WO2016006433A1 - 振動装置 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to a vibration device in which a supporting part for supporting the diaphragm is connected to a diaphragm that vibrates with harmonics of contour vibration.
- vibration devices using various vibration modes are used as resonators and the like.
- it is necessary to support the diaphragm so as not to inhibit the vibration of the diaphragm.
- a T-shaped support portion is connected to the center of the surface along the length direction of the vibration portion that vibrates in the length mode.
- the T-shaped support portion is connected to the first portion extending in the first direction and the center of one side surface of the first portion, and extends in the second direction orthogonal to the first direction. 2 parts.
- the tip of the second part is connected to the vibration part.
- the side surface opposite to the side surface connected to the second portion of the first portion faces a slit provided in the base portion. This slit is extended in the extending direction of the first portion.
- the vibration propagated from the second portion causes the portion of the first portion facing the slit to bend and vibrate.
- the portion of the first portion that undergoes bending vibration constitutes the vibration reflecting portion.
- the length of the vibration reflecting portion that is, the length along the first direction is set to 1 ⁇ 4 of the wavelength ⁇ of the main vibration propagating from the vibrating portion.
- a support part is connected to the center of the surface along the length direction of the vibration part.
- a support part provided so as to surround the vibration part is connected to the support part.
- Non-Patent Document 1 discloses a structure in which a plurality of pairs of support portions are connected to a node point of a diaphragm that vibrates with harmonics of contour vibration.
- Non-Patent Document 1 it is supposed that the spurious mode in the vicinity of the support part is suppressed and the Q value of the main vibration is improved by using a plurality of support parts.
- the length of the vibration reflection portion is ⁇ / 4. Therefore, the vibration is not confined, and the vibration tends to leak to the base side.
- the area of the holding part connected to both ends of the first part of the T-shaped support part was small. Therefore, the difference in acoustic impedance between the T-shaped support arm and the holding portion is small, and a sufficient acoustic reflection effect cannot be obtained.
- the main vibration may be damped because it is firmly fixed to the support portion. For this reason, sufficient vibration characteristics could not be obtained.
- An object of the present invention is to provide a vibration device that vibrates with a harmonic of contour vibration and has excellent vibration characteristics.
- the vibration device is provided with a plurality of vibration portions and vibrates with a harmonic of a contour vibration, and a second end opposite to the first end and the first end.
- the first end portion is connected to a portion that becomes a vibration node of at least one vibration portion among the plurality of vibration portions, and supports the vibration plate.
- a flexural vibration portion that is connected to the second end portion of the support portion and has a frame-like base portion that is provided so as to surround the diaphragm, and both ends are fixed ends.
- the base is formed with a slit extending in a direction intersecting with the direction in which the support portion extends, and both ends of the bending vibration portion are connected to the remaining portion of the base, and are connected to each other.
- the portion is a fixed end of the bending vibration part, and the support of the bending vibration part
- the length of the portion connected to the second end portion and the length of the bending vibration portion to the fixed end is ⁇
- the wavelength of the bending vibration corresponding to the natural vibration frequency of the diaphragm ⁇ / 4.
- the whole is a plate-like body, and the vibration plate, the support portion, and the base portion are configured so as to constitute the vibration plate, the support portion, and the base portion, except for the portion provided with the support portion.
- a plurality of through-grooves surrounding the diaphragm are formed in the plate-like body.
- each of the plurality of vibration units includes a Si layer made of a degenerate semiconductor and an excitation unit stacked on the Si layer, and the excitation unit Has a piezoelectric thin film and first and second electrodes for applying a voltage to the piezoelectric thin film.
- the distance between the outer peripheral edge of the diaphragm and the base is equal to the distance between the outer peripheral edge of the diaphragm and the flexural vibration part. is there.
- the distance between the outer peripheral edge of the diaphragm and the base is greater than the distance between the outer peripheral edge of the diaphragm and the flexural vibration part. small.
- the support unit includes a pair of support units.
- the support unit includes a plurality of pairs of support units.
- both ends of the flexural vibration portion are connected to the remaining portion of the base portion, and the connected portion is a fixed end, a sufficient acoustic reflection effect is obtained. Is obtained. Therefore, it is possible to reliably confine the vibration of the harmonics of the contour vibration propagated from the diaphragm to the diaphragm side by the vibration of the bending vibration part. Therefore, vibration characteristics can be improved.
- FIG. 1A is a plan view of the vibration device according to the first embodiment of the present invention
- FIG. 1B is a front sectional view showing the main part thereof.
- FIG. 2 is a partially cutaway plan view of a first modification of the vibration device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 3 is a front sectional view of an essential part of a second modification of the vibration device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 4 is a partially cutaway plan view for explaining the dimensional relationship between the support portion and the bending vibration portion in the first embodiment of the present invention.
- FIG. 5 is a plan view of the vibration device according to the second embodiment of the present invention.
- FIG. 6 is a plan view of a vibration device according to the third embodiment of the present invention.
- FIG. 1A is a plan view of the vibration device according to the first embodiment of the present invention
- FIG. 1B is a front sectional view showing the main part thereof.
- FIG. 2 is a partially cutaway plan view of a
- FIG. 7 is a diagram illustrating the relationship between Q and the length Ls between the portion connected to the support portion of the bending vibration portion and the fixed end outside the bending vibration portion.
