WO2012033125A1

WO2012033125A1 - 基板、基板の製造方法およびｓａｗデバイス

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Publication number: WO2012033125A1
Application number: PCT/JP2011/070375
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Inventors: 裕辻; 中山　茂
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2010-09-07
Filing date: 2011-09-07
Publication date: 2012-03-15
Anticipated expiration: 2013-03-07
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Abstract

　より低コストで適度な強度を有し、かつ圧電体基板などと強固に接合することが可能な基板が得られる。スピネルからなる、ＳＡＷデバイス用の基板（１）であって、基板（１）の一方の主表面（１ａ）の段差ＰＶ値が２ｎｍ以上８ｎｍ以下である。基板（１）の一方の主表面（１ａ）の平均粗さＲａの値が０．０１ｎｍ以上０．５ｎｍ以下であることが好ましい。このようにすれば、基板（１）においてＳＡＷデバイスの圧電体基板と接合する主表面（１ａ）を、圧電体基板を構成する圧電材料とファンデルワールス力を利用して良好に接合することができる。

Description

基板、基板の製造方法およびＳＡＷデバイス

　本発明は、ＳＡＷデバイス用の基板、基板の製造方法およびＳＡＷデバイスに関するものである。

　携帯電話の内部には、電気信号のノイズをカットし、所望の周波数の電気信号のみを送受信するための、ＳＡＷフィルタと呼ばれる電子部品が組み込まれている。ＳＡＷ（Surface　Acoustic　Wave）フィルタとは表面波フィルタを意味する。ＳＡＷフィルタなどのＳＡＷデバイスは圧電効果を有する材料からなる圧電体基板を用いる。ＳＡＷデバイスは通常、使用時に圧電体基板が発生する熱を放出するために、放熱性に優れた保持基板上に接合された状態で使用される。

　たとえば特開２００８－３０１０６６号公報（特許文献１）には、低熱膨張係数の保持基板とＳＡＷデバイスの圧電体基板とが接合された複合基板が開示されている。

　また上記の圧電体基板と保持基板とを接合する方法については、たとえば特開２００４－３４３３５９号公報（特許文献２）に開示されている。具体的には、圧電体基板と保持基板とを洗浄して両者の接合面上の不純物を除去した後、上記接合面に不活性ガスまたは酸素のイオンビーム、中性化ビームまたはプラズマ等を照射することで、残留した不純物を除去するとともに接合面の表層が活性化される。活性化された接合面において、圧電体基板と保持基板とが接合される。

　圧電体基板は、入力される電気信号により応力を受けて変形する。そのため、圧電体基板が載置される保持基板には高い強度が要求される。このため従来から用いられるＳＡＷデバイスの圧電体基板を載置する保持基板は、たとえばＦＵＪＩＴＳＵ　ＳＡＷフィルター（非特許文献１）に示すようにサファイアから構成されるものがある。

特開２００８－３０１０６６号公報特開２００４－３４３３５９号公報

"ＳＡＷフィルター"、[online]、２００８年６月、[２００９年９月９日検索]、インターネット<URL:　http://jp.fujitsu.com/group/labs/downloads/business/activities/activities-2/fujitsu-labs-netdev-001.pdf>

　しかしながら上記の各文献に開示される保持基板としては、主にサファイア単結晶基板が用いられる。サファイアの単結晶は一般に高価である。このためサファイアからなる、ＳＡＷデバイスの圧電体基板を載置する基板の生産はコスト高となっていた。

　またサファイアは、ＳＡＷデバイスの圧電体基板を載置する基板として十分な強度を有するが、硬度が非常に高いため、形成する基板にチッピングなどの不具合が発生することがある。またサファイアは硬度が高いため、所望の形状の基板に切削加工することが困難である。このため切削速度が上げられないことも、サファイア基板のコスト高の遠因となっていた。さらにサファイアは、単結晶特有の劈開性を有しており、圧電体基板の変形がサファイア保持基板に与える応力により割れる可能性が高いという問題点を有している。

　ところでたとえば特許文献１においては接着剤により保持基板と圧電体基板とが接合されている。しかし圧電体基板を保持基板に高精度に接合するためには、両者間のファンデルワールス力を利用した接合がなされることが好ましい。

　ファンデルワールス力を利用して基板を接合する場合、接合面が優れた平坦度を有することが好ましい。このためたとえば保持基板の圧電体基板との接合面に対し、粗研磨と通常研磨と、ダイヤ砥粒を用いた研磨との３種類が行なわれることが好ましい。ところがダイヤ砥粒による研磨がなされた保持基板の接合面においても、圧電体基板の接合面と貼り合わせる際に、両接合面の間に多数のボイドが形成され、両者が接合されないという問題がある。

　特許文献２においてはイオンビームやプラズマ等が接合面上に照射され、接合面を活性化してアモルファス層を形成した上で、両者が接合される。しかし特許文献２においては接合面の研磨処理については記載されていないため、当該文献に開示される接合方法を用いても、当該接合面の粗度や段差に起因する接合不良が発生する可能性がある。

　本発明は、以上の問題に鑑みなされたものである。その目的は、より低コストで適度な強度を有し、ファンデルワールス力により圧電体基板と強固に接合することが可能な基板、当該基板の製造方法および当該基板を用いたＳＡＷデバイスを提供することである。

　本発明に係る基板は、スピネルからなる、ＳＡＷデバイス用の基板であって、基板の一方の主表面の段差ＰＶ値が２ｎｍ以上８ｎｍ以下である。なおここで主表面とは、表面のうち最も面積の大きい主要な面をいう。

　本発明の発明者は鋭意研究の結果、たとえば上述したＳＡＷフィルタなどのＳＡＷデバイスを載置する保持基板として、サファイアの代わりに、光学素子の分野で主に用いられるスピネルを用いることができる可能性があることを見出した。スピネルの強度などの物性値は、サファイアの強度などの物性値に近い。スピネルを用いて形成するＳＡＷデバイス用の保持基板も、サファイアからなるＳＡＷデバイス用の保持基板と同様に実用に耐えうるという可能性を見出した。たとえば、スピネル製のＳＡＷデバイス用保持基板は、サファイア製のＳＡＷデバイス用保持基板と同等ではないが実用上問題ないレベルの強度（ヤング率）を示す。またスピネルは、ＳＡＷデバイスを構成する圧電体基板が発生する熱を放熱するため実用上問題ないレベルの熱伝導率を有する。

　しかし従来、ＳＡＷデバイス用の保持基板としてはサファイアなどの単結晶体を用いることが技術常識であり、当業者の間ではそもそも多結晶体のスピネルを基板材料の候補とすること自体、考えられていなかった。発明者は当業者の常識にとらわれることなく研究を進めた結果、スピネルをＳＡＷデバイス用保持基板として用いうるという知見を得た。サファイアの代わりにスピネルを用いてＳＡＷデバイス用保持基板（スピネル保持基板）を形成すれば、当該基板の生産コストを低減することができる。

