[go: up one dir, main page]

WO2016117196A1 - 電力増幅モジュール - Google Patents

電力増幅モジュール Download PDF

Info

Publication number
WO2016117196A1
WO2016117196A1 PCT/JP2015/079742 JP2015079742W WO2016117196A1 WO 2016117196 A1 WO2016117196 A1 WO 2016117196A1 JP 2015079742 W JP2015079742 W JP 2015079742W WO 2016117196 A1 WO2016117196 A1 WO 2016117196A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
power amplification
amplification module
power amplifier
conductive
conductive shield
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2015/079742
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
北原　崇
博明 中山
恒和 西明
能登　大樹
幸一郎 川崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to CN201580048597.XA priority Critical patent/CN107078125B/zh
Publication of WO2016117196A1 publication Critical patent/WO2016117196A1/ja
Priority to US15/654,219 priority patent/US10404226B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3677—Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices the devices being of the types provided for in two or more different main groups of the same subclass of H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15313—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a land array, e.g. LGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Definitions

  • the present invention relates to a power amplification module.
  • a power amplifier PA
  • RF radio frequency
  • a duplexer is used to demultiplex a reception signal from a base station and a transmission signal to the base station in order to share an antenna for transmission and reception.
  • SAW Surface Acoustic Wave
  • Patent Document 2 a power amplification module in which a power amplifier and a duplexer are packaged as one product has attracted attention.
  • face-down mounting is known as a mounting method for downsizing a module (for example, Patent Document 3).
  • the power amplifier's emitter electrode is connected to a thermal via formed on the package substrate by connecting the emitter electrode of the power amplifier mounted face-down on the surface of the package substrate. Is radiated from the back surface of the package substrate. As described above, the power amplifier mounted face down can dissipate heat from the back surface of the package substrate through the thermal via.
  • the SAW duplexer is provided with a cavity which is an operation space of a comb electrode part which is a heating element, as disclosed in Patent Document 1, for example.
  • a cavity which is an operation space of a comb electrode part which is a heating element, as disclosed in Patent Document 1, for example.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to improve the heat dissipation of a power amplifier module having a power amplifier and a SAW duplexer.
  • a power amplification module includes a substrate having first and second main surfaces, a first surface on which an electrode is formed, and a second surface facing the first surface.
  • a power amplifier mounted such that the first surface faces the first main surface of the substrate; a first surface on which an electrode is formed; and a second surface facing the first surface
  • a surface acoustic wave duplexer that is mounted so that the first surface faces the first main surface of the substrate, a heat dissipating part provided on the second main surface of the substrate, and a power A heat dissipation path that connects at least a part of the connection between the amplifier and the first main surface to the heat dissipation unit, an insulating resin that covers the power amplifier and the surface acoustic wave duplexer, and a conductive shield that covers the surface of the insulating resin; A first conductive portion provided on the second surface of the surface acoustic wave duplexer and electrically connected to the conductive shield; Provided.
  • the heat dissipation of the power amplification module having the power amplifier and the SAW duplexer can be improved.
  • FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a power amplification module 10A according to an embodiment of the present invention.
  • the power amplification module 10 ⁇ / b> A includes a power amplifier 30 and a SAW duplexer 40 mounted face-down on a package substrate 20.
  • the power amplifier 30 and the SAW duplexer 40 are covered with an insulating resin 50.
  • the insulating resin 50 is formed of, for example, an epoxy resin.
  • the surface of the insulating resin 50 is covered with a conductive shield 60.
  • the conductive shield 60 is formed of a metal such as gold, silver, copper, or aluminum.
  • the package substrate 20 has an upper surface 21 (first main surface) and a lower surface 22 (second main surface). On the upper surface 21 of the package substrate 20, wiring patterns 23a to 23e are provided. Further, electrodes 24 a to 24 c are provided on the lower surface 22 of the package substrate 20. Furthermore, the package substrate 20 is provided with thermal vias 25 a and 25 b that penetrate from the upper surface 21 to the lower surface 22. The thermal vias 25a and 25b (heat dissipation paths) electrically connect the wiring pattern 23b and the electrode 24b.
  • the electrode 24b is a ground electrode to which a ground potential is applied and also functions as a heat radiating portion.
  • the package substrate 20 is provided with a ground wiring 26. The ground wiring 26 is connected to the electrode 24b through, for example, thermal vias 25a and 25b.
  • the power amplifier 30 is a component that amplifies the RF signal transmitted to the base station, and includes, for example, a transistor for power amplification.
  • the power amplifier 30 has a surface 33 (first surface) on which the electrodes 31a to 31c are provided and a surface 32 (second surface) opposite to the surface 33.
  • the power amplifier 30 is mounted face down on the upper surface 21 of the package substrate 20 via bumps 34a to 34c connected to the electrodes 31a to 31c.
  • the electrode 31b is connected to the emitter of a transistor constituting the power amplifier 30, and is electrically connected to the electrode 24b via the bump 34b, the wiring pattern 23b, and the thermal vias 25a and 25b.
  • the heat generated by the emitter which is a heat generating part in the power amplifier 30, is dissipated by being conducted to the electrode 24b.
