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WO2014010197A1 - 電子部品 - Google Patents

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Publication number
WO2014010197A1
WO2014010197A1 PCT/JP2013/004095 JP2013004095W WO2014010197A1 WO 2014010197 A1 WO2014010197 A1 WO 2014010197A1 JP 2013004095 W JP2013004095 W JP 2013004095W WO 2014010197 A1 WO2014010197 A1 WO 2014010197A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
sealing body
electronic component
temperature
substrate
linear expansion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2013/004095
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
秀典 植松
知宏 藤田
一郎 亀山
哲也 降旗
冬希 阿部
和紀 西村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp filed Critical Panasonic Corp
Priority to HK15106513.8A priority Critical patent/HK1206155B/zh
Priority to US14/413,514 priority patent/US10084125B2/en
Priority to CN201380036407.3A priority patent/CN104521140B/zh
Priority to EP13815944.7A priority patent/EP2874312B1/en
Priority to KR20157003689A priority patent/KR20150045433A/ko
Priority to JP2014524628A priority patent/JPWO2014010197A1/ja
Publication of WO2014010197A1 publication Critical patent/WO2014010197A1/ja
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Ceased legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders or supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
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    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/40—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and electrical output, e.g. functioning as transformers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals

Definitions

  • the present invention relates to an electronic component used in various electronic devices.
  • the 14A and 14B are schematic cross-sectional views of a conventional electronic component 1 which is an acoustic wave device.
  • the electronic component 1 includes a piezoelectric substrate 2 made of a piezoelectric single crystal, a comb-shaped electrode 3 provided on the piezoelectric substrate 2, a wiring 4 provided on the piezoelectric substrate 2, and a space 5 that the comb-shaped electrode 3 excites.
  • the cover body 6 that covers the space 5, the sealing body 7 that seals the space 5 from above the cover body 6, the terminal electrode 8 provided on the sealing body 7, and the sealing body 7 are passed through.
  • a connection electrode 9 that connects the wiring 4 and the terminal electrode 8 is provided.
  • cracks 11 may occur in the piezoelectric substrate 2 due to long-term use and may be damaged.
  • Patent Document 1 A conventional electronic component similar to the electronic component 1 is described in Patent Document 1.
  • the electronic component includes a substrate, a functional unit provided on the substrate, and a sealing body that is provided on the substrate and seals the functional unit.
  • the linear expansion coefficient of the sealing body is larger than the linear expansion coefficient of the substrate in a temperature region having a minimum temperature equal to or higher than the glass transition temperature of the sealing body. In a temperature region having a maximum temperature lower than the glass transition temperature of the sealing body, the linear expansion coefficient of the sealing body is smaller than the linear expansion coefficient of the substrate.
  • This electronic component has high reliability even in long-term use.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an electronic component according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a temperature characteristic diagram of the sealing body of the electronic component in the first embodiment.
  • FIG. 3 is a temperature characteristic diagram of the sealing body in the first embodiment.
  • FIG. 4 is a temperature characteristic diagram of the sealing body in the first embodiment.
  • FIG. 5 is a temperature characteristic diagram of the sealing body in the first embodiment.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of an electronic component according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of a comparative electronic component.
  • FIG. 8 is a temperature characteristic diagram of a sealing body of an electronic component in the second embodiment.
  • FIG. 9 is a temperature characteristic diagram of the sealing body in the second embodiment.
  • FIG. 10 is a characteristic diagram of the sealing body of the comparative example.
  • FIG. 11 is a characteristic diagram of the sealing body of the comparative example.
  • FIG. 12 is a schematic cross-sectional view of an electronic component according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 13 is a schematic cross-sectional view of an electronic component according to Embodiment 4 of the present invention.
  • FIG. 14A is a schematic cross-sectional view of a conventional electronic component.
  • FIG. 14B is a schematic cross-sectional view of a conventional electronic component.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an electronic component 21 according to Embodiment 1 of the present invention.
  • the electronic component 21 in the first embodiment is an elastic wave device.
  • the electronic component 21 includes a substrate 22, a comb electrode 23 provided on the upper surface 22A of the substrate 22, a wiring 24 provided on the upper surface 22A of the substrate 22, a space 25 positioned on the upper surface 23A of the comb electrode 23, a space A cover body 26 that covers 25 from above, a sealing body 27 that covers the space 25 from the upper surface 26A of the cover body 26, a terminal electrode 28 provided on the upper surface 27A of the sealing body 27, and the sealing body 27.
  • a connection electrode 29 that connects the wiring 24 and the terminal electrode 28 is provided.
  • the comb electrode 23 excites the space 25. Since the electronic component 21 has an occupied area equivalent to that of the substrate 22 and is extremely small, the terminal electrode 28 is formed by sealing the substrate 22 in a wafer state before the substrate 22 is separated into individual pieces. It is called a size package (CSP).
  • CSP size package
  • the electronic component 21 may not have the connection electrode 29 and the terminal electrode 28. In that case, the signal from the comb-shaped electrode 23 can be extracted outside the electronic component 21 by using the wiring 24 as an extraction electrode.
  • the substrate 22 is made of a piezoelectric material, specifically, a single crystal lithium tantalate having a rotational Y-cut X propagation.
  • the plate thickness which is the distance from the upper surface of the substrate 22 to the lower surface 22B, is about 100 ⁇ m to 350 ⁇ m.
  • a surface acoustic wave propagates on the upper surface 22A of the substrate 22.
  • the electronic component 21 defines an X axis, a Y axis, and a Z axis.
  • the direction in which the surface acoustic wave propagates along the upper surface 22A is defined as the direction of the X axis.
  • a direction perpendicular to the X axis along the upper surface 22A is defined as a Y axis direction.
  • the direction perpendicular to the X axis and the Y axis, that is, the direction of the thickness of the substrate 22 is defined as the Z axis direction.
  • the linear expansion coefficient ⁇ X in the X-axis direction of the substrate 22 is 16.2 ppm / ° C.
  • the linear expansion coefficient ⁇ Y in the Y-axis direction is 9.7 ppm / ° C.
  • the substrate 22 has a cleavage plane 30 that extends in a direction that forms an acute angle with the direction of the Y-axis.
  • the comb electrode 23 is made of a metal mainly composed of aluminum formed on the upper surface 22 ⁇ / b> A of the substrate 22, and a surface acoustic wave is excited on the upper surface 22 ⁇ / b> A of the substrate 22 by applying a voltage to the comb electrode 23.
  • a protective film made of a dielectric material such as silicon oxide may be formed on the surface of the comb electrode 23.
  • the comb-shaped electrode 23 is a functional part that is a part for causing the electronic component 21 to function as an elastic wave device.
  • the wiring 24 is made of a conductor formed on the upper surface 22A of the substrate 22 and is electrically connected to the comb-shaped electrode 23.
  • the space 25 is a sealed cavity provided on the upper surface 23 ⁇ / b> A of the comb-shaped electrode 23 in order to excite surface acoustic waves on the upper surface 22 ⁇ / b> A of the substrate 22.
  • the cover body 26 covers the comb-shaped electrode 23 through the space 25 on the upper surface 22A of the substrate 22, and is formed of polyimide resin.
  • the sealing body 27 is an insulator that covers the space 25 from above the cover body 26, and is thermoset containing a thermosetting resin and an inorganic filler.
  • the terminal electrode 28 is a conductor used as an input / output terminal or a ground terminal of the electronic component 21, and is formed on the upper surface 27 ⁇ / b> A of the sealing body 27 by photolithography.
  • connection electrode 29 is a conductor that penetrates the sealing body 27 and connects the wiring 24 and the terminal electrode 28, and is formed by, for example, electrolytic copper plating.
  • the electronic component 21 may not have the cover body 26 and the space 25.
  • the sealing body 27 of the electronic component 21 in the first embodiment includes a 10 ⁇ 2 wt% thermosetting resin containing an epoxy-based component and a rubber-based component, and 90 ⁇ 2 wt% inorganic mainly composed of silicon dioxide. It is formed by thermosetting a material having a filler.
  • the curing temperature of the sealing body 27 is 180 ° C., and the thermosetting resin component is adjusted so that the glass transition temperature TgA of the sealing body 27 is 50 ° C. as measured by the DMA device.
  • the glass transition temperature TgA of the sealing body 27 is adjusted to be within the use temperature range of the electronic component 21 -55 ° C. to 125 ° C.
  • the sealing body 27 configured as described above the electronic component 21 can reduce the breakage of the substrate 22 due to a temperature change in the use temperature range of ⁇ 55 ° C. to 125 ° C., and the reliability in long-term use is improved.
  • FIG. 2 to 5 are characteristic diagrams of the sealing body 27.
  • FIG. 2 to 5 are characteristic diagrams of the sealing body 27.
  • FIG. 2 shows changes in the linear expansion coefficient ⁇ A in the X-axis direction and the Y-axis direction of the sealing body 27 with respect to the temperature.
  • the X-axis direction and the Y-axis of the sealing body 7 of the conventional electronic component 1 shown in FIG. It shows together with the change with respect to the temperature of the linear expansion coefficient ⁇ B in the direction of.
  • the vertical axis represents the linear expansion coefficient
  • the horizontal axis represents the temperature.
  • the sealing body 7 is formed of a general thermosetting resin.
  • the sealing body 27 of the electronic component 21 has a glass transition temperature TgA, and the sealing body 7 of the conventional electronic component 1 has a glass transition temperature TgB.
  • the glass transition temperature TgB is 161 ° C.
  • the linear expansion coefficient ⁇ X in the X-axis direction of the substrates 2 and 22 made of single crystal lithium tantalate is 16.2 ppm / ° C.
  • the linear expansion coefficient ⁇ Y in the Y-axis direction is 9.7 ppm / ° C. Since the linear expansion coefficient ⁇ X in the X-axis direction is large, the dimensional change in the X-axis direction due to a change in temperature is large, and the electrical characteristics of the electronic component 21 are affected by the change in temperature.
  • the glass transition temperature TgB of the sealing body 7 of the conventional electronic component 1 is 161 ° C., which is higher than the operating temperature range of the electronic component 1 ⁇ 55 ° C. to 125 ° C., and is a general thermosetting used for electronic components. It is the glass transition temperature of the resin.
