[go: up one dir, main page]

WO2013035173A1 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体装置およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2013035173A1
WO2013035173A1 PCT/JP2011/070384 JP2011070384W WO2013035173A1 WO 2013035173 A1 WO2013035173 A1 WO 2013035173A1 JP 2011070384 W JP2011070384 W JP 2011070384W WO 2013035173 A1 WO2013035173 A1 WO 2013035173A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
metal film
semiconductor device
film
semiconductor substrate
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2011/070384
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
義人 水野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Motor Corp
Original Assignee
Toyota Motor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Motor Corp filed Critical Toyota Motor Corp
Priority to MYPI2014700456A priority Critical patent/MY171799A/en
Priority to US14/238,159 priority patent/US9595655B2/en
Priority to PCT/JP2011/070384 priority patent/WO2013035173A1/ja
Priority to JP2013532358A priority patent/JP5796631B2/ja
Priority to CN201180073265.9A priority patent/CN103782405B/zh
Priority to MX2014002608A priority patent/MX2014002608A/es
Priority to AU2011376423A priority patent/AU2011376423B2/en
Priority to DE112011105592.7T priority patent/DE112011105592B4/de
Priority to BR112014005198-4A priority patent/BR112014005198B1/pt
Priority to KR1020147004677A priority patent/KR101640328B1/ko
Priority to PH1/2014/500503A priority patent/PH12014500503A1/en
Priority to RU2014108322/28A priority patent/RU2565360C1/ru
Publication of WO2013035173A1 publication Critical patent/WO2013035173A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01—Manufacture or treatment
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/02—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/85—Thermoelectric active materials
    • H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H10N10/854—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising only metals

