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WO2013018414A1 - 処理液供給装置、処理液供給方法及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents

処理液供給装置、処理液供給方法及びコンピュータ記憶媒体 Download PDF

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WO2013018414A1
WO2013018414A1 PCT/JP2012/062394 JP2012062394W WO2013018414A1 WO 2013018414 A1 WO2013018414 A1 WO 2013018414A1 JP 2012062394 W JP2012062394 W JP 2012062394W WO 2013018414 A1 WO2013018414 A1 WO 2013018414A1
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WO
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processing liquid
liquid supply
electrode
storage tank
intermediate storage
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PCT/JP2012/062394
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晶子 清冨
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3042—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations
    • G03F7/3057—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations characterised by the processing units other than the developing unit, e.g. washing units

Definitions

  • the present invention relates to a processing liquid supply apparatus, a processing liquid supply method, and a computer storage medium for supplying a processing liquid such as a developer or pure water to a substrate.
  • a resist coating process for coating a resist solution on a wafer to form a resist film
  • an exposure process for exposing the resist film to a predetermined pattern
  • developing the exposed resist film A series of processing such as development processing is sequentially performed to form a predetermined resist pattern on the wafer.
  • These series of processes are performed by a coating and developing system that is a substrate processing system equipped with various processing units for processing a wafer, a transfer mechanism for transferring a wafer, and the like.
  • a coating processing apparatus for performing a coating process by supplying a processing liquid such as a developing solution, pure water, or thinner used for the above-described photolithography process to a wafer includes a processing liquid supply apparatus 400 as shown in FIG. 24, for example. .
  • the processing liquid supply apparatus 400 controls, for example, a supply pump 404 that supplies the processing liquid stored in the processing liquid storage tank 401 to the coating nozzle 403 of the coating processing apparatus via the processing liquid supply pipe 402, and supply and stop of the processing liquid.
  • a valve 405 is provided.
  • the processing liquid supply pipe 402 is provided with a filter 406 for filtering the processing liquid, and fine foreign matters (particles) floating in the processing liquid are removed (Patent Document 1).
  • the present invention has been made in view of such points, and an object thereof is to efficiently remove nano-order minute particles contained in a processing solution.
  • the present invention provides a processing liquid supply apparatus for supplying a processing liquid from a processing liquid supply source to a supply nozzle for supplying a processing liquid to a substrate through a processing liquid supply pipe.
  • An electrode that is provided in the liquid supply pipe and applies a DC voltage to the treatment liquid in the treatment liquid supply pipe; a power supply unit that applies a DC voltage to the electrode so that polarity can be reversed; and
  • a cleaning liquid supply pipe for supplying the cleaning liquid from the cleaning liquid supply source to the processing liquid supply pipe and the cleaning liquid that has passed through the position where the electrode is provided in the processing liquid supply pipe are discharged from the processing liquid supply pipe.
  • a waste liquid pipe for supplying a cleaning liquid from the cleaning liquid supply source to the processing liquid supply pipe and the cleaning liquid that has passed through the position where the electrode is provided in the processing liquid supply pipe are discharged from the processing liquid supply pipe.
  • the particles in the treatment liquid have a positive or negative charge and are charged.
  • the electrode for applying a DC voltage to the processing liquid in the processing liquid supply pipe is provided, the minute particles in the processing liquid that have been difficult to remove by the conventional filter are electroded. Can be collected.
  • the cleaning liquid supply pipe for supplying the cleaning liquid from the cleaning liquid supply source to the processing liquid supply pipe, and the cleaning liquid that has passed through the position where the electrode is provided in the processing liquid supply pipe are discharged from the processing liquid supply pipe. Since the power supply unit that has a waste liquid tube and applies a DC voltage to the electrode is reversible, the polarity of the voltage applied to the electrode is reversed and collected when the cleaning liquid is supplied to the treatment liquid supply tube.
  • the discharged particles are discharged, and then the cleaning liquid is discharged from the waste liquid pipe, so that the particles collected by the electrodes can be quickly discharged out of the processing liquid supply pipe. For this reason, the inside of the processing liquid supply pipe can be kept clean. Therefore, according to the present invention, minute particles in the processing liquid that were difficult to remove with a conventional filter are removed, and maintenance work is also easy because replacement work due to clogging does not occur unlike conventional filters. It becomes. Therefore, efficient particle removal is possible.
  • a processing liquid supply method for supplying a processing liquid from a processing liquid supply source to a supply nozzle for supplying a processing liquid to a substrate through a processing liquid supply pipe.
  • a processing liquid supply method for supplying a processing liquid from a processing liquid supply source through a processing liquid supply pipe to a supply nozzle for supplying a processing liquid to a substrate is executed by the processing liquid supply apparatus.
  • a readable computer storage medium storing a program operating on a computer of a control unit for controlling the processing liquid supply apparatus, wherein the processing liquid supply method is performed via an electrode provided in the processing liquid supply pipe.
  • the treatment liquid By applying a DC voltage to the treatment liquid in the treatment liquid supply pipe, the treatment liquid is supplied to the substrate while collecting foreign substances in the treatment liquid with the electrode, and then the supply of the treatment liquid is stopped, Thereafter, in a state where the polarity of the DC voltage applied to the electrode is reversed or the application of the voltage to the electrode is stopped, the cleaning liquid is supplied to the processing liquid supply pipe, and then the electrode in the processing liquid supply pipe The washing liquid which has passed through the provided position, and discharged from the treatment liquid supply pipe.
  • a processing liquid supply apparatus for supplying a processing liquid from a processing liquid supply source to a supply nozzle for supplying a processing liquid to a substrate through a processing liquid supply pipe.
  • the intermediate storage tank is provided between the processing liquid supply source and the supply nozzle and temporarily stores the processing liquid supplied from the processing liquid supply source.
  • the intermediate storage tank is stored in the intermediate storage tank.
  • a waste liquid pipe for discharging.
  • the particles in the treatment liquid have a positive or negative charge and are charged.
  • the electrode since the electrode is provided in the intermediate
  • a cleaning liquid supply pipe for supplying the cleaning liquid from the cleaning liquid supply source to the intermediate storage tank, and a waste liquid pipe for discharging the cleaning liquid from the intermediate storage tank.
  • Particles can be quickly discharged out of the intermediate storage tank. For this reason, the inside of the intermediate storage tank can be kept clean. Therefore, according to the present invention, minute particles in the processing liquid that were difficult to remove with a conventional filter are removed, and maintenance work is also easy because replacement work due to clogging does not occur unlike conventional filters. Therefore, efficient particle removal is possible.
  • a processing liquid supply method for supplying a processing liquid from a processing liquid supply source to a supply nozzle for supplying a processing liquid to a substrate through a processing liquid supply pipe, from the processing liquid supply source.
  • the supplied processing liquid is temporarily stored in an intermediate storage tank provided between the processing liquid supply source and the supply nozzle in the processing liquid supply pipe, and then, via an electrode provided in the intermediate storage tank.
  • a DC voltage is applied to the treatment liquid in the intermediate storage tank to collect foreign matter in the treatment liquid on the electrode, and then the treatment liquid in the intermediate storage tank from which the foreign matter has been removed is supplied to the supply nozzle, After stopping the supply of the processing liquid to the supply nozzle, the polarity of the DC voltage applied to the electrode is reversed or the application of the voltage to the electrode is stopped, and then the cleaning liquid is supplied to the intermediate storage tank and the intermediate storage tank Washing inside, then said A cleaning liquid between the reservoir and discharged to the outside of the said intermediate reservoir.
  • a processing liquid supply method for supplying a processing liquid from a processing liquid supply source through a processing liquid supply pipe to a supply nozzle for supplying a processing liquid to a substrate is executed by the processing liquid supply apparatus.
  • a readable computer storage medium storing a program that operates on a computer of a control unit that controls the processing liquid supply apparatus, wherein the processing liquid supply method uses the processing liquid supplied from the processing liquid supply source.
  • nano-order minute particles contained in the processing liquid can be efficiently removed.
  • FIG. 1 is an explanatory diagram illustrating an outline of an internal configuration of a substrate processing system 1 including a processing liquid supply apparatus according to the present embodiment.
  • 2 and 3 are side views showing an outline of the internal configuration of the substrate processing system 1.
  • the substrate processing system 1 is, for example, a coating and developing processing system that performs photolithography processing of a substrate
  • the processing liquid is, for example, a developing solution or pure water used for coating and developing processing. An example will be described.
  • the substrate processing system 1 includes, for example, a cassette station 2 as a loading / unloading unit for loading / unloading a cassette C to / from the outside, and a plurality of single-wafer processing in a photolithography process.
  • a processing station 3 as a processing unit including the various processing units and an interface station 5 as a transfer unit that transfers the wafer W between the exposure apparatus 4 adjacent to the processing station 3 are integrally connected.
  • the substrate processing system 1 includes a control device 6 that controls the substrate processing system 1.
  • the cassette station 2 is divided into, for example, a cassette loading / unloading unit 10 and a wafer transfer unit 11.
  • the cassette loading / unloading unit 10 is provided at the end of the substrate processing system 1 on the Y direction negative direction (left direction in FIG. 1) side.
  • the cassette loading / unloading unit 10 is provided with a cassette mounting table 12.
  • a plurality, for example, four mounting plates 13 are provided on the cassette mounting table 12.
  • the mounting plates 13 are arranged in a line in the horizontal X direction (up and down direction in FIG. 1).
  • the cassettes C can be placed on these placement plates 13 when the cassettes C are loaded into and unloaded from the substrate processing system 1.
  • the wafer transfer unit 11 is provided with a wafer transfer device 21 that is movable on a transfer path 20 extending in the X direction as shown in FIG.
  • the wafer transfer device 21 is also movable in the vertical direction and the vertical axis ( ⁇ direction), and is provided between a cassette C on each mounting plate 13 and a delivery device for a third block G3 of the processing station 3 to be described later. Wafers W can be transferred between them.
  • the processing station 3 is provided with a plurality of, for example, four blocks G1, G2, G3, and G4 having various units.
  • the first block G1 is provided on the front side of the processing station 3 (X direction negative direction side in FIG. 1), and the second side is provided on the back side of the processing station 3 (X direction positive direction side in FIG. 1).
  • Block G2 is provided.
  • a third block G3 is provided on the cassette station 2 side (Y direction negative direction side in FIG. 1) of the processing station 3, and the processing station 3 interface station 5 side (Y direction positive direction side in FIG. 1). Is provided with a fourth block G4.
  • a plurality of liquid processing units for example, a development processing unit 30 for developing the wafer W, an antireflection film (hereinafter referred to as “lower antireflection”) under the resist film of the wafer W.
  • a lower antireflection film forming unit 31 for forming a film ” a resist coating unit 32 for applying a resist solution to the wafer W to form a resist film, and an antireflection film (hereinafter referred to as“ upper reflection ”on the resist film of the wafer W).
  • An upper antireflection film forming unit 33 for forming an “antireflection film” is stacked in four stages in order from the bottom.
  • a chemical chamber 34 for supplying various processing liquids to each liquid processing unit in the block G1 is provided at the lowermost stage of the first block G1.
  • each of the units 30 to 33 of the first block G1 has a plurality of cups F that accommodate the wafers W in the horizontal direction during processing, and can process the plurality of wafers W in parallel.
  • a heat treatment unit 40 for heat treating the wafer W, an adhesion unit 41 for hydrophobizing the wafer W, and a peripheral exposure unit for exposing the outer periphery of the wafer W 42 are arranged side by side in the vertical direction and the horizontal direction.
  • the heat treatment unit 40 has a hot plate for placing and heating the wafer W and a cooling plate for placing and cooling the wafer W, and can perform both heat treatment and cooling treatment.
  • the number and arrangement of the heat treatment unit 40, the adhesion unit 41, and the peripheral exposure unit 42 can be arbitrarily selected.
  • a plurality of delivery units 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56 are provided in order from the bottom.
  • a plurality of delivery units 60, 61, 62 and a defect inspection unit 63 are provided in order from the bottom.
  • a wafer transfer area D is formed in an area surrounded by the first block G1 to the fourth block G4.
  • a wafer transfer device 70 is disposed in the wafer transfer region D.
  • the wafer transfer device 70 has, for example, a transfer arm that is movable in the Y direction, the front-rear direction, the ⁇ direction, and the vertical direction.
  • the wafer transfer device 70 moves in the wafer transfer area D and transfers the wafer W to a predetermined unit in the surrounding first block G1, second block G2, third block G3, and fourth block G4. it can.
  • a plurality of wafer transfer apparatuses 70 are arranged in the vertical direction, and can transfer the wafer W to a predetermined unit having the same height in each of the blocks G1 to G4, for example.
  • a shuttle transfer device 80 that transfers the wafer W linearly between the third block G3 and the fourth block G4 is provided.
  • the shuttle transport device 80 is linearly movable, for example, in the Y direction in FIG.
  • the shuttle transfer device 80 moves in the Y direction while supporting the wafer W, and can transfer the wafer W between the transfer unit 52 of the third block G3 and the transfer unit 62 of the fourth block G4.
  • a wafer transfer device 90 is provided on the positive side in the X direction of the third block G3.
  • the wafer transfer device 90 has a transfer arm that is movable in the front-rear direction, the ⁇ direction, and the vertical direction, for example.
  • the wafer transfer device 90 moves up and down while supporting the wafer W, and can transfer the wafer W to each delivery unit in the third block G3.
  • a wafer transfer device 100 is provided in the interface station 5, a wafer transfer device 100 is provided.
  • the wafer transfer apparatus 100 has a transfer arm that is movable in the front-rear direction, the ⁇ direction, and the vertical direction, for example.
  • the wafer transfer apparatus 100 can transfer the wafer W to the transfer units and the exposure apparatus 4 in the fourth block G4, for example, by supporting the wafer W on the transfer arm.
  • FIG. 4 is an explanatory view of a longitudinal section showing an outline of the configuration of the development processing unit 30, and FIG. 5 is an explanatory view of a transverse section showing an outline of the configuration of the development processing unit 30.
  • the development processing unit 30 has a processing container 120 whose inside can be closed as shown in FIG. As shown in FIG. 5, a loading / unloading port 121 for the wafer W is formed on a side surface of the processing chamber 120 facing the wafer conveyance region D of the wafer conveyance device 70, and an opening / closing shutter 122 is provided at the loading / unloading port 121.
