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WO2016052303A1 - フィルムコンデンサ - Google Patents

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WO2016052303A1
WO2016052303A1 PCT/JP2015/076945 JP2015076945W WO2016052303A1 WO 2016052303 A1 WO2016052303 A1 WO 2016052303A1 JP 2015076945 W JP2015076945 W JP 2015076945W WO 2016052303 A1 WO2016052303 A1 WO 2016052303A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
film
resin film
group
polymer
stretching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2015/076945
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
慎介 宮澤
絢子 岡田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zeon Corp
Original Assignee
Zeon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zeon Corp filed Critical Zeon Corp
Priority to EP15846890.0A priority Critical patent/EP3217411B1/en
Priority to US15/512,920 priority patent/US10529494B2/en
Priority to JP2016551960A priority patent/JP6631809B2/ja
Priority to CN201580050179.4A priority patent/CN107077969B/zh
Publication of WO2016052303A1 publication Critical patent/WO2016052303A1/ja
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Ceased legal-status Critical Current

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    • H01G4/33—Thin- or thick-film capacitors (thin- or thick-film circuits; capacitors without a potential-jump or surface barrier specially adapted for integrated circuits, details thereof, multistep manufacturing processes therefor)
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • H01G4/32—Wound capacitors

Definitions

  • the present invention relates to a film capacitor having, as a dielectric film, a resin film having excellent heat resistance, withstand voltage characteristics, and workability.
  • a film capacitor has a structure in which dielectric films and metal layers are alternately arranged, and is an element capable of storing electric charges.
  • film capacitors have become easier to generate heat during driving as a result of progress in miniaturization and increase in capacity. For this reason, a resin film used as a dielectric film of a film capacitor is required to be superior in heat resistance.
  • a resin film used as a dielectric film of a film capacitor is required to be superior in heat resistance.
  • it has been required to make the dielectric film thinner. However, if the dielectric film is made thinner, the dielectric strength characteristics (characteristic that the insulation state is maintained even under high voltage) ) And workability (property that a film capacitor can be manufactured stably even on an industrial production scale).
  • Patent Document 1 describes a film capacitor that uses a film formed by molding a hydride of a norbornene-based ring-opening polymer or the like.
  • a film made of a norbornene-based ring-opening polymer hydride is suitable as a dielectric film of a film capacitor.
  • a film made of a norbornene-based ring-opening polymer hydride is suitable as a dielectric film of a film capacitor.
  • the present invention has been made in view of the above-described prior art, and an object of the present invention is to provide a film capacitor having a resin film having excellent heat resistance, withstand voltage characteristics, and workability as a dielectric film.
  • the present inventors have intensively studied a resin film used as a dielectric film of a film capacitor.
  • an unstretched film formed using a crystalline dicyclopentadiene ring-opening polymer hydrogenated product is stretched and then heat-treated, and the softening point, thermal contraction rate, tan ⁇ ,
  • the resin film which has a static friction coefficient in a specific range, respectively discovered that it was excellent in all of heat resistance, a withstand voltage characteristic, and workability
  • a film capacitor comprising a resin film having a .0001 to 0.0010 and a static friction coefficient of 0.01 to 1.00.
  • a film capacitor having, as a dielectric film, a resin film excellent in all of heat resistance, withstand voltage characteristics, and workability.
  • the present invention is a film capacitor having a dielectric film and a metal layer.
  • the dielectric film constituting the film capacitor of the present invention is a resin film obtained by subjecting an unstretched film made of a crystalline dicyclopentadiene ring-opening polymer hydrogenated product to a heat treatment after the stretching treatment.
  • the resin film has a softening point of 250 to 320 ° C., a thermal shrinkage of 0.01 to 5.0%, a tan ⁇ of 0.0001 to 0.0010, and a static friction coefficient of 0.01 to 1.00. (Hereinafter sometimes referred to as “resin film (I)”).
  • “Crystalline dicyclopentadiene ring-opened polymer hydrogenated product” used in the production of the resin film (I) is a dicyclopentadiene ring-opened polymer hydrogenated product, and the melting point is reduced by performing a stretching treatment or the like. A film-like molded product is obtained.
  • the hydrogenated crystalline dicyclopentadiene ring-opening polymer include hydrogenated dicyclopentadiene ring-opening polymers having syndiotactic stereoregularity described in JP-A-2006-52333. Can be mentioned.
  • polymer ( ⁇ ) ring-opened polymer of dicyclopentadiene having syndiotactic stereoregularity
  • polymer ( ⁇ ) hydrophilic polymer
  • polymer ( ⁇ ) hydrophilic polymer
  • the polymer ( ⁇ ) can be obtained by ring-opening polymerization of dicyclopentadiene.
  • the dicyclopentadiene to be used includes endo isomers and exo isomers, both of which can be used as monomers, and either isomer may be used alone or the endo isomer.
  • An isomer mixture in which an exo isomer is present in an arbitrary ratio may be used.
  • the ratio of one stereoisomer is preferably 80% or more, more preferably 90% or more, and particularly preferably 95% or more.
  • the stereoisomer which makes a ratio high is an end body from a viewpoint of synthetic
  • the polymer ( ⁇ ) may have a repeating unit other than the repeating unit derived from dicyclopentadiene as long as it gives a crystalline polymer ( ⁇ ).
  • a polymer ( ⁇ ) can be produced by ring-opening copolymerization of dicyclopentadiene and a monomer other than dicyclopentadiene.
  • monomers other than dicyclopentadiene polycyclic norbornene compounds other than dicyclopentadiene, bicyclic norbornene compounds having no ring structure condensed with norbornene skeleton, monocyclic olefins, and cyclic dienes, and these And derivatives thereof.
  • the amount thereof is usually more than 0% by weight and 20% by weight or less, preferably more than 0% by weight and 10% by weight or less based on the total monomers.
  • the catalyst used for producing the polymer ( ⁇ ) is not particularly limited as long as it can ring-open polymerize dicyclopentadiene to produce the polymer ( ⁇ ).
  • a ring-opening polymerization catalyst containing a metal compound represented by the following formula (1) (hereinafter sometimes referred to as “metal compound (1)”) as a catalytically active component can be mentioned.
  • M is a metal atom selected from group 6 transition metal atoms in the periodic table.
  • R 1 may have a substituent at at least one of the 3, 4, and 5 positions.
  • R 2 is a group selected from an alkyl group which may have a substituent and an aryl group which may have a substituent
  • X is a halogen atom
  • an alkyl group L is a group selected from an aryl group and an alkylsilyl group
  • L is an electron-donating neutral ligand
  • a is 0 or 1
  • b is an integer of 0 to 2.
  • the metal atom (M) constituting the metal compound (1) is selected from group 6 transition metal atoms (chromium, molybdenum, tungsten) in the periodic table. Of these, molybdenum or tungsten is preferable, and tungsten is more preferable.
  • the metal compound (1) comprises a metal imide bond.
  • R 1 is a substituent on the nitrogen atom constituting the metal imide bond.
  • substituent of the phenyl group which may have a substituent at at least one of the 3, 4, and 5 positions of R 1 include an alkyl group such as a methyl group and an ethyl group; a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine A halogen atom such as an atom; an alkoxy group such as a methoxy group, an ethoxy group, and an isopropoxy group; and the like, and further, substituents present in at least two positions of the 3, 4, and 5 positions are bonded to each other. May be.
  • phenyl group which may have a substituent at at least one of the 3, 4, and 5 positions include a phenyl group; a 4-methylphenyl group, a 4-chlorophenyl group, a 3-methoxyphenyl group, 4 -Monosubstituted phenyl groups such as cyclohexylphenyl group and 4-methoxyphenyl group; two groups such as 3,5-dimethylphenyl group, 3,5-dichlorophenyl group, 3,4-dimethylphenyl group and 3,5-dimethoxyphenyl group; Substituted phenyl group; trisubstituted phenyl group such as 3,4,5-trimethylphenyl group, 3,4,5-trichlorophenyl group; 2-naphthyl group, 3-methyl-2-naphthyl group, 4-methyl-2- And 2-naphthyl group which may have a substituent such as naphthyl group.
  • the carbon number of the alkyl group which may have a substituent of R 3 in the group represented by —CH 2 R 3 of R 1 is not particularly limited, but is usually 1 to 20, preferably 1 to 10 More preferably, it is 1 to 4.
  • the alkyl group may be linear or branched.
  • the substituent of the alkyl group is not particularly limited, and examples thereof include a phenyl group which may have a substituent such as a phenyl group and a 4-methylphenyl group; an alkoxyl group such as a methoxy group and an ethoxy group.
  • Examples of the aryl group of R 3 which may have a substituent include a phenyl group, a 1-naphthyl group, and a 2-naphthyl group.
  • the substituent of the aryl group is not particularly limited, and examples thereof include a phenyl group which may have a substituent such as a phenyl group and a 4-methylphenyl group; an alkoxyl group such as a methoxy group and an ethoxy group; Can be mentioned.
  • R 3 is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, a t-butyl group, a pentyl group, a hexyl group, an octyl group, or a decyl group. Is preferred.
  • the metal compound (1) has 3 or 4 groups selected from a halogen atom, an alkyl group, an aryl group, and an alkylsilyl group. That is, in the formula (1), X represents a group selected from a halogen atom, an alkyl group, an aryl group, and an alkylsilyl group. In the metal compound (1), when there are two or more groups represented by X, these groups may be bonded to each other.
  • Examples of the halogen atom for X include a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
  • Examples of the alkyl group for X include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, a t-butyl group, a pentyl group, a neopentyl group, a benzyl group, and a neophyll group.
  • Examples of the aryl group for X include a phenyl group, a 4-methylphenyl group, a 2,6-dimethylphenyl group, a 1-naphthyl group, and a 2-naphthyl group.
  • Examples of the alkylsilyl group of X include a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, a t-butyldimethylsilyl group, and the like.
  • the metal compound (1) may have one metal alkoxide bond or one metal aryloxide bond.
  • the substituent on the oxygen atom constituting this metal alkoxide bond or metal aryloxide bond (R 2 in formula (1)) may have an alkyl group which may have a substituent and a substituent. It is a group selected from good aryl groups.
  • the alkyl group which may have a substituent of R 2 and the aryl group which may have a substituent include the alkyl group and substituent which may have a substituent of R 3 described above. The thing similar to what was shown as an aryl group which may have this is mentioned.
  • the metal compound (1) may have one or two electron-donating neutral ligands.
  • this electron-donating neutral ligand (L in the formula (1)) for example, an electron-donating compound containing an atom of Group 14 or Group 15 of the Periodic Table can be mentioned.
  • Specific examples thereof include phosphines such as trimethylphosphine, triisopropylphosphine, tricyclohexylphosphine, and triphenylphosphine; ethers such as diethyl ether, dibutyl ether, 1,2-dimethoxyethane, and tetrahydrofuran; trimethylamine, triethylamine, pyridine, And amines such as lutidine. Among these, ethers are preferable.
  • the metal compound (1) is preferably a tungsten compound having a phenylimide group (in the formula (1), M is a tungsten atom and R 1 is a phenyl group), and tetrachlorotungsten phenylimide (tetrahydrofuran). Is more preferable.
  • the metal compound (1) includes a group 6 transition metal oxyhalide, a phenyl isocyanate which may have a substituent at at least one of the 3, 4, and 5 positions, or a monosubstituted methyl isocyanate. And an electron-donating neutral ligand (L) and, if necessary, an alcohol, a metal alkoxide, a metal aryloxide, etc. (for example, a method described in JP-A-5-345817) ) Can be synthesized.
  • the synthesized metal compound (1) may be used for the ring-opening polymerization reaction after purification and isolation by crystallization or the like, or the obtained mixed solution may be used as a catalyst solution without purification. Good.
  • the amount of the metal compound (1) used as the ring-opening polymerization catalyst is usually 1: 100 to 1: 2,000,000, preferably 1: 500, in a molar ratio of (metal compound (1): monomer).
  • the amount is from 1 to 1,000,000, more preferably from 1: 1,000 to 1: 500,000. If the amount of the catalyst is too large, it may be difficult to remove the catalyst. If the amount is too small, sufficient polymerization activity may not be obtained.
  • the metal compound (1) When ring-opening polymerization is performed using the metal compound (1), the metal compound (1) may be used alone, or the metal compound (1) and an organometallic reducing agent may be used in combination. By using the metal compound (1) and the organometallic reducing agent in combination, the polymerization activity may be increased.
  • the organometallic reducing agent include compounds of Groups 1, 2, 12, 13 and 14 of the periodic table having a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. Among these, organolithium, organomagnesium, organozinc, organoaluminum, or organotin are preferably used, and organoaluminum or organotin are particularly preferably used.
  • Examples of the organic lithium include methyl lithium, n-butyl lithium, and phenyl lithium.
  • Examples of the organic magnesium include butylethylmagnesium, butyloctylmagnesium, dihexylmagnesium, ethylmagnesium chloride, n-butylmagnesium chloride, allylmagnesium bromide and the like.
  • Examples of the organic zinc include dimethyl zinc, diethyl zinc, and diphenyl zinc.
  • organic aluminum examples include trimethylaluminum, triethylaluminum, triisobutylaluminum, diethylaluminum chloride, ethylaluminum sesquichloride, ethylaluminum dichloride, diethylaluminum ethoxide, diisobutylaluminum isobutoxide, ethylaluminum diethoxide, isobutylaluminum diisobutoxide, etc. Is mentioned.
  • organic tin examples include tetramethyltin, tetra (n-butyl) tin, and tetraphenyltin.
  • the amount of the organometallic reducing agent used is preferably 0.1 to 100 moles, more preferably 0.2 to 50 moles, and particularly preferably 0.5 to 20 moles, relative to the metal compound (1). If the amount of the organic metal reducing agent used is too small, the polymerization activity may not be improved. If the amount of the organic metal reducing agent used is too large, side reactions may easily occur.
