WO2014156343A1

WO2014156343A1 - Ｌｃフィルタ素体およびｌｃフィルタ

Info

Publication number: WO2014156343A1
Application number: PCT/JP2014/053121
Authority: WO
Inventors: 博志増田; 松井　則文
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2013-03-28
Filing date: 2014-02-12
Publication date: 2014-10-02
Anticipated expiration: 2015-09-28
Also published as: JP2016106445A

Abstract

　ＬＣフィルタ素体（１００）は、複数のセラミック層が積層されたセラミック積層体（１０）と、セラミック積層体（１０）の内部に形成されたＬＣフィルタ回路と、セラミック積層体（１０）の表面に形成された入力端子、出力端子（ＯＵＴ）およびグランド端子（ＧＮＤ）とを備える。ＬＣフィルタ回路には、トラップフィルタ回路が接続される。セラミック積層体（１０）の表面には、トラップフィルタ回路を構成するインダクタおよびコンデンサの少なくとも一部として使用される外付けの表面実装部品を実装するための実装用電極（５４ａ～５４ｄ）が形成される。実装用電極（５４ａ～５４ｄ）に外付けの表面実装部品が実装されることにより、ＬＣフィルタが構成される。

Description

ＬＣフィルタ素体およびＬＣフィルタ

　本発明は、トラップフィルタ回路が接続されたＬＣフィルタ回路を実現するための、セラミック積層体を備えたＬＣフィルタ素体およびＬＣフィルタに関する。

　従来、移動体通信機器等の電子機器において、ＬＣフィルタが、特定の周波数帯の信号を通過させる電子部品として広く使用されている。近年においては、電極パターンおよびセラミック層を積層してなるセラミック積層体でＬＣフィルタ回路を構成することにより、小型のＬＣフィルタが実現されている。

　上記のセラミック積層体を備えたＬＣフィルタにおいては、用途に応じて、種々の通過特性や減衰特性を備えることが求められている。特に、似た特性を備えた仕様違いのバリエーションを実現するために、減衰特性を変更する必要性に迫られることが頻繁にある。

　ＬＣフィルタの減衰特性を設計する１つの方法として、例えば特許第３７０２７６７号（特許文献１）に示されるように、ＬＣフィルタ回路にトラップフィルタ回路を内蔵させることにより、当該トラップフィルタ回路の減衰特性（トラップ周波数、減衰量等）を変更する方法がある。通過特性の変更は、周波数変更だけでなくリターンロスの調整も必要であるため、その実現が容易ではないのに対し、トラップフィルタ回路の減衰特性の変更は、比較的容易に行える。

特許第３７０２７６７号

　しかしながら、上記特許第３７０２７６７号に開示されているような従来のＬＣフィルタにおいて、トラップフィルタ回路の減衰特性を変更するためには、個々のＬＣフィルタごとに、トラップフィルタ回路を構成するセラミック積層体の内部の電極パターンの形状等を変更しなければならず、ＬＣフィルタの設計コストが高くなってしまうという問題があった。

　本発明の目的は、トラップフィルタ回路による減衰特性が異なる複数の種類のＬＣフィルタの提供を容易に実現可能にすることにより、その設計コストを低減することにある。

　本発明は、ＬＣフィルタ素体および当該ＬＣフィルタ素体を使用するＬＣフィルタに向けられる。

　本発明のある局面に基づくＬＣフィルタ素体は、複数のセラミック層が積層されたセラミック積層体と、上記セラミック積層体の内部に形成されたＬＣフィルタ回路と、上記セラミック積層体の表面に形成された入力端子、出力端子およびグランド端子とを備えている。上記ＬＣフィルタ回路には、トラップフィルタ回路が接続される。上記トラップフィルタ回路を構成するインダクタおよびコンデンサの少なくとも一部として使用される外付けの表面実装部品を実装するための実装用電極が、上記セラミック積層体の表面に形成されている。

　本発明のある局面に基づくＬＣフィルタは、上記本発明のある局面に基づくＬＣフィルタ素体と、当該ＬＣフィルタ素体に実装された外付けの表面実装部品とを備えている。上記ＬＣフィルタ素体の上記実装用電極には、上記外付けの表面実装部品が実装されている。

　また、本発明の別の局面に基づくＬＣフィルタ素体は、基板に実装して使用するためのものであって、複数のセラミック層が積層されたセラミック積層体と、上記セラミック積層体の内部に形成されたＬＣフィルタ回路と、上記セラミック積層体の表面に形成された入力端子、出力端子およびグランド端子とを備えている。上記ＬＣフィルタ回路には、トラップフィルタ回路が接続される。上記トラップフィルタ回路を構成するインダクタおよびコンデンサの一部は、上記セラミック積層体の内部に形成されている。上記トラップフィルタ回路を構成するインダクタおよびコンデンサのうち、上記セラミック積層体の内部に形成されていない残りとなる、上記基板に実装される外付けのインダクタおよび／またはコンデンサと電気的に接続するための中継電極が、上記セラミック積層体の表面に形成されている。