  • a spin chuck 130 for holding and rotating the wafer W is provided at the center of the processing container 120 as shown in FIG.
  • the spin chuck 130 has a horizontal upper surface, and a suction port (not shown) for sucking the wafer W, for example, is provided on the upper surface. By suction from the suction port, the wafer W can be sucked and held on the spin chuck 130.
  • the spin chuck 130 has a chuck drive mechanism 131 including, for example, a motor, and can be rotated at a predetermined speed by the chuck drive mechanism 131. Further, the chuck drive mechanism 131 is provided with an elevating drive source such as a cylinder, and the spin chuck 130 can move up and down.
  • a chuck drive mechanism 131 including, for example, a motor, and can be rotated at a predetermined speed by the chuck drive mechanism 131. Further, the chuck drive mechanism 131 is provided with an elevating drive source such as a cylinder, and the spin chuck 130 can move up and down.
  • a cup 132 that receives and collects the liquid scattered or dropped from the wafer W.
  • a discharge pipe 133 that discharges the collected liquid and an exhaust pipe 134 that exhausts the atmosphere in the cup 132 are connected to the lower surface of the cup 132.
  • a rail 140 extending along the Y direction is formed on the X direction negative direction (downward direction in FIG. 5) side of the cup 132.
  • the rail 140 is formed, for example, from the outside of the cup 132 in the Y direction negative direction (left direction in FIG. 5) to the outside in the Y direction positive direction (right direction in FIG. 5).
  • An arm 141 is attached to the rail 140.
  • the arm 141 supports a developer nozzle 142 as a supply nozzle that discharges the developer to the substrate.
  • the arm 141 is movable on the rail 140 by a nozzle driving unit 143 shown in FIG.
  • the developer nozzle 142 can move from the standby unit 144 installed outside the positive direction of the Y direction of the cup 132 to above the center of the wafer W in the cup 132, and further on the surface of the wafer W. It can move in the radial direction of the wafer W.
  • the arm 141 can be moved up and down by a nozzle driving unit 143 and the height of the developer nozzle 142 can be adjusted.
  • the developer nozzle 142 is connected to a developer supply device 190 as a processing solution supply device.
  • another arm 150 is attached to the rail 140.
  • the other arm 150 supports a pure water nozzle 151 for supplying pure water as a processing liquid.
  • the other arm 150 is movable on the rail 140 by the nozzle driving unit 152 shown in FIG. 5, and the pure water nozzle 151 is moved from the standby unit 153 provided outside the Y direction negative side of the cup 132. The center of the wafer W in the cup 132 can be moved up. Further, the other arm 150 can be raised and lowered by the nozzle driving unit 152, and the height of the pure water nozzle 151 can be adjusted.
  • the pure water nozzle 151 is connected to a pure water supply device 200 as a processing liquid supply device.
  • FIG. 6 is an explanatory diagram showing an outline of the configuration of the developer supply device 190.
  • the developer supply device 190 is provided, for example, in the chemical chamber 34 shown in FIG.
  • the developer supply device 190 has a developer storage tank 201 as a processing solution supply source for storing the developer.
  • the developer storage tank 201 is provided with a developer supply pipe 202 for supplying the developer to the developer nozzle 142. That is, the developer supply pipe 202 is provided by connecting the developer storage tank 201 and the developer nozzle 142.
  • the developer supply pipe 202 on the downstream side of the developer storage tank 201 is provided with a liquid end tank 203 for temporarily storing the developer.
  • An exhaust pipe 204 that exhausts the atmosphere in the liquid end tank 203 is provided above the liquid end tank 203.
  • the liquid end tank 203 serves as a buffer tank, and supplies the developer stored in the liquid end tank 203 to the developer nozzle 142 even when the developer supplied from the developer storage tank 201 runs out. can do.
  • the developer supply pipe 202 on the downstream side of the liquid end tank 203 is provided with a filter 205 for removing foreign substances in the developer.
  • the filter 205 can remove foreign matters on the order of micrometers contained in the developer.
  • the developer supply pipe 202 downstream of the filter 205 is provided with a pump 210 that pumps the developer from the developer storage tank 201 to the developer nozzle 142.
  • a pump 210 for example, a tube fram type pump is used.
  • a valve 211 is provided in the developer supply pipe 202 on the downstream side of the pump 210.
  • an air operation valve is used as the valve 211.
  • the developer supply pipe 202 on the downstream side of the valve 211 is provided with an electrode 212 for applying a DC voltage to the developer in the developer supply pipe 202.
  • the electrodes 212 are formed, for example, in a flat plate shape, and are opposed to each other with the developer supply pipe 202 sandwiched in the developer flow direction A on the outside of the developer supply pipe 202 as shown in FIG. Are arranged.
  • a power supply unit 213 that applies a DC voltage to the electrode 212 is connected to the electrode 212.
  • the power supply unit 213 can start and stop application of a voltage to the electrode 212 and reverse the polarity of the applied voltage.
  • the electrode 212 only needs to be formed of a conductive material on the opposing surface of each electrode 212 with the developer supply pipe 202 interposed therebetween, and the other part may be covered with an insulating material, for example.
  • a valve 214 is provided on the downstream side of the electrode 212.
  • the valve 214 is an air operation valve similarly to the valve 211.
  • the developer is located upstream of the electrode 212 in the developer supply pipe 202 and downstream of the valve 211, that is, between the valve 211 and the electrode 212 in the developer supply pipe 202.
  • a cleaning liquid supply pipe 215 for supplying a cleaning liquid to the supply pipe 202 is connected.
  • a cleaning liquid supply source 216 that supplies the cleaning liquid to the cleaning liquid supply pipe 215 is connected to the end of the cleaning liquid supply pipe 215 opposite to the side connected to the developer supply pipe 202.
  • the cleaning liquid in the present embodiment is pure water, for example, but for example, a developer or thinner can be used, and can be arbitrarily selected according to the type of processing liquid.
  • the cleaning liquid supply pipe 215 is provided with a valve 217 that controls the supply of the cleaning liquid to the developer supply pipe 202.
  • an air operation valve is used as the valve 217 in the same manner as the valve 211 described above.
  • a waste liquid pipe 220 is connected to the downstream side of the electrode 212 in the developer supply pipe 202, that is, at a position between the electrode 212 and the developer nozzle 142.
  • the waste liquid pipe 220 is provided with a valve 221.
  • the valve 221 is opened to connect the electrode 212 in the developing liquid supply pipe 202.
  • the cleaning liquid that has passed through the provided position can be discharged through the waste liquid pipe 220.
  • an air operation valve is used as the valve 221 in the same manner as the above-described valves 211 and 217.
  • a waste liquid part 222 is provided at the end of the waste liquid pipe 220 opposite to the side connected to the developer supply pipe 202, and the cleaning liquid is discharged from the waste liquid pipe 220 to the waste liquid part 222.
  • the pure water supply device 200 has the same configuration as the developer supply device 190, and thus the description thereof is omitted.
  • Control of application of DC voltage to the electrode 212 by the power supply unit 213, driving operation of the pump 210, and opening / closing operation of each valve are controlled by the control device 6.
  • the control device 6 is configured by a computer including, for example, a CPU and a memory.
  • a computer including, for example, a CPU and a memory.
  • the supply of the developer by the developer supply device 190 and the development in the development processing unit 30 are performed. Processing can be realized.
  • Various programs for realizing the supply of the developer by the developer supply device 190 and the development processing in the development processing unit 30 are, for example, a computer-readable hard disk (HD), flexible disk (FD), compact disk (CD). ), Recorded on a computer-readable storage medium H such as a magnetic optical desk (MO) or a memory card, and installed on the control device 6 from the storage medium H.
  • HD computer-readable hard disk
  • FD flexible disk
  • CD compact disk
  • a computer-readable storage medium H such as a magnetic optical desk (MO) or
  • the substrate processing system 1 is configured as described above. Next, the supply and development of the developer to the developer nozzle 142 performed by the developer supply apparatus 190 configured as described above. A development process performed in the processing unit 30 will be described together with a wafer processing process performed in the entire substrate processing system 1.
  • the cassette C containing a plurality of wafers W is placed on a predetermined placement plate 13 of the cassette station 2. Thereafter, the wafers W in the cassette C are sequentially taken out by the wafer transfer device 21 and transferred to, for example, the delivery unit 53 of the third block G3 of the processing station 3.
  • the wafer W is transferred to the heat treatment unit 40 of the second block G2 by the wafer transfer device 70, and the temperature is adjusted. Thereafter, the wafer W is transferred to, for example, the lower antireflection film forming unit 31 of the first block G1 by the wafer transfer device 70, and a lower antireflection film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment unit 40 of the second block G2, and heat treatment is performed. Thereafter, it is returned to the delivery unit 53 of the third block G3.
  • the wafer W is transferred by the wafer transfer device 90 to the delivery unit 54 of the same third block G3. Thereafter, the wafer W is transferred to the adhesion unit 41 of the second block G2 by the wafer transfer device 70 and subjected to a hydrophobic treatment. Thereafter, the wafer W is transferred to the resist coating unit 32 by the wafer transfer device 70.
  • the wafer W is transferred to the heat treatment unit 40 by the wafer transfer device 70 and is pre-baked. Thereafter, the wafer W is transferred by the wafer transfer apparatus 70 to the delivery unit 55 of the third block G3.
  • the wafer W is transferred to the upper antireflection film forming unit 33 by the wafer transfer device 70, and an upper antireflection film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment unit 40 by the wafer transfer device 70, heated, and the temperature is adjusted. Thereafter, the wafer W is transferred to the peripheral exposure unit 42 and subjected to peripheral exposure processing.
  • the wafer W is transferred by the wafer transfer device 70 to the delivery unit 56 of the third block G3.
  • the wafer W is transferred to the transfer unit 52 by the wafer transfer device 90 and transferred to the transfer unit 62 of the fourth block G4 by the shuttle transfer device 80.
  • the wafer W is transferred to the exposure apparatus 4 by the wafer transfer apparatus 100 of the interface station 5 and subjected to exposure processing.
  • the wafer W is transferred by the wafer transfer apparatus 100 to the delivery unit 60 of the fourth block G4. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment unit 40 by the wafer transfer device 70 and subjected to post-exposure baking. Thereafter, the wafer W is transferred to the development processing unit 30 by the wafer transfer device 70 and developed. The development processing in the development processing unit 30 will be described later. After the development is completed, the wafer W is transferred to the heat treatment unit 40 by the wafer transfer device 70 and subjected to a post-bake process.
  • the wafer W is transferred to the delivery unit 50 of the third block G3 by the wafer transfer device 70, and then transferred to the cassette C of the predetermined mounting plate 13 by the wafer transfer device 21 of the cassette station 2. In this way, a series of photolithography processes are completed, and this process is repeated.
  • a so-called pre-wet process is performed prior to the development process.
  • the pure water nozzle 151 of the standby unit 153 is moved above the wafer W by the other arm 150. Thereafter, pure water is supplied from the pure water nozzle 151, and the wafer W is pre-wet processed.
  • valves 211 and 214 are opened by the control device 6 and the inside of the developer storage tank 201 is pressurized. Then, the developer is pumped from the developer storage tank 201 to the liquid end tank 203 and temporarily stored in the liquid end tank 203. When a predetermined amount of developer is stored in the liquid end tank 203, the developer flows from the liquid end tank 203 into the developer supply pipe 202. At this time, the valve 217 of the cleaning liquid supply pipe 215 and the valve 221 of the waste liquid pipe 220 are both closed.
  • the control device 6 operates the power supply unit 213 to apply a DC voltage to the electrode 212.
  • the pump 210 is operated to supply the developer to the wafer W while applying a voltage to the developer flowing through the developer supply pipe 202.
  • the fine particles P in the developer that could not be removed by the filter 205 are attracted to the electrode 212 according to the charge of the developer 205 and correspond to the electrode of the developer supply pipe 202 as shown in FIG. Collected in position. Thereby, the minute particles P are removed from the developer.
  • the wafer W adsorbed to the spin chuck 130 is rotated by the chuck drive mechanism 131 in the development processing unit 30, and the developer nozzle 142 is also rotated.
  • the developer is supplied to the wafer W.
  • the developer supplied to the wafer W is diffused over the entire surface of the wafer W by centrifugal force generated by the rotation of the wafer W. Thereafter, the rotation of the wafer W is stopped and development processing is performed.
  • the control device 6 closes the valves 211 and 214 of the developing solution supply pipe 202 and the valve 217 and the waste liquid pipe 220 of the cleaning solution supply pipe 215. Each valve 221 is opened.
  • the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid supply source 216 to the developer supply pipe 202.
  • the cleaning liquid supplied to the developer supply pipe 202 is discharged from the waste liquid pipe 220 together with the fine particles P released from the electrode 212.
  • the inside of the developer supply pipe 202 is cleaned, and this cleaning is continuously performed for a predetermined time. About the time which continues washing
  • the minute particle P has an electric charge
  • the conductivity of the cleaning liquid is measured by providing a conductivity meter in the waste liquid tube 220 or the waste liquid part 222, and the conductivity becomes a predetermined value or less. You may make it stop washing
  • the cleaning in the developer supply pipe 202 is not necessarily performed every time the developer is supplied, and the frequency of cleaning may be determined based on the result of a preliminary test performed in advance.
  • pure water is supplied from the pure water nozzle 151 to the wafer W, and the developer on the wafer W is washed away.
  • the pure water nozzle 151 supplies pure water from which the fine particles P have been removed by the pure water supply device 200, as in the case of the developer. Thereafter, the supply of pure water is stopped, the pure water nozzle 151 is retracted to the standby unit 153, the wafer W is rotated at a predetermined rotation speed for a predetermined time, and spin drying is performed. Thereafter, the wafer W is transferred from the development processing unit 30 by a transfer mechanism (not shown).
  • the control device 6 closes the valves 217 and 221, and then opens the valves 211 and 214 of the developer supply pipe 202 again. Then, a new wafer W is carried into the development processing unit 30 and a series of development processing is repeatedly performed.
  • the minute particles P that cannot be removed by the filter 205 can be removed by applying a DC voltage to the electrode 212 provided in the developer supply pipe 202. After that, the polarity of the DC voltage applied to the electrode 212 is reversed, and the cleaning liquid is supplied into the developer supply pipe 202 in a state where the minute particles P are discharged into the developer supply pipe 202, so that the electrode 212 collects the cleaning liquid.
