WO2018181372A1 - 液晶表示装置、配向膜の形成材料及び高分子化合物 - Google Patents

Abstract

一対の基板（１１，２１）と、一対の基板（１１，２１）間に挟持された液晶層（３０）と、液晶層（３０）と少なくとも一方の基板（１１）との間に配置された配向膜（１２）と、配向膜（１２）と液晶層（３０）との間に設けられ、液晶層（３０）を構成する液晶分子のうち少なくとも配向膜（１２）に近接する液晶分子の傾斜方向を規定する配向維持層（４０）と、を備える液晶表示装置（１００）であって、配向膜（１２）が、下記式（１）に示す官能基を有する高分子化合物を含有する。

Description

液晶表示装置、配向膜の形成材料及び高分子化合物

　本発明のいくつかの態様は液晶表示装置、配向膜の形成材料及び高分子化合物に関する。
　本願は、２０１７年３月３１日に、日本に出願された特願２０１７－０６９９８７号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

　液晶表示装置は、一対の基板と、これらの間に設けられた液晶層とを備え、液晶層に印加される電圧に応じて液晶分子の配向方向が変化することを利用して表示を行う。液晶層に電圧を印加しない状態の液晶分子の配向方向（プレチルト方向）は、従来、配向膜によって規定されていた。例えば、ＴＮモードの液晶表示装置においては、水平配向膜にラビング処理を施すことによって、液晶分子のプレチルト方位を規定していた。ここで、プレチルト方位は、電圧を印加していない液晶層内の液晶分子の配向方向を示すベクトルのうち、液晶層面内（基板面内）における成分をいう。なお、配向膜と液晶分子とのなす角であるプレチルト角は、主に配向膜と液晶材料との組み合わせで決まる。プレチルト方向は、プレチルト方位とプレチルト角とによって表される。

　近年、液晶分子のプレチルト方向を制御する技術として、Polymer Sustained Alignment Technology（以下、「ＰＳＡ技術」という）が開発された（特許文献１等）。ＰＳＡ技術は、少量の重合性化合物（典型的には光重合性モノマーである。）が混合された液晶材料を液晶パネルに封入した後、モノマーを重合することによって、液晶層と配向膜との間に重合体から構成される配向維持層（Alignment Sustaining Layer）を形成することによって、液晶分子のプレチルト方向を制御する技術である。

　ＰＳＡ技術を用いると、重合体が生成されるときの液晶分子の配向状態が、電圧を取り去った後（電圧を印加しない状態）においても維持（記憶）される。従って、ＰＳＡ技術は、液晶層に形成される電界等を制御することによって、液晶分子のプレチルト方位およびプレチルト角を調整することができるという利点を有している。また、ＰＳＡ技術はラビング処理を必要としないので、特に、ラビング処理によってプレチルト方向を制御することが難しい垂直配向型の液晶層を形成するのに適している。

　特許文献１では、モノマー及び重合開始剤のいずれか一方又は両方を配向膜に添加して、液晶層にモノマー及び重合開始剤のいずれか一方又は両方を流出させて、液晶層中でモノマーを重合させ、液晶分子を配向させる技術が提案されている。

　また、ＰＳＡ技術は、上述したＴＮモードの垂直配向型の液晶層を用いる液晶表示装置に加え、近年では、ＩＰＳ（In-Plane Switching）モードやＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードのような横電界モードの液晶表示装置においても、水平配向型の液晶層を形成するために、光重合性モノマーの重合体である配向維持層を、水平配向膜と組み合わせることが可能である（特許文献２）。

　特許文献２では、配向膜材料中にモノマーを添加するか、又は、配向膜を構成する高分子化合物自身にアクリレート基若しくはメタクリレート基を導入することで、配向膜と配向維持層との密着性を高める技術が提案されている。

特開２００４－２８６９８４号公報 国際公開第２０１３／１１５１３０号

　しかしながら、特許文献１に開示された技術では、液晶層中のモノマーが液晶層中で重合し、一部のポリマーが巨大化（数百ナノメートルサイズの塊となる）してしまい、液晶層中にネットワーク状のポリマーが形成され、焼付きの増加、コントラストの低下が発生してしまう。巨大サイズのポリマー塊形成については、液晶層中のモノマー自体から重合が開始してしまうためと考えられる。つまり一部の液晶層中のモノマーからラジカルが発生し、該ラジカル発生モノマーが重合開始起点となることで、その後の生長反応により分子量が増大し相分離する。相分離した重合体が、配向膜上に均一に分布せず、既に相分離したポリマー近傍に集まってしまうことで、ポリマーの巨大化が起こると考えられる。
　また、低分子量の重合開始剤を配向膜に添加するだけでは、重合開始剤が液晶層中に溶出し、ラジカル発生に伴い、耐久試験前後で、液晶表示装置のＶＨＲ（Voltage Holdingratio：電圧保持率）を低下させ、残留ＤＣ（ｒＤＣ：残留直流電圧）を増加させてしまい、画像の焼き付き、シミなどの画質劣化が顕在化しやすいと考えられる。

　特許文献２に開示された技術では、配向膜中又は配向膜表面のアクリレート基及びメタクリレート基はラジカルになる確率が低いため、その重合反応が遅くなる。また、化学分析では検出限界未満であっても、液晶層中にモノマーが残存していると考えられ、液晶表示装置の使用時にチルト角が変化することに伴う焼き付き発生してしまう。

　本発明の一態様は、このような事情に鑑みてなされたものであって、液晶分子のプレチルト方向を制御する配向維持層及び配向膜を備え、ＶＨＲの低下及び残留ＤＣの増加が少なく、チルト角変化量が改善し、コントラストの低下を抑えて画像品質に優れる液晶表示装置を提供することを目的とする。
　また、本発明の一態様は、そのような液晶表示装置を可能にする配向膜の形成材料、及び、その配向膜に用いられる高分子化合物、並びに、液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。

　本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、配向膜材料に、チオキサントン基を含む官能基が共有結合されている高分子化合物を含有させることにより、液晶層中のモノマーが配向膜表面で速やかに重合し、液晶層中にモノマーが残存しにくくすることができ、結果、ＶＨＲ、残留ＤＣ、及びチルト角変化量（Δチルト）の改善を見出し、本発明のいくつかの態様を完成させた。

　すなわち、本発明の一形態は、一対の基板と、該一対の基板間に挟持された液晶層と、該液晶層と該一対の基板のうち少なくとも一方の基板との間に配置された配向膜と、該配向膜と該液晶層との間に設けられ、該液晶層を構成する液晶分子のうち少なくとも該配向膜に近接する液晶分子の傾斜方向を規定する配向維持層と、を備える液晶表示装置であって、該配向膜は、下記式（１）に示す官能基を有する高分子化合物を含有する液晶表示装置を提供する。

　本発明の一形態において、前記高分子化合物は、下記式（２）に示す官能基が共有結合されていてもよい。

　本発明の一形態において、前記高分子化合物は、下記式（３）に示す２価の官能基が共有結合されていてもよい。

（ｋは０～３の整数を示す。）

　本発明の一形態において、前記高分子化合物は、下記式（４）に示す２価の官能基が共有結合されていてもよい。

　本発明の一形態において、前記配向膜は、下記式（５）に示す官能基が共有結合されている高分子化合物を含有していてもよい。

（ｘは１～４の整数を示す。ｙは１～４の整数を示す。）

　本発明の一形態において、前記配向膜は、ポリイミド、ポリアミック酸、又は、ポリシロキサンであってもよい。

　本発明の一形態において、前記配向膜は、光反応性官能基が共有結合されている高分子化合物を含有していてもよい。

　本発明の一形態において、前記光反応性官能基が、シンナメート基、カルコン基、クマリン基、アゾベンゼン基、又は、トラン基を有する基であってもよい。

　本発明の一形態において、前記配向膜は、下記式（６）に示す構成単位を有するポリアミック酸、又は、下記式（７）に示す構成単位を有するポリイミドであってもよい。

（ｍ_１及び（１００－ｍ_１）はそれぞれの構成単位の共重合比（モル％）を示し、ｍ_１は０より大きく１００以下である。ｎは０又は１を示す。Ｒ^１は下記式（８）に示す官能基を示し、下記式（８）に示す官能基の一部は、下記式（９）に示す官能基に置換されていてもよい。Ｒ^３は光反応性官能基、垂直配向性基、又は、水平配向性基を示す。）

（ｍ_１及び（１００－ｍ_１）はそれぞれの構成単位の共重合比（モル％）を示し、ｍ_１は０より大きく１００以下である。ｎは０又は１を示す。Ｒ^１は下記式（８）に示す官能基を示し、下記式（８）に示す官能基の一部は、下記式（９）に示す官能基に置換されていてもよい。Ｒ^３は光反応性官能基、垂直配向性基、又は、水平配向性基を示す。）

（ｋは０～３の整数を示す。）

（ｊは０～３の整数を示す。ｘは１～４の整数を示す。ｙは１～４の整数を示す。）

　本発明の一形態において、前記配向維持層は、ラジカル重合性モノマーのラジカル重合によって形成されていてもよい。

　本発明の別の一形態は、下記式（１）に示す官能基が共有結合されている高分子化合物を含有する配向膜の形成材料を提供する。

　本発明の別の一形態は、下記式（６）に示す構成単位を有するポリアミック酸を提供する。

（ｍ_１及び（１００－ｍ_１）はそれぞれの構成単位の共重合比（モル％）を示し、ｍ_１は０より大きく１００以下である。ｎは０又は１を示す。Ｒ^１は下記式（８）に示す官能基を示し、下記式（８）に示す官能基の一部は、下記式（９）に示す官能基に置換されていてもよい。Ｒ^３は光反応性官能基、垂直配向性基、又は、水平配向性基を示す。）