　また、本発明の別の局面に基づくＬＣフィルタは、基板と、上記基板に実装された上記本発明の別の局面に基づくＬＣフィルタ素体と、上記基板に実装された外付けのインダクタおよび／またはコンデンサとを備えている。上記中継電極には、上記外付けのインダクタおよび／またはコンデンサが電気的に接続されている。上記外付けのインダクタおよび／またはコンデンサと、上記セラミック積層体の内部に形成されたインダクタおよびコンデンサの一部とにより、上記トラップフィルタ回路が構成されている。

　本発明によれば、トラップフィルタ回路の一部となる表面実装部品の種類を選択してこれを実装するだけで、トラップフィルタ回路による様々な減衰特性を備えたＬＣフィルタを容易に実現することができる。そのため、これにより、ＬＣフィルタの設計コストを低減することができる。すなわち、所定のＬＣフィルタ素体を設計することのみで、様々な種類のＬＣフィルタを容易に実現することができる。

本発明の第１の実施形態にかかるＬＣフィルタ素体の分解斜視図である。本発明の第１の実施形態にかかるＬＣフィルタ素体の外観斜視図である。本発明の第１の実施形態にかかるＬＣフィルタ素体の等価回路図である。本発明の第１の実施形態にかかるＬＣフィルタの外観斜視図である。本発明の第１の実施形態にかかるＬＣフィルタの等価回路図である。本発明の第１の実施形態にかかるＬＣフィルタの通過特性を示すグラフである。本発明の第２の実施形態にかかるＬＣフィルタ素体の分解斜視図である。本発明の第２の実施形態にかかるＬＣフィルタ素体の外観斜視図である。本発明の第２の実施形態にかかるＬＣフィルタ素体の等価回路図である。本発明の第２の実施形態にかかるＬＣフィルタの外観斜視図である。本発明の第２の実施形態にかかるＬＣフィルタの等価回路図である。本発明の第２の実施形態にかかるＬＣフィルタの通過特性を示すグラフである。

　（第１の実施形態）
　以下、図面とともに、本発明の第１の実施形態について説明する。

　図１Ａ、図１Ｂおよび図２に、本発明の第１の実施形態にかかるＬＣフィルタ素体１００を示す。ここで、図１Ａは、ＬＣフィルタ素体１００の分解斜視図であり、図１Ｂは、ＬＣフィルタ素体１００の外観斜視図であり、図２は、ＬＣフィルタ素体１００の等価回路図である。

　また、図３および図４に、本発明の第１の実施形態にかかるＬＣフィルタ１１００を示す。ここで、図３は、ＬＣフィルタ１１００の外観斜視図であり、図４は、ＬＣフィルタ１１００の等価回路図である。

　後述するように、本実施形態においては、ＬＣフィルタ素体１００の実装用電極に表面実装部品９１，９２を実装することにより、ＬＣフィルタ１１００が構成される。なお、ＬＣフィルタ１１００は、バンドパスフィルタである。

　ＬＣフィルタ素体１００は、図１Ａに示すように、複数のセラミック層からなるセラミック積層体１０を備えている。セラミック積層体１０の材質は、特に限定されないが、例えばチタン酸バリウムを用いることができる。

　セラミック積層体１０は、５つのセラミック層１１，２１，３１，４１，５１が、下から順に積層された構造からなる。

　セラミック層１１の表面には、矩形の内部電極１２が形成されている。内部電極１２は、セラミック層１１の対向する２つの長辺からセラミック積層体１０の外部に向けて引き出されている。

　セラミック層２１の表面には、２つの矩形の内部電極２２ａ，２２ｂが形成されている。また、セラミック層２１には、当該セラミック層２１を貫通して、２つのビア電極２３ａ，２３ｂが形成されている。ビア電極２３ａ，２３ｂは、それぞれ内部電極１２と導通している。

　セラミック層３１の表面には、２つの内部電極３２ａ，３２ｂが形成されている。２つの内部電極３２ａ，３２ｂは、それぞれセラミック層３１の対向する２つの短辺からセラミック積層体１０の外部に向けて引き出されている。また、セラミック層３１には、当該セラミック層３１を貫通して、６つのビア電極３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄ，３３ｅ，３３ｆが形成されている。ビア電極３３ａは、ビア電極２３ａと導通している。ビア電極３３ｂは、ビア電極２３ｂと導通している。ビア電極３３ｃ，３３ｄは、それぞれ内部電極２２ｂと導通している。ビア電極３３ｅ，３３ｆは、それぞれ内部電極２２ａと導通している。

