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WO2014088115A1 - 硬化性シリコーン組成物および光半導体装置 - Google Patents

硬化性シリコーン組成物および光半導体装置 Download PDF

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WO2014088115A1
WO2014088115A1 PCT/JP2013/082906 JP2013082906W WO2014088115A1 WO 2014088115 A1 WO2014088115 A1 WO 2014088115A1 JP 2013082906 W JP2013082906 W JP 2013082906W WO 2014088115 A1 WO2014088115 A1 WO 2014088115A1
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WO
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group
curable silicone
component
silicone composition
optical semiconductor
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PCT/JP2013/082906
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English (en)
French (fr)
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侑典 宮本
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DuPont Toray Specialty Materials KK
Original Assignee
Dow Corning Toray Co Ltd
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Publication date
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Priority to JP2014551167A priority patent/JP6223358B2/ja
Priority to EP13860333.7A priority patent/EP2930213B1/en
Priority to US14/650,034 priority patent/US20150299543A1/en
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    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Definitions

  • the present invention relates to a curable silicone composition and an optical semiconductor device produced using the composition.
  • Patent Document 1 discloses an organopolysiloxane having at least two alkenyl groups, an organopolysiloxane having at least two silicon-bonded hydrogen atoms, a zinc compound such as zinc carboxylate and zinc oxide, and hydrosilylation reaction.
  • Patent Document 2 discloses an organopolysiloxane having at least two alkenyl groups, an organopolysiloxane having at least two silicon-bonded hydrogen atoms, zinc oxide, and zinc carbonate.
  • Zinc compound obtained by reacting an acid with 1.5 mol or more and less than 2 mol with respect to at least one selected from the group consisting of zinc hydroxide, zinc chloride, zinc sulfate and zinc nitrate, and hydrosilyl Curable silicone composition consisting of catalyst for hydrogenation reaction It has been.
  • the purpose of the present invention is excellent storage stability before curing, curing, less yellowing due to thermal aging, and discoloration of silver electrodes and silver plating on substrates in optical semiconductor devices due to sulfur-containing gas in the air. It is an object of the present invention to provide a curable silicone composition that forms a sufficiently suppressed cured product, and an optical semiconductor device in which discoloration of a silver electrode or a silver plating of a substrate by a sulfur-containing gas in air is sufficiently suppressed.
  • the curable silicone composition of the present invention is (A) an organopolysiloxane having at least two silicon-bonded alkenyl groups in one molecule; (B) Organopolysiloxane having at least two silicon-bonded hydrogen atoms in one molecule ⁇ with respect to 1 mol of alkenyl groups in component (A), Amount to be 10 moles ⁇ , (C) Oxidation surface-coated with oxide and / or hydroxide of at least one element selected from the group consisting of Al, Ag, Cu, Fe, Sb, Si, Sn, Ti, Zr, and rare earth elements Selected from the group consisting of zinc fine powder, zinc oxide fine powder surface-treated with an organosilicon compound having no alkenyl group, and zinc carbonate hydrate fine powder, and having a mass average particle diameter of 0.1 nm to 5 ⁇ m It is characterized by comprising at least one kind of fine powder ⁇ amount of 1 ppm to 10% by mass with respect to the present composition ⁇ and (D) an effective
  • the curable silicone composition of the present invention has excellent storage stability before curing, is cured, has little yellowing due to thermal aging, and is a silver electrode or substrate silver in an optical semiconductor device due to sulfur-containing gas in the air. It is characterized by forming a cured product that sufficiently suppresses discoloration of plating. Further, the optical semiconductor device of the present invention is characterized in that discoloration of the silver electrode or the silver plating of the substrate due to the sulfur-containing gas in the air is sufficiently suppressed.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of an LED which is an example of an optical semiconductor device of the present invention.
  • Component (A) is the main component of the present composition and is an organopolysiloxane having at least two silicon-bonded alkenyl groups in one molecule.
  • alkenyl group in the component (A) the vinyl group, allyl group, butenyl group, pentenyl group, hexenyl group, heptenyl group, octenyl group, nonenyl group, decenyl group, undecenyl group, dodecenyl group, etc. Twelve alkenyl groups are exemplified, and a vinyl group is preferable.
  • the silicon atom in the component (A) may have a small amount of a hydroxyl group, an alkoxy group such as a methoxy group, an ethoxy group or the like as long as the object of the present invention is not impaired.
  • the molecular structure of the component (A) is not particularly limited, and examples thereof include a straight chain, a partially branched straight chain, a branched chain, a ring, or a three-dimensional network structure.
  • the component (A) may be a single organopolysiloxane having these molecular structures or a mixture of two or more organopolysiloxanes having these molecular structures.
  • Such component (A) has an average unit formula: (R 1 SiO 3/2 ) a (R 2 R 3 SiO 2/2 ) b (R 4 R 5 R 6 SiO 1/2 ) c (SiO 4/2 ) d
  • An organopolysiloxane represented by the formula is preferred.
  • R 1 ⁇ R 6 Each represent the same or different monovalent hydrocarbon group.
  • This R 1 ⁇ R 6 As the monovalent hydrocarbon group, the same alkyl group, alkenyl group, aryl group, aralkyl group as described above, and a part or all of the hydrogen atoms of these groups are halogen atoms such as fluorine atom, chlorine atom, bromine atom and the like. And a group substituted with.
  • the alkenyl group is R 1 ⁇ R 6
  • the total monovalent hydrocarbon group is preferably 0.01 to 50% by mole, more preferably 0.05 to 40% by mole, and particularly preferably 0.09 to 32% by mole. . This is because if there are too few alkenyl groups in the component (A), a cured product may not be obtained, and if there are too many alkenyl groups in the component (A), the mechanical properties of the resulting cured product will deteriorate. There is a fear. Moreover, it is preferable that the alkenyl group in (A) component exists in the both terminal of an organopolysiloxane molecule.
  • mol% of the alkenyl group in all the monovalent hydrocarbon groups in (A) component is, for example, Fourier transform infrared spectrophotometer (FT-IR), nuclear magnetic resonance (NMR), gel permeation chromatography ( It can be measured by analysis such as GPC).
  • FT-IR Fourier transform infrared spectrophotometer
  • NMR nuclear magnetic resonance
  • GPC gel permeation chromatography
  • Component (A) is an organopolysiloxane that is liquid or solid at 25 ° C.
  • the viscosity at 25 ° C. is preferably in the range of 1 to 1,000,000 mPa ⁇ s, and in the range of 10 to 1,000,000 mPa ⁇ s. More preferably, it is within.
  • the viscosity of the organopolysiloxane at 25 ° C. can be determined, for example, by measuring with a B-type viscometer in accordance with JIS K7117-1.
  • Component (B) is a cross-linking agent of the present composition and is an organopolysiloxane having at least two silicon-bonded hydrogen atoms in one molecule.
  • the silicon atom in the component (B) may have a small amount of a hydroxyl group, an alkoxy group such as a methoxy group, an ethoxy group or the like as long as the object of the present invention is not impaired.
  • component (B) is not particularly limited, and examples thereof include linear, linear, partially branched, branched, cyclic, or three-dimensional network structures. Examples include a chain, a branched chain, or a three-dimensional network structure.
  • a component (B) for example, an average composition formula: R 7 e H f SiO [(4-ef) / 2]
  • An organopolysiloxane represented by the formula is preferred.
  • R 7 Is a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group excluding an aliphatic unsaturated hydrocarbon group, and the same alkyl group, aryl group, aralkyl group, and part or all of the hydrogen atoms of these groups as fluorine Examples thereof include a group substituted with a halogen atom such as an atom, chlorine atom or bromine atom.
  • e and f satisfy 1.0 ⁇ e ⁇ 2.0, 0.1 ⁇ f ⁇ 1.0, and 1.5 ⁇ e + f ⁇ 2.7.
  • the component is solid or liquid at 25 ° C. When the component (B) is liquid at 25 ° C., the viscosity at 25 ° C.
  • the viscosity of the organopolysiloxane at 25 ° C. can be determined, for example, by measuring with a B-type viscometer in accordance with JIS K7117-1.
  • the component (B) is not particularly limited to a specific organopolysiloxane as long as the object of the present invention can be achieved.
  • the content of component (B) is such that the silicon-bonded hydrogen atoms in this component are 0.1 to 10 moles per mole of alkenyl groups in component (A), preferably The amount is 5 to 5 mol. This is because when the content of the component (B) is not more than the upper limit of the above range, it is possible to suppress a decrease in the mechanical properties of the obtained cured product, and on the other hand, if it is not less than the lower limit of the above range, This is because the resulting composition is sufficiently cured.
