[go: up one dir, main page]

WO2017018258A1 - 固体撮像装置及び電子機器 - Google Patents

固体撮像装置及び電子機器 Download PDF

Info

Publication number
WO2017018258A1
WO2017018258A1 PCT/JP2016/071055 JP2016071055W WO2017018258A1 WO 2017018258 A1 WO2017018258 A1 WO 2017018258A1 JP 2016071055 W JP2016071055 W JP 2016071055W WO 2017018258 A1 WO2017018258 A1 WO 2017018258A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
photoelectric conversion
polarizer
solid
light
conversion element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2016/071055
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
祐介 上坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Semiconductor Solutions Corp
Original Assignee
Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Semiconductor Solutions Corp filed Critical Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority to US15/746,558 priority Critical patent/US10559616B2/en
Priority to JP2017530791A priority patent/JP6957112B2/ja
Priority to CN201680042940.4A priority patent/CN107924923B/zh
Publication of WO2017018258A1 publication Critical patent/WO2017018258A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/806—Optical elements or arrangements associated with the image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
    • H10F39/182—Colour image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/199—Back-illuminated image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/805—Coatings
    • H10F39/8053—Colour filters
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/805—Coatings
    • H10F39/8057—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/806—Optical elements or arrangements associated with the image sensors
    • H10F39/8063—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/811—Interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
    • G02B27/281—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising used for attenuating light intensity, e.g. comprising rotatable polarising elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/201—Filters in the form of arrays
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
    • G02B5/3058—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state comprising electrically conductive elements, e.g. wire grids, conductive particles
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/7795—Circuitry for generating timing or clock signals
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters

