WO2018109843A1

WO2018109843A1 - ガス絶縁静止誘導電器

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Publication number: WO2018109843A1
Application number: PCT/JP2016/087097
Authority: WO
Inventors: 野口　直樹; 松下　正樹; 義基中澤; 啓高野; 健史千切
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba Energy Systems and Solutions Corp
Current assignee: Toshiba Corp; Toshiba Energy Systems and Solutions Corp
Priority date: 2016-12-13
Filing date: 2016-12-13
Publication date: 2018-06-21
Anticipated expiration: 2019-06-13

Abstract

自然由来のガスを容器に充填しても、小型化を図ることのできるガス絶縁静止誘導電器を提供する。自然由来のガスが充填された容器６に収容されたリード導体１と、リード導体１を被覆する第１の絶縁層２と、リード導体１を被覆し、第１の絶縁層２よりも比誘電率の低い第２の絶縁層３と、を備えている。第１の絶縁層２と第２の絶縁層３は、リード導体１の半径方向外側に向かって交互に積層されて設置されるとともに、リード導体１の全周囲に亘って連続的に延びて囲っている。

Description

ガス絶縁静止誘導電器

　本発明の実施形態は、ガス絶縁変圧器又はガス絶縁リアクトルなどとして使用されるガス絶縁静止誘導電器に関する。

　現在、都市部の地下変電所や屋外の変電所には、小型で安全性の高いガス絶縁変圧器やガス絶縁リアクトルなどのガス絶縁静止誘導電器が設置されている。このガス絶縁静止誘導電器には、巻線を収納する容器が設けられている。容器には、巻線の放電を防止するために、例えば、絶縁ガスとして耐圧の高いＳＦ_６ガスが封入されている。巻線には、リード線が接続されており、そのリード線は、巻線から引き出されている。リード線の表面は、電界が発生するために絶縁弱点部となっており、絶縁破壊による放電しやすい箇所となっている。そこで、リード線の絶縁性能を向上させるためにプラスチック製の絶縁フィルムをリード線に巻回し、リード線を被覆した絶縁層とすることが一般的である。絶縁フィルムには、例えば、高い絶縁性能を持ち、かつ比較的安価なＰＥＴ（Polyethylene terephthalate ：ＰＥＴ）フィルムが主に用いられる。ＰＥＴフィルムはプラスチックフィルムであるため、比誘電率が高い。

　近年、ＳＦ_６ガスは地球温暖化ガスであるため、その使用量の削減或いは代替ガスが求められている。代替ガスとしては、自然由来のガスが挙げられ、例えば、空気、窒素、酸素、二酸化炭素又はこれらの２種以上を主成分とするガスが挙げられる。これら自然由来のガスはＳＦ_６ガスと比べて耐圧が低いため、絶縁フィルムをリード線に被覆することによってリード線の絶縁性能を確保する場合は、絶縁フィルムの最外周面における電界を十分に下げるべく、リード線の周りに被覆される絶縁フィルムを幾重にも巻き付け、リード線の表面から絶縁フィルムの最外周面の表面までの距離を十分に確保する必要がある。絶縁フィルムをリード線に幾重にも巻き付けると、絶縁フィルムにより成る絶縁層は、厚くなってしまう。その結果、リード線が大型化し、ガス絶縁静止誘導電器の大型化を招来する。

　ここで、エンボス加工により凹凸を絶縁フィルムの片面に施したフィルムをリード線の表面に巻回し被覆する方法が提案されている。この方法によれば、凹凸部分の空隙にＳＦ_６ガスが入り込み、絶縁フィルムの空隙を含む厚み帯が絶縁フィルム全体の絶縁破壊強度を高めるものである。尚、エンボス加工を施す絶縁フィルムとしては、ＰＥＴフィルムの他、ポリフェニレンサルファイドフィルム（Polyethylene sulfide film：ＰＰＳ）の外側にポリエチレンナフタレートを巻き付けて、絶縁フィルムの耐熱性能を向上させる案が提示されている。また、エンボス加工が施されたＰＥＴフィルムの外側に、伸び率の高い熱可塑性エラストマーフィルムを被覆し、ＰＥＴフィルムの密着性を向上させるガス絶縁静止誘導電器も提案されている。