  • the amount of silicon atom-bonded hydrogen atoms in component (B) is determined by analysis such as Fourier transform infrared spectrophotometer (FT-IR), nuclear magnetic resonance (NMR), gel permeation chromatography (GPC), etc.
  • the component (C) is a characteristic component for sufficiently suppressing discoloration of the silver electrode and the silver plating of the substrate in the optical semiconductor device due to the sulfur-containing gas in the air.
  • Such component (C) is an oxide and / or hydroxide of at least one element selected from the group consisting of Al, Ag, Cu, Fe, Sb, Si, Sn, Ti, Zr, and rare earth elements Selected from the group consisting of zinc oxide fine powder coated with a surface, zinc oxide fine powder surface-treated with an organosilicon compound having no alkenyl group, and zinc carbonate hydrate fine powder. At least one fine powder having a thickness of 0.1 nm to 5 ⁇ m.
  • the mass average particle diameter can be measured by a laser diffraction / scattering method or the like.
  • the “mass average particle diameter” according to the present invention means a particle diameter (D50) obtained by measuring the particle size distribution when the cumulative mass is 50%.
  • examples of rare earth elements include yttrium, cerium, and europium.
  • oxide on the surface of zinc oxide fine powder Al 2 O 3 , AgO, Ag 2 O, Ag 2 O 3 , CuO, Cu 2 O, FeO, Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , Sb 2 O 3 , SiO 2 , SnO 2 , Ti 2 O 3 TiO 2 , Ti 3 O 5 , ZrO 2 , Y 2 O 3 , CeO 2 , Eu 2 O 3 And mixtures of two or more of these oxides, and further Al 2 O 3 ⁇ NH 2 O, Fe 2 O 3 ⁇ NH 2 O, Fe 3 O 4 ⁇ NH 2 O, Sb 2 O 3 ⁇ NH 2 O, SiO 2 ⁇ NH 2 O, TiO 2 ⁇ NH 2 O, ZrO 2 ⁇ NH 2 O, CeO 2 ⁇ NH 2 Hydrates of oxides such as O are exemplified, preferably Al 2 O 3 , SiO 2 , And their hydrates.
  • n is usually a positive integer, but n is not necessarily an integer depending on the degree of dehydration.
  • examples of rare earth elements include yttrium, cerium, and europium.
  • As a hydroxide on the surface of zinc oxide fine powder Al (OH) 3 , Cu (OH) 2 , Fe (OH) 3 , Ti (OH) 4 , Zr (OH) 3 , Y (OH) 3 , Ce (OH) 3 , Ce (OH) 4 And mixtures of two or more of these oxides, as well as Ce (OH) 3 ⁇ NH 2
  • examples include hydrates of oxides such as O, preferably Al (OH) 3 It is.
  • n is usually a positive integer, but n is not necessarily an integer depending on the degree of dehydration.
  • the zinc oxide surface-coated with the oxide may be further coated with the hydroxide, or may be further coated with the other oxide.
  • the zinc oxide surface-coated with the hydroxide may be further surface-coated with the oxide, or may be further surface-coated with the other hydroxide.
  • the component (C) may be zinc oxide whose surface is coated with the oxide and the hydroxide.
  • Al 2 O 3 And Al (OH) 3 Combination of SiO 2 And Al (OH) 3 The combination of is illustrated.
  • the organosilicon compound has no alkenyl group
  • organosilane, organosilazane, polymethylsiloxane, organohydrogenpolysiloxane, and organosiloxane oligomer are Specifically, organochlorosilanes such as trimethylchlorosilane, dimethylchlorosilane, and methyltrichlorosilane; methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, and n-propyltrimethoxysilane Organotrialkoxysilane; Diorganodialkoxysilane such as dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, diphenyldimethoxysilane; Trimethylmethoxysilane Triorganoalkoxysilanes such as trimethyle
  • the zinc oxide fine powder may be further surface-treated with a treatment agent other than the above.
  • the treatment agent include higher fatty acids such as stearic acid and metal soap thereof; higher fatty acid esters such as octyl palmitate; polyhydric alcohols such as trimethylolethane, trimethylolpropane, and pentaerythritol; diethanolamine, triethanolamine, and the like. Examples are amine compounds.
  • a coupling agent such as alkyl titanate, alkyl aluminate or alkyl zirconate; a fluorine-based organic compound such as perfluoroalkyl silane or perfluoroalkyl phosphate
  • Zinc carbonate hydrate fine powder is a compound in which water is bonded to zinc carbonate, and preferably has a mass reduction rate of 0.1% by mass or more under heating conditions at 105 ° C. for 3 hours.
  • the content of the component (C) is an amount in the range of 1 ppm to 10%, preferably an amount in the range of 1 ppm to 5% with respect to the present composition.
  • the component (D) is a hydrosilylation catalyst for promoting the hydrosilylation reaction of the composition.
  • a component (D) is preferably a platinum group element catalyst or a platinum group element compound catalyst, and examples thereof include a platinum-based catalyst, a rhodium-based catalyst, and a palladium-based catalyst.
  • a platinum-based catalyst is preferable because the hydrosilylation reaction between the component (A) and the component (B) can be remarkably accelerated.
  • platinum-based catalysts include platinum fine powder, platinum black, chloroplatinic acid, chloroplatinic acid-modified products, chloroplatinic acid and diolefin complexes, platinum-olefin complexes, platinum bis (acetoacetate), and platinum.
  • Platinum-carbonyl complexes such as bis (acetylacetonate), chloroplatinic acid-divinyltetramethyldisiloxane complexes, chloroplatinic acid-alkenylsiloxane complexes such as chloroplatinic acid-tetravinyltetramethylcyclotetrasiloxane complexes, platinum-divinyltetra Examples include methyldisiloxane complexes, platinum-alkenylsiloxane complexes such as platinum-tetravinyltetramethylcyclotetrasiloxane complexes, and complexes of chloroplatinic acid and acetylene alcohols.
  • Platinum-alkenylsiloxane The body is particularly preferred. These catalysts for hydrosilylation reaction may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
  • the alkenyl siloxane used in the platinum-alkenyl siloxane complex is not particularly limited.
  • 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane is preferred because the resulting platinum-alkenylsiloxane complex has good stability.
  • these platinum-alkenylsiloxane complexes may be converted to 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-diallyl-1 1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-divinyl-1,3-dimethyl-1,3-diphenyldisiloxane, 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxane , And 1,3,5,7-tetramethyl-1,3,5,7-tetravinylcyclotetrasiloxane and other alkenylsiloxane oligomers and dimethylsiloxane oligomers and other organosiloxane
  • the content of the component (D) is an amount effective for accelerating the curing of the composition.
  • the catalytic metal atom in the component (D) is in mass units with respect to the composition, It is preferably an amount that falls within the range of 0.01 to 500 ppm, more preferably an amount that falls within the range of 0.01 to 100 ppm, and an amount that falls within the range of 0.1 to 50 ppm. Particularly preferred. This is because when the content of the component (D) is not less than the lower limit of the above range, the resulting composition is sufficiently cured, whereas when it is not more than the upper limit of the above range, the resulting cured product is colored. It is because it is suppressed.
  • This composition may contain (E) a hydrosilylation reaction inhibitor as an optional component for extending the pot life at room temperature and improving the storage stability.
  • component (E) include 1-ethynylcyclohexane-1-ol, 2-methyl-3-butyn-2-ol, 3,5-dimethyl-1-hexyn-3-ol, and 2-phenyl- Alkyne alcohols such as 3-butyn-2-ol; Enyne compounds such as 3-methyl-3-penten-1-yne and 3,5-dimethyl-3-hexen-1-yne; 1,3,5,7 Methyl alkenylsiloxane oligomers such as tetramethyl-1,3,5,7-tetravinylcyclotetrasiloxane and 1,3,5,7-tetramethyl-1,3,5,7-tetrahexenylcyclotetrasiloxane; Alkyl such as dimethylbis (3-methyl-1-butyne-3-oxy) silane and methyl
  • the content of the component (E) is not particularly limited, but it is an amount sufficient to suppress gelation or to suppress curing when the components (A) to (D) are mixed. Sufficient to allow storage. Specifically, the content of the component (E) is preferably in the range of 0.0001 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass in total of the components (A) to (D). More preferably, it is within the range of 01 to 3 parts by mass. Moreover, since this composition can further suppress the discoloration of the silver electrode or the silver plating of the substrate by the sulfur-containing gas in the air, it may contain (F) a triazole compound as an optional component. .