　また本発明の発明者は鋭意研究の結果、上記のスピネル保持基板の、ＳＡＷフィルタなどを構成する圧電体基板との接合面の段差を示すＰＶ（peak-to-valley）値が、接合面における接合状態に影響することを見出した。ここでＰＶ値とは、表面の断面曲線における最大山高さと最大谷深さとの高さの差（段差）を示す値である。

　ファンデルワールス力を利用して圧電体基板と接合しようとする場合、スピネル保持基板の接合面が平坦であれば、当該接合面は圧電体基板と良好に接合される。本発明の発明者は鋭意研究の結果、スピネルからなる基板の接合面におけるＰＶ値が２ｎｍ以上８ｎｍ以下である場合に、圧電体基板と良好に接合されることを見出した。したがって当該基板の、圧電体基板と接合する主表面を、圧電体基板を構成する圧電材料とファンデルワールス力を利用して良好に接合することができる。

　上述した基板においては、基板の一方の主表面の平均粗さＲａの値が０．０１ｎｍ以上０．５ｎｍ以下であることが好ましい。

　サファイアの結晶は単結晶であるため、サファイアからなる基板は、主表面の平均粗さＲａの値が良好となるよう加工することが容易である。一方スピネルの結晶は多結晶であるため、一般に隣接する結晶粒界において面粗度が大きくなる。しかしスピネルの多結晶を用いた上記基板においても、加工方法を制御することにより、主表面の平均粗さＲａの値を０．０１ｎｍ以上０．５ｎｍ以下という優れた平坦度にすることができることを、本発明の発明者は見出した。したがって当該基板の、圧電体基板と接合する主表面は、圧電体基板を構成する圧電材料とファンデルワールス力を利用して良好に接合することができる。

　以上より、上述したスピネル製の基板を用いたＳＡＷデバイスは、上述したように従来のサファイアを用いたＳＡＷデバイスより安価でありながら、サファイア製の基板と同等であり、実用上問題ないレベルの強度を有する基板が用いられているため、電気信号の伝達特性などが安定する。

　また、上記基板においては、主表面について、縦５ｍｍ×横５ｍｍの四角形状の複数の領域を設定した場合、当該複数の領域のうち、主表面の外周から３ｍｍの範囲に入る領域を除いた部分である複数の評価対象領域について、ＬＴＶ（Ｌｏｃａｌ　Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ　Ｖａｒｉａｔｉｏ）が１．０μｍ以下となっている評価対象領域の割合を示すＰＬＴＶ（Ｐｅｒｃｅｎｔ　ＬＴＶ）が９０％以上であってもよい。

　また、異なる観点から言えば、本発明に従った基板は、スピネルからなる、ＳＡＷデバイス用の基板であって、当該基板は一方の主表面を有し、主表面について、縦５ｍｍ×横５ｍｍの四角形状の複数の領域を設定した場合、複数の領域のうち、主表面の外周から３ｍｍの範囲に入る前記領域を除いた部分である複数の評価対象領域について、ＬＴＶが１．０μｍ以下となっている評価対象領域の割合を示すＰＬＴＶが９０％以上である。上記のＰＬＴＶが少なくとも９０％あれば、多結晶体であるスピネル製の基板でも、ＳＡＷデバイスを構成する圧電体基板を当該基板の主表面に接着材料を用いることなく高い精度で直接接合することが可能となる。したがって、この基板を用いることで、サファイア基板を用いた場合と同等の優れた特性を有するＳＡＷデバイスを、従来より低コストで得ることができる。

　本発明に係る基板の製造方法は、スピネルからなる、ＳＡＷデバイス用の基板の製造方法であって、基板を準備する工程と、基板の一方の主表面に化学的機械研磨を施す工程とを備えている。なお、ここで基板を準備する工程としては、たとえば図６に示す、原料粉末準備、成型、焼結、および切断の各工程を含む。

　本発明に係る基板の主表面の、２ｎｍ以上８ｎｍ以下であるＰＶ値や、０．０１ｎｍ以上０．５ｎｍ以下であるＲａ値は、基板の一方の主表面に化学的機械研磨であるＣＭＰ（Chemical　Mechanical　Polishing）がなされることにより達成することができる。つまり、化学的機械研磨を施す工程を行なった後における、基板の一方の主表面のＰＶ値は２ｎｍ以上８ｎｍ以下であり、また当該基板の一方の主表面のＲａ値は０．０１ｎｍ以上０．５ｎｍ以下であってもよい。したがってスピネルからなる保持基板に対して化学的機械研磨を行なえば、当該保持基板を、ファンデルワールス力を利用して圧電体基板と良好に接合可能なものとすることができる。つまり上述したスピネル製の基板を用いたデバイスは、上述したようにサファイアからなる基板を用いたデバイスより安価でありながら、サファイア製の基板と同等であり、実用上問題ないレベルの強度や放熱性を有する基板が用いられているため、電気信号の伝達特性などが安定する。

　上記基板の製造方法において、化学的機械研磨を施す工程では、定盤上に配置された研磨パッドと、研磨パッドと対向するように配置された研磨ヘッドとの間に基板が挟まれた状態で当該基板が研磨されてもよい。さらに、研磨ヘッドと基板との間には研磨ヘッドより硬度の低い軟質層が配置されていてもよい。この場合、基板の平坦性を向上させることができる。その結果、主表面に圧電体基板を容易に接合することが可能な基板を得ることができる。

　この発明に従ったＳＡＷデバイスは、上記基板と、当該基板の一方の主表面上に配置された圧電体基板とを備える。上記のように、スピネル製の基板を用いれば、サファイア製の基板を用いたＳＡＷデバイスと同等の特性を有するＳＡＷデバイスを、より安価に提供することができる。また、上記基板と圧電体基板とは接合されていてもよい。接合方法としては、表面活性化法などを用いて基板と圧電体基板とを直接接合してもよい。なお、ＳＡＷデバイスの要求特性などによっては、接着材料を用いて基板と圧電体基板とを接合してもよい。

　本発明によれば、実用上問題ない強度を有し、ファンデルワールス力を利用してＳＡＷフィルタなどの圧電体基板と良好に接合することが可能なスピネル保持基板を、安価に提供することができる。

