[go: up one dir, main page]

WO2018043644A1 - 太陽電池および太陽電池の製造方法 - Google Patents

太陽電池および太陽電池の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2018043644A1
WO2018043644A1 PCT/JP2017/031359 JP2017031359W WO2018043644A1 WO 2018043644 A1 WO2018043644 A1 WO 2018043644A1 JP 2017031359 W JP2017031359 W JP 2017031359W WO 2018043644 A1 WO2018043644 A1 WO 2018043644A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electrode layer
solar cell
cell element
semiconductor
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2017/031359
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
順次 荒浪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to EP17846648.8A priority Critical patent/EP3509118A4/en
Priority to CN201780052889.XA priority patent/CN109643764B/zh
Priority to JP2018537397A priority patent/JP6745345B2/ja
Priority to US16/328,181 priority patent/US11011718B2/en
Publication of WO2018043644A1 publication Critical patent/WO2018043644A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
    • H10K30/57—Photovoltaic [PV] devices comprising multiple junctions, e.g. tandem PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
    • H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
    • H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
    • H10F19/33—Patterning processes to connect the photovoltaic cells, e.g. laser cutting of conductive or active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
    • H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
    • H10F19/35—Structures for the connecting of adjacent photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/40—Optical elements or arrangements
    • H10F77/42—Optical elements or arrangements directly associated or integrated with photovoltaic cells, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/87—Light-trapping means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/10—Organic photovoltaic [PV] modules; Arrays of single organic PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/10—Organic photovoltaic [PV] modules; Arrays of single organic PV cells
    • H10K39/12—Electrical configurations of PV cells, e.g. series connections or parallel connections
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/211—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by selective transformation of an existing layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H10K71/421—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour using coherent electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/50—Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2068—Panels or arrays of photoelectrochemical cells, e.g. photovoltaic modules based on photoelectrochemical cells
    • H01G9/2081—Serial interconnection of cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/209—Light trapping arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
    • H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
    • H10F19/37—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate comprising means for obtaining partial light transmission through the integrated devices, or the assemblies of multiple devices, e.g. partially transparent thin-film photovoltaic modules for windows
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
    • H10K19/20—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00 comprising components having an active region that includes an inorganic semiconductor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/361—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/81—Electrodes
    • H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • This disclosure relates to a solar cell and a method for manufacturing a solar cell.
  • a thin-film solar cell generally has a structure in which a plurality of solar cell elements arranged on a substrate are electrically connected in series (see, for example, the description of JP-A-2007-317858).
  • a solar cell and a method for manufacturing the solar cell are disclosed.
  • the solar cell includes a plurality of solar cell elements, a connection portion, and a transparent portion.
  • the plurality of solar cell elements include a first solar cell element and a second solar cell element that are arranged in a plane along the first direction and are adjacent to each other.
  • the connection portion electrically connects the first solar cell element and the second solar cell element.
  • the transparent part is located between the connection part and the second solar cell element.
  • Each of the solar cell elements includes a first electrode layer, a second electrode layer, and a semiconductor layer located between the first electrode layer and the second electrode layer.
  • the first electrode layer of the first solar cell element and the first electrode layer of the second solar cell element are arranged with a first gap in between.
  • the second electrode layer of the first solar cell element and the second electrode layer of the second solar cell element are arranged with a second gap in between.
  • the second gap exists at a position shifted in the first direction from the first gap.
  • the connection portion electrically connects the second electrode layer of the first solar cell element and the first electrode layer of the second solar cell element.
  • the transparent portion is present at a position shifted in the first direction from the connection portion between the second electrode layer of the first solar cell element and the first electrode layer of the second solar cell element.
  • the translucency is higher than that of the semiconductor layer, and at least one of the first electrode layer and the second electrode layer is higher in translucency than the semiconductor layer.
  • One embodiment of a method for manufacturing a solar cell includes steps (a) to (d).
  • a substrate is prepared.
  • a first first electrode layer and a second first electrode layer arranged in a plane along the first direction on the surface of the substrate are formed.
  • a semiconductor region for a perovskite solar cell is formed on the first first electrode layer and the second first electrode layer.
  • a connection portion and a second electrode layer are formed.
  • the connecting portion is located in a gap between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer arranged in a plane along the first direction in the semiconductor region, and the second first electrode layer. Is in an electrically connected state.
  • the second electrode layer is located on the first semiconductor layer and is electrically connected to the connection portion. After the semiconductor region is formed, a part of the semiconductor region located on the second first electrode layer is heated, so that the translucency of the part is increased.
  • FIG. 1 is a plan view showing a configuration of an example of a solar cell according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a cross section of the solar cell along the line II-II in FIG.
  • FIG. 3 is a flowchart showing a flow according to an example of a method for manufacturing a solar cell.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a state in the middle of manufacturing a solar cell.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of a state in the middle of manufacturing a solar cell.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of a state in the middle of manufacturing a solar cell.
  • FIG. 1 is a plan view showing a configuration of an example of a solar cell according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a cross section of the solar cell along the line II-II in FIG.
  • FIG. 3 is a flowchart showing a flow according
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of a state in the middle of manufacturing a solar cell.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing an example of a state in the middle of manufacturing a solar cell.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing an example of a state in the middle of manufacturing a solar cell.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing an example of a state in the middle of manufacturing a solar cell.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a cross section of an example of the solar cell according to the second embodiment.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing a cross section of an example of the solar cell according to the third embodiment.
  • FIG. 13 is sectional drawing which shows the cross section of an example of the solar cell concerning 4th Embodiment.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view showing a cross section of an example of the solar cell according to the fifth embodiment.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view illustrating a configuration of an example of a solar cell.
  • each solar cell element 12 has a configuration in which a first electrode layer 12a, a semiconductor layer 12b having a PN junction or a PIN junction, and a second electrode layer 12c are stacked. Furthermore, between the adjacent solar cell elements 12, the first electrode layer 12 a and the second electrode layer 12 c are electrically connected, so that the adjacent solar cell elements 12 are electrically connected in series. Yes. Specifically, a portion (also referred to as a connection portion) 14 that electrically connects the first electrode layer 12a and the second electrode layer 12c exists between adjacent solar cell elements 12, for example.
  • a region separating the first electrode layers 12a also referred to as a first separation region
  • a region separating the second electrode layers 12c Da2, which is also referred to as a second separation region
  • the dead space can be a region that does not use incident light.
  • This dead space can be generated, for example, when the second isolation region Da2 is formed by scribing or the like after the first electrode layer 12a, the semiconductor layer 12b, and the second electrode layer 12c are stacked on the substrate 13.
  • a dead space can be formed by forming the connection portion 14 and the second separation region Da2 apart from each other so that the connection portion 14 is not scraped by scribing or the like.
  • the inventors of the present application have created a technology that can effectively use incident light for a thin-film solar cell.
  • the solar cell 1 includes, for example, a substrate 3, a plurality of solar cell elements 2, a connection portion 4, and a transparent portion 5.
  • a perovskite solar cell is employed.
  • the substrate 3 can play a role of supporting the plurality of solar cell elements 2 and a role of protecting the plurality of solar cell elements 2.
  • the substrate 3 for example, if the substrate 3 has translucency with respect to light in a specific range of wavelengths, the light transmitted through the substrate 3 can be incident on the plurality of solar cell elements 2.
  • a flat plate having a rectangular board surface is employed.
  • a resin such as glass or acrylic or polycarbonate is employed as the material of the substrate 3, the substrate 3 having translucency with respect to light in a specific range of wavelengths can be realized.
  • the glass for example, a material having high light transmittance such as white plate glass, tempered glass, and heat ray reflective glass can be employed.
  • the light having a wavelength in a specific range refers to a wavelength in a range in which the solar cell element 2 can perform photoelectric conversion.
  • the plurality of solar cell elements 2 are arranged in a plane along the + X direction as the first direction.
  • arranging in a plane means that each solar cell element 2 is located and a plurality of solar cell elements 2 are arranged along a virtual or actual plane.
  • the plurality of solar cell elements 2 are arranged along the surface of the substrate 3 on the substrate 3.
  • the plurality of solar cell elements 2 include five solar cell elements 2 arranged along the first direction (+ X direction) on the substrate 3.
  • the five solar cell elements 2 include, for example, a first solar cell element 21, a second solar cell element 22, a third solar cell element 23, a fourth solar cell element 24, and a fifth sun, which are arranged in order in the + X direction.
  • a battery element 25 is included.
  • the plurality of solar cell elements 2 includes an nth solar cell element 2n (n is a natural number of 1 to 5).
  • each solar cell element 2 has a strip shape with the + Y direction as the longitudinal direction.
  • Each solar cell element 2 includes a first electrode layer 2a, a semiconductor layer 2b, and a second electrode layer 2c.
  • first electrode layer 2a and the second electrode layer 2c have higher translucency with respect to light in a specific range of wavelengths than the semiconductor layer 2b, in each solar cell element 2, Incident light can pass through at least one of the first electrode layer 2a and the second electrode layer 2c. As a result, incident light can be applied to the semiconductor layer 2b.
  • the first electrode layer 2 a is located on the substrate 3. In other words, the first electrode layer 2a is located closer to the substrate 3 than the second electrode layer 2c.
  • the first electrode layer 2a can collect charges generated by photoelectric conversion in response to light irradiation on the semiconductor layer 2b.
  • the substrate 3 has translucency
  • the first electrode layer 2a has higher translucency with respect to light with a specific range of wavelengths than the semiconductor layer 2b, for example, light with a specific range of wavelengths can be transmitted.
  • the light can enter the semiconductor layer 2b through the substrate 3 and the first electrode layer 2a.
  • substrate 3 which has translucency comprises the front surface as a light-receiving surface can be implement
  • the specific range is used.
