WO2018030249A1 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、広い温度範囲で使用する際に、表示領域の端部における輝点の発生が抑制された液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 本発明の液晶表示装置は、第一基板及び第二基板の間に設けられた液晶層と、上記第一基板及び上記第二基板の少なくとも一方の基板の上記液晶層側に設けられた配向膜と、上記第一基板及び上記第二基板を互いに接着するシールとを備え、上記液晶層は、液晶材料を含み、上記液晶材料は、アルコキシ基を有する液晶化合物を含み、かつ、－１０℃以上、８０℃以下で液晶相を示し、上記シールは、エポキシ樹脂を含むシール剤の硬化物であり、上記配向膜は、ポリアミック酸及びポリシロキサンを含有する第一配向剤を用いて形成されたポリマー層を含む第一配向膜と、ポリアミック酸を含有する第二配向剤を用いて形成されたポリマー層の表面にシランカップリング剤が化学吸着した第二配向膜との少なくとも一方を備える。

Description

液晶表示装置及びその製造方法

本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に関する。より詳しくは、特に、広い温度範囲で使用される液晶表示装置に好適に用いられる液晶表示装置及びその製造方法に関するものである。

液晶表示装置は、表示のために液晶組成物を利用する表示装置であり、その代表的な表示方式は、一対の基板間に液晶組成物を封入した液晶表示パネルに対してバックライトから光を照射し、液晶組成物に電圧を印加して液晶分子の配向を変化させることにより、液晶表示パネルを透過する光の量を制御するものである。このような液晶表示装置は、薄型、軽量及び低消費電力といった特長を有することから、テレビジョン、スマートフォン、タブレット端末、カーナビゲーション等の電子機器に利用されている。

液晶表示装置において、電圧が印加されていない状態における液晶分子の配向は、配向処理が施された配向膜によって制御されるのが一般的である。例えば、特許文献１では、直鎖状の炭素鎖及びＳｉを持つシラン系界面活性剤が、エネルギービーム感応性の樹脂を介して化学吸着され、かつ、上記直鎖状の炭素鎖が特定の方向に配向している被膜である液晶配向膜が開示されている。

特開平１０－１５３７８３号公報

デジタルサイネージ用液晶表示装置や車載用液晶表示装置等、温度変化の大きな環境下で使用される液晶表示装置には、例えば、－３０℃～９０℃で液晶相を示す液晶材料が用いられ、上記液晶材料には、アルコキシ基を有する液晶化合物が含まれる場合がある。また、ポリアミック酸は、シールに含まれる樹脂との接着性が高く、かつ、液晶材料への溶解性が非常に低いため、液晶表示装置用の配向膜の材料として好適に用いられる。

上記アルコキシ基を有する液晶化合物を用いた液晶表示装置について、本発明者らが検討を行ったところ、エポキシ樹脂を含むシールと、ポリアミック酸を用いて形成された配向膜とを、上記アルコキシ基を有する液晶化合物とともに用いた場合、広い温度範囲で液晶表示装置を使用する際に、表示領域の端部において輝点が発生することを見出した。しかしながら、上記特許文献１には、このような輝点の発生を抑制する技術については開示されていない。そこで、本発明者らは、上記輝点の発生について更に詳細な検討を行った。

図７は、エポキシ樹脂のジアルコール化を示した模式図である。図８は、ジアルコール化されたエポキシ樹脂とアルコキシ基を有する液晶化合物との水素結合の様子を示した模式図である。図７に示したように、シールに含まれるエポキシ樹脂５１は、パネル（セル）外部の水分を吸収し、ジアルコール化されたエポキシ樹脂５２となる。配向膜に含まれるポリアミック酸のイミド化率が低いほど、すなわち、カルボキシル基が多く存在するほど、図７に示したように、カルボキシル基由来の酸によりジアルコールは形成され易くなる。

シール中、特に、シールと配向膜の界面近傍で形成された、ジアルコール化されたエポキシ樹脂５２は、図８に示したように、液晶層に含まれるアルコキシ基を有する液晶化合物３１の－Ｏ－基と水素結合３２を形成する性質がある。したがって、液晶表示装置が低温及び高温に繰り返し曝されることで、ジアルコール化されたエポキシ樹脂５２は、時間の経過とともに液晶層中に取り込まれることになる。すなわち、液晶表示装置が高温環境下に置かれた場合、シールで形成されたジアルコール化されたエポキシ樹脂５２は、熱揺らぎにより液晶層に溶出し、続いて、液晶表示装置が低温環境におかれると、ジアルコール化されたエポキシ樹脂５２のヒドロキシル基と、アルコキシ基を有する液晶化合物３１中のアルコキシ基との間で水素結合３２が形成される。

低温で液晶相から固体へ変化する液晶材料を用いた場合、固体では流動性がないため、ジアルコール化されたエポキシ樹脂５２と、アルコキシ基を有する液晶化合物３１との間で水素結合３２は形成されない。しかし、－３０℃～－１０℃といった低温においても液晶相を維持できる液晶材料を用いる場合、ジアルコール化されたエポキシ樹脂５２と、アルコキシ基を有する液晶化合物３１との間で水素結合３２は形成され易くなる。

ここで、水分と反応して形成されるヒドロキシル基は、エポキシ樹脂一分子中に少なくとも二つ存在するため、エポキシ樹脂一分子において、二か所で水素結合３２が形成される。したがって、アルコキシ基を有する液晶化合物３１と、ジアルコール化されたエポキシ樹脂５２との間で水素結合３２が形成され、安定化すると、これらは液晶層中で不溶状態となり析出し、液晶層の配向を乱し、微小な輝点等の表示不良を発生させる。この輝点は、屋外用や車載用等、広い温度範囲で用いられる液晶表示装置において、より顕著に確認され、特に－３０℃～９０℃の温度範囲で使用される車載用液晶表示装置において発生し易い。

この理由は、より高温で、エポキシ樹脂と水との反応が起こり易く、かつ、ジアルコール化されたエポキシ樹脂５２の液晶層３０への溶出が起こり易くなり、より低温で、ジアルコール化されたエポキシ樹脂５２とアルコキシ基を有する液晶化合物３１との水素結合３２が形成され易くなるためと考えられる。

したがって、上記の輝点の発生を抑制するためには、ポリアミック酸のカルボキシル基に由来する酸が、シールに含まれるエポキシ樹脂に接触し、取り込まれることを抑制することが重要である。なお、ポリアミック酸は、通常、配向膜の焼成（仮焼成及び本焼成）工程を経ることによって部分的に脱水・環化し、カルボキシル基が減少すると考えられる。例えば、イミド化率０％のポリアミック酸を使用したとしても、配向膜の焼成（仮焼成及び本焼成）工程を経て最終的にはイミド化率は５０％前後まで増加することがある。しかしながら、このような場合であっても上記輝点が発生する。

本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、広い温度範囲で使用する際に、表示領域の端部における輝点の発生が抑制された液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とするものである。

本発明者らは、広い温度範囲で使用する際に、表示領域の端部における輝点の発生が抑制された液晶表示装置について種々の検討を行った。そして、広い温度範囲で使用する際に、表示領域の端部における輝点の発生を抑制するためには、ポリアミック酸及びポリシロキサンを含有する配向剤を用いて形成されたポリマー層を含む配向膜、及び、ポリアミック酸を含有する配向剤を用いて形成されたポリマー層の表面にシランカップリング剤が化学吸着した配向膜の少なくとも一方を用いることが有効であることを見出した。これにより、液晶層と配向膜との界面付近や、配向膜とシールとの界面付近に存在するカルボキシル基を大幅に減少させ、上記課題をみごとに解決できることに想到し、本発明に到達した。

すなわち、本発明の一態様は、第一基板と、上記第一基板に対向する第二基板と、上記第一基板及び上記第二基板の間に設けられた液晶層と、上記第一基板及び上記第二基板の少なくとも一方の基板の上記液晶層側に設けられた配向膜と、上記第一基板及び上記第二基板を互いに接着するシールとを備え、上記液晶層は、液晶材料を含み、上記液晶材料は、アルコキシ基を有する液晶化合物を含み、かつ、－１０℃以上、８０℃以下で液晶相を示し、上記シールは、エポキシ樹脂を含むシール剤の硬化物であり、上記配向膜は、ポリアミック酸及びポリシロキサンを含有する第一配向剤を用いて形成されたポリマー層を含む第一配向膜と、ポリアミック酸を含有する第二配向剤を用いて形成されたポリマー層の表面にシランカップリング剤が化学吸着した第二配向膜との少なくとも一方を備える液晶表示装置であってもよい。

上記液晶化合物は、下記化学式（Ｌ）で表される化合物であってもよい。

（上記化学式（Ｌ）中、Ｘ^ａ及びＸ^ｂは各々独立に、水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｒは一価の有機基を表し、ｍは１～１８の整数を表す。ただし、Ｘ^ａ及びＸ^ｂの一方が水素原子である場合は、Ｘ^ａ及びＸ^ｂの他方はフッ素原子又は塩素原子を表す。）

上記液晶化合物は、下記化学式（Ｌ１）～（Ｌ５）のいずれかで表される化合物であってもよい。

（上記化学式（Ｌ１）～（Ｌ５）中、ｍ及びｎは各々独立に、１～１８の整数を表す。）

上記液晶材料は、－３０℃以上、９０℃以下で液晶相を示してもよい。

上記シランカップリング剤は、下記化学式（ＳＣ１）で表される化合物であってもよい。

（上記化学式（ＳＣ１）中、Ｚは各々独立に、塩素原子、メトキシ基又はエトキシ基を表し、Ｒ^１は各々独立に、水素原子又はハロゲン原子を表し、Ｒ^２は各々独立に、水素原子又はハロゲン原子を表し、ａは０～１７の整数を表す。）

上記シランカップリング剤は、下記化学式（ＳＣ２）又は（ＳＣ３）で表される化合物であってもよい。

（上記化学式（ＳＣ２）中、Ｚは各々独立に、塩素原子、メトキシ基又はエトキシ基を表し、ａは０～１７の整数を表す。）

（上記化学式（ＳＣ３）中、Ｚは各々独立に、塩素原子、メトキシ基又はエトキシ基を表し、ｂは０～１６の整数を表す。）

上記ポリシロキサンは、エポキシ基及びイソシアネート基からなる群より選択される少なくとも一種の官能基を含んでもよい。

上記第一配向膜及び上記第二配向膜は、各々、互いに異なるポリマーを含む複数のポリマー層を有してもよい。

上記配向膜は、上記第一配向膜を備えてもよい。

上記第一配向膜は、上記第一配向剤を用いて形成されたポリマー層の表面に化学吸着したシランカップリング剤を含んでもよい。

上記配向膜は、上記第二配向膜を備えてもよい。

上記第二配向剤は、ポリシロキサンを更に含有してもよい。

本発明の別の一態様は、第一基板及び第二基板の少なくとも一方の基板に配向膜を形成する配向膜形成工程と、上記少なくとも一方の基板に、エポキシ樹脂を含むシール剤を描画するシール剤描画工程と、上記第一基板及び上記第二基板を貼り合わせて上記シール剤を硬化するシール剤硬化工程と、アルコキシ基を有する液晶化合物を含み、かつ、－１０℃以上、８０℃以下で液晶相を示す液晶材料を用いて、上記第一基板及び上記第二基板の間に液晶層を形成する液晶層形成工程と、を備え、上記配向膜形成工程として、上記少なくとも一方の基板にポリアミック酸及びポリシロキサンを含有する第一配向剤を用いてポリマー層を形成する第一工程と、上記少なくとも一方の基板にポリアミック酸を含有する第二配向剤を用いてポリマー層を形成した後、上記ポリマー層の表面にシランカップリング剤を化学吸着させる第二工程との少なくとも一方を備える液晶表示装置の製造方法であってもよい。

上記液晶表示装置の製造方法は、上記配向膜形成工程として、上記第二工程を備えず、上記第一工程を備えてもよい。

上記液晶表示装置の製造方法は、上記配向膜形成工程として、上記第一工程の後、上記第一配向剤を用いて形成されたポリマー層の表面に、シランカップリング剤を化学吸着させる工程を更に備えてもよい。

上記液晶表示装置の製造方法は、上記配向膜形成工程として、上記第一工程を備えず、上記第二工程を備えてもよい。

上記第二配向剤は、ポリシロキサンを更に含有してもよい。

上記液晶化合物は、下記化学式（Ｌ）で表される化合物であってもよい。

（上記化学式（Ｌ）中、Ｘ^ａ及びＸ^ｂは各々独立に、水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｒは一価の有機基を表し、ｍは１～１８の整数を表す。ただし、Ｘ^ａ及びＸ^ｂの一方が水素原子である場合は、Ｘ^ａ及びＸ^ｂの他方はフッ素原子又は塩素原子を表す。）

