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WO2012011627A1 - Probe card and manufacturing method therefor - Google Patents

Probe card and manufacturing method therefor Download PDF

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Publication number
WO2012011627A1
WO2012011627A1 PCT/KR2010/005900 KR2010005900W WO2012011627A1 WO 2012011627 A1 WO2012011627 A1 WO 2012011627A1 KR 2010005900 W KR2010005900 W KR 2010005900W WO 2012011627 A1 WO2012011627 A1 WO 2012011627A1
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WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
probe
base substrate
contact
conductive
probe module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/KR2010/005900
Other languages
French (fr)
Korean (ko)
Inventor
조병호
조용호
이은제
임형준
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Microfriend Inc
Original Assignee
Microfriend Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Microfriend Inc filed Critical Microfriend Inc
Publication of WO2012011627A1 publication Critical patent/WO2012011627A1/en
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Ceased legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/073Multiple probes
    • G01R1/07307Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07342Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/06711Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06716Elastic
    • G01R1/06727Cantilever beams

Definitions

  • the present invention relates to a probe card used as a semiconductor inspection equipment and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a probe card and a method for manufacturing the probe module and the space transducer separately manufactured by bonding.
  • a probe card electrically connects a wafer and a semiconductor inspection device to test for defects during or after the manufacture of a semiconductor device such as a semiconductor memory or a flat panel display (FPD), thereby transmitting an electrical signal from the inspection device to the wafer. It is a device for transmitting to the formed semiconductor die (die), and transmits a signal from the semiconductor die to the semiconductor inspection equipment.
  • a semiconductor inspection device such as a semiconductor memory or a flat panel display (FPD)
  • FPD flat panel display
  • the conventional general probe card has a structure of a space transformer connected to a printed circuit board electrically connected to a semiconductor inspection equipment through an interposer, and a probe mounted on the space converter and connected to a wafer. .
  • the spatial transducer performs a function of pitch conversion between the probe and the printed circuit board to inspect a fine pitch contact pad, and is typically in the form of a multi layer ceramic (MLC) in which a green sheet is formed in multiple layers. Is produced by.
  • MLC multi layer ceramic
  • the probe module has a structure in which a probe is formed on a single crystal silicon substrate.
  • the space transducer is made of ceramic, and thus, the thermal expansion rate of the space transducer and the probe module is different, which causes misalignment between the probe module and the space transducer in a high temperature process.
  • electrical signal transmission is not made.
  • the present invention has been made to solve the above-mentioned problems in the prior art, and manufactures a probe module using a new material which is cheaper than silicon and has a thermal expansion rate similar to that of a ceramic material of a space transducer, thereby reducing manufacturing costs.
  • the main challenge is to reduce the cost and to maintain the alignment between the probe module and the space transducer even in a high temperature process.
  • the probe card according to the present invention is a space converter in which a conductive metal contact electrically connected to a printed circuit board is formed therein, and a plurality of pads for energizing the contact are formed on an upper surface thereof.
  • a probe module manufactured separately from the space transducer and bonded to an upper surface of the space transducer wherein the probe module comprises: a base substrate made of LTCC or HTCC material; A plurality of probes formed on an upper surface of the base substrate and electrically connected to the semiconductor wafer; A base contact formed in the base substrate to conduct electricity with the probe; And a plurality of conductive solders formed on the bottom surface of the base substrate to conduct electricity to the base contacts, and thermally fused to the pads during bonding of the probe module and the space transducer.
  • the base contact is made of Ag material, and when the base substrate is made of HTCC material, the base contact is preferably made of W material.
  • the probe module may further include an upper plating layer formed on the upper surface of the base substrate by a MEMS method and conducting electricity to the base contact; An upper insulating layer of PI material formed on the upper surface of the base substrate by a MEMS method; The upper contact layer is formed in the upper insulating layer by a MEMS method, and the upper contact is made of a conductive metal material to conduct electricity with the upper plating layer and the probe.
  • the probe module may further include a lower plating layer formed on the bottom surface of the base substrate by a MEMS method and conducting electricity to the base contact; A lower insulating layer of PI material formed on the bottom surface of the base substrate in a MEMS manner; The lower contact layer is formed inside the lower insulating layer by a MEMS method, and the lower contact layer is made of a conductive metal material that conducts electricity to the lower plating layer and the conductive solder.
  • the said electroconductive solder does not contain Pb and consists of alloy composition of Sn, Ag, and Cu.
  • the probe card according to the present invention the first alignment key formed on the upper surface of the space transducer; And a second alignment key formed at a position corresponding to the first alignment key on the bottom surface of the probe module so that the conductive solder may be aligned on each pad during the bonding of the probe module and the space transducer. Can be.
  • one of the first alignment key and the second alignment key is made of a protrusion structure, and the other is made of a seating groove structure in which the protrusion structure can be accommodated.
  • the center of the conductive solder protrudes downward, and the center of the pad is recessed to accommodate the center of the protruding conductive solder.
  • the probe card may further include a solder support part formed of a material which is not melted during the thermal fusion process between the conductive solder and the pad and inserted into the conductive solder to support the probe module.
  • a method of manufacturing a probe card may include: manufacturing a space converter in which a contact made of a conductive metal electrically connected to a printed circuit board is formed therein, and a plurality of pads passing through the contact are formed on an upper surface thereof; Dividing a base substrate made of LTCC or HTCC material into a probe module having a predetermined size, forming a plurality of base contacts made of a conductive metal material in the base substrate, and a plurality of probes that energize the base contact on an upper surface of the base substrate Forming a plurality of conductive solders that conduct electricity to the base contacts on a bottom surface of the base substrate, and separating the probe module from the base substrate; Thermally fusion each conductive solder to the pad, thereby bonding the probe module to the upper surface of the space transducer so as to conduct electricity.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a probe card according to the present invention.
  • FIGS. 2A and 2B are side cross-sectional and bottom views of a spatial transducer according to the present invention.
  • 3A and 3B are side cross-sectional and bottom views of a probe module according to the present invention.
  • 3C and 3D are side cross-sectional views illustrating a probe module according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a conductive solder according to the present invention.
  • Figure 5 is a cross-sectional view showing a probe card manufacturing method according to the present invention.
  • FIGS. 6 and 7 are cross-sectional views showing a method for manufacturing a probe module according to the present invention.
  • FIG. 1 shows a structure of a probe card according to the present invention
  • FIGS. 2A and 2B and FIGS. 3A and 3B show a configuration of a space converter and a probe module according to the present invention
  • 3C and 3D illustrate a probe module structure according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 4 illustrates a structure of a conductive solder according to the present invention.
  • a probe card according to the present invention includes a space transducer 10 electrically connected to a printed circuit board, a probe manufactured separately from the space transducer 10, and then bonded to an upper surface of the space transducer 10.
  • Module 30 is configured.
  • the printed circuit board receives an electrical signal transmitted from the semiconductor inspection equipment, and transmits the received electrical signal to the probe 40 mounted on the probe module 30 through the space converter 10, while the probe ( And circuitry for forwarding the signal transmitted from 40 to the semiconductor inspection equipment in the reverse direction.
  • the space converter 10 includes a conductive metal contact electrically connected to a printed circuit board, and a plurality of pads 16 electrically connected to the contact are formed on an upper surface thereof, and the probe 40 And a multilayer substrate structure to perform a function of pitch conversion between the printed circuit board and the printed circuit board.
  • the probe module 30 is formed in the base substrate 32, the plurality of probes 40 formed on the upper surface of the base substrate 32 and electrically connected to the semiconductor wafer, and the base substrate 32.
  • the base contact 33 is electrically connected to the probe 40, and a plurality of conductive solders 36 are formed on the bottom surface of the base substrate 32 to electrically conduct the base contact 33.
  • the base substrate 32 is preferably made of a ceramic material of LTCC or HTCC, not a conventional silicon material.
  • Low temperature co-fired ceramics refers to a ceramic material capable of co-firing with a low temperature melting point metal below 1000 ° C.
  • the base contact 33 formed inside the base substrate 32 in order to conduct electricity between the probe 40 and the conductive solder 36 is preferably made of Ag material. Do.
  • the HTCC High Temperature Co-fired Ceramics
  • the HTCC represents a ceramic material capable of co-firing with a high temperature melting point metal of 1500 ° C. or more, which is a relatively high temperature.
  • the base substrate in consideration of the high melting point of W HTCC is used as the material for (33).
  • the base substrate 32 may have a multilayer substrate structure through a MEMS process. That is, the probe module 30 may be formed on the upper surface of the base substrate 32 by the MEMS method, and may be formed of the upper plating layer 34 made of a conductive metal material which is in electrical communication with the base contact 33 and the base substrate 32.
  • a structure including a contact 37 may be formed, and the probe 40 may be formed on an upper surface of the upper insulating layer 35.
  • the above-described upper plating layer 34, the upper insulating layer 35, and the upper contact 37 may be repeatedly formed on the upper surface of the base substrate 32 to form a multilayer structure.
  • the polyimide (PI) forming the upper insulating layer 35 represents a general term of a heat resistant resin having an imide bond (-CO-NH-CO-) in a main chain, which is characterized by high heat resistance. It belongs to the highest class among engineering plastics, and it has the advantage that the characteristic does not age even after long-term use at high temperature.
  • the interval of the probe 40 is also minutely arranged for the inspection of wafers having an increasingly fine circuit structure, and accordingly, the probe module is a multilayer in which a large number of insulating layers are stacked in order to change the pitch of the probe 40. It may be required to be structured. However, as illustrated in FIG. 3C, it is limited to stack a plurality of insulating layers 35 only on the top surface of the base substrate 32.
  • the insulating layer is formed on both the upper and lower surfaces of the base substrate 32 so that the pitch conversion of the probe 40 can be stably applied.
  • the probe module 30 is the upper plating layer 34, the upper insulating layer 35 and the upper contact 37 on the upper surface of the base substrate 32 in the MEMS method
  • the lower plating layer 34a, the lower insulating layer 35a, and the lower contact 37a are sequentially formed through the MEMS method on the bottom surface of the base substrate 32.
  • a lower plating layer 34a of a conductive metal material electrically connected to the base contact 33 is formed on the bottom surface of the base substrate 32 by a MEMS method, and the lower insulating layer 35a of a PI material is formed of MEMS. Is formed in a manner.
  • a lower contact 37a of a conductive metal material electrically connected to the lower plating layer 34a is formed in the lower insulating layer 35a by MEMS, and the lower contact 37a is electrically connected to the conductive solder 36. Is connected.
  • the probe 40 may have a probe structure for electrically connecting to a semiconductor wafer, and may be manufactured on the upper surface of the base substrate 32 by a MEMS process.
  • the probe 40 is perpendicular to the proximal end 42 formed on the upper surface of the base substrate 32, the beam 44 extending laterally from the upper surface of the proximal end 42, and the other end of the beam 44. It is configured to include a probe tip 46 that protrudes.
  • the proximal end 42 protrudes to a predetermined height from the upper surface of the base substrate 32 and is made of a conductive metal material.
  • the beam 44 has a structure extending in the lateral direction from the upper surface of the base end 42, one end is fixedly attached to the upper surface of the base end (42).
  • the beam 44 has an arbitrary length in the lateral direction so as to elastically support the probe tip 46, and is made of a conductive metal material similarly to the base end 42.
  • a probe tip 46 electrically connected to the semiconductor wafer protrudes vertically.
  • the probe 40 is formed on the upper surface of the upper insulating layer 35.
  • the conductive solder 36 formed on the bottom surface of the base substrate 32 is a component for bonding the probe module 30 to the space transducer 10 and is made of a material in which the surface is melted by external heat. Accordingly, in the process of bonding the probe module 30 to the space converter 10, each conductive solder 36 is thermally fused to the corresponding pad 16.
  • the conductive solder 36 is preferably made of a lead-free solder containing no Pb, and particularly preferably made of an alloy composition of Sn, Ag, and Cu.
  • the conductive solder 36 may conduct electricity with the probe 40 through the base contact 33 formed in the base substrate 32, and transmit electrical signals transmitted and received through the probe 40 to the space converter 10. It is configured to be.
  • First alignment keys 18 may be formed to align the alignment between the pads 16.
  • the first alignment key 18 may have a mounting groove structure in which the second alignment key 38 of the probe module 30 to be described later may be accommodated.
  • the pad 16 may have a conventional flat structure, but more precisely the alignment between the conductive solder 36 and the pad 16 during the bonding process of the probe module 30 and the space transducer 10.
  • a concave groove may be formed in the center of the pad 16 so that the conductive solder 36 can be inserted.
  • the bottom surface of the probe module 30 arranges an alignment between the conductive solder 36 and the pad 16 at a position corresponding to the first alignment key 18.
  • a second align key 38 can be formed for fitting.
  • the first alignment key 18 and the second alignment key 18 may be accurately aligned with the top surface of the pad 16 during the bonding process between the probe module 30 and the space transducer 10.
  • the align key 38 is formed at a position corresponding to each other.
  • the second alignment key 38 has a protrusion structure protruding downward from the bottom surface of the base substrate 32, and the seating groove structure described above in the bonding process between the probe module 30 and the space transducer 10. And to be inserted into the first alignment key 18 of.
  • the first alignment key 18 may have a protrusion structure
  • the second alignment key 38 may have a seating groove structure for accommodating the first alignment key 18. have.
  • the second alignment key 38 has a cross-shaped protrusion structure of "+" shape, and the first alignment key 18 corresponding thereto is also configured to have a cross-shaped seating groove structure. It is preferable to facilitate the fastening of the 18 and the align key 38.
  • the conductive solder 36 may be formed of a conventional flat structure or a ball structure, but is aligned between the respective conductive solder 36 and the pad 16 during the bonding process of the probe module 30 and the space transducer 10.
  • the center of the conductive solder 36 may be configured to protrude to form a projection for insertion into the concave center of the above-described pad (16). Accordingly, in the process of bonding the probe module 30 and the space transducer 10, the protruding center portion of the conductive solder 36 is inserted into the concave center portion of the pad 16, thereby providing the respective conductive solder 36 and the pad 16. The alignment between can be made more accurately.
  • the conductive solder 36 according to the present invention should be made of a material that can melt the surface by heat, a plurality of conductive solder 36 may not all melt to the same level. That is, when some of the conductive solder 36 is further melted in the process of bonding the conductive solder 36 to the pad 16 while the conductive solder 36 is melted by external heat, the thickness of the conductive solder 36 is lowered and the pro-module module is lowered. There may be a problem that the horizontal state of 30 is not maintained.
  • the conductive solder 36 As shown in Figure 4, the solder support 35 made of a material that does not melt during the thermal fusion process of the conductive solder 36 and the pad 16 ) Is configured to have a structure that is inserted therein. Therefore, even if some of the conductive solder 36 is melted more than necessary, because the solder support 35 inserted therein can support the probe module 30 in the unmelted state, the horizontal state of the probe module 30 Can be maintained.
  • FIGS. 6 and 7 show a process for manufacturing a probe module according to the present invention, respectively.
  • the probe module 30 and the space transducer 10 may be electrically connected to each other. It is done in a way.
  • the manufacturing process of the probe module 30 according to the first embodiment is as follows.
  • the base substrate 32 made of LTCC or HTCC material is divided into probe modules 30 having a predetermined size. That is, the base substrate 32 made of the LTCC or HTCC material is divided into a plurality of probe modules 30, wherein the size of each probe module 30 is set in advance so as to be bonded to the space transducer 10.
  • a plurality of base contacts 33 made of a conductive metal material are formed in the base substrate 32.
  • the base contact 33 may be formed by drilling a via hole in the base substrate 32 by a MEMS method and plating a conductive metal material in each via hole.
  • the base contact 33 is made of Ag material, and when the base substrate 32 is made of HTCC material, the base contact 33 is It is preferable to consist of W material.
  • a plurality of probes 40 may be formed on the upper surface of the base substrate 32 to conduct electricity to the base contact 33.
  • the probe 40 is preferably formed by the MEMS method as follows.
  • a base end 42 is formed on the base contact 33 on the upper surface of the base substrate 32.
  • a portion where the base end portion 42 is to be formed is exposed by exposure to a mask pattern, and then a conductive metal is exposed to the exposed portion.
  • the base end part 42 is formed by apply
  • the height of the base end portion 42 can be appropriately adjusted by repeating the photoresist coating and the lamination process of the conductive metal.
  • one end is fixedly attached to the upper surface of the base end 42, and forms a beam 44 extending in the lateral direction.
  • the photoresist is applied to form a photoresist layer
  • the portion on which the beam 44 is to be formed is exposed by exposure under a mask pattern, and then a conductive metal is applied to the exposed portion to apply the beam 44.
  • a conductive metal is applied to the exposed portion to apply the beam 44.
  • the probe tip 46 which is electrically connected to the semiconductor wafer, is formed to protrude perpendicularly from the other end of the beam 44.
  • a plurality of conductive solders 36 are formed on the bottom surface of the base substrate 32.
  • the conductive solders 36 are formed on the bottom surface of the base substrate 32 by MEMS or paste. Can be attached.
  • the second alignment key 38 is disposed on the bottom surface of the base substrate 32 in order to align the conductive solder 36 and the pad 16.
  • the process of forming may be further included.
  • the probe module 30 is separated from the base substrate 32.
  • the probe module 30 includes a plurality of base contacts 33, the probe 40, the conductive solder 36, and the second alignment. Keys 38 are formed respectively.
  • the probe module 30 is bonded to the top surface of the space transducer 10, wherein each conductive solder 36 corresponds to a pad.
  • the probe module 30 and the space transducer 10 are electrically connected to each other.
  • the manufacturing process of the probe module 30 according to the second embodiment is as follows.
  • a plurality of base contacts 33 made of a conductive metal material are formed in the base substrate 32. do.
  • an upper plating layer 34 of a conductive metal material electrically connected to the base contact 33 is formed on the upper surface of the base substrate 32 by a MEMS method.
  • a seed layer is formed by depositing a conductive metal material such as Cu or Au on the upper surface of the base substrate 32, and a photoresist is formed by applying a photoresist in a dot pattern on the seed layer to form a mask pattern.
  • the seed layer of the dot pattern is formed by etching and removing the remaining seed layers except for the portion where the upper plating layer 34 is to be formed.
  • the upper plating layer 34 is formed by plating a metal material on the seed layer of the dot pattern.
  • the upper insulating layer 35 of PI material is formed on the upper surface of the base substrate 32 by the MEMS method.
  • the upper insulating layer may be formed by coating a liquid PI material on the upper surface of the base substrate 32 on which the upper plating layer 34 is formed, and then firing or compressing the solid PI material on the upper surface of the base substrate 32. 35).
  • an upper contact 37 of a conductive metal material electrically connected to the upper plating layer 34 is formed in the upper insulating layer 35 by a MEMS method.
  • a via hole communicating with the upper plating layer 34 is formed in the upper insulating layer 35 by forming a photoresist layer and mask patterning, and plating a conductive metal material such as Cu or Au in the via hole.
  • a conductive metal material such as Cu or Au
  • a probe 40 that conducts electricity to the upper contact 37 is formed on the upper insulating layer 35 formed as described above by using a MEMS method.
  • the upper plating layer 34a, the upper insulating layer 35a, and the upper contact 37a may be formed on the bottom surface of the base substrate 32.
  • the probe module 30 and the space transducer 10 are separately manufactured as described above, the probe module 30 and the space transducer 10 are bonded to each other. In this case, it is most important to align the alignment between the conductive solder 36 formed on the bottom surface of the probe module 30 and the pad 16 formed on the top surface of the space converter 10. If the alignment is not performed properly between some of the conductive solder 36 and the pad 16, the electrical signal transmission between the probe 40 and the printed circuit board is not made, which may lead to a defect of the probe card. to be.
  • a first alignment key 18 and a second alignment key 38 formed at corresponding positions of the probe module 30 and the space transducer 10 are provided. In this case, alignment between the conductive solder 36 and the pad 16 is achieved.
  • the probe may be accommodated in the first alignment key 18 of the mounting groove structure formed on the upper surface of the space transducer 10, the second alignment key 38 of the protrusion structure formed on the bottom surface of the probe module 30 The module 30 is brought into contact with the top surface of the space transducer 10.
  • each of the conductive solders 36 is in contact with the pads 16 at the corresponding positions, where the conductive solders 36 The protruding center of the pad is inserted into the concave center of the pad 16.
  • each conductive solder 36 is in contact with the corresponding pad 16, when the conductive solder 36 is heated, the surface of the conductive solder 36 is melted and thermally fused to the pad 16.
  • the probe card 30 to which the probe module 30 is electrically connected to the space transducer 10 can be completed.
  • the manufacturing cost of the probe module can be reduced by manufacturing the LTCC or HTCC material, and the probe module and the space transducer are made of a material having a similar thermal expansion rate. The alignment between the transducers can be maintained.

