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WO2014175627A1 - 함질소 헤테로환 화합물 및 이를 포함한 유기 전자소자 - Google Patents

함질소 헤테로환 화합물 및 이를 포함한 유기 전자소자 Download PDF

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WO2014175627A1
WO2014175627A1 PCT/KR2014/003492 KR2014003492W WO2014175627A1 WO 2014175627 A1 WO2014175627 A1 WO 2014175627A1 KR 2014003492 W KR2014003492 W KR 2014003492W WO 2014175627 A1 WO2014175627 A1 WO 2014175627A1
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WO
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group
substituted
unsubstituted
organic
nitrogen
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Application number
PCT/KR2014/003492
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English (en)
French (fr)
Inventor
박태윤
김동헌
천민승
김형석
안지연
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Chem Ltd
Original Assignee
LG Chem Ltd
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Publication date
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Priority to US14/419,589 priority patent/US9540374B2/en
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    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the present specification relates to a novel nitrogen-containing heterocyclic compound and an organic electronic device including the same.
  • the organic electronic device means a device requiring charge exchange between an electrode and an organic material using holes and / or electrons.
  • the organic electronic device can be divided into two types according to the operation principle. First, an exciton is formed in the organic layer by photons introduced into the device from an external light source, and the exciton is separated into electrons and holes, and these electrons and holes are transferred to different electrodes to be used as current sources (voltage sources). It is a form of electric element.
  • the second type is an electronic device in which holes and / or electrons are injected into an organic semiconductor forming an interface with the electrodes by applying voltage or current to two or more electrodes, and operated by the injected electrons and holes.
  • Examples of the organic electronic device include an organic light emitting device, an organic solar cell, an organic photoconductor (OPC), an organic transistor, and the like, all of which are used to inject or transport holes, inject or transport electrons, or light emitting materials to drive the device. need.
  • OPC organic photoconductor
  • the organic light emitting device will be described in detail.
  • a hole injection or transport material, an electron injection or transport material, or a light emitting material functions on a similar principle.
  • organic light emitting phenomenon refers to a phenomenon of converting electrical energy into light energy using an organic material.
  • An organic light emitting device using an organic light emitting phenomenon usually has a structure including an anode, a cathode, and an organic material layer therebetween.
  • the organic material layer is often formed of a multi-layered structure composed of different materials to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device, for example, it may be made of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer.
  • organic light emitting devices When the voltage is applied between the two electrodes in the structure of the organic light emitting device, holes are injected at the anode and electrons are injected at the cathode, and excitons are formed when the injected holes and electrons meet. When it falls back to the ground, it glows.
  • Such organic light emitting devices are known to have characteristics such as self-luminous, high brightness, high efficiency, low driving voltage, wide viewing angle, high contrast, and high speed response.
  • Materials used as the organic material layer in the organic light emitting device may be classified into light emitting materials and charge transport materials such as hole injection materials, hole transport materials, electron transport materials, and electron injection materials according to functions.
  • the light emitting materials may be classified into blue, green, and red light emitting materials, and yellow and orange light emitting materials required to achieve better natural colors, depending on the light emission color.
  • the maximum light emission wavelength is shifted to a long wavelength due to the intermolecular interaction, and the color purity decreases or the efficiency of the device decreases due to the light emission attenuation effect, thereby increasing color purity and energy transfer.
  • the host / dopant system can be used as a light emitting material.
  • a material which forms the organic material layer in the device such as a hole injection material, a hole transport material, a light emitting material, an electron transport material, an electron injection material, etc.
  • a stable and efficient material is supported by a stable and efficient material.
  • the inventors have found a nitrogen-containing heterocyclic compound having a new structure.
  • the organic material layer of the organic electronic device may be formed by including the new nitrogen-containing heterocyclic compound.
  • an object of the present specification is to provide a nitrogen-containing heterocyclic compound and an organic electronic device including the same.
  • One embodiment of the present specification provides a nitrogen-containing heterocyclic compound represented by Formula 1 below.
  • X is C or Si
  • At least one of R1 and R2 is each independently represented by -L-A,
  • L is a direct bond; Or a divalent group containing one or more selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted aromatic ring group and a substituted or unsubstituted hetero ring group,
  • A is a cyano group (-CN)
  • R3 to R5 and the remaining of R1 and R2 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Nitro group; Hydroxyl group; Substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; Substituted or unsubstituted alkoxy group; Substituted or unsubstituted aryloxy group; Substituted or unsubstituted alkylthioxy group; Substituted or unsubstituted arylthioxy group; Substituted or unsubstituted alkyl sulfoxy group; Substituted or unsubstituted aryl sulfoxy group; Substituted or unsubstituted alkenyl group; Substituted or unsubstituted silyl group; Substituted or unsubstituted boron group; Substituted or unsubstituted alkylamine
  • a, b, d and e are each independently an integer of 1 to 4, and c is an integer of 1 to 3.
  • an embodiment of the present specification includes a first electrode; A second electrode opposite the first electrode; And at least one organic material layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers includes the nitrogen-containing heterocyclic compound.
  • one embodiment of the present specification comprises the steps of preparing a substrate; Forming a first electrode on the substrate; Forming an organic material layer including the nitrogen-containing heterocyclic compound on the first electrode; And it provides a method for manufacturing an organic electronic device comprising the step of forming a second electrode on the organic material layer.
  • the nitrogen-containing heterocyclic compound may be used as a material of an organic material layer of an organic electronic device including an organic light emitting device.
  • the nitrogen-containing heterocyclic compound has excellent thermal stability.
  • the nitrogen-containing heterocyclic compound has a deep HOMO level.
  • the nitrogen-containing heterocyclic compound has a high triplet state.
  • the nitrogen-containing heterocyclic compound has high hole stability.
  • the nitrogen-containing heterocyclic compound may be used purely in organic electronic devices, including organic light emitting devices, or may be mixed with impurities.
  • the organic electronic device including the nitrogen-containing heterocyclic compound exhibits excellent efficiency.
  • the organic electronic device including the nitrogen-containing heterocyclic compound exhibits excellent driving voltage.
  • the organic electronic device including the nitrogen-containing heterocyclic compound exhibits excellent lifespan.
  • the organic electronic device including the nitrogen-containing heterocyclic compound may have improved light efficiency.
  • the organic electronic device including the nitrogen-containing heterocyclic compound may improve the lifetime characteristics of the device.
  • FIG. 1 shows an example of an organic light emitting element composed of a substrate 1, an anode 2, a light emitting layer 3, and a cathode 4. As shown in FIG.
  • FIG. 2 shows an example of an organic light emitting element consisting of a substrate 1, an anode 2, a hole injection layer 5, a hole transport layer 6, a light emitting layer 7, an electron transport layer 8 and a cathode 4 It is.
  • Figure 3 shows the mass spectrum of the formula 2-3 prepared by Preparation Example 1 of the present specification.
  • Figure 4 shows the mass spectrum of the formula 2-5 prepared by Preparation Example 2 of the present specification.
