WO2018143655A1 - Fingerprint sensor - Google Patents
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- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
Definitions
- Embodiments are intended to provide a fingerprint sensor that can be easily manufactured and has improved reliability.
- the cover substrate 100 may include a light isotropic film.
- the cover substrate 100 may include a cyclic olefin copolymer (COC), a cyclic olefin polymer (COP), an isotropic polycarbonate (PC), or an isotropic polymethyl methacrylate (PMMA).
- COC cyclic olefin copolymer
- COP cyclic olefin polymer
- PC isotropic polycarbonate
- PMMA isotropic polymethyl methacrylate
- the substrate may be disposed below the cover substrate 100.
- the substrate may include a first substrate 210 and a second substrate 220.
- the substrate 210 may include the first substrate 210 disposed below the cover substrate 100 and the second substrate 220 disposed below the first substrate 210. have.
- the first substrate 210 and the second substrate 220 may be disposed in different widths.
- the width of the first substrate 210 may be greater than the width of the second substrate 220.
- the piezoelectric material of the polycrystalline ceramics may include PZT-based, PT-based, PZT-Complex Perovskite-based, or BaTiO3.
- the line width LW1 of the first electrode pattern 311 and the line width LW2 of the second electrode pattern 321 may be about 20 ⁇ m to about 70 ⁇ m.
- line widths of the first electrode pattern 311 and the second electrode pattern 321 may be about 30 ⁇ m to about 50 ⁇ m.
- a signal may be transmitted or received by an object approaching or contacting the piezoelectric member 400.
- the node region N may transmit and receive an ultrasonic signal. That is, the node area N may be a sensor that recognizes a fingerprint according to the approach or contact of a finger.
- the spacing of the node regions N exceeds about 50 ⁇ m, the resolution of the node regions N may be degraded. Accordingly, an ultrasonic signal transmitted and received in the node regions N may be weak so that a fingerprint may be accurately corrected. It may not be recognized and the reliability of the fingerprint sensor may be degraded.
- the first conductive member 510 and the second conductive member 520 may include a conductive film.
- the first conductive member 510 and the second conductive member 520 may include conductive particles.
- the first conductive member 510 and the second conductive member 520 may include conductive particles having a particle diameter of about 2 ⁇ m to about 10 ⁇ m.
- first conductive member 510 and the second conductive member 520 may simultaneously play an adhesive role and an electrical connection role.
- connection part 212 may be bent in one direction.
- the connection part 212 may be bent in an upper surface direction of the application specific integrated circuit 600. That is, the connection part 212 may be bent in the direction of the upper surface of the application specific integrated circuit 600 to be in contact with the upper surface of the application specific integrated circuit 600.
- FIGS. 7 through 16 a fingerprint sensor according to another exemplary embodiment will be described with reference to FIGS. 7 through 16.
- the same description as that of the fingerprint sensor according to the above-described embodiment will be omitted, and the same reference numerals will be given to the same configuration.
- the thickness T of the piezoelectric fiber 430 may be about 5 ⁇ m or less.
- the thickness T of the piezoelectric fiber may be defined as a distance from one end of the piezoelectric fiber to the other end.
- the thickness T of the piezoelectric fiber 430 may be about 500 nm to about 5 ⁇ m.
- the separation distance of the piezoelectric fibers 430 disposed in the non-node area UN may be different.
- the piezoelectric fibers 430 disposed in the non-node area UN may be spaced apart from each other at random distances.
- the density of the piezoelectric fibers 430 disposed in the node region N may be greater than the density of the piezoelectric fibers disposed in the non-node region UN. That is, the piezoelectric fibers 430 may be disposed more in the node region N than in the non-node region UN.
- the display panel may include a cover substrate 100, a display panel 900, and a fingerprint sensor.
- the display panel 900 may be disposed under the cover substrate 100.
- the display panel 900 and the cover substrate 100 may be adhered to each other through an adhesive layer 800 such as an optically clear adhesive.
- the display panel 900 may include a first substrate 910 and a second substrate 920.
- the fingerprint sensor according to the embodiments may be applied to the locking device.
- the fingerprint sensor according to the embodiments may be applied to an electronic product or the like and applied as a locking device.
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- Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)
Abstract
Description
실시예는 지문 센서에 관한 것이다,An embodiment relates to a fingerprint sensor,
지문 인식 센서는 사람의 지문을 감지하는 센서로서, 기존에 널리 적용되던 도어락 등의 장치는 물론, 최근에는 전자 기기 전원의 온/오프 또는 슬립(sleep) 모드의 해제 여부를 결정하는 데에도 널리 이용되고 있다.The fingerprint sensor is a sensor that detects a human fingerprint, and is widely used to determine whether a door lock or the like has recently been widely applied, as well as whether to turn on or off the power of an electronic device. It is becoming.
지문 인식 센서는 그 동작 원리에 따라 초음파 방식, 적외선 방식, 정전용량 방식 등으로 구분할 수 있다. 예를 들어, 초음파 방식은 복수의 압전 센서에서 방출되는 일정 주파수의 초음파 신호가 지문의 골(VALLEY)과 마루(RIDGE)에서 반사되는 경우 각각의 골과 마루에서의 음향 임피던스(Acoustic Impedance)차이를 초음파 발생원인 해당 복수의 압전 센서를 이용해 측정하여 지문을 감지하는 방식으로, 특히 초음파 방식의 장점은 단순한 지문 인식의 기능을 넘어서 초음파를 펄스(pulse) 형으로 발생시켜 그 반향파에 의한 도플러 효과를 검출함으로써 손가락 내부의 혈류 흐름을 파악할 수 있는 기능을 갖고 있으므로, 이를 이용하여 위조 지문 여부까지 판단할 수 있는 장점을 가질 수 있다.The fingerprint sensor may be classified into an ultrasonic method, an infrared method, and a capacitive method according to its operation principle. For example, the ultrasonic method uses the acoustic impedance difference between each valley and the floor when an ultrasonic signal of a certain frequency emitted from a plurality of piezoelectric sensors is reflected from the valley and the valley of the fingerprint. Fingerprints are detected by measuring them using a plurality of piezoelectric sensors, which are the sources of ultrasonic waves. Especially, the advantage of the ultrasonic method is that the ultrasonic waves are generated in a pulse form beyond the function of simple fingerprint recognition, and the Doppler effect by the echo wave is generated. Since it has a function to grasp the flow of blood inside the finger by detecting, it can have the advantage of determining whether or not a fake fingerprint using it.
이러한 지문 센서는 기재, 예를 들어, 커버 기재 상에 압전 물질을 포함하는 압전층을 배치하고, 압전층의 양면에 전극들을 배치하여 초음파 발생에 따라 지문을 인식할 수 있다.Such a fingerprint sensor may arrange a piezoelectric layer including a piezoelectric material on a substrate, for example, a cover substrate, and arrange electrodes on both sides of the piezoelectric layer to recognize a fingerprint according to ultrasonic generation.
이러한 지문 센서는 압전층의 상부 및 하부에 전극을 배치하고, 상부 전극 및 하부 전극을 각각 인쇄회로기판에 연결하여 ASIC(주문형 직접 회로)에 연결할 수 있다.Such a fingerprint sensor may be disposed on top and bottom of the piezoelectric layer, and may be connected to an ASIC by connecting an upper electrode and a lower electrode to a printed circuit board, respectively.
그러나, 상부 전극 또는 하부 전극을 인쇄회로기판에 연결하기 위해서는 압전층에 비아홀을 형성하는 공정이 요구되어 공정 효율이 저하되는 문제점이 있다.However, in order to connect the upper electrode or the lower electrode to the printed circuit board, a process of forming a via hole in the piezoelectric layer is required, which lowers the process efficiency.
따라서, 이와 같은 문제점을 해결할 수 있는 새로운 구조의 지문 센서가 요구된다.Therefore, there is a need for a fingerprint sensor having a new structure that can solve such problems.
실시예는 용이하게 제조할 수 있고, 향상된 신뢰성을 가지는 지문 센서를 제공하고자 한다. Embodiments are intended to provide a fingerprint sensor that can be easily manufactured and has improved reliability.
