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WO2018180479A1 - 研磨用組成物 - Google Patents

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WO2018180479A1
WO2018180479A1 PCT/JP2018/009865 JP2018009865W WO2018180479A1 WO 2018180479 A1 WO2018180479 A1 WO 2018180479A1 JP 2018009865 W JP2018009865 W JP 2018009865W WO 2018180479 A1 WO2018180479 A1 WO 2018180479A1
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WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
polishing
group
polishing composition
nitrogen
soluble polymer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2018/009865
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
圭祐 沼田
公亮 土屋
恵 谷口
貴之 竹本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toagosei Co Ltd
Fujimi Inc
Original Assignee
Toagosei Co Ltd
Fujimi Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toagosei Co Ltd, Fujimi Inc filed Critical Toagosei Co Ltd
Priority to EP18775838.8A priority Critical patent/EP3605588A4/en
Priority to KR1020197031845A priority patent/KR20190134692A/ko
Priority to JP2019509216A priority patent/JP7275025B2/ja
Priority to CN201880023169.5A priority patent/CN110462797B/zh
Publication of WO2018180479A1 publication Critical patent/WO2018180479A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Priority to JP2023076272A priority patent/JP2023109798A/ja
Ceased legal-status Critical Current

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    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02024—Mirror polishing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1409—Abrasive particles per se

Definitions

  • the present invention relates to a polishing composition.
  • This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2017-72667 filed on Mar. 31, 2017, the entire contents of which are incorporated herein by reference.
  • a silicon wafer used as a component of a semiconductor product is generally finished to a high-quality mirror surface through a lapping process and a polishing process.
  • the polishing process typically includes a preliminary polishing process and a final polishing process. Examples of technical documents relating to the polishing composition include Patent Documents 1 to 4.
  • the present inventor is considering adding a basic compound to a polishing composition used for polishing a silicon wafer or the like in order to improve the polishing rate.
  • a basic compound is contained in the polishing composition, although the polishing rate can be improved, the vicinity of the edge, which is the outer peripheral portion of the silicon wafer, may be excessively polished as compared with the central portion. Therefore, there is a possibility that an event (edge roll-off) in which the thickness of the outer peripheral portion is undesirably reduced after polishing occurs.
  • An object of this invention is to provide the polishing composition which can reduce the edge roll-off amount after grinding
  • a polishing composition contains abrasive grains, a basic compound, a nitrogen-containing water-soluble polymer, and water.
  • the nitrogen-containing water-soluble polymer does not have an N—H bond in the molecule. According to such a configuration, the amount of edge roll-off after polishing can be effectively reduced.
  • the nitrogen-containing water-soluble polymer has a structural unit A in the main chain.
  • the structural unit A includes at least one structure selected from the group consisting of an amide structure, an azole structure, a lactam structure, a morpholine structure, and an amidine structure.
  • the nitrogen-containing water-soluble polymer having the structural unit A in the main chain can effectively contribute to the reduction of the edge roll-off amount.
  • the ratio of the amide structure to the total mass of the structural unit A is 30% by mass or less.
  • the edge roll-off amount reducing effect described above can be more effectively exhibited.
  • the nitrogen-containing water-soluble polymer is polyacryloylmorpholine. Such a nitrogen-containing water-soluble polymer can effectively contribute to the reduction of the edge roll-off amount.
  • the nitrogen-containing water-soluble polymer is polyvinyl imidazole. Such a nitrogen-containing water-soluble polymer can effectively contribute to the reduction of the edge roll-off amount.
  • the abrasive grains are silica particles.
  • silica particles By using silica particles as the abrasive grains, the effect of reducing the edge roll-off amount by the nitrogen-containing water-soluble polymer is more suitably exhibited.
  • the polishing composition disclosed herein can be preferably applied to polishing of silicon, for example, polishing of silicon after lapping.
  • silicon preliminary polishing is exemplified.
  • the polishing composition disclosed herein contains a nitrogen-containing water-soluble polymer having no NH bond in the molecule.
  • the water-soluble polymer refers to a water-soluble compound having a repeating structural unit which is the same (homopolymer; homopolymer) or different (copolymer: copolymer). Typically, it may be a compound having a weight average molecular weight (Mw) of 5000 or more.
  • Mw weight average molecular weight
  • the nitrogen-containing water-soluble polymer does not have a hydrophilic N—H bond in the molecule, so that it can exhibit a high adsorption ability to a polishing object that is generally hydrophobic.
  • the nitrogen-containing water-soluble polymer is appropriately adsorbed to the outer peripheral portion of the object to be polished at the time of polishing to protect the outer peripheral portion, so that the outer peripheral portion is hardly scraped off excessively. This is considered to contribute to the reduction of the edge roll-off amount. However, it is not limited to this reason.
  • the nitrogen-containing water-soluble polymer in the technology disclosed herein is one having at least one nitrogen atom (N) in the molecule and the nitrogen atom does not have an N—H bond.
  • the nitrogen-containing water-soluble polymer may be a polymer having a structural unit A having no N—H bond in the main chain.
  • the structural unit A includes a main chain constituting carbon atom constituting the main chain of the nitrogen-containing water-soluble polymer and a nitrogen-containing structure containing a nitrogen atom.
  • the nitrogen-containing water-soluble polymer disclosed herein may contain one type of structural unit A, or may contain two or more types of structural unit A.
  • the number of carbon atoms constituting the main chain in the structural unit A is not particularly limited, but is typically 2 to 10, preferably 2 to 8, more preferably 2 to 6, more preferably 2 to 4, for example 2 Or 3.
  • One or more hydrogen atoms bonded to the carbon atoms constituting the main chain are each independently a substituent other than a hydrogen atom, for example, a methyl group, a phenyl group, a benzyl group, a halogen group, a difluoromethyl group, trifluoro It may be a compound substituted with a substituent such as a methyl group or a cyano group.
  • the halogen group is, for example, F, Cl, Br or the like.
  • the nitrogen-containing structure is preferably directly bonded to the main chain constituting carbon atom.
  • the nitrogen-containing structure is not particularly limited as long as it has one or more nitrogen atoms and the nitrogen atoms do not have an N—H bond.
  • the nitrogen-containing structure includes an amide structure having no NH bond, an imide structure, an aziridine structure, an azetidine structure, an azeto structure, an azolidine structure, an azole structure, an azinan structure, a pyridine structure, an azepan structure, an azepine structure, and a lactam. It may be one or more of a structure, a morpholine structure, a quinoline structure, an indole structure and an amidine structure.
  • the structural unit A which has either an amide structure, an azole structure, a lactam structure, a morpholine structure, and an amidine structure.
  • the amide structure means a structure in which a carbon atom adjacent to a nitrogen atom has a double bond with an oxygen atom, and typically refers to a structure represented by —C ( ⁇ O) —N—.
  • the azole structure refers to a hetero 5-membered ring structure containing one or more nitrogen atoms, and is a concept including a structure substituted with a hetero atom other than a nitrogen atom. Examples of the hetero atom other than the nitrogen atom include an oxygen atom (O) and a sulfur atom (S).
  • the azole structure can include, for example, a pyrrole structure, an imidazole structure, a pyrazole structure, an isothiazole structure, an isoxazole structure, and a furazane structure.
  • the lactam structure refers to a structure containing —C ( ⁇ O) —NR a — as part of a heterocyclic ring, and includes an ⁇ -lactam structure, a ⁇ -lactam structure, a ⁇ -lactam structure, a ⁇ -lactam structure, and an ⁇ -caprolactam structure.
  • the amidine structure refers to a structure represented by —C ( ⁇ NR a ) —NR b R c .
  • the ratio of the amide structure (CON: formula weight 42) to the total mass of the structural unit A is approximately 50% by mass or less.
  • the ratio of the amide structure is preferably 40% by mass or less, more preferably 35% by mass or less, and still more preferably 30% by mass or less.
  • the nitrogen-containing water-soluble polymer can exhibit a high adsorption ability to the object to be polished. Therefore, the edge roll-off amount reducing effect described above can be more effectively exhibited.
  • the lower limit of the ratio of the amide structure is not particularly limited, it may be, for example, 5% by mass or more.
  • the ratio of the amide structure may be, for example, 10% by mass or more, and typically 20% by mass or more. Moreover, 0 mass% may be sufficient as the ratio of the said amide structure. That is, the structural unit A which does not substantially contain an amide structure may be used. In the technique disclosed herein, the proportion of the amide structure in the structural unit A is 0% by mass to 40% by mass, for example, 0% by mass to 35% by mass, typically 25% by mass to 30% by mass. It can be preferably implemented in some embodiments.
  • the structural unit A is preferably derived from a polymerizable monomer. That is, the nitrogen-containing water-soluble polymer disclosed herein is preferably a polymer obtained by polymerizing or copolymerizing a monomer component containing one or more polymerizable monomers.
  • the polymerizable monomer preferably has a polymerizable group having an ethylenically unsaturated bond.
  • the ethylenically unsaturated bond refers to a carbon-carbon double bond capable of radical polymerization.
  • a hydrogen atom bonded to a carbon atom constituting an ethylenically unsaturated bond may be substituted with a substituent containing the above-described nitrogen-containing structure.
  • the polymerizable group having an ethylenically unsaturated bond may represent a part of a functional group such as an acryloyl group, and examples thereof include a vinyl group, a vinylidene group, and a vinylene group. It is preferable that the hydrogen atom couple
  • Examples of the structural unit A particularly preferable in the technology disclosed herein include those derived from the polymerizable monomer a represented by the following general formula (1).
  • the nitrogen-containing water-soluble polymer disclosed herein is preferably a polymer obtained by polymerizing or copolymerizing a monomer component containing the monomer a represented by the following general formula (1).
  • R 1 is a hydrogen atom, a methyl group, a phenyl group, a benzyl group, a chloro group, a difluoromethyl group, a trifluoromethyl group, or a cyano group. Of these, a hydrogen atom, a methyl group, and a phenyl group are preferable.
  • X is a group selected from an amide group, an amidine group, and a heterocyclic group containing a nitrogen atom, and does not have an N—H bond.
  • R 2 and R 3 are an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aralkyl group which may have a substituent.
  • the total number of carbon atoms in the alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aralkyl group, alkoxy group, alkoxyalkyl group, alkylol group and acetyl group which may have the above substituent is 1 to 40.
  • the total number is preferably 1 to 24, more preferably 1 to 14, and still more preferably 1 to 10.
  • the number of carbon atoms in the alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aralkyl group, alkoxy group, alkoxyalkyl group, alkylol group, and acetyl group when the substituent is removed is 1-18.
  • the number of carbon atoms is preferably 1-8, more preferably 1-4.
  • the alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aralkyl group, alkoxy group, alkoxyalkyl group, alkylol group, and acetyl group that may have a substituent may be a chain or a ring, but is preferably a chain.
  • the chain refers to a straight chain or a branched chain.
  • the aromatic group is an aryl group that may have a substituent.
  • the total number of carbon atoms in the aromatic group is 6-60.
  • the total number is preferably 6 to 36, more preferably 6 to 24, and still more preferably 6 to 12.
  • the alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aralkyl group, alkoxy group, alkoxyalkyl group, alkylol group, acetyl group and the substituent that the aromatic group may have are a hydroxyl group; a halogen atom such as a chlorine atom; a cyano group; Is included.
  • the substituents that the alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aralkyl group, alkoxy group, alkoxyalkyl group, alkylol group and acetyl group may have include the above-described aromatic group.
  • the substituent that the aromatic group may have further includes the above-described alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aralkyl group, alkoxy group, alkoxyalkyl group, alkylol group, and acetyl group.
  • R 2 and R 3 are preferably alkyl groups having 1 to 18 carbon atoms (preferably 1 to 8, such as 1 to 4, typically 1, 2 or 3).
  • the alkyl group may be linear or branched.
  • R 2 and R 3 are also preferably an alkoxy group, an alkoxyalkyl group, an alkylol group, or an acetyl group.
  • the alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms (eg 1 to 6, typically 1 to 4) (eg methoxy group).
  • the alkoxyalkyl group is preferably an alkoxyalkyl group having 1 to 8 carbon atoms (eg 1 to 6, typically 1 to 4 carbon atoms) (eg methoxymethyl group, ethoxymethyl group, propoxymethyl group, butoxymethyl group). Group).
  • the alkylol group is more preferably an alkylol group having 1 to 8 carbon atoms (for example, 1 to 6, typically 1, 2 or 3) (for example, a methylol group, an ethylol group, or a propylol group).
  • R 2 and R 3 may be the same or different.
  • R 2 and R 3 may be bonded to each other to form a cyclic structure.
  • —R 2 R 3 — can be — (CH 2 ) n —.
  • n is preferably an integer of 3 to 10.
  • N is more preferably 4-6.
  • the ring structure may be a ring structure connected through O or S.
  • —R 2 R 3 — may be — (CH 2 ) m —O— (CH 2 ) 1 — or — (CH 2 ) m —S— (CH 2 ) 1 —.
  • — (CH 2 ) m —O— (CH 2 ) 1 — is preferable.
  • m is an integer of 1 to 5.
  • M is preferably 1 to 3, more preferably 2 or 3.
  • l is an integer of 1 to 5.
  • the l is preferably 1 to 3, more preferably 2 or 3.
  • At least one of the hydrogen atoms constituting R 2 and R 3 is substituted with an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aralkyl group, an alkoxy group, an alkoxyalkyl group, an alkylol group, an acetyl group, an aromatic group, or the like.
  • it may be substituted with a hydroxyl group, a halogen atom, an amino group, a cyano group, or the like.
  • X in the monomer a is an amidine group, that is, —C ( ⁇ NR 4 ) —NR 5 R 6 , R 4 , R 5 , and R 6 are alkyl groups, alkenyl groups, and alkynyls that may have a substituent. It may be a group selected from a group, an aralkyl group, an alkoxy group, an alkoxyalkyl group, an alkylol group and an acetyl group.
  • the total number of carbon atoms in the alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aralkyl group, alkoxy group, alkoxyalkyl group, alkylol group and acetyl group which may have the above substituent is 1 to 40, preferably 1 to 24, and more. Preferably it is 1-14, more preferably 1-10.
  • the number of carbon atoms in the above alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aralkyl group, alkoxy group, alkoxyalkyl group, alkylol group and acetyl group when the substituent is removed is 1 to 18, preferably 1 to 8, more preferably. Is 1 to 4.
