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WO2014038158A1 - 有機エレクトロルミネセンス表示装置及びその製造方法 - Google Patents

有機エレクトロルミネセンス表示装置及びその製造方法 Download PDF

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WO2014038158A1
WO2014038158A1 PCT/JP2013/005072 JP2013005072W WO2014038158A1 WO 2014038158 A1 WO2014038158 A1 WO 2014038158A1 JP 2013005072 W JP2013005072 W JP 2013005072W WO 2014038158 A1 WO2014038158 A1 WO 2014038158A1
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WO
WIPO (PCT)
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film
organic
inorganic
display device
barrier film
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2013/005072
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
通 園田
剛 平瀬
岡本　哲也
亨 妹尾
有希 安田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to US14/419,647 priority Critical patent/US9530984B2/en
Priority to CN201380041920.1A priority patent/CN104521323B/zh
Priority to JP2014534174A priority patent/JP5759633B2/ja
Priority to KR1020157003577A priority patent/KR101589884B1/ko
Publication of WO2014038158A1 publication Critical patent/WO2014038158A1/ja
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    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Definitions

  • the present invention relates to an organic electroluminescence display device and a manufacturing method thereof, and more particularly to an organic electroluminescence display device having a barrier film in which an inorganic film and an organic film are laminated and a manufacturing method thereof.
  • an organic EL display device having an organic electroluminescence (hereinafter, also referred to as “EL”) element in order to suppress deterioration of the organic EL element, when the organic EL element is covered or a plastic substrate is used.
  • EL organic electroluminescence
  • Patent Document 1 discloses a first barrier layer provided by sequentially vacuum-depositing a SiO 2 film and an Al film on a counter electrode (cathode) constituting the organic EL element, and the first barrier.
  • a resin layer provided by vacuum-depositing polyethylene glycol acrylate on the layer and then curing;
  • a second barrier layer provided by sequentially vacuum-depositing an Al film and an SiO 2 film on the resin layer;
  • Patent Document 2 discloses an electroluminescent element in which a laminated film of a polymer material layer and an inorganic material thin film is provided as the barrier film on the cathode film constituting the organic EL element.
  • Patent Document 3 discloses an organic electroluminescent element in which a barrier layer in which organic layers and inorganic layers are alternately stacked on an element portion corresponding to the organic EL element is provided as the barrier film.
  • the barrier film may cause peeling at the interface between the inorganic film and the organic film. Then, moisture and oxygen enter from the peeled interface between the inorganic film and the organic film, so that the organic EL element is deteriorated.
  • a plastic substrate film substrate
  • bending stress is generated at the interface between the inorganic film and the organic film due to the bending of the substrate. Peeling easily occurs at the interface of the organic film.
  • the thermal stress is generated at the interface between the inorganic film and the organic film due to the temperature change, so that the peeling occurs at the interface between the inorganic film and the organic film. Is likely to occur.
  • Patent Document 4 the first inorganic barrier layer, the first group of dot-like polymer compound layers, the second group of intermediate inorganic barrier layers, and the second group of dot-like polymer compound layers.
  • a clathrate inorganic barrier layer is formed by laminating an intermediate third inorganic barrier layer, a third group of dot-like polymer compound layers, and a fourth inorganic barrier layer on the outermost surface in this order.
  • An organic EL display panel provided as the barrier film has been proposed.
  • the present invention has been made in view of the above points, and the object of the present invention is to provide an interface at the interface between the inorganic film and the organic film due to the stress generated at the interface between the inorganic film and the organic film constituting the barrier film. It is in suppressing peeling.
  • the present invention provides a first organic film, a first organic film provided with a plurality of first through holes, a second inorganic film, and a second organic provided with a plurality of second through holes.
  • a barrier film is formed by sequentially laminating a film and a third inorganic film.
  • an organic electroluminescence display device includes a base substrate, an organic electroluminescence element provided on the base substrate, and a barrier film that suppresses deterioration of the organic electroluminescence element.
  • the barrier film includes a first inorganic film, a second inorganic film, and a third inorganic film that are sequentially provided from the base substrate side, and a first organic film that is provided between the first inorganic film and the second inorganic film.
  • a second organic film provided between the second inorganic film and the third inorganic film, and the first organic film includes a plurality of the first inorganic film and the second inorganic film that are in contact with each other.
  • the second organic film is provided with a plurality of second through holes for bringing the second inorganic film and the third inorganic film into contact with each other.
  • the first through hole may be provided so as not to overlap the second through hole.
  • the first through hole and the second through hole may be provided linearly.
  • the first through hole and the second through hole may be provided in a dot shape.
  • the first organic film and the second organic film in which the first through hole and the second through hole are respectively provided in a dot shape are the polymer compounds in the dot-shaped polymer compound layer disclosed in Patent Document 4 above. It has a structure in which the region where the layer is disposed and the region where the polymer compound layer is not disposed are just inverted.
  • the barrier film may be a sealing film that covers the organic electroluminescent element.
  • the barrier film may be a base coat film provided on the surface of the base substrate on the organic electroluminescence element side.
  • the barrier film may be a protective film provided on the surface of the base substrate opposite to the organic electroluminescence element.
  • the organic electroluminescence display device includes a base substrate, an organic electroluminescence element provided on the base substrate, and a barrier film that suppresses deterioration of the organic electroluminescence element,
  • the barrier films are respectively provided in order from the base substrate side between the first to n-th (n is a natural number of 3 or more) inorganic films provided in order from the base substrate side and the adjacent inorganic films.
  • the first to (n-1) organic films, and the first to (n-1) organic films have a plurality of through-holes that contact the inorganic films adjacent to each other. Holes are provided, and at least one of the first to (n-1) th organic films is mutually in plan view with each through hole provided in at least one other organic film different from the organic film. overlapping.
  • the manufacturing method of the organic electroluminescent display apparatus which concerns on this invention forms the barrier film which suppresses deterioration of the EL element formation process which forms an organic electroluminescent element in a base substrate, and the said organic electroluminescent element.
  • a barrier film forming step wherein the barrier film forming step includes a first inorganic film and a plurality of first through-holes penetrating in the thickness direction.
  • One organic film, a second inorganic film, a second organic film provided with a plurality of second through holes penetrating in the thickness direction, and a third inorganic film are sequentially formed.
  • the first organic film and the second organic film may be formed so that the first through hole and the second through hole do not overlap each other.
  • the first organic film and the second organic film may be formed by a vacuum film forming method.
  • the first organic film and the second organic film may be formed by a printing method or a photolithography method.
  • the barrier film forming step may be performed after the EL element forming step, and in the barrier film forming step, a sealing film that covers the organic electroluminescent element may be formed as the barrier film.
  • the barrier film forming step is performed before the EL element forming step, and in the barrier film forming step, a base coat film that covers the surface of the base substrate on the organic electroluminescence element side is formed as the barrier film. May be.
  • the barrier film forming step is performed before the EL element forming step, and in the barrier film forming step, a protective film that covers the surface of the base substrate opposite to the organic electroluminescent element is used as the barrier film. It may be formed.
  • a first inorganic film, a first organic film provided with a plurality of first through holes, a second inorganic film, a second organic film provided with a plurality of second through holes, and a third inorganic film Since the barrier film is formed by sequentially laminating the films, it is possible to suppress peeling at the interface between the inorganic film and the organic film due to the stress generated at the interface between the inorganic film and the organic film constituting the barrier film. it can.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of the organic EL display device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view showing a pixel structure of the organic EL display device according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of an organic EL element constituting the organic EL display device according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a plan view showing the structure of the through hole of the barrier film constituting the organic EL display device according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the barrier film taken along the line VV in FIG.
  • FIG. 6 is a plan view showing the structure of the through hole of the first modification of the barrier film according to the first embodiment.
  • FIG. 7 is a plan view showing the structure of the through hole of the modified example 2 of the barrier film according to the first embodiment.
  • FIG. 8 is a plan view showing the structure of the through hole of the third modification of the barrier film according to the first embodiment.
  • FIG. 9 is a plan view showing the structure of the through hole of the modification 4 of the barrier film according to the first embodiment.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating Modification Example 5 of the barrier film according to the first embodiment.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of the organic EL display device according to the second embodiment.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of a barrier film constituting the organic EL display device according to the second embodiment.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of the organic EL display device according to the third embodiment.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of an organic EL display device according to the fourth embodiment.
  • Embodiment 1 of the Invention 1 to 10 show Embodiment 1 of an organic EL display device and a manufacturing method thereof according to the present invention.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of the organic EL display device 50a of the present embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view showing a pixel structure of the organic EL display device 50a.
  • 1 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the organic EL element 25 constituting the organic EL display device 50a.
  • FIG. 4 is a plan view showing the structure Ha of the through hole of the sealing film 31a constituting the organic EL display device 50a.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the sealing film 31a taken along the line VV in FIG.
  • the organic EL display device 50 a includes, for example, a base substrate 10 a such as a glass substrate, an organic EL element 25 provided on the base substrate 10 a, and the organic EL element 25 so as to cover the organic EL element 25. And a sealing film 31a provided as a barrier film for suppressing deterioration of the film.
  • a plurality of sub-pixels P (see FIG. 2), which are the minimum unit of an image, are arranged in a matrix. Further, in the display area of the organic EL display device 50a, as shown in FIG.
  • the sub-pixel P having the light emitting area Lr for performing the red gradation display and the light emitting area Lg for performing the green gradation display are provided.
  • the sub-pixels P and the sub-pixels P having the light emitting region Lb for performing blue gradation display are provided adjacent to each other, and one adjacent pixel is constituted by the three adjacent sub-pixels P. .
  • the organic EL element 25 has a plurality of gate lines 11 provided on the base substrate 10a so as to extend in parallel with each other, and extends in parallel with each other in a direction orthogonal to the gate lines 11.