실시예에 따른 지문 센서는, 압전층; 상기 압전층의 상부에 배치되는 제 1 기재; 상기 압전층과 상기 제 1 기재 사이의 제 1 전극 패턴; 상기 제 1 전극 패턴과 상기 압전층 사이의 제 1 전도 부재; 상기 압전층의 하부에 배치되는 제 2 기재; 상기 압전층과 상기 제 2 기재 사이의 제 2 전극 패턴; 상기 제 2 전극 패턴과 상기 압전층 사이의 제 2 전도 부재를 포함하고, 상기 제 1 기재와 상기 제 2 기재의 크기는 다르다.Fingerprint sensor according to the embodiment, the piezoelectric layer; A first substrate disposed on the piezoelectric layer; A first electrode pattern between the piezoelectric layer and the first substrate; A first conductive member between the first electrode pattern and the piezoelectric layer; A second substrate disposed under the piezoelectric layer; A second electrode pattern between the piezoelectric layer and the second substrate; And a second conductive member between the second electrode pattern and the piezoelectric layer, wherein the size of the first substrate and the second substrate is different.
실시예에 따른 지문 센서는 상기 제 1 기재 상의 제 1 전극을 상기 주문형 직접 회로에 연결하기 위해 압전층에 비아홀 등을 형성하는 공정을 생략할 수 있다. 자세하게, 제 1 기재 및 제 2 기재는 전극이 배치되는 플렉서블 인쇄회로기판을 포함하고, 상기 제 1 기재가 벤딩되어 상기 주문형 직접 회로와 직접 연결되므로, 압전층이 홀 등을 형성하여, 1 전극과 주문형 직접회로를 연결하는 공정 등을 생략할 수 있다.The fingerprint sensor according to the embodiment may omit a process of forming a via hole or the like in the piezoelectric layer to connect the first electrode on the first substrate to the application specific integrated circuit. In detail, the first substrate and the second substrate include a flexible printed circuit board on which electrodes are disposed, and since the first substrate is bent and directly connected to the custom circuit, the piezoelectric layer forms holes and the like, The process of connecting a custom integrated circuit can be omitted.
도 1은 실시예에 따른 지문 센서의 사시도를 도시한 도면이다.1 is a diagram illustrating a perspective view of a fingerprint sensor according to an embodiment.
도 2는 실시예에 따른 지문 센서의 압전 부재의 사시도를 도시한 도면이다.2 is a diagram illustrating a perspective view of a piezoelectric member of a fingerprint sensor according to an embodiment.
도 3은 실시예에 따른 지문 센서의 평면도를 도시한 도면이다.3 is a plan view illustrating a fingerprint sensor according to an embodiment.
도 4는 실시예에 따른 지문 센서의 동작원리를 설명하기 위한 단면도를 도시한 도면이다.4 is a cross-sectional view illustrating an operation principle of a fingerprint sensor according to an embodiment.
도 5는 실시예에 따른 지문 센서의 단면도를 도시한 도면이다.5 is a sectional view of a fingerprint sensor according to an embodiment.
도 6은 실시예에 따른 지문 센서에서 제 1 기재의 벤딩을 설명하기 위한 단면도를 도시한 도면이다.FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a bending of a first substrate in a fingerprint sensor according to an embodiment. FIG.
도 7은 다른 실시예에 따른 지문 센서의 압전 부재의 사시도를 도시한 도면이다.7 illustrates a perspective view of a piezoelectric member of a fingerprint sensor according to another exemplary embodiment.
도 8은 도 7의 A 영역의 확대 사시도를 도시한 도면이다.FIG. 8 is an enlarged perspective view of region A of FIG. 7.
도 9는 도 7의 A 영역의 확대 평면도를 도시한 도면이다.FIG. 9 is an enlarged plan view of region A of FIG. 7.
도 10은 다른 실시예에 따른 지문 센서의 평면도를 도시한 도면이다.10 is a plan view illustrating a fingerprint sensor according to another exemplary embodiment.
도 11은 도 10의 B-B' 영역을 절단한 단면도를 도시한 도면이다.FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 10.
도 12는 도 10의 C 영역의 확대 평면도를 도시한 도면이다.FIG. 12 is an enlarged plan view of region C of FIG. 10.
도 13은 도 10의 D 영역의 확대 평면도를 도시한 도면이다.FIG. 13 is an enlarged plan view of the region D of FIG. 10.
도 14 내지 도 16은 다른 실시예에 따른 지문 센서의 압전 부재의 제조 공정을 설명하기 위한 도면들이다.14 to 16 are views for explaining a manufacturing process of the piezoelectric member of the fingerprint sensor according to another embodiment.
도 17은 실시예에 따른 지문 센서가 적용되는 디스플레이 패널의 일 단면도를 도시한 도면이다.17 illustrates a cross-sectional view of a display panel to which a fingerprint sensor according to an embodiment is applied.
도 18 내지 도 21은 실시예들에 따른 지문 센서가 적용되는 다양한 실시예들을 도시한 도면들이다.18 to 21 illustrate various embodiments to which the fingerprint sensor according to the embodiments is applied.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of embodiments, each layer, region, pattern, or structure may be “on” or “under” the substrate, each layer, region, pad, or pattern. Substrate formed in ”includes all formed directly or through another layer. Criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer will be described with reference to the drawings.
또한, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다. In addition, when a part is "connected" with another part, this includes not only the case where it is "directly connected" but also the case where it is "indirectly connected" with the other member in between. In addition, when any part "includes" any component, this means that it is possible to further include other components, not to exclude other components unless otherwise stated.
도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer (film), region, pattern, or structure may be modified for clarity and convenience of description, and thus do not necessarily reflect the actual size.
이하, 도면들을 참조하여, 실시예에 따른 지문 센서를 설명한다.Hereinafter, a fingerprint sensor according to an embodiment will be described with reference to the drawings.
도 1을 참조하면, 실시예에 따른 지문 센서는 커버 기재(100), 기재, 압전 부재(400) 및 전극을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the fingerprint sensor according to the embodiment may include a
상기 커버 기재(100)는 리지드(rigid)하거나 또는 플렉서블(flexible)할 수 있다. 바람직하게는, 상기 커버 기재(1000)는 휘어지거나(bending) 접힐 수 있도록(foldable) 플렉서블할 수 있다.The
예를 들어, 상기 커버 기재(100)는 플라스틱을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 커버 기재(1000)는 폴리이미드(Polyimide, PI), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 프로필렌 글리콜(propylene glycol, PPG) 폴리 카보네이트(PC) 등의 강화 혹은 연성 플라스틱을 포함하거나 사파이어를 포함할 수 있다. For example, the
또한, 상기 커버 기재(100)는 광등방성 필름을 포함할 수 있다. 일례로, 상기 커버 기재(100)는 COC(Cyclic Olefin Copolymer), COP(Cyclic Olefin Polymer), 광등방 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 또는 광등방 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등을 포함할 수 있다.In addition, the
사파이어는 유전율 등 전기 특성이 매우 뛰어나 터치 반응 속도를 획기적으로 올릴수 있을 뿐 아니라 호버링(Hovering) 등 공간 터치를 쉽게 구현 할 수 있고 표면 강도가 높아 커버 기판으로도 적용 가능한 물질이다. 여기서, 호버링이란 디스플레이에서 약간 떨어진 거리에서도 좌표를 인식하는 기술을 의미한다.Sapphire is a material that can be used as a cover substrate because of its excellent electrical properties such as permittivity, which can dramatically increase the touch response speed, and can easily implement spatial touch such as hovering and high surface strength. Here, hovering refers to a technique of recognizing coordinates even at a distance far from the display.
상기 커버 기재 상에는 색상을 가지는 데코층이 더 배치될 수 있다. 예를 들어, 커버 기재의 일 영역에 배치되는 상기 지문센서의 주변 부품 또는 패키지의 색과 커버 기재의 색상을 매칭시키기 위해 커버 기재의 일 영역에는 이러한 색상 구현을 위한 데코층이 더 배치될 수 있다. A deco layer having a color may be further disposed on the cover substrate. For example, a decoration layer for implementing such a color may be further disposed in one region of the cover substrate to match the color of the cover substrate with the color of the peripheral component or package of the fingerprint sensor disposed in the region of the cover substrate. .