　セラミック層４１の表面には、２つの長方形の内部電極４２ａ，４２ｂが形成されている。また、セラミック層４１には、当該セラミック層４１を貫通して、８つのビア電極４３ａ，４３ｂ，４３ｃ，４３ｄ，４３ｅ，４３ｆ，４３ｇ，４３ｈが形成されている。ビア電極４３ａは、内部電極３２ａと導通している。ビア電極４３ｂの一端は、内部電極４２ａと導通しており、ビア電極４３ｂの他端は、ビア電極３３ａと導通している。ビア電極４３ｃの一端は、内部電極４２ｂと導通しており、ビア電極４３ｃの他端は、ビア電極３３ｂと導通している。ビア電極４３ｄの一端は、内部電極３２ｂと導通している。ビア電極４３ｅの一端は、ビア電極３３ｃと導通している。ビア電極４３ｆの一端は、内部電極４２ｂの他端と導通しており、ビア電極４３ｆの他端は、ビア電極３３ｄと導通している。ビア電極４３ｇの一端は、内部電極４２ａの他端と導通しており、ビア電極４３ｇの他端は、ビア電極３３ｅと導通している。ビア電極４３ｈは、ビア電極３３ｆと導通している。

　セラミック層５１の表面には、４つの矩形の実装用電極５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５４ｄが形成されている。また、セラミック層５１には、当該セラミック層５１を貫通して、４つのビア電極５３ａ，５３ｂ，５３ｃ，５３ｄが形成されている。ビア電極５３ａの一端は、ビア電極４３ａと導通しており、ビア電極５３ａの他端は、実装用電極５４ａと導通している。ビア電極５３ｂの一端は、ビア電極４３ｄと導通しており、ビア電極５３ｂの他端は、実装用電極５４ｂと導通している。ビア電極５３ｃの一端は、ビア電極４３ｅと導通しており、ビア電極５３ｃの他端は、実装用電極５４ｃと導通している。ビア電極５３ｄの一端は、ビア電極４３ｈと導通しており、ビア電極５３ｄの他端は、実装用電極５４ｄと導通している。

　セラミック積層体１０の対向する短辺側の側面には、図１Ｂに示すように、入力端子ＩＮおよび出力端子ＯＵＴが形成されている。ただし、入力端子ＩＮは、セラミック積層体１０に隠れており、図には表われていない。入力端子ＩＮは、内部電極３２ａに接続されており、出力端子ＯＵＴは、内部電極３２ｂに接続されている。

　セラミック積層体１０の別の対向する長辺側の側面には、１対のグランド端子ＧＮＤが形成されている。ただし、１対のグランド端子ＧＮＤの一方は、セラミック積層体１０に隠れており、図には表われていない。１対のグランド端子ＧＮＤは、それぞれ内部電極１２に接続されている。

　内部電極１２，２２ａ，２２ｂ，３２ａ，３２ｂ，４２ａ，４２ｂ、ビア電極２３ａ，２３ｂ，３３ａ～３３ｆ，４３ａ～４３ｈ，５３ａ～５３ｄ、実装用電極５４ａ～５４ｄ、入力端子ＩＮ、出力端子ＯＵＴ、および、グランド端子ＧＮＤの材質は、特に限定されないが、例えばＣｕを含む導体ペーストなどを用いることができる。

　以上の構造からなるＬＣフィルタ素体１００は、図２に示す等価回路からなる。
　ＬＣフィルタ素体１００においては、入力端子ＩＮとグランド端子ＧＮＤとの間に、インダクタＬ７とコンデンサＣ３とが並列に接続されたＬＣ共振回路Ｑ１が挿入されている。インダクタＬ７は、主に、内部電極２２ａから、ビア電極３３ｅ、ビア電極４３ｇ、内部電極４２ａ、ビア電極４３ｂ、ビア電極３３ａ、ビア電極２３ａを経由して内部電極１２に至るループ状の経路により形成されている。コンデンサＣ３は、主に、セラミック層２１とこれを挟む内部電極２２ａおよび内部電極１２とで形成される容量からなる。

　また、ＬＣフィルタ素体１００においては、出力端子ＯＵＴとグランド端子ＧＮＤとの間に、インダクタＬ８とコンデンサＣ４とが並列に接続されたＬＣ共振回路Ｑ２が挿入されている。インダクタＬ８は、主に、内部電極２２ｂから、ビア電極３３ｄ、ビア電極４３ｆ、内部電極４２ｂ、ビア電極４３ｃ、ビア電極３３ｂ、ビア電極２３ｂを経由して内部電極１２に至る経路により形成されている。コンデンサＣ４は、主に、セラミック層２１とこれを挟む内部電極２２ｂおよび内部電極１２とで形成される容量からなる。