Definitions

  • the technology described in this specification relates to a semiconductor device and a manufacturing method thereof.
  • Patent Document 1 discloses a semiconductor device using a PN diode disposed on the surface of a semiconductor substrate as a temperature detection element. The temperature of the surface of the semiconductor element is detected using the temperature dependence of the forward voltage of the PN diode arranged on the surface of the semiconductor substrate.
  • the temperature is detected by utilizing the temperature dependence of the forward voltage when a constant current is passed through the temperature detection element, so the change in voltage relative to the forward voltage is measured.
  • the forward voltage is 1.5 V and the voltage increase rate per temperature of the PN diode is 3 mV / ° C.
  • the potential whose measurement range is set to several volts so that the forward voltage can be measured. It is necessary to detect a voltage change of about several mV using a detector (for example, a voltmeter). Since it is difficult to accurately detect a minute voltage change, it is difficult to accurately detect the temperature.
  • a main electrode of a semiconductor device an electrode formed in an element formation region of a semiconductor substrate such as an emitter electrode
  • one kind of metal has been usually used.
  • a technique for improving heat dissipation by using a laminated electrode in which different metal films are laminated as a main electrode has been developed.
  • the present inventor has come up with the idea of the laminated electrode, and invented joining different metal films to use as a temperature detecting element of a semiconductor device.
  • the present specification includes a semiconductor substrate, a second metal film formed on the front surface or the back surface of the semiconductor substrate, joined to the first metal film and the first metal film, and having a Seebeck coefficient different from that of the first metal film. And a detection terminal capable of detecting a potential difference between the first metal film and the second metal film.
  • thermoelectromotive force of the first metal film and the second metal film can be measured by the detection terminal, and thereby the temperature of the semiconductor device can be detected.
  • a temperature detection element using a composite metal film in which a first metal film and a second metal film are bonded measures a thermoelectromotive force generated according to a temperature difference between a side temperature contact and a reference contact, thereby Perform temperature detection. For this reason, it is possible to perform measurement using a potential detector with a measurement range corresponding to the magnitude of the generated thermoelectromotive force, and to improve the temperature detection sensitivity compared to a temperature detection element using a conventional PN diode. it can.
  • the detection terminal may include a first detection terminal electrically connected to the first metal film and a second detection terminal electrically connected to the second metal film.
  • the first detection terminal may be formed of the same material as the first metal film
  • the second detection terminal may be formed of the same material as the second metal film.
  • the first metal film may be in contact with the front or back surface of the semiconductor substrate, and the second metal film may be laminated in contact with the surface of the first metal film opposite to the semiconductor substrate.
  • the first metal film is a metal film containing Al as a main component and containing 10 mass% or more
  • the second metal film is at least selected from the group consisting of Ni, Ti, Mo, W, Ag, Cu, and Zn.
  • a metal film containing 10 mass% or more of one kind as a main component may be used.
  • the thickness of the first metal film (a metal film containing Al as a main component and containing 10 mass% or more) is preferably 1 ⁇ m or more.
  • the second metal film is a metal film containing Ni as a main component and containing 10 mass% or more
  • the thickness of the second metal film is preferably 500 nm or more.
  • the first metal film is a metal film containing 10 mass% or more of Ni as a main component
  • the second metal film is a metal containing 10 mass% or more of at least one selected from the group consisting of Zn and Ti as a main component. It may be a membrane.
  • the thickness of the first metal film (a metal film containing Ni as a main component and containing 10 mass% or more) may be 500 nm or more.
  • the semiconductor device may further include a main electrode formed in an element formation region of the semiconductor substrate.
  • the first metal film, the second metal film, and the detection terminal may be electrically independent from the main electrode.
  • the first metal film, the second metal film, and the detection terminal may be connected to the current path of the main electrode.
  • the composite metal film may be at least a part of the main electrode formed in the element formation region of the semiconductor substrate.
  • the present specification also discloses a method for manufacturing the semiconductor device.
  • the first metal film and the second metal film are continuously formed in a vacuum by sputtering.
  • the first metal film and the second metal film have a standby vacuum degree of the sputtering chamber of 1 ⁇ 10 ⁇ 6 Pa or less, a pressure fluctuation in the chamber during film formation of 10% or less, and a film forming gas. It is more preferable to form a film by sputtering using a film formation target having a purity of 99% or more under a condition where the purity is 99% or more.
  • FIG. 1 is a plan view of a semiconductor device according to Example 1.
  • FIG. FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II in FIG. It is sectional drawing of the semiconductor device which concerns on a modification. It is sectional drawing of the semiconductor device which concerns on a modification. It is sectional drawing of the semiconductor device which concerns on a modification. 7 is a plan view of a semiconductor device according to Example 2.
  • FIG. FIG. 7 is a sectional view taken along line VII-VII in FIG. 6. It is sectional drawing of the semiconductor device which concerns on a modification. It is sectional drawing of the semiconductor device which concerns on a modification.
  • the semiconductor device disclosed in this specification includes a semiconductor substrate and a composite metal film formed on the front surface or the back surface of the semiconductor substrate.
  • the composite metal film includes a first metal film and a second metal film, and the first metal film and the second metal film are bonded to each other.
  • the first metal film and the second metal film have different Seebeck coefficients.
  • the semiconductor device disclosed in this specification further includes a detection terminal capable of detecting a potential difference between the first metal film and the second metal film.
  • the joining surface of the first metal film and the second metal film is a temperature measuring contact, the detection terminal is a reference contact, and the heat generation generated according to the temperature difference between the temperature measurement contact and the reference contact by the detection terminal.
  • the power can be measured. Thereby, the temperature of the semiconductor device can be detected.
  • Temperature detection element that has excellent responsiveness at the time of temperature detection and can detect temperature with high accuracy by using a composite metal film in which a first metal film and a second metal film having different Seebeck coefficients are joined as a temperature detection element Can be provided.
  • the thermoelectromotive force generated according to the temperature difference between the temperature measuring contact and the reference contact is measured. For this reason, for example, when the rate of increase in thermoelectromotive force per temperature is 3 mV / ° C., the change in thermoelectromotive force is measured using a potential detector (for example, a voltmeter) whose measurement range is set to the mV order. Can be measured.
  • thermoelectromotive force is not affected by the shape and size of the composite metal film, and therefore, variations in characteristics during manufacture can be reduced.
  • a conventionally known potential detector for example, a voltmeter
  • a first detection terminal electrically connected to the first metal film and a second detection terminal electrically connected to the second metal film are respectively connected to the potential detector, and the first detection terminal and the second detection terminal By measuring the potential difference with the detection terminal, the potential difference between the first metal film and the second metal film can be detected.
  • the semiconductor element formed on the semiconductor substrate is not particularly limited, and examples thereof include a diode, MOSFET, IGBT, or RC-IGBT in which the diode and IGBT are formed on the same semiconductor substrate.
  • a temperature detection element using a composite metal film can be suitably used for a semiconductor device (for example, a power semiconductor device) in which a semiconductor element that generates a large amount of current and generates a large amount of heat during driving is formed.
  • the composite electrode film may be formed on the surface of the semiconductor substrate or on the back surface.
  • the composite electrode film may be in contact with the semiconductor substrate, or another film such as an insulating film may be interposed between the composite electrode film and the semiconductor substrate.
  • the “composite metal film formed on the front surface or the back surface of the semiconductor substrate” in this specification refers to a composite metal film formed in contact with the semiconductor substrate, and another film such as an insulating film between the semiconductor substrates. It includes both of the composite metal film formed through the film.
  • a conventional temperature detection element using a PN diode must be used in a state insulated from a semiconductor substrate, and cannot be directly formed on the surface of the semiconductor substrate.
  • the temperature detection element using the composite metal film disclosed in this specification may be electrically connected to the semiconductor substrate or may be in contact with the surface of the semiconductor substrate.
  • the temperature detection element using the conventional PN diode there are restrictions on the installation location in the semiconductor device, and it is necessary to secure a sufficient space for installing the temperature detection element.
  • the restriction on the installation space is greatly relaxed compared to the conventional case, and it can contribute to miniaturization of the semiconductor device.
  • the first metal film and the second metal film may be bonded to each other.
  • the first metal film and the second metal film may be laminated in the depth direction of the semiconductor substrate, or the first metal film and the second metal in the planar direction (direction perpendicular to the depth direction) of the semiconductor substrate.
  • the membranes may be adjacent to each other or may be joined in a composite form.
  • the detection terminal only needs to be able to measure the thermoelectromotive force of the first metal film and the second metal film.
  • the detection terminal is electrically connected to the first metal film and electrically connected to the second metal film. You may provide the 2nd detection terminal connected to.
  • the detection terminal include a wiring, a wiring lead-out structure, and a pad structure (electrode pad etc.).
  • the detection terminals are preferably made of the same material as the metal film to which the detection terminals are connected because the design becomes easy.
  • a material different from the metal film to which each is connected can be used as the detection terminal.
  • it can be used as a temperature detection element by performing a design in consideration of the thermoelectromotive force of the joint portion between the first metal film and the second metal film and the detection terminal.
  • Only one composite metal film may be formed on the semiconductor device, or a plurality of composite metal films may be formed. When a plurality of composite metal films are formed, it is preferable that a separate electrically independent detection terminal is provided for each composite metal film.
  • the composite metal film is a composite metal film laminated in the depth direction of the semiconductor device, the first metal film is in contact with the front surface or the back surface of the semiconductor substrate, and the second metal film is a further portion of the first metal film. It may be formed in contact with the front surface or the back surface (the surface opposite to the semiconductor substrate).
  • each material of the first metal film and the second metal film is preferably a metal material having a large difference in Seebeck coefficient from each other and being used as an electrode of the semiconductor device.
  • the first metal film is a metal film containing Al as a main component and containing 10 mass% or more
  • the second metal film is selected from the group consisting of Ni, Ti, Mo, W, Ag, Cu, and Zn.
  • the metal film contains 10 mass% or more of at least one kind as a main component
  • the second metal film is more preferably a metal film containing 10 mass% or more of Ni as a main component.
  • the thickness of the first metal film (a metal film containing Al as a main component and containing 10 mass% or more) is preferably 1 ⁇ m or more.
  • the second metal film is a metal film containing Ni as a main component and containing 10 mass% or more
  • the thickness of the second metal film is preferably 500 nm or more.
  • the first metal film is a metal film containing 10 mass% or more of Ni as a main component
  • the second metal film is a metal containing 10 mass% or more of at least one selected from the group consisting of Zn and Ti as a main component. It may be a membrane.
  • the thickness of the first metal film is preferably 500 nm or more.
  • the composite metal film having the first metal film and the second metal film having the above composition can be suitably used as a main electrode (electrode connected to a semiconductor element) of a semiconductor device. Even when the composite electrode film is not used as the main electrode, it is advantageous in that the composite electrode film can be manufactured simultaneously in the same manufacturing process as the main electrode. When the components of the composite electrode film, the main electrode, and the detection terminal are the same, both the composite electrode film and the main electrode can be manufactured at the same time by a common process, so that the manufacturing process can be simplified.
  • the semiconductor device may further include a main electrode formed in an element formation region of the semiconductor substrate.
  • the first metal film, the second metal film, and the detection terminal may be electrically independent from the main electrode.
  • the first metal film, the second metal film, and the detection terminal may be connected to the current path of the main electrode.
  • the composite metal film may be at least a part of the main electrode formed in the element formation region of the semiconductor substrate.
  • the current path between the emitter electrode and the collector electrode and the composite metal film are preferably shared.
  • a composite metal film is provided as part of the wiring through which current flows.
  • the composite metal film is formed in a region of the semiconductor substrate where the IGBT element is formed. A space for installing the composite metal film used as the temperature detection element can be omitted, and the temperature detection sensitivity can be improved.
  • the emitter terminal is electrically independent of other terminals (collector terminal, gate terminal, etc.).
  • a semiconductor device having a cluster IGBT structure in which the emitter contact portion is covered with a floating diffusion layer and the emitter terminal is electrically independent of other terminals is preferable.
  • the first metal film and the second metal film are manufactured by continuously forming films in a vacuum by sputtering.
  • the second metal film without exposing it to the atmosphere after manufacturing the first metal film, it is possible to suppress an increase in the impurity concentration at the joint surface between the first metal film and the second metal film. For this reason, it is possible to form a temperature detecting element having uniform bonding surfaces and good characteristics.
  • the first metal film and the second metal film have a standby vacuum degree of the sputtering chamber of 1 ⁇ 10 ⁇ 6 Pa or less, a pressure fluctuation in the chamber during film formation of 10% or less, and a film forming gas (for example, argon gas, krypton) It is more preferable to produce the film by sputtering under a condition that the gas) purity is 99% or more and the target purity for film formation is 99% or more.
  • the target purity for film formation is 99% or more means that the composition components of the first metal film and the second metal film are 99% or more, and the remainder is inevitable impurities.
  • the method of forming the first metal film and the second metal film is not limited to the method of forming a film by sputtering.
  • a conventionally known method of forming a metal film such as a plating method can be used.
  • the plating method it is necessary to strictly control the composition of the first metal film and the second metal film.
  • the composition management of the first metal film and the second metal film is relatively easy.
  • the semiconductor device 10 As shown in FIGS. 1 and 2, the semiconductor device 10 according to the first embodiment includes a semiconductor substrate 100, a surface insulating film 110, a main electrode 120, a composite metal film 130, and electrode pads 141 and 142. ing.
  • an IGBT is formed as a semiconductor element on the semiconductor substrate 100.