  • Figure 5 shows the mass spectrum of the formula 2-9 prepared by Preparation Example 2 of the present specification.
  • Figure 6 shows the mass spectrum of the formula 2-13 prepared by Preparation Example 4 of the present specification.
  • a nitrogen-containing heterocyclic compound represented by Chemical Formula 1 is provided.
  • the nitrogen-containing heterocyclic compound represented by Chemical Formula 1 may be a nitrogen-containing heterocyclic compound represented by any one of the following Chemical Formulas 1-1 to 1-5.
  • X is C or Si
  • L is a direct bond; Or a divalent group containing one or more selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted aromatic ring group and a substituted or unsubstituted hetero ring group,
  • R2 to R5 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Nitro group; Hydroxyl group; Substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; Substituted or unsubstituted alkoxy group; Substituted or unsubstituted aryloxy group; Substituted or unsubstituted alkylthioxy group; Substituted or unsubstituted arylthioxy group; Substituted or unsubstituted alkyl sulfoxy group; Substituted or unsubstituted aryl sulfoxy group; Substituted or unsubstituted alkenyl group; Substituted or unsubstituted silyl group; Substituted or unsubstituted boron group; Substituted or unsubstituted alkylamine group; A substituted or unsubsti
  • b, d and e are each independently an integer of 1 to 4, and c is an integer of 1 to 3.
  • substituted or unsubstituted is deuterium; Halogen group; An alkyl group; Alkenyl groups; An alkoxy group; Cycloalkyl group; Silyl groups; Aryl alkenyl group; Aryl group; Aryloxy group; Alkyl thioxy group; Alkyl sulfoxy groups; Aryl sulfoxy group; Boron group; Alkylamine group; Aralkyl amine groups; Arylamine group; Heteroaryl group; Carbazole groups; Arylamine group; Arylalkyl group; Fluorenyl group; Nitrile group; Thiol group; Alkylthio group; Allylthio group; Drinking time; Acetylene group; Nitro group; Hydroxyl group; And it is substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a heterocyclic group containing one or more of N, O, S atoms or have no substituents.
  • the "hetero ring group” is a heterocyclic group containing one or more of O, N and S as heteroatoms, and the carbon number is not particularly limited, but is preferably 2 to 60 carbon atoms.
  • the heterocyclic group include thiophene group, furan group, pyrrole group, imidazole group, thiazole group, oxazole group, oxadiazole group, triazole group, pyridyl group, bipyridyl group, pyrimidyl group, triazine group, triazole group, Acridyl group, pyridazine group, pyrazinyl group, quinolinyl group, quinazoline group, quinoxalinyl group, phthalazinyl group, pyrido pyrimidinyl group, pyrido pyrazinyl group, pyrazino pyrazinyl group, isoquinoline group , Indole group, carbazole
  • halogen group examples include fluorine, chlorine, bromine or iodine.
  • alkyl group may be linear or branched, and the carbon number is not particularly limited, but is preferably 1 to 50.
  • Specific examples include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, pentyl, n-pentyl , Isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl, n -Heptyl, 1-methylhexyl, cyclopentylmethyl, cyclohexylmethyl, octyl,
  • the "cycloalkyl group” is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms, specifically, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 2,3-dimethylcyclopentyl, cyclo Hexyl, 3-methylcyclohexyl, 4-methylcyclohexyl, 2,3-dimethylcyclohexyl, 3,4,5-trimethylcyclohexyl, 4-tert-butylcyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, and the like. It is not limited.
  • alkenyl group may be linear or branched, and the carbon number is not particularly limited, but is preferably 2 to 40.
  • Specific examples include vinyl, 1-propenyl, isopropenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 1-pentenyl, 2-pentenyl, 3-pentenyl, 3-methyl-1- Butenyl, 1,3-butadienyl, allyl, 1-phenylvinyl-1-yl, 2-phenylvinyl-1-yl, 2,2-diphenylvinyl-1-yl, 2-phenyl-2- ( Naphthyl-1-yl) vinyl-1-yl, 2,2-bis (diphenyl-1-yl) vinyl-1-yl, stilbenyl group, styrenyl group and the like, but are not limited thereto.
  • an "alkoxy group” may be linear, branched or cyclic. Although carbon number of an alkoxy group is not specifically limited, It is preferable that it is C1-C20. Specifically, methoxy, ethoxy, n-propoxy, isopropoxy, i-propyloxy, n-butoxy, isobutoxy, tert-butoxy, sec-butoxy, n-pentyloxy, neopentyloxy, Isopentyloxy, n-hexyloxy, 3,3-dimethylbutyloxy, 2-ethylbutyloxy, n-octyloxy, n-nonyloxy, n-decyloxy, benzyloxy, p-methylbenzyloxy and the like It may be, but is not limited thereto.
  • the "aryl group” is an organic radical derived from an aromatic hydrocarbon by one hydrogen removal, and may be monocyclic or polycyclic, and the carbon number is not particularly limited, but is preferably 6 to 60 carbon atoms.
  • Specific examples of the aryl group include monocyclic aromatic and naphthyl groups such as phenyl group, biphenyl group, and terphenyl group, anthracenyl group, phenanthrenyl group, pyrenyl group, perylenyl group, tetrasenyl group, chrysenyl group, fluorenyl group, Polycyclic aromatics, such as an acenaphthasenyl group, a triphenylene group, and a fluoranthene group, etc., are mentioned, but it is not limited to these.
  • fluorenyl group is a structure in which two ring organic compounds are connected through one atom, for example Etc.
  • the fluorenyl group includes a structure of an open fluorenyl group, wherein the open fluorenyl group is a structure in which one ring compound is disconnected in a structure in which two ring compounds are connected through one atom, For example Etc.
  • examples of the "aryl amine group” include a substituted or unsubstituted monocyclic monoarylamine group, a substituted or unsubstituted monocyclic monoarylamine group substituted or unsubstituted monocyclic diarylamine group, Substituted or unsubstituted monocyclic triarylamine group, substituted or unsubstituted polycyclic diarylamine group, substituted or unsubstituted polycyclic triarylamine group, substituted or unsubstituted monocyclic and polycyclic dia A arylamine group or a substituted or unsubstituted monocyclic and polycyclic triarylamine group.
  • aryl amine group examples include phenylamine, naphthylamine, biphenylamine, anthracenylamine, 3-methyl-phenylamine, 4-methyl-naphthylamine, 2-methyl-biphenylamine, 9-methyl-anthra Cenylamine, diphenyl amine group, phenyl naphthyl amine group, ditolyl amine group, phenyl tolyl amine group, carbazole and triphenyl amine group and the like, but are not limited thereto.
  • terphenyl group may be represented by the following substituents.
  • carbon of the following terphenyl group may be substituted or unsubstituted carbon.
  • phenanthrene group may be represented by the following substituents.
  • carbon of the following phenanthrene group may be substituted or unsubstituted carbon.
  • L may be a divalent group including one or more selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted aromatic ring group and a substituted or unsubstituted heteroring group.
  • L may be a substituted or unsubstituted phenylene group.