上記液晶化合物は、下記化学式（Ｌ１）～（Ｌ５）のいずれかで表される化合物であってもよい。

（上記化学式（Ｌ１）～（Ｌ５）中、ｍ及びｎは各々独立に、１～１８の整数を表す。）

上記液晶材料は、－３０℃以上、９０℃以下で液晶相を示してもよい。

上記シランカップリング剤は、下記化学式（ＳＣ１）で表される化合物であってもよい。

（上記化学式（ＳＣ１）中、Ｚは各々独立に、塩素原子、メトキシ基又はエトキシ基を表し、Ｒ^１は各々独立に、水素原子又はハロゲン原子を表し、Ｒ^２は各々独立に、水素原子又はハロゲン原子を表し、ａは０～１７の整数を表す。）

上記シランカップリング剤は、下記化学式（ＳＣ２）又は（ＳＣ３）で表される化合物であってもよい。

（上記化学式（ＳＣ２）中、Ｚは各々独立に、塩素原子、メトキシ基又はエトキシ基を表し、ａは０～１７の整数を表す。）

（上記化学式（ＳＣ３）中、Ｚは各々独立に、塩素原子、メトキシ基又はエトキシ基を表し、ｂは０～１６の整数を表す。）

上記ポリシロキサンは、エポキシ基及びイソシアネート基からなる群より選択される少なくとも一種の官能基を含んでもよい。

上記配向膜は、互いに異なるポリマーを含む複数のポリマー層を有してもよい。

広い温度範囲で使用する際に、表示領域の端部における輝点の発生が抑制された液晶表示装置及びその製造方法を提供することができる。

実施形態１の液晶表示装置に関する図であり、図中（ａ）は液晶表示装置の断面模式図であり、図中（ｂ）は液晶表示装置の配向膜近傍の拡大断面模式図である。 実施形態２の液晶表示装置の断面模式図である。 実施形態２の液晶表示装置の拡大断面模式図である。 実施形態３の液晶表示装置の断面模式図である。 実施形態２及び３の液晶表示装置における基板の断面模式図である。 特許文献１の液晶表示装置において想定される基板の断面模式図である。 エポキシ樹脂のジアルコール化を示した模式図である。 ジアルコール化されたエポキシ樹脂とアルコキシ基を有する液晶化合物との水素結合の様子を示した模式図である。

以下に実施形態を掲げ、本発明について図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。また、各実施形態の構成は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜組み合わされてもよいし、変更されてもよい。

［実施形態１］
図１は、実施形態１の液晶表示装置に関する図であり、図中（ａ）は液晶表示装置の断面模式図であり、図中（ｂ）は液晶表示装置の配向膜近傍の拡大断面模式図である。図１に示したように、本実施形態の液晶表示装置１Ａは、第一基板１０と、第一基板１０に対向する第二基板２０と、第一基板１０及び第二基板２０の間に設けられた液晶層３０と、第一基板１０及び第二基板２０の液晶層３０側に設けられた配向膜４０ａと、第一基板１０及び第二基板２０を互いに接着するシール５０とを備えている。液晶層３０は、液晶材料を含み、上記液晶材料は、アルコキシ基を有する液晶化合物を含み、かつ、－１０℃以上、８０℃以下で液晶相を示す。シール５０は、エポキシ樹脂を含むシール剤の硬化物である。配向膜４０ａは、ポリアミック酸及びポリシロキサンを含有する配向剤Ａを用いて形成されたポリマー層４１である。配向膜４０ａは、上記第一配向膜に相当し、配向剤Ａは、上記第一配向剤に相当する。

本実施形態の液晶表示装置１Ａは、アルコキシ基を有する液晶化合物を含む液晶層３０と、エポキシ樹脂を含むシール剤の硬化物であるシール５０と、ポリアミック酸を含有する配向剤を用いて形成された配向膜４０ａとを備えるため、上述のように広い温度範囲で使用する場合、表示領域の端部において輝点が発生するおそれがある。

しかしながら本実施形態では、ポリアミック酸及びポリシロキサンを含有する配向剤Ａを用いて形成されたポリマー層４１である配向膜４０ａを用いることにより、ポリシロキサンを配向膜４０ａの液晶層３０側の界面付近に分布させ、液晶層３０と配向膜４０ａとの界面付近や、配向膜４０ａとシール５０との界面付近に存在するカルボキシル基を大幅に減少させる。これにより、輝点の発生を抑制することができる。以下に各構成の詳細を説明する。

＜基板＞
第一基板１０及び第二基板２０は透明基板を有しており、第一基板１０及び第二基板２０の少なくとも一方には液晶層３０に電圧を印可するための電極が配置されている。透明基板としては、例えば、ガラス基板、プラスチック基板等が挙げられる。電極は、通常、各画素に設けられた画素電極と、全画素に共通の共通電極とを含んでいる。

＜液晶層＞
液晶層３０は、液晶材料を含み、上記液晶材料は、アルコキシ基を有する液晶化合物を含み、かつ、－１０℃以上、８０℃以下で液晶相を示す。

上記液晶材料の誘電率異方性は、正でも負でもよいが、上記アルコキシ基を有する液晶化合物は、負の誘電率異方性を有することが多いため、上記液晶材料は、負の誘電率異方性を有することが好ましい。上記液晶材料の誘電率異方性（Δε）は－２０～－１．０であることが好ましく、－１２～－１．５であることがより好ましく、－１０～－２．０であることが更に好ましい。なお、負の誘電率異方性を有する液晶材料は、ネガ型液晶材料と言われるものであってもよい。

なお、誘電率異方性（Δε）は、下記式（Ｅ１）で定義される。
Δε＝（長軸方向の誘電率）－（短軸方向の誘電率）　　（Ｅ１）

液晶材料の誘電率異方性（Δε）は、水平配向又は垂直配向の液晶セルを作製し、高電圧印加前後の容量値を用いて、長軸方向の誘電率と短軸方向の誘電率を算出して求めることができる。

上記液晶材料は、－１０℃以上、８０℃以下で液晶相を示す。上記液晶材料は、－３０℃以上、９０℃以下で液晶相を示すことが好ましく、－４０℃以上、１００℃以下で液晶相を示すことがより好ましい。このような態様とすることにより、広い温度範囲で液晶相を示す必要がある車載用途やデジタルサイネージ用途に好適に用いることができる。

上記液晶材料は、アルコキシ基を有する液晶化合物を含み、下記化学式（Ｌ）で表される化合物を含むことが好ましい。上記液晶材料及び上記アルコキシ基を有する液晶化合物が負の誘電率異方性を有する場合、下記化学式（Ｌ）におけるＸ^ａ及びＸ^ｂがともに水素原子となることはない。また、上記液晶材料における、上記アルコキシ基を有する液晶化合物の含有量は、上記液晶材料全体に対して、５重量％～５０重量％であることが好ましく、７重量％～４０重量％であることがより好ましく、１０重量％～３０重量％であることが更に好ましい。このように、上記液晶材料は、アルコキシ基を有する液晶化合物以外の一般的な液晶化合物を含有してもよい。

上記アルコキシ基を有する液晶化合物は、下記化学式（Ｌ１）～（Ｌ５）のいずれかで表される化合物を含むことがより好ましく、下記化学式（Ｌ３）又は（Ｌ４）で表される化合物を含むことが更に好ましい。また、下記化学式（Ｌ３）で表される化合物の中でも、特に、下記化学式（Ｌ３－１）で表される化合物を上記液晶材料に含むことが好ましく、下記化学式（Ｌ４）で表される化合物の中でも、特に、下記化学式（Ｌ４－１）で表される化合物を上記液晶材料に含むことが好ましい。このような態様とすることにより、温度変化のより大きな環境下においても、液晶表示装置の表示特性を良好なものとすることができる、すなわち、液晶相の温度範囲を広くすることができる。

（上記化学式（Ｌ）中、Ｘ^ａ及びＸ^ｂは各々独立に、水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｒは一価の有機基を表し、ｍは１～１８の整数を表す。ただし、Ｘ^ａ及びＸ^ｂの一方が水素原子である場合は、Ｘ^ａ及びＸ^ｂの他方はフッ素原子又は塩素原子を表す。）

（上記化学式（Ｌ１）～（Ｌ５）中、ｍ及びｎは各々独立に、１～１８の整数を表す。）

上記化学式（Ｌ）において、Ｒは一価の有機基を表し、炭素数３～３５の一価の炭化水素基であることが好ましく、炭素数６の芳香環基を１～２個含む炭素数７～３０の一価の炭化水素基であることがより好ましい。

＜配向膜＞
本明細書において「配向膜」とは、液晶層３０中の液晶化合物の配向を制御する機能を有するものであり、液晶層３０への印加電圧が閾値電圧未満（電圧無印加を含む）のときには、主に配向膜の働きによって液晶層３０中の液晶化合物の配向が制御される。この状態（以下、初期配向状態とも言う。）において、第一基板１０及び第二基板２０の表面に対して液晶化合物の長軸が形成する角度が「プレチルト角」と呼ばれる。なお、本明細書において「プレチルト角」とは、基板面と平行な方向からの液晶化合物の傾きの角度を表し、基板面と平行な角度が０°、基板面の法線の角度が９０°である。

本実施形態の液晶表示装置１Ａは、配向膜４０ａを備える。配向膜４０ａは、ポリアミック酸及びポリシロキサンを含有する配向剤Ａを用いて形成されたポリマー層４１である。上記配向剤Ａにポリアミック酸を含むことにより、配向膜４０ａとシール５０との間の接着強度を高めることができる。

上記ポリアミック酸は、ポリマー１分子における繰り返し単位の全てがアミック酸（アミド酸）構造を有していても有していなくてもよく、アミック酸（アミド酸）中のカルボキシル基の一部が脱水・環化し、ポリマー１分子の一部にイミド構造を有していてもよい。上記ポリアミック酸がイミド構造を有する場合、ポリアミック酸１分子の繰り返し単位の数に対する、イミド構造を有する繰り返し単位の数の割合、すなわち配向剤Ａにおける上記ポリアミック酸、すなわち後述の焼成（仮焼成及び本焼成）を行う前の上記ポリアミック酸のイミド化率は、１０％以下であるものとする。イミド化率は、フーリエ変換赤外分光法（ＦＴＩＲ：Ｆｏｕｒｉｅｒ　Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ　Ｉｎｆｒａｒｅｄ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて、－ＣＯＮＨ－基由来のピークの消失の程度から算出する。なお、焼成（仮焼成及び本焼成）後の上記ポリアミック酸のイミド化率、すなわり配光膜４０ａにおける上記ポリアミック酸のイミド化率は、通常、１０％よりも大きく、例えば５０％程度であってもよい。

図１（ｂ）に示したように、上記ポリアミック酸及びポリシロキサンを含有する配向剤Ａを用いて形成されたポリマー層４１では、ポリアミック酸から形成された層４１ａとポリシロキサンから形成された層４１ｂとが二層構造を形成している。二層構造のうち、液晶層３０側の上層にはポリシロキサンから形成された層４１ｂが位置し、第一基板１０及び第二基板２０側の下層にはポリシロキサンから形成された層４１ｂが位置する。ただし、上記二層構造における上層と下層との境界部分では、ポリシロキサン及びポリアミック酸が入り乱れており、液晶層３０側に近づくにつれてポリシロキサンの含有量が徐々に増え、第一基板１０又は第二基板２０側に近づくにつれてポリアミック酸の含有量が徐々に増えるような状態になっていると考えられる。

上記ポリアミック酸は、下記化学式（ＰＡ１）で表される構造を有することが好ましい。

（上記化学式（ＰＡ１）中、Ｘ^１は４価の基を表し、Ｙ^１は２価の基を表し、ｐは１以上の整数を表す。）

上記化学式（ＰＡ１）において、Ｘ^１は４価の基を表し、環状構造を有する炭素数４～２０の４価の基であることが好ましく、炭素数６の芳香環基を１～３個又は炭素数４～６の脂環基を１～３個含む４価の基であることがより好ましい。２個以上の芳香環基又は脂環基を含む場合は、それらが直接或いは連結基を介して結合していてもよいし、縮合していてもよい。連結基としては、炭素数１～５の炭化水素基、－Ｏ－、－Ｎ＝Ｎ－、－Ｃ≡Ｃ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＯ－ＣＨ＝ＣＨ－等が挙げられる。

Ｘ^１の具体例としては、下記化学式（Ｘ１－１）～（Ｘ１－１２）で表される化学構造等が挙げられる。各構造に含まれる少なくとも一つの水素原子は、ハロゲン基、メチル基又はエチル基に置換されていてもよい。Ｘ^１は、下記化学式（Ｘ１－１）、（Ｘ１－７）又は（Ｘ１－８）で表される化学構造であることが好ましい。