  • a metal layer 35 is provided on the surface 32 on the conductive shield side of the power amplifier 30.
  • the metal layer 35 is formed of a metal such as gold, silver, copper, aluminum, or titanium.
  • a wire 36 (conductive path) is provided on the metal layer 35.
  • the wire 36 is cut on the conductive shield 60 side, and is connected to the conductive shield 60 at the cut portions 37a and 37b. That is, the metal layer 35 and the wire 36 form a conductive portion (second conductive portion) that is electrically connected to the conductive shield 60.
  • the wire 36 is formed of a metal such as gold, silver, copper, or aluminum. Since the metal layer 35 is provided on the surface 33 of the power amplifier 30, the heat generated in the power amplifier 30 is also dissipated through the metal layer 35. Moreover, since the metal layer 35 is connected to the conductive shield 60 via the wire 36, the heat dissipation effect can be further enhanced.
  • the conductive shield 60 is connected to the ground wiring 26 on the side surface of the package substrate 20, for example. Therefore, the potential of the metal layer 35 of the power amplifier 30 is fixed to the ground level. Thereby, the operation of the power amplifier 30 can be stabilized.
  • the SAW duplexer 40 is a component that demultiplexes the reception signal from the base station and the transmission signal to the base station.
  • the SAW duplexer 40 has a surface 43 (first surface) on which the electrodes 41 a and 41 b are provided and a surface 42 (second surface) facing the surface 43.
  • the SAW duplexer 40 is mounted face-down on the upper surface 21 of the package substrate 20 via bumps 44a and 44b connected to the electrodes 41a and 41b.
  • the SAW duplexer 40 has a comb electrode part 45. Further, the SAW duplexer 40 has a cavity 46 that is an operation space of the comb electrode portion 45.
  • a metal layer 47 (first conductive portion) is provided on the surface 43 on the conductive shield side of the SAW duplexer 40.
  • the metal layer 47 is formed of a metal such as gold, silver, copper, aluminum, or titanium.
  • a wire 48 (conductive path) is provided on the metal layer 47.
  • the wire 48 is cut on the conductive shield 60 side, and is connected to the conductive shield 60 at the cut portions 49a and 49b. That is, the metal layer 47 and the wire 48 form a conductive portion (first conductive portion) that is electrically connected to the conductive shield 60.
  • the wire 48 is formed of a metal such as gold, silver, copper, or aluminum.
  • the metal layer 47 is provided on the surface 43 of the SAW duplexer 40, the heat generated in the SAW duplexer 40 is radiated through the metal layer 47. Moreover, since the metal layer 47 is connected to the conductive shield 60 via the wire 48, the heat dissipation effect can be further enhanced.
  • the conductive shield 60 is connected to the ground wiring 26 on the side surface of the package substrate 20, for example. Therefore, the potential of the metal layer 47 of the SAW duplexer 40 is fixed to the ground level. As a result, the operation of the SAW duplexer 40 can be stabilized. In particular, in the SAW duplexer 40, a reception signal from the base station and a transmission signal to the base station may be mixed through the metal layer 47. Therefore, it is possible to suppress such crosstalk (crosstalk) by fixing the metal layer 47 to the ground level.
  • the power amplifier 30 and the SAW duplexer 40 are face-down mounted on the upper surface 21 of the package substrate 20.
  • a wire 36 is formed on the metal layer 35 provided on the surface 32 of the power amplifier 30 by wire bonding.
  • a wire 48 is formed on the metal layer 47 provided on the surface 42 of the SAW duplexer 40 by wire bonding.
  • the wires 36 and 48 may each be a plurality of wires.
  • the wires 36 and 48 may be formed on the metal layers 35 and 47 before the face-down mounting.
  • the wire 36 may be formed so as to be connected from the metal layer 35 provided on the surface 32 of the power amplifier 30 to the GND electrode (not shown) on the first main surface of the package substrate 20.
  • the wire 48 is similarly formed for the SAW duplexer.
  • the power amplifier 30 and the SAW duplexer 40 are covered (sealed) with the insulating resin 50.
  • the wires 36 and 48 are also covered with the insulating resin 50.
  • the surface of the insulating resin 50 is ground by the grinding machine 100 to expose the wires 36 and 48. Specifically, a part of the wire 36 is cut, and the cut portions 37a and 37b are exposed. Similarly, a part of the wire 48 is cut, and the cut portions 49a and 49b are exposed. The wires 36 and 48 may be exposed so that the wires 36 and 48 are not cut.
  • a conductive shield 60 is formed so as to cover the insulating resin 50.
  • the conductive shield 60 is connected to the metal layer 35 via the cut portions 37 a and 37 b of the wire 36.
  • the conductive shield 60 is connected to the metal layer 47 through the cut portions 49 a and 49 b of the wire 48.
  • the power amplification module 10A shown in FIG. 1 can be manufactured.
  • FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a power amplification module 10B which is a modification of the power amplification module 10A.
  • symbol is attached
  • the power amplification module 10 ⁇ / b> B includes a conductive portion 70 and a conductive paste 71 instead of the wire 36.
  • the conductive portion 70 (conductive path) is, for example, a columnar metal or a metal pin, and the lower surface is connected to the metal layer 35 by a conductive paste 71.
  • the upper surface of the conductive portion 70 is connected to the conductive shield 60.
  • the conductive part 70 is a metal such as gold, silver, copper, or aluminum.
  • the conductive paste 71 is, for example, a material or solder in which conductive particles such as silver and carbon are mixed in a resin.
  • the power amplification module 10 ⁇ / b> B includes a conductive portion 80 and a conductive paste 81 instead of the wire 48.
  • the conductive portion 80 has a columnar shape, for example, and the lower surface is connected to the metal layer 47 by a conductive paste 81.
