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WO2016031485A1 - 研磨用組成物および研磨用組成物の製造方法 - Google Patents

研磨用組成物および研磨用組成物の製造方法 Download PDF

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WO2016031485A1
WO2016031485A1 PCT/JP2015/071714 JP2015071714W WO2016031485A1 WO 2016031485 A1 WO2016031485 A1 WO 2016031485A1 JP 2015071714 W JP2015071714 W JP 2015071714W WO 2016031485 A1 WO2016031485 A1 WO 2016031485A1
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WO
WIPO (PCT)
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acid
polishing
group
polishing composition
dielectric constant
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2015/071714
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English (en)
French (fr)
Inventor
晃仁 安井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujimi Inc
Original Assignee
Fujimi Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujimi Inc filed Critical Fujimi Inc
Priority to JP2016545401A priority Critical patent/JPWO2016031485A1/ja
Priority to US15/503,463 priority patent/US20170243752A1/en
Publication of WO2016031485A1 publication Critical patent/WO2016031485A1/ja
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    • B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
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    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]

Definitions

  • the present invention relates to a polishing composition and a method for producing the polishing composition.
  • LSI semiconductor integrated circuit
  • SiO 2 which is an interlayer insulating film material of a conventional semiconductor device has a relative dielectric constant of about 3.8 to 4.2.
  • the dielectric constant of the interlayer insulating film material must also be lowered.
  • an element having a line width of 130 nm requires a material with a relative dielectric constant of about 2.5 to 3.0.
  • Examples of the low dielectric constant material used as the interlayer insulating film include, for example, SiOC-based materials (for example, SiOC including a plurality of Si—C or Si—H bonds), and organic-inorganic such as methylsilsesquioxane. Hybrid materials are known.
  • an object of the present invention is to provide a polishing composition capable of sufficiently suppressing the polishing rate of a low relative dielectric constant material and a method for producing the polishing composition.
  • the present invention includes abrasive grains and an organic compound, and the organic compound has a polyoxyalkylene group and an aliphatic hydrocarbon group containing three or more carbon atoms,
  • the polishing composition is used for polishing a substance having a dielectric constant of 4 or less.
  • One embodiment of the present invention includes an abrasive and an organic compound, and the organic compound has a polyoxyalkylene group and an aliphatic hydrocarbon group containing three or more carbon atoms, A polishing composition, which is used for polishing a substance having a relative dielectric constant of 4 or less. By setting it as such a structure, the grinding
  • the other embodiment of the present invention includes a step of mixing abrasive grains and an organic compound, wherein the organic compound is a polyoxyalkylene group and three or more carbon atoms. And a method for producing a polishing composition used for polishing a substance having a relative dielectric constant of 4 or less. By setting it as such a structure, the polishing composition which can fully suppress the grinding
  • polishing composition according to one embodiment of the present invention is not clear, but is considered to be as follows.
  • the organic compound contained in the polishing composition according to one embodiment of the present invention has a polyoxyalkylene group and an aliphatic hydrocarbon group containing 3 or more carbon atoms.
  • the unshared electron pair on the oxygen atom of the polyoxyalkylene group of the organic compound forms a hydrogen bond with the outermost surface of the low relative dielectric constant material film, so that the organic compound adheres as a protective film. Since the aliphatic hydrocarbon group portion does not attract the object to be polished, a steric barrier is generated. As a result, it is considered that these barriers alleviate the collision of abrasive grains with the low relative dielectric constant material film and suppress the polishing rate of the low relative dielectric constant material.
  • the said mechanism is based on estimation and this invention is not limited to the said mechanism at all.
  • An object to be polished according to one embodiment of the present invention is a substance having a relative dielectric constant of 4 or less.
  • the polishing object according to the present invention may further include a metal layer such as a barrier layer, a metal wiring layer, or the like as long as it contains a substance having a relative dielectric constant of 4 or less.
  • the upper limit of the relative dielectric constant of the object to be polished according to one embodiment of the present invention is 4, 3.5 is preferable, and 3.0 is more preferable.
  • the lower limit of the relative dielectric constant is not particularly limited, but is preferably 1.1, more preferably 1.5, and even more preferably 1.7.
  • the material having a relative dielectric constant of 4 or less include silicon carbide oxide (SiOC), fluorine-containing silicon oxide (SiOF), and organic polymers. More specifically, in the SiOC system, HSG-R7 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), BLACKDIAMOND (registered trademark) (Applied Materials, Inc.) and the like can be mentioned.
  • the polishing object according to the present invention may further contain SiO 2 in these substances.
  • the object to be polished according to one embodiment of the present invention may include a metal layer such as a barrier layer, and the material included in the metal layer is not particularly limited.
  • a metal layer such as a barrier layer
  • the material included in the metal layer is not particularly limited.
  • These metals may be contained in the metal layer in the form of an alloy or a metal compound. Tungsten, copper, ruthenium and tantalum are preferred. These metals may be used alone or in combination of two or more.
  • the metal contained in the metal wiring layer is not particularly limited, and examples thereof include copper, aluminum, hafnium, cobalt, nickel, titanium, and tungsten. These metals may be contained in the metal wiring layer in the form of an alloy or a metal compound. Copper or copper alloy is preferable. These metals may be used alone or in combination of two or more.
  • the organic compound according to one embodiment of the present invention has a polyoxyalkylene group and an aliphatic hydrocarbon group containing three or more carbon atoms. By having such a structure, the effect of suppressing the polishing rate of the low relative dielectric constant material can be obtained.
  • the said organic compound may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.
  • polyoxyalkylene groups include, for example, polyoxyethylene groups, polyoxypropylene groups, polyoxybutylene groups, polyoxyethylene group-blocked polyoxyalkylene groups, polyoxyethylene groups, and polyoxyethylene groups.
  • polyoxyethylene groups include random polyoxyalkylene groups with oxypropylene groups, block polyoxyalkylene groups with polyoxyethylene groups and polyoxybutylene groups, and random polyoxyalkylene groups with polyoxyethylene groups and polyoxybutylene groups. It is done.
  • the average number of added moles of the polyoxyalkylene group of the organic compound is preferably 2 or more, more preferably 5 or more, from the viewpoint of easy adhesion of the organic compound to the low dielectric constant material. Preferably it is 10 or more. Further, from the viewpoint of preventing the polishing rate of the low relative dielectric constant material from being excessively suppressed, the average number of added moles is preferably 180 or less, more preferably 170 or less, and even more preferably 160 or less.
  • the average added mole number is an average value of the number of moles of oxyalkylene groups added per mole of the organic compound.
  • the proportion of the oxyethylene group in the average number of moles added of the polyoxyalkylene group tends to form a hydrogen bond with the low dielectric constant material, and effectively suppresses the polishing rate of the low dielectric constant material. From the viewpoint of being able to do this, it is preferably 50 to 100 mol%, more preferably 80 to 100 mol%, and still more preferably 100 mol%. That is, the polyoxyalkylene group is more preferably a polyoxyethylene group. A polyoxyethylene group is preferable because it easily adsorbs to the outermost surface of the low relative dielectric constant material by hydrogen bonding.
  • the organic compound is particularly preferably an organic compound in which the polyoxyalkylene group is a polyoxyethylene group having an average addition mole number of 10 or more. If the average number of added moles is 10 or more, it is more preferable because it adheres more easily to the low relative dielectric constant material and the effect of suppressing the polishing rate is improved.
  • the addition form of the oxyalkylene group unit may be a block shape or a random shape as described above.
  • a block shape is preferred.
  • the aliphatic hydrocarbon group containing 3 or more carbon atoms contained in the organic compound is not particularly limited, may be saturated or unsaturated, may be chained or cyclic, and may further have a substituent. When it is cyclic, it may be monocyclic or polycyclic.
  • the aliphatic hydrocarbon group containing 3 or more carbon atoms is preferably a saturated or unsaturated chain aliphatic hydrocarbon group.
  • chain aliphatic hydrocarbon groups examples include propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, nonyl, decyl, undecyl, dodecyl, tridecyl, tetradecyl, pentadecyl, and the like.
  • a linear or branched alkyl group or alkenyl group having 3 to 30 carbon atoms is preferable, and an undecyl group, dodecyl group, pentadecyl group, heptadecyl group, isostearyl group, undecenyl group, It is a heptadecenyl group.
  • a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms is preferable.
  • a monocyclic ring such as a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group.
  • Polycyclic such as aliphatic hydrocarbon group, adamantyl group, norbornyl group, bornyl group, camphenyl group, decahydronaphthyl group, tricyclodecanyl group, tetracyclodecanyl group, camphoroyl group, dicyclohexyl group and pinenyl group
  • aliphatic hydrocarbon group is mentioned.
  • the aliphatic hydrocarbon group containing 3 or more carbon atoms may be bonded to the polyoxyalkylene group via another substituent or may be directly bonded.
  • the aliphatic hydrocarbon group containing 3 or more carbon atoms is directly bonded to a polyoxyalkylene group
  • the aliphatic hydrocarbon group containing 3 or more carbon atoms is a terminal of the polyoxyalkylene group. May be bonded to the carbon atom of the alkylene group of the polyoxyalkylene group unit, but is preferably bonded to the terminal oxygen atom of the polyoxyalkylene group.
  • organic compound examples include polyoxyalkylene alkyl ethers such as polyoxyethylene alkyl ether. More specifically, POE (5) -5-hexyl heptyl ether and the like can be mentioned.
  • the other substituents are not particularly limited, for example, —COO—, —OCO—, —CO—, —N—, —S—, —SO—, —SO 2 —, —NRCO— (R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms), and the like.
  • organic compounds examples include polyoxyalkylene-fatty acid esters and polyoxyalkylene-alkylamines.
  • a polyoxyalkylene-fatty acid ester in which a polyoxyalkylene group and an aliphatic hydrocarbon group containing 3 or more carbon atoms are bonded via an ester bond is preferable.
  • the fatty acid ester group include fatty acid ester groups derived from saturated fatty acids, unsaturated fatty acids, branched fatty acids and the like.
  • fatty acid ester group examples include caprylic acid, nonanoic acid, decanoic acid, lauric acid, tridecanoic acid, isotridecanoic acid, myristic acid, pentadecanoic acid, palmitic acid, heptadecanoic acid, stearic acid, nonadecanoic acid, behenic acid, dodecenoic acid , Ester groups derived from tetradecenoic acid, hexadecenoic acid, palmitooleic acid, oleic acid, vaccenic acid, linoleic acid, linolenic acid, arachidonic acid, isostearic acid, among others, lauric acid, palmitic acid, isostearic acid, Fatty acid ester groups derived from oleic acid are preferred.
  • the said organic compound may use said fatty acid ester group individually by 1 type, and may use 2 or more types.
  • the organic compound described above is not particularly limited, and examples thereof include polyoxyalkylene-fatty acid ester, polyoxyalkylene-sorbitan fatty acid ester, polyoxyalkylene-glycerin fatty acid ester and the like.
  • the organic compound is preferably a sorbitan derivative such as the above polyoxyalkylene-sorbitan fatty acid ester from the viewpoint of availability.
  • a sorbitan derivative such as the above polyoxyalkylene-sorbitan fatty acid ester from the viewpoint of availability.
  • polyoxyalkylene-sorbitan fatty acid esters are more preferred, and polyoxyethylene (POE) -sorbitan fatty acid esters are more preferred.
  • polyoxyethylene (POE) -sorbitan fatty acid ester examples include POE (20) -sorbitan trioleate, POE (20) -sorbitan monolaurate, POE (20) -sorbitan monopalmitate, POE (20)- Examples include sorbitan monostearate, POE (20) -sorbitan monooleate, POE (160) -sorbitan triisostearate and the like.
  • the organic compound preferably further has one or more hydroxy groups in one molecule from the viewpoint of being capable of hydrogen bonding to the low relative dielectric constant material and further suppressing the polishing rate of the low relative dielectric constant material.