  • the ring-opening polymerization reaction is usually performed in an organic solvent.
  • the organic solvent is not particularly limited as long as the target polymer ( ⁇ ) or polymer ( ⁇ ) can be dissolved or dispersed under predetermined conditions and does not inhibit the polymerization reaction or the hydrogenation reaction. .
  • organic solvent examples include aliphatic hydrocarbons such as pentane, hexane, and heptane; cyclopentane, cyclohexane, methylcyclohexane, dimethylcyclohexane, trimethylcyclohexane, ethylcyclohexane, diethylcyclohexane, decahydronaphthalene, bicycloheptane, and tricyclodecane.
  • aliphatic hydrocarbons such as pentane, hexane, and heptane
  • cyclopentane cyclohexane
  • methylcyclohexane dimethylcyclohexane
  • trimethylcyclohexane ethylcyclohexane
  • diethylcyclohexane diethylcyclohexane
  • decahydronaphthalene bicycloheptane
  • tricyclodecane examples include ali
  • Alicyclic hydrocarbons such as hexahydroindene and cyclooctane; aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene and xylene; halogenated aliphatic hydrocarbons such as dichloromethane, chloroform and 1,2-dichloroethane; chlorobenzene and dichlorobenzene Halogen-containing aromatic hydrocarbons; nitrogen-containing hydrocarbon solvents such as nitromethane, nitrobenzene and acetonitrile; ethers such as diethyl ether and tetrahydrofuran; Solvents.
  • aromatic hydrocarbons, aliphatic hydrocarbons, alicyclic hydrocarbons, and ethers are preferably used.
  • the ring-opening polymerization reaction can be initiated by mixing the monomer, the metal compound (1), and, if necessary, the organometallic reducing agent.
  • the order in which these components are added is not particularly limited.
  • a mixture of the metal compound (1) and the organometallic reducing agent may be added to the monomer and mixed, or a mixture of the monomer and the metal compound (1) may be added to the organometallic reducing agent.
  • the metal compound (1) may be added to and mixed with the mixture of the monomer and the organometallic reducing agent.
  • the total amount of each component may be added at once, or may be added in multiple portions.
  • the concentration of the monomer at the start of the ring-opening polymerization reaction is not particularly limited, but is preferably 1 to 50% by weight, more preferably 2 to 45% by weight, and particularly preferably 3 to 40% by weight. If the monomer concentration is too low, the productivity of the polymer ( ⁇ ) may decrease. If the monomer concentration is too high, the viscosity of the solution after polymerization is too high, and the subsequent hydrogenation reaction. May become difficult.
  • An activity regulator may be added to the polymerization reaction system.
  • the activity regulator is used for the purpose of stabilizing the ring-opening polymerization catalyst, adjusting the polymerization reaction rate and the molecular weight distribution of the polymer.
  • the activity regulator is not particularly limited as long as it is an organic compound having a functional group, but is preferably an oxygen-containing organic compound, a nitrogen-containing organic compound, or a phosphorus-containing organic compound.
  • ethers such as diethyl ether, diisopropyl ether, dibutyl ether, anisole, furan and tetrahydrofuran; ketones such as acetone, benzophenone and cyclohexanone; esters such as ethyl acetate; nitriles such as acetonitrile benzonitrile; triethylamine , Amines such as triisopropylamine, quinuclidine, N, N-diethylaniline; pyridines such as pyridine, 2,4-lutidine, 2,6-lutidine, 2-t-butylpyridine; triphenylphosphine, tricyclohexylphosphine Phosphines such as trimethyl phosphate and triphenyl phosphate; phosphine oxides such as triphenyl phosphine oxide; and the like.
  • ketones such as acetone, benzophenone and cyclohexanone
  • activity regulators can be used alone or in combination of two or more.
  • the amount thereof is not particularly limited, but it may be usually selected within a range of 0.01 to 100 mol% with respect to the metal compound (1) used as the ring-opening polymerization catalyst.
  • a molecular weight modifier may be added to the polymerization reaction system in order to adjust the molecular weight of the polymer ( ⁇ ).
  • molecular weight regulators include ⁇ -olefins such as 1-butene, 1-pentene, 1-hexene and 1-octene; aromatic vinyl compounds such as styrene and vinyltoluene; ethyl vinyl ether, isobutyl vinyl ether, allyl glycidyl ether, acetic acid Oxygen-containing vinyl compounds such as allyl, allyl alcohol and glycidyl methacrylate; halogen-containing vinyl compounds such as allyl chloride; nitrogen-containing vinyl compounds such as acrylamide; 1,4-pentadiene, 1,4-hexadiene, 1,5-hexadiene, 1 , 6-heptadiene, 2-methyl-1,4-pentadiene, 2,5-dimethyl-1,5-hexadiene, and the like; 1,3-buta
  • the polymerization temperature is not particularly limited, but is usually in the range of ⁇ 78 ° C. to + 200 ° C., and preferably in the range of ⁇ 30 ° C. to + 180 ° C.
  • the polymerization time is not particularly limited and depends on the reaction scale, but is usually in the range of 1 minute to 1000 hours.
  • the polymer ( ⁇ ) is made efficient by carrying out the ring-opening polymerization reaction of the monomer containing dicyclopentadiene under the conditions as described above. Can be manufactured well.
  • the ratio of racemo dyad (degree of syndiotactic stereoregularity) in the polymer ( ⁇ ) is usually 60% or more, preferably 65% or more, more preferably 70 to 99%.
  • the ratio of the racemo dyad in the polymer ( ⁇ ) can be adjusted by selecting the type of the ring-opening polymerization catalyst.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the polymer ( ⁇ ) is not particularly limited, but is usually 10,000 to 100,000, preferably 15,000 to 80,000.
  • a polymer ( ⁇ ) obtained by hydrogenating a polymer ( ⁇ ) having a weight average molecular weight within this range is more excellent in moldability.
  • molding this polymer ((beta)) is more excellent in heat resistance.
  • the weight average molecular weight of a polymer ((alpha)) can be adjusted by adjusting the addition amount etc. of the molecular weight modifier used at the time of superposition
  • the molecular weight distribution (Mw / Mn) of the polymer ( ⁇ ) is not particularly limited, but is usually 4.0 or less, preferably 3.5 or less.
  • a polymer ( ⁇ ) obtained by hydrogenating a polymer ( ⁇ ) having a molecular weight distribution within this range is more excellent in moldability.
  • the molecular weight distribution of the polymer ( ⁇ ) can be adjusted by the monomer addition method and the monomer concentration during the ring-opening polymerization reaction.
  • the above weight average molecular weight (Mw) and molecular weight distribution (Mw / Mn) are standard polystyrene equivalent values obtained by gel permeation chromatography using tetrahydrofuran as a solvent.
  • the polymer ( ⁇ ) can be produced by carrying out a hydrogenation reaction (carbon-carbon unsaturated bond hydrogenation reaction) of the polymer ( ⁇ ).
  • the hydrogenation reaction of the polymer ( ⁇ ) can be performed, for example, by supplying hydrogen into the reaction system in the presence of a hydrogenation catalyst.
  • the hydrogenation catalyst is not particularly limited, and a homogeneous catalyst or a heterogeneous catalyst generally used for a hydrogenation reaction of an olefin compound can be appropriately used.
  • Homogeneous catalysts include transition metal compounds such as cobalt acetate / triethylaluminum, nickel acetylacetonate / triisobutylaluminum, titanocene dichloride / n-butyllithium, zirconocene dichloride / sec-butyllithium, tetrabutoxytitanate / dimethylmagnesium and alkali Catalyst system consisting of a combination of metal compounds, dichlorobis (triphenylphosphine) palladium, chlorohydridocarbonyltris (triphenylphosphine) ruthenium, bis (tricyclohexylphosphine) benzilidineruthenium (IV) dichloride, chlorotris (triphenylphosphine) rhodium And a noble metal complex catalyst.
  • transition metal compounds such as cobalt acetate / triethylaluminum, nickel acety
  • heterogeneous catalysts include nickel / silica, nickel / diatomaceous earth, nickel / alumina, palladium / carbon, palladium / silica, palladium / diatomaceous earth, palladium / alumina, nickel, palladium, platinum, rhodium, ruthenium, or these And a solid catalyst obtained by supporting the above metal on a carrier such as carbon, silica, diatomaceous earth, alumina, and titanium oxide.
  • the hydrogenation reaction is usually performed in an inert organic solvent.
  • inert organic solvents include aromatic hydrocarbons such as benzene and toluene; aliphatic hydrocarbons such as pentane and hexane; alicyclic hydrocarbons such as cyclohexane and decahydronaphthalene; tetrahydrofuran, ethylene glycol dimethyl ether, and the like. Ethers; and the like.
  • the inert organic solvent is usually the same as the solvent used for the polymerization reaction, and the hydrogenation reaction can be carried out using a polymerization reaction solution with the hydrogenation catalyst added as it is.
  • the reaction temperature is usually ⁇ 20 ° C. to + 250 ° C., preferably ⁇ 10 ° C. to + 220 ° C., more preferably 0 ° C. to 200 ° C. If the reaction temperature is too low, the reaction rate may be too slow, and if it is too high, side reactions may occur.
  • the hydrogen pressure is usually from 0.01 to 20 MPa, preferably from 0.05 to 15 MPa, more preferably from 0.1 to 10 MPa. If the hydrogen pressure is too low, the hydrogenation rate may be too slow, and if it is too high, there will be restrictions on the apparatus in that a high pressure reactor is required.
  • the reaction time is not particularly limited, but is usually 0.1 to 10 hours.
  • the hydrogenation rate in the hydrogenation reaction is not particularly limited, but is preferably 70% or more, more preferably 80% or more, particularly preferably 90% or more, and most preferably 99% or more. The higher the hydrogenation rate, the more the heat resistance of the polymer ( ⁇ ) is improved.
  • the syndiotactic stereoregularity of the polymer ( ⁇ ) subjected to the hydrogenation reaction is usually maintained. Therefore, the polymer ( ⁇ ) has syndiotactic stereoregularity.
  • the ratio of racemo dyad in the polymer ( ⁇ ) is not particularly limited as long as the polymer ( ⁇ ) has crystallinity, but is usually 60% or more, preferably 65% or more, more preferably 70 to 99%. .
  • the ratio of the racemo dyad in the polymer ( ⁇ ) can be quantified based on the spectrum data obtained by measuring a 13 C-NMR spectrum.
  • 13 C-NMR measurement was performed at 200 ° C. using a mixed solvent of 1,2,4-trichlorobenzene-d3 and orthodichlorobenzene-d4, and the 43.35 ppm signal derived from meso-dyad
  • the ratio of racemo dyad can be determined from the intensity ratio of the 43.43 ppm signal derived from dyad.
  • the polymer ( ⁇ ) has crystallinity (that is, a film-like molded body having a melting point is obtained).
  • the temperature range of the melting point is not particularly limited, but is usually 260 to 275 ° C.
  • the polymer ( ⁇ ) having such a melting point is excellent due to a balance between moldability and heat resistance.
  • the melting point of the polymer ( ⁇ ) can be adjusted by adjusting the degree of syndiotactic stereoregularity (racemo dyad ratio) or selecting the type of monomer used. .
  • Additives include: antioxidants such as phenolic antioxidants, phosphorus antioxidants, sulfur antioxidants; light stabilizers such as hindered amine light stabilizers; petroleum waxes, Fischer-Tropsch waxes and polyalkylene waxes Waxes such as sorbitol compounds, metal salts of organic phosphoric acid, metal salts of organic carboxylic acids, nucleating agents such as kaolin and talc; diaminostilbene derivatives, coumarin derivatives, azole derivatives (for example, benzoxazole derivatives, benzotriazole derivatives) , Benzimidazole derivatives, and benzothiazole derivatives), carbazole derivatives, pyridine derivatives, naphthalic acid derivatives, and imidazolone derivatives, etc
  • the amount of the additive used is not particularly limited as long as the effect of the present invention is not impaired, and can be appropriately determined according to the purpose.
  • the content of these additives contained in the resin composition is usually in the range of 0.001 to 5 parts by weight, preferably 0.01 to 1 part by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer ( ⁇ ).
  • the manufacturing method of an unstretched film is not specifically limited, A well-known shaping
  • the molding method include injection molding methods, extrusion molding methods, press molding methods, inflation molding methods, blow molding methods, calendar molding methods, cast molding methods, and compression molding methods.
  • the extrusion molding method is preferable because the thickness of the unstretched film can be easily controlled.
  • the cylinder temperature molten resin temperature
  • the cast roll temperature is usually 45 to 160 ° C., preferably 45 to 130 ° C.
  • the roll temperature is usually 25 to 150 ° C, preferably 45 to 120 ° C.
  • the thickness of the unstretched film is not particularly limited, but is usually 1 ⁇ m to 1 mm, preferably 10 to 500 ⁇ m.
  • the stretching method is not particularly limited, and a known method can be appropriately used. Stretching methods include uniaxial stretching in the longitudinal direction using the difference in peripheral speed on the roll side, uniaxial stretching in the lateral direction using a tenter stretching machine, and the like.
  • Biaxial stretching method such as sequential biaxial stretching method that grips and stretches in the lateral direction using a tenter stretching machine; Feeding force, pulling force or pulling force at different speeds can be applied in the lateral or longitudinal direction And a method of continuously and obliquely stretching in a direction of an arbitrary angle ⁇ with respect to the width direction of the film using a tenter stretching machine.
  • the stretching temperature is usually 95 to 135 ° C, preferably 100 to 130 ° C.
  • the stretching temperature is 95 ° C. or higher, the problem that the film breaks during stretching or the productivity decreases due to the clip coming off becomes difficult to occur.
  • the stretching temperature is 135 ° C. or lower, a resin film having a low thermal shrinkage rate can be efficiently produced.
  • the draw ratio is usually 1.2 to 10 times, preferably 1.5 to 5 times.
  • the draw ratio is 1.2 times or more, a resin film having a high softening point can be efficiently produced.
  • the draw ratio is 10 times or less, a resin film having excellent toughness can be efficiently produced.
  • the stretching ratio is defined by the product of the longitudinal and lateral stretching ratios.
  • the stretching speed is usually 100 to 30,000 mm / min, preferably 1,000 to 20,000 mm / min.
  • the stretching speed is 100 mm / min or more, the resin film (I) having a high softening point can be efficiently produced.
  • the stretching speed is 30,000 mm / min or less, the problem that the film is broken during stretching or the productivity is lowered due to the clip coming off is less likely to occur.
  • the heating method is not particularly limited, and a known method can be appropriately used.
  • Examples of the heating method include a method in which a stretched film is fixed on a table and then heated using a heating apparatus such as a heat treatment oven or an infrared heater.
