WO2018030262A1 - モジュール部品の製造方法 - Google Patents
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- H01L2924/3511—Warping
Definitions
- the present invention relates to a module component incorporated in an electronic device, and more particularly to a module component manufacturing method suitable for high integration or miniaturization.
- Various module parts are generally configured by soldering surface mount parts for constituting a predetermined circuit to a module substrate.
- miniaturization of each component part is important.
- the determinant of the external size of module parts is the wiring density of the module substrate. Since then, the size of components mounted on the module substrate, the size of the component mounting lands, and the distance between components of the components to be arranged have shifted.
- the wiring can be made thinner or multilayered.
- a ceramic multilayer substrate or a resin multilayer substrate having a high wiring density has already been put into practical use.
- the soldering method for surface mount components tends to cause solder flash and explosion, distortion of the module board, and deterioration of dimensional accuracy due to pre-processing of the module board. mm is required.
- Patent Document 1 a module component that does not require a soldering process is known.
- this process after arranging parts on a support, they are embedded in a resin layer, and an insulating layer and a wiring layer are stacked on this component built-in layer, that is, solder for mounting the parts on the board. Since the attaching process is not necessary, the distance between the surface-mounted components can be reduced.
- an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a module part that can efficiently manufacture a module part suitable for high integration or miniaturization.
- a method for manufacturing a module component of the present invention includes: A surface mounting component placement step of placing a plurality of surface mount components on the component mounting surface of the transfer substrate with the mounting terminals facing the component mounting surface of the transfer substrate; Forming a resin layer on the component mounting surface of the transfer substrate, and embedding the plurality of surface mount components in the resin layer; A transfer substrate peeling step for peeling the resin layer from the transfer substrate together with the plurality of surface mount components; Providing an intermediate auxiliary layer having an opening that exposes the mounting terminal on the release surface of the resin layer and a metal material disposed in the opening; Forming a wiring sheet by forming an unmetallized via pattern and an electrode pattern connected to the via pattern on the thermoplastic resin sheet, The wiring sheet is superposed on the surface of the resin layer on which the intermediate auxiliary layer is formed and heat treated to fuse the thermoplastic resin sheet of the wiring sheet to the intermediate auxiliary layer, and the via pattern.
- the process after the transfer substrate peeling step is a step of forming the wiring by joining the wiring sheets. Therefore, the resin layer including a plurality of surface mount components is the transfer substrate peeling step. Even when warped later, the wiring can be formed. Further, since the metal material is formed using the intermediate auxiliary layer, even if the electrode material of the mounting terminal of the surface mount component is indefinite, it is joined to the via pattern through the metal material of the same electrode material. In addition, the heat treatment in the wiring sheet bonding process allows the metallization of the unmetallized via pattern and the fusion of the wiring sheet thermoplastic resin and the intermediate auxiliary layer in the same process. it can. Further, since the thermoplastic resin sheet of the wiring sheet and the intermediate auxiliary layer are fused, moisture resistance at the interface is ensured.
- the intermediate auxiliary layer is preferably a thermoplastic resin layer. Thereby, the intermediate auxiliary layer and the wiring sheet can be easily fused.
- the metal material is a material mainly composed of copper
- the via pattern in the unmetallized state is a metal material capable of forming an intermetallic compound with copper. As a result, a via pattern that does not melt at the temperature at which the module component is soldered to the circuit board is obtained.
- thermoplastic resin sheets are laminated to constitute the wiring sheet.
- the laminated body of a some thermoplastic resin sheet can be easily formed with few man-hours with respect to the resin layer containing a some surface mounting component.
- the transfer substrate, the resin layer, the intermediate auxiliary layer, and the wiring sheet include a plurality of module component forming regions, and are configured by the wiring sheet bonding step after the wiring sheet bonding step.
- the method further includes the step of separating the assembly into individual modules. Thereby, many module components can be manufactured with few man-hours.
- a warp prevention support material bonding step in which a warp prevention support material is bonded to the surface of the resin layer before the transfer substrate peeling step.
- the warp prevention support material can be easily bonded.
- a warp preventing support material electrode forming step of forming a shield electrode on the warp preventing support material may be further included.
- the support material for warpage prevention can have a shielding effect.
- a warp prevention support material peeling step of peeling the warp prevention support material from the resin layer may be further included. Thereby, a thin module can be constituted.
- the distance between parts can be reduced, and highly integrated or miniaturized module parts can be obtained.
- FIG. 1 is a cross-sectional view of a substrate and each layer in each step of the module component manufacturing method according to the first embodiment.
- FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate and each layer in each step of the module component manufacturing method continued from FIG. 1.
- FIG. 3 is a cross-sectional view of the substrate and each layer in each step of the module component manufacturing method continued from FIG. 2.
- FIG. 4 is a cross-sectional view in each step of the method for manufacturing the wiring sheet according to the first embodiment.
- FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of a joint portion between the via pattern 23 and the metal material 6 according to the first embodiment.
- FIG. 6 is a cross-sectional view of a substrate and each layer in a predetermined process of another module component manufacturing method according to the first embodiment.
- FIG. 7 is a cross-sectional view of the substrate and each layer in a predetermined process of the module component manufacturing method according to the second embodiment.
- FIG. 8 is a cross-sectional view of a substrate and each layer in a predetermined process of another module component manufacturing method according to the second embodiment.
- FIG. 9 is a cross-sectional view of the substrate and each layer in each step of the module component manufacturing method according to the third embodiment.
- FIG. 10 is a cross-sectional view of the substrate and each layer in each step of the module component manufacturing method following FIG. 9.
- FIG. 11 is a cross-sectional view of the substrate and each layer in each step of the module component manufacturing method continued from FIG. 10.
- FIG. 12 is an enlarged cross-sectional view of a joint portion between the metal material 6 and the surface mount component 2a according to the third embodiment.
- FIG. 13 is a cross-sectional view of a substrate and each layer in a predetermined step of another module component manufacturing method according to the third embodiment.
- FIG. 14 is a cross-sectional view of the substrate and each layer in a predetermined process of the module component manufacturing method according to the fourth embodiment.
- FIG. 15 is a cross-sectional view of another module component 104B according to the fourth embodiment.
- FIG. 16 is a cross-sectional view of the substrate and each layer in each step of the module component manufacturing method according to the fifth embodiment.
- FIG. 17 is a cross-sectional view of the substrate and each layer in a predetermined process of the module component manufacturing method continued from FIG. 16.
- 1, 2, and 3 are cross-sectional views of a substrate and each layer in each step of the module component manufacturing method according to the first embodiment. However, it is a sectional view taken along a line that does not pass through each part, and a cross section of each part does not appear.
- (1) to (12) are numbers representing the order of steps.
- (12) in FIG. 3 is one of the module parts 101 finally obtained.
- FIG. 1 (1) surface mount components 2a, 2b, and 2c are arranged on the component mounting surface Sm of the transfer substrate 1.
- the surface mount components 2a and 2c are so-called dogbone type chip components having mounting terminals Em at both ends.
- the surface-mounted component 2b is a semiconductor integrated circuit component having an LGA type input / output terminal such as an IC chip having a mounting terminal Em on the bottom surface.
- an adhesive is applied to the surface of the transfer substrate 1, and these surface-mounted components (hereinafter simply “components”) 2 a, 2 b, 2 c are mounted on the transfer substrate 1. It arrange
- the transfer substrate 1 is a substrate having high flatness and high rigidity, such as a SUS substrate or a Si substrate. Since the flatness is high, a Si substrate (silicon wafer) is preferable.
- An adhesive layer may be provided in advance on the component mounting surface Sm of the transfer substrate 1.
- a general chip mounter may be used to arrange the surface mount components on the transfer substrate.
- the distance G between parts is arranged with a narrow gap of 0.05 mm or less, for example. According to the present embodiment, such a module component with a very narrow pitch can be obtained.