特開平２－１６７０５号公報特開平９－３５９４６号公報特開平１１－１７６６５７号公報

　上記の従来技術は、絶縁破壊強度の高いＳＦ_６ガスを絶縁フィルム内の空隙の層に入り込ませることで、絶縁フィルム全体としての絶縁破壊強度を向上させることを目的としている。一方、自然由来のガスはＳＦ_６ガスと比べて耐圧が低いため、エンボス加工を施した絶縁フィルム内の空隙の層に自然由来のガスを入り込ませても絶縁破壊強度を高めることは期待できない。即ち、エンボス加工を施した絶縁フィルムでリード線を巻回して被覆する技術は、絶縁破壊強度の高いＳＦ_６ガスを容器に充填する場合に限り有効であり、耐圧の低い自然由来のガスを容器に充填する場合には、別の方策が必要であると考えられていた。

　一方、リード線の絶縁性能の確保するために絶縁フィルムをリード線に幾重にも巻き付ける技術の場合は、自然由来のガスは、ＳＦ_６ガスと比べて耐圧が低いため、絶縁フィルムにより成る絶縁層が、より一層厚くなってしまい、ガス絶縁静止誘導電器の大型化を招来する。

　本発明が解決しようとする課題は、自然由来のガスを容器に充填しても、小型化を図ることのできるガス絶縁静止誘導電器を提供することにある。

　本発明者らは、鋭意研究の結果、絶縁層の最外周面の電界値を下げるための比誘電率の低い絶縁層と、電子の加速を阻害する比誘電率の高い絶縁層とを巻回し、積層しながら導体に交互に被覆することにより、絶縁層の最外周面の電界値を効率的に低下させつつ、比誘電率の低い層で生じる絶縁破壊の発端となる電子の加速を阻害し、導体を被覆する絶縁層内にＳＦ_６ガスのような絶縁破壊強度の高い層が存在しなくても絶縁性能を向上させることができることを見出した。即ち、ＳＦ_６ガスよりも耐圧の低い自然由来のガスの存在下であっても、比誘電率の高い絶縁フィルムのみで絶縁層を構成する場合と比べ、絶縁層全体の厚みを薄厚化できることを見出した。

　本実施形態に係るガス絶縁静止誘導電器は、自然由来のガスが充填された容器に収容された導体と、前記導体を被覆する第１の絶縁層と、前記導体を被覆し、前記第１の絶縁層よりも比誘電率の低い第２の絶縁層と、を備え、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層は、前記導体の半径方向外側に向かって交互に積層されて設置されるとともに、前記導体の全周囲に亘って連続的に延びて囲っていること、を特徴とする。

第１の実施形態に係るガス絶縁静止誘導電器の巻線から引き出されたリード線の概略構成を示す断面図である。第２の実施形態に係るガス絶縁静止誘導電器の巻線から引き出されたリード線の概略構成を示す断面図である。第３の実施形態に係るガス絶縁静止誘導電器におけるリード線に積層されたエンボス加工により成る複数層の概略構成を示す断面図である。

　［第１の実施形態］
　（１－１．構成）
　第１の実施形態に係るガス絶縁静止誘導電器について、図面を参照しつつ詳細に説明する。図１は、第１の実施形態に係るガス絶縁静止誘導電器の巻線から引き出されたリード線１００の概略構成を示す断面図である。

　ガス絶縁静止誘導電器は、容器６を有する。この容器６には、絶縁ガス５が封入されている。容器６には、絶縁ガスとして自然由来のガス５が封入されている。自然由来のガス５は、空気、窒素、酸素、二酸化炭素又はこれら２種以上を主成分とし、ＳＦ_６ガスよりも耐圧が低い。容器６内には、図示しない巻線が設けられ、この巻線からリード線１００が引き出され、リード線１００は、巻線とともに容器６内に設置されている。

　図１に示すように、巻線から引き出されたリード線１００は、リード導体１と、絶縁層２００と、を備えている。リード導体１は、導体から成る芯である。絶縁層２００は、リード導体１を被覆する第１の絶縁層２と、リード導体１を被覆し、第１の絶縁層２よりも比誘電率の低い第２の絶縁層３と、を備えている。第１の絶縁層２と第２の絶縁層３は、リード導体１の半径方向外側に向かって交互に積層されて設置されるとともに、リード導体１の全周囲に亘って連続的に延びて囲っている。絶縁層２００は、リード導体１の外側に設置される第１の絶縁層２と、リード導体１の外側に設置される第２の絶縁層３との複数層から成る。