本実施の形態に係る基板の態様を示す概観図である。図１の基板を用いたＳＡＷフィルタの態様を示す概観図である。図１の基板を用いたＢＡＷフィルタの態様を示す概観図である。図３のＩＶ，Ｖ－ＩＶ，Ｖ線に沿う部分における断面の態様の一例を示す概略断面図である。図３のＩＶ，Ｖ－ＩＶ，Ｖ線に沿う部分における断面の態様の、図４とは異なる他の例を示す概略断面図である。本実施の形態に係る基板の製造方法を説明するためのフローチャートである。本実施の形態に係る基板の研磨方法を説明するためのフローチャートである。化学的機械研磨工程の一例を説明するための模式図である。図２に示した発光素子の製造方法を説明するためのフローチャートである。試料Ｎｏ．１の基板の主表面における凹凸の状態を３次元で示した模式図である。試料Ｎｏ．１の基板の主表面におけるＰＬＴＶを説明するための模式図である。試料Ｎｏ．１の基板を用いた接合基板の外観を示す写真である。試料Ｎｏ．２の基板の主表面における凹凸の状態を３次元で示した模式図である。試料Ｎｏ．２の基板の主表面におけるＰＬＴＶを説明するための模式図である。試料Ｎｏ．２の基板を用いた接合基板の外観を示す写真である。試料Ｎｏ．３の基板の主表面における凹凸の状態を３次元で示した模式図である。試料Ｎｏ．３の基板の主表面におけるＰＬＴＶを説明するための模式図である。試料Ｎｏ．３の基板を用いた接合基板の外観を示す写真である。試料Ｎｏ．４の基板の主表面における凹凸の状態を３次元で示した模式図である。試料Ｎｏ．４の基板の主表面におけるＰＬＴＶを説明するための模式図である。試料Ｎｏ．４の基板を用いた接合基板の外観を示す写真である。

　以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。

　（実施の形態１）
　図１に示すように、本実施の形態の基板１は、たとえば主表面１ａが直径４インチであり、スピネルからなるウェハである。基板１を構成するスピネルとしてはたとえばＭｇＯ・ｎＡｌ_２Ｏ_３（１≦ｎ≦３）が挙げられる。

　基板１は、たとえば電子デバイス中の放熱用の部品として用いられてもよいし、高周波発信機用のフィルタとして用いられてもよい。あるいは自動車部品として用いる電子デバイス用の基板として用いられてもよい。その他基板１は、たとえば図２に示すように、ＳＡＷデバイスとしてのＳＡＷフィルタ２を構成する圧電体基板１０を載置（接合）する保持基板として用いられる。

　図２における基板１は、図１に示す基板１の一部の領域である。基板１の主表面１ａ上に、圧電体基板１０が接合される。そして圧電体基板１０の、基板１と対向する主表面と反対側の主表面上（図２における上側の主表面上）には、金属薄膜からなる櫛型形状の電極３および電極４が形成されている。

　たとえば図２における電極３を音波の信号入力用の電極、電極４を音波の信号出力用の電極とする。電極３は第１極３ａと第２極３ｂ、電極４は第１極４ａと第２極４ｂとのそれぞれ１組からなる。第１極３ａと第２極３ｂとの間にたとえば交流電圧を印加し、第１極４ａと第２極４ｂとの間にもたとえば交流電圧を印加する。そして第１極３ａと第２極３ｂとの間に印加した交流電圧による電流に、音波の信号を入力する。すると電極３、４が形成された圧電体基板１０を構成する結晶粒子（原子）同士が応力を受けることにより圧電効果により近づいたり離れたりするため、圧電体基板１０の主表面が波打つように振動する。

　しかし図２に示すように、第１極３ａ、４ａおよび第２極３ｂ、４ｂはそれぞれ櫛型形状を有する。したがってたとえば電極３に入力される音波の信号のうち、第１極３ａの櫛型成分３ｃと櫛型成分３ｄとの距離に相当する波長の音波の信号のみが、共振して出力側の電極４から外部へ伝播される。つまり上述した波長以外の波長を持つ音波の信号は、出力側の電極４から外部へ伝播されず、ＳＡＷフィルタ２の内部にて遮断されることになる。このような原理によりＳＡＷフィルタ２は、所望の波長を持つ音波の信号のみを外部に出力することにより、所望の波長以外の音波の信号（つまり雑音）を遮断し、出力信号のノイズを排除することができる。

　特に図２に示すＳＡＷフィルタ用のベース基板として基板１を用いた場合、基板１の一方の主表面すなわち圧電体基板１０が接合される主表面１ａは、圧電体基板１０を構成する結晶粒子（分子）とファンデルワールス力により結合されることが好ましい。より具体的には、圧電体基板１０を構成する材料の分子と、基板１を構成するスピネルの分子とは、ファンデルワールス力により結合されることが好ましい。スピネルからなる基板１の主表面１ａ上にたとえば接着剤を用いて圧電体基板１０を接合することは困難である。このためスピネルからなる基板１の主表面１ａ上に圧電体基板１０を安定に載置するためには、上述したファンデルワールス力を利用して主表面１ａ上に圧電体基板１０が強固に接合されることが好ましい。

　さらに本実施の形態に係るスピネル製の基板１は、たとえば図３に示すように、共振器２０（下部電極６と上部電極７と、これらに挟まれた圧電膜８とからなる）が基板１の主表面１ａ上に載置（接合）された構成を有するＢＡＷ（Bulk　Acoustic　Wave）フィルタ５を載置（接合）する保持基板として用いられてもよい。

　下部電極６や上部電極７は、たとえばモリブデンなどの電極を構成する一般公知の金属材料からなることが好ましい。また圧電膜８は、たとえばＡｌＮ（窒化アルミニウム）やＺｎＯ（酸化亜鉛）などのセラミックス材料からなることが好ましい。

　ＢＡＷフィルタ５においては、共振器２０の下部電極６と、基板１の主表面１ａとが、ＳＡＷフィルタ２における圧電体基板１０と基板１の主表面１ａとの接合と同様に、ファンデルワールス力により接合される。

　ＢＡＷフィルタ５はたとえば図４に示す構成を有するＦＢＡＲ（Film　Bulk　Acoustic　Resonator）型のデバイスであってもよいし、図５に示す構成を有するＳＭＲ（Solid　Mounted　Resonator）型のデバイスであってもよい。たとえば図４に示すＦＢＡＲ型のＢＡＷフィルタ５は、基板１のうち、主表面１ａから一定の深さ分だけ空洞部９が形成されており、共振器２０の一部が空洞部９と対向する構成を有するＢＡＷフィルタである。また図５に示すＳＭＲ型のＢＡＷフィルタ５は、基板１上に、低インピーダンス膜１１と高インピーダンス膜１２とが交互に複数層ずつ積層された構成を有するＢＡＷフィルタである。

　ＳＡＷフィルタ２が表面波（表面弾性波）を利用するのに対して、ＢＡＷフィルタ５はバルク弾性波を利用し、圧電膜８自体の共振振動を利用して動作する。たとえば図４のＦＢＡＲ型のＢＡＷフィルタ５は、共振器２０の下部の空洞部９を利用して、圧電膜８が自由に振動する。図５のＳＭＲ型のＢＡＷフィルタ５の場合は、共振器２０の下部に設けられた音響多層膜としての低インピーダンス膜１１および高インピーダンス膜１２により、たとえば図５の上方から下方へ進行する弾性波が反射されて圧電膜８に到達し、圧電膜８を振動させる。