  • the transparent conductive oxide can include, for example, indium tin oxide (ITO), fluorine-doped tin oxide (FTO), zinc oxide (ZnO), or the like.
  • the five first electrode layers 2a are arranged in a plane in order in the + X direction.
  • the first electrode layer 2a of the m-th solar cell element 2m (m is a natural number from 1 to 4) and the first electrode layer 2a of the (m + 1) -th solar cell element 2 (m + 1) have a gap (first They are also lined up across G1.
  • the first electrode layer 2a of the first solar cell element 21 and the first electrode layer 2a of the second solar cell element 22 are aligned with a gap (also referred to as a first gap) G1.
  • Each first gap G1 has a longitudinal direction along the + Y direction.
  • there is a first groove portion P1 having the substrate 3 as a bottom surface and two end surfaces of the two first electrode layers 2a sandwiching the first gap G1 facing each other as side surfaces.
  • the semiconductor layer 2b is located between the first electrode layer 2a and the second electrode layer 2c.
  • the semiconductor layer 2b of the mth solar cell element 2m is located on the ⁇ X direction end of the first electrode layer 2a of the (m + 1) th solar cell elements 2 (m + 1) adjacent in the + X direction.
  • the semiconductor layer 2b of the first solar cell element 21 is located on the ⁇ X direction end of the first electrode layer 2a of the adjacent second solar cell elements 22 in the + X direction.
  • the semiconductor layer 2b has, for example, a structure in which a semiconductor layer having a perovskite structure (also referred to as a perovskite semiconductor) (perovskite semiconductor layer) and a hole transport layer (HTL) are stacked.
  • a semiconductor layer having a perovskite structure also referred to as a perovskite semiconductor
  • a hole transport layer HTL
  • the semiconductor layer 2b is a perovskite semiconductor
  • the light having a specific range of wavelengths includes visible light and infrared light.
  • the perovskite semiconductor can include, for example, a halide organic-inorganic perovskite semiconductor.
  • the halide organic-inorganic perovskite semiconductor can be composed of an organic perovskite such as CH 3 NH 3 PbI 3 , for example.
  • the organic perovskite can be formed, for example, by applying a raw material liquid on the first electrode layer 2a located on the substrate 3 and drying it.
  • the organic perovskite is a thin film having crystallinity.
  • the first gap G1 is also filled with the raw material liquid, and a part of the perovskite semiconductor can be formed also in the first gap G1 by drying.
  • the raw material liquid can be generated, for example, by dissolving the halogenated alkylamine and lead halide as raw materials in a solvent.
  • the hole transport layer (HTL) can collect and output holes.
  • a material for the hole transport layer (HTL) for example, spiro-OMeTAD, which is a soluble diamine derivative, is employed.
  • the PIN junction is used. Regions can be formed. In the PIN junction region, power generation can be performed by photoelectric conversion according to light irradiation.
  • the semiconductor layer 2b for example, an n-type semiconductor layer may be located between the perovskite semiconductor layer and the first electrode layer 2a. At this time, the PIN junction region can be formed only by the semiconductor layer 2b.
  • the second electrode layer 2c is located on the semiconductor layer 2b.
  • the second electrode layer 2c can collect charges generated by photoelectric conversion in accordance with light irradiation on the semiconductor layer 2b.
  • the second electrode layer 2c has higher translucency with respect to light in a specific range of wavelengths than the semiconductor layer 2b, for example, light incident from the side opposite to the substrate 3 is incident on the second electrode layer. 2c can be transmitted and incident on the semiconductor layer 2b.
  • the solar cell 1 in which both surfaces in the ⁇ Z directions are light receiving surfaces can be realized. As a result, the incident light on the solar cell 1 can be used effectively.
  • the transparent conductive oxide may include, for example, indium tin oxide (ITO), fluorine-doped tin oxide (FTO), zinc oxide (ZnO), or the like.
  • the five second electrode layers 2c are arranged in a plane in order in the + X direction.
  • the second electrode layer 2c of the mth solar cell element 2m and the second electrode layer 2c of the (m + 1) th solar cell element 2 (m + 1) are arranged with a gap (also referred to as a second gap) G2 therebetween.
  • the second electrode layer 2c of the first solar cell element 21 and the second electrode layer 2c of the second solar cell element 22 are arranged with a gap (second gap) G2 interposed therebetween.
  • Each second gap G2 has, for example, a longitudinal direction along the + Y direction.
  • a third groove portion P3 having the bottom surface of the first electrode layer 2a is configured.
  • the second electrode layer 2c protrudes in the + X direction rather than the first electrode layer 2a. From another point of view, the second gap G2 exists at a position shifted in the first direction (+ X direction) from the first gap G1.
  • the connection unit 4 electrically connects two adjacent solar cell elements 2 among the plurality of solar cell elements 2 in series.
  • the mth connecting portion 4m electrically connects the mth solar cell element 2m and the (m + 1) th solar cell element 2 (m + 1).
  • the first connection unit 41 electrically connects the first solar cell element 21 and the second solar cell element 22.
  • the mth connection portion 4m electrically connects the second electrode layer 2c of the mth solar cell element 2m and the first electrode layer 2a of the (m + 1) th solar cell element 2 (m + 1).
  • the first connection portion 41 electrically connects the second electrode layer 2 c of the first solar cell element 21 and the first electrode layer 2 a of the second solar cell element 22.
  • the some solar cell element 2 can be electrically connected in series.
  • the connecting portion 4 is located between the semiconductor layer 2b and the transparent portion 5 in the + X direction.
  • the second groove portion P2 having the + X direction end surface of the semiconductor layer 2b and the ⁇ X direction end surface of the transparent portion 5 as both side surfaces and the ⁇ Z direction surface of the first electrode layer 2a as the bottom surface is formed.
  • the second groove portion P2 has a longitudinal direction along the + Y direction.
  • the connection part 4 is filled in this 2nd groove part P2.
  • the transparent part 5 has higher translucency with respect to light of a specific range of wavelengths than the semiconductor layer 2b.
  • the transparent part 5 can be formed, for example, by locally heating a part of the perovskite semiconductor layer.
  • the m-th transparent portion 5m is located between the m-th connecting portion 4m of the m-th solar cell element 2m and the (m + 1) -th solar cell element 2 (m + 1).
  • the first transparent portion 51 is located between the first connection portion 41 of the first solar cell element 21 and the second solar cell element 22. More specifically, the m-th transparent portion 5m is located between the second electrode layer 2c of the m-th solar cell element 2m and the first electrode layer 2a of the (m + 1) th solar cell element 2 (m + 1). It exists in the position which shifted
  • the first transparent portion 51 is positioned in the first direction from the first connection portion 41 between the second electrode layer 2 c of the first solar cell element 21 and the first electrode layer 2 a of the second solar cell element 22 ( + X direction).
  • the presence of such a transparent portion 5 can reduce, for example, dead space that absorbs incident light but cannot perform photoelectric conversion according to the incident light and does not contribute to power generation. Thereby, incident light can be used effectively.
  • the first electrode layer 2a has a portion (also referred to as a first protruding portion) 2ae protruding in the ⁇ X direction from the semiconductor layer 2b and the second electrode layer 2c. ing.
  • the semiconductor layer 2b and the second electrode layer 2c protrude in the + X direction from the first electrode layer 2a.
  • an output first conductor W1 having a first polarity is electrically connected.
  • an output second conductor W2 having the second polarity is electrically connected.
  • the second polarity is a positive electrode.
  • the second polarity is a negative electrode.
  • the solar cell 1 can be manufactured by performing the first step ST1 to the fifth step ST5 in the order described.
  • a substrate 3 is prepared as shown in FIG.
  • the substrate 3 for example, a flat plate having translucency with respect to light in a specific range of wavelengths and having a rectangular board surface is employed.
  • a plurality of first electrode layers 2a arranged in a plane along the first direction (+ X direction) are formed on the surface of the substrate 3.
  • the electrode layer 2 a 0 is formed on one surface of the substrate 3.
  • the electrode layer 2a0 can be formed by sputtering or vapor deposition, for example.
  • the electrode layer 2a0 can be made of a transparent conductive oxide such as ITO, FTO, or ZnO.
  • the thickness of the electrode layer 2a0 can be set to about 10 nm to 1000 nm, for example.
  • the electrode layer 2a0 is separated into a plurality of first electrode layers 2a.
  • a plurality of first electrode layers 2a are formed by forming a plurality of first groove portions P1 (first gaps G1).
  • first to fifth first electrode layers 2a arranged in a plane along the first direction (+ X direction) on the surface of the substrate 3 are formed.
  • the plurality of first groove portions P1 (first gaps G1) can be formed by, for example, irradiating a region of a desired pattern in the electrode layer 2a0 with a laser.
  • Each first groove portion P1 (each first gap G1) can be formed such that the longitudinal direction is the + Y direction.
  • each first groove portion P1 is set to about 30 ⁇ m to 300 ⁇ m, for example.
  • the width of each first electrode layer 2a in the first direction (+ X direction) is set to, for example, about 1 mm to 10 mm.
  • the first groove portion P1 (first gap G1) may be formed by, for example, scribing.
  • a semiconductor region 2b0 for a perovskite solar cell is formed on the plurality of first electrode layers 2a.
  • the plurality of first electrode layers 2a include, for example, first to fifth first electrode layers 2a.
  • the semiconductor region 2b0 can be formed by, for example, application of a raw material liquid and drying.
  • the semiconductor region 2b0 has a structure in which a plurality of layers including a perovskite semiconductor layer and a hole transport layer are stacked.
  • the hole transport layer may be formed on the perovskite semiconductor layer by applying and drying the second raw material liquid.
  • the thickness of the semiconductor region 2b0 can be set to, for example, about 100 nm to 2000 nm.
  • the semiconductor region 2b0 enters the plurality of first groove portions P1 (first gaps G1).
  • the semiconductor region 2b0 is separated into a plurality of semiconductor layers 2b.
  • a plurality of semiconductor layers 2b are formed by forming a plurality of second groove portions P2.
  • the first to fifth semiconductor layers 2b arranged in a plane along the first direction (+ X direction) on the plurality of first electrode layers 2a are formed.
  • the m-th second groove portion P2 is scribed, for example, in a region of a desired pattern at a position shifted in the + X direction from the m-th first groove portion P1 in the semiconductor region 2b0.
  • the m-th second groove P2 is formed so as to be separated from the m-th first groove P1 by about 10 ⁇ m to 100 ⁇ m in the + X direction.
  • Each second groove P2 can be formed such that the longitudinal direction is the + Y direction.
  • the width of each second groove portion P2 is set to about 30 ⁇ m to 300 ⁇ m, for example.
  • connection part 4 and the second electrode layer 2c are formed.
  • the electrode layer 2c0 is formed on the semiconductor region 2b0.
  • the electrode layer 2c0 can be formed by, for example, sputtering or vapor deposition.
  • the electrode layer 2c0 can be made of, for example, a transparent conductive oxide such as ITO, FTO, or ZnO.
  • the thickness of the electrode layer 2c0 can be set to about 10 nm to 1000 nm, for example.
  • the electrode layer 2c0 enters the second groove portion P2 related to the semiconductor region 2b0. Thereby, the 1st connection part 41, the 2nd connection part 42, the 3rd connection part 43, and the 4th connection part 44 are formed.
  • the mth semiconductor layer 2b and the (m + 1) th semiconductor layer 2b are located in the gap (second groove portion P2).
  • a connecting portion 4m is formed.
  • the m-th connection portion 4m is in a state of being electrically connected to the (m + 1) th first electrode layer 2a.
  • the first connection portion 41 is in a state of being electrically connected to the second first electrode layer 2a.
  • the electrode layer 2c0 is separated into a plurality of second electrode layers 2c.
  • a plurality of second electrode layers 2c are formed by forming a plurality of third groove portions P3 (second gaps G2).
  • P3 second gaps G2
  • the first to fifth lines arranged in a plane along the first direction (+ X direction) on the first to fifth semiconductor layers 2b arranged in a plane along the first direction (+ X direction).
  • a second electrode layer 2c is formed.
  • the mth second electrode layer 2c is located on the mth semiconductor layer 2b.