- FIG. 8 is a plan view of a vibration device according to the fourth embodiment of the present invention.
- FIG. 9 is a plan view of a vibration device according to a fifth embodiment of the present invention.
- FIG. 1A is a plan view of the vibration device according to the first embodiment of the present invention.
- the vibration device 1 includes a rectangular plate-shaped diaphragm 2 having a length direction and a width direction.
- the diaphragm 2 is strongly excited by harmonics of contour vibration.
- the contour vibration is used as a general term for spread vibration, width spread vibration in which the dimension in the width direction changes, and vibration that expands and contracts in the length direction.
- harmonics of broadening vibration are used.
- the diaphragm 2 is formed by providing five rectangular plate-like vibrating sections 2a to 2e having a length direction and a width direction.
- the width direction of the five vibrating portions 2a to 2e is coincident with the length direction of the diaphragm 2.
- the length direction of the five vibrating portions 2 a to 2 e is coincident with the width direction of the diaphragm 2.
- the diaphragm 2 is connected to a frame-like base 3 by support portions 4a and 4b.
- the base 3 is not particularly limited, the outer peripheral edge has a rectangular shape.
- the support portions 4a and 4b are connected to one side surface of the rectangular plate-shaped diaphragm 2. More specifically, the support portion 4a is connected to the center of one side surface of the vibration portion 2b, and the support portion 4b is connected to the center of one side surface of the vibration portion 2d. Further, the support portions 4a and 4b are connected to the side surfaces of the vibrating portions 2b and 2d opposite to the side surfaces. That is, two pairs of support portions 4a, 4a, 4b, 4b are provided.
- the support portions 4 a and 4 b have a first end portion connected to the diaphragm 2 and a second end portion connected to the base portion 3. The second end is opposite to the first end.
- the bending vibration portion 5 is a portion provided between the slit 3a and the support portions 4a and 4b by providing the base 3 with the slit 3a. That is, the base 3 is provided with a slit 3a extending in a direction orthogonal to the extending direction of the support portions 4a and 4b. In other words, the slit 3 a is provided so as to extend in a direction parallel to the side surface to which the support portions 4 a and 4 b of the rectangular plate-like diaphragm 2 are connected.
- the base 3 portion between the slit 3 a and the support portions 4 a and 4 b constitutes the bending vibration portion 5.
- the outer edge of the bending vibration part 5 faces the slit 3a.
- the opposite edge faces the through groove 6. More specifically, the through groove 6 is formed so that the diaphragm 2 and the two pairs of support portions 4a, 4a, 4b, 4b are provided by forming the through groove 6 in the rectangular plate-like base 3. ing.
- the diaphragm 2 is surrounded by the frame-like base 3 via the through groove 6. Thereby, the distance between the outer peripheral edge of the diaphragm 2 and the base 3 is formed to be equal to the distance between the outer peripheral edge of the diaphragm 2 and the bending vibration part 5.
- the distance d1 between the outer peripheral edge of the diaphragm 2 and the base 3 is equal to the outer peripheral edge of the diaphragm 2 and the flexural vibration section 5 as in the first modification of the vibration device according to the invention shown in FIG. 6 A of through-grooves may be formed so that it may become smaller than the distance d2 between.
- the area of the portion B of the base 3 outside the broken line A indicating the fixed end can be further increased. Therefore, the acoustic reflection effect described later can be further enhanced, and vibrations can be more reliably confined.
- the bending vibration part 5 is extended in the direction in which the slit 3a extends.
- the portion between the slit 3 a and the through groove 6 constitutes the bending vibration part 5.
- the diaphragm 2 has a laminated structure shown in FIG. As shown in FIG. 1B, the diaphragm 2 is formed by five vibrating portions 2a to 2e. Hereinafter, the vibration part 2a will be described as an example.
- the first electrode 13 is laminated on the Si layer 11 made of a degenerate semiconductor.
- a silicon oxide layer may be provided between the Si layer 11 and the first electrode 13.
- the first electrode 13 may also serve as the Si layer 11 made of a degenerate semiconductor.
- the frequency temperature characteristics can be improved by laminating the silicon oxide layer.
- the silicon oxide layer may be provided below the Si layer 11 or may be provided above the second electrode 14a. Further, it may be formed on both surfaces of the Si layer 11. In that case, warpage of the Si layer can be suppressed.
- the Si layer 11 made of a degenerate semiconductor is made a degenerate semiconductor by doping Si with an n-type dopant.
- the doping concentration is 5 ⁇ 10 19 atoms / cm 3 or more.
- the doping agent is not particularly limited, but phosphorus (P) is preferably used as the n-type doping agent. When phosphorus (P) is used, an n-type degenerate semiconductor can be easily manufactured.
- the piezoelectric thin film 12 and the second electrodes 14a to 14e are laminated in this order.
- An excitation part is formed by the first electrode 13, the piezoelectric thin film 12, and the second electrodes 14a to 14e.
- the piezoelectric thin film 12 is oriented in the thickness direction. Therefore, by applying an alternating electric field between the second electrodes 14a to 14e and the first electrode 13, the excitation unit is excited.