상기 기재는 상기 커버 기재(100)의 하부에 배치될 수 있다. 상기 기재는 제 1 기재(210) 및 제 2 기재(220)을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 기재(210)는 상기 커버 기재(100)의 하부에 배치되는 상기 제 1 기재(210) 및 상기 제 1 기재(210)의 하부에 배치되는 상기 제 2 기재(220)를 포함할 수 있다.The substrate may be disposed below the
상기 제 1 기재(210) 및 상기 제 2 기재(220)는 플라스틱을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 기재(210) 및 상기 제 2 기재(220)는 폴리이미드(PI) 등의 수지 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 기재(210) 및 상기 제 2 기재(220)는 인쇄회로기판을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 기재(210) 및 상기 제 2 기재(220)는 플렉서블 인쇄회로기판(FPCB)을 포함할 수 있다.The
상기 제 1 기재(210) 및 상기 제 2 기재(220)의 두께는 약 30㎛ 이하일 수 있다.The thickness of the
상기 제 1 기재(210) 및 상기 제 2 기재(220)는 서로 다른 폭으로 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 기재(210)의 폭은 상기 제 2 기재(220)의 폭보다 클 수 있다.The
상기 제 1 기재(210)의 폭 및 위치에 대해서는 이하에서 상세하게 설명한다.The width and position of the
상기 압전 부재(400)는 상기 커버 기재(100)의 하부에 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 압전 부재(400)는 상기 제 1 기재(210)의 하부에 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 압전 부재(400)는 상기 제 1 기재(210) 및 상기 제 2 기재(220)의 사이에 배치될 수 있다.The
상기 압전 부재(400)는 다양한 압전 소재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 압전 부재(400)는 단결정 세라믹스, 다결정 세라믹스, 고분자 재료, 박막 재료 또는 다결정재료와 고분자 재료를 복합한 복합 재료 등을 포함할 수 있다.The
상기 단결정 세라믹스의 압전 소재로는 α-AlPO4, α-SiO2, LiTiO3, LiNbO3, SrxBayNb2O3, Pb5-Ge3O11, Tb2(MnO4)3, Li2B4O7, CdS, ZnO, Bi12SiO20 또는 Bi12GeO20을 포함할 수 있다.The piezoelectric material of the single crystal ceramics may include α-AlPO 4, α-SiO 2, LiTiO 3, LiNbO 3, SrxBayNb 2 O 3, Pb5-Ge 3 O 11, Tb 2 (MnO 4) 3, Li 2 B 4 O 7, CdS, ZnO, Bi12SiO20 or Bi12GeO20.
또한, 상기 다결정 세라믹스의 압전 소재로는 PZT계, PT계, PZT-Complex Perovskite계 또는 BaTiO3을 포함할 수 있다.In addition, the piezoelectric material of the polycrystalline ceramics may include PZT-based, PT-based, PZT-Complex Perovskite-based, or BaTiO3.
또한, 상기 고분자 재료의 압전 소재로는, PVDF, P(VDF-TrFe), P(VDFTeFE) 또는 TGS를 포함할 수 있다.In addition, the piezoelectric material of the polymer material may include PVDF, P (VDF-TrFe), P (VDFTeFE), or TGS.
또한, 상기 박막 재료의 압전 소재로는, ZnO, CdS 또는 AlN을 포함할 수 있다.In addition, the piezoelectric material of the thin film material may include ZnO, CdS or AlN.
또한, 상기 복합 재료의 압전 소재로는, PZT-PVDF, PZT-Silicon Rubber, PZT-Epoxy, PZT-발포 polymer 또는 PZT-발포 우레탄을 포함할 수 있다.In addition, the piezoelectric material of the composite material may include PZT-PVDF, PZT-Silicon Rubber, PZT-Epoxy, PZT-foaming polymer or PZT-foaming urethane.
실시예에 따른 압전 부재(400)는 다결정 세라믹스의 압전 소재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 실시예에 따른 압전 부재(400)는 PZT계, PT계, PZT-Complex Perovskite계 또는 BaTiO3을 포함할 수 있다.The
도 2를 참조하면, 상기 압전 부재(400)는 복수 개의 필러(pillar)들을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 압전 부재(400)는 복수 개의 압전 기둥(410)들을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, the
상기 압전 기둥(410)들은 서로 이격하여 배치될 수 있다. 즉, 상기 압전 기둥(410)들은 서로 접촉하지 않고 배치될 수 있다.The
상기 압전 기둥(410)들은 행과 열을 가지면서 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 압전 기둥(410)들은 복수의 행 방향 및 복수의 열 방향으로 연장하며 배치될 수 있다.The
예를 들어, 상기 압전 기둥(410)들은 약 50㎛ 이하의 간격으로 이격하여 배치될 수 있다. 또한, 상기 압전 기둥(410)들의 사이에는 수지 물질(420)이 배치될 수 있다. 즉, 상기 수지 물질(420)은 상기 압전 기둥(410)들을 둘러싸며 배치될 수 있다. 즉, 상기 압전 기둥(410)들은 상기 수지 물질(420)에 의해 지지될 수 있다. For example, the
도 3을 참조하면, 실시예에 따른 지문 센서에는 유효 영역(AA) 및 비유효 영역(UA)이 정의될 수 있다.Referring to FIG. 3, an effective area AA and an invalid area UA may be defined in a fingerprint sensor according to an exemplary embodiment.
*상기 유효 영역(AA)은 지문 인식이 되는 영역일 수 있다. 또한, 상기 유효 영역(AA) 주위에 배치되는 상기 비유효 영역(UA)은 지문 인식이 되지 않는 영역일 수 있다.The effective area AA may be an area for fingerprint recognition. In addition, the invalid area UA disposed around the effective area AA may be an area where fingerprint recognition is not performed.
자세하게, 상기 유효 영역(AA)에 손가락이 접근하거나 또는 접촉하면, 상기 유효 영역에서 송신 및 수신되는 초음파에 의해 지문이 인식될 수 있다. 상기 지문 센서의 구동 원리에 대해서는 이하에서 상세하게 설명한다.In detail, when a finger approaches or contacts the effective area AA, a fingerprint may be recognized by ultrasonic waves transmitted and received in the effective area. The driving principle of the fingerprint sensor will be described in detail below.
상기 전극은 상기 기재의 일면 상에 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 전극은 제 1 전극(310) 및 제 2 전극(320)을 포함할 수 있다.The electrode may be disposed on one surface of the substrate. In detail, the electrode may include a
상기 제 1 전극(310)은 상기 제 1 기재(210)의 일면 상에 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 전극(310)은 상기 제 1 기재(210)와 상기 압전 부재(400) 사이에 배치될 수 있다.The
또한, 상기 제 2 전극(320)은 상기 제 2 기재(220)의 일면 상에 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 전극(320)은 상기 제 2 기재(220)와 상기 압전 부재(400) 사이에 배치될 수 있다.In addition, the
상기 제 1 전극(310) 및 상기 제 2 전극(320)은 상기 압전 부재(400)의 유효 영역과 대응되는 영역 상에 배치될 수 있다.The
상기 제 1 전극(310) 및 상기 제 2 전극(320)은 전도성 물질을 포함할 수 있다.The
예를 들어, 상기 제 1 전극(310) 및 상기 제 2 전극(320)은 인듐 주석 산화물(indium tin oxide), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide), 구리 산화물(copper oxide), 주석 산화물(tin oxide), 아연 산화물(zinc oxide), 티타늄 산화물(titanium oxide) 등의 금속 산화물을 포함할 수 있다.For example, the
또는, 상기 제 1 전극(310) 및 상기 제 2 전극(320)은 나노와이어, 감광성 나노와이어 필름, 탄소나노튜브(CNT), 그래핀(graphene), 전도성 폴리머 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. Alternatively, the
또는, 상기 제 1 전극(310) 및 상기 제 2 전극(320)은 다양한 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 감지전극(200)은 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 몰리브덴(Mo). 금(Au), 티타튬(Ti) 및 이들의 합금 중 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다. Alternatively, the
또는, 상기 제 1 전극(310) 및 상기 제 2 전극(320)은 메쉬 형상으로 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 전극(310) 및 상기 제 2 전극(320) 중 적어도 하나의 전극은 복수 개의 서브 전극들을 포함할 수 있고, 상기 서브 전극들은 메쉬 형상으로 서로 교차하면서 배치될 수 있다.Alternatively, the
자세하게, 상기 제 1 전극(310) 및 상기 제 2 전극(320)은 메쉬 형상으로 서로 교차하는 복수 개의 서브 전극들에 의해 메쉬선(LA) 및 상기 메쉬선(LA) 사이의 메쉬 개구부(OA)를 포함할 수 있다. In detail, the
상기 메쉬선(LA)의 선폭은 약 0.1㎛ 내지 약 10㎛일 수 있다. 상기 메쉬선(LA)의 선폭이 약 0.1㎛ 미만인 메쉬선은 제조 공정 상 불가능할 수 있고, 약 10㎛를 초과하는 경우, 터치 전극 패턴이 외부에서 시인되어 시인성이 저하될 수 있다. 자세하게, 상기 메쉬선(LA)의 선폭은 약 1㎛ 내지 약 5㎛일 수 있다. 더 자세하게, 상기 메쉬선(LA)의 선폭은 약 1.5㎛ 내지 약 3㎛일 수 있다. The line width of the mesh line LA may be about 0.1 μm to about 10 μm. A mesh line having a line width of less than about 0.1 μm may be impossible in the manufacturing process. When the mesh line LA exceeds about 10 μm, the touch electrode pattern may be visually recognized from the outside, thereby reducing visibility. In detail, the line width of the mesh line LA may be about 1 μm to about 5 μm. In more detail, the line width of the mesh line LA may be about 1.5 μm to about 3 μm.
