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WO2013080437A1 - 記憶素子、記憶装置 - Google Patents

記憶素子、記憶装置 Download PDF

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WO2013080437A1
WO2013080437A1 PCT/JP2012/006978 JP2012006978W WO2013080437A1 WO 2013080437 A1 WO2013080437 A1 WO 2013080437A1 JP 2012006978 W JP2012006978 W JP 2012006978W WO 2013080437 A1 WO2013080437 A1 WO 2013080437A1
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WO
WIPO (PCT)
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layer
magnetization
storage
oxide
magnetic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2012/006978
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
裕行 内田
細見　政功
大森　広之
別所　和宏
肥後　豊
徹哉 浅山
一陽 山根
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Ceased legal-status Critical Current

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    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
    • H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
    • H01F10/3254—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
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    • H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
    • H01F10/3286—Spin-exchange coupled multilayers having at least one layer with perpendicular magnetic anisotropy
    • H—ELECTRICITY
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    • H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
    • H10B61/20—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors
    • H10B61/22—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors of the field-effect transistor [FET] type
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H01F10/3268—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
    • H01F10/3272—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn by use of anti-parallel coupled [APC] ferromagnetic layers, e.g. artificial ferrimagnets [AFI], artificial [AAF] or synthetic [SAF] anti-ferromagnets

Definitions

  • the present disclosure relates to a storage element and a storage device that perform recording using spin torque magnetization reversal.
  • MRAM can be rewritten at high speed and almost infinitely (10 15 times or more) in order to store data depending on the magnetization direction of the magnetic material, and has already been used in fields such as industrial automation and aircraft.
  • MRAM is expected to be expanded to code storage and working memory in the future due to its high-speed operation and reliability, in reality, it has problems in reducing power consumption and increasing capacity. This is an essential problem due to the recording principle of MRAM, that is, the method of reversing the magnetization by the current magnetic field generated from the wiring.
  • a memory element with spin torque magnetization reversal is often composed of MTJ (Magnetic Tunnel Junction) and TMR (Tunneling Magnetoresistive) elements as in MRAM.
  • MTJ Magnetic Tunnel Junction
  • TMR Tunneling Magnetoresistive
  • the MRAM using spin torque magnetization reversal is referred to as ST-MRAM (Spin Torque-Magnetic Random Access Memory).
  • Spin torque magnetization reversal may also be referred to as spin injection magnetization reversal.
  • ferromagnetic material used for the memory element of ST-MRAM Various materials have been studied as a ferromagnetic material used for the memory element of ST-MRAM.
  • a material having perpendicular magnetic anisotropy has a lower power and a larger power than those having in-plane magnetic anisotropy. It is said that it is suitable for capacity increase. This is because the perpendicular magnetization has a lower threshold (reversal current) that must be exceeded when the spin torque magnetization is reversed, and the high magnetic anisotropy of the perpendicular magnetization film reduces the thermal stability of the memory element that has been miniaturized by increasing the capacity. This is because it is advantageous for holding.
  • the operation characteristics of the MTJ element with a short pulse width are important.
  • the influence of heat contributing to writing is eliminated, so that the inversion current increases, which is disadvantageous for power saving and high-speed operation.
  • an object of the present disclosure is to provide an ST-MRAM element that can prevent an increase in inversion current in a short pulse width region and can operate at high speed.
  • the storage element of the present disclosure includes a storage layer in which the direction of magnetization is changed corresponding to information, a magnetization fixed layer having magnetization perpendicular to a film surface serving as a reference of information stored in the storage layer, and the storage A layer structure having a layer and a nonmagnetic intermediate layer provided between the magnetization fixed layer.
  • the storage layer includes an oxide region having a granular structure, and when a current flows in the stacking direction of the layer structure, the magnetization direction of the storage layer changes, and information is recorded on the storage layer. Is done.
  • the storage device of the present disclosure includes a storage element that holds information according to the magnetization state of the magnetic material, and two types of wiring that intersect each other, and the magnetization direction of the storage element is changed according to the information.
  • a storage layer a magnetization fixed layer having magnetization perpendicular to a film surface serving as a reference for information stored in the storage layer, and a nonmagnetic intermediate layer provided between the storage layer and the magnetization fixed layer, ,
  • the direction of magnetization of the storage layer is changed by flowing a current in the stacking direction of the layer structure so that information is recorded on the storage layer, and the storage layer Includes an oxide region having a granular structure.
  • the memory element is disposed between the two types of wirings, and the current in the stacking direction flows through the memory elements through the two types of wirings.
  • the storage layer that holds information according to the magnetization state of the magnetic material has a magnetization fixed layer via the intermediate layer, and flows in the stacking direction. Since information recording is performed by reversing the magnetization of the storage layer using spin torque magnetization reversal that occurs with current, information can be recorded by flowing current in the stacking direction. At this time, since the storage layer includes a region having a granular structure made of an oxide, a write current value necessary for reversing the magnetization direction of the storage layer can be reduced. On the other hand, the thermal stability of the memory layer can be sufficiently maintained due to the strong magnetic anisotropy energy of the perpendicular magnetization film.
  • Non-Patent Document 3 suggests that the use of a perpendicular magnetization film such as a Co / Ni multilayer film for the storage layer can achieve both reduction of reversal current and securing of thermal stability.
  • Magnetic materials having perpendicular magnetic anisotropy include rare earth-transition metal alloys (such as TbCoFe), metal multilayer films (such as Co / Pd multilayer films), ordered alloys (such as FePt), and interface differences between oxides and magnetic metals. There are several types such as utilization of directionality (Co / MgO, etc.).
  • the ferromagnetic material of the memory layer is a Co—Fe—B layer.
  • the interface magnetic anisotropy is reduced.
  • a promising material is a laminate of a magnetic material containing Co or Fe on MgO, which is a tunnel barrier.
  • the configuration of the memory device of the present disclosure current in the stacking direction flows through the memory element through two types of wiring, and spin transfer occurs, so that current flows in the stacking direction of the memory element through the two types of wiring.
  • information can be recorded by spin torque magnetization reversal.
  • the thermal stability of the storage layer can be sufficiently maintained, the information recorded in the storage element can be stably held, and the storage device can be miniaturized, improved in reliability, and reduced in power consumption. It becomes possible.
  • an increase in inversion current in a short pulse width region can be prevented.
  • This makes it possible to write information by reversing the magnetization direction of the storage layer within a predetermined time. Therefore, write errors can be reduced and a write operation can be performed in a shorter time. That is, high-speed operation with high reliability is possible.
  • the increase of the reverse current is prevented, the power consumption can be reduced. Thereby, an operation error can be eliminated and a sufficient operation margin of the memory element can be obtained. Therefore, a highly reliable storage device that operates stably can be realized.
  • since it is possible to reduce power consumption when writing data to the memory element by reducing write current power consumption of the entire memory device can be reduced.
  • FIG. 3 is a perspective view of a storage device according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. It is sectional drawing of the memory
  • FIG. 3 is a structural diagram of an experimental sample of the memory element of the embodiment. It is the figure which plotted the relationship between excitation energy and inversion time. It is explanatory drawing of the example of magnetic head application of embodiment.
  • FIG. 1 and 2 are schematic diagrams of a storage device according to an embodiment. 1 is a perspective view, and FIG. 2 is a cross-sectional view.
  • the storage device of the embodiment is based on an ST-MRAM that can hold information in a magnetized state near the intersection of two types of address lines (for example, a word line and a bit line) orthogonal to each other.
  • the memory element 3 is arranged. That is, a drain region 8, a source region 7, and a gate electrode 1 that constitute a selection transistor for selecting each storage device in a portion separated by an element isolation layer 2 of a semiconductor substrate 10 such as a silicon substrate, Each is formed.
  • the gate electrode 1 also serves as one address wiring (word line) extending in the front-rear direction in the figure.
  • the drain region 8 is formed in common to the left and right selection transistors in FIG. 1, and a wiring 9 is connected to the drain region 8.
  • the storage element 3 is disposed between the source region 7 and the bit line 6 that is disposed above and extends in the left-right direction in FIG. 1 and whose magnetization direction is reversed by spin torque magnetization reversal. Has been.
  • the storage element 3 is constituted by, for example, a magnetic tunnel junction element (MTJ element).
  • the memory element 3 has two magnetic layers 15 and 17. Of these two magnetic layers 15, 17, one magnetic layer is a magnetization fixed layer 15 in which the direction of the magnetization M 15 is fixed, and the other magnetic layer is a magnetization free layer, that is, a storage layer 17 in which the direction of the magnetization M 17 changes. And
  • the storage element 3 is connected to the bit line 6 and the source region 7 via the upper and lower contact layers 4, respectively. As a result, a current in the vertical direction can be passed through the storage element 3 through the two types of address wirings 1 and 6, and the direction of the magnetization M17 of the storage layer 17 can be reversed by spin torque magnetization reversal.
  • the above-described MTJ structure is adopted, that is, between the two magnetic layers 15 and 17. It is effective to adopt a configuration of the memory element 3 in which the layer is a tunnel insulating layer (tunnel barrier layer).
  • tunnel insulating layer tunnel barrier layer
  • the amount of current flowing through the memory element 3 is limited in order to prevent the tunnel insulating layer from being broken down. That is, it is preferable to suppress the current necessary for the spin torque magnetization reversal from the viewpoint of ensuring the reliability of the memory element 3 against repeated writing.
  • the current required for spin torque magnetization reversal may be referred to as reversal current or storage current.
  • the storage device is a nonvolatile memory device, it is necessary to stably store information written by current. That is, it is necessary to ensure the stability (thermal stability) against the thermal fluctuation of the magnetization of the storage layer. If the thermal stability of the storage layer is not ensured, the reversed magnetization direction may be reversed again by heat (temperature in the operating environment), resulting in a write error.
  • the storage element 3 (ST-MRAM) in the present storage device is advantageous in scaling compared with the conventional MRAM, that is, the volume can be reduced, but the reduction in volume has the same other characteristics. If it is, it exists in the direction which reduces thermal stability.
  • thermal stability is a very important characteristic, and it is necessary to design the thermal stability to be ensured even if the volume is reduced.
  • FIG. 3 shows an example of the layer structure of the memory element.
  • the storage element 3 has a layer structure as shown in FIG. 3A, for example, and includes at least two storage layers 17 as a ferromagnetic layer and a magnetization fixed layer 15, and an intermediate layer 16 between the two magnetic layers. Prepare.
  • the storage layer 17 has magnetization perpendicular to the film surface, and the magnetization direction is changed in accordance with information.
  • the magnetization fixed layer 15 has a magnetization perpendicular to the film surface serving as a reference for information stored in the storage layer 17.
  • the intermediate layer 16 is a nonmagnetic material and is provided between the storage layer 17 and the magnetization fixed layer 15. Then, by injecting spin-polarized electrons in the stacking direction of the layer structure including the storage layer 17, the intermediate layer 16, and the magnetization fixed layer 15, the magnetization direction of the storage layer 17 changes, and the storage layer 17 Information is recorded.
  • Electrons have two types of spin angular momentum. This is defined as upward and downward. The number of both is the same inside the non-magnetic material, and the number of both is different inside the ferromagnetic material.
  • the magnetization fixed layer 15 and the storage layer 17 which are the two layers of ferromagnetic materials constituting the ST-MRAM, electrons are transferred from the magnetization fixed layer 15 to the storage layer 17 when the directions of the magnetic moments are opposite to each other.
  • the magnetization fixed layer 15 is a fixed magnetic layer in which the direction of the magnetic moment is fixed for high coercive force.
  • the electrons that have passed through the magnetization pinned layer 15 have a difference in spin polarization, that is, the upward and downward numbers. If the thickness of the intermediate layer 16 that is a nonmagnetic layer is sufficiently thin, spin polarization due to passage through the magnetization fixed layer 15 is relaxed, and nonpolarization in a normal nonmagnetic material (the same number of upwards and downwards). ) Electrons reach the other magnetic body, that is, the memory layer 17 before the state becomes.