  • the linear expansion coefficient ⁇ B at a temperature equal to or lower than the glass transition temperature TgB of the sealing body 7 of the conventional electronic component 1 is set to a value close to the linear expansion coefficient ⁇ X in the X-axis direction of the substrate 2. Accordingly, the dimension of the sealing body 7 changes following the change in the dimension of the substrate 2 in the X-axis direction, and the stress in the X-axis direction from the sealing body 7 applied to the substrate 2 is small.
  • the linear expansion coefficient ⁇ B of the sealing body 7 of the conventional electronic component 1 has temperature dependency at a temperature higher than the glass transition temperature TgB, but the influence of this temperature dependency on the reliability of the conventional electronic component 1 is small. It is not shown in
  • the glass transition temperature TgA of the sealing body 27 of the electronic component 21 in the first embodiment is set to 50 ° C.
  • the linear expansion coefficient ⁇ A is lower than the glass transition temperature TgA.
  • the linear expansion coefficient ⁇ A is 7 ppm / ° C. which is smaller than the linear expansion coefficients ⁇ X and ⁇ Y
  • the linear expansion coefficient ⁇ A is 25 ppm / ° C. which is larger than the linear expansion coefficients ⁇ X and ⁇ Y of the substrate 22 at a temperature higher than the glass transition temperature TgA.
  • a temperature region TB1 from the lowest temperature LB1 to the highest temperature UB1 and a temperature region TB2 from the lowest temperature LB2 to the highest temperature UB2 are defined.
  • the minimum temperature LB1 in the temperature region TB1 is equal to or higher than the glass transition temperature TgA of the sealing body 27.
  • Maximum temperature UB2 in temperature region TB2 is lower than glass transition temperature TgA.
  • the maximum temperature UB1 in the temperature region TB1 is not less than the maximum temperature in the operating temperature range in which the electronic component 21 is used, and the minimum temperature LB2 in the temperature region TB2 is not more than the minimum temperature in the operating temperature range in which the electronic component 21 is used.
  • the linear expansion coefficient ⁇ A of the sealing body 27 is larger than either one of the linear expansion coefficients ⁇ X and ⁇ Y of the substrate 22, and in the temperature region TB2, it is higher than either one of the linear expansion coefficients ⁇ X and ⁇ Y of the substrate 22.
  • the linear expansion coefficient ⁇ A of the sealing body 27 is small.
  • FIG. 3 shows a change in temperature of the Young's modulus EA of the sealing body 27 of the electronic component 21 in Embodiment 1 together with a change in the Young's modulus EB of the sealing body 7 of the conventional electronic component 1 with respect to the temperature.
  • the vertical axis represents Young's modulus
  • the horizontal axis represents temperature.
  • the Young's modulus of the substrates 2 and 22 made of single crystal lithium tantalate is about 273 GPa.
  • the Young's modulus EB of the sealing body 7 of the conventional electronic component 1 gradually increases as the temperature decreases from the glass transition temperature TgB, and the Young's modulus EB is 10 GPa or more at a temperature of 125 ° C. or lower.
  • the Young's modulus EB approaches 15 GPa as the temperature goes to -55 ° C.
  • the Young's modulus EA of the sealing body 27 of the electronic component 21 in Embodiment 1 is extremely small at a temperature higher than the glass transition temperature TgA, and the Young's modulus EA is 1 GPa or less at a temperature of 75 ° C. or higher.
  • the Young's modulus EA is 0.5 GPa or less at a temperature of 100 ° C. or higher.
  • the Young's modulus EA is relatively large.
  • the Young's modulus EA is 20 GPa or more, and at a temperature of ⁇ 25 ° C. or less, the Young's modulus EA is 30 GPa or more.
  • Such characteristics of Young's modulus EA are obtained by the composition and blending ratio of the thermosetting resin and the inorganic filler.
  • a temperature region TC1 from the lowest temperature LC1 to the highest temperature UC1 and a temperature region TC2 from the lowest temperature LC2 to the highest temperature UC2 are defined.
  • the minimum temperature LC1 in the temperature region TC1 is equal to or higher than the glass transition temperature TgA of the sealing body 27.
  • Maximum temperature UC2 in temperature region TC2 is lower than glass transition temperature TgA.
  • the maximum temperature UC1 in the temperature region TC1 is equal to or higher than the maximum temperature in the operating temperature range where the electronic component 21 is used, and the minimum temperature LC2 in the temperature region TC2 is equal to or lower than the minimum temperature in the operating temperature range where the electronic component 21 is used.
  • the Young's modulus of the sealing body 27 in the temperature region TC1 is 1/10 or less of the Young's modulus of the sealing body 27 in the temperature region TC2.
  • FIG. 4 shows changes in the relative value ⁇ AX of the stress in the X-axis direction exerted on the substrate 22 by the sealing body 27 of the electronic component 21 in the first embodiment.
  • FIG. 4 also shows changes in the relative value ⁇ BX of the stress in the X-axis direction exerted on the substrate 2 by the sealing body 7 of the conventional electronic component 1 along with the temperature.
  • the stress is obtained by simulation using the linear expansion coefficient and Young's modulus.
  • the relative values ⁇ AX and ⁇ BX of the stress in the X-axis direction are positive, the sealing bodies 7 and 27 contract more greatly in the X-axis direction than the substrates 2 and 22, respectively. Stress is applied.
  • the relative values of stress ⁇ AX and ⁇ BX are negative, the sealing bodies 7 and 27 expand more in the X-axis direction than the substrates 2 and 22, respectively, and exert a compressive stress on the substrates 2 and 22. .
  • the relative value ⁇ AX of the stress of the sealing body 27 of the electronic component 21 in the first embodiment is 0 at the curing temperature of 180 ° C. of the sealing body 27 as shown in FIG. 4, and increases slightly as the temperature decreases. It becomes maximum near the glass transition temperature TgA, and further decreases at a temperature lower than the glass transition temperature TgA, and becomes about ⁇ 1.8 at ⁇ 55 ° C.
  • the stress of the sealing body 27 of the electronic component 21 is extremely small and close to 0 in the use temperature range of 50 ° C. to 125 ° C. higher than the glass transition temperature TgA, and the use temperature range lower than the glass transition temperature TgA ⁇ Compressive stress is applied to the substrate 22 at 55 ° C. to 25 ° C.
  • the sealing body 27 generates stress in the X-axis direction at a low temperature.
  • the stress is a compressive stress, it does not act on the substrate 22 so that the substrate 22 is peeled off at the cleaved surface 30 and destroyed. That is, since the stress acts on the substrate 22 so as to compress the substrate 22 with the cleavage surface 30 of the substrate 22, the destruction of the substrate 22 can be suppressed and the reliability of the electronic component 21 can be improved.
  • the relative value ⁇ BX of the stress in the X-axis direction of the sealing body 7 of the conventional electronic component 1 is 0 at a curing temperature of 180 ° C. of the sealing body 7 as shown in FIG. It gradually increases with time, and reaches about +0.4 at -55 ° C.
  • the stress in the X-axis direction of the sealing body 7 is a tensile stress, but since the magnitude thereof is relatively small, the influence on the electronic component 1 is small.
  • FIG. 5 shows a change in the relative value ⁇ AY of the stress in the Y-axis direction exerted on the substrate 22 by the sealing body 27 of the electronic component 21 according to the first embodiment.
  • FIG. 5 also shows changes in the relative value ⁇ BY of the stress in the Y-axis direction exerted on the substrate 2 by the sealing body 7 of the conventional electronic component 1 with temperature.
  • the relative stress values ⁇ AY and ⁇ BY are obtained by simulation using the linear expansion coefficient and Young's modulus.
  • the sealing bodies 7 and 27 contract more greatly in the Y-axis direction than the substrates 2 and 22, respectively. Stress is applied.
  • the sealing bodies 7 and 27 expand more in the Y-axis direction than the substrates 2 and 22, respectively, and compress the substrates 2 and 22. Stress is applied.
  • the relative value ⁇ BY of the stress in the Y-axis direction exerted on the substrate 2 by the sealing body 7 of the conventional electronic component 1 is 0 at the curing temperature 180 ° C. of the sealing body 7 as shown in FIG. It gradually increases as the temperature decreases from the temperature, and reaches about +1.8 at -55 ° C. At ⁇ 55 ° C., the sealing body 7 of the conventional electronic component 1 is subjected to the tensile stress 12 on the substrate 2, and the tensile stress 12 increases as the temperature decreases.
  • the tensile stress 12 acts on the substrate 2 so as to peel off the substrate 2 in a direction perpendicular to the cleavage plane 10. As shown, the crack 11 may occur along the cleavage plane 10 starting from the end of the substrate 2.
  • the relative value ⁇ AY of the stress in the Y-axis direction of the sealing body 27 of the electronic component 21 in the first embodiment is 0 at the curing temperature 180 ° C. of the sealing body 27 as shown in FIG. It becomes slightly larger as it goes on, but it becomes maximum near the glass transition temperature TgA, and at a lower temperature, it starts to decrease and becomes about -0.4 at -55 ° C.
  • the stress in the Y-axis direction is extremely small and close to 0 in the use temperature region 50 ° C. to 125 ° C. higher than the glass transition temperature TgA, and lower than the glass transition temperature TgA. In the use temperature range of ⁇ 55 ° C.
  • the electronic component 21 has a relatively small compressive stress in the Y-axis direction.
  • the electronic component 21 has a small stress in the Y-axis direction of the sealing body 27 and the stress is a compressive stress, so that the electronic component 21 does not act on the substrate 22 so as to break the substrate 22 at the cleavage plane 30. Therefore, the influence of the stress on the substrate 22 can be reduced, and the reliability of the electronic component 21 can be improved.
  • the electronic component 21 according to the first embodiment is more than any one of the linear expansion coefficients ⁇ X and ⁇ Y of the substrate 22 in the temperature region TB1 having the lowest temperature LB1 equal to or higher than the glass transition temperature TgA of the sealing body 27.
  • the linear expansion coefficient ⁇ A of the sealing body 27 is large, and the linear expansion coefficient of the sealing body 27 is higher than one of the linear expansion coefficients ⁇ X and ⁇ Y of the substrate 22 in the temperature region TB2 having the highest temperature UB2 lower than the glass transition temperature TgA.
  • the coefficient ⁇ A is small.
  • the stress which the sealing body 27 exerts on the substrate 22 at the temperature on both sides of the glass transition temperature TgA of the sealing body 27 can be reversed from the tensile stress to the compressive stress. Therefore, breakage of the substrate 22 due to thermal expansion or contraction can be reduced, and the long-term reliability of the electronic component 21 can be improved.