  • the surface insulating film 110 is in contact with the surface of the region where the IGBT element of the semiconductor substrate 100 is not formed.
  • the composite metal film 120 is in contact with the surface of the surface insulating film 110.
  • the main electrode 120 is in contact with the surface of the region where the IGBT element of the semiconductor substrate 100 is formed.
  • the main electrode 120 is an emitter electrode.
  • a collector electrode is formed in contact with the back surface of the semiconductor substrate 110.
  • the main electrode 120 has a first electrode film 121 and a second electrode film 122 stacked in the depth direction of the semiconductor substrate 100.
  • the first electrode film 121 is in contact with the surface of the semiconductor substrate 100.
  • the second electrode film 122 is in contact with the surface of the first electrode film 121.
  • the first electrode film 121 and the second electrode film 122 are joined.
  • the first electrode film 121 is a metal film containing Al by 10 mass% or more.
  • the second electrode film 122 is a metal film containing Ni as a main component and containing 10 mass% or more.
  • the composite electrode film 130 includes a first metal film 131 and a second metal film 132 stacked in the depth direction of the semiconductor substrate 100.
  • the first metal film 131 is in contact with the surface of the surface insulating film 110.
  • the second metal film 132 is in contact with the surface of the first metal film 131.
  • the first metal film 131 and the second metal film 132 are joined.
  • the first metal film 131 is a metal film containing Al as a main component and containing 10 mass% or more, and has a thickness of 1 ⁇ m or more.
  • the second metal film 132 is a metal film containing Ni as a main component and containing 10 mass% or more, and has a thickness of 500 nm or more.
  • the Seebeck coefficient S1 of the first metal film 131 and the Seebeck coefficient S2 of the second metal film 132 are different (S1 ⁇ S2).
  • the first metal film 131 is connected to the electrode pad 141 by the wiring 133
  • the second metal film 132 is connected to the electrode pad 142 by the wiring 134.
  • the wiring 133 and the electrode pad 141 are first detection terminals and are formed of the same material as the first metal film 131.
  • the wiring 134 and the electrode pad 142 are second detection terminals and are formed of the same material as the second metal film 132.
  • the potential difference between the first metal film 131 and the second metal film 132 can be detected by connecting the electrode pads 141 and 142 to a potential detector (not shown) such as a voltmeter. Since the Seebeck coefficient S1 of the first metal film 131 and the Seebeck coefficient S2 of the second metal film 132 are different, the bonding surface between the first metal film 131 and the second metal film 132, the electrode pad 141, and the electrode pad 142 A potential difference occurs due to the temperature difference between the two. By detecting this potential difference with a potential detector, the temperature of the semiconductor device 10 can be detected.
  • the composite metal film 120 including the first metal film 131 and the second metal film 132, the electrode pads 141 and 142, and the wirings 133 and 134 can be used as a temperature detection element of the semiconductor device 10.
  • the first metal film 131 and the second metal film 132 are formed by continuously forming a film by sputtering in a vacuum.
  • the standby vacuum degree of the chamber is set to 1 ⁇ 10 ⁇ 6 Pa or less
  • the film formation target (the composition component of the first metal film 131 is the same as the first metal film 131)
  • a target of 99% or more a film is formed by sputtering under the conditions that the pressure fluctuation in the chamber during film formation is 10% or less and the film forming gas purity is 99% or more.
  • the pressure fluctuation in the chamber during film formation is 10% or less
  • the film is formed by sputtering under the condition that the film forming gas purity is 99% or more.
  • the bonding surface between the first metal film 131 and the second metal film 132 can be in a good state. Note that when the materials of the first metal film 131 and the first electrode film 121 are the same, they can be formed simultaneously. Similarly, when the second metal film 132 and the second electrode film 122 are made of the same material, they can be formed simultaneously.
  • a semiconductor device 11 shown in FIG. 3 includes a composite metal film 150 formed on the surface of the semiconductor substrate 100 with a surface insulating film 110 interposed therebetween.
  • the composite electrode film 150 includes a first metal film 151 and a second metal film 152 that are stacked in the depth direction of the semiconductor substrate 100.
  • the first metal film 151 is in contact with the surface of the surface insulating film 110.
  • the second metal film 152 is in contact with the surface of the first metal film 151.
  • the first metal film 151 and the second metal film 152 are joined.
  • the first metal film 151 is connected to the connection pad 155 by the wiring lead structure 153
  • the second metal film 152 is connected to the connection pad 156 by the wiring lead structure 154.
  • the first metal film 151, the second metal film 152, and the wiring lead structures 153 and 154 are covered with a protective film 190 made of polyimide or the like.
  • the surfaces of the connection pads 155 and 156 are exposed on the surface of the protective film 190.
  • the connection pad 155 is connected to the electrode pad 141 by a wiring 157
  • the connection pad 156 is connected to the electrode pad 142 by a wiring 158.
  • the wiring lead structure 153, the connection pad 155, the wiring 157, and the electrode pad 141 are first detection terminals and are formed of the same material as the first metal film 151.
  • the wiring lead structure 154, the connection pad 156, the wiring 158, and the electrode pad 142 are second detection terminals and are formed of the same material as the first metal film 152.
  • the 4 includes a composite metal film 160 formed on the surface of the semiconductor substrate 100 with the surface insulating film 110 interposed therebetween.
  • the composite electrode film 160 includes a first metal film 161 and a second metal film 162 stacked in the depth direction of the semiconductor substrate 100.
  • the first metal film 161 is in contact with the surface of the surface insulating film 110.
  • the second metal film 162 is in contact with the surface of the first metal film 161.
  • the first metal film 161 and the second metal film 162 are joined.
  • the first metal film 161 is connected to the connection pad 165 by the wiring lead structure 163.
  • the first metal film 151 and the wiring lead structure 163 are covered with a protective film 190 made of polyimide or the like.
  • the surfaces of the connection pad 165 and the second metal film 162 are exposed on the surface of the protective film 190.
  • the connection pad 165 is connected to the electrode pad 141 by the wiring 167
  • the second metal film 162 is connected to the electrode pad 142 by the wiring 168.
  • the wiring lead structure 163, the connection pad 165, the wiring 167, and the electrode pad 141 are first detection terminals and are formed of the same material as the first metal film 161.
  • the wiring 168 and the electrode pad 142 are second detection terminals and are made of the same material as the second metal film 162.
  • the 5 includes a composite metal film 170 formed on the surface of the semiconductor substrate 100 with the surface insulating film 110 interposed therebetween.
  • the composite electrode film 170 includes a first metal film 171 and a second metal film 172 that are adjacent to each other in the planar direction (direction perpendicular to the depth direction) of the semiconductor substrate 100.
  • the first metal film 171 and the second metal film 172 are in contact with the surface of the surface insulating film 110.
  • the first metal film 171 and the second metal film 172 are bonded to each other on the side surfaces.
  • the first metal film 171 is connected to the electrode pad 141 by the wiring 173, and the second metal film 172 is connected to the electrode pad 142 by the wiring 174.
  • the wiring 173 and the electrode pad 141 are first detection terminals and are formed of the same material as that of the first metal film 171.
  • the wiring 174 and the electrode pad 142 are second detection terminals and are formed of the same material as the second metal film 172. As shown in FIG. 5, when the first metal film 171 and the second metal film 172 are adjacent to each other in the plane direction (direction perpendicular to the depth direction) of the semiconductor substrate, the wiring of the detection terminal can be easily routed. Become.
  • a composite metal film in which the first metal film and the second metal film are adjacent to each other in the plane direction of the semiconductor substrate is used. It is preferable to adopt.
  • the first metal films 151, 161, 171 are metal films containing 10 mass% or more of Al as a main component, and the thickness thereof is 1 ⁇ m or more.
  • the second metal films 152, 162, and 172 are each a metal film containing Ni as a main component and containing 10 mass% or more, and has a thickness of 500 nm or more.
  • the Seebeck coefficients of the first metal films 151, 161, 171 and the second metal films 152, 162, 172 are different from each other.
  • the other configurations of the semiconductor devices 11, 12, and 13 are the same as those of the semiconductor device 10, and thus redundant description is omitted.
  • the first metal film (151, 161, 171) and the second metal film (152, 162, 172) are connected by connecting a potential detector to the electrode pads 141, 142. A potential difference can be detected.
  • the electrode pads (141, 142) and the like can be used as temperature detecting elements of the semiconductor devices (11, 12, 13).
  • the semiconductor device 20 includes a semiconductor substrate 200, a surface insulating film 210, a composite metal film 220, and electrode pads 241 and 242.
  • the composite metal film 220 includes a main part 225 and a detection part 230.
  • the semiconductor substrate 200 is formed with an IGBT as a semiconductor element.
  • the main part 225 is in contact with the surface of the region where the IGBT element of the semiconductor substrate 200 is formed.
  • the surface insulating film 210 is in contact with the surface of the region where the IGBT element of the semiconductor substrate 200 is not formed.
  • the detection unit 230 is in contact with the surface of the surface insulating film 210.
  • the main part 225 functions as an emitter electrode.
  • a collector electrode is formed in contact with the back surface of the semiconductor substrate 210.
  • the composite metal film 220 includes a first metal film 221 and a second metal film 222 stacked in the depth direction of the semiconductor substrate 200.
  • the first metal film 221 is in contact with the surface of the semiconductor substrate 200.
  • the second metal film 222 is in contact with the surface of the first metal film 221.
  • the first metal film 221 and the second metal film 222 are joined.
  • the first metal film 221 is a metal film containing Al as a main component and containing 10 mass% or more, and has a thickness of 1 ⁇ m or more.
  • the second metal film 222 is a metal film containing 10 mass% or more of Ni as a main component, and the thickness thereof is 500 nm or more.
  • the Seebeck coefficient S21 of the first metal film 221 and the Seebeck coefficient S22 of the second metal film 222 are different (S21 ⁇ S22).
  • a wiring 234 is connected to the surface of the detection unit 230 of the first metal film 221, and the wiring 234 is connected to the electrode pad 241.
  • a wiring 224 is connected to the surface of the second metal film 222, and the wiring 224 is connected to the electrode pad 242.
  • the wiring 234 and the electrode pad 241 are first detection terminals and are formed of the same material as the first metal film 221.
  • the wiring 224 and the electrode pad 242 are second detection terminals and are made of the same material as the second metal film 222.
  • the potential difference between the first metal film 221 and the second metal film 222 can be detected by connecting the electrode pads 241 and 242 to a potential detector (not shown). Since the Seebeck coefficient S21 of the first metal film 221 and the Seebeck coefficient S22 of the second metal film 222 are different (S21 ⁇ S22), the bonding surface between the first metal film 221 and the second metal film 222, and the electrode pad A potential difference is generated due to a temperature difference between 241 and the electrode pad 242. By detecting this potential difference with a potential detector, the temperature of the semiconductor device 20 can be detected.
  • the composite metal film 220 having the first metal film 221 and the second metal film 222, the electrode pads 241 and 242, and the wirings 224 and 234 can be used as a temperature detection element of the semiconductor device 20.
  • the composite metal film 220 can also be used as an emitter electrode of the IGBT. Since the current path at the time of temperature detection and the current path of the IGBT are common, a space for installing the composite metal film 220 used as a temperature detection element can be omitted, and the temperature detection sensitivity can be improved. it can.
  • the first metal film 221 and the second metal film 222 can be manufactured by a method similar to the manufacturing method described in the first embodiment.
  • the semiconductor device 21 shown in FIG. 8 includes a composite metal film 250 formed in contact with the surface of the region where the IGBT element of the semiconductor substrate 200 is formed.
  • the composite electrode film 250 includes a first metal film 251 and a second metal film 252 that are stacked in the depth direction of the semiconductor substrate 200.
  • the first metal film 251 is in contact with the surface of the region where the IGBT element of the semiconductor substrate 200 is formed.
  • the second metal film 252 is in contact with the surface of the first metal film 251.
  • the first metal film 251 and the second metal film 252 are joined.
  • the first metal film 251 is connected to the connection pad 262 by the wiring routing structure 261, and the second metal film 252 is connected to the connection pad 264 by the wiring routing structure 263.
  • the first metal film 251 is covered with a second metal film 252 and a protective film 290 made of polyimide or the like.
  • the wiring routing structures 261 and 263 are covered with a protective film 290.
  • the surfaces of the second metal film 252 and the connection pads 262 and 264 are exposed on the surface of the protective film 290.
  • the connection pad 262 is connected to the electrode pad 241 by a wiring 265, and the connection pad 264 is connected to the electrode pad 242 by a wiring 266.
  • the wiring routing structure 261, the connection pad 262, the wiring 265, and the electrode pad 241 are first detection terminals and are formed of the same material as the first metal film 251.
  • the wiring routing structure 263, the connection pad 264, the wiring 266, and the electrode pad 242 are second detection terminals and are formed of the same material as the second metal film 252.
  • the semiconductor device 22 shown in FIG. 9 includes a composite metal film 270 formed in contact with the surface of the region where the IGBT element of the semiconductor substrate 200 is formed.
  • the composite electrode film 270 includes a first metal film 271 and a second metal film 272 stacked in the depth direction of the semiconductor substrate 200.
  • the first metal film 271 is in contact with the surface of the region where the IGBT element of the semiconductor substrate 200 is formed.
  • the second metal film 272 is in contact with the surface of the first metal film 271.
  • the first metal film 271 and the second metal film 272 are joined.
  • the first metal film 271 is connected to the connection pad 282 by the wiring routing structure 281.
  • the first metal film 271 is covered with a second metal film 272 and a protective film 290 made of polyimide or the like.
  • the wiring routing structure 281 is covered with a protective film 290.
  • the surfaces of the connection pad 282 and the second metal film 272 are exposed on the surface of the protective film 290.
  • the connection pad 282 is connected to the electrode pad 241 by the wiring 284, and the second metal film 272 is connected to the electrode pad 242 by the wiring 274.
  • the wiring routing structure 281, the connection pad 282, the wiring 284, and the electrode pad 241 are first detection terminals and are formed of the same material as the first metal film 271.
  • the wiring 274 and the electrode pad 242 are second detection terminals and are made of the same material as the second metal film 272.
  • the first metal films 251 and 271 are each a metal film containing 10 mass% or more of Al as a main component, and the thickness thereof is 1 ⁇ m or more.
  • the second metal films 252 and 272 are each a metal film containing Ni as a main component and containing 10 mass% or more, and the thickness thereof is 500 nm or more.
  • the Seebeck coefficients of the first metal films 251 and 271 and the second metal films 252 and 272 are different from each other.
  • the other configurations of the semiconductor devices 21 and 22 are the same as those of the semiconductor device 20, and thus redundant description is omitted.
  • the potential difference between the first metal film (251, 271) and the second metal film (252, 272) can be detected by connecting a potential detector to the electrode pads 241 and 242. it can.
  • Composite metal films 250, 270 and wiring routing structures (261, 263, 281) connected thereto, connection pads (262, 264, 282), wirings (265, 266, 274, 284), electrode pads (241, 242), etc. Can be used as a temperature detecting element of the semiconductor device (21, 22).
  • the composite metal films 250 and 270 can be used as the emitter electrode of the IGBT.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