  • a plurality of source lines 12a provided in this manner, a plurality of power supply lines 12b provided adjacent to each source line 12a in a direction orthogonal to each gate line 11 and extending in parallel with each other, and each gate line 11 and Provided for each intersecting portion of each source line 12a, that is, for each sub-pixel P, and for each of the sub-pixels P and a plurality of first TFTs 13a connected to the corresponding gate line 11 and source line 12a, A plurality of second TFTs 13b connected to the corresponding first TFT 13a and the power supply line 12b, and provided for each of the sub-pixels P, respectively, A plurality of capacitors 13c connected to the source line 12b, an interlayer insulating film 14 provided so as to cover each first TFT 13
  • a plurality of light emitting layers 18, an electron transport layer and an electron injection layer 19 provided in order to cover each light emitting layer 18, and a cathode so as to cover the electron transport layer and electron injection layer 19. It was and a second electrode 20.
  • a carrier blocking layer for blocking the flow of carriers such as holes and electrons may be inserted between the first electrode 15 and the second electrode 20 as necessary.
  • the hole injection layer and hole transport layer 17 and the electron transport layer and electron injection layer 19 may be omitted as appropriate.
  • the first TFT 13a and the second TFT 13b are, for example, bottom gate type or top gate type TFTs.
  • the capacitor 13c includes, for example, one electrode formed in the same layer with the same material as the gate line 11, the other electrode formed in the same layer with the same material as the source line 12a, and the pair of electrodes.
  • the gate insulating film is provided.
  • the interlayer insulating film 14 and the edge cover 16 are made of, for example, photosensitive acrylic resin or polyimide resin.
  • the first electrode 15 and the second electrode 20 are, for example, transparent conductive films such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), gallium-doped zinc oxide (GZO), It is formed of a metal film such as gold (Au), nickel (Ni), platinum (Pt), or a laminated film thereof.
  • the 1st electrode 15 and the 2nd electrode 20 are suitably formed by sputtering method, vacuum evaporation method, CVD method, plasma CVD method, printing method etc., for example.
  • the first electrode 15 is light transmissive or light semi-transmissive and the second electrode 20 is light reflective, a bottom emission display that emits light from the base substrate 10a side.
  • the first electrode 15 has light reflectivity
  • the second electrode 20 has light transmission or light semi-transmission
  • light is emitted from the sealing film 31a side.
  • a top emission type display device is configured.
  • the hole injection layer and the hole transport layer 17 have a function of increasing the hole injection efficiency from the first electrode 15 to the light emitting layer 18 and a function of increasing the hole transport efficiency to the light emitting layer 18.
  • anthracene Azatriphenylene, fluorenone, hydrazone, stilbene, triphenylene, benzine, styrylamine, triphenylamine, porphyrin, triazole, imidazole, oxadiazole, oxazole, polyarylalkane, phenylenediamine, arylamine, derivatives thereof, thiophene compounds ,
  • the hole injection layer and the hole transport layer 17 may be a single layer having both the function of increasing the hole injection efficiency and the function of increasing the hole transport efficiency. It may be a laminated film of one layer having a function of increasing the hole and one layer having a function of improving the hole transport efficiency. Furthermore, the hole injection layer and the hole transport layer 17 are preferably formed by, for example, a vacuum deposition method.
  • Each of the plurality of light emitting layers 18 has a function of emitting light by recombining holes injected from the first electrode 15 side and electrons injected from the second electrode 20 side.
  • the light emitting layer 18 is formed of, for example, anthracene, naphthalene, indene, phenanthrene, pyrene, naphthacene, triphenylene, perylene, picene, fluoranthene, acephenanthrylene, pentaphen, pentacene, coronene, butadiene, coumarin, acridine, stilbene, and the like.
  • Low molecular fluorescence such as derivatives, tris (8-quinolinolato) aluminum complex, bis (benzoquinolinolato) beryllium complex, tri (dibenzoylmethyl) phenanthroline europium complex, ditoluyl vinyl biphenyl, hydroxyphenyl oxazole, hydroxyphenyl thiazole, etc. It is made of a material having high luminous efficiency such as a dye or a metal complex. Furthermore, the light emitting layer 18 is suitably formed by, for example, a vacuum deposition method.
  • the electron transport layer and the electron injection layer 19 have a function of increasing the electron transport efficiency to the light emitting layer 18 and a function of increasing the electron injection efficiency from the second electrode 15 to the light emitting layer 18.
  • the electron transport layer and the electron injection layer 19 have a function of increasing the electron transport efficiency even if it is a single layer having both a function of increasing the electron transport efficiency and a function of increasing the electron injection efficiency. It may be a laminated film of one layer and one layer having a function of increasing electron injection efficiency.
  • the electron transport layer and the electron injection layer 19 are preferably formed by, for example, a vacuum deposition method.
  • the sealing film 31a includes a first inorganic film 26, a first organic film 27, a second inorganic film 28, a second organic film 29, and a third inorganic film provided in this order from the base substrate 10a side. 30.
  • the first organic film 27 is provided with a plurality of first through holes 27h each formed in a linear shape so that the first inorganic film 26 and the second inorganic film 28 are in contact with each other. It has been.
  • the second organic film 29 is provided with a plurality of second through holes 29h each formed in a linear shape so that the second inorganic film 28 and the third inorganic film 30 are in contact with each other. It has been.
  • the first organic film 27 and the second organic film 29 have a through-hole structure Ha arranged so that each first through-hole 27 h does not overlap with each second through-hole 29 h.
  • the first organic film 27 and the second organic film 29 having the linear first through hole 27h and the second through hole 29h, respectively, are formed by a vacuum film formation method such as a CVD method, a vapor deposition method, and a sputtering method. Is more suitably formed.
  • 6 to 9 are plan views showing the structures Hb to He of the through holes of the modified examples 1 to 4 of the sealing film 31a, respectively.
  • linear first through holes 27h and second through holes 29h are alternately arranged so as to extend in the vertical direction in the drawing.
  • the first organic film 27 and the second organic film 29 having the linear first through hole 27h and the second through hole 29h, respectively, are formed by a vacuum film formation method such as a CVD method, a vapor deposition method, and a sputtering method. Is more suitably formed.
  • the through-hole structure Hc of Modification 2 is randomly provided such that the linear first through-hole 27h and second through-hole 29h extend in the vertical and horizontal directions in the drawing.
  • the first organic film 27 and the second organic film 29 having the linear first through hole 27h and the second through hole 29h, respectively, are formed by a vacuum film formation method such as a CVD method, a vapor deposition method, and a sputtering method. Is more suitably formed.
  • the through-hole structure Hd of Modification 3 is provided with dot-like first through-holes 27h and second through-holes 29h at random.
  • the first organic film 27 and the second organic film 29 having the dot-like first through hole 27h and the second through hole 29h, respectively, are preferably formed by a printing method or a photolithography method.
  • the through-hole structure He of the modified example 4 has rectangular first through-holes 27h and second through-holes 29h arranged alternately.
  • the first organic film 27 and the second organic film 29 having these rectangular first through hole 27h and second through hole 29h are preferably formed by a printing method or a photolithography method.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a sealing film 31b of Modification 5 of the sealing film 31a.
  • the first through hole 27 has exemplified the through hole structure Ha to He in which the second through hole 29h does not overlap, but the sealing film has three or more layers independent from each other.
  • the 1st through-hole 27 may overlap with the 2nd through-hole 29h like the following sealing film 31b.
  • the sealing film 31 b includes a first inorganic film 26, a first organic film 27, a second inorganic film 28, and a second film provided in order from the base substrate 10 a side.
  • the pinhole Ph formed in the second inorganic film 28 is also continuously formed in the upper inorganic film in the drawing, the pinhole Ph is covered with the (n-1) th organic film Fy. Therefore, no pinhole (Ph) is formed in the nth inorganic film Fz.
  • through holes overlap in the first organic film 27, the second organic film 29,..., The (n ⁇ 2) th organic film Fw, and the through holes that overlap each other are the (n ⁇ 1)
  • a structure that does not overlap with the through hole of the organic film Fy, that is, at least one of the first to (n-1) th organic films is provided in at least one other organic film different from the organic film.
  • the pin pole (Ph) formed in the inorganic film is necessarily covered with any one organic film by overlapping each through hole in plan view, the first to (n ⁇ It goes without saying that the configuration in which the through holes formed in the organic film of 1) do not overlap each other is even better.
  • a gate signal is input to the first TFT 13a via the gate line 11 to turn on the first TFT 13a and the gate of the second TFT 13b via the source line 12a.
  • a predetermined voltage corresponding to the source signal is written to the electrode and capacitor 13c, the magnitude of the current from the power supply line 12b is defined based on the gate voltage of the second TFT 13b, and the defined current is supplied to the light emitting layer 18.
  • the light emitting layer 18 emits light and is configured to display an image.
  • the gate voltage of the second TFT 13b is held by the capacitor 13c. Therefore, the light emitting layer 18 emits light until the gate signal of the next frame is input. Maintained.
  • the manufacturing method of the organic EL display device 50a of this embodiment includes an EL element forming step and a sealing film forming step.
  • the gate line 11, the source line 12a, the power supply line 12b, the first TFT 13a, the second TFT 13b, the capacitor 13c, the interlayer insulating film 14, and the first electrode 15 are formed on the surface of the base substrate 10a such as a glass substrate using a known method.
  • the organic EL element 25 is formed by forming the edge cover 16, the hole injection layer and hole transport layer 17, the light emitting layer 18, the electron transport layer and electron injection layer 19, the second electrode 20, and the like.
  • ⁇ Sealing film formation process (barrier film formation process)>
  • a thin film of silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, aluminum oxide or the like is formed with a thickness of about 100 nm by, for example, vapor deposition.
  • the first inorganic film 26 is formed.
  • a thin film of polyacrylate, polyurea, parylene (polyparaxylylene), polyimide, polyamide, or the like is formed on the surface of the first inorganic film 26 by a vapor deposition method with a thickness of about 3 ⁇ m using a vapor deposition mask.
  • the first organic film 27 having the first through hole 27h is formed.
  • a second inorganic film 28 is formed on the surface of the first organic film 27 by depositing a thin film of silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, aluminum oxide or the like with a thickness of about 100 nm, for example, by vapor deposition. Form.
  • the second inorganic film 28 is formed by depositing a thin film of polyacrylate, polyurea, parylene, polyimide, polyamide or the like on the surface of the second inorganic film 28 with a thickness of about 3 ⁇ m using a vapor deposition mask, for example.