  • the first second electrode layer 2c is located on the first semiconductor layer 2b.
  • the mth second electrode layer 2c is in a state of being electrically connected to the mth connection portion 4m.
  • the first second electrode layer 2 c is in a state of being electrically connected to the first connection portion 41.
  • the m-th third groove portion P3 (second gap G2) is scribed, for example, in a region of a desired pattern at a position shifted in the + X direction from the m-th second groove portion P2 in the semiconductor region 2b0. Or the like.
  • the mth third groove P3 is formed to be separated from the mth second groove P2 by about 10 ⁇ m to 100 ⁇ m in the + X direction.
  • the width of each third groove portion P3 (each second gap G2) is set to about 10 ⁇ m to 100 ⁇ m, for example.
  • the width in the first direction (+ X direction) of each second electrode layer 2c is, for example, about 1 mm to 10 mm.
  • the m-th third groove portion P3 (second gap G2) in the first direction (+ X direction) is first than the m-th first gap G1 and the m-th connection portion 4m in the first direction (+ X direction). It exists in a position shifted in the direction (+ X direction). At this time, an mth portion Ds1 that becomes a dead space of the semiconductor region 2b0 may be formed between the mth connection portion 4m and the mth third groove portion P3 (second gap G2).
  • the mth second electrode layer 2c is located from above the mth semiconductor layer 2b to above the mth portion Ds1.
  • the portion Ds1 serving as the dead space of the semiconductor region 2b0 is heated, so that the transparent portion 5 having improved translucency with respect to light in a specific range of wavelengths in the portion Ds1 is formed.
  • the m-th portion Ds1 located on the (m + 1) -th first electrode layer 2a in the semiconductor region 2b0 is heated, so that the wavelength in a specific range in the m-th portion.
  • the transparent portion 5 in which the translucency with respect to light is higher than that of the semiconductor region 2b0 is formed.
  • the heating of the part Ds1 can be realized by, for example, local laser irradiation.
  • the band gap of the perovskite semiconductor constituting part of Ds1 is increased by, for example, heating at a relatively low temperature of about 100 ° C. to 200 ° C. with a laser.
  • the perovskite semiconductor can be changed to a wide-gap semiconductor that has higher translucency with respect to light in a specific range of wavelengths than the original perovskite semiconductor.
  • Pb-I such as CH 3 NH 3 PbI 3 , CsPbI 3 and NH 2 CHNH 2 PbI 3 is used.
  • the hole transport layer constituting part of Ds1 may be made of a material having high translucency with respect to light in a specific range of wavelengths. For this reason, the part Ds1 as a dead space can be made transparent by heating at a relatively low temperature by applying small energy.
  • a compound having a perovskite crystal structure or a crystal structure similar to this crystal structure is represented by a general formula of ABX 3 , A 2 BX 4 , AB′X 4 , A′BX 4 .
  • A represents monovalent cations such as CH 3 NH 3 + , CH (NH 2 ) 2 + , and Cs +, for example.
  • a ′ and B represent divalent cations such as Pb 2+ and Sn 2+ .
  • B ′ represents a trivalent cation such as Bi 3+ or Sb 3+ .
  • X represents a monovalent anion such as Cl ⁇ , Br ⁇ and I ⁇ .
  • the laser output is set to about 0.1 W to 1 W, for example.
  • the wavelength of the laser beam light is set to, for example, about 400 nm to 700 nm.
  • the diameter of the laser beam is set to, for example, about 40 ⁇ m.
  • the scanning speed of the laser beam is set to 1200 mm / second, for example.
  • Light having a wavelength of 400 nm to 700 nm is not absorbed by the TCO but can be absorbed by the perovskite semiconductor. Thereby, a perovskite semiconductor can be heated locally.
  • the transparent portion 5 By forming the transparent portion 5 as described above, for example, although the incident light is absorbed, the dead space that does not contribute to power generation because the photoelectric conversion according to the incident light cannot be performed can be reduced. . Thereby, incident light can be used effectively.
  • the presence of the transparent portion 5 absorbs incident light, but the dead space that does not contribute to power generation because photoelectric conversion according to the incident light cannot be performed is reduced. Can do. Thereby, incident light can be used effectively.
  • the dead space is reduced due to the presence of the transparent portion 5, a part of the incident light that has been lost due to the presence of the dead space can be easily emitted from the back surface as the non-light-receiving surface of the solar cell 1. .
  • a see-through solar cell having a large amount of transmitted light and an excellent appearance can be realized.
  • the substrate 3 may be located on the back side instead of the front side.
  • a solar cell 1A according to the second embodiment shown in FIG. 11 has a configuration in which the top and bottom of the solar cell 1 according to the first embodiment shown in FIG. 2 are inverted.
  • the solar cell 1A according to the second embodiment includes a substrate 3, for example.
  • a plurality of solar cell elements 2 are arranged along the surface of the substrate 3 on the substrate 3.
  • the first electrode layer 2a is located closer to the substrate 3 than the second electrode layer 2c.
  • the 2nd electrode layer 2c has the translucency with respect to the light of the wavelength of a specific range rather than the semiconductor layer 2b. If such a configuration is employed, for example, in the solar cell 1A in which the opposite side of the substrate 3 is the front surface as the light receiving surface, incident light can be effectively used.
  • the first embodiment and the second embodiment there may be a reflecting portion that reflects light in a specific range of wavelengths that is transmitted through the transparent portion 5 and enters the semiconductor layer 2b.
  • a reflecting portion that reflects light in a specific range of wavelengths that is transmitted through the transparent portion 5 and enters the semiconductor layer 2b.
  • a specific range that passes through the transparent part 5 There may be a reflection part capable of reflecting light of a wavelength. If such a configuration is adopted, for example, light transmitted through the transparent portion 5 can be reflected by the reflecting portion and incident on the semiconductor layer 2b. At this time, the light reflected by the reflecting portion can be used for photoelectric conversion by the semiconductor layer 2b. Thereby, incident light can be used effectively.
  • the second electrode layer 2c transmits the transparent portion 5. It can serve as an electrode layer (also referred to as a metal electrode layer) as a reflection part capable of reflecting light having a specific range of wavelengths.
  • the first electrode layer 2a if a metal that does not transmit light with respect to light in a specific range is used as the material of the first electrode layer 2a, the first electrode layer 2a becomes the transparent portion 5. It can play a role as a metal electrode layer as a reflection part capable of reflecting light in a specific range of wavelengths that passes through.
  • any one of the first electrode layer 2a and the second electrode layer 2c may be a metal electrode layer that can reflect light in a specific range of wavelengths that are transmitted through the transparent portion 5. Conceivable.
  • the material of the metal electrode layer for example, a metal material excellent in conductivity and light reflection characteristics such as aluminum can be adopted.
  • a metal material excellent in conductivity and light reflection characteristics such as aluminum
  • at least a part of light having a wavelength in a specific range that passes through the transparent portion 5 can be reflected by the surface of the metal electrode layer and incident on the semiconductor layer 2b.
  • the light reflected by the metal electrode layer can be used for photoelectric conversion by the semiconductor layer 2b.
  • the incident light with respect to the solar cells 1 and 1A can be used effectively.
  • the configuration in which the light transmitted through the transparent portion 5 is reflected and incident on the semiconductor layer 2b does not become large and can be easily realized.
  • the second electrode layer 2c has higher translucency with respect to light in a specific range of wavelengths than the semiconductor layer 2b, the light is applied to the back side as the non-light receiving surface.
  • a reflection part that reflects the light may be added.
  • a solar cell 1 ⁇ / b> B to which a reflection part Bs ⁇ b> 1 that can scatter light by irregularly reflecting light, such as a white back sheet, may be employed.
  • the reflecting portion Bs1 may be supported by a sealing material 6 such as ethylene vinyl acetate copolymer (EVA), for example.
  • EVA ethylene vinyl acetate copolymer
  • part of the incident light that has been optically lost due to the presence of the dead space so far is transmitted through the transparent portion 5 in accordance with the reduction of the dead space.
  • light that passes through the transparent part 5 can be reflected by the reflecting part Bs1 and incident on the semiconductor layer 2b.
  • light can be absorbed in a region on the back surface side of the semiconductor layer 2b in the solar cell 1.
  • a part of the light absorbed here can be used for photoelectric conversion. For this reason, incident light can be used effectively.
  • a solar cell 1 ⁇ / b> C having a portion (also referred to as a reflection portion) Mr ⁇ b> 1 where the substrate 3 reflects light with respect to light irradiation from the + Z side is provided. It may be adopted. With such a configuration, part of the incident light that has been optically lost due to the presence of the dead space so far is transmitted through the transparent portion 5 in accordance with the reduction of the dead space. And the light which permeate
  • first embodiment and the second embodiment for example, one or more types of other suns different from the plurality of solar cell elements 2 that receive light transmitted through the plurality of solar cell elements 2 arranged in a plane.
  • Battery element Sc1 may exist.
  • a plurality of suns are arranged on an imaginary straight line that passes through a part of the first electrode layer 2 a and a part of the second electrode layer 2 c that are located across the transparent part 5.
  • a solar cell 1D including one or more other solar cell elements Sc1 different from the battery element 2 may be employed.
  • each of the first electrode layer 2a and the second electrode layer 2c only needs to have higher translucency with respect to light in a specific range of wavelengths than the semiconductor layer 2b.
  • the 1st electrode layer 2a and the 2nd electrode layer 2c should just be comprised with materials, such as TCO whose translucency with respect to the light of the wavelength of a specific range is higher than the semiconductor layer 2b.
  • a plurality of solar cell elements 2 as top cells absorb visible light and near infrared light and use them for photoelectric conversion.
  • a configuration in which the other solar cell element Sc1 forming the bottom cell absorbs infrared light having a wavelength longer than that of near-infrared light and uses it for photoelectric conversion can be considered.
  • this other solar cell element Sc1 for example, one having a semiconductor layer made of silicon crystal can be considered.
  • tandem solar cell 1D When the tandem solar cell 1D is employed, for example, light transmitted through the transparent portion 5 can be used for photoelectric conversion in the other solar cell element Sc1, so that incident light is effectively used to increase power generation. Can do. As a result, conversion efficiency can be increased.
  • the semiconductor region 2b0 after the semiconductor region 2b0 is formed, at any timing, a part Ds1 of the semiconductor region 2b0 or this part Ds1
  • the part corresponding to may be clarified by heating.
  • the portion Ds1 of the semiconductor region 2b0 is made transparent by heating after the third groove portion P3 is formed in the semiconductor region 2b0, the semiconductor layer 2b constituting the solar cell element 2 is unlikely to deteriorate.
  • a part Ds1 of the semiconductor region 2b0 may be heated by contact of a member or the like.
  • the plurality of second electrode layers 2c are preliminarily formed in the third groove portion P3 by patterning by vapor deposition using a mask or the like. You may form with the form which has (2nd gap
  • the third groove portion P3 (second gap G2) may be anything that separates the plurality of second electrode layers 2c from each other, and reaches the semiconductor region 2b0. It does not have to be. For this reason, for example, the step of scribing the electrode layer 2c0 and the semiconductor region 2b0 can be omitted.
  • the plurality of semiconductor layers 2b are preliminarily formed in the second groove portion P2 by patterning by a coating method using a mask or the like. You may form in the form which has. In this case, the step of forming the second groove portion P2 by scribing or the like after the semiconductor region 2b0 is formed can be omitted.
  • the solar cells 1, 1A, 1B, 1C, and 1D according to the first embodiment, the second embodiment, the third embodiment, and the fourth embodiment, for example, six or more solar cell elements 2 are arranged in a plane. Alternatively, two or more and four or less solar cell elements 2 may be arranged in a plane.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)