- a resin layer 3 is formed on the component mounting surface Sm of the transfer substrate 1, and a plurality of components 2 a, 2 b, 2 c are embedded in the resin layer 3.
- the resin of the resin layer 3 is, for example, an epoxy thermosetting resin.
- the resin layer 3 is formed by uniformly applying an uncured epoxy-based thermosetting resin by a spin coat method or the like, and heating and curing.
- the application method may be a quantitative application method using a dispenser.
- a UV curable resin may be applied and cured by UV irradiation.
- Each component may be embedded using a semi-cured resin sheet.
- the warp prevention support material 4 is a support plate for suppressing the warp of the resin layer 3 containing the components when the transfer substrate 1 is removed, and the flatness of the Si substrate, for example, is low. It is a high and highly rigid substrate.
- the resin layer 3 is peeled from the transfer substrate 1 together with a plurality of components.
- the mounting terminals Em of the components 2 a, 2 b, 2 c are exposed on the surface of the resin layer 3.
- the surface of the mounting terminal Em of the components 2a and 2c which are dogbone type chip components, is Sn-plated.
- the surface of the mounting terminal Em of the component 2b such as an IC chip is plated with Au.
- the intermediate auxiliary layer 5 is provided on the release surface of the resin layer 3, that is, on the surface where the mounting terminals of each component are exposed.
- the polyimide resin is applied and formed so as to have a predetermined thickness of 5 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less.
- the terminals of each surface mount component are subjected to various surface treatments such as Sn plating, solder plating, Au plating, etc.
- the terminal electrodes of these surface mount components are used. It is important to perform the same electrode processing such as Cu plating to stabilize the electrical connection between the mounted component and the wiring sheet portion.
- This intermediate auxiliary layer 5 covers the parts other than the terminal portions of each mounted component with a resin so that adhesion such as Cu plating does not occur on the surface mounted component, and the adhesion and sealing between the lower surface portion of the component and the substrate portion. There is an effect of improving the stopping property. In particular, the edge portion of the chip of the chip size package IC and materials such as ferrite and varistor are likely to adhere to the base body, and this intermediate auxiliary layer treatment is necessary. Further, the terminal shape of the mounted component is non-uniform, and the terminal position of each surface-mounted component in FIG. 2 is the same height, but the height to the lower surface of the component is non-uniform.
- the intermediate auxiliary layer 5 is subjected to exposure processing and development processing, and an opening H is opened in the intermediate auxiliary layer 5 to expose the mounting terminals of each component.
- the opening H is smaller than the terminal size of the surface mount component. For example, it has a circular shape with a diameter of 0.01 mm to 0.1 mm.
- the opening H is filled with a metal material 6.
- a Cu plating film is formed on the entire surface of the intermediate auxiliary layer 5, and the portions other than the opening H are etched.
- a Cu film may be formed by printing and applying a Cu paste.
- thermoplastic resin sheet in which a predetermined position is filled with a metal material in an unmetalized state may be used as the intermediate auxiliary layer 5.
- the thermoplastic resin sheet is bonded to the resin layer 3 and heated / pressurized so that the bonding of the thermoplastic resin sheet to the resin layer 3 and the bonding of each component mounting terminal to the metal material are performed simultaneously. It can be carried out.
- the wiring sheet 20 is superimposed on the surface on which the intermediate auxiliary layer 5 is formed.
- the wiring sheet 20 is a sheet in which an electrode pattern 22 and a via pattern 23 are formed on a thermoplastic resin sheet 21. A method for manufacturing the wiring sheet will be described later.
- thermoplastic sheet 21 of the wiring sheet 20 is fused to the intermediate auxiliary layer 5 by superimposing the wiring sheet 20 on the intermediate auxiliary layer 5 and heating and pressing (heat treatment).
- the via pattern 23 of the wiring sheet 20 before the heat treatment is in an unmetalized state, the via pattern 23 is metalized by the heat treatment, so that the mounting terminals Em and the electrode patterns 22 of the components are made of the metal material 6 and Connection is made via the via pattern 23.
- the wiring sheet 20 shown in (8) in FIG. 3 is formed independently of the treatment process for the resin layer 3 and the intermediate auxiliary layer 5.
- FIG. 4 is a cross-sectional view in each step of the method for manufacturing the wiring sheet.
- (1) to (4) are numbers representing the order of steps.
- thermoplastic resin sheet 21 such as a liquid crystal polymer or a polyimide resin.
- the electrode pattern 22 is formed by patterning the Cu foil 22P by photolithography or the like.
- Openings H are formed in the thermoplastic resin sheet 21 at positions where vias are to be formed by laser processing or the like.
- the conductive paste is, for example, a mixture of a metal component containing Sn powder and CuNi alloy powder and a flux component containing rosin and an activator.
- TLP Transient Liquid Phase Diffusion
- a CuNiSn alloy is generated and joined to the interface between the conductive paste constituting the via pattern 23 and the metal material 6.
- the heating temperature for this TLP reaction is not less than the melting point of Sn and not more than the melting point of the CuNi alloy, and is, for example, 250 ° C. to 350 ° C.
- the CuNiSn alloy is an intermetallic compound and has a high melting point (for example, 400 ° C. or higher). Therefore, the joint portion made of the CuNiSn alloy is not remelted at the soldering temperature when the module component is mounted later.
- FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of a joint portion between the via pattern 23 and the metal material 6.
- the width of the metal material 6 is smaller than the width of the via pattern 23, and the metal material 6 is bonded by the TLP reaction in a state where the metal material 6 is partially buried in the via pattern 23.
- the metal material 6 has a structure in which the tip portion of the metal material 6 partially enters the via pattern 23. Therefore, the interface between the conductive paste constituting the via pattern 23 and the metal material 6 is wide, and the bonding strength between the two is high.
- the wiring sheet 20 is manufactured through the above processes.
- FIG. 6 is a cross-sectional view of a substrate and each layer in a predetermined process of another module component manufacturing method according to the present embodiment. This figure corresponds to the step (8) in FIG. 3 in each step shown in FIG. 1, FIG. 2, and FIG. 1, 2, and 3, the wiring sheet 20 is overlaid in a state where the warp prevention support material 4 is bonded to the resin layer 3, but as shown in FIG. 6, the resin layer The wiring sheet 20 may be superposed in a state where the warp preventing support material 4 is not bonded to the substrate 3.
- a plurality of surface mount components can be provided inside the module component without using solder.
- module parts with ultra-high density mounting such as a distance between parts of 50 ⁇ m or less can be obtained.
- it is a sheet-stacked module component rather than a build-up type (thin film multilayer type or thick film multilayer type)
- it is integrated even if the component built-in layer (resin layer 3) is warped or distorted Is possible. This is particularly effective when a large number of module parts are manufactured at a time by a large format process.
- the process after the transfer substrate peeling process is a process of forming the wiring by bonding the wiring sheet, even if the resin layer including a plurality of surface mount components warps after the transfer substrate peeling process, the wiring Can be formed.
- the metal material is formed using the intermediate auxiliary layer, even if the electrode material of the mounting terminal of the surface mount component is indefinite, it is joined to the via pattern through the metal material of the same electrode material. Even if the material of the terminal electrode of each surface mount component is different, the metal material of the intermediate auxiliary layer 5 is the same material, so that the wiring sheet 20 can be easily joined to the intermediate auxiliary layer 5.
- the heat treatment in the wiring sheet bonding process allows the metallization of the unmetallized via pattern and the fusion of the wiring sheet thermoplastic resin and the intermediate auxiliary layer in the same process. it can.
- the intermediate auxiliary layer is a thermoplastic resin
- the intermediate auxiliary layer and the wiring sheet can be easily fused.
- the thermoplastic resin of the wiring sheet and the intermediate auxiliary layer are fused, moisture resistance at the interface is ensured.