  • the heating temperature is usually 150 to 240 ° C, preferably 160 to 210 ° C.
  • the heating time is usually 0.1 to 600 minutes, preferably 3 to 300 minutes. Resin film (I) with a small heat shrinkage rate can be efficiently manufactured because heating time is 0.1 minutes or more.
  • the heating time is 600 minutes or less, the resin film (I) having a small tan ⁇ can be efficiently produced.
  • the thickness of the film obtained as described above is not particularly limited, but is usually 1 to 200 ⁇ m, preferably 2 to 150 ⁇ m.
  • a film having a thickness within the above range is preferably used as a dielectric film of a film capacitor.
  • the resin film (I) is obtained by subjecting an unstretched film formed using a crystalline dicyclopentadiene ring-opened polymer hydrogenated product to a heat treatment, followed by a heat treatment.
  • the softening point is 250 to 320 ° C. and heating at 200 ° C. for 10 minutes
  • the thermal shrinkage is 0.01 to 5.0%
  • tan ⁇ is 0.0001 to 0.0010
  • the static friction coefficient is 0.01 to 1.00. It is a resin film.
  • the softening point of the resin film (I) is 250 to 320 ° C., preferably 250 to 300 ° C. If the softening point of the resin film (I) is too low, the static friction coefficient tends to be high, and the workability at the time of producing a film capacitor tends to be poor. On the other hand, the resin film (I) having a softening point exceeding 320 ° C. is usually difficult to obtain.
  • the softening point of the resin film (I) can be increased by, for example, increasing the stretching ratio or increasing the stretching speed in the stretching process. Moreover, there exists a tendency for the resin film (I) of a higher softening point to be obtained by using the polymer ((beta)) with a high ratio of a racemo dyad and a hydrogenation rate.
  • the heat shrinkage rate of the resin film (I) when heated at 200 ° C. for 10 minutes is 0.01 to 5.0%, preferably 0.1 to 4.9%.
  • the resin film (I) having a too high heat shrinkage rate tends to be inferior in heat resistance.
  • the resin film (I) having a thermal shrinkage rate of less than 0.01% is usually difficult to obtain.
  • This heat shrinkage rate can be reduced by, for example, performing a stretching process at a stretching temperature that is not too high, or performing a heating process at an appropriate temperature over a certain period of time.
  • the tan ⁇ of the resin film (I) is 0.0001 to 0.0010.
  • the resin film (I) having tan ⁇ exceeding 0.0010 tends to be inferior in the withstand voltage characteristics.
  • a resin film (I) having a tan ⁇ of less than 0.0001 is usually difficult to obtain.
  • the tan ⁇ of the resin film (I) can be reduced by, for example, avoiding heating for a long time in the heat treatment.
  • the resin film (I) with smaller tan-delta can be manufactured by reducing the metal amount contained as an impurity in a polymer ((beta)).
  • the static friction coefficient of the resin film (I) is 0.01 to 1.00, preferably 0.10 to 0.90.
  • the resin film (I) having a static friction coefficient exceeding 1.00 and the resin film (I) having a static friction coefficient of less than 0.01 tend to be inferior in workability.
  • the static friction coefficient of the resin film (I) can be determined by, for example, increasing the stretching ratio, increasing the stretching speed, or performing a heat treatment at an appropriate temperature over a certain amount of time in the stretching process. Can be small.
  • the resin film (I) with a smaller static friction coefficient can be manufactured by using the polymer ((beta)) with a high ratio of a racemo dyad and a hydrogenation rate.
  • the resin film (I) having the above characteristics is excellent in heat resistance, withstand voltage characteristics and workability. For example, even when the resin film (I) is heated at 220 ° C. for 10 minutes, the resin film (I) is less likely to shrink or soften and retain its shape. Moreover, when a dielectric breakdown test is performed on the resin film (I), the dielectric breakdown voltage is usually 400 kV / mm or more. In addition, since the resin film (I) has an appropriate coefficient of static friction, when winding the long resin film (I) into a roll shape or pulling out the resin film (I) from this roll, When manufacturing a film capacitor of a type, work can be performed efficiently.
  • the resin film (I) is used as a dielectric film material for a film capacitor.
  • the resin film (I) As the dielectric film made of the resin film (I), the resin film (I) is cut into a predetermined size, or the surface of the resin film (I) is subjected to surface treatment such as corona treatment or plasma treatment. Later, the thing cut
  • Metal layer It does not specifically limit as a metal layer which comprises the film capacitor of this invention, The thing similar to the metal layer (it is also called an electrode layer) of the conventional film capacitor is mentioned.
  • the metal which comprises a metal layer will not be specifically limited if it is an electroconductive metal, For example, aluminum, zinc, gold
  • the metal layer can be formed by using a metal foil of these metals. Moreover, the vapor deposition metal film obtained by vapor-depositing a metal on the dielectric film [resin film (I)] surface can also be used as a metal layer.
  • the thickness of the metal layer is not particularly limited, but is usually 0.1 to 100 ⁇ m, preferably 1 to 50 ⁇ m, more preferably 3 to 15 ⁇ m. It is a range.
  • the thickness of the metal layer is not particularly limited, but is usually in the range of 10 to 200 nm, preferably 20 to 100 nm.
  • a metal layer that is thin and excellent in adhesion to a dielectric film can be efficiently formed, and a film capacitor that is smaller and excellent in durability can be manufactured.
  • a coating is preferred.
  • the formation method of a vapor deposition metal film is not specifically limited, A vacuum evaporation method, sputtering method, an ion plating method, etc. can be utilized suitably.
  • the deposited metal film may be a single layer or may be multilayered. Examples of the multilayered deposited metal film include a deposited metal film described in JP-A-2-250360.
  • the film capacitor of the present invention has the dielectric film and a metal layer.
  • the dielectric film is not particularly limited as long as the dielectric film is made of the resin film (I).
  • the film capacitor of the present invention includes a laminated film capacitor in which dielectric films and metal layers are alternately laminated (Japanese Patent Laid-Open Nos. 63-181411, 3-18113, etc.); a tape-shaped dielectric And a wound film capacitor (Japanese Patent Laid-Open No. 60-262414, Japanese Patent Laid-Open No. 3-286514, etc.) including a body film and a metal layer.
  • the manufacturing method of these film capacitors is not particularly limited, and a conventionally known method can be used.
  • the film capacitor of the present invention has a resin film having excellent heat resistance, withstand voltage characteristics, and workability as a dielectric film. Therefore, even if the film capacitor of the present invention is small, it has excellent heat resistance and durability, and even when produced on an industrial scale, it is difficult for defective products to occur.
  • Molecular weight of dicyclopentadiene ring-opened polymer (weight average molecular weight and number average molecular weight)
  • the molecular weight of the dicyclopentadiene ring-opened polymer was measured by gel permeation chromatography (GPC) using tetrahydrofuran as a solvent, and obtained as a standard polystyrene equivalent value. Measurement was performed at 40 ° C. using System HLC-8320 (manufactured by Tosoh Corporation) as a measuring apparatus and an H type column (manufactured by Tosoh Corporation) as a column.
  • Ratio of racemo dyad of hydrogenated dicyclopentadiene ring-opening polymer Using a mixed solvent of 1,2,4-trichlorobenzene-d3 and orthodichlorobenzene-d4, applying an inverse decoupling method, A 13 C-NMR measurement was performed at 200 ° C., and a signal of 43.35 ppm derived from meso dyad and 43.43 ppm signal derived from racemo dyad were obtained with a 127.5 ppm peak of orthodichlorobenzene-d4 as a reference shift. Based on the intensity ratio, the ratio of racemo dyad of the hydrogenated dicyclopentadiene ring-opening polymer was determined.
  • the obtained resin film was cut into a circle having a diameter of 5 mm at an arbitrary position to obtain a measurement sample.
  • the obtained measurement sample was heated using a thermomechanical analyzer (SS6100, manufactured by Hitachi High-Tech Science Co., Ltd.) under a temperature rising condition of 10 ° C./min, and the softening point of the resin film was measured.
  • Thermal contraction rate of resin film The obtained resin film was cut into a square of 500 mm x 500 mm at an arbitrary site to obtain a measurement sample. At this time, each side of the square was made to coincide with the flow direction (MD direction) and the width direction (TD direction) during the production of the resin film. The obtained measurement sample was heated at 200 ° C. for 10 minutes using an oven, the amount of change in length in the MD direction and the TD direction before and after heating was examined, and the thermal contraction rate of the resin film was calculated. In addition, this thermal contraction rate is an average value of MD direction and TD direction.
  • the number average molecular weight (Mn) and the weight average molecular weight (Mw) of the dicyclopentadiene ring-opened polymer in the obtained reaction solution are 8,750 and 28,100, respectively, and the molecular weight distribution (Mw / Mn) is 3.21.
  • a hydrotalcite-like compound manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd., Kyoward (registered trademark) 2000
  • a filter aid Radiolite (registered trademark) # 1500, manufactured by Showa Chemical Industry Co., Ltd.
  • a PP pleated cartridge filter manufactured by ADVANTEC Toyo Co., TCP-HX
  • Example 1 After the unstretched film obtained in Production Example 3 was cut into a 90 mm ⁇ 90 mm square at an arbitrary site, this was placed in a small stretcher (EX10-B type, manufactured by Toyo Seiki Seisakusho Co., Ltd.), and the stretching temperature: The film was stretched under the conditions of 100 ° C., stretching ratio: 2.0 ⁇ 2.0 times, stretching speed: 10,000 mm / min. Next, the obtained stretched film was fixed to an iron plate, and this was subjected to a heat treatment at 200 ° C. for 20 minutes using an oven to obtain a resin film for a dielectric film. Various measurements were performed about the obtained resin film for dielectric films. The measurement results are shown in Table 1.
  • Example 2 In Example 1, the stretching ratio was changed to 3.0 ⁇ 3.0 times, the stretching speed was changed to 300 mm / min, and the stretching process was performed. Further, the heating temperature was changed to 210 ° C., and the heating process was performed. Obtained the resin film for dielectric films like Example 1, and performed various measurements about the obtained resin film for dielectric films. The measurement results are shown in Table 1.
  • Example 3 A resin film for a dielectric film was prepared in the same manner as in Example 1 except that in Example 1, the stretching process was performed by changing the stretching temperature to 130 ° C., and the heating process was further performed by changing the heating temperature to 150 ° C. Various measurements were performed on the obtained resin film for dielectric film. The measurement results are shown in Table 1.
  • Example 4 In Example 1, except that the heating time was changed to 5 minutes and the heat treatment was performed, the resin film for dielectric film was obtained in the same manner as in Example 1, and the obtained resin film for dielectric film was variously obtained. Measurements were made. The measurement results are shown in Table 1.
  • Example 5 In Example 1, the stretching ratio was changed to 1.5 ⁇ 1.5 times, the stretching process was performed, and the heating process was further performed by changing the heating temperature to 230 ° C. and the heating time to 100 minutes. In the same manner as in Example 1, a dielectric film resin film was obtained, and various measurements were performed on the obtained dielectric film resin film. The measurement results are shown in Table 1.
  • Example 1 In Example 1, except that the stretching temperature was changed to 140 ° C. and the stretching process was performed, a resin film was obtained in the same manner as in Example 1, and various measurements were performed on the obtained resin film. The measurement results are shown in Table 1.
  • Example 2 In Example 1, a resin film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the stretching treatment was performed by changing the stretching ratio to 1.1 times x 1.1 times, and various measurements were performed on the obtained resin film. Went. The measurement results are shown in Table 1. This resin film was not sufficiently crystallized and the softening point was too low. For this reason, the heat shrinkage rate could not be measured.
  • Example 3 In Example 1, a resin film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the stretching process was performed while changing the stretching speed to 80 mm / min, and various measurements were performed on the obtained resin film. The measurement results are shown in Table 1. This resin film was not sufficiently crystallized and the softening point was too low. For this reason, the heat shrinkage rate could not be measured.
  • Example 4 In Example 1, except that the heating temperature was changed to 250 ° C. and the heat treatment was performed, a resin film was obtained in the same manner as in Example 1, and various measurements were performed on the obtained resin film. The measurement results are shown in Table 1.
  • Example 5 In Example 1, except that the heating temperature was changed to 140 ° C. and the heat treatment was performed, a resin film was obtained in the same manner as in Example 1, and various measurements were performed on the obtained resin film. The measurement results are shown in Table 1.
  • Example 6 In Example 1, a resin film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the heat treatment was performed while changing the heating time to 0.05 minutes, and various measurements were performed on the obtained resin film. The measurement results are shown in Table 1.
  • Example 7 In Example 1, a resin film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the heat treatment was performed with the heating time changed to 700 minutes, and various measurements were performed on the obtained resin film. The measurement results are shown in Table 1.
  • the resin films obtained in Examples 1 to 5 are excellent in heat resistance, withstand voltage characteristics, and workability.
  • the resin films obtained in Comparative Examples 1, 4 to 6 have a large heat shrinkage rate and are inferior in heat resistance.
  • the resin films obtained in Comparative Examples 2 and 3 have a low softening point, and these resin films are also inferior in heat resistance.
  • the resin films obtained in Comparative Examples 2, 3, 5, and 6 have a large coefficient of static friction and are inferior in workability.
  • the resin film obtained in Comparative Example 7 has a large tan ⁇ and inferior withstand voltage characteristics.