上記化学式（ＰＡ１）におけるＸ^１が下記化学式（Ｘ１－１）であるポリアミック酸を用いることにより、配向膜４０ａの抵抗を小さくすることが可能となる。上記化学式（ＰＡ１）におけるＸ^１が下記化学式（Ｘ１－７）であるポリアミック酸は、紫外線照射による分解により配向処理を施す場合や、配向膜４０ａの抵抗を大きくする場合に好適に用いられる。また、上記化学式（ＰＡ１）におけるＸ^１が下記化学式（Ｘ１－８）であるポリアミック酸を用いることにより、下記化学式（Ｘ１－７）を用いた場合と同様に配向膜４０ａの抵抗を大きくすることが可能であるが、下記（Ｘ１－８）で表される化学構造は、下記（Ｘ１－７）で表される化学構造に比べて構造的により安定であるため、配向膜４０ａの抵抗を高い値で安定化させることが可能となる。

上記化学式（ＰＡ１）において、Ｙ^１は２価の基を表し、芳香環を有する炭素数６～２０の２価の基であることが好ましく、炭素数６の芳香環基を１～３個含む２価の基であることがより好ましい。２個以上の芳香環基を含む場合は、それらが直接或いは連結基を介して結合していてもよいし、縮合していてもよい。連結基としては、炭素数１～５の炭化水素基、－Ｏ－、－Ｎ＝Ｎ－、－Ｃ≡Ｃ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＯ－ＣＨ＝ＣＨ－等が挙げられる。

Ｙ^１の具体例としては、下記化学式（Ｙ１－１）～（Ｙ１－１６）で表される化学構造等が挙げられる。各構造に含まれる少なくとも一つの水素原子は、ハロゲン基、メチル基又はエチル基に置換されていてもよい。Ｙ^１は、下記化学式（Ｙ１－２）、（Ｙ１－８）又は（Ｙ１－１６）で表される化学構造であることが好ましい。

上記化学式（ＰＡ１）におけるＹ^１が下記化学式（Ｙ１－２）又は（Ｙ１－１６）であるポリアミック酸を用いることにより、配向膜４０ａの抵抗を適切な範囲に調節することが可能となる。

上記化学式（ＰＡ１）で表される構造を有するポリアミック酸の一分子において、Ｘ^１及びＹ^１は、それぞれ、１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。

また、本実施形態のポリアミック酸は、下記化学式（ＰＡ２）で表される構造を有することも好ましい。このような態様とすることにより、光配向性官能基等、様々な機能を有する官能基を上記ポリアミック酸に導入することが可能となる。

（上記化学式（ＰＡ２）中、Ｘ^２は４価の基を表し、Ｙ^２は３価の基を表し、Ｚ^２は１価の基を表し、ｐは１以上の整数を表す。）

上記化学式（ＰＡ２）において、Ｘ^２は４価の基を表し、環状構造を有する炭素数４～２０の４価の基であることが好ましく、炭素数６の芳香環基を１～３個又は炭素数４～６の脂環基を１～３個含む４価の基であることがより好ましい。２個以上の芳香環基又は脂環基を含む場合は、それらが直接或いは連結基を介して結合していてもよいし、縮合していてもよい。連結基としては、炭素数１～５の炭化水素基、－Ｏ－、－Ｎ＝Ｎ－、－Ｃ≡Ｃ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＯ－ＣＨ＝ＣＨ－等が挙げられる。

Ｘ^２の具体例としては、下記化学式（Ｘ２－１）～（Ｘ２－１２）で表される化学構造等が挙げられる。各構造に含まれる少なくとも一つの水素原子は、ハロゲン基、メチル基又はエチル基に置換されていてもよい。Ｘ^２は、下記化学式（Ｘ２－８）で表される化学構造であることが好ましい。上記化学式（ＰＡ２）におけるＸ^２が下記化学式（Ｘ２－８）であるポリアミック酸を用いることにより、配向膜４０ａの抵抗を高い値で安定化させることが可能となる。

上記化学式（ＰＡ２）において、Ｙ^２は３価の基を表し、芳香環を有する炭素数６～２０の３価の基であることが好ましく、炭素数６の芳香環基を１～３個含む３価の基であることがより好ましい。２個以上の芳香環基を含む場合は、それらが直接或いは連結基を介して結合していてもよいし、縮合していてもよい。連結基としては、炭素数１～５の炭化水素基、－Ｏ－、－Ｎ＝Ｎ－、－Ｃ≡Ｃ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＯ－ＣＨ＝ＣＨ－等が挙げられる。

Ｙ^２の具体例としては、下記化学式（Ｙ２－１）～（Ｙ２－２４）で表される化学構造等が挙げられる。各構造に含まれる少なくとも一つの水素原子は、ハロゲン基、メチル基又はエチル基に置換されていてもよい。Ｙ^２は、下記化学式（Ｙ２－１）又は（Ｙ２－２）で表される化学構造であることが好ましい。このような態様とすることにより、配向膜４０ａの抵抗を適切な範囲に調節することが可能となる。

上記化学式（ＰＡ２）におけるＺ^２は、１価の基を表し、－（Ｒ^Ｚ）_ｄ－（ＣＯＯ－Ｚ）_ｅ、又は、－（Ｒ^Ｚ）_ｄ－（ＯＣＯ－Ｚ）_ｅで表される１価の基であることが好ましい。上記式中、Ｒ^Ｚは炭素数１～５のｅ＋１価の基を表し、ｄは０又は１を表し、ｅは１又は２を表し、Ｚは炭素数１～３０の一価の基又は水素原子を表す。各構造に含まれる少なくとも一つの水素原子は、ハロゲン基、メチル基又はエチル基に置換されていてもよい。

Ｚ^２の具体例としては、下記化学式（Ｚ２－１）～（Ｚ２－４２）で表される化学構造等が挙げられる。各構造に含まれる少なくとも一つの水素原子は、ハロゲン基、メチル基又はエチル基に置換されていてもよい。Ｚ^２は、下記化学式（Ｚ２－９）又は（Ｚ２－３８）で表される化学構造であることが好ましい。このような態様とすることにより、電圧保持率（ＶＨＲ）を高め、かつ、残留ＤＣ（ｒＤＣ）を小さく抑えることが可能となる。

上記化学式（ＰＡ２）で表される構造を有するポリアミック酸の一分子において、Ｘ^２、Ｙ^２及びＺ^２は、それぞれ、１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。

また、上記配向剤Ａは、上記化学式（ＰＡ１）で表される構造を有するポリアミック酸、及び、上記化学式（ＰＡ２）で表される構造を有するポリアミック酸の両方を含んでいてもよい。

本実施形態で用いられるポリアミック酸の重量平均分子量は、１０，０００～１，０００，０００であることが好ましく、３０，０００～２００，０００であることがより好ましい。ポリアミック酸の重量平均分子量を上記の範囲とすることにより、所望の膜厚で均一に成膜し易くなる。ポリアミック酸の重量平均分子量が小さ過ぎると、所望の膜厚に成膜しにくく、膜厚が厚くなり過ぎると均一の膜厚にならず、膜面の凹凸が顕著になることがある。

本実施形態で用いられるポリシロキサンは、シロキサン構造を有するポリマーであり、上記ポリシロキサンは、上記ポリアミック酸のカルボキシル基と化学結合を形成する基を有していることが好ましく、エポキシ基及びイソシアネート基からなる群より選択される少なくとも一種の官能基を含むことがより好ましい。ポリシロキサンは分子量が小さく、かつ、柔軟な構造であることから、液晶層３０に溶出してしまう場合があるが、上記ポリシロキサンに上記ポリアミック酸のカルボキシル基と化学結合を形成する基が含まれる場合、ポリシロキサンの液晶層３０への溶出を抑制し、輝点の発生をより抑えることができる。

例えば、上記ポリシロキサンにエポキシ基が含まれる場合、ポリシロキサン及びポリアミック酸を含有する配向剤Ａを加熱することにより、下記（式１）に示すような反応が起こり、ポリシロキサンとポリアミック酸とが化学結合を形成する。これにより、ポリシロキサンの液晶層３０への溶出を抑制し、輝点の発生をより抑えることができる。

上記ポリシロキサンは、下記化学式（ＰＳ１）又は（ＰＳ２）で表される構造を有することが好ましい。

（上記化学式（ＰＳ１）中、Ｚ^３は１価の基を表し、αは水素原子、ヒドロキシル基又は炭素数１～５のアルコキシ基を表し、ｐは１以上の整数を表し、ｒは０＜ｒ≦０．６の実数を表す。）

（上記化学式（ＰＳ２）中、Ｚ^３は１価の基を表し、αは水素原子、ヒドロキシル基又は炭素数１～５のアルコキシ基を表し、ｐは１以上の整数を表し、ｒは０＜ｒ≦０．６の実数を表す。）

上記化学式（ＰＳ１）及び（ＰＳ２）におけるＺ^３は、１価の基を表し、－ＣＯＯ－Ｚ^Ｓ、又は、－ＯＣＯ－Ｚ^Ｓで表される基であることが好ましい。上記式中、Ｚ^Ｓは炭素数５～２５の一価の基を表す。各構造に含まれる少なくとも一つの水素原子は、ハロゲン基、メチル基又はエチル基に置換されていてもよい。

Ｚ^３の具体例としては、下記化学式（Ｚ３－１）～（Ｚ３－８）で表される化学構造等が挙げられる。各構造に含まれる少なくとも一つの水素原子は、ハロゲン基、メチル基又はエチル基に置換されていてもよい。Ｚ^３は、下記化学式（Ｚ３－１）又は（Ｚ３－６）で表される化学構造であることが好ましい。

上記Ｚ^３が下記化学式（Ｚ３－１）であるポリシロキサンを用いることにより、液晶化合物を垂直に配向させることができ、上記Ｚ^３が下記化学式（Ｚ３－６）であるポリシロキサンを用いることにより、液晶化合物を水平に配向させることができる。

上記化学式（ＰＳ１）及び（ＰＳ２）におけるαは水素原子、ヒドロキシル基又は炭素数１～５のアルコキシ基を表す。炭素数１～５のアルコキシ基としては、－ＯＣＨ_３、－ＯＣ_２Ｈ_５、－ＯＣ_３Ｈ_７、－ＯＣ_４Ｈ_９、－ＯＣ_５Ｈ_１１が挙げられ、直鎖構造であっても分岐構造であっても環状構造であってもよい。上記化学式（ＰＳ１）及び（ＰＳ２）におけるαは、水素原子、ヒドロキシル基、メトキシ基又はエトキシ基であることが好ましい。

上記化学式（ＰＳ１）及び（ＰＳ２）におけるｒは０＜ｒ≦０．６の実数を表し、０．３≦ｒ≦０．６であることが好ましく、０．４≦ｒ≦０．５であることがより好ましい。このような態様とすることにより、液晶層３０と配向膜４０ａとの界面付近や、配向膜４０ａとシール５０との界面付近に、より効果的にポリシロキサンを配置することが可能となり、輝点の発生をより一層抑制することができる。

上記化学式（ＰＳ１）又は（ＰＳ２）で表される構造を有するポリシロキサンの一分子において、Ｚ^３及びαは、それぞれ、１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。

また、上記配向剤Ａは、上記化学式（ＰＳ１）で表される構造を有するポリシロキサン、及び、上記化学式（ＰＳ２）で表される構造を有するポリシロキサンの両方を含んでいてもよい。

本実施形態で用いられるポリシロキサンの重量平均分子量は、１０，０００～１，０００，０００であることが好ましく、３０，０００～２００，０００であることがより好ましい。ポリシロキサンの重量平均分子量を上記の範囲とすることにより、所望の膜厚で均一に成膜し易くなる。ポリシロキサンの重量平均分子量が小さ過ぎると、所望の膜厚に成膜しにくく、膜厚が厚くなり過ぎると均一の膜厚にならず、膜面の凹凸が顕著になることがある。

上記配向剤Ａに含まれるポリシロキサン及びポリアミック酸の含有量は、重量比で、ポリシロキサン：ポリアミック酸＝０．５：９．５～３：７であることが好ましく、１：９～２：８であることがより好ましい。

配向膜４０ａによって付与される液晶化合物のプレチルト角の大きさは特に限定されず、配向膜４０ａは、液晶層３０中の液晶化合物を略水平に配向させるもの（水平配向膜）であってもよいし、液晶層３０中の液晶化合物を略垂直に配向させるもの（垂直配向膜）であってもよい。水平配向膜及び水平配向モードの場合、略水平とは、プレチルト角が０°以上、５°以下であることが好ましい。なお、表示モードがＩＰＳモード又はＦＦＳモードである場合には、視野角特性の観点からも、プレチルト角は０°であることが好ましいが、表示モードがＴＮモードである場合には、モードとしての制約のため、プレチルト角は例えば約２°に設定される。垂直配向膜及び垂直配向モードの場合、略垂直とは、プレチルト角が８５°以上、９０°以下であることが好ましい。このように、本実施形態は、水平配向モード及び垂直配向モードのいずれにも適用することができる。