- a high warp prevention effect can be obtained by using, for example, a Si substrate as the warp prevention support material.
- Second Embodiment the example which comprises a wiring sheet by the laminated body of the said some thermoplastic resin sheet is shown.
- FIG. 7 is a cross-sectional view of the substrate and each layer in a predetermined process of the module component manufacturing method according to the present embodiment. This figure shows the steps after the step of bonding the wiring sheet 20 to the resin layer 3 through the intermediate auxiliary layer 5. The steps up to (1) shown in FIG. 7 are the same as those shown in FIGS. 1 and 2 described in the first embodiment.
- thermoplastic resin sheets 21 are superposed on the surface of the resin layer 3 on which the intermediate auxiliary layer 5 is formed, and heated and pressurized (heat treatment). Then, the thermoplastic resin sheet 21 of the wiring sheet 20 is fused to the intermediate auxiliary layer 5.
- the via pattern 23 of the wiring sheet 20 before the heat treatment is in an unmetalized state, the via pattern 23 is metalized by the heat treatment, so that the mounting terminals Em and the electrode patterns 22 of the components are made of the metal material 6 and Connection is made via the via pattern 23.
- the formation method of the electrode pattern 22 and the via pattern 23 for each thermoplastic resin is as shown in the first embodiment.
- the warp preventing support material 4 is separated from the resin layer 3 and cut along the cut line CL to be divided into individual module parts 102.
- FIG. 8 is a cross-sectional view of the substrate and each layer in a predetermined process of another module component manufacturing method according to this embodiment.
- the configuration of the wiring sheet 20 is different from the example shown in FIG. In this example, a laminated body of a plurality of thermoplastic resin sheets is formed in the step of forming the wiring sheet 20.
- the wiring sheet 20 in the laminated state is superposed on the surface of the resin layer 3 on which the intermediate auxiliary layer 5 is formed and heated and pressed to fuse the wiring sheet 20 to the intermediate auxiliary layer 5.
- the subsequent steps are the same as those shown in (2), (3), and (4) in FIG.
- a laminate of a plurality of thermoplastic resin sheets can be easily formed with a small number of man-hours with respect to a resin layer including a plurality of surface mount components.
- the laminated wiring sheet 20 may contain various surface mount components.
- FIG. 10, and FIG. 11 are cross-sectional views of the substrate and each layer in each process of the module component manufacturing method according to the third embodiment. 9, (1) to (11) in FIG. 9, FIG. 10 and FIG. (11) in FIG. 11 is one of the module parts 103 finally obtained.
- Steps (1) to (4) shown in FIG. 9 and steps (5) and (6) shown in FIG. 10 are performed in the steps (1) to (4) in FIG. 1 and (5) in FIG. This is the same as the process shown in 6). That is, [surface mounting component embedding step] [warp prevention support material laminating step] [transfer substrate peeling step] are as described in the first embodiment.
- a thin metal material 6 is formed in the opening H of the intermediate auxiliary layer 5.
- a Cu film is applied to the entire surface of the intermediate auxiliary layer 5 by sputtering, and the portion other than the opening H portion is etched.
- sputtering is performed using a mask pattern.
- the wiring sheet 20 is superimposed on the surface on which the intermediate auxiliary layer 5 is formed.
- the wiring sheet 20 is a sheet in which an electrode pattern 22 and a via pattern 23 are formed on a thermoplastic resin sheet 21.
- the manufacturing method of the wiring sheet 20 is as shown in the first embodiment. However, the via pattern 23 is formed at a position connected to the flat portion of the metal material 6.
- thermoplastic resin sheet 21 of the wiring sheet 20 is fused to the intermediate auxiliary layer 5 by superimposing the wiring sheet 20 on the intermediate auxiliary layer 5 and heating and pressing (heat treatment).
- the via pattern 23 of the wiring sheet 20 before the heat treatment is in an unmetalized state, the via pattern 23 is metalized by the heat treatment, so that the mounting terminals Em and the electrode patterns 22 of the components are made of the metal material 6 and Connection is made via the via pattern 23.
- FIG. 12 is an enlarged cross-sectional view of a joint portion between the metal material 6 and the surface mount component 2a and a plan view of the surface mount component 2a.
- the width of the metal material 6 is smaller than the width of the mounting terminal of the surface mount component 2a.
- the portion where the metal material 6 is in contact with the mounting terminal of the surface mounting component 2a is, for example, circular as shown in FIG. Therefore, even if there is a certain amount of error in the position of the opening H formed in the intermediate auxiliary layer 5, the bonding area between the mounting terminal of the surface mounting component 2a and the metal material 6 can be kept constant, so that ultra high density mounting is possible.
- the module parts can be easily manufactured.
- the warp preventing support material 4 is peeled from the resin layer 3 and divided into individual module parts 103.
- FIG. 13 is a cross-sectional view of the substrate and each layer in a predetermined process of another module component manufacturing method according to this embodiment. This diagram corresponds to each step shown in FIG. In the process shown in FIG. 11, the wiring sheet 20 is superposed with the support material 4 for warping prevention being bonded to the resin layer 3. However, as shown in FIG. 13, the support for warpage prevention is placed on the resin layer 3.
- the wiring sheets 20 may be overlaid without bonding materials.
- the via pattern 23 formed in the wiring sheet 20 is connected not to the position of the opening H (see (6) in FIG. 10) of the intermediate auxiliary layer 5 but to the flat portion of the metal material 6. Therefore, the stress applied to the connection portion of the mounting terminals of the surface mount components 2a, 2b, 2c is relieved, and the connection reliability is easily improved.
- FIG. 14 is a cross-sectional view of the substrate and each layer in a predetermined process of the module component manufacturing method according to the present embodiment. This figure shows the steps after the step of bonding the wiring sheet 20 to the resin layer 3 through the intermediate auxiliary layer 5. The steps up to (1) shown in FIG. 14 are the same as those shown in FIGS. 1 and 2 described in the first embodiment.
- a shield electrode 7 is formed on the entire surface of the support member 4 for preventing warpage in advance.
- the support material 4 for warpage prevention is, for example, a Si substrate, and the shield electrode 7 is a Cu film formed on the surface of the Si substrate by, for example, sputtering.
- thermoplastic resin sheets 21 are superimposed on the surface of the resin layer 3 on which the intermediate auxiliary layer 5 is formed, and heated and pressurized (heat treatment). Then, the thermoplastic resin sheet 21 of the wiring sheet 20 is fused to the intermediate auxiliary layer 5.
- the via pattern 23 is metalized, and the mounting terminals Em and the electrode pattern 22 of each component are connected via the metal material 6 and the via pattern 23.
- the formation method of the electrode pattern 22 and the via pattern 23 for each thermoplastic resin is as shown in the first embodiment.
- the warp preventing support material 4 is divided into individual module parts 104A using a dicer or the like without peeling from the resin layer 3.
- a module component having the shield electrode 7 formed on the surface is obtained.
- FIG. 15 is a cross-sectional view of another module component 104B according to this embodiment.
- the shield electrode 7 is formed on the inner layer of the support member 4 for preventing warpage.
- the support material 4 for warpage prevention is, for example, a laminate of a plurality of thermoplastic resin sheets, and the shield electrode 7 is, for example, Cu foil.
- a module component in which internal components and circuits are shielded can be obtained. Further, as shown in FIG. 15, when a thermoplastic resin sheet is used for the warp prevention support material 4, the warp prevention support material 4 can be easily bonded to the resin layer 3.
- Step (1) in FIG. 16 corresponds to the step shown in FIG. 1 (3) shown in the first embodiment. That is, it is a state in which [surface mounted component placement step], [surface mounted component embedment step], and [warp prevention support material laminating step] are completed.
- the support material 4 for warpage prevention is a highly workable sheet such as a thermoplastic resin.