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Abstract

　本発明は、誘電体フィルムと金属層とを有するフィルムコンデンサであって、前記誘電体フィルムが、結晶性のジシクロペンタジエン開環重合体水素添加物を用いてなる未延伸フィルムを延伸処理した後、加熱処理することにより得られる樹脂フィルムであり、前記樹脂フィルムは、軟化点が２５０～３２０℃、２００℃で１０分間加熱したときの熱収縮率が０．０１～５．０％、ｔａｎδが０．０００１～０．００１０、静摩擦係数が０．０１～１．００の樹脂フィルムからなるものであることを特徴とするフィルムコンデンサである。本発明によれば、耐熱性、耐電圧特性、及び作業性に優れる樹脂フィルムを誘電体フィルムとして有するフィルムコンデンサが提供される。

Description

フィルムコンデンサ
　本発明は、耐熱性、耐電圧特性、及び作業性に優れる樹脂フィルムを誘電体フィルムとして有するフィルムコンデンサに関する。
　フィルムコンデンサは、誘電体フィルムと金属層とが交互に配置された構造を有し、電荷を蓄えることができる素子である。
　近年、フィルムコンデンサは、小型化や大容量化が進められた結果、駆動時に発熱し易くなってきている。このため、フィルムコンデンサの誘電体フィルムとして用いられる樹脂フィルムには、耐熱性により優れることが求められている。
　また、フィルムコンデンサを小型化するために、誘電体フィルムをより薄くすることが求められてきているが、誘電体フィルムを薄くすると、耐電圧特性（高電圧下でも絶縁状態が維持されるという特性）や作業性（工業的生産規模でも安定してフィルムコンデンサを製造し得るという性質）に劣る傾向があった。
　本発明に関連して、特許文献１には、ノルボルネン系開環重合体水素化物等を成形してなるフィルムを用いるフィルムコンデンサが記載されている。
特開平１１－６０９７１号公報
　特許文献１に記載されているように、ノルボルネン系開環重合体水素化物製のフィルムは、フィルムコンデンサの誘電体フィルムとして適している。しかしながら、近年、フィルムコンデンサに対する要求性能が高まる中、耐熱性、耐電圧特性、及び作業性により優れるものが要望されている。
　本発明は、上記した従来技術に鑑みてなされたものであり、耐熱性、耐電圧特性、及び作業性に優れる樹脂フィルムを誘電体フィルムとして有するフィルムコンデンサを提供することを目的とする。
　本発明者らは上記課題を解決すべく、フィルムコンデンサの誘電体フィルムとして用いる樹脂フィルムについて鋭意検討した。その結果、結晶性のジシクロペンタジエン開環重合体水素添加物を用いてなる未延伸フィルムを延伸処理した後、加熱処理することにより得られるものであって、軟化点、熱収縮率、ｔａｎδ、及び静摩擦係数が、それぞれ特定の範囲内にある樹脂フィルムは、耐熱性、耐電圧特性、及び作業性の全てに優れることを見出し、本発明を完成するに至った。
　かくして本発明によれば、下記〔１〕～〔２〕のフィルムコンデンサが提供される。
〔１〕誘電体フィルムと金属層とを有するフィルムコンデンサであって、前記誘電体フィルムが、結晶性のジシクロペンタジエン開環重合体水素添加物を用いてなる未延伸フィルムを延伸処理した後、加熱処理することにより得られる樹脂フィルムであり、前記樹脂フィルムは、軟化点が２５０～３２０℃、２００℃で１０分間加熱したときの熱収縮率が０．０１～５．０％、ｔａｎδが０．０００１～０．００１０、静摩擦係数が０．０１～１．００の樹脂フィルムからなるものであることを特徴とするフィルムコンデンサ。
〔２〕前記樹脂フィルムが、前記未延伸フィルムを、延伸温度が９５～１３５℃、延伸倍率が１．２～１０倍、延伸速度が１００～３０，０００ｍｍ／分の条件で延伸処理した後、加熱温度が１５０～２４０℃、加熱時間が０．１～６００分の条件で加熱処理することにより得られるものである、〔１〕に記載のフィルムコンデンサ。
　本発明によれば、耐熱性、耐電圧特性、及び作業性の全てに優れる樹脂フィルムを誘電体フィルムとして有するフィルムコンデンサが提供される。
　本発明は、誘電体フィルムと金属層とを有するフィルムコンデンサである。
〔誘電体フィルム〕
　本発明のフィルムコンデンサを構成する誘電体フィルムは、結晶性のジシクロペンタジエン開環重合体水素添加物を用いてなる未延伸フィルムを延伸処理した後、加熱処理することにより得られる樹脂フィルムであり、前記樹脂フィルムは、軟化点が２５０～３２０℃、熱収縮率が０．０１～５．０％、ｔａｎδが０．０００１～０．００１０、静摩擦係数が０．０１～１．００の樹脂フィルム（以下、「樹脂フィルム（Ｉ）」ということがある。）からなる。
　樹脂フィルム（Ｉ）の製造に用いる「結晶性のジシクロペンタジエン開環重合体水素添加物」は、ジシクロペンタジエン開環重合体水素添加物であって、延伸処理等を行うことにより、融点を有するフィルム状成形体が得られるものである。
　結晶性のジシクロペンタジエン開環重合体水素添加物としては、例えば、特開２００６－５２３３３号公報に記載の、シンジオタクチック立体規則性を有するジシクロペンタジエンの開環重合体の水素添加物が挙げられる。
　以下、「シンジオタクチック立体規則性を有するジシクロペンタジエンの開環重合体」を「重合体（α）」といい、「重合体（α）の水素添加物」を「重合体（β）」ということがある。
　重合体（α）はジシクロペンタジエンを開環重合させることにより得られる。用いるジシクロペンタジエンには、エンド体及びエキソ体の立体異性体が存在するが、そのどちらも単量体として用いることが可能であり、一方の異性体を単独で用いてもよいし、エンド体及びエキソ体が任意の割合で存在する異性体混合物を用いてもよい。ただし、重合体（β）の結晶性を高め、耐熱性を特に良好なものとする観点からは、一方の立体異性体の割合を高くすることが好ましい。例えば、エンド体又はエキソ体の割合が、８０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましく、９５％以上であることが特に好ましい。なお、割合を高くする立体異性体は、合成容易性の観点から、エンド体であることが好ましい。
　重合体（α）は、結晶性を有する重合体（β）を与えるものであれば、ジシクロペンタジエン由来の繰り返し単位以外の繰り返し単位を有するものであってもよい。このような重合体（α）は、ジシクロペンタジエンと、ジシクロペンタジエン以外の単量体とを開環共重合させることにより製造することができる。
　ジシクロペンタジエン以外の単量体としては、ジシクロペンタジエン以外の多環式ノルボルネン系化合物、ノルボルネン骨格に縮合した環構造を有しない２環のノルボルネン系化合物、モノ環状オレフィン、及び環状ジエン、並びにこれらの誘導体が挙げられる。
　これらの単量体を用いる場合、その量は、全単量体に対して、通常、０重量％超２０重量％以下、好ましくは０重量％超１０重量％以下である。
　重合体（α）の製造に用いる触媒は、ジシクロペンタジエンを開環重合させて、重合体（α）を生成させ得るものであれば、特に限定されない。
　このような触媒としては、例えば、下記式（１）で表される金属化合物（以下、「金属化合物（１）」ということがある。）を触媒活性成分として含む開環重合触媒が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
（式中、Ｍは、周期律表第６族の遷移金属原子から選択される金属原子である。Ｒ１は、３，４，５位の少なくとも１つの位置に置換基を有していてもよいフェニル基、又は、－ＣＨ２Ｒ３で表される基であり、Ｒ３は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基及び置換基を有していてもよいアリール基から選択される基である。Ｒ２は、置換基を有していてもよいアルキル基及び置換基を有していてもよいアリール基から選択される基である。Ｘは、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基及びアルキルシリル基から選択される基である。Ｌは、電子供与性の中性配位子である。ａは０又は１であり、ｂは０～２の整数である。複数のＸ又は複数のＬが存在するとき、複数のＸ又は複数のＬは互いに同一であってもよいし、相異なっていてもよい。）
　金属化合物（１）を構成する金属原子（Ｍ）は、周期律表第６族の遷移金属原子（クロム、モリブデン、タングステン）から選択される。なかでも、モリブデン又はタングステンが好ましく、タングステンがより好ましい。
　金属化合物（１）は、金属イミド結合を含んでなるものである。
　Ｒ１は、金属イミド結合を構成する窒素原子上の置換基である。
　Ｒ１の、３，４，５位の少なくとも１つの位置に置換基を有していてもよいフェニル基の置換基としては、メチル基、エチル基等のアルキル基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等のアルコキシ基；等が挙げられ、さらに、３，４，５位の少なくとも２つの位置に存在する置換基が互いに結合したものであってもよい。
　３，４，５位の少なくとも１つの位置に置換基を有していてもよいフェニル基の具体例としては、フェニル基；４－メチルフェニル基、４－クロロフェニル基、３－メトキシフェニル基、４－シクロヘキシルフェニル基、４－メトキシフェニル基等の一置換フェニル基；３，５－ジメチルフェニル基、３，５－ジクロロフェニル基、３，４－ジメチルフェニル基、３，５－ジメトキシフェニル基等の二置換フェニル基；３，４，５－トリメチルフェニル基、３，４，５－トリクロロフェニル基等の三置換フェニル基；２－ナフチル基、３－メチル－２－ナフチル基、４－メチル－２－ナフチル基等の置換基を有していてもよい２－ナフチル基；が挙げられる。
　Ｒ１の、－ＣＨ２Ｒ３で表される基におけるＲ３の、置換基を有していてもよいアルキル基の炭素数は、特に限定されないが、通常１～２０、好ましくは１～１０、より好ましくは１～４である。また、このアルキル基は直鎖状であっても分岐状であってもよい。このアルキル基の置換基は特に限定されないが、例えば、フェニル基、４－メチルフェニル基等の置換基を有していてもよいフェニル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシル基；が挙げられる。
　Ｒ３の、置換基を有していてもよいアリール基としては、フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基等が挙げられる。このアリール基の置換基としては、特に限定されないが、例えば、フェニル基、４－メチルフェニル基等の置換基を有していてもよいフェニル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシル基；等が挙げられる。
　Ｒ３としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基等の炭素数が１～２０のアルキル基が好ましい。
　金属化合物（１）は、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基及びアルキルシリル基から選択される基を３個又は４個有してなる。すなわち、式（１）において、Ｘは、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基及びアルキルシリル基から選択される基を表す。なお、金属化合物（１）において、Ｘで表される基が２以上あるとき、それらの基は互いに結合していてもよい。
　Ｘのハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。Ｘのアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ベンジル基、ネオフィル基等が挙げられる。Ｘのアリール基としては、フェニル基、４－メチルフェニル基、２，６－ジメチルフェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基等が挙げられる。Ｘのアルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ－ブチルジメチルシリル基等が挙げられる。
　金属化合物（１）は、１個の金属アルコキシド結合又は１個の金属アリールオキシド結合を有するものであってもよい。この金属アルコキシド結合又は金属アリールオキシド結合を構成する酸素原子上の置換基（式（１）中のＲ２）は、置換基を有していてもよいアルキル基及び置換基を有していてもよいアリール基から選択される基である。Ｒ２の、置換基を有していてもよいアルキル基や置換基を有していてもよいアリール基としては、前述のＲ３の、置換基を有していてもよいアルキル基や置換基を有していてもよいアリール基として示したものと同様のものが挙げられる。
　金属化合物（１）は、１個又は２個の電子供与性の中性配位子を有するものであってもよい。
　この電子供与性の中性配位子（式（１）中のＬ）としては、例えば、周期律表第１４族又は第１５族の原子を含有する電子供与性化合物が挙げられる。