  • the substituted or unsubstituted phenylene group may be represented as follows, and the carbon of the phenylene group may be substituted or unsubstituted carbon.
  • L may be a substituted or unsubstituted divalent biphenyl group.
  • the substituted or unsubstituted bivalent biphenyl group may be represented as follows, and the carbon of the biphenyl group may be substituted or unsubstituted carbon.
  • L may be a substituted or unsubstituted divalent naphthalene group.
  • the substituted or unsubstituted divalent naphthalene group may be represented as follows, and the carbon of the naphthalene group may be substituted or unsubstituted carbon.
  • L may be a substituted or unsubstituted divalent anthracene group.
  • the substituted or unsubstituted divalent anthracene group may be represented as follows, and the carbon of the anthracene group may be substituted or unsubstituted carbon.
  • L may be a substituted or unsubstituted divalent fluorene group.
  • the substituted or unsubstituted divalent fluorene group may be represented as follows, and the carbon of the fluorene group may be substituted or unsubstituted carbon.
  • L may be a direct bond
  • the nitrogen-containing heterocyclic compound represented by Chemical Formula 1 may be represented by any one of the following Chemical Formulas 2-1 to 2-22.
  • the present invention is not limited thereto.
  • the compound represented by the following Chemical Formulas 2-1 to 2-22 may be substituted or unsubstituted with an additional substituent.
  • One embodiment of the present specification includes a first electrode; A second electrode opposite the first electrode; And at least one organic material layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers includes a nitrogen-containing heterocyclic compound represented by Chemical Formula 1. do.
  • the organic electronic device may be one selected from the group consisting of an organic solar cell, an organic light emitting device, and an organic transistor.
  • the organic electronic device may include a metal oxide or a metal oxide having a conductivity on a substrate by using a physical vapor deposition (PVD) method such as sputtering or e-beam evaporation.
  • PVD physical vapor deposition
  • These alloys can be prepared by depositing an anode, forming an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer thereon, and depositing a material that can be used as a cathode thereon.
  • an organic electronic device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate (International Patent Application Publication No. 2003/012890).
  • the manufacturing method is not limited thereto.
  • the organic material layer is a solvent process (e.g., spin coating, dip coating, doctor blading, screen printing, inkjet printing, or thermal transfer method) using various polymer materials instead of a deposition method. It is possible to produce a smaller number of layers by such a method.
  • a solvent process e.g., spin coating, dip coating, doctor blading, screen printing, inkjet printing, or thermal transfer method
  • the organic material layer may have a multilayer structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a hole blocking layer, a light emitting layer, an electron blocking layer, and an electron transport layer, but is not limited thereto. .
  • the organic electronic device may be an organic light emitting device.
  • the organic electronic device may include a first electrode; A second electrode opposite the first electrode; And at least one organic material layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers may include a nitrogen-containing heterocyclic compound represented by Chemical Formula 1.
  • the organic material layer may further include one or more selected from the group consisting of a light emitting layer, a hole transport layer, a hole blocking layer, an electron blocking layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.
  • the organic material layer may include a hole injection layer or a hole transport layer, and the hole transport layer or the hole transport layer may include a nitrogen-containing heterocyclic compound represented by Formula 1.
  • the organic material layer may include a light emitting layer.
  • the organic material layer may include a light emitting layer, and the light emitting layer may include a nitrogen-containing heterocyclic compound represented by Chemical Formula 1.
  • the emission layer may include a host and a dopant.
  • the host may include a nitrogen-containing heterocyclic compound represented by Chemical Formula 1.
  • the dopant may include a nitrogen-containing heterocyclic compound represented by Chemical Formula 1.
  • the organic material layer may include an electron transport layer, and the electron transport layer may include a nitrogen-containing heterocyclic compound represented by Chemical Formula 1.
  • the organic material layer may include a hole injection layer or a hole transport layer including a compound including an arylamino group, a carbazole group, or a benzcarbazole group in addition to the organic material layer including the nitrogen-containing heterocyclic compound represented by Chemical Formula 1 It may include.
  • the organic material layer including the nitrogen-containing heterocyclic compound represented by Chemical Formula 1 may include the nitrogen-containing heterocyclic compound as a host, and may include another organic compound, a metal, or a metal compound as a dopant. Can be.
  • the organic material layer may include a layer for simultaneously transporting electrons and emitting light.
  • the organic material layer may include a layer that simultaneously emits light and electrons and / or electrons.
  • the organic material layers may be formed of the same material or different materials.
  • the organic electronic device may be an organic solar cell.
  • the organic electronic device may include a first electrode; A second electrode opposite the first electrode; And at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode and including a photoactive layer, wherein at least one of the organic material layers is a nitrogen-containing heterocyclic compound represented by Formula 1 above. It may include.
  • the organic material layer may include a photoactive layer.
  • the photoactive layer may include a nitrogen-containing heterocyclic compound represented by Chemical Formula 1.
  • the organic material layer may further include at least one selected from the group consisting of a photoactive layer, an electron donor, and an electron acceptor.
  • the organic material layer may be a layer having an electron donor and / or an electron acceptor simultaneously as a photoactive layer.
  • the organic material layer may include a charge generating layer, and the charge generating layer may include a heterocyclic compound represented by Chemical Formula 1.
  • the organic solar cell when the organic solar cell receives photons from an external light source, electrons and holes are generated between the electron donor and the electron acceptor.
  • the generated holes may be transported to the anode through the electron donor layer.
  • the organic material layer may include two or more materials.
  • the organic solar cell further includes an additional organic material layer.
  • the organic solar cell may reduce the number of organic material layers by using an organic material having various functions at the same time.
  • the organic material may include an electron donor and an electron acceptor, and the electron donor or electron acceptor may include the nitrogen-containing heterocyclic compound.
  • the organic electronic device may be an organic transistor.
  • an organic transistor including a source, a drain, a gate, and one or more organic material layers is provided.
  • the organic electronic device is an organic transistor including a source, a drain, a gate, and at least one organic material layer, wherein at least one of the organic material layers is a nitrogen-containing heterocyclic compound represented by Formula 1 above. It may include.
  • the organic transistor may further include an insulating layer.
  • the insulating layer may be positioned on the substrate and the gate.
  • the organic material layer may include a charge generating layer, and the charge generating layer may include a nitrogen-containing heterocyclic compound represented by Chemical Formula 1.
  • One embodiment of the present specification comprises the steps of preparing a substrate; Forming a first electrode on the substrate; Forming an organic material layer including a nitrogen-containing heterocyclic compound represented by Chemical Formula 1 on the first electrode; And it provides a method for manufacturing an organic electronic device comprising the step of forming a second electrode on the organic material layer.
  • the substrate may be a glass substrate or a transparent plastic substrate having excellent transparency, surface smoothness, ease of handling, and waterproofness, but is not limited thereto, and the substrate may be any substrate that is commonly used in organic electronic devices.
  • the first electrode may be an anode and the second electrode may be a cathode.
  • the first electrode may be a cathode and the second electrode may be an anode.
  • the anode a material having a large work function is usually preferred to facilitate hole injection into the organic material layer.