  • a second organic film 29 having a through hole 29h is formed.
  • a third inorganic film 30 is formed on the surface of the second organic film 29 by depositing a thin film of silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, aluminum oxide or the like to a thickness of about 100 nm by, for example, vapor deposition. Then, the sealing film 31a is formed.
  • the organic EL display device 50a of this embodiment can be manufactured.
  • the organic EL display device 50a and the manufacturing method thereof of the present embodiment in the sealing film forming process, the deterioration of the organic EL element 25 formed on the base substrate 10a in the EL element forming process is suppressed.
  • the stress generated at each interface of the laminated film of the first inorganic film 26, the first organic film 27, the second inorganic film 28, the second organic film 29, and the third inorganic film 30 is applied to the first organic film 27 and the first organic film 27.
  • Each of the two organic films 29 can be dispersed and relaxed, and the first inorganic film 26, the first organic film 27, the second inorganic film 28, the second organic film 29, and the third inorganic film 30 are stacked. Since peeling at each interface can be suppressed, peeling at the interface between the inorganic film and the organic film due to stress generated at the interface between the inorganic film and the organic film constituting the sealing film 31a can be suppressed. .
  • the first organic film 27 and the second organic film 29 are formed by the vacuum film forming method, and thus the organic film is formed in a dot shape (island shape).
  • the opening ratio of the film formation mask (evaporation mask) for shielding the film formation particles is higher than the case where the first organic film 27 and the second organic film 29 are reduced in film formation speed. Can do.
  • the first organic film 27 and the second through hole 29h are not overlapped with each other in the sealing film forming step. Since the second organic film 29 is formed, even if pinholes or cracks are formed in the first inorganic film 26 or the second inorganic film 28, the pinholes or cracks are generated in the first organic film 27 or the second organic film 29. As a result, the deterioration of the barrier properties of the sealing film 31a can be suppressed.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of the organic EL display device 50b of this embodiment.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of the base coat film 6 constituting the organic EL display device 50b.
  • the same portions as those in FIGS. 1 to 10 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
  • the organic EL display device 50a provided with the sealing film 31a (31b) as the barrier film is exemplified.
  • the organic EL display device 50b provided with the base coat film 6 as the barrier film Is illustrated.
  • the organic EL display device 50b includes, for example, a base substrate 10b such as a plastic substrate, and a base coat film 6 provided on the base substrate 10b as a barrier film for suppressing deterioration of the organic EL element 25.
  • a base substrate 10b such as a plastic substrate
  • a base coat film 6 provided on the base substrate 10b as a barrier film for suppressing deterioration of the organic EL element 25.
  • the base substrate 10b and the sealing substrate 33 are provided with a sealing resin 34 provided in a frame shape so as to adhere to each other.
  • the base coat film 6 includes a first inorganic film 1, a first organic film 2, a second inorganic film 3, a second organic film 4, and a third inorganic film 5 provided in this order from the base substrate 10 b side. It has.
  • the first organic film 2 is provided with a plurality of first through holes 2h each formed in a linear shape so that the first inorganic film 1 and the second inorganic film 3 are in contact with each other. It has been.
  • the second organic film 4 is provided with a plurality of second through holes 4h each formed in a linear shape so that the second inorganic film 3 and the third inorganic film 5 are brought into contact with each other. It has been.
  • the first organic film 2 and the second organic film 4 are provided so that the first through holes 2h do not overlap the second through holes 4h.
  • the first organic film 2 and the second organic film 4 having the linear first through hole 2h and the second through hole 4h, respectively, are suitable by, for example, a vacuum film forming method such as a CVD method, a vapor deposition method, or a sputtering method. Formed.
  • the sealing film 32 is made of, for example, an inorganic film such as silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, or aluminum oxide.
  • the sealing substrate 33 is, for example, a metal plate, a glass substrate, a plastic substrate on which a base coat film having the same configuration as the base coat film 6 is formed.
  • the sealing resin 34 is made of, for example, an ultraviolet curable epoxy resin.
  • the inside of the space surrounded by the sealing film 32, the sealing substrate 33, and the sealing resin 34 is filled with an inert gas such as argon or an organic resin.
  • the organic resin may contain a desiccant or an oxygen absorbent.
  • a sheet material containing a desiccant or an oxygen absorbent is attached to the inside of the space surrounded by the sealing film 32, the sealing substrate 33, and the sealing resin 34, or the desiccant or the oxygen absorbent is added.
  • the sealing film 32 may be omitted as long as the barrier properties of the sealing substrate 33 and the sealing resin 34 can be sufficiently ensured.
  • the manufacturing method of the organic EL display device 50b of this embodiment includes a base coat film forming step, an EL element forming step, and a sealing step.
  • the first inorganic film 1 is formed on the surface of the base substrate 10b such as a plastic substrate by depositing a thin film of silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, aluminum oxide or the like with a thickness of about 100 nm by vapor deposition. Form.
  • a thin film of polyacrylate, polyurea, parylene, polyimide, polyamide, or the like is formed on the surface of the first inorganic film 1 with a thickness of about 3 ⁇ m by using, for example, a vapor deposition method.
  • a first organic film 2 having one through hole 2h is formed.
  • a thin film such as silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, aluminum oxide or the like is formed on the surface of the first organic film 2 by a vapor deposition method, for example, to a thickness of about 100 nm, thereby forming the second inorganic film 3.
  • the second inorganic film 3 is formed by depositing a thin film of polyacrylate, polyurea, parylene, polyimide, polyamide, etc. on the surface of the second inorganic film 3 with a thickness of about 3 ⁇ m using a vapor deposition mask, for example.
  • a second organic film 4 having a through hole 4h is formed.
  • a third inorganic film 5 is formed on the surface of the second organic film 4 by depositing a thin film of silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, aluminum oxide, or the like with a thickness of about 100 nm, for example, by vapor deposition. Then, a base coat film 6 covering the surface of the base substrate 10b is formed.
  • a gate line 11, a source line 12a, a power supply line 12b, a first TFT 13a, a second TFT 13b, a capacitor 13c, and an interlayer insulating film 14 are formed on the surface of the base coat film 6 formed in the base coat film forming step using a known method.
  • the organic EL element 25 is formed by forming the electrode 15, the edge cover 16, the hole injection layer and hole transport layer 17, the light emitting layer 18, the electron transport layer and electron injection layer 19, and the second electrode 20. .
  • a thin film made of silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, aluminum oxide or the like is formed to a thickness of 100 nm on the surface of the organic EL element 25 (second electrode 20) formed in the EL element forming step by, for example, vapor deposition.
  • the sealing film 32 is formed by forming the film to the extent.
  • a sealing resin 34 is formed in a frame shape on the edge of the sealing film 32.
  • the sealing resin 34 is cured.
  • the organic EL display device 50b of this embodiment can be manufactured.
  • the deterioration of the organic EL element 25 formed on the base substrate 10b in the EL element forming process is suppressed in the base coat film forming process.
  • the base coat film 6 the first inorganic film 1, the first organic film 2 provided with a plurality of first through holes 2 h penetrating in the thickness direction, the second inorganic film 3, and the plurality of second through holes 4 h Is formed by sequentially forming the second organic film 4 and the third inorganic film 5 provided so as to penetrate in the thickness direction, the first organic film 2 and the second organic film 4 are each formed of the entire film. It is connected.
  • the stress generated at each interface of the laminated film of the first inorganic film 1, the first organic film 2, the second inorganic film 3, the second organic film 4, and the third inorganic film 5 is applied to the first organic film 2 and the first organic film 2.
  • 2 can be dispersed and relaxed in the whole of the organic film 4, and can be a laminated film of the first inorganic film 1, the first organic film 2, the second inorganic film 3, the second organic film 4 and the third inorganic film 5. Since peeling at each interface can be suppressed, peeling at the interface between the inorganic film and the organic film due to stress generated at the interface between the inorganic film and the organic film constituting the base coat film 6 can be suppressed.
  • the organic EL display device 50b using a plastic substrate as the base substrate 10b and the manufacturing method thereof are exemplified, but the base coat film 6 (barrier film) is used even when a glass substrate is used as the base substrate 10b.
  • the base coat film 6 carrier film
  • a barrier film is not necessary for the purpose of suppressing the oxygen and moisture permeation.
  • a thin glass substrate having a thickness of about 50 ⁇ m is used.
  • the barrier film is formed as a base coat film on the glass substrate, the bending stress is dispersed and alleviated in the whole of the first organic film (2) and the second organic film (4). As a result, it is possible to prevent the organic EL element (25) from peeling from the base substrate (10b) when the organic EL display device is bent.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of the organic EL display device 50c of this embodiment.
  • the organic EL display device 50a provided with the sealing film 31a (31b) as the barrier film is illustrated.
  • the organic EL display device 50b provided with the base coat film 6 as the barrier film.
  • the organic EL display device 50c provided with the base coat film 6 and the sealing film 31a as the barrier film is illustrated.
  • the organic EL display device 50c includes, for example, a base substrate 10b such as a plastic substrate, and a base coat film 6 provided on the base substrate 10b as a barrier film for suppressing deterioration of the organic EL element 25. And an organic EL element 25 provided on the base coat film 6 and a sealing film 31a provided as a barrier film for covering the organic EL element 25 so as to suppress the deterioration of the organic EL element 25. .
  • the organic EL display device 50c of the present embodiment performs the sealing film forming process described in the first embodiment after sequentially performing the base coat film forming process and the EL element forming process described in the second embodiment. Can be manufactured.
  • the base coat film 6 for suppressing the deterioration of the organic EL element 25 formed on the base substrate 10b in the EL element forming process in the base coat film forming process.
  • the stress generated at each interface of the laminated film of the first inorganic film 1, the first organic film 2, the second inorganic film 3, the second organic film 4, and the third inorganic film 5 is applied to the first organic film 2 and the first organic film 2.
  • 2 can be dispersed and relaxed in the whole of the organic film 4, and can be a laminated film of the first inorganic film 1, the first organic film 2, the second inorganic film 3, the second organic film 4 and the third inorganic film 5. Separation at each interface can be suppressed.