  • the time change of the angular momentum is torque, and when the torque exceeds a certain threshold value, the magnetic moment of the storage layer 17 starts precession and becomes stable when rotated 180 degrees due to its uniaxial anisotropy. That is, inversion from the opposite direction state to the same direction state occurs.
  • the magnetization is in the same direction state, if a current is flowed in the opposite direction to send electrons from the storage layer 17 to the magnetization fixed layer 15, the electrons that have been spin-reversed when reflected by the magnetization fixed layer 15 are now stored in the storage layer 17. Torque is applied when entering, and the magnetic moment can be reversed to the opposite direction. However, at this time, the amount of current required to cause the reversal is larger than when reversing from the opposite direction state to the same direction state.
  • the magnetic moment cannot be reversed because the magnetization fixed layer 15 is fixed, and the angular momentum of the entire system is preserved. Therefore, it may be considered that the memory layer 17 is inverted.
  • recording of 0/1 is performed by flowing a current of a certain threshold value or more corresponding to each polarity in the direction from the fixed magnetization layer 15 to the storage layer 17 or vice versa.
  • Reading of information is performed using the magnetoresistive effect as in the conventional MRAM. That is, a current is passed in the direction perpendicular to the film surface as in the case of the above recording. Then, a phenomenon is used in which the electric resistance of the element changes depending on whether the magnetic moment of the storage layer 17 is in the same direction or in the opposite direction to the magnetic moment of the magnetization fixed layer 15.
  • the material used for the intermediate layer 16 between the magnetization fixed layer 15 and the storage layer 17 may be a metal or an insulator, but a higher read signal (resistance change rate) can be obtained and recording can be performed with a lower current. This is the case when an insulator is used as the intermediate layer.
  • the element at this time is called a ferromagnetic tunnel junction (Magnetic Tunnel Junction: MTJ).
  • the required current threshold Ic differs depending on whether the easy axis of magnetization of the magnetic layer is in the in-plane direction or in the vertical direction.
  • the memory element of this embodiment is a perpendicular magnetization type
  • the reversal current that reverses the magnetization direction of the magnetic layer in the case of a conventional in-plane magnetization type memory element is Ic_para.
  • Ic_para (A ⁇ ⁇ ⁇ Ms ⁇ V / g (0) / P) (Hk + 2 ⁇ Ms)
  • Ic_para ⁇ (A ⁇ ⁇ ⁇ Ms ⁇ V / g ( ⁇ ) / P) (Hk + 2 ⁇ Ms) It becomes.
  • the same direction and the opposite direction are the magnetization directions of the storage layer with reference to the magnetization direction of the magnetization fixed layer. Also called parallel or antiparallel.
  • Ic_perp (A ⁇ ⁇ ⁇ Ms ⁇ V / g (0) / P) (Hk ⁇ 4 ⁇ Ms)
  • Ic_perp ⁇ (A ⁇ ⁇ ⁇ Ms ⁇ V / g ( ⁇ ) / P) (Hk ⁇ 4 ⁇ Ms) It becomes.
  • A is a constant
  • ⁇ is a damping constant
  • Ms saturation magnetization
  • V element volume
  • P spin polarizability
  • g (0) and g ( ⁇ ) are in the same direction and spin torque in the opposite direction.
  • a coefficient Hk corresponding to the efficiency transmitted to the magnetic layer is magnetic anisotropy.
  • the perpendicular magnetization type is more suitable for lowering the storage current by comparing (Hk ⁇ 4 ⁇ Ms) in the perpendicular magnetization type and (Hk + 2 ⁇ Ms) in the in-plane magnetization type.
  • the inversion current Ic0 is expressed by the following (Equation 1) in terms of the relationship with the thermal stability index ⁇ .
  • Equation 1 Equation 1 in terms of the relationship with the thermal stability index ⁇ .
  • e the charge of the electron
  • ⁇ the spin injection efficiency
  • h with a bar is the converted Planck constant
  • ⁇ the damping constant
  • k B is the Boltzmann constant
  • T the temperature.
  • a storage element including a magnetic layer (storage layer 17) capable of holding information depending on the magnetization state and a magnetization fixed layer 15 in which the magnetization direction is fixed is configured.
  • a magnetic layer storage layer 17
  • a magnetization fixed layer 15 in which the magnetization direction is fixed
  • ⁇ is expressed by (Equation 2).
  • Hk represents an effective anisotropy field
  • k B is the Boltzmann constant
  • T is the temperature
  • Ms the saturation magnetization
  • V the volume of the storage layer
  • K is an anisotropic energy.
  • the thermal stability index ⁇ and the current threshold value Ic often have a trade-off relationship. Therefore, in order to maintain the memory characteristics, it is often a problem to achieve both.
  • the threshold value of the current for changing the magnetization state of the storage layer is actually about 100 to several hundred ⁇ A in a TMR element in which the thickness of the storage layer 17 is 2 nm and the planar pattern is a circle of 100 nm in diameter.
  • a normal MRAM that performs magnetization reversal by a current magnetic field requires a write current of several mA or more. Therefore, in the case of ST-MRAM, it can be seen that the threshold value of the write current is sufficiently small as described above, which is effective in reducing the power consumption of the integrated circuit.
  • the degree of integration is advantageous as compared with a normal MRAM.
  • the storage element When spin torque magnetization reversal is performed, current is directly supplied to the storage element to write (record) information. Therefore, in order to select a memory cell to be written, the storage element is connected to a selection transistor. To constitute a memory cell. In this case, the current flowing through the memory element is limited by the magnitude of the current that can be passed through the selection transistor (the saturation current of the selection transistor).
  • the perpendicular magnetization type As described above. Further, since the perpendicular magnetization film can generally have a higher magnetic anisotropy than the in-plane magnetization film, it is preferable in that the above ⁇ is kept large.
  • Magnetic materials having perpendicular anisotropy include rare earth-transition metal alloys (such as TbCoFe), metal multilayer films (such as Co / Pd multilayer films), ordered alloys (such as FePt), and interface anisotropy between oxides and magnetic metals.
  • rare earth-transition metal alloys lose their perpendicular magnetic anisotropy when they are diffused and crystallized by heating, and thus are not preferable as materials for ST-MRAM.
  • metal multilayer film diffuses by heating and the perpendicular magnetic anisotropy deteriorates. Further, the perpendicular magnetic anisotropy is manifested in the case of a face-centered cubic (111) orientation.
  • the L10 ordered alloy is stable even at high temperatures and exhibits perpendicular magnetic anisotropy during (001) orientation, so that the above-mentioned problems do not occur, but it is heated at a sufficiently high temperature of 500 ° C. or higher during production.
  • the present inventors have devised a structure in which the oxide 21 of the granular structure 22 is formed in the memory layer 17 as shown in FIG. 3B.
  • the granular structure is a state in which minute nano-scale particles are dispersed in a material.
  • the storage layer 17 uses Co—Fe—B as a magnetic material, and in this Co—Fe—B crystal, fine particles of oxide 21 (for example, silicon oxide) are contained in the Co—Fe—B crystal. It is assumed that it is dispersed in a certain area.
  • the dispersed state here refers to a state in which the oxide particles 21 do not form a uniform continuous film. Thereby, the reversal current is reduced, and the memory element 20 that ensures thermal stability can be realized.
  • a magnetic tunnel junction (MTJ) element using a tunnel insulating layer a magnetoresistance change rate (MR ratio) is compared with a case where a giant magnetoresistive effect (GMR) element is constructed using a nonmagnetic conductive layer. This is because the read signal intensity can be increased.
  • the magnetoresistance change rate (MR ratio) can be increased.
  • the efficiency of the spin transfer depends on the MR ratio, and as the MR ratio increases, the efficiency of the spin transfer improves and the magnetization reversal current density can be reduced. Therefore, by using magnesium oxide as the material of the tunnel insulating layer and simultaneously using the memory layer 17 described above, the write threshold current due to the spin torque magnetization reversal can be reduced, and information is written (recorded) with a small current. be able to.
  • the read signal intensity can be increased. Thereby, the MR ratio (TMR ratio) can be secured, the write threshold current due to the spin torque magnetization reversal can be reduced, and information can be written (recorded) with a small current. In addition, the read signal intensity can be increased.
  • the tunnel insulating layer is formed of a magnesium oxide (MgO) film
  • MgO magnesium oxide
  • the intermediate layer 16 (tunnel insulating layer) between the storage layer 17 and the magnetization fixed layer 15 is made of magnesium oxide, for example, aluminum oxide, aluminum nitride, SiO 2 , Bi 2 O 3 , MgF 2 , CaF, SrTiO 2 , AlLaO 3 , Al—N—O, and other various insulators, dielectrics, and semiconductors can also be used.
  • the area resistance value of the tunnel insulating layer needs to be controlled to about several tens of ⁇ m 2 or less from the viewpoint of obtaining a current density necessary for reversing the magnetization direction of the memory layer 17 by spin torque magnetization reversal.
  • the film thickness of the MgO film needs to be set to 1.5 nm or less in order to make the sheet resistance value in the above range.
  • a cap layer 18 is disposed adjacent to the storage layer 17, and the cap layer includes an oxide layer.
  • the oxide of the cap layer 18 for example, MgO, aluminum oxide, TiO 2 , SiO 2 , Bi 2 O 3 , SrTiO 2 , AlLaO 3 , Al—N—O, or the like is used.
  • the area of the memory element is 0.01 ⁇ m 2 or less.
  • each of the magnetization fixed layer 15 and the storage layer 17 is preferably 0.5 nm to 30 nm.
  • the other configuration of the storage element can be the same as the conventionally known configuration of the storage element that records information by spin torque magnetization reversal.
  • the magnetization pinned layer 15 can be configured to have its magnetization direction fixed by using only the ferromagnetic layer or by using the antiferromagnetic coupling between the antiferromagnetic layer and the ferromagnetic layer.
  • the magnetization fixed layer 15 can be configured by a single ferromagnetic layer or a laminated ferripin structure in which a plurality of ferromagnetic layers are laminated via a nonmagnetic layer.
  • Co, CoFe, CoFeB, or the like can be used as the material of the ferromagnetic layer constituting the magnetization fixed layer 15 having the laminated ferripin structure.
  • Ru, Re, Ir, Os etc. can be used as a material of a nonmagnetic layer.
  • the material of the antiferromagnetic layer include magnetic materials such as FeMn alloy, PtMn alloy, PtCrMn alloy, NiMn alloy, IrMn alloy, NiO, and Fe 2 O 3 .
  • nonmagnetic elements such as Ag, Cu, Au, Al, Si, Bi, Ta, B, C, O, N, Pd, Pt, Zr, Hf, Ir, W, Mo, and Nb are included in these magnetic materials. Can be added to adjust the magnetic properties and other physical properties such as crystal structure, crystallinity and material stability.
  • the film configuration of the storage element may be a configuration in which the storage layer 17 is disposed below the magnetization fixed layer 15. In this case, the role of the conductive oxide cap layer is played by the conductive oxide underlayer.
  • the configuration of the memory device can hold information in a magnetized state near the intersection of two kinds of orthogonal address lines 1 and 6 (for example, a word line and a bit line).
  • the storage element 3 is arranged.
  • the direction of magnetization of the memory layer 17 can be reversed by spin torque magnetization reversal by passing a current in the vertical direction through the memory element 3 through the two types of address lines 1 and 6.
  • FIG. 3 shows an example of the layer structure of the memory element (ST-MRAM) of the embodiment.
  • the storage element 3 has the base layer 14, the magnetization fixed layer 15, the intermediate layer 16, the storage layer 17, and the cap layer 18 stacked in order from the lower layer side.
  • the magnetization fixed layer 15 is provided in the lower layer with respect to the memory layer 17 in which the direction of the magnetization M17 is reversed by spin injection.
  • information “0” and “1” are defined by the relative angle between the magnetization M17 of the storage layer 17 and the magnetization M15 of the magnetization fixed layer 15.
  • An intermediate layer 16 serving as a tunnel barrier layer (tunnel insulating layer) is provided between the storage layer 17 and the magnetization fixed layer 15, and the storage layer 17 and the magnetization fixed layer 15 constitute an MTJ element.
