[go: up one dir, main page]

WO2014029836A3 - Procédé de réalisation de contacts électriques d'un dispositif semi-conducteur tel qu'une cellule photovoltaïque comprenant des étapes de gravure laser et de gravure humide de couches diélectriques - Google Patents

Procédé de réalisation de contacts électriques d'un dispositif semi-conducteur tel qu'une cellule photovoltaïque comprenant des étapes de gravure laser et de gravure humide de couches diélectriques Download PDF

Info

Publication number
WO2014029836A3
WO2014029836A3 PCT/EP2013/067443 EP2013067443W WO2014029836A3 WO 2014029836 A3 WO2014029836 A3 WO 2014029836A3 EP 2013067443 W EP2013067443 W EP 2013067443W WO 2014029836 A3 WO2014029836 A3 WO 2014029836A3
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electrically conductive
etching
opening
producing
dielectric layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2013/067443
Other languages
English (en)
Other versions
WO2014029836A2 (fr
Inventor
Thibaut Desrues
Sylvain DE VECCHI
Fabien OZANNE
Florent Souche
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA filed Critical Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Priority to EP13756362.3A priority Critical patent/EP2888765A2/fr
Priority to JP2015527917A priority patent/JP2015527744A/ja
Priority to US14/422,243 priority patent/US20150243833A1/en
Publication of WO2014029836A2 publication Critical patent/WO2014029836A2/fr
Publication of WO2014029836A3 publication Critical patent/WO2014029836A3/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/138—Manufacture of transparent electrodes, e.g. transparent conductive oxides [TCO] or indium tin oxide [ITO] electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/244—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers
    • H10F77/247—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers comprising indium tin oxide [ITO]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/244—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers
    • H10F77/251—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers comprising zinc oxide [ZnO]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30—Coatings
    • H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
    • H10F77/311—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • H10F77/315—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

Procédé de réalisation d'un contact électrique (114) d'un dispositif semi-conducteur (100) tel qu'un contact de la face avant d'une cellule photovoltaïque, comportant les étapes : - dépôt d'une couche électriquement conductrice et optiquement transparente (104) sur une face (102) du dispositif; - dépôt d'une première et d'une deuxième couches diélectriques (106, 108) sur ladite couche (104), la deuxième couche diélectrique (108) étant gravable sélectivement par laser; - gravure sélective laser de la deuxième couche diélectrique (108), formant une première ouverture (110); - réalisation d'une deuxième ouverture (112) alignée avec la première ouverture (110) dans la première couche diélectrique (106) par gravure humide; et ensuite, de façon alternative, les étapes : - gravure de la deuxième couche diélectrique (108); - dépôt d'au moins un matériau électriquement conducteur (114) sur la couche électriquement conductrice et optiquement transparente (104) à travers la deuxième ouverture (112) ou les étapes : - dépôt d'un matériau électriquement conducteur (114) sur la couche électriquement conductrice et optiquement transparente (104) à travers la deuxième ouverture (112) tel que des portions du matériau électriquement conducteur (114) sont déposées sur la deuxième couche diélectrique (108), autour de la première ouverture (110); - gravure de parties de la deuxième couche diélectrique (108) non recouvertes par les portions de matériau électriquement conducteur (114).
PCT/EP2013/067443 2012-08-23 2013-08-22 Procede de realisation de contacts electriques d'un dispositif semi-conducteur Ceased WO2014029836A2 (fr)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP13756362.3A EP2888765A2 (fr) 2012-08-23 2013-08-22 Procede de realisation de contacts electriques d'un dispositif semi-conducteur
JP2015527917A JP2015527744A (ja) 2012-08-23 2013-08-22 半導体素子の電気接点を製造する方法
US14/422,243 US20150243833A1 (en) 2012-08-23 2013-08-22 Method for producing the electrical contacts of a semiconductor device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1257968A FR2994767A1 (fr) 2012-08-23 2012-08-23 Procede de realisation de contacts electriques d'un dispositif semi-conducteur
FR1257968 2012-08-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2014029836A2 WO2014029836A2 (fr) 2014-02-27
WO2014029836A3 true WO2014029836A3 (fr) 2014-04-17

Family

ID=46963976

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2013/067443 Ceased WO2014029836A2 (fr) 2012-08-23 2013-08-22 Procede de realisation de contacts electriques d'un dispositif semi-conducteur

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20150243833A1 (fr)
EP (1) EP2888765A2 (fr)
JP (1) JP2015527744A (fr)
FR (1) FR2994767A1 (fr)
WO (1) WO2014029836A2 (fr)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017056378A1 (fr) * 2015-09-30 2017-04-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Procédé de fabrication de cellule solaire
KR102267611B1 (ko) * 2018-04-03 2021-06-21 한양대학교 에리카산학협력단 태양전지 및 그 제조 방법
TWI892010B (zh) * 2022-04-27 2025-08-01 聯華電子股份有限公司 半導體裝置以及其製作方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4387116A (en) * 1981-12-28 1983-06-07 Exxon Research And Engineering Co. Conditioner for adherence of nickel to a tin oxide surface
JPS59158572A (ja) * 1983-02-28 1984-09-08 Matsushita Electric Works Ltd 太陽電池の製造方法
JPS6415956A (en) * 1987-07-10 1989-01-19 Nec Corp Method for forming bump
US5550427A (en) * 1991-11-19 1996-08-27 Nec Corporation Substrate contact electrode having refractory metal bump structure with reinforcement sidewall film
DE102009057881A1 (de) * 2009-12-11 2011-06-16 Centrothem Photovoltaics Ag Verfahren zur Laserstrukturierung eines transparenten Mediums und Verwendung des Verfahrens bei der Herstellung eines Halbleiterbauelements
WO2012029847A1 (fr) * 2010-08-31 2012-03-08 三洋電機株式会社 Procédé de production d'une cellule photovoltaïque et procédé de production d'un module photovoltaïque