  • the upper surface of the conductive portion 80 is connected to the conductive shield 60.
  • the conductive part 80 is, for example, a metal such as gold, silver, copper, or aluminum.
  • the conductive paste 81 is, for example, a material or solder in which conductive particles such as silver and carbon are mixed in a resin.
  • the heat dissipation of the power amplifier 30 and the SAW duplexer 40 is improved by using the conductive portions 70 and 80 instead of the wires 36 and 48.
  • the conductive shield 60 is connected to the ground wiring 26, so that the operations of the power amplifier 30 and the SAW duplexer 40 can be stabilized.
  • FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a power amplification module 10C which is a modification of the power amplification module 10A.
  • symbol is attached
  • the power amplification module 10C does not include the wires 36 and 48 of the power amplification module 10A. Instead, holes 90 and 91 are formed above the power amplifier 30 and the SAW duplexer 40.
  • the holes 90 and 91 are formed, for example, by irradiating the insulating resin 50 with a laser from above the power amplifier 30 and the SAW duplexer 40. In the state where the holes 90 and 91 are formed, the surfaces of the metal layers 35 and 47 are exposed. Thereafter, the conductive shield 60 is formed by sputtering or the like, whereby the conductive shield 60 and the metal layers 35 and 47 are connected.
  • the heat dissipation of the power amplifier 30 and the SAW duplexer 40 is improved by directly connecting the metal layers 35 and 47 to the conductive shield 60.
  • the conductive shield 60 is connected to the ground wiring 26, so that the operations of the power amplifier 30 and the SAW duplexer 40 can be stabilized.
  • FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a power amplification module 10D which is a modification of the power amplification module 10A.
  • symbol is attached
  • the power amplification module 10D does not include the wires 36 and 48 of the power amplification module 10A. Instead, the metal layers 35 and 47 are thicker than the power amplification module 10A. The upper surfaces of the metal layers 35 and 47 are directly connected to the conductive shield 60.
  • the heat dissipation of the power amplifier 30 and the SAW duplexer 40 is improved by directly connecting the metal layers 35 and 47 to the conductive shield 60.
  • the conductive shield 60 is connected to the ground wiring 26, so that the operations of the power amplifier 30 and the SAW duplexer 40 can be stabilized.
  • the power amplification modules 10A to 10D that are examples of the embodiment of the present invention have been described above.
  • a conductive portion that is electrically connected to the conductive shield 60 is provided on the surface of the SAW duplexer 40 mounted face down on the conductive shield 60 side. Therefore, it is possible to radiate heat from the conductive shield 60 side for the SAW duplexer 40 that is difficult to radiate from the package substrate 20 side due to the influence of the cavity 46.
  • a wire 48 is provided as a conductive path for connecting the metal layer 47 to the conductive shield 60.
  • the wire 48 can be easily formed on the metal layer 47 by wire bonding. Therefore, the manufacturing process of the power amplification module 10A can be facilitated.
  • a part of the wire 48 is cut by grinding the insulating resin 50 to form cut portions 49a and 49b.
  • the cut portions 49 a and 49 b are connected to the conductive shield 60.
  • FIG. 2D when grinding the insulating resin 50, high-precision work is required to expose the wire 48 without cutting.
  • the power amplification module 10A it is not necessary to stop the grinding of the insulating resin 50 where the wire 48 is not cut. Therefore, the manufacturing process of the power amplification module 10A can be facilitated. Further, the wire 48 can be reliably connected to the conductive shield 60 by the cutting portions 49a and 49b.
  • the conductive shield 60 is connected to the ground wiring 26 provided on the package substrate 20.
  • the potential of the metal layer 47 of the SAW duplexer 40 is fixed to the ground level, and the operation of the SAW duplexer 40 can be stabilized.
  • the power amplifier 30 that dissipates heat from the lower surface 22 of the package substrate 20 via the thermal vias 25a and 25b is also connected to the conductive shield 60 on the surface on the conductive shield 60 side. A conductive portion to be electrically connected is provided. Thereby, the heat dissipation of the power amplifier 30 can be improved.
  • the power amplifier 30 is also provided with a conductive portion electrically connected to the conductive shield 60 on the surface on the conductive shield 60 side.
  • the part may not be provided.
  • each embodiment described above is for facilitating the understanding of the present invention, and is not intended to limit the present invention.
  • the present invention can be changed / improved without departing from the spirit thereof, and the present invention includes equivalents thereof.
  • those obtained by appropriately modifying the design of each embodiment by those skilled in the art are also included in the scope of the present invention as long as they include the features of the present invention.
  • each element included in each embodiment and its arrangement, material, condition, shape, size, and the like are not limited to those illustrated, and can be changed as appropriate.
  • each element included in each embodiment can be combined as much as technically possible, and combinations thereof are included in the scope of the present invention as long as they include the features of the present invention.
  • 10A, 10B, 10C, 10D Power amplification module 20 Package substrate 21 Upper surface 22 Lower surface 23a, 23b, 23c, 23d, 23e Wiring pattern 24a, 24b, 24c, 31a, 31b, 31c, 41a, 41b Electrode 25a, 25b Thermal via 26 Ground wiring 30 Power amplifier 34a, 34b, 34c, 44a, 44b Bump 35, 47 Metal layer 36, 48 Wire 37a, 37b, 49a, 49b Cutting part 40 SAW duplexer 45 Comb electrode part 46 Cavity 50 Insulating resin 60 Conductivity Shield 70, 80 Conductive part 71, 81 Conductive paste 90, 91 hole