　第１の絶縁層２と第２の絶縁層３は、それぞれ材質の異なる絶縁フィルムにより成る。この材質の異なる絶縁フィルムは、リード導体１にそれぞれ巻回される。第１の絶縁層２と第２の絶縁層３は、リード導体１に交互に複数回巻回されている。即ち、第１の絶縁層２と第２の絶縁層３は、リード導体１の周囲を取り囲むように巻き付けられ、リード導体１には、第１の絶縁層２と第２の絶縁層３とが交互に積層されている。第１の絶縁層２と第２の絶縁層３とが交互に積層され、リード導体１を被覆することにより、複数層からなる絶縁層を構成する。第１の絶縁層２と第２の絶縁層３は、絶縁層のうちの最外層の表面の電界が絶縁ガス５の絶縁破壊電圧と比較して十分小さくなるまで積層される。

　例えば、図１に示すように、リード導体１に隣接して最内殻には第１の絶縁層２が積層され、その第１の絶縁層２の外側には第２の絶縁層３が積層され、最外周面まで第１の絶縁層２と第２の絶縁層３とが交互に積層されている。なお、これは例示であり、これに限定されるものではない。これに代えて、リード導体１に隣接して最内殻には第２の絶縁層３が積層され、この第２の絶縁層３の外側には第１の絶縁層２が積層され、最外周面まで第２の絶縁層３と第１の絶縁層２とが交互に積層されていてもよい。

　また、積層順に関しては、第１の絶縁層２が積層され、その第１の絶縁層２の外側にも第１の絶縁層２が積層され、さらにその第１の絶縁層２の外側に第２の絶縁層３が積層された後、さらにその外側に第１の絶縁層２が積層されていてもよい。また同様に、第２の絶縁層３が積層され、その第２の絶縁層３の外側にも第２の絶縁層３が積層され、さらにその第２の絶縁層３の外側に第１の絶縁層２が積層された後、さらにその外側に第２の絶縁層３が積層されていてもよい。このように、第１の絶縁層２と第２の絶縁層３は、絶縁層において、第１の絶縁層２と第２の絶縁層３とが積層されることにより、結果として、第１の絶縁層２と第２の絶縁層３とが交互に積層されていればよい。

　第２の絶縁層３は、第１の絶縁層２よりも比誘電率が低い材質により成る。第１の絶縁層２の比誘電率ε_１と第２の絶縁層３の比誘電率ε_２との関係は、絶縁ガス５の比誘電率をε_ｇとすると、次式（１）を満たす関係とする。
　　ε_ｇ≦ε_２＜ε_１　　　　　　　　　　　・・・（１）

　例えば、第１の絶縁層２は、ＰＥＴ（Polyethylene terephthalate ：ＰＥＴ）フィルム、ＰＥＮ（Polyethylene terephthalate ：ＰＥＮ）フィルム、ＰＰＳ（Polyethylene sulfide film：ＰＰＳ）フィルム、シリコンテープ又はレーヨンテープなどにより成る。一方、第２の絶縁層３は、絶縁紙又はクレープ紙などにより成る。

　（１－２．作用）
　第１の実施形態のガス絶縁静止誘導電器の作用について、説明する。まず、比誘電率の高い第１の絶縁層２は、絶縁破壊の発端となる電子の加速を阻害する。一方、比誘電率の低い第２の絶縁層３は、絶縁層表面の電荷を疎にするように等電位線を引き下げ、換言すると、リード導体１からの同一の距離における電位を下げる。即ち、第２の絶縁層３において第１の絶縁層２の表面の電位を下げつつ、この第２の絶縁層３で電子が絶縁破壊に至るまで加速する前に隣の第１の絶縁層２で電子の加速を阻害する。第１の絶縁層２と第２の絶縁層３は、絶縁層の最外周面の電界が絶縁ガス５の絶縁破壊電圧と比較して十分小さくなるまで交互に積層されるので、電子の加速阻害と電位の引き下げを適度に区切ることができ、絶縁層全体が薄くなり、電界集中を防止することができる。

　また、第１の絶縁層２に第２の絶縁層３を積層することにより、第１の絶縁層２の外周面の電界を下げることができるので、第１の絶縁層２のみを繰り返し巻く場合よりも、少ない積層数で絶縁層を構成するとともに、絶縁層全体の厚みを薄厚化することができる。