　その具体例としては、トリメチルホスフィン、トリイソプロピルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン等のホスフィン類；ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、１，２－ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン等のエーテル類；トリメチルアミン、トリエチルアミン、ピリジン、ルチジン等のアミン類；が挙げられる。これらの中でも、エーテル類が好ましい。
　金属化合物（１）としては、フェニルイミド基を有するタングステン化合物（式（１）中、Ｍがタングステン原子で、かつ、Ｒ１がフェニル基である化合物）が好ましく、テトラクロロタングステンフェニルイミド（テトラヒドロフラン）がより好ましい。
　金属化合物（１）は、第６族遷移金属のオキシハロゲン化物と、３，４，５位の少なくとも１つの位置に置換基を有していてもよいフェニルイソシアナート類、又は一置換メチルイソシアナート類と、電子供与性の中性配位子（Ｌ）、及び必要に応じてアルコール類、金属アルコキシド、金属アリールオキシドを混合すること等（例えば、特開平５－３４５８１７号公報に記載された方法）により合成することができる。合成された金属化合物（１）は、結晶化等により精製・単離した後、開環重合反応に用いてもよいし、精製することなく、得られた混合液をそのまま触媒液として用いてもよい。
　開環重合触媒として用いる金属化合物（１）の使用量は、（金属化合物（１）：単量体）のモル比で、通常１：１００～１：２，０００，０００、好ましくは１：５００～１：１，０００，０００、より好ましくは１：１，０００～１：５００，０００となる量である。触媒量が多すぎると触媒除去が困難となるおそれがあり、少なすぎると十分な重合活性が得られないおそれがある。
　金属化合物（１）を用いて開環重合を行う際は、金属化合物（１）を単独で使用してもよいし、金属化合物（１）と有機金属還元剤とを併用してもよい。金属化合物（１）と有機金属還元剤を併用することにより、重合活性が高くなる場合がある。
　有機金属還元剤としては、炭素数１～２０の炭化水素基を有する周期律表第１、２、１２、１３、１４族の化合物が挙げられる。なかでも、有機リチウム、有機マグネシウム、有機亜鉛、有機アルミニウム、又は有機スズが好ましく用いられ、有機アルミニウム又は有機スズが特に好ましく用いられる。
　有機リチウムとしては、メチルリチウム、ｎ－ブチルリチウム、フェニルリチウム等が挙げられる。有機マグネシウムとしては、ブチルエチルマグネシウム、ブチルオクチルマグネシウム、ジヘキシルマグネシウム、エチルマグネシウムクロリド、ｎ－ブチルマグネシウムクロリド、アリルマグネシウムブロミド等が挙げられる。有機亜鉛としては、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛、ジフェニル亜鉛等が挙げられる。有機アルミニウムとしては、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、ジエチルアルミニウムクロリド、エチルアルミニウムセスキクロリド、エチルアルミニウムジクロリド、ジエチルアルミニウムエトキシド、ジイソブチルアルミニウムイソブトキシド、エチルアルミニウムジエトキシド、イソブチルアルミニウムジイソブトキシド等が挙げられる。有機スズとしては、テトラメチルスズ、テトラ（ｎ－ブチル）スズ、テトラフェニルスズ等が挙げられる。
　有機金属還元剤の使用量は、金属化合物（１）に対して、０．１～１００モル倍が好ましく、０．２～５０モル倍がより好ましく、０．５～２０モル倍が特に好ましい。有機金属還元剤の使用量が少なすぎると重合活性が向上しない場合があり、有機金属還元剤の使用量が多すぎると副反応が起こりやすくなるおそれがある。
　開環重合反応は、通常、有機溶媒中で行われる。
　有機溶媒は、目的とする重合体（α）や重合体（β）を所定の条件で溶解もしくは分散させることが可能であり、重合反応や水素化反応を阻害しないものであれば、特に限定されない。
　有機溶媒の具体例としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素；シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、トリメチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジエチルシクロヘキサン、デカヒドロナフタレン、ビシクロヘプタン、トリシクロデカン、ヘキサヒドロインデン、シクロオクタン等の脂環族炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素；ジクロロメタン、クロロホルム、１，２－ジクロロエタン等のハロゲン系脂肪族炭化水素；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン系芳香族炭化水素；ニトロメタン、ニトロベンゼン、アセトニトリル等の含窒素炭化水素系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類；又はこれらの混合溶媒が挙げられる。これらの溶媒の中でも、芳香族炭化水素、脂肪族炭化水素、脂環族炭化水素、エーテル類が好ましく用いられる。
　開環重合反応は、単量体、金属化合物（１）、及び、必要に応じて有機金属還元剤を混合することにより開始させることができる。これらの成分を添加する順序は、特に限定されない。例えば、単量体に金属化合物（１）と有機金属還元剤との混合物を添加して混合してもよいし、有機金属還元剤に単量体と金属化合物（１）との混合物を添加して混合してもよく、また、単量体と有機金属還元剤との混合物に金属化合物（１）を添加して混合してもよい。
　各成分を混合するにあたっては、それぞれの成分の全量を一度に添加してもよいし、複数回に分けて添加してもよい。
　開環重合反応開始時の単量体の濃度は、特に限定されないが、１～５０重量％が好ましく、２～４５重量％がより好ましく、３～４０重量％が特に好ましい。単量体の濃度が低すぎると重合体（α）の生産性が低下するおそれがあり、単量体の濃度が高すぎる場合は重合後の溶液の粘度が高すぎて、その後の水素化反応が困難になるおそれがある。
　重合反応系には、活性調整剤を添加してもよい。活性調整剤は、開環重合触媒の安定化、重合反応の速度及び重合体の分子量分布を調整する目的で使用される。
　活性調整剤は、官能基を有する有機化合物であれば、特に制限されないが、含酸素有機化合物、含窒素有機化合物、含リン有機化合物が好ましい。具体的には、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、アニソール、フラン、テトラヒドロフラン等のエーテル類；アセトン、ベンゾフェノン、シクロヘキサノン等のケトン類；エチルアセテート等のエステル類；アセトニトリルベンゾニトリル等のニトリル類；トリエチルアミン、トリイソプロピルアミン、キヌクリジン、Ｎ，Ｎ－ジエチルアニリン等のアミン類；ピリジン、２，４－ルチジン、２，６－ルチジン、２－ｔ－ブチルピリジン等のピリジン類；トリフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン等のホスフィン類；トリメチルホスフェ－ト、トリフェニルホスフェ－ト等のホスフェート類；トリフェニルホスフィンオキシド等のホスフィンオキシド類；等が挙げられる。これらの活性調整剤は、１種を単独で、あるいは２種以上を混合して用いることができる。
　活性調整剤を用いる場合、その量は、特に限定されないが、通常、開環重合触媒として用いる金属化合物（１）に対して０．０１～１００モル％の範囲で選択すればよい。
　重合反応系には、重合体（α）の分子量を調整するために、分子量調整剤を添加してもよい。
　分子量調整剤としては、１－ブテン、１－ペンテン、１－ヘキセン、１－オクテン等のα－オレフィン類；スチレン、ビニルトルエン等の芳香族ビニル化合物；エチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、アリルグリシジルエーテル、酢酸アリル、アリルアルコール、グリシジルメタクリレート等の酸素含有ビニル化合物；アリルクロライド等のハロゲン含有ビニル化合物；アクリルアミド等の窒素含有ビニル化合物；１，４－ペンタジエン、１，４－ヘキサジエン、１，５－ヘキサジエン、１，６－ヘプタジエン、２－メチル－１，４－ペンタジエン、２，５－ジメチル－１，５－ヘキサジエン等の非共役ジエン；１，３－ブタジエン、２－メチル－１，３－ブタジエン、２，３－ジメチル－１，３－ブタジエン、１，３－ペンタジエン、１，３－ヘキサジエン等の共役ジエン；等が挙げられる。
　分子量調整剤を用いる場合、その量は目的とする分子量に応じて適宜決定すればよいが、通常、用いる単量体に対して、０．１～５０モル％の範囲で選択すればよい。
　重合温度は特に制限はないが、通常－７８℃～＋２００℃の範囲であり、好ましくは－３０℃～＋１８０℃の範囲である。重合時間は、特に制限はなく、反応規模にも依存するが、通常１分間から１０００時間の範囲である。
　上述したような金属化合物（１）を含む開環重合触媒を用いて、上述したような条件でジシクロペンタジエンを含む単量体の開環重合反応を行うことにより、重合体（α）を効率よく製造することができる。
　重合体（α）のラセモ・ダイアッドの割合（シンジオタクチック立体規則性の度合い）は、通常６０％以上、好ましくは６５％以上、より好ましくは７０～９９％である。重合体（α）のラセモ・ダイアッドの割合は、開環重合触媒の種類を選択すること等により、調節することができる。
　重合体（α）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、特に限定されないが、通常１０，０００～１００，０００、好ましくは１５，０００～８０，０００である。重量平均分子量がこの範囲にある重合体（α）を水素添加して得られる重合体（β）は成形性により優れる。また、この重合体（β）を成形して得られる樹脂フィルムは耐熱性により優れる。
　重合体（α）の重量平均分子量は、重合時に用いる分子量調整剤の添加量等を調節することにより、調節することができる。
　重合体（α）の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、特に限定されないが、通常４．０以下、好ましくは３．５以下である。分子量分布がこの範囲にある重合体（α）を水素添加して得られる重合体（β）は成形性により優れる。
　重合体（α）の分子量分布は、開環重合反応時における単量体の添加方法や単量体の濃度により、調節することができる。
　上記の重量平均分子量（Ｍｗ）、及び分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、テトラヒドロフランを溶媒として用いた、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーにより得られた標準ポリスチレン換算値である。
　重合体（α）の水素添加反応（炭素－炭素不飽和結合の水素化反応）を行うことにより、重合体（β）を製造することができる。
　重合体（α）の水素添加反応は、例えば、水素化触媒の存在下で、反応系内に水素を供給することにより行うことができる。水素化触媒は、特に限定されず、オレフィン化合物の水素添加反応に一般に使用されている均一系触媒や不均一触媒を適宜使用することができる。
　均一系触媒としては、酢酸コバルト／トリエチルアルミニウム、ニッケルアセチルアセトナート／トリイソブチルアルミニウム、チタノセンジクロリド／ｎ－ブチルリチウム、ジルコノセンジクロリド／ｓｅｃ－ブチルリチウム、テトラブトキシチタネート／ジメチルマグネシウム等の遷移金属化合物とアルカリ金属化合物の組み合わせからなる触媒系や、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、クロロヒドリドカルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）ベンジリジンルテニウム（ＩＶ）ジクロリド、クロロトリス（トリフェニルホスフィン）ロジウム等の貴金属錯体触媒が挙げられる。
　不均一触媒としては、ニッケル／シリカ、ニッケル／ケイソウ土、ニッケル／アルミナ、パラジウム／カーボン、パラジウム／シリカ、パラジウム／ケイソウ土、パラジウム／アルミナ等の、ニッケル、パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウム、又はこれらの金属をカーボン、シリカ、ケイソウ土、アルミナ、酸化チタン等の担体に担持させてなる固体触媒が挙げられる。
　水素添加反応は、通常、不活性有機溶媒中で行われる。このような不活性有機溶媒としては、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素；ペンタン、ヘキサン等の脂肪族炭化水素；シクロヘキサン、デカヒドロナフタレン等の脂環族炭化水素；テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類；等が挙げられる。不活性有機溶媒は、通常は、重合反応に用いる溶媒と同じでよく、重合反応液にそのまま水素化触媒を添加したものを用いて水素添加反応を行うことができる。
　水素添加反応の好ましい反応条件は、使用する水素化触媒によっても異なるが、反応温度は通常－２０℃～＋２５０℃、好ましくは－１０℃～＋２２０℃、より好ましくは０℃～２００℃である。反応温度が低すぎると反応速度が遅くなりすぎる場合があり、高すぎると副反応が起こる場合がある。
