[go: up one dir, main page]

WO2017060658A1 - Circuit optoelectronique a diodes electroluminescentes - Google Patents

Circuit optoelectronique a diodes electroluminescentes Download PDF

Info

Publication number
WO2017060658A1
WO2017060658A1 PCT/FR2016/052607 FR2016052607W WO2017060658A1 WO 2017060658 A1 WO2017060658 A1 WO 2017060658A1 FR 2016052607 W FR2016052607 W FR 2016052607W WO 2017060658 A1 WO2017060658 A1 WO 2017060658A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
conduction
circuit
state
voltage
current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/FR2016/052607
Other languages
English (en)
Inventor
David GRAS
Thomas PEYSSON
Olivier Valorge
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EASII IC
Original Assignee
EASII IC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EASII IC filed Critical EASII IC
Publication of WO2017060658A1 publication Critical patent/WO2017060658A1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/40—Details of LED load circuits
    • H05B45/44—Details of LED load circuits with an active control inside an LED matrix
    • H05B45/48—Details of LED load circuits with an active control inside an LED matrix having LEDs organised in strings and incorporating parallel shunting devices

Definitions

  • the present disclosure relates to a circuit ⁇ opto electronics, in particular an optoelectronic circuit comprising light emitting diodes.
  • an optoelectronic circuit comprising light-emitting diodes with a variable voltage, for example an alternating voltage, in particular a sinusoidal voltage, for example the mains voltage.
  • FIG. 1 shows an exemplary optoelectronic circuit 10 comprising input terminals IN] _ and I3 ⁇ 4 between which is applied an AC voltage V j ⁇ .
  • the optoelectronic circuit 10 further comprises a rectifying circuit 12 comprising a diode bridge 14, receiving the voltage VJ and supplying a rectified voltage V ⁇ LIM which supplies the light-emitting diodes 16, for example connected in series with a resistor 15. called I LIM ⁇ e ⁇ current flowing through the light emitting diodes 16.
  • FIG. 2 is a timing diagram of the supply voltage V V LIM and the supply current I V LIM for an example in which the AC voltage V i corresponds to a sinusoidal voltage.
  • a disadvantage is that as long as the voltage V ⁇ LIM is less than the sum of the threshold voltages of the light-emitting diodes 16, no light is emitted by the optoelectronic circuit 10. An observer can perceive this absence of light emission when the duration of each OFF phase of absence of light emission between two ON phases of light emission is too important. One possibility to increase the duration of each ON phase is to reduce the number of light-emitting diodes 16. A disadvantage is that the electrical power lost in the resistance is important.
  • U.S. Publication 2012/0056559 discloses an optoelectronic circuit in which the number of diodes ⁇ electro luminescent receiving the supply voltage V J gradually increases during a growth phase of the supply voltage and gradually decreases at a decay phase of the supply voltage. This is achieved by a switching circuit adapted to short-circuit a larger or smaller number of light-emitting diodes according to the evolution of the voltage. This reduces the duration of each phase of absence of emission of light.
  • a disadvantage of the optoelectronic circuit described in the publication US 2012/0056559 is that the supply current of the light-emitting diodes does not vary continuously, that is to say that there are sudden interruptions of current flow at during the variation of the voltage. This causes variations over time in the light intensity provided by electroluminescent diodes that can be perceived by an observer. This also causes a deterioration in the harmonic distortion rate of the current supplying the light-emitting diodes of the optoelectronic circuit.
  • An object of an embodiment is to overcome all or part of the disadvantages of the optoelectronic circuits described above.
  • Another object of an embodiment is to reduce the duration of the phases of absence of light emission by the optoelectronic circuit.
  • Another object of an embodiment is that the current supplying the light-emitting diodes varies substantially continuously.
  • Another object of an embodiment is that the current supplying the light-emitting diodes can be continuously monitored by a circuit external to the optoelectronic circuit.
  • an embodiment provides an optoelectronic circuit for receiving a variable voltage containing an alternation of increasing and decreasing positive phases, the optoelectronic circuit comprising:
  • a node connected to each light-emitting diode, among at least some light-emitting diodes of the plurality of light-emitting diodes, by a current conduction circuit adapted to take a state among several states including at least first, second and third states, the electrical resistance the conduction circuit being weaker in the third state than in the second state and being lower in the second state than in the first state; and
  • control module adapted, during each increasing phase and each decreasing phase, to control the passage conduction circuits between at least the first, second and third states.
  • each conduction circuit comprises a metal-oxide gate field effect transistor.
  • the circuit further comprises a first comparator adapted to compare the voltage at said node with a first voltage threshold and the control module comprises a finite state machine connected to the first comparator and adapted during each increasing phase. and of each decreasing phase, controlling the conduction circuits as a function of signals provided by the first comparator.
  • the circuit comprises a second comparator adapted to compare the voltage at said node with a second voltage threshold different from the first voltage threshold, and the control module is further connected to the second comparator and is adapted, when of each increasing phase and each decreasing phase, controlling the conduction circuits as a function of signals provided by the first and second comparators.
  • control module is adapted, during each increasing phase, to control the setting to the first state or the second state of one of the conduction circuits each time the voltage at said node increases above of the first voltage threshold, and is adapted, during each decreasing phase, to control the setting to the second state or the third state of one of the conduction circuits each time the voltage at said node decreases below the second threshold Of voltage.
  • the circuit comprises, for each conduction circuit, a detector of the current flowing through the conduction circuit.
  • the conduction circuits are distributed in increasing ranks from 1 to N according to the order of light emission start of the associated light-emitting diodes. for each increasing and decreasing phase.
  • the control module is adapted, for each conduction circuit of rank i traversed by current, to bring said conduction circuit in one of said states as a function of the currents flowing in the conduction circuits of rank i + 1 to N.
  • each detector comprises a resistor
  • the circuit comprises a current source connected to said node.
  • each detector comprises:
  • At least a first current mirror comprising a first field effect transistor reproducing a portion of the current flowing through the conduction circuit
  • At least one second current mirror comprising a second field effect transistor reproducing a portion of the current supplied by the current source, and connected to the first field effect transistor;
  • At least one signal supply circuit which depends on the potential at the mid-point between the first and second transistors.
  • each light-emitting diode comprises elementary light-emitting diodes in parallel and / or in series.
  • FIG. 1, previously described, is an electrical diagram of an example of an optoelectronic circuit comprising light-emitting diodes
  • FIG. 2 previously described, is a timing diagram of the voltage and the supply current of the light-emitting diodes of the optoelectronic circuit of FIG. 1;
  • FIG. 3 represents an electrical diagram of an embodiment of an optoelectronic circuit comprising light-emitting diodes;
  • FIG. 4 represents an operating diagram of an embodiment of a control method of the optoelectronic circuit represented in FIG. 3;
  • FIG. 5 represents a more detailed embodiment of an element of the optoelectronic circuit represented in FIG. 3;
  • FIGS. 6 and 7 show electrical diagrams of other embodiments of an optoelectronic circuit comprising light-emitting diodes
  • FIGs 8 and 9 show more detailed embodiments of an element of the optoelectronic circuit shown in Figure 7;
  • FIGS. 10 to 12 are power and voltage timing diagrams of the embodiment of the optoelectronic circuit of FIG. 3 during the implementation of the embodiment of the control method illustrated in FIG. 4.
  • a “signal binary” is a signal that alternates between a first constant state, for example a low state, denoted "0", and a second constant state, for example a high state, denoted "1".
  • the high and low states of different binary signals of the same electronic circuit can be different.
  • the binary signals may correspond to voltages or currents that may not be perfectly constant in the high or low state.
  • connection is used to designate a direct electrical connection, without intermediate electronic component, for example by means of a conductive track, and the term “coupled” or the term “connected”, to designate either a direct electrical connection (then meaning "connected") or a connection via one or more intermediate components (resistor, capacitor, etc. .).
  • FIG. 3 represents a circuit diagram of an embodiment of an optoelectronic circuit 20 comprising a switching device for light-emitting diodes.
  • the elements of the optoelectronic circuit 20 common with the optoelectronic circuit 10 are designated by the same references.
  • the optoelectronic circuit 20 includes the rectifier circuit 12 receiving the supply voltage Vj ⁇ between the terminals IN] _ and I3 ⁇ 4 and supplying the rectified voltage V J between nodes A] _ and A2.
  • the circuit 20 can directly receive a rectified voltage, the rectifier circuit may then not be present.
  • the potential at the node A2 may correspond to the low reference potential, for example 0 V, with respect to which the voltages of the optoelectronic circuit 20 are referenced.
  • the optoelectronic circuit 20 comprises N series sets of elementary light-emitting diodes, called global light-emitting diodes Dj_ in the following description, where i is an integer ranging from 1 to N and where N is an integer between 2 and 200.
  • Each global light-emitting diode D 1 to 3 ⁇ 4 comprises at least one elementary light-emitting diode.
  • each global electroluminescent diode is composed of placing in series and / or in parallel at least two elementary light-emitting diodes.
  • the global N LEDs are connected in series, the cathode of the global light-emitting diode Dj being connected to the anode of the overall light-emitting diode D 1 + , for i ranging from 1 to Nl.
  • the anode of the global light-emitting diode D 1 is connected to the node A 1.