Abstract

太陽電池は、複数の素子と接続部と透明部とを備える。複数の素子は、第１方向に沿って平面的に並ぶ第１素子と第２素子とを含む。接続部は、第１素子と第２素子とを電気的に接続している。透明部は、接続部と第２素子との間に位置する。各素子は、第１電極層と第２電極層とそれらの間の半導体層とを有する。第１素子と第２素子との間で第１電極層が第１間隙を挟む。第１素子と第２素子との間で第２電極層が第２間隙を挟む。第２間隙は、第１間隙よりも第１方向にずれている。接続部は、第１素子の第２電極層と第２素子の第１電極層とを電気的に接続している。透明部は、第１素子の第２電極層と第２素子の第１電極層との間で、接続部よりも第１方向にずれた位置に存在し且つ半導体層よりも透光性が高い。第１電極層および第２電極層の１以上の電極層が、半導体層よりも透光性が高い。

Description

太陽電池および太陽電池の製造方法
　本開示は、太陽電池および太陽電池の製造方法に関する。
　太陽電池には、結晶系の太陽電池と、薄膜系の太陽電池とがある。薄膜系の太陽電池は、一般に、基板上に並ぶ複数の太陽電池素子が電気的に直列に接続された構造を有する（例えば、特開２００７－３１７８５８号公報の記載を参照）。
　太陽電池および太陽電池の製造方法が開示される。
　太陽電池の一態様は、複数の太陽電池素子と、接続部と、透明部と、を備える。前記複数の太陽電池素子は、第１方向に沿って平面的に並んでおり且つ隣り合う第１太陽電池素子と第２太陽電池素子とを含む。前記接続部は、前記第１太陽電池素子と前記第２太陽電池素子とを電気的に接続している。前記透明部は、前記接続部と前記第２太陽電池素子との間に位置している。各前記太陽電池素子は、第１電極層と、第２電極層と、前記第１電極層と前記第２電極層との間に位置している半導体層と、を有している。前記第１太陽電池素子の前記第１電極層と、前記第２太陽電池素子の前記第１電極層とが、第１間隙を挟んで並んでいる。前記第１太陽電池素子の前記第２電極層と、前記第２太陽電池素子の前記第２電極層とが、第２間隙を挟んで並んでいる。前記第２間隙は、前記第１間隙よりも前記第１方向にずれた位置に存在している。前記接続部は、前記第１太陽電池素子の前記第２電極層と前記第２太陽電池素子の前記第１電極層とを電気的に接続している。前記透明部は、前記第１太陽電池素子の前記第２電極層と前記第２太陽電池素子の前記第１電極層との間において、前記接続部よりも前記第１方向にずれた位置に存在しており、且つ前記半導体層よりも透光性が高く、前記第１電極層および前記第２電極層のうちの少なくとも一方の電極層が、前記半導体層よりも透光性が高い。
　太陽電池の製造方法の一態様は、工程(a)から工程(d)を有する。前記工程(a)では、基板を準備する。前記工程(b)では、前記基板の表面の上において第１方向に沿って平面的に並ぶ１番目の第１電極層と２番目の第１電極層とを形成する。前記工程(c)では、前記１番目の第１電極層および前記第２番目の第１電極層の上にペロブスカイト太陽電池用の半導体領域を形成する。前記工程(d)では、接続部と、第２電極層と、を形成する。前記接続部は、前記半導体領域のうちの前記第１方向に沿って平面的に並ぶ１番目の半導体層と２番目の半導体層との間隙に位置しており且つ前記２番目の第１電極層に電気的に接続している状態にある。前記第２電極層は、前記１番目の半導体層の上に位置しており且つ前記接続部と電気的に接続している状態にある。前記半導体領域を形成した後に、前記半導体領域のうちの前記２番目の第１電極層の上に位置している一部分を加熱することで、該一部分における透光性を高める。
図１は、第１実施形態に係る太陽電池の一例の構成を示す平面図である。 図２は、図１のII－II線に沿った太陽電池の断面を示す断面図である。 図３は、太陽電池の製造方法の一例に係るフローを示す流れ図である。 図４は、太陽電池を製造する途中の状態の一例を示す断面図である。 図５は、太陽電池を製造する途中の状態の一例を示す断面図である。 図６は、太陽電池を製造する途中の状態の一例を示す断面図である。 図７は、太陽電池を製造する途中の状態の一例を示す断面図である。 図８は、太陽電池を製造する途中の状態の一例を示す断面図である。 図９は、太陽電池を製造する途中の状態の一例を示す断面図である。 図１０は、太陽電池を製造する途中の状態の一例を示す断面図である。 図１１は、第２実施形態に係る太陽電池の一例の断面を示す断面図である。 図１２は、第３実施形態に係る太陽電池の一例の断面を示す断面図である。 図１３は、第４実施形態に係る太陽電池の一例の断面を示す断面図である。 図１４は、第５実施形態に係る太陽電池の一例の断面を示す断面図である。 図１５は、太陽電池の一例の構成を示す断面図である。
　薄膜系の太陽電池としては、例えば、図１５で示されるように、基板１３上に、複数の太陽電池素子１２が並んでいる太陽電池１１が採用される。ここでは、各太陽電池素子１２は、第１電極層１２ａと、ＰＮ接合あるいはＰＩＮ接合を有する半導体層１２ｂと、第２電極層１２ｃと、が積層された構成を有する。さらに、隣り合う太陽電池素子１２の間において、第１電極層１２ａと第２電極層１２ｃとが電気的に接続されることで、この隣り合う太陽電池素子１２が電気的に直列に接続されている。具体的には、隣り合う太陽電池素子１２の間には、例えば、第１電極層１２ａと第２電極層１２ｃとを電気的に接続する部分（接続部とも言う）１４が存在している。また、隣り合う太陽電池素子１２の間には、例えば、第１電極層１２ａ同士を分離している領域（第１分離領域とも言う）Ｄａ１および第２電極層１２ｃ同士を分離している領域（第２分離領域とも言う）Ｄａ２が存在している。
　ところで、接続部１４と第２分離領域Ｄａ２との間には、入射光を吸収するものの、この入射光に応じた光電変換を行うことができずに発電に寄与しないデッドスペースとしての一部分Ｄｓ１が存在し得る。換言すれば、デッドスペースは、入射光を利用していない領域となり得る。このデッドスペースは、例えば、基板１３上に第１電極層１２ａと半導体層１２ｂと第２電極層１２ｃとが積層された後に、スクライビングなどによって第２分離領域Ｄａ２が形成される際に生じ得る。ここでは、例えば、スクライビングなどによって接続部１４が削られないように、接続部１４と第２分離領域Ｄａ２とが離れた位置に形成されることで、デッドスペースが形成され得る。
　そこで、本願発明者らは、薄膜系の太陽電池について、入射光を有効的に利用することができる技術を創出した。
　これについて、以下、各種実施形態を図面に基づいて説明する。図面においては同様な構成および機能を有する部分に同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面は模式的に示されたものである。図１、図２および図４から図１４には、右手系のＸＹＺ座標系が付されている。このＸＹＺ座標系では、複数の太陽電池素子２が並んでいる方向が＋Ｘ方向とされ、隣り合う太陽電池素子２の間に位置している第３溝部Ｐ３の長手方向が＋Ｙ方向とされ、＋Ｘ方向と＋Ｙ方向との両方に直交する方向が＋Ｚ方向とされている。
　＜１．第１実施形態＞
　　＜１－１．太陽電池＞
　第１実施形態に係る太陽電池１を、図１および図２に基づいて説明する。
　図１および図２で示されるように、太陽電池１は、例えば、基板３と、複数の太陽電池素子２と、接続部４と、透明部５と、を備えている。第１実施形態では、ペロブスカイト太陽電池が採用されている。
　基板３は、複数の太陽電池素子２を支持する役割と、複数の太陽電池素子２を保護する役割と、を果たすことができる。ここで、例えば、基板３が、特定範囲の波長の光に対する透光性を有していれば、基板３を透過した光が、複数の太陽電池素子２に入射され得る。基板３としては、例えば、矩形状の盤面を有する平板が採用される。基板３の素材として、例えば、ガラスあるいはアクリルまたはポリカーボネートなどの樹脂が採用されれば、特定範囲の波長の光に対して透光性を有する基板３が実現され得る。ガラスとしては、例えば、白板ガラス、強化ガラスおよび熱線反射ガラスなどといった光透過率の高い材料が採用され得る。本明細書において特定範囲の波長の光とは、太陽電池素子２が光電変換し得る範囲の波長をいう。
　複数の太陽電池素子２は、第１方向としての＋Ｘ方向に沿って平面的に並んでいる。ここで、平面的に並ぶとは、仮想あるいは実際の平面に沿って、各太陽電池素子２が位置しており且つ複数の太陽電池素子２が並んでいることを意味する。第１実施形態では、複数の太陽電池素子２は、基板３上において基板３の表面に沿って並んでいる。より具体的には、複数の太陽電池素子２は、基板３上において第１方向（＋Ｘ方向）に沿って並んでいる５つの太陽電池素子２を含んでいる。５つの太陽電池素子２には、例えば、＋Ｘ方向において順に並んでいる、第１太陽電池素子２１、第２太陽電池素子２２、第３太陽電池素子２３、第４太陽電池素子２４および第５太陽電池素子２５が含まれている。換言すれば、複数の太陽電池素子２には、第ｎ太陽電池素子２ｎ（ｎは１から５の自然数）が含まれている。
　第１実施形態では、各太陽電池素子２は、＋Ｙ方向を長手方向とする短冊状の形態を有している。各太陽電池素子２は、第１電極層２ａと、半導体層２ｂと、第２電極層２ｃと、を有している。ここでは、例えば、第１電極層２ａおよび第２電極層２ｃの少なくとも一方の電極層が、半導体層２ｂよりも特定範囲の波長の光に対する透光性が高ければ、各太陽電池素子２において、入射光が第１電極層２ａおよび第２電極層２ｃの少なくとも一方の電極層を透過し得る。その結果、入射光が、半導体層２ｂに照射され得る。