- a deep groove DG is formed at the boundary between adjacent module parts.
- the shield electrode 7 is formed on the surface of the warp preventing support material 4 and in the deep groove DG. For example, a conductive paste is applied and formed.
- the transfer substrate 1 is peeled off, and the same process as the process shown in FIG. 2 is performed.
- the intermediate auxiliary layer 5 filled with the metal material 6 is provided at a predetermined position.
- a module component in which the periphery of the surface mount components 2a, 2b, 2c is surrounded by the shield electrode 7 is obtained.
- thermoplastic resin sheet 21 in which the Cu foil 22P is laminated on one side has been shown, but a thermoplastic resin sheet in which the metal foil is laminated on both sides may be used.
- the wiring sheet 20 may be a laminate of thermoplastic resin sheets, and components may be incorporated in the wiring sheet 20.
- a scribe line may be formed by laser processing in addition to cutting with a dicer.
- DG Deep groove Em ... Mounting terminal H ... Opening SL ... Scribe line Sm ... Component mounting surface 1 ... Transfer substrate 2a, 2b, 2c ... Surface mount component 3 ... Resin layer 4 ... Warp prevention support material 5 ... Intermediate auxiliary layer 6 ... Metal material 7 ... Shield electrode 20 ... Wiring sheet 21 ... Thermoplastic resin sheet 22 . Electrode pattern 22P ... Cu foil 23 ... Via pattern 101, 103, 104A, 104B, 105 ... Module parts
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Abstract
表面実装部品配置工程で、転写用基板(1)の部品搭載面(Sm)に複数の表面実装部品(2a,2b,2c)を配置する。表面実装部品埋設工程で、転写用基板(1)に樹脂層(3)を形成し、樹脂層(3)に複数の表面実装部品を埋設する。転写用基板剥離工程で、樹脂層(3)を複数の表面実装部品とともに転写用基板(1)から剥離する。中間補助層処理工程で、樹脂層(3)の剥離面に中間補助層を設け、当該中間補助層に開口を開けて表面実装部品の実装用端子を露出させ、その開口に金属材を配する。配線シート工程で、熱可塑性樹脂シートに、未金属化状態のビアパターンと、当該ビアパターンにつながる電極パターンとを形成して配線シートを構成する。配線シート接合工程で、中間補助層に配線シートの熱可塑性樹脂を融着させ、ビアパターンを金属化する。
Description
本発明は、電子機器に組み込まれるモジュール部品に関し、特に高集積化または小型化に適したモジュール部品の製造方法に関する。
各種モジュール部品は、一般的には、モジュール用基板に、所定の回路を構成するための表面実装部品を半田付けすることで構成される。
モジュール部品の高集積化または小型化のためには、構成要素各部の微細化が重要であるが、次に述べるように、近年、モジュール部品の外形サイズの決定要因は、モジュール用基板の配線密度から、モジュール基板へ搭載される部品の大きさ、部品実装用ランドの大きさ、および配置する部品の部品間距離に移っている。
つまり、モジュール基板として多層基板を利用すれば、配線の細線化や多層化が可能であり、この点で配線密度の高いセラミック多層基板や樹脂多層基板が既に実用化されている。一方、表面実装部品の半田付け工法では、半田フラッシュや爆ぜ、モジュール基板の歪やモジュール基板の前処理による寸法精度の低下などが発生しやすいので、これらを考慮すれば、最小部品間距離に0.15mmは必要である。
ここで、特許文献1に示されるように、半田付け工程を不要としたモジュール部品が知られている。このプロセスでは、支持体上に部品を並べた後、これを樹脂層に埋設し、この部品内蔵層上に絶縁層や配線層を積み上げていくため、つまり、部品を基板に実装するための半田付け工程を不要とするため、表面実装部品間の距離を小さくすることが可能である。
しかし、特許文献1に示されているプロセスでは、部品内蔵層がエポキシ樹脂等を硬化させたものであるので、樹脂硬化による残留応力により、支持体を剥がした後に部品内蔵層が反ってしまう。そのため、部品内蔵層のコプラナリティが不安定になり、部品内蔵層表面に絶縁層や配線層をビルドアップすることも困難になってしまう。特に部品内蔵層を大判化した場合には、その傾向が顕著に現れる。
そこで、本発明の目的は、高集積化または小型化に適したモジュール部品を効率的に製造できるモジュール部品の製造方法を提供することにある。
(1)本発明のモジュール部品の製造方法は、
転写用基板の部品搭載面に実装用端子を対面させて、前記転写用基板の部品搭載面に複数の表面実装部品を配置する、表面実装部品配置工程と、
前記転写用基板の前記部品搭載面に樹脂層を形成し、当該樹脂層に前記複数の表面実装部品を埋設する、表面実装部品埋設工程と、
前記樹脂層を前記複数の表面実装部品とともに前記転写用基板から剥離する、転写用基板剥離工程と、
前記樹脂層の剥離面に前記実装用端子を露出させる開口と、前記開口に配された金属材とを有する中間補助層を設ける、中間補助層形成工程と、
熱可塑性樹脂シートに、未金属化状態のビアパターンと、当該ビアパターンにつながる電極パターンとを形成して配線シートを構成する、配線シート作製工程と、
前記樹脂層の前記中間補助層が形成された面に、前記配線シートを重ね合わせ、熱処理することで、前記中間補助層に前記配線シートの前記熱可塑性樹脂シートを融着させるとともに、前記ビアパターンを金属化して、前記実装用端子と前記電極パターンとを前記金属材および前記ビアパターンを介して接続する、配線シート接合工程と、
を有する。
転写用基板の部品搭載面に実装用端子を対面させて、前記転写用基板の部品搭載面に複数の表面実装部品を配置する、表面実装部品配置工程と、
前記転写用基板の前記部品搭載面に樹脂層を形成し、当該樹脂層に前記複数の表面実装部品を埋設する、表面実装部品埋設工程と、
前記樹脂層を前記複数の表面実装部品とともに前記転写用基板から剥離する、転写用基板剥離工程と、
前記樹脂層の剥離面に前記実装用端子を露出させる開口と、前記開口に配された金属材とを有する中間補助層を設ける、中間補助層形成工程と、
熱可塑性樹脂シートに、未金属化状態のビアパターンと、当該ビアパターンにつながる電極パターンとを形成して配線シートを構成する、配線シート作製工程と、