- the Si layer 11 is made of Si, which is a degenerate semiconductor as described above. Therefore, the vibration part 2a is a vibration body having a so-called MEMS structure. The vibration part 2a vibrates in the width expansion mode.
- the other vibration parts 2b to 2e are configured in the same manner as the vibration part 2a.
- the Si layer 11, the piezoelectric thin film 12, and the first electrode 13 are shared.
- an alternating electric field is applied to the vibrating portions 2a to 2e so as to have an opposite phase to the adjacent vibrating portions. Therefore, in the vibration parts 2a to 2e, adjacent vibration parts vibrate in the widening mode in opposite phases.
- the width direction of the rectangular plate-shaped vibrating portions 2a to 2e coincides with the length direction of the rectangular plate-shaped vibrating plate 2. Therefore, the diaphragm 2 is strongly excited by the harmonics of the broadening vibration of the contour vibration.
- a potential is applied only to the second electrodes 14a to 14e, and the first electrode 13 shared by the vibrating portions 2a to 2e is a floating electrode.
- the first electrodes 13a to 13e may be provided in the vibration portions 2a to 2e, respectively.
- potentials are applied to adjacent electrodes in opposite phases in any of the second electrodes 14a to 14e and the first electrodes 13a to 13e.
- a support portion 4a is connected to the center in the width direction of the vibration portion 2b. Since a vibration node is located near the center of the vibration part 2b in the width direction, the support part 4a is coupled to the node. Similarly, the support portion 4b is connected to a vibration node located at the center in the width direction of the vibration portion 2d.
- the vibration of the diaphragm 2 is difficult to be transmitted to the support portions 4a and 4b.
- the vibration can be reliably confined to the part up to the bending vibration part 5 by the action of the bending vibration part 5. Thereby, vibration characteristics can be enhanced. This will be described in detail below.
- the direction in which the support portions 4a and 4b extend is orthogonal to the direction in which the bending vibration portion 5 extends.
- the bending vibration part 5 faces the through groove 6 at the inner edge, and the outer edge faces the slit 3a. Therefore, when vibration is transmitted from the diaphragm 2 via the support portions 4 a and 4 b, the bending vibration portion 5 bends and vibrates in a direction orthogonal to the surface direction of the base portion 3.
- both ends of the bending vibration part 5 are fixed ends. That is, since the end portion indicated by the broken line A of the bending vibration portion 5 is connected to the base portion 3, the end portion is a fixed end.
- the propagated vibration is converted into the vibration of the bending vibration part 5, and the interface between the bending vibration part 5 and the base 3 becomes a fixed end of the bending vibration. Therefore, bending vibration is reflected at this interface, and transmission of vibration to the base 3 side can be effectively suppressed.
- the area of the base portion outside the fixed end indicated by the broken line A is large, the acoustic impedance of the base portion 3 can be increased. Therefore, the acoustic reflection effect in the portion indicated by the broken line A can be enhanced. Thereby, the confinement property of the vibration up to the bending vibration part 5 can be enhanced.
- both ends of the flexural vibration portion 5, that is, the fixed end are connected to the remaining portion of the base portion 3. Therefore, the area of the base portion outside the fixed end is increased. In this case, it is preferable that the area of the base portion outside the fixed end is larger. More specifically, the area of the remaining part of the base 3 outside the fixed end is preferably larger than the area of the bending vibration part 5.
- FIG. 4 is a partially cutaway plan view for explaining the dimensional relationship between the support portion and the bending vibration portion.
- both ends of the bending vibration part 5 are schematically shown as fixed ends.
- the length Ls which is the distance between the portion connected to the second end of the support portion 4 a of the bending vibration portion 5 and the fixed end of the bending vibration portion 5, is the diaphragm 2.
- the wavelength of the flexural vibration corresponding to the frequency of the natural vibration at ⁇ is ⁇ , it is ⁇ / 4. Therefore, it is possible to further improve the vibration confinement.
- the vibration device 1 As the vibration device 1, the vibration device 1 was manufactured with the following specifications.
- FIG. 7 is a diagram illustrating the relationship between the distance Ls and the vibration Q.
- the Q value of the conventional example that does not have the bending vibration part 5 is also shown for comparison.
- FIG. 7 shows that Q is very high when the distance Ls is 0.25, which is ⁇ / 4.
- Q significantly decreases.
- the support portions 4a and 4b are coupled to the vibration node portion of the spreading vibration mode of the rectangular plate.
- a bending vibration part 5 is provided at the second end of the support parts 4a, 4b.
- the distance Ls in the bending vibration part 5 is set to the specific range so that both ends of the bending vibration part 5 are fixed ends. Therefore, the vibration can be surely confined in the part up to the bending vibration part 5, and good vibration characteristics can be obtained.
- one pair of support parts is held for one vibration part, whereas in this embodiment, two pairs of support parts are provided for five vibration parts 2a to 2e. 4a, 4a, 4b, 4b. That is, it vibrates at the fifth harmonic of the contour vibration and is held by the two pairs of support portions 4a, 4a, 4b, 4b. Therefore, in the vibration device 1 according to the present embodiment, the holding loss in the in-plane vibration direction is relatively reduced.
- the five vibrating portions 2a to 2e are held by the two pairs of support portions 4a, 4a, 4b, and 4b, but the vibrating device 21 of the second embodiment shown in FIG. As described above, the five vibrating portions 2a to 2e may be held by a pair of support portions 4 and 4.