　圧電膜８が振動すると、ＳＡＷフィルタ２の圧電体基板１０が振動する場合と同様に、特定の波長の音波の信号のみが、共振して出力側の電極（たとえば上部電極７）から外部へ伝播される。したがって出力信号のノイズを排除することができる。

　これらのようにファンデルワールス力を利用してスピネルからなる基板１の主表面１ａ上に圧電体基板１０を安定に接合するためには、主表面１ａが平坦性に優れることが好ましい。具体的には、主表面１ａの段差を示すＰＶの値が２ｎｍ以上８ｎｍ以下であることが好ましい。なおここでＰＶとは、主表面１ａのうち、特にたとえば圧電体基板１０の接合面と直接接合される部分におけるＰＶを意味するものとする。

　当該ＰＶの値を２ｎｍ以上８ｎｍ以下とすれば、主表面１ａが優れた平坦性を有することになる。このため、保持基板としての基板１と圧電体基板１０とを、主表面１ａを接合面としてファンデルワールス力を利用して、強固に安定に接合することができる。ただしＰＶの値が２ｎｍ未満となるようにするためには、主表面１ａが非常に平坦になるように加工する必要があるため、加工コストが向上する。このため、合理的なコストおよび加工時間で達成可能なＰＶは２ｎｍ以上ということになる。なお、上述した合理的な加工コストおよび圧電体基板１０の接合強度の確保の観点から、上述したＰＶの値は４ｎｍ以上６ｎｍ以下であることがより好ましい。なおここでＰＶとは、主表面１ａのうち、特に圧電体基板１０の接合面と直接接合される部分におけるＰＶを意味するものとする。

　さらに基板１は、主表面１ａの算術平均粗さＲａの値が０．０１ｎｍ以上０．５ｎｍ以下であることが好ましい。当該Ｒａの値を０．５ｎｍ以下とすれば、主表面１ａが優れた平坦性を有することになる。このため、基板１と圧電体基板１０とを、主表面１ａを接合面としてファンデルワールス力を利用して、強固に安定に接合することができる。

　ただしＲａの値が０．０１ｎｍ未満となるようにするためには、主表面１ａが非常に平坦になるように加工する必要があるため、加工コストが向上する。このため、合理的なコストおよび加工時間で達成可能なＲａは０．０１ｎｍ以上ということになる。なお、上述した合理的な加工コストおよび圧電体基板１０の接合強度の確保の観点から、上述したＲａの値は０．０１ｎｍ以上０．５ｎｍ以下であることがより好ましい。

　ただし基板１を、たとえば上述した高周波発信機用のフィルタなど、ＳＡＷフィルタ２やＢＡＷフィルタ５以外のデバイス用の基板として用いる場合には、基板の当該用途に応じて、必ずしも上述した主表面１ａの平坦性が要求されない場合もある。

　基板１は、上記のように振動する圧電体基板１０や共振器２０を支持する。このため基板１には相当の応力が加わる。また圧電体基板１０が作動すると圧電体基板１０は発熱し、その熱が基板１にも伝播する。つまりこの際、基板１には熱応力が発生する。このため基板１は、相応の強度を有することが好ましい。あるいは基板１を上述したＳＡＷフィルタ２以外のデバイス用の基板として用いる場合においても、過酷な条件下に基板１を用いることがあるため、基板１はＳＡＷフィルタ２に用いる場合と同様に相応の強度を有することが好ましい。

　構造体は一般に、ヤング率が高いと強度が高くなり、ヤング率が低いと強度が低くなる。したがって基板１は、上述した条件での使用に耐えうる強度を備えるために、ヤング率が１５０ＧＰａ以上３５０ＧＰａ以下であることが好ましい。基板１のヤング率が１５０ＧＰａ以上であれば、上記条件での使用に耐えうる強度を有するものとなる。また構造体は一般に、ヤング率が高いと硬度が高くなり、ヤング率が低いと硬度が低くなる。このためたとえば基板１のヤング率が３５０ＧＰａを超えると、基板１の硬度が過剰に高くなるためにチッピングを起こす可能性が高くなる。また基板１のヤング率が３５０ＧＰａを超えると、基板１の硬度が過剰に高くなるために加工が困難となる。このため適切な強度を有し、かつチッピングなどの不具合を抑制する観点から基板１のヤング率は上記範囲内であることが好ましく、そのなかでも１８０ＧＰａ以上３００ＧＰａ以下であることが最も好ましい範囲であるといえる。

　次に、上記基板１の製造方法について説明する。図６のフローチャートに示すように、まず高純度スピネル粉末準備工程（Ｓ１０）を実施する。これは具体的には、上述したスピネルからなる基板１を形成する材料としてのスピネル粉末を準備する工程である。より具体的には、組成式がＭｇＯ・ｎＡｌ_２Ｏ_３（１≦ｎ≦３）であり、平均粒径が０．１μｍ以上０．３μｍ以下であり、純度が９９．５％以上であるスピネル粉末を準備することが好ましい。

　上述した組成のスピネル粉末を準備するためには、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）粉末とＡｌ_２Ｏ_３（アルミナ）粉末とを、１≦Ａｌ_２Ｏ_３／ＭｇＯ≦３の混合比率（物質量比）となるように混合することが好ましい。

　なお、ここで粉末粒子の粒径とは、レーザ回折・散乱法による粒子径分布測定方法を用いて測定した場合における、小粒径側から大粒径側に向けて当該粉末の体積を積算した累積体積が５０％となる箇所における粉末断面の直径の値を意味する。上述した粒子径分布測定方法とは具体的には、粉末粒子に照射したレーザ光の散乱光の散乱強度分布を解析することにより、粉末粒子の直径を測定する方法である。準備したスピネル粉末中に含まれる複数の粉末粒子の粒径の平均値が、上述した平均粒径である。

　次に図６に示す成形工程（Ｓ２０）を実施する。これは具体的には、プレス成形またはＣＩＰ（Cold　Isostatic　Pressing；冷間等方圧加工法）により成形する。より具体的には、たとえば工程（Ｓ１０）で準備したＭｇＯ・ｎＡｌ_２Ｏ_３の粉末を、まずプレス成形により予備成形した後、ＣＩＰを行ない、成形体を得ることが好ましい。ただしここではプレス成形とＣＩＰとのいずれか一方のみを行なってもよいし、たとえばプレス成形を行なった後にＣＩＰを行なうなど、両方を行なってもよい。

　ここでプレス成形においてはたとえば１０ＭＰａ以上３００ＭＰａ以下、特に２０ＭＰａの圧力を用いることが好ましく、ＣＩＰにおいてはたとえば１６０ＭＰａ以上２５０ＭＰａ以下、特に１８０ＭＰａ以上２３０ＭＰａ以下の圧力を用いることが好ましい。