  • An underlayer 14 is provided under the magnetization fixed layer 15.
  • the storage layer 17 and the magnetization fixed layer 15 are, for example, Co—Fe—B layers.
  • the memory layer 17 is made of a ferromagnetic material having a magnetic moment in which the direction of the magnetization M17 freely changes in the direction perpendicular to the layer surface.
  • the magnetization fixed layer 15 is made of a ferromagnetic material having a magnetic moment in which the magnetization M15 is fixed in the direction perpendicular to the film surface. Information is stored according to the direction of magnetization of the storage layer 15 having uniaxial anisotropy. Writing is performed by applying a current in the direction perpendicular to the film surface to cause spin torque magnetization reversal. In this manner, the magnetization fixed layer 15 is provided in the lower layer with respect to the storage layer 15 whose magnetization direction is reversed by spin injection, and is used as a reference for storage information (magnetization direction) of the storage layer 17.
  • the direction of magnetization should not be changed by recording or reading, but it is not necessarily fixed in a specific direction, and the coercive force is made larger than that of the storage layer 17.
  • the film thickness may be increased or the magnetic damping constant may be increased to make it harder to move than the storage layer 17.
  • the intermediate layer 16 is, for example, a magnesium oxide (MgO) layer.
  • the magnetoresistance change rate (MR ratio) can be increased.
  • the intermediate layer 16 is made of magnesium oxide, and other than aluminum oxide, aluminum nitride, SiO 2 , Bi 2 O 3 , MgF 2 , CaF, SrTiO 2 , AlLaO 3 , Al—N—O, etc.
  • Various insulators, dielectrics, and semiconductors can be used.
  • the underlayer 14 and the cap layer 18 various metals such as Ta, Ti, W, and Ru and conductive nitrides such as TiN can be used.
  • the underlayer 14 and the cap layer 18 may be used as a single layer, or a plurality of different materials may be stacked.
  • the structure of the memory element 20 shown in FIG. 3B is different from the structure of the memory element 3 in the structure of the memory layer 17.
  • the memory layer 17 of the memory element 20 has a structure in which an oxide 21 is formed with a granular structure 22. As described above, the granular structure is a state in which minute nanoscale particles are dispersed in a material.
  • the storage layer 17 uses Co—Fe—B as a magnetic material. In this Co—Fe—B crystal, fine particles of oxide (for example, silicon oxide) 21 are constant in the Co—Fe—B crystal.
  • the region is dispersed as shown in FIG. 3B.
  • the dispersed state here refers to a state in which the oxide particles 21 do not form a uniform continuous film.
  • Such a granular structure 22 made of the oxide 21 is not limited to one as shown in FIG. 3B and may be formed in two or more.
  • the oxide 21 can be selected from at least one of silicon oxide, magnesium oxide, tantalum oxide, aluminum oxide, cobalt oxide, zirconium oxide, titanium oxide and chromium oxide.
  • the storage layer 17 of the storage element 3 is configured so that the effective demagnetizing field received by the storage layer 17 is smaller than the saturation magnetization Ms of the storage layer 17 in particular.
  • the composition is adjusted. In other words, the composition of the ferromagnetic material Co—Fe—B is selected for the memory layer 17, but the magnitude of the effective demagnetizing field received by the memory layer 17 is reduced to be smaller than the saturation magnetization Ms of the memory layer 17. To be.
  • the base layer 14 to the cap layer 18 are continuously formed in a vacuum apparatus, and then the pattern of the memory element 3 is formed by processing such as etching. Can be manufactured.
  • the memory device having the memory elements 3 and 20 described in FIG. 3 and having the configuration shown in FIG. 1 has an advantage that a general semiconductor MOS formation process can be applied when manufacturing the memory device. . Therefore, the storage device of this embodiment can be applied as a general-purpose memory.
  • the dispersion of the coercive force obtained by measuring the magnetoresistance curves of the storage elements 3 and 20 a plurality of times corresponds to the above-described index ( ⁇ ) of the retention characteristic (thermal stability) of the storage element.
  • ⁇ the index of the retention characteristic (thermal stability) of the storage element.
  • about 20 memory elements having the same configuration were manufactured, and the above-described measurement was performed to obtain the average value of the inversion current value and the thermal stability index ⁇ .
  • an actual memory device includes a semiconductor circuit for switching in addition to the memory elements 3 and 20.
  • the magnetization reversal characteristics of the memory layer 17 adjacent to the cap layer 18 are present.
  • a wafer with only memory elements formed was examined.
  • FIG. Underlayer 14 A laminated film of a Ta film with a thickness of 10 nm and a Ru film with a thickness of 10 nm.
  • Magnetization fixed layer 15 CoPt: 2 nm / Ru: 0.7 nm / [Co20Fe80] 70B30: a laminated film of 2 nm.
  • Intermediate layer (tunnel insulating layer) 16 MgO film having a thickness of 1.0 nm.
  • Cap layer 18 / Ta: 5 nm film /
  • a 300 nm thick thermal oxide film was formed on a 0.725 mm thick silicon substrate, and a memory element having the above-described structure was formed thereon. Further, a 100 nm thick Cu film (to be a word line) (not shown) was provided between the base layer and the silicon substrate.
  • Each layer other than the insulating layer was formed using a DC magnetron sputtering method. The insulating layer using the oxide was oxidized in an oxidation chamber after a metal layer was formed by RF magnetron sputtering or DC magnetron sputtering. After each layer of the memory element was formed, heat treatment was performed at 300 ° C. for 1 hour in a heat treatment furnace in a magnetic field.
  • the word line (lower electrode) was formed by performing selective etching with Ar plasma on the laminated film other than the word line. At this time, the portion other than the word line portion was etched to a depth of 5 nm of the substrate. Thereafter, a mask of a memory element pattern was formed by an electron beam drawing apparatus, and selective etching was performed on the laminated film to form a memory element. Except for the memory element portion, the etching was performed up to the Cu layer of the word line.
  • the memory element pattern is a circle having a minor axis of 0.09 ⁇ m and a major axis of 0.09 ⁇ m, and the area resistance value ( ⁇ m 2 ) of the memory element is 20 ⁇ m 2 .
  • the portions other than the memory element portion were insulated by sputtering of Al 2 O 3 having a thickness of about 100 nm.
  • a bit line to be an upper electrode and a measurement pad were formed using photolithography. In this way, a sample of the memory element was manufactured.
  • the characteristics of each of the produced memory element samples were evaluated. Prior to the measurement, in order to control the positive and negative values of the reversal current to be symmetrical, a magnetic field can be applied to the storage element from the outside. Further, the voltage applied to the memory element was set to 1 V within a range where the insulating layer was not broken.
  • Table 1 summarizes the ratio of the reversal current value at a pulse width of 100 ns to the reversal current value at a pulse width of 10 ns with respect to the magnetization reversal characteristics of the samples 1 to 5 by writing with current.
  • the pulse width of 100 ns is a region where the influence of heat remains on the magnetization reversal.
  • the pulse width of 10 ns becomes an adiabatic region and is hardly affected by heat. Therefore, it is possible to evaluate the degree of current increase in the short pulse region by comparing the inversion current at the 100 ns pulse width and the 10 ns pulse width. It is known that the inversion current increases as the short pulse region is reached, and rapidly increases in the region of several tens of ns or less.
  • the increase in the inversion current value at the pulse width of 10 ns is larger in the sample 1 without the granular structure 22 and the sample 2 made of the nonmagnetic material. Furthermore, a difference also occurs in the granular structure 22 made of the same oxide 21 as in the samples 3 and 4, and in the experiment, the reversal current in the short pulse region is strongly suppressed in the sample 3 having the strong granular structure 22 property. .
  • the oxide 21 can provide an effect regardless of the material.
  • magnetic anisotropy occurs in the in-plane direction.
  • the magnetization component in the in-film direction is mixed with the magnetization in the direction perpendicular to the film surface, and the oblique magnetic anisotropy having the perpendicular magnetic anisotropy and the in-plane magnetic anisotropy at the same time. It becomes a state of magnetization (a state in which the direction of magnetization is inclined from the direction perpendicular to the film surface).
  • an effect was exerted on the granular structure 22 of the oxide 21, which may easily form the granular structure 22, but the origin of the interface anisotropy is the oxide 21. Therefore, it is considered that stronger in-plane magnetic anisotropy was obtained.
  • FIG. 5 shows the result.
  • FIG. 5 shows the relationship between the excitation energy E and the inversion time ts at a certain current.
  • the excitation energy E on the horizontal axis is plotted on a logarithmic scale.
  • the excitation energy E uses a value calculated from the magnetization direction at the time when the current is applied. The magnetization direction deviates from the equilibrium state due to thermal fluctuation, but the greater the excitation energy E (the more toward the right in FIG. 5), the greater the deviation from the equilibrium state.
  • Equation 3 The relationship between the excitation energy E and the inversion time ts is expressed by the following (Equation 3). If there is no oblique magnetization and the magnetization is completely balanced, an infinite reversal time is required. However, since the excitation energy actually becomes 0 or more due to thermal fluctuation, reversal is possible in a finite time. It is. This tendency is indicated by a broken line in FIG. When the excitation energy E on the horizontal axis is a logarithmic scale, the broken line is almost a straight line. And it turns out that it reverses in a short time, so that the excitation energy E is large.
  • the relationship between the excitation energy E and the reversal time ts when oblique magnetization is used is shown by a solid line in FIG.
  • the reversal time ts does not increase when the excitation energy E decreases. This is because even when the excitation energy E is 0 (negative infinity in the case of the logarithmic scale shown in FIG. 5), the direction of a part of the magnetization is inclined from the vertical axis.
  • a specific current pulse width is set to 20 ns in FIG. 5, in the oblique magnetization state, reversal occurs with a probability of 100% because the reversal time saturation region is reached. In the absence, the applied current value must be further increased to increase the inversion probability. For this reason, the embodiment using oblique magnetization is suitable for reducing the reversal current in the short pulse region.
  • the oxide 21 is silicon oxide, magnesium oxide. , Tantalum oxide, aluminum oxide, cobalt oxide, zirconium oxide, titanium oxide, and chromium oxide.
  • the B composition of the Co—Fe—B alloy was set to 30%, but the B composition may be changed to about 20 to 40% from the viewpoint of the TMR value and heat resistance.
  • the underlayer 14 and the cap layer 18 may be a single material or a laminated structure of a plurality of materials.
  • the magnetization fixed layer 15 may be a single layer or a laminated ferripin structure including two ferromagnetic layers and a nonmagnetic layer.
  • membrane to the laminated ferripin structure film may be sufficient.
  • the structure of the memory element 3 or the memory element 20 according to the present disclosure is a configuration of a magnetoresistive effect element such as a TMR element.
  • the magnetoresistive effect element as the TMR element is not limited to the above-described memory device,
  • the present invention can be applied to a hard disk drive, an integrated circuit chip mounted with this magnetic head, and various electronic devices such as personal computers, portable terminals, mobile phones, and magnetic sensor devices, and electric devices.
  • FIGS. 6A and 6B show an example in which the magnetoresistive effect element 101 having the structure of the storage elements 3 and 20 is applied to the composite magnetic head 100.
  • 6A is a perspective view of the composite magnetic head 100 with a part cut away so that the internal structure can be seen.
  • FIG. 6B is a cross-sectional view of the composite magnetic head 100.
  • the composite magnetic head 100 is a magnetic head used in a hard disk device or the like.
  • a magnetic resistance effect type magnetic head to which the technology of the present disclosure is applied is formed on a substrate 122, and the magnetoresistive effect type magnetic head.
  • An inductive magnetic head is laminated on the top.
  • the magnetoresistive head is operated as a reproducing head, and the inductive magnetic head is operated as a recording head. That is, the composite magnetic head 100 is configured by combining a reproducing head and a recording head.
  • the magnetoresistance effect type magnetic head mounted on the composite type magnetic head 100 is a so-called shield type MR head, and includes a first magnetic shield 125 formed on a substrate 122 via an insulating layer 123, and a first magnetic shield 125.