- a pair of support portions 4 and 4 are coupled to a vibration node located at the center in the width direction of the vibration portion 2c. That is, the five vibrating portions 2a to 2e are held by a pair of support portions 4 and 4.
- Other points are the same as in the first embodiment.
- the diaphragm 2 having the five vibrating portions 2a to 2e is used, but like the vibrating device 31 according to the third embodiment shown in FIG. A diaphragm 2 having four vibrating portions 2a to 2d may be used.
- the four vibrating portions 2a to 2d are held by two pairs of support portions 4a, 4a, 4b, and 4b. That is, it vibrates at the fourth harmonic of the contour vibration and is held by the two pairs of support portions 4a, 4a, 4b, 4b.
- the support portion 4 or the support portions 4a and 4b are connected to the vibration node portion of the expansion vibration mode of the rectangular plate.
- the bending vibration part 5 is provided at the second end of the support part 4 or the support parts 4a and 4b. Furthermore, the distance Ls in the bending vibration part 5 is set to the specific range so that both ends of the bending vibration part 5 are fixed ends. Therefore, the vibration can be surely confined in the part up to the bending vibration part 5, and good vibration characteristics can be obtained.
- the dynamic vibration absorbing portion 4a1 protruding in the direction perpendicular to the supporting portions 4a and 4b is formed on the supporting portions 4a and 4b.
- 4b1 may be provided.
- the vibration buffers 4 a 2 and 4 b 2 may be provided in the support portions 4 a and 4 b.
- the support portions 4a and 4b have the dynamic vibration absorption portions 4a1 and 4b1 or the vibration buffer portions 4a2 and 4b2, The propagation of the vibration can be suppressed, and the harmonic vibration of the contour vibration propagated from the diaphragm 2 can be more reliably confined.
- vibration device 2 vibration plates 2 a to 2 e, vibration part 3, base part 3 a, slits 4, 4 a, 4 b, support parts 4 a 1, 4 b 1, dynamic vibration absorption parts 4 a 2, 4 b 2, vibration buffer part 5 ... bending vibration part 6, 6A ... through groove 11 ... Si layer 12 ... piezoelectric thin film 13, 13a-13e ... first electrode 14a-14e ... second electrode
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Abstract
輪郭振動の高調波で振動し、振動特性に優れている、振動装置を提供する。 複数の振動部2a~2eが設けられており、かつ輪郭振動の高調波で振動する振動板2と、振動板2に、支持部4a,4bの第1の端部が連結されており、支持部4a,4bの第2の端部につなげられており、かつ振動板2を囲むように枠状の基部3が設けられており、屈曲振動部5を設けるように、基部3に、支持部4a,4bが延びる方向と交叉する方向に延びるスリット3aが形成されており、屈曲振動部5の両端が基部3の残りの部分に連ねられており、連ねられている部分が屈曲振動部5の固定端とされており、屈曲振動部5の支持部4a,4bの第2の端部に連結されている部分と、屈曲振動部5の固定端までの長さが、振動板2における固有振動の周波数に対応する該屈曲振動の波長をλとしたとき、λ/4とされている、振動装置1。