  • the number of hydroxy groups in one molecule of the organic compound is not particularly limited, but is preferably 10 or less, more preferably 5 from the viewpoint that the polishing rate of the low dielectric constant material is not suppressed more than necessary. Or less, more preferably 3 or less.
  • the hydroxy group may be a terminal hydroxy group of the polyoxyalkylene group, and may be a substituent interposed between the polyoxyalkylene group and a monovalent aliphatic hydrocarbon group containing 3 or more carbon atoms. It may be a bonded hydroxy group.
  • a terminal hydroxy group of a polyoxyalkylene group is preferable from the viewpoint of easy formation of a hydrogen bond with a low relative dielectric constant material and availability.
  • the lower limit of the molecular weight of the organic compound is preferably 100 or more, more preferably 200 or more, and still more preferably 300 or more.
  • the upper limit of the molecular weight is preferably 100,000 or less, more preferably 50000 or less, still more preferably 40000 or less, and particularly preferably 30000 or less. If it is such a range, the grinding
  • the lower limit of the content of the organic compound in the polishing composition is preferably 0.001% by mass or more, more preferably 0.005% by mass or more, based on the mass of the polishing composition. More preferably, it is more preferably 0.01% by mass or more.
  • the upper limit of the content of the organic compound is preferably 1% by mass or less, more preferably 0.5% by mass or less, and more preferably 0.1% by mass or less, based on the mass of the polishing composition. More preferably it is. Within such a range, the effect of suppressing the polishing rate of the low dielectric constant material can be sufficiently obtained.
  • the polishing composition according to one embodiment of the present invention includes abrasive grains.
  • the abrasive grains contained in the polishing composition have an action of mechanically polishing the object to be polished, and improve the polishing rate of the object to be polished other than the low relative dielectric constant material by the polishing composition.
  • the abrasive used may be any of inorganic particles, organic particles, and organic-inorganic composite particles.
  • the inorganic particles include particles made of metal oxides such as silica, alumina, ceria, titania, silicon nitride particles, silicon carbide particles, and boron nitride particles.
  • Specific examples of the organic particles include polymethyl methacrylate (PMMA) particles.
  • PMMA polymethyl methacrylate
  • silica is preferable, and colloidal silica is particularly preferable.
  • Abrasive grains may be surface-modified. Since ordinary colloidal silica has a zeta potential value close to zero under acidic conditions, silica particles are not electrically repelled with each other under acidic conditions and are likely to agglomerate. On the other hand, abrasive grains whose surfaces are modified so that the zeta potential has a relatively large negative value even under acidic conditions are strongly repelled from each other and dispersed well even under acidic conditions, resulting in storage of the polishing composition. Stability will be improved. Such surface-modified abrasive grains can be obtained, for example, by mixing a metal such as aluminum, titanium or zirconium or an oxide thereof with the abrasive grains and doping the surface of the abrasive grains.
  • a metal such as aluminum, titanium or zirconium or an oxide thereof
  • colloidal silica having an organic acid immobilized thereon is particularly preferred.
  • the organic acid is immobilized on the surface of the colloidal silica contained in the polishing composition, for example, by chemically bonding a functional group of the organic acid to the surface of the colloidal silica. If the colloidal silica and the organic acid are simply allowed to coexist, the organic acid is not fixed to the colloidal silica. If sulfonic acid, which is a kind of organic acid, is immobilized on colloidal silica, for example, the method described in “Sulfonic acid-functionalized silica through quantitative oxidation of thiol groups”, Chem. Commun. 246-247 (2003) It can be carried out.
  • a silane coupling agent having a thiol group such as 3-mercaptopropyltrimethoxysilane is coupled to colloidal silica and then oxidized with hydrogen peroxide to fix the sulfonic acid on the surface.
  • the colloidal silica thus obtained can be obtained.
  • the carboxylic acid is immobilized on colloidal silica, for example, “Novel Silane Coupling Agents Containing a Photolabile 2-Nitrobenzyl Ester for Introduction of a Carboxy Group on the Surface of Silica Gel”, Chemistry Letters, 229 (2000).
  • colloidal silica having a carboxylic acid immobilized on the surface can be obtained by irradiating light after coupling a silane coupling agent containing a photoreactive 2-nitrobenzyl ester to colloidal silica. .
  • cationic silica produced by adding a basic aluminum salt or basic zirconium salt as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-214022 can also be used as abrasive grains.
  • the lower limit of the average primary particle diameter of the abrasive grains is preferably 5 nm or more, more preferably 7 nm or more, and further preferably 10 nm or more.
  • the upper limit of the average primary particle diameter of the abrasive grains is preferably 200 nm or less, more preferably 150 nm or less, and further preferably 100 nm or less.
  • the polishing rate of the polishing object other than the low relative dielectric constant material by the polishing composition is improved, and the surface of the polishing object after polishing with the polishing composition is scratched. The occurrence of (polishing scratches) can be further suppressed.
  • the average primary particle diameter of an abrasive grain is calculated based on the specific surface area of the abrasive grain measured by BET method, for example.
  • the lower limit of the average secondary particle diameter of the abrasive grains is preferably 25 nm or more, more preferably 30 nm or more, and further preferably 35 nm or more.
  • the upper limit of the average secondary particle diameter of the abrasive grains is preferably 300 nm or less, more preferably 260 nm or less, and further preferably 220 nm or less.
  • the secondary particles referred to here are particles formed by association of abrasive grains in the polishing composition, and the average secondary particle diameter of the secondary particles is measured by, for example, a dynamic light scattering method. be able to.
  • the lower limit of the content of the abrasive grains in the polishing composition is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.05% by mass or more, and more preferably 0.1% by mass or more. Further preferred. Further, the upper limit of the content of the abrasive grains in the polishing composition is preferably 50% by mass or less, more preferably 30% by mass or less, and further preferably 20% by mass or less. When the content of the abrasive grains in the polishing composition is 0.01% by mass or more, the polishing rate of an object to be polished other than the low dielectric constant material can be improved.
  • polishing composition if content of the abrasive grain in polishing composition is 50 mass% or less, the cost of polishing composition can be suppressed and the surface of the grinding
  • the polishing composition according to one embodiment of the present invention includes a dispersion medium, a solvent, an oxidizing agent, a reducing agent, a complexing agent, a metal anticorrosive agent, an antiseptic agent, an antifungal agent, a water-soluble polymer, an interface, if necessary.
  • Other components such as an activator and an organic solvent for dissolving a hardly soluble organic substance may be further included.
  • an activator and an organic solvent for dissolving a hardly soluble organic substance may be further included.
  • other preferable components will be described.
  • the polishing composition according to one embodiment of the present invention preferably contains a dispersion medium or a solvent for dispersing or dissolving each component.
  • a dispersion medium or solvent an organic solvent, water, and the like can be considered, and among them, water is preferably included. From the viewpoint of inhibiting the action of other components, water containing as little impurities as possible is preferable. Specifically, pure water, ultrapure water, or distilled water from which impurities are removed with an ion exchange resin and then foreign matters are removed through a filter is more preferable.
  • persulfate and hydrogen peroxide are preferable, and hydrogen peroxide is particularly preferable.
  • the lower limit of the content (concentration) of the oxidizing agent in the polishing composition is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.05% by mass or more, and 0.1% by mass or more. More preferably it is.
  • the content of the oxidizing agent decreases, the material cost of the polishing composition can be reduced, and the processing of the polishing composition after polishing, that is, the advantage of reducing the load of waste liquid treatment can be achieved. Have.
  • the upper limit of the content (concentration) of the oxidizing agent in the polishing composition is preferably 10% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, and further preferably 3% by mass or less. preferable. As the content of the oxidizing agent increases, there is an advantage that the polishing rate is improved when the metal layer is simultaneously polished.
  • the complexing agent that can be contained in the polishing composition according to one embodiment of the present invention has a function of chemically etching the surface of the object to be polished, and is a metal layer other than the low dielectric constant material by the polishing composition. In contrast, the polishing rate of the object to be polished is improved.
  • complexing agents examples include inorganic acids or salts thereof, organic acids or salts thereof, nitrile compounds, amino acids, and chelating agents. These complexing agents may be used alone or in admixture of two or more. As the complexing agent, a commercially available product or a synthetic product may be used.
  • inorganic acids include hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, carbonic acid, boric acid, tetrafluoroboric acid, hypophosphorous acid, phosphorous acid, phosphoric acid, pyrophosphoric acid, and the like.
  • organic acid examples include, for example, formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, 2-methylbutyric acid, n-hexanoic acid, 3,3-dimethylbutyric acid, 2-ethylbutyric acid, 4-methylpentanoic acid, monovalent carboxylic acids such as n-heptanoic acid, 2-methylhexanoic acid, n-octanoic acid, 2-ethylhexanoic acid, lactic acid, glycolic acid, glyceric acid, benzoic acid, salicylic acid; oxalic acid, malonic acid, succinic acid, Examples thereof include carboxylic acids such as glutaric acid, gluconic acid, adipic acid, pimelic acid, maleic acid, phthalic acid, fumaric acid, malic acid, tartaric acid and citric acid. Also, sulfonic acids such as methanesulfonic acid, ethanes,
  • a salt of the inorganic acid or the organic acid may be used.
  • a salt of a weak acid and a strong base a salt of a strong acid and a weak base, or a salt of a weak acid and a weak base
  • a pH buffering action can be expected.
  • salts include, for example, potassium chloride, sodium sulfate, potassium nitrate, potassium carbonate, potassium tetrafluoroborate, potassium pyrophosphate, potassium oxalate, trisodium citrate, (+)-potassium tartrate, hexafluoro A potassium phosphate etc. are mentioned.
  • nitrile compounds include acetonitrile, aminoacetonitrile, propionitrile, butyronitrile, isobutyronitrile, benzonitrile, glutaronitrile, methoxyacetonitrile, and the like.
  • amino acids include glycine, ⁇ -alanine, ⁇ -alanine, N-methylglycine, N, N-dimethylglycine, 2-aminobutyric acid, norvaline, valine, leucine, norleucine, isoleucine, phenylalanine, proline, sarcosine, Ornithine, lysine, taurine, serine, threonine, homoserine, tyrosine, bicine, tricine, 3,5-diiodo-tyrosine, ⁇ - (3,4-dihydroxyphenyl) -alanine, thyroxine, 4-hydroxy-proline, cysteine, methionine , Ethionine, lanthionine, cystathionine, cystine, cysteic acid, aspartic acid, glutamic acid, S- (carboxymethyl) -cysteine, 4-aminobutyric acid, asparagine, glutamine,
  • chelating agents include nitrilotriacetic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, N, N, N-trimethylenephosphonic acid, ethylenediamine-N, N, N ′, N′-tetramethylenesulfonic acid, transcyclohexane Diamine tetraacetic acid, 1,2-diaminopropanetetraacetic acid, glycol ether diamine tetraacetic acid, ethylenediamine orthohydroxyphenylacetic acid, ethylenediamine disuccinic acid (SS form), N- (2-carboxylateethyl) -L-aspartic acid, ⁇ -Alanine diacetate, 2-phosphonobutane-1,2,4-tricarboxylic acid, 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, N, N'-bis (2-hydroxybenzyl) ethylenediamine-N, N'-diace
  • At least one selected from the group consisting of an inorganic acid or a salt thereof, a carboxylic acid or a salt thereof, and a nitrile compound is preferable. From the viewpoint of stability of a complex structure with a metal compound, an inorganic acid or a salt thereof Is more preferable.
  • the lower limit of the content (concentration) of the complexing agent in the polishing composition is not particularly limited because the effect is exhibited even in a small amount, but when there is a metal layer other than the low dielectric constant material, the metal layer From the viewpoint of increasing the polishing rate, it is preferably 0.001 g / L or more, more preferably 0.01 g / L or more, and further preferably 0.1 g / L or more.
  • the upper limit of the content (concentration) of the complexing agent in the polishing composition of the present invention is preferably 20 g / L or less from the viewpoint of preventing dissolution of metal and improving step resolution, and 15 g / L. It is more preferably L or less, and further preferably 10 g / L or less.