Definitions

  • the present technology relates to a solid-state imaging device and an electronic device, and more particularly to a solid-state imaging device and an electronic device that improve the detection accuracy of polarization information.
  • the polarization pixel is less sensitive than the pixel not provided with the polarizer. Therefore, in a dark place where sensitivity cannot be obtained, the ratio of the noise component of the polarization pixel increases, and the error in the polarization information detected by the polarization pixel increases.
  • the present technology is to improve the detection accuracy of polarization information.
  • the solid-state imaging device includes a pixel array unit in which pixels including photoelectric conversion elements are arranged, a conductive light-shielding material, and a light-receiving surface of the photoelectric conversion element of at least some of the pixels.
  • a light-shielding film provided between the adjacent pixels on the light-receiving surface side of the photoelectric conversion element and a light-receiving surface side of the photoelectric conversion element.
  • a wiring layer, and the polarizer is connected to the wiring of the wiring layer through the light shielding film.
  • the light shielding film and the wiring can be connected by a through electrode penetrating the semiconductor substrate on which the photoelectric conversion element is formed.
  • the through electrode may be made of a conductive light-shielding material so as to surround the side surface of the photoelectric conversion element.
  • the through electrode can be formed in a region around the pixel array portion.
  • the polarizer and the light shielding film can be arranged in the same layer.
  • An electronic apparatus includes a solid-state imaging device and a signal processing unit that processes a signal output from the solid-state imaging device, and the solid-state imaging device includes pixels including photoelectric conversion elements.
  • a pixel array portion that is made of a conductive light-shielding material, a polarizer that covers the light-receiving surface of the photoelectric conversion element of at least some of the pixels, and a conductive light-shielding material.
  • a light-shielding film provided between the adjacent pixels, and a wiring layer provided on the opposite side of the light-receiving surface of the photoelectric conversion element, wherein the polarizer is disposed on the wiring layer via the light-shielding film. Connected to wiring.
  • the polarizer is connected to the wiring of the wiring layer through the light shielding film.
  • the detection accuracy of polarization information is improved.
  • FIG. 1 is a system configuration diagram illustrating an outline of a configuration of a CMOS image sensor to which the present technology is applied. It is sectional drawing which shows typically 1st Embodiment of a CMOS image sensor. It is a schematic diagram which shows the 1st example of the angle of the transmission axis of a polarizer, and the position of a contactor. It is a schematic diagram which shows the 2nd example of the angle of the transmission axis of a polarizer, and the position of a contactor. It is a schematic diagram which shows the 3rd example of the angle of the transmission axis of a polarizer, and the position of a contactor.
  • FIG. 1 is a system configuration diagram showing an outline of the configuration of a solid-state imaging device to which the present technology is applied, for example, a CMOS image sensor which is a kind of XY address type solid-state imaging device.
  • the CMOS image sensor is an image sensor created by applying or partially using a CMOS process.
  • a CMOS image sensor 10 includes a pixel array unit 11 formed on a semiconductor substrate (chip) (not shown), and a peripheral circuit unit integrated on the same semiconductor substrate as the pixel array unit 11. It has a configuration.
  • the peripheral circuit unit includes, for example, a vertical drive unit 12, a column processing unit 13, a horizontal drive unit 14, and a system control unit 15.
  • the CMOS image sensor 10 further includes a signal processing unit 18 and a data storage unit 19.
  • the signal processing unit 18 and the data storage unit 19 may be mounted on the same substrate as the CMOS image sensor 10 or may be disposed on a different substrate from the CMOS image sensor 10.
  • Each processing of the signal processing unit 18 and the data storage unit 19 may be processing by an external signal processing unit provided on a substrate different from the CMOS image sensor 10, for example, a DSP (Digital Signal Processor) circuit or software. Absent.
  • DSP Digital Signal Processor
  • the pixel array unit 11 has a configuration in which a plurality of unit pixels (hereinafter may be simply referred to as “pixels”) are arranged in the row direction and the column direction.
  • the row direction refers to the pixel arrangement direction (that is, the horizontal direction) of the pixel row
  • the column direction refers to the pixel arrangement direction (that is, the vertical direction) of the pixel column.
  • the unit pixel includes a photoelectric conversion unit (for example, a photodiode) that generates and accumulates charges according to the received light amount, and a plurality of pixel transistors (so-called MOS transistors).
  • the plurality of pixel transistors can be constituted by three transistors, for example, a transfer transistor, a reset transistor, and an amplification transistor.
  • the plurality of pixel transistors can be configured by four transistors by further adding a selection transistor. Since the equivalent circuit of each pixel is the same as a general circuit, detailed description is omitted here.
  • the unit pixel can have a shared pixel structure.
  • the shared pixel structure includes a plurality of photoelectric conversion elements, a plurality of transfer transistors, one shared floating diffusion, and one other shared pixel transistor.
  • pixel drive lines 16 as row signal lines are wired along the row direction for each pixel row, and vertical signal lines 17 as column signal lines are wired along the column direction for each pixel column. Yes.
  • the pixel drive line 16 transmits a drive signal for driving when reading a signal from the pixel.
  • the pixel drive line 16 is shown as one wiring, but is not limited to one.
  • One end of the pixel drive line 16 is connected to an output end corresponding to each row of the vertical drive unit 12.
  • the vertical drive unit 12 is configured by a shift register, an address decoder, and the like, and drives each pixel of the pixel array unit 11 at the same time or in units of rows. That is, the vertical drive unit 12 constitutes a drive unit that controls the operation of each pixel of the pixel array unit 11 together with the system control unit 15 that controls the vertical drive unit 12.
  • the vertical drive unit 12 is not shown in the figure for its specific configuration, but generally has a configuration having two scanning systems, a reading scanning system and a sweeping scanning system.
  • the readout scanning system selectively scans the unit pixels of the pixel array unit 11 in units of rows in order to read out signals from the unit pixels.
  • the signal read from the unit pixel is an analog signal.
  • the sweep-out scanning system performs sweep-out scanning on the readout line on which readout scanning is performed by the readout scanning system prior to the readout scanning by the exposure time.
  • a so-called electronic shutter operation is performed by sweeping (resetting) unnecessary charges by the sweep scanning system.
  • the electronic shutter operation refers to an operation in which the electric charge in the photoelectric conversion unit is discarded and exposure is newly started (charge accumulation is started).
  • the signal read out by the readout operation by the readout scanning system corresponds to the amount of light received after the immediately preceding readout operation or electronic shutter operation.
  • a period from the read timing by the immediately preceding read operation or the sweep timing by the electronic shutter operation to the read timing by the current read operation is the charge exposure period in the unit pixel.
  • a signal output from each unit pixel of the pixel row selectively scanned by the vertical driving unit 12 is input to the column processing unit 13 through each of the vertical signal lines 17 for each pixel column.
  • the column processing unit 13 performs predetermined signal processing on signals output from the pixels in the selected row through the vertical signal line 17 for each pixel column of the pixel array unit 11, and temporarily outputs the pixel signals after the signal processing. Hold on.
  • the column processing unit 13 performs at least noise removal processing, for example, CDS (Correlated Double Sampling) processing or DDS (Double Data Sampling) processing as signal processing.
  • CDS Correlated Double Sampling
  • DDS Double Data Sampling
  • the CDS process removes pixel-specific fixed pattern noise such as reset noise and threshold variation of amplification transistors in the pixel.
  • the column processing unit 13 may have, for example, an AD (analog-digital) conversion function to convert an analog pixel signal into a digital signal and output the digital signal.
  • AD analog-digital
  • the horizontal drive unit 14 includes a shift register, an address decoder, and the like, and sequentially selects unit circuits corresponding to the pixel columns of the column processing unit 13. By the selective scanning by the horizontal driving unit 14, pixel signals subjected to signal processing for each unit circuit in the column processing unit 13 are sequentially output.
  • the system control unit 15 includes a timing generator that generates various timing signals, and the vertical driving unit 12, the column processing unit 13, and the horizontal driving unit 14 based on various timings generated by the timing generator. Drive control is performed.
  • the signal processing unit 18 has at least an arithmetic processing function, and performs various signal processing such as arithmetic processing on the pixel signal output from the column processing unit 13.
  • the data storage unit 19 temporarily stores data necessary for the signal processing in the signal processing unit 18.
  • CMOS image sensor 10A which is a first embodiment of the CMOS image sensor 10 of FIG. 1, will be described with reference to FIGS.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a configuration example of a part of the pixel array unit 11 of the CMOS image sensor 10A.
  • a cross section of a portion including two pixels P is shown, but the other pixels P basically have the same configuration.
  • the light incident side (upper side in FIG. 2) is above the CMOS image sensor 10A, and the side opposite to the light incident side (lower side in FIG. 2) is below the CMOS image sensor 10A.
  • the CMOS image sensor 10A has a so-called back-illuminated structure in which light enters from the back side opposite to the front side on which the wiring layer 101 of the semiconductor substrate 102 is laminated.
  • the back surface of the semiconductor substrate 102 is referred to as an incident surface or a light receiving surface.
  • wiring 121 is laminated over a plurality of layers.
  • photoelectric conversion elements 122 are formed in the region of each pixel P.
  • the photoelectric conversion element 122 is configured by a photodiode, for example.
  • a polarizer 124 and a light shielding film 125 are formed in the same layer with an oxide film 123 interposed therebetween.
  • the polarizer 124 and the light shielding film 125 are formed in the same layer, the upper layer of the photoelectric conversion element 122 can be reduced in height, and an improvement in sensitivity can be realized.
  • the polarizer 124 is disposed so as to cover the incident surface of the photoelectric conversion element 122 of each pixel P.
  • the polarizer 124 is made of, for example, a wire grid polarizer, and includes a plurality of strip-shaped conductive light shielding materials and slits provided therebetween.
  • the polarizer 124 passes a polarized wave having an electric field component in a direction perpendicular to the extending direction of the conductive light shielding material, and suppresses the passage of a polarized wave having an electric field component parallel to the extending direction of the conductive light shielding material.
  • the conductive light-shielding material for the polarizer 124 for example, a material having a small complex refractive index in a wavelength region where the photoelectric conversion element 122 is sensitive is used.
  • a material having a small complex refractive index in a wavelength region where the photoelectric conversion element 122 is sensitive is used. Examples of such a material include aluminum, copper, gold, silver, platinum, tungsten, and alloys containing these metals.
  • the light shielding film 125 is made of a conductive light shielding material in the same manner as the polarizer 124.
  • the light shielding film 125 is arranged in a lattice shape on the light receiving surface side of the photoelectric conversion element 122 so as to surround the periphery of the polarizer 124 and to fill in between adjacent pixels P.
  • the through electrode 126 is made of a conductive light shielding material, like the polarizer 124 and the light shielding film 125.
  • the through electrode 126 extends downward from the light shielding film 125, penetrates the semiconductor substrate 102, is formed so as to surround the side surface of each photoelectric conversion element 122, and also functions as an embedded light shielding film.
  • the contact 127 is, for example, a via formed in the wiring layer 101 and connects the through electrode 126 and the wiring 121.
  • the contact 127 is connected to the wiring 121 in the lowermost layer of the wiring layer 101.
  • the contact 127 may be connected to the wiring 121 in another layer.
  • a color filter 128 and an on-chip microlens 129 are stacked above a layer composed of the polarizer 124 and the light shielding film 125 via a planarizing film or the like.
  • the color filter 128 includes, for example, an R filter that transmits light in the red wavelength band, a G filter that transmits light in the green wavelength band, and a B filter that transmits light in the blue wavelength band.
  • the light incident on the on-chip microlens 129 is condensed so as to be incident on the color filter 128 of each pixel P, and light of a predetermined wavelength band is transmitted by the color filter 128.