　水素圧力は、通常０．０１～２０ＭＰａ、好ましくは０．０５～１５ＭＰａ、より好ましくは０．１～１０ＭＰａである。水素圧力が低すぎると水素化速度が遅くなりすぎる場合があり、高すぎると高耐圧反応装置が必要となる点において装置上の制約が生じる。反応時間は特に限定されないが、通常０．１～１０時間である。
　水素添加反応における水素添加率（水素化された主鎖二重結合の割合）は、特に限定されないが、好ましくは７０％以上、より好ましくは８０％以上、特に好ましくは９０％以上、最も好ましくは９９％以上である。水素添加率が高くなるほど、重合体（β）の耐熱性がより向上する。
　重合体（β）においては、通常、水素添加反応に供した重合体（α）が有するシンジオタクチック立体規則性が維持される。したがって、重合体（β）は、シンジオタクチック立体規則性を有する。重合体（β）におけるラセモ・ダイアッドの割合は、重合体（β）が結晶性を有する限りにおいて特に限定されないが、通常６０％以上、好ましくは６５％以上、より好ましくは７０～９９％である。
　重合体（β）のラセモ・ダイアッドの割合は、１３Ｃ－ＮＭＲスペクトルを測定し、該スペクトルデータに基づいて定量することができる。例えば、１，２，４－トリクロロベンゼン－ｄ３とオルトジクロロベンゼン－ｄ４の混合溶媒を用いて、２００℃で１３Ｃ－ＮＭＲ測定を行い、メソ・ダイアッド由来の４３．３５ｐｐｍのシグナルと、ラセモ・ダイアッド由来の４３．４３ｐｐｍのシグナルの強度比からラセモ・ダイアッドの割合を決定できる。
　重合体（β）は、結晶性を有するもの（すなわち、融点を有するフィルム状成形体が得られるもの）である。融点の温度範囲は特に限定されないが、通常、２６０～２７５℃である。
　このような融点を有する重合体（β）は、成形性と耐熱性とのバランスにより優れる。重合体（β）の融点は、そのシンジオタクチック立体規則性の度合い（ラセモ・ダイアッドの割合）を調節したり、用いる単量体の種類を選択したりすること等により、調節することができる。
　重合体（β）を用いてなる未延伸フィルムを製造する際、原料樹脂として、重合体（β）のみを用いてもよいし、重合体（β）と添加剤とを含有する樹脂組成物を用いてもよい。
　添加剤としては、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤等の酸化防止剤；ヒンダードアミン系光安定剤等の光安定剤；石油系ワックスやフィッシャートロプシュワックスやポリアルキレンワックス等のワックス；ソルビトール系化合物、有機リン酸の金属塩、有機カルボン酸の金属塩、カオリン及びタルク等の核剤；ジアミノスチルベン誘導体、クマリン誘導体、アゾール系誘導体（例えば、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、及びベンゾチアソール誘導体）、カルバゾール誘導体、ピリジン誘導体、ナフタル酸誘導体、及びイミダゾロン誘導体等の蛍光増白剤；ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、サリチル酸系紫外線吸収剤、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤等の紫外線吸収剤；タルク、シリカ、炭酸カルシウム、ガラス繊維等の無機充填材；着色剤；難燃剤；難燃助剤；帯電防止剤；可塑剤；近赤外線吸収剤；滑剤；フィラー、及び、軟質重合体等の重合体（β）以外の高分子材料；等が挙げられる。
　添加剤を使用する場合、添加剤の使用量は、本発明の効果を阻害しない限り特に限定されず、目的に応じて適宜決定することができる。樹脂組成物に含まれるこれらの添加剤の含有量は、重合体（β）１００重量部に対して、通常０．００１～５重量部、好ましくは０．０１～１重量部の範囲である。
　未延伸フィルムの製造方法は特に限定されず、公知の成形法を適宜利用することができる。
　成形方法としては、射出成形法、押出し成形法、プレス成形法、インフレーション成形法、ブロー成形法、カレンダー成形法、注型成形法、圧縮成形法等の方法が挙げられる。これらの中でも、未延伸フィルムの厚みを制御し易いことから、押出し成形法が好ましい。
　押出し成形法において、シリンダー温度（溶融樹脂温度）は、通常２５０～３３０℃、好ましくは２６０～３１０℃であり、キャストロール温度は、通常４５～１６０℃、好ましくは４５～１３０℃であり、冷却ロール温度は、通常２５～１５０℃、好ましくは４５～１２０℃である。
　未延伸フィルムの厚みは特に限定されないが、通常、１μｍから１ｍｍ、好ましくは１０～５００μｍである。
　未延伸フィルムを延伸処理した後、加熱処理を行う。
　未延伸フィルムを延伸処理する際、延伸方法は特に限定されず、公知の方法を適宜利用することができる。
　延伸方法としては、ロール側の周速の差を利用して縦方向に一軸延伸する方法、テンター延伸機を用いて横方向に一軸延伸する方法等の一軸延伸法；固定するクリップの間隔を開いての縦方向の延伸と同時に、ガイドレールの広がり角度により横方向に延伸する同時二軸延伸法や、ロール間の周速の差を利用して縦方向に延伸した後、その両端部をクリップ把持してテンター延伸機を用いて横方向に延伸する逐次二軸延伸法等の二軸延伸法；横又は縦方向に左右異なる速度の送り力若しくは引張り力又は引取り力を付加できるようにしたテンター延伸機を用いてフィルムの幅方向に対して任意の角度θの方向に連続的に斜め延伸する方法；等が挙げられる。
　延伸温度は、通常９５～１３５℃、好ましくは１００～１３０℃である。延伸温度が９５℃以上であることで、延伸時にフィルムが破断したり、クリップ外れにより生産性が低下したりする問題が起こり難くなる。また、延伸温度が１３５℃以下であることで、熱収縮率が小さい樹脂フィルムを効率よく製造することができる。
　延伸倍率は、通常１．２～１０倍、好ましくは１．５～５倍である。延伸倍率が１．２倍以上であることで、軟化点が高い樹脂フィルムを効率よく製造することができる。一方、延伸倍率が１０倍以下であることで、靭性に優れる樹脂フィルムを効率よく製造することができる。なお、二軸延伸法を使用した場合、延伸倍率は縦と横の延伸倍率の積によって規定される。
　延伸速度は、通常、１００～３０，０００ｍｍ／分、好ましくは１，０００～２０，０００ｍｍ／分である。延伸速度が１００ｍｍ／分以上であることで、軟化点が高い樹脂フィルム（Ｉ）を効率よく製造することができる。一方、延伸速度が３０，０００ｍｍ／分以下であることで、延伸時にフィルムが破断したり、クリップ外れにより生産性が低下したりする問題が起こり難くなる。
　前記延伸処理によって得られた延伸フィルムを加熱処理する際、加熱方法は特に限定されず、公知の方法を適宜利用することができる。
　加熱方法としては、延伸フィルムを台に固定した後、これを熱処理オーブン、赤外線ヒーター等の加熱装置を用いて加熱する方法が挙げられる。
　加熱温度は、通常１５０～２４０℃、好ましくは１６０～２１０℃である。加熱温度が１５０℃から２４０℃の範囲内にあることで、熱収縮率が小さい樹脂フィルム（Ｉ）を効率よく製造することができる。
　加熱時間は、通常０．１～６００分間、好ましくは３～３００分間である。加熱時間が０．１分以上であることで、熱収縮率が小さい樹脂フィルム（Ｉ）を効率よく製造することができる。一方、加熱時間が６００分以下であることで、ｔａｎδが小さい樹脂フィルム（Ｉ）を効率よく製造することができる。
　以上のようにして得られるフィルムの厚みは特に限定されないが、通常、１～２００μｍ、好ましくは２～１５０μｍである。
　厚みが上記範囲内であるフィルムは、フィルムコンデンサの誘電体フィルムとして好ましく用いられる。
　樹脂フィルム（Ｉ）は、上述したように、結晶性のジシクロペンタジエン開環重合体水素添加物を用いてなる未延伸フィルムを延伸処理した後、加熱処理することにより得られるものであって、軟化点が２５０～３２０℃、２００℃で１０分間加熱したときの熱収縮率が０．０１～５．０％、ｔａｎδが０．０００１～０．００１０、静摩擦係数が０．０１～１．００の樹脂フィルムである。
　樹脂フィルム（Ｉ）の軟化点は、２５０～３２０℃、好ましくは２５０～３００℃である。
　樹脂フィルム（Ｉ）の軟化点が低すぎると、静摩擦係数が高くなる傾向があり、フィルムコンデンサを製造する際の作業性に劣り易くなる。一方、軟化点が３２０℃を超える樹脂フィルム（Ｉ）は、通常得られにくい。
　樹脂フィルム（Ｉ）の軟化点は、例えば、延伸処理において、延伸倍率を高くしたり、延伸速度を速めたりすることで、高くすることができる。また、ラセモ・ダイアッドの割合や、水素添加率が高い重合体（β）を用いることで、より高い軟化点の樹脂フィルム（Ｉ）が得られる傾向がある。
　樹脂フィルム（Ｉ）の、２００℃で１０分間加熱したときの熱収縮率は、０．０１～５．０％、好ましくは０．１～４．９％である。
　この熱収縮率が大きすぎる樹脂フィルム（Ｉ）は、耐熱性に劣り易くなる。一方、この熱収縮率が０．０１％未満の樹脂フィルム（Ｉ）は、通常得られにくい。
　この熱収縮率は、例えば、高すぎない延伸温度で延伸処理を行ったり、適度な温度である程度の時間をかけて加熱処理を行ったりすることにより、小さくすることができる。
　樹脂フィルム（Ｉ）のｔａｎδは、０．０００１～０．００１０である。
　ｔａｎδが０．００１０を超える樹脂フィルム（Ｉ）は、耐電圧特性に劣り易くなる。一方、ｔａｎδが０．０００１未満の樹脂フィルム（Ｉ）は、通常得られにくい。
　樹脂フィルム（Ｉ）のｔａｎδは、例えば、加熱処理において長時間の加熱を避けることにより小さくすることができる。また、重合体（β）中に不純物として含まれる金属量を下げることで、ｔａｎδがより小さい樹脂フィルム（Ｉ）を製造することができる。
　樹脂フィルム（Ｉ）の静摩擦係数は、０．０１～１．００、好ましくは０．１０～０．９０である。
　静摩擦係数が１．００を超える樹脂フィルム（Ｉ）や、０．０１未満の樹脂フィルム（Ｉ）は、作業性に劣り易くなる。
　樹脂フィルム（Ｉ）の静摩擦係数は、例えば、延伸処理において、延伸倍率を高くしたり、延伸速度を速めたりすることや、適度な温度である程度の時間をかけて加熱処理を行ったりすることで、小さくすることができる。また、ラセモ・ダイアッドの割合や、水素添加率が高い重合体（β）を用いることで、静摩擦係数がより小さい樹脂フィルム（Ｉ）を製造することができる。
　上記特性を有する樹脂フィルム（Ｉ）は、耐熱性、耐電圧特性及び作業性に優れる。
　例えば、樹脂フィルム（Ｉ）は、２２０℃で１０分間加熱したときでも、収縮や軟化が生じにくく、その形状が保持される。
　また、樹脂フィルム（Ｉ）について、絶縁破壊試験を行った場合、絶縁破壊電圧は、通常４００ｋＶ／ｍｍ以上である。
　また、樹脂フィルム（Ｉ）は、静摩擦係数が適度なものであるため、長尺の樹脂フィルム（Ｉ）をロール状に巻き取ったり、このロールから樹脂フィルム（Ｉ）を引き出す際や、巻回型のフィルムコンデンサを製造する際に、効率よく作業を行うことができる。
　これらの特性を有することから、樹脂フィルム（Ｉ）は、フィルムコンデンサの誘電体フィルム材料として用いられる。
　樹脂フィルム（Ｉ）からなる誘電体フィルムとしては、樹脂フィルム（Ｉ）を所定の大きさに裁断したものや、樹脂フィルム（Ｉ）の表面に、コロナ処理やプラズマ処理等の表面処理を施した後、所定の大きさに裁断したもの等が挙げられる。
〔金属層〕
　本発明のフィルムコンデンサを構成する金属層としては特に限定されず、従来のフィルムコンデンサの金属層（電極層ともいわれる）と同様のものが挙げられる。
　金属層を構成する金属は、導電性金属であれば特に限定されず、例えば、アルミニウム、亜鉛、金、白金、銅等が挙げられる。
　金属層は、これらの金属の金属箔を用いることにより、形成することができる。また、誘電体フィルム〔樹脂フィルム（Ｉ）〕表面に金属を蒸着させて得られた蒸着金属被膜を金属層として用いることもできる。
　金属層が、金属箔を用いて形成されたものである場合、金属層の厚さは特に限定されないが、通常は、０．１～１００μｍ、好ましくは１～５０μｍ、より好ましくは３～１５μｍの範囲である。
　金属層が、蒸着金属被膜である場合、金属層の厚さは特に限定されないが、通常は、１０～２００ｎｍ、好ましくは２０～１００ｎｍの範囲である。
　薄く、かつ、誘電体フィルムとの密着性に優れる金属層を効率よく形成することができ、より小さく、かつ、耐久性に優れるフィルムコンデンサを製造することができることから、金属層としては、蒸着金属被膜が好ましい。
　金属層として蒸着金属被膜を利用する場合、蒸着金属被膜の形成方法は特に限定されず、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等を適宜利用することができる。
　蒸着金属被膜は一層であってもよいし、多層化されていてもよい。多層化された蒸着金属皮膜としては、例えば、特開平２－２５０３６０号公報に記載の蒸着金属皮膜が挙げられる。
〔フィルムコンデンサ〕
　本発明のフィルムコンデンサは、前記誘電体フィルムと金属層とを有するものである。
　本発明のフィルムコンデンサは、誘電体フィルムが、前記樹脂フィルム（Ｉ）からなるものであればよく、その構造は特に限定されない。
　本発明のフィルムコンデンサとしては、誘電体フィルムと金属層とが交互に積層された積層型のフィルムコンデンサ（特開昭６３－１８１４１１号公報、特開平３－１８１１３号公報等）；テープ状の誘電体フィルムと金属層を巻き込んだ巻回型のフィルムコンデンサ（特開昭６０－２６２４１４号公報、特開平３－２８６５１４号公報等）；等が挙げられる。