配向膜４０ａにラビング処理を施して水平配向膜とする場合、上記化学式（ＰＡ２）におけるＺ^２は、上記化学式（Ｚ２－１）～（Ｚ２－８）で表されるいずれかの構造を有することが好ましい。配向膜４０ａにラビング処理を施して垂直配向膜とする場合、上記化学式（ＰＡ２）におけるＺ^２は、上記化学式（Ｚ９－１）～（Ｚ２－１５）で表されるいずれかの構造を有することが好ましい。

配向膜４０ａに光配向処理を施して水平配向膜とする場合、上記化学式（ＰＡ２）におけるＺ^２は、上記化学式（Ｚ２－１６）～（Ｚ２－２１）で表されるいずれかの構造を有することが好ましい。配向膜４０ａに光配向処理を施して垂直配向膜とする場合、上記化学式（ＰＡ２）におけるＺ^２は、上記化学式（Ｚ２－２２）～（Ｚ２－４２）で表されるいずれかの構造を有することが好ましい。

配向膜４０ａの膜厚は特に限定されず、適宜設定可能であるが、好ましくは５０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下であり、より好ましくは６０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下である。配向膜４０ａの膜厚が５０ｎｍ未満の場合、基板全面に配向膜を均一に成膜できなくなる可能性がある。また、配向膜４０ａの膜厚が２００ｎｍを超えると配向膜の表面に凹凸が生じやすくなり、液晶化合物のチルト角がバラツキ、表示ムラを引き起こす可能性がある。

＜シール＞
本実施形態のシール５０は、第一基板１０及び第二基板２０を互いに接着するものであり、エポキシ樹脂を含むシール剤の硬化物である。シール５０は、液晶層３０の周囲を囲むように配置されている。上記エポキシ樹脂は、光により硬化するものであっても、熱により硬化するものであってもよいが、光により硬化するものが好ましく、紫外線硬化型エポキシ樹脂であることがより好ましい。

上記エポキシ樹脂としては、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、トリスフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、２，２’－ジアリルビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、プロピレンオキシド付加ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、レゾルシノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン類等が挙げられる。

上記エポキシ樹脂のうち市販されているものとしては、例えば、フェニルノボラック型エポキシ樹脂としては、ＮＣ－３０００Ｓ（日本化薬社製）、トリスフェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、ＥＰＰＮ－５０１Ｈ、ＥＰＰＮ－５０１Ｈ（以上、日本化薬社製）、ジシクロペンタジエンノボラック型エポキシ樹脂としては、ＮＣ－７０００Ｌ（日本化薬社製）、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、エピクロン８４０Ｓ、エピクロン８５０ＣＲＰ（以上、大日本インキ化学工業社製）、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂としては、エピコート８０７（ジャパンエポキシレジン社製）、エピクロン８３０（大日本インキ化学工業社製）、２，２’－ジアリルビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、ＲＥ３１０ＮＭ（日本化薬社製）、水添ビスフェノール型エポキシ樹脂としては、エピクロン７０１５（大日本インキ化学工業社製）、プロピレンオキシド付加ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、エポキシエステル３００２Ａ（共栄社化学社製）、ビフェニル型エポキシ樹脂としては、エピコートＹＸ－４０００Ｈ、ＹＬ－６１２１Ｈ（以上、ジャパンエポキシレジン社製）、ナフタレン型エポキシ樹脂としては、エピクロンＨＰ－４０３２（大日本インキ化学工業社製）、レゾルシノール型エポキシ樹脂としては、デナコールＥＸ－２０１（ナガセケムテックス社製）、グリシジルアミン類としては、エピクロン４３０（大日本インキ化学工業社製）、エピコート６３０（ジャパンエポキシレジン社製）等が挙げられる。

また、本実施形態で用いられるエポキシ樹脂として、１分子内に（メタ）アクリル基とエポキシ基とをそれぞれ少なくとも１つ以上有するエポキシ／（メタ）アクリル樹脂も好適に用いることができる。

上記エポキシ／（メタ）アクリル樹脂としては、例えば、上記エポキシ樹脂のエポキシ基の一部分を常法に従って、塩基性触媒の存在下（メタ）アクリル酸と反応させることにより得られる化合物、２官能以上のイソシアネート１モルに水酸基を有する（メタ）アクリルモノマーを１／２モル、続いてグリシドールを１／２モル反応させて得られる化合物、イソシアネート基を有する（メタ）アクリレートにグリシドールを反応させて得られる化合物等が挙げられる。上記エポキシ／（メタ）アクリル樹脂の市販品としては、例えば、ＵＶＡＣ１５６１（ダイセルＵＣＢ社製）等が挙げられる。

＜その他の構成＞
第一基板１０及び第二基板２０の液晶層３０とは反対側にはそれぞれ、偏光板（直線偏光子）が配置されてもよい。偏光板としては、典型的には、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）フィルムに、二色性を有するヨウ素錯体等の異方性材料を、吸着配向させたものが挙げられる。通常は、ＰＶＡフィルムの両面にトリアセチルセルロースフィルム等の保護フィルムをラミネートして実用に供される。また、各偏光板と第一基板１０又は第二基板２０との間には、位相差フィルム等の光学フィルムが配置されていてもよい。

本実施形態の液晶表示装置１Ａにおいては、バックライトが配置されていてもよい。バックライトとしては、可視光を含む光を発するものであれば特に限定されず、可視光のみを含む光を発するものであってもよく、可視光及び紫外光の両方を含む光を発するものであってもよい。液晶表示装置によるカラー表示を可能とするためには、バックライトは、白色光を発することが好ましい。バックライトの光源としては、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）が好適に用いられる。

本実施形態の液晶表示装置１Ａは、上記の他、ＴＣＰ（テープ・キャリア・パッケージ）、ＰＣＢ（プリント配線基板）等の外部回路；ベゼル（フレーム）等の複数の部材により構成されるものであり、部材によっては、他の部材に組み込まれていてもよい。既に説明した部材以外の部材については特に限定されず、液晶表示装置の分野において通常使用されるものを用いることができるので、説明を省略する。

液晶表示装置１Ａの表示モードは特に限定されず、例えば、ねじれネマティック（ＴＮ：Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、電界制御複屈折（ＥＣＢ：Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ　Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、イン・プレーン・スイッチング（ＩＰＳ：Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、フリンジ・フィールド・スイッチング（ＦＦＳ：Ｆｒｉｎｇｅ　Ｆｉｅｌｄ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、垂直配向（ＶＡ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、又は、ねじれネマティック垂直配向（ＶＡＴＮ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ　Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モードが挙げられ、ＦＦＳモード、ＶＡＴＮモード、又はＶＡモードが好ましく用いられる。ＶＡモードについては、特に、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ－ｄｏｍａｉｎ　Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードが好ましく用いられ、ＶＡＴＮモードについては４Ｄ－ＶＡＴＮ（４ｄｏｍａｉｎ－ＶＡＴＮ）モードが好ましく用いられ、紫外線照射により光配向処理を行う４Ｄ－ＶＡＴＮモードが更に好ましく用いられる。

［実施形態２］
実施形態２の液晶表示装置は、実施形態１の液晶表示装置１Ａにおける配向膜４０ａを変更した以外は、実施形態１と同様の構成を有する液晶表示装置である。本実施形態では本実施形態に特有の特徴について主に説明し、実施形態１と重複する内容については適宜説明を省略する。

図２は、実施形態２の液晶表示装置の断面模式図である。図２に示したように、本実施形態の液晶表示装置１Ｂは、第一基板１０と、第一基板１０に対向する第二基板２０と、第一基板１０及び第二基板２０の間に設けられた液晶層３０と、第一基板１０及び第二基板２０の液晶層３０側に設けられた配向膜４０ｂと、第一基板１０及び第二基板２０を互いに接着するシール５０とを備えている。液晶層３０は、液晶材料を含み、上記液晶材料は、アルコキシ基を有する液晶化合物を含み、かつ、－１０℃以上、８０℃以下で液晶相を示す。シール５０は、エポキシ樹脂を含むシール剤の硬化物である。配向膜４０ｂは、ポリアミック酸及びポリシロキサンを含有する配向剤Ｂを用いて形成されたポリマー層４１の表面に化学吸着したシランカップリング剤を含む。配向膜４０ｂは、上記第一配向膜又は上記第二配向膜に相当し、配向剤Ｂは、上記第一配向剤又は上記第二配向剤に相当する。上記配向剤Ｂを用いて形成されたポリマー層４１の表面に化学吸着したシランカップリング剤が形成する層を、カップリング層４２ともいう。すなわち、配向膜４０ｂは、ポリアミック酸及びポリシロキサンを含有する配向剤Ｂを用いて形成されたポリマー層４１の表面にカップリング層４２を有する。

シール５０に含まれるエポキシ樹脂への酸（ポリアミック酸におけるカルボキシル基）の接触及び取り込みを抑制するため、本実施形態では、ポリアミック酸及びポリシロキサンを含有する配向剤Ｂを用いて形成されたポリマー層４１の表面にカップリング層４２を有する配向膜４０ｂを用いることにより、液晶層３０と配向膜４０ｂとの界面付近や、配向膜４０ｂとシール５０との界面付近に存在するカルボキシル基を大幅に減少させる。これにより、輝点の発生を抑制することができる。以下、配向膜４０ｂを構成するカップリング層４２について詳細に説明する。

図３は、実施形態２の液晶表示装置の拡大断面模式図である。図３に示したように、本実施形態では、配向剤Ｂを用いて形成されたポリマー層４１の液晶層３０側に、カップリング層４２が設けられており、シランカップリング剤の末端Ｅが液晶層３０側に存在している。実施形態１の液晶表示装置１Ａのように、配向膜４０ａが、配向剤Ａを用いて形成されたポリマー層４１のみを有する場合であっても、配向膜４０ａの界面付近におけるカルボキシル基を大幅に減少させることができる。しかしながら、本実施形態の配向膜４０ｂでは、界面付近に残存するカルボキシル基を更に減少させるために、配向剤Ｂを用いて形成されたポリマー層４１の液晶層３０側にカップリング層４２を設けた。すなわち、本実施形態における配向膜４０ｂは、配向剤Ｂを用いて形成されたポリマー層４１を、シランカップリング剤により表面処理した配向膜である。

本実施形態で用いられるシランカップリング剤は、下記化学式（ＳＣ１）で表される化合物であることが好ましく、下記化学式（ＳＣ２）又は（ＳＣ３）で表される化合物であることがより好ましく、下記化学式（ＳＣ４）又は（ＳＣ５）で表される化合物であることが更に好ましい。カップリング層４２をポリマー層４１上に設けることにより、液晶化合物の配向方位やチルト角が変化する可能性があるが、シランカップリング剤を上記の態様とすることにより、この変化を無くすか、又は、小さく抑えることが可能となる。

（上記化学式（ＳＣ１）中、Ｚは各々独立に、塩素原子、メトキシ基又はエトキシ基を表し、Ｒ^１は各々独立に、水素原子又はハロゲン原子を表し、Ｒ^２は各々独立に、水素原子又はハロゲン原子を表し、ａは０～１７の整数を表す。）

（上記化学式（ＳＣ２）及び（ＳＣ３）中、Ｚは各々独立に、塩素原子、メトキシ基又はエトキシ基を表し、ａは０～１７の整数を表し、ｂは０～１６の整数を表す。）

本実施態において、配向膜４０ｂによって付与される液晶化合物のプレチルト角の大きさは特に限定されず、配向膜４０ｂは、液晶層３０中の液晶化合物を略水平に配向させるもの（水平配向膜）であってもよいし、液晶層３０中の液晶化合物を略垂直に配向させるもの（垂直配向膜）であってもよい。

配向膜４０ｂの膜厚は特に限定されず、適宜設定可能であるが、好ましくは５０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下であり、より好ましくは６０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下である。配向膜４０ｂの膜厚が５０ｎｍ未満の場合、基板全面に配向膜を均一に成膜できなくなる可能性がある。また、配向膜４０ｂの膜厚が２００ｎｍを超えると配向膜の表面に凹凸が生じやすくなり、液晶化合物のチルト角がバラツキ、表示ムラを引き起こす可能性がある。

本実施形態における配向剤Ｂを用いて形成されたポリマー層４１は、好ましい態様も含めて、実施形態１における配向剤Ａを用いて形成された配向膜４０ａと同様である。また、本実施形態において、配向剤Ｂに含有されるポリアミック酸及びポリシロキサンとしては実施形態１の配光剤Ａに含有されるポリアミック酸及びポリシロキサンを用いることができ、配向剤Ｂに用いられるポリアミック酸及びポリシロキサンの好ましい態様としては、実施形態１に挙げたものと同様のものを挙げることができる。