  • light having a predetermined polarization direction out of the light transmitted through the color filter 128 passes through the polarizer 124 and enters the photoelectric conversion element 122.
  • photoelectric conversion is performed by the photoelectric conversion element 122, and an analog electric signal based on the charge generated by the photoelectric conversion is output to the column processing unit 13 through the vertical signal line 17. In this way, polarization information and color information are detected in each pixel P.
  • a negative bias voltage is steadily applied from a power source (not shown) to the polarizer 124 of each pixel P via the light shielding film 125, the through electrode 126, the contact 127, and the wiring 121.
  • a potential is applied.
  • the pinning capability of the surface part (light-receiving surface) of the photoelectric conversion element 122 is enhanced, and generation of dark noise (dark current) is suppressed.
  • the detection accuracy of polarization information and color information of each pixel P is improved.
  • an increase in the ratio of the noise component of each pixel P is suppressed, and the detection accuracy of polarization information and color information is improved.
  • the thickness of the oxide film 123 can be reduced, the layer above the photoelectric conversion element 122 can be reduced in height, and the sensitivity can be improved.
  • the light shielding film 125 and the through electrode 126 suppress the incidence of light in the oblique direction from the adjacent pixel P, thereby preventing color mixing.
  • Example of arrangement of polarizer 124 and contact 127 ⁇ 3 to 9 schematically show the angle of the transmission axis of the polarizer 124 and the position of the contact 127 of the CMOS image sensor 10A.
  • the angle of the transmission axis of the polarizer 124 provided in the pixels Pa to Pd is indicated by a straight line
  • the position of the contact 127 is indicated by a white hexagon.
  • the angle of the transmission axis of the polarizer 124 is also referred to as a polarization angle.
  • FIGS. 3 to 9 show a block composed of 2 rows ⁇ 2 columns of pixels Pa to Pd provided with polarizers 124 each having a different polarization angle by 45 °.
  • the polarization angle of each polarizer 124 is expressed clockwise with the column direction being the vertical direction in the figure as a reference (0 °)
  • the polarization angles of the polarizers 124 of the pixels Pa to Pd are 0 °, 45 °, and They are 90 ° and 135 °
  • each polarizer 124 passes light having a direction parallel to the transmission axis.
  • blocks composed of the pixels Pa to Pd are periodically arranged in a grid (matrix) in the row direction and the column direction.
  • a contact 127 is arranged between the pixels P.
  • the contact 127 is disposed between the pixels P adjacent in the row direction and substantially near the center of the side of the pixel P in the column direction.
  • a contact 127 is disposed between the pixels P adjacent in the column direction and approximately near the center of the side of the pixel P in the row direction.
  • a negative bias voltage can be sufficiently applied to the polarizer 124 of each pixel P, for example, as shown in FIGS. 4 to 9, it is not always necessary to arrange the contact 127 between all the pixels P. .
  • FIG. 4 shows an example in which contacts 127 between pixels P adjacent in the column direction are thinned out from the example of FIG. That is, in this example, the contact 127 is disposed between the pixels P adjacent in the row direction, and the contact 127 is not disposed between the pixels P adjacent in the column direction.
  • FIG. 5 shows an example in which contacts 127 are further thinned out every other row from the example of FIG. That is, in this example, the contact 127 is arranged between the pixels P adjacent in the row direction every other column.
  • contacts 127 are arranged between the pixels P adjacent in the column direction every other row.
  • contacts 127 are arranged between four pixels P adjacent in the row direction and the column direction. Specifically, in this example, when the pixel array unit 11 is divided into blocks each composed of 2 rows ⁇ 2 columns of pixels P, contacts 127 are arranged at the four corners and the center of each block.
  • FIG. 8 shows an example in which the contact 127 at the center of the block is thinned out from the example of FIG. That is, in this example, when the pixel array unit 11 is divided into blocks each composed of 2 rows ⁇ 2 columns of pixels P, contacts 127 are arranged at the four corners of each block.
  • FIG. 9 shows an example in which contacts 127 at the upper right corner and lower left corner of the block are further thinned out from the example of FIG.
  • contacts 127 are arranged at the four corners and the center of each block.
  • different color filters may be arranged for the pixels Pa to Pd, or filters of the same color may be arranged.
  • an R filter may be arranged in the pixel Pa
  • a G filter may be arranged in the pixels Pb and Pd
  • a B filter may be arranged in the pixel Pc according to the Bayer array.
  • filters of the same color may be arranged in the pixels Pa to Pd, and the color of the filter may follow a Bayer arrangement in units of blocks composed of the pixels Pa to Pd.
  • CMOS image sensor 10B which is a second embodiment of the CMOS image sensor 10 of FIG. 1, will be described with reference to FIG.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view schematically illustrating a configuration example of a part of the pixel array unit 11 of the CMOS image sensor 10 ⁇ / b> B and a peripheral part 201 that is a region surrounding the periphery of the pixel array unit 11.
  • a cross section of a portion including two pixels P is shown, but the other pixels P basically have the same configuration.
  • the same reference numerals are given to the portions corresponding to those in FIG.
  • the CMOS image sensor 10B is different from the CMOS image sensor 10A of FIG. 2 in that a through electrode 211 is provided in the peripheral portion 201 and a through electrode 126 and a contact 127 are not provided in the pixel array portion 11.
  • the through electrode 211 is formed in the peripheral portion 201 so as to penetrate the semiconductor substrate 102 and is connected to the wiring 121 of the wiring layer 101.
  • the through electrode 211 is connected to the light shielding film 125 in the pixel array unit 11 via, for example, a wiring (not shown).
  • a part of the light shielding film 125 may be extended outside the pixel array unit 11, and the light shielding film 125 and the through electrode 211 may be brought into contact with each other.
  • a negative bias voltage is uniformly and constantly applied from a power source (not shown) to the polarizer 124 of each pixel P via the light shielding film 125, the through electrode 211, and the wiring 121. Is given. Thereby, like the CMOS image sensor 10A, the pinning capability of the surface portion (light receiving surface) of the photoelectric conversion element 122 is enhanced, and the occurrence of dark noise (dark current) is suppressed.
  • the through electrode 126 of the CMOS image sensor 10A may not be used as a light shielding film.
  • the through electrode 126 can be formed of a material with low light shielding properties.
  • the through electrode 126 may be formed in a thin column shape extending in the vertical direction.
  • the through electrode 126 does not necessarily need to surround the entire side surface of the photoelectric conversion element 122, and can also surround a part of the side surface of the photoelectric conversion element 122. is there.
  • the light shielding film 125 and the wiring 121 by a method other than the through electrode without providing the through electrode.
  • a negative bias may be applied to the light-shielding film 125 from an external power source without using the wiring 121.
  • the polarizer 124 may be a polarizer other than a wire grid structure as long as it has conductivity.
  • the polarizer 124 and the light shielding film 125 can be formed in different layers.
  • the polarization angle of the polarizer 124 (the angle of the transmission axis of the polarizer 124) is four types of 0 °, 45 °, 90 °, and 135 ° is shown. It is possible to arbitrarily change the number of types.
  • the polarization angle of the polarizer 124 may be 180 / ⁇ types different by ⁇ °, and the 180 / ⁇ type polarizers 124 may be regularly arranged.
  • the color type and arrangement of the color filter 128 can be arbitrarily set.
  • the color of the color filter 128 may be four types of R, G, B, and W (transparent), three types of M (magenta), Y (yellow), and C (cyan), or M, Y, C, and W. It is also possible to use the following four types.
  • a W filter may be disposed in the pixel P in which the polarizer 124 is provided, and a color filter may be disposed in the other pixels P.
  • color information can be detected using an organic photoelectric conversion film, and the color filter 128 can be deleted.
  • the present technology is applied to a CMOS image sensor in which unit pixels are arranged in a matrix is described as an example, but the present technology is not limited to application to a CMOS image sensor. . That is, the present technology can be applied to all XY address type solid-state imaging devices in which unit pixels are two-dimensionally arranged in a matrix.
  • the solid-state imaging device may be formed as a single chip, or may be in a module-like form having an imaging function in which an imaging unit and a signal processing unit or an optical system are packaged together. Good.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating a usage example of the above-described solid-state imaging device.
  • the solid-state imaging device described above can be used in various cases for sensing light such as visible light, infrared light, ultraviolet light, and X-ray as follows.
  • Devices for taking images for viewing such as digital cameras and mobile devices with camera functions
  • Devices used for traffic such as in-vehicle sensors that capture the back, surroundings, and interiors of vehicles, surveillance cameras that monitor traveling vehicles and roads, and ranging sensors that measure distances between vehicles, etc.
  • Equipment used for home appliances such as TVs, refrigerators, air conditioners, etc. to take pictures and operate the equipment according to the gestures
  • Equipment used for medical and health care ⁇
  • Security equipment such as security surveillance cameras and personal authentication cameras
  • Skin measuring instrument for photographing skin and scalp photography Such as a microscope to do beauty Equipment used for sports, such as action cameras and wearable cameras for sports applications, etc.
  • Equipment used for agriculture such as cameras for monitoring the condition of fields and crops
  • FIG. 12 is a block diagram illustrating a configuration example of an imaging apparatus (camera apparatus) that is an example of an electronic apparatus to which the present technology is applied.
  • the imaging apparatus includes an optical system including a lens group 301 and the like, an imaging element 302, a DSP circuit 303 which is a camera signal processing unit, a frame memory 304, a display device 305, a recording device 306, an operation system 307, And a power supply system 308 and the like.
  • the DSP circuit 303, the frame memory 304, the display device 305, the recording device 306, the operation system 307, and the power supply system 308 are connected to each other via a bus line 309.
  • the lens group 301 takes in incident light (image light) from a subject and forms an image on the imaging surface of the imaging element 302.
  • the imaging element 302 converts the amount of incident light imaged on the imaging surface by the lens group 301 into an electrical signal in units of pixels and outputs it as a pixel signal.
  • the display device 305 includes a panel display device such as a liquid crystal display device or an organic EL (electroluminescence) display device, and displays a moving image or a still image captured by the image sensor 302.
  • the recording device 306 records a moving image or a still image captured by the image sensor 302 on a recording medium such as a memory card, a video tape, or a DVD (Digital Versatile Disk).
  • the operation system 307 issues operation commands for various functions of the imaging apparatus under operation by the user.
  • the power supply system 308 appropriately supplies various power supplies serving as operation power supplies for the DSP circuit 303, the frame memory 304, the display device 305, the recording device 306, and the operation system 307 to these supply targets.
  • Such an imaging apparatus is applied to a camera module for a mobile device such as a video camera, a digital still camera, and a smartphone or a mobile phone.
  • a camera module for a mobile device such as a video camera, a digital still camera, and a smartphone or a mobile phone.
  • the solid-state imaging apparatus according to each embodiment described above can be used as the imaging element 302. Thereby, the image quality of an imaging device can be improved.
  • the present technology can take the following configurations.
  • a pixel array unit in which pixels including photoelectric conversion elements are arranged; A polarizer made of a conductive light-shielding material and covering a light receiving surface of the photoelectric conversion element of at least a part of the pixels; A light shielding film made of a conductive light shielding material and provided between adjacent pixels on the light receiving surface side of the photoelectric conversion element; A wiring layer provided on the opposite side of the light receiving surface of the photoelectric conversion element, The solid-state imaging device, wherein the polarizer is connected to the wiring of the wiring layer through the light shielding film.
  • a solid-state imaging device A signal processing unit for processing a signal output from the solid-state imaging device, The solid-state imaging device A pixel array unit in which pixels including photoelectric conversion elements are arranged; A polarizer made of a conductive light-shielding material and covering a light receiving surface of the photoelectric conversion element of at least a part of the pixels; A light shielding film made of a conductive light shielding material and provided between adjacent pixels on the light receiving surface side of the photoelectric conversion element; A wiring layer provided on the opposite side of the light receiving surface of the photoelectric conversion element, The electronic device in which the polarizer is connected to the wiring of the wiring layer through the light shielding film.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