Description
本発明は、輪郭振動の高調波で振動する振動板に、該振動板を支持するための支持部が連結されている振動装置に関する。
従来、共振子等として、様々な振動モードを利用した振動装置が用いられている。このような振動装置では、振動板の振動を阻害しないように振動板を支持する必要がある。
下記の特許文献1では、長さモードで振動する振動部の長さ方向に沿う面の中央に、T字状の支持部が連結されている。T字状の支持部は、第1の方向に延びる第1の部分と、第1の部分の一方の側面の中央に連結されており、第1の方向と直交する第2の方向に延びる第2の部分とを有する。この第2の部分の先端が振動部に連結されている。第1の部分の第2の部分に連結されている側の側面とは反対側の側面は、基部に設けられたスリットに臨んでいる。このスリットは、第1の部分の延びる方向に延ばされている。
このT字状の支持部では、第2の部分から伝播してきた振動が、第1の部分の上記スリットに臨んでいる部分を屈曲振動させる。第1の部分の屈曲振動する部分が振動反射部を構成している。この振動反射部の長さ、すなわち第1の方向に沿う長さは、振動部から伝搬する主振動の波長λの1/4とされている。
下記の特許文献2では、振動部の長さ方向に沿う面の中央に支持部が連結されている。支持部には、振動部を囲むように設けられた支持部が連結されている。特許文献2では、支持部の形状をT字状などの形状にすることにより、振動の漏洩を抑制し得るとされている。
下記の非特許文献1では、輪郭振動の高調波で振動する振動板のノード点に複数対の支持部が連結する構造が開示されている。非特許文献1では、支持部を複数対とすることで支持部近傍のスプリアスモードが抑制され、主振動のQ値が向上するとされている。
"TOWARD ULTIMATE PERFORMANCE IN GHZ MEMS RESONATORS:LOW IMPEDANCE AND HIGH Q" B.P.Harrington, M.Shahmohammadi and R.Abdolvand Oklahoma State University, Tulsa, Oklahoma, USA
特許文献1に記載の振動装置では、上記振動反射部の長さが、λ/4とされている。そのため、振動が閉じ込められず、基部側に振動が漏洩しがちであった。
また、T字状の支持部の第1の部分の両端に連ねられている保持部分の面積が小さかった。そのため、T字状の支持腕と保持部分との音響インピーダンス差が小さく、十分な音響反射効果が得られなかった。
また、特許文献2に記載の振動装置では、支持部の形状及び寸法と、振動板において励振される振動の波長との関係については何ら考慮されていない。そのため、振動の漏洩を十分に抑制することができなかった。
さらに、非特許文献1に記載の振動装置では、支持部に強固に固定されているため主振動もダンピングされることがあった。そのため、十分な振動特性を得ることができなかった。
本発明の目的は、輪郭振動の高調波で振動し、振動特性に優れている、振動装置を提供することにある。
本発明に係る振動装置は、複数の振動部が設けられており、かつ輪郭振動の高調波で振動する振動板と、第1の端部と上記第1の端部とは反対側の第2の端部とを有し、上記第1の端部が上記複数の振動部のうち少なくとも1つの振動部の振動のノードとなる部分に連結されており、上記振動板を支持している支持部と、上記支持部の上記第2の端部につなげられており、上記振動板を囲むように設けられた枠状の基部とを備え、両端が固定端とされている屈曲振動部が設けられるように、上記基部に、上記支持部が延びる方向と交叉する方向に延びるスリットが形成されており、上記屈曲振動部の両端が上記基部の残りの部分に連ねられており、該連ねられている部分が上記屈曲振動部の固定端とされており、上記屈曲振動部の上記支持部の上記第2の端部に連結されている部分と、該屈曲振動部の上記固定端までの長さが、上記振動板における固有振動の周波数に対応する該屈曲振動の波長をλとしたとき、λ/4とされている。
本発明に係る振動装置のある特定の局面では、全体が板状体であり、上記振動板、上記支持部及び上記基部を構成するように、上記支持部が設けられている部分を除いて上記振動板を囲む、複数の貫通溝が上記板状体に形成されている。
本発明に係る振動装置の別の特定の局面では、上記複数の振動部が、それぞれ、縮退半導体からなるSi層と、上記Si層上に積層されている励振部とを有し、該励振部が、圧電薄膜と、上記圧電薄膜に電圧を印加するための第1,第2の電極とを有する。
本発明に係る振動装置の他の特定の局面では、上記振動板の外周縁と、上記基部との間の距離が、上記振動板の外周縁と上記屈曲振動部との間の距離と同等である。
本発明に係る振動装置のさらに別の特定の局面では、上記振動板の外周縁と、上記基部との間の距離が、上記振動板の外周縁と上記屈曲振動部との間の距離よりも小さい。
本発明に係る振動装置のさらに他の特定の局面では、上記支持部として、1対の支持部を有する。
本発明に係る振動装置のさらに他の特定の局面では、上記支持部として、複数対の支持部を有する。
本発明に係る振動装置では、上記のように、屈曲振動部の両端が基部の残りの部分に連ねられており、該連ねられている部分が固定端とされているため、十分な音響反射効果が得られる。よって、振動板から伝搬してきた輪郭振動の高調波の振動を屈曲振動部の振動により振動板側に振動を確実に閉じ込めることが可能となる。従って、振動特性を向上させることができる。