  • the fine particles P thus discharged can be quickly discharged out of the system of the developer supply pipe 202. For this reason, the inside of the developer supply pipe 202 can be kept clean.
  • the electrode 212 is disposed outside the developer supply pipe 202, the electrode 212 is not corroded. Further, the installation of the electrode 212 does not increase the pressure loss in the developer supply pipe 202, so the power of the pump 210 does not increase.
  • the cleaning liquid supply pipe 215 is provided on the upstream side of the electrode 212, and the waste liquid pipe 220 is provided on the downstream side of the electrode 212.
  • the cleaning liquid supply pipe 215 may be connected to the downstream side of the electrode 212, and the waste liquid pipe 220 may be connected to the upstream side of the electrode 212.
  • the cleaning liquid flows from the developer nozzle 142 toward the electrode 212, the minute particles P emitted from the electrode 212 by reversing the polarity of the voltage applied to the electrode 212 are transferred to the developer supply pipe 202. It does not remain in a portion between the electrode 212 and the developer nozzle 142.
  • the fine particles P stay in the region between the valve 211 and the portion where the waste liquid pipe 220 joins the developer supply pipe 202, for example, during the next development processing, The staying minute particles P can be collected again by the electrode 212. Therefore, the minute particles P can be removed more reliably.
  • the electrode 212 is provided outside the developer supply pipe 202, but at least one of the positive electrode and the negative electrode of the electrode 212 is provided inside the developer supply pipe 202.
  • both the positive electrode and the negative electrode of the electrode 212 may be arranged inside the developer supply pipe 202 along the flow direction A of the developer.
  • it is concentric with the developer supply pipe 202 in a cross section that is concentric with the central axis of the developer supply pipe 202, that is, in a cross section viewed from a direction perpendicular to the flow direction A of the developer.
  • the electrode 240 may be disposed. FIG.
  • the electrode 240 has one of a positive electrode and a negative electrode formed in an axial shape at the position of the central axis of the developer supply pipe 202, and the other electrode is a developer. You may arrange
  • the developer supply pipe 202 may be formed of a conductive material, and the developer supply pipe 202 itself may be used as either a positive electrode or a negative electrode. It is not limited to. It is obvious for those skilled in the art that various modifications or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and these naturally belong to the technical scope of the present invention. It is understood.
  • one developer supply pipe 202 is provided in the developer supply apparatus 190 .
  • a plurality of developer nozzles 142 and a plurality of developer supply pipes 202 may be provided. is there.
  • a plurality of developer supply pipes 202 are arranged in parallel to each other, and the positive electrode and the negative electrode of the plate-like electrode 212 are alternately opposed to each other between adjacent developer supply pipes 202.
  • the developer supply pipes 202 may be alternately sandwiched between the positive electrode and the negative electrode of the electrode 212.
  • the electrode installation space can be minimized.
  • the cleaning liquid supplied to the developer supply pipe 202 via the cleaning liquid supply pipe 215 is discharged from the waste liquid pipe 220.
  • the waste liquid pipe 220 is not necessarily provided.
  • the cleaning liquid may be supplied to the developing solution supply pipe 202 in a state where the developing solution nozzle 142 is moved to the standby unit 144, and the cleaning solution may be discharged from the developing solution nozzle 142 to the standby unit 144. In such a case, a space for providing the waste liquid pipe 220 becomes unnecessary.
  • the minute particles P attracted to the electrode 212 are released by reversing the polarity of the DC voltage applied to the electrode 212.
  • the voltage application is simply stopped.
  • the minute particles P may be emitted.
  • the minute particles P are emitted from the electrode 212, and the voltage is applied before the emitted minute particles P are collected again by the electrode 212. You may make it stop.
  • Application and stop of the voltage to the electrode 212 can be arbitrarily set according to the arrangement and size of the electrode 212.
  • the electrode is plate-shaped or cylindrical.
  • the shape of the electrode is not limited to this example, and can be arbitrarily set according to the size and shape of the developer supply pipe 202. Setting is possible.
  • the electrode may be formed in a mesh shape in order to increase the contact area between the developer and the electrode and increase the collection efficiency of the fine particles P by the electrode.
  • the electrode 250 is formed in a mesh plate shape similar to the cross section perpendicular to the flow direction A of the developer supply pipe 202, and the positive electrode of the electrode 250 And a plurality of negative electrodes may be alternately arranged in the flow direction A inside the developer supply pipe 202.
  • the developer flows in the developer supply pipe 202 so as to cross the surface of the electrode 250 vertically, so that the fine particles P can be efficiently removed by the electrode 250.
  • the clogging of the electrode 250 can be suppressed by decreasing the mesh number of the electrode 250 in order from the upstream to the downstream of the developer supply pipe 202.
  • the cleaning liquid supply pipe 215 is provided on the downstream side of the electrode 250, and the waste liquid pipe 220 is provided on the upstream side of the electrode 250.
  • FIG. 16 is an explanatory diagram showing an outline of the configuration of the developer supply device 190.
  • the developer supply device 190 is provided, for example, in the chemical chamber 34 shown in FIG.
  • the developing solution supply device 190 has a developing solution storage tank 301 as a processing solution supply source for storing the developing solution.
  • the developer storage tank 301 is provided with a developer supply pipe 302 for supplying the developer to the developer nozzle 142. That is, the developer supply pipe 302 is provided by connecting the developer storage tank 301 and the developer nozzle 142.
  • an intermediate storage tank 303 for temporarily storing the developing solution supplied from the developing solution storage tank 301 through the developing solution supply pipe 302.
  • the intermediate storage tank 303 is formed in, for example, a bottomed cylindrical shape having an open top.
  • the intermediate storage tank 303 serves as a buffer tank, and supplies the developer stored in the intermediate storage tank 303 to the developer nozzle 142 even when the developer supplied from the developer storage tank 301 runs out. Can do.
  • an electrode 304 for applying a DC voltage to the developer in the intermediate storage tank 303 is provided inside the intermediate storage tank 303.
  • the electrode 304 is formed in, for example, a flat plate shape, and a positive electrode and a negative electrode are arranged in the intermediate storage tank 303 with a predetermined distance apart.
  • a power supply unit 305 that applies a DC voltage to the electrode 304 is connected to the electrode 304.
  • the power supply unit 305 can start and stop application of a voltage to the electrode 304 and reverse the polarity of the applied voltage.
  • a cleaning liquid supply pipe 310 for supplying a cleaning liquid into the intermediate storage tank 303 is provided at the upper opening of the intermediate storage tank 303 as shown in FIG.
  • a cleaning liquid supply source 311 for supplying the cleaning liquid to the cleaning liquid supply pipe 310 is connected to the end of the cleaning liquid supply pipe 310 opposite to the intermediate storage tank 303 side.
  • the cleaning liquid in the present embodiment is pure water, for example, but for example, a developer or thinner can be used, and can be arbitrarily selected according to the type of processing liquid.
  • the cleaning liquid supply pipe 310 is provided with a valve 312 for controlling the supply of the cleaning liquid to the intermediate storage tank 303. For example, an air operation valve is used as the valve 312.
  • a waste liquid pipe 320 for discharging the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply pipe 310 from the intermediate storage tank 303 is provided below or on the bottom of the side surface of the intermediate storage tank 303, more specifically below the electrode 304.
  • the waste liquid pipe 320 is provided with a valve 321, and the cleaning liquid supplied to the intermediate storage tank 303 can be discharged through the waste liquid pipe 320 by opening the valve 321.
  • the valve 321 for example, an air operation valve is used similarly to the above-described valve 312.
  • a waste liquid part 322 is provided at the end of the waste liquid pipe 320 opposite to the side connected to the intermediate storage tank 303, and the cleaning liquid is discharged from the waste liquid pipe 320 to the waste liquid part 322.
  • an agitator 323 as an agitation mechanism for agitating the developer and the cleaning solution stored in the intermediate storage tank 303 is provided inside the intermediate storage tank 303.
  • the developer supply pipe 302 on the downstream side of the intermediate storage tank 303 is provided with a pump 330 that pumps the developer in the intermediate storage tank 303 to the developer nozzle 142.
  • a pump 330 for example, a tube fram type pump is used.
  • a valve 331 is provided in the developer supply pipe 302 on the downstream side of the pump 330.
  • an air operation valve is used as the valve 331.
  • a so-called pre-wet process is performed prior to the development process.
  • the pure water nozzle 151 of the standby unit 153 is moved above the wafer W by the other arm 150. Thereafter, pure water is supplied from the pure water nozzle 151, and the wafer W is pre-wet processed.
  • the control device 6 opens the valve 331 and pressurizes the inside of the developer storage tank 301. Then, the developer is pumped from the developer reservoir 301 to the intermediate reservoir 303 and is temporarily stored in the intermediate reservoir 303. When a predetermined amount of developer is stored in the intermediate storage tank 303, the control device 6 then operates the power supply unit 305 to apply a DC voltage to the electrode 304. In addition, the stirrer 323 is activated along with the application of the voltage to the electrode 304. As a result, the developer in the intermediate storage tank 303 is agitated, and the developer contacts the electrode 304 without being biased. At this time, as shown in FIG. 17, the fine particles P in the developer that could not be removed by the conventional filter are attracted to and collected by the electrode 304 according to their own charge. Thereby, the minute particles P are removed from the developing solution in the intermediate storage tank 303.
  • the pump 330 is operated to supply the developer from which the fine particles P have been removed to the developer nozzle 142.
  • the wafer W adsorbed by the spin chuck 130 is rotated by the chuck drive mechanism 131 and the developer is supplied from the developer nozzle 142 to the wafer W.
  • the developer supplied to the wafer W is diffused over the entire surface of the wafer W by centrifugal force generated by the rotation of the wafer W.
  • the rotation of the wafer W is stopped and development processing is performed.
  • the stirrer 323 may be stopped after the fine particles P in the developer are removed by the electrode 304.
  • the valve 331 of the developer supply pipe 302 is closed by the controller 6.
  • pure water is supplied from the pure water nozzle 151 to the wafer W, and the developer on the wafer W is washed away.
  • the pure water nozzle 151 supplies pure water from which the fine particles P have been removed by the pure water supply device 200, as in the case of the developer.
  • the supply of pure water is stopped, the pure water nozzle 151 is retracted to the standby unit 153, the wafer W is rotated at a predetermined rotation speed for a predetermined time, and spin drying is performed. Thereafter, the wafer W is transferred from the development processing unit 30 by a transfer mechanism (not shown). Then, a new wafer W is carried into the development processing unit 30 and a series of development processing is repeatedly performed.
  • the electrode 304 is cleaned.
  • the stirrer 323 is stopped, and then the valve 312 of the cleaning liquid supply pipe 310 is opened to supply the cleaning liquid into the intermediate storage tank 303.
  • the polarity of the DC voltage applied to the electrode 304 by the power supply unit 305 is reversed by the control device 6.
  • the fine particles P attracted to the electrode 304 are released into the cleaning liquid.
  • the application of voltage is stopped so that the fine particles released into the cleaning liquid do not adhere to the electrode 304 again.
  • the control device 6 opens the valve 321 of the waste liquid pipe 320, and the cleaning liquid containing the fine particles P is discharged from the waste liquid pipe 320. Thereby, the inside of the electrode 304 and the intermediate storage tank 303 is cleaned, and this cleaning is continuously performed for a predetermined time. About the time which continues washing
  • the control device 6 closes the valves 312 and 321. Thereafter, the developing solution is supplied again from the developing solution storage tank 301 to the intermediate storage tank 303, and a series of development processing is repeated.
  • the DC voltage is applied to the electrode 304 provided in the intermediate storage tank 303 to remove the minute particles P that cannot be removed by the conventional filter, and then the polarity of the voltage applied to the electrode 304 is reversed. Since the cleaning liquid is supplied into the intermediate storage tank 303 in a state where the fine particles P are released from the electrode 304, the fine particles P collected by the electrode 304 can be quickly discharged out of the intermediate storage tank 303. For this reason, the inside of the intermediate storage tank 303 can be kept clean. Therefore, according to the present embodiment, fine particles P of about several tens of nanometers, which were difficult to remove with a conventional filter, are removed from the developer, and the developer supply pipe as in the conventional filter. Since clogging does not occur in 302, maintenance becomes easy. Therefore, it is possible to efficiently remove the fine particles P.
  • the pressure loss in the developer supply pipe 302 can be reduced. Therefore, the pump 330 can be downsized and its power can be reduced.
  • the electrode 304 is provided in the intermediate storage tank 303 to remove the fine particles P, the discharge operation of the processing liquid such as the developer and the removal operation of the fine particles P from the processing liquid are performed independently. And the fine particles P can be removed more effectively.
  • the stirrer 323 is provided in the intermediate storage tank 303, a stirring flow can be formed in the intermediate storage tank 303.
  • the minute particles P and the electrode 304 can be brought into contact with each other without unevenness, the minute particles can be efficiently removed by the electrode 304 without increasing the size of the electrode 304.
  • the timing for cleaning the electrode 304 can be arbitrarily set, for example, an intermediate storage tank It may be performed when the liquid level of the developer in 303 is lowered and the intermediate reservoir 303 is replenished with developer.
  • the electrode 304 can be cleaned by various procedures other than the above-described embodiment. For example, after reversing the polarity of the voltage applied to the electrode 304, the valve 321 of the waste liquid pipe 320 is opened, the fine particles P are discharged together with the developer remaining in the intermediate storage tank 303, the valve 321 is then closed, and then the cleaning liquid is supplied. The valve 312 of the pipe 310 may be opened for cleaning, and the valve 321 may be opened again to discharge the cleaning liquid.
  • the stirrer 323 is not necessarily provided. .
  • the cleaning liquid is directly supplied to the intermediate storage tank 303 through the cleaning liquid supply pipe 310.
  • the cleaning liquid supply pipe 310 is located upstream of the intermediate storage tank 303.
  • the cleaning liquid may be supplied to the liquid supply pipe 302 via the developer supply pipe 302.
  • the waste liquid pipe 320 may be connected to the developer supply pipe 302 on the downstream side of the intermediate storage tank 303 and supplied with the cleaning liquid via the developer supply pipe 302.
  • the developer supply pipe 302 is disposed below the side surface of the intermediate storage tank 303 so that the developer or cleaning liquid can be discharged from the waste liquid pipe 320 by its own weight even when the pump 330 is not operated.