  • the global light-emitting diodes D 1, i ranging from 1 to N, can comprise the same number of diodes elemental electroluminescent or different numbers of elementary light-emitting diodes.
  • the optoelectronic circuit 20 comprises a current source 30 or an impedance of which one terminal is connected to the node A2 and whose other terminal is connected to a node A3.
  • the voltage at the terminals of the current source 30 and the current absorbed by the current source 30 are referred to as Vg.
  • the optoelectronic circuit 20 may comprise a circuit, not shown, which provides a reference voltage for the supply of the source. current, possibly obtained from the voltage ⁇ LIM.
  • the current source 30 may have any structure and may in particular correspond to a resistor.
  • the current source 30 can be continuously controlled by a circuit external to the optoelectronic circuit 20.
  • the circuit 20 comprises a device 32 for switching the global light-emitting diodes Dj_, i varying from 1 to N.
  • the device 32 comprises N conduction circuits SW ] _ to Sl%.
  • Each conduction circuit SW-1, i varying from 1 to N is connected between the node A3 and the cathode of the global light-emitting diode D-1.
  • Each circuit SW-1, i varying from 1 to N is controlled by a signal Sj_ supplied by a control module 34.
  • Ij_ the current flowing in the circuit SW-j_.
  • the circuit S1 which protects the current source from overvoltages, may not be controlled by the control module 34 and may still be on or may not be present and the cathode of the overall light emitting diode may be connected to the node A3.
  • the control module 34 may, in whole or in part, be realized by a dedicated circuit or may comprise a microprocessor or a microcontroller adapted to execute a sequence of instructions stored in a memory.
  • each circuit SW-j can operate in K different conduction states, where K is an integer greater than or equal to 3.
  • a conduction state is a state in which the circuit does not let the current pass or let Pass the current with a resistance that can be different depending on the state.
  • the circuit SW-j can operate in at least K1 states in which the circuit SW-1 allows the passage of the current with different electrical resistances according to the signal S 1 and at least one state. in which the electrical resistance of the circuit SW-j_ is the highest, which can correspond to a state in which the circuit SW-j_ prevents the flow of current.
  • the signal Sj_ can then be a signal that can take a plurality of discrete values S -j_] _ Sj_ K, each value of the signal Sj_ controlling one of the states of the switch SW-j_.
  • the state of the circuit SW-j associated with the signal S-j] corresponds to the blocked state in which the circuit SW-1 prevents the current flow and the associated states of the circuit SW-1 respectively.
  • the signals S-j 2 to i ⁇ correspond to the states in which the circuit SW-j has a lower and lower resistance.
  • different values of the signal Sj_ can control the same conduction state of the circuit SW-j_.
  • the optoelectronic circuit 20 comprises a first comparator 36, for example an operational amplifier mounted as a comparator, providing a signal DOWN to the control module 34, whose non-inverting input (+) is connected to the node A3 and whose inverting input ( -) receives a voltage threshold V Q QW provided by a circuit 38.
  • the comparator 36 provides the DOWN signal in two states.
  • the signal DOWN is set to the first state, for example "0", when the voltage Vcg is lower than the voltage threshold Q QWN-
  • the signal DOWN is set to the second state, for example "1", when the voltage Vg is greater than voltage threshold Q QWN-
  • the optoelectronic circuit 20 comprises a second comparator 40, for example an operational amplifier mounted as a comparator, supplying a signal UP to the control module 34, whose inverting input (-) is connected to the node A3 and whose the non-inverting (+) input receives a voltage threshold V] j p provided by a circuit 42.
  • the comparator 40 provides the two-state UP signal.
  • the signal UP is set to the first state, for example "0", when the voltage Vcg is greater than the voltage threshold Vj j p.
  • the signal UP is put in the second state, for example "1", when the voltage Vcg is lower than the voltage threshold Vj j p, the voltage V] j p being lower than the voltage v DO -
  • Each circuit SW-j_ is, for example, based on at least one transistor, in particular a field effect transistor with a metal-oxide gate or MOS transistor, enriched or depleted.
  • each conduction circuit SW-j_ corresponds to a MOS transistor, for example an N-channel transistor, the drain of which is connected to the cathode of the global light-emitting diode Dj_, the source of which is connected to the node A3 and whose the gate receives the signal Sj_.
  • the transistor SW-j may operate in more than two states including a locked state and at least two different conduction states.
  • the conduction circuit SW-j_ comprises two MOS transistors, for example N-channel, between the cathode of the global light emitting diode Dj_ and the node A3, the transistor connected to the global light-emitting diode Dj_ being a high voltage transistor mounted in cascode and the transistor connected to the node A3 is a low voltage transistor controlled by the signal Sj_.
  • FIG. 4 represents, in the form of an operating diagram, an embodiment of a method for controlling the conduction circuits SW-j by the control module 34. The method starts at step 50.
  • Step 50 corresponds to an initialization step, for example at the start of the optoelectronic circuit 20, that is to say when the optoelectronic circuit 20 is turned on.
  • the control module 34 supplies the signals Sj_ to the state Sj, that is to say that all the circuits of conduction SW-j_ are in the state where their resistance is the strongest.
  • the process continues in step 52.
  • step 52 the control module 34 maintains the supply of signals Sj_ at the last determined value as long as the control module 34 receives the signals DOWN and UP at "0".
  • the initialization step no current flowing in the global light emitting diodes D ] _ to 3 ⁇ 4, the voltage Vcg is naturally pulled towards 0 V, and is therefore lower than the voltage V] j p, so that the signal UP goes to "1".
  • step 54 the control module 34 receives a signal
  • step 56 the control module 34 modifies the values of the signals Sj_ so as to increase the voltage Vcg.
  • the conduction circuits SW] _ SW-j __] _ are in the OFF state, the conduction circuits SWj_ +] _ to Sl are the most passing conduction state and the conduction circuit SW in one of the passing states, an increase of the voltage VQ2 can be obtained, in the case where the conduction state of the circuit SW-j is not the most conducting state, by modifying the conduction state of the conduction circuit SW-j_ to increase the conduction, or, if the conduction state of the circuit SW-j_ is the most conducting state, by modifying the state of the circuit SW-j __] _ for put it in its least conductive state.
  • step 58 the control module 34 receives a signal
  • step 60 the control module 34 modifies the values of the signals Sj_ so as to decrease the voltage Vcg.
  • the conduction circuits SW] _ SW-j __] _ non loops that the conduction circuits SWj_ +] _ to Sl are the most passing conduction state and the conduction circuit is in SWj_ one of the passing states
  • a decrease of the voltage VQ2 can be obtained by changing the conduction state of the conduction circuit SW-j_ to reduce the conduction. If the circuit When the conduction circuit SW-j_ is in the off state, the state of the conduction circuit SW-j_ + ] _ is modified to make the latter less conductive. The process then continues at step 52.
  • the module 34 When the voltage Vcg increases above the voltage threshold V " D0W ', the module 34 then controls the passage of the conduction circuit with the lowest index among the passing conduction circuits to a state of less and less passing each time. that the voltage Vcg increases beyond the voltage v DOW until it reaches the off state.
  • V " ALIM decreases from a maximum positive value, greater than the sum of the threshold voltages of the light emitting diodes D] _ to 3 ⁇ 4 [ , the conduction circuits SW-j_, i varying from 1 to Nl, are in the non-conducting state
  • the module 34 controls the passage of the conduction path of the highest index among the conductive circuits which are not in the most moving state to a state of increasing each time that the voltage Vcg decreases below the voltage threshold V] j p until it reaches the most conductive conduction state.
  • the embodiment of the SW-j_ switch control method described above does not depend on the number of elementary light-emitting diodes that make up each global light-emitting diode D-j and therefore does not depend on the threshold voltage of each diode. ⁇ overall electro luminescent.
  • FIG. 5 shows a more detailed embodiment of the control module 34.
  • the control module 34 comprises a finite number state machine (FSM), also called a finite state machine, at K * N states receiving the signals DOWN and UP and providing a digital signal Qj_ for each conduction circuit SW-j_.
  • FSM finite number state machine
  • the state machine 70 can operate on UP and DOWN edges.
  • Each value of the digital signal Qj_ codes for one of the K conduction circuit states SW-j_.
  • the control module 34 further comprises a decoder 72 (decode) for each conduction circuit SW-j, i varying from 1 to N, each decoder 72 receiving the digital signal Qj_ and providing a digital signal Q'j_.
  • the control module 34 further comprises a digital-to-analog converter 74 (DAC) for each conduction circuit SW-i, i varying from 1 to N, for example of the pulse width modulation type or a network which subdivides a voltage into a plurality of intermediate voltages, each digital-to-analog converter 74 receiving the digital signal Q'j and providing the signal Sj.
  • the decoder 72-j_ makes it possible to supply a digital signal Q'j_ adapted to the operation of the associated 74-j_ digital / analog converter.
  • the number of bits of the signals Qj_ and Q'j_ depends on the type of coding used and the accuracy of the digital-to-analog converter 74-j_.
  • the controller uses a finite 70 COUNT counter comprising N * (K) bits and equal to the concatenation of signals Q] _ and to each digital signal Qj_ comprises (K) bits.
  • a finite 70 COUNT counter comprising N * (K) bits and equal to the concatenation of signals Q] _ and to each digital signal Qj_ comprises (K) bits.
  • the state machine 70 increments the counter COMPT upon receipt of a signal UP at "1"; if all the bits are set to "1", the counter remains in its state.
  • the state machine 70 decrements the counter COMPT upon receipt of a signal DOWN at "1”; if all the bits are set to "0", the counter remains in its state.
  • the maximum voltages applied to the electronic components, in particular the MOS transistors, comparators 36, 40 remain low compared with the maximum value that the voltage V L may take. It is then not necessary to provide, for the comparators 36, 40, electronic components that can support the maximum value that can take the voltage VALIM -