  • R 4 , R 5 , and R 6 are preferably alkyl groups having 1 to 18, preferably 1 to 8, for example 1 to 4, typically 1, 2 or 3, carbon atoms.
  • the alkyl group may be linear or branched.
  • R 4 , R 5 and R 6 are also preferably an alkoxy group, an alkoxyalkyl group, an alkylol group or an acetyl group.
  • R 4 , R 5 and R 6 may be the same or different.
  • R 5 and R 6 may be bonded to each other to form a cyclic structure.
  • the heterocyclic group containing a nitrogen atom may be an aliphatic heterocyclic group or an aromatic heterocyclic group having no NH bond.
  • the aliphatic heterocyclic group and the aromatic heterocyclic group may be either a monocyclic group or a condensed ring group.
  • the total number of atoms constituting the ring in the aliphatic heterocyclic group and the aromatic heterocyclic group may be 3 to 15, preferably 3 to 12, more preferably 3 to 10, and further preferably 3 to 6.
  • the aliphatic heterocyclic group and the aromatic heterocyclic group may contain an oxygen atom or a sulfur atom in addition to a carbon atom and a nitrogen atom as atoms constituting the ring.
  • the heterocyclic group containing a nitrogen atom is an aliphatic heterocyclic group, piperidinyl group, piperazinyl group, piperazyl group, pyrrolidinyl group, imidazolidinyl group, pyrazolidinyl group, thiazolidinyl group, isothiazolidinyl group, oxazolidinyl group, isoxazolidinyl group Group, morpholinyl group, pyrrolidone group and the like, among which pyrrolidone group is preferable.
  • heterocyclic group containing a nitrogen atom is an aromatic heterocyclic group, pyridyl, pyrazinyl, pyrimidinyl, pyridazinyl, triazinyl, pyrrolyl, imidazolyl, pyrazolyl, oxazolyl, isoxazolyl, thiazolyl, isothiazolyl Group, furazanyl group, triazolyl group and the like, among which imidazolyl group is preferable.
  • the nitrogen atom constituting the ring of the heterocyclic group is preferably directly bonded to the carbon atom constituting the vinyl group (CH 2 ⁇ C—).
  • At least one hydrogen atom constituting the heterocyclic group is substituted with an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aralkyl group, an alkoxy group, an alkoxyalkyl group, an alkylol group, an acetyl group, an aromatic group, or the like.
  • it may be substituted with a hydroxyl group, a halogen atom, an amino group, a cyano group, or the like.
  • R 1 is a hydrogen atom or a methyl group
  • X is an amide group represented by —C ( ⁇ O) —NR 2 R 3 , and R 2 , R And those in which 3 are bonded to each other to form a cyclic structure.
  • Such monomer a1 include N-acryloylpiperidine, N-acryloylpiperidin-2-one, N-acryloylpiperazine, N-acryloylmorpholine, N-acryloyl-2-methylmorpholine, N-acryloyl-3 -Morpholinone, N-acryloyl-3,5-morpholinedione, N-acryloylthiomorpholine, N-acryloylpyrrolidine, N-acryloylpyrrolidone, N-acryloylaziridine, N-acryloylazetidine, N-acryloylazetidin-2-one N-acryloylazepane, N-acryloylazocan, N-acryloylcaprolactam, N-methacryloylpiperidine, N-methacryloylpiperidin-2-one, N-methacryloylpiperazine, N-methacryloylmol Phosphorus, N-methacrylo
  • R 1 is a hydrogen atom or a methyl group
  • X is an amide group represented by —C ( ⁇ O) —NR 2 R 3 , and R 2 , R And those in which 3 is a group selected from an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aralkyl group, an alkoxy group, an alkoxyalkyl group, an alkylol group, an acetyl group and an aromatic group.
  • Such monomer a2 include N, N-dimethylacrylamide, N, N-diethylacrylamide, N, N-dipropylacrylamide, N, N-diisopropylacrylamide, N, N-dibutylacrylamide, N, N-diisobutylacrylamide, N, N-di-tert-butylacrylamide, N, N-diheptylacrylamide, N, N-dioctylacrylamide, N, N-di-tert-octylacrylamide, N, N-didodecylacrylamide, N, N-dialkylacrylamides such as N, N-dioctadecylacrylamide; substituted N, N-dialkylacrylamides such as N, N-bis (2-hydroxyethyl) acrylamide and N, N-bis (2-cyanoethyl) acrylamide; N, N-diallylact N, N-dialkenyl acrylamide such
  • N-dialkenyl methacrylamide methacrylamides containing aromatic groups such as N, N-diphenyl methacrylamide, N, N-dibenzyl methacrylamide; N, N-dimethylol methacrylamide, N, N-diethyl methacrylamide, N, N-dialkylol methacrylamide such as N, N-dipropyl methacrylamide; N-methyl-N-methoxy methacrylamide, N-methyl-N-ethoxy methacrylamide, N-methyl-N-propoxy methacrylamide, N-methyl-N-butoxymethacrylamide N-ethyl-N-methoxymethacrylamide, N-ethyl-N-ethoxymethacrylamide, N-ethyl-N-butoxymethacrylamide, N-propyl-N-methoxymethacrylamide, N-propyl-N-methoxymethacrylamide, N-propyl-N-ethoxymethacrylamide
  • the monomer a include those in which R 1 is a hydrogen atom or a methyl group, and X is a heterocyclic group containing a nitrogen atom.
  • Specific examples of such a monomer a3 include N-vinyl-2-pyrrolidone, N-vinylpyrazine, N-vinylimidazole, N-vinyloxazole, N-vinylmorpholine, N-vinylpyrazole, N-vinylisoxazole.
  • the above-mentioned polymerizable monomer a can be used alone or in combination of two or more.
  • the molecular weight of the nitrogen-containing water-soluble polymer is not particularly limited.
  • the Mw of the nitrogen-containing water-soluble polymer is typically 1 ⁇ 10 3 or more, preferably 5 ⁇ 10 3 or more, more preferably 1 ⁇ 10 4 or more, further preferably from the viewpoint of reducing the roll-off amount. Is 1.5 ⁇ 10 4 or more.
  • the Mw of the nitrogen-containing water-soluble polymer is typically 100 ⁇ 10 4 or less, preferably 90 ⁇ 10 4 or less, more preferably 75 ⁇ 10 4 or less, and further preferably 60 ⁇ 10 4 or less.
  • Mw is preferably from the viewpoint of reducing the roll-off amount. Is 5 ⁇ 10 4 or more, more preferably 10 ⁇ 10 4 or more, further preferably 30 ⁇ 10 4 or more, particularly preferably 50 ⁇ 10 4 or more, and for example 70 ⁇ 10 4 or less.
  • Mw is preferably from the viewpoint of reducing the roll-off amount.
  • Mw of nitrogen-containing water-soluble polymer the value based on gel permeation chromatography (GPC) is employable.
  • the nitrogen-containing water-soluble polymer disclosed here substantially consists of only the structural unit A.
  • the nitrogen-containing water-soluble polymer preferably has a ratio (molar ratio) of the number of moles of the structural unit A to the moles of all the structural units contained in the molecular structure of the polymer is 99 mol% or more.
  • the molar ratio can be, for example, 99.9 mol% or more, typically 99.9-100 mol%.
  • Preferable examples of such a polymer include a homopolymer composed of only one type of polymerizable monomer a disclosed herein and a copolymer composed of two or more types of polymerizable monomer a.
  • the nitrogen-containing water-soluble polymer disclosed herein is derived from one or more monomers b that are copolymerizable with the polymerizable monomer a as long as the effects of the invention are not significantly impaired.
  • a copolymer containing a structural unit (hereinafter also referred to as “structural unit B”) may be used.
  • the structural unit B is defined as being different from the structural unit A.
  • the structural unit B may also be a structural unit that does not contain a nitrogen atom.
  • the proportion (molar ratio) of the structural unit B in the nitrogen-containing water-soluble polymer can be less than 50 mol%.
  • the molar ratio can be, for example, less than 30 mol%, typically less than 10 mol%.
  • the “mol%” is a molar ratio calculated by regarding one constituent unit derived from one monomer as one molecule.
  • the one monomer includes a polymerizable monomer a and a monomer b. Therefore, the proportions of the structural units A and B described above can respectively correspond to the molar ratio of the polymerizable monomer a and the monomer b in the total monomer components used for the polymerization.
  • the polishing composition disclosed herein typically contains water in addition to the nitrogen-containing water-soluble polymer.
  • water ion exchange water (deionized water), pure water, ultrapure water, distilled water and the like can be preferably used.
  • the water to be used preferably has, for example, a total content of transition metal ions of 100 ppb or less in order to avoid as much as possible the action of other components contained in the polishing composition.
  • the purity of water can be increased by operations such as removal of impurity ions with an ion exchange resin, removal of foreign matter with a filter, distillation, and the like.
  • the polishing composition disclosed herein may further contain an organic solvent that can be uniformly mixed with water, if necessary.
  • examples of the organic solvent include lower alcohols and lower ketones.
  • 90 volume% or more of the solvent contained in polishing composition is water, and it is more preferable that 95 volume% or more is water.
  • 99 to 100% by volume of the solvent contained in the polishing composition is water.
  • the polishing composition disclosed herein contains abrasive grains in addition to the nitrogen-containing water-soluble polymer and water.
  • the material and properties of the abrasive grains are not particularly limited, and can be appropriately selected according to the purpose of use or the mode of use of the polishing composition.
  • the abrasive grains include inorganic particles, organic particles, and organic-inorganic composite particles.
  • the inorganic particles include silica particles, alumina particles, cerium oxide particles, chromium oxide particles, titanium dioxide particles, zirconium oxide particles, magnesium oxide particles, manganese dioxide particles, zinc oxide particles, oxide particles such as bengara particles; Examples thereof include nitride particles such as silicon nitride particles and boron nitride particles; carbide particles such as silicon carbide particles and boron carbide particles; diamond particles; carbonates such as calcium carbonate and barium carbonate.
  • Specific examples of the organic particles include polymethyl methacrylate (PMMA) particles, poly (meth) acrylic acid particles, and polyacrylonitrile particles.
  • PMMA polymethyl methacrylate
  • acrylic acid means to generically refer to acrylic acid and methacrylic acid.
  • Such abrasive grains can be used singly or in combination of two or more.
  • abrasive inorganic particles are preferable, and particles made of metal or metalloid oxide are particularly preferable.
  • silica particles can be mentioned.
  • silica particles when the technique disclosed herein is applied to a polishing composition that can be used for polishing a silicon wafer, it is particularly preferable to use silica particles as abrasive grains. The reason is as follows. When the object to be polished is a silicon wafer, if silica particles composed of the same elements and oxygen atoms as the object to be polished are used as abrasive grains, no metal or metalloid residue different from silicon is generated after polishing.
  • a polishing composition containing only silica particles as an abrasive is exemplified as a preferred embodiment of the polishing composition from this viewpoint.
  • Specific examples of the silica particles include colloidal silica, fumed silica, precipitated silica and the like.
  • colloidal silica and fumed silica are preferable as silica particles from the viewpoint that scratches are hardly generated on the surface of the object to be polished and a surface having a lower haze can be realized.
  • colloidal silica is preferred.
  • colloidal silica can be preferably employed as the abrasive grains of the polishing composition used for polishing a silicon wafer.
  • policing means at least one of preliminary policing and final policing, preferably preliminary policing.
  • the abrasive grains contained in the polishing composition may be in the form of primary particles or may be in the form of secondary particles in which a plurality of primary particles are associated. Further, abrasive grains in the form of primary particles and abrasive grains in the form of secondary particles may be mixed. In a preferred embodiment, at least a part of the abrasive grains is contained in the polishing composition in the form of secondary particles.
  • the average primary particle diameter D P1 of the abrasive grains is not particular average primary particle diameter D P1 of the abrasive grains limited, from the viewpoint of polishing rate, preferably 5nm or more, more preferably 10nm or more, particularly preferably 20nm or more. From the viewpoint of obtaining a higher polishing effect, the average primary particle diameter D P1 is preferably at least 25 nm, further preferably not less than 30 nm. Abrasive grains having an average primary particle diameter DP1 of 40 nm or more may be used. From the viewpoint of storage stability, the average primary particle diameter of the abrasive grains is preferably 200 nm or less, more preferably 150 nm or less, for example, 100 nm or less.
  • the storage stability includes, for example, dispersion stability.
  • D P1 [nm] 2727 / BET value [nm]
  • the specific surface area can be measured using, for example, a surface area measuring device manufactured by Micromeritex Corporation, a trade name “Flow Sorb II 2300”.
  • Is not particularly limited abrasive grains having an average secondary particle diameter D P2 from the viewpoint of polishing rate is preferably 15nm or more, and more preferably 30nm or more. From the viewpoint of obtaining a higher polishing effect, the average secondary particle diameter DP2 is preferably 50 nm or more. From the viewpoint of storage stability, the average secondary particle diameter D P2 of the abrasive grains is appropriately 300nm or less, preferably 260nm or less, more preferably 220nm or less.
  • the storage stability includes, for example, dispersion stability. Average abrasive grain of the secondary particle diameter D P2, for example, can be measured by a dynamic light scattering method using a Nikkiso Co. Model "UPA-UT151".
  • the shape (outer shape) of the abrasive grains may be spherical or non-spherical.
  • specific examples of non-spherical abrasive grains include a peanut shape (that is, a peanut shell shape), a bowl shape, a confetti shape, and a rugby ball shape.
  • the shape (outer shape) of the abrasive grains can be grasped, for example, by observation with an electron microscope.
  • the polishing composition disclosed herein contains a basic compound.
  • the basic compound refers to a compound having a function of increasing the pH of the composition when added to the polishing composition.
  • the basic compound may be an organic basic compound or an inorganic basic compound.
  • a basic compound can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
  • organic basic compounds include quaternary ammonium salts such as tetraalkylammonium salts.
  • the anion in the ammonium salt can be, for example, OH ⁇ , F ⁇ , Cl ⁇ , Br ⁇ , I ⁇ , ClO 4 ⁇ , BH 4 ⁇ and the like.
  • quaternary ammonium salts such as choline, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide and tetrabutylammonium hydroxide can be preferably used. Of these, tetramethylammonium hydroxide is preferable.
  • organic basic compounds include quaternary phosphonium salts such as tetraalkylphosphonium salts.