  • the polishing composition according to one embodiment of the present invention may contain a metal anticorrosive.
  • a metal anticorrosive By adding a metal anticorrosive to the polishing composition, it is possible to suppress dissolution of the metal in the metal layer when simultaneously polishing a metal layer such as a barrier layer. Thereby, deterioration of the surface condition such as surface roughness of the polished surface can be suppressed.
  • the metal anticorrosive that can be used is not particularly limited, but is preferably a heterocyclic compound or a surfactant.
  • the number of heterocyclic rings in the heterocyclic compound is not particularly limited.
  • the heterocyclic compound may be a monocyclic compound or a polycyclic compound having a condensed ring.
  • the metal anticorrosives may be used alone or in combination of two or more.
  • a commercial product may be used for a metal corrosion inhibitor and a synthetic product may be used.
  • More specific examples include pyrazole compounds such as 1H-pyrazole, 4-nitro-3-pyrazolecarboxylic acid, 3,5-pyrazolecarboxylic acid, 3-amino-5-phenylpyrazole, 5-amino. -3-phenylpyrazole, 3,4,5-tribromopyrazole, 3-aminopyrazole, 3,5-dimethylpyrazole, 3,5-dimethyl-1-hydroxymethylpyrazole, 3-methylpyrazole, 1-methylpyrazole, 3-amino-5-methylpyrazole, 4-amino-pyrazolo [3,4-d] pyrimidine, allopurinol, 4-chloro-1H-pyrazolo [3,4-D] pyrimidine, 3,4-dihydroxy-6-methylpyrazolo (3,4-B) -pyridine, 6-methyl-1H-pyrazolo [3,4-b] pyridine-3 Amine, and the like.
  • pyrazole compounds such as 1H-pyrazole, 4-nitro-3-pyr
  • imidazole compound examples include imidazole, 1-methylimidazole, 2-methylimidazole, 4-methylimidazole, 1,2-dimethylpyrazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-isopropylimidazole, benzimidazole, 5, 6-dimethylbenzimidazole, 2-aminobenzimidazole, 2-chlorobenzimidazole, 2-methylbenzimidazole, 2- (1-hydroxyethyl) benzimidazole, 2-hydroxybenzimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,5 -Dimethylbenzimidazole, 5-methylbenzimidazole, 5-nitrobenzimidazole, 1H-purine and the like.
  • triazole compound examples include 1,2,3-triazole (1H-BTA), 1,2,4-triazole, 1-methyl-1,2,4-triazole, methyl-1H-1,2,4- Triazole-3-carboxylate, 1,2,4-triazole-3-carboxylic acid, methyl 1,2,4-triazole-3-carboxylate, 1H-1,2,4-triazole-3-thiol, 3, 5-diamino-1H-1,2,4-triazole, 3-amino-1,2,4-triazole-5-thiol, 3-amino-1H-1,2,4-triazole, 3-amino-5 Benzyl-4H-1,2,4-triazole, 3-amino-5-methyl-4H-1,2,4-triazole, 3-nitro-1,2,4-triazole, 3-bromo-5-nitro- 1 2,4-triazole, 4- (1,2,4-triazol-1-yl) phenol, 4-amino-1,2,4-triazole, 4-amino
  • tetrazole compounds include 1H-tetrazole, 5-methyltetrazole, 5-aminotetrazole, 5-phenyltetrazole, and the like.
  • indazole compounds include, for example, 1H-indazole, 5-amino-1H-indazole, 5-nitro-1H-indazole, 5-hydroxy-1H-indazole, 6-amino-1H-indazole, 6-nitro-1H -Indazole, 6-hydroxy-1H-indazole, 3-carboxy-5-methyl-1H-indazole and the like.
  • indole compounds include 1H-indole, 1-methyl-1H-indole, 2-methyl-1H-indole, 3-methyl-1H-indole, 4-methyl-1H-indole, 5-methyl-1H-indole, 6-methyl-1H-indole, 7-methyl-1H-indole, 4-amino-1H-indole, 5-amino-1H-indole, 6-amino-1H-indole, 7-amino-1H-indole, 4- Hydroxy-1H-indole, 5-hydroxy-1H-indole, 6-hydroxy-1H-indole, 7-hydroxy-1H-indole, 4-methoxy-1H-indole, 5-methoxy-1H-indole, 6-methoxy- 1H-indole, 7-methoxy-1H-indole, 4-chloro-1H-i Dole, 5-chloro-1H-indole, 6-chloro
  • heterocyclic compounds are triazole compounds, and in particular, 1H-benzotriazole, 5-methyl-1H-benzotriazole, 5,6-dimethyl-1H-benzotriazole, 1- [N, N-bis (hydroxy Ethyl) aminomethyl] -5-methylbenzotriazole, 1- [N, N-bis (hydroxyethyl) aminomethyl] -4-methylbenzotriazole, 1,2,3-triazole, and 1,2,4-triazole Is preferred. Since these heterocyclic compounds have high chemical or physical adsorptive power to the surface of the object to be polished, a stronger protective film can be formed on the surface of the object to be polished. This is advantageous in improving the flatness of the surface of the object to be polished after polishing using the polishing composition of the present invention.
  • the lower limit of the content of the metal anticorrosive in the polishing composition is preferably 0.001 g / L or more, and preferably 0.005 g / L or more from the viewpoint of preventing dissolution of the metal and improving step resolution. More preferably, it is more preferably 0.01 g / L or more.
  • the upper limit of the content of the metal anticorrosive agent in the polishing composition is preferably 10 g / L or less from the viewpoint of improving the polishing rate of the object to be polished with respect to the metal layer other than the low relative dielectric constant material. More preferably, it is 5 g / L or less, and further preferably 2 g / L or less.
  • the polishing composition according to one embodiment of the present invention preferably contains a surfactant.
  • the surfactant is different from the organic compound contained in the polishing composition according to the present invention.
  • the surfactant can suppress dishing when the metal wiring is polished by imparting hydrophilicity to the polished surface after polishing.
  • the surfactant is adsorbed on the wafer surface to form a surfactant layer, whereby damage from the chemical contained in the polishing composition can be suppressed.
  • the surfactant may be any of an anionic surfactant, a cationic surfactant, an amphoteric surfactant, and a nonionic surfactant.
  • anionic surfactants include fatty acid salts, polyoxyethylene alkyl ether acetic acid, polyoxyethylene alkyl sulfate, alkyl sulfate, polyoxyethylene alkyl sulfate, alkyl sulfate, alkylbenzene sulfonic acid, alkyl phosphate ester. , Polyoxyethylene alkyl phosphate ester, polyoxyethylene sulfosuccinic acid, alkyl sulfosuccinic acid, alkyl naphthalene sulfonic acid, alkyl diphenyl ether disulfonic acid, lauric acid, or a salt thereof.
  • cationic surfactant examples include alkyltrimethylammonium salt, alkyldimethylammonium salt, alkylbenzyldimethylammonium salt, alkylamine salt and the like.
  • amphoteric surfactants include alkyl betaines and alkyl amine oxides.
  • specific examples of the nonionic surfactant include polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyalkylene alkyl ether, sorbitan fatty acid ester, glycerin fatty acid ester, polyoxyethylene fatty acid ester, polyoxyethylene alkylamine, alkyl alkanolamide, and the like. It is. One of these surfactants may be used alone, or two or more thereof may be used in combination.
  • preferred surfactants are anionic surfactants, more preferred are fatty acid salts, and even more preferred are triethanolamine laurate, ammonium laurate or metal laurate.
  • a preferable lauric acid metal salt potassium laurate etc. are mentioned, for example.
  • the lower limit of the content of the surfactant in the polishing composition is preferably 0.0001% by mass or more, more preferably 0.001% by mass or more from the viewpoint of suppressing dishing when the metal wiring is polished. It is. Further, the upper limit of the content of the surfactant in the polishing composition is preferably 10% by mass or less from the viewpoint of reducing the residual amount of the surfactant on the polishing surface and further improving the cleaning efficiency. Preferably it is 1 mass% or less.
  • Preservatives and fungicides examples include 2-methyl-4-isothiazolin-3-one and 5-chloro-2-methyl-4-isothiazolin-3-one. And the like, and isothiazoline preservatives such as paraoxybenzoic acid esters and phenoxyethanol. These antiseptics and fungicides may be used alone or in combination of two or more.
  • a water-soluble polymer may be added to the polishing composition according to one embodiment of the present invention for the purpose of improving the hydrophilicity of the surface of the object to be polished and improving the dispersion stability of the abrasive grains.
  • the water-soluble polymer is different from the organic compound essential in the polishing composition according to the present invention.
  • Examples of water-soluble polymers include polystyrene sulfonate, polyisoprene sulfonate, polyacrylate, polymaleic acid, polyitaconic acid, polyvinyl acetate, polyvinyl alcohol, polyglycerin, polyvinyl pyrrolidone, isoprene sulfonic acid and acrylic acid.
  • Polymer polyvinylpyrrolidone polyacrylic acid copolymer, polyvinylpyrrolidone vinyl acetate copolymer, naphthalenesulfonic acid formalin condensate salt, diallylamine hydrochloride sulfur dioxide copolymer, carboxymethylcellulose, carboxymethylcellulose salt, hydroxyethylcellulose, hydroxy Examples include propylcellulose, pullulan, chitosan, and chitosan salts.
  • a water-soluble polymer When a water-soluble polymer is added to the polishing composition, the surface roughness of the polishing object after polishing using the polishing composition is further reduced.
  • One of these water-soluble polymers may be used alone, or two or more thereof may be used in combination.
  • the lower limit of the content of the water-soluble polymer in the polishing composition is 0.0001 g / in view of reducing the surface roughness of the polishing surface by the polishing composition as the content of the water-soluble polymer increases. It is preferable that it is L or more, more preferably 0.001 g / L or more.
  • the upper limit of the content of the water-soluble polymer in the polishing composition is that the amount of the water-soluble polymer remaining on the polishing surface is reduced and the cleaning efficiency is further improved as the content of the water-soluble polymer decreases. To 10 g / L or less, more preferably 5 g / L or less.
  • the lower limit of the pH of the polishing composition according to one embodiment of the present invention is preferably 1.5 or more, more preferably 2 or more from the viewpoint of preventing corrosion of the polishing apparatus and corrosion of the wiring and barrier film. More preferably, it is 2.5 or more.
  • the upper limit of the pH of the polishing composition is preferably 12 or less, more preferably 11.5 or less, and further preferably 11 or less, from the viewpoint of suppressing dissolution of abrasive grains and a low relative dielectric constant material. is there.
  • a pH adjuster may be used to adjust the pH of the polishing composition to a desired value.
  • the pH adjuster to be used may be either acid or base, and may be any of inorganic and organic compounds.
  • a pH adjuster can be used individually or in mixture of 2 or more types.
  • Examples of the acid that can be used as the pH adjuster include inorganic acids such as sulfuric acid, nitric acid, boric acid, carbonic acid, hypophosphorous acid, phosphorous acid and phosphoric acid; formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, 2-methylbutyric acid, n-hexanoic acid, 3,3-dimethylbutyric acid, 2-ethylbutyric acid, 4-methylpentanoic acid, n-heptanoic acid, 2-methylhexanoic acid, n-octanoic acid, 2-ethylhexanoic acid, Carboxylic acids such as benzoic acid, glycolic acid, salicylic acid, glyceric acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, maleic acid, phthalic acid, malic acid, tartaric acid, citric acid and lactic acid, and Examples
  • bases that can be used as pH adjusters include alkali metal hydroxides or salts thereof, alkaline earth metal hydroxides or salts thereof, quaternary ammonium hydroxide or salts thereof, ammonia, amines, and the like. Is mentioned.
  • Specific examples of the alkali metal include potassium and sodium.
  • Specific examples of the salt include carbonate, hydrogen carbonate, sulfate, acetate, and the like.