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Abstract

The present invention relates to a probe card and a manufacturing method therefor, the method comprising: a process of manufacturing a space transformer, which is provided therein with a conductive metallic contact that is electrically connected to a printed circuit board, and is provided on the upper surface thereof with a plurality of pads that allow an electric current to flow to the contact; a probe module manufacturing process which includes the steps of: dividing a base substrate made of LTCC or HTCC material into probe modules having a predetermined size, forming a plurality of conductive metallic base contacts on the inside of the base substrate, forming a plurality of probes which allow an electric current to flow to the base contact on the upper surface of the base substrate, forming a plurality of conductive solders which allow an electric current to flow to the base contact on the lower surface of the base substrate, and separating the probe modules from the base substrate; and a process of bonding the probe module to enable current to flow on the upper surface of the space transformer by thermally fusing each conductive solder to the pads.

Description

프로브 카드 및 그 제조방법Probe card and its manufacturing method

본 발명은 반도체 검사 장비로 사용되는 프로브 카드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 프로브 모듈과 공간 변환기를 별도로 제작한 후 접합시키는 방식으로 제조되는 프로브 카드 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a probe card used as a semiconductor inspection equipment and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a probe card and a method for manufacturing the probe module and the space transducer separately manufactured by bonding.

일반적으로 프로브 카드는 반도체 메모리, 평면 디스플레이(FPD) 등의 반도체 소자의 제작 중 또는 제작 후에, 그 결함 유무를 테스트하기 위하여 웨이퍼와 반도체 검사 장비를 전기적으로 연결시킴으로서, 검사 장비의 전기적 신호를 웨이퍼에 형성된 반도체 다이(die)에 전달하여 주고, 반도체 다이로부터 돌아오는 신호를 반도체 검사 장비에 전달하는 장치이다.In general, a probe card electrically connects a wafer and a semiconductor inspection device to test for defects during or after the manufacture of a semiconductor device such as a semiconductor memory or a flat panel display (FPD), thereby transmitting an electrical signal from the inspection device to the wafer. It is a device for transmitting to the formed semiconductor die (die), and transmits a signal from the semiconductor die to the semiconductor inspection equipment.

종래의 일반적인 프로브 카드는, 반도체 검사 장비에 전기적으로 연결되는 인쇄회로기판에 인터포져(interposer)를 통해 연결되는 공간 변환기(space transformer), 그리고 공간 변환기 위에 장착되어 웨이퍼에 접속하는 프로브의 구조로 이루어진다.The conventional general probe card has a structure of a space transformer connected to a printed circuit board electrically connected to a semiconductor inspection equipment through an interposer, and a probe mounted on the space converter and connected to a wafer. .