　半導体基板と、半導体基板の表面または裏面に形成されており、第１金属膜と、第１金属膜と接合しており、第１金属膜とゼーベック係数が異なる第２金属膜とを有する複合金属膜と、第１金属膜と第２金属膜との電位差を検出可能な検出端子とを備えた、半導体装置を提供する。

Description

半導体装置およびその製造方法
　本明細書に記載の技術は、半導体装置およびその製造方法に関する。
　日本国特許公開公報平１０－４１５１０号（特許文献１）には、半導体基板の表面に配置されたＰＮダイオードを温度検出素子として用いる半導体装置が開示されている。半導体基板の表面に配置されたＰＮダイオードの順方向電圧の温度依存性を利用して、半導体素子の表面の温度を検出する。
特開平１０－４１５１０号公報
　従来のＰＮダイオードを用いた温度検出素子では、温度検出素子に一定の電流を流したときの順方向電圧の温度依存性を利用して温度を検出するため、順方向電圧に対する電圧の変化を測定する必要がある。例えば、順方向電圧が１．５Ｖであり、ＰＮダイオードの温度当りの電圧上昇率が３ｍＶ／℃である場合には、順方向電圧を測定できるように、測定レンジが数Ｖに設定された電位検出器（例えば、電圧計）を用いて、数ｍＶ程度の電圧の変化を検出する必要がある。微小な電圧変化を精度よく検出することが困難であるため、温度を精度よく検出することが困難となる。
　半導体装置のメイン電極（エミッタ電極等の半導体基板の素子形成領域に形成された電極）としては、従来、１種類の金属が利用されることが通常であった。しかしながら、近年、パワー半導体装置の開発が進むに従い、半導体装置の放熱を促進する必要が高じ、メイン電極として異なる金属膜が積層されている積層電極を用い、これによって放熱性を高める技術が開発されている。本発明者は、この積層電極に着想を得て、異なる金属膜を接合して、半導体装置の温度検出素子として利用することを発明するに至った。
　本明細書は、半導体基板と、半導体基板の表面または裏面に形成されており、第１金属膜と、第１金属膜と接合しており、第１金属膜とゼーベック係数が異なる第２金属膜とを有する複合金属膜と、第１金属膜と第２金属膜との電位差を検出可能な検出端子とを備えた、半導体装置を開示する。
　上記の半導体装置によれば、検出端子によって、第１金属膜と第２金属膜の熱起電力を測定することができ、これによって、半導体装置の温度を検出することができる。第１金属膜と第２金属膜を接合した複合金属膜を用いた温度検出素子は、側温接点と基準接点との温度差に応じて発生する熱起電力を測定することによって、半導体装置の温度検出を行う。このため、発生した熱起電力の大きさに応じた測定レンジの電位検出器を用いた測定を行うことができ、従来のＰＮダイオードを用いた温度検出素子よりも温度検出感度を向上させることができる。
　検出端子は、第１金属膜に電気的に接続する第１検出端子と、第２金属膜に電気的に接続する第２検出端子とを備えていてもよい。この場合、第１検出端子は、第１金属膜と同じ材料で形成されており、第２検出端子は、第２金属膜と同じ材料で形成されていてもよい。
　第１金属膜は、半導体基板の表面または裏面に接しており、第２金属膜は、第１金属膜の半導体基板と逆側の面に接して積層されていてもよい。この場合、第１金属膜は、Ａｌを主成分として１０ｍａｓｓ％以上含有する金属膜であり、第２金属膜は、Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｚｎからなる群から選ばれる少なくとも一種を主成分として１０ｍａｓｓ％以上含有する金属膜であってもよい。さらに、第１金属膜（Ａｌを主成分として１０ｍａｓｓ％以上含有する金属膜）の厚さは、１μｍ以上であることが好ましい。第２金属膜が、Ｎｉを主成分として１０ｍａｓｓ％以上含有する金属膜である場合には、第２金属膜の厚さは、５００ｎｍ以上であることが好ましい。
　また、第１金属膜は、Ｎｉを主成分として１０ｍａｓｓ％以上含有する金属膜であり、第２金属膜は、Ｚｎ，Ｔｉからなる群から選ばれる少なくとも一種を主成分として１０ｍａｓｓ％以上含有する金属膜であってもよい。この場合、第１金属膜（Ｎｉを主成分として１０ｍａｓｓ％以上含有する金属膜）の厚さは、５００ｎｍ以上であってもよい。
　半導体装置は、半導体基板の素子形成領域に形成されたメイン電極をさらに備えていてもよい。この場合、第１金属膜、第２金属膜および検出端子は、メイン電極と電気的に独立していてもよい。また、第１金属膜、第２金属膜および検出端子は、メイン電極の電流経路に接続されていてもよい。もしくは、複合金属膜は、半導体基板の素子形成領域に形成されたメイン電極の少なくとも一部であってもよい。
　また、本明細書は、上記の半導体装置の製造方法を開示する。上記の半導体装置の製造方法では、第１金属膜と第２金属膜は、真空中で連続してスパッタリングによって成膜することが好ましい。また、第１金属膜と第２金属膜は、スパッタリングチャンバの待機真空度が１×１０－６Ｐａ以下であり、かつ成膜中のチャンバ内の圧力変動が１０％以下であり、成膜ガス純度が９９％以上である条件下で、純度が９９％以上の成膜用ターゲットを用いて、スパッタリングによって成膜することがより好ましい。
実施例１に係る半導体装置の平面図である。 図１のＩＩ－ＩＩ線断面図である。 変形例に係る半導体装置の断面図である。 変形例に係る半導体装置の断面図である。 変形例に係る半導体装置の断面図である。 実施例２に係る半導体装置の平面図である。 図６のＶＩＩ－ＶＩＩ線断面図である。 変形例に係る半導体装置の断面図である。 変形例に係る半導体装置の断面図である。
　本明細書が開示する半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の表面または裏面に形成されている複合金属膜とを備えている。複合金属膜は、第１金属膜と、第２金属膜を備えており、第１金属膜と第２金属膜は互いに接合している。第１金属膜と第２金属膜は、ゼーベック係数が相違している。本明細書が開示する半導体装置は、第１金属膜と第２金属膜との電位差を検出可能な検出端子をさらに備えている。第１金属膜と第２金属膜との接合面は測温接点であり、検出端子は基準接点であって、検出端子によって、測温接点と基準接点との温度差に応じて発生する熱起電力を測定することができる。これによって、半導体装置の温度を検出することができる。
　ゼーベック係数が相違する第１金属膜と第２金属膜を接合した複合金属膜を温度検出素子として利用することによって、温度検出時の応答性に優れ、高精度に温度検出が可能な温度検出素子を提供することができる。複合金属膜を用いた温度検出素子では、測温接点と基準接点との温度差に応じて発生する熱起電力を測定する。このため、例えば、温度当りの熱起電力の上昇率が３ｍＶ／℃である場合には、測定レンジがｍＶオーダーに設定された電位検出器（例えば電圧計）を用いて熱起電力の変化を測定することができる。微小な温度変化も比較的良好に測定できるため、測定精度が良好となる。さらに、複合金属膜を用いた温度検出素子では、熱起電力は、複合金属膜の形状や大きさの影響を受けないため、製造時の特性ばらつきを小さくすることができる。なお、検出端子を用いて、第１金属膜と第２金属膜との電位差を検出するためには、従来公知の電位検出器（例えば、電圧計等）を利用することができる。例えば、第１金属膜に電気的に接続する第１検出端子と、第２金属膜に電気的に接続する第２検出端子を、それぞれ電位検出器に接続して、第１検出端子と第２検出端子との電位差を測定することによって、第１金属膜と第２金属膜との電位差を検出することができる。
　半導体基板に形成されている半導体素子は、特に限定されないが、例えば、ダイオード、ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ、もしくはダイオードとＩＧＢＴが同一の半導体基板に形成されているＲＣ－ＩＧＢＴ等を例示することができる。複合金属膜を用いた温度検出素子は、駆動時の発熱が大きい、大電流が流れる半導体素子が形成されている半導体装置（例えば、パワー半導体装置）に好適に利用できる。
　上記の半導体装置では、複合電極膜は、半導体基板の表面に形成されていてもよいし、裏面に形成されていてもよい。また、複合電極膜は、半導体基板に接していていもよいし、複合電極膜と半導体基板の間に絶縁膜等の他の膜が介在していてもよい。なお、本明細書にいう「半導体基板の表面または裏面に形成されている複合金属膜」は、半導体基板に接して形成されている複合金属膜、および半導体基板の間に絶縁膜等の他の膜を介して形成されている複合金属膜の双方を含む。従来のＰＮダイオードを用いた温度検出素子は、半導体基板と絶縁した状態で使用する必要があり、半導体基板の表面に直接形成することができなかった。これに対して、本明細書が開示する複合金属膜を用いた温度検出素子は、半導体基板と電気的に接続されていてもよく、半導体基板の表面に接していてもよい。従来のＰＮダイオードを用いた温度検出素子では、半導体装置における設置箇所に制約があり、温度検出素子を設置するスペースを十分に確保する必要があった。本明細書が開示する複合金属膜を用いた温度検出素子は、従来よりも設置スペースの制約が大幅に緩和され、半導体装置の小型化に寄与することができる。
　第１金属膜と第２金属膜は、互いに接合していればよい。例えば、半導体基板の深さ方向に第１金属膜と第２金属膜が積層されていてもよいし、半導体基板の平面方向（深さ方向に垂直な方向）に第１金属膜と第２金属膜が隣接していてもよいし、これらが複合した形態で接合していてもよい。検出端子は、第１金属膜と第２金属膜の熱起電力を測定することができればよく、例えば、第１金属膜に電気的に接続する第１検出端子と、第２金属膜に電気的に接続している第２検出端子を備えていてもよい。特に限定されないが、検出端子の具体例を挙げると、配線、配線引き出し構造、パッド構造（電極パッド等）を例示することができる。検出端子は、それぞれが接続する金属膜と同じ材料である場合には、設計が容易になり、好ましい。材料コスト等を優先する場合には、それぞれが接続する金属膜と異なる材料を検出端子として用いることもできる。この場合には、第１金属膜、第２金属膜と検出端子との接合部分の熱起電力を考慮した設計を行うことによって、温度検出素子として利用することができる。複合金属膜は、半導体装置に１つのみ形成されていてもよいし、複数形成されていてもよい。複合金属膜が複数形成されている場合には、それぞれの複合金属膜に対して、別個の電気的に独立した検出端子が設けられていることが好ましい。