前記樹脂層の前記中間補助層が形成された面に、前記配線シートを重ね合わせ、熱処理することで、前記中間補助層に前記配線シートの前記熱可塑性樹脂シートを融着させるとともに、前記ビアパターンを金属化して、前記実装用端子と前記電極パターンとを前記金属材および前記ビアパターンを介して接続する、配線シート接合工程と、
を有する。
上記製造方法によれば、転写用基板剥離工程の後の工程は、配線シートを接合することによって配線を形成する工程であるので、複数の表面実装部品を含む樹脂層が転写用基板剥離工程の後に反っても、配線の形成が可能となる。また、中間補助層を用いて金属材が形成されるので、表面実装部品の実装用端子の電極材料が不定であっても、同一電極材料の金属材を介してビアパターンに接合される。また、配線シート接合工程での熱処理で、未金属化状態のビアパターンの金属化と、配線シートの熱可塑性樹脂と中間補助層との融着が同工程で行われるので、少ない工程数で製造できる。また、配線シートの熱可塑性樹脂シートと中間補助層とが融着されるので、その界面の耐湿性が確保される。
(2)前記中間補助層は熱可塑性樹脂の層であることが好ましい。これにより、中間補助層と配線シートとを容易に融着させることができる。
(3)前記金属材は銅を主成分とする材料であり、前記未金属化状態のビアパターンは銅と金属間化合物を形成し得る金属材であることが好ましい。これにより、モジュール部品を回路基板にはんだ付けする際の温度では溶融しないビアパターンが得られる。
(4)前記配線シート作製工程または前記配線シート接合工程では、例えば複数の前記熱可塑性樹脂シートを積層して前記配線シートを構成する。これにより、複数の表面実装部品を含む樹脂層に対して複数の熱可塑性樹脂シートの積層体を、少ない工数で容易に形成できる。
(5)前記転写用基板、前記樹脂層、前記中間補助層、および前記配線シートは複数のモジュール部品形成領域を含み、前記配線シート接合工程の後、前記配線シート接合工程によって構成されたモジュール部品集合体を個別のモジュールに分離する工程をさらに含むことが好ましい。これにより、多数のモジュール部品を少ない工数で製造できる。
(6)前記転写用基板剥離工程の前に、前記樹脂層の表面に反り防止用支持材を貼り合わせる、反り防止用支持材貼り合わせ工程を備えることが好ましい。これにより、転写用基板剥離工程の後の樹脂層の反りが抑制され、配線シート接合工程が容易となる。また、より大判の基板にも対応できるようになる。
(7)前記反り防止用支持材に、例えば熱可塑性樹脂シートを用いれば、反り防止用支持材の貼り合わせが容易となる。
(8)前記反り防止用支持材に、例えばSi基板を用いれば、高い反り防止効果が得られる。
(9)前記反り防止用支持材貼り合わせ工程の前に、前記反り防止用支持材にシールド用の電極を形成する反り防止用支持材電極形成工程を更に含んでもよい。これにより、反り防止用支持材にシールド効果をもたせることができる。
(10)前記配線シート接合工程の後に、前記反り防止用支持材を前記樹脂層から剥離する反り防止用支持材剥離工程を更に含んでもよい。これにより、薄型のモジュールが構成できる。
本発明によれば、部品間距離を縮小化でき、高集積化または小型化したモジュール部品が得られる。
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせは可能である。第2の実施形態以降では第1の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
《第1の実施形態》
図1、図2、図3は、第1の実施形態に係るモジュール部品の製造方法の各工程における基板や各層の断面図である。但し、各部品を通らないラインでの断面図であり、各部品の断面は現れていない。図1、図2、図3中の(1)~(12)は工程順を表す番号である。図3中の(12)は最終的に得るモジュール部品101の一つである。
図1、図2、図3は、第1の実施形態に係るモジュール部品の製造方法の各工程における基板や各層の断面図である。但し、各部品を通らないラインでの断面図であり、各部品の断面は現れていない。図1、図2、図3中の(1)~(12)は工程順を表す番号である。図3中の(12)は最終的に得るモジュール部品101の一つである。
以降、モジュール部品101の製造方法を工程順に述べる。
[表面実装部品配置工程]
図1中の(1)に示すように、転写用基板1の部品搭載面Smに表面実装部品2a,2b,2cを配置する。表面実装部品2a,2cは実装用端子Emを両端に有する、いわゆるドッグボーン型のチップ部品である。表面実装部品2bは、底面に実装用端子Emを有するICチップ等のLGA型の入出力端子を有する半導体集積回路部品である。具体的には、転写用基板1の表面には粘着材を塗布し、これらの表面実装部品(以下、単に「部品」)2a,2b,2cを、それらの実装用端子が転写用基板1の部品搭載面Smに対面する状態で、転写用基板1に配置する。これにより、部品2a,2b,2cを転写用基板1に仮固定する。転写用基板1は例えばSUS基板やSi基板等の、平坦度が高く剛性が高い基板である。平坦度が高いことからSi基板(シリコンウエハー)であることが好ましい。転写用基板1の部品搭載面Smにはあらかじめ接着材層が設けられていてもよい。各表面実装部品の転写用基板への配列は、一般的なチップマウンターを利用すればよい。
図1中の(1)に示すように、転写用基板1の部品搭載面Smに表面実装部品2a,2b,2cを配置する。表面実装部品2a,2cは実装用端子Emを両端に有する、いわゆるドッグボーン型のチップ部品である。表面実装部品2bは、底面に実装用端子Emを有するICチップ等のLGA型の入出力端子を有する半導体集積回路部品である。具体的には、転写用基板1の表面には粘着材を塗布し、これらの表面実装部品(以下、単に「部品」)2a,2b,2cを、それらの実装用端子が転写用基板1の部品搭載面Smに対面する状態で、転写用基板1に配置する。これにより、部品2a,2b,2cを転写用基板1に仮固定する。転写用基板1は例えばSUS基板やSi基板等の、平坦度が高く剛性が高い基板である。平坦度が高いことからSi基板(シリコンウエハー)であることが好ましい。転写用基板1の部品搭載面Smにはあらかじめ接着材層が設けられていてもよい。各表面実装部品の転写用基板への配列は、一般的なチップマウンターを利用すればよい。
部品間距離Gは例えば0.05mm以下の狭ギャップで配置される。本実施形態によれば、このような非常に狭ピッチ実装のモジュール部品が得られる。
[表面実装部品埋設工程]
図1中の(2)に示すように、転写用基板1の部品搭載面Smに樹脂層3を形成し、この樹脂層3に複数の部品2a,2b,2cを埋設する。この樹脂層3の樹脂は例えばエポキシ系熱硬化性樹脂である。具体的には、未硬化状態のエポキシ系熱硬化性樹脂をスピンコート法等で均一に塗布し、加熱、硬化させることによって樹脂層3を形成する。塗布方法は、ディスペンサーによる定量塗布法であってもよい。また、UV硬化型樹脂を塗布して、UV照射によって硬化させてもよい。半硬化状態の樹脂シートを利用して各部品を埋設してもよい。
図1中の(2)に示すように、転写用基板1の部品搭載面Smに樹脂層3を形成し、この樹脂層3に複数の部品2a,2b,2cを埋設する。この樹脂層3の樹脂は例えばエポキシ系熱硬化性樹脂である。具体的には、未硬化状態のエポキシ系熱硬化性樹脂をスピンコート法等で均一に塗布し、加熱、硬化させることによって樹脂層3を形成する。塗布方法は、ディスペンサーによる定量塗布法であってもよい。また、UV硬化型樹脂を塗布して、UV照射によって硬化させてもよい。半硬化状態の樹脂シートを利用して各部品を埋設してもよい。
[反り防止用支持材貼り合わせ工程]
図1中の(3)に示すように、反り防止用支持材4を樹脂層3の表面に貼り合わせる。この反り防止用支持材4は、転写用基板1を取り除いたときに部品を内蔵した樹脂層3が反ってしまうのを抑制するための支持板であって、例えばSi基板等の、平坦度が高く剛性が高い基材である。
図1中の(3)に示すように、反り防止用支持材4を樹脂層3の表面に貼り合わせる。この反り防止用支持材4は、転写用基板1を取り除いたときに部品を内蔵した樹脂層3が反ってしまうのを抑制するための支持板であって、例えばSi基板等の、平坦度が高く剛性が高い基材である。