［実施形態３］
実施形態３の液晶表示装置は、実施形態１の液晶表示装置１Ａにおける配向膜４０ａを変更した以外は、実施形態１と同様の構成を有する液晶表示装置である。本実施形態では本実施形態に特有の特徴について主に説明し、実施形態１と重複する内容については適宜説明を省略する。

図４は、実施形態３の液晶表示装置の断面模式図である。図４に示したように、本実施形態の液晶表示装置１Ｃは、第一基板１０と、第一基板１０に対向する第二基板２０と、第一基板１０及び第二基板２０の間に設けられた液晶層３０と、第一基板１０及び第二基板２０の液晶層３０側に設けられた配向膜４０ｃと、第一基板１０及び第二基板２０を互いに接着するシール５０とを備えている。液晶層３０は、液晶材料を含み、上記液晶材料は、アルコキシ基を有する液晶化合物を含み、かつ、－１０℃以上、８０℃以下で液晶相を示す。シール５０は、エポキシ樹脂を含むシール剤の硬化物である。配向膜４０ｃは、ポリアミック酸を含有する配向剤Ｃを用いて形成されたポリマー層４３の表面に化学吸着したシランカップリング剤を含む。配向膜４０ｃは、上記第一配向膜又は上記第二配向膜に相当し、配向剤Ｃは、上記第一配向剤又は上記第二配向剤に相当する。配向剤Ｃを用いて形成されたポリマー層４３の表面に化学吸着したシランカップリング剤が形成する層を、カップリング層４２ともいう。すなわち、配向膜４０ｃは、ポリアミック酸を含有する配向剤Ｃを用いて形成されたポリマー層４３の表面にカップリング層４２を有する。

シールに含まれるエポキシ樹脂への酸（ポリアミック酸におけるカルボキシル基）の接触及び取り込みを抑制するため、本実施形態では、ポリアミック酸を含有する配向剤Ｃを用いて形成されたポリマー層４３の表面にカップリング層４２を有する配向膜４０ｃを用いることにより、液晶層３０と配向膜４０ｃとの界面付近や、配向膜４０ｃとシール５０との界面付近に存在するカルボキシル基を大幅に減少させる。これにより、輝点の発生を抑制することがでる。

本実施形態において、配向剤Ｃに含有されるポリアミック酸としては実施形態１の配光剤Ａに含有されるポリアミック酸を用いることができ、配向剤Ｃに用いられるポリアミック酸の好ましい態様としては、実施形態１に挙げたものと同様のものを挙げることができる。

配向剤Ｃは、二種以上のポリアミック酸が含まれていてもよく、光反応性官能基を有するポリアミック酸及び光反応性官能基を有さないポリアミック酸を含んでいてもよい。光反応性官能基は、若干の導電性を有するため、光反応性官能基を有するポリアミック酸を用いて配向膜を形成した場合、配向膜の抵抗が下がり、結果としてＶＨＲの低下やｒＤＣの増加を引き起こしてしまう。したがって、上記配向剤Ｃに光反応性官能基を有するポリアミック酸及び光反応性官能基を有さないポリアミック酸を用いることにより、液晶層３０側の表層にのみ光反応性官能基を有するポリアミック酸が分布するような二層構造の膜を形成し、ＶＨＲの低下やｒＤＣの増加を抑制することができる。

また、上記配向剤Ｃはポリシロキサンを含有していることも好ましく、すなわち、上記配向剤Ａを配向剤Ｃとして用いることも好ましい。このような態様とすることにより、配向剤Ｃを用いて形成されたポリマー層４３の液晶層３０側にポリシロキサンを分布させ、液晶層３０と配向膜４０ｃとの界面付近や、配向膜４０ｃとシール５０との界面付近に存在するカルボキシル基を大幅に減少させることができる。その結果、輝点の発生をより抑制することができる。

本実施形態において、配向剤Ｃに含有されるポリシロキサンとしては実施形態１の配光剤Ａに含有されるポリシロキサンを用いることができ、配向剤Ｃに用いられるポリシロキサンの好ましい態様としては、実施形態１に挙げたものと同様のものを挙げることができる。

本実施態において、配向膜４０ｃによって付与される液晶化合物のプレチルト角の大きさは特に限定されず、配向膜４０ｃは、液晶層３０中の液晶化合物を略水平に配向させるもの（水平配向膜）であってもよいし、液晶層３０中の液晶化合物を略垂直に配向させるもの（垂直配向膜）であってもよい。

配向膜４０ｃの膜厚は特に限定されず、適宜設定可能であるが、好ましくは５０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下であり、より好ましくは６０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下である。配向膜４０ｃの膜厚が５０ｎｍ未満の場合、基板全面に配向膜を均一に成膜できなくなる可能性がある。また、配向膜４０ｃの膜厚が２００ｎｍを超えると配向膜の表面に凹凸が生じやすくなり、液晶化合物のチルト角がバラツキ、表示ムラを引き起こす可能性がある。

本実施形態におけるカップリング層４２は、好ましい態様も含めて、実施形態２におけるカップリング層４２と同様である。

ここで、実施形態２及び３の液晶表示装置における基板の構成と、特許文献１の液晶表示装置において想定される基板の構成の違いについて説明する。図５は、実施形態２及び３の液晶表示装置における基板の断面模式図である。図６は、特許文献１の液晶表示装置において想定される基板の断面模式図である。

図５に示したように、実施形態２及び３の液晶表示装置における基板は、透明基板１１上にレジスト膜７０が設けられており、透明基板１１側から順に、レジスト膜７０、電極６０、配向膜４０が設けられている。一方、上記特許文献１の液晶表示装置において想定される基板は、図６に示したように、透明基板１１１上に設けた電極１６０上にレジスト膜１７０を形成し、上記レジスト膜１７０の表面に単分子膜１２０を形成している。以上のように、実施形態２及び３の液晶表示装置における基板の構成と、上記特許文献１の液晶表示装置において想定される基板の構成とは異なると考えられる。

［実施形態４］
実施形態４の液晶表示装置の製造方法は、実施形態１の液晶表示装置を製造する方法である。本実施形態では本実施形態に特有の特徴について主に説明し、実施形態１と重複する内容については適宜説明を省略する。

本実施形態の液晶表示装置の製造方法は、第一基板１０及び第二基板２０に配向膜を形成する配向膜形成工程と、第一基板１０及び第二基板２０の少なくとも一方の基板の上に、エポキシ樹脂を含むシール剤を描画するシール剤描画工程と、第一基板１０及び第二基板２０を貼り合わせてシール剤を硬化するシール剤硬化工程と、アルコキシ基を有する液晶化合物を含み、かつ、－１０℃以上、８０℃以下で液晶相を示す液晶材料を用いて、第一基板１０及び第二基板２０の間に液晶層３０を形成する液晶層形成工程と、を備え、上記配向膜形成工程として、第一基板１０及び第二基板２０にポリアミック酸及びポリシロキサンを含有する配向剤Ａを用いてポリマー層４１を形成する第一工程を備える。以下に各工程について詳細に説明する。

＜配向膜形成工程（第一工程）＞
本実施形態の液晶表示装置の製造方法は、第一基板１０及び第二基板２０に配向膜を形成する配向膜形成工程を備え、上記配向膜形成工程として、第一基板１０及び第二基板２０にポリアミック酸及びポリシロキサンを含有する配向剤Ａを用いてポリマー層４１を形成する第一工程を備える。上記配向膜形成工程では、ポリアミック酸及びポリシロキサンを含有する配向剤Ａを、第一基板１０及び第二基板２０に塗布した後、上記配向剤Ａに加熱処理を施して仮焼成及び本焼成を行い、更に配向処理を行うことにより配向膜４０ａを形成する。

上記仮焼成は、６０℃～１２０℃で１分～３０分行われることが好ましく、７０℃～１１０℃で２分～１０分行われることがより好ましい。

上記本焼成は、１５０℃～３００℃で５分～２００分行われることが好ましく、２００℃～２６０℃で２０分～６０分行われることがより好ましい。

上記配向処理の方法は特に限定されず、例えばラビング配向処理、光配向処理等が挙げられるが、中でも光配向処理を用いることが好ましい。光配向処理を用いることにより、配向膜４０ａの表面に接触することなく配向処理を実施できるので、配向処理によるゴミ等の発生を抑制することができる。

ラビング配向処理は、配向膜４０ａを塗布した第一基板１０及び第二基板２０に対して、ナイロンなどの布を巻いたローラーを一定圧力で押し込みながら回転させることによって、配向膜４０ａの表面を一定方向に擦る方法である。

光配向処理は、光配向性を示す材料から形成された光配向膜上に直線偏光紫外線を照射することによって、偏光方向の光配向膜の構造を選択的に変化させ、これによって光配向膜に異方性を発生させて液晶化合物に配向方位角を付与する方法である。光配向性を示す材料とは、紫外光、可視光等の光（電磁波）が照射されることによって構造変化を生じ、その近傍に存在する液晶化合物の配向を規制する性質（配向規制力）を発現する材料や、配向規制力の大きさ及び／又は向きが変化する材料全般を意味する。光配向性を示す材料としては、例えば、二量化（二量体形成）、異性化、光フリース転移、分解等の反応が光照射によって起こる光反応部位を含むものが挙げられる。

光照射によって二量化及び異性化する光反応部位（官能基）としては、例えば、シンナメート、カルコン、クマリン、スチルベン等が挙げられる。光照射によって異性化する光反応部位（官能基）としては、例えば、アゾベンゼン等が挙げられる。光照射によって光フリース転移する光反応部位としては、例えば、フェノールエステル構造等が挙げられる。光照射によって分解する光反応部位としては、例えば、シクロブタン構造等が挙げられる。

上記配向剤Ａを第一基板１０及び第二基板２０上に塗布する際は、スピンコート法、ロールコート法、プリント法、浸漬引き上げ法、ダイコート法、キャスティング法、バーコート法、ブレードコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、リバースコート法、又は、押し出しコート法等を用いることができる。

配向剤Ａは、ポリアミック酸及びポリシロキサン以外に、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）や、γ－ブチロラクトン等の溶媒を含むことが好ましい。上記溶媒は、単独で用いても、二種以上を混合して用いてもよい。

＜シール剤描画工程＞
本実施形態のシール剤描画工程は、第一基板１０及び第二基板２０の少なくとも一方の基板の上に、エポキシ樹脂を含むシール剤を描画する工程である。上記シール剤描画工程では、例えば、第一基板１０における、液晶表示装置の表示領域となる部分の外周部に、表示領域となる部分を囲むようにして、シール剤が描画される。シール剤を描画する際には、定量のシール剤を吐出することができる、ディスペンサ等を用いることができる。

＜シール剤硬化工程＞
本実施形態のシール剤硬化工程は、第一基板１０及び第二基板２０を貼り合わせてシール剤を硬化し、シール５０を形成する工程である。シール剤は、紫外線等によって硬化する光硬化性を有していてもよいし、加熱により硬化する熱硬化性を有していてもよく、シール剤硬化工程は、シール剤を紫外線や熱により硬化することにより行われる。光硬化性のシール剤を用いる場合は、例えば、表示領域を遮光した状態でシール剤に紫外光を照射して硬化させることで、第一基板１０及び第二基板２０を互いに貼り合わせる。

＜液晶層形成工程＞
本実施形態の液晶層形成工程は、アルコキシ基を有する液晶化合物を含み、かつ、－１０℃以上、８０℃以下で液晶相を示す液晶材料を用いて、第一基板１０及び第二基板２０の間に液晶層３０を形成する工程である。上記液晶層形成工程では、例えば、真空注入法又は滴下注入法により、第一基板１０及び第二基板２０の間に液晶材料を充填し、液晶層３０を形成する。真空注入法を採用する場合は、シール剤の塗布、第一基板１０及び第二基板２０の貼り合せ、シール剤の硬化、液晶材料の注入、及び、注入口の封止をこの順に行うことで、シール５０により上記液晶材料を封入し、液晶層３０を形成する。滴下注入法を採用する場合は、シール剤の塗布、液晶材料の滴下、第一基板１０及び第二基板２０の貼り合せ、及び、シール剤の硬化をこの順に行うことで、上記液晶材料を封入し、液晶層３０を形成する。

［実施形態５］
実施形態５は、実施形態２の液晶表示装置を製造する方法である。本実施形態では本実施形態に特有の特徴について主に説明し、実施形態２と重複する内容については適宜説明を省略する。