　インダクタＬ７とインダクタＬ８との間には、相互インダクタンスＭが形成されており、これにより、ＬＣ共振回路Ｑ１とＬＣ共振回路Ｑ２とが電磁気的に結合されている。

　入力端子ＩＮとＬＣ共振回路Ｑ１との間には、トラップフィルタ回路の一部を構成するコンデンサＣ１およびインダクタＬ１，Ｌ３が接続されている。コンデンサＣ１は、主に、セラミック層３１とこれを挟む内部電極２２ａおよび内部電極３２ａとで形成される容量からなる。インダクタＬ１は、主に、内部電極３２ａから、ビア電極４３ａ、ビア電極５３ａを経由して実装用電極５４ａに至る経路により形成されている。インダクタＬ３は、主に、実装用電極５４ｄから、ビア電極５３ｄ、ビア電極４３ｈ、ビア電極３３ｆを経由して内部電極２２ａに至る経路により形成されている。

　出力端子ＯＵＴとＬＣ共振回路Ｑ２との間には、トラップフィルタ回路の一部を構成するコンデンサＣ２およびインダクタＬ４，Ｌ６が接続されている。コンデンサＣ２は、主に、セラミック層３１とこれを挟む内部電極２２ｂおよび内部電極３２ｂとで形成される容量からなる。インダクタＬ４は、主に、実装用電極５４ｃから、ビア電極５３ｃ、ビア電極４３ｅ、ビア電極３３ｃを経由して内部電極２２ｂに至る経路により形成されている。インダクタＬ６は、主に、内部電極３２ｂから、ビア電極４３ｄ、ビア電極５３ｂを経由して実装用電極５４ｂに至る経路により形成されている。

　インダクタＬ１の一端である実装用電極５４ａと、インダクタＬ３の一端である実装用電極５４ｄとは、それぞれ開放端となっている。また、インダクタＬ４の一端である実装用電極５４ｃと、インダクタＬ６の一端である実装用電極５４ｂも、同様に開放端となっている。

　次に、上述したＬＣフィルタ素体１００の実装用電極５４ａ～５４ｄに、外付けの表面実装部品を実装することにより、ＬＣフィルタ１１００を構成する方法について説明する。

　外付けの表面実装部品９１は、両端に端子電極９１ａ，９１ｂが形成されたチップインダクタである。また、外付けの表面実装部品９２は、両端に端子電極９１ｃ，９１ｄが形成されたチップインダクタである。

　図３に示すように、外付けの表面実装部品９１は、ＬＣフィルタ素体１００の実装用電極５４ａ，５４ｄに実装される。また、図３に示すように、外付けの表面実装部品９２は、ＬＣフィルタ素体１００の実装用電極５４ｂ，５４ｃに実装される。なお、表面実装部品９１の両端の端子電極９１ａ，９１ｂは、実装用電極５４ａ，５４ｄにそれぞれはんだ付けされている。また、表面実装部品９２の両端の端子電極９２ｃ，９２ｄは、実装用電極５４ｂ，５４ｃにそれぞれはんだ付けされている。ただし、図３においては、接合部分の詳細な図示を省略している。

　以上の実装の結果、図４に示すように、ＬＣフィルタ回路には、インダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３およびコンデンサＣ１からなるトラップフィルタ回路Ｔ１と、インダクタＬ４，Ｌ５，Ｌ６およびコンデンサＣ２からなるトラップフィルタ回路Ｔ２とが接続されることになる。そのため、異なるインダクタンスを有する表面実装部品９１，９２を選択することにより、トラップフィルタ回路Ｔ１，Ｔ２の減衰特性を調整することができる。

　本実施形態によれば、トラップフィルタ回路の一部となる表面実装部品の種類を選択してこれらを実装するだけで、トラップフィルタ回路による様々な減衰特性を備えたＬＣフィルタを容易に実現することができる。そのため、これにより、ＬＣフィルタの設計コストを低減することができる。すなわち、所定のＬＣフィルタ素体を設計することのみで、様々な種類のＬＣフィルタを容易に実現することができる。

　なお、本実施形態においては、表面実装部品９１，９２としてチップインダクタを用いたが、表面実装部品９１，９２としてチップコンデンサを用いてトラップフィルタ回路Ｔ１，Ｔ２の減衰特性を調整するようにしてもよい。

　次に、本発明の第１の実施形態にかかるＬＣフィルタ素体１００の製造方法の一例について説明する。

　まず、セラミック層１１，２１，３１，４１，５１を形成するためのセラミックグリーンシートが準備される。セラミックグリーンシートは、従前においてセラミック積層電子部品の製造工程において広く用いられている公知の方法により製造することができる。

　次に、セラミックグリーンシートにビア電極２３ａ，２３ｂ，３３ａ～３３ｆ，４３ａ～４３ｈ，５３ａ～５３ｄを形成するための孔が形成される。孔は、パンチングやレーザ光の照射等により形成することができる。

　次に、セラミックグリーンシートの表面にそれぞれ所望の形状に導電性ペーストが塗布されることにより、内部電極１２，２２ａ，２２ｂ，３２ａ，３２ｂ，４２ａ，４２ｂおよび実装用電極５４ａ～５４ｄが形成される。このとき、同時に、ビア電極を形成するための孔にも導電性ペーストが充填されることにより、ビア電極２３ａ，２３ｂ，３３ａ～３３ｆ，４３ａ～４３ｈ，５３ａ～５３ｄが形成される。