  • FIG. 6 represents a circuit diagram of another embodiment of an optoelectronic circuit 75 comprising all the elements of the optoelectronic circuit 20 with the exception of the comparator 40 and the circuit 42 for supplying the voltage threshold V] j p who are not present.
  • the optoelectronic circuit 75 further comprises an inverter 76 receiving the signal DOWN and supplying the control module 34 with the signal DOWNb which is complementary to the signal DOWN.
  • the signal DOWNb is equivalent to the signal UP described above for the optoelectronic circuit 20 and can be supplied to the input of the control module 34 which, for the optoelectronic circuit 20, receives the signal UP.
  • the control module 34 may have the structure described above in relation to FIG. 5.
  • control module 34 may comprise a state machine 70 operating as has been previously described in connection with FIG. Figure 4.
  • the comparator 36 may be a hysteresis comparator.
  • the comparator 36 of the optoelectronic circuit 75 is replaced by a Schmitt flip-flop, having two intrinsic threshold voltages "L and VJJ, receiving the voltage Vcg and supplying the signal DOWN.
  • the signal DOWN remains in the state “0” until the voltage Vcg exceeds the voltage threshold V.sub.i At this moment, the signal DOWN goes to the state “1”
  • the signal DOWN remains in the state “1” until the voltage V Vg becomes lower than the voltage threshold V.sub.i At this moment, the signal DOWN goes to the state "0.
  • the signal DOWN remains at the state “0” until the voltage Vcg returns above the voltage threshold
  • FIG. 7 represents a circuit diagram of another embodiment of an optoelectronic circuit 80 comprising all the elements of the optoelectronic circuit 20 represented in FIG. 3 with the exception of comparators 36 and 40 and circuits 38 and 42 of FIG.
  • the supply of voltages VQQ N and V UP are not present and furthermore comprise, for each conduction circuit SW-j, a CT-j_ sensor of the current flowing through the conduction circuit SW-j.
  • the sensor CT-j_ is mounted between the node A3 and the conduction circuit SW-j_.
  • Each sensor CT-j_ provides at least one signal M-j_ to the control module 34 which indicates whether a current Ij_ or not passes through the conduction circuit SW-j_ and which optionally provides information as to the intensity of the current.
  • the signal M 1 can be a binary signal at a first level, for example "0", when no current I 1 passes through the conduction circuit SW 1 and at a second level, for example "1". when a current Ij_ passes through the conduction circuit SW-j_.
  • An advantage of the optoelectronic circuit 80 is that it makes it possible to detect in which conduction circuit SW-j_ a current flows.
  • control signal Sj_ of the conduction circuit SW-j_ is determined in the following manner by the control circuit 34. If a current is detected in at least one of the conduction circuits SW-j_ + 2 at Sl%, then the conduction circuit SW-j_ is turned off (control signal Sj_ at the value Sj_ ] _).
  • the conduction circuit SW-j_ is switched on having an intermediate electrical resistance (control signal Sj_ at value Sj_ 2) ⁇ If no current is detected in at least one of the conduction circuits SW-j_ +] _ to Sl%, then the conduction circuit SW-j_ is turned on with the lowest electrical resistance (control signal Sj_ at the value S-j_ 3).
  • the embodiment of the control method of the conduction circuits SW-j_ by the control module 34 described above makes it possible to avoid oscillation between the openings and the closings of two successive conduction circuits.
  • an overlap between the opening / closing phases of two successive conduction circuits is obtained, which makes it possible to avoid interruption of the flow of current in the optoelectronic circuit 20.
  • FIG. 8 shows an embodiment of the CT-j_ current sensor in which the current sensor CT-j_ comprises a resistor 82 -j_ connecting the node A3 to the conduction circuit SW-j_ and a comparator 84-j_, for example an operational amplifier mounted as a comparator, supplying the signal M-j, whose non-inverting input (+) is connected to one of the terminals of the resistor 82_ and whose inverting input (-) is connected to the other terminal of the resistance 82j_.
  • the current sensor CT-j_ comprises a resistor 82 -j_ connecting the node A3 to the conduction circuit SW-j_ and a comparator 84-j_, for example an operational amplifier mounted as a comparator, supplying the signal M-j, whose non-inverting input (+) is connected to one of the terminals of the resistor 82_ and whose inverting input (-) is connected to the other terminal of the resistance 82j_.
  • FIG. 9 shows another embodiment of the CT-j_ current sensor.
  • the conduction circuit SW-j is represented, by way of example, by an N-channel MOS transistor.
  • the current sensor CT-j comprises a MOS transistor 86, example P-channel, diode-mounted, whose source is connected to the source of the conduction circuit SW-j_, whose drain is connected to the node A3, and whose gate is connected to the drain.
  • the CT-j_ current sensor further comprises at least one first current mirror formed by the MOS transistor 86 j and a MOS transistor 88 j, for example P-channel, the source of which is connected to the source of the circuit. conduction SW-j_ and whose gate is connected to the gate of transistor 86j_.
  • the ratio between the channel width of the transistor 86j and the channel width of the transistor 88j is denoted Fl.
  • the intensity of the current detec 1 able to pass through the transistor 88 is equal to the intensity of the current I'i, divided by F1.
  • the CTj_ current sensor further comprises a second current mirror formed by the MOS transistor 86 j _ and a MOS transistor 90 j _, for example P-channel having its source connected to the source of the conduction circuit SW-j_, and whose gate is connected to the gate of the transistor 86j_.
  • the ratio of the channel width of transistor 86 1 to the channel width of transistor 90 is F 2.
  • the intensity of the current Idetec 2 able to cross the transistor 90j_ is equal to the intensity of the current I'i, divided by F2.
  • the current source 30 comprises a current mirror formed by a MOS transistor 92, for example N-channel, whose drain receives a reference current IREF 'whose source is connected to the node A2, and whose gate is connected to the drain, and by a MOS transistor 94, for example N-channel, whose drain is connected to the node A3, whose source is connected to the node A2, and whose gate is connected to the gate of the transistor 92.
  • the current flowing through transistor 94 is traversed by the current I Q s 'circulating in the overall light emitting diodes Dj_, which is equal to IREF s ⁇ i - are transistors 92 and 94 have the same channel width and are saturated.
  • the CT-j_ current sensor comprises a third current mirror formed by the MOS transistor 92 and by a MOS transistor 96j_, for example N-channel, whose drain is connected to the drain of the transistor 88j_, the source of which is connected to the node A2 and whose the gate is connected to the gate of transistor 92.
  • the ratio between the width of the channel of transistor 94 and the width of the channel of transistor 96j is denoted by F3.
  • the CT-j_ current sensor comprises a fourth current mirror formed by the MOS transistor 92 and by a MOS transistor 98j_, for example N-channel, whose drain is connected to the drain of the transistor 90-j_, the source of which is connected.
  • the CT-j_ current sensor comprises a comparator 100j_, for example a Schmitt flip-flop, the input of which is connected to the drain of the transistor 96j_ and which supplies a signal VS O to the control module 34 and a comparator 102-j_, by For example, a Schmitt trigger, the input of which is connected to the drain of the transistor 98j and which supplies a signal VST1 to the control module 34.
  • a comparator 100j_ for example a Schmitt flip-flop, the input of which is connected to the drain of the transistor 96j_ and which supplies a signal VS O to the control module 34
  • a comparator 102-j_ by For example, a Schmitt trigger, the input of which is connected to the drain of the transistor 98j and which supplies a signal VST1 to the control module 34.
  • the signal VTST0 / VTST1 is "0" or "1".
  • the drain-source voltages of the transistors 96j_ and 98j_ are substantially zero and the signals VTST0 and VTST1 are, for example, at "0".
  • the level of the input potential of the comparator 100 (respectively 102 -j_) is imposed by the transistor 88j_ or 96j_ (respectively 90j_ or 98j_) whose resistance in the on state is the lowest.
  • the on-state resistance of the transistor 88j becomes lower than that of the transistor 96j (respectively 98j) so that the potential at the input of the comparator 100 (respectively 102 -j_) rises and the signal VTST0 (respectively VTST1) goes to "1".
  • the ratio between the factors F1 and F3 defined previously are chosen so that the level of the signal VTST0 (respectively VTST1) switches when the intensity of the current Ij_ exceeds a given threshold.
  • the CT-j_ sensor therefore makes it possible to measure two current intensity thresholds I-; .
  • the embodiment shown in FIG. 9 makes it possible to compare the intensity of the current Ij with two current thresholds. Alternatively, only one or more detection thresholds may be provided.
  • the embodiment of the CT-j sensor shown in FIG. 9 advantageously makes it possible to reduce the voltage drop due to the CT-j_ sensor. It also makes it possible to define current thresholds proportional to the current I sg flowing in the light-emitting diodes and in the transistor 94. The number of current detection levels also makes it possible to increase the number of conduction states of the conduction circuits SW i. .
  • FIG. 10 represents timing diagrams, obtained by simulation, of the power AL ALIM supplied by the rectifier circuit 12, of the power PLED used by the light-emitting diodes D 1 to 3 ⁇ 4, of the voltage V cg, of the voltage thresholds VQQW and V UP 'and UP and DOWN signals and S1 and S2 signals for the optoelectronic circuit 20 as shown in Figure 3.
  • Figures 11 and 12 each correspond to a portion of Figure 10 to an enlarged time scale.
  • the supply voltage corresponded to the voltage of the rectified sector.
  • the conduction circuits SW-1 were conduction state circuits.
  • the threshold voltage VQ Q W was equal to 4 V and the voltage threshold V] j p was 2 V.
  • the peaks appear in the rising phase of the PI supply voltage V ⁇ J correspond to brief passages of the DOWN signal at "1" and the peaks appearing in the down phase PII of the supply voltage VALIM correspond to brief passages of the signal UP at "1".
  • each conduction circuit SW-j corresponds to a non-conducting state
  • these embodiments can also be implemented with a conduction circuit SW-j_ for which the least electrically conductive state nevertheless corresponds to a state in which current flows through the circuit SW-j_, for example a current whose intensity is less than or equal to the theoretical limit which is the maximum intensity inducing a power in the conduction circuit SW-j_ can be dissipated without causing malfunction thereof.