  • the magnetoresistive effect element 101 formed on the magnetic shield 125 via the insulating layer 123 and the second magnetic shield 127 formed on the magnetoresistive effect element 101 via the insulating layer 123 are provided.
  • the insulating layer 123 is made of an insulating material such as Al 2 O 3 or SiO 2 .
  • the first magnetic shield 125 is for magnetically shielding the lower layer side of the magnetoresistive element 101 and is made of a soft magnetic material such as Ni—Fe.
  • a magnetoresistive effect element 101 is formed on the first magnetic shield 125 with an insulating layer 123 interposed therebetween.
  • the magnetoresistive effect element 101 functions as a magnetosensitive element that detects a magnetic signal from the magnetic recording medium.
  • the magnetoresistive effect element 101 has a film configuration similar to that of the memory element 3 or the memory element 20 described above.
  • the magnetoresistive effect element 101 is formed in a substantially rectangular shape, and one side surface thereof is exposed to the magnetic recording medium facing surface.
  • Bias layers 128 and 129 are disposed at both ends of the magnetoresistive effect element 101. Further, connection terminals 130 and 131 connected to the bias layers 128 and 129 are formed. A sense current is supplied to the magnetoresistive effect element 101 via the connection terminals 130 and 131. Further, a second magnetic shield layer 127 is provided on the bias layers 128 and 129 via an insulating layer 123.
  • the inductive magnetic head laminated on the magnetoresistive effect magnetic head as described above has a magnetic core constituted by the second magnetic shield 127 and the upper core 132, and is wound around the magnetic core. And a formed thin film coil 133.
  • the upper layer core 132 forms a closed magnetic path together with the second magnetic shield 122 and becomes a magnetic core of this inductive magnetic head, and is made of a soft magnetic material such as Ni—Fe.
  • the front end of the second magnetic shield 127 and the upper core 132 are exposed to the surface facing the magnetic recording medium, and the second magnetic shield 127 and the upper core 132 are in contact with each other at their rear ends. It is formed as follows.
  • the front end portions of the second magnetic shield 127 and the upper core 132 are formed so that the second magnetic shield 127 and the upper core 132 are separated from each other with a predetermined gap g on the surface facing the magnetic recording medium. That is, in this composite magnetic head 100, the second magnetic shield 127 not only magnetically shields the upper layer side of the magnetoresistive effect element 126 but also serves as the magnetic core of the inductive magnetic head.
  • the magnetic shield 127 and the upper core 132 constitute the magnetic core of the inductive magnetic head.
  • the gap g becomes a recording magnetic gap of the inductive magnetic head.
  • a thin film coil 133 embedded in the insulating layer 123 is formed on the second magnetic shield 127.
  • the thin film coil 133 is formed so as to wind a magnetic core composed of the second magnetic shield 127 and the upper core 132.
  • both ends of the thin film coil 133 are exposed to the outside, and terminals formed at both ends of the thin film coil 133 are external connection terminals of the inductive magnetic head. That is, when a magnetic signal is recorded on the magnetic recording medium, a recording current is supplied to the thin film coil 132 from these external connection terminals.
  • the composite magnetic head 121 as described above is equipped with a magnetoresistive effect type magnetic head as a reproducing head, and the magnetoresistive effect type magnetic head detects a magnetic signal from a magnetic recording medium.
  • a magnetoresistive effect element 101 to which the technique of the present disclosure is applied is provided. Since the magnetoresistive effect element 101 to which the technology of the present disclosure is applied exhibits very excellent characteristics as described above, this magnetoresistive effect type magnetic head can cope with higher recording density of magnetic recording. be able to.
  • this technique can also take the following structures.
  • a storage layer whose magnetization direction is changed in response to information;
  • a magnetization fixed layer having magnetization perpendicular to a film surface serving as a reference of information stored in the storage layer;
  • a nonmagnetic intermediate layer provided between the storage layer and the magnetization fixed layer;
  • a layer structure having The storage layer includes an oxide region having a granular structure, A storage element in which information is recorded on the storage layer by changing the magnetization direction of the storage layer by passing a current in the stacking direction of the layer structure.
  • the oxide includes at least one of silicon oxide, magnesium oxide, tantalum oxide, aluminum oxide, cobalt oxide, zirconium oxide, titanium oxide, and chromium oxide.

Landscapes

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Abstract

【課題】短パルス幅領域での反転電流の増加を防ぎ、熱安定性を確保して高速動作が可能な記憶素子を提供する。 【解決手段】記憶素子は、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。　そして、上記記憶層は、グラニュラー構造の酸化物の領域を含み、上記層構造の積層方向に電流を流すことにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われる。

Description

記憶素子、記憶装置
　本開示は、スピントルク磁化反転を利用して記録を行う記憶素子及び記憶装置に関する。
　モバイル端末から大容量サーバに至るまで、各種情報機器の飛躍的な発展に伴い、これを構成するメモリやロジックなどの素子においても高集積化、高速化、低消費電力化など、さらなる高性能化が追求されている。特に半導体不揮発性メモリの進歩は著しく、大容量ファイルメモリとしてのフラッシュメモリは、ハードディスクドライブを駆逐する勢いで普及が進んでいる。一方、コードストレージ用さらにはワーキングメモリへの展開を睨み、現在一般に用いられているＮＯＲフラッシュメモリ、ＤＲＡＭなどを置き換えるべくＦｅＲＡＭ（Ferroelectric Random Access Memory）、ＭＲＡＭ（Magnetic Random Access Memory）、ＰＣＲＡＭ（Phase-Change Random Access Memory）などの開発が進められている。これらのうち一部はすでに実用化されている。
　なかでもＭＲＡＭは、磁性体の磁化方向によりデータ記憶を行うために高速かつほぼ無限（１０15回以上）の書換えが可能であり、すでに産業オートメーションや航空機などの分野で使用されている。ＭＲＡＭはその高速動作と信頼性から、今後コードストレージやワーキングメモリへの展開が期待されているものの、現実には低消費電力化、大容量化に課題を有している。これはＭＲＡＭの記録原理、すなわち配線から発生する電流磁界により磁化を反転させるという方式に起因する本質的な問題である。