  • the positive electrode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc and gold or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO); Combinations of metals and oxides such as ZnO: Al or SnO 2 : Sb; And conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] (PEDT), polypyrrole and polyaniline, and the like, but are not limited thereto. .
  • the cathode is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer.
  • the cathode materials include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead or alloys thereof; And multilayer structure materials such as LiF / Al or LiO 2 / Al, and the like, but are not limited thereto.
  • a material exemplified as the anode or the cathode may be used.
  • the hole injection layer material is a material capable of well injecting holes from the anode at a low voltage, and the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material is preferably between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic material layer.
  • the hole injection material include organic metals such as metal porphyrine, oligothiophene, and arylamine; Hexanitrile hexaazatriphenylene, quinacridone series organics; Perylene-based organic material; Anthraquinone, polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, but are not limited thereto.
  • the hole transporting material is a material capable of transporting holes from an anode or a hole injection layer to the light emitting layer, and a material having high mobility to holes.
  • Specific examples thereof include an arylamine-based organic material, a conductive polymer, and a block copolymer having a conjugated portion and a non-conjugated portion together, but are not limited thereto.
  • the light emitting layer material is a material capable of emitting light in the visible region by transporting and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency with respect to fluorescence or phosphorescence is preferable.
  • Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole series compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compound; Benzoxazole, benzthiazole and benzimidazole series compounds; Poly (p-phenylenevinylene) (PPV) -based polymers; Spiro compounds; Polyfluorene; Rubrene and the like, but are not limited thereto.
  • the electron transporting material a material capable of injecting electrons well from the cathode and transferring the electrons to the light emitting layer is suitable.
  • Specific examples include Al complexes of 8-hydroxyquinoline; Complexes including Alq 3 ; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes and the like, but are not limited thereto.
  • the organic electronic device may be a top emission type, a bottom emission type, or a double side emission type according to a material used.
  • Figure 3 shows the mass spectrum of the formula 2-3 prepared by Preparation Example 1 of the present specification.
  • Figure 4 shows the mass spectrum of the formula 2-5 prepared by Preparation Example 2 of the present specification.
  • Figure 5 shows the mass spectrum of the formula 2-9 prepared by Preparation Example 3 of the present specification.
  • Figure 6 shows the mass spectrum of the formula 2-13 prepared by Preparation Example 4 of the present specification.
  • a glass substrate coated with a thickness of 500 kPa of ITO (indium tin oxide) was placed in distilled water in which a detergent was dissolved and ultrasonically washed.
  • Fischer Co. product was used as a detergent
  • distilled water filtered secondly as a filter of Millipore Co. product was used as distilled water.
  • ultrasonic washing was performed twice with distilled water for 10 minutes.
  • ultrasonic washing with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, methanol, dried and transported to a plasma cleaner.
  • the substrate was cleaned for 5 minutes using an oxygen plasma, and then the substrate was transferred to a vacuum evaporator.
  • hexanitrile hexaazatriphenylene (HAT) of the following formula was thermally vacuum deposited to a thickness of 500 kPa on the prepared ITO transparent electrode to form a hole injection layer.
  • the compound of Formula 2-3 and the dopant compound GD described below were vacuum-deposited at a weight ratio of 10: 1 on the hole transport layer to form a light emitting layer.
  • the compound of Formula ET-A and the formula LiQ were vacuum-deposited at a weight ratio of 1: 1 on the emission layer to form an electron injection and transport layer at a thickness of 300 kPa.
  • LiF Lithium fluoride
  • aluminum were deposited on the electron injection and transport layer sequentially to a thickness of 15 ⁇ to form a cathode.
  • the deposition rate of the organic material was maintained at 0.4 ⁇ 0.7 ⁇ / sec
  • the lithium fluoride of the cathode was maintained at a deposition rate of 0.3 ⁇ / sec
  • aluminum is 2 ⁇ / sec
  • the vacuum degree during deposition is 2 ⁇ 10
  • An organic light-emitting device was manufactured by maintaining ⁇ 7 to 5 ⁇ 10 ⁇ 8 torr.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using the compound of Chemical Formula 2-5 instead of the compound of Chemical Formula 2-3 of Example 1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using the compound of Formula 2-9 instead of the compound of Formula 2-3 of Example 1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using the compound of Formula 2-13 instead of the compound of Formula 2-3 of Example 1.
  • an organic light emitting diode was manufactured according to the same method as the example except for using the compound of Formula GH-A instead of the synthesized compound.
  • the novel compound according to the present invention can be used as a material of the light emitting layer of the organic electronic device including the organic light emitting device, the organic electronic device including the organic light emitting device using the same in efficiency, driving voltage, stability It can be seen that the excellent properties. In particular, it is possible to improve the power consumption by lowering the driving voltage and increasing the efficiency.

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Abstract

본 발명은 함질소 헤테로환 화합물 및 이를 포함한 유기 전자소자를 제공한다.

Description

함질소 헤테로환 화합물 및 이를 포함한 유기 전자소자
본 명세서는 2013년 4월 22일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제 10-2013-0044498호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 명세서는 새로운 함질소 헤테로환 화합물 및 이를 포함한 유기 전자소자에 관한 것이다.
유기 전자소자란 정공 및/또는 전자를 이용한 전극과 유기물 사이에서의 전하 교류를 필요로 하는 소자를 의미한다. 유기 전자소자는 동작 원리에 따라 하기와 같이 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 첫째는 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여 유기물층에서 엑시톤(exiton)이 형성되고 이 엑시톤이 전자와 정공으로 분리되고, 이 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원(전압원)으로 사용되는 형태의 전기소자이다. 둘째는 2개 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 전극과 계면을 이루는 유기물 반도체에 정공 및/또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 동작하는 형태의 전자소자다.
유기 전자소자의 예로는 유기 발광소자, 유기 태양전지, 유기 감광체(OPC), 유기 트랜지스터 등이 있으며, 이들은 모두 소자의 구동을 위하여 정공의 주입 또는 수송 물질, 전자의 주입 또는 수송 물질, 또는 발광 물질을 필요로 한다. 이하에서는 주로 유기발광소자에 대하여 구체적으로 설명하지만, 상기 유기 전자소자들에서는 정공의 주입 또는 수송 물질, 전자의 주입 또는 수송 물질, 또는 발광 물질이 유사한 원리로 작용한다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광소자는 통상 애노드와 캐소드 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 애노드에서는 정공이, 캐소드에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 이러한 유기 발광소자는 자발광, 고휘도, 고효율, 낮은 구동 전압, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트, 고속 응답성 등의 특성을 갖는 것으로 알려져 있다.
유기 발광소자에서 유기물층으로 사용되는 물질은 기능에 따라, 발광 물질과 전하 수송 물질, 예컨대 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질 등으로 분류될 수 있다. 또한, 발광 물질은 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 물질과 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 물질로 구분될 수 있다. 한편, 발광 물질로서 하나의 물질만 사용하는 경우 분자간 상호 작용에 의하여 최대 발광 파장이 장파장으로 이동하고 색순도가 떨어지거나 발광 감쇄 효과로 소자의 효율이 감소되는 문제가 발생하므로, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여 발광 물질로서 호스트/도판트 계를 사용할 수 있다.