本実施形態の液晶表示装置の製造方法は、第一基板１０及び第二基板２０に配向膜を形成する配向膜形成工程と、第一基板１０及び第二基板２０の少なくとも一方の基板の上に、エポキシ樹脂を含むシール剤を描画するシール剤描画工程と、第一基板１０及び第二基板２０を貼り合わせてシール剤を硬化するシール剤硬化工程と、アルコキシ基を有する液晶化合物を含み、かつ、－１０℃以上、８０℃以下で液晶相を示す液晶材料を用いて、第一基板１０及び第二基板２０の間に液晶層３０を形成する液晶層形成工程と、を備え、上記配向膜形成工程として、第一基板１０及び第二基板２０にポリアミック酸及びポリシロキサンを含有する配向剤Ｂを用いてポリマー層４１を形成する第一工程の後、上記配向剤Ｂを用いて形成されたポリマー層４１の表面に、シランカップリング剤を化学吸着させる工程を備える。上記シランカップリング剤を化学吸着させる工程を、カップリング層形成工程ともいう。以下にカップリング層形成工程について詳細に説明する。なお、本実施形態における第一工程は、好ましい態様も含めて、実施形態４における第一工程と同様である。

＜カップリング層形成工程＞
本実施形態におけるカップリング層形成工程では、配向剤Ｂを用いて形成されたポリマー層４１の上に、上記シランカップリング剤を含むカップリング組成物を塗布し、加熱した後、洗浄により未反応のシランカップリング剤を除去することにより、カップリング層４２を形成する。シランカップリング剤の加熱は７０℃～１４０℃で１分～６０分行われることが好ましく、１１０℃～１３０℃で５分～４０分行われることがより好ましい。

上記カップリング組成物は、上記シランカップリング剤以外の成分を含んでいてもよく、上記シランカップリング剤以外の成分としては、エタノール等の溶剤が挙げられ、極性の高い溶剤が好ましく用いられる。上記カップリング組成物には、一種又は二種以上の溶剤が含まれていてもよい。

上記未反応のシランカップリング剤を除去するために行われる洗浄は、溶剤を用いて行われることが好ましく、極性の高い溶剤を用いて行われることがより好ましく、水及びエタノールの少なくとも一方を含む溶剤を用いて行われることが更に好ましい。

［実施形態６］
実施形態６は、実施形態３の液晶表示装置を製造する方法である。本実施形態では本実施形態に特有の特徴について主に説明し、実施形態３と重複する内容については適宜説明を省略する。

本実施形態の液晶表示装置の製造方法は、第一基板１０及び第二基板２０に配向膜を形成する配向膜形成工程と、第一基板１０及び第二基板２０の少なくとも一方の基板の上に、エポキシ樹脂を含むシール剤を描画するシール剤描画工程と、第一基板１０及び第二基板２０を貼り合わせてシール剤を硬化するシール剤硬化工程と、アルコキシ基を有する液晶化合物を含み、かつ、－１０℃以上、８０℃以下で液晶相を示す液晶材料を用いて、第一基板１０及び第二基板２０の間に液晶層３０を形成する液晶層形成工程と、を備え、上記配向膜形成工程として、第一基板１０及び第二基板２０にポリアミック酸を含有する配向剤Ｃを用いてポリマー層４３を形成した後、上記配向剤Ｃを用いてポリマー層４３の表面にシランカップリング剤を化学吸着させる第二工程を備える。

＜配向膜形成工程（第二工程）＞
本実施形態の液晶表示装置の製造方法は、配向膜形成工程として、第一基板１０及び第二基板２０にポリアミック酸を含有する配向剤Ｃを用いてポリマー層４３を形成した後、上記配向剤Ｃを用いて形成されたポリマー層４３の表面にシランカップリング剤を化学吸着させる第二工程を備える。上記第二工程では、配向剤Ｃを用いて形成されたポリマー層４３の上に、上記シランカップリング剤を含むカップリング組成物を塗布し、加熱した後、洗浄により未反応のシランカップリング剤を除去することにより、カップリング層４２を形成する。シランカップリング剤の加熱は７０℃～１４０℃で１分～６０分行われることが好ましく、１１０℃～１３０℃で５分～４０分行われることがより好ましい。

上記配向剤Ｃは、二種以上のポリアミック酸が含まれていてもよく、光反応性官能基を有するポリアミック酸及び光反応性官能基を有さないポリアミック酸を含んでいてもよい。このような態様とすることにより、ＶＨＲの低下やｒＤＣの増加を抑制することができる。

また、配向剤Ｃは、ポリシロキサンを含有していることも好ましく、すなわち、上記配向剤Ａを配向剤Ｃとして用いることも好ましい。このような態様とすることにより、液晶層３０と配向膜４０ｃとの界面付近や、配向膜４０ｃとシール５０との界面付近に存在するカルボキシル基を大幅に減少させることができる。その結果、輝点の発生をより抑制することができる。

［その他の実施形態］
以上の実施形態では、第一基板１０及び第二基板２０に設けられる配向膜の種類を同一のものとして説明したが、第一基板１０及び第二基板２０に設けられる配向膜の種類は異なっていてもよい。例えば、第一基板１０及び第二基板２０の一方に配向膜４０ａが、第一基板１０及び第二基板２０の他方に配向膜４０ｂが設けられた液晶表示装置であってもよく、第一基板１０及び第二基板２０の一方に配向膜４０ａが、第一基板１０及び第二基板２０の他方に配向膜４０ｃが設けられた液晶表示装置であってもよく、第一基板１０及び第二基板２０の一方に配向膜４０ｂが、第一基板１０及び第二基板２０の他方に配向膜４０ｃが設けられた液晶表示装置であってもよい。

以下に、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。

［実施例１－１、１－２及び比較例１］
＜実施例１－１の液晶表示装置の作製＞
紫外線照射により光配向処理を行うＶＡＴＮモード（ＵＶ^２Ａ（Ｕｌｔｒａ－ｖｉｏｌｅｔ　ｉｎｄｕｃｅｄ　ｍｕｌｔｉ－ｄｏｍａｉｎ　Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード）の実施例１－１の液晶表示装置を以下の方法により作製した。
まず、ＩＴＯ電極を各々有する一対の基板を用意した。次に、下記化学式（ＰＳ２－１）に示すシンナメート基を有するポリシロキサン及び下記化学式（ＰＡ２－１）に示すシンナメート基を有さないポリアミック酸（イミド化率＝０％）を含有し、上記第一配向剤に相当する配向剤（シンナメート基を有するポリシロキサン：シンナメート基を有さないポリアミック酸＝１：９（重量比））を、各基板上に塗布し、９０℃、５分の仮焼成を行った後、２３０℃、４０分の本焼成を行い、ポリマー層を形成した。このポリマー層は、二層構造（液晶層側の上層：シンナメート基を有するポリシロキサンを主に含む層、基板側の下層：シンナメート基を有さないポリアミック酸を主に含む層）であった。

（上記化学式（ＰＳ２－１）中、ｐは１以上の整数を表す。）

（上記化学式（ＰＡ２－１）中、ｐは１以上の整数を表す。）

続いて各基板上のポリマー層の表面に、３３０ｎｍをセンターとする直線偏光紫外光を２０ｍＪ／ｃｍ^２照射することで配向処理を施し、上記第一配光膜に相当する配向膜を得た。

次に、一方の基板に、ディスペンサを使用して紫外線硬化性シール剤（エポキシ基含有化合物含む）を描画した。また、もう一方の基板上の所定の位置に、下記化学式（Ｌ３－１）で表される液晶化合物を材料全体に対して１０重量％含むネガ型液晶材料（液晶相温度：－３０℃～９０℃）を滴下した。

続いて、真空下にて両基板を貼り合わせ、シール剤を紫外光にて硬化してシールを形成した。更に、得られた液晶セルを１３０℃で４０分間加熱し、液晶を等方相にする再配向処理を行い、液晶層を形成し、その後室温まで冷却して実施例１－１のＶＡＴＮモード（ＵＶ^２Ａモード）液晶表示装置を作製した。

＜実施例１－２の液晶表示装置の作製＞
上記配向剤の配合比率を、シンナメート基を有するポリシロキサン：シンナメート基を有さないポリアミック酸＝２：８（重量比）としたこと以外は、実施例１－１と同様の方法を用いて、実施例１－２のＶＡＴＮモード（ＵＶ^２Ａモード）液晶表示装置を作製した。

＜比較例１の液晶表示装置の作製＞
上記化学式（ＰＳ２－１）に示すシンナメート基を有するポリシロキサンの代わりに、下記化学式（ＰＡ２－２）に示す、側鎖にシンナメート基を有するポリアミック酸（イミド化率＝０％）を使用したこと以外は、実施例１－１と同様の方法を用いて、比較例１のＶＡＴＮモード（ＵＶ^２Ａモード）液晶表示装置を作製した。

（上記化学式（ＰＡ２－２）中、ｐは１以上の整数を表す。）

＜バックライト上の高温及び低温サイクル試験＞
上記実施例１－１～１－２及び比較例１で作製した液晶表示装置の耐熱性を以下のサイクル試験により評価した。実施例１－１～１－２及び比較例１の液晶表示装置をそれぞれ、バックライト上に配置し、８０℃で５時間加熱した後、－３０℃で５時間冷却するという工程を繰り返し実施し、高温及び低温サイクル試験を１０００時間繰り返し行った。

高温及び低温サイクル試験を１０００時間繰り返し行った後、液晶表示装置のシール際での輝点の発生の有無を、目視により観察した。更に、高温及び低温サイクル試験の前後において、ＶＨＲ及びｒＤＣの測定を行った。結果を下記表１に示した。なお、ＶＨＲは東陽テクニカ社製６２５４型ＶＨＲ測定システムを用いて、１Ｖ、７０℃の条件で測定した。また、フリッカ消去法により、ＤＣオフセット電圧２Ｖ（ＡＣ電圧３Ｖ（６０Ｈｚ））を２時間印加後、ｒＤＣを測定した。また、輝点発生の有無の評価は、実施例１－１～１－２及び比較例１の液晶表示装置をそれぞれ５つ用意し、輝点が発生した液晶表示装置の数を求めることにより評価した。

ポリシロキサンを含む配向剤を用いた実施例１－１及び１－２の液晶表示装置は、ポリシロキサンを用いなかった比較例１の液晶表示装置に比べて、１０００時間のサイクル試験後のＶＨＲは高く、ｒＤＣは小さい値となった。また、比較例１では、５つの液晶表示装置のうち、２つの液晶表示装置においてシール際で輝点が発生したが、実施例１－１及び１－２ではいずれの液晶表示装置においても輝点が発生しなかった。

この理由は以下のように考えられる。実施例１－１及び１－２の液晶表示装置では、配向膜を二層構造とし、ポリシロキサンを配向膜の液晶層側の界面付近に分布させることにより、液晶層と配向膜との界面付近や、配向膜とシールとの界面付近に存在するカルボキシル基を大幅に減少させ、輝点の発生を抑制することができたと考えられる。一方、比較例１の液晶表示装置では、配向膜と液晶層との界面付近等に残存するカルボキシル基が多く、シール中の未硬化エポキシ樹脂のジアルコール化が促進され、ジアルコールが液晶層へ溶出し、アルコキシ基を有する液晶化合物との会合体形成による析出が起こり易くなったと考えられる。

実施例１－１及び１－２の液晶表示装置はいずれも、シール際での巨大析出物発生は無く、輝点は観察されなかったものの、実施例１－１及び１－２を比較すると、シンナメート基を有するポリシロキサン比率が高い実施例１－２の液晶表示装置の方が、１０００時間のサイクル試験後のＶＨＲは高く、ｒＤＣは小さい値となった。このことから、ポリアミック酸の比率が高いほどカルボキシル基の量が多くなり、未硬化エポキシ基のジアルコール化と、液晶層への溶出が促進され易くなる可能性があることが示唆された。

［実施例２－１及び２－２］
＜実施例２－１及び２－２の液晶表示装置の作製＞
以下の工程を追加で行ったこと以外は、実施例１－１及び１－２と同様の方法を用いて、ＶＡＴＮモード（ＵＶ^２Ａモード）の実施例２－１及び２－２の液晶表示装置を作製した。

実施例２－１及び２－２では、実施例１－１及び１－２における配向処理の後に、以下の工程を行った。すなわち、配向処理したポリマー層上に、下記化学式（ＳＣ５）に示すシランカップリング剤及びエタノールを含むシランカップリング組成物を塗布し、１２０℃にて２０分間加熱した後、水で洗浄し、未反応シランカップリング剤を除去した。これにより、ポリマー層上にカップリング層を有し、上記第一配向膜又は第二配向膜に相当する配向膜を形成した。

＜バックライト上の高温及び低温サイクル試験＞
実施例１－１等と同様の方法を用いて、実施例２－１及び実施例２－２の液晶表示装置について、バックライト上の高温及び低温サイクル試験を行った。結果を下記表２に示した。

実施例２－１及び２－２の液晶表示装置では、１０００時間サイクル試験後のＶＨＲを更に高いレベルに、またｒＤＣを低いレベルに維持することができた。これは、ポリアミック酸及びポリシロキサンを含有する配向剤を用いて形成されたポリマー層の表面を、更にシランカップリング剤を用いて処理することにより、ポリマー層上に残存していたカルボキシル基の数を減少させることができ、シール中に存在する未硬化のエポキシ樹脂のジアルコール化を更に効果的に抑制できたためと考えられる。