  • the Young's modulus of the sealing body 27 in the temperature region TC1 having the lowest temperature LC1 higher than the glass transition temperature TgA of the sealing body 27 is higher than the transition temperature TgA. It is 1/10 or less of the Young's modulus of the sealing body 27 in the temperature region TC2 having the low maximum temperature UC2.
  • the glass transition temperature TgA of the sealing body 27 is 40 degreeC or more and 90 degrees C or less. Thereby, the tensile stress with respect to the board
  • the glass transition temperature TgA of the sealing body 27 is more preferably 40 ° C. or higher and 60 ° C. or lower.
  • the content rate of the inorganic filler in the sealing body 27 of the electronic component 21 in Embodiment 1 is 90 ⁇ 2%.
  • the sealing body 27 contains 75 wt% to 94 wt% of an inorganic filler.
  • the resin of the sealing body 27 is a thermosetting resin and contains an epoxy-based component and a rubber-based component.
  • the thermosetting resin of the sealing body 27 contains an epoxy component and may not contain a rubber component. Even in this case, the linear expansion coefficient and Young's modulus in the low temperature region and the high temperature region can be set to suitable values.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the electronic component 41 according to Embodiment 2 of the present invention. 6, the same reference numerals are assigned to the same parts as those of the electronic component 21 in the first embodiment shown in FIG.
  • the electronic component 41 in the second embodiment is an elastic wave device, like the electronic component 21 in the first embodiment.
  • An electronic component 41 according to the second embodiment includes a sealing body 43 and a connection electrode 44 instead of the sealing body 27 and the connection electrode 29 of the electronic component 21 according to the first embodiment shown in FIG. Prepare.
  • the metal body 42 is connected to the wiring 24 and is provided on the upper surface 26 ⁇ / b> A of the cover body 26.
  • the metal body 42 is disposed on the surface of the cover body 26 opposite to the surface facing the space 25.
  • the sealing body 43 covers the metal body 42 from the upper surface 42A of the metal body 42 and has the same composition as the sealing body 27 in the first embodiment.
  • the connection electrode 44 passes through the sealing body 43 and connects the terminal electrode 28 and the metal body 42.
  • the metal body 42 can ensure the mechanical strength of the electronic component 41, particularly the space 25.
  • the metal body 42 is formed on the upper surface 26A of the cover body 26 by electrolytic copper plating.
  • the metal body 42 contains metal copper as a main component, and crystallization progresses and shrinks in the 180 ° C. thermosetting process of the sealing body 43 during manufacturing.
  • the linear expansion coefficient of the metal body 42 is ⁇ 20.5 ppm / ° C. and the Young's modulus is 123 GPa in the operating temperature range of the electronic component 41 of ⁇ 55 ° C. to 125 ° C.
  • the electronic component 41 in the second embodiment is affected by the thermal expansion / contraction of the sealing body 43 and the metal body 42.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of an electronic component 51 of a comparative example. 7, the same reference numerals are assigned to the same portions as those of the electronic component 41 in the second embodiment shown in FIG.
  • the electronic component 51 of the comparative example has the same composition as the sealing body 7 of the conventional electronic component 1 shown in FIGS. 14A and 14B instead of the sealing body 43 of the electronic component 41 in the second embodiment shown in FIG. A sealing body 52 is provided.
  • FIG. 8 shows changes in the relative value ⁇ AX of the stress in the X-axis direction exerted on the substrate 22 by the sealing body 43 in the electronic component 41 according to the second embodiment, and the X-axis direction exerted by the metal body 42 on the substrate 22.
  • the stress relative value ⁇ MX with respect to temperature is shown.
  • the vertical axis indicates the relative value of stress
  • the horizontal axis indicates temperature.
  • the relative stress values ⁇ AX and ⁇ MX can be obtained by simulation using the linear expansion coefficient and Young's modulus.
  • the combined relative value ⁇ AMX of stresses in the X-axis direction of the sealing body 43 and the metal body 42 becomes compressive stress at a temperature of 25 ° C. or lower and a temperature of 100 ° C. or higher.
  • Tensile stress occurs at a temperature of 100 ° C., and the tensile stress reaches a maximum around 50 ° C.
  • the tensile stress of the metal body 42 increases as the temperature decreases.
  • the sealing body 43 holds the metal body 42 from the upper surface 42A with the compressive stress, the tensile stress of the metal body 42 as the sealing body 27 and the metal body 42 as a whole is offset, and the tensile stress can be reduced. Therefore, the breakage of the substrate 22 from the cleavage plane 30 can be suppressed.
  • FIG. 9 shows changes in the relative value ⁇ AY of the stress in the Y-axis direction exerted on the substrate 22 by the sealing body 43 in the electronic component 41 according to the second embodiment, and the Y-axis direction exerted by the metal body 42 on the substrate 22. 2 shows a change in the relative value ⁇ MY of the stress due to temperature.
  • the vertical axis represents the relative value of stress
  • the horizontal axis represents temperature.
  • the relative stress values ⁇ AY and ⁇ MY can be obtained by simulation using the linear expansion coefficient and Young's modulus.
  • the combined relative value ⁇ AMY of stresses in the Y-axis direction of the sealing body 43 and the metal body 42 becomes compressive stress at a temperature of 100 ° C. or higher, and becomes tensile stress at a temperature of 100 ° C. or lower.
  • the tensile stress is about 0.6 at the maximum.
  • the difference between the linear expansion coefficient of the metal body 42 and the linear expansion coefficient of the substrate 22 is large, so that the tensile stress increases as the temperature decreases.
  • the sealing body 43 holds the metal body 42 from the upper surface 42 ⁇ / b> A with compressive stress, the tensile stress applied to the substrate 22 can be reduced as the whole of the metal body 42 and the sealing body 43. Breakage from the cleavage plane 30 of the substrate 22 due to stress can be suppressed.
  • the Young's modulus of the sealing body 43 sufficiently large in the low temperature region, the tensile stress due to the shrinkage of the metal body 42 can be suppressed.
  • 10 and 11 are characteristic diagrams of the sealing body 52 of the electronic component 51 of the comparative example.
  • FIG. 10 shows a change in the relative value ⁇ BX of stress in the X-axis direction exerted on the substrate 22 by the sealing body 52 and the stress in the X-axis direction exerted on the substrate 22 by the metal body 42 in the electronic component 51 of the comparative example.
  • the vertical axis represents the relative value of stress
  • the horizontal axis represents temperature.
  • the relative stress values ⁇ BX and ⁇ MX can be obtained by simulation using the linear expansion coefficient and Young's modulus.
  • the relative value ⁇ BMX of the combined stress of the sealing body 52 and the metal body 42 in the X-axis direction is a compressive stress at a temperature of 110 ° C. or higher.
  • Tensile stress occurs at a temperature of 110 ° C. or lower, and about 0.7 at ⁇ 55 ° C. Therefore, in the electronic component 51 of the comparative example, the sealing body 52 and the metal body 42 strengthen the tensile stress in the X-axis direction as the temperature decreases.
  • the magnitude of the tensile stress is relatively small, and the possibility that the substrate 22 is broken from the cleavage plane 30 in the X-axis direction is not high.
  • FIG. 11 shows changes in the relative value ⁇ BY of stress in the Y-axis direction exerted on the substrate 22 by the sealing body 52 of the electronic component 51 of the comparative example, and stress in the Y-axis direction exerted on the substrate 22 by the metal body 42.
  • the change of the relative value ⁇ MY with respect to temperature is shown.
  • the vertical axis represents the relative value of stress
  • the horizontal axis represents temperature.
  • the relative stress values ⁇ BY and ⁇ MY can be obtained by simulation using the linear expansion coefficient and Young's modulus.
  • FIG. 11 shows the stress obtained by combining the relative value ⁇ BY of the stress in the Y-axis direction of the sealing body 52 of the electronic component 51 of the comparative example and the relative value ⁇ MY of the stress in the Y-axis direction of the metal body 42. The change of the relative value ⁇ BMY with temperature is also shown.
  • the relative stress ⁇ BMY of the combined stress in the Y-axis direction of the sealing body 52 and the metal body 42 becomes a compressive stress at a temperature of 130 ° C. or higher.
  • Tensile stress occurs at temperatures below 130 ° C. The tensile stress increases as the temperature decreases and reaches about 2.7 at -55 ° C.
  • the sealing body 52 and the metal body 42 strengthen the tensile stress in the Y-axis direction and the tensile stress increases as the temperature decreases. The possibility of destruction is high.
  • the electronic component 41 in the second embodiment has the lowest temperature LB1 that is equal to or higher than the glass transition temperature TgA of the sealing body 43, similarly to the sealing body 27 and the substrate 22 of the electronic component 21 in the first embodiment shown in FIG.
  • TgA glass transition temperature
  • the linear expansion coefficient ⁇ A of the sealing body 43 is smaller than either one of the linear expansion coefficients ⁇ X and ⁇ Y.
  • the stress exerted on the substrate 22 by the sealing body 43 can be changed to tensile stress on the high temperature side and to compressive stress on the low temperature side. Therefore, the stress exerted on the substrate 22 by the metal body 42 can be offset, and the breakage of the substrate 22 can be reduced. Therefore, the reliability of the electronic component 41 over a long period can be improved.
  • the Young's modulus of the sealing body 43 in TC1 is 1/10 or less of the Young's modulus of the sealing body 43 in the temperature region TC2 having the highest temperature UC2 lower than the transition temperature TgA.
  • the electronic components 21 and 41 in the first and second embodiments are elastic wave devices. However, if it is an electronic component which has the structure which covers the board
  • FIG. 12 is a schematic cross-sectional view of electronic component 121 according to Embodiment 3 of the present invention. 12, the same reference numerals are assigned to the same parts as those of the electronic component 21 in the first embodiment shown in FIG.
  • the electronic component 121 in the third embodiment is an elastic wave device, like the electronic component 21 in the first embodiment.
  • the electronic component 121 in the third embodiment includes a sealing body 127 instead of the sealing body 27 of the electronic component 21 in the first embodiment shown in FIG.
  • the sealing body 127 has the same shape as the sealing body 27 in the first embodiment, and covers the comb-shaped electrode 23 from the upper surface 26 ⁇ / b> A of the cover body 26 through the space 25.
  • the sealing body 127 is made of a material different from that of the sealing body 27 in the first embodiment.
  • the sealing body 127 is an insulator formed by thermosetting a material containing 30 wt% thermosetting resin and 70 wt% negative expansion material.