　これらのフィルムコンデンサの製造方法は特に限定されず、従来公知の方法を利用することができる。
　本発明のフィルムコンデンサは、誘電体フィルムとして、耐熱性、耐電圧特性、及び作業性に優れる樹脂フィルムを有するものである。
　したがって、本発明のフィルムコンデンサは、小さくても、耐熱性、耐久性に優れ、かつ、工業的規模で生産しても不良品が発生しにくいものである。
　以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明をさらに詳細に説明する。なお、本発明はこれらの例に何ら限定されるものではない。以下において、「部」及び「％」は特に断りのない限り、重量基準である。
　各種の物性の測定は、下記の方法に従って行った。
（１）ジシクロペンタジエン開環重合体の分子量（重量平均分子量及び数平均分子量）
　ジシクロペンタジエン開環重合体の分子量は、テトラヒドロフランを溶媒とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定し、標準ポリスチレン換算値として求めた。
　測定装置として、システムＨＬＣ－８３２０（東ソー社製）を使用し、カラムとして、Ｈタイプカラム（東ソー社製）を用い、４０℃で測定した。
（２）ジシクロペンタジエン開環重合体水素添加物の水素添加率
　１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、ジシクロペンタジエン開環重合体水素添加物の水素添加率を求めた。
（３）ジシクロペンタジエン開環重合体水素添加物のラセモ・ダイアッドの割合
　１，２，４－トリクロロベンゼン－ｄ３とオルトジクロロベンゼン－ｄ４の混合溶媒を用いて、ｉｎｖｅｒｓｅｇａｔｅｄ　ｄｅｃｏｕｐｌｉｎｇ法を適用して、２００℃で１３Ｃ－ＮＭＲ測定を行い、オルトジクロロベンゼン－ｄ４の１２７．５ｐｐｍのピークを基準シフトとして、メソ・ダイアッド由来の４３．３５ｐｐｍのシグナルと、ラセモ・ダイアッド由来の４３．４３ｐｐｍのシグナルの強度比に基づいて、ジシクロペンタジエン開環重合体水素添加物のラセモ・ダイアッドの割合を求めた。
（４）樹脂フィルムの軟化点
　得られた樹脂フィルムを任意の部位で、直径５ｍｍの円形に切り出して測定サンプルを得た。得られた測定サンプルを、熱機械分析装置（日立ハイテクサイエンス社製、ＳＳ６１００）を用いて、１０℃／分の昇温条件で加熱し、樹脂フィルムの軟化点を測定した。
（５）樹脂フィルムの熱収縮率
　得られた樹脂フィルムを任意の部位で、５００ｍｍ×５００ｍｍの正方形に切り出して測定サンプルを得た。このとき、正方形の各辺が、樹脂フィルム製造時の流れ方向（ＭＤ方向）と幅方向（ＴＤ方向）に一致するようにした。
　得られた測定サンプルを、オーブンを用いて、２００℃で１０分間加熱し、加熱前後のＭＤ方向及びＴＤ方向の長さの変化量を調べ、樹脂フィルムの熱収縮率を算出した。なお、この熱収縮率は、ＭＤ方向とＴＤ方向の平均値である。
（６）樹脂フィルムの誘電正接（ｔａｎδ）
　得られた樹脂フィルムを任意の部位で、１５０ｍｍ×１ｍｍの大きさに切り出して測定サンプルを得た。得られた測定サンプルについて、ネットワークアナライザ（アジレント社製、Ｎ５２３０Ａ）を用いて、周波数１ＧＨｚにおけるｔａｎδを測定した。
（７）樹脂フィルムの静摩擦係数
　トライボギア表面性測定機（新東科学製、ＴＹＰＥ３８）を用いて、ＡＳＴＭ　Ｄ１８９４に準拠し、樹脂フィルムとボール圧子間の静摩擦係数を測定した。荷重は２００ｇ、速度は１００ｍｍ／ｍｍとした。
（８）樹脂フィルムの耐熱性
　得られた樹脂フィルムを任意の場所で、５００ｍｍ×５００ｍｍの正方形に切り出して測定サンプルを得た。
　得られた測定サンプルを、オーブンを用いて、２２０℃で１０分間加熱し、加熱後の測定サンプルの形状を目視観察し、以下の基準で樹脂フィルムの耐熱性を評価した。
○：加熱前後で測定サンプルの形状が保持されていた。
×：加熱後に、熱収縮や軟化による形状変化が観られた。
（９）樹脂フィルムの耐電圧特性（絶縁破壊電圧測定）
　得られた樹脂フィルムについて、絶縁破壊電圧測定装置（ヤマヨ試験器社製、ＹＳＴ－２４３－１００ＲＨＯ）を用いて、絶縁破壊電圧を測定し、樹脂フィルムの耐電圧特性を調べた。
（１０）樹脂フィルムの作業性
　得られた樹脂フィルムを２枚重ね、この上に１００ｇの重りを乗せた。樹脂フィルムの一方を１０ｍｍ／秒の速さで水平に滑らせたときの様子を観察し、以下の基準で樹脂フィルムの作業性を評価した。
○：滑らせた樹脂フィルムのみが抵抗なく動いた。
×：抵抗を感じる、又は、２枚のフィルムが同時に動いた。
〔製造例１〕
　内部を窒素置換した金属製耐圧反応容器に、シクロヘキサン１５４．５部、ジシクロペンタジエン（エンド体含有率９９％以上）のシクロヘキサン溶液（濃度７０％）４２．８部（ジシクロペンタジエンの量として３０部）、１－ヘキセン１．９部を加え、全容を攪拌しながら、５３℃に加熱した。
　一方、テトラクロロタングステンフェニルイミド（テトラヒドロフラン）錯体０．０１４部を０．７０部のトルエンに溶解させた溶液に、ジエチルアルミニウムエトキシド／ｎ－ヘキサン溶液（濃度１９％）０．０６１部を加えて１０分間攪拌し、触媒溶液を調製した。
　反応器の内容物を攪拌しながら、この触媒溶液を反応器内に加えて開環重合反応を開始させ、その後、全容を５３℃に保ちながら４時間開環重合反応を行った。次いで、停止剤として、１，２－エタンジオール０．０３７部を反応器内に加えて、全容を６０℃に加温し、１時間攪拌することで重合反応を停止させた。
　得られた反応溶液中のジシクロペンタジエン開環重合体の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、それぞれ、８，７５０及び２８，１００であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は３．２１であった。
　前記反応溶液に、吸着剤としてハイドロタルサイト様化合物（協和化学工業社製、キョーワード（登録商標）２０００）１部加えて、６０℃に加熱し、１時間攪拌した。このものに、濾過助剤（昭和化学工業社製、ラヂオライト（登録商標）＃１５００）０．４部を加えた後、ＰＰプリーツカートリッジフィルター（ＡＤＶＡＮＴＥＣ東洋社製、ＴＣＰ－ＨＸ）を用いて、吸着剤を濾別除去した。
　濾過後のジシクロペンタジエン開環重合体溶液２００部（重合体量３０部）に、シクロヘキサン１００部、クロロヒドリドカルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム０．００４３部を添加し、水素圧６ＭＰａ、１８０℃で４時間水素添加反応を行なった。得られた水素添加反応液は、重合体が析出してスラリー液となっていた。
　このスラリー液について、遠心分離処理を行って、ジシクロペンタジエン開環重合体水素添加物と溶液とを分離し、ジシクロペンタジエン開環重合体水素添加物を濾取した。次いで、これを６０℃で２４時間減圧乾燥することで、結晶性を有するジシクロペンタジエン開環重合体水素添加物２８．５部を得た。
　ジシクロペンタジエン開環重合体水素添加物の水素添加率は９９％以上、融点（Ｔｍ）は２６２℃、ラセモ・ダイアッドの割合は８９％であった。
〔製造例２〕
　製造例１で得られたジシクロペンタジエン開環重合体水素添加物１００部に、酸化防止剤として、テトラキス〔メチレン－３－（３’，５’－ジ－ｔ－ブチル－４’－ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕メタン（ＢＡＳＦジャパン社製、イルガノックス（登録商標）１０１０）１．１部を混合し、原料組成物を得た。この原料組成物を、内径３ｍｍのダイ穴を４つ備えた二軸押出し機（東芝機械社製、ＴＥＭ－３７Ｂ）に投入し、熱溶融押出し成形法により、ストランド状の成形体を得、これを冷却した後、ストランドカッターにて細断し、樹脂ペレットを得た。
　二軸押出し機の運転条件を以下に示す。
・バレル設定温度：２７０～２８０℃
・ダイ設定温度：２７０℃
・スクリュー回転数：１４５ｒｐｍ
・フィーダー回転数：５０ｒｐｍ
〔製造例３〕
　製造例２で得られた樹脂ペレットを用いて、Ｔダイを備える熱溶融押出しフィルム成形機（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｃｏｎｔｒｏｌ　Ｓｙｓｔｅｍｓ社製、Ｍｅａｓｕｒｉｎｇ　Ｅｘｔｒｕｄｅｒ　Ｔｙｐｅ　Ｍｅ－２０／２８００　Ｖ３）にて、厚み１５０μｍ、幅１２０ｍｍのフィルム状に成形し、得られた未延伸フィルムを２ｍ／分の速度でロール状に巻き取った。
　フィルム成形機の運転条件を以下に示す。
・バレル温度設定：２８０～２９０℃
・ダイ温度：２７０℃
・スクリュー回転数：３０ｒｐｍ
〔実施例１〕
　製造例３で得られた未延伸フィルムを任意の部位で９０ｍｍ×９０ｍｍの正方形に切り出した後、これを、小型延伸機（東洋精機製作所社製、ＥＸ１０－Ｂタイプ）に設置し、延伸温度：１００℃、延伸倍率：２．０倍×２．０倍、延伸速度：１００００ｍｍ／分の条件で延伸処理した。
　次いで、得られた延伸フィルムを鉄板に固定し、このものを、オーブンを用いて２００℃で２０分間、加熱処理を行うことにより、誘電体フィルム用樹脂フィルムを得た。
　得られた誘電体フィルム用樹脂フィルムについて、各種測定を行った。測定結果を第１表に示す。
〔実施例２〕
　実施例１において、延伸倍率を３．０倍×３．０倍、延伸速度を３００ｍｍ／分の条件に変えて延伸処理を行い、さらに加熱温度を２１０℃に変えて加熱処理を行ったこと以外は、実施例１と同様にして誘電体フィルム用樹脂フィルムを得、得られた誘電体フィルム用樹脂フィルムについて、各種測定を行った。測定結果を第１表に示す。
〔実施例３〕
　実施例１において、延伸温度を１３０℃に変えて延伸処理を行い、さらに加熱温度を１５０℃に変えて加熱処理を行ったこと以外は、実施例１と同様にして誘電体フィルム用樹脂フィルムを得、得られた誘電体フィルム用樹脂フィルムについて、各種測定を行った。測定結果を第１表に示す。
〔実施例４〕
　実施例１において、加熱時間を５分に変えて加熱処理を行ったこと以外は、実施例１と同様にして誘電体フィルム用樹脂フィルムを得、得られた誘電体フィルム用樹脂フィルムについて、各種測定を行った。測定結果を第１表に示す。
〔実施例５〕
　実施例１において、延伸倍率を１．５×１．５倍に変えて延伸処理を行い、さらに加熱温度を２３０℃、加熱時間を１００分に変えて加熱処理を行ったこと以外は、実施例１と同様にして誘電体フィルム用樹脂フィルムを得、得られた誘電体フィルム用樹脂フィルムについて、各種測定を行った。測定結果を第１表に示す。
〔比較例１〕
　実施例１において、延伸温度を１４０℃に変えて延伸処理を行ったこと以外は、実施例１と同様にして樹脂フィルムを得、得られた樹脂フィルムについて、各種測定を行った。測定結果を第１表に示す。
〔比較例２〕
　実施例１において、延伸倍率を１．１倍×１．１倍に変えて延伸処理を行ったこと以外は、実施例１と同様にして樹脂フィルムを得、得られた樹脂フィルムについて、各種測定を行った。測定結果を第１表に示す。
　なお、この樹脂フィルムは、結晶化が十分には進行しておらず、軟化点が低すぎるものであった。このため、熱収縮率を測定することができなかった。
〔比較例３〕
　実施例１において、延伸速度を８０ｍｍ／分に変えて延伸処理を行ったこと以外は、実施例１と同様にして樹脂フィルムを得、得られた樹脂フィルムについて、各種測定を行った。測定結果を第１表に示す。
　なお、この樹脂フィルムは、結晶化が十分には進行しておらず、軟化点が低すぎるものであった。このため、熱収縮率を測定することができなかった。
　〔比較例４〕
　実施例１において、加熱温度を２５０℃に変えて加熱処理を行ったこと以外は、実施例１と同様にして樹脂フィルムを得、得られた樹脂フィルムについて、各種測定を行った。測定結果を第１表に示す。
　〔比較例５〕
　実施例１において、加熱温度を１４０℃に変えて加熱処理を行ったこと以外は、実施例１と同様にして樹脂フィルムを得、得られた樹脂フィルムについて、各種測定を行った。測定結果を第１表に示す。
　〔比較例６〕
　実施例１において、加熱時間を０．０５分に変えて加熱処理を行ったこと以外は、実施例１と同様にして樹脂フィルムを得、得られた樹脂フィルムについて、各種測定を行った。測定結果を第１表に示す。
　〔比較例７〕
　実施例１において、加熱時間を７００分に変えて加熱処理を行ったこと以外は、実施例１と同様にして樹脂フィルムを得、得られた樹脂フィルムについて、各種測定を行った。測定結果を第１表に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　第１表から以下のことが分かる。
　実施例１～５で得られた樹脂フィルムは、耐熱性、耐電圧特性、及び作業性に優れている。
　一方、比較例１、４～６で得られた樹脂フィルムは、熱収縮率が大きく、耐熱性に劣っている。
　比較例２、３で得られた樹脂フィルムは、軟化点が低く、これらの樹脂フィルムも耐熱性に劣っている。
　比較例２、３、５、６で得られた樹脂フィルムは、静摩擦係数が大きく、作業性に劣っている。
　比較例７で得られた樹脂フィルムは、ｔａｎδが大きく、耐電圧特性に劣っている。