[転写用基板剥離工程]
図1中の(4)に示すように、樹脂層3を複数の部品とともに転写用基板1から剥離する。この段階で、各部品2a,2b,2cの実装用端子Emが樹脂層3の表面に露出する。例えば、ドッグボーン型のチップ部品である部品2a,2cの実装用端子Emの表面はSnめっきされている。また、ICチップ等の部品2bの実装用端子Emの表面はAuめっきされている。このように、反り防止用支持材4を貼り合わせた後に、転写用基板1を剥離することにより、各表面実装部品の端子露出面のコプラナリティが維持され、各表面実装部品の端子位置の精度が担保される。
図1中の(4)に示すように、樹脂層3を複数の部品とともに転写用基板1から剥離する。この段階で、各部品2a,2b,2cの実装用端子Emが樹脂層3の表面に露出する。例えば、ドッグボーン型のチップ部品である部品2a,2cの実装用端子Emの表面はSnめっきされている。また、ICチップ等の部品2bの実装用端子Emの表面はAuめっきされている。このように、反り防止用支持材4を貼り合わせた後に、転写用基板1を剥離することにより、各表面実装部品の端子露出面のコプラナリティが維持され、各表面実装部品の端子位置の精度が担保される。
[中間補助層処理工程]
図2中の(5)に示すように、樹脂層3の剥離面に、すなわち各部品の実装用端子が露出する面に、中間補助層5を設ける。例えば、ポリイミド樹脂を5μm以上30μm以下の所定厚みとなるように塗布形成する。各表面実装部品の端子は、Snメッキ、はんだメッキ、Auメッキなど色々な表面処理がなされているので、熱可塑性樹脂シートの金属材と接合するためには、これらの表面実装部品の端子電極にCuメッキなどの同一の電極処理をおこない、実装部品と配線シート部の電気的な接合を安定させることが重要である。この中間補助層5は、各実装部品の端子部以外を樹脂で覆うことにより、表面実装部品にCuメッキなどの付着が生じないようにすることと、部品下面部と基板部の密着力および封止性を向上させるという作用効果を奏する。特にチップサイズパッケージICのチップのエッジ部や、フェライトやバリスタなどの材質は素体にメッキが付着しやすく、この中間補助層処理が必要である。また、実装部品の端子形状は不均一であり、図2の各表面実装部品の端子位置は同一高さとなっているが、部品下面までの高さは不均一である。本案では、後工程で樹脂層3と配線シート20とを加熱・加圧しながら接合する工程があるので、部品下部に中間補助層5を設けることで、過度な応力集中による実装部品の破壊やクラックの発生等を回避できる。
図2中の(5)に示すように、樹脂層3の剥離面に、すなわち各部品の実装用端子が露出する面に、中間補助層5を設ける。例えば、ポリイミド樹脂を5μm以上30μm以下の所定厚みとなるように塗布形成する。各表面実装部品の端子は、Snメッキ、はんだメッキ、Auメッキなど色々な表面処理がなされているので、熱可塑性樹脂シートの金属材と接合するためには、これらの表面実装部品の端子電極にCuメッキなどの同一の電極処理をおこない、実装部品と配線シート部の電気的な接合を安定させることが重要である。この中間補助層5は、各実装部品の端子部以外を樹脂で覆うことにより、表面実装部品にCuメッキなどの付着が生じないようにすることと、部品下面部と基板部の密着力および封止性を向上させるという作用効果を奏する。特にチップサイズパッケージICのチップのエッジ部や、フェライトやバリスタなどの材質は素体にメッキが付着しやすく、この中間補助層処理が必要である。また、実装部品の端子形状は不均一であり、図2の各表面実装部品の端子位置は同一高さとなっているが、部品下面までの高さは不均一である。本案では、後工程で樹脂層3と配線シート20とを加熱・加圧しながら接合する工程があるので、部品下部に中間補助層5を設けることで、過度な応力集中による実装部品の破壊やクラックの発生等を回避できる。
その後、図2中の(6)に示すように、中間補助層5に露光処理、現像処理を施して、中間補助層5に開口Hを開けて、各部品の実装用端子を露出させる。この開口Hは表面実装部品の端子サイズより小さい。例えば直径0.01mm以上0.1mm以下の円形状である。
さらに、図2中の(7)に示すように、前記開口Hに金属材6を充填する。具体的には、例えば中間補助層5の表面の全面にCuめっき膜を形成し、開口H部分以外をエッチングすることにより形成する。上記Cuめっき膜の形成に代えて、Cuペーストを印刷塗布することでCu膜を形成してもよい。
なお、中間補助層5として、所定位置に未金属化状態の金属材を充填してなる熱可塑性樹脂シートを用いてもよい。この場合、熱可塑性樹脂シートを樹脂層3に貼り合わせ、加熱・加圧することで、熱可塑性樹脂シートの樹脂層3への接合と、各部品の実装用端子と金属材との接合とを同時に行うことができる。
[配線シート接合工程]
図3中の(8)(9)に示すように、中間補助層5が形成された面に、配線シート20を重ね合わせる。配線シート20は熱可塑性樹脂シート21に電極パターン22およびビアパターン23が形成されたシートである。配線シートの製造方法については後述する。
図3中の(8)(9)に示すように、中間補助層5が形成された面に、配線シート20を重ね合わせる。配線シート20は熱可塑性樹脂シート21に電極パターン22およびビアパターン23が形成されたシートである。配線シートの製造方法については後述する。
中間補助層5に配線シート20を重ね合わせて加熱、加圧(熱処理)することで、中間補助層5に配線シート20の熱可塑性樹脂シート21を融着させる。上記熱処理前の配線シート20のビアパターン23は未金属化状態であるが、上記熱処理により、ビアパターン23は金属化して、各部品の実装用端子Emと電極パターン22とが、金属材6およびビアパターン23を介して接続される。
[分割工程]
図3中の(10)(11)(12)に示すように、反り防止用支持材4を樹脂層3から剥離し、樹脂層3、中間補助層5および配線シート20の積層体にダイサーでスクライブラインSLを形成し、ブレイクすることによって、個別のモジュール部品101に分割する。ダイサー等で一度にブレイクしてもよい。
図3中の(10)(11)(12)に示すように、反り防止用支持材4を樹脂層3から剥離し、樹脂層3、中間補助層5および配線シート20の積層体にダイサーでスクライブラインSLを形成し、ブレイクすることによって、個別のモジュール部品101に分割する。ダイサー等で一度にブレイクしてもよい。
[配線シート作製工程]
図3中の(8)に示した配線シート20は、樹脂層3や中間補助層5に対する処理工程とは別に独立して形成する。
図3中の(8)に示した配線シート20は、樹脂層3や中間補助層5に対する処理工程とは別に独立して形成する。
図4は、この配線シートの製造方法の各工程における断面図である。図4中の(1)~(4)は工程順を表す番号である。
(1)先ず、液晶ポリマーやポリイミド樹脂等の熱可塑性樹脂シート21にCu箔22Pをラミネートする。
(2)Cu箔22Pをフォトリソグラフィ等でパターン化することによって、電極パターン22を形成する。
(3)熱可塑性樹脂シート21の、ビアを形成する位置に、レーザー加工等によって開口Hを形成する。
(4)開口H内に導電性ペーストを充填する。これにより未金属化状態のビアパターン23を形成する。導電性ペーストは例えばSn粉末とCuNi合金粉末とを含む金属成分と、ロジンおよび活性剤を含むフラックス成分との混合物である。
図3の(8)(9)に示した工程で、ビアパターン23を構成する導電性ペーストと金属材6とは液相拡散(以下、「TLP:Transient Liquid Phase Diffusion」)接合される。すなわち、ビアパターン23を構成する導電性ペーストと金属材6との界面にCuNiSn合金が生成されて接合される。このTLP反応のための加熱温度は、Snの融点以上、CuNi合金の融点以下であり、例えば250℃~350℃である。CuNiSn合金は、金属間化合物であり、高い融点(例えば400℃以上)を有する。そのため、後の、モジュール部品の実装時のはんだ付け温度では上記CuNiSn合金による接合部が再溶融することはない。