本技術は、偏光情報の検出精度を向上させることができるようにする固体撮像装置及び電子機器に関する。 固体撮像装置は、光電変換素子を含む画素が配列されている画素アレイ部と、導電遮光材料からなり、少なくとも一部の画素の光電変換素子の受光面を覆う偏光子と、導電遮光材料からなり、光電変換素子の受光面側において、隣接する画素間に設けられている遮光膜と、光電変換素子の受光面と反対側に設けられている配線層とを備え、偏光子が、遮光膜を介して配線層の配線に接続されている。本技術は、例えば、固体撮像装置に適用できる。

Description

固体撮像装置及び電子機器
　本技術は、固体撮像装置及び電子機器に関し、特に、偏光情報の検出精度を向上させるようにした固体撮像装置及び電子機器に関する。
　従来、固体撮像装置において、偏光子が設けられた偏光画素を所定の間隔で配置することにより、偏光情報を検出することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１０－２６３１５８号公報
　しかしながら、偏光画素は、偏光子により光電変換素子に入射する光が制限されるため、偏光子が設けられていない画素に比べて感度が低くなる。従って、特に感度が得られない暗所においては、偏光画素のノイズ成分の比率が増大するため、偏光画素により検出される偏光情報の誤差が大きくなる。
　そこで、本技術は、偏光情報の検出精度を向上させるようにするものである。
　本技術の第１の側面の固体撮像装置は、光電変換素子を含む画素が配列されている画素アレイ部と、導電遮光材料からなり、少なくとも一部の前記画素の前記光電変換素子の受光面を覆う偏光子と、導電遮光材料からなり、前記光電変換素子の受光面側において、隣接する前記画素間に設けられている遮光膜と、前記光電変換素子の受光面と反対側に設けられている配線層とを備え、前記偏光子が、前記遮光膜を介して前記配線層の配線に接続されている。
　前記配線及び前記遮光膜を介して前記偏光子に負の電位を与えるようにすることができる。
　前記光電変換素子が形成されている半導体基板を貫通する貫通電極により前記遮光膜と前記配線とを接続するようにすることができる。
　前記貫通電極を、導電遮光材料とし、前記光電変換素子の側面を囲ませるようにすることができる。
　前記貫通電極を、前記画素アレイ部の周囲の領域に形成させることができる。
　前記偏光子と前記遮光膜を同じ層に配置させることができる。
　本技術の第２の側面の電子機器は、固体撮像装置と、前記固体撮像装置から出力される信号を処理する信号処理部とを備え、前記固体撮像装置は、光電変換素子を含む画素が配列されている画素アレイ部と、導電遮光材料からなり、少なくとも一部の前記画素の前記光電変換素子の受光面を覆う偏光子と、導電遮光材料からなり、前記光電変換素子の受光面側において、隣接する前記画素間に設けられている遮光膜と、前記光電変換素子の受光面と反対側に設けられている配線層とを備え、前記偏光子が、前記遮光膜を介して前記配線層の配線に接続されている。
　本技術の第１の側面又は第２の側面においては、偏光子が、遮光膜を介して配線層の配線に接続される。
　本技術の第１の側面又は第２の側面によれば、偏光情報の検出精度が向上する。
　なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
本技術が適用されるＣＭＯＳイメージセンサの構成の概略を示すシステム構成図である。 ＣＭＯＳイメージセンサの第１の実施の形態を模式的に示す断面図である。 偏光子の透過軸の角度及びコンタクタの位置の第１の例を示す模式図である。 偏光子の透過軸の角度及びコンタクタの位置の第２の例を示す模式図である。 偏光子の透過軸の角度及びコンタクタの位置の第３の例を示す模式図である。 偏光子の透過軸の角度及びコンタクタの位置の第４の例を示す模式図である。 偏光子の透過軸の角度及びコンタクタの位置の第５の例を示す模式図である。 偏光子の透過軸の角度及びコンタクタの位置の第６の例を示す模式図である。 偏光子の透過軸の角度及びコンタクタの位置の第７の例を示す模式図である。 ＣＭＯＳイメージセンサの第２の実施の形態を模式的に示す断面図である。 固体撮像装置の使用例を示す図である。 電子機器の構成例を示すブロック図である。
　以下、発明を実施するための形態（以下、「実施形態」と記述する）について図面を用いて詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
　１．本技術が適用される固体撮像装置
　２．第１の実施の形態（裏面照射型で偏光画素とカラー画素のサイズが同じ例）
　３．第２の実施の形態（裏面照射型で偏光画素とカラー画素のサイズが異なる例）
　４．変形例
　５．固体撮像装置の使用例
＜１．本技術が適用される固体撮像装置＞
｛基本的なシステム構成｝
　図１は、本技術が適用される固体撮像装置、例えばＸ－Ｙアドレス方式固体撮像装置の一種であるＣＭＯＳイメージセンサの構成の概略を示すシステム構成図である。ここで、ＣＭＯＳイメージセンサとは、ＣＭＯＳプロセスを応用して、または、部分的に使用して作成されたイメージセンサである。
　本適用例に係るＣＭＯＳイメージセンサ１０は、図示せぬ半導体基板（チップ）上に形成された画素アレイ部１１と、当該画素アレイ部１１と同じ半導体基板上に集積された周辺回路部とを有する構成となっている。周辺回路部は、例えば、垂直駆動部１２、カラム処理部１３、水平駆動部１４及びシステム制御部１５から構成されている。
　ＣＭＯＳイメージセンサ１０は更に、信号処理部１８及びデータ格納部１９を備えている。信号処理部１８及びデータ格納部１９については、本ＣＭＯＳイメージセンサ１０と同じ基板上に搭載しても構わないし、本ＣＭＯＳイメージセンサ１０とは別の基板上に配置するようにしても構わない。また、信号処理部１８及びデータ格納部１９の各処理については、本ＣＭＯＳイメージセンサ１０とは別の基板に設けられる外部信号処理部、例えば、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）回路やソフトウェアによる処理でも構わない。
　画素アレイ部１１は、複数の単位画素（以下、単に「画素」と記述する場合もある）が行方向及び列方向に配置された構成となっている。ここで、行方向とは画素行の画素の配列方向（すなわち、水平方向）を言い、列方向とは画素列の画素の配列方向（すなわち、垂直方向）を言う。
　単位画素は、受光した光量に応じた電荷を生成しかつ蓄積する光電変換部（例えば、フォトダイオード）、及び、複数の画素トランジスタ（いわゆるMOSトランジスタ）を有する。複数の画素トランジスタは、例えば、転送トランジスタ、リセットトランジスタ、および増幅トランジスタの３つのトランジスタで構成することができる。或いは、複数の画素トランジスタは、さらに選択トランジスタを追加して４つのトランジスタで構成することもできる。なお、各画素の等価回路は一般的なものと同様であるので、ここでは詳細な説明は省略する。
　また、単位画素は、共有画素構造とすることもできる。共有画素構造は、複数の光電変換素子、複数の転送トランジスタ、共有される１つのフローティングディフュージョン、および共有される１つずつの他の画素トランジスタから構成される。
　画素アレイ部１１において、画素行ごとに行信号線としての画素駆動線１６が行方向に沿って配線され、画素列ごとに列信号線としての垂直信号線１７が列方向に沿って配線されている。画素駆動線１６は、画素から信号を読み出す際の駆動を行うための駆動信号を伝送する。図１では、画素駆動線１６について１本の配線として示しているが、１本に限られるものではない。画素駆動線１６の一端は、垂直駆動部１２の各行に対応した出力端に接続されている。
　垂直駆動部１２は、シフトレジスタやアドレスデコーダなどによって構成され、画素アレイ部１１の各画素を全画素同時あるいは行単位等で駆動する。すなわち、垂直駆動部１２は、当該垂直駆動部１２を制御するシステム制御部１５と共に、画素アレイ部１１の各画素の動作を制御する駆動部を構成している。この垂直駆動部１２はその具体的な構成については図示を省略するが、一般的に、読出し走査系と掃出し走査系の２つの走査系を有する構成となっている。
　読出し走査系は、単位画素から信号を読み出すために、画素アレイ部１１の単位画素を行単位で順に選択走査する。単位画素から読み出される信号はアナログ信号である。掃出し走査系は、読出し走査系によって読出し走査が行われる読出し行に対して、その読出し走査よりも露光時間分だけ先行して掃出し走査を行う。
　この掃出し走査系による掃出し走査により、読出し行の単位画素の光電変換部から不要な電荷が掃き出されることによって当該光電変換部がリセットされる。そして、この掃出し走査系による不要電荷の掃き出す（リセットする）ことにより、所謂電子シャッタ動作が行われる。ここで、電子シャッタ動作とは、光電変換部の電荷を捨てて、新たに露光を開始する（電荷の蓄積を開始する）動作のことを言う。
　読出し走査系による読出し動作によって読み出される信号は、その直前の読出し動作または電子シャッタ動作以降に受光した光量に対応するものである。そして、直前の読出し動作による読出しタイミングまたは電子シャッタ動作による掃出しタイミングから、今回の読出し動作による読出しタイミングまでの期間が、単位画素における電荷の露光期間となる。
　垂直駆動部１２によって選択走査された画素行の各単位画素から出力される信号は、画素列ごとに垂直信号線１７の各々を通してカラム処理部１３に入力される。カラム処理部１３は、画素アレイ部１１の画素列ごとに、選択行の各画素から垂直信号線１７を通して出力される信号に対して所定の信号処理を行うとともに、信号処理後の画素信号を一時的に保持する。
　具体的には、カラム処理部１３は、信号処理として少なくとも、ノイズ除去処理、例えばＣＤＳ（Correlated Double Sampling；相関二重サンプリング）処理や、ＤＤＳ（Double Data Sampling）処理を行う。例えば、ＣＤＳ処理により、リセットノイズや画素内の増幅トランジスタの閾値ばらつき等の画素固有の固定パターンノイズが除去される。カラム処理部１３にノイズ除去処理以外に、例えば、ＡＤ（アナログ－デジタル）変換機能を持たせ、アナログの画素信号をデジタル信号に変換して出力することも可能である。