  • component (F) examples include 1H-1,2,3-triazole, 2H-1,2,3-triazole, 1H-1,2,4-triazole, 4H-1,2,4-triazole, 2- (2'-hydroxy-5-'methylphenyl) benzotriazole, 1H-1,2,3-triazole, 2H-1,2,3-triazole, 1H-1,2,4-triazole, 4H-1 , 2,4-triazole, benzotriazole, tolyltriazole, carboxybenzotriazole, methyl 1H-benzotriazole-5-carboxylate, 3-amino-1,2,4-triazole, 4-amino-1,2,4- Triazole, 5-amino-1,2,4-triazole, 3-mercapto-1,2,4-triazole, chlorobenzotriazole, nitrobenzoto Azole, aminobenzotriazole, cyclohexano [1,2-d] triazole, 4,5,6,7-tetra
  • the content of the component (F) is not particularly limited, but is an amount that falls within a range of 0.000001 to 3 parts by mass with respect to 100 parts by mass in total of the components (A) to (D). The amount is in the range of 0.00001 to 1 part by mass.
  • the composition may also contain an adhesion promoter in order to further improve the adhesion to the substrate that is in contact during curing. As this adhesion promoter, an organosilicon compound having one or more alkoxy groups bonded to silicon atoms in one molecule is preferable.
  • alkoxy group examples include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, and a methoxyethoxy group, and a methoxy group or an ethoxy group is particularly preferable.
  • a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group such as an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, an aralkyl group, and a halogenated alkyl group
  • Glycidoxyalkyl groups such as 3-glycidoxypropyl group and 4-glycidoxybutyl group
  • Epoxy cyclohexyl alkyl groups such as 4-oxylanyl butyl groups and oxiranyl alkyl groups such as 8-oxiranyl octyl groups
  • acrylic groups such as 3-methacryloxypropyl groups
  • Illustrative examples include a monovalent organic group; an isocyanate group; an isocyanurate
  • This organosilicon compound preferably has an aliphatic unsaturated hydrocarbon group or a group capable of reacting with a silicon atom-bonded hydrogen atom in the present composition, specifically, a silicon atom-bonded aliphatic unsaturated hydrocarbon group or It preferably has a silicon atom-bonded hydrogen atom.
  • the content of the adhesion promoter is not limited, but is preferably in the range of 0.01 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass in total of the components (A) to (D), and 0.1 to 3 More preferably within the range of parts by mass.
  • the present composition can contain a fluorescent material as other optional components.
  • Examples of the phosphor include oxide phosphors, oxynitride phosphors, nitride phosphors, sulfide phosphors, and oxysulfide phosphors that are widely used in light emitting diodes (LEDs). Examples thereof include yellow, red, green, and blue light emitting phosphors.
  • oxide-based phosphors include yttrium, aluminum, and garnet-based YAG-based green to yellow light-emitting phosphors containing cerium ions, terbium, aluminum, garnet-based TAG-based yellow light-emitting phosphors including cerium ions, and Examples include silicate green to yellow light emitting phosphors containing cerium and europium ions.
  • the oxynitride phosphor include silicon, aluminum, oxygen, and nitrogen-based sialon-based red to green light-emitting phosphors containing europium ions.
  • nitride-based phosphors include calcium, strontium, aluminum, silicon, and nitrogen-based casoon-based red light-emitting phosphors containing europium ions.
  • examples of the sulfide type include ZnS type green coloring phosphors including copper ions and aluminum ions.
  • Examples of oxysulfide phosphors include Y containing europium ions. 2 O 2 Examples are S-based red light-emitting phosphors.
  • These fluorescent materials may be used singly or as a mixture of two or more. The content of the fluorescent material is not particularly limited, but is preferably in the range of 0.1 to 70% by mass, and more preferably in the range of 1 to 20% by mass in the present composition.
  • the composition is cured by standing at room temperature or by heating, but it is preferably heated for rapid curing. The heating temperature is preferably in the range of 50 to 200 ° C.
  • the composition is preferably cured to form a cured product having a type A durometer hardness of 30 to 99 as defined in JIS K 6253, and in particular, to form a cured product of 35 to 95. Is preferred. This is because the hardness of the cured product of the curable silicone composition is equal to or higher than the lower limit of the above range, because it has strength and sufficient protection, whereas, when it is equal to or lower than the upper limit of the above range, This is because the cured product becomes flexible and has sufficient durability.
  • the composition preferably forms a cured product having a change in b value in the CIE Lab color system of JIS Z8730 of 10 or less before and after heating at 200 ° C. for 250 hours under nitrogen flow, particularly 5 or less.
  • the optical semiconductor device of the present invention is characterized in that an optical semiconductor element is sealed, covered, or adhered with the above composition.
  • the optical semiconductor element include a light emitting diode (LED), a semiconductor laser, a photodiode, a phototransistor, a solid-state imaging, a photocoupler light emitter and a light receiver, and in particular, a light emitting diode (LED).
  • LED light emitting diode
  • LED light emitting diode
  • LED semiconductor laser
  • a photodiode a phototransistor
  • solid-state imaging a photocoupler light emitter and a light receiver
  • LED light emitting diode
  • LEDs Light emitting diodes
  • the substrate on which the optical semiconductor element is mounted is also preferably made of a material having high light transmittance or high reflectance.
  • FIG. 1 shows a cross-sectional view of a surface-mounted LED that is an example of the optical semiconductor device of the present invention. In the LED shown in FIG.
  • the optical semiconductor element 1 is die-bonded on a lead frame 2, and the optical semiconductor element 1 and the lead frame 3 are wire-bonded by bonding wires 4.
  • a light reflecting material 5 is formed around the optical semiconductor element 1, and the optical semiconductor element 1 inside the light reflecting material 5 is sealed with a cured product 6 of the curable silicone composition.
  • the optical semiconductor element 1 is die-bonded to a lead frame 2, and the optical semiconductor element 1 and the lead frame 3 are wire-bonded by a gold bonding wire 4.
  • a method of forming the light reflecting material 5 around the semiconductor element 1 by forming the curable silicone composition by transfer molding or compression molding is exemplified.
  • the method of resin-sealing the optical semiconductor element 1 inside this light reflection material 5 with said curable silicone composition is illustrated.
  • the curable silicone composition and optical semiconductor device of the present invention will be described in detail with reference to examples and comparative examples.
  • the hardness of the cured product of the curable silicone composition, the storage stability of the curable silicone composition, and the color tone changeability of the cured product were measured as follows. [Hardness] The curable silicone composition was press-molded at 150 ° C. for 1 hour at a pressure of 5 MPa to prepare a sheet-like cured product. The hardness of the sheet-like cured product was measured with a type A durometer specified in JIS K 6253. [Storage stability] In the curable silicone composition, a composition to which no hydrosilylation reaction catalyst is added is prepared, and this is stored in an oven at 50 ° C.
  • the b value in the CIE Lab color system defined in JIS Z8730 of the cured product before and after heating is measured with a photoelectric colorimeter, and the value obtained by subtracting the b value before thermal aging from the b value after thermal aging is a change in the b value.
  • the optical semiconductor device shown by FIG. 1 was produced by heating at 150 degreeC for 1 hour using a curable silicone composition. By measuring the radiant flux of this optical semiconductor device, the sulfidation resistance was measured as follows. [Sulfurization resistance] For the optical semiconductor device, initial radiant flux measurement was performed using a total radiant flux measuring device using an integrating sphere.
  • this optical semiconductor device was charged with sodium sulfide hexahydrate in an autoclave, heated to 50 ° C., and left for 100 hours. Thereafter, the radiant flux was measured using a total radiant flux measuring device using an integrating sphere.
  • Examples 1 to 9, Comparative Examples 1 to 8 The following components were uniformly mixed in the compositions (parts by mass) shown in Tables 1 and 2 to prepare curable silicone compositions of Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 8.
  • Vi represents a vinyl group
  • Me represents a methyl group
  • Ph represents a phenyl group.
  • SiH / Vi is the total number of moles of silicon-bonded hydrogen atoms in component (B) relative to the total of 1 mole of vinyl groups in component (A) in the curable silicone composition. Indicates. The following components were used as the component (A).
  • the viscosity is a value at 25 ° C., and was measured using a B-type viscometer according to JIS K7117-1.
  • (A-4) Visco
  • B-3) Average formula: Me 3 SiO (MeHSiO) 55 SiMe 3 Polymethylhydrogensiloxane blocked with trimethylsiloxy group-blocked polymethylhydrogensiloxane having a vis
  • Component (c-1) Zinc oxide fine powder (c-2) having a mass average particle size of 1.0 ⁇ m and surface-coated with Al (OH) 3 and SiO 2 hydrate: Component: mass average particle size Zinc oxide fine powder (c-3) component having a surface treatment with a trimethylsiloxy group-blocked dimethylsiloxane / methylhydrogensiloxane copolymer having a molecular chain both ends of 30 nm and a viscosity of 20 mPa ⁇ s.