  • the bottom portion is provided below the electrode 304.
  • the electrode 304 has a flat plate shape.
  • the shape of the electrode is not limited to this example, and can be arbitrarily set according to the size and shape of the intermediate storage tank 303. is there.
  • the electrode 304 may be formed in a mesh shape in order to increase the contact area between the developer and the electrode 304 and increase the collection efficiency of the microparticles P by the electrode 304.
  • a mesh plate in which either the positive electrode or the negative electrode is parallel to the bottom surface of the intermediate storage tank 303 and conforms to the shape of the inner surface of the intermediate storage tank 303.
  • An electrode 340 formed in a shape may be used.
  • the other pole of the electrode 340 is formed along the shape of the outer surface of the intermediate storage tank 303 and provided outside the intermediate storage tank 303.
  • an elevating mechanism 341 that elevates and lowers the electrode 340 in the vertical direction is provided, and this elevating mechanism acts as a stirring mechanism.
  • FIG. 20 for convenience of illustration, only a part of the electrode 340 provided outside the intermediate storage tank 303 is depicted.
  • a mesh plate-like electrode 351 provided along the rotation shaft 350 provided in the vertical direction inside the intermediate storage tank 303 is used. May be.
  • the rotating shaft 350 is formed of a conductive material, and is configured to be rotatable along the circumferential direction of the intermediate storage tank 303 by a rotating mechanism 352.
  • the rotation mechanism 352 functions as a stirring mechanism.
  • the other electrode 351 is formed along the shape of the outer surface of the intermediate storage tank 303 and provided outside the intermediate storage tank 303.
  • the electrodes 340 and 351 are formed in a mesh shape, and the electrodes 340 and 351 are moved in the intermediate storage tank 303, so that foreign matters in the liquid in the intermediate storage tank 303 are removed evenly. be able to.
  • the electrode 340 Since the contact area between the developer and the developer can always be kept constant, the fine particles P can be efficiently removed without being influenced by the remaining amount of the developer in the intermediate storage tank 303.
  • the electrode 351 on the side provided inside the intermediate storage tank 303 is drawn to be shorter than the radius of the intermediate storage tank 303, but the length of the electrode 351 in the diameter direction of the intermediate storage tank 303 is illustrated. Can be set arbitrarily.
  • the positive electrode and the negative electrode of the electrode 360 formed in a mesh plate shape parallel to the bottom surface of the intermediate storage tank 303 are disposed inside the intermediate storage tank 303 along the height direction of the intermediate storage tank 303. May be arranged alternately.
  • the developer supply pipe 302 on the downstream side of the intermediate storage tank 303 allows the developer supplied from the upper part of the intermediate storage tank 303 to be discharged after passing through the electrode 360 located at the farthest place.
  • the developer supply pipe 302 is provided, for example, on the lower side or bottom of the intermediate storage tank 303.
  • the cleaning liquid supply pipe 310 may be provided, for example, at the bottom of the intermediate storage tank 303, and the waste liquid pipe 320 may be discharged, for example, from above the electrode 360 provided at the top of the intermediate storage tank 303. .
  • the waste liquid pipe 320 may be discharged, for example, from above the electrode 360 provided at the top of the intermediate storage tank 303.
  • one intermediate storage tank 303 is provided for one developer nozzle 142.
  • a plurality of intermediate storage tanks 303 are provided in the developer supply pipe 302. You may arrange
  • Valves 370 are respectively provided on the upstream side and the downstream side of the intermediate storage tanks 303 arranged in parallel. By operating the valve 370, the supply of the developer to the developer nozzle 142 can be made in any intermediate storage tank 303. You can choose whether to do from. In such a case, even when one intermediate storage tank 303 and the electrode 304 are cleaned, the developer from which the foreign matters are removed can be supplied from the other intermediate storage tank 303 to the developer nozzle 142.
  • the supply of the developer is not stopped when the intermediate storage tank 303 is cleaned, and the developer from which the foreign matters are removed can be continuously supplied to the developer nozzle 142.
  • two intermediate storage tanks 303 are provided in parallel, but the number of intermediate storage tanks 303 can be set arbitrarily.
  • the developer supply device 190 may be shared between the plurality of developer nozzles 142.
  • the present invention is not limited to this example, and can take various forms. For example, when supplying other processing liquids such as thinner which is a solvent of resist liquid used for pre-wetting before resist liquid application. Applicable.
  • the present invention can also be applied to a case where the substrate is another substrate such as an FPD (Flat Panel Display) other than a wafer or a mask reticle for a photomask.
  • the present invention can also be applied to a cleaning liquid supply apparatus as a processing liquid supply apparatus.
  • the present invention is useful when supplying a processing liquid to a substrate such as a semiconductor wafer.

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Abstract

　基板に対して処理液を供給する供給ノズルに、処理液供給源から処理液供給管を通じて処理液を供給する処理液供給装置は、前記処理液供給管に設けられ、当該処理液供給管中の処理液に直流電圧を印加する電極と、前記電極に対して、極性反転自在に直流電圧を印加する電源ユニットと、前記処理液供給管に接続され、洗浄液供給源から当該処理液供給管に洗浄液を供給するための洗浄液供給管と、前記処理液供給管における前記電極が設けられた位置を通過した洗浄液を、前記処理液供給管から排出する廃液管と、を有する。

Description

処理液供給装置、処理液供給方法及びコンピュータ記憶媒体
　本発明は、基板に現像液や純水などの処理液を供給する処理液供給装置、処理液供給方法及びコンピュータ記憶媒体に関する。
　例えば半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィー工程では、ウェハ上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などの一連の処理が順次行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成される。これらの一連の処理は、ウェハを処理する各種処理部やウェハを搬送する搬送機構などを搭載した基板処理システムである塗布現像処理システムで行われている。
　上述のフォトリソグラフィー工程に用いられる、現像液や純水、シンナーといった処理液をウェハに供給して塗布処理を行う塗布処理装置は、例えば図２４に示すような処理液供給装置４００を備えている。処理液供給装置４００は、例えば処理液貯槽４０１に貯留された処理液を、処理液供給管４０２を介して塗布処理装置の塗布ノズル４０３に供給する供給ポンプ４０４、処理液の供給及び停止を制御するバルブ４０５を備えている。また、処理液供給管４０２には、処理液を濾過するフィルタ４０６が設けられており、処理液中に浮遊する微細な異物（パーティクル）の除去が行われている（特許文献１）。
日本国特開平１０－３０５２５６号公報
　ところで、近年の半導体デバイスの微細化に伴い、ナノオーダーの微小な欠陥の制御が必要になってきている。そのため、従来それほど問題にならなかった数十ｎｍ程度の微小なパーティクルを処理液から除去することが求められている。この微小パーティクルが除去されずに処理液がウェハ上に供給されると、ウェハ上に微小パーティクルが残存し、ウェハの欠陥となってしまうためである。
　しかしながら、従来のフィルタでは、この数十ｎｍ程度の微小パーティクルを完全に除去することが困難である。この場合、フィルタのメッシュ数を小さくして対応することが考えられるが、メッシュ数の小さなフィルタの製作には高度な加工技術が必要となり、その結果コストが高くなってしまう。
　また、フィルタのメッシュ数を小さくすると、当該フィルタの差圧が大きくなり、さらに、目詰まりも生じやすくなるため、頻繁にフィルタのメンテナンスが必要になってしまうという問題がある。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、処理液中に含まれるナノオーダーの微小なパーティクルを、効率よく除去することを目的としている。
　前記の目的を達成するため、本発明は、基板に対して処理液を供給する供給ノズルに、処理液供給源から処理液供給管を通じて処理液を供給する処理液供給装置であって、前記処理液供給管に設けられ、当該処理液供給管中の処理液に直流電圧を印加する電極と、前記電極に対して、極性反転自在に直流電圧を印加する電源ユニットと、前記処理液供給管に接続され、洗浄液供給源から当該処理液供給管に洗浄液を供給するための洗浄液供給管と、前記処理液供給管における前記電極が設けられた位置を通過した洗浄液を、前記処理液供給管から排出する廃液管と、を有する。