　次に、下から順番に、セラミックグリーンシートが積層されてこれらが圧着されることにより、未焼成のセラミック積層体１０が作製される。

　次に、セラミック積層体１０の表面に導電性ペーストが所定の形状に塗布されることにより、入力端子ＩＮ、出力端子ＯＵＴおよびグランド端子ＧＮＤが形成される。

　次に、未焼成のセラミック積層体１０が所定のプロファイルで焼成されることにより、セラミック積層体１０が作製される。

　このような方法で製造されることにより、本発明の第１の実施形態にかかるＬＣフィルタ素体１００が完成する。

　（第１実験例）
　本実施形態の有効性を確認するために、次のシミュレーションによる実験を行った。

　まず、上述した本発明の第１の実施形態にかかるＬＣフィルタ１１００を想定し、実験例１として通過特性をシミュレーションした。次に、実験例１における表面実装部品９１（チップインダクタ）および表面実装部品９２（チップインダクタ）の各々のインダクタンスの値のみを変化させたＬＣフィルタ１１００を想定し、実験例２として通過特性をシミュレーションした。

　図５に、上記のシミュレーションにより得られたＬＣフィルタ１１００の通過特性を示す。図中において、実線は、実験例１の通過特性に対応しており、破線は、実験例２の通過特性に対応している。

　図５から分かるように、実験例１および実験例２においては、それぞれ通過帯域よりも高周波側である５ＧＨｚ付近において、トラップフィルタ回路Ｔ１，Ｔ２による２つの減衰極ができている。

　また、実験例１と実験例２とを比較すると、インダクタンス成分の値が異なる表面実装部品９１，９２を実装することにより、トラップフィルタ回路Ｔ１，Ｔ２による２つの減衰極の周波数を変化させることができていることが分かる。

　本実験例では、２種類のＬＣフィルタを想定したが、実装する表面実装部品の種類をさらに増やしてその中から実際に実装する表面実装部品を種々選択することにより、設計コストの負担を抑制しつつ、より多くの種類のＬＣフィルタを得ることが可能になる。

　以上においては、本発明の第１の実施形態にかかるＬＣフィルタ素体１００およびＬＣフィルタ１１００の構造ならびにその製造方法の一例について説明した。しかしながら、本発明のＬＣフィルタ素体およびＬＣフィルタは、これらの内容に限定されるものではなく、本発明の趣旨に沿って種々の変更が想定されるものである。

　例えば、ＬＣフィルタ素体１００では、トラップフィルタ回路Ｔ１を構成するインダクタの一部を表面実装部品９１で構成し、トラップフィルタ回路Ｔ２を構成するインダクタの一部を表面実装部品９２で構成しているが、トラップフィルタ回路を構成するインダクタ全てを表面実装部品で構成しても良い。すなわち、セラミック積層体の内部には、トラップフィルタ回路本体が形成されていなくても良い。

　また、表面実装部品９１，９２の種類、構造等も任意であり、積層型のチップインダクタであっても良いし、あるいは、巻線型のチップインダクタであっても良い。

　（第２の実施形態）
　以下、図面とともに、本発明の第２の実施形態について説明する。

　図６Ａ、図６Ｂおよび図７に、本発明の第２の実施形態にかかるＬＣフィルタ素体２００を示す。ここで、図６Ａは、ＬＣフィルタ素体２００の分解斜視図であり、図６Ｂは、ＬＣフィルタ素体２００の外観斜視図であり、図７は、ＬＣフィルタ素体２００の等価回路図である。

　また、図８および図９に、本発明の第２の実施形態にかかるＬＣフィルタ１２００を示す。ここで、図８は、ＬＣフィルタ１２００の外観斜視図であり、図９は、ＬＣフィルタ１２００の等価回路図である。

　後述するように、本実施形態においては、ＬＣフィルタ素体２００および表面実装部品９１，９２を基板上に実装することにより、ＬＣフィルタ１２００が構成される。なお、ＬＣフィルタ１２００は、ハイパスフィルタである。

　ＬＣフィルタ素体２００は、図６Ａに示すように、複数のセラミック層からなるセラミック積層体１０を備えている。セラミック積層体１０は、８つのセラミック層１１，２１，３１，４１，５１，６１，７１，８１が、下から順に積層された構造からなる。

　セラミック層２１の表面には、２つの矩形の内部電極２２ａ，２２ｂが形成されている。内部電極２２ａ，２２ｂは、それぞれセラミック層２１の１つの長辺からセラミック積層体１０の外部に向けて引き出されている。