  • Anions in the phosphonium salt may be, for example, OH ⁇ , F ⁇ , Cl ⁇ , Br ⁇ , I ⁇ , ClO 4 ⁇ , BH 4 ⁇ and the like.
  • halides and hydroxides such as tetramethylphosphonium, tetraethylphosphonium, tetrapropylphosphonium, and tetrabutylphosphonium can be preferably used.
  • organic basic compounds include methylamine, dimethylamine, trimethylamine, ethylamine, diethylamine, triethylamine, ethylenediamine, monoethanolamine, N- ( ⁇ -aminoethyl) ethanolamine, hexamethylenediamine, diethylenetriamine, triethylene And amines such as tetramine; piperazines such as 1- (2-aminoethyl) piperazine and N-methylpiperazine; azoles such as imidazole and triazole; guanidine; and the like.
  • inorganic basic compounds include ammonia; ammonia, alkali metal or alkaline earth metal hydroxides; ammonia, alkali metal or alkaline earth metal carbonates; ammonia, alkali metal or alkaline earth metal hydrogen carbonates. Salt and the like.
  • specific examples of the hydroxide include potassium hydroxide and sodium hydroxide.
  • Specific examples of the carbonate or bicarbonate include ammonium bicarbonate, ammonium carbonate, potassium bicarbonate, potassium carbonate, sodium bicarbonate, sodium carbonate and the like.
  • Preferred optional basic compounds include ammonia, potassium hydroxide, sodium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, ammonium bicarbonate, ammonium carbonate, potassium bicarbonate, potassium carbonate, sodium bicarbonate and sodium carbonate. Can be mentioned. Of these, preferred are ammonia, potassium hydroxide, sodium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide and potassium carbonate. More preferred are tetramethylammonium hydroxide and potassium carbonate.
  • the polishing composition disclosed herein is a chelating agent, other water-soluble polymer, surfactant, organic acid, organic acid salt, inorganic acid, inorganic acid salt, as long as the effects of the present invention are not significantly hindered.
  • the polishing composition is typically a polishing composition used in a polishing process for a silicon wafer.
  • the chelating agent forms a complex ion with a metal impurity that can be contained in the polishing composition and traps this. This serves to suppress contamination of the object to be polished by metal impurities.
  • a chelating agent can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. Examples of chelating agents include aminocarboxylic acid chelating agents, organic phosphonic acid chelating agents, and organic sulfonic acid chelating agents.
  • aminocarboxylic acid chelating agents include ethylenediaminetetraacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid sodium, nitrilotriacetic acid, nitrilotriacetic acid sodium, nitrilotriacetic acid ammonium, hydroxyethylethylenediaminetriacetic acid, hydroxyethylethylenediamine sodium triacetate, diethylenetriaminepentaacetic acid Diethylenetriamine sodium pentaacetate, triethylenetetramine hexaacetic acid and sodium triethylenetetramine hexaacetate.
  • organic phosphonic acid chelating agents examples include 2-aminoethylphosphonic acid, 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, aminotri (methylenephosphonic acid), ethylenediaminetetrakis (methylenephosphonic acid), diethylenetriaminepenta (methylenephosphonic).
  • organic sulfonic acid-based chelating agent examples include ethylenediaminetetrakismethylenesulfonic acid.
  • an organic phosphonic acid chelating agent or an organic sulfonic acid chelating agent is more preferable, and ethylenediaminetetrakis (methylenephosphonic acid) is particularly preferable.
  • water-soluble polymers examples include cellulose derivatives, starch derivatives, polymers containing oxyalkylene units, vinyl alcohol polymers, and the like. Specific examples include hydroxyethyl cellulose, pullulan, random copolymer or block copolymer of ethylene oxide and propylene oxide, polyvinyl alcohol, polyisoprene sulfonic acid, polyvinyl sulfonic acid, polyallyl sulfonic acid, polyisoamylene sulfonic acid. , Polystyrene sulfonate, polyacrylate, polyvinyl acetate, polyethylene glycol and the like.
  • a water-soluble polymer can be used singly or in combination of two or more.
  • the polishing composition disclosed herein may be a composition that substantially does not contain the other water-soluble polymer.
  • the polishing composition may contain a surfactant as an optional component.
  • the surfactant can contribute to improving the dispersion stability of the polishing slurry or its concentrated liquid.
  • an anionic or nonionic surfactant can be preferably used. From the viewpoint of low foaming property and ease of pH adjustment, a nonionic surfactant is more preferable.
  • oxyalkylene polymers such as polyethylene glycol, polypropylene glycol, polytetramethylene glycol; polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene alkylphenyl ether, polyoxyethylene alkylamine, polyoxyethylene fatty acid ester, polyoxyethylene glyceryl ether fatty acid
  • Polyoxyalkylene adducts such as esters and polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters; copolymers of multiple types of oxyalkylene (eg, diblock copolymer, triblock copolymer, random copolymer, alternating copolymer)
  • Nonionic surfactants such as polymer);
  • polyoxyethylene alkyl ether is more preferred.
  • the Mw of the surfactant is typically less than 1 ⁇ 10 4 and is preferably 9500 or less from the viewpoints of filterability of the polishing composition, cleanability of the object to be polished, and the like. Further, the Mw of the surfactant is typically 200 or more, preferably 250 or more, and more preferably 300 or more (for example, 500 or more). As the Mw of the surfactant, a value calculated from the chemical formula can be adopted.
  • organic acids include fatty acids such as formic acid, acetic acid and propionic acid, aromatic carboxylic acids such as benzoic acid and phthalic acid, citric acid, oxalic acid, tartaric acid, malic acid, maleic acid, fumaric acid, succinic acid, organic Examples include sulfonic acid and organic phosphonic acid.
  • organic acid salts include alkali metal salts and ammonium salts of organic acids.
  • examples of the alkali metal salt include sodium salt and potassium salt.
  • inorganic acids include sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, carbonic acid and the like.
  • inorganic acid salts include alkali metal salts and ammonium salts of inorganic acids.
  • examples of the alkali metal salt include sodium salt and potassium salt.
  • An organic acid and its salt, and an inorganic acid and its salt can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
  • examples of antiseptics and fungicides include isothiazoline compounds, paraoxybenzoates, phenoxyethanol and the like.
  • the polishing composition disclosed here contains substantially no oxidizing agent.
  • the polishing composition contains an oxidizing agent, the composition is supplied to the object to be polished, whereby the surface of the object to be polished is oxidized to produce an oxide film.
  • the polishing object is, for example, a silicon wafer.
  • the oxidizing agent include hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), sodium persulfate, ammonium persulfate, sodium dichloroisocyanurate, and the like.
  • that polishing composition does not contain an oxidizing agent substantially means not containing an oxidizing agent at least intentionally.
  • a polishing composition that inevitably contains a trace amount of an oxidant derived from raw materials, a manufacturing method, and the like can be included in the concept of a polishing composition that does not substantially contain an oxidant.
  • the trace amount means, for example, the molar concentration of the oxidizing agent in the polishing composition is 0.0005 mol / L or less, preferably 0.0001 mol / L or less, more preferably 0.00001 mol / L or less, particularly Preferably it may be 0.000001 mol / L or less.
  • each component contained in the polishing composition may be mixed using a well-known mixing device such as a blade-type stirrer, an ultrasonic disperser, or a homomixer.
  • a well-known mixing device such as a blade-type stirrer, an ultrasonic disperser, or a homomixer.
  • the aspect which mixes these components is not specifically limited. For example, all components may be mixed at once, or may be mixed in an appropriately set order.
  • the polishing composition disclosed herein may be a one-part type or a multi-part type including a two-part type.
  • the liquid A containing a part of the constituent components of the polishing composition and the liquid B containing the remaining components may be mixed and used for polishing an object to be polished.
  • the liquid A may typically be a component other than the aqueous solvent.
  • the polishing composition disclosed herein is typically supplied to the object to be polished in the form of a polishing liquid containing the polishing composition. And it is used for grinding
  • the polishing liquid can be prepared, for example, by diluting any polishing composition disclosed herein.
  • the dilution is typically dilution with water. Or you may use this polishing composition as polishing liquid as it is. That is, the concept of the polishing composition in the technology disclosed herein is used as a polishing liquid diluted with a polishing liquid (working slurry) that is supplied to a polishing object and used for polishing the polishing object. Both concentrated liquid (polishing liquid stock solution) are included.
  • Another example of the polishing liquid containing the polishing composition disclosed herein is a polishing liquid obtained by adjusting the pH of the composition.
  • the content of the nitrogen-containing water-soluble polymer in the polishing liquid disclosed herein is not particularly limited, but it is usually appropriate to be 0.00001% by weight or more. From the viewpoint of reducing the roll-off amount, the content is preferably 0.00005% by weight or more, more preferably 0.0001% by weight or more, and further preferably 0.0003% by weight or more. Further, the content of the nitrogen-containing water-soluble polymer is usually suitably 0.01% by weight or less from the viewpoint of achieving both high polishing rate and reduced edge roll-off, and is 0.008% by weight. % Or less, and more preferably 0.005% by weight or less. The content is preferably 0.003% by weight or less, or 0.002% by weight or less, for example.
  • the technique disclosed herein can be preferably implemented in an embodiment in which the content of the nitrogen-containing water-soluble polymer is 0.0005 wt% or more and 0.001 wt% or less.
  • the content of abrasive grains in the polishing liquid disclosed herein is not particularly limited, but is typically 0.01% by weight or more, preferably 0.03% by weight or more, and 0.05% by weight or more. It is more preferable that it is 0.1% by weight or more. Higher polishing rates can be achieved by increasing the abrasive content. Further, from the viewpoint of dispersion stability of the polishing composition, the content is usually suitably 10% by weight or less, preferably 5% by weight or less, more preferably 3% by weight or less, and still more preferably. 1 wt% or less, for example 0.8 wt% or less.
  • the content of the basic compound in the polishing liquid disclosed herein is usually suitably 0.001% by weight or more. From the viewpoint of reducing the roll-off amount, the content is preferably 0.005% by weight or more, more preferably 0.01% by weight or more, and further preferably 0.03% by weight or more. Further, the content of the basic compound is usually suitably 1% by weight or less and 0.5% by weight or less from the viewpoint of achieving both a high polishing rate and a reduced edge roll-off. Is preferable, and it is more preferable to set it as 0.3 weight% or less. The content is preferably 0.2% by weight or less, for example.
  • the content of the chelating agent in the polishing liquid is usually suitably 0.0001% by weight or more.
  • the content is preferably 0.0005% by weight or more, more preferably 0.001% by weight or more, still more preferably 0.0015% by weight or more, and particularly preferably 0.002% by weight or more.
  • the content of the chelating agent is usually suitably 0.05% by weight or less, preferably 0.01% by weight or less, more preferably 0.008% by weight or less. More preferably, the content is 0.005% by weight or less.
  • the pH of the polishing liquid is preferably 8.0 or more, for example 8.5 or more, more preferably 9.0 or more, still more preferably 9.5 or more, particularly preferably 10.0 or more, for example 10.5. That's it.
  • the upper limit value of the pH of the polishing liquid is not particularly limited, but is preferably 12.0 or less, for example, 11.8 or less, and more preferably 11.5 or less. As a result, the object to be polished can be better polished.
  • the pH can be preferably applied to a polishing liquid used for polishing a silicon wafer.
  • the polishing composition disclosed herein may be in a concentrated form (that is, in the form of a polishing liquid concentrate) before being supplied to the object to be polished.
  • the polishing composition in such a concentrated form is advantageous from the viewpoints of convenience, cost reduction, etc. during production, distribution, storage and the like.
  • the concentration rate can be, for example, about 2 to 60 times in terms of volume.
  • the polishing composition in the form of a concentrated liquid can be used in such a manner that a polishing liquid is prepared by diluting at a desired timing and the polishing liquid is supplied to an object to be polished.
  • the dilution can be typically performed by adding and mixing the above-mentioned aqueous solvent to the concentrated solution.
  • the aqueous solvent is a mixed solvent, only a part of the components of the aqueous solvent may be added for dilution, and a mixture containing these components in a different ratio from the aqueous solvent.
  • a solvent may be added for dilution.
  • a part of them may be diluted and then mixed with another agent to prepare a polishing liquid, or a plurality of agents may be mixed. Later, the mixture may be diluted to prepare a polishing liquid.
  • the content of abrasive grains in the concentrated liquid can be, for example, 50% by weight or less. In general, the content is preferably 45% by weight or less, and more preferably 40% by weight or less, from the viewpoints of stability and filterability of the polishing composition.
  • the stability of the polishing composition includes, for example, the dispersion stability of abrasive grains. From the viewpoint of convenience, cost reduction, etc. during production, distribution, storage, etc., the content of the abrasive grains can be, for example, 1.0% by weight or more, preferably 3.0% by weight or more, More preferably, it is 5.0 weight% or more, More preferably, it is 7.0 weight% or more.
  • the content of the nitrogen-containing water-soluble polymer in the concentrated liquid is not particularly limited, but is usually suitably 0.0003% by weight or more.
  • the content is preferably 0.0015% by weight or more, more preferably 0.003% by weight or more, still more preferably 0.01% by weight or more, and particularly preferably 0.02% by weight or more.
  • the content of the nitrogen-containing water-soluble polymer is usually suitably 0.3% by weight or less, preferably 0.15% by weight or less, and 0.1% by weight or less. More preferably, it is more preferably 0.05% by weight or less.
  • the content of the basic compound in the concentrated liquid is usually 0.03% by weight or more.
  • the content is preferably 0.15% by weight or more, more preferably 0.3% by weight or more, and further preferably 1% by weight or more.
  • the content of the basic compound is usually suitably 15% by weight or less, preferably 10% by weight or less, and more preferably 6% by weight or less.
  • the content of the chelating agent in the polishing liquid is usually suitably 0.003% by weight or more.
  • the content is preferably 0.005% by weight or more, more preferably 0.01% by weight or more, still more preferably 0.03% by weight or more, and particularly preferably 0.05% by weight or more.
  • the content of the chelating agent is usually suitably 1.5% by weight or less, preferably 1% by weight or less, more preferably 0.5% by weight or less, More preferably, the content is not more than 3% by weight, particularly preferably not more than 0.1% by weight.
  • the polishing composition in the form of a concentrated liquid can be used in such a manner that a polishing liquid is prepared by diluting at a desired timing and the polishing liquid is supplied to an object to be polished.