Landscapes

  • Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)

Abstract

L'invention concerne un circuit optoélectronique (20) destiné à recevoir une tension variable (VALIM) contenant une alternance de phases positives croissantes et décroissantes, le circuit optoélectronique comprenant : une pluralité de diodes électroluminescentes (Di) montées en série; un noeud (A3) relié à chaque diode électroluminescente (Di), parmi au moins certaines diodes électroluminescentes de la pluralité de diodes électroluminescentes, par un circuit de conduction (SWi) du courant adapté à prendre un état parmi plusieurs états dont au moins des premier, deuxième et troisième états, la résistance électrique du circuit de conduction étant plus faible dans le troisième état que dans le deuxième état et étant plus faible dans le deuxième état que dans le premier état; et un module de commande (34) adapté, lors de chaque phase croissante et de chaque phase décroissante, à commander le passage des circuits de conduction entre au moins les premier, deuxième et troisième états.

Description

CIRCUIT OPTOELECTRONIQUE A DIODES ELECTROLUMINESCENTES
La présente demande de brevet revendique la priorité de la demande de brevet français FR15/59618 qui sera considérée comme faisant partie intégrante de la présente description.
Domaine
La présente description concerne un circuit opto¬ électronique, notamment un circuit optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes.
Exposé de 1 ' art antérieur
Il est souhaitable de pouvoir alimenter un circuit optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes avec une tension variable, par exemple alternative, notamment une tension sinusoïdale, par exemple la tension du secteur.
La figure 1 représente un exemple de circuit optoélectronique 10 comprenant des bornes d'entrée IN]_ et I¾ entre lesquelles est appliquée une tension alternative Vj^. Le circuit optoélectronique 10 comprend, en outre, un circuit redresseur 12 comportant un pont de diodes 14, recevant la tension VJ et fournissant une tension V^LIM redressée qui alimente des diodes électroluminescentes 16, par exemple montées en série avec une résistance 15. On appelle I^LIM ^e courant traversant les diodes électroluminescentes 16. La figure 2 est un chronogramme de la tension d'alimentation V^LIM et du courant d'alimentation I^LIM pour un exemple dans lequel la tension alternative Vj^ correspond à une tension sinusoïdale. Lorsque la tension V^J est supérieure à la somme des tensions de seuil des diodes électroluminescentes 16, les diodes électroluminescentes 16 deviennent passantes. Le courant d'alimentation I^LIM suit alors la tension d'alimentation V"ALIM- Il y a donc une alternance de phases OFF d'absence d'émission de lumière et de phases ON d'émission de lumière.
Un inconvénient est que tant que la tension V^LIM est inférieure à la somme des tensions de seuil des diodes électroluminescentes 16, aucune lumière n'est émise par le circuit optoélectronique 10. Un observateur peut percevoir cette absence d'émission de lumière lorsque la durée de chaque phase OFF d'absence d'émission de lumière entre deux phases ON d'émission de lumière est trop importante. Une possibilité pour augmenter la durée de chaque phase ON est de diminuer le nombre de diodes électroluminescentes 16. Un inconvénient est alors que la puissance électrique perdue dans la résistance est importante.
La publication US 2012/0056559 décrit un circuit optoélectronique dans lequel le nombre de diodes électro¬ luminescentes recevant la tension d'alimentation V^J augmente progressivement lors d'une phase de croissance de la tension d'alimentation et diminue progressivement lors d'une phase de décroissance de la tension d'alimentation. Ceci est réalisé par un circuit de commutation adapté à court-circuiter un nombre plus ou moins important de diodes électroluminescentes en fonction de l'évolution de la tension ^J - Ceci permet de réduire la durée de chaque phase d'absence d'émission de lumière.
Un inconvénient du circuit optoélectronique décrit dans la publication US 2012/0056559 est que le courant d'alimentation des diodes électroluminescentes ne varie pas de façon continue, c'est-à-dire qu'il y a de brusques interruptions de circulation du courant au cours de la variation de la tension. Ceci entraîne des variations dans le temps de l'intensité lumineuse fournie par les diodes électroluminescentes qui peuvent être perçues par un observateur. Ceci entraîne, en outre, une dégradation du taux de distorsion harmonique du courant alimentant les diodes électroluminescentes du circuit optoélectronique.
Résumé
Un objet d'un mode de réalisation est de pallier tout ou partie des inconvénients des circuits optoélectroniques décrits précédemment .
Un autre objet d'un mode de réalisation est de réduire la durée des phases d'absence d'émission de lumière par le circuit optoélectronique .
Un autre objet d'un mode de réalisation est que le courant alimentant les diodes électroluminescentes varie de façon sensiblement continue.
Un autre objet d'un mode de réalisation est que le courant alimentant les diodes électroluminescentes puisse être contrôlé de manière continue par un circuit extérieur au circuit optoélectronique .
Ainsi, un mode de réalisation prévoit un circuit optoélectronique destiné à recevoir une tension variable contenant une alternance de phases positives croissantes et décroissantes, le circuit optoélectronique comprenant :
une pluralité de diodes électroluminescentes montées en série ;
un noeud relié à chaque diode électroluminescente, parmi au moins certaines diodes électroluminescentes de la pluralité de diodes électroluminescentes, par un circuit de conduction du courant adapté à prendre un état parmi plusieurs états dont au moins des premier, deuxième et troisième états, la résistance électrique du circuit de conduction étant plus faible dans le troisième état que dans le deuxième état et étant plus faible dans le deuxième état que dans le premier état ; et
un module de commande adapté, lors de chaque phase croissante et de chaque phase décroissante, à commander le passage des circuits de conduction entre au moins les premier, deuxième et troisième états.
Selon un mode de réalisation, chaque circuit de conduction comprend un transistor à effet de champ à grille métal- oxyde .
Selon un mode de réalisation, le circuit comprend, en outre, un premier comparateur adapté à comparer la tension audit noeud à un premier seuil de tension et le module de commande comprend un automate fini relié au premier comparateur et adapté, lors de chaque phase croissante et de chaque phase décroissante, à commander les circuits de conduction en fonction de signaux fournis par le premier comparateur.
Selon un mode de réalisation, le circuit comprend un deuxième comparateur adapté à comparer la tension audit noeud à un deuxième seuil de tension différent du premier seuil de tension et le module de commande est, en outre, relié au deuxième comparateur et est adapté, lors de chaque phase croissante et de chaque phase décroissante, à commander les circuits de conduction en fonction de signaux fournis par les premier et deuxième comparateurs .
Selon un mode de réalisation, le module de commande est adapté, lors de chaque phase croissante, à commander la mise au premier état ou au deuxième état de l'un des circuits de conduction à chaque fois que la tension audit noeud croît au-dessus du premier seuil de tension, et est adapté, lors de chaque phase décroissante, à commander la mise au deuxième état ou au troisième état de l'un des circuits de conduction à chaque fois que la tension audit noeud décroît au-dessous du deuxième seuil de tension.
Selon un mode de réalisation, le circuit comprend, pour chaque circuit de conduction, un détecteur du courant traversant le circuit de conduction.
Selon un mode de réalisation, les circuits de conduction sont répartis par rangs croissants de 1 à N selon l'ordre de début d'émission de lumière des diodes électroluminescentes associées pour chaque phase croissante et décroissante. Le module de commande est adapté, pour chaque circuit de conduction de rang i traversé par du courant, à amener ledit circuit de conduction dans l'un desdits états en fonction des courants circulant dans les circuits de conduction de rang i+1 à N.
Selon un mode de réalisation, chaque détecteur comprend une résistance.
Selon un mode de réalisation, le circuit comprend une source de courant reliée audit noeud.
Selon un mode de réalisation, chaque détecteur comprend :
au moins un premier miroir de courant comprenant un premier transistor à effet de champ reproduisant une partie du courant traversant le circuit de conduction ;
au moins un deuxième miroir de courant comprenant un deuxième transistor à effet de champ reproduisant une partie du courant fourni par la source de courant, et relié au premier transistor à effet de champ ; et
au moins un circuit de fourniture d'un signal qui dépend du potentiel au point milieu entre les premier et deuxième transistors .
Selon un mode de réalisation, chaque diode électroluminescente comprend des diodes électroluminescentes élémentaires en parallèle et/ou en série.
Brève description des dessins
Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles :
la figure 1, décrite précédemment, est un schéma électrique d'un exemple d'un circuit optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes ;
la figure 2, décrite précédemment, est un chronogramme de la tension et du courant d'alimentation des diodes électroluminescentes du circuit optoélectronique de la figure 1 ; la figure 3 représente un schéma électrique d'un mode de réalisation d'un circuit optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes ;
la figure 4 représente un diagramme de fonctionnement d'un mode de réalisation d'un procédé de commande du circuit optoélectronique représenté en figure 3 ;