  • a zinc oxide fine powder (surface-treated with a dimethylsiloxane / methylhydrogensiloxane copolymer blocked with a trimethylsiloxy group-blocked trimethylsiloxy group having a viscosity of 20 mPa ⁇ s was added to a zinc oxide powder having a surface coating with SiO 2 of 5 ⁇ m.
  • c-4) Component: The mass average particle size is 0.5 ⁇ m, and the mass reduction rate under heating conditions at 105 ° C. for 3 hours is 0.4 mass%.
  • Zinc oxide fine powder (c-7) component of 5 ⁇ m Zinc oxide fine powder (c-8) component having a mass average particle diameter of 10 ⁇ m and surface-coated with Al (OH) 3 and SiO 2 hydrate: Bis (2-ethylhexanoyloxy) zinc (D)
  • a 1,3-divinyltetramethyldisiloxane solution of 1,3-divinyltetramethyldisiloxane complex of platinum (in this component, platinum metal in mass units) Content about 4000 ppm) was used.
  • component (E) 1-ethynylcyclohexane-1-ol was used.
  • component (F) benzotriazole was used. From the results shown in Table 1 and Table 2, the curable silicone compositions of Examples 1 to 9 have good storage stability, the cured product has color tone change resistance, and light produced using the composition. It was confirmed that the semiconductor device has sulfidation resistance.
  • the curable silicone composition of the present invention has excellent storage stability, cures, has little yellowing due to thermal aging, and cures sufficiently to suppress discoloration of the silver electrode or silver plating of the substrate due to sulfur-containing gas in the air Since a product can be formed, it is suitable as a sealant for optical semiconductor elements, a coating agent, an adhesive, or a silver electrode protective agent for liquid crystal edges or a silver plating protective agent for substrates in an optical semiconductor device.

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Abstract

(A)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、(B)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、(C)Al、Ag、Cu、Fe、Sb、Si、Sn、Ti、Zr、および希土類元素からなる群より選ばれる少なくとも1種の元素の酸化物および/または水酸化物により表面被覆された酸化亜鉛微粉末、アルケニル基を有さない有機ケイ素化合物により表面処理された酸化亜鉛微粉末、および炭酸亜鉛の水和物微粉末からなる群から選ばれる少なくとも一種の微粉末、および(D)ヒドロシリル化反応用触媒から少なくともなる硬化性シリコーン組成物。保存安定性が優れ、硬化して、熱エージングによる黄変が少なく、空気中の硫黄含有ガスによる、光半導体装置における銀電極や基板の銀メッキの変色を十分に抑制する硬化物を形成する。

Description

硬化性シリコーン組成物および光半導体装置
 本発明は、硬化性シリコーン組成物、および該組成物を用いて作製した光半導体装置に関する。
 光半導体装置における光半導体素子を封止、被覆、あるいは接着するため、ヒドロシリル化反応で硬化する硬化性シリコーン組成物が用いられている。この組成物には、その硬化物が熱エージングにより著しく変色しないことが求められ、また、最近では、空気中の硫化水素等の硫黄含有ガスによる、光半導体装置中の銀電極や基板の銀メッキの変色を抑制することが求められている。
 このため、特許文献1には、アルケニル基を少なくとも2個有するオルガノポリシロキサン、ケイ素原子結合水素原子を少なくとも2個有するオルガノポリシロキサン、カルボン酸亜鉛や酸化亜鉛等の亜鉛化合物、およびヒドロシリル化反応用触媒からなる硬化性シリコーン組成物が提案され、また、特許文献2には、アルケニル基を少なくとも2個有するオルガノポリシロキサン、ケイ素原子結合水素原子を少なくとも2個有するオルガノポリシロキサン、酸化亜鉛、炭酸亜鉛、水酸化亜鉛、塩化亜鉛、硫酸亜鉛および硝酸亜鉛からなる群から選ばれる少なくとも1種:1モルに対して、酸を1.5モル以上2モル未満反応させることによって得られる亜鉛化合物、およびヒドロシリル化反応用触媒からなる硬化性シリコーン組成物が提案されている。
 しかし、上記のような組成物では、貯蔵中に酸化亜鉛とオルガノポリシロキサン中のケイ素原子結合水素原子が反応して、その硬化性が経時的に低下するという課題がある他、その硬化物は熱エージングにより黄変するという課題があることがわかった。また、上記のような組成物といえども、空気中の硫黄含有ガスによる銀電極や基板の銀メッキの変色を十分に抑制できないという課題があることもわかった。
特開2011−178983号公報 国際公開第2012/067153号パンフレット
 本発明の目的は、硬化前には保存安定性が優れ、硬化して、熱エージングによる黄変が少なく、空気中の硫黄含有ガスによる、光半導体装置における銀電極や基板の銀メッキの変色を十分に抑制する硬化物を形成する硬化性シリコーン組成物、および空気中の硫黄含有ガスによる銀電極や基板の銀メッキの変色が十分に抑制されている光半導体装置を提供することにある。
 本発明の硬化性シリコーン組成物は、
(A)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、
(B)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン{(A)成分中のアルケニル基1モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が0.1~10モルとなる量}、
(C)Al、Ag、Cu、Fe、Sb、Si、Sn、Ti、Zr、および希土類元素からなる群より選ばれる少なくとも1種の元素の酸化物および/または水酸化物により表面被覆された酸化亜鉛微粉末、アルケニル基を有さない有機ケイ素化合物により表面処理された酸化亜鉛微粉末、および炭酸亜鉛の水和物微粉末からなる群から選ばれる、質量平均粒子径が0.1nm~5μmである少なくとも一種の微粉末{本組成物に対して、質量単位で1ppm~10%となる量}、および
(D)有効量のヒドロシリル化反応用触媒
から少なくともなることを特徴とする。
 また、本発明の光半導体装置は、該装置における光半導体素子を上記の硬化性シリコーン組成物により封止、被覆、または接着してなることを特徴とする。
 本発明の硬化性シリコーン組成物は、硬化前には保存安定性が優れ、硬化して、熱エージングによる黄変が少なく、空気中の硫黄含有ガスによる、光半導体装置における銀電極や基板の銀メッキの変色を十分に抑制する硬化物を形成するという特徴がある。また、本発明の光半導体装置は、空気中の硫黄含有ガスによる銀電極や基板の銀メッキの変色が十分に抑制されているという特徴がある。
 図1は、本発明の光半導体装置の一例であるLEDの断面図である。
[硬化性シリコーン組成物]
 はじめに、本発明の硬化性シリコーン組成物を詳細に説明する。
 (A)成分は本組成物の主剤であり、一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサンである。(A)成分中のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基等の炭素数が2~12個のアルケニル基が例示され、好ましくは、ビニル基である。また、(A)成分中のアルケニル基以外のケイ素原子に結合する基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等の炭素数が1~12個のアルキル基;フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等の炭素数が6~20個のアリール基;ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基等の炭素数が7~20個のアラルキル基;これらの基の水素原子の一部または全部をフッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換した基が例示される。なお、(A)成分中のケイ素原子には、本発明の目的を損なわない範囲で、少量の水酸基やメトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基を有していてもよい。