（ｋは０～３の整数を示す。）

（ｊは０～３の整数を示す。ｘは１～４の整数を示す。ｙは１～４の整数を示す。）

　本発明の別の一形態は、下記式（７）に示す構成単位を有するポリイミドを提供する。

（ｍ_１及び（１００－ｍ_１）はそれぞれの構成単位の共重合比（モル％）を示し、ｍ_１は０より大きく１００以下である。ｎは０又は１を示す。Ｒ^１は下記式（８）に示す官能基を示し、下記式（８）に示す官能基の一部は、下記式（９）に示す官能基に置換されていてもよい。Ｒ^３は光反応性官能基、垂直配向性基、又は、水平配向性基を示す。）

（ｋは０～３の整数を示す。）

（ｊは０～３の整数を示す。ｘは１～４の整数を示す。ｙは１～４の整数を示す。）

　本発明の別の一形態は、基板上に、下記式（１）に示す官能基を有する高分子化合物を含有する配向膜の形成材料を製膜し、製膜された該形成材料を配向処理して、該基板上に配向膜を形成し、該配向膜と、対向基板との間に、モノマーを含む液晶材料を注入して液晶層を形成した後、該モノマーを重合することによって、該配向膜と該液晶層との間に、該液晶層を構成する液晶分子のうち少なくとも該配向膜に近接する液晶分子の傾斜方向を規定する配向維持層を形成する液晶表示装置の製造方法を提供する。

　本発明の一態様による液晶表示装置は、配向維持層を形成する際、配向膜材料に、チオキサントン基を含む官能基を有する高分子化合物を含有させたことにより、液晶層中のモノマーが配向膜表面で速やかに重合し、液晶層中にモノマーが残存しにくくすることができ、ＶＨＲの低下及び残留ＤＣの増加が少なく、チルト角変化量が改善し、コントラストの低下を抑えた画像品質に優れるものとすることができる。

　また、本発明のいくつかの態様は、画像品質に優れる液晶表示装置を可能にする配向膜、及び、その配向膜に用いられる新規な高分子化合物、並びに、液晶表示装置の製造方法を提供することができる。

本発明の一態様に係る液晶表示装置の例を示す。

　以下、図を参照しながら、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の寸法や比率などは適宜異ならせてある。

　図１は、本実施形態の液晶表示装置を模式的に示す断面図である。図１に示すように、本実施形態の液晶表示装置１００は、一対の基板１１，２１と、一対の基板１１，２１間に挟持された液晶層３０と、液晶層３０と少なくとも一方の基板１１との間に配置された配向膜１２と、配向膜１２と液晶層３０との間に設けられ、液晶層３０を構成する液晶分子のうち少なくとも配向膜１２に近接する液晶分子の傾斜方向を規定する配向維持層４０とを備える。本実施形態の液晶表示装置１００は、ＶＡ（Vertical Alignment）方式ＥＣＢモードの装置構成を採用している。液晶表示装置の表示方式は、特に限定されない。表示方式としては、ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式、ＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式、ＯＣＢ（Optically Compensated Bend）方式、ＴＮ（Twisted Nematic）方式など、公知の種々の表示方式が採用されうる。

［素子基板］
　素子基板１０は、ＴＦＴ基板である一方の基板１１と、一方の基板１１の液晶層３０側の面に設けられた配向膜１２と、一方の基板１１の液晶層３０とは反対側に設けられた第１偏光板１９（不図示）と、を有している。また、配向維持層４０が、配向膜１２に接し配向膜１２の表面に設けられている。偏光板１９は、通常知られた構成のものを用いることができる。

　ＴＦＴ基板には、不図示の駆動用ＴＦＴ素子を有している。駆動用ＴＦＴ素子のドレイン電極、ゲート電極、およびソース電極は、それぞれ画素電極、ゲートバスライン、およびソースバスラインに電気的に接続されている。各画素は、ソースバスライン、ゲートバスラインの電気配線を介して電気的に接続されている。

　ＴＦＴ基板の各部材の形成材料は、通常知られた材料を用いることができる。駆動用ＴＦＴの半導体層の材料としては、ＩＧＺＯ（インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）を含む４元混晶半導体材料）を用いることが好ましい。ＩＧＺＯを半導体層の形成材料として用いた場合、得られる半導体層ではオフリーク電流が小さいため、電荷のリークが抑制される。これにより、液晶層に電圧印加後の休止期間を長くすることができる。その結果、画像を表示する期間中の電圧印加回数を減らすことができ、液晶表示装置の消費電力を低減することができる。

　ＴＦＴ基板は、各画素に駆動用ＴＦＴを備えるアクティブマトリクス方式であってもよく、各画素が駆動用ＴＦＴを備えていない単純マトリクス方式の液晶表示装置であってもよい。

［配向膜］
　配向膜１２は、表面に接する液晶材料に配向規制力を与える機能を有する。配向膜１２は、垂直配向膜であってもよく、平行配向膜であってもよく、液晶材料に対してプレチルト角を与える光配向膜であってもよい。光配向膜は、配向膜の形成材料が光反応性官能基を有し、光照射することで配向規制力を付与したものである。

　配向膜１２の形成材料は、下記式（１）に示す官能基を有する高分子化合物を含有する。

　式（１）に示すチオキサントン基は、４２０ｎｍ付近までの長波長光を吸収し、ラジカル形成できることと、励起状態が三重項状態であることから、ラジカルが安定である。すなわち、式（１）に示すチオキサントン基は、ラジカル重合開始機能を有する。

　配向膜１２の形成材料に式（１）に示すチオキサントン基が含まれていることから、液晶材料に含まれるモノマーを重合する際に、式（１）に示すチオキサントン基が配向膜１２の表面において重合開始剤（重合開始基）として機能し、液晶材料中のモノマーの重合開始点を配向膜１２の表面に均一に分布させることができ、結果、均質なポリマーからなる配向維持層４０を配向膜１２の表面に均一に密着させて形成させることができ、液晶層におけるポリマーの巨大化を防ぐことができ、液晶表示装置１００にあっては、液晶層中の液晶の配向挙動制御を容易にし、焼付きの増加とコントラストの低下を防ぐことができる。

　また、配向膜１２の形成材料に式（１）に示すチオキサントン基が含まれていることから、重合開始反応の速度定数が向上し短時間に重合を完了させることができ、液晶層中の残存モノマーを実質的になくすことができ、液晶表示装置１００にあっては、チルト角変化量を改善し、コントラストの低下を抑えて画像品質の向上に寄与すると考えられる。

　前記高分子化合物は、下記式（２）に示す官能基を有していてもよい。

　前記高分子化合物は、下記式（３）に示す２価の官能基を有していてもよい。

（ｋは０～３の整数を示す。）

　前記高分子化合物は、下記式（４）に示す２価の官能基を有していてもよい。

　前記配向膜の形成材料は、下記式（５）に示す官能基を有する高分子化合物を含有していてもよい。

（ｘは１～４の整数を示す。ｙは１～４の整数を示す。）

　式（５）に示す３級アミノ基は、式（１）に示すチオキサントン基と共に、ラジカル重合開始機能を有する。

　配向膜１２の形成材料が、チオキサントン基と三級アミノ基の両方の官能基を有する高分子化合物を含有することにより、下記式に示すように、４２０ｎｍ付近までの長波長光を吸収し、チオキサントン基が三級アミノ基から容易に水素を引き抜くことができ、発生するラジカルを、配向膜１２の表面で均一に分布させることができ、液晶材料中のモノマーの重合において、配向膜１２の表面でラジカル重合開始点を均一に分布させることができる。

　本発明の一形態において、前記配向膜の形成材料は、光反応性官能基を有する高分子化合物を含有していてもよい。

　光反応性官能基とは、光を照射することで液晶分子の配向方位を規定することができる官能基をいう。

　本発明の一形態において、前記光反応性官能基が、シンナメート基、カルコン基、クマリン基、アゾベンゼン基、又は、トラン基を有する基であってもよい。

　光反応性官能基は、前記配向膜の形成材料の主鎖骨格に含まれることとしてもよく、前記配向膜の形成材料の側鎖に含まれることとしてもよい。光反応が容易であり光反応を生じさせるための光照射量を抑制可能であることから、光反応性官能基は、前記高分子化合物の側鎖に含まれる方が好ましい。光反応性官能基を前記高分子化合物の側鎖骨格に含ませることにより、前記配向膜を垂直配向膜とすることができ、光反応性官能基を前記高分子化合物の主鎖骨格に含ませることにより、前記配向膜を水平配向膜とすることができるが、これらに限られない。

　本発明の一形態において、前記配向膜は、ポリイミド、ポリアミック酸、又は、ポリシロキサンであってもよい。

　前記配向膜としてのポリイミドは、ポリアミック酸を前駆体とし、ポリアミック酸を分子内環化（イミド化）することで得られる。

（ポリアミック酸、ポリイミド）
　前記配向膜の形成材料に用いられるポリアミック酸、及び前記配向膜の形成材料に用いられるポリイミドの前駆体としてのポリアミック酸としては、下記式（６１）に示す構成単位を有するポリアミック酸であって、ポリアミック酸骨格に含まれるＸユニットが下記式（Ｘ－１）～（Ｘ－７）であるもの、およびＥユニットが下記式（Ｅ－２１）～（Ｅ－３６）であるものに、さらに、Ｚユニットとして、前記式（１）に示す官能基を有する基が含まれるものが挙げられる。なお、Ｘユニットとしては、結合可能部位を４箇所示している。４箇所の結合可能部位には、下記式（６１）のＸの位置に導入される際に結合する２つのカルボニル基と、不図示の２つのカルボキシ基とが結合する。複数のＸユニットは同じであってもよく、異なっていてもよい。複数のＥユニットは同じであってもよく、異なっていてもよい。複数のＺユニットは同じであってもよく、異なっていてもよい。