la figure 5 représente un mode de réalisation plus détaillé d'un élément du circuit optoélectronique représenté en figure 3 ;
les figures 6 et 7 représentent des schémas électriques d'autres modes de réalisation d'un circuit optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes ;
les figures 8 et 9 représentent des modes de réalisation plus détaillés d'un élément du circuit optoélectronique représenté en figure 7 ; et
les figures 10 à 12 sont des chronogrammes de puissances et de tensions du mode de réalisation du circuit optoélectronique de la figure 3 lors de la mise en oeuvre du mode de réalisation du procédé de commande illustré en figure 4.
Description détaillée
Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. Sauf précision contraire, les expressions "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. De plus, on appelle "signal binaire" un signal qui alterne entre un premier état constant, par exemple un état bas, noté "0", et un deuxième état constant, par exemple un état haut, noté "1". Les états haut et bas de signaux binaires différents d'un même circuit électronique peuvent être différents. En pratique, les signaux binaires peuvent correspondre à des tensions ou à des courants qui peuvent ne pas être parfaitement constants à l'état haut ou bas. Par ailleurs, dans la présente description, on utilise le terme "connecté" pour désigner une liaison électrique directe, sans composant électronique intermédiaire, par exemple au moyen d'une piste conductrice, et le terme "couplé" ou le terme "relié", pour désigner soit une liaison électrique directe (signifiant alors "connecté") soit une liaison via un ou plusieurs composants intermédiaires (résistance, condensateur, etc.).
La figure 3 représente un schéma électrique d'un mode de réalisation d'un circuit optoélectronique 20 comprenant un dispositif de commutation de diodes électroluminescentes. Les éléments du circuit optoélectronique 20 communs avec le circuit optoélectronique 10 sont désignés par les mêmes références. En particulier, le circuit optoélectronique 20 comprend le circuit redresseur 12 recevant la tension d'alimentation Vj^ entre les bornes IN]_ et I¾ et fournissant la tension V^J redressée entre des noeuds A]_ et A2. A titre de variante, le circuit 20 peut recevoir directement une tension redressée, le circuit redresseur pouvant alors ne pas être présent. Le potentiel au noeud A2 peut correspondre au potentiel de référence bas, par exemple 0 V, par rapport auquel sont référencées les tensions du circuit optoélectronique 20.
Le circuit optoélectronique 20 comprend N ensembles en série de diodes électroluminescentes élémentaires, appelés diodes électroluminescentes globales Dj_ dans la suite de la description, où i est un nombre entier variant de 1 à N et où N est un nombre entier compris entre 2 et 200. Chaque diode électroluminescente globale D]_ à ¾ comprend au moins une diode électroluminescente élémentaire. De préférence, chaque diode électroluminescente globale est composée de la mise en série et/ou en parallèle d'au moins deux diodes électroluminescentes élémentaires . Dans le présent exemple, les N diodes électroluminescentes globales Dj_ sont connectées en série, la cathode de la diode électroluminescente globale Dj_ étant reliée à l'anode de la diode électroluminescente globale D-j_+]_, pour i variant de 1 à N-l. L'anode de la diode électroluminescente globale D]_ est reliée au noeud A]_ . Les diodes électroluminescentes globales D-j_, i variant de 1 à N, peuvent comprendre le même nombre de diodes électroluminescentes élémentaires ou des nombres différents de diodes électroluminescentes élémentaires.
Le circuit optoélectronique 20 comprend une source de courant 30 ou une impédance dont une borne est reliée au noeud A2 et dont l'autre borne est reliée à un noeud A3 . On appelle Vçg la tension aux bornes de la source de courant 30 et Içg le courant absorbé par la source de courant 30. Le circuit optoélectronique 20 peut comprendre un circuit, non représenté, qui fournit une tension de référence pour l'alimentation de la source de courant, éventuellement obtenue à partir de la tension ^LIM. La source de courant 30 peut avoir une structure quelconque et peut notamment correspondre à une résistance. La source de courant 30 peut être commandée de manière continue par un circuit externe au circuit optoélectronique 20.
Le circuit 20 comprend un dispositif 32 de commutation des diodes électroluminescentes globales Dj_, i variant de 1 à N. A titre d'exemple, le dispositif 32 comprend N circuits de conduction SW]_ à Sl%. Chaque circuit de conduction SW-j_, i variant de 1 à N, est monté entre le noeud A3 et la cathode de la diode électroluminescente globale D-j_. Chaque circuit SW-j_, i variant de 1 à N, est commandé par un signal Sj_ fourni par un module de commande 34. Pour i variant de 1 à N, on appelle Ij_ le courant circulant dans le circuit SW-j_ . A titre de variante, le circuit Sl , qui protège la source de courant 30 des surtensions, peut ne pas être commandé par le module de commande 34 et être toujours passant ou peut ne pas être présent et la cathode de la diode électroluminescente globale peut être connectée au noeud A3 . Le module de commande 34 peut, en totalité ou en partie, être réalisé par un circuit dédié ou peut comprendre un microprocesseur ou un microcontrôleur adapté à exécuter une suite d'instructions stockées dans une mémoire.
Selon un mode de réalisation, chaque circuit SW-j_ peut fonctionner dans K états de conduction différents, où K est un entier supérieur ou égal à 3. Un état de conduction est un état dans lequel le circuit ne laisse pas passer le courant ou laisse passer le courant avec une résistance qui peut être différente selon l'état considéré. Parmi les K états de conduction du circuit SW-j_, le circuit SW-j_ peut fonctionner dans au moins K-l états dans lesquels le circuit SW-j_ permet le passage du courant avec des résistances électriques différentes selon le signal Sj_ et au moins un état, dans lequel la résistance électrique du circuit SW-j_ est la plus élevée, qui peut correspondre à un état dans lequel le circuit SW-j_ empêche le passage du courant. Le signal Sj_ peut alors être un signal pouvant prendre plusieurs valeurs discrètes S-j_ ]_ à Sj_ K, chaque valeur du signal Sj_ commandant l'un des états de l'interrupteur SW-j_ . A titre d'exemple, l'état du circuit SW-j_ associé au signal S-j_ ]_ correspond à l'état bloqué dans lequel le circuit SW-j_ empêche la circulation de courant et les états du circuit SW-j_ associés respectivement aux signaux S-j_ 2 à i κ correspondent aux états dans lequel le circuit SW-j_ a une résistance de plus en plus faible. A titre de variante, différentes valeurs du signal Sj_ peuvent commander un même état de conduction du circuit SW-j_ .
Le circuit optoélectronique 20 comprend un premier comparateur 36, par exemple un amplificateur opérationnel monté en comparateur, fournissant un signal DOWN au module de commande 34, dont l'entrée non inverseuse (+) est reliée au noeud A3 et dont l'entrée inverseuse (-) reçoit un seuil de tension VQQW fourni par un circuit 38. Selon un mode de réalisation, le comparateur 36 fournit le signal DOWN à deux états. Le signal DOWN est mis au premier état, par exemple "0", lorsque la tension Vçg est inférieure au seuil de tension QQWN- Le signal DOWN est mis au second état, par exemple "1", lorsque la tension Vçg est supérieure au seuil de tension QQWN- Le circuit optoélectronique 20 comprend un deuxième comparateur 40, par exemple un amplificateur opérationnel monté en comparateur, fournissant un signal UP au module de commande 34, dont l'entrée inverseuse (-) est reliée au noeud A3 et dont l'entrée non inverseuse (+) reçoit un seuil de tension V]jp fourni par un circuit 42. Selon un mode de réalisation, le comparateur 40 fournit le signal UP à deux états. Le signal UP est mis au premier état, par exemple "0", lorsque la tension Vçg est supérieure au seuil de tension Vjjp. Le signal UP est mis au second état, par exemple "1", lorsque la tension Vçg est inférieure au seuil de tension Vjjp, la tension V]jp étant inférieure à la tension vDO -
Chaque circuit SW-j_ est, par exemple, à base d'au moins un transistor, notamment un transistor à effet de champ à grille métal-oxyde ou transistor MOS, à enrichissement ou à appauvrissement.
Selon un mode de réalisation, chaque circuit de conduction SW-j_ correspond à un transistor MOS, par exemple à canal N, dont le drain est relié à la cathode de la diode électroluminescente globale Dj_, dont la source est reliée au noeud A3 et dont la grille reçoit le signal Sj_. Le transistor SW-j_ peut fonctionner selon plus de deux états dont un état bloqué et au moins deux états de conduction différents. Selon un autre mode de réalisation, le circuit de conduction SW-j_ comprend deux transistors MOS, par exemple à canal N, entre la cathode de la diode électroluminescente globale Dj_ et le noeud A3, le transistor connecté à la diode électroluminescente globale Dj_ étant un transistor haute tension monté en cascode et le transistor connecté au noeud A3 étant un transistor basse tension commandé par le signal Sj_. Ceci permet avantageusement d'augmenter la vitesse de commutation du circuit de conduction SW-j_ .
La figure 4 représente, sous la forme d'un diagramme de fonctionnement, un mode de réalisation d'un procédé de commande des circuits de conduction SW-j_ par le module de commande 34. Le procédé débute à l'étape 50.
L'étape 50 correspond à une étape d'initialisation, par exemple au démarrage du circuit optoélectronique 20, c'est-à-dire à la mise sous tension du circuit optoélectronique 20. A titre d'exemple, à l'étape 50, le module de commande 34 fournit les signaux Sj_ à l'état Sj_ c'est-à-dire que tous les circuits de conduction SW-j_ sont dans l'état où leur résistance est la plus forte. Le procédé se poursuit à l'étape 52.