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

　電力増幅器及びＳＡＷデュプレクサを有する電力増幅モジュールの放熱性を向上させる。電力増幅モジュールは、第１及び第２の主面を有する基板と、電極が形成された第１の面と、該第１の面に対向する第２の面とを有し、該第１の面が基板の第１の主面に対向するように実装された電力増幅器と、電極が形成された第１の面と、該第１の面に対向する第２の面とを有し、該第１の面が基板の第１の主面に対向するように実装された表面弾性波デュプレクサと、基板の第２の主面上に設けられた放熱部と、電力増幅器と第１の主面との接続部の少なくとも一部を放熱部と接続する放熱経路と、電力増幅器及び表面弾性波デュプレクサを覆う絶縁性樹脂と、絶縁性樹脂の表面を覆う導電性シールドと、表面弾性波デュプレクサの第２の面上に設けられ、導電性シールドと電気的に接続された第１の導電部とを備える。

Description

電力増幅モジュール
　本発明は、電力増幅モジュールに関する。
　携帯電話等の無線通信機器においては、基地局に送信する無線周波数（ＲＦ：Radio Frequency）信号の電力を増幅するために、電力増幅器（ＰＡ：Power Amplifier）が用いられる。また、無線通信機器においては、送受信においてアンテナを共用するため、基地局からの受信信号と、基地局への送信信号とを分波するために、デュプレクサが用いられる。デュプレクサとしては、例えば、表面弾性波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）デュプレクサがある（例えば、特許文献１）。
　近年、無線通信機器の小型化に伴い、電力増幅器及びデュプレクサを１つの製品としてパッケージングした電力増幅モジュールが注目されている（例えば、特許文献２）。また、モジュールを小型化するための実装方法として、フェイスダウン実装が知られている（例えば、特許文献３）。
特開２０１４－１２０９６６号公報 特開２００５－３１１２３０号公報 特開２００７－２６６５３９号公報
　電力増幅モジュールにおいては、電力増幅器等の発熱部品からの熱を放熱する必要がある。例えば、特許文献３に開示されている半導体装置では、パッケージ基板の表面にフェイスダウン実装されている電力増幅器のエミッタ電極を、パッケージ基板に形成されたサーマルビアに接続することにより、電力増幅器の熱がパッケージ基板の裏面から放熱される。このように、フェイスダウン実装された電力増幅器については、サーマルビアを介してパッケージ基板の裏面から放熱が可能である。
　しかしながら、ＳＡＷデュプレクサは、例えば特許文献１に開示されているように、発熱体である櫛歯電極部の動作空間であるキャビティが設けられている。ＳＡＷデュプレクサをフェイスダウン実装する場合、櫛歯電極部とパッケージ基板との間にキャビティが存在するため、サーマルビアを介した放熱は難しい。
　本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、電力増幅器及びＳＡＷデュプレクサを有する電力増幅モジュールの放熱性を向上させることを目的とする。
　本発明の一側面に係る電力増幅モジュールは、第１及び第２の主面を有する基板と、電極が形成された第１の面と、該第１の面に対向する第２の面とを有し、該第１の面が基板の第１の主面に対向するように実装された電力増幅器と、電極が形成された第１の面と、該第１の面に対向する第２の面とを有し、該第１の面が基板の第１の主面に対向するように実装された表面弾性波デュプレクサと、基板の第２の主面上に設けられた放熱部と、電力増幅器と第１の主面との接続部の少なくとも一部を放熱部と接続する放熱経路と、電力増幅器及び表面弾性波デュプレクサを覆う絶縁性樹脂と、絶縁性樹脂の表面を覆う導電性シールドと、表面弾性波デュプレクサの第２の面上に設けられ、導電性シールドと電気的に接続された第１の導電部とを備える。
　本発明によれば、電力増幅器及びＳＡＷデュプレクサを有する電力増幅モジュールの放熱性を向上させることができる。
本発明の一実施形態である電力増幅モジュール１０Ａの構成を示す図である。 電力増幅モジュール１０Ａの製造プロセスにおける、フェイスダウン実装の工程を示す図である。 電力増幅モジュール１０Ａの製造プロセスにおける、ワイヤ形成の工程を示す図である。 電力増幅モジュール１０Ａの製造プロセスにおける、樹脂封止の工程を示す図である。 電力増幅モジュール１０Ａの製造プロセスにおける、樹脂研削の工程を示す図である。 電力増幅モジュール１０Ａの製造プロセスにおける、導電性シールド形成の工程を示す図である。 電力増幅モジュール１０Ａの変形例である電力増幅モジュール１０Ｂの構成を示す図である。 電力増幅モジュール１０Ａの変形例である電力増幅モジュール１０Ｃの構成を示す図である。 電力増幅モジュール１０Ａの変形例である電力増幅モジュール１０Ｄの構成を示す図である。
　以下、図面を参照して本発明の一実施形態について説明する。図１は、本発明の一実施形態である電力増幅モジュール１０Ａの構成を示す図である。
　図１に示すように、電力増幅モジュール１０Ａは、パッケージ基板２０上にフェイスダウン実装された電力増幅器３０及びＳＡＷデュプレクサ４０を備えている。電力増幅器３０及びＳＡＷデュプレクサ４０は、絶縁性樹脂５０で覆われている。絶縁性樹脂５０は、例えば、エポキシ樹脂により形成される。また、絶縁性樹脂５０の表面は、導電性シールド６０により覆われている。導電性シールド６０は、例えば、金や銀、銅、アルミニウム等の金属により形成される。
　パッケージ基板２０は、上面２１（第１の主面）及び下面２２（第２の主面）を有する。パッケージ基板２０の上面２１上には、配線パターン２３ａ～２３ｅが設けられている。また、パッケージ基板２０の下面２２上には、電極２４ａ～２４ｃが設けられている。さらに、パッケージ基板２０には、上面２１から下面２２に貫通するサーマルビア２５ａ，２５ｂが設けられている。サーマルビア２５ａ，２５ｂ（放熱経路）は、配線パターン２３ｂと電極２４ｂとを電気的に接続する。なお、電極２４ｂは、接地電位が印加される接地電極であるとともに、放熱部としても機能する。また、パッケージ基板２０には、接地配線２６が設けられている。接地配線２６は、例えば、サーマルビア２５ａ，２５ｂを介して電極２４ｂに接続されている。