　セラミック層３１の表面には、２つの矩形の内部電極３２ａ，３２ｂおよび飛び結合用電極３５が形成されている。内部電極３２ａ，３２ｂは、それぞれセラミック層３１の対向する２つの短辺から、セラミック積層体１０の外部に向けて引き出されている。また、セラミック層３１には、当該セラミック層３１を貫通して、２つのビア電極３３ａ，３３ｂが形成されている。ビア電極３３ａは、内部電極２２ａと導通している。ビア電極３３ｂは、内部電極２２ｂと導通している。

　セラミック層４１の表面には、２つのＨ字状の内部電極４２ａ，４２ｂが形成されている。また、セラミック層４１には、当該セラミック層４１を貫通して、２つのビア電極４３ｃ，４３ｄが形成されている。ビア電極４３ｃは、ビア電極３３ｂと導通している。ビア電極４３ｄは、ビア電極３３ａと導通している。

　セラミック層５１の表面には、２つの略Ｃ字状の内部電極５２ａ，５２ｂが形成されている。また、セラミック層５１には、当該セラミック層５１を貫通して、４つのビア電極５３ａ，５３ｂ，５３ｃ，５３ｄが形成されている。ビア電極５３ａの一端は、内部電極４２ａの一端と導通しており、ビア電極５３ａの他端は、内部電極５２ａの一端と導通している。ビア電極５３ｂの一端は、内部電極４２ｂの一端と導通しており、ビア電極５３ｂの他端は、内部電極５２ｂの一端と導通している。ビア電極５３ｃは、ビア電極４３ｃと導通している。ビア電極５３ｄは、ビア電極４３ｄと導通している。

　セラミック層６１の表面には、２つの略Ｃ字状の内部電極６２ａ，６２ｂが形成されている。また、セラミック層６１には、当該セラミック層６１を貫通して、４つのビア電極６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄが形成されている。ビア電極６３ａの一端は、内部電極５２ａの一端と導通しており、ビア電極６３ａの他端は、内部電極６２ａの一端と導通している。ビア電極６３ｂの一端は、内部電極５２ｂの一端と導通しており、ビア電極６３ｂの他端は、内部電極６２ｂの一端と導通している。ビア電極６３ｃは、ビア電極５３ｃと導通している。ビア電極６３ｄは、ビア電極５３ｄと導通している。

　セラミック層７１の表面には、２つの略Ｃ字状の内部電極７２ａ，７２ｂが形成されている。また、セラミック層７１には、当該セラミック層７１を貫通して、４つのビア電極７３ａ，７３ｂ，７３ｃ，７３ｄが形成されている。ビア電極７３ａの一端は、内部電極６２ａの一端と導通しており、ビア電極７３ａの他端は、内部電極７２ａの一端と導通している。ビア電極７３ｂの一端は、ビア電極６３ｄの一端と導通しており、ビア電極７３ｂの他端は、内部電極７２ａの一端と導通している。ビア電極７３ｃの一端は、ビア電極６３ｃと導通しており、ビア電極７３ｃの他端は、内部電極７２ｂの一端と導通している。ビア電極７３ｄの一端は、内部電極６２ｂの一端と導通しており、ビア電極７３ｄの他端は、内部電極７２ｂの一端と導通している。

　また、セラミック層８１の表面には、１つの矩形の識別マークＤが形成されている。
　セラミック積層体１０の対向する短辺側の側面には、図６Ｂに示すように、入力端子ＩＮおよび出力端子ＯＵＴが形成されている。ただし、入力端子ＩＮは、セラミック積層体１０に隠れており、図には表れていない。入力端子ＩＮは、内部電極３２ａに接続されており、出力端子ＯＵＴは、内部電極３２ｂに接続されている。

　セラミック積層体１０の上記対向する長辺側の側面の一方には、２つの中継電極Ｎ１，Ｎ２が形成されている。中継電極Ｎ１は、内部電極２２ａに接続されている。中継電極Ｎ２は、内部電極２２ｂに接続されている。

　以上の構造からなるＬＣフィルタ素体２００は、図７に示す等価回路からなる。
　ＬＣフィルタ素体２００においては、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとの間に、３つのコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３が直列に挿入されている。コンデンサＣ１は、主に、セラミック層４１とこれを挟む内部電極３２ａおよび内部電極４２ａの一端とで形成される容量からなる。コンデンサＣ２は、主に、内部電極４２ａの一端から飛び結合用電極３５を経由して内部電極４２ｂの一端に至る経路で形成される容量からなる。コンデンサＣ３は、主に、セラミック層４１とこれを挟む内部電極４２ｂの一端および内部電極３２ｂとで形成される容量からなる。

　また、ＬＣフィルタ素体２００においては、コンデンサＣ１とコンデンサＣ２との間の接続点と、グランド端子ＧＮＤとの間に、インダクタＬ１とコンデンサＣ５とが直列に接続されたトラップフィルタ回路の一部が挿入されている。インダクタＬ１は、主に、内部電極４２ａから、ビア電極５３ａ、内部電極５２ａ、ビア電極６３ａ、内部電極６２ａ、ビア電極７３ａ、内部電極７２ａ、ビア電極７３ｂ、ビア電極６３ｄ、ビア電極５３ｄ、ビア電極４３ｄ、ビア電極３３ａを経由して内部電極２２ａに至る経路により形成されている。コンデンサＣ５は、主に、セラミック層２１とこれを挟む内部電極２２ａおよび内部電極１２とで形成される容量からなる。