상기 공간 변환기는 미세 피치의 접촉 패드를 검사하기 위해 프로브와 인쇄회로기판 사이에서 피치 변환의 기능을 수행하는 것으로써, 통상 그린 시트(Green sheet)를 다층으로 형성한 MLC(Multi Layer Ceramic)의 형태로 제작된다.The spatial transducer performs a function of pitch conversion between the probe and the printed circuit board to inspect a fine pitch contact pad, and is typically in the form of a multi layer ceramic (MLC) in which a green sheet is formed in multiple layers. Is produced by.

한편, 테스트 결과의 신뢰성을 확보하기 위해서는 공간 변환기에 부착되는 프로브 모두가 공간 변환기의 패드에 대응하는 패턴으로 정확하게 장착되어야 하는데, 복수의 프로브 중 일부라도 공간 변환기에 잘못 연결되는 경우에는 고가의 공간 변환기 전체를 못 쓰게 되는 어려움이 있었다.On the other hand, in order to ensure the reliability of the test results, all the probes attached to the spatial transducers must be accurately mounted in a pattern corresponding to the pads of the spatial transducers. When some of the plurality of probes are incorrectly connected to the spatial transducers, the expensive spatial transducers There was a difficulty in writing the whole.

이러한 문제점을 해결하기 위해, 공간 변환기에 프로브를 직접 부착하지 않고, 공간 변환기와 프로브 모듈을 별도로 제작한 후, 솔더를 이용하여 공간 변환기와 프로브 모듈을 접합시키는 방법이 제안되어 있다. 여기서, 상기 프로브 모듈은 단결정 실리콘 기판 위에 프로브가 형성되는 구조로 이루어진다.In order to solve this problem, a method of fabricating the space transducer and the probe module separately without directly attaching the probe to the space transducer, and then bonding the space transducer and the probe module using a solder has been proposed. Here, the probe module has a structure in which a probe is formed on a single crystal silicon substrate.

그러나 상기 종래 기술에 의하면, 단결정 실리콘을 이루어지는 프로브 모듈을 제조하기 위해서는 실리콘을 처리할 수 있는 고가의 장비를 다수 필요로 하기 때문에 제조 원가가 상승되는 문제점이 있다.However, according to the related art, manufacturing a probe module made of single crystal silicon requires a large number of expensive equipment capable of processing silicon, thereby increasing manufacturing costs.

또한 프로브 모듈은 실리콘 재질로 이루어지는데 반해, 공간 변환기는 세라믹 재질로 이루어지기 때문에, 공간 변환기와 프로브 모듈의 열 팽창율이 달라지게 되고, 그로 인해 고온 공정에서 프로브 모듈과 공간 변환기 사이의 정렬 상태가 어긋나면서 전기 신호 전달이 이루어지지 않는 문제가 발생할 수 있다.In addition, since the probe module is made of silicon, the space transducer is made of ceramic, and thus, the thermal expansion rate of the space transducer and the probe module is different, which causes misalignment between the probe module and the space transducer in a high temperature process. However, there may be a problem that electrical signal transmission is not made.

아울러, 프로브가 형성된 프로브 모듈을 공간 변환기에 결합할 때, 프로브 모듈을 공간 변환기에 정확하게 정렬하기 어렵고, 프로브 모듈의 수평 구조를 유지하면서 결합하는 것 또한 문제가 된다.In addition, when coupling the probe module on which the probe is formed to the spatial transducer, it is difficult to accurately align the probe module to the spatial transducer, and it is also problematic to combine the probe module while maintaining the horizontal structure of the probe module.

본 발명은 상술한 바와 같은 종래 기술상의 제반 문제점들을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 실리콘보다 저렴하면서 공간 변환기의 세라믹 재질과 유사한 열 팽창율을 구비하는 새로운 소재를 이용하여 프로브 모듈을 제조함으로써, 제조 원가를 절감하고, 고온 공정에서도 프로브 모듈과 공간 변환기 사이의 정렬 상태가 유지될 수 있게 하는 것을 주요한 해결 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems in the prior art, and manufactures a probe module using a new material which is cheaper than silicon and has a thermal expansion rate similar to that of a ceramic material of a space transducer, thereby reducing manufacturing costs. The main challenge is to reduce the cost and to maintain the alignment between the probe module and the space transducer even in a high temperature process.

또한 본 발명은, 프로브 모듈을 공간 변환기에 정확하게 정렬하면서 결합하고, 또한 프로브 모듈의 수평 구조를 유지하면서 결합할 수 있게 하는 것을 또 다른 해결 과제로 한다.It is another object of the present invention to allow the probe module to be coupled while precisely aligned to the spatial transducer and to be coupled while maintaining the horizontal structure of the probe module.

상기 과제를 해결하기 위한 수단으로서 본 발명에 따른 프로브 카드는, 인쇄회로기판에 전기적으로 연결되는 도전성 금속 재질의 컨택이 내부에 형성되고, 상기 컨택과 통전하는 다수의 패드가 상면에 형성되는 공간 변환기와; 상기 공간 변환기와 별도로 제작된 후 공간 변환기의 상면에 접합되는 프로브 모듈;을 포함하여 구성되고, 상기 프로브 모듈은, LTCC 또는 HTCC 재질로 이루어지는 베이스 기판; 베이스 기판의 상면에 형성되어 반도체 웨이퍼에 전기 접속하는 다수의 프로브; 베이스 기판 내부에 형성되어 프로브와 통전하는 도전성 금속 재질의 베이스 컨택; 베이스 기판의 저면에 형성되어 베이스 컨택과 통전하고, 프로브 모듈과 공간 변환기의 접합 과정에서 상기 패드에 열적 융합되는 다수의 도전성 솔더;를 포함하는 것을 특징으로 한다.As a means for solving the above problems, the probe card according to the present invention is a space converter in which a conductive metal contact electrically connected to a printed circuit board is formed therein, and a plurality of pads for energizing the contact are formed on an upper surface thereof. Wow; A probe module manufactured separately from the space transducer and bonded to an upper surface of the space transducer, wherein the probe module comprises: a base substrate made of LTCC or HTCC material; A plurality of probes formed on an upper surface of the base substrate and electrically connected to the semiconductor wafer; A base contact formed in the base substrate to conduct electricity with the probe; And a plurality of conductive solders formed on the bottom surface of the base substrate to conduct electricity to the base contacts, and thermally fused to the pads during bonding of the probe module and the space transducer.

여기서, 상기 베이스 기판이 LTCC 재질로 이루어지는 경우 상기 베이스 컨택은 Ag 소재로 이루어지고, 상기 베이스 기판이 HTCC 재질로 이루어지는 경우 상기 베이스 컨택은 W 소재로 이루어지는 것이 바람직하다.Here, when the base substrate is made of LTCC material, the base contact is made of Ag material, and when the base substrate is made of HTCC material, the base contact is preferably made of W material.

또한 상기 프로브 모듈은, 상기 베이스 기판의 상면에 MEMS 방식으로 형성되고, 베이스 컨택과 통전하는 도전성 금속 재질의 상부 도금층; 상기 베이스 기판의 상면에 MEMS 방식으로 형성되는 PI 재질의 상부 절연층; 상기 상부 절연층 내부에 MEMS 방식으로 형성되고, 상부 도금층 및 프로브와 통전하는 도전성 금속 재질의 상부 컨택;을 더 포함하여 구성될 수도 있다.The probe module may further include an upper plating layer formed on the upper surface of the base substrate by a MEMS method and conducting electricity to the base contact; An upper insulating layer of PI material formed on the upper surface of the base substrate by a MEMS method; The upper contact layer is formed in the upper insulating layer by a MEMS method, and the upper contact is made of a conductive metal material to conduct electricity with the upper plating layer and the probe.

아울러, 상기 프로브 모듈은, 상기 베이스 기판의 저면에 MEMS 방식으로 형성되고, 베이스 컨택과 통전하는 도전성 금속 재질의 하부 도금층; 상기 베이스 기판의 저면에 MEMS 방식으로 형성되는 PI 재질의 하부 절연층; 상기 하부 절연층 내부에 MEMS 방식으로 형성되고, 하부 도금층 및 도전성 솔더와 통전하는 도전성 금속 재질의 하부 컨택;을 더 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.The probe module may further include a lower plating layer formed on the bottom surface of the base substrate by a MEMS method and conducting electricity to the base contact; A lower insulating layer of PI material formed on the bottom surface of the base substrate in a MEMS manner; The lower contact layer is formed inside the lower insulating layer by a MEMS method, and the lower contact layer is made of a conductive metal material that conducts electricity to the lower plating layer and the conductive solder.

또한 상기 도전성 솔더는, Pb를 포함하지 않고, Sn, Ag 및 Cu의 합금 조성물로 이루어지는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the said electroconductive solder does not contain Pb and consists of alloy composition of Sn, Ag, and Cu.

또한 본 발명에 따른 프로브 카드는, 공간 변환기의 상면에 형성되는 제1 얼라인 키와; 프로브 모듈과 공간 변환기의 접합 과정에서 각각의 패드 위에 도전성 솔더가 정렬될 수 있도록, 프로브 모듈의 저면에서 상기 제1 얼라인 키에 대응되는 위치에 형성되는 제2 얼라인 키;를 더 포함하여 구성될 수 있다.In addition, the probe card according to the present invention, the first alignment key formed on the upper surface of the space transducer; And a second alignment key formed at a position corresponding to the first alignment key on the bottom surface of the probe module so that the conductive solder may be aligned on each pad during the bonding of the probe module and the space transducer. Can be.

여기서, 상기 제1 얼라인 키와 제2 얼라인 키 중 하나는 돌기 구조로 이루어지고, 나머지 하나는 돌기 구조가 수용될 수 있는 안착홈 구조로 이루어지는 것이 더욱 바람직하다.Here, it is more preferable that one of the first alignment key and the second alignment key is made of a protrusion structure, and the other is made of a seating groove structure in which the protrusion structure can be accommodated.

또한 도전성 솔더의 중심부는 하측으로 돌출 형성되고, 패드의 중심부는 상기 돌출 형성된 도전성 솔더의 중심부를 수용할 수 있도록 오목하게 형성되는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the center of the conductive solder protrudes downward, and the center of the pad is recessed to accommodate the center of the protruding conductive solder.

또한 상기 프로브 카드는, 도전성 솔더와 패드의 열적 융합 과정에서 용융되지 않는 재질로 이루어지고, 도전성 솔더의 내부에 삽입되어 프로브 모듈을 지지하는 솔더 지지부;를 더 포함하는 것이 더욱 바람직하다.The probe card may further include a solder support part formed of a material which is not melted during the thermal fusion process between the conductive solder and the pad and inserted into the conductive solder to support the probe module.

그리고 본 발명에 다른 프로브 카드 제조방법은, 인쇄회로기판에 전기적으로 연결되는 도전성 금속 재질의 컨택이 내부에 형성되고, 상기 컨택에 통전하는 다수의 패드가 상면에 형성되는 공간 변환기를 제조하는 공정; LTCC 또는 HTCC 재질로 이루어지는 베이스 기판을 일정 크기의 프로브 모듈로 구분하는 단계, 상기 베이스 기판 내부에 도전성 금속 재질의 베이스 컨택을 다수 형성하는 단계, 베이스 기판의 상면에 상기 베이스 컨택에 통전하는 다수의 프로브를 형성하는 단계, 베이스 기판의 저면에 베이스 컨택에 통전하는 다수의 도전성 솔더를 형성하는 단계, 베이스 기판에서 프로브 모듈을 분리하는 단계를 포함하여 구성되는 프로브 모듈의 제조 공정; 각 도전성 솔더를 패드에 열적 융합시킴으로써, 프로브 모듈을 공간 변환기의 상면에 통전 가능하게 접합시키는 공정;을 포함하는 것을 특징으로 한다.In another aspect, a method of manufacturing a probe card may include: manufacturing a space converter in which a contact made of a conductive metal electrically connected to a printed circuit board is formed therein, and a plurality of pads passing through the contact are formed on an upper surface thereof; Dividing a base substrate made of LTCC or HTCC material into a probe module having a predetermined size, forming a plurality of base contacts made of a conductive metal material in the base substrate, and a plurality of probes that energize the base contact on an upper surface of the base substrate Forming a plurality of conductive solders that conduct electricity to the base contacts on a bottom surface of the base substrate, and separating the probe module from the base substrate; Thermally fusion each conductive solder to the pad, thereby bonding the probe module to the upper surface of the space transducer so as to conduct electricity.