　電力増幅器３０は、基地局に送信するＲＦ信号を増幅する部品であり、例えば、電力増幅用のトランジスタを含む。電力増幅器３０は、電極３１ａ～３１ｃが設けられた面３３（第１の面）及び面３３に対向する面３２（第２の面）を有する。電力増幅器３０は、電極３１ａ～３１ｃに接続されたバンプ３４ａ～３４ｃを介して、パッケージ基板２０の上面２１上にフェイスダウン実装される。例えば、電極３１ｂは、電力増幅器３０を構成するトランジスタのエミッタと接続されており、バンプ３４ｂ、配線パターン２３ｂ及びサーマルビア２５ａ，２５ｂを介して、電極２４ｂと電気的に接続される。これにより、電力増幅器３０における発熱部位であるエミッタで発生した熱は、電極２４ｂに伝導されることにより放熱される。
　電力増幅器３０の導電性シールド側の面３２上には、金属層３５が設けられている。金属層３５は、例えば、金や銀、銅、アルミニウム、チタン等の金属により形成される。そして、金属層３５上には、ワイヤ３６（導電経路）が設けられている。ワイヤ３６は、導電性シールド６０側において切断されており、切断部３７ａ，３７ｂにおいて、導電性シールド６０と接続される。即ち、金属層３５及びワイヤ３６は、導電性シールド６０と電気的に接続された導電部（第２の導電部）を形成する。なお、ワイヤ３６は、例えば、金や銀、銅、アルミニウム等の金属により形成される。電力増幅器３０の面３３上に金属層３５が設けられていることにより、電力増幅器３０で発生した熱は、金属層３５を介しても放熱される。また、金属層３５は、ワイヤ３６を介して導電性シールド６０と接続されているため、放熱効果をさらに高めることが可能である。
　また、導電性シールド６０は、例えば、パッケージ基板２０の側面において、接地配線２６と接続されている。従って、電力増幅器３０の金属層３５の電位が接地レベルに固定される。これにより、電力増幅器３０の動作を安定させることが可能となる。
　ＳＡＷデュプレクサ４０は、基地局からの受信信号と、基地局への送信信号とを分波する部品である。ＳＡＷデュプレクサ４０は、電極４１ａ，４１ｂが設けられた面４３（第１の面）及び面４３に対向する面４２（第２の面）を有する。ＳＡＷデュプレクサ４０は、電極４１ａ，４１ｂに接続されたバンプ４４ａ，４４ｂを介して、パッケージ基板２０の上面２１上にフェイスダウン実装される。ＳＡＷデュプレクサ４０は、櫛歯電極部４５を有している。また、ＳＡＷデュプレクサ４０は、櫛歯電極部４５の動作空間であるキャビティ４６を有している。
　ＳＡＷデュプレクサ４０の導電性シールド側の面４３上には、金属層４７（第１の導電部）が設けられている。金属層４７は、例えば、金や銀、銅、アルミニウム、チタン等の金属により形成される。そして、金属層４７上には、ワイヤ４８（導電経路）が設けられている。ワイヤ４８は、導電性シールド６０側において切断されており、切断部４９ａ，４９ｂにおいて、導電性シールド６０と接続される。即ち、金属層４７及びワイヤ４８は、導電性シールド６０と電気的に接続された導電部（第１の導電部）を形成する。なお、ワイヤ４８は、例えば、金や銀、銅、アルミニウム等の金属により形成される。ＳＡＷデュプレクサ４０の面４３上に金属層４７が設けられていることにより、ＳＡＷデュプレクサ４０で発生した熱は、金属層４７を介して放熱される。また、金属層４７は、ワイヤ４８を介して導電性シールド６０と接続されているため、放熱効果をさらに高めることが可能である。
　また、導電性シールド６０は、例えば、パッケージ基板２０の側面において、接地配線２６と接続されている。従って、ＳＡＷデュプレクサ４０の金属層４７の電位が接地レベルに固定される。これにより、ＳＡＷデュプレクサ４０の動作を安定させることが可能となる。特に、ＳＡＷデュプレクサ４０では、基地局からの受信信号と、基地局への送信信号が、金属層４７を介して混線することがある。そのため、金属層４７を接地レベルに固定することにより、このような混線（クロストーク）を抑制することが可能となる。
　次に、図２Ａ～図２Ｅを参照して、電力増幅モジュール１０Ａの製造プロセスを説明する。
　まず、図２Ａに示すように、パッケージ基板２０の上面２１に、電力増幅器３０及びＳＡＷデュプレクサ４０がフェイスダウン実装される。
　次に、図２Ｂに示すように、電力増幅器３０の面３２上に設けられた金属層３５上に、ワイヤボンディングにより、ワイヤ３６が形成される。同様に、ＳＡＷデュプレクサ４０の面４２上に設けられた金属層４７上に、ワイヤボンディングにより、ワイヤ４８が形成される。なお、ワイヤ３６，４８は、それぞれ、複数本であってもよい。また、ワイヤ３６，４８は、フェイスダウン実装の前に、金属層３５，４７上に形成されてもよい。
さらに、電力増幅器３０の面３２上に設けられた金属層３５上からパッケージ基板２０の第一主面のＧＮＤ電極（図示せず）に接続するようにワイヤ３６を形成しても良い。ＳＡＷデュプレクサについても、同様にワイヤ４８が形成される。
　その後、図２Ｃに示すように、電力増幅器３０及びＳＡＷデュプレクサ４０が、絶縁性樹脂５０により覆われる（封止される）。なお、ワイヤ３６，４８も、絶縁性樹脂５０により覆われる。
　続いて、図２Ｄに示すように、絶縁性樹脂５０の表面を研削機１００により研削し、ワイヤ３６，４８を露出させる。具体的には、ワイヤ３６の一部が切断され、切断部３７ａ，３７ｂが露出される。同様に、ワイヤ４８の一部が切断され、切断部４９ａ，４９ｂが露出される。なお、ワイヤ３６，４８が切断されないように、ワイヤ３６，４８を露出させてもよい。
　最後に、絶縁性樹脂５０を覆うように、導電性シールド６０を形成する。これにより、導電性シールド６０は、ワイヤ３６の切断部３７ａ，３７ｂを介して、金属層３５と接続される。また、導電性シールド６０は、ワイヤ４８の切断部４９ａ，４９ｂを介して、金属層４７と接続される。
　以上の工程により、図１に示した電力増幅モジュール１０Ａを製造することができる。
　図３は、電力増幅モジュール１０Ａの変形例である電力増幅モジュール１０Ｂの構成を示す図である。なお、電力増幅モジュール１０Ａと同一の要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　電力増幅モジュール１０Ｂは、ワイヤ３６の代わりに、導電部７０及び導電ペースト７１を備えている。導電部７０（導電経路）は、例えば柱状の金属や金属ピンであり、導電ペースト７１により、下面が金属層３５に接続されている。また、導電部７０は、上面が導電性シールド６０に接続されている。導電部７０は、例えば、金や銀、銅、アルミニウム等の金属である。また、導電ペースト７１は、例えば、樹脂に銀やカーボン等の導電性粒子を混合した材料またはハンダである。