　前記配向膜の形成材料であるポリイミド（ポリアミック酸）に含まれる複数のＺユニットのうち、少なくとも一としては、下記式（８）を例示することができる。

（ｋは０～３の整数を示す。）

　式（８）に示す官能基を有するモノマーとして、ｋ＝１のときのモノマーの合成方法を、後述の実施例で示し、実施例１～５のランダム共重合体の合成に用いた。式（８）に示す官能基を有するモノマーとして、ｋ＝２～３のときのモノマーも、ｋ＝１のときのモノマーの合成方法を参考にして合成することができる。式（８）に示す官能基を有するモノマーとして、ｋ＝０のときのモノマーを、後述の、実施例１１～１５のランダム共重合体の合成に用いた。

　前記配向膜の形成材料であるポリイミド（ポリアミック酸）に含まれる複数のＺユニットのうち、少なくとも一は、下記式（９）であってもよい。

（ｊは０～３の整数を示す。ｘは１～４の整数を示す。ｙは１～４の整数を示す。）

　式（９）に示す官能基を有するモノマーとして、ｊ＝１、ｘ＝１、ｙ＝１のときのモノマーの合成方法を、後述の実施例で示し、実施例１～５のランダム共重合体の合成に用いた。式（９）に示す官能基を有するモノマーとして、ｊ＝２～３のときのモノマーも、ｊ＝１のときのモノマーの合成方法を参考にして合成することができる。式（９）に示す官能基を有するモノマーとして、ｊ＝０、ｘ＝１、ｙ＝１のときのモノマーを、後述の、実施例１１～１５のランダム共重合体の合成に用いた。

　前記配向膜の形成材料であるポリイミド（ポリアミック酸）に含まれる複数のＺユニットのうち、少なくとも一としては、光反応性官能基であってもよく、垂直配向性基であってもよく、水平配向性基であってもよく、これらの組み合わせであってもよい。

　垂直配向性基とは、液晶分子を基板面に対して垂直配向させる官能基をいい、垂直配向とは、基板面に対する液晶分子の平均初期傾斜角が、６０°～９０°の場合をいい、好ましくは８０°～９０°である。また、上記水平配向性基とは、液晶分子を基板面に対して水平配向させる官能基をいい、水平配向とは、基板面に対する液晶分子の平均初期傾斜角が、０～３０°の場合をいい、好ましくは０～１０°である。「傾斜角」は、液晶分子の長軸と基板面とがなす角度を０°～９０°の範囲で表したものであり、「平均傾斜角」を「チルト角」ともいう。また、電圧無印加時における液晶分子の各基板に対する傾斜角の平均を「平均初期傾斜角」といい、以下、単純に「プレチルト角」ともいう。

　本発明の一態様による液晶表示装置を、垂直配向膜を有する液晶表示装置に適用する場合、垂直配向膜の形成材料であるポリイミド（ポリアミック酸）に含まれる複数のＺユニットのうち、少なくとも一としては、下記式（Ｚ－２０１）～（Ｚ－２２３）に示す垂直配向性基であってもよい。

　式（Ｚ－２０１）～（Ｚ－２２１）に示す垂直配向性基は、シンナメート基を有する光反応性官能基であり、式（Ｚ－２２２）に示す垂直配向性基は、クマリン基を有する光反応性官能基であり、式（Ｚ－２２３）に示す垂直配向性基は、スチルベン基を有する光反応性官能基でもある。

　複数のＺユニットのうち、少なくとも一が、下記式（Ｚ－３０１）～（Ｚ－３０７）のいずれかであってもよい。

　本発明の一態様による液晶表示装置を、水平配向膜を有する液晶表示装置に適用する場合、水平配向膜の形成材料であるポリイミド（ポリアミック酸）に含まれる複数のＺユニットのうち、少なくとも一は、水素原子、炭素数１～４のアルキル基、炭素数３～８のシクロアルキル基、又は、炭素数４～８の芳香族基の水平配向性基であってもよい。アルキル基、シクロアルキル基、芳香族基については、１以上の水素原子がフッ素原子または塩素原子に置換されていてもよい。

　複数のＺユニットのうち、少なくとも一は光反応性官能基を有するものであってもよい。光反応性官能基としては、下記式（Ｚ－１０１）～（Ｚ－１０６）を例示することができる。

　前記配向膜に用いられるポリアミック酸、及び前記配向膜に用いられるポリイミドの前駆体としてのポリアミック酸としては、下記式（７１）に示す構成単位であって、ポリアミック酸骨格に含まれるＸユニットが前記式（Ｘ－１）～（Ｘ－７）であるもの、およびＥユニットが下記式（Ｅ－１）～（Ｅ－１４）であるものに、さらに、ＸユニットおよびＥユニットのいずれかに光反応性官能基を有する基が含まれていてもよい。なお、Ｘユニットとしては、結合可能部位を４箇所示している。４箇所の結合可能部位には、下記式（６１）のＸの位置に導入される際に結合する２つのカルボニル基と、不図示の２つのカルボキシ基とが結合する。Ｘユニットが採用し得る光反応性官能基としては、下記式（Ｘ－１０１）～（Ｘ－１０５）、Ｅユニットが採用し得る光反応性官能基としては、下記式（Ｅ－１０１）～（Ｅ－１０５）を例示することができる。複数のＥユニットは同じであってもよく、異なっていてもよい。複数のＺユニットは同じであってもよく、異なっていてもよい。

　前記配向膜に用いられるポリアミック酸、及び前記配向膜に用いられるポリイミドの前駆体としてのポリアミック酸としては、下記式（６）に示す構成単位を有するポリアミック酸であってもよい。

（ｍ_１及び（１００－ｍ_１）はそれぞれの構成単位の共重合比（モル％）を示し、ｍ_１は０より大きく１００以下である。ｎは０又は１を示す。Ｒ^１は下記式（８）に示す官能基を示し、下記式（８）に示す官能基の一部は、下記式（９）に示す官能基に置換されていてもよい。Ｒ^３は光反応性官能基、垂直配向性基、又は、水平配向性基を示す。）

（ｋは０～３の整数を示す。）

（ｊは０～３の整数を示す。ｘは１～４の整数を示す。ｙは１～４の整数を示す。）

　式（８）に示す官能基中のチオキサントン基は、４２０ｎｍ付近までの長波長光を吸収し、ラジカル形成できることと、励起状態が三重項状態であることから、ラジカルが安定である。すなわち、式（８）に示す官能基は、ラジカル重合開始機能を有する。

　下記式（６）に示す構成単位を有するポリアミック酸において、式（８）に示す官能基の一部は、式（９）に示す官能基に置換されていてもよく、このとき、式（８）に示す官能基中のチオキサントン基は、４２０ｎｍ付近までの長波長光を吸収し、式（８）に示す官能基中のチオキサントン基が式（９）に示す官能基中の三級アミノ基から容易に水素を引き抜くことができる。これにより、発生するラジカルを、配向膜１２の表面で均一に分布させることができ、液晶材料中のモノマーの重合において、配向膜１２の表面でラジカル重合開始点を均一に分布させることができる。

　式（８）に示す官能基中のチオキサントン基が水素を引き抜くと、式（８）に示す官能基は、下記式（８－０）に示すラジカルになると考えられる。

（ｋは０～３の整数を示す。）

　式（８）に示す官能基中のチオキサントン基が式（９）に示す官能基中の三級アミノ基から水素を引き抜くと、式（９）に示す官能基は、下記式（９－０）に示すラジカルになると考えられる。

（ｊは０～３の整数を示す。ｘは１～４の整数を示す。ｙは１～４の整数を示す。）

　前記配向膜に用いられるポリアミック酸、及び前記配向膜に用いられるポリイミドの前駆体としてのポリアミック酸として、式（６）に示す構成単位を有するポリアミック酸はランダム共重合体であってもよく、ブロック共重合体であっても良い。配向膜１２の表面でラジカル重合開始点を均一に分布させることから、式（６）に示す構成単位を有するポリアミック酸はランダム共重合体であることが好ましい。

　前記配向膜に用いられるポリアミック酸、及び前記配向膜に用いられるポリイミドの前駆体としてのポリアミック酸として、式（６）に示す構成単位を有するポリアミック酸、式（６１）に示す構成単位を有するポリアミック酸、式（７１）に示す構成単位を有するポリアミック酸の重量平均分子量（Ｍｗ）は、いずれも、３０００～１００００００の範囲内であってもよく、１００００～１０００００の範囲内であってもよい。分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、１～４の範囲内であってもよく、２～３の範囲内であってもよい。

　式（８）に示す官能基としては、下記式（８－１）に示す官能基であってもよく、下記式（８－２）に示す官能基であってもよい。

　式（９）に示す官能基としては、下記式（９－１）に示す官能基であってもよく、下記式（９－２）に示す官能基であってもよい。

（ｘは１～４の整数を示す。ｙは１～４の整数を示す。）

（ｘは１～４の整数を示す。ｙは１～４の整数を示す。）

　式（６）に示す構成単位を有するポリアミック酸としては、下記式（６－０）に示す構成単位を有するポリアミック酸であってもよく、下記式（６－１）に示す構成単位を有するポリアミック酸であってもよく、下記式（６－２）に示す構成単位を有するポリアミック酸であってもよく、下記式（６－３）に示す構成単位を有するポリアミック酸であってもよい。

（ｍ及び（１００－２ｍ）はそれぞれの構成単位の共重合比（モル％）を示し、ｍは０より大きく５０以下である。Ｒ^０は下記式（８）に示す官能基を示し、Ｒ^１は下記式（９）に示す官能基を示す。Ｒ^３は光反応性官能基、垂直配向性基、又は、水平配向性基を示す。）