유기 발광소자가 전술한 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 발광 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하나, 아직까지 안정하고 효율적인 유기 발광소자용 유기물층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이다. 따라서 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있으며, 이와 같은 재료 개발의 필요성은 전술한 다른 유기 전자소자에서도 마찬가지이다.
[선행기술문헌]
한국 공개특허공보: 10-2006-0051606
본 발명자들은 새로운 구조를 갖는 함질소 헤테로환 화합물을 밝혀내었다. 또한, 상기 새로운 함질소 헤테로환 화합물을 포함하여 유기 전자소자의 유기물층을 형성할 수 있다는 사실을 밝혀내었다.
이에 본 명세서는 함질소 헤테로환 화합물 및 이를 포함한 유기 전자소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 명세서의 일 구현예는 하기의 화학식 1로 표시되는 함질소 헤테로환 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure PCTKR2014003492-appb-I000001
상기 화학식 1에 있어서,
X는 C 또는 Si이고,
R1 및 R2 중 적어도 하나는 각각 독립적으로 -L-A로 표시되며,
L은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 방향족고리기 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 2가기이고,
A는 시아노기(-CN)이며,
R3 내지 R5, 및 R1과 R2 중 나머지는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
a, b, d 및 e는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고, c는 1 내지 3의 정수이다.
또한, 본 명세서의 일 구현예는 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 함질소 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 전자소자를 제공한다.
또한, 본 명세서의 일 구현예는 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 위에 상기 함질소 헤테로환 화합물을 포함하는 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 전자소자의 제조방법을 제공한다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 함질소 헤테로환 화합물은 유기 발광소자를 비롯한 유기 전자소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 함질소 헤테로환 화합물은 열적 안정성이 우수하다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 함질소 헤테로환 화합물은 깊은 HOMO 준위를 가진다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 함질소 헤테로환 화합물은 높은 삼중항(triplet) 상태를 가진다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 함질소 헤테로환 화합물은 높은 정공 안정성을 가진다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 함질소 헤테로환 화합물은 유기 발광소자를 비롯한 유기 전자소자에서 순수하게 사용하거나, 불순물을 섞어 사용 가능하다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 함질소 헤테로환 화합물을 포함한 유기 전자소자는 효율이 우수한 특성을 나타낸다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 함질소 헤테로환 화합물을 포함한 유기 전자소자는 구동전압이 우수한 특성을 나타낸다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 함질소 헤테로환 화합물을 포함한 유기 전자소자는 수명이 우수한 특성을 나타낸다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 함질소 헤테로환 화합물을 포함한 유기 전자소자는 향상된 광 효율을 가질 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 함질소 헤테로환 화합물을 포함한 유기 전자소자는 소자의 수명 특성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 기판 (1), 양극 (2), 발광층 (3), 음극 (4)으로 이루어진 유기 발광소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판 (1), 양극 (2), 정공주입층 (5), 정공수송층 (6), 발광층 (7), 전자수송층 (8) 및 음극 (4)으로 이루어진 유기 발광소자의 예를 도시한 것이다.
도 3은 본 명세서의 제조예 1에 의하여 제조된 화학식 2-3의 질량 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 4는 본 명세서의 제조예 2에 의하여 제조된 화학식 2-5의 질량 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 5는 본 명세서의 제조예 2에 의하여 제조된 화학식 2-9의 질량 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 6은 본 명세서의 제조예 4에 의하여 제조된 화학식 2-13의 질량 스펙트럼을 나타낸 것이다.
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 함질소 헤테로환 화합물을 제공한다.
또한, 본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 함질소 헤테로환 화합물은 하기의 화학식 1-1 내지 1-5 중 어느 하나로 표시되는 것인 함질소 헤테로환 화합물일 수 있다.
[화학식 1-1]
Figure PCTKR2014003492-appb-I000002
[화학식 1-2]
Figure PCTKR2014003492-appb-I000003
[화학식 1-3]
Figure PCTKR2014003492-appb-I000004
[화학식 1-4]
Figure PCTKR2014003492-appb-I000005
[화학식 1-5]
Figure PCTKR2014003492-appb-I000006
상기 화학식 1-1 내지 1-5에 있어서,
X는 C 또는 Si이고,
L은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 방향족고리기 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 2가기이고,
R2 내지 R5는 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
b, d 및 e는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고, c는 1 내지 3의 정수이다.
본 명세서에 있어서,
Figure PCTKR2014003492-appb-I000007
는 다른 치환기 또는 결합부에 결합되는 부위를 의미한다.
본 명세서에 있어서, "치환 또는 비치환"은 중수소; 할로겐기; 알킬기; 알케닐기; 알콕시기; 시클로알킬기; 실릴기; 아릴알케닐기; 아릴기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 붕소기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 아릴아민기; 헤테로아릴기; 카바졸기; 아릴아민기; 아릴알킬기; 플루오레닐기; 니트릴기; 티올기; 알킬티오기; 알릴티오기; 술폭시기; 아세틸렌기; 니트로기; 히드록시기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로 고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되었거나 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, "헤테로 고리기"는 이종원자로 O, N 및 S 중 1개 이상을 포함하는 헤테로 고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로 고리기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤즈옥사졸기, 벤즈이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, "할로겐기"의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.
본 명세서에 있어서, "알킬기"는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥틸메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, "시클로알킬기"는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, "알케닐기"로는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, "알콕시기"는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, i-프로필옥시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, "아릴기"는 하나의 수소 제거에 의해서 방향족 탄화수소로부터 유도된 유기 라디컬로 단환식 또는 다환식일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하다. 아릴기의 구체적인 예로는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 등의 단환식 방향족 및 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 테트라세닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기, 아세나프타센닐기, 트리페닐렌기, 플루오란텐(fluoranthene)기 등의 다환식 방향족등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, "플루오레닐기"는 2개의 고리 유기화합물이 1개의 원자를 통하여 연결된 구조로서, 예로는
Figure PCTKR2014003492-appb-I000008
등이 있다.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 열린 플루오레닐기의 구조를 포함하며, 여기서 열린 플루오레닐기는 2개의 고리 화합물이 1개의 원자를 통하여 연결된 구조에서 한쪽 고리 화합물이 연결이 끊어진 상태의 구조로서, 예로는
Figure PCTKR2014003492-appb-I000009
등이 있다.