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
図1(a)は、本発明の第1の実施形態に係る振動装置の平面図である。振動装置1は、長さ方向と幅方向とを有する矩形板状の振動板2を有する。振動板2は、輪郭振動の高調波で強く励振される。
なお、本明細書において、輪郭振動とは、拡がり振動、幅方向寸法が変化する幅拡がり振動、並びに長さ方向に伸縮する振動の総称として用いるものとする。本実施形態においては、後述するように幅拡がり振動の高調波が利用されている。
振動板2は、長さ方向と幅方向とを有する矩形板状の5つの振動部2a~2eが併設されることにより形成されている。5つの振動部2a~2eの幅方向は、振動板2の長さ方向と一致している。他方、5つの振動部2a~2eの長さ方向は、振動板2の幅方向と一致している。
振動板2は、枠状の基部3に支持部4a,4bにより連結されている。基部3は、特に限定されないが外周縁が矩形の形状を有している。
支持部4a,4bは、矩形板状の振動板2の1つの側面に連結されている。より具体的には、支持部4aが、振動部2bの1つの側面中央に連結されており、支持部4bが振動部2dの1つの側面中央に連結されている。また、振動部2b,2dの上記側面と反対側の側面にも、支持部4a,4bが連結されている。すなわち、2対の支持部4a,4a,4b,4bが設けられている。
支持部4a,4bは、振動板2に連結されている第1の端部と、基部3に連結されている第2の端部とを有する。第2の端部は、第1の端部と反対側である。
支持部4a,4bの第2の端部は、屈曲振動部5に連結されている。ここで、屈曲振動部5とは、基部3にスリット3aを設けることにより、スリット3aと支持部4a,4bとの間に設けられている部分である。すなわち、基部3には、支持部4a,4bの延びる方向と直交する方向に延びるスリット3aが設けられている。言い換えれば、矩形板状の振動板2の支持部4a,4bが連結されている側面と平行な方向に延びるように、スリット3aが設けられている。
スリット3aと支持部4a,4bとの間の基部3部分が、屈曲振動部5を構成している。屈曲振動部5の外側縁がスリット3aに臨んでいる。反対側の縁は貫通溝6に臨んでいる。より詳細には、矩形板状の基部3に貫通溝6を形成することにより、上記振動板2及び2対の支持部4a,4a,4b,4bが設けられるように、貫通溝6は形成されている。
言い換えれば、振動板2は貫通溝6を介して、枠状の基部3に囲まれている。これにより、振動板2の外周縁と、上記基部3との間の距離が、上記振動板2の外周縁と上記屈曲振動部5との間の距離と同等に形成されている。
なお、図2に示す本発明に係る振動装置の第1の変形例のように、振動板2の外周縁と基部3との間の距離d1が、振動板2の外周縁と屈曲振動部5との間の距離d2よりも小さくなるように貫通溝6Aを形成してもよい。この場合、固定端を示す破線Aの外側の基部3の部分Bの面積をより一層大きくすることができる。そのため、後述する音響反射効果がより一層高められ、振動をより一層確実に閉じ込めることができる。
図1(a)に戻り、屈曲振動部5は、上記スリット3aが延びる方向に延ばされている。そして、図1(a)に破線A,Aで示す位置が屈曲振動部5の端部である。すなわち、屈曲振動部5の長さ方向端部は、屈曲振動部5のスリット3aの長さ方向端部に一致している。言い換えれば、スリット3aと貫通溝6との間の部分が屈曲振動部5を構成している。
本実施形態では、振動板2は、図1(b)に示す積層構造を有する。図1(b)に示すように、振動板2は、5つの振動部2a~2eにより形成されている。以下、振動部2aを例に挙げて説明する。
振動部2aでは、縮退半導体からなるSi層11上に、第1の電極13が積層されている。図1(b)においては、図示を省略しているが、Si層11と、第1の電極13との間には、酸化ケイ素層が設けられていてもよい。また、第1の電極13が、縮退半導体からなるSi層11で兼ねられていてもよい。
酸化ケイ素層が積層されていることにより、周波数温度特性を改善することができる。なお、酸化ケイ素層は、Si層11の下側に設けられていてもよいし、第2の電極14aより上側に設けられていてもよい。また、Si層11の両面に形成されていてもよい。その場合には、Si層の反りを抑制することができる。
縮退半導体からなるSi層11は、Siにn型ドーピング剤をドープすることにより縮退半導体とされている。この場合のドーピング濃度は、5×1019個/cm3以上とされている。上記ドーピング剤については、特に限定されないが、n型のドーピング剤として、リン(P)が好適に用いられる。リン(P)を用いた場合、容易にn型の縮退半導体を製造することができる。
第1の電極13上には、圧電薄膜12及び第2の電極14a~14eがこの順に積層されている。第1の電極13、圧電薄膜12及び第2の電極14a~14eにより、励振部が形成されている。
圧電薄膜12は、厚み方向に配向している。従って、第2の電極14a~14eと、第1の電極13との間に交番電界を印加することにより、励振部が励振される。また、Si層11は、上記のように縮退半導体であるSiからなる。そのため、振動部2aは、いわゆるMEMS構造を有する振動体である。振動部2aは、幅拡がりモードで振動する。
他の振動部2b~2eについても、振動部2aと同様に構成されている。振動部2a~2eにおいて、Si層11、圧電薄膜12及び第1の電極13は、共有されている。
また、図1(b)に示すように、振動部2a~2eにおいては、隣り合う振動部とは逆位相となるように交番電界が印加される。そのため、振動部2a~2eにおいては、隣り合う振動部同士が、逆位相で幅拡がりモードにより振動する。ここで、矩形板状の振動部2a~2eの幅方向は、矩形板状の振動板2の長さ方向と一致している。従って、振動板2は、輪郭振動のうち幅拡がり振動の高調波で強く励振されることとなる。