　（１－３．効果）
　第１の実施形態のガス絶縁静止誘導電器は、自然由来のガス５が充填された容器６に収容されたリード導体１と、リード導体１を被覆する第１の絶縁層２と、リード導体１を被覆し、第１の絶縁層２よりも比誘電率の低い第２の絶縁層３と、を備えている。第１の絶縁層２と第２の絶縁層３は、リード導体１の半径方向外側に向かって交互に積層されて設置されるとともに、リード導体１の全周囲に亘って連続的に延びて囲っている。

　これにより、ＳＦ_６ガスよりも耐圧の低い自然由来のガス５をガス絶縁静止誘導電器の容器６に充填させても、従来よりも少ない積層数で絶縁層を構成するとともに、絶縁層全体の薄厚化を図ることができ、ガス絶縁静止誘導電器の小型化を図ることができる。また、積層数の減少によりガス絶縁静止誘導電器を従来よりも少ない工数で製造できるので、ガス絶縁静止誘導電器の製造コストも削減できる。

　（第１の実施形態の変形例）
　第１の絶縁層２と第２の絶縁層３は、第１の絶縁層２と第２の絶縁層３の厚さの比率を変更し、例えば、第２の絶縁層３の厚さを、第１の絶縁層２の厚さの少なくとも等倍以上とするようにしてもよい。

　比誘電率の低い第２の絶縁層３は、比誘電率の高い第１の絶縁層２よりも重量が軽く、安価で加工が容易な場合が多い。このため、第２の絶縁層３の厚さを厚くすることにより、加工工数を減らすとともに絶縁層全体の重量を軽くすることができる。

　一方、第２の絶縁層３の厚さをあまりに厚くしすぎると、第２の絶縁層３内で加速した電子のエネルギーが大きくなり、第１の絶縁層２内で電子の加速を止めることができない場合も生じ得る。第１の絶縁層２内で電子を止めることができない場合は、リード線１００は、絶縁破壊を起こし、放電することになる。そこで、リード線１００の放電を回避するため、比誘電率の低い第２の絶縁層３の厚さは、例えば、第１の絶縁層２の厚さの１０倍以下とし、また、第２の絶縁層３の厚さを１０ｍｍ以下とすることにより、リード線１００の放電を防ぐことが望ましい。このように、第２の絶縁層３の厚さを第１の絶縁層２の厚さの等倍以上に厚くすることにより、従来よりも、加工数の少ないガス絶縁静止誘導電器を製造することができる。

　尚、第１の実施形態では、巻線から引き出したリード線１００を例に説明したが、リード線１００は、絶縁フィルムによる被膜を必要とする導体としての一例であり、これに限定されるものではない。例えば、ブッシングシールドや静電リングなど電界が集中する導体に対しても用いることができる。より具体的には、曲率半径を有する形状の導体や、電気力線の曲がる形状の導体、即ち、平板以外の電極に用いることができる。

　［第２の実施形態］
　（２－１．構成）
　次に、第２の実施形態に係るガス絶縁静止誘導電器について、図面を参照しつつ詳細に説明する。第１の実施形態と同一構成については、同一符号を付して詳細な説明を省略する。図２は、第２の実施形態に係るガス絶縁静止誘導電器の巻線から引き出されたリード線１００の概略構成を示す断面図である。図２（ａ）ではリード線１００の断面図を示し、図２（ｂ）ではエンボス加工を示し、図２（ｃ）では、図２（ａ）の領域Ｐを拡大した説明図を示している。

　図２に示すように、巻線から引き出されたリード線１００では、第１の絶縁層２と第２の絶縁層３とが１枚の絶縁フィルムＩＦにより形成されている。絶縁フィルムＩＦは、ＰＥＴフィルム、ＰＥＮフィルム、ＰＰＳフィルム、シリコンテープ又はレーヨンテープなどにより成る。

　絶縁フィルムＩＦには、エンボス加工により凹凸が片面Ｓに施されている。凹凸は、絶縁フィルムＩＦの片面Ｓに、その片面Ｓから反対面Ｒに至らない程度の深さまで絶縁フィルムＩＦを部分的に押し潰して成り、エンボス加工されていない反対面Ｒからエンボス加工により形成された凹部の底面Ｂまでの厚み帯が、第１の絶縁層２である。一方、エンボス加工された片面Ｓからエンボス加工により形成された凹部の底面Ｂまでの厚み帯が、第２の絶縁層３である。第２の絶縁層３は、凹部の空隙の層を含んでいる。