본 명세서에 있어서, "아릴 아민기"의 예로는 치환 또는 비치환된 단환식의 모노아릴아민기, 치환 또는 비치환의 단환식의 모노아릴아민기 치환 또는 비치환된 단환식의 디아릴아민기, 치환 또는 비치환의 단환식의 트리아릴아민기, 치환 또는 비치환된 다환식의 디아릴아민기, 치환 또는 비치환된 다환식의 트리아릴아민기, 치환 또는 비치환된 단환식 및 다환식의 디아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 단환식 및 다환식의 트리아릴아민기를 의미한다. 아릴 아민기의 구체적인 예로는 페닐아민, 나프틸아민, 비페닐아민, 안트라세닐아민, 3-메틸-페닐아민, 4-메틸-나프틸아민, 2-메틸-비페닐아민, 9-메틸-안트라세닐아민, 디페닐 아민기, 페닐 나프틸 아민기, 디톨릴 아민기, 페닐 톨릴 아민기, 카바졸 및 트리페닐 아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, "터페닐기"는 하기의 치환기로 표시될 수 있다. 또한, 하기 터페닐기의 탄소는 치환 또는 비치환된 탄소일 수 있다.
Figure PCTKR2014003492-appb-I000010
본 명세서에 있어서, "페난트렌기"는 하기의 치환기로 표시될 수 있다. 또한, 하기 페난트렌기의 탄소는 치환 또는 비치환된 탄소일 수 있다.
Figure PCTKR2014003492-appb-I000011
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 L은 치환 또는 비치환된 방향족고리기 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 2가기일 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 L은 치환 또는 비치환된 페닐렌기가 될 수 있다. 구체적으로, 상기 치환 또는 비치환된 페닐렌기는 하기와 같이 표시될 수 있으며, 페닐렌기의 탄소는 치환 또는 비치환된 탄소일 수 있다.
Figure PCTKR2014003492-appb-I000012
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 L은 치환 또는 비치환된 2가의 바이페닐기가 될 수 있다. 구체적으로, 상기 치환 또는 비치환된 2가의 바이페닐기는 하기와 같이 표시될 수 있으며, 바이페닐기의 탄소는 치환 또는 비치환된 탄소일 수 있다.
Figure PCTKR2014003492-appb-I000013
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 L은 치환 또는 비치환된 2가의 나프탈렌기가 될 수 있다. 구체적으로, 상기 치환 또는 비치환된 2가의 나프탈렌기는 하기와 같이 표시될 수 있으며, 나프탈렌기의 탄소는 치환 또는 비치환된 탄소일 수 있다.
Figure PCTKR2014003492-appb-I000014
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 L은 치환 또는 비치환된 2가의 안트라센기가 될 수 있다. 구체적으로, 상기 치환 또는 비치환된 2가의 안트라센기는 하기와 같이 표시될 수 있으며, 안트라센기의 탄소는 치환 또는 비치환된 탄소일 수 있다.
Figure PCTKR2014003492-appb-I000015
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 L은 치환 또는 비치환된 2가의 플루오렌기가 될 수 있다. 구체적으로, 상기 치환 또는 비치환된 2가의 플루오렌기는 하기와 같이 표시될 수 있으며, 플루오렌기의 탄소는 치환 또는 비치환된 탄소일 수 있다.
Figure PCTKR2014003492-appb-I000016
또한, 본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 L은 직접결합일 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 함질소 헤테로환 화합물은 하기의 화학식 2-1 내지 2-22 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 명세서의 일 구현예에 따르면, 하기 화학식 2-1 내지 2-22로 표시되는 화합물은 추가의 치환기로 치환 또는 비치환될 수 있다.
Figure PCTKR2014003492-appb-I000017
Figure PCTKR2014003492-appb-I000018
Figure PCTKR2014003492-appb-I000019
Figure PCTKR2014003492-appb-I000020
Figure PCTKR2014003492-appb-I000021
Figure PCTKR2014003492-appb-I000022
하기 기술한 제조예 및 당기술분야에 알려져 있는 기술을 기초로 출발물질, 반응물질, 반응 조건 등을 변경할 수 있다.
본 명세서의 일 구현예는 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 함질소 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 전자소자를 제공한다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 전자소자는 유기 태양전지, 유기 발광소자, 및 유기 트랜지스터로 이루어진 군에서 선택되는 하나일 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 전자소자는 스퍼터링(sputtering)이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 애노드를 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 캐소드로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다.
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 캐소드 물질부터 유기물층, 애노드 물질을 차례로 증착시켜 유기 전자소자를 만들 수도 있다(국제 특허 출원 공개 제2003/012890호). 다만, 제조방법이 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 솔벤트 프로세스(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 차단층, 발광층, 전자 차단층 및 전자 수송층 등을 포함하는 다층 구조일 수도 있으나, 이에 한정되지 않고 단층 구조일 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 전자소자는 유기 발광소자일 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 전자소자는 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 함질소 헤테로환 화합물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기물층은 발광층과 정공수송층, 정공차단층, 전자차단층, 전자수송층 및 전자 주입층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기물층은 정공주입층 또는 정공수송층을 포함하고, 상기 전공수송층 또는 정공수송층이 상기 화학식 1로 표시되는 함질소 헤테로환 화합물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 함질소 헤테로환 화합물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 발광층은 호스트와 도펀트를 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 호스트는 상기 화학식 1로 표시되는 함질소 헤테로환 화합물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 도펀트는 상기 화학식 1로 표시되는 함질소 헤테로환 화합물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기물층은 전자수송층을 포함하고, 상기 전자수송층이 상기 화학식 1로 표시되는 함질소 헤테로환 화합물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 함질소 헤테로환 화합물을 포함하는 유기물층 외에 아릴아미노기, 카바졸기 또는 벤즈카바졸기를 포함하는 화합물을 포함하는 정공주입층 또는 정공수송층을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 함질소 헤테로환 화합물을 포함하는 유기물층은 상기 함질소 헤테로환 화합물을 호스트로서 포함하고, 다른 유기 화합물, 금속 또는 금속 화합물을 도펀트로 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기물층은 전자 수송과 발광을 동시에 하는 층을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기물층은 발광과 전자 수송 및/또는 전자 주입을 동시에 하는 층을 포함할 수 있다.
상기 유기 발광소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 전자소자는 유기 태양전지일 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 전자소자는 제 1 전극; 상기 제 1 전극에 대향하는 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 구비되고 광활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 태양전지로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 함질소 헤테로환 화합물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기물층은 광활성층을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 광활성층은 상기 화학식 1로 표시되는 함질소 헤테로환 화합물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기물층은 광활성층과 전자 주개(electron donor) 및 전자 받개(electron acceptor)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기물층은 광활성층으로서 전자 주개 및/또는 전자 받개를 동시에 가지는 층일 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기물층은 전하발생층을 포함하고, 상기 전하발생층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로환 화합물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 태양전지가 외부 광원으로부터 광자를 받으면 전자 주개와 전자 받개 사이에서 전자와 정공이 발생한다. 발생된 정공은 전자 도너층을 통하여 애노드로 수송될 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기물층은 2종 이상의 물질을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 유기 태양전지는 부가적인 유기물층을 더 포함한다. 상기 유기 태양전지는 여러 가지 기능을 동시에 갖는 유기물을 사용하여 유기물층의 수를 감소시킬 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기물은 전자주개 및 전자받개를 포함할 수 있으며, 상기 전자주개 또는 전자받개는 상기 함질소 헤테로환 화합물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 전자소자는 유기 트랜지스터일 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 소스, 드레인, 게이트 및 1층 이상의 유기물층을 포함하는 것인 유기 트랜지스터를 제공한다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 전자소자는 소스, 드레인, 게이트 및 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 트랜지스터로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 함질소 헤테로환 화합물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 트랜지스터는 절연층을 더 포함할 수 있다. 상기 절연층은 기판과 게이트 위에 위치할 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기물층은 전하발생층을 포함할 수 있고, 상기 전하발생층은 상기 화학식 1로 표시되는 함질소 헤테로환 화합물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 구현예는 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 위에 상기 화학식 1로 표시되는 함질소 헤테로환 화합물을 포함하는 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 전자소자의 제조방법을 제공한다.