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101139443B1 (ko) * 2009-09-04 2012-04-30 엘지전자 주식회사 이종접합 태양전지와 그 제조방법
FR2947953A1 (fr) * 2009-11-23 2011-01-14 Commissariat Energie Atomique Cellule photovoltaique amelioree et procede de realisation
JP5535709B2 (ja) * 2010-03-19 2014-07-02 三洋電機株式会社 太陽電池、その太陽電池を用いた太陽電池モジュール及び太陽電池の製造方法
KR101665722B1 (ko) * 2010-09-27 2016-10-24 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
US20120222736A1 (en) * 2011-03-04 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Front contact solar cell manufacture using metal paste metallization
US8884157B2 (en) * 2012-05-11 2014-11-11 Epistar Corporation Method for manufacturing optoelectronic devices
TW201414000A (zh) * 2012-06-08 2014-04-01 Tetrasun Inc 使塗層選擇性的及／或較快的自下伏層移除及其太陽電池應用

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4387116A (en) * 1981-12-28 1983-06-07 Exxon Research And Engineering Co. Conditioner for adherence of nickel to a tin oxide surface
JPS59158572A (ja) * 1983-02-28 1984-09-08 Matsushita Electric Works Ltd 太陽電池の製造方法
JPS6415956A (en) * 1987-07-10 1989-01-19 Nec Corp Method for forming bump
US5550427A (en) * 1991-11-19 1996-08-27 Nec Corporation Substrate contact electrode having refractory metal bump structure with reinforcement sidewall film
DE102009057881A1 (de) * 2009-12-11 2011-06-16 Centrothem Photovoltaics Ag Verfahren zur Laserstrukturierung eines transparenten Mediums und Verwendung des Verfahrens bei der Herstellung eines Halbleiterbauelements
WO2012029847A1 (fr) * 2010-08-31 2012-03-08 三洋電機株式会社 Procédé de production d'une cellule photovoltaïque et procédé de production d'un module photovoltaïque

Also Published As

Publication number Publication date
EP2888765A2 (fr) 2015-07-01
JP2015527744A (ja) 2015-09-17
US20150243833A1 (en) 2015-08-27
FR2994767A1 (fr) 2014-02-28
WO2014029836A2 (fr) 2014-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2012143784A8 (fr) Dispositif à semi-conducteurs et procédé de fabrication de celui-ci
WO2014083507A3 (fr) Structure de semi-conducteur et procédé de fabrication de structure de semi-conducteur
HK1223687A1 (zh) 用於改进的电接触的透明导电氧化物(tco)薄膜的预处理
WO2013176960A3 (fr) Contact à plusieurs niveaux avec un réseau de mémoire 3d et procédé de fabrication
WO2013049008A3 (fr) Structure optoélectronique de la taille d'un nanofil et son procédé de fabrication
WO2012006063A3 (fr) Boîtier microélectronique et son procédé de fabrication
WO2013003638A3 (fr) Conducteurs transparents incorporant des additifs et procédés de fabrication associés
MY170628A (en) Solar cell, solar cell manufacturing method, and solar cell module
HK1204421A1 (en) Method and system for producing a multilayer element and multilayer element
ITMI20130965A1 (it) Procedimento per la fabbricazione di un elemento componente con un contatto elettrico passante
WO2008154526A3 (fr) Procédé de réalisation de contact de faible résistance
MY167301A (en) Semiconductor device and method for producing same
GB201319175D0 (en) Electrical fuse and method of making the same
HK1207239A1 (en) Electric heating device, component and method for the production thereof
PH12016502437A1 (en) Solar cell and method for producing solar cell
WO2012005540A3 (fr) Dispositif électroluminescent organique et son procédé de fabrication
WO2013048759A3 (fr) Interconnexion de cellule photovoltaïque
EP2833388A3 (fr) Dispositif de commutateur MEMS et procédé de fabrication
WO2013068169A3 (fr) Support pour un circuit électrique pourvu d'un accumulateur d'énergie intégré
WO2011151338A3 (fr) Composant photovoltaïque pour application sous flux solaire concentré
EP2551920A3 (fr) Dispositif de commutation optoélectronique à semiconducteur
WO2013167643A3 (fr) Procédé de mise en contact electrique d'un module électronique sous forme d'empilement et module électronique a structure de contact
JP2011238897A5 (fr)
WO2013048006A8 (fr) Film conducteur transparent ayant une structure double et procédé de fabrication de celui-ci
MY165848A (en) Parallel stacked symmetrical and differential inductor

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13756362

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2015527917

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14422243

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2013756362

Country of ref document: EP