도 1은 본 발명에 따른 프로브 카드를 나타내는 단면도.1 is a cross-sectional view showing a probe card according to the present invention.

도 2a 및 도 2b는 본 발명에 따른 공간 변환기를 나타내는 측단면도 및 저면도.2A and 2B are side cross-sectional and bottom views of a spatial transducer according to the present invention;

도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 프로브 모듈을 나타내는 측단면도 및 저면도.3A and 3B are side cross-sectional and bottom views of a probe module according to the present invention.

도 3c 및 도 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 모듈을 나타내는 측단면도.3C and 3D are side cross-sectional views illustrating a probe module according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 도전성 솔더를 나타내는 단면도.4 is a cross-sectional view showing a conductive solder according to the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 프로브 카드 제조방법을 나타내는 단면도.Figure 5 is a cross-sectional view showing a probe card manufacturing method according to the present invention.

도 6 및 도 7은 본 발명에 따른 프로브 모듈의 제조방법을 나타내는 단면도.6 and 7 are cross-sectional views showing a method for manufacturing a probe module according to the present invention.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 프로브 카드 및 그 제조방법에 대한 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of a probe card and a manufacturing method according to the present invention.

도 1에는 본 발명에 따른 프로브 카드의 구조가 도시되어 있고, 도 2a 및 도 2b, 그리고 도 3a 및 도 3b에는 본 발명에 따른 공간 변환기와 프로브 모듈의 구성이 도시되어 있다. 그리고 도 3c 및 도 3d에는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 모듈 구조가 도시되어 있고, 도 4에는 본 발명에 따른 도전성 솔더의 구조가 도시되어 있다.1 shows a structure of a probe card according to the present invention, and FIGS. 2A and 2B and FIGS. 3A and 3B show a configuration of a space converter and a probe module according to the present invention. 3C and 3D illustrate a probe module structure according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 illustrates a structure of a conductive solder according to the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 프로브 카드는 인쇄회로기판에 전기적으로 연결되는 공간 변환기(10)와, 상기 공간 변환기(10)와 별도로 제작된 후 공간 변환기(10)의 상면에 접합되는 프로브 모듈(30)을 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 1, a probe card according to the present invention includes a space transducer 10 electrically connected to a printed circuit board, a probe manufactured separately from the space transducer 10, and then bonded to an upper surface of the space transducer 10. Module 30 is configured.

여기서, 상기 인쇄회로기판은 반도체 검사 장비로부터 송신된 전기 신호를 수신하며, 수신된 전기 신호는 공간 변환기(10)를 통하여 프로브 모듈(30)에 장착된 프로브(40)로 전달하는 한편, 프로브(40)로부터 전달된 신호를 역방향으로 반도체 검사 장비로 전달하는 회로를 포함한다.Here, the printed circuit board receives an electrical signal transmitted from the semiconductor inspection equipment, and transmits the received electrical signal to the probe 40 mounted on the probe module 30 through the space converter 10, while the probe ( And circuitry for forwarding the signal transmitted from 40 to the semiconductor inspection equipment in the reverse direction.

그리고 상기 공간 변환기(10)는 인쇄회로기판에 전기적으로 연결되는 도전성 금속 재질의 컨택이 내부에 형성되고, 상기 컨택과 전기적으로 연결되는 다수의 패드(16)가 상면에 형성되며, 프로브(40)와 인쇄회로기판 사이에서 피치 변환의 기능을 수행할 수 있도록 다층 기판 구조로 이루어진다.The space converter 10 includes a conductive metal contact electrically connected to a printed circuit board, and a plurality of pads 16 electrically connected to the contact are formed on an upper surface thereof, and the probe 40 And a multilayer substrate structure to perform a function of pitch conversion between the printed circuit board and the printed circuit board.

또한 상기 프로브 모듈(30)은, 베이스 기판(32)과, 베이스 기판(32)의 상면에 형성되어 반도체 웨이퍼에 전기 접속하는 다수의 프로브(40), 그리고 베이스 기판(32)의 내부에 형성되어 프로브(40)와 통전하는 베이스 컨택(33), 그리고 베이스 기판(32)의 저면에 형성되어 베이스 컨택(33)과 통전하는 다수의 도전성 솔더(36)를 포함하는 구조로 이루어진다.In addition, the probe module 30 is formed in the base substrate 32, the plurality of probes 40 formed on the upper surface of the base substrate 32 and electrically connected to the semiconductor wafer, and the base substrate 32. The base contact 33 is electrically connected to the probe 40, and a plurality of conductive solders 36 are formed on the bottom surface of the base substrate 32 to electrically conduct the base contact 33.

여기서, 상기 베이스 기판(32)은 종래의 실리콘 재질이 아니라 LTCC 또는 HTCC의 세라믹 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.Here, the base substrate 32 is preferably made of a ceramic material of LTCC or HTCC, not a conventional silicon material.

상기 LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics)는 1000℃ 이하의 저온 융점 금속과 동시 소성이 가능한 세라믹 재료를 나타낸다. 그리고 상기 베이스 기판(32)이 LTCC 재질로 이루어지는 경우, 프로브(40)와 도전성 솔더(36)를 상호 통전시키기 위해 베이스 기판(32) 내부에 형성되는 베이스 컨택(33)은 Ag 소재로 이루어지는 것이 바람직하다.Low temperature co-fired ceramics (LTCC) refers to a ceramic material capable of co-firing with a low temperature melting point metal below 1000 ° C. In addition, when the base substrate 32 is made of an LTCC material, the base contact 33 formed inside the base substrate 32 in order to conduct electricity between the probe 40 and the conductive solder 36 is preferably made of Ag material. Do.

최근 이동통신의 발달로 인해 전자부품의 고주파화, 소형화가 필수적인 요소로 대두되고 있는데, 이를 위해서는 부품의 집적, 모듈화가 필요하다. 그리고 이러한 전자 부품의 집적 및 모듈화에는 MLP(Multi-Layer Process) 공정과 전극과의 동시 소성이 필수적으로 필요하고, 전극재료로서는 Cu보다는 전기적 특성이 우수하고 경제적인 Ag가 각광을 받고 있다.Recently, due to the development of mobile communication, high frequency and miniaturization of electronic components has emerged as an essential element, which requires integration and modularization of components. In addition, the integration and modularization of such electronic components is essential to the MLP (Multi-Layer Process) process and co-firing of the electrode is essential, and as the electrode material, Ag, which has better electrical characteristics and economical than Cu, is in the spotlight.

따라서 본 발명에서는 프로브(40)와 도전성 솔더(36)를 전기적으로 연결하는 베이스 기판(32)의 컨택(33)으로 Ag 소재를 사용하는 경우, Ag의 낮은 융점을 고려하여 베이스 기판(32)의 재질로 LTCC를 사용한다.Therefore, in the present invention, when using the Ag material as the contact 33 of the base substrate 32 that electrically connects the probe 40 and the conductive solder 36, considering the low melting point of Ag of the base substrate 32 LTCC is used as the material.

그리고 상기 HTCC(High Temperature Co-fired Ceramics)는 상대적으로 높은 온도인 1500℃ 이상의 고온 융점 금속과 동시 소성이 가능한 세라믹 재료를 나타낸다. In addition, the HTCC (High Temperature Co-fired Ceramics) represents a ceramic material capable of co-firing with a high temperature melting point metal of 1500 ° C. or more, which is a relatively high temperature.

따라서 본 발명에서는 프로브(40)와 도전성 솔더(36)를 상호 통전시키기 위해 베이스 기판(32) 내부에 형성되는 베이스 컨택(33)으로 W 소재를 사용하는 경우, W의 높은 융점을 고려하여 베이스 기판(33)의 재질로 HTCC를 사용한다.Therefore, in the present invention, when using the W material as the base contact 33 formed inside the base substrate 32 to energize the probe 40 and the conductive solder 36, the base substrate in consideration of the high melting point of W HTCC is used as the material for (33).

한편 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 베이스 기판(32)은 MEMS 공정을 통해 다층 기판 구조로 이루어질 수도 있다. 즉, 상기 프로브 모듈(30)은, 상기 베이스 기판(32)의 상면에서 MEMS 방식으로 형성되어 베이스 컨택(33)과 통전하는 도전성 금속 재질의 상부 도금층(34)과, 상기 베이스 기판(32)의 상면에 MEMS 방식으로 형성되는 PI 재질의 상부 절연층(35), 그리고 상기 상부 절연층(35) 내부에 MEMS 방식으로 형성되어 상부 도금층(34) 및 프로브(40)와 통전하는 도전성 금속 재질의 상부 컨택(37)을 포함하는 구조로 이루어지고, 상기 상부 절연층(35)의 상면에 프로브(40)가 형성되도록 구성될 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 3C, the base substrate 32 may have a multilayer substrate structure through a MEMS process. That is, the probe module 30 may be formed on the upper surface of the base substrate 32 by the MEMS method, and may be formed of the upper plating layer 34 made of a conductive metal material which is in electrical communication with the base contact 33 and the base substrate 32. The upper insulating layer 35 of PI material formed on the upper surface by the MEMS method, and the conductive metal material formed on the upper insulating layer 35 by the MEMS method and energizing the upper plating layer 34 and the probe 40. A structure including a contact 37 may be formed, and the probe 40 may be formed on an upper surface of the upper insulating layer 35.

그리고 상기 베이스 기판(32)의 상면에는 전술한 상부 도금층(34)과, 상부 절연층(35) 및 상부 컨택(37)의 형성 과정이 반복적으로 수행됨으로써, 다층 구조로 이루어질 수도 있다.In addition, the above-described upper plating layer 34, the upper insulating layer 35, and the upper contact 37 may be repeatedly formed on the upper surface of the base substrate 32 to form a multilayer structure.

그리고 상기 상부 절연층(35)을 형성하는 PI(Polyimide; 폴리이미드)는 주쇄에 이미드 결합(-CO-NH-CO-)을 가지는 내열성 수지의 총칭을 나타내는데, 이러한 PI 재질의 특징은 높은 내열성에 있으며, 엔니지니어링 플라스틱 중에서도 가장 높은 부류에 속하고, 특히 고온에서 장기간 사용해도 특성이 노화되지 않는 장점을 가진다.In addition, the polyimide (PI) forming the upper insulating layer 35 represents a general term of a heat resistant resin having an imide bond (-CO-NH-CO-) in a main chain, which is characterized by high heat resistance. It belongs to the highest class among engineering plastics, and it has the advantage that the characteristic does not age even after long-term use at high temperature.