　Ｒ^３の、光反応性官能基、垂直配向性基、及び、水平配向性基としては、前記の一価の光反応性官能基、垂直配向性基、及び、水平配向性基を例示することができる。ただし、Ｒ^０、Ｒ^１であるものは除かれる。

（ｍ及び（１００－２ｍ）はそれぞれの構成単位の共重合比（モル％）を示し、ｍは０より大きく５０以下である。Ｒ^０は前記式（８）に示す官能基を示し、Ｒ^１は前記式（９）に示す官能基を示す。Ｒ^３は光反応性官能基、又は、垂直配向性基を示す。）

　Ｒ^３の、光反応性官能基及び、垂直配向性基としては、前記の一価の光反応性官能基及び、垂直配向性基を例示することができる。ただし、Ｒ^０、Ｒ^１であるものは除かれる。

（ｍ及び（１００－２ｍ）はそれぞれの構成単位の共重合比（モル％）を示し、ｍは０より大きく５０以下である。Ｒ^０は前記式（８）に示す官能基を示し、Ｒ^１は前記式（９）に示す官能基を示す。）

（ｍ及び（１００－２ｍ）はそれぞれの構成単位の共重合比（モル％）を示し、ｍは０より大きく５０以下である。Ｒ^０は前記式（８）に示す官能基を示し、Ｒ^１は前記式（９）に示す官能基を示す。）

　前記配向膜に用いられるポリアミック酸、及び前記配向膜に用いられるポリイミドの前駆体としてのポリアミック酸として、式（６－０）に示す構成単位を有するポリアミック酸、式（６－１）に示す構成単位を有するポリアミック酸、式（６－２）に示す構成単位を有するポリアミック酸、式（６－３）に示す構成単位を有するポリアミック酸は、いずれも、ランダム共重合体であってもよく、ブロック共重合体であっても良い。配向膜１２の表面でラジカル重合開始点を均一に分布させることから、これらのポリアミック酸は、いずれも、ランダム共重合体であることが好ましい。

　前記配向膜に用いられるポリアミック酸、及び前記配向膜に用いられるポリイミドの前駆体としてのポリアミック酸として、式（６－０）に示す構成単位を有するポリアミック酸、式（６－１）に示す構成単位を有するポリアミック酸、式（６－２）に示す構成単位を有するポリアミック酸、式（６－３）に示す構成単位を有するポリアミック酸の重量平均分子量（Ｍｗ）は、いずれも、３０００～１００００００の範囲内であってもよく、１００００～１０００００の範囲内であってもよい。分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、１～４の範囲内であってもよく、２～３の範囲内であってもよい。

　前記配向膜としてのポリイミドは、前記ポリアミック酸を前駆体とし、ポリアミック酸の一部又は全部を分子内環化（イミド化）することで得られる。

　前記配向膜は、下記式（７）に示す構成単位を有するポリイミドであってもよい。

（ｍ_１及び（１００－ｍ_１）はそれぞれの構成単位の共重合比（モル％）を示し、ｍ_１は０より大きく１００以下である。ｎは０又は１を示す。Ｒ^１は下記式（８）に示す官能基を示し、下記式（８）に示す官能基の一部は、下記式（９）に示す官能基に置換されていてもよい。Ｒ^３は光反応性官能基、垂直配向性基、又は、水平配向性基を示す。）

　式（７）に示す構成単位を有するポリイミドは、式（６）に示す、ポリイミドの前駆体としてのポリアミック酸の少なくとも一部が分子内環化（イミド化）することで得られる。

　式（７）に示す構成単位を有するポリイミドとしては、下記式（７－０）に示す構成単位を有するポリイミドであってもよく、下記式（７－１）に示す構成単位を有するポリイミドあってもよく、下記式（７－２）に示す構成単位を有するポリイミドであってもよく、下記式（７－３）に示す構成単位を有するポリイミドであってもよい。

（ｍ及び（１００－２ｍ）はそれぞれの構成単位の共重合比（モル％）を示し、ｍは０より大きく５０以下である。Ｒ^０は前記式（８）に示す官能基を示し、Ｒ^１は前記式（９）に示す官能基を示す。Ｒ^３は光反応性官能基、垂直配向性基、又は、水平配向性基を示す。）

　Ｒ^３の、光反応性官能基、垂直配向性基、及び、水平配向性基としては、前記の一価の光反応性官能基、垂直配向性基、及び、水平配向性基を例示することができる。ただし、Ｒ^０、Ｒ^１であるものは除かれる。

（ｍ及び（１００－２ｍ）はそれぞれの構成単位の共重合比（モル％）を示し、ｍは０より大きく５０以下である。Ｒ^０は前記式（８）に示す官能基を示し、Ｒ^１は前記式（９）に示す官能基を示す。Ｒ^３は光反応性官能基、又は、垂直配向性基を示す。）

　Ｒ^３の、光反応性官能基及び、垂直配向性基としては、前記の一価の光反応性官能基及び、垂直配向性基を例示することができる。ただし、Ｒ^０、Ｒ^１であるものは除かれる。

（ｍ及び（１００－２ｍ）はそれぞれの構成単位の共重合比（モル％）を示し、ｍは０より大きく５０以下である。Ｒ^０は前記式（８）に示す官能基を示し、Ｒ^１は前記式（９）に示す官能基を示す。）

（ｍ及び（１００－２ｍ）はそれぞれの構成単位の共重合比（モル％）を示し、ｍは０より大きく５０以下である。Ｒ^０は前記式（８）に示す官能基を示し、Ｒ^１は前記式（９）に示す官能基を示す。）

　前記配向膜の形成材料のポリイミドのイミド化率は、１０％以上であってもよく、３０％以上であってもよく、４０％以上であってもよく、５０％以上であってもよく、６０％以上であってもよい。

　前記ポリイミドのイミド化率は、配向膜のＦＴ－ＩＲ測定によって求めることができる。配向膜を３５０℃で十分に加熱し、完全にイミド化反応させたもの（イミド化率１００％）とし、ＦＴ－ＩＲによるアミド基由来のピーク強度から求めることができる。

　製造時においては、配向膜のＦＴ－ＩＲスペクトルにおいて、１５１０ｃｍ^－１付近に現れ、芳香環のＣ－Ｃ結合に由来すると同定できるピークを規格化の基準として用いる。
当該Ｃ－Ｃ結合に由来するピークは、熱処理によってもピーク強度・面積が変化しないと考えられる。一方、イミド基のＣ－Ｎ伸縮振動に対応しイミド環に由来すると同定できるピークは、１３７０ｃｍ^－１付近に現れ、熱処理の進行に伴って増加する。そのため、１３７０ｃｍ^－１付近のピークを１５１０ｃｍ^－１付近のピークで規格化して各計算を行う。

　配向膜を３５０℃で十分に加熱した時のイミド化率を１００％とし、イミド化率１００％の配向膜のＦＴ－ＩＲ測定を行う。得られるＦＴ－ＩＲスペクトルの１３７０ｃｍ^－１付近のピークを１５１０ｃｍ^－１付近のピークで規格化する。得られた値を「Ａ」とする。
　測定対象物である配向膜のＦＴ－ＩＲスペクトルにおいても、同様に１３７０ｃｍ^－１付近のピークを１５１０ｃｍ^－１付近のピークで規格化する。得られた値を「Ｂ」とする。
　それぞれ得られた値を用い、下記式からイミド化率を求める。
　（イミド化率）（％）＝Ｂ／Ａ×１００

　前記配向膜に用いられるポリイミドとして、式（７）に示す構成単位を有するポリイミド、式（７－０）に示す構成単位を有するポリイミド、式（７－１）に示す構成単位を有するポリイミド、式（７－２）に示す構成単位を有するポリイミドは、いずれも、ランダム共重合体であってもよく、ブロック共重合体であっても良い。配向膜１２の表面でラジカル重合開始点を均一に分布させることから、これらのポリイミドは、いずれも、ランダム共重合体であることが好ましい。

　前記配向膜に用いられるポリイミドとして、これらのポリイミドの重量平均分子量（Ｍｗ）は、いずれも、３０００～１００００００の範囲内であってもよく、１００００～１０００００の範囲内であってもよい。分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、１～４の範囲内であってもよく、２～３の範囲内であってもよい。

（ポリシロキサン）
　前記配向膜としては、下記式（２０）に示すシロキサン骨格、または下記式（２１）に示すシロキサン骨格を有し、側鎖として備えるＺユニットに、前記式（１）に示す官能基が共有結合されているポリシロキサンを例示することができる。

（式中、αは水素原子、水酸基、アルコキシ基のいずれかである。複数のαは同一でもよく、互いに異なっていてもよい。
　ｒは０＜ｒ≦０．５である。（１－ｒ）及びｒは、それぞれの構成単位の共重合比を示す。）

（式中、αは水素原子、水酸基、アルコキシ基のいずれかである。複数のαは同一でもよく、互いに異なっていてもよい。
　ｒは０＜ｒ≦０．５である。（１－ｒ）及びｒは、それぞれの構成単位の共重合比を示す。）

　シロキサン酸骨格を有する前記配向膜としては、上記式（２０）に示すシロキサン骨格、または上記式（２１）に示すシロキサン骨格を有し、側鎖として備えるＺユニットに光反応性官能基を有するものを例示することができる。光反応性官能基としては、下記式（Ｚ－２２４）～（Ｚ－２２５）を例示することができる。

　複数のＺユニットのうち、少なくとも一が、光反応性官能基を有していても良い。光反応性官能基としては、前記式（Ｚ－１０１）～（Ｚ－１０３）のいずれかであってもよい。
　複数のＺユニットのうち、少なくとも一が、前記式（Ｚ－３０１）～（Ｚ－３０７）のいずれかであってもよい。