  • the thermosetting resin contains an epoxy component and a rubber component.
  • the curing temperature of the sealing body 127 is 180 ° C., and the thermosetting resin is adjusted so that the glass transition temperature TgA is 50 ° C. as measured by the DMA apparatus.
  • the negative expansion material has a characteristic that the volume decreases with an increase in temperature in a specific temperature region, and has a negative linear expansion coefficient in the temperature region.
  • the negative expansion material include composite oxides such as zirconium tungstate (ZrW 2 O 8 ), silicon oxide (Li 2 O—Al 2 O 3 —nSiO 2 ), HfW 2 O 8 , BiNiO 3 , and reverse perovskite.
  • ZrW 2 O 8 zirconium tungstate
  • silicon oxide Li 2 O—Al 2 O 3 —nSiO 2
  • HfW 2 O 8 HfW 2 O 8
  • BiNiO 3 BiNiO 3
  • reverse perovskite for example, manganese nitride (Mn 3 XN) having a structure can be used.
  • the negative expansion material has a negative linear expansion coefficient over the entire use temperature range of the electronic component 121. Furthermore, it is desirable that the negative expansion material is a single component and has a negative linear expansion coefficient over the entire use temperature range of the electronic component 121. However, in a negative expansion material having a negative temperature coefficient having a negative linear expansion coefficient and a narrow temperature range, a plurality of components of the negative expansion material having different temperature areas having a negative coefficient of linear expansion are blended, so that the electronic component 121 as a whole of the negative expansion material is obtained. It may have a negative linear expansion coefficient in almost the entire use temperature range.
  • the sealing body 127 of the electronic component 121 in the third embodiment has the same characteristics as the sealing body 27 of the electronic component 21 in the first embodiment shown in FIGS. 2 to 5 and has the same effect.
  • the Young's modulus EA of the sealing body 27 in Embodiment 1 shown in FIG. The same temperature characteristics can be developed.
  • the sealing body 127 of the electronic component 121 contains a negative expansion material having a negative linear expansion coefficient, so that the linear expansion coefficient of the sealing body 127 is made extremely small like the sealing body 27 in the first embodiment. It becomes possible. Thereby, the internal stress of the electronic component 121 due to a temperature change can be reduced, and the failure of the electronic component 121 can be reduced.
  • the content of the negative expansion material in the sealing body 127 in the third embodiment is 70%
  • the content of the negative expansion material in the sealing body 127 is set to 65% to 80%, so that the temperature regions TB1 and TB2 , TC1, and TC2, the linear expansion coefficient and Young's modulus can be set to suitable values.
  • the sealing body 127 contains a negative expansion material as a filler filled in the thermosetting resin.
  • a negative expansion material such as SiO 2
  • a filling rate exceeding 80% is required to make the linear expansion coefficient of the encapsulant 127 the above-described condition. Become.
  • the filling rate of the inorganic material is high, the sealing body 127 is fragile and easily cracked or cracked when handled in a sheet shape.
  • the filling rate can be reduced to 80% or less.
  • the sheet-shaped sealing body 127 is less likely to be cracked or cracked, and can be handled in the sheet shape.
  • the height can be accurately controlled because the sealing body 127 has a sheet shape.
  • a grinding process is required for controlling the height of the electronic component 121.
  • a grinding process for thinning the sealing body 127 in the manufacturing stage can be omitted, and the manufacturing cost of the electronic component 121 can be reduced.
  • laser processing is used for semiconductor wafer singulation and via drilling.
  • the content of the filler in the sealing body 127 is high, and if a large amount of filler is present in the irradiated portion of the laser, the processing accuracy decreases due to the detachment of the filler, and the processing rate decreases. Processing of the invitation sealing body 127 becomes difficult. However, by using a negative expansion material as the filler, the filler content of the sealing body 127 can be reduced, so that laser processing can be easily performed.
  • FIG. 13 is a schematic cross-sectional view of an electronic component 141 according to Embodiment 4 of the present invention.
  • the same reference numerals are assigned to the same parts as those of the electronic component 41 in the second embodiment shown in FIG.
  • the electronic component 141 according to the fourth embodiment is an acoustic wave device, like the electronic component 41 according to the second embodiment.
  • the electronic component 141 according to the fourth embodiment includes a sealing body 143 instead of the sealing body 43 of the electronic component 41 according to the second embodiment shown in FIG.
  • the sealing body 143 has the same shape as the sealing body 43 in the second embodiment, and covers the comb-shaped electrode 23 from the upper surface 42A of the metal body 42 and the upper surface 26A of the cover body 26 via the space 25.
  • Sealing body 143 has the same composition as sealing body 127 of electronic component 121 in Embodiment 3, and contains a negative expansion material.