 (A)成分の分子構造は特に限定されないが、例えば、直鎖状、一部分岐を有する直鎖状、分岐鎖状、環状、または三次元網状構造が挙げられる。(A)成分は、これらの分子構造を有する単独のオルガノポリシロキサン、あるいはこれらの分子構造を有する二種以上のオルガノポリシロキサンの混合物であってもよい。
 このような(A)成分は、平均単位式:
(RSiO3/2(RSiO2/2(RSiO1/2(SiO4/2
で表されるオルガノポリシロキサンが好適である。
 式中、R~Rは、それぞれ同一もしくは異種の一価炭化水素基を示す。このR~Rの一価炭化水素基としては、前記と同様のアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、およびこれらの基の水素原子の一部または全部をフッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換した基が例示される。なお、(A)成分中、アルケニル基は、R~Rの全一価炭化水素基の0.01~50モル%であることが好ましく、さらに、0.05~40モル%であることが好ましく、特に、0.09~32モル%であることが好ましい。これは、(A)成分中のアルケニル基が少なすぎると硬化物が得られないおそれがあり、また、(A)成分中のアルケニル基が多すぎると得られる硬化物の機械的特性が悪くなるおそれがある。また、(A)成分中のアルケニル基は、オルガノポリシロキサン分子の両末端にあることが好ましい。なお、(A)成分中の全一価炭化水素基中のアルケニル基のモル%は、例えば、フーリエ変換赤外分光光度計(FT−IR)、核磁気共鳴(NMR)、ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)等の分析によって測定することができる。
 また、a、b、c及びdは各シロキサン単位のモル比を示し、a+b+c+d=1.0、0≦a≦1.0、0≦b≦1.0、0≦c<0.9、0≦d<0.5である。
 (A)成分は、25℃で液状又は固体状のオルガノポリシロキサンである。(A)成分が25℃で液状である場合、その25℃での粘度は、1~1,000,000mPa・sの範囲内であることが好ましく、10~1,000,000mPa・sの範囲内であることがより好ましい。なお、オルガノポリシロキサンの25℃での粘度は、例えば、JIS K7117−1に準拠してB型粘度計を用いて測定することにより求めることができる。
 (B)成分は本組成物の架橋剤であり、一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサンである。(B)成分中の水素原子以外のケイ素原子に結合する基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等の炭素数が1~12個のアルキル基;フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等の炭素数が6~20個のアリール基;ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基等の炭素数が7~20個のアラルキル基;これらの基の水素原子の一部または全部をフッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換した基が例示される。なお、(B)成分中のケイ素原子には、本発明の目的を損なわない範囲で、少量の水酸基やメトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基を有していてもよい。
 (B)成分の分子構造は特に限定されないが、例えば、直鎖状、一部分岐を有する直鎖状、分岐鎖状、環状、または三次元網状構造が挙げられ、好ましくは、一部分岐を有する直鎖状、分岐鎖状、または三次元網状構造が挙げられる。
 このような(B)成分としては、例えば、平均組成式:
SiO[(4−e−f)/2]
で表されるオルガノポリシロキサンが好適である。
 式中、Rは脂肪族不飽和炭化水素基を除く置換または非置換の一価炭化水素基であり、前記と同様のアルキル基、アリール基、アラルキル基、およびこれらの基の水素原子の一部または全部をフッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換した基が例示される。
 また、式中、e、fは1.0<e≦2.0、0.1<f<1.0、かつ1.5≦e+f<2.7を満たす。
 (B)成分は、25℃で固体状又は液状である。(B)成分が25℃で液状である場合は、その25℃での粘度は、10,000mPa・s以下であることが好ましく、0.1~5,000mPa・sの範囲内であることがより好ましく、0.5~1,000mPa・sの範囲内であることが特に好ましい。なお、オルガノポリシロキサンの25℃での粘度は、例えば、JIS K7117−1に準拠してB型粘度計を用いて測定することにより求めることができる。
 (B)成分は、本発明の目的を達成できる限り、特に特定のオルガノポリシロキサンに限定されないが、例えば、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン、トリス(ジメチルハイドロジェンシロキシ)メチルシラン、トリス(ジメチルハイドロジェンシロキシ)フェニルシラン、1−グリシドキシプロピル−1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン、1,5−グリシドキシプロピル−1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン、1−グリシドキシプロピル−5−トリメトキシシリルエチル−1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン・ジメチルシロキサン共重合体、(CHHSiO1/2単位とSiO4/2単位とからなる共重合体、および(CHHSiO1/2単位とSiO4/2単位と(C)SiO3/2単位とからなる共重合体等からなる群から選ばれる1種又は2種以上が挙げられる。
 (B)成分の含有量は、(A)成分中のアルケニル基1モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が0.1~10モルとなる量であり、好ましくは、0.5~5モルとなる量である。これは、(B)成分の含有量が上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の機械的特性の低下を抑えることができるからであり、一方、上記範囲の下限以上であると、得られる組成物が十分に硬化するからである。なお、(B)成分中のケイ素原子結合水素原子の量は、例えば、フーリエ変換赤外分光光度計(FT−IR)、核磁気共鳴(NMR)、ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)等の分析によって測定することができる。
 (C)成分は、空気中の硫黄含有ガスによる、光半導体装置における銀電極や基板の銀メッキの変色を十分に抑制するための特徴的な成分である。このような(C)成分は、Al、Ag、Cu、Fe、Sb、Si、Sn、Ti、Zr、および希土類元素からなる群より選ばれる少なくとも1種の元素の酸化物および/または水酸化物により表面被覆された酸化亜鉛微粉末、アルケニル基を有さない有機ケイ素化合物で表面処理された酸化亜鉛微粉末、および炭酸亜鉛の水和物微粉末からなる群より選ばれる、質量平均粒子径が0.1nm~5μmである少なくとも一種の微粉末である。なお、この質量平均粒子径は、レーザー回折・散乱法等により測定することができる。本発明に係る「質量平均粒子径」は、粒度分布を測定して得られた、累積質量が50%であるときの粒子径(D50)を意味する。
 酸化物により表面被覆された酸化亜鉛微粉末において、希土類元素としては、イットリウム、セリウム、ユーロピウムが例示される。酸化亜鉛微粉末の表面の酸化物としては、Al、AgO、AgO、Ag、CuO、CuO、FeO、Fe、Fe、Sb、SiO、SnO、Ti、TiO、Ti、ZrO、Y、CeO、Eu、およびこれらの酸化物の2種以上の混合物、さらには、Al・nHO、Fe・nHO、Fe・nHO、Sb・nHO、SiO・nHO、TiO・nHO、ZrO・nHO、CeO・nHO等の酸化物の水和物が例示され、好ましくは、Al、SiO、およびそれらの水和物である。なお、nは、通常、正の整数であるが、脱水の程度により、nは必ずしも整数をとるとは限らない。
 水酸化物により表面被覆された酸化亜鉛微粉末において、希土類元素としては、イットリウム、セリウム、ユーロピウムが例示される。酸化亜鉛微粉末の表面の水酸化物としては、Al(OH)、Cu(OH)、Fe(OH)、Ti(OH)、Zr(OH)、Y(OH)、Ce(OH)、Ce(OH)およびこれらの酸化物の2種以上の混合物、さらには、Ce(OH)・nHO等の酸化物の水和物が例示され、好ましくはAl(OH)である。なお、nは、通常、正の整数であるが、脱水の程度により、nは必ずしも整数をとるとは限らない。
 なお、上記酸化物により表面被膜された酸化亜鉛は、上記水酸化物によりさらに表面被覆されてもよく、また、上記他の酸化物によりさらに表面被覆されてもよい。また、上記水酸化物により表面被覆された酸化亜鉛は、上記酸化物によりさらに表面被覆されてもよく、また、上記他の水酸化物によりさらに表面被覆されてもよい。また、(C)成分は、上記酸化物と上記水酸化物により表面被膜された酸化亜鉛であってもよい。例えば、酸化物と水酸化物との組合せとしては、AlとAl(OH)の組合せ、SiOとAl(OH)の組合せが例示される。