한편, 최근 점점 미세한 회로 구조로 이루어지는 웨이퍼의 검사를 위해 프로브(40)의 간격도 미세하게 배치되고 있고, 그에 따라 프로브(40)의 피치 변환을 위해서 프로브 모듈은 많은 수의 절연층이 적층된 다층 구조로 이루어지도록 요구 받을 수도 있다. 그러나 도 3c에 도시된 바와 같이 베이스 기판(32)의 상면에만 다수의 절연층(35)을 적층하는 것은 한계가 있다.On the other hand, the interval of the probe 40 is also minutely arranged for the inspection of wafers having an increasingly fine circuit structure, and accordingly, the probe module is a multilayer in which a large number of insulating layers are stacked in order to change the pitch of the probe 40. It may be required to be structured. However, as illustrated in FIG. 3C, it is limited to stack a plurality of insulating layers 35 only on the top surface of the base substrate 32.

따라서 이러한 문제를 보완하기 위해, 베이스 기판(32)의 상면과 하면 모두에 절연층을 형성함으로써, 안정적으로 프로브(40)의 피치 변환을 더욱 넓게 적용할 수 있게 구성되는 것이 바람직하다.Therefore, in order to compensate for this problem, it is preferable that the insulating layer is formed on both the upper and lower surfaces of the base substrate 32 so that the pitch conversion of the probe 40 can be stably applied.

즉 도 3d에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 프로브 모듈(30)은 베이스 기판(32)의 상면에서 상부 도금층(34)과, 상부 절연층(35) 및 상부 컨택(37)이 MEMS 방식으로 통해 차례로 형성되고, 베이스 기판(32)의 저면에서 하부 도금층(34a)과, 하부 절연층(35a) 및 하부 컨택(37a)이 MEMS 방식으로 통해 차례로 형성되는 것이 바람직하다.That is, as shown in Figure 3d, the probe module 30 according to the present invention is the upper plating layer 34, the upper insulating layer 35 and the upper contact 37 on the upper surface of the base substrate 32 in the MEMS method The lower plating layer 34a, the lower insulating layer 35a, and the lower contact 37a are sequentially formed through the MEMS method on the bottom surface of the base substrate 32.

예를 들어, 베이스 기판(32)의 저면에 베이스 컨택(33)과 전기적으로 연결되는 도전성 금속 재질의 하부 도금층(34a)이 MEMS 방식으로 형성되고, 또한 PI 재질의 하부 절연층(35a)이 MEMS 방식으로 형성된다. 그리고 상기 하부 절연층(35a) 내부에는 하부 도금층(34a)과 전기적으로 연결되는 도전성 금속 재질의 하부 컨택(37a)이 MEMS 방식으로 형성되는데, 상기 하부 컨택(37a)은 도전성 솔더(36)와 전기적으로 연결된다.For example, a lower plating layer 34a of a conductive metal material electrically connected to the base contact 33 is formed on the bottom surface of the base substrate 32 by a MEMS method, and the lower insulating layer 35a of a PI material is formed of MEMS. Is formed in a manner. A lower contact 37a of a conductive metal material electrically connected to the lower plating layer 34a is formed in the lower insulating layer 35a by MEMS, and the lower contact 37a is electrically connected to the conductive solder 36. Is connected.

그리고 상기 프로브(40)는 반도체 웨이퍼에 전기 접속하기 위한 탐침 구조로 이루어지고, 베이스 기판(32)의 상면에 MEMS 공정으로 제조되는 것이 바람직하다. 이러한 프로브(40)는, 베이스 기판(32)의 상면에 형성되는 기단부(42)와, 상기 기단부(42)의 상면에서 측 방향으로 연장되는 빔(44), 빔(44)의 타측 단부에서 수직하게 돌출 형성되는 프로브 팁(46)을 포함하여 구성된다.In addition, the probe 40 may have a probe structure for electrically connecting to a semiconductor wafer, and may be manufactured on the upper surface of the base substrate 32 by a MEMS process. The probe 40 is perpendicular to the proximal end 42 formed on the upper surface of the base substrate 32, the beam 44 extending laterally from the upper surface of the proximal end 42, and the other end of the beam 44. It is configured to include a probe tip 46 that protrudes.

상기 기단부(42)는 베이스 기판(32)의 상면에서 임의의 높이로 돌출되고, 도전성 금속 재질로 이루어진다.The proximal end 42 protrudes to a predetermined height from the upper surface of the base substrate 32 and is made of a conductive metal material.

그리고 상기 빔(44)은 기단부(42)의 상면에서 측 방향으로 연장되는 구조로 이루어지는데, 그 일측 단부가 상기 기단부(42)의 상면에 고정 부착된다. 이러한 빔(44)은 프로브 팁(46)을 탄력 지지할 수 있도록 측 방향으로 임의의 길이를 가지고, 상기 기단부(42)와 마찬가지로 도전성 금속 재질로 이루어진다.The beam 44 has a structure extending in the lateral direction from the upper surface of the base end 42, one end is fixedly attached to the upper surface of the base end (42). The beam 44 has an arbitrary length in the lateral direction so as to elastically support the probe tip 46, and is made of a conductive metal material similarly to the base end 42.

그리고 상기 빔(44)의 타측 단부에는 반도체 웨이퍼에 전기 접속하는 프로브 팁(46)이 수직하게 돌출 형성된다.At the other end of the beam 44, a probe tip 46 electrically connected to the semiconductor wafer protrudes vertically.

한편, 상기 프로브 모듈(30)이 도 3c에 도시된 바와 같이 다층 기판 구조로 이루어지는 경우에는, 상기 프로브(40)가 상부 절연층(35)의 상면에 형성된다.  Meanwhile, when the probe module 30 has a multilayer substrate structure as shown in FIG. 3C, the probe 40 is formed on the upper surface of the upper insulating layer 35.

또한 상기 베이스 기판(32)의 저면에 형성되는 도전성 솔더(36)는, 프로브 모듈(30)을 공간 변환기(10)에 접합시키기 위한 구성요소로서, 외부의 열에 의해 표면이 용융되는 재질로 이루어진다. 따라서 프로브 모듈(30)을 공간 변환기(10)에 접합하는 과정에서, 각각의 도전성 솔더(36)가 대응되는 패드(16)에 열적 융착된다.In addition, the conductive solder 36 formed on the bottom surface of the base substrate 32 is a component for bonding the probe module 30 to the space transducer 10 and is made of a material in which the surface is melted by external heat. Accordingly, in the process of bonding the probe module 30 to the space converter 10, each conductive solder 36 is thermally fused to the corresponding pad 16.

여기서, 상기 도전성 솔더(36)는 Pb를 포함하지 않는 무연 솔더로 이루어지는 것이 바람직하고, 특히 Sn, Ag 및 Cu의 합금 조성물로 이루어지는 것이 바람직하다. 이러한 도전성 솔더(36)는 베이스 기판(32) 내부에 형성된 베이스 컨택(33)을 통해 프로브(40)와 통전 가능하고, 프로브(40)를 통해 송수신되는 전기적 신호를 공간 변환기(10)로 전송할 수 있게 구성된다.Here, the conductive solder 36 is preferably made of a lead-free solder containing no Pb, and particularly preferably made of an alloy composition of Sn, Ag, and Cu. The conductive solder 36 may conduct electricity with the probe 40 through the base contact 33 formed in the base substrate 32, and transmit electrical signals transmitted and received through the probe 40 to the space converter 10. It is configured to be.

한편, 상기 프로브 모듈(30)과 공간 변환기(10)를 접합시키는 과정에서는 각각의 도전성 솔더(36)와 패드(16)가 정확하게 정렬될 수 있도록 하는 것이 중요하다.Meanwhile, in the process of bonding the probe module 30 and the space converter 10, it is important to ensure that the respective conductive solder 36 and the pad 16 are aligned correctly.

이를 위해, 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 공간 변환기(10)의 상면에는, 프로브 모듈(30)과 공간 변환기(10)의 접합 과정에서 각각의 도전성 솔더(36)와 패드(16) 사이의 정렬을 맞추기 위한 제1 얼라인 키(18)가 형성될 수 있다. 이때, 상기 제1 얼라인 키(18)는 후술하는 프로브 모듈(30)의 제2 얼라인 키(38)가 수용될 수 있는 안착홈 구조로 이루어질 수 있다.To this end, as shown in Figures 2a and 2b, the upper surface of the space transducer 10 according to the present invention, each of the conductive solder 36 and the bonding process of the probe module 30 and the space transducer 10 First alignment keys 18 may be formed to align the alignment between the pads 16. In this case, the first alignment key 18 may have a mounting groove structure in which the second alignment key 38 of the probe module 30 to be described later may be accommodated.

또한, 상기 패드(16)는 통상의 평탄 구조로 이루어질 수도 있으나, 프로브 모듈(30)과 공간 변환기(10)의 접합 과정에서 각각의 도전성 솔더(36)와 패드(16) 사이의 정렬을 보다 정확하게 맞추기 위해, 상기 패드(16)의 중심부에는 도전성 솔더(36)가 삽입될 수 있도록 오목한 홈이 형성되도록 구성될 수도 있다.In addition, the pad 16 may have a conventional flat structure, but more precisely the alignment between the conductive solder 36 and the pad 16 during the bonding process of the probe module 30 and the space transducer 10. In order to fit, a concave groove may be formed in the center of the pad 16 so that the conductive solder 36 can be inserted.

그리고 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 본 발명에 따른 프로브 모듈(30)의 저면에는 상기 제1 얼라인 키(18)에 대응되는 위치에 도전성 솔더(36)와 패드(16) 사이의 정렬을 맞추기 위한 제2 얼라인 키(38)가 형성될 수 있다. 즉, 프로브 모듈(30)과 공간 변환기(10)의 접합 과정에서 각각의 도전성 솔더(36)가 패드(16)의 상면에 정확하게 정렬될 수 있도록, 상기 제1 얼라인 키(18)와 제2 얼라인 키(38)는 상호 대응되는 위치에 형성된다.3A and 3B, the bottom surface of the probe module 30 according to the present invention arranges an alignment between the conductive solder 36 and the pad 16 at a position corresponding to the first alignment key 18. A second align key 38 can be formed for fitting. In other words, the first alignment key 18 and the second alignment key 18 may be accurately aligned with the top surface of the pad 16 during the bonding process between the probe module 30 and the space transducer 10. The align key 38 is formed at a position corresponding to each other.

또한 상기 제2 얼라인 키(38)는 베이스 기판(32)의 저면에서 하측으로 돌출 형성되는 돌기 구조로 이루어지고, 프로브 모듈(30)과 공간 변환기(10)의 접합 과정에서 전술한 안착홈 구조의 제1 얼라인 키(18)에 삽입되도록 구성된다. 반대로, 상기 제1 얼라인 키(18)가 돌기 구조로 이루어지고, 상기 제2 얼라인 키(38)는 제1 얼라인 키(18)를 수용할 수 있는 안착홈 구조로 이루어지도록 구성할 수도 있다. In addition, the second alignment key 38 has a protrusion structure protruding downward from the bottom surface of the base substrate 32, and the seating groove structure described above in the bonding process between the probe module 30 and the space transducer 10. And to be inserted into the first alignment key 18 of. On the contrary, the first alignment key 18 may have a protrusion structure, and the second alignment key 38 may have a seating groove structure for accommodating the first alignment key 18. have.

또한 상기 제2 얼라인 키(38)는 "+" 형태의 십자형 돌기 구조로 이루어지고, 이에 대응하는 제1 얼라인 키(18) 역시 십자형 안착홈 구조로 이루어지도록 구성함으로서, 제1 얼라인 키(18)와 제 얼라인 키(38)의 체결을 용이하게 하는 것이 바람직하다.In addition, the second alignment key 38 has a cross-shaped protrusion structure of "+" shape, and the first alignment key 18 corresponding thereto is also configured to have a cross-shaped seating groove structure. It is preferable to facilitate the fastening of the 18 and the align key 38.