　この問題を解決するための一つの方法として、電流磁界によらない記録、すなわち磁化反転方式が検討されている。なかでもスピントルク磁化反転に関する研究は活発である（例えば、特許文献１、２、３、非特許文献１、２参照）。
　スピントルク磁化反転の記憶素子は、ＭＲＡＭと同じくＭＴＪ（Magnetic Tunnel Junction）およびＴＭＲ（Tunneling Magnetoresistive）素子により構成されている場合が多い。
　この構成は、ある方向に固定された磁性層を通過するスピン偏極電子が、他の自由な（方向を固定されない）磁性層に進入する際にその磁性層にトルクを与えること（これをスピントランスファトルクとも呼ぶ）を利用したもので、あるしきい値以上の電流を流せば自由磁性層が反転する。０／１の書換えは電流の極性を変えることにより行う。
　この反転のための電流の絶対値は０．１μｍ程度のスケールの素子で１ｍＡ以下である。しかもこの電流値が素子体積に比例して減少するため、スケーリングが可能である。さらに、ＭＲＡＭで必要であった記録用電流磁界発生用のワード線が不要であるため、セル構造が単純になるという利点もある。
　以下、スピントルク磁化反転を利用したＭＲＡＭを、ＳＴ－ＭＲＡＭ（Spin Torque-Magnetic Random Access Memory）と呼ぶ。スピントルク磁化反転は、またスピン注入磁化反転と呼ばれることもある。高速かつ書換え回数がほぼ無限大であるというＭＲＡＭの利点を保ったまま、低消費電力化、大容量化を可能とする不揮発メモリとして、ＳＴ－ＭＲＡＭに大きな期待が寄せられている。
特開２００３－１７７８２号公報 米国特許第６２５６２２３号明細書 特開２００８－２２７３８８号公報
Physical Review B, 54, 9353(1996) Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 159, L1(1996) Nature Materials., 5, 210(2006)
　ＳＴ－ＭＲＡＭの記憶素子に用いる強磁性体として、さまざまな材料が検討されているが、一般に面内磁気異方性を有するものよりも垂直磁気異方性を有するものの方が低電力化、大容量化に適しているとされている。これは垂直磁化の方がスピントルク磁化反転の際に超えるべき閾値（反転電流）が低く、また垂直磁化膜の有する高い磁気異方性が大容量化により微細化した記憶素子の熱安定性を保持するのに有利なためである。
　ところで、ＳＴ－ＭＲＡＭの書き込み電力の低減および高速動作の観点から、ＭＴＪ素子の短パルス幅での動作特性が重要である。
　この場合、電流パルス幅数ナノ秒の短パルスの領域では書き込みに寄与する熱の影響が無くなるため、反転電流が増大し、省電力および高速動作に不利となる。
　そこで本開示では、短パルス幅領域での反転電流の増加を防ぎ、高速動作が可能なＳＴ－ＭＲＡＭ素子を提供することを目的とする。
　本開示の記憶素子は、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。そして、上記記憶層はグラニュラー構造の酸化物の領域を含み、上記層構造の積層方向に電流を流すことにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われる。
　また、本開示の記憶装置は、情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶素子と、互いに交差する２種類の配線とを備え、上記記憶素子は、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層と、を有する層構造を備え、上記層構造の積層方向に電流を流すことにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われるとともに、上記記憶層は、グラニュラー構造の酸化物の領域を含む。そして、上記２種類の配線の間に上記記憶素子が配置され、上記２種類の配線を通じて、上記記憶素子に上記積層方向の電流が流れる。
　本開示の記憶素子によれば、情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、この記憶層に対して、中間層を介して磁化固定層が設けられており、積層方向に流れる電流に伴って発生するスピントルク磁化反転を利用して記憶層の磁化を反転させることにより情報の記録が行われるので、積層方向に電流を流すことで情報の記録を行うことができる。このとき、記憶層は、酸化物からなるグラニュラー構造の領域を含んでいることから、記憶層の磁化の向きを反転させるために必要となる書き込み電流値を低減することができる。
　一方で、垂直磁化膜の有する強い磁気異方性エネルギのために記憶層の熱安定性を十分に保つことができる。
　反転電流の低減と熱安定性の確保を両立させる観点で注目されているのが、垂直磁化膜を記憶層に用いた構造である。例えば非特許文献３によれば、Ｃｏ／Ｎｉ多層膜などの垂直磁化膜を記憶層に用いることにより、反転電流の低減と熱安定性の確保を両立できる可能性が示唆されている。
　垂直磁気異方性を有する磁性材料には希土類－遷移金属合金（ＴｂＣｏＦｅなど）、金属多層膜（Ｃｏ／Ｐｄ多層膜など）、規則合金（ＦｅＰｔなど）、酸化物と磁性金属の間の界面異方性の利用（Ｃｏ／ＭｇＯなど）等いくつかの種類がある。
　本開示の記憶素子は、記憶層の強磁性材料はＣｏ－Ｆｅ－Ｂ層としている。
　また、ＳＴ－ＭＲＡＭにおいて大きな読み出し信号を与える高磁気抵抗変化率を実現するためにトンネル接合構造を採用することを考え、さらに耐熱性や製造上の容易さを考慮すると、界面磁気異方性を利用した材料、すなわちトンネルバリアであるＭｇＯ上にＣｏもしくはＦｅを含む磁性材料を積層させたものが有望である。
　また、本開示の記憶装置の構成によれば、２種類の配線を通じて、記憶素子に積層方向の電流が流れ、スピントランスファが起こることにより、２種類の配線を通じて記憶素子の積層方向に電流を流してスピントルク磁化反転による情報の記録を行うことができる。
　また、上記記憶層の熱安定性は十分に保つことができるため、記憶素子に記録された情報を安定に保持し、かつ記憶装置の微細化、信頼性の向上、低消費電力化を実現することが可能になる。
　本開示によれば、短パルス幅領域での反転電流の増加を防ぐことができる。これにより、所定の時間内に記憶層の磁化の向きを反転させて情報の書き込みを行うことが可能になる。したがって、書き込みエラーを低減することができ、より短い時間で書き込み動作を行うことができる。すなわち、信頼性の高い高速動作が可能となる。
　また、反転電流の増加を防ぐことから、消費電力を低減できる。
　これにより、動作エラーをなくして、記憶素子の動作マージンを充分に得ることができる。従って、安定して動作する、信頼性の高い記憶装置を実現することができる。
　また、書き込み電流を低減して、記憶素子に書き込みを行う際の消費電力を低減することが可能なので、記憶装置全体の消費電力を低減することが可能になる。
本開示の実施の形態の記憶装置の斜視図である。 実施の形態の記憶装置の断面図である。 実施の形態の記憶素子の層構造を示す図である。 実施の形態の記憶素子の実験用試料の構造図である。 励起エネルギと反転時間の関係をプロットした図である。 実施の形態の磁気ヘッド適用例の説明図である。
　以下、本開示の実施の形態を次の順序で説明する。
＜１．実施の形態の記憶装置の構成＞
＜２．実施の形態の記憶素子の概要＞
＜３．実施の形態の具体的構成＞
＜４．実験およびシミュレーション＞
＜５．変形例＞
　＜１．実施の形態の記憶装置の構成＞
　まず、本開示の実施の形態となる記憶装置の構成について説明する。
　実施の形態の記憶装置の模式図を、図１及び図２に示す。図１は斜視図、図２は断面図である。
　図１に示すように、実施の形態の記憶装置は、互いに直交する２種類のアドレス配線（例えばワード線とビット線）の交点付近に、磁化状態で情報を保持することができるＳＴ－ＭＲＡＭによる、例えば記憶素子３が配置されて成る。
　即ち、シリコン基板等の半導体基体１０の素子分離層２により分離された部分に、各記憶装置を選択するための選択用トランジスタを構成する、ドレイン領域８、ソース領域７、並びにゲート電極１が、それぞれ形成されている。このうち、ゲート電極１は、図中前後方向に延びる一方のアドレス配線（ワード線）を兼ねている。
　ドレイン領域８は、図１中左右の選択用トランジスタに共通して形成されており、このドレイン領域８には、配線９が接続されている。
　そして、ソース領域７と、上方に配置された、図１中左右方向に延びるビット線６との間に、スピントルク磁化反転により磁化の向きが反転する記憶層を有する、例えば記憶素子３が配置されている。この記憶素子３は、例えば磁気トンネル接合素子（ＭＴＪ素子）により構成される。
　図２に示すように、記憶素子３は２つの磁性層１５、１７を有する。この２層の磁性層１５、１７のうち、一方の磁性層を磁化Ｍ１５の向きが固定された磁化固定層１５として、他方の磁性層を磁化Ｍ１７の向きが変化する磁化自由層即ち記憶層１７とする。
　また、記憶素子３は、ビット線６と、ソース領域７とに、それぞれ上下のコンタクト層４を介して接続されている。
　これにより、２種類のアドレス配線１、６を通じて、記憶素子３に上下方向の電流を流して、スピントルク磁化反転により記憶層１７の磁化Ｍ１７の向きを反転させることができる。
　このような記憶装置では、選択トランジスタの飽和電流以下の電流で書き込みを行う必要があり、トランジスタの飽和電流は微細化に伴って低下することが知られているため、記憶装置の微細化のためには、スピントランスファの効率を改善して、記憶素子３に流す電流を低減させることが好適である。
　また、読み出し信号を大きくするためには、大きな磁気抵抗変化率を確保する必要があり、そのためには上述のようなＭＴＪ構造を採用すること、すなわち２層の磁性層１５、１７の間に中間層をトンネル絶縁層（トンネルバリア層）とした記憶素子３の構成にすることが効果的である。
　このように中間層としてトンネル絶縁層を用いた場合には、トンネル絶縁層が絶縁破壊することを防ぐために、記憶素子３に流す電流量に制限が生じる。すなわち記憶素子３の繰り返し書き込みに対する信頼性の確保の観点からも、スピントルク磁化反転に必要な電流を抑制することが好ましい。なお、スピントルク磁化反転に必要な電流は、反転電流、記憶電流などと呼ばれることがある。
　また記憶装置は不揮発メモリ装置であるから、電流によって書き込まれた情報を安定に記憶する必要がある。つまり、記憶層の磁化の熱揺らぎに対する安定性（熱安定性）を確保する必要がある。
　記憶層の熱安定性が確保されていないと、反転した磁化の向きが、熱（動作環境における温度）により再反転する場合があり、書き込みエラーとなってしまう。
　本記憶装置における記憶素子３（ＳＴ－ＭＲＡＭ）は、従来のＭＲＡＭと比較して、スケーリングにおいて有利、すなわち体積を小さくすることは可能であるが、体積が小さくなることは、他の特性が同一であるならば、熱安定性を低下させる方向にある。
　ＳＴ－ＭＲＡＭの大容量化を進めた場合、記憶素子３の体積は一層小さくなるので、熱安定性の確保は重要な課題となる。
　そのため、ＳＴ－ＭＲＡＭにおける記憶素子３において、熱安定性は非常に重要な特性であり、体積を減少させてもこの熱安定性が確保されるように設計する必要がある。
＜２．実施の形態の記憶素子の概要＞
　つぎに本開示の実施の形態となる記憶素子の概要について説明する。
　本開示の実施の形態は、前述したスピントルク磁化反転により、記憶素子の記憶層の磁化の向きを反転させて、情報の記録を行うものである。
　記憶層は、強磁性層を含む磁性体により構成され、情報を磁性体の磁化状態（磁化の向き）により保持するものである。
　図３は記憶素子の層構造の例を示すものである。
　記憶素子３は、例えば図３Ａに一例を示す層構造とされ、少なくとも２つの強磁性体層としての記憶層１７、磁化固定層１５を備え、またその２つの磁性層の間の中間層１６を備える。
　記憶層１７は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される。
　磁化固定層１５は、記憶層１７に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する。
　中間層１６は、非磁性体であって、記憶層１７と磁化固定層１５の間に設けられる。
　そして記憶層１７、中間層１６、磁化固定層１５を有する層構造の積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層１７の磁化の向きが変化して、記憶層１７に対して情報の記録が行われる。
　ここでスピントルク磁化反転について簡単に説明する。
　電子は２種類のスピン角運動量をもつ。仮にこれを上向き、下向きと定義する。非磁性体内部では両者が同数であり、強磁性体内部では両者の数に差がある。ＳＴ－ＭＲＡＭを構成する２層の強磁性体である磁化固定層１５及び記憶層１７において、互いの磁気モーメントの向きが反方向状態のときに、電子を磁化固定層１５から記憶層１７への移動させた場合について考える。
　磁化固定層１５は、高い保磁力のために磁気モーメントの向きが固定された固定磁性層である。
　磁化固定層１５を通過した電子はスピン偏極、すなわち上向きと下向きの数に差が生じる。非磁性層である中間層１６の厚さが充分に薄く構成されていると、磁化固定層１５の通過によるスピン偏極が緩和して通常の非磁性体における非偏極（上向きと下向きが同数）状態になる前に他方の磁性体、すなわち記憶層１７に電子が達する。
　記憶層１７では、スピン偏極度の符号が逆になっていることにより、系のエネルギを下げるために一部の電子は反転、すなわちスピン角運動量の向きをかえさせられる。このとき、系の全角運動量は保存されなくてはならないため、向きを変えた電子による角運動量変化の合計と等価な反作用が記憶層１７の磁気モーメントにも与えられる。
　電流すなわち単位時間に通過する電子の数が少ない場合には、向きを変える電子の総数も少ないために記憶層１７の磁気モーメントに発生する角運動量変化も小さいが、電流が増えると多くの角運動量変化を単位時間内に与えることができる。