　次に図６に示す焼結工程（Ｓ３０）を実施する。焼結工程として具体的には、真空雰囲気下に成形体を載置して焼結する真空焼結法や、たとえばアルゴン雰囲気下に成形体を載置して加圧焼結するＨＩＰ（Hot　Isostatic　Pressing；熱間等方加圧）を用いることが好ましい。あるいは上記方法の代わりにホットプレス法を用いてもよい。真空焼結法とＨＩＰなどとのいずれかのみを行なってもよいし、たとえば真空焼結法を行なった後にＨＩＰを行なうなど、複数を行なってもよい。さらにＨＩＰ後に再度熱処理を行なってもよい。

　真空焼結法においては具体的には、成形体を真空雰囲気中に載置し、１６００℃以上１８００℃以下に加熱し、１時間以上３時間以下保持することが好ましい。このようにすれば、密度が９５％以上の焼結体を形成することができる。またＨＩＰにおいては、上記焼結体を（あるいはホットプレスによる焼結を行なっていない成形体を）アルゴン雰囲気中に載置し、１５０ＭＰａ以上２５０ＭＰａ以下の圧力を加えながら１６００℃以上１９００℃以下に加熱し、１時間以上３時間以下保持することにより焼結する。上述した圧力および温度により焼結を行なえば、形成される焼結体の密度を、最終的に形成される基板に要求される強度（ヤング率）の条件を満たすに足りる密度とすることができる。これは加圧によりスピネル焼結体の組成変形が起こるとともに、拡散機構により当該焼結体内部の空孔が外部へ除去されるためである。

　以上により焼結がなされた焼結体に対して、図６に示すように加工工程（Ｓ４０）を行なう。これは具体的には、まず上記焼結体を所望の（基板１の）厚みとなるようにダイシング加工により切断（切削加工）する。これにより、所望の厚みを有する基板１の下地が完成する。なおここで所望の厚みとは、最終的に形成したい基板１の厚みと、後工程における基板１の主表面１ａの研磨しろ等を考慮した上で決定することが好ましい。

　次に、上記基板１の下地の主表面を研磨する。具体的には、上述したように最終的に形成される基板１の主表面１ａを、平均粗さＲａが所望の値となるように研磨する工程である。特に上述したように、ＳＡＷフィルタ用の基板としての基板１は、主表面１ａを上述した所望のＰＶやＲａの値となるように研磨することが好ましい。

　基板１の主表面１ａを、優れた平坦度を達成するために研磨する場合は、図７に示すように、粗研磨と通常研磨と、ダイヤモンド砥粒を用いた研磨と、ＣＭＰとの４段階の研磨を順に行なうことが好ましい。具体的には、第１段階である粗研磨（Ｓ４１）および第２段階である通常研磨（Ｓ４２）において、研磨機を用いて主表面１ａを鏡面加工する。ここで粗研磨と通常研磨とでは、研磨に用いる砥粒の番手が異なる。具体的には、粗研磨においては砥粒の番手が＃８００～＃２０００であるＧＣ砥石を、通常研磨においては砥粒の粒径が３～５μｍであるダイヤモンド砥石を用いることが好ましい。

　次に第３段階である仕上げ加工としての研磨（Ｓ４３）は、上述したようにダイヤモンド砥粒を用いて行なうことが好ましい。ダイヤモンド砥粒は硬度が非常に高く、かつ砥粒の平均粒径が０．５μｍ～１．０μｍ程度と非常に小さいことから、高精度な鏡面加工用の砥粒として用いることに適している。当該砥粒を用いてたとえば１０分間研磨加工を行なう。さらに第４段階である化学的機械研磨（Ｓ４４）においては、化学研磨剤、研磨パッドを使用し、化学作用と機械的研磨の複合作用で、ウェハ表面の凹凸を削って平坦化する。このようにすれば、特に多結晶であるスピネルの結晶粒界における段差を平坦化することができ、ＣＭＰ後の主表面１ａのＰＶ値を小さくすることができる。また化学的機械研磨（Ｓ４４）による主表面１ａの平坦化に伴い、ＰＶとともにＲａの値を小さくすることもできる。

　このようにすれば、上述した主表面１ａの段差ＰＶが２ｎｍ以上８ｎｍ以下であり、平均粗さＲａが０．０１ｎｍ以上０．５ｎｍ以下である平坦性の高い主表面１ａを実現することができる。したがって特にＳＡＷフィルタ用の基板１は、圧電体基板１０の主表面とファンデルワールス力により良好に接合することが可能となる。

　なお、たとえばスピネル製の基板を高周波発信機のフィルタとして用いる場合には、上記のＳＡＷフィルタ用のスピネル基板のような主表面の平坦度は必要ない。この場合は、上述した３段階の研磨を行なうに当たり、第１段階と第２段階とについてはＳＡＷフィルタ用の基板１を形成する場合と同様の砥粒を用いることが好ましい。ただし第３段階の仕上げ加工においては通常、ＣＭＰ（Chemical　Mechanical　Polish）が行なわれる。

　（実施の形態２）
　本発明による基板１の実施の形態２の製造方法を説明する。当該基板１の製造方法は、基本的には図６に示した高純度スピネル粉末準備工程（Ｓ１０）～加工工程（Ｓ４０）と同様であるが、加工工程（Ｓ４０）における研磨工程の内容が一部異なっている。具体的には、焼結体を切断して得られる基板１の下地について、図７に示すような研磨加工工程を実施する。なお、研磨工程の工程数は、上述した実施の形態１と同様の４段階である。具体的には、粗研磨工程（Ｓ４１）、通常研磨工程（Ｓ４２）、ダイヤ砥粒研磨工程（Ｓ４３）（仕上げ研磨工程とも言う）、および化学的機械研磨工程（Ｓ４４）（ＣＭＰ工程とも呼ぶ）を順に行なうことが好ましい。

　図７を参照して、第１段階である粗研磨工程（Ｓ４１）では、研磨機（たとえば両面研磨装置）を用いて基板の主表面（表面および裏面）を研磨する。研磨剤としては、番手がたとえば＃８００～＃２０００であるＧＣ砥石を用いる。なお、研磨量はたとえば５０μｍ以上２００μｍ以下とする。

　次に、通常研磨工程（Ｓ４２）を実施する。当該工程（Ｓ４２）では、たとえば片面研磨装置を用いて、基板の主表面（表面および裏面）をそれぞれ研磨する。研磨剤としては、たとえば砥粒の粒径が３μｍ以上５μｍ以下であるダイヤモンド砥粒を用いることができる。研磨量は、たとえば１０μｍ以上３０μｍ以下とすることができる。

　次に、ダイヤ砥粒研磨工程（Ｓ４３）を実施する。当該工程（Ｓ４３）では、たとえば片面研磨装置を用いて、基板の主表面（表面および裏面）をそれぞれ研磨する。研磨剤としては、たとえば砥粒の粒径が０．５μｍ以上１μｍ以下であるダイヤモンド砥粒を用いることができる。研磨量は、たとえば３μｍ以上１０μｍ以下とすることができる。