 有機ケイ素化合物で表面処理された酸化亜鉛微粉末において、この有機ケイ素化合物はアルケニル基を有さないものであり、オルガノシラン、オルガノシラザン、ポリメチルシロキサン、オルガノハイドロジェンポリシロキサン、およびオルガノシロキサンオリゴマーが例示され、具体的には、トリメチルクロロシラン、ジメチルクロロシラン、メチルトリクロロシラン等のオルガノクロロシラン;メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、n−プロピルトリメトキシシラン、のオルガノトリアルコキシシラン;ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン等のジオルガノジアルコキシシラン;トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン等のトリオルガノアルコキシシラン;これらのオルガノアルコキシシランの部分縮合物;ヘキサメチルジシラザン等のオルガノシラザン;ポリメチルシロキサン、オルガノハイドロジェンポリシロキサン、シラノール基もしくはアルコキシ基を有するオルガノシロキサンオリゴマー、RSiO3/2単位(式中、Rは、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基;フェニル基等のアリール基で例示されるアルケニル基を除く一価炭化水素基である。)やSiO4/2単位からなり、シラノール基またはアルコキシ基を有するレジン状オルガノポリシロキサンが例示される。
 また、上記の酸化亜鉛微粉末は、上記以外の処理剤によりさらに表面処理されてもよい。この処理剤としては、ステアリン酸等の高級脂肪酸やその金属石鹸;パルミチン酸オクチル等の高級脂肪酸エステル;トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール等の多価アルコール類;ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアミン化合物が例示される。また、この処理剤として、アルキルチタネート、アルキルアルミネート、アルキルジルコネート等のカップリング剤;パーフルオロアルキルシラン、パーフルオロアルキルリン酸エステル等のフッ素系有機化合物を使用してもよい。
 炭酸亜鉛の水和物微粉末は、炭酸亜鉛に水が結合した化合物であり、105℃、3時間の加熱条件における質量減少率が0.1質量%以上であるものが好ましい。
 (C)成分の含有量は、本組成物に対して、質量単位で1ppm~10%の範囲内の量であり、好ましくは、1ppm~5%の範囲内の量である。これは、(C)成分の含有量が上記範囲の下限以上であると、硫黄含有ガスによる光半導体装置における銀電極や基板の銀メッキの変色を十分に抑制するからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる組成物の流動性を損なわないからである。
 (D)成分は、本組成物のヒドロシリル化反応を促進するためのヒドロシリル化反応用触媒である。このような(D)成分は、白金族元素触媒、白金族元素化合物触媒が好ましく、例えば、白金系触媒、ロジウム系触媒、およびパラジウム系触媒等が挙げられる。中でも、(A)成分と(B)成分のヒドロシリル化反応を著しく促進できることから、白金系触媒が好ましい。こうした白金系触媒としては、例えば、白金微粉末、白金黒、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール変性物、塩化白金酸とジオレフィンの錯体、白金−オレフィン錯体、白金ビス(アセトアセテート)、白金ビス(アセチルアセトネート)等の白金−カルボニル錯体、塩化白金酸−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体、塩化白金酸−テトラビニルテトラメチルシクロテトラシロキサン錯体等の塩化白金酸−アルケニルシロキサン錯体、白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体、白金−テトラビニルテトラメチルシクロテトラシロキサン錯体等の白金−アルケニルシロキサン錯体、および塩化白金酸とアセチレンアルコール類との錯体等が挙げられるが、ヒドロシリル化反応の促進効果が高いことから、白金−アルケニルシロキサン錯体が特に好ましい。これらのヒドロシリル化反応用触媒は、一種単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。
 白金−アルケニルシロキサン錯体に用いられるアルケニルシロキサンは、特に限定されないが、例えば、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テトラビニルシクロテトラシロキサン、これらのアルケニルシロキサンのメチル基の一部をエチル基、フェニル基等で置換したアルケニルシロキサンオリゴマー、およびこれらのアルケニルシロキサンのビニル基をアリル基、ヘキセニル基等で置換したアルケニルシロキサンオリゴマー等が挙げられる。特に、生成する白金−アルケニルシロキサン錯体の安定性が良好であることから、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサンが好ましい。
 また、白金−アルケニルシロキサン錯体の安定性を向上させるため、これらの白金−アルケニルシロキサン錯体を、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ジアリル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ジビニル−1,3−ジメチル−1,3−ジフェニルジシロキサン、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラフェニルジシロキサン、および1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テトラビニルシクロテトラシロキサン等のアルケニルシロキサンオリゴマーやジメチルシロキサンオリゴマー等のオルガノシロキサンオリゴマーに溶解していることが好ましく、特にアルケニルシロキサンオリゴマーに溶解していることが好ましい。
 (D)成分の含有量は、本組成物の硬化を促進するに有効な量であり、具体的には、本組成物に対して、(D)成分中の触媒金属原子が質量単位で、0.01~500ppmの範囲内となる量であることが好ましく、0.01~100ppmの範囲内となる量であることがより好ましく、0.1~50ppmの範囲内となる量であることが特に好ましい。これは、(D)成分の含有量が上記範囲の下限以上であると、得られる組成物が十分に硬化するからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の着色が抑えられるからである。
 本組成物には、常温での可使時間を延長し、保存安定性を向上させるための任意の成分として、(E)ヒドロシリル化反応抑制剤を含有してもよい。このような(E)成分としては、1−エチニルシクロヘキサン−1−オール、2−メチル−3−ブチン−2−オール、3,5−ジメチル−1−ヘキシン−3−オール、および2−フェニル−3−ブチン−2−オール等のアルキンアルコール;3−メチル−3−ペンテン−1−イン、および3,5−ジメチル−3−ヘキセン−1−イン等のエンイン化合物;1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テトラビニルシクロテトラシロキサン、および1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テトラヘキセニルシクロテトラシロキサン等のメチルアルケニルシロキサンオリゴマー;ジメチルビス(3−メチル−1−ブチン−3−オキシ)シラン、およびメチルビニルビス(3−メチル−1−ブチン−3−オキシ)シラン等のアルキンオキシシラン、並びにトリアリルイソシアヌレート系化合物が例示される。
 (E)成分の含有量は特に限定されないが、上記、(A)成分~(D)成分の混合時にゲル化を抑制し、または硬化を抑制するのに十分な量であり、さらには長期間保存可能とするために十分な量である。(E)成分の含有量としては、具体的には、上記(A)成分~(D)成分の合計100質量部に対して0.0001~5質量部の範囲内であることが好ましく、0.01~3質量部の範囲内であることがより好ましい。
 また、本組成物には、空気中の硫黄含有ガスによる銀電極や基板の銀メッキの変色をさらに抑制することができることから、任意の成分として、(F)トリアゾール系化合物を含有してもよい。このような(F)成分としては、1H−1,2,3−トリアゾール、2H−1,2,3−トリアゾール、1H−1,2,4−トリアゾール、4H−1,2,4−トリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−5−’メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、1H−1,2,3−トリアゾール、2H−1,2,3−トリアゾール、1H−1,2,4−トリアゾール、4H−1,2,4−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、1H−ベンゾトリアゾール−5−カルボン酸メチル、3−アミノ−1,2,4−トリアゾール、4−アミノ−1,2,4−トリアゾール、5−アミノ−1,2,4−トリアゾール、3−メルカプト−1,2,4−トリアゾール、クロロベンゾトリアゾール、ニトロベンゾトリアゾール、アミノベンゾトリアゾール、シクロヘキサノ[1,2−d]トリアゾール、4,5,6,7−テトラヒドロキシトリルトリアゾール、1−ヒドロキシベンゾトリアゾール、エチルベンゾトリアゾール、ナフトトリアゾール、1−N,N−ビス(2−エチルヘキシル)−[(1,2,4−トリアゾール−1−イル)メチル]アミン、1−[N,N−ビス(2−エチルヘキシル)アミノメチル]ベンゾトリアゾール、1−[N,N−ビス(2−エチルヘキシル)アミノメチル]トリルトリアゾール、1−[N,N−ビス(2−エチルヘキシル)アミノメチル]カルボキシベンゾトリアゾール、1−[N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)−アミノメチル]ベンゾトリアゾール、1−[N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)−アミノメチル]トリルトリアゾール、1−[N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)−アミノメチル]カルボキシベンゾトリアゾール、1−[N,N−ビス(2−ヒドロキシプロピル)アミノメチル]カルボキシベンゾトリアゾール、1−[N,N−ビス(1−ブチル)アミノメチル]カルボキシベンゾトリアゾール、1−[N,N−ビス(1−オクチル)アミノメチル]カルボキシベンゾトリアゾール、1−(2’,3’−ジ−ヒドロキシプロピル)ベンゾトリアゾール、1−(2’,3’−ジ−カルボキシエチル)ベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−3’,5’−ジ−tert−ブチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−3’,5’−アミルフェニル)ベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−4’−オクトキシフェニル)ベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−5’−tert−ブチルフェニル)ベンゾトリアゾール、1−ヒドロキシベンゾトリアゾール−6−カルボン酸、1−オレオイルベンゾトリアゾール、1,2,4−トリアゾール−3−オール、5−アミノ−3−メルカプト−1,2,4−トリアゾール、5−アミノ−1,2,4−トリアゾール−3−カルボン酸、1,2,4−トリアゾール−3−カルボキシアミド、4−アミノウラゾール、および1,2,4−トリアゾール−5−オンが例示される。