　一般に、処理液中のパーティクルは正か負のいずれかの電荷を持ち帯電している。そして、本発明によれば、処理液供給管中の処理液に直流電圧を印加する電極を有しているので、従来のフィルタでは除去することが困難であった処理液中の微小パーティクルを電極により捕集することができる。また、洗浄液供給源から当該処理液供給管に洗浄液を供給するための洗浄液供給管と、前記処理液供給管における前記電極が設けられた位置を通過した洗浄液を、前記処理液供給管から排出する廃液管を有し、電極に直流電圧を印加する電源ユニットが極性反転自在であるため、処理液供給管に洗浄液を供給する際に電極に印加する電圧の極性を反転させて電極に捕集されていたパーティクルを放出し、その後、洗浄液を廃液管から排出することで、電極により捕集されていたパーティクルを速やかに処理液供給管の系外に排出することができる。このため、処理液供給管の内部を清浄な状態に保つことができる。したがって、本発明によれば、従来のフィルタでは除去することが困難であった処理液中の微小なパーティクルを除去し、且つ従来のフィルタのように目詰まりによる交換作業が発生しないのでメンテナンスも容易となる。そのため、効率のよいパーティクルの除去が可能となる。
　別な観点による本発明は、基板に対して処理液を供給する供給ノズルに、処理液供給源から処理液供給管を通じて処理液を供給する処理液供給方法であって、前記処理液供給管に設けられた電極を介して当該処理液供給管中の処理液に直流電圧を印加することで、処理液中の異物を電極で捕集しながら基板に処理液を供給し、その後、前記処理液の供給を停止し、その後、前記電極に印加した直流電圧の極性を反転又は前記電極への電圧の印加を停止した状態で、前記処理液供給管に洗浄液を供給し、その後、処理液供給管における前記電極が設けられた位置を通過した洗浄液を、前記処理液供給管から排出する。
　別な観点による本発明は、基板に対して処理液を供給する供給ノズルに、処理液供給源から処理液供給管を通じて処理液を供給する処理液供給方法を処理液供給装置によって実行させるために、当該処理液供給装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、前記処理液供給方法は、前記処理液供給管に設けられた電極を介して当該処理液供給管中の処理液に直流電圧を印加することで、処理液中の異物を電極で捕集しながら基板に処理液を供給し、その後、前記処理液の供給を停止し、その後、前記電極に印加した直流電圧の極性を反転又は前記電極への電圧の印加を停止した状態で、前記処理液供給管に洗浄液を供給し、その後、処理液供給管における前記電極が設けられた位置を通過した洗浄液を、前記処理液供給管から排出する。
　また別な観点による本発明は、基板に対して処理液を供給する供給ノズルに、処理液供給源から処理液供給管を通じて処理液を供給する処理液供給装置であって、前記処理液供給管における前記処理液供給源と前記供給ノズルとの間に設けられ、前記処理液供給源から供給された処理液を一旦貯留する中間貯槽を有し、前記中間貯槽は、当該中間貯槽の内部に貯留された処理液に直流電圧を印加する電極と、前記電極に対して、極性反転自在に直流電圧を印加する電源ユニットと、前記中間貯槽へ洗浄液を供給する洗浄液供給管と、前記中間貯槽から洗浄液を排出する廃液管と、を有している。
　一般に、処理液中のパーティクルは正か負のいずれかの電荷を持ち帯電している。そして、本発明によれば、中間貯槽内に電極が設けられているので、当該電極に直流電圧を印加することで、従来のフィルタでは除去することが困難であった処理液中の微小パーティクルを電極により捕集することができる。また、洗浄液供給源から中間貯槽に洗浄液を供給するための洗浄液供給管と、中間貯槽から洗浄液を排出する廃液管を有し、電極に電圧を印加する電源ユニットが極性反転自在であるため、中間貯槽に洗浄液を供給する際に電極に印加する直流電圧の極性を反転させて電極に捕集されていたパーティクルを放出し、その後、洗浄液を廃液管から排出することで、電極により捕集されたパーティクルを速やかに中間貯槽の系外に排出することができる。このため、中間貯槽の内部を清浄に保つことができる。したがって、本発明によれば、従来のフィルタでは除去することが困難であった処理液中の微小なパーティクルを除去し、且つ従来のフィルタのように目詰まりによる交換作業が発生しないのでメンテナンスも容易となるため、効率のよいパーティクルの除去が可能となる。
　別な観点による本発明は、基板に対して処理液を供給する供給ノズルに、処理液供給源から処理液供給管を通じて処理液を供給する処理液供給方法であって、前記処理液供給源から供給された処理液を、前記処理液供給管における、前記処理液供給源と前記供給ノズルとの間に設けられた中間貯槽に一旦貯留し、その後、前記中間貯槽に設けられた電極を介して、前記中間貯槽中の処理液に直流電圧を印加して処理液中の異物を電極に捕集し、その後、異物が除去された前記中間貯槽内の処理液を前記供給ノズルに供給し、前記供給ノズルへの処理液の供給を停止した後に、前記電極に印加した直流電圧の極性を反転又は前記電極への電圧の印加を停止し、その後、前記中間貯槽に洗浄液を供給して前記中間貯槽内を洗浄し、その後、前記中間貯槽内の洗浄液を、前記中間貯槽内の外部に排出する。
　別な観点による本発明は、基板に対して処理液を供給する供給ノズルに、処理液供給源から処理液供給管を通じて処理液を供給する処理液供給方法を処理液供給装置によって実行させるために、当該処理液供給装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、前記処理液供給方法は、前記処理液供給源から供給された処理液を、前記処理液供給管における、前記処理液供給源と前記供給ノズルとの間に設けられた中間貯槽に一旦貯留し、その後、前記中間貯槽に設けられた電極を介して、前記中間貯槽中の処理液に直流電圧を印加して処理液中の異物を電極に捕集し、その後、異物が除去された前記中間貯槽内の処理液を前記供給ノズルに供給し、前記供給ノズルへの処理液の供給を停止した後に、前記電極に印加した直流電圧の極性を反転又は前記電極への電圧の印加を停止し、その後、前記中間貯槽に洗浄液を供給して前記中間貯槽内を洗浄し、その後、前記中間貯槽内の洗浄液を、前記中間貯槽内の外部に排出する。
　本発明によれば、処理液中に含まれるナノオーダーの微小なパーティクルを、効率よく除去することができる。
本実施の形態にかかる基板処理システムの内部構成の概略を示す平面図である。 本実施の形態にかかる基板処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。 本実施の形態にかかる基板処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。 現像処理ユニットの構成の概略を示す縦断面の説明図である。 現像処理ユニットの構成の概略を示す横断面の説明図である。 現像液供給装置の構成の概略を示す説明図である。 電極の配置の概略を示す説明図である。 電極に電圧を印加した場合の微小パーティクルの状態を示す説明図である。 電極に電圧を印加した場合の微小パーティクルの状態を示す説明図である。 他の実施の形態にかかる現像液供給装置の構成の概略を示す説明図である。 他の実施の形態にかかる電極の配置の概略を示す説明図である。 他の実施の形態にかかる電極の配置の概略を示す説明図である。 他の実施の形態にかかる電極の配置の概略を示す説明図である。 他の実施の形態にかかる電極の配置の概略を示す説明図である。 他の実施の形態にかかる電極の配置の概略を示す説明図である。 他の実施の形態にかかる現像液供給装置の構成の概略を示す説明図である。 電極に電圧を印加した場合の微小パーティクルの状態を示す説明図である。 電極に電圧を印加した場合の微小パーティクルの状態を示す説明図である。 他の実施の形態にかかる現像液供給装置の構成の概略を示す説明図である。 他の実施の形態にかかる電極の配置の概略を示す説明図である。 他の実施の形態にかかる電極の配置の概略を示す説明図である。 他の実施の形態にかかる電極の配置の概略を示す説明図である。 他の実施の形態にかかる現像液供給装置の構成の概略を示す説明図である。 従来の処理液供給装置の構成の概略を示す説明図である。
　以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる処理液供給装置を備えた基板処理システム１の内部構成の概略を示す説明図である。図２及び図３は、基板処理システム１の内部構成の概略を示す側面図である。なお、本実施の形態では、基板処理システム１が、例えば基板のフォトリソグラフィー処理を行う塗布現像処理システムであり、処理液が例えば塗布現像処理に用いられる、現像液、あるいは純水である場合を例にして説明する。
　基板処理システム１は、図１に示すように例えば外部との間でカセットＣが搬入出される搬入出部としてのカセットステーション２と、フォトリソグラフィー処理の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理ユニットを備えた処理部としての処理ステーション３と、処理ステーション３に隣接する露光装置４との間でウェハＷの受け渡しを行う搬送部としてのインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。また、基板処理システム１は、当該基板処理システム１の制御を行う制御装置６を有している。
　カセットステーション２は、例えばカセット搬入出部１０とウェハ搬送部１１に分かれている。例えばカセット搬入出部１０は、基板処理システム１のＹ方向負方向（図１の左方向）側の端部に設けられている。カセット搬入出部１０には、カセット載置台１２が設けられている。カセット載置台１２上には、複数、例えば４つの載置板１３が設けられている。載置板１３は、水平方向のＸ方向（図１の上下方向）に一列に並べて設けられている。これらの載置板１３には、基板処理システム１の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置することができる。
　ウェハ搬送部１１には、図１に示すようにＸ方向に延びる搬送路２０上を移動自在なウェハ搬送装置２１が設けられている。ウェハ搬送装置２１は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各載置板１３上のカセットＣと、後述する処理ステーション３の第３のブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。
　処理ステーション３には、各種ユニットを備えた複数例えば４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。例えば処理ステーション３の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション３の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション３のカセットステーション２側（図１のＹ方向負方向側）には、第３のブロックＧ３が設けられ、処理ステーション３のインターフェイスステーション５側（図１のＹ方向正方向側）には、第４のブロックＧ４が設けられている。
　例えば第１のブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理ユニット、例えばウェハＷを現像処理する現像処理ユニット３０、ウェハＷのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）を形成する下部反射防止膜形成ユニット３１、ウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニット３２、ウェハＷのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下「上部反射防止膜」という）を形成する上部反射防止膜形成ユニット３３が下から順に４段に重ねられている。また、第１のブロックＧ１の最下段には、ブロックＧ１内の各液処理ユニットに各種処理液を供給するためのケミカル室３４が設けられている。
　例えば第１のブロックＧ１の各ユニット３０～３３は、処理時にウェハＷを収容するカップＦを水平方向に複数有し、複数のウェハＷを並行して処理することができる。
　例えば第２のブロックＧ２には、図３に示すようにウェハＷの熱処理を行う熱処理ユニット４０や、ウェハＷを疎水化処理するアドヒージョンユニット４１、ウェハＷの外周部を露光する周辺露光ユニット４２が上下方向と水平方向に並べて設けられている。熱処理ユニット４０は、ウェハＷを載置して加熱する熱板と、ウェハＷを載置して冷却する冷却板を有し、加熱処理と冷却処理の両方を行うことができる。なお、熱処理ユニット４０、アドヒージョンユニット４１及び周辺露光ユニット４２の数や配置は、任意に選択できる。
　例えば第３のブロックＧ３には、複数の受け渡しユニット５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６が下から順に設けられている。また、第４のブロックＧ４には、複数の受け渡しユニット６０、６１、６２と、欠陥検査ユニット６３が下から順に設けられている。
　図１に示すように第１のブロックＧ１～第４のブロックＧ４に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、例えばウェハ搬送装置７０が配置されている。
　ウェハ搬送装置７０は、例えばＹ方向、前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置７０は、ウェハ搬送領域Ｄ内を移動し、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４内の所定のユニットにウェハＷを搬送できる。ウェハ搬送装置７０は、例えば図３に示すように上下に複数台配置され、例えば各ブロックＧ１～Ｇ４の同程度の高さの所定のユニットにウェハＷを搬送できる。
　また、ウェハ搬送領域Ｄには、第３のブロックＧ３と第４のブロックＧ４との間で直線的にウェハＷを搬送するシャトル搬送装置８０が設けられている。
　シャトル搬送装置８０は、例えば図３のＹ方向に直線的に移動自在になっている。シャトル搬送装置８０は、ウェハＷを支持した状態でＹ方向に移動し、第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５２と第４のブロックＧ４の受け渡しユニット６２との間でウェハＷを搬送できる。
　図１に示すように第３のブロックＧ３のＸ方向正方向側には、ウェハ搬送装置９０が設けられている。ウェハ搬送装置９０は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置９０は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、第３のブロックＧ３内の各受け渡しユニットにウェハＷを搬送できる。
　インターフェイスステーション５には、ウェハ搬送装置１００が設けられている。ウェハ搬送装置１００は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置１００は、例えば搬送アームにウェハＷを支持して、第４のブロックＧ４内の各受け渡しユニット、露光装置４にウェハＷを搬送できる。
　次に、上述の現像処理ユニット３０の構成について説明する。
　図４は、現像処理ユニット３０の構成の概略を示す縦断面の説明図であり、図５は、現像処理ユニット３０の構成の概略を示す横断面の説明図である。
　現像処理ユニット３０は、図４に示すように内部を閉鎖可能な処理容器１２０を有している。処理容器１２０のウェハ搬送装置７０のウェハ搬送領域Ｄに臨む側面には、図５に示すようにウェハＷの搬入出口１２１が形成され、搬入出口１２１には、開閉シャッタ１２２が設けられている。
　処理容器１２０内の中央部には、図４に示すようにウェハＷを保持して回転させるスピンチャック１３０が設けられている。スピンチャック１３０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハＷをスピンチャック１３０上に吸着保持できる。
　スピンチャック１３０は、例えばモータなどを備えたチャック駆動機構１３１を有し、そのチャック駆動機構１３１により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動機構１３１には、シリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック１３０は上下動可能である。
　スピンチャック１３０の周囲には、ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１３２が設けられている。カップ１３２の下面には、回収した液体を排出する排出管１３３と、カップ１３２内の雰囲気を排気する排気管１３４が接続されている。
　図５に示すようにカップ１３２のＸ方向負方向（図５の下方向）側には、Ｙ方向（図５の左右方向）に沿って延伸するレール１４０が形成されている。レール１４０は、例えばカップ１３２のＹ方向負方向（図５の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図５の右方向）側の外方まで形成されている。レール１４０には、アーム１４１が取り付けられている。