　角運動量の時間変化はトルクであり、トルクがあるしきい値を超えると記憶層１７の磁気モーメントは歳差運動を開始し、その一軸異方性により１８０度回転したところで安定となる。すなわち反方向状態から同方向状態への反転が起こる。
　磁化が同方向状態にあるとき、電流を逆に記憶層１７から磁化固定層１５へ電子を送る向きに流すと、今度は磁化固定層１５で反射される際にスピン反転した電子が記憶層１７に進入する際にトルクを与え、反方向状態へと磁気モーメントを反転させることができる。ただしこの際、反転を起こすのに必要な電流量は、反方向状態から同方向状態へと反転させる場合よりも多くなる。
　磁気モーメントの同方向状態から反方向状態への反転は直感的な理解が困難であるが、磁化固定層１５が固定されているために磁気モーメントが反転できず、系全体の角運動量を保存するために記憶層１７が反転する、と考えてもよい。このように、０／１の記録は、磁化固定層１５から記憶層１７の方向またはその逆向きに、それぞれの極性に対応する、あるしきい値以上の電流を流すことによって行われる。
　情報の読み出しは、従来型のＭＲＡＭと同様、磁気抵抗効果を用いて行われる。すなわち上述の記録の場合と同様に膜面垂直方向に電流を流す。そして、記憶層１７の磁気モーメントが、磁化固定層１５の磁気モーメントに対して同方向であるか反方向であるかに従い、素子の示す電気抵抗が変化する現象を利用する。
　磁化固定層１５と記憶層１７の間の中間層１６として用いる材料は金属でも絶縁体でも構わないが、より高い読み出し信号（抵抗の変化率）が得られ、かつより低い電流によって記録が可能とされるのは、中間層として絶縁体を用いた場合である。このときの素子を強磁性トンネル接合（Magnetic Tunnel Junction：ＭＴＪ）と呼ぶ。
　スピントルク磁化反転によって、磁性層の磁化の向きを反転させるときに、必要となる電流の閾値Ｉｃは、磁性層の磁化容易軸が面内方向であるか、垂直方向であるかによって異なる。
　本実施の形態の記憶素子は垂直磁化型であるが、従前の面内磁化型の記憶素子の場合における磁性層の磁化の向きを反転させる反転電流をＩｃ＿ｐａｒａとする。
　同方向から逆方向に反転させる場合、
　Ｉｃ＿ｐａｒａ＝（Ａ・α・Ｍｓ・Ｖ／ｇ（０）／Ｐ）（Ｈｋ＋２πＭｓ）
　となり、逆方向から同方向に反転させる場合、
　Ｉｃ＿ｐａｒａ＝－（Ａ・α・Ｍｓ・Ｖ／ｇ（π）／Ｐ）（Ｈｋ＋２πＭｓ）
　となる。
　なお、同方向、逆方向とは、磁化固定層の磁化方向を基準としてみた記憶層の磁化方向である。平行、反平行とも呼ばれる。
　一方、本例のような垂直磁化型の記憶素子の反転電流をＩｃ＿ｐｅｒｐとすると、同方向から逆方向に反転させる場合、
　Ｉｃ＿ｐｅｒｐ＝（Ａ・α・Ｍｓ・Ｖ／ｇ（０）／Ｐ）（Ｈｋ－４πＭｓ）
　となり、逆方向から同方向に反転させる場合、
　Ｉｃ＿ｐｅｒｐ＝－（Ａ・α・Ｍｓ・Ｖ／ｇ（π）／Ｐ）（Ｈｋ－４πＭｓ）
　となる。
　ただし、Ａは定数、αはダンピング定数、Ｍｓは飽和磁化、Ｖは素子体積、Ｐはスピン分極率、ｇ（０）、ｇ（π）はそれぞれ同方向時、逆方向時にスピントルクが相手の磁性層に伝達される効率に対応する係数、Ｈｋは磁気異方性である。
　上記各式において、垂直磁化型の場合の（Ｈｋ－４πＭｓ）と面内磁化型の場合の（Ｈｋ＋２πＭｓ）とを比較すると、垂直磁化型が低記憶電流化により適していることが理解できる。
　ここで、反転電流Ｉｃ０は熱安定性の指標Δとの関係で表すと次の（数１）により表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
 　但しｅは電子の電荷、ηはスピン注入効率、バー付きのｈは換算プランク定数、αはダンピング定数、ｋBはボルツマン定数、Ｔは温度である。
　本実施の形態では、磁化状態により情報を保持することができる磁性層（記憶層１７）と、磁化の向きが固定された磁化固定層１５とを有する記憶素子を構成する。
　メモリとして存在し得るためには、書き込まれた情報を保持することができなければならない。情報を保持する能力の指標として、熱安定性の指標Δ（＝ＫＶ／ｋBＴ）の値で判断される。このΔは（数２）により表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
　ここで、Ｈｋは実効的な異方性磁界、ｋBはボルツマン定数、Ｔは温度、Ｍｓは飽和磁化量、Ｖは記憶層の体積、Ｋは異方性エネルギである。
　実効的な異方性磁界Ｈｋには、形状磁気異方性、誘導磁気異方性、結晶磁気異方性等の影響が取り込まれており、単磁区の一斉回転モデルを仮定した場合、これは保磁力と同等となる。
　熱安定性の指標Δと電流の閾値Ｉｃとは、トレードオフの関係になることが多い。そのため、メモリ特性を維持するには、これらの両立が課題となることが多い。
　記憶層の磁化状態を変化させる電流の閾値は、実際には、例えば記憶層１７の厚さが２ｎｍであり、平面パターンが直径１００ｎｍ円形のＴＭＲ素子において、百～数百μＡ程度である。
　これに対して、電流磁場により磁化反転を行う通常のＭＲＡＭでは、書き込み電流が数ｍＡ以上必要となる。
　従って、ＳＴ－ＭＲＡＭの場合には、上述のように書き込み電流の閾値が充分に小さくなるため、集積回路の消費電力を低減させるために有効であることが分かる。
　また、通常のＭＲＡＭで必要とされる、電流磁界発生用の配線が不要となるため、集積度においても通常のＭＲＡＭに比較して有利である。
　そして、スピントルク磁化反転を行う場合には、記憶素子に直接電流を流して情報の書き込み（記録）を行うことから、書き込みを行うメモリセルを選択するために、記憶素子を選択トランジスタと接続してメモリセルを構成する。
　この場合、記憶素子に流れる電流は、選択トランジスタで流すことが可能な電流（選択トランジスタの飽和電流）の大きさによって制限される。
　記録電流を低減させるためには、上述のように垂直磁化型を採用することが望ましい。また垂直磁化膜は一般に面内磁化膜よりも高い磁気異方性を持たせることが可能であるため、上述のΔを大きく保つ点でも好ましい。
　垂直異方性を有する磁性材料には希土類－遷移金属合金（ＴｂＣｏＦｅなど）、金属多層膜（Ｃｏ／Ｐｄ多層膜など）、規則合金（ＦｅＰｔなど）、酸化物と磁性金属の間の界面異方性の利用（Ｃｏ／ＭｇＯなど）等いくつかの種類があるが、希土類－遷移金属合金は加熱により拡散、結晶化すると垂直磁気異方性を失うため、ＳＴ－ＭＲＡＭ用材料としては好ましくない。
　また金属多層膜も加熱により拡散し、垂直磁気異方性が劣化することが知られており、さらに垂直磁気異方性が発現するのは面心立方の（１１１）配向となっている場合であるため、ＭｇＯやそれに隣接して配置するＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＢなどの高分極率層に要求される（００１）配向を実現させることが困難となる。Ｌ１０規則合金は高温でも安定であり、かつ（００１）配向時に垂直磁気異方性を示すことから、上述のような問題は起こらないものの、製造時に５００℃以上の十分に高い温度で加熱する、あるいは製造後に５００℃以上の高温で熱処理を行うことで原子を規則配列させる必要があり、トンネルバリア等積層膜の他の部分における好ましくない拡散や界面粗さの増大を引き起こす可能性がある。
　これに対し、界面磁気異方性を利用し、垂直異方性を有する磁性材料にとしてＣｏ－Ｆｅ－Ｂ合金があり、ＳＴ－ＭＲＡＭおいて大きな読み出し信号を与える高磁気抵抗変化率を実現するためにトンネル障壁としてＭｇＯと組み合わせが可能な点で有望視されている。
　しかしながら、他の材料と同様、短パルス領域での書き込み動作においては書き込み電流の増大が懸念される。
　これの解答として、本開示において筆者らは、図３Ｂに示すように記憶層１７にグラニュラー構造２２の酸化物２１を形成する構造を考案した。グラニュラー構造とは、材料中にナノスケールの微少な粒子が分散した状態とされる。
　例えば、記憶層１７は磁性材料としてＣｏ－Ｆｅ－Ｂを使用するが、このＣｏ－Ｆｅ－Ｂの結晶中に酸化物２１（例えば酸化ケイ素）の微少な粒子がＣｏ－Ｆｅ－Ｂの結晶中の一定の領域に分散している状態とされる。ここでいう分散状態とは酸化物粒子２１が均一な連続膜を形成していない状態をいう。これにより、反転電流が低下し、熱安定性を確保する記憶素子２０を実現することができる。
　さらに、選択トランジスタの飽和電流値を考慮して、記憶層１７と磁化固定層１５との間の非磁性の中間層１６として、絶縁体から成るトンネル絶縁層を用いて磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子を構成する。
　トンネル絶縁層を用いて磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子を構成することにより、非磁性導電層を用いて巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子を構成した場合と比較して、磁気抵抗変化率（ＭＲ比）を大きくすることができ、読み出し信号強度を大きくすることができるためである。
　そして特に、このトンネル絶縁層としての中間層１６の材料として、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を用いることにより、磁気抵抗変化率（ＭＲ比）を大きくすることができる。
　また、一般に、スピントランスファの効率はＭＲ比に依存し、ＭＲ比が大きいほど、スピントランスファの効率が向上し、磁化反転電流密度を低減することができる。
　従って、トンネル絶縁層の材料として酸化マグネシウムを用い、同時に上記の記憶層１７を用いることにより、スピントルク磁化反転による書き込み閾値電流を低減することができ、少ない電流で情報の書き込み（記録）を行うことができる。また、読み出し信号強度を大きくすることができる。
　これにより、ＭＲ比（ＴＭＲ比）を確保して、スピントルク磁化反転による書き込み閾値電流を低減することができ、少ない電流で情報の書き込み（記録）を行うことができる。また、読み出し信号強度を大きくすることができる。
　このようにトンネル絶縁層を酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜により形成する場合には、ＭｇＯ膜が結晶化していて、００１方向に結晶配向性を維持していることがより望ましい。
　なお、本実施の形態において、記憶層１７と磁化固定層１５との間の中間層１６（トンネル絶縁層）は、酸化マグネシウムから成る構成とする他にも、例えば酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ＳｉＯ2、Ｂｉ2Ｏ3、ＭｇＦ2、ＣａＦ、ＳｒＴｉＯ2、ＡｌＬａＯ3、Ａｌ－Ｎ－Ｏ等の各種の絶縁体、誘電体、半導体を用いて構成することもできる。
　トンネル絶縁層の面積抵抗値は、スピントルク磁化反転により記憶層１７の磁化の向きを反転させるために必要な電流密度を得る観点から、数十Ωμｍ2程度以下に制御する必要がある。
　そして、ＭｇＯ膜から成るトンネル絶縁層では、面積抵抗値を上述の範囲とするために、ＭｇＯ膜の膜厚を１．５ｎｍ以下に設定する必要がある。
　また、本開示の実施の形態において、記憶層１７に隣接してキャップ層１８が配置され、このキャップ層は酸化物層を有する。
　キャップ層１８の酸化物としては、たとえばＭｇＯ、酸化アルミニウム、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、Ｂｉ2Ｏ3、ＳｒＴｉＯ2、ＡｌＬａＯ3、Ａｌ－Ｎ－Ｏ等を用いる。
　また、記憶層１７の磁化の向きを、小さい電流で容易に反転できるように、記憶素子を小さくすることが望ましい。
　従って、好ましくは、記憶素子の面積を０．０１μｍ2以下とする。
　磁化固定層１５及び記憶層１７のそれぞれの膜厚は、０．５ｎｍ～３０ｎｍであることが好ましい。
　記憶素子のその他の構成は、スピントルク磁化反転により情報を記録する記憶素子の従来公知の構成と同様とすることができる。
　磁化固定層１５は、強磁性層のみにより、或いは反強磁性層と強磁性層の反強磁性結合を利用することにより、その磁化の向きが固定された構成とすることが出来る。
　また、磁化固定層１５は、単層の強磁性層から成る構成、或いは複数層の強磁性層を非磁性層を介して積層した積層フェリピン構造とすることが出来る。
　積層フェリピン構造の磁化固定層１５を構成する強磁性層の材料としては、Ｃｏ，ＣｏＦｅ，ＣｏＦｅＢ等を用いることができる。また、非磁性層の材料としては、Ｒｕ，Ｒｅ，Ｉｒ，Ｏｓ等を用いることができる。
　反強磁性層の材料としては、ＦｅＭｎ合金、ＰｔＭｎ合金、ＰｔＣｒＭｎ合金、ＮｉＭｎ合金、ＩｒＭｎ合金、ＮｉＯ、Ｆｅ2Ｏ3等の磁性体を挙げることができる。
　また、これらの磁性体に、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｂｉ，Ｔａ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｉｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ等の非磁性元素を添加して、磁気特性を調整したり、その他の結晶構造や結晶性や物質の安定性等の各種物性を調整したりすることができる。
　また、記憶素子の膜構成は、記憶層１７が磁化固定層１５の下側に配置される構成でも問題ない。この場合は、上記導電性酸化物キャップ層が果たす役割は、導電性酸化物下地層により担われることになる。
＜３．実施の形態の具体的構成＞
　続いて、実施の形態の具体的構成について説明する。
　記憶装置の構成は先に図１、図２で述べたとおり、直交する２種類のアドレス配線１、６（例えばワード線とビット線）の交点付近に、磁化状態で情報を保持することができる記憶素子３が配置されるものである。
　そして２種類のアドレス配線１、６を通じて、記憶素子３に上下方向の電流を流して、スピントルク磁化反転により記憶層１７の磁化の向きを反転させることができる。
　図３は実施の形態の記憶素子（ＳＴ－ＭＲＡＭ）の層構造の例を表している。