그리고 상기 도전성 솔더(36)는 통상의 평탄 구조 또는 볼 구조로 이루어질 수도 있으나, 프로브 모듈(30)과 공간 변환기(10)의 접합 과정에서 각각의 도전성 솔더(36)와 패드(16) 사이의 정렬을 보다 정확하게 맞추기 위해, 상기 도전성 솔더(36)의 중심부에는 전술한 패드(16)의 오목한 중심부에 삽입되기 위한 돌기가 돌출 형성되도록 구성될 수도 있다. 따라서 프로브 모듈(30)과 공간 변환기(10)의 접합 과정에서, 도전성 솔더(36)의 돌출된 중심부가 패드(16)의 오목한 중심부에 삽입됨으로써, 각각의 도전성 솔더(36)와 패드(16) 사이의 정렬이 보다 정확하게 이루어질 수 있게 된다.The conductive solder 36 may be formed of a conventional flat structure or a ball structure, but is aligned between the respective conductive solder 36 and the pad 16 during the bonding process of the probe module 30 and the space transducer 10. In order to more precisely fit, the center of the conductive solder 36 may be configured to protrude to form a projection for insertion into the concave center of the above-described pad (16). Accordingly, in the process of bonding the probe module 30 and the space transducer 10, the protruding center portion of the conductive solder 36 is inserted into the concave center portion of the pad 16, thereby providing the respective conductive solder 36 and the pad 16. The alignment between can be made more accurately.

한편, 본 발명에 따른 도전성 솔더(36)는 열에 의해 표면이 용융될 수 있는 재질로 이루어져야 하는데, 다수의 도전성 솔더(36) 모두가 동일한 수준으로 용융되지 않을 수 있다. 즉, 외부의 열에 의해 도전성 솔더(36)가 용융되면서 패드(16)에 접합하는 과정에서 일부 도전성 솔더(36)가 더욱 많이 용융되는 경우, 해당 도전성 솔더(36)의 두께가 낮아지면서 프로부 모듈(30)의 수평 상태가 유지되지 않는 문제점이 발생할 수도 있다.On the other hand, the conductive solder 36 according to the present invention should be made of a material that can melt the surface by heat, a plurality of conductive solder 36 may not all melt to the same level. That is, when some of the conductive solder 36 is further melted in the process of bonding the conductive solder 36 to the pad 16 while the conductive solder 36 is melted by external heat, the thickness of the conductive solder 36 is lowered and the pro-module module is lowered. There may be a problem that the horizontal state of 30 is not maintained.

이러한 문제를 방지하기 위해, 도 4에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 도전성 솔더(36)는, 도전성 솔더(36)와 패드(16)의 열적 융합 과정에서 용융되지 않는 재질로 이루어지는 솔더 지지부(35)가 내부에 삽입되는 구조로 이루어지도록 구성된다. 따라서 일부 도전성 솔더(36)가 필요 이상으로 용융되더라도, 그 내부에 삽입된 솔더 지지부(35)가 용융되지 않은 상태에서 프로브 모듈(30)을 지지할 수 있기 때문에, 프로브 모듈(30)의 수평 상태가 유지될 수 있게 된다.In order to prevent such a problem, the conductive solder 36 according to the present invention, as shown in Figure 4, the solder support 35 made of a material that does not melt during the thermal fusion process of the conductive solder 36 and the pad 16 ) Is configured to have a structure that is inserted therein. Therefore, even if some of the conductive solder 36 is melted more than necessary, because the solder support 35 inserted therein can support the probe module 30 in the unmelted state, the horizontal state of the probe module 30 Can be maintained.

이하에서는, 전술한 본 발명에 따른 프로브 카드의 제조방법에 대해 살펴본다.Hereinafter, looks at the manufacturing method of the probe card according to the present invention described above.

도 5에는 본 발명에 따른 프로브 카드 제조 과정이 도시되어 있고, 도 6 및 도 7에는 본 발명에 따른 프로브 모듈의 제조 과정이 각각 도시되어 있다.5 shows a process for manufacturing a probe card according to the present invention, and FIGS. 6 and 7 show a process for manufacturing a probe module according to the present invention, respectively.

도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 프로브 카드 제조방법은, 프로브 모듈(30)과 공간 변환기(10)를 각각 별도로 제조한 후, 프로브 모듈(30)과 공간 변환기(10)를 통전 가능하게 접합시키는 방식으로 이루어진다.Referring to FIG. 5, in the method of manufacturing a probe card according to the present invention, after separately manufacturing the probe module 30 and the space transducer 10, the probe module 30 and the space transducer 10 may be electrically connected to each other. It is done in a way.

그리고 도 6을 참조하면, 제1실시예에 따른 프로브 모듈(30)의 제조 과정은 다음과 같다.6, the manufacturing process of the probe module 30 according to the first embodiment is as follows.

우선, LTCC 또는 HTCC 재질로 이루어지는 베이스 기판(32)을 일정 크기의 프로브 모듈(30)로 구분한다. 즉, LTCC 또는 HTCC 재질로 이루어지는 베이스 기판(32)을 다수의 프로브 모듈(30)로 구분하는데, 이때 각 프로브 모듈(30)의 크기는 공간 변환기(10)에 접합할 수 있도록 미리 설정된다.First, the base substrate 32 made of LTCC or HTCC material is divided into probe modules 30 having a predetermined size. That is, the base substrate 32 made of the LTCC or HTCC material is divided into a plurality of probe modules 30, wherein the size of each probe module 30 is set in advance so as to be bonded to the space transducer 10.

그리고 상기 베이스 기판(32) 내부에 도전성 금속 재질의 베이스 컨택(33)을 다수 형성한다. 이러한 베이스 컨택(33)의 형성은 베이스 기판(32)에 MEMS 방식으로 비아 홀을 뚫고, 각 비아 홀에 도전성 금속 소재를 도금함으로써 이루어질 수 있다.A plurality of base contacts 33 made of a conductive metal material are formed in the base substrate 32. The base contact 33 may be formed by drilling a via hole in the base substrate 32 by a MEMS method and plating a conductive metal material in each via hole.

한편, 상기 베이스 기판(32)이 LTCC 재질로 이루어지는 경우에는 상기 베이스 컨택(33)이 Ag 소재로 이루어지는 것이 바람직하고, 상기 베이스 기판(32)이 HTCC 재질로 이루어지는 경우에는 상기 베이스 컨택(33)이 W 소재로 이루어지는 것이 바람직하다.On the other hand, when the base substrate 32 is made of LTCC material, it is preferable that the base contact 33 is made of Ag material, and when the base substrate 32 is made of HTCC material, the base contact 33 is It is preferable to consist of W material.

그리고 베이스 기판(32)의 상면에 베이스 컨택(33)과 통전하는 다수의 프로브(40)를 형성한다. 이러한 프로브(40)는 다음과 같이 MEMS 방식으로 형성되는 것이 바람직하다.In addition, a plurality of probes 40 may be formed on the upper surface of the base substrate 32 to conduct electricity to the base contact 33. The probe 40 is preferably formed by the MEMS method as follows.

우선, 베이스 기판(32)의 상면에서 베이스 컨택(33) 위에 기단부(42)를 형성한다. 예를 들어, 베이스 기판(32) 위에 포토 레지스트를 도포하여 포토 레지스트층을 형성한 후 마스크 패턴에 따라 기단부(42)가 형성될 부분을 노광으로 현상하여 노출시킨 후, 노출된 부분에 도전성 금속을 도포하여 적층시킴으로써 기단부(42)를 형성한다.First, a base end 42 is formed on the base contact 33 on the upper surface of the base substrate 32. For example, after the photoresist is formed on the base substrate 32 to form a photoresist layer, a portion where the base end portion 42 is to be formed is exposed by exposure to a mask pattern, and then a conductive metal is exposed to the exposed portion. The base end part 42 is formed by apply | coating and laminating | stacking.

이러한 방식으로 기단부(42)를 제조할 경우, 포토 레지스트 도포 및 도전성 금속의 적층 공정을 반복 수행함으로써, 기단부(42)의 높이를 적절하게 조절할 수 있다.When the base end portion 42 is manufactured in this manner, the height of the base end portion 42 can be appropriately adjusted by repeating the photoresist coating and the lamination process of the conductive metal.

그리고 상기 기단부(42)의 상면에 일측 단부가 고정 부착되고, 측 방향으로 연장되는 빔(44)을 형성한다. 예를 들어, 포토 레지스트를 도포하여 포토 레지스트층을 형성한 후 마스크 패턴에 따라 빔(44)이 형성될 부분을 노광으로 현상하여 노출시킨 후, 노출된 부분에 도전성 금속을 도포하여 빔(44)을 형성한다.And one end is fixedly attached to the upper surface of the base end 42, and forms a beam 44 extending in the lateral direction. For example, after the photoresist is applied to form a photoresist layer, the portion on which the beam 44 is to be formed is exposed by exposure under a mask pattern, and then a conductive metal is applied to the exposed portion to apply the beam 44. To form.

마지막으로, 반도체 웨이퍼에 전기 접속하는 프로브 팁(46)을 빔(44)의 타측 단부에서 수직하게 돌출 형성되도록 형성한다. 예를 들어, 빔(44)의 타측 단부 위에 포토 레지스트를 도포하여 포토 레지스트층을 형성한 후 마스크 패턴에 따라 프로브 팁(46)이 형성될 부분을 노광으로 현상하여 노출시키는 공정과, 노출된 부분에 도전성 금속을 도포하여 적층시키는 공정을 반복 수행함으로써, 적절한 높이의 프로브 팁(46)을 형성한다.Finally, the probe tip 46, which is electrically connected to the semiconductor wafer, is formed to protrude perpendicularly from the other end of the beam 44. For example, a process of applying photoresist on the other end of the beam 44 to form a photoresist layer, and then developing and exposing a portion where the probe tip 46 is to be formed according to a mask pattern by exposure; By repeating the process of applying and laminating a conductive metal on the surface, a probe tip 46 having an appropriate height is formed.

그리고 베이스 기판(32)의 저면에 베이스 컨택(33)에 통전하는 다수의 도전성 솔더(36)를 형성한다 이러한 도전성 솔더(36)는 베이스 기판(32)의 저면에서 MEMS 방식으로 형성되거나 또는 페이스트에 의해 부착될 수 있다.A plurality of conductive solders 36 are formed on the bottom surface of the base substrate 32. The conductive solders 36 are formed on the bottom surface of the base substrate 32 by MEMS or paste. Can be attached.

또한 프로브 모듈(30)과 공간 변환기(10)의 접합 과정에서, 도전성 솔더(36)와 패드(16) 사이의 정렬을 맞추기 위해, 베이스 기판(32)의 저면에 제2 얼라인 키(38)가 형성되는 과정이 더 포함될 수 있다.In addition, in the process of bonding the probe module 30 and the space converter 10, the second alignment key 38 is disposed on the bottom surface of the base substrate 32 in order to align the conductive solder 36 and the pad 16. The process of forming may be further included.

이후, 상기 베이스 기판(32)에서 프로브 모듈(30)을 분리하게 되는데, 이러한 프로브 모듈(30)에는 다수의 베이스 컨택(33)과, 프로브(40), 도전성 솔더(36) 및 제2 얼라인 키(38)가 각각 형성되어 있다.Thereafter, the probe module 30 is separated from the base substrate 32. The probe module 30 includes a plurality of base contacts 33, the probe 40, the conductive solder 36, and the second alignment. Keys 38 are formed respectively.

그리고 상기와 같이 공간 변환기(10)와 프로브 모듈(30)이 각각 제조되면, 상기 프로브 모듈(30)을 공간 변환기(10)의 상면에 접합시키는데, 이때 각각의 도전성 솔더(36)가 대응되는 패드(16)에 열적 융합됨으로써 프로브 모듈(30)과 공간 변환기(10)가 통전 가능하게 접합된다.When the space transducer 10 and the probe module 30 are manufactured as described above, the probe module 30 is bonded to the top surface of the space transducer 10, wherein each conductive solder 36 corresponds to a pad. By thermally fusion to the 16, the probe module 30 and the space transducer 10 are electrically connected to each other.