　次に、化学的機械研磨工程（Ｓ４４）（ＣＭＰ工程）を実施する。当該工程（Ｓ４４）では、たとえばＣＭＰ装置を用いて、基板の主表面の一方を研磨する。研磨に用いるスラリーとしては、通常のサファイア用スラリーよりも機械的研磨作用を強めたもの（化学研磨作用を抑制したもの）を用いる。研磨時間は、たとえば１０分以上４５分以下、より好ましくは１５分以上４０分以下とすることができる。

　なお、上述したＣＭＰ工程（Ｓ４４）では、図８に示すようなＣＭＰ装置４０を用いる。図８を参照して、ＣＭＰ装置は、平面形状が円形状の定盤４２と、定盤４２上に配置された研磨パッド４３と、研磨パッド４３と対向するように配置された研磨ヘッド４５との間に基板１が挟まれた状態で当該基板１が研磨される。研磨ヘッド４５と基板１との間には研磨ヘッド４５より硬度の低い軟質層４４が配置されている。基板１は、軟質層４４を介して研磨ヘッド４５により研磨パッド４３に押圧されている。定盤４２はその中央部に接続された支柱４１により支持される。また、研磨ヘッド４５も、当該研磨ヘッド４５の中央部に接続された回転支柱４６により支持される。また、スラリー供給部４７からはスラリー４８が研磨パッド４３に供給される。このような構成のＣＭＰ装置を用いることで、基板１の平坦性を向上させることができる。具体的には、基板１の主表面１ａについて、縦５ｍｍ×横５ｍｍの四角形状の複数の領域を設定した場合、当該複数の領域のうち、主表面１ａの外周から３ｍｍの範囲に入る領域を除いた部分である複数の評価対象領域について、ＬＴＶが１．０μｍ以下となっている評価対象領域の割合を示すＰＬＴＶが９０％以上となった基板１を得ることができる。このような基板１の主表面１ａ上には、圧電体基板を容易に接合することができる。

　次に、上記のようにして得られた基板１を用いて製造された、図２に示す構造のＳＡＷデバイスとしてのＳＡＷフィルタ２の製造方法を、図９を参照して説明する。

　まず、図９に示すように、構成材準備工程（Ｓ１００）を実施する。この構成材準備工程（Ｓ１００）では、上述した実施の形態２に示した製造方法を用いて、本発明によるスピネル製の基板１を準備する。また、ＳＡＷフィルタ２を構成する、圧電体基板１０上に電極３、４が形成されたデバイス構造体を準備する。電極３、４の平面形状は図２に示すような構成となっている。電極３、４の形成方法としては、スパッタリングなど従来周知の任意の方法を用いることができる。電極３、４の材料としてはたとえばアルミニウムもしくはアルミニウム合金を用いることができる。

　次に、貼り合わせ工程（Ｓ１１０）を実施する。具体的には、デバイス構造体において基板１と接合する面である圧電体基板１０の裏面（電極３、４が形成された表面とは反対側の面）にイオンビームを照射することにより、当該裏面を活性化する。なお、イオンビームに代えて、プラズマなどを当該裏面に接触させてもよい。

　その後、基板１の主表面１ａと、デバイス構造体の圧電体基板１０の裏面とを接触させる。なお、このとき基板１の主表面１ａが圧電体基板１０の裏面に押圧されるように応力を負荷してもよい。ここで、本発明による基板１は、主表面１ａに関して優れた平坦性を示すため、上記のような接合（常温接合）を確実に行なうことができる。

　なお、上述のように圧電体基板１０の裏面を基板１の主表面１ａに直接接合したが、たとえば接着層を介して圧電体基板１０の裏面を基板１の主表面１ａに接着してもよい。接着層の材料はたとえばスピンオンガラス（ＳＯＧ）、ポリイミド、あるいはシリコーンなどの任意の接着材料を用いることができる。

　次に、後処理工程（Ｓ１２０）を実施する。具体的には、上記貼り合わせ工程（Ｓ１１０）においてデバイス構造体を支持するためにサポート部材を当該デバイス構造体に接続している場合など、当該サポート部材をＳＡＷフィルタから除去する、といった処理を行なう。また、得られたＳＡＷフィルタを、所定のパッケージ内部に設置し、電極を外部と接続するための配線などを行なう、といった処理を行なう場合もある。

　本実施の形態の製造方法を用いて主表面１ａが研磨された基板１と、当該研磨がなされていないスピネル製の基板との、ＰＶおよびＲａの値を比較し、圧電体基板との接合状態を調査した。まず図６に示す工程（Ｓ１０）～工程（Ｓ３０）に従い、スピネルからなる基板の原型となる焼結体を合計２０枚分形成した。その後、工程（Ｓ４０）の加工工程において、上記焼結体の主表面を研磨した。具体的には２０枚のうち一部の焼結体に対しては、図７の工程（Ｓ４１）～工程（Ｓ４３）の処理のみを施した。これに対して２０枚のうち残りの焼結体に対しては、図７の工程（Ｓ４１）～（Ｓ４４）を全て実施した。

　具体的には、工程（Ｓ４０）の最初に行なうスライス工程において、当該焼結体を主表面１ａの大きさが直径１００ｍｍの略円形となるように切断した。その後、工程（Ｓ４１）においては両面研磨装置を用いて、砥粒の番手が＃８００であるＧＣ砥石を用い、主表面１ａを２０分間研磨処理した。次に工程（Ｓ４２）においては片面研磨装置を用いて、砥粒の番手が３～５μｍであるダイヤモンド砥石を用い、主表面１ａを２０分間研磨処理した。

　その後、工程（Ｓ４３）においては片面研磨装置を用いて、砥粒の粒径が０．５～１．０μｍであるダイヤモンド砥石を用いて、主表面１ａを３０分間研磨処理した。最後に工程（Ｓ４４）においては片面研磨装置を用いて３０～６０分間ＣＭＰ処理した。

　以上の各工程により形成される基板１に対して、工程（Ｓ４３）を行なった後、工程（Ｓ４４）のＣＭＰを行なう前の主表面１ａ、および工程（Ｓ４４）を行なった後の主表面１ａのそれぞれのＰＶおよびＲａの値を測定した。ここで、ＰＶおよびＲａは、ＡＦＭ（Atomic　Force　Microscope）を用いて測定した。なお測定範囲は、主表面１ａ上の面積０．１７６ｍｍ×０．１３２ｍｍの範囲とした。

　また、工程（Ｓ４３）を行なった後、工程（Ｓ４４）のＣＭＰを行なう前の主表面１ａ上（以下の表１中の「ＣＭＰ前」）、および工程（Ｓ４４）を行なった後の主表面１ａ上（以下の表１中の「ＣＭＰ後」）のそれぞれに対して、圧電体基板である４インチＬＴウェハを、ファンデルワールス力を利用して接合した。そして両者の接合後における、両者の接合面間に発生するボイドの割合を測定した。その測定結果を以下の表１に示す。