　複合金属膜は、半導体装置の深さ方向に積層された複合金属膜であり、第１金属膜が半導体基板の表面または裏面に接しており、第２金属膜は、第１金属膜のそのさらに表面または裏面（半導体基板と逆側の面）に接して形成されていてもよい。この場合、第１金属膜および第２金属膜のそれぞれの材料は、互いのゼーベック係数の差が大きく、かつ、半導体装置の電極として用いられている金属材料であることが好ましい。具体的には、第１金属膜は、Ａｌを主成分として１０ｍａｓｓ％以上含有する金属膜であり、第２金属膜は、Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｚｎからなる群から選ばれる少なくとも一種を主成分として１０ｍａｓｓ％以上含有する金属膜であることが好ましく、第２金属膜はＮｉを主成分として１０ｍａｓｓ％以上含有する金属膜であることがより好ましい。さらに、第１金属膜（Ａｌを主成分として１０ｍａｓｓ％以上含有する金属膜）の厚さは、１μｍ以上であることが好ましい。第２金属膜が、Ｎｉを主成分として１０ｍａｓｓ％以上含有する金属膜である場合には、第２金属膜の厚さは、５００ｎｍ以上であることが好ましい。
　また、第１金属膜は、Ｎｉを主成分として１０ｍａｓｓ％以上含有する金属膜であり、第２金属膜は、Ｚｎ，Ｔｉからなる群から選ばれる少なくとも一種を主成分として１０ｍａｓｓ％以上含有する金属膜であってもよい。この場合、第１金属膜（Ｎｉを主成分として１０ｍａｓｓ％以上含有する金属膜）の厚さは、５００ｎｍ以上であることが好ましい。
　上記の組成を有する第１金属膜および第２金属膜を有する複合金属膜は、半導体装置のメイン電極（半導体素子に接続する電極）として好適に利用することができる。複合電極膜をメイン電極として利用しない場合にも、メイン電極と同じ製造工程で同時に複合電極膜を製造できる点で有利である。複合電極膜とメイン電極および検出端子の成分が同じである場合には、複合電極膜とメイン電極の双方を共通のプロセスで同時に製造できるため、製造工程を簡略化することができる。
　半導体装置は、半導体基板の素子形成領域に形成されたメイン電極をさらに備えていてもよい。この場合、第１金属膜、第２金属膜および検出端子は、メイン電極と電気的に独立していてもよい。また、第１金属膜、第２金属膜および検出端子は、メイン電極の電流経路に接続されていてもよい。もしくは、複合金属膜は、半導体基板の素子形成領域に形成されたメイン電極の少なくとも一部であってもよい。
　例えば、半導体基板にＩＧＢＴ素子が形成されている場合には、エミッタ電極とコレクタ電極との間の電流経路と複合金属膜が共通していることが好ましい。具体的には、例えば、電流が流れる配線の一部として複合金属膜が設置されていることが好ましい。さらに、複合金属膜が、半導体基板のＩＧＢＴ素子が形成されている領域に形成されていることがより好ましい。温度検出素子として利用する複合金属膜を設置するためのスペースを省略することができるとともに、温度検出感度を向上することができる。エミッタ電極とコレクタ電極との間の電流経路と複合金属膜が共通している場合には、エミッタ端子が他の端子（コレクタ端子、ゲート端子等）と電気的に独立であることが好ましい。具体的には、例えば、エミッタコンタクト部がフローティング拡散層に覆われており、エミッタ端子が他の端子に対して電気的に独立である、クラスターＩＧＢＴ構造を有する半導体装置であることが好ましい。
　第１金属膜と第２金属膜は、真空中で連続してスパッタリングによって成膜することによって製造することが好ましい。第１金属膜を製造した後に大気に暴露することなく第２金属膜を製造することによって、第１金属膜と第２金属膜との接合面の不純物濃度が大きくなることを抑制できる。このため、接合面を均一化し、良好な特性を有する温度検出素子を形成することができる。第１金属膜と第２金属膜は、スパッタリングチャンバの待機真空度が１×１０－６Ｐａ以下、成膜中のチャンバ内の圧力変動が１０％以下、成膜ガス（例えば、アルゴンガス、クリプトンガス）純度が９９％以上および成膜用ターゲット純度が９９％以上の条件下でスパッタリングによって成膜することによって製造することがより好ましい。ここで、成膜用ターゲット純度が９９％以上であるとは、第１金属膜および第２金属膜の組成成分が９９％以上であり、その余は不可避不純物であるということを意味する。なお、第１金属膜と第２金属膜を形成する方法は、スパッタリングによって成膜する方法に限定されない。例えば、めっき法等の従来公知の金属膜を成膜する方法を利用することができる。めっき法を用いる場合には、第１金属膜および第２金属膜の組成を厳密に管理するに必要がある。スパッタリングによって成膜した場合には、第１金属膜および第２金属膜の組成管理が比較的容易である。
（半導体装置）
　実施例１に係る半導体装置１０は、図１および図２に示すように、半導体基板１００と、表面絶縁膜１１０と、メイン電極１２０と、複合金属膜１３０と、電極パッド１４１，１４２とを備えている。
　半導体基板１００には、図示していないが、半導体素子としてＩＧＢＴが形成されている。表面絶縁膜１１０は、半導体基板１００のＩＧＢＴ素子が形成されていない領域の表面に接している。複合金属膜１２０は、表面絶縁膜１１０の表面に接している。メイン電極１２０は、半導体基板１００のＩＧＢＴ素子が形成されている領域の表面に接している。メイン電極１２０は、エミッタ電極である。なお、図示していないが、半導体基板１１０の裏面に接して、コレクタ電極が形成されている。メイン電極１２０は、半導体基板１００の深さ方向に積層された第１電極膜１２１および第２電極膜１２２を有している。第１電極膜１２１は、半導体基板１００の表面に接している。第２電極膜１２２は、第１電極膜１２１の表面に接している。第１電極膜１２１と第２電極膜１２２は、接合されている。第１電極膜１２１は、Ａｌを主成分として１０ｍａｓｓ％以上含有する金属膜である。第２電極膜１２２は、Ｎｉを主成分として１０ｍａｓｓ％以上含有する金属膜である。
　複合電極膜１３０は、半導体基板１００の深さ方向に積層された第１金属膜１３１および第２金属膜１３２を有している。第１金属膜１３１は、表面絶縁膜１１０の表面に接している。第２金属膜１３２は、第１金属膜１３１の表面に接している。第１金属膜１３１と第２金属膜１３２は、接合されている。第１金属膜１３１は、Ａｌを主成分として１０ｍａｓｓ％以上含有する金属膜であり、その厚さは、１μｍ以上である。第２金属膜１３２は、Ｎｉを主成分として１０ｍａｓｓ％以上含有する金属膜であり、その厚さは、５００ｎｍ以上である。第１金属膜１３１のゼーベック係数Ｓ１と第２金属膜１３２のゼーベック係数Ｓ２は、相違している（Ｓ１≠Ｓ２）。第１金属膜１３１は、配線１３３によって電極パッド１４１に接続されており、第２金属膜１３２は、配線１３４によって電極パッド１４２に接続されている。配線１３３および電極パッド１４１は、第１検出端子であり、第１金属膜１３１と同じ材料で形成されている。配線１３４および電極パッド１４２は、第２検出端子であり、第２金属膜１３２と同じ材料で形成されている。
　電極パッド１４１および１４２を電圧計等の電位検出器（図示しない）に接続することによって、第１金属膜１３１と第２金属膜１３２との間の電位差を検出することができる。第１金属膜１３１のゼーベック係数Ｓ１と第２金属膜１３２のゼーベック係数Ｓ２は相違しているため、第１金属膜１３１と第２金属膜１３２との接合面と、電極パッド１４１および電極パッド１４２との温度差によって電位差が発生する。この電位差を電位検出器によって検出することにより、半導体装置１０の温度検出を行うことができる。第１金属膜１３１と第２金属膜１３２とを有する複合金属膜１２０と、電極パッド１４１，１４２および配線１３３，１３４は、半導体装置１０の温度検出素子として利用することができる。
　（半導体装置の製造方法）
　半導体装置１０において、第１金属膜１３１と第２金属膜１３２は、真空中で連続してスパッタリングによって成膜することによって形成される。例えば、スパッタリングチャンバに半導体基板を配置した後に、チャンバの待機真空度を１×１０－６Ｐａ以下とし、第１金属膜１３１と同じ材料の成膜用ターゲット（第１金属膜１３１の組成成分が９９％以上のターゲット）を用いて、成膜中のチャンバ内の圧力変動が１０％以下、かつ成膜ガス純度が９９％以上の条件下でスパッタリングによって成膜する。続いて、第２金属膜１３２と同じ材料の成膜用ターゲット（第２金属膜１３２の組成成分が９９％以上のターゲット）を用いて、成膜中のチャンバ内の圧力変動が１０％以下、かつ成膜ガス純度が９９％以上の条件下でスパッタリングによって成膜する。これによって、第１金属膜１３１と第２金属膜１３２との接合面を良好な状態にすることができる。なお、第１金属膜１３１と第１電極膜１２１の材料が同じである場合には、同時に成膜することができる。同様に、第２金属膜１３２と第２電極膜１２２の材料が同じである場合には、同時に成膜することができる。
　（変形例）
　図３～図５は、図１および２に示す半導体装置１０の変形例を示している。図３に示す半導体装置１１は、表面絶縁膜１１０を介して半導体基板１００の表面に形成された複合金属膜１５０を備えている。複合電極膜１５０は、半導体基板１００の深さ方向に積層された第１金属膜１５１および第２金属膜１５２を有している。第１金属膜１５１は、表面絶縁膜１１０の表面に接している。第２金属膜１５２は、第１金属膜１５１の表面に接している。第１金属膜１５１と第２金属膜１５２は、接合されている。
　第１金属膜１５１は、配線引き出し構造１５３によって接続パッド１５５に接続されており、第２金属膜１５２は、配線引き出し構造１５４によって接続パッド１５６に接続されている。第１金属膜１５１、第２金属膜１５２および配線引き出し構造１５３，１５４は、ポリイミド等を材料とする保護膜１９０に覆われている。接続パッド１５５，１５６の表面は、保護膜１９０の表面に露出している。接続パッド１５５は、配線１５７によって電極パッド１４１に接続されており、接続パッド１５６は、配線１５８によって電極パッド１４２に接続されている。配線引き出し構造１５３，接続パッド１５５，配線１５７および電極パッド１４１は、第１検出端子であり、第１金属膜１５１と同じ材料で形成されている。配線引き出し構造１５４，接続パッド１５６、配線１５８および電極パッド１４２は、第２検出端子であり、第１金属膜１５２と同じ材料で形成されている。
　また、図４に示す半導体装置１２は、表面絶縁膜１１０を介して半導体基板１００の表面に形成された複合金属膜１６０を備えている。複合電極膜１６０は、半導体基板１００の深さ方向に積層された第１金属膜１６１および第２金属膜１６２を有している。第１金属膜１６１は、表面絶縁膜１１０の表面に接している。第２金属膜１６２は、第１金属膜１６１の表面に接している。第１金属膜１６１と第２金属膜１６２は、接合されている。