  • the sealing body 143 of the electronic component 141 in the fourth embodiment has the same characteristics as the sealing body 43 of the electronic component 41 in the second embodiment shown in FIGS. 8 to 11 and has the same effect.
  • the electronic components 121 and 141 in the third and fourth embodiments are elastic wave devices.
  • the substrate 22 or the sealing body 127 due to the difference in linear expansion coefficient between the substrate 22 and the sealing body 127 (143). 143) a relative stress is generated. Then, the stress may cause a crack in the substrate 22 and damage the electronic components 121 and 141. Therefore, the inclusion of the negative expansion material in the sealing bodies 127 and 143 of the electronic components 121 and 141 can reduce internal stress at the high temperature and low temperature of the electronic components 121 and 141, and can provide long-term reliability. And can be applied to other electronic components of the acoustic wave device.
  • terms indicating directions such as “upper surface” and “lower surface” indicate relative directions that depend only on the relative positional relationship of components of electronic components such as a substrate and a sealing body, such as vertical directions. It does not indicate the absolute direction.
  • the electronic component according to the present invention is useful in an electronic component used in various electronic devices, and in particular, an electronic component using a housing technology called a wafer level package in which the outer dimensions of the substrate and the electronic component are substantially equal, This is useful in high-frequency filters, duplexers, duplexers, and other elastic wave devices used in mobile communication equipment.

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Abstract

　電子部品（２１）は、基板（２２）と、基板（２２）上に設けられた機能部と、基板（２２）上に設けられて機能部を封止する封止体（２７）とを備える。封止体（２７）のガラス転移温度（ＴｇＡ）以上の最低温度（ＬＢ１）を有する温度領域（ＴＢ１）において基板（２２）の線膨張係数（αＸ，αＹ）よりも封止体（２７）の線膨張係数（αＡ）が大きい。封止体（２７）のガラス転移温度（ＴｇＡ）より低い最高温度（ＵＢ２）を有する温度領域（ＴＢ２）において、基板（２２）の線膨張係数（αＸ，αＹ）よりも封止体（２７）の線膨張係数（αＡ）が小さい。この電子部品（２１）は長期の使用においても高い信頼性を有する。

Description

電子部品
　本発明は各種電子機器に使用される電子部品に関する。
　図１４Ａと図１４Ｂは弾性波装置である従来の電子部品１の模式断面図である。電子部品１は、圧電体単結晶からなる圧電基板２と、圧電基板２上に設けられた櫛形電極３と、圧電基板２上に設けられた配線４と、櫛形電極３が励振する空間５と、空間５を覆うカバー体６と、カバー体６の上から空間５を封止する封止体７と、封止体７上に設けられた端子電極８と、封止体７を貫通して配線４と端子電極８とを接続する接続電極９とを有する。
　電子部品１では、長期にわたる使用により圧電基板２にクラック１１が入り、破損する場合がある。
　電子部品１に類似する従来の電子部品が特許文献１に記載されている。
特開２００１－１８５９７６号公報
　電子部品は、基板と、基板上に設けられた機能部と、基板上に設けられて機能部を封止する封止体とを備える。封止体のガラス転移温度以上の最低温度を有する温度領域において基板の線膨張係数よりも封止体の線膨張係数が大きい。封止体のガラス転移温度より低い最高温度を有する温度領域において、基板の線膨張係数よりも封止体の線膨張係数が小さい。
　この電子部品は長期の使用においても高い信頼性を有する。
図１は本発明の実施の形態１における電子部品の模式断面図である。 図２は実施の形態１における電子部品の封止体の温度特性図である。 図３は実施の形態１における封止体の温度特性図である。 図４は実施の形態１における封止体の温度特性図である。 図５は実施の形態１における封止体の温度特性図である。 図６は本発明の実施の形態２における電子部品の模式断面図である。 図７は比較例の電子部品の模式断面図である。 図８は実施の形態２における電子部品の封止体の温度特性図である。 図９は実施の形態２における封止体の温度特性図である。 図１０は比較例の封止体の特性図である。 図１１は比較例の封止体の特性図である。 図１２は本発明の実施の形態３における電子部品の模式断面図である。 図１３は本発明の実施の形態４における電子部品の模式断面図である。 図１４Ａは従来の電子部品の模式断面図である。 図１４Ｂは従来の電子部品の模式断面図である。
　（実施の形態１）
　図１は本発明の実施の形態１における電子部品２１の模式断面図である。実施の形態１における電子部品２１は弾性波装置である。電子部品２１は、基板２２と、基板２２の上面２２Ａに設けられた櫛形電極２３と、基板２２の上面２２Ａに設けられた配線２４と、櫛形電極２３の上面２３Ａに位置する空間２５と、空間２５を上方から覆うカバー体２６と、カバー体２６の上面２６Ａから空間２５を覆う封止体２７と、封止体２７の上面２７Ａに設けられた端子電極２８と、封止体２７を貫通し配線２４と端子電極２８とを接続する接続電極２９とを有する。櫛形電極２３は空間２５を励振する。電子部品２１は基板２２と同等の占有面積を有して極めて小型であり、基板２２を個片に分離する前のウエハ状態で封止されて端子電極２８が形成されることから、ウエハレベルチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）と呼ばれる。
　なお、電子部品２１は接続電極２９と端子電極２８を有しなくてもよい。その場合は、配線２４を取り出し電極として用いることで、櫛形電極２３からの信号を電子部品２１の外部に取り出すことができる。
　実施の形態１では基板２２は圧電材料よりなり、具体的には回転ＹカットＸ伝播の単結晶タンタル酸リチウムからなる。基板２２の上面から下面２２Ｂまでの距離である板厚は１００μｍ～３５０μｍ程度である。基板２２の上面２２Ａには弾性表面波が伝播する。図１に示すように、電子部品２１においてＸ軸とＹ軸とＺ軸とを定義する。上面２２Ａに沿って弾性表面波の伝播する方向をＸ軸の方向と定義する。上面２２Ａに沿ってＸ軸と直角の方向をＹ軸の方向と定義する。Ｘ軸とＹ軸とに直角の方向、すなわち基板２２の厚みの方向をＺ軸の方向と定義する。基板２２のＸ軸の方向の線膨張係数αＸは１６．２ｐｐｍ／℃であり、Ｙ軸の方向の線膨張係数αＹは９．７ｐｐｍ／℃である。基板２２は、Ｙ軸の方向と鋭角をなす方向に広がる劈開面３０を有する。
　櫛形電極２３は基板２２の上面２２Ａに形成されたアルミニウムを主成分とする金属よりなり、櫛形電極２３に電圧を印加することにより基板２２の上面２２Ａに弾性表面波を励振する。櫛形電極２３の表面には酸化ケイ素などの誘電体からなる保護膜が形成されてもよい。このように、櫛形電極２３は、電子部品２１を弾性波装置として機能させるための部分である機能部である。
　配線２４は基板２２の上面２２Ａに形成された導体よりなり、櫛形電極２３に電気的に接続されている。
　空間２５は、基板２２の上面２２Ａにおいて弾性表面波が励振するために櫛形電極２３の上面２３Ａ上に設けられた密封された空洞である。
　カバー体２６は基板２２の上面２２Ａにおいて空間２５を介して櫛形電極２３を覆い、ポリイミド系の樹脂により形成されている。
　封止体２７はカバー体２６の上から空間２５を覆う絶縁体であり、熱硬化性の樹脂と無機フィラーとを含有して熱硬化されている。
　端子電極２８は電子部品２１の入出力端子またはグランド端子として使用される導体であり、封止体２７の上面２７Ａにフォトリソグラフにより形成されている。
　接続電極２９は封止体２７を貫通して配線２４と端子電極２８とを接続する導体であり、例えば電気銅メッキにより形成されている。
　なお、電子部品２１はカバー体２６、空間２５を有していなくてもよい。
　実施の形態１における電子部品２１の封止体２７は、エポキシ系成分とゴム系成分を含有させた１０±２ｗｔ％の熱硬化性樹脂と、二酸化ケイ素を主成分とする９０±２ｗｔ％の無機充填材とを有する材料を熱硬化させて形成されている。封止体２７の硬化温度は１８０℃であり、封止体２７のガラス転移温度ＴｇＡはＤＭＡ装置で測定して５０℃になるように熱硬化性樹脂の成分が調整されている。このように封止体２７のガラス転移温度ＴｇＡは、電子部品２１の使用温度領域－５５℃～１２５℃の範囲内になるよう調整されている。このように構成された封止体２７により、電子部品２１は－５５℃～１２５℃の使用温度領域における温度変化による基板２２の破損を低減し、長期使用における信頼性が向上している。
　図２から図５は封止体２７の特性図である。
　図２は封止体２７のＸ軸の方向およびＹ軸の方向の線膨張係数αＡの温度に対する変化を、図１４Ａに示す従来の電子部品１の封止体７のＸ軸の方向およびＹ軸の方向の線膨張係数αＢの温度に対する変化と併せて示す。図２において、縦軸は線膨張係数を示し、横軸は温度を示す。ここで、図１に示す電子部品２１の封止体２７および図１４Ａに示す従来の電子部品１の封止体７は異方性を有さないので、Ｘ軸の方向の線膨張係数とＹ軸の方向の線膨張係数は等しい。図２は実施の形態１における電子部品２１の基板２２のＸ軸の方向の線膨張係数αＸとＹ軸の方向の線膨張係数αＹも示す。従来の電子部品１の基板２の線膨張係数は実施の形態１における基板２２と同じである。封止体７は一般的な熱硬化性樹脂により形成されている。
　電子部品２１の封止体２７はガラス転移温度ＴｇＡを有し、従来の電子部品１の封止体７はガラス転移温度ＴｇＢを有する。ガラス転移温度ＴｇＢは１６１℃である。
　単結晶タンタル酸リチウムからなる基板２、２２のＸ軸の方向の線膨張係数αＸは１６．２ｐｐｍ／℃であり、Ｙ軸の方向の線膨張係数αＹが９．７ｐｐｍ／℃である。Ｘ軸の方向の線膨張係数αＸが大きいので、温度の変化によるＸ軸の方向の寸法の変化が大きく、電子部品２１の電気特性は温度の変化で影響を受ける。