A l'étape 52, le module de commande 34 maintient la fourniture des signaux Sj_ à la dernière valeur déterminée tant que le module de commande 34 reçoit les signaux DOWN et UP à "0". A l'étape d'initialisation, aucun courant ne circulant dans les diodes électroluminescentes globales D]_ à ¾, la tension Vçg est naturellement tirée vers 0 V, et est donc inférieure à la tension V]jp, de sorte que le signal UP passe à "1".
A l'étape 54, le module de commande 34 reçoit un signal
UP à "1". Ceci signifie que la tension Vçg a diminué au-dessous de "up. Le procédé se poursuit à l'étape 56.
A l'étape 56, le module de commande 34 modifie les valeurs des signaux Sj_ de façon à faire augmenter la tension Vçg. Lorsque les circuits de conduction SW]_ à SW-j__]_ sont à l'état non passant, que les circuits de conduction SWj_+]_ à Sl sont à l'état de conduction le plus passant et que le circuit de conduction SW-j_ est dans l'un des états passants, une augmentation de la tension VQ2 peut être obtenue, dans le cas où l'état de conduction du circuit SW-j_ n'est pas l'état le plus passant, en modifiant l'état de conduction du circuit de conduction SW-j_ pour en augmenter la conduction, ou, si l'état de conduction du circuit SW-j_ est l'état le plus passant, en modifiant l'état du circuit SW-j__]_ pour le mettre dans son état de conduction le moins passant.
A l'étape 58, le module de commande 34 reçoit un signal
DOWN à "1". Ceci signifie que la tension Vçg a augmenté au-dessus de VpjQWN- Le procédé se poursuit à l'étape 60.
A l'étape 60, le module de commande 34 modifie les valeurs des signaux Sj_ de façon à faire diminuer la tension Vçg. Lorsque les circuits de conduction SW]_ à SW-j__]_ sont non passants, que les circuits de conduction SWj_+]_ à Sl sont à l'état de conduction le plus passant et que le circuit de conduction SW-j_ est dans l'un des états passants, une diminution de la tension VQ2 peut être obtenue en modifiant l'état de conduction du circuit de conduction SW-j_ pour en diminuer la conduction. Si le circuit de conduction SW-j_ est dans l'état non passant, l'état du circuit de conduction SW-j_+]_ est modifié pour rendre ce dernier moins passant. Le procédé continue alors à l'étape 52.
On obtient ainsi une régulation de la tension Vçg qui reste comprise entre les seuils de tension Vjj- et VQQW quelles que soient les variations de ^J -
Un mode de réalisation du procédé de commande du circuit optoélectronique va maintenant être décrit. Au début d'une phase ascendante de la tension V^LIM' c'est-à-dire, dans le cas où la tension V^LIM est obtenue à partir d'une tension VJN sinusoïdale, lorsque V^LIM croît depuis 0 V, les circuits de conduction SWj_, i variant de 1 à N, sont dans l'état de conduction le plus passant. Dans une phase ascendante de la tension d'alimentation Vpj^ M, pour i variant de 1 à N, alors que les diodes électroluminescentes globales D]_ à Dj__]_ sont passantes et que les diodes électroluminescentes globales D-j_ à sont bloquées, lorsque la tension aux bornes de la diode électroluminescente globale Dj_ devient supérieure à la tension de seuil de la diode électroluminescente globale Dj_, celle-ci devient passante et un courant commence à circuler dans la diode électroluminescente globale Dj_ . Ceci entraîne une augmentation de la tension Vçg . Lorsque la tension Vçg augmente au-dessus du seuil de tension V"D0W ' le module 34 commande alors le passage du circuit de conduction d' indice le plus faible parmi les circuits de conduction passants vers un état de moins en moins passant à chaque fois que la tension Vçg augmente au-delà de la tension vDOW et ce jusqu'à atteindre l'état non passant.
Au début d'une phase descendante de la tension d'alimentation V^LIM, c'est-à-dire, dans le cas où la tension VALIM est obtenue à partir d'une tension VJN sinusoïdale, lorsque
V"ALIM décroît depuis une valeur positive maximale, supérieure à la somme des tensions de seuil des diodes électroluminescentes D]_ à ¾[, les circuits de conduction SW-j_, i variant de 1 à N-l, sont dans l'état non passant. Dans une phase descendante, les diodes électroluminescentes globales D]_ à D-j__]_ étant passantes et les diodes électroluminescentes globales D-j_ à étant bloquées, lorsque la tension Vçg diminue en dessous du seuil de tension Vjjp, le module 34 commande alors le passage du circuit de conduction d' indice le plus fort parmi les circuits de conduction qui ne sont pas dans l'état le plus passant à un état de plus en plus passant à chaque fois que la tension Vçg diminue en dessous du seuil de tension V]jp et ce jusqu'à atteindre l'état de conduction le plus passant .
De façon avantageuse, le mode de réalisation du procédé de commande des interrupteurs SW-j_ décrit précédemment ne dépend pas du nombre de diodes électroluminescentes élémentaires qui composent chaque diode électroluminescente globale D-j_ et donc ne dépend pas de la tension de seuil de chaque diode électro¬ luminescente globale.
La figure 5 représente un mode de réalisation plus détaillé du module de commande 34. Dans le présent mode de réalisation, le module de commande 34 comprend une machine à nombre fini d'états 70 (FSM) , également appelée automate fini, à K*N états recevant les signaux DOWN et UP et fournissant un signal numérique Qj_ pour chaque circuit de conduction SW-j_ . A titre d'exemple, l'automate fini 70 peut fonctionner sur des fronts de UP et DOWN. Chaque valeur du signal numérique Qj_ code l'un des K états du circuit de conduction SW-j_. Le module de commande 34 comprend, en outre, un décodeur 72 (Décoder) pour chaque circuit de conduction SW-j_, i variant de 1 à N, chaque décodeur 72 recevant le signal numérique Qj_ et fournissant un signal numérique Q'j_. Le module de commande 34 comprend, en outre, un convertisseur numérique/analogique 74 (DAC) pour chaque circuit de conduction SW-j_, i variant de 1 à N, par exemple du type à modulation de largeur d'impulsion ou un réseau qui subdivise une tension en plusieurs tensions intermédiaires, chaque convertisseur numérique/analogique 74-j_ recevant le signal numérique Q'j_ et fournissant le signal Sj_. Le décodeur 72-j_ permet de fournir un signal numérique Q'j_ adapté au fonctionnement du convertisseur 74-j_ numérique/analogique associé. Le nombre de bits des signaux numériques Qj_ et Q'j_ dépend du type de codage utilisé et de la précision du convertisseur numérique/analogique 74-j_.
Selon un mode de réalisation, l'automate fini 70 utilise un compteur COMPT comprenant N* (K-l) bits et égal à la concaténation des signaux Q]_ à et chaque signal numérique Qj_ comprend (K-l) bits. A l'initialisation du circuit optoélectronique, tous les bits du compteur sont mis à "0". En fonctionnement, l'automate fini 70 incrémente le compteur COMPT à la réception d'un signal UP à "1" ; si tous les bits sont mis à "1", le compteur reste dans son état. L'automate fini 70 décrémente le compteur COMPT à la réception d'un signal DOWN à "1" ; si tous les bits sont mis à "0", le compteur reste dans son état .
De façon avantageuse, les tensions maximales appliquées aux composants électroniques, notamment les transistors MOS, des comparateurs 36, 40 restent faibles par rapport à la valeur maximale que peut prendre la tension ^LIM. Il n'est alors pas nécessaire de prévoir, pour les comparateurs 36, 40, des composants électroniques pouvant supporter la valeur maximale que peut prendre la tension VALIM -
La figure 6 représente un schéma électrique d'un autre mode de réalisation d'un circuit optoélectronique 75 comprenant l'ensemble des éléments du circuit optoélectronique 20 à l'exception du comparateur 40 et du circuit 42 de fourniture du seuil de tension V]jp qui ne sont pas présents. Le circuit optoélectronique 75 comprend, en outre, un inverseur 76 recevant le signal DOWN et fournissant au module de commande 34 le signal DOWNb qui est le complémentaire du signal DOWN. Le signal DOWNb est équivalent au signal UP décrit précédemment pour le circuit optoélectronique 20 et peut être fourni à l'entrée du module de commande 34 qui, pour le circuit optoélectronique 20, reçoit le signal UP. Le module de commande 34 peut avoir la structure décrite précédemment en relation avec la figure 5. En particulier, le module de commande 34 peut comprendre un automate fini 70 fonctionnant comme cela a été décrit précédemment en relation avec la figure 4. A titre de variante, le comparateur 36 peut être un comparateur à hystérésis. Selon un autre mode de réalisation, le comparateur 36 du circuit optoélectronique 75 est remplacé par une bascule de Schmitt, ayant deux tensions de seuil intrinsèques "L et VJJ, recevant la tension Vçg et fournissant le signal DOWN. A titre d'exemple, quand la tension Vçg augmente depuis 0 V, le signal DOWN reste à l'état "0" jusqu'à ce que la tension Vçg dépasse le seuil de tension V^. A ce moment, le signal DOWN passe à l'état "1". Le signal DOWN reste à l'état "1" jusqu'au moment où la tension Vçg devient inférieure au seuil de tension V^. A ce moment, le signal DOWN passe à l'état "0". Le signal DOWN reste à l'état "0" jusqu'à ce que la tension Vçg repasse au-dessus du seuil de tension
La figure 7 représente un schéma électrique d'un autre mode de réalisation d'un circuit optoélectronique 80 comprenant l'ensemble des éléments du circuit optoélectronique 20 représenté en figure 3 à l'exception des comparateurs 36 et 40 et des circuit 38 et 42 de fourniture des tensions VQQ N et VUP ne sont pas présents et comprenant, en outre, pour chaque circuit de conduction SW-j_, un capteur CT-j_ du courant traversant le circuit de conduction SW-j_ . Selon un mode de réalisation, le capteur CT-j_ est monté entre le noeud A3 et le circuit de conduction SW-j_. Chaque capteur CT-j_ fournit au moins un signal M-j_ au module de commande 34 qui indique si un courant Ij_ traverse ou non le circuit de conduction SW-j_ et qui éventuellement fournit une information quant à l'intensité du courant Selon un mode de réalisation, le signal M-j_ peut être un signal binaire à un premier niveau, par exemple "0", lorsqu' aucun courant Ij_ ne traverse le circuit de conduction SW-j_ et à un deuxième niveau, par exemple "1", lorsqu'un courant Ij_ traverse le circuit de conduction SW-j_.