또한, 상기 메쉬선(LA)의 두께는 약 100㎚ 내지 약 1000㎚ 일 수 있다. 상기 메쉬선의 두께가 약 100㎚ 미만인 경우, 전극 저항이 높아져서 전기적 특성이 저하될 수 있고, 약 1000㎚을 초과하는 경우, 지문 센서의 전체적인 두께가 두꺼워지고, 공정 효율이 저하될 수 있다. 자세하게, 상기 메쉬선(LA)의 두께는 약 150㎚ 내지 약 500㎚일 수 있다. 더 자세하게, 상기 메쉬선(LA)의 두깨는 약 180㎚ 내지 약 200㎚일 수 있다.In addition, the thickness of the mesh line LA may be about 100 nm to about 1000 nm. When the thickness of the mesh line is less than about 100 nm, the electrode resistance may be increased to reduce the electrical characteristics. When the thickness of the mesh line is greater than about 1000 nm, the overall thickness of the fingerprint sensor may be thick and the process efficiency may be reduced. In detail, the thickness of the mesh line LA may be about 150 nm to about 500 nm. In more detail, the thickness of the mesh line LA may be about 180 nm to about 200 nm.
또한, 상기 메쉬 개구부는 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 메쉬 개구부(OA)는 사각형, 다이아몬드형, 오각형, 육각형의 다각형 형상 또는 원형 형상 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 메쉬 개구부는 규칙적인(regular) 형상 또는 랜덤(random)한 형상으로 형성될 수 있다.In addition, the mesh opening may be formed in various shapes. For example, the mesh opening OA may have various shapes such as a polygonal shape or a circular shape of a square, diamond, pentagon, and hexagon. In addition, the mesh opening may be formed in a regular shape or a random shape.
상기 제 1 전극(310) 및 상기 제 2 전극(320)이 메쉬 형상을 가짐으로써, 유효 영역 일례로, 디스플레이 영역 상에서 상기 전극의 패턴이 보이지 않게 할 수 있다. 즉, 상기 전극이 금속으로 형성되어도, 패턴이 보이지 않게 할 수 있다. 또한, 상기 전극이 대형 크기의 지문 센서 디바이스에 적용되어도 지문 센서 디바이스의 저항을 낮출 수 있다.Since the
상기 제 1 전극(310)은 제 1 방향으로 연장하며 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 전극(310)은 제 1 방향으로 연장하며 배치되는 복수 개의 제 1 전극 패턴(311)을 포함할 수 있다.The
또한, 상기 제 2 전극(320)은 제 2 방향으로 연장하며 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 전극(320)은 상기 제 1 방향과 다른 상기 제 2 방향으로 연장하며 배치되는 복수 개의 제 2 전극 패턴(321)을 포함할 수 있다.In addition, the
상기 제 1 전극 패턴(311)의 선폭(LW1) 및 상기 제 2 전극 패턴(321)의 선폭(LW2)은 약 20㎛ 내지 약 70㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 전극 패턴(311) 및 상기 제 2 전극 패턴(321)의 선폭은 약 30㎛ 내지 약 50㎛일 수 있다.The line width LW1 of the
상기 제 1 전극 패턴(311) 및 상기 제 2 전극 패턴(321)의 선폭은 약 20㎛ 미만인 경우, 압전 부재에 전달되는 에너지가 감소되고, 이에 따라 출력이 저하되어 지문센싱 감도가 저하될 수 있다. 또한, 상기 제 1 전극 패턴(311) 및 상기 제 2 전극 패턴(321)의 선폭은 약 70㎛을 초과하는 경우, 압전 부재의 해상도가 저하될 수 있다.When the line widths of the
또한, 상기 제 1 전극 패턴(311)들은 서로 이격하며 배치될 수 있고, 상기 제 1 전극 패턴(311)들의 이격 거리(d1)는 약 40㎛ 내지 100㎛일 수 있다.In addition, the
또한, 상기 제 2 전극 패턴(321)들은 서로 이격하며 배치될 수 있고, 상기 제 2 전극 패턴(321)들의 이격 거리(d2)는 약 40㎛ 내지 100㎛일 수 있다.In addition, the
상기 제 1 전극 패턴(311)들 및 상기 제 2 전극 패턴(321)을 약 40㎛ 미만으로 이격하여 배치되는 경우, 지문 센싱 감도가 저하될 수 있고, 약 100㎛을 초과하는 경우 압전 부재의 해상도가 저하될 수 있다.When the
상기 제 1 전극 패턴(311)과 상기 제 2 전극 패턴(312)은 서로 교차하는 방향으로 연장하며 배치될 수 있다. 즉, 상기 제 1 전극 패턴(311) 및 상기 제 2 전극 패턴(312)은 상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향으로 연장하며 교차되고, 상기 제 1 전극 패턴(311) 및 상기 제 2 전극 패턴(312)에 의해 교차되는 복수 개의 노드 영역(N)들이 형성될 수 있다.The
도 2에서는 상기 제 1 전극 패턴(311) 및 제 2 전극 패턴(321)이 바(bar) 패턴으로 형성되는 것에 대해 도시하였으나, 실시예는 이에 제한되지 않고, 상기 제 1 전극 패턴(311) 및 제 2 전극 패턴(321)은 사각형, 다이아몬드, 오각형, 육각형 등의 다각형 또는 원형 등 다양한 형상의 패턴으로 형성될 수 있다.In FIG. 2, the
상기 제 1 전극 패턴(311) 및 상기 제 2 전극 패턴(321)의 폭은 상기 압전 기둥(410)의 폭 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 노드 영역(N)의 폭은 상기 압전 기둥(410)의 폭 이하일 수 있다.Widths of the
또한, 상기 각각의 노드 영역(N)은 상기 압전 기둥(410)과 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 즉, 상기 노드 영역(N)의 위치와 상기 압전 기둥(410)의 위치는 중첩될 수 있다. 즉, 상기 노드 영역(N)과 대응되는 상기 압전 부재(400)의 영역에는 상기 압전 기둥(410)이 배치될 수 있다.In addition, each node region N may be disposed at a position overlapping with the
상기 노드 영역(N)에서는 상기 압전 부재(400) 방향으로 접근 또는 접촉하는 물체에 의해 신호를 송신하거나 수신할 수 있다. 자세하게, 상기 노드 영역(N)에서는 초음파 신호를 송신 및 수신할 수 있다. 즉, 상기 노드 영역(N)은 손가락의 접근 또는 접촉에 따라 지문을 인식하는 센서일 수 있다.In the node region N, a signal may be transmitted or received by an object approaching or contacting the
상기 노드 영역(N)은 상기 압전 부재(400) 상에 적어도 하나 이상 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 노드 영역(N)은 상기 압전 부재(400) 상에 복수 개 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 노드 영역(N)은 상기 압전 기재에 대해 약 400 dpi 내지 약 500 dpi의 해상도로 형성될 수 있다.At least one node region N may be formed on the
이에 따라, 상기 노드 영역(N)들의 간격은 약 100㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 노드 영역(N)은 서로 인접하는 노드 영역들을 포함할 수 있고, 상기 제 노드 영역들은 약 100㎛ 이하의 간격으로 이격될 수 있다.Accordingly, the spacing of the node regions N may be about 100 μm or less. For example, the node area N may include node areas adjacent to each other, and the node areas may be spaced at intervals of about 100 μm or less.