　第１電極層２ａは、基板３の上に位置している。換言すれば、第１電極層２ａは、第２電極層２ｃよりも基板３の近くに位置している。第１電極層２ａは、半導体層２ｂに対する光の照射に応じて光電変換によって生じた電荷を集めることができる。ここで、例えば、基板３が透光性を有する場合、第１電極層２ａが、半導体層２ｂよりも特定範囲の波長の光に対する透光性が高ければ、例えば、特定範囲の波長の光が基板３と第１電極層２ａとを介して半導体層２ｂに入射され得る。これにより、透光性を有する基板３が受光面としての前面を構成する太陽電池１が実現され得る。
　具体的には、例えば、第１電極層２ａの素材として、特定範囲の波長の光に対して透光性を有する透明導電性酸化物（ＴＣＯ：Transparent Conductive Oxide）が採用されれば、特定範囲の波長の光が基板３と第１電極層２ａとを介して半導体層２ｂに入射され得る。透明導電性酸化物には、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ：Fluorine-doped tin oxide）または酸化亜鉛（ＺｎＯ）などが含まれ得る。
　第１実施形態では、基板３の上において、５つの第１電極層２ａが、＋Ｘ方向に順に平面的に並んでいる。ここで、第ｍ太陽電池素子２ｍ（ｍは１から４の自然数）の第１電極層２ａと、第（ｍ＋１）太陽電池素子２（ｍ＋１）の第１電極層２ａとが、間隙（第１間隙ともいう）Ｇ１を挟んで並んでいる。例えば、第１太陽電池素子２１の第１電極層２ａと、第２太陽電池素子２２の第１電極層２ａとが、間隙（第１間隙ともいう）Ｇ１を挟んで並んでいる。各第１間隙Ｇ１は、＋Ｙ方向に沿った長手方向を有している。また、基板３を底面とし、第１間隙Ｇ１を挟む２つの第１電極層２ａの互いに対向している状態にある２つの端面を側面とする第１溝部Ｐ１が存在している。
　半導体層２ｂは、第１電極層２ａと第２電極層２ｃとの間に位置している。第ｍ太陽電池素子２ｍの半導体層２ｂは、＋Ｘ方向における隣の第（ｍ＋１）太陽電池素子２（ｍ＋１）のうちの第１電極層２ａの－Ｘ方向の端部上にかけて位置している。例えば、第１太陽電池素子２１の半導体層２ｂは、＋Ｘ方向における隣の第２太陽電池素子２２のうちの第１電極層２ａの－Ｘ方向の端部上にかけて位置している。
　半導体層２ｂは、例えば、ペロブスカイト構造を有する半導体（ペロブスカイト半導体ともいう）の層（ペロブスカイト半導体層）と、正孔輸送層（ＨＴＬ：Hole Transport Layer）と、が積層された構造を有している。半導体層２ｂがペロブスカイト半導体である場合、特定範囲の波長の光とは、可視光および赤外光を含むものである。
　ペロブスカイト半導体は、例えば、ハライド系有機－無機ペロブスカイト半導体を含み得る。ハライド系有機－無機ペロブスカイト半導体は、例えば、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３などの有機ペロブスカイトによって構成され得る。有機ペロブスカイトは、例えば、基板３上に位置している第１電極層２ａの上に原料液が塗布されて、乾燥されることで形成され得る。ここでは、有機ペロブスカイトは、結晶性を有する薄膜である。このとき、例えば、第１間隙Ｇ１にも原料液が充填され、乾燥によって第１間隙Ｇ１にもペロブスカイト半導体の一部が形成され得る。ここで、原料液は、例えば、原料であるハロゲン化アルキルアミンとハロゲン化鉛とが溶媒に溶かされることで生成され得る。
　正孔輸送層（ＨＴＬ）は、正孔を収集して出力することができる。正孔輸送層（ＨＴＬ）の素材としては、例えば、可溶性ジアミン誘導体であるｓｐｉｒｏ－ＯＭｅＴＡＤなどが採用される。
　ここでは、例えば、ペロブスカイト半導体が、真性半導体（ｉ型半導体）であり、正孔輸送層が、ｐ型半導体であり、第１電極層２ａを構成するＴＣＯがｎ型半導体であれば、ＰＩＮ接合領域が形成され得る。ＰＩＮ接合領域では、光の照射に応じた光電変換によって発電が行われ得る。半導体層２ｂにおいて、例えば、ペロブスカイト半導体層と、第１電極層２ａとの間に、ｎ型半導体の層が位置していてもよい。このとき、半導体層２ｂのみでＰＩＮ接合領域が形成され得る。
　第２電極層２ｃは、半導体層２ｂの上に位置している。第２電極層２ｃは、半導体層２ｂに対する光の照射に応じた光電変換によって生じた電荷を集めることができる。ここで、例えば、第２電極層２ｃが、半導体層２ｂよりも特定範囲の波長の光に対する透光性が高ければ、例えば、基板３とは逆側から入射される光が、第２電極層２ｃを透過して半導体層２ｂに入射され得る。これにより、±Ｚ方向の両面が受光面である太陽電池１が実現され得る。その結果、太陽電池１に対する入射光が有効に利用され得る。
　具体的には、例えば、第２電極層２ｃの素材として、特定範囲の波長の光に対して透光性を有する透明導電性酸化物（ＴＣＯ）が採用されれば、特定範囲の波長の光が第２電極層２ｃを介して半導体層２ｂに入射され得る。透明導電性酸化物には、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）または酸化亜鉛（ＺｎＯ）などが含まれ得る。
　第１実施形態では、５つの第２電極層２ｃが、＋Ｘ方向に順に平面的に並んでいる。ここでは、第ｍ太陽電池素子２ｍの第２電極層２ｃと、第（ｍ＋１）太陽電池素子２（ｍ＋１）の第２電極層２ｃとが、間隙（第２間隙ともいう）Ｇ２を挟んで並んでいる。例えば、第１太陽電池素子２１の第２電極層２ｃと、第２太陽電池素子２２の第２電極層２ｃとが、間隙（第２間隙）Ｇ２を挟んで並んでいる。各第２間隙Ｇ２は、例えば、＋Ｙ方向に沿った長手方向を有している。また、第１電極層２ａを底面とする第３溝部Ｐ３を構成している。各太陽電池素子２において、第１電極層２ａよりも第２電極層２ｃの方が＋Ｘ方向に飛び出している。別の観点から言えば、第２間隙Ｇ２は、第１間隙Ｇ１よりも第１方向（＋Ｘ方向）にずれた位置に存在している。
　接続部４は、複数の太陽電池素子２のうちの隣り合う２つの太陽電池素子２を電気的に直列に接続している。第１実施形態では、第ｍ接続部４ｍが、第ｍ太陽電池素子２ｍと第（ｍ＋１）太陽電池素子２（ｍ＋１）とを電気的に接続している。例えば、第１接続部４１が、第１太陽電池素子２１と第２太陽電池素子２２とを電気的に接続している。より具体的には、第ｍ接続部４ｍは、第ｍ太陽電池素子２ｍの第２電極層２ｃと第（ｍ＋１）太陽電池素子２（ｍ＋１）の第１電極層２ａとを電気的に接続している。例えば、第１接続部４１は、第１太陽電池素子２１の第２電極層２ｃと第２太陽電池素子２２の第１電極層２ａとを電気的に接続している。これにより、複数の太陽電池素子２が電気的に直列に接続され得る。
　また、接続部４は、＋Ｘ方向において、半導体層２ｂと透明部５との間に位置している。別の観点から言えば、半導体層２ｂの＋Ｘ方向の端面および透明部５の－Ｘ方向の端面を両側面とし、第１電極層２ａの－Ｚ方向の面を底面とする第２溝部Ｐ２が存在している。この第２溝部Ｐ２は、＋Ｙ方向に沿った長手方向を有する。そして、例えば、この第２溝部Ｐ２に接続部４が充填されている。
　透明部５は、半導体層２ｂよりも特定範囲の波長の光に対する透光性が高い。透明部５は、例えば、ペロブスカイト半導体層の一部が局所的に加熱されることで、形成され得る。
　第１実施形態では、第ｍ透明部５ｍは、第ｍ太陽電池素子２ｍの第ｍ接続部４ｍと第（ｍ＋１）太陽電池素子２（ｍ＋１）との間に位置している。例えば、第１透明部５１は、第１太陽電池素子２１の第１接続部４１と第２太陽電池素子２２との間に位置している。より具体的には、第ｍ透明部５ｍは、第ｍ太陽電池素子２ｍの第２電極層２ｃと第（ｍ＋１）太陽電池素子２（ｍ＋１）の第１電極層２ａとの間において、第ｍ接続部４ｍよりも第１方向（＋Ｘ方向）にずれた位置に存在している。例えば、第１透明部５１は、第１太陽電池素子２１の第２電極層２ｃと第２太陽電池素子２２の第１電極層２ａとの間において、第１接続部４１よりも第１方向（＋Ｘ方向）にずれた位置に存在している。このような透明部５の存在によって、例えば、入射光を吸収するものの、この入射光に応じた光電変換を行うことができずに発電に寄与しないデッドスペースが減少し得る。これにより、入射光が有効に利用され得る。
　ところで、第１太陽電池素子２１には、第１電極層２ａは、半導体層２ｂおよび第２電極層２ｃよりも、－Ｘ方向に突出している部分（第１突出部とも言う）２ａｅが存在している。第５太陽電池素子２５では、半導体層２ｂおよび第２電極層２ｃは、第１電極層２ａよりも＋Ｘ方向に突出している。そして、第１電極層２ａおよび半導体層２ｂよりも、＋Ｘ方向に突出している部分（第２突出部とも言う）２ｃｅが存在している。第１突出部２ａｅ上には、第１の極性の出力用の第１導体Ｗ１が電気的に接続されている。第２突出部２ｃｅ上には、第２の極性の出力用の第２導体Ｗ２が電気的に接続されている。ここで、例えば、第１の極性が負極であれば、第２の極性が正極となる。例えば、第１の極性が正極であれば、第２の極性が負極となる。
　　＜１－２．太陽電池の製造方法＞
　次に、太陽電池１の製造方法について、図３から図１０に基づいて説明する。
　太陽電池１は、例えば、図３で示されるように、第１工程ＳＴ１から第５工程ＳＴ５がこの記載の順に実行されることで、製造され得る。
　例えば、第１工程ＳＴ１では、図４で示されるように、基板３が準備される。基板３として、例えば、特定範囲の波長の光に対する透光性を有し且つ矩形状の盤面を有する平板が採用される。
　第２工程ＳＴ２では、基板３の表面の上において、第１方向（＋Ｘ方向）に沿って平面的に並ぶ複数の第１電極層２ａが形成される。