  • the dilution can be typically performed by adding and mixing the above-mentioned aqueous solvent to the concentrated solution.
  • the aqueous solvent is a mixed solvent, only a part of the components of the aqueous solvent may be added for dilution, and a mixture containing these components in a different ratio from the aqueous solvent.
  • a solvent may be added for dilution.
  • a part of them may be diluted and then mixed with another agent to prepare a polishing liquid, or a plurality of agents may be mixed. Later, the mixture may be diluted to prepare a polishing liquid.
  • the polishing composition disclosed herein can be applied to polishing a polishing object having various materials and shapes.
  • the material of the object to be polished is, for example, a metal or semimetal such as silicon, aluminum, nickel, tungsten, copper, tantalum, titanium, stainless steel, germanium, or an alloy thereof; quartz glass, aluminosilicate glass, glassy carbon, etc.
  • a polishing object composed of a plurality of materials may be used. Especially, it is suitable for grinding
  • the technique disclosed herein can be particularly preferably applied to, for example, a polishing composition containing silica particles as abrasive grains and the polishing target is silicon. Typically, the polishing composition contains only silica particles as abrasive grains.
  • the shape of the object to be polished is not particularly limited.
  • the polishing composition disclosed herein can be preferably applied to polishing of a polishing object having a flat surface such as a plate shape or a polyhedron shape, or polishing of an end portion of the polishing object. For example, it can be preferably applied to polishing of a wafer edge.
  • the polishing composition disclosed herein can be preferably used as a polishing composition for polishing silicon.
  • it can be preferably used as a polishing composition for polishing a single crystal or polycrystalline silicon wafer.
  • a polishing liquid (slurry) containing any of the polishing compositions disclosed herein is prepared.
  • Preparing the polishing liquid may include preparing a polishing liquid by adding operations such as concentration adjustment to the polishing composition.
  • concentration adjustment include dilution.
  • to prepare the polishing liquid mixing those agents, diluting one or more agents before the mixing, and after the mixing Diluting the mixture, etc. can be included.
  • the polishing liquid is supplied to the object to be polished and polished by a conventional method.
  • the object to be polished that has undergone the lapping process is set in a general polishing apparatus.
  • the primary polishing step typically double-side polishing is performed.
  • a polishing liquid is supplied to the surface of the polishing object (surface to be polished) through the polishing pad of the polishing apparatus.
  • the polishing pad is pressed against the surface of the object to be polished, and both are relatively moved (for example, rotated). Thereafter, a further secondary polishing step is performed as necessary, and final polishing is finally performed to complete the polishing of the object to be polished.
  • polishing pad used in the polishing process using the polishing composition disclosed herein is not particularly limited.
  • any of non-woven fabric type, suede type, polyurethane type, those containing abrasive grains, and those not containing abrasive grains may be used.
  • a method for producing a polished article comprising a step of polishing an object to be polished using the polishing composition disclosed herein.
  • the method for producing a polished product disclosed herein may further include a step of subjecting a polishing object that has undergone a polishing step using the polishing composition to a final polishing.
  • final polishing refers to the final polishing step in the manufacturing process of the object, that is, a step in which no further polishing is performed after that step.
  • the final polishing step may be performed using the polishing composition disclosed herein, or may be performed using another polishing composition.
  • the polishing step using the polishing composition is a polishing step upstream of final polishing.
  • the polishing composition disclosed herein is suitable as a polishing composition used for polishing a polishing object in at least one (preferably both) of the double-side polishing step and the first single-side polishing step.
  • the polishing composition may be used in a disposable form (so-called “running”) once used for polishing, or may be repeatedly used after circulation.
  • a method of circulating and using the polishing composition there is a method of collecting a used polishing composition discharged from the polishing apparatus in a tank and supplying the recovered polishing composition to the polishing apparatus again.
  • the environmental load can be reduced by reducing the amount of the used polishing composition to be treated as a waste liquid, as compared with the case where the polishing composition is used by pouring.
  • cost can be suppressed by reducing the usage-amount of polishing composition.
  • a new component, a component reduced by use, or a component desired to increase may be added to the polishing composition in use at any timing. Good.
  • Example 1 A polishing composition was prepared by mixing abrasive grains, a nitrogen-containing water-soluble polymer, a basic compound, a chelating agent, and deionized water. Silica particles (average primary particle size 50 nm) were used as the abrasive grains.
  • PACMO polyacryloylmorpholine
  • TMAH tetramethylammonium hydroxide
  • imd imidazole
  • K 2 CO 3 potassium carbonate
  • EDTPO ethylenediaminetetrakis (methylenephosphonic acid)
  • the content of abrasive grains is 15%
  • the content of PACMO is 0.024%
  • the content of TMAH is 2.1%
  • the content of imd is 0.24%
  • the content of K 2 CO 3 The amount was 1.4%
  • the content of EDTPO was 0.08%.
  • Example 2 instead of PACMO, polyvinyl imidazole (hereinafter referred to as “PVI”) having a Mw of 1.7 ⁇ 10 4 was used. The content of PVI in the polishing composition was 0.024%. The other points were the same as in Example 1, and a polishing composition according to this example was prepared.
  • PVI polyvinyl imidazole
  • Example 3 polyvinyl pyrrolidone (hereinafter referred to as “PVP”) having an Mw of 25 ⁇ 10 4 was used.
  • the content of PVP in the polishing composition was 0.024%.
  • the other points were the same as in Example 1, and a polishing composition according to this example was prepared.
  • PNIPAM poly-N-isopropylacrylamide
  • PNVA poly-N-vinylacetamide
  • Example 4 A polishing composition according to this example was prepared in the same manner as in Example 1 except that PACMO was not used.
  • Table 1 summarizes the types of nitrogen-containing water-soluble polymers used, the presence or absence of N—H bonds, the ratio of the amide structure to the total mass of the structural unit A, and Mw for the polishing compositions of each example.
  • Polishing rate [ ⁇ m / min] polishing allowance [ ⁇ m] / polishing time [min] [Polishing conditions] Polishing machine: Desktop polishing machine manufactured by Nippon Engis Co., Ltd.
  • Model “EJ-380IN” Polishing pad Product name “MH S-15A” manufactured by Nittahs Polishing pressure: 27 kPa Surface plate rotation speed: 50 rotations / minute Head rotation speed: 40 rotations / minute Polishing allowance: 8 ⁇ m Polishing liquid supply rate: 100 mL / min Polishing liquid temperature: 25 ° C
  • ⁇ Edge roll-off amount evaluation> The edge roll-off amount at the outer peripheral portion of the polished silicon wafer was evaluated.