　アーム１４１には、図４及び図５に示すように基板に対して現像液を吐出する、供給ノズルとしての現像液ノズル１４２が支持されている。アーム１４１は、図５に示すノズル駆動部１４３により、レール１４０上を移動自在である。これにより、現像液ノズル１４２は、カップ１３２のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部１４４からカップ１３２内のウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該ウェハＷの表面上をウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム１４１は、ノズル駆動部１４３によって昇降自在であり、現像液ノズル１４２の高さを調節できる。現像液ノズル１４２は、図４に示すように処理液供給装置としての現像液供給装置１９０に接続されている。
　また、レール１４０には、他のアーム１５０が取り付けられている。他のアーム１５０には、処理液としての純水を供給する純水ノズル１５１が支持されている。他のアーム１５０は、図５に示す、ノズル駆動部１５２によってレール１４０上を移動自在であり、純水ノズル１５１を、カップ１３２のＹ方向負方向側の外方に設けられた待機部１５３からカップ１３２内のウェハＷの中心部上方まで移動させることができる。また、ノズル駆動部１５２によって、他のアーム１５０は昇降自在であり、純水ノズル１５１の高さを調節できる。純水ノズル１５１は、図４に示すように処理液供給装置としての純水供給装置２００に接続されている。
　次に、現像処理ユニット３０内の現像液ノズル１４２に対して処理液としての現像液を供給する現像液供給装置１９０の構成について説明する。図６は、現像液供給装置１９０の構成の概略を示す説明図である。なお、現像液供給装置１９０は、例えば図２に示したケミカル室３４内に設けられている。
　現像液供給装置１９０は、現像液を貯留する、処理液供給源としての現像液貯槽２０１を有している。現像液貯槽２０１には、現像液ノズル１４２に現像液を供給するための現像液供給管２０２が設けられている。すなわち、現像液供給管２０２は、現像液貯槽２０１と現像液ノズル１４２を接続して設けられている。
　現像液貯槽２０１の下流側の現像液供給管２０２には、現像液を一旦貯留させておくリキッドエンドタンク２０３が設けられている。リキッドエンドタンク２０３の上部には、リキッドエンドタンク２０３内の雰囲気を排気する排気管２０４が設けられている。リキッドエンドタンク２０３は、バッファタンクとしての役割を果たしており、現像液貯槽２０１から供給される現像液が無くなった場合でも、リキッドエンドタンク２０３内に貯留されている現像液を現像液ノズル１４２に供給することができる。
　リキッドエンドタンク２０３の下流側の現像液供給管２０２には、現像液中の異物を除去するフィルタ２０５が設けられている。このフィルタ２０５は、現像液に含まれるマイクロメートルオーダーの異物を除去することができる。
　フィルタ２０５の下流側の現像液供給管２０２には、図６に示すように、現像液貯槽２０１から現像液ノズル１４２に現像液を圧送するポンプ２１０が設けられている。ポンプ２１０には、例えばチューブフラム式のポンプが用いられる。ポンプ２１０の下流側の現像液供給管２０２には、バルブ２１１が設けられている。バルブ２１１は、例えばエアオペレーションバルブが用いられる。
　バルブ２１１の下流側の現像液供給管２０２には、現像液供給管２０２中の現像液に直流電圧を印加する電極２１２が設けられている。電極２１２は、例えば平板状に形成されており、例えば図７に示すように、現像液供給管２０２の外側に、現像液の流れ方向Ａに沿って、現像液供給管２０２を挟み互いに対向して配置されている。電極２１２には、当該電極２１２に直流電圧を印加する電源ユニット２１３が接続されている。電源ユニット２１３は、電極２１２への電圧の印加の開始、停止及び印加する電圧の極性の反転を行うことができる。なお、電極２１２は、現像液供給管２０２を挟んで各電極２１２の対向する面が導電性の材料で構成されていればよく、その他の部分は例えば絶縁材で被覆されていてもよい。また、電極２１２の下流側には、バルブ２１４が設けられている。バルブ２１４は、バルブ２１１と同様に、エアオペレーションバルブである。
　現像液供給管２０２における電極２１２の上流側であって、バルブ２１１の下流側、即ち現像液供給管２０２におけるバルブ２１１と電極２１２との間の位置には、図６に示すように、現像液供給管２０２に洗浄液を供給する洗浄液供給管２１５が接続されている。洗浄液供給管２１５の現像液供給管２０２と接続された側と反対側の端部には、洗浄液供給管２１５に洗浄液を供給する洗浄液供給源２１６が接続されている。なお、本実施の形態における洗浄液は例えば純水であるが、例えば現像液やシンナーなども使用可能であり、処理液の種類に応じて任意に選択が可能である。また、洗浄液供給管２１５には、現像液供給管２０２への洗浄液の供給を制御するバルブ２１７が設けられている。バルブ２１７は、上述のバルブ２１１と同様に、例えばエアオペレーションバルブが用いられる。
　現像液供給管２０２における電極２１２の下流側、即ち電極２１２と現像液ノズル１４２との間の位置には、廃液管２２０が接続されている。廃液管２２０にはバルブ２２１が設けられており、洗浄液供給管２１５から現像液供給管２０２に洗浄液が供給された際に当該バルブ２２１を開操作することで、現像液供給管２０２において電極２１２が設けられた位置を通過した洗浄液を、廃液管２２０を介して排出することができる。バルブ２２１には、上述のバルブ２１１、２１７と同様に、例えばエアオペレーションバルブが用いられる。
　廃液管２２０の現像液供給管２０２に接続された側と反対側の端部には、廃液部２２２が設けられており、廃液管２２０から当該廃液部２２２に洗浄液が排出される。
　なお、純水供給装置２００は、現像液供給装置１９０と同様の構成を有しているので、説明を省略する。
　上述した電源ユニット２１３による電極２１２への直流電圧の印加の制御、ポンプ２１０の駆動動作、各バルブの開閉動作は、制御装置６により制御されている。制御装置６は、例えばＣＰＵやメモリなどを備えたコンピュータにより構成されており、例えばメモリに記憶されたプログラムを実行することによって、現像液供給装置１９０による現像液の供給や現像処理ユニット３０における現像処理を実現できる。なお、現像液供給装置１９０による現像液の供給や、現像処理ユニット３０における現像処理を実現するための各種プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータ読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御装置６にインストールされたものであってもよい。
　本実施の形態に係る基板処理システム１は以上のように構成されており、次に、以上のように構成された現像液供給装置１９０で行われる現像液ノズル１４２への現像液の供給及び現像処理ユニット３０で行われる現像処理プロセスを、基板処理システム１全体で行われるウェハ処理のプロセスと共に説明する。
　ウェハＷの処理においては、先ず、複数枚のウェハＷを収容したカセットＣがカセットステーション２の所定の載置板１３に載置される。その後、ウェハ搬送装置２１によりカセットＣ内の各ウェハＷが順次取り出され、処理ステーション３の第３のブロックＧ３の例えば受け渡しユニット５３に搬送される。
　次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第２のブロックＧ２の熱処理ユニット４０に搬送され、温度調節される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって例えば第１のブロックＧ１の下部反射防止膜形成ユニット３１に搬送され、ウェハＷ上に下部反射防止膜が形成される。その後ウェハＷは、第２のブロックＧ２の熱処理ユニット４０に搬送され、加熱処理が行われる。その後第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５３に戻される。
　次にウェハＷは、ウェハ搬送装置９０によって同じ第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５４に搬送される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第２のブロックＧ２のアドヒージョンユニット４１に搬送され、疎水化処理される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によってレジスト塗布ユニット３２に搬送される。
　レジスト塗布ユニット３２においてウェハＷ上にレジスト膜が形成されると、ウェハＷはウェハ搬送装置７０によって熱処理ユニット４０に搬送されて、プリベーク処理される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５５に搬送される。
　次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって上部反射防止膜形成ユニット３３に搬送され、ウェハＷ上に上部反射防止膜が形成される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理ユニット４０に搬送されて、加熱され、温度調節される。その後、ウェハＷは、周辺露光ユニット４２に搬送され、周辺露光処理される。
　その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５６に搬送される。次にウェハＷは、ウェハ搬送装置９０によって受け渡しユニット５２に搬送され、シャトル搬送装置８０によって第４のブロックＧ４の受け渡しユニット６２に搬送される。その後、ウェハＷは、インターフェイスステーション５のウェハ搬送装置１００によって露光装置４に搬送され、露光処理される。
　次に、ウェハＷは、ウェハ搬送装置１００によって第４のブロックＧ４の受け渡しユニット６０に搬送される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理ユニット４０に搬送され、露光後ベーク処理される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって現像処理ユニット３０に搬送され、現像される。なお、現像処理ユニット３０における現像処理については後述する。現像終了後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理ユニット４０に搬送され、ポストベーク処理される。
　その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５０に搬送され、その後カセットステーション２のウェハ搬送装置２１によって所定の載置板１３のカセットＣに搬送される。こうして、一連のフォトリソグラフィー工程が終了し、この工程が繰り返し行われる。
　次に、現像液供給装置１９０から現像処理ユニット３０の現像液ノズル１４２へ現像液を供給し、現像処理ユニット３０で現像液をウェハＷに供給する一連の現像処理について説明する。
　先ず、現像処理に先立って、いわゆるプリウェット処理が行われる。プリウェット処理を行うにあたっては、先ず他のアーム１５０により待機部１５３の純水ノズル１５１がウェハＷの上方まで移動される。その後、純水ノズル１５１から純水が供給され、ウェハＷがプリウェット処理される。
　次に、制御装置６によってバルブ２１１、２１４を開くと共に、現像液貯槽２０１の内部を加圧する。そうすると、現像液貯槽２０１からリキッドエンドタンク２０３に現像液が圧送され、リキッドエンドタンク２０３に一旦貯留される。リキッドエンドタンク２０３内に所定量の現像液が貯留されると、現像液がリキッドエンドタンク２０３から現像液供給管２０２に流入する。なお、この際、洗浄液供給管２１５のバルブ２１７、廃液管２２０のバルブ２２１は共に閉止している。
　次に、制御装置６によって、電源ユニット２１３を作動させ、電極２１２に直流電圧を印加する。その後、ポンプ２１０を作動させ、現像液供給管２０２を流れる現像液に電圧を印加しながら、ウェハＷに現像液を供給する。このとき、フィルタ２０５では除去できなかった現像液中の微小パーティクルＰは、自身の持つ電荷に応じて、図８に示すように、電極２１２に引き寄せられ、現像液供給管２０２の電極に対応する位置に捕集される。これにより、現像液中から微小パーティクルＰが除去される。
　微小パーティクルＰが除去された現像液が現像液ノズル１４２に供給されると、現像処理ユニット３０おいて、スピンチャック１３０に吸着されたウェハＷをチャック駆動機構１３１によって回転させると共に、現像液ノズル１４２からウェハＷに現像液を供給する。ウェハＷに供給された現像液は、ウェハＷの回転により生じる遠心力によってウェハＷの表面の全体に拡散される。その後ウェハＷの回転が停止されて、現像処理が行われる。
　また、現像液ノズル１４２からのウェハＷへの現像液の滴下が終了した後、制御装置６によって現像液供給管２０２のバルブ２１１、２１４を閉じると共に、洗浄液供給管２１５のバルブ２１７、廃液管２２０のバルブ２２１がそれぞれ開かれる。
　その後、制御装置６によって電源ユニット２１３により電極２１２に印加している直流電圧の極性を反転させ、例えば図９に示すように、電極２１２に引き寄せられていた微小パーティクルＰを放出する。次いで、洗浄液を洗浄液供給源２１６から現像液供給管２０２に供給する。現像液供給管２０２に供給された洗浄液は、電極２１２から放出された微小パーティクルＰと共に廃液管２２０から排出される。これにより、現像液供給管２０２内が洗浄され、この洗浄を所定の時間継続して行う。洗浄を継続する時間については、予め行う予備試験の結果に基づいて定められる。なお、微小パーティクルＰは電荷を有しているので、例えば廃液管２２０、あるいは廃液部２２２に導電率計を設けて洗浄液の導電率を測定し、導電率が所定の値以下となった場合に洗浄を停止するようにしてもよい。また、現像液供給管２０２内の洗浄は、必ずしも現像液の供給毎に行う必要はなく、洗浄の頻度は、予め行う予備試験の結果に基づいて決定してもよい。
　また、現像液供給管２０２内の洗浄と並行して、純水ノズル１５１からウェハＷに純水が供給され、ウェハＷ上の現像液が洗い流される。なお、純水ノズル１５１から供給されるのは、現像液と同様に、純水供給装置２００により微小パーティクルＰが除去された純水である。その後、純水の供給を停止して、純水ノズル１５１を待機部１５３へ退避させ、ウェハＷを所定の回転数で所定の時間回転させ、スピン乾燥を行う。その後、ウェハＷは搬送機構（図示せず）により現像処理ユニット３０から搬送される。
　一方、現像液供給管２０２内の洗浄が完了すると、制御装置６によってバルブ２１７、２２１が閉じられ、次いで、現像液供給管２０２のバルブ２１１、２１４が再度開かれる。そして、現像処理ユニット３０に新たにウェハＷが搬入され、一連の現像処理が繰り返し行われる。
　以上の実施の形態によれば、現像液供給管２０２に設けられた電極２１２に直流電圧を印加することで、フィルタ２０５で除去できない微小パーティクルＰを除去することができる。そして、その後、電極２１２に印加する直流電圧の極性を反転させて微小パーティクルＰを現像液供給管２０２内に放出した状態で現像液供給管２０２内に洗浄液を供給するので、電極２１２により捕集された微小パーティクルＰを現像液供給管２０２の系外に速やかに排出することができる。このため、現像液供給管２０２の内部を清浄な状態に保つことができる。したがって、本実施の形態によれば、従来のフィルタ２０５では除去することが困難であった、数十ｎｍ程度の微小パーティクルＰを現像液中から除去することができ、且つ従来のフィルタのように現像液供給管２０２内で目詰まりが生じることもないのでメンテナンスも容易となる。そのため、効率のよい微小パーティクルＰの除去が可能となる。
　また、電極２１２を現像液供給管２０２の外部に配置したので、電極２１２が腐食することがない。また電極２１２の設置により、当該現像液供給管２０２内の圧力損失が増加することもないので、ポンプ２１０の動力が増加することもない。
　なお、以上の実施の形態では、洗浄液供給管２１５を電極２１２の上流側に、廃液管２２０を電極２１２の下流側にそれぞれ設けていたが、それとは反対に、例えば図１０に示すように、洗浄液供給管２１５を電極２１２の下流側に、廃液管２２０を電極２１２の上流側にそれぞれ接続してもよい。かかる場合、洗浄液が現像液ノズル１４２から電極２１２の方向に向かって流れるので、電極２１２への印加電圧の極性を反転させることにより電極２１２から放出された微小パーティクルＰが、現像液供給管２０２における電極２１２と現像液ノズル１４２との間の部位に残留することがない。また、洗浄の際に、例えば廃液管２２０が現像液供給管２０２に合流する箇所とバルブ２１１との間の領域に微小パーティクルＰが滞留してしまった場合でも、次回の現像処理の際に、当該滞留していた微小パーティクルＰを電極２１２により再び捕集することができる。したがって、より確実に微小パーティクルＰを除去することができる。