 (F)成分の含有量は特に限定されないが、上記(A)成分~(D)成分の合計100質量部に対して0.000001~3質量部の範囲内となる量であり、好ましくは、0.00001~1質量部の範囲内となる量である。
 また、本組成物には、硬化中に接触している基材への接着性を更に向上させるために、接着促進剤を含有してもよい。この接着促進剤としては、ケイ素原子に結合したアルコキシ基を一分子中に1個または2個以上有する有機ケイ素化合物が好ましい。このアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、およびメトキシエトキシ基等が例示され、特に、メトキシ基またはエトキシ基が好ましい。また、この有機ケイ素化合物のケイ素原子に結合するアルコキシ基以外の基としては、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、およびハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基;3−グリシドキシプロピル基、および4−グリシドキシブチル基等のグリシドキシアルキル基;2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基、および3−(3,4−エポキシシクロヘキシル)プロピル基等のエポキシシクロヘキシルアルキル基;4−オキシラニルブチル基、および8−オキシラニルオクチル基等のオキシラニルアルキル基等のエポキシ基含有一価有機基;3−メタクリロキシプロピル基等のアクリル基含有一価有機基;イソシアネート基;イソシアヌレート基;並びに水素原子が例示される。この有機ケイ素化合物は本組成物中の脂肪族不飽和炭化水素基又はケイ素原子結合水素原子と反応し得る基を有することが好ましく、具体的には、ケイ素原子結合脂肪族不飽和炭化水素基またはケイ素原子結合水素原子を有することが好ましい。
 接着促進剤の含有量は限定されないが、上記(A)成分~(D)成分の合計100質量部に対して0.01~10質量部の範囲内であることが好ましく、0.1~3質量部の範囲内であることがより好ましい。
 また、本組成物には、その他任意の成分として、蛍光材を含有することができる。この蛍光体としては、例えば、発光ダイオード(LED)に広く利用されている、酸化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体、窒化物系蛍光体、硫化物系蛍光体、酸硫化物系蛍光体等からなる黄色、赤色、緑色、青色発光蛍光体が挙げられる。酸化物系蛍光体としては、セリウムイオンを包含するイットリウム、アルミニウム、ガーネット系のYAG系緑色~黄色発光蛍光体、セリウムイオンを包含するテルビウム、アルミニウム、ガーネット系のTAG系黄色発光蛍光体、および、セリウムやユーロピウムイオンを包含するシリケート系緑色~黄色発光蛍光体が例示される。酸窒化物蛍光体としては、ユーロピウムイオンを包含するケイ素、アルミニウム、酸素、窒素系のサイアロン系赤色~緑色発光蛍光体が例示される。窒化物系蛍光体としては、ユーロピウムイオンを包含するカルシウム、ストロンチウム、アルミニウム、ケイ素、窒素系のカズン系赤色発光蛍光体が例示される。硫化物系としては、銅イオンやアルミニウムイオンを包含するZnS系緑色発色蛍光体が例示される。酸硫化物系蛍光体としては、ユーロピウムイオンを包含するYS系赤色発光蛍光体が例示される。これらの蛍光材は、1種もしくは2種以上の混合物を用いてもよい。
 この蛍光材の含有量は特に限定されないが、本組成物中、0.1~70質量%の範囲内であり、さらには、1~20質量%の範囲内であることが好ましい。
 また、本組成物には、本発明の目的を損なわない限り、その他の任意の成分として、シリカ、ガラス、およびアルミナ等から選択される1種又は2種以上の無機質充填剤;シリコーンゴム粉末;シリコーン樹脂、およびポリメタクリレート樹脂等の樹脂粉末;耐熱剤、染料、顔料、難燃性付与剤、界面活性剤、溶剤等から選択される1種又は2種以上の成分を含有してもよい。
 本組成物は、室温放置や、加熱により硬化が進行するが、迅速に硬化させるためには加熱することが好ましい。加熱温度は、50~200℃の範囲内であることが好ましい。
本組成物は、硬化して、JIS K 6253に規定されるタイプAデュロメータ硬さが、30~99である硬化物を形成することが好ましく、特に、35~95である硬化物を形成することが好ましい。これは、硬化性シリコーン組成物の硬化物の硬さが上記範囲の下限以上であると、強度を有し、保護性が十分となるからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、硬化物が柔軟となり、耐久性が十分となるからである。
 本組成物は、窒素通気下、200℃、250時間の加熱前後で、JIS Z8730におけるCIE Lab表色系におけるb値の変化が10以下である硬化物を形成することが好ましく、特に、5以下である硬化物を形成することが好ましい。なお、本組成物の硬化物のJIS Z8730におけるCIE Lab表色系におけるb値は、例えば、色差計を用いて測定することができる。
[光半導体装置]
 次に、本発明の光半導体装置を詳細に説明する。
 本発明の光半導体装置は、光半導体素子が上記組成物により封止、被覆、あるいは接着されていることを特徴とする。この光半導体素子としては、具体的には、発光ダイオード(LED)、半導体レーザ、フォトダイオード、フォトトランジスタ、固体撮像、フォトカプラー用発光体と受光体が例示され、特に、発光ダイオード(LED)であることが好ましい。
 発光ダイオード(LED)は、半導体の上下左右から発光が起きるので、発光ダイオード(LED)を構成する部品は、光を吸収するものは好ましくなく、光透過率が高いか、反射率の高い材料が好ましい。そのため、光半導体素子が搭載される基板も、光透過率が高いか、反射率の高い材料が好ましい。こうした光半導体素子が搭載される基板としては、例えば、銀、金、および銅等の導電性金属;アルミニウム、およびニッケル等の非導電性の金属;PPA、およびLCP等の白色顔料を混合した熱可塑性樹脂;エポキシ樹脂、BT樹脂、ポリイミド樹脂、およびシリコーン樹脂等の白色顔料を含有する熱硬化性樹脂;アルミナ、および窒化アルミナ等のセラミックス等が挙げられる。硬化性シリコーン組成物は、光半導体素子および基板に対して耐熱衝撃性が良好であるので、得られる光半導体装置は、良好な信頼性を示すことができる。
 本発明の光半導体装置の一例である表面実装型LEDの断面図を図1に示した。図1で示されるLEDは、光半導体素子1がリードフレーム2上にダイボンドされ、この光半導体素子1とリードフレーム3とがボンディングワイヤ4によりワイヤボンディングされている。この光半導体素子1の周囲には、光反射材5が形成され、この光反射材5の内側の光半導体素子1は上記の硬化性シリコーン組成物の硬化物6により封止されている。
 図1で示される表面実装型LEDを製造する方法としては、光半導体素子1をリードフレーム2にダイボンドし、この光半導体素子1とリードフレーム3とを金製のボンディングワイヤ4によりワイヤボンドし、次いで、硬化性シリコーン組成物をトランスファー成形または圧縮成形により成形し、半導体素子1の周囲に光反射材5を形成する方法が例示される。さらに、光反射材5を形成した後、該光反射材5の内側の光半導体素子1を、上記の硬化性シリコーン組成物で樹脂封止する方法が例示される。
 本発明の硬化性シリコーン組成物および光半導体装置を実施例および比較例により詳細に説明する。なお、硬化性シリコーン組成物の硬化物の硬さ、硬化性シリコーン組成物の保存安定性、および硬化物の色調変化性を次のようにして測定した。
[硬さ]
 硬化性シリコーン組成物を150℃で1時間、5MPaの圧力でプレス成形することによりシート状の硬化物を作製した。このシート状の硬化物の硬さをJIS K 6253に規定されるタイプAデュロメータにより測定した。
[保存安定性]
 硬化性シリコーン組成物において、ヒドロシリル化反応用触媒を添加しない組成物を調製し、これを50℃のオーブン中で100時間保管後、ヒドロシリル化反応用触媒を添加して硬化性シリコーン組成物を調製した。この熱エージング後の硬化性シリコーン組成物を150℃で1時間加熱して得られる硬化物のタイプAデュロメータ硬さを測定し、熱エージング前の硬化性シリコーン組成物を硬化して得られる硬化物の硬さより低くなったものを硬化不良とした。なお、100時間保管後の硬化性シリコーン組成物の外観を目視で観察した。
[色調変化性]
 硬化性シリコーン組成物を150℃で1時間、5MPaの圧力でプレス成形することによりシート状の硬化物を作製した。シート状の硬化物を窒素通気下200℃で250時間加熱した。加熱前後における硬化物のJIS Z8730に規定されるCIE Lab表色系におけるb値を光電色彩計により測定し、熱エージング後のb値から熱エージング前のb値を引いた値をb値の変化として示した。
 また、硬化性シリコーン組成物を用いて、150℃で1時間加熱することにより、図1で示される光半導体装置を作製した。この光半導体装置の放射束の測定により耐硫化性を次のようにして測定した。
[耐硫化性]