　さらに、ＬＣフィルタ素体２００においては、コンデンサＣ２とコンデンサＣ３との間の接続点と、グランド端子ＧＮＤとの間にも、同様に、インダクタＬ２とコンデンサＣ６とが直列に接続されたトラップフィルタ回路の一部が挿入されている。インダクタＬ２は、主に、内部電極４２ｂから、ビア電極５３ｂ、内部電極５２ｂ、ビア電極６３ｂ、内部電極６２ｂ、ビア電極７３ｄ、内部電極７２ａ、ビア電極７３ｃ、ビア電極６３ｃ、ビア電極５３ｃ、ビア電極４３ｃ、ビア電極３３ｂを経由して内部電極２２ｂに至る経路により形成されている。コンデンサＣ６は、主に、セラミック層２１とこれを挟む内部電極２２ｂおよび内部電極１２とで形成される容量からなる。

　インダクタＬ１とグランド端子ＧＮＤとの間は、内部電極１２に接続する中継電極Ｎ１により、開放端となっている。また、インダクタＬ２とグランド端子ＧＮＤとの間は、内部電極１２に接続する中継電極Ｎ２により、開放端となっている。

　以上の構造からなるＬＣフィルタ素体２００は、例えば、以下の方法でＬＣフィルタとして使用する。

　図８に示すように、表面に電極パターン２が形成された基板１にＬＣフィルタ素体２００がはんだ付けにより実装される。

　次に、図８に示すように、２つの外付けの表面実装部品９１，９２（チップコンデンサ）が基板１にはんだ付けにより実装される。この実装により、表面実装部品９１の一方の端子電極９１ａは、中継電極Ｎ１と接続されることになり、表面実装部品９１の他方の端子電極９１ｂは、グランド端子ＧＮＤと接続されることになる。また、表面実装部品９２の一方の端子電極９２ａは、中継電極Ｎ２と接続されることになり、表面実装部品９２の他方の端子電極９２ｂは、グランド端子ＧＮＤと接続されることになる。

　これにより、ＬＣフィルタ１２００が完成する。ただし、図８においては、接合部分の詳細な図示を省略している。なお、基板１としては、一般的なプリント基板を用いても良いし、セラミック層を積層してなる基板を用いても良い。

　以上の実装の結果、図９に示すように、ＬＣフィルタ回路には、インダクタＬ１およびコンデンサＣ４，Ｃ５からなるトラップフィルタ回路Ｔ１と、インダクタＬ２およびコンデンサＣ６，Ｃ７からなるトラップフィルタ回路Ｔ２とが接続されることになる。

　本実施形態によれば、第１の実施形態と同様に、トラップフィルタ回路の一部として接続する表面実装部品の種類を選択してこれらを実装するだけで、トラップフィルタ回路による様々な減衰特性のＬＣフィルタを容易に実現することができる。そのため、これにより、ＬＣフィルタの設計コストを低減することができる。すなわち、所定のＬＣフィルタ素体を設計することのみで、様々な種類のＬＣフィルタを容易に実現することができる。

　また、ＬＣフィルタ素体を基板に実装した際のはんだ量のばらつきや基板表面に形成された電極パターンの影響により、ＬＣフィルタ素体内のトラップフィルタ回路の減衰特性が変動してしまう場合がある。しかしながら、本実施形態のＬＣフィルタ１２００によれば、基板１にＬＣフィルタ素体２００を実装した状態で、減衰特性の変動を確認しながら、トラップフィルタ回路Ｔ１，Ｔ２の一部となる外付けの表面実装部品の種類を選択することができる。その結果、本実施形態によれば、トラップフィルタ回路の特性を適切なものに容易に調整することができる効果も得られる。

　なお、ＬＣフィルタ素体２００の製造方法は、第１の実施形態にかかるＬＣフィルタ素体１００の製造方法に準じたものであるため、ここではその説明を省略する。

　（第２実験例）
　本実施形態の有効性を確認するために、第２の実施形態のＬＣフィルタ１２００に対して、第１の実施形態と同様に、通過特性についてのシミュレーションによる実験を行った。

　まず、上述した本発明の第２の実施形態にかかるＬＣフィルタ１２００を想定し、実験例３として通過特性をシミュレーションした。次に、実験例３における表面実装部品９１（チップコンデンサ）および表面実装部品９２（チップコンデンサ）の各々の容量の値のみを変化させたＬＣフィルタ１２００を想定し、実験例４として通過特性をシミュレーションした。