　ここでは、まず、図５で示されるように、基板３の一方の盤面上に電極層２ａ０が形成される。電極層２ａ０は、例えば、スパッタリングまたは蒸着などによって形成され得る。電極層２ａ０は、例えば、ＩＴＯ、ＦＴＯまたはＺｎＯなどの透明導電性酸化物によって構成され得る。このとき、電極層２ａ０の厚さは、例えば、１０ｎｍから１０００ｎｍ程度に設定され得る。
　次に、図６で示されるように、電極層２ａ０が、複数の第１電極層２ａに分離される。例えば、複数の第１溝部Ｐ１（第１間隙Ｇ１）が形成されることで、複数の第１電極層２ａが形成される。これにより、例えば、基板３の表面の上において第１方向（＋Ｘ方向）に沿って平面的に並ぶ１番目から５番目の第１電極層２ａが形成される。複数の第１溝部Ｐ１（第１間隙Ｇ１）は、例えば、電極層２ａ０のうちの所望のパターンの領域にレーザーが照射されることで、形成され得る。各第１溝部Ｐ１（各第１間隙Ｇ１）は、長手方向が＋Ｙ方向となるように形成され得る。ここで、各第１溝部Ｐ１（各第１間隙Ｇ１）の幅は、例えば、３０μｍから３００μｍ程度に設定される。また、各第１電極層２ａの第１方向（＋Ｘ方向）における幅は、例えば、１ｍｍから１０ｍｍ程度に設定される。第１溝部Ｐ１（第１間隙Ｇ１）は、例えば、スクライビングなどによって形成されてもよい。
　第３工程ＳＴ３では、図７で示されるように、複数の第１電極層２ａの上にペロブスカイト太陽電池用の半導体領域２ｂ０が形成される。複数の第１電極層２ａには、例えば、１番目から５番目の第１電極層２ａが含まれる。
　半導体領域２ｂ０は、例えば、原料液の塗布および乾燥などによって形成され得る。ここでは、半導体領域２ｂ０は、ペロブスカイト半導体層と正孔輸送層とを含む複数層が積層された構造を有する。この場合、例えば、第１原料液の塗布および乾燥によってペロブスカイト半導体層が形成された後に、このペロブスカイト半導体層の上に第２原料液の塗布および乾燥によって正孔輸送層が形成され得る。このとき、半導体領域２ｂ０の厚さは、例えば、１００ｎｍから２０００ｎｍ程度に設定され得る。
　このとき、複数の第１溝部Ｐ１（第１間隙Ｇ１）内にも半導体領域２ｂ０が入り込んだ状態となる。また、第１実施形態では、図８で示されるように、半導体領域２ｂ０が、複数の半導体層２ｂに分離される。例えば、複数の第２溝部Ｐ２が形成されることで、複数の半導体層２ｂが形成される。これにより、例えば、複数の第１電極層２ａの上において第１方向（＋Ｘ方向）に沿って平面的に並ぶ１番目から５番目の半導体層２ｂが形成される。第１方向（＋Ｘ方向）において、ｍ番目の第２溝部Ｐ２は、例えば、半導体領域２ｂ０のうちのｍ番目の第１溝部Ｐ１よりも＋Ｘ方向にずれた位置の所望のパターンの領域に、スクライビングなどによって形成され得る。このとき、例えば、ｍ番目の第２溝部Ｐ２は、＋Ｘ方向においてｍ番目の第１溝部Ｐ１から１０μｍから１００μｍ程度離れるように形成される。各第２溝部Ｐ２は、長手方向が＋Ｙ方向となるように形成され得る。ここで、各第２溝部Ｐ２の幅は、例えば、３０μｍから３００μｍ程度に設定される。
　第４工程ＳＴ４では、接続部４および第２電極層２ｃが形成される。
　ここでは、まず、図９で示されるように、半導体領域２ｂ０の上に電極層２ｃ０が形成される。ここで、例えば、電極層２ｃ０は、例えば、スパッタリングまたは蒸着などによって形成され得る。電極層２ｃ０は、例えば、ＩＴＯ、ＦＴＯまたはＺｎＯなどの透明導電性酸化物によって構成され得る。電極層２ｃ０の厚さは、例えば、１０ｎｍから１０００ｎｍ程度に設定され得る。このとき、半導体領域２ｂ０に係る各第２溝部Ｐ２に、電極層２ｃ０が入り込んだ状態となる。これにより、第１接続部４１、第２接続部４２、第３接続部４３および第４接続部４４が形成される。換言すれば、半導体領域２ｂ０のうちの第１方向（＋Ｘ方向）におけるｍ番目の半導体層２ｂと（ｍ＋１）番目の半導体層２ｂとの間隙（第２溝部Ｐ２）に位置している、第ｍ接続部４ｍが形成される。このとき、第ｍ接続部４ｍは、（ｍ＋１）番目の第１電極層２ａに電気的に接続している状態にある。例えば、第１接続部４１は、２番目の第１電極層２ａに電気的に接続している状態にある。
　次に、図１０で示されるように、電極層２ｃ０が、複数の第２電極層２ｃに分離される。例えば、複数の第３溝部Ｐ３（第２間隙Ｇ２）が形成されることで、複数の第２電極層２ｃが形成される。これにより、例えば、第１方向（＋Ｘ方向）に沿って平面的に並ぶ１番目から５番目の半導体層２ｂ上において第１方向（＋Ｘ方向）に沿って平面的に並ぶ１番目から５番目の第２電極層２ｃが形成される。具体的には、ｍ番目の半導体層２ｂの上にｍ番目の第２電極層２ｃが位置している。例えば、１番目の半導体層２ｂの上に１番目の第２電極層２ｃが位置している。そして、ｍ番目の第２電極層２ｃは、第ｍ接続部４ｍと電気的に接続されている状態にある。例えば、１番目の第２電極層２ｃは、第１接続部４１と電気的に接続されている状態にある。
　ここで、ｍ番目の第３溝部Ｐ３（第２間隙Ｇ２）は、例えば、半導体領域２ｂ０のうちのｍ番目の第２溝部Ｐ２よりも＋Ｘ方向にずれた位置の所望のパターンの領域に、スクライビングなどによって形成され得る。このとき、例えば、ｍ番目の第３溝部Ｐ３は、＋Ｘ方向においてｍ番目の第２溝部Ｐ２から１０μｍから１００μｍ程度離れるように形成される。ここで、各第３溝部Ｐ３（各第２間隙Ｇ２）の幅は、例えば、１０μｍから１００μｍ程度に設定される。これにより、各第２電極層２ｃの第１方向（＋Ｘ方向）における幅は、例えば、１ｍｍから１０ｍｍ程度となる。そして、第１方向（＋Ｘ方向）におけるｍ番目の第３溝部Ｐ３（第２間隙Ｇ２）は、第１方向（＋Ｘ方向）におけるｍ番目の第１間隙Ｇ１および第ｍ接続部４ｍよりも第１方向（＋Ｘ方向）にずれた位置に存在している。このとき、第ｍ接続部４ｍとｍ番目の第３溝部Ｐ３（第２間隙Ｇ２）との間に、半導体領域２ｂ０のデッドスペースとなるｍ番目の一部分Ｄｓ１が形成され得る。ここでは、ｍ番目の第２電極層２ｃは、ｍ番目の半導体層２ｂの上からｍ番目の一部分Ｄｓ１の上にかけて位置している。
　第５工程ＳＴ５では、半導体領域２ｂ０のデッドスペースとなる一部分Ｄｓ１が加熱されることで、この一部分Ｄｓ１における特定範囲の波長の光に対する透光性が高められた透明部５が形成される。ここでは、例えば、半導体領域２ｂ０のうちの（ｍ＋１）番目の第１電極層２ａの上に位置しているｍ番目の一部分Ｄｓ１が加熱されることで、このｍ番目の一部分における特定範囲の波長の光に対する透光性が半導体領域２ｂ０よりも高められた透明部５が形成される。一部分Ｄｓ１の加熱は、例えば、局所的なレーザーの照射によって実現され得る。
　ここでは、一部分Ｄｓ１を構成するペロブスカイト半導体は、例えば、レーザーによる１００℃から２００℃程度の比較的低温の加熱によって、バンドギャップが拡がる。その結果、ペロブスカイト半導体は、元のペロブスカイト半導体よりも特定範囲の波長の光に対する透光性が高いワイドギャップ半導体に変化し得る。このように加熱に応じて特定範囲の波長の光に対する透光性が向上するペロブスカイト半導体の素材としては、例えば、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３、ＣｓＰｂＩ３およびＮＨ２ＣＨＮＨ２ＰｂＩ３などのＰｂ－Ｉの結合を有するペロブスカイト半導体が考えられる。ペロブスカイト半導体のＰｂ－Ｉの結合が加熱による構造変化で状態が変わり、バンドギャップが高くなると考えられる。また、一部分Ｄｓ１を構成する正孔輸送層は、特定範囲の波長の光に対する透光性が高い素材によって構成され得る。このため、小さなエネルギーの付与による比較的低温の加熱によって、デッドスペースとしての一部分Ｄｓ１が透明化され得る。
　具体的には、ペロブスカイト型の結晶構造あるいはこの結晶構造に類似する結晶構造を有する化合物は、ＡＢＸ３，Ａ２ＢＸ４，ＡＢ’Ｘ４，Ａ’ＢＸ４の一般式で表される。ここで、Ａは、例えば、ＣＨ３ＮＨ３ ＋，ＣＨ（ＮＨ２）２ ＋，Ｃｓ＋などの１価のカチオンを示す。Ａ’およびＢは、Ｐｂ２＋，Ｓｎ２＋などの２価のカチオンを示す。Ｂ’は、Ｂｉ３＋，Ｓｂ３＋などの３価のカチオンを示す。Ｘは、Ｃｌ－，Ｂｒ－，Ｉ－などの１価のアニオンを示す。
　そして、これらの化合物は、例えば、加熱によって、式（１）から式（４）の反応式に従った分解を生じる。
　　ＡＢＸ３　→　ＡＸ　＋　ＢＸ２　・・・（１）
　　Ａ２ＢＸ４　→　２ＡＸ　＋　ＢＸ２　・・・（２）
　　ＡＢ’Ｘ４　→　ＡＸ　＋　Ｂ’Ｘ３　・・・（３）
　　Ａ’ＢＸ４　→　Ａ’Ｘ２　＋　ＢＸ２　・・・（４）。
　ここで、レーザーの照射によってペロブスカイト半導体を透明化する際には、レーザーの出力は、例えば、０．１Ｗから１Ｗ程度に設定される。レーザービームの光の波長は、例えば、４００ｎｍから７００ｎｍ程度に設定される。レーザービームの光束の径は、例えば、４０μｍ程度に設定される。レーザービームのスキャンの速度は、例えば、１２００ｍｍ／秒に設定される。４００ｎｍから７００ｎｍの波長の光は、ＴＣＯには吸収されず、ペロブスカイト半導体には吸収され得る。これにより、ペロブスカイト半導体を局所的に加熱することができる。
　以上のようにして、透明部５が形成されることで、例えば、入射光を吸収するものの、この入射光に応じた光電変換を行うことができずに発電に寄与しないデッドスペースが減少し得る。これにより、入射光が有効に利用され得る。
　　＜１－３．第１実施形態のまとめ＞
　第１実施形態に係る太陽電池１では、例えば、透明部５の存在によって、入射光を吸収するものの、この入射光に応じた光電変換を行うことができずに発電に寄与しないデッドスペースが減少し得る。これにより、入射光が有効利用され得る。