　水平駆動部１４は、シフトレジスタやアドレスデコーダなどによって構成され、カラム処理部１３の画素列に対応する単位回路を順番に選択する。この水平駆動部１４による選択走査により、カラム処理部１３において単位回路ごとに信号処理された画素信号が順番に出力される。
　システム制御部１５は、各種のタイミング信号を生成するタイミングジェネレータなどによって構成され、当該タイミングジェネレータで生成された各種のタイミングを基に、垂直駆動部１２、カラム処理部１３、及び、水平駆動部１４などの駆動制御を行う。
　信号処理部１８は、少なくとも演算処理機能を有し、カラム処理部１３から出力される画素信号に対して演算処理等の種々の信号処理を行う。データ格納部１９は、信号処理部１８での信号処理に当たって、その処理に必要なデータを一時的に格納する。
＜２．第１の実施の形態＞
　次に、図２乃至図５を参照して、図１のＣＭＯＳイメージセンサ１０の第１の実施の形態であるＣＭＯＳイメージセンサ１０Ａについて説明する。
｛ＣＭＯＳイメージセンサ１０Ａの構成例｝
　図２は、ＣＭＯＳイメージセンサ１０Ａの画素アレイ部１１の一部の構成例を模式的に示す断面図である。なお、この図には、２つの画素Ｐを含む部分の断面が示されているが、他の画素Ｐについても基本的に同じ構成を有している。
　なお、以下、光の入射側（図２の上側）をＣＭＯＳイメージセンサ１０Ａの上方とし、光の入射側と反対側（図２の下側）をＣＭＯＳイメージセンサ１０Ａの下方とする。
　ＣＭＯＳイメージセンサ１０Ａは、半導体基板１０２の配線層１０１が積層されているオモテ面とは逆の裏面側から光が入射する、いわゆる裏面照射型の構造を有している。なお、以下、半導体基板１０２の裏面を入射面又は受光面と称する。
　配線層１０１には、配線１２１が複数の層にわたって積層されている。
　半導体基板１０２には、各画素Ｐの領域内に光電変換素子１２２が形成されている。光電変換素子１２２は、例えばフォトダイオードにより構成される。
　半導体基板１０２の入射面上には、酸化膜１２３を介して、偏光子１２４及び遮光膜１２５が同じ層に形成されている。偏光子１２４及び遮光膜１２５を同じ層に形成することにより、光電変換素子１２２の上層を低背化することができ、感度の向上を実現することができる。
　偏光子１２４は、各画素Ｐの光電変換素子１２２の入射面を覆うように配置されている。偏光子１２４は、例えば、ワイヤグリッド偏光子からなり、複数の帯状の導電遮光材料とその間に設けられたスリットから構成されている。偏光子１２４は、導電遮光材料の延びる方向と直行する方向の電界成分をもつ偏光波を通過させ、導電遮光材料の延びる方向と平行な電界成分を持つ偏光波の通過を抑制する。偏光子１２４の導電遮光材料には、例えば、光電変換素子１２２が感度を有する波長域において複素屈折率の小さい材料が用いられる。そのような材料としては、例えば、アルミニウム、銅、金、銀、白金、タングステン、或いは、これらの金属を含む合金等が考えられる。
　遮光膜１２５は、偏光子１２４と同様に導電遮光材料からなる。遮光膜１２５は、光電変換素子１２２の受光面側において、偏光子１２４の周囲を囲み、隣接する画素Ｐ間を埋めるように格子状に配置されている。
　貫通電極１２６は、偏光子１２４及び遮光膜１２５と同様に導電遮光材料からなる。貫通電極１２６は、遮光膜１２５から下方に伸び、半導体基板１０２を貫通するとともに、各光電変換素子１２２の側面を囲むように形成され、埋め込み型の遮光膜としても機能する。
　コンタクト１２７は、例えば、配線層１０１に形成されたビアであり、貫通電極１２６と配線１２１とを接続する。なお、この例では、コンタクト１２７が、配線層１０１の最も下の層の配線１２１に接続されている例が示されているが、他の層の配線１２１に接続するようにしてもよい。
　偏光子１２４及び遮光膜１２５からなる層の上方には、平坦化膜等を介して、カラーフィルタ１２８及びオンチップマイクロレンズ１２９が積層されている。カラーフィルタ１２８は、例えば、赤色の波長帯の光を透過するＲフィルタ、緑色の波長帯の光を透過するＧフィルタ、及び、青色の波長帯の光を透過するＢフィルタからなる。
　オンチップマイクロレンズ１２９に入射した光は、各画素Ｐのカラーフィルタ１２８に入射するように集光され、カラーフィルタ１２８により所定の波長帯の光が透過される。また、カラーフィルタ１２８を透過した光のうち所定の偏光方向の光が偏光子１２４を通過し、光電変換素子１２２に入射する。そして、光電変換素子１２２により光電変換が行われ、光電変換により生成された電荷に基づくアナログの電気信号が、垂直信号線１７を介してカラム処理部１３に出力される。このようにして、各画素Ｐにおいて偏光情報と色情報が検出される。
　ここで、各画素Ｐの偏光子１２４には、遮光膜１２５、貫通電極１２６、コンタクト１２７、及び、配線１２１を介して、図示せぬ電源から負バイアスの電圧が定常的に印加され、負の電位が与えられる。これにより、光電変換素子１２２の表面部（受光面）のピニング能力が強化され、暗時ノイズ（暗電流）の発生が抑制される。その結果、各画素Ｐの偏光情報及び色情報の検出精度が向上する。特に、感度が得られない暗所においても、各画素Ｐのノイズ成分の比率の増大が抑制され、偏光情報及び色情報の検出精度が向上する。
　また、例えば、暗電流を抑制するために光電変換素子１２２の表面に負の固定電荷膜層を設ける必要がなくなり、コスト削減が実現される。
　さらに、例えば、酸化膜１２３の膜厚を薄くすることができ、光電変換素子１２２より上の層を低背化することができ、感度を向上させることができる。
　また、遮光膜１２５及び貫通電極１２６により、隣接する画素Ｐからの斜め方向の光の入射が抑制され、混色の発生が防止される。
｛偏光子１２４とコンタクト１２７の配置例｝
　図３乃至図９は、ＣＭＯＳイメージセンサ１０Ａの偏光子１２４の透過軸の角度、及び、コンタクト１２７の位置を模式的に示している。具体的には、図３乃至図９では、画素Ｐａ乃至Ｐｄに設けられている偏光子１２４の透過軸の角度が直線で示されており、コンタクト１２７の位置が白抜きの六角形により示されている。なお、以下、偏光子１２４の透過軸の角度を偏光角度とも称する。
　図３乃至図９には、偏光角度が４５°ずつ異なる偏光子１２４がそれぞれ設けられた２行×２列の画素Ｐａ乃至Ｐｄからなるブロックが示されている。各偏光子１２４の偏光角度を図内の縦方向である列方向を基準（０°）に時計回りに表すと、画素Ｐａ乃至Ｐｄの偏光子１２４の偏光角度は、それぞれ０°、４５°、９０°、１３５°であり、各偏光子１２４は、透過軸と平行な向きを持つ光を通過させる。そして、画素アレイ部１１において、画素Ｐａ乃至Ｐｄからなるブロックが周期的に行方向及び列方向に格子状（行列状）に配置される。
　そして、図３の例では、各画素Ｐ間にコンタクト１２７が配置されている。すなわち、行方向に隣接する各画素Ｐ間において、画素Ｐの列方向の辺のほぼ中央付近にコンタクト１２７が配置されている。また、列方向に隣接する各画素Ｐ間において、画素Ｐの行方向の辺のほぼ中央付近にコンタクト１２７が配置されている。
　なお、各画素Ｐの偏光子１２４に負バイアスの電圧を十分に印加できるのであれば、例えば、図４乃至図９に示すように、必ずしも全ての画素Ｐ間にコンタクト１２７を配置する必要はない。
　例えば、図４は、図３の例から、列方向に隣接する各画素Ｐ間のコンタクト１２７を間引いた例を示している。すなわち、この例では、行方向に隣接する各画素Ｐの間にコンタクト１２７が配置されており、列方向に隣接する各画素Ｐの間にはコンタクト１２７が配置されていない。
　図５は、図４の例から、さらにコンタクト１２７を１列置きに間引いた例を示している。すなわち、この例では、１列置きに行方向に隣接する画素Ｐの間にコンタクト１２７が配置されている。
　図６の例では、図５の例とは逆に、１行置きに列方向に隣接する画素Ｐの間にコンタクト１２７がそれぞれ配置されている。
　図７の例では、行方向及び列方向に隣接する４つの画素Ｐの間にコンタクト１２７が配置されている。具体的には、この例では、画素アレイ部１１を２行×２列の画素Ｐからなるブロックに分割した場合、各ブロックの四隅及び中央にコンタクト１２７が配置されている。
　図８は、図７の例から、ブロックの中央のコンタクト１２７を間引いた例を示している。すなわち、この例では、画素アレイ部１１を２行×２列の画素Ｐからなるブロックに分割した場合、各ブロックの四隅にコンタクト１２７が配置されている。
　図９は、図８の例から、さらにブロックの右上隅及び左下隅のコンタクト１２７を間引いた例を示している。なお、この例では、画素アレイ部１１を４行×４列の画素Ｐからなるブロックに分割した場合、各ブロックの四隅及び中央にコンタクト１２７が配置される。
　なお、カラーフィルタ１２８において、画素Ｐａ乃至Ｐｄに異なる色のフィルタを配置するようにしてもよいし、同じ色のフィルタを配置するようにしてもよい。例えば、前者の場合、ベイヤ配列に従い、画素ＰａにＲフィルタを配置し、画素Ｐｂ及びＰｄにＧフィルタを配置し、画素ＰｃにＢフィルタを配置するようにしてもよい。後者の場合、例えば、画素Ｐａ乃至Ｐｄに同じ色のフィルタを配置するとともに、画素Ｐａ乃至Ｐｄからなるブロック単位でフィルタの色がベイヤ配列に従うようにしてもよい。
＜３．第２の実施の形態＞
　次に、図１０を参照して、図１のＣＭＯＳイメージセンサ１０の第２の実施の形態であるＣＭＯＳイメージセンサ１０Ｂについて説明する。
｛ＣＭＯＳイメージセンサ１０Ｂの構成例｝
　図１０は、ＣＭＯＳイメージセンサ１０Ｂの画素アレイ部１１及び画素アレイ部１１の周囲を囲む領域である周辺部２０１の一部の構成例を模式的に示す断面図である。なお、この図には、２つの画素Ｐを含む部分の断面が示されているが、他の画素Ｐについても基本的に同じ構成を有している。また、図中、図２と対応する部分には、同じ符号を付してある。