Un avantage du circuit optoélectronique 80 est qu'il permet de détecter dans quel circuit de conduction SW-j_ circule un courant .
Un mode de réalisation d'un procédé de commande des circuits de conduction SW-j_ par le module de commande 34 dans le cas où chaque circuit de conduction SW-j_ a trois états de conduction va maintenant être décrit. Le signal de commande Sj_ du circuit de conduction SW-j_ est déterminé de la façon suivante par le circuit de commande 34. Si un courant est détecté dans au moins l'un des circuits de conduction SW-j_+2 à Sl%, alors le circuit de conduction SW-j_ est mis à l'état bloqué (signal de commande Sj_ à la valeur Sj_ ]_) . Si un courant est détecté dans le circuit de conduction SW-j_+]_ et n'est pas détecté dans au moins l'un des circuits de conduction SW-j_+2 à Sl%, alors le circuit de conduction SW-j_ est mis à l'état passant ayant une résistance électrique intermédiaire (signal de commande Sj_ à la valeur Sj_ 2 ) · Si aucun courant n'est détecté dans au moins l'un des circuits de conduction SW-j_+]_ à Sl%, alors le circuit de conduction SW-j_ est mis à l'état passant ayant la résistance électrique la plus faible (signal de commande Sj_ à la valeur S-j_ 3 ) .
De façon avantageuse, le mode de réalisation du procédé de commande des circuits de conduction SW-j_ par le module de commande 34 décrit précédemment permet d'éviter une oscillation entre les ouvertures et les fermetures de deux circuits de conduction successifs. En outre, un recouvrement entre les phases d' ouverture/de fermeture de deux circuits de conduction successifs est obtenu, ce qui permet d'éviter une interruption de la circulation du courant dans le circuit optoélectronique 20.
La figure 8 représente un mode de réalisation du capteur de courant CT-j_ dans lequel le capteur de courant CT-j_ comprend une résistance 82-j_ reliant le noeud A3 au circuit de conduction SW-j_ et un comparateur 84-j_, par exemple un amplificateur opérationnel monté en comparateur, fournissant le signal M-j_, dont l'entrée non inverseuse (+) est reliée à l'une des bornes de la résistance 82_ et dont l'entrée inverseuse (-) est reliée à l'autre borne de la résistance 82j_.
La figure 9 représente un autre mode de réalisation du capteur de courant CT-j_ . Le circuit de conduction SW-j_ est représenté, à titre d'exemple, par un transistor MOS à canal N. Le capteur de courant CT-j_ comprend un transistor MOS 86j_, par exemple à canal P, monté en diode, dont la source est reliée à la source du circuit de conduction SW-j_, dont le drain est relié au noeud A3, et dont la grille est reliée au drain. Le capteur de courant CT-j_ comprend, en outre, au moins un premier miroir de courant formé par le transistor MOS 86j_ et par un transistor MOS 88j_, par exemple à canal P, dont la source est reliée à la source du circuit de conduction SW-j_ et dont la grille est reliée à la grille du transistor 86j_. Le rapport entre la largeur du canal du transistor 86j_ et la largeur du canal du transistor 88j_ est noté Fl . L'intensité du courant ^detec 1 pouvant traverser le transistor 88-j_ est égale à l'intensité du courant I'i, divisée par Fl . Dans le présent mode de réalisation, le capteur de courant CTj_ comprend en outre un deuxième miroir de courant formé par le transistor MOS 86j_ et par un transistor MOS 90j_, par exemple à canal P, dont la source est reliée à la source du circuit de conduction SW-j_, et dont la grille est reliée à la grille du transistor 86j_. Le rapport entre la largeur du canal du transistor 86j_ et la largeur du canal du transistor 90-j_ est noté F2. L'intensité du courant Idetec 2 pouvant traverser le transistor 90j_ est égale à l'intensité du courant I'i, divisée par F2.
Dans le présent mode de réalisation, la source de courant 30 comprend un miroir de courant formé par un transistor MOS 92, par exemple à canal N, dont le drain reçoit un courant de référence IREF' dont la source est reliée au noeud A2, et dont la grille est reliée au drain, et par un transistor MOS 94, par exemple à canal N, dont le drain est relié au noeud A3, dont la source est reliée au noeud A2, et dont la grille est reliée à la grille du transistor 92. Le courant traversant le transistor 94 est traversé par le courant IQS' circulant dans les diodes électroluminescentes globales Dj_, qui est égal à IREF si ^-es transistors 92 et 94 ont la même largeur de canal et sont saturés.
Le capteur de courant CT-j_ comprend un troisième miroir de courant formé par le transistor MOS 92 et par un transistor MOS 96j_, par exemple à canal N, dont le drain est relié au drain du transistor 88j_, dont la source est reliée au noeud A2 et dont la grille est reliée à la grille du transistor 92. Le rapport entre la largeur du canal du transistor 94 et la largeur du canal du transistor 96j_ est noté F3. Le capteur de courant CT-j_ comprend un quatrième miroir de courant formé par le transistor MOS 92 et par un transistor MOS 98j_, par exemple à canal N, dont le drain est relié au drain du transistor 90-j_, dont la source est reliée au noeud A2 et dont la grille est reliée à la grille du transistor 92. Le rapport entre la largeur du canal du transistor 94 et la largeur du canal du transistor 98 -j_ est noté F4. Le capteur de courant CT-j_ comprend un comparateur 100j_, par exemple une bascule de Schmitt, dont l'entrée est reliée au drain du transistor 96j_ et qui fournit un signal VS O au module de commande 34 et un comparateur 102-j_, par exemple une bascule de Schmitt, dont l'entrée est reliée au drain du transistor 98j_ et qui fournit un signal VST1 au module de commande 34. A titre d'exemple, selon la valeur de la tension drain-source du transistor 96j_/98-j_, le signal VTST0/VTST1 est à "0" ou à "1". Lorsqu' aucun courant ne circule dans le circuit de conduction SW-j_, les tensions drain-source des transistors 96j_ et 98j_ sont sensiblement nulles et les signaux VTST0 et VTST1 sont, par exemple, à "0". Le niveau du potentiel en entrée du comparateur 100 (respectivement 102 -j_) est imposé par le transistor 88j_ ou 96j_ (respectivement 90j_ ou 98j_) dont la résistance à l'état passant est la plus faible. Lorsque l'intensité du courant Ij_ circulant dans le circuit de conduction SW-j_ est suffisante, la résistance à l'état passant du transistor 88j_ (respectivement 90-j_) devient inférieure à celle du transistor 96j_ (respectivement 98j_) de sorte que le potentiel à l'entrée du comparateur 100 (respectivement 102 -j_) s'élève et que le signal VTST0 (respectivement VTST1) passe à "1". Le rapport entre les facteurs Fl et F3 définis précédemment (respectivement F2 et F4) sont choisis pour que le niveau du signal VTST0 (respectivement VTST1) bascule lorsque l'intensité du courant Ij_ dépasse un seuil donné. Le capteur CT-j_ permet donc de mesurer deux seuils d'intensité du courant I-; . Le mode de réalisation représenté en figure 9 permet de comparer l'intensité du courant Ij_ à deux seuils de courant. A titre de variante, un seul ou plus de deux seuils de détection peuvent être prévus .
Par rapport au mode de réalisation représenté en figure
8, le mode de réalisation du capteur CT-j_ représenté en figure 9 permet, de façon avantageuse, de réduire la chute de tension due au capteur CT-j_ . Il permet aussi de définir des seuils en courant proportionnels au courant Içg circulant dans les diodes électroluminescentes et dans le transistor 94. Le nombre de niveaux de détection en courant permet en outre d' augmenter le nombre d'état de conduction des circuits de conduction SWj_.
La figure 10 représente des chronogrammes, obtenus par simulation, de la puissance ?ALIM fournie par le circuit redresseur 12, de la puissance PLED utilisée par les diodes électroluminescentes D]_ à ¾, de la tension Vçg, des seuils de tension VQQW et VUP' ^es signaux UP et DOWN et des signaux S]_ et S2 pour le circuit optoélectronique 20 tel que représenté en figure 3. Les figures 11 et 12 correspondent chacune à une partie de la figure 10 à une échelle de temps agrandie. Pour ces simulations, la tension d'alimentation correspondait à la tension du secteur redressée. Les circuits de conduction SW-j_ étaient des circuits à 5 états de conduction. Le seuil de tension VQQW était égal à 4 V et le seuil de tension V]jp était égal à 2 V. Dans le chronogramme des signaux UP et DOWN de la figure 10, les pics apparaissant dans la phase ascendante PI de la tension d'alimentation V^J correspondent à de brefs passages du signal DOWN à "1" et les pics apparaissant dans la phase descendante PII de la tension d'alimentation VALIM correspondent à de brefs passages du signal UP à "1".
Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. Bien que des modes de réalisation détaillés aient été décrits dans lesquels l'état de conduction le moins conducteur électriquement de chaque circuit de conduction SW-j_ correspond à un état non passant, il est clair que ces modes de réalisation peuvent également être mis en oeuvre avec un circuit de conduction SW-j_ pour lequel l'état le moins conducteur électriquement correspond néanmoins à un état dans lequel du courant circule au travers du circuit SW-j_, par exemple un courant dont l'intensité est inférieure ou égale à la limite théorique qui est l'intensité maximale induisant une puissance dans le circuit de conduction SW-j_ pouvant être dissipée sans causer de dysfonctionnement de celui-ci .