　凹部の空隙に、巻線が収容された容器６に充填された自然由来のガス５が入り込むことにより、第２の絶縁層３は成る。第１の絶縁層２の比誘電率ε_１と第２の絶縁層３の比誘電率ε_２との関係は、絶縁ガス５の比誘電率をε_ｇとすると、次式（２）を満たす関係とし、第２の絶縁層３の比誘電率ε_２は、第１の絶縁層２の比誘電率ε_１よりも低くする。
　　ε_ｇ＝ε_２＜ε_１　　　　　　　　　　　・・・（２）

　（２－２．作用）
　第２の実施形態のガス絶縁静止誘導電器の作用について、説明する。第２の実施形態では、エンボス加工による凹部が絶縁フィルムＩＦに形成されて、自然由来のガス５が入り込んだ空隙の層を含む第２の絶縁層３となって電位を下げつつ、この第２の絶縁層３で電子が絶縁破壊に至るまで加速する前に隣の絶縁フィルムの残部である第１の絶縁層２が、電子の加速を阻害する。エンボス加工によって形成される第１の絶縁層２と第２の絶縁層３とが交互に積層されることにより、この電位の低下と電子の加速阻害が交互に繰り返される。

　（２－３．効果）
　第２の実施形態のガス絶縁静止誘導電器は、リード導体１に巻回される絶縁フィルムＩＦを備える。絶縁フィルムＩＦは、片面Ｓに、その片面Ｓから反対面Ｒまでは至らない程度の深さの凹部が形成される。第１の絶縁層２は、反対面Ｒから凹部の底面Ｂまでの厚み帯により成る。第２の絶縁層３は、片面Ｓから凹部の底面Ｂまでの厚み帯である。第２の絶縁層３は、凹部の空隙を含んでいる。

　これにより、エンボス加工により絶縁フィルムＩＦに形成された凹部の空隙の層に自然由来のガス５を入り込ませて、リード導体１の半径方向に第２の絶縁層３の層を形成することができるので、１枚の絶縁フィルムＩＦで、第１の絶縁層２と第２の絶縁層３とを形成することできる。エンボス加工を施した絶縁フィルムＩＦを積層する場合は、単一の絶縁フィルムＩＦを積層することによって実現することができるため、第１の絶縁層２と第２の絶縁層３とをそれぞれ交互に積層する場合と比べ、積層回数を減少させることができ、ガス絶縁静止誘導電器を従来よりも少ない工数で製造できるので、ガス絶縁静止誘導電器の製造コストを削減できる。

　なお、エンボス加工は、上述したように、絶縁フィルムＩＦを部分的に押し潰す押圧処理によって絶縁フィルムＩＦの表面に凹凸が施されたものをいい、第２の実施形態では、エンボス加工の他に絶縁フィルムＩＦの表面に物理的に凹凸が施されたものであってもよい。例えば、物理的に凹凸を施す方法として、レーザによって絶縁フィルムＩＦの表面を加工して凹凸を施してもよく、または、絶縁フィルムＩＦの金型やエッチング処理により表面に凹凸を施すようにしてもよい。

　［第３の実施形態］
　（３－１．構成）
　図３は、第３の実施形態に係るガス絶縁静止誘導電器におけるリード線に積層されたエンボス加工により成る複数層の概略構成を示す断面図である。図３に示すように、複数層からなる絶縁層の最外層は、第１の絶縁層２となるように構成されている。絶縁層のうちの最外層以外は、エンボス加工が施されて成り、第１の絶縁層２と第２の絶縁層３の複数層を構成する。例えば、絶縁層は、エンボス加工が施された面Ｓを相互に向かい合わせた状態でリード導体１に巻きつけることにより、第１の絶縁層２と第２の絶縁層３との複数層を構成し、最外層は、比誘電率の高い第１の絶縁層２となっている。なお、図２（ｂ）に示したように、エンボス加工が施された面Ｓを全てリード導体１側に向けて巻きつけることにより、第１の絶縁層２と第２の絶縁層３の複数層を構成し、最外層は、比誘電率の高い第１の絶縁層２としてもよい。