　ＣＭＯＳイメージセンサ１０Ｂは、図２のＣＭＯＳイメージセンサ１０Ａと比較して、周辺部２０１に貫通電極２１１が設けられ、画素アレイ部１１に貫通電極１２６及びコンタクト１２７が設けられていない点が異なる。
　具体的には、貫通電極２１１は、周辺部２０１において、半導体基板１０２を貫通するように形成されるとともに、配線層１０１の配線１２１に接続されている。また、貫通電極２１１は、例えば、図示せぬ配線等を介して、画素アレイ部１１内の遮光膜１２５に接続される。或いは、遮光膜１２５の一部を画素アレイ部１１の外まで引き延ばし、遮光膜１２５と貫通電極２１１を接触させるようにしてもよい。
　そして、各画素Ｐの偏光子１２４には、遮光膜１２５、貫通電極２１１、及び、配線１２１を介して、図示せぬ電源から負バイアスの電圧が一様に定常的に印加され、負の電位が与えられる。これにより、ＣＭＯＳイメージセンサ１０Ａと同様に、光電変換素子１２２の表面部（受光面）のピニング能力が強化され、暗時ノイズ（暗電流）の発生が抑制される。
＜４．変形例＞
　以下、上述した本技術の実施の形態の変形例について説明する。
｛貫通電極１２６に関する変形例｝
　例えば、ＣＭＯＳイメージセンサ１０Ａの貫通電極１２６を遮光膜として用いないようにすることも可能である。この場合、貫通電極１２６を遮光性が低い材料により形成することが可能である。また、この場合、必ずしも貫通電極１２６により各光電変換素子１２２の側面を囲む必要はなく、例えば、貫通電極１２６を上下方向に延びる細い柱状にすることも可能である。
　また、貫通電極１２６を遮光膜として用いる場合においても、必ずしも貫通電極１２６が光電変換素子１２２の側面を全て囲む必要はなく、光電変換素子１２２の側面の一部を囲むようにすることも可能である。
　さらに、貫通電極を設けずに、貫通電極以外の方法により遮光膜１２５と配線１２１を接続するようにすることも可能である。また、この場合、例えば、外部の電源から、配線１２１を介さずに遮光膜１２５に負のバイアスを与えるようにしてもよい。
｛偏光子１２４に関する変形例｝
　偏光子１２４は、導電性を有していれば、ワイヤグリッド構造以外の偏光子を用いることも可能である。
　また、偏光子１２４と遮光膜１２５が電気的に接続されていれば、偏光子１２４と遮光膜１２５を異なる層に形成することも可能である。
　さらに、偏光子１２４を一部の画素Ｐのみに配置し、偏光子１２４を介さずに色情報のみを検出する画素Ｐを設けるようにすることも可能である。
　また、以上の説明では、偏光子１２４の偏光角度（偏光子１２４の透過軸の角度）を０°、４５°、９０°、１３５°の４種類とする例を示したが、偏光角度の組み合わせや種類数を任意に変更することが可能である。例えば、偏光子１２４の偏光角度をθ°ずつ異なる１８０／θ種類とし、１８０／θ種類の偏光子１２４を規則的に配置するようにしてもよい。
｛カラーフィルタ１２８に関する変形例｝
　カラーフィルタ１２８の色の種類及び配置は、任意に設定することができる。例えば、カラーフィルタ１２８の色を、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗ（透明）の４種類、Ｍ（マゼンダ）、Ｙ（黄色）、Ｃ（シアン）の３種類、又は、Ｍ、Ｙ、Ｃ、Ｗの４種類とすることも可能である。
　また、偏光子１２４が一部の画素Ｐのみに設けられる場合、偏光子１２４が設けられる画素ＰにＷフィルタを配置し、その他の画素Ｐにカラーのフィルタを配置するようにしてもよい。
　さらに、例えば、有機光電変換膜を用いて色情報を検出するようにし、カラーフィルタ１２８を削除することも可能である。
｛その他の変形例｝
　上記の実施の形態では、本技術を単位画素が行列状に配置されたＣＭＯＳイメージセンサに適用した場合を例に挙げて説明したが、本技術はＣＭＯＳイメージセンサへの適用に限られるものではない。すなわち、本技術は、単位画素が行列状に２次元配置されてなるＸ－Ｙアドレス方式の固体撮像装置全般に対して適用可能である。
　なお、固体撮像装置はワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と、信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
＜５．固体撮像装置の使用例＞
　図１１は、上述の固体撮像装置の使用例を示す図である。
　上述した固体撮像装置は、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、Ｘ線等の光をセンシングする様々なケースに使用することができる。
　・デジタルカメラや、カメラ機能付きの携帯機器等の、鑑賞の用に供される画像を撮影する装置
　・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
　・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
　・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
　・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
　・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供され装置
　・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
　・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
｛撮像装置｝
　図１２は、本技術を適用した電子機器の一例である撮像装置（カメラ装置）の構成例を示すブロック図である。
　図１２に示すように、撮像装置は、レンズ群３０１などを含む光学系、撮像素子３０２、カメラ信号処理部であるＤＳＰ回路３０３、フレームメモリ３０４、表示装置３０５、記録装置３０６、操作系３０７、及び、電源系３０８等を有している。そして、ＤＳＰ回路３０３、フレームメモリ３０４、表示装置３０５、記録装置３０６、操作系３０７、及び、電源系３０８がバスライン３０９を介して相互に接続された構成となっている。
　レンズ群３０１は、被写体からの入射光（像光）を取り込んで撮像素子３０２の撮像面上に結像する。撮像素子３０２は、レンズ群３０１によって撮像面上に結像された入射光の光量を画素単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。
　表示装置３０５は、液晶表示装置や有機ＥＬ（electro luminescence）表示装置等のパネル型表示装置から成り、撮像素子３０２で撮像された動画または静止画を表示する。記録装置３０６は、撮像素子３０２で撮像された動画または静止画を、メモリカードやビデオテープやＤＶＤ（Digital Versatile Disk）等の記録媒体に記録する。
　操作系３０７は、ユーザによる操作の下に、本撮像装置が持つ様々な機能について操作指令を発する。電源系３０８は、ＤＳＰ回路３０３、フレームメモリ３０４、表示装置３０５、記録装置３０６、及び、操作系３０７の動作電源となる各種の電源を、これら供給対象に対して適宜供給する。
　このような撮像装置は、ビデオカメラやデジタルスチルカメラ、更には、スマートフォン、携帯電話機等のモバイル機器向けカメラモジュールに適用される。そして、この撮像装置において、撮像素子３０２として、上述した各実施形態に係る固体撮像装置を用いることができる。これにより、撮像装置の画質を向上させることができる。
　なお、本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
　また、例えば、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
　光電変換素子を含む画素が配列されている画素アレイ部と、
　導電遮光材料からなり、少なくとも一部の前記画素の前記光電変換素子の受光面を覆う偏光子と、
　導電遮光材料からなり、前記光電変換素子の受光面側において、隣接する前記画素間に設けられている遮光膜と、
　前記光電変換素子の受光面と反対側に設けられている配線層と
　を備え、
　前記偏光子が、前記遮光膜を介して前記配線層の配線に接続されている
　固体撮像装置。
（２）
　前記配線及び前記遮光膜を介して前記偏光子に負の電位が与えられる
　前記（１）に記載の固体撮像装置。
（３）
　前記光電変換素子が形成されている半導体基板を貫通する貫通電極により前記遮光膜と前記配線とが接続されている
　前記（１）又は（２）に記載の固体撮像装置。
（４）
　前記貫通電極は、導電遮光材料からなり、前記光電変換素子の側面を囲んでいる
　前記（３）に記載の固体撮像装置。
（５）
　前記貫通電極は、前記画素アレイ部の周囲の領域に形成されている
　前記（３）に記載の固体撮像装置。
（６）
　前記偏光子と前記遮光膜が同じ層に配置されている
　前記（１）乃至（５）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（７）
　固体撮像装置と、
　前記固体撮像装置から出力される信号を処理する信号処理部と
　を備え、
　前記固体撮像装置は、
　　光電変換素子を含む画素が配列されている画素アレイ部と、
　　導電遮光材料からなり、少なくとも一部の前記画素の前記光電変換素子の受光面を覆う偏光子と、
　　導電遮光材料からなり、前記光電変換素子の受光面側において、隣接する前記画素間に設けられている遮光膜と、
　　前記光電変換素子の受光面と反対側に設けられている配線層と
　を備え、
　前記偏光子が、前記遮光膜を介して前記配線層の配線に接続されている
　電子機器。
　１０，１０Ａ，１０Ｂ　ＣＭＯＳイメージセンサ，　１１　画素アレイ部，　１２　垂直駆動部，　１３　カラム処理部，　１４　水平駆動部，　１５　システム制御部，　１６　画素駆動線，　１７　垂直信号線，　１８　信号処理部，　１０１　配線層，　１０２　半導体基板，　１２１　配線，　１２２　光電変換素子，　１２４　偏光子，　１２５　遮光膜，　１２６　貫通電極，　１２７　コンタクト，　１２８　カラーフィルタ