　例えば、透明部５の存在によってデッドスペースが減少されれば、デッドスペースの存在によって光損失となっていた入射光の一部が、太陽電池１の非受光面としての裏面から出射されやすくなり得る。これにより、例えば、透過光が多く、外観に優れた、シースルーの太陽電池が実現され得る。
　＜２．他の実施形態＞
　本開示は上述の第１実施形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。
　　＜２－１．第２実施形態＞
　上記第１実施形態において、例えば、図１１で示されるように、基板３が前面側でなく、裏面側に位置していてもよい。図１１で示される第２実施形態に係る太陽電池１Ａは、図２で示された第１実施形態に係る太陽電池１の上下が反転された構成を有している。
　ここでは、第２実施形態に係る太陽電池１Ａは、例えば、基板３を備えている。ここで、複数の太陽電池素子２が、基板３上においてこの基板３の表面に沿って並んでいる。第１電極層２ａは、第２電極層２ｃよりも基板３の近くに位置している。そして、第２電極層２ｃは、半導体層２ｂよりも特定範囲の波長の光に対する透光性が高い。このような構成が採用されれば、例えば、基板３の反対側が受光面としての前面である太陽電池１Ａにおいて、入射光を有効利用することができる。
　　＜２－２．第３実施形態＞
　上記第１実施形態および第２実施形態において、例えば、透明部５を透過する特定範囲の波長の光を反射させて半導体層２ｂに入射させる反射部が存在していてもよい。換言すれば、透明部５を挟んで位置している第１電極層２ａの一部と第２電極層２ｃの一部とを通る仮想的な直線上に、透明部５を透過する特定範囲の波長の光を反射可能な反射部が存在していてもよい。このような構成が採用されれば、例えば、透明部５を透過した光が反射部で反射されて半導体層２ｂに入射され得る。このとき、反射部で反射された光は半導体層２ｂで光電変換に利用され得る。これにより、入射光が有効利用され得る。
　例えば、上記第１実施形態において、第２電極層２ｃの素材として、特定範囲の波長の光に対して透光性を有しない金属が採用されば、第２電極層２ｃが透明部５を透過する特定範囲の波長の光を反射可能である反射部としての電極層（金属電極層ともいう）としての役割を果たし得る。また、例えば、上記第２実施形態において、第１電極層２ａの素材として、特定範囲の波長の光に対して透光性を有しない金属が採用されば、第１電極層２ａが透明部５を透過する特定範囲の波長の光を反射可能である反射部としての金属電極層としての役割を果たし得る。換言すれば、第１電極層２ａおよび第２電極層２ｃのうちの何れか一方の電極層を、透明部５を透過する特定範囲の波長の光を反射可能である金属電極層とすることが考えられる。
　金属電極層の素材としては、例えば、アルミニウムなどの導電性と光の反射特性とに優れた金属材料が採用され得る。この場合、例えば、透明部５を透過する特定範囲の波長の光の少なくとも一部が、金属電極層の表面で反射されて、半導体層２ｂに入射され得る。このとき、例えば、金属電極層で反射された光は半導体層２ｂで光電変換に利用され得る。これにより、太陽電池１，１Ａに対する入射光が有効に利用され得る。また、例えば、透明部５を透過した光を反射させて半導体層２ｂに入射させる構成が、大掛かりなものとならず、容易に実現され得る。
　また、例えば、上記第１実施形態において、第２電極層２ｃが半導体層２ｂよりも特定範囲の波長の光に対する高い透光性を有していれば、非受光面としての裏面側に、光を反射させる反射部が追加されてもよい。例えば、図１２で示されるように、白いバックシートなど、光を乱反射させることで光を散乱させることが可能な反射部Ｂｓ１が追加された太陽電池１Ｂが採用されてもよい。このとき、反射部Ｂｓ１は、例えば、エチレン酢酸ビニルコポリマー（ＥＶＡ）などの封止材６などで支持されればよい。このような構成により、これまでデッドスペースの存在によって光損失となっていた入射光の一部が、デッドスペースの減少に応じて、透明部５を透過する。そして、例えば、透明部５を透過する光が、反射部Ｂｓ１で反射されて、半導体層２ｂに入射され得る。このとき、太陽電池１のうちの半導体層２ｂの裏面側の領域において光が吸収され得る。ここで吸収された光の一部は、光電変換に利用され得る。このため、入射光が有効利用され得る。
　また、例えば、上記第２実施形態において、図１３で示されるように、基板３が＋Ｚ側からの光の照射に対して光を反射する部分（反射部ともいう）Ｍｒ１を有する太陽電池１Ｃが採用されてもよい。このような構成により、これまでデッドスペースの存在によって光損失となっていた入射光の一部が、デッドスペースの減少に応じて、透明部５を透過する。そして、透明部５を透過する光が、反射部Ｍｒ１で反射されて、太陽電池１のうちの半導体層２ｂの裏面側の領域において吸収され得る。ここで吸収された入射光の一部は、光電変換に利用され得る。このため、入射光が有効利用され得る。
　　＜２－３．第４実施形態＞
　上記第１実施形態および第２実施形態において、例えば、平面的に並んでいる複数の太陽電池素子２を透過する光を受光する、複数の太陽電池素子２とは異なる１種類以上の他の太陽電池素子Ｓｃ１が存在していてもよい。例えば、図１４で示されるように、透明部５を挟んで位置している第１電極層２ａの一部と第２電極層２ｃの一部とを通る仮想的な直線上に、複数の太陽電池素子２とは異なる１種類以上の他の太陽電池素子Ｓｃ１を備える太陽電池１Ｄが採用されてもよい。このとき、例えば、第１電極層２ａおよび第２電極層２ｃのそれぞれが、半導体層２ｂよりも特定範囲の波長の光に対する透光性が高ければよい。例えば、特定範囲の波長の光に対する透光性が半導体層２ｂよりも高いＴＣＯなどの素材によって第１電極層２ａおよび第２電極層２ｃが構成されていればよい。
　ここで、例えば、トップセルとしての複数の太陽電池素子２が、可視光および近赤外光を吸収して光電変換に利用するものとする。このとき、ボトムセルを成す他の太陽電池素子Ｓｃ１が、例えば、近赤外光よりも長波長の赤外光を吸収して光電変換に利用する構成が考えられ得る。この他の太陽電池素子Ｓｃ１としては、例えば、シリコンの結晶で構成される半導体層を有するものが考えられる。
　上記タンデム式の太陽電池１Ｄが採用される場合、例えば、透明部５を透過する光が他の太陽電池素子Ｓｃ１における光電変換に利用され得るため、入射光が有効利用されて発電量を増やすことができる。その結果、変換効率が増大し得る。
　＜３．その他＞
　上記第１実施形態、第２実施形態、第３実施形態および第４実施形態において、例えば、半導体領域２ｂ０が形成された後であれば、何れのタイミングで半導体領域２ｂ０の一部分Ｄｓ１あるいはこの一部分Ｄｓ１に対応する部分が加熱によって透明化されてもよい。例えば、半導体領域２ｂ０に第３溝部Ｐ３が形成された後に、半導体領域２ｂ０の一部分Ｄｓ１が加熱によって透明化されれば、太陽電池素子２を構成する半導体層２ｂの劣化が生じにくい。
　上記第１実施形態、第２実施形態、第３実施形態および第４実施形態において、例えば、レーザービームの照射の代わりに、スリット状の赤外光の照射、あるいは加熱されたワイヤーまたは刃状の部材の接触などによって、半導体領域２ｂ０の一部分Ｄｓ１が加熱されてもよい。
　上記第１実施形態、第２実施形態、第３実施形態および第４実施形態において、例えば、複数の第２電極層２ｃが、マスクなどを用いた蒸着などによるパターンニングによって、予め第３溝部Ｐ３（第２間隙Ｇ２）を有する形態で形成されてもよい。このような構成が採用される場合には、例えば、第３溝部Ｐ３（第２間隙Ｇ２）が、複数の第２電極層２ｃを相互に分離するものであればよく、半導体領域２ｂ０まで到達していなくてよい。このため、例えば、電極層２ｃ０および半導体領域２ｂ０に対するスクライブの工程が省略され得る。
　上記第１実施形態、第２実施形態、第３実施形態および第４実施形態において、例えば、複数の半導体層２ｂが、マスクなどを用いた塗布法などによるパターンニングによって、予め第２溝部Ｐ２を有する形態で形成されてもよい。この場合には、半導体領域２ｂ０が形成された後にスクライビングなどによって第２溝部Ｐ２が形成される工程が省略され得る。
　上記第１実施形態、第２実施形態、第３実施形態および第４実施形態に係る太陽電池１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄにおいて、例えば、６つ以上の太陽電池素子２が平面的に並んでいてもよいし、２つ以上で且つ４つ以下の太陽電池素子２が平面的に並んでいてもよい。
　上記各実施形態をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。
　１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１１　太陽電池
　２，１２　太陽電池素子
　２ａ，１２ａ　第１電極層
　２ａ０　電極層
　２ｂ，１２ｂ　半導体層
　２ｂ０　半導体領域
　２ｃ，１２ｃ　第２電極層
　２ｃ０　電極層
　２ｍ　第ｍ太陽電池素子
　２ｎ　第ｎ太陽電池素子
　３，１３　基板
　４．１４　接続部
　４ｍ　第ｍ接続部
　２１　第１太陽電池素子
　２２　第２太陽電池素子
　２３　第３太陽電池素子
　２４　第４太陽電池素子
　２５　第５太陽電池素子
　４１　第１接続部
　４２　第２接続部
　４３　第３接続部
　４４　第４接続部
　５　透明部
　５ｍ　第ｍ透明部
　Ｂｓ１　反射部
　Ｄｓ１　一部分（デッドスペース）
　Ｇ１　第１間隙
　Ｇ２　第２間隙
　Ｍｒ１　反射部
　Ｐ１　第１溝部
　Ｐ２　第２溝部
　Ｐ３　第３溝部
　Ｓｃ１　他の太陽電池素子