  • the evaluation of the edge roll-off amount was performed by measuring the shape displacement amount of the silicon wafer surface by using “New View 5032” manufactured by Zygo (USA). Specifically, a straight line (reference straight line) that approximates the amount of shape displacement in this area is defined as a relatively flat area at a position of 2.0 mm to 4.0 mm from the outer peripheral edge of the silicon wafer toward the center. Is subtracted using the method of least squares.
  • the maximum displacement amount of the silicon wafer shape at a position 2.0 mm from the outer peripheral end was measured, and this was taken as the roll-off value of the silicon wafer. If the outer peripheral edge of the silicon wafer has a sag shape, the roll-off value is negative. On the other hand, if the silicon wafer is bounced up, the roll-off value is positive. The obtained results are shown in the “roll-off value (nm)” column of Table 1.

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Abstract

エッジロールオフ量を効果的に低減し得る研磨用組成物を提供する。本発明により提供される研磨用組成物は、砥粒と、塩基性化合物と、含窒素水溶性高分子と、水とを含む。含窒素水溶性高分子は、分子内にＮ－Ｈ結合を有さない。

Description

研磨用組成物
　本発明は、研磨用組成物に関する。本出願は、２０１７年３月３１日に出願された日本国特許出願２０１７－７２６６７号に基づく優先権を主張しており、その出願の全内容は本明細書中に参照として組み入れられている。
　半導体製品の構成要素として用いられるシリコンウェーハは、一般に、ラッピング工程とポリシング工程とを経て高品位の鏡面に仕上げられる。上記ポリシング工程は、典型的には、予備ポリシング工程とファイナルポリシング工程とを含む。研磨用組成物に関する技術文献として、例えば特許文献１～４が挙げられる。
国際公開第２０１１／１３５９４９号 国際公開第２０１２／００５２８９号 日本国特許出願公開２０１６－１２４９４３号公報 日本国特許出願公開２０１４－２１６４６４号公報
　本発明者は、研磨速度を改善するために、シリコンウェーハ等の研磨に使用される研磨用組成物に塩基性化合物を含有させることを検討している。しかし、研磨用組成物に塩基性化合物を含有させると、研磨速度は改善し得るものの、シリコンウェーハの外周部であるエッジ近傍が中央部に比べて過剰に研磨されることがある。そのため、研磨後に外周部の厚さが不所望に減少する事象（エッジロールオフ）が生じる虞がある。
　本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものである。本発明は、研磨後のエッジロールオフ量を効果的に低減し得る研磨用組成物を提供することを目的とする。
　本明細書によると、研磨用組成物が提供される。この研磨用組成物は、砥粒と、塩基性化合物と、含窒素水溶性高分子と、水とを含む。前記含窒素水溶性高分子は、分子内にＮ－Ｈ結合を有さない。かかる構成によると、研磨後のエッジロールオフ量を効果的に低減することができる。
　ここに開示される研磨用組成物の好ましい一態様では、前記含窒素水溶性高分子は、構成単位Ａを主鎖に有している。前記構成単位Ａは、アミド構造、アゾール構造、ラクタム構造、モルホリン構造およびアミジン構造からなる群から選択された少なくとも１つの構造を含む。かかる構成単位Ａを主鎖に有する含窒素水溶性高分子は、エッジロールオフ量の低減に効果的に寄与し得る。
　ここに開示される研磨用組成物の好ましい一態様では、前記構成単位Ａの全質量に対するアミド構造の割合が、３０質量％以下である。このような構成単位Ａにおけるアミド構造の割合の範囲内であると、上述したエッジロールオフ量低減効果がより効果的に発揮され得る。
　ここに開示される研磨用組成物の好ましい一態様では、前記含窒素水溶性高分子が、ポリアクリロイルモルホリンである。かかる含窒素水溶性高分子は、エッジロールオフ量の低減に効果的に寄与し得る。
　ここに開示される研磨用組成物の好ましい一態様では、前記含窒素水溶性高分子が、ポリビニルイミダゾールである。かかる含窒素水溶性高分子は、エッジロールオフ量の低減に効果的に寄与し得る。
　ここに開示される研磨用組成物の好ましい一態様では、前記砥粒はシリカ粒子である。砥粒としてシリカ粒子を用いることにより、前記含窒素水溶性高分子によるエッジロールオフ量低減効果がより好適に発揮される。
　ここに開示される研磨用組成物は、シリコンの研磨、例えばラッピングを経たシリコンのポリシングに好ましく適用することができる。特に好ましい適用対象として、シリコンの予備ポリシングが例示される。
　以下、本発明の好適な実施形態を説明する。なお、本明細書において特に言及している事項以外の事柄であって本発明の実施に必要な事柄は、当該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本発明は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。
＜含窒素水溶性高分子＞
　ここに開示される研磨用組成物は、分子内にＮ－Ｈ結合を有さない含窒素水溶性高分子を含む。ここで水溶性高分子とは、同一（単独重合体；ホモポリマー）もしくは相異なる（共重合体；コポリマー）繰り返し構成単位を有する水溶性の化合物をいう。典型的には重量平均分子量（Ｍｗ）が５０００以上の化合物であり得る。分子内にＮ－Ｈ結合を有さない含窒素水溶性高分子を研磨用組成物に含有させることにより、研磨後のエッジロールオフ量を効果的に低減することができる。このような効果が得られる理由としては、例えば以下のように考えられる。すなわち、上記含窒素水溶性高分子は、分子内に親水性を示すＮ－Ｈ結合を有さないことにより、一般に疎水性を呈する研磨対象物への高い吸着能を発揮し得る。そのため、研磨時に該含窒素水溶性高分子が研磨対象物の外周部に適度に吸着して該外周部の保護が図られることで、外周部が過剰に削られにくい。このことがエッジロールオフ量の低減に寄与するものと考えられる。ただし、この理由のみに限定解釈されるものではない。
　ここに開示される技術における含窒素水溶性高分子としては、分子内に窒素原子（Ｎ）を１つ以上有し、かつ、該窒素原子がＮ－Ｈ結合を有していないものであれば特に限定されない。例えば、上記含窒素水溶性高分子は、Ｎ－Ｈ結合を有さない構成単位Ａを主鎖に有するポリマーであり得る。上記構成単位Ａは、含窒素水溶性高分子の主鎖を構成する主鎖構成炭素原子と、窒素原子を含む含窒素構造とを含む。ここに開示される含窒素水溶性高分子は、１種の構成単位Ａを含むものであってもよく、２種以上の構成単位Ａを含むものであってもよい。上記構成単位Ａにおける主鎖構成炭素原子の数は特に限定されないが、典型的には２～１０であり、好ましくは２～８、より好ましくは２～６、さらに好ましくは２～４、例えば２または３である。上記主鎖構成炭素原子に結合した水素原子の１または２以上が、それぞれ独立して、水素原子以外の置換基、例えば、メチル基、フェニル基、ベンジル基、ハロゲン基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、シアノ基等の置換基で置換された化合物であってもよい。ここでハロゲン基とは、例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ等である。
　上記含窒素構造は、上記主鎖構成炭素原子に直接結合していることが好ましい。含窒素構造としては、窒素原子を１つ以上有し、かつ、該窒素原子がＮ－Ｈ結合を有さないものであれば特に限定されない。例えば、上記含窒素構造は、Ｎ－Ｈ結合を有さないアミド構造、イミド構造、アジリジン構造、アゼチジン構造、アゼト構造、アゾリジン構造、アゾール構造、アジナン構造、ピリジン構造、アゼパン構造、アゼピン構造、ラクタム構造、モルホリン構造、キノリン構造、インドール構造およびアミジン構造のうちの１種または２種以上であり得る。なかでも、アミド構造、アゾール構造、ラクタム構造、モルホリン構造およびアミジン構造のいずれかを有する構成単位Ａであることが好ましい。ここでアミド構造は、窒素原子に隣接する炭素原子が酸素原子との二重結合を有する構造を意味し、典型的には－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ－で表わされる構造をいう。アゾール構造は、窒素原子を１つ以上含む複素５員環構造をいい、窒素原子以外の複素原子で置換された構造を包含する概念である。窒素原子以外の複素原子としては、例えば酸素原子（Ｏ）や硫黄原子（Ｓ）が挙げられる。アゾール構造は、例えば、ピロール構造、イミダゾール構造、ピラゾール構造、イソチアゾール構造、イソオキサゾール構造、フラザン構造を含み得る。ラクタム構造は、複素環の一部に－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲａ－を含む構造をいい、α‐ラクタム構造、β‐ラクタム構造、γ‐ラクタム構造、δ‐ラクタム構造、ε‐カプロラクタム構造等を含み得る。アミジン構造は、－Ｃ（＝ＮＲａ）－ＮＲｂＲｃで表わされる構造をいう。上記のような含窒素構造を含む構成単位Ａを主鎖に有する含窒素水溶性高分子を用いて研磨を行うことにより、研磨後表面におけるエッジロールオフ量が効果的に低減され得る。
　好ましい一態様では、上記構成単位Ａの全質量に対するアミド構造（ＣＯＮ：式量４２）の割合が、概ね５０質量％以下である。上記アミド構造の割合は、好ましくは４０質量％以下、より好ましくは３５質量％以下、さらに好ましくは３０質量％以下である。このような構成単位Ａにおけるアミド構造の割合の範囲内であると、含窒素水溶性高分子が研磨対象物への高い吸着能を発揮し得る。そのため、前述したエッジロールオフ量低減効果がより効果的に発揮され得る。上記アミド構造の割合の下限値は特に限定されないが、例えば５質量％以上であり得る。含窒素水溶性高分子を水に溶けやすくする等の観点からは、上記アミド構造の割合は、例えば、１０質量％以上であってよく、典型的には２０質量％以上であってよい。また、上記アミド構造の割合は、０質量％であってもよい。すなわち、アミド構造を実質的に含まない構成単位Ａであってもよい。ここに開示される技術は、上記構成単位Ａにおけるアミド構造の割合が０質量％以上４０質量％以下、例えば０質量％以上３５質量％以下、典型的には２５質量％以上３０質量％以下である態様で好ましく実施され得る。
　上記構成単位Ａは重合性単量体に由来することが好ましい。すなわち、ここに開示される含窒素水溶性高分子は、重合性単量体の１種または２種以上を含むモノマー成分を重合または共重合することによって得られる高分子であることが好ましい。重合性単量体は、エチレン性不飽和結合を有する重合性基を有することが好ましい。ここで、エチレン性不飽和結合とは、ラジカル重合することが可能な炭素－炭素二重結合を指す。エチレン性不飽和結合を構成する炭素原子に結合する水素原子は、前述の含窒素構造を含む置換基で置換されていてもよい。エチレン性不飽和結合を有する重合性基としては、アクリロイル基等の官能基の一部を表すものであってもよく、例えば、ビニル基、ビニリデン基、ビニレン基等が挙げられる。上記重合性基を構成する炭素原子に結合する水素原子が、前述の含窒素構造を含む置換基で置換された重合性単量体であることが好ましい。
　ここに開示される技術において特に好ましい構成単位Ａの例として、下記一般式（１）で表される重合性単量体ａに由来するものが挙げられる。ここに開示される含窒素水溶性高分子は、下記一般式（１）で表わされる単量体ａを含むモノマー成分を重合または共重合することによって得られる高分子であることが好ましい。
　一般式（１）：
　ＣＨ２＝ＣＲ１Ｘ　　　　　　　　　　　（１）
；で表わされる単量体ａ。上記一般式（１）中、Ｒ１は水素原子、メチル基、フェニル基、ベンジル基、クロロ基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基またはシアノ基である。なかでも、水素原子、メチル基、フェニル基が好ましい。Ｘは、アミド基、アミジン基および窒素原子を含む複素環基から選択される基であって、かつ、Ｎ－Ｈ結合を有さない基である。
　上記単量体ａにおけるＸがアミド基すなわち－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ２Ｒ３の場合、Ｒ２，Ｒ３は、置換基を有してよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルキロール基、アセチル基および芳香族基から選択される基であり得る。上記置換基を有してよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルキロール基およびアセチル基における炭素原子の総数は１～４０である。上記総数は、好ましくは１～２４、より好ましくは１～１４、さらに好ましくは１～１０である。置換基を除いた場合の上記アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルキロール基およびアセチル基における炭素原子数は１～１８である。上記炭素原子数は、好ましくは１～８、より好ましくは１～４である。上記置換基を有してよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルキロール基およびアセチル基は鎖状または環状であり得るが、鎖状であることが好ましい。ここで鎖状とは直鎖状または分岐状をいう。芳香族基は、置換基を有してよいアリール基である。上記芳香族基における炭素原子の総数は６～６０である。上記総数は、好ましくは６～３６、より好ましくは６～２４、さらに好ましくは６～１２である。上記アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルキロール基、アセチル基および芳香族基が有し得る置換基は、水酸基；塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；を包含する。上記アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルキロール基およびアセチル基が有し得る置換基は、さらに上述の芳香族基を包含する。芳香族基が有し得る置換基は、さらに上述のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルキロール基およびアセチル基を包含する。なかでも、Ｒ２，Ｒ３は、炭素原子数１～１８（好ましくは１～８、例えば１～４、典型的には１，２または３）のアルキル基が好ましい。アルキル基は直鎖状でもよく分岐状でもよい。また、Ｒ２，Ｒ３はアルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルキロール基またはアセチル基であることも好ましい。上記アルコキシ基は、好ましくは炭素原子数１～８（例えば１～６、典型的には１～４）のアルコキシ基（例えばメトキシ基）である。また、アルコキシアルキル基は、好ましくは炭素原子数１～８（例えば１～６、典型的には１～４）のアルコキシアルキル基（例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル基）である。上記アルキロール基は、より好ましくは炭素原子数１～８（例えば１～６、典型的には１，２または３）のアルキロール基（例えば、メチロール基、エチロール基、プロピロール基）である。Ｒ２，Ｒ３は同じであってもよく異なっていてもよい。また、Ｒ２とＲ３とは互いに結合して環状構造を形成していてもよい。Ｒ２，Ｒ３が互いに結合して環状構造を形成している場合、－Ｒ２Ｒ３－は－（ＣＨ２）ｎ－であり得る。この場合、ｎは３～１０の整数であることが好ましい。上記ｎは４～６であることがさらに好ましい。上記環状構造は、ＯやＳを介して連結した環状構造であってもよい。例えば、－Ｒ２Ｒ３－は、－（ＣＨ２）ｍ－Ｏ－（ＣＨ２）ｌ－または－（ＣＨ２）ｍ－Ｓ－（ＣＨ２）ｌ－であり得る。なかでも－（ＣＨ２）ｍ－Ｏ－（ＣＨ２）ｌ－であることが好ましい。ここでｍは１～５の整数である。上記ｍは、好ましくは１～３、より好ましくは２または３である。ｌは１～５の整数である。上記ｌは好ましくは１～３、より好ましくは２または３である。Ｒ２，Ｒ３を構成する水素原子の少なくとも１つは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルキロール基、アセチル基、芳香族基等で置換されていてもよく、その他、水酸基、ハロゲン原子、アミノ基、シアノ基等で置換されていてもよい。