　光反応性官能基は、上述したシロキサン骨格に含まれるケイ素原子に直接結合していてもよく、ケイ素原子に結合する側鎖中に含まれていてもよい。光反応が容易であり光反応を生じさせるための光照射量を抑制可能であることから、光反応性官能基は、側鎖に含まれるほうが好ましい。また、すべての側鎖が光反応性官能基を含んでいる必要はなく、熱・化学安定性を向上させることを目的として、熱的に架橋する重合性官能基など非光反応性の側鎖を含んでいてもよい。

　これらの光反応性官能基は、各光反応性官能基の吸収帯域の偏光を吸収することで、光異性化や二量化反応を生じる。その結果、光反応性官能基は構造が変化し、配向膜１２は、表面に近接する液晶材料の配向方向を任意の方向に規定する。すなわち、配向膜１２は、形成時の照射する偏光の照射方向に応じて、液晶材料の配向方向を任意の方向に規定することができる。

［液晶層］
　液晶層３０は、液晶材料を含んでいる。液晶材料は、液晶性を有する液晶分子を含む組成物である。液晶材料は、単独で液晶性を発現する液晶分子のみで構成されていてもよく、単独で液晶性を発現する液晶分子と、単独では液晶性を発現しない有機化合物とが混合した組成物であって、組成物全体として液晶性を発現するものであってもよい。液晶材料は、誘電異方性が負のネガ型液晶材料を用いてもよく、誘電異方性が正のポジ型液晶材料を用いてもよい。液晶分子には、電圧無印加状態において、配向膜１２、第２配向膜２２の配向規制力に応じた配向性が付与されている。

　誘電異方性が正のポジ型液晶材料としては、誘電異方性が正の極性液晶化合物と、非極性液晶化合物との混合物が挙げられる。誘電異方性が正の極性液晶化合物としては、例えば、以下の化合物などが挙げられる。

（式中、Ｒ^０は、炭素数が１～１２の飽和アルキル基を示す。）

　誘電異方性が負のネガ型液晶材料としては、誘電異方性が負の極性液晶化合物と、非極性液晶化合物との混合物が挙げられる。誘電異方性が負の極性液晶化合物としては、例えば、以下の化合物などが挙げられる。

（式中、ｎ及びｍは、１～１８のいずれかの整数である。）

　非極性液晶化合物は、ポジ型液晶材料及びネガ型液晶材料で共通であり、例えば、以下の化合物などが挙げられる。

（式中、Ｒは、炭素数が１～８の直鎖アルキル基を示す。）

　その他、液晶表示装置１００は、素子基板１０と対向基板２０とに挟持され、液晶層３０の周囲を囲むシール部や、液晶層３０の厚さを規定するための柱状構造物であるスペーサを有していてもよい。

　このような構成の液晶表示装置は、コントラストの低下を抑制しながらプレチルト角を変更することが容易となる。

［配向維持層］
　配向膜１２と液晶層３０との間には、液晶層３０を構成する液晶分子のうち少なくとも配向膜１２に近接する液晶分子の傾斜方向を規定する配向維持層４０が設けられている。
　対向基板２０側にも、第２配向膜２２と液晶層３０との間に、液晶層３０を構成する液晶分子のうち少なくとも第２配向膜２２に近接する液晶分子の傾斜方向を規定する第２配向維持層５０が設けられていてもよい。

　配向維持層４０及び第２配向維持層５０は、ラジカル重合性モノマーのラジカル重合によって形成されていてもよい。

　配向維持層４０及び第２配向維持層５０は、光重合物を形成材料とし、液晶層３０に電圧を印加していない時に、液晶層３０の液晶分子の配向方向を規定し、配向規制力を向上させる機能を規定する機能を有する。配向維持層４０及び第２配向維持層５０は、例えば、光重合性モノマーとして、下記式（２９）で表されるジメタクリレート、下記式（３０）で表されるジメタクリレートや下記式（３１）で表されるジメタクリレートを形成材料とすることができる。

　配向維持層を形成する際には、たとえば、液晶層３０で用いられる液晶材料１００質量％に対し、上述したようなジメタクリレートを０．５質量％以下添加したものを用いる。
このような液晶材料を用い、一対の基板を貼り合わせた後に、電圧印加又は電圧無印加の状態で４００ｎｍ以下をカットするフィルターを介して４００ｎｍ以上の光（蛍光灯使用）を１５分間照射する。これにより、上述したようなジメタクリレートは、配向膜の表面に降り積もったような配向維持層を形成する。

　このような配向維持層４０，５０を有する液晶表示装置１００は、ＶＨＲ（Voltage Holding Ratio、電圧保持率）、残留ＤＣ、プレチルト角の変化が抑制された高品質なものとなる。

［対向基板］
　対向基板２０は、例えばカラーフィルタ基板２１と、カラーフィルタ基板２１の液晶層３０側の面に設けられた第２配向膜２２と、カラーフィルタ基板２１の液晶層３０とは反対側に設けられた第２偏光板２９（不図示）と、を有している。偏光板２９は、通常知られた構成のものを用いることができる。

　カラーフィルタ基板２１は、例えば、入射する光の一部を吸収し赤色光を透過させる赤色カラーフィルタ層、入射する光の一部を吸収し緑色光を透過させる緑色カラーフィルタ層、入射する光の一部を吸収し青色光を透過させる青色カラーフィルタ層を有している。
さらに、カラーフィルタ基板２１は、基板表面の平坦化とカラーフィルタ層からの色材成分の溶出を防ぐことを目的として、表面を覆うオーバーコート層を有していてもよい。

［第２配向膜］
　第２配向膜２２は、表面に接する液晶材料に配向規制力を与える機能を有する。第２配向膜２２は、垂直配向膜であってもよく、平行配向膜であってもよく、液晶材料に対してプレチルト角を与える光配向膜であってもよい。

　配向膜１２と第２配向膜２２とがいずれも光配向膜である場合、配向膜１２が液晶材料に与えるプレチルト角と、第２配向膜２２が液晶材料に与えるプレチルト角は、同じであってもよく、異なっていてもよい。

　配向膜１２と第２配向膜２２とがいずれも光配向膜である場合、配向膜１２による液晶材料の配向方向と、第２配向膜２２による液晶材料の配向方向とは、ＴＦＴ基板１１の法線方向からの視野（ＴＦＴ基板を平面視したときの視野）において反平行配向に設定されているとよい。「反平行配向」とは、ＴＦＴ基板を平面視したときの視野において、液晶材料の方位角が同じであることをいう。

［液晶表示装置の製造方法］
　本実施形態の液晶表示装置１００の製造方法は、基板１１上に、前記式（１）に示す官能基が共有結合されている高分子化合物を含有する配向膜の形成材料を製膜し、製膜された該形成材料を配向処理して、基板１１上に配向膜１２を形成し、配向膜１２と、対向基板２０との間に、モノマーを含む液晶材料を注入して液晶層３０を形成した後、該モノマーを重合することによって、配向膜１２と液晶層３０との間に、液晶層３０を構成する液晶分子のうち少なくとも配向膜１２に近接する液晶分子の傾斜方向を規定する配向維持層４０を形成する。

　以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。

　以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

［ジアミンモノマーの合成（三級アミン側）］
　重合開始官能基を有するジアミンモノマー（原料モノマー（Ａ））の合成の一例を以下に示す。なお、反応式中でM.W.として示す数値は各化合物の分子量である。

（工程Ａ）
　まず、下記式(2)に示す４－（ジメチルアミノ）安息香酸が0.83ｇ（5 mmol）の含まれるベンゼン溶液(20 mL)中に塩化チオニルを滴下し、(3)に示す４－（ジメチルアミノ）安息香酸クロリド(4.65 mmol, yield 93%)を合成した。引き続き、(1)に示すtrans－４－ヒドロキシけい皮酸メチルが0.45 g (2.5 mmol)含まれるとともに、トリエチルアミンが0.5ｇ（5 mmol）が含まれるベンゼン（20 mL）溶液中に、下記式(3)に示す４－（ジエチルアミノ）安息香酸クロリド0.46ｇ（2.5 mmol）を含むベンゼン溶液（5 mL）を室温、窒素雰囲気下で滴下した。その後、２時間、室温で反応させた。反応終了後、不純物を水で抽出させた後、カラムクロマトグラフィー（トルエン／酢酸エチル（４／１））にて精製し、下記式(4)で示される目的の化合物を得た（0.692 g、収率86％）。

（工程Ｂ）
　上記式(4)に示す化合物が0.65 ｇ（2 mmol）を含むＴＨＦ／メタノール混合溶液(20 mL)中に水酸化ナトリウム水溶液、引き続き塩酸を滴下し、１時間攪拌することにより、下記式(5)に示すカルボン酸化合物を合成した（0.59 g, 1.9 mmol)。

（工程Ｃ）
　下記式(6)に示すジニトロフェニル酢酸3 gをＴＨＦ20 mLに溶解させ、硫化ジメチルボラン－トルエン溶液（7 mL)を滴下した。室温で一晩放置し、50 %メタノール水溶液10 mLを滴下して反応を停止させた。その後クロロホルム10 mLで抽出し、5 %重曹水、水で洗浄し、有機層への抽出が無くなるまで濃縮した。得られた液体をクロロホルム20 mLに溶解させアルミナカラムクロマトグラフィーで精製した。留出液を濃縮し、濃縮物にトルエン／ｎ－ヘプタン溶液(６／４)を加え、70 ℃で熱抽出した成分を分離させた。上層成分をデカンテーションし、冷却することにより、下記式(7)に示す２，４－ジニトロフェニルエタノールを得た（1.2 g、収率42.7 %)。