　（３－２．効果）
　第３の実施形態のガス絶縁静止誘導電器は、第１の実施形態又は第２の実施形態の構成において、複数層からなる絶縁層のうち最外層の表面Ｒは平滑になっている。この最外層の表面Ｒは、エンボス加工が施されていない面が絶縁ガス５と接するようになっている。この最外層の表面Ｒは、絶縁ガス５と接している面の表面の粗さも絶縁性能を決める要素となり得る。そのため、絶縁層のうち最外層の表面Ｒは平滑であることにより、より一層絶縁性能を向上させることができる。

　また、絶縁層のうちの最外層は、比誘電率の高い第１の絶縁層２とするようにしてもよい。この最外層は、比誘電率の高い第１の絶縁層２とすることにより、最外層の表面Ｒで電子の加速を阻止することができる。

　［第３の実施形態の変形例］
　第１の実施形態、第２の実施形態及び第３の実施形態において、複数層のうち最外層に比誘電率の高い第１の絶縁層２を用いた場合、第１の絶縁層２の材質として、不燃性又は難燃性の材質を用いることが好ましい。絶縁ガスとして、例えば、空気、窒素、酸素、二酸化炭素又はこれら２種以上を主成分とする自然由来のガス５を用いた場合、酸素を含むガスには助燃性がある。このため、最外層には、例えば、リード線１００の表面Ｒから、内部に酸素を透過させない不燃性又は難燃性の材質を用いることにより、リード導体１が放電した場合でも、比誘電率の高い第１の絶縁層２が酸素を遮断することができるので、リード導体１が放電した場合でも火災を防止することができる。特に、最外層の材質として、ＰＥＴフィルムやＰＥＮフィルムを用いることが望ましい。

　［他の実施形態］
　以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の省略、置き換え、変更を行なうことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…リード導体
２…第１の絶縁層
３…第２の絶縁層
５…自然由来のガス
６…容器

Claims

　自然由来のガスが充填された容器に収容された導体と、
　前記導体を被覆する第１の絶縁層と、
　前記導体を被覆し、前記第１の絶縁層よりも比誘電率の低い第２の絶縁層と、
　を備え、
　前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層は、
　前記導体の半径方向外側に向かって交互に積層されて設置されるとともに、前記導体の全周囲に亘って連続的に延びて囲っていること、
　を特徴とするガス絶縁静止誘導電器。
　前記自然由来のガスは、
　空気、窒素、酸素、二酸化炭素又はこれらの２種以上を主成分とするガスであること、
　を特徴とする請求項１に記載のガス絶縁静止誘導電器。
　前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層は、それぞれ絶縁フィルムにより成り、
　前記第２の絶縁層の絶縁フィルムの材質は、
　前記第１の絶縁層の比誘電率よりも比誘電率が低い材質であることを、
　特徴とする請求項１または２に記載のガス絶縁静止誘導電器。
　前記第２の絶縁層の厚さは、
　前記第１の絶縁層の厚さの少なくとも等倍以上とすること、
　を特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のガス絶縁静止誘導電器。
　前記第２の絶縁層の厚さは、
　前記第１の絶縁層の厚さの１０倍以下であって、１０ｍｍ以下であること、
　を特徴とする請求項４に記載のガス絶縁静止誘導電器。
　前記導体に巻回される絶縁フィルムを備え、
　前記絶縁フィルムは、
　片面に、その片面から反対面までは至らない程度の深さの凹部が形成されて成り、
　前記第１の絶縁層は、
　前記反対面から前記凹部の底面までの前記絶縁フィルムの厚み帯であり、
　前記第２の絶縁層は、
　前記片面から前記凹部の底面までの空隙を含む前記絶縁フィルムの厚み帯であること、
　を特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のガス絶縁静止誘導電器。
　前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とが交互に積層されて成る複数層のうち最外層の表面は、平滑であること、
　を特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のガス絶縁静止誘導電器。
　前記最外層は、前記第１の絶縁層であること、
　を特徴とする請求項７に記載のガス絶縁静止誘導電器。
　前記第１の絶縁層は、
　表面から内部に酸素を透過させない不燃性または難燃性の材質であること、
　を特徴とする請求項８に記載のガス絶縁静止誘導電器。
　ガス絶縁変圧器又はガス絶縁リアクトルであること、
　を特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のガス絶縁静止誘導電器。