  • the sealing film 31a for suppressing the deterioration of the organic EL element 25 formed on the base substrate 10b in the EL element forming step is used as the first inorganic film 26 and the plurality of first through holes.
  • the first organic film 27, the second inorganic film 28, and the second organic film 29 provided with a plurality of second through holes 29h penetrating in the thickness direction, Since the three inorganic films 30 are formed in order, the first organic film 27 and the second organic film 29 are connected to each other. Thereby, the stress generated at each interface of the laminated film of the first inorganic film 26, the first organic film 27, the second inorganic film 28, the second organic film 29, and the third inorganic film 30 is applied to the first organic film 27 and the first organic film 27.
  • Each of the two organic films 29 can be dispersed and relaxed, and the first inorganic film 26, the first organic film 27, the second inorganic film 28, the second organic film 29, and the third inorganic film 30 are stacked.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of the organic EL display device 50d of this embodiment.
  • the organic EL display devices 50a to 50c provided with at least one of the sealing film 31a (31b) and the base coat film 6 as the barrier film are exemplified.
  • the base coat film 6a is used as the barrier film.
  • An organic EL display device 50d provided with a protective film 6b and a sealing film 31a is illustrated.
  • the organic EL display device 50d includes, for example, a base substrate 10b such as a plastic substrate, and a base coat film 6a provided on the base substrate 10b as a barrier film for suppressing deterioration of the organic EL element 25.
  • a base substrate 10b such as a plastic substrate
  • a base coat film 6a provided on the base substrate 10b as a barrier film for suppressing deterioration of the organic EL element 25.
  • An organic EL element 25 provided on the base coat film 6a, a sealing film 31a provided as a barrier film for suppressing deterioration of the organic EL element 25 so as to cover the organic EL element 25, and a base substrate 10b
  • a protective film 6b provided as a barrier film for suppressing the deterioration of the organic EL element 25 on the back surface (the surface opposite to the organic EL element 25).
  • the base coat film 6a and the protective film 6b have substantially the same configuration as the base coat film 6 described in the second embodiment.
  • the organic EL display device 50d of the present embodiment performs the EL element forming process after the base coat film forming process described in the second embodiment is performed on the front surface and the back surface of the base substrate 10b, and then the above embodiment. It can be manufactured by performing the sealing film forming step described in 1.
  • the base coat film 6a for suppressing deterioration of the organic EL element 25 formed on the base substrate 10b in the EL element forming process and
  • the first inorganic film 1, the first organic film 2 provided with a plurality of first through holes 2h penetrating in the thickness direction, the second inorganic film 3, and the plurality of second through holes 4h are thick. Since the second organic film 4 and the third inorganic film 5 that are provided penetrating in the vertical direction are formed in order, the first organic film 2 and the second organic film 4 are connected to each other as a whole. ing.
  • the stress generated at each interface of the laminated film of the first inorganic film 1, the first organic film 2, the second inorganic film 3, the second organic film 4, and the third inorganic film 5 is applied to the first organic film 2 and the first organic film 2.
  • 2 can be dispersed and relaxed in the whole of the organic film 4, and can be a laminated film of the first inorganic film 1, the first organic film 2, the second inorganic film 3, the second organic film 4 and the third inorganic film 5. Separation at each interface can be suppressed.
  • the sealing film 31a for suppressing the deterioration of the organic EL element 25 formed on the base substrate 10b in the EL element forming step is used as the first inorganic film 26 and the plurality of first through holes.
  • the first organic film 27, the second inorganic film 28, and the second organic film 29 provided with a plurality of second through holes 29h penetrating in the thickness direction, Since the three inorganic films 30 are formed in order, the first organic film 27 and the second organic film 29 are connected to each other. Thereby, the stress generated at each interface of the laminated film of the first inorganic film 26, the first organic film 27, the second inorganic film 28, the second organic film 29, and the third inorganic film 30 is applied to the first organic film 27 and the first organic film 27.
  • Each of the two organic films 29 can be dispersed and relaxed, and the first inorganic film 26, the first organic film 27, the second inorganic film 28, the second organic film 29, and the third inorganic film 30 are stacked.
  • the protective film 6b is formed on the back surface of the base substrate 10b, so that the amount of oxygen and moisture that permeate the base substrate 10b can be further reduced. And deterioration of the organic EL element 25 can be further suppressed.
  • each inorganic film and each organic film is each formed of a single-layer film.
  • each inorganic film and each organic film is The present invention can also be applied to an organic EL display device including a barrier film that is formed of a laminated film.
  • an organic EL display device of a three-color light emission method (three-color painting method) is exemplified, but the present invention is not limited to a color filter method (white method) or a color conversion method. The present invention can also be applied to an organic EL display device.