図5は、ビアパターン23と金属材6との接合部の拡大断面図である。金属材6の幅はビアパターン23の幅より小さく、金属材6はビアパターン23に一部が埋没する状態で、上記TLP反応による接合がなされる。つまり、金属材6の先端部がビアパターン23に一部入り込んだ構造となる。そのため、ビアパターン23を構成する導電性ペーストと金属材6との界面が広く、両者の接合強度が高い。また、樹脂層3と配線シート20との重ね合わせ位置にある程度の誤差があっても、金属材6の全幅がビアパターン23に接合されるので、超高密度実装のモジュール部品の製造が容易となる。
以上の工程により配線シート20を製造する。
図6は本実施形態に係る別のモジュール部品の製造方法の所定工程における基板や各層の断面図である。この図は、図1、図2、図3に示した各工程における図3中の(8)に示す工程に対応する図である。図1、図2、図3に示した工程では、樹脂層3に反り防止用支持材4を貼り合わせた状態で配線シート20を重ね合わせるようにしたが、図6に示すように、樹脂層3に反り防止用支持材4を貼り合わせない状態で配線シート20を重ね合わせてもよい。
本実施形態によれば、複数の表面実装部品を、はんだを用いないでモジュール部品内部に設けることができる。例えば部品間距離50μm以下といった超高密度実装のモジュール部品が得られる。また、ビルドアップ型(薄膜積層型や厚膜多層型)ではなく、シート積層型のモジュール部品であるため、部品内蔵層(樹脂層3)が反っていたり、歪んでいたりしても、一体化可能である。特に大判プロセスにより一度に多数のモジュール部品を製造する場合にも有効である。
また、転写用基板剥離工程の後の工程は配線シートを接合することによって配線を形成する工程であるので、複数の表面実装部品を含む樹脂層が転写用基板剥離工程の後に反っても、配線の形成が可能となる。また、中間補助層を用いて金属材が形成されるので、表面実装部品の実装用端子の電極材料が不定であっても、同一電極材料の金属材を介してビアパターンに接合される。また、各表面実装部品の端子電極の材料が異なっていても、中間補助層5の金属材は同一材であるため、中間補助層5に対して配線シート20を容易に接合できる。また、配線シート接合工程での熱処理で、未金属化状態のビアパターンの金属化と、配線シートの熱可塑性樹脂と中間補助層との融着が同工程で行われるので、少ない工程数で製造できる。
また、中間補助層は熱可塑性樹脂であることにより、中間補助層と配線シートとを容易に融着させることができる。また、配線シートの熱可塑性樹脂と中間補助層とが融着されるので、その界面の耐湿性が確保される。
また、反り防止用支持材に、例えばSi基板を用いることにより、高い反り防止効果が得られる。
《第2の実施形態》
第2の実施形態では、配線シートを複数の前記熱可塑性樹脂シートの積層体で構成する例を示す。
第2の実施形態では、配線シートを複数の前記熱可塑性樹脂シートの積層体で構成する例を示す。
図7は本実施形態に係るモジュール部品の製造方法の所定工程における基板や各層の断面図である。この図は、樹脂層3に中間補助層5を介して配線シート20を接合する工程以降の工程について示す。図7中の(1)に示す工程までについては、第1の実施形態で示した図1、図2に示したとおりである。
図7中の(1)(2)に示すように、樹脂層3の中間補助層5が形成された面に、複数の熱可塑性樹脂シート21を重ね合わせて加熱、加圧(熱処理)することで、中間補助層5に配線シート20の熱可塑性樹脂シート21を融着する。上記熱処理前の配線シート20のビアパターン23は未金属化状態であるが、上記熱処理により、ビアパターン23は金属化して、各部品の実装用端子Emと電極パターン22とが、金属材6およびビアパターン23を介して接続される。各熱可塑性樹脂に対する電極パターン22およびビアパターン23の形成方法は第1の実施形態で示したとおりである。
その後、図7中の(3)(4)に示すように、反り防止用支持材4を樹脂層3から剥離し、カットラインCLでカットすることによって、個別のモジュール部品102に分割する。
図8は本実施形態に係る別のモジュール部品の製造方法の所定工程における基板や各層の断面図である。図7に示した例とは、配線シート20の構成が異なる。この例では、配線シート20を形成する工程で、複数の熱可塑性樹脂シートの積層体を形成する。この積層体状態の配線シート20を、樹脂層3の中間補助層5が形成された面に重ね合わせて加熱、加圧することで、中間補助層5に配線シート20を融着する。以降は、図7中の(2)(3)(4)に示した工程と同様である。
本実施形態によれば、複数の表面実装部品を含む樹脂層に対して複数の熱可塑性樹脂シートの積層体を少ない工数で容易に形成できる。なお、積層状態の配線シート20には、各種の表面実装部品が内蔵されていてもよい。
《第3の実施形態》
第3の実施形態では、中間補助層5の開口Hに形成する金属材の構成が第1、第2の実施形態とは異なる例について示す。
第3の実施形態では、中間補助層5の開口Hに形成する金属材の構成が第1、第2の実施形態とは異なる例について示す。
図9、図10、図11は、第3の実施形態に係るモジュール部品の製造方法の各工程における基板や各層の断面図である。図9、図10、図11中の(1)~(11)は工程順を表す番号である。図11中の(11)は最終的に得るモジュール部品103の一つである。
図9に示す(1)~(4)、図10に示す(5)(6)の工程は、第1の実施形態における図1の(1)~(4)、図2の(5)(6)に示した工程と同じである。すなわち、[表面実装部品埋設工程][反り防止用支持材貼り合わせ工程][転写用基板剥離工程]は第1の実施形態で示したとおりである。
本実施形態の[中間補助層処理工程]では、図10の(7)に示すように、中間補助層5の開口Hに金属材6を薄膜形成する。具体的には、例えば中間補助層5の表面の全面にCu膜をスパッタリングにより付与し、開口H部分以外をエッチングすることにより形成する。または、マスクパターンを用いてスパッタリングする。
[配線シート接合工程]では、図11中の(8)(9)に示すように、中間補助層5が形成された面に、配線シート20を重ね合わせる。配線シート20は熱可塑性樹脂シート21に電極パターン22およびビアパターン23が形成されたシートである。配線シート20の製造方法は第1の実施形態で示したとおりである。但し、ビアパターン23は金属材6の平坦部に接続される位置に形成する。
中間補助層5に配線シート20を重ね合わせて加熱、加圧(熱処理)することで、中間補助層5に配線シート20の熱可塑性樹脂シート21を融着する。上記熱処理前の配線シート20のビアパターン23は未金属化状態であるが、上記熱処理により、ビアパターン23は金属化して、各部品の実装用端子Emと電極パターン22とが、金属材6およびビアパターン23を介して接続される。
図12は、金属材6と表面実装部品2aとの接合部の拡大断面図および表面実装部品2aの平面図である。金属材6の幅は表面実装部品2aの実装用端子の幅より小さい。この例では、金属材6が表面実装部品2aの実装用端子に接する部分は、図12に示すように例えば円形である。そのため、中間補助層5に形成する開口Hの位置にある程度の誤差があっても、表面実装部品2aの実装用端子と金属材6との接合面積は一定に保たれるので、超高密度実装のモジュール部品の製造が容易となる。
その後、図11中の(9)(10)(11)に示すように、反り防止用支持材4を樹脂層3から剥離し、個別のモジュール部品103に分割する。
図13は本実施形態に係る別のモジュール部品の製造方法の所定工程における基板や各層の断面図である。この図は、図11に示した各工程に対応する図である。図11に示した工程では、樹脂層3に反り防止用支持材4を貼り合わせた状態で配線シート20を重ね合わせるようにしたが、図13に示すように、樹脂層3に反り防止用支持材を貼り合わせない状態で配線シート20を重ね合わせてもよい。
本実施形態によれば、配線シート20に形成されたビアパターン23は中間補助層5の開口H(図10中の(6)参照)の位置ではなく、金属材6の平坦部に接続されるので、表面実装部品2a,2b,2cの実装用端子の接続部に掛かる応力が緩和され、接続信頼性を高めやすい。