Claims (2)

  1. 　誘電体フィルムと金属層とを有するフィルムコンデンサであって、
    　前記誘電体フィルムが、
    　結晶性のジシクロペンタジエン開環重合体水素添加物を用いてなる未延伸フィルムを延伸処理した後、加熱処理することにより得られる樹脂フィルムであり、
    　前記樹脂フィルムは、軟化点が２５０～３２０℃、２００℃で１０分間加熱したときの熱収縮率が０．０１～５．０％、ｔａｎδが０．０００１～０．００１０、静摩擦係数が０．０１～１．００の樹脂フィルム
    からなるものであることを特徴とするフィルムコンデンサ。
  2. 　前記樹脂フィルムが、前記未延伸フィルムを、延伸温度が９５～１３５℃、延伸倍率が１．２～１０倍、延伸速度が１００～３０，０００ｍｍ／分の条件で延伸処理した後、加熱温度が１５０～２４０℃、加熱時間が０．１～６００分の条件で加熱処理することにより得られるものである、請求項１に記載のフィルムコンデンサ。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018174029A1 (ja) * 2017-03-21 2018-09-27 日本ゼオン株式会社 成形材料、樹脂成形体、化粧料容器、半導体容器、及び半導体容器の製造方法
WO2019167682A1 (ja) 2018-02-28 2019-09-06 日本ゼオン株式会社 コンデンサ用フィルムおよびその製造方法
CN110447306A (zh) * 2017-03-30 2019-11-12 日本瑞翁株式会社 有机电致发光显示装置用的多层膜以及包含其的偏振片、防反射膜和有机电致发光显示装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11309230B1 (en) 2020-09-29 2022-04-19 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Power electronic modules including one or more layers including a polymer produced via a frontal ring-opening polymerization process

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1160971A (ja) * 1997-08-18 1999-03-05 Nippon Zeon Co Ltd 熱可塑性炭化水素重合体組成物
JP2007010863A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Teijin Ltd 位相差フィルム及びその製造方法
WO2007129695A1 (ja) * 2006-05-10 2007-11-15 Toray Industries, Inc. 二軸配向ポリアリーレンスルフィドフィルム
JP2014011183A (ja) * 2012-06-27 2014-01-20 Mitsui Chemicals Inc コンデンサ用フィルム、金属化フィルムおよびフィルムコンデンサ
JP2014091793A (ja) * 2012-11-05 2014-05-19 Nippon Zeon Co Ltd 脂環構造含有開環重合体の水素添加物及びその利用

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60262414A (ja) 1984-06-09 1985-12-25 松下電器産業株式会社 フイルムコンデンサ
JPS63181411A (ja) 1987-01-23 1988-07-26 日本ケミコン株式会社 積層フイルムコンデンサ
JPH02250360A (ja) 1989-03-24 1990-10-08 Ibiden Co Ltd 電子部品パッケージ
JP2676921B2 (ja) 1989-06-14 1997-11-17 株式会社村田製作所 ノイズフィルタの取付け構造
JPH03286514A (ja) 1990-04-02 1991-12-17 Nitsuko Corp 金属化フィルムコンデンサのフィルム巻回方法
US5194534A (en) 1991-09-24 1993-03-16 Hercules Incorporated Tungsten-imido catalysts for ring-opening metathesis polymerization of cycloolefins
JP2002194067A (ja) * 2000-12-25 2002-07-10 Nippon Zeon Co Ltd フィルムおよびシート
JP4662403B2 (ja) * 2001-03-30 2011-03-30 旭化成ケミカルズ株式会社 ポリアミド系樹脂組成物
JP4466272B2 (ja) 2004-08-12 2010-05-26 日本ゼオン株式会社 ノルボルネン系開環重合体水素化物の製造方法およびノルボルネン系開環重合体水素化物
DE102009060446A1 (de) * 2009-12-22 2011-06-30 Treofan Germany GmbH & Co. KG, 66539 Mikroporöse Separator-Folie für Doppelschichtkondensatoren
EP3107655B1 (en) * 2014-02-21 2024-05-08 Massachusetts Institute of Technology Catalysts and methods for ring opening metathesis polymerization

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1160971A (ja) * 1997-08-18 1999-03-05 Nippon Zeon Co Ltd 熱可塑性炭化水素重合体組成物
JP2007010863A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Teijin Ltd 位相差フィルム及びその製造方法
WO2007129695A1 (ja) * 2006-05-10 2007-11-15 Toray Industries, Inc. 二軸配向ポリアリーレンスルフィドフィルム
JP2014011183A (ja) * 2012-06-27 2014-01-20 Mitsui Chemicals Inc コンデンサ用フィルム、金属化フィルムおよびフィルムコンデンサ
JP2014091793A (ja) * 2012-11-05 2014-05-19 Nippon Zeon Co Ltd 脂環構造含有開環重合体の水素添加物及びその利用

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3217411A4 *

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018174029A1 (ja) * 2017-03-21 2018-09-27 日本ゼオン株式会社 成形材料、樹脂成形体、化粧料容器、半導体容器、及び半導体容器の製造方法
CN110291128A (zh) * 2017-03-21 2019-09-27 日本瑞翁株式会社 成型材料、树脂成型体、化妆品容器、半导体容器和半导体容器的制造方法
JPWO2018174029A1 (ja) * 2017-03-21 2020-01-23 日本ゼオン株式会社 成形材料、樹脂成形体、化粧料容器、半導体容器、及び半導体容器の製造方法
EP3604377A4 (en) * 2017-03-21 2020-12-30 Zeon Corporation MOLDING MATERIAL, MOLDED RESIN ARTICLE, CONTAINER FOR COSMETIC PRODUCT, SEMICONDUCTOR CONTAINER AND PRODUCTION PROCESS FOR SEMICONDUCTOR CONTAINER
JP7115466B2 (ja) 2017-03-21 2022-08-09 日本ゼオン株式会社 成形材料、樹脂成形体、化粧料容器、半導体容器、及び半導体容器の製造方法
CN110447306A (zh) * 2017-03-30 2019-11-12 日本瑞翁株式会社 有机电致发光显示装置用的多层膜以及包含其的偏振片、防反射膜和有机电致发光显示装置
WO2019167682A1 (ja) 2018-02-28 2019-09-06 日本ゼオン株式会社 コンデンサ用フィルムおよびその製造方法
JPWO2019167682A1 (ja) * 2018-02-28 2021-03-25 日本ゼオン株式会社 コンデンサ用フィルムおよびその製造方法
JP7294314B2 (ja) 2018-02-28 2023-06-20 日本ゼオン株式会社 コンデンサ用フィルムおよびその製造方法
US11891489B2 (en) 2018-02-28 2024-02-06 Zeon Corporation Film for capacitor and method of producing same

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