Claims (7)

  1. 　光電変換素子を含む画素が配列されている画素アレイ部と、
    　導電遮光材料からなり、少なくとも一部の前記画素の前記光電変換素子の受光面を覆う偏光子と、
    　導電遮光材料からなり、前記光電変換素子の受光面側において、隣接する前記画素間に設けられている遮光膜と、
    　前記光電変換素子の受光面と反対側に設けられている配線層と
    　を備え、
    　前記偏光子が、前記遮光膜を介して前記配線層の配線に接続されている
    　固体撮像装置。
  2. 　前記配線及び前記遮光膜を介して前記偏光子に負の電位が与えられる
    　請求項１に記載の固体撮像装置。
  3. 　前記光電変換素子が形成されている半導体基板を貫通する貫通電極により前記遮光膜と前記配線とが接続されている
    　請求項１に記載の固体撮像装置。
  4. 　前記貫通電極は、導電遮光材料からなり、前記光電変換素子の側面を囲んでいる
    　請求項３に記載の固体撮像装置。
  5. 　前記貫通電極は、前記画素アレイ部の周囲の領域に形成されている
    　請求項３に記載の固体撮像装置。
  6. 　前記偏光子と前記遮光膜が同じ層に配置されている
    　請求項１に記載の固体撮像装置。
  7. 　固体撮像装置と、
    　前記固体撮像装置から出力される信号を処理する信号処理部と
    　を備え、
    　前記固体撮像装置は、
    　　光電変換素子を含む画素が配列されている画素アレイ部と、
    　　導電遮光材料からなり、少なくとも一部の前記画素の前記光電変換素子の受光面を覆う偏光子と、
    　　導電遮光材料からなり、前記光電変換素子の受光面側において、隣接する前記画素間に設けられている遮光膜と、
    　　前記光電変換素子の受光面と反対側に設けられている配線層と
    　を備え、
    　前記偏光子が、前記遮光膜を介して前記配線層の配線に接続されている
    　電子機器。
PCT/JP2016/071055 2015-07-30 2016-07-15 固体撮像装置及び電子機器 Ceased WO2017018258A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/746,558 US10559616B2 (en) 2015-07-30 2016-07-15 Solid-state imaging apparatus and electronic device
JP2017530791A JP6957112B2 (ja) 2015-07-30 2016-07-15 固体撮像装置及び電子機器
CN201680042940.4A CN107924923B (zh) 2015-07-30 2016-07-15 固态摄像装置和电子设备

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-150329 2015-07-30
JP2015150329 2015-07-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017018258A1 true WO2017018258A1 (ja) 2017-02-02

Family

ID=57884641

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2016/071055 Ceased WO2017018258A1 (ja) 2015-07-30 2016-07-15 固体撮像装置及び電子機器

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10559616B2 (ja)
JP (1) JP6957112B2 (ja)
CN (1) CN107924923B (ja)
WO (1) WO2017018258A1 (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108091664A (zh) * 2017-12-13 2018-05-29 德淮半导体有限公司 感光像素单元、图像传感器及制造方法
WO2018190049A1 (en) * 2017-04-11 2018-10-18 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging apparatus
JP2018195719A (ja) * 2017-05-18 2018-12-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および撮像素子の製造方法
CN109387894A (zh) * 2017-08-04 2019-02-26 夏普株式会社 电磁波透射滤波器及电磁波检测装置
WO2019087527A1 (ja) * 2017-10-30 2019-05-09 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び電子機器
WO2019097971A1 (ja) * 2017-11-14 2019-05-23 マッハコーポレーション株式会社 固体撮像素子及びその形成方法
WO2019116646A1 (ja) * 2017-12-14 2019-06-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および撮像装置
WO2020158164A1 (ja) * 2019-02-01 2020-08-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および撮像素子の製造方法
WO2021053952A1 (ja) * 2019-09-17 2021-03-25 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および撮像装置
WO2022019008A1 (ja) * 2020-07-20 2022-01-27 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び電子機器
US11417696B2 (en) * 2018-01-29 2022-08-16 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging element comprising polarization unit with a conductive member as an electrode for a charge holder
WO2022219966A1 (ja) * 2021-04-15 2022-10-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置および電子機器
WO2022270023A1 (ja) * 2021-06-21 2022-12-29 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出器及び電子機器