　上記単量体ａにおけるＸがアミジン基すなわち－Ｃ（＝ＮＲ４）－ＮＲ５Ｒ６の場合、Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６は、置換基を有してよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルキロール基およびアセチル基から選択される基であり得る。上記置換基を有してよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルキロール基およびアセチル基における炭素原子の総数は１～４０、好ましくは１～２４、より好ましくは１～１４、さらに好ましくは１～１０である。置換基を除いた場合の上記アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルキロール基およびアセチル基における炭素原子数は１～１８、好ましくは１～８、より好ましくは１～４である。なかでも、Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６は、炭素原子数が１～１８、好ましくは１～８、例えば１～４、典型的には１，２または３のアルキル基が好ましい。アルキル基は直鎖状でもよく分岐状でもよい。また、Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６はアルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルキロール基またはアセチル基であることも好ましい。Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６は同じであってもよく異なっていてもよい。また、Ｒ５とＲ６とは互いに結合して環状構造を形成していてもよい。
　上記単量体ａにおけるＸが窒素原子を含む複素環基の場合、窒素原子を含む複素環基は、Ｎ－Ｈ結合を有さない脂肪族複素環基または芳香族複素環基であり得る。脂肪族複素環基および芳香族複素環基は、単環基、縮環基のいずれであってもよい。脂肪族複素環基および芳香族複素環基における環を構成する原子の総数は３～１５、好ましくは３～１２、より好ましくは３～１０、さらに好ましくは３～６であり得る。脂肪族複素環基および芳香族複素環基は、環を構成する原子として炭素原子および窒素原子以外に、酸素原子や硫黄原子を含んでもよい。窒素原子を含む複素環基が脂肪族複素環基の場合、ピペリジニル基、ピペラジニル基、ピペラジル基、ピロリジニル基、イミダゾリジニル基、ピラゾリジニル基、チアゾリジニル基、イソチアゾリジニル基、オキサゾリジニル基、イソオキサゾリジニル基、モルホリニル基、ピロリドン基等が挙げられ、なかでもピロリドン基が好ましい。窒素原子を含む複素環基が芳香族複素環基の場合、ピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、トリアゾリル基等が挙げられ、なかでもイミダゾリル基が好ましい。上記複素環基の環を構成する窒素原子が、ビニル基（ＣＨ２＝Ｃ－）を構成する炭素原子に直接結合していることが好ましい。上記複素環基を構成する水素原子の少なくとも１つは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルキロール基、アセチル基、芳香族基等で置換されていてもよく、その他、水酸基、ハロゲン原子、アミノ基、シアノ基等で置換されていてもよい。
　上記単量体ａの一好適例としては、Ｒ１が水素原子またはメチル基であり、Ｘが－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ２Ｒ３で表わされるアミド基であり、かつ、Ｒ２，Ｒ３が互いに結合して環状構造を形成しているものが挙げられる。そのような単量体ａ１の具体例として、Ｎ‐アクリロイルピペリジン、Ｎ‐アクリロイルピペリジン‐２‐オン、Ｎ‐アクリロイルピペラジン、Ｎ‐アクリロイルモルホリン、Ｎ‐アクリロイル‐２‐メチルモルホリン、Ｎ‐アクリロイル‐３‐モルホリノン、Ｎ‐アクリロイル‐３，５‐モルホリンジオン、Ｎ‐アクリロイルチオモルホリン、Ｎ‐アクリロイルピロリジン、Ｎ‐アクリロイルピロリドン、Ｎ‐アクリロイルアジリジン、Ｎ‐アクリロイルアゼチジン、Ｎ‐アクリロイルアゼチジン‐２‐オン、Ｎ‐アクリロイルアゼパン、Ｎ‐アクリロイルアゾカン、Ｎ‐アクリロイルカプロラクタム、Ｎ‐メタクリロイルピペリジン、Ｎ‐メタクリロイルピペリジン‐２‐オン、Ｎ‐メタクリロイルピペラジン、Ｎ‐メタクリロイルモルホリン、Ｎ‐メタクリロイル‐２‐メチルモルホリン、Ｎ‐メタクリロイル‐３‐モルホリノン、Ｎ‐メタクリロイル‐３，５‐モルホリンジオン、Ｎ‐メタクリロイルチオモルホリン、Ｎ‐メタクリロイルピロリジン、Ｎ‐メタクリロイルピロリドン、Ｎ‐メタクリロイルアジリジン、Ｎ‐メタクリロイルアゼチジン、Ｎ‐メタクリロイルアゼチジン‐２‐オン、Ｎ‐メタクリロイルアゼパン、Ｎ‐メタクリロイルアゾカン、Ｎ‐メタクリロイルカプロラクタム等が挙げられる。なかでも、Ｎ‐アクリロイルモルホリンが好ましい。
　上記単量体ａの他の例としては、Ｒ１が水素原子またはメチル基であり、Ｘが－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ２Ｒ３で表わされるアミド基であり、かつ、Ｒ２，Ｒ３がアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルキロール基、アセチル基および芳香族基から選択される基であるものが挙げられる。そのような単量体ａ２の具体例として、Ｎ，Ｎ‐ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ‐ジエチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ‐ジプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ‐ジイソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ‐ジブチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ‐ジイソブチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ‐ジ‐ｔｅｒｔ‐ブチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ‐ジヘプチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ‐ジオクチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ‐ジ‐ｔｅｒｔ‐オクチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ‐ジドデシルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ‐ジオクタデシルアクリルアミド等のＮ，Ｎ‐ジアルキルアクリルアミド；Ｎ，Ｎ‐ビス（２‐ヒドロキシエチル）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ‐ビス（２‐シアノエチル）アクリルアミド等の置換Ｎ，Ｎ‐ジアルキルアクリルアミド；Ｎ，Ｎ‐ジアリルアクリルアミド等のＮ，Ｎ‐ジアルケニルアクリルアミド；Ｎ，Ｎ‐ジフェニルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ‐ジベンジルアクリルアミド等の芳香族基含有アクリルアミド；Ｎ，Ｎ‐ジメチロールアクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチロールアクリルアミド、Ｎ，Ｎ‐ジプロピロールアクリルアミド等のＮ，Ｎ‐ジアルキロールアクリルアミド；Ｎ‐メチル‐Ｎ‐メトキシアクリルアミド、Ｎ‐メチル‐Ｎ‐エトキシアクリルアミド、Ｎ‐メチル‐Ｎ‐プロポキシアクリルアミド、Ｎ‐メチル‐Ｎ‐ブトキシアクリルアミド、Ｎ‐エチル‐Ｎ‐メトキシアクリルアミド、Ｎ‐エチル‐Ｎ‐エトキシアクリルアミド、Ｎ‐エチル‐Ｎ‐ブトキシアクリルアミド、Ｎ‐プロピル‐Ｎ‐メトキシアクリルアミド、Ｎ‐プロピル‐Ｎ‐エトキシアクリルアミド、Ｎ‐ブチル‐Ｎ‐メトキシアクリルアミド、Ｎ‐ブチル‐Ｎ‐エトキシアクリルアミド等のＮ‐アルコキシ‐Ｎ‐アルキルアクリルアミド；Ｎ，Ｎ‐ジアセチルアクリルアミド；Ｎ，Ｎ‐ジアセトンアクリルアミド；Ｎ，Ｎ‐ジメチルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ‐ジエチルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ‐ジプロピルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ‐ジイソプロピルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ‐ジブチルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ‐ジイソブチルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ‐ジ‐ｔｅｒｔ‐ブチルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ‐ジヘプチルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ‐ジオクチルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ‐ジ‐ｔｅｒｔ‐オクチルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ‐ジドデシルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ‐ジオクタデシルメタクリルアミド等のＮ，Ｎ‐ジアルキルメタクリルアミド；Ｎ，Ｎ‐ビス（２‐ヒドロキシエチル）メタクリルアミド、Ｎ，Ｎ‐ビス（２‐シアノエチル）メタクリルアミド等の置換Ｎ，Ｎ‐ジアルキルメタクリルアミド；Ｎ，Ｎ‐ジアリルメタクリルアミド等のＮ‐ジアルケニルメタクリルアミド；Ｎ，Ｎ‐ジフェニルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ‐ジベンジルメタクリルアミド等の芳香族基含有メタクリルアミド；Ｎ，Ｎ‐ジメチロールメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ‐ジエチロールメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ‐ジプロピロールメタクリルアミド等のＮ，Ｎ‐ジアルキロールメタクリルアミド；Ｎ‐メチル‐Ｎ‐メトキシメタクリルアミド、Ｎ‐メチル‐Ｎ‐エトキシメタクリルアミド、Ｎ‐メチル‐Ｎ‐プロポキシメタクリルアミド、Ｎ‐メチル‐Ｎ‐ブトキシメタクリルアミド、Ｎ‐エチル‐Ｎ‐メトキシメタクリルアミド、Ｎ‐エチル‐Ｎ‐エトキシメタクリルアミド、Ｎ‐エチル‐Ｎ‐ブトキシメタクリルアミド、Ｎ‐プロピル‐Ｎ‐メトキシメタクリルアミド、Ｎ‐プロピル‐Ｎ‐エトキシメタクリルアミド、Ｎ‐ブチル‐Ｎ‐メトキシメタクリルアミド、Ｎ‐ブチル‐Ｎ‐エトキシメタクリルアミド等のＮ‐アルコキシ‐Ｎ‐アルキルメタクリルアミド；Ｎ，Ｎ‐ジアセチルメタクリルアミド；Ｎ，Ｎ‐ジアセトンメタクリルアミド；等が挙げられる。
　上記単量体ａの他の好適例としては、Ｒ１が水素原子またはメチル基であり、かつ、Ｘが窒素原子を含む複素環基であるものが挙げられる。そのような単量体ａ３の具体例として、Ｎ‐ビニル‐２‐ピロリドン、Ｎ‐ビニルピラジン、Ｎ‐ビニルイミダゾール、Ｎ‐ビニルオキサゾール、Ｎ‐ビニルモルホリン、Ｎ‐ビニルピラゾール、Ｎ‐ビニルイソオキサゾール、Ｎ‐ビニルチアゾール、Ｎ‐ビニルイソチアゾール、Ｎ－ビニルピリダジン、Ｎ‐ビニルピリジン、Ｎ‐ビニルピリミジン、Ｎ‐ビニルピペラジン、Ｎ‐ビニルピロール、Ｎ‐メチルビニルピロリドン、Ｎ‐ビニルピペリドン、Ｎ‐ビニル‐２‐ピペリドン、Ｎ‐ビニル‐３‐モルホリノン、Ｎ‐ビニル‐２‐カプロラクタム、Ｎ‐ビニル‐１，３‐オキサジン‐２‐オン、Ｎ‐ビニル‐３，５‐モルホリンジオン等が挙げられる。なかでも、Ｎ‐ビニル‐２‐ピロリドンおよびＮ‐ビニルイミダゾールが好ましい。上述の重合性単量体ａは１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　上記含窒素水溶性高分子の分子量は特に限定されない。例えば含窒素水溶性高分子のＭｗは、典型的には１×１０３以上であり、ロールオフ量低減等の観点から好ましくは５×１０３以上、より好ましくは１×１０４以上、さらに好ましくは１．５×１０４以上である。また、含窒素水溶性高分子のＭｗは、典型的には１００×１０４以下、好ましくは９０×１０４以下、より好ましくは７５×１０４以下、さらに好ましくは６０×１０４以下である。上記含窒素水溶性高分子が前記単量体ａ１に由来する構成単位Ａを主鎖に有する含窒素水溶性高分子である場合には、ロールオフ量低減等の観点から、そのＭｗは、好ましくは５×１０４以上、より好ましくは１０×１０４以上、さらに好ましくは３０×１０４以上、特に好ましくは５０×１０４以上であって、例えば７０×１０４以下である。上記含窒素水溶性高分子が前記単量体ａ３に由来する構成単位Ａを主鎖に有する含窒素水溶性高分子である場合には、ロールオフ量低減等の観点から、そのＭｗは、好ましくは０．５×１０４以上、より好ましくは１×１０４以上、さらに好ましくは１．５×１０４以上であって、例えば３０×１０４以下である。なお、含窒素水溶性高分子のＭｗとしては、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）に基づく値を採用することができる。
　ここに開示される含窒素水溶性高分子は、実質的に構成単位Ａのみからなることが好ましい。換言すると、含窒素水溶性高分子は、該高分子の分子構造に含まれる全構成単位のモル数に占める構成単位Ａのモル数の割合（モル比）が９９モル％以上であることが好ましい。上記モル比は、例えば９９．９モル％以上、典型的には９９．９～１００モル％であり得る。そのような高分子の好適例として、ここに開示される重合性単量体ａの１種のみからなるホモポリマーや重合性単量体ａの２種以上からなる共重合体が挙げられる。
　また、ここに開示される含窒素水溶性高分子は、発明の効果を大きく損なわない範囲で、重合性単量体ａと共重合可能な単量体ｂの１種または２種以上に由来する構成単位（以下、「構成単位Ｂ」ともいう。）を含む共重合体であってもよい。上記構成単位Ｂは、構成単位Ａとは異なるものとして定義される。構成単位Ｂはまた、窒素原子を含まない構造単位であり得る。含窒素水溶性高分子における上記構成単位Ｂの割合（モル比）は５０モル％未満とすることができる。上記モル比は、例えば３０モル％未満、典型的には１０モル％未満であり得る。
　なお、上記「モル％」は、一の単量体に由来する一の構成単位を１分子とみなして算出されるモル比である。ここで一の単量体とは、重合性単量体ａおよび単量体ｂを包含する。したがって、上述の構成単位Ａ，Ｂの割合は、重合に用いられる全モノマー成分に占める重合性単量体ａや単量体ｂのモル比にそれぞれ対応し得る。
　＜水＞
　ここに開示される研磨用組成物は、典型的には、上記含窒素水溶性高分子のほかに水を含む。水としては、イオン交換水（脱イオン水）、純水、超純水、蒸留水等を好ましく用いることができる。使用する水は、研磨用組成物に含有される他の成分の働きが阻害されることを極力回避するため、例えば遷移金属イオンの合計含有量が１００ｐｐｂ以下であることが好ましい。例えば、イオン交換樹脂による不純物イオンの除去、フィルタによる異物の除去、蒸留等の操作によって水の純度を高めることができる。
　ここに開示される研磨用組成物は、必要に応じて、水と均一に混合し得る有機溶剤をさらに含有してもよい。ここで有機溶剤としては、低級アルコール、低級ケトン等が挙げられる。通常は、研磨用組成物に含まれる溶媒の９０体積％以上が水であることが好ましく、９５体積％以上が水であることがより好ましい。典型的には、研磨用組成物に含まれる溶媒の９９～１００体積％が水である。
　＜砥粒＞
　ここに開示される研磨用組成物は、含窒素水溶性高分子および水のほかに砥粒を含有する。ここに開示される技術において、砥粒の材質や性状は特に制限されず、研磨用組成物の使用目的や使用態様等に応じて適宜選択することができる。砥粒の例としては、無機粒子、有機粒子、および有機無機複合粒子が挙げられる。無機粒子の具体例としては、シリカ粒子、アルミナ粒子、酸化セリウム粒子、酸化クロム粒子、二酸化チタン粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化マグネシウム粒子、二酸化マンガン粒子、酸化亜鉛粒子、ベンガラ粒子等の酸化物粒子；窒化ケイ素粒子、窒化ホウ素粒子等の窒化物粒子；炭化ケイ素粒子、炭化ホウ素粒子等の炭化物粒子；ダイヤモンド粒子；炭酸カルシウムや炭酸バリウム等の炭酸塩等が挙げられる。有機粒子の具体例としては、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）粒子やポリ（メタ）アクリル酸粒子、ポリアクリロニトリル粒子等が挙げられる。ここで（メタ）アクリル酸とは、アクリル酸およびメタクリル酸を包括的に指す意味である。このような砥粒は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　上記砥粒としては、無機粒子が好ましく、なかでも金属または半金属の酸化物からなる粒子が好ましい。ここに開示される技術において使用し得る砥粒の好適例としてシリカ粒子が挙げられる。例えば、ここに開示される技術をシリコンウェーハの研磨に使用され得る研磨用組成物に適用する場合、砥粒としてシリカ粒子を用いることが特に好ましい。その理由は、以下の通りである。研磨対象物がシリコンウェーハである場合、研磨対象物と同じ元素と酸素原子とからなるシリカ粒子を砥粒として使用すれば研磨後にシリコンとは異なる金属または半金属の残留物が発生しない。そのため、シリコンウェーハ表面の汚染や研磨対象物内部にシリコンとは異なる金属または半金属が拡散することによるシリコンウェーハとしての電気特性の劣化などの虞がなくなるからである。さらに、シリコンとシリカの硬度が近いため、シリコンウェーハ表面に過度なダメージを与えることなく研磨加工を行うことができる。かかる観点から好ましい研磨用組成物の一形態として、砥粒としてシリカ粒子のみを含有する研磨用組成物が例示される。シリカ粒子の具体例としては、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、沈降シリカ等が挙げられる。研磨対象物表面にスクラッチを生じにくく、よりヘイズの低い表面を実現し得るという観点から、好ましいシリカ粒子としてコロイダルシリカおよびフュームドシリカが挙げられる。なかでもコロイダルシリカが好ましい。例えば、シリコンウェーハのポリシングに用いられる研磨用組成物の砥粒として、コロイダルシリカを好ましく採用し得る。ここでポリシングは、予備ポリシングおよびファイナルポリシングの少なくとも一方、好ましくは予備ポリシングを意味する。