상기 기판은 투명성, 표면평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리기판 또는 투명 플라스틱 기판이 될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 유기 전자소자에 통상적으로 사용되는 기판이면 제한되지 않는다.
상기 제 1 전극은 애노드가 될 수 있고, 제 2 전극은 캐소드가 될 수 있다.
상기 제 1 전극은 캐소드가 될 수 있고, 제 2 전극은 애노드가 될 수 있다.
상기 애노드로는 통상 유기물층으로 정공주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 및 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 캐소드로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 캐소드 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; 및 LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 소스, 드레인 및 게이트의 경우, 상기 애노드 또는 캐소드로 예시한 재료를 사용할 수 있다.
상기 정공 주입층 물질로는 낮은 전압에서 애노드로부터 정공을 잘 주입받을 수 있는 물질로서, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 애노드 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물; 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물; 페릴렌(perylene) 계열의 유기물; 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 수송층 물질로는 애노드나 정공 주입층으로부터 정공을 수송 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물 (Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤즈옥사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌; 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 수송층 물질로는 캐소드로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 따른 유기 전자소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 제조예 및 실시예를 제시한다. 그러나, 하기의 제조예 및 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 이에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
<제조예 1> 화학식 2-3의 제조
Figure PCTKR2014003492-appb-I000023
[화합물 A]　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　[화학식 2-3]
화합물 A(20.0 g, 35.5 mmol)과 CuCN (9.5 g, 107mol)을 디메틸포름아미드(DMF)(150 mL)에서 24시간 동안 교반 환류하였다. 100 ℃에서 6N-HCl(50ml)를 천천히 첨가한다. 생성된 고체는 상온에서 여과하였다. 고체를 실리카겔(silica gel)에 흡착하여 컬럼하여 화학식 2-3 (4.85 g, 30 %)을 얻었다.
MS: [M+H]+= 455
도 3은 본 명세서의 제조예 1에 의하여 제조된 화학식 2-3의 질량 스펙트럼을 나타낸 것이다.
<제조예 2> 화학식 2-5의 제조
Figure PCTKR2014003492-appb-I000024
[화합물 B]　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　[화학식 2-5]
화합물 B(12.0 g, 24.8 mmol)과 4-시아노페닐보론산(4-cyanophenylboronic acid, 4.0 g, 27.3mol)을 테트라하이드로퓨란(THF)(300 mL)에 완전히 녹인 후 2 M 탄산칼륨수용액(180 mL)을 첨가하고 Pd(PPh3)4(0.86g, 3 mol%)을 넣은 후 24시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고, 유기층을 여과하였다. 고체를 실리카겔(silica gel)에 흡착하여 컬럼하여 화학식 2-5 (5.4 g, 43 %)를 얻었다.
MS: [M+H]+= 507
도 4는 본 명세서의 제조예 2에 의하여 제조된 화학식 2-5의 질량 스펙트럼을 나타낸 것이다.
<제조예 3> 화학식 2-9의 제조
Figure PCTKR2014003492-appb-I000025
[화합물 A]　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　[화학식 2-9]
화합물 A(12.0 g, 21.3 mmol)과 4-시아노페닐보론산(4-cyanophenylboronic acid, 6.6 g, 44.7mol)을 테트라하이드로퓨란(THF)(300 mL)에 완전히 녹인 후 2 M 탄산칼륨수용액(180 mL)을 첨가하고 Pd(PPh3)4(0.74g, 3 mol%)을 넣은 후 24시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고, 유기층을 여과하였다. 고체를 실리카겔(silica gel)에 흡착하여 컬럼하여 화학식 2-9 (4.5 g, 35 %)를 얻었다.
MS: [M+H]+= 608
도 5는 본 명세서의 제조예 3에 의하여 제조된 화학식 2-9의 질량 스펙트럼을 나타낸 것이다.
<제조예 4> 화학식 2-13의 제조
Figure PCTKR2014003492-appb-I000026
[화합물 B]　　　　　　　　　　　　[화합물 C]　　　　　　　　　　　　　　[화학식 2-13]
화합물 B(8.7 g, 17.9 mmol)과 화합물 C (6.8 g, 19.7mol)을 테트라하이드로퓨란(THF)(300 mL)에 완전히 녹인 후 2 M 탄산칼륨수용액(180 mL)을 첨가하고 Pd(PPh3)4(0.4g, 2 mol%)을 넣은 후 24시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고, 유기층을 여과하였다. 고체를 실리카겔(silica gel)에 흡착하여 컬럼하여 화학식 2-13 (4.6 g, 41 %)을 얻었다.
MS: [M+H]+= 623
도 6은 본 명세서의 제조예 4에 의하여 제조된 화학식 2-13의 질량 스펙트럼을 나타낸 것이다.
<제조예 5> 화학식 2-1의 제조
Figure PCTKR2014003492-appb-I000027
[화합물 B]　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　[화학식 2-1]
화합물 B(10.0 g, 20.6 mmol)과 CuCN(2.80 g, 31.0 mol)을 디메틸포름아미드(DMF)(150 mL)에서 24시간 동안 교반 환류하였다. 100 ℃에서 6N-HCl(50ml)를 천천히 첨가한다. 생성된 고체는 상온에서 여과하였다. 고체를 실리카겔(silica gel)에 흡착하여 컬럼하여 화학식 2-1 (4.85 g, 30 %)을 얻었다.
<실시예 1>
ITO(indium tin oxide)가 500 Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화학식의 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌(hexanitrile hexaazatriphenylene; HAT)를 500 Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다.
[HAT]　　　　　　　　　　　　　　　　　　　[NPB]
Figure PCTKR2014003492-appb-I000028
Figure PCTKR2014003492-appb-I000029
상기 정공 주입층 위에 상기 화학식의 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB) (250 Å), 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌(HAT) (50 Å) 및 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노] 비페닐(NPB) (400 Å) 순차적으로 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하였다.
이어서, 상기 정공수송층 위에 막 두께 300 Å으로 상기 제조한 화학식 2-3의 화합물과 아래와 같은 도펀트 화합물 GD를 10:1의 중량비로 진공증착하여 발광층을 형성하였다.
[GD]　　　　　　　　　　　　　　　[ET-A]　　　　　　　　　　　　　　　　　　[LiQ]
Figure PCTKR2014003492-appb-I000030
Figure PCTKR2014003492-appb-I000031
Figure PCTKR2014003492-appb-I000032
상기 발광층 위에 전자 수송층 물질로써 상기 화학식 ET-A의 화합물과 상기 화학식 LiQ(Lithium Quinalate)를 1:1의 중량비로 진공증착하여 300 Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다.