　従来の電子部品１の封止体７のガラス転移温度ＴｇＢは１６１℃であり、電子部品１の使用温度領域－５５℃～１２５℃よりも高く、電子部品に使用される一般的な熱硬化性樹脂のガラス転移温度である。従来の電子部品１の封止体７のガラス転移温度ＴｇＢ以下の温度における線膨張係数αＢは、基板２のＸ軸の方向の線膨張係数αＸに近い値に設定されている。したがって、基板２のＸ軸の方向の寸法の変化に追随して封止体７の寸法が変化し、基板２に加わる封止体７からのＸ軸の方向の応力は小さい。従来の電子部品１の封止体７の線膨張係数αＢはガラス転移温度ＴｇＢより高い温度において温度依存性を有するが、この温度依存性が従来の電子部品１の信頼性に及ぼす影響は小さく、図２では示されていない。
　図２に示すように、実施の形態１における電子部品２１の封止体２７のガラス転移温度ＴｇＡは５０℃に設定されており、ガラス転移温度ＴｇＡよりも低い温度において線膨張係数αＡは基板２２の線膨張係数αＸ、αＹよりも小さい７ｐｐｍ／℃であり、ガラス転移温度ＴｇＡよりも高い温度において線膨張係数αＡは基板２２の線膨張係数αＸ、αＹよりも大きい２５ｐｐｍ／℃である。
　すなわち、図２に示すように、温度について、最低温度ＬＢ１から最高温度ＵＢ１までの温度領域ＴＢ１と、最低温度ＬＢ２から最高温度ＵＢ２までの温度領域ＴＢ２を定義する。温度領域ＴＢ１の最低温度ＬＢ１は封止体２７のガラス転移温度ＴｇＡ以上である。温度領域ＴＢ２の最高温度ＵＢ２はガラス転移温度ＴｇＡより低い。温度領域ＴＢ１の最高温度ＵＢ１は電子部品２１を使用する使用温度範囲の最高温度以上であり、温度領域ＴＢ２の最低温度ＬＢ２は電子部品２１を使用する使用温度範囲の最低温度以下である。温度領域ＴＢ１において基板２２の線膨張係数αＸ、αＹのいずれか一方よりも封止体２７の線膨張係数αＡが大きく、温度領域ＴＢ２において基板２２の線膨張係数αＸ、αＹのいずれか一方よりも封止体２７の線膨張係数αＡが小さい。
　図３は実施の形態１における電子部品２１の封止体２７のヤング率ＥＡの温度に対する変化を、従来の電子部品１の封止体７のヤング率ＥＢの温度に対する変化と併せて示す。図３において、縦軸はヤング率を示し、横軸は温度を示す。単結晶タンタル酸リチウムからなる基板２、２２のヤング率は２７３ＧＰａ程度である。
　従来の電子部品１の封止体７のヤング率ＥＢは、図３に示すように、温度がガラス転移温度ＴｇＢから低くなるにつれて徐々に増加し、１２５℃以下の温度でヤング率ＥＢが１０ＧＰａ以上であり、温度が－５５℃に向かうにつれてヤング率ＥＢは１５ＧＰａに近づく。
　実施の形態１における電子部品２１の封止体２７のヤング率ＥＡは、図３に示すように、ガラス転移温度ＴｇＡよりも高い温度において極めて小さく、７５℃以上の温度でヤング率ＥＡは１ＧＰａ以下であり、１００℃以上の温度でヤング率ＥＡは０．５ＧＰａ以下である。ガラス転移温度ＴｇＡよりも低い温度においてはヤング率ＥＡは比較的大きく、０℃以下の温度でヤング率ＥＡは２０ＧＰａ以上であり、－２５℃以下の温度でヤング率ＥＡは３０ＧＰａ以上である。このようなヤング率ＥＡの特性は、熱硬化性樹脂と無機充填材の組成及び配合比により得られる。
　図３に示すように、温度について、最低温度ＬＣ１から最高温度ＵＣ１までの温度領域ＴＣ１と、最低温度ＬＣ２から最高温度ＵＣ２までの温度領域ＴＣ２を定義する。温度領域ＴＣ１の最低温度ＬＣ１は封止体２７のガラス転移温度ＴｇＡ以上である。温度領域ＴＣ２の最高温度ＵＣ２はガラス転移温度ＴｇＡより低い。温度領域ＴＣ１の最高温度ＵＣ１は電子部品２１を使用する使用温度範囲の最高温度以上であり、温度領域ＴＣ２の最低温度ＬＣ２は電子部品２１を使用する使用温度範囲の最低温度以下である。温度領域ＴＣ１における封止体２７のヤング率は温度領域ＴＣ２における封止体２７のヤング率の１／１０以下である。
　図４は、実施の形態１における電子部品２１の封止体２７が基板２２に及ぼすＸ軸の方向の応力の相対値σＡＸの温度による変化を示す。図４は、従来の電子部品１の封止体７が基板２に及ぼすＸ軸の方向の応力の相対値σＢＸの温度による変化を併せて示す。応力は線膨張係数とヤング率を用いてシミュレーションにより求められる。Ｘ軸の方向の応力の相対値σＡＸ、σＢＸが正の場合は、封止体７、２７が基板２、２２に比べてそれぞれＸ軸の方向により大きく収縮し、基板２、２２に対して引張応力を及ぼしている。応力の相対値σＡＸ、σＢＸが負の場合は、封止体７、２７が基板２、２２に比べてそれぞれＸ軸の方向により大きく膨張し、基板２、２２に対して圧縮応力を及ぼしている。
　実施の形態１における電子部品２１の封止体２７の応力の相対値σＡＸは、図４に示すように、封止体２７の硬化温度１８０℃において０であり、温度が低下するにつれてわずかに大きくなり、ガラス転移温度ＴｇＡの近くで極大になり、さらにガラス転移温度ＴｇＡから低い温度では減少に転じて－５５℃において－１．８程度になる。このように電子部品２１の封止体２７の応力は、ガラス転移温度ＴｇＡよりも高温の使用温度領域５０℃～１２５℃において極めて小さく０に近く、ガラス転移温度ＴｇＡよりも低温の使用温度領域－５５℃～２５℃において基板２２に対して圧縮応力となる。電子部品２１では、低温において、封止体２７はＸ軸の方向の応力を発生する。しかし、その応力は圧縮応力であるので、劈開面３０で基板２２を引き剥がして破壊するようには基板２２に作用しない。すなわち、その応力は基板２２の劈開面３０で基板２２を圧縮するように基板２２に作用するので、基板２２の破壊を抑制し、電子部品２１の信頼性を向上することができる。
　一方、従来の電子部品１の封止体７のＸ軸の方向の応力の相対値σＢＸは、図４に示すように、封止体７の硬化温度１８０℃において０であり、温度が低下するにつれて徐々に大きくなり、－５５℃において＋０．４程度になる。このように、従来の電子部品１では、封止体７のＸ軸の方向の応力は引張応力であるが、その大きさは比較的小さいので、電子部品１に対する影響は小さい。
　図５は、実施の形態１における電子部品２１の封止体２７が基板２２に及ぼすＹ軸の方向の応力の相対値σＡＹの温度による変化を示す。図５は、従来の電子部品１の封止体７が基板２に及ぼすＹ軸の方向の応力の相対値σＢＹの温度による変化を併せて示す。応力の相対値σＡＹ、σＢＹは線膨張係数とヤング率を用いてシミュレーションにより求められる。Ｙ軸の方向の応力の相対値σＡＹ、σＢＹが正の場合は、封止体７、２７が基板２、２２に比べてそれぞれＹ軸の方向により大きく収縮し、基板２、２２に対して引張応力を及ぼしている。Ｙ軸の方向の応力の相対値σＡＹ、σＢＹが負の場合は、封止体７、２７が基板２、２２に比べてそれぞれＹ軸の方向により大きく膨張し、基板２、２２に対して圧縮応力を及ぼしている。
　従来の電子部品１の封止体７が基板２に及ぼすＹ軸の方向の応力の相対値σＢＹは、図５に示すように、封止体７の硬化温度１８０℃において０であり、この硬化温度から温度が低下するにつれて徐々に大きくなり、－５５℃において＋１．８程度になる。－５５℃では、従来の電子部品１の封止体７が基板２に引張応力１２がかかり、温度が低下するとともに引張応力１２は増大する。基板２はＹ軸の方向に対して鋭角をなす方向に劈開面１０を有するので、引張応力１２は劈開面１０に対して垂直方向に基板２を引き剥がすように基板２に作用し、図１４Ｂに示すように、基板２の端部を起点に劈開面１０に沿ってクラック１１が生じる場合がある。
　実施の形態１における電子部品２１の封止体２７のＹ軸の方向の応力の相対値σＡＹは、図５に示すように、封止体２７の硬化温度１８０℃において０であり、温度が低下するにつれてわずかに大きくなるが、ガラス転移温度ＴｇＡの近くで極大になり、さらに低温では減少に転じて－５５℃において－０．４程度になる。このように電子部品２１の封止体２７では、ガラス転移温度ＴｇＡよりも高温の使用温度領域５０℃～１２５℃においてＹ軸の方向の応力が極めて小さく０に近く、ガラス転移温度ＴｇＡよりも低温の使用温度領域－５５℃～２５℃において比較的小さなＹ軸の方向の圧縮応力を有する。このように電子部品２１は、封止体２７のＹ軸の方向の応力が小さく、しかもその応力は圧縮応力であるので劈開面３０で基板２２を破壊するように基板２２に作用しない。したがって、応力の基板２２に及ぼす影響を小さくすることができ、電子部品２１の信頼性を向上することができる。
　以上のように、実施の形態１における電子部品２１は、封止体２７のガラス転移温度ＴｇＡ以上の最低温度ＬＢ１を有する温度領域ＴＢ１において基板２２の線膨張係数αＸ、αＹのいずれか一方よりも封止体２７の線膨張係数αＡが大きく、ガラス転移温度ＴｇＡより低い最高温度ＵＢ２を有する温度領域ＴＢ２において、基板２２の線膨張係数αＸ、αＹのいずれか一方よりも封止体２７の線膨張係数αＡが小さい。これにより、封止体２７のガラス転移温度ＴｇＡの両側の温度で封止体２７が基板２２に及ぼす応力を引張応力から圧縮応力に反転させることができる。したがって、熱膨張または熱収縮による基板２２の破損を低減し、電子部品２１の長期にわたる信頼性を向上することができる。
　上記の代わりに、実施の形態１における電子部品２１では、封止体２７のガラス転移温度ＴｇＡよりも高い最低温度ＬＣ１を有する温度領域ＴＣ１における封止体２７のヤング率は、転移温度ＴｇＡよりも低い最高温度ＵＣ２を有する温度領域ＴＣ２における封止体２７のヤング率の１／１０以下である。これにより、高温の温度領域ＴＣ１において封止体２７が基板２２に及ぼす応力を極めて小さくすることができるとともに、低温の温度領域ＴＣ２において封止体２７が基板２２に対して圧縮応力を及ぼすことができる。したがって、基板２２の破損を低減し、電子部品２１の長期にわたる信頼性を向上することができる。
　また、実施の形態１における電子部品２１では封止体２７のガラス転移温度ＴｇＡは４０℃以上かつ９０℃以下であることが好ましい。これにより、電子部品２１の使用温度領域における封止体２７の基板２２に対する引張応力を小さくすることができる、基板２２の破損を低減でき、電子部品２１の長期にわたる信頼性を向上することができる。なお、封止体２７の基板２２に対する応力を低減する上において、封止体２７のガラス転移温度ＴｇＡは４０℃以上かつ６０℃以下であることがより好ましい。
　なお、実施の形態１における電子部品２１の封止体２７での無機充填材の含有率は９０±２％である。好ましくは封止体２７は７５ｗｔ％～９４ｗｔ％の無機充填材を含有する。これにより低温領域における線膨張係数とヤング率を好適な値に設定できる。
　また、実施の形態１における電子部品２１では、封止体２７の樹脂は熱硬化性樹脂であり、エポキシ系成分とゴム系成分とを含有する。封止体２７の熱硬化性樹脂はエポキシ系成分を含有しゴム系成分を含有していなくてもよい。この場合でも、低温領域と高温領域における線膨張係数とヤング率を好適な値に設定できる。
　（実施の形態２）
　図６は本発明の実施の形態２における電子部品４１の模式断面図である。図６において図１に示す実施の形態１における電子部品２１と同じ部分には同じ参照番号を付す。実施の形態２における電子部品４１は実施の形態１における電子部品２１と同様、弾性波装置である。
　実施の形態２における電子部品４１は、図１に示す実施の形態１における電子部品２１の封止体２７と接続電極２９の代わりに封止体４３と接続電極４４を備え、金属体４２をさらに備える。金属体４２は配線２４に接続され、カバー体２６の上面２６Ａに設けられている。金属体４２はカバー体２６の空間２５に面する面の反対側の面に配置されている。封止体４３は金属体４２の上面４２Ａから金属体４２を覆い、実施の形態１における封止体２７と同じ組成からなる。接続電極４４は封止体４３を貫通して端子電極２８と金属体４２とを接続する。金属体４２により電子部品４１の特に空間２５の機械的強度を確保することができる。金属体４２はカバー体２６の上面２６Ａに電解銅メッキにより形成され、金属銅を主成分とし、製造時の封止体４３の１８０℃の熱硬化処理工程において結晶化が進行して収縮する。電子部品４１の使用温度範囲の－５５℃～１２５℃における金属体４２の線膨張係数は２０．５ｐｐｍ／℃であり、ヤング率は１２３ＧＰａである。実施の形態２における電子部品４１は、封止体４３と金属体４２の熱膨張・熱収縮の影響を受ける。
　図７は比較例の電子部品５１の模式断面図である。図７において、図６に示す実施の形態２における電子部品４１と同じ部分には同じ参照番号を付す。比較例の電子部品５１は、図６に示す実施の形態２における電子部品４１の封止体４３の代わりに、図１４Ａと図１４Ｂに示す従来の電子部品１の封止体７と同じ組成よりなる封止体５２を備える。
　実施の形態２における電子部品４１において、封止体４３と金属体４２が基板２２に対して及ぼす応力について図を用いて以下に説明する。
　図８と図９は実施の形態２における電子部品４１の封止体４３の特性図である。