　また、電力増幅モジュール１０Ｂは、ワイヤ４８の代わりに、導電部８０及び導電ペースト８１を備えている。導電部８０は、例えば柱状であり、導電ペースト８１により、下面が金属層４７に接続されている。また、導電部８０は、上面が導電性シールド６０に接続されている。導電部８０は、例えば、金や銀、銅、アルミニウム等の金属である。また、導電ペースト８１は、例えば、樹脂に銀やカーボン等の導電性粒子を混合した材料またはハンダである。
　電力増幅モジュール１０Ｂでは、ワイヤ３６，４８の代わりに、導電部７０，８０を用いることにより、電力増幅器３０及びＳＡＷデュプレクサ４０の放熱性を向上させている。また、電力増幅モジュール１０Ａと同様に、導電性シールド６０が接地配線２６と接続されていることにより、電力増幅器３０及びＳＡＷデュプレクサ４０の動作を安定させることが可能となる。
　図４は、電力増幅モジュール１０Ａの変形例である電力増幅モジュール１０Ｃの構成を示す図である。なお、電力増幅モジュール１０Ａと同一の要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　電力増幅モジュール１０Ｃは、電力増幅モジュール１０Ａのワイヤ３６，４８を備えていない。代わりに、電力増幅器３０及びＳＡＷデュプレクサ４０の上方に穴９０，９１が形成されている。穴９０，９１は、例えば、電力増幅器３０及びＳＡＷデュプレクサ４０の上方から、絶縁性樹脂５０にレーザーを照射することにより形成される。穴９０，９１が形成された状態では、金属層３５，４７の表面が露出される。その後、導電性シールド６０がスパッタリング等により形成されることにより、導電性シールド６０と金属層３５，４７とが接続される。
　電力増幅モジュール１０Ｃでは、金属層３５，４７を、導電性シールド６０に直接接続することにより、電力増幅器３０及びＳＡＷデュプレクサ４０の放熱性を向上させている。また、電力増幅モジュール１０Ａと同様に、導電性シールド６０が接地配線２６と接続されていることにより、電力増幅器３０及びＳＡＷデュプレクサ４０の動作を安定させることが可能となる。
　図５は、電力増幅モジュール１０Ａの変形例である電力増幅モジュール１０Ｄの構成を示す図である。なお、電力増幅モジュール１０Ａと同一の要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　電力増幅モジュール１０Ｄは、電力増幅モジュール１０Ａのワイヤ３６，４８を備えていない。代わりに、金属層３５，４７の厚さが、電力増幅モジュール１０Ａよりも厚くなっている。そして、金属層３５，４７の上面が、導電性シールド６０に直接接続されている。
　電力増幅モジュール１０Ｄでは、金属層３５，４７を、導電性シールド６０に直接接続することにより、電力増幅器３０及びＳＡＷデュプレクサ４０の放熱性を向上させている。また、電力増幅モジュール１０Ａと同様に、導電性シールド６０が接地配線２６と接続されていることにより、電力増幅器３０及びＳＡＷデュプレクサ４０の動作を安定させることが可能となる。
　以上、本発明の実施形態の例である電力増幅モジュール１０Ａ～１０Ｄについて説明した。
　電力増幅モジュール１０Ａ～１０Ｄにおいては、フェイスダウン実装されたＳＡＷデュプレクサ４０の導電性シールド６０側の表面上に、導電性シールド６０と電気的に接続される導電部が設けられている。従って、キャビティ４６の影響によりパッケージ基板２０側から放熱が難しいＳＡＷデュプレクサ４０について、導電性シールド６０側から放熱することが可能となる。
　また、電力増幅モジュール１０Ａでは、金属層４７を導電性シールド６０と接続するための導電経路として、ワイヤ４８が設けられている。ワイヤ４８は、金属層４７上に、ワイヤボンディングにより容易に形成することが可能である。従って、電力増幅モジュール１０Ａの製造プロセスを容易にすることができる。
　さらに、電力増幅モジュール１０Ａでは、絶縁性樹脂５０の研削により、ワイヤ４８の一部が切断され、切断部４９ａ，４９ｂが形成されている。そして、切断部４９ａ，４９ｂが、導電性シールド６０と接続されている。図２Ｄに示したように、絶縁性樹脂５０の研削を行う際に、ワイヤ４８を切断させずに露出させるためには、高精度の作業が要求される。これに対して、電力増幅モジュール１０Ａでは、絶縁性樹脂５０の研削を、ワイヤ４８が切断されないところで停止する必要がない。従って、電力増幅モジュール１０Ａの製造プロセスを容易にすることができる。また、切断部４９ａ，４９ｂにより、ワイヤ４８を確実に導電性シールド６０に接続することができる。
　また、電力増幅モジュール１０Ａ～１０Ｄでは、導電性シールド６０が、パッケージ基板２０に設けられた接地配線２６と接続されている。これにより、ＳＡＷデュプレクサ４０の金属層４７の電位が接地レベルに固定され、ＳＡＷデュプレクサ４０の動作の安定化が可能となる。
　また、電力増幅モジュール１０Ａ～１０Ｄでは、サーマルビア２５ａ，２５ｂを介してパッケージ基板２０の下面２２から放熱が行われる電力増幅器３０についても、導電性シールド６０側の表面上に、導電性シールド６０と電気的に接続される導電部が設けられている。これにより、電力増幅器３０の放熱性を向上させることが可能となる。
　なお、電力増幅モジュール１０Ａ～１０Ｄでは、電力増幅器３０についても、導電性シールド６０側の表面上に、導電性シールド６０と電気的に接続される導電部が設けられているが、このような導電部は設けられなくてもよい。
　以上説明した各実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
　１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ　電力増幅モジュール
　２０　パッケージ基板
　２１　上面
　２２　下面
　２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ，２３ｅ　配線パターン
　２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，４１ａ，４１ｂ　電極
　２５ａ，２５ｂ　サーマルビア
　２６　接地配線
　３０　電力増幅器
　３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，４４ａ，４４ｂ　バンプ
　３５，４７　金属層
　３６，４８　ワイヤ
　３７ａ，３７ｂ，４９ａ，４９ｂ　切断部
　４０　ＳＡＷデュプレクサ
　４５　櫛歯電極部
　４６　キャビティ
　５０　絶縁性樹脂
　６０　導電性シールド
　７０，８０　導電部
　７１，８１　導電ペースト
　９０，９１　穴