  • an active matrix driving type organic EL display device is illustrated, but the present invention can also be applied to a passive matrix driving type organic EL display device.
  • the present invention can suppress the peeling at the interface between the inorganic film and the organic film due to the stress generated at the interface between the inorganic film and the organic film constituting the barrier film. This is useful for flexible organic EL display devices that require stress resistance.

Landscapes

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Description

有機エレクトロルミネセンス表示装置及びその製造方法
　本発明は、有機エレクトロルミネセンス表示装置及びその製造方法に関し、特に、無機膜及び有機膜が積層されたバリア膜を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置及びその製造方法に関するものである。
　有機エレクトロルミネセンス（electroluminescence、以下、「ＥＬ」とも称する）素子を有する有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子の劣化を抑制するために、有機ＥＬ素子を覆うように、又はプラスチック基板を用いる場合には、そのプラスチック基板の基板表面を覆うように、無機膜及び有機膜が積層されたバリア膜を設けて、水分や酸素の混入を抑制する構造が提案されている。
　例えば、特許文献１には、上記有機ＥＬ素子を構成する対向電極（陰極）上にＳｉＯ２膜及びＡｌ膜を順に真空蒸着することにより設けられた第１のバリア層と、その第１のバリア層上にポリエチレングリコールアクリレートを真空蒸着した後に、硬化させることにより設けられた樹脂層と、その樹脂層上にＡｌ膜及びＳｉＯ２膜を順に真空蒸着することにより設けられた第２のバリア層とにより、上記バリア膜に相当する封止層が構成された有機ＥＬ表示素子が開示されている。
　また、特許文献２には、上記有機ＥＬ素子を構成する陰極膜上にポリマー材料層及び無機材料薄膜の積層膜が上記バリア膜として設けられた電界発光素子が開示されている。
　また、特許文献３には、上記有機ＥＬ素子に相当する素子部上に有機層及び無機層が交互に積層されたバリア層が上記バリア膜として設けられた有機電界発光素子が開示されている。
特開２００１－３０７８７３号公報 特開２００２－２５２０８０号公報 特開２００３－１７２４４号公報 特開２００３－２８２２３９号公報
　ところで、バリア膜を構成する無機膜及び有機膜は、互いの密着性が高くないので、バリア膜では、無機膜及び有機膜の界面で剥離が発生するおそれがある。そうなると、無機膜及び有機膜の剥離した界面から水分や酸素が浸入するので、有機ＥＬ素子が劣化してしまう。また、屈曲性を有するプラスチック基板（フィルム基板）をベース基板として用いる有機ＥＬ表示装置では、その基板の屈曲に起因して、無機膜及び有機膜の界面に曲げ応力が発生するので、無機膜及び有機膜の界面で剥離が発生し易くなってしまう。さらに、無機膜及び有機膜では、熱膨張係数に差があるので、温度変化に起因して、無機膜及び有機膜の界面に熱応力が発生することにより、無機膜及び有機膜の界面で剥離が発生し易くなってしまう。
　そこで、上記特許文献４には、第１の無機バリア層、ドット状の高分子化合物層の第１の群、中間の第２の無機バリア層、ドット状の高分子化合物層の第２の群、中間の第３の無機バリア層、ドット状の高分子化合物層の第３の群、及び最表面の第４の無機バリア層を樹脂基板上に順に積層することにより、包接無機バリア層が上記バリア膜として設けられた有機ＥＬ表示パネルが提案されている。
　ここで、上記特許文献４に開示された有機ＥＬ表示パネルでは、高分子化合物層の有機膜が島状にパターニングされているので、有機膜を挟持する一対の無機膜同士が接触することにより、無機膜及び有機膜の界面で剥離がある程度発生し難くなるものの、上述したように、無機膜及び有機膜の界面に熱応力や曲げ応力が発生した場合には、その応力が互いに独立する複数のドット状（島状）の有機膜のパターンにそれぞれ加わり、その応力の分散及び緩和が難くなって、無機膜及び有機膜の界面で剥離が発生するおそれがあるので、改善の余地がある。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、バリア膜を構成する無機膜及び有機膜の界面で発生する応力に起因する無機膜及び有機膜の界面での剥離を抑制することにある。
　上記目的を達成するために、本発明は、第１無機膜、複数の第１貫通孔が設けられた第１有機膜、第２無機膜、複数の第２貫通孔が設けられた第２有機膜、及び第３無機膜を順に積層して、バリア膜を構成するようにしたものである。
　具体的に本発明に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置は、ベース基板と、上記ベース基板に設けられた有機エレクトロルミネセンス素子と、上記有機エレクトロルミネセンス素子の劣化を抑制するバリア膜とを備え、上記バリア膜は、上記ベース基板側から順に設けられた第１無機膜、第２無機膜及び第３無機膜と、該第１無機膜及び第２無機膜の間に設けられた第１有機膜と、該第２無機膜及び第３無機膜の間に設けられた第２有機膜とを有し、上記第１有機膜には、上記第１無機膜及び第２無機膜を互いに接触させる複数の第１貫通孔が設けられ、上記第２有機膜には、上記第２無機膜及び第３無機膜を互いに接触させる複数の第２貫通孔が設けられている。
　上記第１貫通孔は、上記第２貫通孔に重ならないように設けられていてもよい。
　上記第１貫通孔及び第２貫通孔は、線状にそれぞれ設けられていてもよい。
　上記第１貫通孔及び第２貫通孔は、点状にそれぞれ設けられていてもよい。
　なお、第１貫通孔及び第２貫通孔が点状にそれぞれ設けられた第１有機膜及び第２有機膜は、上記特許文献４に開示されたドット状の高分子化合物層において、高分子化合物層が配置された領域と高分子化合物層が配置されていない領域とをちょうど反転させた構造になっている。
　上記バリア膜は、上記有機エレクトロルミネセンス素子を覆う封止膜であってもよい。
　上記バリア膜は、上記ベース基板の上記有機エレクトロルミネセンス素子側の表面に設けられたベースコート膜であってもよい。
　上記バリア膜は、上記ベース基板の上記有機エレクトロルミネセンス素子と反対側の表面に設けられた保護膜であってよい。
　また、本発明に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置は、ベース基板と、上記ベース基板に設けられた有機エレクトロルミネセンス素子と、上記有機エレクトロルミネセンス素子の劣化を抑制するバリア膜とを備え、上記バリア膜は、上記ベース基板側から順に設けられた第１～第ｎ（ｎは３以上の自然数）の無機膜と、該隣り合う無機膜の同士の間に上記ベース基板側から順にそれぞれ設けられた第１～第（ｎ－１）の有機膜とを有し、上記第１～第（ｎ－１）の有機膜には、当該有機膜に隣り合う無機膜同士を互いに接触させる複数の貫通孔がそれぞれ設けられ、上記第１～第（ｎ－１）の有機膜の少なくとも１層は、当該有機膜と異なる他の有機膜の少なくとも１層に設けられた各貫通孔と平面視で互いに重なっている。
　また、本発明に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法は、ベース基板に有機エレクトロルミネセンス素子を形成するＥＬ素子形成工程と、上記有機エレクトロルミネセンス素子の劣化を抑制するバリア膜を形成するバリア膜形成工程とを備える有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法であって、上記バリア膜形成工程では、第１無機膜、複数の第１貫通孔が厚さ方向に貫通して設けられた第１有機膜、第２無機膜、複数の第２貫通孔が厚さ方向に貫通して設けられた第２有機膜、及び第３無機膜を順に形成する。
　上記バリア膜形成工程では、上記第１貫通孔及び第２貫通孔が互いに重ならないように、上記第１有機膜及び第２有機膜を形成してもよい。
　上記バリア膜形成工程では、上記第１有機膜及び第２有機膜を真空成膜法により形成してもよい。
　上記バリア膜形成工程では、上記第１有機膜及び第２有機膜を印刷法又はフォトリソグラフィ法により形成してもよい。
　上記バリア膜形成工程は、上記ＥＬ素子形成工程の後に行われ、上記バリア膜形成工程では、上記バリア膜として、上記有機エレクトロルミネセンス素子を覆う封止膜を形成してもよい。
　上記バリア膜形成工程は、上記ＥＬ素子形成工程の前に行われ、上記バリア膜形成工程では、上記バリア膜として、上記ベース基板の上記有機エレクトロルミネセンス素子側の表面を覆うベースコート膜を形成してもよい。
　上記バリア膜形成工程は、上記ＥＬ素子形成工程の前に行われ、上記バリア膜形成工程では、上記バリア膜として、上記ベース基板の上記有機エレクトロルミネセンス素子と反対側の表面を覆う保護膜を形成してもよい。
　本発明によれば、第１無機膜、複数の第１貫通孔が設けられた第１有機膜、第２無機膜、複数の第２貫通孔が設けられた第２有機膜、及び第３無機膜を順に積層して、バリア膜が構成されているので、バリア膜を構成する無機膜及び有機膜の界面で発生する応力に起因する無機膜及び有機膜の界面での剥離を抑制することができる。
図１は、実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。 図２は、実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の画素構造を示す平面図である。 図３は、実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子の等価回路図である。 図４は、実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置を構成するバリア膜の貫通孔の構造を示す平面図である。 図５は、図４中のV－V線に沿ったバリア膜の断面図である。 図６は、実施形態１に係るバリア膜の変形例１の貫通孔の構造を示す平面図である。 図７は、実施形態１に係るバリア膜の変形例２の貫通孔の構造を示す平面図である。 図８は、実施形態１に係るバリア膜の変形例３の貫通孔の構造を示す平面図である。 図９は、実施形態１に係るバリア膜の変形例４の貫通孔の構造を示す平面図である。 図１０は、実施形態１に係るバリア膜の変形例５を示す断面図である。 図１１は、実施形態２に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。 図１２は、実施形態２に係る有機ＥＬ表示装置を構成するバリア膜の断面図である。 図１３は、実施形態３に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。 図１４は、実施形態４に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
　《発明の実施形態１》
　図１～図１０は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置及びその製造方法の実施形態１を示している。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの断面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０ａの画素構造を示す平面図である。なお、図１は、図２中のＡ－Ａ線に沿った断面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ素子２５の等価回路図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する封止膜３１ａの貫通孔の構造Ｈａを示す平面図である。さらに、図５は、図４中のV－V線に沿った封止膜３１ａの断面図である。
　有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、例えば、ガラス基板などのベース基板１０ａと、ベース基板１０ａに設けられた有機ＥＬ素子２５と、有機ＥＬ素子２５を覆うように有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するためのバリア膜として設けられた封止膜３１ａとを備えている。ここで、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域（不図示）には、各々、画像の最小単位である複数のサブ画素Ｐ（図２参照）がマトリクス状に配置されている。また、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域では、図２に示すように、赤色の階調表示を行うための発光領域Ｌｒを有するサブ画素Ｐ、緑色の階調表示を行うための発光領域Ｌｇを有するサブ画素Ｐ、及び青色の階調表示を行うための発光領域Ｌｂを有するサブ画素Ｐが互いに隣り合うように設けられ、それらの隣り合う３つのサブ画素Ｐにより１つの画素が構成されている。