　表１より、主表面１ａをダイヤモンド砥粒により研磨した後にＣＭＰを施すことにより、主表面１ａのＰＶやＲａの値を小さくすることができる。またこのような処理を施すことにより、主表面１ａと圧電体基板との接合面における接合状態を良好にし、両者の接合面間における接合状態を劣化するボイドの発生を抑制することができる。

　本実施の形態の製造方法を用いて主表面１ａが研磨された基板１と、当該研磨がなされていないスピネル製の基板と、サファイア単結晶からなる基板との、粒界段差、平面度、ＴＴＶ（Total　Thickness　Variation）、反りを比較調査した。

　ここで粒界段差とは、特にスピネル結晶の粒界における段差を意味する。また平面度とは、特に主表面１ａの凹凸を示し、より具体的には、主表面１ａ上のうちもっとも大きい段差の大きさを示す。ＴＴＶとは、基板１のうち測定しようとする主表面１ａに対向する主表面（裏面）を基準面として、基板１の厚み方向に測定した主表面１ａの高さの最大値と最小値との差を示す。さらに反りとは、基板１の主表面全体の曲がり具合を示す値である。

　ここでは直径が４インチのスピネル製の基板を４枚、直径が４インチのサファイア製の基板を２枚準備し、それぞれに対して実施例１と同様に工程（Ｓ４１）～工程（Ｓ４４）の各研磨を行なった。

　そしてサファイア製基板（以下の表２中の「サファイア」）の主表面について工程（Ｓ４４）のＣＭＰを行なった後の主表面の上記各パラメータを測定した。またスピネル製の基板については、工程（Ｓ４３）を行なった後、工程（Ｓ４４）のＣＭＰを行なう前の主表面１ａ上（以下の表２中の「ＣＭＰ前スピネル」）、および工程（Ｓ４４）を行なった後の主表面１ａ上（以下の表２中の「ＣＭＰ後スピネル」）のそれぞれに対して、上記各パラメータを測定した。

　ここで粒界段差は、ＫＥＹＥＮＣＥ製のＡＦＭ：ＶＮ－８０００を用いて測定した。粒界段差を測定した範囲は２００μｍ×２００μｍである。

　また平面度、ＴＴＶおよび反りは、ＦＭ２００ＸＲＡ－Ｗａｆｅｒ（Corning　Tropel）を用いて測定した。それぞれの測定結果を以下の表２に示す。

　表２より、粒界段差、平面度、ＴＴＶ、反りのいずれにおいても、ＣＭＰを施さないスピネル基板もＣＭＰを施した後のスピネル基板も、同等の数値を示している。このためスピネル基板の主表面に対してＣＭＰを施しても、ＣＭＰを施さない場合と同等の品質を確保することができるといえる。またサファイア基板とスピネル基板とを比較しても、反りを除く特に平面度とＴＴＶについては、いずれも同等の数値を示している。

　本発明の効果を確認するため、以下のような実験を行なった。
　（試料）
　直径４インチで厚みが０．２５ｍｍのスピネル製の基板を４枚準備した。

　また、研磨工程については、上述した本発明の実施の形態２において説明した４段階の研磨を行なった。なお、粗研磨工程（Ｓ４１）、通常研磨工程（Ｓ４２）、ダイヤ砥粒研磨工程（Ｓ４３）については、４枚とも共通の加工条件である。

　４枚の基板のうち、試料Ｎｏ．１および試料Ｎｏ．２については、ＣＭＰ工程（Ｓ４４）においてＣＭＰ装置の定盤側に軟質層を追加した状態でＣＭＰ工程を実施した。また、４枚の試料のうち試料Ｎｏ．３および試料Ｎｏ．４については、ＣＭＰ工程においてＣＭＰ装置の研磨ヘッド側に軟質層を追加した。

　（実験内容）
　上述のようにして準備した基板（保持基板）について、面精度の評価を行なった。また実際にスピネルとは異なる材質からなるウェハをスピネルからなる保持基板の主表面に常温接合し、目視で接合状態の評価を行なった。当該ウェハ（接合用ウェハ）は、接合状態の評価を容易にするために光を透過する材料からなるものを用いた。具体的には、接合用ウェハを構成する光透過性の材料として、ここではＬｉＴａＯ_３を用いた。

　面精度の評価：
　保持基板の主表面について、平面度測定・解析装置を用いてＰＬＴＶを測定した。なお、ＰＬＴＶとしては、以下のような数値を用いた。すなわち、保持基板の主表面について縦５ｍｍ×横５ｍｍの四角形状の複数の領域を設定し、当該複数の領域のうち、主表面の外周から３ｍｍの範囲に入る領域を除いた部分である複数の評価対象領域（サイト）を想定した。当該評価対象領域について、ＬＴＶ（Ｌｏｃａｌ　Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ　Ｖａｒｉａｔｉｏ）が１．０μｍ以下となっている評価対象領域の割合をＰＬＴＶとした。サイトはオリエンテーションフラットに平行に設けることができる。ＬＴＶは、保持基板の裏面を基準とした高さの一サイトにおける最大値と最小値の差として表すことができる。

　データ解析においては、設定した縦５ｍｍ×横５ｍｍの四角形状の領域（サイト)の中心点が、主表面の外周から３ｍｍの範囲に含まれていれる場合には、評価対象から除外し、当該中心点が主表面の外周から３ｍｍの範囲より内側であれば、評価対象として取り扱っている。

　また、それぞれの保持基板について平面度測定・解析装置を用いて反りを測定した。ここにおいて、保持基板の裏面の中心点のみを固定した時の基準面からの高さを測定し、その高さの最大値を反り値とした。

　接合状態の評価：
　面精度の評価を行なった後、各基板の主表面に、直径が４インチ、厚みが０．５ｍｍである光透過性の接合用ウェハを常温接合した。具体的には、接合用ウェハの表面にアルゴンイオンを照射することで当該接合用ウェハの表面を活性化し、その後接合用ウェハの当該表面にスピネルからなる保持基板の主表面を押圧することで常温接合した。そして、接合後の保持基板について、良好な接合状態の部分と接合不良が発生している部分とを目視で確認した。具体的には、接合不良が発生した部分には接合用ウェハの当該表面とスピネルからなる保持基板との間に空隙が形成されるため、良好な接合状態の部分より白っぽくなっているので、当該変色した部分を目視で確認した。

　（結果）
　測定結果を図１０～図２１に示す。図１０～図１２は試料Ｎｏ．１の結果であり、図１３～図１５は試料Ｎｏ．２の結果であり、図１６～図１８は試料Ｎｏ．３の結果であり、図１９～図２１は試料Ｎｏ．４の結果である。図１０、図１３２、図１６、図１９は、それぞれ保持基板の主表面における凹凸の状態を３次元で示した模式図である。また、図１１、図１４、図１７、図２０は、それぞれ保持基板の主表面において設定された５ｍｍ角の複数の領域について、ＬＴＶが１．０μｍ以下となった領域を白く表示し、一方ＬＴＶが１．０μｍ超えとなった領域を黒く表示している。また、図１２、図１５、図１８、図２１は、接合後の基板（接合基板）の外観を示している。