Claims

REVENDICATIONS
1. Circuit optoélectronique (20 ; 75 ; 80) destiné à recevoir une tension variable ( ^LIM) contenant une alternance de phases positives croissantes et décroissantes, le circuit optoélectronique comprenant :
une pluralité de diodes électroluminescentes (D-j_) montées en série ;
un noeud (A3) relié à chaque diode électroluminescente (D-j_) , parmi au moins certaines diodes électroluminescentes de la pluralité de diodes électroluminescentes, par un circuit de conduction (SW-j_) du courant adapté à prendre un état parmi plusieurs états dont au moins des premier, deuxième et troisième états, la résistance électrique du circuit de conduction étant plus faible dans le troisième état que dans le deuxième état et étant plus faible dans le deuxième état que dans le premier état ; et
un module de commande (34) adapté, lors de chaque phase croissante et de chaque phase décroissante, à commander le passage des circuits de conduction entre au moins les premier, deuxième et troisième états.
2. Circuit optoélectronique selon la revendication 1, dans lequel chaque circuit de conduction (SW-j_) comprend un transistor à effet de champ à grille métal-oxyde.
3. Circuit optoélectronique selon la revendication 1 ou 2, comprenant, en outre, un premier comparateur (36) adapté à comparer la tension (Vçg) audit noeud à un premier seuil de tension
(VQQW ) et dans lequel le module de commande (34) comprend un automate fini (70) relié au premier comparateur et adapté, lors de chaque phase croissante et de chaque phase décroissante, à commander les circuits de conduction en fonction de signaux fournis par le premier comparateur.
4. Circuit optoélectronique selon la revendication 3, comprenant un deuxième comparateur (40) adapté à comparer la tension (Vçg) audit noeud à un deuxième seuil de tension (V]jp) différent du premier seuil de tension et dans lequel le module de commande (34) est, en outre, relié au deuxième comparateur et est adapté, lors de chaque phase croissante et de chaque phase décroissante, à commander les circuits de conduction en fonction de signaux fournis par les premier et deuxième comparateurs.
5. Circuit optoélectronique selon la revendication 4, dans lequel le module de commande (34) est adapté, lors de chaque phase croissante, à commander la mise au premier état ou au deuxième état de l'un des circuits de conduction (SW-j_) à chaque fois que la tension (Vçg) audit noeud (A3 ) croît au-dessus du premier seuil de tension (VQQW ) r et est adapté, lors de chaque phase décroissante, à commander la mise au deuxième état ou au troisième état de l'un des circuits de conduction à chaque fois que la tension (Vçg) audit noeud (A3 ) décroît au-dessous du deuxième seuil de tension (V]jp) .
6. Circuit optoélectronique selon la revendication 1 ou
2, comprenant, pour chaque circuit de conduction (SW-j_) , un détecteur (CT-j_) du courant traversant le circuit de conduction.
7. Circuit optoélectronique selon la revendication 6, dans lequel les circuits de conduction (SW-j_) sont répartis par rangs croissants de 1 à N selon l'ordre de début d'émission de lumière des diodes électroluminescentes (D-j_) associées pour chaque phase croissante et décroissante, dans lequel le module de commande (34) est adapté, pour chaque circuit de conduction (SW-j_) de rang i traversé par du courant, à amener ledit circuit de conduction dans l'un desdits états en fonction des courants circulant dans les circuits de conduction de rang i+1 à N.
8. Circuit optoélectronique selon la revendication 6 ou 7, dans lequel chaque détecteur (CT-j_) comprend une résistance (82i) .
9. Circuit optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, comprenant une source de courant (30) reliée audit noeud (A3 ) .
10. Circuit optoélectronique selon la revendication 9 dans sa dépendance à la revendication 6, dans lequel chaque détecteur (CTj_) comprend : au moins un premier miroir de courant comprenant un premier transistor à effet de champ (88j_) reproduisant une partie du courant traversant le circuit de conduction (SW-j_) ;
au moins un deuxième miroir de courant comprenant un deuxième transistor à effet de champ (96j_) reproduisant une partie du courant fourni par la source de courant (30), et relié au premier transistor à effet de champ ; et
au moins un circuit ( 100j_) de fourniture d'un signal ( "TST0) qui dépend du potentiel au point milieu entre les premier et deuxième transistors.
11. Circuit optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel chaque diode électro¬ luminescente (D-j_) comprend des diodes électroluminescentes élémentaires en parallèle et/ou en série.
PCT/FR2016/052607 2015-10-09 2016-10-07 Circuit optoelectronique a diodes electroluminescentes Ceased WO2017060658A1 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1559618 2015-10-09
FR1559618A FR3042379A1 (fr) 2015-10-09 2015-10-09 Circuit optoelectronique a diodes electroluminescentes

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017060658A1 true WO2017060658A1 (fr) 2017-04-13

Family

ID=54708009

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/FR2016/052607 Ceased WO2017060658A1 (fr) 2015-10-09 2016-10-07 Circuit optoelectronique a diodes electroluminescentes

Country Status (2)

Country Link
FR (1) FR3042379A1 (fr)
WO (1) WO2017060658A1 (fr)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140184077A1 (en) * 2012-12-28 2014-07-03 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting diode driving apparatus
US20150163875A1 (en) * 2013-12-11 2015-06-11 Groups Tech Co., Ltd. Ac-powered led light engines, integrated circuits and illuminating apparatuses having the same
WO2015121502A1 (fr) * 2014-02-17 2015-08-20 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Circuit optoelectronique a diodes electroluminescentes
US20150257225A1 (en) * 2014-03-07 2015-09-10 Groups Tech Co., Ltd. Ac-powered led light engines, integrated circuits and illuminating apparatuses having the same
US20150257226A1 (en) * 2009-06-04 2015-09-10 Point Somee Limited Liability Company Apparatus, method and system for providing ac line power to lighting devices

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150257226A1 (en) * 2009-06-04 2015-09-10 Point Somee Limited Liability Company Apparatus, method and system for providing ac line power to lighting devices
US20140184077A1 (en) * 2012-12-28 2014-07-03 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting diode driving apparatus
US20150163875A1 (en) * 2013-12-11 2015-06-11 Groups Tech Co., Ltd. Ac-powered led light engines, integrated circuits and illuminating apparatuses having the same
WO2015121502A1 (fr) * 2014-02-17 2015-08-20 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Circuit optoelectronique a diodes electroluminescentes
US20150257225A1 (en) * 2014-03-07 2015-09-10 Groups Tech Co., Ltd. Ac-powered led light engines, integrated circuits and illuminating apparatuses having the same

Also Published As

Publication number Publication date
FR3042379A1 (fr) 2017-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2556899A1 (fr) Procede et appareil pour commander la moyenne des demi-alternances ou la moyenne quadratique de la tension d'une charge
FR2836762A1 (fr) Circuit de conversion de tension continue pour lampe a decharge
FR2751115A1 (fr) Dispositif d'affichage electroluminescent et circuit de commande pour un tel dispositif
EP3223590B1 (fr) Circuit optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes
WO2017060658A1 (fr) Circuit optoelectronique a diodes electroluminescentes
EP1376843A2 (fr) Commande d'un thyristor d'un pont redresseur
FR2884079A1 (fr) Commande d'un transistor mos
EP3223589B1 (fr) Circuit optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes
EP3302003B1 (fr) Circuit optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes
WO2017060657A1 (fr) Circuit optoelectronique a diodes electroluminescentes
FR3023119B1 (fr) Circuit optoelectronique a diodes electroluminescentes
FR2820940A1 (fr) Circuit d'allumage d'une lampe a decharge a egalisation d'impulsions d'amorcage
EP3332608B1 (fr) Circuit optoélectronique à diodes électroluminescentes
FR3042377B1 (fr) Circuit optoelectronique a diodes electroluminescentes
WO2017162982A1 (fr) Circuit optoelectronique comprenant des diodes electroluminescentes
WO2016108022A1 (fr) Circuit optoelectronique a diodes electroluminescentes
EP3332607A1 (fr) Circuit optoelectronique à diodes electroluminescentes
EP0147306A2 (fr) Amplificateur de puissance linéaire
EP3826158A1 (fr) Commande d'interrupteurs
WO2015121502A1 (fr) Circuit optoelectronique a diodes electroluminescentes
FR3060934A1 (fr) Circuit optoelectronique comprenant des diodes electroluminescentes
CA2869170C (fr) Generateur de courant et procede de generation d'impulsions de courant
FR2543378A1 (fr) Dispositif pour alimenter un moteur a courant continu au moyen d'un courant alternatif redresse, avec protection contre les surintensites
FR3018648A1 (fr) Circuit adapte a mettre en oeuvre une fonction de diode

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16794690

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 16794690

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1