  • Specific examples of the quaternary ammonium include tetramethylammonium, tetraethylammonium, tetrabutylammonium and the like.
  • Examples of the quaternary ammonium hydroxide compound include quaternary ammonium hydroxide or a salt thereof, and specific examples include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, and tetrabutylammonium hydroxide.
  • amines include methylamine, dimethylamine, trimethylamine, ethylamine, diethylamine, triethylamine, ethylenediamine, monoethanolamine, N- ( ⁇ -aminoethyl) ethanolamine, hexamethylenediamine, diethylenetriamine, triethylenetetramine, anhydrous piperazine Piperazine hexahydrate, 1- (2-aminoethyl) piperazine, N-methylpiperazine, guanidine and the like. These bases may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.
  • ammonia, ammonium salts, alkali metal hydroxides, alkali metal salts, quaternary ammonium hydroxide compounds, and amines are preferable. More preferably, ammonia, potassium compound, sodium hydroxide, quaternary ammonium hydroxide compound, ammonium hydrogen carbonate, ammonium carbonate, sodium hydrogen carbonate, and sodium carbonate are applied. Moreover, it is more preferable that the polishing composition contains a potassium compound as a base from the viewpoint of preventing metal contamination. Examples of the potassium compound include potassium hydroxide or salt, and specific examples include potassium hydroxide, potassium carbonate, potassium hydrogen carbonate, potassium sulfate, potassium acetate, and potassium chloride.
  • the method for producing the polishing composition according to one embodiment of the present invention is not particularly limited, and can be obtained, for example, by stirring and mixing abrasive grains, an organic compound, and other components as necessary in water. .
  • another embodiment of the present invention includes a step of mixing abrasive grains and an organic compound, wherein the organic compound includes a polyoxyalkylene group, an aliphatic hydrocarbon group containing three or more carbon atoms, And a method for producing a polishing composition used for polishing a substance having a relative dielectric constant of 4 or less.
  • the temperature at the time of mixing each component is not particularly limited, but is preferably 10 to 40 ° C., and may be heated to increase the dissolution rate. Further, the mixing time is not particularly limited.
  • the polishing composition according to one embodiment of the present invention is suitably used for polishing an object to be polished containing a substance having a relative dielectric constant of 4 or less.
  • a substance having a relative dielectric constant of 4 or less targeted for polishing by the polishing composition according to one embodiment of the present invention can form an LSI together with a barrier layer and a metal wiring layer as an interlayer insulating film.
  • a polishing method for polishing an object to be polished containing a substance having a relative dielectric constant of 4 or less with the polishing composition of the present invention is also provided.
  • a substrate manufacturing method including a step of polishing a polishing object including a substance having a relative dielectric constant of 4 or less by the polishing method.
  • a polishing apparatus As a polishing apparatus, a general holder having a polishing surface plate on which a holder for holding a substrate having a polishing object and a motor capable of changing the number of rotations are attached and a polishing pad (polishing cloth) can be attached A polishing apparatus can be used.
  • polishing pad a general nonwoven fabric, polyurethane, suede type, porous fluororesin, or the like can be used without particular limitation. It is preferable that the polishing pad is grooved so that the polishing liquid accumulates.
  • the polishing conditions are not particularly limited.
  • the rotation speed of the polishing platen is preferably 10 to 500 rpm
  • the rotation speed of the carrier is preferably 10 to 500 rpm
  • the pressure applied to the substrate having the object to be polished (polishing pressure) Is preferably 0.1 to 10 psi.
  • the method of supplying the polishing composition to the polishing pad is not particularly limited, and for example, a method of continuously supplying with a pump or the like is employed. Although the supply amount is not limited, it is preferable that the surface of the polishing pad is always covered with the polishing composition of the present invention.
  • the substrate After completion of polishing, the substrate is washed in running water, and water droplets adhering to the substrate are removed by a spin dryer or the like and dried to obtain a substrate containing a substance having a relative dielectric constant of 4 or less.
  • the polishing composition according to one embodiment of the present invention may be a one-component type or a multi-component type including a two-component type. Further, the polishing composition according to one embodiment of the present invention may be prepared by diluting the stock solution of the polishing composition, for example, 10 times or more using a diluent such as water.
  • Examples 1 to 8, Comparative Examples 1 to 11 Colloidal silica (average secondary particle diameter of about 65 nm (average primary particle diameter 30 nm, association degree 2)) as abrasive grains, triethanolamine laurate or potassium laurate as a surfactant, and polyoxyalkylene group as an organic compound
  • an organic compound according to the present invention having an aliphatic hydrocarbon group containing 3 or more carbon atoms or other organic compounds in water so as to have the concentrations shown in Table 2 and Table 3 below, respectively, in water (Mixing temperature: about 25 ° C., mixing time: about 10 minutes) to prepare a polishing composition.
  • the pH of the composition was adjusted to 7 by adding potassium hydroxide (KOH) and confirmed with a pH meter.
  • the weight average molecular weight of the organic compound was measured by GPC (gel permeation chromatography) using polystyrene as a standard substance.
  • the polishing rate was measured when the surface of the polishing object was polished for 60 seconds under the polishing conditions shown in Table 1 below.
  • the polishing rate of the low dielectric constant film was determined by dividing the difference in film thickness before and after polishing measured by using an optical interference film thickness measuring instrument by the polishing time.
  • the polishing composition of the present invention (Example 1) was compared with the polishing compositions of Comparative Examples 1 to 10 which were polishing compositions not containing an organic compound according to the present invention.