한편 도 7을 참조하면, 제2실시예에 따른 프로브 모듈(30)의 제조 과정은 다음과 같다.On the other hand, referring to Figure 7, the manufacturing process of the probe module 30 according to the second embodiment is as follows.

전술한 바와 같이, LTCC 또는 HTCC 재질로 이루어지는 베이스 기판(32)을 일정 크기의 프로브 모듈(30)로 구분한 후, 상기 베이스 기판(32) 내부에 도전성 금속 재질의 베이스 컨택(33)을 다수 형성한다.As described above, after dividing the base substrate 32 made of LTCC or HTCC material into the probe module 30 having a predetermined size, a plurality of base contacts 33 made of a conductive metal material are formed in the base substrate 32. do.

그리고 베이스 기판(32)의 상면에 상기 베이스 컨택(33)과 전기적으로 연결되는 도전성 금속 재질의 상부 도금층(34)을 MEMS 방식으로 형성한다.In addition, an upper plating layer 34 of a conductive metal material electrically connected to the base contact 33 is formed on the upper surface of the base substrate 32 by a MEMS method.

예를 들어, 베이스 기판(32)의 상면에 Cu 혹은 Au 등의 도전성 금속 소재를 증착하여 시드층을 형성하고, 시드층 위에 도트 패턴으로 포토 레지스트를 도포하여 포토 레지스트층을 형성한 후, 마스크 패턴에 따라 상부 도금층(34)을 형성할 부분을 제외한 나머지 시드층을 에칭하여 제거함으로써, 도트 패턴의 시드층을 형성한다. 이후, 상기 도트 패턴의 시드층 위에 금속 소재를 도금함으로써 상부 도금층(34)이 형성된다.For example, a seed layer is formed by depositing a conductive metal material such as Cu or Au on the upper surface of the base substrate 32, and a photoresist is formed by applying a photoresist in a dot pattern on the seed layer to form a mask pattern. As a result, the seed layer of the dot pattern is formed by etching and removing the remaining seed layers except for the portion where the upper plating layer 34 is to be formed. Thereafter, the upper plating layer 34 is formed by plating a metal material on the seed layer of the dot pattern.

그리고 베이스 기판(32)의 상면에 PI 재질의 상부 절연층(35)을 MEMS 방식으로 형성한다.The upper insulating layer 35 of PI material is formed on the upper surface of the base substrate 32 by the MEMS method.

예를 들어, 상부 도금층(34)이 형성된 베이스 기판(32)의 상면에 액상 PI 소재를 도포 후 소성시키는 방식, 또는 고상 PI 소재를 베이스 기판(32)의 상면에 압착하는 방식으로 상부 절연층(35)을 형성할 수 있다.For example, the upper insulating layer may be formed by coating a liquid PI material on the upper surface of the base substrate 32 on which the upper plating layer 34 is formed, and then firing or compressing the solid PI material on the upper surface of the base substrate 32. 35).

이후, 상부 절연층(35) 내부에 상기 상부 도금층(34)과 전기적으로 연결되는 도전성 금속 재질의 상부 컨택(37)을 MEMS 방식으로 형성한다.Thereafter, an upper contact 37 of a conductive metal material electrically connected to the upper plating layer 34 is formed in the upper insulating layer 35 by a MEMS method.

예를 들어, 포토 레지스트층을 형성 및 마스크 패터닝을 통해 상부 도금층(34)과 연통되는 비아 홀을 상부 절연층(35) 내부에 형성하고, 상기 비아 홀에 Cu 혹은 Au 등의 도전성 금속 소재를 도금함으로써, 상부 도금층(34)에 전기적으로 연결되는 상부 컨택(37)을 상부 절연층(35) 내부에 형성한다.For example, a via hole communicating with the upper plating layer 34 is formed in the upper insulating layer 35 by forming a photoresist layer and mask patterning, and plating a conductive metal material such as Cu or Au in the via hole. As a result, an upper contact 37 electrically connected to the upper plating layer 34 is formed in the upper insulating layer 35.

그리고 상기와 같이 형성된 상부 절연층(35) 위에 상부 컨택(37)과 통전하는 프로브(40)를 MEMS 방식으로 형성한다.In addition, a probe 40 that conducts electricity to the upper contact 37 is formed on the upper insulating layer 35 formed as described above by using a MEMS method.

또한 상기 제2실시예와 동일한 방식으로, 베이스 기판(32)의 저면에도 상부 도금층(34a)과, 상부 절연층(35a) 및 상부 컨택(37a)이 형성되도록 구성될 수 있다.In addition, in the same manner as in the second embodiment, the upper plating layer 34a, the upper insulating layer 35a, and the upper contact 37a may be formed on the bottom surface of the base substrate 32.

그리고 상기와 같이 프로브 모듈(30)과 공간 변환기(10)가 각각 별도로 제조된 후, 프로브 모듈(30)과 공간 변환기(10)의 접합 과정을 거치게 된다. 이때, 프로브 모듈(30)의 저면에 형성되는 도전성 솔더(36)와 공간 변환기(10)의 상면에 형성되는 패드(16) 사이의 정렬을 맞추는 것이 가장 중요하다. 만일, 일부 도전성 솔더(36)와 패드(16) 사이에 정렬이 제대로 이루어지지 않으면, 프로브(40)와 인쇄회로기판 사이의 전기 신호 전송이 이루어지지 않게 되어, 프로브 카드의 불량으로 이어질 수 있기 때문이다.After the probe module 30 and the space transducer 10 are separately manufactured as described above, the probe module 30 and the space transducer 10 are bonded to each other. In this case, it is most important to align the alignment between the conductive solder 36 formed on the bottom surface of the probe module 30 and the pad 16 formed on the top surface of the space converter 10. If the alignment is not performed properly between some of the conductive solder 36 and the pad 16, the electrical signal transmission between the probe 40 and the printed circuit board is not made, which may lead to a defect of the probe card. to be.

이를 위해, 본 발명에 따른 프로브 카드의 제조방법은, 프로브 모듈(30)과 공간 변환기(10)의 대응되는 위치에 형성되는 제1 얼라인 키(18) 및 제2 얼라인 키(38)를 이용하여, 도전성 솔더(36)와 패드(16) 사이의 정렬을 맞추게 된다.To this end, in the method of manufacturing a probe card according to the present invention, a first alignment key 18 and a second alignment key 38 formed at corresponding positions of the probe module 30 and the space transducer 10 are provided. In this case, alignment between the conductive solder 36 and the pad 16 is achieved.

즉, 프로브 모듈(30)의 저면에 형성된 돌기 구조의 제2 얼라인 키(38)가 공간 변환기(10)의 상면에 형성된 안착홈 구조의 제1 얼라인 키(18)에 수용될 수 있도록 프로브 모듈(30)을 공간 변환기(10)의 상면에 접촉시킨다.That is, the probe may be accommodated in the first alignment key 18 of the mounting groove structure formed on the upper surface of the space transducer 10, the second alignment key 38 of the protrusion structure formed on the bottom surface of the probe module 30 The module 30 is brought into contact with the top surface of the space transducer 10.

이처럼 제2 얼라인 키(38)가 제1 얼라인 키(18)에 수용되면, 각각의 도전성 솔더(36)가 대응되는 위치의 패드(16) 위에 접촉하는 상태가 되는데, 이때 도전성 솔더(36)의 돌출된 중심부가 패드(16)의 오목한 중심부에 삽입된다.When the second alignment key 38 is received in the first alignment key 18 as described above, each of the conductive solders 36 is in contact with the pads 16 at the corresponding positions, where the conductive solders 36 The protruding center of the pad is inserted into the concave center of the pad 16.

이처럼 각각의 도전성 솔더(36)가 대응되는 패드(16) 위에 접촉하는 상태에서, 도전성 솔더(36)에 열을 가하면 도전성 솔더(36)의 표면이 용융되면서 패드(16)에 열적 융착되고, 결국 프로브 모듈(30)이 공간 변환기(10)에 통전 가능하게 접합된 프로브 카드가 완성될 수 있게 된다.As such, in the state where each conductive solder 36 is in contact with the corresponding pad 16, when the conductive solder 36 is heated, the surface of the conductive solder 36 is melted and thermally fused to the pad 16. The probe card 30 to which the probe module 30 is electrically connected to the space transducer 10 can be completed.

이상의 설명에서 본 발명은 특정의 실시 예와 관련하여 도시 및 설명하였지만, 특허청구범위에 의해 나타난 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 개조 및 변화가 가능하다는 것을 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 쉽게 알 수 있을 것이다.While the invention has been shown and described in connection with specific embodiments thereof, it is well known in the art that various modifications and changes can be made without departing from the spirit and scope of the invention as indicated by the claims. Anyone who owns it can easily find out.

본 발명에 따르면, 프로브 모듈을 LTCC 또는 HTCC 재질로 제조함으로써 제조 원가를 절감할 수 있고, 또한 프로브 모듈과 공간 변환기가 상호 유사한 열 팽창율을 구비하는 재질로 이루어지게 되므로, 고온 공정에서도 프로브 모듈과 공간 변환기 사이의 정렬 상태가 유지될 수 있게 된다.According to the present invention, the manufacturing cost of the probe module can be reduced by manufacturing the LTCC or HTCC material, and the probe module and the space transducer are made of a material having a similar thermal expansion rate. The alignment between the transducers can be maintained.

또한 본 발명에 의하면, 상호 대응되는 얼라인 키 및 도전성 솔더의 구조로 인해 프로브 모듈을 공간 변환기에 접합하는 과정에서 각각의 솔더를 패드 위에 정확하게 정렬할 수 있게 된다.In addition, according to the present invention, due to the structure of the alignment key and the conductive solder corresponding to each other, it is possible to accurately align each solder on the pad in the process of bonding the probe module to the spatial transducer.

또한 본 발명에 의하면, 도전성 솔더 내부에 삽입되는 솔더 지지부에 의해 프로브 모듈의 수평 상태를 보다 효율적으로 유지할 수 있게 된다.In addition, according to the present invention, it is possible to more efficiently maintain the horizontal state of the probe module by the solder support portion inserted into the conductive solder.