　有機ＥＬ素子２５は、図１～図３に示すように、ベース基板１０ａ上に互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線１１と、各ゲート線１１と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線１２ａと、各ゲート線１１と直交する方向に各ソース線１２ａと隣り合って互いに平行に延びるように設けられた複数の電源線１２ｂと、各ゲート線１１及び各ソース線１２ａの交差部分毎、すなわち、各サブ画素Ｐ毎にそれぞれ設けられ、対応するゲート線１１及びソース線１２ａに接続された複数の第１ＴＦＴ１３ａと、各サブ画素Ｐ毎にそれぞれ設けられ、対応する第１ＴＦＴ１３ａ及び電源線１２ｂに接続された複数の第２ＴＦＴ１３ｂと、各サブ画素Ｐ毎にそれぞれ設けられ、対応する第１ＴＦＴ１３ａ及び電源線１２ｂに接続された複数のキャパシタ１３ｃと、各第１ＴＦＴ１３ａ、各第２ＴＦＴ１３ｂ及び各キャパシタ１３ｃを覆うように設けられた層間絶縁膜１４と、層間絶縁膜１４上に各サブ画素Ｐ毎に陽極としてそれぞれ設けられ、対応する第１ＴＦＴ１３ａ（及び第２ＴＦＴ１３ｂ）に接続された複数の第１電極１５と、各第１電極１５の端縁部を覆うように格子状に設けられたエッジカバー１６と、各第１電極１５及びエッジカバー１６を覆うように順に設けられた正孔注入層及び正孔輸送層１７と、正孔注入層及び正孔輸送層１７上に各サブ画素Ｐ毎にそれぞれ設けられた複数の発光層１８と、各発光層１８を覆うように順に設けられた電子輸送層及び電子注入層１９と、電子輸送層及び電子注入層１９を覆うように陰極として設けられた第２電極２０とを備えている。ここで、第１電極１５及び第２電極２０の間には、必要に応じて正孔や電子といったキャリアの流れをせき止めるためのキャリアブロッキング層が挿入されていてもよい。なお、正孔注入層及び正孔輸送層１７並びに電子輸送層及び電子注入層１９は、適宜省略されていてもよい。
　第１ＴＦＴ１３ａ及び第２ＴＦＴ１３ｂは、例えば、ボトムゲート型又はトップゲート型のＴＦＴである。
　キャパシタ１３ｃは、例えば、ゲート線１１と同一材料により同一層に形成された一方の電極と、ソース線１２ａと同一材料により同一層に形成された他方の電極と、それらの一対の電極の間に設けられたゲート絶縁膜とにより構成されている。
　層間絶縁膜１４及びエッジカバー１６は、例えば、感光性を有するアクリル樹脂やポリイミド樹脂などにより形成されている。
　第１電極１５及び第２電極２０は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide：インジウム亜鉛酸化物）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）などの透明導電膜、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）などの金属膜、又はそれらの積層膜により形成されている。また、第１電極１５及び第２電極２０は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、印刷法などにより好適に形成される。ここで、第１電極１５が光透過性又は光半透過性を有し、第２電極２０が光反射性を有している場合には、ベース基板１０ａ側から光出射するボトムエミッション型の表示装置が構成され、第１電極１５が光反射性を有し、また、第２電極２０が光透過性又は光半透過性を有している場合には、封止膜３１ａ側から光出射するトップエミッション型の表示装置が構成される。
　正孔注入層及び正孔輸送層１７は、第１電極１５から発光層１８への正孔注入効率を高める機能、及び発光層１８への正孔輸送効率を高める機能を有し、例えば、アントラセン、アザトリフェニレン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、オキザゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、これらの誘導体、チオフェン系化合物、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、アニリン系化合物などの鎖状式若しくは複素環式共役系のモノマー、オリゴマー、又はポリマーなどにより形成されている。また、正孔注入層及び正孔輸送層１７は、上記のように、正孔注入効率を高める機能及び正孔輸送効率を高める機能の双方を有する１つの層であっても、正孔注入効率を高める機能を有する１つの層と、正孔輸送効率を高める機能を有する１つの層との積層膜であってもよい。さらに、正孔注入層及び正孔輸送層１７は、例えば、真空蒸着法などにより好適に形成される。
　複数の発光層１８は、第１電極１５側から注入された正孔と第２電極２０側から注入された電子とを再結合させて光を出射する機能をそれぞれ有し、例えば、赤色の階調表示を行うための発光領域Ｌｒに設けられた発光層１８ｒと、緑色の階調表示を行うための発光領域Ｌｇに設けられた発光層１８ｇと、青色の階調表示を行うための発光領域Ｌｂに設けられた発光層１８ｂとにより構成されている。また、発光層１８は、例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、これらの誘導体、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム錯体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体、ジトルイルビニルビフェニル、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾールなどのような低分子蛍光色素や金属錯体などの発光効率が高い材料により形成されている。さらに、発光層１８は、例えば、真空蒸着法などにより好適に形成される。
　電子輸送層及び電子注入層１９は、発光層１８への電子輸送効率を高める機能、及び第２電極１５から発光層１８への電子注入効率を高める機能を有し、例えば、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェニルキノキサリン誘導体、シロール誘導体などにより形成されている。また、電子輸送層及び電子注入層１９は、上記のように、電子輸送効率を高める機能及び電子注入効率を高める機能の双方を有する１つの層であっても、電子輸送効率を高める機能を有する１つの層と、電子注入効率を高める機能を有する１つの層との積層膜であってもよい。さらに、電子輸送層及び電子注入層１９は、例えば、真空蒸着法などにより好適に形成される。
　封止膜３１ａは、図５に示すように、ベース基板１０ａ側から順に設けられた第１無機膜２６、第１有機膜２７、第２無機膜２８、第２有機膜２９及び第３無機膜３０を備えている。
　第１有機膜２７には、図５に示すように、第１無機膜２６及び第２無機膜２８を互いに接触させるように、各々、線状に形成された複数の第１貫通孔２７ｈが設けられている。
　第２有機膜２９には、図５に示すように、第２無機膜２８及び第３無機膜３０を互いに接触させるように、各々、線状に形成された複数の第２貫通孔２９ｈが設けられている。
　第１有機膜２７及び第２有機膜２９は、図４に示すように、各第１貫通孔２７ｈが各第２貫通孔２９ｈに重ならないように配置された貫通孔構造Ｈａを有している。なお、これらの線状の第１貫通孔２７ｈ及び第２貫通孔２９ｈをそれぞれ有する第１有機膜２７及び第２有機膜２９は、例えば、ＣＶＤ法、蒸着法、スパッタリング法などの真空成膜法により好適に形成される。
　図６～図９は、封止膜３１ａの変形例１～４の各貫通孔の構造Ｈｂ～Ｈｅをそれぞれ示す平面図である。
　変形例１の貫通孔構造Ｈｂでは、図６に示すように、線状の第１貫通孔２７ｈ及び第２貫通孔２９ｈが図中縦方向に延びるように、交互に整列状態に設けられている。なお、これらの線状の第１貫通孔２７ｈ及び第２貫通孔２９ｈをそれぞれ有する第１有機膜２７及び第２有機膜２９は、例えば、ＣＶＤ法、蒸着法、スパッタリング法などの真空成膜法により好適に形成される。
　変形例２の貫通孔構造Ｈｃは、図７に示すように、線状の第１貫通孔２７ｈ及び第２貫通孔２９ｈが図中縦方向及び横方向に延びるように、ランダムに設けられている。なお、これらの線状の第１貫通孔２７ｈ及び第２貫通孔２９ｈをそれぞれ有する第１有機膜２７及び第２有機膜２９は、例えば、ＣＶＤ法、蒸着法、スパッタリング法などの真空成膜法により好適に形成される。
　変形例３の貫通孔構造Ｈｄは、図８に示すように、点状の第１貫通孔２７ｈ及び第２貫通孔２９ｈがランダムに設けられている。なお、これらの点状の第１貫通孔２７ｈ及び第２貫通孔２９ｈをそれぞれ有する第１有機膜２７及び第２有機膜２９は、印刷法又はフォトリソグラフィ法により好適に形成される。
　変形例４の貫通孔構造Ｈｅは、図９に示すように、矩形状の第１貫通孔２７ｈ及び第２貫通孔２９ｈが交互に整列状態に設けられている。なお、これらの矩形状の第１貫通孔２７ｈ及び第２貫通孔２９ｈをそれぞれ有する第１有機膜２７及び第２有機膜２９は、印刷法又はフォトリソグラフィ法により好適に形成される。
　図１０は、封止膜３１ａの変形例５の封止膜３１ｂを示す断面図である。ここで、本実施形態及び変形例１～４では、第１貫通孔２７が第２貫通孔２９ｈに重ならない貫通孔構造Ｈａ～Ｈｅを例示したが、封止膜が互いに独立する３層以上の有機膜を有している場合には、下記の封止膜３１ｂのように、第１貫通孔２７が第２貫通孔２９ｈに重なっていてもよい。
　具体的に、封止膜３１ｂは、図１０に示すように、ベース基板１０ａ側から順に設けられた第１の無機膜２６、第１の有機膜２７、第２の無機膜２８、第２の有機膜２９、第３の無機膜３０、…、第（ｎ－２）の有機膜Ｆｗ（ｎは、５以上の整数）、第（ｎ－１）の無機膜Ｆｘ、第（ｎ－１）の有機膜Ｆｙ、第ｎの無機膜Ｆｚを備えている。ここで、封止膜３１ｂでは、図１０に示すように、第１の有機膜２７、第２の有機膜２９、…、第（ｎ－２）の有機膜Ｆｗにおいて貫通孔が重なっているので、第２無機膜２８に形成されたピンホールＰｈがその図中上層側の無機膜にも連続して形成されているものの、ピンホールＰｈが第（ｎ－１）の有機膜Ｆｙに被覆されているので、第ｎ無機膜Ｆｚには、ピンホール（Ｐｈ）が形成されていない。なお、本変形例では、第１の有機膜２７、第２の有機膜２９、…、第（ｎ－２）の有機膜Ｆｗにおいて貫通孔が重なり、それらの互いに重なる貫通孔が第（ｎ－１）の有機膜Ｆｙの貫通孔に重ならない構成、すなわち、第１～第（ｎ－１）の有機膜の少なくとも１層が当該有機膜と異なる他の有機膜の少なくとも１層に設けられた各貫通孔と平面視で互いに重なっていることにより、無機膜に形成されたピンポール（Ｐｈ）が何れか１層の有機膜により必ず被覆される構成を例示したが、第１～第（ｎ－１）の有機膜に形成された各貫通孔が互いに重ならない構成がさらによいことは、言うまでもない。
　上記構成の有機ＥＬ表示装置５０ａは、各サブ画素Ｐにおいて、ゲート線１１を介して第１ＴＦＴ１３ａにゲート信号を入力することにより、第１ＴＦＴ１３ａをオン状態にし、ソース線１２ａを介して第２ＴＦＴ１３ｂのゲート電極及びキャパシタ１３ｃにソース信号に対応する所定の電圧を書き込み、第２ＴＦＴ１３ｂのゲート電圧に基づいて電源線１２ｂからの電流の大きさが規定され、その規定された電流が発光層１８に供給されることにより、発光層１８が発光して、画像表示を行うように構成されている。なお、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、第１ＴＦＴ１３ａがオフ状態になっても、第２ＴＦＴ１３ｂのゲート電圧がキャパシタ１３ｃによって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで発光層１８による発光が維持される。
　次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法について説明する。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法は、ＥＬ素子形成工程及び封止膜形成工程を備える。
　＜ＥＬ素子形成工程＞
　例えば、ガラス基板などのベース基板１０ａの表面に、周知の方法を用いて、ゲート線１１、ソース線１２ａ、電源線１２ｂ、第１ＴＦＴ１３ａ、第２ＴＦＴ１３ｂ、キャパシタ１３ｃ、層間絶縁膜１４、第１電極１５、エッジカバー１６、正孔注入層及び正孔輸送層１７、発光層１８、電子輸送層及び電子注入層１９、並びに第２電極２０などを形成することにより、有機ＥＬ素子２５を形成する。
　＜封止膜形成工程（バリア膜形成工程）＞
　上記ＥＬ素子形成工程で形成された有機ＥＬ素子２５（第２電極２０）の表面に、例えば、蒸着法により、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの薄膜を厚さ１００ｎｍ程度で成膜することにより、第１無機膜２６を形成する。
　続いて、第１無機膜２６の表面に、例えば、蒸着法により、ポリアクリレート、ポリ尿素、パリレン（ポリパラキシリレン）、ポリイミド、ポリアミドなどの薄膜を厚さ３μｍ程度で蒸着マスクを用いて成膜することにより、第１貫通孔２７ｈを有する第１有機膜２７を形成する。
　その後、第１有機膜２７の表面に、例えば、蒸着法により、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの薄膜を厚さ１００ｎｍ程度で成膜することにより、第２無機膜２８を形成する。
　さらに、第２無機膜２８の表面に、例えば、蒸着法により、ポリアクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミドなどの薄膜を厚さ３μｍ程度で蒸着マスクを用いて成膜することにより、第２貫通孔２９ｈを有する第２有機膜２９を形成する。
　最後に、第２有機膜２９の表面に、例えば、蒸着法により、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの薄膜を厚さ１００ｎｍ程度で成膜することにより、第３無機膜３０を形成して、封止膜３１ａを形成する。