  • the polishing rate of the black diamond (registered trademark) film as the low dielectric constant material is suppressed.
  • the polishing compositions of the present invention are the same as the polishing composition of Comparative Example 11 which is a polishing composition not containing an organic compound according to the present invention.
  • the polishing rate of a black diamond (registered trademark) film as a low dielectric constant material was suppressed.
  • the polishing compositions containing the organic compound that is a sorbitan derivative have a polishing rate higher than that of the polishing composition containing no sorbitan derivative (Example 8). It was found that the suppression effect was higher.

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Abstract

　本発明は、低比誘電率材料の研磨速度を十分に抑制できる研磨用組成物を提供する。本発明は、砥粒と、有機化合物とを含み、前記有機化合物は、ポリオキシアルキレン基と、３つ以上の炭素原子を含む脂肪族炭化水素基とを有するものであり、比誘電率が４以下である物質を研磨するのに用いられる、研磨用組成物である。

Description

研磨用組成物および研磨用組成物の製造方法
　本発明は、研磨用組成物および研磨用組成物の製造方法に関する。
　半導体集積回路（以下ＬＳＩと記す）で代表される半導体デバイスの開発においては、小型化・高速化のため、近年配線の微細化と積層化による高密度化・高集積化が求められている。このような最先端のデバイスでは配線間の距離が近いために、誘電率の高い絶縁膜を使用した際には配線間での電気的な不良が発生することがある。このためＬＳＩの高速化のためには、層間絶縁膜には配線間容量の少ない比誘電率の低い材料（以下、Ｌｏｗ－ｋ材料ともいう）が求められている。
　従来の半導体デバイスの層間絶縁膜材料であるＳｉＯ２は、比誘電率が約３．８～４．２である。しかし、線幅が狭くなるにつれて、層間絶縁膜材料の比誘電率も低くしなければならず、例えば、線幅１３０ｎｍの素子では、比誘電率が約２．５～３．０の材料を必要とする。
　層間絶縁膜として用いられる低比誘電率の材料としては、例えば、ＳｉＯＣ系の材料（例えば、複数のＳｉ－Ｃ、またはＳｉ－Ｈ結合を含むＳｉＯＣ）、メチルシルセスキオキサン等の有機－無機ハイブリッド系の材料が知られている。
　このようなＬｏｗ－ｋ材料の研磨技術としては、シリカ、ベンゾトリアゾール化合物、およびアミノアルコールを含む研磨用組成物で低誘電率の膜を研磨する技術（特開２００８－０９１５６９号公報）が存在する。
　層間絶縁膜として用いられる低比誘電率材料においては、ロスを避けるため、研磨速度の抑制という要求が存在する。しかしながら、低比誘電率材料は強度が非常に低いため、上記特開２００８－０９１５６９号公報に記載の研磨用組成物では、低比誘電率材料の研磨速度を抑制することができず、さらなる改良が求められていた。
　そこで本発明は、低比誘電率材料の研磨速度を十分に抑制できる研磨用組成物および研磨用組成物の製造方法を提供することを目的とする。
　上記課題を解決すべく、本発明者らは鋭意研究を積み重ねた。その結果、砥粒と、特定の構造を有する有機化合物とを含む、研磨用組成物を使用することで上記課題が解決されうることを見出した。そして、上記知見に基づいて、本発明を完成するに至った。
　すなわち、本発明は、砥粒と、有機化合物と、を含み、前記有機化合物は、ポリオキシアルキレン基と、３つ以上の炭素原子を含む脂肪族炭化水素基と、を有するものであり、比誘電率が４以下である物質を研磨するのに用いられることを特徴とする、研磨用組成物である。
　本発明の一形態は、砥粒と、有機化合物と、を含み、前記有機化合物は、ポリオキシアルキレン基と、３つ以上の炭素原子を含む脂肪族炭化水素基と、を有するものであり、比誘電率が４以下である物質を研磨するのに用いられることを特徴とする、研磨用組成物である。このような構成とすることにより、低比誘電率材料の研磨速度を十分に抑制できる。
　また、本発明の他の一形態は、本発明の他の一形態は、砥粒と、有機化合物を混合する工程を有し、前記有機化合物がポリオキシアルキレン基と、３つ以上の炭素原子を含む脂肪族炭化水素基と、を有し、比誘電率が４以下である物質を研磨するのに用いられる研磨用組成物の製造方法である。
このような構成とすることにより、低比誘電率材料の研磨速度を十分に抑制できる研磨用組成物を提供することができる。
　本発明の一形態に係る研磨用組成物を用いることにより上記のような効果が得られる詳細な理由は不明であるが、以下のような理由であると考えられる。
　本発明の一形態に係る研磨用組成物に含まれる有機化合物は、ポリオキシアルキレン基と３つ以上の炭素原子を含む脂肪族炭化水素基とを有している。前記有機化合物が有するポリオキシアルキレン基の酸素原子上の非共有電子対が低比誘電率材料膜の最表面と水素結合を形成することにより、前記有機化合物が保護膜として付着する。脂肪族炭化水素基部分は研磨対象物と引き合わないため、立体障壁を生じさせる。その結果、それらの障壁が低比誘電率材料膜への砥粒の衝突を緩和し、低比誘電率材料の研磨速度を抑制すると考えられる。なお、上記メカニズムは推測によるものであり、本発明は上記メカニズムに何ら限定されるものではない。
　［研磨対象物］
　本発明の一形態に係る研磨対象物は、比誘電率が４以下である物質である。本発明に係る研磨対象物は、比誘電率が４以下の物質を含んでいれば、バリア層等の金属層、金属配線層などをさらに有していてもよい。
　ここで、本発明の一形態に係る研磨対象物の比誘電率の上限は４であり、３．５が好ましく、３．０がより好ましい。一方、比誘電率の下限としては、特に制限されないが、１．１が好ましく、１．５がより好ましく、１．７がさらに好ましい。比誘電率を上記範囲とすることで、より良好な機械的強度やより良好な膜の密着性の膜になり、層間絶縁膜が帯電することを効果的に防ぐことができる。比誘電率が４を超えると、微細化に伴い、配線間の距離が短くなることによって、配線間に存在する層間絶縁膜がコンデンサのように帯電しやすくなり、信号の信頼性が低下する傾向がある。一方、比誘電率を１．１以上とすることで、膜質をより強靭にすることができるとともに、膜の密着性に問題が発生する頻度をより低下させることができる。
　比誘電率が４以下の物質としては、具体的には、例えば、炭化酸化シリコン（ＳｉＯＣ）、フッ素含有シリコン酸化物（ＳｉＯＦ）、有機ポリマーなどが挙げられる。さらに具体的には、ＳｉＯＣ系ではＨＳＧ－Ｒ７（日立化成工業株式会社製）、ＢＬＡＣＫＤＩＡＭＯＮＤ（登録商標）（Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ， Ｉｎｃ）などが挙げられる。本発明に係る研磨対象物は、これらの物質にＳｉＯ２をさらに含むものであってもよい。
　本発明の一形態に係る研磨対象物は、バリア層等の金属層を含んでもよく、金属層に含まれる材料としては、特に制限されず、例えば、タングステン、銅、アルミニウム、ハフニウム、コバルト、ニッケル、チタン、タンタル、チタン、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、オスミウム等が挙げられる。これら金属は、合金または金属化合物の形態で金属層に含まれていてもよい。好ましくはタングステン、銅、ルテニウム、タンタルである。これら金属は、単独でもまたは２種以上組み合わせて用いてもよい。
　また、金属配線層に含まれる金属も特に制限されず、例えば、銅、アルミニウム、ハフニウム、コバルト、ニッケル、チタン、タングステン等が挙げられる。これらの金属は、合金または金属化合物の形態で金属配線層に含まれていてもよい。好ましくは銅、または銅合金である。これら金属は、単独でもまたは２種以上組み合わせて用いてもよい。
　次に、本発明の一形態に係る研磨用組成物の構成について、詳細に説明する。
　［有機化合物］
　本発明の一形態に係る有機化合物は、ポリオキシアルキレン基と３つ以上の炭素原子を含む脂肪族炭化水素基とを有する。このような構造を有することにより低比誘電率材料の研磨速度抑制の効果が得られる。前記有機化合物は１種単独で用いてもよいし、または２種以上を併用してもよい。
　ポリオキシアルキレン基の例としては、例えば、ポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基、ポリオキシブチレン基、ポリオキシエチレン基とポリオキシプロピレン基とのブロック状ポリオキシアルキレン基、ポリオキシエチレン基とポリオキシプロピレン基とのランダム状ポリオキシアルキレン基、ポリオキシエチレン基とポリオキシブチレン基とのブロック状ポリオキシアルキレン基、ポリオキシエチレン基とポリオキシブチレン基とのランダム状ポリオキシアルキレン基等が挙げられる。
　前記有機化合物が有するポリオキシアルキレン基の平均付加モル数は、有機化合物の低比誘電率材料への付着しやすさの観点から２以上であることが好ましく、より好ましくは５以上であり、さらに好ましくは１０以上である。また、低比誘電率材料の研磨速度が過度に抑制されることを防ぐ観点から平均付加モル数は１８０以下であることが好ましく、より好ましくは１７０以下であり、さらに好ましくは１６０以下である。平均付加モル数とは、前記有機化合物１モルあたりに付加しているオキシアルキレン基のモル数の平均値である。
　前記有機化合物において、ポリオキシアルキレン基の平均付加モル数に占めるオキシエチレン基の割合は、低比誘電率材料との水素結合を形成しやすく、効果的に低比誘電率材料の研磨速度を抑制することができる観点から５０～１００モル％であることが好ましく、より好ましくは８０～１００モル％であり、さらに好ましくは１００モル％である。すなわち、前記ポリオキシアルキレン基は、ポリオキシエチレン基であることがさらに好ましい。ポリオキシエチレン基であれば、低比誘電率材料の最表面と水素結合により吸着しやすくなるため好ましい。
　前記有機化合物として、特に好ましくは、前記ポリオキシアルキレン基が、平均付加モル数１０以上のポリオキシエチレン基である有機化合物である。平均付加モル数が１０以上であれば、低比誘電率材料とさらに付着しやすくなり研磨速度抑制の効果が向上するためより好ましい。
　前記有機化合物のポリオキシアルキレン基が２種以上のオキシアルキレン基を含む場合、オキシアルキレン基単位の付加形態は、上記したようにブロック状でもよくランダム状でもよい。好ましくはブロック状である。
　前記有機化合物が有する３つ以上の炭素原子を含む脂肪族炭化水素基は、特に限定されず、飽和でも不飽和でもよく、鎖状でも環状でもよく、さらに置換基を有していてもよい。環状である場合、単環でも多環でもよい。前記３つ以上の炭素原子を含む脂肪族炭化水素基として好ましくは、飽和または不飽和の鎖状の脂肪族炭化水素基である。
　鎖状の脂肪族炭化水素基としては、例えば、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、イコサニル基、ヘンイコサニル基、ドコサニル基、トリアコンタニル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔ－ブチル基、１－エチルペンチル基、２－エチルヘキシル基、イソヘプチルデシル基、１－ヘキシルヘプチル基、イソステアリル基などの炭素数３～３０の直鎖状または分枝状のアルキル基；プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基、トリデセニル基、テトラデセニル基、ペンタデセニル基、ヘキサデセニル基、ヘプタデセニル基、オクタデセニル基、オクタデカトリエニル基、（５Ｚ，８Ｚ，１１Ｚ，１４Ｚ）－ノナデカ－５，８，１１，１４－テトラエニル基、イコセニル基、ヘンイコセニル基、ドコセニル基、トリアコンテニル基などの炭素数３～３０の直鎖状または分枝状のアルケニル基；プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基、ヘプチニル基、オクチニル基、ノニニル基、デシニル基、ドデシニル基、テトラデシニル基、ヘキサデシニル基、イコシニル基などの炭素数３～３０の直鎖状または分枝状のアルキニル基が挙げられる。これらの中でも好ましくは、炭素数３～３０の直鎖状または分枝状のアルキル基またはアルケニル基であり、より好ましくはウンデシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、ヘプタデシル基、イソステアリル基、ウンデセニル基、ヘプタデセニル基である。
　環状の脂肪族炭化水素基としては、炭素数３～３０のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、及びシクロオクチル基等の単環の脂肪族炭化水素基や、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基、カンフェニル基、デカヒドロナフチル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、カンホロイル基、ジシクロヘキシル基及びピネニル基等の多環の脂肪族炭化水素基が挙げられる。
　前記３つ以上の炭素原子を含む脂肪族炭化水素基は、ポリオキシアルキレン基に他の置換基を介して結合していてもよく、直接結合していてもよい。
　前記３つ以上の炭素原子を含む脂肪族炭化水素基が、ポリオキシアルキレン基に直接結合している場合、前記３つ以上の炭素原子を含む脂肪族炭化水素基は、ポリオキシアルキレン基の末端の酸素原子に結合していてもよく、ポリオキシアルキレン基単位のアルキレン基の炭素に結合していてもよいが、ポリオキシアルキレン基の末端の酸素原子に結合していることが好ましい。
　このような有機化合物としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテルなどのポリオキシアルキレンアルキルエーテルが挙げられる。さらに具体的には、ＰＯＥ（５）－５－ヘキシルヘプチルエーテル等が挙げられる。