예를 들어, 상기 노드 영역(N)을 형성하는 제 1 전극(310)들의 제 1 간격 및 상기 제 2 전극(320)들의 제 2 간격 중 적어도 하나의 간격은 약 100㎛ 이하, 자세하게, 약 70㎛ 이하, 더 자세하게, 약 50㎛ 이하의 간격으로 이격될 수 있다.For example, at least one of the first interval of the
상기 노드 영역(N)들의 간격이 약 50㎛을 초과하는 경우 노드 영역(N)들의 해상도가 저하될 수 있고, 이에 따라, 노드 영역(N)들에서 송신 및 수신되는 초음파 신호가 약해 지문을 정확하게 인식할 수 없어 지문 센서의 신뢰성이 저하될 수 있다.When the spacing of the node regions N exceeds about 50 μm, the resolution of the node regions N may be degraded. Accordingly, an ultrasonic signal transmitted and received in the node regions N may be weak so that a fingerprint may be accurately corrected. It may not be recognized and the reliability of the fingerprint sensor may be degraded.
상기 노드 영역(N)은 초음파 신호의 송신 및 수신의 역할을 동시에할 수 있다. 자세하게, 손가락이 접촉 또는 접근하는 경우, 상기 노드 영역(N)에서는 초음파 신호가 손가락 방향으로 송신될 수 있고, 상기 손가락에서 반사되는 초음파 신호들은 다시 상기 노드 영역(N)으로 수신될 수 있다. 실시예에 따른 지문 센서는 이러한 송신 및 수신의 신호 차이로 인해 손가락의 지문을 인식할 수 있다.The node region N may simultaneously play a role of transmitting and receiving an ultrasonic signal. In detail, when a finger touches or approaches, an ultrasonic signal may be transmitted in the direction of the finger in the node region N, and the ultrasonic signals reflected from the finger may be received in the node region N again. The fingerprint sensor according to the embodiment may recognize the fingerprint of the finger due to the signal difference between the transmission and the reception.
도 4는 손가락의 접촉 또는 접근에 따른 지문 센서의 구동을 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining the driving of the fingerprint sensor according to the contact or approach of the finger.
도 4를 참조하면, 외부의 제어부로부터 압전 부재(400)의 일면 및 타면에 배치되는 제 1 전극(310) 및 제 2 전극(320)에 초음파 대역의 공진 주파수를 가지는 전압이 인가되어, 압전 부재(400)에 초음파 신호를 발생시킬 수 있다. 자세하게, 상기 압전 부재(400)에 전압이 인가되면, 상기 압전 부재(400)의 압전 기둥(410)들에 형태 변형 즉, 진동을 할 수 있고, 이러한 진동에 의해 초음파 신호를 발생시킬 수 있다.Referring to FIG. 4, a voltage having a resonant frequency of an ultrasonic band is applied to the
이러한 초음파 신호는 손가락 등이 접촉 또는 접근하지 않는 경우에는, 초음파 신호가 방출되는 압전 부재(400)의 노드(N)와 공기 사이의 음향 임피던스 차이로 인해, 압전 부재(400)의 노드(N)에서 송신되는 초음파 신호의 대부분이 압전 센서(200)와 공기의 계면을 통과하지 못하고 압전 부재(400) 내부로 되돌아 온다. When the finger or the like does not touch or approach the ultrasonic signal, the node N of the
반면에, 도 4와 같이 손가락이 접촉 또는 접근하는 경우에는 압전 부재(400)의 노드(N)에서 송신되는 초음파 신호의 일부가 손가락의 피부와 압전 부재(400)의 경계면을 뚫고 손가락 내부로 진행하게 되며, 따라서 반사되어 돌아오는 신호의 강도가 낮아져 이로부터 지문 패턴을 감지할 수 있다.On the other hand, when the finger touches or approaches as shown in FIG. 4, a part of the ultrasonic signals transmitted from the node N of the
육안으로는 확인이 어려우나, 손가락의 지문은 수많은 골과 마루가 반복되어 나타나는 패턴을 가질 수 있으며, 골과 마루가 반복되면서 높이 차를 가질 수 있다. 따라서, 도 4에 도시되었듯이, 지문의 골(710)에서는 압전 부재(400)가 피부와 직접 맞닿지 않으며, 지문의 마루(620)에서는 압전 부재(400)가 피부와 직접 맞닿게 될 수 있다.Although it is difficult to check with the naked eye, the fingerprint of a finger may have a pattern in which numerous valleys and floors are repeated, and the height difference may be repeated as the valleys and floors are repeated. Therefore, as illustrated in FIG. 4, the
이에 따라, 지문의 골(710)에 대응하는 압전 부재(400)의 노드(N)에서 송신되는 초음파 신호는 외부로 극히 적은 신호만이 방출되고 거의 대부분의 초음파 신호가 내부로 반사되어 상기 노드(N)로 다시 수신되고, 지문의 마루(720)에 대응하는 압전 부재(400)의 노드(N)에서 방출되는 초음파 신호는 상당량이 손가락 경계면을 통과하고 진행하여 반사되어 다시 노드(N)로 수신되는 초음파 신호의 강도가 상대적으로 크게 감소한다. Accordingly, the ultrasonic signal transmitted from the node N of the
따라서, 각각의 노드(N)에서 지문의 골(710)과 마루(720)에 따른 음향 임피던스 차이로부터 발생하는 초음파 신호가 수신되는 반사 신호의 세기 또는 반사 계수를 측정함으로써 손가락의 지문 패턴을 감지할 수 있다.Accordingly, the fingerprint pattern of the finger may be detected by measuring the intensity or the reflection coefficient of the reflected signal from which the ultrasonic signal generated from the acoustic impedance difference along the
도 1 및 도 5를 참조하면, 상기 전극과 상기 압전 부재(400) 사이에는 전도성 부재가 더 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 전극(310)과 상기 압전 부재(400) 사이에는 제 1 전도성 부재(510)가 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 전극(320)과 상기 압전 부재(400) 사이에는 제 2 전도성 부재(520)가 배치될 수 있다.1 and 5, a conductive member may be further disposed between the electrode and the
상기 제 1 전도성 부재(510) 및 상기 제 2 전도성 부재(520)는 상기 압전 부재(400)의 유효 영역과 대응되는 영역 상에 배치될 수 있다.The first
상기 제 1 전도성 부재(510) 및 상기 제 2 전도성 부재(520)는 전도성 필름을 포함할 수 있다. 상기 제 1 전도성 부재(510) 및 상기 제 2 전도성 부재(520)는는 전도성 입자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 전도성 부재(510) 및 상기 제 2 전도성 부재(520)는 약 2㎛ 내지 약 10㎛의 입경을 가지는 전도성 입자들을 포함할 수 있다The first
예를 들어, 상기 제 1 전도성 부재(510) 및 상기 제 2 전도성 부재(520)는 이방 전도성 필름(ACF)를 포함할 수 있다.For example, the first
상기 제 1 전도성 부재(510)는 상기 제 1 전극(310)과 상기 압전 부재(400) 사이에 배치되어 상기 제 1 전극(310)과 상기 압전 부재(400)를 접착할 수 있다. 또한, 상기 제 1 전도성 부재(510)는 상기 압전 부재(400) 상에 배치되어, 상기 압전 부재(400)의 복수 개의 압전 기둥(410)들을 서로 연결시킬 수 있다.The first
또한, 상기 제 2 전도성 부재(520)는 상기 제 2 전극(320)과 상기 압전 부재(400) 사이에 배치되어 상기 제 2 전극(320)과 상기 압전 부재(400)를 접착할 수 있다. 또한, 상기 제 2 전도성 부재(520)는 상기 압전 부재(400) 상에 배치되어, 상기 압전 부재(400)의 복수 개의 압전 기둥(410)들을 서로 연결시킬 수 있다.In addition, the second
즉, 상기 제 1 전도성 부재(510) 및 상기 제 2 전도성 부재(520)는 접착 역할 및 전기적인 연결 역할을 동시에 할 수 있다.That is, the first
상기 제 2 기재(220)의 하부에는 주문형 직접 회로(applicatoin-specific integrated circuit; ASIC, 600)가 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 기재(220)의 하부에는 상기 제 2 기재(220)와 접촉하며 배치되는 상기 주문형 직접 회로(600)가 배치될 수 있다.An application specific integrated circuit (ASIC) 600 may be disposed under the
상기 주문형 집적 회로(600)는 활성면 및 비활성면을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 주문형 직접 회로(600)는 회로를 포함하는의 활성면 및 회로를 포함하지 않는 비활성면을 포함할 수 있다.The application specific
예를 들어, 상기 주문형 집적 회로(600)의 활성면은 프로세싱 회로 및/또는 센서를 포함하거나, 상기 주문형 집적 회로(600)의 상부 또는 내부에 배치되는 감지 디바이스 등을 포함할 수 있다.For example, the active surface of the application specific
상기 주문형 집적 회로(600)는 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(gallium arsenide), SiC(silicon carbide) 그래핀 또는 임의의 유기 반도체 물질과 같은 기판을 포함할 수 있다.The application specific
또한, 상기 기판의 상부 또는 상기 기판의 내부에는 적어도 하나 이상의 회로가 배치될 수 있다.In addition, at least one circuit may be disposed on the substrate or inside the substrate.