　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａを製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａ及びその製造方法によれば、封止膜形成工程において、ＥＬ素子形成工程でベース基板１０ａに形成された有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するための封止膜３１ａを、第１無機膜２６、複数の第１貫通孔２７ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第１有機膜２７、第２無機膜２８、複数の第２貫通孔２９ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第２有機膜２９、及び第３無機膜３０を順に形成することにより形成するので、第１有機膜２７及び第２有機膜２９は、それぞれ膜全体が繋がっている。これにより、第１無機膜２６、第１有機膜２７、第２無機膜２８、第２有機膜２９及び第３無機膜３０の積層膜の各界面で発生する応力を第１有機膜２７及び第２有機膜２９の各膜全体で分散及び緩和することができ、第１無機膜２６、第１有機膜２７、第２無機膜２８、第２有機膜２９及び第３無機膜３０の積層膜の各界面での剥離を抑制することができるので、封止膜３１ａを構成する無機膜及び有機膜の界面で発生する応力に起因する無機膜及び有機膜の界面での剥離を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法によれば、第１有機膜２７及び第２有機膜２９を真空成膜法により形成するので、有機膜をドット状（島状）に形成する場合よりも、成膜粒子を遮蔽するための成膜マスク（蒸着マスク）の開口比率が高くなることにより、第１有機膜２７及び第２有機膜２９の成膜速度の低下を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａ及びその製造方法によれば、封止膜形成工程では、第１貫通孔２７ｈ及び第２貫通孔２９ｈが互いに重ならないように、第１有機膜２７及び第２有機膜２９を形成するので、第１無機膜２６又は第２無機膜２８にピンホールやクラックが形成されていても、そのピンホールやクラックが第１有機膜２７又は第２有機膜２９で被覆されることになり、封止膜３１ａのバリア特性の低下を抑制することができる。
　《発明の実施形態２》
　図１１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの断面図である。また、図１２は、有機ＥＬ表示装置５０ｂを構成するベースコート膜６の断面図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図１０と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　上記実施形態１では、バリア膜として封止膜３１ａ（３１ｂ）が設けられた有機ＥＬ表示装置５０ａを例示したが、本実施形態では、バリア膜としてベースコート膜６が設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｂを例示する。
　有機ＥＬ表示装置５０ｂは、図１１に示すように、例えば、プラスチック基板などのベース基板１０ｂと、ベース基板１０ｂ上に有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するためのバリア膜として設けられたベースコート膜６と、ベースコート膜６上に設けられた有機ＥＬ素子２５と、有機ＥＬ素子２５を覆うように設けられた封止膜３２と、ベース基板１０ｂに対向するように設けられた封止基板３３と、ベース基板１０ｂ及び封止基板３３を互いに接着するように枠状に設けられた封止樹脂３４とを備えている。
　ベースコート膜６は、図１２に示すように、ベース基板１０ｂ側から順に設けられた第１無機膜１、第１有機膜２、第２無機膜３、第２有機膜４及び第３無機膜５を備えている。
　第１有機膜２には、図１２に示すように、第１無機膜１及び第２無機膜３を互いに接触させるように、各々、線状に形成された複数の第１貫通孔２ｈが設けられている。
　第２有機膜４には、図１２に示すように、第２無機膜３及び第３無機膜５を互いに接触させるように、各々、線状に形成された複数の第２貫通孔４ｈが設けられている。
　第１有機膜２及び第２有機膜４は、図１２に示すように、各第１貫通孔２ｈが各第２貫通孔４ｈに重ならないように設けられている。なお、線状の第１貫通孔２ｈ及び第２貫通孔４ｈをそれぞれ有する第１有機膜２及び第２有機膜４は、例えば、ＣＶＤ法、蒸着法、スパッタリング法などの真空成膜法により好適に形成される。
　封止膜３２は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機膜により形成されている。
　封止基板３３は、例えば、金属板、ガラス基板、ベースコート膜６と同じ構成のベースコート膜が形成されたプラスチック基板などである。
　封止樹脂３４は、例えば、紫外線硬化型のエポキシ樹脂などにより形成されている。
　封止膜３２、封止基板３３及び封止樹脂３４に囲まれた空間の内部には、アルゴンなどの不活性ガスや有機樹脂が充填されている。ここで、この有機樹脂には、乾燥剤や酸素吸収剤が含有されていてもよい。また、封止膜３２、封止基板３３及び封止樹脂３４に囲まれた空間の内部には、乾燥剤や酸素吸収剤を含有するシート材が貼付されていたり、乾燥剤や酸素吸収剤を含有する溶液が塗布されていたりしてもよい。さらに、有機ＥＬ表示装置５０ｂでは、封止基板３３及び封止樹脂３４のバリア性が十分に確保できるのであれば、封止膜３２が省略されていてもよい。
　次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの製造方法について説明する。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの製造方法は、ベースコート膜形成工程、ＥＬ素子形成工程及び封止工程を備える。
　＜ベースコート膜形成工程（バリア膜形成工程）＞
　例えば、プラスチック基板などのベース基板１０ｂの表面に、蒸着法により、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの薄膜を厚さ１００ｎｍ程度で成膜することにより、第１無機膜１を形成する。
　続いて、第１無機膜１の表面に、例えば、蒸着法により、ポリアクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミドなどの薄膜を厚さ３μｍ程度で蒸着マスクを用いて成膜することにより、第１貫通孔２ｈを有する第１有機膜２を形成する。
　その後、第１有機膜２の表面に、例えば、蒸着法により、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの薄膜を厚さ１００ｎｍ程度で成膜することにより、第２無機膜３を形成する。
　さらに、第２無機膜３の表面に、例えば、蒸着法により、ポリアクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミドなどの薄膜を厚さ３μｍ程度で蒸着マスクを用いて成膜することにより、第２貫通孔４ｈを有する第２有機膜４を形成する。
　最後に、第２有機膜４の表面に、例えば、蒸着法により、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの薄膜を厚さ１００ｎｍ程度で成膜することにより、第３無機膜５を形成して、ベース基板１０ｂの表面を覆うベースコート膜６を形成する。
　＜ＥＬ素子形成工程＞
　上記ベースコート膜形成工程で形成されたベースコート膜６の表面に、周知の方法を用いて、ゲート線１１、ソース線１２ａ、電源線１２ｂ、第１ＴＦＴ１３ａ、第２ＴＦＴ１３ｂ、キャパシタ１３ｃ、層間絶縁膜１４第１電極１５、エッジカバー１６、正孔注入層及び正孔輸送層１７、発光層１８、電子輸送層及び電子注入層１９、並びに第２電極２０などを形成することにより、有機ＥＬ素子２５を形成する。
　＜封止工程＞
　まず、上記ＥＬ素子形成工程で形成された有機ＥＬ素子２５（第２電極２０）の表面に、例えば、蒸着法により、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの薄膜を厚さ１００ｎｍ程度で成膜することにより、封止膜３２を形成する。
　続いて、封止膜３２の端縁部に封止樹脂３４を枠状に形成する。
　さらに、封止膜３２及び封止樹脂３４が形成された基板（ベース基板１０ｂ）と、封止基板３３とを不活性ガスの雰囲気下で貼り合わせ後に、封止樹脂３４を硬化させる。
　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂを製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂ及びその製造方法によれば、ベースコート膜形成工程において、ＥＬ素子形成工程でベース基板１０ｂに形成された有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するためのベースコート膜６を、第１無機膜１、複数の第１貫通孔２ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第１有機膜２、第２無機膜３、複数の第２貫通孔４ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第２有機膜４、及び第３無機膜５を順に形成することにより形成するので、第１有機膜２及び第２有機膜４は、それぞれ膜全体が繋がっている。これにより、第１無機膜１、第１有機膜２、第２無機膜３、第２有機膜４及び第３無機膜５の積層膜の各界面で発生する応力を第１有機膜２及び第２有機膜４の各膜全体で分散及び緩和することができ、第１無機膜１、第１有機膜２、第２無機膜３、第２有機膜４及び第３無機膜５の積層膜の各界面での剥離を抑制することができるので、ベースコート膜６を構成する無機膜及び有機膜の界面で発生する応力に起因する無機膜及び有機膜の界面での剥離を抑制することができる。
　なお、本実施形態では、ベース基板１０ｂとしてプラスチック基板を用いる有機ＥＬ表示装置５０ｂ及びその製造方法を例示したが、ベース基板１０ｂとしてガラス基板を用いる場合においても、ベースコート膜６（バリア膜）は、有用である。すなわち、ガラス基板は、酸素や水分の透過率が極めて低いので、酸素や水分の透過を抑制する目的でのバリア膜は必要がないものの、例えば、厚さ５０μｍ程度の薄型のガラス基板を用いて有機ＥＬ表示装置に屈曲性を付与する場合、曲げ応力によってベース基板（１０ｂ）から有機ＥＬ素子（２５）が剥離することが懸念される。そのような場合においても、バリア膜がベースコート膜としてガラス基板上に形成されていれば、曲げ応力を第１有機膜（２）及び第２有機膜（４）の各膜全体で分散及び緩和することができ、その結果、有機ＥＬ表示装置を屈曲させる際にベース基板（１０ｂ）から有機ＥＬ素子（２５）が剥離するのを抑制することができる。
　《発明の実施形態３》
　図１３は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃの断面図である。
　上記実施形態１では、バリア膜として封止膜３１ａ（３１ｂ）が設けられた有機ＥＬ表示装置５０ａを例示し、上記実施形態２では、バリア膜としてベースコート膜６が設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｂを例示したが、本実施形態では、バリア膜としてベースコート膜６及び封止膜３１ａがそれぞれ設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｃを例示する。
　有機ＥＬ表示装置５０ｃは、図１３に示すように、例えば、プラスチック基板などのベース基板１０ｂと、ベース基板１０ｂ上に有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するためのバリア膜として設けられたベースコート膜６と、ベースコート膜６上に設けられた有機ＥＬ素子２５と、有機ＥＬ素子２５を覆うように有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するためのバリア膜として設けられた封止膜３１ａとを備えている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記実施形態２で説明したベースコート膜形成工程及びＥＬ素子形成工程を順に行った後に、上記実施形態１で説明した封止膜形成工程を行うことにより、製造することができる。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃ及びその製造方法によれば、ベースコート膜形成工程において、ＥＬ素子形成工程でベース基板１０ｂに形成された有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するためのベースコート膜６を、第１無機膜１、複数の第１貫通孔２ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第１有機膜２、第２無機膜３、複数の第２貫通孔４ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第２有機膜４、及び第３無機膜５を順に形成することにより形成するので、第１有機膜２及び第２有機膜４は、それぞれ膜全体が繋がっている。これにより、第１無機膜１、第１有機膜２、第２無機膜３、第２有機膜４及び第３無機膜５の積層膜の各界面で発生する応力を第１有機膜２及び第２有機膜４の各膜全体で分散及び緩和することができ、第１無機膜１、第１有機膜２、第２無機膜３、第２有機膜４及び第３無機膜５の積層膜の各界面での剥離を抑制することができる。また、封止膜形成工程において、ＥＬ素子形成工程でベース基板１０ｂに形成された有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するための封止膜３１ａを、第１無機膜２６、複数の第１貫通孔２７ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第１有機膜２７、第２無機膜２８、複数の第２貫通孔２９ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第２有機膜２９、及び第３無機膜３０を順に形成することにより形成するので、第１有機膜２７及び第２有機膜２９は、それぞれ膜全体が繋がっている。これにより、第１無機膜２６、第１有機膜２７、第２無機膜２８、第２有機膜２９及び第３無機膜３０の積層膜の各界面で発生する応力を第１有機膜２７及び第２有機膜２９の各膜全体で分散及び緩和することができ、第１無機膜２６、第１有機膜２７、第２無機膜２８、第２有機膜２９及び第３無機膜３０の積層膜の各界面での剥離を抑制することができる。したがって、ベースコート膜６及び封止膜３１ａをそれぞれ構成する無機膜及び有機膜の界面で発生する応力に起因する無機膜及び有機膜の界面での剥離を抑制することができる。
