたエロージョン領域５間でのスパッタ粒子の移動を一層良好に制限できる。
　また、図１２に図示した別例８のように、複数の基板に対して同時にスパッタリングする構成においては、各基板３に対応して夫々垂直板部10から成る非対面部７を設ける構成としても良い。
　なお、対面部６を有さず前記非対面部７から成る制限部材４を保持する制限部材保持部が、エロージョン領域５を跨ぐように配置された構成としても高密度のプラズマと制限部材４との干渉を抑制することができる。制限部材保持部は、例えば、スパッタ粒子の飛翔を制限しない程度に細い棒状若しくは紐状の部材であり、一端が短手方向部材18に固定され他端が非対面部７に固定されて、非対面部７を保持するものである。
　本発明は、本実施例に限られるものではなく、各構成要件の具体的構成は適宜設計し得るものである。

Claims (9)

  1. 　ターゲットが配置されるカソードと、
    前記ターゲットに対向する位置に配置される基板と、
    前記カソードと前記基板が配置される位置との間に配置された、スパッタ粒子の飛翔方向を制限する制限部材とを備え、
    前記基板に、スパッタ粒子を堆積させて成膜を行うスパッタ装置であって、
    前記制限部材が前記ターゲットに形成されるエロージョン領域を跨ぐように配置され、前記制限部材の前記エロージョン領域と対面する対面部の前記カソードからの距離が、前記制限部材の前記対面部の間に位置する前記エロージョン領域と対面しない非対面部の前記カソードからの距離よりも大きく設定された構成、若しくは、
    前記非対面部から成る前記制限部材を保持する制限部材保持部が、前記エロージョン領域を跨ぐように配置された構成とされていることを特徴とするスパッタ装置。
  2. 　前記エロージョン領域は環状であり、前記制限部材は、前記環状のエロージョン領域を基板側から見て複数に分けるように配置されていることを特徴とする請求項１に記載のスパッタ装置。
  3. 　前記エロージョン領域は、互いに平行に延びる２つの直線状部と、この直線状部の両端部同士を夫々連結する円弧状部とで構成されており、前記非対面部が前記２つの直線状部の間に配置され、前記対面部若しくは前記制限部材保持部が前記円弧状部と対面するように配置されていることを特徴とする請求項１に記載のスパッタ装置。
  4. 　ターゲットが配置されるカソードと、
    前記ターゲットに対向する位置に配置される基板と、
    前記カソードの前記基板が配置される反対側に配置した磁石と
    前記カソードと前記基板が配置される位置との間に配置された、スパッタ粒子の飛翔方向を制限する制限部材とを備え、
    前記基板に、スパッタ粒子を堆積させて成膜を行うスパッタ装置であって、
    前記制限部材は、前記ターゲットに形成されるエロージョン領域を跨ぐように配置されており、且つ、前記磁石によってターゲット面近傍に発生する水平磁場強度の最大値の２０％以下の範囲内に配置されていることを特徴とするスパッタ装置。
  5. 　前記エロージョン領域は環状であり、前記制限部材は、前記環状のエロージョン領域を基板側から見て複数に分けるように配置されていることを特徴とする請求項４に記載のスパッタ装置。
  6. 　前記エロージョン領域は、互いに平行に延びる２つの直線状部と、この直線状部の両端部同士を夫々連結する円弧状部とで構成されており、２つの前記円弧状部を跨ぐように前記制限部材が配置されていることを特徴とする請求項５に記載のスパッタ装置。
  7. 　前記制限部材に前記基板へのスパッタ粒子を遮蔽する成膜シャッターを設け、
    前記カソードに対して前記成膜シャッターが相対移動することを特徴とする請求項１に記載のスパッタ装置。
  8. 　前記制限部材に前記基板へのスパッタ粒子を遮蔽する成膜シャッターを設け、
    前記カソードに対して前記成膜シャッターが相対移動することを特徴とする請求項４に記載のスパッタ装置。
  9. 　請求項１～８のいずれか１項に記載のスパッタ装置を用いて基板に電極膜を成膜することを特徴とする電極膜の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0681146A (ja) * 1992-09-01 1994-03-22 Nec Corp マグネトロン型スパッタ装置
JPH08264451A (ja) * 1994-12-16 1996-10-11 Applied Materials Inc 円筒状のスパッタリングシールド
JP2010031371A (ja) * 2008-07-23 2010-02-12 Seagate Technology Llc スパッタリング装置、およびスパッタリング装置を介してターゲットから基板上へ材料をスパッタリングする方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0681146A (ja) * 1992-09-01 1994-03-22 Nec Corp マグネトロン型スパッタ装置
JPH08264451A (ja) * 1994-12-16 1996-10-11 Applied Materials Inc 円筒状のスパッタリングシールド
JP2010031371A (ja) * 2008-07-23 2010-02-12 Seagate Technology Llc スパッタリング装置、およびスパッタリング装置を介してターゲットから基板上へ材料をスパッタリングする方法

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