　ここに開示される技術において、研磨用組成物中に含まれる砥粒は、一次粒子の形態であってもよく、複数の一次粒子が会合した二次粒子の形態であってもよい。また、一次粒子の形態の砥粒と二次粒子の形態の砥粒とが混在していてもよい。好ましい一態様では、少なくとも一部の砥粒が二次粒子の形態で研磨用組成物中に含まれている。
　砥粒の平均一次粒子径ＤＰ１は特に制限されないが、研磨速度等の観点から、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、特に好ましくは２０ｎｍ以上である。より高い研磨効果を得る観点から、平均一次粒子径ＤＰ１は、２５ｎｍ以上が好ましく、３０ｎｍ以上がさらに好ましい。平均一次粒子径ＤＰ１が４０ｎｍ以上の砥粒を用いてもよい。また、保存安定性の観点から、砥粒の平均一次粒子径は、好ましくは２００ｎｍ以下、より好ましくは１５０ｎｍ以下、例えば１００ｎｍ以下である。ここで保存安定性とは、例えば分散安定性が挙げられる。
　なお、ここに開示される技術において、砥粒の平均一次粒子径ＤＰ１は、例えば、ＢＥＴ法により測定される比表面積（ＢＥＴ値）から、ＤＰ１［ｎｍ］＝６０００／（真密度［ｇ／ｃｍ３］×ＢＥＴ値［ｍ２／ｇ］）の式により算出され得る。例えばシリカ粒子の場合、ＤＰ１［ｎｍ］＝２７２７／ＢＥＴ値［ｎｍ］の式により算出することができる。比表面積の測定は、例えば、マイクロメリテックス社製の表面積測定装置、商品名「Ｆｌｏｗ　Ｓｏｒｂ　ＩＩ　２３００」を用いて行うことができる。
　砥粒の平均二次粒子径ＤＰ２は特に限定されないが、研磨速度等の観点から、好ましくは１５ｎｍ以上、より好ましくは３０ｎｍ以上である。より高い研磨効果を得る観点から、平均二次粒子径ＤＰ２は、５０ｎｍ以上であることが好ましい。また、保存安定性の観点から、砥粒の平均二次粒子径ＤＰ２は、３００ｎｍ以下が適当であり、好ましくは２６０ｎｍ以下、より好ましくは２２０ｎｍ以下である。ここで保存安定性とは、例えば分散安定性が挙げられる。砥粒の平均二次粒子径ＤＰ２は、例えば、日機装株式会社製の型式「ＵＰＡ－ＵＴ１５１」を用いた動的光散乱法により測定することができる。
　砥粒の形状（外形）は、球形であってもよく、非球形であってもよい。非球形をなす砥粒の具体例としては、ピーナッツ形状（すなわち、落花生の殻の形状）、繭型形状、金平糖形状、ラグビーボール形状等が挙げられる。
　上記砥粒の形状（外形）は、例えば、電子顕微鏡観察により把握することができる。
　＜塩基性化合物＞
　ここに開示される研磨用組成物は、塩基性化合物を含有する。ここで塩基性化合物とは、研磨組成物に添加されることによって該組成物のｐＨを上昇させる機能を有する化合物を指す。塩基性化合物は、有機塩基性化合物であってもよく、無機塩基性化合物であってもよい。塩基性化合物は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　有機塩基性化合物の例としては、テトラアルキルアンモニウム塩等の第四級アンモニウム塩が挙げられる。上記アンモニウム塩におけるアニオンは、例えば、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－、Ｉ－、ＣｌＯ４ －、ＢＨ４ －等であり得る。例えば、コリン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩を好ましく使用し得る。なかでもテトラメチルアンモニウムヒドロキシドが好ましい。
　有機塩基性化合物の他の例としては、テトラアルキルホスホニウム塩等の第四級ホスホニウム塩が挙げられる。上記ホスホニウム塩におけるアニオンは、例えば、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－、Ｉ－、ＣｌＯ４ －、ＢＨ４ －等であり得る。例えば、テトラメチルホスホニウム、テトラエチルホスホニウム、テトラプロピルホスホニウム、テトラブチルホスホニウム等のハロゲン化物、水酸化物を好ましく使用し得る。
　有機塩基性化合物の他の例としては、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、モノエタノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）エタノールアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン等のアミン類；１－（２－アミノエチル）ピペラジン、Ｎ－メチルピペラジン等のピペラジン類；イミダゾールやトリアゾール等のアゾール類；グアニジン；等が挙げられる。
　無機塩基性化合物の例としては、アンモニア；アンモニア、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の水酸化物；アンモニア、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の炭酸塩；アンモニア、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の炭酸水素塩等；等が挙げられる。上記水酸化物の具体例としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等が挙げられる。上記炭酸塩または炭酸水素塩の具体例としては、炭酸水素アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム等が挙げられる。
　好ましい任意の塩基性化合物として、アンモニア、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウムおよび炭酸ナトリウムが挙げられる。なかでも好ましいものとして、アンモニア、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウムおよび炭酸カリウムが例示される。より好ましいものとして水酸化テトラメチルアンモニウムおよび炭酸カリウムが挙げられる。
　＜その他の成分＞
　ここに開示される研磨用組成物は、本発明の効果が著しく妨げられない範囲で、キレート剤、その他水溶性高分子、界面活性剤、有機酸、有機酸塩、無機酸、無機酸塩、防腐剤、防カビ剤等の、研磨用組成物に用いられ得る公知の添加剤を、必要に応じてさらに含有してもよい。ここで研磨用組成物とは、典型的には、シリコンウェーハのポリシング工程に用いられる研磨用組成物である。
　キレート剤は、研磨用組成物中に含まれ得る金属不純物と錯イオンを形成してこれを捕捉する。このことにより、金属不純物による研磨対象物の汚染を抑制する働きをする。キレート剤は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　キレート剤の例としては、アミノカルボン酸系キレート剤、有機ホスホン酸系キレート剤および有機スルホン酸系キレート剤が挙げられる。アミノカルボン酸系キレート剤の例には、エチレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン四酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸、ニトリロ三酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸アンモニウム、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸ナトリウム、ジエチレントリアミン五酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸ナトリウム、トリエチレンテトラミン六酢酸およびトリエチレンテトラミン六酢酸ナトリウムが含まれる。有機ホスホン酸系キレート剤の例には、２‐アミノエチルホスホン酸、１‐ヒドロキシエチリデン‐１，１‐ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン‐１，１‐ジホスホン酸、エタン‐１，１，２‐トリホスホン酸、エタン‐１‐ヒドロキシ‐１，１‐ジホスホン酸、エタン‐１‐ヒドロキシ‐１，１，２‐トリホスホン酸、エタン‐１，２‐ジカルボキシ‐１，２‐ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２‐ホスホノブタン‐１，２‐ジカルボン酸、１‐ホスホノブタン‐２，３，４‐トリカルボン酸およびα‐メチルホスホノコハク酸が含まれる。有機スルホン酸系キレート剤の例には、エチレンジアミンテトラキスメチレンスルホン酸が含まれる。これらのうち有機ホスホン酸系キレート剤または有機スルホン酸系キレート剤がより好ましく、なかでも好ましいものとしてエチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）が挙げられる。
　その他水溶性高分子の例としては、セルロース誘導体、デンプン誘導体、オキシアルキレン単位を含むポリマー、ビニルアルコール系ポリマー等が挙げられる。具体例としては、ヒドロキシエチルセルロース、プルラン、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドとのランダム共重合体やブロック共重合体、ポリビニルアルコール、ポリイソプレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリイソアミレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸塩、ポリアクリル酸塩、ポリ酢酸ビニル、ポリエチレングリコール等が挙げられる。水溶性高分子は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。ここに開示される研磨用組成物は、上記その他水溶性高分子を実質的に含有しない組成であってもよい。
　研磨用組成物は、任意の成分として界面活性剤を含み得る。界面活性剤は、研磨スラリーまたはその濃縮液の分散安定性向上に寄与し得る。界面活性剤としては、アニオン性またはノニオン性のものを好ましく採用し得る。低起泡性やｐＨ調整の容易性の観点から、ノニオン性の界面活性剤がより好ましい。例えば、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール等のオキシアルキレン重合体；ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレングリセリルエーテル脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル等のポリオキシアルキレン付加物；複数種のオキシアルキレンの共重合体（例えば、ジブロック型共重合体、トリブロック型共重合体、ランダム型共重合体、交互共重合体）；等のノニオン性界面活性剤が挙げられる。これらのうちポリオキシエチレンアルキルエーテルがより好ましい。界面活性剤は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　界面活性剤のＭｗは、典型的には１×１０４未満であり、研磨用組成物の濾過性や研磨対象物の洗浄性等の観点から９５００以下が好ましい。また、界面活性剤のＭｗは、典型的には２００以上であり、２５０以上が好ましく、３００以上（例えば５００以上）がより好ましい。界面活性剤のＭｗとしては、化学式から算出される値を採用することができる。
　有機酸の例としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸等の脂肪酸、安息香酸、フタル酸等の芳香族カルボン酸、クエン酸、シュウ酸、酒石酸、リンゴ酸、マレイン酸、フマル酸、コハク酸、有機スルホン酸、有機ホスホン酸等が挙げられる。有機酸塩の例としては、有機酸のアルカリ金属塩やアンモニウム塩等が挙げられる。ここでアルカリ金属塩としては、ナトリウム塩、カリウム塩等が挙げられる。無機酸の例としては、硫酸、硝酸、塩酸、炭酸等が挙げられる。無機酸塩の例としては、無機酸のアルカリ金属塩やアンモニウム塩が挙げられる。ここでアルカリ金属塩としては、ナトリウム塩、カリウム塩等が挙げられる。有機酸およびその塩、ならびに無機酸およびその塩は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　防腐剤および防カビ剤の例としては、イソチアゾリン系化合物、パラオキシ安息香酸エステル類、フェノキシエタノール等が挙げられる。
　ここに開示される研磨用組成物は、酸化剤を実質的に含まないことが好ましい。研磨用組成物中に酸化剤が含まれていると、当該組成物が研磨対象物に供給されることで該研磨対象物の表面が酸化されて酸化膜が生じる。ここで研磨対象物とは、例えばシリコンウェーハである。これにより所要研磨時間が長くなってしまうためである。ここで酸化剤の具体例としては、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、ジクロロイソシアヌル酸ナトリウム等が挙げられる。なお、研磨用組成物が酸化剤を実質的に含まないとは、少なくとも意図的には酸化剤を含有させないことをいう。したがって、原料や製法等に由来して微量の酸化剤が不可避的に含まれている研磨用組成物は、ここでいう酸化剤を実質的に含有しない研磨用組成物の概念に包含され得る。ここで微量とは、例えば、研磨用組成物中における酸化剤のモル濃度が０．０００５モル／Ｌ以下、好ましくは０．０００１モル／Ｌ以下、より好ましくは０．００００１モル／Ｌ以下、特に好ましくは０．０００００１モル／Ｌ以下であり得る。
　＜研磨用組成物の調製＞
　ここに開示される研磨用組成物の製造方法は特に限定されない。例えば、翼式攪拌機、超音波分散機、ホモミキサー等の周知の混合装置を用いて、研磨用組成物に含まれる各成分を混合するとよい。これらの成分を混合する態様は特に限定されない。例えば全成分を一度に混合してもよく、適宜設定した順序で混合してもよい。
　ここに開示される研磨用組成物は、一剤型であってもよいし、二剤型を始めとする多剤型であってもよい。例えば、該研磨用組成物の構成成分のうち一部の成分を含むＡ液と、残りの成分を含むＢ液とが混合されて研磨対象物の研磨に用いられるように構成されていてもよい。ここでＡ液は、典型的には、水系溶媒以外の成分であってもよい。
　＜研磨液＞
　ここに開示される研磨用組成物は、典型的には該研磨用組成物を含む研磨液の形態で研磨対象物に供給される。そして、研磨液の形態で研磨対象物の研磨に用いられる。上記研磨液は、例えば、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を希釈して調製されたものであり得る。ここで希釈とは、典型的には、水による希釈である。あるいは、該研磨用組成物をそのまま研磨液として使用してもよい。すなわち、ここに開示される技術における研磨用組成物の概念には、研磨対象物に供給されて該研磨対象物の研磨に用いられる研磨液（ワーキングスラリー）と、希釈して研磨液として用いられる濃縮液（研磨液の原液）との双方が包含される。ここに開示される研磨用組成物を含む研磨液の他の例として、該組成物のｐＨを調整してなる研磨液が挙げられる。
　ここに開示される研磨液における前記含窒素水溶性高分子の含有量は特に制限されないが、通常は０．００００１重量％以上とすることが適当である。ロールオフ量低減等の観点から、上記含有量は０．００００５重量％以上が好ましく、０．０００１重量％以上がより好ましく、０．０００３重量％以上がさらに好ましい。また、上記含窒素水溶性高分子の含有量は、研磨レートとエッジロールオフ低減とを高度に両立する観点から、通常は０．０１重量％以下とすることが適当であり、０．００８重量％以下とすることが好ましく、０．００５重量％以下とすることがより好ましい。上記含有量は、例えば０．００３重量％以下、あるいは０．００２重量％以下が好ましい。ここに開示される技術は、含窒素水溶性高分子の含有量が０．０００５重量％以上０．００１重量％以下である態様で好ましく実施され得る。
　ここに開示される研磨液における砥粒の含有量は特に制限されないが、典型的には０．０１重量％以上であり、０．０３重量％以上であることが好ましく、０．０５重量％以上であることがより好ましく、０．１重量％以上であることがさらに好ましい。砥粒の含有量の増大によって、より高い研磨レートが実現され得る。また、研磨用組成物の分散安定性等の観点から、通常は、上記含有量は、１０重量％以下が適当であり、好ましくは５重量％以下、より好ましくは３重量％以下、さらに好ましくは１重量％以下、例えば０．８重量％以下である。
　ここに開示される研磨液における塩基性化合物の含有量は、通常は０．００１重量％以上とすることが適当である。ロールオフ量低減等の観点から、上記含有量は０．００５重量％以上が好ましく、０．０１重量％以上がより好ましく、０．０３重量％以上がさらに好ましい。また、上記塩基性化合物の含有量は、研磨レートとエッジロールオフ低減とを高度に両立する観点から、通常は１重量％以下とすることが適当であり、０．５重量％以下とすることが好ましく、０．３重量％以下とすることがより好ましい。上記含有量は、例えば０．２重量％以下とすることが好ましい。