 光半導体装置について、積分球を用いた全放射束測定装置を使用して初期放射束測定を行った。次に、この光半導体装置を、硫化ナトリウム六水和物をオートクレーブ中に入れ、50℃に加熱し、100時間放置した。その後、積分球を用いた全放射束測定装置を使用して放射束測定を行った。
[実施例1~9、比較例1~8]
 次の成分を表1および表2に示す組成(質量部)で均一に混合して実施例1~9および比較例1~8の硬化性シリコーン組成物を調製した。なお、式中、Viはビニル基を表し、Meはメチル基、Phはフェニル基を示す。また、表1および表2において、SiH/Viは、硬化性シリコーン組成物において、(A)成分中のビニル基の合計1モルに対する、(B)成分中のケイ素原子結合水素原子の合計モル数を示す。
 (A)成分として、次の成分を用いた。なお、粘度は25℃における値であり、JIS K7117−1に準拠してB型粘度計を用いて測定した。
(a−1)成分:粘度1,000mPa・sであり、平均式:
 MeViSiO(MePhSiO)30SiMeVi
で表されるメチルフェニルポリシロキサン(ビニル基の含有量=1.27質量%;3.03モル%)
(a−2)成分:粘度15,000mPa・sであり、平均式:
 MeViSiO(MePhSiO)120SiMeVi
で表されるメチルフェニルポリシロキサン(ビニル基の含有量=0.33質量%;0.81モル%)
(a−3)成分:粘度300mPa・sであり、平均式:
 MeViSiO(MeSiO)150SiMeVi
で表される分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン(ビニル基の含有量=0.48質量%;0.65モル%)
(a−4)成分:粘度10,000mPa・sであり、平均式:
 MeViSiO(MeSiO)500SiMeVi
で表される分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン(ビニル基の含有量=0.15質量%;0.20モル%)
(a−5)成分:25℃において白色固体状で、トルエン可溶性の平均単位式:
 (PhSiO3/20.75(MeViSiO1/20.25
で表される、一分子中に2個以上のビニル基を有するオルガノポリシロキサン(ビニル基の含有量=5.6質量%;16.7モル%)
(a−6)成分:25℃において白色固体状で、トルエン可溶性の平均単位式:
 (MePhViSiO1/20.23(PhSiO3/20.77
で表される、一分子中に2個以上のビニル基を有するオルガノポリシロキサン(ビニル基の含有量=4.6質量%;15.7モル%)
(a−7)成分:25℃において白色固体状で、トルエン可溶性である、平均単位式:
 (MeViSiO1/20.15(MeSiO1/20.38(SiO4/20.47
で表される、一分子中に2個以上のビニル基を有するオルガノポリシロキサン(ビニル基の含有量=5.6質量%;9.43モル%)
(a−8)成分:25℃において白色固体状で、トルエン可溶性である、平均単位式:
 (MeViSiO1/20.13(MeSiO1/20.45(SiO4/20.42
で表される、一分子中に2個以上のビニル基を有するオルガノポリシロキサンレジン(ビニル基の含有量=4.7質量%;7.60モル%)
 (B)成分として、次の成分を用いた。なお、粘度は、25℃における値であり、JIS K7117−1に準拠してB型粘度計を用いて測定した。
(b−1)成分:平均式:
 HMeSiO(PhSiO)SiMe
で表される、粘度5mPa・sの分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジフェニルポリシロキサン(ケイ素原子結合水素原子の含有量=0.6質量%)
(b−2)成分:平均単位式:
 (PhSiO3/20.4(HMeSiO1/20.6
で表される、一分子中に2個以上のケイ素原子結合水素原子を有する、粘度25mPa・sの分岐鎖状オルガノポリシロキサン(ケイ素原子結合水素原子の含有量=0.65質量%)
(b−3)成分:平均式:
 MeSiO(MeHSiO)55SiMe
で表される、粘度20mPa・sの分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ポリメチルハイドロジェンシロキサン(ケイ素原子結合水素原子含有量=1.6質量%)
(b−4)成分:平均式:
 MeSiO(MeHSiO)15SiMe
で表される、粘度5mPa・sの分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン−メチルハイドロジェンシロキサン共重合体(ケイ素原子結合水素原子の含有量=1.42質量%)
 (C)成分として、次の成分を用いた。
(c−1)成分:質量平均粒子径が1.0μmであり、Al(OH)とSiO水和物により表面被覆された酸化亜鉛微粉末
(c−2)成分:質量平均粒子径が30nmであり、粘度20mPa・sの分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体により表面処理された酸化亜鉛微粉末
(c−3)成分:質量平均粒子径が0.5μmであり、SiOにより表面被覆された酸化亜鉛粉末に、さらに粘度20mPa・sの分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体により表面処理された酸化亜鉛微粉末
(c−4)成分:質量平均粒子径が0.5μmであり、105℃、3時間の加熱条件における質量減少率が0.4質量%である炭酸亜鉛の水和物微粉末
(c−5)成分:質量平均粒子径が10nmであり、表面を酸により処理された酸化亜鉛微粉末
(c−6)成分:質量平均粒子径が0.5μmである酸化亜鉛微粉末
(c−7)成分:質量平均粒子径が10μmであり、Al(OH)とSiO水和物により表面被覆された酸化亜鉛微粉末
(c−8)成分:ビス(2−エチルヘキサノイルオキシ)亜鉛
 (D)成分として、白金の1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサン溶液(本成分中、質量単位における白金金属の含有量=約4000ppm)を用いた。
 (E)成分として、1−エチニルシクロヘキサン−1−オールを用いた。
 (F)成分として、ベンゾトリアゾールを用いた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 表1と表2に示す結果から、実施例1~9の硬化性シリコーン組成物は保存安定性が良好で、その硬化物は耐色調変化性を有し、その組成物を用いて作製した光半導体装置は耐硫化性を有することが確認された。
 本発明の硬化性シリコーン組成物は、保存安定性が優れ、硬化して、熱エージングによる黄変が小さく、空気中の硫黄含有ガスによる銀電極や基板の銀メッキの変色を十分に抑制する硬化物を形成することができるので、光半導体装置における光半導体素子の封止剤、被覆剤、接着剤、あるいは液晶端部の銀電極や基板の銀メッキの保護剤として好適である。
 1 光半導体素子
 2 リードフレーム
 3 リードフレーム
 4 ボンディングワイヤ
 5 反射材
 6 硬化性シリコーン組成物の硬化物

Claims (10)

  1.  (A)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、
     (B)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン{(A)成分中のアルケニル基1モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が0.1~10モルとなる量}、
     (C)Al、Ag、Cu、Fe、Sb、Si、Sn、Ti、Zr、および希土類元素からなる群より選ばれる少なくとも1種の元素の酸化物および/または水酸化物により表面被覆された酸化亜鉛微粉末、アルケニル基を有さない有機ケイ素化合物により表面処理された酸化亜鉛微粉末、および炭酸亜鉛の水和物微粉末からなる群より選ばれる、質量平均粒子径が0.1nm~5μmである少なくとも一種の微粉末{本組成物に対して、質量単位で1ppm~10%となる量}、および
     (D)有効量のヒドロシリル化反応用触媒
     から少なくともなる硬化性シリコーン組成物。
  2.  (A)成分が、平均単位式:
     (RSiO3/2(RSiO2/2(RSiO1/2(SiO4/2
    (式中、R~Rは、それぞれ同一もしくは異種の一価炭化水素基を示し、その全一価炭化水素基の0.01~50モル%がアルケニル基であり、a、b、c、およびdは、0≦a≦1.0、0≦b≦1.0、0≦c<0.9、0≦d<0.5、かつa+b+c+d=1.0を満たす数である。)
    で表されるオルガノポリシロキサンである、請求項1記載の硬化性シリコーン組成物。
  3.  (C)成分が、オルガノシラン、オルガノシラザン、オルガノシロキサンオリゴマー、ポリメチルシロキサン、オルガノハイドロジェンポリシロキサンからなる群より選ばれる少なくとも1種のアルケニル基を有さない有機ケイ素化合物で表面処理された酸化亜鉛微粉末である、請求項1記載の硬化性シリコーン組成物。
  4.  (C)成分が、105℃、3時間の加熱における質量減少率が0.1質量%以上である炭酸亜鉛の水和物微粉末である、請求項1記載の硬化性シリコーン組成物。
  5.  さらに、(E)ヒドロシリル化反応抑制剤{(A)成分~(D)成分の合計100質量部に対して0.0001~5質量部}を含有する、請求項1記載の硬化性シリコーン組成物。
  6.  さらに、(F)トリアゾール系化合物を{(A)成分~(D)成分の合計100質量部に対して0.000001~3質量部}を含有する、請求項1乃至5のいずれか1項記載の硬化性シリコーン組成物。
  7.  窒素通気下、200℃、250時間の加熱前後で、JIS Z8730に規定されるCIE Lab表色系におけるb値の変化が10以下である硬化物を形成する、請求項1乃至6のいずれか1項記載の硬化性シリコーン組成物。
  8.  光半導体装置における、光半導体素子を封止、被覆、または接着するための請求項1乃至7のいずれか1項記載の硬化性シリコーン組成物。
  9.  光半導体装置における光半導体素子を、請求項1乃至7のいずれか1項記載の硬化性シリコーン組成物により封止、被覆、または接着してなる光半導体装置。
  10.  光半導体素子が発光ダイオードである、請求項9記載の光半導体装置。
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