상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 15 Å두께로 리튬 플루라이드(LiF)와 1,000 Å두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 ~ 0.7 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 × 10-7 ~ 5 × 10-8 torr를 유지하여, 유기 발광소자를 제작하였다.
<실시예 2>
상기 실시예 1의 화학식 2-3의 화합물 대신, 상기 제조한 화학식 2-5의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광소자를 제작하였다.
<실시예 3>
상기 실시예 1의 화학식 2-3의 화합물 대신, 상기 제조한 화학식 2-9의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광소자를 제작하였다.
<실시예 4>
상기 실시예 1의 화학식 2-3의 화합물 대신, 상기 제조한 화학식 2-13의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광소자를 제작하였다.
<비교예>
상기 실시예 에서, 합성한 화합물 대신 하기 화학식 GH-A의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예와 동일한 방법으로 유기 발광소자를 제작하였다.
[GH-A]
Figure PCTKR2014003492-appb-I000033
상기 실시예 및 비교예 1에 의해 제작된 유기 발광소자에 전류(10 mA/cm2)를 인가하였을 때, 표 1의 결과를 얻었다.
표 1
화합물 전압(V) 효율(cd/A)
실시예1 화학식 2-3 3.50 62.3
실시예2 화학식 2-5 3.80 67.1
실시예3 화학식 2-9 3.29 60.7
실시예4 화학식 2-13 3.43 66.3
비교예 1 GH-A 6.12 15.26
상기 표 1의 결과로부터, 본 발명에 따른 신규한 화합물은 유기 발광소자를 비롯한 유기 전자 소자의 발광층의 재료로서 사용될 수 있고, 이를 이용한 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자는 효율, 구동전압, 안정성 등에서 우수한 특성을 나타냄을 알 수 있다. 특히, 구동전압을 하강시키고, 효율 상승을 유도하여 소비전력을 개선시킬 수 있다.
[부호의 설명]
1: 기판
2: 양극(애노드)
3, 7: 발광층
4: 음극(캐소드)
5: 정공주입층
6: 정공수송층
8: 전자수송층

Claims (20)

  1. 하기의 화학식 1로 표시되는 함질소 헤테로환 화합물:
    [화학식 1]
    Figure PCTKR2014003492-appb-I000034
    상기 화학식 1에 있어서,
    X는 C 또는 Si이고,
    R1 및 R2 중 적어도 하나는 각각 독립적으로 -L-A로 표시되며,
    L은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 방향족고리기 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 2가기이고,
    A는 시아노기(-CN)이며,
    R3 내지 R5, 및 R1과 R2 중 나머지는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
    a, b, d 및 e는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고, c는 1 내지 3의 정수이다.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 함질소 헤테로환 화합물은 하기의 화학식 1-1 내지 1-5 중 어느 하나로 표시되는 것인 함질소 헤테로환 화합물:
    [화학식 1-1]
    Figure PCTKR2014003492-appb-I000035
    [화학식 1-2]
    Figure PCTKR2014003492-appb-I000036
    [화학식 1-3]
    Figure PCTKR2014003492-appb-I000037
    [화학식 1-4]
    Figure PCTKR2014003492-appb-I000038
    [화학식 1-5]
    Figure PCTKR2014003492-appb-I000039
    상기 화학식 1-1 내지 1-5에 있어서,
    X는 C 또는 Si이고,
    L은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 방향족고리기 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 2가기이고,
    R2 내지 R5는 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
    b, d 및 e는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고, c는 1 내지 3의 정수이다.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 L은 직접결합인 것인 함질소 헤테로환 화합물.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 L은 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 2가의 바이페닐기; 치환 또는 비치환된 2가의 나프탈렌기; 치환 또는 비치환된 2가의 플루오렌기; 및 치환 또는 비치환된 2가의 안트라센기로 이루어진 군에서 선택되는 것인 함질소 헤테로환 화합물.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 함질소 헤테로환 화합물은 하기의 화학식 2-1 내지 2-22 중 어느 하나로 표시되는 것인 함질소 헤테로환 화합물:
    Figure PCTKR2014003492-appb-I000040
    Figure PCTKR2014003492-appb-I000041
    Figure PCTKR2014003492-appb-I000042
    Figure PCTKR2014003492-appb-I000043
    Figure PCTKR2014003492-appb-I000044
    Figure PCTKR2014003492-appb-I000045
  6. 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 청구항 1 내지 5 중 어느 한 항에 따른 함질소 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 전자소자.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 유기 전자소자는 유기 태양전지, 유기 발광소자 및 유기 트랜지스터로 이루어진 군에서 선택되는 것인 유기 전자소자.
  8. 청구항 6에 있어서,
    상기 유기 전자소자는 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 함질소 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 전자소자.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 유기물층은 정공주입층 또는 정공수송층을 포함하고, 상기 전공수송층 또는 정공수송층이 상기 함질소 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 전자소자.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층이 상기 함질소 헤테로환 화합물을 발광층의 호스트로서 포함하는 것인 유기 전자소자.
  11. 청구항 8에 있어서,
    상기 유기물층은 전자수송층을 포함하고, 상기 전자수송층이 상기 함질소 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 전자소자.
  12. 청구항 8에 있어서,
    상기 유기물층은 상기 함질소 헤테로환 화합물을 포함하는 유기물층 외에 아릴아미노기, 카바졸기 또는 벤조카바졸기를 포함하는 화합물을 포함하는 정공주입층 또는 정공수송층을 포함하는 것인 유기 전자소자.
  13. 청구항 8에 있어서,
    상기 함질소 헤테로환 화합물을 포함하는 유기물층은 상기 함질소 헤테로환 화합물을 호스트로서 포함하고, 다른 유기 화합물, 금속 또는 금속 화합물을 도펀트로 포함하는 것인 유기 전자소자.
  14. 청구항 6에 있어서,
    상기 유기 전자소자는 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 광활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 태양전지로서 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 함질소 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 전자소자.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 유기물층은 전하발생층을 포함하고, 상기 전하발생층은 상기 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 전자소자.
  16. 청구항 14에 있어서,
    상기 유기물층은 광활성층을 포함하고, 상기 광활성층은 상기 함질소 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 전자소자.
  17. 청구항 14에 있어서,
    상기 유기물은 전자주개 및 전자받개를 포함할 수 있으며, 상기 전자주개 또는 전자받개는 상기 함질소 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 전자소자.
  18. 청구항 6에 있어서,
    상기 유기 전자소자는 소스, 드레인, 게이트 및 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 트랜지스터로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 함질소 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 전자소자.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 유기물층은 전하발생층을 포함할 수 있고, 상기 전하발생층은 상기 함질소 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 전자소자.
  20. 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 위에 상기 청구항 1에 따른 함질소 헤테로환 화합물을 포함하는 유기물층을 형성하는 단계; 및
    상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 전자소자의 제조방법.
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