　図１０に、上記のシミュレーションにより得られたＬＣフィルタ１２００の通過特性を示す。図中において、実線は、実験例３の通過特性に対応しており、破線は、実験例４の通過特性に対応している。

　図１０から分かるように、実験例３および実験例４においては、それぞれ通過帯域よりも低周波側である１ＧＨｚ付近において、トラップフィルタ回路Ｔ１，Ｔ２による２つの減衰極ができている。

　また、実験例３と実験例４とを比較すると、容量の値の異なる表面実装部品９１，９２を実装することにより、トラップフィルタ回路Ｔ１，Ｔ２による２つの減衰極の周波数を変化させることができていることが分かる。

　以上においては、本発明の第２の実施形態にかかるＬＣフィルタ素体２００およびＬＣフィルタ１２００の構造ならびにその製造方法の一例について説明した。しかしながら、本発明のＬＣフィルタ素体およびＬＣフィルタは、これらの内容に限定されるものではなく、本発明の趣旨に沿って種々の変更が想定されるものである。

　例えば、ＬＣフィルタ素体２００では、外付けのコンデンサとして、表面実装部品を使用しているが、リード型コンデンサを使用しても良い。

　本発明の技術的範囲は、請求の範囲によって画定され、また、請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。

　１　基板、２　電極パターン、１０　セラミック積層体、１１，２１，３１，４１，５１，６１，７１，８１　セラミック層、１２，２２ａ，２２ｂ，３２ａ，３２ｂ，４２　内部電極、２３ａ，２３ｂ，３３ａ～３３ｆ，４３ａ～４３ｈ，５３ａ～５３ｄ，６３ａ～６３ｄ，７３ａ～７３ｄ　ビア電極、３５　飛び結合用電極、５４ａ～５４ｄ　実装用電極、９１，９２　表面実装部品（チップインダクタまたはチップコンデンサ）、９１ａ，９１ｂ，９２ａ，９２ｂ　端子電極、１００，２００　ＬＣフィルタ素体、１１００，１２００　ＬＣフィルタ、ＩＮ　入力端子、ＯＵＴ　出力端子、ＧＮＤ　グランド端子、Ｄ　識別マーク、Ｎ１，Ｎ２　中継電極、Ｍ　相互インダクタンス、Ｌ１～Ｌ６　インダクタ、Ｃ１～Ｃ７　コンデンサ、Ｔ１，Ｔ２　トラップフィルタ回路、Ｑ１，Ｑ２　ＬＣ共振回路。

Claims

　複数のセラミック層が積層されたセラミック積層体と、
　前記セラミック積層体の内部に形成されたＬＣフィルタ回路と、
　前記セラミック積層体の表面に形成された入力端子、出力端子およびグランド端子と、を備え、
　前記ＬＣフィルタ回路にトラップフィルタ回路が接続され、
　前記トラップフィルタ回路を構成するインダクタおよびコンデンサの少なくとも一部として使用される外付けの表面実装部品を実装するための実装用電極が、前記セラミック積層体の表面に形成されている、ＬＣフィルタ素体。
　前記トラップフィルタ回路を構成するインダクタおよびコンデンサのうち、前記外付けの表面実装部品以外のインダクタおよび／またはコンデンサが、前記セラミック積層体の内部に形成されている、請求項１に記載のＬＣフィルタ素体。
　請求項１または２に記載の前記ＬＣフィルタ素体と、
　前記ＬＣフィルタ素体に実装された外付けの表面実装部品と、を備え、
　前記ＬＣフィルタ素体の前記実装用電極に、前記外付けの表面実装部品が実装されている、ＬＣフィルタ。
　基板に実装して使用するためのＬＣフィルタ素体であって、
　複数のセラミック層が積層されたセラミック積層体と、
　前記セラミック積層体の内部に形成されたＬＣフィルタ回路と、
　前記セラミック積層体の表面に形成された入力端子、出力端子およびグランド端子と、を備え、
　前記ＬＣフィルタ回路にトラップフィルタ回路が接続され、
　前記トラップフィルタ回路を構成するインダクタおよびコンデンサの一部が、前記セラミック積層体の内部に形成され、
　前記トラップフィルタ回路を構成するインダクタおよびコンデンサのうち、前記セラミック積層体の内部に形成されていない残りとなる、前記基板に実装される外付けのインダクタおよび／またはコンデンサと電気的に接続するための中継電極が、前記セラミック積層体の表面に形成されている、ＬＣフィルタ素体。
　基板と、
　前記基板に実装された請求項４に記載の前記ＬＣフィルタ素体と、
　前記基板に実装された外付けのインダクタおよび／またはコンデンサと、を備え、
　前記中継電極に、前記外付けのインダクタおよび／またはコンデンサが電気的に接続され、
　前記外付けのインダクタおよび／またはコンデンサと、前記セラミック積層体の内部に形成されたインダクタおよびコンデンサの一部とにより、前記トラップフィルタ回路が構成されている、ＬＣフィルタ。