　ここに開示される研磨液がキレート剤を含む場合、研磨液におけるキレート剤の含有量は、通常は０．０００１重量％以上とすることが適当である。上記含有量は０．０００５重量％以上が好ましく、０．００１重量％以上がより好ましく、０．００１５重量％以上がさらに好ましく、０．００２重量％以上が特に好ましい。また、上記キレート剤の含有量は、通常は０．０５重量％以下とすることが適当であり、０．０１重量％以下とすることが好ましく、０．００８重量％以下とすることがより好ましく、０．００５重量％以下とすることがさらに好ましい。
　研磨液のｐＨは、８．０以上、例えば８．５以上であることが好ましく、より好ましくは９．０以上、さらに好ましくは９．５以上、特に好ましくは１０．０以上、例えば１０．５以上である。研磨液のｐＨが高くなると、研磨レートが向上する傾向にある。研磨液のｐＨの上限値は特に制限されないが、１２．０以下、例えば１１．８以下であることが好ましく、１１．５以下であることがより好ましい。このことによって、研磨対象物をより良く研磨することができる。上記ｐＨは、シリコンウェーハの研磨に用いられる研磨液に好ましく適用され得る。
　＜濃縮液＞
　ここに開示される研磨用組成物は、研磨対象物に供給される前には濃縮された形態（すなわち、研磨液の濃縮液の形態）であってもよい。このように濃縮された形態の研磨用組成物は、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から有利である。濃縮倍率は、例えば、体積換算で２倍～６０倍程度とすることができる。
　このように濃縮液の形態にある研磨用組成物は、所望のタイミングで希釈して研磨液を調製し、その研磨液を研磨対象物に供給する態様で使用することができる。上記希釈は、典型的には、上記濃縮液に前述の水系溶媒を加えて混合することにより行うことができる。また、上記水系溶媒が混合溶媒である場合、該水系溶媒の構成成分のうち一部の成分のみを加えて希釈してもよく、それらの構成成分を上記水系溶媒とは異なる量比で含む混合溶媒を加えて希釈してもよい。また、後述するように多剤型の研磨用組成物においては、それらのうち一部の剤を希釈した後に他の剤と混合して研磨液を調製してもよく、複数の剤を混合した後にその混合物を希釈して研磨液を調製してもよい。
　上記濃縮液における砥粒の含有量は、例えば５０重量％以下とすることができる。研磨用組成物の安定性や濾過性等の観点から、通常、上記含有量は、好ましくは４５重量％以下であり、より好ましくは４０重量％以下である。ここで研磨用組成物の安定性とは、例えば、砥粒の分散安定性が挙げられる。また、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から、砥粒の含有量は、例えば１．０重量％以上とすることができ、好ましくは３．０重量％以上、より好ましくは５．０重量％以上、さらに好ましくは７．０重量％以上である。
　上記濃縮液における前記含窒素水溶性高分子の含有量は特に制限されないが、通常は０．０００３重量％以上とすることが適当である。上記含有量は０．００１５重量％以上が好ましく、０．００３重量％以上がより好ましく、０．０１重量％以上がさらに好ましく、０．０２重量％以上が特に好ましい。また、上記含窒素水溶性高分子の含有量は、通常は０．３重量％以下とすることが適当であり、０．１５重量％以下とすることが好ましく、０．１重量％以下とすることがより好ましく、０．０５重量％以下とすることがさらに好ましい。
　上記濃縮液における塩基性化合物の含有量は、通常は０．０３重量％以上とすることが適当である。上記含有量は０．１５重量％以上が好ましく、０．３重量％以上がより好ましく、１重量％以上がさらに好ましい。また、上記塩基性化合物の含有量は、通常は１５重量％以下とすることが適当であり、１０重量％以下とすることが好ましく、６重量％以下とすることがより好ましい。
　ここに開示される濃縮液がキレート剤を含む場合、研磨液におけるキレート剤の含有量は、通常は０．００３重量％以上とすることが適当である。上記含有量は０．００５重量％以上が好ましく、０．０１重量％以上がより好ましく、０．０３重量％以上がさらに好ましく、０．０５重量％以上が特に好ましい。また、上記キレート剤の含有量は、通常は１．５重量％以下とすることが適当であり、１重量％以下とすることが好ましく、０．５重量％以下とすることがより好ましく、０．３重量％以下とすることがさらに好ましく、０．１重量％以下とすることが特に好ましい。
　このように濃縮液の形態にある研磨用組成物は、所望のタイミングで希釈して研磨液を調製し、その研磨液を研磨対象物に供給する態様で使用することができる。上記希釈は、典型的には、上記濃縮液に前述の水系溶媒を加えて混合することにより行うことができる。また、上記水系溶媒が混合溶媒である場合、該水系溶媒の構成成分のうち一部の成分のみを加えて希釈してもよく、それらの構成成分を上記水系溶媒とは異なる量比で含む混合溶媒を加えて希釈してもよい。また、後述するように多剤型の研磨用組成物においては、それらのうち一部の剤を希釈した後に他の剤と混合して研磨液を調製してもよく、複数の剤を混合した後にその混合物を希釈して研磨液を調製してもよい。
　＜用途＞
　ここに開示される研磨用組成物は、種々の材質および形状を有する研磨対象物の研磨に適用され得る。研磨対象物の材質は、例えば、シリコン、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン、ステンレス鋼、ゲルマニウム等の金属もしくは半金属、またはこれらの合金；石英ガラス、アルミノシリケートガラス、ガラス状カーボン等のガラス状物質；アルミナ、シリカ、サファイア、窒化ケイ素、窒化タンタル、炭化チタン等のセラミック材料；炭化ケイ素、窒化ガリウム、ヒ化ガリウム等の化合物半導体基板材料；ポリイミド樹脂等の樹脂材料；等であり得る。これらのうち複数の材質により構成された研磨対象物であってもよい。なかでも、シリコンからなる表面を備えた研磨対象物の研磨に好適である。ここに開示される技術は、例えば、砥粒としてシリカ粒子を含む研磨用組成物であって、研磨対象物がシリコンである研磨用組成物に対して特に好ましく適用され得る。典型的には、研磨用組成物は、砥粒としてシリカ粒子のみを含む。
　研磨対象物の形状は特に制限されない。ここに開示される研磨用組成物は、例えば、板状や多面体状等の、平面を有する研磨対象物、もしくは研磨対象物の端部の研磨に好ましく適用され得る。例えばウェーハエッジの研磨に好ましく適用され得る。
　＜研磨方法＞
　ここに開示される研磨用組成物は、シリコンを研磨するための研磨用組成物として好ましく使用され得る。例えば、単結晶または多結晶のシリコンウェーハを研磨するための研磨用組成物として好ましく使用され得る。以下、ここに開示される研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨する方法の好適な一態様につき説明する。
　すなわち、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を含む研磨液（スラリー）を用意する。上記研磨液を用意することには、研磨用組成物に、濃度調整等の操作を加えて研磨液を調製することが含まれ得る。ここで濃度調整としては、例えば希釈が挙げられる。あるいは、上記研磨用組成物をそのまま研磨液として使用してもよい。また、多剤型の研磨用組成物の場合、上記研磨液を用意することには、それらの剤を混合すること、該混合の前に１または複数の剤を希釈すること、該混合の後にその混合物を希釈すること、等が含まれ得る。
　次いで、その研磨液を研磨対象物に供給し、常法により研磨する。例えば、研磨対象物の１次研磨工程を行う場合には、ラッピング工程を経た研磨対象物を一般的な研磨装置にセットする。１次研磨工程では、典型的には両面研磨が行われる。該研磨装置の研磨パッドを通じて上記研磨対象物の表面（研磨対象面）に研磨液を供給する。典型的には、上記研磨液を連続的に供給しつつ、研磨対象物の表面に研磨パッドを押しつけて両者を相対的に移動（例えば回転移動）させる。その後、必要に応じてさらなる２次研磨工程を経て、最終的にファイナルポリシングを行って研磨対象物の研磨が完了する。２次研磨工程では、典型的には片面研磨が行われる。
　なお、ここに開示される研磨用組成物を用いる研磨工程において使用される研磨パッドは特に限定されない。例えば、不織布タイプ、スウェードタイプ、ポリウレタンタイプ、砥粒を含むもの、砥粒を含まないもの等のいずれを用いてもよい。
　この明細書によると、ここに開示される研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨する工程を含む研磨物製造方法が提供される。ここに開示される研磨物製造方法は、上記研磨用組成物を用いる研磨工程を経た研磨対象物にファイナルポリシングを施す工程をさらに含んでもよい。ここでファイナルポリシングとは、目的物の製造プロセスにおける最後のポリシング工程、すなわち、その工程の後にはさらなるポリシングを行わない工程を指す。上記ファイナルポリシング工程は、ここに開示される研磨用組成物を用いて行ってもよく、他の研磨用組成物を用いて行ってもよい。
　好ましい一態様において、上記研磨用組成物を用いる研磨工程は、ファイナルポリシングよりも上流のポリシング工程である。なかでも、ラッピング工程を終えた予備ポリシングに好ましく適用することができる。例えば、ラッピング工程を経た両面研磨工程（典型的には１次研磨工程）や、該両面研磨工程を経た基板に対して行われる最初の片面研磨工程（典型的には最初の２次研磨工程）において好ましく使用され得る。上記両面研磨工程および最初の片面研磨工程では、ファイナルポリシングに比べて要求される研磨レートが大きい。そのため、ここに開示される研磨用組成物は、両面研磨工程および最初の片面研磨工程の少なくとも一方（好ましくは両方）において研磨対象物の研磨に用いられる研磨用組成物として好適である。
　なお、上記研磨用組成物は、いったん研磨に使用したら使い捨てにする態様（いわゆる「掛け流し」）で使用されてもよいし、循環して繰り返し使用されてもよい。研磨用組成物を循環使用する方法の一例として、研磨装置から排出される使用済みの研磨用組成物をタンク内に回収し、回収した研磨用組成物を再度研磨装置に供給する方法が挙げられる。研磨用組成物を循環使用する場合には、掛け流しで使用する場合に比べて、廃液として処理される使用済みの研磨用組成物の量が減ることにより環境負荷を低減できる。また、研磨用組成物の使用量が減ることによりコストを抑えることができる。ここに開示される研磨用組成物を循環使用する場合、その使用中の研磨用組成物に、任意のタイミングで新たな成分、使用により減少した成分または増加させることが望ましい成分を添加してもよい。
　以下、本発明に関するいくつかの実施例を説明するが、本発明をかかる実施例に示すものに限定することを意図したものではない。なお、以下の説明において「部」および「％」は、特に断りがない限り重量基準である。
　＜研磨用組成物の調製＞
　　（実施例１）
　砥粒と含窒素水溶性高分子と塩基性化合物とキレート剤と脱イオン水とを混合して研磨用組成物を調製した。砥粒としてはシリカ粒子（平均一次粒径５０ｎｍ）を使用した。含窒素水溶性高分子としてはＭｗ５５×１０４のポリアクリロイルモルホリン（以下「ＰＡＣＭＯ」と表記する。）を使用した。塩基性化合物としては水酸化テトラメチルアンモニウム（以下「ＴＭＡＨ」と表記する。）とイミダゾール（以下「ｉｍｄ」と表記する。）と炭酸カリウム（以下「Ｋ２ＣＯ３」と表記する。）を使用した。キレート剤としてはエチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）（以下「ＥＤＴＰＯ」と表記する。）を使用した。研磨用組成物における砥粒の含有量は１５％、ＰＡＣＭＯの含有量は０．０２４％、ＴＭＡＨの含有量は２．１％、ｉｍｄの含有量は０．２４％、Ｋ２ＣＯ３の含有量は１．４％、ＥＤＴＰＯの含有量は０．０８％とした。
　　（実施例２）
　ＰＡＣＭＯに代えて、Ｍｗ１．７×１０４のポリビニルイミダゾール（以下「ＰＶＩ」と表記する。）を使用した。研磨用組成物におけるＰＶＩの含有量は０．０２４％とした。その他の点は実施例１と同様にして、本例に係る研磨用組成物を調製した。
　　（実施例３）
　ＰＡＣＭＯに代えて、Ｍｗ２５×１０４のポリビニルピロリドン（以下「ＰＶＰ」と表記する。）を使用した。研磨用組成物におけるＰＶＰの含有量は０．０２４％とした。その他の点は実施例１と同様にして、本例に係る研磨用組成物を調製した。
　　（比較例１）
　ＰＡＣＭＯに代えて、Ｍｗ６×１０４のポリ‐Ｎ‐イソプロピルアクリルアミド（以下「ＰＮＩＰＡＭ」と表記する。）を使用した。研磨用組成物におけるＰＮＩＰＡＭの含有量は０．０２４％とした。その他の点は実施例１と同様にして、本例に係る研磨用組成物を調製した。
　　（比較例２）
　ＰＡＣＭＯに代えて、Ｍｗ１×１０４のポリ‐Ｎ‐ビニルアセトアミド（以下「ＰＮＶＡ」と表記する。）を使用した。研磨用組成物におけるＰＮＶＡの含有量は０．０２４％とした。その他の点は実施例１と同様にして、本例に係る研磨用組成物を調製した。
　　（比較例３）
　ＰＡＣＭＯに代えて、Ｍｗ２９×１０４のポリヒドロキシエチルアクリルアミド（以下「ＰＨＥＡＡ」と表記する。）を使用した。研磨用組成物におけるＰＨＥＡＡの含有量は０．０２４％とした。その他の点は実施例１と同様にして、本例に係る研磨用組成物を調製した。
　　（比較例４）
　ＰＡＣＭＯを用いなかったこと以外は実施例１と同様にして、本例に係る研磨用組成物を調製した。
　各例の研磨用組成物について、使用した含窒素水溶性高分子の種類、Ｎ－Ｈ結合の有無、構成単位Ａの全質量に対するアミド構造の割合およびＭｗを表１に纏めて示す。
　＜シリコンの研磨レートの評価＞
　各例に係る研磨用組成物を３０倍に水で希釈したものを研磨液として使用して、シリコンウェーハに対して研磨試験を行い、シリコンの研磨レートおよびエッジロールオフ量を評価した。試験片としては、６ｃｍ×６ｃｍのシリコンウェーハ（伝導型：Ｐ型、結晶方位：＜１００＞）を使用した。この試験片を以下の条件で研磨した。そして、以下の計算式（ａ）、（ｂ）に従って研磨レートを算出した。結果を表１の該当欄に示す。
（ａ）研磨取り代［ｃｍ］＝研磨前後のシリコンウェーハの重量の差［ｇ］／シリコンの密度［ｇ／ｃｍ３］（＝２.３３ｇ／ｃｍ３）／研磨対象面積［ｃｍ２］（＝３６ｃｍ２）
（ｂ）研磨レート［μｍ／分］＝研磨取り代［μｍ］／研磨時間［分］
　　［研磨条件］
　研磨装置：日本エンギス社製卓上研磨機、型式「ＥＪ－３８０ＩＮ」
　研磨パッド　：ニッタハース社製、商品名「ＭＨ　Ｓ－１５Ａ」
　研磨圧力：２７ｋＰａ
　定盤回転数：５０回転／分
　ヘッド回転数：４０回転／分
　研磨取り代：８μｍ
　研磨液の供給レート：１００ｍＬ／分（掛け流し使用）
　研磨液の温度：２５℃
　＜エッジロールオフ量評価＞
　研磨後のシリコンウェーハの外周部におけるエッジロールオフ量を評価した。エッジロールオフ量の評価は、Ｚｙｇｏ社（米国）製の「ＮｅｗＶｉｅｗ　５０３２」を用いてシリコンウェーハ表面の形状変位量を測定することにより行った。具体的には、シリコンウェーハの外周端から中心に向かって２．０ｍｍ～４．０ｍｍ位置の比較的平坦な領域を基準領域とし、該領域における形状変位量に対して近似する直線（基準直線）を最小二乗法を用いて引く。次に、上記基準直線上の点を基準点とし、外周端から２．０ｍｍ位置のシリコンウェーハ形状の最大変位量を測定し、これをシリコンウェーハのロールオフ値とした。なお、シリコンウェーハの外周端がダレた形状であればロールオフ値はマイナスとなり、一方、跳ね上がった形状であればロールオフ値はプラスとなる。得られた結果を表１の「ロールオフ値（ｎｍ）」の欄に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示すように、Ｎ－Ｈ結合を有さない含窒素水溶性高分子を用いた実施例１～３の研磨用組成物によると、比較例１～４に比べて、シリコンウェーハの端面ダレが抑制され、エッジロールオフ量低減効果に優れるものとなった。この結果から、上記Ｎ－Ｈ結合を有さない含窒素水溶性高分子を用いることにより、エッジロールオフ量を低減し得ることが確認できた。
　以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、請求の範囲を限定するものではない。請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。

Claims (7)

  1. 　砥粒と、塩基性化合物と、含窒素水溶性高分子と、水とを含み、
    　前記含窒素水溶性高分子は、分子内にＮ－Ｈ結合を有さない、研磨用組成物。
  2. 　前記含窒素水溶性高分子は、構成単位Ａを主鎖に有しており、
    　前記構成単位Ａは、アミド構造、アゾール構造、ラクタム構造、モルホリン構造およびアミジン構造からなる群から選択された少なくとも１つの構造を含む、請求項１に記載の研磨用組成物。
  3. 　前記構成単位Ａの全質量に対するアミド構造の割合が、３０質量％以下である、請求項２に記載の研磨用組成物。
  4. 　前記含窒素水溶性高分子が、ポリアクリロイルモルホリンである、請求項３に記載の研磨用組成物。
  5. 　前記含窒素水溶性高分子が、ポリビニルイミダゾールである、請求項３に記載の研磨用組成物。
  6. 　前記砥粒はシリカ粒子である、請求項１から５のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
  7. 　シリコンの研磨に用いられる、請求項１から６のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
     
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