　第１金属膜１６１は、配線引き出し構造１６３によって接続パッド１６５に接続されている。第１金属膜１５１および配線引き出し構造１６３は、ポリイミド等を材料とする保護膜１９０に覆われている。接続パッド１６５および第２金属膜１６２の表面は、保護膜１９０の表面に露出している。接続パッド１６５は、配線１６７によって電極パッド１４１に接続されており、第２金属膜１６２は、配線１６８によって電極パッド１４２に接続されている。配線引き出し構造１６３，接続パッド１６５，配線１６７および電極パッド１４１は、第１検出端子であり、第１金属膜１６１と同じ材料で形成されている。配線１６８および電極パッド１４２は、第２検出端子であり、第２金属膜１６２と同じ材料で形成されている。
　また、図５に示す半導体装置１３は、表面絶縁膜１１０を介して半導体基板１００の表面に形成された複合金属膜１７０を備えている。複合電極膜１７０は、半導体基板１００の平面方向（深さ方向に垂直な方向）に隣接する第１金属膜１７１および第２金属膜１７２を有している。第１金属膜１７１および第２金属膜１７２は、表面絶縁膜１１０の表面に接している。第１金属膜１７１と第２金属膜１７２は、その側面において互いに接合されている。
　第１金属膜１７１は、配線１７３によって電極パッド１４１に接続されており、第２金属膜１７２は、配線１７４によって電極パッド１４２に接続されている。配線１７３および電極パッド１４１は、第１検出端子であり、第１金属膜１７１と同じ材料で形成されている。配線１７４および電極パッド１４２は、第２検出端子であり、第２金属膜１７２と同じ材料で形成されている。図５に示すように、半導体基板の平面方向（深さ方向に垂直な方向）に第１金属膜１７１と第２金属膜１７２が隣接している場合には、検出端子の配線引き回しが容易になる。配線の引き回しの自由度が比較的小さい半導体基板の裏面側に複合金属膜を形成する場合には、半導体基板の平面方向に第１金属膜と第２金属膜が隣接している複合金属膜を採用することが好ましい。
　第１金属膜１５１，１６１，１７１は、それぞれＡｌを主成分として１０ｍａｓｓ％以上含有する金属膜であり、その厚さは、１μｍ以上である。第２金属膜１５２，１６２，１７２は、それぞれＮｉを主成分として１０ｍａｓｓ％以上含有する金属膜であり、その厚さは、５００ｎｍ以上である。第１金属膜１５１，１６１，１７１と第２金属膜１５２，１６２，１７２のゼーベック係数は、それぞれ相違している。なお、半導体装置１１，１２および１３のその他の構成は、半導体装置１０と同様であるため、重複説明を省略する。
　半導体装置１１，１２および１３においても、電極パッド１４１、１４２に電位検出器を接続する等によって、第１金属膜（１５１，１６１，１７１）と第２金属膜（１５２，１６２，１７２）との電位差を検出することができる。複合金属膜（１５０，１６０，１７０）およびこれに接続する配線引き出し構造（１５３，１５４，１６３）、接続パッド（１５５，１５６，１６５）、配線（１５７，１５８，１６７，１６８，１７３，１７４）、電極パッド（１４１，１４２）等を半導体装置（１１，１２，１３）の温度検出素子として利用することができる。
（半導体装置）
　実施例２に係る半導体装置２０は、図６および図７に示すように、半導体基板２００と、表面絶縁膜２１０と、複合金属膜２２０と、電極パッド２４１，２４２とを備えている。複合金属膜２２０は、メイン部２２５と検出部２３０とを備えている。半導体基板２００には、図示していないが、半導体素子としてＩＧＢＴが形成されている。メイン部２２５は、半導体基板２００のＩＧＢＴ素子が形成されている領域の表面に接している。表面絶縁膜２１０は、半導体基板２００のＩＧＢＴ素子が形成されていない領域の表面に接している。検出部２３０は、表面絶縁膜２１０の表面に接している。メイン部２２５は、エミッタ電極として機能する。なお、図示していないが、半導体基板２１０の裏面に接して、コレクタ電極が形成されている。
　複合金属膜２２０は、半導体基板２００の深さ方向に積層された第１金属膜２２１および第２金属膜２２２を有している。第１金属膜２２１は、半導体基板２００の表面に接している。第２金属膜２２２は、第１金属膜２２１の表面に接している。第１金属膜２２１と第２金属膜２２２は、接合されている。第１金属膜２２１は、Ａｌを主成分として１０ｍａｓｓ％以上含有する金属膜であり、その厚さは、１μｍ以上である。第２金属膜２２２は、Ｎｉを主成分として１０ｍａｓｓ％以上含有する金属膜であり、その厚さは、５００ｎｍ以上である。第１金属膜２２１のゼーベック係数Ｓ２１と第２金属膜２２２のゼーベック係数Ｓ２２は、相違している（Ｓ２１≠Ｓ２２）。第１金属膜２２１の検出部２３０の表面には配線２３４が接続されており、配線２３４は、電極パッド２４１に接続されている。第２金属膜２２２の表面には配線２２４が接続されており、配線２２４は、電極パッド２４２に接続されている。配線２３４および電極パッド２４１は、第１検出端子であり、第１金属膜２２１と同じ材料で形成されている。配線２２４および電極パッド２４２は、第２検出端子であり、第２金属膜２２２と同じ材料で形成されている。
　電極パッド２４１および２４２を電位検出器（図示しない）に接続することによって、第１金属膜２２１と第２金属膜２２２との間の電位差を検出することができる。第１金属膜２２１のゼーベック係数Ｓ２１と第２金属膜２２２のゼーベック係数Ｓ２２は相違しているため（Ｓ２１≠Ｓ２２）、第１金属膜２２１と第２金属膜２２２との接合面と、電極パッド２４１および電極パッド２４２との温度差によって電位差が発生する。この電位差を電位検出器によって検出することにより、半導体装置２０の温度検出を行うことができる。第１金属膜２２１と第２金属膜２２２とを有する複合金属膜２２０と、電極パッド２４１，２４２および配線２２４，２３４は、半導体装置２０の温度検出素子として利用することができる。また、複合金属膜２２０は、ＩＧＢＴのエミッタ電極として利用することもできる。温度検出時の電流経路とＩＧＢＴの電流経路が共通しているため、温度検出素子として利用する複合金属膜２２０を設置するためのスペースを省略することができるとともに、温度検出感度を向上することができる。なお、第１金属膜２２１および第２金属膜２２２については、実施例１において説明した製造方法と同様の方法によって製造することができる。
  （変形例）
　図８および図９は、図６および７に示す半導体装置２０の変形例を示している。図８に示す半導体装置２１は、半導体基板２００のＩＧＢＴ素子が形成されている領域の表面に接して形成された複合金属膜２５０を備えている。複合電極膜２５０は、半導体基板２００の深さ方向に積層された第１金属膜２５１および第２金属膜２５２を有している。第１金属膜２５１は、半導体基板２００のＩＧＢＴ素子が形成されている領域の表面に接している。第２金属膜２５２は、第１金属膜２５１の表面に接している。第１金属膜２５１と第２金属膜２５２は、接合されている。
　第１金属膜２５１は、配線引き回し構造２６１によって接続パッド２６２に接続されており、第２金属膜２５２は、配線引き回し構造２６３によって接続パッド２６４に接続されている。第１金属膜２５１は、第２金属膜２５２およびポリイミド等を材料とする保護膜２９０によって覆われている。配線引き回し構造２６１，２６３は、保護膜２９０に覆われている。第２金属膜２５２および接続パッド２６２，２６４の表面は、保護膜２９０の表面に露出している。接続パッド２６２は、配線２６５によって電極パッド２４１に接続されており、接続パッド２６４は、配線２６６によって電極パッド２４２に接続されている。配線引き回し構造２６１、接続パッド２６２，配線２６５および電極パッド２４１は、第１検出端子であり、第１金属膜２５１と同じ材料で形成されている。配線引き回し構造２６３、接続パッド２６４，配線２６６および電極パッド２４２は、第２検出端子であり、第２金属膜２５２と同じ材料で形成されている。
　また、図９に示す半導体装置２２は、半導体基板２００のＩＧＢＴ素子が形成されている領域の表面に接して形成された複合金属膜２７０を備えている。複合電極膜２７０は、半導体基板２００の深さ方向に積層された第１金属膜２７１および第２金属膜２７２を有している。第１金属膜２７１は、半導体基板２００のＩＧＢＴ素子が形成されている領域の表面に接している。第２金属膜２７２は、第１金属膜２７１の表面に接している。第１金属膜２７１と第２金属膜２７２は、接合されている。
　第１金属膜２７１は、配線引き回し構造２８１によって接続パッド２８２に接続されている。第１金属膜２７１は、第２金属膜２７２およびポリイミド等を材料とする保護膜２９０によって覆われている。配線引き回し構造２８１は、保護膜２９０に覆われている。接続パッド２８２および第２金属膜２７２の表面は、保護膜２９０の表面に露出している。接続パッド２８２は、配線２８４によって電極パッド２４１に接続されており、第２金属膜２７２は、配線２７４によって電極パッド２４２に接続されている。配線引き回し構造２８１、接続パッド２８２，配線２８４および電極パッド２４１は、第１検出端子であり、第１金属膜２７１と同じ材料で形成されている。配線２７４および電極パッド２４２は、第２検出端子であり、第２金属膜２７２と同じ材料で形成されている。
　第１金属膜２５１，２７１は、それぞれＡｌを主成分として１０ｍａｓｓ％以上含有する金属膜であり、その厚さは、１μｍ以上である。第２金属膜２５２，２７２は、それぞれＮｉを主成分として１０ｍａｓｓ％以上含有する金属膜であり、その厚さは、５００ｎｍ以上である。第１金属膜２５１，２７１と第２金属膜２５２，２７２のゼーベック係数は、それぞれ相違している。なお、半導体装置２１および２２のその他の構成は、半導体装置２０と同様であるため、重複説明を省略する。
　半導体装置２１および２２においても、電極パッド２４１、２４２に電位検出器を接続する等によって、第１金属膜（２５１，２７１）と第２金属膜（２５２，２７２）との電位差を検出することができる。複合金属膜２５０，２７０およびこれに接続する配線引き回し構造（２６１，２６３，２８１）、接続パッド（２６２，２６４，２８２）、配線（２６５，２６６，２７４，２８４）電極パッド（２４１，２４２）等を半導体装置（２１，２２）の温度検出素子として利用することができる。また、複合金属膜２２０と同様に、複合金属膜２５０，２７０は、ＩＧＢＴのエミッタ電極として利用することができる。
　以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
　本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
 