なお、本実施形態においては、第2の電極14a~14eにのみ電位が与えられており、振動部2a~2eで共有されている第1の電極13は、浮き電極とされている。図3に示す第1の実施形態に係る振動装置の第2の変形例のように、振動部2a~2eのそれぞれに第1の電極13a~13eが設けられていてもよい。この場合、図3に示すように、第2の電極14a~14eと、第1の電極13a~13eとのいずれにも、隣り合う電極同士に逆位相で電位が与えられる。
図1(a)に戻り、振動部2bの幅方向中央には、支持部4aが連結されている。振動部2bの幅方向の中央付近に振動のノードが位置するため、該ノードに支持部4aが連結されている。同様に、振動部2dの幅方向の中央に位置する振動のノードに支持部4bが連結されている。
すなわち、振動板2の振動は、支持部4a,4bに伝達され難い。加えて、本実施形態では、屈曲振動部5の作用により屈曲振動部5までの部分に振動を確実に閉じ込めることができる。それによって、振動特性を高めることができる。これを、以下において詳述する。
本実施形態では、支持部4a,4bが延びる方向と、屈曲振動部5が延びる方向とは直交している。また、屈曲振動部5は、内側縁において貫通溝6に臨んでおり、外側縁がスリット3aに臨んでいる。従って、支持部4a,4bを経由して振動板2から振動が伝達されると、屈曲振動部5は、基部3の面方向と直交する方向に屈曲振動する。この場合、屈曲振動部5の両端は固定端である。すなわち、屈曲振動部5の破線Aで示す端部は基部3に連ねられているため、端部は固定端となる。
本実施形態では、伝搬してきた振動は屈曲振動部5の振動に変換され、屈曲振動部5と基部3との界面が屈曲振動の固定端となる。そのため、屈曲振動がこの界面で反射され、基部3側への振動の伝達を効果的に抑制することができる。
特に、破線Aで示す固定端の外側の基部部分の面積が大きいため、基部3の音響インピーダンスを高めることができる。従って、破線Aで示す部分における音響反射効果を高めることができる。それによって、振動の屈曲振動部5までの部分への閉じ込め性を高めることができる。
上記のように、屈曲振動部5の両端、すなわち固定端が基部3の残りの部分に連ねられている。そのため、固定端の外側の基部部分の面積が大きくされている。この場合、固定端の外側の基部部分の面積が大きいほど好ましい。より具体的には、固定端の外側の基部3の残りの部分の面積は、屈曲振動部5の面積より大きいことが望ましい。
図4は、支持部と屈曲振動部との寸法関係を説明するための部分切欠平面図である。図4では屈曲振動部5の両端を固定端として略図的に示す。
本実施形態では、上記屈曲振動部5の支持部4aの第2の端部に連結されている部分と、屈曲振動部5の固定端との間の距離である長さLsは、振動板2における固有振動の周波数に対応する屈曲振動の波長をλとしたとき、λ/4とされている。よって、それによっても、振動の閉じ込め性をより一層高めることができる。
前述したように、本実施形態では、破線Aで示す固定端の外側の基部部分の面積が大きいため、音響反射効果を高めることができ、閉じ込め性を高めることができる。また、上記距離Lsがλ/4とされているため、閉じ込め性をより一層効果的に高める。これらを、図7を参照してより具体的に説明する。
上記振動装置1として、以下の仕様で振動装置1を作製した。
振動板2の平面形状:長さ=500μm、幅=145μm
支持部4a,4bの第1の端部と第2の端部とを結ぶ方向の長さL=5μm、支持部4a,4bの幅方向寸法=5μm
屈曲振動部5の幅方向寸法=5μm、長さ方向寸法=25μm
Si層11の厚み=10μm
Si層におけるn型ドーピング剤であるPのドーピング量=1×1020個/cm3
酸化ケイ素層の厚み=0.3μm
圧電薄膜12:窒化アルミニウム膜、厚み=0.8μm
第1,第2の電極13,14a~14e:Moからなり、厚み=0.1μm
支持部4a,4bの第1の端部と第2の端部とを結ぶ方向の長さL=5μm、支持部4a,4bの幅方向寸法=5μm
屈曲振動部5の幅方向寸法=5μm、長さ方向寸法=25μm
Si層11の厚み=10μm
Si層におけるn型ドーピング剤であるPのドーピング量=1×1020個/cm3
酸化ケイ素層の厚み=0.3μm
圧電薄膜12:窒化アルミニウム膜、厚み=0.8μm
第1,第2の電極13,14a~14e:Moからなり、厚み=0.1μm
上記振動装置1において、前述した距離Lsを種々変化させた。図7は、距離Lsと振動のQとの関係を示す図である。図7においては、比較として、屈曲振動部5を有しない従来例のQの値が併せて示されている。
図7から明らかなように、距離Lsを変化させた場合、Qが変化することがわかる。特に、図7から明らかなように、本実施形態によれば、広い範囲で、従来例と比較して、Qが効果的に高められていることがわかる。このことは、屈曲振動部5の固定端側に連ねられている部分の面積が大きくなっているためと考えられる。すなわち、音響反射効果が高められ、閉じ込め性が改善しているためと考えられる。なお、図示していないが、本実施形態においては、距離Lsに関わらず、従来例と同等の臨界結合係数kを有することが確認されている。
また、図7から明らかなように、距離Lsが変化すると、振動特性が変化する。特に、図7から、距離Lsがλ/4である0.25の場合、Qが非常に高くなることがわかる。他方、距離Lsが0.5λすなわちλ/2付近では、Qが著しく低下する。
よって、本実施形態では、距離Lsがλ/4とされているため、より一層良好な振動特性を得ることができる。
上述したように、本実施形態の振動装置1では、矩形板の拡がり振動モードの振動のノード部分に支持部4a,4bが連結されている。また、支持部4a,4bの第2の端部に屈曲振動部5が設けられている。さらに、屈曲振動部5の両端が固定端となるように屈曲振動部5における上記距離Lsが上記特定の範囲とされている。そのため、振動を屈曲振動部5までの部分に確実に閉じ込めることができ、良好な振動特性を得ることができる。