　ポリオキシアルキレン基が他の置換基を介して３つ以上の炭素原子を含む脂肪族炭化水素基と結合している場合、他の置換基としては、特に限定されないが、例えば、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯ－、－Ｎ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＳＯ２－、－ＮＲＣＯ－（Ｒは水素原子又は炭素数１～２０のアルキル基を表す）などが挙げられる。
　このような有機化合物としては、例えば、ポリオキシアルキレン－脂肪酸エステル、ポリオキシアルキレン－アルキルアミンなどが挙げられる。
　これらのうち好ましくは、ポリオキシアルキレン基と３つ以上の炭素原子を含む脂肪族炭化水素基とが、エステル結合を介して結合したポリオキシアルキレン－脂肪酸エステルである。脂肪酸エステル基としては、飽和脂肪酸、不飽和脂肪酸、および分岐脂肪酸などに由来する脂肪酸エステル基が挙げられる。
　前記脂肪酸エステル基としては、例えば、カプリル酸、ノナン酸、デカン酸、ラウリン酸、トリデカン酸、イソトリデカン酸、ミリスチン酸、ペンタデカン酸、パルミチン酸、ヘプタデカン酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、ベヘン酸、ドデセン酸、テトラデセン酸、ヘキサデセン酸、パルミトオレイン酸、オレイン酸、バクセン酸、リノール酸、リノレン酸、アラキドン酸、イソステアリン酸などに由来するエステル基が挙げられ、なかでもラウリン酸、パルミチン酸、イソステアリン酸、オレイン酸に由来する脂肪酸エステル基が好ましい。前記有機化合物は、上記の脂肪酸エステル基を１種単独で用いてもよく、２種以上を用いてもよい。
　上記で説明した有機化合物としては、特に限定されないが、例えば、ポリオキシアルキレン－脂肪酸エステル、ポリオキシアルキレン－ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシアルキレン－グリセリン脂肪酸エステルなどが挙げられる。
　前記有機化合物は、入手容易性の観点から、上記のポリオキシアルキレン－ソルビタン脂肪酸エステル等をはじめとするソルビタン誘導体であることが好ましい。これらのうちより好ましくはポリオキシアルキレン－ソルビタン脂肪酸エステルであり、さらに好ましくはポリオキシエチレン（ＰＯＥ）－ソルビタン脂肪酸エステルである。
　ポリオキシエチレン（ＰＯＥ）－ソルビタン脂肪酸エステルの具体例としては、ＰＯＥ（２０）－ソルビタントリオレート、ＰＯＥ（２０）－ソルビタンモノラウレート、ＰＯＥ（２０）－ソルビタンモノパルミテート、ＰＯＥ（２０）－ソルビタンモノステアレート、ＰＯＥ（２０）－ソルビタンモノオレート、ＰＯＥ（１６０）－ソルビタントリイソステアレート等が挙げられる。
　前記有機化合物は、低比誘電率材料に水素結合しやすく低比誘電率材料の研磨速度をさらに抑制し得る観点から一分子中に１つ以上のヒドロキシ基をさらに有することが好ましい。
　前記有機化合物が、一分子中に有するヒドロキシ基の数は、特に限定されないが、低比誘電率材料の研磨速度が必要以上に抑制されない観点から１０以下であることが好ましく、より好ましくは５つ以下であり、さらに好ましくは３つ以下である。
　前記ヒドロキシ基は、前記ポリオキシアルキレン基の末端ヒドロキシ基であってもよく、ポリオキシアルキレン基と３つ以上の炭素原子を含む一価の脂肪族炭化水素基との間に介在する置換基に結合しているヒドロキシ基であってもよい。これらの形態のうち、好ましくは、低比誘電率材料との水素結合の形成しやすさや入手のしやすさの観点からポリオキシアルキレン基の末端ヒドロキシ基である。
　前記有機化合物の分子量の下限として好ましくは１００以上であり、より好ましくは２００以上であり、さらに好ましくは３００以上である。また、分子量の上限としては１０００００以下であることが好ましく、より好ましくは５００００以下であり、さらにより好ましくは４００００以下であり、特に好ましくは３００００以下である。このような範囲であれば、低比誘電率材料の研磨速度を十分に抑制することができる。
　研磨用組成物中の前記有機化合物の含有量の下限は、研磨用組成物の質量を基準として０．００１質量％以上であることが好ましく、より好ましくは０．００５質量％以上であることがより好ましく、０．０１質量％以上であることがさらに好ましい。また、前記有機化合物の含有量の上限は、研磨用組成物の質量を基準として１質量％以下であることが好ましく、より好ましくは０．５質量％以下であり、０．１質量％以下であることがさらに好ましい。このような範囲であれば、低比誘電率材料の研磨速度抑制の効果を十分に得ることができる。
　〔砥粒〕
　本発明の一形態に係る研磨用組成物は、砥粒を含む。研磨用組成物中に含まれる砥粒は、研磨対象物を機械的に研磨する作用を有し、研磨用組成物による低比誘電率材料以外の研磨対象物の研磨速度を向上させる。
　使用される砥粒は、無機粒子、有機粒子、および有機無機複合粒子のいずれであってもよい。無機粒子の具体例としては、例えば、シリカ、アルミナ、セリア、チタニア等の金属酸化物からなる粒子、窒化ケイ素粒子、炭化ケイ素粒子、窒化ホウ素粒子が挙げられる。有機粒子の具体例としては、例えば、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）粒子が挙げられる。これらの砥粒は、単独でもまたは２種以上混合して用いてもよい。また、砥粒は、市販品を用いてもよいし合成品を用いてもよい。
　これら砥粒の中でも、シリカが好ましく、特に好ましくはコロイダルシリカである。
　砥粒は表面修飾されていてもよい。通常のコロイダルシリカは、酸性条件下でゼータ電位の値がゼロに近いために、酸性条件下ではシリカ粒子同士が互いに電気的に反発せず凝集を起こしやすい。これに対し、酸性条件でもゼータ電位が比較的大きな負の値を有するように表面修飾された砥粒は、酸性条件下においても互いに強く反発して良好に分散する結果、研磨用組成物の保存安定性を向上させることになる。このような表面修飾砥粒は、例えば、アルミニウム、チタンまたはジルコニウムなどの金属あるいはそれらの酸化物を砥粒と混合して砥粒の表面にドープさせることにより得ることができる。
　なかでも、特に好ましいのは、有機酸を固定化したコロイダルシリカである。研磨用組成物中に含まれるコロイダルシリカの表面への有機酸の固定化は、例えばコロイダルシリカの表面に有機酸の官能基が化学的に結合することにより行われている。コロイダルシリカと有機酸を単に共存させただけではコロイダルシリカへの有機酸の固定化は果たされない。有機酸の一種であるスルホン酸をコロイダルシリカに固定化するのであれば、例えば、“Sulfonic acid-functionalized silica through quantitative oxidation of thiol groups”, Chem. Commun. 246-247 (2003)に記載の方法で行うことができる。具体的には、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のチオール基を有するシランカップリング剤をコロイダルシリカにカップリングさせた後に過酸化水素でチオール基を酸化することにより、スルホン酸が表面に固定化されたコロイダルシリカを得ることができる。あるいは、カルボン酸をコロイダルシリカに固定化するのであれば、例えば、“Novel Silane Coupling Agents Containing a Photolabile 2-Nitrobenzyl Ester for Introduction of a Carboxy Group on the Surface of Silica Gel”, Chemistry Letters, 3, 228-229 (2000)に記載の方法で行うことができる。具体的には、光反応性２－ニトロベンジルエステルを含むシランカップリング剤をコロイダルシリカにカップリングさせた後に光照射することにより、カルボン酸が表面に固定化されたコロイダルシリカを得ることができる。
　また、特開平４－２１４０２２号公報に開示されるような、塩基性アルミニウム塩または塩基性ジルコニウム塩を添加して製造したカチオン性シリカを砥粒として用いることもできる。
　砥粒の平均一次粒子径の下限は、５ｎｍ以上であることが好ましく、７ｎｍ以上であることがより好ましく、１０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。また、砥粒の平均一次粒子径の上限は、２００ｎｍ以下であることが好ましく、１５０ｎｍ以下であることがより好ましく、１００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。このような範囲であれば、研磨用組成物による低比誘電率材料以外の研磨対象物の研磨速度は向上し、また、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面にスクラッチ(研磨傷)が生じるのをより抑えることができる。なお、砥粒の平均一次粒子径は、例えば、ＢＥＴ法で測定される砥粒の比表面積に基づいて算出される。
　砥粒の平均二次粒子径の下限は、２５ｎｍ以上であることが好ましく、３０ｎｍ以上であることがより好ましく、３５ｎｍ以上であることがさらに好ましい。また、砥粒の平均二次粒子径の上限は、３００ｎｍ以下であることが好ましく、２６０ｎｍ以下であることがより好ましく、２２０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。このような範囲であれば、研磨用組成物による低比誘電率材料以外の研磨対象物の研磨速度は向上し、また、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面にスクラッチ(研磨傷)が生じるのをより抑えることができる。なお、ここでいう二次粒子とは、砥粒が研磨用組成物中で会合して形成する粒子をいい、この二次粒子の平均二次粒子径は、例えば動的光散乱法により測定することができる。
　研磨用組成物中の砥粒の含有量の下限は、０．０１質量％以上であることが好ましく、０．０５質量％以上であることがより好ましく、０．１質量％以上であることがさらに好ましい。また、研磨用組成物中の砥粒の含有量の上限は、５０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以下であることがより好ましく、２０質量％以下であることがさらに好ましい。研磨用組成物中の砥粒の含有量が０．０１質量％以上であれば、低比誘電率材料以外の研磨対象物の研磨速度を向上させることができる。また、研磨用組成物中の砥粒の含有量が５０質量％以下であれば、研磨用組成物のコストを抑えることができ、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面にディッシングが生じるのをより抑えることができる。
　［他の成分］
　本発明の一形態に係る研磨用組成物は、必要に応じて、分散媒、溶媒、酸化剤、還元剤、錯化剤、金属防食剤、防腐剤、防カビ剤、水溶性高分子、界面活性剤、難溶性の有機物を溶解するための有機溶媒等の他の成分をさらに含んでもよい。以下、好ましい他の成分について説明する。
　［分散媒または溶媒］
　本発明の一形態に係る研磨用組成物は、各成分の分散または溶解のための分散媒または溶媒を含むことが好ましい。分散媒または溶媒としては有機溶媒および水等が考えられるが、その中でも水を含むことが好ましい。他の成分の作用を阻害するという観点から、不純物をできる限り含有しない水が好ましい。具体的には、イオン交換樹脂にて不純物イオンを除去した後フィルタを通して異物を除去した純水や超純水、または蒸留水がより好ましい。
　［酸化剤］
　本発明の一形態に係る研磨用組成物に含まれうる酸化剤の具体例としては、過酸化水素、過酢酸、過炭酸塩、過酸化尿素、過塩素酸；過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウムおよび過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩などが挙げられる。これら酸化剤は、単独でもまたは２種以上混合して用いてもよい。
　中でも、過硫酸塩および過酸化水素が好ましく、特に好ましいのは過酸化水素である。
　研磨用組成物中の酸化剤の含有量（濃度）の下限は、０．０１質量％以上であることが好ましく、０．０５質量％以上であることがより好ましく、０．１質量％以上であることがさらに好ましい。酸化剤の含有量が少なくなるにつれて、研磨用組成物の材料コストを抑えることができるのに加え、研磨使用後の研磨用組成物の処理、すなわち廃液処理の負荷を軽減することができる利点を有する。また、酸化剤による研磨対象物表面の過剰な酸化が起こりにくくなる利点も有する。
　また、研磨用組成物中の酸化剤の含有量（濃度）の上限は、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、３質量％以下であることがさらに好ましい。酸化剤の含有量が多くなるにつれて、同時に金属層を研磨する際に研磨速度が向上する利点がある。
　［錯化剤］
　本発明の一形態に係る研磨用組成物に含まれうる錯化剤は、研磨対象物の表面を化学的にエッチングする作用を有し、研磨用組成物による低比誘電率材料以外の金属層に対して研磨対象物の研磨速度を向上させる。
　使用可能な錯化剤としては、例えば、無機酸またはその塩、有機酸またはその塩、ニトリル化合物、アミノ酸、およびキレート剤等が挙げられる。これら錯化剤は、単独でもまたは２種以上混合して用いてもよい。また、錯化剤は、市販品を用いてもよいし合成品を用いてもよい。
　無機酸の具体例としては、例えば、塩酸、硫酸、硝酸、炭酸、ホウ酸、テトラフルオロホウ酸、次亜リン酸、亜リン酸、リン酸、ピロリン酸等が挙げられる。
　有機酸の具体例としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、２－メチル酪酸、ｎ－ヘキサン酸、３，３－ジメチル酪酸、２－エチル酪酸、４－メチルペンタン酸、ｎ－ヘプタン酸、２－メチルヘキサン酸、ｎ－オクタン酸、２－エチルヘキサン酸、乳酸、グリコール酸、グリセリン酸、安息香酸、サリチル酸等の一価カルボン酸；シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、グルコン酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、フマル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸等の多価カルボン酸：等のカルボン酸が挙げられる。また、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸およびイセチオン酸等のスルホン酸も使用可能である。
　錯化剤として、前記無機酸または前記有機酸の塩を用いてもよい。特に、弱酸と強塩基との塩、強酸と弱塩基との塩、または弱酸と弱塩基との塩を用いた場合には、ｐＨの緩衝作用を期待することができる。このような塩の例としては、例えば、塩化カリウム、硫酸ナトリウム、硝酸カリウム、炭酸カリウム、テトラフルオロホウ酸カリウム、ピロリン酸カリウム、シュウ酸カリウム、クエン酸三ナトリウム、（＋）－酒石酸カリウム、ヘキサフルオロリン酸カリウム等が挙げられる。
　ニトリル化合物の具体例としては、例えば、アセトニトリル、アミノアセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル、グルタロジニトリル、メトキシアセトニトリル等が挙げられる。