Claims (6)

  1. 　第１及び第２の主面を有する基板と、
    　電極が形成された第１の面と、該第１の面に対向する第２の面とを有し、該第１の面が前記基板の前記第１の主面に対向するように実装された電力増幅器と、
    　電極が形成された第１の面と、該第１の面に対向する第２の面とを有し、該第１の面が前記基板の前記第１の主面に対向するように実装された表面弾性波デュプレクサと、
    　前記基板の前記第２の主面上に設けられた放熱部と、
    　前記電力増幅器と前記第１の主面との接続部の少なくとも一部を前記放熱部と接続する放熱経路と、
    　前記電力増幅器及び前記表面弾性波デュプレクサを覆う絶縁性樹脂と、
    　前記絶縁性樹脂の表面を覆う導電性シールドと、
    　前記表面弾性波デュプレクサの前記第２の面上に設けられ、前記導電性シールドと電気的に接続された第１の導電部と、
    　を備える電力増幅モジュール。
  2. 　請求項１に記載の電力増幅モジュールであって、
    　前記第１の導電部は、
    　前記表面弾性波デュプレクサの前記第２の面上に設けられた金属層と、
    　前記金属層及び前記導電性シールドを接続するための導電経路と、
    　を備える電力増幅モジュール。
  3. 　請求項２に記載の電力増幅モジュールであって、
    　前記導電経路は、前記金属層上に設けられたワイヤである、
    　電力増幅モジュール。
  4. 　請求項３に記載の電力増幅モジュールであって、
    　前記ワイヤは、前記導電性シールド側で切断された切断部を有し、
    　前記ワイヤの前記切断部が、前記導電性シールドと接続された、
    　電力増幅モジュール。
  5. 　請求項１～４の何れか一項の記載の電力増幅モジュールであって、
    　前記導電性シールドが、前記基板に設けられた接地配線と接続された、
    　電力増幅モジュール。
  6. 　請求項１～５の何れか一項に記載の電力増幅モジュールであって、
    　前記電力増幅器の前記第２の面上に設けられ、前記導電性シールドと電気的に接続された第２の導電部をさらに備える、
    　電力増幅モジュール。
PCT/JP2015/079742 2015-01-21 2015-10-21 電力増幅モジュール Ceased WO2016117196A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201580048597.XA CN107078125B (zh) 2015-01-21 2015-10-21 功率放大模块
US15/654,219 US10404226B2 (en) 2015-01-21 2017-07-19 Power amplifier module

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-009763 2015-01-21
JP2015009763 2015-01-21

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US15/654,219 Continuation US10404226B2 (en) 2015-01-21 2017-07-19 Power amplifier module

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016117196A1 true WO2016117196A1 (ja) 2016-07-28

Family

ID=56416758

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2015/079742 Ceased WO2016117196A1 (ja) 2015-01-21 2015-10-21 電力増幅モジュール

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10404226B2 (ja)
CN (1) CN107078125B (ja)
WO (1) WO2016117196A1 (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108233976A (zh) * 2016-12-21 2018-06-29 株式会社村田制作所 高频模块
WO2018164160A1 (ja) * 2017-03-10 2018-09-13 株式会社村田製作所 モジュール
WO2018168391A1 (ja) * 2017-03-13 2018-09-20 三菱電機株式会社 マイクロ波デバイス及び空中線
WO2019156051A1 (ja) * 2018-02-08 2019-08-15 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP2019145536A (ja) * 2018-02-15 2019-08-29 三菱電機株式会社 高周波デバイスおよび空中線
WO2020054001A1 (ja) * 2018-09-12 2020-03-19 三菱電機株式会社 空中線
WO2020054004A1 (ja) * 2018-09-12 2020-03-19 三菱電機株式会社 マイクロ波デバイス及び空中線
WO2020110578A1 (ja) * 2018-11-30 2020-06-04 株式会社村田製作所 モジュール
WO2022138393A1 (ja) * 2020-12-23 2022-06-30 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
WO2022153789A1 (ja) * 2021-01-12 2022-07-21 株式会社村田製作所 回路モジュール
WO2022230682A1 (ja) * 2021-04-26 2022-11-03 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
US20230059423A1 (en) * 2021-08-19 2023-02-23 Sanan Japan Technology Corporation Module having elastic wave device
US12334898B2 (en) 2020-07-09 2025-06-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. High frequency module and communication apparatus
US12402245B2 (en) 2020-11-02 2025-08-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio-frequency module and communication device

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11662223B2 (en) * 2019-10-24 2023-05-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic device including a shielding cap and methods for operating and fabricating an optoelectronic device
US11990872B2 (en) * 2020-04-17 2024-05-21 Nxp Usa, Inc. Power amplifier modules including topside cooling interfaces and methods for the fabrication thereof
US11990384B2 (en) 2020-04-17 2024-05-21 Nxp Usa, Inc. Amplifier modules with power transistor die and peripheral ground connections
CN115413401A (zh) * 2020-04-24 2022-11-29 株式会社村田制作所 高频模块以及通信装置
CN115188723A (zh) * 2022-09-14 2022-10-14 江苏卓胜微电子股份有限公司 一种系统级封装结构及其制作方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009119374A1 (ja) * 2008-03-24 2009-10-01 株式会社村田製作所 電子部品モジュールの製造方法
WO2010041356A1 (ja) * 2008-10-07 2010-04-15 株式会社村田製作所 電子部品モジュールの製造方法
US20110175179A1 (en) * 2010-01-20 2011-07-21 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Package structure having mems element
JP2012182395A (ja) * 2011-03-02 2012-09-20 Taiyo Yuden Co Ltd 電子デバイス
JP2014533911A (ja) * 2011-11-15 2014-12-15 クゥアルコム・インコーポレイテッドＱｕａｌｃｏｍｍ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 無線周波数パッケージオンパッケージ回路

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6873529B2 (en) * 2002-02-26 2005-03-29 Kyocera Corporation High frequency module
JP2005311230A (ja) * 2004-04-26 2005-11-04 Murata Mfg Co Ltd 回路モジュールおよびこの回路モジュールを用いた回路装置
JP4654149B2 (ja) 2006-03-30 2011-03-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2007142812A (ja) * 2005-11-18 2007-06-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 複合ｒｆモジュールパッケージ
JP2007184691A (ja) * 2006-01-05 2007-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 複合ｒｆ部品
US7868445B2 (en) * 2007-06-25 2011-01-11 Epic Technologies, Inc. Integrated structures and methods of fabrication thereof with fan-out metallization on a chips-first chip layer
AU2008274941A1 (en) * 2007-07-12 2009-01-15 Tragara Pharmaceuticals, Inc. Methods and compositions for the treatment of cancer, tumors, and tumor-related disorders
US7759212B2 (en) * 2007-12-26 2010-07-20 Stats Chippac, Ltd. System-in-package having integrated passive devices and method therefor
JP2009277910A (ja) * 2008-05-15 2009-11-26 Sharp Corp 半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法
US7851893B2 (en) * 2008-06-10 2010-12-14 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of connecting a shielding layer to ground through conductive vias
JP2014120966A (ja) 2012-12-18 2014-06-30 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電部品