［実施例３］
＜実施例３の液晶表示装置の作製＞
配向剤を、上記化学式（ＰＡ２－２）に示すシンナメート基を有するポリアミック酸及び下記化学式（ＰＡ１－１）に示すシンナメート基を有さないポリアミック酸（イミド化率＝０％）を含む配向剤（シンナメート基を有するポリアミック酸：シンナメート基を有さないポリアミック酸＝２：８（重量比））に変更したこと以外は、実施例２－２と同様の方法を用いて、ＶＡＴＮモード（ＵＶ^２Ａモード）の実施例３の液晶表示装置を作製した。すなわち、本実施例では、ポリマー層の表面にカップリング層を有し、上記第二配向膜に相当する配向膜を形成した。

（上記化学式（ＰＡ１－１）中、ｐは１以上の整数を表す。）

＜バックライト上の高温及び低温サイクル試験＞
実施例１－１等と同様の方法を用いて、実施例３の液晶表示装置について、バックライト上の高温及び低温サイクル試験を行った。結果を下記表３に示した。

実施例３の液晶表示装置では、１０００時間サイクル試験後、シール際の輝点の発生はなくなり、かつ、高いＶＨＲ及び低いｒＤＣを達成することができた。これは、ポリアミック酸を含有する配向剤を用いて形成されたポリマー層の表面をシランカップリング剤により処理し、カップリング層を形成することで、ポリマー層上に残存していたカルボキシル基の数を減少させることができ、シール中に存在する未硬化のエポキシ樹脂のジアルコール化を更に効果的に抑制できたためと考えられる。

［実施例４及び比較例２］
（実施例４の液晶表示装置の作製）
ＦＦＳモードの実施例４の液晶表示装置を以下の方法により作製した。
まず、ＴＦＴ基板と、電極を有さない対向基板を用意した。次に、下記化学式（ＰＡ１－２）に示す主鎖にシクロブタン環を有するポリアミック酸（イミド化率＝０％）、及び、上記化学式（ＰＡ１－１）に示すシクロブタン環を含まないポリアミック酸（イミド化率＝０％）を含む配向剤（シクロブタン環を有するポリアミック酸：シクロブタン環を含まないポリアミック酸＝２：８（重量比））を両基板上に塗布し、９０℃、５分の仮焼成を行った後、２３０℃、４０分の本焼成を行い、ポリマー層を形成した。上記ポリマー層は、二層構造であった。上記二層構造において、液晶層側の上層は、シクロブタン環を有するポリアミック酸を主に含む層であり、基板側の下層は、シクロブタン環を含まないポリアミック酸を主に含む層であった。

（上記化学式（ＰＡ１－２）中、ｐは１以上の整数を表す。）

続いて各基板上のポリマー層の表面に、３００ｎｍ以下の直線偏光紫外光を１Ｊ／ｃｍ^２照射することで配向処理を施した。すなわち、深紫外光照射を行うことで、光配向性官能基であるシクロブタン環を分解し、配向処理を施した。

次に、配向処理した各ポリマー層上に、下記化学式（ＳＣ４）に示すシランカップリング剤及びエタノールを含むシランカップリング組成物を塗布し、１２０℃にて２０分間加熱した後、水で洗浄し、未反応シランカップリング剤を除去した。これにより、ポリマー層上にカップリング層を有し、上記第二配向膜に相当する配向膜を形成した。

次に、一方の基板に、ディスペンサを使用して紫外線硬化性シール剤（エポキシ基含有化合物含む）を描画した。また、もう一方の基板上の所定の位置に、下記化学式（Ｌ４－１）で表される液晶化合物を材料全体に対して１０重量％含むネガ型液晶材料（液晶相温度：－２０℃～８０℃）を滴下した。

続いて、真空下にて両基板を貼り合わせ、シール剤を紫外光にて硬化さてシールを形成した。更に、得られた液晶セルを１３０℃で４０分間加熱し、液晶を等方相にする再配向処理を行い、液晶層を形成し、その後室温まで冷却して実施例４のＦＦＳモード液晶表示装置を作製した。

＜比較例２の液晶表示装置の作製＞
上記化学式（ＳＣ４）に示すシランカップリング剤を用いた表面処理を行わなかったこと以外は、実施例４と同様の方法を用いて、比較例２の液晶表示装置を作製した。

＜バックライト上の高温及び低温サイクル試験＞
実施例１－１等と同様の方法を用いて、実施例４及び比較例２の液晶表示装置について、バックライト上の高温及び低温サイクル試験を行った。結果を下記表４に示した。

表４に示したように、実施例４の液晶表示装置は、１０００時間サイクル試験後においてもシール際の輝点の発生はなく、かつ、高いＶＨＲ及び低いｒＤＣを達成することができた。これは、ポリマー層の表面をシランカップリング剤により処理することで、配向膜上に残存していたカルボキシル基の数を減少させることができ、シール中に存在する未硬化のエポキシ樹脂のジアルコール化を更に効果的に抑制できたためと考えられる。ＦＦＳモードの液晶表示装置においても、ＶＡＴＮモード（ＵＶ^２Ａモード）のセルと同様の効果を確認することができた。

［実施例５及び比較例３］
＜実施例５の液晶表示装置の作製＞
ＦＦＳモードの実施例５の液晶表示装置を以下の方法により作製した。
まず、ＴＦＴ基板と、電極を有さない対向基板を用意した。次に、下記化学式（ＰＳ１－１）に示すシンナメート基を有するポリシロキサン、及び、上記化学式（ＰＡ１－１）に示すシンナメート基を有さないポリアミック酸（イミド化率＝０％）を含む配向剤（シンナメート基を有するポリシロキサン：シンナメート基を有さないポリアミック酸＝２：８（重量比））を両基板上に塗布し、９０℃、５分の仮焼成を行い、続いて２３０℃、４０分の本焼成を行い、ポリマー層を形成した。上記配向剤を用いて形成されたポリマー層は、二層構造（液晶層側の上層：シンナメート基を有するポリシロキサンを主に含む層、基板側の下層：シンナメート基を有さないポリアミック酸を主に含む層）であった。

（上記化学式（ＰＳ１－１）におけるｐは１以上の整数を表す。

続いて各基板上のポリマー層の表面に、３３０ｎｍをセンターとする直線偏光紫外光を２０ｍＪ／ｃｍ^２照射することで配向処理を施し、配向膜を得た。

次に、一方の基板に、ディスペンサを使用して紫外線硬化性シール剤（エポキシ基含有化合物含む）を描画した。また、もう一方の基板上の所定の位置に、上記化学式（Ｌ３－１）で表される液晶化合物を材料全体に対して１０重量％含むネガ型液晶材料（液晶相温度：－３０℃～９０℃）を滴下した。

続いて、真空下にて両基板を貼り合わせ、シール剤を紫外光にて硬化さてシールを形成した。更に、得られた液晶セルを１３０℃で４０分間加熱し、液晶を等方相にする再配向処理を行い、その後室温まで冷却して実施例５のＦＦＳモード液晶表示装置を作製した。すなわち、本実施例では、上記第一配向膜に相当する配向膜を形成した。

＜比較例３の液晶表示装置の作製＞
上記化学式（ＰＳ１－１）に示すシンナメート基を有するポリシロキサンに替えて、下記化学式（ＰＡ２－３）に示す側鎖にシンナメート基を有するポリアミック酸（イミド化率＝０％）を用いたこと以外は、実施例５と同様の方法を用いて、比較例３のＦＦＳモード液晶表示装置を作製した。

（上記化学式（ＰＡ２－３）において、ｐは１以上の整数を表す。）

＜バックライト上の高温及び低温サイクル試験＞
実施例１－１等と同様の方法を用いて、実施例５及び比較例３の液晶表示装置について、バックライト上の高温及び低温サイクル試験を行った。結果を下記表５に示した。

表５に示したように、１０００時間サイクル試験の結果、実施例５の液晶表示装置は、シール際の輝点の発生はなく、かつ、高いＶＨＲ及び低いｒＤＣを達成することができた。一方、比較例３では、５つの液晶表示装置全てにおいて２～５個の輝点が発生し、かつ、ＶＨＲは低下し、ｒＤＣは上昇した。これは、実施例５の液晶表示装置では、配向膜と液晶層との界面等に、カルボキシル基を含まないポリシロキサンが設けられたため、配向膜上に残存していたカルボキシル基の数を比較例３に比べて減少させることができ、シール中に存在する未硬化のエポキシ樹脂のジアルコール化を更に効果的に抑制できたためと考えられる。

［実施例６］
＜実施例６の液晶表示装置の作製＞
以下の工程を追加で行ったこと以外は、実施例５と同様の方法を用いて、ＦＦＳモードの実施例６の液晶表示装置を作製した。

実施例６では、実施例５における配向処理の後に、以下の工程を行った。すなわち、上記配向剤を用いて形成したポリマー層上に、それぞれ、上記化学式（ＳＣ４）に示すシランカップリング剤及びエタノールを含むシランカップリング組成物を塗布し、１２０℃にて２０分間加熱した後、水で洗浄し、未反応シランカップリング剤を除去した。これにより、ポリマー層上にカップリング層を有し、上記第一配向膜又は第二配向膜に相当する配向膜を形成した。

＜バックライト上の高温及び低温サイクル試験＞
実施例１－１等と同様の方法を用いて、実施例６の液晶表示装置について、バックライト上の高温及び低温サイクル試験を行った。結果を下記表６に示した。

実施例６の液晶表示装置では、１０００時間サイクル試験後であっても、シール際の輝点の発生はなくなり、かつ、高いＶＨＲ及び低いｒＤＣを達成することができた。これは、配向膜の表面をシランカップリング剤により処理することで、配向膜上に残存していたカルボキシル基の数を減少させることができ、シール中に存在する未硬化のエポキシ樹脂のジアルコール化を更に効果的に抑制できたためと考えられる。

［付記］
本発明の一態様は、第一基板１０と、第一基板１０に対向する第二基板２０と、第一基板１０及び第二基板２０の間に設けられた液晶層３０と、第一基板１０及び第二基板２０の少なくとも一方の基板の液晶層３０側に設けられた配向膜４０と、第一基板１０及び第二基板２０を互いに接着するシール５０とを備え、液晶層３０は、液晶材料を含み、液晶材料は、アルコキシ基を有する液晶化合物を含み、かつ、－１０℃以上、８０℃以下で液晶相を示し、シール５０は、エポキシ樹脂を含むシール剤の硬化物であり、配向膜４０は、ポリアミック酸及びポリシロキサンを含有する第一配向剤を用いて形成されたポリマー層４１を含む第一配向膜４０ａ、４０ｂと、ポリアミック酸を含有する第二配向剤を用いて形成されたポリマー層４３の表面にシランカップリング剤が化学吸着した第二配向膜４０ｃとの少なくとも一方を備える液晶表示装置であってもよい。

このような態様とすることにより、液晶層３０及び配向膜４０の界面付近や、配向膜４０とシール５０との界面付近に存在するカルボキシル基を大幅に減少させ、輝点の発生を抑制することができる。

上記液晶化合物は、下記化学式（Ｌ）で表される化合物であってもよい。この態様によれば、温度変化のより大きな環境下においても、液晶表示装置の表示特性を良好なものとすることができる。

（上記化学式（Ｌ）中、Ｘ^ａ及びＸ^ｂは各々独立に、水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｒは一価の有機基を表し、ｍは１～１８の整数を表す。ただし、Ｘ^ａ及びＸ^ｂの一方が水素原子である場合は、Ｘ^ａ及びＸ^ｂの他方はフッ素原子又は塩素原子を表す。）

上記液晶化合物は、下記化学式（Ｌ１）～（Ｌ５）のいずれかで表される化合物であってもよい。この態様によれば、温度変化の更に大きな環境下においても、液晶表示装置の表示特性を良好なものとすることができる。

（上記化学式（Ｌ１）～（Ｌ５）中、ｍ及びｎは各々独立に、１～１８の整数を表す。）

上記液晶材料は、－３０℃以上、９０℃以下で液晶相を示してもよい。この態様によれば、広い温度範囲で液晶相を示す必要がある車載用途やデジタルサイネージ用途に好適に用いることができる。

上記シランカップリング剤は、下記化学式（ＳＣ１）で表される化合物であってもよい。シランカップリング剤を用いることにより、液晶化合物の配向方位やチルト角が変化する可能性があるが、シランカップリング剤を上記の態様とすることにより、この変化を無くすか、又は、小さく抑えることが可能となる。