Claims (13)

  1. 　半導体基板と、
    　半導体基板の表面または裏面に形成されており、第１金属膜と、第１金属膜と接合しており、第１金属膜とゼーベック係数が異なる第２金属膜とを有する複合金属膜と、
    　第１金属膜と第２金属膜との電位差を検出可能な検出端子とを備えた、半導体装置。
  2. 　検出端子は、第１金属膜に電気的に接続する第１検出端子と、第２金属膜に電気的に接続する第２検出端子とを備えており、
    　第１検出端子は、第１金属膜と同じ材料で形成されており、
    　第２検出端子は、第２金属膜と同じ材料で形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　第１金属膜は、半導体基板の表面または裏面に接しており、
    　第２金属膜は、第１金属膜の半導体基板と逆側の面に接して積層されている、請求項１または２に記載の半導体装置。
  4. 　第１金属膜は、Ａｌを主成分として１０ｍａｓｓ％以上含有する金属膜であり、第２金属膜は、Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｚｎからなる群から選ばれる少なくとも一種を主成分として１０ｍａｓｓ％以上含有する金属膜である、請求項３に記載の半導体装置。
  5. 　第１金属膜の厚さは、１μｍ以上である、請求項４に記載の半導体装置。
  6. 　第２金属膜は、Ｎｉを主成分として１０ｍａｓｓ％以上含有する金属膜であり、
    　第２金属膜の厚さは、５００ｎｍ以上である、請求項４または５に記載の半導体装置。
  7. 　第１金属膜は、Ｎｉを主成分として１０ｍａｓｓ％以上含有する金属膜であり、第２金属膜は、Ｚｎ，Ｔｉからなる群から選ばれる少なくとも一種を主成分として１０ｍａｓｓ％以上含有する金属膜である、請求項３に記載の半導体装置。
  8. 　第１金属膜の厚さは、５００ｎｍ以上である、請求項７に記載の半導体装置。
  9. 　半導体装置は、半導体基板の素子形成領域に形成されたメイン電極をさらに備えており、
    　第１金属膜、第２金属膜および検出端子は、メイン電極と電気的に独立している、請求項１～８のいずれかに記載の半導体装置。
  10. 　半導体装置は、半導体基板の素子形成領域に形成されたメイン電極をさらに備えており、
    　第１金属膜、第２金属膜および検出端子は、メイン電極の電流経路に接続されている、請求項１～８のいずれかに記載の半導体装置。
  11. 　複合金属膜は、半導体基板の素子形成領域に形成されたメイン電極の少なくとも一部である、請求項１～８のいずれかに記載の半導体装置。
  12. 　半導体基板と、
    　半導体基板の表面または裏面に形成されており、第１金属膜と、第１金属膜と接合しており、第１金属膜とゼーベック係数が異なる第２金属膜とを有する複合金属膜と、
    　第１金属膜と第２金属膜との電位差を検出可能な検出端子とを備えた、半導体装置の製造方法であって、
    　第１金属膜と第２金属膜は、真空中で連続してスパッタリングによって成膜する、製造方法。
  13. 　第１金属膜と第２金属膜は、スパッタリングチャンバの待機真空度が１×１０－６Ｐａ以下であり、かつ成膜中のチャンバ内の圧力変動が１０％以下であり、成膜ガス純度が９９％以上である条件下で、純度が９９％以上の成膜用ターゲットを用いて、スパッタリングによって成膜する、請求項１２に記載の製造方法。
PCT/JP2011/070384 2011-09-07 2011-09-07 半導体装置およびその製造方法 Ceased WO2013035173A1 (ja)

Priority Applications (12)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MYPI2014700456A MY171799A (en) 2011-09-07 2011-09-07 Semiconductor device and method of manufacturing the same
US14/238,159 US9595655B2 (en) 2011-09-07 2011-09-07 Semiconductor device and method of manufacturing the same
PCT/JP2011/070384 WO2013035173A1 (ja) 2011-09-07 2011-09-07 半導体装置およびその製造方法
JP2013532358A JP5796631B2 (ja) 2011-09-07 2011-09-07 半導体装置およびその製造方法
CN201180073265.9A CN103782405B (zh) 2011-09-07 2011-09-07 半导体装置及其制造方法
MX2014002608A MX2014002608A (es) 2011-09-07 2011-09-07 Dispositivo semiconductor y metodo para fabricar el mismo.
AU2011376423A AU2011376423B2 (en) 2011-09-07 2011-09-07 Semiconductor device and method for manufacturing same
DE112011105592.7T DE112011105592B4 (de) 2011-09-07 2011-09-07 Halbleitereinrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
BR112014005198-4A BR112014005198B1 (pt) 2011-09-07 2011-09-07 dispositivo semicondutor e método para fabricar o mesmo
KR1020147004677A KR101640328B1 (ko) 2011-09-07 2011-09-07 반도체 장치 및 그 제조 방법
PH1/2014/500503A PH12014500503A1 (en) 2011-09-07 2011-09-07 Semiconductor device and method of manufacturing the same
RU2014108322/28A RU2565360C1 (ru) 2011-09-07 2011-09-07 Полупроводниковое устройство и способ для его производства