　下記式(7)に示す２，４－ジニトロフェニルエタノール0.4 gをソルミックス（登録商標）ＡＰ－Ｉ（日本エタノール販売（株））　8 mLに溶解させ、ラネーＮｉ 0.06 gを加え、オートクレーブ中に仕込んだ。系内を水素置換し、室温で一晩0.4 MPaの圧力下で放置した。ＨＰＬＣで反応停止を確認し、セライト（登録商標）を通して反応液をろ過した。
ろ液を留出が無くなるまで濃縮した。得られた粗液体を減圧蒸留し、下記式(8)に示す２，４－ジアミノフェニルエタノール(0.69 g、収率80 %)を得た。

　下記式(8)に示す２，４－ジアミノフェニルエタノール0.6 gをアセトン5 mLに溶解させ、ｔ－ブトキシカルボニル無水物（1.8 g/ＴＨＦ 5 mL)を滴下した。滴下後、加熱還流温度まで昇温させ一晩放置した。反応終了後反応液を濃縮、乾燥させ、下記式(9)に示すｔ－Ｂｏｃ体を得た（0.13 g、収率 94 %)。

（工程Ｄ）
　下記式(9)に示すｔ－Ｂｏｃ体と下記式(5)に示すカルボン酸化合物を、前記（工程Ａ）に示した方法と同等の方法で反応させることにより、下記式(10)に示すｔ－Ｂｏｃ体を合成した。
　更に下記式(10)に示すｔ－Ｂｏｃ体をジアミンに戻すことにより、目的の下記式(11)に示すジアミンモノマーを合成した。

　式(10)から式(11)の合成方法を以下に示す。
　式(10)に示すｔ－Ｂｏｃ体を塩化メチレンに溶解させ、0 ℃にてトリフルオロメタンスルホン酸スズ（II）（Ｓｎ（ＯＴｆ）_２）を分割投入した。室温で反応させた後、5 ％ＮａＨＣＯ_３ａｑを加えて中和した。その後水で中性になるまで洗浄し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させセライトを通してろ別した。ろ液を濃縮することにより下記式(11)に示すジアミンモノマーを得た。

　式(11)に示すジアミンモノマーは、前述の、ｊ＝１、ｘ＝１、ｙ＝１のときのモノマーに該当する。ｊ＝２、ｘ＝１、ｙ＝１のときのモノマーは、前記式(2)の化合物を前記式(5)の化合物に代えて、前記（工程Ａ）～前記（工程Ｂ）を繰り返して、（工程Ａ）→（工程Ｂ）→（工程Ａ）→（工程Ｂ）→（工程Ｃ）→（工程Ｄ）の合成ルートを経ることにより合成することができる。ｊ＝３、ｘ＝１、ｙ＝１のときのモノマーは、同様に、前記（工程Ａ）～前記（工程Ｂ）を繰り返して、（工程Ａ）→（工程Ｂ）→（工程Ａ）→（工程Ｂ）→（工程Ａ）→（工程Ｂ）→（工程Ｃ）→（工程Ｄ）の合成ルートを経ることにより合成することができる。

［チオキサントン基を有するジアミンモノマーの合成（チオキサントン側）］
　下記式(12)に示すチオキサントン基を有するジアミンモノマーは、前記（工程Ａ）における合成スタート化合物(3)を、下記式(13)に示す２－クロロチオキサントンに変更して用いることにより、前記（工程Ａ）～前記（工程Ｄ）と全く同じ合成ルートで合成することができる。

　式(12)に示すジアミンモノマーは、前述の、ｋ＝１のときのモノマーに該当する。ｋ＝２のときのモノマーは、同様に、前記（工程Ａ）～前記（工程Ｂ）を繰り返して、（工程Ａ）→（工程Ｂ）→（工程Ａ）→（工程Ｂ）→（工程Ｃ）→（工程Ｄ）の合成ルートを経ることにより合成することができる。ｋ＝３のときのモノマーは、同様に、前記（工程Ａ）～前記（工程Ｂ）を繰り返して、（工程Ａ）→（工程Ｂ）→（工程Ａ）→（工程Ｂ）→（工程Ａ）→（工程Ｂ）→（工程Ｃ）→（工程Ｄ）の合成ルートを経ることにより合成することができる。

［実施例１～５、比較例１］
　以下に、ラジカル重合開始機能を有する官能基の導入量が４０モル％（実施例２：ｍ＝２０、ｍ_１＝２ｍ＝４０）のポリアミック酸の合成を例にして、実施例１～５及び比較例１のポリアミック酸の合成方法を示す。
　下記式(15)に示す光反応性官能基を有するジアミンモノマー（０．０６モル）と、下記式(11)に示すラジカル重合開始機能を有するジアミンモノマー（０．０２モル）と、下記式(12)に示すラジカル重合開始機能を有するジアミンモノマー（０．０２モル）とを、γ－ブチロラクトンに溶かし、この溶液に、下記式(14)に示す酸無水物（0.10 モル）を加え、６０℃で１２時間反応させることにより、前記式（６－１）に示すうち、Ｒ^０が下記式(8-2)に示すラジカル重合開始機能を有する官能基であり、Ｒ^１が下記式(9-2-1) に示すラジカル重合開始機能を有する官能基であり、Ｒ^３が下記式(Z-219) に示す光反応性官能基でもある垂直配向性基である、ポリアミック酸が得られた。得られたポリアミック酸（実施例２）の重量平均分子量（Ｍｗ）は３０，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．５であった。

　同様にして、ラジカル重合開始機能を有する官能基の導入量が０モル％（ｍ＝０，ｍ＝２ｍ＝０）の重合体構造のポリアミック酸を合成した。得られたポリアミック酸（比較例１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は３０，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．５であった。

　同様にして、ラジカル重合開始機能を有する官能基の導入量が２０モル％（ｍ＝１０、ｍ_１＝２ｍ＝２０）のランダム共重合体構造のポリアミック酸を合成した。得られたポリアミック酸（実施例１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は３０，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．５であった。

　同様にして、ラジカル重合開始機能を有する官能基の導入量が６０モル％（ｍ＝３０、ｍ_１＝２ｍ＝６０）のランダム共重合体構造のポリアミック酸を合成した。得られたポリアミック酸（実施例３）の重量平均分子量（Ｍｗ）は３０，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．５であった。

　同様にして、ラジカル重合開始機能を有する官能基の導入量が８０モル％（ｍ＝４０、ｍ_１＝２ｍ＝８０）のランダム共重合体構造のポリアミック酸を合成した。得られたポリアミック酸（実施例４）の重量平均分子量（Ｍｗ）は３０，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．５であった。

　同様にして、ラジカル重合開始機能を有する官能基の導入量が１００モル％（ｍ＝５０、ｍ_１＝２ｍ＝１００）の重合体構造のポリアミック酸を合成した。得られたポリアミック酸（実施例５）の重量平均分子量（Ｍｗ）は３０，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．５であった。

［実施例６～１０、比較例２］
　実施例２で得られたポリアミック酸をイミド化するために以下の処理を行った。
　得られた実施例２ポリアミック酸のγ－ブチロラクトン溶液に過剰のピリジン（０．５モル）と無水酢酸（０．３モル）を添加した状態で、１５０℃で３時間反応させた。
　このようにして得られた実施例７のポリイミドの重量平均分子量（Ｍｗ）は３０，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．５であった。また、イミド化率は２０％以上であった。

　同様にして、比較例１で得られたポリアミック酸をイミド化したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は３０，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．５の、比較例２のポリイミドが得られた。イミド化率は２０％以上であった。

　同様にして、実施例１で得られたポリアミック酸をイミド化したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は３０，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．５の、実施例６のポリイミドが得られた。イミド化率は２０％以上であった。

　同様にして、実施例３で得られたポリアミック酸をイミド化したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は３０，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．５の、実施例８のポリイミドが得られた。イミド化率は２０％以上であった。

　同様にして、実施例４で得られたポリアミック酸をイミド化したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は３０，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．５の、実施例９のポリイミドが得られた。イミド化率は２０％以上であった。

　同様にして、実施例５で得られたポリアミック酸をイミド化したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は３０，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．５の、実施例１０のポリイミドが得られた。イミド化率は２０％以上であった。

［実施例１１～１５、比較例３］
　以下に、ラジカル重合開始機能を有する官能基の導入量が３０モル％（実施例１３：ｍ＝１５、ｍ_１＝２ｍ＝３０）のポリアミック酸の合成を例にして、実施例１１～１５及び比較例３のポリアミック酸の合成方法を示す。
　下記式(16)に示す光反応性官能基を有するジアミンモノマー（０．０７０モル）と、下記式(17)に示すラジカル重合開始機能を有するジアミンモノマー（０．０１５モル）と、下記式(18)に示すラジカル重合開始機能を有するジアミンモノマー（０．０１５モル）とを、γ－ブチロラクトンに溶かし、この溶液に、下記式(14)に示す酸無水物（０．１０モル）を加え、６０℃で１２時間反応させることにより、下記式(6-3)に示すうち、Ｒ^０が下記式(8-1)に示すラジカル重合開始機能を有する官能基であり、Ｒ^１が下記式(9-1-1) に示すラジカル重合開始機能を有する官能基である、ランダム共重合体構造のポリアミック酸が得られた。

　同様にして、ラジカル重合開始機能を有する官能基の導入量が０モル％（ｍ＝０，ｍ＝２ｍ＝０）の重合体構造のポリアミック酸を合成した。得られたポリアミック酸（比較例２）の重量平均分子量（Ｍｗ）は３０，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．５であった。

　同様にして、ラジカル重合開始機能を有する官能基の導入量が１０モル％（ｍ＝５、ｍ_１＝２ｍ＝１０）のランダム共重合体構造のポリアミック酸を合成した。得られたポリアミック酸（実施例１１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は３０，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．５であった。