　なお、以上の実施の形態では、電極２１２は現像液供給管２０２の外部に設けられていたが、電極２１２の正極または負極の少なくともいずれか一方の極は、現像液供給管２０２の内側に設けてもよいし、例えば図１１に示すように、電極２１２の正極と負極の双方を現像液供給管２０２の内側に、現像液の流れ方向Ａに沿って配置してもよい。また、例えば図１２に示すように、現像液供給管２０２の中心軸と同心円状に、即ち現像液の流れ方向Ａに垂直な方向から見た断面において、現像液供給管２０２に対して同心円状の電極２４０を配置してもよい。なお、図１２では、電極２４０の正極か負極のいずれかの極を現像液供給管２０２内に、他の極を現像液供給管２０２の外側に、それぞれ同心円状に配置した状態を描図しているが、正極及び負極の両方を現像液供給管２０２の内部に同心円状に設けてもよい。また、電極２４０は例えば図１３に示すように、現像液供給管２０２の中心軸の位置に、軸形状に形成された正極又は負極のいずれか一方の極を配置し、他方の極は現像液供給管２０２の中心軸と同心円状に、配置してもよい。
　さらには、現像液供給管２０２を導電性の材料で形成し、現像液供給管２０２そのものを、正極、負極のいずれかの電極として用いてもよく、電極の配置、形状については、上述の例に限定されるものではない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
　以上の実施の形態では、現像液供給装置１９０に１つの現像液供給管２０２が設けられている場合について説明したが、例えば現像液ノズル１４２及び現像液供給管２０２が複数設けられている場合もある。かかる場合、例えば図１４に示すように、複数の現像液供給管２０２を互いに平行に配置し、隣り合う現像液供給管２０２の間に、平板状の電極２１２の正極と負極をそれぞれ交互に対向するように、換言すれば、電極２１２の正極と負極で各現像液供給管２０２を交互に挟むように配置してもよい。かかる場合、現像液供給管２０２の間に配置される電極２１２を隣り合う現像液供給管２０２で共用できるので、電極の設置スペースを最小限にできる。
　なお、以上の実施の形態では、洗浄液供給管２１５を介して現像液供給管２０２に供給された洗浄液を、廃液管２２０から排出しているが、廃液管２２０は必ずしも設ける必要はなく、例えば、現像液ノズル１４２を待機部１４４に移動させた状態で現像液供給管２０２に洗浄液を供給し、現像液ノズル１４２から洗浄液を待機部１４４に排出するようにしてもよい。かかる場合、廃液管２２０を設けるためのスペースが不要となる。
　以上の実施の形態では、電極２１２に印加する直流電圧の極性を反転させることで電極２１２に引き寄せられていた微小パーティクルＰを放出したが、極性の反転に代えて、単に電圧の印加を停止させることで微小パーティクルＰを放出するようにしてもよい。また、電極２１２に印加する電圧の極性を所定の時間反転させることで電極２１２から微小パーティクルＰを放出し、放出された微小パーティクルＰが電極２１２に再度捕集される前に、電圧の印加を停止させるようにしてもよい。電極２１２への電圧の印加、停止は、電極２１２の配置や大きさなどにあわせて任意に設定が可能である。
　なお、以上の実施の形態では、電極は板状や筒状であったが、電極の形状は、かかる例に限定されるものではなく、現像液供給管２０２の大きさや形状にあわせて任意に設定が可能である。例えば、現像液と電極との接触面積を広げて電極による微小パーティクルＰの捕集効率を高めるために、電極をメッシュ状に形成してもよい。
　メッシュ状の電極を用いる場合は、例えば図１５に示すように、電極２５０を、現像液供給管２０２の流れ方向Ａに垂直な断面と相似形のメッシュ板状に形成し、この電極２５０の正極と負極を、現像液供給管２０２の内側に流れ方向Ａに対して交互に複数配置するようにしてもよい。こうすることで、現像液は現像液供給管２０２内を電極２５０の面を垂直に横切るように流れるため、電極２５０により効率的に微小パーティクルＰを除去することができる。
　特に、電極２５０を用いる場合、例えば現像液供給管２０２の上流から下流に向かう順に電極２５０のメッシュ数を小さくすることで、電極２５０に目詰まりが生じることを抑制できる。かかる場合、洗浄液供給管２１５は、電極２５０の下流側に設けられ、廃液管２２０は、電極２５０の上流側に設けられる。こうすることで、メッシュの細かいほうからメッシュの粗いほうに向かう洗浄液の流れを形成することができるので、電極２５０で捕集した微小パーティクルＰを効率的に除去することができる。
　次に、現像処理ユニット３０内の現像液ノズル１４２に対して処理液としての現像液を供給する、他の実施の形態にかかる現像液供給装置１９０の構成について説明する。図１６は、現像液供給装置１９０の構成の概略を示す説明図である。なお、現像液供給装置１９０は、例えば図２に示したケミカル室３４内に設けられている。
　現像液供給装置１９０は、現像液を貯留する、処理液供給源としての現像液貯槽３０１を有している。現像液貯槽３０１には、現像液ノズル１４２に現像液を供給するための現像液供給管３０２が設けられている。すなわち、現像液供給管３０２は、現像液貯槽３０１と現像液ノズル１４２を接続して設けられている。
　現像液貯槽３０１と現像液ノズル１４２との間には、現像液貯槽３０１から現像液供給管３０２を介して供給された現像液を一旦貯留させておく、中間貯槽３０３が設けられている。中間貯槽３０３は、例えば上部が開口した有底の円筒形状に形成されている。中間貯槽３０３は、バッファタンクとしての役割を果たしており、現像液貯槽３０１から供給される現像液が無くなった場合でも、中間貯槽３０３内に貯留されている現像液を現像液ノズル１４２に供給することができる。
　中間貯槽３０３の内部には、当該中間貯槽３０３内の現像液に直流電圧を印加する電極３０４が設けられている。電極３０４は、例えば平板状に形成されており、中間貯槽３０３内に正極と負極が所定の距離離間して配置されている。電極３０４には、当該電極３０４に直流電圧を印加する電源ユニット３０５が接続されている。電源ユニット３０５は、電極３０４への電圧の印加の開始、停止及び印加する電圧の極性の反転を行うことができる。
　中間貯槽３０３上部の開口には、図１６に示すように中間貯槽３０３内に洗浄液を供給する洗浄液供給管３１０が設けられている。洗浄液供給管３１０の中間貯槽３０３側と反対側の端部には、洗浄液供給管３１０に洗浄液を供給する洗浄液供給源３１１が接続されている。なお、本実施の形態における洗浄液は例えば純水であるが、例えば現像液やシンナーなども使用可能であり、処理液の種類に応じて任意に選択が可能である。また、洗浄液供給管３１０には、中間貯槽３０３への洗浄液の供給を制御するバルブ３１２が設けられている。バルブ３１２は、例えばエアオペレーションバルブが用いられる。
　中間貯槽３０３の側面下方または底部、より具体的には、電極３０４の下方には、洗浄液供給管３１０から供給された洗浄液を中間貯槽３０３から排出する廃液管３２０が設けられている。廃液管３２０にはバルブ３２１が設けられており、当該バルブ３２１を開操作することで、中間貯槽３０３に供給された洗浄液を、廃液管３２０を介して排出することができる。バルブ３２１には、上述のバルブ３１２と同様に、例えばエアオペレーションバルブが用いられる。廃液管３２０の中間貯槽３０３に接続された側と反対側の端部には、廃液部３２２が設けられており、廃液管３２０から当該廃液部３２２に洗浄液が排出される。
　また、中間貯槽３０３の内部には、当該中間貯槽３０３内に貯留される現像液や洗浄液を撹拌する、撹拌機構としての撹拌機３２３が設けられている。この撹拌機３２３により、中間貯槽３０３内に、例えば中間貯槽の中心鉛直軸を中心とする現像液の旋回流を形成し、現像液と電極３０４とを相対的に移動させることができる。
　中間貯槽３０３の下流側の現像液供給管３０２には、図１６に示すように、中間貯槽３０３の現像液を現像液ノズル１４２に圧送するポンプ３３０が設けられている。ポンプ３３０には、例えばチューブフラム式のポンプが用いられる。ポンプ３３０の下流側の現像液供給管３０２には、バルブ３３１が設けられている。バルブ３３１は、例えばエアオペレーションバルブが用いられる。
　次に、上述した他の実施の形態にかかる現像液供給装置１９０から現像処理ユニット３０の現像液ノズル１４２へ現像液を供給し、現像処理ユニット３０で現像液をウェハＷに供給する一連の現像処理について説明する。
　先ず、現像処理に先立って、いわゆるプリウェット処理が行われる。プリウェット処理を行うにあたっては、先ず他のアーム１５０により待機部１５３の純水ノズル１５１がウェハＷの上方まで移動される。その後、純水ノズル１５１から純水が供給され、ウェハＷがプリウェット処理される。
　次に、制御装置６によってバルブ３３１を開くと共に、現像液貯槽３０１の内部を加圧する。そうすると、現像液貯槽３０１から中間貯槽３０３に現像液が圧送され、中間貯槽３０３に一旦貯留される。中間貯槽３０３内に所定量の現像液が貯留されると、次に、制御装置６によって、電源ユニット３０５を作動させ、電極３０４に直流電圧を印加する。また、電極３０４への電圧の印加と共に、撹拌機３２３を作動させる。これにより、中間貯槽３０３内の現像液が撹拌され、現像液は偏りなく電極３０４と接触する。このとき、図１７に示すように、従来のフィルタでは除去できなかった、現像液中の微小パーティクルＰは、自身の持つ電荷に応じて電極３０４に引き寄せられて捕集される。これにより、中間貯槽３０３中の現像液から微小パーティクルＰが除去される。
　その後、ポンプ３３０を作動させ、微小パーティクルPが除去された現像液を現像液ノズル１４２に供給する。次いで、現像処理ユニット３０において、スピンチャック１３０に吸着されたウェハＷをチャック駆動機構１３１によって回転させると共に、現像液ノズル１４２からウェハＷに現像液を供給する。ウェハＷに供給された現像液は、ウェハＷの回転により生じる遠心力によってウェハＷの表面の全体に拡散される。その後、ウェハＷの回転が停止されて、現像処理が行われる。なお、電極３０４により現像液中の微小パーティクルPを除去した後は、撹拌機３２３を停止してもよい。
　現像液ノズル１４２からのウェハＷへの現像液の滴下が終了した後、制御装置６によって現像液供給管３０２のバルブ３３１が閉じられる。次いで、純水ノズル１５１からウェハＷに純水が供給され、ウェハＷ上の現像液が洗い流される。なお、純水ノズル１５１から供給されるのは、現像液と同様に、純水供給装置２００により微小パーティクルＰが除去された純水である。
　その後、純水の供給を停止して、純水ノズル１５１を待機部１５３へ退避させ、ウェハＷを所定の回転数で所定の時間回転させ、スピン乾燥を行う。その後、ウェハＷは搬送機構（図示せず）により現像処理ユニット３０から搬送される。そして、現像処理ユニット３０に新たにウェハＷが搬入され、一連の現像処理が繰り返し行われる。
　現像処理を繰り返し行うと、電極３０４の表面には捕集された微小パーティクルＰが堆積する。このため、電極３０４の洗浄が行われる。電極３０４の洗浄にあたっては、先ず、撹拌機３２３を停止させ、次いで洗浄液供給管３１０のバルブ３１２を開き、中間貯槽３０３内に洗浄液を供給する。その後、制御装置６によって電源ユニット３０５により電極３０４に印加している直流電圧の極性を反転させる。これにより、例えば図１８に示すように、電極３０４に引き寄せられていた微小パーティクルＰを洗浄液中に放出する。次いで、洗浄液中に放出された微小パーティクルが電極３０４へ再付着しないように、電圧の印加を停止する。
　その後、制御装置６により廃液管３２０のバルブ３２１が開かれ、微小パーティクルＰが含まれた洗浄液が廃液管３２０から排出される。これにより、電極３０４及び中間貯槽３０３内が洗浄され、この洗浄を所定の時間継続して行う。洗浄を継続する時間については、予め行う予備試験の結果に基づいて定められる。なお、微小パーティクルＰは電荷を有しているので、例えば廃液管３２０、あるいは廃液部３２２に導電率計を設けて洗浄液の導電率を測定し、導電率が所定の値以下となった場合に洗浄を停止するようにしてもよい。
　中間貯槽３０３内の洗浄が終了すると、制御装置６によりバルブ３１２、３２１が閉じられる。その後、再び現像液貯槽３０１から中間貯槽３０３に現像液が供給され、一連の現像処理が繰り返し行われる。
　以上の実施の形態によれば、中間貯槽３０３に設けられた電極３０４に直流電圧を印加して従来のフィルタでは除去できない微小パーティクルＰを除去し、その後、電極３０４に印加する電圧の極性を反転させて微小パーティクルＰを電極３０４から放出した状態で中間貯槽３０３内に洗浄液を供給するので、電極３０４により捕集された微小パーティクルＰを中間貯槽３０３の系外に速やかに排出することができる。このため、中間貯槽３０３の内部を清浄な状態に保つことができる。したがって、本実施の形態によれば、従来のフィルタでは除去することが困難であった、数十ｎｍ程度の微小パーティクルＰを現像液中から除去し、且つ従来のフィルタのように現像液供給管３０２内で目詰まりが生じることもないのでメンテナンスも容易となる。そのため、効率のよい微小パーティクルＰの除去が可能となる。
　また、現像液供給管３０２に従来のようにフィルタを設ける必要がないため、当該現像液供給管３０２内の圧力損失を低減することができる。したがって、ポンプ３３０を小型化すると共に、その動力を低減することができる。
　また、中間貯槽３０３内に電極３０４を設けて微小パーティクルＰを除去するようにしたので、現像液等の処理液の吐出動作と、処理液からの微小パーティクルＰの除去動作を独立して行うことができ、より効果的に微小パーティクルＰを除去できる。
　また、中間貯槽３０３内に撹拌機３２３を設けたので、中間貯槽３０３内に撹拌流を形成することができる。これにより、微小パーティクルＰと電極３０４を偏りなく接触させることができるので、電極３０４を大型化することなく、効率よく電極３０４により微小パーティクルを除去することができる。
　なお、以上の実施の形態では、現像処理を一定回数繰り返した後に電極３０４の洗浄を行う場合の例について説明したが、電極３０４を洗浄する時期は任意に設定が可能であり、例えば、中間貯槽３０３内の現像液の液面が低下し、中間貯槽３０３に現像液を補充する際に行うようにしてもよい。また、電極３０４の洗浄についても上述の形態以外にも様々な手順で行うことが可能であり。例えば、電極３０４に印加する電圧の極性を反転させた後に廃液管３２０のバルブ３２１を開けて中間貯槽３０３に残留する現像液と共に微小パーティクルＰを一旦排出し、その後バルブ３２１を閉じ、次いで洗浄液供給管３１０のバルブ３１２を開けて洗浄し、再度バルブ３２１を開けて洗浄液を排出するようにしてもよい。
　また、中間貯槽３０３や電極３０４の形状、現像液供給管３０２や廃液管３２０の配置設定により、中間貯槽３０３内で処理液の対流が自然に生じる場合は、撹拌機３２３は必ずしも設ける必要はない。
　なお、以上の実施の形態では、洗浄液を洗浄液供給管３１０により直接中間貯槽３０３に供給していたが、例えば図１９に示すように、洗浄液供給管３１０を中間貯槽３０３の上流側に位置する現像液供給管３０２に接続し、当該現像液供給管３０２を介して洗浄液を供給するようにしてもよい。
　また、廃液管３２０についても、中間貯槽３０３の下流側の現像液供給管３０２に接続して、当該現像液供給管３０２を介して洗浄液を供給してもよい。かかる場合、ポンプ３３０を作動させていない状態でも、廃液管３２０から自重により現像液または洗浄液が排出できるように、現像液供給管３０２は、図１９に示すように、中間貯槽３０３の側面下方または底部であって、且つ電極３０４よりも下方に設けられる。
　なお、以上の実施の形態では、電極３０４は平板状であったが、電極の形状は、かかる例に限定されるものではなく、中間貯槽３０３の大きさや形状にあわせて任意に設定が可能である。例えば、現像液と電極３０４との接触面積を広げて電極３０４による微小パーティクルＰの捕集効率を高めるために、電極３０４をメッシュ状に形成してもよい。
　メッシュ状の電極を用いる場合は、例えば図２０に示すように、正極又は負極のいずれか一方の極を、中間貯槽３０３の底面に平行で且つ中間貯槽３０３の内側面の形状に沿ったメッシュ板状に形成した電極３４０を用いてもよい。かかる場合、電極３４０の他方の極は、中間貯槽３０３の外側面の形状に沿って形成され、当該中間貯槽３０３の外側に設けられる。電極３４０を用いる場合は、当該電極３４０を上下方向に昇降させる昇降機構３４１が設けられ、この昇降機構が撹拌機構として作用する。なお、図２０では、図示の都合上、中間貯槽３０３の外側に設けられた電極３４０の一部のみを描図している。