예를 들어, 상기 기판의 상부 또는 상기 기판의 내부의 회로는 게이트 어레이(gate array) 스탠다드 셀(standard cell)을 포함할 수 있으며, 예를 들어, 상기 회로는 구현하고자 하는 특정 동작을 수행하도록 구성될 수 있다. 또한 상기 게이트 어레이 또는 스탠다드 셀과 연결되는 복수의 입력단자 및 복수의 출력단자를 더 포함할 수 있다. 상기 입력 단자는 상기 제 1 기재(210) 및 상기 제 2 기재(220)와 연결될 수 있고, 상기 출력 단자는 외부의 메인보드와 연결될 수 있다.For example, circuitry on top of or within the substrate may comprise a gate array standard cell, for example the circuitry is configured to perform a particular operation to be implemented. Can be. The apparatus may further include a plurality of input terminals and a plurality of output terminals connected to the gate array or the standard cell. The input terminal may be connected to the
도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 제 1 기재(210) 및 상기 제 2 기재(220)는 상기 주문형 직접 회로(600)와 연결되며 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 기재(210) 및 상기 제 2 기재(220)는 상기 주문형 직접 회로(600)와 전기적으로 연결되며 배치될 수 있다.5 and 6, the
자세하게, 상기 제 2 기재(220)의 하부면은 상기 주문형 직접 회로(600)와 접촉하며 배치될 수 있다.In detail, the bottom surface of the
상기 제 1 기재(210)의 폭(W1)과 상기 제 2 기재(220)의 폭(W2)은 서로 다를 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 기재(210)의 폭(W1)은 상기 제 2 기재(220)의 폭(W2)보다 클 수 있다. 여기서, 폭은 기재의 가로 폭 및 세로 폭 중 적어도 하나의 폭으로 정의될 수 있다.The width W1 of the
상기 제 1 기재(210)는 일 방향으로 벤딩되어, 상기 주문형 직접 회로(600)와 연결될 수 있다.The
예를 들어, 상기 제 1 기재(210)는 전극부(211) 및 연결부(212)를 포함할 수 있다. 상기 전극부(211) 상에는 상기 제 1 전극(310)이 배치될 수 있다. 또한, 상기 연결부(212)는 상기 주문형 직접 회로(600)와 연결될 수 있다.For example, the
자세하게, 도 6을 참조하면, 상기 연결부(212)는 일 방향으로 벤딩될 수 있다. 자세하게, 상기 연결부(212)는 상기 주문형 직접 회로(600)의 상면 방향으로 벤딩될 수 있다. 즉, 상기 연결부(212)는 상기 주문형 직접 회로(600)의 상면 방향으로 벤딩되어, 상기 주문형 직접 회로(600)의 상면과 접촉하며 연결될 수 있다.In detail, referring to FIG. 6, the
이에 따라, 상기 주문형 직접 회로(600)는 상기 제 1 기재(210) 및 상기 제 2 기재(220)와 연결될 수 있다Accordingly, the application specific
실시예에 따른 지문 센서는 상기 제 1 기재 상의 제 1 전극을 상기 주문형 직접 회로에 연결하기 위해 압전층에 비아홀 등을 형성하는 공정을 생략할 수 있다. 자세하게, 제 1 기재 및 제 2 기재는 전극이 배치되는 플렉서블 인쇄회로기판을 포함하고, 상기 제 1 기재가 벤딩되어 상기 주문형 직접 회로와 직접 연결되므로, 압전층이 홀 등을 형성하여, 1 전극과 주문형 직접회로를 연결하는 공정 등을 생략할 수 있다.The fingerprint sensor according to the embodiment may omit a process of forming a via hole or the like in the piezoelectric layer to connect the first electrode on the first substrate to the application specific integrated circuit. In detail, the first substrate and the second substrate include a flexible printed circuit board on which electrodes are disposed, and since the first substrate is bent and directly connected to the custom circuit, the piezoelectric layer forms holes and the like, The process of connecting a custom integrated circuit can be omitted.
이하, 도 7 내지 도 16을 참조하여, 다른 실시예에 따른 지문 센서를 설명한다. 다른 실시예에 따른 지문센서에 대한 설명에서는 앞서 설명한 실시예에 따른 지문 센서와 동일 유사한 설명에 대해서는 설명을 생략하며, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여한다.Hereinafter, a fingerprint sensor according to another exemplary embodiment will be described with reference to FIGS. 7 through 16. In the description of the fingerprint sensor according to another exemplary embodiment, the same description as that of the fingerprint sensor according to the above-described embodiment will be omitted, and the same reference numerals will be given to the same configuration.
도 7 내지 도 9를 참조하면, 상기 압전 부재(400)는 복수 개의 압전 섬유(430)들 및 수지층(420)을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 압전 부재(400)는 수지층(420) 및 상기 압전 소재를 포함하고, 상기 수지층(220)의 내부에 배치되는 복수 개의 압전 섬유(430)들을 포함할 수 있다.7 to 9, the
상기 압전 섬유(430)들은 상기 수지층(420)의 내부에 분산되며 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 수지층(420)은 상기 압전 섬유(430)들을 둘러싸며 배치될 수 있다.The
상기 압전 섬유(430)들은 일 방향으로 연장하며 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 압전 섬유(430)들은 상기 압전 부재의 일면에서 상기 일면과 반대되는 타면 방향으로 연장하며 배치될 수 있다.The
즉, 상기 압전 섬유(430)의 일단은 상기 제 1 전극을 향하여 배치되고, 상기 압전 섬유(430)의 타단은 상기 제 2 전극을 향하여 배치될 수 있다.That is, one end of the
상기 압전 섬유(430)의 두께(T)는 약 5㎛ 이하일 수 있다. 여기서 상기 압전 섬유의 두께(T)는 상기 압전 섬유의 일단에서 타단까지의 거리로 정의될 수 있다. 자세하게, 상기 압전 섬유(430)의 두께(T)는 약 500㎚ 내지 약 5㎛일 수 있다The thickness T of the
상기 압전 섬유의 두께가 약 5㎛을 초과하는 경우, 하나의 노드에 배치되는 압전 섬유들의 수가 감소되고, 이에 따라 지문센싱 감도가 저하될 수 있다.When the thickness of the piezoelectric fibers exceeds about 5 μm, the number of piezoelectric fibers disposed in one node may be reduced, thereby lowering the fingerprint sensing sensitivity.
도 10을 참조하면, 상기 압전 부재(200)에는 유효 영역(AA) 및 비유효 영역(UA)이 정의될 수 있다.Referring to FIG. 10, an effective area AA and an invalid area UA may be defined in the
상기 유효 영역(AA)은 지문 인식이 되는 영역일 수 있다. 또한, 상기 유효 영역(AA) 주위에 배치되는 상기 비유효 영역(UA)은 지문 인식이 되지 않는 영역일 수 있다.The effective area AA may be an area for fingerprint recognition. In addition, the invalid area UA disposed around the effective area AA may be an area where fingerprint recognition is not performed.