　既に説明した通り、図３Ａに示すように、記憶素子３は下層側から順に、下地層１４、磁化固定層１５、中間層１６、記憶層１７、キャップ層１８が積層されている。
　この場合、スピン注入により磁化Ｍ１７の向きが反転する記憶層１７に対して、下層に磁化固定層１５を設けている。
　スピン注入型メモリにおいては、記憶層１７の磁化Ｍ１７と磁化固定層１５の磁化Ｍ１５の相対的な角度によって情報の「０」「１」を規定している。
　記憶層１７と磁化固定層１５との間には、トンネルバリア層（トンネル絶縁層）となる中間層１６が設けられ、記憶層１７と磁化固定層１５とにより、ＭＴＪ素子が構成されている。また、磁化固定層１５の下には下地層１４が設けられる。
　記憶層１７と磁化固定層１５は、例えばＣｏ－Ｆｅ－Ｂ層とされる。
　記憶層１７は、磁化Ｍ１７の方向が層面垂直方向に自由に変化する磁気モーメントを有する強磁性体から構成されている。磁化固定層１５は、磁化Ｍ１５が膜面垂直方向に固定された磁気モーメントを有する強磁性体から構成されている。
　情報の記憶は一軸異方性を有する記憶層１５の磁化の向きにより行う。書込みは、膜面垂直方向に電流を印加し、スピントルク磁化反転を起こすことにより行う。このように、スピン注入により磁化の向きが反転する記憶層１５に対して、下層に磁化固定層１５が設けられ、記憶層１７の記憶情報（磁化方向）の基準とされる。
　磁化固定層１５は情報の基準であるので、記録や読み出しによって磁化の方向が変化してはいけないが、必ずしも特定の方向に固定されている必要はなく、記憶層１７よりも保磁力を大きくするか、膜厚を厚くするか、あるいは磁気ダンピング定数を大きくして記憶層１７よりも動きにくくすればよい。
　中間層１６は、例えば酸化マグネシウム（ＭｇＯ）層とされる。この場合には、磁気抵抗変化率（ＭＲ比）を高くすることができる。
　このようにＭＲ比を高くすることによって、スピン注入の効率を向上して、記憶層１７の磁化Ｍ１７の向きを反転させるために必要な電流密度を低減することができる。
　なお中間層１６は、酸化マグネシウムから成る構成とする他にも、例えば酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ＳｉＯ2、Ｂｉ2Ｏ3、ＭｇＦ2、ＣａＦ、ＳｒＴｉＯ2、ＡｌＬａＯ3、Ａｌ－Ｎ－Ｏ等の各種の絶縁体、誘電体、半導体を用いて構成することもできる。
　下地層１４およびキャップ層１８としては、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｒｕ等各種金属およびＴｉＮ等の導電性窒化物を用いることができる。また、下地層１４およびキャップ層１８は単層で用いても良いし、異なる材料を複数積層しても良い。
　図３Ｂに示す記憶素子２０の構造は、記憶素子３の構造とは記憶層１７の構造が相違するものである。記憶素子２０の記憶層１７は、酸化物２１がグラニュラー構造２２で形成された構造となっている。
　グラニュラー構造とは上述の通り、材料中にナノスケールの微少な粒子が分散した状態とされる。
　記憶層１７は磁性材料としてＣｏ－Ｆｅ－Ｂを使用するが、このＣｏ－Ｆｅ－Ｂの結晶中に酸化物（例えば酸化ケイ素）２１の微少な粒子がＣｏ－Ｆｅ－Ｂの結晶中の一定の領域に図３Ｂのように分散している状態とされる。ここでいう分散状態とは酸化物粒子２１が均一な連続膜を形成していない状態をいう。
　このような酸化物２１によるグラニュラー構造２２は、図３Ｂのように1つに限定されるものでなく２つ以上形成されていてもよい。
　酸化物２１として、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化コバルト、酸化ジリコニウム、酸化チタンおよび酸化クロムのうち、すくなくとも1つから選定できる。
　図３Ａ、図３Ｂの実施の形態においては、特に記憶層１７が受ける実効的な反磁界の大きさが記憶層１７の飽和磁化量Ｍｓよりも小さくなるように、記憶素子３の記憶層１７の組成が調整されている。
　即ち、記憶層１７は、強磁性材料Ｃｏ－Ｆｅ－Ｂ組成を選定するが、記憶層１７が受ける実効的な反磁界の大きさを低くして、記憶層１７の飽和磁化量Ｍｓよりも小さくなるようにする。
　これらの実施の形態の記憶素子３、２０は、下地層１４からキャップ層１８までを真空装置内で連続的に形成して、その後エッチング等の加工により記憶素子３のパターンを形成することにより、製造することができる。
　以上の本実施の形態によれば、反転電流が低下し、熱安定性を確保する記憶素子を実現することができる。
　すなわち、記憶層１７の磁化Ｍ１７の向きを反転させるために必要となる、書き込み電流量を低減することができる。
　また、情報保持能力である熱安定性を充分に確保することができるため、特性バランスに優れた記憶素子３、２０を構成することができる。
　これにより、動作エラーをなくして、動作マージンを充分に得ることができ、安定して動作させることができる。
　従って、安定して動作する、信頼性の高い記憶装置を実現することができる。
　また、書き込み電流を低減して、書き込みを行う際の消費電力を低減することが可能になる。
　さらに、本実施の形態の記憶素子により記憶装置を構成した、記憶装置全体の消費電力を低減することが可能になる。
　また、図３で説明した記憶素子３、２０を備え、図１に示した構成の記憶装置は、記憶装置を製造する際に、一般の半導体ＭＯＳ形成プロセスを適用できるという利点を有している。従って、本実施の形態の記憶装置を、汎用メモリとして適用することが可能になる。
＜４．実施の形態に関する実験およびシミュレーション＞
　ここで、図３Ａ、図３Ｂに示した本実施の形態の記憶素子３、２０の構成において、図４に示す試料を作製し、その特性を調べる実験および励起エネルギとの関係についてシミュレーションを実施した。
　実験は反転電流値と熱安定性の指標を求めるものである。記憶素子３、２０に１０ｎｓから１００ｍｓのパルス幅の電流を流して、その後の記憶素子の抵抗値を測定した。
　さらに、記憶素子３、２０に流す電流量を変化させて、この記憶素子３、２０の記憶層１７の磁化の向きが反転する電流値を求めた。
　また、記憶素子３、２０の磁気抵抗曲線を複数回測定することによって得られる保磁力の分散が記憶素子の前述した保持特性(熱安定性)の指標（Δ）に対応する。測定される保磁力の分散が少ないほど高いΔ値を持つ。そして、記憶素子間のばらつきを考慮するために、同一構成の記憶素子を各々２０個程度作製して、上述の測定を行い、反転電流値及び熱安定性の指標Δの平均値を求めた。
　実際の記憶装置には、図１に示したように、記憶素子３、２０以外にもスイッチング用の半導体回路等が存在するが、ここでは、キャップ層１８に隣接する記憶層１７の磁化反転特性を調べる目的で、記憶素子のみを形成したウェハにより検討を行った。
　実験用の記憶素子試料として、図４に示すように、
　・下地層１４：膜厚１０ｎｍのＴａ膜と膜厚１０ｎｍのＲｕ膜の積層膜。
　・磁化固定層１５：ＣｏＰｔ：２ｎｍ／Ｒｕ：０．７ｎｍ／［Ｃｏ２０Ｆｅ８０］７０Ｂ３０：２ｎｍの積層膜。
　・中間層（トンネル絶縁層）１６：膜厚１．０ｎｍのＭｇＯ膜。
　・キャップ層１８：／Ｔａ：５ｎｍ膜／
以上の各層を共通として上で、記憶層１７に以下のグラニュラー構造２２を形成し、５種類の試料を用意した。
　図４Ａ～Ｅに示すように、
　・試料１（図４Ａ）記憶層１７：グラニュラー構造２２なし
　・試料２（図４Ｂ）記憶層１７：Ｔａ：０．０５ｎｍのグラニュラー構造２２を形成
　・試料３（図４Ｃ）記憶層１７：ＭｇＯ：０．１ｎｍのグラニュラー構造２２を形成
　・試料４（図４Ｄ）記憶層１７：ＭｇＯ：０．２ｎｍのグラニュラー構造２２を形成
　・試料５（図４Ｅ）記憶層１７：ＡｌＯｘ：０．１ｎｍのグラニュラー構造２２を形成
　各試料は、厚さ０．７２５ｍｍのシリコン基板上に、厚さ３００ｎｍの熱酸化膜を形成し、その上に上記の構成の記憶素子を形成した。また下地層とシリコン基板との間に図示しない膜厚１００ｎｍのＣｕ膜（ワード線となるもの）を設けた。
　絶縁層以外の各層は、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて成膜した。酸化物を用いた絶縁層は、ＲＦマグネトロンスパッタ法もしくは、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて金属層を成膜した後酸化チャンバーで酸化した。記憶素子の各層を成膜した後に、磁場中熱処理炉で、３００℃・１時間の熱処理を行った。
　次に、ワード線部分をフォトリソグラフィによってマスクした後に、ワード線以外の部分の積層膜に対してＡｒプラズマにより選択エッチングを行うことにより、ワード線（下部電極）を形成した。この際に、ワード線部分以外は、基板の深さ５ｎｍまでエッチングした。
　その後、電子ビーム描画装置により記憶素子のパターンのマスクを形成し、積層膜に対して選択エッチングを行い、記憶素子を形成した。記憶素子部分以外は、ワード線のＣｕ層直上までエッチングした。
　なお、特性評価用の記憶素子には、磁化反転に必要なスピントルクを発生させるために、記憶素子に充分な電流を流す必要があるため、トンネル絶縁層の抵抗値を抑える必要がある。そこで、記憶素子のパターンを、短軸０．０９μｍ×長軸０．０９μｍの円形状として、記憶素子の面積抵抗値（Ωμｍ2）が２０Ωμｍ2となるようにした。
　次に、記憶素子部分以外を、厚さ１００ｎｍ程度のＡｌ2Ｏ3のスパッタリングによって絶縁した。その後、フォトリソグラフィを用いて、上部電極となるビット線及び測定用のパッドを形成した。このようにして、記憶素子の試料を作製した。
　以上、作製した記憶素子の各試料に対して、特性の評価を行った。測定に先立ち、反転電流のプラス方向とマイナス方向の値を対称になるように制御することを可能にするため、記憶素子に対して、外部から磁界を与えることができるように構成した。また、記憶素子に印加される電圧が、絶縁層が破壊しない範囲内の１Ｖまでとなるように設定した。
［実験］
　本実験は反転電流値と熱安定性の指標を求めるものである。記憶素子３、２０に１０ｎｓから１００ｍｓのパルス幅の電流を流して、その後の記憶素子の抵抗値を測定した。
　さらに、記憶素子３、２０に流す電流量を変化させて、この記憶素子３、２０の記憶層１７の磁化の向きが反転する電流値を求めた。
　また、記憶素子３、２０の磁気抵抗曲線を複数回測定することによって得られる保磁力の分散が記憶素子の前述した保持特性(熱安定性)の指標（Δ）に対応する。測定される保磁力の分散が少ないほど高いΔ値を持つ。そして、記憶素子間のばらつきを考慮するために、同一構成の記憶素子を各々２０個程度作製して、上述の測定を行い、反転電流値及び熱安定性の指標Δの平均値を求めた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１には試料１～５の電流による書き込みでの磁化反転特性について、パルス幅１００ｎｓでの反転電流値とパルス幅１０ｎｓでの反転電流値の比率をまとめた。パルス幅１００ｎｓは磁化反転に熱の影響が残る領域である。反対に、パルス幅１０ｎｓは断熱領域になり、熱の影響をほぼ受けない。
　したがって、１００ｎｓパルス幅および１０ｎｓパルス幅での反転電流を比べることで、短パルス領域での電流増大の程度を評価することが可能である。
　反転電流は短パルス領域になるに従い増大し、数十ｎｓ以下の領域では急激に増大することが知られている。
　記憶層１７に酸化物２１によるグラニュラー構造２２を形成した試料３～５に対し、グラニュラー構造２２のない試料１および非磁性体による構造の試料２ではパルス幅１０ｎｓにおける反転電流値の上昇が大きい。
　さらには、試料３、４のように同じ酸化物２１によるグラニュラー構造２２においても差が生じ、実験ではグラニュラー構造２２の性質が強い試料３にて短パルス領域での反転電流の抑制が強くなった。
　また、試料５のように、本開示では酸化物２１であれば、その材料によらずに効果を得ることができる。
　上述の効果が得られた理由は次のように考えることができる。
　記憶層１７の磁性体において、均一な連続膜ではなく粒状に分散しているグラニュラー構造２２が導入されると、記憶層１７内部の酸化物２１と磁性体の界面異方性が変調される。これは特にＣｏ－Ｆｅ－Ｂ合金と酸化物２１による材料系に強く影響し、粒状化した酸化物２１と磁性体が面内方向の接合を行うことで膜面内方向の界面異方性が発生する。
　つまり、膜面内方向の磁気異方性が生じる。結果、記憶層１７全体でみた場合、膜面垂直方向を向く磁化に対して膜面内方向の磁化成分が混入することになり、垂直磁気異方性と面内磁気異方性を同時に有する斜め磁化の状態（磁化の向きが膜面に垂直な方向から傾斜している状態）になる。今回の実験では、酸化物２１のグラニュラー構造２２に対して効果が発現した、これは酸化物２１がグラニュラー構造２２を形成しやすいこともあるが、上記の界面異方性の起源が酸化物２１であることからより強力な面内方向の磁気異方性が得られたものと考えられる。
　このモデルは、試料３、４においても反映され、グラニュラー性の強い構造（試料３）で、特に強い面内方向の磁気異方性が生じる。
［シミュレーション］
　斜め磁化が形成されることによる短パルス領域での反転電流の抑制、つまり磁化の高速反転特性の向上について、シミュレーションを行った。図５はその結果である。
　図５はある電流における励起エネルギＥと反転時間ｔｓとの関係を示したものである。横軸の励起エネルギＥは対数スケールでプロットしている。ここで、励起エネルギＥは電流を印加した時点における磁化方向から計算される値を用いる。磁化方向は熱揺らぎによって平衡状態からずれるが、励起エネルギＥが大きいほど（図５で言えば右側に行くほど）平衡状態からのずれが大きいことを意味する。
　励起エネルギＥと反転時間ｔｓの関係はつぎの（数３）であらわされる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000003
 　斜め磁化がなく、完全に磁化が平衡状態であれば、無限の反転時間が必要であるが、実際には熱揺らぎによって励起エネルギは０以上の値となるために、有限の時間で反転が可能である。