また、輪郭振動の基本波では、1つの振動部に対して1対の支持部で保持されるのに対し、本実施形態では、5つの振動部2a~2eに対して、2対の支持部4a,4a,4b,4bで保持される。すなわち、輪郭振動の5倍波で振動し、2対の支持部4a,4a,4b,4bで保持される。そのため、本実施形態に係る振動装置1では、面内振動方向の保持ロスが相対的に低減される。
さらに、本実施形態においては、2対の支持部4a,4a,4b,4bで保持されるため面外方向への変位の自由度も小さくなり、面外屈曲による保持ロスも低減される。また、複数の支持部で保持されるため、耐衝撃性も高めることができる。従って、より一層振動特性を高めることができる。
第1の実施形態では、5つの振動部2a~2eに対して、2対の支持部4a,4a,4b,4bで保持されていたが、図5に示す第2の実施形態の振動装置21のように、5つの振動部2a~2eに対して、1対の支持部4,4で保持されていてもよい。第2の実施形態では、振動部2cの幅方向の中央に位置する振動のノードに、1対の支持部4,4が連結されている。すなわち、5つの振動部2a~2eに対して、1対の支持部4,4で保持されている。その他の点は、第1の実施形態と同様である。
また、第1の実施形態及び第2の実施形態では、5つの振動部2a~2eを有する振動板2を用いたが、図6に示す第3の実施形態に係る振動装置31のように、4つの振動部2a~2dを有する振動板2を用いてもよい。第3の実施形態においては、4つの振動部2a~2dに対して、2対の支持部4a,4a,4b,4bで保持されている。すなわち、輪郭振動の4倍波で振動し、2対の支持部4a,4a,4b,4bで保持されている。
第2の実施形態及び第3の実施形態においても、矩形板の拡がり振動モードの振動のノード部分に支持部4又は支持部4a,4bが連結されている。また、支持部4又は支持部4a,4bの第2の端部に屈曲振動部5が設けられている。さらに、屈曲振動部5の両端が固定端となるように屈曲振動部5における上記距離Lsが上記特定の範囲とされている。そのため、振動を屈曲振動部5までの部分に確実に閉じ込めることができ、良好な振動特性を得ることができる。
また、本発明においては、図8に示す第4の実施形態に係る振動装置41のように、支持部4a,4bには、支持部4a,4bに直交する方向に突出している動吸振部4a1,4b1が設けられていてもよい。また、図9に示す第5の実施形態に係る振動装置51のように、支持部4a,4bには、振動緩衝部4a2,4b2が設けられていてもよい。
第4,第5の実施形態に係る振動装置41,51においては、支持部4a,4bが動吸振部4a1,4b1または振動緩衝部4a2,4b2を有しているため、屈曲振動部5への振動の伝搬を抑えることができ、振動板2から伝搬してきた輪郭振動の高調波の振動を、より一層確実に閉じ込めることができる。
1,21,31,41,51…振動装置
2…振動板
2a~2e…振動部
3…基部
3a…スリット
4,4a,4b…支持部
4a1,4b1…動吸振部
4a2,4b2…振動緩衝部
5…屈曲振動部
6,6A…貫通溝
11…Si層
12…圧電薄膜
13,13a~13e…第1の電極
14a~14e…第2の電極
2…振動板
2a~2e…振動部
3…基部
3a…スリット
4,4a,4b…支持部
4a1,4b1…動吸振部
4a2,4b2…振動緩衝部
5…屈曲振動部
6,6A…貫通溝
11…Si層
12…圧電薄膜
13,13a~13e…第1の電極
14a~14e…第2の電極
Claims (7)
- 複数の振動部が設けられており、かつ輪郭振動の高調波で振動する振動板と、
第1の端部と前記第1の端部とは反対側の第2の端部とを有し、前記第1の端部が前記複数の振動部のうち少なくとも1つの振動部の振動のノードとなる部分に連結されており、前記振動板を支持している支持部と、
前記支持部の前記第2の端部につなげられており、前記振動板を囲むように設けられた枠状の基部とを備え、
両端が固定端とされている屈曲振動部が設けられるように、前記基部に、前記支持部が延びる方向と交叉する方向に延びるスリットが形成されており、
前記屈曲振動部の両端が前記基部の残りの部分に連ねられており、該連ねられている部分が前記屈曲振動部の固定端とされており、前記屈曲振動部の前記支持部の前記第2の端部に連結されている部分と、該屈曲振動部の前記固定端までの長さが、前記振動板における固有振動の周波数に対応する該屈曲振動の波長をλとしたとき、λ/4とされている、振動装置。 - 全体が板状体であり、前記振動板、前記支持部及び前記基部を構成するように、前記支持部が設けられている部分を除いて前記振動板を囲む、複数の貫通溝が前記板状体に形成されている、請求項1に記載の振動装置。
- 前記複数の振動部が、それぞれ、縮退半導体からなるSi層と、前記Si層上に積層されている励振部とを有し、該励振部が、圧電薄膜と、前記圧電薄膜に電圧を印加するための第1,第2の電極とを有する、請求項1または2に記載の振動装置。
- 前記振動板の外周縁と、前記基部との間の距離が、前記振動板の外周縁と前記屈曲振動部との間の距離と同等である、請求項1~3のいずれか1項に記載の振動装置。
- 前記振動板の外周縁と、前記基部との間の距離が、前記振動板の外周縁と前記屈曲振動部との間の距離よりも小さい、請求項1~3のいずれか1項に記載の振動装置。
- 前記支持部として、1対の支持部を有する、請求項1~5のいずれか1項に記載の振動装置。
- 前記支持部として、複数対の支持部を有する、請求項1~5のいずれか1項に記載の振動装置。
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