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10529767B2 (en) * 2015-07-16 2020-01-07 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid state image sensor, fabrication method, and electronic apparatus
JP6697681B2 (ja) * 2016-08-17 2020-05-27 ソニー株式会社 検査装置、検査方法、およびプログラム
KR101841131B1 (ko) * 2016-08-22 2018-03-22 삼성전자주식회사 광학필터 및 이를 이용한 광학 디바이스
JP2019039738A (ja) * 2017-08-24 2019-03-14 セイコーエプソン株式会社 光学モジュール及び電子機器
DE102018124442A1 (de) * 2017-11-15 2019-05-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Polarisatoren für Bildsensorvorrichtungen
WO2020236575A1 (en) * 2019-05-17 2020-11-26 Photon-X, Inc. Spatial phase integrated wafer-level imaging
WO2021016838A1 (zh) * 2019-07-30 2021-02-04 深圳市汇顶科技股份有限公司 图像传感器及其制造方法、芯片及手持装置
US11448891B2 (en) 2019-10-17 2022-09-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Multifunctional collimator for contact image sensors
US11454820B2 (en) * 2019-10-17 2022-09-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Multifunctional collimator for contact image sensors
KR102845551B1 (ko) * 2019-11-04 2025-08-14 삼성전자주식회사 이미지 센서
US11515437B2 (en) * 2019-12-04 2022-11-29 Omnivision Technologies, Inc. Light sensing system and light sensor with polarizer
CN113097236B (zh) 2020-01-08 2024-03-12 联华电子股份有限公司 感光装置
TWI731572B (zh) * 2020-02-06 2021-06-21 友達光電股份有限公司 感光裝置以及感測指紋的方法
JPWO2021261295A1 (ja) * 2020-06-25 2021-12-30
KR20230026027A (ko) 2021-08-17 2023-02-24 삼성전자주식회사 이미지 센서
KR102843333B1 (ko) * 2021-10-28 2025-08-05 삼성전자주식회사 광 필터와 이를 포함하는 이미지 센서 및 전자 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010263021A (ja) * 2009-04-30 2010-11-18 Panasonic Corp 偏光面検波センサー、半導体集積回路及び偏光面検波センサーの制御方法
JP2012080065A (ja) * 2010-09-07 2012-04-19 Sony Corp 固体撮像素子、固体撮像装置、撮像機器、及び、偏光素子の製造方法
JP2014192348A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Sony Corp 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005079338A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置とその製造方法
JP2011258728A (ja) * 2010-06-08 2011-12-22 Sharp Corp 固体撮像素子および電子情報機器
JP2012191136A (ja) * 2011-03-14 2012-10-04 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器
JP2012238632A (ja) * 2011-05-10 2012-12-06 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び、電子機器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010263021A (ja) * 2009-04-30 2010-11-18 Panasonic Corp 偏光面検波センサー、半導体集積回路及び偏光面検波センサーの制御方法
JP2012080065A (ja) * 2010-09-07 2012-04-19 Sony Corp 固体撮像素子、固体撮像装置、撮像機器、及び、偏光素子の製造方法
JP2014192348A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Sony Corp 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器

Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110546763A (zh) * 2017-04-11 2019-12-06 索尼半导体解决方案公司 固态成像装置
WO2018190049A1 (en) * 2017-04-11 2018-10-18 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging apparatus
US11004884B2 (en) 2017-04-11 2021-05-11 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging apparatus
CN110546763B (zh) * 2017-04-11 2024-08-13 索尼半导体解决方案公司 成像器件和电子装置
US11869914B2 (en) 2017-05-18 2024-01-09 Sony Semiconductor Solutions Corporation Image sensor and method for manufacturing image sensor
US11164901B2 (en) 2017-05-18 2021-11-02 Sony Semiconductor Solutions Corporation Image sensor and method for manufacturing image sensor
JP2018195719A (ja) * 2017-05-18 2018-12-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および撮像素子の製造方法
TWI779025B (zh) * 2017-05-18 2022-10-01 日商索尼半導體解決方案公司 影像感測器及用於製造影像感測器之方法
CN110199394A (zh) * 2017-05-18 2019-09-03 索尼半导体解决方案公司 图像传感器及图像传感器的制造方法
CN110199394B (zh) * 2017-05-18 2024-05-14 索尼半导体解决方案公司 图像传感器及图像传感器的制造方法
CN109387894A (zh) * 2017-08-04 2019-02-26 夏普株式会社 电磁波透射滤波器及电磁波检测装置
JP2019032368A (ja) * 2017-08-04 2019-02-28 シャープ株式会社 電磁波透過フィルタ及び電磁波検出装置
JPWO2019087527A1 (ja) * 2017-10-30 2020-11-26 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び電子機器
WO2019087527A1 (ja) * 2017-10-30 2019-05-09 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び電子機器
CN111247794A (zh) * 2017-10-30 2020-06-05 索尼半导体解决方案公司 固态摄像装置和电子设备
US11089246B2 (en) 2017-10-30 2021-08-10 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging device and electronic apparatus
JP7261168B2 (ja) 2017-10-30 2023-04-19 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び電子機器
CN111247794B (zh) * 2017-10-30 2023-03-24 索尼半导体解决方案公司 固态摄像装置和电子设备
JP2019091788A (ja) * 2017-11-14 2019-06-13 マッハコーポレーション株式会社 固体撮像素子及びその形成方法
WO2019097971A1 (ja) * 2017-11-14 2019-05-23 マッハコーポレーション株式会社 固体撮像素子及びその形成方法
JP7078919B2 (ja) 2017-11-14 2022-06-01 マッハコーポレーション株式会社 固体撮像素子及びその形成方法
CN108091664A (zh) * 2017-12-13 2018-05-29 德淮半导体有限公司 感光像素单元、图像传感器及制造方法
WO2019116646A1 (ja) * 2017-12-14 2019-06-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および撮像装置
JP7245170B2 (ja) 2017-12-14 2023-03-23 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および撮像装置
US11646333B2 (en) 2017-12-14 2023-05-09 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging element and imaging device for improving accuracy of polarization information
JPWO2019116646A1 (ja) * 2017-12-14 2020-12-17 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および撮像装置
US11417696B2 (en) * 2018-01-29 2022-08-16 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging element comprising polarization unit with a conductive member as an electrode for a charge holder
WO2020158164A1 (ja) * 2019-02-01 2020-08-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および撮像素子の製造方法
WO2021053952A1 (ja) * 2019-09-17 2021-03-25 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および撮像装置
US12255215B2 (en) 2019-09-17 2025-03-18 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging element and imaging device
WO2022019008A1 (ja) * 2020-07-20 2022-01-27 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び電子機器
WO2022219966A1 (ja) * 2021-04-15 2022-10-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置および電子機器
WO2022270023A1 (ja) * 2021-06-21 2022-12-29 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出器及び電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2017018258A1 (ja) 2018-05-17
US20190006407A1 (en) 2019-01-03
CN107924923B (zh) 2022-03-18
JP6957112B2 (ja) 2021-11-02
US10559616B2 (en) 2020-02-11
CN107924923A (zh) 2018-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6957112B2 (ja) 固体撮像装置及び電子機器
US10425624B2 (en) Solid-state image capturing device and electronic device
JP7218399B2 (ja) 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器
JP6879919B2 (ja) 固体撮像素子、電子機器、及び、固体撮像素子の製造方法
US10535687B2 (en) Solid-state imaging device and electronic apparatus
US10942304B2 (en) Solid-state imaging element, manufacturing method of the same, and electronic device
JP5537905B2 (ja) 撮像素子及び撮像装置
WO2017130728A1 (ja) 固体撮像装置および電子機器
CN108701705B (zh) 固态成像元件及其制造方法和电子设备
CN108352395B (zh) 固态摄像装置和电子设备
US20200235166A1 (en) Solid-state imaging device and electronic apparatus
WO2015198876A1 (ja) 撮像素子、電子機器
US10580816B2 (en) Solid-state imaging device, camera module, and electronic apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16830363

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2017530791

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 16830363

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1