Claims (7)

  1. 　第１方向に沿って平面的に並んでおり且つ隣り合う第１太陽電池素子と第２太陽電池素子とを含む複数の太陽電池素子と、
    　前記第１太陽電池素子と前記第２太陽電池素子とを電気的に接続している接続部と、
    　前記接続部と前記第２太陽電池素子との間に位置している透明部と、を備え、
    　各前記太陽電池素子は、第１電極層と、第２電極層と、前記第１電極層と前記第２電極層との間に位置している半導体層と、を有し、
    　前記第１太陽電池素子の前記第１電極層と、前記第２太陽電池素子の前記第１電極層とが、第１間隙を挟んで並んでおり、
    　前記第１太陽電池素子の前記第２電極層と、前記第２太陽電池素子の前記第２電極層とが、第２間隙を挟んで並んでおり、
    　前記第２間隙は、前記第１間隙よりも前記第１方向にずれた位置に存在し、
    　前記接続部は、前記第１太陽電池素子の前記第２電極層と前記第２太陽電池素子の前記第１電極層とを電気的に接続しており、
    　前記透明部は、前記第１太陽電池素子の前記第２電極層と前記第２太陽電池素子の前記第１電極層との間において、前記接続部よりも前記第１方向にずれた位置に存在しており、且つ前記半導体層よりも透光性が高く、
    　前記第１電極層および前記第２電極層のうちの少なくとも一方の電極層が、前記半導体層よりも透光性が高い、太陽電池。
  2. 　請求項１に記載の太陽電池であって、
    　透光性を有する基板、を備え、
    　前記複数の太陽電池素子は、前記基板上において該基板の表面に沿って並んでおり、
    　前記第１電極層は、前記第２電極層よりも前記基板の近くに位置しており且つ前記半導体層よりも透光性が高い、太陽電池。
  3. 　請求項１に記載の太陽電池であって、
    　基板、を備え、
    　前記複数の太陽電池素子は、前記基板上において該基板の表面に沿って並んでおり、
    　前記第１電極層は、前記第２電極層よりも前記基板の近くに位置しており、
    　前記第２電極層は、前記半導体層よりも透光性が高い、太陽電池。
  4. 　請求項１から請求項３の何れか１つの請求項に記載の太陽電池であって、
    　前記第１電極層および前記第２電極層のそれぞれが、前記半導体層よりも透光性が高く、
    　前記透明部を挟んで位置している前記第１電極層の一部と前記第２電極層の一部とを通る仮想的な直線上に、前記複数の太陽電池素子とは異なる１種類以上の太陽電池素子、を備える、太陽電池。
  5. 　請求項１から請求項３の何れか１つの請求項に記載の太陽電池であって、
    　前記透明部を挟んで位置している前記第１電極層の一部と前記第２電極層の一部とを通る仮想的な直線上に、前記透明部を透過する光を反射可能な反射部、を備える、太陽電池。
  6. 　請求項１から請求項３および請求項５の何れか１つの請求項に記載の太陽電池であって、
    　前記第１電極層および前記第２電極層のうちの何れか一方の電極層が、前記透明部を透過する光を反射可能である金属電極層、を含む太陽電池。
  7. 　基板を準備すること、
    　前記基板の表面の上において第１方向に沿って平面的に並ぶ１番目の第１電極層と２番目の第１電極層とを形成すること、
    　前記１番目の第１電極層および前記第２番目の第１電極層の上にペロブスカイト太陽電池用の半導体領域を形成すること、
    　前記半導体領域のうちの前記第１方向に沿って平面的に並ぶ１番目の半導体層と２番目の半導体層との間隙に位置しており且つ前記２番目の第１電極層に電気的に接続している状態にある接続部と、前記１番目の半導体層の上に位置しており且つ前記接続部と電気的に接続している状態にある第２電極層と、を形成すること、を有し、
    　前記半導体領域を形成した後に、前記半導体領域のうちの前記２番目の第１電極層の上に位置している一部分を加熱することで、該一部分における透光性を高める、太陽電池の製造方法。
PCT/JP2017/031359 2016-08-31 2017-08-31 太陽電池および太陽電池の製造方法 Ceased WO2018043644A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP17846648.8A EP3509118A4 (en) 2016-08-31 2017-08-31 Solar cell and method of manufacturing solar cell
CN201780052889.XA CN109643764B (zh) 2016-08-31 2017-08-31 太阳能电池及太阳能电池的制造方法
JP2018537397A JP6745345B2 (ja) 2016-08-31 2017-08-31 太陽電池および太陽電池の製造方法
US16/328,181 US11011718B2 (en) 2016-08-31 2017-08-31 Solar cell and method for manufacturing solar cell

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-169204 2016-08-31
JP2016169204 2016-08-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018043644A1 true WO2018043644A1 (ja) 2018-03-08

Family

ID=61309392

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/031359 Ceased WO2018043644A1 (ja) 2016-08-31 2017-08-31 太陽電池および太陽電池の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11011718B2 (ja)
EP (1) EP3509118A4 (ja)
JP (1) JP6745345B2 (ja)
CN (1) CN109643764B (ja)
WO (1) WO2018043644A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020188777A1 (ja) * 2019-03-19 2020-09-24 株式会社 東芝 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
WO2020188751A1 (ja) * 2019-03-19 2020-09-24 株式会社 東芝 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
JP2021136434A (ja) * 2020-02-27 2021-09-13 株式会社リコー 光電変換素子及び光電変換モジュール
JP2022146681A (ja) * 2021-03-22 2022-10-05 株式会社リコー 光電変換素子、光電変換モジュール、電子機器、及び電源モジュール
JP2025500820A (ja) * 2021-12-24 2025-01-15 香港時代新能源科技有限公司 太陽電池及びその製造方法、光起電力モジュール及び電力消費装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3738156A1 (en) * 2018-01-12 2020-11-18 Katholieke Universiteit Leuven Modified perovskites and perovskite likes and uses thereof
EP4000098A1 (en) * 2019-07-16 2022-05-25 Ricoh Company, Ltd. Solar cell module, electronic device, and power supply module
CN111463315B (zh) * 2019-08-26 2021-08-20 杭州纤纳光电科技有限公司 一种太阳能电池切割钝化一体化加工方法及其太阳能电池
CN118338690B (zh) * 2024-06-14 2024-11-08 江苏汇显显示技术有限公司 太阳能电池组件及其制备方法和太阳能电池

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000036602A (ja) * 1998-07-17 2000-02-02 Sony Corp 薄膜トランジスタ及びその製造方法と表示装置
WO2008092679A1 (de) * 2007-02-01 2008-08-07 Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg Solarzelle
JP2013055216A (ja) * 2011-09-05 2013-03-21 Dainippon Printing Co Ltd 太陽電池および太陽電池モジュール
JP2013219064A (ja) * 2010-08-05 2013-10-24 Mitsubishi Electric Corp 光電変換装置の製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4439492B2 (ja) 2006-05-25 2010-03-24 本田技研工業株式会社 カルコパイライト型太陽電池およびその製造方法
DE102007021843A1 (de) * 2007-05-07 2008-11-13 Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg Photovoltaisches Modul
US20120211083A1 (en) * 2009-10-29 2012-08-23 Takahiro Seike Method for manufacturing organic thin film solar cell module
WO2012166366A1 (en) * 2011-05-16 2012-12-06 Georgia Tech Research Corporation Systems and methods for producing low work function electrodes
KR101283113B1 (ko) * 2011-12-09 2013-07-05 엘지이노텍 주식회사 태양전지 모듈 및 이의 제조방법
US20160005987A1 (en) * 2014-07-01 2016-01-07 Sharp Laboratories Of America, Inc. Planar Structure Solar Cell with Inorganic Hole Transporting Material
US20170213933A1 (en) 2014-07-29 2017-07-27 Kyocera Corporation Photoelectric conversion device, tandem photoelectric conversion device, and photoelectric conversion device array
CN104979477A (zh) * 2015-05-18 2015-10-14 常州天合光能有限公司 Z型串联钙钛矿太阳电池组件及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000036602A (ja) * 1998-07-17 2000-02-02 Sony Corp 薄膜トランジスタ及びその製造方法と表示装置
WO2008092679A1 (de) * 2007-02-01 2008-08-07 Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg Solarzelle
JP2013219064A (ja) * 2010-08-05 2013-10-24 Mitsubishi Electric Corp 光電変換装置の製造方法
JP2013055216A (ja) * 2011-09-05 2013-03-21 Dainippon Printing Co Ltd 太陽電池および太陽電池モジュール

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7035205B2 (ja) 2019-03-19 2022-03-14 株式会社東芝 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
CN112352327B (zh) * 2019-03-19 2024-06-11 株式会社东芝 光电转换元件以及光电转换元件的制造方法
CN112352327A (zh) * 2019-03-19 2021-02-09 株式会社东芝 光电转换元件以及光电转换元件的制造方法
JPWO2020188777A1 (ja) * 2019-03-19 2021-04-01 株式会社東芝 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
JPWO2020188751A1 (ja) * 2019-03-19 2021-04-30 株式会社東芝 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
WO2020188777A1 (ja) * 2019-03-19 2020-09-24 株式会社 東芝 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
US11489081B2 (en) 2019-03-19 2022-11-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Photoelectric conversion device and method of manufacturing photoelectric conversion device
JP7186785B2 (ja) 2019-03-19 2022-12-09 株式会社東芝 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
WO2020188751A1 (ja) * 2019-03-19 2020-09-24 株式会社 東芝 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
JP2021136434A (ja) * 2020-02-27 2021-09-13 株式会社リコー 光電変換素子及び光電変換モジュール
JP7600618B2 (ja) 2020-02-27 2024-12-17 株式会社リコー 光電変換素子及び光電変換モジュール
JP2022146681A (ja) * 2021-03-22 2022-10-05 株式会社リコー 光電変換素子、光電変換モジュール、電子機器、及び電源モジュール
JP7738819B2 (ja) 2021-03-22 2025-09-16 株式会社リコー 光電変換素子、光電変換モジュール、電子機器、及び電源モジュール
JP2025500820A (ja) * 2021-12-24 2025-01-15 香港時代新能源科技有限公司 太陽電池及びその製造方法、光起電力モジュール及び電力消費装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP3509118A4 (en) 2020-04-22
CN109643764B (zh) 2023-04-04
US20190198259A1 (en) 2019-06-27
CN109643764A (zh) 2019-04-16
EP3509118A1 (en) 2019-07-10
JP6745345B2 (ja) 2020-08-26
US11011718B2 (en) 2021-05-18
JPWO2018043644A1 (ja) 2019-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6745345B2 (ja) 太陽電池および太陽電池の製造方法
KR102257808B1 (ko) 태양 전지 모듈
NL2013168B1 (en) Solar panel and method of manufacturing such a solar panel.
US11271521B2 (en) Solar cell module
JP6478128B2 (ja) 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法
JP2014007384A (ja) 太陽電池モジュール及びそれに適用されるリボン結合体
US20120097213A1 (en) Bifacial photovoltaic module with reflective elements and method of making same
KR20160050929A (ko) 박막 태양전지의 제조 방법 및 모듈 구조
JP6635389B2 (ja) 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法
CN101499492A (zh) 透明型太阳能电池模块
JP2019050375A (ja) 太陽電池パネル
KR20110014913A (ko) 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법
US20170194525A1 (en) High power solar cell module
WO2023228698A1 (ja) 太陽電池モジュール
KR20130101290A (ko) 태양광 발전장치
JP6516228B2 (ja) 太陽電池モジュール
US12245448B2 (en) Heat insulating transparent tandem organic solar cells
WO2014132516A1 (ja) 太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽電池の製造方法
KR20130115463A (ko) 박막 태양전지 모듈
KR101786099B1 (ko) 탠덤형 태양전지 및 그의 제조방법
CN116897604A (zh) 太阳能电池和包括其的太阳能电池模块
KR20140109542A (ko) 태양 전지 모듈
WO2019146365A1 (ja) 太陽電池セル用の接続部材セット、並びにそれを用いた太陽電池ストリング及び太陽電池モジュール
WO2024237333A1 (ja) 太陽電池モジュール
JP2013110153A (ja) 薄膜太陽電池

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17846648

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2018537397

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2017846648

Country of ref document: EP

Effective date: 20190401