　《発明の実施形態４》
　図１４は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄの断面図である。
　上記各実施形態では、バリア膜として封止膜３１ａ（３１ｂ）及びベースコート膜６の少なくとも一方が設けられた有機ＥＬ表示装置５０ａ～５０ｃを例示したが、本実施形態では、バリア膜としてベースコート膜６ａ、保護膜６ｂ及び封止膜３１ａがそれぞれ設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｄを例示する。
　有機ＥＬ表示装置５０ｄは、図１４に示すように、例えば、プラスチック基板などのベース基板１０ｂと、ベース基板１０ｂ上に有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するためのバリア膜として設けられたベースコート膜６ａと、ベースコート膜６ａ上に設けられた有機ＥＬ素子２５と、有機ＥＬ素子２５を覆うように有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するためのバリア膜として設けられた封止膜３１ａと、ベース基板１０ｂの裏面（有機ＥＬ素子２５と反対側の表面）に有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するためのバリア膜として設けられた保護膜６ｂとを備えている。
　ベースコート膜６ａ及び保護膜６ｂは、上記実施形態２で説明したベースコート膜６と実質的に同じ構成になっている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄは、上記実施形態２で説明したベースコート膜形成工程をベース基板１０ｂの表面及び裏面に対して行った後に、ＥＬ素子形成工程を行い、続いて、上記実施形態１で説明した封止膜形成工程を行うことにより、製造することができる。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄ及びその製造方法によれば、ベースコート膜形成工程において、ＥＬ素子形成工程でベース基板１０ｂに形成された有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するためのベースコート膜６ａ及び保護膜６ｂを、第１無機膜１、複数の第１貫通孔２ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第１有機膜２、第２無機膜３、複数の第２貫通孔４ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第２有機膜４、及び第３無機膜５を順に形成することによりそれぞれ形成するので、第１有機膜２及び第２有機膜４は、それぞれ膜全体が繋がっている。これにより、第１無機膜１、第１有機膜２、第２無機膜３、第２有機膜４及び第３無機膜５の積層膜の各界面で発生する応力を第１有機膜２及び第２有機膜４の各膜全体で分散及び緩和することができ、第１無機膜１、第１有機膜２、第２無機膜３、第２有機膜４及び第３無機膜５の積層膜の各界面での剥離を抑制することができる。また、封止膜形成工程において、ＥＬ素子形成工程でベース基板１０ｂに形成された有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するための封止膜３１ａを、第１無機膜２６、複数の第１貫通孔２７ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第１有機膜２７、第２無機膜２８、複数の第２貫通孔２９ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第２有機膜２９、及び第３無機膜３０を順に形成することにより形成するので、第１有機膜２７及び第２有機膜２９は、それぞれ膜全体が繋がっている。これにより、第１無機膜２６、第１有機膜２７、第２無機膜２８、第２有機膜２９及び第３無機膜３０の積層膜の各界面で発生する応力を第１有機膜２７及び第２有機膜２９の各膜全体で分散及び緩和することができ、第１無機膜２６、第１有機膜２７、第２無機膜２８、第２有機膜２９及び第３無機膜３０の積層膜の各界面での剥離を抑制することができる。したがって、ベースコート膜６ａ、保護膜６ｂ及び封止膜３１ａをそれぞれ構成する無機膜及び有機膜の界面で発生する応力に起因する無機膜及び有機膜の界面での剥離を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄ及びその製造方法によれば、保護膜６ｂをベース基板１０ｂの裏面に形成するので、酸素及び水分がベース基板１０ｂを透過する量をいっそう低減することができ、有機ＥＬ素子２５の劣化をいっそう抑制することができる。
　なお、上記各実施形態では、各無機膜及び各有機膜がそれぞれ単層膜により構成されたバリア膜を備えた有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、各無機膜及び各有機膜がそれぞれ積層膜により構成されたバリア膜を備えた有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、３色発光方式（３色塗り分け方式）の有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、カラーフィルタ方式（白色方式）や色変換方式などの他の方式の有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、アクティブマトリクス駆動方式の有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、パッシブマトリクス駆動方式の有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、バリア膜を構成する無機膜及び有機膜の界面で発生する応力に起因する無機膜及び有機膜の界面での剥離を抑制することができるので、例えば、高い応力耐性が要望されるフレキシブルな有機ＥＬ表示装置などについて有用である。
１，２６　　　　　第１無機膜
２，２７　　　　　第１有機膜
２ｈ，２７ｈ　　　第１貫通孔
３，２８　　　　　第２無機膜
４，２９　　　　　第２有機膜
４ｈ，２９ｈ　　　第２貫通孔
５，３０　　　　　第３無機膜
６，６ａ　　　　　ベースコート膜（バリア膜）
６ｂ　　　保護膜（バリア膜）
１０ａ，１０ｂ　　ベース基板
２０　　　有機ＥＬ素子
３１ａ，３１ｂ　　封止膜（バリア膜）
５０ａ～５０ｄ　　有機ＥＬ表示装置

Claims (15)

  1. 　ベース基板と、
    　上記ベース基板に設けられた有機エレクトロルミネセンス素子と、
    　上記有機エレクトロルミネセンス素子の劣化を抑制するバリア膜とを備え、
    　上記バリア膜は、上記ベース基板側から順に設けられた第１無機膜、第２無機膜及び第３無機膜と、該第１無機膜及び第２無機膜の間に設けられた第１有機膜と、該第２無機膜及び第３無機膜の間に設けられた第２有機膜とを有し、
    　上記第１有機膜には、上記第１無機膜及び第２無機膜を互いに接触させる複数の第１貫通孔が設けられ、
    　上記第２有機膜には、上記第２無機膜及び第３無機膜を互いに接触させる複数の第２貫通孔が設けられている、有機エレクトロルミネセンス表示装置。
  2. 　上記第１貫通孔は、上記第２貫通孔に重ならないように設けられている、請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
  3. 　上記第１貫通孔及び第２貫通孔は、線状にそれぞれ設けられている、請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
  4. 　上記第１貫通孔及び第２貫通孔は、点状にそれぞれ設けられている、請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
  5. 　上記バリア膜は、上記有機エレクトロルミネセンス素子を覆う封止膜である、請求項１～４の何れか１つに記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
  6. 　上記バリア膜は、上記ベース基板の上記有機エレクトロルミネセンス素子側の表面に設けられたベースコート膜である、請求項１～５の何れか１つに記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
  7. 　上記バリア膜は、上記ベース基板の上記有機エレクトロルミネセンス素子と反対側の表面に設けられた保護膜である、請求項１～６の何れか１つに記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
  8. 　ベース基板と、
    　上記ベース基板に設けられた有機エレクトロルミネセンス素子と、
    　上記有機エレクトロルミネセンス素子の劣化を抑制するバリア膜とを備え、
    　上記バリア膜は、上記ベース基板側から順に設けられた第１～第ｎ（ｎは３以上の自然数）の無機膜と、該隣り合う無機膜の同士の間に上記ベース基板側から順にそれぞれ設けられた第１～第（ｎ－１）の有機膜とを有し、
    　上記第１～第（ｎ－１）の有機膜には、当該有機膜に隣り合う無機膜同士を互いに接触させる複数の貫通孔がそれぞれ設けられ、
    　上記第１～第（ｎ－１）の有機膜の少なくとも１層は、当該有機膜と異なる他の有機膜の少なくとも１層に設けられた各貫通孔と平面視で互いに重なっている、有機エレクトロルミネセンス表示装置。
  9. 　ベース基板に有機エレクトロルミネセンス素子を形成するＥＬ素子形成工程と、
    　上記有機エレクトロルミネセンス素子の劣化を抑制するバリア膜を形成するバリア膜形成工程とを備える有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法であって、
    　上記バリア膜形成工程では、第１無機膜、複数の第１貫通孔が厚さ方向に貫通して設けられた第１有機膜、第２無機膜、複数の第２貫通孔が厚さ方向に貫通して設けられた第２有機膜、及び第３無機膜を順に形成する、有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
  10. 　上記バリア膜形成工程では、上記第１貫通孔及び第２貫通孔が互いに重ならないように、上記第１有機膜及び第２有機膜を形成する、請求項９に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
  11. 　上記バリア膜形成工程では、上記第１有機膜及び第２有機膜を真空成膜法により形成する、請求項９又は１０に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
  12. 　上記バリア膜形成工程では、上記第１有機膜及び第２有機膜を印刷法又はフォトリソグラフィ法により形成する、請求項９又は１０に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
  13. 　上記バリア膜形成工程は、上記ＥＬ素子形成工程の後に行われ、
    　上記バリア膜形成工程では、上記バリア膜として、上記有機エレクトロルミネセンス素子を覆う封止膜を形成する、請求項９～１２の何れか１つに記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
  14. 　上記バリア膜形成工程は、上記ＥＬ素子形成工程の前に行われ、
    　上記バリア膜形成工程では、上記バリア膜として、上記ベース基板の上記有機エレクトロルミネセンス素子側の表面を覆うベースコート膜を形成する、請求項９～１３の何れか１つに記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
  15. 　上記バリア膜形成工程は、上記ＥＬ素子形成工程の前に行われ、
    　上記バリア膜形成工程では、上記バリア膜として、上記ベース基板の上記有機エレクトロルミネセンス素子と反対側の表面を覆う保護膜を形成する、請求項９～１４の何れか１つに記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
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