상기 전극은 상기 압전 부재(200) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 전극은 상기 압전 부재(200)의 일면 및 상기 일면과 반대되는 타면 중 적어도 하나의 면 상에 배치될 수 있다.The electrode may be disposed on the
도 5를 참조하면, 상기 전극은 제 1 전극(310) 및 제 2 전극(320)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 5, the electrode may include a
상기 제 1 전극(310) 및 상기 제 2 전극(320)은 서로 교차하며 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 전극(310)은 일 방향으로 연장하는 복수 개의 제 1 전극 패턴(311)을 포함하고, 상기 제 2 전극(320)은 상기 일 방향과 다른 방향으로 연장하는 복수 개의 제 2 전극 패턴(321)을 포함할 수 있다.The
이에 따라, 상기 제 1 전극(310) 및 상기 제 2 전극(320)은 서로 다른 방향으로 연장하는 상기 제 1 전극 패턴(311) 및 상기 제 2 전극 패턴(321)이 교차하는 노드 영역(N)을 형성할 수 있다.Accordingly, the
도 11을 참조하면, 상기 압전 부재(400) 상에는 노드 영역(N) 및 비노드 영역(UN)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 11, the
상기 압전 부재(400)는 상기 노드 영역(N) 및 상기 비노드 영역(UN)과 대응되는 영역 상에 배치되는 압전 섬유(430)들을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 압전 섬유(430)들은 상기 노드 영역(N) 및 상기 비노드 영역(UN)의 내부에 모두 배치될 수 있다.The
도 12 및 도 13을 참조하면, 상기 노드 영역(N)에 배치되는 상기 압전 섬유(430)들은 서로 이격하거나 또는 서로 접촉하며 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 노드 영역(N)에 배치되는 상기 압전 섬유(430)들은 서로 부분적으로 접촉하거나 또는 서로 접촉하지 않고, 일정한 거리로 이격하며 배치될 수 있다.12 and 13, the
또한, 상기 노드 영역(N)에 배치되는 상기 압전 섬유(430)들의 이격 거리는 서로 다를 수 있다. 자세하게, 상기 노드 영역(N)에 배치되는 상기 압전 섬유(430)들은 서로 랜덤한 거리로 이격하여 배치될 수 있다.In addition, the separation distance of the
예를 들어, 상기 노드 영역(N)에 배치되는 상기 압전 섬유(430)들의 이격 거리들은 서로 동일하거나 또는 서로 다른 거리로 이격될 수 있다.For example, the separation distances of the
즉, 상기 노드 영역(N)에 배치되는 상기 압전 섬유(430)들의 랜덤한 거리로 서로 이격하며 배치될 수 있다, 즉, 상기 노드 영역(N)에 배치되는 상기 압전 섬유(430)들의 이격거리는 불규칙할 수 있다.That is, the
예를 들어, 도 12를 참조하면, 상기 노드 영역(N)에 배치되는 압전 섬유들은 제 1-1 거리(d1-1), 제 1-2 거리(d1-2) 및 제 1-3 거리(d1-3) 등으로 이격하여 배치될 수 있다.For example, referring to FIG. 12, the piezoelectric fibers disposed in the node region N may include the first-first distance d1-1, the 1-2th distance d1-2, and the 1-3th distance ( d1-3) and the like can be spaced apart.
상기 제 1-1 거리(d1-1), 상기 제 1-2 거리(d1-2) 및 상기 제 1-3 거리(d1-3)는 서로 동일하거나 또는 서로 다를 수 있다.The first-first distance d1-1, the 1-2th distance d1-2, and the 1-3th distance d1-3 may be the same or different from each other.
또한, 도 9를 참조하면, 상기 비노드 영역(UN)에 배치되는 압전 섬유들은 제 2-1 거리(d2-1), 제 2-2 거리(d2-2) 및 제 2-3 거리(d2-3) 등으로 이격하여 배치될 수 있다.In addition, referring to FIG. 9, the piezoelectric fibers disposed in the non-node area UN may have a second-first distance d2-1, a second-second distance d2-2, and a second-second distance d2. -3) and may be spaced apart from each other.
상기 제 2-1 거리(d2-1), 상기 제 2-2 거리(d2-2) 및 상기 제 2-3 거리(d2-3)는 서로 동일하거나 또는 서로 다를 수 있다.The second-first distance d2-1, the second-second distance d2-2, and the second-second distance d2-3 may be the same or different from each other.
또한, 도 11 및 도 13을 참조하면, 상기 비노드 영역(UN)에 배치되는 상기 압전 섬유(430)들은 서로 이격하거나 또는 서로 접촉하며 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 비노드 영역(UN)에 배치되는 상기 압전 섬유(430)들은 서로 부분적으로 접촉하거나 또는 서로 접촉하지 않고, 일정한 거리로 이격하며 배치될 수 있다.11 and 13, the
또한, 상기 비노드 영역(UN)에 배치되는 상기 압전 섬유(430)들의 이격 거리는 서로 다를 수 있다. 자세하게, 상기 비노드 영역(UN)에 배치되는 상기 압전 섬유(430)들은 서로 랜덤한 거리로 이격하여 배치될 수 있다.In addition, the separation distance of the
예를 들어, 상기 비노드 영역(UN)에 배치되는 상기 압전 섬유(430)들의 이격 거리들은 서로 동일하거나 또는 서로 다른 거리로 이격될 수 있다.For example, the separation distances of the
또한, 상기 노드 영역(N)에 배치되는 상기 압전 섬유(430)들의 이격 거리는 상기 비노드 영역(UN)에 배치되는 상기 압전 섬유들의 이격 거리와 서로 다를 수 있다.In addition, the separation distance of the
자세하게, 상기 노드 영역(N)에 배치되는 상기 압전 섬유(430)들의 이격 거리는 상기 비노드 영역(UN)에 배치되는 상기 압전 섬유들의 이격 거리보다 작을 수 있다. 즉, 상기 압전 섬유(430)들은 상기 비노드 영역(UN)에 비해 상기 노드 영역(N)에서 더 촘촘하게 배치될 수 있다.In detail, the separation distance of the
또한, 상기 노드 영역(N)에 배치되는 상기 압전 섬유(430)들의 밀도와 상기 비노드 영역(UN)에 배치되는 상기 압전 섬유들의 밀도는 서로 다를 수 있다.In addition, the density of the
자세하게, 상기 노드 영역(N)에 배치되는 상기 압전 섬유(430)의 밀도는 상기 비노드 영역(UN)에 배치되는 상기 압전 섬유들의 밀도보다 클 수 있다. 즉, 상기 압전 섬유(430)들은 상기 비노드 영역(UN)에 비해 상기 노드 영역(N)에 더 많이 배치될 수 있다.In detail, the density of the
또한, 상기 노드 영역(N)에 배치되는 상기 압전 섬유(430)들의 수와 상기 비노드 영역(UN)에 배치되는 상기 압전 섬유들의 수는 서로 다를 수 있다.In addition, the number of
자세하게, 상기 하나의 노드 영역(N)에 배치되는 상기 압전 섬유(430)의 수는 상기 하나의 비노드 영역(UN)에 배치되는 상기 압전 섬유들의 수보다 클 수 있다.In detail, the number of the
다른 실시예에 따른 지문 센서는 압전 부재의 내부에 배치되는 압전 섬유의 수를 제어할 수 있다.The fingerprint sensor according to another embodiment may control the number of piezoelectric fibers disposed in the piezoelectric member.
자세하게, 상기 압전 부재의 영역 상에서 노드 영역에 배치되는 압전 섬유의 밀도 또는 중량을 상기 비노드 영역에 배치되는 압전 섬유의 밀도 또는 중량에 비해 더 크게할 수 있다.In detail, the density or weight of the piezoelectric fibers disposed in the node region on the region of the piezoelectric member may be greater than the density or weight of the piezoelectric fibers disposed in the non-node region.
이에 따라, 실질적으로 지문 센싱을 하는 영역인 노드 영역의 압전 섬유의 수를 증가시킴으로써, 지문 센서의 공정 효율 및 센싱 감도를 향상시킬 수 있다.Accordingly, by increasing the number of piezoelectric fibers in the node region, which is a region in which fingerprint sensing is performed, process efficiency and sensing sensitivity of the fingerprint sensor can be improved.
이하, 도 14 내지 도 16을 참조하여, 실시예에 따른 지문 센서의 압전 부재 제조 공정을 설명한다.Hereinafter, the piezoelectric member manufacturing process of the fingerprint sensor according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 14 to 16.