　また、電極の他の形態として、例えば図２１に示すように、中間貯槽３０３の内側に、鉛直方向に延伸して設けられた回転軸３５０に沿って設けられたメッシュ板状の電極３５１を用いてもよい。回転軸３５０は導電性の材料により形成され、回転機構３５２により中間貯槽３０３の周方向に沿って回転自在に構成されている。かかる場合、この回転機構３５２が撹拌機構として作用する。電極３５１の他方の極は、図２０に示す電極３４０と同様に、中間貯槽３０３の外側面の形状に沿って形成され、当該中間貯槽３０３の外側に設けられる。
　図２０、図２１に示すように、電極３４０、３５１をメッシュ状に形成し、この電極３４０、３５１を中間貯槽３０３内で移動させることにより、中間貯槽３０３の液中の異物を偏りなく除去することができる。特に図２０に示すように、中間貯槽３０３の底面と相似形のメッシュ板状の電極３４０を用いることで、例えば中間貯槽３０３内の現像液の液面が低下した場合であっても、電極３４０と現像液との接触面積を常に一定に維持することができるので、中間貯槽３０３内の現像液の残量に左右されることなく、効率的に微小パーティクルＰを除去することができる。なお、図２１においては、中間貯槽３０３の内部に設けられた側の電極３５１を、中間貯槽３０３の半径より短く描図しているが、この電極３５１の中間貯槽３０３の直径方向の長さについては任意に設定が可能である。
　また、例えば図２２に示すように、中間貯槽３０３の底面に平行で且つメッシュ板状に形成された電極３６０の正極と負極を、中間貯槽３０３の内部に当該中間貯槽３０３の高さ方向に沿って交互に配置するようにしてもよい。かかる場合、中間貯槽３０３の下流側の現像液供給管３０２は、中間貯槽３０３上部から供給された現像液が、最も遠い場所に位置する電極３６０を通過した後に当該現像液が排出されるように配置されることが好ましい。具体的には、現像液供給管３０２は、例えば中間貯槽３０３の側面下方または底部に設けられる。こうすることで、現像液は中間貯槽３０３内を電極３６０の面を垂直に横切るように流れるため、撹拌機構を設けずとも、電極３６０により効率的に微小パーティクルＰを除去することができる。
　特に、電極３６０を用いる場合、例えば中間貯槽３０３の上から下に向かう順に電極３６０のメッシュ数を小さくすることで、電極３６０に目詰まりが生じることを抑制できる。かかる場合、洗浄液供給管３１０は、例えば中間貯槽３０３の底部に設けられ、廃液管３２０は、例えば中間貯槽３０３の最上部に設けられた電極３６０の上方からオーバーフローして排出するようにしてもよい。こうすることで、メッシュの細かいほうからメッシュの粗いほうに向かう洗浄液の流れを形成することができるので、電極３６０で捕集した微小パーティクルＰを効率的に除去することができる。
　なお、以上の実施の形態では、１つの現像液ノズル１４２に対して１つの中間貯槽３０３が設けられていたが、例えば図２３に示すように、現像液供給管３０２に複数の中間貯槽３０３を並列に配置してもよい。並列に配置された各中間貯槽３０３の上流側及び下流側には、バルブ３７０がそれぞれ設けられ、当該バルブ３７０を操作することで、現像液ノズル１４２への現像液の供給をいずれの中間貯槽３０３から行うかを選択できる。かかる場合、１つの中間貯槽３０３及び電極３０４を洗浄する場合であっても、他方の中間貯槽３０３から、異物が除去された現像液を現像液ノズル１４２に供給できる。このため、中間貯槽３０３の洗浄の際に現像液の供給が停止することがなく、現像液ノズル１４２に異物が除去された現像液を連続的に供給することができる。なお、図２３では２つの中間貯槽３０３を並列に設けているが、中間貯槽３０３の設置数は任意に設定可能である。また、例えば現像液ノズル１４２が複数設けられている場合は、現像液供給装置１９０を複数の現像液ノズル１４２の間で共用してもよい。
　以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものであり、例えば、レジスト液塗布前のプリウェットに用いられる、レジスト液の溶剤であるシンナーなどの他の処理液を供給する場合にも適用できる。また、本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。さらに、本発明は、処理液供給装置として洗浄液供給装置にも適用できる。
　本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板に対して処理液供給する際に有用である。
　　１　　基板処理システム
　　２　　カセットステーション
　　３　　処理ステーション
　　４　　露光装置
　　５　　インターフェイスステーション
　　６　　制御装置
　　１０　カセット搬入部
　　１１　ウェハ搬送部
　　１２　カセット載置台
　　１３　載置板
　　２０　搬送路
　　２１　ウェハ搬送装置
　　３０　現像処理ユニット
　　３１　下部反射防止膜形成ユニット
　　３２　レジスト塗布ユニット
　　３３　上部反射防止膜形成ユニット
　　３４　ケミカル室
　　４０　熱処理ユニット
　　４１　アドヒージョンユニット
　　４２　周辺露光ユニット
　　７０　ウェハ搬送装置
　　８０　シャトル搬送装置
　　９０　ウェハ搬送装置
　　１００　ウェハ搬送装置
　　１２０　処理容器
　　１３０　スピンチャック
　　１３２　カップ
　　１４０　レール
　　１４１　アーム
　　１４２　現像液ノズル
　　１５０　他のアーム
　　１５１　純水ノズル
　　１９０　現像液供給装置
　　２００　純水供給装置
　　２０１　現像液貯槽
　　２０２　現像液供給管
　　２０５　フィルタ
　　２１０　ポンプ
　　２１１　バルブ
　　２１２　電極
　　２１３　電源ユニット
　　２１４　バルブ
　　２１５　洗浄液供給管
　　２１６　洗浄液供給源
　　２１７　バルブ
　　２２０　廃液管
　　２２１　バルブ
　　２４０　電極
　　２５０　電極
　　３０１　現像液貯槽
　　３０２　現像液供給管
　　３０３　中間貯槽
　　３０４　電極
　　３０５　電源ユニット
　　３１０　洗浄液供給管
　　３１１　洗浄液供給源
　　３１２　バルブ
　　３２０　廃液管
　　３２１　バルブ
　　３２２　廃液部
　　３２３　撹拌機
　　３３０　ポンプ
　　３３１　バルブ
　　３４０　電極
　　３４１　昇降機構
　　３５０　回転軸
　　３５１　電極
　　３５２　回転機構
　　３６０　電極
　　Ｗ　　ウェハ
　　Ｄ　　ウェハ搬送領域
　　Ｃ　　カセット
　　Ｐ　　微小パーティクル

Claims (30)

  1. 基板に対して処理液を供給する供給ノズルに、処理液供給源から処理液供給管を通じて処理液を供給する処理液供給装置であって、
    前記処理液供給管に設けられ、当該処理液供給管中の処理液に直流電圧を印加する電極と、
    前記電極に対して、極性反転自在に直流電圧を印加する電源ユニットと、
    前記処理液供給管に接続され、洗浄液供給源から当該処理液供給管に洗浄液を供給するための洗浄液供給管と、
    前記処理液供給管における前記電極が設けられた位置を通過した洗浄液を、前記処理液供給管から排出する廃液管と、を有する。
  2. 請求項１に記載の処理液供給装置であって、
    前記電極の正極と負極は、前記処理液供給管に沿って当該処理液供給管中の処理液の流れ方向に延存し且つ互いに対向して設けられる。
  3. 請求項１に記載の処理液供給装置であって、
    前記電極は、前記処理液供給管の中心軸と同心円状に設けられる。
  4. 請求項１に記載の処理液供給装置であって、
    前記電極の正極又は負極の少なくともいずれか一方の極は、前記処理液供給管の内側に設けられる。
  5. 請求項２に記載の処理液供給装置であって、
    複数の前記処理液供給管が互いに平行に設けられ、
    隣り合う複数の前記処理液供給管の間に、前記電極の正極と負極が交互に前記各処理液供給管を挟んで設けられる。
  6. 請求項１に記載の処理液供給装置であって、
    前記洗浄液供給管は、前記処理液供給管における前記電極の上流側に接続され、
    前記廃液管は、前記処理液供給管における前記電極の下流側に接続されている。
  7. 請求項１に記載の処理液供給装置であって、
    前記洗浄液供給管は、前記処理液供給管における前記電極の下流に接続され、
    前記廃液管は、前記処理液供給管における前記電極の上流側に接続されている。
  8. 基板に対して処理液を供給する供給ノズルに、処理液供給源から処理液供給管を通じて処理液を供給する処理液供給方法であって、
    前記処理液供給管に設けられた電極を介して当該処理液供給管中の処理液に直流電圧を印加することで、処理液中の異物を電極で捕集しながら基板に処理液を供給し、
    その後、前記処理液の供給を停止し、
    その後、前記電極に印加した直流電圧の極性を反転又は前記電極への電圧の印加を停止した状態で、前記処理液供給管に洗浄液を供給し、
    その後、処理液供給管における前記電極が設けられた位置を通過した洗浄液を、前記処理液供給管から排出する。
  9. 請求項８に記載の処理液供給方法であって、
    前記電極の正極と負極は、前記処理液供給管に沿って当該処理液供給管中の処理液の流れ方向に延存し且つ互いに対向して設けられる。
  10. 請求項８に記載の処理液供給方法であって、
    前記電極は、前記処理液供給管の中心軸と同心円状に設けられる。
  11. 請求項８に記載の処理液供給方法であって、
    前記電極の正極又は負極の少なくともいずれか一方の極は、前記処理液供給管の内側に設けられる。
  12. 請求項９に記載の処理液供給方法であって、
    複数の前記処理液供給管が互いに平行に設けられ、
    隣り合う複数の前記処理液供給管の間に、前記電極の正極と負極が交互に前記各処理液供給管を挟んで設けられる。
  13. 請求項８に記載の処理液供給方法であって、
    前記処理液供給管への洗浄液の供給は、前記処理液供給管における前記電極の上流側から行われ、
    前記処理液供給管からの処理液の排出は、前記処理液供給管における前記電極の下流側から行われる。
  14. 請求項８に記載の処理液供給方法であって、
    前記処理液供給管への洗浄液の供給は、前記処理液供給管における前記電極の下流側から行われ、
    前記処理液供給管からの処理液の排出は、前記処理液供給管における前記電極の上流側から行われる。
  15. 基板に対して処理液を供給する供給ノズルに、処理液供給源から処理液供給管を通じて処理液を供給する処理液供給方法を処理液供給装置によって実行させるために、当該処理液供給装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、
    前記処理液供給方法は、
    前記処理液供給管に設けられた電極を介して当該処理液供給管中の処理液に直流電圧を印加することで、処理液中の異物を電極で捕集しながら基板に処理液を供給し、
    その後、前記処理液の供給を停止し、
    その後、前記電極に印加した直流電圧の極性を反転又は前記電極への電圧の印加を停止した状態で、前記処理液供給管に洗浄液を供給し、
    その後、処理液供給管における前記電極が設けられた位置を通過した洗浄液を、前記処理液供給管から排出する。
  16. 基板に対して処理液を供給する供給ノズルに、処理液供給源から処理液供給管を通じて処理液を供給する処理液供給装置であって、
    前記処理液供給管における前記処理液供給源と前記供給ノズルとの間に設けられ、前記処理液供給源から供給された処理液を一旦貯留する中間貯槽を有し、
    前記中間貯槽は、当該中間貯槽の内部に貯留された処理液に直流電圧を印加する電極と、
    前記電極に対して、極性反転自在に直流電圧を印加する電源ユニットと、
    前記中間貯槽へ洗浄液を供給する洗浄液供給管と、
    前記中間貯槽から洗浄液を排出する廃液管と、を有する。
  17. 請求項１６に記載の処理液供給装置であって、
    前記中間貯槽には、前記中間貯槽内部に貯留された処理液と前記電極とを相対的に移動させる撹拌機構が設けられている。
  18. 請求項１６に記載の処理液供給装置であって、
    前記電極は、メッシュ状に形成されている。
  19. 請求項１７に記載の処理液供給装置であって、
    前記電極の正極又は負極のいずれか一方の極は、前記中間貯槽の底面に平行なメッシュ板状に形成されて、且つ前記中間貯槽の内側に設けられ、
    他方の極は、前記中間貯槽の外側に設けられ、
    前記撹拌機構は、前記中間貯槽の内部に設けられた方の極を上下方向に昇降させる昇降機構である。
  20. 請求項１７に記載の処理液供給装置であって、
    前記電極の正極又は負極のいずれか一方の極は、メッシュ板状に形成され、且つ前記中間貯槽の内側に、鉛直方向に延伸して設けられた回転軸に沿って設けられ、
    他方の極は、前記中間貯槽の外側に設けられ、
    前記撹拌機構は、前記回転軸を回転させる回転機構である。
  21. 請求項１６に記載の処理液供給装置であって、
    前記電極は、前記中間貯槽の底面に平行で且つメッシュ板状に形成され、
    前記電極の正極と負極は、前記中間貯槽の内側に、当該中間貯槽の高さ方向に沿って交互に複数配置されている。
  22. 請求項１６に記載の処理液供給装置であって、
    前記処理液供給管に複数の前記中間貯槽が並列に配置されている。
  23. 基板に対して処理液を供給する供給ノズルに、処理液供給源から処理液供給管を通じて処理液を供給する処理液供給方法であって、
    前記処理液供給源から供給された処理液を、前記処理液供給管における、前記処理液供給源と前記供給ノズルとの間に設けられた中間貯槽に一旦貯留し、
    その後、前記中間貯槽に設けられた電極を介して、前記中間貯槽中の処理液に直流電圧を印加して処理液中の異物を電極に捕集し、
    その後、異物が除去された前記中間貯槽内の処理液を前記供給ノズルに供給し、
    前記供給ノズルへの処理液の供給を停止した後に、前記電極に印加した直流電圧の極性を反転又は前記電極への電圧の印加を停止し、
    その後、前記中間貯槽に洗浄液を供給して前記中間貯槽内を洗浄し、
    その後、前記中間貯槽内の洗浄液を、前記中間貯槽内の外部に排出する。
  24. 請求項２３に記載の処理液供給方法であって、
    少なくとも前記電極に電圧を印加している間は、前記中間貯槽内部に貯留された処理液と前記電極とを相対的に移動させる。
  25. 請求項２３に記載の処理液供給方法であって、
    前記電極は、メッシュ状に形成されている。
  26. 請求項２４に記載の処理液供給方法であって、
    前記電極の正極又は負極のいずれか一方の極は、前記中間貯槽の底面に平行なメッシュ板状に形成されて、且つ前記中間貯槽の内側に設けられ、
    他方の極は、前記中間貯槽の外側に設けられ、
    前記処理液と前記電極との相対的な移動は、前記中間貯槽の内部に設けられた方の極を上下方向に昇降させることにより行われる。
  27. 請求項２４に記載の処理液供給方法であって、
    前記電極の正極又は負極のいずれか一方の極は、メッシュ板状に形成され、且つ前記中間貯槽の内側に、鉛直方向に延伸して設けられた回転軸に沿って設けられ、
    他方の極は、前記中間貯槽の外側に設けられ、
    前記処理液と前記電極との相対的な移動は、前記回転軸を回転させることにより行われる。
  28. 請求項２３に記載の処理液供給方法であって、
    前記電極は、前記中間貯槽の底面に平行で且つメッシュ板状に形成され、
    前記電極の正極と負極は、前記中間貯槽の内側に、当該中間貯槽の高さ方向に沿って交互に複数配置されている。
  29. 請求項２３に記載の処理液供給方法であって、
    前記処理液供給管には、前記電極を備えた複数の前記中間貯槽が並列に設けられ、
    前記供給ノズルに処理液を供給していた中間貯槽内を洗浄する際には、洗浄を行わない他の中間貯槽から前記供給ノズルに対して異物が除去された処理液の供給を開始することで、連続的に処理液を前記供給ノズルに供給する。
  30. 基板に対して処理液を供給する供給ノズルに、処理液供給源から処理液供給管を通じて処理液を供給する処理液供給方法を処理液供給装置によって実行させるために、当該処理液供給装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、
    前記処理液供給方法は、
    前記処理液供給源から供給された処理液を、前記処理液供給管における、前記処理液供給源と前記供給ノズルとの間に設けられた中間貯槽に一旦貯留し、
    その後、前記中間貯槽に設けられた電極を介して、前記中間貯槽中の処理液に直流電圧を印加して処理液中の異物を電極に捕集し、
    その後、異物が除去された前記中間貯槽内の処理液を前記供給ノズルに供給し、
    前記供給ノズルへの処理液の供給を停止した後に、前記電極に印加した直流電圧の極性を反転又は前記電極への電圧の印加を停止し、
    その後、前記中間貯槽に洗浄液を供給して前記中間貯槽内を洗浄し、
    その後、前記中間貯槽内の洗浄液を、前記中間貯槽内の外部に排出する。
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