　試料Ｎｏ．１について、図１０～図１２を参照して、保持基板の外周から３ｍｍの範囲を除いたＰＬＴＶは７２％であり、反りは７８μｍであった。また、接合用ウェハを接合した状態を示す図１２からわかるように、保持基板の主表面において良好な接合状態を示す部分の割合は８０％であった。

　試料Ｎｏ．２について、図１３～図１５を参照して、保持基板の外周から３ｍｍの範囲を除いたＰＬＴＶは６６％であり、反りは６６μｍであった。また、接合用ウェハを接合した状態を示す図１５からわかるように、保持基板の主表面において良好な接合状態を示す部分の割合は７０％であった。

　試料Ｎｏ．３について、図１６～図１８を参照して、保持基板の外周から３ｍｍの範囲を除いたＰＬＴＶは９２％であり、反りは９１μｍであった。また、接合用ウェハを接合した状態を示す図１８からわかるように、保持基板の主表面において良好な接合状態を示す部分の割合は９８％であった。

　試料Ｎｏ．４について、図１９～図２１を参照して、保持基板の外周から３ｍｍの範囲を除いたＰＬＴＶは９５％であり、反りは９６μｍであった。また、接合用ウェハを接合した状態を示す図２１からわかるように、保持基板の主表面において良好な接合状態を示す部分の割合は９８％であった。

　上述した試料Ｎｏ．１～４について、接合用ウェハを接合した後に当該接合基板をダイシングし、ダイシングにより得られたサンプルについてスピネルからなる保持基板と接合用ウェハとの間の接合力を調査した。

　（試料）
　上記実験例１において形成した試料Ｎｏ．１～４の保持基板を用いた接合基板を準備した。

　（実験内容）
　準備した４枚の接合基板を、１０ｍｍ×１０ｍｍという四角形状の複数の試料を切出すようにダイシングした。そして、１０ｍｍ×１０ｍｍという四角形状の試料を各接合基板からそれぞれ１０個ずつ取り出し、両表面を治具に接着して引張試験機でスピネルからなる保持基板と接合用ウェハとを１８０°方向に引き剥がして引張強度を測定した。

　（結果）
　試料Ｎｏ．１および試料Ｎｏ．２の保持基板を用いた試料は、平均の引張強度が５ＭＰａであった。一方、試料Ｎｏ．３および試料Ｎｏ．４の保持基板を用いた試料は、平均の引張強度が１２ＭＰａであった。このように、特にＰＬＴＶが９０％以上となっていれば、接合された基板間の接合力（引張強度）が十分大きくなることが分かる。

　今回開示された実施の形態および各実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態および各実施例ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

　本発明は、より低コストで適度な強度を有し、かつ圧電体基板などと強固に接合することが可能な基板を提供する技術として、特に優れている。

　１　基板、１ａ　主表面、２　ＳＡＷフィルタ、３，４　電極、３ａ，４ａ　第１極、３ｂ，４ｂ　第２極、３ｃ，３ｄ　櫛型成分、５　ＢＡＷフィルタ、６　下部電極、７　上部電極、８　圧電膜、９　空洞部、１０　圧電体基板、１１　低インピーダンス膜、１２　高インピーダンス膜、２０　共振器、４０　ＣＭＰ装置、４１　支柱、４２　定盤、４３　研磨パッド、４４　軟質層、４５　研磨ヘッド、４６　回転支柱、４７　スラリー供給部、４８　スラリー。

Claims

　スピネルからなる、ＳＡＷデバイス用の基板（１）であって、前記基板（１）の一方の主表面（１ａ）の段差ＰＶ値が２ｎｍ以上８ｎｍ以下である、基板。
　前記基板（１）の一方の主表面（１ａ）の平均粗さＲａ値が０．０１ｎｍ以上０．５ｎｍ以下である、請求項１に記載の基板。
　前記主表面（１ａ）について、縦５ｍｍ×横５ｍｍの四角形状の複数の領域を設定した場合、前記複数の領域のうち、前記主表面（１ａ）の外周から３ｍｍの範囲に入る前記領域を除いた部分である複数の評価対象領域について、ＬＴＶが１．０μｍ以下となっている前記評価対象領域の割合を示すＰＬＴＶが９０％以上である、請求項１に記載の基板。
　スピネルからなる、ＳＡＷデバイス用の基板（１）であって、
　前記基板（１）は一方の主表面（１ａ）を有し、
　前記主表面（１ａ）について、縦５ｍｍ×横５ｍｍの四角形状の複数の領域を設定した場合、前記複数の領域のうち、前記主表面の外周から３ｍｍの範囲に入る前記領域を除いた部分である複数の評価対象領域について、ＬＴＶが１．０μｍ以下となっている前記評価対象領域の割合を示すＰＬＴＶが９０％以上である、基板。
　スピネルからなる、ＳＡＷデバイス用の基板（１）の製造方法であって、
　前記基板（１）を準備する工程と、
　前記基板（１）の一方の主表面（１ａ）に化学的機械研磨を施す工程とを備えている、基板の製造方法。
　前記化学的機械研磨を施す工程を行なった後における、前記基板（１）の一方の主表面（１ａ）のＰＶ値が２ｎｍ以上８ｎｍ以下である、請求項５に記載の基板の製造方法。
　前記化学的機械研磨を施す工程を行なった後における、前記基板（１）の一方の主表面（１ａ）のＲａ値が０．０１ｎｍ以上０．５ｎｍ以下である、請求項６に記載の基板の製造方法。
　前記化学的機械研磨を施す工程では、定盤（４２）上に配置された研磨パッド（４３）と、前記研磨パッド（４３）と対向するように配置された研磨ヘッド（４５）との間に前記基板（１）が挟まれた状態で前記基板（１）が研磨され、さらに、
　前記研磨ヘッド（４５）と前記基板（１）との間には前記研磨ヘッド（４５）より硬度の低い軟質層（４４）が配置されている、請求項５に記載の基板の製造方法。
　請求項１に記載の基板（１）と、
　前記基板（１）の一方の主表面（１ａ）上に配置された圧電体基板（１０）とを備える、ＳＡＷデバイス。
　前記基板（１）と前記圧電体基板（１０）とが接合されている、請求項９に記載のＳＡＷデバイス。
　請求項４に記載の基板（１）と、
　前記基板（１）の一方の主表面（１ａ）上に配置された圧電体基板（１０）とを備える、ＳＡＷデバイス。
　前記基板（１）と前記圧電体基板（１０）とが接合されている、請求項１１に記載のＳＡＷデバイス。