　図８は実施の形態２における電子部品４１において、封止体４３が基板２２に及ぼすＸ軸の方向の応力の相対値σＡＸの温度に対する変化と、金属体４２が基板２２に及ぼすＸ軸の方向の応力の相対値σＭＸの温度に対する変化とを示す。図８において縦軸は応力の相対値を示し、横軸は温度を示す。応力の相対値σＡＸ、σＭＸは線膨張係数とヤング率を用いてシミュレーションにより求めることができる。図８は、封止体４３のＸ軸の方向の応力の相対値σＡＸと金属体４２のＸ軸の方向の応力の相対値σＭＸとを合成して得られた応力の相対値σＡＭＸの温度に対する変化を併せて示す。
　図８に示すように、封止体４３と金属体４２のＸ軸の方向の応力の合成した相対値σＡＭＸは、２５℃以下の温度および１００℃以上の温度で圧縮応力になり、２５℃～１００℃の温度で引張応力になり、引張応力は５０℃あたりで極大になる。このように、金属体４２の引張応力は温度が低くなるにつれて大きくなる。しかし、金属体４２を上面４２Ａから封止体４３が圧縮応力で押さえることにより、封止体２７と金属体４２全体として金属体４２の引張応力が相殺され、引張応力を小さくすることができる。したがって、基板２２の劈開面３０からの破壊を抑制することができる。
　図９は実施の形態２における電子部品４１において、封止体４３が基板２２に及ぼすＹ軸の方向の応力の相対値σＡＹの温度による変化と、金属体４２が基板２２に及ぼすＹ軸の方向の応力の相対値σＭＹの温度による変化とを示す。図９において縦軸は応力の相対値を示し、横軸は温度を示す。応力の相対値σＡＹ、σＭＹは線膨張係数とヤング率を用いてシミュレーションにより求めることができる。図９は、封止体４３のＹ軸の方向の応力の相対値σＡＹと金属体４２のＹ軸の方向の応力の相対値σＭＹとを合成して得られた応力の相対値σＡＭＹの温度による変化を併せて示す。
　図９に示すように、封止体４３と金属体４２のＹ軸の方向の応力の合成した相対値σＡＭＹは、１００℃以上の温度で圧縮応力となり、１００℃以下の温度で引張応力になり、引張応力は最大で０．６程度である。Ｙ軸の方向については、金属体４２の線膨張率と基板２２の線膨張率との差が大きいために温度が低くなるにつれて引張応力が大きくなっている。しかし、金属体４２を上面４２Ａから封止体４３が圧縮応力で押さえることにより、金属体４２と封止体４３全体として、基板２２に加える引張応力を小さくすることができ、金属体４２の引張応力による基板２２の劈開面３０からの破壊を抑制することができる。ここで、封止体４３のヤング率を低温領域において十分大きくすることにより、金属体４２の収縮による引張応力を抑制することができる。
　図１０と図１１は比較例の電子部品５１の封止体５２の特性図である。
　図１０は比較例の電子部品５１において、封止体５２が基板２２に及ぼすＸ軸の方向の応力の相対値σＢＸの温度による変化と、金属体４２が基板２２に及ぼすＸ軸の方向の応力の相対値σＭＸの温度による変化とを示す。図１０において縦軸は応力の相対値を示し、横軸は温度を示す。応力の相対値σＢＸ、σＭＸは、線膨張係数とヤング率を用いてシミュレーションにより求めることができる。図１０は、比較例の電子部品５１の封止体５２のＸ軸の方向の応力の相対値σＢＸと金属体４２のＸ軸の方向の応力の相対値σＭＸとを合成して得られた応力の相対値σＢＭＸの温度による変化を併せて示す。
　図１０に示すように、比較例の電子部品５１では、封止体５２と金属体４２のＸ軸の方向の応力の合成した応力の相対値σＢＭＸは、１１０℃以上の温度で圧縮応力であり、１１０℃以下の温度で引張応力になり、－５５℃で０．７程度になる。したがって、比較例の電子部品５１では、低温になるにつれて封止体５２と金属体４２がＸ軸の方向の引張応力を強め合っている。しかし、引張応力の大きさは比較的小さく、基板２２が劈開面３０からＸ軸の方向に破壊する可能性は高くない。
　図１１は、比較例の電子部品５１の封止体５２が基板２２に及ぼすＹ軸の方向の応力の相対値σＢＹの温度による変化と、金属体４２が基板２２に及ぼすＹ軸の方向の応力の相対値σＭＹの温度による変化とを示す。図１１において縦軸は応力の相対値を示し、横軸は温度を示す。応力の相対値σＢＹ、σＭＹは、線膨張係数とヤング率を用いてシミュレーションにより求めることができる。図１１は、比較例の電子部品５１の封止体５２のＹ軸の方向の応力の相対値σＢＹと金属体４２のＹ軸の方向の応力の相対値σＭＹとを合成して得られた応力の相対値σＢＭＹの温度による変化を併せて示す。
　図１１に示すように、比較例の電子部品５１において、封止体５２と金属体４２のＹ軸の方向の応力の合成した応力の相対値σＢＭＹは、１３０℃以上の温度で圧縮応力となり、１３０℃以下の温度で引張応力になる。引張応力は温度が低くなるにつれて増大し、－５５℃で２．７程度になる。このように、比較例の電子部品５１では温度が低くなるにつれて封止体５２と金属体４２がＹ軸の方向の引張応力を強め合い、引張応力が大きくなるので、基板２２が劈開面３０から破壊する可能性は高い。
　実施の形態２における電子部品４１では、図２に示す実施の形態１における電子部品２１の封止体２７と基板２２と同様に、封止体４３のガラス転移温度ＴｇＡ以上の最低温度ＬＢ１を有する温度領域ＴＢ１において基板２２の線膨張係数αＸ、αＹのいずれか一方よりも封止体４３の線膨張係数αＡが大きく、ガラス転移温度ＴｇＡより低い最高温度ＵＢ２を有する温度領域ＴＢ２において、基板２２の線膨張係数αＸ、αＹのいずれか一方よりも封止体４３の線膨張係数αＡが小さい。これにより、封止体４３が基板２２に及ぼす応力を高温側で引張応力にして低温側で圧縮応力にすることができる。したがって、金属体４２が基板２２に及ぼす応力を相殺することができ、基板２２の破損を低減することができるので、電子部品４１の長期にわたる信頼性を向上することができる。
　実施の形態２における電子部品４１では、図３に示す実施の形態１における電子部品２１の封止体２７と同様に、封止体４３のガラス転移温度ＴｇＡよりも高い最低温度ＬＣ１を有する温度領域ＴＣ１における封止体４３のヤング率は、転移温度ＴｇＡよりも低い最高温度ＵＣ２を有する温度領域ＴＣ２における封止体４３のヤング率の１／１０以下である。これにより、高温側で封止体４３が基板２２に及ぼす応力を十分小さくすることができ、高温側で金属体４２が基板２２に及ぼす引張応力を減ずることができる。したがって基板２２の破損を低減し、電子部品４１の長期にわたる信頼性を向上することができる。
　なお、実施の形態１、２における電子部品２１、４１は弾性波装置である。しかしながら、基板２２を封止体２７（４３）で覆う構造を有する電子部品であれば、基板２２と封止体２７（４３）の間の線膨張係数の差により基板２２もしくは封止体２７（４３）に相対的な応力が発生する。そして、その応力により基板２２に亀裂が生じ、電子部品２１、４１が破損する可能性がある。したがって、電子部品２１、４１の封止体２７、４３の温度係数を上記のように設定することは、電子部品２１、４１の高温時や低温時における内部応力を低減することができ、長期にわたる信頼性を向上することができ、弾性波装置の他の電子部品にも適用できる。
　（実施の形態３）
　図１２は本発明の実施の形態３における電子部品１２１の模式断面図である。図１２において図１に示す実施の形態１における電子部品２１と同じ部分には同じ参照番号を付す。実施の形態３における電子部品１２１は実施の形態１における電子部品２１と同様、弾性波装置である。
　実施の形態３における電子部品１２１は、図１に示す実施の形態１における電子部品２１の封止体２７の代わりに封止体１２７を備える。封止体１２７は実施の形態１における封止体２７と同様の形状を有して、カバー体２６の上面２６Ａから空間２５を介して櫛形電極２３を覆う。
　封止体１２７は実施の形態１における封止体２７と材料が異なる。封止体１２７は、３０ｗｔ％の熱硬化性樹脂と、７０ｗｔ％の負膨張材料とを含有する材料を熱硬化させて形成された絶縁体である。熱硬化性樹脂はエポキシ系成分とゴム系成分とを含有する。封止体１２７の硬化温度は１８０℃で、ガラス転移温度ＴｇＡがＤＭＡ装置で測定して５０℃になるように熱硬化性樹脂が調整されている。この構成により、電子部品１２１において、－５５℃～１２５℃の使用温度領域における温度変化による基板２２の破損を低減し、長期使用における信頼性を向上することができる。
　負膨張材料は、特定の温度領域において温度の上昇とともに体積が小さくなる特性を有し、その温度領域で負の線膨張係数を有している。負膨張材料としては、例えば、タングステン酸ジルコニウム（ＺｒＷ２Ｏ８）やシリコン酸化物（Ｌｉ２Ｏ－Ａｌ２Ｏ３－ｎＳｉＯ２）、ＨｆＷ２Ｏ８、ＢｉＮｉＯ３といった複合酸化物や、逆ペロブスカイト構造をもつマンガン窒化物（Ｍｎ３ＸＮ）などを用いることができる。
　負膨張材料は、電子部品１２１の使用温度領域全域で負の線膨張係数を有することが望ましい。さらに負膨張材料は１種類の成分で、電子部品１２１の使用温度領域全域において負の線膨張係数を有することが望ましい。しかし、負の線膨張係数を有する温度領域が狭い負膨張材料では、負の線膨張係数を有する温度領域が異なる複数の負膨張材料の成分を配合することにより、負膨張材料全体として電子部品１２１の使用温度領域ほぼ全域において負の線膨張係数を有していてもよい。
　実施の形態３における電子部品１２１の封止体１２７は、図２から図５に示す実施の形態１における電子部品２１の封止体２７と同じ特性を有し、同じ効果を有する。
　封止体１２７のヤング率において、負膨張材料の組成及び熱硬化性樹脂と負膨張材料の配合比を調整することにより、図３に示す実施の形態１における封止体２７のヤング率ＥＡと同じ温度特性を発現させることができる。
　電子部品１２１の封止体１２７は負の線膨張係数を有する負膨張材料を含有することにより、実施の形態１における封止体２７と同様に、封止体１２７の線膨張係数を極めて小さくすることが可能になる。これにより、温度変化による電子部品１２１の内部応力を低減し、電子部品１２１の故障を低減することができる。
　実施の形態３における封止体１２７における負膨張材料の含有率は７０％であるが、封止体１２７の負膨張材料の含有率は６５％～８０％にすることで、温度領域ＴＢ１、ＴＢ２、ＴＣ１、ＴＣ２における線膨張係数とヤング率を好適な値に設定することができる。
　封止体１２７は熱硬化性樹脂に充填される充填材として負膨張材料を含有する。封止体１２７の熱硬化性樹脂の充填材としてＳｉＯ２などの無機材料を用いた場合、封止体１２７の線膨張係数を上述の条件にするためには８０％を超える充填率が必要となる。無機材料の充填率が高いと、封止体１２７をシート形状で扱う場合にもろくなり割れや亀裂が生じやすくなる。しかし、熱硬化性樹脂の充填材として負膨張材料を用いることで、充填率を８０％以下にすることができる。したがって、ＳｉＯ２などの無機材料を用いる場合に比べて、シート形状の封止体１２７で割れや亀裂が生じにくくなり、シート形状で扱うことが可能となる。電子部品１２１の低背化が求められる場合には、封止体１２７がシート形状を有することにより、精度良く高さを制御できる。また、液体の封止材を用いて封止体１２７を形成する場合は、電子部品１２１の高さの制御のために研削工程が必要となる。しかし、封止体１２７をシート形状とすることにより、製造段階で封止体１２７を薄くするための研削工程を省くことができ、電子部品１２１の製造コストを削減することができる。
　また、電子部品１２１の加工において、半導体ウエハの個片化やビアの穴あけ加工などにおいてレーザ加工が使われる。レーザ加工においては、封止体１２７の充填材の含有率が高く、レーザの照射部分に大きな量の充填材が存在すると、充填材の脱離による加工精度の低下や、加工のレートの低下を招き封止体１２７の加工が難しくなる。しかし、充填材として負膨張材料を用いることにより、封止体１２７の充填材の含有率を小さくすることができるので、容易にレーザ加工を行うことができる。
　（実施の形態４）
　図１３は本発明の実施の形態４における電子部品１４１の模式断面図である。図１３において、図６に示す実施の形態２における電子部品４１と同じ部分には同じ参照番号を付す。実施の形態４における電子部品１４１は実施の形態２における電子部品４１と同様、弾性波装置である。
　実施の形態４における電子部品１４１は、図６に示す実施の形態２における電子部品４１の封止体４３の代わりに封止体１４３を備える。封止体１４３は実施の形態２における封止体４３と同様の形状を有して、金属体４２の上面４２Ａとカバー体２６の上面２６Ａから空間２５を介して櫛形電極２３を覆う。封止体１４３は実施の形態３における電子部品１２１の封止体１２７と同じ組成よりなり、負膨張材料を含有する。
　実施の形態４における電子部品１４１の封止体１４３は、図８から図１１に示す実施の形態２における電子部品４１の封止体４３と同じ特性を有し、同じ効果を有する。