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009119374A1 (ja) * 2008-03-24 2009-10-01 株式会社村田製作所 電子部品モジュールの製造方法
WO2010041356A1 (ja) * 2008-10-07 2010-04-15 株式会社村田製作所 電子部品モジュールの製造方法
US20110175179A1 (en) * 2010-01-20 2011-07-21 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Package structure having mems element
JP2012182395A (ja) * 2011-03-02 2012-09-20 Taiyo Yuden Co Ltd 電子デバイス
JP2014533911A (ja) * 2011-11-15 2014-12-15 クゥアルコム・インコーポレイテッドＱｕａｌｃｏｍｍ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 無線周波数パッケージオンパッケージ回路

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108233976A (zh) * 2016-12-21 2018-06-29 株式会社村田制作所 高频模块
US11283584B2 (en) 2016-12-21 2022-03-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. High frequency module
US10355850B2 (en) 2016-12-21 2019-07-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. High frequency module
WO2018164160A1 (ja) * 2017-03-10 2018-09-13 株式会社村田製作所 モジュール
US11205623B2 (en) 2017-03-13 2021-12-21 Mitsubishi Electric Corporation Microwave device and antenna for improving heat dissipation
WO2018168391A1 (ja) * 2017-03-13 2018-09-20 三菱電機株式会社 マイクロ波デバイス及び空中線
JPWO2018168391A1 (ja) * 2017-03-13 2019-11-07 三菱電機株式会社 マイクロ波デバイス及び空中線
GB2574160A (en) * 2017-03-13 2019-11-27 Mitsubishi Electric Corp Microwave device and antenna
GB2574160B (en) * 2017-03-13 2022-04-27 Mitsubishi Electric Corp Microwave device and antenna
JPWO2019156051A1 (ja) * 2018-02-08 2021-01-07 株式会社村田製作所 高周波モジュール
WO2019156051A1 (ja) * 2018-02-08 2019-08-15 株式会社村田製作所 高周波モジュール
US11476172B2 (en) 2018-02-08 2022-10-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio frequency module
JP2019145536A (ja) * 2018-02-15 2019-08-29 三菱電機株式会社 高周波デバイスおよび空中線
GB2591887B (en) * 2018-09-12 2022-05-25 Mitsubishi Electric Corp Microwave device and antenna
JP7031004B2 (ja) 2018-09-12 2022-03-07 三菱電機株式会社 マイクロ波デバイス及び空中線
WO2020054004A1 (ja) * 2018-09-12 2020-03-19 三菱電機株式会社 マイクロ波デバイス及び空中線
WO2020054001A1 (ja) * 2018-09-12 2020-03-19 三菱電機株式会社 空中線
GB2591887A (en) * 2018-09-12 2021-08-11 Mitsubishi Electric Corp Microwave device and antenna
JPWO2020054004A1 (ja) * 2018-09-12 2021-06-03 三菱電機株式会社 マイクロ波デバイス及び空中線
US11749589B2 (en) 2018-11-30 2023-09-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Module
WO2020110578A1 (ja) * 2018-11-30 2020-06-04 株式会社村田製作所 モジュール
US12334898B2 (en) 2020-07-09 2025-06-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. High frequency module and communication apparatus
US12402245B2 (en) 2020-11-02 2025-08-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio-frequency module and communication device
WO2022138393A1 (ja) * 2020-12-23 2022-06-30 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
WO2022153789A1 (ja) * 2021-01-12 2022-07-21 株式会社村田製作所 回路モジュール
WO2022230682A1 (ja) * 2021-04-26 2022-11-03 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
JP7333965B2 (ja) 2021-08-19 2023-08-28 三安ジャパンテクノロジー株式会社 モジュール
JP2023028624A (ja) * 2021-08-19 2023-03-03 三安ジャパンテクノロジー株式会社 モジュール
US20230059423A1 (en) * 2021-08-19 2023-02-23 Sanan Japan Technology Corporation Module having elastic wave device

Also Published As

Publication number Publication date
US10404226B2 (en) 2019-09-03
US20170317002A1 (en) 2017-11-02
CN107078125B (zh) 2020-06-02
CN107078125A (zh) 2017-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2016117196A1 (ja) 電力増幅モジュール
CN101048863B (zh) 电子部件模块以及无线通信设备
JP5945326B2 (ja) 放熱構造を備えた半導体装置
US20090230541A1 (en) Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP6129177B2 (ja) 電子部品モジュールとその実装体
JP5640892B2 (ja) 半導体装置
JP2011114192A (ja) 半導体装置
JP2008042063A (ja) 半導体装置
JP2012182395A (ja) 電子デバイス
JP5577694B2 (ja) 部品内蔵モジュール
US10741465B2 (en) Circuit module and method of manufacturing the same
US9743557B2 (en) Amplifier module with enhanced heat dissipating function and semiconductor device
KR20150076816A (ko) 전자 부품 모듈
JP2020088468A (ja) 増幅器及び増幅装置
JP2000299427A (ja) 高周波集積回路装置
JP7091555B2 (ja) 電力増幅装置
US20210202407A1 (en) Chip package structure and manufacturing method thereof
WO2011104784A1 (ja) 変換体モジュール及びその製造方法
JP2006049602A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP6579396B2 (ja) 半導体装置、及び基板
JP2000133765A (ja) 高周波集積回路装置
JPWO2006001087A1 (ja) 半導体装置
US20250132222A1 (en) Enhanced packaging for flip-chip devices
TWI709218B (zh) 晶片封裝結構及其製作方法
JP4696621B2 (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15878885

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15878885

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1