　その傾向が図５中の破線で示されている。横軸の励起エネルギＥを対数スケールにした場合、破線はほぼ直線となる。そして、励起エネルギＥが大きいほど、短い時間で反転することが分かる。
　一方、斜め磁化を用いた場合の励起エネルギＥと反転時間ｔｓの関係が図５中の実線で示されている。斜め磁化のない場合と異なり、励起エネルギＥが減少したときの反転時間ｔｓの増加が見られない。これは、励起エネルギＥが０（図５で示した対数スケールの場合には負の無限大）のときでも、一部の磁化の向きが垂直軸から傾いているために、有限のスピントルクが働くためである。
　よって、例えば、図５において２０ｎｓになるように特定の電流パルス幅を設定すると、斜め磁化状態では反転時間の飽和域に到達しているために１００%の確率で反転が起きるが、斜め磁化ではない状態ではさらに印加電流値を増やし反転確率を上昇させなければならない。このため、斜め磁化を用いた実施例は短パルス領域において反転電流を低減することに好適である。
　種々の検討の結果、グラニュラー構造２２を形成する材料が酸化物２１であれば、斜め磁化の効果を付与する本開示の効果を受けることができ、この場合の酸化物２１は酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化コバルト、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化クロムの少なくとも一つから選択することができる。また、実験ではＣｏ－Ｆｅ－Ｂ合金のＢ組成を３０％としたが、ＴＭＲ値や耐熱性の観点からＢ組成を２０～４０％程度と変化させても良い。
　また、下地層１４やキャップ層１８は、単一材料でも複数材料の積層構造でも良い。
　また磁化固定層１５は、単層でも、２層の強磁性層と非磁性層から成る積層フェリピン構造を用いても良い。また積層フェリピン構造膜に反強磁性膜を付与した構造でもよい。
＜５．変形例＞
　本開示の記憶素子３もしくは記憶素子２０の構造は、ＴＭＲ素子等の磁気抵抗効果素子の構成となるが、このＴＭＲ素子としての磁気抵抗効果素子は、上述の記憶装置のみならず、磁気ヘッド及びこの磁気ヘッドを搭載したハードディスクドライブ、集積回路チップ、さらにはパーソナルコンピュータ、携帯端末、携帯電話、磁気センサ機器をはじめとる各種電子機器、電気機器等に適用することが可能である。
　一例として図６Ａ、図６Ｂに、上記記憶素子３、２０の構造の磁気抵抗効果素子１０１を複合型磁気ヘッド１００に適用した例を示す。なお、図６Ａは、複合型磁気ヘッド１００について、その内部構造が分かるように一部を切り欠いて示した斜視図であり、図６Ｂは複合型磁気ヘッド１００の断面図である。
　複合型磁気ヘッド１００は、ハードディスク装置等に用いられる磁気ヘッドであり、基板１２２上に、本開示の技術を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッドが形成されてなるとともに、当該磁気抵抗効果型磁気ヘッド上にインダクティブ型磁気ヘッドが積層形成されてなる。ここで、磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、再生用ヘッドとして動作するものであり、インダクティブ型磁気ヘッドは、記録用ヘッドとして動作する。すなわち、この複合型磁気ヘッド１００は、再生用ヘッドと記録用ヘッドを複合して構成されている。
　複合型磁気ヘッド１００に搭載されている磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、いわゆるシールド型ＭＲヘッドであり、基板１２２上に絶縁層１２３を介して形成された第１の磁気シールド１２５と、第１の磁気シールド１２５上に絶縁層１２３を介して形成された磁気抵抗効果素子１０１と、磁気抵抗効果素子１０１上に絶縁層１２３を介して形成された第２の磁気シールド１２７とを備えている。絶縁層１２３は、Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2等のような絶縁材料からなる。
　第１の磁気シールド１２５は、磁気抵抗効果素子１０１の下層側を磁気的にシールドするためのものであり、Ｎｉ－Ｆｅ等のような軟磁性材からなる。この第１の磁気シールド１２５上に、絶縁層１２３を介して磁気抵抗効果素子１０１が形成されている。
　磁気抵抗効果素子１０１は、この磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、磁気記録媒体からの磁気信号を検出する感磁素子として機能する。そして、この磁気抵抗効果素子１０１は、上述した記憶素子３もしくは記憶素子２０と同様な膜構成とされる。
　この磁気抵抗効果素子１０１は、略矩形状に形成されてなり、その一側面が磁気記録媒体対向面に露呈するようになされている。そして、この磁気抵抗効果素子１０１の両端にはバイアス層１２８，１２９が配されている。またバイアス層１２８，１２９と接続されている接続端子１３０，１３１が形成されている。接続端子１３０，１３１を介して磁気抵抗効果素子１０１にセンス電流が供給される。
　さらにバイアス層１２８，１２９の上部には、絶縁層１２３を介して第２の磁気シールド層１２７が設けられている。
　以上のような磁気抵抗効果型磁気ヘッドの上に積層形成されたインダクティブ型磁気ヘッドは、第２の磁気シールド１２７及び上層コア１３２によって構成される磁気コアと、当該磁気コアを巻回するように形成された薄膜コイル１３３とを備えている。
　上層コア１３２は、第２の磁気シールド１２２と共に閉磁路を形成して、このインダクティブ型磁気ヘッドの磁気コアとなるものであり、Ｎｉ－Ｆｅ等のような軟磁性材からなる。ここで、第２の磁気シールド１２７及び上層コア１３２は、それらの前端部が磁気記録媒体対向面に露呈し、且つ、それらの後端部において第２の磁気シールド１２７及び上層コア１３２が互いに接するように形成されている。ここで、第２の磁気シールド１２７及び上層コア１３２の前端部は、磁気記録媒体対向面において、第２の磁気シールド１２７及び上層コア１３２が所定の間隙ｇをもって離間するように形成されている。
　すなわち、この複合型磁気ヘッド１００において、第２の磁気シールド１２７は、磁気抵抗効果素子１２６の上層側を磁気的にシールドするだけでなく、インダクティブ型磁気ヘッドの磁気コアも兼ねており、第２の磁気シールド１２７と上層コア１３２によってインダクティブ型磁気ヘッドの磁気コアが構成されている。そして間隙ｇが、インダクティブ型磁気ヘッドの記録用磁気ギャップとなる。
　また、第２の磁気シールド１２７上には、絶縁層１２３に埋設された薄膜コイル１３３が形成されている。ここで、薄膜コイル１３３は、第２の磁気シールド１２７及び上層コア１３２からなる磁気コアを巻回するように形成されている。図示していないが、この薄膜コイル１３３の両端部は、外部に露呈するようになされ、薄膜コイル１３３の両端に形成された端子が、このインダクティブ型磁気ヘッドの外部接続用端子となる。すなわち、磁気記録媒体への磁気信号の記録時には、これらの外部接続用端子から薄膜コイル１３２に記録電流が供給されることとなる。
　以上のような複合型磁気ヘッド１２１は、再生用ヘッドとして磁気抵抗効果型磁気ヘッドを搭載しているが、当該磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録媒体からの磁気信号を検出する感磁素子として、本開示の技術を適用した磁気抵抗効果素子１０１を備えている。そして、本開示の技術を適用した磁気抵抗効果素子１０１は、上述したように非常に優れた特性を示すので、この磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録の更なる高記録密度化に対応することができる。
　なお本技術は以下のような構成も採ることができる。
　（１）情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、
　上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、
　上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層と、
　を有する層構造を備え、
　上記記憶層は、グラニュラー構造の酸化物の領域を含み、
　上記層構造の積層方向に電流を流すことにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われる記憶素子。
　（２）上記酸化物が酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化コバルト、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化クロムの少なくとも一つからなる上記（１）に記載の記憶素子。　
　（３）上記記憶層の磁化の向きが膜面に垂直な方向から傾斜している上記（１）又は（２）に記載の記憶素子。
　（４）上記グラニュラー構造の酸化物の存在する領域が上記記憶層に２つ以上形成されている上記（１）乃至（３）いずれかに記載の記憶素子。
　（５）上記記憶層を構成する強磁性材料はＣｏ－Ｆｅ－Ｂである上記（１）乃至（３）いずれかに記載の記憶素子。
　１　ゲート電極、２　素子分離層、３　２０　記憶素子、４　コンタクト層、６　ビット線、７　ソース領域、８　ドレイン領域、９　配線、１０　半導体基体、１４　下地層、１５　磁化固定層、１６　中間層、１７　記憶層、１８　キャップ層、２１　酸化物、２２　グラニュラー構造、１００　複合型磁気ヘッド、１２２　基板、１２３　絶縁層、１２５　第１の磁気シールド、１２７　第２の磁気シールド　、１２８　１２９　バイアス層、１３０　１３１　接続端子、１３２　上層コア、１３３　薄膜コイル

Claims (6)

  1. 　情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、
    　上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、
    　上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層と、
    　を有する層構造を備え、
    　上記記憶層は、グラニュラー構造の酸化物の領域を含み、
    　上記層構造の積層方向に電流を流すことにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われる記憶素子。
  2. 　上記酸化物が酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化コバルト、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化クロムの少なくとも一つからなる請求項１に記載の記憶素子。
  3. 　上記記憶層の磁化の向きが膜面に垂直な方向から傾斜している請求項２に記載の記憶素子。
  4. 　上記グラニュラー構造の酸化物の存在する領域が上記記憶層に２つ以上形成されている請求項１に記載の記憶素子。
  5. 　上記記憶層を構成する強磁性材料はＣｏ－Ｆｅ－Ｂである請求項１に記載の記憶素子。
  6. 　情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶素子と、
    　互いに交差する２種類の配線とを備え、
    　上記記憶素子は、
    　情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、
    　上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、
    　上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層と、
    　を有する層構造を備え、
    　上記層構造の積層方向に電流を流すことにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われるとともに、
    　上記記憶層は、グラニュラー構造の酸化物の領域を含み、
    　上記２種類の配線の間に上記記憶素子が配置され、
    　上記２種類の配線を通じて、上記記憶素子に上記積層方向の電流が流れる記憶装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007287923A (ja) * 2006-04-17 2007-11-01 Sony Corp 記憶素子及びメモリ
JP2011060918A (ja) * 2009-09-08 2011-03-24 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> スピン注入磁化反転素子、磁気ランダムアクセスメモリ、光変調器、表示装置、ホログラフィ装置、ホログラム記録装置および光変調器の製造方法
JP2011175987A (ja) * 2008-05-09 2011-09-08 Fuji Electric Co Ltd スピンバルブ素子および記憶装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007287923A (ja) * 2006-04-17 2007-11-01 Sony Corp 記憶素子及びメモリ
JP2011175987A (ja) * 2008-05-09 2011-09-08 Fuji Electric Co Ltd スピンバルブ素子および記憶装置
JP2011060918A (ja) * 2009-09-08 2011-03-24 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> スピン注入磁化反転素子、磁気ランダムアクセスメモリ、光変調器、表示装置、ホログラフィ装置、ホログラム記録装置および光変調器の製造方法

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