　同様にして、ラジカル重合開始機能を有する官能基の導入量が２０モル％（ｍ＝１０、ｍ_１＝２ｍ＝２０）のランダム共重合体構造のポリアミック酸を合成した。得られたポリアミック酸（実施例１２）の重量平均分子量（Ｍｗ）は３０，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．５であった。

　同様にして、ラジカル重合開始機能を有する官能基の導入量が４０モル％（ｍ＝２０、ｍ_１＝２ｍ＝４０）のランダム共重合体構造のポリアミック酸を合成した。得られたポリアミック酸（実施例１４）の重量平均分子量（Ｍｗ）は３０，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．５であった。

　同様にして、ラジカル重合開始機能を有する官能基の導入量が５０モル％（ｍ＝２５、ｍ_１＝２ｍ＝５０）のランダム共重合体構造のポリアミック酸を合成した。得られたポリアミック酸（実施例１５）の重量平均分子量（Ｍｗ）は３０，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．５であった。

［実施例１６～２０，比較例４］
（液晶セル作成工程）
　アクティブマトリクス基板として、表示領域のサイズが１０インチで厚さが０．７ｍｍのＴＦＴ基板と、カラーフィルタを有するカラーフィルタ基板を用意し、ＴＦＴ基板の表面に実施例１で得られたチオキサントンおよびジメチルアミノ系のラジカル重合開始機能を有する官能基の導入量が１０モル％（ｍ＝１０、ｍ_１＝２ｍ＝２０）であるポリアミック酸の溶液を塗布し、８０℃で仮焼成後、２００℃で６０分加熱し本焼成をして、１００ｎｍの厚さに成膜した。溶媒には、Ｎ－メチルピロリドン（ＮＭＰ）とγ－ブチロラクトンとの１：１混合溶媒（質量比）を用いた。

　次に、400 nm以上の波長をカットするカットフィルターを介した上で、斜め方向から直線偏光紫外光照射を行うことによって配向処理を施した。側鎖に光反応性官能基でもある垂直配向性基である式(Z-219) に示す官能基を有するポリアミック酸を用いているので、得られた配向膜は、ポリアミック酸系垂直配向膜として機能する。

　そして、このポリアミック酸系垂直配向膜を備えたＴＦＴ基板にシールを塗布し、カラーフィルタ基板にビーズを散布後貼り合せを行い、負の誘電率異方性を示す液晶材料（Ｔｎｉ：７５℃、Δε：－３．５）を注入した。液晶材料中には、下記式(29)に示す二官能モノマーを0.25質量％含有している。

　液晶材料の注入後、液晶材料のネマティック相転移温度（Ｔｎｉ）以上の温度である１３０℃まで加熱し急冷し、引き続き、配向処理を壊さないように、400 nm以下をカットするフィルターを介して、セルに４００ ｎｍ以上の光（蛍光灯使用）を20 分間照射することによりモノマーの重合を行い、実施例１６のポリアミック酸系垂直配向膜を有するＵＶ２Ａモードセルを作製した。

　同様に、実施例２で得られたチオキサントンおよびジメチルアミノ系のラジカル重合開始機能を有する官能基の導入量が２０モル％（ｍ＝２０、ｍ_１＝２ｍ＝４０）であるポリアミック酸を用いて、実施例１７のポリアミック酸系垂直配向膜を有するＵＶ２Ａモードセルを作製した。

　同様に、実施例３で得られたチオキサントンおよびジメチルアミノ系のラジカル重合開始機能を有する官能基の導入量が３０モル％（ｍ＝３０、ｍ_１＝２ｍ＝６０）であるポリアミック酸を用いて、実施例１８のポリアミック酸系垂直配向膜を有するＵＶ２Ａモードセルを作製した。

　同様に、実施例４で得られたチオキサントンおよびジメチルアミノ系のラジカル重合開始機能を有する官能基の導入量が４０モル％（ｍ＝４０、ｍ_１＝２ｍ＝８０）であるポリアミック酸を用いて、実施例１９のポリアミック酸系垂直配向膜を有するＵＶ２Ａモードセルを作製した。

　同様に、実施例５で得られたチオキサントンおよびジメチルアミノ系のラジカル重合開始機能を有する官能基の導入量が５０モル％（ｍ＝５０、ｍ_１＝２ｍ＝１００）であるポリアミック酸を用いて、実施例２０のポリアミック酸系垂直配向膜を有するＵＶ２Ａモードセルを作製した。

　同様に、比較例１で得られたチオキサントンおよびジメチルアミノ系のラジカル重合開始機能を有する官能基の導入量が０モル％（ｍ＝０、ｍ_１＝２ｍ＝０）であるポリアミック酸を用いて、比較例４のポリアミック酸系垂直配向膜を有するＵＶ２Ａモードセルを作製した。

　実施例１６～２０、比較例４の、ポリアミック酸系垂直配向膜を有する液晶セル（ＵＶ２Ａモードセル）について、下記方法により物性評価を行った。

　作製したＵＶ２Ａモードセルを偏光板で挟み、バックライト上で１００時間通電を行った。通電は１０Ｖ、３０Ｈｚの条件で行った。バックライト上での通電後のＶＨＲ、残留ＤＣ（ｒＤＣ）、及びチルト角変化量（Δチルト）の測定を行った。ＶＨＲ測定は、東陽テクニカ社製６２５４型ＶＨＲ測定システムを用いて、１Ｖ（７０℃）で行った。ｒＤＣの測定は、ＤＣオフセット電圧を２Ｖとし、２時間印加後のｒＤＣを、フリッカ消去法により求めた。プレチルト角変化量（Δチルト）の測定は、通電前のプレチルト角と、７．５ＶのＡＣ電圧による通電後のプレチルト角との変化量を求めた。コントラスト（ＣＲ）は、ＴＯＰＣＯＭ社製ＢＭ－５ＡＳを用いて、測定温度は２５℃、測定波長範囲は３８０～７８０ｎｍにて求めた。残存モノマーは、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）を用いて、初期のモノマーピークと蛍光灯照射後モノマーピークの比より決定した。
　なお、ＶＨＲは電荷が保持される割合を意味する。ＶＨＲが大きい液晶表示装置の方が良品であると判断できる。ｒＤＣが小さい液晶表示装置の方が良品であると判断できる。
プレチルト角変化量が小さい液晶表示装置の方が良品であると判断できる。

　評価結果を、表１－１に示す。
　表１－１に示すように、比較例４の液晶表示装置では、２０分の蛍光灯照射では残存モノマーは２６％と多く、ＶＨＲ、ｒＤＣ、Δチルト、ＣＲとも低い結果となった。
　これに対し、ラジカル重合開始機能を有する式（１）に示す官能基が共有結合されている高分子化合物を用いた実施例１６～２０の液晶表示装置では、ＶＨＲ、ｒＤＣ、Δチルト、ＣＲとも改善された。
　また、実施例１６～２０のポリアミック酸系垂直配向膜を有する液晶セル（ＵＶ２Ａモードセル）では、式（１）に示すチオキサントン系ラジカル重合開始機能を有する官能基の導入量が多くなるほど、ＶＨＲ、ｒＤＣ、Δチルト、ＣＲがともに改善された。また、残存モノマーはｍ＝３０以上、ｍ_１＝２ｍ＝６０以上でＧＣの検出限界以下となったことから、巨大サイズのポリマー形成が無く、均質なポリマーからなる配向維持層４０を配向膜１２の表面に均一に密着させて形成させることができたと推定される。

［実施例２１～２５，比較例５］
　（液晶セル作成工程）
　アクティブマトリクス基板として、表示領域のサイズが１０インチで厚さが０．７ｍｍのＴＦＴ基板と、カラーフィルタを有するカラーフィルタ基板を用意し、ＴＦＴ基板の表面に実施例１１で得られたチオキサントンおよびジメチルアミノ系のラジカル重合開始機能を有する官能基の導入量が１０モル％（ｍ＝５、ｍ_１＝２ｍ＝１０）であって、かつ、主鎖に光反応性のアゾベンゼン基を有するポリアミック酸の溶液を塗布し、８０℃で仮焼成後、２００℃で６０分加熱し本焼成をして、１００ｎｍの厚さに成膜した。溶媒には、Ｎ－メチルピロリドン（ＮＭＰ）とγ－ブチロラクトンとの１：１混合溶媒（質量比）を用いた。

　次に、４００ｎｍ以上の波長をカットするカットフィルターを介した上で、基板に対して斜め４０°方向から直線偏光紫外光照射を行うことによって、基板貼り合わせ時にスプレイ配向となるように配向処理を施した。主鎖に光反応性のアゾベンゼン基を有するポリアミック酸を形成材料に用いているので、得られた配向膜は、ポリアミック酸系水平配向膜として機能する。

　そして、このポリアミック酸系水平配向膜を備えたＴＦＴ基板にシールを塗布し、カラーフィルタ基板にビーズを散布後貼り合せを行い、正の誘電率異方性を示す液晶材料（Ｔｎｉ：８５℃、Δε：８．５）を注入した。液晶材料中には、下記式(30)に示す二官能モノマーを0.30質量％含有している。

　液晶材料の注入後、液晶材料のネマティック相転移温度（Ｔｎｉ）以上の温度である１３０℃まで加熱し急冷し、引き続き、セルにベンド配向となるように高電圧（８Ｖ）印加を行い、続いてベンド配向を壊さないようにしながら印加電圧を２Ｖまで下げてから、４００ｎｍ以下をカットするフィルターを介して４００ｎｍ以上の光（蛍光灯使用）を１５分間照射することによりモノマーの重合を行い、実施例２１のポリアミック酸系水平配向膜を有するＯＣＢモード（ベンド配向）セルを作製した。