　アミノ酸の具体例としては、グリシン、α－アラニン、β－アラニン、Ｎ－メチルグリシン、Ｎ，Ｎ－ジメチルグリシン、２－アミノ酪酸、ノルバリン、バリン、ロイシン、ノルロイシン、イソロイシン、フェニルアラニン、プロリン、サルコシン、オルニチン、リシン、タウリン、セリン、トレオニン、ホモセリン、チロシン、ビシン、トリシン、３，５－ジヨード－チロシン、β－（３，４－ジヒドロキシフェニル）－アラニン、チロキシン、４－ヒドロキシ－プロリン、システイン、メチオニン、エチオニン、ランチオニン、シスタチオニン、シスチン、システイン酸、アスパラギン酸、グルタミン酸、Ｓ－（カルボキシメチル）－システイン、４－アミノ酪酸、アスパラギン、グルタミン、アザセリン、アルギニン、カナバニン、シトルリン、δ－ヒドロキシ－リシン、クレアチン、ヒスチジン、１－メチル－ヒスチジン、３－メチル－ヒスチジンおよびトリプトファンが挙げられる。
　キレート剤の具体例としては、ニトリロ三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、エチレンジアミン四酢酸、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリメチレンホスホン酸、エチレンジアミン－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチレンスルホン酸、トランスシクロヘキサンジアミン四酢酸、１，２－ジアミノプロパン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、エチレンジアミンオルトヒドロキシフェニル酢酸、エチレンジアミンジ琥珀酸（ＳＳ体）、Ｎ－（２－カルボキシラートエチル）－Ｌ－アスパラギン酸、β－アラニンジ酢酸、２－ホスホノブタン－１，２，４－トリカルボン酸、１－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸、Ｎ，Ｎ’－ビス（２－ヒドロキシベンジル）エチレンジアミン－Ｎ，Ｎ’－ジ酢酸、１，２－ジヒドロキシベンゼン－４，６－ジスルホン酸等が挙げられる。
　これらの中でも、無機酸またはその塩、カルボン酸またはその塩、およびニトリル化合物からなる群より選択される少なくとも１種が好ましく、金属化合物との錯体構造の安定性の観点から、無機酸またはその塩がより好ましい。
　研磨用組成物中の錯化剤の含有量（濃度）の下限は、少量でも効果を発揮するため特に限定されるものではないが、低比誘電率材料以外の金属層がある時に、金属層の研磨速度を上昇させる観点から０．００１ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、０．０１ｇ／Ｌ以上であることがより好ましく、０．１ｇ／Ｌ以上であることがさらに好ましい。また、本発明の研磨用組成物中の錯化剤の含有量（濃度）の上限は、金属の溶解を防ぎ、段差解消性を向上させる観点から２０ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、１５ｇ／Ｌ以下であることがより好ましく、１０ｇ／Ｌ以下であることがさらに好ましい。
　〔金属防食剤〕
　本発明の一形態に係る研磨用組成物は、金属防食剤を含んでいてもよい。研磨用組成物中に金属防食剤を加えることにより、バリア層等の金属層を同時に研磨する際に、金属層の金属が溶解するのを抑えることができる。これにより研磨表面の面荒れなどの表面状態の悪化を抑えることができる。
　使用可能な金属防食剤は、特に制限されないが、好ましくは複素環式化合物または界面活性剤である。複素環式化合物中の複素環の員数は特に限定されない。また、複素環式化合物は、単環化合物であってもよいし、縮合環を有する多環化合物であってもよい。金属防食剤は、単独でもまたは２種以上混合して用いてもよい。また、金属防食剤は、市販品を用いてもよいし合成品を用いてもよい。
　金属防食剤として使用可能な複素環化合物としては、例えば、ピロール化合物、ピラゾール化合物、イミダゾール化合物、トリアゾール化合物、テトラゾール化合物、ピリジン化合物、ピラジン化合物、ピリダジン化合物、ピリンジン化合物、インドリジン化合物、インドール化合物、イソインドール化合物、インダゾール化合物、プリン化合物、キノリジン化合物、キノリン化合物、イソキノリン化合物、ナフチリジン化合物、フタラジン化合物、キノキサリン化合物、キナゾリン化合物、シンノリン化合物、ブテリジン化合物、チアゾール化合物、イソチアゾール化合物、オキサゾール化合物、イソオキサゾール化合物、フラザン化合物等の含窒素複素環化合物が挙げられる。
　さらに具体的な例を挙げると、ピラゾール化合物としては、例えば、１Ｈ－ピラゾール、４－ニトロ－３－ピラゾールカルボン酸、３，５－ピラゾールカルボン酸、３－アミノ－５－フェニルピラゾール、５－アミノ－３－フェニルピラゾール、３，４，５－トリブロモピラゾール、３－アミノピラゾール、３，５－ジメチルピラゾール、３，５－ジメチル－１－ヒドロキシメチルピラゾール、３－メチルピラゾール、１－メチルピラゾール、３－アミノ－５－メチルピラゾール、４－アミノ－ピラゾロ［３，４－ｄ］ピリミジン、アロプリノール、４－クロロ－１Ｈ－ピラゾロ［３，４－Ｄ］ピリミジン、３，４－ジヒドロキシ－６－メチルピラゾロ（３，４－Ｂ）－ピリジン、６－メチル－１Ｈ－ピラゾロ［３，４－ｂ］ピリジン－３－アミン等が挙げられる。
　イミダゾール化合物としては、例えば、イミダゾール、１－メチルイミダゾール、２－メチルイミダゾール、４－メチルイミダゾール、１，２－ジメチルピラゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－イソプロピルイミダゾール、ベンゾイミダゾール、５，６－ジメチルベンゾイミダゾール、２－アミノベンゾイミダゾール、２－クロロベンゾイミダゾール、２－メチルベンゾイミダゾール、２－（１－ヒドロキシエチル）ベンズイミダゾール、２－ヒドロキシベンズイミダゾール、２－フェニルベンズイミダゾール、２，５－ジメチルベンズイミダゾール、５－メチルベンゾイミダゾール、５－ニトロベンズイミダゾール、１Ｈ－プリン等が挙げられる。
　トリアゾール化合物としては、例えば、１，２，３－トリアゾール（１Ｈ－ＢＴＡ）、１，２，４－トリアゾール、１－メチル－１，２，４－トリアゾール、メチル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾール－３－カルボキシレート、１，２，４－トリアゾール－３－カルボン酸、１，２，４－トリアゾール－３－カルボン酸メチル、１Ｈ－１，２，４－トリアゾール－３－チオール、３，５－ジアミノ－１Ｈ－１，２，４－トリアゾール、３－アミノ－１，２，４－トリアゾール－５－チオール、３－アミノ－１Ｈ－１，２，４－トリアゾール、３－アミノ－５－ベンジル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール、３－アミノ－５－メチル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール、３－ニトロ－１，２，４－トリアゾール、３－ブロモ－５－ニトロ－１，２，４－トリアゾール、４－（１，２，４－トリアゾール－１－イル）フェノール、４－アミノ－１，２，４－トリアゾール、４－アミノ－３，５－ジプロピル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール、４－アミノ－３，５－ジメチル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール、４－アミノ－３，５－ジペプチル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール、５－メチル－１，２，４－トリアゾール－３，４－ジアミン、１Ｈ－ベンゾトリアゾール、１－ヒドロキシベンゾトリアゾール、１－アミノベンゾトリアゾール、１－カルボキシベンゾトリアゾール、５－クロロ－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、５－ニトロ－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、５－カルボキシ－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、５－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、５，６－ジメチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、１－（１’，２’－ジカルボキシエチル）ベンゾトリアゾール、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（ヒドロキシエチル）アミノメチル］ベンゾトリアゾール、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（ヒドロキシエチル）アミノメチル］－５－メチルベンゾトリアゾール、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（ヒドロキシエチル）アミノメチル］－４－メチルベンゾトリアゾール等が挙げられる。
　テトラゾール化合物の例としては、例えば、１Ｈ－テトラゾール、５－メチルテトラゾール、５－アミノテトラゾール、および５－フェニルテトラゾール等が挙げられる。
　インダゾール化合物の例としては、例えば、１Ｈ－インダゾール、５－アミノ－１Ｈ－インダゾール、５－ニトロ－１Ｈ－インダゾール、５－ヒドロキシ－１Ｈ－インダゾール、６－アミノ－１Ｈ－インダゾール、６－ニトロ－１Ｈ－インダゾール、６－ヒドロキシ－１Ｈ－インダゾール、３－カルボキシ－５－メチル－１Ｈ－インダゾール等が挙げられる。
　インドール化合物としては、例えば１Ｈ－インドール、１－メチル－１Ｈ－インドール、２－メチル－１Ｈ－インドール、３－メチル－１Ｈ－インドール、４－メチル－１Ｈ－インドール、５－メチル－１Ｈ－インドール、６－メチル－１Ｈ－インドール、７－メチル－１Ｈ－インドール、４－アミノ－１Ｈ－インドール、５－アミノ－１Ｈ－インドール、６－アミノ－１Ｈ－インドール、７－アミノ－１Ｈ－インドール、４－ヒドロキシ－１Ｈ－インドール、５－ヒドロキシ－１Ｈ－インドール、６－ヒドロキシ－１Ｈ－インドール、７－ヒドロキシ－１Ｈ－インドール、４－メトキシ－１Ｈ－インドール、５－メトキシ－１Ｈ－インドール、６－メトキシ－１Ｈ－インドール、７－メトキシ－１Ｈ－インドール、４－クロロ－１Ｈ－インドール、５－クロロ－１Ｈ－インドール、６－クロロ－１Ｈ－インドール、７－クロロ－１Ｈ－インドール、４－カルボキシ－１Ｈ－インドール、５－カルボキシ－１Ｈ－インドール、６－カルボキシ－１Ｈ－インドール、７－カルボキシ－１Ｈ－インドール、４－ニトロ－１Ｈ－インドール、５－ニトロ－１Ｈ－インドール、６－ニトロ－１Ｈ－インドール、７－ニトロ－１Ｈ－インドール、４－ニトリル－１Ｈ－インドール、５－ニトリル－１Ｈ－インドール、６－ニトリル－１Ｈ－インドール、７－ニトリル－１Ｈ－インドール、２，５－ジメチル－１Ｈ－インドール、１，２－ジメチル－１Ｈ－インドール、１，３－ジメチル－１Ｈ－インドール、２，３－ジメチル－１Ｈ－インドール、５－アミノ－２，３－ジメチル－１Ｈ－インドール、７－エチル－１Ｈ－インドール、５－（アミノメチル）インドール、２－メチル－５－アミノ－１Ｈ－インドール、３－ヒドロキシメチル－１Ｈ－インドール、６－イソプロピル－１Ｈ－インドール、５－クロロ－２－メチル－１Ｈ－インドール等が挙げられる。
　これらの中でも好ましい複素環化合物はトリアゾール化合物であり、特に、１Ｈ－ベンゾトリアゾール、５－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、５，６－ジメチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（ヒドロキシエチル）アミノメチル］－５－メチルベンゾトリアゾール、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（ヒドロキシエチル）アミノメチル］－４－メチルベンゾトリアゾール、１，２，３－トリアゾール、および１，２，４－トリアゾールが好ましい。これらの複素環化合物は、研磨対象物表面への化学的または物理的吸着力が高いため、研磨対象物表面により強固な保護膜を形成することができる。このことは、本発明の研磨用組成物を用いて研磨した後の、研磨対象物の表面の平坦性を向上させる上で有利である。
　研磨用組成物中の金属防食剤の含有量の下限は、金属の溶解を防ぎ、段差解消性が向上する観点から０．００１ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、０．００５ｇ／Ｌ以上であることがより好ましく、０．０１ｇ／Ｌ以上であることがさらに好ましい。また、研磨用組成物中の金属防食剤の含有量の上限は、低比誘電率材料以外の金属層に対して研磨対象物の研磨速度が向上する観点から１０ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、５ｇ／Ｌ以下であることがより好ましく、２ｇ／Ｌ以下であることがさらに好ましい。
　［界面活性剤］
　本発明の一形態に係る研磨用組成物は、界面活性剤を含むことが好ましい。界面活性剤は、本発明に係る研磨用組成物に必須に含まれる前記有機化合物とは異なるものである。
　界面活性剤は、研磨後の研磨表面に親水性を付与することにより金属配線を研磨したときにディッシングを抑制することが出来る。これ以外にも、界面活性剤がウェーハ表面に吸着し、界面活性剤の層を形成することで、研磨組成に含まれている薬剤からのダメージを抑制することができる。
　界面活性剤は、陰イオン性界面活性剤、陽イオン性界面活性剤、両性界面活性剤、及び非イオン性界面活性剤のいずれであってもよい。
　陰イオン性界面活性剤の具体例には、脂肪酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル酢酸、ポリオキシエチレンアルキル硫酸エステル、アルキル硫酸エステル、ポリオキシエチレンアルキル硫酸、アルキル硫酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルリン酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルリン酸エステル、ポリオキシエチレンスルホコハク酸、アルキルスルホコハク酸、アルキルナフタレンスルホン酸、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸、ラウリン酸、またはそれらの塩等が含まれる。
　陽イオン性界面活性剤の具体例には、アルキルトリメチルアンモニウム塩、アルキルジメチルアンモニウム塩、アルキルベンジルジメチルアンモニウム塩、アルキルアミン塩等が含まれる。