《第4の実施形態》
第4の実施形態では、反り防止用支持材にシールド用の電極が形成されたモジュール部品の製造方法について示す。
第4の実施形態では、反り防止用支持材にシールド用の電極が形成されたモジュール部品の製造方法について示す。
図14は本実施形態に係るモジュール部品の製造方法の所定工程における基板や各層の断面図である。この図は、樹脂層3に中間補助層5を介して配線シート20を接合する工程以降の工程について示す。図14中の(1)に示す工程までについては、第1の実施形態で示した図1、図2に示したとおりである。
反り防止用支持材4の表面にはほぼ全面にシールド電極7が予め形成されている。反り防止用支持材4は例えばSi基板であり、シールド電極7はSi基板の表面に例えばスパッタリングにより成膜されたCu膜である。
図14中の(1)(2)に示すように、樹脂層3の中間補助層5が形成された面に、複数の熱可塑性樹脂シート21を重ね合わせて加熱、加圧(熱処理)することで、中間補助層5に配線シート20の熱可塑性樹脂シート21を融着する。上記熱処理により、ビアパターン23は金属化して、各部品の実装用端子Emと電極パターン22とが、金属材6およびビアパターン23を介して接続される。各熱可塑性樹脂に対する電極パターン22およびビアパターン23の形成方法は第1の実施形態で示したとおりである。
その後、図14中の(2)(3)に示すように、反り防止用支持材4を樹脂層3から剥離することなく、ダイサーなどを用いて個別のモジュール部品104Aに分割する。
本実施形態によれば、表面にシールド電極7が形成されたモジュール部品が得られる。
図15は本実施形態に係る別のモジュール部品104Bの断面図である。この例では、反り防止用支持材4の内層にシールド電極7が形成されている。反り防止用支持材4は、例えば複数の熱可塑性樹脂シートの積層体であり、シールド電極7は例えばCu箔である。
本実施形態によれば、内部の部品や回路がシールドされたモジュール部品が得られる。また、図15に示したように、反り防止用支持材4に熱可塑性樹脂シートを用いると、樹脂層3に対する反り防止用支持材4の貼り合わせが容易となる。
《第5の実施形態》
第5の実施形態では、表面実装部品を囲むシールド用の電極を備えるモジュール部品の製造方法について示す。
第5の実施形態では、表面実装部品を囲むシールド用の電極を備えるモジュール部品の製造方法について示す。
図16、図17は本実施形態に係るモジュール部品の製造方法の所定工程における基板や各層の断面図である。図16中の(1)の段階は、第1の実施形態で示した図1の(3)に示した段階に相当する。つまり、[表面実装部品配置工程]、[表面実装部品埋設工程]、[反り防止用支持材貼り合わせ工程]を完了した状態である。ここで、反り防止用支持材4は例えば熱可塑性樹脂等の加工性の高いシートである。
上記工程の次に、図16中の(2)に示すように、互いに隣接するモジュール部品の境界に深溝DGを形成する。
その後、図16中の(3)に示すように、反り防止用支持材4の表面および深溝DG内にシールド電極7を形成する。例えば導電性ペーストを塗布形成する。
その後、図16中の(4)に示すように、転写用基板1を剥離し、図2に示した工程と同様の工程を行う。これにより、図17中の(5)に示すように、所定位置に金属材6が充填された中間補助層5を設けた状態とする。
その後、図3に示した工程と同様の工程を行う。これにより、図17中の(6)に示すようなモジュール部品105を得る。
本実施形態によれば、表面実装部品2a,2b,2cの周囲がシールド電極7で囲まれたモジュール部品が得られる。
《その他の実施形態》
幾つかの実施形態では、片面にCu箔22Pがラミネートされた熱可塑性樹脂シート21を用いる例を示したが、両面に金属箔をラミネートした熱可塑性樹脂シートを用いてもよい。
幾つかの実施形態では、片面にCu箔22Pがラミネートされた熱可塑性樹脂シート21を用いる例を示したが、両面に金属箔をラミネートした熱可塑性樹脂シートを用いてもよい。
また、配線シート20を熱可塑性樹脂シートの積層体とし、この配線シート20内に部品を内蔵させてもよい。
また、個片化する際に、ダイサーでカットする以外にレーザー加工によってスクライブラインを形成してもよい。
最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。
DG…深溝
Em…実装用端子
H…開口
SL…スクライブライン
Sm…部品搭載面
1…転写用基板
2a,2b,2c…表面実装部品
3…樹脂層
4…反り防止用支持材
5…中間補助層
6…金属材
7…シールド電極
20…配線シート
21…熱可塑性樹脂シート
22…電極パターン
22P…Cu箔
23…ビアパターン
101,103,104A,104B,105…モジュール部品
Em…実装用端子
H…開口
SL…スクライブライン
Sm…部品搭載面
1…転写用基板
2a,2b,2c…表面実装部品
3…樹脂層
4…反り防止用支持材
5…中間補助層
6…金属材
7…シールド電極
20…配線シート
21…熱可塑性樹脂シート
22…電極パターン
22P…Cu箔
23…ビアパターン
101,103,104A,104B,105…モジュール部品
Claims (10)
- 転写用基板の部品搭載面に実装用端子を対面させて、前記転写用基板の部品搭載面に複数の表面実装部品を配置する、表面実装部品配置工程と、
前記転写用基板の前記部品搭載面に樹脂層を形成し、当該樹脂層に前記複数の表面実装部品を埋設する、表面実装部品埋設工程と、
前記樹脂層を前記複数の表面実装部品とともに前記転写用基板から剥離する、転写用基板剥離工程と、
前記樹脂層の剥離面に前記実装用端子を露出させる開口と、前記開口に配された金属材とを有する中間補助層を設ける、中間補助層形成工程と、
熱可塑性樹脂シートに、未金属化状態のビアパターンと、当該ビアパターンにつながる電極パターンとを形成して配線シートを構成する、配線シート作製工程と、
前記樹脂層の前記中間補助層が形成された面に、前記配線シートを重ね合わせ、熱処理することで、前記中間補助層に前記配線シートの前記熱可塑性樹脂シートを融着させるとともに、前記ビアパターンを金属化して、前記実装用端子と前記電極パターンとを前記金属材および前記ビアパターンを介して接続する、配線シート接合工程と、
を有する、モジュール部品の製造方法。 - 前記中間補助層は熱可塑性樹脂の層である、請求項1に記載のモジュール部品の製造方法。
- 前記金属材は銅を主成分とする材料であり、前記未金属化状態のビアパターンは銅と金属間化合物を形成し得る金属材である、請求項1または2に記載のモジュール部品の製造方法。
- 前記配線シート作製工程または前記配線シート接合工程で、複数の前記熱可塑性樹脂シートを積層して前記配線シートを構成する、請求項1から3のいずれかに記載のモジュール部品の製造方法。
- 前記転写用基板、前記樹脂層、前記中間補助層、および前記配線シートは複数のモジュール部品形成領域を含み、
前記配線シート接合工程の後、前記配線シート接合工程によって構成されたモジュール部品集合体を個別のモジュールに分離する工程をさらに含む、請求項1から4のいずれかに記載のモジュール部品の製造方法。 - 前記転写用基板剥離工程の前に、前記樹脂層の表面に反り防止用支持材を貼り合わせる、反り防止用支持材貼り合わせ工程を備える、請求項1から5のいずれかに記載のモジュール部品の製造方法。
- 前記反り防止用支持材は熱可塑性樹脂シートである、請求項6に記載のモジュール部品の製造方法。
- 前記反り防止用支持材はSi基板である、請求項6に記載のモジュール部品の製造方法。
- 前記反り防止用支持材貼り合わせ工程の前に、前記反り防止用支持材にシールド用の電極を形成する反り防止用支持材電極形成工程を更に含む、請求項6から8のいずれかに記載のモジュール部品の製造方法。
- 前記配線シート接合工程の後に、前記反り防止用支持材を前記樹脂層から剥離する反り防止用支持材剥離工程を更に含む、請求項6から8のいずれかに記載のモジュール部品の製造方法。
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