도 14를 참조하면, 압전 소재를 섬유 형상으로 가공 및 합성하여 복수 개의 압전 섬유(210)들을 제조할 수 있다. 이러한 압전 섬유(210)들은 서로 접촉하거나 접촉하지 않도록 랜덤한 거리로 이격하여 하나의 다발을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 14, a plurality of
이어서, 도 15를 참조하면, 수지층(420)에 상기 압전 섬유(430) 다발을 삽입할 수 있다. 상기 수지층(420)은 상기 압전 섬유(430)들을 감싸면서 배치될 수 있다. 상기 수지층(420)은 상기 압전 섬유(430)들을 둘러싸며 배치될 수 있다. 상기 압전 섬유(430)들은 상기 수지층(420)에 의해 상기 수지층(420)의 내부에서 기울어지지 않고 고정될 수 있다.Subsequently, referring to FIG. 15, the
이에 따라, 상기 수지층(420)의 내부에 복수 개의 압전 섬유(430)들이 배치되는 압전 부재(400)가 형성될 수 있다.Accordingly, the
이어서, 도 16을 참조하면, 상기 압전 부재(400)를 컷팅(cutting)할 수 있다. 자세하게, 상기 압전 부재(400)는 요구되는 크기에 따라 단위 압전 부재(400)들로 컷팅될 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 지문 센서에 적용되는 최종적인 압전 부재(400)가 형성될 수 있다.Subsequently, referring to FIG. 16, the
실시예에 따른 압전 부재 제조방법에 의해, 별도의 압전 소재 필러(pilar)를 형성하기 위한 패터닝 공정을 생략할 수 있고, 압전 부재를 단위 압전 부재의 크기에 따라 컷팅하여 제조할 수 있으므로, 공정 효율을 향상시킬 수 있다..By the piezoelectric member manufacturing method according to the embodiment, the patterning process for forming a separate piezoelectric material filler (pilar) can be omitted, and the piezoelectric member can be cut and manufactured according to the size of the unit piezoelectric member, so the process efficiency Can improve.
실시예에 따른 지문 센서는 표시 패널 등과 결합되어 디스플레이 패널에 적용될 수 있다.The fingerprint sensor according to the embodiment may be combined with a display panel and the like and applied to the display panel.
도 17을 참조하면, 실시예에 따른 디스플레이 패널은 커버 기재(100), 표시 패널(900) 및 지문 센서를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 17, the display panel according to the embodiment may include a
상기 커버 기재(100) 및 지문 센서는 앞서 설명한 내용과 동일 유사하므로 이하의 설명은 생략한다.Since the
상기 표시 패널(900)은 상기 커버 기재(100)의 하부에 배치될 수 있다. 상기 표시 패널(900)과 상기 커버 기재(100)는 광학용 투명 접착제 등의 접착층(800)을 통해 서로 접착될 수 있다.The
상기 표시 패널(900)은 제 1 기판(910) 및 제 2 기판(920)을 포함할 수 있다.The
상기 표시 패널(900)이 액정표시패널인 경우, 상기 표시 패널(900)은 박막트랜지스터(Thin Film Transistor,TFT)와 화소전극을 포함하는 제 1 기판(910)과 컬러필터층들을 포함하는 제 2 기판(920)이 액정층을 사이에 두고 합착된 구조로 형성될 수 있다. When the
또한, 상기 표시 패널(900)은 박막트랜지스터, 칼라필터 및 블랙매트릭스가 제 1 기판(910)에 형성되고, 제 2 기판(920)이 액정층을 사이에 두고 상기 제 1 기판(910)과 합착되는 COT(color filter on transistor)구조의 액정표시패널일 수도 있다. 즉, 상기 제 1 기판(910) 상에 박막 트랜지스터를 형성하고, 상기 박막 트랜지스터 상에 보호막을 형성하고, 상기 보호막 상에 컬러필터층을 형성할 수 있다. 또한, 상기 제 1 기판(910)에는 상기 박막 트랜지스터와 접촉하는 화소전극을 형성한다. 이때, 개구율을 향상하고 마스크 공정을 단순화하기 위해 블랙매트릭스를 생략하고, 공통 전극이 블랙매트릭스의 역할을 겸하도록 형성할 수도 있다.In addition, the
또한, 상기 표시 패널(900)이 액정표시패널인 경우, 상기 표시 장치는 상기 표시 패널(900) 배면에서 광을 제공하는 백라이트 유닛을 더 포함할 수 있다. In addition, when the
상기 표시 패널(900)이 유기전계발광표시패널인 경우, 상기 표시 패널(900)은 별도의 광원이 필요하지 않은 자발광 소자를 포함한다. 상기 표시 패널(900)은 제 1 기판(910) 상에 박막트랜지스터가 형성되고, 상기 박막트랜지스터와 접촉하는 유기발광소자가 형성된다. 상기 유기발광소자는 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 형성된 유기발광층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 유기발광소자 상에 인캡슐레이션을 위한 봉지 기판 역할을 하는 제 2 기판(920)을 더 포함할 수 있다.When the
앞서 설명한 상기 지문 센서는 상기 표시 패널(900)의 하부에 배치될 수 있다.The fingerprint sensor described above may be disposed under the
실시예들에 따른 지문 센서는 잠금 장치에 적용될 수 있다. 예를 들어, 실시예들에 따른 지문 센서는 전자 제품 등에 적용되어 잠금장치로서 적용될 수 있다.The fingerprint sensor according to the embodiments may be applied to the locking device. For example, the fingerprint sensor according to the embodiments may be applied to an electronic product or the like and applied as a locking device.
자세하게, 도 18에 도시되어 있듯이, 실시예들에 따른 지문 센서는 도어락 에 결합되어 도어락의 잠금 장치로 적용될 수 있다. 또는, 도 19와 같이 핸드폰과 결합되어 핸드폰의 잠금 장치에 적용될 수 있다.In detail, as shown in FIG. 18, the fingerprint sensor according to the embodiments may be coupled to the door lock and applied as a locking device of the door lock. Alternatively, it may be combined with the mobile phone as shown in FIG. 19 and applied to the locking device of the mobile phone.
또는, 실시예들에 따른 지문 센서는 전원 장치에 적용될 수 있다. 예를 들어, 실시예들에 따른 지문 센서는 가전 기기, 차량 등에 적용될 수 있다.Alternatively, the fingerprint sensor according to the embodiments may be applied to a power supply device. For example, the fingerprint sensor according to the embodiments may be applied to a home appliance, a vehicle, and the like.
자세하게, 도 20과 같이 에어컨 등의 가전 기기에 결합되어 전원 장치로서 적용될 수 있다. 또는, 도 21과 같이 차량 등에 적용되어 차량의 시동 장치, 카오디오 등의 전원 장치에 적용될 수 있다.In detail, as shown in FIG. 20, the power supply device may be combined with a home appliance such as an air conditioner. Alternatively, the present invention may be applied to a vehicle or the like as shown in FIG. 21, and may be applied to a power supply device such as a starting device or a car audio of a vehicle.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. In addition, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, contents related to such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the present invention.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the above description has been made with reference to the embodiments, which are merely examples and are not intended to limit the present invention, and those skilled in the art to which the present invention pertains may be illustrated as above without departing from the essential characteristics of the present embodiments. It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.
Claims (10)
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|---|---|---|---|---|
| KR20130107640A (en) * | 2012-03-22 | 2013-10-02 | 삼성전자주식회사 | Pressure sensing type touch panel |
| KR20150086986A (en) * | 2014-01-21 | 2015-07-29 | 엘지이노텍 주식회사 | Electrode member and touchpad device with the same |
| KR20160016330A (en) * | 2014-08-05 | 2016-02-15 | 엘지이노텍 주식회사 | Finger sensor |
| KR20160085141A (en) * | 2015-01-07 | 2016-07-15 | 엘지이노텍 주식회사 | Finger sensor |
| KR20160096390A (en) * | 2015-02-05 | 2016-08-16 | 삼성전자주식회사 | Touch sensor, electronic device therewith and driving method thereof |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20130107640A (en) * | 2012-03-22 | 2013-10-02 | 삼성전자주식회사 | Pressure sensing type touch panel |
| KR20150086986A (en) * | 2014-01-21 | 2015-07-29 | 엘지이노텍 주식회사 | Electrode member and touchpad device with the same |
| KR20160016330A (en) * | 2014-08-05 | 2016-02-15 | 엘지이노텍 주식회사 | Finger sensor |
| KR20160085141A (en) * | 2015-01-07 | 2016-07-15 | 엘지이노텍 주식회사 | Finger sensor |
| KR20160096390A (en) * | 2015-02-05 | 2016-08-16 | 삼성전자주식회사 | Touch sensor, electronic device therewith and driving method thereof |
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