　同様に、実施例１２で得られたチオキサントンおよびジメチルアミノ系のラジカル重合開始機能を有する官能基の導入量が２０モル％（ｍ＝１０、ｍ_１＝２ｍ＝２０）であって、かつ、主鎖に光反応性のアゾベンゼン基を有するポリアミック酸を用いて、実施例２２のポリアミック酸系水平配向膜を有するＯＣＢモード（ベンド配向）セルを作製した。

　同様に、実施例１３で得られたチオキサントンおよびジメチルアミノ系のラジカル重合開始機能を有する官能基の導入量が３０モル％（ｍ＝１５、ｍ_１＝２ｍ＝３０）であって、かつ、主鎖に光反応性のアゾベンゼン基を有するポリアミック酸を用いて、実施例２３のポリアミック酸系水平配向膜を有するＯＣＢモード（ベンド配向）セルを作製した。

　同様に、実施例１４で得られたチオキサントンおよびジメチルアミノ系のラジカル重合開始機能を有する官能基の導入量が４０モル％（ｍ＝２０、ｍ_１＝２ｍ＝４０）であって、かつ、主鎖に光反応性のアゾベンゼン基を有するポリアミック酸を用いて、実施例２４のポリアミック酸系水平配向膜を有するＯＣＢモード（ベンド配向）セルを作製した。

　同様に、実施例１５で得られたチオキサントンおよびジメチルアミノ系のラジカル重合開始機能を有する官能基の導入量が５０モル％（ｍ＝２５、ｍ_１＝２ｍ＝５０）であって、かつ、主鎖に光反応性のアゾベンゼン基を有するポリアミック酸を用いて、実施例２５のポリアミック酸系水平配向膜を有するＯＣＢモード（ベンド配向）セルを作製した。

　同様に、比較例３で得られたチオキサントンおよびジメチルアミノ系のラジカル重合開始機能を有する官能基の導入量が０モル％（ｍ＝０、ｍ_１＝２ｍ＝０）であって、かつ、主鎖に光反応性のアゾベンゼン基を有するポリアミック酸を用いて、比較例５のポリアミック酸系水平配向膜を有するＯＣＢモード（ベンド配向）セルを作製した。

　実施例２１～２５、比較例５の液晶セル（ＯＣＢモード（ベンド配向））について、下記方法により物性評価を行った。

　作製したベンド配向セルを２４時間室温放置し、スプレイ配向に戻るかどうかの確認を行った。その後それぞれのセルを偏光板で挟み、バックライト上で１００時間通電を行った。通電は１０Ｖ、３０Ｈｚの条件で行った。バックライト上での通電後のＶＨＲおよびｒＤＣ測定を行った。ＶＨＲ測定は１Ｖ（７０℃）で行った。ｒＤＣ測定の際のＤＣオフセット電圧は２Ｖとし、フリッカ消去法により行った。残存モノマーは、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）を用いて、初期のモノマーピークと蛍光灯照射後モノマーピークの比より決定した。配向については、偏光顕微鏡を用いて配向状態（ベンド配向もしくはスプレイ配向）を確認した。

　評価結果を、表１－２に示す。
　表１－２に示すように、比較例５の液晶表示装置では、１５分の蛍光灯照射では残存モノマーは２０％と多く、ＶＨＲ、ｒＤＣ、ベンド安定性とも低い結果となった。
　これに対し、ラジカル重合開始機能を有する式（１）に示す官能基が共有結合されている高分子化合物を用いた実施例２１～２５の液晶表示装置では、ＶＨＲ、ｒＤＣ、ベンド安定性とも改善された。
　また、実施例２１～２５のポリアミック酸系水平配向膜を有する液晶セル（ＯＣＢモード（ベンド配向）セル）でも、式（１）に示すチオキサントン系ラジカル重合開始機能を有する官能基の導入量が多くなるほど、ＶＨＲ、ｒＤＣ、ベンド安定性とも改善された。
また、残存モノマーはｍ＝１０以上、ｍ_１＝２ｍ＝２０以上でＧＣの検出限界以下となったことから、巨大サイズのポリマー形成が無く、均質なポリマーからなる配向維持層４０を配向膜１２の表面に均一に密着させて形成させることができたと推定される。

　なお、ポリアミック酸系水平配向膜を有する液晶セルでは、ラジカル重合開始機能を有する官能基の導入量が多いと、プレチルト角が高くなり過ぎるおそれがある。そこで、ポリアミック酸系水平配向膜における、ラジカル重合開始機能を有する官能基の導入量（ｍ_１）は、６０ｍｏｌ％以下が好ましく、５０ｍｏｌ％以下が好ましく、４０ｍｏｌ％以下であってもよく、３０ｍｏｌ％以下であってもよい。

　本発明のいくつかの態様によれば、液晶分子のプレチルト方向を制御する配向維持層及び配向膜を備え、ＶＨＲの低下及び残留ＤＣの増加が少なく、チルト角変化量が改善し、コントラストの低下を抑えて画像品質に優れることが求められる液晶表示装置、配向膜及び高分子化合物などに適用することができる。

　１０・・・素子基板、１１・・・一方の基板、１２・・・配向膜、２０・・・対向基板、２１・・・カラーフィルタ基板、２２・・・第２配向膜、３０・・・液晶層、４０・・・配向維持層、５０・・・第２配向維持層、１００・・・液晶表示装置

Claims (13)

1. 　一対の基板と、該一対の基板間に挟持された液晶層と、該液晶層と該一対の基板のうち少なくとも一方の基板との間に配置された配向膜と、該配向膜と該液晶層との間に設けられ、該液晶層を構成する液晶分子のうち少なくとも該配向膜に近接する液晶分子の傾斜方向を規定する配向維持層と、を備える液晶表示装置であって、該配向膜は、下記式（１）に示す官能基を有する高分子化合物を含有する液晶表示装置。
   

   
2. 　前記高分子化合物は、下記式（２）に示す官能基を有する請求項１に記載の液晶表示装置。
   

   
3. 　前記高分子化合物は、下記式（３）に示す２価の官能基を有する請求項２に記載の液晶表示装置。
   

   

   （ｋは０～３の整数を示す。）
4. 　前記高分子化合物は、下記式（４）に示す２価の官能基を有する請求項３に記載の液晶表示装置。
   

   
5. 　前記配向膜は、下記式（５）に示す官能基を有する高分子化合物を含有する請求項１～４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
   

   

   （ｘは１～４の整数を示す。ｙは１～４の整数を示す。）
6. 　前記配向膜は、ポリイミド、ポリアミック酸、又は、ポリシロキサンである請求項１～５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
7. 　前記配向膜は、光反応性官能基を有する高分子化合物を含有する請求項１～６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
8. 　前記光反応性官能基が、シンナメート基、カルコン基、クマリン基、アゾベンゼン基、又は、トラン基を有する基である請求項７に記載の液晶表示装置。
9. 　前記配向膜は、下記式（６）に示す構成単位を有するポリアミック酸、又は、下記式（７）に示す構成単位を有するポリイミドである請求項１～８のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
   

   

   （ｍ_１及び（１００－ｍ_１）はそれぞれの構成単位の共重合比（モル％）を示し、ｍ_１は０より大きく１００以下である。ｎは０又は１を示す。Ｒ^１は下記式（８）に示す官能基を示し、下記式（８）に示す官能基の一部は、下記式（９）に示す官能基に置換されていてもよい。Ｒ^３は光反応性官能基、垂直配向性基、又は、水平配向性基を示す。）
   

   

   （ｍ_１及び（１００－ｍ_１）はそれぞれの構成単位の共重合比（モル％）を示し、ｍ_１は０より大きく１００以下である。ｎは０又は１を示す。Ｒ^１は下記式（８）に示す官能基を示し、下記式（８）に示す官能基の一部は、下記式（９）に示す官能基に置換されていてもよい。Ｒ^３は光反応性官能基、垂直配向性基、又は、水平配向性基を示す。）
   

   

   （ｋは０～３の整数を示す。）
   

   

   （ｊは０～３の整数を示す。ｘは１～４の整数を示す。ｙは１～４の整数を示す。）
10. 　前記配向維持層は、ラジカル重合性モノマーのラジカル重合によって形成されている請求項１～９のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
11. 　下記式（１）に示す官能基を有する高分子化合物を含有する配向膜の形成材料。
    

    
12. 　下記式（６）に示す構成単位を有するポリアミック酸。
    

    

    （ｍ_１及び（１００－ｍ_１）はそれぞれの構成単位の共重合比（モル％）を示し、ｍ_１は０より大きく１００以下である。ｎは０又は１を示す。Ｒ^１は下記式（８）に示す官能基を示し、下記式（８）に示す官能基の一部は、下記式（９）に示す官能基に置換されていてもよい。Ｒ^３は光反応性官能基、垂直配向性基、又は、水平配向性基を示す。）
    

    

    （ｋは０～３の整数を示す。）
    

    

    （ｊは０～３の整数を示す。ｘは１～４の整数を示す。ｙは１～４の整数を示す。）
13. 　下記式（７）に示す構成単位を有するポリイミド。
    

    

    （ｍ_１及び（１００－ｍ_１）はそれぞれの構成単位の共重合比（モル％）を示し、ｍ_１は０より大きく１００以下である。ｎは０又は１を示す。Ｒ^１は下記式（８）に示す官能基を示し、下記式（８）に示す官能基の一部は、下記式（９）に示す官能基に置換されていてもよい。Ｒ^３は光反応性官能基、垂直配向性基、又は、水平配向性基を示す。）
    

    

    （ｋは０～３の整数を示す。）
    

    

    （ｊは０～３の整数を示す。ｘは１～４の整数を示す。ｙは１～４の整数を示す。）

Images