　両性界面活性剤の具体例には、アルキルベタイン、アルキルアミンオキシド等が含まれる。非イオン性界面活性剤の具体例には、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ソルビタン脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、アルキルアルカノールアミド等が含まれる。これらの界面活性剤は、一種を単独で用いてもよいし、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
　これらの中でも好ましい界面活性剤は、陰イオン性界面活性剤であり、より好ましくは脂肪酸塩であり、さらに好ましくはラウリン酸トリエタノールアミン、ラウリン酸アンモニウム塩またはラウリン酸金属塩である。ここで、好ましいラウリン酸金属塩としては、たとえばラウリン酸カリウム等が挙げられる。
　研磨用組成物中の界面活性剤の含有量の下限は、金属配線を研磨したときにディシングを抑制する観点から０．０００１質量％以上であることが好ましく、より好ましくは０．００１質量％以上である。また、研磨用組成物中の界面活性剤の含有量の上限は、研磨面への界面活性剤の残存量が低減され洗浄効率がより向上する観点から１０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは１質量％以下である。
　［防腐剤および防カビ剤］
　本発明に係る研磨用組成物に添加し得る防腐剤および防カビ剤としては、例えば、２－メチル－４－イソチアゾリン－３－オンや５－クロロ－２－メチル－４－イソチアゾリン－３－オン等のイソチアゾリン系防腐剤、パラオキシ安息香酸エステル類、及びフェノキシエタノール等が挙げられる。これら防腐剤および防カビ剤は、単独でもまたは２種以上混合して用いてもよい。
　［水溶性高分子］
　本発明の一形態に係る研磨用組成物には、研磨対象物表面の親水性を向上させることや砥粒の分散安定性を向上させることを目的として水溶性高分子を添加してもよい。水溶性高分子は、本発明に係る研磨用組成物に必須に含まれる前記有機化合物とは異なるものである。水溶性高分子としては、ポリスチレンスルホン酸塩、ポリイソプレンスルホン酸塩、ポリアクリル酸塩、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリグリセリン、ポリビニルピロリドン、イソプレンスルホン酸とアクリル酸の共重合体、ポリビニルピロリドンポリアクリル酸共重合体、ポリビニルピロリドン酢酸ビニル共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物の塩、ジアリルアミン塩酸塩二酸化硫黄共重合体、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルセルロースの塩、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、プルラン、キトサン、及びキトサン塩類が挙げられる。
　研磨用組成物中に水溶性高分子を加えた場合には、研磨用組成物を用いた研磨した後の研磨対象物の表面粗さがより低減する。これらの水溶性高分子は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
　研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量の下限は、水溶性高分子の含有量が多くなるにつれて、研磨用組成物による研磨面の表面粗さがより低減する観点から０．０００１ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、より好ましくは０．００１ｇ／Ｌ以上である。研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量の上限は、水溶性高分子の含有量が少なくなるにつれて、研磨面への水溶性高分子の残存量が低減され洗浄効率がより向上する観点から１０ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、より好ましくは５ｇ／Ｌ以下である。
　［研磨用組成物のｐＨ］
　本発明の一形態に係る研磨用組成物のｐＨの下限は、研磨装置の腐食並びに、配線及びバリア膜の腐食を防ぐ観点から１．５以上であることが好ましく、より好ましくは２以上であり、さらに好ましくは２．５以上である。
　また、研磨用組成物のｐＨの上限は、砥粒や低比誘電率材料の溶解を抑える観点から１２以下であることが好ましく、より好ましくは１１．５以下であり、さらに好ましくは１１以下である。
　研磨用組成物のｐＨを所望の値に調整するのにｐＨ調整剤を使用してもよい。使用するｐＨ調整剤は酸または塩基のいずれであってもよく、また無機および有機の化合物のいずれであってもよい。なお、ｐＨ調節剤は、単独でもまたは２種以上混合しても用いることができる。また、上述した各種の添加剤として、ｐＨ調整機能を有するもの（例えば、各種の酸など）を用いる場合には、当該添加剤をｐＨ調整剤の少なくとも一部として利用してもよい。
　ｐＨ調整剤として使用し得る酸としては、例えば、硫酸、硝酸、ホウ酸、炭酸、次亜リン酸、亜リン酸およびリン酸等の無機酸；ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、２－メチル酪酸、ｎ－ヘキサン酸、３，３－ジメチル酪酸、２－エチル酪酸、４－メチルペンタン酸、ｎ－ヘプタン酸、２－メチルヘキサン酸、ｎ－オクタン酸、２－エチルヘキサン酸、安息香酸、グリコール酸、サリチル酸、グリセリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸および乳酸などのカルボン酸、ならびにメタンスルホン酸、エタンスルホン酸およびイセチオン酸等の有機硫酸等の有機酸等が挙げられる。
　ｐＨ調整剤として使用し得る塩基の具体例としては、アルカリ金属の水酸化物又はその塩、アルカリ土類金属の水酸化物又はその塩、水酸化第四級アンモニウム又はその塩、アンモニア、アミン等が挙げられる。アルカリ金属の具体例としては、カリウム、ナトリウム等が挙げられる。塩の具体例としては、炭酸塩、炭酸水素塩、硫酸塩、酢酸塩等が挙げられる。第四級アンモニウムの具体例としては、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム等が挙げられる。
　水酸化第四級アンモニウム化合物としては、水酸化第四級アンモニウム又はその塩を含み、具体例としては、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等が挙げられる。
　アミンの具体例としては、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、モノエタノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）エタノールアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、無水ピペラジン、ピペラジン六水和物、１－（２－アミノエチル）ピペラジン、Ｎ－メチルピペラジン、グアニジン等が挙げられる。これらの塩基は、一種を単独で用いてもよいし、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
　これらの塩基の中でも、アンモニア、アンモニウム塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属塩、水酸化第四級アンモニウム化合物、及びアミンが好ましい。より好ましくは、アンモニア、カリウム化合物、水酸化ナトリウム、水酸化第四級アンモニウム化合物、炭酸水素アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、及び炭酸ナトリウムが適用される。また、研磨用組成物には、塩基として、金属汚染防止の観点からカリウム化合物を含むことがさらに好ましい。カリウム化合物としては、カリウムの水酸化物又は塩が挙げられ、具体的には水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、硫酸カリウム、酢酸カリウム、塩化カリウム等が挙げられる。
　［研磨用組成物の製造方法］
　本発明の一形態に係る研磨用組成物の製造方法は、特に制限されず、例えば、砥粒、有機化合物、および必要に応じて他の成分を、水中で攪拌混合することにより得ることができる。
　すなわち、本発明の他の一形態は、砥粒と、有機化合物を混合する工程を有し、前記有機化合物がポリオキシアルキレン基と、３つ以上の炭素原子を含む脂肪族炭化水素基と、を有し、比誘電率が４以下である物質を研磨するのに用いられる研磨用組成物の製造方法である。
　各成分を混合する際の温度は特に制限されないが、１０～４０℃が好ましく、溶解速度を上げるために加熱してもよい。また、混合時間も特に制限されない。
　［研磨方法および基板の製造方法］
　上述のように、本発明の一形態に係る研磨用組成物は、比誘電率が４以下である物質を含む研磨対象物を研磨するのに好適に用いられる。本発明の一形態に係る研磨用組成物が研磨対象とする比誘電率が４以下である物質は、層間絶縁膜としてバリア層および金属配線層と共にＬＳＩを形成し得る。
　よって、本発明のその他の一形態としては、比誘電率が４以下である物質を含む研磨対象物を本発明の研磨用組成物で研磨する研磨方法をも提供する。
　また、本発明のさらなる他の一形態としては、比誘電率が４以下である物質を含む研磨対象物を前記研磨方法で研磨する工程を含む基板の製造方法をも提供する。
　研磨装置としては、研磨対象物を有する基板等を保持するホルダーと回転数を変更可能なモータ等とが取り付けてあり、研磨パッド（研磨布）を貼り付け可能な研磨定盤を有する一般的な研磨装置を使用することができる。
　前記研磨パッドとしては、一般的な、不織布、ポリウレタン、スエードタイプおよび多孔質フッ素樹脂等を特に制限なく使用することができる。研磨パッドには、研磨液が溜まるような溝加工が施されていることが好ましい。
　研磨条件にも特に制限はなく、例えば、研磨定盤の回転速度は、１０～５００ｒｐｍが好ましく、キャリアの回転数は、１０～５００ｒｐｍが好ましく、研磨対象物を有する基板にかける圧力（研磨圧力）は、０．１～１０ｐｓｉが好ましい。研磨パッドに研磨用組成物を供給する方法も特に制限されず、例えば、ポンプ等で連続的に供給する方法が採用される。この供給量に制限はないが、研磨パッドの表面が常に本発明の研磨用組成物で覆われていることが好ましい。
　研磨終了後、基板を流水中で洗浄し、スピンドライヤ等により基板上に付着した水滴を払い落として乾燥させることにより、比誘電率が４以下である物質を含む基板が得られる。
　本発明の一形態に係る研磨用組成物は一液型であってもよいし、二液型をはじめとする多液型であってもよい。また、本発明の一形態に係る研磨用組成物は、研磨用組成物の原液を水などの希釈液を使って、例えば１０倍以上に希釈することによって調製されてもよい。
　本発明を、以下の実施例および比較例を用いてさらに詳細に説明する。ただし、本発明の技術的範囲が以下の実施例のみに制限されるわけではない。
　（実施例１～８、比較例１～１１）
　砥粒としてコロイダルシリカ（約６５ｎｍの平均二次粒子径（平均一次粒子径３０ｎｍ、会合度２））、界面活性剤としてラウリン酸トリエタノールアミンまたはラウリン酸カリウム、および有機化合物として、ポリオキシアルキレン基と３つ以上の炭素原子を含む脂肪族炭化水素基とを有する本発明に係る有機化合物またはその他の有機化合物を、それぞれ下記の表２および表３に示した濃度となるように水中で攪拌混合し（混合温度：約２５℃、混合時間：約１０分）、研磨用組成物を調製した。組成物のｐＨは、水酸化カリウム（ＫＯＨ）を加えて７に調整し、ｐＨメータにより確認した。また、有機化合物の重量平均分子量は、ポリスチレンを標準物質としたＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）により測定した。
　研磨対象物は、シリコン基板上に、ＢＬＡＣＫＤＩＡＭＯＮＤ（登録商標）（ＩＩｘ）（比誘電率ｋ＝２．６）の膜を成膜したウェーハを使用した。
　得られた研磨用組成物を用い、研磨対象物の表面を下記表１に示す研磨条件で６０秒間研磨した際の研磨速度を測定した。低比誘電率膜の研磨速度は、光干渉式膜厚測定器を用いて測定される研磨前後のそれぞれの膜の厚みの差を、研磨時間で除することにより求めた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　上記表２に示すように、本発明の研磨用組成物（実施例１）は、本発明に係る有機化合物を含まない研磨用組成物である比較例１～１０の研磨用組成物と比較して、低比誘電率材料としてのブラックダイヤモンド（登録商標）膜の研磨速度を抑制することが分かった。
　また、上記表３に示すように、本発明の研磨用組成物（実施例２～８）は、本発明に係る有機化合物を含まない研磨用組成物である比較例１１の研磨用組成物と比較して、低比誘電率材料としてのブラックダイヤモンド（登録商標）膜の研磨速度を抑制することが分かった。
　さらに、上記表３に示すようにソルビタン誘導体である有機化合物を含む研磨用組成物（実施例２～７）は、ソルビタン誘導体を含まない研磨用組成物（実施例８）に比べて研磨速度の抑制効果がより高いことが分かった。
　本出願は、２０１４年８月２９日に出願された日本特許出願番号２０１４－１７６２７１号に基づいており、その開示内容は、参照により全体として組み入れられている。

Claims (9)

  1. 　砥粒と、
    　有機化合物と、
    を含み、前記有機化合物は、
    　ポリオキシアルキレン基と、
    　３つ以上の炭素原子を含む脂肪族炭化水素基と、
    を有するものであり、
    　比誘電率が４以下である物質を研磨するのに用いられる、研磨用組成物。
  2. 　前記ポリオキシアルキレン基の平均付加モル数は、２以上である、請求項１に記載の研磨用組成物。
  3. 　前記ポリオキシアルキレン基は、ポリオキシエチレン基である、請求項１または２に記載の研磨用組成物。
  4. 　前記ポリオキシアルキレン基は、平均付加モル数５以上のポリオキシエチレン基である、請求項１～３のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
  5. 　前記有機化合物は、一分子中に１つ以上のヒドロキシ基をさらに有する、請求項１～４のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
  6. 　前記有機化合物は、
    　ソルビタン誘導体である、請求項１～５のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
  7. 　砥粒と、
    　有機化合物を混合する工程を有し、
    　前記有機化合物がポリオキシアルキレン基と、
    　３つ以上の炭素原子を含む脂肪族炭化水素基と、を有するものであり、
    　比誘電率が４以下である物質を研磨するのに用いられる研磨用組成物の製造方法。
  8. 　比誘電率が４以下である物質を含む研磨対象物を、請求項１～６のいずれか１項に記載の研磨用組成物で研磨する、研磨方法。
  9. 　比誘電率が４以下である物質を含む研磨対象物を、請求項８に記載の研磨方法で研磨する工程を含む、基板の製造方法。
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