（上記化学式（ＳＣ１）中、Ｚは各々独立に、塩素原子、メトキシ基又はエトキシ基を表し、Ｒ^１は各々独立に、水素原子又はハロゲン原子を表し、Ｒ^２は各々独立に、水素原子又はハロゲン原子を表し、ａは０～１７の整数を表す。）

上記シランカップリング剤は、下記化学式（ＳＣ２）又は（ＳＣ３）で表される化合物であってもよい。シランカップリング剤を用いることにより、液晶化合物の配向方位やチルト角が変化する可能性があるが、シランカップリング剤を上記の態様とすることにより、この変化を無くすか、又は、より小さく抑えることが可能となる。

（上記化学式（ＳＣ２）中、Ｚは各々独立に、塩素原子、メトキシ基又はエトキシ基を表し、ａは０～１７の整数を表す。）

（上記化学式（ＳＣ３）中、Ｚは各々独立に、塩素原子、メトキシ基又はエトキシ基を表し、ｂは０～１６の整数を表す。）

上記ポリシロキサンは、エポキシ基及びイソシアネート基からなる群より選択される少なくとも一種の官能基を含んでもよい。この態様によれば、ポリシロキサンの液晶層３０への溶出を抑制し、輝点の発生をより抑えることができる。

第一配向膜４０ａ、４０ｂ及び第二配向膜４０ｃは、各々、互いに異なるポリマーを含む複数のポリマー層を有してもよい。この態様によれば、輝点の発生をより抑制することができる。

配向膜４０は、第一配向膜４０ａ、４０ｂを備えてもよい。この態様によれば、ポリシロキサンを配向膜４０の液晶層３０側へ設けることができ、輝点の発生を抑制することができる。

第一配向膜４０ｂは、上記第一配向剤を用いて形成されたポリマー層４１の表面に化学吸着したシランカップリング剤を含んでもよい。この態様によれば、輝点の発生を更に抑制することができる。

配向膜４０は、第二配向膜４０ｃを備えてもよい。カップリング層４２を配向膜４０の液晶層３０側へ設けることができ、輝点の発生を抑制することができる。

上記第二配向剤は、ポリシロキサンを更に含有してもよい。この態様によれば、輝点の発生を更に抑制することができる。

本発明の別の一態様は、第一基板１０及び第二基板２０の少なくとも一方の基板に配向膜４０を形成する配向膜形成工程と、上記少なくとも一方の基板の上に、エポキシ樹脂を含むシール剤を描画するシール剤描画工程と、第一基板１０及び第二基板２０を貼り合わせて上記シール剤を硬化するシール剤硬化工程と、アルコキシ基を有する液晶化合物を含み、かつ、－１０℃以上、８０℃以下で液晶相を示す液晶材料を用いて、第一基板１０及び第二基板２０の間に液晶層３０を形成する液晶層形成工程と、を備え、上記配向膜形成工程として、上記少なくとも一方の基板にポリアミック酸及びポリシロキサンを含有する第一配向剤を用いてポリマー層を形成する第一工程と、上記少なくとも一方の基板にポリアミック酸を含有する第二配向剤を用いてポリマー層を形成した後、上記ポリマー層の表面にシランカップリング剤を化学吸着させる第二工程との少なくとも一方を備える液晶表示装置の製造方法であってもよい。

このような態様とすることにより、液晶層３０及び配向膜４０の界面付近や、配向膜４０とシール５０との界面付近に存在するカルボキシル基を大幅に減少させ、輝点の発生を抑制することができる。

上記液晶表示装置の製造方法は、上記配向膜形成工程として、上記第二工程を備えず、上記第一工程を備えてもよい。

上記液晶表示装置の製造方法は、上記配向膜形成工程として、上記第一工程の後、上記第一配向剤を用いて形成されたポリマー層の表面に、シランカップリング剤を化学吸着させる工程を更に備えてもよい。この態様によれば、輝点の発生をより抑制することができる。

上記液晶表示装置の製造方法は、上記配向膜形成工程として、上記第一工程を備えず、上記第二工程を備えてもよい。

上記第二配向剤は、ポリシロキサンを更に含有してもよい。この態様によれば、輝点の発生をより抑制することができる。

上記液晶化合物は、下記化学式（Ｌ）で表される化合物であってもよい。この態様によれば、温度変化のより大きな環境下においても、液晶表示装置の表示特性を良好なものとすることができる。

（上記化学式（Ｌ）中、Ｘ^ａ及びＸ^ｂは各々独立に、水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｒは一価の有機基を表し、ｍは１～１８の整数を表す。ただし、Ｘ^ａ及びＸ^ｂの一方が水素原子である場合は、Ｘ^ａ及びＸ^ｂの他方はフッ素原子又は塩素原子を表す。）

上記液晶化合物は、下記化学式（Ｌ１）～（Ｌ５）のいずれかで表される化合物であってもよい。この態様によれば、温度変化の更に大きな環境下においても、液晶表示装置の表示特性を良好なものとすることができる。

（上記化学式（Ｌ１）～（Ｌ５）中、ｍ及びｎは各々独立に、１～１８の整数を表す。）

上記液晶材料は、－３０℃以上、９０℃以下で液晶相を示してもよい。この態様によれば、広い温度範囲で液晶相を示す必要がある車載用途やデジタルサイネージ用途に好適に用いることができる。

上記シランカップリング剤は、下記化学式（ＳＣ１）で表される化合物であってもよい。シランカップリング剤を用いることにより、液晶化合物の配向方位やチルト角が変化する可能性があるが、シランカップリング剤を上記の態様とすることにより、この変化を無くすか、又は、小さく抑えることが可能となる。

（上記化学式（ＳＣ１）中、Ｚは各々独立に、塩素原子、メトキシ基又はエトキシ基を表し、Ｒ^１は各々独立に、水素原子又はハロゲン原子を表し、Ｒ^２は各々独立に、水素原子又はハロゲン原子を表し、ａは０～１７の整数を表す。）

上記シランカップリング剤は、下記化学式（ＳＣ２）又は（ＳＣ３）で表される化合物であってもよい。シランカップリング剤を用いることにより、液晶化合物の配向方位やチルト角が変化する可能性があるが、シランカップリング剤を上記の態様とすることにより、この変化を無くすか、又は、より小さく抑えることが可能となる。

（上記化学式（ＳＣ２）中、Ｚは各々独立に、塩素原子、メトキシ基又はエトキシ基を表し、ａは０～１７の整数を表す。）

（上記化学式（ＳＣ３）中、Ｚは各々独立に、塩素原子、メトキシ基又はエトキシ基を表し、ｂは０～１６の整数を表す。）

上記ポリシロキサンは、エポキシ基及びイソシアネート基からなる群より選択される少なくとも一種の官能基を含んでもよい。この態様によれば、ポリシロキサンの液晶層３０への溶出を抑制し、輝点の発生をより抑えることができる。

上記配向膜４０は、互いに異なるポリマーを含む複数のポリマー層を有してもよい。この態様によれば、輝点の発生をより抑制することができる。

１Ａ、１Ｂ、１Ｃ：液晶表示装置
１０：第一基板
１１：透明基板
２０：第二基板
３０：液晶層
３１：アルコキシ基を有する液晶化合物
３２：水素結合
４０、４０ａ、４０ｂ、４０ｃ：配向膜
４１：ポリアミック酸及びポリシロキサンを含有する配向剤を用いて形成されたポリマー層
４１ａ：ポリアミック酸から形成された層
４１ｂ：ポリシロキサンから形成された層
４２：カップリング層
４３：ポリアミック酸を含有する配向剤を用いて形成されたポリマー層
５０：シール
５１：シールに含まれるエポキシ樹脂
５２：ジアルコール化されたエポキシ樹脂
６０、１６０：電極
７０、１７０：レジスト膜
１１１：透明基板
１２０：単分子膜
Ｅ：シランカップリング剤の末端

Claims (17)

1. 第一基板と、
   前記第一基板に対向する第二基板と、
   前記第一基板及び前記第二基板の間に設けられた液晶層と、
   前記第一基板及び前記第二基板の少なくとも一方の基板の前記液晶層側に設けられた配向膜と、
   前記第一基板及び前記第二基板を互いに接着するシールとを備え、
   前記液晶層は、液晶材料を含み、
   前記液晶材料は、アルコキシ基を有する液晶化合物を含み、かつ、－１０℃以上、８０℃以下で液晶相を示し、
   前記シールは、エポキシ樹脂を含むシール剤の硬化物であり、
   前記配向膜は、ポリアミック酸及びポリシロキサンを含有する第一配向剤を用いて形成されたポリマー層を含む第一配向膜と、ポリアミック酸を含有する第二配向剤を用いて形成されたポリマー層の表面にシランカップリング剤が化学吸着した第二配向膜との少なくとも一方を備えることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記液晶化合物は、下記化学式（Ｌ）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
   

   

   （上記化学式（Ｌ）中、Ｘ^ａ及びＸ^ｂは各々独立に、水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｒは一価の有機基を表し、ｍは１～１８の整数を表す。ただし、Ｘ^ａ及びＸ^ｂの一方が水素原子である場合は、Ｘ^ａ及びＸ^ｂの他方はフッ素原子又は塩素原子を表す。）
3. 前記液晶化合物は、下記化学式（Ｌ１）～（Ｌ５）のいずれかで表される化合物であることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
   

   

   （上記化学式（Ｌ１）～（Ｌ５）中、ｍ及びｎは各々独立に、１～１８の整数を表す。）
4. 前記液晶材料は、－３０℃以上、９０℃以下で液晶相を示すことを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載の液晶表示装置。
5. 前記シランカップリング剤は、下記化学式（ＳＣ１）で表される化合物であることを特徴とする請求項１～４のいずれかに記載の液晶表示装置。
   

   

   （上記化学式（ＳＣ１）中、Ｚは各々独立に、塩素原子、メトキシ基又はエトキシ基を表し、Ｒ^１は各々独立に、水素原子又はハロゲン原子を表し、Ｒ^２は各々独立に、水素原子又はハロゲン原子を表し、ａは０～１７の整数を表す。）
6. 前記シランカップリング剤は、下記化学式（ＳＣ２）又は（ＳＣ３）で表される化合物であることを特徴とする請求項１～５のいずれかに記載の液晶表示装置。
   

   

   （上記化学式（ＳＣ２）中、Ｚは各々独立に、塩素原子、メトキシ基又はエトキシ基を表し、ａは０～１７の整数を表す。）
   

   

   （上記化学式（ＳＣ３）中、Ｚは各々独立に、塩素原子、メトキシ基又はエトキシ基を表し、ｂは０～１６の整数を表す。）
7. 前記ポリシロキサンは、エポキシ基及びイソシアネート基からなる群より選択される少なくとも一種の官能基を含むことを特徴とする請求項１～６のいずれかに記載の液晶表示装置。
8. 前記第一配向膜及び前記第二配向膜は、各々、互いに異なるポリマーを含む複数のポリマー層を有することを特徴とする請求項１～７のいずれかに記載の液晶表示装置。
9. 前記配向膜は、前記第一配向膜を備えることを特徴とする請求項１～８のいずれかに記載の液晶表示装置。
10. 前記第一配向膜は、前記第一配向剤を用いて形成されたポリマー層の表面に化学吸着したシランカップリング剤を含むことを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
11. 前記配向膜は、前記第二配向膜を備えることを特徴とする請求項１～８のいずれかに記載の液晶表示装置。
12. 前記第二配向剤は、ポリシロキサンを更に含有することを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
13. 第一基板及び第二基板の少なくとも一方の基板に配向膜を形成する配向膜形成工程と、
    前記少なくとも一方の基板に、エポキシ樹脂を含むシール剤を描画するシール剤描画工程と、
    前記第一基板及び前記第二基板を貼り合わせて前記シール剤を硬化するシール剤硬化工程と、
    アルコキシ基を有する液晶化合物を含み、かつ、－１０℃以上、８０℃以下で液晶相を示す液晶材料を用いて、前記第一基板及び前記第二基板の間に液晶層を形成する液晶層形成工程と、
    を備え、
    前記配向膜形成工程として、前記少なくとも一方の基板にポリアミック酸及びポリシロキサンを含有する第一配向剤を用いてポリマー層を形成する第一工程と、前記少なくとも一方の基板にポリアミック酸を含有する第二配向剤を用いてポリマー層を形成した後、前記ポリマー層の表面にシランカップリング剤を化学吸着させる第二工程との少なくとも一方を備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
14. 前記配向膜形成工程として、前記第二工程を備えず、前記第一工程を備えることを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置の製造方法。
15. 前記配向膜形成工程として、前記第一工程の後、前記第一配向剤を用いて形成されたポリマー層の表面に、シランカップリング剤を化学吸着させる工程を更に備えることを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置の製造方法。
16. 前記配向膜形成工程として、前記第一工程を備えず、前記第二工程を備えることを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置の製造方法。
17. 前記第二配向剤は、ポリシロキサンを更に含有することを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置の製造方法。

Images