Claims (18)

인쇄회로기판에 전기적으로 연결되는 도전성 금속 재질의 컨택이 내부에 형성되고, 상기 컨택과 통전하는 다수의 패드가 상면에 형성되는 공간 변환기와;A space converter in which a contact made of a conductive metal electrically connected to the printed circuit board is formed therein, and a plurality of pads communicating with the contact are formed on an upper surface thereof; 상기 공간 변환기와 별도로 제작된 후 공간 변환기의 상면에 접합되는 프로브 모듈;을 포함하여 구성되고,And a probe module manufactured separately from the space transducer and bonded to an upper surface of the space transducer. 상기 프로브 모듈은, The probe module, LTCC 또는 HTCC 재질로 이루어지는 베이스 기판;A base substrate made of LTCC or HTCC material; 베이스 기판 위에 형성되어 반도체 웨이퍼에 전기 접속하는 다수의 프로브;A plurality of probes formed on the base substrate and electrically connected to the semiconductor wafer; 베이스 기판 내부에 형성되어 프로브와 통전하는 도전성 금속 재질의 베이스 컨택;A base contact formed in the base substrate to conduct electricity with the probe; 베이스 기판의 저면에 형성되어 베이스 컨택과 통전하고, 프로브 모듈과 공간 변환기의 접합 과정에서 상기 패드에 열적 융합되는 다수의 도전성 솔더;A plurality of conductive solders formed on the bottom surface of the base substrate to conduct electricity to the base contacts and are thermally fused to the pads during bonding of the probe module and the space transducer; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.Probe card comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 베이스 기판이 LTCC 재질로 이루어지는 경우 상기 베이스 컨택은 Ag 소재로 이루어지고, 상기 베이스 기판이 HTCC 재질로 이루어지는 경우 상기 베이스 컨택은 W 소재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.And the base contact is made of Ag material when the base substrate is made of LTCC material, and the base contact is made of W material when the base substrate is made of HTCC material. 제1항에 있어서, 상기 프로브 모듈은, The method of claim 1, wherein the probe module, 상기 베이스 기판의 상면에 MEMS 방식으로 형성되고, 베이스 컨택과 통전하는 도전성 금속 재질의 상부 도금층;An upper plating layer formed on the upper surface of the base substrate by a MEMS method and electrically conductive with the base contact; 상기 베이스 기판의 상면에 MEMS 방식으로 형성되는 PI 재질의 상부 절연층;An upper insulating layer of PI material formed on the upper surface of the base substrate by a MEMS method; 상기 상부 절연층 내부에 MEMS 방식으로 형성되고, 상부 도금층 및 프로브와 통전하는 도전성 금속 재질의 상부 컨택;An upper contact formed in the upper insulating layer by a MEMS method, and an upper contact made of a conductive metal material to conduct electricity with the upper plating layer and the probe; 을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.Probe card, characterized in that further comprises a. 제1항에 있어서, 상기 프로브 모듈은, The method of claim 1, wherein the probe module, 상기 베이스 기판의 저면에 MEMS 방식으로 형성되고, 베이스 컨택과 통전하는 도전성 금속 재질의 하부 도금층;A lower plating layer formed on the bottom surface of the base substrate by a MEMS method and electrically conductive with the base contact; 상기 베이스 기판의 저면에 MEMS 방식으로 형성되는 PI 재질의 하부 절연층;A lower insulating layer of PI material formed on the bottom surface of the base substrate in a MEMS manner; 상기 하부 절연층 내부에 MEMS 방식으로 형성되고, 하부 도금층 및 도전성 솔더와 통전하는 도전성 금속 재질의 하부 컨택;A lower contact made of a conductive metal material formed in the lower insulating layer in a MEMS manner and conducting electricity to the lower plating layer and the conductive solder; 을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.Probe card, characterized in that further comprises a. 제1항에 있어서, 상기 프로브는,The method of claim 1, wherein the probe, 베이스 기판의 상면에 형성되어 상부 컨택과 통전하는 기단부와;A proximal end formed on an upper surface of the base substrate to conduct electricity to the upper contact; 상기 기단부의 상면에 일측 단부가 고정되고 측 방향으로 연장되는 빔;A beam having one end fixed to an upper surface of the proximal end and extending in a lateral direction; 상기 빔의 타측 단부에서 수직하게 돌출 형성되는 프로브 팁;A probe tip protruding vertically from the other end of the beam; 을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.Probe card, characterized in that comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 도전성 솔더는, Pb를 포함하지 않고, Sn, Ag 및 Cu의 합금 조성물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.The said electroconductive solder does not contain Pb and consists of alloy composition of Sn, Ag, and Cu, The probe card characterized by the above-mentioned. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 6, 공간 변환기의 상면에 형성되는 제1 얼라인 키와;A first align key formed on an upper surface of the space transducer; 프로브 모듈과 공간 변환기의 접합 과정에서 각각의 패드 위에 도전성 솔더가 정렬될 수 있도록, 프로브 모듈의 저면에서 상기 제1 얼라인 키에 대응되는 위치에 형성되는 제2 얼라인 키;A second alignment key formed at a position corresponding to the first alignment key on the bottom surface of the probe module so that the conductive solder may be aligned on each pad during the bonding of the probe module and the space transducer; 를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.Probe card, characterized in that further comprises. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제1 얼라인 키와 제2 얼라인 키 중 하나는 돌기 구조로 이루어지고, 나머지 하나는 돌기 구조가 수용될 수 있는 안착홈 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.One of the first align key and the second align key is made of a projection structure, the other one of the probe card, characterized in that made of a mounting groove structure that can accommodate the projection structure. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 6, 도전성 솔더의 중심부는 하측으로 돌출 형성되고, 패드의 중심부는 상기 돌출 형성된 도전성 솔더의 중심부를 수용할 수 있도록 오목하게 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.And a center portion of the conductive solder protrudes downward, and a center portion of the pad is concave to receive the center portion of the protruding conductive solder. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 6, 도전성 솔더와 패드의 열적 융합 과정에서 용융되지 않는 재질로 이루어지고, 도전성 솔더의 내부에 삽입되어 프로브 모듈을 지지하는 솔더 지지부;A solder support portion formed of a material that is not melted during thermal fusion of the conductive solder and the pad and inserted into the conductive solder to support the probe module; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.Probe card further comprising. 인쇄회로기판에 전기적으로 연결되는 도전성 금속 재질의 컨택이 내부에 형성되고, 상기 컨택에 통전하는 다수의 패드가 상면에 형성되는 공간 변환기를 제조하는 공정;Manufacturing a space converter in which a contact made of a conductive metal material electrically connected to a printed circuit board is formed therein, and a plurality of pads passing through the contact are formed on an upper surface thereof; LTCC 또는 HTCC 재질로 이루어지는 베이스 기판을 일정 크기의 프로브 모듈로 구분하는 제1단계, 상기 베이스 기판 내부에 도전성 금속 재질의 베이스 컨택을 다수 형성하는 제2단계, 베이스 기판의 상면에 상기 베이스 컨택에 통전하는 다수의 프로브를 형성하는 제3단계, 베이스 기판의 저면에 베이스 컨택에 통전하는 다수의 도전성 솔더를 형성하는 제4단계, 베이스 기판에서 프로브 모듈을 분리하는 제5단계를 포함하여 구성되는 프로브 모듈의 제조 공정;A first step of dividing the base substrate made of LTCC or HTCC into a probe module having a predetermined size, a second step of forming a plurality of base contacts made of a conductive metal material in the base substrate, and energizing the base contact on an upper surface of the base substrate A probe module comprising a third step of forming a plurality of probes, a fourth step of forming a plurality of conductive solders for conducting base contacts on a bottom surface of the base substrate, and a fifth step of separating the probe module from the base substrate Manufacturing process; 각 도전성 솔더를 패드에 열적 융합시킴으로써, 프로브 모듈을 공간 변환기의 상면에 통전 가능하게 접합시키는 공정;Thermally fusion each conductive solder to a pad, thereby bonding the probe module to the top surface of the space transducer so as to conduct electricity; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조방법.Probe card manufacturing method comprising a. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 베이스 기판이 LTCC 재질로 이루어지는 경우 상기 베이스 컨택은 Ag 소재로 이루어지고, 상기 베이스 기판이 HTCC 재질로 이루어지는 경우 상기 베이스 컨택은 W 소재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조방법.And if the base substrate is made of LTCC material, the base contact is made of Ag material, and if the base substrate is made of HTCC material, the base contact is made of W material. 제11항에 있어서, 프로브 모듈의 제조 공정은,The method of claim 11, wherein the manufacturing process of the probe module is 베이스 컨택과 통전하는 도전성 금속 재질의 상부 도금층을 베이스 기판의 상면에서 MEMS 방식으로 형성하는 제2-1단계;Forming a top plating layer of a conductive metal material in electrical communication with the base contact on the upper surface of the base substrate by a MEMS method; PI 재질의 상부 절연층을 베이스 기판의 상면에서 MEMS 방식으로 형성하는 제2-2단계;Forming a top insulating layer of PI material on the upper surface of the base substrate by a MEMS method; 상부 도금층 및 프로브와 통전하는 도전성 금속 재질의 상부 컨택을 상부 절연층 내부에서 MEMS 방식으로 형성하는 제2-3단계;Forming a top contact made of a conductive metal material through which the top plating layer and the probe are energized by the MEMS method in the upper insulating layer; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조방법.Probe card manufacturing method comprising a further. 제11항에 있어서, 프로브 모듈의 제조 공정은,The method of claim 11, wherein the manufacturing process of the probe module is 베이스 컨택과 통전하는 도전성 금속 재질의 하부 도금층을 베이스 기판의 저면에서 MEMS 방식으로 형성하는 제2-4단계;Forming a lower plating layer of a conductive metal material through which the base contact is energized in a MEMS manner on a bottom surface of the base substrate; PI 재질의 하부 절연층을 베이스 기판의 저면에서 MEMS 방식으로 형성하는 제2-5단계;Forming a lower insulating layer of PI material on the bottom of the base substrate by MEMS; 하부 도금층 및 도전성 솔더와 통전하는 도전성 금속 재질의 하부 컨택을 하부 절연층 내부에서 MEMS 방식으로 형성하는 제2-6단계;Forming a lower contact made of a conductive metal material in electrical communication with the lower plating layer and the conductive solder in a MEMS manner in the lower insulating layer; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조방법.Probe card manufacturing method comprising a further. 제11항에 있어서, 상기 프로브 형성 공정은,The method of claim 11, wherein the probe forming step, 베이스 컨택과 통전하는 기단부를 베이스 기판의 상면에 형성하는 단계;Forming a proximal end communicating with the base contact on an upper surface of the base substrate; 상기 기단부의 상면에 일측 단부가 고정되고 측 방향으로 연장되는 빔을 형성하는 단계;Forming a beam having one end fixed to the upper surface of the proximal end and extending in a lateral direction; 상기 빔의 타측 단부에서 수직하게 돌출 형성되는 프로브 팁을 형성하는 단계;Forming a probe tip protruding vertically from the other end of the beam; 를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조방법.Probe card manufacturing method characterized in that it comprises a. 제11항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 11 to 15, 상기 공간 변환기의 상면에는 안착홈 구조의 제1 얼라인 키가 형성되고,The first alignment key of the seating groove structure is formed on the upper surface of the space transducer, 프로브 모듈과 공간 변환기의 접합 과정에서 각각의 패드 위에 도전성 솔더가 정렬될 수 있도록, 프로브 모듈의 저면에는 상기 제1 얼라인 키에 수용되는 돌기 구조의 제2 얼라인 키가 형성되며,A second alignment key having a protrusion structure accommodated in the first alignment key is formed on the bottom of the probe module so that the conductive solder may be aligned on each pad during the bonding of the probe module and the space transducer. 제1 얼라인 키에 제2 얼라인 키가 삽입될 수 있도록 프로브 모듈을 공간 변환기 위에 정렬시킨 상태에서, 도전성 솔더에 열을 가하여 도전성 솔더를 패드에 접합시키는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조방법.A method of manufacturing a probe card, comprising: bonding a conductive solder to a pad by applying heat to the conductive solder while the probe module is aligned on the space transducer so that the second alignment key can be inserted into the first alignment key. 제11항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 11 to 15, 도전성 솔더의 중심부는 하측으로 돌출 형성되고, The center of the conductive solder protrudes downward, 패드의 중심부는 상기 돌출 형성된 도전성 솔더의 중심부를 수용할 수 있도록 오목하게 형성되며,The center of the pad is concave to receive the center of the protruding conductive solder, 프로브 모듈과 공간 변환기의 접합 과정에서 도전성 솔더의 돌출된 중심부가 패드의 오목한 중심부에 삽입되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조방법.And a protruding center portion of the conductive solder is inserted into the concave center portion of the pad during the bonding of the probe module and the space transducer. 제11항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 11 to 15, 도전성 솔더와 패드의 열적 융합 과정에서 용융되지 않는 재질로 이루어지는 솔더 지지부가, 도전성 솔더의 내부에 삽입되어 프로브 모듈을 지지하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드 제조방법.And a solder support portion made of a material which is not melted during thermal fusion of the conductive solder and the pad is inserted into the conductive solder to support the probe module.
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