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2011/070384 WO2013035173A1 (ja) 2011-09-07 2011-09-07 半導体装置およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013035173A1 true WO2013035173A1 (ja) 2013-03-14

Family

ID=47831659

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/070384 Ceased WO2013035173A1 (ja) 2011-09-07 2011-09-07 半導体装置およびその製造方法

Country Status (11)

Country Link
US (1) US9595655B2 (ja)
JP (1) JP5796631B2 (ja)
KR (1) KR101640328B1 (ja)
CN (1) CN103782405B (ja)
AU (1) AU2011376423B2 (ja)
BR (1) BR112014005198B1 (ja)
DE (1) DE112011105592B4 (ja)
MX (1) MX2014002608A (ja)
PH (1) PH12014500503A1 (ja)
RU (1) RU2565360C1 (ja)
WO (1) WO2013035173A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105977297A (zh) * 2015-03-12 2016-09-28 精工半导体有限公司 半导体装置
JP2018125498A (ja) * 2017-02-03 2018-08-09 Tdk株式会社 熱電変換装置
JP2020155705A (ja) * 2019-03-22 2020-09-24 三菱電機株式会社 半導体装置
US10957619B2 (en) 2018-04-02 2021-03-23 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor apparatus

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6381413B2 (ja) * 2014-11-07 2018-08-29 キヤノン株式会社 定着装置、及びその定着装置を備える画像形成装置
CN110118927B (zh) * 2019-05-30 2021-07-16 重庆蓝岸通讯技术有限公司 高速控制芯片热分布自检结构及监测系统
FR3128579B1 (fr) * 2021-10-26 2025-01-03 Safran Module de puissance à composants semi-conducteurs intégrant un capteur de température et procédé de fabrication associé

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05326824A (ja) * 1992-05-22 1993-12-10 Mitsubishi Electric Corp 混成集積回路装置
JPH06104494A (ja) * 1992-09-18 1994-04-15 Fujitsu Ltd 薄膜熱電対素子とその製造方法
JPH0741947A (ja) * 1993-07-28 1995-02-10 Hitachi Ltd 真空処理装置
JP2001326221A (ja) * 1988-01-11 2001-11-22 Tadahiro Omi 薄膜形成装置及び形成方法
JP2003092272A (ja) * 2001-09-17 2003-03-28 Mitsubishi Electric Corp スパッタリング装置および半導体装置の製造方法
JP2004040068A (ja) * 2001-08-31 2004-02-05 Basf Ag 熱電活性材料ならびにこれを含む熱変換器およびペルチェ装置
JP2005221238A (ja) * 2004-02-03 2005-08-18 Mitsuteru Kimura 温度差の検出方法、温度センサおよびこれを用いた赤外線センサ

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3956820A (en) * 1975-02-26 1976-05-18 Rca Corporation Method of manufacturing a semiconductor device having a lead bonded to a surface thereof
SU934251A1 (ru) * 1979-03-26 1982-06-07 Предприятие П/Я Г-4493 Способ изготовлени термопар
US4631350A (en) 1983-12-30 1986-12-23 Damon Germanton Low cost thermocouple apparatus and methods for fabricating the same
JPH01290765A (ja) 1988-05-16 1989-11-22 Toshiba Corp スパッタリングターゲット
JP2986381B2 (ja) 1994-08-16 1999-12-06 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 電子チップ温度制御装置及び方法
JP3538505B2 (ja) 1996-05-22 2004-06-14 富士電機デバイステクノロジー株式会社 温度検知部内蔵型バイポーラ半導体素子およびその製造方法
JPH11118616A (ja) 1996-09-25 1999-04-30 Claude S Gordon Co 温度センサ、測温機能付き半導体ウエハ、および熱電対センサを形成する方法
DE19752208A1 (de) * 1997-11-25 1999-06-02 Bosch Gmbh Robert Thermischer Membransensor und Verfahren zu seiner Herstellung
JP3285007B2 (ja) * 1999-05-07 2002-05-27 日本電気株式会社 めっき装置用検出器
JP4581215B2 (ja) * 2000-10-13 2010-11-17 株式会社デンソー 薄膜センシング部を有する半導体装置の製造方法
DE10142634A1 (de) 2001-08-31 2003-03-20 Basf Ag Thermoelektrisch aktive Materialien und diese enthaltende Generatoren und Peltier-Anordnungen
US7083270B2 (en) * 2002-06-20 2006-08-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Piezoelectric element, ink jet head, angular velocity sensor, method for manufacturing the same, and ink jet recording apparatus
CN100446226C (zh) * 2004-01-21 2008-12-24 先锋株式会社 半导体器件及其制造方法
US7348715B2 (en) * 2004-01-27 2008-03-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Piezoelectric element and method for manufacturing the same, and ink jet head and ink jet recording apparatus using the piezoelectric element

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001326221A (ja) * 1988-01-11 2001-11-22 Tadahiro Omi 薄膜形成装置及び形成方法
JPH05326824A (ja) * 1992-05-22 1993-12-10 Mitsubishi Electric Corp 混成集積回路装置
JPH06104494A (ja) * 1992-09-18 1994-04-15 Fujitsu Ltd 薄膜熱電対素子とその製造方法
JPH0741947A (ja) * 1993-07-28 1995-02-10 Hitachi Ltd 真空処理装置
JP2004040068A (ja) * 2001-08-31 2004-02-05 Basf Ag 熱電活性材料ならびにこれを含む熱変換器およびペルチェ装置
JP2003092272A (ja) * 2001-09-17 2003-03-28 Mitsubishi Electric Corp スパッタリング装置および半導体装置の製造方法
JP2005221238A (ja) * 2004-02-03 2005-08-18 Mitsuteru Kimura 温度差の検出方法、温度センサおよびこれを用いた赤外線センサ

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105977297A (zh) * 2015-03-12 2016-09-28 精工半导体有限公司 半导体装置
CN105977297B (zh) * 2015-03-12 2020-08-21 艾普凌科有限公司 半导体装置
JP2018125498A (ja) * 2017-02-03 2018-08-09 Tdk株式会社 熱電変換装置
US10957619B2 (en) 2018-04-02 2021-03-23 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor apparatus
JP2020155705A (ja) * 2019-03-22 2020-09-24 三菱電機株式会社 半導体装置
JP7120104B2 (ja) 2019-03-22 2022-08-17 三菱電機株式会社 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN103782405A (zh) 2014-05-07
CN103782405B (zh) 2016-08-24
JP5796631B2 (ja) 2015-10-21
DE112011105592B4 (de) 2019-06-27
RU2565360C1 (ru) 2015-10-20
BR112014005198A2 (pt) 2017-03-21
JPWO2013035173A1 (ja) 2015-03-23
AU2011376423A1 (en) 2014-03-13
KR20140050686A (ko) 2014-04-29
DE112011105592T5 (de) 2014-07-31
AU2011376423B2 (en) 2014-09-04
PH12014500503A1 (en) 2014-04-28
US20140197514A1 (en) 2014-07-17
BR112014005198B1 (pt) 2020-10-20
US9595655B2 (en) 2017-03-14
MX2014002608A (es) 2014-04-14
KR101640328B1 (ko) 2016-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5796631B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP3891037B2 (ja) 半導体圧力センサおよび半導体圧力センサ用の半導体ウェハ
JP4164626B2 (ja) ホ−ル素子を備えた電流検出装置
US9318421B2 (en) Power semiconductor chip with a metallic moulded body for contacting thick wires or strips and method for the production thereof
JP5136868B2 (ja) 熱伝導度検出器およびそれを用いたガスクロマトグラフ
JPWO2015115367A1 (ja) 力学量測定装置
JP2010122106A (ja) 熱電式ガスセンサ
JP2024164272A (ja) 半導体装置
JP6346738B2 (ja) 電流センサ
US9643212B2 (en) Capacitive micromachined ultrasonic transducer module using wire-bonding
JP2019066286A (ja) 熱流束計
JP5771129B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2021197433A (ja) 熱電変換素子及び熱電変換モジュール
JP2007263766A (ja) センサ装置
JP2016033460A (ja) 圧力センサ
JP2015230242A (ja) 温度センサ
JP2003004773A (ja) ホ−ル素子を備えた電流検出装置
WO2019111463A1 (ja) 湿度センサおよびその製造方法
JP5328492B2 (ja) 圧力センサモジュール及び圧力センサパッケージ、並びにこれらの製造方法
JP6990165B2 (ja) 熱式センサおよびその製造方法並びに半導体装置
JP6432314B2 (ja) 物理量センサ、および物理量センサの製造方法
JP5034664B2 (ja) 力検知装置
JP5328479B2 (ja) 圧力センサモジュール及び圧力センサパッケージ、並びにこれらの製造方法
JP2020205326A (ja) 半導体装置
JP2012145597A (ja) 接触燃焼式ガスセンサ

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11871874

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2013532358

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14238159

Country of ref document: US

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20147004677

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12014500503

Country of ref document: PH

Ref document number: MX/A/2014/002608

Country of ref document: MX

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 112011105592

Country of ref document: DE

Ref document number: 1120111055927

Country of ref document: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2011376423

Country of ref document: AU

Date of ref document: 20110907

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2014108322

Country of ref document: RU

Kind code of ref document: A

REG Reference to national code

Ref country code: BR

Ref legal event code: B01A

Ref document number: 112014005198

Country of ref document: BR

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11871874

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 112014005198

Country of ref document: BR

Kind code of ref document: A2

Effective date: 20140306