　なお、実施の形態３、４における電子部品１２１、１４１は弾性波装置である。しかしながら、基板２２を封止体１２７（１４３）で覆う構造を有する電子部品であれば、基板２２と封止体１２７（１４３）の間の線膨張係数の差により基板２２もしくは封止体１２７（１４３）に相対的な応力が発生する。そして、その応力により基板２２に亀裂が生じ、電子部品１２１、１４１が破損する可能性がある。したがって、電子部品１２１、１４１の封止体１２７、１４３に負膨張材料を含有させることは、電子部品１２１、１４１の高温時や低温時における内部応力を低減することができ、長期にわたる信頼性を向上することができ、弾性波装置の他の電子部品にも適用できる。
　実施の形態において、「上面」「下面」等の方向を示す用語は基板や封止体等の電子部品の構成部品の相対的な位置関係にのみ依存する相対的な方向を示し、鉛直方向等の絶対的な方向を示すものではない。
　本発明に係る電子部品は、各種電子機器に使用される電子部品において有用であり、とりわけ、基板と電子部品の外寸がほぼ等しいウエハレベルパッケージと言われるハウジング技術を用いた電子部品や、主として移動体通信機器に用いられる高周波フィルタや分波器、共用器等の弾性波装置において有用となる。
２１　　電子部品
２２　　基板
２３　　櫛形電極（機能部）
２４　　配線
２５　　空間
２６　　カバー体
２７　　封止体
２８　　端子電極
２９　　接続電極
４１　　電子部品
４３　　封止体
１２１　　電子部品
１２７　　封止体
１４１　　電子部品
１４３　　封止体
ＴＢ１　　温度領域（第１の温度領域）
ＴＢ２　　温度領域（第２の温度領域）
ＴＣ１　　温度領域（第１の温度領域）
ＴＣ２　　温度領域（第２の温度領域）
ＴｇＡ　　ガラス転移温度

Claims (15)

  1. 基板と、
    前記基板上に設けられた機能部と、
    前記基板上に設けられて前記機能部を封止する、ガラス転移温度を有する封止体と、
    を備え、
    前記ガラス転移温度以上の最低温度を有する第１の温度領域において前記基板の線膨張係数よりも前記封止体の線膨張係数が大きく、
    前記封止体のガラス転移温度より低い最高温度を有する第２の温度領域において、前記基板の線膨張係数よりも前記封止体の線膨張係数が小さい、電子部品。
  2. 前記ガラス転移温度は４０℃以上かつ９０℃以下である、請求項１に記載の電子部品。
  3. 前記基板は圧電材料よりなり、
    前記機能部は櫛形電極を有し、
    前記封止体は、前記櫛形電極上に設けられた空間を介して前記櫛形電極を封止する、請求項１に記載の電子部品。
  4. 前記空間を介して前記櫛形電極を覆うカバー体をさらに備え、
    前記封止体は前記カバー体と前記空間とを介して前記櫛形電極を覆う、請求項３に記載の電子部品。
  5. 前記カバー体の前記空間に面する面の反対側の面に配置された金属体をさらに備え、
    前記封止体は前記金属体と前記カバー体と前記空間とを介して前記櫛形電極を覆う、請求項４に記載の電子部品。
  6. 前記封止体は、樹脂と、負の線膨張係数を有する負膨張材料とを含有する、請求項１に記載の電子部品。
  7. 前記封止体は、樹脂と、７５ｗｔ％～９４ｗｔ％の無機充填材とを含有する、請求項１に記載の電子部品。
  8. 基板と、
    前記基板上に設けられた機能部と、
    前記基板上に設けられて前記機能部を封止する、ガラス転移温度を有する封止体と、
    を備え、
    前記ガラス転移温度よりも高い最低温度を有する第１の温度領域における前記封止体のヤング率は、前記ガラス転移温度よりも低い最高温度を有する第２の温度領域における前記封止体のヤング率の１／１０以下である、電子部品。
  9. 前記ガラス転移温度は４０℃以上かつ９０℃以下である、請求項８に記載の電子部品。
  10. 前記基板は圧電材料よりなり、
    前記機能部は櫛形電極を有し、
    前記封止体は、前記櫛形電極上に設けられた空間を介して前記櫛形電極を封止する、請求項８に記載の電子部品。
  11. 前記空間を介して前記櫛形電極を覆うカバー体をさらに備え、
    前記封止体は前記カバー体と前記空間とを介して前記櫛形電極を覆う、請求項１０に記載の電子部品。
  12. 前記カバー体の前記空間に面する面の反対側の面に配置された金属体をさらに備え、
    前記封止体は前記金属体と前記カバー体と前記空間とを介して前記櫛形電極を覆う、請求項１１に記載の電子部品。
  13. 前記封止体は、樹脂と、負の線膨張係数を有する負膨張材料とを含有する、請求項８に記載の電子部品。
  14. 前記封止体は、樹脂と、７５ｗｔ％～９４ｗｔ％の無機充填材とを含有する、請求項８に記載の電子部品。
  15. 基板と、
    前記基板上に設けられた機能部と、
    前記基板上に設けられて前記機能部を封止する封止体と、
    を備え、
    前記封止体は、樹脂と、負の線膨張係数を有する負膨張材料とを含有する、電子部品。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017188621A (ja) * 2016-04-08 2017-10-12 クラスターテクノロジー株式会社 半導体素子実装パッケージおよびその製造方法、ならびに当該パッケージ製造のための基板プレート

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6103906B2 (ja) * 2012-12-06 2017-03-29 スカイワークスフィルターソリューションズジャパン株式会社 弾性波装置と封止体
JP2017022473A (ja) * 2015-07-08 2017-01-26 セイコーエプソン株式会社 振動子及びその製造方法、発振器、電子機器、並びに、移動体
JP7087996B2 (ja) * 2018-12-26 2022-06-21 三菱電機株式会社 半導体モジュール、その製造方法及び電力変換装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001185976A (ja) 1999-12-24 2001-07-06 Kyocera Corp 弾性表面波装置
JP2003101383A (ja) * 2001-07-16 2003-04-04 Toshiba Corp 弾性表面波装置及び電子部品装置
JP2005217177A (ja) * 2004-01-29 2005-08-11 Kyocera Corp 電子部品装置
JP2006304145A (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Kyocera Corp 高周波モジュール
JP2007096519A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Kyocera Corp 高周波モジュールおよびその製造方法
JP2009200996A (ja) * 2008-02-25 2009-09-03 Panasonic Corp 弾性表面波デバイス
JP2010245704A (ja) * 2009-04-02 2010-10-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd 弾性表面波素子用基板および弾性表面波装置
JP2011147098A (ja) * 2009-08-19 2011-07-28 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電部品及びその製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6236456A (ja) 1985-08-09 1987-02-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子用封止樹脂
JPH02208256A (ja) * 1989-02-08 1990-08-17 Denki Kagaku Kogyo Kk 低熱膨張性セラミックス及びそれを用いた半導体封止材用充填材
JP4089534B2 (ja) * 2003-07-29 2008-05-28 株式会社村田製作所 圧電装置
US7391285B2 (en) * 2003-10-30 2008-06-24 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Film acoustically-coupled transformer
JP2006033748A (ja) 2004-07-21 2006-02-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜バルク音波共振子
US7649235B2 (en) * 2006-02-07 2010-01-19 Panasonic Corporation Electronic component package
JP4484831B2 (ja) * 2006-03-02 2010-06-16 パナソニック株式会社 電子部品内蔵モジュールおよび電子部品内蔵モジュールの製造方法
WO2008039179A1 (en) * 2006-09-26 2008-04-03 Addiction Research Institute, Inc. Compositions for the treatment of hepatitis c and methods for using compositions for the treatment of hepatitis c
US8008837B2 (en) * 2006-12-28 2011-08-30 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same
JP4396746B2 (ja) * 2007-08-13 2010-01-13 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス
JP5391600B2 (ja) * 2008-07-16 2014-01-15 船井電機株式会社 振動ミラー素子
JP2011188255A (ja) * 2010-03-09 2011-09-22 Panasonic Corp 弾性波素子
JP5795187B2 (ja) * 2010-08-12 2015-10-14 キヤノン株式会社 対熱膨張性樹脂および対熱膨張性金属

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001185976A (ja) 1999-12-24 2001-07-06 Kyocera Corp 弾性表面波装置
JP2003101383A (ja) * 2001-07-16 2003-04-04 Toshiba Corp 弾性表面波装置及び電子部品装置
JP2005217177A (ja) * 2004-01-29 2005-08-11 Kyocera Corp 電子部品装置
JP2006304145A (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Kyocera Corp 高周波モジュール
JP2007096519A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Kyocera Corp 高周波モジュールおよびその製造方法
JP2009200996A (ja) * 2008-02-25 2009-09-03 Panasonic Corp 弾性表面波デバイス
JP2010245704A (ja) * 2009-04-02 2010-10-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd 弾性表面波素子用基板および弾性表面波装置
JP2011147098A (ja) * 2009-08-19 2011-07-28 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電部品及びその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2874312A4

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017188621A (ja) * 2016-04-08 2017-10-12 クラスターテクノロジー株式会社 半導体素子実装パッケージおよびその製造方法、ならびに当該パッケージ製造のための基板プレート

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